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ESCUELA POLITECNICA NACIONAL DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
INGENIERO CARLOS NOVILLO Pgina 1

INTRODUCION

Es, sin duda, el dispositivo ms conocido de los fabricados con materiales semiconductores. Fue inventado en
los laboratorios de Bell Telephone Co en 1948, por tres fsicos norteamericanos que ganaron el premio Nobel
por ello. Las consecuencias de este invento fueron enormes, no slo por que reemplazaron a las vlvulas
termoinicas -de extensa utilizacin en ese momento- con grandes ventajas de costo, confiabilidad, tamao,
consumo de energa, etc., sino porque abrieron el camino de la electrnica hacia rumbos insospechados hasta
ese entonces. Ni las comunicaciones, ni la computacin, ni la medicina, ni la conquista del espacio, ni el
transporte, ni los procesos de fabricacin en general, ni la efectividad de las armas, hubiesen sido posibles en un
nivel siquiera parecido al actual sin este diminuto componente.

La invencin del transistor fue slo un modesto punto de partida si se lo compara con los desarrollos
posteriores. En 1959 J.S. Kilby, de Texas Instruments, consigue fabricar un circuito flip-flop de 25 transistores
totalmente incluidos en el mismo cristal de silicio, lo que marca el nacimiento de los circuitos integrados. stos
son dispositivos que realizan las mismas funciones que un circuito convencional con transistores, diodos,
capacitores y resistencias pero con tamao, costo y performance optimizados a un nivel casi increble. En la
actualidad los circuitos integrados pueden contener 25 millones de transistores y el proceso sigue.

La primera computadora electrnica, basada en vlvulas, competira desfavorablemente con una calculadora
programable de bolsillo de las actuales. Ocupaba el volumen de varias habitaciones, tena requerimientos de
energa desmesurados y fallaba frecuentemente.... Una vlvula termoinica muy pequea ocupaba unos quince
centmetros cbicos, contra aproximadamente 10
-10
cm
3
de un transistor integrado en un chip.

El tema de la miniaturizacin es uno de los componentes claves de la industria de los semiconductores, pues
equipos electrnicos ms pequeos redundan en mayores posibilidades misilsticas y satelitales, p.ej. y adems
los transistores ms pequeos son ms baratos y ms veloces, -cuestin de indudable importancia en el
desarrollo de las tcnicas de computacin-, pues la velocidad de respuesta de un circuito, est determinada por
el tiempo que tarda en recorrerlo una seal elctrica y entonces, por sus dimensiones.

Los transistores son elementos que facilitan el esquema de circuitos electrnicos de pequeo tamao, los cuales
han sustituido a las antiguas vlvulas termoinicas (tubos de vacio) de hace algunas dcadas.

Gracias a ellos fue posible la construccin de receptores de radio porttiles llamados comnmente
"transistores", televisores que se encendan en un par de segundos, televisores en color...

Antes de aparecer los transistores, los aparatos a vlvulas tenan que trabajar con tensiones bastante altas,
tardaban ms de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningn caso podan funcionar a pilas, debido al gran
consumo que tenan.

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:

- Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin)
- Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de radiofrecuencia)
- Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de alimentacin conmutadas, control
de lmparas, modulacin por anchura de impulsos PWM)
- Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores)
.
Normalmente se construyen en germanio o silicio, materiales que son semiconductores adecuados para
aplicarlos a los transistores. Experimentalmente se utilizan tambin compuestos de galio y de arsnico.

Tal vez sorprende que la palabra electrnica, que es hoy tan comn y corriente, entr como vocablo del lxico
tecnolgico en 1930, para abarcar la radio y las aplicaciones industriales de tubos de electrones. Lo que dispar
verdaderamente el desarrollo de la electrnica, sin embargo, fue el invento del transistor en 1947. Fue en ese
ao que los cientficos de los Laboratorios Bell, John Bardeen, Walter Brattain y William Shockley,
descubrieron el efecto transistor, el cual permite cambios en la conductividad de los materiales mediante el uso
de corriente elctrica; al mes presentaron el transistor de juntura. Heidi Elliott en la revista Electronic Business

(diciembre, 1997) califica este paso de la siguiente manera: ... lo que empez como dispositivo para reemplazar
el tubo de vaco se puede comparar ahora con el invento de la rueda.

Aunque tanto los tres cientficos como el comit del Premio Nobel, galardn al cual fueron acreedores en 1956,
se dieron cuenta de la importancia de este descubrimiento, nadie en esos aos constat el enorme impacto que
tendra en la industria. Para finales de la dcada de los 50, se formaron las primeras compaas, Shockley
Transistor y Fairchild Semiconductor, que buscaban explotar el transistor. En este periodo, con el invento del
circuito integrado, que permita la fabricacin de productos en dimensiones cada vez ms reducidas y
complejas, fue posible hacer sistemas electrnicos complejos y de bajo costo. Diez aos despus, egresados de
Fairchild establecieron las bases de lo que es hoy el famoso agrupamiento de empresas electrnicas conocido
como Silicon Valley, en el estado de California, Estados Unidos.

Actualmente, la electrnica, basada en el semiconductor, que a su vez se basa en el transistor, constituye la
industria manufac-turera ms grande del mundo, segn Kirk Pond, presidente de Fairchild Semiconductor
(Electronic Business, diciembre 1997). Entre los sectores ms grandes de la industria electrnica se encuentran
el computacional y el de telecomunicaciones, que abarca no slo la telegrafa y la telefona, sino tambin las
comunicaciones satelitales y la transmisin de voz y datos por seales de lser a travs de redes de fibra ptica.
En otros sectores, hoy da es difcil concebir tanto procesos, desde el diseo al envo del producto final, como
productos que no se apoyen de alguna manera en sistemas electrnicos.

Funcionamiento del transitor.

En el transitor, el emisor es el encargado de inyectar electrones en la base, la cual se encarga de gobernar
dichos electrones y mandarlos finalmente al colector.
La fabricacin del transistor se realiza de forma qu la base es la zona ms pequea, despus el emisor, siendo el
colector el ms gande en tamao.
TIPOS DE TRANSISTOR

Podemos dividir a los transistores en dos grandes grupos:

Bipolares, o de unin, conocidos como BJT (Bipolar Junction Transistor)
Unipolares o de efecto campo, FET (Field Efect Transistor)

Los bipolares son los que se desarrollaron comercialmente (aunque no conceptualmente) en primer trmino y
revolucionaron la electrnica analgica. Deben su nombre, por un lado, a que los portadores de corriente son
tanto positivos como negativos, y por otro a que estn basados en la combinacin de uniones p-n. Su estructura
bsica es muy simple, pues est formado por dos uniones muy prximas, o sea por un "sandwich" n - p - n o p -
n - p, donde la zona central es de un espesor muy pequeo. El dispositivo se fabrica a partir de un monocristal
en el que se crean los semiconductores extrnsecos correspondientes por procedimientos similares a los vistos
para los diodos.

Cada semiconductor cumple una funcin distinta y, entonces, recibe nombre diferente. El primero, llamado
emisor, est muy fuertemente dopado, sus propiedades elctricas se acercan a las de un metal y su funcin,
como su nombre sugiere, es emitir portadores hacia el siguiente, llamado base, que est apenas dopado y que,
como est dicho, es de muy pequeo espesor. El otro extremo, donde llegan casi todos los portadores emitidos,
recibe el nombre de colector. Los tres semiconductores estn conectados al circuito exterior. Se trata entonces
de un componente de tres patas.

En la fig.14.1 se muestra un esquema de la disposicin real que pueden presentar las distintas zonas de un
transistor p- n - p. Sin embargo, hay que advertir que el dibujo no es a escala ya que la distancia que separa
emisor de colector es mucho ms pequea e imposible de representar. (Un tamao tpico

tanto los transistores npn como los pnp se fabrican segn las mismas secuencias del proceso. Todo lo que se
necesitan para el pnp son ventanas adicionales en las mascaras. El transistor lateral pnp tiene un valor de
F
considerablemente menor que el del npn. Esto es debido a que el emisor de tipo p no puede inyectar portadores
minoritarios en la base tipo n con la misma eficacia que lo hace el emisor tipo n
+
en la base tipo p de un BJT

npn. Adems la mayor rea de la base y el hecho de que algunos de los huecos inyectados migren hacia el
sustrato hace que disminuya el numero de huecos que llegan al colector. Por tanto los transistores pnp laterales
se emplean en circuitos con poca corriente de colector. El transistor pnp vertical se emplea donde se requieran
mayores corrientes y potencias. En la figura 3.4 esta representado este dispositivo y en ella se ve que tambin
puede fabricarse simultneamente y con los mismos procesos empleados para los transistores npn. Los dos
pasos simultneos son: (1) la fabricacin de las regiones p de emisor del transistor

podra ser algunos micrones). Separada por lnea de puntos y en un gris claro, se destaca la zona donde ocurren
los fenmenos que determinan las propiedades del componente.

En la fig.14.2 se reproducen los smbolos de los dos tipos posibles de transistores bipolares. De un examen
atento de los mismos, y relacionando con el diodo, puede deducirse el significado de cada elemento.

En los unipolares, por el contrario, los portadores de corriente son, o huecos, o electrones, pero no ambos
conjuntamente. En este grupo debemos distinguir entre los transistores de efecto campo de unin (JFET), que
pueden ser de canal n (portadores electrones) o canal p (portadores huecos) y los de estructura metal xido
semiconductor (MOSFET o MOS), que pueden, a su vez, ser de enriquecimiento, o de agotamiento y tambin
NMOS o PMOS.

La estructura general de JFET y MOSFET se muestran en las figuras 14.3 a y b.

Ntese el cambio de nomenclatura de los terminales y los smbolos provenientes de las palabras inglesas.

En la tabla subsiguiente (fig.14.4) se resumen las distintas posibilidades mencionadas de los FET y se
muestran los smbolos utilizados.

Con respecto a stos cabe aclarar que no hay unanimidad en la bibliografa por lo que es conveniente prestar
atencin a los que utiliza cada autor. Los que mostramos aqu coinciden con los empleados generalmente en
los textos sajones y en el simulador de circuitos Electronics Workbench.

Una caracterstica central de los FET es que por el circuito de puerta (de alguna manera equivalente a la base
de los BJT) no circula corriente, aunque s hay aplicada una tensin que regula la intensidad entre fuente y
sumidero.

De lo dicho se desprende que, en la simbologa empleada, la flecha no tiene un significado similar a la de los
smbolos de los transistores bipolares.

led y principalmente por el radio de curvatura del encapsulado. Por supuesto mientras mas chico sea el ngulo
y a igual sustrato semiconductor se tendr un mayor potencia de emisin y vicevers
Otro componente del led que no es muestra en la figura pero que es comn encontrarlo en los led de 5mm son
los stand-off o separadores, son topes que tienen los terminales y sirven para separar los leds de la plaqueta en
aplicaciones que as lo requieren, generalmente si se va colocar varios leds en una plaqueta conveniente que no
tenga stand - off ya que de esta forma el encapsulado del led puede apoyarse sobre la plaqueta lo que le dar la
posicin correcta, esto es especialmente importante en leds con ngulo de visin reducido.
Por ultimo tenemos el encapsulado epoxi que es el encargado de proteger al semiconductor de las inclemencias
ambientales y como dijimos ayuda a formar el haz de emisin. Existen bsicamente 4 tipos de encapsulado si
lo catalogamos por su color. Transparente o clear water (agua transparente): Es el utilizado en leds de alta
potencia de emisin, ya que el propsito de estos leds es fundamentalmente iluminar, es importante que estos
Fig.14.1

encapsulados no absorban de ninguna manera la luz emitida. Coloreados o tinted: Similar al anterior pero
coloreado con el color de emisin de sustrato similar al vidrio de algunas botellas, se usa principalmente en
leds de mediana potencia y/o donde sea necesario identificar el color del led aun apagado.
Difuso o difused: Estos leds tiene un aspecto mas opacos que el anterior y estn coloreados con el color de
emisin, poseen pequeas partculas en suspensin de tamao microscpicos que son las encargadas de desviar
la luz, este tipo de encapsulado le quita mucho brillo al led pero le agrega mucho ngulo de visin ya que los
mltiples rebotes de la luz dentro del encapsulo le otorgan un brillo muy parejo sobre casi todos los ngulos
prcticos de visin. Lechosos o Milky: Este tipo de encapsulado es un tipo difuso pero sin colorear, estos
encapsulado son muy utilizados en leds bicolores o multicolores. El led bicolor es en realidad un led doble con
un ctodo comn y dos nodos ( 3 terminales) o dos led colocados en contraposicin (2 terminales).
Generalmente el primer caso con leds rojo y verde es el mas comn aunque existen otras combinaciones
incluso con mas colores. Es muy importante hacer notar que en todos los casos el sustrato del led es el que
determina el color de emisin y no el encapsulado. Un encapsulado con frecuencia de paso distinta a la
frecuencia de emisin del sustrato solo lograra filtrar la luz del led,
bajando as su brillo aparente al igual que todo objeto colocado
delante
base del transistor pnp y los emisores n
+
del BJT npn. As vemos que
tanto los transistores npn como los pnp se fabrican segn las mismas
secuencias del proceso. Todo lo que se necesitan para el pnp son
ventanas adicionales en las mascaras. El transistor lateral pnp tiene
un valor de
F
considerablemente menor que el del npn. Esto es
debido a que el emisor de tipo p no puede inyectar portadores
minoritarios en la base tipo n con la misma eficacia que lo hace el
emisor tipo n
+
en la base tipo p de un BJT npn. Adems la mayor
rea de la base y el hecho de que algunos de los huecos inyectados
migren hacia el sustrato hace que disminuya el numero de huecos que llegan al colector. Por tanto los
transistores pnp laterales se emplean en circuitos con poca corriente de colector. El transistor pnp vertical se
emplea donde se requieran mayores corrientes y potencias. En la figura 3.4 esta representado este dispositivo
y en ella se ve que tambin puede fabricarse simultneamente y con los mismos procesos empleados para los
transistores npn. Los dos pasos simultneos son: (1) la fabricacin de las regiones p de emisor del transistor
pnp y las bases de los npn. y (2) la fabricacin de la regin n
+
de base del sustrato pnp y los emisores de los
transistores npn.
A la derecha (fig.14.6.b) se muestra como la polarizacin del transistor

modifica esta situacin, disminuyendo la
barrera de potencial en V
be
del lado del emisor y aumentndola en V
cb
del lado del colector. Se comprende que
la disminucin de la barrera de potencial entre emisor y base permitir que mayor cantidad de electrones y
huecos atraviesen la unin correspondiente y que los electrones que difunden en la base sern impulsados por el
potencial del colector, una vez que alcancen esa unin.

Vamos a analizar con ms detalle qu pasa en cada regin del transistor. Comenzando desde la izquierda, en la
zona del emisor, el campo elctrico aplicado sobre una zona muy conductora determina que la cada de
potencial sea casi nula, similarmente a lo que ocurre en un buen conductor metlico (recurdese que dijimos que
este SC muy dopado tiene caractersticas similares a un metal) y que la zona sea elctricamente neutra. Aqu
vale plenamente la ley de Ohm, es decir hay proporcionalidad directa entre la tensin aplicada y la intensidad
que circula.

El panorama cambia en la unin de emisor. Como se vio en la fig. 14.6, los portadores de carga
1
encuentran una
barrera de potencial que slo podrn salvar los portadores con energa trmica suficiente. Est claro que la
barrera de potencial disminuye con la tensin de polarizacin aplicada y con ello aumenta la fraccin de
portadores con energa suficiente para atravesar la unin.

En la zona de base, del lado del emisor estn llegando los electrones libres, portadores minoritarios para ese SC,
que son inyectados aumentando considerablemente su concentracin. En el otro extremo, unin de colector, la
de banda prohibida directa (como el Nitruro de Galio) que en los semiconductores de banda prohibida
indirecta (como el Silicio). La emisin espontnea, por tanto, no se produce de forma notable en todos los
diodos y slo es visible en diodos como los LEDs de luz visible, que tienen una disposicin constructiva

Fig.14.3.a

especial con el propsito de evitar que la radiacin sea reabsorbida por el material circundante, y una energa
de la banda prohibida coincidente con la correspondiente al espectro visible. En otros diodos, la energa se
libera principalmente en forma de calor, radiacin infrarroja o radiacin ultravioleta. En el caso de que el
diodo libere la energa en forma de radiacin ultravioleta, se puede conseguir aprovechar esta radiacin para
producir

En la fig 14.6.a se muestra el estado antes de conectar el transistor al circuito. El salto de potencial V
0

corresponde al potencial de contacto de la unin p - n. Para simplificar se lo ha representado del mismo valor
para las dos uniones, cosa que generalmente no es cierta, habida cuenta de la diferencia de dopado entre emisor
y colector. Podemos imaginar los electrones de la banda de conduccin, impedidos de salvar el desnivel entre n
y p y a los huecos "atrapados" en la campana de la regin p.

que circula.

Los bipolares son los que se desarrollaron comercialmente (aunque no conceptualmente) en primer trmino y
revolucionaron la electrnica analgica. Deben su nombre, por un lado, a que los portadores de corriente son
tanto positivos como negativos, y por otro a que estn basados en la combinacin de uniones p-n. Su estructura
bsica es muy simple, pues est formado por dos uniones muy prximas, o sea por un "sandwich" n - p - n o p -
n - p, donde la zona central es de un espesor muy pequeo. El dispositivo se fabrica a partir de un monocristal
en el que se crean los semiconductores extrnsecos correspondientes por procedimientos similares a los vistos
para los diodos.
TRANSISTORES BIPOLARES (BJT)

Aunque, como est dicho, la disposicin real de los elementos de un transistor BJT es otra, la figura que sigue
(fig 14.5)nos resultar til para estudiar sus propiedades y comportamiento.

Adoptaremos algunas convenciones para lo que sigue:

1) V
b
- V
c
= V
bc
= - V
cb
;

V
c
- V
e
= V
ce
= - V
ec
; etc.

2) Todas las corrientes que entran al componente son
positivas. Entonces, podemos escribir:

V
bc
+ V
ce
+ V
eb
= 0
e
I
b
+ I
c
+ I
e
= 0

de acuerdo con las leyes de Kirchhoff.

CONFIGURACIN BASE COMN

La conexin de un transistor siempre involucra dos circuitos (o sub-circuitos), donde uno de los electrodos
pertenece a ambos. As tendremos conexin en base comn, emisor comn o colector comn. Por ejemplo,
cuando el transistor se conecta de la forma que se muestra en la fig 14.8, se dice que est en base comn.

Adems, si observamos las diferencias de potencial entre las tres zonas semiconductoras, veremos que la unin
emisor-base est polarizada en directo, (lado p a mayor potencial que lado n), mientras que la otra se encuentra
Fig.14.
5

en inversa. Este valor relativo de los potenciales define la regin de trabajo; en este caso se dice que el transistor
est operando en la regin activa (ver ms adelante) y es una buena situacin para estudiar las bases de su
funcionamiento.

Analicemos la fig 14.6.a parte superior. Comencemos por el extremo izquierdo, semiconductor n, emisor. All,
en el contacto con el circuito exterior encontramos un potencial negativo que, como en un diodo, est
inyectando electrones que son impulsados por el campo elctrico hacia la unin emisor - base, mientras en
sentido contrario la juntura est siendo atravesada por los portadores mayoritarios de la base, semiconductor p,
o sea huecos.

Aqu hay que tener en cuenta que esta unin es muy asimtrica, con lo que significamos que el emisor est muy
fuertemente dopado, tiene un comportamiento que se asemeja al de un conductor metlico y la corriente es
transportada mayoritariamente por los electrones. Es decir que el fenmeno de inyeccin de portadores
minoritarios a ambos lados de la unin es muy importante del lado de la base y casi inexistente del lado del
emisor.

Los electrones inyectados a la base, debido al bajo dopado y a la pequea distancia hasta la otra unin, llegan
hasta la misma sin recombinarse, en una proporcin del orden del 99%. Cuando alcanzan esta posicin, son
impulsados por el campo elctrico hacia el colector, donde, como portadores libres mayoritarios, son extrados
hacia el circuito exterior por el contacto a potencial elevado del colector.

El 1% restante de electrones, se recombina en la base con los huecos y sale hacia el circuito exterior por el
terminal correspondiente.

El grfico de bandas de energa (fig 14.6, parte inferior) nos da una visin complementaria del proceso.
Recordemos aqu nuestra convencin grfica (en la que los electrones "ruedan" cuesta abajo de la curva de
potencial) que implica tomar el potencial elctrico cambiado de signo. Entonces lo que se representa en
ordenadas es - V y su perfil coincide con el del lmite inferior de la energa de la banda de conduccin y con el
superior de la banda de valencia.

En la fig 14.6.a se muestra el estado antes de conectar el transistor al circuito. El salto de potencial V
0

corresponde al potencial de contacto de la unin p - n. Para simplificar se lo ha representado del mismo valor
para las dos uniones, cosa que generalmente no es cierta, habida cuenta de la diferencia de dopado entre emisor
y colector. Podemos imaginar los electrones de la banda de conduccin, impedidos de salvar el desnivel entre n
y p y a los huecos "atrapados" en la campana de la regin p.

A la derecha (fig.14.6.b) se muestra como la polarizacin del transistor

modifica esta situacin, disminuyendo la
barrera de potencial en V
be
del lado del emisor y aumentndola en V
cb
del lado del colector. Se comprende que
la disminucin de la barrera de potencial entre emisor y base permitir que mayor cantidad de electrones y
huecos atraviesen la unin correspondiente y que los electrones que difunden en la base sern impulsados por el
potencial del colector, una vez que alcancen esa unin.

que circula.

El panorama cambia en la unin de emisor. Como se vio en la fig. 14.6, los portadores de carga
2
encuentran una
barrera de potencial que slo podrn salvar los portadores con energa trmica suficiente. Est claro que la
barrera de potencial disminuye con la tensin de polarizacin aplicada y con ello aumenta la fraccin de
portadores con energa suficiente para atravesar la unin.


En la zona de base, del lado del emisor estn llegando los electrones libres, portadores minoritarios para ese SC,
que son inyectados aumentando considerablemente su concentracin. En el otro extremo, unin de colector, la
concentracin cae prcticamente a 0, pues encuentran un gradiente de potencial que los impulsa hacia el otro
lado de la unin. Entonces lo que determina la movilidad de esos portadores es el fenmeno de difusin (Ley de
Fick) siendo la fuerza impulsora
3
, el gradiente de concentracin entre ambas uniones. Esta situacin se
representa en la fig.14.7.

Dentro de la unin de colector, el campo elctrico mantiene la corriente, pero aqu no podemos decir que se
cumple la ley de Ohm, pues no hay proporcionalidad entre tensin y corriente. El factor limitante es la
concentracin de portadores, todos los que llegan son transportados hacia el colector.

De los procesos que acabamos de describir se concluye que, para un transistor en la regin activa:

Esto puede expresarse matemticamente, por la relacin:
I
c
= a . I
e

donde a representa la fraccin de portadores mayoritarios del emisor que atraviesan la base por difusin, sin
recombinarse. Esta expresin es slo aproximada, pues no se consideran en ella los aportes a la corriente
debidos a los minoritarios del colector que atraviesan la unin base - colector, incrementando la corriente de
base. Tampoco se tiene en cuenta que a realmente vara con la tensin entre base y colector, debido a la
variacin en el ancho de la zona de deplexin, que correlativamente modifica el ancho de la base.

Debemos recordar aqu que por regin activa, queremos significar un rgimen de trabajo del transistor
caracterizado por la polarizacin en directa de la juntura emisor-base y polarizacin inversa entre base y
colector. En las prximas pginas veremos con ms detalle qu significa esto.
Veamos una aplicacin basada en esta propiedad del transistor en esta configuracin.
En el circuito que se muestra en la fig. 14.8, igualmente configurado en base comn, hemos agregado una seal
de corriente alterna superpuesta a la tensin continua del circuito del emisor y de amplitud pequea, comparada
con sta. Analicemos qu sucede con la tensin sobre la resistencia del colector R
c.

Puesto que

En un instante posterior V
ee
se habr incrementado, pongamos en un valor d, y la nueva tensin sobre R
c
ser:

Y la variacin de la tensin sobre R
c

Como a tiene un valor muy prximo a 1, podemos escribir

O sea que eligiendo un valor de la resistencia del circuito de colector ms elevado que el de la resistencia de
emisor (o de entrada) podemos obtener una amplificacin de la tensin. La seal a la salida, tomada sobre la
resistencia, copiar la forma de la de entrada pero amplificndola. Una caracterstica habitualmente deseable en
un circuito amplificador de tensin es que la impedancia (resistencia) de entrada sea elevada, condicin que no
cumple el circuito visto, por lo que no es muy utilizado. Sin embargo, presenta la ventaja de que la corriente de
salida es prcticamente independiente de la resistencia de carga. Una condicin que debe cumplirse para que las

e
be ee c
Rc
R
V V R
V
) (
=
o
e
be ee
e
c
Rc
c
R
V V
I
R
V
I

= = = o o
e
be ee c
Rc
R
V V R
V
) ( +
=
o o
o o = A =
e
c
Rc
Rc
R
R
V V V
1
o ~ A
e
c
R
R
V

cosas ocurran tal como se han descripto, es que la polarizacin de las uniones del transistor se mantengan en su
estado original, esto es, en directa la de emisor e inversa la de colector, lo que sucede si la seal alterna es lo
suficientemente pequea. En caso contrario, el transistor pasa a operar fuera de la regin activa y sus
caractersticas cambian, como veremos a continuacin.
REGIONES DE TRABAJO

Hemos mencionado ms arriba que el valor relativo de los potenciales aplicados a los terminales del transistor
define lo que se conoce como "regin de trabajo". En el ejemplo considerado hasta ahora, donde la unin emisor
- base se polarizaba en directo y la base - colector en inversa, se conoce como regin activa y es especialmente
til en circuitos analgicos donde el transistor funciona como un amplificador. En la tabla siguiente (fig.14.9) se
muestran las otras posibilidades:

Regin de
trabajo

Polarizacin
unin
emisor/base

Polarizacin
unin
base/colector

ACTIVA
o NORMAL

Directa

Inversa

INVERSA

Inversa

Directa

SATURACIN

Directa

Directa

CORTE

Inversa

Inversa
Para un transistor p - n - p,
4
puede representarse:

La regin inversa implica la inversin de "roles" de emisor y colector y, aunque no es de uso frecuente, puede
ofrecer ventajas en algunas aplicaciones. Las regiones de corte y saturacin son de uso habitual en circuitos
digitales donde el transistor funciona bsicamente como un interruptor. Para estudiar el pasaje de unas a otras
regiones utilizaremos a continuacin otra configuracin, la de emisor comn, que presenta importantes
aplicaciones en electrnica digital, aunque la descripcin que haremos puede aplicarse perfectamente al circuito
anterior.
CONFIGURACIN EMISOR COMN

Fig.14.9
V
eb

V
bc

Activa Saturacin
Inversa Corte
Fig.14.10

Lo ms comn en aplicaciones digitales de los transistores es la configuracin en emisor comn como se
muestra en la fig.14.11.

El circuito de entrada es bsicamente igual al que ya vimos, pero en el de salida encontramos profundas
diferencias. En efecto, ste ahora incluye, adems de batera y resistencia, las dos uniones p - n presentes en el
dispositivo. Est claro, observando las conexiones de base y emisor, que esa unin est polarizada en directo,
ya que el emisor se encuentra conectado directamente al borne negativo de Vbb, mientras que la base lo hace
con el positivo, a travs de Rb. Podemos escribir:

Vbe = Vbb - Ib . Rb
y

Vce = Vcc - Ic . Rc
+
del BJT npn. As vemos que tanto los transistores npn como los pnp se
fabrican segn las mismas secuencias del proceso. Todo lo que se necesitan para el pnp son ventanas adicionales
en las mascaras. El transistor lateral pnp tiene un valor de
F
debido a que el emisor de tipo p no puede inyectar portadores minoritarios en la base tipo n con la misma
eficacia que lo hace el emisor tipo n
+
en la base tipo p de un BJT npn. Adems la mayor rea de la base y el
hecho de que algunos de los huecos inyectados migren hacia el sustrato hace que disminuya el numero de
huecos que llegan al colector. Por tanto los transistores pnp laterales se emplean en circuitos con poca corriente
de colector. El transistor pnp vertical se emplea donde se requieran mayores corrientes y potencias. En la figura
3.4 esta representado este dispositivo y en ella se ve que tambin puede fabricarse simultneamente y con los
mismos procesos empleados para los transistores npn. Los dos pasos simultneos son: (1) la fabricacin de las
regiones p de emisor del transistor pnp y las bases de los npn. y (2) la fabricacin de la regin n
+
de base del
sustrato pnp y los emisores de los transistores npn.

En esta configuracin, las corrientes de entrada y salida estn relacionadas por la expresin:

I
c
= b . I
b

donde b es el llamado factor de ganancia de corriente, y que a travs de la Ley de Kirchhoff, puede vincularse
con a:

b = a / 1- a

b es el parmetro que indica el multmetro, cuando se prueba el transistor conectndolo en la posicin hfe.

Veamos cmo est polarizada la unin colector / base. Debe cumplirse:

V
bc
+ V
ce
+ V
eb
= 0

En nuestro caso V
eb
< 0 (la base est a un potencial mayor que el emisor) siendo el valor aproximadamente -0,7
V si es un transistor de silicio. En el caso en que la unin de colector se encuentre tambin polarizada en directa,
V
bc
> 0 con aproximadamente el mismo valor absoluto y, entonces, V
ce
~ 0. La presencia de una baja
tensin entre los terminales de colector y emisor est indicando que el transistor est conduciendo, ya que toda
la tensin de la fuente, V
cc
, est cayendo en la resistencia R
c
, lo que, a su vez implica, que la intensidad de
corriente I
c
es la mxima posible, y justifica el nombre (saturacin) que recibe esta condicin.

En otras palabras, la condicin de saturacin se alcanzar cuando la I
b
(o sea V
bb
) sea suficientemente elevada y
aqu ya no existe la proporcionalidad entre I
c
e I
b
, caracterstica de la regin activa. En la "jerga" digital se dice
estado encendido (on) o alto (high).
+
F

+
+
de base del

Por el otro extremo, cuando V
bb
no polariza en directa la unin de emisor (valor muy bajo o de polaridad
opuesta), el transistor entra en la regin de corte. La resistencia y la tensin entre los terminales emisor-
colector son elevadas, y no hay conduccin. En circuitos digitales esta situacin se conoce como estado
apagado (off) o bajo (low) .
Tomando a la corriente de base como parmetro, se pueden determinar las curvas caractersticas de salida, esto
es la variacin de la corriente de colector en funcin de los valores de Vce, para conexin en emisor comn, que
tienen un aspecto como el que se ilustra en la figura 14.12.

En la regin activa, I
c
es casi independiente de V
ce
, lo que puede interpretarse a partir de considerar a esta
tensin como:

V
ce
= V
cb
+ V
be

y dado que V
be
permanece constante para cada valor de I
b
, ya vimos que en la regin activa la corriente de
colector no depende de la diferencia de potencial establecida entre base y colector. Aunque no se aprecie en el
grfico anterior, (por la ausencia de escalas) hay que tener en cuenta que I
b
es mucho menor que I
c
, como se
explicaba ms arriba, lo que justifica el uso de esta configuracin, en circuitos analgicos como un amplificador
de corriente. Al mismo tiempo amplifica la tensin, lo que da lugar a una amplificacin de potencia.

Como se ha sealado, en los circuitos digitales los transistores se polarizan de forma que trabajen conmutando
entre la regin de corte y la de saturacin. La conmutacin se logra a travs de cambiar I
b
, o sea V
be
, y
pequeos cambios en este parmetro, desencadenan, entonces, importantes variaciones en el estado de
funcionamiento del transistor.

Aqu interesa conocer el comportamiento del transistor ante pulsos de tensin aplicados a los terminales que
controlan la polarizacin de la unin de emisor. Entran aqu las consideraciones que hicimos respecto del
"tiempo de conmutacin", dependiente de la inyeccin de portadores minoritarios, como vimos al estudiar la
unin p - n .

Por supuesto, lo que interesa es que este tiempo sea lo menor posible, lo que se consigue introduciendo, durante
el proceso de fabricacin del transistor, lo que se conoce como "centros de recombinacin" en la regin de base.
TRANSISTORES UNIPOLARES O DE EFECTO CAMPO (FET)
Hay aqu un cambio de nomenclatura respecto de los transistores bipolares. Los contactos se llaman ahora:
fuente, puerta y drenador, pero se comprende la
analoga con lo anterior. Podemos describir su
principio de funcionamiento considerando que la
resistencia de un conductor es funcin de su seccin y
de la concentracin de portadores disponibles. En los
JFET el rea de la seccin conductora vara con el
voltaje aplicado y en los MOSFET, (o MOS) ambos
parmetros son sensibles a la seal de entrada, que se
aplica en el terminal llamado puerta.

Los transistores MOS ocupan hoy un importantsImo
lugar en los circuitos digitales, por lo que centraremos
nuestra atencin en ellos. Presentan importantes
Fig.14.13

ventajas, en comparacin con los dispositivos bipolares: por un lado permiten mayores densidades de bits en los
chips de circuito integrado, son ms fciles de fabricar y adems, los transistores MOS son dispositivos de alta
impedancia, lo que lleva a una disipacin de potencia ms baja. Su principal desventaja es su velocidad de
operacin relativamente lenta.

Consideremos un transistor MOS de canal n como el representado en la fig.14.13. El contacto del substrato, que
origina un cuarto terminal, est normalmente conectado a la fuente, o a un potencial fijo. La aplicacin de un
voltaje positivo a la puerta no puede provocar la aparicin de una corriente pues la capa de xido es un
excelente aislante, pero el campo elctrico establecido, s ocasiona una redistribucin de los portadores
presentes en el semiconductor (p). Cuando la tensin entre puerta y sustrato supera un valor umbral V
T
, se
observa una inversin en el carcter del semiconductor ubicado justo debajo de la puerta. La migracin de los
portadores provoca que la concentracin de los portadores minoritarios
(electrones) supere a la de los mayoritarios (huecos) formndose as un canal
conductor n que une las islas, fuertemente dopadas, n* de fuente y drenador.
Este canal est limitado por su parte superior por la superficie del xido de
silicio, constituyente de la estructura de la puerta, mientras que en las otras
direcciones est rodeado por la zona de agotamiento, creada debido a la
polarizacin inversa establecida en la unin p-n entre canal y sustrato. Como
se dijo antes, la conductividad de este canal aumenta con el voltaje aplicado.

Si en estas condiciones, se aplica una tensin positiva entre el drenador y la
fuente, circula una corriente, tal como se muestra en la figura. Este tipo de
transistor es el llamado "de enriquecimiento"; en el tipo "de agotamiento", el
canal ya existe sin necesidad de aplicar tensin a la puerta. Lo que hace sta
es eliminarlo. Obsrvese que el circuito representado en la figura 14.13 y que
se reproduce en fig.14.14, pero empleando la simbologa adoptada, puede ser
descripto, haciendo una analoga con los transistores BJT, como configuracin en "fuente comn".
Estudiaremos puntualmente esta disposicin, en MOS de enriquecimiento, pues es la ms comn en circuitos
digitales.
REGIONES DE TRABAJO

En forma similar a lo que ocurre en los BJT, podemos distinguir entre distintos regmenes de funcionamiento.
1) Corte. Si la tensin de puerta no alcanza al valor V
T
, no hay conduccin entre fuente y sumidero. Situacin
anloga a la estudiada con los bipolares.
2) hmica o lineal. Si V
ds
es pequea:

V
gd
= V
gs
V
ds
~V
gs

es decir la cada de tensin entre la puerta y el drenador (V
gd
) es aproximadamente igual a la cada de tensin
entre la puerta y la fuente (V
gs
), o dicho de otra forma, el campo elctrico cerca del drenador es
aproximadamente igual al campo cerca de la fuente. Tenemos por tanto un nmero parecido de electrones
atrados en los extremos de drenador y fuente, y el canal es aproximadamente igual en ambos lados, es
uniforme. En estas condiciones la relacin entre V
ds
e I
d
es lineal como en un conductor hmico.

3) Saturacin. Si manteniendo V
gs
constante, aumentamos progresivamente V
ds
, la tensin entre puerta y
drenador disminuye y aumenta la diferencia de potencial entre la isla n
+
de drenador y el substrato, conectado a
masa. Esto significa que la regin de agotamiento en la unin n
+
-p en las cercanas del drenador aumenta su
espesor. Pero lo mismo sucede entre el canal n y el sustrato, en tanta mayor medida cuanto ms cerca se est del
drenador (pues al haber circulacin de corriente hay una cada de potencial a lo largo del canal). O sea que el
canal disminuye progresivamente su ancho a medida que nos acercamos al drenador. En la figura 14.15 se
intenta mostrar esta situacin. Para cierto valor de V
ds
, el canal reduce su ancho a 0 justo donde alcanza a la isla
n
+
.
4)
5) Este punto se conoce como de estrangulamiento. Un posterior aumento de V
ds
ya no provocar un aumento
de I
d
. Se dice que el transistor est saturado y que V
ds
> V
ds,sat
.
Fig.14.15
Fig.14.14


El grfico I
d
vs. V
ds
, de la fig.14.16, con la tensin de puerta V
gs
como parmetro, ilustra lo anterior.

Puertas Lgicas
Ya que los diodos actan como puertas de paso de tensiones, sin la
posibilidad de generar nuevos valores de tensin, no es posible realizar con
ellos la operacin de negacin. Con los transistores, en cambio, esto se
implementa perfectamente.
TECNOLOGA BIPOLAR

La puerta not ms antigua es la conformada con un BJT configurado en emisor comn, ya que una tensin
aplicada en la base puede hacer pasar al transistor de corte a saturacin, llevando a 0 la tensin entre emisor y
colector, tal como se muestra a continuacin.

De la ecuacin:
Vce = Vcc - Ic . Rc
que habamos establecido, podemos escribir, reordenando :

que no es otra cosa que la ecuacin de la recta que aparece atravesando el primer cuadrante del grfico en la
fig.14.17.a, y que corresponde al circuito de la fig. 14.17.b. Conocida como la recta de carga del transistor,
(anloga a la que utilizamos con los diodos) determina, para unos dados valores de Vcc y Rc, -caractersticos
de cada circuito-, los valores Ic por los que pasa la operacin del transistor al variar Vce. Por otro lado, por
cada punto del plano Vce; Ic, pasa una curva caracterstica correspondiente a un valor de Ib. Entonces, en un
circuito dado, para un determinado valor de Ib, el valor de Vce (y de Ic), est determinado por la interseccin de
la lnea de carga con la curva caracterstica correspondiente. Como Ib, por su parte, est determinada por Vbb y
Rb, se comprende que utilizando Vbb como seal de entrada, puede conseguirse cambiar los valores de Vce
(seal de salida) entre V1 "on" y V2 "off".

La velocidad de conmutacin depende, como hemos visto al estudiar las propiedades de la juntura, de la
concentracin de portadores minoritarios inyectados, en este caso a la base. En la situacin de corte dicha
concentracin es prcticamente nula, correspondiendo a la ausencia de corrientes de colector y base; al pasar a
modo activo se crea una concentracin de portadores minoritarios, cuya distribucin a lo largo de la base vara
linealmente, desde un valor mximo en su unin con el emisor (que es quin inyecta dichos portadores) hasta
anularse prcticamente en la de colector. (ver figura 14.7).

Analcense cuidadosamente las diferencias en los nombres de las regiones de
trabajo entre los BJT y los FET. Corte es la misma cosa para ambos. hmica en los
FET es equivalente a saturacin en BJT y saturacin en FET se corresponde con
activa de los bipolares.
Fig.14.16
A la ausencia de entrada, Vbb = 0 (y entonces Ib = 0), le corresponde salida "on",
mientras que a un valor positivo de Vbb, le corresponde salida "off". Tenemos as
implementada la puerta NOT.

A travs de los valores de Rb y Rc se determinan las condiciones de operacin del circuito, condiciones que son
una solucin de compromiso entre la velocidad de conmutacin y la potencia disipada. Valores altos de Rb
impiden que el transistor entre en un estado de saturacin profunda, con lo que se gana en velocidad. Cuanto
menor es Rc, por otro lado, menor es la constante de tiempo asociada a la capacidad de la juntura y la
conmutacin es ms rpida aunque con mayor consumo.

Una solucin alternativa es la incorporacin de diodos Schotky en paralelo con la unin base-colector. Este
diodo conduce a 0,25V, adems de conmutar muy rpidamente. De esta manera, el transistor no entra en
saturacin profunda, ganndose en velocidad, aunque a costa del consumo y perjudicando la inmunidad al ruido.
Hay variantes circuitales que optimizan el rendimiento de estas puertas rpidas.

Hay otra disposicin con transistores bipolares que proporciona buena velocidad de
respuesta. Se la conoce como de acoplamiento de emisor o ECL (por Emisor Coupled
Logic), que se ilustra en la fig. 14.18 y su gran velocidad proviene de que los
transistores no entran en saturacin. Igual que en el caso anterior, esto viene unido con
un gran consumo. Como ventaja adicional permite la conmutacin a altas frecuencias.

Si V
i
= 0, (o en realidad menor que V
r
), T
1
est en corte, T
2
conduce y V
o
tiene un valor
bajo. Por el contrario una seal mayor que V
r
, ocasiona el corte de T
2
y V
o
se hace igual
a V
cc
.

La disipacin de potencia en una puerta lgica, ser, como en cualquier circuito de
corriente continua, el producto de la tensin de alimentacin por la intensidad de
corriente. Esta ltima vara entre un estado alto y uno bajo, a los que podemos considerar igualmente frecuentes,
por lo que se considera a Ic como el promedio entre ambos valores. La disipacin de potencia media se define
como:

Pd= Vcc x Ic
TECNOLOGA UNIPOLAR

La tecnologa bipolar (DTL, TTL, ECL) ha sido reemplazada en buena medida por la MOS. Para la
configuracin de puertas lgicas interesan los FET en que la tensin de puerta es del mismo signo que la del
drenador (referidas ambas a la fuente): o sea los NMOS de enriquecimiento. Se muestran a continuacin (
fig.14.19) circuitos bsicos de puertas implementados con esta tecnologa.

Una ventaja de estas puertas es la muy alta impedancia de entrada, con lo que la intensidad de entrada es
prcticamente nula, por lo que disminuye mucho su consumo en rgimen esttico. Sin embargo, es funcin
creciente de la frecuencia. El bajo consumo facilita la integracin en densidades elevadas, (valor tpico actual,
cerca de 5000 puertas en un mm
2
) sin problemas de disipacin de calor. En el objetivo de reducir tamaos, la
tecnologa MOS permite tambin reemplazar las resistencias por los propios FET, con un considerable ahorro de
superficie. Adems se requieren menos pasos en el proceso de fabricacin.
La fabricacin de circuitos integrados a grande escala se explica a travs de un procedimiento VLSI (por sus
siglas en ingls) con silicio estndar. Se presentan las caractersticas de los dispositivos disponibles en
tecnologas de la fabricacin CMOS y BiCMOS, donde se analizarn los aspectos de diseo de los circuitos
integrados que son distintos a los del diseo de circuitos discretos. Por consiguiente, entender las caractersticas
del dispositivo es esencial al disear buenos VLSI a la medida o circuitos integrados para aplicaciones
especficas. Este mtodo considera solo tecnologas que se basan en el silicio; ya que es el material ms popular,
gracias a que posee una amplia variedad de compromisos costo desempeo. Desarrollos recientes en tecnologas
de SiGe y silicio, sometido a esfuerzo, reforzarn an ms la posicin de los procesos de fabricacin que se
basan en este elemento en la industria microelectrnica en los aos venideros.

La configuracin emisor comn es la base de los distintos circuitos con tecnologa bipolar en los que
generalmente se busca limitar, o an impedir, la saturacin para conseguir menores tiempos de transicin. La
entrada es la base del transistor y la salida se toma en el colector. del xido de silicio, constituyente de la
estructura de la puerta, mientras que en las otras direcciones est rodeado por la zona de agotamiento, creada
Fig.1
4.18
ECL

debido a la polarizacin inversa establecida en la unin p-n entre canal y sustrato. Como se dijo antes, la
conductividad de este canal aumenta con el voltaje aplicado.

Una desventaja es que la capacidad puerta-canal limita su velocidad de trabajo y otra es que la capa aislante de
la puerta resulta muy vulnerable a descargas estticas, lo que complica su manipulacin.

Los FET han aportado an otra tecnologa a los CI, la MOS Complementaria o CMOS. Aqu la combinacin de
dos MOS, uno de canal n y el otro p, permite configurar un inversor de caractersticas muy atractivas. Se
muestra una celda bsica en la fig 14.20
Si V
in
es alta (= V
cc
), T
1
no conduce y s lo hace T
2
(con la condicin de que
V
in
supere la tensin umbral), con lo cual la tensin a la salida es la de
masa. Pero si V
in
= 0, hay una tensin negativa entre la puerta y el sustrato
de T
1
, (PMOS) y entonces es T
1
el que conduce y se apaga T
2
. Entonces
V
out
= V
cc
.

Obsrvese que en cualquiera de los dos estados no hay consumo de
corriente, pues los MOS estn en serie y cuando uno conduce el otro no lo
hace. O sea que su consumo esttico es nulo. En cambio, durante la
conmutacin se produce un consumo no despreciable, debido a la capacidad
asociada al conjunto puerta-canal. Consecuentemente el consumo de las
puertas basadas en esta tecnologa, aumenta fuertemente con la frecuencia
del reloj.
RESUMEN

La invencin del transistor, al permitir el reemplazo de las vlvulas termoinicas por dispositivos ms
eficientes, seguros, pequeos y baratos tuvo enormes consecuencias tecnolgicas y econmicas. La
miniaturizacin es uno de los componentes claves de la industria de los semiconductores, pues equipos
electrnicos ms pequeos posibilitan el desarrollo de equipos ms eficientes.

Los transistores bipolares (BJT) consisten bsicamente en dos uniones p-n muy prximas, construidas sobre el
mismo cristal y que dan origen a tres zonas distintas que reciben los nombres de emisor, base y colector. Segn
cul de los terminales resulta compartido entre el circuito de entrada y el de salida, se habla de configuracin en
emisor comn, base comn o colector comn. La polarizacin de las uniones determina la regin de trabajo del
transistor. La regin activa es de uso comn en amplificacin, mientras que las de corte y saturacin son tpicas
de usos digitales. Las propiedades de amplificacin se basan fundamentalmente en el efecto transistor, segn el
cual, la intensidad de corriente en el colector est definida, en gran medida, por la intensidad de corriente en la
base. Para los usos digitales, se hace pasar el estado del transistor, configurado en emisor comn, de corte a
saturacin, a travs de seales de tensin que entran por la base.

Hay transistores unipolares (FET) de distintos tipos y los ms importantes para circuitos integrados son los
MOSFET de enriquecimiento. Consisten bsicamente en dos islas de semiconductor n implantadas en un
sustrato p, separadas por una pequea distancia. Sobre sta y sin contacto elctrico se encuentra una zona
metlica o de polisilicio conductor. Los terminales se llaman aqu fuente, puerta y drenador y su principio de
funcionamiento se basa en el control que se puede ejercer sobre la corriente que circula entre fuente y drenador,
a travs de la tensin aplicada a la puerta. Cuando esta tensin supera un valor umbral V
T
, el MOS pasa del
estado de corte al de conductividad hmica y posteriormente al de saturacin. Estos nombres de las regiones de
trabajo no tienen exactamente el mismo significado que en los BJT. Ya que la puerta est aislada elctricamente,
no circula corriente a travs de ella y esto trae aparejado un consumo significativamente menor. La importancia
de estos transistores radica principalmente en la posibilidad de conseguir elevadas densidades de integracin y
en la mayor sencillez de las operaciones de fabricacin. Presentan como desventaja principal una menor
velocidad de operacin.

Los transistores aportan a las puertas lgicas la funcin negacin, y con ello la posibilidad de implementar
cualquier funcin lgica.

Fig.14.20


La configuracin emisor comn es la base de los distintos circuitos con tecnologa bipolar en los que
generalmente se busca limitar, o an impedir, la saturacin para conseguir menores tiempos de transicin. La
entrada es la base del transistor y la salida se toma en el colector.

Similarmente, en la tecnologa unipolar, se utiliza la configuracin en fuente comn, con la puerta como entrada
y el drenador como salida. Otra variante muy importante con FETs es la tecnologa MOS complementaria
(CMOS), en la cual un NMOS y un PMOS estn conectados compartiendo el drenador y la puerta. En ninguno
de los dos estados digitales, esta puerta est conduciendo, aunque s lo hace durante la transicin.

FABRICACION DE TRANSISTORES BIPOLARES

La fabricacin de circuitos integrados es un proceso complejo y en el que intervienen numerosas etapas. Cada
fabricante de circuitos integrados tiene sus propias tcnicas que guardan como secreto de empresa, aunque las
tcnicas son parecidas.
Los dispositivos integrados pueden ser tanto analgicos como digitales, aunque todos tienen como base un
material semiconductor, normalmente el silicio.

Tecnologa de Fabricacin

El silicio es un elemento abundante que existe naturalmente en forma de arena. Puede ser refinado por medio de
tcnicas bien establecidas de purificacin y crecimiento de cristales. El silicio tambin exhibe propiedades
fsicas apropiadas para la fabricacin de dispositivos activos con buenas caractersticas elctricas, adems es
fcil de oxidar para formar un excelente aislante SiO2 (vidrio). Este xido nativo es til para construir
condensadores y MOSFET. Tambin sirve como barrera de proteccin contra la difusin de impurezas
indeseables hacia el mineral adyacente de silicio de alta pureza. Esta propiedad de proteccin del oxido de
silicio permite que sus propiedades elctricas sean fciles de modificar en reas predefinidas. Por consiguiente,
se pueden construir elementos activos y pasivos en la misma pieza material (o sustrato). Entonces los
componentes pueden interconectarse con capas de metal (similares a las que se utilizan en las tarjetas de circuito
impreso) para formar el llamado circuito integrado monoltico, que es en esencia una pieza nica de metal.

Pasos Generales de Fabricacin de un Circuito Integrado formado por Silicio como componente activo

Los pasos de fabricacin bsica se pueden realizar muchas veces, en diferentes combinaciones y en diferentes
condiciones de procedimiento durante un turno de fabricacin completo.

Preparacin de la oblea

El material inicial para los circuitos integrados modernos es el Silicio de muy alta pureza, donde adquiere la
forma de un cilindro slido de color gris acero de 10 a 30 cm de dimetro y puede ser de 1m a 2m de longitud
(Figura 1). Este cristal se rebana para producir obleas circulares de 400um a 600um de espesor, (1um es igual a
1x10-6 metros). Despus, se alisa la pieza hasta obtener un acabado de espejo, a partir de tcnicas de pulimento
qumicas y mecnicas. Las propiedades elctricas y mecnicas de la oblea dependen de la orientacin de los
planos cristalinos, concentracin e impurezas existentes. Para lograr tener mayor resistividad, se necesita alterar
las propiedades elctricas del Silicio a partir de un proceso conocido como dopaje. Una oblea de silicio tipo n
excesivamente impurificado (baja resistividad) sera designada como material n+, mientras que una regin
levemente impurificada se designara n-.

Oxidacin


Se refiere al proceso qumico de reaccin del Silicio con el Oxgeno para formar Bixido de Silicio (SiO2). Para
acelerar dicha reaccin se necesitan de hornos ultralimpios especiales de alta temperatura. El Oxgeno que se
utiliza en la reaccin se introduce como un gas de alta pureza (proceso de oxidacin seca) o como vapor
(oxidacin hmeda). La Oxidacin hmeda tiene una mayor tasa de crecimiento, aunque la oxidacin seca
produce mejores caractersticas elctricas. Su constante dielctrica es 3.9 y se le puede utilizar para fabricar
excelentes condensadores. El Bixido de de Silicio es una pelcula delgada, transparente y su superficie es
altamente reflejante. Si se ilumina con luz blanca una oblea oxidada la interferencia constructiva y destructiva
har que ciertos colores se reflejen y con base en el color de la superficie de la oblea se puede deducir el espesor
de la capa de xido.

Difusin

Es el proceso mediante el cual los tomos se mueven de una regin de alta concentracin a una de baja a travs
del cristal semiconductor. En el proceso de manufactura la difusin es un mtodo mediante el cual se introducen
tomos de impurezas en el Silicio para cambiar su resistividad; por lo tanto, para acelerar el proceso de difusin
de impurezas se realiza a altas temperaturas (1000 a 1200 C), esto para obtener el perfil de dopaje deseado. Las
impurezas ms comunes utilizadas como contaminantes son el Boro (tipo p), el Fsforo (tipo n) y el Arsnico
(tipo n). Si la concentracin de la impureza es excesivamente fuerte, la capa difundida tambin puede utilizarse
como conductor.

Implantacin de iones

Es otro mtodo que se utiliza para introducir tomos de impurezas en el cristal semiconductor. Un implantador
de iones produce iones del contaminante deseado, los acelera mediante un campo elctrico y les permite chocar
contra la superficie del semiconductor. La cantidad de iones que se implantan puede controlarse al variar la
corriente del haz (flujo de iones). Este proceso se utiliza normalmente cuando el control preciso del perfil del
dopaje es esencial para la operacin del dispositivo.

Deposicin por medio de vapor qumico

Es un proceso mediante el cual gases o vapores se hacen reaccionar qumicamente, lo cual conduce a la
formacin de slidos en un sustrato. Las propiedades de la capa de xido que se deposita por medio de vapor
qumico no son tan buenas como las de un xido trmicamente formado, pero es suficiente para que acte
como aislante trmico. La ventaja de una capa depositada por vapor qumico es que el xido se deposita con
rapidez y a una baja temperatura (menos de 500C).

Metalizacin

Su propsito es interconectar los diversos componentes (transistores, condensadores, etc.) para formar el
circuito integrado que se desea, implica la deposicin inicial de un metal sobre la superficie del Silicio. El
espesor de la pelcula del metal puede ser controlado por la duracin de la deposicin electrnica, que
normalmente es de 1 a 2 minutos.

Fotolitografa

Esta tcnica es utilizada para definir la geometra de la superficie de los diversos componentes de un circuito
integrado. Para lograr la fotolitografa, primeramente se debe recubrir la oblea con una capa fotosensible
llamada sustancia fotoendurecible que utiliza una tcnica llamada de giro; despus de esto se utilizar una
placa fotogrfica con patrones dibujados para exponer de forma selectiva la capa fotosensible a la iluminacin
ultravioleta. Las reas opuestas se ablandarn y podrn ser removidas con un qumico, y de esta manera,
producir con precisin geometras de superficies muy finas. La capa fotosensible puede utilizarse para proteger
por debajo los materiales contra el ataque qumico en hmedo o contra el ataque qumico de iones reactivos.
Este requerimiento impone restricciones mecnicas y pticas muy crticas en el equipo de fotolitografa.

Empacado

Una oblea de Silicio puede contener varios cientos de circuitos o chips terminados, cada chip puede contener de
10 a 108 o ms transistores en un rea rectangular, tpicamente entre 1 mm y 10 mm por lado. Despus de haber
probado los circuitos elctricamente se separan unos de otros (rebanndolos) y los buenos (pastillas) se

montan en cpsulas (soportes). Normalmente se utilizan alambres de oro para conectar las terminales del
paquete al patrn de metalizacin en la pastilla; por ltimo, se sella el paquete con plstico o resina epxica al
vacio o en una atmsfera inerte.
Componentes Electrnicos ms usados en el diseo de circuitos:

MOSFET

Se prefiere el MOSFET canal n al MOSFET canal p. La movilidad de la superficie de electrones del dispositivo
de canal n es de dos a cuatro veces ms alta a la de los huecos. Este transistor ofrece una corriente ms alta y
una resistencia baja; as como una transconductancia ms alta. Su diseo se caracteriza por su voltaje de umbral
y sus tamaos de dispositivos, en general, los MOSFET (tipo n o p) se disean para que tengan voltajes de
umbral de magnitud similar para un proceso particular; por lo tanto, los circuitos MOSFET son mucho ms
flexibles en su diseo.

Resistencias

Las regiones de distinta difusin tienen diferente resistencia. El pozo n en general se utiliza para resistencias de
valor medio, mientras que las difusiones n+ y p+ son tiles para resistencias de valor bajo. Cuando se disea un
valor real de una resistencia se hace a travs del cambio de la longitud y el ancho de las regiones difundidas.
Todas las resistencias difundidas estn autoaisladas por las uniones pn polarizadas a la inversa. Sin embargo una
desventaja es que estn acompaadas por una sustancial capacitancia parsita de unin que los hace no muy
tiles en el uso de frecuencias altas. Adems, es posible que exista una variacin en el valor real de la resistencia
cuando se aumenta el voltaje debido a un efecto llamado JFET. Para obtener un valor ms exacto, se recomienda
que se fabrique con una capa de polisilicio que se coloca encima del grueso campo de xido.

Capacitores

Existen 2 tipos de estructura de condensador en los procesos CMOS, condensadores MOS y de interpolietileno.
La capacitancia de compuerta MOS es bsicamente la capacitancia de compuerta a fuente de un MOSFET, la
cual depende del rea de dicha compuerta; este condensador exhibe una gran dependencia del voltaje, para
eliminar este problema, se requiere un implante n+ adicional para formar la placa inferior de los condensadores.
Estos dos condensadores MOS estn fsicamente en contacto con el sustrato, lo que produce una gran
capacitancia parsita en la unin pn en la placa inferior. El condensador interpoli exhibe caractersticas casi
ideales pero a expensas de la incluir una segunda capa de polisilicio en el proceso CMOS, donde los efectos
parsitos se mantienen al mnimo. Para los 2 tipos de condensadores anteriormente (interpoli y MOS), los
valores de capacitancia pueden controlarse hasta un margen de error de 1%. Esta propiedad es extremadamente
til para disear circuitos CMOS anlogos de precisin.

Transistor pnp lateral

Cuando se utilizan este tipo de dispositivos electrnico, el pozo n sirve como regin de base n con difusiones p+
como emisor y colector. La separacin de entre las dos difusiones determina el ancho de la base. Como el perfil
de dopaje no est perfeccionado para las uniones base-colector, y como el ancho de la base est limitado por la
resolucin de fotolitogrfica mnima, el desempeo de este dispositivo no es muy bueno.

Resistores de base p y de base estrecha
La difusin en la base p se puede utilizar para formar un resistor de base p directo. Como la regin de la base es,
por lo general, de un nivel de dopaje relativamente bajo y con una profundidad de unin moderada, es adecuada
para resistores de valor medio. Si se requiere un resistor de valor grande, se puede utilizar el de base estrecha; ya
que exhiben malos coeficientes de tolerancia y temperatura pero una coincidencia relativamente buena.

Procesos que pueden intervenir en la fabricacin de circuitos integrados

- Crecimiento epitaxial
- Oxidacin en semiconductores
- Implantacin inica
- Difusin en estado slido
- Deposicin en semiconductores
- Litografa


Fabricacin De Un Transistor

En la siguiente figura se muestra detalladamente el proceso de fabricacin de un transistor MOS (MOSFET).

No es la nica forma de hacerlo, pero es un proceso tpico:

1. Se parte de la oblea de material semiconductor.
2. Se hace crecer una capa de xido (zona rayada) que servir como
aislante.
3. Se deposita un dielctrico como el nitruro (capa roja) que servir como
mscara, tambin se poda usar simplemente el xido anterior como
mscara, depende del grosor y de los procesos siguientes.
4. Se deposita una capa de resina sensible a la radiacin (capa negra),
tpicamente a la radiacin luminosa. Se hace incidir la luz para cambiar las
caractersticas de la resina en algunas de sus partes. Para ello sirven de
ayuda las mscaras hechas antes con herramientas CAD.
5. Mediante procesos de atacado algunas zonas de la resina son eliminadas y
otras permanecen.
6. Se vuelve a atacar, esta vez el nitruro. Este paso se poda haber hecho
junto al anterior.
7. Implantacin inica a travs del xido.
8. Se crean las zonas que aislarn el dispositivo de otros que pueda haber
cerca (zonas azules).
9. Se crece ms xido, con lo que ste empuja las zonas creadas antes hacia el interior de la oblea para conseguir
un mejor aislamiento.
10. Eliminacin del nitruro y parte del xido.
11. Se hace crecer una fina capa de xido de alta calidad que servir de xido de puerta al transistor.
12. Deposicin de una capa de polisilicio (capa verde oscuro) mediante procesos fotolitogrficos anlogos a los
vistos en los puntos 1 al 5. Este polisilicio ser el contacto de puerta del transistor.
13. Atacado del xido para crear ventanas donde se crearn las zonas del drenador y surtidor. El polisilicio
anterior servir de mscara al xido de puerta para no ser eliminado.
14. Implantacin inica con dopantes que sirven para definir el drenador y el surtidor. El polisilicio vuelve a
hacer de mscara para proteger la zona del canal.
15. Vemos en verde claro las zonas de drenador y surtidor.
16. Se deposita una capa de aislante (zona gris).
17. Mediante procesos fotolitogrficos como los vistos antes se ataca parte del xido.
18. Se deposita una capa metlica que servir para conectar el dispositivo a otros.
19. Se ataca de la forma ya conocida el metal (capa azul oscuro) para dejar nicamente los contactos. El
contacto de puerta no se muestra en la figura porque es posterior al plano que se muestra.

Una vez que se disean los transistores se hace el juego de mscaras
de las metalizaciones que es la forma de conectar los transistores
para formar estructuras ms complicadas, como puertas lgicas.
En la siguiente figura se puede ver el juego de mscaras de una
Puerta OR de dos entradas. El diseo es CMOS.

Layout de una puerta OR con el programa LASI.

Las lneas azules rayadas son metalizaciones. Las lneas rojas es polisilicio. Las zonas amarillo y verde con puntos son
zonas P+ y N+ respectivamente. Las lneas azules sin relleno delimitan zonas N. Junto a cada transistor se especifican las
dimensiones de su canal. El diseo cumple las reglas CN20. La ltima fase en la fabricacin es encapsularlo en el
chip y soldar los pines.

Un Nuevo Paso Adelante En La Tecnologa De Fabricacin De Transistores De Intel Marca El Mayor Cambio En Procesadores Para Pc En Los
ltimos 40 Aos
Intel fabrica los primeros prototipos de procesadores con los diminutos e innovadores transistores de 45
nanmetros, acelerando de esta forma la era de la informtica multi ncleo


Madrid, 29 de enero de 2007 En uno de los mayores avances en el diseo fundamental de transistores, Intel
Corporation ha anunciado hoy la utilizacin de dos nuevos e increbles materiales para la construccin de las
paredes de aislamiento y la conexin de puerta de sus transistores en 45 nanmetros (nm). Cientos de millones
de estos transistores microscpicos o interruptores se incluirn en la prxima generacin de familias de
procesadores multi ncleo Intel Core 2 Duo, Intel Core 2 Quad y Xeon. La compaa tambin ha indicado
que cuenta con cinco productos en fase inicial listos y funcionando los primeros de los quince procesadores en
45 nanmetros planeados por Intel.

Esta innovacin en transistores permitir a la compaa continuar ofreciendo velocidades de procesamiento
asombrosas en servidores, equipos porttiles y de sobremesa, mientras se reducen las prdidas de energa
elctrica de los transistores, lo que permite reducir el diseo del chip y del equipo informtico, su tamao,
consumo elctrico, ruido y costes. Adems, este anuncio asegura la Ley de Moore, un axioma de la industria de
alta tecnologa en el que se plantea que el nmero de transistores en un chip se duplica cada dos aos, algo que
toma fuerza para la prxima dcada.

La percepcin de Intel es que ha ampliado su liderazgo en ms de un ao frente al resto del mercado de
semiconductores con el anuncio de los procesadores de 45 nanmetros y la prxima generacin de productos
basada en esta tecnologa de nombre cdigo Penryn. Las primeras versiones, que estarn centradas en cinco
segmentos de mercado informtico diferentes, estn trabajando con sistemas operativos como Windows*
Vista*, Mac OS X*, Windows* XP y Linux, as como diferentes aplicaciones. La compaa mantiene sus planes
de produccin de 45 nanmetros para la segunda mitad de este ao.

Los transistores de Intel incorporan el nuevo material dielectrico High-K y un Nuevo metal de puerta
Intel es el primero en implantar una innovadora combinacin de nuevos materiales que reducen drsticamente
las fugas e incrementan el rendimiento de su tecnologa de procesamiento de 45 nanmetros. La compaa
utilizar un nuevo material con una propiedad denominada high-k, para dielctrico de puerta del transistor, y
una nueva combinacin de materiales metlicos para el electrodo de puerta del transistor.

La implementacin de materiales metlicos y high-k marca el cambio ms grande en la tecnologa de
transistores desde la presentacin de los transistores MOS de puente de polisilicio a finales de los aos 60
comenta Gordon Moore, co-fundador de Intel.

Los transistores son interruptores diminutos que procesan los unos y ceros del mundo digital. La puerta deja
pasar o no la corriente en el transistor y el dielctrico de puerta es un aislante inferior que separa la puerta del
canal por el que fluye la corriente. La combinacin de la conexin de puerta metlica y el nuevo dielctrico de
puerta high-k permite transistores con corrientes elctricas de fuga muy bajas y ofrece un alto rendimiento sin
igual.

Debido a que cada vez ms y ms transistores son encapsulados en una nica pieza de silicio, el mercado
contina analizando las actuales soluciones para la reduccin de corrientes de fuga, indica Mark Bohr, Socio
Senior de Intel. Mientras, nuestros ingenieros y diseadores han alcanzado un logro muy importante que
asegura el liderazgo de Intel en productos e innovacin. Nuestra implementacin de transistores de puerta
metlica y el innovador material high-k para nuestra tecnologa de fabricacin de 45 nanmetros ayudar a Intel
a proporcionar productos multi ncleo ms eficientes y rpidos sobre los que construir el xito de las familias de
procesadores Intel Core 2 y Xeon, y extender la Ley de Moore durante la prxima dcada.

En trminos de comparacin, aproximadamente cerca de 400 transistores de 45 nanmetros de Intel podran
caber en la superficie de un solo glbulo rojo de sangre humana. Hace una dcada, la tecnologa de fabricacin
ms innovadora era la de 250 nanmetros, lo que significaba que las dimensiones del transistor eran
aproximadamente 5,5 veces superior en tamao y 30 veces el rea de la tecnologa anunciada hoy por Intel.

Como el nmero de transistores por chip se dobla aproximadamente cada dos aos de acuerdo con la Ley de
Moore, Intel es capaz de innovar e integrar, aadiendo ms funcionalidades y ncleos de procesamiento
informtico, incrementando el rendimiento y reduciendo los costes de fabricacin y el coste por transistor. Para
mantener este ritmo de innovacin, los transistores deben continuar reduciendo su tamao an ms. Sin
embargo, el uso de los actuales materiales y la capacidad de reduccin de los transistores estn llegando a
lmites bsicos, debido al incremento en la potencia o el calor que desarrollan, as como temas como el tamao

que est alcanzando lmites atmicos. Como resultado, la implantacin de nuevos materiales es necesaria para el
futuro de la Ley de Moore y la rentabilidad en la era de la informacin.

La puerta metlica y High-k la receta para la tecnologa de fabricacin de 45nm
El dixido de silicio es el material que ha sido utilizado para fabricar el dielctrico de puerta del transistor desde
hace ms de 40 aos, debido a su facilidad para ser procesado y la capacidad para proporcionar mejoras
constantes en el rendimiento del transistor, ya que cada vez se ha fabricado ms fino. Intel ha reducido con gran
xito el dielctrico de puerta de dixido de silicio a menos de 1,2 nanmetros de grosor lo que significa un
total de cinco capas atmicas en los anteriores procesos de fabricacin de 65nm de la compaa, pero la
continua reduccin ha dado como resultado un incremento en las corrientes de fuga a travs del dielctrico o
aislante de puerta, lo que ha dado como resultado un calentamiento innecesario y un malgasto de energa.

La fuga de electricidad a travs de la puerta del transistor asociado con el cada vez ms fino dielctrico de
puerta de dixido de silicio es reconocido por el mercado como uno de los retos tcnicos ms importantes a los
que hace frente la Ley de Moore. Con el fin de resolver este tema tan crtico, Intel reemplaz el dixido de
silicio con una capa ms gruesa de un material high-k basado en hafnium en el dielctrico de puerta, reduciendo
la fuga hasta diez veces comparado con el dixido de silicio utilizado durante ms de cuatro dcadas.

Debido a que el dielctrico de puerta basado en high-k no es compatible con el electrodo de puerta de silicio de
hoy en da, la segunda parte de la receta de material del transistor de 45nm ha sido el desarrollo de nuevos
materiales para una puerta de metal. Debido a que los metales especficos que Intel utiliza se mantienen en
secreto, la compaa utilizar una combinacin de diferentes materiales metlicos para los electrodos de la
puerta del transistor.

La combinacin del dielctrico de puerta high-k con la puerta metlica para la tecnologa de fabricacin de
45nm de Intel proporciona ms de un 20% de incremento en la conduccin de la corriente, o lo que es lo mismo
un rendimiento del transistor mucho ms alto. Por otro lado, se reduce la corriente de fuga en ms de cinco
veces, mejorndose la eficiencia energtica del transistor.
El proceso tecnolgico de 45nm de Intel tambin mejora la densidad de transistores en cerca de dos veces frente
a la anterior generacin, permitiendo a la compaa bien incrementar el nmero total de transistores o bien hacer
que los procesadores sean ms pequeos. Debido a que los transistores de 45nm son ms pequeos que los de
anteriores generaciones, consumen menos energa al dejar y no dejar pasar la corriente, por lo que se reduce de
forma activa el consumo elctrico en la conexin y desconexin en un 30% aproximadamente. Intel utilizar
cables de cobre con un dielctrico low-k para sus interconexiones en 45nm con el fin de incrementar el
rendimiento y reducir el consumo de energa. Todo ello utilizar tambin innovadoras reglas de diseo y
tcnicas de enmascarado para ampliar la utilizacin de la tcnica de litografa seca de 193 nanmetros a la hora
de fabricar sus procesadores de 45nm, debido a sus ventajas en rentabilidad y la alta capacidad de fabricacin
que ofrece.

La familia Penryn ofrece ms rendimiento de forma ms eficiente
La familia de procesadores Penryn es un derivado de la microarquitectura Intel Core y supone un paso ms all
en la rpida velocidad de Intel a la hora de proporcionar una nueva tecnologa de fabricacin y una nueva
microarquitectura en aos alternos. La combinacin de los procesos tecnolgicos de 45nm lderes de Intel, las
capacidades de fabricacin a gran volumen y el liderazgo en el diseo de microarquitecturas han permitido a la
compaa desarrollar ya los primeros procesadores Penryn de 45nm.

La compaa cuenta con ms de 15 productos basados en 45nm en desarrollo para segmentos de sobremesa,
porttiles, estaciones de trabajo y empresariales. Con ms de 400 millones de transistores para procesadores de
doble ncleo y ms de 800 millones para los de cuatro ncleos, la familia de procesadores Penryn de 45nm
incluyen las funcionalidades de una nueva microarquitectura para un mayor rendimiento y capacidades para la
gestin de la energa, as como velocidades de ncleo ms altas y hasta 12 megabytes de cach. La familia
Penryn adems ofrece aproximadamente 50 nuevas instrucciones Intel SSE4 que amplan las capacidades y el
rendimiento para aplicaciones informticas multimedia y de alto rendimiento.

Intel, el lder mundial en innovacin de silicio, desarrolla tecnologas, productos e iniciativas para mejorar
continuamente la forma de trabajo y de vida de las personas. Para ms informacin, visite la
direccin www.intel.es o www.intel.es/pressroom


Intel, Core, Xeon y el logo de Intel son marcas o marcas registradas por Intel Corporation o sus filiales en los
Estados Unidos y otros pases.

Describiremos la fabricacin del BJT planar para circuitos monolticos mediante los procesos tratados. Para
seguir la secuencia de fabricacin nos concentraremos en la construccin de dos transistores npn en la fuente de
corriente. Tambin analizaremos la fabricacin de resistencias.

Fabricacin de Transistores

Una vez preparada la oblea, el sustrato tipo p, se crece una capa epitaxial tipo n, tal como se ve en la Figura 1.
Esta capa forma las regiones de colector de los transistores. Seguidamente se deposita una capa de oxido para
cubrir la superficie. Ahora deben aislarse entre s las regiones de ambos transistores. Para ello se forman tres
ventanas en el SiO
2
mediante fotolitografa y corrosin. Se difunde una regin p+ en la capa epitaxial expuesta
hasta que alcance el sustrato. Este proceso establece una isla aislada alrededor de cada transistor como se ve en
la figura 3.1. El aislamiento elctrico se consigue conectando el sustrato a la tensin ms negativa del circuito.
Con esto se garantiza que la unin pn entre los colectores y el sustrato permanezca con dolarizacin inversa.
Una vez completada la difusin de aislamiento se recubre nuevamente la oblea con una capa de SiO
2
. Con una
nueva mascara se forman las ventanas en las que se difunden las bases de tipo p como se ve en la figura 3.1(d),
quedando definidas las regiones de las bases en la vista de la figura 3.1(e). Se recrece una capa de SiO
2
para
cubrir la oblea despus de la difusin de la base. Con una tercera mascara y un proceso de corrosin se elimina
el SiO
2
como preparacin para la difusin superficial de emisor figura 3.1(f). Obsrvese que tambin se difunde
una regin n+ en la regin de colector de cada transistor. Aqu se hace el contacto en el aluminio del colector, y
la zona n+ contribuye a formar un buen contacto hmico. Despus de la difusin de colector se crece otra capa
de SiO
2
sobre la superficie de la oblea. El ultimo paso del proceso es la mentalizacin. La capa de oxido se
graba con una cuarta mascara para descubrir la oblea all donde se deseen los contactos. Para recubrir toda la
superficie se vaporiza aluminio, cuyos sobrantes se eliminan qumicamente con una 6
a
mascara dejando los
contactos y las conexiones deseadas. En la seccin transversal de la figura 3.1(g) y en la vista superior de la
figura 3.1(h) puede verse el resultado de esta secuencia. La figura 3.1(g) es idntica a la figura 3.1(a) para Q1 y
Q2. Las dimensiones sealadas en la figura 3.1 son las tpicas empleadas en la fabricacin comercial de BJT de
pequea geometra. Al construirse ambos transistores simultneamente y fsicamente prximos, sus
caractersticas elctricas son prcticamente idnticas. Para fabricar transistores con propiedades elctricas
distintas, normalmente se modifica la geometra del dispositivo. En particular para obtener BJT de mayor
corriente por aumento de I
ES
, se aumenta la superficie del emisor, con lo que todo el dispositivo queda
aumentado. Empricamente se acostumbra a limitar a 10:1 la relacin entre las superficies de emisor de
transistores muy prximos entre s, y ello debido a las limitaciones del proceso de difusin. En la fabricacin de
circuitos integrados comerciales corrientemente se emplea la implantacin de iones en las zonas de emisor y de
base. Estas regiones son muy tenues y puede regularse mejor su espesor mediante la implantacin. Adems
como la implantacin se realiza a menor temperatura que la difusin se minimiza el inconveniente de la difusin
lateral de base y emisor.

Figura N 3.1(a) Fabricacin de un TR npn: Crecimiento
Epitaxial tipo n y Oxidacin

El silicio es un elemento abundante que existe naturalmente en forma de arena. Puede ser refinado por medio de
tcnicas bien establecidas de purificacin y crecimiento de cristales. El silicio tambin exhibe propiedades
fsicas apropiadas para la fabricacin de dispositivos activos con buenas caractersticas elctricas, adems es

fcil de oxidar para formar un excelente aislante SiO2 (vidrio). Este xido nativo es til para construir
condensadores y MOSFET. Tambin sirve como barrera de proteccin contra la difusin de impurezas
indeseables hacia el mineral adyacente de silicio de alta pureza. Esta propiedad de proteccin del oxido de
silicio permite que sus propiedades elctricas sean fciles de modificar en reas predefinidas. Por consiguiente

Figura N 3.1(d) Fabricacin de un TR npn: Difusin de la Base

contactos y las conexiones deseadas. En la seccin transversal de la
figura 3.1(g) y en la vista superior de la figura 3.1(h) puede verse el
resultado de esta secuencia. La figura 3.1(g) es idntica a la figura
3.1(a) para Q1 y Q2. Las dimensiones sealadas en la figura 3.1 son las tpicas empleadas en la fabricacin
comercial de BJT de pequea geometra. Al construirse ambos transistores simultneamente y fsicamente
prximos, sus caractersticas elctricas son prcticamente idnticas. Para fabricar transistores con propiedades
elctricas distintas, normalmente se modifica la geometra del dispositivo. En particular para obtener BJT de
mayor corriente por aumento de I
ES
, se aumenta la superficie del emisor, con lo que todo el dispositivo queda
aumentado. Empricamente se acostumbra a limitar a 10:1 la relacin

Figura N 3.1(e) Fabricacin de un TR npn: Vista Superior Despus
de la Difusin de Base
Esta innovacin en transistores permitir a la compaa continuar
ofreciendo velocidades de procesamiento asombrosas en servidores,
equipos porttiles y de sobremesa, mientras se reducen las prdidas de
energa elctrica de los transistores, lo que permite reducir el diseo del chip y del equipo informtico, su
tamao, consumo elctrico, ruido y costes. Adems, este anuncio asegura la Ley de Moore, un axioma de la
industria de alta tecnologa en el que se plantea que el nmero de transistores en un chip se duplica cada dos
aos, algo que toma fuerza para la prxima dcada.

La percepcin de Intel es que ha ampliado su liderazgo en ms de un ao frente al resto del mercado de
semiconductores con el anuncio de los procesadores de 45 nanmetros y la prxima generacin de productos
basada en esta tecnologa de nombre cdigo Penryn. Las primeras versiones, que estarn centradas en cinco
segmentos de mercado informtico diferentes, estn trabajando con sistemas operativos como Windows*
Vista*, Mac OS X*, Windows* XP y Linux, as como diferentes aplicaciones. La compaa mantiene sus planes
de produccin de 45 nanmetros para la segunda mitad de este ao.

Los transistores de Intel incorporan el nuevo material dielectrico High-K y un Nuevo metal de puerta
Intel es el primero en implantar una innovadora combinacin de nuevos materiales que reducen drsticamente
las fugas e incrementan el rendimiento de su tecnologa de procesamiento de 45 nanmetros. La compaa
utilizar un nuevo material con una propiedad denominada high-k, para dielctrico de puerta del transistor, y
una nueva combinacin de materiales metlicos para el electrodo de puerta del transistor.

En esta ltima figura se puede observar que la capa de SiO2 se supone transparente para que sean visibles las
regiones de base, emisor y colector. Las dimensiones sealadas son las normales en los circuitos integrados CI
comerciales modernos.

Capa Enterrada

La fabricacin del BJT indicada en la figura 3.1 casi siempre se modifica aadiendo un nuevo paso al proceso
como en la figura 3.2. Las dos regiones n+ conocidas como capa enterrada, entre las capas n y p se depositan

antes del crecimiento epitaxial. Recurdese que con el smbolo n+ se designa una regin n con mayor
concentracin de dopado que otra designada simplemente como de tipo n.

La utilizacin de las regiones n+ cumple dos funciones: (1) mejora la formacin de la capa epitaxial; (2) la
mayor densidad de electrones en la capa n+ reduce la resistencia en serie entre la unin de colector y el terminal
del propio colector.
+
F
+
3.4 esta representado este dispositivo y en ella se
ve que tambin puede fabricarse
simultneamente y con los mismos procesos
empleados para los transistores npn. Los dos
pasos simultneos son: (1) la fabricacin de las
regiones p de emisor del transistor pnp y las
bases de los npn. y (2) la fabricacin de la regin
n
+
de base del sustrato pnp y los emisores de los transistores npn.

Fabricacin del TR pnp

Figura N 3.3 Seccin Transversal de un Transistor Lateral pnp

Las resistencias de colector se logran utilizando un par de transistores pnp en configuracin de fuente de
corriente. Las dos clases de tales transistores mas corrientemente empleados son el pnp lateral y el pnp vertical.
En la figura 3.2 puede apreciarse que la base, el colector y la regin aislada forman un transistor pnp parsito. El
termino lateral se refiere al hecho de que los tres elementos estn ubicados en un plano horizontal
contrariamente al plano vertical de los transistores npn. Anlogamente un dispositivo pnp vertical parsito se
forma por la base y el colector del transistor npn y el sustrato del tipo p. Estas observaciones conducen a la
fabricacin de los tipos de transistores pnp empleados en circuitos integrados. El pnp lateral, cuya seccin
transversal es el de la figura 3.3 se forma implantando las regiones tipo p de emisor y de colector al mismo
tiempo que se fabrican las bases de dispositivos npn. Asimismo se forman simultneamente el contacto n
+
de
+
F
+
+
de base del
El sustrato debe conectarse a la tensin ms negativa del circuito. Por tanto un transistor pnp vertical solo se
puede utilizar si su colector esta a una tensin negativa fijada. A esta configuracin se le denomina seguidor de
emisor y ser comentada mas adelante.


Transistor Parsito
Cuando se usa el transistor bsico como diodo aparece un transistor parsito cuyo colector es el sustrato, la capa
epitaxial es la base y la base tipo p es el emisor. En la figura 3.5(a) se muestra el circuito equivalente de este
transistor parsito. Aunque su estructura hace que sea un dispositivo muy ineficaz.

Figura N 3.4 Seccin Transversal de un Transistor Vertical Sustrato pnp

Figura N 3.5 (a)Circuitos Equivalente y Estructura de un Transistor pnp Parsito;

con herramientas CAD.
5. Mediante procesos de atacado algunas zonas de la resina son eliminadas y otras permanecen.
6. Se vuelve a atacar, esta vez el nitruro. Este paso se poda haber hecho junto al anterior.
7. Implantacin inica a travs del xido.
8. Se crean las zonas que aislarn el dispositivo de otros que pueda haber cerca (zonas azules).
9. Se crece ms xido, con lo que ste empuja las zonas creadas antes hacia el interior de la oblea para conseguir
un mejor aislamiento.
10. Eliminacin del nitruro y parte del xido.
11. Se hace crecer una fina capa de xido de alta calidad que servir de xido de puerta al transistor.
12. Deposicin de una capa de polisilicio (capa verde oscuro) mediante procesos fotolitogrficos anlogos a los
vistos en los puntos 1 al 5. Este polisilicio ser el contacto de puerta del transistor.
13. Atacado del xido para crear ventanas donde se crearn las zonas del drenador y surtidor. El polisilicio
anterior servir de mscara al xido de puerta para no ser eliminado.
14. Implantacin inica con dopantes que sirven para definir el drenador y el surtidor. El polisilicio vuelve a
hacer de mscara para proteger la zona del canal.
15. Vemos en verde claro las zonas de drenador y surtidor.
16. Se deposita una capa de aislante (zona gris).
17. Mediante procesos fotolitogrficos como los vistos antes se ataca parte del xido.
18. Se deposita una capa metlica que servir para conectar el dispositivo a otros.
19. Se ataca de la forma ya conocida el metal (capa azul oscuro) para dejar nicamente los contactos. El
contacto de puerta no se muestra en la figura porque es posterior al plano que se muestra.
Sin embargo, la corriente total a travs de la base, y que es registrada como corriente de colector, est limitada a
VCC/RC. Esta limitacin de corriente, a pesar del aumento de polarizacin de base, se establece en virtud que
en saturacin la juntura de colector est directamente polarizada. En consecuencia hay una inyeccin de
electrones, que podemos llamar inversa, desde el colector hacia la base, que corresponde a la grfica inversa
(I) en la figura 19c.

(b) Capacitor tipo Juntura
Tiempo de conmutacin de Transistores Bipolares

En asignaturas anteriores, se han definido las caractersticas estticas de los estados de conduccin y corte de los
transistores bipolares. Para aplicaciones de potencia, es indispensable el perfecto conocimiento de las
caractersticas dinmicas de las transiciones tanto de conduccin a corte como a la inversa.

El objetivo de esta seccin es definir todos los tiempos involucrados en la conmutacin de transistores bipolares
de potencia, determinar los parmetros de los que dependen para poder as optimizarlos, y finalmente extraer
conclusiones sobre las ventajas y desventajas de su utilizacin en aplicaciones de potencia.

Definicin de los Tiempos de Conmutacin
Vi
t
V2
V1
Vi
Vcc
RB
RC


El circuito de la figura 17 representa un transistor en configuracin emisor comn que se utiliza como llave
mediante la aplicacin de la excitacin Vi.

Seal que conmuta entre los niveles de tensin V2 y V1, provocando respectivamente el corte y la saturacin
del transistor.
Figura 17
Si el transistor fuese un interruptor ideal, la forma de onda de la
corriente de colector debera reproducir la excursin positiva de la
forma de onda de entrada. Sin embargo, si se visualiza en un
osciloscopio la forma de onda de la corriente de colector de un
transistor bipolar real, excitado por una tensin de entrada como la
planteada, se obtiene el resultado de la figura 18.

De la forma de la corriente de colector graficada, se observa que a
partir del instante t1 en que se excita la base del transistor con una
tensin suficiente para saturarlo, se necesita un lapso para que el
transistor comience a conducir. Se define como tiempo de retardo td, al
lapso requerido para que la corriente de colector alcance el 10% del
valor final, medido a partir del instante que se produce el escaln
positivo en la excitacin de base.

Luego de transcurrido el tiempo td el transistor ya se encuentra en
conduccin, pero se necesita otro lapso para que su corriente de
colector evolucione del 10 al 90% de ICS, intervalo definido como el tiempo de crecimiento tr.

Figura 18
Luego de transcurrido el tiempo td el transistor ya se encuentra en conduccin, pero se necesita otro lapso para
que su corriente de colector evolucione del 10 al 90% de ICS, intervalo definido como el tiempo de crecimiento
tr.
La suma de estos dos tiempos previamente definido establecen el tiempo de conduccin:

t cond = td + tr


La fuga de electricidad a travs de la puerta del transistor asociado con el cada vez ms fino dielctrico de
puerta de dixido de silicio es reconocido por el mercado como uno de los retos tcnicos ms importantes a los
que hace frente la Ley de Moore. Con el fin de resolver este tema tan crtico, Intel reemplaz el dixido de
silicio con una capa ms gruesa de un material high-k basado en hafnium en el dielctrico de puerta, reduciendo
la fuga hasta diez veces comparado con el dixido de silicio utilizado durante ms de cuatro dcadas.

Debido a que el dielctrico de puerta basado en high-k no es compatible con el electrodo de puerta de silicio de
hoy en da, la segunda parte de la receta de material del transistor de 45nm ha sido el desarrollo de nuevos
materiales para una puerta de metal. Debido a que los metales especficos que Intel utiliza se mantienen en
secreto, la compaa utilizar una combinacin de diferentes materiales metlicos para los electrodos de la
puerta del transistor.

La combinacin del dielctrico de puerta high-k con la puerta metlica para la tecnologa de fabricacin de
45nm de Intel proporciona ms de un 20% de incremento en la conduccin de la corriente, o lo que es lo mismo
un rendimiento del transistor mucho ms alto. Por otro lado, se reduce la corriente de fuga en ms de cinco
veces, mejorndose la eficiencia energtica del transistor.
Vi
Ic
IB
V2
V1
0,9Ics
0,1 Ics
V1/RB
V2/RB
t
t
t
t1 t2
Ics
td tr ts tf

El proceso tecnolgico de 45nm de Intel tambin mejora la densidad de transistores en cerca de dos veces frente
a la anterior generacin, permitiendo a la compaa bien incrementar el nmero total de transistores o bien hacer
que los procesadores sean ms pequeos. Debido a que los transistores de 45nm son ms pequeos que los de
anteriores generaciones, consumen menos energa al dejar y no dejar pasar la corriente, por lo que se reduce de
forma activa el consumo elctrico en la conexin y desconexin en un 30% aproximadamente. Intel utilizar
cables de cobre con un dielctrico low-k para sus interconexiones en 45nm con el fin de incrementar el
rendimiento y reducir el consumo de energa. Todo ello utilizar tambin innovadoras reglas de diseo y
tcnicas de enmascarado para ampliar la utilizacin de la tcnica de litografa seca de 193 nanmetros a la hora
de fabricar sus procesadores de 45nm, debido a sus ventajas en rentabilidad y la alta capacidad de fabricacin
que ofrece.

En el proceso inverso correspondiente al pasaje al corte, se observa que nuevamente el transistor no responde en
forma inmediata a la excitacin de base que pretende cortarlo, sino que se necesita un tiempo ts, denominado
tiempo de almacenamiento, para que la corriente decerzca al 90 % de Ics.
Finalmente, se necesita que transcurra el tiempo de cada tf, para que la corriente de colector alcance el 10%
ICS .

El tiempo de corte se encuentra constitudo por estos dos ltimos tiempo:.

t corte = ts + tf

Los cuatro tiempos definidos caracterizan la conmutacin de los transistores bipolares, y deben ser estudiados
individualmente para determinar su dependencia de la distribucin de portadores en la juntura y posteriormente
hallar expresiones analticas que permitan evaluar su duracin.

La notacin elegida, mantenido como subndice la primer letra de la palabra inglesa correspondiente, no es
arbitraria, sino que se ha adoptado por ser la usual en la bibliografa y la normalmente utilizada en los manuales.

Distribucin de portadores y tiempos de conmutacin

Caracterizados los tiempos de conmutacin, para lograr el segundo objetivo del presente apunte, consistente en
la caracterizacin de los tiempos de conmutacin de los transistores de potencia, es conveniente un breve repaso
de las caractersticas fsicas del dispositivo en estudio. Una vez comprendidas las causas del fenmeno es
posible determinar las expresiones matemticas que fijan su duracin.

Cuando un transistor npn se encuentra en zona activa, circula una corriente a travs de la juntura base-emisor,
corriente compuesta casi enteramente por electrones provenientes del emisor. La corriente a travs de esta
juntura debido a huecos en la base que penetren en el emisor, es prcticamente despreciable, debido a que el
dopado del emisor es significativamente mayor que el dopado de la base.

Como la juntura base-emisor se encuentra directamente polarizada, los electrones ingresados en la base son
transportados a travs de ella por difusin, para establecer luego la corriente de colector. Esta corriente de
difusin es a su vez, proporcional a la pendiente de la densidad de portadores en funcin de la distancia. Para
una polarizacin dada, correspondiente a una corriente de colector constante, la grfica de densidad de
portadores en funcin de la distancia a travs de la base ser
en consecuencia una lnea recta como se indica en la figura
19a.

Cuando cada electrn alcanza la juntura base-colector es
inmediatamente pasado a travs de la misma, ya que con el
transistor en Zona Activa esta juntura se encuentra
inversamente polarizada. En consecuencia, en la juntura de
colector, la densidad de electrones es cero.
Figura 19

Realmente la corriente de colector es ligeramente inferior a la de emisor debido a que existe una pequea pero
progresiva prdida de electrones al cruzar la base debido a su recombinacin con huecos. En consecuencia la
Base
Densi dad
de
El ectrones
QB QBA
N
I
QBA
QBS
E C E C E C E C
(a) (b) (c) (d)

corriente decrece ligeramente al incrementarse la distancia, por lo que la grfica anterior debera presentar una
pequea concavidad, que por simplicidad no se ha representado en la figura.

El rea bajo el grfico de densidad de electrones es el exceso total de portadores minoritarios en la base, QB,
para una condicin de operacin dada.

Si se pasa a una condicin de mayor conduccin, siempre en Zona Activa, debe aumentar la pendiente de la
grfica de densidad de electrones. Para el caso particular de haber alcanzado el lmite de saturacin,
determinado por la fuente de alimentacin VCC y la resistencia de carga RC, se obtiene una situacin como la
de la figura 19b, donde se ha llamado QBA al total del exceso de carga en la base para la condicin de
operacin del transistor en el lmite entre Zona Activa y saturacin.

Si a partir de esta situacin se aumenta la excitacin de base, el transistor entra en saturacin. Como para
alcanzar esta situacin, se ha debido aumentar externamente la polarizacin de la juntura base-emisor, esto
implica que se ha incrementado tambin el nmero de electrones inyectados a la base desde el emisor. Esto
significa una grfica tal como la indicada como normal (N) en la figura 19c.

VCC/RC. Esta limitacin de corriente, a pesar del aumento de polarizacin de base, se establece en virtud que
en saturacin la juntura de colector est directamente polarizada. En consecuencia hay una inyeccin de
electrones, que podemos llamar inversa, desde el colector hacia la base, que corresponde a la grfica inversa
(I) en la figura 19c.

La suma de las inyecciones normal e inversa dan una distribucin como la figura 19d. Como la corriente a
travs de la base, es constante a partir de que el transistor entra en saturacin, las pendientes en las figuras 19b
y 19d sern iguales. Se observa en la figura 19d que el exceso de carga acumulada de portadores minoritarios
consiste en una carga de saturacin uniforme QBS, la que no contribuye a la corriente, y una carga QBA, la que
establece el gradiente de densidad necesario para mantener la circulacin de corriente por difusin a travs de la
base.
Basado en el comportamiento fsico del dispositivo, se pueden entender los mecanismos por los cuales se
producen los retardos antes definidos en el encendido y apagado de los transistores bipolares.

Si un transistor se encuentra cortado, ambas junturas estan inversamente polarizadas y el exceso de portadores
minoritarios en la base es cero. Al excitarlo, el tiempo de retardo es el necesario para cargar las capacidades de
transicin de las junturas colector-base mas el requerido para que las tensiones en las junturas alcancen el nivel
necesario para que el transistor comience a conducir. A partir de all es necesario que transcurra el tiempo de
crecimiento tr para que se establezca el exceso de carga QBA.

Una vez saturado, al pretender cortarlo, lo primero que debe ocurrir es la eliminacin del exceso de carga QBS.
Durante el intervalo que esta carga es eliminada, la corriente de colector no disminuye, correspondiendo al
tiempo ts. Finalmente, durante el tiempo tf, se eliminar la carga QBA y la corriente de colector cae a cero.

Determinacin de los tiempos de conmutacin (FP)

Establecidos los tiempos que definen la conmutacin de un transistor, y comprendidos los mecanismos fsicos
que los provocan, se hace necesario poder evaluarlos as como determinar de qu parmetros dependen para su
posterior optimizacin en aplicaciones reales.

Para este propsito se pueden utilizar dos mtodos, la de aproximacin del circuito equivalente o el mtodo de
control de cargas ya utilizado para la evaluacin de los tiempos de conmutacin de diodos.

El mtodo del control de cargas, tiene como ventaja estar estrechamente vinculado con el comportamiento fsico
del dispositivo e independizar de la variacin de los parmetros de los modelos al tratar slo con cambios
absolutos de carga durante el intervalo de tiempo determinado por los lmites de integracin, sin importar la
forma en que se produce este cambio.


Sin embargo, en el presente anlisis se utiliza el mtodo de la aproximacin del circuito equivalente por haber
sido estos modelos ampliamente estudiados en asignaturas anteriores y permitir una ms clara visualizacin de
los factores determinantes de dichos tiempos, lo que contribuye a una fijacin ms clara del tema en estudio.

Se deja el mtodo del control de cargas solo para la determinacin del tiempo de almacenamiento, donde el uso
del mtodo del modelo equivalente no trae aparejadas las ventajas antes mencionadas.

Tiempo de retardo (FP)

Tal como fue definido, deben diferenciarse los dos factores que contribuyen al tiempo de retardo.
En primer lugar, existe un retardo debido a que cuando se aplica la seal de excitacin a la entrada del transistor,
es preciso un tiempo finito para cargar las capacidades de la unin, de modo que el transistor puede pasar del
corte a la regin activa. Llegado a esta situacin, donde el transistor ingresa en la regin activa, se precisa un
tiempo adicional para que la corriente de colector se eleve al 10% de su valor mximo.

Durante el primer intervalo de tiempo que denominaremos td1, el transistor se encuentra al corte, las dos
junturas estn polarizadas en sentido inverso y no hay corriente de colector. El escaln de corriente de base debe
modificar las tensiones de las capacidades de transicin Cib y Cob de las junturas de emisor y colector
respectivamente, de los valores de corte a los que justamente hacen conducir al transistor.

La capacidad Cib que se hallaba cargada a la tensin V2 debe pasar a valer V, tensin de arranque del
transistor, para que la juntura base-emisor comience a conducir. Anlogamente, la juntura C-B que se
encontraba a VCC-V2 debe pasar a cargarse a VCC-V. Como en esta zona, la tensin de colector no cambia,
se puede considerar ambas capacidades en paralelo para seal.

Se puede evaluar al primer componente del tiempo de retardo td1:

Vc = Vf + (Vi Vf) e t/t

La capacidad total Cie +Cob se carga partiendo de V2 y tendiendo hacia V1.

Vg = V1 + (V2 V1) e td1/t

Con una constante de tiempo dada por

td = Rs (Cib + Cob)

Por lo que resulta

td1 = Rs (Cib + Cob) ln V1 V2 / V1 Vg

td1 es muy pequeo para grandes valores de V1 frente a V2 y V,, o si inicialmente el transitor no se encuentra
muy lejos en la regin de corte (V2 ~ V). Estas dos conclusiones se derivan directamente de la ecuacin
anterior y son exactamente lo que caba esperar del comportamiento fsico del dispositivo

La limitacin antes mencionada con respecto a la variacin de los valores de los parmetros del modelo, se ve
reflejada en que Cib y Cob, por ser capacidades de transicin, no son constantes sino que dependen de la tensin
de polarizacin inversa tal como se indica en la figura 20.
Figura 20

El valor de td puede calcularse en forma exacta mediante integracin grfica, pero no se justifica debido a la
gran variabilidad de los parmetros de los transistores. Es preferible calcular el orden de magnitud de este
tiempo utilizando un valor tpico o realizar un clculo del peor caso.

Para completar la estimacin del tiempo de retardo, se debe evaluar un segundo componente que
denominaremos td2.


Durante este tiempo las condiciones de trabajo del transistor ya
han cambiado pues el transistor se encuentra en zona activa. De
asignaturas anteriores, es conocido que la respuesta de una etapa
a transistor excitado por una fuente resistiva y que acta sobre
una carga tambin resistiva, es la de un circuito para bajo con
una constante de tiempo dominante tr de valor

tr = rbe (Ce + Cc (1 + gm RL))

Esta constante de tiempo se deduce a partir del modelo
equivalente y aplicando el teorema de Miller como se indica en
la figura 21.

Figura 21

La red Snubber es un arreglo RC que se conecta en paralelo al tiristor en un circuito de conmutacin, como una
proteccin para el dv/dt. Es bsicamente un circuito de frenado al apagado del tiristor, cuyo objetivo es
amortiguar el efecto de una variacin voltaje / tiempo que en algn momento pudiera ser destructiva para el
tiristor. El diagrama del circuito correspondiente a la red Snubber se muestra en la figura 2.29. Es importante
saber que el valor de la resistencia Rs, est ligado a la corriente de descarga, ITD (que circular cuando se
descargue el capacitor), y que siempre se sugiere unas 10 veces mayor a la corriente de la carga. Por
consiguiente, si se conoce el valor de la carga R, y se sugiere el valor de la corriente de descarga, puede
encontrarse fcilmente el capacitor a usar.El circuito de conmutacin forzada se arm con base en el circuito de
la figura 2.28. Los valores de R y C se calcularon mediante la constante de tiempo, suponiendo que este es el
tiempo de carga y descarga del capacitor. Obviamente esto es solo una aproximacin emprica. Se realizaron dos
pruebas: en la primera (figura 2.29) se us un capacitor de 100F, y se supuso una constante de tiempo de 5ms.
Por esta razn R se calcul como R=T/C=4ms/100F=40 ohms. Se aproxim a 47 ohms.

Para comprobar el funcionamiento del circuito de la figura 2.30, se realiz lo siguiente: Una vez encendida la
fuente de alimentacin, se aplic el pulso de compuerta mediante PB1 (la representacin del diagrama no
corresponde a este tipo de interruptor, pero considrese como tal), de tal forma que el tiristor se encenda y se
mantena en conduccin, y la lmpara L1 encenda. Una vez hecho esto, se oprima PB2 y la lmpara se
apagaba, debido a la descarga de la carga del capacitor sobre el tiristor. Debe comentarse que no se not
variacin a simple vista cuando se sustituy a C de 100F a 1000F. Nota: la resistencia de compuerta del
circuito se us, segn la prctica anterior, con una valor de 200k. La resistencia RL representa a la lmpara y su
valor se calcul mediante RL=V*V/P=12*12/3=48 ohms. Para entender el comportamiento real del circuito de
conmutacin forzada, simulamos el circuito que se dibuja en la figura 2.31. En este circuito se coloc a PB1
como un interruptor formado por un interruptor comnmente abierto y uno comnmente cerrado, para simular
que es un interruptor de pulso (push.) En la figura 2.32 se dibuja una grfica del voltaje en la carga y en el
tiristor, en donde se aprecia que, una vez que se enciende el tiristor, existe en la carga un voltaje cercano a los
12 V de alimentacin, y cuando se cierra el interruptor PB2, el voltaje en la carga decrece hasta cero. Puede
notarse tambin que la carga se polariza con un voltaje aproximado del doble del valor de la fuente, en tanto en
el tiristor se presenta un voltaje inverso de 12 V. Lo anterior es debido a la descarga del capacitor, por lo que
debe considerarse esta caracterstica del circuito en el diseo de las caractersticas de los componentes, ya que es
un transitorio de magnitud importante.
En la figura 2.33 se observan las formas de onda de la simulacin del circuito para un valor del capacitor de
1000 F, y se aprecia que no existe un cambio sustantivo en las formas de onda, a no ser porque el voltaje de
descarga del capacitor desciende ms lentamente.

Es importante hacer notar que, para la simulacin del circuito, las libreras de PSPICE 6.0, no contienen al SCR
C106D, que se us en la prctica, por lo que se recurri al procedimiento mostrado en consideraciones
generales, para modificar el modelo original del SCR 2N1595. Para el diseo de la red Snubber, primero se
calcul el valor de la resistencia en serie RS, sin embargo, para que el clculo de la misma fuera idntico para
todas las prcticas de este manual, se consider que la carga a utilizar era un foco de 100 W, para 130 VAC; de
esta forma, Para simplificar se utilizar de 160 ohms. A partir del resultado anterior, se puede determinar que la
corriente nominal de la carga es de:

Si en el circuito emisor comn en estudio se satisface que:
rbb
rbe Ce
rbc
Cc
gm vbe rbc RL
rbb
rbe Ce Cc (1+gm RL) gm vbe RL
Cc gmRl+1/
gmRl
Modelo Equivalente
aplicando Miller
Modelo Equivalente


Rs >>rbe

se obtiene IB1 = (V1 - V1) / RS , y la evolucin de la corriente de colector es:

ic = hFE Ib1 (1 e t/tr)

Corriente que tiende a crecer exponencialmente al valor de hFE
IB1 como se indica en la figura 22. Sin embargo, como el
transistor satura cuando IC =Vcc/Rc el valor de la corriente de
colector se estabiliza en este valor mximo.

Figura 22

De la expresin anterior de la corriente de colector se puede
deducir la expresin de td2.

0,1 Ics = hFE Ib1 (1 e td2/tr)

td2 = tr ln 1 / 1 (0,1 Ics / hFE Ib1)

Definiendo N1, factor de sobrexcitacin como
N1 = hFE Ib1 / Ics

se puede rescribir la expresin anterior como:

td2 = tr ln 1 / 1 (0,1 / N1)

N1 recibe este nombre porque si ICS/hFE es la mnima corriente para saturar a un transistor, N1 indica cuantas
veces mayor es la corriente de base que se inyecta con respecto a la que lleva el transistor justo a saturacin.
Este segundo componente del tiempo de retardo depende en consecuencia tanto del transistor en s a travs de la
capacidad colector-base multiplicada por la conductancia gm, como del circuito de carga, RL y de la excitacin
de base mediante el factor de sobrexcitacin N1. Para ser estrictos, existe un tercer tiempo de retardo que es el
producido por el tiempo finito que transcurre a partir de que el transistor ha llegado al punto en que los
portadores han comenzado a atravesar la juntura b-e hasta que lleguen a la juntura de colector y sean registrados
como corriente de colector. Este tiempo es una funcin de cada transistor y por lo general es despreciable.

Tiempo de crecimiento (FP)

Para el clculo de este tiempo se procede en forma anloga que para el clculo de td2, ya que el transistor
permanece en zona activa. La siguiente expresin contina siendo vlida:

ic = hFE Ib1 (1 e t/tr)
Remplazando:
0,9 Ics = hFE Ib1 (1 e t 0,9 /tr)

tr = t0,9 td2 = tr ln ((1 0,1 / N1) / (1 0,9 / N1))

Valen para el tiempo de crecimiento tr las mismas consideraciones que para la segunda componente del tiempo
de retardo td2.

Tiempo de almacenamiento (FP)

Durante la mayora del tiempo de almacenamiento el transistor se encuentra saturado. Para hallar su duracin
utilizando el mtodo de la aproximacin del modelo equivalente debe usarse un modelo vlido en esta regin. El
nico modelo vlido para todas las zonas de operacin del transistor es el de EBERS y MOLL. Deducir la
duracin del tiempo ts utilizndo este modelo implica un desarrollo matemtico que se aleja de la asociacin
hfe IB1
Ics
0,9 Ics
0,1 Ics
Ic
tr
t

directa entre tiempo de conmutacin y parmetros fsicos del transistor. Por este motivo, se utiliza el mtodo de
control de carga para la deduccin de ts.

La ecuacin bsica del concepto de control de carga es la ecuacin de continuidad:

I = dQ/dt + q/t

Aplicando la ecuacin de continuidad al transistor se encuentra que la corriente de entrada debe proveer seis
componentes:

La corriente debida a la variacin de la carga activa de base QBA.
La corriente debida a la recombinacin de la carga activa de base con un tiempo de vida medio.
La corriente debida a la variacin del exceso de carga de base QBS.
La corriente debida a la recombinacin del exceso de carga con un ts.
La corriente requerida para cargar la Cib.
Corriente requerida para cargar la Cob.

Expresado matemticamente:

Ib = QBA/ta + dQBA/dt + QBS/ts + dQBS/dt + Cib dVbe/dt + Cob dVcb/dt (3.3.3.1)

Como las tensiones a travs de las junturas del transistor son constantes durante ts, no se deben considerar los
efectos de Cib y Cob.
Adems, como la corriente de colector no cambia durante ts, tampoco haba variacin en la carga QBA.
Eliminando los trminos iguales a cero en la expresin anterior se obtiene:

Ib = QBA/ta + QBS/ts + dQBS/dt (3.3.3.2)

El trmino QBA / ta = IBA , es la corriente de base que lleva al transistor justo al borde de saturacin. Esta
expresin se deduce de aplicar la ecuacin 3.3.3.1 a una condicin estable como la de la figura 19b. En esta
condicin slo el primer trmino de 3.3.3.2 es distinto de cero
Tomando t=0, como el instante en que se invierte la corriente de base, en t=0- la ecuacin 3.3.3.2 queda
expresada por:

IB1 = IBA + QBS / ts
por lo tanto:
QBS = ts (IB1 IBA) (3.3.3.3)

A partir de este instante, se invierete la tensin de entrada y la corriente de base es IB2. La ecuacin 3.3.3.2 se
expresa por
IB2 = IBA + QBS / ts + dQBS/dt (3.3.3.4)

Resolviendo la ecuacin diferencial 3.3.3.4 con la condicin inicial dada por 3.3.3.3 se puede calcular el tiempo
que tarda la QBS en desaparecer. Intervalo que establece el primer componente del tiempo de almacenamiento,
denominado ts1

ts1 = ts ln ((IB1 IB2) / (IBA IB2))

El tiempo ts1 obtenido es el primer componente del tiempo de almacenamiento. Por definicin el tiempo ts se
debe calcular hasta el instante que la corriente de colector ha decrecido al 90% de su valor de saturacin. El
tiempo requerido para alcanzar este valor a partir que el exceso de carga QBS se hace cero, constituye el tiempo
td2, segundo componente del tiempo de almacenamiento.

Una vez concluido el tiempo ts1 el transistor se encuentra nuevamente en zona activa., por lo que es vlido el
modelo utilizado para el clculo del tiempo de crecimiento tr.
La corriente de colector decrece a partir de ICS y tendera exponencialmente al valor de - hFE IB2 si el
transistor se comportara como un elemento lineal, sin estado de corte.

Esta corriente de base IB2 que se aplica para llevar al transistor al corte, es una corriente inversa que persiste
hasta que la corriente de colector ha llegado a cero.
Si en correspondencia con el factor de sobrexcitacin N1 se definine un nuevo factor N2 tal que:

N2 = - hFE IB2 / ICs

Se obtiene la segunda componente del tiempo de almacenamiento ts2.

ts2 = tr ln ((1 + 1/N2) / (1 + 0,9/N2))

Como conclusin, de las expresiones de ts1 y ts2, se puede apreciar que si se desea reducir el tiempo de
almacenamiento ts se debe utilizar una fuerte excitacin de base en sentido inverso IB2 >> IB1 y IB2 >>
IBA o bien saturar slo ligeramente al transistor con IB1 IBA

Tiempo de cada (FP)

Al igual que para el clculo del segundo componente del tiempo de almacenamiento, el tiempo de cada se
obtiene a partir del decrecimiento exponencial de la corriente de colector desde ICS hacia - hFE IB2.
Basta con calcular el tiempo necesario para que la corriente de colector vare entre el 90% y el 10% de ICS,
resultando:

tf = tr ln ((1 + 0,9/N2) / (1 + 0,1/N1))

Nuevamente una mayor corriente inversa acorta el tiempo de cada del mismo modo que acorta el de
almacenamiento.

Tiempos de Conmutacin de Transistores MOSFET de Potencia

Capacidades de los MOSFET

La estructura fsica de los MOSFETs determina la existencia de capacidades entre
sus terminales. La estructura Metal-Oxido del gate, determina la existencia de las
capacidades CGD y CGS ente el terminal de gate y el canal. La juntura pn
resultante del proceso de formacin del MOSFET fija un valor de capacidad CDS
entre los terminales de drain y source.
Las primeras, resultantes de la separacin del canal de la metalizacin de gate por
una capa de dielctrico de dixido de silicio son de un valor superior al
presentado por CDS, capacidad de transicin asociada a la operacin en
polarizacin inversa de una juntura pn.

Figura 23
Al igual que en los JFET, en las hojas de datos estas capacidades se especifican como de entrada, salida y de
transferencia inversa, de acuerdo a las respectiva siguiente nomenclatura:
Ciss Capacidad de entrada medida entre los terminales de gate-source con el terminal de drain
cortocircuitado para seal con el source.
Coss Capacidad de salida mediada entre los terminales de drain-source con el terminal de gate cortocircuitado
para seal con el source.
Crss Capacidad de transferencia inversa, medido entre los terminales de drain-gate con el terminal de source
conectado al terminal de guardia.

De acuerdo a las definiciones precedentes resulta:

Ciss = CGS+ CGD
Coss = CDG + CDS
Crss = CGD

De los dos tipos de capacidades intrnsecamente asociadas con los
MOSFET, normalmente las asociadas con su estructura (compuerta-
G
D
S
B
C
DS
C
GS
C
GD
5 15 25 10 20
V
DS
(V)
C (pF)
2000
Ciss
Coss
Crss
T = 25 C
V
GS
= 0

dielctrico-canal) son mayores que las asociadas con la juntura pn (CDS) por lo qu sta es mucho menor que
CGD, resultando una capacidad de salida prcticamente igual a CGD.

En cuanto a la capacidad gate-drain, por ser la que establece un vnculo capacitivo entre la salida y la entrada,
generalmente se utiliza en los manuales la denominacin de capacidad inversa Crss, siendo esta denominacin
mas usual que CGD .
Tradicionalmente, los fabricantes provn informacin sobre estas capacidades mediante curvas como las de la
figura 24.
Figura 24
Estas curvas, si bien brindan importante informacin sobre los valores de las capacidades de los MOSFETs,
puede ser malinterpretadas si se omite considerar que en la grfica anterior, las capacidades se encuentran solo
referidas a la tensin VDS, con tensin gate-source igual a cero, y no a la tensin a que se encuentra realmente
sometida cada capacidad. La informacin de la figura 24 es congruente para Coss, al estar graficada en funcin
de VDS con VGS = 0, pero no para determinar los valores de Ciss y Crss en los distintos estados por los que
pasa un MOSFET al conmutar entre conduccin y corte y viceversa.

A modo de ejemplo, si se analiza la variacin de tensiones a que se ve sometida Crss durante la conmutacin,
puede comprobarse que con el MOSFET cortado (VGS 0), su tensin es una tensin positiva VDG VCC, ya
que VDS = VCC y VGS 0. En cambio, cuando el dispositivo se encuentre en plena conduccin con la VGS
necesaria para asegurarla (VGS > VT), la situacin es diametralmente opuesta pues VDG 0, por lo que VDG =
VDS (ON) - VGS(ON) < 0.

En consecuencia, sin disponer de informacin de los valores de las capacidades para tensiones VDG negativas
no puede evaluarse el comportamiento de los MOSFET en conmutacin. A
este efecto los fabricantes completan la informacin brindada por curvas
como de la figura 24 con la contenida en curvas como las de la figura 25.

Las variables utilizadas en la absisa, as como las condiciones de medicin
VGS = 0 y VDS = 0, reflejan las condiciones para generar las dos
secciones de las curvas de la figura.

Estas curvas reflejan la gran diferencia de valores de capacidad segn exista
o no canal formado en el MOSFET. Su establecimiento permite que existan
portadores para establecer la conduccin y en consecuencia las capacidad asociadas con la estructura
compuerta-dielctrico-canal aumentan varios rdenes de magnitud. Se puede verificar que Crss, que como toda
capacidad que vincula la salida con la entrada, juega un papel fundamental en los tiempos de conmutacin, pasa
de valer 50 pF cuando el MOSFET se encuentra cortado a mas de 3300 pF al conducir.

Tiempos de conmutacin de los MOSFET

En la figura 26, se ha graficado un circuito donde un transistor MOS
canal n pasa del estado de corte al de conduccin y viceversa al ser
excitado por una fuente VGG. Como resultado de esta excitacin, se
han representado las formas de onda de gate y drain resultantes en la
figura 27.
Dado que los MOSFET son dispositivos comandados por tensin y
no por corriente, debe tenerse en cuenta para la conmutacin cmo se
cargan y descargan todas sus capacidades, considerando como se van
modificando sus valores al pasar el MOSFET por los diferentes
estados de conduccin
Figura 26
Figura 27
En t=0 se aplica VGG al MOS que se encuentraba cortado con VGS=0 y
VGD=VDD, valores a los cuales estn cargados CGS y CGD, El MOS
permanece sin conducir el tiempo T1 necesario para cargar la capacidad de
entrada a VT. Transcurrido T1 las capacidades quedan cargadas segn se
indica en la figura 28. Durante este intervalo, la capacidad de entrada es
VGS/VGD (V)
C (pF)
CGS
CGD
10 20
VDD
VGG
Rl
Ri
T1 T2 T3 T4 T5 T6
VDS
VGS
VGG
Regi ones: I II III
t = 0
Vg1
Vg2
Vg1 = VT
Vg2 si DVDS = 0
VDD

Ci=Cgs+Cgd. Por no haberse an establecido el canal, de la figura 25 puede observarse que sus valores son
bajos
Concluido el tiempo T1 el MOS comienza a conducir y su tensin VDS disminuye. El MOS se encuentra ya en
zona activa, y durante T2 su capacidad de entrada se ve afectada por el efecto Miller, Ci=Cgs+(1+A)Cgd. Debe
tenerse en cuenta que la capacidad de entrada se ve incrementada no solo por el efecto Miller, sino por el
incremento propio de Cgs y Cgd cuando VGD /VGS > VT como se indica en la figura 25.

Figura 28

Al final de T2, y suponiendo VDS = 0,5V, las
capacidades del MOS se encuentran cargadas a
los valores indicados en la figura 29.

Figura 29

La variacin de CGD con la tensin drain-source durante T2 se ve
reflejada en la curva de VGS de la figura 27, la que inicialmente
presenta una pendiente elevada, para disminuir paulatinamente a
medida que VDS tiende a su valor mnimo.

Llegado a esta condicin el MOS est saturado. No hay ms cambios
en VDS o IDS, no hay en consecuencia efecto Miller y la capacidad
de entrada Ci=Cgs+Cgd termina de cargarse a su valor final. La Ci durante T3 es mayor que durante T1 debido
al aumento de CGS y CGD al encontrarse el MOS en conduccin.

El proceso de apagado es similar. Durante el tiempo T4 el MOS est completamente conductivo, no hay
variacin de VDS ni efecto Miller y se elimina el exceso de carga de Ci.

Durante T5 el MOS comienza nuevamente a funcionar como un integrador Miller. La salida vara lentamente
hasta que la capacidad de Miller disminuye, luego sta vara ms rpidamente hasta que finalmente el MOS
llega al estado de OFF.

En T6 el MOS ya est cortado y la capacidad de entrada termina de descargarse.

Sobre la curva VDS pueden definirse los tiempos de conmutacin de un MOSFET. Se define un tiempo de
retardo de encendido, como el lapso a partir de aplicarse la tensin VGG de entrada hasta que la corriente de
drain alcance el 10% de su valor mximo; un tiempo de crecimiento para el intervalo de variacin de IDS entre
el 10% al 90% de su valor mximo; un tiempo de retardo de corte desde que se hace VGG = 0 hasta que la
corriente de drain alcance el 90% de IDS max y finalmente un tiempo de cada para la variacin de IDS desde
el 90 al 10% de su valor mximo.

Evaluacin de los tiempos de conmutacin de los MOSFET (FP)

La velocidad de operacin de un MOS se encuentra fijada por la velocidad con que se cargue y descargue la Ci,
determinada por la capacidad de entregar corriente del circuito excitador. Circuito excitador que entrega energa
slo en los momentos de conmutacin, ya que la alta resistencia de entrada (del orden de 1012 ohms) hace que
sta sea despreciable en estado estacionario. Para un dado valor de
Ci de un MOSFET, la energa requerida para un cierto DVgs es:
W = Ci DVgs2 (watt-segundos)

Como Ci es una funcin de VGS y VDS, Ci cambia de valor durante
el proceso de conmutacin y no se puede fijar su valor en la
G VDD
D
S
Rl Cgd
Cgs
Cds
VCgd = VDD - Vg1
VCgs = VT
VCds = VDD
+
+
-
-
+
-
VCgd = Vg2 - VDS(ON)
VCgs = Vg2
VCds = 0,5
G VDD
D
S
Rl Cgd
Cgs
Cds
+
+
-
-
+
-
Rds
VDD
100 ohm
Ig

expresin anterior. La expresin anterior puede tambin ser escrita como:

W = DQg DVgs
Expresin que fija los requerimientos de carga de gate para que los distintos estados del encendido tengan
efecto, siendo DQg la variacin de carga de la capacidad de entrada para una variacin de DVgs. Para la
solucin de esta expresin, los fabricantes suministran curvas como la de la figura 30, que corresponden a un
circuito como el indicado en la figura 31.
Figura 30
Figura 31

Estas curvas, conocidas como las curvas de carga de gate, simplemente reflejan el comportamiento de las
tensiones de VDS y VGS para condiciones de alimentacin especficas. En particular, en la figura 32 se ha
redibujando la curva de control de carga de gate correspondiente a VDD = 60 V, y donde pueden apreciarse tres
regiones coincidentes con los intervalos T1, T2 y T3 de la figura 27.
Figura 32

La regin 1 se encuentra definida cuando VGS es menor que la tensin de
umbral, VGS VT, y en consecuencia el MOS cortado. La capacidad en
esta regin es prcticamente constante y su valor es:

pF
v
pC
Vg
Q
Ci 645
8 , 3
2450
1
1
= = =

En la regin 2 el MOS conduce, existe efecto Miller, y se puede tomar
como valor promedio de Ci:

pF
Vg Vg
Q Q
Ci 2923
8 , 3 1 , 5
2450 6250
1 2
1 2
=
=

En la regin 3, el MOS est en plena conduccin, ya no hay efecto Miller y la capacidad de entrada es:

AVgs
AQ
Ci =
875 pF,
El valor de la capacidad Ci es mayor que en la regin 1 por estar el canal creado.

En esta regin el MOS se encuentra sobreexcitado, siendo este exceso de carga el que determina la existencia
del tiempo de retardo de apagado. Tiempo que puede ser disminuido pre polarizando al gate a un valor de
tensin gate-source justo inferior al necesario para establecer la corriente mxima de drain. Sin embargo, el no
sobreexcitar en la regin 3 disminuye el margen de ruido del circuito de control y requiere un valor estable de
Vt.

De las expresiones anteriores se pueden determinar los tiempos de conmutacin. Si el gate est comandado por
una fuente de corriente Ig, se puede calcular:
AT
AQ
dt
dQ
i = =

t 1 = t retardo encendido =Q1
Ig
t2 = t ON=Q2
Como el circuito excitador solo debe entregar corriente en los momentos de conmutacin, debe disearse de
modo que ste no la consuma en los momentos en que el MOS est ON u OFF. Por el contrario, durante el
pasaje de un estado a otro, debe ser capaz de entregar la corriente necesaria para alcanzar los tiempos de
conmutacin requeridos. Por ejemplo, si se requiere un tON de 20 nseg, de la ecuacin anterior.

80
60
40
20
VDS (V) VGS (V)
8
6
4
2
2000 4000 8000 10000 6000
Qg - Carga de Gate - en pC
VDD = 20 V
VDD = 60 V

mA
seg
C
Ig 313
10 . 20
10 . 6250
9
12
= =

Para un circuito excitador con una salida resistiva y considerando una Ci constante tanto en la regin 1 como en
la regin 2.
|
|
.
|
\
|
=
GG
V
Vg
Ri
Vg
Q
t
1
1
1
1
1 ln

|
|
.
|
\
|
=
1
1 2
1 2
1 2
1 2
1 ln
Vg V
Vg Vg
Ri
Vg Vg
Q Q
t t
GG

Para las curvas anteriores con Ri = 10K W y VGG=10 V, se obtiene:

Q1 = 2450 pC
Q2 = 6250 pC t1 = 3,08 nseg tON ~10 nseg
Vg1 = 3,8 v t2-t1=6,88 nseg
Vg2 = 5,1 v

Reduciendo Ri a 500O se lleva tON ~ 500 nseg. Reducciones mayores de Ri provocan menores tON.

Las caractersticas presentadas hasta el momento fueron estipuladas para una RL=100ohm =>@VDD=60v =>
ID=600mA. Para diferentes valores de IDmax el valor de Vg2 puede
obtenerse de la curva ID vs.Vgs. Luego, con este valor de Vg2, Q2 puede
extraerse del valor adecuado de VDD de la figura 30.

A modo de ejemplo, si se necesita una corriente de conduccin de 2A con
VDD=60V, de la curva de transferencia de la figura 33 se observa que para
ID=2A =>Vgs= 6V

De la figura 26, Q ~ 7000pC.

La carga de Drain prcticamente no afecta Q1 y en consecuencia no afecta a t1.
Figura 33
Transistores Bipolares de Compuerta Aislada

Los Transistores bipolares de Compuerta Aislada, conocidos por la sigla IGBT de su nombre en ingls Insulated
Gate Bipolar Transistor, por ser dispositivos basados en dos tipos de portadores ofrecen superiores
caractersticas de conduccin, manteniendo una performance equivalente a los MOSFETs en cuanto a
simplicidad de uso y soporte de picos de corriente. Su velocidad de conmutacin, si bien es tericamente
inferior a la de los MOSFETs, mediante nuevas tecnologas de fabricacin puede llevarse a valores
comparables.

Adicionalmente, los IGBT son potencialmente ms econmicos por presentar una densidad de integracin
superior a implementaciones equivalentes con MOSFETs. A igualdad de potencia, los IGBT requieren solo un
40 % del rea necesaria para la fabricacin de una estructura MOSFET.

Estructura, principio de funcionamiento y circuito equivalente

En la figura 34 se ha dibujado una estructura tpica de un IGBT canal n. El
comportamiento de una estructura basada en canal p es completamente
anloga.

Figura 34

La estructura indicada es muy similar a un MOSFET de difusin vertical, presentando una doble difusin de una
regin tipo p y de una regin tipo n. Al igual que un MOSFET se puede establecer una zona de inversin debajo
2 4 6 8
1
2
3
ID
Vgs

del rea de gate aplicando una tensin de la polaridad adecuada. La creacin de la zona de inversin permite la
circulacin de corriente entre las zonas n+ debajo del ctodo y la zona de drift n-.

La principal diferencia entre los IGBT y los MOSFETs radica en la utilizacin de un substrato p+, capa que
permite cambiar su funcionamiento al de un dispositivo bipolar al
inyectar huecos en la regin tipo n-. Esta zona constituye en
consecuencia el emisor de un transistor bipolar pnp, mientras que
las zonas n y p separadas por las junturas J3 y J2 constituyen
respectivamente las zonas de base y colector. En el mismo dibujo
pueden distinguirse la denominacin de los tres terminales del
IGBT: emisor, colector y gate. El primero se corresponde con el
terminal de ctodo y es la conexin con la zona p de colector del
transistor pnp antes mencionado. El terminal de colector del IGBT,
se conecta a la zona p+ correspondiente al emisor del transistor
pnp. El tercer terminal, denominado gate o compuerta, permite
establecer o no la conduccin del dispositivo mediante la aplicacin de una tensin VG. Finalmente puede
observarse que el terminal de base del transistor pnp no se encuentra disponible. El pasaje de conduccin a
corte y viceversa, al igual que en un MOSFET, se controla mediante la tensin de gate VG. Si esta tensin es
menor que la de umbral no se crea la zona de inversin y el dispositivo se encuentra cortado. Cualquier tensin
directa aplicada (nodo positivo respecto al ctodo) es bloqueada por la juntura J2 inversamente polarizada y
solo circula una pequea corriente de prdidas. La tensin de ruptura de la juntura J2 determina la mxima
tensin que puede ser aplicada a un IGBT directamente polarizado. Su valor depende fundamentalmente del
dopado de la zona de menor valor de las que constituyen la juntura de bloqueo, correspondiendo en este caso a
la zona n-. Al aplicarse una tensin inversa, un menor dopado produce una zona de vaciamiento ms extensa y
en consecuencia soporta un menor campo elctrico. Para prevenir que la zona de vaciamiento se extienda hasta
la zona del emisor tipo p, se suele incluir una zona de buffer n+. Sin embargo la inclusin de esta zona reduce
drsticamente la tensin de ruptura de la juntura J3, que debe soportar una tensin inversa cuando el dispositivo
opere inversamente polarizado. La existencia de la zona de buffer n+ permite la reduccin del espesor de la zona
n-, reduciendo las prdidas de conduccin. La conduccin del dispositivo se produce aplicando una tensin de
gate superior a la tensin de umbral, tensin que crea un canal entre las regiones n+ debajo de la compuerta y de
drift n-. Se produce una inyeccin de electrones desde el source hacia la regin de drift en forma simultnea con
la injeccin de huecos desde la zona p+ en la regin de drift dado que la juntura J3 se encuentra directamente
polarizada. Esta situacin se encuentra reflejada en la figura 35.
Parte de los huecos se recombinan en la regin de drift, mientras que la mayora la atraviesan por difusin,
alcanzando la juntura J2 para constituirse en la corriente principal del dispositivo. En consecuencia la operacin
de un IGBT puede ser considerada como un transistor pnp de base ancha, y cuya corriente de base es
suministrada por la conduccin del canal de un MOSFET.

En la figura 36a se ha modelizado esta forma de funcionamiento.

Figura 36
La figura 36b presenta un circuito equivalente ms complejo que incluye
al transistor parsito npn constituido por la zona n+ del source del
MOSFET, la regin p y la zona de drift n-. Se ha incluido tambin la
resistencia lateral de la zona p.

Si la corriente que circula por esta resistencia es lo suficientemente elevada, puede producir la conduccin del
transistor parsito. Si esta situacin ocurre, se produce una inyeccin de electrones desde la regin n+ hacia la
regin p, perdindose el control de gate. Este fenmeno conocido como de latch up o cerrojo generalmente
conduce a la destruccin del elemento por lo que debe ser impedido en condiciones de operacin normal.

A continuacin se indica el smbolo del IGBT.

Figura 37

Especificaciones (FP)

Mximos absolutos (FP)
G
E
C


Indican valores mximos que no deben ser superados bajo ninguna circunstancia en la operacin del dispositivo.

IC Corriente Continua de Colector. Mxima corriente continua de colector especificada a una temperatura de
cpsula determinada, que asegura no superar la mxima temperaura de operacin de la juntura.

ICM Corriente Pulsante de Colector. Mximo valor instantneo soportado por la corriente de colector, dentro de
las especificaciones de operacin pulsante.

VCE Tensin Colector Emisor. Mxima tensin que puede soportar el dispositivo en sentido directo en
condicin de corte.

VGE Tensin Compuerta Emisor. Mxima tensin de compuerta. Dado que la tensin de ruptura del dielctrico
es del orden de los 80 V, el valor especificado en los manuales es generalmente 20 V para limitar la corriente en
condiciones de falla y asegurar la confiabilidad en el tiempo del dispositivo.

ILM Corriente de Cargas Inductivas. Valor de corriente que puede ser conmutado en forma repetitiva cuando la
carga se encuentra constituida por una inductancia en paralelo con un diodo de conmutacin libre. Este valor
garantiza una zona SOAR de operacin pulsante rectangular, donde el dispositivo soporta simultneamente alta
tensin y alta corriente. La ILM se especifica a 150C y 80% de la tensin mxima.

PD Mxima Disipacin de Potencia. Mxima disipacin en el dispositivo para no exceder la mxima
temperatura de juntura.

Tj Mxima Temperatura de Juntura. Mxima temperatura de operacin del dispositivo.
Generalmente se comercializan para su operacin en el rango de 55C a +150C.

Caractersticas Elctricas (FP)

BVCES Tensin de Ruptura Colector Emisor. Mnimo valor de ruptura garantizado.
Presenta un coeficiente positivo de temperatura del orden de los 0,63V/C.

BVECS Tensin de Ruptura Emisor Colector. Mxima tensin emisor colector
soportada por el dispositivo. Los IGBT se encuentran normalmente sometidos a este
tipo de tensiones al cortarse, debido a la existencia de inductancias parsitas en el
circuito del diodo en paralelo, como se muestra en la figura 38.

Al cortarse uno de los IGBT, la corriente de carga se transfiere al diodo en paralelo con
el IGBT complementario. La di/dt de apagado en la inductancia parsita en serie con el
diodo genera el pico de tensin inversa sobre el dispositivo. Este valor es generalmente
de 10V pero puede verse incrementado frente a elevadas di/dt o layouts incorrectos.
Figura 38

VCE(on) Tensin Colector Emisor de Saturacin. Informacin presentada en forma de distintas grficas de esta
tensin en funcin de la corriente de colector y para dfistintas temperaturas de operacin. Su conocimientoe es
indispensable para el clculo de las prdidas de conduccin.

VGE(th) Tensin de umbral. Valor de la tensin de gate a la cual comienza a circular corriente de colector.
Presenta un coeficiente negativo con la temperatura del orden de los 11mV/C.

ICES Corriente de colector con tensin de gate nula. Parmetro que establece el valor
superior de la corriente de prdida para una temperatura y tensin colector emisor.

Caractersticas de Conmutacin (FP)

Qg Caracterstica de carga de gate. Carcterstica suministrada en forma grfica como
se indica en la figura 39. Esta informacin es til para mensurar los requerimientos del
circuito excitador y estimar sus prdidas. Por ser el IGBT un dispositivo de portadores

mayoritarios y minoritarios, esta informacin no puede ser utilizada para el clculo de los tiempos de
conmutacin como se la utiliza en los MOSFETs.
Figura 39
td(on), tr, td(off) y tf Tiempos de conmutacin. Los tiempos de conmutacin y el circuito de ensayo se indican
en la figura 40. Sus definiciones son las siguientes:

- td(on), tiempo de retardo de encendido, medido entre el 10% de la tensin de gate y el 10% de la
corriente de colector
- tr, tiempo de crecimiento, medido entre el 10% y el 90% de la corriente
de colector td(off), tiempo de retardo de apagado, medido entre el 90%
de la tensin de gate y el 90% de la corriente de colector
- tf, tiempo de cada, medido entre el 90% y el 10% de la corriente de
colector
Figura 40

Eon, Eoff, Ets Energa de conmutacin. Prdidas producidas en el IGBT al
conmutar de acuerdo a las siguientes definiciones y segn se indica en la figura
anterior:

Eon, Energa disipada a partir que la corriente de colector alcanza el 5% hasta
que la tensin decrece al 5%
Eoff, Energa disipada en el perodo que comienza al alcanzarse el 5% de la tensin de colector y durante un
lapso de 5 useg.
Ets, Suma de las energas de encendido y de apagado.

LE Inductancia Interna de Emisor. Inductancia del encapsulado que afecta el tiempo de encendido en forma
proporcional a la di/dt de la corriente de colector. Valores de di/dt de 1000A/useg producen cadas en esta
inductancia superiores a los 7V.

Ciee, Coee y Cree Capacidades interelectodos. La capacidad de salida Coee presenta la tpica dependencia de la
tensin inversa de las junturas pn. La capacidad inversa Cree es tambin fuertemente proporcional en forma
inversa a la tensin, pero segn una ley mas compleja que en el caso anterior. La capacidad de entrada Ciee,
suma de las dos capacidades restantes, presenta un menor grado de dependencia de la tensin dado que la
componente debida a la capacidad compuerta-emisor es la mas importante y es independiente de la tensin.

Tiempo de corto circuito. Define el tiempo durante el cual el IGBT puede ser cortocircuitado en condiciones
especificadas sin destruirse.

Estado de Conduccin

Las superiores caractersticas de conduccin presentadas por los IGBT son su principal ventaja frente a los
MOSFET. Como se desprende del circuito equivalente de
un IGBT, su cada directa se encuentra constituida por la
suma de dos trminos: la cada directa de una juntura pn y
la producida sobre el MOSFET de excitacin. En
consecuencia, al contrario de un MOSFET, un IGBT nunca
presenta una cada directa inferior a la de una juntura
directamente polarizada, independientemente de la
corriente que conduzca.

En cuanto a los dos trminos que constituyen la tensin de
conduccin, la cada sobre el MOSFET de excitacin, comparte la caracterstica comn a todo MOSFET de baja
tensin dada por su dependencia de la tensin de excitacin de gate. Esta situacin se ve reflejada en la figura
41 donde para valores de corriente prximos a la nominal, un incremento en la polarizacin de gate reduce la
cada colector emisor del IGBT. Este efecto no se encuentra presente en los MOSFETs de potencia de alta
tensin, donde la caida directa es independiente de la tensin de gate.
Figura 41

Con respecto al transistor pnp, la etapa de salida del IGBT es del tipo pseudo-Darlington. En consecuencia este
transistor nunca se encuentra completamente saturado y su cada
directa es superior a la correspondiente a un dispositivo que se
encuentre fuertemente saturado. Sin embargo el fuerte impacto de
la conduccin por dos tipos de portadores en la cada directa en el
estado de conduccin puede apreciarse en la figura 42 donde se
comparan las caractersticas de conduccin de un IGBT y un
MOSFET de del mismo tamao de pastilla.
Figura 42

Esta figura refleja la primera y radical diferencia entre ambos
dispositivos. Mientras un MOSFET como el de la figura, conduciendo una corriente del orden de los 10A,
puede presentar una cada directa de 10 a 25V segn su temperatura de operacin, el IGBT equivalente presenta
una cada inferior a los 2V.

En segundo lugar, la significativa dependencia de la temperatura presente en los MOSFETs es mnima en los
IGBT. La suficiente para permitir el reparto equitativo de corriente en dispositivos operando en paralelo a
valores elevados de corriente y en condiciones estticas. Puede observarse que la influencia de la temperatura en
la tensin directa difiere segn el valor de la corriente. Este efecto es debido a que la parte de la cada debida a
la juntura pn presenta un coeficiente negativo a bajas corrientes y positivo a valores elevados mientras que el
coeficiente de variacin de tensin correspondiente al trmino debido al MOSFET es siempre positivo.

Finalmente, adems de reducirse la cada directa y su coeficiente de variacin con la temperatura, en el IGBT
prcticamente tambin se elimina la dependencia de la tensin de operacin del dispositivo como se indica en la
tabla siguiente. El incremento de la tensin de ruptura soportada por los distintos IGBT de una familia de
dispositivos no se refleja en un incremento significativo de su cada directa. Por el contrario en los MOSFETs se
ve reflejado el aumento de la Ron cada vez que el dispositivo debe ser fabricado para soportar mayores
tensiones de ruptura.

Tensin soportada
por el dispositivo-V
IGBT 100 300 600 1200
MOSFET 100 250 500 1000
Cada directa @
1,7A/mm2 y 100C
IGBT 1,5 2,1 2,4 3,1
MOSFET 2,0 11,2 26,7 100

Caractersticas de Apagado

La mayor limitacin en la conmutacin de un IGBT se produce en su apagado y radica en el tiempo de vida de
los portadores en la zona n que constituye la base del transistor pnp. Como esta base no se encuentra accesible,
es imposible la utilizacin de un circuito de excitacin para mejorar la conmutacin. Como paliativo de este
inconveniente debe recordarse que como el transistor pnp se encuentra operando en modo pseudo-Darlington,
no hay tiempo de almacenamiento y el toff resultante es mucho menor que el de un dispoistivo equivalente
operando en saturacin. Sin embargo, la velocidad de operacin de un IGBT es insuficiente para aplicaciones de
conmutacin en alta frecuencia.

Como consecuencia adicional, las cargas almacenadas en la base son las causantes de la caracterstica cola o
tail en la forma de onda de apagado de la corriente de colector de un IGBT. Cuando el canal del MOSFET
deja de conducir, se interrumpe la corriente de electrones y la corriente del IGBT decrece rpidamente al nivel
de la corriente por recombinacin de huecos al comienzo de la cola como se indica en la figura 43. Esta cola
incrementa las prdidas de apagado y hace necesario incrementar el tiempo muerto entre los perodos de
conduccin de dos dispositivos en configuracin de medio puente.
Figura 43

Prdidas por Conmutacin

Los tiempos de conmutacin definidos en el apartado
5.3.3, provn informacin til para establecer los
tiempos muertos apropiados entre el encendido y
subsecuente apagado del elemento complementario en

una configuracin semipuente, as como los mximos y mnimos anchos de los pulsos de control. Sin embargo
no puden ser utilizados en el clculo de las prdidas de conmutacin, fundamentalmente por el fenmeno de
cola en la corriente de apagado, por la que una parte significativa de la energa total sea disipada cuando la
corriente se encuentra por debajo del 10% de su valor mximo. Adems la forma como la tensin de cada se
modifica no se encuentra caracterizada dentro del parmetro de toff.

Para compensar la falta de los datos requeridos para el apropiado clculo de las prdidas, los fabricantes provn
informacin como la de las figura 44. Mediante estas grficas, las prdidas totales de conmutacin, Ets, pueden
ser calculadas sin depender de las formas de onda de corriente y tensin de conmutacin. esencialmente
determinada por i
E
y no por V
CB
.
Una de las principales utilidades del transistor es como amplificador. En una configuracin de base comn
(Figura 6), la entrada (input), como una diferencia de potencial, alimenta al circuito emisor-base por aplicacin
de un voltaje A

Caractersticas MOSFET y BJT

TRANSISTOR BJT COMO CONMUTADOR
Aplicar los transistores no se limita nicamente a la amplificacin de seales. A travs de un diseo adecuado
pueden utilizarse como un interruptor para computadora y para aplicaciones de control. Puede emplearse como
un inversor en los circuitos lgicos de las computadoras.
LE Inductancia Interna de Emisor. Inductancia del encapsulado que afecta el tiempo de encendido en forma
proporcional a la di/dt de la corriente de colector. Valores de di/dt de 1000A/useg producen cadas en esta
inductancia superiores a los 7V.

Ciee, Coee y Cree Capacidades interelectodos. La capacidad de salida Coee presenta la tpica dependencia de la
tensin inversa de las junturas pn. La capacidad inversa Cree es tambin fuertemente proporcional en forma
inversa a la tensin, pero segn una ley mas compleja que en el caso anterior. La capacidad de entrada Ciee,
suma de las dos capacidades restantes, presenta un menor grado de dependencia de la tensin dado que la
componente debida a la capacidad compuerta-emisor es la mas importante y es independiente de la tensin.

Tiempo de corto circuito. Define el tiempo durante el cual el IGBT puede ser cortocircuitado en condiciones
Observe la figura 4.24 donde el voltaje de salida Vc es opuesto al que se aplic sobre la base o a la terminal de
entrada. Tambin obsrvese la ausencia de una fuente de dc conectada al circuito de la base. La nica fuente de
dc est conectada al colector o lado de la salida, y para las aplicaciones de computadoras normalmente es igual a
la magnitud del nivel "alto" de la seal aplicada, en este caso 5 V.
Figura 4.24. Transistor inversor.
El diseo ideal para el proceso de inversin requiere que el punto
de operacin conmute de corte a la saturacin, pero a lo largo de
la recta de carga descrita en la figura 4.52. para estos propsitos se
asumir que Ic = Iceo = 0 mA cuando IB = 0 A (una excelente
aproximacin de acuerdo con las mejoras de las tcnicas de
fabricacin).
Cuando Vi = 5 V, el transistor se encontrar "encendido" y el
diseo debe asegurar que la red est saturada totalmente por un nivel de IB mayor asociado con la curva IB, que
aparece cerca del nivel de saturacin. El nivel de saturacin para la corriente del colector y para el circuito est
definido por: ICsat = Vcc/ Rc
TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

Un transistor funciona como un interruptor para el circuito conectado al colector (Rc) si se hace pasar
rpidamente de corte a saturacin y viceversa. En corte es un interruptor abierto y en saturacin es un
interruptor cerrado. Los datos para calcular un circuito de transistor como interruptor son: el voltaje del circuito
que se va a encender y la corriente que requiere con ese voltaje. El voltaje Vcc se hace igual al voltaje nominal
del circuito, y la corriente corresponde a la corriente Icsat. Se calcula la corriente de saturacin mnima, luego la
resistencia de base mnima:
I
BSAT min
= Icsat /
R
BMax
= Von/I
Bsat min

Donde Von es el voltaje en la resistencia de base para encender el circuito, el circuito debe usar una R
B
por lo
menos 4 veces menor que R
Bmax.

Adicionalmente se debe asegurar un voltaje en R
B
de apagado Voff que haga que el circuito entre en corte.
VCC/RC. Esta limitacin de corriente, a pesar del aumento de polarizacin
de base, se establece en virtud que en saturacin la juntura de colector est
directamente polarizada. En consecuencia hay una inyeccin de electrones,
que podemos llamar inversa, desde el colector hacia la base, que
corresponde a la grfica inversa (I) en la figura 19c.

La principal aplicacin de transistor como interruptor es en los circuitos e
integrados lgicos, all se mantienen trabajando los transistores entre corte o
en saturacin, en otro campo se aplican para activar y desactivar rels, en
este caso como la carga es inductiva}

(bobina del rel) al pasar el transistor de saturacin a corte se presenta la "patada inductiva" que al ser repetitiva
quema el transistor se debe hacer una proteccin con un diodo en una aplicacin llamada diodo volante.

BJT

Constitucin:

Esta constituido por tres capas de materiales semiconductores extrnsecos.
Dos uniones PN o junturas.
Tres patas metlicas llamadas Emisor, Base y Colector

Funcionalidad:

Por medio de las tres patas, cada semiconductor se conecta al circuito exterior.
Los electrones atraviesan las junturas pasando desde el emisor al colector. Solo el 1% de los electrones
se combinan con los huecos de la base.
Regulando la tensin de Vee se regula la cantidad de electrones que atraviesan la primer juntura.

Configuracin:

Esta figura refleja la primera y radical diferencia entre ambos dispositivos. Mientras un MOSFET como el de la
figura, conduciendo una corriente del orden de los 10A, puede presentar una cada directa de 10 a 25V segn su
temperatura de operacin, el IGBT equivalente presenta una cada inferior a los 2V.

En segundo lugar, la significativa dependencia de la temperatura presente en los MOSFETs es mnima en los
IGBT. La suficiente para permitir el reparto equitativo de corriente en dispositivos operando en paralelo a
valores elevados de corriente y en condiciones estticas. Puede observarse que la influencia de la temperatura en

la tensin directa difiere segn el valor de la corriente. Este efecto es debido a que la parte de la cada debida a
la juntura pn presenta un coeficiente negativo a bajas corrientes y positivo a valores elevados mientras que el
coeficiente de variacin de tensin correspondiente al trmino debido al MOSFET es siempre positivo.

Finalmente, adems de reducirse la cada directa y su coeficiente de variacin con la temperatura, en el IGBT
prcticamente tambin se elimina la dependencia de la tensin de operacin del dispositivo como se indica en la
tabla siguiente. El incremento de la tensin de ruptura soportada por los distintos IGBT de una familia de
dispositivos no se refleja en un incremento significativo de su cada directa. Por el contrario en los MOSFETs se
ve reflejado el aumento de la Ron cada vez que el dispositivo debe ser fabricado para soportar mayores
tensiones de ruptura.

Simbologa:

Transistor Bipolar de Juntura: Resumen de Frmulas

oC oE
i
D A
o
V V
n
N N
q
kT
V
=
=
2
ln
;
( )
C B C E
kT qV
ES E
I I I I
e I I
EB
<< ~
=

1
/
;
kT qV
bo b
EB
e p p
/
) 0 ( =
kT qV bo b
C
b
b C
b b b
b C
EB
e
W
p qAD
I
W
p
qAD I
W
p
dx
dp
dx
dp
qAD I
/

) 0 (
) 0 (
tg donde
= =
= = = o
;
D
i b
S D bo bo bo no no i
bo no D no bo
T
bo b
S
V V
S C
WN
n qAD
I N p n p n p n
n n N p p
q
kT
V
W
p qAD
I e I I
T EB
2
2
/
y luego
, base la en
y donde
= = = =
= = =
= = =

corriente de base: I
B
= I
BB
+ I
BE

I
BE
esta representa los electrones inyectados de base a emisor en un transistor pnp (huecos en un npn):
T EB
V V
A n
i n
BE
A po i po eo
e
N L
n qAD
I
N n n n n
/
2
2
y
=
= =

I
BB
tiene en cuenta la recombinacin de electrones de la base con los huecos provenientes del emisor en un
transistor pnp (huecos de la base con electrones del emisor en un transistor npn)
b
p
BB
Q
I
t
=
; ) 0 (
2
b p
p
W
Aq Q = ;
D bo i
V V
bo b
N p n
e p p
T EB
=
=
2
/
) 0 (
;
T EB T EB
V V
D
i
b
BB
V V
bo p
e
N
n W
Aq I e p
W
Aq Q
/
2
/
2

2 t
= =
La corriente total de base para un transistor pnp la podemos expresar como:
p b n A
D
p
n
V V S C
B
V V
p b n A
D
p
n
S B
D
W
L
W
N
N
D
D
e
I I
I e
D
W
L
W
N
N
D
D
I I
T EB T EB
t
|
| | t
2
1

2
2
/ /
2
+
= = =
|
|
.
|
\
|
+ =
;
n b p D
A
n
p
D
W
L
W
N
N
D
D
t
|
2
1
2
+
=

emisor
colector
base
Ie
Ve
Vb
Vc
Ic
Ib
emisor
colector
base
Ie
Ve
Vb
Vc
Ic
Ib

C
C
C
B C E
I
I
I
I I I
|
|
.
|
\
| +
= + =
+ =
|
|
|
1
; T EB
V V
S E
e I I
/
1
|
|
.
|
\
| +
=
|
|
;
1
1
1
~
+
=
=
+
=
o
|
|
o
o
|
|
E E C
I I I
;
T EB
V V S
E
e
I
I
/
|
.
|
\
|
=
o
;
1
1
>>
= |
o
o
|

CS R ES F S
I I I o o = = ; o |o | = =
F F

Ebers-Moll
) 1 (
/
=
T EB
V V
ES EF
e I I ;
EF F CF
I I o = ;
EF
CF
F
I
I
= o
;
EF F CF EF BF
I I I I ) 1 ( o = = ;
CR R ER
I I o = ;
CR
ER
R
I
I
= o
;
CR R ER CR BR
I I I I ) 1 ( o = = ; ) 1 (
/
=
T CB
V V
CS CR
e I I ; I
C
= I
CR
+o
F
I
EF
; I
E
= I
EF
o
R
I
CR
; I
B
= I
E
I
C

Gummel-Poon
( ) ( ) 1 1
/ /
+ =
T CB T BE
V v
S
V v
S T
e I e I i ;
T CB T BE
V v
R
S V v
F
S
B
e
I
e
I
i
/ /
| |
+ =
;
( ) 1
/
=
T BC
V v
R
S
T C
e
I
i i
|
;
( ) 1
/
+ =
T BE
V v
F
S
T E
e
I
i i
|

) 1 ( ) 1 ( ) 1 ( ) 1 (
) 1 ( ) 1 (
) 1 ( ) 1 (
/ /
/ /
/ /
+ =
=
=
T CB T EB
T CB T EB
T CB T EB
V V
CS R
V V
ES F B
V V
CS R
V V
ES E
V V
CS
V V
ES F C
e I e I I
e I e I I
e I e I I
o o
o
o
; I i ;
( ) ( )
( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) 1 1
1 1 1 1
1 1
1 1
/ /
/ /
/ /
/ /
+ =
+ =
=
=
T BC T BE
T BC T BE
T BC T BE
T BC T BE
V v
R
S V v
F
S
B
V v
CS R
V v
ES F B
V v
R
S V v
S C
V v
S
V v
F
S
E
e
I
e
I
i
e I e I i
e
I
e I i
e I e
I
i
| |
o o
o
o

Caractersticas de salida

CS
V V
ES F C
I e I I
T EB
+ = ) 1 (
/
o ; ) 1 (
/
=
T CB
V V
CBO E F C
e I I I o ; I
CBO
= I
CS
(1 - o
F
o
R
);
I
C
= o
F
I
E
+ I
CBO
; ) 1 (
/ (
=

T BE CE
V V V
CEO B F C
e I I I | ;
( ) 1
1

1
CBO F
F
CBO
CEO
F
F
F
I
I
I + =
= |
o o
o
|
;

1
R
R
R
o
o
|
=

CEO B F C
I I I + = | ; ) 1 (
CBO B F C
I I I + + = | | ; I
CBO
I
CO
; o
F
I
ES
= o
R
I
CS
;
Si V
CE
= V
T
ln(1/o
R
) ser I
C
= o
F
I
ES
+ I
CS
= I
CS
(1- o
R
);
Caractersticas de entrada
CS R
V V
ES E
I e I I
T EB
o + = ) 1 (
/
;
CS R
V V
ES F B
I e I I
T BE
) 1 ( ) 1 ( ) 1 (
/
o o =

;
Caractersticas de transferencia
CEO B F CBO B F C
I I I I I + = + + = | | | ) 1 (
;
CS
V V
ES F C
I e I I
T BE
+ =

) 1 (
/
o ;

Efecto Early
CS
A
CE V V
ES F C
I
V
V
e I I
T EB
+
|
|
.
|
\
|
+ =
| |
1 ) 1 (
/
o ;
C
A
cte V
CE
C
o
I
V
V
I
r
BE
| |
1
~
|
|
.
|
\
|
c
c
=

=
;

Frecuencia de transicin
o m
b
c
b
c
fe
r g
I
V
V
I
I
I
h | |
t
t
t
= = = = = ;
| t t
t t
t
e e
|
e e
e
e e |
/ 1 ) ( 1 ) (
) (
) ( ) (
j C C r j
r g
I
V
V
I
I
I
A h
o m
b
c
b
c
i fe
+
=
+ +
= = = = =

;

o T
f f |
|
=
;
) ( 2
t
t C C
g
f
m
T
+
=

Ebers-Moll en saturacin

) ( 2
1
;
) (
1
t t
|
t t
|
t
e
C C r
f
C C r +
=
+
=

F
forzada
R
forzada
T CEsat
V V
|
|
|
|
+
+
=
1
1
1
ln
;
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
+ +
=
R B
F B F
T ECsat
I
I
I
I
V V
|
| |
1
1
1 1
1
ln
1
1

Modelo de Giacoletto

kT qV bo b
C
EB
e
W
p qAD
I
/
=
;
BE
kT qV bo b
C
dV e
kT
q
W
p qAD
dI
EB
/
= ;
EB
T
C
EB C C
dV
V
I
dV
kT
q
I dI
| |
| | = = ;
g
m
= |I
C
|q/kT = |I
C
|/V
T

kT qV bo
b F
EB
e
qAWp
W p qA q
/
2
) 0 (
2
1
= = ;
EB
kT qV bo
F
dV e
kT
q qAWp
dq
EB
/
2
=
;
EB
b
b kT qV bo
F
dV
W D
W D
e
kT
q qAWp
dq
EB
/
2
= ;
EB
b
m EB
b
C F
dV
D
W
g dV
D
W
kT
q
I dq
2 2
| |
2 2
= =
;
dt
dq
i
dq
i
F
b
BF
F
b
= =
2 1

t
;
EB
BF b
m
BF
F
b
dV
D
W
g
dq
i
t t 2
2
1
= =

be m be
BF b
m b
v g v
D
W
g i o
t
= =
2
2
1
;
BF b
D
W
t
o
2
2
=
dt
dV
D
W
g
dt
dq
i
EB
b
m
F
b
2
2
2
= =
;
dt
dv
C
dt
dv
D
W
g i
be be
b
m b
= =
2
2
2

W = f(V
CB
) ;
CB
CB
dV
V
W
dW
c
c
=
;
CB
CB
b b
F
dV
V
W qAp
dW
qAp
dq
c
c
= =
2
) 0 (
2
) 0 (
;
b
b
CB
CB
b
F
D
W
W
D
q
kT
kT
q
dV
V
W qAp
dq
c
c
=
2
) 0 (

CB
CB b
m F
dV
V
W
q
kT
D
W
g dq
c
c
=
2
;
CB
b
m F
CB
CB
CB b
m F
dV
D
W
g dq
V
W
q
kT
W
dV
V
W
q
kT
W D
W
g dq
2
1
1
2
2
2
q
q
=
c
c
=
c
c
=
;
dt
dq
i
dq
i
F
b
b
F
b
= =
4 3
y
t
;
CB cb
b b
b
cb b m b
CB
b b
m
b
F
b
dV v
D
W
v g i
dV
D
W
g
dq
i
= =
=
= =
y
2
2
2
3
2
3
t
o
o q
t
q
t
;
dt
dv
D
W
g
dt
dq
i
cb
b
m
F
b
2
2
4
q = =
; V
CB
= V
CBcont
+ v
cb
;

|
|
.
|
\
|
+ =
|
|
.
|
\
|
+ = + =
dt
d
D
W
g g Y
v
dt
d
D
W
g g i i i
b
m m b r
cb
b
m m b b b b
2
2
2
2
4 3
q qo
q qo

Admitancia de salida
CB
CB
b b
C
dV
V
W
dW
dW
W
p qAD
dI
c
c
=
=
2
) 0 (
;
cb o cb m c
CB m C
CB
CB
b b
C
v g v g i
dV g dI
dV
V
W
q
kT
kT
q
W
p qAD
dI
= =
=
c
c
=
q
q
2
) 0 (
;
Modelo completo de Giacoletto
b
m je
D
W
g C C
2
2
+ =
t
;
b
m jc
D
W
g C C
2
2
q
+ =
;
e b
m
r r
g g
'
1 1
= = =
t
t
o

'
1 1
cb
m b
r r
g g = = =
qo
;
' bb x
r r =
;
o
m o
r
g g
1
= =q


El BJT en conmutacin
C C CC CE
I R V V = ;
C C CC CE
I R V V = ;
pendiente
1
C
R
;
B B BB BE
I R V V = ;
carga de recta
B
BE
B
BB
B
R
V
R
V
I =
;
Inyeccin Directa (v
CB
= 0)
dt
dq q
i i i
F
BF
F
B B BF
+ = + =
t
2 1
;
F
F
CF
q
i
t
=
; W p qA q
b E F
) 0 (
2
1
=
dt dq q i
dt dq q q i i i
F F BF F EF
F BF F F F BF CF EF
+ + =
+ + = + =
) 1 1 ( t t
t t

Inyeccin Inversa (v
BE
= 0)
dt
dq q
i i i
R
BR
R
B B BR
+ = + =
t
2 1
;
R R ER
q i t =
; W W p qA q
b C R
) (
2
1
=
dt dq q i
dt dq q q i i i
R R BR R CR
R R R BR R BR ER CR
+ + =
+ + = + =
) 1 1 ( t t
t t

Parmetros de control de carga: t
BF
, t
F
, t
BR
, t
R

Inyeccin Directa e Inyeccin Inversa
|
.
|
\
|
+ +
|
|
.
|
\
|
+ =
dt
dq
dt
dq q q
i
R F
BR
R
BF
F
B
t t
;
R R F F BF F E
q dt dq q i t t t + + = ) 1 1 ( ;
F F R R BR R C
q dt dq q i t t t + + = ) 1 1 ( ; q
B
= q
BO
+ q
S
; t
BF
> t
BR
>> t
R
> t
F
; t
BF
= 1,2 s t
F
= 12 ns t
BR
=
0,36 s t
R
= 36 ns;

CONMUTACIN DESDE EL CORTE HASTA EL LMITE DE LA ZONA ACTIVA
En la conexin
+
= + =
= =
0 t para
0 t para 0
V v
v
g
g
;
+
= + ~
= =
0 t para /
0 t para 0
B g
g
R V i
i
; ;
dt dq q i
F BF F B
+ = t
;
) 1 (
BF
t
F F
e Q q
t
= ; Q
F
= I
B
.t
BF
;
) 1 ( ) 1 (
BF BF
t
C
t
F
F
F
F
C
e I e
Q q
i
t t
t t

= = =
;
Desconexin i
B
= 0;
BF BF
t
C C
t
F F F BF F
e I i e Q q dt dq q
t t
t

= = + = ; ; 0 ;

TIEMPOS DE SUBIDA (RISE TIME) Y DE BAJADA (FALL TIME)

Conexin
) 1 ( 1 , 0
1 , 0 ) (
1
1
BF
t
C C
C C
e I I
I t i
t
=
=
;
) 1 ( 9 , 0
9 , 0 ) (
2
2
BF
t
C C
C C
e I I
I t i
t
=
=
;
BF BF
BF BF
t
t
t t
t t
3 , 2 10 ln
1 , 0 1 , 1 ln
2
1
= =
= =
;
BF r
t t t t 2 , 2
1 2
= = ; Desconexin
BF
t
C C
C C
e I I
I t i
t
3
9 , 0
9 , 0 ) (
3
=
=
;
BF
t
C C
C C
e I I
I t i
t
4
1 , 0
1 , 0 ) (
4
=
=
;
BF f
t t t t 2 , 2
3 4
= =
;
REDUCCIN DE t
r
y t
f

I
C
= Q
F
/t
F
; V >> v
BE
, V aplicado a C
B
luego se almacena en el Q
F
= C
B
.V ; I
B
= Q
F
/t
BF
= V/R
B
Q
F
=
Vt
BF
/R
B
y como Q
F
= C
B
V obtenemos C
B
R
B
= t
BF
.
+V >> vBE
RB >> hie o rt
IB = ig = +V/RB


CONMUTACIN DESDE EL CORTE HASTA LA SATURACIN
Se almacena entonces en la base q
S
carga de saturacin (a eliminar en la desconexin).El nivel del generador
V es tal que para alcanzar la saturacin, I
C
~ V
CC
/R
C
y I
B
~ V/R
B
y se cumple |
F
I
B
> I
C
I
B
> I
C
/I
B
=
V
CC
/|
F
R
C
.
Entre 0 y t
1
cruza zona activa
) 1 (
BF
t
B F C
e I i
t
|

= en t
1
i
C
es mx. i
C
= I
C
= V
CC
/R
C
;
) 1 (
1 BF
t
B F
C
CC
C
e I
R
V
I
t
|

= =
;
|
|
.
|
\
|
=
B F
C
BF
I
I
t
|
t 1 1 ln
1
;
Factor de sobre-excitacin
C B F
I I n | = ;
|
.
|
\
|
=
n
t
BF
1
1 1 ln
1
t
;
Para el tiempo de subida en i
C

) 1 ( 1 , 0
'
BF
t
B F C
e I I
t
|

= ;
|
.
|
\
|
=
n
t
BF
1 , 0
1 1 ln ' t ;
|
.
|
\
|
=
n
t
BF
9 , 0
1 1 ln " t ;
|
.
|
\
|
= =
n n
t t t
BF r
9 , 0
1
1 , 0
1 ln " ' t
; como ln(1+x) = x si x << 1
n n n
t
BF
BF r
t
t 8 , 0
9 , 0 1 , 0
= |
.
|
\
|
+ =

En la ltima ecuacin: si n aumenta, es decir la sobreexcitacin, disminuimos el t
r
(y el t
f
, son iguales) a costa
de aumentar la carga q
S
almacenada en la base y por lo tanto aumentar el tiempo de almacenamiento t
s
.
Para compensar el efecto de la sobreexcitacin en la conexin, sobreexcitamos en la desconexin, como se
observa en la siguiente figura:
I
B
= V/R
B
m = |
F
I
B
/I
C

( ) | t /
2 Csat B s s
I I Q = ;
|
|
t
/
/
1
2
Csat B
Csat B
s s
I I
I I
t
+
=
;
( ) | /
1
,
Csat B s s
I I t Q + =
;
s s
Q V C Q = A =
,
;

MOSFET

Constitucin:

Est formado por un semiconductor extrnseco tipo P con dos islas tipo N muy fuertemente dopadas.
Tres patas metlicas llamadas Source (isla tipo N), Gate (material tipo P), Draw (isla tipo N)

Funcionalidad:

La corriente a travs del dispositivo, es controlada por un campo elctrico asociado a un voltaje
aplicado al contacto de entrada.
Si se aplica una tensin positiva en el Gate, se forma un canal negativo que une las islas del material
tipo P son repelidos y alejados de la zona superior. La conductividad de este canal aumenta con el
voltaje aplicado.
Se atrae a los portadores negativos y se cierra el circuito.
Si se corta la tensin en el Gate, el canal desaparece y no circula corriente entre el Source y Draw.

