UNIVERSITATEA LUCIAN BLAGA, SIBIU FACULTATEA DE INGINERIE, SIBIU

REFERAT TEHNOLOGIA JONCTIUNILOR MOS

Coordonator:
Conf. Dr. Ing. LIZETA POPESCU

Student:
Creu Rares Mihai Sectia:EM Anul:IV

Sibiu, 2012

Tehnologia jonctiunilor MOS

Tranzistorul cu effect de camp (MOSFET) este un transistor utilizat pentru a amplifica sau comuta semnale electronice.Desi tranzistorul MOSFET este un dispozitiv cu 4 terminale cu terminalele: sursa(S), poarta(G), drena(D), si corp(B), corpul MOSFET-ului deseori este conectat la sursa treminala, devenind astfel un disopozitiv cu trei terminale ca si alte tranzistoare cu efect de camp. Deoarece aceste doua terminale in mod normal sunt conectate intern intre ele (scurtcircuitate), doar trei terminale apar in diagramele electrice. MOSFET este , de departe, cel mai frecvent utilizat transistor atat in circuitele analogice cat si in cele digitale, desi tranzistorul bipolar era intr-un timp mult mai frecvent utilizat.

Fig. 1. MOSFET indicand treminalele poarta(G), corpul(B), sursa(S) si drena(D). Poarta este separata de corp printr-un strat dielectric(alb) La transitoarele MOSFET cu canal indus, o cadere de tensiune asupra oxidului induce un calnal conductive intre contactele de la sursa si contactele de la drena prin efectul de camp. Termenul canal indus se refera la cresterea conductivitatii cu cresterea in campul de oxid care adauga purtatori canalului, de asemenea, numit si strat de inverisiune. Canalul poate contine electroni ( numiti nMOSFET sau nMOS), sau gauri (numite pMOSFET sau pMOS), opusi ca tip de substrat, deci nMOS este realizat cu un substrat de tip p, si pMOS cu un substrat de tip n. Metalul in denumirea de MOSFET este de multe ori un nume impropriu deoarece materialul anterior al portii de metal este acum de cele mai multe ori un strat de polisiliciu (silicon policristalin). Aluminiul era materialul de baza al portii inainte de mijolucl anilor 1970, cand polisiliciul a inceput sa predomine, datorita capabilitatii de a forma proti centrate individual. Portile de metal incep sa preia din nou popularitatea, din moment ce este dificil sa amplifici viteza de operatie a tranzistorilor fara porti de metal. Pe langa aceasta, oxidul din denumirea MOSFET este de asemenea un nume impropriu, asa cum diferite materiale dielectrice sunt folosite cu scopul de a obtine canale puternice cu caderi de tensiune mici.

Un transistor cu efect de camp cu electrod de comanda izolat sau IGFET este un termen asociat aproape sinonim cu MOSFET.Termenul poate fi mult mai autocuprinzator, din moment ce multi tranzistori MOS cu efect de camp folosesc o poarta care nu este din metal, si o poaarta dielectrica care nu din oxid. Un alt sinonim este MISFET venind de la metal-insulatorsemiconductor FET. Principiul de baza a tranzistorului cu efect de camp a fost prima data patentat de Julius Edgar Lilienfeld in 1925.

Fig. 2. Doua tranzistoare de putere MOSFET in pachetul D2PAK. In figura 2 avem prezentate doua tranzistoare functionand ca si comutatoare, fiecare din aceste componente pot sustine o tensiune de 120 volts in starea OFF, si pot conduce un current continuu de 30 de ampere in starea ON, disipand pana la 100 watts si controland o sarcina de peste 2000 watts.

Fig.3. O sectiune transversal printr-un nMOSFET. In figura 3 putem observa ca atunci cand tensiunea portii VGS este sub pragul de a face un canal conductive.Este foarte putina conductie sau chiar deloc intre terminalele sursa si drena; comutatorul este off. Atunci cand poarta este mai aporape de pozitiv, aceasta atrage electroni, inducand un canal conductive de tip n in substratul de sub oxid, acest lucru lasand electronii sa circule intre termianlele dopate n; comutatorul este on.

