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II111ft

ANALGICA

MOS~~T
Os HT do canal isolador so mais prticos f vfrstfis do qUf os df unio
possvel realizar um transistor de efeito de campo (FET: Field Effet Transistor) tambm sem a unio porta-canal caracterstica dos JFET. Pode ser obtido isolando a porta do canal com um leve estrato de bixido de silcio, um material de grande resistncia. Um FET realizado com esta tecnologia MOS (metalxido-semicondutor) recebe o nome de MOSFET: a sua estrutura aparece na figura.
Substrato

Estrutura simplificadi de um MOSFET: a porta metlica est muito prxima do canal condutor, mas tambm est muito bem isolado dele.

Drenagem

1\
G B

Porta

A figura mostra o smbolo genrico de um MOSFET, no qual est indicado claramente o isolamento entre a porta e o canal: at mesmo no desenho no se tocam. Existe ainda um quarto terminal, o do substrato (B, body: corpo) no qual o dispositivo foi realizado: este forma uma unio com o canal.

Para canal n ~

Nas aplicaes normais est freqentemente

ligado

Para canal p ~

origem, mas este fato muitas vezes nem sequer


est indicado; em alguns casos no se pode sequer aceder a ele atravs de um contato, pelo menos neste tipo de MOSFET.

22((((("

2H"222H

Alguns dos smbolos utilizados para os MOSFET de canal e de canal p; direita est a verso que indica a ligao com o substrato (8).

Devido ao fato de a porta estar isolada, a corrente requerida pelo MOSFET neste terminal quase nula: nem sequer existe uma corrente mnima de perda da unio dos JFET. Em compensao, suficiente uma rruruma carga eltrica (como a originada pela deslocao de uma bolsa de plstico) para perfurar o ligeiro substrato isolador, danificando-o irreparavelmente. Portanto, so necessrias precaues especiais para manusear ou transportar o MOSFET: por exemplo, a descarga contnua para a terra, ou utilizar tapetes e braceletes condutores especiais.
No necessria a energia de um raio: a eletricidade esttica acumulada mais do que suficiente para perfurar o isolador de um MOSFET. pelo corpo

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ANALGICA

Vazamfnto f dfSfnvolvimfnto
Ixistfm dois tipos df MOSUT: um rfduI a corrfntf no canal f o outro aumfnta-a
Consideremos o JFET e o MOSFET j mostrados numa figura anterior, ambos do canal N: nos dois casos, se aplicarmos uma tenso negativa porta, o canal fica obstrudo e a corrente reduz-se. No entanto, com o MOSFET pode-se aplicar uma tenso positiva porta que corresponde fonte, fato este que est vedado aos JFET. Enquanto o JFET poderia fazer passar corrente pela unio da porta, o MOSFET no faz mais do que aumentar a corrente no canal: a porta mantm-se isolada.

-v~ +vA
Si~ N~ -V~

+v~
Sim~

Sim~

A diferena que existe entre o JFET e o MOSFET que este ltimo pode aplicar tenses das duas polaridades na porta.

CORRENTE APENAS SOB PEDIDO comportamento dos JFET e do tipo do MOSFET j descrito chama-se vazamento: normalmente pelo canal passa corrente, se aplicarmos tenso inversa D porta, esta reduz-se. Tambm existem MOSFET do tipo desenvolvimento, pelos quais normalmente no passa corrente; para que passe
G ~-8 ~strato)

necessrio direta.

aplicar

tenso

porta com polaridade

A figura mostra o smbolo usado para indicar explicitamente um MOSFET deste tipo, de canal N: o canal interrompe-se para demonstrar que, na ausncia da tenso na porta, este permanece aberto.

Nos MOSFET do tipo desenvolvimento, no passa corrente canal se no se proporcionar tenso na porta.

pelo

SOMENTE UM DISPOSITIVO Os MOSFET dos dois tipos so distintos, mas o comportamento similar, como se pode ver no grfico que aparece na figura, que mostra a corrente no canal quando varia a tenso da porta. Os dois MOSFET diferem pela tenso do limiar: se positiva, sempre referindo-nos a um MOSFET de canal N, no poder passar corrente com O V da porta. Este ser considerado, portanto, do tipo desenvolvimento. Uma tenso do limiar negativa causar, no entanto, a passagem da corrente com O V da porta, como nos JFET, e um comportamento do tipo vazamento (prefere-se o termo pinchoft ou cutoft para a tenso do limiar).
Corrente descarga-origem Vazamento Desenvolvimento

o tipo vazamento conduz tambm com O V na porta

O tipo desenvolvimento tem um limiar mnimo

A diferena entre os MOSFET do tipo vazamento e do tipo desenvolvimento a tenso da porta qual comeam a conduzir (pinch-off).

-4V

-3V

-2V

-1V

OV

+1V

+2V

+3V

+4V

+5V

+6V

Tenso porta-origem

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-----------------------------------------------------------------------------~-----,

MOS~(T de potinda
(m muitas aplica~fSr fStfS dispositivos OftrfCfm intfrfssantn vantaCJfns rflativamfntf aos transisteres BJT
Como acontece com os transistores bipolares de unio (BJT) normais, tambm os MOSFET podem funcionar como interruptores. Em particular, o tipo desenvolvimento corresponde (como um BJT) a um interruptor que est normalmente aberto: se lhe aplicarmos tenso, se fechar. Quando se fecha, o MOSFET comporta-se como um resistor de baixo valor, sem nenhuma tenso mnima de queda (como a tenso de saturao dos BJT).
Carga Um MOSFET pode controlar diretamente uma carga: quando est conduzindo oferece uma baixa resistncia.

o substrato (body) est ligado origem

MENOS PROBLEMAS TRMICOS Se um MOSFET aquece por causa da corrente que atravessa o canal, a sua resistncia aumenta; portanto, pela lei de Ohm, aumenta tambm a tenso nos seus extremos. Este fato permite ligar vrios MOSFET em paralelo sem resistores de equalizao (ver lio 15): a corrente tender a fluir nos que tm uma menor resistncia, ou seja, os que so mais frios. balano automtico da corrente produz-se num mbito microscpico, no interior do canal: os MOSFET so, portanto, imunes ao desagradvel efeito de uma segunda rotura que afeta os BJT.
D

p--*----T---------T--~

o mesmo

o
Ligando vrios MOSFET em paralelo, aumenta-se a corrente suportvel. reduz-se a resistncia e

CAPACIDADE DA PORTA Como acontece com os MOSFET nem sequer necessitam corrente da porta (se a tenso da porta no variar), pareceriam comportar-se como interruptores perfeitos e quase privados de dissipao. Mas, como sempre, h um limite para tudo: a porta forma uma capacidade relativamente elevada em direo ao canal, ou seja, tanto para a origem como, infelizmente, para a descarga. Carregar esta capacidade requer corrente e tempo: durante este tempo o canal parcialmente condutor, nos seus extremos existe tenso e no seu interior circula corrente: o MOSFET dissipa potncia.

