Министерство общего и профессионального образования

Российской Федерации

Санкт-Петербургская государственная академия

холода и пищевых технологий

Кафедра электротехники

ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СОВРЕМЕННЫХ

ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ

Часть 2

Методические указания
для самостоятельного изучения дисциплины
“Электротехника и электроника”
для студентов всех специальностей

Санкт-Петербург 1998

3
 Министерство общего и профессионального образования Рос-
сийской Федерации

Санкт-Петербургская государственная академия холо-

да и пищевых технологий

ЭКОНОМИЧЕСКАЯ ТЕОРИЯ.
МАКРОЭКОНОМИКА.

Темы, вопросы и задания

для студентов специализации 060808

Факультет экономики и менеджмента

Кафедра экономики и финансов

Санкт-Петербург 1997

УДК 621.3

4
 Евстигнеев А. Н., Кузьмина Т. Г., Новотельнова А. В. Элементная
база современных электронных схем. Часть 2.: Метод. указания для само-
стоятельного изучения дисциплины “Электротехника и элект-роника” для
студентов всех спец. − СПб.: СПбГАХПТ, 1998. − 33 с.

Рассмотрены физические процессы, основные параметры и характе-

ристики биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, фотоэлектрон-
ных приборов и цифровых индикаторов.

Рецензенты
Доктор техн. наук, проф. Г. А. Жодзижский
Канд. техн. наук, доц. Ю. А. Рахманов

Одобрены методическим советом факультета ТПП

 Санкт-Петербургская государственная
академия холода и пищевых технологий,
199
8

5
 1. ТРАНЗИСТОРЫ
Транзисторы − полупроводниковые приборы, служащие для усиления
мощности.
По принципу действия транзисторы можно разделить на две группы:
биполярные и полевые.
1.1. Биполярные транзисторы
Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый
прибор, состоящий из трех областей с чередующимися типами электропро-
водности, разделенных электронно-дырочными переходами1.
Биполярные транзисторы подразделяют на два класса: типа p-n-
p и типа n- p- n.
Структуры и условные изображения транзисторов типа n- p- n и
p-n- p показаны на рис 1.

Рис. 1. Структура (а) и условное обозначение (б) биполярного транзистора n− p− n-типа..

Структура (в) и условное обозначение (г) биполярного транзистора p-n- p-типа

Область транзистора, расположенную между электронно-дырочными

переходами, называют базой (Б).
Область транзистора, основным назначением которой является
инжекция носителей в базу, называют эмиттером (Э), соответствующий
электронно-дырочный переход − эмиттерным.

6
 Область транзистора, основным назначением которой является экс-
тракция носителей из базы, называют коллектором (К), соответствующий
электронно-дырочный переход − коллекторным.

1
Название “биполярный” объясняется тем, что ток в транзисторе определяется движе-
нием носителей заряда двух типов (электронов и дырок).

Каждый p-n-переход обладает диодными свойствами, но при соеди-

нении двух дискретных выпрямительных диодов усилительного прибора
получить невозможно. Особенность транзистора заключается в том, что оба
его электронно-дырочных перехода расположены очень близко друг к другу
и между ними имеется взаимодействие. Это взаимодействие называется
транзисторным эффектом.
В транзисторах на p-n-переход эмиттер−база напряжение подается в
прямом направлении, поэтому даже при небольших напряжениях через него
проходят значительные токи. На переход коллектор−база напряжение пода-
ется в обратном направлении. Оно обычно в несколько раз выше напряже-
ния перехода эмиттер−база.
Рассмотрим работу транзистора типа n-p-n (транзистора типа p-n-p
работает аналогично). Между коллектором и базой транзистора приложено
напряжении ЕК (рис. 2).

Рис. 2

В рассматриваемом случае база является общим электродом для

эмиттерной и коллекторной цепей. Такая схема включения транзистора на-
зывается схемой с общей базой, при этом эмиттерная цепь является вход-
ной, т.е. к ней подключается источник питания сигнала, в коллекторная −
выходной.
7
 Когда эмиттерный ток равен нулю, небольшой ток в транзисторе че-
рез коллекторный переход IКо обусловлен движением только неосновных
носителей заряда (дырок из коллектора в базу, электронов из базы в коллек-
тор).
При повышении температуры число неосновных носителей заряда
увеличивается и ток IКо возрастает. Обратный коллекторный ток обычно со-
ставляет 10−100 мкА у германиевых и 0,1−10 мкА у кремниевых транзисто-
ров.
При подключении эмиттера к отрицательному зажиму источника пи-
тания (рис. 3) возникает эмиттерный ток IЭ. Так как высокое напряжение
приложено к эмиттерному переходу в прямом направлении, электроны
преодолевают его и попадают в область базы. База выполнена из полупро-
водника р-типа, поэтому электроны являются для нее неосновными носите-
лями заряда. Электроны, попавшие в область базы, частично рекомбиниру-
ют с ее дырками. Однако базу обычно выполняют из полупроводникового
материала р-типа с большим удельным сопротивлением (малой концентра-
цией примеси), поэтому концентрация дырок в базе низкая, и лишь немно-
гие электроны, попавшие в область базы, рекомбинируют с ее дырками, об-
разуя базовый ток IБ.

