Российской Федерации
Кафедра электротехники
Часть 2
Методические указания
для самостоятельного изучения дисциплины
“Электротехника и электроника”
для студентов всех специальностей
Санкт-Петербург 1998
3
Министерство общего и профессионального образования Рос-
сийской Федерации
ЭКОНОМИЧЕСКАЯ ТЕОРИЯ.
МАКРОЭКОНОМИКА.
Санкт-Петербург 1997
УДК 621.3
4
Евстигнеев А. Н., Кузьмина Т. Г., Новотельнова А. В. Элементная
база современных электронных схем. Часть 2.: Метод. указания для само-
стоятельного изучения дисциплины “Электротехника и элект-роника” для
студентов всех спец. − СПб.: СПбГАХПТ, 1998. − 33 с.
Рецензенты
Доктор техн. наук, проф. Г. А. Жодзижский
Канд. техн. наук, доц. Ю. А. Рахманов
Санкт-Петербургская государственная
академия холода и пищевых технологий,
199
8
5
1. ТРАНЗИСТОРЫ
Транзисторы − полупроводниковые приборы, служащие для усиления
мощности.
По принципу действия транзисторы можно разделить на две группы:
биполярные и полевые.
1.1. Биполярные транзисторы
Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый
прибор, состоящий из трех областей с чередующимися типами электропро-
водности, разделенных электронно-дырочными переходами1.
Биполярные транзисторы подразделяют на два класса: типа p-n-
p и типа n- p- n.
Структуры и условные изображения транзисторов типа n- p- n и
p-n- p показаны на рис 1.
6
Область транзистора, основным назначением которой является экс-
тракция носителей из базы, называют коллектором (К), соответствующий
электронно-дырочный переход − коллекторным.
1
Название “биполярный” объясняется тем, что ток в транзисторе определяется движе-
нием носителей заряда двух типов (электронов и дырок).
Рис. 2
Рис. 3
dI К ∆I К
α= ≈ = const
dI Э ∆I Э U КБ U КБ
8
Из принципа действия транзистора видно, что IК < IЭ и коэффициент пере-
дачи тока всегда меньше единицы. Для современных биполярных транзи-
сторов α = 0,9 ÷ 0,995.
При IЭ ≠ 0 ток коллектора
IК = IКо + αIЭ ≈ IЭ.
Схему с общей базой применяют крайне редко ввиду низкого коэф-
фициента передачи тока.
Чаще встречается схема включения биполярного транзистора, в кото-
рой общим электродом для входной и выходной цепей является эмиттер
(рис. 4). Для такой схемы входной ток равен току базы
Рис. 4
9
Рис. 5
Входные характеристики мало зависят от UБЭ, поэтому обычно приво-
дят одну характеристику.
Зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и
эмиттером при постоянном токе базы называют семейством выходных (кол-
лекторных) характеристик (рис. 6).
Рис. 6
Рис. 7
12
Биполярные транзисторы нашли самое широкое применение в схе-
мах усилителей электрических сигналов, в ключевых и логических схемах.
1.2. Полевые транзисторы
Полевой транзистор − полупроводниковый прибор, в котором элек-
трическое поле управляет величиной тока канала. Поле возникает при при-
ложении напряжения между затвором и истоком.
В полевом транзисторе ток определяется движением носителей заря-
да одного знака (электроны или дырки), поэтому полевые транзисторы на-
зываются также униполярными.
Можно провести аналогию между полевыми и биполярными транзи-
сторами: эмиттер − сток, коллектор − исток, база − затвор.
Канал − центральная область транзистора, по которой проходит
управляемый ток. Сопротивление канала зависит от потенциала на одном
из выводов полевого транзистора, который называется затво-ром (З).
Электрод, из которого в канал поступают основные носители заряда,
называют истоком (И). Электрод, через который основные носители заряда
уходят из канала, называют стоком (С).
Полевые транзисторы изготавливают из кремния и в зависимости от
электропроводности исходного материала подразделяют на транзисторы с
каналами p- и n-типов. Кроме этого полевые транзисторы подразделяются
по типу затворов: с затвором в виде p-n-перехода и с изолированным затво-
ром.
Условные изображения полевых транзисторов различных типов при-
ведены в табл. 2.