Os MOSFET de potncia

so utilizados em numerosas aplicaes, que vo dos amplificadores de udio aos comandos dos motores eltricos.

87

ANALGICA

(MOS
A utiliIa~o de MOSnT complementares tem permitido a realiIa~o dos modernos integrados digitais
+Vcc
+Vcc

A figura mostra duas verses do clssico interruptor de MOSFET do tipo aumento do canal N, comparvel com um transistor NPN (ver a lio 10).

In0------.,1--111--'
..----J

o segundo
Out

Out

In o-........jl--ll

interruptor perfeitamente simtrico: utiliza um MOSFET de canal P e tem a origem ligada (junto ao substrato) alimentao positiva, em vez de ligado massa.

Os dois circuitos podem funcionar como inversor mas tm, no entanto, um inconveniente: a resistncia dissipa a potncia quando o MOSFET conduz a mesma.
Dois inversores de MOSFET com diferente a imagem especular do outro. polaridade: um

INTERRUPTORES COMPLEMENTARES Como os dois MOSFET da figura entram em conduo com polaridades opostas ao sinal de entrada, podem ser combinados, obtendo o inversor que mostrado na figura. Quando a entrada positiva pe o MOSFET de canal N baixo, e quando negativa pe o canal P alto.
In Out ... -----l. Out

+Vcc

+vcc

Como a sada est sempre ligada a um dos dois alimentadores, no necessrio utilizar nenhuma resistncia e no existe dissipao da potncia, exceto durante um breve momento durante a ligao.
Com dois MOSFET complementares realiza-se um inversor reduzido ao essencial, mas bastante eficaz.

~ Os inversores de MOSFET complementar ou CMOS (complementary MOS), so utilizados para realizar grande parte dos circuitos integrados digitais, das simples portas lgicas aos complicados microprocessadores. So compactos, rpidos, facilmente integrveis em quantidade, no necessitando de componentes passivos e tendo uma dissipao bastante limitada (praticamente nula, na ausncia de ligaes). Necessitam, no entanto, nos contatos de entrada e de sada de protees adequadas contra as cargas electrostticas, como por exemplo as que se mostram na figura.
Perno de entrada

+vcc
/ Resistncia que limita a corrente Para o circuito

Diodo distribudo ao longo do resistor

Protees resistores

tpicas anti-estticas so realizados com

da srie 74HC; diodos mesmo silcio.

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~L-_________________________________________ -------------------------------------- -----

DIGITAL

ROM
o contedo
Existem diferentes variantes de ROM ou memria s de leitura (ver a lio 20) que diferem em funo da tcnica utilizada para guardar os dados. Nas ROM propriamente ditas, utiliza-se um encobrimento adequado durante os processos fotoqumicos realizados na fbrica: trata-se, portanto, de circuitos realizados medida.

PROM

de alguns tipos de memria programado apenas uma vez e no pode ser modificado

custo fixo (de fabricao) elevado, mas o custo do componente independente bastante reduzido: esta tcnica utilizada, portanto, na produo em srie a grande escala. PROM DE FusVEIS
r

As ROM so produzidas na fbrica com o contedo previamente determinado pelo cliente, sendo depois impossvel modific-Io.

II

A necessidade de realizar prottipos e pequenas sries levou ao desenvolvimento das primeiras ROM programveis pelo prprio utilizador: as PROM so atualmente menos utilizadas, mas aparecem sob outras formas. Contm um grande nmero de fusveis microscpicos utilizando um para cada bit, que podem ser "queimados" com um programador especial; PROM (Programmable ROM) significa "ROM programvel".

Os fusveis inteiros e os queimados correspondem aos dois estados lgicos (H e L ou vice-versa) que se escrevem, portanto, na PROM de forma permanente sem nenhuma possibilidade de anulao.

Ligao do fusvel

+vcc

As PROM so programadas fazendo passar uma corrente elevada pelos micro-iusives que se deseja queimar .

Para programar ou "escrever" uma PROM (deste ou de outro tipo) parte-se do contedo desejado; uma seqncia de dados, cada um dos quais ocupar uma clula da memria. Utiliza-se normalmente um computador pessoal a partir do qual os dados so enviados para o programador de PROM, que um dispositivo onde se insere o integrado que se quer programar. Este produz as tenses e correntes adequadas para queimar os fusveis correspondentes aos bits desejados, verificando depois se a programao foi realizada corretamente.
Um programador de PROM: observe o soquete especial com alavanca que bloqueia os contatos do chip que se quer programar.