Рис. 3

Большинство электронов вследствие теплового движения (диффузии)

и воздействия поля коллектора (дрейф) достигают коллектора, образуя в
коллекторной цепи ток IК.
Связь между приращениями эмиттерного и коллекторного токов ха-
рактеризуется коэффициентом передачи тока

dI К  ∆I К 
α= ≈  = const
dI Э  ∆I Э  U КБ U КБ

8
Из принципа действия транзистора видно, что IК < IЭ и коэффициент пере-
дачи тока всегда меньше единицы. Для современных биполярных транзи-
сторов α = 0,9 ÷ 0,995.
При IЭ ≠ 0 ток коллектора
IК = IКо + αIЭ ≈ IЭ.
Схему с общей базой применяют крайне редко ввиду низкого коэф-
фициента передачи тока.
Чаще встречается схема включения биполярного транзистора, в кото-
рой общим электродом для входной и выходной цепей является эмиттер
(рис. 4). Для такой схемы входной ток равен току базы

Рис. 4

IБ = IЭ − IК = (1 −α) IЭ − IКо << IЭ ≈ IК.

Коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером:

β = dIК/dIБ ≈ ∆IК/∆IБ.

Малое значение входного (управляющего) тока IБ и обусловило ши-

рокое применение схемы с общим эмиттером.

Вольт-амперные характеристики транзисторов

(при включении по схеме с общим эмиттером)
Зависимость между током и напряжением во входной цепи транзи-
стора при постоянном напряжении между коллектором и эмиттером UБЭ на-
зывают входной или базовой характеристикой транзистора (рис. 5).

9
 Рис. 5
Входные характеристики мало зависят от UБЭ, поэтому обычно приво-
дят одну характеристику.
Зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и
эмиттером при постоянном токе базы называют семейством выходных (кол-
лекторных) характеристик (рис. 6).

Рис. 6

h-параметры биполярных транзисторов

Для анализа и расчета цепей с биполярными транзисторами исполь-
зуют так называемые h-параметры транзистора, включенного по схеме с об-
щим эмиттером.
h11Э = ∆UБЭ/∆IБ при UКЭ = const (∆UКЭ = 0);
10
 h12Э = ∆UБЭ/∆ UКЭ при IБ = const (∆IБ = 0);
h21Э = ∆ IК/∆IБ при UКЭ = const (∆UКЭ = 0);
h22Э = ∆ IК/∆ UКЭ при IБ = const (∆IБ = 0).
Параметр h11Э имеет размерность сопротивления и представля- ет со-
бой входное сопротивление биполярного транзистора. Параметр h12Э − без-
размерный коэффициент обратной связи по напряжению. Значение его ле-
жит в пределах 0,002...0,0002. Параметр h21Э − безразмерный коэффициент
передачи тока, характеризует усилительные свойства транзистора. Пара-
метр h22Э имеет размерность проводимости и характеризует выходную про-
водимость транзистора при постоянном токе базы.
Характеристики транзисторов сильно зависят от температуры. С по-
вышением температуры возникает обратный ток IКо, повышается коэффици-
ент h21Э вследствие увеличения подвижности носителей.
h -параметры, особенно коэффициент передачи тока h21Э, зависят от
частоты переменного напряжения, так как на высоких частотах начинает
сказываться время, за которое носители заряда проходят расстояние от
эмиттера до коллектора.
Предельно допустимые эксплуатационные параметры
биполярного транзистора
К предельно допустимым относят параметры, которые не должны
превышаться во всех возможных режимах работы транзистора.
Максимальная и минимальная температуры р-n-перехода, выше и
ниже которых транзистор теряет свои усилительные свойства. Максималь-
ное значение температуры перехода для германиевого транзистора Tmax =
90...100°С, для кремниевого Tmax = 150...200°С. Минимальная температура
Tmin = −60...−70°С.
Допустимая мощность рассеяния на коллекторе PКmax. Для предот-
вращения нагрева коллекторного перехода необходимо, чтобы мощность,
выделенная в нем при прохождении коллекторного тока, не превышала
PКmax. По величине PКmax транзисторы можно условно разделить на следую-
щие группы:
− малой мощности (PКmax ≤ 0,3 Вт);
− средней мощности (0,3 < PКmax ≤ 1,5 Вт);
− большой мощности (PКmax > 1,5 Вт).
Максимально допустимый ток коллектора IКmax. Значение этого па-
раметра ограничивается разогревом транзистора до предельно допустимой
температуры Tmax и допустимым снижением коэффициента усиления β.
Максимально допустимое напряжение UКЭmax в схеме с общим эмит-
тером или максимально допустимое напряжение коллектор − база U КБmax в
11
схеме с общей базой. Превышение данных напряжений может вызвать элек-
трический пробой закрытого перехода транзистора при его работе.
Рассмотренные выше предельные параметры обусловливают область
безопасной работы транзисторов в семействе его выходных характеристик
(рис. 7).
Граничная частота fгр − максимальная частота электрического сиг-
нала. Если частота усиливаемого сигнала превышает fгр, происходит резкое
снижение коэффициента усиления. При fгр коэффициент передачи тока h21Э
становится равным единице.
По величине fгр транзисторы можно условно разделить на:
− низкочастотные транзисторы fгр ≤ 3 МГц;
− среднечастотные транзисторы 3 МГц < fгр ≤ 30 МГц;
− высокочастотные транзисторы fгр > 300 МГц.

