Circuitos RF y Comunicaciones Analógicas

Circuitos de RF y las Comunicaciones Analógicas
Circuitos de RF y las
Comunicaciones Analógicas
Pr. Héctor Fernando Cancino de Greiff, PhD
I
II
Prefacio
El presente libro es la recopilación de los apuntes de muchos años de experiencia docente en el área de
los Circuitos de RF y las Comunicaciones Analógicas y sus aplicaciones como producto del desarrollo
docente tanto en Universidades Colombianas como algunas Venezolanas, así como los avances
obtenidos en mi doctorado en la Universidad Central de las Villas de Cuba.
En esta primera edición se contemplan la mayoría de tópicos relacionados en los sistemas de
comunicaciones analógicos, orientado inicialmente a la comprensión de los temas relacionados con
los circuitos de Radio frecuencia en las bandas del HF, UHF, VHF y la parte inicial del SHF, para su
posterior aplicación en la comprensión y el diseño de los circuitos de modulación y demodulación
empleadas en las comunicaciones analógicas según el programa presente para la fecha en el Proyecto
Curricular de Ingeniería electrónica de la Universidad Distrital, con la inclusión de muchos ejemplos
en cada uno de los temas así como ejercicios propuestos a ser desarrollados por el estudiante. Sin
embargo, cabe anotar que en este trabajo está dirigido fundamentalmente al estudio y desarrollo de
señales y sistemas analógicos incluyendo su estudio en el dominio del tiempo y en dominio de la
frecuencia para establecer las características y diferencias en los dos los dominios de cada uno de los
diferentes Sistemas de Comunicación en RF.
Este texto presenta un estudio de las principales herramientas y desarrollos requeridas en el manejo y
diseño de los sistemas de comunicaciones analógicas, distribuidos en quince capítulos comenzando por
los conceptos básicos de los elementos empleados en RF en el capítulo1, los circuitos resonantes y las
redes de acople en el capítulo 2, estudio y diseño de filtros en RF en el capítulo 3 y el 4 con la Carta de
Smith y sus aplicaciones en los sistemas y conexiones típicas de RF. El capítulo 5 se dedica al diseño
de amplificadores de pequeña señal mientras que en el capítulo 6 se desarrolla el diseño de los
osciladores en RF. El Capítulo 7 está dedicado a los amplificadores de RF empleados en los circuitos
III
de transmisión. No obstante la gama del diseño se complementa con el estudio de los circuitos
multiplicadores y las redes de enganche de fase (PLL) que se describen en los capítulos 8 y 9. El
estudio de desarrollo de las comunicaciones se inicia con el capítulo 10 que resume el concepto de las
comunicaciones banda base analógica. El capítulo 11 maneja la modulación y demodulación de los
sistemas lineales que afectan esencialmente la amplitud de la portadora. La translación de frecuencia y
el receptor superheterodino se manejan en el capítulo 12. Los sistemas por multicanalización por
división de frecuencia en el capítulo 13, el 14 estudia los sistemas de modulación exponencial y se
finaliza en el capítulo 15 con el análisis del ruido y la interferencia tanto en las modulaciones lineales
como en las exponenciales.
Agradecería se me hiciera saber a mi correo electrónico de cualquier error que se encontrara
en este texto o del descubrimiento de fallas o de erratas en el texto a fin de corregirlas.
Pr. Héctor Fernando Cancino de Greiff, PhD
Email: fcancino@udistrital.edu.co
IV
Contenido
Hoja Título…………………………………………………………………. I
Prefacio…………………………………………………………………….. III
Referencias Bibliográficas…………………………………………………. VI
Capítulo I: Componentes en RF……………………………………………. 1
Capítulo II: Circuitos resonantes y redes de acople………………………... 21
Capítulo III: Filtros en RF………………………………………………….. 37
Capítulo IV: La carta de Smith en el diseño de redes de acople…………… 51
Capítulo V: Amplificadores de RF pequeña señal………………………….. 71
Capítulo VI: Osciladores en RF…………………………………………….. 95
Capítulo VII: Amplificadores RF de Potencia………………………………. 109
Capítulo VIII: Multiplicadores Analógicos…………………………………. 125
Capítulo IX: Circuitos de malla asegurada en fase (PLL)…………………… 151
Capítulo X: Comunicaciones banda base analógicas………………………... 173
Capítulo XI: Sistemas de Modulación y Demodulación lineal….………….. 183
Capítulo XII: El Receptor superheterodino………………………………….. 221
Capítulo XIII: Los sistemas FDM y su aplicación en la modulación estéreo… 229
Capítulo XIV: Sistemas de Modulación y Demodulación exponencial………. 237
Capítulo XV: Ruido e interferencia en las Modulaciones……………………. 269
Anexos:
Anexo 1: ¿Que son los decibelios?.................................................................. 309
Anexo 2: Tabla de Transformadas de Fourier………………………………. 315
Anexo 3: Relaciones Trigonométricas………………………………………. 317
V
Referencias Bibliográficas
1. ROY BLAKE. “Sistemas Electrónicos de Comunicaciones”, Editorial Thomson. 2°

Edición. 2004.
2. H. KRAUSS, C. BOSTIAN, F. RAAB. “Estado sólido en Ingeniería de
Radiocomunicación”. Editorial LIMUSA.
3. A. OPPENHEIN, A. WILLSKY. “Señales y sistemas”. Editorial PRENTICE HALL.
4. SIMON HAYKYN. “Sistemas de Comunicación”. Editorial WILEY. Tercera
edición.1994.
5. FERREL STREMLER. “Introducción a los sistemas de Comunicación”. Editorial
ADISON WESLEY.
6. CHRIS BOWICK. “RF Circuits design”. Editorial SAMS. 2nd Edition, 2008.
7. B. P. LATHI. “Sistemas de Comunicación”. Editorial Mc. Graw Hill. Cuarta edición.
2007.
8. A. BRUCE CARLSON, PAUL B. CRILLY, JANET C. RUTLEDGE. “Sistemas de
Comunicación”. Editorial Mc. Graw Hill.Cuarta edición. 2007.
9. WAYNE TOMASI. “Sistemas de comunicaciones electrónicas”. Editorial PRENTICE
HALL HISPANOAMERICANA SA. Segunda Edición. 1996.
10. K.SAM SHANMUGAN. “Digital and analog communications systems. Ed. JOHN
WILEY.1985.
11. SCHWARTZ M. "Information Transmission, Modulation, and Noise: A unified Aproach
to Communication Systems. McGraw Hill.
12. LEON W. COUCH II. “Modern Communication Systems”. Editorial PRENTICE HALL.
1995.
13. Hoja de datos de bobinas Toroidales. Amidon Associates.
14. MIGUEL GHEZZI “Construcción de inductores de radiofrecuencia” www.solred.com.ar.
15. PACKMAN EMILIO, “Vademecum de Radio Frecuencia” Editorial Arbó, 1967.
16. SMITH F. LANGFORD “Radiotron Designer’s Handbook”, 4ta. Edition, Wireless
Press.2011. www.plexilandia.cl
17. P. HOROWITZ AND WITHILL “The art of electronics”,. Cambridge University Press.
18. A. MANSUKHANI “Phase Lock Loop Stability Análisis”, Applied Microwave and
Wíreles Magazine, 30.
19. S. LAPATINE, “Electrónica en Sistemas de Comunicación” Editorial Limusa, 1996.
20. J. PROAKIS, M. SOLEHI. “Contemporary Communication Systems using Matlab”. Ed.
Thomson, 2000.
21. PAUL GRAY, ROBERT MEYER “Analysis and Design of analog Integreted Circuits” 5a.
Edución, Ed. Wiley. 2009.
VI
Capítulo I:
Componentes en RF
1
2
1.1 El espectro electromagnético
La distribución de energía o intensidad de ondas electromagnéticas en función de la frecuencia

conforma lo que se denomina “el espectro electromagnético”. Los espectros se pueden
visualizar mediante dispositivos tales como los analizadores de espectros que permiten
realizar medidas como la frecuencia y la intensidad de la señal en observación.
El espectro electromagnético se extiende desde la radiación de menor longitud de onda, como

lo son los rayos gamma y los rayos X, pasando luego por la luz ultravioleta, la luz visible y los
rayos infrarrojos, hasta las ondas electromagnéticas de mayor longitud de onda, como son las
ondas de radio que son las de interés en la banda de radiofrecuencia.
Las cargas eléctricas estacionarias generan campos eléctricos, mientras que las cargas
eléctricas en movimiento generan campos eléctricos y magnéticos. Los cambios periódicos en
estos campos producen el fenómeno de la radiación electromagnética, que consiste en una
oscilación perpendicular de un campo eléctrico y magnético, transportando energía de un
punto a otro, a la velocidad de la luz.
Luz Visible. Isaac Newton fue el primero en descomponer la luz visible blanca del Sol en sus
componentes mediante la utilización de un prisma. La radiación visible va desde 384x1012
hasta 769x1012 Hz. Las frecuencias más bajas de la luz visible (longitud de onda larga) se
perciben como rojas y las de más alta frecuencia (longitud corta) aparecen violetas.
Rayos infrarrojos. La radiación infrarroja fue descubierta por el astrónomo William Herschel
(1738-1822) en 1800. La radiación infrarroja se localiza en el espectro entre 3x10 11 Hz. hasta
aproximadamente los 4x1014 Hz. La banda infrarroja se divide en tres secciones de acuerdo a
su distancia a la zona visible: próxima (780 - 2500 nm), intermedia (2500 - 50000 nm) y lejana
(50000 - 1mm). Toda molécula que tenga un temperatura superior al cero absoluto (-273º K)
emite rayos infrarrojos y su cantidad está directamente relacionada con la temperatura del
objeto.
Microondas. La región de las microondas se encuentra entre los 10 9 hasta aproximadamente

3x1011 Hz (con longitud de onda entre 30 cm a 1 mm).
Ondas de Radio. Heinrich Hertz (1857-1894), en el año de 1887, consiguió detectar ondas de
radio que tenían una longitud del orden de un metro. La región de ondas de radio se extiende
desde algunos Hertz hasta 109 Hz con longitudes de onda desde muchos kilómetros hasta
menos de 30 cm.
Rayos X. En 1895 Wilhelm Röntgen inventó una máquina que producía radiación
electromagnética con una longitud de onda menor a 10 nm, pero debido a que no conocía su
naturaleza las bautizó como X.
3
Radiación Ultravioleta. Sus longitudes de onda se extienden entre 10 y 400 nm más cortas
que las de la luz visible.
Rayos Gamma. Se localizan en la parte del espectro que tiene las longitudes de onda más
pequeñas entre 10 y 0.01 nm.
1.2 Bandas del espectro electromagnético
Para su estudio, el espectro electromagnético se divide en segmentos o bandas, aunque esta

división es inexacta. Existen ondas que tienen una frecuencia, pero varios usos, por lo que
algunas frecuencias pueden quedar en ocasiones incluidas en dos rangos (Tabla 1.1).
Tabla 1.1 Bandas del espectro electromagnético según la UIT
Banda Longitud de onda (m) Frecuencia (Hz) Energía (J)

Rayos gamma < 10 pm > 30,0 EHz > 20·10−15 J
Rayos X < 10 nm > 30,0 PHz > 20·10−18 J
Ultravioleta extremo < 200 nm > 1,5 PHz > 993·10−21 J
Ultravioleta cercano < 380 nm > 789 THz > 523·10−21 J
Luz Visible < 780 nm > 384 THz > 255·10−21 J
Infrarrojo cercano < 2,5 µm > 120 THz > 79·10−21 J
Infrarrojo medio < 50 µm > 6,00 THz > 4·10−21 J
Infrarrojo lejano/submilimétrico < 1 mm > 300 GHz > 200·10−24 J
Microondas < 30 cm > 1 GHz > 2·10−24 J
Ultra Alta Frecuencia - Radio <1m > 300 MHz > 19.8·10−26 J
Muy Alta Frecuencia - Radio < 10 m > 30 MHz > 19.8·10−28 J
Onda Corta - Radio < 180 m > 1,7 MHz > 11.22·10−28 J
Onda Media - Radio < 650 m > 650 kHz > 42.9·10−29 J
Onda Larga - Radio < 10 km > 30 kHz > 19.8·10−30 J
Muy Baja Frecuencia - Radio > 10 km < 30 kHz < 19.8·10−30 J
1.3 Las bandas espectrales en Radiofrecuencia
En radiocomunicaciones, los rangos se abrevian con sus siglas en inglés (Tabla 1.2).
Tabla 1.2 Bandas espectrales en RF
Abreviatura Banda
Nombre Frecuencias Longitud de onda
inglesa ITU
4
Inferior a 3 Hz > 100.000 km

Extra baja 100.000–10.000
ELF 1 3-30 Hz
frecuencia km
Super baja
SLF 2 30-300 Hz 10.000–1000 km
frecuencia
Ultra baja
ULF 3 300–3000 Hz 1000–100 km
frecuencia
Muy baja
VLF 4 3–30 kHz 100–10 km
frecuencia
Baja frecuencia LF 5 30–300 kHz 10–1 km
Media frecuencia MF 6 300–3000 kHz 1 km – 100 m
Alta frecuencia HF 7 3–30 MHz 100–10 m
Muy alta frecuencia VHF 8 30–300 MHz 10–1 m
Ultra alta frecuencia UHF 9 300–3000 MHz 1 m – 100 mm
Super alta
SHF 10 3-30 GHz 100-10 mm
frecuencia
Extra alta
EHF 11 30-300 GHz 10–1 mm
frecuencia
Por encima de los 300
< 1 mm
GHz
 Frecuencias extremadamente bajas: Llamadas ELF (Extremely Low Frequencies),

son aquellas que se encuentran en el intervalo de 3 a 30 Hz. Este rango es equivalente a
aquellas frecuencias del sonido en la parte más baja (grave) del intervalo de percepción
del oído humano. Cabe destacar aquí que el oído humano percibe ondas sonoras, no
electromagnéticas, sin embargo se establece la analogía para poder hacer una mejor
comparación.
 Frecuencias súper bajas: SLF (Super Low Frequencies), son aquellas que se
encuentran en el intervalo de 30 a 300 Hz. En este rango se incluyen las ondas
electromagnéticas de frecuencia equivalente a los sonidos graves que percibe el oído
humano típico.
 Frecuencias ultra bajas: ULF (Ultra Low Frequencies), son aquellas en el intervalo
de 300 a 3000 Hz. Este es el intervalo equivalente a la frecuencia sonora normal para
la mayor parte de la voz humana.
 Frecuencias muy bajas: VLF, Very Low Frequencies. Se pueden incluir aquí las
frecuencias de 3 a 30 kHz. El intervalo de VLF es usado típicamente en
comunicaciones gubernamentales y militares.
5
 Frecuencias bajas: LF, (Low Frequencies), son aquellas en el intervalo de 30 a 300

kHz. Los principales servicios de comunicaciones que trabajan en este rango están la
navegación aeronáutica y marina.
 Frecuencias medias: MF, (Medium Frequencies), están en el intervalo de 300 a 3000

kHz. Las ondas más importantes en este rango son las de radiodifusión de AM (530 a
1605 kHz).
 Frecuencias altas: HF, (High Frequencies), son aquellas contenidas en el rango de 3 a

30 MHz. A estas se les conoce también como "onda corta". Es en este intervalo que se
tiene una amplia gama de tipos de radiocomunicaciones como radiodifusión,
comunicaciones gubernamentales y militares. Las comunicaciones en banda de
radioaficionados y banda civil también ocurren en esta parte del espectro.
 Frecuencias muy altas: VHF, (Very High Frequencies), van de 30 a 300 MHz. Es un
rango popular usado para muchos servicios, como la radio móvil, comunicaciones
marinas y aeronáuticas, transmisión de radio en FM (88 a 108 MHz) y los canales de
televisión del 2 al 12 [según norma CCIR (Estándar B+G Europa)]. También hay
varias bandas de radioaficionados en este rango.
 Frecuencias ultra altas: UHF, (Ultra High Frequencies), abarcan de 300 a 3000
MHz, incluye los canales de televisión de UHF, es decir, del 21 al 69 [según norma
CCIR (Estándar B+G Europa)] y se usan también en servicios móviles de
comunicación en tierra, en servicios de telefonía celular y en comunicaciones militares.
 Frecuencias súper altas: SHF, (Super High Frequencies), son aquellas entre 3 y 30
GHz y son ampliamente utilizadas para comunicaciones vía satélite y radioenlaces
terrestres. Además, pretenden utilizarse en comunicaciones de alta tasa de transmisión
de datos a muy corto alcance mediante UWB. También son utilizadas con fines
militares, por ejemplo en radares basados en UWB.
 Frecuencias extremadamente altas: EHF, (Extremely High Frequencies), se

extienden de 30 a 300 GHz. Los equipos usados para transmitir y recibir estas señales
son más complejos y costosos, por lo que no están muy difundidos aún.
Existen otras formas de clasificar las ondas de radiofrecuencia.
• La RF propiamente es la porción del espectro electromagnético, comprendida entre los

300 KHz y 30 GHz.
• A partir de 1 GHz las bandas entran dentro del espectro de las microondas.
• Las ondas de radiofrecuencia, al ser ondas electromagnéticas, se desplazan a la

velocidad de la luz.
6
• Los conectores eléctricos diseñados para trabajar con frecuencias de radio se conocen
como conectores RF. RF también es el nombre del conector estándar de audio/video,
también conocido como BNC (Bayo Net Connector).
1.4 Alambres
Los alambres son usados en muchas aplicaciones de interconexión en la parte baja del
espectro de RF.
El comportamiento de un alambre en RF depende de su longitud, su diámetro, sus

materiales y su construcción.
La Tabla 1.3 muestra la carta de alambres más ampliamente utilizada en el mundo: el

American Wire Gauge (AWG).
Tabla 1.3 Carta de Alambres AWG [6]

1 mil=2.54x10-3 cm.
1.5 El Efecto “Skin”

Un conductor en baja frecuencia utiliza toda el área de la sección transversal como medio
de transporte de cargas eléctricas. En alta frecuencia la densidad de corriente en el centro
7
del conductor decrece, incrementando la densidad de corriente en su periferia. Este

fenómeno es conocido como “Efecto Skin”.
Este fenómeno ocurre en todo tipo de conductor y por tanto la densidad de corriente decae
y su profundidad es función de la frecuencia y del tipo de material.
El resultado neto del efecto “skin” es un decrecimiento de la sección transversal generando

un incremento en su resistencia, Fig. 1.1. El 63% del flujo de corriente de RF en un
alambre de cobre fluye dentro de una distancia de 0.007 cm del borde externo.
Fig. 1.1 Área de profundidad del efecto Skin [6]
Inductancia del alambre:
[ ] µH (1.1)
Dónde: L=Inductancia en µH
l=Longitud del alambre en cm,
d=Diámetro del alambre en cm.
EJEMPLO 1.1 Hallar la inductancia construida con alambre de cobre N° 20 de longitud 3

centímetros.
Solución: De la Tabla N° 3 se establece que el alambre de cobre N° 20 tiene un diámetro de

32.0 mils. Puesto que 1 mil es igual a 2.54x10-3 cm., es igual a 0.0813 cm. Sustituyendo en la
ecuación (1.1) se obtiene:
8
[ ( )]
1.6 Resistencias en RF
La resistencia es la propiedad de un material que determina la razón a la cual la energía
eléctrica es convertida en calor para una corriente eléctrica.
1 voltio sobre 1 ohm = 1 Coulomb por seg = 1 Amperio
La disipación térmica es 1 watt: P = E I =1 volt x 1 Amp
El circuito equivalente para el rango de frecuencias de 10 a 200 MHz se muestra en la Fig.

1.2:
Fig.1.2 Circuito equivalente en RF de una resistencia
La Fig. 1.3 muestra la característica de la impedancia de una resistencia de alambre en RF,

donde se aprecian los fenómenos del efecto de la resonancia típicos en circuitos que contienen
bobinas e inductancias.
Fig. 1.3 Característica en frecuencia de una resistencia de

película metálica vs. Carbón
9
La impedancia de una resistencia de película delgada tiende a decrecer a frecuencias por

encima de 10 MHz, como se muestra en la Fig. 1.4. En muy altas frecuencias y resistencias
del orden de 50 ohmios la impedancia presenta una respuesta más plana respecto a la
frecuencia, reduciendo los efectos resonantes.
Fig. 1.4 Características en frecuencia de una resistencia de

Película delgada metálica respecto a una resistencia de carbón. [6]
1.7 Capacitores en RF
Son usados ampliamente en aplicaciones de RF tales como las redes de acoplamiento.
El capacitor de placas paralelas consta de 2 superficies conductoras separadas por un material

aislante o dieléctrico. El dieléctrico usualmente es de cerámica, papel, mica, plástico, película,
vidrio o aceite.
Los capacitores permiten almacenar carga eléctrica, cuando existe entre las placas
conductoras, una diferencia de potencial eléctrico.
La capacidad es medida en Faradios:
(1.2)
10
Dónde: o = permitibidad del espacio libre F/m.
El uso de un capacitor depende fundamentalmente de su dieléctrico. Las características del

dieléctrico determinan los niveles de voltaje y las temperaturas extremas que puede soportar el
capacitor.
En la Tabla 1.2 se muestra la constante dieléctrica K de algunos materiales.
Tabla N° 1.2 Constantes dieléctricas de algunos materiales. [6]
Dieléctrico K
Aire 1
Poliestireno 2.5
Papel 4
Mica 5
Cerámica (bajo K) 10
Cerámica (alto K) 100-10.000
El Circuito equivalente de un capacitor en RF se muestra en la Fig. 1.5.
Fig. 1.5 Circuito equivalente del capacitor
Definición de algunos parámetros característicos para los capacitores:
Factor de potencia: Es el Coseno del ángulo entre el voltaje y la corriente. Es función de la

temperatura, la frecuencia y el material dieléctrico.
(1.3)
Resistencia de Aislamiento: Rp Es la medida de la cantidad de corriente que fluye a través del

dieléctrico. (~100.000 MΩ o más).
Resistencia efectiva serie: ESR: Es la resistencia equivalente de Rs y Rp
(1.4)
11
Factor de Disipación: Es la relación de la resistencia ac a la reactancia del capacitor.
(1.5)
Q: Factor de calidad: El Q de un circuito es el recíproco del DF y es definido como el factor

de calidad de un capacitor .
(1.6)
El efecto de las imperfecciones del condensador en RF puede ser observado en la Fig. 1.6
Fig. 1.6 Característica del capacitor vs frecuencia. [6]
Capacitores cerámicos: Se encuentran diferentes tipos de dieléctricos usados en la fabricación

de capacitores, tales como: papel, plástico, cerámica, mica, poliestireno, policarbonato, teflón,
aceite, vidrio y aire. Los capacitores cerámicos poseen un dieléctrico del tipo cerámica cuya
constante dieléctrica K varía entre 5 y 10.000 y por tanto son los más utilizados en RF.
1.8 Inductores en RF
Un inductor es un alambre enrollado sobre un núcleo que almacena flujo magnético entre
espiras.
Son muy utilizados en los circuitos resonantes, filtros, desplazadores de fase, circuitos de
retardo, choques.
Los inductores en el mundo real aplicados en RF presentan elementos adicionales a la

inductancia por efecto de la proximidad de los enrollados, tal como se muestra en la Fig.
1.7
12
Fig. 1.7 Capacidad distribuida y resistencia serie en un inductor
En consecuencia el circuito equivalente de una bobina en RF se puede representar como lo

muestra la Fig. 1.8
Fig. 1.8 Circuito equivalente de un inductor en RF.
Diferentes tipos de Inductores simples

se muestran en la Fig. 1.9 donde se
aprecian bobinas con núcleos de
ferrita abierta y ferritas cerradas.
Fig.1.9Tipos de bobina con ferrita [6]
La Característica de impedancia vs frecuencia de una bobina en RF se muestra en la

Fig. 1.10:
13
Fig. 1.10 Impedancia característica de una inductancia vs frecuencia [6]
La relación entre la reactancia del inductor y su resistencia serie es frecuentemente utilizada

para medir el factor de calidad Q:
(1.7)
Al usar un alambre de diámetro mayor decrece la resistencia AC e incrementa el Q.
Diseño de un inductor con núcleo de aire de una sola capa: La fórmula generalmente
empleada para tal fin se muestra en la ecuación ( ) y se diagrama en la Fig. 1.11
(1.8)
Dónde:
r = Radio de la bobina en cms.
l = Longitud de la bobina en cm.
L = Inductancia en
Fig. 1.11 Inductor núcleo de aire 1 capa
Ventajas de emplear materiales de núcleo magnético:
 Disminuye el tamaño, debido a que se requieren menos vueltas de la bobina.

 Incrementa el Q, debido a que se emplea menos alambre.
 Variabilidad.
14
Desventajas:
 Cada núcleo produce sus propias pérdidas, dependiendo del material y la frecuencia.
 La peremeabilidad de los núcleos magnéticos cambia con la frecuencia.
 A mayor permeabilidad del núcleo mayor es la sensibilidad a los cambios de
temperatura.
 La permeabilidad del núcleo cambia con el nivel de la señal aplicada. Si el nivel de la
señal es muy grande se presenta saturación en el núcleo.
EJEMPLO 1.2 Diseñe una bobina de 0.1 H de núcleo de aire cilíndrica de ¼ de pulgada
(0.635 cm).
Solución: Para un Q óptimo, la longitud de la bobina debe ser igual a su diámetro. Luego,
y .
Usando la ecuación (1.8) y resolviendo para hallar N:
√ √
Por tanto se requieren 4.8 vueltas de alambre en una longitud de 0.635 cm. Con alambre N° 18
AGW cuyo diámetro es de 42.4 mils (0.107 cm).
1.8.1 Bobinas Toroidales: Son bobinas construidas sobre núcleos de ferrita toroidal
típicamente de alto Q que permiten reducir el número de vueltas al compararlas con bobinas
con núcleo de aire, tal como se ilustra en la Fig. 1.12.
Fig. 1.12 Comparación del número de vueltas entre bobinas de la misma inductancia [6]
Para el inductor con núcleo de aire de 35 se requieren 90 vueltas en un círculo de ¼ de

pulgada, mientras que para construir la misma inductancia pero con un núcleo de ferrita con
15
permeabilidad solo requiere 8 vueltas y por tanto la resistencia interna es menor y el

Q es mucho mayor.
Las propiedades del núcleo toroidal se evidencian en la Fig. 1.13. Bobinas construidas con
núcleos abiertos presentan radiación electromagnética, mientras que con núcleos Toroidales
la mayor parte del flujo magnético circula dentro del toroide y la radiación es mucho menor.
Por tanto las primeras son usadas como antenas.
Fig. 1.13 Efecto producido por un núcleo toroidal.
La curva de magnetización de una bobina con núcleo toroidal se muestra como el ciclo de
histéresis que se representa en la Fig. 1.14, donde se muestra la densidad de flujo magnético
(B) que presenta el inductor con una intensidad de campo magnético (H) aplicada.
Fig. 1.14 Curva de Magnetización de un núcleo toroidal.
La permeabilidad del material es la relación de la densidad de flujo magnético a la intensidad

de campo magnético.
16
[ ] (1.9)
El circuito equivalente de una bobina con núcleo de aire y con núcleo con ferrita se muestra en
la Fig. 1.15.
Fig.1.15 Circuito equivalente para núcleo de aire y ferrita
La Fig. 1.16 muestra el rango de frecuencias para ferritas de material polvo de hiero
Fig. 1.16 Características de ferritas (tomado de ‘Amidon Associates’) [13]
Las curvas del comportamiento en frecuencia para diferentes núcleos de ferrita toroidal se
muestran en las Figs. 1.17 para las bandas de 20 a 200 MHz y 40 a 400 MHz.
17
Fig. 1.17 Hoja de datos de núcleos Toroidales (de Amidon Associates) [13]
18
1.8.2 Diseño de inductores Toroidales.
Para un inductor operando en la región lineal (no saturada) de la curva de magnetización su

inductancia está dada por la ecuación 1.10.
(1.10)
Dónde: Inductancia en
Número de vueltas
Permeabilidad inicial
Area de la sección transversal del núcleo en
Longitud efectiva del núcleo en .
A fin de facilitar los cálculos los fabricantes de estas ferritas engloban los parámetros ,
en una simple cantidad denominada índice de inductancia en ⁄
El índice de inductancia relaciona la inductancia con el número de vueltas:
en (1.11)
En la Fig. 1.18 se muestra la forma incorrecta y la forma correcta para enrollar la bobina sobre
la ferrita toroidal.
Fig. 1.18 Enrollado correcto e incorrecto para bobinas toroidales [6]
El número de vueltas a ser enrolladas sobre el núcleo dado para una inductancia específica
esta dada por:
√ (1.12)
19
EJEMPLO 1.3: Diseñar una inductancia toroidal de 100 H de una sola capa, en la frecuencia
de 100 MHz.
Solución: Empleando una ferrita BBR-7403 de “Indiana General”, con diámetro externo de
0.023 pulgadas. Mediante la ecuación (1.12) el número de vueltas requerido es:
El diámetro máximo del alambre es:
Donde: Diámetro del alambre en pulgadas.
Radio interno del núcleo en pulgadas.
Número de vueltas.
Luego:
El cual puede realizarse con alambre AGW 22.
1.9 Ejercicios propuestos.
1.9.1 Diseñe una bobina toroidal cuya inductancia sea de 50 H, empleando un núcleo cuyo
material corresponde a una permeabilidad para una frecuencia de 100MHz.
a) Halle N: el número de vueltas requerido sobre la ferrita.

b) Establezca el diámetro del alambre de cobre a utilizar y en consecuencia determine el
número de referencia AGW.
1.9.2 Usando la información que provee la hoja de datos mostrada en la Fig. 1.26 y 1.27
diseñe un inductor toroidal de , para trabajar en 100 MHz. Debido al espacio
disponible el toroide no puede ser mayor a 0.3 pulgadas de diámetro.
20
Capítulo II:
Circuitos resonantes y
Redes de acople
21
22
2. Circuitos Resonantes y Redes de Acople

En este capítulo se estudiaran los circuitos resonantes desde el punto de vista del factor de
calidad Q, las pérdidas y su aplicación en la banda de RF. Se establecerán las características de
los diferentes tipos de circuitos resonantes para emplearlos finalmente en la transformación de
impedancias requeridas en los circuitos de acoplamiento para máxima transferencia de
potencia.
2.1 Filtros pasabanda.

El filtro pasabanda ideal deja pasar una banda de frecuencias entre los puntos de frecuencia
de corte f1 y f2 tal como se muestra en la Fig. 2.1. Se puede apreciar que en los filtros ideales
los cambios en las frecuencias de corte son abruptos.
Fig. 2.1. Filtro pasabanda ideal.
No obstante, los filtros reales presentan alrededor de las frecuencias de corte cambios suaves
permitiendo zonas de transición, implicando cambio como se muestran en la Fig. 2.2
23
Fig. 2.2 Respuesta de un filtro pasabanda real.
Con el fin de asimilar la terminología propia para el estudio de estos circuitos en RF es

necesario repasar algunas definiciones:
1. Frecuencias de corte: Son las frecuencias en las cuales la potencia disminuye a la mitad de
la potencia de la frecuencia central. En consecuencia, se presentan dos tipos de
frecuencias de corte en un filtro pasabanda: a) la frecuencia de corte inferior f1 y la
frecuencia de corte superior f2, que no necesariamente están separadas en forma simétrica
respecto a la frecuencia central f0.
2. Frecuencia de resonancia: Frecuencia a la cual la impedancia o admitancia del circuito
resonante se convierte en una componente real.
3. Ancho de banda B: Rango de frecuencias alrededor de la frecuencia de resonancia dentro
de la cual el circuito se mantiene en resonancia.
(2.1)
La amplitud de la señal de salida permace dentro de un margen de -3 dB respecto a la

potencia en resonancia
4. Banda de paso : Se refiere a la banda de frecuencias determinada por el ancho de

banda del circuito resonante.
5. Banda de atenuación BA: Banda de s frecuencias que se encuentran fuera
de la banda de paso. Típicamente -60 dB respecto a la potencia en resonancia.
6. Pérdidas de inserción: Son las pérdidas de potencia causadas por los elementos resistivos
que se incorporan al circuito resonante. Generalmente esta medida es expresada en dB.
7. Ripple o Rizado: Es la medida de que tan plano es la banda de paso. Por tanto determina la
altura de las variabilidades de la banda de paso.
8. Pérdidas de inserción: Son las pérdidas en dB causadas por el circuito resonante
típicamente en la banda de paso.
9. Atenuación última: Es la atenuación final mínima que presenta el circuito resonante en la
banda de atenuación. Un circuito resonante ideal posee atenuación infinita fuera de la
24
banda de paso. Sin embargo de las imperfecciones de los componentes la atenuación

infinita es imposible obtenerla.
10. Selectividad S: Propiedad del circuito resonante para presentar mínima atenuación a las
señales dentro de las frecuencias de paso.
11. Factor de Calidad Q: Es la relación entre la frecuencia central del circuito resonante y su
ancho de banda:
A una selectividad alta corresponde un Ancho de banda angosto y en consecuencia se

tendrá un Q alto. Así mismo, para una selectividad baja se dispone de un ancho de banda
grande, generando un Q bajo.
12. Factor Forma SF: El factor forma de un circuito resonante es definido típicamente por la
relación del ancho de banda de los -60 dB al ancho de banda del circuito resonante de -
3dB. En otras palabras, se refiere a la relación entre la banda de paso sobre la banda de
atenuación.
El factor forma es 1 para un filtro ideal y será mayor que 1 en los filtros pasabanda reales
puesto que siempre se tiene que .
13. Que son los decibelios ?
Decibelios (en forma relativa): En un circuito con entrada y salida se refiere a la relación
de potencias entrada-salida (Ganancia = GdB ) ó salida-entrada (Atenuación = AdB ) dada en
logaritmos de base 10 y multiplicada por 10 como se indica en las ecuaciones (2.4 y (2.5).
(2.4)
(2.5)
 Decibelios (en forma absoluta): Es una forma alterna para la medición de potencias
también en logaritmos teniendo como referencia una potencia específica: Pr.
(2.6)
De acuerdo a la potencia de referencia se definen las siguientes potencias en dB:
25
a. Los dBm: La potencia de referencia es 1 mW:
(2.7)
b. Los dBW: La potencia de referencia es 1 Watt.:
(2.8)
c. Los dBK: La potencia de referencia es 1 KWatt.:
(2.9)
2.2 Resonancia Serie.
Fig. 2.3 Circuito resonante Serie.
Llamando: R=RL+RS:
(2.10)
| | (2.11)
| | √ (2.12)
(2.13)
Lugar geométrico en el plano Z de la impedancia RLC serie.
26
En resonancia: f =f0
Valor mínimo de Z (2.14)
(2.15)
(2.16)
√
En ese punto:
(2.17)
Lugar geométrico en el plano y de la admitancia del circuito RLC.
En las frecuencias de corte:
| | (2.18)
√ √
La potencia disipada en R es la mitad de la potencia en la frecuencia de Resonancia. Luego

son puntos de mitad de potencia.
Factor de Calidad
(2.19)
Para el circuito RLC serie:
(2.20)
(2.21)
Pero
(2.22)
(2.23)
27
* + * ( )+ (2.24)
En resonancia:
Fig.2.4 Efecto de RL y RS sobre el Q con carga.
2.3 Resonancia paralelo. Ver Fig. 2.4
Fig. 2.4 Circuito Resonante paralelo
Considerando:
En la resonancia paralela: El fasor V está en fase con el fasor I. Y el Qt puede calcularse

como:
(2.25)
(2.26)
(2.27)
28
En resonancia los fasores I y V están en fase, por tanto el término suceptancia debe ser cero.
Luego:
(2.28)
Y la frecuencia de resonancia es la misma del circuito resonante serie:
(2.29)
√
(2.30)
(2.31)
Y el Ancho de banda se puede calcular como:
(2.32)
También en resonancia la corriente en el capacitor se relaciona con la corriente total:
(2.33)
Gráficas de Z(jω) (vs) f
Fig. 2.5 El Q y el Ancho de banda
29
2.4 Transformación de impedancias
2.4.1 Resonancia Paralelo con resistencia de carga serie :
Resistencia en la rama inductiva:
Fig.2.6 Resonancia Paralelo con resistencia de carga serie
R= Resistencia de la bobina + Resistencia de la carga
Admitancia de entrada:
* + (2.34)
En resonancia la suceptancia es igual a cero, por tanto la frecuencia de resonancia

será:
√ (2.35)
La impedancia en resonancia será:
(2.36)
El del circuito en resonancia:
(2.37)
Luego:
(2.38)
La relación:
30
(2.39)
Esta ecuación muestra la propiedad de la transformación de impedancias del circuito.
Ejemplo 2.1: Diseñar la siguiente red de acople que transforma una carga de entrada
de 50Ω a una carga de salida de 1000 Ω a la frecuencia de trabajo de 100 MHz.
Fig. 2.7 Ejemplo 2.1
Solución: Empleando la ecuación (2.39):
(2.40)
Luego:
(2.41)
Empleando las ecuaciones (2.36) y (2.37):
(2.42)
(2.43)
No obstante este circuito transmite el nivel DC a la carga.
31
2.4.2 Resistencia en la rama capacitiva:
Fig.2.8 Resistencia en la rama capacitiva
Si la resistencia de la bobina es pequeña frente a R, las ecuaciones son las mismas del
caso anterior. En este caso no hay transmisión del nivel DC.
2.5 Circuitos de acople con tres elementos.
Ver Fig. 2.9
Fig. 2.9 Red de acople con tres elementos
Datos de entrada RL, R2, fo, B.
El circuito equivalente se muestra en la Fig. 2.10.
Fig. 2.10 Circuito equivalente al de la Fig. 2.9
Teniendo en cuenta que el Qt es:
32
(2.44)
El procedimiento de cálculo es el siguiente:
1. Cálculo de C:
(2.45)
2. Cálculo de L:
= (2.46)
3. Transformador equivalente:
Fig. 2.11 Transformador equivalente
√ (2.47)
4. Cálculo de Qp (circuito paralelo):
 Si :
5. Cálculo de
6. Cálculo de
33
 Si
5. Recálculo del :
6. Cálculo de
7. Cálculo de
8. Cálculo de
9.
En el caso de existir inductancia mutua entre y L (Fig. 2.9), L cambia por
Donde M es la inductancia mutua. No obstante, dependiendo de K el coeficiente de

acoplamiento así:
 Si (transformador ideal) son válidas las ecuaciones anteriores.

