Clula fotovoltaica de polmeros

Fig. 1. Esquema de una clula solar de plstico. PET polietileno tereftalateo, ITO xido de estao e indio, PEDOT:PSS poly(3,4-etilenedioxitiofeno), capa activa (generalmente un polmero:mezcla de fullereno), Al aluminio.

Fulereno C60.

Dos enlaces de PEDOT.

Poli (sulfonato de estireno ).

Las clulas fotovoltaicas de polmeros, es una tecnologa de clulas solares orgnicas que producen electricidad a partir de la luz con la ayuda depolmeros semiconductores. Se trata de una tecnologa relativamente nueva, estudiada en laboratorios por grupos de la industria y por las universidades de todo el mundo. Todava en gran parte en la fase experimental, las clulas fotovoltaicas de polmeros, sin embargo, ofrecen perspectivas interesantes. Se basan enmacromolculas orgnicas derivadas de la petroqumica, cuyos procesos de fabricacin gastan mucha menos energa que la utilizada para las clulas basadas en semiconductores minerales. Su costo es mucho menor y son ms ligeras y menos frgiles. Su carcter flexible las hace muy adecuadas para la integracin en materiales flexibles o polmeros orgnicos o en siliconas, incluso en fibras textiles. Su desarrollo puede construirse sobre la investigacin en ingeniera qumica, por ejemplo, en el auto-montaje de estas molculas.1 Su principal debilidad radica en su tiempo de vida limitado por la degradacin de los polmeros cuando son expuestos a la luz del sol.
ndice

1 Fsica de dispositivo 2 Principio de funcionamiento 3 Materiales 4 Revestimiento 5 Vase tambin 6 Referencias

Fsica de dispositivo[editar]

Fig. 2. Cadena polimrica de polarn de difusin rodeado de molculas de fullereno

Principio de funcionamiento[editar]
La fsica subyacente en el efecto fotovoltaico de los semiconductores orgnicos es ms complicada de describir que la de las clulas de semiconductores minerales. Se trata de los diferentes orbitales moleculares, algunos ocupando el papel de banda de valencia, otros de banda de conduccin, entre dos molculas distintas, que actan, una como donante de electrones y la otra como aceptor, organizadas en torno a una heterounin como en el caso de los minerales semiconductores. 1. Las molculas que sirven de donantes de electrones (para la generacin de excitaciones, es decir, de pares de electrones -agujero) se caracterizan por la presencia de electrones , por lo general en un polmero conjugado llamado de tipo p . 2. Estos electrones pueden ser excitados por los fotones visibles o cerca del espectro visible, hacindoles pasar de la orbita molecular alto ocupada (desempeando un papel similar a la banda de valencia en un semiconductor inorgnico) al orbital molecular bajo vacante (desempeando un papel similar a la banda de conduccin): es lo que se llama la transicin - *(que, corresponde segn la analoga con los minerales semiconductores, a la inyeccin de los transportadores en la banda de conduccin a travs de la banda prohibida). La energa necesaria para esta transicin determina la longitud de onda mxima que puede ser convertida en energa elctrica por el polmero conjugado. 3. Al contrario de lo que ocurre en los semiconductores inorgnicos, los pares de electrones hueco en un material orgnico, se encuentran cerca, con un fuerte acoplamiento (y la energa del enlace est entre 0,1 y 1.6 V), la disociacin de los excitones se alcanza en la interfase con un materialaceptor de electrones en el marco del efecto de un gradiente de potencial qumico en el origen de la fuerza electromotriz del dispositivo. Estos aceptores de electrones se conocen como de tipo n.

Materiales[editar]

Estructura de los polmeros conductores, poliacetileno, poli (para-vinileno) (PPV), polianilina (X = N, NH), sulfuro de poli (X = S); Polipirrol (X = NH) y Politiofeno (X = S).

Lasclulas fotovoltaicas orgnicas utilizan a menudo pelculas de poli (naftalato de etileno) (PEN), como revestimientos de proteccin en la superficie, cuya funcin principal es evitar la oxidacin de los materiales orgnicos que constituyen las clulas fotovoltaicas orgnicas: el O2 es una impureza

que acta como un centro de recombinacin electrn-hueco, degradando el rendimiento de los componentes electrnicos. Bajo estas capas de proteccin se encuentran una o varias unin pn entre materiales donantes y materiales aceptores de electrones, como en las clulas solares clsicas desemiconductores minerales. Un ejemplo prctico es insertar molculas fulereno (C 60) como aceptores de electrones (tipo n) entre las cadenas de polmeros conjugados (como el PEDOT:PSS, formado por poli (3,4ethylenedioxythiopheno) (Pdot) como donante de electrones (tipo p) mezclado con poli (sulfonato de estireno ) (PSS) para garantizar su solubilidad). En trminos generales, la investigacin actual se centrar en los derivados de politiofenoes como polmeros tipo p sobre todo el poli (3-hexylthiophne) (P3HT).2 ,,3 con derivados del fulereno como aceptores (tipo n) tales como el [6,6]-phnyl-C61-butirato de metilo (PCBM).4 Otras uniones p/ n se estn investigando, sobre todo a base de para-phnylne-vinylne (PPV) como donante, como MEH-PPV / PCBM5 ouMDMO-PPV / PCBM,6 o a la vez como donantes y como aceptores, tales como el MDMO-PPV / PCNEPV7 ,.8

Revestimiento[editar]
Las clulas solares de polmeros pueden ser depositadas en superficies flexibles, como tintas con procesos de bajo coste y, esto por tanto, podra permitir hacer clulas solares baratas. Sin embargo, por el momento los rendimientos no son ms que del 5 % en el laboratorio y este se debe mejorar antes de que puedan desempear un papel importante en la produccin de energa fotovoltaica.

