TRANSISTOR IGBT

INTRODUCCION:
Durante muchos aos se a buscado la forma de crear un dispositivo que fuese lo sufientemente veloz y que pudiese amnejar grandes cargas pero han surgido nuevas ideas con la union de un mosfet como dispositivo de disparo y un tbj de deispositivo de potoncia y de esta forma se llego a la invencion del igbt el cual sera expuesto en el siguiente documento

QUE ES EL IGBT:
La sigla IGB corresponde a las iniciales de isolated gate bipolar transistor o sea transistor bipolar de puerta de salida !l IGB es un dispositivo semiconductor de potencia h"brido que combina los atributos del B# y del $%&'! ( )osee una compuerta tipo $%&'! y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada( !l gate maneja voltaje como el $%&'! ( !l s"mbolo m*s com+nmente usado se muestra en la figura ( ,l igual que el $%&'! de potencia- el IGB no exhibe el fen.meno de ruptura secundario como el B#( !l transistor bipolar de puerta aislada /IGB 0 es un dispositivo electr.nico que generalmente se aplica a circuitos de potencia( !ste es un dispositivo para la conmutaci.n en sistemas de alta tensi.n( La tensi.n de control de puerta es de unos 123( !sto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal el4ctrica de entrada muy d4bil en la puerta( !l IGB de la figura es una conexi.n integrada de un $%&'! y un B# ( !l circuito de excitaci.n del IGB es como el del $%&'! mientras que las caracter"sticas de conducci.n son como las del B# ( !l IGB es adecuado para velocidades de conmutaci.n de hasta 56 78z y ha sustituido al B# en muchas aplicaciones

SIMBOLOGIA:

!s un componente de tres terminales que se denominan G, ! /G0 o puerta- 9%L!9 %: /90 y !$I&%: /!0 y su s"mbolo corresponde al dibujo de la figura siguiente(

&u estructura microelectr.nica es bastante compleja es por ello que lo describimos en base a su esquema equivalente(

CURVA CARACTERISTICA IGBT:

COMO FUNCIONA: 9onsideremos que el IBG se encuentra bloqueado inicialmente( !sto significa que no existe ning+n voltaje aplicado al gate( &i un voltaje 3G& es aplicado al gate- el IGB enciende inmediatamente- la corriente ID es conducida y el voltaje 3D& se va desde el valor de bloqueo hasta cero( L, corriente ID persiste para el tiempo t%; en el que la seal en el gate es aplicada( )ara encender el IGB - la terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal &( L, seal de encendido es un voltaje positivo 3G que es aplicado al gate G( !ste voltaje- si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 12- puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s- despu4s de lo cual la corriente de drain iD es igual a la corriente de carga IL /asumida como constante0( <na vez encendido- el dispositivo se mantiene as" por una seal de voltaje en el gate( &in embargo- en virtud del control de voltaje la disipaci.n de potencia en el gate es muy baja(
!L IGB se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje 3G de la terminal gate( La

transici.n del estado de conducci.n al estado de bloqueo puede tomar apenas 5 micro segundospor lo que la frecuencia de conmutaci.n puede estar en el rango de los 26 =8z(

!L IGB requiere un valor l"mite 3G&/ 80 para el estado de cambio de encendido a apagado y viceversa( !ste es usualmente de > 3( ,rriba de este valor el voltaje 3D& cae a un valor bajo cercano a los 5 3( 9omo el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo- el gate debe tener un voltaje arriba de 12 3- y la corriente iD se autolimita( !l IGB se aplica en controles de motores el4ctricos tanto de corriente directa como de corriente alterna- manejados a niveles de potencia que exceden los 26 =?(

CARACTERISTICAS A TENER EN CUENTA EN UN IGBT:

@ IDmax Limitada por efecto LatchAup( @ 3G&max Limitada por el espesor del .xido de silicio( @ &e disea para que cuando 3G& B 3G&max la corriente de cortocircuito sea entre > a 16 veces la nominal /zona activa con 3D&B3max0 y pueda soportarla durante unos 2 a 16 CDE2FGs( y pueda actuar una protecci.n electr.nica cortando desde puerta( @ 3D&max es la tensi.n de ruptura del transistor pnp( 9omo CDE>2G es muy baja- ser* 3D&maxBB39B6 !xisten en el mercado IGB s con valores de F66- 1(566- 1(H665(166 y I(I66 voltios( /anunciados de F(2 =30( @ La temperatura m*xima de la uni.n suele ser de 126J9 /con &i9 se esperan valores mayores0 @ !xisten en el mercado IGB s encapsulados que soportan hasta >66 o F66 ,mp( @ La tensi.n 3D& apenas var"a con la temperatura CDKF2KG &e pueden conectar en paralelo f*cilmente CDKF2KG &e pueden conseguir grandes corrientes con facilidadp(ej( 1(566 o 1(F66 ,mperios( !n la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios =? y un par de $?- trabajando a frecuencias desde 2 =8z a >6=8z(

, continuacion se presentan algunas de las presentaciones mas comunes de un IGB (

Transistor IGBT

Smbolo ms extendido del IGBT: Gate o puerta (G), colector (C) y emisor (E) El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del in!l"s Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositi#o semiconductor $ue !eneralmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electr%nica de potencia Este dispositi#o posee la caractersticas de las se&ales de puerta de los transistores de e'ecto campo con la capacidad de alta corriente y ba(o #olta(e de saturaci%n del transistor bipolar, combinando una puerta aislada )ET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositi#o El circuito de excitaci%n del IGBT es como el del *+S)ET, mientras $ue las caractersticas de conducci%n son como las del B,T -os transistores IGBT .an permitido desarrollos $ue no .aban sido #iables .asta entonces, en particular en los /ariadores de 'recuencia as como en las aplicaciones en ma$uinas el"ctricas y con#ertidores de potencia $ue nos acompa&an cada da y por todas partes, sin $ue seamos particularmente conscientes de eso: autom%#il, tren, metro, autob0s, a#i%n, barco, ascensor, electrodom"stico, tele#isi%n, dom%tica, Sistemas de 1limentaci%n Ininterrumpida o S1I (en In!l"s 23S), etc

[editar] Caractersticas

Secci%n de un IGBT El IGBT es adecuado para #elocidades de conmutaci%n de .asta 45 678 y .a sustituido al B,T en muc.as aplicaciones Es usado en aplicaciones de altas y medias ener!a como 'uente conmutada, control de la tracci%n en motores y cocina de inducci%n Grandes m%dulos de IGBT consisten en muc.os dispositi#os colocados en paralelo $ue pueden mane(ar altas corrientes del orden de cientos de amperios con #olta(es de blo$ueo de 9 555 #oltios

Se puede concebir el IGBT como un transistor :arlin!ton .brido Tiene la capacidad de mane(o de corriente de un bipolar pero no re$uiere de la corriente de base para mantenerse en conducci%n Sin embar!o las corrientes transitorias de conmutacion de la base pueden ser i!ualmente altas En aplicaciones de electr%nica de potencia es intermedio entre los tiristores y los mos'et *ane(a ms potencia $ue los se!undos siendo ms lento $ue ellos y lo in#erso respecto a los primeros

Circuito e$ui#alentede un IGBT Este es un dispositi#o para la conmutaci%n en sistemas de alta tensi%n -a tensi%n de control de puerta es de unos ;< / Esto o'rece la #enta(a de controlar sistemas de potencia aplicando una se&al el"ctrica de entrada muy d"bil en la puerta

7+-1 =ecesito .acer al!o tan simple como un transistos $ue traba(e en corte y saturacion ( tipo lla#e di!ital ) , el tema es $ue la tension de alimentacion debe ser de ;<6# , para ello conse!uimos ;< i!bt de ;455# , la corriente no es importante y se #an a colocar en serie para cumplir con este proposito, es decir , el emisor de uno con el colector de otro y asi .asta complatar los ;< la pre!unta es como a!o para disparar a cada i!bt para $ue se comporte como uno solo , o sea , todos a la #es y la 'recuencia de commutacion traba(a de 5 a ;55.8 como muc.o ( muy ba(a 'recuencia ) la tension de control tampoco importa muc.o desde ya muc.as !racias