 Si requiere un análisis especial y por tanto no son válidas las ecuaciones
anteriores.
Estos casos se solucionan fácilmente empleando la carta de Smith (Cap. 3).
2.6 Ejercicios propuestos
2.6.1 Para el circuito de la Fig. 2. Con Rt=100RL=2K. Suponer QL infinito. Encontrar

los valores para L, C, Qt y B.
Fig. 2.12 Problema propuesto 2.6.1
34
2.6.2 Un amplificador con una salida de 3 K se va a acoplar a una antena de 300 l
sistema está operando en una frecuencia de 5 MHz y se va a usar una red de acople tipo “pi”.
Diseñar la red “pi”.
2.6.3 Diseñe la red de acople indicada en la fig. 2.13, en la frecuencia de operación de 90

MHz. Emplear una red de 2 elementos pasa alto.
Fig. 2.13 Ejercucio 2.6.3
2.6.4 Para la siguiente red de acoplamiento (Fig. 2.14):
Fig. 2.14 Ejercicio 2.6.4
Si   
a) Hallar
b) Si , hallar en magnitud.
35
36
Capítulo 3
Filtros en RF
37
38
FILTROS EN RF
Filtrado en RF: circuito que modifica la magnitud y la fase de las componentes de las
frecuencias de la señal de RF que pasa a través de ellos.
Un filtro de convolución se caracteriza por su repuesta al impulso h(t) y su función de

transferencia (con transformada de Laplace) se puede calcular como: ( ) * ( )+
La respuesta en frecuencia (con transformada de Fourier) es: ( ) * ( )+
( ) ( ) (3.1)
La amplitud y la fase de la señal de salida dependen de la respuesta en frecuencia del sistema.
• Los filtros se diseñan para atenuar o amplificar un conjunto de frecuencia de una señal de
entrada.
• La magnitud de la respuesta en frecuencia es una función par, mientras su fase es una

función impar.
3.1. Tipos General de Filtros ideales
Los filtros se clasifican normalmente en función de cómo se modifica el espectro de

frecuencias. Se consideran cuatro tipos de filtros:
 Filtro pasa bajos: Fig. 3.1
Fig. 3.1 Filtro pasabajos ideal
 Filtro pasa alto: Fig. 3.2
39
Fig. 3.2 Filtro pasa alto ideal
 Filtro pasa banda: Fig. 3.3
Fig. 3.3 Filtro pasa banda ideal
 Filtro rechaza banda: Fig. 3.4
Fig. 3.4 Filtro rechaza banda ideal.
3.2 Respuesta en Filtros reales
Los filtros en el mundo real no tienen las características ideales mostradas anteriormente. Las
transiciones verticales en los bordes de las bandas de paso del filtro, prácticamente no se
pueden construir. En consecuencia los cambios abruptos en los cambios de frecuencia se
realizan ahora en forma suave generando zonas de transición que ocupan un determinado
ancho en frecuencia. Las diferentes configuraciones del circuito causa una banda de paso
donde se presentan variaciones en la atenuación.
En la práctica un filtro pasa bajos real puede ser obtenido por la respuesta al impulso dada por
la ecuación (3.2).
( ) ( ) (3.2)
40
Por tanto el filtro ideal corresponde a un sistema inestable y no causal (físicamente no

realizable).
En la práctica se flexibilizan las exigencias sobre el filtro:
– Se inserta una banda de transición

– No se exige respuesta de magnitud 1 en la banda de paso
– No se exige atenuación absoluta en la banda de rechazo.
Las condiciones anteriores se expresan en la Fig. 3.5 donde se representa un filtro pasa bajos
real.
Fig. 3.5 Filtro Pasa bajos real
( ) Banda de paso
( ) Banda de rechazo
41
Banda de transición: Todos los filtros requieren una zona de transición cuando se presenta l
cambio de banda, como se muestra en la Fig. 3.5. La existencia de una banda de transición da
lugar a la definición de un factor de forma del filtro.
El factor de forma del filtro se define como la relación entre el ancho de banda de banda de
rechazo definido por la atenuación del filtro requerida dividida por el ancho de banda de la
banda de paso.
La banda de paso se extiende desde una frecuencia corte inferior hasta la frecuencia de corte
superior.
El factor de forma del filtro LPF y BPF, es mayor que 1 ya que el ancho de banda de banda de
rechazo es siempre mayor que el ancho de banda de paso de banda. En general, los factores de
forma superior a 3,3 son simples filtros RC; en filtros activos RLC se puede emplear factores
de forma de 1,5 a 3 y en filtros más exóticos como filtros de cristal o filtros SAW se puede
utilizar un factor forma menor de 1,5.
El circuito de la Fig. 3.6 puede ser estudiado analizado los efectos del factor Q con carga en la
respuesta en frecuencia para el filtro de 2 polos (Fig. 3.7).
Fig.3.6 Filtro pasa bajo típico de 2 polos
Fig. 3.7 Curvas de respuesta típica de un filtro de 2 polos
42
La frecuencia de resonancia de este circuito puede ser determinada por la ecuación (3.3)
(3.3)
√
El factor de calidad de la rama serie es:
(3.4)
El factor de calidad de la rama paralelo es:
(3.5)
El Q total es:
(3.6)
El número de picos de la banda pasante está relacionado con el número de elementos (N),
como lo indica la ecuación (3.7)
(3.7)
Para un filtro pasabajos de 3 elementos como se indica en la Fig. 3.8, tiene una curva de
respuesta con 2 picos, como se indica en la Fig. 3.9.
Fig. 3.8 Filtro pasa bajo de 3 elementos
Fig. 3.9 Respuesta de un filtro pasa bajo de 3 elementos
Las curvas de respuestas típicas para algunos valores de Q con carga son mostrados en la Fig.
3.10.
43
Fig. 3.10 Respuesta en frecuencia de un filtro pasa bajo de 3 elementos
3.3 Diseño de Filtros modernos.
Se utiliza un filtro prototipo pasa bajo normalizado, el cual puede ser transformado al tipo de
respuesta deseada (pasa banda, pasa alto, elimina banda).
El primer paso consiste en la normalización a un filtro pasa bajo prototipo mostrado en la Fig.
3.11
Fig. 3.11 Respuesta del filtro pasa bajo normalizado
Los cambios de impedancia, frecuencia de corte del filtro normalizado a los valores deseados
se conoce como el proceso de escalamiento.
44
3.3.1 Filtro Butterworth
La respuesta de un Butterworth se caracteriza por una respuesta plana en la banda pasante y no

contiene rizados o ripple como se muestra en la Fig. 3.12.
Fig. 3.12 Respuesta de un filtro Butterworth
La atenuación de un filtro Butterworth está dada por la ecuación (3.8)

[ ( ) ] (3.8)
Donde: frecuencia en la cual la atenuación es la deseada.
c = frecuencia de corte del filtro (3dB )
n = número de elementos del filtro.
La Fig. 3.13 muestra la relación entre la atenuación generada por el filtro de orden n y
cualquier frecuencia.
45
Fig. 3.13 Características de Atenuación para filtros Butterworth
La Tabla 3.1 determina los valores de un filtro Butterworth de un prototipo “Ladder”

con resistencias de fuente y de carga de 1 ohmio.
Ejemplo 3.1
Cuantos elementos son requeridos para diseñar un filtro Butterworth con una
frecuencia de corte de 50 MHz, si el filtro debe generar una atenuación de al menos 48
dB en 200 MHz?
Solución:
El primer paso es encontrar la relación de

Luego a 4 veces la frecuencia de corte, la respuesta debe decaer en 48 dB. Según la
Fig. 3.13 se requieren 4 elementos. El circuito correspondiente se muestra en la Fig.
3.14
La Tabla 3.1 muestra los valores de los elementos del prototipo pasa bajo Butterworth cuando
Rs =RL.
46
Tabla 3.1 Valores de los elementos del prototipo pasa bajo Butterworth
Ocasionalmente, se requiere diseñar un filtro que opere con terminaciones desiguales como se
indica en la Fig. 3.15. En este caso el circuito se normaliza para una resistencia de carga de 1
ohmio y por tanto la resistencia de la fuente y de la carga se dividen por 10, como se indica
en la Fig. 3.16.
Fig. 3.15 Filtro con terminaciones desiguales.
47
Fig. 3.16 Filtro con terminaciones desiguales normalizadas
Tabla 3.2 Valores de los elementos del Butterworth pasa bajo

para una relación Rs/RL
48
3.3.2. Filtro Chebyshev
El filtro Chebyshev es un filtro con un Q más alto que el Butterworth con una banda de
transición más abrupta, no obstante presenta un rizado en la banda pasante. La Fig. 3.17
muestra una comparación de los filtros anotados para n = 3 elementos.
Fig. 3.17 Comparación de las curvas de respuesta del Chebyshev y el Butterworth

Los polinomios de Chebyshev según el orden n son mostrados en la tabla 3.3
Tabla 3.3 Polinomios de Chebyshev según el orden n
3.4 Proceso de diseño de filtros
Un filtro puede ser diseñado o seleccionado de un grupo de "definición clásica de" filtros o
arbitrariamente sobre la base de la curva de respuesta de energía espectral deseada.
Filtros de la definición clásica
Para el diseño clásico los filtros de paso bajo, paso alto, paso banda o banda de detención se
utilizan procedimientos explícitos de diseño clásico que han sido desarrollados para una serie
49
de filtros como por ejemplo: Butterworth, Chebyshev, etc. Adicionalmente, las herramientas
CAE están disponibles en línea o utilizando MATLAB, donde se proporciona la estimación
del orden del filtro y el trazado espectral.
Filtros arbitrarios:
La respuesta espectral arbitraria requiere los siguientes pasos:

(1) Definir una curva suave y continua para todo el espectro de potencia deseado de un
filtro. Tratar de usar segmentos de línea recta a partir de una frecuencia a otra, por tanto es
necesario asegurar la determinación de las bandas de transición.
(2) Estimar el número y ubicación de los polos y ceros sobre los puntos de ruptura y la
pendiente de las bandas de las transiciones.
(3) Utilizar el polo y el cero estimados en la ecuación para ver si las curvas resultantes son lo
suficientemente cerca.
(4) Iterar sobre las estimaciones hasta que ajuste la curva.
3.5 Ejercicios Propuestos
3.5.1 Dados una bobina con una inductancia de 10 mH, una resistencia de 2 , un capacitor
de 0,005 F y una fuente de voltaje de 1º volts conectados como un circuito resonante serie,
calcular:
a) La frecuencia de resonancia: fo.
b) La corriente Io del circuito.
c) El factor de calidad Q.
d) El voltaje sobre la resistencia VR.
3.5.2 Una inductancia de 100 H que incluye una resistencia de 8 , está conectada en
paralelo con un capacitor de 680 pF. La fuente de voltaje es de 10 volts. Calcular:
a) La frecuencia de resonancia: fo.
b) La impedancia de salida Zo.
c) La corriente que alimenta el tanque IT.
d) La corriente en la rama capacitiva IC.
e) La corriente en la rama inductiva IL.
3.5.3 Una red en configuración L, se usa para acoplar impedancias. La frecuencia de

operación es 1.2 MHz y la carga es de 100 ohmios. La inductancia de la bobina es de 150 H
con un Q de 200. Calcular:
a) El QT que opera en el circuito.
b) La Resistencia de entrada
c) La Capacitancia.
50
Capítulo IV:
La Carta de Smith
en el diseño de las
Redes de Acople
51
52
4. LA CARTA DE SMITH
La Carta de Smith fue concebida en los años 1930 por Phillip Smith en los laboratorios
BELL, quien quiso realizar un método más fácil para resolver las ecuaciones tediosas y
repetitivas que frecuentemente aparecen en la teoría de R.F.
4.1 Construcción de la Carta de Smith.
Considerando el circuito de la Fig. 3.1 donde se representa una fuente de RF con una
impedancia ZS que se conecta a una carga ZL . En el punto de conexión se puede establecer una
onda incidente VI hacia la carga y una onda reflejada VR hacia la fuente.
El coeficiente de reflexión de una impedancia

de carga respecto a la impedancia de la fuente
puede ser encontrada por la ecuación 4.1:
(4.1)
Fig. 4.1 Ondas incidente y reflejada
En la formula normalizada (dividiendo numerador y denominador por ZL):
(4.2)
Donde es una impedancia compleja, luego
No obstante, es un complejo de la forma:
Substituyendo en (4.2):
53
(4.3)
Resolviendo las partes reales e imaginaria, se obtiene:
(4.4)
(4.5)
Resolviendo (4.4) para X:
(4.6)
Substituyendo (4.6) en (4.5) se obtiene:
( ) ( )
(4.7)
Esta ecuación corresponde a una familia de circuitos cuyos centros están en:
(4.8)
A estos circuitos se les denomina CÍRCULOS DE RESISTENCIA CONSTANTE. (ver Fig.

4.2).
54
Fig. 4.2 Círculos de resistencia constante
Similarmente, podemos eliminar R de los pasos 4 y 5, y se obtiene:
( ) ( )
(4.9)
El cual representa una familia de circuitos con centro en:
(4.10)
A estos circuitos se les denomina CÍRCULOS DE REACTANCIA CONSTANTE. (Ver fig.

4.3).
55
Fig. 4.3 Círculos de reactancia constante
Cuando las dos cartas anteriores se incorporan en una versión simple, nace la carta de Smith.
Añadiendo otras escalas periféricas que ayudan al diseño de circuitos en R.F. tales como, la
relación de onda estacionaria (SWR), el coeficiente de reflexión y las pérdidas de transmisión
a lo largo de la línea de transmisión, y de esta forma se completa la carta de Smith. Ver fig.
4.4.
56
Fig. 4.4 Carta de Smith completa
57
4.2 Gráfico de valores de Impedancia
Cualquier punto en la carta de Smith representa una combinación serie de resistencia y

reactancia de la forma . Para graficar la impedancia , se debe encontrar
en los círculos de resistencia constante y su intersección en los círculos de reactancia
constante , tal como se indica en la Fig. 4.5.
Fig. 4.5 Gráfico de impedancias:
58
En muchos casos los círculos no están representados para todos los valores posibles de R y de
X. Es necesario interpolar las curvas tal como se indica en la Fig. 4.6 donde se representan
diversos valores de impedancias con valores decimales.
Fig.4.6 Gráfico de algunas impedancias sobre la Carta de SMITH.
No obstante, como se aprecia en las figuras mostradas graficar valores altos no es posible. Si
se quiere graficar la impedancia Z = 100 + j 150 no es posible hacerlo con precisión puesto
que los círculos respectivos se encuentran en los extremos. A fin de facilitar el gráfico de
grandes impedancias, se requiere el proceso de la normalización: que consiste en dividir cada
impedancia por un número conveniente el cual permite su ubicación en la región medible de
la carta.
En el caso: Z = 100 + j 150 ohmios, se divide por 100 para obtener una impedancia
normalizada: .
59
4.3 Manipulación De Impedancias Sobre La Carta
4.3.1 Impedancia En Serie
Si a Z = 0.5 + j 0.7  le añadimos en serie – j 1.0  (reactancia capacitiva).
ZT = 0.5 + j 0.7 - j 1.0
ZT = 0.5 – j 0.3 ohm. (Representa un circuito serie RC)
Ver esta transformación en la Fig. 4.7.
Fig. 4.7 Impedancia inductiva con adición de un condensador en serie
60
Si a Z = 0.8 - j 1  le añadimos en serie + j 1.8  (reactancia inductiva).
ZT = 0.8 - j 1.0 + j 0.8
ZT = 0.5 + j 0.8 ohm. (Representa un circuito serie RL)
Ver esta transformación en la Fig. 4.8.
Fig. 4.8 Adición en serie de un inductor a una impedancia capacitiva.
4.3.2 Conversión De Impedancia a Admitancia:
La carta de Smith permite una conversión fácil entre la impedancia (Z) y su admitancia (Y):
61
(4.11)
Donde: G es la conductancia en mhos y B es la Suceptancia en mhos. Se representan en la Fig.
4.9
Fig. 4.9 Circuitos representativos de admitancia
Note que la suceptancia capacitiva es positiva y la suceptancia inductiva es negativa.
Para representar de admitancias, basta rotar la carta de Smith 180o para permitir el manejo de
admitancias, en forma similar que las impedancias.
Una versión de la carta de Smith muy útil es aquella que contiene la superposición de las
coordenadas de impedancia con las coordenadas de admitancia, como se indica en la Fig. 4.10.
4.3.3 Manipulación de admitancias sobre la carta
Cuando los elementos se encuentran en paralelo sus admitancias se suman.
Ejemplo: a la admitancia
Y1 = 0.2 – j 0.5 mho
Se le añade en paralelo un capacitor con suceptancia = + j 0.8 mho
Matemáticamente:
Y2 = 0.2 – j 0.5 + j 0.8

Y2 = 0.2 + j 0.3 mho.
En este caso, se trabaja con la carta rotada 180o y se emplea un procedimiento igual al que se
utilizó para manipulación de impedancia. Ver Fig. 4.10.
Con la carta de Smith compuesta se puede manipular impedancias y admitancias: las

impedancias viajan a lo largo de las coordenadas de impedancias, mientras que las admitancias
viajan a lo largo de las coordenadas de admitancias.
62
Fig. 4.10 Cartas de Impedancia y Admitancia superpuestas
Fig.4.11 Adición de un capacitor en paralelo.
63
4.3.4 Acoplamiento De Impedancias Sobre La Carta De Smith
Para hacer más fácil el uso de la carta de Smith, las siguientes ecuaciones pueden ser usadas:
 Para un componente Capacitivo serie:

(4.12)
 Para un componente Inductivo serie:
(4.13)
 Para un componente Capacitivo paralelo:
(4.14)
 Para un componente Inductivo paralelo:
(4.15)
Donde: ω
X = Reactancia leída de la carta.
B = Suceptancia leída de la carta.
N = Factor de normalización.
Ejemplo 4.1: Cual es la impedancia vista desde la fuente en el circuito de la Fig. 4.12:
Fig.4.12 Ejemplo 4.1

Solución: Este problema es de fácil solución con la carta de Smith.
Primero se separan las ramas del circuito en forma individual tal como se muestra en la Fig.
4.13.
64
Fig.4.13 Separación de en ramas individuales del ejemplo 4.1
Ver solución en forma gráfica en la Fig. 4.14. Aquí se puede establecer:
Arco AB = L paralelo =-jB = 0.3 mho

Arco BC = C serie =-jX = 1.4 ohm
Arco CD = C serie = jB = 1.1 mho
Arco DE = L paralelo =-jX = 0.9 ohm
La impedancia en el punto E puede ser leída directamente de la carta como Z= 0.2 + j0.5 ohm.
Fig. 4.14 La carta de Smith en la solución del Ejemplo 4.1

65
Ejemplo 4.2: Diseñar un circuito de acoplamiento de dos elementos, sobre una carta de Smith
para acoplar una fuente de 25 – j 15  a una carga de 100 – j25  en 60 MHz. El circuito de
acople debe actuar como un filtro Pasa Bajo.
Solución: La fuente se acopla con su conjugado complejo: = 25 + j 15
- Normalización: Se escoge un numero conveniente que en este caso es: N = 50 y se

dividen las impedancias por este numero:
ZSN = 0.5 +j 0.3  ; = 2 – j 0.5 
Estos 2 valores son fácilmente graficados en la carda de Smith: (normalizado) y

(normalizado), Fig. 4.15.
66
El cruce de los círculos, admitancia e impedancia genera el punto B.

El arco AB es un condensador paralelo con valor jB = 0.73 mho y el arco BC es un inductor
serie (filtro Pasa- Bajos) con valor + jX = 1.2 .
Por tanto:
=1.2 
Desnormalizando: (multiplicando por 50):
XL = 60  ; Xc = 68.5 
Calculando valores:
El circuito final es mostrado en la Fig. 4.16.
Fig. 4.16 Circuito final del Ejemplo 4.2
Ejemplo 4.3: Diseñar un circuito “T” que acople una impedancia de fuente de Z s = 15 + j 15
a una carga de ZL = 225  en 30 MHz y Q = 5.
Solución:
Previamente se requiere el gráfico del arco para Q = 5 sobre la carta del Smith.
67
1er paso: normalización (escogemos N = 75):

Z*s = 0.2 - j 0.2 
ZL = 3 
En este caso RL  RS
A partir de c se intercepta la curva que para por c con la curva de Q = 5 y se obtiene el punto
 se toma la curva de las admitancias hasta encontrar la intersección entre esta curva y la curva
de impedancias que pasa por A y así se obtiene el punto B. Ver Fig. 4.17.
68
Luego se deduce:
- Elemento 1 = arco AB : LS = + j 2.5 
- Elemento 2 = arco B : CN = j 1.15 mho
- Elemento 3 = arco C : LS = j 0.8 
Por tanto:
Elemento 1:
Elemento 2:
Elemento 3:
El circuito final se muestra en la Fig. 4.18
Fig. 4.18
4.4 Problemas propuestos:
4.4.1 Se requiere una red de acople tal como se muestra en la Fig. 4.19
Fig. 4.19 Problema 4.1
Si y sin tener encuenta la resistencia interna de la bobina, determine el valor de

empleando la Carta de Smith.
4.4.2 Emplear la carta de Smith para diseñar la red de acoplamiento de la Fig. 4.20 si
69
Fig. 4.20 Problema 4.2
a. Hallar L, C
b. Si la corriente de entrada es , hallar la corriente en magnitud.
4.4.3 Se desea acoplar una carga de en la frecuencia de 90 MHz a un cable

coaxial de impedancia característica de 50 ohmios. Diseñe la red de acople para máxima
transferencia de potencia, empleando la carta de SMITH y especificando el circuito de acople
con sus valores correspondientes.
70
Capítulo V:
Amplificadores de RF
pequeña señal
71
72
AMPLIFICADORES RF DE PEQUEÑA SEÑAL
5.1 Definición
1. Las amplitudes de la señal de entrada son lo suficientemente pequeñas como para que
los dispositivos activos puedan modelarse por parámetros de cuadripolo ó por circuitos
equivalentes lineales como el circuito “híbrido pi”
2. El voltaje de salida es linealmente proporcional al voltaje de entrada.
5.2 Amplificador RF sintonizado: Ver Fig. 5.1
Fig. 5.1 Amplificador RF sintonizado
Se supone:
a. CE y CC carecen de reactancia
b. Las capacidades internas del transistor son despreciables
c. Vi es lo suficientemente pequeño como para que el transistor opere en la región lineal.
Ganancia de voltaje:
vo
Av    g m Rt
vi (5.1)
gm = Transconductancia de Señal débil (en operación lineal)
73
Rt = Impedancia en resonancia del circuito de colector en sintonía
Corriente de colector:
(5.2)
IES = Corriente de saturación del emisor
(5.3)
Llamando:
Viq Vi (mVolts )
x 
RT 26 Temperatura ambiente
(5.4)
 

ic   I E  Io( x)  2 In( x) Cos nt 
 n 1  (5.5)
IE = Corriente de emisor en reposo
In(x) = Función de Bessel modificada en 1ª clase
Ic  I E Io(x) = Componente c.c. de ic (constante)
 
In( x) 
ic  Ic 1  2 Cos nt  (5.6)
 n 1 Io( x) 
Graficando las componentes fundamental y 2ª armónica de ic contra la amplitud de la señal,

como se muestra en la Fig. 5.2, se aprecia la no linealidad de estas componentes de corriente,
lo cual generará en la salida componentes armónicas.
 Con transistores FET y MOSFET de agotamiento:

2
 v 
i D  I DSS 1  GS 
 Vp  (5.7)
IDSS = corriente de salida para VGS = 0 y VDS = Vp
Vp = Tensión de corte
74
Fig.5.2 Fundamental y 2da. Armónica vs. Amplitud de la Señal
 Con transistores MOSFET de enriquecimiento:

2
 v 
i D  I D 0 1  GS 
 VT  (5.8)
VT= Voltaje de encendido
ID0 = Valor saturado de corriente para VDS = VGS - VT
5.3 Modelos para el dispositivo activo
Modelos populares (para operación lineal)
1. Circuitos equivalentes
a. Modelo híbrido pi del transistor (útil hasta fT/5), ver Fig. 5.3
q Ic 1
gm    40 Ic (5.9)
kT re
hie  rx  r  r rbb'  rb'

(5.10)
0
r    0 re   0  hfe a baja frecuencia
gm (5.11)
| | (5.12)
75
Fig. 5.3 Modelo híbrido pi del transistor
(5.13)
(5.14)
(5.15)
(5.16)
b. Circuito equivalente para FET. Ver Fig. 5.4
Fig. 5.4 Circuito equivalente para un FET
76
Estos circuitos carecen de utilidad para el análisis de estabilidad y por esta razón es necesario
estudiar los parámetros Y.
5.4 Parámetros Y.
Son usados para caracterizar el comportamiento de un transistor en ciertas frecuencias y

puntos de polarización. La Fig. 5.5 muestra los montajes que se
A Emisor Común B. Base Común C. Colector Común
Fig. 5.5 Montajes para un transistor BJT.
Una configuración de “caja negra” es usada para crear la caracterización de los “parámetros
Y”. Fig. 5.6
Fig. 5.6 Cuadripolo generalizado
Los parámetros Y o de corto circuito para la configuración de 2 puertos son:
I1 I1 I2 I2
yi  yr  yf  yo  (5.19)
V1 V 0 V2 V1  0
V1 V2  0
V2 V1  0
2
Donde: Yi = Admitancia de entrada de corto circuito
Yr = Admitancia de transferencia inversa de corto circuito
Yf = Admitancia de transferencia directa de corto circuito
Yo = Admitancia de salida de corto circuito
77
Matemáticamente, las ecuaciones que caracterizan el cuadripolo generalizado se

muestran en las ecuaciones (5.20) y (5.21).
(5.20)
(5.21)
5.5 Cuadripolo Generalizado
Fig. 5.7 Parámetros de Admitancia
Se emplean los parámetros de admitancia del cuadripolo en C.C.
 Para operación lineal con señal débil el dispositivo activo se puede caracterizar por
un cuadripolo con las siguientes ecuaciones:
; Donde: Parámetros de admitancia
; : Admitancia de fuente y de carga
De estas ecuaciones se derivan:
a. Ganancia de Voltaje:
V2  Yf
Av   Si YL , A v 
V1 Yo  YL (5.22)
b. Ganancia de Corriente:
I2  Y f YL
AI   y  determinan te de y
I 1 y  YI YL
y  YiYo  YfYr (5.23)
c. Admitancia de entrada:
78
I1 Y f Yr
Y1   Yi 
V1 Yo  YL (5.24)
d. Transferencia de Voltaje inversa:
V1 Yr

V2 Yi  YS (5.25)
e. Admitancia de salida:
I2 Y f Yr
Y2   Yo 
V2 Yi  YS (5.26)
5.6 Estabilidad del Amplificador
El amplificador es inestable si parte de la energía de salida se retroalimenta al puerto de

entrada con la fase adecuada.
 El acoplamiento se efectúa a través de la capacitancia de retroalimentación c y la

posibilidad de oscilar es mayor en RF
 El objeto del diseño en RF es alcanzar máxima ganancia en potencia xib un grado

de estabilidad predecible
a. Factor C de estabilidad: Estabilidad de Linvill
Es la medida de estabilidad bajo condiciones hipotéticas del peor caso, es decir con ambos
puertos en circuito abierto.
El factor C de Linvill está dado por:
YfYr
C
2 g i g o  ReYfYr 
(5.27)
=parte real de ; parte real de , Re (...) denota la parte real de (…)
 Si C=1 El dispositivo es CRITICAMANTE ESTABLE

 Si C<1 El dispositivo es ESTABLE INCONDICIONALMENTE
 Si C>1 El dispositivo es POTENCIALMENTE ESTABLE
79
Muchos transistores son potencialmente inestables en algún rango de frecuencias a causa de

las capacidades internas de retroalimentación
b. Factor K de estabilidad (STERN)
La adición de impedancias de carga y de fuente finitas al dispositivo y tienden a mejorar la

estabilidad del amplificador. El criterio de STERN tiene en cuenta las admitancias de fuente y
de carga junto con los parámetros del circuito.
2g i  Gsg o  G L 
K
YfYr  ReYfYr 
(5.28)
Gs= parte real de Ys; GL= parte real de YL
 Si K>1: Circuito ESTABLE

 Si K<1: Circuito POTENCIALMENTE INESTABLE
5.7 Modos de lograr la estabilidad
Conectando una red externa alrededor de la red activa, Fig. 5.8:
Fig. 5.8 Dispositivo activo con realimentación
Los criterios de Linvill y de Stern pueden aplicarse aunque los parámetros a utilizar son los
parámetros compuestos de los dos circuitos en paralelo.
80
Agregando: - Un subíndice “t” a los parámetros del dispositivo
- Un subíndice “f” a los parámetros de la red de realimentación (feedback).
Los parámetros compuestos pueden escribirse:
Yic  Yit  Yif Yoc  Yot  Yof

(5.29)
Yfc  Yft  Yff Yrc  Yrt  Yrf
- Cuando la red de realimentación se reduce a una sola admitancia (Fig. 5.9), sus
parámetros y se indican en las ecuaciones (5.30) y (5.31).
Fig. 5.8 Circuito de realimentación simple
(5.30)
(5.31)
Los parámetros de esta red son:
Al escoger esta red, el amplificador es incondicionalmente estable.
 Si es un condensador :
Yx  jCx Yif  Yof  jCx; Yff  Yrf   jCx
El factor de estabilidad de Linvill para esta red:
YfcYrc
C
2 g ic g oc  ReYfcYrc  (5.32)
con C>1: red potencialmente inestable
C<1: red estable incondicionalmente
 El factor K de estabilidad
81
2g ic  Gsg oc  GL 
K
Yfc  Yrc   ReYfcYrc  (5.33)
con K<1: red potencialmente inestable
K>1: red estable
5.8 Maneras de asegurar estabilidad
La inestabilidad del amplificador se origina por lo general en la trayectoria de

retroalimentación del dispositivo ó por Yrc de la red compuesta.
1. Unilateralización.
La red de retroalimentación se escoge de tal forma que:
Yrf = -Yrt entonces Yrc = 0 (no hay transmisión interna)
Cuando se cumple esta condición se dice que el amplificador está unilateralizado
2. Neutralización.
En la mayoría de los BJT y FET la admitancia de transferencia inversa es compleja
(5.34)
por lo general es despreciable frente a en RF si la red externa tiene:
(5.35)
Entonces se cancela la retroalimentación a través de
(5.36)
Es suficientemente pequeña como para asegurar una operación estable. Entonces se dice que el
amplificador está neutralizado.
3. Diagrama de amplificadores neutralizados.
Mediante una combinación serie, se puede sintonizar y producir una suceptancia

negativa de colector, de tal forma que sea positiva.
82
Fig. 5.9 Unilateralización
El capacitor de neutralización se conecta al punto b. que tiene fase opuesta al punto a, respecto
al contacto central c de la derivación a masa para RF.
Fig. 5.10 Neutralización
4. Estabilización por desacople
Por reducción de la ganancia se puede evitar el uso de circuitos neutralizadores. Si GL y GS

son lo suficientemente grandes para que el factor de STERN sea mayor 1 (K entre 1 y 4).
5.9 Ganancia de potencia en amplificadores
La potencia de un amplificador estable se puede definir de varias maneras dependiendo de los

acoplamientos de impedancias en los puertos de entrada y salida.
83
Fig. 5.11 Ganancia en Amplificadores RF
1. Ganancia en potencia de operación: GP
Es la ganancia desde la entrada del dispositivo a la admitancia de carga Y L