1.-Procesos de fabricacin de clulas solares Clulas de fsforo-aluminio

Figura 0.2. Estructura de una clula de fsforoaluminio

Se han fabricado clulas solares con rendimientos del 19% sobre sustratos de zona flotante FZ (A. Cuevas y M.A. Balbuena, Proc. 8th EC Photovoltaic Solar Energy Conf, Kluwer Academic, Dordrecht, 1988, pp. 1186-1191), lo cual constituy rcord europeo en su momento. Realizadas con tecnologa planar, la sencilla estructura de las clulas incorpora conceptos que han devenido posteriormente en conocimiento bsico en el mundo fotovoltaico, como son el emisor de

fsforo profundo pasivado con xido de silicio y el campo retrodifusor (BSF) de aluminio evaporado. Sobre esta estructura bsica se trabaja en algunas variantes que persiguen simplificar el proceso o adaptarlo a sustratos de calidad industrial (Czochralski Cz- y multicristalino -MC). Por el momento, el mejor rendimiento obtenido con material Cz ha sido 18,1%, y con multicristalino 17,1%, con clulas de 4 cm2. Se estudian tambin modificaciones que tratan de conjugar mejores prestaciones con procesos sencillos, como la difusin simultnea de fsforo y aluminio en un solo paso trmico o la implementacin de una BSF local (que reduce la recombinacin en la zona posterior). Otro campo en el que se han desarrollado clulas de fsforo-aluminio es en el de la concentracin, habindose obtenido valores de 20,6% a 100 soles (10 Wcm-2).
Clulas bifaciales de fsforo-boro

La clula bifacial fue inventada en el IES en 1976, y desarrollada hacia 1980. Esto dio lugar al nacimiento de Isofotn, una de las principales empresas fotovoltaicas del mundo. Las clulas bifaciales pueden integrarse en mdulos bifaciales, que aprovechan la luz reflejada en su cara posterior, aumentando de esa forma la conversin de energa. Adems, son especialmente indicadas para su uso en concentradores estticos, pues duplican el nivel de concentracin alcanzable. Se han conseguido clulas solares bifaciales con rendimientos del 19,1% por la cara posterior (dopada con fsforo) y 18,1% por la Figura 2. Curvas IV con iluminacin por frontal (dopada con boro) (A. Moehlecke, I. cada cara de una clula bifacial y de alto Zanesco y A. Luque, Proc. 1st World rendimiento y sus perfiles de dopaje Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Hawaii, 1994, pp. 1663-1666). Adaptando el proceso a silicio Cz, hemos obtenido rendimientos del 17,7% por la cara posterior y 15,2% por la cara frontal. (C. del Caizo, A. Moehlecke, I. Zanesco, A. Luque. IEEE Electron Dev. Lett. 21, 179-180, 2000). Las investigaciones continan, con la colaboracin de otros socios, en el sentido de sustituir las tcnicas usadas por nosotros, que son todava relativamente caras, por tcnicas estndar de la industria, con el objetivo de conseguir rendimientos razonables de forma econmica. Tambin se trabaja en reproducir los resultados con obleas de espesores en el rango de las 100-150 micras.

Clulas de contacto exclusivamente posterior (CEP)

El objetivo de esta actividad es desarrollar una nueva clula que aprovechando nuestro actual estado del arte tenga contactos exclusivamente posteriores . Para conseguir clulas con contactos exclusivamente posteriores se realizan orificios que atraviesen la oblea de silicio Figura 3. Seccin de una clula pasando a travs de esos agujeros metalizados la corriente de la cara anterior a un peine en la cara posterior. Se usan dos mtodos para realizar los orificios pasantes. Este tipo de clula tendr aplicacin para constituir un receptor tipo parquet para concentradores de Silicio parablicos grandes puesto que las clulas pueden montarse contiguas evitando la prdida de luz. Asimismo la conexin por una cara puede simplificar la automatizacin del conexionado en los mdulos convencionales.

2.-Caracterizacin de procesos y materiales Extraccin de impurezas durante el procesamiento de clulas de Si:

Las clulas solares son muy sensibles a ciertas impurezas tales como los metales de transicin que pueden estar presentes en el silicio de partida, o bien serles introducidas durante el procesamiento de las mismas, sobre todo teniendo en cuenta que se tiende a usar silicio de baja calidad y por tanto ms barato, y que el procesamiento no se hace en condiciones de sala blanca. Debido a la baja concentracin de impurezas a las que stas son activas, las investigaciones sobre mecanismos de extraccin son difciles y estn ampliamente sujetas a controversia.

Figura 4. Simulador de procesos de extraccin

Hemos desarrollado un modelo basado en principios bien aceptados de la qumica fsica (C. del Caizo, A. Luque. J. Electrochem. Soc. 147, 2685-2692, 2000), que incluye los mecanismos aceptados comnmente para varios mecanismos de extraccin de impurezas. En particular el modelo puede analizar cuantitativamente la extraccin extrnseca por difusin y segregacin a una capa lquida (caso de la extraccin por aluminio), e incluir la inyeccin de autointersticiales (caso de la extraccin por fsforo). Puede tambin tratar los mecanismos de precipitacin de las impurezas (extraccin intrnseca) y la decoracin de defectos con metales de transicin. Se piensa que este modelo puede ser un instrumento poderoso de investigacin de los mecanismos de extraccin al poder analizar cuantitativamente los efectos que acarrearan los mismos en caso de estar presentes.

desarrollado en el IES

Desarrollo de las tcnicas fotoconductivas para medidas del tiempo de vida

La medida del tiempo de vida de la base de las clulas solares a lo largo de los procesos de fabricacin se usa frecuentemente en el IES (R. Lago-Aurrekoetxea, I. Tobas, C. del Caizo, A. Luque. J. Electrochem. Soc., 148, G200-G206, 2001) en el desarrollo de nuevas clulas solares. Para ello se apartan muestras en las que, mediante ataques qumicos, se eliminan las uniones y xidos superficiales. La oblea as obtenida se mide mantenindose pasivada por inmersin en cido fluorhdrico concentrado.