Таблица 2
13
1.2.1. Полевой транзистор с затвором в виде p-n-перехода
В приборе этого типа проводимостью канала управляют, подавая
напряжение на закрытый p-n-переход. Структура и схема включения поле-
вого транзистора с каналом n-типа и затвором в виде p-n-перехода приве-
дена на рис. 8.
В транзисторе с каналом n-типа основными носителями заряда в ка-
нале являются электроны, которые движутся вдоль канала от истока с низ-
ким потенциалом к стоку с более высоким потенциалом, образуя ток стока
IС.
14
Рис. 8:
1, 2 − области канала и затвора соответственно; 3, 4, 5 − выводы истока, стока
и затвора соответственно
Рис. 9:
I − n-область; II− p-область; III − обедненный носителями заряда слой
Если одновременно подать напряжение UСИ > 0 и UЗИ < 0, то толщина за-
порного слоя, а следовательно, и сечение канала будут определяться дей-
ствием этих двух напряжений. При этом минимальное сечение канала будет
определяться их суммой
UСИ + UЗИ = Uзап
Когда суммарное напряжение достигнет напряжения запирания Uзап,
запорные слои сомкнуться (рис. 10) и сопротивление канала резко воз-
растет.
15
Рис. 10
Рис. 11
На начальном участке характеристика UСИ + /UЗИ/ < Uзап и ток стока IС
возрастает с повышением напряжения UСИ. При повышении напряжения
сток−исток до значения UСИ = Uзап − UЗИ происходит смыкание канала и рост
тока стока IС прекращается (участок насыщения).
Дальнейшее повышение напряжения приводит к пробою p-n-перехо-
да и выходу транзистора из строя.
По выходным характеристикам полевого транзистора может быть по-
строена его переходная характеристика IС = f (UЗИ) (рис. 12).
16
Входную характеристику полевого транзистора, зависимость тока
утечки затвора IЗ от напряжение затвор−исток, обычно не используют,
так как при UЗИ < 0 ток затвора очень мал (IЗ = 10-8...10-9А) и можно прене-
бречь.
1.2.2. Полевой транзистор с изолированным затвором
В этих приборах для дальнейшего уменьшения тока утечки затвора IЗ
между металлическим затвором и каналом находится слой диэлектрика,
обычно окись кремния, а p-n-переход отсутствует (рис.13)
Рис. 13
17
Основные параметры полевых транзисторов
Основными параметрами полевых транзисторов, используемых для
анализа транзисторных схем, является крутизна переходной характери-
стики
S = dIC/dUЗИ ≈ ∆IC/∆UЗИ при UCИ = const
и дифференциальное сопротивление стока (канала) на участке насыще-
ния.
В качестве предельно допустимых параметров нормируются: макси-
мально допустимые напряжения UСИmax и UЗИmax; максимально допустимая
мощность стока РCmax ; максимально допустимый ток стока ICmax (см. рис.
11).
Параметры полевых транзисторов приведены в табл. 3.
Таблица 3
2. ТИРИСТОРЫ
Тиристором называют полупроводниковый прибор с тремя (или бо-
лее) p-n-переходами, вольт-амперная характеристика которого имеет уча-
сток с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Чаще всего ти-
ристор используется в качестве управляемого ключа.
18
2.1. Двухэлектродные тиристоры (динисторы)
Двухэлектродный тиристор (динистор) − это тиристор, имеющий два
внешних вывода. Условное графическое изображение динистора приведено
на рис. 14, а.
Структура динистора состоит из четырех слоев кристалла полупро-
водника с чередующимся типом электропроводности (рис. 14, б). Внешнее
(прямое) напряжение подается на этот прибор минусом на крайнюю область
с электропроводностью n-типа (на катодный электрод) и плюсом на
крайнюю область с электропроводностью p-типа (анодный электрод). При
этом электронно-дырочные переходы П1 и П3 оказываются открытыми, а
переход П2 закрытым. Сопротивления открытых переходов незначительны,
поэтому почти все питающее напряжение приложено к закрытому переходу
П2, имеющему высокое сопротивление. Следовательно, ток тиристора мал
(тиристор закрыт).
Рис. 14:
а − условное графическое изображение динистора; б − структура динистора.
1, 2 − выводы анода и катода соответственно
19
характеристики аналогичен прямой ветви вольт-амперной характеристики
p-n-перехода (тиристор открыт).
Рис. 15
20
следовательно и приложенное к прибору напряжение делится между ними
приблизительно поровну.
