OUTROS DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE DOIS TERMINAIS

ELETRNICA ANALGICA ENG. EDERSON ZANCHET

INTRODUO

Exitem diversos dispositivos semicondutores de dois terminais com aplicaes e caractersticas diferenciadas do diodo retificador podemos citar entre eles:
a. Diodo LED; b. Diodo de Shottkey; c. Diodo tnel; d. Diodo Laser; e. Varactor; f. Fotodiodo; g. Clula Solar; h. Clula Fotocondutiva; i. Termistor,
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OPTOELETRNICA

Trata-se do estudo e aplicao de equipamentos eletrnicos que fornecem,

detectam e controlam luz.

No que remete a utilizao da luz, inclui-se todas as faixas do espectro desde formas invisveis de radiao como raios gama, raios - X, ultravioleta e infravermelho, como tambm a faixa de luz. Aparelhos optoeletrnicos so transdutores eltrico tico ou tico para eltrico, ou instrumentos que usam tais aparelhos em sua operao.

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DIODO EMISSOR DE LUZ (LED)

LED a sigla em ingls para Light Emitting Diode, ou Diodo Emissor de Luz. Sua funcionalidade bsica a emisso de luz em locais e instrumentos onde se torna mais conveniente a sua utilizao no lugar de uma lmpada. Os Leds tem tido grande aplicao na indstria de modo geral, devido a boa relao de luminosidade e consumo. Como o diodo led um dispositivo de juno PN, sua caracterstica de polarizao direta semelhante de um diodo

semicondutor. Sendo polarizado, a maioria dos fabricantes adota

um "cdigo" de identificao para a determinao externa dos terminais A (nodo) e K (ctodo) dos leds.
Pagina 4 Figura 1 Corte e indicacao de polaridade LED

DIODO EMISSOR DE LUZ (LED)

Ao contrrio dos diodos comuns no feito de silcio, que um material

opaco, e sim, de elementos como glio, arsnico e fsforo. amplamente usado

em equipamentos devido a sua longa vida, baixa tenso de acionamento e boa resposta em circuitos de chaveamento. De maneira ampla, os diodos emissores de luz operam com nvel de tenso na faixa de 1,6 a 3,3V, sendo compatveis com os circuitos de estado slido.

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DIODO EMISSOR DE LUZ (LED)

Observa-se que a tenso dependente do comprimento da onda emitida. Assim,

os leds:
a.Infravermelhos geralmente funcionam com menos de 1,5V, b.Vermelhos com 1,7V; c. Amarelos com 1,7V ou 2.0V,

d.Verdes entre 2.0V e 3.0V,

e.Azuis, violeta e ultravioleta geralmente precisam de mais de 3V.

A potncia necessria est na faixa tpica de 10 a 150 mW, com um tempo de vida til de 100.000 ou mais horas.

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DIODO EMISSOR DE LUZ (LED) - SIMBOLOGIA

Da mesma forma que o diodo retificador, o LED por tratar-se de uma juno PN,

tem simbologia semelhante sendo acrescido a indicao da emisso de luz atravs de

setas conforme a Figura 2.

LED1
Figura 2 Simbologia Led

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DIODO EMISSOR DE LUZ (LED) RESISTOR LIMITADOR

Como o diodo, o LED no pode receber tenso eltrica diretamente entre seus

terminais, caso isso ocorre-se, o diodo teria seu comportamento como uma chave em
curto tendendo a elevar o nvel de corrente eltrica para o infinito, dessa forma se faz necessrio a utilizao de um sistema limitador, normalmente emprega-se uma resistncia em serie com o LED conforme apresentado na figura 3.
1 R1 2

V1

LED1

0
Figura 3 Circuito com resitor limitador
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DIODO EMISSOR DE LUZ (LED) FOLHA DE DADOS

Para obtermos o valor da resistncia limitadora sero necessrios alguns dados caractersticos, como tenso de operao caracterstica em funo do comprimento de onda. Os dados podem ser obtidos atravs da folha de dados (datasheet) do

componente, O modelo 383-2UBC/C470 da EVERLIGHT, de acordo com a figura 4:

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Figura 4 Caractersticas Eltricas modelo 383-2UBC/C470

DIODO EMISSOR DE LUZ (LED) EXEMPLO

Sabendo o valor da tenso da fonte e conhecendo as caractersticas do LED podemos obter o ponto de operao do mesmo. Partindo de uma fonte de 15Vcc e sabendo que a tenso de operao do LED VD=VF=3.5V e a corrente neste ponto ser 20mA, temos:

V VD R it 15 3.5 R 20.10 3 R 575

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FOTO DIODO - FUNDAMENTOS

O fotodiodo um dispositivo semicondutor de juno PN cuja regio de operao limitada pela regio de polarizao reversa e caracteriza-se por ser sensvel luz. A aplicao de luz juno resultar em uma transferncia de energia das ondas luminosas incidentes (ftons) para a estrutura atmica, resultando em um aumento do nmero de portadores minoritrios e um aumento do nvel da corrente reversa. A corrente retornar a zero somente se for aplicada uma polarizao positiva igual a Vo. Em resumo, podemos dizer ento que um fotodiodo um dispositivo que converte a luz recebida em uma determinada quantidade de corrente eltrica.

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FOTO DIODO - FUNDAMENTOS

A corrente negra a corrente que existir sem nenhuma iluminao aplicada. A corrente reversa e o fluxo luminoso variam quase que linearmente, ou seja, um aumento na intensidade luminosa resultar em um aumento semelhante na corrente reversa. Podemos admitir que a corrente reversa essencialmente nula na ausncia de luz incidente.

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FOTO DIODO - SIMBOLOGIA

Seguindo os mesmos moldes da simbologia do LED na figura 5 temos a simbologia do foto diodo.

Figura 5 Simbologia do Foto diodo

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FOTO DIODO - SIMBOLOGIA

No grfico da figura 6 apresentada a relao de corrente eltrica VS luminosidade.

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Figura 6 Relao da Corrente eltrica pela quantidade de luz gerada

ACOPLADORES OPTICOS

Um acoplador tico (tambm chamado isolador tico ou

isolador com

acoplamento tico) contm um IRED (Infra Red Emitter Diode) e um fotodetector em um mesmo bloco. Estes dispositivos so encapsulados de tal maneira que a energia irradiada por um IRED transmitida eficientemente ao detector atravs de um meio dieltrico de isolao e rodeado por um material opaco, o qual proporciona proteo contra a luz ambiente. Na figura 7 podemos observar o diagrama de um acoplador optco.

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Figura 7 Diagrama bsico acoplador optco

ACOPLADORES OPTICOS

A grande vantagem que no existe nenhuma conexo eltrica entre a entrada e a sada. Com um acoplador tico, o nico contato entre a entrada e a sada o feixe de luz. Por isso, possvel obter um isolamento resistivo entre os dois circuitos da ordem de M. Um isolamento desse tipo til em aplicaes de alta tenso nas quais os potenciais dos dois circuitos podem diferir em milhares de volts conforme com a figura 8 onde podemos observar a aplicao em um circuito como estrutura fsica. .

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Figura 8 Circuito Isolado e modelo de encapsulamento

ACOPLADORES OPTICOS

Algumas aplicaes tpicas dos fotoacopladores so, por exemplo, a preveno de laos fechados de terra, deslocamento de nveis de corrente contnua e controle lgico de circuitos de potncia. A capacidade de isolamento de um fotoacoplador de transferir eficientemente o sinal desejado definido como Relao de transferncia de corrente (Currente Transfer Ratio- CTR). Esta relao depende da eficincia radiativa, da distncia entre o IRED e o detector, da rea de superfcie e a sensibilidade do detector e o ganho de amplificao do mesmo.

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ACOPLADORES OPTICOS

A capacidade acoplador optco em proporcionar proteo de isolamento geralmente expressa em relao a sobretenso transitria de isolao. Sobretenso a medida da solidez da cpsula e da rigidez dieltrica dos materiais isolantes. Os trs parmetros crticos de isolao so:
a. b. c. Resistncia de isolao;
Valor hmico de resistncia em corrente contnua entre a entrada e sada do acoplador.

Capacitncia de isolao;
Capacitncia parasita do dieltrico desde a entrada at a sada. Os valores tpicos variam de 1 e 2,5 pF.

Rigidez dieltrica.
Esta relacionado ao valor de tenso que o material suporta antes do ponto de ruptura.

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ACOPLADORES OPTICOS

Existem diversos modelos de acordo com a necessidade de cada projeto, entre eles podemos citar:

a. b. c. d. e.