Figura 5. Medidas por PCD del tiempo de vida de volumen de una oblea de silicio FZ no procesada de 1.75 Omhcm, con el mtodo de pasivacin in situ y calibracin desarrollado en el Instituto. Tras los ajustes con el programa PC-1D se obtienen unos tiempos de vida SRH de 150 y 3000 microseconds `para electrones y huecos

respectivamente

El fundamento de la medida es examinar la fotoconductividad, la cual se determina por acople inductivo de la oblea a un puente de medida. La medida puede hacerse en condiciones de iluminacin pulsada, determinando la decada de la fotoconductividad, lo que no necesita ninguna calibracin para la determinacin del tiempo de vida pero s para determinar el nivel de inyeccin al que acontece. Se ha propuesto usar la recombinacin Auger, bien conocida, para determinar el nivel de inyeccin. En otros casos se usa una tcnica cuasi-esttica (iluminada con un destello lento) que permite medir tiempos de vida menores, pero esta medida necesita una calibracin, difcil de hacer en las condiciones de la medida, es decir sumergida en un electrolito. Se usa la medida de decada para calibrar la medida quasi-esttica. Estas medidas confirman el hecho recientemente observado de que en obleas p el tiempo de vida de los huecos es mucho mayor que el de los electrones, dando lugar a variaciones importantes del tiempo de vida con el nivel de inyeccin. Con este tipo de medidas se intenta separar la recombinacin de base y la del emisor posterior de las clulas solares de fsforo-aluminio, con objeto de proponer mtodos de fabricar la ltima que permitan mejorar dichas clulas. Esto es especialmente importante ante la tendencia a reducir el espesor de las clulas con objeto de reducir el coste del material.

3.-Nuevas perspectivas para el silicio cristalino

Hasta hace bien poco, el silicio cristalino usado en la industria fotovoltaica provena en su mayor parte de los rechazos de la industria microelectrnica, obteniendo as precios sensiblemente menores a los del silicio ultrapuro de grado electrnico. Ante el vertiginoso crecimiento del mercado fotovoltaico, que hoy por hoy est basado en ms del 90% en silicio cristalino, la cantidad de silicio necesario es muy superior a la que la industria microelectrnica puede suministrar a precios competitivos, por lo que es necesario encontrar vas propias de purificacin de silicio, obteniendo realmente lo que podramos llamar silicio solar.
Obtencin de silicio solar a partir de silicio metalrgico

El IES, junto con otros socios tecnolgicos, entre los que se encuentran las empresas Ferroatlntica (la mayor productora mundial de silicio metalrgico) trabaja en la investigacin de un proceso integral para producir silicio solar y fabricar con l clulas solares. El seguimiento, control y extraccin de impurezas contaminantes en todas las fases del proceso (purificacin del silicio metalrgico, crecimiento de lingotes, corte en obleas y fabricacin de clulas) es un elemento clave para determinar los mtodos de purificacin y disear los procesos apropiados.

Crecimiento epitaxial sobre silicio de muy baja calidad

Otra lnea de trabajo es la de usar silicio de baja calidad sobre el que se crece epitaxialmente una fina capa de silicio ultrapuro. Si se logra evitar que las impurezas del sustrato no difundan a la capa epitaxial, se puede realizar en sta la clula solar. Actualmente los procesos de crecimiento epitaxial empleados en microelectrnica son lentos y costosos. En el IES se ha diseado y construido un reactor epitaxial de alta productividad, que reduce el consumo de gases de proceso (hidrgeno y silano) gracias a un sistema de recirculacin.

Figura 6. Reactor epitaxial de gran volumen de produccin inventado en el IES

Clula fotoelctrica

Clula solar monocristalina durante su fabricacin

Smbolo de la clula fotovoltaica

Una clula fotoelctrica, tambin llamada celda, fotoclula o clula fotovoltaica, es un dispositivo electrnico que permite transformar la energa lumnica (fotones) en energa elctrica (flujo de electrones libres) mediante el efecto fotoelctrico, generando energa solar fotovoltaica. Compuesto de un material que presenta efecto fotoelctrico: absorben fotones de luz y emiten electrones. Cuando estos electrones libres son capturados, el resultado es una corriente elctrica que puede ser utilizada como electricidad. La eficiencia de conversin media obtenida por las clulas disponibles comercialmente (producidas a partir de silicio monocristalino) est alrededor del 14%, pero segn la tecnologa utilizada vara desde el 6% de las clulas de silicio amorfo hasta el 14-22% de las clulas de silicio monocristalino.

