El diodo de unin

La unin PN en equilibrio. Polarizacin del diodo. Polarizacin directa e inversa. Curva caracterstica. Influencia de la temperatura. El diodo Zener. Diodos LED

La unin PN en equilibrio
P N
A temperatura ambiente, los huecos de la zona p pasan por difusin hacia la zona n y los ede la zona n pasan a la zona p. En la zona de la unin, huecos y e- se recombinan, quedando una estrecha zona de transicin con una distribucin de carga debida a la presencia de los iones de las impurezas y a la ausencia de huecos y e-. Se crea, entonces un campo elctrico que produce corrientes de desplazamiento, que equilibran a las de difusin.

300 0 K K

Ipdif Indes V0 E

Ipdes Indif

Xp

Xn

La unin PN en equilibrio
pp0 } NA nn0 } ND
Xp

E
Xn

np0

pn 0

Distribucin de las concentraciones de portadores de carga qND V

Campo elctrico en el diodo

Xp
0

Xn

V V0
Xp

-qNA Distribucin de carga Diferencia de potencial

Xn

La unin PN en equilibrio
V0 ! Vxn  Vxp pp 0 nn0 ! VT ln ! VT ln p n0 np0
VT = 0.026 V a 300 K

Sustituyendo los valores de las concentraciones de impurezas:

V0 ! Vxn  V

! VT ln

NAND ni
2

V0 se llama Potencial de contacto y representa la diferencia de potencial entre los extremos de la zona de transicin con la unin en circuito abierto y en equilibrio. V0 = 0.7 V para diodos de Si y V0 = 0.3 V para diodos de Ge, a 20 C

Polarizacin del diodo

Polarizacin directa

V
E
V0 V0 - VD

VD

VD crea un campo elctrico opuesto al de la unin, disminuye el Etotal en la unin y la barrera de potencial: V=V0-VD, y aumenta la corriente de mayoritarios por difusin.

Polarizacin inversa
V
E
V0 + VI V0 VI

I0 <<<<

VI crea un campo elctrico en el mismo sentido que el de la unin, aumenta el Etotal, aumenta la diferencia de potencial: V=V0+VI, y disminuye la corriente de mayoritarios. Favorece el desplazamiento de huecos hacia la zona p y de e- hacia la zona n, ensanchndose la zona de transicin. Pero estos h+ y e- provienen de zonas donde son minoritarios. El resultado es que fluye una pequea corriente I0, debida nicamente a los pares e-h+ que se generan por agitacin trmica llamada CORRIENTE INVERSA DE SATURACIN.

Estudio de la curva caracterstica

I ! I0 e
V nV T

1

kT VT ! qe

= coeficiente de emisin Ge : 1 Si: 2

Curva caracterstica

0 15 I (mA)

0 05

I0 QA

Io
-0 0 5

0,2

0,4

0,6

0,8

V (V)

VT(300 K) = 25.85 mV

I0: Corriente inversa de saturacin

k (Constante de Boltzmann) = 1.3810-23 JK-1

Resistencia dinmica del diodo

Teniendo en cuenta esta aproximacin, la relacin entre los incrementos de tensin y de corriente pueden relacionarse tal y como se indica:

Obviamente, esta aproximacin ser tanto ms cierta cuanto menores sean los valores de VD e ID. A la derivada de la tensin con respecto a la corriente en el punto de operacin se le llama resistencia dinmica del diodo rd, y su expresin puede determinarse a partir del modelo exponencial del diodo, teniendo en cuenta que si VDQ es mayor que VT puede despreciarse la unidad frente al trmino exponencial:

Esta aproximacin slo es vlida en la regin de conduccin en polarizacin directa del diodo.

Diodo Zener
I El diodo Zener funciona en polarizacin inversa utilizando el fenmeno de conduccin por ruptura o avalancha. Para una tensin inversa dada, llamada tensin Zener, sta se mantiene constante aunque la corriente vare. En polarizacin directa funciona como un diodo normal.
Tensin Zener

Vz V

Regin Zener
Se debe a una fuerte generacin de portadores en la zona de transicin debido a estas dos causas: Multiplicacin por avalancha Ruptura Zener En la prctica, ambos fenmenos se confunden. Se habla de zona zener y de tensin zener y de zona de avalancha y de tensin de avalancha.

