UNIVERSITATEA LUCIAN BLAGA, SIBIU FACULTATEA DE INGINERIE, SIBIU

REFERAT TEHNOLOGIA JONCTIUNILOR MOS

Coordonator:
Conf. Dr. Ing. LIZETA POPESCU

Student:
Creu Rares Mihai Sectia:EM Anul:IV

Sibiu, 2012

Cuprins

Generalitai ................................................................................................................................................... 2 Tehnologia clasic ....................................................................................................................................... 3 Procedee de reducere a dimensiunilor ...................................................................................................... 4 Tehnologii pentru tranzistoare MOS neconvenionale ............................................................................ 5 Amplificatoare de semnal mic cu tranzistoare MOS ............................................................................... 7 Tipuri de amplificatoare de semnal mic cu tranzistoare MOS ........................................................... 7 Amplificator cu tranzistor MOS in conexiunea Sursa Comuna (SC) cu condensator in sursa ... 7 Amplificator cu tranzistor MOS in conexiunea Sursa Comuna (SC) fara condensator in sursa 8 Amplificator cu tranzistor MOS in conexiunea Drena Comuna (DC) ........................................... 8 Amplificator cu tranzistor MOS in conexiunea Grila Comuna (GC) ............................................ 9

1. Generalitai
Structura MOS cu dou jonciuni laterale (fig. 1) poate fi considerat ca fiind format din dou diode cu poart comun. Substratul fiind de tip p, la suprafaa siliciului sub gril se formeaz un strat de inversie (canal) n care purttorii de sarcin vor fi electronii. Lrgimea canalului crete i odat cu aceasta crete conductivitatea sa atunci cnd are loc creterea potenialului grilei fa de substrat sau fa de surs.

Fig. 1 Structura MOS cu doua jonctiuni laterale

2

Tranzistoarele cu efect de cmp (cu abrevieri FET sau TEC, MOS=Metal Oxid Semiconductor sau MOSFET) sunt dispozitive electronice care funcioneaz pe principiul modificri conductivitii electrice a unui canal situat ntre doi electrozi (surs i drena) sub influena unui cmp electric (creat de ctre cel de-al treilea electrod=poart sau gril) ce acioneaz asupra acestui canal. Conducia electric n canal are loc numai prin purttori majoritari. De aici, deriv i denumirea acestor dispozitive electronice de tranzistoare unipolare.

2. Tehnologia clasic
Procedeul clasic de realizare a tranzistorilor MOS cu canal n sau p cu mbogire presupune realizarea ntr-un substrat de tip opus fa de cel al canalului: tip p pentru canal n i n pentru canal p, a celor dou zone puternic dopate (+, sau p*) reprezentnd sursa i drena. Grila se izoleaz fa de canal prin intermediul stratului de oxid de siliciu, care trebuie sa aib caliti electrice bune. n finalul procedeului de fabricaie se realizeaz zonele de contact pentru grila, surs i drena. Succesiunea principalelor etape tehnologice este urmtoarea : 1. curarea substratului; 2. oxidare groas de mascare, pentru doparea sursei i drenei; 3. fotolitogrfie 1 pentru realizarea deschiderilor sursei i drenei; 4. dopare n+cu fosfor sau p+ cu bor (prin difuzie sau implantare ionic); 5. fotolitografie 2 pentru realizarea deschiderii zonei de canal; 6. oxidare fin (realizarea oxidului de gril); 7. ajustarea tensiunii de prag VTi prin implantare ionic de bor (pentru canal p) sau cu fosfor sau cu arseniu (pentru canal n); 8. fotolitografie 3 pentru deschiderile contactelor de surs i drena; 9. depunere de aluminiu; 10. fotolitogravarea aluminiului i obinerea contactelor; 11. recoacere final, n forming-gaz (amestec de azot i hidrogen 10%), pentru mbuntirea calitii contactelor.

Acest procedeu simplu care permite realizarea de tranzistoare MOS cu canal longitudinal corespunde primelor procedee MOS aplicate n practica industrial. n cadrul acestei tehnologii se remarc existena diferitelor etape de fotolitografie n care elementele geometrice cum ar fi lungimea canalului rezult corect numai printr-o bun aliniere a mtilor. n cadrul acestei tehnologi de fabricaie este frecvent fenomenul de acoperire de ctre contactul grilei a unei pri din surs sau din drena. Aceast acoperire d natere unor capaciti parazite care afecteaz n sens negativ caracteristicile acestor tranzistori. Tranzistoarele realizate n cadrul tehnologiei prezentate sunt, n general, tranzistoare de semnal (de cureni i de tensiuni reduse).

3. Procedee de reducere a dimensiunilor

Pentru a reduce dimensiunile tranzistorilor a fost necesar s se gseasc metode de poziionare a grilei n raport cu sursa i drena. Tehnicile prin care se realizeaz dispunerea unor elemente structurale n poziiile dorite, n raport cu configuraiile existente pe plachet, fr a apela la alinierea convenional a unei mti litografice se numesc de autoaliniere . Procesul de fabricaie a unui tranzistor MOS cu autoaliniere const n utilizarea unui strat de polisiliciu cu rol de ecran (ntre drena i surs) n procesele de impurificare controlat (difuzie sau implantare), aa cum se indic n figura 2. Pentru a-i ndeplini rolul de ecran stratul de polisiliciu (POLY) folosit trebuie s fie suficient de gros. Astfel, la implantarea borului cu o energie We=100 keV i la temperatura intei T=475C stratul de polisiliciu este de aproximativ 4 j^m . Stratul de polisiliciu puternic impurificat are n acelai timp i conductivitate electric bun, acesta putndu-se utiliza pentru realizarea contactului grilei.

