Министерство образования Российской Федерации

Санкт-Петербургский государственный университет

низкотемпературных и пищевых технологий

Кафедра электротехники и электроники

РАСЧЕТ БЕСТРАНСФОРМАТОРНОГО УСИ-

ЛИТЕЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ
Методические указания
к выполнению курсовой работы
по курсу «Электротехника и электроника»
для студентов специальности 210200
специализации 210206
всех форм обучения

Санкт-Петербург 2003

3
УДК 621.3

Дорошков А.В. Расчет бестрансформаторного усилителя низ-

кой частоты: Метод. указания к выполнению курсовой работы по
курсу «Электротехника и электроника» для студентов спец. 210200
и специа-лизации 210206 всех форм обучения. – СПб.: СПбГУ-
НиПТ, 2003. – 51 с.

Сформулирована цель курсовой работы и даны задания для расчета 30

вариантов бестрансформаторного усилителя низкой частоты. Указаны требова-
ния к содержанию пояснительной записки и графической документации. Приве-
дена методика расчета основных каскадов и расчета элементов межкаскадных
связей усилителя. В приложении приведены статические характеристики ряда
мощных биполярных транзисторов, применяемых в усилителях.

Рецензент
Канд. техн. наук, доц. Ю.А. Рахманов

Одобрены к изданию советом факультета техники пищевых произ-

водств

 Санкт-Петербургский государ-
ственный университет низкотемпера-
турных и пищевых технологий, 2003

4
 1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ И ЗАДАНИЕ ДЛЯ РАСЧЕТА
Основной целью курсовой работы является овладение методи-
кой и навыками инженерного расчета усилителей переменного тока
на современной элементной базе. Работа выполняется в соответ-
ствии с учебным планом студентами специальности 210200 – авто-
матизация технологических процессов (по отраслям), специализация
210206 – автоматизация технологических процессов и производств
пищевой промышленности, всех форм обучения.
Исходные данные для расчета усилителя приведены в табл. 1. В
ней даны эффективные величины напряжений Uн и э.д.с. Ег источни-
ка сигнала.
Усилитель должен быть спроектирован как функционально закон-
ченное устройство с минимальным числом источников питающих
напряжений. В усилителе необходимо предусмотреть контрольные точ-
ки для измерения токов и напряжений в наиболее характерных узлах схе-
мы.
Результаты выполнения курсовой работы представляются в
виде пояснительной записки и схемы электрической принципиаль-
ной рассчитанного усилителя.
Таблица 1
Внутреннее сопротивление
источника сигнала Rг, кОм

Величина э.д.с. источника

Номинальное выходное

Допустимый фазовый

температур tн…tв, оС
Верхняя граничная
Нижняя граничная
напряжение Uн , В

Диапазон рабочих
сдвиг φдоп, град
частота fв, кГц
сигнала Eг, мВ

частота fн, Гц
нагрузки Rн, Ом
Номер задания

Сопротивление

1 4 8 4 15 20 15 30 0…40
2 10 20 5 7 400 10 30 0…40
3 12 12 5 7 400 10 30 0…50
4 4 9 300 10 20 20 20 0…40
5 6 10 3 1 300 2 15 0…50

5
 Окончание табл. 1

6
 Внутреннее cопротивле-ние источника сигнала
Номинальное выходное напряжение Uн , В

Величина э.д.с. источ-ника сигнала Eг, мВ

частота fв, кГцВерхняя граничная

Допустимый фазовый

температур tн…tв, оС
Нижняя граничная

Диапазон рабочих
сдвиг φдоп, град
частота fн, Гц
нагрузки Rн, Ом
Номер задания

Сопротивление

Rг, кОм

6 20 24 10 15 80 10 20 0…40
7 4 10 90 3 60 2 15 0…30
8 8 12 5,1 10 60 2 15 0…40
9 12 8 2000 10 100 5 15 0…60
10 10 10 820 10 20 2 20 0…60
11 1 5 50 15 200 1 20 0…40
12 1 4 300 3 20 1 30 0…50
13 6,8 8 300 1 300 3,4 20 0…50
14 1 8 51 10 20 1,8 10 0…30
15 6 7 1000 15 20 15 30 0…50
16 6 6 19 20 50 5 15 0…50
17 2 6 9000 0,3 400 3 20 0…45
18 10 10 100 30 40 10 15 0…50
19 5 10 1000 30 20 20 20 0…40
20 2 5 10 1 150 3 15 0…50
21 52 24 50 0,1 80 10 20 0…30
22 7 8,5 75 0,5 60 10 20 0…55
23 19 16 820 10 20 10 30 0…50
24 4 12 1000 15 20 10 15 0…40
25 4 7 33000 1 800 4 15 0…50
26 13 13 50 140 15 20 12 0…50