2
Po Pot. entregada a la carga V2 G L
Gp   
Pi Pot. en el puerto de entrada V1 2 G1
(5.37)
en términos de los parámetros de la red (Yt ó Yc)

2
Yf GL  YfYr 
Gp   G1  ReY1   Re Yi  
YL  Yo G1
2
 Yo  YL 
(5.38)
2. Ganancia disponible: GA
Supone acoplamiento de impedancias en los puertos de entrada y salida.
Ys  Y1 YL  Y2
* *
Pao Pot. disponible en el puerto de salida

GA  
Pas Pot. en el puerto de entrada (5.39)
En términos de los parámetros de la red:

2
Yf Gs
GA 

Re YiYo  YfYr  YoYs (Yi  Ys ) *  (5.40)
3. Ganancia de transconductor : GT
Acoplamiento en el puerto de entrada
Po Pot. entregada a la carga

GT  
Pas Pot. disponible de la fuente (5.41)
84
En términos de parámetros de la red:

2
4GsGL Yf
GT 
Yi  Ys Yo  YL   YfYr 2 (5.42)
4. Máxima ganancia disponible = MAG
Es la ganancia en potencia teórica de un dispositivo con su admitancia de transferencia inversa

Yr=0 y las admitancias de fuente y carga acopladas conjugadamente a Yi y Yo
 Yr  0

 Yi  Y * Yo  Y2
*
 1 ;
2
Yf
MAG 
4 gi g o (5.43)
representa el limite superior teórico para la ganancia
5.10 Diseño de un amplificador a pequeña señal con acoplamiento conjugado simultáneo

(transistores incondicionalmente estables).
La ganancia de potencia óptima es obtenida de un transistor cuando Yi y Yo son acoplados

con el conjugado de Ys y YL Respectivamente.
Para su máxima transferencia de potencia de la fuente y de la carga se pueden emplear las

siguientes ecuaciones de diseño.
Gs = conductancia de la fuente
Bs = suceptancia de la fuente
GL = conductancia de la carga
BL = suceptancia de la carga
85
2 g i g o  Re(YfYr )2  YfYr 2

Gs 
2g o
Im(YfYr )
Bs   jbi 
2g o
2 g i g o  Re(YfYr )2  YfYr 2 Gsgo
GL  
2gi gi
Im(YfYr )
BL   jbo 
2gi (5.44)
EJEMPLO 5.1: Un transistor tiene los siguientes parámetros Y a 100 MHz con VCE = 10V e
Ic=5mA
Yi = 8 +j5.7mMhos Yf = 52 – j20mMhos
Yo = 0.4 + j1.5mMhos Yr = 0.01 – j0.1mMhos
Diseñar un amplificador que provea máxima ganancia de potencia en la fuente con 50 y en
la carga con 50 a 100 MHz
Solución:
1. Cálculo del factor de estabilidad de Linvill:
YfYr  52  j 20  0.01  j 0.1 5.57

C    0.71
2 gi g o  Re YfYr  2*8*0.4  Re  52  j 20  0.01  j 0.1  6.4  1.47
C  0.71  El dispositivo es incondicionalemente estable
2. Cálculo de MAG
52  j 20
2 2
Yf
MAG    242.5  23.8dB
4 gi g o 4*8*0.4
3. Cálculo de las admitancias de fuente y de carga para acoplamiento conjugado

simultáneo:
86
2 g i g o  Re(YfYr )2  YfYr 2 6.4  1.472  5.57 2

Gs    6.95mMhos
2g o 2 * 0.4
Im(YfYr )  5.37
Bs   jbi    j 5.7  j   j12.41mMhos
2g o 2 * 0.4
Por tanto, la admitancia de fuente que el transistor debe “ver” para máxima transferencia de
potencia es 6.95 – j12.41mmhos en consecuencia la admitancia de entrada del transistor debe
ser 6.95+j12.41mmhos.
Para la carga:
2 g i g o  Re(YfYr )2  YfYr 2 Gsgo 6.95 * 0.4

GL     0.347mMhos
2gi gi 8
Im(YfYr )  5.37
BL   jbo    j1.5  j   j1.84mMhos
2gi 2 *8
Para máxima transferencia de potencia la admitancia de carga debe ser: 0.347-j1.84 mmhos,
luego la admitancia de salida del transistor debe ser el conjugado complejo: 0.347+j1.84
mmhos.
Fig. 5.12 Redes de entrada y de salida del ejemplo 5.1
Para el diseño de la red de acoplamiento de entrada se emplea la carta de Smith que se trabaja
con valores normalizados y para .
Empleando N = 50, por tanto:
=50x(6.95-j12.41) mmhos = 0.34-j0.62 mhos
Esta admitancia normalizada es mostrada en la figura de la siguiente página. Obsérvese que la

impedancia correspondiente es Zs’ = 0.69 + j1.2 ohms. El circuito de acople de entrada debe
transformar la impedancia de fuente de 50 en la impedancia representada por Zs, se muestra
en la Fig. 5.13 que partiendo del punto A en la curva de la carta de Impedancia debe
interceptar la curva que parte que se origina en el punto C en la carta de admitancias.
87
Fig. 5.13 Carta en la red de acople de entrada
En consecuencia se tiene una red de dos elementos que corresponden en la carta al camino
más simple y conveniente por costos:
Arco AB = C en serie = - j1.3 
Arco BC = L en paralelo = - j1.1 mhos
Valor de los componentes:
88
1 1
C1    24.5 pF
wXN 2 (100 x10 6 )(1.3)(50)
N 50
L1    72nH
wB 2 (100 x10 6 )(1.1)
El circuito correspondiente de la red de entrada y de salida se indica en la Fig. 5.14
Fig.5.14 Circuitos de acople de entrada de salida
4. Diseño de la red de acoplamiento de salida: con un procedimiento similar pero

empleando N=200 se normaliza YL.
YL’=200(0.347-j1.84) mmhos = 0.069-j0.368 mhos
ó ZL’= 0.495+j2.62 debe ser transformada a 50 .
Escogiendo una red de 2 elementos, como se indica en la Fig. 5.15, se obtiene:
Arco AB = C en serie = -j1.9
Arco BC = L en paralelo = -j0.89 mhos
89
Fig. 5.15 Diseño de la red de acople de salida del ejercicio 5.1
1
C2   4.18 pF
2 (100 x10 6 )(1.9)(200)
200
L2   358nH
2 (100 x10 6 )(0.89)
Diseño del circuito de polarización:
90
Fig. 5.16 Circuito de Polarización del Ejemplo 5.1
a. Punto de trabajo: Ic=5mA VCE=10v Vcc = 20v =50
b. Asumir VE=2.5v
c. IEIc=5mA =50
VE 2.5v
RE    500
d. Cálculo de RE I E 5 x10 3
Vcc  Vc 20  (10v  2.5v)

Rc    1.5K
e. Cálculo de RC Ic 5 x10 3
Ic 5mA
IB    0.1mA
f. Cálculo de IB  50
g. Cálculo VBB VBB  VE  VBE  2.5v  0.7v  3.2v
h. Asumir: IBB=1.5mA
i.
VBB 3.2v
R1    2133
I BB 1.5 x10 3
Cálculo de R1:
Eligiendo: R1 = 2K
j. Conociendo Vco, VBB, IBB e IB Calcular R2:
91
Vcc  VBB 20  3.2 17.8

R2   3
  11.25K  12 K
I BB  I B (1.5  0.1)10 x 1.6 x10 3
7. Circuito final incluyendo la red de polarización
Fig.5.17 Circuito final del ejemplo 5.1
5.11 Diseño de amplificadores con transistor potencialmente inestable
Si C>1 el transistor es potencialmente es potencialmente inestable y puede oscilar. Si este es el

caso hay varias opciones que se pueden emplear:
1. Seleccionar un nuevo punto de polarización para el transistor
2. Unilateralizar ó neutralizar el transistor.
3. Seleccionar un desacoplamiento en la entrada y en la salida del transistor para reducir

la ganancia de la etapa.
Ejemplo: un transistor 2N5179 tiene los siguientes parámetros Y en 200MHz
Yi = 2.25 + j7.2 mmhos Yf = 40 – j20 mmhos
Yo = 0.4 + j1.9 mmhos Yr = 0.05 –j0.7 mmhos
Encuentre las admitancias de fuente y de carga que aseguren un diseño estable. Encuentre la
ganancia del amplificador.
92
Solución:
1. Cálculo del factor C de estabilidad
YfYr  40  j 20  0.05  j 0.7 

C   2.27  1
2 gi g o  Re YfYr  2 * 2.25* 0.4  Re   40  j 20  0.05  j 0.7  

El dispositivo es potencialmente Inestable
2. De la hoja de datos del transistor 2N5179 se establece que la resistencia de fuente

óptima para mejor figura de ruido es 250
1 1
Gs    4mmhos
Rs 250
3. Se escoge un factor de estabilidad de STERN K=3 para un adecuado margen de

seguridad.
2g ic  Gsg oc  GL  2(2.25  4)(0.4  GL )

K 3
Yfc  Yrc   ReYfcYrc  31.35  (12)
Despejando de esta ecuación GL GL = 4.24 mmhos
Tomando BL = -bo del transistor entonces BL = -j1.9 mmhos
Por tanto la admitancia de carga será: YL= 4.24 – j1.9 mmhos
4. Cálculo de la admitancia de entrada del transistor:
YrYf
Yin  Yi  YL  GL  jB L
Yo  YL
(0.701859o )(44.72  26.6o )

Yin  2.25  j 7.2   4.84  j13.44mmhos
(0.4  j1.9)  (4.24  j1.9)
Luego Bs = - j13.44 mmhos y Ys = 4.84 – j13.44 mmhos
5. 12 Problemas propuestos:
5.12.1 Los parámetros “y” aproximados de un transistor npn en configuración emisor común,
trabajando en una frecuencia de 200 MHz, Vce = 10 volt., Ic = 2 mA, son:
93
Suponer neutralizado el transistor con un condensador de realimentación tal que:
a) Calcular los parámetros “y” compuestos.

b) El factor “C” de linvill para el transistor neutralizado.
c) Si Gs = 20 mmho y GL= - j 0.4 mmho, calcular el factor K de estabilidad de Stern.
5.12.2 Los parámetros y en milimhos de un transistor en Emisor-Común con:
, , son:
a) Calcule el factor “C” de estabilidad y establezca criterio.

b) Unilateralice el transistor y calcule el valor de los componentes que realizan esta
operación. Dibuje le transistor unilateralizado.
c) Determine los parámetros “y” compuestos (transistor unilateralizado).
d) Calcule la máxima ganancia disponible MAG del transistor unilateralizado.
5.12.3 Un amplificador de RF de pequeña señal trabajando en , emplea un

transistor en un montaje Emisor Común, , Tiene los siguientes
parámetros “y” en milimhos:
a) Calcule el factor “C” de estabilidad y establezca criterio.

b) Neutralice el transistor y determine los elementos que realizan esta operación.
c) Dibuje el transistor con los elementos que llevan a cabo la neutralización.
d) Calcule los parámetros compuestos.
e) Calcule MAG (Máxima Ganancia Disponible) del transistor neutralizado.
94
Capítulo VI:
Osciladores en RF
95
96
6. Osciladores de Onda Senoidal

Este capítulo trata del estudio y diseño de osciladores de onda senoidal de radiofrecuencia.
6.1 Introducción
Un oscilador es un circuito que produce una oscilación propia de frecuencia, forma de onda y
amplitud determinadas.
Se entiende por oscilador a una etapa electrónica que, siendo alimentada con una tensión
continua, proporciona una salida periódica, que puede ser aproximadamente sinusoidal, o
cuadrada, o diente de sierra, triangular, etc. O sea que la esencia del oscilador es “crear” una
señal periódica por sí mismo, sin que haya que aplicarle señal alguna a la entrada.
Un oscilador es en esencia un amplificador realimentado en forma inestable que produce una

señal alterna de valor pico constante y frecuencia seleccionable a voluntad.
En diagrama de bloques, un oscilador se puede representar como lo indica la fig. 6.1, en donde
Ao es la ganancia del amplificador en laso abierto y es la ganancia de la red de
realimentación.
Fig. 6.1 Diagrama de bloques de un oscilador
La Ganancia en bucle cerrado es:
(6.1)
La ganancia G es calculada a la frecuencia central de oscilación fo.
Las condiciones para generar una oscilación se resumen en los 2 Criterios de Barkhausen:
| | (6.2)
97
: Fase total del bucle cerrado. (6.3)
La red de retroalimentación se encarga de seleccionar la frecuencia de oscilación. En

consecuencia, el diseño del circuito oscilador consiste en la selección adecuada de los
componentes de la red de realimentación.
6.2 Criterios de Oscilación.
1. Hay oscilación en un circuito cuando exista una trayectoria de realimentación que

proporcione al menos una ganancia de bucle unitario con desplazamiento de fase nulo
(Criterios de Barkhausen).
2. El factor de Stern del circuito debe ser menor que 1.
3. El determinante de las ecuaciones de corriente de malla o voltajes de nodo es cero.
6.3 Operación del circuito realimentado como oscilador.
El circuito de la Fig. 6.1 puede representarse como se muestra en la Fig. 6.2
Fig. 6.2 Oscilador realimentado
La ganancia del circuito realimentado es:
(6.4)
Cuando el producto , el denominador se vuelve 0 y , en este caso el circuito

actúa como oscilador.
6.4 Circuitos Osciladores sintonizados en la entrada y sintonizados en la salida.
Para los osciladores sintonizados tanto en la entrada como en la salida considere el

circuito de la Fig.6.3
98
Fig. 6.3 Osciladores Sintonizados
Dependiendo de los elementos a tener encuenta en cada una de las impedancias de la red de
realimentación, se definen los diferentes tipos de osciladores sintonizados con énfasis
en Radiofrecuencia, Tabla 6.1
Tabla 6.1 Elementos Reactivos de Red de Realimentación
Tipo Oscilador Z1 Z2 Z3
1 Colpitts C C L
2 Hartley L L C
3 Doble sintonía LC LC -
6.4.1 Oscilador Colpitts
a) Con transistor bipolar: Ver Fig. 6.4
Fig. 6.4 Oscilador Colpitts con transistor bipolar

99
Frecuencia de Oscilación:
(6.5)
√
Donde:
(6.6)
b) Con transistor FET: Ver Fig. 6.5
Fig. 6.5 Oscilador Colpitts con transistor FET
Las ecuaciones son las mismas descritas en la parte a).
6.4.2 Oscilador Hartley:
a) Con transistor bipolar: Ver Fig. 6.6
Fig. 6.6 Oscilador Hartley con transistor bipolar
100
Frecuencia de Oscilación:
(6.7)
√
Donde:
(6.8)
Siendo M la inductancia mutua entre las dos bobinas.
y son condensadores de desacople.
b) Con transistor FET: Ver Fig. 6.7
Fig. 6.7 Oscilador Hartley con transistor FET
6.5 Osciladores a Cristal.
6.5.1 El cuarzo
La razón de la utilización masiva del cuarzo radica en una propiedad electromecánica,

conocida como efecto "piezoeléctrico", la cual es, como veremos, de una gran utilidad en los
osciladores. El cuarzo tiene la propiedad de deformarse mecánicamente, es decir, aumentar o
disminuir su volumen, cuando se le aplica una diferencia de potencial entre sus extremos.
Además, este efecto piezoeléctrico es reversible, por lo que, si de alguna forma somos capaces
de oprimir un cristal de cuarzo, podríamos observar cómo, durante el tiempo en que el cristal
está reduciendo su tamaño, produciría una diferencia de potencial entre sus caras opuestas.
6.5.2 Efecto piezoeléctrico: Un cristal de cuarzo tiene una frecuencia natural de oscilación. Si
se conecta un cristal de cuarzo a una diferencia de potencial, provoca, que este se deforme; si,
a continuación, deja de aplicarse la diferencia de potencial, el cristal tenderá a su forma
original ya que ha cesado la causa que lo deformaba. Durante su "vuelta" al estado original, el
cristal, comienza a oscilar aumentando y disminuyendo su tamaño hasta que, al cabo de cierto
101
tiempo, se detendrá definitivamente. Este aumento y disminución de tamaño son oscilaciones

propias del cristal y a una frecuencia fija que depende exclusivamente del cristal y es lo que se
llama frecuencia natural de oscilación.
6.5.3 Oscilador de cristal
Si a un cristal de cuarzo se le aplica sobre sus caras opuestas una diferencia de potencial, y el
dispositivo está montado adecuadamente, comenzarán a producirse fuerzas en las cargas del
interior del cristal. Estas fuerzas entre sus cargas provocarían deformaciones en el cristal y
darán lugar a un sistema electromecánico que comienza a oscilar. Sin embargo, vuelve a
ocurrir lo mismo que en los circuitos formados por un condensador y por una inductancia.
Esto es, las oscilaciones del cristal no duran indefinidamente, ya que se producen rozamientos
en la estructura interna que hacen que se vayan amortiguando hasta llegar a desaparecer. Por
tanto, necesita de un circuito externo que mantenga las oscilaciones, compensando las
pérdidas producidas por el rozamiento.
El comportamiento eléctrico del cuarzo se puede asemejar al de una inductancia, una

resistencia y un condensador conectados en paralelo con otro condensador. Por lo tanto, es
equivalente colocar un circuito con estos componentes que poner un cristal de cuarzo. Ver Fig.
6.8
Fig. 6.8 A) representación de un cristal de cuarzo. B) equivalente eléctrico de un oscilador

piezoeléctrico
6.5.4 Osciladores a Cristal de Cuarzo

El cristal de cuarzo es utilizado como componente de control de la frecuencia de circuitos
osciladores convirtiendo las vibraciones mecánicas en voltajes eléctricos a una frecuencia
específica.Esto ocurre debido al efecto "piezoeléctrico". La piezo-electricidad es electricidad
creada por una presión mecánica. En un material piezoeléctrico, al aplicar una presión
mecánica sobre un eje, dará como consecuencia la creación de una carga eléctrica a lo largo
de un eje ubicado en un ángulo recto respecto al de la aplicación de la presión mecánica.
Por las propiedades mecánicas, eléctricas, y químicas, el cuarzo es el material más apropiado
102
para fabricar dispositivos con frecuencia bien controlada.

La siguiente figura muestra la ubicación de elementos específicos dentro de una piedra de
cuarzo
La siguiente gráfica Fig. 6.9 muestra la variación en partes por millón (PPM) con respecto a
la temperatura.
Fig. 6.8 Variación en partes por millón (PPM) con respecto a la temperatura en un cristal.
6.5.5 Frecuencia Fundamental vs. Frecuencia de Sobretono:
Esto es de importancia cuando se especifica un cristal. Cuando se incrementa la frecuencia

solicitada, el espesor del cuerpo del cristal disminuye y por supuesto existe un límite en el
proceso de fabricación. Alrededor de 30MHz, el espesor de la placa del cristal comienza a ser
muy delgada. Debido a que el corte "AT" resonará a números enteros impares múltiplos de la
frecuencia fundamental, es necesario especificar el orden del sobretono deseado para cristales
de altas frecuencias.
6.5.6 Potencia de trabajo (Drive Level)
Es la potencia disipada por el cristal. Está normalmente especificada en micro o milivatios,

siendo un valor típico 100 microvatios.
103
6.5.7 Tolerancia en la frecuencia
La tolerancia en la frecuencia se refiere a la máxima desviación permitida y se expresa en

partes por millón (PPM) para una temperatura especificada, usualmente 25°C.
6.5.8 Estabilidad de la frecuencia
La estabilidad de la frecuencia se refiere a la máxima desviación en PPM, en un determinado

rango de temperatura. La desviación está tomada con referencia a la frecuencia medida a
25°C.
6.5.9 Circuito Eléctrico Equivalente
El circuito eléctrico equivalente que se muestra en la Fig. 6.9, es un esquema del cristal de
cuarzo trabajando a una determinada frecuencia de resonancia. El capacitor Co o capacidad
en paralelo, representa en total la capacidad entre los electrodos del cristal más la capacidad
de la carcasa y sus terminales. R1,C1 y L1 conforman la rama principal del cristal y se
conocen como componentes o parámetros donde:
 L1 representa la masa vibrante del cristal,

 C1 representa la elasticidad del cuarzo y
 R1 representa las pérdidas que ocurren dentro del cristal.
Fig. 6.9 Circuito equivalente de un Cristal
6.5.10 Curva de Impedancia
Un cristal tiene dos frecuencias de fase cero, como se ven en la Fig.6.10. La más baja es la
Frecuencia de Resonancia Serie indicada como fs. En éste punto el cristal se comporta como
una resistencia en el circuito, la impedancia está en un mínimo y la corriente que circula es la
máxima. A medida que se incrementa la frecuencia, el cristal pasa por la Frecuencia de
Resonancia Paralelo y llega a la frecuencia de Antiresonancia fa en la cual la impedancia es
máxima, y las reactancias de la L1 y la Co se cancelan. En éste punto, la corriente que circula
por el cristal es la mínima.
104
Fig. 6.10 Curva de Impedancia de un Cristal.
6.5.11 Factor de Calidad (Q)
El factor de calidad (Q) es una medida de la eficiencia de la oscilación. La máxima

estabilidad obtenible de un cristal depende del valor de "Q". En la Fig. 6.10 de la impedancia
del cristal, la separación entre las frecuencias serie y paralelo se llama ancho de banda.
Cuanto más pequeño el ancho de banda mayor es el "Q". Cambios en la reactancia del
circuito externo tienen menos efecto (menos "pullability") en un cristal de alto "Q" por lo
tanto la frecuencia es en definitiva más estable.-
6.6 Circuitos Osciladores Serie
Un circuito básico oscilador resonante serie, utiliza un cristal que está diseñado para oscilar
en su frecuencia resonante serie natural. En éste circuito no hay capacitores en la
realimentación Los circuitos resonantes serie son usados por la baja cantidad de componentes
que se utilizan, pero estos circuitos pueden tener componentes parásitos que intervienen en la
realimentación. y en el caso que el cristal deje de funcionar oscilarán a una frecuencia
impredecible. El esquema del circuito oscilador serie se muestra en la Fig. 6.11.
105
Fig. 6.11 Oscilador a cristal tipo serie
De la figura del circuito básico del oscilador resonante serie se ve que no existen
componentes para ajustar la frecuencia de oscilación. R1 es utilizado para polarizar el
inversor en su región lineal de operación y además provee realimentación negativa al
inversor. C1 es un capacitor de acople para bloquear la componente de continua. R2 está para
controlar la potencia que se entrega al cristal, limitando la corriente a través de él.
6.7 Circuitos Osciladores Paralelo
Un circuito oscilador paralelo utiliza un cristal que está diseñado para operar con un valor
específico de capacidad de carga. Esto resultará en un cristal que tendrá una frecuencia mayor
que la frecuencia resonante serie, pero menor que la verdadera frecuencia resonante paralelo.
Un circuito básico se muestra en la Fig. 6.12.
Fig. 6.12 Oscilador a Cristal tipo paralelo
Este circuito utiliza un inversor simple para hacer el oscilador, donde R1 y R2 cumplen las
mismas funciones que en el circuito del oscilador resonante serie, con dos capacitores en la
106
realimentación, que componen la capacidad de carga y en conjunto con el cristal darán lugar
a la frecuencia a la cual oscilará el circuito. O sea que ajustes en los capacitores de carga,
darán lugar a una variación pequeña en la frecuencia de oscilación, permitiendo un ajuste fino
de la misma. El cristal es resonante paralelo, especificado para trabajar con una determinada
capacidad de carga a la frecuencia deseada y con la tolerancia y estabilidad deseadas. La
capacidad de carga para el cristal en este circuito puede ser calculada con la siguiente
fórmula:
(6.9)
donde para inversores de las familias lógicas CMOS de alta velocidad:
 Cs es la capacidad parásita del circuito y normalmente se estima entre 3pf a 10pf.

 R1 es del orden de 8.2 MOhm a 10 MOhm
 R2 es del orden de 470 Ohm a 2200 Ohm
6.8 Capacidad de ser Cargado (Pullability)
Son los cambios de frecuencia de un cristal, ya sea de su frecuencia de resonancia natural Fr

a una frecuencia FL de una carga resonante, o desde una carga resonante a otra. Esta cantidad
depende de la capacidad en paralelo Co, de la C1 del cristal y la CL de carga.
En la fig.6.13 se muestra la variación de frecuencia en función de la capacidad de carga,
expresada en PPM.
Fig. 6.13 Variación en Frecuencia de un Cristal Vs. Capacidad de carga
107
6.9 Ejercicios propuestos:
6.9.1 Diseñar un oscilador Colpitts con transistor FET en la frecuencia fundamental de 10

MHz, onda sinusoidal y las siguientes características:
Zo = 50 Gananciade la red de realimentación = = 0.2,
Trabajar con dos cifras decimales y calcular:
a) Calcule:
b) La ganancia A en voltaje del Amplificador.
 Considere un Oscilador Hartley con transistor Mosfet a la frecuencia de operación de

300 MHz, fuente de alimentación de 12 voltios y que dispone de bobinas de 10 H y 4 H.
Asumiendo una ganancia del amplificador en magnitud de 3.8:
a. Dibuje el circuito oscilador.

b. Halle el valor del condensador C del circuito de sintonía.
c. Halle el valor del Ganancia de la red de realimentación para obtener una onda
sinusoidal.
6.9.3 Se dispone de un cristal tipo paralelo de 10.0 MHz y se requiere un oscilador cuya salida
sea de 100 MHz, onda sinusoidal con impedancia de salida de 50 ohmios. Diseñe el circuito
oscilador a 100 MHz empleando el cristal de 10 MHz.
108
Capítulo VII:
Amplificadores de RF de
potencia
109
110
7. Amplificadores RF de potencia
7.1 Introducción
El amplificador de potencia (PA) es la última etapa de un trasmisor. Tiene la misión de

amplificar la potencia de la señal (no necesariamente la tensión) y transmitirla a la antena con
la máxima eficiencia. En eso se parecen a los amplificadores de baja frecuencia, pero aquí la
distorsión o falta de linealidad puede no ser importante.
7.2 Clasificación de los amplificadores de potencia
Los amplificadores de potencia tradicionales emplean dispositivos activos (BJT o MOSFET)

que se comportan como fuentes de corriente controladas por tensión. Estos se clasifican
atendiendo a la fracción del periodo de la señal en que los dispositivos permanecen en
conducción. Si la entrada es una función sinusoidal, su argumento se incrementa 360º a cada
periodo de señal. La fracción del periodo en que los dispositivos conducen se mide por el
semiángulo de conducción, θ, que está comprendido entre 0 y 180º.
Fig. 7.1 Transistor de potencia para RF típico
Se definen tres clases de amplificadores de potencia:

Clase A: θ = 180º (conducen siempre)
Clase B: θ = 90º (conducen medio periodo)
Clase C: θ < 90º (conducen menos de medio periodo)
Cuanto menor es θ mayor es la eficiencia pero menor es la linealidad.
Existe otro tipo de amplificadores de potencia donde los dispositivos funcionan en

conmutación. Actúan como interruptores que pasan alternativamente de corte a conducción.
La eficiencia es teóricamente del 100% puesto que un interruptor ideal no consume potencia
en ninguno de los dos estados: en corte i = 0 y en conducción v = 0. En la práctica la eficiencia
se reduce porque hay pérdidas de potencia durante el transitorio de conmutación. Por eso se
han ideado diferentes esquemas que minimizan estas pérdidas. Estos amplificadores reciben
distintos nombres (clase D, E, F,…) a partir del momento en que se les reconoce su
innovación respecto a los existentes.
111
Fig. 7.2 Clasificación de amplificadores de potencia
7.3 Clase A
En este tipo de amplificador, el elemento activo está siempre en zona activa. De todos los
tipos es el que produce menos distorsión, pero también el que tiene menor rendimiento. En
consecuencia, el ángulo de conducción es de 360° y produce una réplica amplificada de
voltaje de la señal de entrada. Este tipo de amplificador es comúnmente empleado en
transmisores de Banda Lateral Única (SSB: Singled Side Band)
Su esquema es similar al de un amplificador de pequeña señal. De las configuraciones básicas

se elige la de EC: Emisor común para transistores BJT, porque tiene mayor ganancia en
potencia. El circuito con BJT se muestra en la fig. 7.2.
Fig. 7.3 Amplificador Clase A con transistor BJT
112
El punto Q de reposo, se selecciona para conservar siempre el transistor en la región activa.

Por tanto, el transistor puede modelarse como se muestra en la Fig. 7.4.
Fig. 7.4 Esquema del Amplificador Clase A
Fig. 7.5 Modelamiento de transistor BJT en Clase A
En consecuencia las tensiones de entrada y salida del amplificador clase A muestran en la Fig.
7.4
Fig. 7.6 Tensiones de entrada y salida del amplificador clase A
113
Las curvas características para cada una de los nodos del amplificador de la Fig. 7.4 se
muestran en la Fig. 7.5, para una señal de entrada sinusoidal.
Fig. 7.7 Curvas generadas en el amplificador Clase A
Las ecuaciones que caracterizan este amplificador son:
(7.1)
( ) ( ) (7.2)
( ) ( ) (7.3)
( ) ( ) (7.4)
114
En reposo la tensión sobre la inductancia es nula por lo que VCEQ = VCC. Pero la inductancia
mantiene una corriente constante ICQ, es decir que para c.a. se comporta como un circuito
abierto. La amplitud máxima de vo, Vp, que se puede lograr es VCC y para eso es necesario que
ICQRL > VCC
La potencia entregada a la carga es:
(7.5)
Potencia de entrada:
(7.6)
Eficiencia:
(7.7)
En el caso: e
Por tanto la eficiencia máxima será:
⁄
(7.8)
( )( ⁄ )
En consecuencia, los amplificadores de potencia de RF clase A se usan más comúnmente

como amplificadores de excitación de bajo nivel (drivers). Cabe anotar que el consumo de
potencia es independiente del nivel de señal. Cuando no hay señal el rendimiento es nulo y
además toda la potencia consumida se disipa en el transistor que va requerir un buen diseño
del disipador de potencia. En la práctica el rendimiento suele estar alrededor del 15%.
7.4 Clase B
En el amplificador clase B los elementos activos están en zona activa durante la mitad del
tiempo en cada ciclo de la señal si es un BJT, o en saturación si se trata de un MOSFET.
Es posible utilizar el mismo esquema del clase A, el cual se muestra en la figura 6.1, pero
ahora con VBB ≈ 0.7, de forma que el BJT sólo conduce cuando vi > 0. En este caso es
imprescindible poner en paralelo con RL un circuito LC sintonizado que elimina todos los
armónicos y deja pasar a la carga únicamente la componente fundamental.
115
Sin embargo el amplificador clase B que se va a analizar es otro, se trata del que utiliza dos
transistores complementarios y que está representado en la Fig. 6.6 con dos BJT
complementarios. En este caso no es necesario poner un circuito LC sintonizado en paralelo
con RL.
También aquí se elige VBB ≈ 0.7, para que cuando el voltaje de entrada sea vi > 0 conduzca Q1
y cuando sea vi < 0 conduzca Q2. Admitiendo que los parámetros del modelo en pequeña señal
de ambos BJT son iguales (matching) y que tienen el mismo valor desde el momento en que
éstos entran en zona activa, sus corrientes de colector en el semiciclo que conducen son
proporcionales a vi.
Fig. 7.8 Amplificador Clase A y Clase B.
Fig. 7.9 Amplificador Clase B con transistores complementarios
116
Los dos transistores se excitan desfasados 180° para que cada uno esté activo medio ciclo y no
opere el resto.
Los dispositivos son lineales y cada uno es una fuente de corriente de media sinusoide y
amplitud Icm.
Durante medio ciclo, solo medio devanado de T1lleva corriente:
( ) ( ) (7.9)
A su vez genera un voltaje de salida:
( ) ( ) ( ) (7.10)
Voltaje en el colector de Q1:

( ) ( ) (7.11)
Donde: (7.12)
R es la resistencia vista a través de la mitad del devanado primario con la otra mitad abierta.
(7.13)
Mantener un voltaje de colector negativo requiere que ; limitando así la potencia de

salida a:
(7.14)
( )
117
Fig. 7.10 Curvas generadas en el amplificador clase B
La corriente puede calcularse como:
∫ ( ) (7.15)
La eficiencia en este caso es:
(7.16)
Como el voltaje pico de colector es: , la corriente pico de colector es:
118
La eficiencia máxima será:

⁄
(7.17)
( )( ⁄ )
La disipación máxima en cada transistor es:
(7.18)
Y tiene lugar en:

(7.19)
Es de anotar que en clase B si no hay señal no se consume potencia. Pero el máximo

rendimiento sólo se consigue cuando Vpico = . No obstante, el amplificador no es tan lineal
como el clase A, especialmente por la distorsión de cruce, justo en el momento en que un
transistor se corta y empieza a conducir el otro.
Los transistores de este amplificador trabajan en colector común (CC), no ganan en tensión,
sólo en corriente. Si la tensión de entrada no es suficiente hace falta una etapa previa de
ganancia en tensión.
7.5 Clase C:
En esta clase de amplificadores el elemento activo conduce un tiempo t1– t2 en cada periodo T
= 2π/ωo, de forma que el semiángulo de conducción, definido como 2θο = ωo(t1– t2) sea
inferior a π/2. En el clase B: θο = π/2, mientras que θο = π en el clase A.
Se utilizan en amplificadores de señales de onda continua (CW), modulación de frecuencia

(FM) y Modulación de amplitud (AM).
La variación de amplitud que se requiere para una señal AM, se realiza variando el voltaje de
alimentación del amplificador de potencia. La Fig. 6.8 muestra un esquema del amplificador
clase C con transistor BJT.
La tensión VBB es ahora negativa, de forma que el BJT sólo entra en zona activa alrededor del
máximo de vi, cuando vi + VBB > 0.7 V.
119
Fig.7.11 Amplificador clase C con transistor Mosfet
La corriente de colector en función del semiángulo de conducción es:
( ) ( )
( ) { } (7.20)
( )
La corriente de polarización es negativa en el amplificador clase C. Llamando 2y el

ángulo de conducción, el semiángulo de conducción establece el modo del amplificador clase
C:
( )
{ ( )} (7.21)
( )
Polarización: ( )
Corriente de alimentación requerida:
∫ ( ) ( ( ) (7.22)
( ( ) ( )) (7.23)
Potencia de entrada:
Magnitud del voltaje de salida:
( ) ( ( )) (7.24)
120
Las curvas características del amplificador clase C se muestran en la Fig. 6.9
Fig. 7.12 Curvas características del amplificador clase C
121
Potencia de salida:
(7.25)
Eficiencia:
(7.26)
La eficiencia en clase C es más elevada que en clase A ó B.
Cuando , La eficiencia puede relacionarse con el semiángulo de

conducción. Fijando: :
(7.27)
Entonces la eficiencia máxima será:
( )
( ( ) ( ))
(7.28)
Ejemplo 7.1 Diseñe un amplificador de potencia clase C para entregar 25W a una carga de 50
Ω con (sin saturar) y .
Solución:
implica:
Este valor se obtiene mediante una red de acople del tipo con o mayor.
122
Mediante una solución iterativa de ensayo y error se obtiene:
, para una eficiencia máxima del 85%
Insertando y en
( ( ))
( ( ))
( ) ( )
Para estos valores de corriente:
Voltaje máximo del dispositivo: 2x12=24 volt.
Cabe anotar que, a diferencia del amplificador clase A o B, el clase C no es un amplificador

lineal: la salida es nula hasta que la amplitud de la tensión de entrada supera VBB + 0.7.
Este amplificador sólo puede usarse para FM o PM porque emplea señales de amplitud
constante o para señales digitales y de banda estrecha.
7.6 Clase D.
Este es el tipo básico de amplificador en que los transistores trabajan en conmutación, pasan
del estado de corte al de conducción y viceversa de forma instantánea.
Su esquema se muestra en la figura 6.10.
La señal de entrada, vin, debe ser cuadrada y de suficiente amplitud para llevar los transistores
alternativamente de corte a saturación (de corte a zona lineal si son MOSFETs).
Trabajando en este modo el transistor se puede asimilar a un interruptor ideal (abierto en corte,
cerrado en saturación).
Este tipo de amplificadores no son lineales (muchas veces ni siquiera ganan en tensión, sólo en
corriente), sólo se pueden aplicar a señales de amplitud constante, como por ejemplo las
moduladas en PM o en FM (pero de banda muy estrecha), o a señales digitales.
123
En RF no se suelen emplear debido a que las pérdidas de conmutación en los transistores son
elevadas. Estas pérdidas se producen en los transitorios de corte a conducción y de conducción
a corte, porque durante los transitorios ni la corriente ni la tensión en el transistor es nula.
7.7 Adaptadores de impedancia.
Generalmente, los amplificadores de potencia llevan una red adaptadora de impedancia entre
el transistor de salida y la carga como muestra la figura 7.11.
El objetivo es doble: primero que la impedancia vista desde el colector del transistor tenga el
valor adecuado a la potencia de salida deseada, y segundo, minimizar las pérdidas de potencia
debidas a los elementos parásitos del transistor.
7.8 Ejercicios propuestos.
7.8.1 Diseñar un amplificador de potencia CLASE B que entregue 100 watts a una carga
de 50 ohmios.
Asumir ⁄
a. Dibuje el circuito amplificador.
b. Calcule (Potencia de entrada DC).
c. Halle la eficiencia ( ).
d. Encuentre la disipación máxima de cada transistor.
7.8.2 Diseñe un amplificador de potencia CLASE C empleando un transistor MOSFET que

entregue una potencia de 100 watts a una carga de 50 mediante una red acopladora con
.
Ángulo de conducción (1.285 radianes). Frecuencia de operación de 100 MHz

Fuente de Alimentación: .
Sin considerar los efectos de saturación, calcule:
a. Resistencia de carga.
b. Eficiencia máxima (máx)
c.
d.
e.
7.8.3 Un amplificador de potencia Clase C con las siguientes especificaciones:

 Potencia de salida: 50 Watts sobre una carga de 50 ohms.
 Vcc = +28 volts.
 Semiángulo de conducción: y=66°
 Frecuencia de operación: 120 MHz.
124
Calcule:
a. La resistencia vista en el colector del transistor.
b. Determine la eficiencia máxima del amplificador.
c. Determine la corriente en el punto Q:
125
126
Capítulo 8
Multiplicadores Analógicos
127
128
8. MULTIPLICADORES ANALÓGICOS
8.1 Introducción.
Un multiplicador analógico es un circuito con dos entradas que genera como salida,
(8.1)
Donde K es una constante con dimensiones .
En función de la polaridad de las entradas que acepta el multiplicador, se puede clasifican

como:
- Multiplicador de cuatro-cuadrantes: Admite ambas entradas bipolares.