Рис. 7

Важной характеристикой транзистора, оценивающей качество его ра-

боты на высоких частотах сигнала, является емкость коллекторного перехо-
да СК.
Диапазоны значений параметров отечественных биполярных транзи-
сторов приведены в табл. 1.
Таблица 1

UКЭmax PКmax IКmax, fгр, С К, h11Э, h21Э, h22Э,

В Вт А МГц пФ Ом Ом

10−1000 0,1−60 0,01−12 0,05−300 1−1000 10−1000 20−200 10-3−10-7

12
 Биполярные транзисторы нашли самое широкое применение в схе-
мах усилителей электрических сигналов, в ключевых и логических схемах.
1.2. Полевые транзисторы
Полевой транзистор − полупроводниковый прибор, в котором элек-
трическое поле управляет величиной тока канала. Поле возникает при при-
ложении напряжения между затвором и истоком.
В полевом транзисторе ток определяется движением носителей заря-
да одного знака (электроны или дырки), поэтому полевые транзисторы на-
зываются также униполярными.
Можно провести аналогию между полевыми и биполярными транзи-
сторами: эмиттер − сток, коллектор − исток, база − затвор.
Канал − центральная область транзистора, по которой проходит
управляемый ток. Сопротивление канала зависит от потенциала на одном
из выводов полевого транзистора, который называется затво-ром (З).
Электрод, из которого в канал поступают основные носители заряда,
называют истоком (И). Электрод, через который основные носители заряда
уходят из канала, называют стоком (С).
Полевые транзисторы изготавливают из кремния и в зависимости от
электропроводности исходного материала подразделяют на транзисторы с
каналами p- и n-типов. Кроме этого полевые транзисторы подразделяются
по типу затворов: с затвором в виде p-n-перехода и с изолированным затво-
ром.
Условные изображения полевых транзисторов различных типов при-
ведены в табл. 2.

Таблица 2

13
 1.2.1. Полевой транзистор с затвором в виде p-n-перехода
В приборе этого типа проводимостью канала управляют, подавая
напряжение на закрытый p-n-переход. Структура и схема включения поле-
вого транзистора с каналом n-типа и затвором в виде p-n-перехода приве-
дена на рис. 8.
В транзисторе с каналом n-типа основными носителями заряда в ка-
нале являются электроны, которые движутся вдоль канала от истока с низ-
ким потенциалом к стоку с более высоким потенциалом, образуя ток стока
IС.

14
 Рис. 8:
1, 2 − области канала и затвора соответственно; 3, 4, 5 − выводы истока, стока
и затвора соответственно

Рассмотрим более подробно работу полевого транзистора с затвором

в виде p-n-перехода. При подаче запирающего напряжения на p-n-переход
между затвором и каналом на границах канала возникают запорные слои,
обедненные носителями зарядов и обладающие высоким удельным сопро-
тивлением, что приводит к уменьшению проводящего сечения канала.
Напряжение, приложенное между стоком и истоком, вызывает появ-
ление неравномерного запорного слоя, так как разность потенциалов между
затвором и каналом увеличивается в направлении от истока к стоку и наи-
меньшее сечение канала расположено вблизи стока (рис. 9).

Рис. 9:
I − n-область; II− p-область; III − обедненный носителями заряда слой
Если одновременно подать напряжение UСИ > 0 и UЗИ < 0, то толщина за-
порного слоя, а следовательно, и сечение канала будут определяться дей-
ствием этих двух напряжений. При этом минимальное сечение канала будет
определяться их суммой
UСИ + UЗИ = Uзап
Когда суммарное напряжение достигнет напряжения запирания Uзап,
запорные слои сомкнуться (рис. 10) и сопротивление канала резко воз-
растет.

15
 Рис. 10

Вольт-амперная характеристика полевых транзисторов

с затвором в виде p-n-перехода
Зависимость тока стока IC от напряжения UCИ при постоянном напря-
жении на затворе UЗИ определяет выходные, или стоковые характеристики
полевого транзистора (рис. 11).

Рис. 11
На начальном участке характеристика UСИ + /UЗИ/ < Uзап и ток стока IС
возрастает с повышением напряжения UСИ. При повышении напряжения
сток−исток до значения UСИ = Uзап − UЗИ происходит смыкание канала и рост
тока стока IС прекращается (участок насыщения).
Дальнейшее повышение напряжения приводит к пробою p-n-перехо-
да и выходу транзистора из строя.
По выходным характеристикам полевого транзистора может быть по-
строена его переходная характеристика IС = f (UЗИ) (рис. 12).

16
 Входную характеристику полевого транзистора, зависимость тока
утечки затвора IЗ от напряжение затвор−исток, обычно не используют,
так как при UЗИ < 0 ток затвора очень мал (IЗ = 10-8...10-9А) и можно прене-
бречь.
1.2.2. Полевой транзистор с изолированным затвором
В этих приборах для дальнейшего уменьшения тока утечки затвора IЗ
между металлическим затвором и каналом находится слой диэлектрика,
обычно окись кремния, а p-n-переход отсутствует (рис.13)

Рис. 13

Такие полевые транзисторы часто называют МОП-транзис-торами

(структура−окисел−полупроводник) или МДП-транзисторами (структура
металл−диэлектрик−полупроводник).
Управление током канала осуществляется в этом приборе электриче-
ским полем при подаче потенциала на затвор. Толщина и поперечное сече-
ние канала будут меняться с изменением напряжения на затворе, соответ-
ственно будет меняться и ток стока.

17
 Основные параметры полевых транзисторов
Основными параметрами полевых транзисторов, используемых для
анализа транзисторных схем, является крутизна переходной характери-
стики
S = dIC/dUЗИ ≈ ∆IC/∆UЗИ при UCИ = const
и дифференциальное сопротивление стока (канала) на участке насыще-
ния.
В качестве предельно допустимых параметров нормируются: макси-
мально допустимые напряжения UСИmax и UЗИmax; максимально допустимая
мощность стока РCmax ; максимально допустимый ток стока ICmax (см. рис.
11).
Параметры полевых транзисторов приведены в табл. 3.
Таблица 3

Тип S, RC, UCИmax, РCmax, IСmax, IЗ,

мА/В МОм В Вт мА А

С затвором 1−20 0,1−0,5 5−100 0,1−10 10−100 10-8−10-9

в виде
p-перехода
С изолиро- 0,5−50 0,1−0,5 5−1000 0,01−50 0,1−5000 10-10−10-15
ванным
затвором

Межэлектродные емкости полевых транзисторов лежат в пределах

1...20 пФ.
Полевые транзисторы с коротким каналом могут работать на часто-
тах до 100 МГц.
Полевые транзисторы применяют в усилительных каскадах с высо-
ким входным сопротивлением, так как IЗ очень мал, для усиления очень
слабых сигналов, кроме этого они нашли широкое применение в ключевых
и логических схемах.