2.2. Трехэлектродные тиристоры (тринисторы)
Трехэлектродный тиристор (тринистор) − это тиристор, имеющий
три внешних вывода. Это самый распространенный тип тиристоров. Услов-
ное графическое изображение и структура тринистора приведены на рис.
16.
ис. 16:
а − условное графическое изображение тиристора; б − структура тиристора.
1, 2, 3 − выводы анода, катода и управляющего электрода соответственно
21
Рис. 17
В триодном тиристоре напряжение Uвкл, при котором начинается ла-
винообразное нарастание тока Iпр, может быть уменьшено и сведено практи-
чески до нуля путем введения неосновных носителей заряда в любой из
слоев, прилегающих к переходу П2. Введение неосновных носителей осу-
ществляется через управляющий электрод посредством управляющего тока
Iу. Эти добавочные носители заряда увеличивают число актов ионизации
атомов в переходе, в связи с чем напряжение включения Uвкл уменьшается.
Перевод тринистора из закрытого состояния в открытое осуще-
ствляется обычно подачей импульса тока соответствующей полярности в
управляющий электрод. После прекращения действия управляющего им-
пульса тринистор остается в открытом состоянии.
Для перевода тиристора в закрытое состояние необходимо изменить
напряжение питания на обратное “+” к катоду и “−“ к аноду). Существуют
двухоперационные тиристоры, в которых восстановление высокого сопро-
тивления возможно и при подаче небольшого обратного напряжения на
управляющий электрод.
2.3. Симметричные тиристоры (симисторы)
Симметричный тиристор (симистор) − это тиристор, имеющий прак-
тически одинаковые вольт-амперные характеристики при различных поляр-
ностях приложенного напряжения.
Это достигается встречно-параллельным включением двух одина-
ковых четырехслойных структур или благодаря применению специальных
пятислойных структур с четырьмя p-n-переходами.
Условное графическое обозначение и структура симметричного три-
одного тиристора представлены на рис. 18.
22
Рис. 18:
а − условное графическое изображение симистора; б − структура симистора
Рис. 19
В настоящее время выпускаются тиристоры на токи до 2000 А и
напряжение включения Uвкл ≈ 4000 В.
Тиристоры, как управляемые переключатели, обладающие выпрями-
тельными свойствами, нашли широкое применение в управляемых выпря-
мителях, инверторах, коммутационной аппаратуре.
23
3. ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ
Фотоэлектронным прибором называется преобразователь лучистой
энергии в электрическую. Под лучистой энергией понимают энергию элек-
тромагнитного излучения широкого диапазона частот.
Работа фотоэлектронных приборов основана на фотоэлектрических
явлениях (фотоэффектах). Различаются два вида фотоэффекта: внутренний
и внешний.
Внутренний фотоэффект − возбуждение электронов вещества, пере-
ход их на более высокий энергетический уровень под действием излучения,
благодаря чему изменяется концентрация свободных носителей заряда, а
следовательно, и электрические свойства вещества.
Внутренний фотоэффект может происходить в виде изменения элек-
трической проводимости в полупроводниках или создания э.д.с.
Внешний фотоэффект − это фотоэлектронная эмиссия, т.е. выход
электронов за пределы вещества под действием излучений.
3.1. Фоторезисторы
Фоторезисторы называют полупроводниковый фотоэлектрический
прибор с внутренним фотоэффектом, в котором используется явление фото-
проводимости, т.е. изменение электрической проводимости полупроводника
под воздействием оптического излучения.
Условное обозначение прибора показано на рис. 20, а. Устройство
фоторезистора представлено на рис. 20, б.
Рис. 20:
а − условное графическое изображение фоторезистора; б − структура фоторезистора.
1 − пленка из полупроводникового материала; 2 − подложка из непроводящего материала
24
Если к неосвещенному фоторезистору подключить источник питания
Еа (рис. 21), то в электрической цепи потечет ток Iф называемый темновым
током, обусловленный наличием в неосвещенном полупроводнике некото-
рого количества свободных носителей заряда.
Рис. 21
Рис. 22
25
Рис. 24
3.2. Фотодиоды
Фотодиоды − полупроводниковые фотоэлектронные приборы с вну-
тренним фотоэффектом, имеющие один электронно-дырочный переход и
26
два вывода, − анод и катод. Условное изображение фотодиода приведено на
рис. 25.
Фотодиоды могут работать в одном из двух режимов:
− без внешнего источника питания (режим фотогенератора);
− с внешним источником питания (режим фотопреобразователя).
