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EXPERIMENTO N 1 CARACTERISTICAS DE LOS SEMICONDUCTORES RESISTIVOS OBJETIVO: Observar las caractersticas de una resistencia conductora y compararla con la resistencia semiconductora, estableciendo sus caractersticas.
NOTA : El profesor debe realizar una breve introduccin del experimento y sus objetivos. As mismo debe permanecer durante toda la sesin del experimento, para responder y formular las preguntas necesarias.

MATERIAL Y EQUIPO: - Fuente de Alimentacin - Multimetro digital - 1 Fotoresistencia LDR - 1 Termistor (1K) - 1 Foco de filamento - 3 Resistencias : 100(1W), 1K(W), 100K(W) - 1 Tablero de Conexin - 1 Alicate PROCEDIMIENTO: 1. Arme el circuito de la Fig. 1-1.

Fig. 1-1 2. Aplique al circuito una tensin de 3 a 15V segn la Tabla 1. La corriente se medir en forma indirecta as como la resistencia: I = Vr/R y Rf = Vf/I

TABLA 1
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V(volt) Vr(volt) Vf(volt) I (mA) Rf ()

3.0 2.58 0.41 25.8 15.89

6.0 4.11 1.87 41.1 45.49

9.0 5.39 3.58 53.9 66.41

12.0 6.62 5.38 66.2 81.26

15.0 7.77 7.22 77.7 92.92

V = Voltaje de la fuente Vr = Voltaje de la resistencia Vf = Voltaje en el foco I = Corriente en el circuito Rf = Resistencia del foco 3. Arme el circuito de la Fig. 1-2.

Fig. 1-2 4. Manteniendo constante la tensin de 12V que polariza al termistor, vari la tensin del foco Vf llenando la Tabla 2. El termistor debe captar la temperatura del foco, vigilando que la temperatura no sea excesiva. TABLA 2 Vf(volt) Vr(volt) Vt(volt) I t(mA) Rt () 2.0 4.63 7.35 4.63 1.58 t = Termistor 5. Arme el circuito de la Fig. 1-3. 4.0 4.69 7.3 4.69 1556 6.0 4.72 7.2 4.72 1525 8.0 4.92 7.1 4.92 1443 10.0 4.98 7.04 4.98 1413 12.0 5.1 6.86 5.1 1345

V = 12V constante

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Fig. 1-3 6. Cuidando de no variar los 12V que polariza la fotoresistencia, vari el voltaje del foco Vf llenando la Tabla 3. Al llenar la tabla tomar en consideracin la sensibilidad del instrumento obteniendo por diferencia, la tensin del LDR. TABLA 3 Vf(volt) 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 Vr(volt) VLDR(volt) I LDR(mA) RLDR() 11.9 0.12 0.119 1008.4 11.93 0.11 0.1193 922.04 12 0.05 0.12 416.67 12.03 0.028 0.1203 232.75 12.04 0.016 0.1204 132.89 12.06 0.011 0.1206 91.21

LDR = Fotoresistencia

V = 12V constante

7.

Mida con el multmetro la resistencia de los elementos empleados. ELEMENTO FILAMENTO TERMISTOR NTC FOTORESISTENCIA LDR VALOR 12 1.9k 1.35k

CUESTIONARIO : 1. Haga una breve introduccin terica de las caractersticas de las resistencias conductoras y semiconductoras. Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo de la temperatura del ambiente en el que se encuentre. El elemento semiconductor ms usado es el silicio y el germanio, aunque idntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y V respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). Posteriormente se ha comenzado a emplear tambin el azufre.
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Algunos ejemplos de dispositivos resistivos semiconductores son el termistor, la fotoresistencia, etc.

2.

Para el circuito de la Fig. 1-1, determine segn los datos obtenidos experimentales, las caractersticas del filamento del foco, grafique Rf vs Vf y explique la curva resultante. Del grfico Rf vs Vf, la resistencia del filamento aumenta si el voltaje que se le aplica aumenta. Este comportamiento es de los metales, es por eso que podemos afirmar que el filamento del foco es un metal, que a mas energa menos conduc_ tividad, osea mas resistencia. Del grfico tambin podemos afirmar que la resistencia tendr un lmite mximo a la que puede llegar. Se puede agregar a este informe, que el filamento de los focos incan_ descentes est hecho de wolframio tambin conocido como tungsteno, el metal con el punto de fusin ms alto.

3.

En el circuito de la Fig. 1-2 considerando que la temperatura es funcin de la tensin aplicada al foco Vf, graficar Rt vs Vf, explicando las caractersticas del termistor.

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Del grfico, podemos ver que la resistencia en el termistor disminuye, segn aumenta el voltaje en el foco. Como consideramos que la temperatura es funcion del voltaje en el foco podemos decir que la resistencia en el termistor disminuye, segn aumenta la temperatura que percibe del foco. 4. Considerando que la luz es proporcional a la tensin del foco, determinar las caractersticas de la fotoresistencia. Graficar RLDR vs Vf. Del grfico, podemos ver que la resistencia en la fotoresistencia disminuye, segn aumenta el voltaje en el foco. Como consideramos que la luz es funcion del voltaje en el foco podemos decir que la resistencia en la fotoresistencia disminuye, segn aumenta la luz que percibe del foco.

5.

Explique brevemente los inconvenientes surgidos en la medicin directa de la resistencia de los elementos empleados. Por ejemplo en un termistor para analizar su resistencia, se deba acercar el foco lo suficiente, como para que captase el calor de este. Lo mismo en una fotoresistencia, debamos asegurarnos q captase la luz del foco acercndolo y direccionndolo bien. Para una resistencia comn no hubo mayor inconveniente.
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6.

Indique observaciones y conclusiones acerca de la experiencia. Se puede observar que en un metal a mayor temperatura su resistividad aumenta, y en un semiconductor cuando la temperatura aumenta la conductividad aumenta. Ya que la temperatura, luz o diferencia de potencial entrega energa al semiconductor y los electrones de la banda de valencia saltan a la banda de conduccin, generando ms electrones libres y beneficiando a la conduccin.

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