2. ТИРИСТОРЫ
Тиристором называют полупроводниковый прибор с тремя (или бо-
лее) p-n-переходами, вольт-амперная характеристика которого имеет уча-
сток с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Чаще всего ти-
ристор используется в качестве управляемого ключа.

18
 2.1. Двухэлектродные тиристоры (динисторы)
Двухэлектродный тиристор (динистор) − это тиристор, имеющий два
внешних вывода. Условное графическое изображение динистора приведено
на рис. 14, а.
Структура динистора состоит из четырех слоев кристалла полупро-
водника с чередующимся типом электропроводности (рис. 14, б). Внешнее
(прямое) напряжение подается на этот прибор минусом на крайнюю область
с электропроводностью n-типа (на катодный электрод) и плюсом на
крайнюю область с электропроводностью p-типа (анодный электрод). При
этом электронно-дырочные переходы П1 и П3 оказываются открытыми, а
переход П2 закрытым. Сопротивления открытых переходов незначительны,
поэтому почти все питающее напряжение приложено к закрытому переходу
П2, имеющему высокое сопротивление. Следовательно, ток тиристора мал
(тиристор закрыт).

Рис. 14:
а − условное графическое изображение динистора; б − структура динистора.
1, 2 − выводы анода и катода соответственно

При повышении напряжения ток тиристора увеличивается незначи-

тельно, пока напряжение Uпр не приблизится к значению, равному Uвкл (рис.
15).
После этого происходит лавинообразное увеличение количества но-
сителей заряда за счет лавинного умножения носителей заряда в p-n-перехо-
де П2. При этом ток в переходе П2 быстро нарастает, так как электроны из
слоя n2 и дырки из слоя p1 устремляются в слои р2 и n1 и насыщают их не-
основными носителями заряда. Напряжение на резисторе R возрастает, а
напряжение на тиристоре падает. После пробоя напряжение на тиристоре
снижается до значения 0,5−1В. При дальнейшем увеличении э.д.с. источни-
ка Е ток в тиристоре нарастает в соответствии с вертикальным участком
вольт-амперной характеристики (см. рис. 15). Этот участок вольт-амперной

19
характеристики аналогичен прямой ветви вольт-амперной характеристики
p-n-перехода (тиристор открыт).

Рис. 15

Таким образом, тиристор может находиться в двух состояниях: вы-

ключенном (или закрытом), которое характеризуется большим падением
напряжения на тиристоре и прохождением малых токов через него, т.е.
большим сопротивлением, и включенном (или открытом), которое харак-
теризуется малым падением напряжения на тиристоре и прохождением
больших токов через него, т.е. малым сопротивлением.
Пробой перехода П2 не вызывает его разрушения. При уменьшении
тока до величины тока удержания Iуд высокое сопротивление перехода
восстанавливается. Время восстановления сопротивления перехода П 2 по-
сле снятия питающего напряжения обычно составляет 10−30 мкс. Пере-
вод динистора в закрытое состояние обычно достигается приложением к
прибору обратного напряжения. В этом случае переходы П1 и П3 окажутся
смещенными в обратном направлении (т.е. закроются) и ток через прибор
резко уменьшится. При увеличении обратного напряжения более некоторо-
го максимального значения Uобр max наступает пробой переходов П1 и П2.
Ток через динистор резко возрастает. Однако напряжение Uобр max почти в два
раза больше, чем напряжение включения Uвкл. Это происходит потому, что
при обратном подключении два закрытых перехода П 1 и П2 включены по-

20
следовательно и приложенное к прибору напряжение делится между ними
приблизительно поровну.
2.2. Трехэлектродные тиристоры (тринисторы)
Трехэлектродный тиристор (тринистор) − это тиристор, имеющий
три внешних вывода. Это самый распространенный тип тиристоров. Услов-
ное графическое изображение и структура тринистора приведены на рис.
16.

ис. 16:
а − условное графическое изображение тиристора; б − структура тиристора.
1, 2, 3 − выводы анода, катода и управляющего электрода соответственно

Прямая ветвь вольт-амперной характеристики однооперационного

тиристора приведена на рис. 17. Обратная ветвь характеристики такая же,
как и динистора.

21
 Рис. 17
В триодном тиристоре напряжение Uвкл, при котором начинается ла-
винообразное нарастание тока Iпр, может быть уменьшено и сведено практи-
чески до нуля путем введения неосновных носителей заряда в любой из
слоев, прилегающих к переходу П2. Введение неосновных носителей осу-
ществляется через управляющий электрод посредством управляющего тока
Iу. Эти добавочные носители заряда увеличивают число актов ионизации
атомов в переходе, в связи с чем напряжение включения Uвкл уменьшается.
Перевод тринистора из закрытого состояния в открытое осуще-
ствляется обычно подачей импульса тока соответствующей полярности в
управляющий электрод. После прекращения действия управляющего им-
пульса тринистор остается в открытом состоянии.
Для перевода тиристора в закрытое состояние необходимо изменить
напряжение питания на обратное “+” к катоду и “−“ к аноду). Существуют
двухоперационные тиристоры, в которых восстановление высокого сопро-
тивления возможно и при подаче небольшого обратного напряжения на
управляющий электрод.
2.3. Симметричные тиристоры (симисторы)
Симметричный тиристор (симистор) − это тиристор, имеющий прак-
тически одинаковые вольт-амперные характеристики при различных поляр-
ностях приложенного напряжения.
Это достигается встречно-параллельным включением двух одина-
ковых четырехслойных структур или благодаря применению специальных
пятислойных структур с четырьмя p-n-переходами.
Условное графическое обозначение и структура симметричного три-
одного тиристора представлены на рис. 18.