Tambin existen Las clulas multicapa, normalmente de arseniuro de galio, que alcanzan eficiencias del 30%. En laboratorio se ha superado el 43% con nuevos paneles experimentales.1 La vida til media a mximo rendimiento se sita en torno a los 25 aos, perodo a partir del cual la potencia entregada disminuye por debajo de un valor considerable. Al grupo de clulas fotoelctricas para energa solar se le conoce como panel fotovoltaico. Los paneles fotovoltaicos consisten en una red de clulas solares conectadas como circuito en serie para aumentar la tensin de salida hasta el valor deseado (usualmente se utilizan 12V 24V) a la vez que se conectan varias redes como circuito paralelo para aumentar la corriente elctrica que es capaz de proporcionar el dispositivo. El tipo de corriente elctrica que proporcionan es corriente continua, por lo que si necesitamos corriente alterna o aumentar su tensin, tendremos que aadir un inversor y/o un convertidor de potencia
ndice
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1 Principio de funcionamiento 2 Tcnica de fabricacin

o o o o o o
3 Uso

2.1 Clulas de silicio amorfo 2.2 Clula de silicio monocristalino 2.3 Clulas de silicio policristalino 2.4 Clula tndem 2.5 Clula multiunin 2.6 El semiconductor fbi

4 Investigacin y desarrollo 5 Las tres generaciones de clulas fotoelctricas

o o o o

5.1 Primera Generacin 5.2 La Segunda Generacin 5.3 Tercera generacin 5.4 Hoja de ruta de la energa fotovoltaica

6 Eficiencia 7 Vase tambin 8 Notas 9 Referencias 10 Enlaces externos

Principio de funcionamiento[editar]

Estructura de una clula fotovoltaica.

En un semiconductor expuesto a la luz, un fotn de energa arranca un electrn, creando a la vez un hueco en el tomo excitado. Normalmente, el electrn encuentra rpidamente otro hueco para volver a llenarlo, y la energa proporcionada por el fotn, por tanto, se disipa en forma de calor. El principio de una clula fotovoltaica es obligar a los electrones y a los huecos a avanzar hacia el lado opuesto del material en lugar de simplemente recombinarse en l: as, se producir una diferencia de potencial y por lo tanto tensin entre las dos partes del material, como ocurre en una pila. Para ello, se crea un campo elctrico permanente, a travs de una unin pn, entre dos capas dopadas respectivamente, p y n. En las clulas de silicio, que son mayoritariamente utilizadas, se encuentran por tanto:

La capa superior de la celda, que se compone de silicio dopado de tipo n.nota 1 En esta capa, hay un nmero de electrones libres mayor que en una capa de silicio puro, de ah el nombre del dopaje n, negativo. El material permanece elctricamente neutro, ya que tanto los tomos de silicio como los del material dopante son neutros: pero la red cristalina tiene globalmente una mayor presencia de electrones que en una red de silicio puro.

La capa inferior de la celda, que se compone de silicio dopado de tipo p.nota 2 Esta capa tiene por lo tanto una cantidad media de electrones libres menor que una capa de silicio puro. Los electrones estn ligados a la red cristalina que, en consecuencia, es elctricamente neutra pero presenta huecos, positivos (p). La conduccin elctrica est asegurada por estos portadores de carga, que se desplazan por todo el material.

En el momento de la creacin de la unin pn, los electrones libres de la capa n entran instantneamente en la capa p y se recombinan con los huecos en la regin p. Existir as durante toda la vida de la unin, una carga positiva en la regin n a lo largo de la unin (porque faltan electrones) y una carga negativa en la regin en p a lo largo de la unin (porque los huecos han desaparecido); el conjunto forma la Zona de Carga de Espacio (ZCE) y existe un campo

elctrico entre las dos, de n hacia p. Este campo elctrico hace de la ZCE un diodo, que solo permite el flujo de corriente en una direccin: los electrones pueden moverse de la regin p a la n, pero no en la direccin opuesta y por el contrario los huecos no pasan ms que de n hacia p. En funcionamiento, cuando un fotn arranca un electrn a la matriz, creando un electrn libre y un hueco, bajo el efecto de este campo elctrico cada uno va en direccin opuesta: los electrones se acumulan en la regin n (para convertirse en polo negativo), mientras que los huecos se acumulan en la regin dopada p (que se convierte en el polo positivo). Este fenmeno es ms eficaz en la ZCE, donde casi no hay portadores de carga (electrones o huecos), ya que son anulados, o en la cercana inmediata a la ZCE: cuando un fotn crea un par electrn-hueco, se separaron y es improbable que encuentren a su opuesto, pero si la creacin tiene lugar en un sitio ms alejado de la unin, el electrn (convertido en hueco) mantiene una gran oportunidad para recombinarse antes de llegar a la zona n. Pero la ZCE es necesariamente muy delgada, as que no es til dar un gran espesor a la clula.nota 3 Efectivamente, el grosor de la capa n es muy pequeo, ya que esta capa slo se necesita bsicamente para crear la ZCE que hace funcionar la clula. En cambio, el grosor de la capa p es mayor: depende de un compromiso entre la necesidad de minimizar las recombinaciones electrn-hueco, y por el contrario permitir la captacin del mayor nmero de fotones posible, para lo que se requiere cierto mnimo espesor. En resumen, una clula fotovoltaica es el equivalente de un generador de energa a la que se ha aadido un diodo. Para lograr una clula solar prctica, adems es preciso aadir contactos elctricos (que permitan extraer la energa generada), una capa que proteja la clula pero deje pasar la luz, una capa antireflectante para garantizar la correcta absorcin de los fotones, y otros elementos que aumenten la eficiencia del misma.

Tcnica de fabricacin[editar]

Obleas utilizadas para su posterior conversin en clulas fotovoltaicas, en la cinta transportadora durante su proceso de fabricacin.

Clulas fotovoltaicas listas para su uso.