Simbologa:
Transistor de unin bipolar


(Bipolar Junction Transistor (BJT))

Cuando una capa de Si tipo n se pone entre medio, como un sndwich, entre dos capas de Si tipo p, obtenemos
un transistor pnp. Si una capa tipo p se pone entre dos capas tipo n, tendremos un transistor npn. El jamn
del sndwich, es decir, la capa en el medio, se llama la base (B) y los dos panes, es decir, las capas externas se
llaman emisor (E) y colector (C). Los dos tipos de transistores y sus smbolos electrnicos se muestran en la
Figura 1. Una cosa importante es el hecho de que en ambos casos, la base es muy delgada (~10
-6
m) y muy poco
dopada (es decir, con muy pocas impurezas que favoreceran la conduccin) respecto al emisor.

Figura 1

Un transistor npn puede considerarse como un diodo np seguido de un
diodo pn, y de forma anloga para el transistor pnp. Por lo tanto, las
ideas presentadas en la discusin sobre diodos se usarn ahora para
explicar el comportamiento fsico de un transistor. Limitaremos nuestra
discusin al transistor npn. Argumentos similares a los que
presentaremos para el transistor npn pueden ser usados para el
transistor pnp.
Cuando las tres capas de semiconductor se ponen juntas, los
transportadores mayoritarios fluirn a travs de las dos uniones,
creando diferencias de potencial de contacto entre el emisor y la base y
entre el colector y la base. Si asumimos uniones completamente
simtricas (y asumiendo que el emisor y el colector tienen idnticas
concentraciones de impurezas), los potenciales de contacto V
c
en la
unin emisor-base y en la unin colector-base sern iguales. Noten que
en la ausencia de un potencial externo, el potencial del lado n de la
unin pn es mayor que el del lado p en una cantidad igual al potencial
de contacto V
c
. Las variaciones del potencial en las tres secciones del
transistor npn se muestran en la Figura 2(a). Las barreras de energa potencial asociadas para electrones y
huecos se muestran en la Figura 2(b) y (c) respectivamente.

Figura 2

Para apreciar los aspectos bsicos de un transistor como elemento de un circuito activo, consideremos el circuito
de la Figura 3. esencialmente determinada por i
E
y no por V
CB
.
Una de las principales utilidades del transistor es como amplificador. En
una configuracin de base comn (Figura 6), la entrada (input), como una
diferencia de potencial, alimenta al circuito emisor-base por aplicacin de
un voltaje AV
1
como se muestra en la Figura 6.
La salida (output) es toma fuera del circuito colector-base como una cada
de voltaje a travs de la resistencia R
2
. El circuito de la Figura 6 es un
amplificador debido a que el voltaje es amplificado en un factor grande.
La corriente del emisor i
E
est limitada por R
1
, que normalmente se elige
chica (por ejemplo 100 O), y la resistencia efectiva R
e
de la unin emisor-
base en polarizacin directa. Esta corriente reaparece (
E C
i i o = ) en el circuito de salida (output) y fluye a
travs del resistor R
2
(por ejemplo 50 kO), llamada resistencia de salida, causando una gran cada de voltaje a
travs de ella. Supongamos que un voltaje chico AV
1
se aplica a las terminales de entrada; esto conducir a un
cambio en la corriente del emisor i
E
de

El lado izquierdo del circuito, esto es, la seccin que contiene a V
1
, la base y el emisor, es idntica al circuito del
diodo de polarizacin directa (foward biased) de la Figura 8(a) de la clase 16. Por otro lado, el lado derecho, es
decir, la seccin que contiene a V
2
, el colector y la base, es idntica al circuito del diodo con polarizacin
inversa (reversed biased) de la Figura 8(b) de la clase 16. Debido a que la base es comn a ambas secciones, el
circuito de la Figura 3 se denomina circuito de configuracin de base comn (common base configuration
circuit). Ya vimos antes que la cada del potencial externo en el diodo ocurre casi por completo en la regin de

la unin. La batera V
1
, en el lado izquierdo del circuito, estando conectada su terminal positiva a la base tipo p,
disminuye el potencial del lado del emisor tipo n relativo al potencial de la base tipo p (como se mostr en la
Clase 16, figura 9) en una cantidad dada por V
BE
. Como resultado de esto, la diferencia de potencial entre emisor
y base se reduce a V
c
-V
BE
. En el circuito del lado derecho, pasa lo opuesto. Estando la terminal positiva de la
batera V
2
conectada al colector tipo n, la batera aumenta el potencial del colector relativo a la base tipo p en
una cantidad que llamamos V
CB
; como resultado de esto, la diferencia de potencial entre colector y base se
aumenta a V
c
+V
CB
(como se mostr en la Clase 16 figura 10). Como en el caso del diodo, esto lleva a una
reduccin en la barrera de energa potencial en la unin base-emisor y un aumento en la altura de la barrera en la
unin colector-base. Las nuevas diferencias de potencial entre las uniones se muestran en la Figura 4(a). Las
barreras de energa potencial asociadas para electrones y huecos se muestran en la Figura 4(b) y (c)
respectivamente. Las lneas discontinuas en las tres figuras representan los valores de las cantidades antes de la
aplicacin de los voltajes de polarizacin directa.

Figura 4

La cada de la barrera en la unin base-emisor permitir que sean inyectados electrones desde el emisor a la
base, as como huecos desde la base al emisor. Los electrones que no recombinen con huecos en la regin base y
que tampoco se escapen por la conexin de la base con el circuito, difundirn a travs de la base y alcanzarn la
unin del colector(Figura 5). Una vez all, vern la diferencia de potencial
positiva V
c
+V
CB
(energa potencial negativa) y sern acelerados a travs de la
unin, y finalmente recogidos por el colector.

Figura 5

Analicemos los distintos componentes que contribuyen a la corriente del
emisor i
E
, a la corriente del colector i
C
y a la corriente de la base i
B
de la Figura
3. Primero, sin embargo, debemos notar que un transportador de carga que atraviesa la unin base-emisor
contribuir a la corriente del emisor. Por ejemplo, si un electrn que viene del emisor cruza la unin hacia la
base, tambin entrar un electrn desde el cable a la izquierda del emisor a la regin del emisor para preservar la
neutralidad de carga en la regin. Cuando un hueco cruza la unin desde la base al emisor, se recombinar con
un electrn en el emisor. Como resultado, la regin del emisor tendr una carga positiva neta +
e
que ser
neutralizada por la entrada de un electrn desde el cable a la izquierda del emisor. Por razones similares,
cualquier transportador de carga que cruce la unin colector base contribuir la corriente del colector i
C
. La
diferencia entre los transportadores que atraviesan las dos uniones afectar a la corriente de base i
B
.
La corriente del emisor i
E
consiste de una corriente de electrones i
eE
(electrones mayoritarios cruzando desde el
emisor a la base) y una corriente de huecos i
pE
(huecos mayoritarios cruzando desde la base al emisor),
pE eE E
i i i + =

En los transistores comerciales, el dopaje (cantidad de impurezas) del emisor es mucho mayor que el de la base.
Esto es porque la corriente a travs la unin depende no solamente de la altura de la barrera sino tambin del
nmero de transportadores mayoritarios en cada regin, esto implica que
eE pE
i i <<
y por lo tanto podemos
aproximar
eE E
i i ~
.
Veamos ahora la corriente del colector i
C
. Cules son los componentes de i
C
?. La principal contribucin viene de
los electrones emitidos a la base que han sido capaces de difundir a travs de la base sin recombinar con los
huecos. Podemos asignar esta contribucin como o i
E
, donde o es la fraccin de electrones que logran difundir
a travs de la base. Cun grande es o? Su valor depende de dos cosas: (1) la vida media t
e
de los transportadores
minoritarios (el tiempo que un electrn puede sobrevivir sin recombinar en una regin rica en huecos), y (2) el
tiempo que un electrn queda en la base a medida que difunde hacia la unin con el colector, t
D
. Un valor
tpico de t
e
es 10
-4
segundos y se lo puede hacer ms grande reduciendo el dopaje de la base. Haciendo la regin
de la base muy fina, se puede hacer que el tiempo de difusin t
D
sea mucho ms chico que la vida media t
e
. Para
una base de 0.1 mm de ancho, el tiempo de difusin es de unos 10
-6
segundos. As, prcticamente todos los
electrones lograrn alcanzar el colector. Valores tpicos para o son entre 0.900 a 0.998.
Debido a que la unin base-colector est en polarizacin inversa (Figura 3), no hay contribucin de los
transportadores mayoritarios (huecos en la base y electrones en el colector) a i
C
. La nica contribucin adicional

es de la pequea corriente de saturacin i
0
debido a la corriente de transportadores minoritarios a travs de la
unin colector-base. Esta contribucin, como ya sabemos, es extremadamente chica. Por lo tanto,

E E C
i i i i o o ~ + =
0

La conclusin importante es que la corriente del colector est esencialmente determinada por la corriente del
emisor, la cul a su vez est determinada por la diferencia de potencial entre la base y el emisor V
BE
. Es
esencialmente independiente de la diferencia de potencial entre colector y base V
CB
.
Veamos ahora el funcionamiento del transistor como amplificador de voltaje. La Figura 6 muestra una versin
modificada del circuito de configuracin de base comn visto en la figura 3. Una pequea resistencia R
1
se
introdujo en el circuito base-emisor y una resistencia grande R
2
en el circuito colector-base. La razn de
introducir estas dos resistencias y la eleccin de R
2
mayor que R
1
quedar clara en un momento.

Figura 6

Debemos notar que, a pesar de que la introduccin de estas
dos resistencias reducir la diferencia de potencial a travs
de la unin (recuerden que, cuando una corriente i pasa a
travs de una resistencia R, hay una cada de potencial iR a
travs de la resistencia), esto no afectar el tipo de
polarizacin de las uniones. La unin emisor-base se
mantiene con polarizacin directa debido a que la base tipo p est conectada directamente al lado positivo de V
1

mientras que el emisor tipo n est conectado a travs de la resistencia R
1
al lado negativo de V
1
. Igualmente, la
unin colector-base se mantiene en polarizacin inversa debido a que la base tipo p est conectada directamente
al lado negativo de V
2
mientras que el colector tipo n est conectado a travs de la resistencia R
2
a la terminal
positiva de V
2
. Debemos tambin remarcar que la reduccin de V
CB
resultado de la presencia de la gran R
2
no
afectar significativamente el valor de i
C
porque, como ya vimos antes, i
C
est esencialmente determinada por i
E

y no por V
CB
.
de un voltaje AV
1
como se muestra en la Figura 6.
La salida (output) es toma fuera del circuito colector-base como una cada de voltaje a travs de la resistencia
R
2
. El circuito de la Figura 6 es un amplificador debido a que el voltaje es amplificado en un factor grande. La
corriente del emisor i
E
est limitada por R
1
, que normalmente se elige chica (por ejemplo 100 O), y la resistencia
efectiva R
e
de la unin emisor-base en polarizacin directa. Esta corriente reaparece (
E C
i i o = ) en el circuito
de salida (output) y fluye a travs del resistor R
2
(por ejemplo 50 kO), llamada resistencia de salida, causando
una gran cada de voltaje a travs de ella. Supongamos que un voltaje chico AV
1
se aplica a las terminales de
entrada; esto conducir a un cambio en la corriente del emisor i
E
de
e
E
R R
V
i
+
A
= A
1
1

y a un correspondiente cambio en i
C

e
E C
R R
V
i i
+
A
= A = A
1
1
o o (1)
El voltaje de salida a travs de la resistencia R
2
aumentar en

C
i R V A = A
2 2

que substituyendo en (1) para Ai
C

1
1
2
2
V
R R
R
V
e
A
+
= A o
y, debido a que o~1, tenemos

1
1
2
2
V
R R
R
V
e
A
+
~ A
(2)
El voltaje de entrada ser amplificado a la salida por un factor igual a la relacin
de las resistencias de salida y entrada.
La resistencia efectiva R
e
de la unin emisor-base en polarizacin directa no es
constante sino que depende del voltaje a travs de la unin. Esto es debido a que
en una unin p-n la corriente no aumenta linealmente con el voltaje; esto es, la
unin p-n no obedece la ley de Ohm (vean sino la Figura 11 de la Clase 16).
Generalmente R
e
es pequea, de unos pocos ohms. Si, por ejemplo, tomamos
R
e
=10O, R
1
=100O, y R
2
=50kO,
1
4
2
10 100
10 5
V
x
V A
O + O
O
= A

1 2
455 V V A = A

As entonces el voltaje es amplificado en un factor 455.

Veamos ahora otra configuracin que, en realidad, es la configuracin ms usada para los transistores, en la que
el emisor es comn a los circuitos de entrada y salida. La Figura 7 es un ejemplo entonces del circuito de
configuracin de emisor comn (Common Emitter Configuration).
Figura 7

La rama de entrada, constituida por V
1
, R
1
y la unin base-emisor es idntica a la seccin de entrada del circuito
de configuracin de base comn de la figura 6. La base tipo p est conectada directamente a la terminal positiva
de V
1
mientras que el emisor tipo n est conectado a travs de la resistencia R
1
a la terminal negativa de V
1
. La
unin base-emisor est entonces en polarizacin directa. Respecto a la rama de salida, es diferente del circuito
anterior. Adems de la batera V
2
y la resistencia R
2
, contiene dos uniones, la unin base-colector y la unin
emisor-base. Debido a que el emisor est conectado directamente a la terminal negativa de V
2
, mientras que el
colector est conectado a travs de R
2
a la terminal positiva de V
2
, el
potencial del colector es mayor que el del emisor en una cantidad
V
CE
=V
2
-i
C
R
2
. La naturaleza de la polarizacin de la unin base-
colector depender de los valores relativos de los voltajes entre el
colector y el emisor V
CE
y el voltaje entre la base y el emisor V
BE
.
Ya veremos esto en ms detalle.
En la configuracin de emisor comn, la corriente de entrada i
B
es una
variable independiente y la corriente de salida i
C
es una variable
dependiente. Diciendo esto de una forma distinta, la corriente de base
i
B
, que est determinada por V
1
y R
1
porque la unin emisor-base
tiene polarizacin directa, controla a la corriente del colector i
C
. La figura 8 muestra las curvas
caractersticas para un transistor 2N2222A npn. El eje horizontal es el voltaje colector-emisor V
CE
, y el eje
vertical es la corriente del colector i
C
. Las curvas corresponden a diferentes valores de i
B
. esencialmente
determinada por i
E
y no por V
CB
.
de un voltaje A

reg. de reg.
saturacin activa

Figura 8

Las caractersticas de la salida pueden dividirse en dos regiones: la regin activa y la regin de saturacin. La
regin activa es a la derecha de la curvatura mxima de las grficas; en la curvatura mxima V
CE
~ a algunas
decenas de volts. En esta regin i
C
es muy sensible a i
B
pero casi independiente de V
CE
. La regin de saturacin
es a la izquierda de la curvatura mxima. En la regin de saturacin i
C
aumenta rpidamente con V
CE
. En la

regin activa, la unin base-colector tiene polarizacin inversa. Veamos como surge esto. La unin emisor-
base tiene polarizacin directa. El voltaje a travs de una unin con polarizacin directa corresponde en general
a una decena de volts, 0.6V o menos es el valor tpico para una unin de Si. Por lo tanto V
BE
ser 0.6V o menos.
Si V
CE
es mayor que 0.6V, entonces la diferencia de potencial entre el colector y la base es mayor que entre la
base y el emisor (ver Figura 4), por lo tanto la unin colector-base est en polarizacin inversa. De esta forma,
en la regin activa la unin emisor-base est en polarizacin directa mientras que la unin colector-base
est en polarizacin inversa., esto es, la situacin es anloga a lo discutido en la configuracin de base
comn. Podemos explicar la variacin de i
C
usando el resultado anterior, donde vimos que
E C
i i o = y la
relacin de corrientes de Kirchhoff
C B E
i i i + = (3)
Sustituyendo por i
E
=i
C
/o en (3)
C B
C
i i
i
+ =
o

B C
i i = |
.
|
\
|
1
1
o

B C
i i = |
.
|
\
|
o
o 1

B C
i i | =
donde
( ) o
o
|
=
1
se llama parmetro de ganancia de corriente (current gain parameter). Ya dijimos que o
cambia poco o nada con V
CB
(y en este caso con V
CE
). El cambio en o cuando V
CE
cambia en 10V puede llegar a
ser de ~ 0.1%. La variacin en | puede ser significativamente mayor. Por ejemplo, si tomamos o = 0.990,
entonces |=99; si o = 0.991, |=110; es decir, al cambiar o en 0.1 % produce un cambio en | del 11%. Ademas
de esto, la magnitud de i
C
est esencialmente determinada por i
B
, y i
C
es muy sensible a i
B
. Por ejemplo, en el
caso cuando o=0.99, vimos que |=99; por lo tanto, un cambio de 10A en i
B
conducir a un cambio de 990 A
en i
C
. De este modo, cuando el circuito de emisor comn es usado en la regin activa, acta como un
amplificador de corriente.
Tratemos ahora de entender el rpido decrecimiento en i
C
cuando V
CE
cae por debajo de una decena de volts
(vean la Figura 8). En esta regin, V
CE
<V
BE
. Como consecuencia de esto, la unin colector-base se volver
con polarizacin directa. En nuestra discusin previa de la configuracin de
base comn, mencionamos que la nica contribucin significativa a i
C
era
debido a la fraccin o de los electrones inyectados al emisor que difunden a
travs de la base (es decir, i
C
=oi
E
). Esto est bien si la unin colector-base
est en polarizacin inversa. En ese caso la nica contribucin adicional a i
C

es la pequea corriente de saturacin inversa i
0
asociada con el flujo de
transportadores minoritarios a travs de la unin CB; esto es muy chico. Si,
ahora tenemos que la unin CB est en polarizacin directa, huecos
(transportadores mayoritarios) en la base pueden fluir al colector (llamaremos
a esta componente i
pC
) y electrones (transportadores mayoritarios) en el
colector pueden fluir a la base (llamaremos a esta componente i
eC
). Vean la Figura 9.
Figura 9

Este doble flujo de transportadores de carga se corresponde con una gran corriente en la direccin opuesta a oi
E
.
De este modo la corriente neta del colector estar dada por
( )
eC pC E C
i i i i + =o

La corriente neta del colector decrecer rpidamente a medida que la unin CB se vuelva cada vez mas con
polarizacin directa (esto es, como V
CE
decrece por debajo de 0.6 V), hasta que V
CE
=0. En este punto, el emisor
y el colector tienen igual potencial. Esto significa que las uniones CB y EB estn con polarizacin directa, y por
lo tanto la corriente neta es cero.
Transistores de efecto-campo

(Field-effect Transistors (FET))


Una desventaja de los transistores de unin bipolar es su baja resistencia en el circuito de entrada; en muchos
casos esto es un efecto indeseado. Por ejemplo, si el voltaje que cae a travs de una resistencia se usa para V
1
en
la Figura 7, la corriente a travs de la resistencia cambiar y por lo tanto tambin cambiar el voltaje a travs de
la resistencia. Esta dificultad se remedia con otro tipo de transistor cuyo nombre general es Transistor de efecto-
campo (FET). Existen bsicamente dos tipos de FET: el transistor de efecto-campo de unin (Junction Field-
Effect Transistor (JFET)) y el transistor de efecto-campo de semiconductor metal-xido (Metal-Oxide-
Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET).
Los FET tienen dos caractersticas que sobresalen:
1. Son dispositivos controlados por voltaje. La corriente a travs del dispositivo est controlada
por un campo elctrico asociado con el voltaje ubicado en un electrodo llamado puerta
(gate).
2. La corriente es transportada por transportadores de polaridad nica (transportadores
mayoritarios). Por esta razn a este tipo de transistores se les suele llamar transistores
unipolares.
La resistencia de un cable metlico est dada por R= d/A. Donde es la resistividad, d es el largo del cable y A
es el rea de seccin eficaz(rea del cable perpendicular a su longitud mxima) .Se puede demostrar que
(posiblemente lo han visto en Fsica II)
t o
N q
m
2
1
= =

Siendo o la conductividad elctrica, N la concentracin de transportadores, m y q su masa y carga
respectivamente, y t el tiempo entre colisiones. En un FET, la resistencia, y por lo tanto la corriente para un
dado voltaje, es controlada por un voltaje de entrada aplicado a la puerta. El voltaje de entrada determina al rea
A o a la concentracin N o a ambos. En el JFET, A vara; en el MOSFET, ambos A y N varan.

Transistor de efecto-campo de unin

(Junction Field-Effect Transistor(JFET))

Un esquema del JFET y como puede usarse en un circuito se muestra en la Figura 10. El JFET consiste en un
canal de un semiconductor, por ejemplo, tipo n (indicada en la figura como
n-type rod) con el cul hacen contacto dos metales hmnicos, llamados la
fuente (source) y el drenaje (drain). Una regin de semiconductor
fuertemente dopada tipo-p, llamada la puerta (gate) rodea a la lnea tipo n.
Figura 10

En su modo normal de operacin, el drenaje se mantiene a un potencial
positivo V
d
respecto a la fuente. La puerta se mantiene a un potencial
negativo V
g
respecto a la fuente. La diferencia de potencial entre drenaje y
fuente d origen a la corriente i
d
a travs del canal tipo n (n-type rod). Esta
corriente producir una cada i
d
R a lo largo del canal. Como consecuencia, el potencial a lo largo del canal vara
desde cercano a V
d
en la parte de la lnea cercana al drenaje hasta casi cero en la parte cercana a la fuente. La
unin p-n formada donde la compuerta est en contacto con el canal est con polarizacin inversa,
volvindose progresivamente ms hacia el drenaje. Como resultado,
cerca de la unin p-n hay una zona de agotamiento(depletion layer) (igual
a la estudiada en la Clase 16, figura 5). Debido a que las puertas estn
fuertemente dopadas respecto al canal, esta zona de agotamiento se ubica
principalmente en la regin n (el canal). Adems, como el ancho de esta
zona de agotamiento depende de la diferencia de potencial a travs de la
unin de polarizacin inversa, ser ms angosta cerca del drenaje que
cerca de la fuente. La zona de agotamiento efectivamente acta como
aislante; esto significa que i
d
se v forzada a moverse a travs del canal en
la lnea tipo n. La Figura 11 muestra la dependencia de i
d
versus V
d
para
varios valores de voltaje de la compuerta, V
g
.

Figura 11

Veamos el caso cuando V
g
=0. A medida que V
d
se aumenta desde cero, el canal tipo n acta como un
dispositivo hmnico; esto es, i
d
es proporcional a V
d
. Para valores chicos de V
d
, la zona de agotamiento es muy
chica y el canal acta simplemente como una resistencia de valor constante. Sin embargo, a medida que V
d

aumenta, la unin p-n en la compuerta se vuelve ms y ms de
polarizacin inversa; esto significa que la zona de agotamiento se
esparce cada vez ms en el cuerpo de la lnea tipo n y fuerza a la
corriente a fluir a travs de un canal que se vuelve
progresivamente ms angosto. Esto tiene el efecto de aumentar la
resistencia del canal (debido al decrecimiento de la seccin eficaz
A). De esta forma la corriente i
d
no aumenta tan rpido como lo
hacia inicialmente cuando V
d
era chico. Eventualmente, el canal
se har tan chico que el aumento esperado de i
d
debido al
aumento de V
d
es inhibido por el crecimiento asociado de R
debido a la reduccin en tamao del canal conductor: La
corriente entonces se estabiliza.
Si V
g
es inicialmente negativo, el ancho de la capa de
agotamiento para un dado V
d
ser mayor que cuando V
g
era cero. Esto tiene dos efectos: (1) la resistencia inicial
del canal (cuando V
d
es chico) ser mayor, lo que explica el porqu la pendiente de las curvas decrece a medida
que V
g
se vuelve ms y ms negativo; y (2) la estabilizacin de la corriente ocurrir a un valor menor de V
d
y i
d
.
El smbolo electrnico para el JFET con canal n se muestra en la Figura 12(a). Un JFET con canal p puede
construirse haciendo que la lnea sea de material tipo p y las puertas de material fuertemente dopado tipo n. La
polaridad de V
d
y V
g
ser inversa. El smbolo electrnico para un JFET con canal p se muestra en la Figura
12(b).

Figura 12
Al comienzo de la discusin, dijimos que los FET resolvan el problema de la baja resistencia de entrada. La
entrada (input) al FET, tanto si se lo usa como elemento amplificador o como alternador, se alimenta en la
compuerta del circuito. En este circuito hay una unin p-n con polarizacin inversa; por lo tanto, la resistencia
es muy alta, tpicamente del orden de 10
12
O.

Pasvacin epitaxial: homounn de efecto de campo (JFET)

A pesar de las considerables mejoras en la tecnologa del GaN y en la calidad de material, la dispersin en RF
es uno de los principales obstculos para la progreso de los dispositivos electrnicos. Como ya se introdujo en
el captulo 1, los fenmenos de dispersin en RF, o de colapso, como tambin se les conoce, degradan las
caractersticas de salida de los dispositivos en RF, debido a una reduccin de la corriente de saturacin y a un
incremento del voltaje de codo. El colapso ha sido atribuido a la existencia de trampas en superficie y en la
interfase AlGaN/GaN [Ngu99], [GreOO], o incluso en la capa de GaN [Bin01], y ms recientemente a carga de
polarizacin en la superficie o barrera [VetOl], [Hu01].. Lo cierto es que no se conoce a ciencia cierta el origen
de tal fenmeno, aunque s se ha observado que mediante la pasvacin del dispositivo pueden atenuarse tales
efectos, e incluso en algunos casos evitarse. Por lo que todo apunta a que los estados superficiales juegan un
importante papel en dichos fenmenos de colapso. Que duda cabe que la presencia de trampas en la
heteroestructura puede contribuir muy activamente sobre el colapso de las caractersticas de salida del
dispositivo, y en tal caso la pasivacln no tiene ningn efecto, pero afortunadamente la calidad cristalina ha
mejorado considerablemente en los ltimos aos y por lo tanto ha centrando el problema del colapso casi
exclusivamente en efectos superficiales.

El uso de distintos pasivantes, como SiN, AI2O3, MgO y SC2O3, o incluso la inmersin del dispositivo en
isopropanol [But02b], han demostrado la supresin del fenmeno del colapso por efectos superficiales. Hasta la
fecha el pasivante ms extendido es el SixNy [GreOO], [Bin01], [Vet01]. Esto supone aadir un paso ms en
el procesado del dispositivo y, por lo tanto, un grado ms de complejidad, debido a la dificultad en la
optimizacin y reproducibilidad de dicha capa de SixNy. Adems, hay que aadir que la deposicin del SixNy,
realizada convencionalmente por PECVD {Plasma-enhanced chemical vapor deposition), utiliza componentes
reactivos basados en compuestos hidrogenados, por lo que asociado a la formacin del SixNy hay H que
tambin se incorpora a la capa. El H puede difundirse hacia el AlGaN o la metalizacin de puerta. Por otro
lado, la deposicin se realiza a alta temperatura ) con el dispositivo ya procesado, lo que puede degradar el
contacto Schottky de puerta.


Por estas razones tambin se ha estudiado la deposicin de xidos como MgO y Sc2O3.[Luo02], o la
deposicin de una fina capa de Al por MBE que posteriormente se oxida en ambiente de ultra-alto-vacio
[Oot02] [Has02]. De esta forma se evita la presencia de hidrgeno y el calentamiento del dispositivo durante el
procesado. Este trabajo sigue esta misma lnea, analizando el efecto de una capa tipo-p* sobre los fenmenos
de colapso, como alternativa al SixNy. El objetivo es cubrir la superficie con una capa, que no est totalmente
deplexada, que apantalle el canal del dispositivo de fluctuaciones de potencial en la superficie. Esto
simplificara el procesado y mejorara la reproducibilidad, ya que la deposicin de la capa se lleva a cabo
epitaxialmente, tras el crecimiento del dispositivo en vaco. Concretamente se estudia cmo influye el espesor
de dicha capa sobre las caractersticas en DC, y pequea seal de RF en un dispositivo de homounin de efecto
campo (JFET: Captulo 7 Junction Field Effect Transistor) basado en GaN. Tambin se ha realizado la
pasivacin con SixNy para comparar resultados. Los dispositivos JFET son fsicamente los ms sencillos y,
por lo tanto, parecen los ms idneos para iniciarse en una problemtica tan compleja como el colapso de
corriente en los dispositivos electrnicos basados en nitruros.

En la bibliografa pueden encontrarse JFET basados en GaN realizados por implantacin [Zol96], o por
deposicin epitaxial por MOVPE [ZhaOO], pero ste es el primero crecido por PA-MBE. Dado que los
fenmenos de colapso se deben principalmente a efectos superficiales los resultados de este estudio son
ampliables a otros dispositivos basados en nitruros como los HEMT, como ya se ha demostrado aplicndolo
sobre transistores HEMT de AlGaN/GaN [Cof02]. Este estudio se llev a cabo en la Universidad de California
Santa Brbara, durante una estancia de 3 meses que disfrut bajo la tutela del Prof. U.K. Mishra [Jim02b]. Los
dispositivos fueron crecidos por el Dr. D. Jena, y la fabricacin y caracterizacin del dispositivo se realiz en
colaboracin con el Dr. D. Buttari y R. Coffe.

La deposicin del SixNy la llev a cabo el Dr. N.Q. Zhang. En este apartado primeramente se hace una
pequea referencia al crecimiento y a la fabricacin del dispositivo, al ser diferente a lo expuesto a lo largo de
esta Tesis. Seguidamente se muestran los resultados de la caracterizacin realizada a los dispositivos, la cual
fue similar a la descrita anteriormente para los HEMTs credos por PA-MBE y MOVPE. 7.3.1. Crecimiento y
fabricacin de JFETs La unin p-n se creci por PA-MBE sobre un pseudosubstrato de GaN sobre zafiro
crecido por IVIOVPE [HeyOO]. La estructura de capas epitaxiales consiste en una capa buffer de GaN sin
dopaje intencional, de 0.1 am aproximadamente, sobre las que se depositaron 100nm de GaN dopado con Si y
50 nm dopado con Mg, tal y 242
Figura 7.27. Estructura epitaxial de los JFET crecidos por PA-MBE Dado que la fabricacin de los
dispositivos fue diferente a la descrita en el captulo 6, a continuacin se van a exponer brevemente los distintos
pasos seguidos en el procesado. Primero se forman los contactos hmicos de la fuente y el drenador por
deposicin de Ti/AI/NI/Au, seguido del aislamiento tipo mesa mediante ataque RE basado en CI2.
Posteriormente se define la puerta con Pd/Au/NI, y finalmente se ataca la capa tipo-p de las zonas de acceso,
obtenindose el dispositivo mostrado esquemticamente en la Figura 7.28.

Todos los pasos fueron definidos mediante litografa "i-line steppef, y todas las evaporaciones y deposiciones
se realizaron mediante can de electrones. El primer paso en el procesado es la definicin lltogrfica de la
fuente y drenador, pero previo a la deposicin de los metales, se realiza un ataque RE autoalineado para
acceder a la zona tipo n. El ataque se lleva a cabo con una potencia media (60W), la cual proporciona una
velocidad de ataque de 6 /s aproximadamente, para eliminar unos 600 desde la superficie. Posteriormente
se deposita TI/AI/NI/Au (20/150/37.5/50 nm) y se alea a C durante 30s en atmsfera de Na. Para aislar los
dispositivos se realiza un ataque mesa de unos SOOnm mediante RE (100W), con una velocidad de ataque de
unos 10 /s. Para evitar discontinuidades del metal, por falta de continuidad en el escaln de la mesa, se rellena
con 200nm de SO2. Tras definir la puerta se evapora Pd/Au/N (20/200/50nm), el cual se alea a C durante
60s en atmsfera de N2. La capa de Ni se utiliz como mscara para proteger la puerta en los posteriores
ataques que se realizaron para eliminar la capa tipo p de las regiones de acceso. Para ello se atac la muestra
desnuda con R E de baja potencia (15W), para minimizar el dao superficial. La capa tipo-p* de las zonas de
acceso se retir en tres pasos sucesivos, atacando 20, 40 y 60 nm, aproximadamente.

Cada ataque fue precedido por una limpieza superficial con plasma de O2 (descum), seguido de una limpieza
qumica en un bao de HCI (10%) durante 20s. Tras retirar completamente la capa tipo-p"^ de las zonas de
acceso, la muestra se pasivo con 76 nm de SixNy. Los dispositivos fabricados tienen una puerta con geometra
en T con una LQ de 0.7 )j,m y una WQ de 150 |u.m, nominales. Las distancias entre puerta y fuente, y puerta y
drenador, son 0.7 ^m y 2 }xm, respectivamente.

La resistencia de contacto obtenida en todos los casos fue inferior a IQmm. La variacin de la resistencia de
hoja (Rsh) para diferentes espesores de la capa tipo- p"^ de las zonas de acceso se registro mediante medidas de
TLM, y es la mostrada en la Figura 7.29. Los valores promedios de Rsh fueron 3787, 4160, 2800, 2210
Q/cuadro para ataques de O, 20, 40, y 60 nm, respectivamente. El ltimo ataque sobrepasa el espesor nominal
de la capa tipo-p* (50nm nominalmente) lo que produce una ligera reduccin del espesor de la capa tipo-n.
Resumiendo, se observa una reduccin de Rsn desde 3800Q/cuadro, para el dispositivo sin atacar, hasta
2000Q/cuadro tras atacar 60nm. Tal merma se asocia a la disminucin de la zona de deplexin en la capa tipo-
n, que va de 60 a 34 nm. El mnimo valor de Rsh se obtiene, tericamente, cuando la capa tipo-p"^ es
totalmente eliminada, ya que si se reduce el espesor de la capa tipo-n la Rsh aumenta. Figura 7.29. Medida de
la resistencia de hoja de la capa tipo-n en funcin de la profuncidad atacada de la capa tipo-p* de las zonas de
acceso del JFET. El rea sombreada indica el final de la capa tipo-p* (nominalmente 50nm).
La extensin de la zona depiexada se ha estimado a partir del clculo de la estructura de bandas, considerando
los valores nominales de dopaje. Dichos perfiles de bandas se nnuestran en la Figura 7.30, los cuales se
estimaron con la ayuda de un programa que resuelve de forma autoconsistente las ecuaciones de Schrdinger y
de Poisson unidimensionales [Sni]. En ella puede verse claramente como la capa tipo-p* ejerce un
apantailamiento de cargas superficiales sobre la carga del canal.

Figura 7.30. Diagrama de bandas de la zona de acceso antes y despus de retirar la capa tipo-p+ (lnea solida),
mostrando su eficacia para apantallar la carga del canal de carga superfial (lnea punteada).
Caracterizacin bsica en DC La Figura 7.31 muestra las caractersticas IDS-VDS en DC (lnea continua), y
con pulsos de puerta de 80 ^s (crculos), al variar el espesor de la capa tipo-p* de las zonas de acceso.
Concretamente la Figura 7.31 (a) corresponde al dispositivo previo a cualquier ataque, y la (b) tras atacar 60nm
de las zonas de acceso, y por lo tanto, tras haber eliminado por completo la capa tipo-p*. En el primer caso
JDs.max alcanza 0.6 A/mm (VG=+2V), que aumenta ligeramente tras la eliminacin de la capa tipo-p* iiasta
0.66 A/mm. El voltaje de corte es de -12V, y la Qm de 60 mS/mm.
Figura 7.31. Caractersticas bs-Vos de un mismo dispositivo previo el ataque de la capa tipo-p"" de la zona de
acceso (a), y tras habrsela retirado completamente (b). VQ vara entre 2 y -16V. Las lneas continuas
corresponden a la medida en DC y los crculos a la medida con un pulso de puerta de 80 \is desde el estado de
corte del canal hasta totalmente abierto (anlogo a AC). Comparando las Figuras 7.31 (a) y (b), se observa
como bajo condiciones DC el dispositivo no se ve afectado por los cambios realizados, pero que al analizarlo en
pulsado se aprecia una fuerte dispersin en RF, o colapso, evidenciando la eficiencia de la capa tipo-p"" como
apantanante de trampas superficiales. Esta capa apantana a la capa tipo-n de los estados superficiales,
modificando as la anchura de la zona deplexada, como se muestra esquemticamente en la Figura7.28, y el
diagrama de bandas de la Figura 7.30. Adems, se pone de manifiesto el importante papel que juegan los
estados superficiales en el fenmeno de colapso.
De acuerdo con lo publicado por diversos autores [GreOO], [Bin01], [Vet01], se ha observado que la
pasivacin superficial por deposicin de capas de SixNy favorece un aumento de la concentracin de electrones
en el canal, y una reduccin de los fenmenos de colapso. La Figura 7.32 muestra las caractersticas de un
transistor previo a cualquier ataque (a) y tras haber sido pasivado despus de retirarle la capa tipo-p* de las
zonas de acceso (b) (mismo dispositivo que el mostrado en Figura 7.31). La bs-max con VG=+2V ha
aumentado de 0.6 A/mm a 0.72 A/mm tras la pasivacin con SixNy.

Figura 7.32. Caractersticas IDS-VDS de un mismo dispositivo previo el ataque de la capa tipo-p* de la zona de
acceso (a), y tras habrsela retirado completamente y pasivar con SixNy (b). VG vara entre 2 y -16V.
Las lneas continuas corresponden a la medida en DC y los crculos a la medida con un pulso de puerta de 80
ns desde el estado de corte del canal tiasta totalmente abierto (anlogo a AC).

Caracterizacin de pequea seal en RF

Asociado con el descenso de la Rsn se fia observado un aumento en las figuras de mrito en la caracterizacin
de pequea seal en RF. fr y fmax aumentan de 4 a 10 y de 4.7 a 10 GHz, respectivamente (bajo un
polarizacin de VDS=15V y IDS=0.2 A/mm). Como muestra la Figura 7.33, el aumento es progresivo hasta
una reduccin del espesor de la capa tipo-p" de 40nm, prximo ai total, luego parece saturarse. Esta mejora en
las frecuencias mximas se ta relacionado con la reduccin de la longitud efectiva de puerta. La capa tipo-p* es
suficientemente conductora como para modular las regiones de acceso prximas la puerta, incluso en el regin
de RF. Reducir el espesor de esta capa, o eliminarla, implica una reduccin de la longitud de puerta efectiva y,
por lo tanto, un progresivo aumento de las caractersticas de salida, fr y fmax.


Figura 7.33. Variacin de fr y fmax, junto con ^h de la capa tipo-n, en funcin de la profuncldad atacada de la
capa tlpo-p* de las zonas de acceso del JFET. El rea sombreada indica el final de la capa tipo-p*
(nominalmente 50nm). A la vista de los resultados parece que el Mg no es una trampa lo suficiente profunda
como para evitar la modulacin de las regiones de acceso en el rango de RF. Esto implica un aumento de la
longitud de puerta efectiva, lo que significa una reduccin significativa de las frecuencias mximas de trabajo
(fr y fmax)- Tal modulacin podra ser evitada aumentando la profundidad del aceptor, lo que permitira
apantanar el canal del dispositivo de los estados superficiales sin efecto sobre las caractersticas en RF. Tras
pasivar el dispositivo con SixNy, una vez retirada la capa tipo-p* en las zonas de acceso, tambin se observ un
aumento en fj y fmax, de 10 GHZ a 13 y 14 GHz, respectivamente, anlogamente a lo observado en las
caractersticas en DC. Finalmente, se puede concluir que la deposicin de una capa tipo-p'^ previene de los
fenmenos de colapso, aunque se necesitara una optimizacin de su diseo (espesor, dopaje y tipo de aceptor)
para evitar la degradacin de las caractersticas en RF por un aumento de la LQ efectiva. Por otra parte, se fia
puesto de manifiesto, una vez ms, el dao que ocasionan estados superficiales sobre las caractersticas en RF,
y cmo la pasivacin con SixNy puede mitigar tal efecto. A partir de estos primeros resultados no puede
concluirse la superioridad de la epicapa tipo p* frente a la deposicin de SixNy, aunque s el potencial como un
eficiente supresor del colapso, especialmente tras haber sido demostrada su extensin a transistores HEMT de
AlGaN/GaN [Cof02].

En este captulo se han presentado los resultados de la caracterizacin bsica de los dispositivos HEMT
crecidos por PA-MBE. La caracterizacin DC ha permitido extraer parmetros tpicos como ia corriente
mxima de saturacin y la transconductancia extrnseca, llegndose a obtener corrientes de 1 A/mm con
transconductancias extrnsecas de 165 mS/mm, y 600 mA/mm con 227 mS/mm, para transistores con
LG=0.6|am y WG=75|a.m. En estos mismos dispositivos la caracterizacin de pequea seal en RF ha
mostrado valores de fmax de 40GHz, y fi de 22GHz. Estos valores estn prximos a la media, aunque son
todava inferiores a los valores record obtenidos por MBE sobre zafiro, donde con LG=0.25|im y WG=100 |am
se obtiene 1.3 A/mm, 216 mS/mm y, fr y fmax de 67 y 136 GHz, respectivamente [Kum02]. Escalando el valor
de fj (al/Lo) para LG=0.6 |um, como es nuestro caso, el valor se reduce a unos 27 GHz, lo que confirma la
competitividad de los dispositivos obtenidos por PA-MBE. Por otro lado, se ha comprobado la limitacin que
puede derivarse de una mscara sin optimizar, concretamente la necesidad de reducir la zona de acceso
asociada a la fuente. Asimismo se ha visto la dependencia de los distintos parmetros de salida, caractersticos
del dispositivolps, Qm, h y fmax), en funcin de la geometra del mismo. Tal y como predice la teora, todas
las caractersticas de salida mejoran al reducir la LG- Anlogamente, las figuras de mrito en DC disminuyen al
aumentar la anchura de la puerta, as como fmax, siendo j casi independiente en el rango evaluado (75, 150 y
300 jam).

Tambin se han procesado transistores a partir de obleas de AlGaN/GaN crecidas totalmente por MOVPE,
sobre anlogos pesudosubstratos a los utilizados en el crecimiento por PA-MBE. Las caractersticas de salida
son similares a las obtenidas en los dispositivos de PA-iVIBE, lo que pone de manifiesto, una vez ms, la
enorme influencia del pseudosubstrato en las caractersticas finales del material crecido por PA-MBE, y por lo
tanto de las caractersticas de los dispositivos fabricados. Esto confirma la necesidad de utilizar pseudosubtratos
de alta calidad para la obtencin de dispositivos por PA-MBE.
Se ha demostrado que la presencia de una capa tipo-p* en la superficie del dispositivo puede ser una alternativa
para evitar la dispersin en RF, o colapso.

Sin embargo, su diseo todava debe ser optimizado para evitar el empeoramiento de las caractersticas en
pequea seal de RF por extensin de la puerta efectiva hacia el drenador. Por lo tanto, hasta la fecha slo
puede remarse su potencial como sustitutivo del pasivante convencional de SixNy. Uno de los mayores
atractivos de utilizar una capa tipo-p"^ para eliminar el colapso es la mayor reproducibilidad de la epicapa
comparada con la deposicin del SixNy, adems se evita la
presencia de H y el calentamiento del dispositivo durante el
procesado, tpicos de la deposicin convencional de SixNy por
PECVD.

Transistor de efecto-campo de metal-xido-semiconductor

(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
(MOSFET))


Otro tipo de FET, el transistor de efecto-campo de metal-xido-semiconductor, se ilustra en la Figura 13.

Figura 13

Est constituido de dos regiones tipo n fuertemente dopadas difundidas en un sustrato tipo p. Las dos
regiones n sirven como drenaje y fuente. El electrodo compuerta es una capa metlica depositada en lo alto de
una capa aislante de SiO
2
. Cuando V
g
=0, ninguna corriente fluye entre
el drenaje y la fuente. La razn es que, donde el drenaje hace contacto
con el substrato tenemos una unin de polarizacin inversa. Si un
potencial positivo se aplica a la puerta, electrones desde el substrato p
sern atrados hacia la interfase SiO
2
-substrato. Estos electrones
recombinarn con los huecos en la regin tipo p del substrato cerca de la
interfase. Eventualmente una delgada capa cerca de la interfase se volver
una capa tipo n. Esto provee un canal para la corriente i
d
para fluir desde
el drenaje a la fuente cuando el voltaje V
d
es aplicado entre ellos. A mayor
V
g
, mayor ser el ancho del canal y consecuentemente, mayor ser i
d
para
un dado V
d
. Esto se muestra en la Figura 14, que representa la
dependencia de i
d
en V
d
para diferentes valores de V
g
.
Figura 14
Adems de la caracterstica recin mencionada (el aumento de i
d
con V
g
), vemos
que a partir de cierto valor de V
d
, i
d
adquiere un valor constante. La razn de esto
es la misma que para el JFET. Cuando el canal tipo n se forma, tenemos una
unin p-n entre el substrato tipo p y el canal tipo n. Una zona de agotamiento se
forma y aumenta a medida que V
d
se hace ms y ms positivo. Esto es porque el
canal tipo n se vuelve positivo (ms cerca del drenaje que de la fuente) respecto
al substrato tipo p, que est conectado directamente a la terminal negativa V
dd
.
Esta zona de agotamiento aumenta la resistencia del canal y eventualmente
conduce a parar el crecimiento de i
d
.
Los smbolos electrnicos para el MOSFET con canal n (substrato tipo p) y para
el MOSFET con canal tipo p (substrato tipo n) se muestran en la Figura 15 (a) y
(b) respectivamente.
Figura 15

Transistores Bipolares

Son los ms utilizados y se fabrican con tres capas de material semiconductor en forma de "Sndwich". Segn la
disposicin de estas capas se dividen en dos tipos, transistores NPN y transistores PNP.
Cada seccin o capa del transistor tiene un terminal conectado a ella. Estas
secciones e conocen como: Emisor, Base y Colector y se marcan con sus
letras inciales E, B, y C respectivamente. La direccin de la flecha del
emisor indica si el transistor es del tipo NPN o PNP.

La flecha est siempre en el emisor. En el transistor PNP, la flecha entra. En
el transistor NPN, la flecha sale. Adicionalmente a su tipo PNP o NPN, los
transistores se clasifican como de potencia o de propsito general. Su
tamao determina generalmente esta caracterstica, siendo el ms grande el de
potencia, ya que tiene que disipar ms calor o voltaje.

La identificacin correcta de los terminales de los transistores es muy
importante ya que si ste se conecta mal, puede daarse muy fcil.
Como la apariencia fsica o forma de muchos transistores es idntica, la nica
manera o sistema para distinguir unos de otros, es marcarlos por medio de
una referencia o sistema de numeracin.
La mayora de los transistores de tipo americano, se numeran empezando con
el prefijo 2N, por ejemplo: 2N3906, 2N2222, 2N3055, etc.
El 2N nos indica que es un transistor. En la nomenclatura japonesa lo ms
comn es encontrar los prefijos 2SA, 2SB, 2SC, 2SD, seguidos por un
nmero, por ejemplo: 2SA56, 2SB25, 2SC458, 2SD329, etc.


Una cosa importante para conocer, es que existen las series de reemplazos para transistores como la lnea ECG,
SK, HEP, etc. En este sistema, una referencia de transistor de la familia ECG como la ECG123A, reemplaza
una gran cantidad de referencias americanas, japonesas y europeas. Este mtodo se emplea cuando
hay que cambiar un transistor u otro componente de estado slido en un aparato electrnico y no
se consigue la referencia original.

Smbolo del Transistor Bipolar.

Transistor de efecto campo

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en realidad una familia de
transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material
semiconductor. Los FET, como todos los transistores, pueden plantearse como resistencias controladas por
voltaje.
La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de semiconductores habituales,
empleando la oblea monocristalina semiconductora como la regin activa o canal. La regin activa de los TFTs
(thin-film transistores, o transistores de pelcula fina), por otra parte, es una pelcula que se deposita sobre un
sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicacin de los TFTs es como pantallas de cristal lquido o
LCDs).

Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor),
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor FET).
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es el terminal
equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por
tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no
absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea en
comparacin con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET,
adems, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el anlisis y
diseo de circuitos.
As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son tambin de dos
tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al transistor en
estado de conduccin o no conduccin, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados
extenssimamente en electrnica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips
digitales.

Tipo de transistores de efecto campo
Podemos clasificar los transistores de efecto campo segn el mtodo de aislamiento entre el canal y la puerta:

El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante (normalmente SiO
2
).
El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unin p-n
El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) usa una barrera Schottky
En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tambin denominado HFET (heterostructure FET), la banda
de material dopada con "vacos" forma el aislante.
La caracterstica de los TFT que los distingue, es que hacen uso del silicio amorfo o del silicio policristalino.

Tecnologa CMOS


Un inversor en tecnologa CMOS

Oblea de CIs (Circuitos Integrados) CMOS

CMOS (ingls: Complementary Metal Oxide Semiconductor(Semiconductor
complementario del xido de metal), MOS Complementario) es una
tecnologa utilizada para crear circuitos integrados, como pueden ser
compuertas lgicas, contadores (entre stos, muy populares los Decimales
Johnson), etc. Consiste bsicamente en dos transistores, uno PFET y otro
NFET. De esta configuracin resulta el nombre.
Los chips CMOS consumen menos potencia que aquellos que usan otro tipo
de transistor. Tienen especial atractivo para emplearlo en componentes que funcionen con bateras, como los
ordenadores porttiles. Los ordenadores de sobremesa tambin contienen dispositivos de memoria CMOS de
bajo consumo de potencia para almacenar la fecha, hora y configuraciones (BIOS).
Existen diversos tipos de pros y contras contra estos circuitos, siendo el problema del dao por electricidad
esttica el fantasma que ms afecta el uso comercial de estos integrados.
Diversos estudios afirman que dicho planteamiento no es ms que un mito ya que deben darse muchos factores
tanto ambientales, fsicos aparte de lo elctrico para daarlos.
Dentro de las ventajas mayores que tienen los CMOS destacan las siguientes dos:

Funcionan con tensiones desde los 3 V hasta los 15 V, por ende no necesitan una fuente de voltaje dedicada para
ellos. Se ha demostrado que un CMOS determinado tiene muchas ms aplicaciones (o dichas aplicaciones
trabajan mejor en CMOS) que en un TTL

FET (Field Efect Transistor)

Transistor de efecto del campo. Esta formado por una barra de semiconductor N o P que se llama el canal, tiene
un cinturn o estrechamiento del otro tipo de semiconductor, los extremos del canal se unen a terminales
D(drain, drenaje) y S (Source, surtidor o fuente), el cinturn se une al terminal G (Gate, compuerta).
Al aplicar voltaje entre D y S (VDS) se forma una corriente ID que depende de la resistencia del canal, si se
aplica un voltaje VGS negativo (G = -, S = +) el diodo formado por el cinturn y el canal queda en inverso y no
hay corriente de compuerta (IG = 0) pero el voltaje negativo es G repele las cargas negativas que pasan por el
canal que aparece como un aumento de resistencia y la corriente ID disminuye, haciendo mayor o menor la
magnitud de VGS haremos que ID disminuya o aumente, as se obtiene un control de ID, siendo la variable de
control del voltaje VGS.
En el FET la relacin entre ID y VGS est dada por la ecuacin de Schotkley:
ID = IDSS (1 - (VGS/VP))
IDSS y VP son constantes caractersticas de cada tipo o referencia de transistor, se
obtienen en las hojas de especificaciones del fabricante. Los circuitos de polarizacin
de FET y MOSFET se encuentran en la Tabla No. 3 donde el punto de trabajo se da
por el corte de la parbola de la ecuacin de Schotkley y la recta de carga del circuito.
Los transistores FET y MOSFET se usan como amplificadores, donde su caracterstica
ms importante es su alta impedancia de entrada por efecto de IG = 0.



Ventajas y desventajas del FET

Las ventajas del FET pueden resumirse como sigue:
1. Son dispositivos sensibles a la tensin con alta impedancia de entrada (del orden de 107 W ). Como esta
impedancia de entrada es considerablemente mayor que la de los BJT, se prefieren los FET a los BJT
para la etapa de entrada de un amplificador multietapa.
2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3. Los FET so ms estables con la temperatura que los BJT.
4. Los FET son, en general, ms fciles de fabricar que los BJT pues suelen requerir menos pasos de
enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar un mayor nmero de dispositivos en un circuito
integrado (es decir, puede obtener una densidad de empaque mayor).
5. Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensin para valores pequeos de
tensin de drenaje a fuente.
6. La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo suficiente para permitir
su utilizacin como elementos de almacenamiento.
7. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
Existen varias desventajas que limitan la utilizacin de los FET en algunas aplicaciones:
1. Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de entrada.
2. Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre.
3. Los FET se pueden daar al manejarlos debido a la electricidad esttica.

Tipos de FET

Se consideran tres tipos principales de FET:
1. FET de unin (JFET)
2. FET metal xido semiconductor de empobrecimiento (MOSFET de empobrecimiento)
3. FET metal xido semiconductor de enriquecimiento (MOSFET de enriquecimiento)

MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada.
Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versin NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de
canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P.
Una delgada capa de material aislante formada de dixido de silicio (SiO2) (tambin llamada "slice") es
colocada del lado del semiconductor y una capa de metal es colocada del lado de la compuerta (GATE)
En el MOSFET de canal N la parte "N" est conectado a la fuente (source) y al drenaje(drain).
En el MOSFET de canal P la parte "P" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain).
En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es controlada por la corriente que circula por
la base. Sin embargo en el caso de los transistores FET, la corriente de
salida es controlada por una tensin de entrada (un campo elctrico).
En este caso no existe corriente de entrada.
La tcnica de fabricacin MOS permite obtener dispositivos
semiconductores como transistores y circuitos integrados muy
eficientes, con caractersticas especiales.
Entre ellas se destacan el bajo consumo de corriente y el fcil manejo
en los circuitos. Por esta razn este tipo de semiconductores se est
utilizando mucho en todos los circuitos electrnicos modernos.
Uno de los tipos de MOSFET, llamado MOSFET DE POTENCIA, que se utiliza para manejar corrientes altas,
se ha vuelto muy popular debido a su capacidad para controlar fcilmente cargas grandes como motores,
bobinas, amplificadores de audio de gran potencia, etc.
Los transistores MOSFET se pueden daar con facilidad y hay que
manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de xido es muy
delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta tensin o hay
electricidad esttica.


Principio de operacin de un MOSFET

Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no
se aplica tensin en la compuerta no hay flujo de corriente
entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source)

Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una
tensin positiva se debe aplicar en la compuerta. As los
electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje
(Drain) son atrados a la compuerta (Gate) y pasan por el
canal P entre ellos.
El movimiento de estos electrones, crea las condiciones
para que aparezca un puente para los electrones entre el drenaje y la fuente. La amplitud o anchura de este
puente (y la cantidad de corriente) depende o es controlada por la tensin aplicada a la compuerta.
En el caso del MOSFET de canal P, se da una situacin similar. Cuando se aplica una tensin negativa en la
compuerta, los huecos (ausencia de electrones) del canal P del drenaje y de la fuente son atrados hacia la
compuerta y pasan a travs del canal N que hay entre ellos, creando un puente entre drenaje y fuente. La
amplitud o anchura del puente (y la cantidad de corriente) depende de la tensin aplicada a la compuerta.
Debido a la delgada capa de xido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no hay corriente por la
compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensin aplicada a la compuerta.

Explicacin de la necesidad de un modelo linealizado del MOSFET

El MOSFET es un dispositivo alineal. Esto es as porque las ecuaciones que describen su funcionamiento son
alineales. Es decir, el efecto de la superposicin de dos excitaciones independientes no es igual a la
superposicin de los efectos por separado:

Si ( )
2
1 1 D GS T
i k v V = y ( )
2
2 2 D GS T
i k v V =
Entonces:
( ) ( )
2
1 2 1 2 D GS GS T D D
i k v v V i i = + = +

Por ejemplo, si tenemos el siguiente circuito, que representa a una seal sinusoidal montada sobre una seal de
continua (seal de polarizacin), obtenemos expresiones analticas muy engorrosas de manejar:

( ) ( )
2
sin
D GS gs T
i k V v t V e = + +

An peor, si el transistor se encuentra en un contexto circuital real, con resistores, capacitores y otros
transisores, entonces el problema se torna cada vez ms difcil de manejar. Por lo tanto, es necesario realizar
alguna simplificacin, al menos para poder resolver a mano los circuitos. Esta simplificacin es conocida como
linealizacin. La linealizacin de cualquier seal es posible gracias al teorema de Taylor.

Donde E {x0} significa un entorno de x0. Segn Taylor, toda funcin que sea n-derivable en un punto, puede
aproximarse a un polinomio de grado n alrededor de este punto. Mientras mayor sea el grado del polinomio,
menor ser el error cometido en la aproximacin. Queremos encontrar entonces un modelo tal que podamos
llegar a la siguiente relacin,
v gs
0
n-MOS
VDS
VGS


( ) ( )
D GS gs
i f V f v = + con ( ) ( )
GS D gs d
f V I y f v i = =

donde la notacin utilizada es:

V
GS
= Valor de contnua (polarizacin o gran seal)
v
gs
= Valor de alterna (pequea seal)
v
GS
= V
GS
+ v
gs
= Valor total (polarizacin + pequea seal)

y lo que se pretende es partir el problema en dos subproblemas superpuestos:

Desarrollo del modelo de pequea seal - Linealizacin de i
D
(v
GS
)

Aplicando desarrollo en serie de Taylor a i
D
(v
GS
) obtenemos:

( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
2
2
2
2
2
1
2
2
D D
D GS D GS gs gs
GS GS
Q Q
GS T GS T gs gs
dI d I
i v I V v v
dV dV
k V V k V V v k v
= + +
= + +

De esta forma, se puede encontrar una aproximacin lineal para las ecuaciones alineales, convirtiendo un
problema de difcil solucin en uno mucho ms simple y que adems estamos acostumbrados a resolver,
sistemas de ecuaciones lineales:

( ) ( ) ( )
( )
( ) ( )
2
2
1
2
2
D GS GS T GS T gs
D n OX GS T gs
D GS D m gs m n OX GS T
i v k V V k V V v
W
I C V V v
L
W
i v I g v donde g C V V
L
~ +
= +
~ + =

Adems, esta simplificacin nos permite modelar al MOSFET con componentes lineales, invariantes en el
tiempo y de parmetros concentrados, en donde es vlido el principio de superposicin.
Es muy importante notar que el modelo desarrollado es vlido nicamente para el MOSFET en rgimen de
saturacin (no es vlido para corte o trodo) y tambin es importante entender que el valor de g
m
depende del
punto de polarizacin del transistor (valor de V
GS
). En la clase terica 11 se completa el desarrollo de un modelo
de pequea seal del MOSFET, incorporando la dependencias de i
D
con v
DS
y v
BS
y los efectos capacitivos
presentes en el MOSFET.

Validez del modelo linealizado
Pero, hasta dnde es vlido este modelo lineal? Para responder esta pregunta debemos tomar un criterio y luego
analizar las expresiones. Como criterio para nuestra simplificacin diremos que un trmino es despreciable
frente a otro si es menor al 10%, por lo tanto el modelo linealizado ser vlido mientras se cumpla:

( ) ( )
( )
2 1
2
10
0.2
gs GS T gs
gs GS T
k v k V V v
v V V
s
s

Por ejemplo, si V
GS
= 2 Volt y V
T
= 1.5 Volts, resulta v
gs
100 mVolts

O tambin si V
GS
= 3 Volt y V
T
= 1.5 Volts, resulta v
gs
300 mVolts


Se observa que mientras mayor sea (V
GS
- V
T
) mayor ser la validez del modelo linealizado.

Aplicaciones

Amplificadores

Nota: Un receptor contiene um amplificador, de tal modo que las siguientes preguntas se aplican tanto a
amplificadores como a receptores. En el texto a continuacion, "amp" es sinonimo de "amplificador".

Que es Biamplificar (Biampling)? Y bicablear (Biwiring)?

La mayoria de los altavoces estan conectados a un amplificador por un par de terminales en cada bafle. Dentro
de esos altavoces, un filtro distribuye la seal (previamente modificada) a cada uno de los altavoces dentro del
bafle.
Algunos altavoces estan preparados par ser o bicableados o biamplificados. Un munero mucho mas pequeo
permite tricableado y triamplificado. Son los mismos principios pero se usan tres conjuntos de cables o tres
amplificadores en vez de dos. La mayoria de los altavoces que soportan biamplificado/bicableado tienen dos
pares de terminales y algn mecanismo para unir los dos pares cuando se usan en el modo normal. Este
mecanismo suele ser un conmutador o unas barras metalicas. Para ayudar en las descripciones a continuacion,
me deferire a esos dos pares como LO y HI debido a que un par se conecta al altavoz de graves y el otro par se
conecta al de medios/agudos) Bicableado significa que un altavoz es alimentado por dos pares de hilos desde la
misma salida del amplificador. Un par conecta HI al amplificador y el otro par de cables conecta LO a la misma
salida del amplificador que tu conectas para el cable HI tambien. El bicableado crea controversias; alguna gente
oye diferencias y otra no. Una explicacion creible acerca de esto conlleva un ruido por induccion magnetica en
la relativamente baja corriente del cable HI de la fuerte corriente existente en el cable LO. Segun esto,
Vandersteen recomienda que los dos pares de cables para un canal esten separados al menos unas pulgadas. En
cualquier caso, el efecto parece ser pequeo.
Biamplificado quiere decir que los dos pares de terminales de un altavoz estn conectados a distintas salidas de
amplificadores.

Asumiendo que tienes dos amplificadores estereo, tienes dos elecciones: o un amplificador por canal, o un
amplificador por altavoz. Para el amplificador por canal, conectas cada par de cables a un diferente canal en el
amplificador (por ejemplo, la salida izquierda la conectas al HI y la derecha al LO). En la otra configuracion, un
amplificador se conecta al los terminales LO, y el otro amplificador se conecta a los terminales HI.
La clave de la biamplificacion es que la mayoria de la potencia requerida para alimentar los altavoces se usa
para las bajas frecuencias. La biamplificacion permite usar amplificadores especializados para cada uno de esos
usos, tales como un gran amplificador a transistores para los altavoces LO y un amplificador de alta calidad
(pero baja potencia) para las frecuencias altas. Cuando tienes dos amplificadores estereo identicos, alguna gente
recomienda distribuir la carga de bajas frecuencias usando un amplificador por canal. En cualquier caso, cuando
uses dos amplificadores diferentes se cuidadoso e iguala los niveles entre ellos.
El biamplificado permite usar filtros electronicos de alta calidad y alimentar los altavoces (los bobinados)
directamente, sin las resistencias serie y las inducciones no-lineales de los filtros pasivos. La biamplificacion
que usa los filtros de los altavoes es menos aconsejable. Reemplazar un buen filtro de altavoces con un filtro
electronico tiene sus ventajas, pero conlleva algunas concesiones muy criticas y el ajuste que es mejor dejarlo a
esos bien equipados o experimentados.
Mira tambien en la seccion 16.0 a continuacion, en cables y conectores en general.

Puede el amplificador X mover altavoces de 2ohm o 4 ohm? Como
incremento la impedancia de un altavoz de 4 ohms a 8 ohms?

Casi cualquier amplificador puede alimentar casi cualquier carga si no pones el volumen muy alto. Los
amplificadores de valvulas son la excepcion. Algunos amplificadores se saturan si los pones muy alto. Esto es
malo y daa los altavoces. Otros amplificadores se desconectan si se les pide volumenes muy altos. Muchos se
sobrecalentaran, con malas consecuencias. Sin embargo, en casi todos los casos, se requiere sonido seriamente
alto o baja resistencia de los altavoces (menos de 4 ohms) para tener algun dao. LLevar dos conjuntos de
altavoces de 8 ohms a la vez con amplificadores normales representa una carga de 4 ohms. Cuatro conjuntos de
altavoces hacen una carga de 2 ohms.

Si eres sensato y no pones el volumen mas del punto donde distorsiona, trabajaras con seguridad con la mayoria
de los amplificadores y de las cargas. Mira en 11.3 para mas informacion.
Puedes incrementar la carga de un altavoz por varios metodos diferentes. Sin embargo, cada uno de ellos tiene
desventajas.
Si tu amplificador no movera tus altavoces, Y estas seguro que el problema es de muy baja impedancia, podrias
intentar una de estas tecnicas.

A) Aade una resistencia de 4 ohm en serie con el altavoz. Esto requiere una resistencia de alta potencia, debido
a que la resistencia va a disipar tanta corriente como el altavoz. Hacer esto, casi siempre daara la calidad de
sonido tambien. Esto es causado en parte, por el hecho de que los altavoces no tienen una resistencia constante
con la frecuencia. Mira en 11.3 para mas informacion acerca de esto.

B)Usa un trasformador adaptador. Hay trasformadores para adaptar altavoces que pueden cambiar de 4 ohm a 8
ohm, pero un trasformador de alta calidad como este puede costar tanto como un receptor normal. Incluso, el
mejor transformador aadira algun error ligero en el margen dinamico y la respuesta en frecuencia.

C)Usa dos altavoces identicos en serie. Si tienes dos altavoces de 4 ohm que son del mismo fabricante y
modelo, puedes conectarles en serie y hacer un altavoz equivalente con impedancia de 8 ohm. El sonido de ese
"nuevo altavoz" no estara tan precisamente localizable como si fuese un solo altavoz, de tal manera que la
imagen estereo podria salir perjudicada. Incluso, requiere que compres el doble de altavoces que habrias
comprado de otro modo. Sin embargo, esta tecnica tiene un lado bueno. Dos altavoces pueden manejar el doble
de potencia que uno.

Como alimento mas de dos altavoces con un amplificador estereo?

Un amplificador puede alimentar varios altavoces. Sin embargo, hay dos limites a esto. El primero es que
puedes sobracalentar o daar un amplificador si pones una baja impedancia a altos niveles de escucha. Evita
cargar un amplificador con una impedancia mas baja de la recomendada. Aadir dos altavoces a la salida de un
amplificador carga esa salida con la mitad de la impedancia de un altavoz. (mira el 11.2 anterior)
Lo segundo es que con amplificadores de valvulas, que son poco comunes en los sistemas de hoy dia, es
importante que la impedancia del altavoz y la de la salida del amplificador esten bien emparejadas. Cuando se
alimentan dos o mas altavoces desde una salida de amplificador, siempre unelos en paralelo, antes que en serie.
La conexion en serie aunque es segura en terminos de niveles de impedancia, puede daar la calidad de sonido
incrementando la impedancia que los mismos altavoces ven. Incluso, cuando diferentes altavoces se unen en
serie, el voltaje se dividira diferente entre los altavoces, porque los diferentes altavoces tienen diferentes
caracteristicas de impedancia-versus-frecuencia.
Muchos amplificadores tienen conectores para dos pares de altavoces, estos amplificadores incluso tienen un
conmutador selector de altavoces. La mayoria de los amplificadores conectan los altavoces en serie cuando se
ponen todos a la vez, a pesar que algunos menos caros van a unir los altavoces en serie. Es comun para esos
altavoces el aceptar unicamente altavoces de 8 ohms unicamente, debido a que el amplificador esta diseado
para manejar tanto 4 como 8 ohms, y dos pares de altavoces en paralelo cargan el amplificador como un par de
altavoces de 4 ohms. Es casi siempre seguro conectar un par de altavoces de 4 ohms a un amplificador con dos
terminales de salida, suponiendo que NUNCA usaras los segundos terminales para otros altavoces.

Como de grande necesito un amplificador?

Desafortunadamente, las especificaciones de potencia de los amplificadores y los altavoces es casi siempre
engaosa. A veces, son totalmente falsas. Las especificaciones de los altavoces son poco utiles al evaluar
necesidades.
Para empezar, la presion sonora, medida en dB, a menudo referida como dB SPL, es funcion del logaritmo de la
potencia acustica
de "sonido". Por tanto, el oido humano es menos sensible a diferencias en potencia que la funcion de
transferencia logaritmica podria implicar. Esto quiere decir que la diferencia percibida entre un amplificador de
50watt y uno de 100watt, todo lo demas igual, es muy pequea!! Un columnista dijo que un amplificador de 250
watt pone dos veces la fuerza percibida de un amplificador de 25 watt, pero las sentencias cuantitativas acerca
de la percepcion deberian siempre ser tratadas con cuidado. Esa sentencia vino de Electronics Now Magazine,
Enero 1994, Pagina 87, Larry Klein's "Audio Update" Column, el cual es incluso una buena lectura en el tema
de potencia requerida de un amplificador.

Hay una gran variacion en la "eficiencia" y "sensibilidad" de los diferentes altavoces disponibles. He visto
buenos altavoces con menos de 80dB por watt de eficiencia e incluso visto buenos altavoces de 96 dB por watt
de eficiencia, medidos a un metro del altavoz. Esta diferencia de 16 dB representa un factor de 40 de diferencia
en requerimientos de potencia!
Asi que el primer paso en determinar los requerimientos de potencia es estimar la eficiencia relativa de los
altavoces.
Otros factores incluyen cuanto de alto quieres escuchar, lo grande que es la habitacion, y cuantos altavoces vas a
conectar al amplificador. Esta informacion te dara un punto de partida aproximado. Por ejemplo, una altavoz
casero tipico producira unos 88 dB a 1 watt. En una habitacion media, una persona con gustos normales estara
satisfecha con este altavoz y un buen amplificador de 20 watt por canal. Alguien que escuche la musica muy alta
o quiera una reproduccion muy limpia de la dinamica de la musica querra mas potencia. Alguien con altavoces
menos eficientes en una habitacion mas grande querra mas potencia.
Pasado ese punto, tendras que usar tus oidos. Al igual que con todas las otras decisiones, tu mejor opcion es
tener varios candidatos, alquilarlas a un amigo vendedor, llevarlas a casa, y escucharlas a tu volumen normal y a
tope. Mira si suenan limpias cuando las pones tan altas como podrias quererlo alguna vez, en tu habitacion y con
tus altavoces. Por supuesto, es importante asegurarse de que el amplificador suena limpio a niveles de sonido
mas bajos.

Suenan igual todos los amplificadores con las mismas caracteristicas?

Algunos dicen que si. Algunos dicen que no. Alguna gente ha demostrado que muchas diferencias entre
amplificadores se deben a pequeas diferencias en la respuesta en frecuencia. Deja que tus oidos te guien.
Si quieres comparar amplificadores, es mejor hacerlo en un ambiente controlado, tal como tu casa, con tu
musica y altavoces. Tambien, ten cuidado de ajustar niveles cuidadosamente. Lo unico que necesitas para
ajustar niveles es voltimetro de alta impedancia fijado a voltios AC y una grabacion de prueba o generador de
seales. Para mas exactitud, fija los niveles con los altavoces cableados a los altavoces.

Es muy grande este amplificador para estos altavoces?

No existe un amplificador que sea tan grande. Los pequeos amplificadores son mas propensos a daar los
altavoces que los grandes, debido a que los pequeos tienden saturarse (clip) antes que los grandes, a los
mismos niveles de escucha. No he oido de altavoces que se daasen por culpa de un amplificador demasiado
grande. He oido de altavoces de 100watt daados por amplificadores de 20 watt, sin embargo en manos
realmente descuidadas. Esto sucedera cuando el amplificador se satura, generara mas energia a altas frecuencias
que las que podria contener la musica normal. Esta alta energia a altas frecuencias podria ser menor de la
capacidad de potencia continua de ese altavoz, pero mayor que la capacidad de potencia real del altavoz de
agudos. Los tweeters suelen ser los componentes mas fragiles.

Donde puedo conseguir amplificadores de poca potencia baratos?

Hay unos pocos disponibles. Otra posibilidad es comprar un equipo compacto barato y solo usar el
amplificador. Otra posibilidad es Radio Shack. Una tercera alternativa es comprar un amplificador para coche y
conseguir una alimentacion de 12V para el. Finalmente puedes construir un majo facilmente si eres manitas,
pero posiblemente no te salga tan barato. Mark V Electronics, por ejemplo, vende kits de amplificadores de 20
watt por menos de $30 y de 80 watt por menos de $150. Sound Values tiene un kit completo de amplificador de
60 watt por cerca de $200, y Old Colony vende algunos kits de amplificadores por un poco mas. Los tres, Mark
V, Old Colony y Sound Values han sido hechos por lectores de rec.audio.*, a pesar de que la calidad del Mark
V es menor que los otros. (ver 11.15, 11.16, 11.17)

Es el material de Carver realmente alucinante?

Existen rumores y prejuicios a favor y en contra del equipo Carver basados en anecdotas de viejos equipos
Carver. Alguna vez en 1994, Bob Carver dejo la compaia, de tal modo que es razonable esperar cambios
importantes en la compaia y en su gama de productos. Algo de la fama de Carver era que daba muchos wattios
por libra de peso. Al igual que con todo, la mejor opcion es siempre escuchar por ti mismo y ver que es lo que
piensas.

Que es un amplificador?


Un amplificador es un circuito electronico amplificador que se puede conectar a un dispositivo de bajo nivel de
salida tal como una capsula de un tocadiscos, o un microfono, y producir un voltaje de salida mayor a una
menor impedancia, con la respuesta en frecuencia correcta. Las capsulas de tocadiscos necesitan tanto
amplificacion como ecualizacion de la respuesta en frecuencia. Los microfonos solo necesitas ecualizacion.
En la mayoria de la aplicaciones de audio, "preamplificador" es un termino inapropiado y se refiere a un
dispositivo llamado mas correctamente "amplificador de control". Su proposito es proporcionar caracteristicas
tales como selector de entrada, control de niveles, bucles de cassette, y a veces una pequea cantidad de
ganancia de etapa-de-line. Estas unidades no son preamplificadores en el sentido mas tecnico de la palabra,
aunque todo el mundo les llame asi.

Que es un preamplificador pasivo?

Un preamplificador pasivo en una unidad de control sin ninguna amplificacion. Es una clasica contradiccion, ya
que si es pasivo no tiene capacidad para incrementar la ganancia de la seal que es lo que hace un
preamplificador. Es unicamente usado en fuentes a nivel de linea que no necesitan ganancia mayor de la unidad.

Necesito un preamplificador? Para que?

Las tareas de un preamplificador son:

Conmutar entre varias seales de entrada.
Amplificar cualquier entrada phono a nivel de linea.
Ajustar el volumen.
Ajustar los graves y los agudos si es necesario.
Presentar la carga de impedancia correcta para las entradas y Presentar una baja impedancia para las salidas.

Si tienes un tocadiscos, NECESITAS un preamplificador con entrada de phone (tocadiscos). Esto es debido a
que el tocadiscos tiene una salida que es muy pequea para alimentar amplificadores y porque la salida del
tocadiscos requiere ecualizacion de respuesta en frecuencia. No puedes conectar ninguna otra fuente a la entrada
de tocadiscos que no sea un tocadiscos (la capsula del tocadiscos). Incluso, no puedes conectar una capsula de
tocadiscos a otra entrada que no sea la entrada de tocadiscos.
Los microfonos tambien requieren preamplificadores especiales. Algunos microfonos tambien requieren
telealimentacion. La telealimentacion es el suministro de energia para que funcione el microfono, y que
proviene del preamplificador. Los preamplificadores de microfonos estan incluidos en platinas de cassete y
mezcladores de microfonos.
Si unicamente tienes entradas de alto nivel, tales como la salida de un reproductor de CD y la salida de una
platina de cassete, el fin principal de un preamplificador es seleccionar entre entradas y proporcionar un control
de volumen principal. Si solo escuchas CD's, es posible eliminar el preamplificador consiguiendo un
reproductor de CD con salida de nivel variable y conectarla directamente a un amplificador de potencia.
Hay algun inconveniente. Uno, las salidas variables de un reproductor de CD son a menudo de menor calidad de
sonido que las salidas fijas. Dos, algunas fuentes tienen impedancias de salida alta o no lineal que no son ideales
para alimentar un amplificador directamente. Igualmente, algunos amplificadores tienen una impedancia de
entrada inusualmente baja o no-lineal tal que las fuentes comunes no pueden alimentar la entrada limpiamente.
Un buen preamplificador permite el uso de esos dispositivos sin sacrificar la calidad del sonido.
Desafortunadamente, el unico modo de asegurarse de que un preamplificador es util con tus fuentes y tu
amplificador es probar uno.
Casi todos los receptores tiene un preamplificador de tocadiscos, control de volumen y selector de entrada. Por
tanto, si tienes un receptor, podrias no necesitar nunca un preamplificador.

Deberia dejar el equipo encendido todo el tiempo o deberia encenderlo y apagarlo?

Algun equipo consume mucha electricidad, asi que gastaras dinero y energia si lo dejas conectado todo el
tiempo. Por ejemplo, un ampllificador normal gasta 40w en libre. Los de High-end gastan mucho mas, pero
ignorando eso, 40watt x 168 horas x 52 semanas x 0.0001$ por watio/hora (estimacion) son 35$ al ao. Ahora
aade un reproductor de CD, preamplificador, y sintonizador y realmente ya es dinero.

Los entusiastas del High-end dicen que el equipo necesita calentarse para funcionar en sus mejores condiciones.
Si te preocupa obtener el mejor sonido, deja a tu equipo calentar durante al menos 20 minutos antes de una
escucha seria.
El precalentamiento permitira que las temperaturas internas se estabilizen, se minimizen los offsets, que las
corrientes de polarizacion alcalcen sus valores nominales, y llegue la ganancia a su valor operativo.
De todos modos, el buen equipo va a durar mucho tiempo. Las valvulas se sabe que tienen una duracion finita,
pero los buenos diseos a valvulas las llevan de un modo muy conservativo dandole una vida que excede los 10
aos de servicio ininterrumpido. Algunos amplificadores hacen trabajar mas duro a las valvulas para sacarles
mas potencia, y por tanto sera mas economico apagarlas entre usos.
Los filtros de condensadores fallaran despues de suficiente tiempo a una temperatura con voltaje aplicado.
Duraran mas si apagas entre usos. Sin embargo, al igual que las valvulas, los condensadores de los filtros
pueden durar decenas de aos de uso continuo, lo mismo que los transformadores, semiconductores y similares.
Los condensadores de filtros tienen un problema curioso que justifica una simple tratamiento o reforma cuando
se vuelven a encender despues de varios aos de reposo. Esto implica el conectar el voltaje de corriente
lentamente con un transformador variable. Para trucos de reformar condensadores, consulta "The Radio
Amateur's Handbook", por la ARRL.
Los semiconductores parecen fallar mas a menudo debido malas sobretensiones y abuso que de la edad. Dejar el
equipo apagado podria ser lo mejor para los semiconductores y otros equipos sensibles a
sobrecargas/transitorios si esperas sobrecargas en el suministro de potencia, como en casos de tormentas
electricas y grandes motores trabajando.
Los fusibles parecen envejecer con la temperatura y hacerse ruidosos, pero son tan baratos que no deberia
afectar tus decisiones. Sin embargo, algunos son complicados de cambiar, y podrian requerir abrir el equipo e
incluso invalidar la garantia.

Suena mejor los amplificadores a valvulas que los de transistores? FETs?

Permite antes decir algunos com ponentes electronicos activos usuales y sus buenas y malas propiedades.

VALVULAS: (Tubos, Tubos de Vacio, Triodo, Pentodo, etc)

Las valvulas funcionan por emision termoionica de electrones desde un filamento o catodo, controlado por una
rejilla y recogiendose en una placa. Algunas valvulas tiene mas de una rejilla, Algunas tienen dos elementos
amplificadores separados en una envoltura de vidrio. Estas dobles valvulas suelen funcionar peor.
Las caracteristicas de las valvulas varian ampliamente dependiendo del modelo seleccionado. En general, las
valvulas son mayores, mas fragiles, bonitas, funcionan calientes, y necesitan varios segundos antes de funcionar.
Las valvulas tienen una ganancia relativamente baja, alta impedancia de entrada, baja capacidad de entrada, y la
capacidad de aguantar abusos momentaneos.
Las valvulas se saturan (clip) suavemente y se recuperan de la sobracarga rapida y suavemente.
Los circuitos que no usan valvulas se llaman a transistores (o de estado solido), porque no usan dispositivos que
contienen gas (o liquido).
Las caracteristicas de las valvulas tienden a cambiar con el uso (edad). Son mas susceptibles a las vibraciones
(llamadas "microfonicas") que los dispositivos de transistores. Las valvulas incluso sufren de ruido cuando se
usan con filamentos en corriente alterna.
Las valvulas son capaces de trabajar a mayores voltajes que cualquier otro dispositivo, pero las valvulas de alta
corriente son raras y caras. Esto quiere decir que la mayoria de los amplificadores a valvulas usan un
transformador de salida. A pesar de no ser caracteristica especifica de las valvulas, los transformadores de salida
aaden distorsion del segundo armonico y presentan una caida gradual en la respuesta a altas frecuencias que es
dificil de duplicar con circuitos a transistores.

TRANSISTORES: (BJT, Bipolares, PNP, NPN, Darlington, etc)

Los transistores operan con portadores minoritarios inyectados
desde el emisor a la base que hace que fluyan a traves de la base hacia el colector, controlando la corriente de la
base.
Los transistores estan disponibles como dispositivos PNP y NPN, permitiendo que uno tire de la seal de salida.
Los transistores estan tambien disponibles en pares emparejados y empaquetados, pares seguidores de emisor,
arrays de transistores multiples e incluso en complejos "circuitos integrados", donde estan combinados con
resistencias y condensadores para conseguir funciones de circuitos complejos.

Como las valvulas, hay muchas clases de BTJs disponibles. Algunos tienen una alta ganancia de corriente,
mientras que otros tienen menor ganancia. Algunos son rapidos, y otros lentos. Algunos manejan altas
corrientes mientras que otros tienen capacidades de entrada bajas. Algunos tienen menos ruido que otros. En
general, los transistores son estables, duran casi indefinidamente, tienen alta ganacia, requieren alguna corriente
de entrada, tienen baja resistencia de entrada, tienen capacidad de mayores entradas, saturan rapidamente, y son
lentos de recuperarse de la sobrecarga (saturacion). Los transistores tienen un amplio margen antes de la
saturacion.

Los transistores estan sujetos a un modo de fallo llamado segunda avalancha, que sucede cuando el dispositivo
esta trabajando a alto voltaje y alta corriente. La segunda avalancha puede evitarse con un diseo prudente, lo
cual le dio a los primeros amplificadores de transistores una mala reputacion de fiabilidad. Los transistores son
tambien susceptibles de descontrolarse con la temperatura cuando se usan incorrectamente. Sin embargo, los
diseos prudentes evitan el segunda avalancha y el embalamiento termico.

MOSFET: (VMOS, TMOS, DMOS, NMOS, PMOS, IGFET, etc)

Los transistores de efecto de campo semiconductor metal-oxido usan una puerta aislada para modular el flujo de
la corriente portadora principal de la fuente al drenaje con el campo electrico creado por la puerta. Como los
bipolares, los MOSFETs estan disponibles en P y N. Tambien como los transistores, los MOSFEt estan
disponibles en pares y circuitos integrados. Los MOSFET emparejados no se acoplan tan bien como los pares de
transistores bipolares, pero se emparejan mejor que las valvulas.

Los MOSFETs estan tambien disponibles en muchos tipos. Sin embargo, todos tienen baja corriente de entrada
y bastante baja capacidad de entrada. Los MOSFET tienen menor ganancia, se saturan moderadamente y se
recuperan rapidamente de la saturacion. A pesar de que los MOSFETs de potencia no tienen puerta en DC, la
capacidad de entrada finita quiere decir que los MOSFET de potencia tienen una puerta finita de corriente AC.
Los MOSFET son estables y robustos. No son susceptibles de embalamiento termico ni segunda avalancha. Sin
embargo, los MOSFETs no pueden soportar abusos tan bien como las valvulas.

JFET:

Transistores de efecto de union de campo operan exactamente igual que los MOSFET, pero no tienen una puerta
aislada. Los JFETs comparten la mayoria de las caracteristicas de los MOSFETs, incluyendo parejas
disponibles, tipos P y N, y circuitos integrados.

Los JFETs no estan disponibles normalmente como dispositivos de potencia. Ellos hacen excelentes
preamplificadores de bajo ruido. La union de la puerta da a los JFETs mayor capacidad de entrada que los
MOSFETs e incluso les previene de ser usados en modo de acumulacion o enriquecimiento. Los JFETs
unicamente se usan como circuitos de deplexion o empobrecimiento. Los JFETs estan disponibles tambien
como parejas y se emparejan casi tan bien como los transistores bipolares.

IGBT: (o IGT)

Transistores bipolares de puerta aislada son una combinacion de un MOSFET y un transistor bipolar. La parte
MOSFET del dispositivo sirve como dispositivo de entrada y el bipolar como la salida.

Los IGBTs estan solo disponibles hoy como dispositivos tipo N, pero los dispositivos P son posibles en teoria.
Los IGBTs son mas lentos que otros dispositivos pero ofrecen un bajo costo, la alta capacidad de corriente de
los transistores bipolares con la baja corriente de entrada y la baja capacidad de entrada de los MOSFETs.
Sufren de saturacion tanto o mas que los transistores bipolares, e incluso sufren de segunda avalancha.
Raramente se usan en audio High-end, pero a veces se usan para amplificadores de extremadamente alta
potencia.

Ahora la pregunta real: Puedes pensar que si estos diversos dispositivos son tan diferentes entre ellos, alguno
sera el mejor. En la practica, cada uno tiene sus puntos fuertes y debiles. Incluso porque cada tipo de dispositivo
esta disponible en tantas formas diferentes, la mayoria de los tipos puede usarse en la mayoria de los sitios con
exito.

Las valvulas son prohibitivamente caras para amplificadores de muy alta potencia. La mayoria de los
amplificadores a valvulas dan menos de 50 watts por canal.
Los JFETs son a veces un dispositivo ideal de entrada porque tienen bajo ruido, baja capacidad de entrada y
buen acoplamiento.
Sin embargo, los transitores bipolares tiene incluso mejor emparejamiento y mayor ganancia, asi que para
fuentes de baja impedancia, los dispositivos bipolares son incluso mejores.
Aun las valvulas y los MOSFETs tienen incluso menor capacidad de entrada, lo mismo para muy alta resistencia
de salida, podrian ser mejores.
Los transistores bipolares tiene la mas baja resistencia de salida, asi pues son buenos dispositivos de salida. Sin
embargo, la segunda avalancha y una alevada carga almacenada pesa en su contra cuando se les compara con
los MOSFET. Un buen diseo BJT necesita tener en ceunta las debilidades de los BJTs mientras que un buen
diseo MOSFET necesita controlar las desventajas de los MOSFETs
Los transistores de salida bipolares requieren proteccion de segunda avalancha y embalamiento termico y esta
proteccion requiere circuiteria adicional y esfuerzo de diseo. En algunos amplificadores, la calidad de sonido
se daa con la proteccion.
Como ya se dijo, hay mas diferencias entre diseos individuales, sean valvulas y transistores, que hay entre
diseos generales entre valvulas y transistores. Puedes hacer un buen amplificador de ambos, y puedes hacer un
amplificador cutre tambien.
A pesar de que los transistores y valvulas se saturan diferente, la saturacion sera rara o inexistente en un buen
amplificador, asi que esta diferencia no debe tenerse en cuenta.
Alguna gente dice que las valvulas requieren una realimentacion menor o nula mientras que los transistores
requieren bastante realimentacion. En la practica, todos los amplificadores requieren alguna realimentacion, sea
total, local, o unicamente "degeneracion". La realimentacion es esencial en los amplificadores porque hace al
amplificador estable con las variaciones de temperatura y fabricable a pesar de las variaciones de los
componentes.
La realimentacion tiene una mala reputacion debido a que un sistema de realimentacion mal diseado puede
pasarse u oscilar dramaticamente. Algunos diseos viejos usaban excesiva realimentacion para compensar las no
linealidades de circuitos cutres. Los amplificadores con realimentaciones bien diseadas son estables y tienen un
muy pequeo sobreimpulso.
Cuando salieron los primeros amplificadores de transistores, eran peores que los mejores amplificadores de
valvulas de aquellos dias. Los diseadores cometieron muchos errores con las nuevas tecnologias conforme
aprendian. Hoy en dia, los diseadores son mucho mas expertos y sofisticados que en aquellos dias de 1960.
Debido a las bajas capacidades internas, los amplificadores a valvulas tienen unas caracteristicas de entrada muy
lineales.
Esto hace a los amplificadores a valvulas faciles de alimentar y tolerantes a fuentes de altas impedancias de
salida, tales como otros circuitos a valvulas y controles de volumen de alta-impedancia. Los amplificadores de
transistores podrian tener un alto acoplamiento entre la entrada y la salida y podrian tener una impedancia de
entrada menor. Sin embargo, algunas tecnicas de circuitos reducen estos efectos. Incluso, algunos
amplificadores de transistores evitan totalmente estos problemas usando buenos JFET como circuitos de
entrada.
Hay muchas exageraciones, errores asi como muchas leyendas sobre el tema. En efecto, un buen diseador FET
puede hacer un buen amplificador FET. Un buen diseador de valvulas puede hacer un buen amplificador a
valvulas, y un buen diseador de transistores puede hacer un amplificador a transistores muy bueno. Muchos
diseadores mezclan componentes para usarlos en aquello en que son mejores.
Al igual que con todas las disciplinas de ingenieria, los buenos diseos de amplificadores requieren un amplio
conocimiento de las caracteristicas de los componentes, los fallos de diseo de amplificadores, las
caracteristicas de la fuente de seal, las caracteristicas de las cargas, y las caracteristicas de la seal misma.
Otro tema aparte es que carecemos de un buen conjunto de medidas para calificar la calidad de un amplificador.
La respuesta en frecuencia, distorsion y relacion seal-ruido dan claves, pero por ellas mismas son insuficientes
para calificar el sonido.
Mucha gente jura que las valvulas suenan mas "a valvulas" y los transistores suenan mas "a transistores".
Alguna gente aade un circuito a valvulas a sus circuitos de transistores para darles algo de sonido a "valvulas"
Alguna gente dice que han medido y distingen diferencias entre las caracteristicas de distorsion de los
amplificadores de valvulas y los de transistores. Esto podria ser causado por el transformador de salida, la
funcion de transferencia de las valvulas, o la eleccion de la topologia del amplificador.
Los amplificadores de valvulas raramente tienen respuesta en frecuencia tan plana como los mas planos
amplificadores de transistores, debido al transformador de salida. Sin embargo, la respuesta en frecuencia de
buenos amplificadores a valvulas es extremadamente buena.

Para mas informacion acerca de las valvulas, consigue uno de los siguientes viejos libros de referencia, o
chequea la revista Glass Audio Magazine (mira en la seccion de revistas de la FAQ para mas informacion de
Glass Audio)

Que hay acerca de sustituir los amplificadores operacionales?

Muchos componentes usan circuitos integrados llamados amplificadores operacionales como amplificadores de
audio. Los primeros amplificadores operacionales tenian una pobre calidad de sonido, especialmente si no se
sabian usar. Algunos ingenieros con un fuerte conocimiento de circuitos integrados y amplificadores
operacionales aprendieron que podian mejorar el sonido si reemplazaban los lentos, ruidosos, de bajo slew-rate
(velocidad, rapidez), o de otra manera, malos amplificadores operacionales por otros mejores. Alguna gente
menos informada intento hacer lo mismo y empeoro las cosas.
Una desventaja de reciclar (o modernizar) los amplificadores operacionales es que algunos son mas propensos a
oscilaciones no deseadas que otros, Cuanto mas rapido es el operacional, mas propenso sera a causar
oscilaciones no deseadas, las cuales daaran el sonido totalmente. Por esa razon, Pepe podria tener suerte
cambiando los operacionales 731 por los 5534 en su equipo y tu podrias equivocarte. Depende del diseo,
colocacion, etc.
Puesto que la tecnologia y la experiencia de los diseadores va mejorando, los amplificadores operacionales de
audio van siendo cada vez mejores y el reciclado es cada vez menos util.
Los operacionales mas nuevos estan desplazando a los mejores de antes, y suenan sorprendentemente similar a
un cable, sin distorsion ni ruido y con respuesta plana.
Aun mas, hay diferentes amplificadores operacionales para diferentes propositos. Los amplificadores
operacionales bipolares son ideales para preamplificadores donde el ruido es critico. El OP-27, OP-37, LT1028,
y LT1115 son muy bienvenidos para preamplificadores de phono, amplificadores de cabezales, y
preamplificadores de microfonos. Los amplificadores operacionales son incluso mas practicos para seales
provenientes de fuentes de baja impedancia. Los dispositivos FET como el OPA604 y el OPA2604 tienen
mayor slew rate (velocidad de cambio), mayor ancho de banda, y menor corriente de entrada. Estos
operacionales son mejores para entradas de niveles de linea y seales de fuentes de alta resistencia. Algunos
amplificadores, como el OP-37 y LT1115 consiguen mayor ancho de banda usando menos compensacion
interna. Estos amplificadores no son estables con ganancia unidad, y no deberian ser usados en circuitos con
ganancia de bucle bajo cerrado o grandes condensadores de realimentacion.
Algunos de los mejores amp op para audio de hoy en dia incluyen:
Si los numeros son el mismo, las partes son casi seguro las mismas.
Por ejemplo, un LM257N y un LM357J son identicos elctricamente y suenan igual.
Lo siguiente es una letra o dos indicando el paquete del amp op y posiblemente como ha sido probado y que
pruebas ha pasado. Por desgracia, los fabricantes no has estandarizado estas letras. Por suerte, casi nunca te
interesa. Si es un paquete dual-inline (DIP = encapsulado con dos filas de patas) y estas reemplazando un DIP,
no deberias tener que preocuparte de si es ceramico o moldeado.
Igualmente, raramente te importa si tiene de offset 100uV o 4mV para el tema del audio. Finalmente, no te
importa si no ha sido probada a elevadas temperaturas porque lo usaras en tu casa, en un equipo bien ventilado.
Asi pues, un NE5532J es un TL5532N, y un AD827JN sonara igual que un AD827LD. Si no estas seguro de
algun detalle, llama o escribe al fabricante del circuito integrado y pidele una hoja de caracteristicas de las
partes en cuestion. Ellos siempre envian hojas de datos con detalles de los diferentes numeros de referencia,
circuiteria interna, y caracteristicas electricas.
Un circuito amplificador de potencia consta bsicamente de transistores BJT resistencias y condensadores. El
propsito del amplificador de potencia es proporcionar una tensin de salida con mxima excursin simtrica
sin distorsin a una baja resistencia de carga.

Hay cuatro conceptos que se deben tener muy claros antes de entrar en el anlisis de los transistores. Estos son:
amplificacin, impedancia, fase y frecuencia. Los dos primeros hacen referencia tanto a circuitos de corriente
alterna como de corriente continua, mientras que la fase y la frecuencia son "fenmenos" producidos en la
corriente alterna. La amplificacin, como su nombre indica, consiste en aumentar el valor de una cantidad; en un
transistor se puede hablar de amplificacin de corriente, de tensin y de potencia. Cundo se habla de fase, se
hace referencia a la sincronizacin que hay entre tensin a la entrada y a la salida, es decir, cuando la tensin de
entrada est en su punto mximo, tambin lo estar la tensin de salida?, o el valor de la salida se retrasar
respecto del primero?. En caso de que exista "retraso" se dice que hay un "desfase" entre ambas tensiones.


La frecuencia es la "velocidad" con la que cambia la polaridad en la corriente alterna, esto es, la rapidez con la
que se pasa de tensin positiva a negativa.
Esto puede resultar confuso porque si TI copia un amp op a Signetics, ellos podrian asumir el prefijo Signetics,
o podrian usar el suyo propio. Afortunadamente, si los numeros son los mismos, la circuiteria es casi la misma,
asi como las caracteristicas. (Nota: casi)
Lo siguiente en el numero de catalogo son dos, tres, cuatro, o cinco digitos. Esto es invariablemente la clave del
asunto.
Si los numeros son el mismo, las partes son casi seguro las mismas.
Por ejemplo, un LM257N y un LM357J son identicos elctricamente y suenan igual.
Lo siguiente es una letra o dos indicando el paquete del amp op y posiblemente como ha sido probado y que
pruebas ha pasado. Por desgracia, los fabricantes no has estandarizado estas letras. Por suerte, casi nunca te
interesa. Si es un paquete dual-inline (DIP = encapsulado con dos filas de patas) y estas reemplazando un DIP,
no deberias tener que preocuparte de si es ceramico o moldeado.
Igualmente, raramente te importa si tiene de offset 100uV o 4mV para el tema del audio. Finalmente, no te
importa si no ha sido probada a elevadas temperaturas porque lo usaras en tu casa, en un equipo bien ventilado.
Asi pues, un NE5532J es un TL5532N, y un AD827JN sonara igual que un AD827LD. Si no estas seguro de
algun detalle, llama o escribe al fabricante del circuito integrado y pidele una hoja de caracteristicas de las
partes en cuestion. Ellos siempre envian hojas de datos con detalles de los diferentes numeros de referencia,
circuiteria interna, y caracteristicas electricas.

Donde puedo comprar componentes electronicos para hacer un amplificador?

Hay muchos distribuidores de componentes que vende unicamente a compaias. Sus precios estan en una lista a
menudo, sus suministros son a menudo buenos y su servicio es variable.
Algunos normales son Arrow Electronics, Gerber Electronics, Hamilton Avnet y Schweber Electronics. Mira en
la guia de telefonos.
Tambien hay vendedores que trabajan con pequeos compradores. Generalmente tienen una unica oficina.
Algunos tienen una pobre seleccion pero buenos precios. En la siguiente lista, (+) significa que el vendedor
tiene buena reputacion, (?) significa que tiene una reputacion insuficiente, y (X) quiere decir que se han
denunciado problemas con ese vendedor. (C) es que tienen catalogo.



800-344-4539
potencia.

exito.

buen acoplamiento.
415-669-7558 FAX
Mouser Electronics (Amplia linea de componentes) (+) (C)
PO Box 699
Mansfield TX 76063-0699 USA
800-346-6873
817-483-4422
Newark Electronics (Amplia gama de componentes) (+) (C)
Hay muchas exageraciones, errores asi como muchas leyendas sobre el tema. En efecto, un buen diseador FET
puede hacer un buen amplificador FET. Un buen diseador de valvulas puede hacer un buen amplificador a
valvulas, y un buen diseador de transistores puede hacer un amplificador a transistores muy bueno. Muchos
diseadores mezclan componentes para usarlos en aquello en que son mejores.
Al igual que con todas las disciplinas de ingenieria, los buenos diseos de amplificadores requieren un amplio
conocimiento de las caracteristicas de los componentes, los fallos de diseo de amplificadores, las
caracteristicas de la fuente de seal, las caracteristicas de las cargas, y las caracteristicas de la seal misma.
Otro tema aparte es que carecemos de un buen conjunto de medidas para calificar la calidad de un amplificador.
La respuesta en frecuencia, distorsion y relacion seal-ruido dan claves, pero por ellas mismas son insuficientes
para calificar el sonido.
Mucha gente jura que las valvulas suenan mas "a valvulas" y los transistores suenan mas "a transistores".
Alguna gente aade un circuito a valvulas a sus circuitos de transistores para darles algo de sonido a "valvulas"
Alguna gente dice que han medido y distingen diferencias entre las caracteristicas de distorsion de los
amplificadores de valvulas y los de transistores. Esto podria ser causado por el transformador de salida, la
funcion de transferencia de las valvulas, o la eleccion de la topologia del amplificador.
Los amplificadores de valvulas raramente tienen respuesta en frecuencia tan plana como los mas planos
amplificadores de transistores, debido al transformador de salida. Sin embargo, la respuesta en frecuencia de
buenos amplificadores a valvulas es extremadamente buena.
Para mas informacion acerca de las valvulas, consigue uno de los siguientes viejos libros de referencia, o
chequea la revista Glass Audio Magazine (mira en la seccion de revistas de la FAQ para mas informacion de
Glass Audio)
El objeto de todo sistema amplificador es el de hacer funcionar el dispositivo que se encuentra a su salida
amplificando la seal que se encuentra a la entrada del sistema, entregndola a la salida. Las diferentes cargas
exigen distintas propiedades de los sistemas de amplificacin. Un parlante, por ejemplo, tiene resistencia baja,
por lo que necesita corriente elevada para disipar alta potencia. Por lo tanto, un amplificador que a su salida
tiene conectado un parlante, exige amplificacin de tensin con alta amplificacin de corriente y baja resistencia
de salida. Los amplificadores se pueden clasificar segn sus distintas propiedades. Uno de los tipos de
clasificacin es segn la ubicacin del punto de trabajo. Se conocen tres tipos diferentes de funcionamiento del
transistor:
En el amplificador que funciona en clase A tiene su punto de trabajo ubicado en el centro de la recta de carga
por lo que la seal de entrada se amplifica sin distorsin. En el amplificador que funciona en clase B tiene el
punto de operacin en el extremo inferior de la recta de carga por lo que en la carga no se disipa potencia
cuando la seal de entrada es nula. En el amplificador clase C el punto de trabajo se elige de tal manera que la
corriente (o la tensin) de salida sea cero durante un tiempo mayor que medio perodo de la seal de entrada. A
veces se acostumbra definir otro tipo de amplificador, clase AB, en este amplificador el punto de trabajo est

ubicado de tal manera que si se suministra una seal sinusoidal a la entrada, la seal de salida ser cero durante
un tiempo menor que medio perodo de la seal de entrada.
061-434-0126 Voice
060-225-8431 FAX
BORBELY AUDIO, Erno Borbely (JFET y kits de preamplificadores a valvulas, MOSFET y kits de
amplificadores a valvulas.
Incluso componentes para audiofilos)
Melchior Fanger Strasse 34A
82205 Gilching, Germany
Tel: +49/8105/5291
Fax: +49/8105/24605
E-mail: BorbelyAudio@t-online.de o EBorbely@aol.com
http://www.earthlink.net/~borbelyaudio
Crimson (UK) (?)
Hafler (+) (podria ya no vender kits)
Hart Electronic Kits (kits para audiofilos y componentes)
Penylan Mill
Oswestry
Shropshire, SY10 9AF United Kingdom
Tel (0691)652894
Mark V Electronics (?)
8019 E Slauson Ave
Montebello CA 90640 USA
800-423-3483
Si tienes un tocadiscos, NECESITAS un preamplificador con entrada de phone (tocadiscos). Esto es debido a
que el tocadiscos tiene una salida que es muy pequea para alimentar amplificadores y porque la salida del
tocadiscos requiere ecualizacion de respuesta en frecuencia. No puedes conectar ninguna otra fuente a la entrada
de tocadiscos que no sea un tocadiscos (la capsula del tocadiscos). Incluso, no puedes conectar una capsula de
tocadiscos a otra entrada que no sea la entrada de tocadiscos.
Los microfonos tambien requieren preamplificadores especiales. Algunos microfonos tambien requieren
telealimentacion. La telealimentacion es el suministro de energia para que funcione el microfono, y que
proviene del preamplificador. Los preamplificadores de microfonos estan incluidos en platinas de cassete y
mezcladores de microfonos.
Si unicamente tienes entradas de alto nivel, tales como la salida de un reproductor de CD y la salida de una
platina de cassete, el fin principal de un preamplificador es seleccionar entre entradas y proporcionar un control
de volumen principal. Si solo escuchas CD's, es posible eliminar el preamplificador consiguiendo un
reproductor de CD con salida de nivel variable y conectarla directamente a un amplificador de potencia.
Hay algun inconveniente. Uno, las salidas variables de un reproductor de CD son a menudo de menor calidad de
sonido que las salidas fijas. Dos, algunas fuentes tienen impedancias de salida alta o no lineal que no son ideales
para alimentar un amplificador directamente. Igualmente, algunos amplificadores tienen una impedancia de
entrada inusualmente baja o no-lineal tal que las fuentes comunes no pueden alimentar la entrada limpiamente.
Un buen preamplificador permite el uso de esos dispositivos sin sacrificar la calidad del sonido.
Desafortunadamente, el unico modo de asegurarse de que un preamplificador es util con tus fuentes y tu
amplificador es probar uno.
Casi todos los receptores tiene un preamplificador de tocadiscos, control de volumen y selector de entrada. Por
tanto, si tienes un receptor, podrias no necesitar nunca un preamplificador.
potencia.

exito.

buen acoplamiento.
1033 N Sycamore Avenue
Los Angeles CA 90038 USA
800-468-4322 or 213-464-4322

Introducin a los Bjts.

Que es un amplificador de clase A? Que es clase B? C? y AB?

En la actualidad, existe una gran variedad de aparatos electrnicos, tales como televisores, vdeos, equipos
musicales, relojes digitales, etc. Aunque, aparentemente sean muy distintos, todos ellos tienen algo en comn:
los dispositivos electrnicos de los que estn constituidos. Los transistores son unos de los dispositivos ms
importantes. Estn construidos con materiales semiconductores pero con estructuras ms complejas que los
diodos. Son la base de la electrnica y uno de los objetivos actuales es ir reduciendo su tamao continuamente.

Existen, pues, dos tipos de transistores segn su estructura interna, Tipo N y Tipo P. Aunque, aparentemente,
ambos son muy similares, sus caractersticas de funcionamiento van a ser opuestas. Segn se tengan polarizadas
estas uniones, el transistor se comportar de una manera distinta.

Se puede trabajar en tres zonas, segn como estn polarizadas estas uniones: si la unin base-emisor est
directamente polarizada y la unin base-colector inversamente polarizada, se dice que el transistor est
funcionando en zona activa. Si las dos uniones estn directamente polarizadas se denomina zona de saturacin,
y si estn inversamente polarizadas se dice que el transistor est en zona de corte.




Respecto a la amplificacin, habr que determinar si el transistor produce amplificacin o no. En caso de
producir amplificacin, hay que saber si sta es de tensin, de corriente o de ambas, y cunto vale. La
impedancia es la resistencia, es decir, la oposicin al paso de corriente, hay que saber qu impedancia ofrece a la
entrada y a la salida. Igualmente, con la fase se tiene que ver si los valores de la tensin a la entrada y a la salida

"coinciden" o existe algn desfase entre ellos. De existir desfase, es posible determinar su valor. Y, por ltimo,
respecto a la frecuencia, habr que ver si el circuito es vlido para una sola frecuencia o para un margen
determinado. Y cul es su comportamiento frente a frecuencias altas, medias y bajas.

Conocimientos Bsicos

Transistor BJT

Los transistores BJT son elementos muy verstiles. Se pueden conectar dentro de un circuito de muy diferentes
maneras, obteniendo distintos comportamientos. Por ejemplo se puede conseguir ganancia en tensin, en
intensidad de corriente o en ambas, segn la clase configuracin. Hay tres tipos de configuraciones bsicas del
transistor BJT: Emisor Comn, Colector Comn y Base
Comn. A continuacin mostramos dichas
configuraciones:

Curvas caractersticas

Como se muestra en la figura los transistores tienen
mltiples formas de comportarse, dependiendo de las
tensiones entre sus terminales. Cuando un usuario adquiere un transistor, necesita saber este comportamiento
para ponerlo en prctica en su circuito y utilizarlo como ms le convenga.

La curva caracterstica de un transistor es una grfica donde, en el eje
horizontal, est representado el valor del potencial entre el colector y
el emisor, Vce y en el eje vertical el valor de la corriente del colector,
Ic. Cada lnea, a su vez, corresponde a una corriente de base, Ib,
distinta. Observando pues la curva caracterstica de un transistor se
puede saber cmo funciona ste, segn las condiciones a que est
expuesto

La corriente del colector est totalmente relacionada con la corriente del emisor, si aumenta o disminuye, Ic
har lo mismo. Ic tambin se encuentra relacionada con la corriente de la base, Ic es proporcional a Ib cuando el
transistor est trabajando en modo activo. La relacin que existe es exactamente la siguiente: Ic = |Ib, siendo |
lo que se denomina ganancia del transistor y es una caracterstica de ste que nos da el fabricante.

Una de las curvas ms importantes de un transistor es la curva del rea de mxima seguridad "SOA" (Sfae
Operation Area). En el funcionamiento en continua, este rea define la regin de posibles combinaciones de IC
- VCE dentro de la cual el punto de trabajo puede estar sin dao y sin disminucin de la fiabilidad del transistor.

Efectos de la Temperatura

Un factor muy importante, capaz de desestabilizar a los transistores y que todava no se ha tomado en cuenta, es
la temperatura.

Para evitar que se produzca un aumento de la temperatura se debe colocar un ventilador, o algo que baje la
temperatura cuando esta aumente y la mantenga siempre constante. Pero esto tiene dos inconvenientes, el
primero es que resulta muy costoso y el segundo que ocupa mucho espacio, y al disear un circuito electrnico
siempre se tiende a reducir el espacio al mximo.

Otra solucin es colocar una resistencia Re en el emisor; al aumentar la corriente del
colector, Ic, tambin se incrementa la corriente del emisor. Si se coloca una
resistencia, se va a producir una cada del potencial, luego la tensin en el emisor va a
ser menor. Como se muestra en la figura:

Amplificadores de Potencia de Audio

Los transistores BJT son elementos muy verstiles. Se pueden conectar dentro de un
circuito de muy diferentes maneras, obteniendo distintos comportamientos. Por

ejemplo se puede conseguir ganancia en tensin, en intensidad de corriente o en ambas, segn la clase
configuracin. Hay tres tipos de configuraciones bsicas del transistor BJT: emisor comn, colector comn y
base comn.

La configuracin de emisor comn es la ms usada. En l, el transistor acta como un amplificador de la
corriente y de la tensin, es decir, un amplificador de potencia. Aparte de los efectos de amplificacin, tambin
invierte la tensin de seal, es decir, si la tensin es tendente a positiva en la base pasa a ser tendente a negativa
en el colector; pero estos efectos se producen con la corriente alterna.

La temperatura es un factor muy importante capaz de desestabilizar a los transistores, se sabe que los
semiconductores pueden permitir el paso de corriente, pero necesitan una pequea ayuda; se les puede dopar, o
aumentar la temperatura, para que circulen los electrones. Pues bien, los transistores son uniones PN, y los
materiales tipo P y tipo N son semiconductores dopados, luego van a permitir el paso de la corriente. Pero, por
ser semiconductores, les va a influir mucho una variacin de temperatura.

El objeto de todo sistema amplificador es el de hacer funcionar el dispositivo que se encuentra a su salida
amplificando la seal que se encuentra a la entrada del sistema, entregndola a la salida. Las diferentes cargas
exigen distintas propiedades de los sistemas de amplificacin. Un parlante, por ejemplo, tiene resistencia baja,
por lo que necesita corriente elevada para disipar alta potencia. Por lo tanto, un amplificador que a su salida
tiene conectado un parlante, exige amplificacin de tensin con alta amplificacin de corriente y baja resistencia
de salida. Los amplificadores se pueden clasificar segn sus distintas propiedades. Uno de los tipos de
clasificacin es segn la ubicacin del punto de trabajo. Se conocen tres tipos diferentes de funcionamiento del
transistor:
En el amplificador que funciona en clase A tiene su punto de trabajo ubicado en el centro de la recta de carga
por lo que la seal de entrada se amplifica sin distorsin. En el amplificador que funciona en clase B tiene el
punto de operacin en el extremo inferior de la recta de carga por lo que en la carga no se disipa potencia
cuando la seal de entrada es nula. En el amplificador clase C el punto de trabajo se elige de tal manera que la
corriente (o la tensin) de salida sea cero durante un tiempo mayor que medio perodo de la seal de entrada. A
veces se acostumbra definir otro tipo de amplificador, clase AB, en este amplificador el punto de trabajo est
ubicado de tal manera que si se suministra una seal sinusoidal a la entrada, la seal de salida ser cero durante
un tiempo menor que medio perodo de la seal de entrada.

El par Darlington es una configuracin compuesta de dos transistores
en cascada, puede verse como un transistor cuya | es igual al
producto de las betas de cada transistor. Este par encuentra su
aplicacin en la elaboracin de amplificadores de potencia.
En cada tipo o clase de operacin de los amplificadores de potencia
se pueden encontrar distintas configuraciones.

Clase A

La clase A es el tipo de operacin considerado en los
amplificadores de emisor comn. En la operacin en clase A el
amplificador reproduce totalmente la seal de entrada. La corriente de colector es distinta de cero todo el
tiempo. Este tipo de operacin es ineficiente ya que, aun sin seal de entrada, ICQ es diferente de cero y el
transistor disipa potencia. Esto es, el transistor disipa potencia en condicin esttica o de reposo.

figura 1: Operacin en Clase A.

En la figura 1 se ilustran curvas caractersticas tpicas para la operacin en clase A. La corriente ICQ se sita
por lo general en el centro de la recta de carga de corriente alterna. En esta imagen se muestra un ejemplo de
entrada sinusoidal y la Ic resultante en la salida. Ntese que la entrada sinusoidal se dibuja con la ordenada
alineada con la lnea de carga. Entonces se vara vCE como funcin del tiempo, moviendo hacia arriba y abajo
la lnea de carga. Las variaciones en vCE provocan variaciones proporcionales en la corriente de colector, las
cuales se leen proyectando el valor de ICE a la lnea de carga y luego en forma horizontal al eje iC. Ntese que
si se evitan las porciones no lineales de las curvas de operacin (las regiones sombreadas del diagrama), es decir
la zona de saturacin y la regin de corte, una entrada sinusoidal provoca una salida sinusoidal.


En cuanto a la forma de acoplamiento, los amplificadores de potencia en operacin Clase A pueden
clasificarse en amplificador acoplado en forma inductiva y amplificador acoplado por transformador.

Amplificador acoplado por inductor.

Se requiere alta ganancia de corriente para obtener potencia en la carga de la salida. En la figura 2 se muestra el
circuito de este amplificador y en esta se observa que, en vez de usarse una resistencia de colector, se emplea un
inductor. El inductor se selecciona de manera que se aproxime a un circuito abierto para la frecuencia de
entrada, pero a un cortocircuito para corriente continua, con esto se logra que, la resistencia vista por el
transistor desde los terminales colector-emisor sea RL, en corriente alterna y, en corriente continua, sea RE, por
lo que la mxima excursin simtrica a la salida es mayor, comparada con la del amplificador convencional que
usa una resistencia de colector, pues, en este se ve limitada por las dos resistencias.

Figura 2. Amplificador acoplado por inductor.
Esto hace que la eficiencia del amplificador sea del
50% (comparada con el amplificador convencional en
el que se emplea una resistencia de colector, cuya
eficiencia es del 25%).

La tabla 1 contiene las ecuaciones del amplificador
clase A acoplado por inductor:

Tabla 1: Ecuaciones del amplificador acoplado por inductor.

Impedancia inductiva wL >> RL
Resistencia de emisor RE << RL
Punto de polarizacin

Potencia a la carga

Ganancia de corriente

Amplificador acoplado por transformador

Cuando, desde el punto de vista de adaptacin de impedancias, el amplificador seguidor emisor no satisface las
exigencias, se puede utilizar un amplificador de potencia con
transformador a la salida, como se indica en la figura 3.

Figura 3: Amplificador de potencia acoplado por transformador.

En este amplificador, la recta de trabajo de corriente continua ser
diferente de la recta de trabajo de corriente alterna.

Desde el punto de vista de DC el colector se encuentra conectado a la
fuente de alimentacin a travs de la resistencia hmica del primario del
transformador, la cual es por lo general despreciable.

L
E
CC
CEQ
R
R
1
V
V
+
=
E L
CC
L
CEQ
CQ
R R
V
R
V
I
+
= =
L
2
CC
a arg c
R 2
V
P =
E
2 1
i
R
R || R
A =

Adems se puede suponer que RE es pequea por lo que se obtiene una recta de trabajo de pendiente elevada
(para DC) como se indica en la figura 4. Sobre esta lnea se elige el punto de trabajo de acuerdo a la corriente
de base necesaria, la cual se fija mediante las resistores R1 y R2.

Figura 4: Lneas de carga esttica y dinmica del amplificador con
transformador en el colector.

La tabla 2 contiene las ecuaciones del amplificador clase A
acoplado por transformador:

Tabla 2: Ecuaciones del amplificador acoplado por transformador.

Relacin de transformacin a
Resistencia de carga transferida del devanado
secundario al primario del transformador
RL = a2 RL
Resistencia de emisor RE << RL

Potencia a la carga

Ganancia de corriente Ai = -a|

Se obtiene el mismo rendimiento cuando en lugar de colocar el transformador entre el colector y la fuente Vcc,
se coloca en el lugar de la resistencia RE, tal como se muestra en la figura 5(a).

Figura 5: Amplificador acoplado por transformador.

Se observa en la figura 5(b) la excursin est limitada slo
por la resistencia de carga reflejada del secundario al
primario, transformador. En este sistema tanto la estabilidad
ante los cambios de temperatura como la excursin
dependen de la resistencia de emisor a2RL. La tabla 3
contiene las ecuaciones del segundo amplificador clase A
acoplado por transformador:

Tabla 3: Ecuaciones del amplificador acoplado por transformador.

Relacin de transformacin a
Resistencia de carga transferida del devanado
secundario al primario del transformador
RL = a2 RL
Resistencia de emisor |RL > 10 (R1 || R2)
;
' R
R
1
V
V
L
E
CC
CEQ
+
=
E L
CC
CQ
R ' R
V
I
+
=
L
2
2
CC
a arg c
R a 2
V
P =
' R
R
1
V
V
L
E
CC
CEQ
+
=
' R
V
I
L
CC
CQ
=

Potencia a la carga


Clase B

Un amplificador de audio en clase B utiliza un transistor para amplificar la porcin positiva de la seal de
entrada y otro transistor para amplificar la porcin negativa de la seal de entrada. Esto les da la ventaja de que,
mientras no exista seal de entrada, en la carga no se disipa potencia.

Circuitos EC push-pull

En la figura 6 se muestra un circuito EC push-pull. Las seales de entrada a las bases, que son iguales y con
180 de desfasamiento entre ellas, se toman de un transformador con derivacin central. En forma alterna, se
pueden tomar de un divisor de fase, como se muestra en la figura.

Figura 6: Amplificador push pull.

La operacin del circuito se analiza viendo uno de los
transistores, como se muestra en la figura 7(a). Las lneas de
carga se muestran en la figura 13(b). La corriente, ICQ se
coloca en cero de manera tal que el transistor conduce slo
para una seal de entrada positiva.

Figura 7: Amplificador de un solo transistor de la figura 6.

Este amplificador acta slo durante el semiciclo positivo de la
seal de entrada (si sta es una onda sinusoidal). En este
circuito son vlidas las ecuaciones contenidas en la tabla 2, que
tambin lo son para el amplificador que acta durante el
semiciclo negativo.

Amplificador de simetra complementaria

Se puede disear un amplificador de potencia push - pull sin utilizar transformadores o divisores de fase si se
recurre a un transistor PNP y uno NPN con caractersticas simtricas. El circuito es como se muestra en la figura
8. Este circuito se llama comnmente amplificador de potencia con simetra complementaria. Debido a que se
utilizan dos fuentes de energa de polaridad opuesta, la tensin en cd en a unin entre los dos emisores es cero.

Figura 8: Amplificador de simetra complementaria utilizando dos
fuentes.

A la derecha de la figura 8, se muestra los semiciclos de operacin
de cada transistor de este amplificador.

Este sistema es poco prctico ya que emplea dos fuentes de tensin.
Si se revisa el circuito para aislar la carga con un capacitor, se puede utilizar una fuente de energa simple. Este
circuito modificado se muestra en la figura 9(a). El capacitor bloquea
la componente continua Vcc/2 de la carga, tambin proporciona la
tensin de suministro a Q2 cuando Q1 no conduce. Esto es, el
' R 2
V
P
L
2
CC
a arg c
=
E
CQ
2 1
2 1
i
R
I
mV 25 R || R
R || R
A
+ +
|
=

capacitor se carga al valor en DC de Vcc/2 en la unin de los dos emisores.

Figura 9. Amplificador de simetra complementaria usando solo una fuente de tensin.

Como se muestra en la figura 9(b), la lnea de carga de DC es an vertical, ya que el capacitor acta como
circuito abierto para cd. Dado que el amplificador opera en clase B, ICQ se coloca en cero.

Con el objeto do eliminar las distorsiones de cruce en los amplificadores push-pull, como la que se muestra en la
figura 10, se acostumbra hacer circular una corriente baja en ambos transistores de tal manera que circule
corriente en el circuito de salida tambin cuando no haya seal de entrada o la misma sea muy pequea.

Figura 10: Distorsin de transmisin o de cruce.

Un amplificador que elimina las distorsiones de cruce y que no contiene
transformador de entrada ni transformador de salida, los que complican el circuito
del amplificador y lo encarecen, se describe en la figura 11. Este amplificador de
potencia se denomina amplificador de simetra complementaria con compensacin
por diodo.

Este circuito es en realidad un nuevo tipo de amplificador push - pull compuesto de
dos transistores en conexin seguidor emisor. Los resistores R1 y R2 y los diodos
D1 y D2 son los encargados de la polarizacin adecuada y de hacer circular una corriente pequea a travs de
los transistores durante todo el perodo. De esta manera se anulan las distorsiones de cruce.

Figura 11: Amplificador de potencia de simetra complementaria con
compensacin por diodo.

La amplificacin de tensin de esta etapa es cercana a la unidad. En
la tabla 4 se muestran las ecuaciones respectivas a cada uno de los
amplificadores de simetra complementaria.

Tabla 4. Ecuaciones de los amplificadores de simetra complementaria
utilizando una fuente

Resistencia de entrada

Punto de operacin
VCEQ = 0.5VCC
ICQ ~ 0

Potencia

Vlido tambin para el amplificador de simetra complementaria utilizando solo una fuente y para el
amplificador con compensacin por diodo. Para ste ltimo, la corriente de los diodos est dada por la siguiente
expresin:

donde Vf es la tensin de activacin del diodo que, si es de silicio, es de 0.7V.
L
2
ent
R ||
2
R
R | =
L
2
2
i
R
R
R
A
+
|
=
L
2
2
CC
mx
R 4
V
P
t
=
2
f CC
D
R
V V 5 . 0
I

=


Clase C

La lnea de carga de un amplificador en clase C se muestra en la figura 12, donde VBEQ se sita en un valor
negativo. El transistor se polariza con una VBB negativa. Por tanto,
slo conduce cuando la seal de entrada se encuentra arriba de un
valor positivo especfico. La salida es inferior a un medio de una
sinusoide y la corriente de colector es diferente de cero menos del
50% del tiempo. Un transistor de unin bipolar es un dispositivo de
tres terminales, formado por dos trozos de semiconductor extrnseco
del mismo tipo, separados por una estrecha capa de semiconductor
extrnseco de tipo contrario. Los terminales son contactos ohmicos
ubicados uno en cada uno de estos tres trozos de material
semiconductor. Las siglas de la denominacin en ingls de este dispositivo bipolar junction transistor dan pie
a que habitualmente se denomine BJT ya que la denominacin transistor BJT es una redundancia. Dado que hay
dos tipos de semiconductor extrnseco: semiconductor extrnseco tipo P y semiconductor extrnseco tipo N,
habr dos tipos de BJT: el que en los extremos el semiconductor extrnseco es de tipo P y en el centro hay una
fina capa de semiconductor extrnseco tipo N, y el tipo opuesto, en los extremos semiconductor extrnseco tipo
N y en medio

Figura 12: Operacin en clase C.

Si una sinusoide es la entrada a un amplificador clase C, la salida consiste en picos a la frecuencia de
entrada. Esto se muestra en la figura 12. Como sta es una seal peridica, contiene una componente a la
frecuencia fundamental ms armnicos de frecuencias mayores. Si esta seal se pasa a travs de un circuito
sintonizado inductor-capacitor (LC) que sea resonante a la frecuencia fundamental, la salida es una seal
sinusoidal a la misma frecuencia que la entrada. Este mtodo se utiliza a menudo si la seal por amplificar es ya
sea una sinusoide pura o bien una seal ms general con un intervalo limitado de frecuencias.

Los amplificadores clase C son capaces de proporcionar grandes cantidades de potencia. Se utilizan a menudo
para etapas de potencia de transmisores, donde se incluye un circuito sintonizado para eliminar los armnicos
mayores en la seal de salida.

Clase AB

La operacin en clase A tiene la ventaja de contar con una pequea distorsin, mientras que en clase B tiene la
de una mayor eficiencia. La operacin en clase AB se encuentra entre estos dos extremos. El punto Q se sita
ligeramente por arriba del valor de corte, por lo que se halla en el lmite inferior de la porcin lineal (sin
distorsin) de las curvas de operacin. El transistor soporta entonces una corriente de colector diferente de cero
un poco ms del 50% del tiempo.

se deben de superar si no se quiere destruir el mismo. 3.4. Polarizacin del BJT: Punto de funcionamiento. En
las tres configuraciones posibles del transistor BJT se han utilizado dos fuentes de alimentacin de continua y
dos resistencias para polarizar el circuito, es decir para que el transistor est en un determinado punto de
funcionamiento de continua, un determinado valor de Ic y Vce . El punto de funcionamiento de continua,
denominado habitualmente punto Q, se escoge normalmente sobre las curvas caractersticas de salida en la zona
central de la regin activa, en cualquier caso como se ver posteriormente es importante que el transistor est
polarizado en el punto de funcionamiento seleccionado. Dado que uno de los objetivos del diseo de cualquier
sistema es realizarlo fiable, eficaz y de bajo coste, no parece lgico utilizar dos fuentes de continua para
polarizar las diferentes configuraciones del transistor si se puede conseguir con una sola. Para analizar como
resolver el problema se plantea polarizar un transistor NPN con intervalo de valores posibles de la beta (hFE)
entre 100 y 300, en el punto de funcionamiento: Ic = 2 mA y Vce = 5 V, usando una fuente de alimentacin de
10 V. Una posible solucin, muy sencilla y por tanto econmica, es la de la figura 3.12 en la que se usan solo
dos resistencias y donde el circuito de la derecha es como en el futuro se dibujar la conexin de la fuente de
alimentacin. Para calcular que valor debe tomar Rc y Rb se supone que beta tiene el valor intermedio de todos
los posibles, 200. (3-7), se deduce que ligeras variaciones del parmetro a producirn grandes variaciones del

parmetroB. Dado que la geometra del transistor influye en el valor de a, es lgico que transistores
tericamente iguales tengan valores de su parmetro a ligeramente diferentes y por tanto con valores de su B
muy diferentes, por ello al comprobar la hoja de caractersticas que da el fabricante
de un transistor cualquiera, no es difcil que para el parmetro B el fabricante de un
intervalo de valores posibles muy grande, por ejemplo entre 50 y 200. Con un
simple ejemplo numrico se puede comprender mejor este problema. Supuesto que
el valor medio del parmetro

Tanto los circulares como lo lineales. Las resistencias variables consisten en
material resistivo como carbon en una banda y un contacto de metal movil que se
mueve a traves de la banda segn se ajusta el control. La posicion del contacto
determina la cantidad de seal que sale del control de volumen.
Los controles de volumen son silenciosos cuando salen de la fabrica, pero conforme envejecen se van haciendo
ruidosos. Esto se debe al uso y en parte al polvo o fragmentos de material resistivo de la banda. El ruido del
mando de volumen es como un chasquido que sale cuando giras el mando de volumen. Este chasquido no es un
problema serio y la mayoria de las veces es una molestia. Sin embargo, conforme empeora el problema, el
Figura 13: Operacin en Clase AB.

En la figura 13 se ilustra una curva caracterstica tpica para una entrada sinusoidal y una operacin clase AB.
Como dos transistores estn conectados, con el colector de uno de ellos a continuacin del emisor del otro, se
repiten las curvas para el segundo transistor, pero se invierten los signos de la corriente de colector y la tensin
colector - emisor. Esto es, las dos cantidades aumentan hacia abajo y a la izquierda, respectivamente, para las
caractersticas del segundo transistor. En la porcin superior izquierda de la figura se representa al primer
transistor, que conduce slo durante el
semiciclo positivo de la entrada. En la
porcin inferior derecha se representa al
segundo transistor, que est configurado
para conducir slo en el semiciclo
negativo.

Figura 14: Forma de onda en la salida de un push-pull.

En la figura 14 se muestra una tpica forma de onda de salida. El primer transistor produce la parte positiva de la
salida y el segundo la parte negativa. Ntese que la figura 14(a) y (b) muestra alguna distorsin cerca del punto
i0 = 0. Cuando estas dos curvas se suman, se produce la salida mostrada en la figura 14(c). sta recuerda la
entrada sinusoidal, aunque la forma de onda est distorsionada cerca del cruce del eje.

El Par Darlington

En la figura 15 se ilustra el par Darlington. Dicho par es una configuracin
compuesta de dos transistores en cascada. Esta combinacin de transistores posee
algunas caractersticas deseables que la hacen ms til que un solo transistor en
ciertas aplicaciones. Por ejemplo, el circuito tiene alta impedancia de entrada,
baja impedancia de salida y alta ganancia de corriente. Una desventaja del par
Darlington es que la corriente de fuga del primer transistor es amplificada por el
segundo.

Figura 15: El par Darlington

Si los dos transistores se conectan de la manera mostrada en la figura 15, los betas de los dos transistores se
multiplican, formando una combinacin que parece un solo transistor de | alta. El par Darlington se puede
utilizar en configuraciones EC o ES. La impedancia de entrada de ambos transistores no es la misma, ya que el
punto de operacin del primer transistor es diferente del segundo. Esto se debe a que la carga equivalente en el
primer transistor es |2(RE || RL), mientras que la carga en el segundo transistor es slo RE || RL. En la prctica,
el primer transistor puede tener un manejo de potencia menor que el segundo.


La resistencia de entrada del segundo transistor constituye la carga del emisor del primer transistor.

Figura 16: Par Darlington en emisor comn (EC)

Tabla 5. Ecuaciones del amplificador Darlington EC

Resistencia de entrada Rent = R1 || R2 || (rt1 + |1rt2)

Ganancia de voltaje

Aunque normalmente se considera que ste es un amplificador de ganancia de tensin, dicho amplificador puede
proporcionar altas ganancias de corriente debido a su resistencia de entrada extremadamente grande. Varias
configuraciones de amplificadores con la resistencia de emisor en cortocircuito tienen excelentes ganancias de
tensin, pero baja resistencia de entrada, lo que redunda en una baja ganancia de corriente. Sin embargo, este
amplificador proporciona no slo buena ganancia de tensin, sino tambin excelente ganancia de corriente.

Algunos fabricantes empaquetan el par Darlington en un solo paquete con tres terminales externas nicamente.
Los pares Darlington empacados en un circuito integrado estn disponibles con betas de hasta 30 000. En el
anexo de PDF se presenta las data sheet de los pares Darlington BDX42, BDX43 y BDX44 de Philips
Semiconductors.

Aunque el circuito Darlington se puede ver como un solo transistor, existen algunas diferencias potenciales
importantes. Una de ellas es la velocidad de operacin. Cambiar la tensin a travs de la unin de un transistor
requiere una cantidad finita de tiempo, ya que se deben mover
electrones. De hecho, conforme aumenta la capacitancia,
aumenta la constante de tiempo de cualquier combinacin RC y
disminuye la velocidad de operacin. Como el circuito
Darlington tiene dos uniones base-emisor en serie una con la
otra, la combinacin tiende a operar de forma ms lenta que un
solo transistor. Para acelerar la operacin, se coloca un resistor
entre el emisor del primer transistor y la base del segundo. Estos
resistores tienen valores tpicos de varios cientos de ohms para
transistores de potencia y varios miles para transistores de seal.
Adems, como hay dos uniones base-emisor, en vez de 0.7 V se
tiene una VBE = 1.4 V en total.

Figura 17: Par Darlington en emisor seguidor (ES)

En la figura 17 se ilustra el par Darlington en emisor seguidor, este circuito se caracteriza por poseer una
resistencia de entrada y una ganancia de corriente mucho ms grandes que las del par. Este sistema se emplea
en la construccin de amplificadores clase A.

Figura 18: Amplificador de simetra complementaria con par Darlington

Se puede disear un amplificador de alta ganancia de corriente utilizando la conexin de un par Darlington y
transistores. Dicho amplificador se ilustra en la figura 18. Esta configuracin se conoce como amplificador clase
) R R )( r 2 R || R (
R ) R || R (
A
L C 2 1 2 1
C 2 1 2 1
i
+ | +
| |
=
t
2 e
L C
v
r 2
R || R
A =

AB cuasicomplementario con par Darlington, e incorpora un par Darlington con transistores NPN y un par
retroalimentado consistente en un transistor NPN y uno PNP.

Los transistores Q2 y Q4 son transistores NPN similares capaces de
manejar alta potencia. Los transistores Q1 y Q3 son complementarios y no
necesitan manejar alta potencia. La carga efectiva para Q1 y Q3 es |RL
(donde | es la ganancia de corriente del transistor de salida), que es grande
comparada con RL. Por tanto, el punto de operacin para estos transistores
es mucho menor en la lnea de carga que el de los transistores Q2 y Q4.

La seal de entrada positiva provoca que Q1 conduzca, pero Q3 permanece
en corte ya que se trata de un transistor PNP. Conforme la seal de entrada
se hace negativa, Q1 se corta y Q3 conduce. As, el circuito de entrada opera como el amplificador de potencia
de simetra complementaria analizado antes. El resistor se puede ajustar para minimizar la distorsin de cruce
por cero permitiendo que conduzcan tanto Q1 como Q2 cuando la seal de entrada est cercana a cero.

Porque oigo ruido cuando giro el contro de volumen? Es malo?

Casi todos los controles de volumen son resistencias variables.
Tanto los circulares como lo lineales. Las resistencias variables consisten en material resistivo como carbon en
una banda y un contacto de metal movil que se mueve a traves de la banda segn se ajusta el control. La
posicion del contacto determina la cantidad de seal que sale del control de volumen.
sonido de tu equipo se degrada. Incluso, cuando el problema empeora mucho, el ruido se hace mas alto. Este
chasquido tiene una gran componente de alta frecuencia, lo cual llevado a un extremo podria daar los altavoces
de agudos, a pesar de que no he visto un caso documentado de dao de tweeters debido al control del volumen.
Algunos controles estan sellados desde la fabrica, de tal forma que no hay manera de abrirlos y limpiarles la
suciedad. Otros tienen acceso a traves de huecos en la caja. Estos controles abiertos estan mas expuestos a la
suciedad, pero tambien son limpiables. Puedes limpiar un mando de volumen abierto con una MUY RAPIDA
pulverizacion de limpiador de contactos lubricante, tal como el Radio Shack 64-2315. Incluso mejor si es un
limiador no lubricado, tal como el Radio Shack 64-2322. Con cualquier limpiador, cuanto menos mejor.
Demasiado lavara el lubricante de los contactos y araara el elemento resistivo.
Puedes tambien limpiar algunos controles girandolo adelante y atras rapidamente unas 10 veces. Esta tecnica
saca la suciedad del paso, pero suele ser una solucion pasajera. Esta tecnica es posible que cause mas desgaste si
se hace muy a menudo.
Intenta hacerlo con la corriente encendida, pero los altavoces desconectados, ya que habra seales fuera de
control.
Los controles gastados y sellados deberian de cambiarse en vez de limpiarse. Los oyentes criticos dicen que
algunos mandos, como los hechos por "Alps" y "Penny and Giles" suenan mejor que los controles normales. Sin
embargo, dependiendo de la marca, es esencial que cualquier control que compres tenga las mismas
caracteristicas que el que reemplaza. Para la mayoria de los controles de volumen, esto quiere decir que tienen
que tener AUDIO TAPER, quiere decir que han sido diseados como control de volumen para audio, y que
cambiaran el nivel en un numero constante de dB por angulo de rotacion.
Los circuitos mal diseados gastaran el control de volumen muy rapido. Concretamente, ningun control de
volumen es capaz de trabajar por mucho tiempo si hay una corriente en continua significativa (o corriente de
polarizacion) en el contacto.
Si la salida del mando de volumen va a la entrada de un amplificador, el amplificador deberia estar acoplado por
AC a traves de un condensador. Si hay un condensador alli, podria filtrarse causando una corriente DC a traves
del mando de volumen.
Si tienes un circuito sin condensador de bloqueo o con uno malo, puedes aadirle o cambiarle cuando cambies
el mando del volumen. Sin embargo, consigue el consejo de algun experto antes de hacerlo. Si aades un
condensador a un dispositivo que no lo tiene, tendras que hacer otras modificaciones para esegurarte que el
ampli tiene una fuente para su corriente de polarizacion.


Que quiere decir un ampli "puenteado" o "monobloque"? Como lo hago?

Cuando te dicen que un amplificador estereo puede ser puenteado quiere decir que tiene la posibilidad (con
algun conmutador interno o externo) de usar sus dos canales juntos para hacer un amplificador mono con 3 o 4
veces la potencia de cada canal.
Tambien se le llama "monobloque" y "puenteo a mono"

Los amplificadores a valvulas con transformadores de salida con multiples bornes son simples de puentear.
Unicamente conecta los secundarios en serie y conseguiras mas potencia. La capacidad de seleccionar los
bornes del transformador quiere decir que siempre puedes mostrar al amplificador la impedancia que espera, ya
que el puenteado de amp de valvulas no tiene problemas en lo que a estabilidad se refiere.
La siguiente discusion cubre amplificadores sin transformadores
de salida. Puentear estos amplis no es tan facil. Supone conectar un lado del altavoz a la salida de un canal y el
otro lado del altavoz a la salida del otro canal. Los canales se configuran a continuacion para dar la misma seal
de salida, pero con una entrada siendo la inversa de la otra. Lo bueno del puenteo es que puede suministrar el
doble de voltaje al altavoz. Puesto que la potencia es igual al voltaje al cuadrado dividido entre la impedancia
del altavoz, combinar dos amplificadores en uno puede dar cuatro (no dos) veces la misma potencia.
En la practica, no siempre consiges cuatro veces esa potencia.
Es debido a que puenteando la carga de un altavoz de 8 ohm parece como dos altavoces de 4 ohm, uno por
canal. En otras palabras, cuando puenteas, consiges dos veces el voltaje en el altavoz, pero los altavoces sacan
dos veces la corriente del ampli.
El modo rapido y chapuzas de saber cuanta potencia puede dar un ampli puenteado a mono, es tomar la potencia
del ampli de 4 ohm (no 8 ohm) y multiplicarla por dos. Ese numero en la cantidad de watts en 8 ohms (no en 4
ohms) que puedes esperar en mono.
Si el fabricante no da las caracteristicas del ampli a 4 ohms, podria no ser seguro puentearlo y reproducir a
niveles altos, debido a que el puenteo podria pedir al ampli que excediese su maxima corriente de salida.

Otro consecuencia interesante de puentear es el factor de damping se divide entre dos cuando lo puenteas.
Generalmente, si usas un altavoz de 8 ohm, y el ampli es suficientemente bueno para alimentar altavoces de 8
ohm, se comportaria bien puenteado.
Piensa tambien en la proteccion de la salida del ampli. Los amplificadores con fuente de alimentacion con
fusible de ataque a la entrada son los mejores para puentear.
Los amplis que tienen un circuito limitador de la corriente de salida son propensos a activarse prematuramente
en modo puenteado, y virtualmente cada circuito limitador aade una distorsion cuando se disparan.
Recuerda que al puentear haces que una carga de 8 ohms carge como una de 4 ohms, una de 4 ohms como dos
ohms, etc. Incluso,los altavoces reales no parecen resistencias ante los amplificadores.
Tienen picos y valles con la frecuencia, y los valles pueden bajar por debajo de 1/2 de la impedancia nominal.
Tienen incluso salvajes variaciones con la fase.

Para finalizar, algunos amplificadores dan mejor sonido que otros cuando los puentean. Los mejores
amplificadores para puentear tienen dos canales diferenciales identicos con la ganancia y la fase ajustada a
traves de cada entrada, derecha e izquierda, invertida y no invertida. Los amplificadores con puenteado mas
simple tienen uno o dos canales invertidos, y llevan la salida de uno en la entrada del otro. Esto causa que las
dos salidas esten ligeramente desfasadas, lo cual aade distorsion. Hay incluso otras topologias. Una usa una
etapa
adicional para invertir la seal de un canal pero alimenta el otro canal directamente. Otra topologia usa una
etapa extra para almacenar la seal y otra etapa extra para invertir la seal.
Estas son mejores que el areglo de maestro/esclavo, y si estan bien hechas, pueden ser tan buenas como el
amplificador de potencia totalmente diferencial.

EL TRANSISTOR BJT.

El transistor de unin bipolar: BJT.
Un transistor de unin bipolar es un dispositivo de tres terminales, formado por dos trozos de semiconductor
extrnseco del mismo tipo, separados por una estrecha capa de semiconductor extrnseco de tipo contrario. Los
terminales son contactos ohmicos ubicados uno en cada uno de estos tres trozos de material semiconductor. Las
siglas de la denominacin en ingls de este dispositivo bipolar junction transistor dan pie a que habitualmente
se denomine BJT ya que la denominacin transistor BJT es una redundancia. Dado que hay dos tipos de

semiconductor extrnseco: semiconductor extrnseco tipo P y semiconductor extrnseco tipo N, habr dos tipos
de BJT: el que en los extremos el semiconductor extrnseco es de tipo P y en el centro hay una fina capa de
semiconductor extrnseco tipo N, y el tipo opuesto, en los extremos semiconductor extrnseco tipo N y en medio
una fina capa de semiconductor extrnseco tipo P. El primer tipo se denomina transistor PNP y al segundo
transistor NPN. En la figura 3.1 se puede observar lo que sera cada uno de estos dos tipos de BJT, as como el
smbolo con el cual se representa a cada uno de ellos. Cada uno de los terminales del transistor se denomina por
la sigla del nombre asignado a cada terminal: el terminal emisor por E, el terminal de base por B y el
terminal de colector por C. La razn de estos
nombres se comprender posteriormente.

Es conveniente aclarar que la estructura geomtrica
que se ha dado a ambos transistores no es la ms
habitual en la fabricacin de transistores BJT, pero es
la que se utilizar para explicar los fundamentos de su
funcionamiento. Esta estructura geomtrica presenta
muchas facilidades para hacer ms comprensible la
explicacin de su funcionamiento. Para explicar el
funcionamiento del BJT se usar el PNP de la figura 3.1. Se supone para ello que se ha fabricado de forma que
el dopado de ambas zonas P es igual y que es
mayor que el dopado de la zona N. Si los terminales del dispositivo no estn conectados a ningn circuito
externo, en ambas uniones se habr formado una barrera de potencial:
UE en la unin emisor-base y UC en la unin colector-base, que segn se vi al principio
del tema anterior seran:

NE, NC y NB son la concentracin de impurezas en la zonas: emisor, colector y base respectivamente. Puesto
que se supone NE = NC, la barrera de potencial en ambas uniones, en ausencia de polarizacin externa, ser la
misma.

En la figura 3.2 se puede observar las barreras de potencial que se han formado en las uniones. Si se conectan al
transistor PNP dos fuentes de alimentacin de corriente continua: Vee y Vcc, con resistencias en serie Re y Rc,
tal que la unin emisor-base se polariza directamente y la unin colector-base se polariza inversamente, tal
como muestra el circuito de la figura 3.3, se puede observar que circulan las corrientes Ie, Ib e Ic, donde Ie e Ic
son prcticamente iguales.
e las corrientes de emisor y colector, Ie e Ic, sean muy parecidas es aparentemente extrao y elimina la
posibilidad de tratar de analizar el comportamiento del transistor PNP como dos diodos en oposicin con sus
ctodos unidos en el terminal de base, tal que mediante un circuito de polarizacin externo, se polariza
directamente uno de los diodos, Deb, y el otro inversamente, Dcb, tal como muestra la figura 3.4.

Para comprobarlo se puede montar en el laboratorio ambos
circuitos, el circuito de la figura 3.3 y el circuito de la figura 3.4,
usando componentes que se utilizarn en las prcticas de
laboratorio: transistor PNP BC548, diodos 1N4148, fuentes de
CC
e Ib en ambos circuitos y se comprueba que la corriente Ie es
prcticamente igual en ambos circuitos, pero las corrientes Ib e Ic son muy diferentes en un circuito y en otro.
Tanto los circulares como lo lineales. Las resistencias variables consisten en material resistivo como carbon en
una banda y un contacto de metal movil que se mueve a traves de la banda segn se ajusta el control. La
posicion del contacto determina la cantidad de seal que sale del control de volumen.
gradiente aumenta y con l la corriente en la unin emisor-base (IE). Se ha de tener en cuenta que si se aumenta

demasiado VCB se puede reducir a cero el ancho real de base, provocando la ruptura del transistor, es lo que se
denomina perforar el transistor.

Por tanto las concentraciones de portadores minoritarios tambin han variado tal
como se ve en la figura 3.5. En la unin de emisor-base, polarizada directamente, se
estn inyectando portadores mayoritarios (huecos) desde la zona P (emisor) a la zona
N (base) y electrones desde la zona N (base) a la zona P (emisor), dando lugar a la
corriente de emisor Ie. En la unin de colector-base debido a su polarizacin inversa
sern los portadores minoritarios los que se inyectan a la unin: huecos desde la
zona N (base) a la zona P (colector) y electrones del colector a la base. Si en la unin
de colector-base no hubiese mas trasiego de portadores que los que se producen en
una unin PN polarizada inversamente, la corriente de colector Ic debera ser Ics, corriente de saturacin inversa
de una unin PN, pero debido a la estrechez de la base gran parte de los huecos inyectados por el emisor en la
base llegan a la unin base-colector y la atraviesan. Por tanto:

Este parmetro no es una constante ya que dada una geometra de las uniones, de la cual depende fuertemente,
tambin depende de Ie de Vcb y de la temperatura La expresin (3-2) se puede generalizar para cualquier valor
de la tensin de polarizacin de la unin colector-base, dando lugar a la expresin:

Configuraciones del BJT.
Hay tres configuraciones bsicas para el
transistor BJT, en cada una de ellas se usa
como terminal de referencia un terminal
distinto del transistor BJT: base comn, emisor
comn y colector comn.