22
 Рис. 18:
а − условное графическое изображение симистора; б − структура симистора

Вольт-амперная характеристика симистора приведена на рис. 19.

Рис. 19
В настоящее время выпускаются тиристоры на токи до 2000 А и
напряжение включения Uвкл ≈ 4000 В.
Тиристоры, как управляемые переключатели, обладающие выпрями-
тельными свойствами, нашли широкое применение в управляемых выпря-
мителях, инверторах, коммутационной аппаратуре.

23
 3. ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ
Фотоэлектронным прибором называется преобразователь лучистой
энергии в электрическую. Под лучистой энергией понимают энергию элек-
тромагнитного излучения широкого диапазона частот.
Работа фотоэлектронных приборов основана на фотоэлектрических
явлениях (фотоэффектах). Различаются два вида фотоэффекта: внутренний
и внешний.
Внутренний фотоэффект − возбуждение электронов вещества, пере-
ход их на более высокий энергетический уровень под действием излучения,
благодаря чему изменяется концентрация свободных носителей заряда, а
следовательно, и электрические свойства вещества.
Внутренний фотоэффект может происходить в виде изменения элек-
трической проводимости в полупроводниках или создания э.д.с.
Внешний фотоэффект − это фотоэлектронная эмиссия, т.е. выход
электронов за пределы вещества под действием излучений.
3.1. Фоторезисторы
Фоторезисторы называют полупроводниковый фотоэлектрический
прибор с внутренним фотоэффектом, в котором используется явление фото-
проводимости, т.е. изменение электрической проводимости полупроводника
под воздействием оптического излучения.
Условное обозначение прибора показано на рис. 20, а. Устройство
фоторезистора представлено на рис. 20, б.

Рис. 20:
а − условное графическое изображение фоторезистора; б − структура фоторезистора.
1 − пленка из полупроводникового материала; 2 − подложка из непроводящего материала

Пластинка или пленка полупроводникового материала 1 закреплена

на подложке 2 из непроводящего материала−стекла керамики или кварца.
Световой поток падает на фотоактивный материал через специальное отвер-
стие (окно) в корпусе.

24
 Если к неосвещенному фоторезистору подключить источник питания
Еа (рис. 21), то в электрической цепи потечет ток Iф называемый темновым
током, обусловленный наличием в неосвещенном полупроводнике некото-
рого количества свободных носителей заряда.

Рис. 21

При освещении фоторезистора ток в цепи сильно возрастает за счет

увеличения концентрации свободных носителей заряда. Разность токов при
наличии и отсутствии освещения называется световым током, или фотото-
ком.
К основным характеристикам фоторезистора следует отнести энерге-
тическую характеристику − зависимость фототока Iф от потока излучения Ф,
который измеряется в люменах (рис. 22), вольт-амперную характеристику −
зависимость фототока Iф от приложенного напряжения U, при постоянном
значении освещенности (рис. 23).

Рис. 22

25
Рис. 24

На величину фототока Iф оказывает влияние также спектральный со-

став светового потока. Зависимость относительной величины фототока от
длины волны излучения при постоянном световом потоке называется спек-
тральной характеристикой. Ее вид определяется свойствами полупроводни-
кового материала, из которого изготовили фоторезистор. Максимум в спек-
тральной характеристике может быть получен при различных значениях
длин волн. На рис. 24 приведена спектральная характеристика фоторезисто-
ра, изготовленного из сульфида кадмия.
Основные параметры фоторезисторов
Чувствительность
Iф
SL = .
Ф
Чувствительность фоторезисторов достигает 20 А/лм.
Темновое сопротивление Rт, т.е. сопротивление неосвещенного
фоторезистора.
Для различных типов фотосопротивления значение Rт лежит в преде-
лах 10 ...1010 Ом.
2

Пороговый поток Фп − минимальный поток излучения, вызываю-

щий изменение тока.
Наименьшим пороговым потоком обладают селено-кадмиевые фото-
резисторы (10-11 лм).

3.2. Фотодиоды
Фотодиоды − полупроводниковые фотоэлектронные приборы с вну-
тренним фотоэффектом, имеющие один электронно-дырочный переход и
26
два вывода, − анод и катод. Условное изображение фотодиода приведено на
рис. 25.
Фотодиоды могут работать в одном из двух режимов:
− без внешнего источника питания (режим фотогенератора);
− с внешним источником питания (режим фотопреобразователя).
В режиме фотогенератора при падении светового потока на фото-
диод фотоны, проходя в толщину полупроводника, сообщают части валент-
ных электронов энергию, достаточную для перехода их в зону проводимо-
сти. В результате в диоде в обеих областях p и n увеличивается число пар
свободных носителей заряда (основных и неосновных), т.е. дырок и элек-
тронов. Под действием контактной разности потенциалов p-n-перехода не-
основные носители заряда n-области − дырки переходят в p-область, а не-
основные носители заряда p-области − электроны − в n-область. Таким об-
разом, в n-области появляется избыточное число электронов, а в p-области −
избыточное число дырок. Это приводит к созданию на зажимах фотодиода
разности потенциалов, называемой фото-э.д.с. Предельно возможная ве-
личина фото-э.д.с. составляет десятые доли вольта.
Если включить освещенный фотодиод в электрическую цепь (рис.
26), то в цепи потечет электрический ток, значение которого зависит от
фото-э.д.с. и сопротивления резистора Rн.