El silicio es actualmente el material ms comnmente usado para la fabricacin de clulas fotovoltaicas. Se obtiene por reduccin de la slice, compuesto ms abundante en la corteza de la Tierra, en particular en la arena o el cuarzo. El primer paso es la produccin de silicio metalrgico, puro al 98%, obtenido de pedazos de piedras de cuarzo provenientes de un filn mineral (la tcnica de produccin industrial no parte de la arena). El silicio se purifica mediante procedimientos qumicos (Lavado + Decapado) empleando con frecuencia destilaciones de compuestos clorados de silicio, hasta que la concentracin de impurezas es inferior al 0.2 partes por milln. As se obtiene el silicio semiconductor con un grado de pureza superior al requerido para la generacin de energa solar fotovoltaica. Este ha constituido la base del abastecimiento de materia prima para aplicaciones solares hasta la fecha, representando en la actualidad casi las tres cuartas partes del aprovisionamiento de las industrias. Sin embargo, para usos especficamente solares, son suficientes (dependiendo del tipo de impureza y de la tcnica de cristalizacin), concentraciones de impurezas del orden de una parte por milln. Al material de esta concentracin se le suele denominar silicio de grado solar. Con el silicio fundido, se realiza un proceso de crecimiento cristalino que consiste en formar capas monomoleculares alrededor de un germen de cristalizacin o de un cristalito inicial. Nuevas molculas se adhieren preferentemente en la cara donde su adhesin libera ms energa. Las diferencias energticas suelen ser pequeas y pueden ser modificadas por la presencia de dichas impurezas o cambiando las condiciones de cristalizacin. La semilla o germen de cristalizacin que provoca este fenmeno es extrada del silicio fundido, que va solidificando de forma cristalina, resultando, si el tiempo es suficiente, un monocristal y si es menor, un policristal. La temperatura a la que se realiza este proceso es superior a los 1500 C . El procedimiento ms empleado en la actualidad es el Proceso Czochralski, pudindose emplear tambin tcnicas de colado. El silicio cristalino as obtenido tiene forma de lingotes. Estos lingotes son luego cortados en lminas delgadas cuadradas (si es necesario) de 200 micrmetros de espesor, que se llaman obleas. Despus del tratamiento para la inyeccin del enriquecido con dopante (P, As, Sb o B) y obtener as los semiconductores de silicio tipo P o N.

Despus del corte de las obleas, las mismas presentan irregularidades superficiales y defectos de corte, adems de la posibilidad de que estn sucias de polvo o virutas del proceso de fabricacin. Esta situacin puede disminuir considerablemente el rendimiento del panel fotovoltaico as que se realizan un conjunto de procesos para mejorar las condiciones superficiales de las obleas tales como un lavado preliminar, la eliminacin de defectos por ultrasonidos, el decapado, el pulido o la limpieza con productos qumicos. Para las celdas con ms calidad (monocristal) se realiza un tratado de texturizado para hacer que la oblea absorba con ms eficiencia la radiacin solar incidente. Posteriormente, las obleas son metalizadas, un proceso que consiste en la colocacin de unas cintas de metal incrustadas en la superficie conectadas a contactos elctricos que son las que absorben la energa elctrica que generan las uniones P/N a causa de la irradiacin solar y la transmiten. La produccin de clulas fotovoltaicas requiere energa, y se estima que un mdulo fotovoltaico debe trabajar alrededor de 2 a 3 aos2 segn su tecnologa para producir la energa que fue necesaria para su produccin (mdulo de retorno de energa). Las tcnicas de fabricacin y caractersticas de los principales tipos de clulas se describen en los siguientes 3 prrafos. Existen otros tipos de clulas que estn en estudio, pero su uso es casi insignificante. Los materiales y procesos de fabricacin son objeto de programas de investigacin ambiciosos para reducir el costo y el reciclado de las clulas fotovoltaicas. Las tecnologas de pelcula delgada sobre sustratos sin marcar recibi la aceptacin de la industria ms moderna. En 2006 y 2007, el crecimiento de la produccin mundial de paneles solares se ha visto obstaculizado por la falta de clulas de silicio y los precios no han cado tanto como se esperaba. La industria busca reducir la cantidad de silicio utilizado. Las clulas monocristalinas han pasado de 300 micras de espesor a 200 y se piensa que llegarn rpidamente a las 180 y 150 micras, reduciendo la cantidad de silicio y la energa requerida, as como tambin el precio.

Clulas de silicio amorfo[editar]

El silicio durante su transformacin, produce un gas que se proyecta sobre una lmina de vidrio. La celda es gris muy oscuro. Es la clula de las calculadoras y relojes llamados de solares. Ests clulas fueron las primeras en ser manufacturadas, ya que se podan emplear los mismos mtodos de fabricacin de diodos.

Ventajas:

Funciona con una luz difusa baja (incluso en das nublados), Un poco menos costosa que otras tecnologas, Integracin sobre soporte flexible o rgido.

Inconvenientes:

Rendimiento a pleno sol bajo, del 5% al 7%,3 Rendimiento decreciente con el tiempo (~7%).

Clula de silicio monocristalino[editar]

Clula de silicio monocristalino

Al enfriarse, el silicio fundido se solidifica formando solo un nico cristal de grandes dimensiones. Luego se corta el cristal en delgadas capas que dan lugar a las clulas. Estas clulas generalmente son de un azul uniforme.

Ventajas:

Buen rendimiento de 14% al 16%3 Buena relacin Wp m (~150 Wp/m, lo que ahorra espacio en caso necesario Nmero de fabricantes elevado.

Inconvenientes:

Coste ms elevado

Clulas de silicio policristalino[editar]

Una clula fotovoltaica basada en silicio multicristalino.

Durante el enfriamiento del silicio en un molde, se forman varios cristales. La fotoclula es de aspecto azulado, pero no es uniforme, se distinguen diferentes colores creados por los diferentes cristales.

