MOSFET de Potncia

Carlos Edson Flvio Jorge Luciano Rafael Welinton

Introduo
Um MOSFET, comparado com outros dispositivos semicondutores de potncia (IGBT, Tiristor...), tem como vantagens a alta velocidade de comutao e boa eficincia em baixa voltagem. Compartilha com o IGBT uma ponte isolada que torna mais fcil sua conduo. O MOSFET de Potncia o switch mais usado para baixa voltagem (menos de 200V). Pode ser encontrado em vrias fontes, conversores DC/DC, e controles de motor a baixa voltagem. Quando usar MOSFET: 1. Freqncias altas (acima de 50 kHz); 2. Tenses muito baixas (< 500 V); 3. Potncias baixas (< 1 kW)

Regio de Operao

Estrutura Bsica
Diversas estruturas foram exploradas desde o incio dos anos 80, quando o primeiro MOSFET de Potncia foi introduzido. Entretanto, a maior parte deles foi sendo abandonada (pelo menos at recentemente) a favor da estrututa Vertical Diffused MOS (VDMOS), tambm chamado Double-Diffused MOS ou simplesmente DMOS.

Seo de um VDMOS, mostrando a clula elementar. Note que a clula muito pequena (alguns micrometros), e os MOSFETs de Potncia so compostos de milhares delas.

Estrutura Bsica

Estrutura Bsica
Analisando a figura ao lado, temos que devido elevada impedncia entre porta e fonte, forma-se um capacitor entre as mesmas e, portanto, o circuito simples de comutao no precisa de um capacitor como antigamente. Basta uma bateria e chave conforme mostra o circuito inferior da figura ao lado.

O MOSFET bloqueado

Juno P-n- reversamente polarizada (sem tenso de gate). Resistncia elevada (grande rea de depleo)

O MOSFET em conduo

Tenso positiva de gate induz a condutividade do canal A corrente flui atravs da seo vertical do dispositivo. A resistncia total em conduo dada pelo somatrio das resistncias da regio n-, do canal, terminais de contato de dreno e fonte (source). Juno p-n- resulta num diodo Di em anti-paralelo com o sentido de conduo dreno-source. Tenso negativa drenosource polariza diretamente o diodo Di

Caractersticas On-state
Resistncia On-state
Quando o MOSFET de Potncia est em on-state, este apresenta um comportamento resistivo entre os terminais do coletor e emissor. Pode ser visto na figura que essa resistncia (chamada RDSon resistncia coletor para emissor em on-state) a soma de vrias contribuies elementrias: RS a resistncia do emissor. Rch. Resistncia do canal. Ra a resistncia de acesso. RJFET o efeito da reduo da clula. Rn a resistncia da camada epitaxial. RD o equivalente do RS para o coletor.

Caracterstica Esttica do MOSFET

Entrada em Conduo: VGS >> VGS(th) , 10 VGS 20 Bloqueio : VGS < VGS(th) A resistncia em Conduo(RDSon) possui coeficiente de temperatura positivo, facilitando a operao em paralelo de MOSFETS. Circuito de Comando: possuem caractersticas de fonte de tenso, sendo mais simples do que BPT (comando com caractersticas de fonte de corrente).

A = Regio de resistncia constante; B = Regio de corrente constante;

Regio de Corte
O transistor permanece desligado
(Vgs < Vth);

Idealmente no h corrente entre o dreno e a fonte (Vds < BVdss);

O MOSFET deve operar com Vds sempre menor que BVdss.

Regio de Corte

Regio Ativa
O transistor fica ligado (Amplificador) A corrente de dreno relativamente independente da tenso Vds, controlada somente pela tenso Vgs da porta (G). No usada em aplicaes de eletrnica de potncia. (Vds x Id)

Regio Ativa

Regio hmica (regio linear)

Regio de Interesse da disciplina, em que a corrente de dreno (Id) aumenta diretamente proporcional a Vds. Como garantir que o MOSFET permanea nessa regio? (Para todos valores de Id) O MOSFET opera como um resistor, controlado pela tenso na comporta.

Regio hmica (regio linear)

Caractersticas Dinmicas do MOSFET

Cgd : Pequena e altamente no linear.
Cgs: Elevada e praticamente constante.

Cds : Mdia e altamente no linear

Os tempos de comutao so determinados pelas taxas de carga e descarga de Cgs e Cgd (Ciss).

Valores tpicos para um MOSFET de 400V e 4A: td(on) = 30ns ; tr(on) = 50ns ; td(off) = 10ns ; tf = 50ns
Os tempos fornecidos pelos fabricantes referem-se normalmente a cargas resistivas e a grandeza de referencia sempre a tenso. Os tempos de comutao dependem muito do circuito de comando de gatilho empregado.

Resumo
MOSFETs possuem caractersticas de reduzidos tempos durante as comutaes (freqncias tpicas de dezenas centenas de kHz). RDSon rapidamente aumenta com o aumento de VDSmax suportvel. Circuito de comando de gate muito simples. A escolha dos MOSFETs normalmente so para aplicaes com VDSmax < 500 V. Aplicaes de MOSFETs com capacidade de bloqueio em torno de 1000 V so para baixas potncias (no superior 100 W).

BJT x MOSFET x IGBT

MOSFET Tipo de comando Potncia do comando Complexidade do comando Densidade de corrente Tenso Mnima Simples Elevada em BT e baixa em AT Muito baixa IGBT Tenso Mnima Simples Muito elevada Baixa para mdia BJT Corrente Grande Mdia Mdia

Perdas de comutao

Mdia para alta