Configuracin en base comn.
Es la configuracin que se ha usado para introducir el transistor de unin bipolar BJT. Se toma como circuito de
entrada de seal el circuito de emisor-base y como circuito de salida de seal el circuito colector-base. Las
variables de la seal de entrada sern VEB e IE, y para la seal de salida VCB e IC. Para estudiar su
uncionamiento se usan las curvas caractersticas de entrada y de salida al dispositivo. En las curvas
caractersticas de entrada, figura 3.6, se estudia la dependencia de la tensin de entrada (VEB) con la corriente
de entrada (IE) y la tensin de salida (VCB) , y en las curvas caractersticas de salida, figura 3.7, se estudia la
variacin de la corriente de salida (IC) con la corriente de entrada (IE) y la tensin de salida (VCB). Antes de
analizar las curvas caractersticas de entrada y salida, y para comprender mejor el comportamiento del
dispositivo que reflejan estas curvas, se ha de mencionar el efecto de la modulacin del ancho de base, llamado
efecto Early.

En un transistor PNP con polarizacin directa en la unin de emisor e
inversa en la de colector, existirn zonas de cargas descubiertas en
ambas uniones. Dadas las polarizaciones existentes esta ser pequea
en la unin de emisor-base e importante en la unin de colector-base.
En concreto dado que el lado P (colector) de la unin de colector-base
est mucho ms dopado que el lado N (base) de dicha unin (1), la
anchura de la zona de cargas descubiertas en la base es considerable.
Por tanto la anchura real de la base, anchura fsica menos regin de

cargas descubiertas, cambia con VCB. (1)-Habitualmente en los transistores BJT el nivel de dopado de la base
es muy inferior al del emisor y al del colector

Por tanto el aumento de VCB, en polarizacin inversa, hace
que el ancho de la regin de cargas descubiertas en la unin
colector-base aumente en la zona de base, con los posibles
base disminuye la recombinacin de huecos inyectados por el
emisor en la base, y llegan en ms proporcin a la unin de
colector-base.
de IE ya que aumenta el gradiente de la
concentracin de portadores minoritarios (pn) en la unin de
emisor-base en lado de la base (pn(0)). La concentracin pn en el borde de la unin de colector debe ser cero,
por tanto la concentracin de huecos en la base decae desde pn(0) hasta cero en menos espacio, su gradiente
aumenta y con l la corriente en la unin emisor-base (IE). Se ha de tener en cuenta que si se aumenta
demasiado VCB se puede reducir a cero el ancho real de base, provocando la ruptura del transistor, es lo que se
denomina perforar el transistor.
Una vez planteado el efecto Early se ha de a analizar las curvas caractersticas de entrada y salida, figuras 3.6 y
3.7. En las curvas caractersticas de entrada se ve que hay una tensin umbral de VEB, que se denomina Vg a
partir de la cual el transistor empieza a conducir apreciablemente. El valor de Vg es de aproximadamente 0,55 V
para un transistor de Si. Igualmente en dichas curvas se observa la influencia de VCB sobre IE,
de acuerdo a lo que predice el efecto Early. En las curvas caractersticas de salida se puede observar la ligera
pendiente de IC para un valor constante de IE al variar VCB, otra vez el efecto Early. Para IE = 0, IC ser ICS,
corriente de saturacin inversa. Tambin se observa que para IE > 0 se necesita llegar a polarizar positivamente
la unin colector-base para anular la corriente de colector, pero la curva de Ic correspondiente a IE = 0, pasa por
(0,0). Las curvas caractersticas de salida son las que ms se usan en el diseo con
VCB > 0. Es la regin en la
corte, es en la que IE <= 0. Es la regin en la que las corrientes en el transistor son despreciables, est cortado.

Configuracin en emisor comn.

En esta configuracin el terminal de referencia es el terminal de emisor. El
circuito de entrada de seal ser el de base-emisor y el de salida de seal el de
colector-emisor. En la figura 3.8 se muestra una posible configuracin en
emisor comn donde se ha usado un BJT tipo NPN. La razn del cambio de
tipo de transistor es que este tipo de transistor es el que habitualmente se usa en
los diferentes diseos con transistores BJT.

En las grficas de la figuras 3.9 y 3.10, se pueden observar las curvas
caractersticas de entrada y salida de esta configuracin. Como en la configuracin anterior se usar como
variable a estudiar en el circuito de entrada la tensin entre los terminales de entrada al transistor, por tanto la
tensin VBE, y en el circuito de salida la corriente en el terminal de salida del transistor, por tanto IC. Como
variables independientes se toman nuevamente la corriente en el terminal de entrada al transistor, IB, y la
tensin en los terminales de salida del transistor, VCE. En las curvas caractersticas de entrada, figura 3.9 VBE
= f (IB, VCE), se vuelve a
observar la existencia de una tensin umbral, Vg, a partir de la cual la corriente en el terminal de entrada es
apreciable, Vg = 0,55 V para un BJT de Si. Tambin se pone de manifiesto el efecto Early: un incremento en la
tensin en los terminales de salida VCE (2), disminuye la corriente de entrada IB, el estrechamiento de la base
reduce la corriente de recombinacin de base.
(2)-Como aclaracin se ha de tener en cuenta que al aumentar la tensin en los terminales de salida, VCE, se
aumenta la polarizacin inversa en el diodo colector-base.

En las curvas caractersticas de salida, figura 3.10 IC = f (IB, VCE), se observa la ligera variacin de IC, para IB
constante, al variar VCE, otra vez el efecto Early. Como detalle interesante se ha de resaltar que si se prolongan
estas rectas, confluirn en un punto del eje X, un valor VCE negativo, dicha tensin se denomina tensin Early.

Igual que en la configuracin de base comn, en la grfica de las curvas caractersticas de salida se distinguen
de tres regiones: activa, saturacin y corte. La regin activa es aquella en que IB > 0 y VCE > 0,3 V, ya que
para VCE < 0,3 V se entra en los codos de las curvas y se pasa a la regin de saturacin, la cual se toma para
VCE < 0
despreciables. Al analizar un circuito que contenga un transistor este se comportar como un nudo en el cual
confluyen tres ramas por tanto se debe cumplir:
IE = IC + IB (3-5)
Sustituyendo (3-5) en (3-2) y despejando IC, se obtiene:

Puesto que ICS << IB, la expresin (3-8) se suele aproximar por la expresin:

De la expresin previa se deduce que el parametro B tambin denominado hFE, da la ganancia de corriente en
rgimen esttico, es decir sin seal variable aplicada al circuito de entrada, por tanto es la ganancia de corriente
en continua. El parmetro B ser muy usado en el anlisis y diseo de circuitos con transistores BJT, por tanto
es muy importante el tener claro sus posibles variaciones con el resto de variables de las cuales pueda depender.
Aumenta su valor con la temperatura y con VCE, esto ltimo debido al efecto Early, pero la dependencia ms
importante es con IC. B aumenta con IC hasta llegar a un intervalo de valores de IC en que es prcticamente
constante, este intervalo es desde casi el miliamperio hasta unas decenas de miliamperios, para despus volver a
disminuir al seguir aumentado IC. Otro aspecto importante a considerar es que de la definicin de , B expresin
(3-7), se deduce que ligeras variaciones del parmetro a producirn grandes variaciones del parmetroB. Dado
que la geometra del transistor influye en el valor de a, es lgico que transistores tericamente iguales tengan
valores de su parmetro a ligeramente diferentes y por tanto con valores de su B muy diferentes, por ello al
comprobar la hoja de caractersticas que da el fabricante de un transistor cualquiera, no es difcil que para el
parmetro B el fabricante de un intervalo de valores posibles muy grande, por ejemplo entre 50 y 200. Con un
simple ejemplo numrico se puede comprender mejor este problema. Supuesto que el valor medio del parmetro
a de unos transistores que se est fabricando es 0.99, = 99, y que se garantice que los valores de a que se van a
obtener no varen ms del 0,5 %. El intervalo de valores del parmetro que garantiza es:

Por tanto antes de usar un transistor es conveniente medir su beta.
Dado un transistor concreto con un valor de beta dado, es importante
comprender que el parmetro beta slo tiene sentido cuando est
trabajando en un punto de funcionamiento de la regin activa del
transistor. La regin de saturacin es la zona izquierda de las curvas
caractersticas de salida, previa a los codos de las curvas. En la
regin de saturacin no tiene validez el parmetro beta ya que segn
se ver posteriormente, la corriente de colector que pasa por el transistor, en toda esta regin, es menor que la
que define la expresin (3-9), expresin que liga la corriente de base y de colector a travs del parmetro beta.
Igual que se ha definido el parmetro B (hFE) para corrientes estticas, corriente
continua, se define tambin para variaciones de la corriente. En tal caso se usa normalmente hfe para denominar
la B dinmica, es por ello que en lo que sigue se utilizar hFE para denominar la b esttica, y hfe para
denominar la B dinmica, tambin denominada ganancia de corriente para pequea seal y cuya definicin es:

iC e iB son las corrientes instantneas de colector y base respectivamente. Se puede demostrar que hfe y hFE
estn relacionados por la expresin:


ICB0 es la corriente de colector cuando se anula la corriente de emisor haciendo VBE = 0. El transistor se usar
en una zona de funcionamiento, valor de IC, en la que la variacin de hFE con IC es prcticamente despreciable
y hFE toma su valor mximo. Por ello en los problemas de diseo y de anlisis de circuitos con transistores BJT
se supondr que hFE y hfe toman el mismo valor. Dada la variacin de hFE con IC, para puntos de
funcionamiento con IC muy pequeo hfe > hFE, y para puntos de funcionamiento con IC grande, varias decenas
de miliamperios, hfe < hFE,

Configuracin en colector comn.
Es prcticamente la misma que emisor comn, figura, salvo que la
resistencia de carga se ha transferido del colector al emisor. Las curvas
caractersticas de esta configuracin son similares a las de la configuracin
de emisor comn.

Tensin de AvalanchaRuptura y mximo consumo. En las curvas de
salida que se han dado para las diferentes configuraciones se ha obviado la
continuacin de dichas curvas para valores elevados de VCB en la
configuracin de base comn y de VCE en la configuracin de emisor
comn. Dado que lo que ocurre para valores elevados de la tensin de salida de cualquier configuracin es
similar, se limitar la explicacin a una de ellas: la configuracin de emisor comn. Si en la configuracin de
emisor comn, figura 3.8, se aumenta suficientemente la tensin entre los terminales de salida, las curvas Ic =
f(VCE, IB) se levantan, IC sube bruscamente, y se lega a destruir el transistor. El proceso puede tener su origen
en dos procesos fsicamente diferentes:
olector-base es tan fuerte que el efecto multiplicativo de la
generacin de portadores por colisin hace crecer IC fuertemente.

-base aumenta tanto la zona de cargas
descubiertas en la regin de base que anula la regin de base real y se perfora el transistor dando lugar a un
brusco crecimiento de IE. La destruccin del transistor se produce por un consumo superior a la potencia
mxima que especifica el fabricante en su hoja de caractersticas: Pmax. La potencia que consume el transistor
en la configuracin de emisor comn es prcticamente igual a VCE IC, por tanto si trazamos en la grfica de las
curvas de salida, la hiprbola Pmax = VCE IC, esta curva limita la regin en la que el transistor puede trabajar
sin alcanzar el consumo de la mxima potencia que acarreara su destruccin. Habitualmente se impondr un
margen de seguridad que impida aproximarse a esta curva el punto de funcionamiento. En las curvas
caractersticas tambin hay otros valores mximos, para diferentes corrientes y tensiones en el transistor, que no
se deben de superar si no se quiere destruir el mismo. 3.4. Polarizacin del BJT: Punto de funcionamiento. En
las tres configuraciones posibles del transistor BJT se han utilizado dos fuentes de alimentacin de continua y
dos resistencias para polarizar el circuito, es decir para que el transistor est en un determinado punto de
funcionamiento de continua, un determinado valor de Ic y Vce . El punto de funcionamiento de continua,
denominado habitualmente punto Q, se escoge normalmente sobre las curvas caractersticas de salida en la zona
central de la regin activa, en cualquier caso como se ver posteriormente es importante que el transistor est
polarizado en el punto de funcionamiento seleccionado. Dado que uno de los objetivos del diseo de cualquier
sistema es realizarlo fiable, eficaz y de bajo coste, no parece lgico utilizar dos fuentes de continua para
polarizar las diferentes configuraciones del transistor si se puede conseguir con una sola. Para analizar como
resolver el problema se plantea polarizar un transistor NPN con intervalo de valores posibles de la beta (hFE)
entre 100 y 300, en el punto de funcionamiento: Ic = 2 mA y Vce = 5 V, usando una fuente de alimentacin de
10 V. Una posible solucin, muy sencilla y por tanto econmica, es la de la figura 3.12 en la que se usan solo
dos resistencias y donde el circuito de la derecha es como en el futuro se dibujar la conexin de la fuente de
alimentacin. Para calcular que valor debe tomar Rc y Rb se supone que beta tiene el valor intermedio de todos
los posibles, 200.



En las expresiones de (3-12) se ha sustituido la tensin en voltios y las corrientes en miliamperios, por tanto las
resistencias se obtienen en miles
representacin son la que se usarn habitualmente en la resolucin de problemas. Si para polarizar el transistor
se usa la fuente de 10 V y las dos resistencias calculadas en (3-12), el punto de funcionamiento ser el previsto
si la beta del transistor vale 200. El problema se plantea si el parmetro hFE del transistor no es de doscientos,
por ello se
ha de comprobar como puede variar el punto de funcionamiento al variar hFE. Cuando hFE tome el valor 100,
en primer lugar hay que tener en cuenta que la corriente de base no habr variado, por tanto:
IC = hFE Ib = 100 10 mA = 1 mA
VCE = VCC RC IC = 10 2k5 1mA = 7,5 V
Si ahora beta tomara el otro valor extremo, 300:
IC = hFE Ib = 300 10 mA = 3 mA
VCE = VCC RC IC = 10 2k5 3mA = 2,5 V
Los dos puntos de funcionamiento obtenidos son muy diferentes del deseado. Se podra argumentar para
resolver este problema que antes de calcular Rc y Rb se debera medir el parmetro hFE y usar el valor medido
para calcular ambas resistencias, con lo cual el problema se obviara. El razonamiento es aparentemente correcto
pero tiene varios fallos muy importantes. El primero y no el ms importante es que si el circuito est montado en
una placa y tenemos que cambiar el transistor porque se haya estropeado, como sabemos que valor del
parmetro hFE debe tener el transistor a reponer, o es que se han de cambiar tambin las resistencias.

No es bueno que el punto de funcionamiento sea tan dependiente del parmetro hFE del transistor por ello se
utiliza otra estructura ms compleja para polarizar el
transistor, la del divisor de tensin en base y resistencia en el
emisor, como muestra el circuito de la figura 3.13. En la
figura se da tambin la transformacin por el teorema de
Thevenin del circuito de base.

Tomando el mismo punto de funcionamiento que antes: Ic =
2 mA y Vce = 5 V, pero debido a un aspecto en el cual no se
va a profundizar, la deriva trmica en el punto de
funcionamiento, la resistencia de emisor Re no debe ser mucho menor que Rb.

Haciendo iguales ambas resistencias:
Rc = Re = 1k25 Rb = 5 Re = 6k25
Suponiendo hFE = 200:
Vbb = Rb Ib + VBE + Re Ie
= Rb Ib + VBE + Re (hFE+1) Ib
= 0,7 + (6,25 + 201 1,25) Ib
como Ib = 0,01 mA:
Vbb = 0,7 + 2,575 = 3,275 V

De las expresiones de Vbb y Rb que se deducen por el teorema de Thevenin:


Tomando ahora los valores extremos de hFE, empezando por el valor inferior, hFE = 100:

Vbb = Rb Ib + VBE + Re (hFE+1) Ib
3,275 = 6,25 Ib + 0,7 + 1,25 101 Ib
Ib = 0,0194 mA Ic = 1,94 mA
VCE = 10 Ic Rc Re (Ib+Ic) = 5,126 V
Para hFE = 300:
Vbb = Rb Ib + VBE + Re (hFE+1) Ib
3,275 = 6,25 Ib + 0,7 + 1,25 301 Ib
Ib = 0,006732 mA Ic = 2,02 mA
VCE = 10 Ic Rc Re (Ib+Ic) = 4,942 V

Los resultados hablan por si solos, la polarizacin por divisor de tensin en base y resistencia de emisor definen
un punto de funcionamiento del transistor BJT muy poco dependiente del valor del parmetro hFE del transistor.
Este tipo de polarizacin es el que se usar habitualmente.

TRANSISTOR BJT
Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, as como
el esquema de identificacin de los terminales. Tambin tendremos que conocer una serie de
valores mximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no
destruir el dispositivo.

El parmetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crtico con la
temperatura, de modo que esta potencia disminuye a medida que crece el valor de la
temperatura, siendo a veces necesario la instalacin de un radiador o aleta refrigeradora.

Todos estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de caractersticas de los distintos
dispositivos.
Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un polmetro: Este dispone de dos orificios para
insertar el transistor, uno para un NPN y otro para el PNP. Para obtener la medida de la ganancia es necesario
insertarlo en su orificio apropiado, con lo que queda determinado si es un NPN o un PNP.

Zonas de funcionamiento del transistor bipolar
ACTIVA DIRECTA:

El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corriente constante controlada por la
intensidad de base (ganancia de corriente).Este parmetro lo suele proporcionar el fabricante dndonos un
mximo y un mnimo para una corriente de colector dada (Ic); adems de esto, suele presentar una variacin
acusada con la temperatura y con la corriente de colector, por lo que en principio no podemos conocer su valor.

Algunos polmetros son capaces de medir este parmetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una
indicacin, ya que el polmetro mide este parmetro para un valor de corriente de colector distinta a la que
circular por el BJT una vez en el circuito.

SATURACIN:
En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y lo
podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor.


CORTE:
El transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin
(potencia, circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las
corrientes que lo atraviesan prcticamente nulas (y en
especial Ic).

ACTIVA INVERSA:
Esta zona se puede considerar como carente de inters.

El transistor PNP es complemento del NPN de forma que todos los voltajes y corrientes son
opuestos a los del transistor NPN.
Para encontrar el circuito PNP complementario:
1. Se sustituye el transistor NPN por un PNP.
2. Se invierten todos los voltajes y corrientes.

TRANSISTOR FET (JFET)
Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, as como el
esquema de identificacin de los terminales. Tambin tendremos que conocer una serie de
valores mximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no
destruir el dispositivo. El parmetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente
crtico con la temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de
la temperatura, siendo a veces necesario la instalacin de un radiador o aleta refrigeradora.
Todos estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de caractersticas de
los distintos dispositivos.

Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET)
ZONA HMICA o LINEAL:

En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS.Un
parmetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el
dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS.
ZONA DE SATURACIN:
En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como
una fuente de corriente gobernada por VGS
ZONA DE CORTE:
La intensidad de drenador es nula (ID=0).

A diferencia del transistor BJT, los terminales
drenador y surtidor del FET pueden intercambiar
sus papeles sin que se altere apreciablemente la
caracterstica V-I (se trata de un dispositivo simtrico).

La operacin de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET de CANAL N, lo que
significa que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario.

Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:
APLICACIN PRINCIPAL VENTAJA USOS
Aislador o separador
(buffer)
Impedancia de entrada alta y de
salida baja
Uso general, equipo de medida, receptores

Amplificador de RF Bajo ruido
Sintonizadores de FM, equipo para
comunicaciones
Mezclador
Baja distorsin de
intermodulacin
Receptores de FM y TV, equipos para
comunicaciones
Amplificador con CAG Facilidad para controlar ganancia Receptores, generadores de seales
Amplificador cascodo Baja capacidad de entrada Instrumentos de medicin, equipos de prueba
Troceador Ausencia de deriva
Amplificadores de cc, sistemas de control de
direccin
Resistor variable por
voltaje
Se controla por voltaje
Amplificadores operacionales, rganos
electrnicos, controlas de tono
Amplificador de baja
frecuencia
Capacidad pequea de
acoplamiento
Audfonos para sordera, transductores inductivos
Oscilador Mnima variacin de frecuencia Generadores de frecuencia patrn, receptores
Circuito MOS digital Pequeo tamao
Integracin en gran escala, computadores,
memorias

Tipos de Amplificadores de Potencia
Entre las diferentes tipologas de etapas de potencia encontramos:
- Clase A
- Clase B
- Clase AB
- Clase C
- Clase G
- MOSFET

Amplificador de Clase A (CLASS-A AMPLIFIER)
La corriente de salida circula durante todo el ciclo de la seal de entrada.

La corriente de polarizacin del transistor de salida es alta y constante durante todo el proceso,
independientemente de si hay o no hay salida de audio. La distorsin introducida es muy baja, pero el
rendimiento tambin ser bajo, estando siempre por debajo del 25%.
Amplificador clase B (CLASS-B AMPLIFIER)
La corriente de salida slo circula, aproximadamente, durante medio ciclo de la seal de entrada. Durante el otro
medio ciclo, la seal no es amplificada. Se produce a la salida un cambio alternativo de positivo, hay seal; a
negativo, no hay seal.

Adems, no circula corriente a travs de los transistores de salida cuando no hay seal de audio. La distorsin
introducida por tanto, es muy elevada, aunque el rendimiento mejora notablemente respecto a la clase A, aunque
siempre ser inferior al 80%.
La calidad de este tipo de etapa de potencia es muy pobre, por lo que slo es utilizado en sistemas que no
requieran calidad sonora, como sistemas telefnicos, porteros automticos, etc.


Amplificador de Clase AB (CLASS-AB AMPLIFIER)

La corriente de salida circula entre medio ciclo y el ciclo completo de la seal de entrada.

Como en los amplificadores de clase A, hay una corriente de polarizacin constante, pero relativamente baja,
evitando la distorsin de cruce. Son los amplificadores de ms calidad. Es una mejora de la clase B para evitar la
distorsin excesiva. Su rendimiento es mejor que el de la clase A, pero inferior a la B.

Amplificador de clase C (CLASS-C AMPLIFIER)
La corriente de salida solo circula durante menos de medio ciclo de la seal de entrada.

La clase C trabaja para una banda de frecuencias estrecha y resulta muy apropiado en equipos de
radiofrecuencia. es una perrada

Amplificadores de Clase G

(De las clase E y F ya no fabrican modelos comerciales).
Incorporan varias lneas de tensin que se activan de forma progresiva a medida que el voltaje de entrada
aumenta con el fin de lograr mayor eficiencia.
Estos equipos dan una potencia de salida a la de los amplificadores de clase A-B, pero con un menor tamao.

Amplificadores MOSFET

MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Se trata de un tipo de
amplificadores aparecidos en la dcada de 1980 que como su nombre indica crean un efecto de campo gracias a
la unin de un semiconductor formado por la pareja metal-oxido.
Desde su aparicin son muy usados, porque aseguran una distorsin ms baja, al controlar el desprendimiento
trmico que se produce durante el procesado de la seal.

MOSFET: Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor ms
utilizado en la industria microelectrnica. La prctica totalidad de los circuitos integrados de uso comercial
estn basados en transistores MOSFET. Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material
emiconductor dopado en el que, mediante tcnicas de difusin de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto
separadas por un rea sobre la cual se hace crecer una capa de dielctrico culminada por una capa de conductor.
Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cmo se haya realizado el
dopaje:

- Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n.
- Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.

Las reas de difusin se denominan fuente y drenador, y el conductor entre ellos es la puerta.

CMOS: (del ingls Complementary Metal Oxide Semiconductor, "Semiconductor Complementario de xido
Metlico") es una de las familias lgicas empleadas en la fabricacin de circuitos integrados (chips). Su
principal caracterstica consiste en la utilizacin conjunta de transistores de tipo pMOS y tipo nMOS

configurados de tal forma que, en estado de reposo, el consumo de energa es nicamente el debido a las
corrientes parsitas.
En la actualidad, la mayora de los circuitos integrados que se fabrican utilizan la tecnologa CMOS. Esto
incluye microprocesadores, memorias, DSPs y muchos otros tipos de chips digitales.

Polarizacin: el tema de la polarizacin se refiere a los elementos dentro del transistor en el que la configuracin
NPN: est polarizado en inversa y luego en directa y PNP: directa y luego en inversa.

Configuracin: hay 3 tipos de configuraciones
- Base comn
- Emisor comn
- Colector comn

Regin de trabajo: En general, los transistores bipolares de circuitos analgicos lineales estn operando en la
regin activa directa. En esta regin existe cuatro zonas de operacin definidas por el estado de las uniones del
transistor: saturacin, lineal, corte y ruptura.

Saturacin: La regin de saturacin se corresponde con la polarizacin en directo de la unin de colector. En el
caso del n - p n, esto ocurre para valores de Vbc > 0 (lo que implica que el potencial de base es el ms alto de
los tres y , entonces que ambas uniones estn polarizadas en directo). En esta situacin el transistor opera con
una resistencia muy baja entre los terminales de emisor y colector y la corriente Ic puede ser relativamente
elevada an para bajos valores de Vce. En la "jerga" digital se dice estado encendido (on) o alto (high).

hfe: gain o beta, es un numero que te indica la ganancia de corriente, es decir si tenes un transistor con una
ganacia o hfe de 10, significa que con una corriente de base de de 1mA te maneja una corriente colector-emisor
de 10 mA. Beta es el parmetro que indica el multmetro, cuando se prueba el transistor conectndolo en la
posicin hfe coeficiente alfa representa la fraccin de portadores mayoritarios del emisor que atraviesan la base
por difusin, sin recombinarse. Alfa realmente vara con la tensin entre base y colector, debido a la variacin
en el ancho de la zona de deplexin, que correlativamente modifica el ancho de la base.

Union de colector: es la unin entre la base y el colector donde la mayoria de los portadores son atravesador sin
recombinarse en la base.

Unin de emisor: es la unin entre el emisor y la base donde son inyectados los portadores de carga y que
alrededor de 1% se recombinan en la base.

Transistores MOSFET
Material Ampliatorio

La palabra MOSFET proviene de las siglas Metal Oxide Field Effect
Transistor. Es un transistor de efecto campo basado en la estructura MOS.
Posee cuatro electrodos llamados fuente, compuerta, drenaje y
sustrato. A diferencia del JFET, FET de juntura o simplemente FET o
transistor de efecto de campo, la compuerta est aislada galvnicamente del
canal. Por esta causa, la corriente de compuerta es extremadamente pequea,
tanto cuando la tensin de compuerta es positiva como cuando es negativa.

Se compone de un material N (silicio con impurezas dadoras) con una zona tipo P a la derecha y una compuerta
aislada a la izquierda. A similitud de una vlvula electrnica, en donde los electrones libres circulan desde el
ctodo a la placa, en un MOSFET circulan desde el terminal de fuente al de drenaje, es decir desde abajo
hacia arriba en el dibujo. En la vlvula lo hacen por el vaco y en el MOSFET por el silicio tipo N. La zona P se
llama y opera como si fuera una pared que presenta una dificultad a la circulacin electrnica. Los electrones
deben pasar por un estrecho canal entre la compuerta y el sustrato. La idea es que el silicio tipo N es un buen
conductor, pero en la zona del sustrato se agregan impurezas tipo P que cancelan esa conductividad haciendo
que esa zona sea aisladora.


Mediante tcnicas de difusin de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un rea sobre la cual
se hace crecer una capa de dielctrico culminada por una capa de conductor. Los transistores MOSFET se
dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cmo se haya realizado el dopaje:

- Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n.
- Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.

El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento:

Estado de corte

Cuando la tensin de la puerta es idntica a la del sustrato, el MOSFET est en estado de no conduccin:
ninguna corriente fluye entre fuente y drenador aunque se aplique una diferencia de potencial entre ambos.
Tambin se llama mosfet a los aislados por juntura de dos componentes.

Conduccin lineal

Al polarizarse la puerta con una tensin negativa (pMOS) o positiva (nMOS), se crea una regin de deplexin
en la regin que separa la fuente y el drenador. Si esta tensin crece lo suficiente, aparecern portadores
minoritarios (electrones en nMOS, huecos en pMOS) en la regin de deplexin que darn lugar a un canal de
conduccin. El transistor pasa entonces a estado de conduccin, de modo que una diferencia de potencial entre
fuente y drenador dar lugar a una corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la
tensin de puerta.

Saturacin

Cuando la tensin entre drenador y fuente supera cierto lmite, el canal de conduccin bajo la puerta sufre un
estrangulamiento en las cercanas del drenador y desaparece. La corriente entre fuente y drenador no se
interrumpe, ya que es debida al campo elctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de
potencial entre ambos terminales. Los dispositivos semiconductores y los circuitos integrados son los pilares de
la tecnologa moderna, motivo por el cual el estudio de la electrnica, que trata con las caractersticas y
aplicaciones de aquellos, es una parte fundamental del plan
de estudios de cualquier carrera en computacin. La
electrnica se encuentra en nuestra vida diaria en forma de
telfonos, receptores de radio, televisores, equipo de audio,
aparatos domsticos, computadoras y equipo para control y
automatizacin industrial. La electrnica se ha convertido
tanto en un estmulo como en una parte integral del
crecimiento y desarrollo tecnolgico actual. El campo de la
electrnica est relacionado con el diseo y las aplicaciones
de los dispositivos electrnicos.

El transistor no poda ser eficiente hasta que no se dispusiese de cristales simples extraordinariamente puros.
Bell Laboratories lograron formar cristales simples de germanio y silicio con impurezas muy por debajo de una
parte en mil millones, y a partir de aqu, fue posible controlar el proceso de dopado de los semiconductores. Los
primeros transistores de crecimiento fueron construidos en 1950, y un ao despus, ya se fabricaban
comercialmente por RCA, Westinghouse, General Electric y Western Electric. En esta poca, los componentes

de estado slido desplazaron virtualmente a las vlvulas en casi todas las aplicaciones, tanto militares como
comerciales. La idea inicial de construir un circuito completo de estado slido en un bloque semiconductor fue
propuesta por Dummer en 1952. No obstante, en 1958 Kilby, poco despus de incorporarse a la Texas
Instrument, concibi la idea de un monoltico, es decir, construir un circuito completo en germanio o silicio. El
primer circuito integrado fue un oscilador por rotacin de fase que se construy empleando como material base
el germanio, y sobre l, se formaban resistencias, condensadores y transistores, utilizando cables de oro para
unir estos componentes. Simultneamente, Noyce, de Fairchild Semiconductor, tuvo tambin la idea de un
circuito monoltico en el que aisl mediante diodos p-n los distintos dispositivos, desarroll la fabricacin de
resistencias e interconect los diferentes dispositivos mediante metal vaporizado. No obstante, el primer
Ventajas

La principal aplicacin de los MOSFET est en los circuitos integrados, p-mos, n-mos y c-mos, debido a varias
ventajas sobre los transistores bipolares:
- Consumo en modo esttico muy bajo.
- Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra).
- Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao.
- Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia de entrada
muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los nanoamperios.
- Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva.
- La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos.
- Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia.

Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados as porque la conduccin
tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos),
y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se
encuentra su impedancia de entrada
bastante baja.
Existen unos dispositivos que eliminan
este inconveniente en particular y que
pertenece a la familia de dispositivos en
los que existe un solo tipo de portador de
cargas, y por tanto, son unipolares. Se
llama transistor de efecto campo.
Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material p n, llamada canal,
rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unin p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente sumidero (d- Los
tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente del nodo requiere de un tiempo finito para
propagarse por toda el rea de la unin, desde el punto cercano a la compuerta cuando inicia la seal de la
compuerta para activar el tiristor. Para controlar el di/dt, el tiempo de activacin y el tiempo de desactivacin,
los fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta.
La fuente de energa necesaria para romper un enlace covalente es funcin del espaciamiento atmico en el
cristal. Cuanto ms pequeo sea el tomo, ms pequeo ser el espaciamiento y mayor la fuente de energa
necesaria para romper los enlaces covalentes. El conductor, o metal, se tiene cuando las bandas se traslapan,
como se muestra en de la figura 1.2 (c). El conductor permite que se muevan las cargas elctricas cuando existe
una diferencia de potencial a travs del material. En un conductor, no existen barrera alguna entre la fuente de
energa de electrn de valencia y la del electrn de conduccin. Esto significa que un electrn de valencia
particular no est asociado fuertemente a su propio ncleo. Por tanto, es libre de moverse a travs de la
estructura. Este movimiento de electrones, generalmente como respuesta a la aplicacin de un potencial, es la
conduccin.Simbolos grficos para un FET de canal N
Disposicin de las polarizaciones para un FET de canal
N.

La Figura muestra un esquema que ayudar a comprender el funcionamiento de un FET. En este caso se ha
supuesto que el canal es de material de tipo N.
La puerta est polarizada negativamente respecto a la fuente, por lo que la unin P-N entre ellas se encuentra
polarizada inversamente y existe (se crea) una capa desierta. Si el material de la puerta est ms dopado que el
del canal, la mayor parte de la capa estar formada por el canal. Si al tensin de la puerta es cero, y Vds = 0, las
capas desiertas profundizan poco en el canal y son uniformes a todo lo largo de la unin. Si Vds se hace
positiva ( y Vgs sigue siendo cero) por el canal circular una corriente entre sumidero y fuente, que har que la
polarizacin inversa de la unin no sea uniforme en toda su longitud y, en consecuencia, en la parte ms
prxima al sumidero, que es la ms polarizada, la capa desierta
penetrar ms hacia el interior del canal. Para valores pequeos de
Vds, la corriente de sumidero es una funcin casi lineal de la tensin,
ya que la penetracin de la capa desierta hacia el interior del canal no
vara substancialmente de su valor inicial. Sin embargo, a medida que
aumenta la tensin aumenta tambin la polarizacin inversa, la capa
desierta profundiza en el canal y la conductancia de ste disminuye. El
ritmo de incremento de corriente resulta, en consecuencia, menor y
llega un momento en que el canal se ha hecho tan estrecho en las
proximidades del sumidero que un incremento de Vds apenas tiene
efecto sobre la corriente de sumidero. Entonces se dice que el transistor
est trabajando en la zona de estriccin (pinch-off), nombre cuyo origen se evidencia en la figura anterior,
llamndose tensin de estriccin Vp a la del punto de transicin entre el comportamiento casi lineal y el casi
saturado.
Si a la puerta se le aplica una polarizacin negativa estacionaria, la capa desierta penetra ms en el interior que
con la polarizacin nula; por tanto, para pasar a la zona de estriccin se necesita menos tensin de sumidero. El
aumentar la polarizacin negativa permite tener la transicin a la zona de estriccin a corrientes de sumidero
an inferiores.
El funcionamiento del FET se basa en la capacidad de control de la conductancia del canal por parte de
la tensin de puerta y, como la unin puerta-canal se encuentra siempre polarizada inversamente, el
FET es por esencia un elemento de alta impedancia de entrada.
PARAMETROS DEL FET

La corriente de sumidero Id es funcin tanto de la tensin de sumidero Vds como de la puerta Vgs. Como la
unin est polarizada inversamente, suponemos que la corriente de puerta es nula, con lo que podemos escribir:
Ig = 0 e Id = (Vds, Vgs)

En la zona de estriccin (saturacin) en que las caractersticas son casi rectas (en el grfico, son horizontales,
pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos escribir la respuesta del transistor para pequeos
incrementos de Vds y Vgs en esta forma

El parmetro r
d
se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la inversa de la pendiente de la curva.
Que como en el grfico, dicha pendiente es cero (en la realidad, como he dicho antes existe algo de pendiente),
entonces la r
d
es infinita (muy grande).
El parmetro g
m
se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es igual a la separacin vertical
entre las caractersticas que corresponden a diferencias de valor de Vgs de 1 voltio.
Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores de potencia. Los tiristores se
utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se operan como conmutadores biestables,
pasando de un estado no conductor a un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que los
Tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas

y limitaciones.

CARACTERISTICAS DE LOS TIRISTORES:

Un Tiristor es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres uniones pn tiene tres
terminales: nodo ctodo y compuerta. La fig. 1 muestra el smbolo del tiristor y una seccin recta de tres
uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusin.
Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las uniones J1 y J3 tienen polarizacin
directa o positiva. La unin J2 tiene polarizacin inversa, y solo fluir una pequea corriente de fuga del nodo
al ctodo. Se dice entonces que el tiristor est en condicin de bloqueo directo o en estado desactivado
llamndose a la corriente fuga corriente de estado inactivo ID. Si el
voltaje nodo a ctodo VAK se incrementa a un valor lo
suficientemente grande la unin J2 polarizada inversamente entrar
en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha y el voltaje
correspondiente se llama voltaje de ruptura directa VBO. Dado que
las uniones J1 y J3 ya tienen polarizacin directa, habr un
movimiento libre de portadores a travs de las tres uniones que
provocar una gran corriente directa del nodo. Se dice entonces que el dispositivo est en estado de conduccin
o activado.
Fig. 1 Smbolo del tiristor y tres uniones pn

La cada de voltaje se deber a la cada ohmica de las cuatro capas y ser pequea, por lo comn 1V. En el
estado activo, la corriente del nodo est limitada por una impedancia o una resistencia externa, RL, tal y como
se muestra en la fig. 2.
La corriente del nodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche IL, a fin de mantener
la cantidad requerida de flujo de portadores a travs de la unin; de lo contrario, al reducirse el voltaje del nodo
al ctodo, el dispositivo regresar a la condicin de bloqueo.
La corriente de enganche, IL, es la corriente del nodo mnima requerida para mantener el tiristor en estado de
conduccin inmediatamente despus de que ha sido activado y se ha retirado la seal de la compuerta. En la fig.
2b aparece una grfica caracterstica v-i comn de un tiristor.

Fig.2 Circuito Tiristor y caracterstica v-i
Una vez que el tiristor es activado , se comporta como un diodo
en conduccin y ya no hay control sobre el dispositivo. El tiristor
seguir conduciendo, porque en la unin J2 no existe una capa
de agotamiento de vida a movimientos libres de portadores. Sin
embargo si se reduce la corriente directa del nodo por debajo de
un nivel conocido como corriente de mantenimiento IH , se
genera una regin de agotamiento alrededor de la unin J2 debida
al nmero reducido de portadores; el tiristor estar entonces en estado de Esto significa que ILbloqueo.
La corriente de mantenimiento es del orden de los miliamperios y es menor que la corriente de enganche, IL.
>IH . La corriente de mantenimiento IH es la corriente del nodo mnima para mantener el tiristor en estado de
rgimen permanente. La corriente de mantenimiento es menor que la corriente de enganche.
Cuando el voltaje del ctodo es positivo con respecto al del nodo, la unin J2 tiene polarizacin directa, pero
las uniones J1 y J3 tienen polarizacin inversa. Esto es similar a dos diodos conectados en serie con un voltaje
inverso a travs de ellos. El tiristor estar en estado de bloqueo inverso y una corriente de fuga inversa, conocida
como corriente de fuga inversa IR, fluir a travs del dispositivo.

MODELO DE TIRISTOR DE DOS TRANSITORES.

La accin regenerativa o de enganche de vida a la retroalimentacin directa se puede demostrar mediante un
modelo de tiristor de dos transistores. Un tiristor se puede considerar como dos transistores complementarios, un
transistor PNP, Q1, y un transistor NPN, Q2, tal y como se demuestra en la figura 3.
La corriente del colector IC de un tiristor se relaciona, en general, con la corriente del emisor IE y la corriente
de fuga de la unin colector-base ICBO, como
Ic = IE + ICBO..(1)
La ganancia de corriente de base comn se define como =IC/IE. Para el transistor Q1 la corriente del emisor es
la corriente del nodo IA, y la corriente del colector IC1 se puede determinar a partir de la ecuacin (1):
IC1 = 1 IA + ICBO1(2)

a) Estructura bsica b) Circuito equivalente
Fig. 3 Modelo de tiristor de dos terminales.
Donde alfa1 es la ganancia de corriente y ICBO1 es la corriente de fuga para Q1. En forma similar para el
transistor Q2, la corriente del colector IC2 es:
IC2 = 2IK + ICBO2(3)
Donde 2 es la ganancia de corriente y ICBO2 es la corriente de fuga correspondiente a Q2. Al combinar IC1
e IC2, obtenemos:
IA = IC1 + IC2 = 1IA + ICBO1 + 2IK + ICBO2.(4)
Pero para una corriente d compuerta igual AIG, IK=IA+IG resolviendo la ecuacin anterior en funcin de IA
obtenemos:
IA = 2 IG + ICBO1 + ICBO2.(5)
1 - ( 1 + 2)
ACTIVACION DEL TIRISTOR
Un tiristor se activa incrementndola corriente del nodo. Esto se puede llevar a cabo mediante una de las
siguientes formas.

TERMICA. Si la temperatura de un tiristor es alta habr un aumento en el nmero de pares electrn-hueco, lo
que aumentar las corrientes de fuga. Este aumento en las corrientes har que 1 y 2 aumenten. Debido a la
accin regenerativa ( 1+ 2) puede tender a la unidad y el tiristor pudiera activarse. Este tipo de activacin
puede causar una fuga trmica que por lo general se evita.

LUZ. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentaran los pares electrn-hueco
pudindose activar el tiristor. La activacin de tiristores por luz se logra permitiendo que esta llegue a los discos
de silicio.

ALTO VOLTAJE.
Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de ruptura directo VBO, fluir una corriente de
fuga suficiente para iniciar una activacin regenerativa. Este tipo de activacin puede resultar destructiva por lo
que se debe evitar. Si la velocidad de elevacin del voltaje nodo-ctodo es alta, la corriente de carga de las
uniones capacitivas puede ser suficiente para activar el tiristor.

Un valor alto de corriente de carga puede daar el tiristor por lo que el dispositivo debe protegerse contra dv/dt
alto. Los fabricantes especifican el dv/dt mximo permisible de los tiristores.

CORRIENTE DE COMPUERTA.

Si un tiristor est polarizado en directa, la inyeccin de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo
de compuerta entre la compuerta y las terminales del ctodo activar al tiristor. Conforme aumenta la corriente
de compuerta, se reduce el voltaje de bloqueo directo, tal y como aparece en la fig.4

TIPOS DE TIRISTORES.
Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente del nodo requiere de un tiempo finito
para propagarse por toda el rea de la unin, desde el punto cercano a la compuerta cuando inicia la seal de la

Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de activacin y desactivacin, en general los
tiristores pueden clasificarse en nueve categoras:

1. Tiristores de control de fase (SCR).
2. Tiristores de conmutacin rpida (SCR).
3. Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO).
4. Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).
5. Tiristores de conduccin inversa (RTC).
6. Tiristores de induccin esttica (SITH).
7. Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR)
8. Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
9. Tiristores controlados por MOS (MCT)

TEMA 1: APLICACIONES DE DISPOSITIVOS DE 4-CAPAS

Dentro de los dispositivos electrnicos de potencia, podemos citar: los diodos y transistores de potencia, el
tiristor, as como otros derivados de stos, tales como los triac, diac, conmutador unilateral o SUS, transistor
uniunin o UJT, el transistor uniunin programable o PUT y el diodo Shockley. Existen tiristores de
caractersticas especiales como los fototiristores, los tiristores de doble puerta y el tiristor bloqueable por puerta
(GTO). Lo ms importante a considerar de estos dispositivos, es la curva caracterstica que nos relaciona la
intensidad que los atraviesa con la cada de tensin entre los electrodos principales. El componente bsico del
circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos: Tener dos estados claramente definidos, uno de alta
impedancia (bloqueo) y otro de baja impedancia (conduccin).
Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando est en estado de bloqueo, con pequeas
cadas de tensin entre sus electrodos, cuando est en estado de conduccin. Ambas condiciones lo capacitan
para controlar grandes potencias. La unin entre un semiconductor tipo p y otro tipo n es el elemento bsico del
que depende el funcionamiento de casi la totalidad de los dispositivos basados en semiconductores. A partir de
las propiedades de los semiconductores, y los procesos de difusin y desplazamiento de portadores de carga, se
puede analizar de forma cualitativa el comportamiento de la unin pn, tanto en equilibrio como polarizada.

Los dispositivos semiconductores y los circuitos integrados son los pilares de la tecnologa moderna, motivo por
el cual el estudio de la electrnica, que trata con las caractersticas y aplicaciones de aquellos, es una parte
fundamental del plan de estudios de cualquier carrera en computacin. La electrnica se encuentra en nuestra
vida diaria en forma de telfonos, receptores de radio, televisores, equipo de audio, aparatos domsticos,
computadoras y equipo para control y automatizacin industrial. La electrnica se ha convertido tanto en un
estmulo como en una parte integral del crecimiento y desarrollo tecnolgico actual. El campo de la electrnica
est relacionado con el diseo y las aplicaciones de los dispositivos electrnicos.

Las dcadas que siguieron a la introduccin del transistor en los aos cuarenta han atestiguado un cambio
sumamente drstico en la industria electrnica. La miniaturizacin que ha resultado nos maravilla cuando
consideramos sus lmites. En la actualidad se encuentran sistemas completos en una oblea miles de veces menor
que el ms sencillo elemento de las primeras redes. Las ventajas asociadas con los sistemas semiconductores en
comparacin con las redes con tubos de los aos anteriores son, en su mayor parte, obvias: ms pequeos y
ligeros, no requieren calentamiento previo para llegar a su punto ptimo de operacin, y dado que su
temperatura de operacin es mucho menor, no se producen prdidas trmicas (lo que si sucede en el caso de los
tubos), ni se requieren grandes sistemas de disipacin de calor (ventilacin forzada, etc.), una construccin ms

resistente y una capacidad de integracin asombrosa, sin dejar de lado que los dispositivos semiconductores
pueden operar a frecuencias mucho mayores que los tubos electrnicos.
La miniaturizacin de los ltimos aos ha producido sistemas semiconductores tan pequeos que el propsito
principal de su encapsulado es proporcionar simplemente algunos medios para el manejo del dispositivo y para
asegurar que las conexiones permanezcan fijas a la oblea del semiconductor. Tres factores definen en apariencia
los lmites de la miniaturizacin: la calidad del propio material semiconductor, la tcnica de diseo de la red y
los lmites del equipo de manufactura y procesamiento.

HISTORIA DE LA ELECTRNICA

La era de la electrnica comenz con la invencin del primer dispositivo amplificador: el triodo de vaco,
realizado por Fleming en 1904. A este invento sigui el desarrollo del diodo de punto de contacto de estado
slido, por parte de Pickard, en 1906, los primeros circuitos de radio que utilizaban diodos y triodos, entre 1907
y 1927; el receptor superheterodino de Armstrong, en 1920; la demostracin de la televisin, en 1925; el
dispositivo de efecto de campo de Lilienfield, en 1925; la modulacin de frecuencia de Armstrong, en 1933, y
del radar, en 1940. La primera revolucin de la electrnica comenz en 1947 con la invencin del transistor de
silicio por Bardeen, Bratain y Shockley en los laboratorios de la compaa Bell Telephone. La mayor parte de
las tecnologas electrnicas avanzadas que existen en la actualidad tienen sus bases en este invento; tal es el caso
de la microelectrnica moderna que ha evolucionado, con el paso de los aos, a partir de los semiconductores.
Esta revolucin fue seguida por la primera demostracin de la televisin en color, en 1950, y la invencin del
transistor unipolar de efecto de campo por Shockley, en 1952.

La siguiente innovacin se present en 1956, cuando los laboratorios Bell desarrollaron el transistor de disparo
pnpn, tambin conocido como tiristor o rectificador controlado de silicio (SCR por sus siglas en ingls). La
segunda revolucin de la electrnica inici con el desarrollo de un tiristor comercial realizado por la General
Electric, en 1958. ste fue el comienzo de una nueva era para las aplicaciones de la electrnica en las reas de
procesamiento o acondicionamiento de potencia, conocida como electrnica de potencia. Desde entonces, se han
desarrollado muchas clases de dispositivos semiconductores de potencia y tcnicas de conversin. El primer
circuito integrado (CI) fue desarrollado en 1958, en forma simultnea por Kilby en la compaa Texas
Instruments y los investigadores Noyce y Moore en Fairchild Semiconductor, Inc.; esto marc el inicio de una
nueva fase en la revolucin de la microelectrnica. Este invento fue seguido por el desarrollo del primer circuito
integrado comercial para un amplificador operacional, el A709, de la compaa Fairchild Semiconductor, en
1968; el microprocesador 4004 de Intel, en 1971 y el de 8 bits, en 1972. El desarrollo de los CI contina en la
actualidad, como un esfuerzo para alcanzar circuitos integrados con una mayor densidad y una menor disipacin
de potencia.

En algunos campos, la electrnica juega un papel tan importante que sin sta nunca hubieran llegado a su
desarrollo presente. Como ejemplo tenemos las comunicaciones: sin los transmisores y receptores electrnicos
de radio sera imposible la comunicacin rpida y mvil, tal como se conoce actualmente. Otro ejemplo es la
automatizacin industrial, donde la mayor parte de los dispositivos de control y monitores son electrnicos.
Tambin el procesamiento de datos y las investigaciones cientficas y mdicas son reas que requieren de la
electrnica. Aunque las operaciones militares constituyan un campo muy distinto del de las comunicaciones y
de la automatizacin, el ejrcito requiere gran cantidad de equipo electrnico. Las fuerzas armadas no slo
utilizan estos equipos, sino que cada ao erogan enormes sumas de dinero para la investigacin y el desarrollo
de equipo nuevo o perfeccionado, as como para buscar nuevas aplicaciones de la electrnica.

Las primeras observaciones relacionados con los fenmenos elctricos son del tiempo de la Grecia Antigua
(Tales de Mileto, Demcrito, etc...). Sin embargo, no es hasta el siglo XIX cuando se desarrollan algunas teoras
que explican satisfactoriamente parte de dichos fenmenos. En 1893, Maxwell reuni las investigaciones en el
campo de la electricidad y magnetismo de grandes cientficos tales como Coulomb, Ampere, Ohm, Gauss,
Faraday y public las reglas matemticas que rigen las interacciones electromagnticas. Aunque Maxwell no
reconoce la naturaleza corpuscular de la corriente elctrica, sus ecuaciones son aplicables incluso despus del
establecimiento de la naturaleza discreta de la carga. La prediccin de la existencia de ondas electromagnticas
y su posibilidad de propagacin en el espacio constituye muy probablemente la base del posterior desarrollo de
las comunicaciones, y en definitiva, de la Electrnica. La Electrnica probablemente no se inicia hasta que
Lorentz postul en 1895 la existencia de cargas discretas denominadas electrones. Thompson hall
experimentalmente su existencia dos aos ms tarde y Millikan midi con precisin la carga del electrn ya
entrado el siglo XX. Hasta principios de este siglo, la Electrnica no empez a tomar cariz tecnolgico. En

1904, Fleming invent el diodo que denomin vlvula el cual consista en un filamento caliente, emisor de
electrones, situado en el vaco a una corta distancia de una placa. En funcin de la tensin positiva o negativa de
la placa, se produca paso de corriente en una direccin. Esta vlvula se emple como detector de seales
inalmbricas y vino a sustituir a los detectores de galena utilizados hasta ese momento, que eran de difcil
construccin y precisaban de continuos ajustes manuales.

Quiz el acontecimiento ms importante en la historia primitiva de la electrnica tuvo lugar en 1906 cuando De
Forest interpuso un tercer electrodo (rejilla) en una vlvula de Fleming creando el tubo trodo denominado
audin. En este dispositivo, la aplicacin de una pequea tensin a la rejilla produce una alta variacin de la
tensin de la placa; por consiguiente, el audin fue el primer amplificador de la historia. No obstante, se
necesitaron varios aos para avanzar en el problema de emisin termoinica con objeto de conseguir un
elemento electrnico seguro.
El desarrollo de la electrnica en sta poca est ligado al desarrollo de la radio. Basados en tubos de vaco se
construyen diferentes tipos de circuitos con aplicacin en las comunicaciones por radio. Con diodos y trodos
fueron diseados los amplificadores en cascada, amplificadores regenerativos, osciladores, el receptor
heterodino, entre otros. Este desarrollo de la electrnica permiti fundar la primera emisora de radiodifusin,
KDKA, construida en 1920 por la Westinghouse Electric Corporation; en 1924, ya haba 500 estaciones de radio
en

Estados Unidos. La evolucin del trodo dio lugar a tcnicas de calentamiento indirecto del ctodo y a la
introduccin de los tetrodos, pentodos y las ampollas de vidrio en miniatura. En 1938 se encuentra disponible
del primer receptor en FM despus que Armstrong en 1933 desarroll la modulacin en frecuencia. La
televisin en blanco y negro surgi en 1930 y la de color alrededor de la mitad de este siglo.
La verdadera revolucin tecnolgica de la Electrnica surge con la invencin de los dispositivos basados en
semiconductores, y ms en concreto, con la invencin del transistor. Los primeros trabajos sobre
semiconductores fueron comenzados por Hall en 1879 sobre el efecto que lleva su nombre. Los primeros
rectificadores de uninmetal-semiconductor se estudian entre 1920 y 1930, y es en 1938 cuando Shottky y Mott
realizan separadamente un estudio sistemtico sobre las propiedades de estos dispositivos, proponiendo la
primera teora del espacio de carga. En esta poca, se realizan muchos estudios sobre semiconductores y se
perfeccionan las tcnicas decrecimiento de cristales. En 1943, se obtiene la primera unin P-N sobre cristal
nico de silicio.

En 1947, se presionaron dos sondas de hilo de oro prximas entre s sobre una superficie de un cristal de
germanio. Brattain y Bardeen se dieron cuenta que era un dispositivo amplificador naciendo as el primer
amplificador de estado slido (en forma de transistor de contacto). Sin embargo, era un transistor deficiente, de
poca amplitud de banda y mucho ruido, donde adems los parmetros diferan ampliamente de uno a otro
dispositivo. Shockley propuso el transistor de unin para mejorar las caractersticas del transistor de punta de
contacto, y complet su teora de funcionamiento. El nuevo dispositivo tena portadores de ambas polaridades
operando simultneamente: eran dispositivos bipolares. En 1956, Bardeen, Brattain y Shockley recibieron el
premio Nobel de fsica por sus investigaciones.

El transistor no poda ser eficiente hasta que no se dispusiese de cristales simples extraordinariamente puros.
Bell Laboratories lograron formar cristales simples de germanio y silicio con impurezas muy por debajo de una
parte en mil millones, y a partir de aqu, fue posible controlar el proceso de dopado de los semiconductores. Los
primeros transistores de crecimiento fueron construidos en 1950, y un ao despus, ya se fabricaban
comercialmente por RCA, Westinghouse, General Electric y Western Electric. En esta poca, los componentes
de estado slido desplazaron virtualmente a las vlvulas en casi todas las aplicaciones, tanto militares como
comerciales. La idea inicial de construir un circuito completo de estado slido en un bloque semiconductor fue
propuesta por Dummer en 1952. No obstante, en 1958 Kilby, poco despus de incorporarse a la Texas
Instrument, concibi la idea de un monoltico, es decir, construir un circuito completo en germanio o silicio. El
primer circuito integrado fue un oscilador por rotacin de fase que se construy empleando como material base
el germanio, y sobre l, se formaban resistencias, condensadores y transistores, utilizando cables de oro para
unir estos componentes. Simultneamente, Noyce, de Fairchild Semiconductor, tuvo tambin la idea de un
circuito monoltico en el que aisl mediante diodos p-n los distintos dispositivos, desarroll la fabricacin de
resistencias e interconect los diferentes dispositivos mediante metal vaporizado. No obstante, el primer
transistor de difusin moderno fue creado por Hoerni de Fairchild en 1958 empleando tcnicas fotolitogrficas y
utilizando los procesos de difusin antes desarrollados por Noyce y Moore. La clave de la fabricacin de

circuitos integrados reside en el transistor planar y la posibilidad de fabricacin en masa. En 1961, Fairchild y
Texas Instrument introdujeron comercialmente los circuitos integrados.

Otro dispositivo que intervino en el avance espectacular de la Electrnica, aunque su desarrollo fue posterior al
del transistor debido a problemas tecnolgicos, es el transistor de efecto de campo. Antes de la invencin de este
transistor, numerosos investigadores ya haban estudiado la variacin de conductividad de un slido debido a la
aplicacin de un campo elctrico. El transistor de unin de efecto de campo fue propuesto por Shockley en
1951, aunque problemas tecnolgicos para lograr una superficie estable retrasaron su realizacin fsica. Estos
problemas fueron solucionados al desarrollarse el proceso planar y la pasivacin de la superficie con xido de
silicio (SiO2). En 1960, Kahng y Atalla, de Bell Laboratories, anunciaron el primer transistor de efecto de
campo de puerta aislada. En 1962, Hofstein y Heiman emplearon la nueva tecnologa MOS para fabricar un
circuito integrado con ms de mil elementos activos. El nuevo dispositivo MOS presentaba diversas ventajas
sobre transistores bipolares y sentaba la base para el desarrollo de la alta escala de integracin.

Las tcnicas de integracin de circuitos se beneficiaron de los avances tecnolgicos. Los procesos de
implantacin inica y litografa permitieron realizar lneas de conexin en la oblea de silicio con anchuras del
orden de micras. Adems, el avance en las tecnologas de integracin introdujeron los circuitos PMOS y CMOS,
con unas caractersticas de tiempos de propagacin y potencia consumida cada vez mejores. La eficiencia,
velocidad y produccin han mejorado continuamente en los transistores de unin y efecto de campo, a la vez
que el tamao y el costo se ha reducido considerablemente. En poco tiempo, se pas de construir elementos
discretos a sistemas integrados con ms de un milln de transistores en una sola pastilla. La evolucin ha sido
espectacular: as, en 1951 se fabricaron los primeros transistores discretos, en 1960 se construyeron los primeros
circuitos monolticos con 100 componentes, en 1966 estos circuitos alcanzaron 1000 componentes, en 1969 se
lleg a 10000, y actualmente se estn fabricando circuitos integrados con varios millones de transistores.
En un principio, los circuitos desarrollados para aplicaciones de comunicacin utilizando tubos de vaco, fueron
construidos con transistores discretos. Sin embargo, los investigadores de los aos 60 se dieron cuenta que estos
mismos circuitos no eran transplantables directamente a circuitos integrados y que era preciso disear
estructuras nuevas. Esto potenci el desarrollo de nuevas estructuras tales como las fuentes de polarizacin
desarrolladas por Widlar y a la introduccin del primer amplificador operacional comercial (A702). En 1968,
los laboratorios de Fairchild presentan el popular amplificador operacional compensado internamente A741.
Otros circuitos analgicos de esta poca son los comparadores, reguladores de tensin, los PLL monolticos,
convertidores analgica-digital, etc...

La revolucin microelectrnica introdujo una nueva industria: la computacin. Esta industria surgi por la gran
expansin que se produce en el campo de la electrnica digital. En 1960, Noyce y Norman introdujeron la
primera familia lgica semiconductora, lgica resistencia-transistor (RTL), que sirvi de base para la
construccin de los primeros circuitos integrados digitales. Seguidamente, en 1961, apareci la familia de
acoplo directo (DCTL), y un ao ms tarde la lgica diodo transistor (DTL). En 1964, Texas Instrument
presenta la lgica transistor-transistor (TTL), y la serie de circuitos integrados digitales 54/74 que han
permanecido activos hasta hace poco. Motorola, en 1962 introduce la lgica de emisores acoplados (ECL) de
alta velocidad y en 1968 con sta misma lgica logra tiempos de retraso del orden del nanosegundo. En
contrapartida, en 1970 se lanza la serie TTL en tecnologa Shottky y en 1975 aparece la serie TTL Shottky de
baja potencia con tiempos de retraso muyprximos a la ECL.
En 1972, apareci la familia lgica de inyeccin integrada
(IIL) cuya principal caracterstica es su alta densidad de
empaquetamiento.

La electrnica digital tiene su mxima expansin con las
familias lgicas basadas en el transistor MOS, debido a que
su proceso de fabricacin es ms sencillo, permite mayor
escala de integracin y los consumos de potencia son ms
reducidos. Estas caractersticas ha dado lugar que la tecnologa MOS desplace a la bipolar en la mayor parte de
las aplicaciones. El proceso de miniaturizacin en tecnologa MOS se encuentra por debajo de 1 micra
aproximndose rpidamente a su lmite fsico. Esto ha permitido que se puedan realizar circuitos integrados que
incorporan millones de dispositivos.
En la dcada de los ochenta se introducen los circuitos digitales BiCMOS que ofrecen conjuntamente el bajo
consumo de la tecnologa CMOS y la velocidad de las familias bipolares a costa de una mayor complejidad y
coste del proceso de fabricacin. Tambin se desarrollan circuitos de alta velocidad basados en el GaAs con

retrasos del orden de decenas de picosegundos. Existen muchas expectativas en el desarrollo de esta tecnologa
aunque problemas de fabricacin no permiten actualmente alcanzar la escala de integracin que se logra con el
silicio. Paralelamente, se desarrollan teoras matemticas para anlisis y diseo de sistemas electrnicos.

Particularmente, el espectacular desarrollo de las computadoras digitales se debe en gran parte a los avances
conseguidos en la Teora de Conmutacin, que establece modelos matemticos para los circuitos digitales,
transformando los problemas de diseo y verificacin en tcnicas matemticas muy algoritmizadas e
independientes en gran medida de los dispositivos fsicos. El desarrollo de la Teora de Conmutacin puede
decirse que empieza con los trabajos de Shannon en 1938, en los que aplica el lgebra de Boole al anlisis de
circuitos relevadores. El lgebra de Boole fue desarrollado en 1854 como una concreccin matemtica de las
leyes de la lgica de predicados estudiada por los filsofos de la poca. La Teora de Conmutacin se extiende
principalmente a circuitos combinacionales hasta que, a mediados de la dcada de los cincuenta, los trabajos de
Huffman y de Moore desarrollan la teora de los circuitos secuenciales. El carcter algortmico de las tcnicas de
diseo las hace especialmente aptas para su resolucin mediante computador, con lo que ste se convierte as en
herramienta bsica para el desarrollo de sistemas digitales en general y de nuevos computadores ms potentes y
sofisticados en particular.

El ms significativo avance de la electrnica digital es la introduccin en 1971 del microprocesador, debido a la
necesidad de producir un circuito estndar de propsito general y gran flexibilidad que sirviera para las
calculadoras y fuera apto a otras muchas aplicaciones. En 1971, Intel introdujo en el mercado el
microprocesador de cuatro bits conocido como el modelo 4004. Era una CPU completa monoltica con 45
instrucciones en tecnologa PMOS con 2300 transistores. El xito del procesador fue inmediato y su amplia
difusin supusieron el comienzo de una autntica revolucin industrial. Dos aos posteriores a la presentacin
del primer procesador, Intel desarrolla el microprocesador de 8 bits 8008 con una velocidad de 50000
instrucciones por segundo. Este continuo desarrollo de los microprocesadores ha permitido en la actualidad
construir procesadores de 32 bits con altas velocidades de procesado. La evolucin de los microprocesadores es
actualmente muy rpida, con creciente implantacin en los procesos de automatizacin industrial, robtica,
instrumentacin inteligente, y en los elementos de sociedad de consumo, automviles, electrodomsticos, etc.
La introduccin de microprocesadores ms potentes ha marcado un rpido desarrollo de los microcomputadores
y ordenadores personales, y su implantacin es cada vez ms importante en el mbito de automatizacin de
oficinas, comunicaciones y redes informticas.
El propio proceso de automatizacin que ha permitido desarrollar el microprocesador, alcanza a la propia
tecnologa de los circuitos integrados. A partir de la dcada de los 80, las propias industrias dedicadas a la
fabricacin de circuitos integrados ofrecen la posibilidad de que los clientes diseen sus prototipos. Es decir,
con un soporte CAD adecuado, los diseadores pueden acceder al diseo y verificacin de sus propios circuitos,
tarea reservada hasta entonces a unos pocos especialistas. Esto ha permitido que el diseo de circuitos
integrados haya sido introducido en la Universidad surgiendo asignaturas y especialidades dedicadas
exclusivamente a este tema.

Sin embargo, la enorme complejidad de las circuitos integrados requiere cada vez herramientas de simulacin y
test ms sofisticadas en todos los niveles de diseo. Han surgido tcnicas de diseo estructurado (diseo para
testabilidad) que imponen restricciones en la libertad del diseo como la nica manera de simplificar la
complejidad de los circuitos, y que constituyen una de las lneas de investigacin donde ms esfuerzo se est
realizando tanto a nivel universitario como a nivel industrial.
Durante el periodo 1904 -1947, el tubo de vaco fue sin duda el dispositivo electrnico de inters y desarrollo.
Sin embargo, a principios de la dcada de los treinta el ttrodo de cuatro elementos y el pentodo de cinco
elementos se distinguieron en la industria de tubos electrnicos, y en los aos siguientes, la industria se
convirti en una de primera importancia y se lograron avances rpidos en el diseo, las tcnicas de manufactura,
las aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia y la miniaturizacin.

Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron el efecto amplificador del primer transistor en los Bell
Telephone Laboratorios. Las ventajas de este dispositivo de estado slido de tres terminales sobre el tubo
electrnico fueron evidentes: era ms pequeo y ligero; no tena filamentos o prdidas trmicas; construccin de
mayor resistencia y ms eficiente al absorber menos potencia; de uso rpido, sin requerir un periodo de
calentamiento; adems, las tensiones de operacin son ms bajas. El alumno descubrir que todos los
amplificadores (dispositivos que incrementan el nivel de voltaje, corriente o potencia) tendrn al menos tres
terminales con una de ellas controlando el flujo entre las otras dos.

Por otro lado el concepto original del AO (amplificador operacional) procede del campo de los computadores
analgicos, usados en tcnicas operacionales en los aos 40. El nombre de amplificador operacional deriva del
concepto de un amplificador dc (amplificador acoplado en continua) con una entrada diferencial y ganancia
extremadamente alta. Cambiando los tipos y disposicin de los elementos de retroalimentacin, podan
implementarse diferentes operaciones analgicas; en gran medida, las caractersticas globales del circuito
estaban determinadas slo por estos elementos de realimentacin. De esta forma, el mismo amplificador era
capaz de realizar diversas operaciones, y el desarrollo gradual de los amplificadores operacionales dio lugar al
nacimiento de una nueva era en los conceptos de diseo de circuitos.

En cuanto a la historia de la electrnica de potencia empez en el ao de 1900, con la introduccin del
rectificador de arco de mercurio. Luego se descubre el rectificador de tanque metlico, el rectificador de tubo al
vaco de rejilla controlada, el ignitrn, el fanotrn y el tiratrn. Estos dispositivos tuvieron su aplicacin en el
control de la energa hasta la dcada de 1950.
La primera revolucin electrnica tiene su inicio en 1948 con la invencin del transistor de silicio en los Bell
Telephone Laboratories. La mayora de las tecnologas electrnicas avanzadas actuales tienen su origen en este
descubrimiento. En 1956, el mismo laboratorio, incorporo el transistor de disparo PNPN, que se defini como
un tiristor o rectificador controlado de silicio (SCR).

La Segunda revolucin electrnica empez en 1958 con el desarrollo del tiristor comercial por General Electric
Company. Ese fue el principio de una nueva era en la electrnica de potencia. Desde entonces se han
introducido muy diversos tipos de dispositivos semiconductores de potencia y tcnicas de conversin. En la
actualidad la revolucin de la electrnica de potencia nos est dando la capacidad de formar y controlar grandes
cantidades de energa con una eficiencia cada vez mayor.
Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores de potencia. Los tiristores se
utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se operan como conmutadores biestables,
tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas
y limitaciones.
Conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez, el tiristor es un componente idneo en electrnica
de potencia. El tiristor, comnmente conocido como SCR, es un dispositivo unidireccional. Su variante
bidireccional es el TRIAC.
Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente del nodo requiere de un tiempo finito
para propagarse por toda el rea de la unin, desde el punto cercano a la compuerta cuando inicia la seal de la
La fuente de energa necesaria para romper un enlace covalente es funcin del espaciamiento atmico en el
cristal. Cuanto ms pequeo sea el tomo, ms pequeo ser el espaciamiento y mayor la fuente de energa
necesaria para romper los enlaces covalentes. El conductor, o metal, se tiene cuando las bandas se traslapan,
como se muestra en de la figura 1.2 (c). El conductor permite que se muevan las cargas elctricas cuando existe
una diferencia de potencial a travs del material. En un conductor, no existen barrera alguna entre la fuente de
energa de electrn de valencia y la del electrn de conduccin. Esto significa que un electrn de valencia
particular no est asociado fuertemente a su propio ncleo. Por tanto, es libre de moverse a travs de la
estructura. Este movimiento de electrones, generalmente como respuesta a la aplicacin de un potencial, es la
conduccin.

Conduccin en materiales semiconductores
En los tomos de silicio y germanio, los electrones se mantienen juntos con suficiente fuerza. Los electrones
interiores se encuentran a gran profundidad dentro del tomo, mientras que los electrones de valencia son parte
del enlace covalente: no pueden desprenderse sin recibir una considerable cantidad de energa. En calor y otras
fuentes de energa provocan que los electrones en la banda de valencia rompan sus enlaces covalentes y se
conviertan en electrones libres en la banda de conduccin. Por cada electrn que deja la banda de valencia, se
forma un " hueco. Un electrn cercano a la banda de valencia puede moverse y llenar el hueco, creando otro,
prcticamente sin intercambio de energa. La conduccin provocada por los electrones en la banda de
conduccin es diferente de la conduccin debida a los huecos dejados en la banda de valencia. En
semiconductores puros, existen tantos huecos como electrones libres.
La fuente de energa trmica interna aumenta la actividad de los electrones; por tanto, saca a los electrones de
valencia de la influencia del enlace covalente y los dirige hacia la banda de conduccin. De esta forma, existe un
nmero limitado de electrones en la banda de conduccin bajo la influencia del campo elctrico aplicado; estos

electrones se mueven en una direccin y establecen una corriente, como se muestra en la figura 1.5. El
movimiento de huecos es opuesto al de los electrones y se conoce como corriente de huecos. Los huecos actan
como si fueran partculas positivas y contribuyen a la corriente total. Los dos mtodos mediante los cuales se
pueden mover los electrones y huecos a travs de un cristal de silicio son la difusin y el desplazamiento.

El tomo de germanio tiene lleno un anillo exterior ms que el tomo de silicio. Este anillo exterior en el
germanio se encuentra a una distancia mayor del ncleo que el anillo exterior en el silicio. Por tanto, en el tomo
de germanio se necesita una fuente de energa menor para elevar electrones de la banda de exterior a la banda de
conduccin. El germanio tiene una barrera de la fuente de energa ms pequea para separar sus bandas de
valencia y de conduccin, por lo que se requiere una menor cantidad de energa para cruzar las barreras entre
bandas. La conductividad de un semiconductor se puede aumentar en forma considerable cuando se introducen
cantidades pequeas de impurezas especficas en el cristal. Este procedimiento se llama contaminacin. Si las
sustancias contaminantes tienen electrones libres extra, se conoce como donador, y el semiconductor
contaminado es de tipo n. Los portadores mayoritarios son electrones y los portadores minoritarios son huecos,
pues existen ms electrones que huecos. Si la sustancia contaminante tiene huecos extra, se conoce como
aceptor o receptor, y el semiconductor contaminado es de tipo p. Los portadores mayoritarios son huecos y los
minoritarios son electrones. Los materiales contaminados se conocen como semiconductores extrnsecos,
mientras que las sustancias puras son materiales intrnsecos. La densidad de electrones se denota por n y la
densidad de huecos por p. Se puede demostrar que el producto, np, es una constante para un material dado a una
temperatura dada. La densidad intrnseca de portadores, que se denota con n
i
, esta dada por la raz cuadrada de
este producto.

Como estas concentraciones estn provocadas por ionizacin trmica, n
i
depende de la temperatura del cristal.
Se concluyen entonces que n o p, o ambos, tienen que ser funcin de la temperatura. La concentracin de huecos
minoritarios es funcin de la temperatura en el material contaminado de tipo n y la densidad de electrones
mayoritarios es independiente de la temperatura. En forma similar, la concentracin de electrones minoritarios
es funcin de la temperatura en los materiales de tipo p, mientras que la densidad de huecos mayoritarios es
independiente de la temperatura. La resistencia de un semiconductor se conoce como resistencia de bloque. Un
semiconductor ligeramente contaminado tiene una alta resistencia de bloque.

Diodos semiconductores
El diodo ideal es un dispositivo lineal con caractersticas de corriente contra tensin, como la mostrada en la
figura 1.9 (b). Esta caracterstica se conoce como lineal a segmentos, ya que la curva se construye con
segmentos de rectas, si se intenta colocar una tensin positiva (o directa) a travs del diodo, no se tienen xito y
la tensin se limita a cero. La pendiente de la curva est infinita. Por tanto, bajo esta condicin la resistencia es
cero y el diodo se comporta como un cortocircuito. Si se colocan una tensin negativa (o inversa) a travs del
diodo, la corriente es cero y la pendiente de la curva tambin es cero. Por tanto, del diodo se comporta ahora
como una resistencia infinita, o circuito abierto.
En la figura 1.10 se muestra un material de tipo p y otro de tipo n colocados juntos para formar una unin. Esto
representa un modelo simplificado de construccin del diodo. El modelo ignora los cambios graduales en la
concentracin de impurezas en el material. Los diodos prcticos se construyen como una sola pieza de material
semiconductor, en la que un lado se contamina con material de tipo de y el otro con material de tipo n. Los
materiales ms comunes utilizados en la construccin de diodos son tres; germanio, silicio y arsenurio de galio.
En general, en silicio ha reemplazado al germanio en los diodos debido a su mayor barrera de energa que
permiten la operacin a temperaturas ms altas, y los costos de material son mucho menores. El arsenurio de
galio es particularmente til en aplicaciones de alta frecuencia y microondas. La distancia precisa en el que se
produce el cambio de material de tipo p a tipo n en el cristal vara con la tcnica de fabricacin. La caracterstica
esencial de la unin pn es que el cambio en la concentracin de impurezas se debe producir en una distancia
relativamente corta. De otra manera, la unin no se comporta como un diodo. C abran una regin desrtica en la
vecindad de la unin, como se muestra en la figura 1.11 (a). Este fenmeno se debe a la combinacin de huecos
y electrones donde se unen los materiales. La regin desrtica tendr muy pocos portadores.

Sin embargo, los dos componentes de la corriente constituida por el movimiento de huecos y electrones a travs
de la unin se suman para formar la corriente de difusin, I
D
. La direccin de esta corriente es del lado p al lado
n. Adems de la corriente de difusin existe otra corriente debido al desplazamiento de portadores minoritarios a
travs de la unin, y se conoce como I
S
.

Si ahora se aplica un potencial positivo al material p en relacin con el material n, como se muestra en la figura
1.11 (b), se dice que el diodo est polarizado en directo, por otra parte, si la tensin se aplican como en la figura
1.11 (c), el diodo se polariza en inverso.

El la figura 1.12 se ilustran las caractersticas de operacin de un diodo prctico. Esta curva difiere de la
caracterstica ideal de la figura 1.9 (b) en los siguientes puntos: conforme la tensin en directo aumenta ms all
de cero, la corriente no fluye de inmediato. Es necesaria una tensin mnima, den
pendiente de la curva caracterstica es grande pero no infinita, como en el caso del diodo ideal. La tensin
mnima necesar
de silicio (a temperatura ambiente) y 0.2 V para semiconductores de germanio. La diferencia de tensin para el
silicio y el germanio radica en la estructura atm
ms o menos 1.2 V.
Cuando el diodo est polarizado el inverso, existe una pequea corriente de fuga, est corriente se producen
siempre que la tensin sea inferior a la requerida para romper la unin. El dao al diodo normal en ruptura se
debe a la avalancha de electrones, que fluyen a travs de la unin con poco incremento en la tensin. La
corriente muy grande puede destruir el diodo si se genera excesivo calor. Esta ruptura a menudo se conoce como
la tensin de ruptura del diodo (V
BR
).

El circuito mostrado en la figura 1.13 (a) representa un modelo simplificado del diodo de silicio bajo
condiciones de operacin en cd tanto en directo como en inverso. El resistor R
r
representa la resistencia en
f
representa la
directo, el diodo ideal es un cortocircuito, o resistencia cero. La resistencia de circuito del diodo practic
modelado en la figura 1.13 (a) es bajo condiciones de polarizacin en inverso, el diodo ideal tiene resistencia
infinita (circuito abierto), y la resistencia de circuito del modelo prctico es R
r
. Los modelos de circuito en ca
son ms complejos debido a que la operacin del diodo depende de la frecuencia.

Fsica de los diodos en estado slido
Distribucin de carga
Cuando existen materiales de tipo p y de tipo n juntos en un cristal, se producen una redistribucin de carga.
Algunos de los electrones libres del material n migran a travs de la unin y se combinan con huecos libres en el
material p. De la misma forma, algunos de los huecos libres de material p se mueven a travs de la unin y se
combinan con electrones libres en el material n. Como resultado de esta redistribucin de carga, el material p
adquiere la carga negativa neta y el material n obtiene una carga positiva neta. Estas cargas crean un campo
elctrico y una diferencia de potencial entre los dos tipos de material que inhibe cualquier otro movimiento de
carga. El resultado es una reduccin en el nmero de portadores de corriente cerca de la unin. Esto sucede en
un rea conocida como regin desrtica. Estamp elctrico resultante proporciona una barrera de potencial, o
colina, en una direccin que inhibe la migracin de portadores a travs de la unin.
Relacin entre la corriente y la tensin en un diodo

DISEO DE CIRCUITOS ELECTRNICOS DE POTENCIA.

El desarrollo de la EP inicia con la aparicin del rectificador de arco con vapor de mercurio en un tubo de
vidrio, en el ao de 1900. Entonces, y de manera gradual, los rectificadores de tanque metlico, los
rectificadores con rejilla de control, el ignitrn y el tiratrn fueron introducidos. Durante la segunda guerra
mundial, los amplificadores magnticos basados en reactores de ncleo
saturable y los rectificadores de selenio se hicieron especialmente
atractivos debido a su robustez y confiabilidad. Posiblemente la mayor
revolucin en la historia de la ingeniera elctrica ocurri en 1948 con la
invencin del transistor bipolar (BJT) por Bardeen, Brattain y Shokley
de los laboratorios Bell. En 1956 el mismo laboratorio desarrollo el
diodo de cuatro capas PNPN y posteriormente el SCR (rectificador
controlado de silicio) que es similar a un transistor de disparo, el
cual se designo tambin con la palabra Tiristor. En 1958, la
compaa General Electric introduce el tiristor comercial al
mercado, lo que marca en inicio de la era moderna de la electrnica.
Figura 1.1. Dispositivo usado en
Electrnica de Potencia


En los aos 60s se desarrolla el GTO (Gate Turn Off) que es un tipo de SCR mejorado, pues se puede disparar
y bloquear por la Terminal de gatillo o puerta.
Ya en 1970, aparecen los primeros circuitos integrados, cuya tecnologa se aplicar posteriormente en el
desarrollo de mdulos de dispositivos de potencia, simples e inteligentes. En 1981 IBM desarrolla la
computadora personal que inicia la revolucin de la informtica, y que tiene repercusiones determinantes en
todas las reas del saber humano. En la dcada de los 80s se desarrollan nuevos dispositivos de potencia tales
como el MCT (MOS Controlled Tiristor) y el IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), los cuales son
denominados componentes electrnicos hbridos, es decir, que estn formados por dos o mas dispositivos
originales, mejorando as radicalmente su desempeo. A finales de los 80s y en los aos 90s se desarrollan
mdulos que agrupan varios dispositivos en un mismo chasis. Los mdulos simples son aquellos que solo
contienen los dispositivos de potencia y algunas protecciones, como los diodos para corrientes inversas de
cargas inductivas. Por otro lado, los mdulos inteligentes o SMART MODULES que representan el estado ms
avanzado de la EP, son dispositivos electrnicos complejos que manejan en la misma unidad la potencia, las
protecciones y diagnstico, el aislamiento ptico entrada/salida, el circuito de excitacin y la lgica digital para
su trabajo (procesador). Los usuarios solo requieren conectar fuentes de alimentacin externa para su operacin.
Tambin en la dcada de los 90s se desarrollan los motores de CA de velocidad variable y los
microprocesadores de 128 bits con un total de hasta 125 millones de transistores.
Ya en los aos recientes a partir del 2000, se han desarrollado innovaciones tales como los transformadores
piezoelctricos que sustituyen con grandes ventajas a los componentes magnticos en fuentes de alimentacin
conmutadas. Otro avance significativo es en los sistemas automotrices de 42 V, en los que se convierte de dicho
voltaje a los 12 V acostumbrados mediante un Troceador.

REAS DE ESTUDIO
La Electrnica de Potencia (EP) es aquella parte de la electrnica, analgica y digital, encargada del control y la
conversin de la energa elctrica. Por su parte, la industria moderna tiene dos necesidades fundamentales a ser
atendidas desde el punto de vista de la electrnica: la primera es el diseo de sistemas electrnicos para
conversin de energa elctrica, y la segunda el diseo de circuitos electrnicos capaces de controlar la
maquinaria industrial. La EP. Adems de estudiar los dispositivos, circuitos de proteccin y disparo, tiene por
misin el aplicarlos en el control y la conversin de la energa elctrica para diversos fines, por medio de los
denominados convertidores de energa. Estos convertidores se clasifican de la manera siguiente: Rectificadores
(CA a CD): circuito formado por diodos y pueden ser monofsicos o trifsicos.
Rectificadores controlados (CA a CD): formados por SCRs y cuyo valor promedio de voltaje de salida se puede
controlar. Pulsadores o troceadores (CD a CD): Tambin formados con SCRs, conmutan el voltaje de bateras
de CD, para modificar su potencia.
Inversores (CD a CA): pueden ser formados con tiristores o transistores para alimentar cargas de CD a partir de
bancos de bateras. Cicloconvertidores (CA a CA): formados con SCRs suministran a la salida una CA de
frecuencia variable.
Cualquiera de dichos sistemas estar estructurado de acuerdo con el siguiente esquema:
En el esquema anterior se puede observar que cualquier sistema
de control electrnico de potencia est formado por tres bloques
que accionan una determinada carga (sistema a accionar). El
circuito de potencia tiene como finalidad el convertir y
proporcionar la energa requerida por la carga, de acuerdo a la
seales de disparo y bloqueo recibidas de dicho bloque funcional,
y a este ltimo llegar una seal de error que resulta de la
comparacin en funcin de la seal esperada (referencia) con
respecto a la variable real de la carga a controlar. Esta
variable puede ser velocidad de un motor, temperatura
en un calefactor, intensidad lumnica en una lmpara,
etc.

La electrnica de potencia estudia a los circuitos con tiristores, diseo y funcin en el control de potencia en un
sistema. Existen gran variedad de tiristores, pero todos ellos tienen ciertas propiedades en comn: son
dispositivos de estado slido que se disparan bajo ciertas condiciones pasando de un estado de alta
impedancia a uno de baja, estado que se mantiene mientras que la corriente y la tensin sean superiores a un
valor mnimo denominado niveles de mantenimiento. Estructuralmente, todos los tiristores estn construidos en
varias capas alternadas de silicio dopado con impurezas p y n. El disparo de un tiristor se realiza inyectando
corrientes en esas uniones de forma que, mediante un reaccin regenerativa, conmuta a conduccin y lo
Figura 1.2. Estructura de un sistema electrnico de
potencia.


mantiene en este estado aunque la seal de disparo sea retirada, siempre que se verifiquen algunos
requerimientos mnimos de tensin y corriente. Estas caractersticas hacen que los tiristores sean mucho ms
tiles que los conmutadores mecnicos (rels y contactores), en trminos de flexibilidad, duracin y velocidad.
Estos dispositivos se utilizan en control de potencia, convertidores DC-DC o DCAC o AC-DC o AC-AC,
motores, luz incandescente, etc. En la figura 1.1 se muestran los smbolos de los dispositivos pertenecientes a la
familia de los tiristores. El rectificador controlado de silicio o Silicon Controlled Rectifiers(SCR) es el tiristor de
mayor inters hoy en da.

Fue introducido en 1956 por los laboratorios de Bell Telephone y son capaces de controlar hasta 10MW con
niveles de corriente de hasta 2000A a 18000V. El control de estos dispositivos se realiza a travs de transistores,
familias lgicas, luz (en triacs optoelectrnicos), transistores de uniunin (UJTs), transistores de uniunin
programables (PUTs), conmutadores bidireccionales de silicio (SBSs), etc.
Normalmente, en el anlisis de los dispositivos electrnicos de potencia que conforman a los circuitos de
potencia, se consideran como interruptores ideales, desprecindose los efectos de la inductancia de dispersin de
circuito, la resistencia interna y la inductancia de la fuente. Esto es til sobre todo en las etapas iniciales del
diseo, es decir, llevar a cabo el anlisis simplificado para comprender la operacin del circuito y para
establecer las caractersticas y la estrategia de control. Posteriormente, se debern considerar las caractersticas
reales de los dispositivos a emplear para ajustar el diseo antes de construir un prototipo. El diseo de un equipo
de electrnica de potencia se compone de 5 pasos principales:
Diseo de los circuitos de potencia en base a los
requerimientos de la carga.
Determinacin de los dispositivos de proteccin de los
dispositivos de potencia.
determinacin de las estrategias de control.
Seleccin de los circuitos lgicos o procesador.
Diseo de las interfases y circuitos de disparo.

Comparacin de Prestaciones entre los Diferentes
Dispositivos de Electrnica de Potencia.
A continuacin se presenta una tabla con las prestaciones de los dispositivos de potencia ms utilizados,
haciendo especial hincapi en los lmites de tensin, corriente y frecuencia de trabajo.
Regiones de Utilizacin: en funcin de las caractersticas de cada dispositivo, se suele trabajar en distintas
zonas, parametrizadas por la tensin, la corriente y la frecuencia de trabajo. Una clasificacin cualitativa se
presenta en la siguiente figura: Por otro lado, la figura 1.3 muestra un grfico que compara las capacidades de
tensin, corriente y frecuencia de los componentes controlables.
En la siguiente tabla se aaden otras caractersticas importantes a tener en cuenta en el diseo de circuitos de
electrnica de potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia,
operando como conmutadores biestables, pasando de un estado conductor a un estado no conductor. Para
muchas aplicaciones se puede suponer que los tiristores son interruptores ideales, aunque los tiristores prcticos
exhiben ciertas limitaciones. Un tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro capas alternadas de estructura
PNPN con tres uniones P-N intermedias y tiene tres terminales accesibles denominados nodo, ctodo y
compuerta (o gate). El nodo corresponde al extremo P, el ctodo al extremo N y la compuerta de control
generalmente corresponde a la capa intermedia P. Este semiconductor funciona bsicamente como un diodo
rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido.

APLICACIONES
Las repercusiones de la EP en la tecnologa moderna son sumamente importantes y abarca a muchas industrias,
desde los trenes elctricos, robots industriales y automviles, hasta sistemas de aire acondicionado y
refrigeracin. En la tabla siguiente mostramos algunas de las ms comunes aplicaciones de la EP.

Las principales aplicaciones de los convertidores electrnicos de potencia son las siguientes:
Fuentes de alimentacin: En la actualidad han cobrado gran importancia un subtipo de fuentes de alimentacin
electrnicas, denominadas fuentes de alimentacin conmutadas. Estas fuentes se caracterizan por su elevado
rendimiento y reduccin de volumen necesario. El ejemplo ms claro de aplicacin se encuentra en la fuente de
alimentacin de los ordenadores.
Control de motores elctricos: La utilizacin de convertidores electrnicos permite controlar parmetros tales
como la posicin, velocidad o par suministrado por un motor. Este tipo de control se utiliza en la actualidad en

los sistemas de aire acondicionado. Esta tcnica, denominada comercialmente como "inverter" sustituye el
antiguo control encendido/apagado por una regulacin de velocidad que permite ahorrar energa.
Calentamiento por induccin: Consiste en el calentamiento de un material conductor a travs del campo
generado por un inductor. La alimentacin del inductor se realiza a alta frecuencia, generalmente en el rango de
los kHz, de manera que se hacen necesarios convertidores electrnicos de frecuencia. La aplicacin ms vistosa
se encuentra en las cocinas de induccin actuales.
Otras: Como se ha comentado anteriormente son innumerables las aplicaciones de la electrnica de potencia.
Adems de las ya comentadas destacan: sistemas de alimentacin ininterrumpida, sistemas de control del factor
de potencia, balastos electrnicos para iluminacin a alta frecuencia, interface entre fuentes de energa
renovables y la red elctrica, etc.

Podemos afirmar que la EP es una tecnologa relativamente nueva que se ha desarrollado a partir de la
electrnica analgica y de la electrotecnia gracias al avance tecnolgico en la fabricacin de los
semiconductores de potencia y de la revolucin de la electrnica digital. La EP presenta varias ventajas sobre la
electrotecnia clsica, como presentar mejores caractersticas elctricas, mayor fiabilidad y vida til de los
equipos, carencia casi total de mantenimiento preventivo, ausencia de vibraciones y no producen arco elctrico.
Por todo ello, la EP se ha introducido de lleno en las aplicaciones industriales en donde se requiere el manejo de
grandes potencias y sigue evolucionando y creciendo constantemente.

Un Tiristor es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres uniones pn tiene tres
terminales: nodo ctodo y compuerta. La fig. 1 muestra el smbolo del tiristor y una seccin recta de tres
uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusin.
directa o positiva. La unin J2 tiene polarizacin inversa, y solo fluir una pequea corriente de fuga del nodo
al ctodo. Se dice entonces que el tiristor est en condicin de bloqueo directo o en estado desactivado
llamndose a la corriente fuga corriente de estado inactivo ID. Si el voltaje nodo a ctodo VAK se incrementa a
un valor lo suficientemente grande la unin J2 polarizada inversamente entrar en ruptura. Esto se conoce como
ruptura por avalancha y el voltaje correspondiente se llama voltaje de ruptura directa VBO. Dado que las
uniones J1 y J3 ya tienen polarizacin directa, habr un movimiento libre de portadores a travs de las tres
uniones que provocar una gran corriente directa del nodo. Se dice entonces que el dispositivo est en estado
de conduccin o activado.
El SCR (RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO)

INTRODUCCIN

El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio), es un dispositivo semiconductor
biestable formado por tres uniones pn con la disposicin pnpn. Est formado por tres terminales, llamados
nodo, Ctodo y Puerta. La conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el terminal de puerta. Es un
elemento unidireccional (sentido de la corriente es nico), conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a
la vez.
Una de las clases ms importantes de la familia de los tiristores es el tiristor de tres terminales, conocido
tambin como el rectificador controlado de silicio o SCR. Este dispositivo lo desarroll la General Electric en
1958 y lo denomin SCR. El nombre de tiristor lo adopt posteriormente la Comisin Electrotcnica
Internacional (CEI). Tal como su nombre lo sugiere, el SCR es un rectificador controlado o diodo. Su
caracterstica voltaje-corriente, con la compuerta de entrada en circuito abierto, es la misma que la del diodo
PNPN.
Lo que hace al SCR especialmente til para el control de motores en sus aplicaciones
es que el voltaje de ruptura o de encendido puede ajustarse por medio de una
corriente que fluye hacia su compuerta de entrada. Cuanto mayor sea la corriente de
la compuerta, tanto menor se vuelve VBO. Si se escoge un SCR de tal manera que su
voltaje de ruptura, sin seal de compuerta, sea mayor que el mayor voltaje en el
circuito, entonces, solamente puede activarse mediante la aplicacin de una corriente
a la compuerta. Una vez activado, el dispositivo permanece as hasta que su corriente
caiga por debajo de IH. Adems, una vez que se dispare el SCR, su corriente de
compuerta puede retirarse, sin que afecte su estado activo. En este estado, la cada de
voltaje directo a travs del SCR es cerca de 1.2 a 1.5 veces mayor que la cada de
voltaje a travs de un diodo directo-oblicuo comn.
Los tiristores de tres terminales o SCR son, sin lugar a dudas, los dispositivos de uso
Figura 2.1.
Smbolo y terminales
del SCR

ms comn en los circuitos de control de potencia. Se utilizan ampliamente para cambiar o rectificar
aplicaciones y actualmente se encuentran en clasificaciones que van desde unos pocos amperios hasta un
mximo de 3,000 A. Se iniciaron actividades conducentes a la optimizacin y simulacin numrica de
dispositivos basados en materiales semiconductores III-V.
En en caso de la simulacin numrica, se trabaj en la adaptacin del programa D-AMPS-1D (un ejemplo de
sus aplicaciones puede verse en Rubinelli et al., 2001), diseado inicialmente solo para celdas solares basadas
en silicio amorfo y microcristalino, introduciendo la posibilidad de recombinacin directa, usual en materiales
III-V, sus correspondientes propiedades electro-pticas (ndice de refraccin, coeficiente de absorcin,
movilidad de portadores, gap, etc.), doble capa antirreflectante (AR), y espectro solar AM0. Tambin se tuvo en
cuenta, a fin de extender en el futuro la simulacin a una celda triple juntura InGaP-GaAs-Ge, que los
parmetros pticos y el espectro solar estuvieran definidos para todo el intervalo de respuesta de dicha celda
(300 nm -1900 nm).

Como parte del trabajo de simulacin numrica, se consider un caso particular de un dispositivo homojuntura
de GaAs cuya estructura y valores experimentales de los parmetros elctricos fueron publicados en Bett et al.,
1999. La estructura presentada en dicho artculo es similar a aquella de la Fig. 1, salvo que la capa pasivante del
emisor es de InGaP y el sustrato, de todas maneras no activo, es de GaAs. Dado que no se explicitaban valores
de los espesores de la doble capa AR MgF2-
TiO2 utilizada se hicieron clculos de optimizacin numrica a fin de determinarlos, pero considerando adems
la influencia de la capa de InGaP pasivante del emisor; parte de los resultados de esta optimizacin pueden verse
en la Fig. 2, mientras que los detalles acerca del procedimiento utilizado pueden encontrarse en Pl et al., 2003.
En la Fig. 2 se muestra que la capa ventana de InGaP influye sensiblemente en los valores ptimos de los
espesores de MgF2 y TiO2.
Finalmente, la simulacin del dispositivo completo se realiz utilizando el D-AMPS-1D, considerando los
valores ptimos del AR calculados anteriormente y ajustando la densidad de defectos en el volmen para variar
la vida media de los portadores minoritarios, obtenindose un acuerdo razonablemente bueno entre los valores
de los parmetros elctricos simulados y experimentales tanto para la tensin de circuito abierto (Voc) como
para la corriente de cortocircuito (Jsc), como puede verse en la Tabla I. La diferencia observada en el factor de
forma FF, y en consecuencia en la eficiencia de conversin h, se debe al hecho de que en la simulacin
numrica no se consideraron las prdidas hmicas debidas a los contactos elctricos que se verifican en un
dispositivo real. El diseo del equipo de medicin de respuesta espectral (RE) en celdas multijuntura, la
definicin del procedimiento de medicin, y las primeras mediciones realizadas fueron presentadas en un
artculo anterior (Fortin et al., 2005). El equipo desarrollado se basa esencialmente en una serie de filtros pticos
de banda angosta que definen la perturbacin monocromtica, una luz de polarizacin a la que es posible
modificar su espectro, y un amplificador lock-in para la medicin de la seal generada por la celda. Se
realizaron avances referidos a la automatizacin de la medicin, habindose desarrollado un programa para la
adquisin de datos que permite verificar la estabilizacin de la medicin del lock-in considerando la evolucin
del promedio de 10 lecturas, tomadas una por segundo. Cuando las diferencias de los ltimos 4 promedios se
encuentra debajo de un cierto valor (por ejemplo del 1% del promedio total), se calcula el valor medido y su
dispersin estadstica como el promedio de las ltimas 40 lecturas. Este procedimeinto permite obtener
mediciones de una mayor precisin e independientes del operador.

De esta forma fue posible refinar las mediciones de RE lo cual posibilit, por una parte, generar un nuevo patrn
de Si mejor definido en 400 nm e incorporando el punto correspondiente al filtro de 340 nm y, en consecuencia,
obtener mediciones ms precisas respecto a las presentadas en Fortin et al., 2005.
Como puede verse, las curvas resultan cualitativamente similares y, mientras que en el caso de la subcelda de
GaAs el acuerdo entre ambas curvas es muy bueno, en el caso de la subcelda de InGaP la medicin realizada en
CNEA da por resultado una ECE un poco mayor. Por medio del clculo la integral de las curvas de RE pesadas
con el espectro solar AM0, se obtuvo la densidad de corriente de cortocircuito de cada subcelda de 18,08
mA/cm2 para la subcelda de InGaP, y de 16,62 mA/cm2 para aquella de GaAs. As, la subcelda de GaAs
aparece limitando la corriente de la multijuntura, contrariamente al criterio de optimizacin aplicado por
Emcore a sus dispositivos de hacer limitar la corriente por la subcelda de InGaP. Dado que la celda ATJ medida
corresponde a un lote de dispositivos descartados por Emcore por sus deficientes caractersticas elctricas, este
resultado podra representar una evidencia de este hecho.
Se presentaron parte de las actividades realizadas hasta el presente a travs de una colaboracin entre el Instituto
IMEM-CNR de Italia y el GES de la CNEA dirigida al estudio de celdas solares multijuntura. Entre dichas
actividades, se encuentran la deposicin de estructuras monolticas de GaAs e InGaP sobre sustratos de Ge aptas

para la fabricacin de celdas solares, la simulacin y optimizacin numrica de dispositivos de GaAs, y la
caracterizacin de multijunturas a partir de la medicin de la respuesta espectral de cada subcelda.
En todos los casos se obtuvieron resultados acordes con los objetivos planteados en dicha colaboracin, los
cuales servirn como base para profundizar el conocimiento de las mencionadas celdas solares basadas en
semiconductores III-V.

Diseo de una fuente de poder usando un circuito integrado
Los reguladores se empaquetado como circuitos integrados (CI); como ejemplo, se enfocada la atencin sobre la
serie MC78XX. Las hojas de especificaciones apropiadas aparecen en el apndice D, y se deben considerar
durante la siguiente exposicin. Se pueden obtener varias pensiones diferentes de la serie de CI 7800; stas son
5, 6, 8, 8.5, 10, 12, 15, 18 y 24 V. Todo lo que se requiere para disear un regulador alrededor de uno de estos
CI es seleccionar el transformador, los diodos y el filtro. En la figura 1.33 se muestra un circuito caracterstico.
La hoja de especificaciones para este CI indica que debe existir una tierra comn entre la entrada y la salida, y
que la tensin mnima en la entrada del CI debe estar al menos 2 o 4 V por encima de la salida regulada. Para
asegurar esta ltima condicin, es necesario filtrar la salida del rectificador. Los reguladores de la serie
MC7900 son idnticos a los de la serie 7800, con la excepcin de que los primeros proporcionan tensiones
reguladas de salida negativas en vez de positivos.
Los circuitos recortadores se utilizan para eliminar parte de una forma de onda que se encuentra por encima o
por debajo de algn nivel de referencia. Los circuitos recortadores se conocen a veces como limitadores,
selectores de amplitud o rebanadores. Si se aade una batera en serie con el diodo, un circuito rectificador
recortada todo lo que se encuentre por encima o por debajo del valor de la materia, dependiendo de la
orientacin del diodo.

Para las formas de onda de salida indicadas en la figura 1.34 se supone que los diodos son ideales. Se extiende
esta suposicin para el circuito de la figura 1.34 (a) mediante la inclusin de dos parmetros adicionales en el
modelo del diodo. Primero, se supone se debe sobrepasar una tensi
Segundo, cuando el diodo conduce, se incluye una resistencia en directo, R
f
. El efecto de V es hacer que el nivel
B
en vez de V
B
. El efecto de la resistencia es cambiar la accin recortadora plana a una
que sigue a la tensin de entrada en forma proporcional (es decir, en efecto de divisin de tensin). La salida
resultante se calcula como sigue, y se ilustra en la figura 1.35.

FUNCIONAMIENTO DEL SCR
Cuando la tensin entre el nodo y el ctodo es cero, la intensidad del nodo tambin lo es. Hasta que no se
alcance la tensin de bloqueo (o disparo) (VBO) en la puerta, el tiristor no se dispara. Cuando se alcanza dicha
tensin, se percibe un aumento de la intensidad en el nodo (IA), disminuye la tensin entre el nodo y ctodo,
comportndose as como un diodo polarizado directamente.
Si se reduce la corriente que va desde nodo al ctodo hasta un mnimo llamado corriente de mantenimiento, el
tiristor entra en bloqueo, y no conduce. Si se polariza inversamente, se observa una dbil corriente inversa (de
fuga) hasta que alcanza el punto de tensin inversa mxima que provoca la destruccin del mismo. Se puede
decir que un tiristor es como un diodo controlado por una puerta (G)

El tiristor sirve como dispositivo de conmutacin en DC (corriente continua) y en AC (corriente alterna). Es
decir, son como interruptores pero rpidos y silenciosos, sin partes mviles, sin contactos electromecnicos y
que pueden controlarse electrnicamente.

En la figura 2.2 se muestra un circuito equivalente del SCR para comprender su funcionamiento. Al aplicarse
una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se producen dos corrientes: IC2 = IB1. IB1 es la
corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la
base del transistor Q2 (IB2), este a su vez causa ms corriente en IC2, que es semejante a IB1 en la base de Q1.

Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR. Tanto para el estado
de bloqueo directo, como para el estado de polarizacin inversa, existen unas pequeas corrientes de fugas.
Cuando se polariza inversamente se observa una dbil
corriente inversa (de fuga) hasta que alcanza el punto de
tensin inversa mxima que provoca la destruccin del
mismo.

Los parmetros del SCR son:

VRDM: Mximo voltaje inverso de cebado (VG = 0)
VFOM: Mximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
IF: Mxima corriente directa permitida.
PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo.
VGT-IGT: Mximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado
IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener cebado el SCR
dv/dt: Mxima variacin de voltaje sin producir
cebado.
di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de
destruir el SCR.
El rectificador controlado de silicio SCR: (Silicon Controlled Rectifier) es un tipo de tiristor formado por cuatro
capas de material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la unin de
Tiratrn (tyratron) y Transistor.

EL SCR EN CORRIENTE CONTINUA

Tomar en cuenta el grfico siguiente: ver que es un circuito de corriente continua Normalmente el SCR se
comporta como un circuito abierto hasta que activa su compuerta (GATE) con una pequea corriente (se cierra
el interruptor S) y as este conduce y se comporta como un diodo en polarizacin directa Si no existe corriente
en la compuerta el tiristor no conduce.
Lo que sucede despus de ser activado el SCR, se queda conduciendo y se mantiene as. Si se desea que el
tiristor deje de conducir, el voltaje +V debe ser reducido a 0 Voltios.
Si se disminuye lentamente el voltaje (tensin), el tiristor seguir conduciendo hasta que por el pase una
cantidad de corriente menor a la llamada "corriente de mantenimiento o de retencin", lo que causar que el
SCR deje de conducir aunque la tensin VG (voltaje de la compuerta con respecto a tierra no sea cero.
Como se puede ver el SCR, tiene dos estados:
Estado de conduccin, en donde la resistencia entre nodo y ctodo es muy baja
Estado de corte, donde la resistencia es muy elevada

EL SCR EN CORRIENTE ALTERNA
Se usa principalmente para controlar la potencia que se entrega a una carga. (en
el caso de la figura es un bombillo o foco) La fuente de voltaje puede ser de
110V c.a., 120V c.a., 240V c.a. , etc. El circuito RC produce un corrimiento de
la fase entre la tensin de entrada y la tensin en el condensador que es la que
suministra la corriente a la compuerta del SCR. Puede verse que el voltaje en el
condensador (en azul) est atrasado con respecto al voltaje de alimentacin (en
rojo) causando que el tiristor conduzca un poco despus de que el tiristor tenga
la alimentacin necesaria para conducir.
Durante el ciclo negativo el tiristor se abre dejando de conducir. Si se modifica
el valor de la resistencia, por ejemplo si utilizamos un potencimetro, se
modifica el desfase que hay entre las dos tensiones antes mencionadas ocasionando
que el SCR se active en diferentes momentos antes de que se desactive por le ciclo
negativo de la seal. y deje de conducir.
El funcionamiento de este circuito es el siguiente: La conduccin se va a producir entre el nodo y el ctodo,
despus de darle un impulso de tensin positivo en la puerta G. Para que el tiristor entre en conduccin, tienen
que cumplirse dos condiciones: - Que este polarizado directamente (tensin nodo-ctodo positiva, es decir, ms
tensin en el nodo que en el ctodo).- Aplicar un impulso de tensin positivo o una corriente entrante en la
puerta.

El acoplo entre los dos transistores que integran el tiristor produce una realimentacin positiva, puesto que la
corriente de salida de cada uno es la de entrada del otro, y si ambos semiconductores disponen de una ganancia
de corriente superior a la unidad, rpidamente cada transistor llevar al otro a la saturacin, producindose una
corriente mxima cuyo valor no estar controlado por el tiristor, sino por la carga exterior que alimenta. El
cebado del tiristor o la saturacin de los transistores que lo forman se consigue cuando se vence la polarizacin
inversa de la unin N-P interna, para lo cual es preciso aplicar un impulso adecuado, y en este caso positivo, a la
zona P desde el exterior y a travs de la puerta.
Figura 2.5. Elementos equivalentes al SCR
Figura 2.7.
SCR en AC

Cuando el impulso positivo aplicado a la puerta del tiristor satura los dos transistores que contiene, este
semiconductor se comporta prcticamente como un interruptor cerrado, absorbiendo nicamente entre su ctodo
y su nodo una pequea tensin, que oscila alrededor de 1 V, la cual mantiene en saturacin a los transistores.

TIRISTORES

El tiristor es un dispositivo semiconductor que se emplea exclusivamente en aplicaciones donde se requiera
pasar de un estado de franca conduccin (ON) a un estado de corte o apertura (estado de OFF), estas son las
llamadas aplicaciones de conmutacin. Tambin es un dispositivo bipolar y, por tanto, su conduccin hay que
verla en trminos de huecos y de electrones. Este tipo de dispositivos barre un amplio rango de corrientes y
tensiones de funcionamiento, muy superior al de los transistores bipolares (desde miliamperios hasta 5000A y
desde voltios hasta 10kV). Aunque a toda la familia de semiconductores de cuatro capas se les llama Tiristor, es
al SCR al que se le aplica el este nombre, siendo tambin el ms usado y desarrollado.
CARACTERISTICAS BSICAS
En la Figura se muestra la estructura tpica interna de un tiristor. Como se observa, est formada por una
sucesin de capas semiconductoras en la forma p-n-p-n. La capa de tipo P externa comunicada con el circuito
exterior mediante un terminal conductor es el nodo, y la capa de tipo N es el ctodo. Con esta disposicin
inicial sin ningn terminal adicional ms que los del nodo y ctodo, el dispositivo as formado recibe el nombre
de diodo de cuatro capas. Obsrvese que aparecen adems tres uniones de material semiconductor.
Este dispositivo electrnico semiconductor tiene dos estados de funcionamiento: conduccin o bloqueo.
Internamente est constituido por la unin de cuatro cristales semiconductores PNPN.

Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores de potencia. Los tiristores
se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se operan como conmutadores biestables,
Tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque los
tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones.

La electrnica de potencia concierne a los circuitos con tiristores, a su diseo y a su funcin en el control de
potencia en un sistema. Existen gran variedad de tiristores, pero todos ellos tienen ciertas propiedades en
comn: son dispositivos de estado slido que se disparan bajo ciertas condiciones pasando de un estado de
alta impedancia a uno de baja, estado que se mantiene mientras que la corriente y la tensin sean superiores a un
valor mnimo denominado niveles de mantenimiento. Estructuralmente, todos los tiristores consisten en varias
capas alternadas de silicio dopado con impurezas p y n.
El disparo de un tiristor se realiza inyectando corrientes en esas uniones de forma que, mediante un reaccin
regenerativa, conmuta a conduccin y lo mantiene en este estado aunque la seal de disparo sea retirada,
siempre que se verifiquen unos requerimientos mnimos de tensin y corriente. Estas caractersticas hacen que
los tiristores sean mucho ms tiles que los conmutadores mecnicos, en trminos de flexibilidad, duracin y
velocidad. Estos dispositivos se utilizan en control de potencia, convertidores DC-DC o DC-AC o AC-DC o
AC-AC, motores, luz incandescente, etc. El rectificador controlado de silicio o Silicon Controlled Rectifiers
(SCR) es el tiristor de mayor inters hoy en da. Fue introducido en 1956 por los laboratorios de Bell Telephone
y son capaces de controlar hasta 10MW con niveles de corriente de hasta 2000A a 18000V. El control de estos
dispositivos se realiza a travs de transistores, familias lgicas, luz (en triacs optoelectrnicos), transistores de
uniunin (UJTs), transistores de uniunin programables (PUTs), conmutadores bidireccionales de silicio
(SBSs), etc.

CARACTERSTICAS DE LOS TIRISTORES
Un Tiristor es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres
uniones pn tiene tres terminales: nodo ctodo y compuerta. La fig. 1 muestra el smbolo
del tiristor y una seccin recta de tres uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusin.
Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las uniones J1 y J3
tienen polarizacin directa o positiva. La unin J2 tiene polarizacin inversa, y solo fluir
una pequea corriente de fuga del nodo al ctodo. Se dice entonces que el tiristor est en
condicin de bloqueo directo o en estado desactivado llamndose a la corriente fuga
corriente de estado inactivo ID. Si el voltaje nodo a ctodo VAK se incrementa a un valor
lo suficientemente grande la unin J2 polarizada inversamente entrar en ruptura.

Figura 2.2. Estructura Interna del SCR

Esto se conoce como ruptura por avalancha y el voltaje correspondiente se llama voltaje de
ruptura directa VBO. Dado que las uniones J1 y J3 ya tienen polarizacin directa, habr un
movimiento libre de portadores a travs de las tres uniones que provocar una gran corriente
directa del nodo. Se dice entonces que el dispositivo est en estado de conduccin o
activado. Fig. 1 Smbolo del tiristor y tres uniones pn.La cada de voltaje se deber a la cada
ohmica de las cuatro capas y ser pequea, por lo comn 1V. En el estado activo, la corriente
del nodo est limitada por una impedancia o una resistencia externa, RL, tal y como se
muestra en la fig. 2.
La corriente del nodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche IL, a fin de mantener
la cantidad requerida de flujo de portadores a travs de la unin; de lo contrario, al reducirse el voltaje del nodo
al ctodo, el dispositivo regresar a la condicin de bloqueo. La corriente de enganche, IL, es la corriente del
nodo mnima requerida para mantener el tiristor en estado de conduccin inmediatamente despus de que ha
sido activado y se ha retirado la seal de la compuerta. En la fig. 2b aparece una grfica caracterstica v-i comn
de un tiristor.

Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un diodo en conduccin y ya no hay control sobre el
dispositivo. El tiristor seguir conduciendo, porque en la unin J2 no existe una capa de agotamiento de vida a
movimientos libres de portadores. Sin embargo si se reduce la corriente directa del nodo por debajo de un nivel
conocido como corriente de mantenimiento IH , se genera una regin de agotamiento alrededor de la unin J2
debida al nmero reducido de portadores; el tiristor estar entonces en estado de bloqueo. La corriente de
mantenimiento es del orden de los miliamperios y es menor que la corriente de enganche, IL. Esto significa
que IL>IH . La corriente de mantenimiento IH es la corriente del nodo mnima para mantener el tiristor en
estado de rgimen permanente. La corriente de mantenimiento es menor que la corriente de enganche. Cuando
el voltaje del ctodo es positivo con respecto al del nodo, la unin J2 tiene polarizacin directa, pero las
uniones J1 y J3 tienen polarizacin inversa. Esto es similar a dos diodos conectados en serie con un voltaje
inverso a travs de ellos. El tiristor estar en estado de bloqueo inverso y una corriente de fuga inversa, conocida
como corriente de fuga inversa IR, fluir a travs del dispositivo.
Etapas para la fabricacin de un dispositivo En funcin de la capacidad que tenga un material para
conducir la corriente elctrica puede ser: aislante, conductor o semiconductor. Se dice que un cuerpo es
conductor cuando puesto en contacto con un cuerpo cargado de electricidad transmite sta a todos los puntos de
su superficie. Generalmente es un elemento metlico capaz de conducir la electricidad cuando es sometido a una
diferencia de potencial elctrico. Para que ello sea efectuado eficientemente se requiere que posea una baja
resistencia para evitar prdidas por efecto Joule y cada de tensin.
Material con escasa conductividad elctrica, utilizado para separar conductores elctricos para evitar un
cortocircuito y para mantener alejadas del usuario determinadas partes de los sistemas elctricos que, de tocarse
accidentalmente cuando se encuentran en tensin, pueden producir una descarga. Los ms frecuentemente
utilizados son los materiales plsticos y las cermicas.
El comportamiento de los aislantes se debe a la barrera de potencial que se establece entre las bandas de
valencia y conduccin, que dificulta la existencia de electrones libres capaces de conducir la electricidad a
travs del material. Un material semiconductor es capaz de conducir la electricidad mejor que un aislante, pero
peor que un metal. La conductividad elctrica, que es la capacidad de conducir la corriente elctrica cuando se
aplica una diferencia de potencial, es una de las propiedades fsicas ms importantes.
Ciertos metales, como el cobre, la plata y el aluminio son excelentes conductores. Por otro lado, ciertos aislantes
como el diamante o el vidrio son muy malos conductores. A temperaturas muy bajas, los semiconductores puros
se comportan como aislantes. Sometidos a altas temperaturas, mezclados con impurezas o en presencia de luz, la
conductividad de los semiconductores puede aumentar de forma espectacular y llegar a alcanzar niveles
cercanos a la de los metales. Las propiedades de los
semiconductores se estudian en la fsica del estado slido. Entre los
semiconductores comunes se encuentran elementos qumicos y
compuestos, como el silicio, el germanio, el selenio, el arseniuro de
galio, el seleniuro de cinc y el teluro de plomo. El incremento de la
conductividad provocado por los cambios de temperatura, la luz o
las impurezas se debe al aumento del nmero de electrones
conductores que transportan la corriente elctrica. En un
semiconductor caracterstico o puro como el silicio, los electrones
de valencia (o electrones exteriores) de un tomo estn emparejados
y son compartidos por otros tomos para formar un enlace covalente
que mantiene al cristal unido. Estos electrones de valencia no estn

libres para transportar corriente elctrica.
Para producir electrones de conduccin, se utiliza la luz o la temperatura, que excita los electrones de valencia y
provoca su liberacin de los enlaces, de manera que pueden transmitir la corriente. Las deficiencias o huecos
que quedan contribuyen al flujo de la electricidad (se dice que estos huecos transportan carga positiva). ste es
el origen fsico del incremento de la conductividad elctrica de los semiconductores a causa de la temperatura.

Otro mtodo para obtener electrones para el transporte de electricidad en un semiconductor consiste en aadir
impurezas al mismo o doparlo. La diferencia del nmero de electrones de valencia entre el material dopante
(tanto si acepta como si confiere electrones) y el material receptor hace que crezca el nmero de electrones de
conduccin negativos (tipo n) o positivos (tipo p). Este concepto se ilustra en el diagrama adjunto, que muestra
un cristal de silicio dopado.
Cada tomo de silicio tiene cuatro electrones de valencia (representados mediante puntos). Se requieren dos para
formar el enlace covalente. En el silicio tipo n, un tomo como el del fsforo (P), con cinco electrones de
valencia, reemplaza al silicio y proporciona electrones adicionales.
En el silicio tipo p, los tomos de tres electrones de valencia como el aluminio (Al) provocan una deficiencia de
electrones o huecos que se comportan como electrones positivos. Los electrones o los huecos pueden conducir
la electricidad. Cuando ciertas capas de semiconductores tipo p y tipo n son adyacentes, forman un diodo de
semiconductor, y la regin de contacto se llama unin pn. Un diodo es un dispositivo de dos terminales que
tiene una gran resistencia al paso de la corriente elctrica en una direccin y una baja resistencia en la otra. Las
propiedades de conductividad de la unin pn dependen de la polaridad del voltaje, que puede a su vez utilizarse
para controlar la naturaleza elctrica del dispositivo. Algunas series de estas uniones se usan para hacer
transistores y otros dispositivos semiconductores. Los dispositivos semiconductores tienen muchas aplicaciones.
Los ltimos avances de la ingeniera han producido pequeos chips semiconductores que contienen cientos de
miles de transistores.

Estos chips han hecho posible un enorme grado de miniaturizacin en los dispositivos electrnicos. La
aplicacin ms eficiente de este tipo de chips es la fabricacin de circuitos de semiconductores de metal _ xido
complementario o CMOS, que estn formados por parejas de transistores de canal p y n controladas por un solo
circuito. Adems, se estn fabricando dispositivos extremadamente pequeos utilizando la tcnica epitaxial de
haz molecular. Las propiedades elctricas de los materiales semiconductores pueden mejorarse si se introducen
en el momento de la formacin del cristal algunos tomos de otra sustancia. Se forma entonces un
semiconductor con impurezas. As, cuando a un cristal de silicio se le aaden impurezas de arsnico aumenta su
conductividad. Ello se explica como debido a que, mientras que cada tomo de silicio contribuye con sus cuatro
electrones externos a la banda de valencia, los de arsnico contribuyen con cinco. Dado que en los
semiconductores la banda de valencia est llena, ese electrn adicional ocupar niveles discretos de energa por
encima de ella y muy prximos a la banda de conduccin, lo que hace ms fcil su promocin a dicha banda y
mejora la capacidad de conduccin elctrica del cristal.
Es posible, asimismo, inyectar en el cristal en formacin tomos de impureza con menos electrones externos que
el elemento semiconductor. Tal es el caso, por ejemplo, del galio, con tres electrones externos. Por la presencia
de este tipo de impurezas aparecen nuevos niveles de energa vacantes en las proximidades de la banda de
valencia que pueden ser ocupados por electrones excitados. Ello da lugar a la generacin de huecos en dicha
banda que contribuyen a la corriente elctrica como si se tratara de cargas positivas.
Semiconductores con impurezas tipo N y tipo P. El semiconductor que resulta por la presencia de tomos como
el arsnico, donadores de electrones extra, se considera del tipo n o negativo. Si los tomos de impureza, como
en el caso del galio, son aceptores de electrones respecto del cristal, el semiconductor resultante es del tipo p o
positivo. En los semiconductores del tipo n la conduccin es por electrones y en los del tipo p es, sin embargo,
por huecos. La unin p_n de dos semiconductores de tales caractersticas constituye un dispositivo electrnico
fundamental de utilizacin amplia en la industria y que ha permitido reducir considerablemente el tamao y el
coste de aparatos basados en la electrnica.
Desde el punto de vista de su forma de operacin, el dispositivo semiconductor ms simple y fundamental es el
diodo; todos los dems dispositivos pueden entenderse en base a su funcionamiento.
El diodo de unin P-N es el dispositivo semiconductor ms elemental.
Consiste en el dopado de una barra de cristal semiconductor en una parte con impurezas donadoras (tipo N) y en
la otra con impurezas aceptadoras (tipo P), de esta forma, en la parte P existe mucha mayor concentracin de
huecos que de electrones libres y en la parte N ocurre lo contrario.
La conductividad del diodo es diferente segn sea el sentido en que se aplique un campo elctrico externo.
Existen dos posibilidades de aplicacin de este campo: polarizacin inversa y polarizacin directa.


Consiste en aplicar a la parte N del diodo una tensin ms positiva que a la parte P. De esta forma, el campo
elctrico estar dirigido de la parte N a la parte P y los huecos tendern a circular en ese sentido, mientras que
los electrones tendern a circular en sentido contrario. Esto significa que circularan huecos de la parte N (donde
son muy minoritarios) a la parte P (donde son mayoritarios), por lo que esta corriente se ve contrarrestada por
una corriente de difusin que tiende a llevar a los huecos de donde son mayoritarios (parte P) hacia donde son
minoritarios (Parte N). Por consiguiente, la corriente global de huecos es prcticamente nula. Algo totalmente
anlogo ocurre con la corriente de electrones: la corriente de arrastre va en sentido contrario a la de difusin,
contrarrestndose ambas y produciendo una corriente total prcticamente nula. La corriente total es la suma de
la de huecos ms la de electrones y se denominan corriente inversa de saturacin (Is). En la prctica, el valor de
esta corriente es muy pequeo (del orden de nA en el Silicio) y depende de la temperatura de forma que
aumenta al aumentar sta.
En el grfico mostrado a continuacin, se muestra lo que se denomina la regin de vaciamiento, en la que no
hay electrones libres en la regin N del diodo ni huecos libres en la regin P de diodo.

Consiste en aplicar a la parte P del diodo una tensin ms positiva que a la parte N. De esta forma, el campo
elctrico estar dirigido de la parte P a la parte N. Esto significa que circularan huecos de la parte P (donde son
mayoritarios) a la parte N (donde son minoritarios) por lo que esta corriente tiene el mismo sentido que la
corriente de difusin. De esta forma, la corriente total de huecos es muy alta. Un proceso anlogo ocurre para la
corriente de electrones. La corriente total es la suma de la de huecos y la de electrones y toma un valor elevado a
partir de un determinado valor de tensin que depende del tipo de semiconductor (en el Silicio el umbral se
encuentra aproximadamente en 0,7 V y en el caso del Germanio es de 0,2 V). A continuacin, se presentan dos
grficos de un diodo polarizado en directo. En el primer grfico se aplica una polarizacin directa leve, que trae
como consecuencia una disminucin de la regin de vaciamiento.
En este caso el diodo no ha superado el umbral de conduccin del diodo.
En el segundo grfico, la tensin aplicada en directo s supera el umbral de conduccin, de manera que la
corriente presente en el diodo puede ser elevada.
Puede considerarse que el diodo es el dispositivo binario ms elemental, ya que permite el paso de corriente en
un sentido y lo rechaza en sentido contrario.

El diodo tiene un smbolo estndar mediante el cual se representa el mismo en un circuito elctrico:
La regin P del diodo se denomina nodo (destacado con la letra A) y la regin P se denomina Ctodo
(normalmente se designa con la letra K). Los diodos se empaquetan para su utilizacin de diversas maneras.
En la imagen que se presenta a continuacin se pueden observar algunas presentaciones de diodos:
A nivel comercial, existe una enorme variedad de diodos, de manera que resulte relativamente sencillo
seleccionar uno para una aplicacin especfica. A la hora de colocar un diodo en un circuito se debe respetar la
polaridad adecuada. Para ello, la mayor parte de los diodos identifican el ctodo mediante una banda pintada
sobre en el empaque del diodo.
En la imagen se puede observar que existe un texto impreso sobre el empaque del diodo. Este texto es una
referencia compuesta por nmeros y letras que identifica al diodo claramente, de manera que se puedan buscar
en los manuales que editan los fabricantes de semiconductores las caractersticas del mismo.
Anlisis De Circuitos Con Diodos
A fin de analizar un circuito con diodos, lo primero que se requiere es definir un modelo equivalente del
dispositivo. Con este propsito se utilizar un modelo simplificado del diodo, en el que se considerar que en el
estado de conduccin (polarizacin directa) se observar un paso de corriente en el dispositivo, y tendremos
sobre el mismo una tensin de 0,7V (utilizaremos un diodo de Silicio). Cuando se aplica una polarizacin
inversa, el dispositivo no conduce, con lo que su modelo equivalente ser el de un circuito abierto. En el
circuito mostrado a continuacin est presente una fuente de alimentacin de 6V que permite la polarizacin en
directo del diodo. Para calcular la corriente en el mismo basta sustituir el diodo por su modelo simplificado en
estado de conduccin:
Es conveniente recordar que la caracterstica Voltaje-Corriente de un diodo real es diferente a la simplificacin
que estamos empleando:
Las diferencias ms importantes entre ambas caractersticas son las siguientes:
1. Cuando un diodo est polarizado en directo, la corriente en el mismo responde a una funcin exponencial del
voltaje aplicado al diodo.
En caso de diodos rectificadores de potencia que manejen corrientes elevadas, se pueden observar valores de
voltaje bastante por encima de los 0,7V que estamos empleando.
2. Cuando el diodo est polarizado en inverso, aunque se pueda despreciar, existe una circulacin de corriente a
travs del dispositivo.

Dicha corriente se denomina corriente de fuga.
3. Existe un cierto voltaje mximo inverso que el diodo puede soportar sin conducir de una manera notable. Si
se supera este voltaje se presenta en el diodo un fenmeno llamado avalancha, en el cual la corriente comienza a
crecer notablemente. Normalmente esta avalancha conduce a la destruccin del dispositivo semiconductor.

En definitiva, cuando se selecciona un diodo para una aplicacin concreta, debemos asegurarnos de que el diodo
soporte la mxima corriente que se presentar en el circuito. De igual manera, debemos conocer la mxima
tensin inversa que se tendr en el circuito, a fin de seleccionar un diodo que soporte dicha tensin sin entrar en
avalancha. El diodo tiene un amplio rango de aplicaciones: circuitos rectificadores, limitadores, fijadores de
nivel, proteccin contra cortocircuitos, demoduladores, mezcladores, osciladores, etc
La rectificacin consiste bsicamente en la conversin de corriente alterna a corriente continua. Todo equipo
electrnico que se alimente de la red elctrica domstica requiere que en el mismo existan rectificadores para
que dicho equipo disponga de las tensiones de corriente continua requeridas para su correcto funcionamiento.
A la hora de hacer rectificacin se presentan dos alternativas: rectificacin de media onda y rectificacin de
onda completa. En primer lugar, nos centraremos en la rectificacin de media onda. En la figura presentada a
continuacin se muestra el montaje bsico de un rectificador de media onda.
Hay que notar que el diodo solo permitir la conduccin durante el semiciclo positivo de la seal alterna Vs.
Durante este semiciclo se tendr sobre la carga RL una tensin pico que ser 0,7V inferior al pico de la tensin
Vs. Durante el semiciclo negativo el diodo el diodo bloque el paso de la corriente y la tensin en la carga ser
igual a 0V. Como se observa en el grfico, la tensin en la carga RL tiene un valor promedio positivo. En caso
de que sea de nuestro inters que la seal sobre la carga tenga una amplitud inferior, se puede colocar un
transformador para reducir el nivel de tensin, tal como se muestra en la siguiente figura:
Rectificacin de onda completa y filtraje

Obviamente, al tener rectificacin de onda completa, la componente de corriente continua presente sobre la
carga RL es superior a la que se observa en el caso de la rectificacin de media onda. No obstante, la seal
presente sobre la carga RL dista mucho de parecerse a una tensin constante y regulada, la requerida usualmente
para alimentar a equipos electrnicos.
A continuacin se muestra un rectificador de onda completa que incluye un filtro capacitivo a la salida, con el
propsito de de obtener una mayor estabilidad en el voltaje sobre RL.
El condensador se encargar de almacenar carga (mientras algn diodo conduce), cargndose hasta un voltaje
mximo que ser igual a Vsec- 0,7V. Cuando ninguno de los diodos conduce, el condensador se descargar a
travs de la resistencia de carga RL. Si se selecciona un valor adecuado para el condensador, la descarga puede
ser relativamente baja, presentndose sobre RL la tensin que se muestra en la figura a continuacin:
Observando con mayor detalle el ltimo grfico, resulta interesante destacar varios elementos del mismo: De
este grfico se pueden destacar los siguientes parmetros: T: Perodo de la seal en la carga. Si consideramos
que la alimentacin AC en el primario es de 50Hz, el perodo T ser de 10ms, la mitad del perodo de la seal de
lnea AC. Nota: En caso de hacer rectificacin de media onda, el perodo T coincide con el de la lnea AC, es
decir 20ms. TD: Tiempo de descarga del condensador (coincide con el intervalo de tiempo durante el que
ninguno de los diodos conduce). TC: Tiempo de carga del condensador (coincide con el intervalo de tiempo
durante el que alguno de los diodos conduce).
Vriz: Voltaje de rizado, la diferencia entre el mximo y el mnimo voltaje sobre el condensador (Vmax-Vmin).
Obviamente, mientras menor sea el voltaje de rizado, el voltaje de salida (VRL) ser ms adecuado como
tensin de alimentacin para un circuito electrnico. Rectificador de onda completa tipo puente
En la figura mostrada a continuacin, se presenta otro montaje para realizar rectificacin de onda completa:
Durante el semiciclo positivo de la seal Vs, los diodos D2 y D3 estn polarizados en directo, mientras que D1
y D4 estn en circuito abierto.

Note que la tensin pico sobre RL ser igual a la tensin pico de Vsec menos la cada de tensin en los dos
diodos que conducen (1,4V).
Durante el semiciclo negativo de Vs los diodos D1 y D4 estn polarizados en directo, mientras que D2 y D3
estn en circuito abierto. La tensin pico sobre RL tambin presenta la cada de 1,4V antes mencionada. En
cualquiera de los casos, la tensin sobre RL siempre es positiva.
Normalmente para hacer este montaje no se emplean 4 diodos separados, sino que se utiliza un rectificador tipo
puente, que en el mismo empaque incluye los 4 diodos:
Como todo dispositivo semiconductor, un puente rectificador viene identificado mediante una referencia (en
este caso BR-82D), con el fin de poder comprobar sus especificaciones en el manual del fabricante.

En caso de utilizar un filtraje capacitivo en este montaje, son totalmente vlidas las consideraciones realizadas
en apartados anteriores, siempre recordando que el voltaje pico en el condensador es 1,4V inferior al pico en el
secundario.

Reciben este nombre un cierto nmero de estructuras electrnicas formadas por sustancias slidas
semiconductoras. El t. es un dispositivo amplificador (v.) semiconductor (v.), que en muchos aspectos se ha
mostrado superior a la vlvula electrnica, habindola desplazado en muchas de sus posibilidades de uso. El t.
tiene a su favor, respecto de la vlvula de vaco: su reducido tamao, no necesita potencia calefactora de ctodo,
el rendimiento en conversin de potencia es muy elevado, no presenta perturbaciones microfnicas, su vida es
extremadamente dilatada, es menos frgil y de precio ms reducido, frente al de aqullas, a igualdad de
prestaciones. Tiene tambin ciertos inconvenientes: gama de frecuenciasde aplicacin ms reducida, potencias
de salida ms bajas y temperatura admisible de ambiente de trabajo nienos elevada.
Fsica de la semiconduccin. En las substancias semiconductoras (v.), los tomos (Y.) estn ordenados segn
una estructura estercomtrica tetravalente, de modo que pueden tener electrones compartidos con los tomos
contiguos, formando los enlaces covalentes (V. ENLACES QUMICOS, 3). Los electrones, que forman la nube
negativa que rodea al ncleo positivo de un tomo, estn situados, segn su energa, en las bandas orbitales de
energa. Los electrones de valencia, que forman los enlaces covalentes, ocupan bandas de energa llenas, que se
solapan de unos tomos a otros. Para que los electrones de valencia pasen a la banda de energa superior (banda
de conduccin) es preciso que adquieran una energa adicional. En los semiconductores, esta energa adicional
es pequea, y la simple agitacin trmica, a temperatura ambiente, eleva los electrones de valencia a la banda de
conduccin, dejando huecos vacantes que se rellenan con otros electrones de la misma banda de energa. Los
huecos vacos de electrones se denominan huecos positivos. La conduccin elctrica en los semiconductores
puede realizarse por el movimiento de electrones en la banda de conduccin, o por el movimiento de huecos
positivos en la banda de valencia. r_stos son los semiconductores intrnsecos.

Los procesos internos en un semiconductor pueden modificarse por la presencia de pequeas cantidades de
impurezas, especialmente cuando las impurezas consisten en tomos con cinco o tres electrones de valencia. En
el primer caso, el tomo de impurezas puede reemplazar a un tomo de germanio o silicio (elementos
semiconductores ms importantes) en la red cristalina; as, cuatro electrones forman el enlace covalente y uno
queda libre. La energa de ese electrn es un poco menor que la correspondiente a la banda de conduccin del
semiconductor y trmicamente se le puede elevar a dicha banda y contribuir as a la conduccin elctrica. Este
tipo de impurezas (fsforo, arsnico) se conocen con el nombre genrico de dador, ya que cede un electrn a la
banda de conduccin del semiconductor. Los semiconductores con estas impurezas se denominan
semiconducto,res tipo-n (portadores negativos). Cuando la impureza est formada por tomos de valencia tres, y
uno de estos tomos reemplaza a uno de germanio o silicio en la red cristalina, aparece un hueco positivo
accesible a los electrones de valencia del semiconductor, ya que la energa del nivel que corresponde a ese
hueco queda por encima y muy cerca de la banda de valencia. Todo electrn que salta a la impureza deja tras de
s un hueco positivo que contribuye a la conduccin elctrica. Estos semiconductores se llaman semiconductores
tipo p (portadores positivos), y la impureza (aluminio, indio, boro), aceptador. La fig. 1 representa los diagramas
energticos correspondientes al semiconductor intrnseco, al tipo n y al tipo p. La concentracin de
impurezas en los semiconductores (normalmente un tomo de impureza por 108 tomossemiconductores)
cambia la conduccin elctrica. La, influencia de la temperatura es decisiva.

Si artificialmente se unen un semiconductor tipo p con uno tipo n, en las proximidades de la superficie de
unin aparece un proceso de difusin. El exceso de electrones conductores en el semiconductor tipo n
provoca un gradiente en la concentracin de cargas elctricas libres y permite el paso, a travs de la
discontinuidad, de electrones del material n al p. De igual modo, hay una difusin de huecos positivos del
material p al n. Al cabo de cierto tiempo, el semiconductor tipo p se carga negativamente, y el n,
positivamente, y se establece un campo elctrico que se opone al movimiento de las cargas, distribuyndose el
potencial a travs de la superficie de separacin, segn se muestra en la fig. 2. Hay equilibrio cuando la
corriente media es nula.
Fsica del transistor. La fig. 3, presenta dos tipos diferentes de sandwich formado por dos capas de
semiconductor tipo p (n) entre las que se sita una delgada capa de semiconductor tipo n (p). La
estructura de la fig. 3 forma el t. de unin; aunque no todos los t. presentan estructuras idnticas a sta, su
anlisis ayuda a comprender el proceso en el movimiento de portadores elctricos en el interior del t., y, por
tanto, el comportamiento global del transistor.


El t. consiste en la yuxtaposicin de dos uniones pn (np). Hay dos tipos posibles: t. pnp y t. npn. La
operatividad de ambos es conceptualmente idntica, excepto en el intercambio de portadores mayoritarios y
minoritarios, as como en la polaridad elctrica externa que se aplica a los mismos. En la fig. 3 se muestran
tambin los esquemas simblicos del t. como elemento de un circuito. Las tres zonas de un t. se denominan:
emisor, base y colector. La flecha en el terminal emisor indica el sentido de circulacin de corriente.
La fig. 4(A) muestra el montaje de un t. como elemento de un circuito. El t. es un pnp, con dos fuentes de
tensin que polarizan las uniones emisor-base y colectorbase. La fig. 4(13) presenta la variacin de potencial en
un t. no polarizado, o sea, en circuito abierto; el esquema (C) de la fig. 4 esquematiza la variacin del potencial
interno en el t. polarizado. La curva de puntos da la distribucin anterior a la aplicacin de los campos elctricos
externos, y la curva continua la distribucin obtenida despus de aplicar la polarizacin externa. En ausencia de
voltajes externos, las barreras de potencial en las uniones se ajustan por s mismas al valor Vo (dcimas de
voltios); lo que hace que no circule corriente. Al aplicar tensiones elctricas externas, stas aparecen en las
uniones; as, la polarizacin positiva de la unin emisor-base hace descender la barrera de potencial en un valor
igual al voltaje de polarizacin externo, VEB, mientras que la polarizacin negativa de la unin colector-base
incrementa en VcB la barrera de potencial correspondiente. El descenso de la barrera emisor-base hace que
aumente la corriente de emisor y que se inyecten huecos positivos en la base. El potencial es constante a lo largo
de la base (resistencia hmica despreciable) y los huecos inyectados se difunden a travs del semiconductor tipo
n hacia la unin colector-base, cayendo posteriormente, por el descenso de potencial, y siendo recogidos
por el colector.

La corriente de emisor IE est formada por los huecosernisor-base, I,E, y la corriente de electrones 4E
(baseemisor). La relacinIPE11,1Ees funcin directa de las conductividades de los materiales p y n. El t.
pnp tiene un emisor con ms impurezas que la base, de modo que la corriente de emisor est
fundamentalmente constituida por huecos. Por otra parte, no todos los huecos que cruzan la frontera emisorbase
alcanzan la unin colector-base, debido a recombinaciones con electrones en el semiconductor base. Si Ipc es la
corriente de huecos en la unin colector-base, la corriente de recombinacin esIPE - IPC*Con el emisor en
circuito abierto, IE=0,al igual que I,c, actuando el conjunto base-colector como un diodo inversamente
polarizado, siendo la corriente de colector Ic igual a la corriente inversa de saturacin Ico. CuandoIE 7~: 0(fig.
5), se observa que1, = ICO - Ipc.
Para un t. pnp, Ico est formada por los huecos que cruzan la frontera colector-base y por los electrones que la
atraviesan en sentido opuesto. Los sentidos de la fig. 5 hacen referencia a un t. pnp; si el t. fuese npn, los
sentidos seran los contrarios.

Como puede deducirse de la fig. 5, la polarizacin directa del emisor representa para el movimiento de los
electrones una resistencia elctrica muy pequea, mientras que la polarizacin inversa del colector implica
una resistencia elctrica muy grande. Dado que la corriente es casi idntica en ambos, resulta una amplificacin
(ganancia) de potencia muy grande.El t. se caracteriza por un coeficiente a, denominado factor de ganancia de
corriente, y que es la relacin entre las corrientes de colector y emisor, siendo constante el voltaje en el colector.
El factor de ganancia a no es una constante, sino que vara en funcin de IE, VcB y de la temperatura, es adems
un coeficiente positivo, siendo su valor tpico comprendido entre 0,90 y 0,995. El valor a est relacionado por la
ecuacina=ey,con otros coeficientes importantes. y es la eficiencia o rendimiento del emisor, o sea, la fraccin
de la corriente a travs de la unin emisor-base, que se realiza por huecos (t. pnp); E es el factor de transporte,
que relaciona la corriente de colector y la de huecos inyectada en la base desde el emisor. La fig. 5 presenta, en
esquema, las corrientes elctricas en el t., en las que la corriente de emisor IE acta como parmetro.

Construccin de transistores

Cinco son las tcnicas bsicas para la fabricacin de t. y dispositivos semiconductores: la tcnica de crecimiento
extrae un monocristal de una masa fundida de silicio o germanio, cuya concentracin de impurezas se cambia
durante la extraccin del cristal aadiendo tomos n o p, segn el caso. En la tcnica de aleacin o fusin,
la seccin central (base) del t. es una oblea delgada tipo n, a la que se adosan dos pastillas de indio a cada
lado de la misma y se somete el conjunto durante un tiempo pequeo a una temperatura elevada, superior al
punto de fusin del indio, pero inferior a la del germanio, de manera que el indio disuelve el germanio ms
prximo, y se forma una solucin saturada. Al enfriarse el germanio en contacto con la base, recristaliza con una
concentracin de indio suficiente para cambiarlo de tipo n a p. En esta tcnica, el colector se hace de mayor
tamao que el emisor para que, subtendiendo un ngulo mayor, la corrientede emisor que se deriva hacia el
terminal base sea mnima. La tcnica de grabado electroltico consiste en reducir el espesor de una capa
semiconductora en su zona central, depositndose a continuacin por procesos electrolticos, y sobre la zona

rebajada, un metal adecuado que formar el emisor y el colector; as se constituye el t. de barrera superficial, de
pequeo inters comercial en la actualidad.

Es de importancia fundamental la consecucin de dimensiones muy pequeas de las diversas zonas del t., de
modo que el comportamiento del mismo en altas frecuencias sea satisfactorio. Esto es difcil mediante las
tcnicas ya analizadas, tenindose que recurrir a otras ms complejas. La tcnica de difusin-mesa es ms
adecuada para la obtencin de t. de alta frecuencia. Mediante esta tcnica, la unin base-colector se efecta
colocando una capa de monocristal tipo p en la atmsfera de un gas caliente (p.ej., tomos de antimonio).
Cuando el monocristal se calienta, los tomos de gas se difunden en l hasta profundidades de 10-3 mm., y
seguidamente el cristal es qumicamente corrodo para producir una pequea regin elevada, o mesa, de unos
22 mm. de dimetro. Sobre la superficie de la mesa, adecuadamente
enmascarada, se dejan expuestas dos regiones de unos 0,3 mm. de
dimetro, de manera que metales apropiados se depositen sobre ellas
por evaporacin en vaco; en una etapa posterior el conjunto es
mantenido a una temperatura bastante elevada para que los dos
depsitos metlicos se difundan en la regin n. Se obtiene as un
emisor de tipo p con uno de los depsitos metlicos, mientras que el
otro hace contacto metlico conductor con la base. Con la tcnica de
difusin-planar, semejante a la anterior, la superficie de la unin
colector-base se forma mediante una difusin a travs de una mscara previamente fotograbada para luego
difundir el emisor sobre la base, creciendo, por ltimo, una capa de dixido de silicio sobre toda la superficie.
La tcnica epitaxial consiste en crecer una capa monocristalina de silicio o germanio muy delgada y de alta
pureza sobre un sustrato fuertemente impurificado del mismo material; este cristal crecido forma el colector
sobre el cual se difunden la base y el emisor. La fig. 6 muestra las estructuras de los t. obtenidos con alguna de
las tcnicas examinadas.

Por su inters histrico, merece mencionar el primer tipo de t. inventado. Este dispositivo consta de dos hilos de
tungsteno de puntas muy finas, que presionan sobre una oblea semiconductora. La fiabilidad y repetibilidad de
este t. de contacto es muy deficiente; en la prctica, este t. no se utiliza. Varios cientos de t. pueden fabricarse
simultneamente, partiendo de un nico lecho semiconductor de 1 cm. de dimetro; luego se separan y se
encapsulan. Las caractersticas operacionales del t. se muestran mediante curvas representativas de su
comportamiento. La fig. 7 presenta dos series de tales curvas. En la primera de ellas aparece la variacin de la
corriente en el colector respecto del voltaje en el mismo colector, cuando la corriente en el emisor toma ciertos
valores fijos; obsrvese que las curvas son planas, rectas y uniformemente espaciadas, lo cual indica la gran
utilidad del t. como amplificador. Prcticamente, la corriente de emisor determina la corriente de colector con
independencia del voltaje en el colector. Las curvas de la fig. 7(A) son tpicas de un t. de unin en la disposicin
de base comn, o sea, cuando la base acta como punto comn en el circuito. En la fig. 7(13) aparece tambin la
variacin de la corriente de colector cuando vara el voltaje en el colector, pero para un cierto nmero de valores
de corriente de base. En este caso, el emisor del t. es el punto comn (emisor comn). En estas curvas se
observa que la corriente en el colector no es independiente del voltaje en el mismo, lo que indica que la
resistencia de salida del t., en este tipo de conexin, es muy pequea. Tambin la corriente de base es pequea,
lo que significa que la resistencia del circuito base-emisor es moderadamente alta. Este resultado contrasta con
los altos valores de corriente de emisor que aparecen en la fig. 7(A). La determinacin de los parmetros del t.,
partiendo de circuitos como los empleados en la obtencin de las curvas de la fig. 7, es difcil de realizar con
mediciones directas en los t. reales. Por esta razn se acude a circuitos equivalentes que facilitan el anlisis
del transistor. Todo circuito electrnico con dus terminales de entrada y dos de salida, independientemente de la
mayor o menor complicacin interna del mismo, puede, para su anlisis, considerarse como un cuadripolo como
el presentado en la fig. 8, junto con las ecuaciones que lo caracterizan. Los coeficientes hil, h]2, h2l y h22 se
denominan parmetros h o hbridos, ya que no son homogneos dimensionalmente; si no existen elementos
reactivos dentro del cuadripolo (dentro del t.), los parmetros h son siempre nmeros reales. El modelo
matemtico cuadripolar es aplicable al t. siempre y cuando, en su regin activa, el t. trabaje linealmente, o
sea, son pequeas las variaciones alrededor del punto de reposo, por lo que pueden considerarse constantes los
parmetros del t. para todo el margen de variacin de las seales externas que se puedan aplicar al mismo.

La relacin funcional que aparece en la fig. 8, y que caracteriza al cuadripolo, expresa las variaciones de la
corriente de salida y voltaje de entrada, cuya medida es factible, en funcin de la corriente de entrada y del
voltaje de salida, tambin medibles. La fig. 9 presenta tres configuraciones cuadripolares del t. junto a sus
modelos hbridos y ecuaciones funcionales caractersticas. Estas relaciones funcionales son precisamente las

0V
+5V
12V
lamp
15V
rms
T
2
G
R
100R
T
1

curvas caractersticas del t. (fig. 7). Habitualmente se especifican dos familias de curvas para el transistor. Las
curvas caractersticas de salida describen grficamente la relacin entre la corriente y la tensin de salida, con
la corriente de entrada como parmetro. Las caractersticas de entrada describen la relacin entre la tensin y
la corriente de entrada, con la tensin de salida como parmetro. Si se conocen las caractersticas de entrada
ysalida de una configuracin particular del t., pueden determinarse grficamente los parmetros hbridos del t.
para tal configuracin, parmetros que para todo t. comercial son facilitados por el fabricante. La tabla 1
presenta las relaciones entre los parmetros hbridos de una configuracin y las dos restantes.

Transistores especiales
Aunque el t. de unin es el tipo ms importante por su amplio uso, cierto nmero de t. de gran inters han sido
desarrollados. El t. de efecto de campo (FET) mejora el comportamiento del t. de unin en altas frecuencias; en
el FET el flujo de los portadores mayoritarios es controlado mediante un voltaje externo aplicado a la unin
pn, lo que hace que aparezca una gran impedancia de entrada, y la aceleracin de los portadores mayoritarios,
respondiendo al voltaje externo aplicado, reduce el tiempo de transporte de los portadores desde la entrada a la
salida. De inters son tambin los t. de unin de construccin similar a la del FET y los SCR (silicon controlled
rectifiers), que son esencialmente t. de unin, de estructura pnpn, y que se obtiene aadiendo una tercera
unin pn al t. normal. El t. denominado diodo de cuatro capas es un SCR cuya conexin exterior es distinta.
Como se coment en la introduccin, la invencin del transistor bipolar a mediados del siglo XX (Inventado por
John Bardeen, William Bradford Shockley y Walter Brattain), marc un antes y un despus en el mundo de la
electrnica. El transistor bipolar es el dispositivo que se ha empleado (y se sigue empleando) como elemento
fundamental para el diseo de los circuitos electrnicos (incluyendo los circuitos integrados). En este punto,
sera injusto no mencionar tambin como elementos bsicos constructivos a los distintos tipos de transistores de
efecto de campo, con fechas de invencin posteriores al transistor bipolar. La caracterstica bsica que hace que
el transistor sea un dispositivo tan til es su propiedad de amplificar corriente, cosa que se detallar en este
captulo. En la figura presentada a continuacin se muestran varios transistores de diferentes potencias. Como
ya se ha comentado otras veces, este dispositivo de tres terminales no se puede distinguir a simple vista de otros
que tengan el mismo nmero de patillas.

MODELO DE TIRISTOR DE DOS TRANSISTORES

La accin regenerativa o de enganche de vida a la retroalimentacin directa se puede demostrar mediante un
modelo de tiristor de dos transistores. Un tiristor se puede considerar como dos transistores complementarios, un
transistor PNP, Q1, y un transistor NPN, Q2, tal y como se demuestra en la figura 3. La corriente del colector IC
de un tiristor se relaciona, en general, con la corriente del emisor IE y la corriente de fuga de la unin colector-
base ICBO, como Ic = IE + ICBO (1) La ganancia de corriente de base comn se define como =IC/IE.
Para el transistor Q1 la corriente del emisor es la corriente del nodo IA, y la corriente del colector IC1 se puede
determinar a partir de la ecuacin (1): IC1 =1 IA + ICBO1 (2) .Donde alfa1 es la ganancia de corriente y
ICBO1 es la corriente de fuga para Q1. En forma similar para el transistor Q2, la corriente del colector IC2 es:
IC2 = 2IK+ICBO2 (3) .Donde 2 es la ganancia de corriente y ICBO2 es la corriente de fuga correspondiente a
Q2. Al combinar IC1 e IC2, obtenemos: IA = IC1 + IC2 = 1IA + ICBO1 + 2IK + ICBO2 (4) Pero para una
corriente d compuerta igual AIG, IK=IA+IG resolviendo la ecuacin anterior en funcin de IA obtenemos: IA
= 2 IG + ICBO1 + ICBO2 (5)

ACTIVACIN DEL TIRISTOR

Un tiristor se activa incrementndola corriente del nodo. Esto se puede llevar a cabo mediante una de las
siguientes formas.
TERMICA. Si la temperatura de un tiristor es alta habr un aumento en el nmero de pares electrn-hueco, lo
que aumentar las corrientes de fuga. Este aumento en las corrientes har que 1 y 2 aumenten. Debido a la
accin regenerativa (1+2) puede tender a la unidad y el tiristor pudiera activarse. Este tipo de activacin puede
causar una fuga trmica que por lo general se evita.
LUZ. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentaran los pares electrn-hueco
pudindose activar el tiristor. La activacin de tiristores por luz se logra permitiendo que esta llegue a los discos
de silicio.

Si la velocidad de elevacin del voltaje nodo-ctodo es alta, la corriente de carga de las uniones capacitivas
puede ser suficiente para activar el tiristor. Un valor alto de corriente de carga puede daar el tiristor por lo que
el dispositivo debe protegerse contra dv/dt alto. Los fabricantes
especifican el dv/dt mximo permisible de los tiristores.
CORRIENTE DE COMPUERTA. Si un tiristor est polarizado
en directa, la inyeccin de una corriente de compuerta al aplicar un
voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las terminales
del ctodo activar al tiristor. Conforme aumenta la corriente de
compuerta, se reduce el voltaje de bloqueo directo, tal y como
aparece.
ALTO VOLTAJE. Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor
que el voltaje de ruptura directo VBO, fluir una corriente de fuga
suficiente para iniciar una activacin regenerativa. Este tipo de
activacin puede resultar destructiva por lo que se debe evitar.
TIPOS DE TIRISTORES
Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La
corriente del nodo requiere de un tiempo finito para propagarse por toda el rea de la unin, desde el punto
cercano a la compuerta cuando inicia la seal de la compuerta para activar el tiristor. Para controlar el di/dt, el
tiempo de activacin y el tiempo de desactivacin, los fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta.
Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de activacin y desactivacin, en general los
tiristores pueden clasificarse en nueve categoras: Tiristores de control de fase (SCR).Tiristores de conmutacin
rpida (SCR).Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO).Tiristores de triodo bidireccional
(TRIAC).Tiristores de conduccin inversa (RTC).Tiristores de induccin esttica (SITH)
Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR)Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
Tiristores controlados por MOS (MCT)

Funcionalidad de la Compuerta
La misin de la puerta es polarizar y adelantar el momento de disparo, es decir de la puesta en conduccin, pero
despus de esto ya no tiene ninguna funcin excepto en unos tiristores especiales llamados GTO que son
disparables y bloqueables por puerta. Es importante destacar las caractersticas que deben tener los impulsos de
encendido aplicados al tiristor. Los fabricantes suministran para ello unas curvas denominadas caractersticas de
puerta. La del tiristor se asemeja a la de un diodo semiconductor al que se le han permutado los ejes, siendo
lgica esta analoga, puesto que la unin puerta-ctodo es una unin P-N.

Debido a que no todos los tiristores, an siendo del mismo tipo tienen la misma caracterstica de puerta, es
habitual que el fabricante incluya una familia de curvas o lmites de las mismas en las especificaciones tcnicas
de los tiristores, de manera que el usuario pueda hacerlos operar en el margen de disparo o encendido adecuado.
En la siguiente grfica se representa los lmites de curvas posibles fijados entre A y B. El disparo se debe
efectuar dentro de la zona acotada por dichas curvas pero considerando los valores de:
Tensin y corriente mnima, para producir el encendido de todos los elementos de la familia.
Tensin directa mxima admisible de los impulsos de encendido.
Potencia mxima que puede disipar la unin de puerta. Todas estas limitaciones estn incluidas en los lmites y
zonas representadas en la grfica: La zona S es la zona de encendido probable para cualquier tiristor de la
familia, pero no es seguro. La zona S es la zona de encendido seguro, garantiza el encendido de cualquier tiristor
de la familia. Mtodos de Poner en Conduccin el Tiristor: Hay varios modos de poner el tiristor en conduccin:
Tener una intensidad de puerta igual a cero, cuando la tensin nodo-ctodo es mayor que la tensin de bloqueo.
Cuando la tensin nodo-ctodo supera el gradiente de tensin. Cuando la tensin nodo-ctodo es menor que la
tensin de bloqueo, y aplicamos una intensidad en la puerta.
Cuando el tiristor es un fototiristor, por la luz.

Mtodos de Bloquear el Tiristor:
Tambin hay varios modos de bloquear el tiristor: Cuando la tensin nodo-ctodo cambia de polaridad, es decir
Vak se polariza inversamente. Cuando se abre el circuito. Vak = 0
Cuando la intensidad disminuye por debajo de un valor determinado. Vak < Tensin de mantenimiento.
Aplicando una tensin inversa durante un corto perodo de tiempo Vak < 0

PARAMETROS Y CARACTERISTICAS MS IMPORTANTES

Interruptor casi ideal soporta tensiones altas, amplificador eficaz es capaz de controlar grandes potencias, fcil
controlabilidad, relativa rapidez, caractersticas en funcin de situaciones pasadas (memoria).