Ventajas:

Clulas cuadradas (con bordes redondeados en el caso de Si monocristalino) que permite un mejor funcionamiento en un mdulo,

Eficiencia de conversin ptima, alrededor de 100 Wp/m, pero un poco menor que en el monocristalino

Lingote ms barato de producir que el monocristalino.

Inconveniente

Bajo rendimiento en condiciones de iluminacin baja.

Policristalino o multicristalino? Hablamos aqu de silicio multicristalino (rf. IEC TS 61836, vocabulario fotovoltaico internacional ). El trmino policristalino se utiliza para las capas depositadas sobre un sustrato (granos pequeos).

Clula tndem[editar]
Apilamiento monoltico de dos clulas individuales. Mediante la combinacin de dos clulas (capa delgada de silicio amorfo sobre silicio cristalino, por ejemplo) que absorben en el espectro al mismo tiempo se solapan, mejorando el rendimiento en comparacin con las clulas individuales separadas, sean amorfas, cristalinas o microcristalinas.

Ventajas

Alta sensibilidad en un amplio rango de longitudes de onda. Excelente rendimiento.

Desventaja

El costo es alto debido a la superposicin de dos clulas.

Clula multiunin[editar]
Artculo principal: Clula fotovoltaica multiunin

Estas clulas tienen una alta eficiencia y han sido desarrolladas para aplicaciones espaciales. Las clulas multiunin estn compuestas de varias capas delgadas usando la epitaxia por haz molecular. Un clulas de triple unin, por ejemplo, se compone de semiconductores GaAs, Ge y GaInP2. Cada tipo de semiconductores se caracteriza por un mximo de longitud de onda ms all del cual no es capaz de convertir los fotones en energa elctrica (ver banda prohibida). Por otro lado, por debajo de esta longitud de onda, el exceso de energa transportada por el fotn se pierde. De ah el valor de la seleccin de materiales con longitudes de onda tan cerca el uno al otro como sea posible, de forma que absorban la mayora del espectro solar, generando un mximo de electricidad a partir del

flujo solar. El uso de materiales compuestos de cajas cunticas permitir llegar al 65% en el futuro (con un mximo terico de 87%). Los dispositivos de clulas de uniones mltiples GaAs son ms eficaces. Spectrolab ha logrado el 40,7% de eficiencia (diciembre de 2006) y un consorcio (liderado por investigadores de la Universidad de Delaware) ha obtenido un rendimiento de 42,8%4 (septiembre de 2007). El coste de estas clulas es de aproximadamente USD 40 $/cm.

El semiconductor fbi[editar]
La tcnica consiste en depositar un material semiconductor que contiene cobre, galio, indio y selenio sobre un soporte. Una preocupacin, sin embargo: los recursos de materias primas. Estas nuevas tcnicas utilizan metales raros, como indio, cuya produccin mundial es de 25 toneladas por ao y el precio a fecha de abril del 2007 es de 1.000 dlares por kg; el teluro , cuya produccin mundial es de 250 toneladas al ao; el galio con una produccin de 55 toneladas al ao y el germanio con una produccin de 90 toneladas al ao. Aunque las cantidades de estas materias primas necesarias para la fabricacin de clulas solares son infinitesimales, un desarrollo masivo de paneles fotovoltaicos solares debera tener en cuenta esta disponibilidad limitada.

Uso[editar]
Las clulas fotovoltaicas se utilizan a veces solas (iluminacin de jardn, calculadoras, ...) o agrupadas en paneles solares fotovoltaicos. Se utilizan para reemplazar a las bateras (cuya energa es con mucho la ms cara para el usuario), las clulas han invadido las calculadoras, relojes, aparatos, etc. Es posible aumentar su rango de utilizacin almacenndola mediante un (condensador o pilas). Cuando se utiliza con un dispositivo para almacenar energa, es necesario colocar un diodo en serie para evitar la descarga del sistema durante la noche. Se utilizan para producir electricidad para muchas aplicaciones (satlites, parqumetros, etc.) y para la alimentacin de los hogares o en una red pblica en el caso de una central solar fotovoltaica.

Investigacin y desarrollo[editar]

Parque fotovoltaico de 19 MW en Alemania.

La tcnica no ha alcanzado an la madurez y estn siendo exploradas muchas vas de investigacin. Primero se debe reducir el costo de la electricidad producida, y tambin avanzar en la resistencia de los materiales, flexibilidad de uso, facilidad de integracin en los objetos, en la vida, etc.). Todas las etapas de los procesos de fabricacin se pueden mejorar, por ejemplo:

La empresa Evergreen Solar ha conseguido realizar el depsito de silicio todava lquido en una pelcula donde se cristaliza directamente con el espesor preciso de la lmina.

La empresa "Nanosolar" ha industrializado la produccin de clulas CGIS mediante una tcnica de impresin en continuo, esperando un costo de 1 $/W en el ao 2010.

Todas las compaas han anunciado sucesivos aumentos de la eficiencia de sus clulas. El tamao de las obleas est creciendo de manera constante, reduciendo el nmero de manipulaciones

Se trata de utilizar mejor todas las longitudes de onda del espectro solar (incluyendo el infrarrojo, lo que abre perspectivas interesantes: la conversin directa de la luz de una llama en electricidad, refrigeracin).