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DIGITAL

~PROM f afins ~
As PROM qUl' f possVl'l apagar podl'm ser reutilhada
As PROM de fusveis tm, para alm da sua baixa densidade e do custo relativamente elevado, o defeito de no serem reprogramveis: no possvel recuperar as ligaes que esto queimadas. Freqentemente, resulta til poder alterar os dados contidos nas clulas da memria, por exemplo para fazer numerosos testes experimentais diferentes, voltando a utilizar o mesmo chip. As PROM que podem ser apagadas, ou EPROM (Erasable ROM: ROM que se pode apagar), permitem faz-Io atravs de um sistema de escrita diferente: foram uma carga eltrica que esteja numa zona isolada e onde fique intercalada.
EPROM: uma tenso elevada que empurra os eltrons qual no tm bastante energia para fugir. para alm de uma barreira, da

APAGAMENTO DAS EPROM Para apagar uma EPROM, necessrio proporcionar aos eltrons que esto encerrados a energia suficiente para poderem se libertar: este fato possvel com a exposio aos raios ultravioletas de uma determinada freqncia. tem um postigo transparente para permitir que se apague o contedo; convm tap-Io para evitar apagamentos acidentais com a luz normal. O postigo incorre no custo: na produo utilizam EPROM que no tm postigos e, portanto, so programveis apenas uma vez (OTP: One Time Programming: programao de uma nica vez), verso moderna das PROM.

o encapsulamento

postigo de quartzo deixa passar os ultravioletas, poucos minutos apagam o contedo da EPROM.

que em

As EPROM tm tambm um nmero de apagamentos limitado; alm disso, a operao lenta e no permite uma rpida reutilizao da memria. Deste modo nascem as E2PROM, ou EPROM (Electrically Erasable PROM: PROM eletricamente possvel de apagar) eletricamente possveis de apagar, como o seu nome indica, em poucos segundos, clula por clula ou todas em conjunto, conforme os modelos.
Vrias cmaras fotogrficas digitais armazenam as fotografias na memria Flash, que conserva os dados como uma ROM mas que pode ser escrita novamente.

Existe um tipo de memrias reprogramveis, que so as Flash, utilizadas por exemplo nas cmaras fotogrficas digitais devido sua velocidade de escrita, que bastante elevada.

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As memrias reprogramveis podem ser realizadas se utilizarmos um MOSnT r como acontece com muitos outros integrados digitais
Nas EPROM e E2PROM, cada bit armazenado por um transistor MOSFET de um tipo especial, dotado de uma porta adicional totalmente isolada (ver figura). No interior destas portas intercala-se a carga eltrica, aplicando tenso suficiente para a fazer superar o isolador sem o danificar (aproveitam-se fenmenos fsicos bastante complexos). Como acontece com todos os MOSFET, a presena da carga na porta controla a corrente que passa pelo canal que, portanto, ser distinta conforme a presena ou ausncia da carga intercalada.
Segunda porta isolada

Dfntrodf uma ~PRON

Vrias ROM programveis utilizam um MOSFETde porta dupl, um deles isolado do resto do circuito.

~ Em qualquer tipo de memria necessrio selecionar a clula desejada aplicando entrada o endereo correspondente da prpria clula. No interior do chip, este endereo dividido normalmente em duas partes para que se possa realizar uma matriz eficiente, como mostra a figura. Deste modo possvel utilizar decodificadores mais pequenos (no exemplo, dois de 3 bits no lugar de um de 6) e minimizar o nmero de ligaes internas, para alm do comprimento relativo, to importante para a velocidade.
Descodificao da matriz: metade dos bits do endereo escolhem a linha, a outra metade a coluna: no cruzamento est o compartimento pedido.

~~ ,.,
,.,
11

I
O O 1 2 3 4

Descodificao das colunas 1 2 3 4

I
7

31
o o'O

eu s: eu

<J)

:
<J) 'O

~ a.>
c
UJ

o leu oeu <.>


<;:::

15
o o
<J)

5
6 7

a.>

-, :.;

Clula selecionada

'--

As memrias so dispositivos digitais, mas no seu interior realmente so analgicas: por exemplo, os sinais lidos pelas clulas so muito fracos e so amplificados. As linhas de ligao entre as clulas apresentam uma indutncia microscpica e uma pequena capacidade em direo massa e tambm para outras linhas, para alm da prpria dos MOSFET. PO

Deste modo, os sinais so alterados ao longo do percurso, como se tivessem atravessado filtros: o trabalho dos projetistas de memrias, especialmente se so de grandes dimenses, no nada fcil.

Sinal limpo

Sinal do final da linha Dado lgico

JL
Pl P255

o sinal enfraquece, torna-se lento e muda


de forma enquanto viaja pelas linhas internas; necessrio reconstru-Io adequadamente.
Clulas de 1 bit

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DIGITAL

Usos df ROM f PROM


As ROlei, sejam ou no programveis, so utilizadas quando os dados devem permanecer tambm sem alimenta~o
Uma memria permanente pode carregar, sob a forma de cdigo numrico, as instrues que um microprocessador (CPU) deve executar. So escritas em clulas posteriores da memria, como outras tantas filas numa folha de papel: cada instruo faz com que o CPU execute uma determinada operao. Por exemplo, quando se liga um computador pessoal, este executa as instrues escritas numa ROM especial, chamada BIOS (Basic 1/0 System: sistema bsico de entrada/sada): deste modo pode-se reconhecer o teclado, os discos, etc.
As instrues escritas no ROM especificam microprocessador (CPU) deve executar.

em pormenor as operaes que o

Nas ROM ou (EPROM, etc.) podem tambm ser escritos dados e informao variada, que devem ser conservados mesmo quando o dispositivo est desligado. A figura mostra, por exemplo, como uma ROM pode memorizar o nmero de dias de cada ms do ano (excludos os bissextos), que se utiliza num relgio ou num calendrio. Se associarmos um nmero para cada letra, como acontece com o cdigo ASCII (A = 65, B = 66, etc.), possvel tambm pr na ROM textos, por exemplo Salvat-Jackson Libri.

(Dezembro)

11

Endereo

r ~
6
5

(Janeiro)

1
O

Dados de uma ROM: utilizando nmero do ms (menos 1) como endereo, o compartimento selecionado contm o seu nmero de dias.

CIRCUITOS COMBINATRIOS ARBITRRIOS Uma ROM aceita qualquer combinao endereo, e restitui um dado formado escritos na fase da programao. de bits de pelos bits Na prtica, esta soluo um pouco cara: veremos como as lgicas programveis (por exemplo PAL e afins) permitem obter resultados similares com um mtodo mais econmico.

Deste modo, pode substituir qualquer circuito lgico combinatrio: podem ser programadas as sadas desejadas para qualquer combinao das entradas, escrevendo na ROM a tabela ~~~e.

A2

c B
A----'

B A

Ai AO
D y

Cada circuito combinatrio ROM que tenha suficientes

pode ser realizado com uma entradas e sadas.