CARACTERSTICAS ESTTICAS
Las caractersticas estticas corresponden a la regin nodo - ctodo y son los valores mximos que colocan al
elemento en lmite de sus posibilidades:
Tensin inversa de pico de trabajo: VRWM
Tensin directa de pico repetitiva: VDRM
Tensin directa: VT
Corriente directa media: ITAV
Corriente directa eficaz: ITRMS
Corriente directa de fugas: IDRM
Corriente inversa de fugas: IRRM
Corriente de mantenimiento: IH
Las caractersticas trmicas a tener en cuenta al trabajar con tiristores
son:
Temperatura de la unin: Tj
Temperatura de almacenamiento: Tstg
Resistencia trmica contenedor-
disipador: Rc-d
Resistencia trmica unin-contenedor: Rj-c
Resistencia trmica unin-ambiente: Rj-a
Impedancia trmica unin-contenedor: Zj-c

CARACTERSTICAS DE CONTROL
Corresponden a la regin puerta-ctodo y determinan las propiedades del circuito de mando que responde mejor
a las condiciones de disparo. Los fabricantes definen las siguientes caractersticas:

Tensin directa mxima: VGFM
Tensin inversa mxima: VGRM
Corriente mxima: IGM
Potencia mxima: PGM
Potencia media: PGAV
Tensin puerta-ctodo para el encendido: VGT
Tensin residual mxima que no enciende ningn elemento: VGNT
Corriente de puerta para el encendido: IGT
Corriente residual mxima que no enciende ningn elemento: IGNT

Entre los anteriores destacan: -VGT e IGT, que determinan las
condiciones de encendido del dispositivo semiconductor. -VGNT e IGNT, que dan los valores mximos de
corriente y de tensin, para los cuales en condiciones normales de temperatura, los tiristores no corren el riesgo
de dispararse de modo indeseado.rea de Disparo Seguro. En la figura 2.10 se obtienen las condiciones de
disparo del SCR.
Las tensiones y corrientes admisibles para el disparo se encuentran en el interior de la zona formada por las
curvas: Curva A y B: lmite superior e inferior de la tensin puerta-ctodo en funcin de la corriente positiva de
puerta, para una corriente nula de nodo.
Curva C: tensin directa de pico admisible VGF.
Curva D: hiprbola de la potencia media mxima PGAV que no debemos sobrepasar.
El diodo puerta (G) - ctodo (K) difiere de un diodo de rectificacin en los siguientes puntos:
- Una cada de tensin en sentido directo ms elevada.
- Mayor dispersin para un mismo tipo de tiristor.

CARACTERISTICAS ASOCIADAS AL ESTADO DE BLOQUEO
Son esenciales para la seleccin del SCR, ya que deben ser superiores a los valores mximos que se quieren
controlar. Se maneja un coeficiente de seguridad de 2.5.
VRRM: Tensin inversa repetitiva mxima. Valor mximo que soporta el SCR de tensin negativa.
Figura 2.9. Curva Esttica del SCR

VDRM: Tensin directa repetitiva mxima. Valor de tensin mximo que puede soportar el SCR sin cebarse.
VDSM: Tensin directa mxima de pico repetitivo. Valor mximo de tensin directa con circuito de puerta
abierto que se puede aplicar durante un cierto tiempo sin provocar el disparo.
VRSM: Tensin inversa de pico no repetitiva. Tensin mxima inversa que se puede aplicar durante un cierto
tiempo sin que haya avalancha.
VBO: Tensin directa de basculamiento. Tensin directa que produce el cebado del SCR sin la intervencin de
la puerta.
VBR: Tensin inversa de ruptura o avalancha.
ID: Corriente directa de saturacin, bloqueo o fugas. Valor mximo de la corriente del tiristor en sentido directo
y estado de bloqueo directo referida a una Tj determinada y a una tensin directa determinada.
IR: Corriente inversa de bloqueo, fugas o saturacin. Valor mximo de la corriente inversa del tiristor en estado
de bloqueo inverso, referida a una Tj y tensin inversa determinada.
CARACTERISTICAS ASOCIADAS CON EL ESTADO DE CONDUCCIN
ITAVM: Corriente directa media mxima. Valor mximo de la corriente media en sentido directo bajo una Tj y
factor de forma de la corriente concretas.
ITRMSM: Valor eficaz mximo de la corriente directa mxima. Valor mximo que en valor eficaz puede
alcanzar la corriente directa en unas condiciones de T determinadas.
ITSM: Corriente directa de choque mxima. Valor eficaz mximo de la corriente que puede soportar el SCR
durante un tiempo y una Tj determinada.
Rt: Resistencia de la pendiente de la caracterstica de conduccin.
I2t: Integral de carga limite. Sirve para elegir lo fusibles que se colocaran en las ramas donde estn los SCR.
VTO: Tensin umbral. Cada de tensin mnima del SCR en sentido directo.
VT: Cada de tensin directa.

CARACTERSTICAS DINMICAS.
Tensiones transitorias:
Valores de la tensin superpuestos a la seal de la fuente de alimentacin.
Son breves y de gran amplitud.
La tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM) debe estar dentro de esos valores.
Impulsos de corriente: Para cada tiristor se publican curvas que dan
la cantidad de ciclos durante los cuales puede tolerarse una corriente
de pico dada.
A mayor valor del impuso de corriente, menor es la cantidad de
ciclos.
El tiempo mximo de cada impulso est limitado por la temperatura
media de la unin.
ngulos de conduccin:
La corriente y tensin media de un SCR dependen del ngulo de conduccin.
A mayor ngulo de conduccin, se obtiene a la salida mayor potencia.
Un mayor ngulo de bloqueo o disparo se corresponde con un menor
ngulo de conduccin.
ngulo de conduccin = 180 - ngulo de disparo
Conociendo la variacin de la potencia disipada en funcin de los
diferentes ngulos de conduccin podremos calcular las
protecciones necesarias.
CARACTERISTICAS DE CONMUTACIN
Los tiristores no son interruptores perfectos, necesitan un tiempo
para pasar de corte a conduccin y viceversa. Vamos a analizar este
hecho.
Tiempo de encendido (Ton): es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de corte a conduccin. Se divide en dos
partes (Figura 2.14):
Tiempo de retardo (td): tiempo que transcurre desde que la corriente de puerta alcanza el 50 % de su valor final
hasta que la corriente de nodo alcanza el 10 % de su valor mximo. Depende de la corriente de mando, de la
tensin nodo - ctodo y de la temperatura (td disminuye si estas magnitudes aumentan).
Tiempo de subida (tr): tiempo necesario para que la corriente de nodo pase del 10 % al 90 % de su valor
mximo, o, el paso de la cada de tensin en el tiristor del 90 % al 10 % de su valor inicial.
T
on
= t
d
+ t
r
Figura 2.12. Curva de limitacin de
impulsos de corriente.
Figura 2.13. ngulo de bloqueo y
conduccin de un tiristor.

Tiempo de apagado (Toff): es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de
conduccin a corte. Se divide en dos partes (Figura 2.15):
Tiempo de recuperacin inversa (trr): tiempo en el que las cargas
acumuladas en la conduccin del SCR, por polarizacin inversa de este, se
eliminan parcialmente.
Tiempo de recuperacin de puerta (tgr): tiempo en el que, en un nmero
suficiente bajo, las restantes cargas acumuladas se recombinan por
difusin, permitiendo que la puerta recupere su capacidad de gobierno.
Toff = trr + tgr
La extincin del tiristor se producir por dos motivos: reduccin de la
corriente de nodo por debajo de la corriente de mantenimiento y por anulacin de la corriente de nodo.
El SCR se asemeja a un diodo rectificador pero si el nodo es positivo en relacin al ctodo no circular la
corriente hasta que una corriente positiva se inyecte en la puerta. Luego el diodo se enciende y no se apagar
hasta que no se remueva la tensin en el nodo-ctodo, de all el nombre rectificador controlado. En la posicin
ON-OFF se pueden hacer funcionar con circuitos sencillos y producir corrientes de salida estables.
Un tiristor se apagar nicamente cuando la tensin
de nodo-ctodo desciende a cero. Existe solamente
un mtodo para controlar el valor medio de la
corriente de carga; en la Fig. 2.16 se ve este mtodo
para un SCR.

Una corriente de puerta estable permite la
conduccin por ms de un perodo completo
de un semiciclo positivo. Si, por el contrario,
si se aplica un pulso corto de corriente de
puerta en los puntos de disparo, la conduccin se realiza nicamente en parte de un semiciclo reduciendo de esta
manera la corriente media. Se puede variar esta corriente media al cambiar el tiempo de retraso T entre el
comienzo del ciclo y el disparador. Esto se conoce como Control de Fase.
La variacin de fase demora la onda de alimentacin A para obtener la onda B, y cuando sta alcanza un
determinado nivel de disparo, el circuito de disparo genera un pulso C en la compuerta del SCR. Para obtener el
control de fase, se necesitan dos elementos:
Un circuito de desplazamiento de fase variable (por lo general componentes pasivos tales como los resistores y
los capacitores). Un circuito de disparo que produzca un pulso cuando la onda retrasada alcance un determinado
nivel.
CARACTERSTICAS TRMICAS. Dependiendo de las condiciones de trabajo de un tiristor, ste disipa una
cantidad de energa que produce un aumento de la temperatura en las uniones del semiconductor. Este aumento
de la temperatura provoca un aumento de la corriente de fugas, que a su vez provoca un aumento de la
temperatura, creando un fenmeno de acumulacin de calor que debe ser evitado. Para ello se colocan
disipadores de calor.

MTODOS DE DISPARO
Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unin nodo - ctodo debe estar polarizado en directo y la seal
de mando debe permanecer un tiempo suficientemente larga como para permitir que el tiristor alcance un valor
de corriente de nodo mayor que IL, corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir. Para
que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conduccin deber circular una corriente mnima de valor IH,
marcando el paso del estado de conduccin al estado de bloqueo directo. Los distintos mtodos de disparo de los
tiristores son:Por puerta.
Por mdulo de tensin.Por gradiente de tensin (dV/dt) Disparo por radiacin.Disparo por temperatura.El modo
usado normalmente es el disparo por puerta. Los disparos por mdulo y gradiente de tensin son modos no
deseados.

DISPARO POR COMPUERTA.
Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la aplicacin en la puerta de un
impulso positivo de intensidad, entre los terminales de puerta y ctodo a la vez que mantenemos una tensin
positiva entre nodo y ctodo.
Figura 2.16. Circuito SCR.
Figura 2.17. Conduccin en Diferentes Tiempos de Retraso

El valor requerido de VT necesario para disparar el SCR es: VT = VG + IG R R viene dada por la pendiente
de la recta tangente a la curva de mxima disipacin de potencia para obtener la mxima seguridad en el disparo
(Figura 2.13). R = VFG / IFG

DISPARO POR MDULO DE TENSIN.
Es el debido al mecanismo de multiplicacin por avalancha.
Esta forma de disparo no se emplea para disparar al tiristor de
manera intencionada; sin embargo ocurre de forma fortuita
provocada por sobre tensiones anormales en los equipos
electrnicos.
DISPARO POR GRADIENTE DE TENSIN.
Una subida brusca del potencial de nodo en el sentido directo
de conduccin provoca el disparo. Este caso ms que un mtodo, se considera un inconveniente.

DISPARO POR RADIACIN.
Est asociado a la creacin de pares electrn-hueco por la absorcin de la luz del elemento semiconductor. El
SCR activado por luz se llama LASCR.
DISPARO POR TEMPERATURA.
El disparo por temperatura est asociado al aumento de pares electrn - huecos generados en las uniones del
semiconductor. As, la suma
de ruptura permanece constante hasta un cierto valor de la temperatura y disminuye al aumentar sta.

CONDICIONES NECESARIAS PARA EL CONTROL
Para el control en el disparo: nodo positivo respecto al ctodo. La puerta debe recibir un pulso positivo con
respecto al ctodo. En el momento del disparo Iak > IL. Para el control en el corte: Anulamos la tensin Vak.
Incrementamos RL hasta que Iak< IH. La frecuencia de trabajo en los SCR no puede superar ciertos valores.
El lmite es atribuible a la duracin del proceso de apertura y cierre del dispositivo. La frecuencia rara vez
supera los 10 Khz. LIMITACIONES DE LA PENDIENTE DE TENSIN dV/dt.
"dV/dt" es el valor mnimo de la pendiente de tensin por debajo del cual no se producen picos transitorios de
tensin de corta duracin, gran amplitud y elevada velocidad de crecimiento.
a) Causas: La alimentacin principal produce transitorios difciles de prever en aparicin, duracin
(inversamente proporcional a su amplitud) y amplitud.
Los contactores entre la alimentacin de tensin y el equipo: cuya apertura y cierre pueden producir transitorios
de elevada relacin dV/dt (hasta 1.000 V/s) produciendo el basculamiento del dispositivo.
La conmutacin de otros tiristores cercanos que introducen en la red picos de tensin.
b) Efectos: Puede provocar el cebado del tiristor, perdiendo el control del dispositivo.
La dV/dt admisible vara con la temperatura.

LIMITACIONES DE LA PENDIENTE DE INTENSIDAD dI/dt. "dI/dt" es el valor mnimo de la pendiente
de la intensidad por debajo de la cual no se producen puntos calientes. Causas: Durante el cebado, la zona de
conduccin se reduce a una parte del ctodo cerca de la puerta, si el circuito exterior impone un crecimiento
rpido de la intensidad, en esta zona la densidad de corriente puede alcanzar un gran valor.
Como el cristal no es homogneo, existen zonas donde la densidad de Intensidad es mayor (puntos calientes).
Efectos: En la conmutacin de bloqueo a conduccin la potencia instantnea puede alcanzar valores muy altos.
La energa disipada producir un calentamiento que, de alcanzar el lmite trmico crtico, podra destruir el
dispositivo.

LIMITACIONES DE LA TEMPERATURA.
En los semiconductores de potencia, se producen prdidas durante el funcionamiento que se traducen en un
calentamiento del dispositivo. Si los perodos de bloqueo y de conduccin en un tiristor son repetitivos, la
potencia media disipada en un tiristor ser:

La potencia disipada en los tiristores durante la conduccin, es mucho mayor que la disipada durante el bloqueo
y que la potencia disipada en la unin puerta - ctodo. Podemos decir que las prdidas con una tensin de
alimentacin dada y una carga fija, aumentan con el ngulo de conduccin (). Si la conduccin se inicia en t1 y
termina en t2, la potencia media de perdidas ser:

Si representamos la VAK en funcin de la IA, tendremos la siguiente relacin:

VAK = V0 + IA R
V0 y R son valores aproximadamente constantes para una
determinada familia de tiristores y para una determinada
temperatura de la unin. En ste caso nos encontraremos dentro
de la zona directa de la curva caracterstica (Figura 22).
Operando con las ecuaciones anteriores:
PAV = V0 IA(AV) + R ( IA(RMS))2
Esta ecuacin se encuentra representada mediante curvas para
distintas formas de onda (sinusoidal, rectangular,...) y para
distintos ngulos de conduccin en la figura siguiente. La
potencia que se disipa, depende del valor medio de la corriente
y del valor eficaz, entonces depender del factor de forma: a = f
= IA(RMS) / IA(AV)
Una vez elegido el tiristor y teniendo en cuenta los parmetros ms importantes como son la potencia total
disipada y temperatura, y calculada tambin la potencia media que disipa el elemento en el caso ms
desfavorable, procederemos a calcular el disipador o radiador ms apropiado para poder evacuar el calor
generado por el elemento semiconductor al medio ambiente.
PROTECCIONES CONTRA dV/dt Y dI/dt.
Solucin: colocar una red RC en paralelo con el SCR y una L en serie. Calculo: mtodo de la constante de
tiempo y mtodo de la resonancia.
Mtodo de la constante de tiempo.
Clculo de R y C:
Se calcula el valor mnimo de la constante de tiempo de la dV/dt del dispositivo y el valor de R y C: = (0,63
VDRM) / (dV/dt)mn,C = /RL, Rs = VA(mx)/(ITSM - IL)
donde:
VDRM = tensin de pico repetitiva de bloqueo directo.
IL = corriente en la carga.
RL = resistencia de carga.
ITSM = corriente directa de pico no repetitiva.
VA(mx) = tensin de nodo mxima.
= coeficiente de seguridad (de 0,4 a 0,1).

Hallamos el valor de Rmn que asegura la no superacin de la dI/dt mxima especificada (a partir de la ecuacin
de descarga de C): Rmn = (VA(mx)/(dI/dt) C), Clculo de L: L = VA(mx)/(dI/dt)
Mtodo de la resonancia. Elegimos R, L y C para entrar en resonancia. El valor de la frecuencia es: f =
(dV/dt)/2VA(mx) En resonancia: f = 1/2(LC) C = 1/(2f)
2
L
El valor de L es el que ms nos interese, normalmente: L=50H. El valor de R ser: Rs = (L/C)

EXTINCIN DEL SCR. TIPOS DE CONMUTACIN.
Entenderemos por extincin, el proceso mediante el cual, obligaremos al tiristor que estaba en conduccin a
pasar a corte. En el momento en que un tiristor empieza a conducir, perdemos completamente el control sobre el
mismo. El tiristor debe presentar en el tiempo ciertas condiciones para pasar de nuevo a corte. Este estado
implica simultneamente dos cosas:

1. La corriente que circula por el dispositivo debe quedar completamente bloqueada.
2. La aplicacin de una tensin positiva entre nodo y ctodo no debe provocar un disparo indeseado del tiristor.
Existen diversas formas de conmutar un tiristor, sin embargo podemos agruparlos en dos grandes grupos:
Conmutacin Natural.Libre.Asistida.Conmutacin Forzada.a) Por contacto mecnico.b) Por circuito resonante. -
Serie -Paraleloc) Por carga de condensador.d) Por tiristor auxiliar.

MEDICIN DE LOS PARMETROS DEL SCR
directa o positiva. La unin J2 tiene polarizacin inversa, y solo fluir una pequea corriente de fuga llamada
corriente de estado inactivo ID. Se dice entonces que el tiristor est en condicin de bloqueo directo en estado
desactivado. Si el voltaje de nodo a ctodo VAK se incrementa a un valor lo suficientemente grande, la unin
J2 polarizada inversamente entrar en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha y el voltaje
correspondiente se llama voltaje de ruptura directa VB0. Dado que las uniones J1 y J3 tienen ya polarizacin
directa, habr un movimiento libre de portadores a travs de las tres uniones, que provocar una gran corriente
Figura 2.22. Curva Caracterstica del
Tiristor

directa del nodo. Se dice entonces que el dispositivo est en estado de conduccin o activado. La cada de
voltaje se deber a la resistencia hmica de las cuatro capas y ser pequea, por lo comn cercana a 1 volt. La
corriente del nodo deber ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche IL, a fin de mantener
la cantidad requerida de flujo de portadores a travs de la unin J2; de lo contrario, al reducirse el voltaje del
nodo a ctodo, el dispositivo regresar a la condicin de bloqueo. La corriente de enganche, es la corriente de
nodo mnima requerida para mantener el tiristor en estado de conduccin inmediatamente despus de que ha
sido activado y se ha retirado la seal de la compuerta.

Una vez que el tiristor est activado, se comporta como un diodo en conduccin y ya no hay control sobre el
dispositivo. El tiristor seguir conduciendo, porque en la unin J2 no existe una capa de agotamiento debida a
movimientos libres de portadores. Sin embargo, si se reduce la corriente directa del nodo por debajo del nivel
conocido como corriente de mantenimiento IH, se genera una regin de agotamiento alrededor de la unin J2
debida al nmero reducido de portadores; el tiristor estar entonces en estado de bloqueo. La corriente de
mantenimiento es del orden de los miliamperios y menor que la corriente de enganche. La corriente de
mantenimiento es la corriente de nodo mnima para mantener al tiristor en estado de rgimen
permanente.Cuando el voltaje del ctodo es positivo con respecto al nodo, la unin J2 tiene polarizacin
directa, pero las uniones J1 y J3 tienen polarizacin inversa. Esto es similar a dos diodos conectados en serie
con un voltaje inverso a travs de ellos. El tiristor estar en estado de bloqueo inverso y una corriente de fuga,
conocida como corriente de fuga inversa IR fluir a travs del dispositivo.

Un tiristor se puede activar aumentado el voltaje directo de nodo a ctodo ms all de VB0, pero esta forma de
activarlo puede ser destructiva. En la prctica, el voltaje directo se mantiene por debajo de este valor, y el tiristor
se activa mediante la aplicacin de un voltaje positivo entre la compuerta y el ctodo.
Medicin de la Corriente Mnima de Compuerta
Para la medicin de la corriente mnima de compuerta, se utiliz el circuito que se dibuja en la figura 1.3. Para
el clculo de los componentes se tom como referencia al manual del fabricante, el cual proporciona los
siguientes valores: De acuerdo con la tabla anterior, propusimos que por el tiristor circulara una corriente de
nodo, por lo menos 10 veces mayor a la corriente de mantenimiento, para que no tuviramos problemas con el
enganche y cebado del tiristor. De esta forma, propusimos una corriente de nodo circulante por RL y T1 de
50mA. Lo que arroja un valor de RL, correspondiente a los 12VCD que aplicamos. Por lo que aproximamos RL
a 220 ohms. En cuanto a las Rs 2,3 y 4, y al trimpot R1, consideramos que la corriente mnima es de 30A, por
lo que la resistencia de compuerta mxima estara dada tericamente por: Lo que justifica que este sea el valor
serie de esos elementos. El micro ampermetro Amp, se conecta en serie con la compuerta, y se desprecia la
impedancia del instrumento. Amp2 servir para detectar cuando T1 este en estado de conduccin. Para poder
medir el valor real de la corriente de compuerta, se ajust el trimpot R1 a su mximo valor, se encendi la
fuente y se verific que no existiera flujo de corriente en Amp2, en tanto en Amp fluan aproximadamente
30A. Una vez hecho esto, R1 se disminuye lentamente de valor hasta que el tiristor conduce (comprobndose
mediante Amp2.) El valor de la corriente circulante en la compuerta result ser de 35A. La resistencia
medida en el arreglo serie fue de 330 kohms.

Medicin de la Corriente de Mantenimiento
Para este propsito se ocup el circuito de la figura 1.4. Se utiliz una resistencia de compuerta de 200k, que fija
a la corriente de compuerta en 60A, que es mayor a IGTmn y menor a IGTmx, lo que asegura el disparo por
compuerta. Para el clculo de R1 (fija) y R2 (trimpot), que sumados son RL, se ocup el siguiente
procedimiento: primero se supone que la corriente de nodo es igual a IH mnima dada por el fabricante, en
tanto que para IH mxima, tenemos que el valor correspondiente de la resistencia de carga es:

Todo esto significa que el valor de la resistencia de carga deber estar entre 4 y 40 kohms para asegurarnos que
la corriente de nodo estar dentro de los valores esperados para la corriente
de mantenimiento. Para asegurar que la corriente de nodo no sea muy
grande, por si acaso necesitamos reducir mucho el valor del trimpot,
aseguramos que R1 sea de 2 kohms, lo que sugiere que R2 podr variar
libremente desde su mnimo valor. Para medir la corriente de
mantenimiento, se fij R2 a su mnimo valor, para asegurar que la corriente
andica fuera mayor a la mxima corriente de mantenimiento dada por el
fabricante, y se dispar el tiristor cerrando momentneamente el interruptor
mostrado en la figura 1.4; se observ que el tiristor cambi a conduccin y
se mantuvo en ese estado. El valor de la corriente andica era de

aproximadamente 6mA, como era de esperarse, en tanto RL=2k. En estas condiciones, el tiristor estaba cebado.
Poco a poco se fue aumentando el valor de R2, en tanto la corriente de nodo se reduca por esta causa. El
tiristor dej de conducir cuando la corriente en Amp era de aproximadamente 0.39mA; por lo tanto, la
corriente de mantenimiento del tiristor que estudiamos, es ligeramente mayor a 0.39mA.

Medicin de la Corriente de Enganche.
A partir del circuito de la figura 1.4, mantenemos el interruptor cerrado, y reducimos ligeramente el valor del
trimpot R2, abriendo de vez en cuando el interruptor. El valor de la corriente de enganche es aquel que, una vez
que se ha abierto el interruptor, es decir, que se retire el pulso de compuerta, el tiristor no regresa al estado de
bloqueo. El valor de la corriente de enganche que se obtuvo mediante este procedimiento fue de 0.41mA. Esto
indica que la corriente de enganche es ligeramente menor a este valor.
Basndonos en los resultados obtenidos en esta prctica, pudimos ver que los valores reales de los parmetros
del tiristor relacionados con su activacin, son muy cercanos a los valores mnimos propuestos por el fabricante.
Para la corriente de compuesta, el fabricante propone un valor mnimo de 30A; en la prctica se obtuvo un
valor de 35A para este parmetro. Para la corriente de mantenimiento, se propone un valor mnimo de 0.3mA;
obtuvimos 0.39mA para este parmetro. Para la corriente de enganche, el fabricante no propone valor alguno,
pero se sabe que debe ser una poco mayor que la corriente de mantenimiento; se obtuvo un valor de 0.41mA.
Tambin fue posible reafirmar los conceptos de corriente de compuerta, de mantenimiento y de enganche. Para
la corriente de compuerta se sabe que es la corriente, en el pulso
de compuerta, necesaria para la activacin del tiristor. En
efecto, comprobamos que si no aplicbamos una corriente
ligeramente mayor a 35A, el tiristor no encenda. La corriente
de mantenimiento es la corriente de nodo mnima para
mantener al tiristor en estado de rgimen permanente en
conduccin. Se comprob que, una vez que el tiristor se
disparaba, era necesario mantener el flujo de corriente por arriba
de 0.39mA para mantener la conduccin.

La corriente de enganche es la corriente de nodo mnima
requerida para mantener el tiristor en estado de conduccin,
inmediatamente despus de que ha sido activado y se ha retirado
la seal de la compuerta. Comprobamos que si no existan al menos 0.41mA, no era posible que el tiristor se
quedar cebado.
ENCAPSULADOS
Como en cualquier tipo de semiconductor su apariencia externa se debe a la potencia que ser capaz de disipar.
En el caso de los tiristores los encapsulados que se utilizan en su fabricacin es diverso, aqu aparecen los ms
importantes.
CONMUTACIN FORZADA DEL SCR Y RED SNUBBER
Conmutacin forzada
En algunos circuitos con tiristores, el voltaje de entrada es de corriente directa. Como se sabe, el tiristor se
"amarra" en el estado de conduccin, en tanto es un dispositivo de enganche. Una vez que el tiristor entra en
conduccin, es necesario que su corriente andica llegue a ser menor a la corriente de mantenimiento. Para
poder controlar la conmutacin del tiristor en corriente directa existe una tcnica llamada de conmutacin
forzada, que consiste en agregar un circuito adicional, cuya funcin es obligar a que la corriente que fluye por el
tiristor pase por cero. Esta tcnica encuentra aplicacin en los convertidores de dc a dc (pulsadores) y de dc a ac
(inversores.) Hay una gran diversidad de circuitos de conmutacin forzada, entre los que podemos menciona al
circuito de auto conmutacin, conmutacin por impulso, por pulso resonante, etc. En este caso trataremos de un
circuito de conmutacin forzada basado en una red RC simple, y se muestra en la figura 2.28.

Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de alta impedancia
y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky.Est formado por cuatro capas
de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor.
La regin I es la regin de alta impedancia (OFF) y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del estado
OFF al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar Vs, tensin de conmutacin. La impedancia del
diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la tensin,
hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver al estado OFF, se disminuye la
corriente hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms

la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo
equilibrio en la regin I (Punto A).

Grfica V-I del diodo Shockley Un diodo Shockley es un dispositivo de
dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de alta impedancia y
ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera
Schottky. Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p,
dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor. La caracterstica V-I se
muestra en la figura. La regin I es la regin de alta impedancia (OFF) y la
III, la regin de baja impedancia. Para pasar del estado OFF al ON, se
aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar Vs, tensin de conmutacin.
La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente
que lo atraviese se incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto
B). Para volver al estado OFF, se disminuye la corriente hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el diodo
aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales,
cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I (Punto A). Vrb es la tensin inversa de
avalancha.
El diodo de 4 capas o diodo Shockley maneja aplicaciones como: Osciladores y Dispositivos de Disparo a
SCR.

El diodo Shockley es un tiristor con dos terminales: nodo y ctodo. Est
constituido por cuatro capas semiconductoras que forman una estructura
pnpn. Acta como un interruptor: est abierto hasta que la tensin directa
aplicada alcanza un cierto valor, entonces se cierra y permite la conduccin.
La conduccin contina hasta que la corriente se reduce por debajo de un
valor especfico (I
H
).

Figura 1: Construccin bsica y smbolo del diodo Shockley

Caracteristica Tension-Intensidad
Para valores negativos del voltaje aplicado, como en un diodo, slo habr una corriente muy pequea hasta que
se alcance la tensin de ruptura (V
RB
).

Figura 2: Caracterstica I-V del diodo Shockley
En polarizacin positiva, se impide el paso de corriente hasta que se alcanza un valor de tensin V
B0
. Una vez
alcanzado este punto, el diodo entra en conduccin, su tensin disminuye hasta menos de un voltio y la corriente
que pasa es limitada, en la prctica, por los componentes externos. La conduccin continuar hasta que de algn
modo la corriente se reduzca por debajo de la corriente de mantenimiento I
H.

La corriente que puede atravesar el dispositivo en polarizacin directa tiene un lmite impuesto por el propio
componente (I
MAX
), que si se supera llevar a la destruccin del mismo. Por esta razn, ser necesario disear el
circuito en el que se instale este componente de tal modo que no se supere este valor de corriente. Otro
parmetro que al superarse puede provocar la ruptura del dispositivo es V
RB,
ya que provocara un fenmeno de
avalancha similar al de un diodo convencional.

Ejemplo De Aplicacin: Detector De Sobretensin En esta aplicacin, se ha seleccionado un diodo Shockley
con una tensin de conduccin de 10 V. Por tanto, si la tensin de la fuente es correcta, es decir, de 9 V, el
diodo est abierto, no circula corriente por l y la lmpara estar apagada. Pero si la tensin de la fuente supera,
por una falla en su funcionamiento una tensin de 10 V, el diodo entra en saturacin y la lmpara se enciende.
Permanecer encendida (y el diodo cerrado) aunque la tensin vuelva a 9V, mostrando de esta manera que ha
habido una falla. La nica forma de apagar la lmpara sera
desconectar la alimentacin.

Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene
dos estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja
impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera
Schottky.
Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p,
dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor.

Diodo de cuatro capas o diodo tiristor: dispositivo bipolar PNPN comparable a un tiristor sin el terminal de
puerta (Fig. 9).
Quadracs
Dispositivo formado por un diac que dispara a un triac. Posee tres terminales, dos de
potencia del triac y un extremo del diac como puerta del Quadracs (Fig. 10).

Conjunto Diodo Ms Tiristor
Dispositivo formado por un diodo y un tiristor en la misma cpsula o integrados en la
misma pastilla. (Fig. 11).

Puentes Mixtos
Conjunto de dos diodos y dos tiristores en la misma cpsula (Fig.
12).

Acopladores pticos Con Tiristores
Conjunto formado por un fototiristor y un diodo led en la misma
cpsula. Tambin se denominan optoacopladores (fig. 13).

La caracterstica V-I se muestra en la figura. La regin I es la regin de alta impedancia (OFF) y la III, la regin
de baja impedancia. Para pasar del estado OFF al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta
alcanzar V
s
, tensin de conmutacin. La impedancia del diodo desciende bruscamente,
haciendo que la corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la tensin, hasta
alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver al estado OFF, se
disminuye la corriente hasta I
h
, corriente de mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su
impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus
terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I (Punto
A).

V
rb
es la tensin inversa de avalancha.
Este dispositivo fue desarrollado por W. Shockley tras abandonar los Laboratorios Bell y fundar Shockley
Semiconductor. Fueron fabricados por Clevite-Shockley.

La alta luminiscencia del silicio poroso ((P)Si) a temperatura ambiente ha despertado un gran inters para la
fabricacin de dispositivos optoelectrnicos. En aos anteriores se encuentran investigaciones en las cuales se
utiliza el silicio poroso en la elaboracin de diferentes estructuras electrnicas, como es el caso de diodos
emisores de luz, fotodiodos y celdas solares de unin p-n con capa antirreflejante de silicio poroso. Mientras que
un gran nmero de reportes dan cuenta de la forma amplia y detallada de como se han estudiado las propiedades
de emisin de luz del ((P)Si, en la actualidad existe un reducido nmero de reportes sobre los fenmenos de
fotoconductividad o fotocorriente en barreras electrnicas formadas por heteroestructuras de Metal-((P)Si)-Si.
En el presente trabajo presentamos un estudio comparativo entre barreras Schottky de plata-silicio-oro (Ag-Si-
Au) y heteroestructuras formadas con una capa intermedia de silicio poroso, de la forma: Ag-(P)Si-Si(p)-Au. En
contraste con la barrera Schottky, la heteroestructura genera una barrera electrnica donde se registra un
fotovoltaje de autopolarizacin del orden de 40 mV cuando se ilumina con luz laser de =6328 . Las curvas de
corriente en funcin del voltaje (I-V), obtenidas a temperatura ambiente, en los regmenes de oscuridad e
iluminacin permiten estimar la fotocorriente de la heteroestructura Ag-(P)Si-Si(p)-Au. 1947 En los laboratorios
de la Bell Telephone Shockley Bardeen y Brattain inventan el Transistor de puntas de contacto. Consiguieron
Nobel en 1956 1953 Dacey y Ross fabricaron primer transistor de efecto campo operativo, el FET de unin
(JFET).
1955 I.M.Ross describio la estructura MOSFET de enriquecimiento tal como se conoce hoy da, es decir, con
uniones p-n en la fuente y el drenador. A pesar de ser la idea del MOSFET ms antigua que la del BJT, fueron
los avances tecnolgicos producidos en el desarrollo del transistor bipolar los que hicieron viable al de efecto
campo. No obstante habra que esperar a que se perfeccionara la tecnologa para poder aprovechar toda la
potencia del MOSFET 1955 Nacimiento del Silicon Valley en Palo Alto (California)
Hewlett y Packard, Shockley Transistor Corporation, Fairchild Semiconductor Corporation, Texas Instruments
1958 Kilby de Texas Instruments idea de circuito integrado, patent un flip-flop realizado en un cristal de
germanio con interconexiones de oro 1959 Noyce de Fairchild patent la idea de circuito integrado de silicio
utilizando en 1960 la tecnologa planar para definir, mediante fotolitografa, transistores y resistencias
interconectados usando lneas delgadas de aluminio sobre el xido de pasivacin.


Se comenz a usar el Si como material semiconductor por sus propiedades: Fcil oxidacin, Pasivacin.
Su oxido puede ser atacado sin atacar al Si. Usando su resistividad se hacen resistencias y las uniones pn pueden
actuar como condensadores1960 Kanhng y Atalla fabrican el primer MOSFET operativo
Alrededor de 1968 ya se haban propuesto las estructuras bsicas MOS. Desde entonces la mayor parte de los
esfuerzos tecnolgicos se han dedicado a la miniaturizacin de los dispositivos con el propsito de aumentar su
velocidad y la densidad de integracin1960 SSI (Small Scale Integration) 100 componentes/chip
1966 MSI (Mediun Scale Integration) 100-1000 componentes/chip 1969 LSI (Large Scale Integration)1000-
10000 componentes/chip 1975 VLSI (Very Large Scale Integration) mas de 10mil componentes/chip
Actualmente ULSI (Ultra Large Scale Integration) mas de 100Millones comp/chip.

El circuito anterior opera de la siguiente manera: Cuando se dispara el tiristor T1, la corriente de conduccin
fluye a travs de RL y por el nodo del tiristor, y si es mayor que la corriente de mantenimiento, T1 quedar
"cebado" cuando se haya retirado el pulso de compuerta. Al mismo tiempo, el capacitor C se cargar por medio
de R, existiendo un potencial ms positivo en la terminal conectada al interruptor. Cuando cerramos el
interruptor, el capacitor se descargar sobre el tiristor, polarizndolo inversamente; de esta forma, el voltaje en
el tiristor adquiere un potencial inverso, obligando a la corriente que fluye por l a intentar cambiar de direccin,
lo que la obligar a pasar por cero. Adicionalmente se debe decir que es necesario que el tiempo de carga del
capacitor sea menor a la frecuencia de la seal de activacin de la compuerta, y al mismo tiempo, mayor que el
tiempo de apagado del tiristor T1, para que el circuito de conmutacin no influya en el funcionamiento principal
del circuito. El circuito tiene una limitacin: solo se garantiza su funcionamiento para cargas resistivas, ya que
en presencia de cargas inductivas sera necesario considerar el efecto del desfasamiento de la corriente
provocado por la carga.

La red Snubber es un arreglo RC que se conecta en paralelo al tiristor en un circuito de conmutacin, como una
proteccin para el dv/dt. Es bsicamente un circuito de frenado al apagado del tiristor, cuyo objetivo es
amortiguar el efecto de una variacin voltaje / tiempo que en algn momento pudiera ser destructiva para el
tiristor. El diagrama del circuito correspondiente a la red Snubber se muestra en la figura 2.29. Es importante
saber que el valor de la resistencia Rs, est ligado a la corriente de descarga, ITD (que circular cuando se
descargue el capacitor), y que siempre se sugiere unas 10 veces mayor a la corriente de la carga. Por
consiguiente, si se conoce el valor de la carga R, y se sugiere el valor de la corriente de descarga, puede
encontrarse fcilmente el capacitor a usar.El circuito de conmutacin forzada se arm con base en el circuito de
la figura 2.28. Los valores de R y C se calcularon mediante la constante de tiempo, suponiendo que este es el
tiempo de carga y descarga del capacitor. Obviamente esto es solo una aproximacin emprica. Se realizaron dos
pruebas: en la primera (figura 2.29) se us un capacitor de 100F, y se supuso una constante de tiempo de 5ms.
Por esta razn R se calcul como R=T/C=4ms/100F=40 ohms. Se aproxim a 47 ohms.

Para comprobar el funcionamiento del circuito de la figura 2.30, se realiz lo siguiente: Una vez encendida la
fuente de alimentacin, se aplic el pulso de compuerta mediante PB1 (la representacin del diagrama no
corresponde a este tipo de interruptor, pero considrese como tal), de tal forma que el tiristor se encenda y se
mantena en conduccin, y la lmpara L1 encenda. Una vez hecho esto, se oprima PB2 y la lmpara se
apagaba, debido a la descarga de la carga del capacitor sobre el tiristor. Debe comentarse que no se not
variacin a simple vista cuando se sustituy a C de 100F a 1000F. Nota: la resistencia de compuerta del
circuito se us, segn la prctica anterior, con una valor de 200k. La resistencia RL representa a la lmpara y su
valor se calcul mediante RL=V*V/P=12*12/3=48 ohms. Para entender el comportamiento real del circuito de
conmutacin forzada, simulamos el circuito que se dibuja en la figura 2.31. En este circuito se coloc a PB1
como un interruptor formado por un interruptor comnmente abierto y uno comnmente cerrado, para simular
que es un interruptor de pulso (push.) En la figura 2.32 se dibuja una grfica del voltaje en la carga y en el
tiristor, en donde se aprecia que, una vez que se enciende el tiristor, existe en la carga un voltaje cercano a los
12 V de alimentacin, y cuando se cierra el interruptor PB2, el voltaje en la carga decrece hasta cero. Puede
notarse tambin que la carga se polariza con un voltaje aproximado del doble del valor de la fuente, en tanto en
el tiristor se presenta un voltaje inverso de 12 V. Lo anterior es debido a la descarga del capacitor, por lo que
debe considerarse esta caracterstica del circuito en el diseo de las caractersticas de los componentes, ya que es
un transitorio de magnitud importante.
En la figura 2.33 se observan las formas de onda de la simulacin del circuito para un valor del capacitor de
1000 F, y se aprecia que no existe un cambio sustantivo en las formas de onda, a no ser porque el voltaje de
descarga del capacitor desciende ms lentamente.


Es importante hacer notar que, para la simulacin del circuito, las libreras de PSPICE 6.0, no contienen al SCR
C106D, que se us en la prctica, por lo que se recurri al procedimiento mostrado en consideraciones
generales, para modificar el modelo original del SCR 2N1595. Para el diseo de la red Snubber, primero se
calcul el valor de la resistencia en serie RS, sin embargo, para que el clculo de la misma fuera idntico para
todas las prcticas de este manual, se consider que la carga a utilizar era un foco de 100 W, para 130 VAC; de
esta forma, Para simplificar se utilizar de 160 ohms. A partir del resultado anterior, se puede determinar que la
corriente nominal de la carga es de:

De esta forma, si consideramos que la corriente de descarga es 10 veces la corriente nominal, tenemos que:
Por lo que se utilizar un valor de 15 ohms. Para el clculo del capacitor CS, con todas las consideraciones
anteriores. El circuito prctico para simular el circuito de conmutacin forzada con red Snubber se dibuja en la
figura 2.34. La figura 2.35 contiene las grficas de las formas de onda del circuito, en donde se puede observar
el voltaje entre nodo y ctodo del tiristor, el voltaje en el capacitor Cs, y la corriente en la resistencia Rs.
Puede notarse en dicha figura que el comportamiento del circuito no se altera. As mismo se observa que el
voltaje en el capacitor CS es igual al voltaje en el tiristor, y que la corriente en Rs es cero, excepto en los
instantes de conmutacin. La red Snubber provoca tambin una disminucin en los transitorios provocados al
momento del apagado por la descarga del capacitor, lo que protege visiblemente al tiristor. Precisamente la red
es del tipo "freno al apagado".

Como conclusiones generales acerca del circuito de conmutacin forzada, podemos decir que es un circuito para
provocar la conmutacin del SCR cuando este opera en corriente directa. Debe mencionarse que este circuito
no es apto para conmutar a velocidades grandes, ya a que el tiempo de apagado es relativamente grande, debido
al tiempo de carga y descarga del capacitor.

Conviene decir tambin que la operacin de la conmutacin forzada implica la insercin de un transitorio
considerable a la carga y al tiristor. En cuanto a la red Snubber, es un circuito de proteccin, por lo que no afecta
sustantivamente el funcionamiento del circuito al que se agrega. La proteccin que aporta consiste en un freno a
las pendientes pronunciadas de tensin al momento del apagado del dispositivo.

DISPARO RESISTIVO
Unas cuantas aplicaciones del SCR se basan en el control de la corriente de compuerta por medio del control de
una resistencia limitadora. Como ejemplos sencillos de tales aplicaciones tenemos al control manual de la
intensidad de iluminacin en lmparas o focos, como los usados en las lmparas de bur en las habitaciones de
las casas, o en las lmparas de los cines y teatros, en los cuales se necesita la variacin gradual de la cantidad de
luz, para lograr un ambiente adecuado al lugar.
Un circuito con la estructura que se aprecia en la figura 3.1 es capaz de
controlar el ngulo de disparo del SCR entre 0 y 90 grados elctricos. El
control del ngulo de disparo implica determinar en qu momento se
activar el SCR para un ciclo de la seal de entrada, o sea, se modificar la
porcin de tiempo que conducir el dispositivo, con relacin a la seal de
alimentacin de voltaje.
En el circuito de la figura 2.36, la variacin del ngulo de disparo se logra
mediante la variacin de la resistencia R1, que es la resistencia limitadora
de la corriente de compuerta, y R2 es la carga, o sea una lmpara o foco,
para los ejemplos que se han citado.
Para el diseo del circuito se tomaron como punto de partida las consideraciones siguientes:
Se necesita disear un control de disparo resistivo que permita la manipulacin del ngulo de disparo del SCR
C106D entre 10 y 80, teniendo una fuente de alimentacin de 180 Vp a 60Hz. La carga ser un foco de 100W,
cuya resistencia de carga equivalente ya se ha calculado en una prctica anterior como 160 ohms. Con aquellas
consideraciones, el siguiente paso es encontrar las caractersticas del SCR que usaremos, siendo la que nos
interesa, la IGT, que se ha convenido usar como 35A, segn los resultados de la prctica 1. Con todo lo
anterior, si se propone el circuito de la figura 3.2 como el circuito prctico a usar, donde RL es el foco de 100W
(160ohms), R1 es la resistencia limitadora de compuerta para el disparo al ngulo mnimo (10) y R2 es un
potencimetro que controlar a partir de 10 y hasta 80,
Dado que este valor no es comercial, se colocar un potencimetro de 1Mohm, ajustado aproximadamente a este
valor. De este modo, R2 ser un potencimetro de 4.7Momhs, que ser el que deber moverse para lograra el
rango de ngulo de disparo deseado.
Simulacin del circuito
Figura 2.36. Circuito para
Disparo Resistivo


Para verificar el comportamiento del circuito, se simul en PSPICE 6.0, modificando las caractersticas
elctricas del tiristor, mediante el procedimiento descrito en consideraciones generales, para que se ajustara a las
caractersticas del SCR C106D, que se us en la prctica.
La figura 2.37 muestra el circuito que se us para la simulacin. En la prctica se agreg el transformador de
aislamiento y el fusible, as como la red Snnuber para el tiristor.
Para comprobar los resultados de la simulacin con lo esperado tericamente, el circuito se simul en los casos
extremos, cuando R2 tiene un valor cero, es decir, la resistencia limitadora de compuerta vale 892k (disparo a
10), y cuando R2 tiene un valor de 4.17M (disparo a 80.) En la grfica de la figura 3.3 se muestra la
simulacin para un valor de R1 de 892k y R2 de 1ohm, de tal forma que no se tome en cuenta, y sea como si
solo estuviera la resistencia ajustada a 892k para que el disparo ocurra a 10.

Para la figura 2.39, que es la simulacin cuando R2 tiene un valor de 4.17Mohms, se espera un disparo a 80.
Se ve claramente en la figura anterior que el disparo real ocurri a los 3.63ms, que coincide con un ngulo en
grados de:

Ambos valores para el ngulo de disparo difieren solo por 2, aproximadamente, de lo que se esperaba
idealmente. Resultados Prcticos y Conclusiones:Cuando se implement el circuito en la prctica, los resultados
obtenidos fueron muy aproximados a lo esperado tericamente, ya que,
para el valor de R2 mnimo se obtuvo un ngulo de disparo (visto en el
osciloscopio), de unos 14, y para el valor mximo de la misma resistencia,
se logr un valor cercano a los 82.
Cabe mencionar que, debido a que R2 tena un alcance an mayor de lo
requerido (4.7M, cuando se necesitaban 4.17M), el valor del ngulo de
disparo pudo ser de casi 90.
El efecto visual logrado en el foco fue el siguiente: cuando se colocaba el
potencimetro R2 en su valor mximo, el foco apenas se encenda, pero a
medida que se giraba hacia su mnimo valor, se incrementaba la intensidad de la luz que emita, logrndose la
mximo intensidad cuando R2 era prcticamente cero.
DISPARO RC
El valor de la corriente de corriente de compuerta de los tiristores suele variar demasiado, an en los tiristores de
la misma matrcula. Esto se debe a que la estructura de los cristales de material semiconductor nunca puede ser
idntica de un dispositivo a otro. La diferencia entre las caractersticas elctricas de la compuerta de los
tiristores es an mayor cuando los dispositivos manejan grandes corrientes y voltajes. Lo anterior implicara
que cada que se reemplace un tiristor en un circuito, se tendra que disear nuevamente la red resistiva, lo que
vuelve imprctico un circuito como el analizado en la prctica anterior.
La forma ms simple de solucionar el problema planteado es colocar una red de adelanto RC para lograr un
disparo por voltaje y no por corriente. Para demostrar lo mencionado refirase a la figura 3.40.
La funcin de transferencia del circuito, en donde el desplazamiento de fase del circuito y la tensin de salida en
funcin de dicho desplazamiento. Como puede notarse, en ninguna de las expresiones se incluye la corriente de
compuerta, que si se supone de un valor tan pequeo como para superarse a cualquier valor de Vgt, el circuito
constituye una red de disparo del tiristor por voltaje. Segn las expresiones anteriores, se han diseado redes
tpicas de disparo por control de fase, en donde el elemento de control es el valor de R, que son capaces de
disparar SCRs y TRIACs en ngulos de disparo que van de los 10 hasta casi 90 para redes de primer orden.
De esta forma, debido a que se pueden colocar redes en cascada para lograr ngulos de adelanto hasta de 180
(una red de segundo orden), entonces es posible superar el ngulo de disparo, y en ocasiones, pueden alcanzarse
ngulos de disparo de unos 170 o ms. Debe recordarse que no es posible alcanzar un ngulo de disparo, ni a
partir de cero, ni hasta 180, debido a que la red RC tiene ganancia unitaria solo a determinado valor de
resistencia.
Montaje de la red de disparo por voltaje
Red de primer orden

Como se ha mencionado, el diseo de la red RC no se efecta directamente
de las ecuaciones ya que, en especial la ltima (Vgt), es solo una
aproximacin en la que se desprecian los valores de la corriente de
compuerta, as como las capacitancias internas de la compuertas o los efectos
de la temperatura sobre estos dos valores, principalmente. Por lo anterior, se
han diseado redes que responden adecuadamente a la frecuencia de la lnea
Figura 2.41. Red de Disparo RC de
Primer Orden

de CFE y a valores de fase ms o menos consistentes para las variaciones de los parmetros del tiristor. Con lo
anterior, se usar la red de adelanto tpica que se analiz en clase, que corresponde al circuito de disparo de la
figura 2.41, en donde se proponen valores para R desde 4.7k hasta poco ms de 1M, y C ha sido definido con un
valor de 0.1F.
Existe, segn el mismo circuito de la figura 4.2, un solo valor que se desconoce para el montaje del circuito: la
resistencia de carga. Sin embargo, en prcticas anteriores se ha comentado que se usar un valor de 160 ohms
para la resistencia equivalente de la lmpara incandescente de 100W. Bajo las condiciones descritas, puede
calcularse el ngulo de disparo mnimo y mximo, por lo que para los valores propuestos en la figura 2.41, la
fase de adelanto (y el ngulo de disparo) est dado por:

En la prctica estos valores se mejoraron mediante el ajuste de la resistencia de lmite R1, alcanzando ngulos
de disparo de hasta 90.
Red de disparo de segundo orden
La colocacin en cascada de dos redes de primer orden, como se indica
en la figura 2.42 da lugar a una red RC de adelanto de segundo orden.
Esta red es capaz de proporcionar un ngulo de disparo desde casi cero
hasta casi 180. El principio de funcionamiento es el mismo que para
una red de primer orden, pero el desfasamiento de la tensin Vgt es
mucho mayor.
Simulacin de los circuitos RC
Red de primer orden
El circuito usado para la simulacin se muestra en la figura 2.43. Debe recordarse que han sido modificados los
parmetros del SCR de tal manera que estn dentro del rango del SCR usado (C106D); as mismo, se incluye la
red Snubber, que ha sido diseada previamente.
De acuerdo al circuito anterior, cuando R2 se encuentra en su mnimo valor (supuesto de 1 ohm en la
simulacin), se genera la seal de la figura 2.44 en la carga. Puede apreciarse que el tiempo de retraso en el
disparo es de 515s aproximadamente, que corresponde a un ngulo de disparo de 11.12, cuando se esperaba
de poco ms de 10. Cabe mencionar que la medicin en la grfica se tom en el segundo ciclo, puesto que el
primero no es adecuado debido al proceso de aproximacin de PSPICE.
De una forma similar, la figura 2.45 contiene la forma de onda de la seal en la carga cuando R2 se encuentra en
su mximo valor (1Mohms).
Se puede apreciar que el cursor seala un tiempo de retardo en el disparo de unos 3.832ms, que corresponden a
83 aproximadamente, que se acercan a los 88 deseados, segn los clculos.
Se recuerda, sin embargo, que en la prctica, mediante el ajuste de la resistencia R1, se logr mejorar el valor
del ngulo mximo de disparo, alcanzando los 90. Nuevamente, en la grfica 2.45 se aprecia que el primer ciclo
de la seal no es lo esperado, pero se ve que en los siguientes ciclos, la seal se establece.

Red de segundo orden

Puede apreciarse como mediante la manipulacin de una sola resistencia (R2), se logr hacer vara el ngulo de
disparo desde 25 hasta 125, como puede verse en las figuras 4.8 y 4.9, que si bien no son los valores que la
teora propone (10 para el valor mnimo, casi 180 para el mximo), son muestra de la mejora que se tiene
sobre el control del ngulo de disparo. Adems, los resultados prcticos resultaron ser mejores, debido a que se
pudo variar directamente el valor de R1 y R3, para incrementar an ms la selectividad de lngulo. Una red RC
de adelanto permite disparar un tiristor por voltaje y no por corriente, en tanto se suponga que su Igt es muy
pequea, permitiendo as un mejor control del ngulo de disparo, independiente del valor de Igt. La red bsica
de adelanto, de primer orden, permite ngulos de disparo entre 10 y 90, en tanto la red de segundo orden puede
extenderse hasta aproximarse bastante a los 180. Las ecuaciones tericas para el ngulo y voltaje de disparo son
aproximaciones, ya que no toman en cuenta las variaciones de las caractersticas de los tiristores; sin embargo,
se han propuesto redes RC "prediseadas" para usar la frecuencia y voltaje de la lnea de CFE. Estas redes son
adems ajustables, puesto que permiten que se adecue el ngulo de disparo mediante la variacin de una o dos
resistencias, y no implica el rediseo de la red, como en el caso del disparo resistivo.

APLICACIONES DEL SCR

Las aplicaciones de los tiristores se extiende desde la rectificacin de corrientes alternas, en lugar de los diodos
convencionales hasta la realizacin de determinadas conmutaciones de baja potencia en circuitos electrnicos,
pasando por los onduladores o inversores que transforman la corriente continua en alterna.

La principal ventaja que presentan frente a los diodos cuando se les utiliza como rectificadores es que su entrada
en conduccin estar controlada por la seal de puerta. De esta forma se podr variar la tensin continua de
salida si se hace variar el momento del disparo ya que se obtendrn diferentes ngulos de conduccin del ciclo
de la tensin o corriente alterna de entrada. Adems el tiristor se bloquear automticamente al cambiar la
alternancia de positiva a negativa ya que en este momento empezar a recibir tensin inversa. Por lo
anteriormente sealado el SCR tiene una gran variedad de aplicaciones, entre ellas estn las siguientes:
Controles de relevador. Circuitos de retardo de tiempo, Fuentes de alimentacin reguladas., Interruptores
estticos, Controles de motores, Recortadores. Inversores. Ciclo conversores. Cargadores de bateras. Circuitos
de proteccin. Controles de calefaccin. Controles de fase.

APLICACIN 1: CARGADOR DE BATERAS

El cargador de bateras (acumuladores) que aqu te presento es automtico. En el secundario tenemos un voltaje
de 15 voltios de corriente alterna, la cual es rectificada por los 2 diodos ( cada uno conduce la mitad del ciclo ),
lo que proporciona 2.5 amperios. En el caso de los cargadores no se filtra el voltaje, en este caso nos sirve para
que el SCR pueda ser desconectado al cortarse el voltaje de su compuerta, lo que no ocurre si filtramos la
corriente. Si vemos el diagrama del circuito, la batera esta conectada en serie con la fuente, el SCR1 y el
ampermetro para verificar el amperaje (este es opcional, ya que son caros ). La compuerta del SCR es
polarizada por el resistor de 560 ohmios y el diodo 1N4002, en el sentido de conducir la corriente cuando la
tensin alcanza aproximadamente 1 V. En la compuerta del SCR1 ( TIC 116 TIC 125 ) tenemos el circuito
sensor de carga, el cual esta formado por un divisor de voltaje ( el zener y el SCR2 - TIC 106 ). Ajustamos el
trimpot (potencimetro miniatura) de 4.7K, para obtener la tensin de disparo del SCR2, que en este caso,
corresponde a la tensin del zener cuando la batera esta completamente cargada. Para una batera de 6 voltios,
el voltaje del zener debe de ser de 2.1 2.4.

Cuando una batera presenta entre sus terminales la tensin que corresponde a la carga completa, el zener
conduce y el SCR2 se dispara. Bajo estas condiciones, el mismo prcticamente pone a tierra la compuerta del
SCR1, lo que impide el disparo de este, y por lo tanto imterrumpe la carga. Al mismo tiempo, la conduccin
completa del SCR2 hace que el LED2 (verde) se encienda indicando que la batera est completamente cargada.
PRUEBA: Conectemos una batera cargada en el circuito y ajustemos el trimpot para que el LED2 encienda,
cuando esto sucede, el ampermetro ( si lo tiene ) deber caer a cero. Con esto ajustamos el cargador para que
funcione correctamente. Se recomienda no conectar 2 bateras a la vez porque arruinara los componentes del
circuito electrnico.

Aplicaciones de los amplificadores con transistores
Se ha encontrado que el amplificador EC posee ganancias de tensin y de corriente significativas con altas
impedancia de entrada y salida. La impedancia de entrada alta es deseable, mientras que la impedancia de salida
alta tiene algunos problemas. Ntese que a mayor impedancia de salida, menor es la corriente que se puede
extraer del amplificador sin que haya una cada significativa en la tensin de salida. En ese se utiliza ms para
amplificacin de tensin. Puede proporcionar una exclusin grande en la tensin de salida, que se convierte en
la entrada de la siguiente etapa del sistema El amplificador ES (CC) proporciona ganancia de corriente alta con
impedancia de salida baja. Se puede utilizar como una especie de compuerta de potencia entre un EC y una
carga que demandante corriente. El CC es un amplificador de potencia y tambin una etapa de acoplamiento de
impedancia. Este amplificador se encuentra normalmente en la etapa final de salida de un amplificador de seal,
pues no slo baja el valor de la impedancia sino que proporciona la potencia necesaria para excitar la carga. El
amplificador BC tiene una impedancia de entrada baja y una impedancia de salida relativamente alta. El BC se
puede utilizar como amplificador de tensin. Este amplificador es menos sensible a la frecuencia que los otros
tipos de amplificador, y se utiliza a menudo entre circuitos integrados para proporcionar una salida con intervalo
amplio de frecuencia.

Acoplamiento de amplificadores
Cuando un sistema est compuesto por ms de una etapa de transistores, es necesario conectar, o acoplar, los
transistores entre s. Existen muchas formas comunes de lograr esta interpretacin entre amplificadores. En las
siguientes secciones se analizan los acoplamientos directo, capacitivo, por transformador y ptico.
Acoplamiento directo Dos amplificadores estn acoplar es directamente si la salida del primer amplificador se
conecta en forma directa a la entrada del segundo sin utilizar capacitores. La salida en ca de la primera etapa
est superpuesta con el nivel de cd esttico de la segunda etapa. El nivel de cd de la salida de la etapa anterior se
suma al nivel de cd de polarizacin de la segunda etapa. Para compensar los cambios en los niveles de

polarizacin, en amplificador utiliza diferentes valores de fuentes de tensin de cd en lugar de una fuente de Vcc
sencilla.

El acoplamiento directo se puede utilizar de manera efectiva al acoplar en amplificador EC a uno ES. El
amplificador acoplado directamente tiene una buena respuesta en frecuencias pues no existen elementos de
almacenamiento en serie (es decir, sensibles a la frecuencia) que afecten la seal de salida en baja frecuencia.
Acoplamiento capacitivo Constituye la forma ms simple y efectiva de desacoplar los efectos del nivel de cd de
la primera etapa amplificador, de aquellos de la segunda etapa. En capacitor separa el componente de cd de la
seal de ca. Por tanto, la etapa anterior no afecta la polarizacin de la siguiente. Para asegurar que la seal no
cambie de manera significativa por la adicin de un capacitor, es necesario que est se comporte como
cortocircuito para todas las frecuencias a amplificar.

Acoplamiento por transformador
Se puede utilizar un transformador para acoplar dos etapas del amplificador. Este tipo de acoplamiento se utiliza
a menudo cuando se amplifican seales de alta frecuencia. Las transformaciones son ms costosas que los
capacitores, aunque sus ventajas pueden justificar el costo adicional. A travs de una eleccin adecuada de la
razn de vueltas, se puede utilizar un transformador para aumentar ya sea la ganancia de tensin o bien la de
corriente fondo. Por ejemplo, encina etapa de salida del amplificador vez potencia, en transformador se utiliza
para aumentar la ganancia de corriente. Existen otros beneficios asociados con el uso de un transformador. Por
ejemplo, el transformador se puede sintonizar para resonar de manera que se convierta en un filtro pasa-banda
(filtro que pasa las frecuencias deseadas y atena las frecuencias que quedan fuera de la banda requerida).

Acoplamiento ptico
Muchas aplicaciones requieren el acoplamiento ptico de circuitos electrnicos. Estas aplicaciones se pueden
clasificar como sigue:
- dispositivos sensibles a la luz y emisores de luz.
- detectores y emisores discretos para sistemas de fibra ptica.
- mdulos interruptor/ reflector que detectan objetos que modifican la trayectoria de la luz.
- aisladores /acopladores que transmiten seales elctricas sin conexiones elctricas.
4. Divisor de fase

El divisor de fase, mostrado en la figura 3.22, es un amplificador que simultneamente es EC y sesenta. Se
eligen Rc = R
E
= R
L
tal y la tensin de salida en el colector tenga igual magnitud que la tensin de salida en
emisor, pero estas tensiones se hallan 180 fuera de fase. Las dos seales de salida de este circuito son
aproximadamente iguales en amplitud a la seal de entrada: esto est, las razones de ganancia de tensin son
aproximadamente iguales a uno, en magnitud. Las dos salidas resultantes de una entrada sonoridad se muestran
en la figura. En el emisor, la salida est en fase con la seal de entrada, mientras que la salida de colector
estaciones 180 fuera de fase con la seal de entrada.

Anlisis del amplificador multietapa A menudo los amplificadores se conectan en serie (cascada), como se
muestra en la figura 3.23. La carga en el primer amplificador es la resistencia de entrada del segundo
amplificador. No es necesario que las diferentes etapas tengan las mismas ganancias que tensin y de corriente.
En la prctica, las etapas iniciales suelen ser amplificadores de tensin y la ltima o las dos ltimas son
amplificadores de corriente. La ganancia en una etapa se determina por la carga de sta, que se gobierna por la
resistencia de entrada de la siguiente etapa. Por tanto, cuando se disean o analizan amplificadores multietapa,
se inicia en la salida y se contina hacia la entrada.

Se han analizado dispositivos de dos capas (diodo) y de tres capas (transistores). El xito de los dispositivos de
tres capas, como el BJT y el transistor de efecto de campo (FET, field-effect transistor) condujo a los
investigadores al concepto del dispositivo de cuatro capas. Con la capacidad de manufactura aumentada, los
dispositivos de cuatro capas no presentan mayores problemas de fabricacin.
Rectificador controlado de silicio (SCR) El rectificador controlado de silicio (SCR, silicon-controlled rectifier)
es un dispositivo de cuatro capas (pnpn) con caractersticas de conmutacin muy utilies. Se trata de un miembro
de la familia de transistores y se utiliza en controles de relevadores, calentamiento por induccin, limpieza
ultrasnica y circuitos de control. Los SCR se pueden construir para control de potencia en la regin de
megawatts y soportan corrientes hasta de 1500 A a 2000 V. Los intervalos de frecuencia estn un poco
limitados, pero algunos SCR son capaces de trabajar a frecuencias de hasta 50 kHz.

Conmutador controlado de silicio (SCS) El conmutador controlado de silicio (SCS silicon-controlled switch) se
construye en forma similar al SCR excepto que ambas capas centrales se conectan a compuertas; una se
denomina compuerta de nodo y la otra, compuerta de ctodo.
DIAC y TRIAC El DIAC, o diodo de disparo, es un dispositivo de dos terminales que se puede disparar en
cualquier direccin. El dispositivo opera en la regin inversa y la ruptura se produce en cualquier direccin
cuando la tensin aumenta hasta el nivel necesario. Estos dispositivos se utilizan a menudo en el circuito de
compuerta de un SCR para empezar la accin de compuerta.
El TRIAC es similar al DIAC excepto que tiene una terminal de compuerta para controlar el encendido para
cualquier polaridad de tensin entre los dos nodos.

Fuentes de tensin y de corriente dependientes
Las fuentes dependientes producen una tensin o corriente cuyo valor est determinado por la existencia de una
tensin o corriente en otro lugar del circuito(ntese que los dispositivos producen una tensin o corriente cuyo
valor se determina por una tensin o corriente en el mismo lugar del circuito). Las fuentes de tensin y de
corriente dependientes o independientes son elementos activos, esto es capaces de suministrar energa a algn
dispositivo externo. Los elementos pasivos no pueden generar energa, aunque pueden almacenar cantidades
finitas de est para su distribucin posterior, como es el caso de los capacitores e inductores.
En la figura 2.1 se muestra un circuito que contiene una fuente dependiente. La fuente de tensin depende del
valor de la tensin, V
R2
.

Transistores bipolares
El transistor es un dispositivo de tres terminales, a diferencia del diodo, que tiene dos terminales. Este consiste
en un material de tipo p y uno de tipo n; el transistor consiste en dos materiales de tipo n separados por un
material de tipo p (transistor npn) o en dos materiales p separados por un material n (transistor pnp). En la figura
2.4(a) se incluye la representacin esquemtica de un transistor.
Las tres capas o secciones diferentes se identifican como emisor, base y colector.
El emisor, capa de tamao medio diseada para emitir o inyectar electrones, est bastante contaminado. La base,
con una contaminacin media, es una capa delgada diseada para pasar electrones. El colector, capa grande
diseada para colectar electrones, est poco contaminado.
El transistor se puede concebir como dos uniones pn colocadas "espalda contra espalda", stas se denominan
transistores bipolares de unin (BJT, bipolar funcin transistor).
Una explicacin sencilla pero eficaz de la operacin del transistor npn se lleva a cabo utilizando la tcnica de
diagramas de barrea de potencial de la figura 2.4(b). Este mtodo ilustra de manera simplificada la operacin
bsica de un transistor bipolar de tal forma que se puedan entender ejemplos de circuitos sencillos. Cuando la
unin base-emisor se polariza en directo y la unin base-colector en inverso, los electrones que dejan el material
n del emisor slo ven una barrera de potencial pequea en la unin np. Como la barrera de potencial es pequea,
muchos de los electrones tienen la suficiente energa para llegar al tope de ella. Una vez en el tope, los
electrones se mueven fcilmente a travs del material p (base) a la unin pn (base-colector). Cuando se acercan
a esta unin, los electrones se encuentran bajo la influencia de la fuente de tensin positiva y se mueven con
mucha rapidez conforme descienden en la barrera de potencial. Si se reduce la polarizacin en directo de la
unin base-emisor, aumenta la altura de la barrera de potencial. Alos electrones que dejan el emisor les ser ms
difcil alcanzar el tope. Los electrones que lo alcanzan son aquellos con mayor cantidad de energa, y los que
alcanzarn el colector. Por tanto, una reduccin de la polarizacin en directo provoca que la corriente a travs
del transistor se reduzca en forma considerable. Por otra parte, al aumentar la polarizacin en directo de la unin
base-emisor se reduce la barrera de potencial y se permite el flujo de un mayor nmero de electrones a travs del
transistor.
El flujo de corriente en un transistor de unin tambin se puede entender mediante el examen del
comportamiento de los portadores de carga y las regiones desrticas. Estas regiones se identificaron en la figura
2.4(b). Ntese que como la unin base-emisor esta polarizada en directo, la regin desrtica es relativamente
delgada. Lo inverso es correcto para la unin base-colector. Un gran nmero de portadores mayoritarios
(electrones) se difunde a travs de la unin base emisor, puesto que sta se halla polarizada en directo. Estos
electrones entran a la regin de la base y tienen dos opciones. Podran dejar esta regin a travs de la conexin
con las fuentes de alimentacin o continuar hacia la regin de colector a travs de la amplia regin desrtica de
la unin polarizada en inverso. Lo normal sera que la mayor parte de esta corriente regresar a la fuente,
excepto por las siguientes observaciones. Como la regin de base es muy delgada, estos electrones necesitan
viajar una distancia ms corta para ser atrados por la fuente positiva del colector. Adems, el material de la base
posee una conductividad baja, por lo que el trayecto hacia la terminal de la fuente presenta alta impedancia. En

realidad, una cantidad muy pequea de los electrones deja la base a travs de la conexin con la fuente; la
mayor parte de la corriente fluye hacia el colector.
El transistor de unin bipolar presenta ganancia de corriente, lo cual se puede utilizar para amplificar seales.
En la figura 2.5 se muestra el circuito equivalente simplificado de un transistor npn. Por lo general, este modelo
es adecuado para el diseo y anlisis de muchos circuitos.
En la figura 2.7 se muestra una versin refinada de este modelo, conocida como modelo de Ebers-Moll. La
unin base-emisor acta como un dipolo polarizado en directo con una corriente i
B
+ i
C
. La unin base-colector
esta polarizada en inverso y exhibe una corriente de fuga pequea, I
CBO
, y una corriente grande, i
B
. Esta ltima
es provocada por la interaccin de corrientes en la base. Queda claro que
i
E
= i
C
+ i
B
Ntese que la direccin positiva de las corrientes de base y colector se define entrando al transistor, y
en forma inversa para la corriente del emisor. Esta es una simple conveccin, y se podra haber invertido
cualquiera de las direcciones.

LISTA DE COMPONENTES
Cuando la entrada rectificada de onda completa es lo bastante grande para
producir la corriente de disparo de compuerta requerida (controlada por R1),
SCR1 se disparar y dar comienzo a la carga de la batera. Al inicio de la
carga, el bajo voltaje de la batera producir un bajo voltaje VR determinado
por el circuito divisor de voltaje sencillo. El voltaje VR es, a su vez,
demasiado pequeo para provocar la conduccin del Zener de 11.0 v. En el
estado de corte, el Zener es efectivamente un circuito abierto que mantiene a
SCR2 en el estado de corte porque la corriente de compuerta es cero. El
capacitor C1 se incluye para evitar los transitorios de voltaje en el circuito y
que ellos accidentalmente disparen al SCR2. Recurdese de sus estudios
fundamentales de anlisis de circuitos que el voltaje no puede cambiar en
forma instantnea a travs de un capacitor.
De ste modo, C1 evita que los efectos transitorios
afecten al SCR. A medida que la carga contina, el voltaje de la batera aumenta hasta un punto donde VR es lo
suficientemente alto como para hacer conducir al Zener de 11.0 V y disparar al SCR2 . Una vez que SCR2 se ha
disparado, la representacin en corto circuito para SCR2 producir un circuito divisor de voltaje determinado
por R1 y R2, que mantendr a V2 en un nivel demasiado pequeo para disparar el SCR1. Cuando esto ocurre, la
batera est completamente cargada y el estado en circuito abierto de SCR1 cortar la corriente de carga. De este
modo, el regulador recarga la batera si el voltaje disminuye y evita la
sobrecarga cuando se ha cargado al mximo.

APLICACIN 2: ALARMA PARA PUERTA O VENTANA

Para que esta alarma funcione correctamente, es necesario determinar
cul es la lnea viva y la neutra del servicio de energa elctrica.
Aunque esta sea alterna hay un alambre que es, digamos positivo. La
alarma se activar cuando se toque alguna de las partes por donde este
el alambre sin forro (no esmaltado), en substitucin de la lmpara
puede usarse un timbre. No est dems recordarles que el SCR1 debe montarse en un disipador de calor. Para la
sensibilidad del circuito se deben ajustar los 2 potencimetros (R2 y R5). El C1 y el R1 sirven para que cuando
se dispare la alarma se mantenga sonando el timbre, o alumbrando la lmpara. El SCR1 debe de soportar cuando
menos 400 voltios y unos 6 amperios.

APLICACIN 3: CIRCUITO PARA CONTROL DE FASE
Un circuito capaz de establecer un ngulo de conduccin entre 90 y 180 se muestra en la figura (2a). El circuito
es similar al de la figura (1a) excepto por la adicin de un resistor variable y la eliminacin del interruptor. La
combinacin de los resistores R y R1 limitar la corriente de compuerta durante la parte positiva de la seal de
entrada. Si R1 se fija para su valor mximo, puede ocurrir que la corriente de compuerta nunca alcance la
magnitud del disparo. Conforme R1 disminuye desde el mximo, la corriente de compuerta aumentar con el
mismo voltaje de entrada. En esta forma, la corriente de disparo de compuerta requerida puede establecerse en
cualquier punto entre 0 y 90, como se muestra en la figura (2b).Si R1 es baja, el SCR se disparar casi de
inmediato, resultando la misma accin que la que se obtuvo del circuito de la figura (1a) (conduccin durante
180).
Figura 2.49. Circuito de un Cargador de Bateras


Si se incrementa R1 se requerir un voltaje de entrada ms alto (positivo) para activar el SCR. Como se indica
en la figura (2b), el control no puede extenderse ms all de un desplazamiento de fase de 90 porque la entrada
es mxima en este punto. Si falla para disparar a ste y a valores menores de voltaje de entrada sobre la
pendiente positiva de la entrada, debe esperarse la misma respuesta de la parte con pendiente negativa de la
forma de onda de la seal. La operacin en este caso suele denominarse en trminos tcnicos como control de
fase de resistencia variable de media onda. Es un mtodo efectivo para controlar corriente rms y, en
consecuencia, la potencia hacia la carga.
Caractersticas del Circuito para Control de Fase
Disparo mediante corriente por puerta del SCR
Variacin controlada del ngulo de disparo
Evolucin de las formas de onda ms representativas en el
circuito.
Valoracin de la potencia entregada a la carga en varios
casos
Cuando la tensin en el condensador alcance la suma de la
tensin directa de los diodos ms la tensin puerta-ctodo del
SCR se producir la aparicin de una corriente entrante por
puerta y por tanto el disparo del SCR. La aparicin de dicha corriente depender del tiempo que tarde el
condensador en llegar a ese valor. Tensin de codo de los diodos ms tensin de codo puerta-ctodo?

Utilizando el osciloscopio, se puede visualizar la
evolucin de la tensin en el condensador y
compararse con la situacin sin los diodos. Visualice tambin la tensin en la carga y en el SCR
simultneamente (tngase en cuenta la referencia comn de las dos sondas del osciloscopio) y vare con el
potencimetro el ngulo de disparo. El ngulo de disparo es el ngulo elctrico en el que se produce la entrada
en conduccin del SCR mediante la corriente por puerta y se cuenta a partir del instante en el que el SCR se
polariza directamente.

APLICACIN 4: DESTELLADOR
Este circuito bsicamente es similar al flash, con la diferencia que este usa un oscilador por relajacin, formado
por una lmpara nen, la cual se encarga de gatillar el SCR, cuando en las placas del capacitor de 0.2 F. hay
ms de 60 voltios. Aqu el nodo y el ctodo del SCR substituyen al S1 del flash. Se producir un destello cada
vez que le llegue un pulso negativo al gate dundo se enciende el nen. Los destellos por minuto se controlan con
el potencimetro de 1M., el resistor de 150K y por supuesto, el capacitor de 0.2F.
FLASH
Los 2 diodos y los 2 capacitores de 20 F. forman un doblador de voltaje, el cual proporciona los 220 V. de CD
que necesita la lmpara xenn. El resistor de 100K es una limitador de corriente, mismo que se encarga de evitar
que por los contactos de la cmara fotogrfica circulen corrientes altas (en el caso que se use como flash
auxiliar).

El capacitor de 0.5 F. se carga a travs del resistor de 100K y se descarga en el primario del transformador,
cuando se cierra el S1. El transformador se devana sobre una forma de plstico o cartn, se embobinan 300 o
350 vueltas de alambre 30 y luego sobre estas, de 30 a 60 de calibre 22, probablemente tendrs que modificar
T1, si la lmpara no enciende, tambin puedes probar con ncleo de ferrita.

APLICACIN 5: UN INTERRUPTOR ESTTICO

Un interruptor esttico es un dispositivo electrnico capaz de hacer transferencias entre dos lneas de
alimentacin. Alimentado por dos fuentes independientes de corriente alterna (una fuente principal y otra
alternativa), el interruptor esttico detecta instantneamente deficiencias en la calidad de la energa y transfiere
rpidamente a la fuente alternativa, sin interrupcin a las cargas crticas. Este acceso ininterrumpido a fuentes de
poder duales e independientes ofrece gran disponibilidad y confiabilidad al sistema.

Un interruptor esttico serie de media onda se muestra en la figura (1a). Si el interruptor se cierra como se
muestra en la figura (1b), circular una corriente de compuerta durante la parte positiva de la seal de entrada,
disparando al SCR. El resistor R, limita la magnitud de la corriente de compuerta. Cuando el SCR se dispare, el
voltaje nodo a ctodo (VF) disminuir el valor de conduccin, producindose una corriente de compuerta
Figura 2.51. Circuito de control de fase y
Circuito de Disparo del SCR

Figura 2.52. Seal de Voltaje de Entrada y Salida


bastante reducida y prdidas sumamente bajas en el circuito de compuerta. En la regin negativa de la seal de
entrada, el SCR se apagar, ya que el nodo es negativo con respecto al ctodo. El diodo D, se incluye para
evitar una inversin en la corriente de compuerta.

Las formas de onda para la corriente y voltaje de carga resultantes se presentan en la figura (1b).El resultado es
una seal rectificada de media onda a travs de la
carga. Si se desea una conduccin con una duracin
menor que 180, el interruptor puede cerrarse a
cualquier desplazamiento de fase durante la parte
positiva de la seal de entrada. El interruptor puede ser
electrnico, electromagntico o mecnico,
dependiendo de la aplicacin.

Un circuito capaz de establecer un ngulo de conduccin entre 90 y 180 se muestra en la figura (2a). El circuito
es similar al de la figura (1a) excepto por la adicin de un resistor variable y la eliminacin del interruptor. La
combinacin de los resistores R y R1 limitar la corriente de compuerta durante la parte positiva de la seal de
entrada. Si R1 se fija para su valor mximo, puede ocurrir que la corriente de compuerta nunca alcance la
magnitud del disparo. Conforme R1 disminuye desde el mximo,
la corriente de compuerta aumentar con el mismo voltaje de
entrada. En esta forma, la corriente de disparo de compuerta
requerida puede establecerse en cualquier punto entre 0 y 90,
como se muestra en la figura (2b).Si R1 es
baja, el SCR se disparar casi de
inmediato, resultando la misma accin que la que se obtuvo del
circuito de la figura (1a) (conduccin durante 180).

APLICACIN 6: CONTROL DE TEMPERATURA
En la siguiente figura aparece el diagrama esquemtico de un
control de temperatura de 100W que utiliza un SCR. Se ha diseado de manera tal que el calefactor de 100W se
encender y apagar de acuerdo a como lo determine el termostato. Los termostatos de mercurio en vidrio son
muy sensibles al cambio de temperatura. En realidad, ellos pueden registrar cambios tan pequeos como 0.1C.
Sin embargo, su aplicacin es limitad limitada porque slo pueden manejar niveles sumamente bajos de
corriente (menores que 1 mA). En esta aplicacin, el SCR sirve como un amplificador de corriente en un
elemento de conmutacin de carga. No es un amplificador en el sentido de que incremente el nivel de corriente
del termostato. Ms bien es un dispositivo cuyo alto nivel de corriente se controla mediante el comportamiento
del termostato.
El trmino se conoce como factor de ganancia a seal grande o factor de amplificacin en cd. Por tanto, se
vuelve el modelo original simplificado. En la prctica, el valor de vara con la corriente de base.
Circuitos con transistores

Existen tres configuraciones usadas en circuitos de
transistores. La ms utilizada es la de
amplificador en emisor comn (EC), as llamada
porque el emisor se encuentra tanto en el lazo de entrada como en el de salida. El siguiente circuito ms
utilizado es la configuracin en colector comn (CC), tambin conocida como emisor seguidor. La tercera
configuracin es el circuito en base comn (BC). En la figura 2.9 se muestran ejemplos de estas configuraciones
de amplificadores y se ilustran transistores npn. El diseo de la polarizacin, o circuito en cd. Est caracterizado
por el resistor de base, R
B
, el resistor de emisor, R
E
, el resistor de colector, R
C
, y la fuente de tensin, V
CC
. La
tcnica de polarizacin para el amplificador EC es la misma que para la configuracin BC, por lo que se
consideran juntas. La configuracin CC se considera por separado. Cuando

Como el transistor es un dispositivo no lineal, la forma de definir su operacin es usar una serie de curvas
caractersticas de manera similar a las utilizadas en el captulo anterior para los diodos. Existe un conjunto de
curvas para cada tipo de transistor. Como no se est tratando con dispositivos de 2 terminales, las ecuaciones
incluyen al menos tres variables. Por tanto, se utilizan curvas paramtricas para describir el comportamiento del
transistor. En la figura 2.10 se muestran dos grficas caractersticas. En la figura 2.10 (a) se ilustra la corriente
del emisor como funcin de la tensin entre la base y el emisor cuando v
CE
se mantiene constante. Ntese que,
Figura 2.54. Interruptor esttico serie de media onda

Figura 2.55. Controlador de temperatura


como se poda esperar, esta curva es similar a la del diodo, ya que constituyen la caracterstica de la corriente en
una unin simple. Se dibuja una lnea de carga utilizando las dos imperfecciones con los ejes. Cuando i
E
.= 0. La
otra se encuentra haciendo v
Be
= 0. El punto donde la lnea de carga cruza la curva de i
E
contra v
BE
se llama
punto de operacin, o punto Q. La pendiente de la lnea de carga es 1/(R
E
+ R
B
). Esto es, la resistencia
equivalente vista por las terminales de base y de emisor es simplemente R
E
+ R
B
. La pendiente de la curva
caracterstica es 1/rd, donde rd es la resistencia dinmica de la unin base-emisor de transistor. Esta pendiente se
puede calcular a partir de la ecuacin (1.-se aparentes) y de las simplificaciones que le sigue. Como sta es una
unin pn, nV
T
= 26 mV (suponiendo una unin de silicio a temperatura ambiente). Tomando la derivada de la
ecuacin (1.1) y realizando las simplificaciones adecuadas, se encuentra que la resistencia dinmica es
aproximadamente

Donde IEQ es la corriente del emisor en el punto Q.
Sin embargo, en transistores de silicio, el valor de n est cercano a la unidad debido a los efectos de
recombinacin provocados por las corrientes de base y de colector combinadas en la regin del emisor. Los
transistores de difusin exhiben un incremento del 10 al 20% en el valor de n para niveles de corriente por arriba
del intervalo normal de operacin del transistor. Una extensin en lnea recta de la curva caracterstica
interceptara al eje v
BE
en 0.7 para transistores de silicio,0.2 para germanio y 1.2 para dispositivos de arsenurio
de galio. Las curvas caractersticas son curvas paramtricas de i
C
contra v
CE
, con i
B
como parmetro. En la
figura 2.11 se muestra un ejemplo de una familia de dichos curvas. Cada tipo de transistor tiene su propio
conjunto nico de curvas caractersticas. El amplificador EC :El EC, o amplificador emisor comn, se llama as
porque la corriente de base y de colector se combina en el emisor. En la figura 2.13 se muestra la configuracin
del amplificador, donde se seleccion un transistor npn
como ilustracin. En primer lugar se analiza en circuito
de la figura 2.13 bajo condiciones de cd. La fuente
variable, v
s
, se hace igual a cero. La LTK en el lazo de
base se escribe como. Debe ser claro que la red puente
est conectada a la alimentacin de ca a travs del
calefactor de 100W. Esto producir un voltaje rectificado
de onda completa a travs del SCR. Cuando el termostato
est abierto el voltaje en el capacitor se cargar hasta un
potencial de disparo de compuerta a travs de cada pulso de la seal rectificada. La constante de tiempo de carga
se determina por el producto RC. Esto disparar el SCR durante cada medio ciclo de la seal de entrada,
permitiendo un flujo de carga (corriente) hacia el calefactor. Conforme aumente la temperatura, el termostato
conductivo pondr en corto circuito al capacitor, eliminando la posibilidad de que este ltimo se cargue hasta el
potencial de disparo y se dispare el SCR. El resistor de 510 k contribuir entonces a mantener una corriente
sumamente baja (menor que 250 A) a travs del termostato.

APLICACIN 7: SISTEMA DE ILUMINACIN DE EMERGENCIA
Es un sistema de iluminacin de emergencia de una sola fuente que mantendr la carga en una batera de 6 V
para asegurar su disponibilidad y brindar tambin energa cd a una lmpara elctrica si hay una interrupcin
elctrica. Una seal rectificada de onda completa aparecer a travs de la lmpara de 6 V debido a los diodos D2
y D1. El capacitor C1 se cargar hasta un voltaje ligeramente menor que la diferencia entre el valor pico de la
seal rectificada de onda completa y el voltaje cd en R2 establecido por la verta de 6 V.
En todo caso, el ctodo del SCR1 est mayor que el nodo y el voltaje de la compuerta al ctodo es negativo,
asegurando que el SCR no conduzca. La batera se est cargando a travs de R1 y D1 a una razn determinada
por R1. La carga de la batera slo ocurre cuando el nodo de D1 es ms positivo que su ctodo. El nivel cd de
la seal rectificada de onda completa asegurar que la lmpara este encendida cuando haya potencia. Si la
alimentacin elctrica falla, el capacitor C1 se descargar a travs de D1,
R1 y R3 hasta que el ctodo de SCR1 sea menos positivo que el nodo.
Al mismo tiempo, la unin de R2 y R3 se volver positiva y establecer
suficiente voltaje de compuerta a ctodo para disparar el SCR. Una vez
disparado, la batera de 6 V se descargara a travs del SCR1 y energizara
la lmpara y mantendra su iluminacin. Despus de que se restablece la
energa, el capacitor C1 se recargar y restablecer el estado no conductor
de SCR1, como se describi antes.

Disparo de un tiristor
Un tiristor se activa incrementando la corriente del nodo. Esto se

puede llevar a cabo mediante una de las siguientes formas:
Trmica. Si la temperatura de un tiristor es alta habr un aumento en el nmero de pares electrn-hueco,
lo que aumentar las corrientes de fuga. Este aumento en las corrientes har que a1 y a2 aumenten.
Debido a la accin regenerativa (a1 + a2 ) puede tender a la unidad y el tiristor pudiera activarse. Este
tipo de activacin puede causar una fuga trmica que por lo general se evita.
Luz. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentaran los pares electrn-hueco
pudindose activar el tiristor. La activacin de tiristores por luz se logra permitiendo que esta llegue a los
discos de silicio. Alto Voltaje. Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de ruptura
directo VBO , fluir una corriente de fuga suficiente para iniciar una activacin regenerativa. Este tipo
de activacin puede resultar destructiva por lo que se debe evitar.
dv/dt. Si la velocidad de elevacin del voltaje nodo-ctodo es alta, la corriente de carga de las uniones
capacitivas puede ser suficiente para activar el tiristor. Un valor alto de corriente de carga puede daar el
tiristor por lo que el dispositivo debe protegerse contra dv/dt alto. Los fabricantes especifican el dv/dt
mximo permisible de los tiristores.

Corriente De Compuerta. Si un tiristor est polarizado en directa, la inyeccin de una corriente de
compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las terminales del ctodo
activar al tiristor. Conforme aumenta la corriente de compuerta, se reduce el voltaje de bloqueo directo,
podiendo llegar a activarse. Un tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura
pnpn con tres uniones pn tiene tres terminales: nodo ctodo y compuerta. La figura muestra el smbolo
del tiristor y una seccin recta de tres uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusin.
Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las uniones J1 y J3 tienen
polarizacin directa o positiva. La unin J2 tiene polarizacin inversa, y solo fluir una pequea corriente
de fuga del nodo al ctodo. Se dice entonces que el tiristor est en condicin de bloqueo directo o en
estado desactivado llamndose a la corriente fuga corriente de estado inactivo ID . Si el voltaje nodo a
ctodo VAK se incrementa a un valor lo suficientemente grande la unin J2 polarizada inversamente
entrar en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha y el voltaje correspondiente se llama
voltaje de ruptura directa VBO . Dado que las uniones J1 y J3 ya tienen polarizacin directa, habr un
movimiento libre de portadores a travs de las tres uniones que provocar una gran corriente directa del
nodo. Se dice entonces que el dispositivo est en estado de conduccin o activado.

La cada de voltaje se deber a la cada hmica de las cuatro capas y ser pequea, por lo comn 1v. En
el estado activo, la corriente del nodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche
IL , a fin de mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a travs de la unin; de lo contrario,
al reducirse el voltaje del nodo al ctodo, el dispositivo regresar a la condicin de bloqueo. La corriente
de enganche, IL , es la corriente del nodo mnima requerida para mantener el tiristor en estado de
conduccin inmediatamente despus de que ha sido activado y se ha retirado la seal de la compuerta.
Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un diodo en conduccin y ya no hay control sobre el
dispositivo. El tiristor seguir conduciendo, porque en la unin J2 no existe una capa de agotamiento de
vida a movimientos libres de portadores. Sin embargo si se reduce la corriente directa del nodo por
debajo de un nivel conocido como corriente de mantenimiento IH , se genera una regin de agotamiento
alrededor de la unin J2 debido al nmero reducido de portadores; el tiristor estar entonces en estado
de bloqueo. La corriente de mantenimiento es del orden de los miliamperios y es menor que la corriente
de enganche, IL . Esto significa que IL >IH . La corriente de mantenimiento IH es la corriente del nodo
mnima para mantener el tiristor en estado de rgimen permanente. La corriente de mantenimiento es
menor que la corriente de enganche.

Cuando el voltaje del ctodo es positivo con respecto al del
nodo, la unin J2 tiene polarizacin directa, pero las
unioneJ1 y J3 tienen polarizacin inversa. Esto es similar a dos
diodos conectados en serie con un voltaje inverso a travs de
ellos. El tiristor estar en estado de bloqueo inverso y una
corriente de fuga inversa, conocida como corriente de fuga
inversa IR , fluir a travs del dispositivo.

Regulacin de potencia a travs de tiristores
Para regular potencia a travs de tiristores se utilizan mdulos
tiristores, los que contienen dos S.C.R conectados en antiparalelo.


Cuando el S.C.R. es disparado en el comienzo del ciclo (aproximadamente a 0), el mdulo conduce
aproximadamente 360 y esto ocasiona una transmisin de mxima potencia a la carga. En cambio, cuando el
S.C.R es disparado cerca del pico positivo, el mdulo conduce 180 y esto produce una transmisin menor de
potencia a la carga.

A travs de ajustes en el circuito de disparo, el accionamiento de los S.C.R. puede retrasarse y, de esta forma,
tenemos una transmisin variable de potencia.
En la actualidad, una de las seales ms empleadas en procesos industriales es la seal de 420 mA y los
sistemas de control para tiristores utilizan esta seal para modular la potencia.
Una de las aplicaciones ms utilizadas en el control de potencia es el de temperatura a travs de calefactores
elctricos, en el cual se utiliza un controlador de temperatura con salida 420 mA y un sistema de regulacin de
potencia por tiristor. Con estos componentes es posible obtener un control proporcional de la potencia de los
calefactores, a travs de la modulacin de voltaje que el sistema realiza. Tambin es posible aplicar este sistema
a controles de tipo ON-OFF a travs de una salida rel en un control de temperatura.

Los sistemas reguladores de potencia con tiristores tienen aplicaciones trifsicas y monofsicas.
Cuando se realiza un sistema de control a travs de tiristores, el ahorro de energa es considerable, ya que al
trabajar el voltaje en funcin de la seal de 420 mA, se produce solamente la transmisin de potencia necesaria
de acuerdo a la demanda del proceso.

Ciberntica
Historia de la cibernetica
Desde que termin la segunda guerra mundial, se ha trabajado en la teora de los mensajes. Adems de la parte
electrotcnica de su transmisin, existe un campo muy amplio que incluye, no solo el estudio del lenguaje, sino
adems el estudio de los mensajes como medio de manejar aparatos o grupos humanos, el desarrollo de las
maquinas de calcular y otros autmatas similares, algunas reflexiones sobre la psicologa y el sistema nervioso y
una tentativa de enunciar una nueva hiptesis del mtodo cientfico. Esta teora ms amplia de los mensajes es
probabilstica y porte intrnseco de aquella corriente que debe su origen a Willard Gibbs. Hasta hace muy poco
tiempo no exista una voz que comprendiera ese conjunto de ideas; para poder expresarlo todo mediante una
palabra, me vi obligado a inventarla. De ah: ciberntica, que se deriva de la voz griega kubernetes o timonel, la
misma raz de la cual los pueblos de Occidente han formado gobierno y de sus derivados. Por otra parte, se
encontr ms tarde que la voz haba sido usada ya por Ampere. Aplicada a la poltica, e introducida en otro
sentido por un hombre de ciencia polaco; ambos casos datan de principios de siglo XIX. En la poca de los 50,
consista en esa poca en unas pocas ideas compartidas por los doctores Claude Shannon, Warren Weaver y yo,
se ha convertido en un campo permanente de investigacin. En consecuencia, aprovecho la oportunidad que me
da esta nueva edicin para ponerla al da y suprimir ciertos efectos e incongruencias de su estructura original.
Cuando alguien se pone en contacto con otra persona, le da un mensaje y cuando responde, tiene que tener
relacin con lo primero que se dijo, conteniendo informes accesibles a el primordialmente; lo cual tiene una
relacin entre hombres y maquinas, entre maquinas y hombres y
entre maquina y maquina.
Cuando se da una orden a una maquina, la situacin no difiere
esencialmente de la que se produce cuando mando algo a una
persona. La seal en sus etapas intermedias, haya pasado por una
maquina o por una persona carece de importancia y de ninguna
manera cambia esencialmente mi relacin con seal. As la teora
de la regulacin en ingeniera, sea humana, animal o mecnica, es
un capitulo de la teora de los mensajes. Naturalmente, existen
diferencias de detalle en los mensajes y en los problemas de
regulacin, no solo entre un organismo vivo y una maquina, sino
tambin dentro de cada clase mas especializada de seres. Es
propsito de la ciberntica desarrollar una lengua y unas tcnicas
que nos permitan, no solo encarar los problemas ms generales de
comunicacin y regulacin sino adems establecer un repertorio adecuado de ideas y mtodos para clasificar sus
manifestaciones particulares por conceptos.

Las rdenes mediante las cuales regulamos nuestro ambiente son una especie de informacin que le impartimos.
Como cualquier otra clase de informe, estn sometidas a deformaciones al pasar de un este a otro. Generalmente

llegan en una forma menos coherente y, desde luego, no mas coherente que la de partida. En las comunicaciones
y en la regulacin luchamos siempre contra la tendencia de la naturaleza a degradar lo organizado y a destruir lo
que tiene sentido, la misma tendencia de la entropa a aumentar, como lo demostr Gibbs. El hombre se
encuentra sumergido en un mundo que percibe mediante sus sentidos. El cerebelo y el sistema nervioso
coordinan los informes que reciben, hasta que, despus de almacenarlos, colacionarlos y seleccionarlos,
resurgen otra vez mediante rganos de ejecucin, generalmente los msculos. Estos a su vez actan sobre el
mundo exterior y reaccionan sobre el sistema nervioso central mediante receptores tales como los extremos de la
sensacin centsica; la informacin que estos proporcionan se cambian con la acumulacin de vivencias pasadas
influyendo sobre las acciones futuras.
Damos el nombre de informacin al contenido de loa que es objeto de intercambio con el mundo externo,
mientras nos ajustamos a el y hacemos que se acomode a nosotros. El proceso de recibir y utilizar informaciones
consiste en ajustarnos a las contingencias de nuestro medio y de vivir de manera efectiva dentro de el. Las
necesidades y la complejidad de la vida moderna plantean a este fenmeno del intercambio de informaciones
demandas ms intensas que en cualquier otra poca; la prensa, los museos, los laboratorios cientficos, las
universidades, las bibliotecas y los libros de texto han de satisfacerlas o fracasaran en sus propsitos. Vivir de
manera efectiva significa poseer la informacin adecuada. As pues, la comunicacin y la regulacin constituyen
la esencia de la vida interior del hombre, tanto como de su vida social.

El lugar que ocupa el estudio de las comunicaciones en la historia de la ciencia no es trivial, ni fortuito, no
nuevo. Aun antes de Newton esos problemas eran corrientes en la fsica; especialmente en las investigaciones de
Fermat, Huyghens y Leibnitz; todos ellos compartan el inters por una ciencia cuyo centro no era la mecnica
sino la ptica, la comunicacin de imgenes visuales.
Fermat hizo progresar el estudio de la ptica con su principio, segn el cual la luz, en un recorrido
suficientemente corto, sigue el cual la luz, en un recorrido suficientemente corto, sigue la trayectoria que le
exige el tiempo mnimo para pasar de un punto a otro. Huyghens enuncio la forma primitiva del principio que
se designa hoy con su nombre, diciendo que la luz se propaga desde un punto luminoso creando algo as como
una pequea esfera, formada por fuentes secundarias que propagan la luz como lo hace la primitiva. Mientras
tanto, Leibnitz consideraba que todo el universo esta compuesto de monadas cuya actividad consiste en la
percepcin mutua, basndose en una armona preestablecida por Dios; es bastante claro que para l esa accin
mutua era en gran parte ptica. Aparte de esa percepcin, las monadas no tienen "ventanas", por lo que, segn
el, todos los efectos mecnicos mutuos no son mas que una sutil consecuencia de la accin ptica entre ellas.

La preocupacin por la ptica y los mensajes que aparece claramente en esta parte de la filosofa de Leibnitz, se
encuentra tambin en toda su obra. Leibnitz, posedo por la idea de las comunicaciones, es en varios aspectos, el
antepasado intelectual de los conceptos de este libro, pues tambin se intereso por las maquinas de calcular y los
autmatas. Las maquinas de calcular de Leibnitz fueron solo un resultado de su inters por un lenguaje
aritmtico, por un calculo razonador que para el era solo una extensin de su idea de un lenguaje artificial
completo. Es decir que, aun al ocuparse de maquinas de calcular, el inters capital de Liebnitz resida
primordialmente en la lingstica y en las comunicaciones. A mediados del siglo pasado, las investigaciones de
Clerk Maxwell y de Faraday, su precursor, atrajeron nuevamente la atencin de la fsica hacia la ptica, la
ciencia de la luz, considerada desde entonces como un aspecto de la electricidad que poda reducirse a la
mecnica de un curioso medio invisible y rgido llamado ter; en aquella poca se supona que el ter
impregnaba la atmsfera, el espacio interestelar y todas la sustancias trasparentes. Las investigaciones pticas de
Clerk Maxwell consintieron en desarrollar matemticamente las ideas de Faraday haba expresado sin formulas
de manera muy clara. El estudio del ter planteaba ciertas cuestiones cuya respuesta no era muy evidente como,
por Ej., la del movimiento de la materia a travs de ese medio. Con la famosa experiencia de Michelson y
Morley en la ultima dcada del siglo XIX se pretendi resolver ese problema; proporciono una respuesta
inesperada: no ha ningn modo de determinar el movimiento de la materia a travs del ter.
La primera solucin satisfactoria del problema que planteo el resultado de ese experimento fue dada por
Lorentz; este investigador explico que, si son elctricas u pticas las fuerzas que mantienen unida la materia,
debera esperarse u resultado negativo del experimento de Michelson y Morley. Sin embargo, Einstein en 1905,
puso esas ideas de Lorentz en forma tal que la imposibilidad de observar el movimiento de absoluto venia a ser
un postulado de la fsica y no consecuencia de alguna estructura peculiar de la materia. En lo que respecta a
nuestros propsitos importa que, en las investigaciones de Einstein, la luz y la materia se encuentran en un pie
de igualdad, como ocurra en las obras de los autores anteriores a Newton, sin la subordinacin newtoniana de
todo a la materia y al movimiento.


Para explicar sus ideas Einstein utiliza ampliamente el Ej. De un observador en reposo o en movimiento. En su
teora de la relatividad es imposible introducir un observador sin incluir al mismo tiempo el concepto de
mensaje y sin volver de hecho a colocar el centro de gravedad de la fsica en un estado quasi-leibnitziano, cuya
tendencia es nuevamente ptica. La teora de la relatividad de Einstein y la mecnica estadstica de Gibbs se
encuentran en campos enteramente opuestos, pues el primero, como Newton, se ocupa de la dinmica de
cuerpos absolutamente dentro del calculo de probabilidades; sin embargo, ambas tendencias equivalen a
desplazar el punto de vista de la fsica; en ellas, por un mtodo y otro, se reemplaza el universo tal como existe
realmente por otro, conforme a las observaciones que se hayan efectuado; el arcaico realismo ingenuo de la
fsica cede a algo que Berkeley habra considerado con una sonrisa de satisfaccin.
Las maquinas mas antiguas, en particular, las primeras tentativas de producir autmatas, funcionaban como el
mecanismo de un reloj, sin admitir variacin despus de iniciado el movimiento. Pero las modernas, tales como
los proyectiles teledirigidos, la espoleta de aproximacin, el mecanismo de apertura automtica de las puertas,
los aparatos de regulacin de una fabrica de productos qumicos y las otras que efectan trabajos militares o
industriales, poseen rganos sensoriales, es decir, mecanismos de recepcin de mensajes que provienen del
exterior. Pueden ser tan sencillos como una clula fotoelctrica, que cambia cuando la luz incide sobre ella y
que puede distinguir la luz de la oscuridad, o tan complicados como un aparato de televisin. Pueden medir una
tensin por el cambio que produce en la conductibilidad de un alambre sometido a ella o estimar temperaturas
mediante un par termoelctrico, que consiste en dos metales distintos ntimamente unidos que producen una
corriente cuando se calienta uno de ellos. Todo instrumento del repertorio del fabricante de aparatos cientficos
es un rgano sensorial posible; mediante sistemas elctricos se obtiene que las lecturas se registren a distancia.
As, pues, ya poseemos desde hace tiempo maquinas cuyo comportamiento esta regulado por el mundo exterior.

Tambin nos es familiar la maquina que obra sobre su ambiente al recibir un mensaje. Toda persona que ha
pasado por la estacin Pennsylvania de Nueva York conoce el aparato fotoelctrico para abrir puertas. Cuando
llega a l un mensaje, que consiste en la intercepcin de un rayo luminoso, se abre la puerta y el viajero para a
travs de ella. Las etapas entre la recepcin de un mensaje mediante aparatos de este tipo y la ejecucin de una
tarea pueden ser muy simples, como en el caso de la apertura de una puerta, o pueden tener cualquier grado de
complejidad deseada, dentro de los limites de nuestra tcnica actual. Una accin compleja es aquella en que los
datos introducidos, que llamaremos entrada, implican un gran numero de combinaciones para obtener un efecto,
que llamaremos salida, sobre el mundo exterior. Esta ltima es combinacin de los datos recibidos en ese
momento y de los hechos registrados en el pasado, que llamaremos memoria y que guarda el aparato. Las mas
complicadas maquinas construidas hasta ahora que transforman los datos de la entrada en otros de salida son las
electrnicas de calcular de alta velocidad. La determinacin de la forma de comportamiento de estas maquinas
esta dada por una entrada especial, que consiste generalmente en tarjetas perforadas, cintas o alambres
magnticos que fijan la manera como ha de actuar la maquina en una operacin dada, una manera diferente de la
que podra ser en otra ocasin. Debido al uso frecuente de tarjetas perforadas o de cintas magnticas, los datos
que se suministran al aparato y que indican el modo de operar de una de esas maquinas para combinar los
informes, se llaman tecleado.
Es cierto que han de tomarse las precauciones necesarias para que no sea muy intenso, pues si lo es, el tubo
pasara ms all de la posicin correcta y habr que hacerle girar de vuelta en una serie de oscilaciones que muy
bien pueden aumentar en amplitud y conducir a una inestabilidad desastrosa. Si el sistema de retroalimentacin
se corrige automticamente, en otras palabras, si sus propias tendencias entropicas estn limitadas por otros
mecanismos que las mantienen entre muy estrechas cotas, eso no ocurrir y la existencia de ese dispositivo
aumentara la estabilidad del funcionamiento del can.
Dicho de otra manera, la actividad depender menos de la carga de friccin o, lo que es lo mismo, del retardo
causado por la rigidez de la grasa. Algo muy similar a esto ocurre en los actos humanos como llevarse un
cigarro a la boca. El funcionamiento fsico del ser vivo y el de algunas de las mas nuevas maquinas electrnicas
son exactamente paralelos en sus tentativas anlogas de regular la entropa mendiante la retroalimentacin.
Ambos poseen receptores sensoriales en una etapa de su ciclo de operaciones, es decir, ambos cuentan con un
aparato especial para extraer informes del mundo exterior a bajos niveles de energa y para utilizarlos en las
operaciones del individuo o de la maquina. En ambos casos, esos mensajes del exterior no se toman en bruto,
sino que pasan a travs de los mecanismos especiales de transformacin que posee el aparato, vivo o inanimado.

El hombre y la cibernetica:
Hemos decidido llamar a toda la materia referente al control y teora de la comunicacin, tanto en la maquina
como en el animal, con el nombre de ciberntica. Ciertamente que ya Platn empleo la palabra en el sentido de
forma de pilotar una nave. Cierto que Ampere, en su clasificacin de todos los conocimientos humanos, la
utiliza para designar los medios de gobierno. La palabra, en fin, procede etimolgicamente del griego

Kybernetes, piloto, timonel, de ah su sentido actual, superador del ms estricto de Plato o de la Iglesia que la
utiliza como ciencia de su propia organizacin.
Pero la ciberntica obviamente no se circunscribe al platnico "arte de gobernar un timn". Es un concepto
mucho ms amplio. Y lo es aun cuando consideremos, siguiendo a Guilbaud, el existente entre el capitn que
seala adonde ha de ir la nave y el timonel que maneja la barra, a traes del piloto que seala el rumbo.
Ciertamente, el piloto es Ej. De pensamiento ciberntico, puesto que situado entre el capitn que fija el objetivo
y el timonel que lleva el buque, elige el programa de accin y da las ordenes al timonel. Es ciertamente algo mas
ampli: es el estudio del funcionamiento de toda clase de sistemas.
Louis Couffignal, fundamenta: "Ya fue el propio Wiener quien, anticipndose a buscar una concrecin a su
fundamental concepcin, vasta y difcil, en su segunda obra The Human Use of Human Beings, se oriento
especialmente hacia el campo de las ciencias humanas"; as como tambin "no aporto los elementos suficientes
para construir esta extensin".

En Wiener hay mucho, sin duda. Pero era necesario al "humanizar" la ciberntica sustituir y precisar las
nociones implcitas y a veces poco claras de el, por otras mas explcitas y concretas. As, de su definicin
"...control y comunicacin tanto en la maquina como en el animal" con que iniciamos, seria preciso primero
sustituir maquina, concepto vago e impreciso, por mecanismo. Tambin ser necesario -y quiz mucho mas
fundamental que lo anterior- que el termino control tuviese un significado mas concreto, como el de orden
mandato..., por analoga en la sociedad humana; igualmente la palabra comunicacin tiene que ser concretada.
No nos vale. A ello se llego, como se vera, a travs de la teora de la informacin.
En efecto, el sentido etimolgico de ciberntica es mas amplio de lo que en principio parece. Volvamos
nuevamente al Ej. De la nave, su capitn, piloto y timonel. El piloto controla, gobierna u ordena el rumbo del
barco tiene, previamente, que estar informado no solo de adonde ha de dirigirse (orden del capitn), sino del
estado de la mar, velocidad y direccin d los vientos, etc. Recibe toda esta informacin y toma una decisin: el
rumbo.

Es por ello por lo que el propio Wiener en su segunda obra dice: "Cuando controlo las acciones de otra persona
le comunico un mensaje y aunque este sea de naturaleza imperativa, la tcnica de la comunicacin no difiere de
la tcnica de la transmisin de un hecho. Por dems, si deseo que mi control sea eficaz, debo informarme de
todos los mensajes procedentes de la persona, capaces de advertirme que la orden ha sido comprendida y
ejecutada". "En forma similar -seala Couffignal- el cerebelo humano recibe del cerebro las indicaciones de lo
que hay que hacer: por los nervios propioceptores recibe en cada momento la indicacin del estado de cada
msculo y por los nervios de los canales semi-circulares la indicacin de la posicin del cuerpo, en relacin a la
vertical de un triedro de referencia; el cerebelo constituye a partir de estos datos las ordenes que han de enviarse
a los msculos para que el movimiento sea ejecutado sin comprometer el equilibrio del cuerpo: el cerebelo es un
rgano ciberntico" Pero tambin las maquinas tienen "rganos" cibernticos. El mas simple es el regulador de
Watt, aplicable a las maquinas de vapor. Veamos la descripcin que de l nos hace Guillaumaud. Para este
autor, de una slida formacin tcnica, es el antecedente de todos los servomecanismos industriales,
componindose de: -Un rbol O movido por el volante de la maquina de vapor cuya velocidad se quiere regular.
-Un equipo articulado que comprende dos varillas mn y dos balancines qp, cuyas extremidades q estn unidas
por articulaciones a un anillo A que se desliza sobre O.
-Cuando la velocidad de la maquina, y, por lo tanto, la de rotacin del rbol O aumenta, las bolas se levantan
bajo la accin de la fuerza centrifuga y hacen subir A a lo largo de O. A lleva hacia lo alto una varilla T que
manda el Cierre de una compuerta que estrangula parcialmente la llegada del vapor; la velocidad de la maquina
tiene entonces a decrecer. La compuerta se abre de nuevo y la velocidad tiende entonces a aumentar. Por ultimo,
la velocidad se mantiene prcticamente constante despus de un cierto tiempo, al menos durante las condiciones
normales de carga de la maquina.
Prcticamente todos los reguladores, incluyendo el prosaico y generalizado flotador de las cisternas de los no
menos vulgares retretes, pasando por los termostatos y reguladores modulantes, hasta llegar al piloto
automtico, son rganos cibernticos.

Pero con independencia de este desarrollo de los mecanismos de control, lo importante a nuestro juicio, es la
semejanza desde el punto de vista ciberntico entre ciertos rganos de los seres vivos y los rganos cibernticos
de las maquinas en su objeto o fin, as como en su estructura y su funcionamiento. Esto hace decir a Wiener que
"Los numerosos autmatas de la poca actual estn acoplados al mundo exterior tanto por la recepcin de
impresiones como por la ejecucin de acciones. Contienen rganos sensoriales, causas eficientes y el
equivalente de un sistema nervioso para integrar la transferencia de informacin de uno a otro. Se prestan muy
bien a la descripcin en trminos fisiolgicos.

Es casi un milagro que puedan ser agrupados bajo una misma teora con los mecanismos de la fisiologa"
Es por ello por lo que, distinguiendo los mecanismos artificiales construidos por el hombre, de los mecanismos
naturales, no construidos por el, se ha llegado a hablar de una zoologa de las maquinas basada en la ciberntica.
Pero no es nuestro objetivo seguir por este camino todava oscuro y muy discutible. Quizs este nos llevase a las
aberraciones de la iatroqumica que considera al hombre como una maquina. Nuestro objetivo es buscar la
relacin del hombre con la ciberntica a travs de un concepto ms amplio de esta nueva ciencia que el
plasmado por Wiener. Quizs Wiener no pase de ser, a este respecto un humanista imprudente, como lo califico
Aurel David.

Para Couffignal, la ciberntica no es el descubrimiento de maquinas intermedias mas perfeccionadas, ni el
descubrimiento de lo que en el hombre probablemente es mecnico, por ser intermediario. Para Couffignal la
ciberntica es: El arte de hacer eficaz la accin.
El arte de asegurar la eficacia de la accin. Dejemos a un lado un aspecto importante, pero en cierto modo ajeno:
El de s la ciberntica es para Couffignal un arte y no una ciencia. Preguntmonos con ms inters, Pero de qu
accin? Es casi obvio sealar que se trata de la accin lgica del hombre.
Es precisamente para la sociedad humana para la que Wiener haba previsto que la ciberntica llevara una
revolucin profunda en sus mtodos de accin. Es quiz esto ltimo lo que Couffignal nos quiere decir al definir
tambin la ciberntica como una metodologa de la accin.

En este sentido, si las facultades esenciales del hombre son la comprensin global y las operaciones lgicas, la
primera asimilada en paralelo y a gran velocidad por el sistema nervioso y las segundas son secuenciales y, por
tanto, realizadas a un ritmo mas lento, no hay duda que la mquina ciberntica puede ser un auxiliar valiossimo
en la accin que el hombre realiza. A estos efectos Kaufmann nos dice: "Las operaciones lgicas que el hombre
lleva a cabo tan lentamente, el ordenador puede realizarlas un milln o mil millones de veces ms rpido, con la
condicin de que ello pueda hacerse a partir de un programa establecido por el hombre".
Pero antes de insistir sobre este punto es conveniente que veamos la diferenciacin a efectos cibernticos entre
el animal y el hombre. Y ello porque Wiener, con el famoso ttulo de su fundamental obra, puede inducirnos a
creer que podemos actuar cibernticamente sobre los animales no racionales. Casi es obvio sealar que esto no
es posible con independencia de otras mltiples razones que pueden ser tradas a colacin, puesto que si tanto el
animal como el hombre en sus acciones intentan conseguir ciertas satisfacciones, si ante las contrariedades
reaccionan adaptndose, huyendo o luchando, si la reaccin del hombre como la del animal es de tipo aleatorio,
la mentalidad del hombre est obviamente mucho ms desarrollada diferencindolo del animal. Tienen, en
suma, distintos comportamientos. Por dems, "La accin del hombre sobre el hombre se realiza por
comunicacin de informaciones".
Sentada esta diferencia que nos permite corregir al profesor Wiener en el sentido de denominar o definir con
ms propiedad, segn creo, la ciberntica como el control y comunicacin en el hombre u en la mquina, es
conveniente, para evitar posible confusin, establecer las diferencias entre el hombre y la mquina, entendiendo
aqu por hombre, la "mquina" cerebral. Acudamos para ello a un trabajo del eminente profesor John von
Neumann. Es bastante conocido que el cerebro con sus varios miles de millones de clulas funciona con una
energa inferior a 100 vatios. Una mquina que tuviera tantas clulas como el cerebro necesitara 100 millones
de vatios. Von Neumann ha calculado, sin embargo, que, en teora, las clulas pueden ser 10.000 millones de
veces ms eficientes en el uso de la energa. La economa de energa del cerebro es evidente- Por el contrario, en
el uso de la energa el hombre va muy por detrs. Mientras que un nervio no puede ser usado ms de cien veces
por segundo seala Kemeny-, un tubo de vaco puede ser abierto y cerrado un milln de veces por segundo y
se espera que se pueda hacer an ms rpidamente. Sin duda, pese a las actuales limitaciones, las mquinas
aventajan en velocidad al cerebro, y ello es una gran ayuda a la accin del hombre. Pero el cerebro humano es
mucho ms complejo y hace muchas cosas que la mquina no puede hacer. Tiene 10.000 millones de clulas,
mientras que una computadora slo tiene unas cuantas decenas de miles. Aun con los transistores que vencen
problemas de espacio, la dificultad de construccin no permitir ms que un milln, segn previsiones
optimistas.
Por otro lado, la memoria del cerebro humano es mucho ms completa que la de las mquinas ms perfectas en
cuanto a su capacidad. No son comparables por la simple razn de que las mquinas no han imitado todava el
mtodo del cerebro humano en el almacenamiento y recuperacin de la informacin.
Segn Wiener: "Una funcin muy importante del sistema nervioso y, como hemos dicho, una funcin
igualmente exigible en las mquinas computadoras, es la de la memoria, la habilidad de guardar los resultados
de operaciones pasadas para utilizarlos en el futuro. Se ver que los usos de la memoria son muy variados y es
muy improbable que cualquier mecanismo simple pueda satisfacer las demandas de todos ellos". Existe,
primeramente, la memoria que es necesaria para la realizacin de un procedimiento corriente, como la

multiplicacin, en el que los resultados intermedios no tienen valor hasta que el procedimiento no est acabado,
y en el que el aparato operador debe entonces quedar libre para un uso posterior. Tal memoria debe registrarse,
ser leda y borrarse, todo ello rpidamente. Por otra parte, existe la memoria que se pretende sea parte de los
archivos, del registro permanente, en la mquina o en el cerebro, y que contribuye bsicamente en su conducta
futura, al menos durante una operacin de la mquina.

La Praxeologia, que es la lgica de la actividad racional: como la ciencia que estudia los mtodos a los que
aqulla recurre. Aparecen los siguientes casos: Cuando la actividad humana se propone un fin de forma
indirecta, por medio de la utilizacin de una larga cadena de causas y efectos, cuyos elementos estn
concatenados los uno a los otros; en estos casos, la
ciberntica procede a un anlisis preciso de los
procesos que se producen en esta cadena. En los casos
en que las condiciones externas se modifican en el
curso de la accin, sobre todo si esta modificacin es
el resultado de la accin en curso. En este caso, se
queremos alcanzar el fin que nos hemos propuesto, se
deben modificar los medios de accin.

El elemento bsico en estos casos es una rpida
informacin, exacta y suficiente, sobre la modificacin de las condiciones que se producen en el transcurso de la
accin y la adaptacin rpida de los medios a las nuevas condiciones. Es un proceso de ajuste de la accin a las
condiciones en constante adaptacin que se sigue mientras las condiciones se modifiquen. "La significacin de
la ciberntica para la praxeologa consiste en que, en ciertas cuestiones, esta ltima utiliza los resultados de
aqulla, aplicndolos al estudio de problemas determinados de la actividad humana". As comprendemos que la
ciberntica y sus relaciones con la praxeologa, pero teniendo que recurrir a los sistemas relativamente aislados
y su aplicacin a la ciberntica.
Sistemas ciberneticos: Sistema prospectivo determinado: La llave y su correspondiente cerradura y cerrojo. La
llave es el nico input y el cerrojo de la cerradura su nico output. El estado del cerrojo siempre est
determinado nicamente por el estado pasado (movimiento) de la llave.
Sistema prospectivo seudodeterminado:

Supongamos dos urnas que contienen slo bolas negras y bolas blancas. En una de las urnas hay ms bolas
negras que blancas y en la otra urna sucede lo contrario. Se extraen las bolas, una a uno, indistintamente de las
urnas colocndolas en un plato. Antes de hacer la siguiente extraccin se reintroduce la bola en su
correspondiente urna. El input al sistema es obviamente la mano extractora, representando dos: uno a cada urna.
Los outputs son tambin dos (bola blanca y bola negra en el plato). Si el input est en la urna con ms de bolas
blancas, la probabilidad de sacarla de ese color es mayor que un medio.
Sistema retrospectivo determinado: La habilidad de un polica estriba en conocidos los estados presentes de
output (huellas dactilares o de otro tipo) determinar nicamente los estados pasados del input (el auto del delito).
Sistema retrospectivo seudodeterminado: Utilizando el ejemplo anterior, que es el ideal soado por el polica,
cabe sealar que la realidad difiere de los sueos, de forma que todos los policas tienen que luchar en sus
investigaciones con sistemas retrospectivos seudodeterminados.
Conceptos basicos en la cibernetica: La mejor formulacin se debe a Louis Couffignal. Por dems, y con
independencia de su valor intrnseco, tuvo ocasin de contrastarlos en el simposio sobre Ciberntica y
Conocimiento, y de revisarlos para su publicacin, La Cyberntique. Presenta las siguientes definiciones, casi
inspiradas en las obras de Grey Walter, cuyo trabajo ms significativo ha sido despojar de sus evocaciones
metafsicas los trminos que la biologa toma de la psicologa.

SCR
(Silicon Controlled Rectifier - Rectificador Controlado de Silicio)

Este semiconductor en conduccin virtualmente se comporta como un diodo comn, con su nodo y su ctodo,
pero ciertamente no es un diodo comn, la diferencia fsica se localiza en su patilla de control o puerta (gate),
que en su smbolo se representa por una conexin ms fina que, sale o entra con cierta inclinacin por un lado
del ctodo.

En el momento de conectar la tensin al SCR, ste no conduce, debido a la especial constitucin de la unin
nodo-ctodo que, para su cebado necesitan de una pequea corriente que los haga entrar en conduccin abrupta
(en avalancha), cosa que no ocurre mientras no est activada la mencionada puerta (gate), la cual requiere de
una corriente de encendido muy baja en comparacin con la corriente que suele atravesar el conjunto nodo-
ctodo del diodo. Una vez entra en conduccin el 'diodo', permanecer en conduccin mientras haya una
corriente mnima circulando a travs de la unin. Por lo tanto, slo dejar de conducir cuando se de la siguiente
circunstancia; Cese el paso de corriente por la unin del SCR y esto puede
lograrse por diversos motivos, estos son algunos de los motivos:

Cortar la corriente por un medio mecnico (por un interruptor)
Mediante el cruce de la unin nodo-ctodo (por un pulsador)
Prueba de un SCR con un hmetro.

Si no existe corriente en la compuerta el SCR no conduce.
Lo que sucede despus de ser activado el SCR, se queda conduciendo y se
mantiene as. Si se desea que el tristor deje de conducir, el voltaje +V debe ser
reducido a 0 Voltios.
Si se disminuye lentamente el voltaje (tensin), el tristor seguir conduciendo hasta que por el pase una cantidad
de corriente menor a la llamada "corriente de mantenimiento o de retencin", lo que causar que el SCR deje de
conducir aunque la tensin V
G
(voltaje de la compuerta) con respecto a tierra no sea cero.

tristor deje de conducir, el voltaje +V debe ser reducido a 0 Voltios. Lo que sucede despus de ser activado el
SCR, se queda conduciendo y se mantiene as. Si se desea que el tristor deje de conducir, el voltaje +V debe ser
reducido a 0 Voltios.

G
(voltaje de la compuerta) con respecto a tierra no sea cero. Si se disminuye
lentamente el voltaje (tensin), el tristor seguir conduciendo hasta que por el pase una cantidad de corriente
menor a la llamada "corriente de mantenimiento o de retencin", lo que causar que el SCR deje de conducir
aunque la tensin V
G
Como se puede ver el SCR, tiene dos estados: Estado de conduccin, en donde la resistencia entre nodo y
ctodo es muy baja Estado de corte, donde la resistencia es muy elevada

El SCR tambin es llamado un Circuito Candado por la forma en la cual estn los dos transistores que lo
componen.

Regulador para carga de bateras

Como se indica en la figura, D
1
y D
2
establecen una seal rectificada de onda completa a travs de SCR
1
y de la
batera que ser cargada. Para voltajes bajos de la batera, SCR
2
se encontrar en el estado de "apagado" por los
motivos que a continuacin se explicarn. Con el SCR
2
abierto, el circuito controlado por el SCR
1
ser exactamente
el mismo que el del interruptor esttico en serie. Cuando la entrada rectificada de onda completa es lo suficientemente
grande para producir la corriente de encendido requerida de la compuerta (controlada por R
1
), se encender SCR
1
e ini-
ciar la accin de carga de la batera.

Al inicio de esta carga, el bajo voltaje de la batera ocasionar un bajo voltaje V
R
segn lo determina el circuito divisor
de voltaje simple. El voltaje V
R
ser a su vez muy pequeo para lograr la conduccin del Zner de 11 V.
En el estado de apagado, el Zener es efectivamente un circuito abierto, lo cual mantiene al SCR
2
en el estado
"apagado" dado que la corriente de compuerta es cero.

El capacitor C
1
se incluye para evitar que cualquier transicin de voltaje en el circuito accidentalmente encienda al
SCR
2
. Recuerde de su estudio fundamental de anlisis de circuitos que el voltaje no puede cambiar de forma
instantnea en un capacitor. De esta forma, C
1
evita que efectos transitorios afecten el SCR.

A medida que la carga contina, el voltaje de la batera crece hasta un punto donde V
R
es lo suficientemente alto
para encender tanto al Zner de 11 V como al SCR
2
. Una vez que el SCR
2
se dispara, la representacin de

circuito cerrado de SCR
2
dar por resultado un circuito divisor de voltaje determinado por R
1
y R
2
que
mantendr a V
2
en un nivel demasiado pequeo para encender a SCR
1
. Cuando esto suceda, la batera se encon-
trar completamente cargada y el estado de circuito abierto de SCR
1
detendr la corriente de carga. De esta
forma, el regulador recargar la batera cuando el voltaje caiga y evitar que se sobrecargue una vez que se
encuentre completamente cargada. Lo que sucede despus de ser activado el SCR, se queda conduciendo y se
mantiene as. Si se desea que el tristor deje de conducir, el voltaje +V debe ser reducido a 0 Voltios.

de corriente menor a la llamada "corriente de mantenimiento o
de retencin", lo que causar que el SCR deje de conducir
aunque la tensin V
G
(voltaje de la compuerta) con respecto a
tierra no sea cero. Lo que sucede despus de ser activado el
SCR, se queda conduciendo y se mantiene as. Si se desea que el
tristor deje de conducir, el voltaje +V debe ser reducido a 0
Voltios.

Si se disminuye lentamente el voltaje (tensin), el tristor seguir
conduciendo hasta que por el pase una cantidad de corriente
menor a la llamada "corriente de mantenimiento o de retencin", lo que causar que el SCR deje de conducir
aunque la tensin V
G

Controlador de Temperatura

En la siguiente figura aparece el diagrama esquemtico de un control de calefaccin de 100 W que utiliza un
SCR, el cual se encuentra diseado de forma que el calentador de 100W se encender y apagar segn lo
determine el termostato. Los termostatos de mercurio encapsulado son muy sensibles al cambio de temperatura.
De hecho, pueden detectar cambios tan pequeos como 0.1 C. Sin embargo, su operacin se limita a manejar
slo niveles de corriente muy bajos, por debajo de 1 mA. En esta aplicacin, el SCR funciona como un amplificador de
corriente en un elemento de conmutacin de carga. No se trata de un amplificador en el sentido de que amplifique el
nivel de corriente del termostato, sino que se trata de un dispositivo cuyo nivel ms alto de corriente se encuentra
controlado por el comportamiento del termostato.
Deber quedar claro que la red de puente se conecta a la fuente de ac mediante el calentador de 100W.

Esto ocasionar un voltaje rectificado de onda completa a travs del SCR.
Cuando el termostato se encuentra abierto, el voltaje a travs del capacitor se
cargar hasta un potencial de disparo de compuerta mediante cada pulso de la
seal rectificada. La constante de tiempo de carga est determinada por el
producto RC. Esto disparar al SCR durante cada medio ciclo de la seal de
entrada, con lo que se permite un flujo de carga (corriente) hacia el calentador.
A medida que la temperatura se eleva, el termostato conductivo colocar el
capacitor en corto circuito y eliminar la posibilidad de que el capacitor se
cargue hasta el potencial de disparo y accione el SCR. El resistor de 510 k
contribuir entonces a mantener una corriente muy baja (menor a 250 A) a
travs del termostato.

SCS
(Silicon Controlled Switch - Interruptor Controlado de Silicio)
Sensor de Voltaje

Una aplicacin de un SCS es en un dispositivo sensor de voltaje como en el que se muestra en la siguiente
figura. Se trata de un sistema de alarma con n entradas de las distintas estaciones. Cualquiera de estas entradas
encender el SCS particular, lo que da por resultado un relevador de alarma activado y una luz en el circuito de
compuerta de nodo para indicar la ubicacin de la entrada (perturbacin).


Una aplicacin adicional del SCS es el circuito de alarma de la figura posterior. R
s
representa un resistor sensible
a la temperatura, la luz o la radiacin, el cual, es un elemento cuya resistencia disminuye al aplicar cualquiera de las
tres fuentes de energa mencionadas antes. El potencial de la compuerta de ctodo est determinado por la relacin de
divisor establecida por R
s
y el resistor variable.

Circuito de Alarma
Observe que el potencial de compuerta se encuentra
aproximadamente en 0 V si Rs es igual al valor
establecido por el resistor variable dado que ambos
resistores tendrn 12 V a travs de ellos. Sin embargo, si
Rs disminuye, el potencial de la unin se incrementar
hasta que el SCS se encuentra polarizado de forma di-
recta, lo que ocasionar que el SCS se encienda y active
el relevador de la alarma.

El resistor de 100 k se incluye para reducir la posibilidad de un disparo accidental del dispositivo por un
fenmeno conocido como efecto dependiente, el cual es causado por los niveles de capacitancia parsita entre
las compuertas. Un transitorio de alta frecuencia podra establecer suficiente corriente de base para encender de
forma accidental al SCS. El dispositivo se reinicializa al presionar el botn de reinicio, el cual abre la trayectoria
de conduccin del SCS y reduce la corriente del nodo a cero.

La sensibilidad de los resistores a la temperatura, luz o radiacin, cuya resistencia se incrementa gracias a la
aplicacin de cualquiera de estas tres fuentes de energa, puede ajustarse al simplemente intercambiar la ubicacin de R
s
y
del resistor variable.
tristor deje de conducir, el voltaje +V debe ser reducido a 0 Voltios.
G
(voltaje de la compuerta) con respecto a
tierra no sea cero.
Lo que sucede despus de ser activado el SCR, se queda conduciendo y
se mantiene as. Si se desea que el tristor deje de conducir, el voltaje +V
debe ser reducido a 0 Voltios.
Si se disminuye lentamente el voltaje (tensin), el tristor seguir
conduciendo hasta que por el pase una cantidad de corriente menor a la
llamada "corriente de mantenimiento o de retencin", lo que causar
que el SCR deje de conducir aunque la tensin V
G
(voltaje de la
compuerta) con respecto a tierra no sea cero.

GTO
(Gate Turn-off Switch Interruptor Controlado en Compuerta)
Inyeccin de automvil

Los pulsos obtenidos de disparo que salen del oscilador de
relajacin UJT pueden ser usados para disparar un GTO. Por
ejemplo, la figura abajo muestra parte del sistema de inyeccin de
un automvil. Con los terminales del distribuidor abiertos, El
capacitor se carga exponencialmente hasta 12 V. Luego que la
tensin del capacitor excede la tensin de abastecimiento
intrnseca, el UJT conduce fuertemente a travs del devanado
primario. La tensin del secundario dispara en tanto el GTO.
Cuando se traba el GTO se sierra, entonces el terminal positivo del capacitor de salida es sbitamente puesto a
tierra. A medida que el capacitor de salida se descarga a travs de la bobina de inyeccin, un alto pulso de
tensin alimenta las dos resistencias de entrada. Cuando los contactos se sierran, el circuito se realimenta,
preparndose para el siguiente ciclo


Generador de Diente de Sierra

Algunas de las reas de aplicacin para el GTO incluyen contadores, generadores de pulso, multivibradores y
reguladores de voltaje. La figura es una ilustracin de un generador simple de diente de sierra que utiliza un
GTO y un diodo Zner.

G


G

Cuando la fuente se activa, el GTO se encender, lo que ocasionar un
equivalente de circuito cerrado del nodo al ctodo. El capacitor C
1

entonces comenzar a cargarse hacia el valor de la fuente de voltaje
como se muestra en la figura anterior. A medida que el voltaje a travs
del capacitor C
1
se carga por encima del potencial Zner, se presentar
una inversin en el voltaje de la compuerta al ctodo, con lo que se
establecer una inversin en la corriente de compuerta. Eventualmente,
la corriente de compuerta negativa ser lo suficientemente grande para
apagar al GTO, cuando esto sucede se originar la representacin de
circuito abierto y el capacitor C
1
se descargar a travs del resistor R
3
.

Una aplicacin adicional del SCS es el circuito de alarma de la figura
posterior. R
s
representa un resistor sensible a la temperatura, la luz o la radiacin, el cual, es un elemento cuya
resistencia disminuye al aplicar cualquiera de las tres fuentes de energa mencionadas antes. El potencial de la
compuerta de ctodo est determinado por la relacin de divisor establecida por R
s
y el resistor variable.
El tiempo de descarga estar determinado por la constante de tiempo del circuito = R
3
C
1.
La adecuada
seleccin de R
3
y C
1
dar por resultado la forma de onda de diente de sierra de la figura mostrada a
continuacin. Una vez que el potencial de salida V
O
caiga por debajo de V
Z
, el GTO se encender y el proceso
se repetir.

LASCR
(Light Activated SCR SCR Activado por Luz)

Circuitos And/Or
Una aplicacin interesante de un LASCR se encuentra en los circuitos AND y OR. nicamente cuando la luz
incide sobre el LASCR
1
y el LASCR
2
ser aplicable la
representacin de circuito cerrado y la fuente de voltaje se
presentar a travs de la carga. Para el circuito OR, la energa
luminosa aplicada al LASCR1 o al LASCR2 ocasionar que el
voltaje de alimentacin se presente a travs de la carga. Lo que
sucede despus de ser activado el SCR, se queda conduciendo y se
mantiene as. Si se desea que el tristor deje de conducir, el voltaje
+V debe ser reducido a 0 Voltios. Si se disminuye lentamente el
voltaje (tensin), el tristor seguir conduciendo hasta que por el
pase una cantidad de corriente menor a la llamada "corriente de mantenimiento o de retencin", lo que causar
que el SCR deje de conducir aunque la tensin V
G

El LASCR es ms sensible a la luz cuando la terminal de la compuerta se encuentra abierta. Su sensibilidad
puede reducirse y controlarse en cierta manera mediante la incorporacin de un resistor de compuerta.

Relevador

En la figura se presenta una segunda aplicacin del LASCR. Se trata de la analoga semiconductora de un
relevador electromecnico. Observe que ofrece un aislamiento completo entre la entrada y el elemento de
conmutacin. La corriente de excitacin puede hacerse pasar a travs de un diodo emisor de luz o un foco, como
se muestra en la figura.
La luz incidente ocasionar que el LASCR se encienda y permita un flujo de carga (corriente) a travs de la
carga segn lo establece la fuente de DC. El LASCR puede apagarse mediante el interruptor de inicializacin
S
1
. Este sistema ofrece las ventajas adicionales sobre un interruptor electromecnico de contar con una larga
vida, respuesta en microsegundos, tamao pequeo y la eliminacin del rebote de contacto.
La luz incidente ocasionar que el LASCR se encienda y permita un flujo de carga (corriente) a travs de la
carga segn lo establece la fuente de DC. El LASCR puede apagarse mediante el interruptor de inicializacin
S
1
. Este sistema ofrece las ventajas adicionales sobre un interruptor electromecnico de contar con una larga
vida, respuesta en microsegundos, tamao pequeo y la eliminacin del rebote de contacto.

A medida que el voltaje de entrada se eleva, el voltaje del diac VG lo seguir como se muestra en la figura hasta
que se alcance el potencial de disparo. Entonces se encender y el voltaje del diac caer de forma sustancial,
como se indica. Observe que el diac se encuentra esencialmente en el estado de circuito abierto hasta que se
dispara. Antes de que se introduzca el elemento capacitivo, el voltaje V
G
ser el mismo que el de entrada. Como
se indica en la figura, dado que tanto V
A
como V
G
siguen a la entrada, V
A
no podr ser nunca mayor que V
G
por
0.7 V y encender al dispositivo. Sin embargo, al incorporar el elemento capacitivo, el voltaje V
G
comenzar a
retrasar el voltaje de entrada mediante un ngulo creciente, como se indica en la figura. Por tanto, existir un
punto establecido donde V
A
puede exceder a V
G
por 0.7 V y ocasionar que el dispositivo programable se
dispare. El voltaje de la lnea de ca es rectificado en onda completa por el puente constituido por los diodos de 1
a 4. la salida del puente se aplica al circuito de control a travs de R
1
y se sujeta a un voltaje fijo por el diodo
zner. El termistor (resistor sensible a la temperatura) R
T
y el resistor variable R
2
controlan la polarizacin de
Q
1
. R
2
se sujeta de modo que el transistor Q
1
se apague a una temperatura predeterminada. Cuando Q
1
est
apagado, el capacitor C
1
est descargado y, por tanto, el UJT (Q
2
) y el triac estn apagados.
DIODO SHOCKLEY
Interruptor de Disparo
La figura muestra una aplicacin del diodo Shockley, donde se utiliza como un interruptor de disparo para un
SCR. Cuando el circuito se activa, el voltaje a travs del capacitor ser lo suficientemente grande para primero
encender al diodo Shockley y despus al SCR.

Oscilador de Relajacin
Cuando se cierra el interruptor, el capacitor se carga a travs de R, hasta que su
voltaje alcanza el voltaje de ruptura en directa del diodo Shockley. En este punto,
el diodo conmuta a conduccin y el capacitor se descarga rpidamente a travs
del diodo. La descarga contina hasta que la corriente por el diodo cae por debajo
del valor de retencin. Aqu, el diodo regresa al estado de apagado y el capacitor
comienza a cargarse nuevamente. El resultado de esta accin es una forma de
onda de voltaje en C como la que se muestra en la figura.



DIAC
Switch que se enciende en la oscuridad

La clula de sulfato de Cadmio y el DIAC IR.IRD54 (Y2) encienden el TRIAC (Y1) IR.IRT82 por la noche,
por dar energa a carga que puede ser el porche de luces, las luces nocturnas, o la alarma para ladrones, es muy
buena para la seguridad de la casa. La carga mxima que se dan es de 1,000 W.
Una vez que se detecta este punto, el tiristor permanece encendido y por lo tanto conduciendo energa, durante
lo que resta del ciclo. Mientras mayor se la porcin de la onda de entrad en que el SCR est encendido, mayor
ser la intensidad de la luz emitida por la bombilla. desexcita en cada alternancia o semiciclo.
Cuando se produce una variacin brusca de tensin entre nodo y ctodo de un tiristor, ste puede dispararse y
entrar en conduccin an sin corriente de puerta. Por ello se da como caracterstica la tasa mxima de subida de
tensin que permite mantener bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al condensador parsito
existente entre la puerta y el nodo.
Control de onda completa con DIAC
El diac de la figura de abajo puede disparar el SCR en cada semiciclo de la lnea de tensin. La resistencia
variable R1 controla la constante de tempo RC del circuito de control del diac. Desde que este vara un punto
del ciclo con el cual el diac dispara, tenemos un control de ngulo de conduccin del triac. De esa forma,
podemos variar a gran corriente de carga. Lo que sucede despus de ser activado el SCR, se queda conduciendo
y se mantiene as. Si se desea que el tristor deje
de conducir, el voltaje +V debe ser reducido a 0
Voltios.
Si se disminuye lentamente el voltaje (tensin),
el tristor seguir conduciendo hasta que por el
pase una cantidad de corriente menor a la
llamada "corriente de mantenimiento o de
retencin", lo que causar que el SCR deje de
G

TRIAC
Control de fase (potencia)

En la subsiguiente figura se presenta una aplicacin fundamental del triac. En esta condicin, se encuentra
controlando la potencia de ac a la carga mediante la conmutacin de encendido y apagado durante las regiones
positiva y negativa de la seal senoidal de entrada. La accin de este circuito
durante la parte positiva de la seal de entrada, es muy similar a la encontrada
para el diodo Shockley. La ventaja de esta configuracin es que durante la parte
negativa de la seal de entrada, se obtendr el mismo tipo de respuesta dado que
tanto el diac como el triac pueden dispararse en la direccin inversa. Al variar el
resistor R, es posible controlar el ngulo de conduccin. Existen unidades disponibles
actualmente que pueden manejar cargas de ms de 10kW.

Control digital de potencia

Otra de las aplicaciones ms tpicas de los tiristores es el control de potencia realizado a travs de seales
digitales que proviene de circuitos digitales o microprocesadores.
Para evitar que el circuito digital de control sea daado por la red de alimentacin es preciso aislar ambos
sistemas. Las tcnicas de aislamiento estn basadas en transformadores u opto-acopladores.
La segunda eleccin es la ms adecuada por dos motivos: direccionalidad y prestaciones. Un opto-acoplador es
unidireccional, la seal va en un nico sentido a diferencia de un transformador que es bidireccional. Adems,
presenta mayores prestaciones desde el punto de vista de coste, volumen y fiabilidad. La mayora de los opto-
acopladores no tiene capacidad de conducir grandes corrientes y por ello son utilizados como circuitos de
disparo de TRIACs de mayor potencia. En el ejemplo de la figura 12.26 se presenta un regulador de potencia
controlado por una seal digital que acta sobre una carga de alterna. El circuito de control son dos opto-
acopladores TRIAC MAC3O 11 para disparar el TRIAC de potencia MAC2 1 8A. El aislamiento entre el

circuito digital y el circuito de potencia es total y puede ser diseado para que la seal digital recorra largas
distancias. Lo que sucede despus de ser activado el SCR, se queda conduciendo y se mantiene as. Si se desea
que el tristor deje de conducir, el voltaje +V debe ser reducido a 0 Voltios.
G
(voltaje de la compuerta)
con respecto a tierra no sea cero.

UJT
(UniJunction Transistor Transistor monounin)

Oscilador de relajacin

A continuacin se muestra un oscilador de relajacin con UJT como ejemplo de una aplicacin. Este tipo de
circuito tambin es bsico para otros circuitos de disparo y sincronizacin.
Cuando se aplica la potencia de cd, el capacitor C se carga exponencialmente a travs de R
1
hasta que alcanza el
voltaje de punto pico V
p
. En este punto, la unin pn se
polariza en directa y la caracterstica de emisor pasa a
la regin de resistencia negativa (V
E
decrece e I
E

crece). Luego, el capacitor se descarga rpidamente a
travs de la unin polarizada en directa, r
B
y R
2
.
Cuando el voltaje del capacitor desciende hasta el
voltaje de punto valle V
V
, el UJT se apaga, el
capacitor comienza a cargarse nuevamente y el ciclo
se repite, como se muestra en la forma de onda de
voltaje de emisor. Durante el tiempo de descarga del
capacitor, el UJT conduce; por consiguiente, en R
2
se
desarrollan un voltaje, como se indica en el diagrama de forma de onda de la
figura.

Control de un calentador sensible a la temperatura

El voltaje de la lnea de ca es rectificado en onda completa por el puente constituido por los diodos de 1 a 4. la
salida del puente se aplica al circuito de control a travs de R
1
y se sujeta a un voltaje fijo por el diodo zner. El
termistor (resistor sensible a la temperatura) R
T
2
controlan la polarizacin de Q
1
. R
2
se
sujeta de modo que el transistor Q
1
1
est apagado, el
capacitor C
1
2
) y el triac estn apagados. El voltaje de la lnea de ca es
rectificado en onda completa por el puente constituido por los diodos de 1 a 4. la salida del puente se aplica al
circuito de control a travs de R
1
y se sujeta a un voltaje fijo por el diodo zner. El termistor (resistor sensible a
la temperatura) R
T
2
1
. R
2
se sujeta de modo que el
transistor Q
1
1
est apagado, el capacitor C
1
est
descargado y, por tanto, el UJT (Q
2

Cuando la temperatura desciende por debajo del valor establecido, la resistencia de RT se incrementa, haciendo
que Q
1
conduzca. Lo anterior permite que C
1
se cargue hasta un
voltaje suficiente para disparar al UJT.

El pulso de salida resultante en el UJT se acopla a travs del
transformador y dispara al triac, que conduce corriente a travs
del elemento calefactor (carga). Cuando este elemento se
calienta, su resistencia crece hasta que la corriente desciende por
debajo del nivel de retencin del triac, apagndolo.


Si la temperatura contina descendiendo, entonces la resistencia R
T
se incrementa ms y hace que Q
1
conduzca
con ms intensidad, cargando as con mayor rapidez al C
1
. Esto dispara ms pronto al triac en el ciclo de ca, de
modo que se entrega ms potencia a la carga. Cuando la temperatura se eleva, la resistencia de R
T
decrece,
provocando que Q
1
conduzca menos. Como resultado, el C
1
tarda ms en cargarse y el triac se dispara ms tarde
en el ciclo de ca, de modo que se entreg puente se aplica al circuito de control a travs de R
1
y se sujeta a un
voltaje fijo por el diodo zner. El termistor (resistor sensible a la temperatura) R
T
2

1
. R
2
1
se apague a una temperatura
predeterminada. Cuando Q
1
1
2
) y el triac
estn apagados. El voltaje de la lnea de ca es rectificado en onda completa por el puente constituido por los
diodos de 1 a 4. la salida del puente se aplica al circuito de control a travs de R
1
y se sujeta a un voltaje fijo por
el diodo zner. El termistor (resistor sensible a la temperatura) R
T
2
controlan la
polarizacin a menos potencia a la carga. Cuando se alcanza la temperatura deseada, se apagan el Q
1
y tambin
el triac, no entregndose ms potencia a la carga.

PUT
(Programmable Unijunction Transistor - Transistor monounin Programable)
Oscilador de relajacin

La compuerta se polariza a +9V por medio del divisor de voltaje formado por los resistores R2 y R3. Cuando se
aplica la potencia de cd, el PUT est apagado y el capacitor se carga hacia +18V a travs de R1. Cuando el
capacitor alcanza el valor de VG +0.7V, el PUT se enciende y el capacitor se descarga rpidamente a travs de
la baja resistencia en encendido del PUT y R4. Durante la descarga, en R4 se desarrolla una punta de voltaje.
Tan pronto como el capacitor se descarga, el PUT se apaga y el ciclo de cargado se reinicia, como muestran las
formas de onda en el grfico. El voltaje de la lnea de ca es rectificado en onda completa por el puente
constituido por los diodos de 1 a 4. la salida del puente se aplica al circuito de control a travs de R
1
y se sujeta a
un voltaje fijo por el diodo zner. El termistor (resistor sensible a la temperatura) R
T
2

1
. R
2
1
1
1
2
) y el triac
estn apagados.

de banda prohibida directa (como el Nitruro de Galio) que en los semiconductores de banda prohibida indirecta
(como el Silicio). La emisin espontnea, por tanto, no se produce de forma notable en todos los diodos y slo
es visible en diodos como los LEDs de luz visible, que tienen una disposicin constructiva especial con el
propsito de evitar que la radiacin sea reabsorbida por el material circundante, y una energa de la banda
prohibida coincidente con la correspondiente al espectro visible. En otros diodos, la energa se libera
principalmente en forma de calor, radiacin infrarroja o radiacin ultravioleta. En el caso de que el diodo libere
la energa en forma de radiacin ultravioleta, se puede conseguir aprovechar esta radiacin para producir

Detector de proximidad

En la figura aparece la utilizacin del diac en un detector de
proximidad. Observe el uso de un SCR en serie con la carga y
el transistor monounin (UJT) programable conectado de forma
directa al electrodo sensor.

El UJT programable (PUT) es un dispositivo que disparar
(entrar al estado de circuito cerrado) cuando el voltaje del
nodo (V
A
) sea al menos 0.7 V (para el silicio) mayor que el
voltaje de compuerta (V
G
). Antes de que el dispositivo
programable se encienda, el sistema se encontrar
bsicamente como el que se muestra en la figura.

A medida que el voltaje de entrada se eleva, el voltaje del diac VG lo seguir como se muestra en la figura
hasta que se alcance el potencial de disparo. Entonces se encender y el voltaje del diac caer de forma
sustancial, como se indica. Observe que el diac se encuentra esencialmente en el estado de circuito abierto hasta
que se dispara. Antes de que se introduzca el elemento capacitivo, el voltaje V
G
ser el mismo que el de entrada.

Como se indica en la figura, dado que tanto V
A
como V
G
siguen a la entrada, V
A
no podr ser nunca mayor que
V
G
por 0.7 V y encender al dispositivo. Sin embargo, al incorporar el elemento capacitivo, el voltaje V
G

comenzar a retrasar el voltaje de entrada mediante un ngulo creciente, como se indica en la figura. Por tanto,
existir un punto establecido donde V
A
puede exceder a V
G
por 0.7 V y ocasionar que el dispositivo
programable se dispare. El voltaje de la lnea de ca es rectificado en onda completa por el puente constituido por
los diodos de 1 a 4. la salida del puente se aplica al circuito de control a travs de R
1
y se sujeta a un voltaje fijo
por el diodo zner. El termistor (resistor sensible a la temperatura) R
T
2
controlan la
polarizacin de Q
1
. R
2
1
se apague a una temperatura predeterminada.
Cuando Q
1
1
2

En este punto se establece una fuerte corriente a travs del PUT, con lo que el voltaje V
K
se eleva y se enciende
el SCR. Entonces se presentar una fuerte corriente de SCR a travs de la
carga que reacciona a la presencia de una persona que se aproxime. de
banda prohibida directa (como el Nitruro de Galio) que en los
semiconductores de banda prohibida indirecta (como el Silicio). La
emisin espontnea, por tanto, no se produce de forma notable en todos
los diodos y slo es visible en diodos como los LEDs de luz visible, que
tienen una disposicin constructiva especial con el propsito de evitar
que la radiacin sea reabsorbida por el material circundante, y una
energa de la banda prohibida coincidente con la correspondiente al
espectro visible. En otros diodos, la energa se libera principalmente en
forma de calor, radiacin infrarroja o radiacin ultravioleta. En el caso de
que el diodo libere la energa en forma de radiacin ultravioleta, se puede
conseguir aprovechar esta radiacin para producir

SCR
(Silicon Controlled Rectifier - Rectificador Controlado de Silicio)

Introduccin.
Como su nombre lo indica, el SCR es un rectificador construido con material
de silicio con una tercera terminal para efecto de control. Se escogi el silicio
debido a sus capacidades de alta temperatura y potencia.

La operacin bsica del SCR es diferente de la del diodo semiconductor de dos capas fundamental, en que una
tercera terminal, llamada compuerta, determina cundo el rectificador conmuta del estado de circuito abierto al
de circuito cerrado. No es suficiente slo la polarizacin directa del nodo al ctodo del dispositivo.
En la regin de conduccin la resistencia dinmica el SCR es tpicamente de 0.01 a 0.1. La resistencia inversa es
tpicamente de 100 k o ms.

ESTRUCTURA.

SCR es el acrnimo de Sustained Cell Rate (Cadencia sostenida de celdas). Es un parmetro de calidad del
servicio para el trfico en el protocolo ATM. El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de
Silicio, Figura 1), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposicin
pnpn Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. La conduccin entre nodo y ctodo
es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es nico),
conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.SCR es el acrnimo de Sustained Cell Rate
(Cadencia sostenida de celdas). Es un parmetro de calidad del servicio para el trfico en el protocolo ATM.

Descripcin

El parmetro SCR define la velocidad mxima en promedio a la que se pueden generar celdas para su
transmisin en el origen. Es un parmetro similar a PCR (Peak Cell Rate) pero aplicado en promedio (a largo
plazo).La red ATM no acepta nuevas celdas si se sobrepasan los parmetros de nivel de servicio contratados.

El rectificador controlado de silicio (en ingls SCR: Silicon Controlled Rectifier) es un tipo de tiristor formado
por cuatro capas de material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la unin
de Tiratrn (tyratron) y Transistor.

Un SCR posee tres conexiones: nodo, ctodo y puerta. La puerta es la encargada de controlar el paso de
corriente entre el nodo y el ctodo. Funciona bsicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo
circular la corriente en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensin en la puerta del SCR no se inicia
la conduccin y en el instante en que se aplique dicha tensin, el tiristor comienza a conducir. Una vez
arrancado, podemos anular la tensin de puerta y el tiristor continuar conduciendo hasta que la corriente de
carga disminuya por debajo de la corriente de mantenimiento. Trabajando en corriente alterna el SCR se
desexcita en cada alternancia o semiciclo.
Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrnica de potencia y de control. Podramos decir que un SCR
funciona como un interruptor electrnico.
El SCR es, por tanto, un dispositivo conductor solo en el primer cuadrante, en el cual el disparo se provoca por:

Tensin suficientemente elevada: aplicada entre nodo y ctodo,
Intensidad en la puerta: Se puede controlar as la tensin necesaria entre nodo y ctodo para la transicin
OFF ON, usando la corriente de puerta adecuada.

Un SCR o TIRISTOR es un componente electrnico de estado slido (sin partes mviles) de 3 terminales:
nodo (A), ctodo (K) y un electrodo de control denominado puerta (G, gate), desarrollado por la General
Electric (U.S.A.) en 1957 (10 aos despus de la invencin del transistor).
Es un dispositivo unidireccional (es decir, que deja circular la corriente elctrica en un solo sentido: desde A
hacia K como un diodo rectificador semiconductor), pero adems del estado ON (conduciendo) del diodo
comn, tiene un segundo estado estable: OFF (cortado, sin conducir). Si el voltaje V
GK
entre G y K es el
adecuado, conduce desde A hacia K. Su nombre SCR (silicon controlled rectifier) proviene de ser como un
rectificador de silicio, pero controlado a travs de G. Es la versin en estado slido de los antiguos tubos
tiratrones, y de ah su nombre: thyristor, thyratron y transistor.

Los tiristores, tambin conocidos como SCR (rectificador controlado por silicio), son dispositivos de estado
slido integrados por 4 capas de material semiconductor, ya sea con estructura NPNP o PNPN, utilizados
principalmente en aplicaciones de control de potencia.
Al igual que los diodos, los SCR tienen terminales nodo y ctodo, sin embargo estos ltimos integran una
tercera terminar, denominada compuerta, la cual es utilizada para controlar la operacin del dispositivo.
Cuando se utilizan en aplicaciones de control de fase, los tiristores son encendidos solo en porciones especficas
y ajustables del ciclo de la seal de control de entrada. Al mover el punto en el cual el tiristor se enciende, se
regula la potencia de salida del dispositivo.
El ejemplo clsico de esta operacin son los dimmers que controlan la intensidad de la luz proporcionada por
bombillas elctricas. En esta aplicacin se controla el SCR para que se encienda en un punto particular de la
onda sinusoidal de la lnea de energa elctrica.
ser la intensidad de la luz emitida por la bombilla.


Mientras que el tiristor es un diodo controlado y por lo tanto, en general se utiliza en circuitos de control de
corriente continua (DC, direct current), el TRIAC es como un tiristor bidireccional, para utilizar en circuitos de
corriente alterna (AC, altern current). Sus terminales en vez de K y A se denominan Terminal Principal 1
(MT1) y Terminal Principal 2 (MT2). El electrodo de control se denomina puerta, G, como en el tiristor.
Si el voltaje V
G1
entre G y MT1 es suficientemente positivo, en el primer semiciclo AC conduce desde MT2
hacia MT1 (como lo hara un tiristor). Pero en el otro semiciclo, si el voltaje V
G1
es suficientemente negativo,
conduce desde MT1 hacia MT2.
En circuitos bsicos donde una fuente DC y otra AC alimentan una "carga" (que puede ser un motor, calefactor,
etc.) a travs del respectivo dispositivo de conmutacin.
En la parte inferior derecha se muestran dos tiristores conectados en "anti-paralelo" (o "back-to-back"),
indicando que la funcin del triac puede ser implementada con dos SCRs de ese modo.

El tiristor y el triac sirven como dispositivos de conmutacin de estado slido en DC y en AC respectivamente.
Es decir, son como interruptores (switches) pero rpidos, silenciosos, sin partes mviles, sin contactos
electromecnicos y que pueden controlarse electrnicamente.

CARACTERSTICAS GENERALES.
Interruptor casi ideal.
Soporta tensiones altas.
Amplificador eficaz.
Es capaz de controlar grandes potencias.
Fcil controlabilidad.
Relativa rapidez.
Caractersticas en funcin de situaciones pasadas

Un SCR.
Se activa cuando el voltaje V
D
que lo alimenta excede V
BO.