Напряжение холостого хода, т.е. фото-э.д.с., связано со световым по-

током логарифмической зависимостью. При больших световых потоках на-
ступает насыщение и рост фото-э.д.с. прекращается. Фотодиоды в режиме
фотогенератора применяют в качестве источников питания, преобразующих
энергию солнечного излучения в электрическую. Они называются солнеч-
ными элементами и входят в состав солнечных батарей.

27
 Вольт-амперная характеристика неосвещенного диода такая же, как у
обычного выпрямительного диода (рис. 27, кривая 1).
При освещении фотодиода существенно изменится обратная ветвь
вольт-амперной характеристики (кривая 2). Отрезок Об фотодиода (I = 0),
т.е. фото-э.д.с., а отрезок Оа − току короткого замыкания (U = 0). Участок аб
характеризует работу фотодиода в режиме фотогенератора. Вольт-амперные
характеристики фотодиода в этом режиме при разных значениях светового
потока (Ф1, Ф2, Ф3) изображены на рис. 28. При наличии резистора Rн во
внешней цепи фотодиода величины тока и напряжения могут быть опреде-
лены графически по точкам пересечения вольт-амперных характеристик
фотодиода и резистора.

Рис. 27:
1 − вольт-амперная характеристика неосвещенного фотодиода; 2 − вольт-ам-
перная характеристика освещенного фотодиода
Режим фотопреобразователя соответствует подаче напряжения на
фотодиод в запирающем направлении (участок аб, см. рис. 27).
Вольт-амперные характеристики фотодиода в режиме фотопреоб-
разователя при различных значениях светового потока представлены на рис.
29. Они аналогичны коллекторным характеристикам транзистора, включен-
ного по схеме с общей базой только параметром является не ток эмиттера, а
световой поток фотодиода. При наличии нагрузочного резистора Rн, вклю-
ченного последовательно с источником э.д.с. значения тока I и напряжения
U (рис. 30) можно определить, пост-роив линию нагрузки, соответствую-
щую сопротивлению резистора Rн.

28
 Уравнение линии нагрузки может быть получено из второго закона
Кирхгофа для контура (см. рис. 30)
E = U + I Rн.
Линия нагрузки строится по двум точкам.
Точка А:
I = 0, E = U.
Точка В:
U = 0, I = E/Rн.
Чувствительность фотодиода, работающего в режиме фотогенерато-
ра, измеряют при коротком замыкании (Rн = 0)
S = Iф /Ф = Iиз/Ф.

В режиме фотопреобразователя ток практически равен току коротко-

го замыкания, поэтому чувствительность фотодиода по току в обоих режи-
мах принято считать одинаковой. Чувствительность фотодиодов составляет:
селеновых − 0,1−0,75 мА/лм, кремниевых − 3 мА/лм, германиевых − до
20 мА/лм.
Темновой ток фотодиодов так же, как и у фоторезисторов, ограничи-
вает минимальную величину измеренного светового потока. У германие-
вых этот ток равен 10−30 мкА, кремниевых − 1−3 мА.
Спектральные характеристики у фотодиодов имеют такой же вид, как
и у фоторезисторов.
3.3. Фототранзисторы
Фототранзистор − полупроводниковый фотоэлектрический прибор с
двумя p-n-переходами. Чаще всего фототранзистор изготавливается как
обычный транзистор из германия или кремния, но лишь с двумя выводами
29
− коллекторным и эмиттерным. Устройство, услов- ное обозначение и схе-
ма включения фототранзистора приведены на рис. 31, а, б, в.

Рис. 31:
а − устройство фототранзистора; б − условное обозначение;
в − схема включения фототранзистора

Под действием фотонов в базе образуются новые пары носителей за-

ряда − электроны и дырки. В фототранзисторе типа p-n-p неосновные носи-
тели заряда в базе (дырки) движутся через коллекторный переход, поле ко-
торого является для них ускоряющим, создавая на коллекторе фототок Iф.
Электроны, остающиеся в базе, воздействуют на эмиттерный переход,
уменьшая высоту потенциального барьера, что способствует переходу ды-
рок из эмиттера в базу. Эти дырки движутся через базу на коллектор, вызы-
вая усиление фототока. Чувствительность фототранзистора значительно
выше чувствительности фотодиода и составляет 0,5−1,0 мА/лм.

30
 На рис. 32 приведены вольт-ам-перные характеристики фототранзи-
стора при различных световых потоках Ф, подающих на фототранзистор.
Фототранзисторы имеют такие же спектральные характеристики, как
выполненные из одинаковых материалов фоторезисторы и фотодиоды.

3.4. Фототиристоры
Условное изображение фототиристора приведено на рис. 33, а.
В фототиристоре управление напряжением включения производится
не подачей тока в управляющий электрод, как в обычных тиристорах, а пу-
тем освещения через специальное отверстие области р2 прибора (рис. 33, б).

Рис. 33:
а − условное графическое изображение фототиристора; б − схема включения
фототиристора

Фотоны света генерируют пары носителей заряда, тем самым снижа-

ется напряжение пробоя электронно-дырочного перехода П2, включенного в
обратном направлении.
31
 Вольт-амперные характеристики фототиристора при различных све-
товых потоках Ф имеют вид, изображенный на рис. 34.
Характеристикой управления фототиристора называется зависимость
напряжения включения Uвкл светового потока Ф (рис. 35).