- Multiplicador de dos-cuadrantes: Una entrada es unipolar, y la otra bipolar.
- Multiplicador de un-cuadrante: Las dos entradas son unipolares.
Las características de un multiplicador se describen en función de su precisión y de su

linealidad.
- La precisión de un multiplicador representa la máxima desviación de la salida del
multiplicador ideal, respecto de la función de transferencia ideal.
- La linealidad de un multiplicador se mide como la máxima desviación de salida, relativa
a la recta que mejor aproxima a la curva de salida del multiplicador respecto de una de las
entradas, cuando la otra es mantenida constante en su valor máximo.
Aplicaciones típicas de los multiplicadores son:

- Amplificación y filtrado controlado por tensión.
- Circuitos moduladores y demoduladores.
- Control automático de ganancia.
- Cálculo analógico.
En el procesamiento de señales analógicas, con frecuencia se requiere un circuito que toma 2

entradas analógicas y produce una salida proporcional al su producto. Sin embargo es de
anotar que cuando se realiza la multiplicación de dos señales analógicas intervienen 3
elementos básicos que hacen parte de dichas señales:
1. La magnitud.
2. La frecuencia.
3. La fase.
En este capítulo analizaremos las tres modalidades de utilización del multiplicador analógico.
8.2 El par acoplado por emisor como multiplicador:
129
Conviene comenzar el estudio del multiplicador considerando el dispositivo más básico para
este propósito: El par acoplado por emisor (Fig. 8.1):
Fig. 8.1 Par acoplado por emisor
Considerando las ecuaciones de Evers y Moll para el par acoplado por emisor, se pueden
plantear las ecuaciones de colector:
(8.2)
( )
(8.3)
( )
Donde las corrientes de base han sido despreciadas. Estas 2 ecuaciones pueden ser combinadas para
obtener la diferencia entre ellas:
∆IC = IC1 - IC2 = IEE tanh ( Vid /2VT ) (8.4)
Esta relación se muestra gráficamente en la Fig. 8.2 y establece que el par acoplado por
emisor puede ser usado como un multiplicador primitivo.
130
Fig. 8.2. Característica de transferencia del par acoplado por emisor
Si se asume que el voltaje de entrada es diferencial:
Vid <<Vt  tanh ( Vid /2Vt ) ≈ ( Vid /2Vt ) (8.5)
( Vid /2Vt ) << 1  Vid << 2Vt (8.6)
Luego:
∆IC = IEE ( Vid /2Vt )
La corriente IEE es la corriente de polarización del par acoplado por emisor. Con adición de
más circuitería se puede lograr que IEE sea proporcional a una segunda entrada Vi2. Ver Fig.
8.3.
Fig. 8.3 Multiplicador analógico de 2 cuadrantes
En este caso tenemos:

IEE ≈ K0 (Vi2 – VBE(on)) (8.7)
La corriente de salida del par acoplado por emisor puede ser calculada:
(8.8)
Si Vi2 >> VBE(on)  ∆IC = K0 VidVi2 (8.9)
131
Este es un circuito multiplicador que solo funciona en 2 cuadrantes (+ + y + -). A este circuito
se le llama “multiplicador de 2 cuadrantes”.
8.3 Celda Multiplicadora de Gilbert
Es una modificación a la celda anterior que permite multiplicación en 4 cuadrantes:

IC4-6
IC3-5 (8.10)
I C1
I C3  (8.11)
V
1  exp(  1 )
VT
I C1
IC4  (8.12)
V
1  exp( 1 )
VT
IC2
I C5 
V
1  exp( 1 )
VT (8.13)
IC 2
IC 6 
V1
1  exp( )
VT (8.14)
Fig. 8.4 Multiplicador Gilbert
IC1 e IC2 pueden ser relacionadas con V2
I EE I EE
I C1  ; IC2 
V2 V2
1  exp(  ) 1  exp( )
VT VT (8.15)
Combinando estas ecuaciones, se obtienen expresiones para las corrientes IC3, IC4, IC5 y IC6 en
términos de V1 y V2:
I EE
I C3 
 V1   V2 
1  exp(  ) 1  exp(  )
 VT   VT 
(8.16)
132
I EE
IC4 
 V1   V2 
1  exp( ) 1  exp(  )
 VT   VT 
(8.17)
I EE
I C5 
 V1   V2 
1  exp( ) 1  exp( )
 VT   VT 
(8.18)
I EE
IC6 
 V1   V2 
1  exp(  ) 1  exp( )
 VT   VT 
(8.19)
La corriente de salida diferencial es dada por:
∆I = IC3-5 - IC4-6
= (IC3 + IC5) - (IC4 + IC6)
= (IC3 - IC6) - (IC4 - IC5)
Remplazando valores y expresando en términos de , se tiene:
* ( )+ * ( )+ (8.20
Se observa que la característica de transferencia de la celda es el producto de la tanh de los

dos voltajes de entrada.
En el procesamiento de señales analógicas se requiere, con frecuencia, un circuito que toma 2

entradas análogas y produce una salida proporcional a su producto. Tales circuitos son
llamados MULTIPLICADORES.
CELDA DE
Salida: es proporcional al producto de la tanh de
V1 V1
GILBERT
los voltajes de entrada:
V0
V2
LM 1496 V0 V0 = K [tanh ( V1 /2Vt )] [tanh ( V2 /2Vt )] (8.21)
Fig. 8.5 Celda de Gilbert
133
8.4 Aplicaciones Prácticas de la Celda de Gilbert
Se dividen en tres categorías:
1. Si V1 y V2 son pequeñas con respecto a VT  tanh α ≈ α. En este caso se llama:

MULTIPLICADOR ANALOGICO de 4 cuadrantes.
2. Si V1 < VT y V2 > VT ó V1 > VT y V2 < VT : una de las señales de entrada saturan los
transistores mientras que la otra no. Este modo de operación se denomina:
MODULADOR
3. Si V1 y V2 son grandes respecto a VT  todos los transistores trabajan en saturación.
Este método es usado para la detección de diferencia de fases entre 2 señales limitadas
en amplitud. Este modo se denomina: DETECTOR DE FASE.
8.4.1 Celda de Gilbert como multiplicador analógico
Tomando la salida de la celda como:
[ ( )] [ ( )]
Y teniendo encuentra que la función tanh puede ser representada por la serie infinita:
tanh x = x – x3/3 + ….
Asumiendo que x<<1,  tanh x ≈ x
Luego:
*( )+ *( )+ (8.22)
Para señales de pequeña amplitud, el circuito es un multiplicador analógico.

Desafortunadamente, las amplitudes de las señales de entrada frecuentemente son más grandes
que VT.
Las señales grandes pueden ser acomodadas en este modo esencialmente de 2 formas:
1. Degradación por emisor: En el evento de que solo una de las señales sea grande
comparada con VT; se puede incrementar el rango lineal de V2 como se muestra en la
fig. 8.6.
134
Fig. 8.6 Celda con circuito de degradación por emisor
Sin embargo esta degradación por emisor sólo puede hacerse con Q1 y Q2 para V2
Mientras que para Q3, Q4, Q5, y Q6 se destruye la relación requerida
2. Con circuito predistorsionador: Se introduce una no-linealidad que predistorsiona

las señales de entrada para compensar la característica de transferencia tanh de la
celda básica. La no-linealidad requerida es tanh inversa para que la celda de Gilbert
aumente su rango dinámico:
V1
Tanh-1
V2
Tanh-1
Fig.8.7 Celda con predistorsionador
Circuito tanh-1 se muestra en la Fig. 8.8.
135
Fig. 8.8 Circuito tanh-1
La caja negra desarrolla una corriente de salida que esta linealmente relacionada con el voltaje
de entrada V1
I1 = I01 + K1V1 (8.23)
I2 = I01 – K1V1 (8.24)
I01 = IDC que fluye en cada salida si V1 = 0

K1 = transconductancia del convertidor.
El voltaje diferencial desarrollado a través de 2 diodos conectados a los transistores.
( ) ( ) (8.25)
( ) (8.26)
Esta función puede ser transformada usando la identidad:
(8.27)
En la relación deseada:
( ) (8.28)
La característica de transferencia total es:
( )( ) (8.29)
I02 y k2 son los parámetros del bloque funcional para V2.
136
La corriente de salida muestra que es proporcional a V1, V2, IC1 e IC2 y deben ser siempre
positivas.
(8.30)
(8.31)
8.4.2 Multiplicador completo de 4 cuadrantes: Fig. 8.9.
Fig. 8.9 Multiplicador completo de 4 cuadrantes
Tomando la salida
[ ( )] [ ( )]
Teniendo encuenta que tanh x ≈ x si x<<1, en consecuencia: Si V1, V2 << VT
*( )+ *( )+ (8.32)
Para el circuito LM 1496 ó LM 1596: V0 = 0.1 V1V2
8.4.3 Celda de Gilbert como modulador balanceado. Ver Fig. 8.10.
Fig.8.10 Multiplicador
137
Sea:
x1 : señal de baja frecuencia y de amplitud < VT. (Señal Moduladora)
x2 : señal de alta frecuencia y amplitud > VT (señal Portadora)
Asumiendo:
; de pequeña magnitud
; VC de gran magnitud
[ ]
[ ∑ ] (8.33)
∑ [ ] (8.34)
La representación en el tiempo se muestra en la Fig. 8.11.
Fig.8.11 Modulador Balanceado
138
Para la representación de este modulador en frecuencia, se realiza el análisis en la Fig. 8.12

donde el espectro de baja frecuencia es trasladado hacia la portadora y todas sus armónicas
impares.


Fig. 8.12 Análisis espectral del Modulador Balanceado
8.4 CELDA DE GILBERT COMO DETECTOR DE FASE.
En este caso todos los transistores se comportan como switches, por tanto las entradas x1(t) y
x2(t) superan a VT.
Si las frecuencias de x(t) y x2(t) son iguales pero fase diferente, el circuito actúa como
DETECTOR DE FASE
Los circuitos posteriores a este detector se encargan de obtener el nivel DC de la señal y(t) =
YAVERAGE
∫ (8.35)
[ ] (8.36)
El signo menos es debido a la gráfica y las áreas y son:
Las señales en este detector de fase se muestran en la Fig. 8.13.
139
Fig. 8.13 Señales en el detector de fase
En consecuencia:
* + (8.37)
( ) (8.38)
La salida del detector de fase: Vs. Ф se aprecia en la Fig. 8-14.
Fig. 8.14 Característica de transferencia del detector de fase completo
El circuito que se encarga de obtener YAVERAGE es un detector de fase en cascada con un filtro
pasa bajos (Fig. 8.15).
140
Fig. 8.15 Circuito detector de fase.
8.5 OTRAS APLICACIONES DE LOS MULTIPLICADORES ANALÓGICOS
El multiplicador analógico además de realizar operaciones lineales como multiplicación de

cuatro cuadrantes y detector de fase se puede emplear para otras aplicaciones tales como
elevar al cuadrado, doblador de frecuencias, división analógica de dos cuadrantes, raíz
cuadrada, modulador balanceado, modulador y demodulador de AM, detección de Banda
Lateral Única (SSB), en los Lazo Enganchado de Fase (PLL) y sus aplicaciones como
detección de FM, separación de frecuencias, etc.
8.5.1 Elevar al cuadrado: Ver Fig. 8.16
Fig. 8.16 Elevador al cuadrado
8.5.2 Doblador de Frecuencias:
Empleando el mismo circuito de la Fig. 8.16 con:
(8.39)
Ver Fig. 8.17
Fig. 8.17 Doblador de frecuencia
141
8.5.3 División analógica de dos cuadrantes:
Fig. 8.18 Divisor analógico
(8.40)
Para que la realimentación sea negativa, se debe cumplir que sea siempre positiva. La
tensión pude ser bipolar, al igual que la tensión de salida
La constante K es en la práctica , y la salida es:
( ⁄ ) (8.41)
8.5.4 Raíz cuadrada:
Empleando el circuito de la Fig. 8.19 se puede realizar la raíz cuadrada de una señal.
√ (8.42)
Fig. 8.19 Raíz cuadrada
La tensión de entrada debe ser negativa para proveer alimentación negativa y la salida será
siempre positiva.
142
8.5.5 Modulador balanceado: Fig. 8.20
Fig. 8.20 Modulador balanceado
Trabajando el multiplicador ahora como modulador balanceado, es decir que por sus
características electrónicas, genera en su salida una señal proporcional al producto de sus
entradas:
̂ : Señal portadora
̂ : Señal moduladora
̂ ̂
̂ ̂ [ ( ) ( )]
Cuyo espectro es:

̂ ̂
[ ] (8.43)
La señal generada es una modulación en doble banda lateral (DSB) con portadora suprimida
como se aprecia en la Fig. 8.21.
Fig. 8.21 Espectro en DBL
143
8.5.6 Modulación AM:
Fig. 8. 22 Modulador de AM
Considerando el circuito de la Fig. 8.22 si S1 se coloca en la posición AM, resulta:
[( )]
[ ]
[ [ ] (8.44)
De donde se deduce que:
es la portadora
es la banda lateral inferior
es la banda lateral superior
El espectro unilateral de esta señal se aprecia en la Fig. 8.23.
Fig. 8.23 Espectro en AM
144
Si el índice de modulación es , ⁄ , la intensidad de las bandas laterales

será la mitad de la portadora.
8.5.7 Detector de Banda Lateral Única (SSB):
Fig. 8.24 Detector de SSB
( ) Banda lateral inferior
: Portadora
Salida del multiplicador:
( ) [ ( )]
Después del filtro se tiene:
Por tanto se requiere que el oscilador local tenga la misma frecuencia y fase que la portadora
del transmisor (detección sincrónica).
8.5.8 Detección de AM:
Empleando el esquema de la Fig. 8.24 donde las entradas son:
* + ( ) (8.45)
A la salida del multiplicador:
[( ) ] [ ]
Después del filtro:
[ ] (8.46)
Eliminando el término constante:
145
[ ] (8.47)
8.5.9 Detector de fase con compuerta XOR:
La Fig. 8.25 muestra un detector de fase empleando una compuerta XOR.
Fig. 8.25 Detector de fase con compuerta XOR
(8.48)
(8.49)
(8.50)
Cuando las frecuencias son iguales, la salida del detector es proporcional al desfasaje y cuando
las frecuencias son diferentes, funciona como mezclador, produciendo a la salida la diferencia
de frecuencia:
(8.51)
Las formas de onda para este tipo de detector de fase se muestran en la Fig. 8.26.
146
Fig. 8.26 Formas de onda del Detector XOR
8.9.1 Se dispone de un modulador balanceado en cascada con un filtro pasa banda como se
ilustra en la Fig. 8.27. Si y . Determine
la señal .
147
8.9.2 Dado el siguiente comparador de fase mostrado en la Fig. 8.28
Establezca su operación y deduzca la característica de transferencia del comparador:

(Vaverage vs.  ). Determine la ganancia de este comparador.
8.9.3 Para el Comparador de fase digital XOR mostrado en la Fig. 8.25, trabajando con
niveles TTL, determine:
a) La función de transferencia: Vaverage vs. donde  es la diferencia de fase entre las
señales A y B.
b) Determine la ganancia en voltaje (KD) de este comparador de fase.
8.9.4 Determine la característica de transferencia del circuito mostrado en la Fig. 8.29,

asumiendo que para el multiplicador.
148
8.9.5 Para el circuito de la Fig. 8.30:
a) Determine y grafique la característica de transferencia.

b) Si , graficar la forma de onda en .
149
150
Capítulo IX:
Malla asegurada en fase
(Phase Locked Loops)
151
152
9. PHASE LOCKED LOOPS (PLL)
El PLL (Phase Lock Loop, o Lazo de Enganche de Fase) es un dispositivo muy versátil, que se
utiliza en diversas aplicaciones tales como discriminación de frecuencia, conversión de voltaje
a frecuencia, control de velocidad de motores, sincronización de datos, síntesis y
multiplicación de frecuencia, etc.; aunque probablemente la aplicación más común es la
demodulación de señales de frecuencia modulada (FM), estando el PLL presente en la
inmensa mayoría de receptores de radio modernos.
Desarrollado en los años 30. La estructura básica del PLL se muestra en la Fig. 9.1 y se trata
de una malla cerrada que en esencia genera una señal proporcional a la diferencia de
frecuencia o fase entre la señal de entrada y la señal interna que proviene de un oscilador
controlado por voltaje.
Fig. 9.1 Diagrama debloques de un PLL
9.1 Modo de Operación
 El oscilador controlado por voltaje (VCO) es un simple oscilador cuya frecuencia es

proporcional a un voltaje externo aplicado.
 Cuando la malla está enganchada con la señal periódica de entrada la frecuencia del
VCO es exactamente igual a la de la señal de entrada.
 El detector de fase produce un DC o señal de baja frecuencia proporcional a la

diferencia de fase entre la entrada y la señal de salida del VCO.
 La señal sensitiva de fase pasa a través de un filtro de malla (loop), un amplificador, y

luego aplicada a la entrada de control del VCO.
153
 Si la frecuencia de la señal de entrada está desfasada ligeramente de la del VCO, la

señal de entrada incrementara la señal de control del VCO hasta que el VCO tome el
mismo valor que la señal de entrada.
 La malla se mantiene enganchada cuando el voltaje de entrada al VCO es proporcional

a la frecuencia de la señal de entrada.
9.2 TERMINOLOGIA EMPLEADA.
 RANGO DE SEGUIMIENTO: Rango de frecuencias de la señal de entrada sobre el

cual la malla puede mantenerse enganchada. También es llamado: LOCK RANGE.
 FRECUENCIA DE OSCILACION LIBRE (Frecuencia central): frecuencia a la que

corre el VCO en condición de desenganche y que corresponde al voltaje de control DC
aplicado de 0 voltios.
 PROCESO DE CAPTURA: proceso mediante el cual la malla va desde el desenganche

o condición de oscilación libre (FREE RUNNING), al enganche de la señal de entrada.
Cuando se tiene una frecuencia cercana a la frecuencia de oscilación libre la malla
puede o no engancharse dependiendo de un número de factores. El proceso de captura
es de naturaleza no lineal.
Figura 9.2 Salida típica del detector de fase durante el transiente de captura
RANGO DE CAPTURA (Capture range): es el rango de frecuencias de entrada para la

cual la malla pasa del desenganche a una condición de enganche.
 TIEMPO DE CAPTURA (Pull - in): es el tiempo requerido para que la malla capture la
señal de entrada. El rango y tiempo de captura dependen de la ganancia de la malla y el
ancho de banda del filtro de malla.
154
9.3 PLL EN CONDICION DE “ENGANCHADO” (LOCKED)
Bajo condición de ENGANCHADO existe una relación lineal entre la salida del detector de
fase y la diferencia de fase entre el VCO y la señal de entrada.
Una representación del sistema en diagrama de bloques es:
Fig. 9.4 Diagrama del PLL en Condición de “enganchado”
Puesto que:
(9.1)
por tanto:
∫ (9.2)
Esta integración es representada por el bloque 1/s de la figura.
Por razones prácticas, el VCO es diseñado de tal forma que cuando el voltaje de entrada al
VCO (V0), la frecuencia del VCO, no es cero.
La relación entre la frecuencia de salida del VCO y V0 es:
(9.3)
Donde: = frecuencia oscilación libre
La función de transferencia en malla cerrada es:
(9.4)
155
(9.5)
Regularmente interesa la respuesta de la malla a las variaciones de frecuencia en la entrada, de

tal forma que la variable de entrada es frecuencia en lugar de fase.
Puesto que:
(9.6)
(9.7)
(9.8)
9.4 MALLA DE PRIMER ORDEN
Cuando el filtro de malla es removido por completo y F(s) =1. En este caso se tiene:
( )( )
(9.9)
Donde Kv = KD K0A = ancho de banda de la malla (seg.-1) (9.10)
Si la malla es enganchada sobre una señal portadora, y la frecuencia de esa portadora se hace
variar sinusoidalmente en el tiempo con una frecuencia ωm , esta se observará en la salida de la
malla.
El lugar de las raíces y la respuesta en frecuencia de un PLL de primer orden es el siguiente:
156
Fig. 9.5 Lugar de las raíces y respuesta en frecuencia de un PLL de primer orden
Respuesta de la malla a variaciones de la frecuencia de entrada.
Fig. 9.6 Respuesta del PLL a variaciones de la frecuencia de entrada
ω0 = frecuencia de oscilación libre

KD = ganancia del detector de fase
Kv = Ancho de Banda de la malla
9.5 MALLA DE SEGUNDO ORDEN
Es la configuración más común para circuitos integrados PLL donde F(s) es un filtro pasabajos
de 1 polo simple (una resistencia y un condensador):
157
Filtro F(s): Es un filtro RC como se muestra en la Fig. 9.7.
(9.11)
Fig.9.7 Filtro pasabajos RC
Donde:
(9.12)
La función de transferencia del PLL es:
[ ]
(9.13)
Cuyas raíces son:
( √ )
(9.14)
Lugar de las raíces y respuesta en frecuencia de un PLL de 2º orden:
Fig. 9.8 Lugar de las raíces y respuesta en frecuencia de un PLL de 2do. Orden
La función de transferencia en este caso puede ser expresada:
158
( ) (9.15)
Donde:
√ (9.16)
√ = Factor de amortiguación (9.17)
Para máxima respuesta plana ζ debe ser igual a y reemplazando:

√
√
√
(9.18)
Luego la consideración para el diseño con máxima respuesta plana es:
(9.19)
Mientras que la frecuencia de -3dB de la función de transferencia (V0/ω1)(jω) es:
√ √
(9.20)
Una desventaja de la malla de 2º orden es el ancho de banda en -3db que está básicamente
determinado por Kv.
9.6 Diseño con un Filtro F(s) con polo simple y cero simple:
Función de transferencia de este filtro que ahora contiene
1 polo y 1 cero:
(9.21)
Fig.9.9 Filtro con 1 polo y 1cero Cero: (9.22)
Polo: (9.23)
159
Lugar de las raíces y respuesta en frecuencia del PLL de 2º orden con un cero adicional se
muestran en la Fig. 9.10.
Fig.9.10 Lugar de las raíces y respuesta en frecuencia del PLL de 2º orden que incluye 1
polo y 1 cero
9.7 RANGO DE SEGUIMIENTO DE LA MALLA = ωL
(LOOP LOCK RANGE = TRACKING RANGE = HOLD IN RANGE)
Es el rango de frecuencias de entrada alrededor de la frecuencia central para la cual la malla se

mantiene enganchada.
En la mayoría de los casos, ωL es limitado por el comparador de fase. Una vez que la
diferencia de fase entre la señal de entrada y el VCO alcanza más de 90º el comparador de fase
cesa de tener un comportamiento lineal.
Fig. 9.11 Característica de transferencia de un comparador de fase típico
La magnitud del voltaje DC a la salida del comparador de fase es:
( )
(9.24)
160
Este voltaje es amplificado A veces y el resultado es aplicado a la entrada del VCO,

produciendo un desplazamiento de frecuencia respecto a la frecuencia de oscilación libre de:
( ) ( )
(9.25)
El rango de seguimiento (LOCK RANGE), ωL , es dado por:
( )
(9.26)
Este es un parámetro que solo depende de la ganancia de la malla y es independiente de las

propiedades del filtro de malla.
9.8 EL RANGO DE CAPTURA= :
Es eica l rango de frecuencias de entrada para la cual la malla desenganchada inicialmente, se

engancha a una señal de entrada, donde <
El rango de captura es difícil de predecir analíticamente.
La Figura 9.12 muestra una gráfica donde se relaciona el Voltaje de salida del PLL vs. la
frecuencia de la señal de entrada
Fig. 9.12 Ciclo de Histéresis de un PLL
El rango de captura puede ser estimado con la siguiente ecuación:
[ ] (9.27)
9.9 PLL - CIRCUITOS INTEGRADOS
161
a. El NE – 560/561/562: primeros PLL monolíticos prácticos que llegaron a ser

comercialmente disponibles en 1970 – 1971.
Características:
 El detector de fase: es del tipo celda de Gilbert
 El VCO es un multivibrador astable emisor acoplado y compensado en

temperatura.
 El Filtro de malla es un circuito RC externo.
b. El 4046 es un PLL con tecnología CMOS
c. Características:
 Dispone de 2 detectores de fase:
1. La Compuerta OR EXCLUSIVA genera un sistema de detección en

cuadratura. La Fig. 9.13 muestra las características de la compuerta: la tabla
de la verdad y las señales de entrada y salida.
Fig. 9.13 Características de la compuerta OR-EXCLUSIVA como comparador de fase
2. Memoria FF: mantiene una diferencia de fase de 0º entre la señal de entrada

y el VCO. Ver Fig. 9.14.
162
Fig. 9.14 Características de la memoria FF como comparador de fase
9.10 Sintetizador de frecuencias con PLL
9.10.1. Introducción
La característica más relevante del PLL que lo hace insustituible en estas diversas
aplicaciones es su capacidad de generar señales de frecuencia superior a la señal de entrada
que se le introduce. Acá se utilizará el PLL para construir un multiplicador de frecuencia.
9.10.2. PLL a utilizar.
Se utilizará el circuito integrado

74HEF4046B de Philips, que tiene dos
comparadores de fase distintos y el VCO.lado
por tensión (VCO, Voltaje Controlled
Oscilador), que se conectan en lazo cerrado.
La fig. 9.15 muestra la identificación de
terminales de este integrado. (Pueden
consultarse las hojas de datos para obtener una
información más detallada).
9.10.3 Comparadores de fase
Los dos comparadores de fase (PC1 y

PC2) tienen las entradas COMPIN y SIGIN en Fig. 9.15 Identificación de terminales
común y salidas independientes (PC1OUT y del 74HEF4046B.
PC2OUT). Cualquiera de ellos genera a la salida
una señal de tensión cuyo valor medio en el tiempo (es decir, su componente de continua) es
proporcional a la diferencia de las fases de las dos señales conectadas a las entradas. Para
convertir la señal de salida del comparador de fase en una señal de continua, será necesario
incluir un filtro pasa baja externo al 4046. Llamando Kp a la ganancia del comparador de fase:
= Señal de salida del comparador de fase tras un filtro pasa bajo

163
= Fase de la señal SIGIN: SIGIN  SIGINt   0SIGIN
= Fase de la señal COMPIN: COMPIN   COMPINt   0COMPIN
Si las frecuencias de las señales SIGIN y COMPIN son iguales, la diferencia de fase
entre ambas señales será un desfase constante y la salida del comparador de fase tras el filtro
pasa baja (<PCOUT>) tendrá un valor constante. Si se producen diferencias entre ambas
frecuencias, se producirán variaciones en PCOUT.
La estructura y el funcionamiento interno de cada uno de los comparadores de fase es

diferente:
Comparador de fase 1 (PC1): Este comparador es una puerta O-exclusiva (XOR), por tanto
cuando ambas señales de entrada son iguales la salida está a 0V, mientras que si son diferentes
la salida pasa a VCC. (VCC = tensión de polarización del 4046). Este comparador funciona de
manera óptima para señales de entrada con ciclo de trabajo del 50%.
Comparador de fase 2 (PC2): Este segundo comparador es el que presenta las mejores
características de enganche de los tres. Funciona mediante la detección de flancos de subida.
En principio se encuentra en un estado de alta impedancia; es decir, se comporta como un
circuito abierto. Si detecta un flanco de subida de SIGIN se pone a VCC hasta que detecta un
flanco de subida de la señal COMPIN, momento en el que pasa de nuevo al estado de alta
impedancia. Si por lo contrario detecta primero un flanco de subida de COMPIN lo que hace es
ponerse a 0V hasta que llega el flanco de subida de SIGIN. Las principales ventajas de este
comparador son: no se ve afectado por el ciclo de trabajo de los pulsos de entrada y que
mientras está en el estado de alta impedancia el condensador del filtro pasa baja no se puede
descargar y por tanto mantiene su voltaje.
Pueden consultarse las hojas de datos de este chip correspondientes para cada tipo de
comparador de fase. También pueden consultarse las ganancias de cada comparador.
9.10.4. El oscilador controlado por tensión (VCO)
Un oscilador controlado por tensión es un circuito que genera una señal cuadrada
(señal VCOOUT) cuya frecuencia depende de la tensión de continua suministrada (VCOIN). El
rango de frecuencias de salida se determina mediante dos resistencias (R1 y R2) y un
condensador (C1) externos al 4046. En la fig. 9.16 se muestra la configuración del VCO. (Se
ha fijado la tensión VSS = 0).
164
En las hojas de datos del 4046 se explica cómo elegir R1, R2 y C1 para ajustar el rango
de frecuencias de oscilación de salida deseado. La relación entre la frecuencia de la señal de
salida del VCO (VCOOUT) y la tensión de entrada (VCOIN) es aproximadamente lineal
(excepto para tensiones muy cercanas a 0 o a la tensión de alimentación).
9.10.5 Diseño del VCO
VDD
VCOIN VCOOUT
R2 R1
C1
Fig. 9.16. Configuración del VCO.