ROM de 8 compartimentos de i bit cada um

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COMPONENTES

Dados dos NOSF~T


Vejamos (omo podem ser lidos os dados prindpais de um transistor
BUZ10 um MOSFET de canal N de potncia mdia para ser utilizado de uma forma geral: por exemplo como interruptor para as luzes ou motores, ou numa etapa final de um amplificador de udio. A figura mostra o aspecto fsico do transistor e do seu smbolo, com a identificao dos dois terminais; deve-se observar que o substrato (body: corpo) est ligado internamente origem. Este MOSFET comporta-se como se inclusse um diodo Zener (ver a lio 14 de analgica) que permite a passagem de correntes fortes sem causar danos nos casos de excessos breves de tenso.
Aspecto e smbolo do BUZ10: a prtica cpsula TO-220 est bastante difundida para os transistores de potncia mdia.

MosnT de potinda
D (2)

G(1)n--HI~

S (3)

LIMITES MXIMOS A figura mostra os valores que no devem ser superados para evitar danificaes; alguns deles, como a tenso entre a drenagem e a fonte (Vos) a corrente (Ip) ou a potncia (Ptot) so similares aos dos BJT. Uma caracterstica dos MOSFET , portanto, a tenso entre a porta e a fonte (V GS) que pode ser tanto positiva como negativa, no existindo nenhuma unio com a excepo dos JFET. Embora o dispositivo seja para 20 A mximos (lp), pode suportar durante alguns momentos at 80 A (10M) de maneira que a durao no seja de tal forma que aquea a unio para alm do seu limite (Tj).
Smbolo VOS VDR VGS
10 10M

Parmetro Voltagem de drenagem-fonte (Vpo = O) (Rpo = 20 KQ

Valor 50 50 +20 20 80 80 -65 to 175 mxima 175

Unidade

V V V A A

Voltagem de drenagem-porta Voltagem de porta-fonte

Corrente de drenagem (contnua) a Te=25 C Corrente Dissipao Temperatura Temperatura de drenagem total (pulsada)

Valores mximos absolutos que podem ser tolerados pelo BUZ10, dados essenciais que devem ser observados com ateno em qualquer projeto.

Ptot
Tstg Tj

a Te = 25C

W
C C

de armazenagem de unio operacional

UTILIZAO COMO INTERRUPTOR Dos dados informados na tabela v-se, por exemplo, que existe uma determinada corrente de perda com o interruptor aberto 1000 que depende bastante da temperatura.
Smbolo
IDss

muito importante a tenso do limiar VPO(um) alcanada. O MOSFET, quando se trata de um aumento, comea a conduzir.
Mx.
1 10 100

Parmetro
Corrente de drenagem da voltagem da porta zero (VOO= O) Corrente de perda do corpo da porta (VOO= O)

Condies do teste
VDO = Valor Mx. VDO = Valor Mx. Tj = 125C VDO = 20 V

Min. Tip.

Ud
/lA /lA nA

Na conduo plena, a resistncia do canal ROS(on) de apenas 0,07 Q, necessitando-se, no entanto, de 10 V na porta para alcanar esta situao.

IGss

VGS(th) Voltagem do limiar da porta VDO = Vpo ligada da RDs(on) Resistncia drenagem-origem esttica Vpo = 10V

ID = 1 mA ID = 13 A

2.1

3 0.06

4
0.07

V Q

Dados importantes na utilizao do MOSFETpara o controle de cargas onjoff, ou seja, ligadasj desligadas.

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COMPONENTES

Dados dinmicos
Quando o (anal do MOSHT no est totalmente na (ondu~o ou totalmente interrompido, existem outros dados a serem (onsiderados
Cada uma das curvas da figura indica a corrente do canal conforme a variao entre a drenagem e a fonte, para uma certa tenso da porta: acima de um determinado valor de Vos' a corrente quase constante. Tambm pode ser lida de outra forma: devido a uma Voa, por exemplo 20 V, pode-se ver como muda a corrente variando a tenso da porta, ou seja, passando de uma curva para a outra. Naturalmente, 20 V e 20 A no podem estar presentes juntos mas sim durante breves instantes: seriam 20 x 20 = 400 W, contra os 80 mximos dissipveis.
Caractersticas de do BUZ10; importante recordar que as curvas indicam apenas valores tpicos, que no esto garantidos. ~VGS=10V -9V 8V

7V

,-....

6V

I1

'/

5V I4V

TEMPOS DE COMUTAO Um interruptor aberto no dissipa potncia porque no existe corrente, e um que est fechado no a dissipa porque no existe tenso: somente nas etapas intermdiarias esto ambas presentes. Um MOSFET de potncia deve, portanto, comutar rapidamente: na figura ficam indicados os tempos do BUZ10 quando esto nas melhores condies. Tempos de comutao: o tempo de subida o do
encerramento Smliolo Td(on) T, Td(off)

Deve-se observar, em particular, o tempo de atraso na abertura td(off): as capacidades internas devem ser descarregadas antes do canal poder deixar de conduzir.
Parmetro Condies do teste Min. Tip. 45 65 115 80

Mx. Unids
65 95 160 120 nseg nseg nseg nseg

Tempo de estar ligado VDD = 30 V ID = 3 A Tempo de subida RGS = 50


Q

VGS= 10 V

Tempo de atraso no desligado Tempo de descida

e o de descida o da abertura.

r,

CAPACIDADE E CARGA A capacidade parasita mais incmoda a existente entre a descarga e a porta: na realidade faz retroceder o sinal da sada, que se ope s variaes da entrada (efeito Miller, ver lio 15 de Analgica). Os dados indicam que existem algumas capacidades, mas normalmente o mais interessante a carga eltrica (em coulombs, que depois um nmero de eltrons) requerida pela porta, que tambm est indicada na figura. Esta carga eltrica obtm-se multiplicando tempo e corrente: por exemplo, para deslocar 10 nC (nanocoulombs) ao longo da curva podem ser enviados 10 nA durante um segundo, ou 10 mA durante um microsegundo.

/
10 VDs=40V I

1/
/
/

8
6

I
Ip=20A

1/
I
O 5 10 15 20

o/

Carga eltrica que proporcionada porta para fazer aumentar a sua tenso; a parte plana devida ao efeito Miller.