Tiene un voltaje de ruptura V
BO
, cuyo nivel se controla por la cantidad de corriente i
G
, presente en el SCR.
Se desactiva cuando la corriente i
D
que fluye por l cae por debajo de I
H.

Detiene todo flujo de corriente en direccin inversa, hasta que se supere el voltaje mximo inverso.
Estos componentes se utilizan en circuitos como por ejemplo controles de velocidad de motores o de intensidad
de iluminacin de ampolletas (dimmers), para activar sistemas de proteccin, o en convertidores de voltaje para
viajes, cargadores de bateras, magnetizadores de imanes, relays de estado slido(SSR), controles de
temperatura de hornos, etc.
Son capaces de controlar 2000A, 4000V. La frecuencia de trabajo es de 50-60Hz (tiristores de red) pudiendo
trabajar con frecuencias de hasta 200KHz (tiristores rpidos).
Se emplean en la rectificacin controlada y en todas las tcnicas de potencia que se emplean para modificar toda
la representacin de la energa elctrica.
Clasificacin:
SCR tipo P:
SCR tipo N:
Propiedades:

Es un interruptor casi ideal aunque cuando esta en estado de conduccin tiene una cada de tensin de 2V.
Rectificador fcilmente controlable.
Relativa rapidez

Descripcin.

El parmetro SCR define la velocidad mxima en promedio a la que se pueden generar celdas para su
transmisin en el origen. Es un parmetro similar a PCR (Peak Cell Rate) pero aplicado en promedio (a largo
plazo).

La red ATM no acepta nuevas celdas si se sobrepasan los parmetros de nivel de servicio contratados. En
realidad este dispositivo no sirve para nada solo es un invento caprichoso en la industria

Estructura Bsica del SCR:


Smbolo y circuitos equivalentes del Tiristor SCR

Seccin Longitudinal de un SCR Seccin de un SCR para potencias muy elevadas
De qu est hecho?

Como los diodos semiconductores de silicio, los SCR y los triacs se construyen uniendo materiales
semiconductores tipo-p, de silicio (Si) dopado con elementos del Grupo III-A como el aluminio (Al), galio
(Ga) o indio (In), y semiconductores tipo-n, de Si dopado con elementos del Grupo V-A como fsforo (P),
arsnico (As) o antimonio (Sb).
Mientras que un diodo rectificador np est formado por una unin de 2 capas, una tipo-n (el K) y otra tipo-p (el
A), el SCR est hecho de 4 capas pnpn de semiconductores: tipo-p (el A), tipo-n, tipo-p (la G) y tipo-n (el K).
A la izquierda de la siguiente Figura se puede ver el smbolo del SCR y un diagrama esquemtico de su
estructura. Tres capas forman un sandwhich: tipo-p (el A), tipo-n y tipo-p. Finalmente, el K se construye
difundiendo material tipo-n sobre la ltima capa tipo-p, y G se conecta muy cerca de K, sobre la misma capa de
material tipo-p.

Cmo Funciona?

El funcionamiento del tiristor se puede entender como un circuito
simple formado por dos transistores bipolares:

1) Cuando a un transistor bipolar pnp de silicio se le aplica un
voltaje VBE suficientemente negativo de base (B) a emisor (E) (menor
que -0.6 V), o cuando a un transistor bipolar npn de Si se le aplica un voltaje VBE suficientemente positivo de B
a E (mayor que 0.6 V), el transistor conmuta de OFF a ON, es decir, se satura (conduce toda la corriente que el
circuito y l mismo permitan, desde E hacia el colector C en el pnp, o desde C hacia E en el npn).
2) Un transistor bipolar amplifica la corriente de base I
B
aproximadamente en un parmetro B ("beta del
transistor"), es decir, la corriente de colector es aproximadamente I
C
= B I
B
. Pero el parmetro beta depende de
la corriente I
C
.

Ahora bien, considrese primero un TIRISTOR al que solo se le aplica un voltaje V
AK
> 0 V. Si se considera al
tiristor como un transistor Tr1 npn de ganancia B
1
conectado con un transistor Tr2 pnp de ganancia B
2
, se
observa que:

(1) Inicialmente no hay conduccin (I
A
= 0 A, tiristor abierto, OFF).
(2) Cuando se aplica un voltaje V
GK
de G a K suficientemente positivo, una corriente de puerta I
G

dispara al tiristor, comenzando la conduccin desde A hacia K (conmuta de OFF a ON, tiristor cerrado).
(3) Despus del disparo, cuando I
G
= 0 A, la corriente de nodo I
A
del tiristor visto como 2 transistores,
resulta aproximadamente igual a I
A
= B
1
(B
2
+1) I
B1
. Del anlisis del circuito, se ve que durante la conduccin las
corrientes se ajustan para que B
1
B
2
= 1.
(4) Mientras haya voltaje V
AK
desde A hacia K suficientemente positivo, seguir existiendo corriente I
A

(aunque I
G
= 0 A), ya que la corriente de colector del Tr2 mantiene alimentada la base del Tr1. Esta es la
clave del funcionamiento de un SCR, que comienza a conducir desde A hacia K, por la seal que hubo en G.
Polarizacin Inversa. Polarizacin Directa. Al igual que los diodos, los SCR tienen terminales nodo
y ctodo, sin embargo estos ltimos integran una tercera terminar, denominada compuerta, la cual es utilizada
para controlar la operacin del dispositivo.
bombillas elctricas. En esta aplicacin se controla el SCR para que se encienda en un punto particular de la
onda sinusoidal de la lnea de energa elctrica.

ser la intensidad de la luz emitida por la bombilla. desexcita en cada alternancia o semiciclo.

Mecanismo de cebado.

Caracterstica Tensin Intensidad.

En la figura podemos ver la caracterstica esttica de
un SCR. En su estado de apagado o bloqueo (OFF),
puede bloquear una tensin directa y no conducir
corriente. As, si no hay seal aplicada a la puerta,
permanecer en bloqueo independientemente del signo de la tensin VAK. El tiristor debe ser disparado o
encendido al estado de conduccin (ON) aplicando un pu
Un SCR o TIRISTOR es un componente electrnico de estado slido (sin partes mviles) de 3 terminales:
nodo (A), ctodo (K) y un electrodo de control denominado puerta (G, gate), desarrollado por la General
Electric (U.S.A.) en 1957 (10 aos despus de la invencin del transistor).
GK
entre G y K es el

Cuando se utilizan en aplicaciones de lso de corriente positiva en el terminal de puerta, durante un pequeo
intervalo de tiempo, posibilitando que pase al estado de bloqueo directo. La cada de tensin directa en el estado
de conduccin (ON) es de pocos voltios (1-3 V). Una vez que el SCR empieza a conducir, ste permanece en
conduccin (estado ON), aunque la corriente de puerta desaparezca, no pudiendo ser bloqueado por pulso de
puerta.
nicamente cuando la corriente del nodo tiende a ser negativa, o inferior a un valor umbral, por la influencia
del circuito de potencia, el SCR pasar a estado de bloqueo.
En rgimen esttico, dependiendo de la tensin aplicada entre nodo y ctodo podemos distinguir tres regiones
de funcionamiento:
1. Zona de bloqueo inverso (vAK < 0): sta condicin corresponde al estado de no conduccin en inversa,
comportndose como un diodo.

2. Zona de bloqueo directo (vAK > 0 sin disparo): El SCR se comporta como un circuito abierto hasta
alcanzar la tensin de ruptura directa.

1. Zona de conduccin (vAK > 0 con disparo): El SCR se comporta como un interruptor cerrado, si una
vez ha ocurrido el disparo, por el dispositivo circula una corriente superior a la de enclavamiento. Una
vez en conduccin, se mantendr en dicho estado si el valor de la corriente nodo ctodo es superior a
la corriente de mantenimiento.



Figura. Caracterstica principal de los SCRs

La figura muestra las caractersticas corriente-tensin (I-V)
del SCR y permite ver claramente cmo, dependiendo de la
corriente de puerta (IG), dichas caractersticas pueden
variar. El voltaje de la lnea de ca es rectificado en onda
completa por el puente constituido por los diodos de 1 a 4. la salida del puente se aplica al circuito de control a
travs de R
1
y se sujeta a un voltaje fijo por el diodo zner. El termistor (resistor sensible a la temperatura) R
T
y
el resistor variable R
2
1
. R
2
1
se apague a una
temperatura predeterminada. Cuando Q
1
1
2
)
y el triac estn apagados. El voltaje de la lnea de ca es rectificado en onda completa por el puente constituido
por los diodos de 1 a 4. la salida del puente se aplica al circuito de control a travs de R
1
y se sujeta a un voltaje
fijo por el diodo zner. El termistor (resistor sensible a la temperatura) R
T
2
controlan la
polarizacin de Q
1
. R
2
1
se apague a una temperatura predeterminada.
Cuando Q
1
1
2

manera selectiva de dos valores de resistencia. PUT El PUT o programmable unijunction transistor
perteneciente a la familia de los dispositivos uniunion y sus caracteristicas son similares al SCR. En la figura
1.17.a se indica su simbolo. Es un dispositivo de disparo anodo-puerta (anodo-gate) puesto que su disparo se
realiza cuando la puerta tenga una tension mas negativa que el anodo, es decir, la conduccion del PUT se realiza
por control de las tensiones en sus terminales. Como ejemplo sencillo, la figura 1.17.b muestra el esquema de un
oscilador de relajacion basado en este dispositivo. La tension de puerta esta fijada a un valor constante a traves
de las resistencias R1y R2. Si inicialmente el condensador esta descargado, la tension del anodo es menor que la
de la puerta (VA<VG) y el PUT esta cortado. En estas condiciones, el condensador se carga a traves de R
aumentando la tension del anodo. Llegara un momento en que VA=VG y, en ese instante, se dispara el PUT el
cual descarga bruscamente el condensador C produciendo una caida de tension en la resistencia Ro. Si R y Ro

Figura. Caracterstica I-V de un SCR en funcin de la corriente de puerta.
CARACTERSTICA DEL SCR.

En cuanto a la parte de polarizacin positiva, el diodo no conduce hasta que se recibe un pulso de tensin en el
terminal de puerta (gate). Una vez recibido, la tensin entre nodo y ctodo cae hasta ser menor que un voltio y
la corriente aumenta rpidamente, quedando limitada en la prctica por componentes externos. Podemos ver en
la curva cuatro valores importantes. Dos de ellos provocarn la destruccin diodo Shockley, la tensin a partir
de la cual se produce el fenmeno de avalancha. I
MAX
es la corriente mxima que puede soportar el SCR sin
sufrir dao. Los otros dos valores importantes son la tensin de cebado V
BO
(Forward Breakover Voltage) y la
corriente de mantenimiento I
H
, magnitudes anlogas a las explicadas para el diodo Shockley.

Caractersticas Generales:
Interruptor casi ideal.
Soporta tensiones altas.
Amplificador eficaz.
Es capaz de controlar grandes potencias.
Fcil controlabilidad.
Relativa rapidez.
Caractersticas en funcin de situaciones pasadas
(memoria).

Caractersticas Estticas.
ctodo (K) y un electrodo de control denominado puerta (G, gate), desarrollado por la General Electric
(U.S.A.) en 1957 (10 aos despus de la invencin del transistor).
GK
entre G y K es el


bombillas elctricas. En esta aplicacin se controla el SCR para que se
encienda en un punto particular de la onda sinusoidal de la lnea de energa
elctrica.

Las caractersticas estticas corresponden a la regin nodo - ctodo y son los
valores mximos que colocan al elemento en lmite de sus posibilidades:

-
Tensin inversa de pico de trabajo.........: V
RWM
- Tensin directa de pico repetitiva ........: V
DRM

- Tensin directa ...........................: V
T

- Corriente directa media ...................: I
TAV

- Corriente directa eficaz ..................: I
TRMS

- Corriente directa de fugas ................: I
DRM

- Corriente inversa de fugas ................: I
RRM

-
Corriente de mantenimiento ................: I
H

Caractersticas Trmicas.

que tiene una resistencia de filamento fra muy baja. Para cargas resistivas tal como esta, la diT/dt estara a
su ms alto valor si la conduccin comienza en el pico de la senoidal de la tensin de alimentacin. Si es
probable que la corriente exceda la caracterstica de di/dt triac adoptado, se debe limitar esta di/dt con la
de forma de que con la carga fra el ngulo de disparo sea grande (<Vef). Nuevamente, el inductor no debe
saturarse durante el pico de corriente mximo. Si lo hace, su inductancia se derrumbara y no limitara ms la
diT/dt. Un inductor de ncleo de aire es aceptado para este requerimiento. Una solucin ms elegante que puede
evitar el requerimiento de un limitador de corriente en serie dispositivo estara en usar el disparo en el cruce por
cero. Esto permitira a la corriente comenzar a crecer mas gradualmente, desde el comienzo de la onda senoidal.
NOTA: Es importante recodar que el disparo por el cruce de cero es nicamente aplicable sobre cargas
resistivas. Usar el mismo mtodo para cargas inductivas donde hay desfasaje entre el voltaje y la corriente puede
ocasionar conducciones en media onda o unipolares, conduciendo a la saturacin de las cargas reactivas,
produciendo recalentamientos y corrientes de pico mayores y posibles destrucciones. Ms avanz control y en la
actualidad se da el disparo por corriente cero o disparo de ngulo variable como requiere en este caso. Si la
serie con la carga, o en el circuito de control (este ltimo circuito de disparo). Una alternativa puede ser el
empleo de circuitos de disparo por cruce por cero para cargas resistivas.
Apagado
Desde que apareci en el mercado el triac se usa en los circuitos de Corriente Alterna, ellos conmutan
naturalmente al final de cada ciclo medio de corriente de la carga a menos que una seal de puerta se aplique en
el inicio del siguiente hemiciclo para mantener conduccin. Las reglas para IH son al igual que para el tiristor.
Vea la Regla 2.
Hi-Com triac

El triac Hi-Com tiene una construccin interna diferente al triac convencional. Una de las diferencias es que
las dos mitades de tiristor "son bien separadas para reducir la influencia que ellos tienen sobre el uno al otro.
Esto ha rendido varios beneficios:
1- Ms alto dVCOM/dt. Esto los permite de controlar cargas reactivas sin la necesidad que una red snubber
en la mayora de los casos, mientras todava evite la falla de conmutacin. Esto reduce la cantidad de
componentes, baja los costos y elimina disipacin de potencia de la redsnubber.
2-Ms alto dICOM/dt. Esto drsticamente mejora las oportunidades de conmutar a frecuencia mas alta o
seales no senoidales, sin la necesidad de un limitador de diCOM/dt (inductor en serie con la carga).
3- Ms alta dvD/dt. El Triacs llega a ser ms sensible a temperaturas activas altas. La mayor capacidad de
dvT/dt del triac Hi-com reduce su tendencia a disparos aleatorios producidos por dv/dt, cuando el dispositivo
esta a una alta temperatura. Esto los habilita a ser utilizados en aplicaciones de alta temperatura, como
control de cargas resistivas como: hornos elctricos, cocinas elctricas, donde el uso de triacs comunes se
dificulta por su temperatura de entorno.
La construccin interna diferente tambin significa, que el disparo en el 3 cuadrante no es posible. Esto no
debera ser un problema en la gran mayora de los casos porque este es el el cuadrante en el cual no debera
dispararse un triac, o sea que es conveniente en reemplazo de un triac convencional por uno Hi-com. Siempre
que sea posible.

Las caractersticas trmicas a tener en cuenta al trabajar con tiristores SRS son:

-
Temperatura de la unin ...................: T
j
-
Temperatura de almacenamiento .............: T
stg
-
Resistencia trmica contenedor-disipador ..: R
c-d
-
Resistencia trmica unin-contenedor ......: R
j-c
-
Resistencia trmica unin-ambiente.........: R
j-a
-
Impedancia trmica unin-contenedor........: Z
j-c

Caractersticas De Control.

Corresponden a la regin puerta-ctodo y determinan las propiedades del circuito de mando que responde mejor
a las condiciones de disparo. Los fabricantes definen las siguientes caractersticas:

-
Tensin directa mx. ....................: V
GFM
-
Tensin inversa mx. ....................: V
GRM
-
Corriente mxima.........................: I
GM
-
Potencia mxima .........................: P
GM
-
Potencia media ..........................: P
GAV
-
Tensin puerta-ctodo par................: V
GT
-
Tensin residual mxima que no enciende ningn elemento. V
GNT
-
Corriente de puerta para el encendido ...............: I
GT
-
Corriente residual mxima que no enciende ningn elemento I
GNT

Entre los anteriores destacan:

V
GT
e I
GT
, que determinan las condiciones de encendido del dispositivo semiconductor. "La derivada de la
tensin con respecto al tiempo". Los cambios bruscos de tensin entre el nodo (A) y el ctodo (K = C), pueden
producir cebados no deseados, causando con ello que el tiristor se dispare y empiece a conducir. El dv/dt
mximo es especificado por el fabricante. A veces por diferentes motivos, la tensin entre los terminales del
SCR pueden cambiar en forma repentina y de manera evidente (el cambio de tensin es grande).

V
GNT
e I
GNT
, que dan los valores mximos de corriente y de tensin, para los cuales en condiciones normales de
temperatura, los tiristores no corren el riesgo de dispararse de modo indeseado.

rea De Disparo Seguro.


En esta rea se obtienen las condiciones de disparo del SCR. Las tensiones y corrientes admisibles para el
disparo se encuentran en el interior de la zona formada por las curvas:

- Curva A y B: lmite superior e inferior de la tensin puerta-ctodo en funcin de la corriente positiva de
puerta, para una corriente nula de nodo.
- Curva C: tensin directa de pico admisible V
GF
.
- Curva D: hiprbola de la potencia media mxima P
GAV
que no debemos sobrepasar.

Curva caractersticas de puerta del SRC.

El diodo puerta (G) - ctodo (K) difiere de un diodo de rectificacin en los siguientes puntos:
- Una cada de tensin en sentido directo ms elevada.
- Mayor dispersin para un mismo tipo de tiristor.

Caractersticas Dinmicas.
desexcita en cada alternancia o semiciclo.
Cuando se produce una variacin brusca de tensin entre nodo y ctodo
de un tiristor, ste puede dispararse y entrar en conduccin an sin
corriente de puerta. Por ello se da como caracterstica la tasa mxima de
subida de tensin que permite mantener bloqueado el SCR. Este efecto
se produce debido al condensador parsito existente entre la puerta y el
nodo.
Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrnica de potencia y de
control. Podramos decir que un SCR funciona como un interruptor
electrnico.
El SCR es, por tanto, un dispositivo conductor solo en el primer
cuadrante, en el cual el disparo se provoca por:

Curvas de Tensin y Corriente del SCR durante la Conmutacin
Caractersticas dinmicas.
Tensiones transitorias:
Valores de la tensin superpuestos a la seal de la fuente de alimentacin.
Son breves y de gran amplitud.
La tensin inversa de pico no repetitiva (V
RSM
) debe estar dentro de esos valores.

Impulsos de corriente:
Para cada tiristor se publican curvas que dan la cantidad de ciclos durante los cuales puede tolerarse una
corriente de pico dada.
A mayor valor del impuso de corriente, menor es la cantidad de ciclos.
El tiempo mximo de cada impulso est limitado por la temperatura media de la unin.

Caractersticas ms destacadas del SCR:
Estructura de cuatro capas p-n alternadas.
Directamente polarizado tiene dos estados: cebado y bloqueado. Inversamente polarizado estar bloqueado.

Dispositivo capaz de soportar las potencias ms elevadas. nico dispositivo capaz de soportar I>4000Amp.
(Von24Volt.) y V>7000Volt. El voltaje de la lnea de ca es rectificado en onda completa por el puente
1
y se sujeta a
un voltaje fijo por el diodo zner.

El termistor (resistor sensible a la temperatura) R
T
2
1
. R
2
se
sujeta de modo que el transistor Q
1
1
est apagado, el
capacitor C
1
2

Control del encendido por corriente de puerta (pulso). No es posible apagarlo desde la puerta (s GTO tema 7).
El circuito de potencia debe bajar la corriente andica por debajo de la de mantenimiento.


Frecuencia mxima de funcionamiento baja, ya que se sacrifica la velocidad (vida media de los portadores
larga) para conseguir una cada en conduccin lo menor posible. Su funcionamiento se centra en aplicaciones a
frecuencia de red.

La derivada de la corriente andica respecto al tiempo en el momento del cebado debe limitarse para dar tiempo
a la expansin del plasma en todo el cristal evitando la focalizacin de la corriente.
La derivada de la tensin nodo ctodo al reaplicar tensin positiva debe limitarse para evitar que vuelva
cebarse. Tambin se debe esperar un tiempo mnimo para reaplicar tensin positiva.

ngulos de conduccin:

La corriente y tensin media de un SCR dependen del ngulo de
conduccin.
A mayor ngulo de conduccin, se obtiene a la salida mayor potencia.
Un mayor ngulo de bloqueo o disparo se corresponde con un menor
ngulo de conduccin ngulo de conduccin = 180 ngulo de
disparo.
Conociendo la variacin de la potencia disipada en funcin de los
diferentes ngulos de conduccin podremos calcular las protecciones necesarias.

ngulo de bloqueo y conduccin de un tiristor.
Caractersticas de conmutacin.
Los tiristores no son interruptores perfectos, necesitan un tiempo para pasar de corte a conduccin y viceversa.
Vamos a analizar este hecho.
Tiempo de encendido
(
T
on
)
:
Es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de corte a conduccin. Se divide en dos partes:
Tiempo de retardo (t
d
): tiempo que transcurre desde que la corriente de puerta alcanza el 50 % de su valor
final hasta que la corriente de nodo alcanza el 10 % de su valor mximo. Depende de la corriente de mando, de
la tensin nodo - ctodo y de la temperatura (t
d
disminuye si estas magnitudes aumentan).

Tiempo de subida (t
r
): tiempo necesario para que la corriente de nodo pase del 10 % al 90 % de su valor
mximo, o, el paso de la cada de tensin en el tiristor del 90 % al 10
% de su valor inicial.
T
on
= t
d
+ t
r

Tiempo de apagado
(
T
off
)
: Es el tiempo que tarda el tiristor en pasar
de conduccin a corte. Se divide en dos partes El voltaje de la lnea
de ca es rectificado en onda completa por el puente constituido por
los diodos de 1 a 4. la salida del puente se aplica al circuito de control
a travs de R
1
y se sujeta a un voltaje fijo por el diodo zner. El
termistor (resistor sensible a la temperatura) R
T
y el resistor variable
R
2
1
. R
2
se sujeta de modo que el
transistor Q
1
1

1
est descargado y, por tanto, el UJT
(Q
2

Tiempo de recuperacin inversa (t
rr
): tiempo en el que las cargas acumuladas en la conduccin del SCR, por
polarizacin inversa de este, se eliminan parcialmente.

Tiempo de recuperacin de puerta (t
gr
): tiempo en el que, en un nmero suficiente bajo, las restantes cargas
acumuladas se recombinan por difusin, permitiendo que la puerta recupere su capacidad de gobierno.
T
off
= t
rr
+ t
gr

La extincin del tiristor SRC se producir por dos motivos: reduccin de
la corriente de nodo por debajo de la corriente de mantenimiento y por
anulacin de la corriente de nodo.


APLICACIONES DEL SCR
Las aplicaciones de los tiristores se extiende desde la rectificacin de corrientes alternas, en lugar de los diodos
convencionales hasta la realizacin de determinadas conmutaciones de baja potencia en circuitos electrnicos,
pasando por los onduladores o inversores que transforman la corriente continua en alterna.
La principal ventaja que presentan frente a los diodos cuando se les utiliza como rectificadores es que su entrada
en conduccin estar controlada por la seal de puerta.
De esta forma se podr variar la tensin continua de salida si se hace variar el momento del disparo ya que se
obtendrn diferentes ngulos de conduccin del ciclo de la tensin o corriente alterna de entrada.
Adems el tiristor se bloquear automticamente al cambiar la alternancia de positiva a negativa ya que en este
momento empezar a recibir tensin inversa.
Por lo anteriormente sealado el SCR tiene una gran variedad de aplicaciones, entre ellas estn las aplicaciones
ms importantes en las que se usa los scr:

- Controles de relevador.
- Circuitos de retardo de tiempo.
- Fuentes de alimentacin reguladas.
- Interruptores estticos.
- Controles de motores.
- Recortadores.
- Inversores.
- Ciclo conversores.
- Cargadores de bateras.
- Circuitos de proteccin.
- Controles de calefaccin.
- Controles de fase.
Sistema de iluminacin de emergencia de una sola fuente
El SCR se utiliza como un interruptor unidireccional semiconductor, el cual se controla por un pulso de voltaje
en la compuerta. Tiene mltiples aplicaciones y una de ellas se muestra en el siguiente esquema. Es un sistema
de iluminacin de emergencia de una sola fuente que mantendr la carga en una batera de 6 V, para asegurar su
disponibilidad y brindar tambin energa CD a una lmpara elctrica si hay una interrupcin elctrica. Una seal
rectificada de onda completa aparecer a travs de la lmpara de 6 V debido a los diodos D2 y D1. El capacitor
C1 se cargar hasta un voltaje ligeramente menor que la diferencia entre el valor pico de la seal rectificada de
onda completa y el voltaje CD en R2 establecido por la batera de 6 V. En todo caso, el ctodo del SCR1 es
mayor que el nodo y el voltaje de la compuerta al ctodo es negativo, asegurando que el SCR no conduzca. La
batera se esta cargando a travs de R1 y D1 a una razn determinada por R1. La carga de la batera solo ocurre
cuando el nodo de D1 es ms positivo que su ctodo. El nivel CD de la seal rectificada de onda completa
asegurar que la lmpara este encendida cuando haya potencia. Si la alimentacin elctrica falla, el capacitor C1
se descargar a travs de D1, R1 y R3 hasta que el ctodo del SCR1 sea menos positivo que el nodo, Al mismo
tiempo, la unin de R2 y R3 se volver positiva y establecer suficiente voltaje de compuerta a ctodo para
dispara el SCR. Una vez disparado, la batera de 6 Voltios se descargara a travs del SCR1 y energizara la
lmpara y mantendra su iluminacin. Despus de que se restablece la energa, el capacitor C1 se recargar y
restablecer el estado no conductor de SCR1, como se describi antes.
Control de potencia en alterna en reguladores (dimmer) de lmparas
En la Figura 10.8 se muestra un circuito de control de fase de media onda y resistencia variable. Entre los
terminales A y B se aplican 120 V (AC). R
L
representa la resistencia de la carga (por ejemplo un elemento
calefactor o el filamento de una lmpara). R
1
es una resistencia limitadora de la corriente y R
2
es un
potencimetro que ajusta el nivel de disparo para el SCR. Mediante el ajuste del mismo, el SCR se puede
disparar en cualquier punto del ciclo positivo de la onda en alterna entre 0 y 180, como se aprecia en la Figura
10.8.


Figura 10.8: (a) Conduccin durante 180 (b) Conduccin durante 90
Cuando el ShCR se dispara cerca del principio del ciclo (aproximadamente a 0), como en la Figura 10.8 (a),
conduce durante aproximadamente 180 y se transmite mxima potencia a la carga.
Cuando se dispara cerca del pico positivo de la onda, como en la Figura 10.8 (b), el SCR conduce durante
aproximadamente 90 y se transmite menos potencia a la carga. Mediante el ajuste de R
X
, el disparo puede
retardarse, transmitiendo as una cantidad variable de potencia a la carga.
Cuando la entrada en AC es negativa, el SCR se apaga y no conduce otra vez hasta el siguiente disparo durante
el ciclo positivo. Es necesario repetir el disparo en cada ciclo como se ilustra en la Figura 10.9. El diodo se
coloca para evitar que voltaje negativo en AC sea aplicado a la gate del SCR.

SCS
SCS (SILICON CONTROLLED SWITCH)es similar en cuanto a construccin al SCR. La diferencia est en
que posee dos terminales de puerta, uno para entrar en conduccin y otro para corte. El SCS se suele utilizar en
rangos de potencia menores que el SCR.
El interruptor controlado de silicio (SCS) es un tiristor con una compuerta adicional. Puede usarse como un
tiristor, pero que se dispara con pulsos positivos o negativos en cualquiera de las compuertas. Sin embargo,
tambin puede pasar al estado de no conduccin aplicando pulsos a las compuertas.
Un interruptor de silicio controlado consiste en una estructura de cuatro capas cuyas cuatro regiones
semiconductoras son accesibles. El dispositivo puede ser considerado como un circuito integrado con sendos
transistores npn y pnp conectados como un par de realimentacin positiva. Siendo accesibles las cuatro
regiones, la realimentacin positiva es fcilmente controlada, y el dispositivo puede ser accionado como un
amplificador lineal de elevada ganancia de c.c. o como un
interruptor.
El SCS es semejante en construccin al SCR. Sin embargo, el
SCS tiene dos terminales de compuerta, como se muestra en
la figura 1.1: la compuerta del ctodo y la compuerta del
nodo.
El SCS puede encenderse y apagarse usando cualquiera de
sus terminales de compuerta. El SCR puede encenderse
usando slo su terminal de compuerta. Normalmente el SCS se encuentra disponible slo en rangos de potencia
menores que las del SCR.
El SCS tiene aplicaciones muy similares a las de SCR. Este ltimo tiene la ventaja de poder abrirse ms rpido
mediante pulsos en cada uno de los terminales de gate, pero el inconveniente que presenta respecto al SCR es
que se encuentra ms limitado en cuanto a valores de tensin y corriente. Tambin se utiliza en aplicaciones
digitales como contadores y circuitos temporizadores.
El SCS es un dispositivo de cuatro capas y cuatro terminales externos. La adicin de un cuarto terminal permite
una mayor flexibilidad en sus caractersticas y aplicaciones. La conexin nodo-compuerta es utilizada para
llevar al dispositivo de su estado de conduccin a bloqueo.

En la figura puede observarse que un pulso de polaridad negativa aplicado en compuerta de nodo har conducir
a T1 y por lo tanto a T2 inicindose un proceso regenerativo y por lo tanto una elevada circulacin de corriente
entre terminales nodo-ctodo.
Si se aplica un pulso positivo en esta misma compuerta o uno negativo en la de ctodo se obtiene el estado de
circuito abierto del dispositivo.
En general, la corriente requerida en la compuerta de nodo para el disparo es mucho mayor que la requerida en
la compuerta de ctodo. Valores tpicos de corriente de compuerta de nodo y de ctodo son respectivamente
1.5 mA y 1 &A.

FUNCIONAMIENTO

La operacin bsica del SCS puede comprenderse refirindose al equivalente con transistores que se muestra en
la figura 1.2. Se supone que ambos Q1 y Q2 estn apagados y que, por lo tanto, el SCS no conduce. Un pulso
positivo en la compuerta andica lleva al Q2 hacia la conduccin y proporciona as una trayectoria para la
corriente de base al Q1. proceso de encendido es similar al del tiristor. Las caractersticas de apagado son un
poco diferentes. Cuando un voltaje negativo es aplicado a travs de las terminales puerta (G) y ctodo (C o K),
la corriente en la puerta (ig), crece. Cuando la corriente en la puerta (G) alcanza su mximo valor, IGR, la
corriente de nodo comienza a caer y el voltaje a travs del dispositivo (VAK), comienza a crecer. El tiempo de
cada de la corriente de nodo (IA) es abrupta, tpicamente menor a 1 us. Despus de esto, la corriente de nodo
vara lentamente y sta porcin de la corriente de nodo es conocido como corriente de cola.
La razn (IA/IGR) de la corriente de nodo IA a la mxima corriente negativa en la puerta (IGR) requerida para
el voltaje es baja, comnmente entre 3 y 5. Por ejemplo, para un voltaje de 2500 V y una corriente de 1000 A,
un GTO normalmente requiere una corriente negativa de pico en la puerta de 250 A para el apagado.

Estructura y funcionamiento
La estructura del GTO es esencialmente la misma que un tiristor convencional. Existen 4 capas de silicio
(PNPN), 3 uniones (P-N, N-P y P-N) y tres terminales: nodo (A), ctodo (C o K) y puerta (G). La diferencia en
la operacin radica en que en que una seal negativa en la puerta (G) puede apagar el GTO. Mientras el GTO se
encuentre apagado y no exista seal en la puerta, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el nodo,
pero una corriente de fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un
voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En Cuando ste se enciende, su corriente de colector proporciona
excitacin de base al Q2, manteniendo as el estado encendido del dispositivo. Esta accin regenerativa es la
misma en que el proceso de encendido del SCR y el diodo Shockley y .El SCS tambin puede encenderse con
un pulso negativo en la compuerta del nodo. Esto energiza al Q1 hacia conduccin, en el que a su vez
proporciona corriente de base para el Q2. Una vez que el Q2 est encendido, proporciona una trayectoria para la
corriente de base del Q1, sosteniendo as el estado encendido.
Para apagar SCS se aplica un pulso positivo a la compuerta del nodo. Esta accin polariza e inversa a la unin
base-emisor del Q1 y lo apaga. El Q2 a su vez, se apaga y el SCS deja de conducir como se muestra en la parte
(b). El SCS tiene comnmente un tiempo de apagado ms rpido que el SCR.
Adems del pulso positivo en la compuerta del nodo o el negativo en la del ctodo, existen otros mtodos para
apagar un SCS. En cada caso, el transistor opera como un
interruptor. Tiene aplicaciones semejantes a las del SCR y en
aplicaciones digitales como contadores, registradores y circuitos de
sincronizacion.

Interruptor controlado de silicio (SCS)
La operacin bsica del SCS puede comprenderse refirindose al
equivalente con transistores que se muestra en la figura 1.2. Se
supone que ambos Q1 y Q2 estn apagados y que, por lo tanto, el
SCS no conduce. Un pulso positivo en la compuerta andica lleva al
Q2 hacia la conduccin y proporciona as una trayectoria para la
corriente de base al Q1.
Cuando ste se enciende, su corriente de colector proporciona
excitacin de base al Q2, manteniendo as el estado encendido del
dispositivo. Esta accin regenerativa es la misma en que el proceso de encendido del SCR y el diodo Shockley y
se ilustra en la figura 1.2 (a).

(SCS: Silicon controlled Switch) es similar al SCR de cuatro capas PNPN, tiene menor tiempo de apagado que
el SCR, tambin mejor control y sensibilidad de disparo, pero maneja menor potencia que el SCR y sus
aplicaciones tienen mayor alcance en la computacin.
Los SCS y SCR se utilizan en aplicaciones semejantes. El SCS tiene la ventaja de apagado ms rpido con
pulsos en cualquiera de sus terminales de compuerta; sin embargo, es ms limitado en trminos de los rangos de
corriente y voltaje mximos.
Adems, el SCS se usa algunas veces en aplicaciones digitales, tales como contadores, registradores y circuitos
de sincronizacin.

GTO
Un Tiristor GTO o simplemente GTO (del ingls Gate Turn-Off Thyristor) es un dispositivo de electrnica de
potencia que puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en la terminal puerta o gate (G), al

igual que el tiristor normal; pero en cambio puede ser apagado al aplicar un pulso de corriente negativa en el
mismo terminal. Ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado de apagado, son controlados por la
corriente en la puerta (G).
El proceso de encendido es similar al del tiristor. Las caractersticas de apagado son un poco diferentes. Cuando
un voltaje negativo es aplicado a travs de las terminales puerta (G) y ctodo (C o K), la corriente en la puerta
(ig), crece. Cuando la corriente en la puerta (G) alcanza su mximo valor, IGR, la corriente de nodo comienza
a caer y el voltaje a travs del dispositivo (VAK), comienza a crecer. El tiempo de cada de la corriente de
nodo (IA) es abrupta, tpicamente menor a 1 us. Despus de esto, la corriente de nodo vara lentamente y sta
porcin de la corriente de nodo es conocido como corriente de cola.
La razn (IA/IGR) de la corriente de nodo IA a la mxima corriente negativa en la puerta (IGR) requerida para
el voltaje es baja, comnmente entre 3 y 5. Por ejemplo, para un voltaje de 2500 V y una corriente de 1000 A,
un GTO normalmente requiere una corriente negativa de pico en la puerta de 250 A para el apagado.

Estructura y funcionamiento
La estructura del GTO es esencialmente la misma que un tiristor convencional. Existen 4 capas de silicio
(PNPN), 3 uniones (P-N, N-P y P-N) y tres terminales: nodo (A), ctodo (C o K) y puerta (G). La diferencia en
la operacin radica en que en que una seal negativa en la puerta (G) puede apagar el GTO. Mientras el GTO se
encuentre apagado y no exista seal en la puerta, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el nodo,
pero una corriente de fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un
voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso dinmico de encendido., VAK =
3V y la corriente IA es determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la aplicacin de una voltaje en
inversa, solo una pequea corriente de fuga (IA leak) existe. Una polarizacin en inversa VAK puede ser
alcanzada cuando ocurra un corte.
El valor del voltaje del voltaje de ruptura inverso depende del mtodo de fabricacin para la creacin de una
regeneracin interna para facilitar el proceso de apagado. Con un voltaje de polarizacin directo aplicado al
nodo y un pulso de corriente positiva es aplicada a la puerta G (gate), el GTO se enciende y permanece de esa
forma. Para sta condicin, existen 2 formas de apagarlo.
Una forma es reduciendo la corriente de nodo IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente de
holding Ih, en la cual, la accin regenerativa interna no es efectiva.
La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el mtodo ms recomendable
porque proporciona un mejor control. Como el GTO tiene una conduccin de corriente unidireccional, y puede
ser apagado en cualquier instante, ste se aplica en circuitos chopper (conversiones de dc- dc) y circuitos
inversores (conversiones dc -ac) a niveles de potencia en los que los MOSFET's, TBJ's e IGBT's no pueden ser
utilizados.
A bajos niveles de potencia los semiconductores de conmutacin rpida son preferibles. En la conversin de AC
- DC, los GTO's, son tiles porque las estrategias de
conmutacin que posee, pueden ser usadas para regular la
potencia, como el factor de potencia.

Un tiristor GTO es un SCR que puede apagarse por una
pulsacin suficientemente grande en su compuerta de entrada,
aun si la corriente iD excede IH.
Se usan desde 1960, pero se potencializaron al final de los
aos setenta. son comunes en las unidades de control de
motores, ya que eliminan componentes externos para apagar
los SCR en circuitos de cc.
CARACTERISTICAS
El disparo se realiza mediante una VGK >0
El bloqueo se realiza con una VGK < 0.
La ventaja del bloqueo por puerta es que no se precisan de los circuitos de bloqueo forzado que requieren los
SCR.
La desventaja es que la corriente de puerta tiene que ser mucho mayor por lo que el generador debe estar mas
dimensionado.
El GTO con respecto al SCR disipa menos potencia.
El GTO o Gate Turn-Off SCR es un tiristor que puede ser disparado con un pulso positivo a su terminal gate y
bloqueado si se aplica un impulso negativo a ese mismo terminal. El GTO se emplea actualmente en muchas

aplicaciones interesantes en el dominio de altas potencias cuyo control se realiza fcilmente mediante
transistores bipolares. Los bajos requerimientos de potencia de su control facilitan la aplicacin de tcnicas de
modulacin de anchura de pulsos.
FUNCIONAMIENTO DEL GTO
Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista seal en el gate, el dispositivo se bloquea para cualquier
polaridad en el nodo, pero una corriente de fuga (IA leak) existe.
Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado.
En este punto existe un proceso dinmico de encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada por la
carga. Cuando el GTO se apaga y con la
aplicacin de una voltaje en inversa, solo una
pequea corriente de fuga (IA leak) existe.
Una polarizacin en inversa VAK puede ser
alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del
voltaje del voltaje de ruptura inverso depende del
mtodo de fabricacin para la creacin de una
regeneracin interna para facilitar el proceso de
apagado.
Con un voltaje de polarizacin directo aplicado al nodo y un pulso de corriente positiva es aplicada al gate, el
GTO se enciende y permanece de esa forma. Para sta condicin, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es
reduciendo la corriente de nodo IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding Ih, en la
cual, la accin regenerativa interna no es efectiva. La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el
gate, y este es el mtodo ms recomendable porque proporciona un mejor control.
La ganancia se calcula con la siguiente formula.

Para conseguir cortar el GTO, con una corriente soportable por la puerta, debe ser lo mayor posible, para ello
debe ser a2=1 (lo mayor posible) y a1=0 (lo menor posible):
alfa2=1 implica que la base de T2 (capa de control) sea estrecha y poco dopada y que su emisor (capa catdica)
este muy dopado. Estas condiciones tambin son normales en los SCRs.
alfa1=0 implica que la base de T1 (capa de bloqueo) sea ancha y tenga una vida media de los huecos muy
corta.
ESPECIFICACIONES DE PUERTA DEL GTO
Como la capa de la puerta es suficientemente fina, gran parte de los
portadores se mueven hasta la capa N adyacente, atravesando la barrera
de potencial y siendo atrados por el potencial del nodo, dando inicio a
la corriente andica. Si sta corriente se mantiene por encima de la
corriente de mantenimiento, el dispositivo no necesita de la seal de
puerta para mantenerse en conduccin.

Para entrar en conduccin, se necesita una subida rpida y valor IGM suficientes para poner en conduccin todo
el cristal. Si solo entra en conduccin una parte y circula toda la corriente se puede daar. Si solo entra en
conduccin bajara una parte de la tensin nodo-ctodo y el resto de celdillas que forma el cristal no podrn
entrar en conduccin.
Cuando se ha establecido la conduccin se deja una corriente IGON de mantenimiento para asegurar que no se
corta espontneamente (tiene menos ganancia que el SCR).
FORMA DE ONDA EN EL APAGADO DEL GTO
Para cortar el GTO se aplica una corriente IG- =IA/boff muy grande. Ya que boff es del orden de 5 a 10.
Esta corriente negativa debe mantenerse para evitar que el dispositivo entre en conduccin espontneamente.

ESTRUCTURA
La estructura del GTO es esencialmente la misma que un tiristor convencional. Como se muestra en la figura,
existen 4 capas de silicn (pnpn), 3 uniones y tres terminales (nodo, ctodo y gate). La diferencia en la
operacin, radica en que en que una seal negativa en el gate puede apagar el GTO.

Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista seal en el gate, el
dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el nodo, pero una
corriente de fuga (IA leak) existe.
Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un voltaje
de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso
dinmico de encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada por
la carga. Cuando el GTO se apaga y con la aplicacin de una voltaje en
inversa, solo una pequea corriente de fuga (IA leak) existe. Una
polarizacin en inversa VAK puede ser alcanzada cuando ocurra un corte.
El valor del voltaje del voltaje de ruptura inverso depende del mtodo de
fabricacin para la creacin de una regeneracin interna para facilitar el proceso de apagado.
Con un voltaje de polarizacin directo aplicado al nodo y un pulso de corriente positiva es aplicada al gate, el
GTO se enciende y permanece de esa forma.
Para sta condicin, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente de nodo IA por medios
externos hasta un valor menor a la corriente de holding Ih, en la cual, la accin regenerativa interna no es
efectiva. La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el mtodo ms
recomendable porque proporciona un mejor control.
Como el GTO tiene una conduccin de corriente unidireccional, y puede ser apagado en cualquier instante, ste
se aplica en circuitos chopper (conversiones de dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc -ac) a niveles de
potencia en los que los MOSFET's, TBJ's e IGBT's no pueden ser utilizados. A bajos niveles de potencia los
semiconductores de conmutacin rpida son preferibles. En la conversin de AC - DC, los GTO's, son tiles
porque las estrategias de conmutacin que posee, pueden ser usadas para regular la potencia, como el factor de
potencia.
Como el GTO tiene una conduccin de corriente unidireccional, y puede ser apagado en cualquier instante, ste
se aplica en circuitos chopper (conversiones de dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc -ac) a niveles de
potencia en los que los MOSFET's, TBJ's e IGBT's no pueden ser utilizados.
A bajos niveles de potencia los semiconductores de conmutacin rpida son preferibles.
En la conversin de AC - DC, los GTO's, son tiles porque las estrategias de conmutacin que posee, pueden
ser usadas para regular la potencia, como el factor de potencia.
a nivel industrial.
troceadores y convertidores.
Control de motores asncronos.
Inversores.
Caldeo inductivo.
Rectificadores.
El GTO puede ser utilizado como generador de barrido, proporcionando una seal diente de sierra. Figura 14.
Al aplicarse la polarizacin al dispositivo, este entra en conduccin debido al voltaje Zener aplicado en
compuerta. La circulacin de corriente por el condensador permite su carga con una constante de tiempo RC,
hasta alcanzar el nivel del Zener y se invierta la polaridad en compuerta, con lo cual se bloquea el GTO y el
condensador se descargue a travs de R, comenzando nuevamente el ciclo.

Caractersticas Tcnicas.

Dependiendo de las condiciones de trabajo de un tiristor, ste disipa una cantidad de energa que produce un
aumento de la temperatura en las uniones del semiconductor. Este aumento de la temperatura provoca un
aumento de la corriente de fugas, que a su vez provoca un aumento de la temperatura, creando un fenmeno de
acumulacin de calor que debe ser evitado. Para ello se colocan disipadores de calor.

Mtodos De Disparo.

Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unin nodo - ctodo debe estar polarizada en directo y la seal
de mando debe permanecer un tiempo suficientemente larga como para permitir que el tiristor alcance un valor
de corriente de nodo mayor que I
L
, corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir. Para
que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conduccin deber circular una corriente mnima de valor I
H
,
marcando el paso del estado de conduccin al estado de bloqueo directo.

Activacin o disparo y bloqueo de los SCR.

Podemos considerar cinco maneras distintas de hacer que el SCR entre en conduccin:

a) Disparo por tensin excesiva.

Cuando est polarizado directamente, en el estado de bloqueo, la tensin de polarizacin se aplica sobre la unin
J2 (ver figura). El aumento de la tensin VAK lleva a una expansin de la regin de transicin tanto para el
interior de la capa de la puerta como para la capa N adyacente. An sin corriente de puerta, por efecto trmico,
siempre existirn cargas libres que penetren en la regin de transicin (en este caso, electrones), las cuales son
aceleradas por el campo elctrico presente en J2. Para valores elevados de
tensin (y, por tanto, de campo elctrico), es posible iniciar un proceso de
avalancha, en el cual las cargas aceleradas, al chocar con tomos vecinos,
provoquen la expulsin de nuevos portadores que reproducen el proceso.
Tal fenmeno, desde el punto de vista del comportamiento del flujo de
cargas por la unin J2, tiene el efecto similar al de una inyeccin de
corriente por la puerta, de modo que, si al iniciar la circulacin de
corriente se alcanza el lmite IL, el dispositivo se mantendr en conduccin (ver figura).

Zona de disparo por gradiente de tensin.

b) Disparo por temperatura.

A altas temperaturas, la corriente de fuga en una unin P-N inversamente polarizada aproximadamente se
duplica con el aumento de 8 C. As, el aumento de temperatura puede llevar a una corriente a travs de J2
suficiente para llevar el SCR al estado de conduccin.
e) Disparo por luz
La accin combinada de la tensin nodo-ctodo, temperatura y radiacin electromagntica de longitud de onda
apropiada puede provocar tambin la elevacin de la corriente de fugas del dispositivo por encima del valor
crtico y obligar al disparo la elevacin de la corriente de fugas del dispositivo por encima del valor crtico y
obligar al disparo.
Los tiristores diseados para ser disparados por luz o tiristores fotosensibles LASCR
(Light Activated SCR) suelen ser de pequea potencia y permiten un aislamiento ptico entre el circuito de
control y el circuito de potencia.
c) Disparo por impulso de puerta.
Siendo el disparo a travs de la corriente de puerta la manera ms usual de disparar el SCR, es importante el
conocimiento de los lmites mximos y mnimos para la tensin VGK y la corriente IG, como se muestra en la
figura 2.8.
Figura. Curvas con las condiciones para disparo de un SCR a travs de control de puerta y circuito de disparo
reducido a su equivalente Thvenin.

El valor VGmin indica la mnima tensin de puerta que asegura la conduccin de todos los componentes de un
tipo determinado, para la mnima temperatura especificada.
El valor VGmax es la mxima tensin de puerta que asegura que ningn componente de un tipo determinado
entrar en conduccin, para la mxima temperatura de operacin.

La corriente IGmin es la mnima corriente necesaria para asegurar la entrada en conduccin de cualquier
dispositivo de un cierto tipo, a la mnima temperatura.

El circuito de disparo puede reducirse a su equivalente Thevenin (ver figura anterior) para determinar la recta de
carga sobre las curvas caractersticas vGK-iG. Para el ejemplo de la figura 2.8, la recta de carga cortar los ejes
en los puntos 6 V (tensin en vaco de corriente de disparo) y 6 V / 12 = 0,5 A (intensidad de cortocircuito).
Para asegurar la operacin correcta del componente, la recta de carga del circuito debe asegurar que superar los
lmites vGmin y iGmin, sin exceder los dems lmites (tensin, corriente y potencia mxima). Dispositivos de
Electrnica de Potencia

d) Disparo por derivada de tensin
Si a un SCR se le aplica un escaln de tensin positivo entre nodo y ctodo con tiempo de subida muy corto,
del orden de microsegundos, los portadores sufren un desplazamiento infinitesimal para hacer frente a la tensin
exterior aplicada.
Como se coment para el caso de disparo por tensin excesiva, si la intensidad de fugas alcanza el valor
suficiente como para mantener el proceso regenerativo, el tiristor mantendr en conduccin estable y
permanecer as una vez pasado el escaln de tensin que lo dispar.
El valor de la derivada de tensin dv/dt depende de la tensin final y de la temperatura, tanto menor cuanto
mayores son stas.

Condiciones Necesarias Para El Control De Un SCR.
Para el control en el disparo:
- nodo positivo respecto al ctodo.
- La puerta debe recibir un pulso positivo con respecto al ctodo.
- En el momento del disparo I
ak
> I
L
.
- Para el control en el corte:
- Anulamos la tensin V
ak
.
- Incrementamos R
L
hasta que I
ak
< I
H
.

Regulacin en potencia de un SCR.

Existe una gran variedad de aplicaciones de potencia basados en los tiristores como elementos de control. Su
propiedad de conmutacin de corte a conduccin y viceversa resulta muy til cuando se desea controlar la
transferencia de potencia a una carga. Las aplicaciones ms comunes de uso domstico son los reguladores de
luz, control de velocidad de motores, etc. En la figura anterior se muestra la estructura bsica de un circuito
regulador de potencia bsico. Se quiere entregar una determina energa de la red elctrica a una carga (ZL) y,
para ello, se utiliza un tiristor (en este caso un
SCR) como dispositivo de control y un circuito de disparo que controla ese tiristor. Este circuito de disparo
introduce un desfase f respecto al inicio de la onda sinusoidal; a f se le denomina ngulo de desfase o de disparo
y a p-f ngulo de conduccin. En la figura 12.14 se representa las formas de onda del regulador de potencia. Se
identifican tres zonas del funcionamiento del tiristor: 1). El SCR est bloqueado. En estas condiciones no circula
ninguna corriente por la carga. El voltaje de la lnea de ca es rectificado en onda completa por el puente
1
y se sujeta a
un voltaje fijo por el diodo zner. El termistor (resistor sensible a la temperatura) R
T
2

1
. R
2
1
1
1
2
) y el triac
estn apagados.
2) En el instante a=f el circuito de disparo aplica un pulso que hace entrar el SCR a conduccin. Aparece una
esas condiciones, VS=VL+VAK@VS.
3) En el instante a=p el SCR conmuta a corte de forma natural. En el semiperiodo negativo el SCR
se mantiene a corte porque la tensin del nodo es inferior a la del ctodo. La corriente es nula (IL=0) y la VAK
lnea de ca es rectificado en onda completa por el puente constituido por los diodos
de 1 a 4. la salida del puente se aplica al circuito de control a travs de R
1
y se sujeta a un voltaje fijo por el
diodo zner. El termistor (resistor sensible a la temperatura) R
T
2
controlan la polarizacin
de Q
1
. R
2
1
1
est
apagado, el capacitor C
1
2

En trminos eficaces, la corriente eficaz (rms) entregada a la carga se obtiene mediante la siguiente ecuacin:

y, de una manera similar, la tensin eficaz (rms) de la carga transistor Q
1
1
1
2
) y el triac
estn apagados. La potencia eficaz entregada a la carga se define como el producto de la corriente eficaz por la
tensin eficaz. El voltaje de la lnea de ca es rectificado en onda completa por el puente constituido por los
diodos de 1 a 4. la salida del puente se aplica al circuito de control a travs de R
1
y se sujeta a un voltaje fijo por
el diodo zner . Existe una gran variedad de aplicaciones de potencia basados en los tiristores como elementos
de control. Su propiedad de conmutacin de corte a conduccin y viceversa resulta muy til cuando se desea
controlar la transferencia de potencia a una carga. Las aplicaciones ms comunes de uso domstico son los
reguladores de luz, control de velocidad de motores, etc.

MODOS DE FUNCIONAMIENTO DE UN TRIAC
El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicacin entre los
terminales puerta y T1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica
mucho el circuito de disparo. A continuacin se vern los fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro
modos de disparo posibles. Modo I +: Terminal T2 positiva con respecto a T1. El modo de operacin del Triac,
se describe a continuacin:
El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicacin entre los
terminales puerta y T1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica
mucho el circuito de disparo. A continuacin se vern los fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro
modos de disparo posibles. La tensin Vb0 es aquella en el cual el dispositivo pasa de una resistencia alta a una
resistencia baja y la corriente, a travs del TRIAC, crece con un pequeo ca mbio en la tensin entre los
nodos. El TRIAC permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por debajo de la corriente de
mantenimiento Ih. Esto se realiza por medio de la disminucin de la tensin de la fuente. Una vez que el
TRIAC entra en conduccin, la compuerta no controla ms la conduccin, por esta razn se acostumbra dar un
pulso de corriente corto y de esta manera se impide la disipacin de energa sobrante en la compuerta. El mismo
proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante, cuando la tensin en el nodo T2 es negativa con respecto al
nodo T1 y obtenemos la caracterstica invertida. Por esto es un componente simtrico en cuanto a conduccin y
estado de bloqueo se refiere, pues la caracterstica en el cuadrante I de la curva es igual a la del III.
Intensidad de puerta entrante.
Funcionan las capas P1N1P2N2 como tiristor con emisor en corto circuito, ya que la metalizacin del
terminal del ctodo cortocircuita parcialmente la capa emisora N2 con la P2.
La corriente de puerta circula internamente hasta T1 , en parte por la unin P2N2 y en parte a travs de la
zona P2. Se produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2 que es favorecida en el rea prxima a la
puerta por la cada de tensin que produce en P2 la circulacin lateral de corriente de puerta. Parte de los
electrones inyectados alcanzan por difusin la unin P2N1, que bloquea el potencial exterior, y son acelerados
por ella inicindose la conduccin. Modo I - : Terminal T2 positivo respecto a T1.
Intensidad de puerta saliente.
El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la estructura auxiliar
P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2. El disparo de la primera se produce como un tiristor normal
actuado T1 de puerta y P de ctodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y polariza
fuertemente la unin P2N2 que inyecta electrones hacia el rea de potencial positivo. La unin P2N1 de la
estructura principal que soporta la tensin exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la estructura
auxiliar, entrando en conduccin. Modo III + : Terminal T2 negativo respecto a T1.
El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en
conduccin la estructura P2N1P1N4. La inyeccin de electrones de N2 a P2 es
igual a la descrita en el modo I +. Los que alcanzan por difusin la unin P2N1 son
absorbidos por su potencial de unin, hacindose ms conductora. El potencial
positivo de puerta polariza ms positivamente el rea de la unin P2N1 prxima a
ella que la prxima a T1, provocndose una inyeccin de huecos desde P2 a N1 que
alcanza en parte la unin N1P1 encargada de bloquear la tensin exterior y se
produce la entrada en conduccin. Modo III - : Terminal T2 negativo respecto a T1.

Tambin se dispara por el procedimiento e puerta remota, conduciendo las capas P2N1P1N4. La capa N3
inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1. La tensin positiva de T1 polariza el rea
prxima de la unin P2N1 ms positivamente que la prxima a la puerta. Esta polarizacin inyecta huecos de P2
a N1 que alcanzan en parte la unin N1P1 y la hacen pasar a conduccin. Los cuatro modos de disparo
descritos tienen diferente sensibilidad. Siendo los modos I + y III - los ms sensibles, seguidos de cerca por el I -
. El modo III + es el disparo ms difcil y debe evitarse su empleo en lo posible. El fabricante facilita datos de
caractersticas elctricas el bloqueo, conduccin y de dispar por puerta de forma similar a lo explicado para el
tiristor.
METODOS DE DISPARO
Como hemos dicho, el Triac posee dos nodos denominados ( MT1 y MT2) y una compuerta G. La
polaridad de la compuerta G y la polaridad del nodo 2, se miden con respecto al nodo 1. El Triac puede ser
disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicacin entre los terminales de compuerta G
y MT1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el
circuito de disparo. Veamos cules son los fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro modos posibles de
disparo.
1. El primer modo del primer cuadrante designado por I (+), es aquel
en que la tensin del nodo MT2 y la tensin de la compuerta son positivas
con respecto al nodo MT1 y este es el modo ms comn (Intensidad de
compuerta entrante). La corriente de compuerta circula internamente hasta
MT1, en parte por la unin P2N2 y en parte a travs de la zona P2. Se
produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2, que es favorecida en
el rea prxima a la compuerta por la cada de tensin que produce en P2 la
circulacin lateral de corriente de compuerta. Esta cada de tensin se
simboliza en la figura por signos + y - . Parte de los electrones inyectados
alcanzan por difusin la unin P2N1 que bloquea el potencial
exterior y son acelerados por ella inicindose la conduccin.
2. El Segundo modo, del tercer cuadrante, y designado por
III(-) es aquel en que la tensin del nodo MT2 y la tensin de la compuerta son negativos con respecto al nodo
MT1 (Intensidad de compuerta saliente). Se dispara por el procedimiento de puerta remota, conduciendo las
capas P2N1P1N4. La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1. La tensin
positiva de T1 polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms
positivamente que la prxima a la puerta. Esta polarizacin inyecta
huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unin N1P1 y la hacen pasar a
conduccin.
3. El tercer modo del cuarto cuadrante, y designado por I(-) es aquel en que la tensin del nodo MT2 es
positiva con respecto al nodo MT1 y la tensin de disparo de la compuerta es negativa con respecto al nodo
MT1( Intensidad de compuerta saliente). El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin.
Inicialmente conduce la estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2. El disparo de la primera
se produce como en un tiristor normal actuando T1 de puerta y P de
ctodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y
polariza fuertemente la unin P2N2 que inyecta electrones hacia el rea
de potencial positivo. La unin P2N1 de la estructura principal, que soporta la tensin exterior, es invadida por
electrones en la vecindad de la estructura auxiliar, entrando en conduccin.
4. El cuarto modo del Segundo cuadrante y designado por III(+) es
aquel en que la tensin del nodo T2 es negativa con respecto al nodo
MT1, y la tensin de disparo de la compuerta es positiva con respecto al
nodo MT1(Intensidad de compuerta entrante). El disparo tiene lugar por el
procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conduccin la estructura
P2N1P1N4. La inyeccin de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I(+).
Los que alcanzan por difusin
la unin P2N1 son absorbido
por su potencial de unin,
hacindose ms conductora. El
potencial positivo de
puerta polariza ms
Figura 8.8. Modo del Primer Cuadrante
Figura 8.9. Modo del Segundo
Cuadrante
Figura 8.10. Modo del Tercer
Cuadrante
Figura 8.11. Modo del Cuarto Cuadrante
Figura 8.11. Modo de operacin del TRIAC

positivamente el rea de unin P2N1 prxima a ella que la prxima a T1, provocndose una inyeccin de
huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unin N1P1 encargada de bloquear la tensin exterior y se
produce la entrada en conduccin. El estado I(+), seguido de III(-) es aquel en que la corriente de compuerta
necesaria para el disparo es mnima. En el resto de los estados es necesaria una corriente de disparo mayor. El
modo III(+) es el de disparo ms difcil y debe evitarse su empleo en lo posible.
En general, la corriente de encendido de la compuerta, dada por el fabricante, asegura el disparo en todos los
estados. En la Fig. 8.12 se ven cuatro modos de operacin del TRIAC.
En referencia al cuadrante I, se logra hacer funcionar al TRIAC mediante una corriente de puerta positiva
(modo I +), pero tambin lo puede hacer una corriente de puerta negativa (modo I -). De manera similar, en el
cuadrante III, es usual una IG negativa (modo III-), pero tambin es posib desexcita en cada alternancia o
semiciclo.
le una IG positiva (modo III+). Sin embargo, los modos I- y III+ son menos sensibles que los modos ms
usuales: I+ y III-. El Triac es usado frecuentemente en muchas aplicaciones de baja potencia como extractores
de jugo, mezcladoras y aspiradora. Es econmico y fcil de controlar en comparacin de 2 SCR's conectados en
forma antiparalela. Sin embargo, el Triac tiene una baja capacidad de dv/dt y un largo tiempo de apagado. No es
recomendable su uso en niveles altos de voltaje y corriente. Las caractersticas generales que presenta el TRIAC
son:
- Estructura compleja (6 capas).
- Baja velocidad y poca potencia.
- Uso como interruptor esttico.
Existe un gran nmero de posibilidades para realizar en la prctica el disparo del TRIAC, pudindose elegir
aquella que ms resulte adecuada para la aplicacin concreta de que se trate. Se pueden resumir en dos variantes
bsicas:
Disparo por corriente continua
Disparo por corriente alterna.
DISPARO POR CORRIENTE CONTINUA.
En este caso la tensin de disparo proviene de una fuente de tensin continua aplicada al TRIAC a travs de
una resistencia limitadora de la corriente de puerta. Es necesario disponer de un elemento interruptor en serie
con la corriente de disparo encargado de la funcin de control, que puede ser un simple interruptor mecnico o
un transistor trabajando en conmutacin. Este sistema de disparo es el normalmente empleado en los circuitos
electrnicos alimentados por tensiones continuas cuya funcin sea la de control de una corriente a partir de una
determinada seal de excitacin, que generalmente se origina en un transductor de cualquier tipo.
DISPARO POR CORRIENTE ALTERNA.
El disparo por corriente alterna se puede realizar mediante el empleo de
un transformador que suministre la tensin de disparo, o bien directamente
a partir de la propia tensin de la red con una resistencia limitadora de la corriente de puerta adecuada y algn
elemento interruptor que entregue la excitacin a la puerta en el momento preciso.
METODOS ALTERNATIVOS DE DISPARO
Hay algunas maneras indeseables con las que un triac pueden encenderse. Algn son benignas, mientras
otras son potencialmente destructivas.
Seal de Ruido en la Compuerta
En ambientes elctricamente ruidosos, disparos espurios pueden ocurrir si el nivel de ruido excede la tensin
VGT y si suficiente corriente de puerta circula para iniciar accin regenerativa dentro de el triac. La primera
lnea de defensa es minimizar la ocurrencia del ruido en primer lugar. Uno de los mejores resultados es logrado
por realizar las conexiones de puerta tan corta tan sea posible y asegurando que el retorno comn desde el
circuito de disparo se conecte directamente al terminal MT1 (o ctodo en el caso de un tiristor). (los tiristores y
triac de potencia incluyen este terminal en su dispositivo). En situaciones donde las conexiones de puerta son de
Figura 8.13. Disparo por Corriente Alterna
Figura 8.12. Disparo por Corriente Continua

conductor macizo, par torcido o apantallado podra ser necesario minimizar acortarlo. La inmunidad adicional
de ruido puede proveerse agregando un resistor de 1kW o menor entre la puerta y MT1 para reducir la
sensibilidad de puerta. Tambin es posible la utilizacin de un capacitor de tipo cermico o de poliester para
filtrar las altas frecuencia o dv/dt. La Alternativa de usar una serie H de triac (p. ej. BT139-600H). Estos son los
tipos insensibles con 10 mA min. de IGT. Estos son triac diseados especficamente para proveer un alto el
grado de inmunidad de ruido.
Excediendo el Valor Permitido de dv/dt
Esta es la ms probable ocurrencia cuando tenemos una carga altamente reactiva, donde existe un
considerable desfasaje entre la tensin de carga y la corriente de
la misma. Cuando el triac conmuta, esto es la corriente se hace
cero, la tensin aplicada en los bornes del mismo no es cero,
debido al desfasaje entre ambas magnitudes, como es mostrado en
la figura N6. El triac entonces repentinamente requerir bloquear
esta tensin. El resultado de esta conmutacin puede forzar al
triac a volver al estado de conduccin si se excede el valor
permitido de dv/dt. Esto es debido a que los portadores en la
juntura no tienen el tiempo suficiente para abandonarla
totalmente.
La capacidad para soportar dv/dt es afectada por dos de
condiciones:
1. El valor de la cada de corriente en la conmutacin esto es la
di/dt. Alta di/dt implica una capacidad de dv/dt.
2. La temperatura de juntura Tj. Si esta temperatura aumenta
disminuye la capacidad de soportar dv/dt.
Cuando diseamos un circuito de disparo para triacs, trataremos de no dispararlo al mismo en el 3
cuadrante. (MT2-,G+), cuando esto sea posible. Para minimizar el ruido que toma la compuerta, el largo de
conexin tiene que ser lo mas corto posible. El retorno al terminal MT1 (o ctodo) tiene que retornar en forma
directa al terminal propiamente dicho. Colocar una resistencia de no mas de 1 kW, entre los terminales de
compuerta y MT1 o ctodo. Una red snubber es aconsejable para la compuerta. La alternativa de utilizar la serie
H de triacs, si lo anterior es insuficiente.
Si el triac es probable que supere la mxima dv/dt permitida por el dispositivo, es probable tambin, que
sufra falsos disparos. La manera mas comn para mitigar este problema es con el uso de una red RC de
amortiguacin. Estas redes se las conoce como red snubber. Esta deber estar entre los terminales MT1-MT2
para limitar el valor de cambio
por su manejo de corriente y un capacitor de 100nF. Otra alternativa es usar un Hi-Com triac. Ntese que la
resistencia de la red snubber nunca debe omitirse, porque si as fuere cuando el triac se dispare, pueda sufrir
daos, debido a el dispositivo puede superar el valor mximo de di/dt permitido al descargarse el capacitor entre
los bornes MT1 y MT2 sin limitacin de corriente.
Excediendo el Valor Permitido de di/dt
Altas di/dt son causadas por cargas altamente inductivas, alta
frecuencia de lnea o onda no senoidal de corriente de carga. Una causa
bien conocida de corrientes de carga no senoidales y de di/dt un
rectificador que alimenta una cara inductiva. Esto puede generalmente
implicar una conmutacin fallada en un triac comn. Como la tensin de
alimentacin baja mas, el EMF la corriente de la carga y de el triac baja
rpidamente a cero. El efecto de esto se muestra en la Figura 8.15.
Durante esta condicin de corriente cero de triac, la corriente de carga
ser informal sobre el circuito rectificador. Las cargas de esta naturaleza
pueden generar di/dt tan altas que el triac no las soportar una dv/dt suave
reaplicada de 50 Hz que sube desde cero Volt. En este caso no trae
ningn beneficio poner una red snubber, ya que el problema no es la
dv/dt. La di/dt tendr que ser limitada agregando una inductancia de
algunos mH en serie con la carga.
Excediendo el Valor Permitido de dv/dt
Figura 8.14. TRIAC dI/dt y dV/dt
Figura 8.15. Efectos de Rectificador
Indicado con carga
Inductiva

Si un valor muy alto de cambio de voltaje se aplica a travs de un
triac bloqueado (o el tiristor sensible de puerta en particular) sin exceder
su VDRM (en Figura. 8.16), por la capacidad interna puede circular la
corriente suficiente para activar al triac, esta condicin se ve
magnificada por el aumento de la temperatura. Cuando ocurre este
problema, la dv/dt debe ser limitada por una red snubber entre sus
terminales MT1 y MT2 (o nodo y ctodo, para el caso del tiristor). La
utilizacin de Hi-com triacs en este caso puede ser beneficioso.
Excediendo el Valor Permitido de VDRM (Tensin mxima
repetitiva de trabajo)
Si el MT2 de voltaje excede VDRM tal como podra ocurrir durante severo y anormal transitorio de lnea, la
corriente de fuga entre los terminales MT2 y MT1, podr hacer que el dispositivo pase al estado de conduccin.
Esto se ve en la Figura 8.17. Cuando altas dvD/dt o dvCOM/dt es probable que causen problemas, una solucin
es la colocacin de una red snubber entre los terminales MT1 y MT2. Cuando altas diCOM/dt son probables
causas del problema, la colocacin de un inductor de algunos mH en serie
con la carga mitiga el problema. El uso de Hi-com Triacs es una solucin
alternativa para ambos casos.
Si el MT2 de voltaje excede VDRM tal como podra ocurrir durante
severo y anormal transitorio de lnea, la corriente de fuga entre los
terminales MT2 y MT1, podr hacer que el dispositivo pase al estado de
conduccin. Esto se ve en la Figura 8.17. Si la carga permite que un alto
incremento de corriente fluya hacia la mima, la densidad de corriente
dentro de la pastilla del semiconductor puede hacer que se forme un
"punto caliente", estos puntos van destruyendo las caractersticas del triac (o tiristor), hasta su destruccin total
del mismo. Las lmparas incandescentes, cargas capacitivas y protecciones del tipo crowbar son circuitos que
frecuentemente ocasionan estos inconvenientes. El encendido por sobrepasamiento de VDRM no es
necesariamente la amenaza principal a su supervivencia. Si lo es la di/dt que le sigue, esta si es muy probable
que pueda ocasionar el dao. Debido al tiempo requerido para que la conduccin sea generalizada en toda l
juntura. El valor permitido de di/dt en estas condiciones, es inferior al que se produce si e triac es encendido
correctamente por una seal de puerta. Si de alguna manera se pued proteger al triac para que la di/dt en estas
condiciones no sobrepase a este valor (dado en los manuales de datos del dispositivo), es muy probable que el
Triac o tiristor en cuestin sobreviva.
carga. Si la solucin anteriormente es inaceptable o poco prctica, una solucin alternativa sera proveer un
filtro adicional y clamping para impedir que los picos de tensin alcancen los bornes del semiconductor. Esto
involucrara probablemente el uso de un Varistor (de Oxido Metlico- MOV) como un "suavizador" de los picos
de voltaje de la lnea de alimentacin del sistema, en serie con la inductancia seguida por el paralelo del
capacitor y MOV. Las dudas han sido expresadas por algunos fabricantes sobre la confiabilidad de circuitos que
usan MOVS, debido principalmente que en temperaturas ambientales altas las caractersticas de los mismos
fallan catastrficamente. Esto se debe al hecho que su voltaje activo posee un coeficiente de temperatura
negativo. Sin embargo, si el grado recomendado de voltaje de 275V RMS se usa para 220V de tensin de
alimentacin, el riesgo de que el MOV falle, debera ser insignificante. Los tales fracasos son ms probables si
MOVS de Vn = 250V RMS se usan, son utilizados para 220 VAC, a temperaturas ambiente potencialmente
altas.
Encendido diT/dt
Cuando un triac o tiristor se provoca es disparado por el mtodo correcto, esto es va compuerta, la
conduccin comienza en el rea adyacente a la compuerta, entonces rpidamente se esparce para cubrir el rea
activa entera. Esta demora de tiempo impone un lmite sobre el valor permisible de incremento por unidad de
tiempo de la corriente de carga. En otras palabras estamos hablando de la diT/dt que es la causa de "puntos
calientes" dentro de la juntura. Estos puntos son fusiones, lo cual lleva en un corto tiempo a un corto circuito
entre los terminales MT1 y MT2.
Si el disparo es en el 3 cuadrante, un mecanismo adicional reduce la diT/dt permitida. Es posible
momentneamente tomar la puerta en la avalancha inversa durante el rpido incremento inicial de corriente.
Esto no llevar a la destruccin inmediata sino que habra progresivos puntos calientes en la juntura compuerta -
MT1 (dados como disminucin de la resistencia efectiva), despus de la exposicin repetida a estos procesos.
Esto dara lugar a un aumento de la IGT hasta que el triac no podr ser mas disparado. Los triacs sensibles son
Figura 8.16. TRIAC encendido por
exceso de dV/dt

probablemente los ms susceptibles. Si la tensin VDRM del triac es probablemente superada, por transitorios
de lnea se pueden adoptar las siguientes medidas:
- Limitar la di/dt con una inductancia no saturable de algunos mH en serie con la carga.
- Usar MOV entre la alimentacin en combinacin con filtros del
lado de la alimentacin.
La capacidad de soportar di/dt es afectada por cuan rpida aumenta
la corriente de compuerta (diG/dt) y el valor pico de IG. Un alto valor
de diG/dt y de IG(sin exceder las caractersticas de compuerta), dan
como resultado un mayor capacidad de absorber diT/dt. Un buen
circuito de disparo y evitar los disparos en el 3 cuadrantes mejora
notablemente la capacidad de absorcin de diT/dt
Como mencionado anteriormente, una carga comn con una corriente alta inicial es la lmpara incandescente
que tiene una resistencia de filamento fra muy baja. Para cargas resistivas tal como esta, la diT/dt estara a su
ms alto valor si la conduccin comienza en el pico de la senoidal de la tensin de alimentacin. Si es probable
que la corriente exceda la caracterstica de di/dt triac adoptado, se debe limitar esta di/dt con la inclusin de un
con la carga fra el ngulo de disparo sea grande (<Vef). Nuevamente, el inductor no debe saturarse durante el
pico de corriente mximo. Si lo hace, su inductancia se derrumbara y no limitara ms la diT/dt. Un inductor de
ncleo de aire es aceptado para este requerimiento. Una solucin ms elegante que puede evitar el requerimiento
de un limitador de corriente en serie dispositivo estara en usar el disparo en el cruce por cero. Esto permitira a
la corriente comenzar a crecer mas gradualmente, desde el comienzo de la onda senoidal.
NOTA: Es importante recodar que el disparo por el cruce de cero es nicamente aplicable sobre cargas
resistivas. Usar el mismo mtodo para cargas inductivas donde hay desfasaje entre el voltaje y la corriente puede
ocasionar conducciones en media onda o unipolares, conduciendo a la saturacin de las cargas reactivas,
produciendo recalentamientos y corrientes de pico mayores y posibles destrucciones. Ms avanz control y en la
actualidad se da el disparo por corriente cero o disparo de ngulo variable como requiere en este caso. Si la
TC debe ser colocado en
serie con la carga, o en el circuito de control (este ltimo circuito de disparo). Una alternativa puede ser el
empleo de circuitos de disparo por cruce por cero para cargas resistivas.
Apagado
Desde que apareci en el mercado el triac se usa en los circuitos de Corriente Alterna, ellos conmutan
naturalmente al final de cada ciclo medio de corriente de la carga a menos que una seal de puerta se aplique en
el inicio del siguiente hemiciclo para mantener conduccin. Las reglas para IH son al igual que para el tiristor.
Vea la Regla 2.
Hi-Com triac
El triac Hi-Com tiene una construccin interna diferente al triac convencional. Una de las diferencias es que
las dos mitades de tiristor "son bien separadas para reducir la influencia que ellos tienen sobre el uno al otro.
Esto ha rendido varios beneficios:
1- Ms alto dVCOM/dt. Esto los permite de controlar cargas reactivas sin la necesidad que una red snubber
en la mayora de los casos, mientras todava evite la falla de conmutacin. Esto reduce la cantidad de
componentes, baja los costos y elimina disipacin de potencia de la redsnubber.
2-Ms alto dICOM/dt. Esto drsticamente mejora las oportunidades de conmutar a frecuencia mas alta o
seales no senoidales, sin la necesidad de un limitador de diCOM/dt (inductor en serie con la carga).
3- Ms alta dvD/dt. El Triacs llega a ser ms sensible a temperaturas activas altas. La mayor capacidad de
dvT/dt del triac Hi-com reduce su tendencia a disparos aleatorios producidos por dv/dt, cuando el dispositivo
esta a una alta temperatura. Esto los habilita a ser utilizados en aplicaciones de alta temperatura, como
control de cargas resistivas como: hornos elctricos, cocinas elctricas, donde el uso de triacs comunes se
dificulta por su temperatura de entorno.
La construccin interna diferente tambin significa, que el disparo en el 3 cuadrante no es posible. Esto no
debera ser un problema en la gran mayora de los casos porque este es el el cuadrante en el cual no debera
dispararse un triac, o sea que es conveniente en reemplazo de un triac convencional por uno Hi-com. Siempre
que sea posible.
Mtodos de Montaje para triacs

Para cargas pequeas o de corriente de muy corta duracin (es decir menos de 1 segundo), podra ser posible
operar el triac en el aire libre. En la mayora de los casos, sin embargo, se fijara al disipador de calor o al chasis
del equipo (siempre que pueda disipar calor). Los tres mtodos principales de sujetar el triac al disipador son:
a) broche o clip
b) atornillando
c) remachando.
Los mtodos ms comunes son a y b. El sistema remachado no es aconsejado, salvo excepcionalmente.
Resistencia trmica
La resistencia trmica Rth es la resistencia, al flujo de calor, desde el ambiente hasta la juntura. Es anlogo a
la resistencia elctrica; es decir as como:
Resistencia elctrica R = V / I.
Resistencia trmica Rth = T / P.
Donde T es la temperatura que sube en K y P es la potencia a disipar en Vatios. Por lo tanto Rth se expresa
en K / W. Para un dispositivo montado verticalmente en el aire libre, la resistencia trmica es determinada por
la resistencia trmica juntura ambiente (Rthj-a). Esta es tpicamente 100 K/W para el encapsulado SOT82, 60
K / W para el SOT78 y 55 K / W para los encapsulados aislados Fpack y X-pack. Para un dispositivo NO
aislado montado en un disipador, la resistencia junturaambiente es la suma de la resistencia trmica juntura -
carcaza (Rthjc) mas la resistencia trmica carcaza - disipador (Rthcd) mas la resistencia trmica disipador
ambiente (Rthda).
Rthja = Rthjc + Rthjc + Rthjc (para montaje sin aislacin)
Rth j-a = Rth j-h + Rth h-a (paquete aislado).
Rth j-c [= Rthj-mb ] o Rth j-d [= Rthj-h ], se fijan y puede encontrarse en la hoja de datos para cada
dispositivo.
Rth h-a es regido por el tamao del disipador y del aire que pasa sin restriccin por el disipador.
El Clculo del Disipador
Para calcular la resistencia trmica requerida para un triac dado y
una corriente de carga, nosotros debemos primero calcular la potencia a
disipar en el triac usando la siguiente ecuacin:
P = V0 x IT(AVE) + RS x IT(RMS)
2
El voltaje de codo Vo y la pendiente de la resistencia RS y VT se
obtienen del manual. Usando la ecuacin de la resistencia trmica antes
vista:
Rth = T / P
La mxima temperatura permisible es la que Tj alcanza Tjmax
ONDAS DE LOS TRIACS
La relacin en el circuito entre la fuente de voltaje, el triac y la carga se representa en la siguiente figura. La
corriente promedio entregada a la carga puede variarse alterando la cantidad de tiempo por ciclo que el triac
permanece en el estado encendido. Si permanece una parte pequea del tiempo en el estado encendido, el flujo
de corriente promedio a travs de muchos ciclos ser pequeo, en cambio si permanece durante una parte grande
del ciclo de tiempo encendido, la corriente promedio ser alta. Un triac no esta limitado a 180 de conduccin
por ciclo. Con un arreglo adecuado del disparador, puede conducir durante el total de los 360 del ciclo. Por tanto
proporciona control de corriente de onda completa, en lugar del control de media onda que se logra con un SCR.
Las formas de onda de los triacs son muy parecidas a las formas de onda de los SCR, a excepcin de que pueden
dispararse durante el semiciclo negativo. En la FIG.8.19 se muestran las formas de onda tanto para el voltaje de
carga como para el voltaje del triac (a travs de los terminales principales) para dos condiciones diferentes.
En las siguientes formas de onda se muestra que esta apagado el triac durante los primeros 30 de cada
semiciclo, durante estos 30 el triac se comporta como un interruptor abierto, durante este tiempo el voltaje
completo de lnea se cae a travs de las terminales principales del triac, sin aplicar ningn voltaje a la carga. Por
tanto no hay flujo de corriente a travs del triac y la carga. La
parte del semiciclo durante la cual existe seta situacin se
llama ngulo de retardo de disparo. Despus de transcurrido
los 30, el triac dispara y se vuelve como un interruptor cerrado
y comienza a conducir corriente a la carga, esto lo realiza
durante el resto del semiciclo. La parte del semiciclo durante
la cual el triac esta encendido se llama ngulo de conduccin.

Las formas de onda de los triacs son muy parecidas a las formas de onda de los SCR, a excepcin de que pueden
dispararse durante el semiciclo negativo. En la FIG.8.18 se muestran las formas de onda tanto para el voltaje de
carga como para el voltaje del Triac ( a travs de los terminales principales) para dos condiciones diferentes.
En la FIG.8.19 (a), las formas de onda muestran apagado el Triac durante los primeros 30 de cada semiciclo,
durante estos 30 el Triac se comporta como un interruptor abierto, durante este tiempo el voltaje completo de
lnea se cae a travs de las terminales principales del Triac, sin aplicar ningn voltaje a la carga. Por tanto no
hay flujo de corriente a travs triac no esta limitado a 180 de conduccin por ciclo. Con un arreglo adecuado del
disparador, puede conducir durante el total de los 360 del ciclo. Por tanto proporciona control de corriente de
onda completa, en lugar del control de media onda que se logra con un SCR. Las formas de onda de los triacs
son muy parecidas a las formas de onda de los SCR, a excepcin de que pueden dispararse durante el semiciclo
negativo. En la FIG.8.19 se muestran las formas de onda tanto para el voltaje de carga como para el voltaje del
triac del Triac y la carga. La parte del semiciclo durante la cual existe esta situacin se llama ngulo de retardo
de disparo. Despus de transcurrido los 30 , el Triac dispara y se vuelve
como un interruptor cerrado y comienza a conducir corriente a la carga,
esto lo realiza durante el resto del semiciclo. La parte del semiciclo durante la cual el Triac esta encendido se
llama ngulo de conduccin. La FIG.8.19 (b) muestran las mismas formas de ondas pero con ngulo de retardo
de disparo mayor.
CORRESPONDENCIA A UN CIRCUITO DE DISPARO
En la FIG. 8.20 se muestra un circuito prctico de disparo de un Triac utilizando un UJT. El resistor RF es un
resistor variable que se modifica a medida que las condiciones de carga cambian. El transformador T1 es un
transformador de aislamiento, y su propsito es aislar elctricamente el circuito secundario y el primario, para
este caso asla el circuito de potencia ca del circuito de disparo. La onda senoidal de ca del secundario de T1 es
aplicada a un rectificador en puente y la salida de este a una combinacin de resistor y diodo zener que
suministran una forma de onda de 24 v sincronizada con la lnea de ca. Esta forma de onda es mostrada en la
FIG. 8.21 (a). Cuando la alimentacin de 24 v se establece, C1 comienza a cargarse hasta la Vp del UJT, el cual
se dispara y crea un pulso de corriente en el devanado primario del transformador T2. Este se acopla al
devanado secundario, y el pulso del secundario es entregado a la compuerta del triac, encendindolo durante el
resto del semiciclo.

capacidad de absorcin de diT/dt
Como mencionado anteriormente, una carga comn con una corriente alta inicial es la lmpara incandescente
que tiene una resistencia de filamento fra muy baja. Para cargas resistivas tal como esta, la diT/dt estara a su
ms alto valor si la conduccin comienza en el pico de la senoidal de la tensin de alimentacin. Si es probable
que la corriente exceda la caracterstica de di/dt triac adoptado, se debe limitar esta di/dt con la inclusin de un
o de Temperatura con la carga, de forma de que
con la carga fra el ngulo de disparo sea grande (<Vef). Nuevamente, el inductor no debe saturarse durante el
pico de corriente mximo. Si lo hace, su inductancia se derrumbara y no limitara ms la diT/dt. Un inductor de
ncleo de aire es aceptado para este requerimiento. Una solucin ms elegante que puede evitar el requerimiento
de un limitador de corriente en serie dispositivo estara en usar el disparo en el cruce por cero. Esto permitira a
la corriente comenzar a crecer mas gradualmente, desde el comienzo de la onda senoidal.
Las formas de onda del capacitor( Vc1), corriente del secundario de T2 ( Isec) y voltaje de carga (VLD), se
muestran en la FIG. 8.21 (b), (c),(d). La razn de carga de C1 es determinada por la razn de RF a R1, que
forman un divisor de voltaje, entre ellos se dividen la fuente de cd de 24 v que alimenta al circuito de disparo. Si
RF es pequeo en relacin a R1, entonces R1 recibir una gran parte de la fuente de 24 v , esto origina que el
transistor pnp Q1 conduzca, con una circulacin grande de corriente por el colector pues el voltaje de R1 es
aplicado al circuito de base, por lo tanto C1 se carga con rapidez. Bajo estas condiciones el UJT se dispara
pronto y la corriente de carga promedio es alta.
Por otra parte se RF es grande en relacin a R1, entonces
el voltaje a travs de R1 ser menor que en el caso anterior,
esto provoca la aparicin de un voltaje menor a travs del
circuito base-emisor de Q1 con la cual disminuye su
corriente de colector y por consiguiente la razn de carga de
C1 se reduce, por lo que le lleva mayor tiempo acumular el
Vp del UJT. Por lo tanto el UJT y el Triac se disparan
Figura 8.19. Formas de Onda del TRIAC
Figura 8.20. Circuito de Disparo
Figura 8.21. Formas de Onda del Voltaje

despus en el semiciclo y la corriente de carga promedio es menor que antes.

PARAMETROS DEL TRIAC
- V
DRM
(Tensin de pico repetitivo en estado de bloqueo) = es el mximo valor de tensin admitido de
tensin inversa, sin que el triac se dae.

- I
T(RMS)
( Corriente en estado de conduccin) = en general en el grafico se da la temperatura en funcin de
la corriente.

- I
TSM
(Corriente pico de alterna en estado de conduccin (ON)) = es la corriente pico mxima que puede
pasar a travs del triac, en estado de conduccin. En general seta dada a 50 o 60 Hz.

- I
2t
(Corriente de fusin) = este parmetro da el valor relativo de la energa necesaria para la destruccin del
componente.
- P
GM
(Potencia pico de disipacin de compuerta) = la disipacin instantnea mxima permitida en la
compuerta.

- I
H
(Corriente de mantenimiento) = la corriente directa por debajo de la cual el triac volver del estado de
conduccin al estado de bloqueo.
- dV/dt (velocidad critica de crecimiento de tensin en el estado de bloqueo) = designa el ritmo de
crecimiento mximo permitido de la tensin en el nodo antes de que el triac pase al estado de conduccin.

- t
ON
(tiempo de encendido) = es el tiempo que comprende la permanencia y aumento de la corriente inicial
de compuerta hasta que circule la corriente andica nominal.
APLICACIONES DEL TRIAC
El Triac es un dispositivo semiconductor que pertenece a la familia de los dispositivos de control por
tiristores. El triac es en esencia la conexin de dos tiristores en paralelo pero conectados en sentido opuesto y
compartiendo la misma compuerta. (ver imagen). El triac slo se utiliza en corriente alterna y al igual que el
tiristor, se dispara por la compuerta. Como el triac funciona en corriente alterna, habr una parte de la onda que
ser positiva y otra negativa. La parte positiva de la onda (semiciclo positivo) pasar por el triac siempre y
cuando haya habido una seal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circular de arriba hacia
abajo (pasar por el tiristor que apunta hacia abajo), de igual manera:
La parte negativa de la onda (semiciclo negativo) pasar por el triac siempre y cuando haya habido una seal
de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circular de abajo hacia arriba (pasar por el tiristor que
apunta hacia arriba) Para ambos semiciclos la seal de disparo se obtiene de la misma patilla (la puerta o
compuerta). Lo interesante es, que se puede controlar el momento de disparo de esta patilla y as, controlar el
tiempo que cada tiristor estar en conduccin. (recordar que un trisitor solo conduce cuando ha sido disparada
(activada) la compuerta y entre sus terminales hay un voltaje positivo de un valor mnimo para cada tiristor)
Entonces, si se controla el tiempo que cada tiristor est en conduccin, se puede controlar la corriente que se
entrega a una carga y por consiguiente la potencia que consume.
APLICACINES
APLICACIN 1: ATENUADOR LUMINOSO DE LAMPARAS INCANDESCENTES
Una aplicacin muy comn es el atenuador luminoso de lmparas
incandescentes (circuito de control de fase). Donde:
- Ven: Voltaje aplicado al circuito (A.C.)
- L: lmpara
- P: potencimetro
- C: condensador (capacitor)
- R: Resistencia
- T: Triac
- A2: Anodo 2 del Triac
- A3: Anodo 3 del Triac
- G: Gate, puerta o
Figura 8.22. Circuito de
Atenuador Luminoso

compuerta del Triac
El triac controla el paso de la corriente alterna a la lmpara (carga), pasando continuamente entre los estados
de conduccin (cuando la corriente circula por el triac) y el de corte (cuando la corriente no circula) Si se vara
el potencimetro, se vara el tiempo de carga del condensador causando que se incremente o reduzca la
diferencia de fase de la tensin de alimentacin y la que se aplica a la compuerta.
Nota: la diferencia de fase o la fase entre dos seales u ondas se define como el ngulo (diferencia de
tiempo) que existe entre los dos orgenes de las mismas. capacidad de absorcin de diT/dt
Como mencionado anteriormente, una carga comn con una
corriente alta inicial es la lmpara incandescente que tiene una
resistencia de filamento fra muy baja. Para cargas resistivas tal como esta, la diT/dt estara a su ms alto valor si
la conduccin comienza en el pico de la senoidal de la tensin de alimentacin. Si es probable que la corriente
exceda la caracterstica de di/dt triac adoptado, se debe limitar esta di/dt con la inclusin de un inductor de unos
el ngulo de disparo sea grande (<Vef). Nuevamente, el inductor no debe saturarse durante el pico de corriente
mximo. Si lo hace, su inductancia se derrumbara y no limitara ms la diT/dt. Un inductor de ncleo de aire es
aceptado para este requerimiento. Una solucin ms elegante que puede evitar el requerimiento de un limitador
de corriente en serie dispositivo estara en usar el disparo en el cruce por cero. Esto permitira a la corriente
comenzar a crecer mas gradualmente, desde el comienzo de la onda senoidal.

APLICACIN 2: DESTELLADOR
Este circuito bsicamente es similar al flash, con la
diferencia que este usa un oscilador por relajacin, formado
por una lmpara nen, la cual se encarga de gatillar el SCR,
cuando en las placas del capacitor de 0.2 F. hay ms de 60
voltios. Aqu el nodo y el ctodo del SCR substituyen al
S1 del flaxh. Se producir un destello cada vez que le
llegue un pulso negativo al gate dundo se enciende el nen. Los destellos por minuto se controlan con el
potencimetro de 1M., el resistor de 150K y por supuesto, el capacitor de 0.2F.
APLICACIN 3: TERMOSTATO ELECTRNICO
La figura
8.25 muestra un circuito con un Triac, que se utiliza para controlar la
corriente a travs de una carga grande. R1 y C, modifican el ngulo
de fase en la seal de compuerta, debido a este corrimiento de fase, el
voltaje de la compuerta esta atrasado con respecto al voltaje de lnea
un ngulo entre 0 y 90. El voltaje de lnea tiene un ngulo de fase
de 0 mientras que el voltaje de la compuerta esta atrasado. Cuando
este voltaje de la compuerta es suficientemente grande para alimentar
la corriente de disparo, el Triac conduce. Una vez encendido el Triac,
continua conduciendo hasta que el voltaje de lnea regresa a cero,
debido a que R1 es variable, el ngulo de fase del voltaje de lnea se puede controlar por medio de la carga. Un
control como este es muy til en calentadores
industriales, alumbrado y otras aplicaciones de
potencia alta. En la configuracin actual este
circuito enciende un motor u otro aparato cuando la temperatura alcanza un valor predeterminado. Si se quiere
la operacin contraria, se debe de hacer el cambio que se indica abajo. El triac debe montarse en disipador
conveniente de calor.
APLICACIN 4: DIMMER / CONTROL DE VELOCIDAD DE UN MOTOR DE CORRIENTE
ALTERNA
Si desea controlar el nivel de iluminacin del dormitorio o desea controlar la velocidad de tu taladro o un
ventilador (motores de corriente alterna), este es el circuito que busca.
Muchos de estos circuitos reguladores de potencia tienen un punto de
encendido y apagado que no coincide (a este fenmeno se le llama
histresis), y es comn en los TRIACS. Para corregir este defecto se ha
incluido en el circuito las resistencias R1, R2 y C1. El conjunto R3 y C3
se utiliza para filtrar picos transitorios de alto voltaje que pudieran
Figura 8.24. Circuito de un Destellador
Figura 8.25. Circuito de un Termostato Electrnico
Figura 8.26. Termostato Electrnico Figura 8.27. Circuito DIMMER
Figura 8.23. Formas de Onda del Voltaje

aparecer. El conjunto de elementos P (potencimetro) y C2 son los necesarios mnimos para que el triac sea
disparado. El triac controla el paso de la corriente alterna a la carga conmutando entre los estados de conduccin
(pasa corriente) y corte (no pasa corriente) durante los semiciclos negativos y positivos de la seal de
alimentacin (110 / 220 voltios.), la seal de corriente alterna que viene por el tomacorrientes de nuestras casas
El triac se disipar cuando el voltaje entre el condensador y el potencimetro (conectado a la compuerta del
TRIAC) sea el adecuado. Hay que aclarar que el condensador en un circuito de corriente alterna (como este)
tiene su voltaje atrasado con respecto a la seal original, y cambiando el valor del potencimetro, se modifica la
razn de carga del condensador, el atraso que tiene y por ende el desfase con la seal alterna original. Esto causa
que se pueda tener control sobre la cantidad de corriente que pasa a la carga y as la potencia que se le aplica.
Lista de componentes:
- Resistencias: 2 de 47 K, (kilohmios)
- 1 de 100, (ohmios)
- 1 potencimetro de 100K
- Condensadores: 3 de 0.1 uF (microfaradios)
- Otros: 1 TRIAC (depende de la carga, uno de 2 amperios para aplicaciones comunes como este dimmer)
- 1 enchufe para la carga: de uso general,(110 / 220 Voltios)
APLICACIN 5: DISIPADORES DE CALOR
Los disipadores de calor son componentes metlicos que utilizan para evitar que algunos elementos
electrnicos como los transistores se calienten demasiado y se daen. El calor que produce un transistor no se
transfiere con facilidad hacia el aire que lo rodea. Algunos transistores son de plstico y otros metlicos. Los
que son metlicos transfieren con ms facilidad el calor que generan hacia el aire que lo rodea y si su tamao es
mayor, mejor. Es importante aclarar que el elemento transistor que uno ve, es en realidad la envoltura de un
pequeo "chip" que es el que hace el trabajo, al cual se le llama "juntura" o "unin". La habilidad de transmitir
el calor se llama conductancia trmica y a su recproco se le llama resistencia trmica (Rth) que tiene unidad de
C / W (grado Centgrado / Watt). Ejemplo: Si el RTH de un transistor es 5C/W, esto
significa, que la temperatura sube 5C por cada Watt que se disipa. Ponindolo en forma
de frmula se obtiene: R = T / P,
Donde:
- R = resistencia
- T = temperatura
- P = potencia
La frmula anterior se parece mucho a una frmula por todos conocida (La ley de
Ohm). R = V / I. Donde se reemplaza V por T a I por P y R queda igual. Analizando el
siguiente diagrama:
Donde:
- TJ = Tempartura mxima en la "Juntura" (dato lo suministra el fabricante)
- TC = temperatura en la Carcasa. depende de la potencia que vaya a disipar el
elemento y del tamao del disipador y la temperatura ambiente.
- TD = Temperatura del disipador y depende de la temperatura ambiente y el valor de
RDA (RD)
- TA = temperatura ambiente
- RJC = Resistencia trmica entre la Juntura y la Carcasa
- RCD = Resistencia trmica entre la Carcasa y el Disipador (incluye el efecto de la
mica, si se pone, y de la pasta de silicn) Mejor si se puede evitar poner mica mejor,
mejor si se pone pasta de silicn.
- RDA = Resistencia trmica entre el Disipador y el Aire (Resistencia trmica del
disipador) (RD)
Ejemplo: Se utiliza un transistor 2N3055 que produce 60 Watts en su "juntura". Con los datos del transistor
2N3055, este puede aguantar hasta 200 Watts en su "juntura" (mximo) y tiene una resistencia trmica entre la
juntura y la carcasa de: 1.5C/W (carcasa es la pieza metlica o plstica que se puede tocar en un transistor) Si
la temperatura ambiente es de 23C, Cul ser la resistencia trmica del disipador de calor que se pondr al
transistor? (RDA). Con RJC = 1.5C/W (dato del fabricante), la cada de temperatura en esta resistencia ser T =
R x P = 1.5C x 60 Watts = 90 C (ver frmula) Con RCD = 0.15C/W (se asume que se utiliza pasta de silicn
entre el elemento y el disipador), la cada de temperatura en RCD es T = R x P = 0.15 x 60 Watts = 9C.
Tomando en cuenta que la temperatura del aire (temperatura ambiente es de 23C), el disipador de calor tiene

que disipar: 200C 90C 9C 23C = 78C. Esto significa que la resistencia trmica del disipador de calor
ser: RDA = 78C / 60 W = 1.3C/Watt.. Con este dato se puede encontrar el disipador adecuado. Cuando se
ponga un disipador de calor a un transistor, hay que evitar que haya contacto entre ellos. Se podra evitar esto
con plstico o el aire, pero son malos conductores de calor. Para resolver este problema se utiliza una pasta
especial que evita el contacto. La virtud de esta pasta es que es buena conductora de calor. De todas maneras
hay que tomar en cuenta que esta pasta aislante tambin tiene una resistencia trmica que hay que tomar en
cuenta. Es mejor evitar si es posible la utilizacin de la mica pues esta aumenta el RCD. El contacto directo
entre el elemento y el disipador, contrario a lo que se pueda pensar, aumenta el valor de RCD, as que es mejor
utilizar la pasta.
APLICACIN 6: DISEO
En la FIG.8.21 puede verse una aplicacin prctica de gobierno de un motor de c.a. mediante un Triac
(TXAL228). La seal de control (pulso positivo) llega desde un circuito de mando exterior a la puerta inversora
de un ULN2803 que a su salida proporciona un 0 lgico por lo que circular corriente a travs del diodo emisor
perteneciente al MOC3041 (opto acoplador). Dicho diodo emite un haz luminoso que hace conducir al fototriac
a travs de R2 tomando la tensin del nodo del Triac de potencia. Este proceso produce una tensin de puerta
suficiente para excitar al Triac principal que pasa al estado de conduccin provocando el arranque del motor. Se
debe recordar que el Triac se desactiva automticamente cada vez que la
corriente pasa por cero, es decir, en cada semiciclo, por lo que es necesario
redisparar el Triac en cada semionda o bien mantenerlo con la seal de
control activada durante el tiempo que consideremos oportuno. Se puede apreciar, que entre las terminales de
salida del Triac se sita una red RC cuya misin es proteger al semiconductor de potencia, de las posibles
sobrecargas que se puedan producir por las corrientes inductivas de la carga, evitando adems cebados no
deseados. Es importante tener en cuenta que el Triac debe ir montado sobre un disipador de calor constituido a
base de aletas de aluminio de forma que el semiconductor se refrigere adecuadamente.
APLICACIN 7: CONTROL DE VELOCIDAD
DE MOTORES
El control de velocidad de los motores se ha
realizado en base a SCRs en mayor medida que en
TRIACs. A primera vista, el TRIAC presenta
mayores ventajas debido a su simetria, lo que le
confiere ciertas ventajas frente al SCR que
unicamente conduce en un semiperiodo. Sin
embargo, el TRIAC tiene unas caracteristicas dv/dt
inadecuadas para el control de motores y es dificil
la realizacion de circuitos de control simetricos.
Por otra parte, el SCR puede conducir en todo el periodo si se rectifica la senal de red. Las figuras 8.29.a y
8.29.b muestran dos ejemplos sencillos de control realizados a traves de SCR de un motor universal (fig. 8.29.a)
y un motor de iman-permanente (fig. 8.29.b).
MEDICIN DE LA TENSIN Y
CORRIENTE DE SALIDA
1. Fijamos V
DD
a la tensin
de 12 V.
2. Fijamos V
GG
a la tensin
de 12 V.
3. Ajustamos P1 a su valor
mximo, verificando que el Triac no se
encuentre en conduccin, si no es as presionamos el interruptor S y as retornar al estado de bloqueo.
En caso de que este mtodo no funcione, apagamos la fuente V
DD
y la prendemos nuevamente
4. Disminuimos el valor de P1 lentamente y observamos la corriente y tensin de la compuerta.
5. Calentamos el Triac acercando el extremo del soldador durante uno a dos minutos (no hay que hacer
contacto entre el soldador y el cuerpo del Triac). El calentamiento se producir por la conduccin del calor
en el aire).
6. Cambiamos la polaridad de V
GG
y V
DD
de acuerdo con la tabla 1.

Figura 8.28. Diseo de Circuito
Figura 8.29. Control de velocidad de motores. a) Motor universal
b) Motor de magneto-permanente.


MEDICIN DE LA CARACTERISTICA DE CONDUCCIN DEL TRIAC
1. Conectamos el circuito de medida de acuerdo a la siguiente Fig.8.30
2. Conectamos VGG y determinamos su valor en 12 V constante. Fijamos P1 en su valor mnimo.
3. Activamos la fuente de tensin VDD y fijamos su lmite de corriente en 400mA y en este estado debemos
bajar su tensin a cero y conectarla al circuito.
4. Aumentamos la tensin de la fuente VDD para obtener el mximo de corriente, If = 400mA. Medimos y
anotamos la tensin del Triac Vf en la tabla 2. Para medir la corriente presionar el interruptor.
5. Disminuimos la corriente de nodo a 300mA con ayuda del lmite de corriente y anotar la tensin Vf
obtenida.
6. Continuamos disminuyendo la corriente del Triac de acuerdo a
la tabla y anotamos las tensiones obtenidas.
7. Cambiamos la polaridad de VGG y VDD de acuerdo a la tabla
(y variamos la polaridad de los instrumentos anlogamente).
CARACT
ERISTIC
AS DEL
TRIAC
1. Conectamos el circuito de medicin de acuerdo a la
Fig 8.24. Fijamos el potencimetro P1 a su valor
mximo y la fuente de tensin a un valor pequeo.
2. Fijamos la tensin VGG en 12 V. Tener en cuenta
que el generador de audiofrecuencia y la fuente de tensin deben
estar "flotantes" (no a tierra). Si esto no fuera posible se debe
intercambiar de lugar la entrada del amplificador "Y" con tierra (GND), entonces habr que tomar en cuenta
el error que proviene de la adicin de cada de tensin sobre la resistencia de ctodo a la tensin en el nodo
medida a travs del amplificador "X".
3. Fijamos la tensin del generador de audiofrecuencia en su valor mximo a una frecuencia de 500 Hz.
Fijamos el amplificador "Y" y "X" de acuerdo a la necesidad.
4. Disminuimos la resistencia del potencimetro P1 (para aumentar la corriente de la compuerta). Observamos
en la pantalla del osciloscopio la influencia de la corriente de compuerta en la
figura.
9. El UJT
INTRODUCCIN Y CONCEPTOS BSICOS
Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de pulsos
de disparo para SCR y TRIACs. El UJT es un componente que posee tres
terminales. Las siglas UJT significan UNIJUNCTION TRANSISTOR lo que
se traduce como transistor de juntura nica, este dispositivo hecho de silicio
esta compuesto por una barra de material tipo N fuertemente dopado y casi a la mitad de la barra tiene difundido
material tipo P.
El transistor UJT o de uni-union El transistor de uni-union (unijunction transistor) o UJT esta constituido por
dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor. En la figura 1.21.a aparece la
estructura fisica de este dispositivo. El emisor esta fuertemente
dopado con impurezas p y la region n debilmente dopado con n. Por ello,
la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es elevada (de
5 a 10KZ estando el emisor abierto). El modelo equivalente representado en la figura 1.21.b esta constituido por
un diodo que excita la union de dos resistencias internas, R1y R2, que verifican RBB=R1+R2. Cuando el diodo
no conduce, la caida de tension en R1(V1) se puede expresar como

En donde VB2B1 es la diferencia de tension entre las bases del UJT y es el factor de division de tension
conocido como relacion intrinseca. El modelo de este dispositivo utilizando transistores se muestra en la figura
9.2.c, cuya estructura es muy similar a un diodo de cuatro capas. Cuando entra en conduccion los transistores la
caida de tension en R1es muy baja. El simbolo del UJT se muestra en la figura 9.1. en donde VB2B1 es la
diferencia de tension entre las bases del UJT y es el factor de division de tension conocido como relacion
Figura 8.32. Circuito de Medicin
Figura 9.1. Smbolo del UJT

intrinseca. El modelo de este dispositivo utilizando transistores se muestra en la figura 9.2.c, cuya estructura es
muy similar a un diodo de cuatro capas. Cuando entra en conduccion los transistores la caida de tension en R1
es muy baja. El simbolo del UJT se muestra en la figura 9.2.d.

Fsicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones elctricas a sus dos extremos
(B1 y B2) y de una conexin hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de
material N. En el lugar de unin el aluminio crea una regin tipo P en la barra, formando as una unin PN.
Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al
que ocurre este disparo est dado por la frmula: Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1. Donde:
- n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante)
- VB2B1 = Voltaje entre las dos bases
La frmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7 dependiendo del
dispositivo y la temperatura. Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe haber
entre E y B1 para que el UJT se dispare = Ip. Es importante hacer notar que tambin se ha construido el UJT
donde la barra es de material tipo P (muy poco). Se le conoce como el CUJT o UJT complementario. Este se
comporta de igual forma que el UJT pero con las polaridades de las tensiones al revs
El transistor monounin (UJT) se utiliza generalmente para generar seales de disparo en los SCR. En la
fig.5 se muestra un circuito bsico de disparo UJT. Un UJT tiene tres terminales, conocidas como emisor E,
base1 B1 y base2 B2. Entre B1 y B2 la monounin tiene las caractersticas de una resistencia ordinaria (la
resistencia entre bases RBB teniendo valores en el rango de 4.7 y 9.1 K). Cuando se aplica el voltaje de
alimentacin Vs en cd, se carga el capacitor C a travs de la resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT
est en estado abierto. La constante de tiempo del circuito de carga es T1=RC. Cuando el voltaje del emisor VE,
el mismo que el voltaje del capacitor llega a un valor pico Vp, se activa el UJT y el capacitor se descarga a
travs de RB1 a una velocidad determinada por la constante de tiempo T2=RB1C. T2 es mucho menor que T1.
Cuando el voltaje del emisor VE se reduce al punto del valle Vv, el emisor deja de conducir, se desactiva el UJT
y se repite el ciclo de carga.
El voltaje de disparo VB1 debe disearse lo suficientemente grande como para activar el SCR. El periodo de
oscilacin, T, es totalmente independiente del voltaje de alimentacin Vs y est dado por:
T = 1/f = RC ln 1/1-n
CARACTERSTICAS
El transistor de uni-unin (unijunction
transistor) o UJT esta constituido por dos regiones
contaminadas con tres terminales externos: dos
bases y un emisor. En la figura 9.2.a aparece la
estructura fsica de este dispositivo. El emisor esta
fuertemente dopado con impurezas p y la regin n
dbilmente dopado con n. Por ello, la resistencia
entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es
elevada (de 5 a 10K estando el emisor abierto).
Est compuesto solamente por dos cristales. Al
cristal P se le contamina con una gran cantidad de impurezas, presentando en su estructura un nmero elevado
de huecos. Sin embargo, al cristal N se le dopa con muy pocas impurezas, por lo que existen muy pocos
electrones libres en su estructura. Esto hace que la resistencia entre las dos bases RBB sea muy alta.
UJT (Uni-Juntion Transistor): transistor formado por una resistencia de silicio (de 4 a 9 K) tipo N con tres
terminales, dos bases, B1 y B2, y un emisor (unin NP). En la figura se representa la estructura y enapsulado de
UJT.
Figura 9.2. Transistor UJT. a) Estructura fisica, b) modelo equivalente, c) circuito equivalente y d) simbolo.

Figura 9.3. Estructura y Encapsulado del UJT

FUNCIONAMIENTO DE UN UJT
El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR. En la grafica de la figura 1.22 se describe las
caracteristicas electricas de este dispositivo a traves de la relacion de la tension de emisor (VE) con la corriente
de emisor (IE). Se definen dos puntos criticos: punto de pico o peak-point (VP, IP) y punto de valle o valley-
point(VV, IV), ambos verifican la condicion de dVE/dIE=0. Estos puntos a su vez definen tres regiones de
operacion: region de corte, region de resistencia negativa y region de saturacion. El circuito equivalente del UJT
es el representado en la figura 5, para su estudio definimos: Si VE VP Diodo polarizado directamente
conduce aumenta IE.
Cuando IP < IE < IV entramos en una zona de resistencia negativa donde rBB vara en funcin de IE. A
partir del punto de funcionamiento, si IE disminuye hasta alcanzar un valor inferior a IV el diodo se polariza
inversamente. Se suele usar para el disparo de tiristores o en el diseo de osciladores de relajacin. El
componente acepta prueba esttica de manera que cuando se lee en los extremos de la barra no importando la
polaridad siempre se obtendr un valor fijo de resistencia en el orden de 5k a 10k. En los siguientes diagramas
se muestra la estructura interna, el smbolo y el circuito equivalente de un UJT.
: Relacin intrnseca (de 0,5 a 0,8)
Regin de Corte.
En esta regin, la tensin de emisor es baja de forma que la tensin intrnseca mantiene polarizado
inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE<VP e IE < IP. Esta
tensin de pico en el UJT viene definida por la siguiente ecuacin
V
P
= V
B2B1
+ V
F
donde la VF varia entre 0.35 V a 0.7 V con un valor tpico de 0.5 V. Por ejemplo, para el 2N2646 es de
0.49V a 25C. El UJT en esta regin se comporta como un elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor
RBB.
Regin de Resistencia Negativa
Si la tensin de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es decir, VE=VP entonces el diodo
entra en conduccin e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de
recombinacin. Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con un
comportamiento similar a la de una resistencia negativa
(dVE/dIE < 0). En esta regin, la corriente de emisor esta
comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP< IE< IV).
El transistor monounin (UJT) se utiliza generalmente para
generar seales de disparo en los SCR. En la fig.5 se muestra
un circuito bsico de disparo UJT. Un UJT tiene tres
terminales, conocidas como emisor E, base1 B1 y base2 B2.
Entre B1 y B2 la monounin tiene las caractersticas de una
resistencia ordinaria (la resistencia entre bases RBB teniendo
valores en el rango de 4.7 y 9.1 K). Cuando se aplica el voltaje
de alimentacin Vs en cd, se carga el capacitor C a travs de la resistencia R, dado que el circuito emisor del
UJT est en estado abierto. La constante de tiempo del circuito de carga es T1=RC. Cuando el voltaje del emisor
VE, el mismo que el voltaje del capacitor llega a un valor pico Vp, se activa el UJT y el capacitor se descarga a
Regin de Saturacin
Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto
de valle) y una relacin lineal de muy baja resistencia entre la tensin y la corriente de emisor. En esta regin, la
corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto de
valle, el UJT entrara de forma natural a la regin de corte. En la figura 9.4 tambin se observa una curva de tipo
exponencial que relaciona la VE y la IE cuando la base B2 se encuentra al aire (IB2=0). Esta curva tiene una
forma similar a la caracterstica elctrica de un diodo y representa el comportamiento del diodo de emisor.

El punto de funcionamiento viene determinado por las caractersticas del circuito exterior. El funcionamiento
del UJT se basa en el control de la resistencia rB1B2 mediante la tensin aplicada al emisor. Si el emisor no est
conectado VE < VP Diodo polarizado inversamente no conduce IE = 0.

Si VE VP Diodo polarizado directamente conduce aumenta IE.

El valor de n es una especificacin que proporciona el fabricante y de acuerdo al rango se deduce que RB1
siempre es diferente que RB2 y que RB1 es mayor 50% de RBB.
El UJT o transistor uniunin, es un elemento semiconductor que consta de
una barra de silicio tipo N(versintipo N) en cuyos extremos se obtienen los
terminales base 2 (B2) y base 1 (B1).En las proximidades de la base2 se inserta
material tipo P, dando lugar a una unin PN de cuyo extremo libre se extrae el
terminalllamado emisor(E).La versin tipo P est constituida por una barra de
silicio interbases de tipo p, conisercin de material tipo N en la conexin del
terminal del emisor.En la versin tipo N cabe decir que el dispositivo presenta
una resistencia entre las dos bases (RBB) que,aefectos del terminal de
emisor,se comporta como un dicisor de tensin formado por las
seccionescorrespondientes al tramo comprendido entre B2 y E,y entre B1 y E,denominadas RB1 y RB2
respectivamente. Un parmetro denominado eta (),define la
relacin entre ellas de la siguiente manera:Este parmetro
depende fundamentalmente de caractersticas constructivas
ligadas al proceso de fabricaciny bse indica en las especificaciones
tcnicas del componente.
Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria
que debe haber entre E Un dato adicional que nos da el fabricante es
la corriente necesaria que debe haber entre E y B1 para que el UJT se
dispare = Ip . El transistor monounin (UJT) se utiliza generalmente
para generar seales de disparo en los SCR. En la fig.5 se muestra un
circuito bsico de disparo UJT. Un UJT tiene tres terminales,
conocidas como emisor E, base1 B1 y base2 B2. Entre B1 y B2 la
monounin tiene las caractersticas de una resistencia ordinaria (la
resistencia entre bases RBB teniendo valores en el rango de 4.7 y 9.1
K). Cuando se aplica el voltaje de alimentacin Vs en cd, se carga el
capacitor C a travs de la resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT est en estado abierto. La constante
de tiempo del circuito de carga es T1=RC.
Fig.5 Circuito bsico de disparo de un UJT
Cuando el voltaje del emisor VE, el mismo que el voltaje del capacitor llega a un valor pico Vp, se activa el UJT
y el capacitor se descarga a travs de RB1 a una velocidad determinada por la constante de tiempo T2=RB1C.
T2 es mucho menor que T1. Cuando el voltaje del emisor VE se reduce al punto del valle Vv, el emisor deja de
conducir, se desactiva el UJT y se repite el ciclo de carga.
T = 1/f = RC ln 1/1-n
TRANSISTOR MONOUNION PROGRAMABLE.
Figura 9.5. Circuito equivalente del
UJT.

El transistor monounin programable (PUT) es un pequeo tiristor que aparece en la fig.7. Un PUT se puede
utilizar como un oscilador de relajacin, tal y como se muestra en la fig.7b. El voltaje de compuerta VG se
mantiene desde la alimentacin mediante el divisor resistivo del voltaje R1 y R2, y determina el voltaje de punto
de pico Vp. En el caso del UJT, Vp est fijo para un dispositivo por el voltaje de alimentacin de cd, pero en un
PUT puede variar al modificar al modificar el valor del divisor resistivo R! y R2. Si el voltaje del nodo VA es
menor que el voltaje de compuerta VG, le dispositivo se conservar en su estado inactivo, pero si el voltaje de
nodo excede al de compuerta en una cada de voltaje de diodo VD, se alcanzar el punto de pico y el
dispositivo se activar. La corriente de pico Ip y la corriente del punto de valle Iv dependen de la impedancia
equivalente en la compuerta RG = R1R2/(R1+R2) y del voltaje de alimentacin en cd Vs. N general Rk est
limitado a un valor por debajo de 100 Ohms.
R y C controlan la frecuencia junto con R1 y R2. El periodo de oscilacin T est dado en forma aproximada por:
T = 1/f = RC lnVs/Vs-Vp = RC ln (1+R2/R1)

En la figura 3 se muestra la curva caracterstica del UJT.

Cuando los niveles de voltaje aplicados al emisor son menores que
Vp, el diodo D est inversamente polarizado, con lo cual circula una
pequea corriente inversa de juntura. Cuando la tensin Ve se hace
igual a Vp, el diodo entra en conduccin inicindose aqu la
trayectoria en la curva de la regin de resistencia negativa y
circulando una pequea corriente Ip.

Figura 3. Curva Caracterstica del UJT
Debido al fenmeno de modulacin de conductividad, la corriente empieza a crecer mientras el voltaje
disminuye hasta que finalmente se llega a un valorde saturacin, en el cual la resistencia Rb1 se hace constante
en el valor Rs (aproximadamente 5 ( - 30 (), con valores bajos de tensin y niveles altos de corriente,
terminando aqu la regin de resistencia negativa y empezando la de saturacin.
Sobre la caracterstica tensin-corriente se destacan tres zonas de trabajo y funcionamiento:
- Regin de bloqueo: el diodo est inversamente polarizado, la corriente Ie es menor que el valor de Ip.
- Regin de resistencia negativa: los valores de corriente estn comprendidos entre Ip e Iv.
- Regin de saturacin: en esta regin la resistencia vuelve a ser positiva, tenindose niveles de corriente por
encima de Iv.
ESTABILIZACION
Las caractersticas mas importantes del UJT se resumen en la ecuacin:
Vp = Vd + n Vbb
En aplicaciones tales como osciladores y temporizadores no es conveniente tener variaciones en el valor de Vp,
pues la exactitud de estos circuitos depender de la invariabilidad de Vp. Sin embargo, tanto Vd como n son
parmetros dependientes de la temperaturapor lo cual es necesario estudiar su incidencia sobre Vp.
En primer lugar Vd disminuye al aumentar la temperatura, siendo esta variacin del orden de -2mV/C. El valor
de n tambin disminuye aunque no en grado apreciable con el aumento de temperatura ya que:
n = Rb1/(Rb1 + Rb2) = Rb1/Rbb
En trminos generales se tiene que Vp disminuye al aumentar la temperatura. Ahora bien, el valor de Rbb es
fuertemente dependiente de la temperatura puesto que es la resistencia en un material semiconductor. Sin
embargo su efecto en la tensin Va es despreciable, puesto que este valor depende de n y la variacin de n es
despreciable.
Con el nimo de compensar la variacin en el diodo, se conecta una resistencia R2 externa en serie con Rb2, es
decir al terminal B2 . Bajo estas condiciones se tiene:

Va = Vbb Rb1/(Rb1 + Rb2 + R2)
Va = Vbb Rb1/(Rbb + R2)
dividiendo por Rbb,
Va = n Vbb/(1 + (R2/Rbb))
Si la temperatura baja el valor de Rbb baja, con lo cual el factor R2/Rbb sube y por consiguiente Va baja.
Si la temperatura sube el valor de Rbb sube, con lo cual el factor R2/Rbb baja y por consiguiente Va sube.
Puede observarse entonces que las variaciones de Vd pueden ser compensadas con las de Va ya que estas
ocurren en sentido opuesto, de tal forma que se mantiene el valor de Vp aproximadamente constante.
Ahora, el rango de trabajo de la fuente de polarizacin Vbb est comprendido entre 10 y 35 voltios, lo cual hace
que R2 vare entre 50 ( y 1 k(.
Empricamente se han encontrado los siguientes valores para compensacin:
R2 = 100 ( para trabajo entre -55C y 25C
R2 = 400 ( para trabajo entre 25C y 100C
En trminos generales se obtiene una buena compensacin con R2 = 100 (.
IMPEDANCIA DE CARGA
Cualquiera de los tres terminales del UJT puede ser usado para obtener una
seal de salida, siendo el mas utilizado el terminal correspondiente a la
base B1, por lo cual es necesario adicionar una resistencia R1 externa
como se muestra en la figura 4.
El valor de R1 est limitado a valores tpicos de 100 (, aunque en algunas
aplicaciones se utilizan transformadores de pulsos.
El transistor monounin (UJT) se utiliza generalmente para generar
seales de disparo en los SCR. En la fig.5 se muestra un circuito bsico de
disparo UJT. Un UJT tiene tres terminales, conocidas como emisor E,
base1 B1 y base2 B2. Entre B1 y B2 la monounin tiene las caractersticas de una resistencia ordinaria (la
resistencia entre bases RBB teniendo valores en el rango de 4.7 y 9.1 K). Cuando se aplica el voltaje de
alimentacin Vs en cd, se carga el capacitor C a travs de la resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT
est en estado abierto. La constante de tiempo del circuito de carga es T1=RC. Cuando el voltaje del emisor VE,
el mismo que el voltaje del capacitor llega a un valor pico Vp, se activa el UJT y el capacitor se descarga a

APLICACIONES
El oscilador de relajacin es el corazn de muchos timers y
circuitos osciladores. La figura 5 muestra un circuito tpico
constituido por un UJT, una redReCe, las resistencias de
carga y compensacin R1 y R2, as como las formas de
onda desarrolladas en cada uno de los terminales.
El circuito trabaja de la siguiente forma: Cuando se prende
la alimentacin, el condensador Ce se carga a travs de Re
hasta que se alcanza el nivel Vp.
Figura 5. Oscilador de Relajacin con UJT
En este punto, el UJT entra en conduccin haciendo que la resistencia Rb1 tienda a un valor cercano a cero,
permitiendo que un pulso de corriente correspondiente a la descarga del condensador fluya por R1 y de esta

forma se desarrolle tambin un pulso de voltaje en el terminal B1. Simultneamente con el pico positivo en B1,
aparece uno negativo en B2. Esto sucede debido a que la repentina cada en Rb1 provoca tambin una repentina
reduccin en la resistencia total entre Vbb y tierra, y consecuentemente un incremento en la corriente por R2, el
cual provoca una mayor cada a travs de R2 creando finalmente un pico de voltaje negativo en el terminal B2.
En el terminal de emisor, se desarrolla una seal diente de sierra, la cual no es totalmente lineal debido a la
carga exponencial del condensador puesto que este no se carga a una rata constante. Por otro lado, la parte baja
de la seal no es exactamente cero voltios. Hay dos razones para que esto ocurra:
- El voltaje emisor-base B1 jams alcanza el valor cero, sino el voltaje de valle Vv.
- Hay siempre alguna cada de voltaje a travs de R1, debido a la corriente que fluye a travs del UJT.
Asumiendo que el condensador est inicialmente descargado, al aplicarse la tensin de polarizacin, este trata
de cargarse hasta el valor de fuente con una constante de tiempo dada por ReCe. Cuando el voltaje sobre el
condensador se hace igual al valor Vp del UJT, ste se dispara, entrando en conduccin, aumentando la
corriente de emisor y disminuyendo la tensin, o sea que el condensador empieza a descargarse a travs de la
baja impedancia que ve entre emisor y tierra. La constante de descarga ser aproximadamente R'Ce, donde R' es
la suma de R1 y la resistencia del diodo. Es claro que la constante de carga es mucho mayor que la de descarga.
Cuando el condensador se descarga, entra de nuevo el UJT en la regin de bloqueo puesto que la tensin en el
terminal de emisor se hace menor que el voltaje Vp. Al iniciarse nuevamente el proceso, se repite el ciclo.
Puesto que el circuito anterior es un oscilador a resistencia negativa, es necesario cumplir con la condicin
general impuesta para este tipo de circuitos, y es que la lnea de carga corte la caracterstica en su regin de
resistencia negativa.
La ecuacin de la lnea de carga est dada por:
Vbb = Re Ie + Ve
Dependiendo del valor de Re, se pueden obtener varias curvas:
-Sea Re = Re1 = valor grande de resistencia
Si Ve = 0 entonces Ie = Vbb/Rmx
Si Ie = 0 entonces Ve = Vbb
Con estas dos ecuaciones lmites se puede trazar la recta de carga. Es claro que si Re1 es elevado el valor de Ie
tiende a cero. Bajo estas condiciones dicha lnea de carga cortara la curva caracterstica en la regin de bloqueo.
-Sea Re = Re2 = valor bajo de resistencia
Si Ve = 0 entonces Ie = Vbb/Rmn
Con estas dos ecuaciones lmites se puede trazar la recta de carga. Es claro que si Re2 es bajo el valor de Ie
tiende a ser elevado. Bajo estas condiciones dicha lnea de carga cortara la curva caracterstica en la regin de
saturacin.
-Sea Re = Re3 = un valor medio de resistencia
Si Ve = 0 entonces Ie = Vbb/Re3
Con estas dos ecuaciones lmites se puede trazar la recta de carga. Bajo estas condiciones dicha lnea de carga
cortara la curva caracterstica en la regin de resistencia negativa.
En la figura 6 pueden apreciarse esta serie de situaciones.
En trminos generales se tendra: Figura 6. Rectas de carga en UJTs

Es un tiristor de control diseado para programar las caractersticas de RBB, N, Iv, Ip, haciendo uso de

tienen un valor que impida circular a traves del PUT la corriente de mantenimiento minima de conduccion el
dispositivo se cortara y el condensador se carga nuevamente Para controlar fcilmente el rango de variacin de
RE, se coloc un arreglo serie de una resistencia de 33 K y un potencimetro de 1 M, para asegurar la cobertura
del control del ngulo de disparo. De esta forma, en la figura 2 se tiene:
Hay un tercer factor que tambien influye en el tiempo, y es la profundidad a la cual se encuentra la concha,
ya que entre mayor sea sta, mayor ser la presin del agua y se tardar ms la bolsa de aire para tener el
volumen suficiente para levantar la concha. El transistor UJT se comporta de manera semejante a la concha del
ejemplo cuando lo ponemos en un circuito adecuado, que tenga un elemento que recolecte las burbujas, en este
caso ser el capacitor que acumula las cargas elctricas, la manguera, un resistor que limite el paso de la
corriente de carga del capacitor y un terminal adicional que simule las condiciones de profundidad, que en este
caso ser la Base 2, para variar en menor o mayor grado el tiempo de las descargas del capacitor a travs del
elemento dispuesto en el terminal Base 1, comunmente un resistor de baja resistencia elctrica.
EJEMPLO
Dado un oscilador de relajacin con UJT que trabaja con una relacin intrnseca n = .7 y con Re = 100 k( y Ce =
.5 &F, calcular el perodo y la frecuencia de trabajo, as como el voltaje Vp de disparo suponiendo una fuente
de polarizacin de 20 voltios.
T = 100 k( .5 &F ln (1/(1-.7))
T = 60 ms
f = 1/T = 1/60 =16.6 Hz
Vp = Vd + nVbb = .6 + .7 20 = 14.6 v
APLICACIONES
APLICACIN 1: CARGADOR DE BATERAS BASADO EN UJT.
transistor monounin (UJT) se utiliza generalmente
para generar seales de disparo en los SCR. En la
fig.5 se muestra un circuito bsico de disparo UJT. Un UJT tiene tres terminales, conocidas como emisor
E, base1 B1 y base2 B2. Entre B1 y B2 la monounin tiene las caractersticas de una resistencia ordinaria
(la resistencia entre bases RBB teniendo valores en el rango de 4.7 y 9.1 K). Cuando se aplica el voltaje de
alimentacin Vs en cd, se carga el capacitor C a travs de la resistencia R, dado que el circuito emisor del
UJT est en estado abierto. La constante de tiempo del circuito de carga es T1=RC. Cuando el voltaje del
emisor VE, el mismo que el voltaje del capacitor llega a un valor pico Vp, se activa el UJT y el capacitor
se descarga a travs de RB1 a una velocidad determinada por la constante de tiempo T2=RB1C. T2 es
mucho menor que T1. Cuando el voltaje del emisor VE se reduce al punto del valle Vv, el emisor deja de
conducir, se desactiva el UJT y se repite el ciclo de carga.
El voltaje de disparo VB1 debe disearse lo suficientemente grande como para activar el SCR. El periodo
de oscilacin, T, es totalmente independiente del voltaje de alimentacin Vs y est dado por:

El cargador de baleras mostrado en la Figura 9.6 es un circuito muy simple que utiliza un oscilador de
relajacin basado en un UJT para el control del SRC. El circuito no opera cuando la balera est
completamente cargada o la polaridad de conexin de la balera no es la correcta.
El funcionamiento del circuito reflejado en las formas de onda de la Figura 9.6 es el mostrado en la
Figura 9.7.
El oscilador de relajacin nicamente est activo cuando la tensin de la batera es baja. En este caso, el
UJT dispara al SRC con una frecuencia variable en funcin de las necesidades de corriente de carga. La
Figura 9.6. Circuito de un Cargador de Bateras

tensin Vp de activacin de] UJT es variable al ser Vp= nVB2B1+VF, en donde VB2B1 depende a su vez
de la tensin de la batera regulada a travs del potencimetro variable R2.
El oscilador de relajacin dejar de funcionar cuando la Vp sea mayor que la tensin zener del diodo de
referencia 1N4735. En este caso, la tensin del condensador CE ser constante al valor fijado por la
tensin zener.
APLICACIN 2: TEMPORIZADOR UJT
El transistor monojuntura (unijunction), o como comunmente se le
conoce UJT, tambin se le conoce como diodo de base doble. Es un
dispositivo semiconductor de 3 terminales, con un comportamiento similar a
un diodo zener (ver la pgina diodos), pero se le puede variar el voltaje de
avalancha con slo modificar las condiciones elctricas en el terminal Base
2. El efecto zener se presenta normalmente entre los terminales Emisor y
Base 1, a travs de los cuales se establece un sbito paso de corriente
cuando la tensin elctrica entre estos alcanza el punto de avalancha.
Hagamos una analoga del funcionamiento del UJT: Imaginemos las
conchas artificiales que se colocan en el fondo de los acuarios caseros,
debajo de estas se coloca una delgada manguera de la cual sales burbujas de
aire.
Cada vez que se llena de aire, al punto de tener el suficiente empuje
ascendente, se levanta girando sobre uno de sus bordes y libera todas las burbujas. Hecho esto, cae nuevamente
y se inicia el ciclo, cuya duracin depende del volmen de la concha y del tamao de las burbujas.
Hay un tercer factor que tambien influye en el tiempo, y es la profundidad a la cual se encuentra la concha,
ya que entre mayor sea sta, mayor ser la presin del agua y se
tardar ms la bolsa de aire para tener el volumen suficiente para
levantar la concha. El transistor UJT se comporta de manera semejante a la concha del ejemplo cuando lo
ponemos en un circuito adecuado, que tenga un elemento que recolecte las burbujas, en este caso ser el
capacitor que acumula las cargas elctricas, la manguera, un resistor que limite el paso de la corriente de carga
del capacitor y un terminal adicional que simule las condiciones de profundidad, que en este caso ser la Base 2,
para variar en menor o mayor grado el tiempo de las descargas del capacitor a travs del elemento dispuesto en
el terminal Base 1, comunmente un resistor de baja resistencia elctrica.
A diferencia de un transistor convencional de tres capas semiconductoras, ms conocido como Transistor
bipolar(por lo de los 2 tipos de capa N y P, el transistor UJT tiene solamente dos capas de material
semiconductor, y por consiguiente slo una juntura o unin entre ellas. Adems su funcin principal en los
circuitos no es amplificar sino generar impulsos de corriente a invervalos regulares y usualmente ajustables, lo
cual lo convierte en el corazn de circuitos para el gatillado de tiristores, circuitos osciladores, temporizadores,
etc. A la diferencia del voltaje entre la Base 1 y la Base 2 se le denomina "tensin interbase", y a la resistencia
entre estas, "resistencia interbase".
APLICACIN 3: OSCILADORES DE RELAJACIN
Una de las aplicaciones ms tpicas del UJT es la construccin de osciladores de relajacin que se utilizan en
muchos casos como circuito de control de SCRs y TRlACs. El esquema elctrico de este circuito se muestra en
la Figura 24a. Cuando el UJT est en la regin de corte el condensador C se carga a travs de R. Este proceso de
carga finalizar si la tensin de emisor (Vc) es suficiente para entrar al UJT en la regin de resistencia negativa
(Vc =Vp), en cuyo caso la corriente de emisor descarga bruscamente el condensador hasta alcanzar la tensin de
valle (Vc = VV).
En estas condiciones, si el circuito ha sido diseado para que la resistencia R no proporcione la suficiente
corriente de mantenimiento (IE<Iv) entonces el UJT conmutar de forma natural a corte y el condensador
volver a cargarse de nuevo a travs de R. La Figura 24b indica el diagrama temporal de las tensiones Vc.
VOB1 y VOB2. En resumen, para asegurar que el circuito de la Figura 24 se comporta como un oscilador, R
debe verificar que:

Las ecuaciones que verifica este oscilador son
las siguientes:
Vc. Proceso de carga del condensador se
realiza a travs de R. Se inicia con la tensin
Figura 9.8. Temporizador UJT
Figura 9.8. Oscilador de Relajacin

VV y tiende cargarse hasta VCC. La tensin VC viene dada por la siguiente ecuacin:

Perodo de oscilacin. El periodo de oscilacin est definido por el tiempo (to) que tarda el condensador en
alcanzar la tensin de activacin del UJT (Vp). Es decir, el tiempo to necesario para que la tensin Vc(t=
to)=Vp se obtiene a partir de la ecuacin anterior y vale:

VOB1 y VOB2. Estas tensiones las proporciona el fabricante en forma de grafica en funcion de las B1y RB2
asociadas a la base del UJT; se supone que RB1 y RB2<< RBB. El tiempo de validez de estas tensiones depende
del tiempo de conmutacion y corte del UJT y suelen ser del orden del 1% del periodo de oscilacion del circuito.
Por ejemplo, el 2N2646 produce una tension VOB1=5 V (typ) si RB1=20? y VB2B1=20 V.
DISEO DEL OSCILADOR DE RELAJACIN
Para el diseo del circuito que se muestra en la figura 9.9, se tomaron en consideracin los siguientes datos
de partida:
- La fuente de corriente alterna tiene un valor de 180 Vpp, a 60 Hz.
- El voltaje de polarizacin del oscilador de relajacin es de 20 Vdc.
- El valor de la carga, puramente resistiva, tanto para las pruebas en corriente alterna como en directa, se
consider con un valor dado por:

El fabricante del UJT proporciona los siguientes valores para los parmetros principales del dispositivo,
cuando se supone que el voltaje interbases (VBB) es igual al voltaje de alimentacin del oscilador, es decir 20
V.
- La relacin intrnseca es de 0.7
- Corriente de pico (IP) de 1 A
- Corriente de valle (IV) de 4.5 mA
- Voltaje de valle (VV) de 1.66 V
- Resistencia interbases (RBB) de 6.9 kohms
- Voltaje VF de 0.49 V a 25 C
- Voltaje de pico de 14.49 V
El ltimo punto a considerar para el diseo es que se desea controlar el ngulo de disparo del SCR de 10 a
170 elctricos. Por lo tanto, el rango de frecuencia de oscilacin estar dado por:
, Donde es el ngulo de disparo y T es el periodo de la seal alterna.

De acuerdo a lo anterior, la frecuencia de oscilacin del circuito tendr que estar dentro del rango de 127 a
2160 Hz. A partir de todos los datos anteriores, es posible calcular el rango de la resistencia de emisor vlido
para el circuito:

Figura 9.9. Diagrama
del circuito de disparo
con UJT



del UJT. Es un tipo de tiristor y, a veces, se le llama "tiristor disparado por nodo" debido a su configuracin.
Al igual que el UJT, se utiliza como oscilador y base de tiempos, pero es ms flexible, ya que la puerta se
conecta a un divisor de tensin que permita variar la frecuencia del oscilador sin modificar la constante de
tiempo RC.
Es un tiristor de control diseado para programar las caractersticas de RBB, N, Iv, Ip, haciendo uso de
dispositivo se cortara y el condensador se carga nuevamente Para controlar fcilmente el rango de variacin de
RE, se coloc un arreglo serie de una resistencia de 33 K y un potencimetro de 1 M, para asegurar la cobertura
del control del ngulo de disparo. De esta forma, en la figura 2 se tiene:

Los valores de R1 y R2 se obtuvieron mediante las expresiones empricas, y estn dados por:
y
El circuito de la figura 6.2 se simul en dos partes: primero se realizaron las pruebas con la carga en
corriente alterna, y despus con la carga en corriente directa. Adems, para cada parte, se simul el disparo para
10 y para 170. En ambas simulaciones, el voltaje Vcc del oscilador se obtuvo a partir de la conexin en serie
de dos diodos zener de 10 V cada uno, diodos cuya corriente se limita por la resistencia en serie Rs. Los diodos
rectificadores tienen matrcula 1N4007.
Carga en el Lado de Alterna
Para simular el efecto del circuito sobre la carga en el lado de alterna, se tom el circuito que se dibuja en la
figura 9.9. Primero se coloc RE2 de 1 ohm, para suponer que solo estaba presente el efecto de RE1, de tal
manera que la resistencia de emisor tendra un valor de 33 K aproximadamente. Es decir, el oscilador de
relajacin estara funcionando a su frecuencia mxima, y por lo tanto, el SCR se tiene que disparar a 10.
En la figura 9.10 se muestra la grfica obtenida en la simulacin, para la seal en la carga y la seal de disparo
en la compuerta del tiristor.
Como puede verse en la figura 9.10, la seal en la carga indica que el circuito se ha disparado (comienza un
voltaje en la carga RL), cuando se aplica el pulso en la compuerta (VGx1), que a su vez proviene del oscilador
de relajacin. La posicin del cursor para V(RL:1,RL:2), indica que la conduccin hacia la carga comienza en
573.9614 s, lo que sugiere un ngulo de disparo de 12.44, que se aproxima mucho al valor de 10 esperado
para los 33 K en la resistencia de emisor.
En la figura 9.10 se aprecian las dimensiones del pulso de disparo
en la compuerta, que presenta una amplitud aproximada de 4.7 V y un ancho de pulso de 2.36 s; esto
demuestra que el pulso generado es capaz de disparar al SCR.
En la figura 9.12 puede verse que, cuando comienza la conduccin, el
voltaje de polarizacin del oscilador de relajacin cae a un valor muy
bajo, lo que provoca que el oscilador deje de funcionar, motivo por el
cual no se provocan impulsos luego del disparo ni antes de que termine
el ciclo de la seal de entrada. Lo anterior es debido a que el SCR se
amarra, y como el oscilador se alimenta del voltaje de nodo, se sabe
que en conduccin, este voltaje es cercano a 1 V. Puede notarse tambin
Figura 9.10. Efecto en la carga de alterna (10)

Figura 9.11. Dimensiones del Impulso del
Disparo


que el voltaje de alimentacin no supera los 20 V, lo cual se debe al diodo zener que regula el voltaje hacia el
circuito. La figura 6.6 est ilustrando el efecto del disparo cuando RE tiene un valor de 655 K, lo que quiere
decir que si RE1 tiene un valor de 33 K, el potencimetro RE2 tendr que ajustarse a 622 K para lograr el valor
indicado de la resistencia de emisor, que como se dijo anteriormente es la suma de RE1 y RE2.
Como puede verse en la grfica anterior, el disparo del circuito ocurre en 6.2768 ms, lo que significa que se
tiene un ngulo de conduccin de 136 aproximadamente. Al valor elegido de RE, se supone que el valor del
ngulo de conduccin deba ser 170; sin embargo, debido a que en esta zona la polarizacin del oscilador
comienza a decrecer debido a que la seal de entrada disminuye su valor, no se asegura que la frecuencia de
oscilacin del circuito de relajacin sea de 127 Hz.
En el diagrama de la figura 9.14 se aprecia el ngulo de conduccin a los 170 reales, que sucedi con una
valor de RE de aproximadamente 850 K.
Los que fundamentan su comportamiento en un amplificador reghenerativo,en el cual una parte de la
sealque entraga en su salida se realimenta en fase sobre el elemento activo.Con este principio se puede
conseguirla mayoria de formas de ondas bsicas y,con cierta dificultad,impulsos de corta duracin..Los que el
dispositivo activo del ciruito presenta una zona de resistencia negativa en su caracterstica,noprecisando en este
caso realimentacin parta producir las oscilaciones bastando simplemente la accin de lared pasiva (por
ejemplo,resistenciacondensador) para llevar al dispositivo a la citada zona.Estefuncionamiento supondr,como
se detalla en este apartado y en dedicado al transistor PUT,la activacin ydesactivacin peridica del circuito.

Estos circuitos son notablemente ms sencillos que
los anteriores y ,suministran normalmente,seales
conforma de onda no senoidal,generalmente ondas
en dientes de sierra o impulsos de corta duracin.

El procedimiento para el clculo sera ahora:
Eliminar el diodo del circuito.
Calcular el circuito equivalente Thevenin entre los puntos en los que se encontraba conectado el diodo.
Dibujar la recta de carga correspondiente al circuito Thevenin calculado.
Dibujar en el mismo grfico la curva caracterstica del diodo.
Hallar el punto de interseccin de ambas curvas.

Pequeas seales de alterna
Los circuitos en los cuales las excitaciones son suma de una componente continua y otra alterna de pequea
amplitud se resuelve aplicando el principio de superposicin (Figura 20).
El mtodo se resume en los siguientes puntos:
Anlisis DC del circuito: Se cortocircuita la fuente de AC y se calcula por cualquiera de lo mtodos anteriores el
punto de operacin del diodo.
Clculo de la resistencia dinmica del diodo, basndose en los resultados del punto anterior
Anlisis AC del circuito: Se cortocircuitan las fuentes DC y se sustituye el diodo por su resistencia dinmica. De
ese modo se obtiene el circuito equivalente AC, vlido para el clculo de las amplitudes de las oscilaciones de
las seales.

OPERACIN BSICA
y ON o baja impedancia. La regin I es la regin de alta impedancia (OFF) y la III, la regin de baja
impedancia. Para pasar del estado OFF al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar Vs, tensin de
conmutacin. La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese se
incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver al
Figura 9.12. Efecto en la Alimentacin del Oscilador

Figura 9.13. Efecto en la Carga de Alterna (170)


estado OFF, se disminuye la corriente hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su
impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la
regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I (Punto A). Vrb es la tensin inversa de avalancha.
Cuando se aplica un voltaje positivo de polarizacin al nodo respecto al ctodo, se muestra en la figura 6.4 (b),
las uniones base-emisor de los Q1 y Q2 (uniones pn 1 y 3 en la figura 3.1 (a)) estn polarizadas en directa y la
unin comn base-colector (unin pn 2 en la figura 6.2 (a)) est polarizado en inversa. En consecuencia, ambos
transistores equivalentes estn en la regin lineal. Para valores bajos de voltaje de polarizacin en directa, se
establece una ecuacin para la corriente del nodo de la manera siguiente, usando las relaciones ordinarias del
transistor. En niveles de corriente bajos el alfa del transistor es muy pequea. Por consiguiente, en niveles de
polarizacin bajos hay muy poca corriente del nodo en el diodo Shockley, as se encuentra en apagado o en la
regin de bloqueo directo.

Carga en el Lado de Directa
Para simular el efecto del circuito sobre la carga en el
lado de directa, se tom el circuito que se muestra en la
figura 9.15. Primero se coloc RE2 de 1 ohm, para suponer
que solo estaba presente el efecto de RE1, de tal manera que
la resistencia de emisor tendra un valor de 33 K
aproximadamente. Es decir, el oscilador de relajacin estara
funcionando a su frecuencia mxima, y por lo tanto, el SCR
se tiene que disparar a 10. En la figura 9.16 se muestra la
grfica obtenida en la simulacin, para la seal en la carga y la seal de disparo en la compuerta del tiristor a
10.
perteneciente a la familia de los
dispositivos uniunion y sus caracteristicas
son similares al SCR. En la figura 1.17.a
se indica su simbolo. Es un dispositivo de disparo anodo-puerta (anodo-
gate) puesto que su disparo se realiza cuando la puerta tenga una tension
mas negativa que el anodo, es decir, la conduccion del PUT se realiza
por control de las tensiones en sus terminales. Como ejemplo sencillo,
la figura 1.17.b muestra el esquema de un oscilador de relajacion basado
en este dispositivo. La tension de puerta esta fijada a un valor constante a traves de las resistencias R1y R2. Si
inicialmente el condensador esta descargado, la tension del anodo es menor que la de la puerta (VA<VG) y el
PUT esta cortado. En estas condiciones, el condensador se carga a traves de R aumentando la tension del anodo.
Llegara un momento en que VA=VG y, en ese instante, se dispara el PUT el cual descarga bruscamente el
condensador C produciendo una caida de tension en la resistencia Ro. Si R y Ro
Puede verse que el disparo ocurre aproximadamente igual que en el caso cuando la carga estaba en el lado de
alterna, pero el voltaje en la carga es una seal de corriente directa. El pulso de disparo conserva sus
caractersticas, al igual que el voltaje de polarizacin del oscilador, por lo que ya no se mostrarn estas
grficas. En la figura 9.17 est la grfica del disparo a 170, cuando RE tiene un valor de 655K, ya que como
vimos anteriormente, este valor puede no ser ideal. A continuacin se van a explicar los diferentes tipos de
modelos propuestos para el funcionamiento de un diodo de unin PN.
Modelos para seales continuas
Figura 9.14. Efecto en la
carga de alterna (170
real)

Figura 9.15. Circuito con la carga en el lado de directa

Figura 9.16. Efecto en la
carga en directa (10)


Bajo el trmino seales continuas se engloban en este apartado tanto las seales constantes en el tiempo como
aquellas que varan con una frecuencia muy baja.
Modelo DC del diodo real


Puede verse en la grfica de la figura 9.17 que, en
efecto, el disparo ocurre a los 136, aproximadamente
igual que en el caso de la carga en alterna. De aqu, si
se hace RE igual a 850 K, se supone que el circuito se dispara a 170 realmente, como se puede ver en la figura
9.18.
Frecuencia de operacin del oscilador de relajacin
A partir de los datos y observaciones anteriores, se simul
solamente el oscilador de relajacin, para obtener el rango de
la frecuencia de operacin. La simulacin se hizo enviando la
terminal de compuerta a tierra, para evitar el disparo del SCR,
y con la condicin de la carga en directa, como se aprecia en la
figura 9.19.
A partir del circuito anterior, si RE se coloca en
su valor mnimo de 33 K, se obtiene la forma de
onda de la figura 9.20, que indica una frecuencia de oscilacin de 3.59 KHz. Esto asegura que se disparar el
tiristor aproximadamente a 10, ya que el valor terico inicial calculado indicaba una frecuencia de oscilacin
mayor a 2160 Hz. De igual manera, para la figura 6.14 se propuso una RE de 850 K, que fue el valor de disparo
a 170, obtenindose una frecuencia de oscilacin de 108 Hz, cuando la frecuencia mnima esperada
tericamente indica 127 Hz, lo que asegura el disparo del SCR a 170.

verse que el disparo ocurre aproximadamente igual que en el caso cuando la carga estaba en el lado de
caractersticas, al igual que el voltaje de polarizacin del oscilador, por lo que ya no se mostrarn estas
grficas. En la figura 9.17 est la grfica del disparo a 170, cuando RE tiene un valor de 655K, ya que como
vimos anteriormente, este valor puede no ser ideal. A continuacin se van a explicar los diferentes tipos de
modelos propuestos para el funcionamiento de un diodo de unin PN.

10. El PUT
Figura 9.17. Efecto en la carga en directa (170)

Figura 9.18. Efecto en la carga en directa (170 real)

Figura 9.19. Circuito para Simular la Frecuencia del Oscilador

Figura 9.20. Frecuencia mxima del oscilador

Figura 9.21. Frecuencia mnima del oscilador


Se llama PUT (Programmmable Uniunion Transistor) a un dispositivo
semiconductor de cuatro capas (pnpn) cuyo funcionamiento es similar al
del UJT. Es un tipo de tiristor y, a veces, se le llama "tiristor disparado por
nodo" debido a su configuracin. Al igual que el UJT, se utiliza como
oscilador y base de tiempos, pero es ms flexible, ya que la puerta se
conecta a un divisor de tensin que permita variar la frecuencia del
oscilador sin modificar la constante de tiempo RC.
Es un tiristor de control diseado para programar las caractersticas de
RBB, N, Iv, Ip, haciendo uso de manera selectiva de dos valores de resistencia. PUT El PUT o programmable
unijunction transistor perteneciente a la familia de los dispositivos uniunion y sus caracteristicas son similares al
SCR. En la figura 1.17.a se indica su simbolo. Es un dispositivo de disparo anodo-puerta (anodo-gate) puesto
que su disparo se realiza cuando la puerta tenga una tension mas negativa que el anodo, es decir, la conduccion
del PUT se realiza por control de las tensiones en sus terminales. Como ejemplo sencillo, la figura 1.17.b
muestra el esquema de un oscilador de relajacion basado en este dispositivo. La tension de puerta esta fijada a
un valor constante a traves de las resistencias R1y R2. Si inicialmente el condensador esta descargado, la
tension del anodo es menor que la de la puerta (VA<VG) y el PUT esta cortado. En estas condiciones, el
condensador se carga a traves de R aumentando la tension del anodo. Llegara un momento en que VA=VG y, en
ese instante, se dispara el PUT el cual descarga bruscamente el condensador C produciendo una caida de tension
en la resistencia Ro. Si R y Ro tienen un valor que impida circular a traves del PUT la corriente de
mantenimiento minima de conduccion el dispositivo se cortara y el condensador se carga nuevamente a traves
de R repitiendose el proceso.
TRANSISTOR PROGRAMABLE PUT
Aunque tienen nombres similares, el UJT y el PUT son diferentes en construcciny en modo de operacin. La
designacin se ha hecho en base a que presentan caractersticas tensin-corriente y aplicaciones similares
Mientras que el UJT es un dispositivo de dos capas, el PUT lo es de
cuatro capas. El trmino programable es usado porque los valores
de Rbb, n y Vp pueden controlarse mediante una red externa.
Figura 7. Conformacin fsica y circuital del PUT
En la figura 7 puede observarse la conformacin fsica y circuital
del PUT.

Cuando no hay corriente de compuerta el voltaje desarrollado en
dicho terminal es:
Vg = Vbb Rb1/(Rb1 + Rb2) = n Vbb
El circuito no se disparar hasta tanto el potencial en el terminal de nodo no sea superior en el voltaje de
polarizacin directa de la juntura pn entre nodo y compuerta y el voltaje de compuerta. Por lo tanto:
Vak = Vp = Vd + Vg = .7 + n Vbb
La curva tensin-corriente que representa la caracterstica de funcionamiento del PUT es mostrada en la figura
8.
Mientras la tensin Vak no alcance el valor Vp, el PUT estar abierto, por lo cual los niveles de corriente sern
muy bajos. Una vez se alcance el nivel Vp, el dispositivo entrar en conduccin presentando una baja
impedancia y por lo tanto un elevado flujo de corriente.
El retiro del nivel aplicado en compuerta, no llevar al dispositivo a su estado de bloqueo, es necesario que el
nivel de voltaje Vak caiga lo suficiente para reducir la corriente por debajo de un valor de mantenimiento I(br).
APLICACIONES
El PUT es utilizado tambin como oscilador de relajacin. Si inicialmente el condensador est descargado la
tensin Vak ser igual a cero. A medida que transcurre el tiempo ste adquiere carga.
Cuando se alcanza el nivel Vp de disparo, el PUT entra en conduccin y se establece una corriente Ip.

Luego, Vak tiende a cero y la corriente aumenta. A partir de este instante el condensador empieza a descargarse
y la tensin Vgk cae prcticamente a cero. Cuando la tensin en bornes del condensador sea prcticamentet
cero, el dispositivo se abre y se regresa a las condiciones iniciales.
En la figura 9 puede observarse la configuracin circuital para el oscilador.
EJEMPLO
Se tiene un oscilador de relajacin que trabaja con un PUT, el cual presenta las siguientes caractersticas:
Ip = 100 &A, Iv = 5.5 mA y Vv = 1 v.
Si el voltaje de polarizacin es de 12 v y la red externa es la siguiente: Rb1 = 10 k(, Rb2 = 5 k(, R = 20 k(, C = 1
&F y Rk = 100 k(, calcular Vp, Rmx, Rmn y el perodo de oscilacin.
-Clculo de Vp
Vp = Vd + n Vbb, n = Rb1/(Rb1 + Rb2) = 10/15 = .66
Vp = .7 + .66 12 = 8.7 v
-Clculo de Rmx y Rmn
El DIAC es un elemento de dos terminales nodo 1 (A1) y nodo 2 (A2), se lo puede considerar un diodo
bidireccional diseado especficamente para realizar circuitos de disparo de TRIACs o SCRs. El DIAC no
conduce ms que una mnima cantidad de corriente antes de que el voltaje de conmutacin (breakover voltage)
sea alcanzado. En este momento el elemento muestra una caracterstica de resistencia negativa observndose
una disminucin del voltaje entre sus terminales a un valor aproximado de 5 V, originndose una corriente de
conmutacin (breakover current) lo suficiente como para encender un TRIACs o SCRs.
Es un componente electrnico que est preparado para conducir en los dos sentidos de sus terminales, por ello
se le denomina bidireccional, siempre que se llegue a su tensin de cebado o de disparo(30v aproximadamente,
dependiendo del modelo).
El DIAC es un dispositivo de disparo que puede utilizarse para generar el impulso de corriente de puerta
necesario para disparar un elemento de control, como un SCR o un TRIAC.
EL DIAC es un elemento de dos terminales y 5 capas (figura 5) diseado para dispararse cuando la tensin entre sus terminales supera la tensin de
ruptura de la unin pn central. Una vez disparado, la tensin entre sus extremos disminuye, aunque mantiene la conduccin. Al igual que el TRIAC, el
DIAC permite la conduccin en ambos sentidos por lo que no tiene sentido distinguir entre
Puesto que el PUT es tambin un dispositivo de resistencia negativa, tiene que cumplir con la condicin
impuesta de que la recta de carga de trabajo, corte a la curva caracterstica tensin-corriente precisamente en la
regin que presenta resistencia negativa. Si esto no ocurre, el dispositivo puede permanecer o en bloqueo o en
saturacin. Para garantizar que efectivamente se trabaje en la regin adecuada , debe escogerse al igual que en el
caso del UJT, el valor de resistencia comprendido entre unos valores lmites dados por Rmx y Rmn.

