ST4-RF

Microondes

EXERCICES ADDITIONNELS

Exercice 1
Synthtiser un dispositif RLC en pi, parfaitement adapt 50 ohms, permettant dattnuer un signal de 3 dB tout en le dphasant de 90, ceci devant tre ralis la frquence de 10 GHz.

Exercice 2
Un dispositif micro-onde possde la matrice S suivante : 0.3 0.9 0.1 0.1 0.3 0.9 0.9 0.1 0.3

Quelle est la fonction de ce dispositif ? Si un gnrateur dimpdance interne 50 ohms dlivre 10 dBm lentre de ce dispositif dont les autres accs sont chargs par 50 ohms, quelle est la puissance rflchie ? Que valent en dB les pertes dinsertion et lisolation ? Que peut on dire si lisolation ne vaut plus que -8 dB ?

Exercice 3
Un transistor possde les paramtres S (module, phase) suivants 10 GHz : S11=0.58 (163) S21=6.8 dB (6) S12=-15.4 dB (-28) S22=-0.2 (-134)

Quel gain transducique possde ce transistor sil est charg ses accs par 50 ohms ? par 75 ohms ?

Exercice 4
Le coefficient de couplage dun coupleur bi-directionnel sans pertes adapt 50 ohms est gal 20 dB. Quelle est la puissance de sortie si la puissance applique par un gnrateur dimpdance interne 50 ohms est de 5 mW ? 1/1