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Dados da (PROM
Vejamos a folha de dados de uma lPROM tpica, que poder ser apagada com os ultravioletas e programvel eletricamente
A 27C2001 uma EPROM de 2 megabits, organizada como 256K x 8, ou seja, 256K compartimentos de 8 bits (um byte) cada uma. Normalmente diz-se que de 256 Kbytes.

Vcc

Vpp

-1

18 AO-A17~

8 ;t::>QO-Q7

o esquema

resumido da figura faz sobressair o barramento de endereos (AO-A 17), o barramento de dados (00-07), as alimentaes e as linhas de controle.

M27C2001

P E G
Estrutura da EPROM: Ehabilita o chip, G habilita as sadas e fi serve para programar o contedo.

Os dados indicam-se como bidirecionais, j que durante a programao entram na EPROM, embora no trabalho normal seja uma ROM e os dados apenas saiam.

importante numa EPROM o tempo necessrio para ler o contedo de um compartimento (aqui um byte); a figura mostra que a 27C2001 est disponvel em verses com diferente velocidade.
O tempo de acesso contado a partir da variao dos endereos (tACC), do chip select G (tCE) ou da sada enable E (tOE)'
Smbolo Alt Parmetro

desligado das sadas (tDF): se vrias EPROM estiverem ligadas ao mesmo barramento, as sadas devem ser desligadas antes de se ativarem as outras sadas.
M27C2001 Condio do teste -55 Mln. Mx. -70 Min. Mx. -80 Min. Mx. -90 Min. Mx. Unids

tAVQV tELQV tGLQV tEHQZ

tACC Endereo vlido para E a sada vlida tcE Chip enable baixo vlida sada vlida

= VIL
G E G E

= VIL

55 55 30 30 30

70 70 35 30 30

80 80 40 30 30

90 90 40 30 30

nseg nseg nseg nseg nseg

= VIL = VIL = VIL = VIL

importante tambm o tempo

de

tOE Enable de sada baixe vlida oom sada vlidc tOF Chip enable alto oom sada Z etta

A 27C2001-55 permite aceder aos dados em 55 nano-segundos, a verso mais econmica 90 a mais lenta: 90 nseg.

tcHQZ

tAOF Enable de sada stto com Z

A figura mostra um ciclo de leitura tpico: nos endereosAO-A17 pe-se o nmero do compartimento desejado e tanto o E como o G devem estar baixos (L). Depois de concretizadas estas condies e os tempos de acesso para as trs, os dados aparecem nas s~das go-07. Deve-se observar com ateno pois se o E e o G j estavam ativos anteriormente, os dados estavam presentes no barramento, mas no eram vlidos. Se mudarmos de endereo, um pouco mais tarde os dados j no so vlidos: tirando o E ou o G, as sadas vo para uma alta impedncia (Z), ou seja, ficam abertas.

r
AO-A17_JI'--

JI'--

QO-Q7

--{

SADA DE DADOS

Perodo de leitura: os tempos de acesso so aqui indicados com as siglas mostradas na tabela de cima (coluna da esquerda).

87

COMPONENTES

ProCJrama~o da (PROM
Os procedimentos de programa~o do contedo diferem de uma marca para a outra
Depois de apagada a EPROM com os raios ultravioletas, para que seja possvel escrever dados novos o dispositivo programador deve aplicar uma seqncia exata de sinais, para tempos definidos pelo construtor (ver figura). Normalmente necessria uma tenso relativamente elevada, por exemplo de 12 V, embora alguns chips sejam capazes de produzir internamente partindo dos 5 V (ou menos) de alimentao. Depois da programao efetua-se sempre uma verificao para se ter a certeza de que cada bit se encontra armazenado de forma correta: deste fato encarrega-se, naturalmente, o programador.
Seqncia da programao e verificao de um compartimento (byte) de 27C2001, deve-se a tenso de Vpp.
Vlido

QO-Q7

Sada de dados

Vpp

tGLQV
Vcc

tGHQZ

~---'+-tGHAX

:.--

Programao

!..

Verificao~:

FORMAS DE FUNCIONAMENTO A figura mostra as possveis formas em que se pode encontrar o 27C2001, em funo do estado das linhas de controle: no caso de que, tanto o E como o G, estejam baixos (VIL' ou seja, L), est em leitura. interessante o estado da leitura da assinatura eletrnica que permite ao programador reconhecer o dispositivo que foi inserido na sua base. Este fato requer a aplicao de 12 V sobre A9 e permite ler os bites (em funo do valor AO) que identificam, respectivamente, o construtor e o modelo.
Modo Leitura Inabilitao Programao Verificao Inibio do programa Baixo consumo Assinatura eletrnica da sada E G

P
X X

A9 X X X X X X VID

Vpp Vcc o VSS Vcc o Vss Vpp Vpp Vpp Vcc o Vss Vcc

QO-Q7
Sada de dados

VIL VIL VIL VIH

Z Alta
Entrada de dados Sada de dados

VIL VIH VIL Pulso VIL VIL VIH VIH X X VIH X X VIH

Z Alta Z Alta Cdigos

VIL VIL

Formas de funcionamento do 27C2001: por exemplo, se o E est alto, o chip entra em modo de baixo consumo.

Como todos os circuitos integrados, as EPROM esto disponveis em diferentes encapsulamentos, alguns dos quais muito mais pequenos do que o clssico dual-in-line (duas filas de contatos). As verses sem janela (OTP) so mais econmicas mas apenas podem ser programadas uma vez: so normalmente utilizadas em produo. Existem tambm minsculas EPROM em encapsulamentos de apenas 8 contatos: endereos e dados entram e saem em srie, ou seja, um bit depois de outro num mesmo fio.

Na montagem superficial (SMD) utilizam-se encapsulamentos muito mais pequenos com uma grande poupana de espao.

88

APLICAES

o (entro
o automvel

de controle da inje~o

est (heio de pequenos (omputadores; um dos principais io que (ontrola o motor

No motor de um automvel moderno, a gasolina entra pelos condutos de aspirao atravs de pequenas vlvulas controladas por um eletrom denominado injetor.

o centro de controle da injeo tem por objetivo determinar o momento exato e a durao da injeo, ou seja, da abertura dos injetores (abertura no sentido hidrulico: passa gasolina).
Normalmente, o mesmo centro de controle tambm produz o impulso de ignio que, atravs da bobina, chega s velas (ver a lio 10).