Rmx = (Vbb - Vp)/Ip = 3.3/100 = 33 k(
Rmn = (Vbb - Vv)/Iv = 11/5.5 = 2 k(
Ahora, debe cumplirse con la condicin:
Rmn ( R ( Rmx , 2 k( ( R ( 33 k(
como puede observarse el valor tomado para R est entre los lmites establecidos ya que tiene un valor de 20 k(.
-Clculo de T
T = RC ln(1 + Rb1/Rb2)
T = 20 k( 1 &F ln(1 + 2) = 24 ms

PARMETROS DEL PUT
En el PUT (Programable Uni-Juntion Transistor): de
caracteristicas idnticas al UJT, se puede ajustar los
valores de , VP e IV mediante un circuito de
polarizacin externo.
Su constitucin y funcionamiento es similar a las de un
tiristor con puerta de nodo (Fig. 10.2). Tiene tres
terminales: ctodo K, nodo A y puerta de nodo
GA.
FUNCI
ONAM
IENTO DEL PUT
Si VA < VGA diodo A-GA se polariza inversamente solo
circula corriente de fugas.
Si VA > VGA diodo A-GA conduce y tiene una
caracterstica similar a la del UJT (Fig. 10.3).
Figura 10.2. Montaje y circuito equivalente de un PUT.

La variacin de IP e IV dependen de R1 y R2 en el divisor de tensin VGA, es decir de RG (Fig. 10.2).

El voltaje de valle VV es el de encendido del PUT ( 1 V).
Los circuitos de la figura 8 permiten la programacin del PUT.
PRUEBA ESTATICA A UN PUT.
Como se observa en la figura de la estructura interna un PUT no da las mismas lecturas que las que
proporciona un UJT a pesar de que en la aplicacin sirven para lo mismo, es decir en osciladores de relajacin
para proporcionar una espiga de voltaje que aplique a la compuerta de un tiristor de potencia. Para la prueba
esttica del PUT se debe seleccionar la funcin prueba a semiconductores lectura en volts y checar entre cada
par de terminales lo que nos debe proporcionar para el encapsulado de la siguiente figura los siguientes
resultados:
- Potencia de disipacin PF (mW).
- Corriente en sentido directo para nodo para voltaje de directa IT (mA).
- Corriente de compuerta para voltaje de directa IG (mA).
- Corriente pico en sentido directo repetitiva ITRM (A).
- Corriente pico en sentido directo no repetitiva para determinado ancho de pulso ITSM (A).
- Voltaje en sentido directo entre compuerta y ctodo VGKF (V).
- Voltaje en sentido inverso entre compuerta y ctodo VGKR (V).
- Voltaje inverso entre compuerta y nodo VGAR (V).
- Voltaje nodo a ctodo VAK (V).
- Rango de temperatura para la operacin de la unin TJ ( C).
- Corriente pico IP (A).
- Voltaje de desviacin VT (V).
- Corriente de valle IV (A mA).
- Cada de voltaje en el componente VF (V).
- Voltaje pico de salida VO (V).
CARACTERSTICAS
PUT (Programable Uni-Juntion Transistor): de
caracteristicas idnticas al UJT, puede ajustar los
polarizacin externo. Su constitucin y funcionamiento
es similar a las de un tiristor con puerta de nodo. Tiene
tres terminales: ctodo K, nodo A y puerta de nodo
GA.
El PUT tiene 3 terminales como otros transistores y
sus nombres son: ctodo K, nodo A, puerta G. A
diferencia del UJT, este transistor permite que se puedan controlar los valores de RBB y VP que en el UJT son
fijos. Los parmetros de conduccin del PUT son controlados por la terminal G Este transistor tiene dos
estados: Uno de conduccin (hay corriente entre A y K y la cada de voltaje es pequea) y otro de corte cuando
la corriente de A a K es muy pequea. Este transistor se polariza de la siguiente manera:
Del grfico, se ve que cuando IG = 0,
VG = VBB * [ RB2 / (RB1 + RB2) ] = n x VBB
donde: n = RB2 / (RB1 + RB2)
La principal diferencia entre los transistores UJT y PUT es que las resistencias: RB1 + RB2 son resistencias
internas en el UJT, mientras que el PUT estas resistencias estn en el exterior y pueden modificarse. Aunque el
UJT y el PUT son similares, El Ip es ms dbil que en el UJT y la tensin mnima de funcionamiento es menor
en el PUT.
APLICACIONES
APLICACIN 1: OSCILADOR BASADO EN UN PUT
El PUT es un equivalente del UJT, con la diferencia de que pueden ser controladas las caractersticas de y
de la resistencia entre bases ya que son elementos externos lo que le permite mayor flexibilidad para el diseo.
El siguiente circuito muestra un oscilador de relajacin con PUT as como las resistencias que se programaron.
Este circuito se muestra en la figura 10.5. En el instante en que se conecta la alimentacin, el condensador
Figura 10.4. Circuitos de programacin de un PUT.

comenzar a cargarse hacia VBB volts, debido a que no hay corriente de nodo en este momento. El periodo T
requerido para alcanzar el potencial de disparo V est dado aproximadamente por:
|
|
.
|
\
|
=
p BB
BB
e
V V
V
RC T log
En el instante en que el voltaje a travs del condensador es igual a Vp el dispositivo se disparar y se establecer
una corriente IA = Ip a travs del PUT. Si R es demasiado grande, la corriente I no podr establecerse y el
dispositivo no se disparar. En el punto de transicin:
p BB p
V V R I =
y,
p
p BB
mx
I
V V
R

=
Se incluye el subndice para indicar que cualquier R mayor que Rmx dar como resultado una corriente
menor que Ip. El nivel de R tambin debe ser tal que asegure que sea menor que IV si van a ocurrir oscilaciones.
En otras palabras, queremos que el dispositivo entre a la regin inestable y luego regrese al estado apagado.
Por un razonamiento similar al anterior:
V
p BB
mx
I
V V
R

=
La discusin anterior requiere que R est limitado a lo siguiente para un sistema oscilatorio,
mx mn
R R R < <
El voltaje mximo VA al que se puede cargar. Una vez que el dispositivo se dispara, el condensador se
descargar rpidamente a travs del PUT y RK, produciendo una cada. Por supuesto, VK llegar al valor pico
al mismo tiempo, debido a la breve pero alta corriente. El voltaje VG caer rpidamente de VG a un nivel un
poco mayor de O [V]. Cuando el voltaje del condensador cae a un nivel bajo, el PUT nuevamente se apagar y
se repetir el ciclo de carga.

activado con una sola seal positiva o negativa de compuerta.
En la prctica, la sensibilidad vara de un cuadrante a otro. El triac normalmente opera en el cuadrante I (tensin
y corriente de compuerta positivos) o en el cuadrante III (tensin y corriente de compuerta negativos). El triac
puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicacin entre los terminales puerta
y T1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el
circuito de disparo. Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variacin de tensin importante al triac (dv/dt)
an sin conduccin previa, el triac puede entrar en conduccin directa. Cuando se encuentra en conmutacin la
dv/dt puede producir tambin el cebado. En lo referente a la variacin di/dt aparecen dificultades idnticas a las
de los tiristores.

El triac se desactiva automticamente cada vez que la corriente pasa por cero, por lo que con c.a. es necesario
redisparar el triac en cada semionda o bien mantenerlo con la seal de control activada durante el tiempo que se
considere oportuno. Al igual que el tiristor tiene dos estados de funcionamiento: bloqueo y conduccin.
Conduce la corriente entre sus terminales principales en un sentido o en el inverso, por ello, al igual que el diac,
es un dispositivo bidireccional. Conduce entre los dos nodos (A1 y A2) cuando se aplica una seal a la puerta
(G).
Se puede considerar como dos tiristores en antiparalelo. Al igual que el tiristor, el paso de bloqueo al de
conduccin se realiza por la aplicacin de un impulso de corriente en la puerta, y el paso del estado de
conduccin al de bloqueo por la disminucin de la corriente por debajo de la intensidad de mantenimiento (I
H
).
La estructura y el smbolo circuital del TRIAC se muestran en la figura 3. El TRIAC es un dispositivo de 3
terminales y 5 capas, que puede entenderse, en primera aproximacin, como dos SCR conectados en
Figura 10.5.
Oscilador
Basado en un
PUT.

antiparalelo. Su comportamiento es similar al del SCR, con la diferencia de que puede dispararse tanto para
tensiones positivas como para tensiones negativas. Por esta razn, no se distingue entre nodo y ctodo, sino
que sus terminales se designan por A
1
, A
2
(nodos) y G (puerta). La principal aplicacin del TRIAC es el
control de seales de baja potencia en circuitos de corriente alterna. Las caractersticas estticas del TRIAC se
muestran en la figura 4. Prescindiendo del estado de bloqueo, en el que la corriente del TRIAC es prcticamente
nula, se distinguen 4 modos de funcionamiento dependiendo de los signos de las diferencias de tensin V
A1A2
y
V
GA2
. El valor de la corriente de puerta mnima de disparo depende de en qu modo de operacin trabaje el
TRIAC. Un estudio detallado de estos modos de operacin puede encontrarse en la referencia 1. Est formado
por 6 capas de material semiconductor como indica la figura.
La aplicacin de los triacs, a diferencia de los tiristores, se encuentra bsicamente en corriente alterna. Su curva
caracterstica refleja un funcionamiento muy parecido al del tiristor apareciendo en el primer y tercer cuadrante
del sistema de ejes. Esto es debido a su bidireccionalidad.
La principal utilidad de los triacs es como regulador de potencia entregada a una carga, en corriente alterna.
El encapsulado del triac es idntico al de los tiristores.

El funcionamiento es el siguiente: El condensador C se carga a travs de la
resistencia R hasta que el voltaje en A alcanza el voltaje Vp. En este
momento el PUT se dispara y entra en conduccin. El voltaje en VG cae casi
hasta 0 (cero) voltios y el PUT se apaga, repitindose otra vez el proceso
(oscilador). Ver a continuacin las formas de onda de las tensiones en C, K y
G. La frecuencia de oscilacin es: f = 1 / 1.2 x RC
El transistor monounin programable (PUT) es un pequeo tiristor que
aparece en la fig.a Un PUT se puede utilizar como un oscilador de
relajacin, tal y como se muestra en la fig.b. El voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentacin
mediante el divisor resistivo del voltaje R1 y R2, y determina el voltaje de punto de pico Vp.6. En el caso del
UJT, Vp est fijo para un dispositivo por el voltaje de alimentacin de cd, pero en un PUT puede variar al
modificar al modificar el valor del divisor resistivo R! y R2. Si el voltaje del nodo VA es menor que el voltaje
de compuerta VG, le dispositivo se conservar en su estado inactivo, pero si el voltaje de nodo excede al de
compuerta en una cada de voltaje de diodo VD, se alcanzar el punto de pico y el dispositivo se activar. La
corriente de pico Ip y la corriente del punto de valle Iv dependen de la impedancia equivalente en la compuerta
RG = R1R2/(R1+R2) y del voltaje de alimentacin en cd Vs. N general Rk est limitado a un valor por debajo
de 100 O. R y C controlan la frecuencia junto con R1 y R2.
APLICACIN 2: DETECTOR DE PROXIMIDAD
En la figura 10.6 aparece la
utilizacin del diac en un
detector de proximidad. Observe el uso de un SCR
en serie con la carga y el transistor monounin
programable PUT conectado de forma directa al
electrodo sensor. A medida que el cuerpo humano se
acerca al electrodo sensor, la capacitancia entre el
electrodo y la tierra se incrementar. El PUT es un
dispositivo que disparar (entrar al estado de circuito cerrado) cuando el voltaje del nodo (VA) sea al menos
0.7 V (para el silicio) mayor que el voltaje de compuerta (VG) Antes de que el dispositivo programable se
encienda. A medida que el voltaje de entrada se eleva, el voltaje del diac VG lo seguir como se muestra en la
figura hasta que se alcance el potencial de disparo. Entonces se encender y el voltaje del diac caer de forma
sustancial.

MODELOS DEL DIODO DE UNION PN APLICANDO LA ECUACIN DE SHOCKLEY
A continuacin se van a explicar los diferentes tipos de modelos propuestos para el funcionamiento de un diodo
de unin PN.
Bajo el trmino seales continuas se engloban en este apartado tanto las seales constantes en el tiempo como
aquellas que varan con una frecuencia muy baja.
Modelo DC del diodo real

En donde: n, es el factor de idealidad. El valor n se ubica dentro del rango entre 1 y 2. Depende de las
dimensiones del diodo, del material semiconductor, de la magnitud de la corriente directa y del valor de IS.
Figura 10.6. Onda de Oscilacin

VT, es el potencial trmico del diodo y es funcin de la constante de Boltzmann (K), la carga del electrn (q) y
la temperatura absoluta del diodo T(K). La siguiente expresin permite el clculo de VT:

El potencial trmico a temperatura ambiente, T=25C, es VT=25.71mV.
R es la resistencia combinada de las zonas P y N, de manera que V-IR es la tensin que se est aplicando en la
unin PN, siendo I la intensidad que circula por el componente y V la tensin entre terminales externos.
IS, es la corriente inversa de saturacin del diodo. Depende de la estructura, del material, del dopado y
fuertemente de la temperatura. Como puede apreciarse, este modelo no da cuenta de la tensin de ruptura en
inversa.El modelo puede completarse mediante la adicin de nuevos parmetros que incluyan efectos no
contemplados en la teora bsica. Por ejemplo, algunos modelos empleados en los programas simulacin por
ordenador constan de hasta quince parmetros. Sin embargo, a la hora de realizar clculos sobre el papel resulta
poco prctico. Por ello es habitual realizar simplificaciones del modelo para obtener soluciones de modo ms
simple.

Modelo DC del diodo ideal
El modelo ideal del diodo de unin PN se obtiene asumiendo las siguientes simplificaciones:
Se toma el factor de idealidad como la unidad, n=1. Se supone que la resistencia interna del diodo es muy
pequea y que, por lo tanto, la cada de tensin en las zonas P y N es muy pequea, frente a la cada de tensin
en la unin PN. Para V<0, el trmino exponencial es muy pequeo, despreciable frente a la unidad. Entonces la
intensidad tiende al valor IS, que como ya se haba indicado anteriormente, es la corriente inversa del diodo.
Para V>0, la exponencial crece rpidamente por encima de la unidad. Al igual que el modelo real, el modelo
ideal sigue siendo poco prctico, dado su carcter no lineal. El modelo lineal por tramos se obtiene como una
aproximacin del modelo ideal del diodo de unin PN, considerando las siguientes simplificaciones:
En inversa, la corriente a travs de la unin es nula. En directa, la cada de tensin en la unin PN (VON) es
constante e independiente de la intensidad que circule por el diodo. Para calcular el valor de VON se considera
un diodo de unin PN de silicio con una I S= 85 fA a una temperatura ambiente de T=25 C. El potencial
trmico a esa temperatura es VT=25.7 mV. Tomando como variable independiente la intensidad I, la ecuacin
ideal del diodo queda:

A partir de esta expresin, se puede calcular la cada de tensin en el diodo para las magnitudes de corriente
habituales en los circuitos electrnicos. Por ejemplo, para un intervalo de corrientes 1 mA < I < 1 A se tienen
tensiones 0.6 V <VDIODO< 0.77 V. Como se puede apreciar, mientras que la corriente ha variado 3 rdenes de
magnitud, la tensin apenas ha experimentado un cambio de 200 mV, por lo que es posible aproximar la cada
de tensin en la unin PN a un valor constante de 0.7 V. Con estas simplificaciones se consigue evitar las
expresiones exponenciales que complican los clculos en la resolucin del circuito. Sin embargo, se divide el
modelo en dos tramos lineales denominados inversa y directa (o corte y conduccin), cada uno de los cuales
obedece a ecuaciones diferentes: el diodo queda convertido en un componente biestado. El modelo lineal por
tramos queda sintetizado en la siguiente tabla: Conduccin o Polarizacin Directa "On", donde la tensin es
VON para cualquier valor de la corriente. Corte o Polarizacin Inversa "Off", donde la corriente es nula para
cualquier valor de tensin menor que VON. El uso de este modelo slo est justificado en aquellas ocasiones en
las que no se requiere una gran exactitud en los clculos.
Modelo para pequeas seales de alterna Hay aplicaciones en las que el diodo se polariza en un punto de
tensin positiva, y sobre ese punto se superpone una seal alterna de pequea amplitud. El funcionamiento del
diodo en esta situacin queda representado grficamente en la Figura 18:

Cuando al diodo se le aplica una tensin dada por la expresin: la corriente que lo atraviesa puede calcularse
aplicando cualquiera de los modelos explicados anteriormente. Si se opta por el modelo exponencial ideal:
Supongamos que conocemos la amplitud de las oscilaciones de la tensin aplicada (VD) y queremos conocer la
amplitud de las oscilaciones de la corriente (ID). El mtodo de clculo sera: Como puede apreciarse, el clculo
se complica. Si se considera adems que el diodo est dentro de un circuito es posible que ni siquiera pueda
obtenerse una solucin analtica. Para obtener la solucin al problema citado de una forma ms simple se
linealiza la curva del diodo en el entorno del punto de operacin, es decir, se sustituye dicha curva por la recta
que tiene la misma pendiente en el punto de operacin, segn se aprecia en la Figura 19. Teniendo en cuenta
esta aproximacin, la relacin entre los incrementos de tensin y de corriente pueden relacionarse tal y como se
indica: Obviamente, esta aproximacin ser tanto ms cierta cuanto menores sean los valores de VD e ID. A la
derivada de la tensin con respecto a la corriente en el punto de operacin se le llama resistencia dinmica del
diodo rD, y su expresin puede determinarse a partir del modelo exponencial del diodo, teniendo en cuenta que
si VDQ es mayor que VT puede despreciarse la unidad frente al trmino exponencial: Como VT 25 mV, la

expresin vlida para el clculo de la resistencia dinmica de un diodo en funcin de la corriente de polarizacin
continua puede escribirse de la siguiente forma, llamada aproximacin de Shockley: Esta aproximacin slo es
vlida en la regin de conduccin en polarizacin directa del diodo.

APLICACIN DE LOS MODELOS AL ANLISIS DE CIRCUITOS
En este apartado se detallan algunos mtodos vlidos para el anlisis de circuitos con diodos, basndose en los
modelos expuestos en el apartado anterior.
Modelo exponencial
Suponiendo que se dispone de un circuito en el que se desconoce la polarizacin del diodo, los pasos para
resolver el problema seran:
1. Sustituir el diodo por una fuente de tensin VD con el signo positivo en el nodo, y nombrar como ID a la
corriente que va de nodo a ctodo del diodo.
2. Resolver el circuito empleando las variables VD e ID como si fueran conocidas.
Obtener la expresin que relaciona VD con ID.
La ecuacin del modelo del diodo proporciona otra relacin entre VD e ID.
Se resuelve el sistema de dos ecuaciones con dos incgnitas resultante.

Modelo lineal por tramos
Los pasos para calcular las tensiones y corrientes en un circuito con un diodo empleando el modelo lineal por
tramos son:
Se asume la hiptesis de que el diodo est en uno de los dos estados posibles: corte o conduccin.
Se sustituye el diodo por el modelo correspondiente y se calculan las tensiones y corrientes del circuito.
Una vez calculado el punto de polarizacin del diodo se comprueba la validez de la hiptesis: los resultados
obtenidos han de ser coherentes con la condicin de existencia. En el caso de que no lo sean, la hiptesis de
partida no es correcta y es necesario rehacer todos los clculos desde el punto 1 con el modelo para el estado
contrario.
El modelo puede completarse mediante la adicin de nuevos parmetros que incluyan efectos no contemplados
en la teora bsica. Por ejemplo, algunos modelos empleados en los programas simulacin por ordenador
constan de hasta quince parmetros. Sin embargo, a la hora de realizar clculos sobre el papel resulta poco
prctico. Por ello es habitual realizar simplificaciones del modelo para obtener soluciones de modo ms simple.

Mtodo grfico
El procedimiento para el clculo sera ahora:
Eliminar el diodo del circuito.
Calcular el circuito equivalente Thevenin entre los puntos en los que se encontraba conectado el diodo.
Dibujar la recta de carga correspondiente al circuito Thevenin calculado.
Dibujar en el mismo grfico la curva caracterstica del diodo.
Hallar el punto de interseccin de ambas curvas.

Pequeas seales de alterna
Los circuitos en los cuales las excitaciones son suma de una componente continua y otra alterna de pequea
amplitud se resuelve aplicando el principio de superposicin (Figura 20).
El mtodo se resume en los siguientes puntos:
Anlisis DC del circuito: Se cortocircuita la fuente de AC y se calcula por cualquiera de lo mtodos anteriores el
punto de operacin del diodo.
Clculo de la resistencia dinmica del diodo, basndose en los resultados del punto anterior
Anlisis AC del circuito: Se cortocircuitan las fuentes DC y se sustituye el diodo por su resistencia dinmica. De
ese modo se obtiene el circuito equivalente AC, vlido para el clculo de las amplitudes de las oscilaciones de
las seales.

OPERACIN BSICA
y ON o baja impedancia. La regin I es la regin de alta impedancia (OFF) y la III, la regin de baja
impedancia. Para pasar del estado OFF al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar Vs, tensin de
conmutacin. La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese se
incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver al
estado OFF, se disminuye la corriente hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su
impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la

regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I (Punto A). Vrb es la tensin inversa de avalancha.
Cuando se aplica un voltaje positivo de polarizacin al nodo respecto al ctodo, se muestra en la figura 6.4 (b),
las uniones base-emisor de los Q1 y Q2 (uniones pn 1 y 3 en la figura 3.1 (a)) estn polarizadas en directa y la
unin comn base-colector (unin pn 2 en la figura 6.2 (a)) est polarizado en inversa. En consecuencia, ambos
transistores equivalentes estn en la regin lineal. Para valores bajos de voltaje de polarizacin en directa, se
establece una ecuacin para la corriente del nodo de la manera siguiente, usando las relaciones ordinarias del
transistor. En niveles de corriente bajos el alfa del transistor es muy pequea. Por consiguiente, en niveles de
polarizacin bajos hay muy poca corriente del nodo en el diodo Shockley, as se encuentra en apagado o en la
regin de bloqueo directo.

CARACTERSTICAS
CARACTERISTICA TENSION-INTENSIDAD
Para valores negativos del voltaje aplicado, como en un diodo, slo
habr una corriente muy pequea hasta que se alcance la tensin de
ruptura (VRB).
En polarizacin positiva, se impide el paso de corriente hasta que se
alcanza un valor de tensin VB0. Una vez alcanzado este punto, el
diodo entra en conduccin, su tensin disminuye hasta menos de un
voltio y la corriente que pasa es limitada, en la prctica, por los
componentes externos. La conduccin continuar hasta que de algn
modo la corriente se reduzca por debajo de la corriente de
mantenimiento IH.
La corriente que puede atravesar el dispositivo en polarizacin directa tiene un lmite impuesto por el propio
componente (IMAX), que si se supera llevar a la destruccin del mismo.
Por esta razn, ser necesario disear el circuito en el que se instale este componente de tal modo que no se
supere este valor de corriente. Otro parmetro que al superarse puede provocar la ruptura del dispositivo es
VRB, ya que provocara un fenmeno de avalancha similar al de un diodo convencional.
APLICACIONES:
APLICACIN 1: LUZ INTERMITENTE DE
AVERIA
Tres transistores y un interruptor de silicio unilateral
Ql encienden 32-cp lmparas fiablemente. Por detrs
del vehculo una luz roja sealada como emergencia
es la que advierte cuando el auto se detiene por un
neumtico bajo y tiene la necesidad de cambiarlo.
Incluso opera cuando la batera auto se cae por
debajo de 10 V. Use con un cable o cordn de 20 pies que va a encajar en el encendedor de cigarrillos. Se puede
reducir la repeticin del pestaeando y la duracin de aumento de llamarada, al variar los valores de R3 y R4.
El diac puede ser empleado como detector de proximidad:
conforme el cuerpo humano se aproxime al electrodo sensor,
la capacitancia entre electrodo y tierra crecer. El PUT
(descrito ms adelante) se disparar cuando el voltaje del diac sobrepase cierto valor. Entonces se encender el
PUT y el voltaje del diac caer en forma sustancial. En ste punto se establece una corriente considerable a
travs del PUT, encendiendo el SCR. Entonces la carga reaccionar con la presencia de una persona
aproximndose.
APLICACIN 3: CIRCUITOS DE
OSCILADORES DE RELAJACIN
Tambin se aplica en circuitos de osciladores de relajacin, as: al
cerrarse el interruptor, se carga el capacitor hasta que el diodo
Shockley se dispare. En ste punto el diodo Shockley conduce y el
capacitor se descarga rpidamente; la
descarga contina hasta que la corriente
baja lo suficiente para apagar el diodo.

APLICACIN 4: DETECTOR DE SOBRETENSION
Figura 6.7. Circuito de luz Intermitente
Figura 6.8. Circuito de luz Intermitente
Figura 6.9. Circuito de luz
Intermitente

En esta aplicacin, se ha seleccionado un diodo Shockley con una tensin de conduccin de 10 V. Por tanto, si
la tensin de la fuente es correcta, es decir, de 9 V, el diodo est
abierto, no circula corriente por l y la lmpara estar apagada.
Pero si la tensin de la fuente supera por un fallo en su
funcionamiento una tensin de 10 V, el diodo entra en saturacin y
la lmpara se enciende. Permanecer encendida (y el diodo
cerrado) aunque la tensin vuelva a 9V, mostrando de esta
manera que ha habido un fallo. La nica forma de apagar la
lmpara sera desconectar la alimentacin.

El DIAC (DIODO DE CORRIENTE ALTERNA)
El DIAC (Diode Alternative Current) o diodo de corriente alterna es un dispositivo
bidireccional simtrico (sin polaridad) con dos electrodos principales: MT1 y MT2, y
ninguno de control. Es un componente electrnico que est preparado para conducir
en los dos sentidos de sus terminales, por ello se le denomina bidireccional, siempre
que se llegue a su tensin de cebado o de disparo.
El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseado para disparar
TRIACs y Tiristores (es un dispositivo disparado por tensin). Tiene dos terminales:
MT1 y MT2. Ver el diagrama.
El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero orientados en
formas opuesta. La conduccin se da cuando se ha superado el valor de tensin del
zener que est conectado en sentido opuesto.
El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene una pequea corriente de fuga. La conduccin aparece
cuando la tensin de disparo se alcanza.

Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el DIAC se reduce y entra en conduccin dejando pasar la
corriente necesaria para el disparo del SCR o TRIAC. Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de
potencia mediante control de fase. La curva caracterstica del DIAC se muestra a continuacin.

FUNCIONAMIENTO
El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie,
pero orientados en formas opuesta. La conduccin se da cuando se
ha superado el valor de tensin del zener que est conectado en
sentido opuesto. El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene
una pequea corriente de fuga. La conduccin aparece cuando la
tensin de disparo se alcanza. Cuando la tensin de disparo se
alcanza, la tensin en el DIAC se reduce y entra en conduccin
dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o
TRIAC. Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de potencia mediante control de fase.

En la curva caracterstica se observa que cuando:
+V o - V es menor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un circuito abierto
+V o - V es mayor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un cortocircuito
Sus principales caractersticas son:
Tensin de disparo
Corriente de disparo
Tensin de simetra (ver grafico anterior)
Tensin de recuperacin
al nivel de umbral del TRIAC(punto en el cual el triac no sabe si conducir o no), obtendremos lo que se conoce
como QUADRAC. Este dispositivo se consigue ya integrado dentro de encapsulados iguales a los de los triac,
estos se reconocen por la referencia, por ejemplo: Q4006LT. El nmero 400 seanla el voltaje del triac, el 6
indica la corriente de trabajo en amperios, y las letras LT significan que tienen DIAC incluido en el gate.
Figura 6.10. Detector de sobretensin
Figura 7.1. Smbolo
del DIAC


Disipacin de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar potencia de 0.5 a 1 watt.)
El DIAC est diseado como un transistor sin conexin de base, y cuando se lo alimenta con una tensin
superior a VBR, se produce una ruptura. En un diodo comn, la tensin permanecera constante a medida que la
corriente aumenta, pero en el DIAC la accin del transistor hace reducir a la tensin a medida que la corriente
aumenta. Esto le da a la caracterstica una resistencia negativa , como se puede ver en la Fig. 7.2.
El DIAC es simtrico y por lo tanto posee la misma caracterstica para las tensiones negativas. Es la resistencia
negativa lo que lo hace apropiado como disparador de un SCR o un TRIAC. Para comprobar lo expresado
anteriormente, asegrese de haber montado el circuito como se
demuestra en el Diagrama de Conexiones y de que el mismo
coincida con el circuito de la Fig. 7.4
Configure la alimentacin variable en dc en cero y alimente las
fuentes
Lentamente aumente la tensin variable en dc hasta que la forma de
onda en Y2 aparezca repentinamente; el DIAC 'se enciende'.
Observe el rpido incremento de VR producido por la
resistencia negativa. Vea la Fig. 7.5
Mida VBR y VR en el osciloscopio. VBR es la tensin de ruptura del DIAC, y VR es la tensin de carga y la
corriente inmediata despus de encenderse el DIAC. La tensin inmediata despus de haberse encendido es de
1000 VBR VR.
A partir de estos nmeros es posible formular la caracterstica del DIAC como se ve en la Fig. 7.6. La Fig. 7.6
muestra la condicin anterior al encendido y Q muestra la condicin posterior. Los valores expresados no son
necesariamente los correctos.

Construccin bsica y smbolo del DIAC
En la construccin de estos dispositivos no se requiere que el
transistor tenga una (beta) grande, pues esto implica que el ancho
de la base sea pequeo, lo que ocasionara que al pasar una
corriente apreciable sta se daara. Se requiere precisamente que el
rea transversal de las tres capas sea igual y de preferencia grande
para que el dispositivo pueda soportar corrientes y pueda aplicarse
como dispositivo de disparo o proteccin.
Principio de Operacin y Curva Caracterstica
La operacin del DIAC consiste fundamentalmente en llevar la estructura NPN hasta un voltaje de ruptura
equivalente al BVCEO del transistor bipolar. Debido a la simetra de construccin de este dispositivo, la ruptura
puede ser en ambas direcciones y debe procurarse que sea la misma magnitud de voltaje. Una vez que el
dispositivo empieza a conducir corriente sucede un decremento en el voltaje de ruptura BVCEO, presentando
una regin de impedancia negativa (si se sigue aumentando la corriente puede llegar hasta la segunda ruptura),
entonces se logra que el dispositivo maneje corrientes muy grandes.
Como se ilustra en la figura 7.6, en este dispositivo se tiene siempre una pendiente negativa, por lo cual no es
aplicable el concepto de corriente de sustentacin. La conduccin ocurre en el DIAC cuando se alcanza el
voltaje de ruptura, con cualquier polaridad, a travs de las dos terminales. La curva de la figura 7.6 ilustra esta
caracterstica. Una vez que tiene lugar la ruptura, la corriente fluye en una direccin que depende de la polaridad
del voltaje en las terminales. El dispositivo se apaga cuando la corriente cae abajo del valor de retencin.
El circuito equivalente de un DIAC consiste en cuatro transistores dispuestos como se ilustra en la figura 7.7 (a).
Cuando el DIAC esta polarizado como en la parte (b), la
estructura pnpn desde A1 a A2, proporciona la operacin del
dispositivo con cuatro capas. En el circuito equivalente, Q1 y
Q2 estn polarizados en directa y los Q3 y Q4 en inversa. El
dispositivo opera en la porcin derecha superior de la curva
caracterstica de la figura 7.6, bajo esta condicin de
polarizacin. Cuando el DIAC est polarizado como se muestra
Figura 7.3. Simbolos Alternativos del DIAC

en la figura 7.7 (c), la estructura pnpn, desde A2 a A1, es la que se usa.
CONSTITUCIN
Es un dispositivo semiconductor de dos terminales de estructura similar a la del transistor que presenta cierto
tipo de conductividad biestable en ambos sentidos. Cuando las tensiones presentes en sus terminales son
suficientemente altas se utiliza principalmente junto a los triacs que para el control en fase de los circuitos. Es
un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente slo tras haberse superado su tensin de disparo, y
mientras la corriente circulante no sea inferior al valor caracterstico para ese dispositivo. El comportamiento es
fundamentalmente el mismo para ambas direcciones de la corriente. La mayora de los DIAC tienen una tensin
de disparo de alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamiento es similar
(pero controlado de forma mucho ms precisa y a una tensin menor) a una
lmpara de nen.
DIAC

El DIAC (DIodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor de dos conexiones. Es un diodo
bidireccional disparable que conduce la corriente slo tras haberse superado su tensin de disparo, y mientras la
corriente circulante no sea inferior al valor caracterstico para ese dispositivo. El comportamiento es
de disparo de alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamineto es similar a una lmpara de nen. Este
dispositivo est formado por dos diodos PNPN contrapuestos, de forma que ofrece la caracterstica de uno de
estos diodos pero en las dos direcciones de conduccin, segn se indica en el diagrama de la figura adjunta. Es
decir, para conducir en cualquiera de las dos direcciones se debe superar una tensin de ruptura (una positiva y
otra negativa), y para dejar de conducir, la corriente debe bajar por debajo de una valor IH. Este es un
dispositivo controlado por voltaje, el cual se comporta como dos diodos zener puestos en contraparalelo, como
ya lo digimos: cuando el voltaje de cualquier polaridad entre sus dos terminales excede el valor especificado,
entra en avalancha y disminuye su resistencia interna a un valor muy bajo. Esto significa que, si es colocado en
paralelo con la salida de una fuente de corriente alterna podr recortar todos los picos positivos y negativos que
pasen del voltaje del umbral del diac. Si es puesto en serie, solamente dejar pasar corriente cuando lleve ms
tensin que la del gatillado para triacs en circuitos de corriente alterna.

El dispositivo tiene un rango simtrico de conmutacin(en ambos sentidos) de 20 a 40 voltios, tensin que
usualmente excede el punto de umbral del gate de los triacs, de tal forma que estos trabajan siempre en un nivel
seguro. Si bien es cierto que el SCR se puede acondicionar para el manejo de cargas alimentadas con corriente
alterna, es un hecho que tal cosa no es del todo prctica ni econmica. Si se colocan 2 SCR en contraparalelo se
necesitan dos circuitos de control independientes para el manejo de sus compuertas, lo cual le resta precisin al
diseo y por ende, aumenta los riesgos de fallas. El diseo de los primeros TRIACs fue la respuesta a la
necesidad industrial de dispositivos tiristores que pudieran controlar en fase todo el ciclo de una onda de
corriente alterna, incorporando las funciones de 2 SCRs dentro de una sola pastilla semiconductora, y ambos
controlados por un solo gate. Las caractersticas de compuerta(gate) del TRIAC son muy diferentes de aquellas
para dos SCR en contraparalelo, para los SCR, se debe aplicar una seal positiva de control entre el Gate 1 y el
terminal principal 1 cuando el terminal Principal 1 es negativo, y entre el Gate 2 y el terminal Principal 2 sea
negativo.

Este mtodo de operacin requiere de dos circuitos separados de compuerta.
En el TRIAC, el Gate 1 y el Gate 2 estn conectados juntos y se pueden operar con solamente un circuito de
control conectado entre las compuertas y el terminal Principal 1. El modo ms fcil de gatillado para control de
corriente alterna, se obtiene polarizando positivamente el terminal de compuertas cuando el Terminal Principal
1 sea positivo. En otras palabras, par poner en conduccin en ambos sentidos al TRIAC basta con darle al gate
un poco de seal de la misma corriente(polaridad) que haya en ese momento en el Terminal Principal 2. El
gatillado para control de corriente alterna tambin es posible con polarizacin negativa en el terminal de
compuertas durante ambos semiciclos. Para manejo de corriente directa, basta con suministrar al gate una seal
positiva de manera similar a como se controla un SCR.
Si ponemos en serie con el terminal del gate un dispositivo que garantice pulsos de disparo con voltaje superior
Figura 7.8. Estructura del DIAC

El DIAC es un dispositivo de disparo que puede utilizarse para generar el impulso de corriente de puerta
necesario para disparar un elemento de control, como un SCR o un TRIAC.
EL DIAC es un elemento de dos terminales y 5 capas (figura 5) diseado para dispararse cuando la tensin entre
sus terminales supera la tensin de ruptura de la unin pn central. Una vez disparado, la tensin entre sus
extremos disminuye, aunque mantiene la conduccin. Al igual que el TRIAC, el DIAC permite la conduccin
en ambos sentidos por lo que no tiene sentido distinguir entre ctodo
y nodo.

Hasta que la tensin aplicada entre sus extremos supera la tensin de
disparo VBO; la intensidad que circula por el componente es muy
pequea. Al superar dicha tensin la corriente aumenta bruscamente y
disminuyendo, como consecuencia, la tensin anterior.
La aplicacin ms conocida de este componente es el control de un
triac para regular la potencia de una carga.
Los encapsulados de estos dispositivos suelen ser iguales a los de los
diodos de unin o de zener.
Los diacs son dispositivos de disparo usados en circuitos de control de la fase para proporcionar pulsos de
puerta a un triac o SCR. Son dispositivos de silicio bidireccionales disparados por tensin dentro de
encapsulados DO-35 de terminal axial de vidrio y encapsulados DO-214 de montaje en superficie. Las
selecciones de tensin del diac de 27 V a 70 V proporcionan pulsos de disparo ajustados de manera prxima en
simetra en los puntos de irrupcin positiva y negativa para minimizar la componente de CC en el circuito de
carga.
Algunas aplicaciones incluyen disparadores de puerta para controles de iluminacin, interruptores, circuitos de
pulso de potencia, referencias de tensin en circuitos de potencia CA y disparadores triac en control de
velocidad de motores.
Este es un dispositivo controlado por voltaje, el cual se comporta como dos diodos zener puestos en
contraparalelo, como ya lo digimos: cuando el voltaje de cualquier polaridad entre sus dos terminales excede el
valor especificado, entra en avalancha y disminuye su resistencia interna a un valor muy bajo. Esto significa
que, si es colocado en paralelo con la salida de una fuente de corriente alterna podr recortar todos los picos
positivos y negativos que pasen del voltaje del umbral del diac.

Si es puesto en serie, solamente dejar pasar corriente cuando lleve ms tensin que la del gatillado para triacs
en circuitos de corriente alterna. El dispositivo tiene un rango simtrico de conmutacin(en ambos sentidos) de
20 a 40 voltios, tensin que usualmente excede el punto de umbral del gate de los triacs, de tal forma que estos
trabajan siempre en un nivel seguro.

Los DIAC son una clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los
triac, otra clase de tiristor. Es un dispositivo semiconductor de dos terminales,
llamados nodo y ctodo. Acta como un interruptor bidireccional el cual se
activa cuando el voltaje entre sus terminales alcanza el voltaje de ruptura,
dicho voltaje puede estar entre 20 y 36 volts segn la referencia.
Existen dos tipos de DIAC:
DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexin de base y
con las regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo
permanece bloqueado hasta que se alcanza la tensin de avalancha en la unin
del colector. Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transistor conductor, producindose un efecto
regenerativo. Al ser un dispositivo simtrico, funciona igual en ambas polaridades, intercambiando el emisor y
colector sus funciones.
DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en antiparalelo, lo que le da la caracterstica
bidireccional.
Su aplicacion tiene como dispositivo de disparo bidireccional para el TRIAC.

Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de dos terminales que funciona
bsicamente como dos diodos Shockley que conducen en sentidos opuestos.

Figura 12: Construccin bsica y smbolo del diac
La curva de funcionamiento refleja claramente el comportamiento del
diac, que funciona como un diodo Shockley tanto en polarizacin
directa como en inversa.
Cualquiera que sea la polarizacin del dispositivo, para que cese la
conduccin hay que hacer disminuir la corriente por debajo de la
corriente de mantenimiento I
H
. Las partes izquierda y derecha de la
curva, a pesar de tener una forma anloga, no tienen por qu ser
simtricas.

Bsicamente es un par de Diodos de cuatro capas en paralelo que
permite el disparo en cualquier direccin.
El Diac no conduce hasta que el voltaje a travs de l excede el voltaje de rompimiento a saturacin en cualquier
direccin
El DIAC es un dispositivo de cuatro capas que puede conducir en ambas direcciones (bilaterales). En la figura
2.2 se muestra la construccin bsica y el smbolo esquemtico del DIAC. La ruptura ocurre en un voltaje
relativamente bajo en ambos sentidos, despus de la cual el DIAC exhibe una resistencia negativa, elevndose la
corriente rpidamente y disminuyendo el voltaje hasta un valor de servicio inferior, como se muestra en la figura
2.2.
El DIAC es un dispositivo de dos terminales que se conoce como diodo de conmutacin bidireccional. Este
dispositivo se construye bsicamente de tres capas semiconductoras y utiliza el principio de ruptura de un
transistor bipolar, aunque se disea de manera de que al suceder la segunda ruptura del transistor el dispositivo
no se dae y pueda conducir corrientes considerablemente mayores.
Dispositivo semiconductor de dos terminales de estructura similar a la del transistor que presenta cierto tipo de
conductividad biestable en ambos sentidos. Cuando las tensiones presentes en sus terminales son
suficientemente altas se utiliza principalmente junto a los triacs que para el control en fase de los circuitos.
Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de dos terminales que funciona
bsicamente como dos diodos Shockley que conducen en sentidos opuestos.
La curva de funcionamiento refleja claramente el comportamiento del diac, que funciona como un diodo
Shockley tanto en polarizacin directa como en inversa.
Cualquiera que sea la polarizacin del dispositivo, para que cese la conduccin hay que hacer disminuir la
corriente por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Las partes izquierda y derecha de la curva, a pesar de
tener una forma anloga, no tienen por qu ser simtricas.

El DIAC, o diodo de disparo, es un dispositivo de dos terminales que se puede disparar en cualquier direccin.
El dispositivo opera en la regin inversa y la ruptura se produce en cualquier direccin cuando la tensin
aumenta hasta el nivel necesario. Estos dispositivos se utilizan a menudo en el circuito de compuerta de un SCR
para empezar la accin de compuerta.
Bsicamente es un par de Diodos de cuatro capas en paralelo que permite el disparo en cualquier direccin.
El Diac no conduce hasta que el voltaje a travs de l excede el voltaje de rompimiento a saturacin en cualquier
direccin ste sera el acomodo bsico de las capas del semiconductor del Diac, junto con un smbolo grfico.
Observa que ninguna terminal esta mencionada como ctodo, en vez de ello hay nodo 1 y nodo 2. Si v tiene la
polaridad indicada, entonces el Diodo izquierdo conduce cuando la v trata de exceder el voltaje de rompimiento
a saturacin. En este caso el cerrojo izquierdo se cierra. Si es opuesta, el cerrojo de la derecha se cierra cuando v
intentara exceder el voltaje de rompimiento a saturacin.Las caractersticas del dispositivo, ya presentadas,
muestran claramente que hay un voltaje de ruptura en ambas direcciones. Esta posibilidad de una condicin de
encendido en cualquier direccin puede usarse al mximo para
aplicaciones en AC.

Para la unidad que aparece arriba, los voltajes de ruptura estn muy
cercanos en magnitud, pero pueden variar en un mnimo de 28 V a un
mximo de 42 V. Estn relacionados por las siguiente ecuacin.
V
BR1
= V
BR2
0.1V
BR2


Los niveles de corriente (I
BR1
e I
BR2
), tambin estn muy cercanos en magnitud para cada dispositivo. Para la
unidad de la figura, ambos niveles de corriente son cerca de 200 mA = 0.2 mA.

El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor de dos conexiones. Es un diodo
de disparo de alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamiento es similar a una lmpara de nen.
Los DIAC son una clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los triac, otra clase de tiristor.
Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados nodo y ctodo. Acta como un interruptor
bidireccional el cual se activa cuando el voltaje entre sus terminales
alcanza el voltaje de ruptura, dicho voltaje puede estar entre 20 y 36
volts segn la referencia.
Es un componente de dos terminales que permite la conduccin de
corriente en ambos sentidos sobrepasando cierto umbral de
tensin. El diac (diffused silicon AC trigger diode) tiene una
estructura hbrida entre la de un transistor y la de dos tiristores en
antiparalelo (Smbolo en la Figura).

Circuito dimmer con SCR o Triac, cebado por Diac.
Si se aumenta la tensin entre nodos en cualquier sentido se llega a producir un fenmeno de ruptura similar a
la ruptura primaria de un transistor. Es un componente especialmente ideado para realizar circuitos de disparo
sencillos para Triacs funcionando en control de fase de onda completa. Puede emplearse tambin para disparo
de tiristores. Casi todos los circuitos de disparo que lo emplean descargan un condensador sobre la puerta del
componente a disparar a travs del diac como en el circuito de la Figura.
DIAC de tres capas

Existen dos tipos de diac.
DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexin de base y con las regiones de colector y
emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece bloqueado hasta que se alcaza una tensin de
avalancha en la unin del colector. Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transistor conductor,
producindose un efecto regenerativo. Al ser un dispositivo simtrico, funciona igual en ambas polaridades,
intercambiando el emisor y colector sus funciones.
DIAC de cuatro capas.
Consiste en dos diodos shockkley conectados en antiparalelo lo que le da la caracterstica bidireccional.
Diac (Diode Alternative Current): dispositivo bidireccional simtrico (sin polaridad) con dos electrodos
principales, MT1 y MT2, y ninguno de control (Fig.1.a).
Su estructura es la representada en la figura 1.b.
En la curva caracterstica tensin-corriente (Fig. 1.c) se observa que:
V(+ ) < VS el elemento se comporta como un circuito abierto.
V(+ ) > VS el elemento se comporta como un cortocircuito.
Se utilizan para disparar esencialmente a los triacs.

Bobina de Ruhmkorff
En los laboratorios de fsica experimental de nivel universitario bsico, se realizan prcticas de espectroscopa
en las que se emplean tubos de descarga en gases, los que para producir el arco voltaico necesitan una tensin
del orden de 10 KV. Es muy comn recurrir a los carretes de Ruhmkorff para obtener esta tensin, sin embargo,
stos presentan habitualmente una serie de problemas, que analizaremos ms adelante, los cuales obligan a
reemplazarlos por sistemas ms modernos.
Se propone realizar una modificacin sencilla al equipo para seguir usndolo en forma casi original, rescatando
un elemento que el alumno puede utilizar como caja transparente , es decir en la cual se visualizan las leyes del
electromagnetismo que intervienen, frente a generadores de alta tensin, ms modernos, pero con la desventaja
de ser usados como caja negra , que el estudiante emplea sin saber lo que ocurre en su interior (Colombo de
Cudmani, L., 1989).
Se denomina Bobina de Ruhmkorff a un transformador que permite obtener alta tensin a partir de una fuente de
baja tensin en base a fenmenos de induccin electromagntica (Fig.1). El mismo esta compuesto por una
bobina llamada primaria (arrollada sobre un ncleo de hierro laminado), un arrollamiento secundario de gran

nmero de espiras y un interruptor automtico (o contacto mvil) que abre y cierra en forma cclica el circuito
[E. Lamla, 1947].
El elevado valor de la tensin inducida en el secundario se debe a la brusca variacin de la corriente primaria y a
la alta relacin de vueltas entre ambos bobinados. Valores tpicos son del orden de 100 y 1000 vueltas para el
primario y secundario respectivamente. En paralelo con el contacto mvil k hay una capacidad C, cuyo objeto es
el de evitar el chisporroteo en el contacto y lograr la mxima tensin inducida. La corriente del bobinado
primario, interrumpida por el contacto k, es muy intensa, del orden
de 5A, para valores ms usuales.

Uno de los problemas que presenta el sistema original de las
bobinas de Ruhmkorff es que la chispa en el contacto k no puede
ser evitada ni con el capacitor, la que lo destruye, alterando su
funcionamiento. Esto se manifiesta como una interrupcin peridica
de la descarga en el tubo. Una solucin es limar el contacto o
platina hasta quitar la parte quemada. Si bien el problema queda
salvado momentneamente, esta operacin desgasta la capa de metal duro que recubre el contacto, por lo cual se
le quita vida til al mismo. Otro inconveniente son las permanentes calibraciones que deben efectuarse en el
contacto mvil para poder mantener el arco voltaico a buen nivel.
Debido a estos problemas surge la idea de hacerla funcionar independizndola del contacto mvil que hace de
interruptor.

Circuito Propuesto
Se propone un circuito elctrico oscilante que produzca una variacin brusca de la corriente primaria a fin de
obtener la tensin inducida necesaria en el secundario. Luego de algunos ensayos se opt por utilizar el llamado
oscilador de relajacin, que se esquematiza en la Fig. 2.
El capacitor C se carga con una constante de tiempo R1C hasta un determinado valor de tensin, al cual
llamamos U, que una vez alcanzado cierra la llave a (Apndice 1) as circula una corriente Ib a travs del
primario de la bobina B sta crece hasta tomar un valor mximo, para luego disminuir y provocar la apertura de
la llave a, interrumpindose la corriente, de esta manera se reinicia el ciclo de carga. La constante de tiempo de
la descarga estar dada por R2L, donde R2 involucra la parte resistiva de la bobina primaria y la resistencia de
contacto de la llave a, L es el valor de la inductancia de la bobina.

Configuracin circuital adoptada
En base al principio bsico de funcionamiento del oscilador descrito en pargrafo anterior, el circuito adoptado
es el que se muestra en la Fig. 3.
El diodo rectificador D carga el capacitor C hasta un valor positivo de tensin. A causa del divisor constitudo
por las resistencias R2 y R3 aparece en el punto X una tensin que dispara (o sea que cierra) al DIAC D1
(Apndice 2) y ste, a su vez, por medio de la compuerta (G) activa el TIRISTOR T, haciendo conducir
corriente por el primario de la bobina, debido a la descarga del capacitor.
La tensin inducida en el secundario es Us = KNU, donde N es la relacin de vueltas de los arrollamientos
primario y secundario respectivamente, K involucra el valor de la capacidad C y la inductancia de fuga del
bobinado primario. El valor tpico de K es entre 1 y 1,5(adim). Se puede ver en el esquema elctrico la
simplicidad del circuito en cuestin pues lleva slo tres elementos semiconductores, un diodo rectificador (D),
un diac (Di) y un tiristor (T) La resistencia R1 desarrolla una potencia del orden de los 80 W. En general no es
posible conseguir ese valor de potencia por lo cual se hace necesario un arreglo serie/paralelo de cuatro
resistencias de 470 de 25 vatios cada una, como se indica en la Fig. 4.

Desde luego el sistema cuenta con un interruptor para su puesta en funcionamiento, una luz testigo de nen y un
cordn de alimentacin a 220 V de la red. Se debe prestar especial cuidado con la aislacin del bobinado
primario del carrete, as como en los contactos que sern conectados al circuito oscilador, pues el sistema est
directamente alimentado de la red de 220 V.
Puede parecer que el hecho de reemplazar el contacto mvil por un circuito de disparo electrnico introduce de
nuevo una caja negra para el estudiante. Sin embargo, la sencillez del circuito propuesto permite mantener en
forma original el principio de funcionamiento de la bobina.
Retomar el uso de los carretes de Ruhmkorff en las experiencias que se realizan en los laboratorios
introductorios de las carreras de ingeniera presenta una serie de ventajas importantes, ya que orientan al
estudiante hacia el aprendizaje significativo de la Fisica.
En efecto:

-Los instrumentos y equipas no aparecen como cajas negras cura nico objetivo es el manejo de diales.
-se rescatan los principias fsicos involucrados en ellos.
-se introduce a los estudiantes en el manejo de circuitos electrnicos.
-el uso de los carretes para la alimentacin de los tubos de descarga, con la modificacin sealada en el trabajo,
permite economizar tiempo, dinero Y esfuerzo pues por un lado se trabaja con un equipo de alimentacin de
menor casta y por el otro, basta con cerrar un interruptor para iniciar la descarga en el tubo, evitndose de este
modo complicadas Y delicadas calibraciones.
El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor de dos conexiones. Es un diodo
de disparo de alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamiento es similar a una lmpara de nen.
Los DIAC son una clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los triac, otra clase de tiristor.
Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados nodo y ctodo. Acta como un interruptor
bidireccional el cual se activa cuando el voltaje entre sus terminales alcanza el voltaje de ruptura, dicho voltaje
puede estar entre 20 y 36 volts segn la referencia.
DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexin de base y con las
regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece bloqueado
hasta que se alcanza la tensin de avalancha en la unin del colector. Esto inyecta corriente
en la base que vuelve el transistor conductor, producindose un efecto regenerativo. Al ser
un dispositivo simtrico, funciona igual en ambas polaridades, intercambiando el emisor y colector sus
funciones.
DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en
antiparalelo, lo que le da la caracterstica bidireccional.

Oscilador de relacin con DIAC
El circuito de la figura 6 se comporta como un oscilador de relajacin que
aprovecha los cambios de estado del DIAC. Supongamos en principio que el
condensador se encuentra descargado y el DIAC, por lo tanto, est en su
estado de bloqueo. Al conectar la fuente, el condensador se cargar con una
constante de tiempo t = RC. El proceso de carga durar hasta que la
diferencia de potencial en los extremos del condensador iguale la tensin de
disparo V
B0
del DIAC. EN este momento, el DIAC se disparar, con lo que
la corriente en el DIAC aumentar y la tensin entre sus extremos ser
aproximadamente V
F
.

Esta situacin permanecer hasta que la corriente en el DIAC disminuya de tal forma que vuelva a su estado de
bloqueo; es decir, hasta que el condensador se descargue. Puesto que la descarga del condensador se produce a
travs del DIAC en estado de conduccin, la descarga es prcticamente instantnea. Obsrvese que en el estado
estacionario el condensador inicia el proceso de carga partiendo de una tensin aproximadamente igual a V
F
.
Durante la carga, suponiendo en el instante inicial que el condensador se encuentra a potencial V
F
, la tensin del
condensador viene dada por:

El periodo de la oscilacin corresponder al tiempo necesario para que V
C
(t) alcance el valor de la
tensin de disparo V
B0
.

TRIAC

El TRIAC (Triode of Alternating Current) es un tiristor bidireccional de tres terminales. Permite el paso de
corriente del terminal A1 al A2 y vivecersa, y puede ser disparado con tensiones de puerta de ambos signos.
El triac (triodo de corriente alterna) es un componente con tres terminales y derivado del tiristor, que puede
considerarse elctricamente como dos tiristores en antiparalelo.
Presenta, sin embargo, dos ventajas fundamentales sobre este circuito equivalente:
El circuito de control resulta mucho ms sencillo al no existir ms que un electrodo de mando.
Puede bascular al estado conductor independientemente de la polaridad de la tensin aplicada al terminal de
control. Al igual que ocurra en el tiristor, el paso del estado de bloqueo al estado conductor slo se realiza por
aplicacin de un impulso de corriente en el electrodo de mando; y el paso del estado conductor al estado de

bloqueo se produce por aplicacin de una tensin de polaridad inversa, o por la disminucin de la corriente por
debajo del valor de mantenimiento IH, siendo este ltimo el caso ms utilizado.
En la Figura 11.16 se representa su estructura interna, formada por seis capas de semiconductor, y su smbolo
ms usual. Los electrodos a los que se aplica la tensin principal a controlar se les denomina nodo 2 (A2) o
terminal 2, y nodo 1 (AJ o terminal I; al electrodo de control se le denomina puerta (G). El paso de la corriente
principal se efectuar entre A2 y Al, siendo el circuito de control el formado por G y A1.
El triac es un semiconductor de tres terminales, dos principales (E1, E2) y otro de control denominado puerta
(G). Este dispositivo tiene la capacidad de controlar el paso de corriente en ambas direcciones, por tanto se
puede decir que se trata de un dispositivo bidireccional, por lo que es muy utilizado en la regulacin de corriente
alterna. En la figura, aparece representado su smbolo electrnico.
El triac presenta la ventaja de poder pasar al estado de conduccin, tanto para tensiones negativas como
positivas. Una forma simple de describir su comportamiento, es comparndolo con dos tiristores conectados en
antiparalelo como se ve en la figura.
Es ms fcil controlar a un triac que a dos tiristores, pero cuando la potencia que se debe controlar es excesiva
para las caractersticas del triac (la potencia mxima que puede disipar es reducida), se puede sustituir por dos
tiristores, colocados en antiparalelo como se representa en la figura.
El triac es sensible a bajos valores de dV/dt y dI/dt, por tanto se puede decir que el dispositivo tiene baja
velocidad de conmutacin, (frecuencia de trabajo entre 50 y 60Hz). El lmite de frecuencia para este tipo de
dispositivos est en torno a los 400Hz.
Cuando se trabaja con corriente alterna, es interesante poder controlar los dos sentidos de circulacin de la
corriente. Evidentemente, con un SCR, slo podemos controlar el paso de corriente en un sentido. Por tanto uno
de los motivos por el cual los fabricantes de semiconductores han diseado el TRIAC ha sido para evitar este
inconveniente. El primer TRIAC fue inventado a finales de los aos 60. Simplificando su funcionamiento,
podemos decir que un TRIAC se comporta como dos SCR en antiparalelo (tiristor bidireccional). De esta forma,
tenemos control en ambos sentidos de la circulacin de corriente.

La figura 2.10 muestra el smbolo utilizado para representar el TRIAC, as como su estructura interna en dos
dimensiones. Como se ha mencionado, el TRIAC permite la conduccin de corriente de nodo a ctodo y
viceversa, de ah que los terminales no se denominen nodo y ctodo, sino simplemente nodo 1 (A1) y nodo 2
(A2). En algunos textos dichos terminales se denominan MT1 y MT2.
Como en el caso del SCR, tenemos un terminal de control denominado puerta que nos permite la puesta en
conduccin del dispositivo en ambos sentidos de circulacin. Si bien el TRIAC tiene varios mecanismos de
encendido (con corrientes positivas y negativas), lo ms usual es inyectar corriente por la puerta en un sentido
para provocar la puesta en conduccin.

Se puede observar que presenta estado de conduccin tanto para iA positiva como negativa, y puede ser
disparada desde el estado de corte al de conduccin tanto para vA1A2 positiva como negativa. Adems, la
corriente de puerta que fuerza la transicin del estado de corte al de conduccin puede ser tanto positiva como
negativa. En general, las tensiones y corrientes necesarias para producir la transicin del TRIAC son diferentes
segn las polaridades de las tensiones aplicadas.
Una de las ventajas de este dispositivo es que es muy compacto, requiriendo nicamente un nico circuito de
control, dado que slo dispone de un terminal de puerta. Sin embargo, tal y como est fabricado, es un
dispositivo con una capacidad de control de potencia muy reducida. En general est pensado para aplicaciones
de pequea potencia, con tensiones que no superan los 1000V y corrientes mximas de 15A. Es usual el empleo
de TRIACs en la fabricacin de electrodomsticos con control electrnico de velocidad de motores y
aplicaciones de iluminacin, con potencias que no superan los 15kW. La frecuencia mxima a la que pueden
trabajar es tambin reducida, normalmente los 50-60Hz de la red monofsica. El triac es fundamentalmente una
combinacin paralela inversa de dos terminales de capas de semiconductor que permiten el disparo en cualquier
direccin con una terminal de compuerta para controlar las condiciones de encendido bilateral del dispositivo en
cualquier direccin. En otras palabras, para cualquier direccin, la
corriente de compuerta puede controlar la accin del dispositivo en una
forma muy similar a la mostrada para un SCR.

En el grfico del dispositivo Para cada direccin de conduccin posible
hay una combinacin de capas de semiconductor, cuyo estado ser
controlado por la seal aplicada a la terminal de compuerta.
El TRIAC es un dispositivo de retencin o enganche bidireccional con
funcionamiento parecido al de tener dos SCR en paralelo inverso. Su

capacidad para conducir en cualquier sentido lo hace adecuado para controlar la potencia en las cargas de CA.
Sin embargo, los TRIAC tienen capacidad de corriente relativamente baja en comparacin con los SCR (< 50 A
eficaz ) y no pueden substituir a los SCR en aplicaciones de corrientes altas. El triac (triode AC conductor) es un
rectificador controlable por compuerta similar al tiristor, con la particularidad de que es capaz de conducir en
ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversin de la tensin o al disminuir la corriente por debajo del valor
de mantenimiento.
Se puede considerar a un triac como si fueran dos tiristores conectados en paralelo y en oposicin (antiparalelo),
con una conexin de compuerta comn que controla el cebado de ambos. Es un componente simtrico en cuanto
a conduccin y estado de bloqueo se refiere. Dado que es un dispositivo bidireccional, no es posible identificar
sus terminales como nodo y ctodo, llamndoselos simplemente T1 y T2.
El triac tiene fugas en bloqueo y cada de tensin en conduccin prcticamente iguales a las de un tiristor y el
hecho de que entre en conduccin, si se supera la tensin de ruptura en cualquier sentido, lo hace inmune a
destruccin por sobretensin.

No es necesario que esten presentes ambas polaridades en las seales de la compuerta y un triac puede ser
En la prctica, la sensibilidad vara de un cuadrante a otro. El triac normalmente opera en el cuadrante I (tensin
y corriente de compuerta positivos) o en el cuadrante III (tensin y corriente de compuerta negativos). El triac
puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicacin entre los terminales puerta
y T1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el
circuito de disparo. Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variacin de tensin importante al triac (dv/dt)
an sin conduccin previa, el triac puede entrar en conduccin directa. Cuando se encuentra en conmutacin la
dv/dt puede producir tambin el cebado. En lo referente a la variacin di/dt aparecen dificultades idnticas a las
de los tiristores.

El triac se desactiva automticamente cada vez que la corriente pasa por cero, por lo que con c.a. es necesario
redisparar el triac en cada semionda o bien mantenerlo con la seal de control activada durante el tiempo que se
considere oportuno. Al igual que el tiristor tiene dos estados de funcionamiento: bloqueo y conduccin.
Conduce la corriente entre sus terminales principales en un sentido o en el inverso, por ello, al igual que el diac,
es un dispositivo bidireccional. Conduce entre los dos nodos (A1 y A2) cuando se aplica una seal a la puerta
(G).
Se puede considerar como dos tiristores en antiparalelo. Al igual que el tiristor, el paso de bloqueo al de
conduccin se realiza por la aplicacin de un impulso de corriente en la puerta, y el paso del estado de
conduccin al de bloqueo por la disminucin de la corriente por debajo de la intensidad de mantenimiento (I
H
).
La estructura y el smbolo circuital del TRIAC se muestran en la figura 3. El TRIAC es un dispositivo de 3
terminales y 5 capas, que puede entenderse, en primera aproximacin, como dos SCR conectados en
antiparalelo. Su comportamiento es similar al del SCR, con la diferencia de que puede dispararse tanto para
tensiones positivas como para tensiones negativas. Por esta razn, no se distingue entre nodo y ctodo, sino
que sus terminales se designan por A
1
, A
2
(nodos) y G (puerta). La principal aplicacin del TRIAC es el
control de seales de baja potencia en circuitos de corriente alterna. Las caractersticas estticas del TRIAC se
muestran en la figura 4. Prescindiendo del estado de bloqueo, en el que la corriente del TRIAC es prcticamente
nula, se distinguen 4 modos de funcionamiento dependiendo de los signos de las diferencias de tensin V
A1A2
y
V
GA2
. El valor de la corriente de puerta mnima de disparo depende de en qu modo de operacin trabaje el
TRIAC. Un estudio detallado de estos modos de operacin puede encontrarse en la referencia 1. Est formado
por 6 capas de material semiconductor como indica la figura.
La aplicacin de los triacs, a diferencia de los tiristores, se encuentra bsicamente en corriente alterna. Su curva
caracterstica refleja un funcionamiento muy parecido al del tiristor apareciendo en el primer y tercer cuadrante
del sistema de ejes. Esto es debido a su bidireccionalidad.
La principal utilidad de los triacs es como regulador de potencia entregada a una carga, en corriente alterna.
El encapsulado del triac es idntico al de los tiristores.

Es un dispositivo que se comporta como dos SCR conectados en contraposicin, con una compuerta de paso
comn; puede ir en cualquier direccin desde el momento en que el voltaje de ruptura se sobrepasa. El smbolo
del TRIAC se ilustra en la figura siguiente. El voltaje de ruptura en un TRIAC disminuye si se aumenta la
corriente de compuerta, en la misma forma que lo hace en un SCR, con la diferencia que un TRIAC responde
tanto a los impulsos positivos como a los negativos de su compuerta. Una vez encendido, un TRIAC permanece
as hasta que su corriente cae por debajo de IH.


Los productos triac son conmutadores bidireccionales de CA capaces de controlar cargas desde 0,8 A hasta 35 A
rms con IGT de 10 mA, 25 Ma y 50 mA en los cuadrantes operativos I, II y III. Los triacs son de utilidad en
aplicaciones de CA de onda completa para el control de potencia CA o a travs de la conmutacin de ciclo
completo o a travs del control de fase de la corriente que fluye hacia el elemento de carga. Estos triacs estn
programados para el bloqueo de tensiones en el estado OFF desde 200 V mnimo con productos seleccionados
capaces de funcionamiento a 1000 V. Las aplicaciones tpicas incluyen controles de velocidad de motores,
controles de calentadores y controles de luces incandescentes.
Si bien es cierto que el SCR se puede acondicionar para el manejo de cargas alimentadas con corriente alterna,
es un hecho que tal cosa no es del todo prctica ni econmica. Si se colocan 2 SCR en contraparalelo se
necesitan dos circuitos de control independientes para el manejo de sus compuertas, lo cual le resta precisin al
diseo y por ende, aumenta los riesgos de fallas.

El diseo de los primeros TRIACs fue la respuesta a la necesidad industrial de dispositivos tiristores que
pudieran controlar en fase todo el ciclo de una onda de corriente alterna, incorporando las funciones de 2 SCRs
dentro de una sola pastilla semiconductora, y ambos controlados por un solo gate. Las caractersticas de
compuerta(gate) del TRIAC son muy diferentes de aquellas para dos SCR en contraparalelo, para los SCR, se
debe aplicar una seal positiva de control entre el Gate 1 y el terminal principal 1 cuando el terminal Principal 1
es negativo, y entre el Gate 2 y el terminal Principal 2 sea negativo. Este mtodo de operacin requiere de dos
circuitos separados de compuerta.
En el TRIAC, el Gate 1 y el Gate 2 estn conectados juntos y se pueden operar con solamente un circuito de
control conectado entre las compuertas y el terminal Principal 1. El modo ms fcil de gatillado para control de
corriente alterna, se obtiene polarizando positivamente el terminal de compuertas cuando el Terminal Principal
1 sea positivo. En otras palabras, par poner en conduccin en ambos sentidos al TRIAC basta con darle al gate
un poco de seal de la misma corriente(polaridad) que haya en ese momento en el Terminal Principal 2.

El gatillado para control de corriente alterna tambin es posible con polarizacin negativa en el terminal de
compuertas durante ambos semiciclos. Para manejo de corriente directa, basta con suministrar al gate una seal
positiva de manera similar a como se controla un SCR.
Si ponemos en serie con el terminal del gate un dispositivo que garantice pulsos de disparo con voltaje superior
indica la corriente de trabajo en amperios, y las letras LT significan que tienen DIAC
incluido en el gate.
El TRIAC contiene seis regiones semiconductoras diferentes, y su estructura es demasiado
compleja para presentarla aqu. Simplemente se considerar que el TRIAC tiene una
estructura PNPN en ambos sentidos. El smbolo del circuito TRIAC se muestra en la figura
4.6-A. T1 y T2 son las terminales principales del interruptor, a travs de las cuales puede
fluir la corriente en cualquier sentido. La terminal T1 es la terminal de referencia, pues
respecto a ella se consideran todos los voltajes. T2 normalmente es el encapsulado o la
lengeta metlica del montaje, a los que se puede unir un disipador.
La terminal de compuerta G, controla el estado del dispositivo entre T1 y T2. Normalmente el dispositivo est
apagado y acta como un circuito abierto entre T1 y T2 . Cuando se aplican la corriente y el voltaje de
compuerta apropiados, el TRIAC engancha(retiene) el estado de conduccin para cualquier polaridad del voltaje
entre T2 y T1. Una vez que el TRIAC se ha disparado a encendido por una seal de compuerta, esta ltima
deja de ejercer control sobre el TRIAC. El dispositivo slo puede cambiarse a apagado si se reduce la
corriente a travs de T1 y T2 a un valor menor que el de la corriente de mantenimiento. La operacin del
TRIAC es muy parecida a la del SCR, salvo por su capacidad bidireccional y por el hecho de que el voltaje de
compuerta del TRIAC puede ser de cualquier polaridad para disparar al dispositivo.

Formas De Disparo
A diferencia del SCR el TRIAC posee cuatro formas posibles de disparo, las que corresponden a las diversas
polaridades de los voltajes en la compuerta y T2 respecto a T1. La tabla de la figura 3.6 incluye estas formas de
disparo junto con los valores tpicos de la corriente de CD de disparo de compuerta IGT. Los modos T2+ /G+ y
T2- /Gnormalmente requieren el valor ms bajo de IGT. El modo T2+ /G- y T2- /G+ requieren una IGT mucho
mayor. En realidad, el modo T2- /G+ rara vez se utiliza y la mayora de las tablas de datos de los TRIAC no lo
incluyen.


Es un dispositivo que se comporta como dos SCR conectados en contraposicin, con una compuerta de paso
comn; puede ir en cualquier direccin desde el momento en que el voltaje de ruptura se sobrepasa. El smbolo
del TRIAC se ilustra en la figura siguiente. El voltaje de ruptura en un TRIAC disminuye si se aumenta la
corriente de compuerta, en la misma forma que lo hace en un SCR, con la diferencia que un TRIAC responde
as hasta que su corriente cae por debajo de IH.
Se puede considerar a un TRIAC como si fueran dos SCR conectados en antiparalelo, con una conexin de
compuerta comn, como se muestra en la fig.9
Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional, no es posible identificar sus terminales como nodo y
ctodo. Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1, se activar al aplicar una seal negativa a
la compuerta, entre la compuerta y la terminal MT1.
No es necesario que esten presentes ambas polaridades en las seales de la compuerta y un TRIAC puede ser
En la prctica, la sensibilidad vara de un cuadrante a otro, el TRIAC normalmente se opera en el cuadrante I
(voltaje y corriente de compuerta positivos) o en el cuadrante III (voltaje y corriente de compuerta negativos).

Modos De Funcionamiento De Un Triac
El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III
mediante la aplicacin entre los terminales puerta y T1 de un impulso
positivo o negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y
simplifica mucho el circuito de disparo. A continuacin se vern los
fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro modos de disparo
posibles.
Modo I + : Terminal T2 positiva con respecto a T1.
Funcionan las capas P1N1P2N2 como tiristor con emisor en corto
circuito, ya que la metalizacin del terminal del ctodo cortocircuita
parcialmente la capa emisora N2 con la P2.
La corriente de puerta circula internamente hasta T1 , en parte por la
unin P2N2 y en parte a travs de la zona P2.
Se produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2 que es favorecida en el rea prxima a la puerta por la
cada de tensin que produce en P2 la circulacin lateral de corriente de puerta. Parte de los electrones
inyectados alcanzan por difusin la unin P2N1, que bloquea el potencial exterior, y son acelerados por ella
inicindose la conduccin. Modo I - : Terminal T2 positivo respecto a T1.
Intensidad de puerta saliente. El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce
la estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2.
El disparo de la primera se produce como un tiristor normal actuado T1 de puerta y P de ctodo. Toda la
estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y polariza fuertemente la unin P2N2 que inyecta
electrones hacia el rea de potencial positivo. La unin P2N1 de la estructura principal que soporta la tensin
exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar, entrando en conduccin.
Modo III + : Terminal T2 negativo respecto a T1. Intensidad de puerta entrante.
El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conduccin la estructura
P2N1P1N4. La inyeccin de electrones de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I +. Los que alcanzan por
difusin la unin P2N1 son absorbidos por su potencial de unin, hacindose ms conductora. El potencial
positivo de puerta polariza ms positivamente el rea de la unin P2N1 prxima a ella que la prxima a T1,
provocndose una inyeccin de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unin N1P1 encargada de
bloquear la tensin exterior y se produce la entrada en conduccin.

Modo III - :
Terminal T2 negativo respecto a T1. Intensidad de puerta saliente.
Tambin se dispara por el procedimiento e puerta remota, conduciendo las capas P2N1P1N4.
La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1.
La tensin positiva de T1 polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms positivamente que la prxima a la
puerta. Esta polarizacin inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unin N1P1 y la hacen pasar a
conduccin. Los cuatro modos de disparo descritos tienen diferente sensibilidad. Siendo los modos I + y III - los
ms sensibles, seguidos de cerca por el I -. El modo III + es el disparo ms difcil y debe evitarse su empleo en
lo posible. El fabricante facilita datos de caractersticas elctricas el bloqueo, conduccin y de dispar por puerta
de forma similar a lo explicado para el tiristor.


Existen cuatro modos de disparo segn se aprecia en la figura 5.51
En la figura siguiente podemos ver un regulador de corriente alterna con Triac
El TRIAC se comporta como 2 SCR en paralelo y en oposicion con sus 2 compuertas unidas, por lo quelas
caracteristicas del TRIAC en el primer y tercer cuadrante son algo diferentes. Puede ser disparado mediante
impulsos de corriente de compuerta, ya sean positivos o negativos indistintamente, y asi lograr la conduccion en
semiciclos positivos o negativos. Sus modos de control de potencia son:
CONTROL SINCRONO: Mediante la cantidad de ciclos completos para muy altas potencias de CA.
CONTROL DE FASE: Mediante el angulo de disparo o de inicio de conduccion en cada semiciclo positivo o
negativo.
Sus aplicaciones en la actualidad son: control de motores universales, control de iluminacion en CA, control
de temperatura, relevador estatico, etc.
Este dispositivo es simular al diac pero con un nico terminal de puerta (gate).
Se puede disparar mediante un pulso de corriente de gate y no requiere alcanzar el voltaje V
BO
como el diac.

Figura 14: Construccin bsica y smbolo del TRIAC.

En la curva caracterstica se indica que para diferentes disparos, es decir,
para distintas corrientes aplicadas en gate, el valor de V
BO
es distinto. En la
parte de polarizacin positiva, la curva de ms a la izquierda es la que
presenta un valor de V
BO
ms bajo, y es la que mayor corriente de gate
precisa en el disparo.
Para que este dispositivo deje de conducir, como en el resto de los casos,
hay que hacer bajar la corriente por debajo del valor I
H
.

Al igual que el SCR, se emplean para controlar la potencia suministrada a una carga. El triac puede dispararse
de tal modo que la potencia en alterna sea suministrada a la carga durante un tiempo determinado de cada ciclo.
La diferencia con el SCR es que se puede disparar tanto en la parte positiva que en la negativa del ciclo, de tal
manera que la corriente en la carga puede circular en los dos sentidos.

Figura 16 Control bsico de potencia con un Triac
El TRIAC (triode AC conductor) es un semiconductor capaz de bloquear tensin y conducir
corriente en ambos sentidos entre los terminales principales T1 y T2. Su estructura bsica y
smbolo aparecen en la fig.8. Es un componente simtrico en cuanto a conduccin y estado de
bloqueo se refiere, pues la caracterstica en el cuadrante I de la curva UT2-T1 --- iT2 es igual
a la del cuadrante III. Tiene unas fugas en bloqueo y una cada de tensin en conduccin
prcticamente iguales a las de un tiristor y el hecho de que entre en conduccin, si se supera la
tensin de ruptura en cualquier sentido, lo hace inmune a destruccin por sobretensin. Circuito equivalente de
un triac: Se puede considerar a un TRIAC como si fueran dos SCR conectados en antiparalelo, con una
conexin de compuerta comn, como se muestra en la fig.9
Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional, no es posible identificar sus terminales
como nodo y ctodo. Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1, se
activar al aplicar una seal negativa a la compuerta, entre la compuerta y la terminal MT1.
No es necesario que esten presentes ambas polaridades en las seales de la compuerta y un
TRIAC puede ser activado con una sola seal positiva o negativa de compuerta. En la
prctica, la sensibilidad vara de un cuadrante a otro, el TRIAC normalmente se opera en el
cuadrante I (voltaje y corriente de compuerta positivos) o en el cuadrante III (voltaje y
corriente de compuerta negativos).

Modos de funcionamiento de un triac:
El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la
aplicacin entre los terminales puerta y T1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una
facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. A continuacin se vern
los fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro modos de disparo posibles.
Modo I + : Terminal T2 positiva con respecto a T1.

Funcionan las capas P1N1P2N2 como tiristor con emisor en corto circuito, ya que la
metalizacin del terminal del ctodo cortocircuita parcialmente la capa emisora N2 con la P2.
La corriente de puerta circula internamente hasta T1 , en parte por la unin P2N2 y en parte a
travs de la zona P2. Se produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2 que es
favorecida en el rea prxima a la puerta por la cada de tensin que produce en P2 la
circulacin lateral de corriente de puerta. Parte de los electrones inyectados alcanzan por
difusin la unin P2N1, que bloquea el potencial exterior, y son acelerados por ella inicindose
la conduccin.

La caracterizacin de los dispositivos crecidos por IViBE se recoge en el primer apartado de este captulo, y
en el segundo se comparan dichos resultados con los obtenidos en muestras similares pero crecidas por
MOVPE. En el tercer apartado se aborda brevemente la problemtica del colapso, estudiando el efecto de una
capa tipo-p+ sobre dicho colapso, con objeto de pasivar la estructura con una eplcapa. Para ello se han utilizado
dispositivos de efecto campo de homounin (Junctlon Field Effect Transistor: JFET) basados en GaN crecidos
por PA-MBE. Dado que este fenmeno se asocia fundamentalmente a efectos superficiales, en una primera
aproximacin, su eficiencia es independiente del dispositivo, por lo que el estudio se realiz en JFET;
conceptualmente ms sencillos que los HEMT. Los dispositivos fueron crecidos, procesados y caracterizados
en la Universidad de California Santa Barbara (E.E.U.U). La caracterizacin realizada fue similar a la descrita
anteriormente para los dispositivos evaluados en el Dpto. de Ingeniera Electrnica. igura 7.1. Circuito
equivalente en pequea seal de un transistor HFET. La descripcin del comportamiento elctrico de la
heteroestructura viene dada por el circuito equivalente. En la Figura 7.1 se muestra el modelo circuital de
pequea seal bsico [Lad] [Wil90] con algunos de los parmetros caractersticos de este sistema que irn
apareciendo a lo largo de este captulo.

Transistores HEMT Crecidos por PA-VIBE

El anlisis de los dispositivos crecidos por PA-MBE se ha realizado sobre 6 obleas diferentes de AlGaN/GaN
donde se procesaron transistores HEMT. Las principales caractersticas de estas heteroestructuras se recogen en
la Tabla 7.1. Caractersticas de las estructuras HEMT crecidas por PAMBE: concentracin de Al, espesor de la
barrera (WB) y ns y XH determinadas por efecto Hall en barras Hall. Es importante recordar el limitado
tamao de las muestras crecidas por PA-IVIBE (1.7x1.7cm^), por lo que en la mayora de los casos no se hia
contado con material suficiente como para realizar diferentes procesados con una misma oblea, y obtener as
una caracterizacin estadstica.

Por ello se muestran resultados de transistores procesados con distintas mscaras (mscaras mi y m2). Una
descripcin detallada de las mscaras, as como de la tecnologa utilizada para el procesado de los dispositivos,
puede encontrarse en el capitulo 6. Como recordatorio mencionar que nominalmente la mscara m1 slo cuenta
con dispositivos en T, con WG=300 \in\ y LQ e 2, 4, 8 y 16 xm, mientras que la mscara m2 cuenta con 28
diseos diferentes, combinando geometras en U y en T, con WG= 75, 150 y 300 |^m y LG=1, 2, y 5 |am. La
utilizacin de la mscara m2, adems, permite incorporar un paso adicional de litografa por haz de electrones
para la realizacin de puertas submicrnicas (LG<1 \im). Los resultados obtenidos se presentan a continuacin
en tres grandes bloques: primero se mostrar la caracterizacin en DC, posteriormente la caracterizacin en
pequea seal de RF, y, por ltimo, la dependencia de las caractersticas de salida con la geometra del
dispositivo.

Modo I - : Terminal T2 positivo respecto a T1.

El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la estructura
auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2.
El disparo de la primera se produce como un tiristor normal actuado T1 de puerta y P de
ctodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y polariza fuertemente la
unin P2N2 que inyecta electrones hacia el rea de potencial positivo. La unin P2N1 de la
estructura principal que soporta la tensin exterior, es invadida por electrones en la vecindad
de la estructura auxiliar, entrando en conduccin. Modo III + : Terminal T2 negativo respecto a T1.
Intensidad de puerta entrante. El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en

conduccin la estructura P2N1P1N4. La inyeccin de electrones de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I
+. Los que alcanzan
por difusin la unin P2N1 son absorbidos por su potencial de unin, hacindose ms
conductora.
El potencial positivo de puerta polariza ms positivamente el rea de la unin
P2N1 prxima a ella que la prxima a T1, provocndose una inyeccin de huecos desde P2 a
N1 que alcanza en parte la unin N1P1 encargada de bloquear la tensin exterior y se produce
la entrada en conduccin. Modo III - : Terminal T2 negativo respecto a T1.
Intensidad de puerta saliente. Tambin se dispara por el procedimiento e puerta remota, conduciendo las capas
P2N1P1N4. La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1. La tensin positiva
de T1 polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms positivamente que la prxima a
la puerta. El TRIAC es un dispositivo semiconductor que tambin se basa en el diodo de cuatro capas. El
TRIAC es en esencia la conexin de dos tiristores en paralelo pero conectados en sentido opuesto y
compartiendo la misma compuerta. Posee tres terminales: A1, A2 (en este caso pierden la denominacin de
nodo y ctodo) y puerta. El disparo o cebado del TRIAC se realiza inyectando una corriente al electrodo
puerta. Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de dos terminales que
funciona bsicamente como dos diodos Shockley que conducen en sentidos opuestos. La curva de
funcionamiento refleja claramente el comportamiento del diac, que funciona como un diodo Shockley tanto en
polarizacin directa como en inversa.
Cualquiera que sea la polarizacin del dispositivo, para que cese la conduccin hay que hacer disminuir la
corriente por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Las partes izquierda y derecha de la curva, a pesar de
tener una forma anloga, no tienen por qu ser simtricas.

DISPARO CON DIAC

La utilizacin de un elemento de conmutacin como el DIAC, en conjunto con la red RC de control de fase vista
anteriormente forman un circuito capaz de generar un impulso de disparo en lugar de una seal sinusoidal. Con
esta premisa, se sabe que el tiristor no desperdiciar potencia en su compuerta.
Ahora bien, suponiendo que no se usara un DIAC para el disparo de un TRIAC, sino solo la red RC, existira
entonces un inconveniente: la constante de adelanto de la red implicara la existencia de una corriente remanente
inversa al ciclo de conduccin. Es decir, al ser el TRIAC un dispositivo que se activa en ambas polarizaciones,
cuando la seal de entrada cambiara de signo, el TRIAC tendera a activarse con una corriente de sentido
opuesto al adecuado en su compuerta, debido al desfasamiento corriente voltaje que genera la red RC, lo que
implicara un control sumamente preciso del desfasamiento que provoca la red RC para evitar dicho fenmeno.
Existe an otra ventaja importante de este circuito sobre los que se vieron con anterioridad: el DIAC, por ser un
dispositivo de disparo por voltaje, siempre se activar a la misma tensin (su voltaje de ruptura), permitiendo as
un mejor control del ngulo de disparo del pulso aplicado a la compuerta del tiristor.
Montaje del circuito
Se puede usar la red RC y un DIAC, para formar un circuito como el que
se aprecia en la figura 7.8, que constituye un circuito tpico de disparo
con DIAC.
El funcionamiento del circuito es como se indica: En el primer semiciclo
de la tensin de entrada Vs, el condensador C1 se cargar mediante la
resistencia en serie formada por R2, RL y R1. X2 es un DIAC de 30V de
voltaje de ruptura, por lo que cuando la tensin en la red RC alcance este
valor, el DIAC comenzar su conduccin, permitiendo que el
condensador descargue un pulso de voltaje y corriente sobre la
compuerta del TRIAC X1, disparndolo. El pulso durar hasta que finalice el semiciclo. Durante el siguiente
semiciclo, las polaridades de corriente en voltaje se invierten, pero el principio de operacin es el mismo, puesto
que ambos, TRIAC y DIAC son dispositivos bidireccionales. En la figura se muestra el circuito incluyendo la
red Snubber diseada previamente, que tambin puede usarse con TRIACs. En la prctica, se lograron ngulos
de disparo de poco menos de 10 hasta casi 180. Esto es posible debido a que el condensador se carga
prcticamente desde un valor de tensin cero hasta el voltaje de lnea, existiendo solo una porcin en el
comienzo de cada semiciclo en donde el condensador no tendr carga suficiente para activar al TRIAC.

CARACTERSTICAS
Figura 7.9. Circuito de Disparo
con DIAC

Sus principales caractersticas son: Tensin de disparo- Corriente de disparo Tensin de simetra (ver grafico
anterior) Tensin de recuperacin Disipacin de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar
potencia de 0.5 a 1 watt.)
Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la corriente del triac, de forma que solo
se aplica tensin a la carga durante una fraccin de ciclo de la alterna. Estos sistemas se utilizan para el control
de iluminacin con intensidad variable, calefaccin elctrica con regulacin de temperatura y algunos controles
de velocidad de motores.

MEDIDA PARA UN DIAC
Es un componente electrnico que est preparado para conducir en
los dos sentidos de sus terminales, por ello se le denomina
bidireccional, siempre que se llegue a su tensin de cebado o de
disparo (30v aproximadamente, dependiendo del modelo): Hasta
que la tensin aplicada entre sus extremos supera la tensin de
disparo VBO, la intensidad que circula por el componente es muy
pequea. Al superar dicha tensin la corriente aumenta bruscamente
y disminuyendo, como consecuencia, la tensin anterior. La
aplicacin ms conocida de este componente es el control de un triac para regular la potencia de una carga. Los
encapsulados de estos dispositivos suelen ser iguales a los de los diodos de unin o de zener. Para comprobar el
diac, lo conectamos a los terminales del probador y observamos la indicacin del polmetro:

A continuacin, se invierte la conexin del componente y se repite el procedimiento. En ambos casos la lectura
debe se similar, con no ms de un 5% de diferencia, y debe corresponder con las especificaciones tcnicas del
componente en prueba.
APLICACIONES:
La forma ms simple de utilizar estos controles es empleando el circuito representado en la Figura, en que la
resistencia variable R carga el condensador C hasta que se alcanza la tensin de disparo del DIAC,
producindose a travs de l la descarga de C, cuya corriente alcanza la puerta del TRIAC y le pone en
conduccin. Este mecanismo se produce una vez en el semiciclo positivo y otra en el negativo. El momento del
disparo podr ser ajustado con el valor de R variando como consecuencia el tiempo de conduccin del TRIAC
y, por tanto, el valor de la tensin media aplicada a la carga, obtenindose un simple pero eficaz control de
potencia.

APLICACIN 1: CONTROL DE ONDA COMPLETA CON DIAC
El diac de la figura de abajo puede disparar el SCR en cada semiciclo de la lnea de tensin. La resistencia
variable R1 controla la constante de tempo RC del circuito de control del diac. Desde que este vara un punto
del ciclo con el cual el diac dispara, tenemos un control de ngulo de conduccin del triac. De esa forma,
podemos variar a gran corriente de carga.
APLICACIN 2: CONTROL DE FASE
El circuito de la siguiente figura controla la potencia
CA a la carga por medio de la conmutacin
conduccin-corte durante los semiciclo positivos y
negativos de la seal senoidal de entrada.
La ventaja de esta configuracin es que durante la
parte negativa de la seal de entrada se producir el
mismo efecto que el semiciclo positivo, ya que tanto
el DIAC como el TR1AC pueden disparar en la
direccin inversa. Al variar R puede controlarse el
ngulo de conduccin

El diac puede ser empleado como detector de proximidad: conforme
el cuerpo humano se aproxime al electrodo sensor, la capacitancia
entre electrodo y tierra crecer. El PUT (descrito ms adelante) se
disparar cuando el voltaje del diac sobrepase cierto valor. Entonces
se encender el PUT y el voltaje del diac caer en forma sustancial.
En ste punto se establece una corriente considerable a travs del
PUT, encendiendo el SCR. Entonces la carga reaccionar con la
Figura 7.13. Circuito de Control de Fase
Figura 7.14. Circuito de Detector de Proximidad.

presencia de una persona aproximndose.
La principal diferencia entre los transistores PUT y UJT estriba en que las resistencias RB1 y RB2 son
resistencias internas del UJT, sin posibilidad de variacin, mientras que en el transistor PUT estas resistencias se
encuentran conectadas exteriormente y pueden variarse.
Aunque las caractersticas del PUT y del UJT son similares, las corrientes de pico y de valle del PUT son ms
dbiles que las del UJT y la tensin mnima de funcionamiento tambin es ms pequea en el PUT.
El funcionamiento bsico del dispositivo puede explicarse por medio de la Figura 3.2. Si el dispositivo se
encuentra apagado (en corte), su estado no cambiar hasta que no se alcance la tensin VP. Durante este perodo
la corriente es muy dbil y cuando se alcanza VP el dispositivo conmuta, pasando por la regin inestable, al
estado de conduccin (encendido). En el estado de conduccin la relacin entre tensin y corriente es muy
pequea (lo contrario al estado de apagado). Una vez alcanzado el estado de conduccin no puede llevarse el
dispositivo al corte disminuyendo la tensin VG; solamente la reduccin de IA es capaz de apagar el transistor.
Una de las aplicaciones tpicas del PUT es como oscilador (Figura 3.6). El condensador se carga a travs de la
resistencia R hasta que se alcanza la tensin VP, entonces el dispositivo se dispara al estado de conduccin. El
potencial de VG cae aproximadamente a 0V y el dispositivo se apaga, repitindose el ciclo de carga el ciclo de
carga.

Control de fase mediante un PUT
Hacer control de fase utilizando tiristores es una de las formas ms comunes de controlar flujo de potencia
elctrica en motores, lamparas y hornos. Se aplica una tensin alterna al tiristor (ya sea un SCR, un TRIAC,
etc.) y el mismo conduce en los instantes de tiempo (ngulos de fase) determinados por el circuito de control.
Controlando el ngulo de fase en el que el tiristor entra en conduccin, se controla la potencia media entregada a
la carga. Los PUTs permiten una forma simple de obtener pulsos de disparo sincronizados con la tensin de
lnea con un ngulo de fase controlado.
Todos los circuitos de control de disparo con PUT estn basados en el oscilador de relajacin. En la figura 4a se
ve un circuito de disparo bsico, donde la red RC compuesta por R
t
y C
t
determina el tiempo entre la aplicacin
de la tensin al circuito (representada por el cierre de la llave) y la aparicin del pulso. Si la tensin V
s
aplicada
es continua pura, el oscilador esta en el modo "free running", y la red RC determina la frecuencia de oscilacin.
La operacin del circuito puede describirse en funcin de la forma de onda de la tensin sobre el capacitor C
t
.
Cuando aparece la tensin V
s
, C
t
se carga con una constante de tiempo , hasta que su tensin se hace
igual a la tensin de pico del PUT (la cual es programada mediante R
b1
y R
b2
). En ese instante, el PUT entra en
conduccin, descargando C
t
a travs de R
gk
. El pico de corriente que aparece sobre R
gk
produce un pico de
tensin, que es el que dispara al tiristor (en este caso, un SCR). Cuando el capacitor se descarga lo suficiente, el
PUT vuelve a entrar en estado de corte y se reinicia el ciclo, cargndose nuevamente C
t
a travs de R
t
. Si V
s
es
una continua pura, el ciclo se repite inmediatamente, en forma peridica.
Frecuentemente es necesario sincronizar el temporizado de los pulsos de salida con los puntos de cruce por cero
de la tensin de lnea. Un circuito bsico para lograr la sincronizacin es el que se ve en la figura 5a.
Mediante el puente diodos y el diodo zener D
1
, se obtiene una tensin de control V
s
como la de la figura 5b. De
esta manera, tanto V
s
como la tensin de pico del PUT cruzan por cero cada vez que la tensin de lnea cruza
por cero. Esto hace que C
t
se descargue al final de cada semiciclo, y comience el siguiente semiciclo
descargado. Por lo tanto, aun si el PUT no se dispar en un semiciclo, el capacitor inicia el siguiente semiciclo
descargado. En consecuencia, los valores de R
t
y C
t
controlan directamente el ngulo de fase en el cual se
produce el pulso en cada semiciclo. El diodo zener provee estabilizacin de tensin para que el circuito de
disparo d siempre el mismo pulso independientemente de las fluctuaciones normales de la lnea.

Circuito de control de fase con PUT:
El objetivo de nuestro trabajo era realizar un circuito de disparo para un tiristor en el cual se pudiera controlar el
ngulo de fase de disparo mediante una tensin de control externa. En un principio intentamos implementar el
circuito de control rampa/pedestal, que se basa en un transistor unijuntura comn (UJT), el cual analizamos en
la teora. Debido a los problemas que tuvimos al simular este circuito, decidimos elegir otro tipo de disparo.
Elegimos trabajar con los PUT porque nos pareci una opcin muy interesante y sencilla de implementar. En el
manual de datos de tiristores de Motorola encontramos abundante informacin acerca de circuitos de disparo
basados en PUTs, as que utilizamos como base el circuito de control de fase bsico (el que se ve en la figura 5)
y lo modificamos para adaptarlo a nuestras especificaciones. El circuito implementado finalmente es el que se
ve en la figura 6.


En este circuito, la tensin de control (Vcontrol) no esta vinculada directamente a tensin de lnea, como ocurra
con V
s
en el circuito de control bsico. En este caso, la tensin de control esta dada por una fuente externa ms
una resistencia en serie, R
4
(la cual esta para aumentar la impedancia de entrada del PUT). De esta forma, los
pulsos de salida quedan sincronizados con la tensin de lnea, ya que C
1
se descarga al final de cada semiciclo y
empieza el nuevo semiciclo descargado, pero el ngulo de disparo lo controlamos externamente.
Los pulsos de corriente que se producen al descargar el capacitor C
t
, producen un pulso de tensin sobre R
5,
que
tiene un valor mximo de 5V sin carga aplicada. La tensin de dicho pulso cae notablemente al conectarle una
carga, por lo tanto, lo hacemos pasar por un buffer, implementado con un amplificador operacional TL081 (U1)
y configurado en el modo no inversor, con una ganancia aproximadamente igual a 6. Con esta ganancia,
tericamente el pulso a la salida del operacional debera ser como de 30V, pero debido a que el pulso es muy
rpido y el operacional es incapaz de seguirlo, se obtiene a la salida un pulso de aproximadamente 2V de
amplitud. Este valor de tensin es el necesario para polarizar en forma apropiada al diodo D6 y al diodo de
entrada del optoacoplador (para el cual los valores tpicos de funcionamiento son entre 1V y 1,5V). El diodo D
6

colocado a la salida del amplificador est para eliminar la parte indeseable del pulso de salida. Ocurre que el
capacitor C
1
se descarga rpidamente a travs de R
3
, pero no instantneamente, se descarga con una constante .
Por lo tanto, el pulso no es ideal, con forma de delta, sino que tiene una "cola" debido a la cada exponencial.
Esta parte indeseable es amplificada por U1, pero como tiene un nivel de tensin inferior a los 0.7V, al colocar
un diodo a la salida evitamos que esta seal llegue al optoacoplador, y por ende, al tiristor. Finalmente, a
continuacin del diodo D
6
hay un optoacoplador (un 4N27) que sirve para aislar la parte de control, de disparo,
de la parte de potencia que controla el tiristor. La salida del optoacoplador esta configurada para reproducir el
pulso y disparar al tiristor. Se utiliza un transformador con punto medio en el cual uno de los bobinados se usa
para la parte de control y el otro para la parte de potencia. Por lo tanto es importante notar que se tienen dos
masas separadas.
El transistor de salida del optoacoplador est configurado mediante las resistencias R
8
y R
9
para trabajar en zona
activa. Esto es debido a que si trabaja en saturacin la corriente no es suficiente para disparar al tiristor que
usamos en nuestro circuito (ver hoja de datos del TIC126). Originalmente R
9
era cero, pero esto forzaba al
transistor del optoacoplador a conducir corrientes elevadas, por lo cual colocamos una resistencia que permitiera
una corriente suficiente para lograr el disparo sin que V
ce
sea tan grande. La resistencia R
8
est para evitar que el
emisor quede flotante cuando el transistor est cortado.

Otra cosa a tener en cuenta es la resistencia de la carga que va a controlar el tiristor. Los tiristores necesitan una
corriente mnima para poder mantenerse en conduccin. En un principio utilizbamos una resistencia de carga
de 10 KW , pero la misma no permita circular esta corriente mnima por lo cual el disparo nunca se produca. A
efectos de lograr el correcto funcionamiento del circuito en general utilizamos una resistencia de carga de 15 W
por 1W.
El rango de funcionamiento del circuito de control es entre 30 y 145 de fase, para una tensin de control entre
0,8V y 5V respectivamente.

Oscilador de relajacin con PUT
En la figura 11.34 a) se representa un circuito tpico de oscilador de relajacin con UJT y en el que la resistencia
R2 cumple la funcin de estabilizar trmicamente al transistor. La figura muestra las formas de onda de salida
de este circuito.
Al conectar la alimentacin, el condensador C se empieza a cargar a travs de R1 + P con una velocidad
determinada por la constante de tiempo de estos elementos segn la expresin

Transcurrido un tiempo determinado tS la tensin VC ser igual al valor de pico del UJT, con lo que ste se
cebar, dando lugar a una corriente de emisor y provocando la descarga de C a travs de R3 en la salida VO2
aparece un pulso de tensin.

APLICACIN 4: PROBADOR DE USOS MLTIPLES

Este sencillo circuito permite probar y verificar diversos componentes electrnicos, como: Zener, VDR, Diac,
Diodos de Alto Voltaje, Condensadores y ms. Se trata de una fuente de aproximadamente 500VDC, de muy
baja corriente (unos pocos microamperios), obtenida directamente de la propia red elctrica de 110 o 220VAC,
mediante un circuito triplicador (110V) o duplicador (220V) segn sea el caso.
Para nuestro caso, el circuito a realizar trabajar con una tensin de 220 VAC Utilizaremos un transformador
aislador de lnea. Conectamos en serie las salidas del transformador de manera que la tensin obtenida
finalmente a la salida del transformador es de 108.7 VAC.


Este dispositivo debe usarse con un multmetro digital de alta resistencia interna (10 M como mnimo), ya que
la misma influye directamente en la lectura de voltaje. Cuanto ms baja es la resistencia interna del instrumento,
ms caer el voltaje por la carga que el propio instrumento representa. Sera ideal su uso con un VTVM o un
multmetro FET, si se dispone de uno.
Tambin puede usarse un multmetro analgico del tipo de 20.000 / V (o superior), en la escala de 500, 600 o
ms VDC Aunque el dispositivo cuenta con resistencias limitadoras (R3 y R4) y doble interruptor (SW1 y
SW2), debido a que maneja un voltaje elevado y que funciona directamente conectado a la red elctrica, se
recomienda tener mucha precaucin en su manejo.
Usar conectores del tipo caimn (cocodrilo) con cubierta aislante para conectar el componente en prueba y el
multmetro (tster). No tocar el componente o sus conexiones mientras se est oprimiendo los pulsadores
(SW1,SW2). Descargar el dispositivo, una vez culminada cada prueba, cortocircuitando sus terminales por
algunos segundos. De ser posible, utilizar el probador conectado a la red elctrica a travs de un transformador
aislador de lnea (relacin 1:1).
El Tiristor de triodo bidireccional (TRIAC) es fundamentalmente un DIAC con una terminal de compuerta para
controlar las condiciones de encendido bilateral del dispositivo en cualquier direccin. En otras palabras, para
cualquier direccin, la corriente de compuerta puede controlar la accin del dispositivo en una forma muy
similar a la mostrada para un SCR. El voltaje de ruptura en un TRIAC disminuye si se aumenta la corriente de
compuerta, en la misma forma que lo hace en un SCR, con la diferencia que un TRIAC responde tanto a los
impulsos positivos como a los negativos de su compuerta. El triac es un dispositivo semiconductor de tres
terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que
conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversin de la tensin o al disminuir la corriente por
debajo del valor de mantenimiento. El triac puede ser disparado independientemente de la polarizacin de
puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o negativa. Es un dispositivo que se comporta como
dos SCR conectados en contraposicin, con una compuerta de paso comn; puede ir en cualquier direccin
desde el momento en que el voltaje de ruptura se sobrepasa. Entonces un tiristor o SCR, dar solo la mitad de
voltaje a la carga, mientras que el Triac ser todo el voltaje. De forma coloquial podra decirse que el Triac es
un switch que conmutar la corriente alterna a la carga. Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la
disposicin que formaran dos SCR en antiparalelo. El voltaje de ruptura en un TRIAC disminuye si se aumenta
la corriente de compuerta, en la misma forma que lo hace en un SCR, con la diferencia que un TRIAC responde
as hasta que su corriente cae por debajo de IH. El triac controla el flujo de corriente promedio a una carga, con
la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversin de la tensin o al
disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El triac puede ser disparado independientemente
de la polarizacin de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o negativa. Cuando se trabaja
con corriente alterna, es interesante poder controlar los dos sentidos de circulacin de la corriente.
Evidentemente, con un SCR, slo podemos controlar el paso de corriente en un sentido. Por tanto uno de los
motivos por el cual los fabricantes de semiconductores han diseado el TRIAC ha sido para evitar este
inconveniente.

DESCRIPCION GENERAL
Cuando el triac conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja
resistencia de una terminal a la otra, dependiendo la direccin de flujo de la
polaridad del voltaje externo aplicado. Cuando el voltaje es mas positivo en MT2,
la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a MT2. En
ambos casos el triac se comporta como un interruptor cerrado. Cuando el triac deja
de conducir no puede fluir corriente entre las terminales principales sin importar la
polaridad del voltaje externo aplicado por tanto acta como un interruptor abierto.
Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variacin de tensin importante al triac
(dv/dt) an sin conduccin previa, el triac puede entrar en conduccin directa. El
Triac es un semiconductor, de la familia de los transistores. La diferencia con el
tiristor convencional es que ste es unidireccional, es decir, funciona con corriente
alterna en el sentido de polarizacin con medio semiciclo, y el Triac es bidireccional, funciona en los
semiciclos positivos y negativos.
Cuando el Triac conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja resistencia de una terminal a la
otra, dependiendo la direccin de flujo de la polaridad del voltaje externo aplicado. Cuando el voltaje es mas
positivo en MT2, la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a MT2. En ambos casos el
Triac se comporta como un interruptor cerrado. Cuando el Triac deja de conducir no puede fluir corriente entre

las terminales principales sin importar la polaridad del voltaje externo aplicado por tanto acta como un
interruptor abierto.
Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variacin de tensin importante al Triac (dv/dt) an sin conduccin
previa, el Triac puede entrar en conduccin directa.
ESTRUCTURA DEL TRIAC
La estructura contiene seis capas como se indica en la Figura 8.3. aunque funciona siempre como un tiristor de
cuatro capas. En sentido MT2-MT1 conduce a travs de P1N1P2N2 y en sentido MT1-MT2 a travs de
P2N1P1N4. La capa N3 facilita el disparo con intensidad de puerta negativa. La complicacin de su estructura
lo hace mas delicado que un tiristor en cuanto a di/dt y dv/dt y capacidad para soportar sobre intensidades. Se
fabrican para intensidades de algunos amperios hasta unos 200 A eficaces y desde 400 a 1000 V de tensin de
pico repetitivo. Los Triac son fabricados para funcionar a frecuencias bajas, los fabricados para trabajar a
frecuencias medias son denominados alternistores En la FIG. se muestra el smbolo esquemtico e identificacin
de las terminales de un Triac, la nomenclatura nodo 2 (A2) y nodo 1 (A1) pueden ser reemplazados por
Terminal Principal 2 (MT2) y Terminal Principal 1 (MT1) respectivamente.
Como en el caso del SCR, tenemos un terminal de control denominado puerta que nos permite la puesta en
conduccin del dispositivo en ambos sentidos de circulacin. Si bien el TRIAC tiene varios mecanismos de
encendido (con corrientes positivas y negativas), lo ms usual es inyectar corriente por la puerta en un sentido
para provocar la puesta en conduccin.
CARACTERISTICA TENSION CORRIENTE La figura 8.4.muestra la caracterstica esttica I-V del TRIAC.
Se puede observar que presenta estado de conduccin tanto para iA
positiva como negativa, y puede ser disparada desde el estado de
corte al de conduccin tanto para vA1A2 positiva como negativa.
Adems, la corriente de puerta que fuerza la transicin del estado
de corte al de conduccin puede ser tanto positiva como negativa.
En general, las tensiones y corrientes necesarias para producir la
transicin del TRIAC son diferentes segn las polaridades de las
tensiones aplicadas.
Una de las ventajas de este dispositivo es que es muy compacto,
requiriendo nicamente un nico circuito de control, dado que slo dispone de un terminal de puerta. Sin
embargo, tal y como est fabricado, es un dispositivo con una capacidad de control de potencia muy reducida.
En general est pensado para aplicaciones de pequea potencia, con tensiones que no superan los 1000V y
corrientes mximas de 15A. Es usual el empleo de TRIACs en la fabricacin de electrodomsticos con control
electrnico de velocidad de motores y aplicaciones de
iluminacin, con potencias que no superan los 15kW. La
frecuencia mxima a la que pueden trabajar es tambin
reducida, normalmente los 50-60Hz de la red monofsica. Muestra la corriente a travs del Triac como una
funcin de la tensin entre los nodos MT2 y MT1. El punto VBD ( tensin de ruptura) es el punto por el cual el
dispositivo pasa de una resistencia alta a una resistencia baja y la corriente, a travs del Triac, crece con un
pequeo cambio en la tensin entre los nodos. El Triac permanece en estado ON hasta que la corriente
disminuye por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Esto se realiza por medio de la disminucin de la
tensin de la fuente. Una vez que el Triac entra en conduccin, la compuerta no controla mas la conduccin, por
esta razn se acostumbra dar un pulso de corriente corto y de esta manera se impide la disipacin de energa
sobrante en la compuerta.
El mismo proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante, cuando la tensin en el nodo MT2 es negativa con
respecto al nodo MT1 y obtenemos la caracterstica invertida. Por esto es un componente simtrico en cuanto a
conduccin y estado de bloqueo se refiere, pues la caracterstica en el cuadrante I de la curva es igual a la del III
TRIAC con acoplado optico (opto coupler TRIAC) Los TRIACs
acoplados opticamente combinan un diodo emisor de luz (LED) con
un TRIAC foto-detector (foto-TRIAC) dentro de un mismo
encapsulado opaco con un esquema mostrado en la figura 8.5. Al no
existir conexion electrica entre la entrada y la salida, el acoplo es
unidireccional (LED al foto-TRIAC) y permite un aislamiento
electrico entre ambos dispositivos de hasta 7500 V (typ). Ademas,
algunos foto-TRIAC incluyen una circuito de deteccion de paso por
cero que permite sincronizar senales de la red electrica con senales de control del LED para ajustar el angulo de
conduccion. Como ejemplo de estos circuitos se encuentra el MOC3009 (Motorola) que necesita una corriente
en el LED de 30mA para disparar el foto-TRIAC o el MOC3021 (Motorola) que unicamente requiere 10mA.
Cuando el LED esta apagado, el foto-TRIAC esta bloqueado conduciendo una pequena corriente de fuga
Figura 8.5. Esquema de un
Opto-TRIAC
Figura 8.4. Caractersticas I-V del TRIAC

denominada IDRM(peak-blocking current). Cuando el diodo conduce, dispara al foto-TRIAC pudiendo circular
entre 100mA y 1A. Al no ser un dispositivo que soporte grandes niveles de potencia, el propio foto-TRIAC en
muchos casos actua sobre el control de un TRIAC de mucho mayor potencia, tal como se indica en la figura 8.6.
En este circuito, una senal digital (por ejemplo, una senal de un microcomputador) activa el opto-acoplador que
a su vez activa el TRIAC de potencia conectado a la red electrica; el valor de R esta comprendido entre 50Z y
500 Z.

CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN TRIAC
El primer TRIAC fue inventado a finales de los aos 60. Simplificando su funcionamiento, podemos decir que
un TRIAC se comporta como dos SCR en antiparalelo (tiristor bidireccional). De esta forma, tenemos control en
ambos sentidos de la circulacin de corriente. La figura 8.7 muestra el esquema equivalente de un TRIAC.
La figura 8.9 muestra ms circuitos utilizados para representar el TRIAC, as como su estructura interna en dos
dimensiones. Como se ha mencionado, el TRIAC permite la conduccin de corriente de nodo a ctodo y
viceversa, de ah que los terminales no se denominen nodo y ctodo, sino simplemente nodo 1 (A1) y nodo 2
(A2). En algunos textos dichos terminales se denominan MT1 y MT2.

Aunque funciona siempre como un tiristor de cuatro capas. En sentido T2-T1 conduce a travs de P1N1P2N2 y
en sentido T1-T2 a travs de P2N1P1N4. La capa N3 facilita el disparo con intensidad de puerta negativa. La
complicacin de su estructura lo hace ms delicado que un tiristor en cuanto a di/dt y dv/dt y capacidad para
soportar sobre intensidades. Se fabrican para intensidades de algunos amperios hasta unos 200 (A) eficaces y
desde 400 a 1000 (V) de tensin de pico repetitivo. Los TRIAC son fabricados para funcionar a frecuencias
bajas; los fabricados para trabajar a frecuencias medias son denominados alternistores.
Se puede considerar a un TRIAC como si fueran dos SCR conectados en antiparalelo, con una conexin de
compuerta comn, como se muestra en la fig.8.8 Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional, no es
posible identificar sus terminales como nodo y ctodo. Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la
terminal MT1, se activar al aplicar una seal negativa a la compuerta, entre la compuerta y la terminal MT1.
No es necesario que estn presentes ambas polaridades en las seales de la compuerta y un TRIAC puede ser
activado con una sola seal positiva o negativa de compuerta. En la prctica, la sensibilidad vara de un
cuadrante a otro, el TRIAC normalmente se opera en el cuadrante I (voltaje y corriente de compuerta positivos)
o en el cuadrante III (voltaje y corriente de compuerta negativos). La diferencia ms importante que se
encuentra entre el funcionamiento de un triac y el de dos tiristores es que en este ltimo caso cada uno de los
dispositivos conducir durante medio ciclo si se le dispara adecuadamente, bloquendose cuando la corriente
cambia de polaridad, dando como resultado una conduccin completa de la corriente alterna.
El TRIAC, sin embargo, se bloquea durante el
breve instante en que la corriente de carga pasa por
el valor cero, hasta que se alcanza el valor mnimo
de tensin entre T2 y T1, para volver de nuevo a
conducir, suponiendo que la excitacin de la puerta
sea la adecuada. Esto implica la perdida de un
pequeo ngulo de conduccin, que en el caso de
cargas resistivas, en las que la corriente esta en fase
con la tensin, no supone ningn problema.
En el caso de cargas reactivas se debe tener
en cuenta, en el diseo del circuito, que en el momento en que la corriente pasa por cero no coincide con la
misma situacin de la tensin aplicada, apareciendo en este momento unos impulsos de tensin entre los dos
terminales del componente.
A menudo se necesita una fuente alterna para asegurar que se desconectar el SCR, pero sta es bastante
ineficiente puesto que slo conduce durante cada semiciclo (como un rectificador de onda media). En la Fig.
8.10 se ve un circuito SCR bsico y sencillo adems de una manera de utilizar cuatro SRC en un puente para
lograr el control de un onda completa rectificada.
Observe que en un circuito puente, las salidas G1/G2 se disparan al mismo tiempo durante un semiciclo y las
G3/G4 durante el prximo semiciclo. Una manera ms sencilla y menos costosa de obtener una conduccin en
dos direcciones es utilizando el TRIAC. En la Fig. 2 se ve un dispositivo tpico junto a su smbolo grfico.
El TRIAC, al igual que al SCR, es un tipo de tiristor y, aunque tiene las mismas cuatro capas de materiales
semiconductores, su construccin es muy compleja para describirla en este punto.
El comportamiento del TRIAC es muy similar al del SCR pero la corriente de puerta puede ponerlo en
funcionamiento en cualquier polaridad de la tensin entre las terminales T1 y T2.
Figura 8.10. Circuito de onda media y Circuito SCR de puente



FUNCIONAMIENTO FSICO DEL LED
Se basa en:
El negativo de la pila repele a los electrones que pasan de n a p, se encuentran en p con un hueco, se recombina
con l y ya no es electrn libre, al bajar de BC a BV pierde una energa E que se desprende en forma de luz
(fotn de luz).
Diferencias entre un diodo normal y un LED:
- Diodo normal, E en forma de calor.
Diodo LED, E en forma de fotn.(E = h*f, h = cte de Planck, f = frecuencia que da color a esa luz).
- Diodo normal hecho de silicio.
Diodo LED hecho de As, P, Ga y aleaciones entre ellas. Para cada material de estos la distancia de BC y
BV es distinta y as hay distintos colores, y mezclndolos se consiguen todos, hasta de luz invisible al
ojo humano.
El funcionamiento fsico consiste en que, en los materiales semiconductores, un electrn al pasar de la banda de
conduccin a la de valencia, pierde energa; esta energa perdida se puede manifestar en forma de un fotn
desprendido, con una amplitud, una direccin y una fase aleatoria. El que esa energa perdida cuando pasa un
electrn de la banda de conduccin a la de valencia se manifieste como un fotn desprendido o como otra forma
de energa (calor por ejemplo) va a depender principalmente del tipo de material semiconductor. Cuando un
diodo semiconductor se polariza directamente, los huecos de la zona p se mueven hacia la zona n y los
electrones de la zona n hacia la zona p; ambos desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula
por el diodo. Si los electrones y huecos estn en la misma regin, pueden recombinarse, es decir, los electrones
pueden pasar a "ocupar" los huecos, "cayendo" desde un nivel energtico superior a otro inferior ms estable.
Este proceso emite con frecuencia un fotn en semiconductores de banda prohibida directa o "direct bandgap"
con la energa correspondiente a su banda prohibida (vase semiconductor). Esto no quiere decir que en los
dems semiconductores (semiconductores de banda prohibida indirecta o "indirect bandgap") no se produzcan
emisiones en forma de fotones; sin embargo, estas emisiones son mucho ms probables en los semiconductores
de banda prohibida directa (como el Nitruro de Galio) que en los semiconductores de banda prohibida indirecta
(como el Silicio). La emisin espontnea, por tanto, no se produce de forma notable en todos los diodos y slo
es visible en diodos como los LEDs de luz visible, que tienen una disposicin constructiva especial con el
propsito de evitar que la radiacin sea reabsorbida por el material circundante, y una energa de la banda
prohibida coincidente con la correspondiente al espectro visible. En otros diodos, la energa se libera
principalmente en forma de calor, radiacin infrarroja o radiacin ultravioleta. En el caso de que el diodo libere
la energa en forma de radiacin ultravioleta, se puede conseguir aprovechar esta radiacin para producir
radiacin visible, mediante sustancias fluorescentes o fosforescentes que absorban la radiacin ultravioleta
emitida por el diodo y posteriormente emitan luz visible. El dispositivo semiconductor est comnmente
encapsulado en una cubierta de plstico de mayor resistencia que las de vidrio que usualmente se emplean en las
lmparas incandescentes. Aunque el plstico puede estar coloreado, es slo por razones estticas, ya que ello no
influye en el color de la luz emitida. Usualmente un LED es una fuente de luz compuesta con diferentes partes,
razn por la cual el patrn de intensidad de la luz emitida puede ser bastante complejo [1].
Para obtener buena intensidad luminosa debe escogerse bien la corriente que atraviesa el LED; para ello, hay
que tener en cuenta que el voltaje de operacin va desde 1,8 hasta 3,8 voltios aproximadamente (lo que est
relacionado con el material de fabricacin y el color de la luz que emite) y la gama de intensidades que debe
circular por l vara segn su aplicacin. Valores tpicos de corriente directa de polarizacin de un LED
corriente estn comprendidos entre los 10 y los 40 mA. En general, los LEDs suelen tener mejor eficiencia
cuanto menor es la corriente que circula por ellos, con lo cual, en su operacin de forma optimizada, se suele
buscar un compromiso entre la intensidad luminosa que producen (mayor cuanto ms grande es la intensidad
que circula por ellos) y la eficiencia (mayor cuanto menor es la intensidad que circula por ellos).El primer LED
que emita en el espectro visible fue desarrollado por el ingeniero de General Electric Nick Holonyak en 1962.

Ambos desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo. Si los electrones y huecos
estn en la misma regin, pueden recombinarse, es decir, los electrones pueden pasar a "ocupar" los huecos,
"cayendo" desde un nivel energtico superior a otro inferior ms estable
Diodo emisor de luz con la unin polarizada en sentido directo
Cuando estos portadores se recombinan, se produce la liberacin de una cantidad de energa proporcional al
salto de banda de energa del material semiconductor. Una parte de esta energa se libera en forma de luz,
mientras que la parte restante lo hace en forma de calor, estando determinadas las proporciones por la mezcla de
los procesos de recombinacin que se producen.
La energa contenida en un fotn de luz es proporcional a su frecuencia, es decir, su color. Cuanto mayor sea el
salto de banda de energa del material semiconductor que forma el LED, ms elevada ser la frecuencia de la luz
emitida.
Diodo emisor de luz con la unin polarizada en sentido directa
Para responder esta respuesta correctamente tendremos que empezar diciendo que el led es un diodo que emite
luz (Light emitting Diode) y que un diodo es un semiconductor y que los semiconductores estn hechos
fundamentalmente de silicio. Como veremos mas adelante los led estn hechos de una gran gama de elementos
de la tabla peridica, pero nos ocuparemos ahora de explicar el funcionamiento del diodo a travs del
comportamiento del Silicio, ya que este es el material fundamental y mas popular de la electrnica moderna.

El silicio es un elemento muy comn en la naturaleza, tal es as que se encuentra en la arena de las playas y en
los cristales de cuarzo. Si miramos donde se encuentra elSilicio (SI) en la tabla peridica de los elementos lo
encontraremos con el numero atmico 14 y sus vecinos inmediatos son el Galio (Ga), Aluminio (Al), Boro (B),
Carbono (C), Nitrgeno (N), Fsforo (P), Arsnico (As) y Germanio (Ge). Recuerden estos elementos porque
forman parte de los distintos tipos de tecnologas deleds y son los que determinaran el color de emisin.

El carbono, el silicio y el galio poseen una propiedad nica en su estructura electrnica, cada uno posee 4
electrones en su orbita externa lo que les permite combinar o compartir estos electrones con 4 tomos vecinos,
formando as una malla cuadricular o estructura cristalina, de esta forma no quedan electrones libres como en el
caso de los conductores que poseen electrones libres en su ultima orbita que pueden moverse a travs de los
tomos formando as una corriente elctrica.

Por lo dicho, el silicio en su forma pura es bsicamente un aislante. Podemos hacerlo conductor al mezclarlo con
pequeas cantidades de otros elementos, a este proceso se lo denomina dopaje. Hay dos tipos de dopaje:

Dopaje N: En este caso el silicio se dopa con Fsforo o Arsnico en pequeas cantidades. El Fsforo y el
Arsnico tienen 5 electrones en su orbita externa que terminan sobrando cuando se combina en una red de
tomos desilicio. Este quinto electrn se encuentra libre para moverse, lo que permite que una corriente elctrica
fluya a travs del Silicio . Se necesita solo una pequea cantidad de dopaje o impurezas para lograr esta
corriente, por ejemplo al agregar un tomo de impurezas por cada 108 (1000 millones) tomos deSilicio se
incrementa la conductividad en un factor de 10. Los electrones tienen una carga negativa, por eso se llama
dopaje tipo N.

Dopaje P: En este caso el silicio se dopa con Boro o Galio en pequeas cantidades. El Boro y el Galio tienen 3
electrones en su orbita externa por lo que termina faltando un electrn cuando se combina en una red de tomos
deSilicio . Este electrn faltante ocasiona que se formen huecos en la red. Estos huecos permiten que se circule
una corriente a travs delSilicio ya que ellos aceptan de muy buena gana ser tapados por un electrn de un
tomo vecino, claro que esto provoca que se forme un hueco en el tomo que desprendi dicho electrn, este
proceso se repite por lo que se forma una corriente de huecos a travs de la red. Es de notar que en todos los
caso lo nico que se mueve fuera del tomo son los electrones, pero en este caso dicho movimiento provoca un
efecto similar o equivalente al movimiento de huecos. Se necesita solo una pequea cantidad de dopaje o
impurezas para lograr esta corriente. Los agujeros tienen una carga positiva, por eso se llama dopaje tipo P

Un diodo real cuando se conecta en reversa tiene una pequea corriente de perdida del orden de los 10

microamperes que se mantiene aproximadamente constante mientras la tensin de la batera no supere un
determinado nivel, luego del cual la corriente crece abruptamente, esta zona se llama zona de ruptura o
avalancha. Generalmente esta zona queda fuera de las condiciones normales de funcionamiento. Hay que
mencionar que dicha corriente inversa es casi linealmente dependiente de la temperatura.

Cuando el diodo se conecta en directa veremos que sobre sus extremos se produce una cada de tensin del
orden de los 0.6 volts para los diodos desilicio normales. Esta cada de tensin es un reflejo de la energa
necesaria para que los electrones salten la juntura y es caracterstica de cada material. Este valor es conocido
como potencial de salto de banda (band gap)

Tenemos entonces que para sacar un electrn de su orbita necesitamos energa y que esta se pierde en el
transcurso de su recorrido dentro del diodo, esta energa se transformadorrma en radiacin, bsicamente calor u
ondas infrarrojas en un diodo normal.

Encapsulado de los leds
Existen numerosos encapsulados disponibles para los leds y su cantidad se incrementa de ao en ao a medida
que las aplicaciones de los leds se hacen mas especificas.
Por ahora nos detendremos a estudiar las partes constitutivas de un led a travs de la figura 1.1 la cual representa
tal vez el encapsulado mas popular de los leds que es el T1 de 5mm. de dimetro.
Como vemos el led viene provisto de los dos terminales correspondientes que tienen aproximadamente 2 a 2,5
cm de largo y seccin generalmente de forma cuadrada. En el esquema podemos observar que la parte interna
del terminal del ctodo es ms grande que el nodo, esto es porque el ctodo esta encargado de sujetar al
sustrato de silicio, por lo tanto ser este terminal el encargado de disipar el calor generado hacia el exterior ya
que el terminal del nodo se conecta al chip por un delgado hilo de oro, el cual prcticamente no conduce calor.
Es de notar que esto no es as en todos los leds, solo en los ltimos modelos de alto brillo y en los primeros
modelos de brillo estndar, ya que en los primeros led de alto brillo es al revs. Por eso no es buena poltica a la
hora de tener que identificar el ctodo, hacerlo observando cual es el de mayor superficie. Para eso existen dos
formas ms convenientes, la primera y ms segura es ver cual es el terminal mas corto, ese es siempre el ctodo
no importa que tecnologa sea el led. La otra es observar la marca plana que tambin indica el ctodo, dicha
marca plana es una muesca o rebaje en un reborde que tiene los leds. Otra ves este no es un mtodo que siempre
funciona ya que algunos fabricantes no incluyen esta muesca y algunos modelos de leds pensados para
aplicaciones de cluster donde se necesitan que los leds estn muy pegados, directamente no incluye este reborde.
El terminal que sostiene el sustrato cumple otra misin muy importante, la de reflector, ya que posee una forma
parablica o su aproximacin semicircular, este es un punto muy critico en la fabricacin y concepcin del led
ya que un mal enfoque puede ocasionar una perdida considerable de energa o una proyeccin despareja.
Un led bien enfocado debe proyectar un brillo parejo cuando se proyecta sobre una superficie plana. Un led con
enfoque defectuoso se puede identificar porque proyecta formas que son copia del sustrato y a veces se puede
observar un aro mas brillante en el exterior de circulo, sntoma seguro de que la posicin del sustrato se
encuentra debajo del centro focal del espejo terminal. Dentro de las caractersticas pticas del led aparte de su
luminosidad esta la del ngulo de visin, se define generalmente el ngulo de visin como el desplazamiento
angular desde la perpendicular donde la potencia de emisin disminuye a la mitad. Segn la aplicacin que se le
dar al led se necesitara distintos ngulos de visin as son tpicos leds con 4,6,8,16,24,30,45,60 y hasta 90
grados de visin. Generalmente el ngulo de visin esta determinado por el radio de curvatura del reflector del
led y principalmente por el radio de curvatura del encapsulado. Por supuesto mientras mas chico sea el ngulo y
a igual sustrato semiconductor se tendr un mayor potencia de emisin y vicevers
ambientales y como dijimos ayuda a formar el haz de emisin. Existen bsicamente 4 tipos de encapsulado si lo
catalogamos por su color. Transparente o clear water (agua transparente): Es el utilizado en leds de alta potencia
de emisin, ya que el propsito de estos leds es fundamentalmente iluminar, es importante que estos
coloreado con el color de emisin de sustrato similar al vidrio de algunas botellas, se usa principalmente en leds
de mediana potencia y/o donde sea necesario identificar el color del led aun apagado.

Generalmente el primer caso con leds rojo y verde es el mas comn aunque existen otras combinaciones incluso
con mas colores. Es muy importante hacer notar que en todos los casos el sustrato del led es el que determina el
color de emisin y no el encapsulado. Un encapsulado con frecuencia de paso distinta a la frecuencia de emisin
del sustrato solo lograra filtrar la luz del led, bajando as su brillo aparente al igual que todo objeto colocado
delante de l.

Evolucin de los leds
El primer led comercialmente utilizable fue desarrollado en el ao 1962, combinando Galio, Arsnico y Fsforo
(GaAsP) con lo cual se consigui un led rojo con una frecuencia de emisin de unos 650 nm con una intensidad
relativamente baja, aproximadamente 10mcd @20mA,(mcd = milicandela, posteriormente explicaremos las
unidades fotomtricas y radiomtricas utilizadas para determinar la intensidad lumnica de los leds ). El
siguiente desarrollo se bas en el uso del Galio en combinacin con el Fsforo (GaP) con lo cual se consigui
una frecuencia de emisin del orden de los 700nm. A pesar de que se consegua una eficiencia de conversin
electrn- fotn o corriente-luz mas elevada que con el GaAsP, esta se produca a relativamente baja corrientes,
un incremento en la corriente no generaba un aumento lineal en la luz emitida, sumado a esto se tenia que la
frecuencia de emisin estaba muy cerca del infrarrojo una zona en la cual el ojo no es muy sensible por lo que el
led pareca tener bajo brillo a pesar de su superior desempeo de conversin.

Los siguientes desarrollos, ya entrada la dcada del 70, introdujeron nuevos colores al espectro. Distinta
proporcin de materiales produjo distintos colores. As se consiguieron colores verde y rojo utilizando GaP y
mbar, naranja y rojo de 630nm (el cual es muy visible) utilizando GaAsP. Tambin se desarrollaron leds
infrarrojos, los cuales se hicieron rpidamente populares en los controles remotos de los televisores y otros
artefactos del hogar.

En la dcada del 80 un nuevo material entr en escena el GaAlAs Galio, Aluminio y Arsnico. Con la
introduccin de este material el mercado de los leds empez a despegar ya que provea una mayor performance
sobre los leds desarrollados previamente. Su brillo era aproximadamente 10 veces superior y adems se poda
utilizar a elevadas corrientes lo que permita utilizarlas en circuitos multiplexados con lo que se los poda
utilizar en display y letreros de mensaje variable. Sin embargo este material se caracteriza por tener un par de
limitaciones, la primera y ms evidente es que se conseguan solamente frecuencias del orden de los 660nm
(rojo) y segundo que se degradan mas rpidamente en el tiempo que los otros materiales, efecto que se hace ms
notorio ante elevadas temperaturas y humedades. Hay que hacer notar que la calidad del encapsulado es un
factor fundamental en la ecuacin temporal. Los primeros desarrollos de resinas epoxi para el encapsulado
posean una no muy buena impermeabilidad ante la humedad, adems los primeros leds se fabricaban
manualmente, el posicionamiento del sustrato y vertido de la resina era realizado por operarios y no por
maquinas automticas como hoy en da, por lo que la calidad del led era bastante variable y la vida til mucho
menor que la esperada. Hoy en da esos problemas fueron superados y cada vez son mas las fabricas que
certifican la norma ISO 9000 de calidad de proceso. Adems ltimamente es ms comn que las resinas posean
inhibidores de rayos UVA y UVB, especialmente en aquellos leds destinado al uso en el exterior.

En los 90 se apareci en el mercado tal vez el ms xitoso material para producir leds hasta la fecha el AlInGaP
Aluminio, Indio, Galio y Fsforo. Las principales virtudes de este tetar compuesto son que se puede conseguir
una gama de colores desde el rojo al amarillo cambiando la proporcin de los materiales que lo componen y
segundo, su vida til es sensiblemente mayor, a la de sus predecesores, mientras que los primeros leds tenia una
vida promedio efectiva de 40.000 horas los leds de AlInGaP podan mas de 100.000 horas aun en ambientes de
elevada temperatura y humedad.

Es de notar que muy difcilmente un led se queme, si puede ocurrir que se ponga en cortocircuito o que se abra
como un fusible e incluso que explote si se le hace circular una elevada corriente, pero en condiciones normales
de uso un led se degrada o sea que pierde luminosidad a una taza del 5 % anual. Cuando el led ha perdido el
50% de su brillo inicial, se dice que ha llegado al fin de su vida til y eso es lo que queremos decir cuando
hablamos de vida de un led. Un rpido calculo nos da que en una ao hay 8760 horas por lo que podemos

considerar que un LED de AlInGaP tiene una vida til de mas de 10 aos.
Como dijimos uno de factores fundamentales que atentan contra este numero es la temperatura, tanto la
temperatura ambiente como la interna generada en el chip, por lo tanto luego nos referiremos a tcnicas de
diseo de circuito impreso para bajar la temperatura.

Explicaremos un detalle de mucha importancia respecto a los leds y su construccin. Cuando se fabrica el led, se
lo hace depositando por capas a modo de vapores, los distintos materiales que componen el led, estos materiales
se depositan sobre una base o sustrato que influye en la dispersin de la luz. Los primeros leds de AlInGaP se
depositaban sobre sustratos de GaAs el cual absorbe la luz innecesariamente. Un adelanto en este campo fue
reemplazar en un segundo paso el sustrato de GaAs por uno de GaP el cual es transparente, ayudando de esta
forma a que mas luz sea emitida fuera del encapsulado. Por lo tanto este nuevo proceso dio origen al TS
AlInGaP (Tranparent Substrate ) y los AlInGaP originales pasaron a denominarse AS AlInGaP (Absorbent
Susbtrate). Luego este mismo proceso se utilizo para los led de GaAlAs dando origen al TS GaAlAs y al As
GaAlAs. En ambos casos la Eficiencia luminosa se incrementaba tpicamente en un factor de 2 pudiendo llegar
en algunos casos a incrementarse en un factor de 10. Como efecto secundario de reemplazar el As por el TS se
nota un pequeo viro al rojo en la frecuencia de emisin, generalmente menor a los 10nm.

A final de los 90 se cerro el circulo sobre los colores del arco iris, cuando gracias a las tareas de investigacin
del Shuji Nakamura, investigador de Nichia, una pequea empresa fabricante de leds de origen japons, se llego
al desarrollo del led azul, este led siempre haba sido difcil de conseguir debido a su elevada energa de
funcionamiento y relativamente baja sensibilidad del ojo a esa frecuencia (del orden de los 460 nm) Hoy en da
coexisten varias tcnicas diferentes para producir luz azul, una basada en el SiC Silicio Carbono otra basada
en el GaN Galio Nitrgeno, otra basada en InGaN Indio-Galio-Nitrgeno sobre substrato de Zafiro y otra GaN
sobre sustrato SiC. El compuesto GaN, inventado por Nakamura, es actualmente el mas utilizado. Otras tcnicas
como la de ZnSe Zinc Selenio ha sido dejadas de lado y al parecer el SiC seguir el mismo camino debido a su
bajo rendimiento de conversin y elevada degradacin con la temperatura.

Dado que el azul es un color primario, junto con el verde y el rojo, tenemos hoy en da la posibilidad de formar
el blanco con la combinacin de los tres y toda la gama de colores del espectro, esto permite que los display
gigantes y carteles de mensajes variables full color se hagan cada da ms habituales en nuestra vida cotidiana.

Es tambin posibles lograr otros colores con el mismo material GaN, como por ejemplo el verde azulado o
turquesa, de una frecuencia del orden de los 505 nm. Este color es importante ya que es el utilizado para los
semforos y entra dentro de la norma IRAM 2442 Argentina y VTCSH parte 2 americana y otras. Su tono
azulado lo hace visible para las personas daltnicas. El daltonismo es una enfermedad congnita que hace a
quien lo padece ser parcialmente ciego a determinadas frecuencias de color, generalmente dentro de ellas esta la
correspondiente al verde puro que tiene una frecuencia del orden de los 525 nm.

Otros colores tambin son posibles de conseguir como por ejemplo el prpura, violeta o ultravioleta. Este ultimo
es muy importante para la creacin de una forma ms eficiente de producir luz blanca que la mera combinacin
de los colores primarios, ya que aadiendo fsforo blanco dentro del encapsulado, este absorbe la radiacin
ultravioleta y emite frecuencia dentro de todo el espectro visible, logrando luz blanca en un proceso similar al
que se produce en el interior de los tubos fluorescentes. A veces el fsforo posee una leve tonalidad amarillenta
para contrarrestar el tono azulado de la luz del semiconductor.

Luego de tantos materiales y frecuencias de ondas seria bueno resumir todo esto en una forma mas clara, es por
ello en la tabla 1.1 se detallan los distintos frecuencias de emisin tpica de los leds comercialmente disponibles
y sus materiales correspondientes. Los datos tcnicos fueron obtenidos de distintos fabricantes. Es de notar que
la resolucin del ojo es del orden de los 3 a 5 nm segn el color de que se trate.

Para tener una idea aproximada de la relacin entre la frecuencia expresada en nanmetros y su correspondencia
con un color determinado es que a continuacin se presenta un grafico simplificado del triangulo de Maxwell o
Diagrama de Cromaticidad CIE (Fig.1.2). Cada color se puede expresar por sus coordenadas X e Y. Lo colores
puros o saturados se encuentran en el exterior del triangulo y a medida que nos acercamos a su centro el color
tiende al blanco. El centro de la zona blanca es el blanco puro y suele expresarse por medio de la temperatura de
color, en grados Kelvin, de un cuerpo negro. Simplificando podemos decir que un cuerpo negro al calentarse
empieza a emitir ondas infrarrojas, al subir la temperatura empieza a tomar un color rojizo, esto es en los 770
nm, al seguir elevndose la temperatura, el color se torna anaranjado, amarillento y finalmente blanco,

describiendo una parbola desde el extremo inferior derecho hacia el centro del triangulo. Por lo tanto cada
color por donde pasa dicha parabola puede ser representado por una temperatura equivalente. El centro del
triangulo (blanco puro) se corresponde con una temperatura de 6500 K. El tono de los leds blanco viene
expresado precisamente en grados kelvin. Una temperatura superior significa un color de emisin blanco
azulado.

PRINCIPIO FSICO
El fenmeno de emisin de luz est basado en la teora de bandas, por la cual, una tensin externa aplicada a
una unin p-n polarizada directamente, excita los electrones, de manera que son capaces de atravesar la banda
de energa que separa las dos regiones.
Si la energa es suficiente los electrones escapan del material en forma de fotones.
Cada material semiconductor tiene unas determinadas caractersticas que y por tanto una longitud de onda de la
luz emitida.


A diferencia de la lmparas de incandescencia cuyo funcionamiento es por una determinada tensin, los Led
funcionan por la corriente que los atraviesa. Su conexin a una fuente de tensin constante debe estar protegida
por una resistencia limitadora, veremos ms adelante algunos ejemplos.

TEORA DE BANDAS
En un tomo aislado los electrones pueden ocupar determinados niveles energticos pero cuando los tomos se
unen para formar un cristal, las interacciones entre ellos modifican su energa, de tal manera que cada nivel
inicial se desdobla en numerosos niveles, que constituyen una banda, existiendo entre ellas huecos, llamados
bandas energticas prohibidas, que slo pueden salvar los electrones en caso de que se les comunique la energa
suficiente. (figura 1) En los aislantes la banda inferior menos energtica (banda de valencia) est completa con
los e- ms internos de los tomos, pero la superior (banda de conduccin) est vaca y separada por una banda
prohibida muy ancha (~ 10 eV), imposible de atravesar por un e-. En el caso de los conductores las bandas de
conduccin y de valencia se encuentran superpuestas, por lo que cualquier aporte de energa es suficiente para
producir un desplazamiento de los electrones. Entre ambos casos se encuentran los semiconductores, cuya
estructura de bandas es muy semejante a los aislantes, pero con la diferencia de que la anchura de la banda
prohibida es bastante pequea. Los semiconductores son, por lo tanto, aislantes en condiciones normales, pero
una elevacin de temperatura proporciona la suficiente energa a los electrones para que, saltando la banda
prohibida, pasen a la de conduccin, dejando en la banda de valencia el hueco correspondiente. (figura 2) En el
caso de los diodos Led los electrones consiguen saltar fuera de la estructura en forma de radiacin que
percibimos como luz (fotones).
Composicin de los Leds





dispositivo.

- Led Rojo
Formado por GaP consiste en una unin p-n obtenida por el mtodo de crecimiento epitaxial del cristal en su
fase lquida, en un substrato.
La fuente luminosa est formada por una capa de cristal p junto con un complejo de ZnO, cuya mxima
concentracin est limitada, por lo que su luminosidad se satura a altas densidades de corriente. Este tipo de Led
funciona con baja densidades de corriente ofreciendo una buena luminosidad, utilizndose como dispositivo de
visualizacin en equipos porttiles.
El constituido por GaAsP consiste en una capa p obtenida por difusin de Zn durante el crecimiento de un
cristal n de GaAsP, formado en un substrato de GaAs, por el mtodo de crecimiento epitaxial en fase gaseosa.
Actualmente se emplea los Led de GaAlAs debido a su mayor luminosidad.
El mximo de radiacin se halla en la longitud de onda 660 nm. (figura 3).
Led anaranjado y amarillo
Estn compuestos por GaAsP al igual que sus hermanos los rojos pero en este caso para conseguir luz
anaranjada y amarilla as como luz de longitud de onda ms pequea, lo que hacemos es ampliar el ancho de la
banda prohibida mediante el aumento de fsforo en el semiconductor.
Su fabricacin es la misma que se utiliza para los diodos rojos, por crecimiento epitaxial del cristal en fase
gaseosa, la formacin de la unin p-n se realiza por difusin de Zn.
Como novedad importante en estos Leds se mezcla el rea emisora con una trampa isoelectrnica de nitrgeno
con el fin de mejorar el rendimiento . El Led verde est compuesto por GaP. Se utiliza el mtodo de crecimiento

epitaxial del cristal en fase lquida para formar la unin p-n. Al igual que los Leds amarillos, tambin se utiliza
una trampa isoelectrnica de nitrgeno para mejorar el rendimiento. Debido a que este tipo de Led posee una
baja probabilidad de transicin fotnica, es importante mejorar la cristalinidad de la capa n. La disminucin de
impurezas a larga la vida de los portadores, mejorando la cristalinidad.
Su mxima emisin se consigue en la longitud de onda 555 nm

CRITERIOS DE SELECCIN
1. Dimensiones y color del diodo
Actualmente los Leds tienen diferentes tamaos, formas y colores. Tenemos Leds redondos, cuadrados,
rectangulares, triangulares y con diversas formas.
Los colores bsicos son rojo, verde y azul, aunque podemos encontrarlos naranjas, amarillos incluso hay un Led
de luz blanca.
Las dimensiones en los Led redondos son 3mm, 5mm, 10mm y uno gigante de 20mm. Los de formas
polidricas suelen tener unas dimensiones aproximadas de 5x5mm.
2. ngulo de vista
Esta caracterstica es importante, pues de ella depende el modo de observacin del Led, es decir, el empleo
prctico de aparato realizado.
Cuando el Led es puntual la emisin de luz sigue la ley de Lambert, permite tener un ngulo de vista
relativamente grande y el punto luminoso se ve bajo todos los ngulos. (figura 4) . La intensidad luminosa en el
eje y el brillo estn intensamente relacionados. Tanto si el Led es puntual o difusor, el brillo es proporcional a la
superficie de emisin. Si el Led es puntual, el punto ser ms brillante, al ser una superficie demasiado
pequea. En uno difusor la intensidad en el eje es superior al modelo puntual.
COMPOSICIN DE LOS LED
Existen diodos LED de varios colores que dependen del material con el cual fueron construidos. Hay de color
rojo, verde, amarillo, mbar, infrarrojo, entre otros.
LED rojo: Formado por GaP consiste en una unin p-n obtenida por el mtodo de crecimiento epitaxial del
cristal en su fase lquida, en un substrato.
La fuente luminosa est formada por una capa de cristal p junto con un complejo de ZnO, cuya mxima
concentracin est limitada, por lo que su luminosidad se satura a altas densidades de corriente. Este tipo de
LED funciona con baja densidades de corriente ofreciendo una buena luminosidad, utilizndose como
dispositivo de visualizacin en equipos porttiles. El constituido por GaAsP consiste en una capa p obtenida por
difusin de Zn durante el crecimiento de un cristal n de GaAsP, formado en un substrato de GaAs, por el
mtodo de crecimiento epitaxial en fase gaseosa.
Actualmente se emplea los LED de GaAlAs debido a su mayor luminosidad.
El mximo de radiacin se halla en la longitud de onda 660 nm.
LED anaranjado y amarillo: Estn compuestos por GaAsP al igual que sus hermanos los rojos pero en este caso
para conseguir luz anaranjada y amarilla as como luz de longitud de onda ms pequea, lo que hacemos es
ampliar el ancho de la "banda prohibida" mediante el aumento de fsforo en el semiconductor. Su fabricacin es
la misma que se utiliza para los diodos rojos, por crecimiento epitaxial del cristal en fase gaseosa, la formacin
de la unin p-n se realiza por difusin de Zn.
Como novedad importante en estos LED se mezcla el rea emisora con una trampa isoelectrnica de nitrgeno
con el fin de mejorar el rendimiento.

LED verde: El LED verde est compuesto por GaP. Se utiliza el mtodo de crecimiento epitaxial del cristal en
fase lquida para formar la unin p-n.
Al igual que los LED amarillos, tambin se utiliza una trampa isoelectrnica de nitrgeno para mejorar el
rendimiento. Debido a que este tipo de LED posee una baja probabilidad de transicin fotnica, es importante
mejorar la cristalinidad de la capa n. La disminucin de impurezas a larga la vida de los portadores, mejorando
la cristalinidad.Su mxima emisin se consigue en la longitud de
onda 555 nm

DIODOS LSER ACOPLADOS
Existen tambin estructuras especiales en donde dos lseres
se acoplan pticamente. La radiacin emitida por el primer lser
es transferida al segundo, que es controlado por otra fuente de
alimentacin. Un ejemplo puede verse en la siguiente figura
12.66.
APLICACIONES
El tamao de los lseres vara ampliamente, desde diodos
lser microscpicos (arriba) con numerosas aplicaciones, al lser de cristales de neodimio con un tamao
similar al de un campo de ftbol, (abajo) usado para la fusin de confinamiento inercial, investigacin
sobre armas nucleares de destruccin masiva u otros experimentos fsicos en los que se presenten altas
densidades de energa
Cuando se invent en 1960, se denominaron como "una solucin buscando un problema a resolver". Desde
entonces se han vuelto omnipresentes. Se pueden encontrar en miles de variadas aplicaciones en cualquier
sector de la sociedad actual. Estas incluyen campos tan dispares como l a electrnica de consumo, las
tecnologas de la informacin (informtica), anlisis en ciencia, mtodos de diagnstico en medicina, as
como el mecanizado, soldadura o sistemas de corte en sectores industriales y militares. En bastantes
aplicaciones, los beneficios de los lseres se deben a sus
propiedades fsicas como la coherencia, la alta
monocromaticidad y la capacidad de alcanzar potencias
extremadamente altas. A modo de ejemplo, un haz lser altamente coherente puede ser enfocado por debajo
de su lmite de difraccin que, a longitudes de onda visibles, corresponde solamente a unos pocos
nanmetros. Esta propiedad permite al lser grabar gigabytes de informacin en las microscpicas
cavidades de un DVD o CD. Tambin permite a un lser de media o baja potencia alcanzar intensidades
muy altas y usarlo para cortar, quemar o incluso sublimar materiales. El rayo lser se emplea en el proceso
de fabricacin de grabar o marcar metales y plsticos. Los posibles usos del lser son casi ilimitados. El
lser se ha convertido en una herramienta valiosa en la industria, en la tecnologa y en la medicina. Estados
Unidos prueba el uso del rayo laser montado en un avion 747 para probarlo en la intercepcion de un misil
en 2008.
APLICACIONES MDICAS
Con haces intensos y estrechos de luz lser es posible cortar y cauterizar ciertos tejidos en una fraccin
de segundo sin daar el tejido sano circundante. Se emplea para soldar la retina, perforar el crneo, reparar
lesiones y cauterizar vasos sanguneos. En la odontologa se utiliza como antinflamatorio, analgsico,
cicatrizante e higienizante.
APLICACIONES COMUNICACIONES.
La luz lser puede viajar a grandes distancias por el espacio exterior con una pequea reduccin de la
intensidad de la seal. Debido a su alta frecuencia puede transportar 1000 veces ms canales de televisin
que las microondas. Por ello resultan ideales para comunicaciones espaciales y registro de informacin.
5. DETECTORES
Ya se ha explicado que los componentes fotodetectores son aquellos componentes que varan algn
parmetro elctrico en funcin de la luz. Todos los componentes fotodetectores estn basados en el mismo
principio. Si construimos un componente con un material semiconductor de manera que la luz pueda incidir
Figura 12.66.- Laser de Diodo con
Acoplamiento ptico

sobre dicho material, la luz generar pares electrn - hueco. Esta generacin se realiza de manera anloga a
la generacin trmica de portadores ya estudiada. Fundamentalmente son:
- Fotorresistencias
- Fotodiodos
- Fototransistores
- LASCR
Fotodetectores
La definicin bsica de un fotodetector radica en su
funcionamiento como transductor de luz que proporciona una
seal elctrica como respuesta a la radiacin ptica que incide
sobre la superficie sensora. Existen dos tipos fundamentales de
detectores de luz, los trmicos y los fotnicos que operan con
mecanismos de transduccin diferentes. Los detectores
trmicos absorben (detectan) la energa de los fotones
incidentes en forma de calor con lo que se produce un
incremento en la temperatura del elemento sensor que implica
tambin un cambio en sus propiedades elctricas como por ejemplo la resistencia. El cambio en esta propiedad
elctrica en funcin del flujo radiante recibido es lo que permite su medida a travs de un circuito exterior. La
mayora de esta clase de fotodetectores son bastante ineficientes y relativamente lentos como resultado del
tiempo requerido para cambiar su temperatura, lo que les hace inadecuados para la mayor parte de las
aplicaciones fotnicas. Los detectores fotnicos no utilizan la energa del fotn en forma de calor, sino que la
invierten en incrementar la energa de sus portadores de carga, con lo que se modifican las propiedades de
conduccin elctrica de los sistemas detectores en funcin del flujo de fotones recibido. Este proceso de
conversin implica la transformacin de los fotones incidentes en electrones, pero esta respuesta simple no
tendra ninguna relevancia si esos electrones no se ponen en movimiento para generar una corriente, que es la
magnitud que realmente podemos medir, para ello en ocasiones hay que aplicar un campo elctrico, dando lugar
a un esquema como el de la figura 4.19. Dado su origen, la corriente as generada recibe el nombre de
fotocorriente. Es a esta clase de detectores a la que nos vamos a dedicar en este tema.
Propiedades de los detectores fotnicos
Son los ms utilizados en los sistemas de comunicaciones, y como ya se ha dicho, estn basados en la
capacidad de ionizacin de un material semiconductor, de forma que los diferentes dispositivos que veremos no
son ms que variaciones de este mismo principio. Para caracterizar el comportamiento de estos detectores,
existen unos parmetros fundamentales a tener en cuenta en el proceso de seleccin para cada aplicacin
particular. Estos parmetros son:
- Eficiencia cuntica
- Responsividad
- Tiempo de respuesta
- Caractersticas de ruido
Los fotodetectores se utilizan para convertir la seal luminosa en seal elctrica, y as transmitir
informaciones al procesador de seal. Estos puede ser de fotoclula, fotomultiplicador o de detectores de estado
slido. En general, los fabricantes de dispositivos proporcionan datos relacionados con estas caractersticas
fundamentales, aunque en ocasiones no se den stos de manera explcita. Aparte de la informacin de los
dispositivos como detectores de radiacin, tambin hay que tener en cuenta sus propiedades elctricas en virtud
de las caractersticas de componente electrnico que presentan. A lo largo del tema podremos ver algunos
ejemplos de cmo trabajar con estos datos.
En principio, vamos a dar una breve descripcin de los parmetros bsicos enumerados anteriormente,
indicando los factores ms importantes de que dependen cuando sea necesario.
Eficiencia Cuntica ( 0 <= <= 1 )
La Eficiencia cuntica es una cantidad definida para un dispositivo fotosensible como la pelcula fotogrfica
o un CCD como el porcentaje de fotones que chocan con la superficie fotoreactiva que producir un par
electrn-hueco. Es una medida precisa de la sensibilidad del dispositivo. A menudo se mide sobre un rango de
diferentes longitudes de onda para caracterizar la eficiencia del dispositivo a cada energa. La pelcula
fotogrfica tiene tpicamente una eficiencia cuntica de menos del 10%, mientras los CCDs pueden tener una
eficiencia cuntica sobre 90% en algunas longitudes de onda
Figura 13.1.- Esquema bsico de un
dispositivo fotodetector

Se define tambien como la probabilidad de que un fotn incidente sobre el dispositivo genere un par de
portadores que contribuyen a la corriente del detector. Dado que en general tendremos una elevada cantidad de
fotones incidiendo sobre la superficie del detector, podemos escribir la eficiencia cuntica como

No todos los fotones incidentes generan portadores que contribuyan a la fotocorriente, los efectos de
reflexin en la superficie, transparencia del material a los fotones de energa inferior a la del gap de energa
prohibida del mismo, la probabilidad de absorcin cerca de la superficie del dispositivo y la rpida
recombinacin de portadores en este caso por la abundancia de defectos, hace que la eficiencia cuntica se
reduzca. Si tenemos en cuenta estos factores, la eficiencia cuntica total vendr dada por

En la expresin anterior aparecen tres trminos diferentes que afectan a al eficiencia cuntica. El primero da
cuenta de los efectos de reflexin en la superficie del dispositivo, es decir, de todos los fotones incidentes una
fraccin no penetra en el material. El segundo trmino ( ) hace referencia a la fraccin de los fotones incidentes
que penetran en el material generando pares eh y que evitan la recombinacin superficial de portadores de carga,
con lo que contribuyen a la generacin de corriente til. El problema de la recombinacin superficial puede
minimizarse si se realiza un crecimiento cuidadoso de los cristales que forman los dispositivos. Finalmente,
aparece un trmino que da cuenta de la fraccin de fotones absorbidos en el material masivo. Aparecen
parmetros tales como el coeficiente de absorcin del material ( [cm1]) y la profundidad del fotodetector (d
[cm]). La obtencin de este trmino tiene en cuenta el flujo de fotones incidente o y los absorbidos en funcin
de la capacidad de absorcin del material (figura 4.3). Si tenemos en cuenta la expresin de los fotones
absorbidos

En la figura 4.2 puede verse una representacin esquemtica de todos los fenmenos que intervienen en el
valor final del factor de la eficiencia cuntica.

Debemos notar que el coeficiente de absorcin en la primera ecuacin depende de la longitud de onda. Este
es uno de los factores principales por los que la eficiencia cuntica del
dispositivo que utilicemos depender tambin de la longitud de onda.
Esta circunstancia da lugar a la necesidad de utilizar diferentes
materiales dependiendo del rango de longitudes de onda a detectar
(figura 4.20). En efecto, si > C, nos encontraremos con <<, por lo
que no ser posible la deteccin de esa longitud de onda. Si por contra
<< C, se da el fenmeno de absorcin superficial, lo que como ya
sabemos hace que la recombinacin de portadores se de en un tiempo
tan corto que no se genera fotocorriente. En este caso tambin <<.
Responsividad R
Es un dato que suelen suministrar los fabricantes de dispositivos
(figura 4.4) y que hace referencia a la corriente que circula por el mismo en funcin de la potencia ptica
incidente. Si cada fotn incidente generase un par eh, un flujo de fotones producira el mismo flujo de
electrones, con lo que tendramos una fotocorriente

Por tanto, una potencia ptica incidente

Generara una corriente elctrica
Figura 13.2.- Factores que
intervienen en la eficiencia
cuntica de un fotodetector


Pero debemos tener en cuenta la fraccin de fotones tiles en la generacin de esa corriente, y ese valor nos
lo proporciona la eficiencia cuntica, por tanto:

Segn las diferentes relaciones que aparecen en la ltima ecuacin, La responsividad crece con hasta que
se alcance el valor de la longitud de onda de corte C. Al presentar una dependencia con , los fabricantes
pueden proporcionar bien una figura con el rango total de longitudes de onda para las que es til el dispositivo
(fig. 13.4b) o el dato para a la a que la responsividad es mxima (fig. 13.4a). La responsividad del detector
puede degradarse cuando la potencia ptica incidente es muy elevada. Se produce entonces la saturacin del
detector, es decir, se pierde la relacin lineal entre la potencia ptica recibida y la corriente generada segn la
ecuacin. En general, la responsividad depender tambin de factores como la temperatura y el ngulo de
incidencia de la radiacin sobre el detector (figura 13.4c).