Concentradores ya utilizados en los satlites se estn probando en la tierra. A travs de espejos y lentes incrustados en el panel, focalizan la radiacin en la clula fotovoltaica. A finales de 2007, Sharp ha anunciado la disponibilidad de un sistema de enfoque hasta 1100 veces la radiacin solar (contra 700 veces para la marca previa de 2005); a principios de 2008, Sunrgi ha alcanzado 1600 veces. La concentracin permite disminuir la proporcin de los grupos de paneles dedicados a la produccin de electricidad, y por lo tanto su coste. Por otra parte, estos nuevos materiales soportan muy bien la elevada temperatura debida a la concentracin del flujo solar.5

Se est estudiando tambin la posibilidad de unir el silicio amorfo y el cristalino por heterounin en una clula solar ms simple de ms del 20% de eficiencia. Proyecto de 2

aos anunciado a principios de 2008, con la participacin del Laboratorio de Innovacin para Nuevas Tecnologas Energticas y Nanomaterials del CEA-Liten y la empresa coreana JUSUNG (proveedor de equipamiento para los fabricantes de semiconductores), con el INES (Savoy) donde la CEA-Liten ha concentrado sus actividades en la energa solar.

Otros semiconductores (selenio;asociacin cobre-indio-selenio (CIS) de pelcula fina) se estn estudiando por ejemplo en Francia por el instituto de investigacin y desarrollo en energa fotovoltaica (IRDEP6 ). El CIS parece ofrecer un modesto rendimiento del 12%, pero con bajo costo de fabricacin.

Los compuestos orgnicos de (materias plsticas) tambin pueden ser usadas para hacer clulas fotovoltaicas de polmeros, y podra llegar a hacerse paneles flexibles y ligeros, azulejos, tejidos o velas solares, es de esperar que de fabricacin a bajo coste. En la actualidad los rendimientos son bajos (5% como mximo), as como su vida, y an quedan muchos problemas tcnicos por resolver. A principios de 2008, el grupo japons Fujikura anunciaba7 haber puesto a prueba (1000 horas a 85 C y con una humedad del 85%) unas clulas fotovoltaicas orgnicas de tipo Grtzel no slo ms resistente, sino que su rendimiento mejor del 50 al 70% con una superficie rugosa que distribuye al azar la luz reflejada dentro de la clula donde se liberan de nuevo las cargas elctricas mediante la activacin de otros pigmentos fotosensibles.

Un equipo de EE.UU. de Boston College en Chestnut Hill (Massachusetts) ha desarrollado paneles solares capaces de recuperar el espectro infrarrojo y convertirlo en electricidad. Esto permitira la produccin de electricidad a partir de cualquier fuente de calor, incluso por la noche.8 Hasta ahora, slo una parte de la radiacin de la luz visible, predominantemente verde y azul, se transformaba en electricidad y la radiacin infrarroja se utilizaba en los paneles trmicos para calentar el agua.

Asimismo, se pretende fabricar clulas transparentes; modelos impulsados por el Instituto alemn Fraunhofer para la Mecnica de Materiales (IWM; proyecto "METCO"9 sugieren que las clulas transparentes bicapa podran algn da ser producidas industrialmente. los semiconductores de tipo p transparentes parecen ms difciles de producir (el fsforo podra ser un dopante-P del xido de zinc, pero el nitrgeno parece ser ms prometedor.10 )

Por ltimo, la escasez de silicio o de productos dopantes (el precio del indio se ha multiplicado por diez desde 2002 hasta 2009 tras su rarefaccin) aumenta an ms los incentivo para la innovacin de un mercado en fuerte crecimiento que parece enorme, sobre todo si se puede reducir el costo de la electricidad y acercarlo al de los combustibles fsiles.

Las tres generaciones de clulas fotoelctricas[editar]

Las clulas fotoelctricas se clasifican en tres generaciones que indican el orden de importancia y relevancia que han tenido histricamente. En el presente hay investigacin en las tres generaciones

mientras que las tecnologas de la primera generacin son las que ms estn representadas en la produccin comercial con el 89.6% de produccin en 2007.

Primera Generacin[editar]
Las clulas de la primera generacin tienen gran superficie, alta calidad y se pueden unir fcilmente. Las tecnologas de la primera generacin no permiten ya avances significativos en la reduccin de los costes de produccin. Los dispositivos formados por la unin de clulas de silicio se estn acercando al lmite de eficacia terica que es del 31%11 y tienen un periodo de amortizacin de 5-7 aos.12

La Segunda Generacin[editar]
Los materiales de la segunda generacin han sido desarrollados para satisfacer las necesidades de suministro de energa y el mantenimiento de los costes de produccin de las clulas solares. Las tcnicas de fabricacin alternativas, como la deposicin qumica de vapor, y la galvanoplastia tiene ms ventajas,13 ya que reducen la temperatura del proceso de forma significativa. Uno de los materiales con ms xito en la segunda generacin han sido las pelculas finas de teluro de cadmio (CdTe), CIGS, de silicio amorfo y de silicio microamorfo (estos ltimos consistentes en una capa de silicio amorfo y microcristalino)14 15 . Estos materiales se aplican en una pelcula fina en un sustrato de apoyo tal como el vidrio o la cermica, la reduccin de material y por lo tanto de los costos es significativa. Estas tecnologas prometen hacer mayores las eficiencias de conversin, en particular, el CIGS-CIS, el DSC y el CdTe que son los que ofrecen los costes de produccin significativamente ms baratos. Estas tecnologas pueden tener eficiencias de conversin ms altas combinadas con costos de produccin ms baratos. Entre los fabricantes, existe una tendencia hacia las tecnologas de la segunda generacin, pero la comercializacin de estas tecnologas ha sido difcil.16 En 2007, First Solar produjo 200 MW de clulas fotoelctricas de CdTe, el quinto fabricante ms grande de clulas en 2007.16 Wurth Solar comercializ su tecnologa de CIGS en 2007 produciendo 15 MW. Nanosolar comercializ su tecnologa de CIGS en 2007 y con una capacidad de produccin de 430 MW para 2008 en los EEUU y Alemania.17 Honda Soltec tambin comenz a comercializar su base de paneles solares CIGS en 2008. En 2007, la produccin de CdTe represent 4.7% del mercado, el silicio de pelcula fina el 5.2%, y el CIGS 0.5%.16