Multiplicacin por avalancha

Se produce con tensiones inversas mayores de 5 V. El campo elctrico acelera los portadores minoritarios que atraviesan la zona de transicin con la energa cintica suficiente para romper enlaces covalentes generando ms portadores. Si el campo es suficientemente intenso, los nuevos portadores vuelven a chocar y generar ms portadores. Se produce una reaccin en cadena que genera muchsimos portadores. El dopado controla el fenmeno de avalancha: cuanto ms dbil es, a mayor tensin se produce.
zona de transicin Portador minoritario

P ligeramente dopado

avalancha de electrones

N altamente dopado

Ruptura Zener
Para tensiones por debajo de 5 V. El campo elctrico es suficientemente intenso como para romper directamente enlaces. Ambos dopados deben ser muy intensos (}1024 tomos/m3 ).

zona de transicin

P altamente dopado

N altamente dopado

Modelo del diodo Zener

R

Vs< Vz Vs
V0

R No conduce

V0

Vz

Vs< Vz

Vs= Vz
Vz V V0

R Conduce Vz

Vs= Vz

Diodo Zener: aplicaciones

Regulador de tensin

R=1k;

Las tensiones Vz} [3 - 20V]

Vs
V0 = 6V I Vz=5V

Vs = VZ= 5V V  Vz 6  5 I! 0 ! ! k P = VzI = 5V A=5

Atenuador de rizado

Vs = Vz

Vrizada
t

V0

Vz

Vs

Diodos emisores de luz (LED)

En cualquier unin p-n polarizada de modo directo existe en la zona de unin una recombinacin de huecos y electrones. En los diodos de silicio y germanio la energa emitida en la recombinacin es mayoritariamente en forma de calor. En los de GaAsP y GaP es, de modo significativo, en forma de luz visible: electroluminiscencia.
BANDA DE CONDUCCIN

FOTN
BANDA DE VALENCIA

Color de la luz emitida por LED

GaAs dopado con Zn GaP dopado con Zn

IR

I
GaAs0.6P0.4 GaAs0.35P0.65 GaAs0.15P0.85

GaP dopado con N

V (V)
SiC, ZnSe

CAPITULO 2 CIRCUITOS CON DIODOS

Aproximaciones o modelos del diodo

1 aproximacin: diodo ideal
En el modelo del diodo ideal se equipara ste a un cortocircuito o a un circuito abierto, segn cmo est conectado.

V
R I I I R

Aproximacin lineal (2)

Se considera que el diodo conduce sin resistencia por encima de la tensin umbral, y no conduce por debajo de la misma. Esto equivale a considerar un diodo como un interruptor o un diodo ideal en serie con un receptor. VU= 0.3 V para el diodo de Ge VU= 0.7 V para el de Si.

VU
V0 = 6V

R=1k; I

V0 = 6V

R=1k; I
VU=0.7 V

I!

V0  VU 6  0.7 ! ! 5 . 3 mA 1k R

Aproximacin lineal (3)

La 3 aproximacin es un diodo ideal con una resistencia en serie y una fuente de tensin.
I (mA) 0,15

V = Vu + IRd
Rd = (V/(I

R=1k;
V0 = 6V

(I (V

0,05

Io
R=1k;
V0 = 6V -0,05

0,2

0,4

0,6

Vu 0,8
V (V)

Rd= 500 ; VU=0.7 V

I!

V0  VU 6  0 .7 ! ! 3 . 5 mA R 1000  500

Tres modelos de diodo

ID

Diodo ideal (1 aproximacin)

VD

ID VU

Modelo simplificado (2 aproximacin)

VU VD

ID VU RD RD

Modelo lineal (3 aproximacin)

VU VD

Influencia de la temperatura
Eg: Anchura de la banda prohibida en J y 300 K. k: Constante de Boltzmann. C: Coeficiente caracterstico de cada semiconductor.

I0 ! CT 3 e

Eg kT

kT VT ! q
I (mA)

.2

K K 2 K

- . -2 V (mV)