Un dato a tener en cuenta es que la responsividad puede recibir diferentes nombres en las hojas de
caractersticas de dispositivos, as en ocasiones nos encontraremos con que aparece el dato como
fotosensibilidad, sensibilidad, sensibilidad espectral, etc. En estos casos siempre es til observar las unidades
que se ofrecen.
Algunos dispositivos pueden presentar ganancia, por lo que las expresiones para la corriente y la
responsividad de la expresin pueden generalizarse sin ms que multiplicar por ese factor de ganancia.

Tiempo de Respuesta
Est limitado por el tiempo de trnsito y por la constante RC del circuito asociado. El tiempo de trnsito suele
ser aproximadamente igual al tiempo de recombinacin de portadores . De la misma forma que en el caso de
los fotoconductores, el fenmeno que interviene es la absorcin de radiacin por parte de un material
semiconductor, generando pares de portadores de carga que contribuyen a la fotocorriente. Existen diferentes
configuraciones para los fotodiodos, cada una de ellas con caractersticas especficas. En este apartado vamos a
ver las ms comunes, que adems presentan propiedades que tambin encontraremos en fotodetectores ms
complejos. al nivel de umbral del TRIAC(punto en el cual el triac no sabe si conducir o no), obtendremos lo que
se conoce como QUADRAC. Este dispositivo se consigue ya integrado dentro de encapsulados iguales a los de
los triac, estos se reconocen por la referencia, por ejemplo: Q4006LT. El nmero 400 seanla el voltaje del triac,
el 6 indica la corriente de trabajo en amperios, y las letras LT significan que tienen DIAC incluido en el gate.
Est limitado por el tiempo de trnsito y por la constante RC del circuito asociado. El tiempo de trnsito
suele ser aproximadamente igual al tiempo de recombinacin de portadores . De la misma forma que en el caso
de los fotoconductores, el fenmeno que interviene es la absorcin de radiacin por parte de un material
semiconductor, generando pares de portadores de carga que contribuyen a la fotocorriente. Existen diferentes
configuraciones para los fotodiodos, cada una de ellas con caractersticas especficas. En este apartado vamos


Va a ser un parmetro decisivo cuando la radiacin incidente vara en el tiempo. Es un dato que tambin
aparece especificado por los fabricantes para cada dispositivo particular, aunque en general podemos decir que
los fotodiodos y sus variantes van a ser ms rpidos que los fotoconductores, siempre tendremos que referirnos a
los datos de la hojas de caractersticas. La rapidez en la respuesta a las variaciones del flujo de fotones recibido
depender del propio material, de las caractersticas constructivas del componente y del circuito electrnico al
que se encuentre acoplado. An con ciertas precauciones en el siguiente dato, los valores tpicos en la respuesta
de los detectores fotnicos suelen ser inferiores al s. Este dato puede aparecer en las hojas de especificaciones
bajo diferentes formas, como tiempo de subida y bajada, como frecuencia de operacin, etc.
Caractersticas de Ruido
Ya conocemos la respuesta ideal de un fotodetector a la potencia ptica recibida. Sin embargo el dispositivo
tambin genera una corriente aleatoria que flucta en torno a su valor medio, y estas fluctuaciones pueden llegar
a ser crticas cuando en nuestra aplicacin tengamos bajos niveles de luz. Entre las posibles fuentes de ruido,
podremos encontrar la llegada de fotones no deseados al detector, la generacin espontnea de pares eh
(corriente de oscuridad), ruido de ganancia y el ruido asociado a los circuitos electrnicos del receptor.
Detectores Fotnicos: Tipos y Caractersticas
Dentro de la categora de detectores fotnicos podemos encontrar una gran variedad de dispositivos, cada
uno de ellos presentar unas caractersticas particulares. En este apartado, veremos algunos ejemplos de
detectores teniendo en cuenta las propiedades ms importantes. El conocimiento de estas propiedades podr
ayudarnos en la eleccin del fotodetector adecuado para cada aplicacin concreta.
6. FOTORRESISTENCIAS
Una fotorresistencia se compone de un material semiconductor cuya resistencia
varia en funcin de la iluminacin. La fotorresistencia reduce su valor resistivo en
presencia de rayos luminosos. Es por ello por lo que tambin se le llama resistencias
dependientes de luz (light dependent resistors), fotoconductores o clulas
fotoconductoras. Cuando incide la luz en el material fotoconductor se generan pares
electrn - hueco. Al haber un mayor nmero de portadores, el valor de la resistencia
disminuye. De este modo, la fotorresistencia iluminada tiene un valor de
resistencia bajo.
El LDR o forresistencia es un elemento muy til para aplicaciones en circuitos
donde se necesita detectar la ausencia de luz de da.

Por supuesto, el material de la fotorresistencia responder a unas longitudes de onda determinadas. Es
decir, la variacin de resistencia ser mxima para una longitud de onda determinada. Esta longitud de
onda depende del material y el dopado, y deber ser suministrada por el proveedor. En general, la variacin
de resistencia en funcin de la longitud de onda presenta curvas como las de la figura siguiente.
El material mas utilizado como sensor es el CdS, aunque tambin puede utilizarse Silicio, GaAsP y GaP.
Figura 13.5.-
Smbolo de diodo
LED
Figura 13.6.- Fotogeneracin de Conductores Figura 13.7.-Estado de Conduccin sin Fotogeneracin
Figura 13.4.-
a) Valor de la sensibilidad
espectral (responsividad) para una
longitud de onda fija
b) Valores relativos de la
responsividad en funcin de la
longitud de onda
c) Responsividad en funcin del
ngulo de incidencia.


Si dejamos de iluminar, los portadores fotogenerados se recombinarn hasta volver hasta sus valores
iniciales. Por lo tanto el nmero de portadores disminuir y el valor de la resistencia ser mayor. El LDR
es fabricado con materiales de estructura cristalina, y utiliza sus propiedades fotoconductoras. Los cristales
utilizados ms comunes son: sulfuro de cadmio y seleniuro de cadmio. El valor de la fotorresistencia (en
Ohmios) no vara de forma instantnea cuando se pasa de luz a oscuridad o al contrario, y el tiempo que se
dura en este proceso no siempre es igual si se pasa de oscuro a iluminado o si se pasa de iluminado a
oscuro.
Esto hace que el LDR no se pueda utilizar en muchas aplicaciones, especialmente aquellas que
necesitan de mucha exactitud en cuanto a tiempo para cambiar de estado (oscuridad a iluminacin o
iluminacin a oscuridad) y a exactitud de los valores de la fotorresistencia al estar en los mismos estados
anteriores. Su tiempo de respuesta tpico es de aproximadamente 0.1 segundos. Pero hay muchas
aplicaciones en las que una fotorresistencia es muy til. En casos en que la exactitud de los cambios no es
importante como en los circuitos:
- Luz nocturna de encendido automtico, que utiliza una fotorresistencia para activar una o mas luces al llegar
la noche.
- Rel controlado por luz, donde el estado de iluminacin de la fotorresistencia, activa o desactiva un Relay
(rel), que puede tener un gran nmero de aplicaciones.
APLICACIN 1: MINI ROBOT
Este circuito est dedicado a los que gustan de la robtica. El mini robot ve obstculos y objetos
luminosos, para esto se vale de 2 fototransistores (ojos). Los fototransistores envan la informacin al
minicerebro del robot, el cual lo gua a buscar lugares ms luminosos. Espero que lo ensamblen.
COMO FUNCIONA: El principio es simple, como se observa en el diagrama. Un multivibrador astable
alimenta a 2 motores comunes. En el control del tiempo de conduccin de cada una de las ramas astables
estn conectados los sensores, los fototransistores. Cuando stos reciben la misma cantidad de luz, el
astable tiene tiempos de conduccin iguales, y con esto los motores giran a la misma velocidad. Bajo estas
condiciones el robot avanza en lnea recta. En caso de que uno de los fototransistores reciba ms luz que el
otro, el astable se desequilibra y uno de los motores gira ms rpido y el otro ms lento, dando como
resultado que el robot gire. Si no existiera ninguna fuente de luz que haga el equilibrio en la conduccin de
los fototransistores, el robot dar una vuelta completa hasta que encuentre la iluminacin que lleve el
circuito al equilibrio, es entonces que avanza nuevamente en lnea recta. El ajuste del quilibrio se hace con
los trimpots (minipotencimetros) para llevar al robot al comportamiento que deseamos. En el circuito se
incluyen 2 leds conectados a los colectores de los transistores para darle un efecto visual, estos parpadean
de acuerdo a la luz que ve el robot. La alimentacin del circuito se hace con 6 voltios (4 pilas medianas),
los motores son para este voltaje y de bajo consumo.

leyenda. Con objeto de comprobar la correcta realizacin de cada uno de los procesos tecnolgicos relevantes
en la fabricacin, as como monitorizar la uniformidad de los parmetros del material, cada bloque de
transistores est dotado de una regin de control. Dicha zona de control consta de: estructuras TLM para
evaluar la resistencia de los contactos, meandros metlicos para medir ia conductividad del metal, un patrn de
barra Hall para medir la densidad de carga y la movilidad, diodos Schottky ((t)=400 y 200 |j,m), con que
analizar fugas y altura de la barrera, estructuras MIM y MIS ((t)=400 ^m), con las que comprobar la calidad del
pasivante, si hubiese, y patrones mesa con contactos para verificar el aislamiento entre zonas activas.

La mscara m2 es ms exigente que la m1 desde el punto de vista tecnolgico, ya que las distancias estn ms
ajustadas, y por lo tanto pequeos errores de alineacin conducen a un dispositivo cortocircuitado. Adems,
dada la variedad de dispositivos para su procesado se requiere de muestras con un tamao mnimo mayor que
el requerido para un procesado satisfactorio con la mscara m1.
Tecnologa de fabricacin de los dispositivos HEMT.

En este captulo se han descrito los diferentes procesos tecnolgicos que son necesarios para la fabricacin de
los transistores de AlGaN/GaN, y se ha mostrado el esquema completo de los diferentes procesos. A
continuacin se enumeran los pasos bsicos necesarios para la fabricacin de un transistor, junto con las
conclusiones ms relevantes a las que se ha llegado a lo largo de este captulo: 1. Aislamiento de los
dispositivos por ataque mesa mediante IBM con plasma de Ar. 2. Deposicin de contactos hmicos: fuente y
drenador. Se han estudiado distintas metalizaciones y condiciones de aleado para la formacin de contactos
hmicos en (AI)GaN, observndose que pequeas variaciones en el cociente Ti/Al y/o en la temperatura de
aleado, y/o en la estructura de capas del contacto, pueden tener importantes efectos tanto en la Re como en la

morfologa superficial. Se ha mostrado que la incorporacin de Au, pese a no ser esencial para la obtencin del
carcter hmico, reduce la Re sustancialmente, aunque aumentando la rugosidad superficial del mismo. Por
otro lado, se ha comprobado que el Ti no es una buena barrera metalrgica para el Au. Concluyendo, la mejor
combinacin en nuestro caso ha sido Ti/AI/Ti/Au (20/100/40/50 nm), aleado a C durante 30" en atmsfera de
N2, con la que se han obtenido Re de hasta 0.6 Qtnm en Alo.34Gao.66N/GaN. 3. Definicin de puertas con
LG>1 p.m mediante la deposicin de Pt/Ti/Au (30/5/100 nm), y por deposicin de Ni/Au en puertas con LG<1
am, definidas mediante litografa por haz de electrones. Para finalizar, hay que resaltar el uso de dos mscaras
diferentes (m1 y m2). La mscara m2 est optimizada y permite una mayor variedad de geometras,
combinando diferentes formas y dimensiones de puerta. Adems permite la realizacin de puertas
submicrnicas.

CARACTERIZACIN BSICA DE LOS DISPOSITIVOS HEMT

En los captulos precedentes se ha descrito, tanto el crecimiento de las muestras como su caracterizacin desde
el punto de vista de heteroestrutura, as como los distintos pasos tecnolgicos necesarios para la fabricacin de
los dispositivos HEMT. Este capitulo confirma la validez de todo lo realizado durante esta Tesis para la
obtencin de transistores HEMT de AlGaN/GaN. Aqu se muestra, por tanto, el estudio y caracterizacin de los
dispositivos ya procesados. Utilizando la tecnologa de procesado que se expone en el captulo 6 de esta Tesis,
se han fabricado transistores HEMT en las heteroestructuras de AlGaN/GaN crecidas por PA-MBE, as como
en heteroestructuras con similares caractersticas pero crecidas totalmente por MOVPE. Esto ha permitido
comparar las caractersticas de salida de los dispositivos crecidos por ambas tcnicas. Las muestras crecidas
por MOVPE fueron facilitadas por el Grupo de Materiales del Departamento de Tecnologa de la Informacin
(INTEC) de la Universidad de Gante (Blgica).
En todos los dispositivos fabricados se ha llevado a cabo la caracterizacin bsica tpica de parmetros DO.
Dentro de esta caracterizacin, se han realizado medidas para determinar las corrientes drenador-fuente
mximas de saturacin, y el valor de la transconductancia extrnseca. Las caractersticas l-V se obtuvieron en
DC con un parametrizador (medida digital), as como con un trazador de curvas (media analgica). La
principal razn para utilizar el trazador es que ha permitido realizar medidas pulsando la polarizacin de puerta
(pulsos de 300|LIS en intervalos de 10ms), lo que simula mejor las condiciones de trabajo en RF [Wu01]. Esta
caracterizacin es importante para este tipo de dispositivos, ya que una de las principales limitaciones actuales
es la aparicin de fenmenos de colapso, descritos en el captulo 1, no detectables bajo condiciones de DC.





dispositivo.

El UJT
Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de pulsos de disparo para SCR y TRIACs. El
UJT es un componente que posee tres terminales. Las siglas UJT significan UNIJUNCTION TRANSISTOR lo
que se traduce como transistor de juntura nica, este dispositivo hecho de silicio esta compuesto por una barra
de material tipo N fuertemente dopado y casi a la mitad de la barra tiene difundido material tipo P.
El transistor UJT o de uni-union El transistor de uni-union (unijunction transistor) o UJT esta constituido por
dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor. En la figura 1.21.a aparece la
estructura fisica de este dispositivo. El emisor esta fuertemente dopado con impurezas p y la region n
debilmente dopado con n. Por ello, la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es elevada (de
5 a 10KZ estando el emisor abierto). El modelo equivalente representado en
la figura 1.21.b esta constituido por un diodo que excita la union de dos
resistencias internas, R1y R2, que verifican RBB=R1+R2. Cuando el diodo
no conduce, la caida de tension en R1(V1) se puede expresar como

En donde VB2B1 es la diferencia de tension entre las bases del UJT y es el factor de division de tension
conocido como relacion intrinseca. El modelo de este dispositivo utilizando transistores se muestra en la figura
9.2.c, cuya estructura es muy similar a un diodo de cuatro capas. Cuando entra en conduccion los transistores la
caida de tension en R1es muy baja. El simbolo del UJT se muestra en la figura 9.1. en donde VB2B1 es la
diferencia de tension entre las bases del UJT y es el factor de division de tension conocido como relacion
intrinseca. El modelo de este dispositivo utilizando transistores se muestra en la figura 9.2.c, cuya estructura es
muy similar a un diodo de cuatro capas. Cuando entra en conduccion los transistores la caida de tension en R1
es muy baja. El simbolo del UJT se muestra en la figura 9.2.d.

Fsicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones elctricas a sus dos extremos (B1 y
B2) y de una conexin hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material
N. En el lugar de unin el aluminio crea una regin tipo P en la barra, formando as una unin PN. Como se
dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al que
ocurre este disparo est dado por la frmula: Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1.

La frmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7 dependiendo del
dispositivo y la temperatura. Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe haber
entre E y B1 para que el UJT se dispare = Ip. Es importante hacer notar que tambin se ha construido el UJT
donde la barra es de material tipo P (muy poco). Se le conoce como el CUJT o UJT complementario. Este se
comporta de igual forma que el UJT pero con las polaridades de las tensiones al revs
El transistor monounin (UJT) se utiliza generalmente para generar seales de disparo en los SCR. En la fig.5 se
muestra un circuito bsico de disparo UJT. Un UJT tiene tres terminales, conocidas como emisor E, base1 B1 y
base2 B2. Entre B1 y B2 la monounin tiene las caractersticas de una resistencia ordinaria (la resistencia entre
bases RBB teniendo valores en el rango de 4.7 y 9.1 K). Cuando se aplica el voltaje de alimentacin Vs en cd,
se carga el capacitor C a travs de la resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT est en estado abierto.
La constante de tiempo del circuito de carga es T1=RC. Cuando el voltaje del emisor VE, el mismo que el
voltaje del capacitor llega a un valor pico Vp, se activa el UJT
y el capacitor se descarga a travs de RB1 a una velocidad
determinada por la constante de tiempo T2=RB1C. T2 es
mucho menor que T1. Cuando el voltaje del emisor VE se
reduce al punto del valle Vv, el emisor deja de conducir, se

desactiva el UJT y se repite el ciclo de carga.
oscilacin, T, es totalmente independiente del voltaje de alimentacin Vs y est dado por: T = 1/f = RC ln 1/1-n

CARACTERSTICAS

El transistor de uni-unin (unijunction transistor) o UJT esta constituido por dos regiones contaminadas con tres
terminales externos: dos bases y un emisor. En la figura 9.2.a aparece la estructura fsica de este dispositivo. El
emisor esta fuertemente dopado con impurezas p y la regin n dbilmente dopado con n. Por ello, la resistencia
entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es elevada (de 5 a 10K estando el emisor abierto). Est
compuesto solamente por dos cristales. Al cristal P se le contamina con una gran cantidad de impurezas,
presentando en su estructura un nmero elevado de huecos. Sin embargo, al cristal N se le dopa con muy pocas
impurezas, por lo que existen muy pocos electrones libres en su estructura. Esto hace que la resistencia entre las
dos bases RBB sea muy alta.
UJT (Uni-Juntion Transistor): transistor formado por una resistencia de silicio (de 4 a 9 K) tipo N con tres
terminales, dos bases, B1 y B2, y un emisor (unin NP). En la figura se representa la estructura y enapsulado de
UJT.

FUNCIONAMIENTO DE UN UJT

El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR. En la grafica de la figura 1.22 se describe las
caracteristicas electricas de este dispositivo a traves de la relacion de la tension de emisor (VE) con la corriente
de emisor (IE). Se definen dos puntos criticos: punto de pico o peak-point (VP, IP) y punto de valle o valley-
point(VV, IV), ambos verifican la condicion de dVE/dIE=0. Estos puntos a su vez definen tres regiones de
operacion: region de corte, region de resistencia negativa y region de saturacion. El circuito equivalente del UJT
es el representado en la figura 5

donde la VF varia entre 0.35 V a 0.7 V con un valor tpico de 0.5 V. Por ejemplo, para el 2N2646 es de 0.49V a
25C. El UJT en esta regin se comporta como un elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB.

Regin de Resistencia Negativa Si la tensin de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es
decir, VE=VP entonces el diodo entra en conduccin e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la
resistencia R1 debido a procesos de recombinacin. Desde el
emisor, se observa como el UJT disminuye su resistencia
interna con un comportamiento similar a la de una resistencia
negativa (dVE/dIE < 0). En esta regin, la corriente de emisor
esta comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP< IE<
IV).

Regin de Saturacin
Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas
corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relacin lineal de muy baja resistencia entre la
tensin y la corriente de emisor. En esta regin, la
corriente de emisor es mayor que la corriente de valle
(IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto de
valle, el UJT entrara de forma natural a la regin de corte. En la figura 9.4 tambin se observa una curva de tipo
exponencial que relaciona la VE y la IE cuando la base B2 se encuentra al aire (IB2=0). Esta curva tiene una
forma similar a la caracterstica elctrica de un diodo y representa el comportamiento del diodo de emisor.
El punto de funcionamiento viene determinado por las caractersticas del circuito exterior. El funcionamiento
del UJT se basa en el control de la resistencia rB1B2 mediante la tensin aplicada al emisor. Si el emisor no est
conectado VE < VP Diodo polarizado inversamente no conduce IE = 0.

Si VE VP Diodo polarizado directamente conduce aumenta IE.
Figura 9.4. Caracteristicas Elctricas de un UJT


El valor de n es una especificacin que proporciona el fabricante y de acuerdo al rango se deduce que RB1
siempre es diferente que RB2 y que RB1 es mayor 50% de RBB. al nivel de umbral del TRIAC(punto en el cual
el triac no sabe si conducir o no), obtendremos lo que se conoce como QUADRAC. Este dispositivo se consigue
ya integrado dentro de encapsulados iguales a los de los triac, estos se reconocen por la referencia, por ejemplo:
Q4006LT. El nmero 400 seanla el voltaje del triac, el 6 indica la corriente de trabajo en amperios, y las letras
LT significan que tienen DIAC incluido en el gate.
led y principalmente por el radio de curvatura del encapsulado. Por supuesto mientras mas chico sea el ngulo y
a igual sustrato semiconductor se tendr un mayor potencia de emisin y vicevers
ambientales y como dijimos ayuda a formar el haz de emisin. Existen bsicamente 4 tipos de encapsulado si lo
catalogamos por su color. Transparente o clear water (agua transparente): Es el utilizado en leds de alta potencia
de emisin, ya que el propsito de estos leds es fundamentalmente iluminar, es importante que estos
coloreado con el color de emisin de sustrato similar al vidrio de algunas botellas, se usa principalmente en leds
de mediana potencia y/o donde sea necesario identificar el color del led aun apagado.
Generalmente el primer caso con leds rojo y verde es el mas comn aunque existen otras combinaciones incluso
con mas colores. Es muy importante hacer notar que en todos los casos el sustrato del led es el que determina el
color de emisin y no el encapsulado. Un encapsulado con frecuencia de paso distinta a la frecuencia de emisin
del sustrato solo lograra filtrar la luz del led, bajando as su brillo aparente al igual que todo objeto colocado
delante
El UJT o transistor uniunin, es un elemento semiconductor que consta de una
barra de silicio tipo N(versintipo N) en cuyos extremos se obtienen los
terminales base 2 (B2) y base 1 (B1).En las proximidades de la base2 se inserta
material tipo P, dando lugar a una unin PN de cuyo extremo libre se extrae
el terminalllamado emisor(E).La versin tipo P est constituida por una barra
de silicio interbases de tipo p, conisercin de material tipo N en la conexin del
terminal del emisor.En la versin tipo N cabe decir que el dispositivo presenta
una resistencia entre las dos bases (RBB) que,aefectos del terminal de
emisor,se comporta como un dicisor de tensin formado por las
seccionescorrespondientes al tramo comprendido entre B2 y E,y entre B1 y
E,denominadas RB1 y RB2 respectivamente. Un parmetro
denominado eta (),define la relacin entre ellas de la siguiente
manera:Este parmetro depende fundamentalmente de
caractersticas constructivas ligadas al proceso de fabricaciny bse indica en las especificaciones tcnicas del
componente.
Figura 9.5. Circuito equivalente del
UJT.

Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe haber entre E Un dato adicional
que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe haber entre E y B1 para que el UJT se dispare = Ip

APLICACIONES
APLICACIN 1: CARGADOR DE BATERAS BASADO EN UJT.

El cargador de baleras mostrado en la Figura 9.6 es un circuito muy simple que utiliza un oscilador de
relajacin basado en un UJT para el control del SRC. El circuito no opera cuando la balera est completamente
cargada o la polaridad de conexin de la balera no es la correcta.
El funcionamiento del circuito reflejado en las formas de onda de la Figura 9.6 es el mostrado en la Figura 9.7.
El oscilador de relajacin nicamente est activo cuando la tensin de la batera es baja. En este caso, el UJT
dispara al SRC con una frecuencia variable en funcin de las necesidades de corriente de carga. La tensin Vp
de activacin de] UJT es variable al ser Vp= nVB2B1+VF, en donde VB2B1 depende a su vez de la tensin de
la batera regulada a travs del potencimetro variable R2.
El oscilador de relajacin dejar de funcionar cuando la Vp sea mayor que la tensin zener del diodo de
referencia 1N4735. En este caso, la tensin del condensador CE ser constante al valor fijado por la tensin
zener.
APLICACIN 2: TEMPORIZADOR UJT

El transistor monojuntura (unijunction), o como comunmente se le conoce UJT, tambin se le conoce como
diodo de base doble. Es un dispositivo semiconductor de 3 terminales, con un comportamiento similar a un
diodo zener (ver la pgina diodos), pero se le puede variar el voltaje de avalancha con slo modificar las
condiciones elctricas en el terminal Base 2. El efecto zener se presenta normalmente entre los terminales
Emisor y Base 1, a travs de los cuales se establece un sbito paso de corriente cuando la tensin elctrica entre
estos alcanza el punto de avalancha. Hagamos una analoga del funcionamiento del UJT: Imaginemos las
conchas artificiales que se colocan en el fondo de los acuarios caseros, debajo de estas se coloca una delgada
manguera de la cual sales burbujas de aire.
Cada vez que se llena de aire, al punto de tener el suficiente empuje ascendente, se levanta girando sobre uno de
sus bordes y libera todas las burbujas. Hecho esto, cae nuevamente y se inicia el ciclo, cuya duracin depende
del volmen de la concha y del tamao de las burbujas.
Hay un tercer factor que tambien influye en el tiempo, y es la profundidad a la cual se encuentra la concha, ya
que entre mayor sea sta, mayor ser la presin del agua y se tardar ms la bolsa de aire para tener el volumen
suficiente para levantar la concha. El transistor UJT se comporta de manera semejante a la concha del ejemplo
cuando lo ponemos en un circuito adecuado, que tenga un elemento que recolecte las burbujas, en este caso ser
el capacitor que acumula las cargas elctricas, la manguera, un resistor que limite el paso de la corriente de
carga del capacitor y un terminal adicional que simule las condiciones de profundidad, que en este caso ser la
Base 2, para variar en menor o mayor grado el tiempo de las descargas del capacitor a travs del elemento
dispuesto en el terminal Base 1, comunmente un resistor de baja resistencia elctrica.
A diferencia de un transistor convencional de tres capas semiconductoras, ms conocido como Transistor
bipolar(por lo de los 2 tipos de capa N y P, el transistor UJT tiene solamente dos capas de material
semiconductor, y por consiguiente slo una juntura o unin entre ellas. Adems su funcin principal en los
circuitos no es amplificar sino generar impulsos de corriente a invervalos regulares y usualmente ajustables, lo
cual lo convierte en el corazn de circuitos para el gatillado de tiristores, circuitos osciladores, temporizadores,
etc. A la diferencia del voltaje entre la Base 1 y la Base 2 se le denomina "tensin interbase", y a la resistencia
entre estas, "resistencia interbase".

APLICACIN 3: OSCILADORES DE RELAJACIN

Una de las aplicaciones ms tpicas del UJT es la construccin de osciladores de relajacin que se utilizan en
muchos casos como circuito de control de SCRs y TRlACs. El esquema elctrico de este circuito se muestra en
la Figura 24a. Cuando el UJT est en la regin de corte el condensador C se carga a travs de R. Este proceso de
carga finalizar si la tensin de emisor (Vc) es suficiente para entrar al UJT en la regin de resistencia negativa
(Vc =Vp), en cuyo caso la corriente de emisor descarga bruscamente el condensador hasta alcanzar la tensin de
valle (Vc = VV).
En estas condiciones, si el circuito ha sido diseado para que la resistencia R no proporcione la suficiente
corriente de mantenimiento (IE<Iv) entonces el UJT conmutar de forma natural a corte y el condensador
volver a cargarse de nuevo a travs de R. La Figura 24b indica el diagrama temporal de las tensiones Vc.

VOB1 y VOB2. En resumen, para asegurar que el circuito de la Figura 24 se comporta como un oscilador, R
debe verificar que:

Las ecuaciones que verifica este oscilador son las siguientes:
Vc. Proceso de carga del condensador se realiza a travs de R. Se inicia con
la tensin VV y tiende cargarse hasta VCC. La tensin VC viene dada por la
siguiente ecuacin:

Perodo de oscilacin. El periodo de oscilacin est definido por el tiempo (to) que tarda el condensador en
alcanzar la tensin de activacin del UJT (Vp). Es decir, el tiempo to necesario para que la tensin Vc(t=
to)=Vp se obtiene a partir de la ecuacin anterior y vale:

VOB1 y VOB2. Estas tensiones las proporciona el fabricante en forma de grafica en funcion de las B1y RB2
asociadas a la base del UJT; se supone que RB1 y RB2<< RBB. El tiempo de validez de estas tensiones depende
del tiempo de conmutacion y corte del UJT y suelen ser del orden del 1% del periodo de oscilacion del circuito.
Por ejemplo, el 2N2646 produce una tension VOB1=5 V (typ) si RB1=20? y VB2B1=20 V.

DISEO DEL OSCILADOR DE RELAJACIN
Para el diseo del circuito que se muestra en la figura 9.9, se tomaron en consideracin los siguientes datos de
partida:
La fuente de corriente alterna tiene un valor de 180 Vpp, a 60 Hz.
El voltaje de polarizacin del oscilador de
relajacin es de 20 Vdc.
El valor de la carga, puramente resistiva, tanto
para las pruebas en corriente alterna como en
directa, se consider con un valor dado por:

El fabricante del UJT proporciona los siguientes valores para los parmetros principales del dispositivo, cuando
se supone que el voltaje interbases (VBB) es igual al voltaje de alimentacin del oscilador, es decir 20 V.
El circuito de la figura 6.2 se simul en dos partes: primero se realizaron las pruebas con la carga en corriente
alterna, y despus con la carga en corriente directa. Adems, para cada parte, se simul el disparo para 10 y
para 170. En ambas simulaciones, el voltaje Vcc del oscilador se obtuvo a partir de la conexin en serie de dos
diodos zener de 10 V cada uno, diodos cuya corriente se limita por la resistencia en serie Rs. Los diodos
rectificadores tienen matrcula 1N4007.

Para simular el efecto del circuito sobre la carga en el lado de alterna, se tom el circuito que se dibuja en la
relajacin estara funcionando a su frecuencia mxima, y por lo tanto, el SCR se tiene que disparar a 10.
En la figura 9.10 se muestra la grfica obtenida en la simulacin, para la seal en la carga y la seal de disparo
en la compuerta del tiristor.
Como puede verse en la figura 9.10, la seal en la carga indica que el circuito se ha disparado (comienza un
voltaje en la carga RL), cuando se aplica el pulso en la compuerta (VGx1), que a su vez proviene del oscilador
de relajacin. La posicin del cursor para V(RL:1,RL:2), indica que la conduccin hacia la carga comienza en
573.9614 s, lo que sugiere un ngulo de disparo de 12.44, que se aproxima mucho al valor de 10 esperado
para los 33 K en la resistencia de emisor.
En la figura 9.10 se aprecian las dimensiones del pulso de disparo en la compuerta, que presenta una amplitud
aproximada de 4.7 V y un ancho de pulso de 2.36 s; esto demuestra que el pulso generado es capaz de disparar
al SCR.
En la figura 9.12 puede verse que, cuando comienza la conduccin, el voltaje de polarizacin del oscilador de
relajacin cae a un valor muy bajo, lo que provoca que el oscilador deje de funcionar, motivo por el cual no se
provocan impulsos luego del disparo ni antes de que termine el ciclo de la seal de entrada. Lo anterior es
debido a que el SCR se amarra, y como el oscilador se alimenta del voltaje de nodo, se sabe que en
conduccin, este voltaje es cercano a 1 V. Puede notarse tambin que el voltaje de alimentacin no supera los 20
V, lo cual se debe al diodo zener que regula el voltaje hacia el circuito. La figura 6.6 est ilustrando el efecto del
disparo cuando RE tiene un valor de 655 K, lo que quiere decir que si RE1 tiene un valor de 33 K, el

potencimetro RE2 tendr que ajustarse a 622 K para lograr el valor indicado de la resistencia de emisor, que
como se dijo anteriormente es la suma de RE1 y RE2.

Como puede verse en la grfica anterior, el disparo del circuito ocurre en 6.2768 ms, lo que significa que se
tiene un ngulo de conduccin de 136 aproximadamente. Al valor elegido de RE, se supone que el valor del
ngulo de conduccin deba ser 170; sin embargo, debido a que en esta zona la polarizacin del oscilador
comienza a decrecer debido a que la seal de entrada disminuye su valor, no se asegura que la frecuencia de
oscilacin del circuito de relajacin sea de 127 Hz. En el diagrama de la figura 9.14 se aprecia el ngulo de
conduccin a los 170 reales, que sucedi con una valor de RE de aproximadamente 850 K.Los que
fundamentan su comportamiento en un amplificador reghenerativo,en el cual una parte de la sealque entraga en
su salida se realimenta en fase sobre el elemento activo.Con este principio se puede conseguirla mayoria de
formas de ondas bsicas y,con cierta dificultad,impulsos de corta duracin..Los que el dispositivo activo del
ciruito presenta una zona de resistencia negativa en su caracterstica,noprecisando en este caso realimentacin
parta producir las oscilaciones bastando simplemente la accin de lared pasiva (por
ejemplo,resistenciacondensador) para llevar al dispositivo a la citada zona.Estefuncionamiento supondr,como
se detalla en este apartado y en dedicado al transistor PUT,la activacin ydesactivacin peridica del circuito.

Estos circuitos son notablemente ms sencillos que los anteriores y ,suministran normalmente,seales conforma
de onda no senoidal,generalmente ondas en dientes de sierra o impulsos de corta duracin.

Para simular el efecto del circuito sobre la carga en el lado de directa, se tom el circuito que se muestra en la
relajacin estara funcionando a su frecuencia mxima, y por lo tanto, el SCR se tiene que disparar a 10. En la
figura 9.16 se muestra la grfica obtenida en la simulacin, para la seal en la carga y la seal de disparo en la
compuerta del tiristor a 10.

Puede verse que el disparo ocurre aproximadamente igual que en el caso cuando la carga estaba en el lado de
caractersticas, al igual que el voltaje de polarizacin del oscilador, por lo que ya no se mostrarn estas grficas.
En la figura 9.17 est la grfica del disparo a 170, cuando RE tiene un valor de 655K, ya que como vimos
anteriormente, este valor puede no ser ideal.

Puede verse en la grfica de la figura 9.17 que, en efecto, el disparo ocurre a los 136, aproximadamente igual
que en el caso de la carga en alterna. De aqu, si se hace RE igual a 850 K, se supone que el circuito se dispara a
170 realmente, como se puede ver en la figura 9.18.
Frecuencia de operacin del oscilador de relajacin
A partir de los datos y observaciones anteriores, se
simul solamente el oscilador de relajacin, para
obtener el rango de la frecuencia de operacin. La
simulacin se hizo enviando la terminal de
compuerta a tierra, para evitar el disparo del SCR, y
con la condicin de la carga en directa, como se
aprecia en la figura 9.19.
A partir del circuito anterior, si RE se coloca en su
valor mnimo de 33 K, se obtiene la forma de onda
de la figura 9.20, que indica una frecuencia de oscilacin de 3.59 KHz. Esto asegura que se disparar el tiristor
aproximadamente a 10, ya que el valor terico inicial calculado indicaba una frecuencia de oscilacin mayor a
2160 Hz. De igual manera, para la figura 6.14 se propuso una RE de 850 K, que fue el valor de disparo a 170,
obtenindose una frecuencia de oscilacin de 108 Hz, cuando la frecuencia mnima esperada tericamente
indica 127 Hz, lo que asegura el disparo del SCR a 170.

El PUT
Se llama PUT (Programmmable Uniunion Transistor) a un dispositivo semiconductor de cuatro capas (pnpn)
cuyo funcionamiento es similar al del UJT. Es un tipo de tiristor y, a veces, se le llama "tiristor disparado por
nodo" debido a su configuracin. Al igual que el UJT, se utiliza como oscilador y base de tiempos, pero es ms

flexible, ya que la puerta se conecta a un divisor de tensin que permita variar la frecuencia del oscilador sin
modificar la constante de tiempo RC.

Es un tiristor de control diseado para programar las caractersticas de RBB, N, Iv, Ip, haciendo uso de manera
selectiva de dos valores de resistencia. PUT El PUT o programmable unijunction transistor perteneciente a la
familia de los dispositivos uniunion y sus caracteristicas son similares al SCR. En la figura 1.17.a se indica su
simbolo. Es un dispositivo de disparo anodo-puerta (anodo-gate) puesto que su disparo se realiza cuando la
puerta tenga una tension mas negativa que el anodo, es decir, la conduccion del PUT se realiza por control de las
tensiones en sus terminales. Como ejemplo sencillo, la figura 1.17.b muestra el esquema de un oscilador de
relajacion basado en este dispositivo. La tension de puerta esta fijada a un valor constante a traves de las
resistencias R1y R2. Si inicialmente el condensador esta descargado, la tension del anodo es menor que la de la
puerta (VA<VG) y el PUT esta cortado. En estas condiciones, el condensador se carga a traves de R
dispositivo se cortara y el condensador se carga nuevamente a traves de R repitiendose el proceso.

PARMETROS DEL PUT

En el PUT (Programable Uni-Juntion Transistor): de caracteristicas idnticas al UJT, se puede ajustar los
valores de , VP e IV mediante un circuito de polarizacin externo.
Su constitucin y funcionamiento es similar a las de un tiristor con puerta de nodo (Fig. 10.2). Tiene tres
terminales: ctodo K, nodo A y puerta de nodo GA.
FUNCIONAMIENTO DEL PUT
Si VA < VGA diodo A-GA se polariza inversamente solo circula corriente de fugas.
Si VA > VGA diodo A-GA conduce y tiene una caracterstica similar a la del UJT (Fig. 10.3).
La variacin de IP e IV dependen de R1 y R2 en el divisor de tensin VGA, es decir de RG (Fig. 10.2).

El voltaje de valle VV es el de encendido del PUT ( 1 V).
Los circuitos de la figura 8 permiten la programacin del PUT.

CARACTERSTICAS
PUT (Programable Uni-Juntion Transistor): de
caracteristicas idnticas al UJT, puede ajustar los
polarizacin externo. Su constitucin y funcionamiento
es similar a las de un tiristor con puerta de nodo. Tiene
tres terminales: ctodo K, nodo A y puerta de nodo
GA.
El PUT tiene 3 terminales como otros transistores y sus
nombres son: ctodo K, nodo A, puerta G. A diferencia
del UJT, este transistor permite que se puedan controlar los valores de RBB y VP que en el UJT son fijos. Los
parmetros de conduccin del PUT son controlados por la terminal G Este transistor tiene dos estados: Uno de
conduccin (hay corriente entre A y K y la cada de voltaje es pequea) y otro de corte cuando la corriente de A
a K es muy pequea. Este transistor se polariza de la siguiente manera:
La principal diferencia entre los transistores UJT y PUT es que las resistencias: RB1 + RB2 son resistencias
internas en el UJT, mientras que el PUT estas resistencias estn en el exterior y pueden modificarse. Aunque el
UJT y el PUT son similares, El Ip es ms dbil que en el UJT y la tensin mnima de funcionamiento es menor
en el PUT.

APLICACIONES
APLICACIN 1: OSCILADOR BASADO EN UN PUT

El PUT es un equivalente del UJT, con la diferencia de que pueden ser controladas las caractersticas de y de
la resistencia entre bases ya que son elementos externos lo que le permite mayor flexibilidad para el diseo. El
siguiente circuito muestra un oscilador de relajacin con PUT as como las resistencias que se programaron.
Este circuito se muestra en la figura 10.5. En el instante en que se conecta la alimentacin, el condensador
Figura 10.4. Circuitos de programacin de un PUT.

comenzar a cargarse hacia VBB volts, debido a que no hay corriente de nodo en este momento. El periodo T
requerido para alcanzar el potencial de disparo V est dado aproximadamente por:

En el instante en que el voltaje a travs del condensador es igual a Vp el dispositivo se disparar y se establecer
una corriente IA = Ip a travs del PUT. Si R es demasiado grande, la corriente I no podr establecerse y el
dispositivo no se disparar. En el punto de transicin:
Se incluye el subndice para indicar que cualquier R mayor que Rmx dar como resultado una corriente menor
que Ip. El nivel de R tambin debe ser tal que asegure que sea menor que IV si van a ocurrir oscilaciones. En
otras palabras, queremos que el dispositivo entre a la regin inestable y luego regrese al estado apagado. Por
un razonamiento similar al anterior:

La discusin anterior requiere que R est limitado a lo siguiente para un sistema oscilatorio,

El voltaje mximo VA al que se puede cargar. Una vez que el dispositivo se dispara, el condensador se
descargar rpidamente a travs del PUT y RK, produciendo una cada. Por supuesto, VK llegar al valor pico
al mismo tiempo, debido a la breve pero alta corriente. El voltaje VG caer rpidamente de VG a un nivel un
poco mayor de O [V]. Cuando el voltaje del condensador cae a un nivel bajo, el PUT nuevamente se apagar y
se repetir el ciclo de carga.

El funcionamiento es el siguiente:
El condensador C se carga a
travs de la resistencia R hasta
que el voltaje en A alcanza el
voltaje Vp. En este momento el
PUT se dispara y entra en
conduccin. El voltaje en VG cae
casi hasta 0 (cero) voltios y el PUT se apaga, repitindose otra vez el proceso
(oscilador). Ver a continuacin las formas de onda de las tensiones en C, K y G. La frecuencia de oscilacin es:
f = 1 / 1.2 x RC

El transistor monounin programable (PUT) es un pequeo tiristor que aparece en la fig.a Un PUT se puede
utilizar como un oscilador de relajacin, tal y como se muestra en la fig.b. El voltaje de compuerta VG se
mantiene desde la alimentacin mediante el divisor resistivo del voltaje R1 y R2, y determina el voltaje de punto
de pico Vp.6. En el caso del UJT, Vp est fijo para un dispositivo por el voltaje de alimentacin de cd, pero en
un PUT puede variar al modificar al modificar el valor del divisor resistivo R! y R2. Si el voltaje del nodo VA
es menor que el voltaje de compuerta VG, le dispositivo se conservar en su estado inactivo, pero si el voltaje de
nodo excede al de compuerta en una cada de voltaje de diodo VD, se alcanzar el punto de pico y el
dispositivo se activar. La corriente de pico Ip y la corriente del punto de valle Iv dependen de la impedancia
equivalente en la compuerta RG = R1R2/(R1+R2) y del voltaje de alimentacin en cd Vs. N general Rk est
limitado a un valor por debajo de 100 O. R y C controlan la frecuencia junto con R1 y R2.


En la figura 10.6 aparece la utilizacin del diac en un detector de proximidad. Observe el uso de un SCR en
serie con la carga y el transistor monounin programable PUT conectado de forma directa al electrodo sensor. A
medida que el cuerpo humano se acerca al electrodo sensor, la capacitancia entre el electrodo y la tierra se
incrementar. El PUT es un dispositivo que disparar (entrar al estado de circuito cerrado) cuando el voltaje del
nodo (VA) sea al menos 0.7 V (para el silicio) mayor que el voltaje de compuerta (VG) Antes de que el
dispositivo programable se encienda. A medida que el voltaje de entrada se eleva, el voltaje del diac VG lo
seguir como se muestra en la figura hasta que se alcance el potencial de disparo. Entonces se encender y el
voltaje del diac caer de forma sustancial.

TEMA 2: OPTOELECTRNICA

La optoelectrnica es el nexo de unin entre los sistemas pticos y los sistemas electrnicos. Los componentes
optoelectrnicos son aquellos cuyo funcionamiento est relacionado directamente con la luz. Los

optodispositivos empleados en la electronica han tenido gran aplicacion, en el comercio, en el hogar, en la
industria, en lo militar y en medicina. El surgimiento del campo de la Optoelectronica ha producido gran
variedad de dispositivos que, o bien generan luz bajo estimulos electricos o responden a la luz de manera tal que
convierten la energia luminosa en energia electrica o afecta a algun parametro electrico llamados
optodispositivos. Los sistemas optoelectrnicos estn cada vez ms de moda. Hoy en da parece imposible
mirar cualquier aparato elctrico y no ver un panel lleno de luces o de dgitos ms o menos espectaculares. Por
ejemplo, la mayora de los walkman disponen de un piloto rojo (LED) que nos avisa, siempre en el momento
ms inoportuno, que las pilas se han agotado y que deben cambiarse. Los tubos de rayos catdicos con los que
funcionan los osciloscopios analgicos y los televisores, las pantallas de cristal lquido, los modernos sistemas
de comunicaciones mediante fibra ptica. Los dispositivos optoelectronicos se denominan opto aisladores o
dispositivos de acoplamiento ptico.

Cualquier dispositivo optoelectrnico se caracteriza por poseer la propiedad de ser capaz de convertir una seal
elctrica en una seal luminosa o viceversa, es decir, convertir una seal de luz en una seal elctrica. La seal
luminosa en cuestin puede estar dentro del espectro luminoso visible o invisible (tal como la luz infrarroja). Sin
recurrir a ejemplos rebuscados, el mando a distancia de nuestro televisor incluye un emisor de luz infrarroja, que
enva en un haz de luz modulado en el que se encuentra la informacin de que queremos bajar el volumen de la
tele (porque hay anuncios). En la parte frontal del televisor de encuentra un receptor que convierte esa seal
luminosa en elctrica, encargndose la electrnica del televisor de bajar el volumen de acuerdo a nuestros
deseos. A continuacin, analizaremos algunos dispositivos optoelectrnicos. Clasificacin de los sensores de
luz Un sensor o captador, es un dispositivo diseado para recibir informacin de una magnitud del exterior y
transformarla en otra magnitud, normalmente elctrica, que seamos capaces de cuantificar y manipular.

Normalmente estos dispositivos se encuentran realizados mediante la utilizacin de componentes pasivos
(resistencias variables, PTC, NTC , LDR etc.. todos aquellos componentes que varan su magnitud en funcin
de alguna variable ), y la utilizacin de componentes activos.
En robtica, podemos diferenciar claramente tres grupos de sensores:
*-Sensores de posicin: entre los que encontramos los captadores fotoelctricos, captadores magnticos,
cmaras de vdeo etc...
*-Adaptadores de esfuerzos: stos se encargan de medir la fuerza que se aplica a un objeto, o medir los pares
etc..
*-Sensores de desplazamiento:se encargan de cuantificar los desplazamientos de objetos, la velocidad y
aceleracin de los mismos.

Descripcin De Algunos Sensores

Algunos tipos de sensores utilizados en robtica y pertenecientes a cada grupo antes mencionado son:
*-Sensores de posicin: su funcin es medir o detectar la posicin de un determinado objeto en el espacio,
dentro de este grupo, podemos encontrar los siguientes tipos de captadores:
-- Los captadores fotoelctricos: la construccin de este tipo de sensores, se encuentra basada en el empleo de
una fuente de seal luminosa (lmparas, diodos LED, diodos lser etc..) y una clula receptora de dicha seal,
como pueden ser fotodiodos , fototransistores o LDR etc.
Este tipo de sensores, se encuentra basado en la emisin de luz , y en la deteccin de esta emisin realizada por
los fotodetectores.
Segn la forma en que se produzca esta emisin y deteccin de luz, podemos dividir este tipo de captadores en:
captadores por barrera, o captadores por reflexin.
-- Captadores por barrera: detectan la existencia de un objeto, porque interfiere la recepcin de la seal
luminosa.
-- Captadores por reflexin: la seal luminosa es reflejada por el objeto, y esta luz reflejada es captada por el
captador fotoelctrico, lo que indica al sistema la presencia de un objeto.
*-Sensores de contacto: estos dispositivos, son los ms simples, ya que son interruptores que se activan o
desactivan si se encuentran en contacto con un objeto, por lo que de esta manera se reconoce la presencia de un
objeto en un determinado lugar.
Su simplicidad de construccin aadido a su robustez, los hacen muy empleados en robtica.

-- Captadores de circuitos oscilantes: este tipo de captadores, se encuentran basados en la existencia de un
circuito en el mismo que genera una determinada oscilacin a una frecuencia prefijada, cuando en el campo de
deteccin del sensor no existe ningn objeto, el circuito mantiene su oscilacin de un manera fija, pero cuando

un objeto se encuentra dentro de la zona de deteccin del mismo, la oscilacin deja de producirse , por lo que el
objeto es detectado. Estos tipos de sensores son muy utilizados como detectores de presencia, ya que al no tener
partes mecnicas, su robustez al mismo tiempo que su vida til es elevada.
*-Sensores por ultrasonidos: este tipo de sensores, se basa en el mismo funcionamiento que los de tipo
fotoelctrico, ya que se emite una seal, esta vez de tipo ultrasnica, y esta seal es recibida por un receptor. De
la misma manera, dependiendo del camino que realice la seal emitida podremos diferenciarlos entre los que
son de barrera o los de reflexin.
-- Captadores de esfuerzos: este tipo de captadores, se encuentran basados en su mayor parte en el empleo de
galgas extensomtrica, que son unos dispositivos que cuando se les aplica una fuerza, ya puede ser una traccin
o una compresin, varia su resistencia elctrica, de esta forma podemos medir la fuerza que se est aplicando
sobre un determinado objeto.
*-Sensores de Movimientos: este tipo de sensores es uno de los ms importantes en robtica, ya que nos da
informacin sobre las evoluciones de las distintas partes que forman el robot, y de esta manera podemos
controlar con un grado de precisin elevada la evolucin del robot en su entorno de trabajo.
Dentro de este tipo de sensores podemos encontrar los siguientes:
- Sensores de deslizamiento:
Este tipo de sensores se utiliza para indicar al robot con que fuerza ha de levantar un objeto para que ste no se
rompa al aplicarle una fuerza excesiva, o por el contrario que no se caiga de las pinzas del robot por no sujetarlo
debidamente. Su funcionamiento general es simple, ya que este tipo de sensores se encuentran instalados en el
rgano aprehensor (pinzas). Cuando el robot decide levantar el objeto, las pinzas lo agarran con una
determinada fuerza y lo intentan levantar, si se produce un pequeo deslizamiento del objeto entre las pinzas,
inmediatamente es incrementada la presin le las pinzas sobre el objeto, y esta operacin se repite hasta que el
deslizamiento del objeto se ha eliminado gracias a aplicar la fuerza de agarre suficiente.

- Sensores de Velocidad:

Estos sensores pueden detectar la velocidad de un objeto tanto sea lineal como angular, pero la aplicacin ms
conocida de este tipo de sensores es la medicin de la velocidad angular de los motores que mueven las distintas
partes del robot. La forma ms popular de conocer la velocidad del giro de un motor, es utilizar para ello una
dinamo tacomtrica acoplada al eje del que queremos saber su velocidad angular, ya que este dispositivo nos
genera un nivel determinado de tensin continua en funcin de la velocidad de giro de su eje, pues si conocemos
a que valor de tensin corresponde una determinada velocidad, podremos averiguar de forma muy fiable a qu
velocidad gira un motor. De todas maneras, este tipo de sensores al ser mecnicos se deterioran, y pueden
generar errores en las medidas.

Existen tambin otros tipos de sensores para controlar la velocidad, basados en el corte de un haz luminoso a
travs de un disco perforado sujetado al eje del motor, dependiendo de la frecuencia con la que el disco corte el
haz luminoso indicar la velocidad del motor.

- Sensores de Aceleracin:

Este tipo de sensores es muy importante, ya que la informacin de la aceleracin sufrida por un objeto o parte de
un robot es de vital importancia porque si se produce una aceleracin en un objeto, este experimenta una fuerza
que tiende a hacer poner el objeto en movimiento.
Supongamos el caso en que un brazo robot industrial sujeta con una determinada presin un objeto en su rgano
terminal. Si al producirse un giro del mismo sobre su base a una determinada velocidad, se provoca una
aceleracin en todo el brazo, y en especial sobre su rgano terminal. Si esta aceleracin provoca una fuerza en
determinado sentido sobre el objeto que sujeta el robot y esta fuerza no se ve contrarrestada por otra, se corre el
riesgo de que el objeto salga despedido del rgano aprehensor con una trayectoria determinada, por lo que el
control en cada momento de las aceleraciones a que se
encuentran sometidas determinadas partes del robot son muy
importantes.
La optoelectrnica es el nexo de unin entre los sistemas pticos
y los sistemas electrnicos. Los componentes optoelectrnicos
son aquellos cuyo funcionamiento est relacionado directamente
con la luz. El inters en dispositivos sensibles a la luz se ha
incrementado de manera casi exponencial en aos recientes. El
campo resultante de la optoelectrnica recibir un gran inters

por parte de investigadores a medida que se realicen esfuerzos para mejorar los niveles de eficiencia. A travs
de los medios publicitarios, las personas se han vuelto conscientes de que las fuentes luminosas ofrecen una
fuente de energa nica, la cual, transmitida como paquetes discretos llamados fotones, posee un nivel
directamente relacionado a la frecuencia de la onda de luz segn lo determina la ecuacin siguiente:
W = h.f (joules)
Donde h es la llamada constante de Planck y es igual a 6.624 x 10-34 joules-segundo. Claramente establece que
dado que h es una constante, la energa asociada con las ondas de luz incidentales se encuentra directamente
relacionada con la frecuencia de la onda. La frecuencia a su vez, se encuentra directamente relacionada con la
longitud de onda (la distancia entre los picos sucesivos) de la onda mediante la siguiente ecuacin:
=v/f donde: = longitud de onda, en metros v = velocidad de la luz, 3 X 108 m/s f = frecuencia de la onda, en
hertz. La longitud de onda por lo general se mide en unidades ngstrom () o en micrmetros (m), donde =
10-10m. La longitud de onda es importante porque determinar el material que se utilizar en el dispositivo
optoelectrnico. La respuesta espectral relativa del Ge, Si y selenio se seala en la Figura 11.1. El espectro de
luz visible se ha incluido tambin junto con una indicacin de la longitud de onda asociada con los distintos
colores. El nmero de electrones libres generado en cada material es proporcional a la intensidad de la luz
incidente. La intensidad luminosa es una medida de la cantidad de flujo luminoso que incide sobre el rea de
una superficie particular. El flujo luminoso, por lo general se mide en lmenes (lm) o watts. Las dos unidades se
encuentran relacionadas mediante 1 lm = 1.496 X 10-10W

La intensidad luminosa normalmente se mide en lm/ft2, pies candela (fc) o W/m2, donde 1 lm/ft2 = 1 fc = 1.609
X 10-9W/m2. Los sistemas optoelectrnicos estn cada vez ms de moda. Hoy en da parece imposible mirar
cualquier aparato elctrico y no ver un panel lleno de luces o de dgitos ms o menos espectaculares. Por
ejemplo, la mayora de los walkman disponen de un piloto rojo que nos avisa, siempre en el momento ms
inoportuno, que las pilas se han agotado y que deben cambiarse. Los tubos de rayos catdicos con los que
funcionan los osciloscopios analgicos y los televisores, las pantallas de cristal lquido, los modernos sistemas
de comunicaciones mediante fibra ptica, son algunos de los ejemplos de aplicacin de las propiedades pticas
de los materiales que nos disponemos a desglosar en este captulo. Pero antes debemos recordar los conceptos
elementales acerca de la luz.

PRIMERAS TEORAS Y OTROS FENMENOS

Tambin se sabe que por su parte, Hooke fue de los primeros defensores de la teora ondulatoria que fue
extendida y mejorada por Christian Huygens que enunci el principio que lleva su nombre, segn el cual cada
punto perturbado por una onda puede considerarse como el centro de una nueva onda secundaria, la envolvente
de estas ondas secundarias define el frente de onda en un tiempo posterior.
Con la ayuda de este principio, consigui deducir las leyes de la reflexin y refraccin. Tambin pudo
interpretar la doble refraccin del espato de Islandia, fenmeno descubierto en 1669 por Erasmus Bartholinus,
gracias a la suposicin de la transmisin de una onda secundaria elipsoidal, adems de la principal de forma
esfrica. Durante esta investigacin Huygens descubri la polarizacin. Cada uno de los dos rayos emergentes
de la refraccin del espato de Islandia puede extinguirse hacindolo pasar por un segundo cristal del mismo
material, rotado alrededor de un eje con la misma direccin que el rayo luminoso.
Fue sin embargo Newton el que consigui interpretar este fenmeno, suponiendo que los rayos tenan lados,
propiedad que le pareci una objecin insuperable para la teora ondulatoria de la luz, ya que en aquella poca
los cientficos slo estaban familiarizados con las ondas longitudinales.
El prestigio de Newton, indujo el rechazo por parte de la comunidad cientfica de la teora ondulatoria, durante
casi un siglo, con algunas excepciones, como la de Leonhard Euler. No fue hasta el comienzo del Siglo XIX en
que nuevos progresos llevaron a la aceptacin generalizada de la teora ondulatoria. El primero de ellos fue la
enunciacin por Thomas Young en 1801, del principio de interferencia y la explicacin de los colores de
pelculas delgadas. Sin embargo, como fueron expresadas en trminos cualitativos no consiguieron
reconocimiento generalizado.

En esta misma poca tienne-Louis Malus describi la polarizacin por reflexin, en 1808 observ la reflexin
del Sol desde una ventana a travs de un cristal de espato de Islandia y encontr que las dos imgenes
birrefringentes variaban sus intensidades relativas al rotar el cristal, aunque Malus no intent interpretar el
fenmeno.

FRESNEL Y SUS APORTES A LA TEORA OPTICA


Augustin-Jean Fresnel gan un premio instituido en 1818 por la academia de Pars por la explicacin de la
difraccin, basndose en la teora ondulatoria, que fue la primera de una serie de investigaciones que, en el
curso de algunos aos, terminaron por desacreditar completamente la teora corpuscular. Los principios bsicos
utilizados fueron: el principio de Huygens y el de interferencia de Young, los cuales, segn demostr Fresnel,
son suficientes para explicar, no slo la propagacin rectilnea, sino las desviaciones de dicho comportamiento
(como la difraccin).
Fresnel calcul la difraccin causada por rendijas, pequeas aperturas y pantallas. Una confirmacin
experimental de su teora de la difraccin fue la verificacin realizada por Franois Jean Dominique Arago de
una prediccin de Poisson a partir de las teoras de Fresnel, que es la existencia de una mancha brillante en el
centro de la sombra de un disco circular pequeo.

En el mismo ao (1818) Fresnel tambin investig el problema de la influencia del movimiento terrestre en la
propagacin de la luz. Bsicamente el problema consista en determinar si existe alguna diferencia entre la luz
de las estrellas y la de fuentes terrestres. Arago encontr experimentalmente que (aparte de la aberracin) no
haba diferencia. Sobre la base de este descubrimiento Fresnel desarroll su teora de la conveccin parcial del
ter por interaccin con la materia, sus resultados fueron confirmados experimentalmente en 1851 por Armand
Hypolite Louis Fizeau. Junto con Arago, Fresnel investig la interferencia de rayos polarizados y encontr en
1816 que dos rayos polarizados perpendicularmente uno al otro, nunca interferan. Este hecho no pudo ser
reconciliado con la hiptesis de ondas longitudinales, que hasta entonces se haba dado por segura. Young
explic en 1817 el fenmeno con la suposicin de ondas transversales.
Fresnel intent explicar la propagacin de la luz como ondas en un material (ter) y dado que en un fluido slo
son posibles las oscilaciones elsticas longitudinales, concluy que el ter deba comportarse como un slido,
pero como en aquella poca la teora de ondas elsticas en slidos no estaba desarrollada, Fresnel intent
deducir las propiedades del ter de la observacin experimental. Su punto de partida fueron las leyes de
propagacin en cristales. En 1832, William Rowan Hamilton predijo a partir de las teoras de Fresnel la
denominada refraccin cnica, confirmada posteriormente de forma experimental por Humprey Lloyd.
Fue tambin Fresnel el que en 1821 dio la primera indicacin de las causas de la dispersin al considerar la
estructura molecular de la materia, idea desarrollada posteriormente por Cauchy.
Los modelos dinmicos de los mecanismos de las vibraciones del ter, llevaron a Fresnel a deducir las leyes que
ahora llevan su nombre y que gobiernan la intensidad y polarizacin de los rayos luminosos producidos por la
reflexin y refraccin.

La teora del ter
En 1850 Foucault, Fizeau y Breguet realizaron un experimento crucial para decidir entre las teoras ondulatoria
y corpuscular. El experimento fue propuesto inicialmente por Arago y consiste en medir la velocidad de la luz
en aire y agua. La teora corpuscular explica la refraccin en trminos de la atraccin de los corpsculos
luminosos hacia el medio ms denso, lo que implica una velocidad mayor en el medio ms denso. Por otra parte,
la teora ondulatoria implica, de acuerdo con el principio de Huygens que en el medio ms denso la velocidad es
menor.

En las dcadas que siguieron, se desarroll la teora del ter. El primer paso fue la formulacin de una teora de
la elasticidad de los cuerpos slidos desarrollada por Claude Louis Marie Henri Navier que consider que la
materia consiste de un conjunto de partculas ejerciendo entre ellas fuerzas a lo largo de las lneas que los unen.
Diferentes desarrollos aplicables a la ptica fueron realizados por Simon Denis Poisson, George Green, James
MacCullagh y Franz Neuman. Todas ellas encontraban dificultades por intentar explicar el fenmeno ptico en
trminos mecnicos. Por ejemplo, al incidir sobre un medio una onda transversal, se deberan producir ondas,
tanto longitudinales como transversales, pero, segn los experimentos de Arago y Fresnel, solo se producen del
segundo tipo. Otra objecin a la hiptesis del ter es la ausencia de resistencia al movimiento de los planetas.
Un primer paso para abandonar el concepto de ter elstico lo realiz MacCullagh, que postul un medio con
propiedades diferentes a la de los cuerpos ordinarios. Las leyes de propagacin de ondas en este tipo de ter son
similares a las ecuaciones electromagnticas de Maxwell.
A pesar de las dificultades, la teora del ter elstico persisti y recibi aportaciones de fsicos del siglo XIX,
entre ellos William Thomson (Lord Kelvin), Carl Neumann, John William Strutt (Lord Rayleigh) y Gustav
Kirchhoff.

Las ondas luminosas como ondas electromagnticas
Mientras tanto, las investigaciones en electricidad y magnetismo se desarrollaban culminando en los
descubrimientos de Michael Faraday. James Clerk Maxwell consigui resumir todo el conocimiento previo en

este campo en un sistema de ecuaciones que establecan la posibilidad de ondas electromagnticas con una
velocidad que poda calcularse a partir de los resultados de medidas elctricas y magnticas. Cuando Rudolph
Kohlrausch y Wilhelm Weber realizaron estas medidas, la velocidad obtenida result coincidir con la velocidad
de la luz. Esto llev a Maxwell a especular que las ondas luminosas eran electromagnticas, lo que se verific
experimentalmente en 1888 por Heinrich Hertz.

La teora cuntica

Pero, incluso la teora electromagntica de la luz es incapaz de explicar el proceso de emisin y absorcin. Las
leyes que rigen estos ltimos procesos comenzaron a dilucidarse con Joseph von Fraunhofer que descubri entre
1814-1817 lneas oscuras en el espectro solar. La interpretacin como lneas de absorcin de las mismas se dio
por primera vez en 1861 sobre la base de los experimentos de Robert Wilhelm Bunsen y Gustav Kirchhoff. La
luz de espectro continuo del Sol, al pasar por los gases de la atmsfera solar, pierde por absorcin, justamente
aquellas frecuencias que los gases que la componen emiten. Este descubrimiento marca el inicio del anlisis
espectral que se base en que cada elemento qumico tiene un espectro de lneas caracterstico.

El estudio de estos espectros no pertenece exclusivamente al campo de la ptica ya que involucra la mecnica
de los propios tomos y las leyes de las lneas espectrales revelan informacin, no tanto sobre la naturaleza de la
luz como la estructura de las partculas emisoras.
Finalmente la comunidad cientfica acab aceptando que la mecnica clsica es inadecuada para una descripcin
correcta de los sucesos que ocurren en el interior de los tomos y debe ser reemplazada por la teora cuntica. La
aplicacin de la misma permiti a Niels Bohr explicar las leyes de las lneas espectrales de los gases. As pues,
la mecnica cuntica ha influido decisivamente sobre el concepto cientfico de la naturaleza de la luz. Fue
Albert Einstein el que, basndose en los cuantos de Planck retom la teora corpuscular de la luz en una nueva
forma, asignndole realidad fsica de dichos cuantos (fotones). De este modo pudo explicar algunos fenmenos
que se haban descubierto, relativos a la transformacin de la luz en energa corpuscular que eran inexplicables
con la teora ondulatoria. As, en el efecto fotoelctrico la energa impartida a las partculas secundarias es
independiente de la intensidad y es proporcional a la frecuencia de la luz. La teora detallada de la interaccin
entre campo y materia requiere de los mtodos de la mecnica cuntica (cuantizacin del campo). En el caso de
la radiacin electromagntica, Dirac fue el primero en realizarlo, fundando las bases de la ptica cuntica.

La ptica a su vez ha influido decisivamente en otros frentes de la fsica, en particular la rama de la ptica de
cuerpos en movimiento particip en el desarrollo de la teora de la relatividad. El primer fenmeno observado en
este campo fue la aberracin de las estrellas fijas, estudiado por James Bradley en 1728. El fenmeno aparece
con la observacin de las estrellas en diferentes posiciones angulares, dependiendo del movimiento de la Tierra
respecto a la direccin del haz de luz. Bradley interpret el fenmeno como causado por la velocidad finita de la
luz y pudo determinar su velocidad de este modo. Otro fenmeno de la ptica de cuerpos en movimiento es la
conveccin de la luz por los cuerpos en movimiento, que Fresnel mostr se poda entenderse como la
participacin de ter en el movimiento con slo una fraccin de la velocidad del cuerpo en movimiento. Fizeau
demostr despus esta conveccin experimentalmente con la ayuda de flujos de agua. El efecto del movimiento
de la fuente luminosa fue estudiado por Christian Doppler, que formul el principio de su mismo nombre. Hertz
fue el primero en intentar generalizar las leyes de Maxwell a objetos en movimiento. Su formulacin, sin
embargo, entraba en conflicto con algunos experimentos. Otro investigador en este campo fue Hendrik Antoon
Lorentz que supuso el ter en estado de reposo absoluto como portador del campo electromagntico y dedujo las
propiedades de los cuerpos materiales a partir de la interaccin de partculas elctricas elementales (los
electrones). Pudo deducir el coeficiente de conveccin de Fresnel a partir de su teora, as como el resto de
fenmenos conocidos en 1895. Sin embargo con la mejora de la precisin en la determinacin de caminos
pticos, obtenida gracias al interfermetro de Albert Abraham Michelson con el que se descubri una anomala:
result imposible demostrar la existencia de un corrimiento del ter requerida por la teora del ter estacionario.
Esta anomala fue resuelta por Albert Einstein en 1905 con su teora especial de la relatividad.

Teoras cientficas

Desde el punto de vista fsico, la luz es una onda electromagntica. Segn el modelo utilizado para la luz, se
distingue entre las siguientes ramas, por orden creciente de precisin (cada rama utiliza un modelo implificado
del empleado por la siguiente): La ptica geomtrica: Trata a la luz como un conjunto de rayos que cumplen el
principio de Fermat. Se utiliza en el estudio de la transmisin de la luz por medios homogneos (lentes,
espejos), la reflexin y la refraccin. La ptica ondulatoria: Considera a la luz como una onda plana, teniendo en

cuenta su frecuencia y longitud de onda. Se utiliza para el estudio de difraccin e interferencia. La ptica
electromagntica: Considera a la luz como una onda electromagntica, explicando as la reflectancia y
transmitancia, y los fenmenos de polarizacin y anisotropa. La ptica cuntica u ptica fsica: Estudio
cuntico de la interaccin entre las ondas electromagnticas y la materia, en el que la dualidad onda-corpsculo
desempea un papel crucial.

Espectro electromagntico

Si bien la ptica se inici como una rama de la fsica distinta del electromagnetismo en la actualidad se sabe
que la luz visible parte del espectro electromagntico, que no es ms que el conjunto de todas las frecuencias de
vibracin de las ondas electromagnticas. Los colores visibles al ojo humano se agrupan en la parte del espectro
denominado visible.

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS BSICOS

A nivel de componentes podemos distinguir tres tipos de dispositivos:
Dispositivos emisores: emiten luz al ser activados por energa elctrica. Son dispositivos que transforman la
energa elctrica en energa luminosa. A este nivel corresponden los diodos LED o los LSER.
Dispositivos detectores: generan una pequea seal elctrica al ser iluminados. Transforma, pues, la energa
luminosa en energa elctrica.
Dispositivos fotoconductores: Conducen la radiacin luminosa desde un emisor a un receptor. No se producen
transformaciones de energa.

LA RADIACIN ELECTROMAGNTICA

La radiacin electromagntica est formada por fotones. Cada fotn lleva asociada una energa que se
caracteriza por su longitud de onda segn la ecuacin E=hc/y donde;
E = energa del fotn , c = velocidad de la luz 3 108m/s , h = constante de Planck , y = longitud de onda del
fotn. El numerador de la expresin de la energa es una constante. Por eso, la energa de un fotn es mayor
cuanto menor sea la longitud de onda, que se encuentra en el denominador.

La luz, tal y como la entiende la persona de a pie, no es mas que una parte de la radiacin electromagntica que
es capaz de excitar las clulas de la retina del ojo. La radiacin electromagntica abarca un concepto ms
general. La radiacin electromagntica queda dividida segn su longitud de onda (Figura 11.2). A continuacin
se comentan algunos aspectos relativos a estas divisiones:
Las ondas de radio son generadas por circuitos electrnicos, como osciladores LC, y son utilizadas en
comunicaciones. Las microondas abarcan la zona desde 1 mm hasta 30 cm. Resultan adecuadas para los
sistemas de radar, navegacin area y para el estudio de las propiedades atmicas de la materia.
Las ondas infrarrojas son llamadas tambin ondas trmicas ya que estas ondas son producidas principalmente
por cuerpos calientes y son absorbidas fcilmente por la mayora de los materiales. La energa absorbida aparece
como calor. Estas ondas comprenden longitudes de onda desde 1 mm hasta 4x10-7 m.
La luz visible es la parte del espectro que puede percibir el ojo humano. Incluye las longitudes de onda desde
4x10-7 hasta 7x10-7 metros o lo que es lo mismo, desde 400nm hasta 700nm. Los diferentes colores
corresponden a ondas de diferente longitud de onda.

La luz ultravioleta (6x10-8 - 3.8x10-7) es producida principalmente por el sol. Es la causa de que la gente se
ponga morena. Los rayos X y los rayos gamma son ondas de gran energa que daan la estructura de los tejidos
humanos. La optoelectrnica se centra principalmente en la parte del espectro electromagntico correspondiente
a la luz visible y la parte del infrarrojo cercano a la luz visible.

LA LUMINISCENCIA.

La luminiscencia por unin o unin luminiscente, se produce como resultado de la circulacin de una corriente
en sentido directo a baja tensin a travs de un cristal dopado apropiadamente, que contiene una unin pn. sta
es la base del diodo de luz o LED.

DIFERENCIA ENTRE LEDS Y OPTOACOPLADORES.

Los diodos LED estn basados en la emisin de luz producida por la aplicacin de una tensin directa a una
unin pn, mientras que los optoacopladores utilizan esta propiedad junto con un dispositivo sensible a la luz
para reunir en una sola cpsula un elemento emisor y otro receptor de luz, elctricamente aislado uno de otro.
Transductores Optoelectrnicos.
Clasificacin de los sensores de luz

Un sensor o captador, es un dispositivo diseado para recibir informacin de una magnitud del exterior y
transformarla en otra magnitud, normalmente elctrica, que seamos capaces de cuantificar y manipular.
Normalmente estos dispositivos se encuentran realizados mediante la utilizacin de componentes pasivos
(resistencias variables, PTC, NTC , LDR etc.. todos aquellos componentes que varan su magnitud en funcin
de alguna variable ), y la utilizacin de componentes activos. En robtica, podemos diferenciar claramente tres
grupos de sensores: Sensores de posicin: entre los que encontramos los captadores fotoelctricos, captadores
magnticos, cmaras de vdeo etc. Adaptadores de esfuerzos: stos se encargan de medir la fuerza que se aplica
a un objeto, o medir los pares etc. Sensores de desplazamiento:se encargan de cuantificar los desplazamientos de
objetos, la velocidad y aceleracin de los mismos.

DESCRIPCIN DE ALGUNOS SENSORES

Algunos tipos de sensores utilizados en robtica y pertenecientes a cada grupo antes mencionado son:
Sensores de posicin: su funcin es medir o detectar la posicin de un determinado objeto en el espacio, dentro
de este grupo, podemos encontrar los siguientes tipos de captadores:
Los captadores fotoelctricos: la construccin de este tipo de sensores, se encuentra basada en el empleo de una
fuente de seal luminosa (lmparas, diodos LED, diodos lser etc..) y una clula receptora de dicha seal, como
pueden ser fotodiodos , fototransistores o LDR etc. Este tipo de sensores, se encuentra basado en la emisin de
luz , y en la deteccin de esta emisin realizada por los fotodetectores. Segn la forma en que se produzca esta
emisin y deteccin de luz, podemos dividir este tipo de captadores en: captadores por barrera, o captadores por
reflexin.

Captadores por barrera: detectan la existencia de un objeto, porque interfiere la recepcin de la seal luminosa.
Captadores por reflexin: la seal luminosa es reflejada por el objeto, y esta luz reflejada es captada por el
captador fotoelctrico, lo que indica al sistema la presencia de un objeto.
Sensores de contacto: estos dispositivos, son los ms simples, ya que son interruptores que se activan o
desactivan si se encuentran en contacto con un objeto, por lo que de esta manera se reconoce la presencia de un
objeto en un determinado lugar. Su simplicidad de construccin aadido a su robustez, los hacen muy
empleados en robtica.

Captadores de circuitos oscilantes: este tipo de captadores, se encuentran basados en la existencia de un circuito
en el mismo que genera una determinada oscilacin a una frecuencia prefijada, cuando en el campo de deteccin
del sensor no existe ningn objeto, el circuito mantiene su oscilacin de un manera fija, pero cuando un objeto
se encuentra dentro de la zona de deteccin del mismo, la oscilacin deja de producirse, por lo que el objeto es
detectado. Estos tipos de sensores son muy utilizados como detectores de presencia, ya que al no tener partes
mecnicas, su robustez al mismo tiempo que su vida til es elevada.
Sensores por ultrasonidos: este tipo de sensores, se basa en el mismo funcionamiento que los de tipo
fotoelctrico, ya que se emite una seal, esta vez de tipo ultrasnica, y esta seal es recibida por un receptor. De
la misma manera, dependiendo del camino que realice la seal emitida podremos diferenciarlos entre los que
son de barrera o los de reflexin.

Captadores de esfuerzos: este tipo de captadores, se encuentran basados en su mayor parte en el empleo de
galgas extensomtrica, que son unos dispositivos que cuando se les aplica una fuerza, ya puede ser una traccin
o una compresin, varia su resistencia elctrica, de esta forma podemos medir la fuerza que se est aplicando
sobre un determinado objeto.
Sensores de Movimientos: este tipo de sensores es uno de los ms importantes en robtica, ya que nos da
informacin sobre las evoluciones de las distintas partes que forman el robot, y de esta manera podemos
controlar con un grado de precisin elevada la evolucin del robot en su entorno de trabajo.
Dentro de este tipo de sensores podemos encontrar los siguientes:
Sensores de deslizamiento:


Este tipo de sensores se utiliza para indicar al robot con que fuerza ha de levantar un objeto para que ste no se
rompa al aplicarle una fuerza excesiva, o por el contrario que no se caiga de las pinzas del robot por no sujetarlo
debidamente. Su funcionamiento general es simple, ya que este tipo de sensores se encuentran instalados en el
rgano aprehensor (pinzas). Cuando el robot decide levantar el objeto, las pinzas lo agarran con una
determinada fuerza y lo intentan levantar, si se produce un pequeo deslizamiento del objeto entre las pinzas,
inmediatamente es incrementada la presin le las pinzas sobre el objeto, y esta operacin se repite hasta que el
deslizamiento del objeto se ha eliminado gracias a aplicar la fuerza de agarre suficiente.
Sensores de Velocidad:

Estos sensores pueden detectar la velocidad de un objeto tanto sea lineal como angular, pero la aplicacin ms
conocida de este tipo de sensores es la medicin de la velocidad angular de los motores que mueven las distintas
partes del robot. La forma ms popular de conocer la velocidad del giro de un motor, es utilizar para ello una
dinamo tacomtrica acoplada al eje del que queremos saber su velocidad angular, ya que este dispositivo nos
genera un nivel determinado de tensin continua en funcin de la velocidad de giro de su eje, pues si conocemos
a que valor de tensin corresponde una determinada velocidad, podremos averiguar de forma muy fiable a qu
velocidad gira un motor. De todas maneras, este tipo de sensores al ser mecnicos se deterioran, y pueden
generar errores en las medidas.

Existen tambin otros tipos de sensores para controlar la velocidad, basados en el corte de un haz luminoso a
travs de un disco perforado sujetado al eje del motor, dependiendo de la frecuencia con la que el disco corte el
haz luminoso indicar la velocidad del motor.
Sensores de Aceleracin:

Este tipo de sensores es muy importante, ya que la informacin de la aceleracin sufrida por un objeto o parte de
un robot es de vital importancia porque si se produce una aceleracin en un objeto, este experimenta una fuerza
que tiende a hacer poner el objeto en movimiento.
Supongamos el caso en que un brazo robot industrial sujeta con una determinada presin un objeto en su rgano
terminal. Si al producirse un giro del mismo sobre su base a una determinada velocidad, se provoca una
aceleracin en todo el brazo, y en especial sobre su rgano terminal. Si esta aceleracin provoca una fuerza en
determinado sentido sobre el objeto que sujeta el robot y esta fuerza no se ve contrarrestada por otra, se corre el
riesgo de que el objeto salga despedido del rgano aprehensor con una trayectoria determinada, por lo que el
control en cada momento de las aceleraciones a que se encuentran sometidas determinadas partes del robot son
muy importantes.

SENSORES DE IMAGEN
Principios de operacin
Resolucin del sensor de imagen

La resolucin de la imagen es una manera de expresar cuan definida o detallada las imgenes son. Las cmaras
de menor tecnologa tienen resoluciones actualmente alrededor de 640 x 480 pxeles (a veces llamada resolucin
VGA), aunque este nmero constantemente se mueve hacia arriba. Cmaras mejores, aqullas con 1 milln o
ms de pxeles se llaman cmaras megapixel y aqullas cmaras con ms de 2 millones se llaman cmaras
multi-megapixel. Las cmaras digitales profesionales ms caras le dan aproximadamente 6 millones de pxeles.
Aunque impresionante, incluso estas resoluciones no igualan los estimados 20 millones o mas de pxeles en la
cmara tradicional de pelcula de 35 mm y los 120 millones en su ojo.

Proporciones de aspecto

Los sensores de imagen tienen diferentes relaciones o proporciones de aspecto entre la altura de la imagen y el
ancho . La proporcin de un cuadrado es 1:1 (anchura igual y altura) y la de la pelcula de 35mm es 1,5:1 (1,5
veces ms ancho que es alto). La mayora que los sensores de imagen se ubican entre estos extremos. La
proporcin del aspecto de un sensor es importante porque determina la forma y proporciones de las fotografas
que usted crea. Cuando una imagen tiene una proporcin de aspecto diferente que el dispositivo donde se
visualiza o se imprime , la misma tiene que ser nuevamente encuadrada parcialmente o cambiada de tamao
para encajar. Su opcin es perder parte de la imagen o desperdiciar parte del papel. Para imaginar esto mejor,
pruebe encajar una imagen cuadrada en un pedazo rectangular de papel.

Profundidad de color

La resolucin no es el nico factor que determina la calidad de sus imgenes. Igualmente importante es color.
Cuando usted observa una escena natural, o una impresin de color fotogrfica bien hecha, usted puede
distinguir millones de colores. Las imgenes digitales pueden aproximar este realismo de color, pero si las
mismas pueden hacerlo en su sistema depende de sus capacidades y sus funciones . El nmero de colores en una
imagen se identifica como su profundidad de color, profundidad de pxeles, o profundidad de bit . La PCs ms
viejas estaban limitadas a monitores que mostraban slo 16 o 256 colores. Sin embargo, casi todos los nuevos
sistemas pueden mostrar lo que se llama Color Verdadero de 32-bits (32-bit True Color) . Se llama Color
Verdadero porque estos sistemas muestran 16 millones de colores, casi el nmero que el ojo humano puede
distinguir.

Sensibilidad
Un nmero ISO (International Organization for Standardization u Organizacin Internacional para la
Estandarizacin ) que aparece en el paquete de la pelcula especifica la velocidad, o sensibilidad, de una pelcula
basada en proceso de plata. Cuanto ms alto sea el nmero , "ms rpida" o ms sensible es la pelcula a la luz .
Si usted ha comprado pelcula, usted ya estar familiarizado con velocidades como 100, 200, o 400. Cada
duplicado del nmero ISO indica un duplicado en la velocidad de la pelcula de manera que cada una de estas
pelculas es el doble de rpida que la anterior . Los sensores de imagen tambin usan nmeros ISO
equivalentes. As como con una pelcula, un sensor de imagen con un ISO ms bajo necesita ms luz para una
exposicin buena que uno con un ISO ms alto. Para capturar mas luz necesita un tiempo de exposicin ms
largo que puede llevar a imgenes difusas o una abertura mayor que le dar menos profundidad de campo. Por
lo tanto , es mejor conseguir un sensor de imagen con un ISO ms alto porque reforzar el congelamiento de
imgenes en movimiento disparando con poca luz . Tpicamente, los ISOs van de 100 (bastante lento) a 3200 o
ms alto (muy rpido). Algunas cmaras tienen ms de una graduacin de ISO. En situaciones del poca luz,
usted puede aumentar el ISO del sensor amplificando electrnicamente la seal del sensor de imagen
(aumentando su ganancia). Algunas cmaras incluso aumentan la ganancia automticamente. Esto no slo
incrementa la sensibilidad del sensor, tambin aumenta el ruido o "el granulado" , haciendo las imgenes ms
suave y menos definidas.

Calidad de la imagen
El tamao de un archivo de imagen depende en parte de la resolucin de la imagen. Cuanto ms alta sea la
resolucin, existen ms pxeles para almacenar de manera que ms grande se vuelve el archivo de la imagen.
Para hacer archivos grandes de imagen ms pequeos y ms manejables la mayora de las cmaras los
almacenan en un formato llamado JPEG nombre que deriva de su diseador, el Joint Photographic Experts
Group o Agrupacin de Expertos Fotogrficos Asociados . Este formato de archivo no slo comprime imgenes,
tambin le permite especificar el grado de compresin de las mismas. Esta es una caracterstica til porque hay
un compromiso entre la compresin y calidad de la imagen. Menos compresin le da mejores imgenes para que
usted pueda hacer impresiones ms grandes, pero usted no puede guardar tantas imgenes. Ms compresin le
permite guardar ms imgenes y hace las imgenes mejores para publicarlas una pgina Web o enviarlas como
archivo adjunto de e-mail. El nico problema es que sus impresiones no sern tan buenas
Clasificacin.
Tipos de sensores de imagen.
Hasta recientemente, los dispositivos de carga acoplada (CCDs) era los nicos sensores de imagen usados en
cmaras digitales. Estos se han desarrollado bien a travs de su uso en telescopios astronmicos, escneres, y el
camcorders de video. Sin embargo , hay un nuevo desafo en el horizonte, el sensor de imagen CMOS que
promete volverse el sensor de imagen de eleccin en el futuro en un segmento grande del mercado. Tanto los
sensores de imagen CCD como CMOS capturan la luz sobre una pequea grilla o rejilla de pxeles en sus
superficies. Es cmo estos procesan la imagen y cmo se fabrican donde difieren entre si.
Esta fotografa muestra los pixeles ampliados en un sensor de captura de imagen

Sensores de imagen CCD

Un dispositivo de carga acoplada (CCD) recibe su nombre por la manera en que las cargas son ledas en sus
pxeles despus de una exposicin. Despus de la exposicin, las cargas en la primera fila se transfieren a un
lugar en el sensor llamado registro de lectura . De all, las seales se alimentan a un amplificador y luego a un
conversor analgico-a-digital. Una vez que la fila se ha ledo, sus cargas en la fila de registro de lectura se
borran, la entera fila entra, y todas las filas por encima se mueven abajo una fila. Las cargas en cada fila son
"acopladas" a aqullas en la fila de arriba para que cuando una baje, la prxima se mueva abajo para llenar su
viejo espacio. De esta manera, cada fila puede ser una fila de lectura por vez.

El CCD cambia una fila entera por vez al registro de lectura. El registro de lectura luego enva slo un pxel por
vez al amplificador de salida. Sensores de imagen CMOS. Los sensores de imagen se manufacturan en industrial
en forma de fundicin de obleas o fabs en hornos cerrados que contienen un producto qumico y gaseoso , la
elevada temperatura hace que los tomos de gas se difundan y penetren en la oblea de silicio , cambiando las
caractersticas elctricas del mismo , donde luego usando tcnicas de fotograbado y mediante exposicin a los
rayos ultravioleta se graban los circuitos diminutos y dispositivos sobre chips de silicio . El problema ms
grande con los CCDs es que no hay suficiente economa de escala . Los mismos se crean fundiciones usando
procesos caros y especializados que slo pueden usarse para hacer otros CCDs. Entretanto, ms y mayores
fundiciones en otras industrias estn usando un proceso diferente llamado Metal-Oxido-Semiconductor con
transistores complementarios (CMOS) para hacer millones de chips para los procesadores de computadoras y
memorias. El CMOS es por mucho el proceso ms comn y de mas alto rendimiento productivo en el proceso
de fabricacin de chips en el mundo. Los ltimos procesadores de CMOS, como el Pentium II, contienen casi 10
millones de elementos activos. Usando este mismo proceso y el mismo equipo para fabricar los sensores de
imagen CMOS se reduce dramticamentec los costos , porque se extienden los costes fijos de la planta sobre un
nmero mucho ms grande de dispositivos. Como resultado de estas economas de escala , el costo de fabricar
una oblea de CMOS es un tercio del el costo de fabricar una oblea similar que usa un proceso de CCD
especializado. Se bajan aun mas los costos porque los sensores de imagen CMOS pueden tener circuitos de
proceso creados en el mismo chip . Cuando se usan CCDs, estos circuitos de proceso deben estar en chips
separados.

EMISORES INTEGRADOS
DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS BSICOS

A nivel de componentes podemos distinguir tres tipos de dispositivos:
Dispositivos emisores: emiten luz al ser activados por energa elctrica. Son dispositivos que transforman la
energa elctrica en energa luminosa. A este nivel corresponden los diodos LED o los LSER.
Dispositivos detectores: generan una pequea seal elctrica al ser iluminados. Transforma, pues, la energa
luminosa en energa elctrica. Dispositivos fotoconductores: Conducen la radiacin luminosa desde un emisor a
un receptor. No se producen transformaciones de energa.

EMISORES

Los dispositivos emisores son aquellos que varan sus propiedades pticas con la aplicacin de un determinado
potencial. Estas propiedades pueden ser la emisin de luz o simplemente la absorcin o reflexin de la luz. En
este apartado se presentan los siguientes componentes:
Diodos LED (luz e inflarojos), Diodos lser , Tubo de rayos Catdicos , Cristales lquidos DIODO LED

(Diodo Emisor de Luz)
INTRODUCCIN:
Un diodo LED que en ingls significa Light Emitting Diode (diodo emisor de
luz), es un dispositivo semiconductor que emite luz monocromtica cuando se
polariza en directa y es atravesado por la corriente elctrica. El color depende
del material semiconductor empleado en la construccin del diodo y puede
variar desde el ultravioleta, pasando por todo el espectro de luz visible, hasta el
infrarrojo, stos ltimos reciben la denominacin de diodos IRED (Infra-Red
Emitting Diode)
Tiene enormes ventajas sobre las lmparas indicadoras comunes, como su bajo consumo de energa, su
mantenimiento casi nulo y con una vida aproximada de 100,000 horas. El diodo LED debe ser protegido. Una
pequea cantidad de corriente en sentido inverso no lo daar, pero si hay picos inesperados puede daarse. Una
forma de protegerlo es colocar en paralelo con el diodo LED pero apuntando en sentido opuesto un diodo de
silicio comn. Aplicaciones tiene el diodo LED. Se utiliza ampliamente en aplicaciones visuales, como
indicadoras de cierta situacin especfica de funcionamiento. Ejemplos:
Se utilizan para desplegar contadores, Para indicar la polaridad de una fuente de alimentacin de corriente
directa. Para indicar la actividad de una fuente de alimentacin de corriente alterna.
En dispositivos de alarma El fenmeno producido en un LED es una forma de electroluminiscencia. Este
dispositivo semiconductor est comnmente encapsulado en una cubierta de plstico de mayor resistencia que
Figura 12.1.-
Smbolo de diodo LED

las de vidrio que usualmente se emplean en las lmparas incandescentes. Aunque el plstico puede estar
coloreado, es slo por razones estticas, ya que ello no influye en el color de la luz emitida. Usualmente un LED
es una fuente de luz compuesta con diferentes partes, razn por la cual el patrn de intensidad de la luz emitida
puede ser bastante complejo. Para obtener una buena intensidad luminosa debe escogerse bien la corriente que
atraviesa el LED y evitar que este se pueda daar; para ello, hay que tener en cuenta que el voltaje de operacin
va desde 1,8 hasta 3,8 voltios aproximadamente (lo que est relacionado con el material de fabricacin y el color
de la luz que emite) y la gama de intensidades que debe circular por l vara segn su aplicacin. Los Valores
tpicos de corriente directa de polarizacin de un LED estn comprendidos entre los 10 y 20 miliamperios (mA)
en los diodos de color rojo y de entre los 20 y 40 miliamperios (mA) para los otros LED. Los diodos LED tienen
enormes ventajas sobre las lmparas indicadoras comunes, como su bajo consumo de energa, su mantenimiento
casi nulo y con una vida aproximada de 100,000 horas. Para la proteccin del LED en caso haya picos
inesperados que puedan daarlo. Se coloca en paralelo y en sentido opuesto un diodo de silicio comn

Casi todos estamos familiarizados con los leds, los conocemos de verlos en el frente de muchos equipos de uso
cotidianos, como radios, televisores, telfonos celulares y display de relojes digitales, sin embargo la falta de
una amplia gama de colores y una baja potencia lumnica han limitado su uso considerablemente.
No obstante eso esta cambiando gradualmente con la introduccin de nuevos materiales que han permitido
crear leds de prcticamente todo el espectro visible de colores y ofreciendo al mismo tiempo una eficiencia
lumnica que supera a la de las lmparas incandescentes. Estos brillantes, eficientes y coloridos nuevos leds
estn expandiendo su dominio a un amplio rango de aplicaciones de iluminacin desplazando a su anterior
campo de dominio que era el de la mera indicacin.
Si consideramos su particularidad de bajo consumo energtico y su prcticamente imbatible ventaja para su
uso en sealamiento exterior (carteles de mensaje variables y seales de transito) tendremos que el futuro
de estos pequeos dispositivos semiconductores es realmente muy promisorio tal como lo indican los
nmeros actuales de crecimiento de mercado a nivel mundial.
Los diodos emisores de luz visible son utilizados en grandes cantidades como indicadores piloto,
dispositivos de presentacin numrica y dispositivos de presentacin de barras, tanto para aplicaciones
domsticas como para equipos industriales, esto es debido a sus grandes ventajas que son: peso y espacio
insignificantes, precio moderado, y en cierta medida una pequea inercia, que permite visualizar no
solamente dos estados lgicos sino tambin fenmenos cuyas caractersticas varan progresivamente.
Como otros dispositivos de presentacin, los Leds pueden proporcionar luz en color rojo, verde y azul. El
material de un Led est compuesto principalmente por una combinacin semiconductora.
El GaP se utiliza en los Leds emisores de luz roja o verde; el GaAsP para los emisores de luz roja,
anaranjada o amarilla y el GaAlAs para los Leds de luz roja. Para los emisores azules se han estado usando
materiales como SiC, GaN, ZnSe y ZnS.

HISTORIA (EVOLUCIN)
El primer LED que emita en el espectro visible fue desarrollado por el ingeniero de General Electric Nick
Holonyak en 1962. Los primeros diodos construidos fueron los diodos infrarrojos y de color rojo,
permitiendo el desarrollo tecnolgico posterior la construccin de diodos para longitudes de onda cada vez
menores. En particular, los diodos azules fueron desarrollados a finales de los 90 por Shuji Nakamura,
aadindose a los rojos y verdes desarrollados con anterioridad, lo que permiti, por combinacin de los
mismos, la obtencin de luz blanca. El diodo de seleniuro de zinc puede emitir tambin luz blanca si se
mezcla la luz azul que emite con la roja y verde creada por fotoluminiscencia. La ms reciente innovacin
en el mbito de la tecnologa LED son los diodos ultravioletas, que se han empleado con xito en la
produccin de luz blanca al emplearse para iluminar materiales fluorescentes. Tanto los diodos azules
como los ultravioletas son caros respecto de los ms comunes (rojo, verde, amarillo e infrarrojo), siendo
por ello menos empleados en las aplicaciones comerciales. Los LED comerciales tpicos estn diseados
para potencias del orden de los 30 a 60 mW. En torno a 1999 se introdujeron en el mercado diodos capaces
de trabajar con potencias de 1 W para uso continuo; estos diodos tienen matrices semiconductoras de
dimensiones mucho mayores para poder soportar tales potencias e incorporan aletas metlicas para disipar
el calor (ver conveccin) generado por efecto Joule. En 2002 se comercializaron diodos para potencias de 5
W, con eficiencias en torno a 60 lm/W, es decir, el equivalente a una lmpara incandescente de 50 W. De
continuar esta progresin, en el futuro ser posible el empleo de LED en la iluminacin.

El comienzo del siglo XXI ha visto aparecer los diodos OLED (LED orgnicos), fabricados con materiales
polmeros orgnicos semiconductores. Aunque la eficiencia lograda con estos dispositivos est lejos de la
de los diodos inorgnicos, su fabricacin promete ser considerablemente ms barata que la de aquellos,

siendo adems posible depositar gran cantidad de diodos sobre cualquier superficie empleando tcnicas de
pintado para crear pantallas a color. El primer led comercialmente utilizable fue desarrollado en el ao
1962, combinando Galio, Arsnico y Fsforo (GaAsP) con lo cual se consigui un led rojo con una
frecuencia de emisin de unos 650 nm con una intensidad relativamente baja, aproximadamente 10mcd a
20mA,(mcd = milicandela, posteriormente explicaremos las unidades fotomtricas y radiomtricas
utilizadas para determinar la intensidad lumnica de los leds ). El siguiente desarrollo se bas en el uso del
Galio en combinacin con el Fsforo (GaP) con lo cual se consigui una frecuencia de emisin del orden
de los 700nm. A pesar de que se consegua una eficiencia de conversin electrn- fotn o corriente-luz mas
elevada que con el GaAsP, esta se produca a relativamente baja corrientes, un incremento en la corriente
no generaba un aumento lineal en la luz emitida, sumado a esto se tenia que la frecuencia de emisin estaba
muy cerca del infrarrojo una zona en la cual el ojo no es muy sensible por lo que el led pareca tener bajo
brillo a pesar de su superior desempeo de conversin. Los siguientes desarrollos, ya entrada la dcada del
70, introdujeron nuevos colores al espectro. Distinta proporcin de materiales produjo distintos colores. As
se consiguieron colores verde y rojo utilizando GaP y mbar, naranja y rojo de 630nm (el cual es muy
visible) utilizando GaAsP. Tambin se desarrollaron leds infrarrojos, los cuales se hicieron rpidamente
populares en los controles remotos de los televisores y otros artefactos del hogar.

En la dcada del 80 un nuevo material entr en escena el GaAlAs Galio, Aluminio y Arsnico. Con la
introduccin de este material el mercado de los leds empez a despegar ya que provea una mayor
performance sobre los leds desarrollados previamente. Su brillo era aproximadamente 10 veces superior y
adems se poda utilizar a elevadas corrientes lo que permita utilizarlas en circuitos multiplexa dos con lo
que se los poda utilizar en display y letreros de mensaje variable. Sin embargo este material se caracteriza
por tener un par de limitaciones, la primera y ms evidente es que se conseguan solamente frecuencias del
orden de los 660nm (rojo) y segundo que se degradan mas rpidamente en el tiempo que los otros
materiales, efecto que se hace ms notorio ante elevadas temperaturas y humedades. Hay que hacer notar
que la calidad del encapsulado es un factor fundamental en la ecuacin temporal. Los primeros desarrollos
de resinas epoxi para el encapsulado posean una no muy buena impermeabilidad ante la humedad, adems
los primeros leds se fabricaban manualmente, el posicionamiento del sustrato y vertido de la resina era
realizado por operarios y no por maquinas automticas como hoy en da, por lo que la calidad del led era
bastante variable y la vida til mucho menor que la esperada. Hoy en da esos problemas fueron superados
y cada vez son mas las fabricas que certifican la norma ISO 9000 de calidad de proceso. Adems
ltimamente es ms comn que las resinas posean inhibidores de rayos UVA y UVB, especialmente en
aquellos leds destinado al uso en el exterior. En los 90 se apareci en el mercado tal vez el ms xitoso
material para producir leds hasta la fecha el AlInGaP Aluminio, Indio, Galio y Fsforo. Las principales
virtudes de este tetar compuesto son que se puede conseguir una gama de colores desde el rojo al amarillo
cambiando la proporcin de los materiales que lo componen y segundo, su vida t il es sensiblemente
mayor, a la de sus predecesores, mientras que los primeros leds tenia una vida promedio efectiva de 40.000
horas los leds de AlInGaP podan mas de 100.000 horas aun en ambientes de elevada temperatura y
humedad. Es de notar que muy difcilmente un led se queme, si puede ocurrir que se ponga en cortocircuito
o que se abra como un fusible e incluso que explote si se le hace circular una elevada corriente, pero en
condiciones normales de uso un led se degrada o sea que pierde luminosidad a una taza del 5 % anual.
Cuando el led ha perdido el 50% de su brillo inicial, se dice que ha llegado al fin de su vida til y eso es lo
que queremos decir cuando hablamos de vida de un led. Un rpido calculo nos da que en una ao hay 8760
horas por lo que podemos considerar que un LED de AlInGaP tiene una vida til de mas de 10 aos. Como
dijimos uno de factores fundamentales que atentan contra este nmero es la temperatura, tanto la
temperatura ambiente como la interna generada en el chip, por lo tanto luego nos referiremos a tcnicas de
diseo de circuito impreso para bajar la temperatura.

Cuando se fabrica el led, se lo hace depositando por capas a modo de vapores, los distintos materiales que
componen el led, estos materiales se depositan sobre una base o sustrato que influye en la dispersin de la
luz. Los primeros leds de AlInGaP se depositaban sobre sustratos de GaAs el cual absorbe la luz
innecesariamente. Un adelanto en este campo fue reemplazar en un segundo paso el sustrato de GaAs por
uno de GaP el cual es transparente, ayudando de esta forma a que mas luz sea emitida fuera del
encapsulado. Por lo tanto este nuevo proceso dio origen al TS AlInGaP (Tranparent Substrate ) y los
AlInGaP originales pasaron a denominarse AS AlInGaP (Absorbent Susbtrate). Luego este mismo proceso
se utilizo para los led de GaAlAs dando origen al TS GaAlAs y al As GaAlAs. En ambos casos la
eficiencia luminosa se incrementaba tpicamente en un factor de 2 pudiendo llegar en algunos casos a
incrementarse en un factor de 10. Como efecto secundario de reemplazar el As por el TS se nota un

pequeo viro al rojo en la frecuencia de emisin, generalmente menor a los 10nm. A final de los 90 se cerro
el circulo sobre los colores del arco iris, cuando gracias a las tareas de investi gacin del Shuji Nakamura,
investigador de Nichia, una pequea empresa fabricante de leds de origen japons, se llego al desarrollo del
led azul, este led siempre haba sido difcil de conseguir debido a su elevada energa de funcionamiento y
relativamente baja sensibilidad del ojo a esa frecuencia (del orden de los 460 nm)
Hoy en da coexisten varias tcnicas diferentes para producir luz azul, una basada en el SiC Silicio
Carbono otra basada en el GaN Galio Nitrgeno, otra basada en InGaN Indio-Galio-Nitrgeno sobre
substrato de Zafiro y otra GaN sobre sustrato SiC. El compuesto GaN, inventado por Nakamura, es
actualmente el mas utilizado. Otras tcnicas como la de ZnSe Zinc Selenio ha sido dejadas de lado y al
parecer el SiC seguir el mismo camino debido a su bajo rendimiento de conversin y elevada degradacin
con la temperatura. Dado que el azul es un color primario, junto con el verde y el rojo, tenemos hoy en da
la posibilidad de formar el blanco con la combinacin de los tres y toda la gama de colores del espectro,
esto permite que los display gigantes y carteles de mensajes variables full color se hagan cada da ms
habituales en nuestra vida cotidiana. Es tambin posibles lograr otros colores con el mismo material GaN,
como por ejemplo el verde azulado o turquesa, de una frecuencia del orden de los 505 nm. Este color es
importante ya que es el utilizado para los semforos y entra dentro de la norma IRAM 2442 Argentina y
VTCSH parte 2 americana y otras. Su tono azulado lo hace visible para las personas daltnicas.

El daltonismo es una enfermedad congnita que hace a quien lo padece ser parcialmente ciego a
determinadas frecuencias de color, generalmente dentro de ellas esta la correspondiente al verde puro que
tiene una frecuencia del orden de los 525 nm. Otros colores tambin son posibles de conseguir como por
ejemplo el prpura, violeta o ultravioleta. Este ultimo es muy importante para la creacin de una forma ms
eficiente de producir luz blanca que la mera combinacin de los colores primarios, ya que aadiendo
fsforo blanco dentro del encapsulado, este absorbe la radiacin ultravioleta y emite frecuencia dentro de
todo el espectro visible, logrando luz blanca en un proceso similar al que se produce en el interior de los
tubos fluorescentes. A veces el fsforo posee una leve tonalidad amarillenta para contrarrestar el tono
azulado de la luz del semiconductor.

FUNCIONAMIENTO

Los led estn hechos de una gran gama de elementos de la tabla peridica, pero nos ocuparemos ahora de
explicar el funcionamiento del diodo a travs del comportamiento del Silicio, ya que este es el material
fundamental y mas popular de la electrnica moderna. El silicio es un elemento muy comn en la
naturaleza, tal es as que se encuentra en la arena de las playas y en los cristales de cuarzo. Si miramos
donde se encuentra el Silicio (SI) en la tabla peridica de los elementos lo encontraremos con el numero
atmico 14 y sus vecinos inmediatos son el Galio (Ga), Aluminio (Al), Boro (B), Carbono (C), Nitrgeno
(N), Fsforo (P), Arsnico (As) y Germanio (Ge). Recuerden estos elementos porque forman parte de los
distintos tipos de tecnologas de leds y son los que determinaran el color de emisin. El carbono, el silicio y
el galio poseen una propiedad nica en su estructura electrnica, cada uno posee 4 electrones en su orbita
externa lo que les permite combinar o compartir estos electrones con 4 tomos vecinos, formando as una
malla cuadricular o estructura cristalina, de esta forma no quedan electrones libres como en el caso de los
conductores que poseen electrones libres en su ultima orbita que pueden moverse a travs de los tomos
formando as una corriente elctrica.

Cuando se polariza inversamente no se enciende y adems no deja circular la corriente. La intensidad
mnima para que un diodo LED emita luz visible es de 4mA y, por precaucin como mximo debe aplicarse
50mA. Para identificar los terminales del diodo LED observaremos como el ctodo ser el terminal ms
corto, siendo el ms largo el nodo.
Adems en el encapsulado, normalmente de plstico, se observa un chafln en el lado en el que se
encuentra el ctodo. Se utilizan como seal visual y en el caso de los i nfrarrojos en los mandos a distancia.
Por lo dicho, el silicio en su forma pura es bsicamente un aislante. Podemos hacerlo conductor al
mezclarlo con pequeas cantidades de otros elementos, a este proceso se lo denomina dopaje. Hay dos
tipos de dopaje:

Dopaje N: En este caso el silicio se dopa con Fsforo o Arsnico en pequeas cantidades. El Fsforo y el
Arsnico tienen 5 electrones en su orbita externa que terminan sobrando cuando se combina en una red de
tomos de silicio. Este quinto electrn se encuentra libre para moverse, lo que permite que una corriente
elctrica fluya a travs del Silicio. Se necesita solo una pequea cantidad de dopaje o impurezas para

lograr esta corriente, por ejemplo al agregar un tomo de impurezas por cada 108 (1000 millones) tomos
de Silicio se incrementa la conductividad en un factor de 10. Los electrones tienen una carga negativa, por
eso se llama dopaje tipo N. Dopaje P: En este caso el silicio se dopa con Boro o Galio en pequeas
cantidades. El Boro y el Galio tienen 3 electrones en su orbita externa por lo que termina faltando un
electrn cuando se combina en una red de tomos de Silicio. Este electrn faltante ocasiona que se formen
huecos en la red. Estos huecos permiten que se circule una corriente a travs del Si licio ya que ellos
aceptan de muy buena gana ser tapados por un electrn de un tomo vecino, claro que esto provoca que
se forme un hueco en el tomo que desprendi dicho electrn, este proceso se repite por lo que se forma
una corriente de huecos a travs de la red. Es de notar que en todos los caso lo nico que se mueve fuera
del tomo son los electrones, pero en este caso dicho movimiento provoca un efecto similar o equivalente
al movimiento de huecos. Se necesita solo una pequea cantidad de dopaje o impurezas para lograr esta
corriente. Los agujeros tienen una carga positiva, por eso se llama dopaje tipo P

Tanto el Silicio dopado N como el Silicio dopado P tienen propiedades conductoras pero a decir de verdad
no son muy buenos conductores de ah el nombre de semiconductor. Por separado ambos semiconductores
no dicen mucho, pero cuando se juntan producen efectos interesantes, especialmente entre la juntura de
ambos. El funcionamiento fsico consiste en que, un electrn pasa de la banda de conduccin a la de
valencia, perdiendo energa. Esta energa se manifiesta en forma de un fotn desprendido, con una
amplitud, una direccin y una fase aleatoria. El fenmeno de emisin de luz est basado en la teora de
bandas, por la cual, una tensin externa aplicada a una unin p-n polarizada directamente, excita los
electrones, de manera que son capaces de atravesar la banda de energa que separa las dos regiones. Si la
energa es suficiente los electrones escapan del material en forma de fotones.Cada material semiconductor
tiene unas determinadas caractersticas que y por tanto una longitud de onda de la luz emitida.

La optoelectrnica es la rama de la electrnica que trata con la luz. Los dispositivos pticos son aquellos que
responden a la radiacin de la luz, o que emiten radiacin. Estos dispositivos responden a una frecuencia
especfica de radiacin. Bsicamente hay tres bandas en el espectro ptico de frecuencias:
Infrarojo: Esta banda corresponde a las longitudes de onda de la luz que son muy largas para ser vistas por el ojo
humano.

Visible: Corresponde a las longitudes de onda a las cuales responde el ojo humano. Comprende
aproximadamente entre los 400nm y 800nm de longitud de onda.
Ultravioleta: Longitudes de onda que son muy cortas para ser vistas por los humanos
El campo de la optoelectrnica se ha convertido en una rea de creciente inters en la electrnica; dispositivos
tales como LEDs optocopladores y fotodetectores se estn construyendo ahora con una mayor capacidad de
manejo de corriente. La optoelectrnica ha probado ser de alta efectividad en el campo de las comunicaciones,
donde las fibras pticas pueden manejar frecuencias mayores a las velocidades de conmutacin de la electrnica
de hoy en da.

Caracterizacin estructural
Una primera inspeccin ptica de las distintas capas epitaxiadas con un microscopio ptico Nomarski, permite
observar una morfologa inhomognea, ya que se observan gotas de Ga en los bordes de la oblea,
independientemente de la morfologa en el centro, como muestra la Figura 4.2a. Esto se debe al gradiente
trmico que existe en la muestra, descrito en el apartado anterior. Durante el crecimiento, slo la periferia del
pseudosubstrato queda en contacto directo con el portamuestras, favoreciendo la disipacin trmica y por lo
tanto, haciendo que la temperatura en la periferia sea menor que en el centro de la oblea. Este parece ser un
fenmeno tpico del crecimiento por IVIBE ai trabajar con muestras pequeas [DauOO], y da idea de lo
estrecha que es la ventana ptima de temperatura de crecimiento, ya que pequeas variaciones en la
temperatura son suficientes para pasar de un rgimen a otro de crecimiento.

La Figura 4.2b muestra con ms detalle la transicin abrupta entre la zona con y sin gotas, ya que la
evaporacin de Ga es de tipo exponencial (Ecuacin 4.1). Figura 4,2. Superficie tpica de un crecimiento por
PA-IViBE sobre pseudosubstrato de GaN (microscopio ptico Normaski), mostrando una zona de gotas en el
borde de dos muestras con diferentes aumentos. Imgenes por SEM ponen de manifiesto la gran diferencia
morfolgica que se obtiene creciendo en las distintas regiones definidas anteriormente. Tal y como se describi
en la apartado 3.2, las capas crecidas bajo el rgimen rico en nitrgeno (Figura 4.3c) presentan una superficie
rugosa, con pequeos crteres, mientras que las crecidas ricas en Ga (Figura 4.3a) muestran una superficie muy
plana pero con gotas de Ga. El crecimiento en la regin ptima se caracteriza por tener una superficie plana

pero sin gotas, y con algunos defectos aislados en forma de pequeos crteres o picaduras (pits) (Figura4.3b).
Figura 4.3. Imgenes de SEM de la superficie de muestras de GaN crecidas bajo distintas condiciones: a) Rica
en Ga; superficie plana pero con gotas, b) Zona intermedia: superficie plana con crteres pequeos y aislados, y
c) Rica en N: superficie rugosa, con pequeos crteres. La morfologa superficial observada en funcin de las
condiciones de crecimiento coincide con lo publicado por Heying et al. [HeyOO], los cuales realizaron un
estudio detallado de la morfologa del GaN crecido por PA-MBE sobre pseudosubstratos en los distintos
regmenes de crecimiento. Dichos autores afirman que los pequeos crteres que se observan al crecer bajo
condiciones ricas en N, y en menor medida en la regin intermedia, tienen forma de V en la direccin de
crecimiento, y no se extienden a lo largo de toda la capa epitaxiada sino que tienen una profundidad inferior a
200nm, acabando en puntos de emergencia de dislocaciones ascendentes. Los defectos de mayor tamao y ms
profundos parecen estar asociados a dislocaciones mixtas, mientras que los puntos de emergencia de las
dislocaciones en arista dan lugar a crteres ms superficiales. En dicho estudio tambin se evalu la interfase
entre la capa epitaxlal y el pseudosubstrato mediante TEM, comprobando que la densidad de dislocaciones se
mantena constante al pasar de uno a otra. Por lo tanto, el hecho de que aparezca una mayor o menor densidad
de defectos en V depende de las condiciones de crecimiento, ya que la densidad de dislocaciones es la misma.

Es decir, la existencia de dislocaciones da lugar a superficies rugosas cuando se crece en condiciones ricas en
N2, por el contrario al trabajar en condiciones ricas en Ga, la fina lmina de Ga que cubre la superficie es
capaz de cubrirlos dando lugar a superficies planas. La aparicin espordica de estos defectos en V en la regin
ptima o intermedia se debe probablemente a inhomogeneidades en la fina capa de Ga en la superficie.
muestra de GaN (M580) con 1 nm de espesor La caracterizacin mediante AFM muestra que la morfologa de
las capas epitaxiadas por MBE reproduce la del pseudosubstrato utilizado. As pues los resultados obtenidos
son tan variados como los observados en los pseudosubstratos (anteriormente descritos en el apartado 3.3). La
Figura 4.4 muestra una imagen de AFM de la morfologa superficial de una muestra de GaN de 1 \xm de
espesor, con una rugosidad media de 2nm (evaluada en trminos de RIVIS) en un rea de 10x10/zm. La
caracterizacin estructural de las capas de GaN se ha completado mediante la tcnica de difraccin de rayos-X.
Se han realizado difractogramas rocking-curve para la reflexin simtrica (00.2), obteniendo anchuras a media
altura (FWHM) con valores que oscilan entre 4 y 6 arcmin., similares a las de los respectivos pseudosubstratos,
como muestra la Figura 4.5. Teniendo en cuenta que la caracterizacin de XRD es en volumen, y los espesores
entre epicapa y pseudosubstrato son similares, y a tenor de la coincidencia entre ambos difractogramas, podra
concluirse que las capas crecidas por PA-MBE tienen una calidad cristalina comparable a la de los
pseudosubstratos.

Caracterizacin ptica
La estrecha dependencia de las caractersticas de la capa epitaxiada con la calidad del pseudosubstrato usado,
queda de nuevo demostrada a la vista de los resultados de la caracterizacin ptica de las epicapas mediante
fotoluminiscencia (PL). La Figura 4.6 muestra el espectro de PL de una capa de GaN crecida por PA-IMBE,
superpuesta con la de su pseudosubstrato, ambas coincidentes. El espectro de PL a baja temperatura de las
capas de GaN suele estar dominado por emisiones excitnicas ligadas a donantes neutros , o bien a excitones
libres (FX). El valor de FWHM de la emisin dominante varia de una muestra a otra, pero todos los valores
estn dentro del rango de 2.5 a 5 meV para X y entre 3 y 4 meV para FXA. En la Figura 4.6 puede observarse
como las intensidades son comparables, con espesores tambin similares (la capa crecida por MBE es 0.5 (j.m
ms fina). Ms importante es el hecho que en la capa de MBE se hace dominante la emisin asociada al excitn
libre frente a la del exciten ligado a donante, lo que denota una superior calidad cristalina de la capa crecida por
MBE y una menor densidad de donantes. De acuerdo con lo observado en la caracterizacin ptica de los
pseudosubstratos (ver apartado 3.3), los espectros de PL de las capas simples de GaN tambin estn
desplazados hacia altas energas. Aunque se realizar una descripcin ms detallada de este efecto en el
apartado 4.2.3, donde se analiza el GaN de las heteroestructuras AlGaN/GaN, merece la pena destacar la
coincidencia del grado de tensin biaxial de las capas quasi-homoepitaxiadas con sus respectivos
pseudosubtratos, lo que confirma el carcter pseudomrfico del crecimiento.

Caracterizacin elctrica
Anteriormente, ya se indic la necesidad de evitar la aparicin de cualquier canal de conduccin paralela al
2DEG, lo que obliga a utilizar pseudosubstratos semiaislantes (ver apartado 3.3), y por lo tanto tambin obliga
a que las capas crecidas por MBE tengan una alta resistividad, lo que conlleva a caracterizar elctricamente
todas las capas. En la mayora de los casos la alta resistividad de las capas ha hecho imposible su
caracterizacin elctrica por efecto Hall. Sin embargo, en algunos casos ha sido posible realizar medidas de C-
V en diodos Schottky de distintos tamaos (detalles de la tcnica de medida en apndice A), obteniendo

concentraciones residuales tipo-n que varan desde 1E16 cm'^ hasta 8E16 cm"^, en el peor de los casos, como
muestra la Figura 4.7. Figura 4.7. Resultados de la caracterizacin elctrica por CV de la capa de PA-MBE
GaN (M635) con mayor concentracin residual. A pesar de obtener tales concentraciones de portadores no fue
posible obtener resultados fiables por efecto Hall. En primer lugar hay que considerar la dificultad de obtener
contactos realmente hmicos en estas capas. En segundo lugar, hay que destacar que las medidas de CV
determinan densidad de carga fija (donantes) mientras que por efecto Hall es carga libre (electrones), y su
determinacin tambin depende de la movilidad de sta. Esto hace ms sencillo obtener resultados fiables de la
densidad de carga por CV que por Hall.
Teniendo en cuenta que en la mayora de los casos la caracterizacin elctrica no ha sido posible por la alta
resistividad de las capas, se puede concluir que las condiciones de crecimiento utilizadas son vlidas para la
obtencin de heteroestructuras de AlGaN/GaN para la fabricacin de HEMTs.

Crecimiento y caracterizacin de heteroestructuras AlGaN/GaN En este apartado se describe el
crecimiento de las heteroestructuras AlGaN/GaN que posteriormente han sido utilizadas para la fabricacin de
los HEMTs. Las caractersticas finales de los dispositivos estn limitadas en gran medida por la calidad de la
heteroestructura, y por lo tanto, por el crecimiento epitaxial. Lo que se describe a continuacin ha supuesto una
de las etapas ms crticas en la realizacin de esta Tesis. Dado que en el apartado anterior se ha desarrollado el
crecimiento de las capas de GaN, ahora se hace una breve descripcin de la optimizacin del crecimiento del
AlGaN de la barrera en las propias heteroestructuras de AlGaN/GaN, para, a continuacin, mostrar los
resultados de la caracterizacin estructural, ptica y elctrica de dichas heteroestructuras.

Optimizacin del crecimiento de AlGaN/GaN por PA-IVIBE
Tal y como se describi en el captulo 2, los dispositivos a estudiar se basan en una estructura muy sencilla,
que consta de una capa gruesa de GaN, donde se desarrolla el 2DEG del canal, y sobre ella una fina capa de
AlGaN, denominada barrera, tal y como muestra la Figura 4.8a. En la inferase entre ambas se forma un
estrecho pozo quasi-triangular donde queda confinado el 2DEG; denominado canal (Figura 4.8b).
Todas las muestras se crecieron sin dopaje intencional, aprovechando al mximo los efectos de la polarizacin
intrnseca de este material (la cual incluye tanto la contribucin espontnea como piezoelctrlca. Para ms
detalles ver el apartado 2.2), simplificando as el proceso de optimizacin del crecimiento al reducirse el
nmero de variables (dopaje, capa espadadora, etc.). Figura 4.8. Heteroestructura AlGaN/GaN crecida por PA-
MBE (a), y diagrama de la banda de conduccin tpica de este tipo de heteroestructuras (b).

Desde el punto de vista del crecimiento de heteroestructuras AlGaN/GaN, los parmetros ms importantes a
optimizar para obtener dispositivos HEMT con buenas prestaciones son: Canal de GaN con baja densidad de
defectos y semiaislante. Una mayor calidad cristalina favorece una mayor movilidad del 2DEG. Por otro lado,
es necesario evitar la formacin de canales de conduccin paralelos al 2DEG a travs de la capa de GaN y/o
del pseudosubstrato, de ah la importancia del carcter semiaislante de ambos.
Control de los parmetros de la barrera: concentracin de Al y espesor. Estos parmetros sern los que definan
la densidad de carga del 2DEG, as como su control a travs del electrodo de puerta. Interfase AlGaN/GaN
abrupta y atmicamente plana. Dado que el 2DEG se localiza en dicha interfase parece obvia la necesidad de
una elevada calidad de la interfase para obtener altas movilidades.

AlGaN de alta calidad cristalina. Se deben evitar defectos estructurales que puedan dar lugar a variaciones
locales del potencial en la interfase que afecten al 2DEG. As mismo hay que minimizar los defectos que
puedan afectar al control de puerta (barrera Schottky), o la aparacin de una conduccin paralela. La
optimizacin del GaN, que actuar como canal en los dispositivos HEMT, se ha descrito en el apartado
anterior, llegndose a la conclusin de que para obtener GaN con la mejor calidad cristalina, debe crecerse en la
zona intermedia u ptima (Figura 4.1). Para un flujo de N de 1.25 sccm, un OED en la fuente de plasma de
1.05, y un flujo BEP de Ga de 1.4E-6 Torr, la temperatura ptima est en torno a , aunque la temperatura se
ajusta en cada crecimiento In-situ a travs del RHEED, siguiendo el procedimiento descrito en el apartado 3.2.
Los parmetros caractersticos de la barrera que van a definir las propiedades finales del dispositivo son el
espesor y la concentracin de Al. El espesor de la barrera de AlGaN se controla de forma precisa ajustando la
velocidad de crecimiento, segn lo indicado en el apartado 3.2. Para poder establecer el valor de la carga del
2DEG es necesario determinar la concentracin de aluminio, como se vio en el captulo 2, y para ello se debe
realizar una calibracin del flujo de la clula de Al. Para ello se han crecido distintas heteroestructuras de
AlGaN/GaN variando slo la temperatura de la clula de Al, y ligeramente la temperatura de crecimiento de la
barrera como se describir a continuacin. La Figura 4.9 muestra la relacin lineal encontrada entre el flujo de
la clula de Al, determinada como presin equivalente de flujo (BEP), y la concentracin de Al, determinada

mediante difraccin de Rayos X. En la determinacin de la concentracin real de Al mediante XRD se ha
considerado el grado de deformacin de la barrera, como se mostrar posteriormente. En este apartado se
estudiar la optimizacin de la barrera e interfase AlGaN/GaN. Con vista a futuras aplicaciones de estos
dispositivos como amplificadores de alta potencia, es necesario buscar altas densidades de carga, y por lo tanto,
utilizar altas concentraciones de Al. Se puede adelantar que al aumentar la densidad de carga, las
caractersticas elctricas de la heterounin se hacen ms dependientes de la calidad de la interfase, ya que la
densidad de portadores aumenta su confinamiento y desplaza su centro hacia la barrera de AlGaN,
aumentando as la probabilidad de que electrones del pozo penetren en la barrera. He ah la importancia de
estudiar su optimizacin para altas concentraciones de Al, en torno al 30%, que tericamente proporcionaran
densidades de carga ligeramente superiores a 1E13 cm"^, para espesores de barrera tpicos de 20nm [AmbOO].
Figura 4.9.

Calibracin de la clula de Al: concentracin de Al en la barrera de AlGaN en funcin del flujo (BEP) de la
clula de Al. Es bien sabido que la temperatura ptima de crecimiento del AIN es superior a la del GaN (unos
, para as aumentar la difusividad del Al, por lo que a mayor concentracin de Al mayores temperaturas seran
necesarias para crecer AlGaN con buena calidad cristalina. Por otro lado, partiendo de las condiciones ptimas
de crecimiento del GaN si se aumenta la proporcin de elemento III, por la incorporacin de Al, para seguir en
ia regin ptima de crecimiento hay que aumentar la temperatura, como se desprende de la Figura 4.1. Por lo
tanto, para mejorar ia calidad del AlGaN, y la interfase es necesario crecer con una temperatura ligeramente
superior a la del GaN. Esto ya ha sido demostrado por grupos pioneros en este tipo de dispositivos,
observndose una mejora de las prestaciones del HEMT al mejorar la calidad cristalina del AlGaN en la
barrera, gracias al aumento de la temperatura de crecimiento [MurOO]. Para la optimizacin de la interfase se
han crecido distintas heteroestructuras con parmetros de crecimiento nominalmente semejantes, y slo se ha
variado la temperatura de crecimiento de la barrera respecto de ia del GaN. La variacin se ha hecho desde
cero hasta C por encima de la correspondiente a la capa de GaN donde discurre el canal. Las caractersticas de
las heteroestructuras mejoran al crecer la barrera de AlGaN a mayor temperatura que el GaN. Concretamente,
para un 30% de Ai la diferencia trmica ptima est en torno a , aproximadamente, tal y como refleja la Figura
4.10.

En dicha Figura se muestran los resultados de la conductividad elctrica en distintas heteroestructuras, con
composiciones de Al que varan entre el 30 y 34% y anchuras de barrera entre 20 y 30 nm, crecidas a
diferentes temperaturas de barrera, que se han incrementado desde 10 a respecto de la del GaN. A pesar de que
la conductividad depende de la anchura de barrera y concentracin de Al, las variacin observada en la
conductividad puede atribuirse en gran medida a la calidad de la barrera e interfase. heteroestructuras
AlGaN/GaN, con concentraciones de Al entre 30 y 34% y anchuras de barrera entre 20 y 30 nm, crecidas con
diferentes temperaturas de barrera. La lnea discontinua es slo una gua para la vista. Al incrementarse la
temperatura de crecimiento de la barrera, se observa que las lneas rectas que caracterizan el patrn de RHEED
en GaN se hacen ms anchas y brillantes. Cuando el incremento de temperatura es excesivo se observa una
degradacin del patrn de RHEED, a travs de la modulacin de la intensidad de las lneas, aunque sin llegar a
convertirse en un patrn punteado, caracterstico de un crecimiento tridimensional.
Durante el desarrollo de esta Tesis se han crecido heteroestructuras de AlGaN/GaN con concentracin de Al
que vara entre el 12 y el 35%, y con espesores de barrera de entre 17 y 40nm, aunque la mayora de las
muestras poseen concentraciones de Al en torno al 30%, y con barreras que oscilan entre 20 y 30 nm, con vista
a su futura aplicacin en dispositivos HEMT.

Caracterizacin estructural

Todas las muestras han sido inspeccionadas visualmente con un microscopio ptico Nomarskl, observndose
morfologas similares a las descritas para capas simples de GaN crecidas en la zona intermedia (Figura 4.2), es
decir, zonas planas en el centro de la oblea con gotas de Ga en la periferia. Es importante destacar que no se
fian observado indicios de fisuracin o agrietamiento de la superficie. Este hecho ha sido corroborado por
SEM, que adems pone de manifiesto la compacidad de la heteroestructura, como muestra la Figura 4.11,
donde se observa la seccin transversal de una heteroestrctura Alo.3Gao.7N/GaN con una barrera de
18nm(M607). Figura 4.11. Seccin transversal de una heterounin Alo.szGao.ssN/GaN por SEM, mostrando
la compacidad de la capa. En la caracterizacin estructural del GaN (apartado 4.1.2) se mostr cmo al crecer
bajo condiciones ligeramente ricas en N, y en menor medida en la regin intermedia u ptima, podan aparecer
defectos en V asociados a puntos de emergencia dedislocaciones ascendentes mixtas o en arista [HeyOO]. El
mismo fenmeno se ha observado creciendo AlGaN ligeramente rico en N. Dicho efecto queda reflejado en la

Figura 4.12 donde se muestra la morfologa superficial observada por SEM, identificando los puntos negros
como defectos, que vistos en ms detalle mediante TEM, revelan una geometra de pirmide invertida asociada
a dislocaciones ascendentes. Hay autores que han observado defectos en V en capas simples de AlGaN y en
superredes AlGaN/GaN [Pec01] [Cha01] [MazOO], asocindolos en algunos casos a dominios de inversin
[Pec01], originados en la interfase con el substrato y que se propagan hasta la superficie.
En nuestro caso no hay indicios de dominios de inversin, pero s de puntos de emergencia de dislocaciones en
el vrtice del defecto. Es importante recalcar que el espesor de la barrera tpico es de unos 30nm, lo que no es
suficiente para aplanar la superficie aunque se modifiquen las condiciones de crecimiento. Para evitar la
aparicin de estos defectos superficiales en las heteroestructuras basta con crecer en la ventana ptima de
crecimiento, Figura 4.12. Imagen de SEM de la superficie y corte transversal de una heterounin AlGaN/GaN
con defectos en V (a). Detalle de la seccin transversal de la misma muestra por TEM mostrando la geometra
en V del defecto (b) [Jim02].

En las heteroestructuras AlGaN/GaN es fundamental conseguir interfases atmicamente planas, y la
evaluacin ms directa de la calidad de dicha interfase se realiza mediante TEM. La Figura 4.13 muestra una
imagen de TEM en campo oscuro de la interfase de Alo.3Gao.7N/GaN crecida en condiciones ptimas,
pudindose observar una interfase abrupta, tanto estructural como qumicamente. Insertada en la misma Figura
se muestra el detalle de la interfase AlGaN/GaN mediante TEM de alta resolucin (HRTEM) que corrobora la
alta calidad de la interfase.

Figura 4.13. Imagen de TEM en campo oscuro de la interfase AlGaN/GaN. Tambin se muestra el detalle de la
interfase en alta resolucin (HRTEM). La caracterizacin por difraccin de rayos-X es fundamental en este
tipo de estructuras porque permite determinar simultneamente la concentracin de Al y el grado de relajacin
de la barrera. La determinacin de ambos parmetros de forma independiente dificulta la medida, ya que en ese
caso es necesario realizar difractogramas bajo reflexiones simtricas (OOOn) y asimtricas (hkll) para poder
separar las contribuciones de la composicin y del grado de deformacin (una breve descripcin de la tcnica
utilizada se muestra en el apndice A).

Los parmetros caractersticos de las heteroestructuras se han obtenido como resultado del ajuste de los
resultados experimentales a un modelo numrico basado en la teora dinmica de difraccin de rayos-X bajo el
formalismo de Takagi-Taupin [Bra02]. La Figura 4.14 muestra la caracterizacin de una heteroestructura a
partir de los tres difractogramas obtenidos experimentalmente (cuadrados), y superpuestos los simulados (lnea
continua). La Figura 4.14a muestra el difractograma 9-20 bajo la reflexin simtrica (0002), que permite
determinar las posiciones de los picos de GaN y AlGaN respecto del substrato, que se supone relajado y se
toma como referencia. En la Figura 4.14b se muestra el detalle de los picos de GaN y AlGaN en un anlisis 0-
29 bajo reflexin simtrica (0002) y un -29 bajo las asimtricas (10-15) y (-1015). Puede verse como debido a
la deformacin de la barrera el pico de AlGaN aparece desplazado respecto del GaN bajo las reflexiones
asimtricas. Figura 4.14. Difractograma 9-26 de una heterounin de AlGaN/GaN (cuadrados) bajo reflexin
simtrica (00.2) (a), y asimtrica bajo Incidencia (10-15) y salida (-1015) rasante (b). Superpuesto a los
resultados experimentales se muestra la simulacin (lnea).

La validez de los valores obtenidos (concentracin de Al y grado de relajacin de la barrera) queda
determinada por el grado de ajuste de los datos experimentales a la simulacin. Con contenidos de Al en torno
al 20% los picos asociados al GaN y AlGaN ya quedan perfectamente resueltos, lo que permite determinar la
concentracin de Al de la barrera con una precisin, en torno al 1%. La mayora de las heteroestructuras
analizadas presentan relajaciones inferiores al 5%; slo en contadas excepciones se alcanzan relajaciones del 15
y 20%, respecto del GaN. Es importante destacar que el difractograma tambin permite comprobar el espesor
de la capa de AlGaN, a partir de la forma del pico asociado a la barrera, y de las "oscilaciones de espesor"
[Zac45]. La observacin de estas oscilaciones constituye una prueba clara de la calidad de la Inferase, ya que
la existencia de dislocaciones de acoplo {misfit dislocations) paralelas a la interfase, u otro tipo de defectos,
degradaran la interferencia constructiva.

La posicin de estas oscilaciones depende directamente del espesor del AlGaN, por lo que constituye una
medida muy precisa del mismo. An en el caso de que estas oscilaciones no se observen, es posible estimar el
espesor del AlGaN ajustando en la simulacin la forma del pico con los resultados experimentales, ya que al ser
una capa fina la anchura del pico difractado depende directamente del espesor de la capa. La diferencia de la
anchura de barrera respecto de la estimada por medidas capacitivas, como se ver a continuacin, es de 2nm
aproximadamente. La difraccin por rayos-X tambin es una tcnica cualitativa de caracterizacin estructural

del canal de GaN, ya que el valor de FWHM del pico difractado del GaN est relacionado con la densidad de
dislocaciones [Bov\/98], [Hey96]. En este caso tambin es necesario considerar varias configuraciones ya que
bajo reflexin simtrica slo las dislocaciones mixtas y helicoidales contribuyen al ensanchamiento del pico
difractado, mientras que bajo reflexiones asimtricas tambin contribuyen las dislocaciones en arista. Por otro
lado hay que considerar la dependencia de la anchura del pico con la reflexin utilizada, y la geometra
empleada en la medida de la misma, por lo que no es sencillo obtener valores absolutos, pero s relativos entre
las distintas muestras. Los valores de FWHM obtenidos para el pico del GaN son de 4-6 minutos de arco bajo
reflexin simtrica (0002) (cuadrados en Figura 4.15), valores que son similares a los de los pseudosubstratos
(cuadrados huecos en Figura 4.15). La Figura 4.15 tambin muestra los valores de FWHM para la reflexin
asimtrica bajo incidencia (10-15) y salida (-1015) rasante, que de nuevo estn prximos a los de SUS
respectivos pseudosubstratos. Esto indicara que la densidad de dislocaciones en las capas crecidas por MBE es
similar a las de los pseudosubstratos, aunque no debe olvidarse que sta es una medida orientativa, ya que sera
necesario realizar mapas en el espacio recproco para estimar la anchura real de los distintos perfiles de
difraccin. Adems, una medida cualitativa requerira un exhaustivo anlisis por TEM, lo cual queda fuera de
las pretensiones de este trabajo.
Como ya se vio en la caracterizacin de los pseudosubstratos (ver apartado 3.3), estos suelen tener un grado de
deformacin residual biaxial compresiva. La posicin relativa del pico de difraccin del GaN respecto del pico
del substrato de zafiro proporciona informacin sobre el grado de deformacin de la capa de GaN. Se ha
confirmado a partir de ios perfiles de difraccin que el GaN est sometido a una deformacin biaxial
compresiva entre 2.5E-3 y 0.5 E-4. Figura 4.15. Anchura a media altura del pico difractado del GaN bajo
reflexin simtrica (0002) (cuadrados), y reflexin asimtrica bajo incidencia (10-15), (circuios) y salida (-
1015) (tringulos) rasante, para distintas lieteroestructuras AlGaN/GaN. Tambin se muestran los valores de los
respectivos pseudosubstratos bajo la misma nomenclatura (smbolos huecos).

Caracterizacin ptica

La caracterizacin por PL se ha utilizado bsicamente como lierramienta cualitativa para determinar la calidad
cristalina de las heteroestructuras. En los espectros de PL a 9K se pueden distinguir dos rangos de energas, el
asociado a las emisiones procedentes del GaN, y a mayores energas y mucho menos intensas (hasta 16 veces
menos), las asociadas a la barrera de AlGaN. Lamentablemente, en ninguna de las muestras se han observado
emisiones que puedan asociarse al canal 2DEG. No hay muchos trabajos publicados sobre este tema [Shi02],
[Wan01], [MarOlb], [SheOO], [Kwo99], [Ber96], y los existentes, en su mayora, se refieren a estructuras de
AlGaN dopado con Si y altas densidades de carga (ns>1.5E13 cm'^). La razn radica en la diferencia en la
probabilidad de confinamiento de huecos [Wan01]. La transferencia de electrones al 2DEG en heteroestructuras
sin dopar es una consecuencia del fuerte campo piezoelctrico existente, el cual a su vez favorece la difusin
de los huecos fotoexcitados hacia las zonas de banda plana del GaN. Consecuentemente, la probabilidad de
recombinacin entre el 2DEG y los huecos fotoexcitados es muy baja, lo que dificulta su observacin. Por el
contrario, en heteroestructuras dopadas el campo piezoelctrico es apantallado por el propio dopaje de Si de la
barrera, existiendo una mayor probabilidad de encontrar huecos en la regin prxima a la interfase, y por lo
tanto, de detectar transiciones relativas al 2DEG.

A. Emisiones relativas a la capa eptaxial de GaN donde se ubica el canal
B.
Las emisiones relativas a la capa de GaN de la heteroestructura AlGaN/GaN son similares a las observadas en
capas simples de GaN. El espectro de PL a baja temperatura est dominado por emisiones excitnicas ligadas a
donantes neutros , as como por excitones libres (FX). En algn caso es posible observar el estado excitado del
exciten FXA (FXA*), pero para evitar confundirlo con FXC, hay que considerar la diferencia energtica
respecto FXA de forma precisa. En el caso concreto que aparece en la Figura 4.16, las dos emisiones distan tan
slo 19meV, lo cual est de acuerdo con las energas de enlace del exciten cuyo valor se ha estimado por
diferentes autores entre 20 y 28 meV [l\/lon74], [Fis91], [Yam98], [DelOI]. Adems, hay que tener en cuenta
que estas capas estn sometidas a una deformacin biaxial compresiva, como se ver a continuacin ms
detalladamente, lo que predice una separacin entre FXA y FXC de unos 30 meV [Sha98], para esta muestra
en concreto. La dispersin de los valores publicados para la energa de enlace del excitn podra explicarse por
las diferencias en el grado de deformacin de las distintas muestras. Por todo ello, puede decirse que el pico a
ms alta energa es probablemente el segundo estado del excitn A. La identificacin de las emisiones tambin
se ha realizado en funcin de su evolucin con la temperatura, como muestra la Figura 4.16 para la emisin
asociada al GaN en una heteroestructura Alo.34Gao.66N/GaN.

En dicha Figura se observa como el pico de ms alta energa desaparece rpidamente ai aumentar la
temperatura, como cabra esperar de un estado excitado, lo que apoya la asignacin realizada anteriormente.
Figura 4.16. Evolucin con la temperatura del espectro de PL relativo a la capa amortiguadora de GaN en una
heteroestructura de AlGaN/GaN crecida por MBE.

Crecimiento y caracterizacin de GaN y AlGaN/GaN Las emisiones de carcter excitnico asociadas a la capa
epitaxial de GaN varan con la temperatura siguiendo al gap, y dicha variacin se ajusta muy bien (ver Figura
4.17) a la frmula emprica de Varshni [Var67]: donde Egf(O) es la energa del respectivo excitn a OK, cr es
un parmetro de ajuste, y 0 es aproximadamente la temperatura de Debye a OK, la cual se estima en el rango
entre 600 y 700K [Mon74], aunque trabajos experimentales dan valores de 884 [Cal97] y 836K [Sha95]. Estas
diferencias probablemente se deban a la diferencia en el grado de compresin biaxial de las capas estudiadas.
En nuestro caso, los valores obtenidos para 0 en distintas muestras vara entre 500 y 740 K, y para crentre510y
580 ieVK\ Figura 4.17.

Evolucin con la temperatura de la emisin asociada al GaN de la heteroestructura AlGaN/GaN. Las lneas
punteadas corresponden al ajuste mediante la frmula de Varshni (equacin 4.2). En todas las muestras
analizadas est presente la Intensa emisin del 0 % a 6 y 7 meV de FXA, y en algunos casos es posible resolver
una segunda emisin del mismo carcter . Considerando slo 2 se puede estimar la energa de localizacin del
excitn entre 6 y 7 meV, y aplicando la ley de Hayne [Hay60] (ver ecu. A.7 en apndice A) obtener la energa
de ionizacin del donante neutro entre 30 y 35 meV. Estos valores coinciden con ios 35.5 meV y 36 meV
medidos mediante transformada de Fourier de absorcin de infrarrojos [IVieyQS] y por PL [San98],
respectivamente, en capas gruesas de GaN, y se asocian a la presencia de impurezas de O2. Los espectros de
PL de las heterouniones tambin estn desplazados hacia mayores energas, como en el caso de los
pseudosubstratos, y de capas simples de GaN, como consecuencia de la diferencia de coeficientes de expansin
trmica entre el zafiro y el GaN. La Figura 4.17 muestra un estudio en detalle de la posicin de las emisiones
asociadas a la capa de GaN, donde se indica la posicin de la emisiones excitnicas (FXA tringulos slidos,
FXB cuadrados slidos, y rombos tiuecos) de algunas de las heteroestructuras junto con la posicin del FXA
de sus respectivos pseudosubstratos (tringulos huecos). Superpuestos a los datos experimentales se muestra la
variacin terica predicha por Shan et. al [Sha98], lo que permite estimar el grado de deformacin de cada
muestra.

Dicha Figura revela que las capas de GaN crecidas por MBE presentan grados de compresin biaxial similares
a los de los pseudosubstratos, que varan desde 8E-4 hasta 1.8E-3. Esto refleja que el grado de deformacin de
la heteroestructura es una herencia del pseudosubstrato utilizado. Figura 4.18. Emisiones dominantes de PL a
9K en funcin del grado de deformacin biaxial, asociadas a la capa de GaN, en heteroestructuras
AlGaN/GaN, y las de sus pseudosubstratos (tringulo hueco). Superpuesto se muestra la variacin de los tres
excitones con la deformacin (lneas) [Sha98].

Como ya se describi al inicio de este captulo, la ventana ptima de temperatura de crecimiento es muy
estrecha, y debido al soporte mecnico de sujecin de la oblea se genera un gradiente trmico en la muestra
durante el crecimiento. Ambos factores hacen posible encontrar en una misma oblea zonas crecidas en
diferentes regmenes de crecimiento (Figura 4.1). La Figura 4.19 muestra el espectro de PL asociado a una
zona crecida bajo condiciones ptimas (ligeramente ricas en Ga), y en otra donde hubo un ligero exceso de N,
para una misma oblea. En dicha Figura se observa como la emisin relativa a la capa de GaN, de la zona
crecida en la regin ligeramente rica en N, muestra un nico pico asimtrico, probablemente debido a un
solapamiento de diferentes emisiones. Por el contrario, en la emisin procedente de la zona crecida en el
rgimen ptimo, pueden resolverse tres picos, los cuales se han asociado, por sus posiciones en energa, a
excitones ligados a donantes , y a excitones libres (FXA, FXB), segn se indica en la Figura 4.19.
Comparando ambas, se ve que la intensidad es similar y que la nica diferencia parece estar en la anchura de
los picos, de forma que slo en un caso pueden resolverse distintas emisiones. Este ensanchamiento de las
emisiones procedentes de la zona ligeramente rica en N, probablemente se deba a diferencias en el grado de
deformacin a nivel microscpico, como consecuencia de la rugosidad superficial que caracteriza al
crecimiento en dicha regin. Figura 4.19. Espectro de PL a 9K de una heteroestructura AlGaN/GaN de una
zona crecida en la zona ptima o intermedia (lnea continua), y en otro punto rico en N (lnea punteada).

B. Emisin relativa a la barrera de AlGaN

Las emisiones de PL procedentes de la barrera no suelen ser muy intensas y las diferencias entre distintas
muestras suelen ser pequeas, por lo que es difcil relacionarlas con la calidad de la interfase y mucho ms an
con las caractersticas del dispositivo HEMT final.
Por lo tanto, el principal inters de su anlisis se reduce a relacionar la energa de la transicin excitnica con
la concentracin de Al, determinada por XRD. Las emisiones excitnicas relativas al AlGaN de la barrera de
las fieteroestructuras son difciles de analizar porque dependen de distintos factores interrelacionados, como
son la concentracin de Al, el grado de deformacin de la capa y el campo elctrico intrnseco de la
heteroestructura. Como ya se vio en el captulo 2, la variacin de la energa del gap del ternario en funcin de la
concentracin de Al se estima mediante la ley de Vegard para capas totalmente relajadas: Esta relacin no es
lineal, ya que introduce un parmetro emprico de curvatura de las bandas b {bowing parameter), cuyo valor
varia entre -0.8 y 1.3, dependiendo de los autores [Och96], |Yos82], [Aka97], [Ang97]. Se observa una gran
dispersin de resultados, lo que indica la gran influencia de la calidad del material y, en menor medida, de la
tcnica empleada (fotoluminiscencia, espectroscopia de dispersin, etc.). La mayora de los datos mostrados en
la literatura hacen referencia a capas relajadas a temperatura ambiente. En capas tensionadas de AlGaN sobre
GaN se han obtenido valores de b de 0.53 [Jia01] y 0.60 [Ste98], derivados de medidas de reflectancia y PL
respectivamente, ajusfando la energa de la transicin excitnica directamente a la ley de Vegard. Segn la ley
de Vegard la posicin del pico de PL relativo al AlGaN se desplaza a mayores energas al aumentar la
concentracin de Al, pero por otro lado, a su vez sufre un desplazamiento hacia el rojo tanto ms acusado
cuanto mayor sea el grado de tensin de la capa. La variacin del gap de la heteroestructura con el grado de
deformacin viene dado a travs de los potenciales de deformacin segn ia ecuacin 2.2:

Por ltimo, hay que tener en cuenta que las heteroestructuras basadas en nitruros se caracterizan por poseer un
elevado campo elctrico intrnseco, debido a la polarizacin. Este campo elctrico puede llegar a modificar de
forma sustancial la emisin radiativa, bien reduciendo el solapamiento de las funciones de onda (efecto Stark),
o por inclusin de las funciones de onda dentro del gap (efecto Franck- Keldysh) [Pan71], como ya se ha
demostrado [Ber99], [Amb98]. Esto justifica la diferencia existente entre las emisiones por fotoluminiscencia
de emisin (PLE) y PL en estructuras similares a las que nos ocupan [Wag01], [Pau01]. Experimentalmente se
ha observado que esta diferencia depende linealmente de la concentracin de Al, la cual podra aproximarse a la
siguiente expresin [Pau01]: Por lo tanto, para analizar la dependencia de la energa del gap con la
concentracin de Al se deberan tener en cuenta todas las contribuciones anteriormente citadas: Teniendo en
cuenta lo anteriormente expuesto se ha representado la ecuacin 4.5 con distintos parmetros de curvatura junto
con la posicin de las emisiones excitnicas de la barrera de AlGaN. El resultado se muestra en la Figura 4.20,
donde se ve como el parmetro de curvatura a baja temperatura podra aproximarse a 0.8. Figura 4.20.
Posicin de las emisiones de PL a baja temperatura asociadas a la barrera de AlGaN en funcin de la
concentracin de Ai, determinada por HRXRD.

Caracterizacin elctrica

La caracterizacin elctrica inicial consiste en medidas capacitivas y de efecto Hall bajo configuracin de Van
der Pauw utilizando un campo magntico bajo (0.3 Teslas). Esto permite caracterizar la heteroestructura no slo
desde el punto de vista de la conduccin elctrica, determinando la densidad de portadores y su movilidad, sino
tambin obtener un parmetro estructural tan importante como es el espesor de la barrera, sin necesidad de
tcnicas destructivas y tan complejas como el TEM.

A. Medidas de Capacidad-Voltaje

La tcnica ms ampliamente utilizada para determinar la anchura de la barrera (WB) consiste en medir la
posicin de la carga acumulada en el canal respecto de la superficie del AlGaN, ya que la acumulacin de
portadores tiene lugar en la interfase AlGaN/GaN. Para determinar dicha posicin se realizan medidas de
capacidad-voltaje (C-V) a temperatura ambiente en diodos Schotticy depositados sobre las heteroestructuras.
La relacin entre la carga total bajo la barrera Schottky (Q) y la densidad de portadores (ng), viene dada por el
rea de la barrera Scfiottky (AQ), por lo que la propia definicin de capacidad relaciona la densidad de
portadores y la capacidad La Figura 4.21 muestra la capacidad medida al variar el voltaje de puerta (VQ), que
presenta una zona independiente del voltaje aplicado, que se denomina capacidad de puerta [Rob02]. En ese
rango la densidad de carga vara muy rpidamente con VG, como se muestra en la misma Figura (lnea
discontinua) tras haber aplicado la ecuacin 4.6. Al ir hacia voltajes ms negativos la capacidad cae
bruscamente como consecuencia de que la zona de carga espacial se extienda ms all del canal y, por lo tanto,
da lugar al vaciamiento del mismo, lo que justifica el que la densidad de carga se haga nula. Figura 4.21.

Capacidad medida al variar el voltaje de puerta (VG) y la variacin de la densidad de carga obtenido a partir de
la ecuacin 4.6 En la Figura 4.22 se puede observar la dependencia lineal de la densidad de portadores en el
canal con el voltaje de puerta, cuya pendiente est determinada por el espesor de la barrera. Adems, de estas
curvas se puede extraer el valor del Voltaje (V) Figura 4.22.
Carga acumulada en el 2DEG frente al voltaje de puerta para distintas heteroestructuras AlGaN/GaN con
distinta concentracin de Al y anchura de barrera. Tambin se indica ei voltaje de corte (VTH) obtenido.

La capacidad medida puede considerarse como la resultante de un condensador de placas paralelas, de forma
que la distancia entre las placas es equivalente a la distancia entre la superficie y la carga acumulada (WB)
[Rob02] [Amb99]. Por lo tanto, de las mismas medidas de C-V descritas anteriormente es posible deducir los
perfiles de concentracin de portadores en funcin del espesor, tomando el origen en la superficie. El resultado
de estas medidas, en algunas de las estructuras analizadas, se presentan en la Figura 4.23, donde se observa
como la densidad de carga se encuentra confinada a una distancia concreta de la superficie, considerndose
sta el espesor de la barrera. Figura 4.23. Densidad de portadores frente al espesor desde la superficie En el
captulo 2 se vio como la densidad de carga en estas estructuras viene definida bsicamente por la
concentracin de aluminio de la barrera de AlGaN, y en menor medida por el espesor de la barrera. En la
Figura 4.24 se muestra la variacin terica de ris respecto a concentracin de Al, calculada en el captulo 2
para dos anchuras de barrera (15 y 30 nm), junto con los resultados experimentales para distintas
heteroestructuras con diferente concentracin de Al y con espesor de barrera comprendidos entre 15 y 30nm.
Figura 4.24.

Densidad de carga, obtenida mediante medidas CV, en funcin de la concentracin de aluminio para distintas
heteroestructuras AlGaN/GaN con espesores de barrera comprendidos entre 15 y 30 nm (cuadrados), junto con
la tendencia terica calculada en el captulo 2 (lnea discontinua).
Tal y como predice la teora, se observa una variacin lineal, aunque ligeramente inferior a lo esperado. Esta
diferencia en la densidad de carga puede deberse a la existencia de defectos elctricamente activos, como
dislocaciones, que atrapan electrones impidindoles su contribucin al 2DEG, y por lo tanto reduciendo el valor
de ns [Amb99].

Efecto Hall a bajos campos magnticos

Los parmetros ms relevantes de las heteroestructuras para aplicaciones de HEMTs son la carga de! canal y
la movilidad de los electrones que la constituyen. La tcnica habitual para determinar la densidad de portadores
libres es la magnetorresistencia transversal, o ms conocida como efecto Hall, con bajos campos magnticos
(0.3 Teslas). La ventaja de esta tcnica es que junto con los valores de la resistividad a campo magntico nulo,
permite determinar la movilidad, segn se describe brevemente en el apndice A y de forma ms exhaustiva en
las referencias [Blo92] y [Sze81]. Por la naturaleza de la medida lo que se obtiene son valores promedios de la
carga libre total en la heteroestructura, y su respectiva movilidad ponderada. Tericamente, en el caso que nos
ocupa, los resultados de las medidas de efecto Hall deberan corresponder con los del 2DEG, lo que es correcto
siempre y cuando no existan canales de conduccin paralelos al 2DEG. En tal caso no es posible discernir a
priori las distintas contribuciones, por lo que se suelen realizar medidas a distintas temperaturas y bajo altos
campos magnticos.

Un estudio detallado al respecto se muestra en el siguiente captulo, centrado en el transporte electrnico en
este tipo de dispositivos. Sin embargo, es interesante mostrar los resultados obtenidos de las medidas rutinarias
de efecto Hall bajo configuracin de Van der Pauw. Las medidas se realizaron a distintas temperaturas,
obtenindose movilidades Hall de hasta 1021 y 3572 cmÂ/s a 300K y 77K, respectivamente, con una densidad
de carga de 1.8E13 cm'^, en una heteroestructura con una concentracin de Al del 34% y una anchura de
barrera de 20nm. Para evitar el efecto de cualquier canal 3D paralelo al 2DEG se consideran slo las medidas a
baja temperatura, observando que al aumentar la concentracin de portadores la movilidad disminuye, tal y
como muestra la Figura 4.25.
Esto se debe fundamentalmente a que al aumentar hs la distribucin de carga del 2DEG se desplaza hacia la
barrera, aumentando as los fenmenos de dispersin de la movilidad debido a rugosidad de la interfase y
desorden de aleacin, como se detallar en el captulo siguiente. Figura 4.25. Variacin de la densidad de
carga en funcin de la movilidad, obtenida por efecto Hall a baja temperatura, la lnea slo es una gua para la
vista.


Los valores de densidad de carga a temperatura ambiente obtenidos a partir de la variacin de la capacidad con
la tensin en diodos Schottky son inferiores a los valores de portadores libres obtenidos por efecto Hall. La
desviacin puede justificarse por la presencia de un canal paralelo de conduccin en algunos casos, pero
principalmente debido a efectos superficiales. Este segundo factor pone de manifiesto la importancia de las
propiedades de superficie de estas estructuras. En el caso de las medidas Hall con geometra de Van der Pauw
la superficie est desnuda, a un potencial indeterminado, mientras que en los diodos Schottky la superficie esta
recubierta por metal, el cual podra alterar la curvatura intrnseca de las bandas, y por lo tanto, variar la carga
acumulada en el canal. Este hecho se ver corroborado en el siguiente captulo donde se muestran los resultados
de medidas de barras Hall con puerta.

En este captulo se ha estudiado la optimizacin del crecimiento por PA-MBE tanto para capas simples de GaN
como para las heteroestructuras AlGaN/GaN. Se ha demostrado que para obtener capas de alta calidad es
necesario crecer en condiciones ligeramente ricas en Ga, pero evitando la aparicin de gotas; es lo que se ha
denominado zona intermedia u ptima de crecimiento. Una de las principales dificultades encontradas ha sido
la reproducibilidad de dichas condiciones, ya que la ventana ptima de temperaturas de crecimiento es muy
estrecha La optimizacin de las capas epitaxiadas se realiz a partir de los resultados obtenidos de la
caracterizacin morfolgica, estructural, ptica y elctrica. Del anlisis de las capas simples de GaN se deduce
la gran dependencia que existe con el pseudosubstrato utilizado. Las caractersticas estructurales, pticas y
elctricas estn limitadas por las del pseudosubtrato, obtenindose en todos los casos valores similares de
FWHM en medidas de XRD, emisiones en PL, o tensin residual, para las capas crecidas por PA-MBE y los
pseudosubtratos. Por lo tanto, para el crecimiento por PA-MBE de capas de alta calidad es imprescindible
utilizar pseudosubstratos que tambin sean de alta calidad. La mayor parte de este captulo est dedicada al
estudio de las heteroestructuras de AlGaN/GaN, el cual incluye la optimizacin de la barrera de AlGaN y la
interfase con el GaN. La caracterizacin mediante microscopa electrnica de transmisin ha mostrado la
existencia de interfases AlGaN/GaN abruptas, tanto qumica como estructuralmente, siendo atmicamente
planas.