Existen dos posibilidades a la hora de realizar el diseño: sin frecuencia de offset o con
frecuencia de offset.
Sin frecuencia de offset significa que no se define una frecuencia mínima para la salida
del VCO; la frecuencia mínima será prácticamente 0. En el diseño, se fija R2   (el terminal
12 se deja en circuito abierto) y R1 y C1 definen la frecuencia máxima (fmax). En este caso la
frecuencia central (f0) es: f0 = fmax / 2.
Si se coloca una resistencia R2, se fija una frecuencia de offset o frecuencia mínima
(fmin) para la señal de salida del VCO. En este caso (si fmax es la frecuencia máxima) la
frecuencia central es f0 = ( fmax – fmin ) / 2.
En este ejemplo se realizará un diseño con frecuencia de offset, es decir, fijando una
frecuencia máxima fmax y una frecuencia mínima fmin. Elegimos fmin = 10 kHz y fmax = 30 kHz
(o lo que es lo mismo, una frecuencia central de 20 kHz, con un rango de variación de 10
kHz).
El procedimiento para seleccionar R2, R1 y C1, explicado en las hojas de datos es el

siguiente (ver Fig. 9.17):
165
Fig. 9.17 Sintetizador de frecuencias
1. Una vez elegido el rango de frecuencias, a partir de fmin se fijan los valores de R2 y C1,
utilizando la fig. 9.19 de la hoja de datos. En este ejemplo, fmin = 10 kHz. Suponiendo una
polarización VDD = 5 V, una posibilidad sería R2 = 100 k y C1 = 50 pF. (Obsérvese que la
elección de R2 y C1 no es única).
2. A partir del cociente fmax / fmin se fija el cociente R2 / R1, utilizando la figura 9.20 de la
hoja de datos. También se muestra en el apéndice B. Puesto que R2 ya está fijada, se obtiene el
valor de R1. En nuestro ejemplo, fmax / fmin = 3. De la curva correspondiente a VDD = 5 V, se
obtiene R2 / R1  2.7. Por lo tanto R1 = R2 / 2.7 = 37 k.
9.10.6 Rango de enganche y Rango de Captura del PLL
El rango de frecuencias en el que el circuito continúa enganchado si inicialmente lo

estaba se conoce como rango de enganche. Idealmente este rango es: 2fL = 2 (fmax – f0) = fmax
– fmin
El rango de frecuencias en las que el circuito es capaz de enganchar si inicialmente no

lo estaba se conoce como rango de captura. El rango de enganche es mayor o igual que el
rango de captura.
9.10.7 Multiplicación de frecuencia con PLL
Considerando el circuito completo de la figura 9.17. La relación entre las frecuencias

de las señales COMPIN y VCOOUT será:
166
VCOOUT
 COMPIN 
n (9.28)
Fig. 9. 19 Cálculo de en función de la frecuencia[21]
Cuando el lazo está “enganchado”, de acuerdo con la discusión anterior, la frecuencia de

COMPIN será igual a la de la señal de referencia SIGIN, para que la salida del comparador de
167
fase sea estable. La frecuencia de la señal de salida del VCO será n veces la frecuencia de la
señal de referencia, con lo cual se consigue una multiplicación de frecuencia.
Fig. 9.20 Relación de R2/R1 en función de la relación fmáx/fmín [21]
9.10.8 Diseño del filtro pasa baja
Este filtro difiere de un simple filtro RC ya que se ha añadido una resistencia adicional
(R4) en serie con el condensador. Esta resistencia se incluye por razones de estabilidad. Si la
ganancia total del lazo supera la unidad con un desfase de 180º, entonces el circuito es
inestable. Para el cálculo de la ganancia total del lazo, habría que multiplicar las ganancias de
cada bloque. La ganancia del comparador de fase (Kp) es VCC /  para el PC1 y VCC / 4 para el
PC2 (obtenido a partir de las hojas de datos de componentes similares). La ganancia del filtro
viene dada por:
168
1  jR4 C 2
KF 
1  j R3  R4 C 2 (9.29)
La ganancia para la frecuencia de salida del VCO es aproximadamente:
VCOout 2f
KVCO   2 L
VCO IN VDD (9.30)
En la ecuación (9.30) se ha supuesto un comportamiento ideal del VCO, de modo que

se barre todo el rango de frecuencia fmax – fmin = 2fL a lo largo de de todo el rango para VCOIN
entre 0 y VDD, de forma lineal. En la práctica habría que calcular la ganancia restringiéndonos
al rango de valores de VCOIN para el cual el comportamiento es lineal.
El divisor de frecuencia introduce una ganancia 1/n
Por último, se debe tener en cuenta que la señal que utiliza el comparador de fase es
(valga la redundancia) la fase de la salida del VCO; es decir, la integral de la frecuencia. Por lo
tanto, en el cálculo de la ganancia total del lazo habrá que incluir un factor 1/j.
Justamente esta integración es la razón de añadir la resistencia R4 en el filtro. El factor

1/j introduce un polo en el origen. Un filtro RC normal, introduciría un segundo polo, Cada
polo introduce un desfase de 90º, con lo cual, el efecto conjunto de los dos polos sería un
desfase de 180º para frecuencias en las que la ganancia estaría por encima de 1, con lo cual el
sistema sería inestable. Al añadir la resistencia R4, la función de transferencia del filtro
presenta un polo y un cero a frecuencia superior. Si el cero se sitúa al menos una década por
debajo de la frecuencia para la cual la ganancia del lazo es la unidad, se garantiza un desfase
de 90º para esa frecuencia y el sistema será estable.
9.11.1 Considere el PLL de la Fig. 9.4, donde:
Determine:
169
a.
b. Voltaje de salida del PLL =
c. Voltaje de salida del filtro
9.11.2 Considere el PLL de la Fig. 9.21 que trabaja como “sintetizador de frecuencias” que
van desde hasta en pasos de con una frecuencia de oscilación libre de
500 KHz y una señal de entrada sinusoidal con frecuencia de 10 KHz.
Fig. 9.21 Sintetizador del Ejercicio 9.11.2
a. Determinar los valores máximo y mínimo del divisor de frecuencia de entrada: M.

b. Calcular los voltajes máximo y mínimo de entrada al VCO.
c. Determinar los valores máximo y mínimo del divisor de frecuencias del VCO: N
NOTA: Emplear y
9.11.3 Un PLL (Fig. 9.4) tiene los siguientes parámetros:

[ ] Para una señal de entrada
constante:
a.
b.
Encontrar en cada caso el valor de .
9.11.4 El PLL de la Fig. 9.22 es utilizado para generar una señal portadora en frecuencia
y en fase con la señal modulada de entrada con las siguientes características:
Rango de seguimiento de 15 KHz y un VCO con [ ].
Determine:
a. El tipo de comparador digital de fase.

b. Gráfica de transferencia: , empleando los niveles TTL.
170
c. Halle la ganancia del comparador de fase: .

d. Calcule la frecuencia de corte del filtro para máxima respuesta plana del PLL.
Fig.9.22 Ejercicio 9.11.4
171
172
Capítulo X:
Comunicación Banda Base
173
174
10. COMUNICACION BANDA BASE
10.1 Introducción
Transmitir una señal eléctrica sin ninguna traslación de su espectro se conoce como
comunicación en banda base.
Un sistema de comunicación banda base general es de la forma como se representa en la
Fig. 10.1
Fig. 10.1 Modelo de un canal banda base
10.2 Cálculo de la atenuación del canal
Se asume lo siguiente:
a. La señal x(t) se supone limitada en banda y con ancho W. Fig. 10.2
Fig. 10.2 Espectro de la señal de entrada
b. El transmisor consiste de un amplificador cuya ganancia en potencia es G T

c. El canal “no distorsiona”, solo atenúa en potencia (L) >1, en la práctica este canal
puede ser: Líneas de transmisión, guías de onda, fibras ópticas, o el aire.
 En el caso de líneas de transmisión, guías o fibras ópticas la relación de potencia en un

recorrido l puede expresarse como:
(10.1)
= Atenuación en potencia
 = Coeficiente de Atenuación
175
l = Longitud del trayecto
Cabe anotar que el valor de  depende de la frecuencia y de los parámetros de la línea.
(10.2)
Estas ecuaciones son válidas solo para señales sinusoidales.
 Caso de la transmisión por aire: La Información se acopla a través de antenas:
Fig. 10.3 Transmisión por aire
La relación de potencias después de recorrer una distancia igual a l es:

Pin  4 
2
1
L  
Pout    G AT .G AR (10.3)
G AT = Ganancia de la antena transmisora

G AR = Ganancia de la antena receptora
En dB:
2
 
( )  
 (10.4)
Se puede observar que en el primer caso la atenuación se duplica cada vez que se duplica
la distancia recorrida, mientras que en el caso de la transmisión por aire se agregan en
forma fija  6 dB
d. Antes de llegar al receptor, la señal se contamina con ruido blanco de media nula y
DEP dada por:
n
Gn  f     ;- < f <  (10.5)
2
e. El receptor está constituido por un amplificador con ganancia en potencia GR seguido
de un filtro pasa-bajo ideal con ancho de banda B.
Bajo estas condiciones la señal detectada yD (t ) es:
G R .G T
yD (t )  x(t )  nD (t )
L (10.6)
176
Donde nD (t ) es ruido blanco filtrado y amplificado una cantidad GR. Es decir que su DEP
es uniforme como se indica en la Fig. 10.4.
Fig. 10.4 Densidad espectral de potencia de la salida detectada.
10.3 Cálculo de (S/N) D:
Se puede calcular primero, la autocorrelación de la señal de salida y evaluarla en  = 0 para

obtener el valor de la potencia del ruido.
( ) [ ( ) ( )] (10.7)
Pero (t) y x(t) son independientes, además,  D(t) = 0 luego las correlaciones cruzadas son
cero (incoherentes).
( ) ( ) (10.8)
nD nD
Por tanto:
GR.GT
RY D ( )  Rx ( )  RnD ( )
L (10.9)
Al evaluar en  = 0
GR.GT 2
Ry D  0   yD2  x  nD2
L (10.10)
Así:
S S D GRGT x 2 GT x 2 S
      T
 N  D N D L BGR L B L B (10.11)
Pero:
ST  S  S
SR  ;    R
L  N D  B (10.12)
El máximo valor (S/N)D se consigue cuando el filtro tiene ancho de banda igual al del
mensaje es decir B=W
S S
   R 
 N  DMáx W (10.13)
177
El valor  servirá como base de comparación para los cálculos (S/N)D que se realiza en
todos los sistemas de modulación.
10.4 Sistemas repetidores
Cuando a un sistema de comunicación banda-base se le requiere mejorar su (S/N) D sin

aumentar la potencia de transmisión ni variar el ancho de banda del filtro receptor es
necesario utilizar repetidoras intercaladas en el camino de transmisión:
Fig. 10.5. Modelo de un sistema con repetidoras.
Se considera:
a. M repetidores equiespaciadas (la última es el receptor).
b. Se diseña:
L1 L2 L3 LM
    1
G1 G2 G3 GM (10.14)
c. Asumiendo: 1=2=... =M
d. Se supone que cada amplificador GR incluye un filtro pasa-bajos con ancho de banda B.
Bajo estas condiciones: SD=ST
ND=1G1B+2G2B+... +MGMB=MMGMB=MMLMB (10.15)
S ST
   ; Con repetidores. (10.16)
 N  D MLMM B
Antes teníamos (sin repetidoras).

S ST
  
 N  D L B (10.17)
Y como: L1.L2... LM=L entonces LM=L1/M

Por tanto: La atenuación de M trayectorias será: M L1/M < L
Con esto se logra mejorar la (S/N)D.
10.5 Distorsión
178
Si en un sistema de transmisión la señal recibida pierde la forma respecto a la señal de

entrada, se dice que esta distorsionada.
Para que no exista distorsión, la señal de salida debe representar una proporción de la señal
de entrada retrasada:
Fig. 10.6 Sistema sin distorsión.
Dónde: = Retardo > 0

K = Constante
Dicho de otra forma la función de transferencia del sistema de transmisión debe ser:
 j td
KX ( f )e  j td
H( f )   Ke
X( f ) (10.18)
Es decir que la magnitud debe ser constante con la frecuencia y la fase debe depender
linealmente de ella.
(1) H( f ) = k (10.19)

(2) [ ( )] (10.20)
Si no se cumplen estas dos condiciones, la salida estará distorsionada. Esta distorsión se

llamará Distorsión de magnitud si no cumple la condición (1). Distorsión de fase: Si no
cumple la condición (2).
La solución teórica para la distorsión de fase es colocar una RED ECUALIZADORA.
Su función de transferencia de la Red ecualizadora es tal que compensa los problemas del
sistema con distorsión:
 j td
H s ( f ). H eq ( f )  K e
(10.21)
Por tanto:
 j td
Ke
H eq ( f ) 
Hs ( f ) (10.22)
Una de las clásicas redes ecualizadores es el FILTRO TRANSVERSAL que utiliza líneas
de retardo para minimizar la distorsión (ver fig. 10.7):
( ) ( )[ ]
Heq(f) = c-1 + c0 e - j + c1 e –j  2
Heq(f) = e – j  (c-1 e – j  + c0+ c1 e – j  ) (10.23)
179
Función que se puede generalizar a un número impar de canales.
Fig. 10.7 Filtro transversal
10.6 Distorsión no lineal
Si un sistema de transmisión incluye elementos no lineales no se puede definir una función

de transferencia. Se habla de la “Característica de transferencia” de la red que se define
como: y (t)=g[x(t)]
Fig. 10.8. Canal no lineal.
y(t) se puede representar con una aproximación polinómica de x(t)
y(t) = a1x(t)+a2x2(t)+a3x3(t)+... (10.24)
Al aplicar Transformada de Fourier:
Y( f ) = a1X( f ) + a2X( f ) * X( f ) + a3X( f ) * X( f )* X( f ) + … (10.25)
180
Si X( f ) está limitada en ancho de banda W, x(t)* x(t) está limitada en ancho de banda 2W
y x(t)* x(t)* x(t) con 3W y así sucesivamente.
Esto produce distorsión no lineal: no solo crea componentes de frecuencia que no existían,
si no que altera las frecuencias originales dentro de la banda X(f).
Una forma de medir la distorsión no lineal es excitando con un tono del tipo:
x(t) = CosW0 t
y(t) = a1 Cos0 t +a2 Cos20 t + a3 Cos30 t +... (10.26)
A expandir Cos20 t, Cos30 t,... en función de sinusoides de frecuencia doble, triple, etc.
Se obtiene:
y(t) = A+B Cos0 t +C Cos20 t + D Cos30 t +... (10.27)
En este caso se define la Distorsión total del tono como:
C 2  B2 
DISTORSION TOTAL =  *100%
B (10.28)
C
DISTORSION 2da ARMONICA = *100%
B (10.29)
Fig. 10.9 Zona lineal de un canal no lineal.
Si la Distorsión no Lineal se debe a que la señal de entrada supera la zona Lineal del
sistema: Esta puede minimizarse utilizando un COMPANSOR y un EXPANSOR de la
manera como se indica en la Fig. 10.10:
181
Fig. 10.10. Canal empleando compansor y expansor.
El compansor amplifica las señales pequeñas comprimiendo las de gran magnitud. De esta
forma no es afectada por el canal. Para recuperar la señal en forma original es necesario
usar un expansor que compensa amplificando las señales de gran nivel. Por tanto:
f expansor [g compansor (x)] = x
10.7.1 Un trasmisor Banda Base envía una señal de 20 KHz de ancho de banda con
potencia de 1 watt, a través de un cable coaxial con pérdidas de 1 dB/Km sobre un
trayecto de 150 Kms. Para mejorar la relación S/N detectada se dispone de un cierto
número de repetidoras idénticas que aceptan un máximo de potencia de entrada de 100
mW. Asumiendo determine:
a) El máximo número de repetidoras equidistantes que se deben emplear.
b) La ( ⁄ ) con el número de repetidoras calculado en el paso anterior.
10.7.2 Se tienen 3 repetidoras de 20 KHz de Ancho de Banda que deben colocarse

equidistantes dentro de un canal de transmisión de 30 Kms de longitud con pérdidas de 2
dB/Km. Las características de cada una de las repetidoras se muestran en la siguiente
tabla:
Repetidora N° Sensibilidad (Mw) Ganancia

A 0.01 10
B 0.1 50
C 0.1 100
Si la potencia de transmisión es de 10 mW,

a) Diseñe y explique el orden en que se deben colocar las repetidoras.
b) Determine la relación (S/N)D, si
c) Cuanto mejora en dB la relación (S/N)D comparada con la que se tendría sin
ninguna repetidora.
182
Capítulo XI:
Sistemas de Modulación
Lineal
183
184
11. MODULACION LINEAL
11.1 Introducción:
La modulación lineal recibe su nombre porque el espectro que produce está relacionado en
forma lineal con el espectro del mensaje:
Tipos de modulación lineal: AM, DSB, SSB, VSB.
Convenciones:
a) El mensaje x(t) está limitado a una banda de frecuencias W1

b) Mensaje normalizado, esto es: x(t) 1
c) Cuando el mensaje es un tono, se asume:
( ) (11.1)
El análisis de Fourier permite representar señales sinusoidales y emplear superposición en

sistemas lineales. Como la portadora de onda continua es sinusoidal, la señal resultante de
la modulación con ancho de banda pequeño, puede analizarse como sinusoide pura.
11.2 señales pasabanda = ( )
Son aquellas cuyo espectro está concentrado en la vecindad de una frecuencia llamada
portadora fc 0. Por tanto una señal pasabanda puede verse como una señal modulada por
una portadora, tal como se muestra en la Fig. 11.1
Fig. 11.1 Modulador.
La forma típica de una señal pasabanda en el dominio del tiempo se muestra en la Fig.
11.2.
185
Fig. 11.2 Típica señal pasabanda en el dominio del tiempo.
Como se aprecia en la Fig. 11.2, una señal pasabanda ( ) centrada en la frecuencia de

la portadora presenta cambios en la envolvente y la fase.
Formalmente se puede escribir como:
( ) ( ) [ ( )] (11.2)
dónde:
( ): Envolvente y ( ): Fase. En consecuencia, ambos son funciones del tiempo.
a) Representación fasorial de ( ):
Fig. 11.3 Representación fasorial de x(t).
El plano completo rota a c

La envolvente y la fase se pueden escribir como:
R(t )  xi2 (t )  xq2 (t )

(11.3)
xq (t )
t   arctg
xi (t ) (11.4)
Expandiendo la ecuación de xBP(t):
186
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
Se define:
( ) ( ) ( ) (11.5)
( ) ( ) ( ) (11.6)
Por tanto:
( ) ( ) ( ) (11.7)
Donde: ( ): Componente en fase de la señal pasa-banda.

( ): Componente en cuadratura de la señal pasa-banda.
b) Representación en frecuencia:
Al pasar el resultado anterior al dominio de la frecuencia y aplicando Transformada de

Fourier a la señal pasa-banda:
 X i ( f  fc )  X i ( f  fc )   X q ( f  fc )  X q ( f  fc ) 
X BP ( f )  j 
 2   2  (11.8)
Puesto que XBP(f) existe alrededor de fc, entonces: xi(t) y xq(t) son señales pasa-bajos.
¿Cómo determinar ( )) y ( ) a partir de ( )?
Multiplicando ( ) por
 1  Cos 2ct  Sen2ct

xBP (t ) Cos ct  [ xi (t )Cos ct  xq (t ) Sen ct ]Cos ct  xi (t )    xq (t )
 2  2
Aplicando transformada de Fourier a este resultado:
X i ( f ) 1  X i ( f  2 fc )  X i ( f  2 fc )  1  X q ( f  2 fc )  X q ( f  2 fc ) 
F[ xBP (t ). Coswct ]     2j 
2 2 2   2 
Pasando esta señal por un filtro pasabajos de ganancia 2 se puede encontrar ( ).
El diagrama de bloques correspondiente se muestra en la Fig. 11.4.
187
Fig. 11.4. Obtención de la componente en fase.
Para encontrar ( )se emplea un método similar pero ahora multiplicando por y
obteniendo ( )
Fig. 11.5 Obtención de la componente en cuadratura.
c) Representación de señales pasa-banda con un “equivalente PASA-BAJO”.
Sea X BP ( f ) una señal pasabanda tal como se ilustra en la Fig. 11.6.
Fig. 11.6 Señal pasabanda
Se define el equivalente pasabajos de esta señal como:
X BP ( f )  X BP  f  fc  U  f  fc 
(11.9)
Fig. 11.7 Equivalente pasabajos
188
Como:
( ) [ ( ) ( )] [ ( ) ( )]
( ) [ ( ) ( )] [ ( ) ( )]
Al multiplicar por U  f  fc  y recordando que Xi y Xq son señales pasa-bajos, resulta:
( ) ( ) ( ) (11.10)
Por tanto: ( ) ( ) ( ) (11.11)
Donde: ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) (11.12)
( ) ( )
( ) (11.13)
Magnitud :
R(t)  xi2 (t )  xq2 (t )  2 xLP (t ) (11.14)
Fase:
( ) [ ( )] (11.15)
Además:
( ) ( )
( ) [ ( ) ] [ ] (11.16)
Que se transforma en:
( ) ( ) ( ) (11.17)
Así como se aplica un equivalente pasabajos en señales, lo mismo puede hacerse para
sistemas. Por tanto, un sistema PASA-BANDA con HBP ( f ) tiene un equivalente pasabajo
HLP ( f ):
( ) ( ) ( ) (11.18)
Por tanto, si se tiene una señal pasa-banda cuyo equivalente pasa-bajo es ( ) y se hace
pasar por un sistema pasa-banda cuyo equivalente es ( ), la salida será una señal pasa-
banda con un equivalente YLP , representado en la Fig. 11.7.
( ) ( ) ( ) (11.19)
Fig. 11.7 Equivalente pasabajos
189
11.3 Modulación de Amplitud (AM)
Como su nombre lo indica, consiste en variar la amplitud de una sinusoide de acuerdo al

mensaje que se desea transmitir. A la sinusoide se le llama PORTADORA debido a que
llevará la información sobre si.
- Sea x(t) un mensaje normalizado (con un ancho de banda = W).
Si la portadora es de la forma:
( ) (11.20)
La señal modulada en amplitud AM se expresa como:
( ) [ ( )] (11.21)
Donde m es el índice de modulación y 0 < m  1.
Empleando un índice de modulación m=1, en la Fig. 11.8 se muestra una señal x(t) en la
parte (a), la señal 1+mx(t) en la parte (b), la portadora en la parte (c) y la señal modulada
en AM en la parte (d).
Fig. 11.8 (a) Señal x(t), (b) Señal 1+mx(t)

(c) Portadora, (d) Señal modulada en AM con m=1
Como se observa, la envolvente de la señal modulada en AM tiene la forma del mensaje.

Sin embargo, si m>1 (SOBREMODULACION) se presenta un cambio de fase en la señal
190
modulada en AM, lo que representa perder el parecido de la envolvente con el mensaje.

Por ejemplo si m =2, (ver Fig.11.9) se aprecia que en la señal modulada (Fig. 11.9b) la
envolvente contiene el mensaje ahora distorsionado.
Fig. 11.9 Señal AM con sobremodulación (m=2)
En consecuencia, con sobremodulación la envolvente no se parece al mensaje.
11.3.1 Índice de modulación:
Fig. 11.10 Señal AM modulada con un tono
De la expresión temporal puede derivarse m:
a = Ac[1+m] b = Ac[1-m]
Luego:
191
a-b
m
ab (11.22)
11.3.2 Espectro de una señal AM:
Asumiendo un mensaje x(t) con ancho de banda W y un espectro como se muestra en la

Fig. 11.11, se pude obtener el espectro de la señal AM.
Fig. 11.11 Espectro de la señal x(t)
Partiendo de la ecuación general del AM en el tiempo, Ec. (11.21):
( ) [ ( )]
( ) ( )
Al transformar por Fourier:
Ac mAc
X AM f    ( f  fc)   ( f  fc)   X  f  fc   X ( f  fc) 
2 2  (11.23)
¿Cómo se escoge fc en relación con W?

W
Conviene observar que el ancho de banda fraccional definido como se encuentre
fc
limitado entre:
W
0,01 < < 0,1 (11.24)
fc
Considerando: fc >>W, el espectro del mensaje es trasladado en frecuencia hacia fc, tal
como se aprecia en la Fig. 11.12.
192
Fig.11.12 Espectro de la señal modulada en AM

.
Se puede concluir que el espectro de la señal modulada en AM implica que:
a) El ancho de banda ocupado por la señal AM es 2W.
b) Se define Banda lateral superior USB la porción del espectro por encima de fc y Banda
lateral inferior LSB la porción por debajo de fc.
c) La señal modulada contiene la portadora con gran parte de la potencia.
11.3.3 Potencia de la señal AM.
Se puede determinar mediante la función de autocorrelación de la señal AM:
( ) [ ( )]
Aplicando la función de autocorrelación:
( ) [ ( ) ( )] (11.25)
( ) [ [ ( )] [ ( )] ( )]
Teniendo en cuenta que el mensaje tiene media nula:
( ) {[ ( ) ( )] [ ( ) ]}
( ) { [ ( ) ( ) ( ) (
) ( ) ( ) ( ]}
Pero:
 Cos (2 c t   c ) 
E 0
 2 
ECos c   Cos c : es una constante
193
E  x(t ) x(t   )Cos(2ct  c )  0 : Por ortogonalidad
Nota: Ex(t ) y(t )  0 , Si:

a) x(t) y y(t) tienen simetrías diferentes
b) x(t) y y(t) no coinciden en el tiempo
c) x(t) y y(t) no coinciden en frecuencia
Ex(t ) x(t   ).Cosc   Rx( )Cosc
Por tanto:
Ac 2 Ac 2 m2
RxAM ( )  Cosc    Rx( )Cosc
2 2 (11.26)
El valor de la potencia promedio total se obtiene evaluando la autocorrelación en =0
Ac 2 Ac 2 m2 2
2
X AM  RAM (0)   x
2 2 (11.27)
Se pude deducir:
2
X AM =Pportadora+2 Pot. cada banda lateral = Pc+ 2PSB (11.28)
Ac 2 Ac 2 m2 2 m2 x 2
Pc  ; PSB  x  PC
2 4 2 (11.29)
2
X AM
Luego: (11.30)
La portadora consume más de la mitad de potencia total de transmisión AM. En

consecuencia, es necesario realizar el cálculo de la eficiencia del AM, puesto que el
mensaje queda ubicado en las bandas laterales y no en la portadora.
11.3.4 Cálculo de la eficiencia de un sistema de transmisión AM:
2 PSB PC m2 x 2
 AM   100%
PT PC (1  m2 x 2 ) (11.31)
m2 x 2
 AM  100%
1  m2 x 2 (11.32)
La máxima frecuencia se logra cuando Pc=2PSB
Si m2 x 2  1  AM MAX = 50%. (11.33)
Lo cual indica que los sistemas AM tienen una pésima eficiencia.
194
11.3.5 Modulación am con un tono
En este caso: ( )
( ) [ )]
( )
mAm Ac mA A
xAM  t   Ac Cosct  Cos(c  m )t  m c Cos(c  m )t
2 2 (11.34)
Para obtener el espectro se transforma la ecuación anterior:
Ac mA A
X AM ( f )   ( f  fc)   ( f  fc)  m c  ( f  fc  fm)   ( f  fc  fm) 
2 4

mAm Ac
 ( f  fc  fm)   ( f  fc  fm)
4 (11.35)
Este espectro se muestra en la Fig. 11.13
Fig. 11.13 Espectro de la señal AM modulada con tono
La Densidad Espectral de Potencia se calcula elevando el espectro en magnitud al

cuadrado. Ver Fig. 11.14, donde se aprecia que el Ancho de Banda no se altera en esta
operación.
195
Fig. 11.14 Densidad Espectral de Potencia de la señal AM.
Ac2 m 2 Am2 Ac2 Ac2 m 2 Am2 Ac2

Potencia Trasmitida = 2 4  
4 16 2 4 (11.36)
La eficiencia en este caso es:

m 2 Am2 Ac2
m2 Am2
 AM  2 4 
Ac m 2 Am2 Ac2 2  m 2 Am2

2 4 (11.37)
La máxima eficiencia ocurre cuando m=1 y Am=1
AM max(1tono)= (1/3) *100%  33% (11.38)
11.3.6 Modulación AM con un tono en la forma fasorial
Fig.11.15 Señal AM en la forma fasorial
196
11.4 Moduladores AM
Para conseguir una señal AM se necesita básicamente un sumador y un multiplicador ya

que:
( ) [ )]
Desglosando esta ecuación en sus dos términos, se puede desarrollar un modulador basado
directamente en esta ecuación, como se indica en la Fig. 11,16.
Fig. 11.16 Modulador AM descrito por sus bloques funcionales
Sin embargo existen otros métodos que generan una señal AM indirectamente y en forma
más sencilla, como se indica en los numerales 11.4.1 y 11.4.2.
11.4.1 Modulador de ley cuadrática:
Fig. 11.17 Modulador de Ley Cuadrática.
Considerando el modulador de Ley Cuadrática que se muestra en la Fig. 11.17, donde

como elemento no lineal se pueden usar diodos ó transistores en las regiones donde se
cumple:
( ) ( ) ( ) (11.39)
Así:
( ) ( )  (11.40)
xout(t) = a1[x(t)+ AcCosct]+ a2[x2(t)+2x(t) AcCosct + Ac2Cos2ct]
197
2 1  Cos 2 c t 
Ac2Cos2ct = Ac  
 2 
Al transformar por Fourier:
a1 Ac
Xout(f) = a1X(f)  ( f  fc )   ( f  fc )+ a2X(f)*X(f)+
2
2a A a A2 a A2 a A2
 2 c [X(f – fc)+ X(f + fc)]+  2 c  ( f )  2 c  ( f  2 fc )  2 c  ( f  2 fc )
2 2 4 4
(11.41)
Gráficamente se aprecia en la Fig. 11.18:
Fig. 11.18 Espectro de la señal Xout(f)
Como se observa al pasar esta señal por el filtro pasabanda centrado en fc y ancho de
banda de 2W, solo queda la señal AM cuya expresión temporal es:
( ) ( )
 2a 
xAM (t )  a 2 A c 1  2 X (t )  Cosct
 a1  (11.42)
2a
Se observa que el índice de modulación toma el valor: m  2
a1
Normalmente a2 << a1 lo que implica que “la profundidad de modulación” es baja. Podría
pensarse en aumentar x(t), sin embargo esta situación implica el trabajo de x(t) en otra zona
diferente a la expresada anteriormente, produciendo un xAM(t) distorsionado.
11.4.2 Moduladores de conmutación.
La Fig. 11.19 muestra un esquema del modulador AM de conmutación.
Fig. 11.19 Modulador de conmutación AM
198
fc = Frecuencia de conmutación
fc =Frecuencia de la portadora.
fc > 2W
La Fig. 11.20 muestra las señales en el dominio del tiempo para un modulador de
conmutación:
a. x(t)=Señal de entrada
b. vi(t)= Señal de entrada con nivel dc igual a c voltios.
c. vo(t)= Señal de salida del elemento no lineal
d. Señal ( ) de salida
Fig. 11.20 Señales del modulador de conmutación
199
Modulador Cowan: Es un modulador AM de conmutación como se muestra en la Fig.

11.21
Fig. 11.21 Modulador Cowan
11.5 Demoduladores AM.
11.5.1 Detector de envolvente:
La principal ventaja de modular en AM consiste en que es posible recuperar el mensaje

con un simple detector de envolvente con tiempo de carga corto y descarga largo. Su
versión más sencilla es la que se muestra en la Fig. 11.22.
Fig. 11.22 Detector de envolvente
Cuando se aplica una señal a la entrada, el capacitor se carga a través del diodo. Cuando la
tensión de entrada es baja el diodo se abre y el capacitor comienza a descargarse a través
de R.
1 1
Condición de diseño:  Rc 
fc W (11.43)
200
Fig. 11.23 Señal en la detección de envolvente
La salida de este circuito es el mensaje sobre un nivel Dc que puede bloquearse con un
condensador c1:
Fig. 11.24 Circuito completo del detector de envolvente
11.5.2 Detector sincrónico o coherente:
Otra forma de demodular una señal AM es multiplicándola por la portadora y filtrando

como se indica:
Fig. 11.25 Detector sincrónico
( ) ( ) (11.44)
( ) [ ( )]
[ ( )] [ ( )]
( )
Al pasar ( ) por el filtro pasabajo se anulan las componentes de alta frecuencia ( )
( ) [ ( )] ( ) (11.45)
201
Al bloquear la componente DC, se tiene:
( ) ( ) ( ) (11.46)
Observe que se asume que el receptor dispone de una muestra de la portadora de la misma
frecuencia y fase que la usada en el modulador.
Circuitos tales como el PLL (PHASE LOCKED LOOP) permiten obtener la portadora a
partir de una señal modulada en AM.
11.6 Modulación en doble banda lateral (DSB)
Se puede definir como el AM pero con la portadora suprimida a fin de ahorrar potencia.
( ) ( ) (11.47)
El espectro por tanto es:
( ) [ ( ) ( )] (11.48)
Es decir que el espectro del mensaje es trasladado en frecuencia con ancho de banda de
transmisión 2W igual que en AM. Sin embrago la potencia es la de 2 bandas laterales.
̅̅̅ (11.49)
Por tanto su eficiencia será:

2 PSB
 *100%  100%
PT (11.50)
A pesar del parecido espectral que tienen AM y DSB, en el dominio del tiempo se notan
más sus diferencias.
Fig. 11.26 Comparación entre AM y DSB
202
Se observa que al modular en DSB la envolvente ya no se parece a la señal x(t), por tanto
no se puede usar detector de envolvente.
11.7 Moduladores DSB
La forma directa de conseguir una señal DSB es con un multiplicador:
Fig. 11.27 Modulador DSB
Existen otras formas básicas para lograr modulación DSB:
1. Utilizando elementos no lineales:
Se usan dispositivos cuya relación  vs i es del tipo:
i = a + b2 (11.51)
Un ejemplo serían los diodos y los transistores.
Fig. 11.28 Modulador DSB con elementos no lineales
i1 = a ( x(t)+Cosct ) + b (x(t)+Cosct )2
1 = Ra ( x(t)+Cosct ) + Rb x2(t ) + 2Rbx(t) Cosct + Rb Cos2ct
i2 = a (Cosct – x(t)) + b(Cosct – x(t))2
2 = R a (Cosct - x(t)) + R b ( Cos2ct – 2 x(t) Cosct + x2(t))
203
0 = 1 - 2 = 2 a R x(t) + 4 Rb x(t) Cosct (11.52)
Después del filtro pasabanda, se obtiene:
y0 = 4 Rb x(t) Cos ct (11.53)
11.8 Moduladores de conmutación
MODULADOR EN ANILLO (RING MODULATOR): El modulador más ampliamente

utilizado en los sistemas de comunicación. Emplea 4 diodos igualados en presión,
temperatura, etc. (matching)
Fig. 11.29 Modulador en Anillo (Ring Modulator)
Cuando la portadora es positiva conducen D1 y D2 mientras D3 y D4 se abren. En este

momento la salida x1(t) = x(t)
Cuando la portadora es negativa conducen D3 y D4 mientras D1 y D2 se abren. En este
intervalo la salida x1(t) = -x(t)
Observe el siguiente diagrama temporal (Fig. 11.30): a) Portadora analógica b)

portadora digital, c) Mensaje, d) Señal modulada en DSB.
Fig. 11.30 Formas de onda en el Modulador en anillo
204
xc(t) es de suficiente altura que equivale a la señal p(t)
x1(t) = p(t). x(t) (11.54)
La señal p(t) puede representarse a través de una serie trigonométrica de cosenos sin DC:
 
x1  t   x  t   anCos n ct 
 n 1  (11.55)
Al transformar por Fourier esta señal:
( ) [ ( ) ( )] [ ( ) ( )]
El mensaje aparece trasladado a fc y sus múltiplos impares.
11.9 Demodulador DSB
Es el demodulador sincrónico o coherente:
Fig. 11.31 Demodulador sincrónico
y1(t) = x DSB(t) .Cosct

A A
y1  t   Ac x  t  Cos 2c t  c x(t )  c Cos 2c t
2 2
Ac
y t   x(t )
2 (11.56)
Usos de la modulación DSB

- En comunicaciones punto a punto.
- Para colocar los canales L y R en el FM estéreo con el propósito de tener buena
reproducción en la zona de baja frecuencia.
205
11.10 Modulación en banda lateral única (SSB)
Analizando el espectro de DSB se encuentra que aún hay redundancia ya que las 2 bandas
alrededor de fc son simétricas.
Fig. 11.32 Espectro en DSB