Fotoacoplador a base de fotodiodo; Fotoacoplador a base de Transistor; Fotoacoplador a base de Triac; Fotoacoplador a base de Transistor de Darlington; Fotoacoplador a base de MOSFET's;

Como mencionado existem diversos modelos, com caractersticas de rididez dieltrica, capacidade de transferncia, frequncia de chaveamento e capacidade de isolao, pontos que devem ser levados em conta na escolha do tipo de acoplamento.
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DIODO DE SCHOTTKY - FUNCIONAMENTO

Seu nome uma homenagem ao fsico alemo Walter Hermann Schottky. Diodo Schottky um tipo de diodo que se utiliza o efeito Schottky na semiconduo. Sua construo diferente da juno PN convencional. O semicondutor normalmente empregado

apresenta caracterstica tipo N, entretanto em alguns casos utilizado material tipo P. Na Figura 9 temos

exemplo da estrutura do diodo de schottky, onde

tem-se a juno metal-semicondutor, de acordo com o metal empregado o componente apresentar caractersticas diferentes, nveis de tenso e faixa de

frequncia.

Figura 9 Estrutura interna do diodo schottky Pagina 20

DIODO DE SCHOTTKY CURVA CARACTERSTICA

De acordo com a forma construtiva e o emprego de materiais metlicos a injeo de outros materiais para processo de dopagem, esse como possuem um nvel energtico maior so conhecidos como portadores quentes, devido esse arranjo de metal semicondutor as caracterstivas se assemelham ao diodo de germnio. A figura 10 apresenta um comparativo da curva

do diodo retificador comum com diodo de schottky,

observa-se que na regiao reversa a capacidade de bloqueio inferior a do diodo retificador comum, embora essa caracteristica foi melhorada em

diversos componentes.
A capacidade de conduo vai at 75, mas h verses at 100A.

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Figura 10 Curva caracterstica do diodo schottky

DIODO DE SCHOTTKY - APLICAES

A principal aplicao dessa estrutura em sistemas com chaveamento de alta frequncia devido a sua capacidade de recuperao (frequncia de chaveamento), tambm tem sido aplicado em fontes de potncia de baixa tenso/alta corrente, em conversores CACC (20KHz), radares, logica TTL para computadores, sistemas de comunicao, instrumentao e conversores A/D e D/A [2]. Para aplicao em fontes pode suportar uma corrente de 50 para uma tenso direta de 0,6V (25C) e tempo de recuperao de 10ns, enquanto o diodo comum ira operar proximo de 1,1V e tempo de recuperao que vai de 20 a 30ns, a diferena parace despresvel, mas se obtivervos o valor da potncia Pschottky = 0,6*50 = 30W e Pretificador = 1,1*50 = 55W, quando

comparo em termos de efecincia o primeiro apresenta grande vantagem [2].

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DIODO DE SCHOTTKY

A figura 11 apresenta simbologia para diodo de schottky, embora exista variaes do simbolo. Na figura 12 temos dois modelos de encapsulamento utilizados, nota-se semalhana com diodo retificador comum.

Figura 11 Simbologia do diodo de Schottky

Figura 12 Modelos de encapsulamento do diodo schottky Pagina 23

DIODO VARACTOR- FUNDAMENTOS

O varactor, capacitncia varivel com a tenso, varicap, epicap ou tambm diodo de sintonia) amplamente utilizado nos receptores de televiso, receptores de FM e outros equipamentos de comunicao e tambmem circuitos resonantes. Os materias semicondutores P e N comportam-se como as placas de um capacitor e a camada de depleo funciona como o dieltrico.

Quando um diodo reversamente polarizado a largura da camada de depleo cresce com

o aumento da tenso reversa, assim a camada de depleo fica mais larga com a tenso reversa, a capacitncia diminui. Isso equivalente ao afastamento das placas de um capacitor, em termos bsicos a capacitncia controlada pela tenso [1].

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Figura 12 Estrutura Interna do Varactor

DIODO VARACTOR CURVA CARACTERSTICA

A figura 13 apresentatam simbologia utilizada para identificao bem como curva caracterstiva em termos de tenso reversa e capacitncia.