1. Compozitie
Cel mai intalnit semiconductor este siliciul, dar cativa producatori ieftini, mai ales IBM si Intel, de curand au inceput sa foloseasca un compus chimic dintre siliciu si germanium (SiGe) in canalele MOSFET. Din nefericire, multi semiconductori cu proprietati electrice mult mai bune decat siliciul, cum ar fi arseniura de galiu, nu sunt buni semiconductori la interfata dielectricului, de acea nu sunt corespunzatori pentru tranzisotrii MOSFET. Cercetarile continua in a crea dielectrici cu caracteristici electrice acceptabile pentru un alt material semiconductor. Cu scopul de a gasi o solutie pentru consumul de putere ridicat datorat pierderilor de current prin poarta, un dielectric crescut este folosit in locul dioxidului de siliciu pentru poarta dielectrica, in timp ce polisiliciul este inlocuit de porti din metal. Poarta este separata de canal de un strat dielectric subtire, ca si traditie din dioxid de siliciu si mai tarziu din oxynitride de siliciu. Unele companii au inceput sa introduca o combinatie dintre un dielectric high-K si o poarta din metal in 45 de nanometer. Atunci cand o tensiune este aplicata intre terminalele poarta si corp, campul electric generat trece prin oxid si creaza un strat de inversiune sau canal la interfata cu dielectricul semiconductor.Canalul de inversiune este de acelasi tip, tip p sau tip n, ca si sursa si drena, astfel este creat un canal prin care curentul poate trece. Variind tensiune intre poarta si corp este modulate conductivitatea acestui strat si totodata este controlata trecerea de curetn intre drena si sursa.

2. Simboluri
O varietate de simboluri sunt folosite pentru tranzistorii MOSFET. Design-ul de basa este in general o linie pentru canal cu sursa si drena plecand din unghiuri drepte si apoi indoindu-se inapi tot la unghi drept in aceasi directie ca si canalul. Cateodata trei segmente de linii sunt folosite pentru cele cu canla indus si o linie solida pentru cele cu canal de epuizare. O alta linie este desenata paralel cu canalul pentru poarta.

Canal P

Canal N JFET MOSFET enh MOSFET MOSFET dep

3. Clasificare tranzistoare de tip MOSFET:

Double gate MOSFET FinFET Depletion-mode MOSFETs NMOS logic Power MOSFET DMOS . RHBDMOSFETs

4. Tehnologia necesara pentru realizarea structurii MOS

Sturctura traditionala este obtinuat prin plasarea unui strat de dioxid de siliciu(SiO2) deasupra unui substrat de siliciu si depunand un strat de metal sau siliciu policristalin(acesta din urma este mai usual). Cum dioxidul de siliciu este un material dielectric, structura lui este echivalenta cu un condensator plan, cu unul din electrozi inlocuiti de un semiconductor. Atunci cand o tensiune este aplicata asupra unei structuri MOS, aceasta modifica distributia sarcinilor la semiconductor.

Fig.4. Structura MOS cu siliciu de tip p

5. Structura MOSFET si alcatuirea canalului

Un transistor cu efect de camp(MOSFET) este caracterizat printr-o modulatie a unei sarcini concentrate de catre o capacitate electrica a MOS intre un electrod de corp si un electrod de poarta localizat deasupra corpului si izolat de celelalte dispositive print-o strat dielectric care in cazul unui transistor MOSFET este un oxid, cum ar fi dioxidul de siliciu. Daca dielectricii altii decat un oxid asemeni dioxidului de siliciu sunt angajati, disopozitivul poate fi mentionat ca si un metal insulator-semiconductor FET(MISFET). In comparatie cu condensatorul MOS, tranzistorul MOSFET include doua terminale aditionale (sursa si drena), fiecare conectate la regiuni individuale dopate fiind separate de catre corpul regiunii.

Aceste regiuni pot fi de tip p sau de tip n, dar ele trebuie sa fie ambele de acelasi tip, si de tip opus celui corpului regiunii. Sursa si drena sunt dopate excesiv fiind semnate cu un plus(+) dupa dopare. Daca MOSFET este un canal n sau nMOS FET, atunci sursa si drena sunt regiiuni n+ si corpul este regiune p. Daca MOSFET este un canal p sau pMOS FET, atunci sursa si drena sunt regiuni p+ si corpul este o regiune n. Sursa este asa numita deoarece este sursa purtatorilor de sarcina( electrozi pentru canal n, gauri pentru canal p) care curg prin canal

6. Efectul de camp
Ocuparea benzilor de energie intr-un semiconductor este data de pozitia nivelului Fermi in raport cu muchiile benzilor de energie semiconductoare. Aplicatia unei surse la un substrat polarizeaza invers corpul sursei jonctiunea pn introduce o crapatura intre nivelele Fermi pentru electroni si gauri, mutand nivelul Fermi pentru canal mai departe de muchia benzii, micsorand ocuparea canalului. Efectul este de a marii tensiunea portii necesara pentru a pune la punct canalul, la fel cum se fede si in figura de mai jos. Aceasta schimbare in puterea canalului prin aplicare unei polarizari inverse este numita efect de camp.

