UNIVERSIDAD SAN LUIS GONZAGA ESCUELA ACADMICO PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA

LABORATORIO DE INSTRUMENTACIN

EXPERIENCIA N5

Curvas Caractersticas del Transistor Bipolar

CURSO: PROFESOR: GRUPO: INTEGRANTES: 1. 2. 3. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS ING. JAVIER RIVAS LEN

ICA, 2013

NOTA

QUINTA EXPERIENCIA

* INTRODUCCION El transistor es un dispositivo semiconductor de tres secciones Emisor, Base y Colector, y segn su arreglo pueden ser de tipo NPN PNP, de las cuales la unin Emisor-Base, estn

polarizadas directamente y la unin Colector-Base de forma inversa, situacin que nos permite comprobar el efecto de amplificacin. * OBJETIVOS DEL EXPERIMENTO : a) Identificar los terminales de la base, emisor y colector. b) Identificar el tipo de transistor NPN PNP. c) Mostrar y medir los efectos de la corriente de base en las caractersticas de salida del transistor. * INSTRUMENTOS Y MATERIALES: - 1 Fuente Regulada - 1 Multmetro Digital - 1 Transistor 2N3906 - 1 Diodo 1N4148 - 3 Resistencias (1/4W) : 200, 8.2K, 3.6K - 1 Potencimetro : 100 K - 1 Tablero de Conexin - 1 Alicate - 1 Transistor NPN (parte B)

PROCEDIMIENTO: PARTE A : Identificacin de los terminales de un transistor. 1. Considere un transistor de pequea seal disponible en el Laboratorio (considrelo aunque se haya borrado su nomenclatura). Sobre el dibujo del transistor escogido enumere los tres terminales de este (ver Figura 41).

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Figura 4-1 3. Seleccione la escala de resistencia del DMM. Coger la punta de color negro (PN) y tomar uno de los terminales del transistor (Ejemplo. El terminal 1). Con la otra punta de color rojo (P.R.) haga conexin (buen contacto) con el segundo terminal del transistor, anote la medida de resistencia observada en el multmetro. Luego deje el segundo terminal del transistor y conctela al tercer terminal, mida y anote su valor. Siguiendo de acuerdo a la Tabla. TABLA P.N. 1 Terminales del Transistor 1 2 2 P.R. 2 3 1 3 Valor medido () 814 Alta Impedancia Alta Impedancia 805 .. .. 3 3 1 2 Alta Impedancia 806 colocar los terminales que correspondan

Los pares de terminales cuyas mediciones de resistencia sean bajas respecto a los otros terminales, contendr a la BASE. En el par de mediciones en las que, el terminal del transistor est presente en ambas mediciones ser realmente la BASE del transistor. Veamos el siguiente ejemplo:

Ejemplo P.N. (*) (*) 3 3 P.R. 1 2 Medida () 4.96 M 4.88 M

Anote el par de mediciones donde se ubic la BASE: (baja resistencia) P.N. P.R. Medida ()

(*) El terminal 3 sera la BASE por estar presente en ambas mediciones 5. Ahora de las mediciones realizadas en la parte 3), y en el ejemplo mostrado (paso 4) la medida efectuada entre los pines 3-2 del transistor, arroja una medicin de resistencia ms baja (que la realizada entre los terminales 3-1). De modo que en este caso, el terminal 2 del transistor ser el COLECTOR y el pin 1 le corresponder al EMISOR. Asimismo por las mediciones realizadas con las puntas de prueba del DMM y los terminales del transistor, nos indican que se trata de un transistor del tipo NPN ya que las puntas de prueba roja estuvo conectada a la BASE. En otro caso ser del tipo PNP si la punta negra estuviera conectada a la BASE (paso 3, si se cogiera con la punta roja). Indique en un grfico del transistor los terminales correctos y el tipo utilizado (NPN PNP).

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PARTE B : Comprobacin del estado de un transistor. 1. Tomar un transistor de baja seal (Ejemplo encapsulado T092) y realice las pruebas correspondientes al paso 3 de la Parte A. JUNTURA B-E B- C E-C 2. MEDIDA () JUNTURA B-E B- C E-C MEDIDA ()

Deduzca el estado en que se encuentra las junturas del transistor bajo prueba.

PARTE C : Curvas caractersticas del transistor bipolar. 1. Implemente el circuito de la Figura 4-2. Fijar el valor de RB a su mximo valor (100K). Coloque el osciloscopio en el modo X-Y. Regule y fije la fuente VBB a 1 voltio, y ajuste la salida del generador para una salida de 5 Vpp senoidal, a una frecuencia de 1 KHz.

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Figura 4-2 3. Conecte la alimentacin al circuito y tome 5 valores diferentes de RB, dibuje el trazo correspondiente mostrado en la pantalla. Indicando los valores medidos de la corriente de base (IB), corriente de colector (IC) y voltaje colector-emisor (VCE).

4. Evale con los valores de las mediciones del paso 3, la ganancia (Beta) del transistor. Beta=0.2211; 5. Grafique las curvas caractersticas muestreadas en la pantalla del osciloscopio correspondiente del paso 2. Dibuje la recta de carga y punto de operacin, indicando los valores medidos de IC, IB, VCE, correspondiente a cada una de ellas. * CUESTIONARIO : 1. Cules son las polarizaciones (efectuadas a travs de las puntas del hmetro del DMM) el tipo (NPN y PNP), que nos han permitido (paso 3 y 4 de la parte A) evaluar al transistor ? Grafique y explique cada caso. Qu nos indica la lectura en ohmios, de la polarizacin directa aplicada a una unin PN a travs de los terminales del DMM al transistor observado (paso 3) ?
Halle en forma terica el punto de operacin del circuito experimentado. Haga una simulacin y compruebe los datos hallados experimentalmente. Describa las principales caractersticas tcnicas de los dispositivos electrnicos utilizados. Conclusiones y observaciones

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3. 4.