Pentru realizarea tranzistoarelor cu dimensiuni submicronice (lungime de canal de 0,1 m) este necesar execuia unor jonciuni de drena i de surs de foarte mic grosime (maxim cteva zecimi de micron). Realizarea contactelor pe aceste zone foarte mici este extrem de delicat, ntruct se formeaz uor defecte de tip "pipa", care creeaz scurtcircuite ntre electrozi i zona de canal. Soluia tehnologic folosit const n a nal sursa i drena printr-o epitaxie selectiv. Se realizeaz apoi un strat de siliciur deasupra, pentru reducerea rezistenelor de contact. Seciunea printr-un tranzistor nMOS realizat n cadrul tehnologiei submicronice este prezentat n figura 3

Fig. 3 Tranzistor nMOS realizat n tehnologie submicronic

4. Tehnologii pentru tranzistoare MOS neconvenionale

Pentru a suporta tensiuni mari, trebuie ca distana dintre zona de canal i drena s fie suficient de mare pentru a permite zonei de sarcin spaial s se ntind, pentru a evita fenomenul de avalan (multiplicarea purttorilor de sarcin prin ionizare).. Zona de sarcin spaial poate fi extins fie lateral, ca n cazul tranzistorilor DMOS avnd contactul de drena mult decalat, fie vertical (fig. 4).

Fig. 4 Structura unui tranzistor MOS de putere cu canal vertical (DMOS)

Conceptul iniial de tranzistor MOSFET cu canal V este prezentat n figura 5. Canalul, la acest dispozitiv, este realizat printr-o corodare selectiv prin dou regiuni dublu difuzate n+ i p n cazul tranzistorului VMOS n zona grilei se realizeaz un an n form de V, folosind tehnicile de gravare anizotrop a siliciului. Dac substratul are orientarea cristalin <100>, feele structurii de form V vor avea orientarea cristalin <111>.

Fig. 5 Structura unui tranzistor VMOS

6

5. Amplificatoare de semnal mic cu tranzistoare MOS

5.1 Tipuri de amplificatoare de semnal mic cu tranzistoare MOS
etaj de amplificare n conexiunea SURS COMUN cu condensator in sursa fara condensator in sursa etaj de amplificare n conexiunea DREN COMUN etaj de amplificare n conexiunea GRIL COMUN

5.1.1 Amplificator cu tranzistor MOS in conexiunea Sursa Comuna (SC) cu condensator in sursa

1.1.1 Fig. 6. Schema electrica a amplificatorului cu tranzistor MOS in

conexiunea Sursa Comuna (SC) cu condensator in sursa

Fig. 7. Schema electrica a amplificatorului cu MOS n conexiunea SC conectat la circuitele externe pe aceasta schema se calculeaza amplificarea reala precum si pierderile de semnal
7

1.1.2 Amplificator cu tranzistor MOS in conexiunea Sursa Comuna (SC) fara condensator in sursa

Fig.8. Schema electrica a amplificatorului cu transistor MOS in conexiunea sursa comuna (SC) fara condensator in sursa

1.1.3 Amplificator cu tranzistor MOS in conexiunea Drena Comuna (DC)

Fig. 9 Schema electrica a amplificatorului cu transistor MOS in conexiunea Drena Comuna (DC)

1.1.4 Amplificator cu tranzistor MOS in conexiunea Grila Comuna (GC)

1.1.1

Fig. 10 Schema electrica a amplificatorului cu tranzistor MOS in conexiunea Grila Comuna (GC)

Fig. 11 Schema electrica a amplificatorului cu MOS n conexiunea GC conectat la circuitele

externe pe aceasta schema se calculeaza amplificarea reala precum si pierderile de semnal

Detalii tehnice: Model DEWERK Tip DW 16 Capacitate maxima 1600 kg Inaltime maxima 6700 mm Putere de deplasare (minim) 5.2 kW Putere la ridicare (minim) 7.2 kW

Control directie Cu tranzistor

Capacitate acumulator 48 V, 360-450 Ah

Fig. 12. Motostivuitor avand controlul de directie cu transistor

10

Bibliografie

1. Site-uri
http://www.freepatentsonline.com/5496750.html http://ramann.wordpress.com/category/electrifying-electrical-engineering/ http://www.scribd.com/doc/101113356/Metal-Oxide-semiconductor-FETMOSFET http://www.scribd.com/doc/54511192/New-Microsoft-Word-Document http://ebookbrowse.com/curs-5-aplicatii-tranzistoare-doc-d65850119

2. Articole
http://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET http://ro.wikipedia.org/wiki/Tranzistor http://www.scribd.com/doc/71880313/mos http://ro.wikipedia.org/wiki/Tranzistor_unipolar http://tech.serafimpantea.ro/2012/08/17/tranzistori-de-1-atom

3. Carti
Tranzistoare. Intrebari si raspunsuri - Brown Clement, editura tehnica Un transistor, doua tranzistoare - Ilie Mihaescu, editura Albatros, colectia Cristal Constructii radio. Amplificatoare de audiofrecventa cu tranzistoare G. Stanciulescu, editura tehnica Modelarea componentelor microelectronice active Rusu Adrian Tranzistoare cu efect de cmp Bodea Mircea,Ristea I., Stere Roman, editura Tehnic Bucureti

11