В режиме фотогенератора при падении светового потока на фото-
диод фотоны, проходя в толщину полупроводника, сообщают части валент-
ных электронов энергию, достаточную для перехода их в зону проводимо-
сти. В результате в диоде в обеих областях p и n увеличивается число пар
свободных носителей заряда (основных и неосновных), т.е. дырок и элек-
тронов. Под действием контактной разности потенциалов p-n-перехода не-
основные носители заряда n-области − дырки переходят в p-область, а не-
основные носители заряда p-области − электроны − в n-область. Таким об-
разом, в n-области появляется избыточное число электронов, а в p-области −
избыточное число дырок. Это приводит к созданию на зажимах фотодиода
разности потенциалов, называемой фото-э.д.с. Предельно возможная ве-
личина фото-э.д.с. составляет десятые доли вольта.
Если включить освещенный фотодиод в электрическую цепь (рис.
26), то в цепи потечет электрический ток, значение которого зависит от
фото-э.д.с. и сопротивления резистора Rн.
27
Вольт-амперная характеристика неосвещенного диода такая же, как у
обычного выпрямительного диода (рис. 27, кривая 1).
При освещении фотодиода существенно изменится обратная ветвь
вольт-амперной характеристики (кривая 2). Отрезок Об фотодиода (I = 0),
т.е. фото-э.д.с., а отрезок Оа − току короткого замыкания (U = 0). Участок аб
характеризует работу фотодиода в режиме фотогенератора. Вольт-амперные
характеристики фотодиода в этом режиме при разных значениях светового
потока (Ф1, Ф2, Ф3) изображены на рис. 28. При наличии резистора Rн во
внешней цепи фотодиода величины тока и напряжения могут быть опреде-
лены графически по точкам пересечения вольт-амперных характеристик
фотодиода и резистора.
Рис. 27:
1 − вольт-амперная характеристика неосвещенного фотодиода; 2 − вольт-ам-
перная характеристика освещенного фотодиода
Режим фотопреобразователя соответствует подаче напряжения на
фотодиод в запирающем направлении (участок аб, см. рис. 27).
Вольт-амперные характеристики фотодиода в режиме фотопреоб-
разователя при различных значениях светового потока представлены на рис.
29. Они аналогичны коллекторным характеристикам транзистора, включен-
ного по схеме с общей базой только параметром является не ток эмиттера, а
световой поток фотодиода. При наличии нагрузочного резистора Rн, вклю-
ченного последовательно с источником э.д.с. значения тока I и напряжения
U (рис. 30) можно определить, пост-роив линию нагрузки, соответствую-
щую сопротивлению резистора Rн.
28
Уравнение линии нагрузки может быть получено из второго закона
Кирхгофа для контура (см. рис. 30)
E = U + I Rн.
Линия нагрузки строится по двум точкам.
Точка А:
I = 0, E = U.
Точка В:
U = 0, I = E/Rн.
Чувствительность фотодиода, работающего в режиме фотогенерато-
ра, измеряют при коротком замыкании (Rн = 0)
S = Iф /Ф = Iиз/Ф.
Рис. 31:
а − устройство фототранзистора; б − условное обозначение;
в − схема включения фототранзистора
30
На рис. 32 приведены вольт-ам-перные характеристики фототранзи-
стора при различных световых потоках Ф, подающих на фототранзистор.
Фототранзисторы имеют такие же спектральные характеристики, как
выполненные из одинаковых материалов фоторезисторы и фотодиоды.
3.4. Фототиристоры
Условное изображение фототиристора приведено на рис. 33, а.
В фототиристоре управление напряжением включения производится
не подачей тока в управляющий электрод, как в обычных тиристорах, а пу-
тем освещения через специальное отверстие области р2 прибора (рис. 33, б).
Рис. 33:
а − условное графическое изображение фототиристора; б − схема включения
фототиристора
3.5. Светодиоды
Полупроводниковый светодиод − это излучающий полупроводни-
ковый прибор с одним или несколькими электронно-дырочными перехода-
ми, предназначенный для непосредственного преобразования электриче-
ской энергии в энергию светового излучения.
Условное изображение светодиода и схема включения светодиода
приведены на рис. 36, а, б. Резистор R служит для ограничения прямого
тока через светодиод.