Citar

;4>a!o>45;5 @uy$ueA4

?2

Respuesta: disparo de igbt en serie Supon!o $ue lo primero es $ue tendrs $ue utili8ar un s.o'Bare )ec.a de In!reso: para sincroni8ar las se&ales de disparo de los ;< IGBTCs Do de a!osto>45;5 so'tBare no se muc.o, pero creo $ue al!unas tar(etas de e#aluaci%n 2bicaci%n: Galicia para emitir se&ales desde el ordenador no son muy di'ciles de *ensa(es: ;49 controlar si estudiaste controlas el matlab o al!0n pro!rama parecido de !r'icos tipo #.dl ect 7ay muc.as dudas en tu proyecto EC%mo piensas en#iar las se&ales de disparoF E@u" es lo $ue .ace $ue la conmutaci%n sea de esas 'recuenciasF, bueno a.ora no se me ocurren ms 1 #er si al!uien $ue utilice so'Bare electr%nico te pueda orientar ms

Citar ;4>a!o>45;5 ?3

)o!ona8o Respuesta: disparo de igbt en serie *oderador !eneral Do en una oportunidad traba(e con un 3G* como el $ue mencionas y el disparo era %ptico, ()ibra %ptica), no estoy se!uro, pero creo $ue cada dispositi#o posea su propia 'uente de alimentaci%n para excitaci%n 'lotante (Si mi memoria no me 'alla) 7ay 4 puntos a los $ue se le debe prestar atenci%n, el sincronismo de todos los encendidos y la tensi%n sobre cada dispositi#o en estado abierto, esto 0ltimo se resol#a mediante un puente resisti#o $ue distribua la tensi%n e$uitati#amente sobre todos los IGBTHs

)ec.a de In!reso:

enero>455I 2bicaci%n: /ia -actea *ensa(es: ;; I;5 Citar ;4>a!o>45;5 mendo4< )ec.a de In!reso: enero>4559 2bicaci%n: *endo8a 1r!entina *ensa(es: < Respuesta: disparo de igbt en serie .ola @uy$ueA4 no mecesito una secuencia , se disparan a la #es , todos (untos para 'ormar una lla#e electrinica $ue soporte ;<6# , ya dispondo de los i!bt $ue por costo es los mas con#eniente En relidad es bastante simple la idea , como en la 'i!ura se #e el e$ui#alente de dic.a lla#e sB; son los arre!los de ;< i!bt en serie de ;455# cJu , lo $ue necesito saber es como dispararlos todos a la #es, se puede controlar con un simple oscilador con un <<< para lo!rar la 'recuencia de sBic.eo @uisas te des cuenta $ue es un costo , eso no interesa , es una 'uente continua a corriente contante controlada , esto se utili8a en un e$uipo de medicion para motores , actualmente esa lla#e es mecanica, nada presisa y arcaica (ustamente el proyecto radica en me(orarlo Im!enes 1d(untas ; (p! (;4,K LB (Lilobytes), M4 #isitas) ?4

Citar ;N>a!o>45;5 @uy$ueA4 ?5 Respuesta: disparo de igbt en serie 7ola Con un <<< no s" si podrs aplicar la corriente necesaria o la tensi%n necesaria para disparar los i!bts