Tercera generacin[editar]
Se denominan clulas solares de tercera generacin a aquellas que permiten eficiencias de conversin elctrica tericas mucho mayores que las actuales y a un precio de produccin mucho menor. La investigacin actual se dirige a la eficiencia de conversin del 30-60%, manteniendo los materiales y tcnicas de fabricacin a un bajo costo.11 Se puede sobrepasar el lmite terico de eficiencia de conversin de energa solar para un solo material, que fue calculado en 1961 por

Shockley y Queisser en el 31%18 No utilizan turbinas ni generador si no la luz natural del sol. Existen diversos mtodos para lograr esta alta eficiencia incluido el uso de clula fotovoltaica con multiunin, la concentracin del espectro incidente, el uso de la generacin trmica por luz ultravioleta para aumentar la tensin, o el uso delespectro infrarrojo para la actividad nocturna

Hoja de ruta de la energa fotovoltaica[editar]

stos son algunos de los objetivos que la industria japonesa se ha propuesto:

Tema

Objetivo para el 2010 Objetivo para 2020 Objetivo para 2030

Coste de produccin

100 yen/watt

75 yen/watt

<50 yen/watt

Duracin de vida

+30 aos

Consumo de materia prima

1 g/watt

Costo del conversor

15 000 yen/kW

Costo de la batera

10 yen/Wh

Eficiencia de la clula cristalina

20 %

25 %

25 %

Eficiencia de la clula de capa delgada 15 %

18 %

20 %

Eficiencia de la clula CIS

19 %

25 %

25 %

Eficiencia de la clula III-V

40 %

45 %

50 %

Eficiencia de la clula "Dye Sensitized" 10 %

15 %

18 %

Fuente Nedo (Japn), 100 yen = 1 , mayo 2012

Eficiencia[editar]
Vase tambin: Ley de Naam

El rcord de eficiencia, sin concentracin solar, est actualmente establecido en el 45%19 . En concentrada, el Massachusetts Institute of Technology estn probando clulas solares que pueden superar la eficiencia del 80% y que estn compuestas de una capa de nanotubos de carbono con cristales fotnicos, para crear un absorbedor-emisor20 21

Deposicin al vaco es una familia de procesos utilizados para depositar capas tomo por tomo o molcula por molcula a presin sub-atmosfrica sobre una superficie slida. Las capas pueden ser tan delgado como un tomo a milmetros de espesor. Puede haber mltiples capas de diferentes materiales. Un espesor de menos de un micrmetro que generalmente se llama una pelcula delgada, mientras que un espesor mayor que un micrmetro se llama un recubrimiento. El ambiente de vaco puede servir a uno o ms fines, incluyendo:

la reduccin de la densidad de las partculas de modo que el recorrido libre medio para colisiones es largo la reduccin de la densidad de las partculas de los tomos y las molculas indeseables proporcionando un entorno de plasma a baja presin proporcionar un medio para controlar el gas y la composicin del vapor proporcionar un medio para el control de flujo de masa en la cmara de procesamiento.

Partculas de condensacin pueden provenir de una variedad de fuentes, entre ellas:

evaporacin trmica, evaporacin pulverizacin evaporacin por arco catdico la ablacin con lser descomposicin de un precursor de vapor qumico, deposicin de vapor qumico

Cuando la fuente de vapor es de un material lquido o slido el proceso se denomina deposicin fsica de vapor. Cuando la fuente es partir de un precursor qumico en fase vapor el proceso se denomina deposicin qumica de vapor de baja presin o, si en un plasma, el plasma CVD o "CVD asistida por plasma". A menudo, una combinacin de procesos CVD y PVD se utilizan en las mismas o conectado cmaras de procesamiento. En la deposicin reactiva depositar el material reacciona ya sea con un componente del ambiente gaseoso o con una especie de co-deposicin. A ayudas ambiente de plasma en la activacin de especies gaseosas y en la descomposicin de los precursores qumicos de vapor. El plasma tambin puede ser utilizado para proporcionar los iones para la vaporizacin por pulverizacin catdica o para el bombardeo del substrato por pulverizacin catdica para la limpieza y para el bombardeo de depositar el material para densificar la estructura y propiedades a medida.

Aplicaciones

Conduccin elctrica: pelculas metlicas, xidos conductores transparentes, superconductores pelculas y recubrimientos Dispositivos semiconductores: semiconductores pelculas, pelculas aislantes elctricamente Las clulas solares. Pelculas pticas: revestimientos anti-reflectantes, filtros pticos Revestimientos reflectantes: espejos, espejos calientes Recubrimiento tribolgico: recubrimientos duros, recubrimientos resistentes a la erosin, pelculas lubricantes La conservacin y generacin de energa: revestimientos de baja emisividad vidrio, revestimientos de absorcin solar, espejos, clulas solares fotovoltaicos de pelcula delgada, pelculas inteligentes Pelculas magnticas: grabacin magntica Barrera de difusin: barreras de permeacin de gas, barreras de permeacin de vapor, barreras de difusin en estado slido Proteccin contra la corrosin: Aplicaciones de automocin: reflectores de lmparas y aplicaciones de acabado