Figura 13 Simbologia e Curva caracterstica do Varactor

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DIODO VARACTOR CURVA CARACTERSTICA

Segundo o princpio de funcionamento, a capacitncia varia de acordo com com a tenso reversa aplicada sobre o componente, conforme expresso pela equao:

Onde: k = Constante determinada pelo tipo de material semicondutor; Vt= potencial de joelho; Vr= valor do potencial de polarizao reverso aplicado; N=1/2 para junes de liga e 1/3 para junes difusas;

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DIODO VARACTOR CURVA CARACTERSTICA

A figura 14 apresenta um exemplo de circuito com varactor e imagem de um varicap comercial

Figura 13 Circuito ressonante e modelo de Diodo Varactor

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DIODO TNEL FUNDAMENTOS

Fabricado com um nvel de dopagem que vai de 100 1000 vezes o empregado em diodos retificadores comum, apresentado por Leo Esaki em 1958 apresenta caractersticas diferenciadas dos demais devido a regiao negativa existente na polarizao direta, conforme pode-se observar na figura 14. Devido a intensa dopagem, a regio de depleco muito estreita formando um tnel, e

produzindo portadores com velocidades superiores

a dos diodos comuns o que permite operao em altas frequncias.
Figura 14 Curva caracterstiva do diodo tunel

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DIODO TNEL FUNDAMENTOS

A caracterstica de resistncia negativa permite a construo de osciladores simples. Entretanto, os diodos tnel so pouco usados atualmente. As principais desvantagens so a baixa potncia e o custo, fatores que so

melhor atendidos por outras tecnologias.

Na figura 15 temos simbologia normalmente utilizada.

Figura 16 Diodo tnel Figura 15 Simbologia diodo Tnel

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DIODO GUNN FUNDAMENTOS

A sua construo interna diferente de outros diodos em que ela consiste apenas de material

semicondutor tipo N-dopado ao passo que a maioria

dos diodos consistem em P e N-dopado regies. No diodo Gunn, existem trs regies: dois deles so fortemente dopado em cada terminal, com uma fina camada de material levemente dopado no meio. Quando uma tenso aplicada ao dispositivo, o gradiente eltrico ir ser maior de um lado da camada mdia fina a conduo ocorrer como em qualquer material condutor com corrente
Figura 17 Curva Caracterstiva diodo Gunn

proporcional tenso aplicada [5].

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DIODO GUNN FUNDAMENTOS

assim denominado em homenagem a J Gunn, descobridor (em 1963) do efeito da gerao de microondas por semicondutores N. Devido sua capacidade de alta frequncia, os

diodos de Gunn so usados principalmente em frequncias de microondas e acima. A aplicao mais comum em osciladores , mas so tambm utilizados em amplificadores de microondas.

O dispositivo exibe caracterstica de resistncia negativa. O material semicondutor pode ser

arsenieto de glio (GaAs) ou nitreto de glio (GaN), este ltimo para freqncias mais elevadas. Podem oscilar em freqncias de cerca de 5 GHz at cerca de 140 GHz. [5]

Figura 18 Simbologia e Diodo Gunn Pagina 31

TERMISTORES FUNDAMENTOS

O termistor apresenta caracterstica de variao de sua resistncia de acordo com a

temperatura, no se trata de um componente de

juno do tipo PN, porm composto por

Figura 19 termistor

Germanio, Silicio ou mistura de xidos de cobalto, nquel ou mangans de acordo com o

coeficiente de temperatura desejado.

Principal aplicao em sistemas de

proteo e sensoriamento de temperatura, na figura 19 podemos observar o termistor e figura 20 a curva caracterstica, o termistor a, R25 = 100, termistor b, R25 = 1K e termistor c, R25= 5K.
Figura 20 Curva caracterstica do termistor Pagina 32

REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

[1] MALVINO, Albert Paul. Eletrnica. Vol. I - 4.; Ed. Makron Books: So Paulo, 1995. [2] BOYLESTAD, R. L. Dispositivos eletrnicos e teoria de circuitos; Ed. Prentice Hall: So Paulo, 2004. [3] BERTOLI, Roberto Angelo. Eletrnica; UNICAMP, 2000. [4] BARBI, Ivo, Eletrnica de Ptencia 6 edio, Ed. Do autor: Florianpolis, 2005. [5] Diodos Semicondutores II, disponvel em http://www.mspc.eng.br/eletrn/semic_220.shtml#diodo_tunel acesso em 27 ago. 2012.

EDERSON ZANCHET Mestrando em Engenharia Eltrica e Informtica Industrial - UTFPR Engenheiro de Controle e Automao - FAG Departamento de Engenharia FAG Docente Disciplina de Eletronica Analgica ederson.zt@gmail.com ezanchet@fag.edu.br www.fag.edu/professores/ederson

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