Esta observación permite crear un nuevo esquema de modulación que se llamará SSB
(BANDA LATERAL UNICA).
En consecuencia, se generan 2 tipos de modulación:
XUSB(f): UPPER SINGLE SIDE BAND
XLSB(f): LOWER SINGLE SIDE BAND
Fig. 11.33a Modulación en Banda Lateral Inferior
Fig. 11.33b Modulación en Banda Lateral Superior
206
Potencia de transmisión:
A c2 A c2 m 2 x 2
En AM: PT AM  
2 2
A c2 2
En SSB: PT SSB  x
4
Ancho de banda de transmisión = W
El análisis en el dominio de la frecuencia es simple, pero no lo es en el dominio del tiempo

y antes de intentarlo es necesario invocar una herramienta básica: La transformada de
HILBERT
11.11 Transformada de Hilbert
Retarda 90° todas las componentes de frecuencia de la señal sin alterar su amplitud.
Fig. 11.34 Transformador de Hilbert
En donde la magnitud es unitaria:
H( f ) 1
Y la fase es:
⁄
[ ( )] { } (11.57)
⁄
Lo cual implica:
( ) { } (11.58)
Esta función se muestra en la fig. 11.35
207
Fig. 11.35 Característica de transferencia del Transformador de Hilbert
Y la salida en el dominio de la frecuencia es:
Xˆ ( f ) jSgn( f ) X ( f ) (11.59)
En el dominio del tiempo:

xˆ (t )  F 1   jSgn( f ) * x(t )
1  1
xˆ (t )  * x(t )   x( ) d
t   (t   ) (11.60)
11.11.1 Transformadas de Hilbert de interés
a) y(t)  e jct , ŷ(t)   je jct

b) y(t)  Cosc t , ŷ(t)  Senc t
c) y(t)  Senc t , ŷ(t)  Cosc t
d) y(t)  x(t )e jct , ŷ(t)   jx(t )e jct
e) y(t)  x(t ) Cosc t , ŷ(t)  x(t ) Senc t
f) y(t)  x(t ) Senc t , ŷ(t)  x(t )Cosc t
11.11.2 Propiedades de la Transformada de Hilbert
1) x(t) y x̂ (t) tienen la misma DEP
2) Como GX( f ) y G X̂ ( f )  R x ( ) = R x̂ ( )
3) x ( t ) y x̂ ( t ) son ortogonales.
4) H [x( t )] = x̂ ( t ); H [ x̂ ( t )] = - x ( t )
11.12 Análisis de una señal SSB
Filtrando la señal DSB con un filtro H1(f ) se obtiene XUSB(f) y con H2(f )se obtiene XLSB(f ),
ver Fig. 11.36:
208
La señal en banda lateral superior se describe como:
XUSB(f ) = XDSB(f ). H1(f )
La señal en la banda lateral inferior es:
XLSB(f ) = XDSB(f ). H2(f )
Donde:
H2(f ) = ½ [Sgn(f+fc) - Sgn(f+fc)]
El filtro H1(f ) es el complemento del filtro H2(f)
H1(f ) = 1 - H2(f )
Sustituyendo en X LSSB ( f ) :
 X ( f  fc) X ( f  fc)  1
X LSSB ( f )  
 2

2  2  Sgn( f  fc)  Sgn( f  fc)
X ( f  fc) X ( f  fc) X ( f  fc) X ( f  fc)
X LSSB ( f )  Sgn( f  fc)  Sgn( f  fc)  
4 4 4 4
B A
F -1{A}= ½x(t) Cosct

F -1{B}= ½ ̂(t) Senct
Por tanto:
Ac
xLSSB (t )   x(t )Cosct  xˆ(t )Senct 
2 (11.61)
Ac
xUSSB (t )   x(t )Cosct  xˆ(t )Senct 
2 (11.62)
Los filtros ideales para separar las bandas lateral superior e inferior se muestran en la Fig.
11.36.
209
.
Fig. 11.36 Filtros para separar bandas en SSB
11.13 Moduladores SSB:
11.13.1 1er Método: por discriminación de frecuencia
Se genera DSB y luego se elimina una de las bandas:
Fig. 11.37 Detector SSB por discriminación de frecuencia
210
Si x(t) tiene componentes de baja frecuencia el filtro tiene que ser ideal y esto no es
realizable físicamente.
11.13.2 2do Método: por discriminación de fase
Se basa en la ecuación:
Ac
xSSB (t )   x(t )Cosct  xˆ(t )Senct 
2 (11.63)
Fig. 11.38 Detector SSB por discriminación de fase
Desventaja: Es difícil diseñar el defasador de 90º para banda ancha.
11.13.3 3er Método: Técnica de Weaber.
Tomando como referencia una frecuencia f1 como la mitad del ancho de banda del
mensaje, para modular la señal mensaje:
f1 = W/2 (11.64)
y llamando a la frecuencia f2:

f2 = fc ± W/2 (11.65)
El modulador Weaber se muestra en la Fig. 11.39
211
Fig. 11.39 Técnica Weaber para detección en SSB.
11.14 Demodulación SSB:
Detección Sincrónica ó coherente:
Fig. 11.40 Detector coherente para SSB
Ac
xSSB (t )   x(t )Cosct  xˆ(t )Senct 
2
Al multiplicar por Cosct:
Ac
xSSB (t ).Cosct   x(t )Cos 2ct  xˆ (t )Senct.Cosct 
2
Ac Ac Ac
xSSB (t ).Cosct  x(t )  x(t )Cos 2ct  xˆ (t ) Sen2ct
4 4 4
Esta señal pasa por un filtro pasabajos con ancho de banda W que solo permite el paso del
primer término que es el mensaje.
Luego
Ac
y (t )  x(t )
4 (11.66)
212
11.15 Usos del SSB:
a. Telefonía multicanal.
b. En circuitos de radio punto a punto.
c. En enlaces de microondas.
d. Comunicaciones militares.
e. Radio aficionados (RADIO AMATEURS)
f. Comunicaciones móviles de alta frecuencia.
11.16 Banda Lateral Vestigial (VSB) = Residual = Asimétrica
Fig. 11.41 Modulación en Banda Lateral Vestigial
donde W = Ancho de banda residual (ó de vestigio)
Esto se logra:
Fig. 11.42 Modulador VSB

Ac
X VSB ( f )   X ( f  fc)  X ( f  fc) H ( f )
2 (11.67)
H(f) es un filtro que debe satisfacer la siguiente ecuación:
H(f+fc)+ H(f-fc) = constante = 1 f  W (11.68)
213
Por tanto:
Fig.11.43 Filtro VSB

Se deduce:
i. El ancho de banda de la señal VSB = W + W
ii. La potencia de la señal VSB será
Ac 2 2 Ac 2 2
x  PVSB  x
4 2
PSSB PDSB
(11.69)
11.15.1 Representación en el tiempo de una señal VSB:
Siendo h(t) la respuesta impulsiva del filtro VSB
xVSB (t )  Ac x(t ) Cos ct * h(t )

(11.70)

xVSB (t )  Ac  h( ) X (t   ) Cos(c (t   ))d

 
xVSB (t )  Ac Cosct  h( ) x(t   )Cos c d  AcSenct  h( ) x(t   )Senc d - Llamando:
 

xi(t )  2 h( ) x(t   )Cosc .d  2 x(t )* h(t )Cosc .
 (11.71)
En frecuencia:
Xi(f)= X(f)[H(f+fc)+ H(f-fc)] (11.72)
Por simetría:
|H(f) | = |H(-f) | = ½ en magnitud (11.73)
Luego:
Xi(f)=X(f)  Xi(t) = X(t) (11.74)
- Llamando:
214
xq (t )  2 x(t )* h(t )Senc .

(11.75)
1
xq ( f )  x( f )  H ( f  fc)  H ( f  fc) 
j
Hq ( f )
1
Xq ( f )  X ( f ) Hq( f )
j (11.76)
Luego:
Ac Ac
X VSB (t )  Xi (t )Cos c t  Xq (t ) Sen c t
2 2 (11.77)
Si:
Fig.11.44 Filtro real VSB

por tanto:
Fig.11.45 Filtro VSB BB cuadratura
11.15.2 Moduladores VSB
a. Modulador basado en la descripción en frecuencia.
X VSB ( f ) 
Ac
X ( f  fc )  X ( f  fc )H ( f )
2 (11.78)
215
Fig. 11.46 Demodulador VSB basado en la descripción en frecuencia
b. Modulador basado en la descripción en tiempo.
Ac Ac
X VSB (t )  X (t )Cos c t  Xq (t ) Sen c t
2 2 (11.79)
Fig. 11.47 Demodulador VSB basado en la descripción en el tiempo
VSB se genera en zonas DSB moduladas con 2 portadoras en cuadratura.
La principal aplicación de la modulación VSB es en la TV analógica. En la figura 11.48 se

esquematiza la señal de Televisión tradicional compuesta de las modulaciones de video en
VSB y de audio en FM.
Fig. 11.48 Señal de TV (Video y Audio)
216
El esquema del espectro de la señal de salida se muestra en la Fig. 11.49:
Fig. 11.49 Espectro de la señal de TV
11.15.3 Demodulador VSB.
VSB se demodula con detector sincrónico. Sin embargo para TV (donde se requieren
muchos receptores) se demodula con detector de envolvente, desde luego previa adición de
una portadora piloto:
Ac Ac
xVSB (t )  Portadora  x(t )Cosct  xq (t )Senct  ACosct
2 2
 Ac  Ac
xVSB (t )  Portadora   A  x(t )  Cosct  xq (t ) Senct
 2  2
Envolvente:
2 2
 Ac   Ac 
R(t )   A  2 x(t )    2 xq (t ) 
2
 Ac   Ac xq / 2 
R(t )   Ac  x(t )  1   
 2   A  Ac x / 2  (11.80)
Si A>>Ac/2, Xq(t) es pequeño 
Ac
R(t )  Ac  x(t )
2 (11.81)
Eliminando el DC:
Ac
y (t )  x(t )
2 (11.82)
Fig. 11.50 Detector de envolvente
217
11.15.4 Usos del VSB:
Esencialmente VBB se emplea en la transmisión de Señales de TV.
11.16.1 En el modulador AM mostrado en la Fig. 11.51, si ( ) volts y

la portadora de la señal ( ) tiene 8/9 de la potencia total.
a) Calcule el índice de modulación m.

b) Si ( ) ¿Cuál es el nuevo índice de modulación?
11.16.2 Un Transmisor de AM con una portadora en 100KHz es modulado con tono de

10 KHz y genera una señal como la indicada en la Fig. 11.10, donde: y
a) Calcular el índice de modulación.

b) Encontrar la expresión de la señal ( ).
c) Determine el espectro de la señal AM.
d) Dibuje el espectro del punto c).
e) Halle la potencia total transmitida.
f) Determine la potencia de cada una de las bandas laterales.
11.16.3 La señal ( ) [ ( )] , donde ( ) [ ( )] , para

| | y donde | | ⁄ , se aplica al circuito de la Fig. 11.52, donde:
| |
( ) { }
| |
218
a) Encuentre los valores máximos y mínimos de B para que la señal ( ) ( )

b) Halle le valor de K en la expresión anterior.
11.16.4 Dado un transmisor cuya potencia pico máxima es de 150 Watts, tiene aplicada
una señal moduladora:
( ) ( )
a) Si el transmisor se modula en AM, cuál es el índice de modulación y la amplitud de
la portadora.
b) Si el transmisor se modula en SSB, cuál es la potencia media de la onda modulada?
c) Repita el cálculo de b) para el caso en el cual venga reinyectada un 75% de la
portadora.
11.16.5 Una señal modulada en DSB con ( ) donde:
a) Halle la expresión para la modulación ( ).

b) Encuentre el espectro de la señal modulada en DSB y dibújelo.
c) Determine la potencia promedio normalizada de la señal DSB.
11.16.6 El sistema mostrado en la Fig. 11.53 genera una señal en Banda Lateral
Vestigial donde el mensaje: ( ) modula una portadora:
a) Determine la señal: ( )
b) Halle es espectro de la señal VSB y dibújela.
c) Encuentre la potencia de la señal VSB.
219
220
Capítulo XI:
Translación de frecuencia y
El receptor Superheterodino
221
222
12. TRANSLACIÓN DE FRECUENCIA
12.1 Introducción.
A menudo es conveniente trasladar en frecuencia la onda modulada hacia arriba o hacia

abajo, de modo que pase a ocupar una nueva banda de frecuencias.
Esta translación en frecuencias se lleva a cabo multiplicando la señal por una onda
sinusoidal que se genera localmente y con el filtro subsecuente.
Como ejemplo consideremos una onda DSB:
( ) ( )
El espectro de ( ) ocupa por tanto las frecuencias:
fc - W  f  fc + W y -fc - W  f  -fc + W
Fig. 12.1 Espectro de una señal modulada en DSB
Si se quiere trasladar esta onda modulada hacia frecuencias más bajas, se multiplica
primero ( ) por un coseno a la frecuencia f1 para obtener:
x1 (t )  xDSB (t ) Cos 1t

x1 (t )  x(t ) Cos ct  Cos 1t
1 1
x1 (t )  x(t ).Cos(c  1 )t  x(t ).Cos(c  1 )t
2 2 (12.1)
Cuyo espectro será:
X1( f ) 
1
X ( f  fc  f1 )  X ( f  fc  f1 )  1 X ( f  fc  f1 )  X ( f  fc  f1 )
4 4
(12.2)
La gráfica de esta ecuación se muestra en la Fig. 12.2:
223
Fig. 12.2 Señal en DSB modulada con un Cos1t
X1(f) se pasa a través de un filtro pasabanda de frecuencia media f 0 = fc - f 1 y ancho de

banda 2W.
Si f1 >W, la salida del filtro será:
1 1
x2 (t )  x(t ) Cos(c  1 )t  x(t ) Cos0t
2 2 (12.3)
12.2 Mezclador
El dispositivo que realiza la translación de frecuencia de una onda modulada se llama

MEZCLADOR y la operación por sí misma se llama MEZCLA HETERODINA.
Por tanto el mezclador es un multiplicador + filtro pasabanda.
Fig. 12.3Mezclador heterodino
a. Si f1 = fc: Se trata de una mezcla de homodina =Detector sincrónico.
b. Si f1 < fc: Se trata de una mezcla subheterodina.
c. Si f1 > fc: Se trata de una mezcla superheterodina.
La heterodinización es una operación lineal.
12.3 Receptor Superheterodino
224
El esquema básico de un receptor superheterodino se muestra en la Fig. 11.4:
Fig. 12.4 Receptor Superheterodino
El amplificador de RF sintoniza la frecuencia de la portadora fc y automáticamente la

frecuencia del oscilador local cambia de tal forma que al mezclarse, la frecuencia de
salida es siempre la misma. Es decir:
Fig. 12.5 Esquema básico del mezclador
De esta forma cualquiera que sea la frecuencia de entrada, se traslada a la frecuencia

intermedia fija para ser amplificada en forma selectiva. Luego se demodula el mensaje y
se amplifica para adecuarlo a los niveles que requiere el circuito de salida.
El receptor AM comercial es un receptor de radio AM superheterodino cuyas emisoras

comerciales van:
540KHz  fc  1600KHz y fiF = 455KHz (12.4)
Al mezclarse fc con la frecuencia del oscilador local se produce:
f0L  fc = 455KHz (12.5)

Se podría escoger:
a) f 0 L1  fc  455KHz (Receptor Subheterodino):

540 KHz  455KHz  85KHz
Relación  13:1
1600 KHz  455KHz  1145KHz (12.6)
b) f 0 L2  fc  455KHz (Receptor Superheterodino):
225
540 KHz  455KHz  995KHz

Relación  2 :1
1600 KHz  455KHz  2055KHz (12.7)
Por esta razón se escogió la operación b) es decir la operación superheterodina:
f 0 L  fc  f IF
Se observa que la frecuencia del Oscilador Local es superior a la frecuencia de entrada

fc: Característica de la operación Superheterodina.
El Ancho de Banda del amplificador de Frecuencia Intermedia (IF) se puede calcular

como:
BIF = BTransm = 10KHz
12.4 Frecuencia Imagen: fc'
En un receptor la frecuencia imagen se define como:
fc'= fc+2 fIF (12.8)
Se sabe que:
fOL - fc = fIF (12.9)
Pero si se sintoniza una fc' tal que:
fc' - fOL = fIF (12.10)
Se puede deducir que las frecuencias imágenes máximas y mínimas en los extremos de
la banda del AM es:
f OL  f C  f IF 540 KHz  2 * 455KHz  1450 KHz

fc '  fc  2 f IF
f C ' f OL  f IF 1600 KHz  2 * 455KHz  2510 KHz
(12.11)
Se puede apreciar que en el receptor superheterodino no se produce interferencia alguna

por efecto de mezclas espurias en la entrada del amplificador de RF por efecto de la
captación de señales de RF en la antena que cubre ese ancho de banda.
Fig 12.6 Ubicación de la fC' (imagen) respecto a fc (portadora)
En consecuencia se puede establecer:

fC' - fc = fIF (12.12)
226
No obstante el Ancho de Banda del amplificador de RF es menor que 2 veces al ancho

de banda del amplificador de frecuencia intermedia.
BRF < 2 fIF =910KHz (12.13)
12.5 Relación de rechazo de la frecuencia imagen (IFRR).
La Relación de rechazo de la frecuencia imagen (IFRR) es una medición

numérica de la habilidad de un preselector para rechazar la frecuencia imagen. Para un
preselector de sintonización simple, la relación de su ganancia en la RF deseada con la
ganancia en la frecuencia imagen es el IFRR:
√ (12.14)
En donde:
Q = Factor de calidad del preselector
(12.15)
En decibelios:
(12.16)
Si hay más de un circuito sintonizado, el IFRR total es simplemente el producto de las

dos relaciones.
12.6 Otros Tipos de Receptores:
Un Receptor bastante utilizado en equipos de transmisión para instrumentación es el

Receptor de doble conversión. En consecuencia este receptor tiene 2 etapas de IF, como
se muestra en la Fig. 12.7.
La primera etapa de IF está sintonizada a una frecuencia alta, donde sus frecuencias
imágenes están lejos, y la segunda etapa está sintonizada a una frecuencia baja y
requiere un amplificador de gran selectividad, alto Q.
Este tipo de receptor tiene la ventaja que discrimina mejor los canales con respecto a los
sistemas tradicionales.
Por lo general estos receptores son típicamente empleados también en los receptores de
AM (Modulación de Amplitud de alta calidad) y sistemas SSB (Banda Lateral Única).
227
Fig. 12.7 Receptor con doble etapa de conversión de frecuencia intermedia
12.6 Ejercicios propuestos
12.6.1 Un receptor AM superheterodino tiene una frecuencia del oscilador local de

1355 KHz. Si la señal RF se encuentra modulada con un tono de 5 KHz, generando
líneas espectrales en 900 (banda lateral superior), 905 (portadora) y 895 KHz (banda
lateral superior), determine las frecuencias del espectro después del filtro de IF:
a) La frecuencia intermedia.
b) La frecuencia de la banda lateral superior.
c) La frecuencia de la banda lateral inferior.
d) Dibuje el espectro de la señal antes de la detección.
12.6.2 Un receptor superheterodino de AM, con frecuencias de RF del oscilador local

de 1055 KHz, frecuencia máxima de la banda lateral superior: 1055 KHz, frecuencia
mínima de la banda lateral superior: 455 KHz respectivamente, determine:
a) La frecuencia imagen.
b) La relación de rechazo de la frecuencia imagen para un .
228
Capítulo XIII:
FDM
229
230
13. MULTICANALIZACIÓN POR DIVISIÓN DE FRECUENCIA

(Frequency División Multiplexing) FDM
Cuando se quiere transmitir varias señales por el mismo canal se necesita compartir el tiempo
o el espectro. Este último se conoce como FDM (Multiplexaje por división en frecuencia)
13.1 Transmisor FDM.
La Fig. 12.1 muestra el esquema de un transmisor de FDM modulado analógica o digitalmente

por una portadora en la banda de interés. En este caso se muestran la multicanalización de tres
canales
Fig. 13.1 Diagrama de bloques de un transmisor de FDM
Donde las subportadoras fcn son generadas por un sintetizador de subportadoras el cual
requiere como entrada una muestra de la señal piloto. Ver Fig 13.2.
231
Fig. 132.2 Sintetizador de subportadoras
Espectro de la señal FDM en banda base se muestra en la Fig.13.3, para un sistema de 3

canales incluyendo el canal para la frecuencia piloto, que para el caso del FM estéreo es de 15
KHz.
Fig. 13.3 Espectro del FDM para 3 canales y el piloto
13.2 Receptor FDM.
La Fig. 13.4 muestra el diagrama de bloques del receptor de FDM incluyendo el demodulador
de portadora en el mismo sistema de demodulación analógica o digital empleada en el
transmisor de FDM.
232
Fig. 13.4 Receptor FDM
El sintetizador de subportadoras del receptor es el mismo empleado en el transmisor.
13.3 Ejemplos de sistemas FDM.
Aquí se muestran algunos ejemplos típicos donde se aplica el FDM.
1) En telefonía multicanal en frecuencia: De acuerdo a las normas establecidas por la UIT

(Unión internacional de Telecomunicaciones) se tienen las siguientes agrupaciones:
Agrupación Nombre Intervalo de Ancho de Canales

Asignado frecuencia banda de Voz
12 canales, 4KHz=A.B 1 Grupo 60-108KHz 48 KHz 12
(300-3.400KHz)
5 Grupos 1 Supergrupo 312-552 KHz 240 KHz 60
10 Supergrupos 1 Mastergrupo 564-3.084 KHz 2.52 MHz 600
6 Mastergrupos 1 Jumbo grupo 0.5-15.5 MHz 17 MHz 3600
Sincronización de la portadora: mediante una frecuencia piloto que se transmite junto con la
señal.
2) FM estéreo:
233
El canal izquierdo (L) se combina con el derecho (R) para formar (L+R) y (L-R) Estos a su
vez se ubican en diferentes zonas del espectro antes de modularse en FM.
Fig. 13.5 Transmisor del FM estéreo.
Dado que para el FM se asignó una banda de 15 KHz para la señal de audio tanto para el canal
izquierdo como para el derecho, el espectro de la señal banda base FDM para el FM estéreo
ocupa un ancho de banda de 53 KHz tal como se muestra en la Fig. 13.6
Fig. 13.6 Espectro de la señal banda base del FM estéreo
El receptor para el FM estéreo se muestra en la Fig. 13.7.
Fig. 13.7 Receptor FM estéreo
234
13.4.1 Dadas las señales ( ) ( ) ( ) cuyos

espectros se muestran en la Fig. 13.8:
Se desea enviarlas a través de un sistema multicanal para configurar un FM estéreo comercial:

a) Dibuje el espectro obtenido en la banda base de la señal multicanal: ( ).
b) Diseñar el sistema de multicanalización que genere la señal ( ) obtenida en a).
c) Si ( ) es el espectro de la señal recibida, proyecte el sistema que permite separar las
señales: ( ) ( ).
13.4.2 Se desea multicanalizar cinco señales, cada una con ancho de banda de 4 KHz con
banda de guardia entre canales de 1KHz. La modulación de la subportadora se realiza en
USSB excepto el canal inferior que no está modulado.
a) Grafique el espectro de la señal banda base
b) Grafique el espectro de la señal transmitida.
c) Calcule el ancho de banda de la transmisión.
235
236
Capítulo XIV:
Sistemas de modulación
exponencial
237
238
14. MODULACIÓN EXPONENCIAL
En estos sistemas se varía el ángulo de la portadora en función del mensaje con la

Magnitud constante.
Xc(t) = Ac Cosi(t) (14.1)
En este caso el espectro ya no tiene una relación lineal con el espectro de la señal en
Banda-base.
Se consideran dos tipos de modulación exponencial:
 Modulación de Fase (FM).
 Modulación de frecuencia (PM).
14.1 Modulación de Fase (PM).
Considerando una señal sinusoidal con ángulo:
i(t) = 2 fc t +  (t) (14.2)
Donde el ángulo de fase es proporcional al mensaje:
 (t) = Kp x(t) (14.3)
x(t) es el mensaje en [volts] y Kp es la constante de Sensibilidad de fase del módulo en

[rad/volts].
La señal modulada en PM puede escribirse como:
( ) (  ( )) (14.4)
Frecuencia instantánea de la onda PM puede estudiarse como:
d  (t ) d x(t )
i (t )  c   c  K p
dt dt (14.5)
Una onda modulada en PM se muestra en la Fig. 14.1 donde la señal moduladora es una onda
cuadrada y se aprecian los cambios de fase abruptos en la señal modulada.
239
Fig. 14.1 Señal modulada en PM con onda cuadrada.
14.2 Modulación de Frecuencia.
La frecuencia instantánea en el FM depende del mensaje.
( )= ( ) (14.6)
Donde:
= Frecuencia de la portadora no modulada [Hz]
=Sensibilidad de la frecuencia [Hz/volt]
A partir del ángulo instantáneo de la señal, se puede obtener la frecuencia instantánea:
1 d i (t )
f i (t )   di (t )  2  fi (t ) dt
2 dt (14.7)
De donde se obtiene:
di (t )  2 ( fc  R f x(t ))dt

(14.8)
Y en consecuencia, el ángulo instantáneo se puede determinar como:
t
i (t )  2  fc t  2  R f 0
x( ) d
(14.9)
Finalmente la señal modulada en FM se puede escribir como:
xFM (t )  Ac Cos  2  f c t  2  K f x( ) d 

t
 0  (14.10)
Si se comparan FM y PM en el tiempo se verán muy parecidos, no obstante es importante

destacar que la amplitud de la portadora es constante y su potencia será:
240
Ac2
PAV   constante
2 (14.11)
Fig. 14.2 Señal modulada en PM
14.3 Modulación de Frecuencia de Tono Único:
Tomando en consideración la expresión analítica para el FM:
X FM (t )  AcCos  2 f ct  2 K f  x( )d 

t
 0  (14.12)
Para x(t) un tono único a la frecuencia fm:
( ) (14.13)
La frecuencia instantánea de la onda será:
( ) (14.14)
Llamando: f = La desviación de frecuencia (máximo alejamiento de la frecuencia instantánea

de la onda FM respecto a la frecuencia de la portadora fc).
 (14.15)
Donde f es proporcional a la amplitud de la moduladora. El ángulo instantáneo de la señal

modulada con un tono será:
t t
i (t )  2  fi ( )d  2  ( f c  f Cos 2 f m )d
0 0 (14.16)
f
i (t )  2 f ct  Sen2 f m t
fm (14.17)
241
Llamando:  = Índice de modulación en FM:
f K f Am
 
fm fm (14.18)
y en consecuencia el ángulo de la señal modulada será:
i (t )  2 fc t   Sen2 f m t (14.19)
En el sentido físico  representa la desviación de la fase de FM es decir la máxima separación

entre i(t) y el ángulo 2 fc t de la portadora. Luego la onda FM tono único será:
X FM (t )  AcCos[2 fct   Sen(2 f mt )] (14.20)
Dependiendo del índice de modulación es posible distinguir 2 casos de modulación en

frecuencia:
1) FM de banda angosta si  es pequeño.
2) FM de banda ancha si  es grande.
14.4 FM Banda Angosta en General
De acuerdo a la expresión obtenida en el numeral 14.2
t
i (t )  2 fc t  2 K f  x( )d
 (14.21)
t
Si se asume que la fase es:  (t )  2 K f  x( )d    1

La señal modulada puede verse como:
xFM (t )  AcCos ct   (t )

(14.22)
x(t )  Ac Cos  (t ) Cosct  Ac Sen  (t ) Sen ct

(14.23)
Dado que  (t ) máx    1 

Cos  (t )  1
Sen  (t )   (t )
242
La expresión del FM se simplifica para el FM banda angosta (Narrow Band =NB):
xFMNB (t )  AcCosct  Ac (t )Senct (14.24)

xFMNB (t )  Ac Cosc t   Ac 2 K f  x( )d  Sen c t
t
   (14.25)
Aplicando Transformada de Fourier:

Y teniendo encuenta que:
F  
t

x( )d 
X( f )
j 2 f (14.26)
Ac A 2 K f X ( f  fc) A 2 K f X ( f  fc)
X FMNB ( f )   ( f  fc)   ( f  fc)  c  c
2 2j j 2 ( f  fc) 2j j 2 ( f  fc)
Ac A K  X ( f  fc) X ( f  fc) 
X FMNB ( f )   ( f  fc)   ( f  fc)  c f  
2 2  ( f  fc) ( f  fc)  (14.27)
De esta expresión se puede deducir que si el ancho de banda de x(t) es W, el ancho de banda
de la señal xFMNB(t) será 2W.
14.5 FM Banda Angosta para un Tono
K f Am
Si x(t) es un tono: AmCosmt, donde  
fm
La expresión del FM será:
xFM (t )  AcCos(ct   Senmt )

(14.28)
xFM (t )  Ac Cos( Senm t )Cosc t   Sen( Senm t ) Senc t 

(14.29)
Como <<1 radian 

Cos(  Senm t )  1
Sen( Senm t )   Senmt
xFMNB (t )  Ac Cosc t  Ac  Senm t Senc t

(14.30)
A
xFMNB (t )  AcCosct  c Cos(c  m )t  Cos(c  m )t 
2
243
Ac A A A
X FMNB ( f )   ( f  fc)  c  ( f  fc)  c  ( f  fc  fm)  c  ( f  fc  fm) 
2 2 4 4
Ac  Ac 
  ( f  fc  fm)   ( f  fc  fm)
4 4 (14.31)
La Fig. 14.3 muestra el espectro de la señal X FMNB ( f ) para el caso de un tono.
Fig. 14.3 Espectro de una señal en FMNB modulada con un tono
14.6 ¿Cómo generar una señal xFMNB(t)?
Basados en la ecuación:
xFMNB (t )  Ac Cos ct   Ac 2 K f  x( )d  Senc t
t
   (14.32)
Se puede deducir el diagrama de bloques de un modulador en FM banda angosta
Fig. 14.4 Diagrama de bloques de un modulador en FM banda angosta.
244
Esta configuración funciona bien hasta en una desviación de fase máxima de 30°.
14.7 Comparación entre AM Y FMNB:
a) FASORIALMENTE:
La Fig. 14.5 muestra los fasores de la señal modulada en AM y FMNB
Fig. 14.5 Esquemas fasoriales de una modulación en AM y en FMNB
b) ESPECTRALMENTE:
Fig. 14.6 Espectros de una modulación en AM y en FMNB
Se aprecia que el ancho de banda de FMNB es igual al obtenido en AM. No obstante, se

mostrará más adelante que este tipo de modulación angular (FMNB) produce menos mejoría
en (S/N)D respecto al AM.
14.8 FM Banda Ancha cuando el mensaje es un Tono:
Partiendo de la expresión del FM para un tono:
xFM (t )  Ac Cos (2 fc t   Senm t )

(14.33)
Ecuación que se puede transformar como:
245
xFM (t )  Re  Ac e j 2 fc t e j  Sen (m t ) 
xFM (t )  Re  Ac e j  Sen (m t ) e j 2 fc t 

(14.34)
Llamando: xFM (t )  Ac e j  Sen (m t )

xFM (t )  Re  xFM (t )e j 2 fc t 
(14.35)
xFM (t ) Es una señal periódica cuya frecuencia fundamental es fm.


T T
xFM (t )   cn e j n 2 fm t ;  m  t  m
n  2 2 (14.36)
Donde, los coeficientes de la serie de Fourier son:
1 1/2 fm
cn 
Tm  1/2 fm
Ac e j  Sen (2 fm t ) e j n 2 fm t dt
(14.37)
1/2 fm
cn  f m Ac  e j (  Sen (2 fm t  n 2 fm t ) dt
1/2 fm
(14.38)
Efectuando un cambio de variable:
x = 2 fm t ; dx=2 fm dt  dt=dx/2 fm
Para los límites:

a) Si
1
t  x 
2 fm
b) Si
1
t  x  
2 fm
Remplazando en cn :
f m Ac 
 e
j (  Sen x  n x )
cn  dx
2 f m 
(14.39)
Simplificando:
1 
 e
j (  Sen x  n x )
cn  Ac dx
2 
Jn (  )
(14.40)
246
Donde: Jn() = Función de Bessel de 1era clase de orden n y argumento  .
Luego:

Cn=Ac Jn()  xFM (t )  AJ
n 
c n (  )e j n 2  f m t
(14.41)
y
  
xFM (t )  Re   Ac J n (  )e j n 2  fm t  e j 2  fc t
 n   (14.42)

xFM (t )  AJ
n 
c n (  ) Cos (c t  n m t ) : FM Banda ancha 1 tono.
El espectro de esta señal es:

Ac
X FM ( f ) 
2
  ( f  fc  n f
n 
m )   ( f  fc  n f m )J n (  )
(14.43)
Es decir que se tienen las líneas espectrales en:
n  0 :  fc
n  1:  fc  fm
n  2 :  fc  2 fm

Infinito
Por tanto el ancho de banda teórico del X FM ( f ) es:  y por esta razón, el peso de cada uno de
los pulsos del espectro, lo dan las funciones de Bessel.
Veamos el comportamiento de Jn() en función de . Ver Figuras 14.7 y 14.8
247
Fig. 14.7 Funciones de Bessel de diferente orden vs el argumento 
Fig. 14.8 Funciones de Bessel de diferente 

vs la relación (n/)
248
14.9 Propiedades de la función Jn()
1. Los Jn() son valorados en los números reales.