La caracterizacin ptica, mediante medidas de fotoluminiscencia, ha demostrado la alta calidad cristalina de
las capas epitaxiales de GaN donde se localiza el canal. Adems, ha puesto de manifiesto la existencia de una
deformacin residual biaxial compresiva heredada del pseudosubstrato. Esta deformacin es una consecuencia
de la diferencia de coeficientes trmicos entre el substrato de zafiro y el GaN crecido por MOCVD.

El anlisis por HRXRD ha permitido determinar tanto la composicin de Al como el grado de relajacin de la
barrera, y adems, corroborar el grado de deformacin biaxial compresiva residual al que est sometida la capa
amortiguadora de GaN. La presencia de un canal 2DEG ha sido confirmada mediante medidas de capacidad-
voltaje. La caracterizacin elctrica de las heteroestructuras se ha completado con medidas de efecto Hall, a
bajos campos magnticos (0.3 Testas) bajo configuracin de Van der Pauw, obteniendo movilidades Hall de
hasta 1021 y 3572 cmÂ/s a 300K y 77K, respectivamente, con una densidad de carga de 1.8E13 cm'^, en una
heteroestructura con una concentracin de Al del 34% y una anchura de barrera de 20nm.
Tambin se ha comprobado que la densidad de carga acumulada en la interfase vara linealmente con la
concentracin de Al, tal y como predice la teora.

MECANISMOS DE TRANSPORTE EN HETEROESTRUCTURAS AlGaN/GaN
Mecanismos de transporte en heteroestructuras AlGaN/GaN

Las caractersticas finales de los dispositivos electrnicos basados en heteroestructuras de AlGaN/GaN estn
determinadas por las propiedades de transporte del gas de electrones bidimensional (2DEG) confinado en la
interfase AlGaN/GaN. Actualmente las movilidades obtenidas en estos sistemas son muy inferiores a las de sus
competidores de AlGaAs/GaAs.
El transporte en sistemas bidlmensionales basados en GaAs ha sido ampliamente estudiado, y un buen
compendio del mismo se puede encontrar en [And82] [Bas88] [Dav98], donde se muestra que en estos sistemas
la movilidad a baja temperatura suele estar limitada por la dispersin coulombiana de impurezas ionizadas,
mientras que a altas temperaturas son los fonones los principales limitadores. Sin embargo, los sistemas de
AlGaN/GaN tienen una serie de peculiaridades, destacando el hecho de que no sea necesario dopar la barrera
para obtener el 2DEG en la interfase, lo que hace que los mecanismos de dispersin dominantes a baja
temperatura puedan ser diferentes de los convencionales en sistemas basados en GaAs. El estudio del
transporte en dispositivos HEMT es complejo, como ya han demostrado estudios tericos bien reconocidos en
sistemas AlGaAs/GaAs [And82]. No es el objetivo de este trabajo el realizar un estudio exhaustivo de los

mecanismos de transporte en sistemas AlGaN/GaN que permita la simulacin dinmica del sistema, pero s el
comprender cules son los mecanismos de dispersin (scattering) que limitan la movilidad en estas
heteroestructuras crecidas por MBE.
Antes de mostrar los resultados experimentales se hace un breve resumen del formalismo seguido para el
estudio de sistemas bidlmensionales AlGaN/GaN, enumerando los posibles mecanismos limitadores de la
movilidad y los considerados como ms relevantes en funcin de los datos en la literatura. A continuacin se
muestran los resultados experimentales de medidas en Barras Hall a distintas temperaturas, voltajes de puerta, y
campos magnticos (oscilaciones Shubnikov de Hass y efecto Hall cuntico). El anlisis a altos campos
magnticos permite discernir la conduccin del propio 2DEG de cualquier otro canal 3D que pueda existir.

Introduccin terica de los distintos mecanismos de dispersin Teora de transporte en 2DEG
Un gas de electrones bidimensional (2DEG) es un conjunto de electrones cuyo movimiento est confinado en
un plano (XY). Aunque para simplificar se le denomine bidimensional, en un sentido estricto se debera hablar
de gas de electrones "cuasi-bidimensional", ya que la funcin de onda en la direccin de confinamiento tiene
una distribucin espacial finita, distinta de cero. El carcter 2D hace que el transporte electrnico tenga unas
caractersticas especiales con respecto al 3D, y por eso merece un tratamiento aparte. El estudio del transporte
se limita a la resolucin de la ecuacin de Boitzman. Dada su complejidad se utilizan distintos mtodos de
aproximacin que lo simplifiquen, como son el variaclonal, o el de los tiempos de relajacin. Este ltimo es
mucho ms sencillo y aplicable en el estudio de la movilidad a baja temperatura, por lo que es el que se ha
considerado. La aproximacin del tiempo de relajacin supone que tras una perturbacin los electrones
colisionan, termalizndose, y despus de un tiempo vuelven a la distribucin de equilibrio de Fermi.

El tiempo que tarda el sistema en relajarse, es lo que se define como la constante de tiempo de relajacin de la
funcin de distribucin (z). Para el caso ms sencillo de dispersin elstica e intrabanda, a baja temperatura, el
inverso del tiempo de vida para un mecanismo concreto (denotado con el subndice i) viene dado por la
ecuacin: S(k,k') representa la probabilidad de dispersin desde un estado k a otro k'. Es importante destacar
que la estimacin de tiempo de vida incluye el ngulo de la dispersin (scattering) G, ponderando los distintos
mecanismos segn sean de corto o largo alcance, es decir, los de mayor ngulo frente a los de menor.

Esta es la principal diferencia respecto al tiempo de vida cuntico, que es el otro tiempo de vida que caracteriza
a un sistema. En este caso concreto todos los mecanismos tienen igual peso, y slo se evala el tiempo medio
que un portador permanece en un determinado estado antes de ser dispersado a otro diferente. El transporte
puede considerarse en el rgimen tradicional de la aproximacin de Born, y la probabilidad de dispersin desde
un estado k a otro k' puede ser evaluado a travs de la Regla de Oro de Fermi: donde |Hkk|^ es el
Hamiltoniano que introduce la perturbacin a travs de un potencial de dispersin V(r), el cul ser
caracterstico de cada mecanismo de dispersin considerado: Introduciendo la ecuacin 5.2 y 5.3 en 5.1, y
sumando sobre todos los posibles estados finales, para un sistema 2DEG degenerado (todos los electrones tiene
una EwEp), el tiempo de dispersin se reduce a la frmula equivalente de Stern-Howard [And82] [Dav98]:
El apantallamiento, mencionado anteriormente, es el efecto por el cual los electrones del 2DEG se ven
afectados por un campo elctrico inferior al creado por la fuente dispersora, como por ejemplo por impurezas
ionizadas. Esto se debe a que al tener una carga positiva fija cercana al 2DEG, los electrones se vern atrados
por ella, crendose una sobrecarga negativa a su alrededor que reduce o apantana el campo creado por la propia
carga. Este fenmeno es importante para todos los mecanismos de dispersin de largo alcance considerados, los
cuales se basan en efectos Coulombianos. La relacin entre el potencial originado por la carga aislada {V), y
el potencial fsico total originado por la carga y la nube de electrones apantallados (/*), se establece mediante
la funcin dielctrica del material (6^*(q))[And82]: ^donde la funcin dielctrica viene dada por: qiF es el
vector de onda de Thomas-Fermi, el cual se puede expresar en funcin del radio de Born (a'e) y la masa
efectiva (m*): G(q) es un factor de forma que tiene en cuenta el apantaliamiento del propio 2DEG.

Para un sistema bidimensional ideal G(q) valdra la unidad: La extensin espacial del 2DEG puede ser
evaluada a partir de clculos autoconsistentes de las ecuaciones de Schrodinger y Poisson. Sin embargo, para la
evaluacin analtica de los mecanismos de dispersin se suelen usar funciones de onda tipo que simplifican el
anlisis genrico (de Fang-Howard, pozo triangular, etc). Estas funciones de onda dependen de la densidad
electrnica del canal (ns) a travs de un parmetro variacional b. En este caso la extensin finita del 2DEG
debe considerarse a travs de un factor de forma Fnm(q), el cual tambin depende del parmetro b [And82]
[Dav98]. Particularizando para cuando slo se considera el primer nivel confinado del 2DEG, Fnm puede
representarse por Po [And82]; trmino que aparecer en las expresiones analticas de los distintos mecanismos
de dispersin. A baja temperatura, se puede considerar que los distintos mecanismos de dispersin actan de

forma independiente, por lo que la combinacin de los distintos efectos se suele expresar segn la regla de
Mathiessen: altas temperaturas (T>100K) la aproximacin de no interaccin entre los distintos mecanismos
de dispersin deja de ser estrictamente correcta, debido a la importante accin de los fonones pticos polares.
Sin embargo, como a altas temperaturas el mecanismo dominante es el de los propios fonones pticos polares,
el uso de la regla de Mathiessen no introduce grandes errores, respecto a clculos ms precisos [Wal84]. Antes
de comentar los distintos mecanismos es importante mencionar bajo qu condiciones es aplicable la teora
anteriormente expuesta. La aproximacin de tiempo de relajacin es valida para colisiones istropas o elsticas.
Esto lo cumplen casi todos los mecanismos que se van a considerar (impurezas ionizadas, dislocaciones,
rugosidad de intercaras y desorden de aleacin), excepto en el caso de fonones cuyo mecanismo es Inelstico.
En GaN los fonones pticos se caracterizan por tener una gran energa (91 meV [Gil98]) comparada con la
separacin entre bandas, por lo que para su clculo sera necesario tener en cuenta distintas sub-bandas, con las
respectivas interacciones entre ellas. Una primera aproximacin al problema de clculo de dispersin por
fonones pticos sera el considerar el sistema 3D en vez de 2D [Wal79], o bien considerar slo interacciones
intrabanda [Gel95]. La separacin energtica entre las distintas sub-bandas, excepto entre la primera y la
segunda, es muy pequea [Hsu97], por lo que una vez se comienza a llenar el segundo nivel, diferentes sub-
bandas se van poblando rpidamente, dando lugar a una prdida del autntico comportamiento del 2DEG,
observndose una disminucin de la movilidad debido a fenmenos de dispersin intersub-banda. Todo el
desarrollo terico de esta Tesis se enmarca en el lmite electrnico cuntico, ya que en los sistemas
AlGaN/GaN sin dopaje intencional el 2DEG suele estar confinado en el primer nivel del pozo.

Pero qu duda cabe que esto no deja de ser una aproximacin que sobreestima la movilidad. Sin embargo, es
una buena aproximacin para identificar los mecanismos dominantes que limitan la movilidad, que es la
finalidad de este estudio. Como hemos visto, el transporte electrnico se produce por el desplazamiento de
electrones dentro de un material. De todos los electrones presentes en ese material, los nicos que participan en
el transporte son los que tienen energas cercanas a la energa de Fermi, y se caracterizan por un tiempo de vida
entre colisiones. Su determinacin experimental se basa en la magnetorresistencia, que es la medida de la
resistencia elctrica en presencia de un campo magntico. Si ese campo magntico se aplica a un sistema
bidimensiona! en la direccin perpendicular al mismo se habla de magnetorresistencia transversal, la cual tiene
dos componentes, la diagonal (Rxx), y la no diagonal o efecto Hall (Rxy), como indica la Figura

Configuracin de la medida de la magenetorresistencia transversal.

Particularizando para el caso de las medidas de efecto Hall, y desde un punto de vista general, la movilidad Hall
se expresa en funcin del tiempo de relajacin mediante la siguiente expresin [BasQO]: donde r es la
constante de proporcionalidad entre ambas movilidades y para el 2DEG de AlGaN suele tomarse como la
unidad [Con01], por lo que la movilidad se puede estimar a partir del tiempo de relajacin a travs de la carga
del electrn y la masa efectiva.
Mecanismos de dispersin en gases bidimensionales Las principales fuentes dispersoras del 2DEG en sistemas
AlGaAs/GaAs son bien conocidas: impurezas ionizadas, rugosidad de intercara, desorden de aleacin y
fonones. En el 2DEG de las heteroestructuras AlGaN/GaN tambin estn presentes todos estos mecanismos de
dispersin, pero deben considerarse otros adicionales, como son las dislocaciones, las impurezas superficiales,
o la debida a dipolos, algunas de las cuales se muestran esquemticamente en la Figura 5.2 En este apartado se
enumerarn los mecanismos que pueden modificar la movilidad del gas electrnico bidimensional, indicando
en cada caso el potencial caracterstico y su influencia en la movilidad total del sistema.

A. Dispersin por impurezas ionizadas

Los tomos de impurezas se encuentran irregularmente distribuidos en un semiconductor y a grandes distancias
unos de otros comparadas con las distancias entre tomos de la red. Mientras esto sea cierto, est justificado
considerar la interaccin de un electrn con un slo tomo de impureza aislado. Las densidades residuales
(nâo) en sistemas de GaN pueden oscilar entre 1 y 10E16 cm'^. La interaccin del 2DEG por impurezas
ionizadas es de tipo Coulomb [G0I88]. Las heteroestructuras AlGaN/GaN consideradas no tienen modulacin
de dopaje, por lo que el origen de la carga del 2DEG se cree proviene de estados superficiales, como se
discuti en el captulo 2. Estos estados superficiales pueden considerarse anlogos al dopaje remoto tipo delta
en sistemas convencionales de AlGaAs/GaAs. Por ello, para una densidad de impurezas 2D n\, a una distancia
d del 2DEG (coincidiendo d con la anciiura de la barrera de AlGaN), el potencial perturbador V{q) de carcter
coulombiano vendr dado por [G0I88]: En una primera aproximacin, y para un gas ideal, la movilidad
limitada por las impurezas ionizadas podra aproximarse a una ley de potencia [G0I88] [ManOO] [Hir86]:


B. Dispersin por dislocaciones

Los sistemas basados en nitruros se caracterizan por tener una alta densidad de dislocaciones (1E8-1E10 cm"^).
Evidencias experimentales en GaN han confirmado la hiptesis de que estos defectos extensos son
elctricamente activos, y que pueden considerarse como lneas de carga {dQ=pLdz), como muestra la Figura
5.3 [Han98] ,[Bra99], [HsuOlb], [Koz98], [Sch01]. La dislocacin ha sido modelada como una lnea con
enlaces insaturados [Rea54], separados una distancia Co a lo largo de la direccin [0001], que dan lugar a
estados en el gap. Este modelo ha sido ampliamente utilizado para explicar la movilidad en GaN en volumen
(30) [Wei98] [Loo99]. La densidad lineal de carga viene dada por/i=ef/co, donde fes el nmero de ocupacin
de los centros de carga. Figura 5.3. Dispersin por dislocaciones, considerndolas como lneas cargadas
elctricamente. Actualmente la controversia respecto a la actividad elctrica de las dislocaciones se centra en
los trabajos tericos, es decir en el valor de la funcin de ocupacin f. Eisner et al. [Els98] calcularon estados
profundos en el gap asociados slo a dislocaciones helicoidales, mientras que Wright et al [Wri98], [Wri98b],
mostraban que las dislocaciones en arista tambin introducan estados en el gap, tanto para GaN como AIN.
Leung et al. [Leu99] estudiaron la probabilidad de ocupacin de los estados introducidos por dislocaciones
ascendentes en arista, encontrando que dicha probabilidad de ocupacin dependa de la densidad de impurezas
residuales. Para una densidad residual del orden de 1E16 cm"^, y una densidad de dislocaciones en el rango de
1E8-1E10 cm'^, la probabilidad de ocupacin puede oscilar entre 0.1 y 0.5.

La dispersin por dislocaciones en semiconductores en volumen ha sido tratada por numerosos autores, siendo
uno de los pioneros Pdr et al. [Pd66]. Algunos de los trabajos para GaN son los mostrados en las referencias
[Loo99], [Wei98] y [Ng98]. Sin embargo, la dispersin por dislocaciones en sistemas bidimensionales lia sido
menos estudiada en el caso del AlGaN/GaN, probablemente porque es bien sabido que su efecto es mucho
menos acusado que en 3D debido a efectos de apantaliamlento, especialmente para altas densidades de carga
del 2DEG [JenOO] [ManOO].

Este efecto ha sido evaluado por Jena et al., que proponen como potencial asociado a las dislocaciones
[JenOO]: donde nao^'' es la densidad por unidad de rea de dislocaciones. Introducindolo en la ecuacin
5.4 se obtiene un tiempo de relajacin asociado a la dispersin por dislocaciones de la forma: La dependencia
en forma de potencia de la movilidad con la densidad de carga del 2DEG en sistemas ideales 2D es de 3/2,
aunque dicho valor disminuye en sistemas reales (1.34) [JenOS]. Otro posible factor que puede contribuir a la
dispersin de los portadores ligada a la presencia de dislocaciones es el campo de deformacn asociado a las
mismas. Este fenmeno ha sido estudiado tanto para GaN en volumen [Far01], como en sistemas 2DEG de
AlGaN/GaN [Jen02]. Jena et al. analizaron la movilidad mxima del sistema considerando la dispersin por
deformacin en torno a dislocaciones ascendentes en arista. Un estudio completo debera incluir tambin el
potencial de deformacin asociado a las dislocaciones helicoidales, pero en una primera aproximacin ste se
obvi. Asimismo, debido a esta deformacin en torno a la dislocacin, habr un campo piezoelctrico acoplado,
el cual tambin podra contribuir a la dispersin del 2DEG. El tensor piezoelctrico en GaN es tal que las
dislocaciones ascendentes en la direccin de c no tienen ningn potencial piezoelctrico asociado [Shi99]. Sin
embargo, en un estudio riguroso debera tenerse en cuenta las que tienen componentes oblicuas, aunque a priori
parece que su efecto no va ser dominante, y por lo tanto, puede ser despreciado . El potencial sin apantanar
que representa la dispersin por deformacin asociada a dislocaciones ascendentes en arista es [Jen02]: Este
mecanismo no parece ser el dominante en la limitacin de la movilidad en el sistema AlGaN/GaN. En este caso
parece que slo puede tener cierta relevancia para sistemas con altas densidades de dislocaciones 0 cm"^) y
bajas densidades de carga del 2DEG (ns=1E12 cm"^), por lo que su contribucin podra ser despreciada en una
primera aproximacin [Jen02].

C. Dispersin por dipolos

Es bien conocido el carcter polar de los nitruros, que presentan una importante polarizacin espontnea, por lo
que se puede ver al cristal como una red de micro- dipolos alineados a lo largo del eje (0001), como muestra
esquemticamente la Figura 5.4. En un sistema binario perfecto con una disposicin peridica de los mismos,
estos no contribuirn a la matriz de dispersin de la movilidad del 2DEG.
Sin embargo, una aleacin puede considerarse como un sistema desordenado; pierde la periodicidad del
potencial y puede contribuir a la dispersin de los electrones del canal. En el caso de la barrera de AlGaN, el Al
y Ga se situarn en sitios aleatorios, y teniendo en cuenta la diferencia de polarizacin espontnea entre el GaN
y el AIN, cabe esperar que en la barrera haya una fluctuacin aleatoria de la polarizacin. Figura 5.4.

Dispersin por dipolos [JenOOb] Jena et al. evaluaron el efecto de los dipolos, en aleaciones desordenadas
polares, sobre la movilidad del 2DEG en heteroestructuras AlGaN/GaN a travs de un potencial sin apantanar
de la forma [JenOOb]: donde zo es la posicin del centroide de la distribucin de carga en el 2DEG respecto
de la interfase AlGaN/GaN, Co es la separacin entre planos que contienen los dipolos en la barrera, do es la
distancia dipolar, y ' es el nmero de dipolos en cada plano (1/(V3/4ao^(x))). La distancia dipolar depende de la
concentracin de Al (x) y de la diferencia de momento dipolar entre el GaN y el AIN. Un desarrollo completo
de la expresin puede encontrarse en la referencia [JenOOb]. Por lo tanto, la inversa del tiempo de relajacin
viene dada por la expresin: Como cabra esperar, la movilidad aumenta conforme la aleacin de la barrera se
aproxima ms a un compuesto binario (GaN o AIN). El lmite intrnseco de la movilidad a baja temperatura, en
el rango de composiciones ms tpico entre el 10 y 40% de Al, est entre 4 y 2E5 cmÂ/s [JenOOb]. Dichos
valores son muy superiores a al record actual de movilidad en estructuras AlGaN/GaN (//=0.5E5 cmÂ/s)
[Smo99], lo que permite despreciar este mecanismo de dispersin frente a otros ms importantes.

D. Dispersin por desorden de aleacin

En compuestos ternarios los tomos del grupo III compiten entre s por unas posiciones en la red, y segn la
composicin del ternario la distribucin de unos u otros tomos puede ser ms o menos homognea. Las
posibles inhomogeneidades alteran el potencial cristalino contribuyendo a la dispersin de los electrones. Este
mecanismo de dispersin tiene lugar como resultado de la penetracin finita de la funcin de onda del 2DEG en
la barrera, como muestra esquemticamente la Figura 5.5. Este es un mecanismo de corto alcance, en el que
puede despreciarse el efecto del apantallamiento. El tiempo de relajacin puede expresarse como donde Pb
representa la probabilidad de que la funcin de onda penetre en la barrera, Q, es el volumen de la celda unidad,
d\ es la diferencia de potencial al remplazar un tomo de Ga por otro de Al, y suele tomarse como la diferencia
entre las bandas de conduccin del GaN y AIN, K, representa el vector de onda que caracteriza la penetracin
de la funcin de onda en la barrera de AlGaN, y viene dado por: donde ^c(x) es ia diferencia energtica
entre las bandas de conduccin del GaN y el AlxGai-xN {band-offset). Considerando que el band-offset es
aproximadamente 3 veces mayor que en AlGaAs/GaAs, y que tambin 5V y m* son unas 3 veces superior en
nitruros, y hasta 5 veces ms puede considerarse ns, esto lleva a que la limitacin de movilidad debida a
desorden de aleacin en nitruros es unos dos rdenes de magnitud inferior que en arseniuros. Este es uno de
los principales limitadores de la movilidad en los sistemas AlGaN/GaN, el cual puede llegar a hacerse
dominante para altas densidades del 2DEG cuando la funcin de densidad de carga se desplaza hacia la barrera
y aumenta la probabilidad de encontrar al electrn en ella, como muestra esquemticamente la Figura 5.6. La
movilidad limitada por desorden de aleacin depende de la densidad del 2DEG a travs de la Pt,, por lo cual la
dependencia podra aproximarse a [Hsu97]:
Profundidad (nm) Figura 5.6. Variacin de la posicin de la distribucin de carga del 2DEG al incrementar la
concentracin de Al de la barrera. E. Dispersin por rugosidad en la intercara de la heterounin La rugosidad
de la intercara ha sido tradicionalnnente modelizada como islas de altura A y separadas una longitud promedio
L (Figura 5.7); variables que dependen Figura 5.7. Dispersin por aigosidad en la interfase AlGaN/GaN La
dispersin por rugosidad de la intercara se representa a travs del potencial.

Por lo que la dispersin por rugosidad de intercaras vendr dada por: Al igual que la dispersin por desorden
de aleacin, este mecanismo es de corto alcance, y se har tanto ms importante cuanto mayor sea la densidad
de carga del 2DEG y la distribucin de carga se aproxime ms a la interfase AlGaN/GaN. La dependencia de
este mecanismo de dispersin con la densidad del 2DEG es similar a la debida al desorden de aleacin, como
muestra la siguiente expresin [And82]; por lo que es difcil distinguirlos. F. Dispersin por potencial de
deformacin por fonones acsticos Este mecanismo se origina por la componente longitudinal de los fonones.
Aunque el movimiento de los electrones est confinado en el pozo de la interfase AlGaN/GaN, se suele asumir
que los fonones acsticos pueden propagarse libremente en un espacio 3D. El tiempo de relajacin para la
interaccin de los electrones confinados con los fonones acsticos 3D debido a la dispersin por potencial de
deformacin sin apantallar puede expresarse por [Hsu97]: donde D es el potencial de deformacin, b el
parmetro variacional y C33 la constante elstica. Por lo que el tiempo de relajacin vendr dado por la
expresin: La dependencia de TFPD con la energa del portador de carga es exclusivamente a travs del
apantallamiento, y en definitiva no es niuy importante. Una simplificacin G. Dispersin por potencial
piezoelctrico por fonones acsticos Este mecanismo aparece en cristales que no poseen centro de inversin y
consiste en que el desplazamiento de los tomos que producen las vibraciones acsticas originan un campo
elctrico que perturba el campo cristalino. El tiempo de dispersin vendr dado por la suma de la contribucin
de los fonones longitudinales y transversales, que segn el formalismos expuesto por Hsu et al. [Hsu97] se
podra escribir de la forma: ej es la constante piezoelctrica, CL y Cj las constantes elsticas longitudinal y

transversal y fL,T(q) es una funcin que depende de q y el parmetro variacional b definido en la funcin de
onda del sistema (referencias [Hsu97] y [Kna02] para una descripcin ms detallada).

Una sencilla ley de potencia que permite ver la tendencia, en una primera aproximacin es [Hir86]: H.
Dispersin por potencial de deformacin por fonones pticos polares Como ya se dijo anteriormente, la energa
de los fonones pticos en cristales de GaN es elevada (91 meV), dando lugar a colisiones en la red de tipo
inelstico. Esto complica el tratamiento terico de este mecanismo de dispersin. Gelmont et al. desarrollaron
una aproximacin al tiempo de relajacin para el tratamiento de la dispersin de fonones pticos polares en
2DEG, aplicado a un amplio rango de densidades de carga y temperaturas. El resultado (en unidades CGS) es
[Gel95]: La movilidad depender ligeramente de la densidad del 2DEG (ns), pudlendo despreciarse, y muy
acusadamente de la temperatura del sistema, hacindose dominante para temperaturas superiores a los 100K,
aproximadamente:

Medidas de efecto Hall a bajo campo magntico

El anlisis de transporte se va a realizar en funcin de los resultados obtenidos de medidas de efecto Hall, a
bajos campos magnticos (B=0.3 Teslas), sobre cuatro heteroestructuras AlGaN/GaN crecidas por PA-MBE.
Las caractersticas de las distintas muestras se recogen en la Tabla 5.1, donde se indica la concentracin de Al
determinada por XRD (considerando posibles efectos de relajacin), la anchura de la barrera de AlGaN y la
concentracin de carga, ambas obtenidas a partir de medidas C-V. Tabla 5.1. Descripcin de las
heteroestructuras AlGaN/GaN utilizadas en el estudio a travs de la concentracin de Al {x), la anchura de la
barrera (WB), y la concentracin de carga medida por C-V (Os*^^)

Como se ha visto en el apartado anterior los mecanismos de dispersin que limitan la movilidad del 2DEG
dependen de la temperatura y de la carga del canal. Por lo tanto, para estudiar el transporte del 2DEG se han
realizado medidas a distintas temperaturas y con distintas ns. Para obtener diferentes densidades de carga se
puede proceder de dos formas; o bien mediante variacin directa de ios propios parmetros de diseo de ia
heteroestructura (%AI, y WB), o bien controlando la carga del canal a travs de un voltaje externo (VQ). El
primer caso supone asumir una gran reproducibilidad en el crecimiento de las heteroestructuras, sobre todo
teniendo en cuenta que para aumentar la carga se tienen que utilizar distintas concentraciones de Al, lo que
aumenta la probabilidad de tener intercaras ms rugosas, mayor desorden de aleacin e incluso mayor
concentracin residual en la barrera. Para evitar esto nos hemos decantado por variar la densidad de carga en
cada muestra a travs de un voltaje de puerta. Para ello se procesaron barras Hall con puerta (Figura 5.8)
siguiendo un procesado tecnolgico anlogo al descrito en el captulo 6 para transistores HEMT con la mscara
mi. Figura 5.8. Fotografa de una de las barra Hall con puerta procesadas.
En este apartado primeramente se muestra la capacidad de controlar la carga del 2DEG a travs de la puerta,
evalundose adems la dependencia de la carga con la temperatura, derivada de las medidas de efecto Hall.
Posteriormente se analiza la movilidad Hall respecto de Os a bajas temperaturas para, finalmente, ver la
variacin de la movilidad con la temperatura. El procedimiento empleado en la realizacin de las medidas Hall
ha sido siempre el mismo. Una vez fijada una temperatura se realizaron las medidas para distintos voltajes de
puerta en sentido creciente (VG=OV a VG=Vth) hasta alcanzar el vaciamiento del canal o una corriente
dominada por fugas en la puerta. La temperatura Inicial fue la ambiente y todas las medidas se realizaron en
oscuridad.

Control de carga

Para comprobar la capacidad de modulacin de la carga en el canal a travs de la puerta de la Barra Hall, se
compararon los resultados de variacin de carga de las medidas de efecto Hall con los obtenidos de medidas C-
V, as como con el resultado de simular tericamente el perfil de potencial de la heteroestructura
supuestamente pseudomrfica a diferentes voltajes de puerta (procedimiento descrito en captulo 2). La teora
predice un comportamiento lineal de la carga hasta que se alcanzan tensiones de puerta positivas, momento a
partir del cual puede hacerse sublineal. Esto es debido fundamentalmente a la aparicin de una conduccin
paralela a travs de la barrera, dependiendo del dopaje de sta, a travs de la propia puerta por polarizacin
directa del Schottky, o por el GaN si hay falta de confinamiento. En nuestro caso particular, es fcil que para
tensiones positivas la puerta comience a conducir, ya que las barreras Schottky poseen el codo de conduccin a
tensiones muy bajas (~1V). Como las corrientes empleadas para la medida de efecto Hall son muy pequeas (-
20-50 |j,A), se cumple fcilmente que la corriente de puerta supere a la de excitacin de medida, con lo cual los
resultados dejan de ser fiables en esas condiciones. Para evitar dicho efecto las medidas se han realizado con

VG< OV. Los resultados de las medidas de efecto Hall estn en acuerdo con la teora, presentando un
comportamiento lineal en el rango de tensiones de puerta analizado, como muestra la Figura 5.9. Figura 5.9.
Variacin de ris frente a VG(V) mediante medidas de efecto Hall a temperatura ambiente para cuatro
iieteroestructuras AlGaN/GaN diferentes. La Figura 5.10 muestra la variacin de la carga con el voltaje de
puerta en las medidas de efecto Hall (tringulos huecos), junto con los resultados a partir de medidas C-V en
diodos Schottky (cuadrados macizos) para las cuatro muestras bajo estudio.
Tambin se incluye la variacin terica de la carga (lnea continua) con el voltaje de puerta derivado de las
simulaciones de los perfiles de potencial de las distintas hieteroestructuras. Se puede observar la buena
coincidencia existente entre las simulacin y los resultados de las medidas C-V, excepto para la muestra M610,
donde los valores experimentales son sensiblemente inferiores a los calculados, aunque la pendiente coincide.
Esta discrepancia se justifica por la relajacin de la barrera, ya que mediante XRD se determin una relajacin
de la barrera del 20%, lo que reduce ostensiblemente la polarizacin piezoelctrica y, por lo tanto, la carga total
acumulada en la interfase.

Las ligeras variaciones observadas en la M639 tambin podran justificarse por una incipiente relajacin de la
barrera. Figura 5.10. Variacin de la densidad de carga del 2DEG con el voltaje de puerta obtenido mediante
medidas de efecto Hall (tringulos huecos), de C-V (cuadrados macizos), y como resultado de la simulacin del
perfil de potencial la heteroestructura (lnea continua), a temperatura ambiente. La carga obtenida por efecto
Hall es ligeramente superior en la mayora de los casos, especialmente en la M552. Probablemente esto sea
debido a la existencia de alguna otra contribucin, a travs del GaN o alguna de las interfases (zafiro/MOCVD-
GaN o pseudosubstrato/MBE-GaN), o incluso a travs de la puerta para altos valores de VQ. ES importante
recordar que la carga Hall representa un valor promedio de la carga total en la heteroestructura, por lo que la
existencia de conduccin de carga paralela al 2DEG contribuira al alejamiento de la linealidad terica
esperada, proporcionando valores superiores a los tericos.
Tambin se deben considerar pequeas diferencias en la pendiente, que pueden atribuirse a falta de calidad de
la barrera Schottky o/y falta de precisin en la determinacin del espesor de la barrera debido a
inhomogeneidades en la oblea. La aparicin de estos efectos, en mayor o menor medida. Justificaran las
diferencias observadas.

Para poder descartar la existencia de un canal 3D paralelo al 2DEG, a travs del GaN, se analiz el
comportamiento de la densidad de carga Hall respecto a la temperatura. En todas las muestras analizadas se
observa un comportamiento prcticamente independiente de la temperatura, tal y como muestra la Figura 5.11
para las muestras M552 y M638 bajo distintas polarizaciones de puerta. Este es el comportamiento tpico del
2DEG, por ser un sistema degenerado. Slo en la muestra M638 y M639 se observa una ligera cada de la carga
al bajar hasta 230K, lo cual no puede asociarse a ningn canal paralelo 3D que debera congelarse para
temperaturas mucho menores (~100K). Figura 5.11. Variacin de ns con la temperatura para distintos voltajes
de puerta para la muestra M552 y M638.

Movilidad frente a rig

La movilidad de los electrones del 2DEG est limitada intrnsecamente por el propio sistema, como se mostr
en el primer apartado de este captulo, a travs de los distintos mecanismos de dispersin sobre el 2DEG (ver
apartado 5.1.2). Casi todos los mecanismos dependen de ns y de parmetros propios como la densidad de
impurezas ionizadas o dislocaciones, concentracin de aluminio, etc. Por lo tanto la movilidad total del 2DEG
depende de la densidad de carga del mismo. Este apartado se centra en estudiar la influencia de variaciones de
la densidad de carga sobre la movilidad Hall de las heteroestructuras AlGaN/GaN, aplicando distintas
tensiones de puerta a baja temperatura (~40K, temperatura mnima del sistema de medida).

Tambin se proponen los mecanismos dominantes que limitan la movilidad en dichos sistemas. La Figura 5.12
muestra la variacin de la movilidad frente a ns para las distintas muestras estudiadas (M552, M610, M638 y
M639). Se puede observar cmo la movilidad aumenta con la densidad de carga hasta alcanzar un mximo en
torno a valores de ns de 7.5E12 1E13 cm'^ dependiendo de las muestras. Dado que los parmetros de diseo
de las heteroestructuras, y el comportamiento observado, son similares para las muestras M638, M639 y M610,
se tomar como referencia la M638, y a partir de ahora el anlisis se centrar exclusivamente en las muestras
M638 y M552, las cuales presentan un comportamiento ligeramente distintos tal y como se desprende de la
Figura 5.12 . Figura 5.12.
Variacin de la movilidad Hall con la variacin de HS a 40 K para las distintas muestras bajo estudio. Es bien
sabido que, a baja temperatura, en este tipo de heteroestructuras HEMT la movilidad total presenta un mximo

para una densidad de carga crtica (ns"^"'). La movilidad cuando ns es inferior a ns"^"' est limitada
bsicamente por impurezas ionizadas. Este mecanismo se ve muy influenciado por efectos de apantallamiento
del propio 2DEG, como se explic en el primer apartado de este captulo, por lo que al aumenar ns tambin lo
hace el apantallamiento, y simultneamente la movilidad. Sin embargo, la dispersin por desorden de aleacin,
la cual resulta de la penetracin del 2DEG en la barrera, va adquiriendo un mayor peso en la movilidad total a
medida que aumenta el 2DEG, junto con la de rugosidad de intercaras. llegando a ser dominantes cuando ns
supera el valor crtico. Esto justificara el comportamiento observado en las muestras analizadas (Figura 5.12).
Teniendo en cuenta lo anteriormente expuesto, y considerando ios distintos mecanismos de dispersin
comentados en el primer apartado de este captulo (ver apartado 5.1.2), se puede hacer un ajuste "grosso modo"
de los resultados experimentales mostrados en la Figura 5.12. Para ello se ha considerado la movilidad
caracterstica de cada mecanismo de dispersin como una ley de potencia HH ct rig^', tal y como se ha
mostrado anteriormente para ia dispersin por impurezas ionizadas (ecu. 5.16), dislocaciones (ecu. 5.19),
desorden de aleacin (ecu. 5.26), rugosidad de intercaras (ecu. 5.29) y fonones acsticos (ecu 5.32).

Es difcil distinguir entre la dispersin por desorden de aleacin y la rugosidad en la interfase, ya que el
exponente y en ambos casos est entorno a -2 , por lo que slo se considerar una de ellos. En el anlisis de
heteroestructuras simples de AlGaAs/GaAs la rugosidad suele despreciarse apoyndose en la alta calidad de la
interfase obtenida. Por el contrario, en las heteroestructuras de AlGaN/GaN, inicialmente se propuso este
mecanismo como dominante a altas densidades de carga, pero actualmente se ha comprobado que tambin
pueden conseguirse en nitruros interfases atmicamente planas, sobre todo las crecidas por MBE (ver Figura
4.13). Adems, se ha comprobado que la movilidad aumenta al sustituir la barrera de AlGaN por AIN
[SmoOO] [SmoOl] [JenOI], lo que es atribuible a la ausencia de dispersin por desorden de aleacin. Todo esto
apunta a que el mecanismo dominante a altas densidades de carga es el desorden de aleacin, y por lo tanto
ser al nico que se considerar en el ajuste de los datos experimentales. La Figura 5.13 muestra el resultado
del ajuste (lnea continua) de los datos experimentales (cuadrados) de la movilidad total al variar HS. Tambin
se muestra la contribucin de cada mecanismo por separado (lneas discontinuas). Esto permite comprobar
como para bajas densidades de carga los mecanismos dominantes son las impurezas ionizadas (del dopaje
residual y de la superficie). Sin embargo, estas dejan de tener un papel protagonista a altas densidades de carga
en favor del desorden de aleacin. La dispersin por dislocaciones y fonones acsticos juegan papeles
secundarios para ns<ns 's crit

Figura 5.13. Variacin de la movilidad con HS en las muestras I\/I552 y M638 (cuadrados), junto con el
resultado de ajustan (lineas) los resultados experimentales a varios mecanismos de dispersin (impurezas
ionizadas, dislocaciones y desorden de aleacin) asumiendo que todos ellos cumplen: [IH a fis" En la Figura
5.13 puede verse como el ris""' es inferior en M552 comparado con M638. En el primer caso es fcil distinguir
una movilidad mxima en torno a 7.5E12 cm"^ (VG^ -3V), mientras que para la M638 est en torno a 1E13
cm'^ (VG ~-0.75V), y al no ser posible seguir aumentando ns no hay cada posterior. Distintos autores han
propuesto distintas HS'^"* oscilando desde 1E12 cm"^ para estructuras con x<0.1 y sin dopar [JenOS], a 7E12
con x=0.25 y barrera de SOnm dopada [AntOO], por lo que el ns"'* parece depender de parmetros
estructurales. Para intentar comprender mejor esta diferencia se ha simulado el perfil del potencial de
heteroestructuras AlGaN/GaN con los parmetros de las muestras M552 y M638 (ver Tabla 5.1), segn lo
descrito en el captulo 2. Aunque las simulaciones son a temperatura ambiente, pueden dar una primera
aproximacin de la variacin del 2DEG al aplicar un potencial externo. La Figura 5.14 muestra el entorno del
pozo para las simulaciones correspondientes a las muestras bajo estudio. Se puede comprobar como al
aumentar VG el potencial de la barrera aumenta, a la vez que la distribucin de carga total disminuye y se aleja
de la interfase, tal y como cabra esperar. A simple vista esto no justificara las diferencias observadas en el ,
pero centrmonos en la penetracin del 2DEG en la barrera.

Figura 5.14. Variacin del perfil de potencial de la banda de conduccin y la distribucin de carga total dentro
del pozo al ir aumentando Ve. Como ya se ha comentado anteriormente, la dispersin por desorden de
aleacin, considerado como mecanismo dominante a altas densidades de carga, depende de la penetracin del
2DEG en la barrera. La probabilidad de que dicho hecho ocurra (Pb) aumenta con la densidad de carga del
2DEG, pero sobre todo depende de la concentracin de Al. La Figura 5.15a muestra como la penetracin
disminuye drsticamente al aumentar la concentracin de Al, debido a un aumento de la altura de la barrera. La
dispersin por desorden de aleacin (ecu.5.24) tambin depende de la concentracin de Al (x) y de la
discontinuidad de bandas, a travs de Kb (ecu.5.25), pero como muestra la Figura 5.15b el que domina el
comportamiento es Pb. Por lo tanto, la limitacin de la movilidad debido a este mecanismo ser mayor para
menores concentraciones de Al, para una ng fija.


Esto justificara que la dispersin por desorden de aleacin se haga dominante a menores densidades de carga
del canal en heteroestructuras con bajo contenido de Al, es decir, que el ns*^"' aumente con la concentracin de
Al de la barrera. Finalmente se podra concluir que, en las muestras bajo estudio, el mecanismo dominante en
la limitacin de la movilidad total a baja temperatura y para concentraciones inferiores a una crtica son las
impurezas ionizadas, y en menor medida las dislocaciones. Con Us superiores a ' la movilidad total disminuye
debido a la dispersin por desorden de aleacin, y en segundo orden por la rugosidad de intercaras. Adems, la
ns"""' disminuye con la concentracin de Al de la barrera, por lo tanto, depende de los parmetros estructurales
de cada muestra. a) Figura 5.15. (a) Probabilidad de que la funcin de onda penetre en la barrera (Pb), y Pb
ponderado por x y la discontinuidad de bandas (Kb), en funcin de la densidad de carga para distintas
concentraciones de Al [Bas88].

Movilidad frente a T
A la vista de las ecuaciones que representan a los distintos mecanismos de dispersin (ver apartado 5.1.2), la
mayora de estos son independientes de la temperatura, reflejando la naturaleza degenerada del 2DEG. Slo la
dispersin por fonones depende de T. Esto justifica que la movilidad total sea prcticamente constante a bajas
temperaturas y slo presente una gran dependencia con la temperatura por encima de 100K aproximadamente,
como muestra la Figura 5.16. El comportamiento mostrado en la Figura 5.16 es el tpico de un 2DEG [And82].
La movilidad a baja temperatura est dominada por impurezas ionizadas o desorden de aleacin y
deslocalizacin de los portadores, dependiendo de la densidad de carga ( VQ), como se ha visto en el apartado
anterior. Todos estos mecanismos se consideran independientes de la temperatura y por lo tanto la movilidad a
bajas temperaturas es prcticamente constante. Para temperaturas ligeramente superiores a 100K la movilidad
sufre una acusada disminucin debido al efecto de la dispersin por fonones acsticos y pticos. Al seguir
aumentando la temperatura .

Mecanismos de transporte en heteroestructuras AlGaN/GaN la movilidad sigue mermando, pero ya es la
dispersin por fonones pticos polares la principal limitacin. 100 100 Temperatura (K) Temperatura (K)
Figura 5.16. Variacin de la movilidad total con la temperatura enl las muestras M638 y M552, al bajo distintas
polarizaciones (VG) La restriccin de la movilidad a altas temperaturas debida a los fonnes pticos polares
se corrobora al comprobar que la dependencia de la movilidad con ns disminuye ligeramente al aumentar la
temperatura. La Figura 5.17 muestra como a altas temperaturas la movilidad apenas depende de Os, ya que los
fonones pticos polares no se ven apantallados por los electrones del 2DEG, y dominan en todo el rango.
Figura 5.17. Variacin de la movilidad total con ns a distintas temperaturas en las muestras I\/I552 y M638.
Todos los mecanismos de dispersin independientes de la temperatura, los cuales se hacen dominantes a bajas
temperaturas, podran agruparse y representar la limitacin intrnseca del sistema o la red (impurezas,
dislocaciones, desorden de aleacin, etc.). Teniendo esto en cuenta podra realizarse un ajuste de los resultados
experimentales anlogo al del apartado anterior. En este caso los distintos mecanismos de dispersin se
consideran como funciones de potencia de la temperatura (fa.H a T^')- Slo se considerarn tres mecanismos
de dispersin: el debido a la red (impurezas ionizadas, desorden de aleacin, etc), el cual es un valor constante,
y ios de fonones acsticos (ecu. 5.32 y 5.35) y pticos polares (ecu.5.37).

La Figura 5.18 muestra los resultados experimentales para VG=OV (cuadrados) y el resultado tras el ajuste a
las distintas leyes de potencia (lnea continua); tambin se muestran las contribuciones de los distintos
mecanismos por separado (lneas discontinuas), para las muestras M552 y I\/I638. Este ajuste tan simplista de
las tendencias slo confirma el comportamiento esperado, donde los fonones pticos limitan a altas
temperaturas y la red a bajas. Figura 5.18. Variacin de ia movilidad total con la temperatura con VG=OV en
las muestras M552 y M638 (cuadrados), junto con los resultados del ajuste a leyes de potencia (lneas.)

Medidas de magnetorresistencia transversal a alto campo magntico

Las medidas de efecto Hall a bajo campo magntico mostradas anteriormente dan informacin de la densidad
de carga libre en la estructura, la cual incluye tanto la carga bidimensional que ocupa los niveles cuantizados
del pozo entre el AlGaN y el GaN, como la carga que pueda circular por canales paralelos. Para poder
discriminar la contribucin de distintos canales, o simplemente la existencia de estos, es necesario realizar un
anlisis de la magnetorresistencia a altos campos magnticos. Al utilizar altos campos magnticos es posible
que aparezcan efectos cunticos tanto en la componente diagonal de la magnetorresistencia transversal (Rxx),
como en la no diagonal o Hall (RXY)- En Rxx se pueden observar las oscilaciones Shubnikov-de Haas (SdH),
las cuales permiten determinar, entre otras cosas, la carga real del canal 2D, y en RXY puede manifestarse el

efecto Hall cuntico. Una descripcin de estos fenmenos cunticos, as como la obtencin de parmetros
fsicos a partir de su observacin, se detallan en el Apndice A: Tcnicas Experimentales.

Las medidas presentadas en este apartado para la muestra M638 fueron realizadas por A. Link en el Instituto
Walter Schottky de la Technical University en Munich (Alemania) [Lin02]. Para ello se emple una geometra
Van der Pauw, con tan slo 4 contactos de Ti/Al. Las medidas se realizaron con campos magnticos de hasta
14 Teslas a una temperatura base de 330 mK, excepto para las medidas con distintos ngulos que se realizaron
a 450mK. Tambin se realizaron medidas sobre las barras Hall analizadas anteriormente en el Dpto. de Fsica
de Materiales de la Universidad Autnoma de Madrid (muestra M552) por el Dr. H. van der Meulen , y en el
Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid del C.S.I.C (muestra M639 y M610) por el Dr. A. F. Braa. En
estos ltimos casos las medidas se realizaron a 1.7K con campos magnticos de hasta 12 Teslas. Todas las
medidas sobre barra Hall con puerta se realizaron con la puerta flotante, comprobando en algn caso que los
resultados coincidan al polarizarla a OV. En las muestras analizadas con geometra de Barra Hall es posible
distinguir ligeros escalones {plateaus) en la componente Hall de la magnetorresistencia transversal (RXY),
correspondientes al llenado de los sucesivos niveles de Landau al variar el campo magntico (B). Su
observacin denota una buena calidad cristalina de la muestra. En la muestra M638 no ha sido posible
distinguidos, probablemente porque al tener una geometra de Van der Pauw sin definicin por ataque mesa, la
componente RXY tambin tiene contribuciones longitudinales que enmascaran dichos plateaus. La Figura
5.19a muestra los resultados de Rxy en funcin del campo magntico para la muestra M610.

La componente diagonal de la magnetorresistencia transversal (Rxx) muestra oscilaciones SdH en todas las
muestras analizadas, donde se aprecia que los mnimos de Rxx coinciden con los plateaus de RXY, tal y como
cabra esperar. Concretamente en el caso de la muestra M638 las oscilaciones de SdH aparecen con campos de
tan slo 3 Teslas, lo que indica una buena calidad cristalina de la muestra. Estas oscilaciones, que tericamente
deberan estar centradas en el origen, se superponen en todos los casos con otros fenmenos como la
conduccin paralela (para la M638 y M639), que se pone de manifiesto como una parbola creciente
superpuesta a las oscilaciones. En la Figura 5.19b se presentan los resultados experimentales de Rxx en funcin
del campo magntico para la muestra M610. Puede verse como el comportamiento de Rxx es parablico
decreciente a alto campo, donde lleva superpuestas oscilaciones cunticas y presenta un rpido crecimiento de
la resistencia a muy bajo campo magntico.
Estas caractersticas son debidas a los siguientes fenmenos fsicos: oscilaciones SdH e interaccin electrn-
electrn a alto campo y locaiizacin dbil a muy bajo campo magntico. En el rango intermedio de campo hay
cierta componente positiva atribuible a ligera conduccin paralela. Figura 5.19. Las dos componentes de la
magnetorresistencia transversal Rxx (a), y RxY (b) en funcin del campo magntico para la muestra M610 .

El fenmeno de la localizacin dbil [Abr79] es el responsable del rpido aumento de la magnetorresistencia
diagonal a muy bajo campo magntico, y est relacionado con la localizacin de los estados electrnicos a
causa del desorden presente en la muestra. Este es un efecto puramente cuntico, que se basa en la
Interferencia de una onda con su inversa temporal. Intuitivamente podra interpretarse como que el electrn
tiene una trayectoria cerrada, es decir, que tras mltiples colisiones hay una probabilidad no nula de que vuelva
al origen. La probabilidad de que esto ocurra aumenta con la existencia de defectos en la red que modifiquen la
trayectoria dei electrn. Esta localizacin se rompe al aumentar el campo magntico, por eso se la denomina
dbil, y no es una localizacin fuerte como la asociada a defectos. Al ser un efecto cuntico slo aparece a muy
bajas temperaturas.
Los nitruros se caracterizan por tener una alta densidad de defectos (dislocaciones por ejemplo) comparado con
otros semiconductores como AsGa o Si, por lo que este fenmeno puede ser importante [Bra01]. La existencia
de conduccin paralela puede enmascarar este efecto, haciendo que la determinacin de la movilidad Hall a
partir de Rxy no sea fiable, ya que el valor de la resistividad a campo cero (Ro) estara sobrevalorada. Otro de
los fenmenos observados en estas muestras ha sido la interaccin electrn-electrn [Cho86]. Este fenmeno
proviene del hecho de que la interaccin Coulombiana se ve reforzada entre los electrones que se mueven
difusivamente en un sistema 2D desordenado. Este fenmeno tiene lugar en todo el rango del campo
magntico y se pone de manifiesto experimentalmente por la aparicin de una componente parablica
decreciente en Rxx- La existencia de este efecto tambin influye en la pendiente Hall, por lo que la
determinacin de la movilidad Hall deja de ser fiable si no se realiza previamente una correccin por la
presencia de la interaccin electrn-electrn.
La alta densidad de carga existente en este tipo de estructuras favorece la aparicin de este tipo de efecto
[Bra01] [Wan99]. Un estudio detallado de las oscilaciones SdH permite obtener informacin sobre algunos de
los parmetros intrnsecos de la muestra. Uno de ellos es la densidad de electrones presente en el 2DEG, lo que

se obtiene del anlisis de la frecuencia de las oscilaciones frente al inverso del campo magntico. La ventaja de
que sea un fenmeno oscilatorio es que aunque se superpongan otros efectos lineales, como interaccin
electrn-electrn, localizacin dbil o conduccin paralela, siempre se pueden filtrar los resultados y obtener la
frecuencia de oscilacin. Por lo tanto la densidad de carga obtenida de las frecuencias de oscilacin (nsdH)
ser fiable aunque no se hayan separado las distintas contribuciones que tienen efecto y contribuyen a Rxx- El
anlisis detallado de las distintas contribuciones es complejo y se sale fuera de las pretensiones de este trabajo,
por lo que nos centraremos exclusivamente en la obtencin de nsdH- En nuestro caso, debido a la presencia de
otros fenmenos, ha sido necesaria la correccin de la lnea base antes del procesado de los datos.

En las oscilaciones SdH de las muestras MSI O y M552 se observa una nica frecuencia de oscilacin, como
asegura el tratamiento de la transformada rpida de Fourier (FFT) donde se aprecia un nico pico, a una
frecuencia de 202 Teslas para la M610, y de 210 Teslas para la M552. Estas frecuencias corresponden a una
densidad de carga de 9.8E12 y 1.0E13 cm'^ respectivamente. Observando detalladamente las oscilaciones SdH
de la muestra M639 puede verse una oscilacin de menor frecuencia que sera indicatoria de la existencia de
ms de una sub-banda poblada, tal y como muestra la Figura 5.20a. La interpretacin de las oscilaciones de
SdH para la muestra M638 es complicada, ya que presenta un doble pico superpuesto sobre una
magnetorresistencia creciente atribuible a conduccin paralela, como muestra la Figura 5.21a. Las
oscilaciones comienzan a 3 Teslas, pero es a partir de 8 Teslas cuando se aprecia el doblete.
Este segundo pico va aumentando en amplitud a medida que aumenta el campo magntico, llegando a superar
al primer pico por encima de 12 Teslas. Simultneamente se observa un desplazamiento que facilita la
discriminacin entre ambos a altas frecuencias. En la Figura 5.21b se muestra un detalle de la Rxx junto con
las envolventes de los mximos y mnimos, del primer pico, y la semisuma de ambas. Una vez extrado el
segundo pico es fcil advertir en las envolventes, o la semisuma, la existencia de una segunda frecuencia de
oscilacin que modula la amplitud de las oscilaciones SdH, indicativa de la ocupacin de la segunda subbanda.
Figura 5.21. Variaciacin de Rxx con B para la muestra M638 (a) y ampliancin de la misma a altos B junto
con la envolvente de los mximos y mnimos del pico principal junto con la semisuma. Para poder analizar las
oscilaciones ha sido necesario corregir la lnea base de los datos de Rxx. que se muestran en la Figura 5.22. La
transformada de Fourier de las oscilaciones frente al inverso del campo magntico revela dos frecuencias muy
prximas y otra a baja frecuencia (grfico insertado en Figura 5.22). Para identificar las distintas frecuencias se
realiza la FFT de la semisuma de las envolventes del primer pico obteniendo una nica frecuencia a 43 Teslas,
que correspondera a la ocupacin de la segunda sub-banda. Por lo tanto, las frecuencias observadas en la FFT
de las oscilaciones de Rxx a 263 y 41 Teslas corresponderan a la primera y segunda sub-banda,
respectivamente, pudiendo identificarse el pico a 214 Teslas como la diferencia entre ambos. Estas frecuencias
corresponden a una densidad de electrones en las distintas sub-bandas de 1.27E13 y 2.08E12 cm"^,
respectivamente.

Esta interpretacin de los resultados no justifica la presencia del doblete observado en las oscilaciones SdH.
Habra dos posibles explicaciones; o bien se trata de un desdoblamiento de spin {spin spiitting) en la primera
sub-banda, o bien que hay dos sub-bandas ocupadas con frecuencias muy prximas. En este segundo caso las
frecuencias asociadas a la primera y segunda sub-banda seran las observadas a 263 y 214 Teslas, que
corresponderan a una densidad de electrones de 1.27E13 (nsdH.i) y 1.03E13 cm"^ (nsdH,2). Esto supondra
que el total de carga fuera de 2.3E13 cm"^, que es muy superior a la ns medida por efecto Hall (1.8 El 3 cm'^) a
partir de la pendiente de RXY, por lo que parece poco probable esta opcin. Adems, en este caso no podra
justificarse la modulacin de la amplitud observada en las oscilaciones causada por una oscilacin de menor
frecuencia. La otra hiptesis barajada es que se tratara de un desdoblamiento de spin, lo que supondra que la
poblacin de electrones con spin haca arriba y hacia abajo fuera de 6.4E12 y 5.0E12 cm"^, respectivamente, lo
que dara una carga total de 1.14E13 cm"^. Este valor de ns estara en consonancia con |a carga estimada
inicialmente para la primera sub-banda (nsdHi=1-27E13cm'^). Sin embargo, se ha observado una invariancia
del doblete frente a la inclinacin del plano del 2DEG respecto al campo magntico (Figura 5.21a), y la falta de
colapso con la temperatura hasta 4.2K (Figura 5.21b). Estas evidencias estn en desacuerdo con el
comportamiento esperado de un desdoblamiento de spin [Fan68]. En base a los datos disponibles no es
posible identificar el origen del doblete observado, aunque el anlisis de los resultados parecen indicar que este
segundo pico no introduce ninguna frecuencia y que el 2DEG tiene contribuciones de dos sub-bandas con
concentraciones de 1.27E13 (nsdH,i) y 2E12 cm'^ (nsdH.a). respectivamente. La diferencia observada entre la
concentracin Hall (1.8E13cm"^) y la obtenida a partir de las oscilaciones SdH (1.5E13cm"^) es de 3E12 cm'^
lo que podra atribuirse a la conduccin paralela observada. Figura 5.23. Oscilaciones SdH bajo distintas
orientaciones del ngulo B respecto del 2DEG para la muestra (a), y a distintas temperaturas con B normal al
2DEG (b), para la muestra M638, sin correccin de la lnea base por lo que se ve una subida parablica

superpuesta a las oscilaciones debida a una conduccin paralela. Concluyendo, a partir de las medidas de
magnetorresistencia a altos campos magnticos ha sido posible determinar la poblacin real del 2DEG, as
como comprobar que en dos de las muestras analizadas existe contribucin de la segunda sub-banda. Los
resultados de las concentraciones totales del 2DEG obtenidas a partir de las oscilaciones SdH coinciden
bastante bien con las obtenidas a partir de las medidas de efecto Hall a bajos campos magnticos y a mayores
temperaturas (40K), como muestra la Tabla 5.2.

La muestra M638 es la que refleja una mayor diferencia entre ambas concentraciones, achacable a la
existencia de una conduccin paralela, probablemente a travs de la inferase iVIBE- GaN con el
pseudosubstrato. Es importante recordar que dicha muestra es la nica que se ha medido bajo configuracin de
Van der Pauw y sin estructura mesa, lo que indudablemente influye en los resultados finales debido a una pobre
definicin de la geometra [Bra01]. Tabla 5.2. Resumen de la densidad de carga del 2DEG obtenida mediante
efecto Hall a bajo campo magntico (BH) a 40K y a partir de las oscilacones SdH a 1.7K, donde adems se
detalla la poblacin de cada subbanda.

En este captulo se han analizado las heteroestructuras AlGaN/GaN desde el punto de vista de la carga y el
transporte. Para ello se han realizado medidas de efecto Hall a bajo campo magntico a distintas temperaturas y
voltajes de puerta. La variacin de la movilidad con la temperatura ha permitido comprobar cmo a altas
temperaturas la movilidad del 2DEG est limitada por fonones pticos polares y cmo a medida que la
temperatura disminuye la movilidad aumenta, hasta una temperatura en torno a 100K, donde tiende a saturarse.
A partir de esta temperatura la movilidad est dominada por mecanismos de dispersin propios de la red, como
son impurezas, dislocaciones, rugosidad en la interfase AlGaN/GaN o desorden de aleacin. Estos mecanismos
dependen en gran medida de la densidad de carga del 2DEG, por lo que se ha analizado la variacin de la
movilidad con ng a baja temperatura (40K), mediante la modulacin de la carga del canal a travs de del
voltaje de puerta (VQ). Se ha comprobado la capacidad de modulacin de la
puerta comparando los resultados en las Barras Hall con nnedidas de Capacidad- Voltaje y con simulaciones
del potencial de las heteroestructuras (segn lo descrito en el captulo 2). La variacin de la movilidad con ns es
la predicha para este tipo de heteroestructuras, observndose un aumento de la movilidad al aumentar la
densidad de carga hasta un valor crtico de sta (ns''"'), a partir del cual la movilidad disminuye. Dicho
comportamiento se debe a que al aumentar la densidad de portadores se mejora el apantallamiento de
fenmenos de dispersin de tipo coulombiano, consiguindose que la movilidad aumente (ns<ns'^"'). Sin
embargo, al ir aumentando la densidad de carga por encima de ns*^"' se van haciendo ms importantes otros
mecanismos como el desorden de aleacin o el debido a la rugosidad de intercaras, los cuales dependen de la
penetracin del 2DEG en la barrera de AlGaN.

En las muestras analizadas se ha observado que el valor crtico de ng para el cual se obtiene la movilidad
mxima depende del sistema, aumentando con la concentracin de Al de la barrera. Dicho comportamiento
podra justificarse por el aumento de la altura de barrera con el Al, que hace que, para una ns fija, la
probabilidad de penetracin de la funcin de onda aumente al disminuir la concentracin de Al. Finalmente se
han mostrado los resultados de las medidas de magnetorresistencia realizadas a altos campos magnticos, lo
que ha permitido determinar la carga real del 2DEG. Asimismo se ha sealado que en varias de las muestras
existe poblacin en la segunda sub-banda.

A tenor de estos resultados, se puede concluir que las heteroestructuras crecidas por PA-MBE son de gran
calidad y por lo tanto aptas para el procesado de transistores HEMT. Este captulo es un breve compendio del
estudio del transporte en heteroestructuras AlGaN/GaN, ya que en la literatura existen mltiples estudios
tericos o experimentales, pero ninguno que englobe ambos aspectos

BJT de Potencia (Arreglos Darlington)

El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo
electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso
de la corriente a travs de sus terminales. Los transistores bipolares se usan generalmente en electrnica
analgica. Tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital como la tecnologa TTL o BICMOS. Un
transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por
una regin muy estrecha. De esta forma quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

Colector, de extensin mucho mayor.
Un transistor bipolar de juntura consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la regin del emisor, la
regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un
PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un
terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda. El transistor bipolar fue inventado
en Diciembre de 1947 en el Bell Telephone Laboratories por John Bardeen y Walter Brattain bajo la direccin
de William Shockley. La versin de juntura, inventada por Shockley en 1948, fue durante tres dcadas el
dispositivo favorito en diseo de circuitos discretos e integrados. Hoy en da, el uso de BJT ha declinado en
favor de la tecnologa CMOS para el diseo de circuitos digitales integrados.
MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada
Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versin NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de
canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P.

Una delgada capa de material aislante formada de dixido de silicio (SiO2) (tambin llamada "slice" o "slica")
es colocada del lado del semiconductor y una capa de metal es colocada del lado de la compuerta (GATE) (ver
la figura). En el MOSFET de canal N la parte "N" est conectado a la
fuente (source) y al drenaje (drain)
En el MOSFET de canal P la parte "P" est conectado a la fuente (source)
y al drenaje (drain)
En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es
controlada por la corriente que circula por la base. Sin embargo en el caso
de los transistores FET, la corriente de salida es controlada por una tensin
de entrada (un campo elctrico). En este caso no existe corriente de
entrada.

Los transistores MOSFET se pueden daar con facilidad y hay que manipularlos con cuidado. Debido a que la
capa de xido es muy delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta tensin o hay electricidad esttica.

IGBT (Hibrido del BJT y el MOSFET de potencia)
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del ingls Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo
semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrnica de
potencia.Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los transistores de efecto campo con
la capacidad de alta corriente y voltaje de baja saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada
FET para la entrada e control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de
excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de
conduccin son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos
hasta entonces no viables en particular en los Variadores de frecuencia as como en las
aplicaciones en maquinas elctricas y convertidores de potencia que nos acompaan
cada da y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso:
automvil, tren, metro, autobs, avin, barco, ascensor, electrodomstico, televisin,
domotica, Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc.

Ejemplos:
- Control de velocidad de motores de CD
- Regulacion de voltaje de CD en fuentes conmutadas
- Control de motores de traccion

Los troceadores pertenecen al grupo de los pulsadores de CD. Cuando se cierra el interruptor SW durante un
tiempo T1, el voltaje de entrada Vs aparece a traves de la carga. Si el interruptor se mantiene abierto durante un
tiempo T2, el voltaje a traves de la carga es cero. Un interruptor pulsador puede ser un BJT, un MOSFET, un
IGBT, o algun otro interruptor estatico.

Convertidores CD - CA (Inversores)

La funcin de un inversor o convertidor de corriente directa a corriente alterna, es precisamente esa, convertir la
corriente directa de una batera (acumulador) en corriente alterna.
Este circuito de tres secciones: El oscilador, el distribuidor y la salida de potencia.
El oscilador est conformado principlamente por el IC1, la frecuencia de oscilacin est determinada por R1, R2
y C2...
Los inversores se fabrican sin transformador y con transformador. Sin el tranformador el voltaje pico de salida
es igual al de la fuente de CD. Con transformador el voltaje pico de salida depende de la relacion de
transformacion del mismo. El nucleo de ferrita de los transformadores permite su aplicacion en altas frecuencias
(del orden de 40 KHz) en las fuentes conmutadas. Mientras con nucleo de laminacion de acero operan a bajas
frecuencias (60 Hz).

INVERSORES MONOFASICOS : En puente esta formado por 4 pulsadores. Cuando los transistores Q1y Q2
se activan simultanemente, el voltaje Vs aparece a traves de la carga. Si se activan al mismo tiempo, el voltaje a
traves de la carga se invierte.
FUENTES CONMUTADAS: Las fuentes de poder de CD en modo de conmutacion utilizan inversores
monofasicos con transformador y rectificacion a la salida. Hay configuraciones comunes que son: flyback, push
pull o en contrafase, medio puente y puente completo.
INVERSORES TRIFASICOS: Se utilizan en aplicaciones de alta potencia para alimentar motores trifasicos
de induccion.

Convertidores CA- CD (Rectificacion)

Los rectificadores convierten voltajes y corrientes de CA a CD de magnitud fija o ajustable. Los rectificadores
trifiasicos tienen mayor aplicacion que los monofasicos por su mayor manejo de potencia y porque presentan
menor rizo u ondulacion de voltaje o de corriente de salida.
Se utilizan en aplicaciones industriales en propulsores de velocidad variable, y como fuentes de CD de potencia
para inversores.

Los tipos de rectificacion que usa este convertidor son:
- RECTIFICACION MONOFASICA (No controlada y controlada).
- RECTIFICACION TRIFASICA (No controlada, controlada y semicontrolada).

Fuentes de Alimentacion

Una fuente de alimentacin es un dispositivo o subsistema que convierte la corriente alterna de la red de
distribucin de la energa elctrica en otro tipo de corriente elctrica adecuado para el uso que se le vaya a dar.
Se dividen en dos categorias:
Fuentes Lineales
Una fuente lineal es aquella que trabaja en regimen lineal. Las fuentes lineales siguen el esquema:
transformador, rectificador, filtro, regulacin y salida. En primer lugar el transformador adapta los niveles de
tensin y proporciona aislamiento galvnico. El circuito que convierte la corriente alterna en continua se llama
rectificador, despus suelen llevar un circuito que disminuye el rizado como un filtro de condensador. La
regulacin se consigue con un componente disipativo regulable. La salida puede ser simplemente un
condensador.
Fuentes Conmutadas
Una fuente conmutada es un dispositivo electrnico que transforma energa elctrica mediante transistores en
conmutacin. Mientras que un regulador de tensin utiliza transistores polarizados en su regin activa de
amplificacin, las fuentes conmutadas utilizan los mismos conmutndolos activamente a altas frecuencias (100-
500 Kilociclos tpicamente) entre corte (abiertos) y saturacin (Cerrados).

Contactos hmicos: drenador y fuente

Los contactos hmicos que hacen de fuente y drenador en los dispositivos HElVlT son extremadamente
importantes porque su calidad afecta directamente a la eficiencia del dispositivo final. Por lo tanto, es necesario
reproducir contactos hmicos con baja resistividad y buena estabilidad trmica. Tambin es deseable que
tengan una buena morfologa superficial, es decir, deben estar muy bien definidos con escalones abruptos que
permitan reducir las zonas de acceso del dispositivo y no dificulten la definicin de la puerta posterior.

Por estas razones se han realizado una serie de experimentos con diferentes metalizaciones con el nico
objetivo de optimizar la tecnologa. En general, el conseguir contactos hmicos con baja resistividad en
materiales con gap ancho es una tarea difcil. Por un lado, al cumplir el GaN la ley de Schottky- Mott, que
establece una dependencia lineal entre la altura de barrera del contacto y la funcin de trabajo del metal, la
eleccin de metales se limita a aquellos con baja funcin de trabajo, como el Ti (4.33eV) o Al (4.28eV). Sin
embargo, al depositar las diferentes combinaciones de metales no se consigue que sean totalmente hmicas, y
mucho menos con baja resistividad, lo que obliga a realizar un tratamiento trmico posterior, normalmente un
RTA (aleado trmico rpido: Rapid Thermal annealing). Debido a las altas temperaturas requeridas en el aleado
) se favorece la degradacin de la morfologa superficial, que se hace ms rugosa perdiendo definicin.
Adems de esto, hay otras dificultades intrnsecas al sistema AlGaN/GaN, relativas a la resistencia de contacto,
dado que el material en la superficie es directamente la barrera de AlGaN, de gap aun ms ancho que el GaN, y
que no est intencionadamente dopado, siendo por tanto un material con alta resistividad elctrica. Por otro
lado, debido a la estructura de los HEMT el contacto hmico debe llegar hasta el canal, que est entre 20 y 50
nm por debajo de la superficie. Todo ello hace que no sea tarea sencilla el conseguir buenos contactos hmicos
en transistores de AlGaN/GaN, y como prueba de ello, existe una falta de consenso en la metalizacin ptima a
utilizar [Kum02c], [Mis02], [Eas02b]. A pesar de ello ya se han conseguido resistencias de contacto entre 0.2 y
0.6 Qmm dependiendo de los autores. Aunque en los ltimos aos se le ha dedicado un especial inters al
estudio de los contactos hmicos en (AI)GaN, an hoy es un rea en pleno desarrollo. La bicapa Ti/Al, es el
contacto hmico estndar en capas de (AI)GaN tipo-n [Liu98], [Wu97], [Qia99], [Ruv96], y es ampliamente
utilizado en diversos dispositivos basados en nitruros, tales como detectores [MonOO], e incluso en algunos
AlGaN/GaN HFETs [Ruv98], [Qa99b]. El criterio de nomenclatura adoptado ha sido el orden de deposicin,
por lo tanto la secuencia es semiconductor/Ti/Al. El contacto de Ti/Al adquiere el carcter hmico tras alearlo a
alta temperatura , por la formacin de una fina capa de carcter metlico de TiN, o AIT2N, en la interfase
metal-(AI)GaN, donde se genera una alta concentracin de vacantes de N por efecto del aleado [Liu98].

Esto produce una superficie muy dopada tipo-n, y por lo tanto, la banda de conduccin se curva lo
suficientemente como para que tenga lugar el transporte de carga por efecto tnel [Ruv98], [Qia99b], [Lin94].
Sin embargo, la bicapa Ti/Al se vuelve bastante resistiva durante la fabricacin y procesado, probablemente
por oxidarse durante el aleado [Lin94]. Adems, el Al tiende a fundirse y aglomerarse al someterlo a altas
temperaturas (fusin del Al . Estos dos inconvenientes pueden reducirse utilizando un cociente de Ti/Al
adecuado, que de lugar al eutctico AI3T evitando el exceso de Al [Gas99b], [Liu98]. Este compuesto da
estabilidad trmica al contacto y reduce la oxidacin. A pesar de esto, estos contactos siguen siendo demasiado
resistivos y poco reproducibles para el uso en transistores HEMT. La solucin adoptada para mejorar los
contactos de Ti/Al consisti en recubrir el contacto con una capa de Au, ya que es un material noble con muy
buena conductividad. Sin embargo, se ha observado que el Au se difunde a travs de las capas de Al/Ti hasta la
interfase del contacto con el (AI)GaN a altas temperaturas (RTA tpicos entre C y , dando lugar a una
degradacin de la morfologa superficial del contacto [Lin94]. Por lo tanto, barreras como Ni, Ti, o Pt son
comnmente introducidas entre el Au y la bicapa Al/Ti para inhibir dicho efecto [Fan96], [Cai98], [Moh96b],
[Fay02], [Bri01], [WanOlb]. Diversos estudios detallados de la morfologa de los contactos muiticapas de
TI/AI/Ni/Au [Bri01] y Ti/AI/Ti/Au [Fay02] por TEM, muestran que tras el aleado se pierde la secuencia en la
estructura de capas y se forma una estructura compleja granular con diversas aleaciones intermetlicas. En la
interfase se ha observado TIN, al cual se le hace responsable del carcter hmico al igual que ocurre en los
contactos bicapa de Ti/Al anteriormente introducidos.

Estos autores tambin proponen que la formacin de inclusiones de TiN, fcilmente distinguibles en la barrera
de AlGaN para altas temperaturas de aleado, rodeadas por un frente de difusin de Au-Al, pueden ser
beneficiosas. Sin embargo, se observa cierta relacin entre las inclusiones y la existencia de dislocaciones
ascendentes, por lo que si las inclusiones estn asociadas a las dislocaciones no se puede asegurar la dinmica
del proceso de aleacin, y mucho menos la reproducibilidad. Esto simplemente pone de manifiesto el
desconocimiento real del proceso, del cual slo se puede extraer que el cociente ptimo de Ti/Al se ve afectado
por la presencia de otros elementos (Ti, Ni, Au), y que el Au tiene un efecto beneficioso en la formacin del
contacto. Aunque se sabe que estas combinaciones de metales muiticapas proporcionan menores resistencias de
contacto que el convencional Al/Ti, todava no se sabe muy bien el papel que juegan dichos elementos en la
formacin del contacto hmico.

Por otro lado, se ha comprobado que la resistencia de contacto (Re) se ve sustancialmente reducida tras
modificar la superficie del semiconductor mediante ataques suaves con RE previos a la metalizacin [Fan96],
[Mis99], [Jan01], [But02]. El ataque genera un dao superficial, y produce superficies ricas en Ga, aumentando

asi la concentracin de electrones en la regin prxima a la superficie, y por lo tanto, facilitando la formacin
del contacto hmico. Para aplicaciones en electrnica de alta potencia se deberan utilizar metales refractarios,
como el W y el WSix, lo que dara lugar a contactos estables trmicamente hasta temperaturas de , al contrario
que los basados en Al que comienzan a degradarse en torno a los , pero sta es todava un rea en desarrollo.
Los contactos multicapas son ms estables trmicamente que la bicapa Ti/Al pero su Re aumenta
considerablemente al aumentar la temperatura [Fay02]. En esta Tesis se han estudiado distintas combinaciones
de metales, as como la optimizacin del ciclo de aleado (tiempo y temperatura) en cada caso. Todos los
tratamientos trmicos se realizaron en un sistema de aleado RTA (Modular Process Technology Corp. RTP-
600), propiedad del C.A.I. de la Universidad Complutense de Madrid. Los tratamientos se realizaron en
atmsfera de N2, y con una rampa de subida de temperatura de 15 segundos entre temperatura ambiente y final
(con una mxima de . Los metales se han depositado por la tcnica de evaporacin por can de electrones en
un sistema Varan VT118, propiedad del Departamento de Ingeniera Electrnica, trabajando con una presin
inferior a 1E-6 mbar durante la deposicin.

El parmetro caracterstico para evaluar los contactos hmicos ha sido la resistividad de los mismos,
determinado a partir de la evaluacin de estructuras TLIVi (Mtodo de lnea de transmisin: Transmission Une
Meted, descrito en el Apndice A). Para la optimizacin de los contactos se utilizaron TLMs con contactos de
100x100 ^m^, depositados tanto en GaN como en heteroestructuras AlGaN/GaN, con un espaciado entre
contactos de 10, 15, 20, 25, 30, 40, 50, y 60 |Lim (slo se consideran los cinco primeros). En los transistores
procesados existen zonas de control que cuentan con estructuras TLM, que permiten evaluar el contacto hmico
de cada muestra, en este caso el espaciado entre contactos es de 5,10, 15, y 20 jum, con reas de 60x100 ^m^.
El Dr. Garrido estudi la bicapa Ti/Al con la tecnologa existente en el Departamento de Ingeniera Electrnica,
obteniendo los mejores resultados con espesores de 30/70 nm, y aleado entre 850 y C durante 30s en atmsfera
de N2 [GarOO]. Con esta combinacin se obtuvieron contactos bien definidos con baja rugosidad superficial y
Re promedio en AlGaN de SQmm. Uno de los problemas que presentan los contactos de Ti/Al es su baja
reproducibilidad, siendo adems poco estables, ya que el Al es muy reactivo y la superficie tiende a cubrirse
con xido. A partir de estos resultados y considerando otros trabajos en la literatura, se realizaron una serie de
experimentos con Ti/Al/Ti, Ti/AI/Ti/Au, Ti/AI/Ni/Au, y Ti/AI/Pt/Au, con diferentes cocientes de Ti/Al,
obtenindose el mejor resultado con la combinacin Ti/AI/Ti/Au (20/100/40/50), pero dando lugar a una
superficie muy rugosa. Manteniendo constante el cociente Ti/AI=0.6, se analizaron diferentes combinaciones
con Ti/Al/Ti, Ti/AI/Ti/Au, y Ti/AI/Au, alendolos por RTA a durante 30s en atmsfera de Na. La Tabla 6.2
muestra cmo la combinacin Ti/AI/Ti/Au vuelve a ser la ms adecuada desde el punto de vista elctrico,
aunque su morfologa est severamente degradada.
Como la combinacin Ti/AI/Au parece dar lugar a mejores superficies, aunque con valores de Re ligeramente
superiores, se decidi optimizar el proceso de aleado para ambas combinaciones. Tabla 6.2. Metalizaciones
basadas en la combinacin Ti/AI/Au, sometidas a un RTA a C durante 30s en atmsfera de N2, junto con las
caractersticas del material empleado en el anlisis, y la resistencia de contacto obtenida de las estructuras
TLM. La optimizacin del tratamiento trmico para Ti/AI/Au (60/100/50) y Ti/AI/Ti/Au (20/100/40/50) se ha
centrado entre 800 y , ya que por debajo de C es difcil obtener el carcter hmico, y por encima de C se ha
observado una gran degradacin de la morfologa superficial y un drstico aumento de la resistividad de
contacto.

La Figura 6.6 muestra la variacin de la resistencia de contacto en funcin de la temperatura de aleacin para
metalizaciones de Ti/AI/Au y Ti/AI/Ti/Au; el tiempo de aleado se indica para cada punto. La menor Re se ha
alcanzado a C para ambas combinaciones, y sin grandes diferencias entre alear durante 30 o 60 s, obtenindose
unas Re de 0.90 y 1.02 Qtnm para Ti/AI/Ti/Au y Ti/AI/Au, respectivamente.
Figura 6.6. Optimizacin de las condiciones de aleado para Ti/AI/Ti/Au y TI/AI/Au, en una oblea de GaN:n
(7E17 cm"*). La lnea punteada es el ajuste parablico de los datos experimentales. El USO de una capa final
de Au parece crtico para reducir la resistividad del contacto, por lo que se estudi su efecto variando el espesor
de O a 250 nm. La Tabla 6.3 recoge tanto las combinaciones analizadas como las respectivas Re obtenidas. Se
observa que la Re disminuye al aumentar el espesor de la capa de Au hasta alcanzar unos 100 nm,
aproximadamente, donde parece estabilizarse. Tabla 6.3. Sumario de los diferentes espesores de Au utilizados
en la metalizacin de contactos de Ti/AI/Ti/Au, aleados a C durante 30s en atmsfera de N2, junto con las
caractersticas del material empleado en el anlisis, y la resistencia de contacto obtenida de las estructuras
TLM. Se obtuvieron valores ptimos de Re de 0.7 Q.mm utilizando Ti/AI/Ti/Au (20/100/40/100 nm) sobre
GaN:n. Sin embargo, tras el aleado con , la morfologa superficial del contacto acabado con Au se vuelve
rugosa, como muestra la Figura 6.7.


Figura 6.7. Efecto del espesor de la ltima capa de Au en Ti/AI/Ti/Au en la resistencia de contacto (Re) y la
morfologa superficial (la lnea es slo una guia para la vista). GaNin (ND=7E17cm"^), RTA C 30 s.
Probablemente porque se alea por encima del punto de fusin del Al, el cual tiende a difundirse en el Au, dando
lugar a superficies muy rugosas con oquedades amorfas y con formas y distribucin aleatorias. Por lo tanto, es
necesario llegar a un compromiso entre la resistencia de contacto y la morfologa superficial. La importancia
de la rugosidad del contacto radica bsicamente en que pueda dificultar la definicin de puerta posterior. Con
el objetivo de mejorar la morfologa superficial de los contactos, pero sin perjuicio de la Re, se estudiaron otras
secuencias aumentando el cociente Ti/Al a 0.8. Simultneamente, para poder determinar el efecto de la
segunda capa de Ti en la formacin del contacto hmico, se ha invertido el orden del espesor de las capas de
Ti, utilizado Ti/AI/Ti/Au con 20/100/60/30 nm y 60/100/20/30 nm. En este caso el estudio se realiz en
heteroestructuras AlGaN/GaN, lo que permite estudiar una situacin ms realista. Las resistencias obtenidas
son altas en ambos casos, aunque ligeramente superior en el caso de utilizar la capa de Ti ms gruesa en
contacto con el semiconductor. Concretamente, con 60/100/20/30 nm Re alcanza el valor de 1.6Qmm, mientras
que utilizando 20/100/60/30 nm se obtiene 1.26Qmm. Por lo tanto, se puede concluir que no slo es importante
el cociente Ti/Al sino tambin la secuencia especfica de las capas. Adems, al no encontrar cambios
significativos en la morfologa superficial relativa a ambas secuencias metlicas.

Todo parece apuntar a que la segunda capa de Ti no es una eficiente barrera metalrgica, y que durante el
aleado debe existir una mezcla de todos los metales constituyentes, como demostr Fay et al. [Fay02]. Por
ltimo, tambin se puede deducir que el cociente ptimo de Ti/Al debe ser inferior a 0.8. Considerando los
resultados anteriormente expuestos, se probaron metalizaciones optimizadas de Ti/AI/Ti/Au en torno a
20/100/40/100 nm, pero ya en heteroestructuras AiGaN/GaN. Un resumen de las distintas secuencias utilizadas
se muestra en la Tabla 6.4, donde se indican las metalizaciones ms relevantes en este estudio, junto con sus
condiciones ptimas de RTA (tiempo y temperatura), la resistencia de contacto y la de hoja obtenidas de las
estructuras TLM.

Desde el punto de vista elctrico la mejor combinacin es Ti/AI/Ti/Au (20/100/40/75 nm), con la cul se ha
obtenido un valor de Re de 0.64Qmm. La combinacin Ti/AI/Ti/Au (20/100/45/55 nm) proporciona resultados
muy similares pero el aleado a demuestra que se est en el lmite inferior de temperatura para conseguir
contactos hmicos, por lo que la reproducibilidad es menor. Tabla 6.4. Sumario de los diferentes espesores
utiizados en la metalizacin de contactos de Tl/Al/Tj/Au, junto con las condiciones de RTA ptimas, las
caractersticas del material empleado en el aniaisis, y la resistencia de contacto y la resistencia de hoja
obtenidos de las estructuras TLM. La inspeccin visual de los contactos muestra un cambio de tonalidad tras
el aleado: el amarillo Au se torna gris plomizo. Tambin se observa una mejora sustancial en la adhesin del
metal comparndola con el material inmediatamente despus de ser depositado. La morfologa es bastante
rugosa en todos los casos donde interviene el Au, y los intentos realizados por controlarla han sido del todo
infructuosos. Se ha observado bastante aleatoriedad en la forma y distribucin de los montculos que
caracterizan la morfologa superficial. La Figura 6.8 muestra algunos ejemplos, donde se observan los
montculos, que con pocos aumentos tienen aspecto de granos, y algunas reas ms planas. Figura 6.8.
Morfologas tpica de los contactos con Ti/Al/TI/Au por microcopa de contraste Normarski: (a) detalle del
drenador de un transistor procesado con la mscara m1, (b) detalles de diferentes muestras mostrando en ms
detalle los montculos y zonas planas que constituyen la morfologa superficial.

Otro detalle que se observa con generalidad ha sido que al aumentar la temperatura del aleado el grano, u
oquedades, se hacen ms pequeas (ver Figura 6.9), de acuerdo con lo observado por otros autores [Fay02]. A
pesar de la rugosidad mostrada, los motivos fotolitografiados quedan suficientemente definidos respecto a la
geometra utilizada actualmente, y por lo tanto no son un factor limitador de las dimensiones crticas del
dispositivo. Figura 6.9. Imgenes de mircroscopio ptico Nomarski mostrando la morfologa superficial de
contantos hmicos de Ti/AI/Ti/Au (20/100/45/55 nm), aleados por RTA bajo diferentes condiciones. Como
conclusin del estudio de la secuencia Ti/AI/Ti/Au, cabe decir que la incorporacin de Au disminuye la Re
pero degrada la morfologa superficial, y que aumentando el espesor de la segunda capa de Ti no se reduce
dicha rugosidad superficial. Estos resultados apuntan a que la mejor opcin es una fina primera capa de Ti
(20nm), manteniendo el cociente Ti/Al entre 0.55 y 0.65, y finalizar con una capa de Au, entre 50-100 nm. En
nuestro caso particular la mejor combinacin parece ser Ti/AI/Ti/Au (20/100/40/50nm), aleado a C durante
30s. en atmsfera de Nz. La fabricacin de ios dispositivos lia ido evolucionando a lo largo de esta Tesis,
pareja a la optimizacin de los contactos hmicos. Para la realizacin de transistores, y de acuerdo con lo visto
anteriormente, se han utilizado tres metalizaciones diferentes: Ti/AI/Au (60/100/50) con la que las Re obtenidas
estn entre 1 y 2 Qmm, y Ti/AI/Ti/Au (20/100/45/55 y 20/100/40/50) con las que se consigui reducir la Re

por debajo de IQmm, como muestra la Figura 6.10, donde se resumen las Re obtenidas en los transistores
fabricados sobre obleas crecidas por PA-MBE. Distancia entre contactos (|J.m) Figura 6.10. Resumen de los
contactos hmicos obtenidos en los HEMTs fabricados sobre las iieteroestructuras AlGaN/GaN crecidas por
PA-MBE. 6.3. Contacto de puerta: Barrera Schottky Las barreras Schottky de las puertas de los HEMT deben
cumplir una serie de requisitos como son: baja resistencia serie, alta tensin umbral, estabilidad trmica (bien
sea por procesos trmicos posteriores a su deposicin, bien por el propio funcionamiento en condiciones de alta
temperatura o elevada potencia), adems de los anlogos a los que se espera de cualquier barrera Schottky
(elevada altura de barrera, bajas corrientes de fugas).
Teniendo en cuenta todo esto se han buscado las mejores combinaciones de metales para formar los contactos
de puerta en los transistores de AlGaN/GaN. Como ya se ha dicho anteriormente, dada la ionicidad del GaN,
ste debe cumplir la ley de Schottky-Mott [Sze81]: por la que la altura de la barrera {^B) depende de la
funcin de trabajo de metal (^m) y la afinidad electrnica del semiconductor (x). La afinidad electrnica del
GaN se ha estimado en 4.2 eV [Wan95], pero no hay el mismo consenso en el caso del AIN, que dependiendo
del autor puede ser 2.1 eV [Ber96b] o 0.6 [Wu98], aunque en cualquier caso hay un acuerdo en que la afinidad
disminuye al aumentar la concentracin de Al, pero permaneciendo siempre positiva [Gra01] [K0IOI]. Por lo
tanto y a la vista de la expresin 6.1, para conseguir elevadas alturas de barrera los metales susceptibles de ser
elegidos son aquellos con elevada ^m como el Pd (5,12 eV), Au (5,10 eV), Pt (5,65 eV) o Ni (5,15 eV) [Sze81].

Actualmente existe una gran dispersin en el valor de la altura de barrera obtenida por diversos autores,
probablemente debido a diferencias experimentales (limpiezas), o de calidad del material utilizado (morfologa
superficial). El Pt parece producir las barreras ms altas (-1.0-1.1 eV) [Moh96], [Sue96], prximas a las
obtenidas con Au (-0.911.15eV) [Hac93], [Kha95], [Spo97]. Ligeramente inferiores son las obtenidas con Pd
(0.94) [Guo95], y Ni (-0.66-0.99 eV) [Guo96], [Sch98]. De los numerosos trabajos realizados sobre la altura de
la barrera de distintos metales en GaN tipo-n se pueden extraer ciertos comportamientos generales. Por
ejemplo, que el factor de idealidad (nid) es mayor que 1, o que la constante de Richardson es muy Inferior a la
terica [Sch98]. Esta comportamiento se ha atribuido a la presencia de defectos superficiales, los cuales pueden
dar lugar a inhomogeneidades en la corriente, y/o a varios mecanismos de corriente simultneos [Liu98]. Yu et
al. [Yu98c], motivados por la elevada densidad de dislocaciones en (AI)GaN, sugieren que la existencia de
defectos son los causantes de un aumento de la corriente tnel, y por lo tanto, entre otras cosas, del elevado
nid. Estos fenmenos se hacen ms acusadas al trabajar con AlGaN en lugar de GaN, probablemente debido a
una mayor densidad de defectos [Yu98], [Pol98], [Kha97].

Por otro lado, suponiendo una extrapolacin lineal en la relacin entre la afinidad electrnica del AlGaN y la
concentracin de Al, segn la ecuacin 6.1, la altura de la barrera debera variar linealmente con la fraccin
molar de Al. Este efecto se ha observado experimentalmente, aunque dicha variacin no es sencilla de
determinar dada la dispersin de resultados. En la Figura 6.11 se muestran algunos de los valores dados en la
literatura para barreras de Ni en funcin de la fraccin molar de Al [Yu98], [Y98b], [QiaOO], o Pt [MonOI],
[DeLOO], [ZhuOO], [KarOO]. Figura 6.11. Variacin de la altura de barrera (qW con la fraccin molar de
aluminio utilizando Ni (smbolos macizos) y Pt (smbolos huecos) como metal de contacto, obtenida a partir de
medidas capacitivas (C-V), por diversos autores.

A la vista de esta dispersin, se realiz un estudio de barreras Schottky en diodos con diferentes metales para
as poder determinar la combinacin idnea para las puertas de los dispositivos. Teniendo en cuenta que el Pd y
Au no tienen buena adherencia sobre GaN, y que la soldadura final con Au es impracticable sobre Pt o Ni, las
mejores configuraciones parecen ser Pt/Au y Ni/Au. El Pt y Ni tienen mayor resistividad que el Au, lo que
podra ser una limitacin en frecuencia para el dispositivo con corta longitud de puerta. Para minimizar este
efecto se debe reducir el espesor del Pt y Ni al mnimo, garantizando que se cubre el semiconductor (2040 nm),
y engordar el contacto aumentando el espesor de Au (100 nm), facilitando as la soldadura adems de reducir la
resistencia de la puerta. El estudio detallado de las barreras Schottky sobre GaN y Alo.31Gao.69N, utilizando
dichas combinaciones de metales, fue realizado por la Dra. Monroy [Mon01], [ESA03], proponiendo la
combinacin Pt/Ti/Au (30/5/100 nm) como la ms adecuada para la formacin de puertas en dispositivos
HEIVIT. En dicho estudio se muestra que las caractersticas l-V, para esas combinaciones metlicas, indican
una corriente de fugas mucho menor para los diodos con Pt como material de contacto. Los factores de
idealidad obtenidos van desde 1,4 (Pt/Ti/Au) a 1,6 (Ni/Au). Por ser muy relevante la contribucin de corriente
de generacin-recombinacin, la altura de barrera obtenida a partir de la curva l-V resulta poco fiable, por lo
que se recurre a medidas capacitivas, obteniendo alturas de barrera de 1.14 y 1.04 eV para Pt/Ti/Au y Ni/Au,
respectivamente. Al incorporar Al en el GaN aumenta la altura de barrera, llegando a 2 eV en Alo.31Gao.69N
con Pt/Ti/Au (ver Figura 6.10). La combinacin Pt/Ti/Au tambin presenta una mayor estabilidad trmica

frente al Ni/Au, como se comprob tras ser sometidas a ciclos de C durante 30 minutos en una atmsfera de
nidrn (N+H). En HEMTs es muy importante que no se degrade la puerta al someterlo a temperaturas en torno
a , ya que la pasivacin posterior del dispositivo frecuentemente se realiza a esa temperatura. En el proceso de
definicin de la puerta, la limpieza es uno de los pasos crticos, ya que agentes indeseados degradan el contacto.
La existencia de xido dificulta la reproducibiidad y si es aislante aumentara la resistencia de la puerta
empeorando sustancialmente las propiedades en RF del dispositivo [Rob02]. Las impurezas, en general,
pueden favorecer la corriente por fugas en la puerta. En la literatura se pueden encontrar varios trabajos que
estudian el efecto de distintos tratamientos superficiales en la calidad del contacto [Liu98], [Kim98], [Lee99].
Por lo general, las ms utilizadas son las soluciones acidas como HCI:H20, HF:H20, y HNOsiHaO, que son
muy efectivas eliminando xidos nativos, como es bien sabido en otros semiconductores lll-V. Las soluciones
basadas en HCI son ms efectivas eliminando xido y dejan menos restos de oxgeno, mientras que las basadas
en HF son ms efectivas eliminando restos de carbono y contaminacin de hidrocarburos [Smi96]. Pero
muchos de los mtodos de limpieza ms eficientes no son aplicables a la fabricacin de dispositivos, dado que
la deposicin de los metales va acompaada de procesos fotolitogrficos que limitan la temperatura y
naturaleza de la limpieza.

En el procesado de transistores la definicin de puerta debe realizarse con posterioridad a la deposicin de los
contactos hmicos, por lo que no es viable la realizacin de limpiezas agresivas. En nuestro caso particular la
limpieza ms severa se realiza en la etapa previa a la deposicin de los contactos hmicos, utilizando HCI:H20
(1:1) caliente, y luego tras la deposicin de la fotoresina, y previa a la evaporacin de los metales de cada etapa,
se introduce la muestra en HF:H20 (1:10) durante 30 segundos. Las puertas de los dispositivos HEMT se
obtuvieron por deposicin de Pt/Ti/Au (30/5/100 nm). La tcnica de evaporacin es por can de electrones
(Varan VT118), con una presin inferior a 1E-6 mbar durante la deposicin. En la Figura 6.12 se muestra una
caracterstica 1-V del contacto Schottky, de Pt/Ti/Au, de una puerta de un transistor de Alo.26Gao.74N/GaN
crecido por PA-MBE con una longitud (LG) de 2xm y una anchura (WQ) de 150x2 i^m. Una de las
caractersticas observadas en las barreras Schottky de las puertas es que el factor de Idealidad de la curva i-V
(nd) es significativamente mayor que la unidad (>2). Como se ha dicho anteriormente, este comportamiento
puede deberse a la existencia de diferentes mecanismos de transporte operando simultneamente [Liu98].

Las fugas no son muy acusadas, ya que trabajando cerca del corte del dispositivo (p'mch-off) tiene una
corriente media del orden de miliamperios, mientras que las fugas para los mismos voltajes de puerta son de
microamperios. Concretamente para el dispositivo mostrado en la Figura 6.12 la corriente de fugas a una
tensin de -7V es de 0.9 A/cm^. Sierakowski et al. determinaron que en los dispositivos HFET basados en
AlGaN/GaN las fugas por tnel son dominantes frente a las de carcter termoinico [Sie99]. Un estudio de los
mecanismos de las corrientes de fugas en HFET de AlGaN/GaN muestra que el mecanismo dominante es el
tnel vertical en estructuras estndar, y que las fugas se reducen considerablemente al introducir una ltima
capa de GaN {,cap) a la estructura [MilOO].
Figura 6.12. Caractersticas l-V de una barrera Schottky (Pt/Ti/Au) depositada en la puerta de un transistor
HEMT. La definicin de las puertas submicrnicas se realiza por litografa de haz de electrones. En este caso
no es posible utilizar la combinacin Pt/Ti/Au debido a la incompatibilidad de la resina sensible al haz de
electrones con las temperaturas que se alcanzan durante la evaporacin del Pt. Como consecuencia se utiliza
una fina capa de Ni (30nm) sobre la que se evaporan 70nm de Au, cuyo objetivo no es ms que aumentar la
conductividad del contacto [Pal02]. La Figura 6.13 muestra una puerta submicrnica en U (LG=0.6 (j,m) con
una WQ de 37.5x2 \xm.

Mscaras: proceso de fabricacin
En este apartado se va a describir el proceso de fabricacin de los transistores, para lo cual es necesario definir
las mscaras utilizadas. La descripcin de las mscaras es importante por dos razones, principalmente porque
delimitan la geometra del dispositivo final, lo que va a determinar las caractersticas de salida del dispositivo,
y en segundo lugar porque define los pasos del proceso de fabricacin. Aunque en realidad, son las limitaciones
tecnolgicas las que marcan las pautas generales en el orden del procesado. Por ejemplo, la necesidad de
recocer el contacto hmico para garantizar la linealldad de su caracterstica l-V hace imprescindible que se
deposite ste antes que la barrera Schottky, la cual se degradara a las temperaturas usadas tpicamente .
Simultneamente, esto limita el procedimiento de limpieza para evitar daar la fotorresina. Los dispositivos se
caracterizan por su geometra, la cual se define a travs de diversos parmetros como longitud de puerta (LQ),
anchura de puerta (WQ), geometra o tipo de puerta (en T o en U), distancia fuente-drenador (LSD), O fuente-
puerta (LSG). Algunos de estos parmetros se muestras esquemticamente en la Figura 6.14.


Fuente Drnaidor
Figura 6.14. Esquema del corte transversal de un dispositivo HEMT donde se muestran los distintos parmetros
que definen la geometra del dispositivo. Para la fabricacin de transistores HEMT de esta Tesis se han
utilizado dos mscaras diferentes, las cuales denotaremos como mscara m1 y m2. Cada una de ellas se
define mediante una celda unidad, la cual se repite n-veces dependiendo de las dimensiones de la muestra a
procesar. La mscara m2 se desarrollo ya avanzada la Tesis, por lo cual la mayora de los dispositivos se fian
realizado con la mscara m1, no optimizada. Adems, la mscara m2 permite incorporar un paso adicional en
el procesado del dispositivo para la realizacin de puertas submicrnicas. La definicin de los distintas etapas
de fabricacin del HEMT se realizan mediante litografa ptica de contacto, con una insoladora Karl-Ssus
MJB3 del Departamento de Ingeniera Electrnica.
Esta tcnica tiene una resolucin en torno a la miera, por lo que para conseguir puertas submicrnicas es
necesario recurrir a procesos de litografa por haz de electrones. La definicin de los distintos contactos de que
consta el dispositivo se realiza por el mtodo de li-off convencional [Wil90]. En el proceso de fabricacin hay
una serie de pasos comunes y sistemticos, pero no por ello menos importantes. Se trata de la limpieza
rutinaria de la muestra al inicio de cada etapa del procesado. A esta limpieza se la designa como "limpieza de
orgnicos", ya que consiste en: 5 min. en un bao de tricloroetileno hirviendo ms otros 5 en ultrasonidos, 5
min. en otro de acetona hirviendo y otros 5 min con ultrasonidos, y 5 min. en uno de metanol. Este proceso
suele terminarse lavando la muestra en agua desionizada, para finalmente secarla con N2. Para los diversos
estudios realizados en esta Tesis tambin se han fabricado dispositivos de Barras Hall con puerta, siguiendo el
mismo procedimiento descrito parala mscara m1.

Mscara de HEMTs m1
Desde el inicio de esta Tesis se ha contado con una mscara para la fabricacin de HEMTS que consta de tres
pasos: aislamiento de dispositivos, contactos hmicos y metalizacin de puerta. Todos los dipositivos tienen la
puerta con geometra en T y una anchura de 300 jam, tal y como muestra la Figura 6.15. Figura 6.15. Esquema
de un transistor tipo de la mscara m1 junto con una fotografa de un dispositivo ya acabado. Nominalmente
las longitudes de puerta pueden ser de 1, 2,4, 8 y 16 |im, aunque en la prctica han resultado ser de 1.7, 3.5, 6,
8, y 16 iim, respectivamente. La celda unidad cuenta con 7 dispositivos de distintas LQ, tal y como muestra la
Figura 6.16.
Figura 6.16. Celda unidad de la mscara m1, indicando la iocalizacin de los 7 transistores de que consta,
caracterizados cada uno por su LQ nominal (1,2,4, 8y 16^m) La distancia entre fuente y puerta es constante
(LGs=3jann), mientras que la distancia entre puerta y drenador (LGD) vara de dispositivo a dispositivo,
dependiendo de la longitud de puerta del mismo. Su diseo no es el ms adecuado para obtener buena
respuesta en alta frecuencia, por ser la distancia entre fuente y drenador demasiado grande (16, 16, 18, 22 y 30
i^m para a respectivas LQ), en especial la distancia LGS- Esta mscara no dispone de reas de control
propiamente dichas, slo cuenta con una estructura TLM en cada celda unidad, que permite monitorizar la
homogeneidad de la oblea y del procesado de contactos hmicos.

Mscara de HEMTs m2

A lo largo de esta Tesis se desarroll un nuevo conjunto de mscaras de fotolitografa ms completo y
avanzado, que consta de las siguientes etapas: ataque de aislamiento, deposicin de contactos hmicos,
deposicin de puerta, pasivacin, deposicin de lneas metlicas o pads, y recrecimiento de pads, aunque la
pasivacin y recrecimiento de pads son pasos optativos. Esta nueva mscara, a la que nos referiremos como
mscara m2, cuenta con una gran variedad de transistores, liasta 28 diseos diferentes, combinando diseo,
anciiura (WG) y longitud de puerta (LQ), as como la distancia puerta-drenador (LGD). Para cada geometra se
han considerado diseos en forma de T y U, como los que se muestran en Figura 6.16. Figura 6.17. Esquema
de dos transistores tipo de la mscara m2, uno con geometra en T (a), y otro en U (b). La longitud de puerta
puede ser de 1, 2 y 5 jj-m, teniendo la opcin de realizar tambin puertas submicrnicas. Las anchuras varan
entre 75, 150 y 300 ^m para LG submicrnicas o de Vm , y entre 150, 300 y 1000 ^m para las de mayores LG
(2 y 5 |Lim). La distancia fuente-puerta es de 1)im para los dispositivos con LQ de 1 lam y submicrnicos, y de
1.5 im para los de LG de 2 y 5 ^m. La distancia drenadorpuerta es ligeramente superior, 1.5 ^m para los
dispositivos con LQ de 1 tim y submicrnicos, y de 2 jam para ios de LG de 2 y 5 [im. Adems, para la
estructura con LG=1)im y WG=300 im, se han considerado tres distancias puerta-drenador diferentes (1.5, 2.5
y 3.5 ^m, respectivamente). La disposicin de todos estos dispositivos en la celda unidad se muestra en la
Figura 6.17.


Figura 6.18. Celda unidad de la mscara m2, indicando la localizacin de los transistores de que consta,
caracterizados cada uno por su LG y WG nominal, y en algn caso por LGD como se indica en los recuadros de
leyenda. Con objeto de comprobar la correcta realizacin de cada uno de los procesos tecnolgicos relevantes
en la fabricacin, as como monitorizar la uniformidad de los parmetros del material, cada bloque de
transistores est dotado de una regin de control. Dicha zona de control consta de: estructuras TLM para
evaluar la resistencia de los contactos, meandros metlicos para medir ia conductividad del metal, un patrn de
barra Hall para medir la densidad de carga y la movilidad, diodos Schottky ((t)=400 y 200 |j,m), con que
analizar fugas y altura de la barrera, estructuras MIM y MIS ((t)=400 ^m), con las que comprobar la calidad del
pasivante, si hubiese, y patrones mesa con contactos para verificar el aislamiento entre zonas activas.

La mscara m2 es ms exigente que la m1 desde el punto de vista tecnolgico, ya que las distancias estn ms
ajustadas, y por lo tanto pequeos errores de alineacin conducen a un dispositivo cortocircuitado. Adems,
dada la variedad de dispositivos para su procesado se requiere de muestras con un tamao mnimo mayor que
el requerido para un procesado satisfactorio con la mscara m1.
Tecnologa de fabricacin de los dispositivos HEMT.

En este captulo se han descrito los diferentes procesos tecnolgicos que son necesarios para la fabricacin de
los transistores de AlGaN/GaN, y se ha mostrado el esquema completo de los diferentes procesos. A
continuacin se enumeran los pasos bsicos necesarios para la fabricacin de un transistor, junto con las
conclusiones ms relevantes a las que se ha llegado a lo largo de este captulo: 1. Aislamiento de los
dispositivos por ataque mesa mediante IBM con plasma de Ar. 2. Deposicin de contactos hmicos: fuente y
drenador. Se han estudiado distintas metalizaciones y condiciones de aleado para la formacin de contactos
hmicos en (AI)GaN, observndose que pequeas variaciones en el cociente Ti/Al y/o en la temperatura de
aleado, y/o en la estructura de capas del contacto, pueden tener importantes efectos tanto en la Re como en la
morfologa superficial. Se ha mostrado que la incorporacin de Au, pese a no ser esencial para la obtencin del
carcter hmico, reduce la Re sustancialmente, aunque aumentando la rugosidad superficial del mismo. Por
otro lado, se ha comprobado que el Ti no es una buena barrera metalrgica para el Au. Concluyendo, la mejor
combinacin en nuestro caso ha sido Ti/AI/Ti/Au (20/100/40/50 nm), aleado a C durante 30" en atmsfera de
N2, con la que se han obtenido Re de hasta 0.6 Qtnm en Alo.34Gao.66N/GaN. 3. Definicin de puertas con
LG>1 p.m mediante la deposicin de Pt/Ti/Au (30/5/100 nm), y por deposicin de Ni/Au en puertas con LG<1
am, definidas mediante litografa por haz de electrones. Para finalizar, hay que resaltar el uso de dos mscaras
diferentes (m1 y m2). La mscara m2 est optimizada y permite una mayor variedad de geometras,
combinando diferentes formas y dimensiones de puerta. Adems permite la realizacin de puertas
submicrnicas.

CARACTERIZACIN BSICA DE LOS DISPOSITIVOS HEMT

En los captulos precedentes se ha descrito, tanto el crecimiento de las muestras como su caracterizacin desde
el punto de vista de heteroestrutura, as como los distintos pasos tecnolgicos necesarios para la fabricacin de
los dispositivos HEMT. Este capitulo confirma la validez de todo lo realizado durante esta Tesis para la
obtencin de transistores HEMT de AlGaN/GaN. Aqu se muestra, por tanto, el estudio y caracterizacin de los
dispositivos ya procesados. Utilizando la tecnologa de procesado que se expone en el captulo 6 de esta Tesis,
se han fabricado transistores HEMT en las heteroestructuras de AlGaN/GaN crecidas por PA-MBE, as como
en heteroestructuras con similares caractersticas pero crecidas totalmente por MOVPE. Esto ha permitido
comparar las caractersticas de salida de los dispositivos crecidos por ambas tcnicas. Las muestras crecidas
por MOVPE fueron facilitadas por el Grupo de Materiales del Departamento de Tecnologa de la Informacin
(INTEC) de la Universidad de Gante (Blgica).
En todos los dispositivos fabricados se ha llevado a cabo la caracterizacin bsica tpica de parmetros DO.
Dentro de esta caracterizacin, se han realizado medidas para determinar las corrientes drenador-fuente
mximas de saturacin, y el valor de la transconductancia extrnseca. Las caractersticas l-V se obtuvieron en
DC con un parametrizador (medida digital), as como con un trazador de curvas (media analgica). La
principal razn para utilizar el trazador es que ha permitido realizar medidas pulsando la polarizacin de puerta
(pulsos de 300|LIS en intervalos de 10ms), lo que simula mejor las condiciones de trabajo en RF [Wu01]. Esta
caracterizacin es importante para este tipo de dispositivos, ya que una de las principales limitaciones actuales
es la aparicin de fenmenos de colapso, descritos en el captulo 1, no detectables bajo condiciones de DC.





dispositivo.

Caracterizacin bsica en DC
Los dos parmetros caractersticos de los dispositivos en DC son la corriente drenador-fuente mxima de
saturacin (los) y el valor de la transconductancia extrnseca (gm). Existen dos familias de modelos simples que
describen cualitativamente las caractersticas de salida del dispositivo: los correspondientes a dispositivos de
larga longitud de puerta {long-channel devices) y los de corta {shortchannel devices) [Ali91], [Dru86],
[Lad89], [Rob02]. Debido a este hecho, y a que la litografa y metalizacin de puerta es diferente para
longitudes inferiores y superiores a la miera, la caracterizacin en DC se dar por separado. Primero se
mostrarn los resultados de la litografa ptica y posteriormente los obtenidos en dispositivos con puertas
submicrnicas, obtenidas con litografa de haz de electrones. A. Longitud de puerta larga (LG>1|j.nn) La
corriente mxima que circula entre el drenador y la fuente de un transistor influir decisivamente en su mxima
potencia de salida. Por ello, es uno de ios parmetros clave de la caracterizacin en DC de los transistores.
Todas las muestras analizadas presentaban las caractersticas tpicas de un transistor, y como ejemplo se
presentan las caractersticas de salida en DC de dos muestras, cada una procesada con una mscara diferente
(m1 y m2). En la Figura 7.2 se presentan la caractersticas corriente drenador-fuente (los) frente al voltaje
drenador-fuente (Vos), para diferentes voltajes de puerta (VQ), de un transistor de la muestra M552 con una
longitud de puerta de 1 (j,m, procesado con la mscara m2, y la de un transistor de la muestra M638 con una
longitud de puerta de 2|j,m, procesada con la mscara m1. En esta figura se puede observar la saturacin de la
corriente entre drenador y fuente para todas las tensiones de puerta aplicada. El corte del dispositivo (pinch-off
(VTH)) es total para ambas muestras, M552 (VTH= -8 V) y M638 (VTH= -4V). La diferencia observada en los
VTH puede atribuirse a la diferencia en la anchura de barrera, ya que como indica la Tabla 7.1 la muestra
M552 tiene una barrera de 40nm frente a los 19nm de la M638.

En el captulo 5, analizando las propiedades de transporte de estas muestras, se mencion la existencia de una
conduccin paralela en las muestras M638 y M639. A este respecto merece la pena hacer un inciso, y

puntualizar que dicha conduccin se evalu por mtodos muy sensibles, pero que en trminos macroscpicos
esta conduccin es prcticamente nula, como se desprende de la Figura 7.2, donde la corriente residual es casi
despreciable pudiendo hablar de un correcto corte del canal. Figura 7.2. Curvas IDS-VDS de un transistor de la
muestra M552 (a) y l\/I638 (b), para distintos valores de VGS, procesadas con las mscaras m2 y m1,
respectivamente. En la muestra M638, para VG=OV y para tensiones de drenador-fuente VDS>9V, aparece
una disminucin de bs con el aumento de Vos- Este comportamiento ha sido atribuido al calentamiento, como
consecuencia de la alta corriente que circula.
Este efecto se ve agravado en nuestro caso por el hecho de utilizar zafiro como substrato, ya que este material
se caracteriza por tener una baja conductividad trmica. El efecto del calentamiento es de enorme importancia
en el desarrollo de dispositivos con aplicaciones de altas potencias [VesOO], por ello los dispositivos de
potencia ms eficientes han sido los crecidos sobre SiC [Wu01], cuya conductividad trmica es 15 veces
superior a la del zafiro.

Para minimizar los efectos del autocalentamiento todas las medidas en DC que se presentan a continuacin se
obtuvieron operando el transistor a travs de un nico contacto de fuente (el diseo permite acceder a ios dos
contactos de fuentes de forma independiente, Figuras 6.14 y 6.16). La transconductancia (gm) es el parmetro
ms relevante de los que se pueden obtener mediante medidas en DC, ya que indica la capacidad de la puerta
para controlar la corriente drenador-fuente y, por lo tanto, de su capacidad de amplificacin. Su valor mximo
influir decisivamente en la respuesta en frecuencia del dispositivo y en su ganancia. Como ejemplo de una
curva tpica la Figura 7.3 muestra la transconductancia de los mismos dispositivos de la Figura 7.2, para
diferentes condiciones de polarizacin. La transconductancia presenta un mximo frente a la polarizacin de la
puerta, siendo casi independiente de la tensin Vos tras superar el voltaje de codo (VK). En los ejemplos
mostrados de las muestras M552 y M638, se obtiene una transconductancia mxima de 157mS/mm, con VG=
5V, y de 130 mS/mm, con VG= -2V, respectivamente.
Figura 7.3. Transconductancia de un transistor de la muestra M552 (a) y M638 (b), para distintos valores de
Vos Esta transconductancia medida directamente se denomina transconductancia extrnseca, y se ve muy
afectada por la resistencia parsita en la fuente (Rs). La transconductancia intrnseca (gmo) del dispositivo
viene dada por [Ali91]: En la Figura 7.4 se muestran ambas transconductancias (extrnseca e intrnseca) para
los transistores mostrados en la Figura 7.3. Merece la pena destacar la gran diferencia que existe entre ambas
Rs (0.59 y 1.7 fmm para M552 y M638, respectivamente), la cual incluye la contribucin del contacto hmico
de la fuente y de la de la zona de acceso prxima a la fuente. Esta diferencia se debe fundamentalmente a la
diferencia en las zonas de acceso entre las mscaras m1 y m2, como se demostrar posteriormente. Esto hace
que el comportamiento de los transistores procesados con la mscara m1 est mucho ms limitado por los
efectos parsitos. Figura 7.4.

Transconductancia extrnseca (gm) e intrnseca (gmo) de dos dispositivos de las muestras M552 y M638,
procesadas con la mscara m2 y m1, respectivamente. Efecto de la resistencia serie (Rs) en la
transconductancia. Ya se ha mencionado anteriormente la importancia de evaluar estos dispositivos en modo
pulsado, ya que los transistores de AlGaN/GaN en general adolecen de importantes fenmenos de colapso.
Sorprendentemente se ha observado que, en general, la mayora de los transistores analizados apenas presentan
efectos de colapso de corriente. Como ejemplo, la Figura 7.5 muestra la caracterstica IDS-VDS de un
transistor, con LG=2îm de la muestra M638, con parametrizador (a), y con trazador en modo pulsado (pulsos
de 300 jxs en VG) con Vos crecientes (b), y con VDS decrecientes (c). Las medias se realizan partiendo del
estado de corte del transistor. Tal y como refleja la Figura 7.5, se observa una mnima cada de la corriente
mxima de saturacin en las caractersticas IDS-VDS en pulsado respecto a la caracterizacin en DC con el
parametrizador, observando un aumento del voltaje de codo en todos los casos. Otro dato a destacar es la
ausencia de histresis. Figura 7.5. Caractersticas IDS-VDS de un transistor de la muestra M638 con LG=2nm
en DC con parametrizador (a), y en modo pulsado (AVG=300|IS) con trazador con Vos crecientes (b), y con
VDS decrecientes (c), para evaluar el grado de colapso. Como ya se indic en los captulos 3 y 4, uno de los
problemas en el crecimiento de las heteroestructuras AlGaN/GaN por PA-MBE era la aparicin de gotas de Ga.
Este hecho degrada la morfologa superficial, y como prueba de ello se muestran las caractersticas de salida de
dispositivos procesados en un rea ptima, y en otra donde hubo gotas de Ga. Concretamente en la Figura 7.6
se presentan los valores mximos de las caractersticas de distintos transistores de la muestra M638, procesada
con la mscara mi . Se observa una degradacin de las caractersticas en DC en la zona donde hubo gotas de
Ga, para distintas longitudes de puerta, corroborando as la necesidad de evitar ese exceso de Ga.

Figura 7.6. IDS y Qm de distintos transistores con WG-300nm y distintas LG de la muestra M638 para la zona
ptima de trabajo (smbolos slidos), y para otra donde hubo gotas de Ga (smbolos huecos). En la tabla 7.2 se

resumen los resultados de la caracterizacin en DC para todas las muestras procesadas, tomando como
dispositivo de referencia el de LG=2|am y WG=300 ixm con puerta en forma de T. Independientemente de
las diferencias existentes entre los parmetros de las heteroestructuras, en concentracin de Al y anciiura de
barrera mostradas en la Tabla 7.1, puede observarse que los resultados en corriente son bastante homogneos
excepto para las muestras IV1639, IVieOQ y M610. Estos resultados pueden correlacionarse con la movilidad a
temperatura ambiente, que tambin son las menores de todas. Concretamente para la i\/l639, M609 y M610,
la movilidad es de 1043, 932 y 859 cmÂ/s, respectivamente (Tabla 7.1).

Existen diferentes expresiones aproximadas, deducidas tericamente, que intentan modelizar la respuesta de los
dispositivos FET en DC, tanto en modo de canal gradual (o larga LG) como en rgimen de velocidad de
saturacin (o de corta LG) [AI91], [Dru86], [Lad89], [Rob02]. En cualquier caso, las caractersticas de salida
del dispositivo en DC y la longitud de puerta pueden relacionarse matemticamente a travs de la ley
semiemprica: donde a es un parmetro de ajuste. En el caso de la gm dicho exponente varia entre 1 y O,
tendiendo a cero bajo rgimen de velocidad de saturacin [Rob02]. A modo de ejemplo, en la Figura 7.18 se
representan los valores de la corriente mxima de saturacin y la transconductancia extrnseca mxima, para
dispositivos de la muestra I\/I609 con distintas LQ. En ella se observa un aumento de las caractersticas de
salida hasta LG<1nm, donde dichos parmetros tienden a saturarse. Figura 7.18. Corriente mxima de
saturacin (a) y transconductancia mxima (b) para diferentes longitudes de puerta en dispositivos en las
muestras M609. Las puertas son en forma de U y tienen distintas anctiuras (75,150 y 300 xm)
Experimentalmente se ha observado que, en ambos casos (M552 y M609), el voltaje para el cual se maximiza
la transconductancla se desplaza hacia mayores valores de VG, prximos a los de corte del dispositivo, a
medida que se reduce LQ. Figura 7.19. Variacin de VG para el cual la gm es mxima para distintas LQ, en
dispositivos con puertas en forma de T y U, y con distintas anchuras (75,150 y 300 nm), en las muestras M609
y M552.

La Figura 7.19 muestra dicho efecto, que podra indicar la perdida de control de la puerta sobre el 2DEG. La
frecuencia mxima de funcionamiento de un HEMT tambin tiene una gran dependencia con la longitud de
puerta. En una primera aproximacin se puede decir que tanto fr como fmax siguen una dependencia con LG
del tipo [Lad89]: en la que el exponente y es un parmetro de ajuste que suele vara entre 1 y 2. En
dispositivos con alta movilidad y corta longitud de puerta, el exponente para fj es idealmente igual a la unidad
[Lad89]. La Figura 7.20 muestra la variacin de fj y fmax en funcin de LG para distintas muestras, procesadas
con distintas mscaras. Se observa que, independientemente de la muestra o mscara, existe un aumento de las
frecuencias mximas ai reducir LQ, que se puede aproximar a la ley de potencia de la ecuacin 7.6. En el caso
concreto de fr se ha obtenido un aumento superlineal hasta LG prximas a la miera, pero para LG superiores el
exponente se aproxima a 1. Esta tendencia es la predicha por la teora de acuerdo con la ecuacin 7.2, donde
fio depende de gm y CQ. Por un lado la capacidad de entrada de puerta (CG) es directamente proporcional a
LQ. Por otro lado, gm depende de LQ para largas LG, hacindose casi independiente de sta para LG<1 xm
(Figura 7.17). Considerando ambas tendencias se justifica que el exponente ;rvare entre 1.4 y 1.6 para
LG>1p.m, y valga 1 para LG< Vm-
Esto sugiere que, para cortas Le la velocidad del canal est prxima a la saturacin. Como muestra la Figura
7.20a el aumento de fj al reducir LG es menos acusado para puertas cortas (LG<0.6^m), pero sin llegar a
alcanzar la saturacin predicha por la teora. Para HEMTs pseudomrficos de InAIAs/InGaAs, fr aumenta hasta
LG de 45 nm [Shi01], sin embargo, en los actuales dispositivos basados en AlGaN/GaN la saturacin se ha
observado mucho antes, con LQ en torno a 0.15 |im [

aleado debe existir una mezcla de todos los metales constituyentes, como demostr Fay et al. [Fay02]. Por
ltimo, tambin se puede deducir que el cociente ptimo de Ti/Al debe ser inferior a 0.8. Considerando los
resultados anteriormente expuestos, se probaron metalizaciones optimizadas de Ti/AI/Ti/Au en torno a
20/100/40/100 nm, pero ya en heteroestructuras AiGaN/GaN. Un resumen de las distintas secuencias utilizadas
se muestra en la Tabla 6.4, donde se indican las metalizaciones ms relevantes en este estudio, junto con sus
condiciones ptimas de RTA (tiempo y temperatura), la resistencia de contacto y la de hoja obtenidas de las
estructuras TLM.

Desde el punto de vista elctrico la mejor combinacin es Ti/AI/Ti/Au (20/100/40/75 nm), con la cul se ha
obtenido un valor de Re de 0.64Qmm. La combinacin Ti/AI/Ti/Au (20/100/45/55 nm) proporciona resultados
muy similares pero el aleado a demuestra que se est en el lmite inferior de temperatura para conseguir
contactos hmicos, por lo que la reproducibilidad es menor. Tabla 6.4. Sumario de los diferentes espesores
utiizados en la metalizacin de contactos de Tl/Al/Tj/Au, junto con las condiciones de RTA ptimas, las

caractersticas del material empleado en el aniaisis, y la resistencia de contacto y la resistencia de hoja
obtenidos de las estructuras TLM. La inspeccin visual de los contactos muestra un cambio de tonalidad tras
el aleado: el amarillo Au se torna gris plomizo. Tambin se observa una mejora sustancial en la adhesin del
metal comparndola con el material inmediatamente despus de ser depositado. La morfologa es bastante
rugosa en todos los casos donde interviene el Au, y los intentos realizados por controlarla han sido del todo
infructuosos. Se ha observado bastante aleatoriedad en la forma y distribucin de los montculos que
caracterizan la morfologa superficial. La Figura 6.8 muestra algunos ejemplos, donde se observan los
montculos, que con pocos aumentos tienen aspecto de granos, y algunas reas ms planas. Figura 6.8.
Morfologas tpica de los contactos con Ti/Al/TI/Au por microcopa de contraste Normarski: (a) detalle del
drenador de un transistor procesado con la mscara m1, (b) detalles de diferentes muestras mostrando en ms
detalle los montculos y zonas planas que constituyen la morfologa superficial.

Otro detalle que se observa con generalidad ha sido que al aumentar la temperatura del aleado el grano, u
oquedades, se hacen ms pequeas (ver Figura 6.9), de acuerdo con lo observado por otros autores [Fay02]. A
pesar de la rugosidad mostrada, los motivos fotolitografiados quedan suficientemente definidos respecto a la
geometra utilizada actualmente, y por lo tanto no son un factor limitador de las dimensiones crticas del
dispositivo. Figura 6.9. Imgenes de mircroscopio ptico Nomarski mostrando la morfologa superficial de
contantos hmicos de Ti/AI/Ti/Au (20/100/45/55 nm), aleados por RTA bajo diferentes condiciones. Como
conclusin del estudio de la secuencia Ti/AI/Ti/Au, cabe decir que la incorporacin de Au disminuye la Re
pero degrada la morfologa superficial, y que aumentando el espesor de la segunda capa de Ti no se reduce
dicha rugosidad superficial. Estos resultados apuntan a que la mejor opcin es una fina primera capa de Ti
(20nm), manteniendo el cociente Ti/Al entre 0.55 y 0.65, y finalizar con una capa de Au, entre 50-100 nm. En
nuestro caso particular la mejor combinacin parece ser Ti/AI/Ti/Au (20/100/40/50nm), aleado a C durante
30s. en atmsfera de Nz. La fabricacin de ios dispositivos lia ido evolucionando a lo largo de esta Tesis,
pareja a la optimizacin de los contactos hmicos. Para la realizacin de transistores, y de acuerdo con lo visto
anteriormente, se han utilizado tres metalizaciones diferentes: Ti/AI/Au (60/100/50) con la que las Re obtenidas
estn entre 1 y 2 Qmm, y Ti/AI/Ti/Au (20/100/45/55 y 20/100/40/50) con las que se consigui reducir la Re
por debajo de IQmm, como muestra la Figura 6.10, donde se resumen las Re obtenidas en los transistores
fabricados sobre obleas crecidas por PA-MBE. Distancia entre contactos (|J.m) Figura 6.10. Resumen de los
contactos hmicos obtenidos en los HEMTs fabricados sobre las iieteroestructuras AlGaN/GaN crecidas por
PA-MBE. 6.3. Contacto de puerta: Barrera Schottky Las barreras Schottky de las puertas de los HEMT deben
cumplir una serie de requisitos como son: baja resistencia serie, alta tensin umbral, estabilidad trmica (bien
sea por procesos trmicos posteriores a su deposicin, bien por el propio funcionamiento en condiciones de alta
temperatura o elevada potencia), adems de los anlogos a los que se espera de cualquier barrera Schottky
(elevada altura de barrera, bajas corrientes de fugas).
Teniendo en cuenta todo esto se han buscado las mejores combinaciones de metales para formar los contactos
de puerta en los transistores de AlGaN/GaN. Como ya se ha dicho anteriormente, dada la ionicidad del GaN,
ste debe cumplir la ley de Schottky-Mott [Sze81]: por la que la altura de la barrera {^B) depende de la
funcin de trabajo de metal (^m) y la afinidad electrnica del semiconductor (x). La afinidad electrnica del
GaN se ha estimado en 4.2 eV [Wan95], pero no hay el mismo consenso en el caso del AIN, que dependiendo
del autor puede ser 2.1 eV [Ber96b] o 0.6 [Wu98], aunque en cualquier caso hay un acuerdo en que la afinidad
disminuye al aumentar la concentracin de Al, pero permaneciendo siempre positiva [Gra01] [K0IOI]. Por lo
tanto y a la vista de la expresin 6.1, para conseguir elevadas alturas de barrera los metales susceptibles de ser
elegidos son aquellos con elevada ^m como el Pd (5,12 eV), Au (5,10 eV), Pt (5,65 eV) o Ni (5,15 eV) [Sze81].

Es difcil relacionar parmetros estructurales y pticos con las prestaciones del dispositivo propiamente dicho,
pero la baja movilidad obtenida en estas muestras, y por ende ios. podra justificarse por la incipiente relajacin
de la barrera observada por XRD, que en el caso concreto de la M610 llega a ser acusada, alcanzando el 20%.
Otro importante factor a considerar, en el caso particular de la M639, fue un problema tecnolgico en el lift-off
de la puerta, que deriv en una pobre definicin de la misma. Los valores de las transconductancias son ms
variados, como cabra esperar, ya que hay que considerar no slo diferencias en la densidad de carga del canal y
movilidad, sino tambin en la anchura de barrera entre muestras. B. Longitud de puerta corta (LG<1)xm) Al
igual que en los transistores de mayor longitud de puerta, las caractersticas bs- VDS muestran saturacin de la
corriente entre drenador-fuente para distintos voltajes de puerta, as como un corte total de los dispositivos.
Como ejemplo se muestran en la Figura 7.7 las caractersticas IDS-VDS de dos transistores con LQ
submicrnica, de las muestras M552 y M609. Al reducir la LQ las caractersticas de salida (los y gm) mejoran,
tal y como predice la teora, obteniendo corrientes mximas de saturacin de lA/mm en la muestra M552.


La transconductancia extrnseca tambin se ha visto ligeramente incrementada al reducir la longitud de puerta
por debajo de la miera. La Figura 7.8 muestra las transconductancias de los mismos transistores de la Figura
7.7. La mxima transconductancia se ha obtenido en la mustra M609, alcanzando 227 mS/mm con una LG=0.6
|im. Figura 7.8. Transconductancia de transistores submicrnicos de las muestras M552 (a) y M609 (b), para
distintos valores de Vos- En la Tabla 7.3 se resumen los resultados de la caracterizacin en DC de los
transistores procesados con puertas submicrnicas.
Tabla 7.3. Recopilacin de la caracterizacin en DC de algunos de los transistores con puertas submicrnicas
de las muestras crecidas por PA-MBE. En este caso tampoco se ha observado un fenmeno de colapso
acusado. La Figura 7.9 muestra la caracterstica IDS-VDS de un transistor submicrnico de la muestra M552
con parametrizador (a), y con trazador en modo pulsado (pulsos de 300 is en VG) con Vos crecientes (b) y con
Vos decrecientes (c). Al igual que en los transistores con puertas mayores, se observa una mnima cada de la
corriente mxima de saturacin en las caractersticas IDS-VDS en pulsado, observando un aumento del voltaje
de codo ms o menos acusado dependiendo de la muestra, respecto a la caracterizacin en DC con el
parametrizador. Figura 7.9. Caractersticas IDS-VDS de un transistor submicrnico de la muestra i\/1552 en
DC con parametrizador (a), y en modo pulsado (AVG=300HS) con trazador con Vos crecientes (b), y con Vos
decrecientes (c), para evaluar el grado de colapso. 7.1.2. Caracterizacin de pequea seal en RF La
caracterizacin en RF se ha realizado con tcnicas de medida de pequea seal. En concreto a travs de la
medida de los parmetros-S del cuadrupoio que representa al transistor.

El equipo utilizado ha sido un analizador de redes HP8510C, cuya frecuencia mxima de utilizacin es de 40
GHz. El procesado de los parmetros-S permite obtener unos parmetros caractersticos de la bondad del
transistor para trabajar en alta frecuencia (figuras de mrito). Estos son, la frecuencia de transicin (fj) y la
mxima frecuencia de oscilacin (fmax)- Se definen como las frecuencias a las cuales la ganancia en corriente
en cortocircuito y en potencia, respectivamente, son la unidad.
En el diseo de circuitos digitales fj es el parmetro ms representativo, ya que est relacionado con el tiempo
de propagacin a travs del transistor, es decir el retardo. Sin embargo, en el diseo de circuitos
amplificadores conviene optimizar fmax, ya que da cuenta de la frecuencia a la que la ganancia en potencia se
hace unidad. IVIerece la pena puntualizar que fmax tiene diversas definiciones en funcin del parmetro que se
utilice para determinarla [Rob02], as pues a veces se la define como frecuencia de mxima ganancia disponible
(MAG: Mximum Available Gain) o de mxima ganancia estable (MSG: Mximum Stable Gain), o
simplemente de ganancia en potencia unilateral (MUG: Unilateral power gain). Pero independientemente de la
variable utilizada, fmax se define como el punto donde coinciden todos ellos, lo cual ocurre a OdB. En los
dispositivos bajo estudio se ha medido la MAG/MSG. En cualquier caso, tanto la fj como fmax sirven para
determinar una frecuencia de corte o mxima de trabajo. La frecuencia de transicin intrnseca se puede
definir en primera aproximacin como [Lad89]: donde CGD y CGS son las capacidades relacionadas con la
entrada y salida de la puerta, gmo es la transconductancia intrnseca del dispositivo, Vsat es la velocidad de
saturacin y X es la extensin de la zona de carga espacial de puerta hacia el drenador. Esta extensin de la
puerta, que hace que la puerta efectiva sea superior a la nominal, y puede ser importante slo para cortas LG y
altas Vos, aumentando tambin con VQ [Lad89]. Pero la fr medida, o extrnseca, siempre es menor debido a la
contribucin de las capacidades parsitas, y en un segundo orden debido al efecto de las resistencias de fuente y
drenador. Dichas contribuciones pueden considerarse en la expresin |Tas89]: Las dos frecuencias
caractersticas, fmax y fi, estn relacionadas entre s, aunque desafortunadamente no hay una expresin sencilla
que extrapole fmax separando componentes intrnsecas y elementos parsitos, como ocurre con fy. Una de las
aproximaciones viene dada por la expresin [Hug89]: Como puede observarse de las ecuaciones anteriores,
ambas frecuencias dependen directamente de la geometra del dispositivo. La fmax es ms sensible a la
realimentacin (bsicamente recogido en el factor F de la ecuacin 7.4), a la conductancia de salida y a las
corrientes de fuga en la puerta. En particular, fâx se ve muy afectada por la resistencia de puerta, la cual no
afecta a fi [Rob02]. Desde el punto de vista de ingeniera de proceso fmax es importante porque es un
indicativo del control que se tiene sobre los elementos parsitos del sistema.

A veces tambin suele considerarse como figura de mrito el cociente entre ambas (fmax/fr) [Rob02]. Este
cociente da cuenta, en una primera aproximacin, del efecto de los parsitos del sistema, por lo que cuanto
mayor sea su valor menores sern los efectos de los parsitos. Como resumen de lo obtenido en la
caracterizacin de los transistores, la Tabla 7.4 recoge los resultados de las medidas de ir, fmax, y el cociente
entre ambos, en dispositivos con longitud nominal de puerta de 2 ^m, y polarizados con VDS=15V, para las
distintas muestras analizadas.

Los resultados obtenidos siguen la tendencia observada en la caracterizacin en DC (Tabla 7.2) que puede
justificarse por las diferencias en la movilidad. La gran diferencia de frecuencias obtenidas en muestras
similares, pero procesadas con distintas mscaras, demuestra la optimizacin del diseo en la mscara m2. Esta
diferencia no se refleja tan claramente en el cociente fmax/fr porque no slo existe un incremento de los
elementos parsitos del sistema al utilizar la mscara m1, sino que adems sus deficiencias de diseo tambin
degradan fr, como se desprende de la ecuacin 7.3. Para aumentar las frecuencias de corte en estas obleas slo
cabe reducir la LG, y por lo tanto, esto implica la utilizacin de puertas submicrnicas. En la Tabla 7.5 se
recogen los resultados de las medidas de fj y fmax en dispositivos con longitud de puerta submicrnica,
polarizados con VDS=15V, para las muestras M552 y M609. Se observa que las mejores caractersticas se han
obtenido con la muestra M552, llegando hasta 40 GHz de fmax en un transistor en U con LG y WG de 0.6 jxm
y 75p,m, respectivamente. La Figura 7.10 muestra las figuras de mrito de la MAG/MSG y el parmetro |h2ii
(ganancia en corriente), en funcin de la frecuencia, de dos transistores en U de la oblea M552 con LG=0.6 |j,m
y WG de 75 y 150 .im respectivamente, polarizados a VGS=-7 V y VDS=15V. fmax y fj se obtienen como la
interseccin de las grficas anteriores con la recta horizontal de ganancia OdB.

Figura 7.10. Variacin del parmetro |li2i| y la MAG en funcin de la frecuencia para dos transistores de la
oblea IVI552, con LG=0.6 xm y WG=75 y150 i^m, polarizados a VGS=-7V y VDS=15V. En la Tabla 7.5
puede verse como el cociente W/fT ha disminuido ligeramente respecto ai obtenido en las mismas muestras con
mayor longitud de puerta (ver Tabla 7.4 nnuestras procesadas con m2), especialmente en la muestra M609. Una
de las razones podra deberse ai aumento de la RG, ya que de acuerdo con las ecuaciones 7.3 y 7.4, sta slo
afecta a fmax. A la vista de ios resultados y para el siguiente estudio, nos centraremos exclusivamente en los
dispositivos con longitud de puerta submicrnica.
Los dispositivos fueron polarizados en diferentes reglones de funcionamiento, mediante un barrido en Vos (6-
15V) y en VG(O-VTHV). En la Figura 7.11 se presenta la dependencia de fj y fmax con la polarizacin de
puerta, trabajando en la regin de saturacin (VDS=15V). En dicha figura se observa cmo ambas frecuencias
aumentan con |VG I hasta alcanzar un mximo y luego caen bruscamente, siendo ms acusado para fmax-
Lamentablemente en el transistor de la muestra M552 mostrado en la Figura 7.11 no analiz con tensiones de
puerta superiores a -7V, aunque s se ha observado dicho mximo de fr y fmax en torno a -7V en transistores de
la misma oblea con WG=150|im.

Para entender mejor este hecho centrmonos en fr. De la ecuacin 7.2 (fragmo/CG) se desprende que el
comportamiento mostrado, en primera aproximacin, viene dado por la variacin de gmo y CQ respecto de VQ.
En la seccin anterior ya se observ que gm presenta un comportamiento tipo gaussiano respecto VG. La
Figura 7.12 muestra fr y fmax frente a VQ junto con gm, donde se observa que aunque la tendencia es similar
los mximos de gm y fr y fmax estn ligeramente desplazados. Figura 7.12. Variacin de fj y fmax con VG
para dispositivos de las muestras M609 (a) y M552 (b), mostrando simultneamente la dependencia de g con
VQ para ese transistor. Por otro lado, hay que tener en cuenta que CG tiene una ligera dependencia con VG
[AI91], aumentando ligeramente al alejarnos de VTH, tal y como muestra la Figura 7.13. Por lo tanto,
considerando las contribuciones de gm y CG podra justificarse el comportamiento observado de las
frecuencias mximas frente a la polarizacin de puerta. Figura 7.13. Variacin de la capacidad de puerta
respecto de la polarizacin de puerta en un transistor con LG=2 ^m y WG=300 |xm, de la muestra M552
procesada con la mscara m1. Los cuadrados son los valores experimentales y la lnea continua el ajuste lineal
de los mismos. Las frecuencias mximas tambin muestran una ligera dependencia con la polarizacin del
drenador (Vos), tal y como muestra la Figura 7.14. El valor de fr puede considerarse independiente de VDS
dentro del rango estudiado, aunque es bien sabido que para voltajes drenador-fuente inferiores a los de codo
(VK) fj disminuye, anlogamente a como ocurre con Qm- Por el contrario, fâx aumenta con VDS, tendiendo
a alcanzar un mximo, que para M609 est en torno a VDS=15V (Figura 7.14a). El mximo de fmax ocurre por
lo general para valores de Vps superiores a los de saturacin de fr [Hug89], [Wu97c]. Para valores de VDS
superiores a los utilizados se esperara una disminucin lenta de ambas [Hug89], debido bsicamente a una
disminucin de gm provocada por el calentamiento del dispositivo. Este calentamiento provocara una
disminucin de la velocidad de saturacin de los portadores y por ende de gm.

Figura 7.14. Variacin de fj y W con Vos para dispositivos de las muestras M609 (a) y M552 (b). Desde el
punto de vista de la utilizacin de estos dispositivos en circuitos, lo primero que se debe hacer es seleccionar el
punto de trabajo, o de polarizacin de transistor. De las tendencias anteriormente mostradas parece obvia la
necesidad de utilizar altas Vos (VDS=15V), pero la seleccin de VQ no parece ser inmediata. El punto ptimo
para amplificadores de potencia debera ser VGVTH/ 2 (mximo rango dinmico), de modo que permitiera
una excursin simtrica de la seal de excitacin a la entrada del amplificador (ver Figura 7.15 a). Sin

embargo, como regla general para todos los transistores analizados con LG submicrnica, la polarizacin
ptima sera VGVTH+1V, porque es donde las frecuencias se hacen mximas. El adoptar este punto de
trabajo supone limitar la excursin de la seal de entrada, pero el tomar VGVTH / 2 supondra renunciar a
trabajar en el punto de mxima fmax, como muestra la Figura 7.15 b. Esto podra deberse a una deficiencia de
diseo lo que ocasionara una falta de control del canal por la puerta, debido a su reducido tamao, por lo que
sera necesario el modelado del dispositivo para su optimizacin, considerando tanto la geometra
submicrnica como los elementos circuitales.
Figura 7.15. (a)Esquema de funcionamiento de un transistor trabajando como amplificador de potencia. Recta
de carga y punto de polarizacin, (b) mapa de polarizacin para un transistor submicrnico de la muestra M552.

Dependencia de los parmetros caractersticos del transistor con la geometra de los dispositivos

Las prestaciones del dispositivo no dependen slo de los parmetros del material y heteroestructura, sino
tambin de la geometra del mismo. Desde un punto de vista general los parmetros de diseo son: forma,
longitud y anchura de la puerta, distancia drenador-fuente (LQS, LQD) y. finalmente, rea de las pistas {pads)
de fuente, drenador y puerta. La geometra influye tanto en los elementos intrnsecos como extrnsecos del
dispositivo, pero el objetivo de esta Tesis no es el extraer el circuito equivalente del sistema y optimizarlo para
unas prestaciones concretas, por lo que en esta seccin nos limitaremos a mostrar las distintas tendencias
observadas experimentalmente al variar los parmetros anteriormente mencionados.

A. Geometra de la puerta

Las puertas de los dispositivos HEMT pueden presentar dos geometras diferentes: en forma de U o de T. Los
dos diseos utilizados en la mscara m2 con estas geometras se muestran en la Figura 7.16 (para ms detalles
ver captulo 6), junto con el esquema de transistores con multiples-dedos (multi-fingers) utilizados en los
dispositivos de potencia. Caracterizacin bsica de los dispositivos HEMT Esta transconductancia medida
directamente se denomina transconductancia extrnseca, y se ve muy afectada por la resistencia parsita en la
fuente (Rs). La transconductancia intrnseca (gmo) del dispositivo viene dada por [Ali91]:
En la Figura 7.4 se muestran ambas transconductancias (extrnseca e intrnseca) para los transistores
mostrados en la Figura 7.3. Merece la pena destacar la gran diferencia que existe entre ambas Rs (0.59 y 1.7
Qmm para M552 y M638, respectivamente), la cual incluye la contribucin del contacto hmico de la fuente y
de la de la zona de acceso prxima a la fuente.

Esta diferencia se debe fundamentalmente a la diferencia en las zonas de acceso entre las mscaras m1 y m2,
como se demostrar posteriormente. Esto hace que el comportamiento de los transistores procesados con la
mscara m1 est mucho ms limitado por ios efectos parsitos. Vo(V) Figura 7.4. Transconductancla
extrnseca (gm) e intrnseca (gmo) de dos dispositivos de las muestras M552 y M638, procesadas con la
mscara m2 y mi , respectivamente. Efecto de la resistencia serie (Rs) en la transconductancia. Ya se ha
mencionado anteriormente la importancia de evaluar estos dispositivos en Figura 7.17. Respuesta los versus
Vos, para distintas VQ, de dos transistores de las muestras M552 y M609, con LG=1nnn y WG=75nm, con
diferente geometra: puerta en U (lnea continua) y puerta en T (lnea discontinua). B. Longitud de puerta Es
bien sabido que la reduccin de la longitud de puerta mejora las caractersticas de salida tanto en DC como RF,
hasta ciertos valores donde tienden a saturarse. Para comprobar dicho efecto y realizar un escalado de las
distintas propiedades de los dispositivos con la longitud de puerta, se han medido transistores con diferente

Existen diferentes expresiones aproximadas, deducidas tericamente, que intentan modelizar la respuesta de los
dispositivos FET en DC, tanto en modo de canal gradual (o larga LG) como en rgimen de velocidad de
saturacin (o de corta LG) [AI91], [Dru86], [Lad89], [Rob02]. En cualquier caso, las caractersticas de salida
del dispositivo en DC y la longitud de puerta pueden relacionarse matemticamente a travs de la ley
semiemprica: donde a es un parmetro de ajuste. En el caso de la gm dicho exponente varia entre 1 y O,
tendiendo a cero bajo rgimen de velocidad de saturacin [Rob02]. A modo de ejemplo, en la Figura 7.18 se
representan los valores de la corriente mxima de saturacin y la transconductancia extrnseca mxima, para
dispositivos de la muestra I\/I609 con distintas LQ. En ella se observa un aumento de las caractersticas de
salida hasta LG<1nm, donde dichos parmetros tienden a saturarse. Figura 7.18. Corriente mxima de
saturacin (a) y transconductancia mxima (b) para diferentes longitudes de puerta en dispositivos en las
muestras M609. Las puertas son en forma de U y tienen distintas anctiuras (75,150 y 300 xm)
Experimentalmente se ha observado que, en ambos casos (M552 y M609), el voltaje para el cual se maximiza
la transconductancla se desplaza hacia mayores valores de VG, prximos a los de corte del dispositivo, a

medida que se reduce LQ. Figura 7.19. Variacin de VG para el cual la gm es mxima para distintas LQ, en
dispositivos con puertas en forma de T y U, y con distintas anchuras (75,150 y 300 nm), en las muestras M609
y M552.

La Figura 7.19 muestra dicho efecto, que podra indicar la perdida de control de la puerta sobre el 2DEG. La
frecuencia mxima de funcionamiento de un HEMT tambin tiene una gran dependencia con la longitud de
puerta. En una primera aproximacin se puede decir que tanto fr como fmax siguen una dependencia con LG
del tipo [Lad89]: en la que el exponente y es un parmetro de ajuste que suele vara entre 1 y 2. En
dispositivos con alta movilidad y corta longitud de puerta, el exponente para fj es idealmente igual a la unidad
[Lad89]. La Figura 7.20 muestra la variacin de fj y fmax en funcin de LG para distintas muestras, procesadas
con distintas mscaras. Se observa que, independientemente de la muestra o mscara, existe un aumento de las
frecuencias mximas ai reducir LQ, que se puede aproximar a la ley de potencia de la ecuacin 7.6. En el caso
concreto de fr se ha obtenido un aumento superlineal hasta LG prximas a la miera, pero para LG superiores el
exponente se aproxima a 1. Esta tendencia es la predicha por la teora de acuerdo con la ecuacin 7.2, donde
fio depende de gm y CQ. Por un lado la capacidad de entrada de puerta (CG) es directamente proporcional a
LQ. Por otro lado, gm depende de LQ para largas LG, hacindose casi independiente de sta para LG<1 xm
(Figura 7.17). Considerando ambas tendencias se justifica que el exponente ;rvare entre 1.4 y 1.6 para
LG>1p.m, y valga 1 para LG< Vm-
Esto sugiere que, para cortas Le la velocidad del canal est prxima a la saturacin. Como muestra la Figura
7.20a el aumento de fj al reducir LG es menos acusado para puertas cortas (LG<0.6^m), pero sin llegar a
alcanzar la saturacin predicha por la teora. Para HEMTs pseudomrficos de InAIAs/InGaAs, fr aumenta hasta
LG de 45 nm [Shi01], sin embargo, en los actuales dispositivos basados en AlGaN/GaN la saturacin se ha
observado mucho antes, con LQ en torno a 0.15 |im [Hei02], probablemente debido a la inmadurez del diseo
de los dispositivos.

Caracterizacin bsica de los dispositivos HEMT

Otra de las figuras de mrito definidas lia sido el cociente de ambas frecuencias, el cual disminuye para LG
submicrnicas, como muestra la Figura 7.21. Este comportamiento es el que cabria esperar teniendo en cuenta
que al disminuir Le aumenta la resistencia la lnea de transmisin de la puerta (RG), la cual afecta
negativamente sobre W sin afectar a fj. Esta ligera disminucin del cociente ^JT podra interpretarse como un
aumento de los parsitos a travs del incremento de RQ. Esto puede dar lugar a situaciones donde el valor de fj
supere al de fmax- Para evitar sta posible limitacin por RQ en puertas submicrnicas, se tiende a realizar
puertas con perfiles de ctiampin {mushroom). Figura 7.21. fj , fmax y max/fj para dispositivos con
distintas LG de la muestra M609. Estas puertas se caracterizan por tener un pie {footprint) muy estrecho
i<^[^m), que es la puerta real, y luego una cabeza ms ancha (2-3^m) que hace que disminuya la resistencia de
metalizacin, pero este diseo requiere de una tecnologa ms sofisticada [Rob02]. C. Anchura de puerta
Desde el punto de vista geomtrico del dispositivo el segundo parmetro caracterstico es la anchura de la
puerta. Al ensanchar la puerta aumenta la corriente de saturacin y la transconductancia absolutas. Ambos
parmetros deberan escalarse linealmente [AlekOO] [Ras03]. Por el contrario, se ha observado que tanto la
bstnax como la gmmax, normalizados respecto de la anchura de la puerta, disminuyen montonamente al
aumentar WG, tal y como muestra la Figura 7.22. Esta falta de idealidad podra justificarse a travs de
fenmenos de autocalentamiento, los cuales se hacen ms acusados al ensanchar la puerta. Este fenmeno pone
de manifiesto la degradacin de las caractersticas de salida de los dispositivos debido a efectos trmicos. El
hecho de trabajar con zafiro agrava an ms este fenmeno, ya que la impedancia trmica medida en
dispositivos sobre zafiro es aproximadamente 5 veces superior a la obtenida sobre SiC [VesOO]. Figura 7.22.
Corriente mxima de saturacin y transconductancia normalizadas respecto la ancfiura de puerta, para distintas
anchuras y longitudes de puerta de la muestra M609.
La anchura de la puerta tambin influye en las frecuencias mximas de trabajo, como muestra la Figura 7.22.
Puede observarse cmo fmax sufre una importante degradacin ai aumentar WQ, mientras que fj se mantiene
prcticamente constante. Considerando la ecuacin 7.2, donde fr depende de gm y CQS. este comportamiento
queda explicado. Tericamente, para una LQ fija CQS puede escalarse linealmente con la anchura de puerta,
pero tambin gm, por lo tanto, fj es prcticamente independiente de WQ. Por otro lado, al aumentar la anchura
WQ tambin se aumenta la resistencia de la puerta, lo que provoca una reduccin sustancial de la frecuencia
mxima (fmax)Adems, hay que aadir que los dispositivos ms anchos se ven ms afectados por efectos de
calentamiento. Por lo tanto, fmax se ver sustancialmente reducida al aumentar la anchura de puerta, como
muestra la Figura 7.23. Figura 7.23. fj y fmax en dispositivos con LG de 0.6 ^m, aproximadamente, y distintas
anchuras de puerta, de las muestras M609 y M552. Los dispositivos para trabajar con potencia deben

proporcionar una potencia de salida de al menos unos watios. Esto implicara utilizar puertas con permetro
superior al milmetro, pero a la vista de la degradacin de las caractersticas de salida del dispositivo con WQ,
lo que conviene es utilizar puertas no superiores a 150 m. Consiguientemente, desde el punto de vista del
diseno lo que se hace es dividir la puerta en pequeos segmentos unidos en paralelo, como muestra
esquemticamente la Figura 7.16. Como ya se ha indicado anteriormente, en nuestro caso todas las puertas
constan de slo dos dedos, cada uno con una anchura WG/2. El ltimo parmetro geomtrico de diseo de los
dispositivos que se va a considerar, es la distancia entre la fuente y el drenador. Para ver este efecto se
comparan resultados de la muestra M552, la cual fue procesada con ambas mscaras. Como se describi en el
captulo 6, la mscara mi se caracteriza por tener unas zonas de acceso mucho mayores que la m2 (LQS es el
doble en m1 respecto m2, y LQD es 2.5 veces superior). La Figura 7.24 muestra la variacin de los parmetros
caractersticos en DC (los.max y gm.max) para varios transistores con distintas LQ (1 y 2 |am), y la misma
anchura de puerta WG= 300|im. Se puede observar que existe una gran diferencia en las caractersticas de
salida en DC en funcin del uso de una u otra mscara. Concretamente para LG=1nm se observa un incremento
del 47% en iosmax y del 57% en gmmax al utilizar la mscara m2 frente a la m1. Figura 7.24. bs.max (a) y
gm,max (b) de varios dispositivos con LG= 1 y 2 jam, y WG=300 \im, de la muestra M552 procesados con la
mscara 1 (m1) y 2 (m2). Dado que se trata de la misma muestra, y la tecnologa del procesado es comparable
(Rc~1Qmm), parece razonable pensar que las diferencias observadas en la Figura 7.24 vienen dadas por la
geometra de la propia mscara.
A partir de las medidas de TLM de las zonas de control de las respectivas muestras se obtienen la resistencia de
contacto (Re) y de iioja (Rsh)- Considerando la resistencia de fuente (Rs) como la suma de la Re ms la de la
zona de acceso entre la fuente y la puerta, y anlogamente para la resistencia de drenador (RD), se obtiene que
al duplicar las distancias de acceso tambin lo hace la resistencia asociada. Esta es la tendencia observada
segn se desprende de los resultados mostrados en la Tabla7.6. La Rs y RD en la muestra procesada con la
mscara mi es 1.5 y 1.8 superior, respectivamente, a la procesada con m2. Esto podra justificar las diferencias
observadas en losmax y gmmax mostradas en la Figura 7.24. Este incremento en las resistencias de acceso
tambin se refleja en las frecuencias mximas de trabajo.
La reduccin de la fj al aumentar la distancia entre fuente y drenador es muy intuitiva, ya que fy est asociada
al tiempo de transito de los electrones; si estos tienen la misma velocidad y aumentamos la distancia,
evidentemente el tiempo necesario tambin aumentar, y por lo tanto, la fr disminuir. Esta misma tendencia se
desprende de la ecuacin 7.3, ya que RD y Rs estn en el denominador y por lo tanto al aumentar disminuyen el
valor final de fj. Anlogamente ocurre con fmax> segn la ecuacin 7.4, aunque como ya se ta dicho
anteriormente sta est ms influenciada por las resistencias parsitas por lo que su degradacin al aumentar
RD y Rs ser ms acusada que para fj. Concretamente, la fj y fmax para los dispositivos mostrados en la Figura
7.24 son 4.8 y 6.7 GHz para el dispositivo procesado con la mscara m1, y 5.9 y 14.9 GHz, respectivamente,
ms del 120% la W al optimizar la mscara. Estos resultados confirman la necesidad de minimizar las zonas de
acceso, y en especial la asociada a la fuente, ya que Rs tienen un gran efecto sobre el valor de la
transconductancia extrnseca del transistor y, por lo tanto, el funcionamiento en alta frecuencia [AI91].
El desarrollo de los dispositivos HEMTs basados en GaAs mostr las ventajas que presentaba el crecimiento
por MBE frente a MOVPE (ms informacin en captulo 3). Por el contrario, actualmente en el campo de los
nitruros, los HEMT con mejores prestaciones parecen ser los crecidos por MOVPE. A pesar de que la
tecnologa del crecimiento de nitruros todava no est suficientemente madura, todo parece apuntar a que este
hecho se debe a la falta de substratos adecuados. Esto obliga al crecimiento de capas amortiguadoras, que
minimicen el desacoplo entre el GaN y el substrato utilizado. En general, la calidad de las capas de nitruros
parecen mejorar cuando se crecen a altas temperaturas y altas presiones de nitrgeno, lo que dara ventaja al
crecimiento por metalorgnicos.

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