Fig. 5. VSB imparte nivelele Fermi Fn pentru electroni si Fp pentru gauri, fiind nevoie de VGB mai mare pentru a popula banda de conductive intr-un nMOS MOSFET

7. Degajarea de caldura
Cresterea tot mai mare a densitatii tranzistorilor MOSFET intr-un circurit integrat creaza problem legate de caldura generata substantial, acestea putand dauna operarii circuitului. Circuitul opereaza mult mai lent la temperature ridicate, si au scazut fiabilitatea si durata de

viata. Coolerele sunt acum necesare pentru multe circuite integrate chiar si pentru microprocesoare. Tranzistoarele de putere MOSFET sunt aflate la un risc foarte mare in privinta caldurii. Cum chiar si rezistentele lor curente au o crestere mare de temperatura, daca sarcina are o sarcina cu un current constant atunci puterea pierduta creste semnificativ, generand mai multa caldura. Atunci cand coolerul nu este in stare sa mentina temperatura destul de jos, temperatura de jonctiune poate sa se ridice destul de repede si necomfortabil, rezultand in distrugerea dispozitivului.

Fig. 6. Coolere mari pentru a racii tranzistorii de putere intru-un amplificatory audio TRM-800

8. Tehnologia pentru constructia MOSFET

8.1Materialul pentru realizarea portii
Principalul criteriu pentru alegerea materialului este acela de a avea conductivitatea mare. Siliciul policristalin foarte dopat este unul acceptabil dar cu siguranta un unul ideal, el suferind si de alte cateva deficiente tehnice in rolul sau de material standard pentru poarta. Cu toate acestea exista cateva motive care ar favoriza folosirea polisiliciului:

Pragul de tensiune este modificat de diferentele functiilor de lucru intre materialul portii si materialul canalului.Deoarece polisiliciul este un semiconductor, functiile de lucru pot fi modulate prin ajustarea tipului si nivelului de dopare. In plus, deoarece polisiliciul are acelasi bangap la fel ca si canalul de siliciu, este destul de simplu sa reglezi functiile de lucru pentru a avea pragul de tensiune pentru ambele dispozitive NMOS si PMOS. Din contrast, functiile de lucru ale metalelor nu sunt usor de modelat, deci reglarea functiilor de lucru pentru a obtine praguri de tensiune mai mici devine o adevarata provocare. In plus, obtinand praguri de tensiune scazute pe ambele dispositive PMOS si NMOS ar cere folosirea diferitelor metaluri pentru fiecare tip de dispozitiv, adaugand o complexitate la procesul de fabricatie. Interfata siliciului-SiO2 a fost foarte bine studiata si este stiut ca are putine defecte. Contrariu a cea ce am spus mai devreme ar fi ca multe interfete ale metalelor dielectrice contin nivele semnificative de defecte care pot duce la intarirea, incarcarea nivelul Fermi sau orice alt fenomen care pot duce in final la degradarea performantei dispozitivului. In procesul de fabricare al tranzistorului MOSFET, este de preferabil ca materialul portii sa fie depozitat la praguri de temperature foarte mari pentru ca performanta tranzistorilor sa creasca. Asemenea praguri de temperatura foarte mari ar putea sa topeasca anumite metale, limitand tipurile de metale care pot fi folosite in procesul de baza al portii de metal. In timp ce portile de polisiciliu au fost portiile standard pentru ultimii 20 de ani, acestea au cateva dezavantaje care au dus la dorirea inlocuirii in viitor a acestora prin porti de metal.Aceste dezavantaje sunt: Polisiliiciul nu are conductivitatea asa mare ( cu aproximativ de 1000 de ori mai rezistent decat metalurile) acestea reducand transmiterea semnalului prin material. Rezistenta poate fi scazuta pri ridicarea nivelului de dopare, dar chiar si foarte dopat polisiliciul nu este atat de conductive ca si metalu. Pentru a marii conductivitatea, cateodata niste metale cu o temperatura foarte mare cum ar fi astungsten, titanul, cobaltul, si mult mai recent nichelul este aliat cu straturile de sus ale polisiliciului. Asemenea material amestecat este denumit siliciura. Combinatia siliciura-polisiliciu are proprietati electrice mult mai bune decat polisiliciul necombinat. Deasemenea pragul de tensiune nu este cu mult mai crescut decat cu simplul polisiliciu, deoarece materialul de siliciura nu este aproape de canal. Procesul in care siliciura este formata atat in electrodul de poarta si in regiunile de sursa si drena este cateodata numit salicide, siliciura auto-aliniata. Atunci cand tranzistorii sunt extreme de redusi, este necesar ca stratul portii dielectrice foarte subtire, in jur de 1 nm. Un fenomen observat aicea este asa numitul poliepuizare, unde stratul de depletion este format in stratul portii de polisiliciu langa poarta dielectrica atunci cand tranzistorul este in schimbare. Pentru a evita aceasta problema, o poarta de metal este necesara. O varietate de porti de metal cum ar fi tantal,wolfram, nitrura de tantal, si azoturi de tantal sunt folosite, de obicei in conjunctii cu dielectricii high-K. O alternative este acea de a folosii porti din siliciura de polisiliciu, un process cunosuct ca si FUSI