Quando recebe corrente, um injetor deixa passar a gasolina presso, vaporizando-a no conduto de aspirao.

MICROPROCESSADOR E PROGRAMA

o centro

de controle da injeo um microcomputador tpico, no qual um microprocessador (CPU) executa as instrues de um programa: descrevem o que se pode fazer em cada situao possvel.

As instrues do programa so escritas numa memria ROM: algumas vezes numa EPROM, e freqentemente numa EEPROM ou flash,que se pode programar novamente para permitir atualizaes sem substituir nenhum fragmento.

Este fato permite evitar o projeto de um circuito lgico (hardware) complexo e custoso, substituindo este por um programa (software); o tema tratado no curso de Digital.
Entradas e sadas (S/E) Para o automvel

que diz como se devem comportar, est armazenado de fbrica numa memria especial.

o programa

do centro de controle,

No centro de controle recebe-se informao dos sensores atravs de entradas digitais (on/oft) ou analgicas: estas ltimas convertem-se em digitais com um ADC (ver a lio 21 de Digital). As sadas que vo para os eletroms dos injetores so realmente interruptores de mdia potncia: pode ser utilizado, por exemplo, um MOS-

Referncia volante do motor Posio da vlvula de borboleta Temperatura do ar

~ ~ ,-----,

4 Injetores Luz do painel de comandos Bobina de ignio do motor

Centro de ~--r><"l controle ~ ~

f"6(;'
~

~L-~_-'
Entradas Sadas

FET.
As entradas analgicas (continuamente variveis) convertem-se em digitais com um ADC.

LIO

2
85

APLICAES

Tabelas, aprendizagem e seguran~a


Muito do trabalho do cfntro df controlf consistf fm simplfs consultas
Para simplificar, supomos que o centro de controle tem apenas que determinar a durao da abertura dos injetores de acordo com a posio do acelerador (vlvula de borboleta). Para este fato suficiente uma tabela em ROM, ou seja, uma srie de dados em compartimentos sucessivos, como os que se apresentam na figura; cada dado representa o tempo durante o qual os injetores devem ficar abertos, de forma que a gasolina entre. A posio do acelerador o ndice da tabela: indica o dado que se deve escolher. Um centro verdadeiro de controle contm vrias tabelas, afinadas de uma forma pormenorizada por projetistas e encarregados dos testes. APRENDIZAGEM E MEMRIA Algumas situaes so de difcil codificao: por exemplo a manuteno do mnimo depende tambm das condies do ambiente, da idade do motor, dos acessrios ligados (por exemplo, ar condicionado), etc. Neste caso, as tabelas no so suficientes: o circuito deve aprender como na prtica se devem realizar, por exemplo, mantendo alto o mnimo e depois baixando o mesmo de uma forma gradual at ver onde pra. pode ser armazenado, como referncia, na memria RAM (com o perigo de se poder perder caso se retire a pilha) ou no EEPROM ou similares.
Um pequeno passo de cada vez, e chegaremos antes ou depois conduo totalmente automtica.

'-----------',
Posio do acelerador (endereo)

A fundo Muito carregado Pouco carregado Solto

;I.~!I
1

ROM

3 Q

Tempo de abertura (dado)

Exemplo simplificado da tabela: a posio do acelerador escolhe o tempo de abertura dos injetores.

o resultado

DEFEITOS E VALOR PREVIAMENTE DETERMINADO Os danos mais normais na eletrnica automobilstica so devidos a problemas nos sensores ou dos fios de ligao ao centro de controle.
~I--r-: Fio interlmPido Valor previamente o ...-_d_et_er_m,inr

1l!\'I!J(!,~'>--":="::"'--1I:

Por exemplo, o medidor de temperatura do ar pode se estragar e indicar um valor ligeiramente incorreto: nem por isso o motor deve parar. O centro de controle adota um valor previamente determinado, ou seja, um valor fixo que se utiliza na ausncia do verdadeiro: o motor funcionar mais devagar mas permitir sempre continuar em funcionamento.

Senso r de temperatura

: , ,- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -,

Se a ligao com o sensor for interrompida, o centro de controle adota um valor razovel para permitir chegar
oficina.

86

FERRAMENTAS

Limitfs do osciloscpio
Toda a ferramenta tem as suas limita~es; portanto, iimportan (onh Cfpara que possam ser bem utlljil'lZIClH--;;-As ferramentas so sempre teis, mas devem ser consideradas pelo que so: ajudas. Em nenhum caso devem substituir o bom senso. Quem acredita cegamente no que as ferramentas indicam pode terminar tendo uma idia totalmente diferente do que a realidade, se no levar em conta os limites destes dispositivos.
o

,.

osciloscpio uma das ferramentas mais teis e importantes, mas tambm aquela que deve ser analisada com mais ateno.

o
o

Se um osciloscpio chegar at 20 MHz de largura da banda, este fato significa que os sinais a partir desta freqncia viro mais ou menos atenuados.

SLJ
~ ~
~--

--. --. --.

Uma das conseqncias deste fato mostrada na figura: uma onda quadrada de 20 MHz perde os harmnicos (ver lio de Analgica) e, no mximo, poderia permanecer apenas o fundamental, ou seja, uma senoide. Pelo mesmo motivo, uma frente da onda arredondada, ao passo que um impulso breve pode ser alargado e enfraquecer, ou mesmo desaparecer totalmente.
A perda dos harmnicos superiores redondeia os sinais: especialmente no campo digital, este fato pode dar lugar a erros de avaliao .

j\J
~

.r>:
_""

"

--

-,_., ....~

.,.,

"'"

SINAL E INTERFERNCIA
Freqentemente, a sonda do osciloscpio capta (por via capacitada ou indutiva) interferncias produzidas por circuitos muito prximos, especialmente se a pina da massa for ligada longe do ponto na qual medida. Algumas vezes suficiente ligar a ponta da sonda sua prpria massa para ver as interferncias na tela: temos que contar com elas para que no se confundam com o sinal que vai ser medido. Reciprocamente, a capacidade da sonda ou (menos comum) a sua resistncia, podem interferir no circuito, falsificando a medida ou mesmo alterando o seu funcionamento.