Рис. 36:
а − условное графическое изображение светодиода; б − схема включения светодиода
32
Принцип действия светодиода основан на том, что при переходе воз-
бужденного электрона на более низкий энергетический уровень и рекомби-
нации носителей заряда (электронов и дырок), происходит выделение энер-
гии в виде квантов света. Если к полупроводниковому диоду приложено в
прямом направлении и в диоде устанавливается прямой ток, то это сопрово-
ждается в области p-n-перехода интенсивной рекомбинацией носителей за-
ряда, а следовательно, выделением лучистой энергии. Длина волны этого
излучения зависит от ширины запрещенной зоны, т.е. от материала, из кото-
рого изготовлен полупроводниковый диод. Светодиоды чаще всего изготав-
ливают из карбида кремния и фосфида галлия, излучающих кванты света в
диапазоне от красного до голубого цвета.
Яркость свечения светодиода зависит от величины прямого тока и
определяется структурой p-n-перехода.
3.6. Оптроны
Полупроводниковый оптрон − это прибор, состоящий из оптически
связанных между собой элементов − оптронной пары (управляемого полу-
проводникового излучателя света и полупроводникового приемника излуче-
ния) и предназначенный для выполнения различных функциональных
преобразований электрических или оптических сигналов.
Оптроны нашли широкое применение в электронике в качестве эле-
ментов, предназначенных для гальванической развязки сигнальных цепей
схемы. При этом сигнал с одной схемы на другую передается не электриче-
ским током, а светом.
В качестве одного элемента оптронной пары − излучателя света − мо-
жет быть использован светодиод, электролюминесцентный порошковый
или пленочный излучатель, а также полупроводниковый лазер. В качестве
второго элемента оптронной пары − приемника излучения − может быть ис-
пользован фоторезистор, фотодиод, фототранзистор или фототиристор. Наи-
большее распространение получили следующие комбинации оптронных
пар: светодиод − фоторезистор и светодиод − фототиристор.
Условное изображение оптрона с оптронной парой светодиод-фото-
резистор приведено на рис. 37.
33
В случае, если в оптроне в качестве приемника излучения применя-
ется не фоторезистор, а другой элемент, то соответственно он показывается
на условном изображении вместо фоторезистора.
4. ИНДИКАТОРНЫЕ ПРИБОРЫ
Цифровые индикаторные приборы предназначены для визуального
отображения цифровой и буквенной информации в измерительных прибо-
рах и вычислительных устройствах автоматики.
В настоящее время наибольшее распространение получили следую-
щие типы цифровых индикаторов:
1. Вакуумно-люминесцентные индикаторы и электронно-лучевые
приборы.
2. Газоразрядные элементы индикации.
3. Полупроводниковые светодиодные элементы индикации.
4. Жидкокристаллические индикаторы.
4.1. Вакуумно-люминесцентные индикаторы
Основными элементами вакуумно-люминесцентных индикаторов яв-
ляются последовательно расположенные один за другим катод, сетка и
несколько анодов. Накальный катод, выполненный в виде нити из тугоплав-
кого металла (вольфрам, молибден), служит источником эмиттируемых
электронов.
Аноды размещены в одной плоскости и выполняются в виде знако-
синтезирующих металлических сегментов, покрытых люминофором. Каж-
дый сегмент имеет определенный вывод, к которому прикладывается поло-
жительный потенциал относительно катода. Расположенная между катодом
и анодом металлическая сетка предназначена для управления током индика-
тора. При положительном потенциале на сетке относительно катода поле
сетки оказывает ускоряющее действие на электроны, эмиттируемые като-
дом. Проходя сквозь сетку, электроны попадают затем в поле тех анодов, к
которым подано напряжение. Столкновение электронов с поверхностью
анодов вызывает свечение люминофора (обычно зеленое). Сочетание светя-
щихся сегментов создает изображение соответствующего знака. Индикация
34
производится через поверхность стеклянного баллона со стороны катода.
При потенциале на сетке, близком к нулю, проходящий через сетку поток
электронов мал, в связи с чем свечение анодов отсутствует. Внешний вид,
расположение сегментов и конфигурация воспроизводимых цифр индикато-
ра ИВ-3 показаны на рис. 38.
Рис. 38:
а − внешний вид индикатора ИВ-3; б − расположение сегментов; в − конфигурация
воспроизводимых цифр
35
Рис. 39
.