3.5. Светодиоды
Полупроводниковый светодиод − это излучающий полупроводни-
ковый прибор с одним или несколькими электронно-дырочными перехода-
ми, предназначенный для непосредственного преобразования электриче-
ской энергии в энергию светового излучения.
Условное изображение светодиода и схема включения светодиода
приведены на рис. 36, а, б. Резистор R служит для ограничения прямого
тока через светодиод.

Рис. 36:
а − условное графическое изображение светодиода; б − схема включения светодиода

32
 Принцип действия светодиода основан на том, что при переходе воз-
бужденного электрона на более низкий энергетический уровень и рекомби-
нации носителей заряда (электронов и дырок), происходит выделение энер-
гии в виде квантов света. Если к полупроводниковому диоду приложено в
прямом направлении и в диоде устанавливается прямой ток, то это сопрово-
ждается в области p-n-перехода интенсивной рекомбинацией носителей за-
ряда, а следовательно, выделением лучистой энергии. Длина волны этого
излучения зависит от ширины запрещенной зоны, т.е. от материала, из кото-
рого изготовлен полупроводниковый диод. Светодиоды чаще всего изготав-
ливают из карбида кремния и фосфида галлия, излучающих кванты света в
диапазоне от красного до голубого цвета.
Яркость свечения светодиода зависит от величины прямого тока и
определяется структурой p-n-перехода.
3.6. Оптроны
Полупроводниковый оптрон − это прибор, состоящий из оптически
связанных между собой элементов − оптронной пары (управляемого полу-
проводникового излучателя света и полупроводникового приемника излуче-
ния) и предназначенный для выполнения различных функциональных
преобразований электрических или оптических сигналов.
Оптроны нашли широкое применение в электронике в качестве эле-
ментов, предназначенных для гальванической развязки сигнальных цепей
схемы. При этом сигнал с одной схемы на другую передается не электриче-
ским током, а светом.
В качестве одного элемента оптронной пары − излучателя света − мо-
жет быть использован светодиод, электролюминесцентный порошковый
или пленочный излучатель, а также полупроводниковый лазер. В качестве
второго элемента оптронной пары − приемника излучения − может быть ис-
пользован фоторезистор, фотодиод, фототранзистор или фототиристор. Наи-
большее распространение получили следующие комбинации оптронных
пар: светодиод − фоторезистор и светодиод − фототиристор.
Условное изображение оптрона с оптронной парой светодиод-фото-
резистор приведено на рис. 37.

33
 В случае, если в оптроне в качестве приемника излучения применя-
ется не фоторезистор, а другой элемент, то соответственно он показывается
на условном изображении вместо фоторезистора.

4. ИНДИКАТОРНЫЕ ПРИБОРЫ
Цифровые индикаторные приборы предназначены для визуального
отображения цифровой и буквенной информации в измерительных прибо-
рах и вычислительных устройствах автоматики.
В настоящее время наибольшее распространение получили следую-
щие типы цифровых индикаторов:
1. Вакуумно-люминесцентные индикаторы и электронно-лучевые
приборы.
2. Газоразрядные элементы индикации.
3. Полупроводниковые светодиодные элементы индикации.
4. Жидкокристаллические индикаторы.
4.1. Вакуумно-люминесцентные индикаторы
Основными элементами вакуумно-люминесцентных индикаторов яв-
ляются последовательно расположенные один за другим катод, сетка и
несколько анодов. Накальный катод, выполненный в виде нити из тугоплав-
кого металла (вольфрам, молибден), служит источником эмиттируемых
электронов.
Аноды размещены в одной плоскости и выполняются в виде знако-
синтезирующих металлических сегментов, покрытых люминофором. Каж-
дый сегмент имеет определенный вывод, к которому прикладывается поло-
жительный потенциал относительно катода. Расположенная между катодом
и анодом металлическая сетка предназначена для управления током индика-
тора. При положительном потенциале на сетке относительно катода поле
сетки оказывает ускоряющее действие на электроны, эмиттируемые като-
дом. Проходя сквозь сетку, электроны попадают затем в поле тех анодов, к
которым подано напряжение. Столкновение электронов с поверхностью
анодов вызывает свечение люминофора (обычно зеленое). Сочетание светя-
щихся сегментов создает изображение соответствующего знака. Индикация

34
производится через поверхность стеклянного баллона со стороны катода.
При потенциале на сетке, близком к нулю, проходящий через сетку поток
электронов мал, в связи с чем свечение анодов отсутствует. Внешний вид,
расположение сегментов и конфигурация воспроизводимых цифр индикато-
ра ИВ-3 показаны на рис. 38.

Рис. 38:
а − внешний вид индикатора ИВ-3; б − расположение сегментов; в − конфигурация
воспроизводимых цифр

4.2. Газоразрядные элементы индикации

В газоразрядных приборах, предназначенных для отображения ин-
формации, используется свечение, сопровождающее электрический разряд
в газе. Это явление одним из первых нашло применение для индикации. Га-
зоразрядный индикатор представляет собой стеклянный баллон, наполнен-
ный инертным газом, внутри которого помещены анод и катоды (рис. 39).
Число катодов равно числу цифр или индексов, которые отображает индика-
тор. Катоды расположены друг за другом. При приложении соответствую-
щего напряжения между анодом и катодом в индикаторе возникает тлею-
щий разряд, форма которого повторяет форму катода, к которому приложено
напряжение