Interferncia com alta freqncia sobreposta ao sinal digital

Sinal digital com interferncia analgica, por exemplo por uma ligao errada da massa ou.um forte campo electromagntico.

87

FERRAMENTAS

Artffatos
(m determinadas condi~es podem aparecer na tela acontecimentos que no existem no circuito
Quando a base de tempos rpida, os diferentes traos so desenhados alternativamente: em cada passagem desenhado apenas um: este o modo alterno. No entanto, para baixas velocidades, utiliza-se o modo ligado: o ponto luminoso salta continuamente de um trao para o outro, produzindo a iluso de que esto sendo todas desenhadas ao mesmo tempo. Se o modo ligado ficar inserido tambm para velocidades mdias ou altas, podem aparecer linhas verticais, interrupes horizontais ou ondas quadradas que no tm nada que ver com o circuito que se est medindo.

T"01E] T"02~
Alternado

Ligado (exagerado para

~ ~

dos osciloscpios de vrios traos so: um trao de cada vez, ou um pedao para cada um.

Os dois modos de funcionamento

OSCILAO AMORTECIDA No so somente os sinais digitais que empregam um certo tempo para mudar de estado (ver lio 8 de Digital), mas tambm porque tendem a ter uma breve oscilao amortecida logo a seguir a cada transio. Esta oscilao devida s inevitveis pequenas indutncias e capacidades constitudas pelas ligaes do circuito, e em alguns casos pode mesmo criar problemas, especialmente com os circuitos muito rpidos. Infelizmente, tambm os fios do osciloscpio, especialmente a ligao da massa, causam oscilaes amortecidas: como conseqncia desse fato, resulta algumas vezes complicado distinguir entre o verdadeiro (do circuito) e o da sonda.

Oscilaes amortecidas depois de uma transio num sinal digital ... talvez criado nas ligaes com o osciloscpio que o mede.

OCORRNCIAS INViSVEIS Pelo contrrio, podem nem sequer aparecer na tela ocorrncias que se vrificam no circuito, mesmo aquelas que tm uma determinada importncia, especialmente se difcil utiliz-Ias para fazer saltar o sincronismo. Um exemplo aparece na figura: se a ocorrncia se produzir de dois em dois perodos e na tela se vir uma delas, existe 50% de probabilidades de que seja vista. Neste caso basta atrasar a base de tempos de modo que seja possvel ver dois ou vrios perodos: provavelmente poder ser vista a ocorrncia sobreposta ao trao normal, mas menos luminoso.
Trigger Trigger

<:

O perodo com a interferncia permanece fora "-~-', da tela


I I \ \

/'

-. -

~;

.-/,'

Os perodos pares no so mostrados, pelo que a interferncia no aparece na tela: necessrio atrasar a base de tempos.

88

PROJETOS

Tfrmostato df 12 V
Um dispositivo para regular automaticamente a temperatura
As preocupaes por efeito do ar forte das serras, da altitude, da neve ou de outras mudanas climticas, so devidas ao fato de bastarem poucos graus a mais ou a menos para mudar radicalmente a vida na terra. Sem falar de catstrofes, tambm na vida quotidiana encontramos numerosas situaes nas quais necessrio manter constante, nos limites do possvel, a temperatura de um objeto ou de um ambiente. ~

~;;iiiiiiijii~,~~~

Citemos por exemplo o sistema de aquecimento da casa, o frigorfico, o ar condicionado, o aqurio, o aquecedor de banho, o forno eltrico, o freezer, o ferro de passar, etc.

~ A palavra termostato indica um ambiente no qual a temperatura (termo) se mantm constante e, portanto, no regime esttico (stato), mas o termo utilizado com freqncia para referir-se ao dispositivo de controle.

o sistema

requer um senso r que detecte a temperatura (vulgarmente chamado, como j dissemos, o termostato) e um controlador que a faa subir ou descer se estiver fora dos limites indicados.

Sensor

Resistncia que

'-+--+-""-------'-t----t--'

(reCebea~~~~~te se a temperatura for demasiado baixa)

nosso circuito desenvolve justamente a funo de sensor, medindo a temperatura e controlando um rel, que dever ser ligado ao dispositivo que desenvolva calor ou frio.

Num aqurio, quando a temperatura demasiado baixa, o termostato envia corrente para uma resistncia, que aquece a gua.

APLICAES
Diz-se que um dispositivo auto-regulado, como o que acabamos de descrever, funciona com argola fechada: controla a temperatura que, por sua vez, medida entrada. termostato eletrnico pode ser utilizado, por exemplo, para controlar um pequeno ventilador situado em frente do dissipador de um transistor de potncia: se aquecer demasiadamente, esfriado. No entanto, nada impede utilizar o circuito da argola aberta, ou seja, como um simples indicador de temperatura, por exemplo para fazer soar um alarme caso se detecte algum problema no freezer da casa.

A temperatura do frigorfico est regulada por um termostato que no especialmente sofisticado.

LI(O

~_
85

~22

PROJETOS

Montagfm do drculte
Todos os componentes, com a excepo da sonda trmica, o potencimetro para a configurao e a fonte de energia de 9 a 12 Vcc. encontram o seu lugar na pequena placa que se pode ver na figura. Como habitual, conveniente montar os componentes por alturas, tendo muito cuidado com a correta orientao dos que j so polarizados: electrolticos, diodos (includo o LED) e o transistor. o integrado IC1 (para o qual se pode utilizar um soquete) pode estragar-se irremediavelmente se a montagem estiver ao contrrio.

C
NC

rel no apresenta problemas, podendo ser montado apenas de uma maneira, ao passo que
Disposio dos componentes na placa do circuito impresso do termos tato eletrnico.
+

NA

9/14 V

---------

-~---

LIGAES EXTERNAS
Dois fios vo para a alimentao (braadeiras + e -, ateno polaridade), dois para o potencimetro (P1 e P2) e outros dois para o senso r trmico (rgua S1 e S2). Na ligao do potencimetro, o pior que pode acontecer um funcionamento com escala inversa (vira-se o comando para subir a temperatura ou ento baixa-se, ou vice-versa). Os contatos do rel, responsvel pelas reduzidas distncias do isolador, no se utilizam para a tenso da rede (220 VCA); se necessrio, pode-se acrescentar um rel ou tele-ruptor externo, que esteja bem isolado.