8.2 Dielectricul
Cum dispozitivele sun realizate mult mai mici, straturile dielectrice sunt realizate mult mai subtiri, si la un anumit punct tunelurile purtatorilor prin dielectric de la canal pana la electrodul poarta iau loc. Pentru a reduce pierderile de current rezultate, dielectricul poate fi realizat mai gros prin alegerea unui material cu o constanta de dielectric mai mare. Dielectricul intr-un transistor MOSFET este un dielectric care poate fi in orice moment oxide de siliciu. Termenul general pentru dielectric este poarta dielectrica din moment ce dielectricul este asezat chiar sub poarta de electrod si deasupra canalului MOSFET-ului.

9. Conceptul jonctiunii
Jonctiuniile Corpului sursei si corpului drenei sunt obiectul a unei atentii mai mari din pricina a trei factori mai mari: design-ul lor afecteaza caracteristicile current-tensiune(I-V) ale dispozitivului, scazanda astfel rezistenta de iesire, si de asemenea viteza dispozitivului prin efectul sursei al jonctiunii condensatorului. Drena induce bariere scazand pragurile de tensiune si efectul modulatiei lungimii canalului asupra curbelor de current-tensiune.Acestea sunt reduse utilizand extensii de jonctiune superficial. In adaos, dopajul alo poate fi folosit, acesta fiind, plusul de regiuni dopate excesiv al aceluias tip de dopare ca si la corpul stramp asupra zidurilor de jonctiune pentru a limita extensiunea regiunilor epuizate. Aceste diferite caracteristici ale design-ului jonctiunii sunt aratate in fitura de mai jos.

Fig. 7. Tranzistor MOSFET.Sursa ridicata si drena separate de poarta de distantiere de oxid.

Bibliografie 1. Site-uri
http://www.freepatentsonline.com/5496750.html http://ramann.wordpress.com/category/electrifying-electrical-engineering/ http://www.scribd.com/doc/101113356/Metal-Oxide-semiconductor-FETMOSFET http://www.scribd.com/doc/54511192/New-Microsoft-Word-Document http://ebookbrowse.com/curs-5-aplicatii-tranzistoare-doc-d65850119

2. Articole
http://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET http://ro.wikipedia.org/wiki/Tranzistor http://www.scribd.com/doc/71880313/mos http://ro.wikipedia.org/wiki/Tranzistor_unipolar http://tech.serafimpantea.ro/2012/08/17/tranzistori-de-1-atom

3. Carti
Tranzistoare. Intrebari si raspunsuri - Brown Clement, editura tehnica Popescu L.,Echipamente Electrice, vol. I,II, Ed. Alma Mater, 2008 Popescu L.,Tehnologia Echipamentelor Electrice, Ed. Alma Mater, 2009 Un transistor, doua tranzistoare - Ilie Mihaescu, editura Albatros, colectia Cristal Constructii radio. Amplificatoare de audiofrecventa cu tranzistoare G. Stanciulescu, editura tehnica Modelarea componentelor microelectronice active Rusu Adrian Tranzistoare cu efect de cmp Bodea Mircea,Ristea I., Stere Roman, editura Tehnic Bucureti