35
 Рис. 39

.
4.3. Полупроводниковые элементы индикации
Полупроводниковые индикаторы строятся на основе светодиодов, ко-
торые выполнены в виде сегментов (рис. 40), как в вакуумно-люминесцент-
ных приборах.
Число используемых светодиодов здесь равно ко-
личеству сегментов знакосинтезирующего символа. С
целью преобразования свечений точечного источника,
каким является светодиод, в свечение сегмента, сверху
каждого светодиода наносят полоску из светорассеи-
вающего материала. Катоды светодиодов объединяют-
ся вместе, а аноды имеют каждый свой вывод. При
подключении напряжения между анодом и соответ-
ствующими катодами возникает свечение сегментов
знакосинтезирующего табло.
Рис. 40
4.4. Жидкокристаллические элементы индикации
Жидкокристаллическое состояние вещества является промежуточ-
ным между жидким и твердым состоянием. Вещество, находящееся в жид-
кокристаллическом состоянии, обладает свойствами и жидкости и кристал-
лического тела.
В жидких кристаллах (ЖК) наблюдается большое количество элек-
трооптических эффектов, влияющих на светопропускную способность. Они
могут вызываться либо проводимостью ЖК, либо электрическим полем (по-
левые эффекты).
Простейший ЖК-индикатор, основанный на эффекте динамического
рассеяния света (рис. 41), состоит из двух параллельных стеклянных пла-
стин 1 с нанесенными на внутренней поверхности прозрачными электрода-
ми 2 из окиси олова и слоя жидкокристаллического вещест- ва 3 между
ними.
При работе в режиме отражения света один из электродов выполня-
ется зеркально отражающим (алюминий-никель). Толщина слоя жидкого
36
кристалла составляет 1−25 мкм. Уплотнительные прокладки 4 изолируют
объем и определяют зазор между пластинками. Проводящие электроды свя-
заны с внешними выводами 5 прибора. Индикатор требует внешнего осве-
щения или подсветки.
В индикаторах с эффектом ди-
намического рассеяния света в ЖК
вносится добавка небольшого количе-
ства ионных соединений (электроли-
та). При отсутствии напряжения ори-
ентация молекул ЖК упорядочена. В
исходной ориентации молекул ЖК
прозрачен. С приложением напряже-
ния возникает движение ионов элек-
тролита в направлении электродов.
Создается динамическая неустойчи-
вость ориентации молекул ЖК. ЖК Рис. 41:
теряет прозрачность и цвет его стано- 1 − стеклянные пластины ЖК-индикатора;
вится молочно-белым. При снятии 2 − прозрачные электроды; 3 − слой
напряжения питания молекул ЖК воз- жидкокристаллического вещества;
4 − уплотнительные прокладки;
вращаются в исходное состояние ори-
5 − внешние выводы
ентации, прозрачность слоя восста-
навливается.
Потребляемый ток ЖК-индикатора лежит в пределах 5−25
мкА/см , а мощность 50−550 мкВт/см .
2 2

37
 СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Забродин Ю. С. Промышленная электроника. − М.: Высш. шк.,

1982. − 420 с.
2. Основы промышленной электроники: Учеб. для неэлектротехниче-
ских спец. вузов/ В. Г. Герасимов, О. М. Князьков, А. Е. Краснопольский, В.
В. Сухоруков; под ред. В. Г. Герасимова. − М.: Высш. шк., 1986. − 336 с.
3. Пасынков В. В., Чиркин Л. К., Шинков А. Д. Полупроводни-
ковые приборы. − М.: Высш. шк., 1981. − 431 с.
4. Электротехнический справочник: В 3 т. Т. 2. Электротехнические
изделия и устройства. − М.: Электроатомиздат, 1986. − 712 с.

38
 Содержание

1. ТРАНЗИСТОРЫ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.1. Биполярные транзисторы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.2. Полевые транзисторы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.2.1. Полевой транзистор с затвором в виде p-n-перехода 10
1.2.2. Полевой транзистор с изолированным затвором. . . 13
2. ТИРИСТОРЫ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.1. Двухэлектродные тиристоры (динисторы). . . . . . . . . . . . . . 15
2.2. Трехэлектродные тиристоры (тринисторы). . . . . . . . . . . . . 17
2.3. Симметричные тиристоры (симисторы). . . . . . . . . . . . . . . . 18
3. ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
3.1. Фоторезисторы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
3.2. Фотодиоды. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
3.3. Фототранзисторы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
3.4. Фототиристоры. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
3.5. Светодиоды. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.6. Оптроны. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
4. ИНДИКАТОРНЫЕ ПРИБОРЫ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
4.1. Вакуумно-люминесцентные индикаторы. . . . . . . . . . . . . . . 28
4.2. Газоразрядные элементы индикации. . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
4.3. Полупроводниковые элементы индикации. . . . . . . . . . . . . 30
4.4. Жидкокристаллические элементы индикации. . . . . . . . . . . 30
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

39
 Евстигнеев Анатолий Николаевич
Кузьмина Татьяна Георгиевна
Новотельнова Анна Владимировна

ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СОВРЕМЕННЫХ

ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ

ЧАСТЬ 2

Методические указания
для самостоятельного изучения дисциплины
“Электротехника и электроника”
для студентов всех специальностей

Редактор Т. Г. Смирнова Корректор Н. И. Михайлова

___________________________________________________________________________
ЛР № 020414 от 12.02.97
Подписано в печать .09.98. Формат 60х84 1/16. Бум. офсетная
Печать офсетная. Усл. печ. л. 2,09. Печ. л. 2,25. Уч. -изд. л. 1,88
Тираж 500 экз. Заказ № . С 20.
____________________________________________________________________________
СПбГАХПТ. 191002, Санкт-Петербург, ул. Ломоносова, 9
ИПЦ СПбГАХПТ. 191002, Санкт-Петербург, ул. Ломоносова, 9

40