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~ 10-6 109 .
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(Ge, Si, Se,
Te)
,
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1) : Ge, Si, Se, C () . .
Ge IV
, 32.
0,66 (0C), , , ,
, , KOH, NaOH.
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[4]:
50-0,05 ,
150-0,75
: 50 , ,
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: 150 , ,
, , 0,75 .
Si IV
, 14, - .
,
26
1,1 (0C).
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-0,003
, , 0,003
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2) V( ,
..) ,
. : GaAs, InP, InAs, InSb,
GaP, GaxAl1-xAs .
GaAs
1,45 (0C), . GaAs
. : 8,5-17
, ,
() 8,5 1017 -3. 3-19
, ,
3 1019 -3. 2-16
, ,
2 1016 -3 .
GaP
2,26 (0C). GaP ,
. : -/30
, ,
, 30 .
InAs
0,356 (0C), . : -1
, ,
1 1017 -3 .
InSb ,
0,18 (0C). : -5 -
27
1 1015 1 1018 -3 .
GaSb
, 0,79 (0C). : -1
- ,
5 1017 5 1018 -3.
3) V ,
-
, .
. 0,15 HgTe 3,68 ZnS.
: CdTe, CdS, ZnTe, ZnO, ZnS,
CdxHg1-xTe, CdxHg1-xSe ..
,
.
p n-.
, .
-
,
. ,
,
.
4) VV NaCl
- . : PbS, PbTe, SnTe, PbxSn1-xTe,
PbxSn1-xSe.
5) V ,
: GaTe3, Ga2Se3, In2Te3.
6) VV: CdSnAs2, CdGeAs2, ZnSnAs2.
7) : SiC ( ), SiC ( ).
8) : ) : As2Se3 As2Te3; ) : V2O5 P2O5 ROx (R
), .
9) : Si(H) ;
Si1-xCx(H) .
10) : ) ; ) ,
K, Na .
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28
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2. ,
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3.
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.
(Ge, Si
) H2, .
(InAs, GaAs, InP, GaP, CdTe,
PbTe ..) .
.
29
. .
(CdS, ZnS, SiC, AlN
..)
.
,
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( ) :
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. pn
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, n+n p+ p ,
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GaSb/AlxGa1-xSb. 0,1 0,2 .
8,9 /2. , .
, .
30
. GaAs/GaAs1-xSbx,
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CdTe/HgTe. -.
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( )
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XY Z.
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Z. ZX
Y,
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1. . .
15 , 1,5 .
1,7 2,9 .
2. - .
3.
GaAs/InGaAs.
1,5 , 10 (
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31
.
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50%
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32