Circuito impresso do termos tato, visto pelo lado das soldaduras.

A temperatura detectada por um resistor sensvel temperatura, ou termistor, cujo valor muda, com valores tpicos, como se indica na tabela. Como a resistncia aumenta quando sobe a temperatura, ela do tipo PTC (Positive Temperature Coefficient: coeficiente de temperatura positivo). Por se tratar de um resisto r, este no tem nenhuma polaridade; pode ser montado tambm longe do circuito, tendo o cuidado de no entrar em contato eltrico com outros dispositivos.

"

111:
-55 -50 -40 -30 -20 10

1fJ
490 515 567 624 684 747 815 886 981 1000 1040 1122 1209 1299 1392 1490 1591 1696 1805 1915 2023 2124 2211

Para evitar a captao de interferncias, se o fio superar os dez centmetros, prefervel utilizar fio blindado, ligando a malha da massa associada ao terminal S2.

10 20 25 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150

Valores tpicos da resistncia do termistor PTC utilizado no projeto, para diferentes temperaturas.

86

Para verificar o funcionamento do termostato suficiente aplicar a alimentao e rodar lentamente o comando de controle de um extremo para o outro do percurso. Num determinado ponto, dependente da temperatura do sensor, o rel deve saltar (tem-se visto tambm no LED); virando o potencimetro levemente no sentido oposto, este deve voltar para a posio anterior. Com a ajuda do termmetro, pode-se indicar a temperatura de interveno de uma escala graduada volta do potencimetro, repetindo o teste com diferentes temperaturas do ambiente.
Uma possvel aplicao: o controle automtico de um pequeno ventilador de refrigerao.

Ventilador de 12 V

Transistor de potncia

Sonda fixa ao dissipador

pode ser montado numa pequena caixa ou encapsulamento de plstico, no sendo necessria nenhuma proteo especial ( parte, como j indicamos, sobre o fio do sensor). sensor pode estar simplesmente exposto ao ar, se quisermos medir a temperatura ambiente, ou fix-Io ao dispositivo que se deseja controlar, por exemplo com uma cauda termo-condutora. Se o circuito tiver de funcionar simplesmente como alarme porque est calor ou frio em demasia, pode-

o dispositivo

se montar internamente a campainha, fazendo uns orifcios para que possa passar o som.

Exemplo de uma caixa de plstico adequada para o . termos tato; devero ser feitos na mesma dois furos para o potencimetro e para o LED.

HISTERESE Se o circuito fosse ativado num ponto exato, bastaria uma mnima oscilao da temperatura, ou apenas uma pequena interferncia, para que saltasse continuamente nos dois sentidos. Este fato no pode acontecer, porque se lhe acrescentou uma pequena histerese: uma vez que o rel saltou porque a temperatura superou o ponto marcado, este ltimo desloca-se um pouco mais para baixo. Deste modo, a temperatura dever diminuir um pouco mais para voltar para a posio de repouso (ver figura); obtm-se assim uma boa estabilidade, reduzindo levemente a preciso.
A histerese, necessria para a estabilidade, faz com que a temperatura da ativao seja distinta nos dois sentidos: existe uma zona vazia no centro.
Temperatura de ativao aosubir~

Sada

Temperatura de ativao ao baixar

..
,... ~I Temperatura Histerese

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PROJETOS

Fun(ionam,nto do circulte
termistor (sonda) forma um divisor R1, produzindo nos extremos de C3 uma tenso mais alta quanto mais elevada a temperatura na qual se encontra. Um segundo divisor, formado pelos R2 e R3, este ltimo em srie com o potencimetro RV1, produz uma tenso de referncia reguladora variando a posio do prprio potencimetro.

com o resistor

gunda, a sada est alta: o Q1 conduz e o rel salta.

+12 V 0-...---_-----, +6 V

LOl
01

RLl

-, ,

C4 Ri
R2

R4

1 R6

Ql
R7

R5 R3

R9

NC +12 V

rn
NA

o IC1 funciona

como comparador, ou seja, compara as duas tenses: se a primeira que controlada pela temperatura inferior seEsquema eltrico do termostato eletrnico.

+9/14 vcco-- ....... ---- ....... (12 V)

..

+ RVl
7

+6 V

HISTERESE E ESTABILIDADE A histerese obtida com uma fraca realimentao positiva: o R9 faz com que retroceda uma parte da tenso da sada, deslocando ligeiramente o limiar de comparao quando se produz uma ligao. Para assegurar uma alimentao estvel com os divisares da entrada, o IC1 B funciona como alimentador estabilizado: faz de buffer para a tenso estabilizada produzida pelo diodo Zener DZ1 . Os capacitores C3 e C4 tm a funo de anti-interferncias: formam filtros passa-baixa que evitam ligaes acidentais; no interferem com as variaes de temperatura, que so lentas.

LISTA DE COMPONENTES Resistores (todos de 1/4 W 5%)


R1, R6, R7, RlO = resistores de 4,7 KQ (amarelo, violeta, vermelho) R2 = resistncia de S,6 KQ (verde, azul, vermelho) R3, R4, RS = resistores de 1 KQ (marrom, preto, vermelho) R8 = resistncia de 2,7 KQ (vermelho, violeta, vermelho) R9 = resistncia de 1 MQ (marrom, preto, verde) RV1 = potencimetro linear de 1 KQ (4 = capacitor cermico de 220 pF

Semicondutores
D1 = diodo de silcio 1N4002 DZ1 = diodo Zener 6,2 V . 1/2 W Q1 = transistor NPN 8(237 ou equivalente le1 = LM3S8 LD1 = diodo LED vermelho de 3 mm

Vrios
SONDA = termistor PT( modelo KTY81-110 RL1 = rel de 12 V, um contato de intercmbio de 2 A 3 terminais de parafusos de dois postos 1 circuito impresso

Condensadores
(1 = capacitor electroltico de 470 IlF 16 V (2, (3 = capacitores de polister de 100 nF

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