2. Jn()= J-n(), para n par
3. Jn()= -J-n(), para n impar

4.  Jn
n - 
2
( )  1
 Para  pequeño: FM Banda angosta:
Los Coeficientes de Bessel se simplifican:
 
J 0 (  )  1; J1 (  )  ; J n  0, n  2; J 1 (  )  
2 2 (14.44)
Por tanto, el espectro de la señal FM será:
Ac
X FMNB ( f )  J 0 (  )  ( f  fc)   ( f  fc)  J1 (  )  ( f  fc  fm)   ( f  fc  fm)  
2
 J 1 (  ) ( f  fc  fm)   ( f  fc  fm) (14.45)
Este espectro se muestra en la Fig. 14.9
Fig. 14.9 Espectro de la señal FMNB
Resulta un espectro exactamente igual al descrito por el primer método ya visto.
En general se tienen líneas espectrales cuya altura depende de los coeficientes cn.
Ac 2
La potencia total dela señal FM será: , que se reparte en todas las líneas espectrales.
2
Obsérvese que los pesos dados por Jn() varían de acuerdo con el valor de  que se disponga.
249
 Análisis de Jn():
K f . Am f
Recordar que     f   fm
fm fm
Se puede establecer:
. Si  =1 f = fm (1)
. Si  =2 f = 2fm (2)
. Si  =5 f = 5fm (3)
TABLA 15.1 DE FUNCIONES DE BESSEL
X J0 J1 J2 J3
0 1.00 0 0 0
.25 0.984 0.124 0.00777 0.00032
.50 0.938 0.242 0.0306 .00256
.75 0.864 0.349 0.067 .00850
1.00 0.765 0.440 0.115 0.0196
1.5 0.512 0.558 0.232 0.0610
2.0 0.2241 0.578 0.353 0.129
2.40 +0.00250 0.520 0.431 0.198
2.41 -0.00270 0.518 0.433 0.200
3.00 +0.260 0.339 0.486 0.309
3.83 -0.403 +.007 0.403 0.420
3.84 -0.403 -.0033 0.399 0.421
4.00 -0.397 -.0660 0.364 0.430
5.00 -0.178 -0.328 0.293 0.356
5.13 -0.134 -0.339 +0.00191 0.340
5.14 -0.13 -0.340 -0.00148 0.339
5.52 -0.00002 -0.3403 -0.123 0.251
5.53 +0.0037 -0.340 -0.126 0.248
6.00 0.151 -0.277 -0.243 0.115
7.00 0.300 -0.00468 -0.301 -0.168
7.02 0.3001 +0.00132 -.299 -0.172
8.00 0.172 0.235 -.113 -0.291
8.66 -0.0017 0.272 +0.064 -0.242
9.00 -0.090 0.245 0.145 -0.181
10.00 -0.246 0.043 0.255 +0.058
250
Estudiando la variación del número de líneas significativas en función de  se puede

establecer la relación del ancho del espectro de la señal modulada en FM y su índice de
modulación para el caso de una señal modulante de un tono, como se aprecia en la Fig.
14.10.
Fig. 14.10 Variación del número de líneas significativas en función de 

(a. =1;b. =2; c.=5)
Se concluye que cuando Jn() disminuye, n se incrementa y por tanto la mayor cantidad de
potencia se concentra en una banda limitada. Se deduce que cuando n > +2, el valor de Jn()
se hace despreciable. Con esta observación, se puede establecer un criterio para limitar el
ancho de banda del FM.
14.10 Ancho de Banda en FM
Teniendo encuenta que el FM puede expresarse como:
251

xFM (t )  Ac 
n 
J n (  )Cos (c  nm )t
(14.46)
Pero de la figura 14.8 se observa que:
n
J n (  )  1 si  1
 (14.47)
Por tanto Jn() disminuye cuando n crece y en consecuencia, la mayor cantidad de potencia se
concentra en una banda limitada.
Se puede decir que cuando n > +2 la Jn() es pequeña, luego el número de líneas
significativas = +2 y el ancho de banda puede calcularse para el caso de modulación con un
tono como:
BW=2 (+2) fm (14.48)
Para el caso de un mensaje cualquiera, existe la norma conocida como REGLA DE

CARLSON que establece:
BW = 2(Kfx(t)máx+W) =2f +2 (14.49)
Pero esta fórmula subestima el ancho de banda.
En general si x(t)máx= 1 se define (La regla de Carlson) en función del parámetro :
Rf

W (14.50)
BW=2(+1)W  2Kf Si >>1 (14.51)
BW=2(+1)W  2Kf Si <<1 (14.52)
BW=2(+2)W Si  tiene valores intermedios (14.53)
Obsérvese que de estas fórmulas se establece el caso particular de modulación de tono.
Existe otra forma de calcular el ancho de banda (bajo los mismos criterios): Mediante el
concepto del número de líneas significativas.
BW=2M()W (14.54)
Donde: M() = N° de líneas significativas

W = Ancho de banda del mensaje
Para la modulación de un tono:

BW=2M()W (14.55)
252
M() se escoge dependiendo del umbral para despreciar líneas espectrales:

- Si se desprecian las líneas cuya magnitud está por debajo del 10% de Ac  Jn()<0.1
M()=+1 (14.56)
- Si se desprecian las líneas que tienen una amplitud por debajo de 1% de Ac  Jn()<0.01
M()=+2 (14.57)
Así en general:
BW = 2 (+) fm Con 1 <  < 2 (14.58)
K A 
BW  2  f m    f m
 fm  (14.59)
BW  2  K f Am f m 
(14.60)
El máximo ancho de banda se consigue con Ammáx y fmmáx aunque esto no representa el
máximo.
14.11 Modulación Multitono en FM.
Sea la siguiente señal multitono:

x(t)=A1Cos1t+ A2Cos2t (14.61)
Donde f1  kf2: no están armónicamente relacionados.
Extendiendo el concepto de modulación FM de 1 tono:
xFM(t)=Ac Cos(ct + 1Sen1t + 2Sen2t) (14.62)
K f A1 K f A2
Donde: 1  ; 2 
f1 f2
Desarrollando un procedimiento similar al de 1 tono:
Llamando:

x1  e j 1 Sen 1 t  J
n 
n ( 1 )e n j 1 t
(14.63)

x2  e j 2 Sen 2 t  J
n 
n (  2 )e n j 2 t
(14.64)
Se obtiene:
253
 
xFM (t )  Ac  
n  m 
J n ( 1 ) J m (  2 )Cos(c  n1  m2 )t
(14.65)
Si f1<<f2 y 1  2, se puede graficar XFM(f) como se muestra en la Fig. 14.11.
Fig. 14.11 Espectro de banda ancha para un FM modulada con un tono
Como se aprecia en la Fig. 14.11 aparecen líneas espectrales en: fc  nf1  mf2 , lo que implica
que se trata de un proceso no lineal.
14.12 Moduladores FM
Existen 2 métodos básicos para generar FM:
1) METODO DIRECTO:
Basado en el funcionamiento de un VCO (Oscilador Controlado por Voltaje), el cual cambia

la frecuencia instantánea de la señal de salida, según la magnitud del voltaje de entrada que se
convierte en señal de control al emplear el PLL.
Fig. 14.12 El VCO como método directo para generar FM.
En el rango de frecuencias de microondas, el VCO se realiza con tubos Klystron ó

semiconductores tales como diodos Túnel ó GUNN.
254
En frecuencias más bajas se utilizan circuitos discretos paralelos donde uno de los elementos
(bobina ó condensador) varia su valor con una tensión aplicada, permitiendo así la variación
de frecuencia.
El caso más común es la variación de la capacidad con diodos VARACTOR ó VARICAP:
Fig. 14.13 Circuito básico Varactor empleado como modulador de FM.
La capacidad del circuito de salida C(t), es función del mensaje de entrada x(t):
C(t) = Co - c x(t)
Donde: Co = Capacidad en ausencia de modulación.

c = Cambio máximo de capacidad.
Fig. 14.14 Capacidad de salida en función de la polarización inversa del diodo
En consecuencia, la frecuencia de la señal de salida se puede analizar como:
1 1 f C
f osc    f0  0 X (t )
2 LCt 2 L(C0  CX (t ) 2C0
2) METODO INDIRECTO:
Para aumentar el rango de variación de la frecuencia del método directo, se introducen

multiplicadores de frecuencia, tal como se muestra en la Fig. 14.15.
255
Fig. 14.15 Método indirecto para generar FM.
Sin embargo la salida de método, produce una frecuencia central N veces la frecuencia central
(Nf0) distinta a la frecuencia deseada. En este caso se utiliza un mezclador para trasladar la
frecuencia Nf0 a la frecuencia fc deseada.
Fig. 14.16 Método indirecto con mezclador
- VENTAJA DE ESTE METODO: Se puede conseguir grandes desviaciones de frecuencia.

- DESVENTAJA: La frecuencia central no proviene de un cristal, luego la frecuencia de
salida puede sufrir corrimientos que en el detector se verían como cambios del mensaje.
Un método para controlar estos corrimientos sería el siguiente:
Fig. 14.17 Método indirecto con mezclador y Oscilador a Cristal.
14.13 Demoduladores FM
256
Para recuperar la señal modulante x(t) a partir de la señal modulada en FM se requiere un

circuito cuya salida varíe linealmente con la frecuencia de la señal de entrada.
Se tienen 2 tipos de esquemas que realizan esta operación:
a) DISCRIMINADORES DE FRECUENCIA:
El principio de un discriminador de frecuencia es el siguiente:

t
xFM(t)= AcCos(t);  (t )  ct  2 K f  x( )d
0 (14.66)
Al derivar:
dx FM (t ) d (t )
  Ac Sen (t ).
dt dt (14.67)
Pero:
d (t )
 c  2 K f X ( f )
dt (14.68)
 FM    Ac Sen (t ) c  2 K f X ( f ) 
dx (t )
dt (14.69)
Luego con la derivación se ha convertido una señal FM en AM-FM y por tanto la señal
demodulada se puede obtener con un circuito derivador y un detector de envolvente.
Fig. 14.18 Demodulador básico de FM
Como derivador puede utilizarse el filtro pasa altos de la Fig. 14.19
Fig. 14.19 Filtro Pasa-altos
257
Pero en este análisis se supone que Ac no varía en el tiempo. Sin embargo dado que el ruido se
adiciona a la señal durante la transmisión, requiere la colocación de limitadores de amplitud,
que son dispositivos con la siguiente función de transferencia.
Fig. 14.20 Limitador de dos niveles para eliminar ruido
Un circuito sencillo que puede realizar esta función podría ser con diodos en oposición como
se muestra en la Fig. 14.20:
Fig. 14.21 Limitador a dos niveles empleando diodos en oposición.
El circuito limitador a 2 niveles debe ser colocado antes del derivador, tal como se indica en la
Fig. 14.22.
Fig. 14.22 Demodulador de FM completo
Estos 2 esquemas pueden realizarse con 1 circuito.

Empleando un filtro pasa-banda como derivador:
258
Fig. 14.23 Empleando un filtro pasabanda como derivador
Si se tiene una señal de entrada: xFM (t), a la salida del circuito de la Fig. 14.23 la señal FM se
convierte en AM+FM. No obstante este detector presenta problemas como es
fundamentalmente su rango lineal (o rango dinámico) muy pequeño.
Si se tiene una señal FM como se muestra en la Fig. 14.24
Fig. 14.24 Señal modulada en FM
A la salida del fitro pasabanda, se obtiene la señal de la Fig. 14.25
Fig.14.25 Señal a la salida del filtro (AM+FM)
Este problema se puede solucionar en parte colocando 2 estructuras en la siguiente forma:
259
Fig. 14.26 Filtro diseñado con dos estructuras
Circuitalemente esto se logra de dos formas:
a) DISCRIMINADOR DE TRAVIS: Ver Fig. 14.27
Fig. 14.27 Discriminador de Travis
Este circuito no requiere bloquear el DC de salida. C1 y C2 se ajustan a las frecuencias f1 y f2,

R1 y R2 determinan los anchos de banda respectivos.
Cuando fin = fc, los 2 circuitos dan la misma salida pero con signos opuestos y por tanto la
salida final es 0.
Cuando fin > fc, el circuito sintonizado 1 da una salida grande >0 y el sintonizado 2 da una
salida pequeña (negativa)  la salida final será grande y mayor que 0. Cuando fin < fc la
salida será grande pero menor que 0.
Esto permite un rango lineal grande, pero difícil de calibrar.
260
b) DISCRIMINADOR FOSTER-SEELY. Ver Fig. 14.28
Fig. 14.28 Discriminador Foster Seely
En este caso los 2 tanques están sintonizados a f0.

Por el tap central se sabe que 1está en contrafase con 2:
A cada diodo le llega:
A D1: (t) + 1; A D2: (t) + 2 (fasorialmente).
- Para f = f0 la diferencia de fase entre (t) y 1 es 90°
Fig. 14.29 Esquema fasorial para el detector Foster Seely
 La salida de D1 es proporcional a |E1|

 La salida de D2 es proporcional a |E2|
 La salida neta es 0
- Para f > f0 se produce un desfase de 1 respecto a 
261
Fig. 14.30 Esquema fasorial si f > f0

 La salida neta > 0
- Para f < f0
Fig. 14.31 Esquema fasorial si f < f0

 La salida neta < 0
14.14 Demodulador por Lazo de Enganche (PLL)
El PLL (de sus siglas: PHASE LOCKED LOOP) es un circuito de laso cerrado cuyo objetivo
es detectar los cambios de fase que se producen en el puerto de entrada al ser comparados con
la señal del VCO (oscilador controlado por voltaje).
Fig. 14.32 El PLL como detector de FM
262
Los cambios de fase se manifiestan en cambios de nivel a través de un filtro pasa bajos que a
su vez realimenta al VCO para mantenerse enganchado a la frecuencia de la portadora.
Aquí se obliga a la fase de la salida del VCO a seguir las variaciones de la fase de la señal de
entrada. Suponga que inicialmente (t)=ct + 0. Si ˆ(t ) (ángulo detectado) es igual a (t)
(ángulo de la señal FM), la salida del filtro pasabajos es cero y el VCO sigue produciendo la
misma salida.
Si (t) varia se detectará una diferencia de fase que producirá una tensión proporcional que a
su vez hace variar la frecuencia del VCO para tratar de engancharse de nuevo.
14.15 Demodulación FM usando Línea de Retardo.
Se había partido inicialmente que para detectar xFM(t) era necesario derivar:
dxFM (t ) 1
 lim  xFM (t )  xFM (t   )
dt  0 
(14.70)
Si se hace  tan pequeño como un :
dxFM (t ) 1
  xFM (t )  xFM (t   )
dt  (14.71)
1
Donde  

Esta operación se puede efectuar con una línea de retardo.
El detector Foster-Seeley está basado en la idea del diferencial, pero usan desplazamientos de
fase lineales del circuito resonante para lograr el retardo temporal.
Fig. 14.33 Demodulador FM usando línea de retardo
14.16 Detector de Cruces por Cero:
Puesto que la información de una onda en FM viene en la frecuencia, los cruces por cero de
esta onda tienen importancia, pues contienen la información de la señal que se quiere
demodular. Veamos:
263
 t

xFM (t )  Ac Cos c t  2 K f  x( )d  Ac Cos i (t )
0
(14.71)
Fig. 14.34 Detección FM mediante cruces por cero.
t3
 (t 3 )   (t1 )  2   c (t 3  t1 )  2R f  X ( )d
t1
(14.72)
Si el ancho de banda W<<fc, entre t1 y t3 el mensaje debe ser más o menos constante.
t3
 (t3 )   (t1 )  c (t3  t1 )  2 K f 
t1
x( )d  2
X ( t1 )( t3 t1 )
(14.73)
x(t1)(t3-t1) se puede ver como el área bajo la curva. Luego:
2 1
 i  fi   fc   K f x(t1 )
t3  t1 t3  t1 (14.74)
Si se mide el tiempo entre las cruces por cero fi, se puede obtener el mensaje. Esto se puede
efectuar de la siguiente forma:
Asumiendo que W<<fc, en un tiempo dado t se mide el número de cruces por cero (con
pendiente positiva).
N= Número de cruces por cero.
t3-t1 = T
Pero:
1 N
fi    fc  K f x(t )
t3  t1 T (14.75)
fc se aprecia como un Nivel D.C
Eliminado el nivel D.C se obtiene:
264
N
fi '  sin DC  K f x(t )
T (14.76)
El circuito utilizado para este propósito se ilustra en la Fig. 14.24
Fig. 14.35 Circuito para la detección de cruces por cero
14.17 Receptor FM
Las diferencias entre receptores AM y FM son los filtros de énfasis en la salida. El propósito
de estos filtros será explicado cuando se trate el ruido en los sistemas de modulación.
El receptor de FM comercial en la banda de 88 a 108 MHz, es un receptor superheterodino que

emplea como frecuencia intermedia 10.7 MHz y ancho de banda de 200 KHz.
Fig. 14.36 Receptor para FM comercial.
14. 18 Modulación de Fase:
La ecuación que describe la modulación de fase se muestra en Ecu. 14.

xPM (t )  AcCos ct  K P X (t ) 
(14.77)
xPM (t )  AcCosct.CosK p x(t )  Ac Senct.SenK p x(t )
(14.78)
265
14.18.1 PM Banda Estrecha:
Teniendo encuenta que en este caso: K p x(t )  1
Luego:
CosRp x(t )  1; SenK p x(t )  K p x(t )
xPMNB (t )  AcCosct  Ac K P x(t )Senct (14.79)
14.18.2 Modulador XPMNB(t):
El modulador de banda estrecha se muestra en la Fig. 14.26
Fig. 14.37 Modulador PMNB
En consecuencia el ANCHO DE BANDA del PMNB = 2W.
Como caso particular, efectuar x(t)=Am Senmt y comparar xPMNB(t) con xFMNB(t)
xPMNB (t )  AcCosct  K P Am Ac Senmt.Senct

p
xFMNB (t )  AcCosct  Ac  Senmt.Senct
14.18.3 PM Banda Ancha:
Analizando la modulación de tono:
xPM (t )  AcCos(ct  K p Am  Senmt )

(14.80)
xPM (t )  AcCos(ct   p Senmt )
  p  K p Am
(14.81)
Expresión similar al FM solo que p no depende de fm.
Si se varía fm, varia la distancia entre líneas espectrales, pero no varía su amplitud.
xPM(t) en términos de los coeficientes de Bessel:
266

xPM (t )   AJ
n 
c n (  p )Cos(ct  nmt )
(14.82)
En el dominio de f:

Ac
X PM ( f ) 
2
  ( f  f
n 
c  nf m )   ( f  f c  nf m ) J n (  p )
(14.83)
14.18.4 Ancho de Banda en PM:

B  2(  p  1) f m 

 PMNB
B  2( Am K p  1) f m 
 (14.84)
B  2(  p  2) f m PM
(14.85)
Para un caso general en FM:

Am R f Rf
Definimos:     Máx desviación de fase.
W W
BWFM  2(  1)W  NB
BWFM  2(  2)W  Banda Ancha (14.86)
Comparando directamente en PM, la máxima desviación para amplitud unitaria es Kp
BWFM  2( K p  1)W  NB
BWFM  2( K p  2)W  Banda Ancha
BWFM  2 K pW  4W
(14.87)
14.19.1 Una señal sinusoidal de 1 KHz modula en fase a una portadora en 146.52 MHz con
una desviación de fase pico de 45°.
a) Evalúe la magnitud del espectro de la señal PM si . Grafique su resultado.
b) Evalúe el Ancho de Banda de la señal PM y observe si es un número razonable
comparado con el obtenido por la gráfica espectral.
14.19.2 En el circuito de la Fig. 14.38 un generador de tonos modula un transmisor de FM

con un tono (coseno) de amplitud constante de 0.3 voltios y frecuencia variable, generando en
el analizador de espectros la figura mostrada, donde se representan la primeras líneas del
espectro de la onda modulada en FM.
267
Determinar:
a) El índice de modulación 
b) La frecuencia fm del generador de tonos.
c) La frecuencia de la portadora fc.
d) El valor de Ac.
e) La desviación en frecuencia f.
f) La expresión analítica de ( ).
g) El espectro de magnitud del FM y dibújelo (Altura de líneas vs. n ó frecuencia)
h) Número de líneas significativas del espectro.
i) El Ancho de Banda del FM.
j) La potencia promedio total del FM.
14.19.3 En el esquema de la Fig. 14.39, la frecuencia de la señal moduladora se disminuye

desde una frecuencia muy alta hasta obtener el espectro de la señal modulada en FM como se
muestra en la figura, donde se obtiene el primer nulo de la línea espectral .
Si el Ancho de Banda del mensaje es de 6 KHz, determine:

a) La Constante de sensibilidad del modulador: .
b) La amplitud de la portadora: .
c) La frecuencia de la portadora: .
d) El Ancho de Banda de transmisión: .
268
Capítulo XV:
Ruido e Interferencia en
la Modulación Analógica
269
270
15. Ruido e Interferencia en la Modulación Analógica
15.1 Introducción
Uno de los aspectos más importantes que caracterizan a los diferentes tipos de modulación es
su comportamiento frente al ruido. Usualmente este factor es proporcional al ancho de banda.
Esto último se estudiará cualitativamente y un parámetro estimador será la relación S/N.
Luego de revisar las convenciones de un sistema de comunicaciones completo, se analizará el
efecto de la interferencia y el ruido para los diversos sistemas de modulación.
15.2 Modelo de un Sistema de Comunicación:
Fig. 15.1 Modelo de un Sistema de Comunicación
las convenciones serán las siguientes:

1. X21 ABX(t)=W
1. El canal solo atenúa, no distorsiona.
2. El filtro pasa-banda BPF con HR(f) tiene ganancia unitaria sobre BR  BT
3. El filtro pasa-bajos LPF tiene ancho de banda W.
4. De esta forma:
ST 1
 S R ; (t )  X c (t )
L L (15.1)
Para cada tipo de modulación calcularemos ST.
15.3 Señales Pasa-Banda
Es útil su presentación en la forma:

a. Envolvente – Fase
b. Componente en fase – componente en cuadratura.
Sea xc(t) es la representación envolvente – fase:
xc(t) = R(t).Cos(ct + (t)) (15.2)
Si en esta expresión se expande el coseno; se obtiene la representación componente en fase y

componente en cuadratura:
xc(t) = R(t). Cos(t).Cosct – R(t).Sen(t) .Senct (15.3)
271
xc(t) = xi(t) Cosct – xq(t)Senct (15.4)
Donde :
xi(t)= R(t) Cos(t) Componente en fase (15.5)
xq(t)= R(t) Sen(t) Componente en cuadratura. (15.6)
En consecuencia las señales moduladas analógicamente pueden ser representadas en términos

de su componente en fase y su cuadratura.
AM :
xAM(t) = Ac [1+mx(t)] Cosct
a) R(t) = Ac [1+mx(t)] ; (t) = 0 (15.7)

b) xi (t) = Ac [1+mx(t)] ; xq(t) = 0 (15.8)
DSB :
xDSB(t) = Ac x(t) Cosct
( )
a) R(t) = Ac x(t) ; ( ) { } (15.9)
( )
b) xi (t) = Ac x(t) ; xq(t) = 0 (15.10)
SSB:
Ac Ac
xSSB (t)  x(t) Cosct xˆ(t) Senct
2 2
A  xˆ 
a) R  t   c x 2  xˆ 2 ;  (t )  arctg   
2  x (15.11)
Ac A
b) xi (t)  x(t ); xq (t)   c xˆ (t )
2 2 (15.12)
VSB:
Ac A
xVSB (t)  x(t) Cosct  c x'(t) Senct
2 2
A x 'q
a) R  t   c x 2 (t )  x 'q2 (t );  (t )  arctg
2 x (15.13)
Ac A
b) xi (t)  x(t ); xq (t)  c x 'q (t )
2 2 (15.14)
FM:
272
xFM (t)  Ac Cos ct  2 K f  x( )d   Ac Cos (t).Cosct  Ac Sen (t).Senct
t
 0 
a) R  t   Ac ; (t )  2 K f  x( )d
t
0 (15.15)
b) xi (t)  AcCos (t ); xq (t)  Ac Sen (t )
(15.16)
PM:
xPM (t)  AcCos ct  K P x(t )  AcCosK P x(t).Cosct  Ac SenK P x(t).Senct
a) R(t )  Ac ;  (t ) ~ K P x(t ) (15.17)
b) xi (t)  AcCosK p x(t ); xq (t)  Ac SenK p x(t )
(15.18)
15.4 Salida de los diferentes detectores:
Es importante conocer la salida de los diferentes detectores:

Llamando y(t) = Salida del detector:
 Con detector de envolvente:
y(t) = K1R(t) (15.19)

 Con detector Sincrónico:
y(t) = K2 xi(t) ó K3 xq(t) (15.20)

 Con detector de Fase:

y(t) = K4(t) (15.21)
 Con detector de frecuencia:
d (t )
y(t) = K5
dt (15.22)
15.5 Interferencia de un Tono en la Modulación Lineal.
Señal interferente: Amplitud = AI; frecuencia = fc + fI
Señal que llega al modulador (antes de la detección)
 (t )  R(t ).Cos( c t   (t ))  AI .Cos( c   I )t

 


SeñalModulada Interferencia
(15.23)
Expandiendo los cosenos:
 (t )  R(t ).Cos (t ).Cos c t  R(t )Sen (t ).Sen c t  AI Cos I t.Cos c t  AI Sen I t.Sen c t
Llamando:
273
xi (t )  R(t )Cos (t )  AI Cos I t (15.24)

xq (t )  R(t )Sen (t )  AI Sen I t
(15.25)
Luego:
 (t )  xi (t ) Cosc t  xq Senc t
(15.26)
15.5.1 AM con detector de envolvente:
 (t )  R(t ) Cosc t  AI Cos(c   I )t (15.27)
a) Con interferencia pequeña: AI << R(t): Ver Fig. 15.2
Fig. 15.2 Esquema fasorial para detección de envolvente
RT (t )  R(t )  AI Cos I t (15.28)
 Si fI > W (ancho de banda del mensaje), la interferencia se elimina con el filtro pasa-
bajo que sigue al detector.
 Si fI < W aparece un tono que afecta una sola frecuencia de poca altura, luego no es de
mayor relevancia.
b) Con interferencia grande: AI >> R(t)
Fig. 15.3 Esquema fasorial con AI >> R(t)
274
RT (t )  AI  R(t )Cos I t (15.29)
Bloqueando el nivel DC (AI) 

R´T (t )  R(t )Cos I t (15.30)
En este caso el mensaje se traslada a la frecuencia fI
Fig. 15.4 Efecto de la detección de envolvente
 Si fI es pequeña el problema no es tan grave (cambian los tonos del mensaje, pero es
inteligible).
 Si fI es grande: desaparece el mensaje con el filtro de salida.
15.5.2 AM con detector sincrónico
Con un detector sincrónico siempre se obtiene xi(t).

En el caso de AM:
xi(t)=R(t)+AI Cos 1t (15.31)
 Si fI > W, el filtro de salida eliminará esta interferencia.

 Si fI < W, sea grande o pequeña de amplitud, solo afecta una frecuencia específica.
Esta es una ventaja del detector sincrónico que también se hace presente en el análisis del
ruido. Es por esto que a veces se prefiere la detección sincrónica sobre el detector de
envolvente.
15.6 Ruido Pasabanda
Es un sistema de comunicación en general se supone que en el canal, la señal además de

atenuarse, también sufre el efecto de interferencia y ruido.
Ya en el receptor, lo primero que se encuentra es un filtro pasabanda como se ilustra en la
Fig. 15.5 empleando la Característica ideal.
275
Fig. 15.5 Filtro pasa banda del Receptor
Fig.15.6 Generación de Ruido pasabanda de Banda estrecha
Usualmente BR = BT << fc
El ruido a la salida de este filtro se llama RUIDO PASABANDA de banda estrecha.

Este ruido se puede describir a través de la forma:
a) Envolvente – fase:
n(t) = Rn(t) Cos(ct + n(t)) (15.32)
n(t)= Rn(t) Cosn(t )Cosct - Rn(t) Senn(t) Senct (15.33)
Llamando: ni(t) = Rn(t) Cosn(t) y nq(t) = Rn(t) Senn(t)
La señal resultante aparecerá como se aprecia en las Figuras 15.7 y 15.8.
Fig. 15.7 Ruido de envolvente Fig. 15.8 Componentes en fase y en cuadratura

b) Descripción mediante la componente en fase y la componente en cuadratura del ruido:
276
( ) ( ) ( ) (15.34)
En síntesis hay que describir Rn(t), n(t), ni(t) y nq(t)
Se puede demostrar que la componente en fase y la componente en cuadratura dl ruido pueden

describirse en términos de ( ):
( ) ( ) ̂( ) (15.35)
( ) ̂( ) ( ) (15.36)
Con estas expresiones de ni(t) y nq(t), se deduce:
 E[ni(t). nq(t)] = 0 ni  nq
 E[ni(t)] = E[nq(t)] = 0 Si E[n(t)] = 0
 La envolvente en fase del ruido:
( ) ̂( ) ̂( ) (15.37)
Dado que:
̂ ( ) ̂( ) (15.38)
̂( ) ̂( ) (15.39)
 La DEP del ruido será:
( ) ( ) ( ) ( ) | | (15.40)
 El valor cuadrático medio del ruido:
̅̅̅̅ ̅̅̅̅̅ ̅̅̅ (15.41)
 Si n(t) es gaussiano, ni(t) es gaussiano y nq(t) también es gaussiano.
 Si ni(t) y nq(t) son ortogonales, y ̅ ̅̅̅ (media cero)  los problemas de las 2
señales se reducen a que están decorrelacionadas y si son gaussianas y
decorrelacionadas, se dice que son independientes. Además tienen la misma varianza.
 Función de densidad de probabilidad de ni:
n2
1  i2
Pni (ni )  e 2
2  (15.42)
 Función de densidad de probabilidad de nq:
nq2
1  2
Pnq (nq )  e 2
2  (15.43)
 Función de densidad de probabilidad de conjunta:
277
ni2  nq2
1 
Pnq ni (ni , nq )  e 2 2
2  (15.44)
  = varianza de ni, nq y n.
2
Ahora se puede determinar en función de la densidad de probabilidad de Rn(t) y (t):
nq
Rn (t )  ni2  nq2 n (t )  artan
ni (15.45)
ni (t )  Rn (t ).Cos n (t ) nq (t )  Rn (t ).Sen n (t )
(15.46)
Cuando se tienen funciones de variables aleatorias (bidimensionales) se puede hablar del

“Equivalente bidimensional” que permite la transformación de variables aleatorias.
Pni (ni ) Pnq (nq )  dni .dnq  P( Rn1  n ) dRn .d n

(15.47)
Donde P(Rnin) es la función de densidad de probabilidad conjunta de Rn y n
Pero: dni .dnq  Rn .dRn .d n se llega a:

Rn . dRn .d n
P( Rn1  n )  Pni (ni ) Pnq (nq )
dRn .d n
(15.48)
P( Rn1  n )  Rn .Pni (ni ) Pnq (nq )
(15.49)
Pero
Rn  0 (siempre) y ni2  nq2  Rn
2
Adicionalmente si Pni y Pnq son gaussianas, la probabilidad conjunta P( Rn , n ) será:

Rn2
1 
P( Rn , n )  Rn e 2 2
2 2 (15.50)
 Cálculo de la probabilidad marginal de n:
Dos cualidades a tener en cuenta: Rn no puede ser negativa y n está limitada [-, ]

1   2n2 
2 2
R R
 Rn 1  2n2
 1
P n ( n )   P( Rn1  n )dRn   e dRn   e  
   2 2 2  2

 
 (15.51)
Como [- < n < ] para evitar ambigüedades, se tiene que P n ( n ) está distribuida
uniformemente entre - y .
278
Fig. 15.10 Función densidad de probabilidad de la fase
De donde se puede deducir:

n  0 (15.52)
 2
2 
3 (15.53)
 Probabilidad marginal de Rn.
Rn2 Rn2
 Rn  Rn 
PRn ( Rn )   2
d n  2 2
2
e e
 2 2
 2
(15.54)
Esta función corresponde a una DISTRIBUCION DE RAYLEIGH (Fig. 15.11).
Fig. 15.11Probabilidad marginal de la envolvente de ruido
Rn2

PRn  r   
 Rn 2 2
e dRn
r 2

  Rn2 
2 2
r
 2
P  Rn  r    e 2
 e 2
  r
(15.55)
La cual tiene las siguientes propiedades:
Rn2  2 2

Rn  .
2
 2  4  
 R2  Rn2  Rn2  2 2    2  
2
2  2 
n
(15.56)
279
Donde 2 es la varianza de n (ni, nq), pero no de Rn.
Conclusión: Se observa que n y Rn son estadísticamente independientes ya que:
P( Rn ,  n )  PRn ( Rn ).P n ( n ) (15.57)
 Densidad espectral de potencia de ni y nq:
( ) ( ) ( )
El ruido después del filtro HR(f) es de la siguiente forma:
Fig. 15.12 DEP del ruido después del filtro HR(f)
La salida sería el mismo que la entrada, puesto que HR(f) es de la forma:
Fig. 15.13 Filtro HR(f)
Filtro de detección es de la forma como es indicada en la Fig. 15.14
Fig. 15.14 Filtro para la detección
Luego hR(t) = 2h0(t) Cosct

h0(t): Respuesta impulso de H0(f)
hR(t): Respuesta impulso de HR(f)
280
Al aplicar la señal de ruido pasa-banda a la entrada del sistema pasa-banda ideal, la salida
debe ser n(t).
Fig. 15.15 Detección coherente
15.7 Ruido en la Modulación Lineal
Modelo del receptor, considerando la señal modulada más el ruido pasa-banda, se muestra en
la Fig. 15.16.
Fi. 15. 16 Modelo del receptor para estudio del ruido en la modulación lineal
Considerando la señal de salida del filtro HR(f)
 (t )  xR (t )  n(t ) (15.58)
Dado L como la atenuación en potencia del canal de transmisión:
1 A
 KR  R
L AC (15.59)
Potencia promedio de la señal de entrada al detector = SR:
2
X2 S A 
S R  c  T  K R2 S T   R  .S T
L L  AC  (15.60)
Potencia promedio del ruido:
281
n
n2  N R  .2 BT   BT
2
Luego:
N R  BT
(15.61)
Y la relación señal a ruido será:
S S S W W SR
   R  R .  Donde :  
 N  R BT W BT BT W (15.62)
Así:
En AM: BT = 2W;
S W 
   . 
 N R 2W 2 (15.63)
En DSB: BT = 2W;
S W 
   . 
 N R 2W 2 (15.64)
En SSB: BT = W;
S W
   .  
 N R W (15.65)
W
En VSB:  BT  W;
2
 S
    .
2  N R (15.66)
S
Para analizar   es necesario conocer el tipo de detector utilizado.
 N D
15.7.1 Con Detector Sincrónico:
a) Doble banda lateral: DSB
282
XDSB(t) = ARX(t)Cosct y BT = 2W
Fig. 15.17 Detector Sincrónico
 (t )  xDSB (t )  Ruido
 (t )  AR x(t )Cosct  ni (t )Cosct  nqSenct
 (t )  [ AR x(t )  ni (t )]Cosct  nqSenct
Salida del detector:

1 1
yD (t )  AR x(t )  ni (t )
2 2 (15.67)
Se concluye:
 El mensaje y el ruido son aditivos en la salida.