)ec.a de In!reso: a!osto>45;5 2bicaci%n: Galicia El circuito por simplicidad puede ser correcto uno de <<< ms yo le *ensa(es: ;49 a&adira tal #e8 una etapa ampli'icadora a la salida )(ate un poco en la respuesta de un 'orero de ya.oo a$u: .ttp:JJes ansBers ya.oo comJ$uestion 5;9;<54119n4A( 4 transistores npn alimentados en la base por la misma se&al pero en in#ersi%n de 'ase (no s" como se podr .acer esto) y la salida es la uni%n Coletor>Emisor de los dos transistores Bueno, creo $ue tienes $ue co(er el datas.eet de tus i!bts y mirar $ue tensi%n de disparo necesitan y corriente -ue!o co(es el datas.eet del <<< y miras uno de sus circuitos sencillito y lue!o piensas si acoplarle una etapa ampli'icadora a la salida del tipo

transistores D 'inalmente probar y probar encuentras la me(or soluci%n un saludo

(e(e a #er si

Citar ;N>sep>45;5 mendo4< )ec.a de In!reso: enero>4559 2bicaci%n: *endo8a 1r!entina *ensa(es: < Respuesta: disparo de igbt en serie !racias por la respuesta , ya lo solucione con un toroide en cada i!bt disparados por una se&al unica con respecto a lo de co(er el datas.eet de <<< y los i!bt no me parese correcto , ademas eso es muy de!enerado , (e(e bye ?6

Citar ;N>sep>45;5 )o!ona8o Respuesta: disparo de igbt en serie *oderador !eneral !endo25 di(o: hola Quyque82 no mecesito una secuencia , se disparan a la ves , ..... =o me re'era a una secuencia de encendido, sino a $ue si =+ accionas todos a un mismo tiempo exacto, recae sobre el 0ltimo IGBT en ser acti#ado toda la tensi%n y adi%s IGBT )ec.a de In!reso: enero>455I 2bicaci%n: /ia -actea *ensa(es: ;; I;5 Citar ;N>sep>45;5 mendo4< )ec.a de In!reso: enero>4559 2bicaci%n: *endo8a 1r!entina *ensa(es: < Respuesta: disparo de igbt en serie perdon 'o!ona8o no entendi lo $ue me decias, en teoria creo $ue ten!o la solucion , es colocar un toroide en cada i!bt y disparar todos mediante un pulso inducido en cada toroide , un cable $ue pase por dentro de cada uno , $ue indusca este pulso , luedo in#ertirlo para apa!ar los i!bt el ori!inal es asi solo $ue traba(a con tiristores y tiene otra #arieantes $ue es simila , no #iene al caso Cuando ten!a al!una no#edad lo publico para $ue sir#a de re'erencia ?" ?

!racias

Citar ;N>sep>45;5 @uy$ueA4 )ec.a de In!reso: a!osto>45;5 2bicaci%n: Galicia *ensa(es: ;49 Respuesta: disparo de igbt en serie 7ola mendo4< En.orabuena *e encantara #er el es$uema 'inal $ue te .a $uedado con los toroides o una 'oto del aparato Sera muy instructi#o para mi C.ao !racias ?#

Citar ;<>sep>45;5 rodriO!o;55 )ec.a de In!reso: mar8o>455K 2bicaci%n: Para!o8a, Espa&a *ensa(es: ;NK ?$% Respuesta: disparo de igbt en serie Do opino i!ual $ue )o!ona8o, si no tienes en cuenta $ue los IGBT no son exactamente i!uales, y $ue cada uno tardara mas o menos en dispararse (estamos .ablando de nanose!undos), .abra siempre uno $ue conmute antes, $uedando los dems con mas tensi%n de la $ue a!uantan, y adi%s IGBTs -a seriali8aci%n de IGBTs es una cosa muy complicada de implementar $ue re$uiere de una electr%nica de control bastante comple(a $ue mide en todo momento las se&ales de los IGBT y los tiempos de conmutaci%n y al mas rapido le introduce retardos para $ue conmuten todos a la #e8, y recuerda $ue .ablamos de nanose!undos Todo esto lo s" por$ue un compa&ero mio esta .aciendo de proyecto de 'in de carrera la parte de potencia de la seriali8aci%n de IGBTs y otro esta .aciendo la parte de control 1s $ue o tienes en cuenta esto, o #eras como se te rompen los IGBTs Saludos