4.3. Полупроводниковые элементы индикации
Полупроводниковые индикаторы строятся на основе светодиодов, ко-
торые выполнены в виде сегментов (рис. 40), как в вакуумно-люминесцент-
ных приборах.
Число используемых светодиодов здесь равно ко-
личеству сегментов знакосинтезирующего символа. С
целью преобразования свечений точечного источника,
каким является светодиод, в свечение сегмента, сверху
каждого светодиода наносят полоску из светорассеи-
вающего материала. Катоды светодиодов объединяют-
ся вместе, а аноды имеют каждый свой вывод. При
подключении напряжения между анодом и соответ-
ствующими катодами возникает свечение сегментов
знакосинтезирующего табло.
Рис. 40
4.4. Жидкокристаллические элементы индикации
Жидкокристаллическое состояние вещества является промежуточ-
ным между жидким и твердым состоянием. Вещество, находящееся в жид-
кокристаллическом состоянии, обладает свойствами и жидкости и кристал-
лического тела.
В жидких кристаллах (ЖК) наблюдается большое количество элек-
трооптических эффектов, влияющих на светопропускную способность. Они
могут вызываться либо проводимостью ЖК, либо электрическим полем (по-
левые эффекты).
Простейший ЖК-индикатор, основанный на эффекте динамического
рассеяния света (рис. 41), состоит из двух параллельных стеклянных пла-
стин 1 с нанесенными на внутренней поверхности прозрачными электрода-
ми 2 из окиси олова и слоя жидкокристаллического вещест- ва 3 между
ними.
При работе в режиме отражения света один из электродов выполня-
ется зеркально отражающим (алюминий-никель). Толщина слоя жидкого
36
кристалла составляет 1−25 мкм. Уплотнительные прокладки 4 изолируют
объем и определяют зазор между пластинками. Проводящие электроды свя-
заны с внешними выводами 5 прибора. Индикатор требует внешнего осве-
щения или подсветки.
В индикаторах с эффектом ди-
намического рассеяния света в ЖК
вносится добавка небольшого количе-
ства ионных соединений (электроли-
та). При отсутствии напряжения ори-
ентация молекул ЖК упорядочена. В
исходной ориентации молекул ЖК
прозрачен. С приложением напряже-
ния возникает движение ионов элек-
тролита в направлении электродов.
Создается динамическая неустойчи-
вость ориентации молекул ЖК. ЖК Рис. 41:
теряет прозрачность и цвет его стано- 1 − стеклянные пластины ЖК-индикатора;
вится молочно-белым. При снятии 2 − прозрачные электроды; 3 − слой
напряжения питания молекул ЖК воз- жидкокристаллического вещества;
4 − уплотнительные прокладки;
вращаются в исходное состояние ори-
5 − внешние выводы
ентации, прозрачность слоя восста-
навливается.
Потребляемый ток ЖК-индикатора лежит в пределах 5−25
мкА/см , а мощность 50−550 мкВт/см .
2 2
37
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
38
Содержание
1. ТРАНЗИСТОРЫ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.1. Биполярные транзисторы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.2. Полевые транзисторы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.2.1. Полевой транзистор с затвором в виде p-n-перехода 10
1.2.2. Полевой транзистор с изолированным затвором. . . 13
2. ТИРИСТОРЫ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.1. Двухэлектродные тиристоры (динисторы). . . . . . . . . . . . . . 15
2.2. Трехэлектродные тиристоры (тринисторы). . . . . . . . . . . . . 17
2.3. Симметричные тиристоры (симисторы). . . . . . . . . . . . . . . . 18
3. ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
3.1. Фоторезисторы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
3.2. Фотодиоды. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
3.3. Фототранзисторы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
3.4. Фототиристоры. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
3.5. Светодиоды. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.6. Оптроны. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
4. ИНДИКАТОРНЫЕ ПРИБОРЫ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
4.1. Вакуумно-люминесцентные индикаторы. . . . . . . . . . . . . . . 28
4.2. Газоразрядные элементы индикации. . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
4.3. Полупроводниковые элементы индикации. . . . . . . . . . . . . 30
4.4. Жидкокристаллические элементы индикации. . . . . . . . . . . 30
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
39
Евстигнеев Анатолий Николаевич
Кузьмина Татьяна Георгиевна
Новотельнова Анна Владимировна
ЧАСТЬ 2
Методические указания
для самостоятельного изучения дисциплины
“Электротехника и электроника”
для студентов всех специальностей
40