 La componente en cuadratura del ruido se elimina.
 El espectro de potencia del ruido en la salida:
Gni(t) = Gnq(t), se traslada al origen
La DEP antes de la detección se muestra en la Fig. 15.18:
Fig. 15.18 DEP del ruido antes de la detección
DEP después de la detección se muestra en la Fig. 15.19:
283
Fig. 15.19 DEP del ruido después de la detección
 Potencia de entrada de señal al detector:
AR2 2
S R   AR x(t )Cosct  
2
x
2 (15.68)
 Potencia de señal de salida del detector:
2
1  1 1
S D   AR x(t )   AR2 x 2 (t ) 
2  4 2 (15.69)
 Cálculo de la potencia del ruido:
Señal de ruido antes de la detección:
( ) ( ) ( )
Señal de ruido después de la detección: (ver Fig. 15.20)
n1(t) = n(t)Cosct
Fig. 15.20 el ruido en la detección coherente
( ) ( ) ( )
284
( ) ( ) ( ) ( ) (15.70)
Después del filtro LPF:

( ) ( ) (15.61)
Potencia de ruido detectada:

1 2 1 2
N D  n D2 (t )  ni  n R
4 4
1
ND  NR
4 (15.62)
Luego:
1
SD SR
S 2 S
     2 
 N D ND 1 N  N R
R
4 (15.63)
NOTA: Al trasladar el mensaje y el ruido al origen de frecuencias el ruido lo hace en forma

INCOHERENTE, mientras que el mensaje lo hace COHERENTE y por esto:
S S
   2 
 N D  N R (15.64)
b) AM (con detector sincrónico):
Señal antes de la detección:
 (t )  AR 1  mx(t ) Cosct  niCosct  nq Senct

Señal AM Ruido (15.65)
Potencia recibida de la señal AM:
AR2 
SR  1  2mx  m2 x 2 
2  
A2
Con x  0  S R  R 1  m 2 x 2 
2   (15.66)
Potencia recibida del ruido:
NR=2W puesto que BT=2W
Luego
285
S 
AR2 1  m2 x 2  
   
 N R 4W 2 (15.67)
A la salida del detector síncrono, después del filtro LPF tenemos:
yD (t )  AR 1  mx(t )  ni
(15.68)
Eliminando la DC:
yD' (t )  AR mx(t )  ni (15.69)
Por tanto la potencia detectada es:
S D  AR2 m2 x 2 (15.70)
Y la potencia de ruido detectado: ND= 2W
S A2 m 2 X 2
Luego:    R
 N D 2W (15.71)
Efectuando la relación:
S AR2 m2 x 2
 
 N D  2W 2m 2 x 2

S AR2 1  m 2 x 2  1  2m x
2 2
   
 N R
4W (15.72)
Como:
S  S m2 x 2 1
      . 
 N R 2  N D 1  m x
2 2  (15.73)
Y tendrá un máximo cuando:

S 
m2 x 2  1    
 N D 2 (15.74)
S
Se concluye que DSB debe mandar la mitad de potencia que AM para lograr la misma  
 N D
c) En SSB:
286
AR
 (t )   x(t )Cosot xˆ (t ) Sen ot   ni Cos ot  nq Sen 0t
2
Ruido
Señal SSB (15.75)
Donde: .
Potencia de la señal recibida:
 x 2 x 2  AR2 2
AR2
SR 
   x
 2 2  4
4
(15.76)
El ruido está representado como pasabanda alrededor de:
Fig. 15.21Ruido pasabanda en SSB
El Detector empleado se muestra en la Fig. 15.22:
Fig. 15.22 Detector sincrónico para SSB
n1 (t)  niCos0t  nq Sen0t  2Cosct 

(15.77)
 W W 
n1 (t)   2ni Cos( c  2 t )  2nq Sen(c  2 t )  Cosct 
 2 2 
n1 (t)  ni Cos(2c  W )t  CosWt   nq  Sen(2c  W )t  SenWt 
Al pasar esta señal por el filtro LPF, resulta:
287
nD (t )  niCosWt  nq SenWt
(15.78)
Luego:
2
ni2 nq ni2 ni2
n      ni2  Pot. ni
2
D
2 2 2 2
Fig. 15.23 DEP detectada para SSB
Potencia de la señal detectada:

W
n D2  2..  W  N D
2 (15.79)
Salida demodulada:
AR
yD (t)  x(t )  ni (t )CosWt  nq (t ) SenWt
2 (15.80)
Potencia de la Señal demodulada:
AR2 X 2
SD   SR
4 (15.81)
La relación señal a ruido detectada:
S S S S
   D  R  
 N  D N R W  N  R (15.82)
TABLA N°15.1 CUADRO RESUMEN COMPARATIVO CON DETECTOR SINCRONICO
TIPO SR (S/N)D
AM A 2
m2 x 2
1  m2 x 2 
R

2  
1  m2 x 2
DSB AR2 2 SR
x 
2 W
288
SSB AR2 2 SR
x 
4 W
Si AR=1 y x 2  1
AM 1  m2 1  m2 1  m2 m2
. 
2 2 2W 2W
DSB 1 1
2 2W
SSB 1 1
4 4W
1
Si m=1  En AM: SR=1 ; (S/N)D=
2W
1 1
En DSB: SR= ; (S/N)D=
2 2W
1 1
En SSB: SR= ; (S/N)D=
4 4W
S S S
Si SR=1       2 
 N  DSSB  N  DDSB  N  DAM (15.83)
15.7.2 Detección de AM con Detector de Envolvente:
Nuestro interés es el cálculo de la relación (S/N).
Antes de la detección:
 (t )  AR 1  mx(t ) Cosct  niCosct  nqCosct

(15.84)
Envolvente:
RT (t )   AR (1  mx(t ))  ni   nq2
2
(15.85)
Pero esta expresión es difícil de analizar. Sin embargo pensando primero en el caso más
sencillo que es:
a) AR 1  mX (t )  ruido
289
Efectuando un esquema fasorial, se obtiene:
Fig. 15.24 Esquema fasorial para la detección AM con detector de envolvente
RT (t )  AR 1  mX (t )  ni (15.86)
Eliminando el nivel DC 
R 'T (t )  AR mx(t )  ni
(15.87)
Queda lo mismo que con el detector sincrónico y el análisis es el mismo anterior. Por tanto la
relación señal a ruido detectada es:
S m2 x 2 
   . 
 D D 1  m x
2 2 2 (15.88)
c) En el caso en que domine el ruido frente a la señal, es decir (S/N)R pequeña:
 (t )  Rn (t )Cos(ct  n (t ))  AR 1  mx(t )  Cosct

Ruido Señal AM (15.89)
 (t )  Rn (t )Cos n (t ).Cos c t  Rn (t )Sen n (t ).Sen c t  AR 1  mX (t )Cos c t (15.90)
Envolvente:
RT (t )  Rn2Cos 2n (t )  AR2 1  mx(t )  2 AR Rn 1  mx(t ) Cosn (t )  Rn2 Senn
2
RT (t )  Rn2  AR2 1  mx(t )  2 AR Rn 1  mx(t ) Cosn (t )

2
2 AR 1  mx(t ) Cosn (t )
RT (t )  Rn 1 
Rn
 A 1  mx(t ) Cosn (t ) 
RT (t )  Rn 1  R 
 Rn 
290
RT (t )  Rn  AR 1  mx(t ) Cosn (t )
(15.91)
Fasorialmente:
Fig. 15.25 Esquema fasorial en la detección AM con detector de envolvente.
Se observa que hay un término de ruido Cosn(t) que multiplica al mensaje x(t), mutilándolo y
en este caso no tiene sentido pretender el cálculo de una relación señal a ruido.
S
Sin embargo se puede detectar en que nivel de   comienza a influir seriamente la
 N R
mutilación o pérdida del mensaje. Es decir, hay que buscar un UMBRAL sobre el cual la
mutilación es despreciable. Este fenómeno es conocido como “efecto umbral en la detección
de envolvente”.
15.7.3 Efecto Umbral en la Detección de Envolvente:

En general si AR >> Rn considerando m2 x 2  1 se dice que no hay mutilación del mensaje.
Definimos el punto de decisión ó umbral como aquel que produce P[AR  Rn] = 0.99  P[Rn 
AR] = 0.01
Pero:
Rn2
Rn 
PRn [ Rn ]  e 2 2
Distribución de Raleigh
 2
Rn2 AR2
 Rn  
PRn [ Rn  AR ]   e 2 2
e 2 2
 0.01
AR 2 (15.92)
Potencia de la señal recibida:
SR 
AR2
2

1  2mx  m2 x 2  (15.93)
Si:
x  0 y m2 x2  1  SR  AR2 y N R  n2   2
291
SR
 SR
e 2NR
 0.01  ln 0.01  
2N R
SR  S 
 2 ln(0.01)      9,210  10
N R  N  RU
Luego:
S S
   10    10dB
 N  RU  N U ,dB (15.94)
Pero:
S   umbral
     10   umbral  20
 N R 2 2
 umbral dB  10 log 20  13dB (15.95)
S
En la práctica requiere:    30dB (con margen de seguridad)
 N  RU
S
En magnitud:    1.000  10
 N  RU
S 
     umbral  2.000
 N R 2
 umbral ,dB  10 log 2.000  33dB
(15.96)
S 
Si    se espera mutilación del mensaje con pérdida de información.
 N R 2
15.8 Interferencia en la Modulación Angular
El Modelo en diagrama de bloques para el este caso se muestra en la Fig. 15.26:
Fig. 15.26 Modelo para el estudio de la interferencia y ruido en la modulación angular
292
 (t )  AR Cos( c t   (t ))  AI Cos( c t   I t )


 


Señal modulada Interferen cia i(t)
(15.97)
15.8.1. Interferencia Pequeña:
AC
AI << AR AR 
L (15.98)
Fig. 15.27 Diagrama fasorial en la modulación angular con interferencia
AI Sen( I t  (t ))
tg  
AR  AI Cos ( I t  (t ))
i i
(15.99)
Como AI << AR  AR >> AI Cos(It- (t)), luego se desprecia este término así:
a) Con detector de fase daría: (PM)

AI
T (t )  (t )  Sen( I t  (t ))
AR (15.100)
b) Con el detector de frecuencia diaria: (FM)
1 d T (t ) 1 d (t ) AI  1 d (t ) 
   f1   Cos(I t  (t ))
2 dt 2 dt AR  2 dt  (15.101)
En ambos casos se tiene el mensaje más una señal modulada interferente con la diferencia.
A
a) Para PM la amplitud de esa interferencia es constante y pequeña I  1
AR
A f
b) Para FM la amplitud crece con fI: I I
AR
Para analizarlo mejor suponer que (t) = 0 en un intervalo, Así:

A
 Interferencia PM  I Sen I t
AR
293
Sinusoide de amplitud pequeña y constante.

A
 Interferencia FM  I f I Cos I t
AR
Sinusoide de amplitud proporcional a fI.
Fig. 15.28 Interferencia en la modulación angular

En conclusión:
 PM es mejor si fI es grande (canales adyacentes).

 FM es mejor si fI es pequeño.
Si W < fI < BT/2, la interferencia pasa la primera etapa del receptor pero después del detector
se bloquea.
15.8.2 Deénfasis y Preénfasis
En FM, el hecho de que la interferencia es mayor mientras mayor sea fI, sugiere un método de
mejorar el FM. Si se atenúan las altas frecuencias después de detectar, la interferencia de alta
frecuencia (que es la más molesta) disminuye. Pero evidentemente este proceso también
atenúa las altas frecuencias del mensaje.
Por tanto y para que el método tenga sentido se debe acentuar las componentes de alta
frecuencia del mensaje antes de ser transmitido.
Este tipo de procesamiento se llama DEÉNFASIS A LA ATENUACION (en el receptor) y
PREÉNFASIS A LA ACENTUACION (en el transmisor) y tienen las siguientes
características:
En el TX: PREÉNFASIS. Ver Fig. 15.29
Fig. 15.29 Preénfasis, acentuación en las atas frecuencias
294
En el RX: DEÉNFASIS Ver Fig. 15.30
Fig. 15.30 Deénfasis, atenuación en las altas frecuencias
Donde:
1
Hpe( f )  ; f W
Hde( f )
Fig. 15.31Sistema de Comunicación con sistema de preénfasis y deénfasis.
El filtro LPF sigue siendo necesario para eliminar las componentes con f > W.
Esta configuración reduce la interferencia de tal forma que si se vuelve a graficar la amplitud
de la interferencia Vs frecuencia se obtiene la curva que se muestra en la Fig. 15.32.
Fig.15.32 Sistema con deénfasis
295
Esta técnica también se puede emplear en sistemas de sonido: Las altas frecuencias son
usualmente preenfatizadas antes de grabarse, para luego ser desenfatizadas durante la
reproducción. Esto reduce el ruido superficial de alta frecuencia.
El sistema DOLBY va más allá, ya que ajusta la cantidad de deénfasis y preénfasis en función
del contenido de alta frecuencia.
Por otra parte usar deénfasis y preénfasis en modulación lineal o PM no vale la pena ya que la
interferencia no depende de la frecuencia. Algo mejora estos circuitos pero no como para
justificar la complejidad de este sistema.
15.8.3 Redes de Preénfasis y Deénfasis
 EL FILTRO DEENFASIS usualmente es un filtro RC como se muestra en la Fig. 15.33:

Fig. 15.33 Filtro deénfasis
La función de transferencia del filtro mostrado es:

1
j c 1
H de ( f )  
R j
1 1  j RC
j c
1 1
H de ( f )   Bde 
f 2RC
1 j
Bde
(15.102)
1  1; f  Bde
 f  
H de ( f )  1  j    Bde
 Bde   jf ; f  Bde
 (15.103)
 CIRCUITO DE PREÉNFASIS:
296
 1; f  Bde
1  f  
H Pe ( f )   1  j    jf ;
H de ( f )  Bde   f  Bde
 Bde (15.104)
En alta frecuencia el filtro actúa como un derivador. Pero derivar una señal antes de modularla
en FM es PM y por lo tanto la interferencia se convierte en una interferencia en PM y por esto
las curvas se parecen. En este caso FM es mejor que PM para cualquier tipo de interferencia.
 CIRCUITO TIPICO
Con R>>Ro
Fig. 15.34 Circuito de Preénfasis
R0 R0 ( Rj c  1)
H Pe ( f )  
R(1/ j c) R0 ( Rj c  1)  R
R0 
R  (1/ j c) (15.105)
R0 ( j c  1/ R) 1 R  f 
H Pe ( f )   R0 ( j c  )  0 1  j 
R0 ( j c  1/ R)  1 R R  B pe 
(15.106)
1 W
Bpc  La amplitud de la máxima frecuencia es aumentada en un factor  1
2 R C Bde
15.9 Ruido en la Modulación Exponencial
El modelo para el análisis de ruido en la modulación exponencial se muestra en la Fig. 15.35.
Fig. 15.35 Modelo para análisis de ruido en la modulación exponencial.
297
Potencia de la señal y potencia del ruido en el punto R de recepción:
AR2
SR  NR = BT
2
S
2
AR
Luego:   
 R  R 2BT (15.107)
S
Si BT muy grande,   se hace pequeña.
 R R
Observe que BT de la modulación exponencial es mucho más grande que el BT de la
modulación lineal.
S S
   
 R  R exp  R  R, lineal (15.108)
Por tanto a mayor BW (ancho de banda) más ruido.
¿Qué efecto tendrá el detector?
Calcularemos la potencia de salida de la señal sin ruido y la potencia del ruido utilizando una
portadora sin modular. Esta aproximación se justifica sobre todo en FM banda ancha ya que:
a) Ancho de banda del mensaje = W

b) Ancho de banda del ruido = BT >> W
Por tanto la potencia del ruido varía mucho más rápido que la potencia de la señal modulada la
cual sigue el ritmo W. De donde, en un intervalo 1/W es como si se tuviera una portadora sin
modular.
1) Cálculo de la potencia de la señal:
La señal obtenida con un:
 Demodulador PM es: (t)=Kpx(t)
1 d (t )
 Demodulador FM es:  fc  K f x(t )
2 dt
NOTA: Kp también se denota como .

Kf también se denota como f.
Potencia de la señal detectada:
298
 Para PM: S D  K p2 x 2
(15.109)
 Para FM (eliminando el DC): S D  K x 2
f
2
(15.110)
2) Cálculo de la potencia del ruido: (Portadora sin modular)
 (t )  AR Cos c t  Rn (t )Cos( c t  n (t )) (15.111)

a) Si AR >> Rn(t)
Fig. 15.36
15.9.1 Con el detector PM:

Rn (t ) Sen n (t ) R (t ) Sen (t )
(t )  arctg  n n
A  Rn (t )Cos n (t ) AR
R  
 (15.112)
nq (t )
(t ) 
AR (15.113)
Aplicando FOURIER DEP
Gnq ( f )  
G ( f )  2
 2
  Gn ( f )
AR A
R 2S R2 (15.114)
Aclarando: nq (t )  nˆ (t )Cos c t  n(t )Sen c t
Luego: Gnq ( f ) 
1
Gnˆ( f  fc )  Gnˆ( f  fc )  1 Gn( f  fc )  Gn( f  fc )
2 2
Gnˆ( f )  Gn( f ) 
299
 
Gnq ( f )  Gn( f  fc )  Gn( f  fc )    ;  f  
2 2 (15.115)
Fig. 15.37 DEP del ruido de fase
Con la potencia del ruido y de la señal detectada en la modulación de fase se puede determinar la
relación señal a ruido:
2 W
N DPM  2
W ; S D PM  R p2 X 2
AR SR
S R p2 X 2
     .R p2 X 2
 N  DPM  W
SR (15.116)
Como Rp   ; x 1
2
S S
la máxima   sería :    10
 N D  N  DPM máx (15.117)
15.9.2 En FM: Se recibe:
1 d 1 dnq nq
 
2 dt 2AR dt AR
Recordando que en PM: F [nq(t)] = Nq(f) tiene DEPPM = |Nq(f)|2 = Gnq(f)
 dn (t ) 
En FM F  q   j 2 f N q ( f ) tiene | ( )| ( )
 dt 
( ) (15.118)
Tomando la señal a la salida el detector de FM:
300
2
f 2 4 2Gnq ( f )
2
  1 d n    1 dnq 
GnFM ( f )   F    F   
  2 dt    2 AR dt  4 2 AR2
(15.119)
A la salida del detector:

f 2Gnq ( f )
GnFM ( f )   f 2GnPM ( f )
AR2
 
 GnPM ( f )  2
 GnFM ( f )  2
f2
A A
R R (15.120)
La DEP del ruido detectado en FM se muestra en la Fig. 15.38.
Fig.15.38 DEP a la salida del detector FM
Potencia del ruido detectada:

W 
N D  2 f 2 df
0 AR2
W
2 3 2W 3
ND  f 
3 AR2 3 AR2
0 (15.121)
Potencia de la señal y del ruido recibidas:
AR2 W 3
SR  ; ND 
2 3S R
Relación señal a ruido detectados en FM:
2
S 3K 2f x 2 S R R 
    3  f  X 2 .  3 2 x 2 .
 D  DFM W W2
W  (15.122)
Donde  = Kf / W, Kf > 0, Kf >> W por tanto se aprecia en forma sensible la mejora respecto a
PM.
301
Es interesante observar la característica parabólica de la DEP del ruido detectado en FM. Sin
embargo a mayor W, más ruido. Por tanto FM estéreo es más ruidoso que FM monofónico.
15.9.2 Análisis con Red de Deénfasis:
Utilizando una red de deénfasis del tipo:

1
 f 
H de ( f )  1  j 
 Bde 
1
  f 2 
H de ( f )  1    
2
  Bde  
W
N D   Gn( f ). H de ( f ) df
2
W (15.123)
 En FM:
1
f 2  
2
W  f 
N DFM   1     df
W AR   Bde 
2


Cambio de variable:
f
Si x  ; df  Bde dx ; f 2  Bde 2 x 2
Bde
 W
N DFM    Bde  x 2 (1  x 2 )1 dx
Bde 3
2 W
AR Bde
  Bde    Bde   W Bde

3 3
W x2  1  1 W 1 
N DFM      
Bde Bde
1 x
dx  1.dx dx 
AR2 Bde 1  x
W 2 2   2
Bde AR  Bde W W

  Bde   2W
3
2W  AR2
N DFM    2arctg  SR 
AR2  Bde Bde  2
  Bde   W
3
W 
N DFM    arctg 
SR  Bde Bde 
(15.124)
W 
Si W >> Bde  arctg 
Bde 2
302
 Bde 3  W  W 
N DFM     ; Además : Si  
SR  Bde 2  Bde 2
 Bde 2 W Bde 2 SR
N DFM    
SR  W
2
S  Kf  2
     x  ; Bde  W
 N  DFMde  Bde 
(15.125)
Relación con y sin deénfasis:
S Rf 2 2
  3 x
 N  DFM Bde 2 3(Bde ) 2
Factor de mérito   
S Rf 2 2 W2
  x 
 N  DFMde Bde 2 (15.126)
Pero Bde << W Se ve la mejora en FM con deénfasis respecto a sin deénfasis.
 PM con deénfasis:
1
  
2
W  f 
N DPM   1     df
W 2S R   Bde  

 Bde W
N DPM  2.arctg
SR Bde
W 
Si W  Bde  arctg 
Bde 2 (15.127)
S K p2 x 2 2S R S
   ;   R  SR   .W
 N  DPMde  Bde W
S K p2 x 2 2W 
  
 N  DPMde  Bde
(15.128)
S
 
 N  DPM B 
Factor de mérito PM   de  1 ; W  Bde
S 2W
 
 N  DPMde (15.130)
303
Con deénfasis se observa una mejora, pero menos que FM
15.9.3 Efecto Umbral en FM
Las deducciones de (S/N)D realizadas hasta el momento son válidas si (S/N)R es grande.
(Antes se asumió Señal >> Ruido).
 (t )  AR Cos( c t   (t ))  Rn Cos( c t   (t ))
Fig. 15.39 Análisis para establecer el efecto umbral
Ahora si Rn(t) >> AR :

( ) ( ) ( ( ) ( ))
(15.131)
Luego, el mensaje ha quedado mutilado, más allá de toda esperanza de recuperarlo.
Sin embargo hay un punto (S/N)R umbral:
Se define:
S S  W W
   10   R    u.
 N  Rumbral  W  u BT BT
(15.132)
BT
 u  10 pero : BT  2(  2)W (FM Banda Ancha)
W
 u  20(  2) (15.133)
 Kf 
Luego el umbral crece a medida que aumente  ;    
 W 
304
Sin embrago no se puede aumentar Kf arbitrariamente. Si se grafica (S/N)D vs (dB) para la

modulación de tono:
Fig. 15.40 Gráfica para mostrar el efecto umbral en FM
El cambio súbito de estas curvas representa el efecto umbral de la FM.
Si se quiere aumentar (S/N)D aumentando , el sacrificio sería innecesario ya que se caería en

la zona abrupta. Por ejemplo: se desea una (S/N)D=30dB con mínima potencia transmitida y
con A.B de transmisión =14W. Si no fuera por el umbral se usaría =5 y (S/N)D =30dB 
=14dB, pero para =5, u = 21.5dB y (S/N)D=37dB. Con =2 y (S/N)D =30dB  =22dB,
fuera de la región umbral. Para =2, u = 16dB. Por tanto si =2 y (S/N)D=30dB estaría fuera
de la región umbral, mientras que con (S/N)D=30dB y =5 estaría en la zona abrupta.
S
   3 X  u
2 2
  DU
N
 u  20(  2) Banda Ancha
S
   60 (  2) X
2 2
 N  DU (15.134)
En conclusión:
 FM al igual que AM sufre de efecto umbral pero umbral depende de .

S S
 Si se tiene   fijo y se requiere aumentar   aumentando, el sacrificio podría ser
 N R  N R
innecesario ya que se podría caer en la zona abrupta de la gráfica.
 Si se tiene  << umbral para el  fijado, sería preferible usar modulación lineal.
305
 Si se quiere un diseño con mínima potencia, el umbral puede ser una restricción.
 Como
S
   3 x 
2 2
 N D
S
   3 2 x 2 . u  3 2 x 2 20(  2)
 N  Dumbral
S
   60 (  2) x
2 2
 D
N (15.135)
15.10 Ejercicios Propuestos:
15.10.1 Resolver empleando Matlab: Un mensaje m(t) es definido como:
1,.......(0  t  t 0 / 3seg ) 
m(t )   2,....(t 0 / 3  t  2t 0 / 3)
0,........Otro.caso 
1) Si el mensaje m(t) es modulado en DSB empleando como portadora:,
c(t )  cos(2f c t )
la modulación resultante es y(t). Asumir t0=0.15 seg y fc=250 Hz.:
 Obtener la expresión y(t).
 Obtenga el espectro de m(t) y y(t).
 Asumir que la señal mensaje es periódica con periodo T0= t0.. Determine la
potencia de la señal modulada.
 Si se añade ruido tal que la SNR a la salida del modulador sea de 10 dB, encuentre
la potencia de ruido.
2) Si el mensaje m(t) es modulado en AM convencional con índice de modulación del

85% y fc=250 Hz y t0=0.15 seg:
 Derive una expresión para la señal modulada: y(t).
 Obtenga el espectro de m(t) y y(t).
 Asumir que la señal mensaje es periódica con periodo T0= t0. . Determine la
potencia de la señal modulada y su eficiencia.
3) Si el mensaje m(t) es modulado en LSSB y fc=250 Hz y t0=0.15 seg:

 Grafique la transformada de Hilbert de la señal mensaje.
 Grafique la señal modulada y(t).
306
 Asumir que la señal mensaje es periódica con periodo T0= t0 y determine la

potencia de la señal modulada.
15.10.2 Para el esquema de la Fig. 15.41:
Considere:
( ) ( ) [ ( )] ( )
Donde:
( )y ( )tienen Ancho de Banda de 10 KHz.
̅̅̅̅̅̅̅
( ) ̅̅̅̅̅̅̅
( )=0; ̅̅̅̅ ̅̅̅̅
a) Hallar y graficar la DEP del ruido en el punto B.
b) Determine la ( ) ( ) ( ) .
15.10.4 Un receptor de FM tiene un filtro da banda ideal de 225 KHz centrado en la

frecuencia de la portadora no modulada y un filtro pasa bajo ideal de 10 KHz a la salida. La
relación de potencia media de la portadora a la potencia media del ruido en la entrada del
limitador es de 40 dB. La señal moduladora es una sinusoide de 10 KHz, la cual produce una
desviación de frecuencia de 50 KHz.
Determine:
a) ( )
b) Si se inserta una red de deénfasis con una constante de tiempo antes del
filtro de salida, ¿Cuál es la nueva ( )
c) Que sucede si la amplitud de la señal se reduce a la mitad?
307
15.10.5 En esquema de la Fig. 15.42, asumir:

Señal ( ): Ancho de banda = 3 KHz, ̅̅̅ ̅̅̅̅=1
Señal ( ): Ancho de banda = 5 KHz, ̅̅̅ ̅̅̅̅=1
a) Encontrar ( ) y( )
b) Si ( ) ( ) ( ), siendo ( ) con Ancho de Banda = 5 KHz y ̅̅̅̅=1/2 watt y
tomando la señal de salida como:
( ) ( ) ( ).
Calcular y ( )
308
Anexos
309
310
ANEXO 1: ¿Qué son los dB?
1: Como medida relativa.
La relación de potencias, voltajes y corrientes es frecuentemente expresada en términos de

decibelios. Por definición, los decibelios son iguales a diez veces el logaritmo en base 10 de la
relación de dos potencias:
Donde es la potencia de salida y es la potencia de entrada de un Sistema.
Expresando las potencias en términos de voltaje o de corriente:
Donde son el voltaje, la corriente y la resistencia del puerto de salida, mientras que
son el voltaje, la corriente y la resistencia del puerto de entrada. Expresado en
decibelios:
Similarmente:
Si las impedancias de entrada y de salida son iguales o se utilizan potencias normalizadas, los
decibelios pueden expresarse como:
Si el valor en dB es conocido, la relación de potencias o relación de voltajes o corrientes puede

ser fácilmente obtenido por la inversión apropiada de las ecuaciones dadas. Para la relación de
potencias, se obtiene:
311
Se puede usar para medir ganancia o atenuación (una ganancia negativa significa atenuación).
Si hay ganancia de señal (amplificación) la cifra en decibelios será positiva, mientras que si
hay pérdida (atenuación) será negativa.
Una ganancia de 3dB significa que la potencia de salida será el doble de la de entrada.
Una atenuación de 3 dB (ganancia de –3dB) significa que la potencia de salida será la mitad
de la de entrada, es decir, si se tratara de una fibra óptica, en esta se estaría perdiendo la mitad
de la potencia óptica.
El decibel también puede ser usado para expresar la relación Señal a Ruido en un punto del
circuito:
( ⁄ ) ( ) ( )
2: Como medida absoluta.
El decibelio también es usado para indicar niveles absolutos de potencia con respecto a algún
nivel de referencia.
De acuerdo al nivel de referencia aparecen diferentes definiciones asociadas a los decibelios:
a. Los dBm: Nivel de potencia de referencia es de 1 mW, es dado por:
( )
La “ m” en los dBm significa un milivatio de referencia.
Tabla de equivalencias
Potencia en watts Potencia en dBm

1 pW -90
10pW -80
100pW -70
1.000pW =1 nW -60
10.000pW -50
100.000pW -40
312
1.000.000pW =1 W -30
10.000.000pW -20
100.000.000pW -10
1.000.000.000pW =1 mW 0
10mW +10
100mW +20
1.000mW =1 W +30
(pW=picowatt , W=nanowatt, W=microwatt, mW=miliwatt)
b. Los dBW: Nivel de potencia de referencia es de 1 W.
( )
c. Los dBK: Nivel de potencia de referencia es de 1 KW.
( )
d. Los dBrn: Nivel de potencia de referencia es de 1 pW (pico Watt)

e. Los dBmV: Empleado en la industria de Televisión por cable y el nivel de potencia de
referencia es de 1 milivoltio a través de una resistencia de 75 ohmios.
( )
0 dBmV corresponde a -48.75 dBm
Para sumar ruidos, o señales en general, es muy importante considerar que no es correcto
sumar directamente valores de las fuentes de ruido expresados en decibelios. Así, dos fuentes
de ruido de 21dB no dan 42dB sino 24dB.
En este caso se emplea la formula:
( )
Donde xn son los valores de ruido o señal, expresados en decibelios, a sumar.
( ( ) ( ) )
f. Neper. En algunos países, para los mismos fines que el decibelio, se utiliza otra unidad
llamada neper, que es similar al belio pero que en lugar de estar basada en el logaritmo
313
decimal de la relación de potencias lo está en el logaritmo natural o neperiano de la

citada relación, viniendo el número de nepers dado por la fórmula:
El neper se utiliza frecuentemente para expresar relaciones entre voltajes o intensidades,

mientras que el decibelio es más utilizado para expresar relaciones entre potencias. Teniendo
esto en cuenta se puede establecer la relación entre ambas unidades a partir de una relación de
voltajes:
314
ANEXO 2: TABLA DE PARES DE TRANSFORMADAS DE FOURIER TÍPICAS
Entrada ( ) ( ) ( )
1 ( ) 1 1
2 ( ) ( ) ( )
( )
3 ( ) ( )
4 ( ) ( ) ( )
5 ( ) [ ( )] ( ) [ ( )] ( )
6 ( ) [ ( )] ( ) [ ( )] ( )
7 ( )
8 ( )
( ) ( )
9 | |
10 ( )
12 ( ) ( ) ( )
13 ∑ ( ) ∑ ( ) ∑ ( )
315
316
ANEXO 3: IDENTIDADES TRIGONOMÉTRICAS
Número Identidad
1
2
4
5 ( )
6
7 ( )
8 ( )
9 ( )
10
11
12
13
14
15
16
17
( )
18
( )
19
20
[ ( )] ( )
21
[ ( )] ( )
22
23
24
( )
317
318

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Circuitos de RF y las Comunicaciones Analógicas

Pr. Héctor Fernando Cancino de Greiff, PhD

obtenidos en mi doctorado en la Universidad Central de las Villas de Cuba.

En esta primera edición se contemplan la mayoría de tópicos relacionados en los sistemas de

comunicaciones analógicos, orientado inicialmente a la comprensión de los temas relacionados con

posterior aplicación en la comprensión y el diseño de los circuitos de modulación y demodulación

Curricular de Ingeniería electrónica de la Universidad Distrital, con la inclusión de muchos ejemplos

señales y sistemas analógicos incluyendo su estudio en el dominio del tiempo y en dominio de la

diferentes Sistemas de Comunicación en RF.

redes de acople en el capítulo 2, estudio y diseño de filtros en RF en el capítulo 3 y el 4 con la Carta de

de amplificadores de pequeña señal mientras que en el capítulo 6 se desarrolla el diseño de los

comunicaciones banda base analógica. El capítulo 11 maneja la modulación y demodulación de los

sistemas lineales que afectan esencialmente la amplitud de la portadora. La translación de frecuencia y

división de frecuencia en el capítulo 13, el 14 estudia los sistemas de modulación exponencial y se

como en las exponenciales.

Agradecería se me hiciera saber a mi correo electrónico de cualquier error que se encontrara

en este texto o del descubrimiento de fallas o de erratas en el texto a fin de corregirlas.

Pr. Héctor Fernando Cancino de Greiff, PhD

Capítulo I: Componentes en RF……………………………………………. 1

Capítulo II: Circuitos resonantes y redes de acople………………………... 21

Capítulo III: Filtros en RF………………………………………………….. 37

Capítulo IV: La carta de Smith en el diseño de redes de acople…………… 51

Capítulo V: Amplificadores de RF pequeña señal………………………….. 71

Capítulo VI: Osciladores en RF…………………………………………….. 95

Capítulo VII: Amplificadores RF de Potencia………………………………. 109

Capítulo VIII: Multiplicadores Analógicos…………………………………. 125

Capítulo IX: Circuitos de malla asegurada en fase (PLL)…………………… 151

Capítulo X: Comunicaciones banda base analógicas………………………... 173

Capítulo XI: Sistemas de Modulación y Demodulación lineal….………….. 183

Capítulo XII: El Receptor superheterodino………………………………….. 221

Capítulo XIII: Los sistemas FDM y su aplicación en la modulación estéreo… 229

Capítulo XIV: Sistemas de Modulación y Demodulación exponencial………. 237

Capítulo XV: Ruido e interferencia en las Modulaciones……………………. 269

Anexo 1: ¿Que son los decibelios?.................................................................. 309

Anexo 2: Tabla de Transformadas de Fourier………………………………. 315

Anexo 3: Relaciones Trigonométricas………………………………………. 317

1. ROY BLAKE. “Sistemas Electrónicos de Comunicaciones”, Editorial Thomson. 2°

1.1 El espectro electromagnético

La distribución de energía o intensidad de ondas electromagnéticas en función de la frecuencia

El espectro electromagnético se extiende desde la radiación de menor longitud de onda, como

Microondas. La región de las microondas se encuentra entre los 10 9 hasta aproximadamente

1.2 Bandas del espectro electromagnético

Para su estudio, el espectro electromagnético se divide en segmentos o bandas, aunque esta

Tabla 1.1 Bandas del espectro electromagnético según la UIT

Banda Longitud de onda (m) Frecuencia (Hz) Energía (J)

1.3 Las bandas espectrales en Radiofrecuencia

Tabla 1.2 Bandas espectrales en RF

Inferior a 3 Hz > 100.000 km

 Frecuencias extremadamente bajas: Llamadas ELF (Extremely Low Frequencies),

 Frecuencias bajas: LF, (Low Frequencies), son aquellas en el intervalo de 30 a 300

 Frecuencias medias: MF, (Medium Frequencies), están en el intervalo de 300 a 3000

 Frecuencias altas: HF, (High Frequencies), son aquellas contenidas en el rango de 3 a

 Frecuencias extremadamente altas: EHF, (Extremely High Frequencies), se

Existen otras formas de clasificar las ondas de radiofrecuencia.

• La RF propiamente es la porción del espectro electromagnético, comprendida entre los

• Las ondas de radiofrecuencia, al ser ondas electromagnéticas, se desplazan a la

El comportamiento de un alambre en RF depende de su longitud, su diámetro, sus

La Tabla 1.3 muestra la carta de alambres más ampliamente utilizada en el mundo: el

Tabla 1.3 Carta de Alambres AWG [6]

1.5 El Efecto “Skin”

del conductor decrece, incrementando la densidad de corriente en su periferia. Este

El resultado neto del efecto “skin” es un decrecimiento de la sección transversal generando