UNICAMP FACULDADE DE ENGENHARIA ELTRICA E DE COMPUTAO FEEC EE-410 Cincia dos Materiais para Engenharia Eltrica.

. 2o Semestre 2010 L.C. Kretly 2a Avaliao Peso 2 alterada 3questo CONSULTA LIVRE durao: 1h 45 min.

1Questo: A estrutura abaixo refere-se a uma patente solicitada sobre um transistor bipolar de heterojuno para aplicao em circuitos de potncia de RF. Com base no diagrama ,responda s seguintes questes:

a)Indique as espcies de semicondutores compem o transistor. (0,2 ponto). b)Qual dos semicondutores mostrados tem o maior Band-Gap ? (0,1 ponto). c)Observe o diagram e indique de qual semicondutor feito o sub coletor. Justifique.(0,2 ponto) d)Coloque em cada camada um grfico da concentrao de portadores majoritrios em funo da energia como foi feito em sala de aula.Esquematize rpidamente o diagrama na sua folha de prova.(valor 1,5 ponto).

e)Qual o tipo de dopagem do sub-coletor? do tipo N , P , N+ ou P+? justifique sua resposta.(1,0 ponto) f)Desenhe o transistor em blocos e conecte as baterias e tenses conforme mostrado em sala de aula. Atente para a polarizao. De exemplo de valores. indique os semicondutores. (valor 1,0 ponto). UID -unintentionally doped no dopado intencionalmente ou propositalmente no dopado, DHBT-double Hetero-junction bipolar transistor. (Valor total da 1 Questo: 4,0 pontos). 2 Questo. Na Fsica Quntica o valor de h a constante de Planck, foi calculada a partir de uma anlise de um problema que no tinha um modelo matemtico satifsfatrio para sua explicao. Qual o problema que no havia soluo dentro da viso da fsica clssica e qual foi a estratgia matemtica de Planck para supor a existncia de h.Descreva detalhadamente faa esquemas (valor 1,0 ponto). 3 Questo :Determine analticamente a densidade de LACUNAS na banda de Valncia para um semicondutor considerando que a referncia em zero est na banda de valncia Ev.Faa consideraes semelhantes s mostradas em sala de aula.Faa suposies de clculo semelhana do problema resolvido em sala de aula e que as considere adaptada a este problema.(Valor 3,0 pontos). 4 Questo: Calcule a resistividade em ohm-cm de uma lmina de Silcio dopada com Arsnio-As com uma concentrao de 5,0 x1017 cm-3 a uma temperatura de 27C. Considere a mobilidade mostrada na figura em anexo.Faa simplificaes e consideraes que achar necessrias. Justifique. Indique corretamente as unidades . (valor 2,0 pontos).