Calculo de la inductancia de una bobina: La inductancia de una bobina puede ser medida a partir de la siguiente formula:

Donde L = inductancia (micro henrios); d = dimetro de la bobina (pulgadas); l = longitud de la bobina (pulgadas); n = nmero de espiras o vueltas. Con esto se puede calcular la inductancia de las bobinas usadas en el dispositivo: Bobina emisora la bobina emisora esta construida con 12 vueltas de alambre de calibre 22 awg, un dimetro de 10 cm y con una longitud de 0.8 cm. Conviertiendo a pulgadas las medidas se tiene: d = 3.93 pulg l = 0.314 pulg n = 12 L = 26.75 uH Bobina receptora La bobina receptora esta construida con 30 vueltas de alambre de calibre 22 awg, un dimetro de 8.72 cm y con una longitud de 1 cm. Convirtiendo a pulgadas las medidas se tiene: d = 3.433pulg l = 0.39 pulg n = 30 L = 137 uH

Diseo del circuito

bobina receptora T1 Bobina emisora T2

C5 R2 500k C3 C2 100F 220nF Q1 MTH30N20 D1 1N4007GP R4 150k Q2 MTH30N20 D2 1N4007GP R3 150k C1 100F 39nF C4 220nF R1 500k

V1 5V

El diseo del circuito esta basado en un oscilador push pull y un multivibrador astable que amplifica la potencia en la salida. Circula ms corriente en la bobina aumentando el campo magntico, esto aumenta la posibilidad de generar una mayor corriente y un mayor voltaje en la bobina receptora. La funcin de los diodos es regular el voltaje que entra en el gate del mosfet. En este caso se usaron los diodos 1N4007 que regulan el voltaje tan solo a 0.6 voltios, de otra forma el circuito se sobrecalentara y los diodos y mosfet se destruiran. En el circuito, cada mosfet crea la mitad de la onda de salida logrando en la salida una onda completa. La onda debera ser cuadrada. Las resistencaias ubicadas en paralelo a los capacitores de 100 uF se usan como divisores de tensin, para minimizar el voltaje de entrada en el gate de cada mosfet. Los mosfet usados son los 2SK955 que soportan hasta 800 voltios y 20 amperios y tambin soportan altas frecuencias, pero en el diagrama mostrado no fue posible utilizarlos ya que multisim no los posee en su base de datos. El ciruito oscila a unos 618 kHz daproximadamente, esto se puede comprobar mediante la formula

 Donde la inductancia es la dicha anteriormente de la bobina emisora que equivale a 26.75 uH La capacitancia es igual a 2.8 nF aproximadamente. Y la frecuencia varia tambin por el valor de las resistencias que trabajan en la oscilacin del circuito que se explica a continuacin. Funcionamiento del circuito: Al estar basado en la configuracin de un multivibrador astable transistorizado tiene las siguientes propiedades. Este multivibrador tiene dos estados que son inestables, lo que hace que el circuito alterna entre los dos estados. En el primer estado el transitor uno esta circulando mientras que el 2 est en corte, el capacitor que va a Drain del transistor uno (capacitor 1) esta cargado positivamente mientras que el otro esta cargado negativamente. Como el mosfet 2 esta en corte, solo circula corriente por el mosfet 1 y se satura, entonces el capacitor 2 empieza a cargarse y el capacitor 1 a descargarse. Entonces el mosfet 1 queda en corto. Ahora pasa el mismo proceso de carga y descarga pero con el mosfet 2, cuando el mosfet 1 esta en corte. De este modo comienza la oscilacin de los pulsos que recibe el circuito tanque. El circuito tanque esta formado por el capacitor de 39 nF y la bobina emisora, la cual consta de un tap central. Este tap central se conecta a los 5 voltios del circuito, esto sirve para la alimentacin de ambos mosfet. La bobina emisora recibe los pulsos enviados por los mosfet y los emite como si fuera una antena creando as el campo magntico Pruebas con anteriores diseos La primera prueba se realiz con un circuito oscilador colpitts. El oscilador colpitts es muy estable cuando trabaja a altas frecuencias como son las radio frecuencias en adelante. El problema con este circuito es que no produce una buena potencia de salida y por lo tanto la bobina emisora no produca un campo magntico los suficientemente fuerte para inducir la suficiente corriente a la bobina receptora. El celular no carg.

Circuito oscilador Colpitts

Circuito final

Circuito rectificador

En el circuito rectificador se utiliz un rectificador con tap central, donde el voltaje de salida es de 11 V. Un regulador de voltaje de 5V y ut capacitor de 1000 uF. Al conectar el celular el voltaje cae a 3.8 voltios.

Observaciones Al usar una fuente de 12 voltios con unos mosfet tipo IRFZ44N y diodos zener de 12 V, los mesfet se recalentaban y por la alta corriente los diodos quedaban en cortocircuito por lo que quedaron inservibles. Los mosfet tambin quedaron inutilizables. Al usar una fuente de 12 voltios los mosfet tipo 2SK955 se recalientan y es obligatorio colocarles disipadores de calor que puedan manejar esas altas temperaturas. Se us el mutimetro fluke 87 para las mediciones de voltajes y corrientes. En los primeros diseos, como la frecuencia era baja, se pudo medir sin dificultad los valores en AC del voltaje RMS de las bobinas; pero al medir voltajes en el circuito final no se pudieron apreciar los valores reales de los voltajes, en especial el voltaje de la bobina receptora. Lo mismo ocurre con la corriente AC que circula en el circuito. Se utiliz un rectificador tipo NTE 6241 que trabaja con tap central, por lo que en la bobina emisora tuvo que adicionarse dicho tap central. El rectificador NTE 6241 trabaja con altas frecuencias y puede soportar hasta 600 V como se muestra en su hoja de datos. Al conectar el celular el voltaje de 5 voltios que da el circuito rectificador cae a 3.8 voltios suficientes para cargar el celular, pero con una corriente muy inferior a un cargador convencional de 4 mA.

Bibliografa
http://www.nteinc.com/specs/6200to6299/pdf/nte6241.pdf