7
 2. ТРЕБОВАНИЯ К ПОЯСНИТЕЛЬНОЙ ЗАПИСКЕ
Пояснительная записка к курсовой работе выполняется руко-
писным или машинописным способом на одной стороне листа форма-
та А4 в соответствии с требованиями ЕСКД [1]. Она должна содер-
жать:
• Титульный лист (см. прил. 1).
• Задание на курсовую работу.
• Содержание.
• Перечень условных обозначений, символов, единиц и терми-
нов (если они имеются).
• Введение.
• Выбор структурной схемы.
• Выбор принципиальной схемы.
• Расчет выходного каскада.
• Расчет предоконечного каскада.
• Расчет промежуточного каскада.
• Расчет входного каскада.
• Расчет элементов межкаскадной связи.
• Заключение.
• Список литературы.
• Перечень элементов (если он не выполнен на поле схемы
электрической принципиальной).

Все рисунки в тексте должны иметь подрисуночные подписи.

Рисунки, содержащие построения, должны иметь масштабную сетку.
Буквенно-цифровые обозначения условных графических обозначе-
ний на рисунках, содержащих схемы, допускается проставлять не по
сквозной нумерации. Номиналы резисторов и конденсаторов, типы
транзисторов и интегральных микросхем должны быть указаны на
рисунках схем пояснительной записки.
В тексте пояснительной записки по ходу выбора элементной
базы должны быть приведены основные справочные данные приме-
няемых транзисторов и интегральных микросхем.
Рисунки и схемы можно и желательно выполнять с применени-
ем современных компьютерных технологий, используя возможности
таких программ как PCAD, Accel PCAD, AutoCAD и др.

8
 При окончательном оформлении курсовой работы пояснитель-
ная записка сшивается. Схема электрическая принципиальная проек-
тируемого устройства в записку не подшивается, а вкладывается.

3. ТРЕБОВАНИЯ К ОФОРМЛЕНИЮ
ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СХЕМЫ
Электрическая схема по формату, условным графическим
обозначениям, шрифтам и масштабам строго должна соответство-
вать требованиям действующих стандартов [1]. Схема может быть вы-
полнена в карандаше либо при помощи графопостроителя (плоттера)
на формате А3 или А2. Не допускается склеивание формата. Пере-
чень элементов может выполняться как на свободном поле схемы
электрической принципиальной, так и в виде отдельного конструк-
торского документа.
Буквенно-цифровые позиционные обозначения на схеме долж-
ны быть проставлены в соответствии с требованиями ЕСКД – слева
направо, сверху вниз. Высота букв и цифр должна быть одинаковой
и при выполнении карандашом шрифт должен быть не менее 5.

4. ПОРЯДОК ЗАЩИТЫ КУРСОВОЙ РАБОТЫ

Защита курсовой работы проводится только после проверки
окончательно оформленной пояснительной записки и электрической
схемы преподавателем, ведущим курсовое проектирование. Полно-
стью оформленная курсовая работа должна быть сдана на проверку
не позднее, чем за неделю до защиты. Допуск к защите заверяется
подписью преподавателя, ведущего курсовое проектирование.
Защита курсовой работы осуществляется публично перед
комиссией, состоящей из ведущего лектора и преподавателя, ведуще-
го курсовое проектирование.
На защите студенту предоставляется 5–8 минут для доклада, в
котором он в сжатой форме должен осветить основные моменты ра-
боты, а именно:
• Назначение спроектированного усилителя и технические тре-
бования, предъявленные к нему в задании на работу.
• Пути решения поставленной задачи, выбор оптимальных ва-
риантов построения.
• Состав и принцип действия усилителя.

9
 • Реализацию функциональных блоков и особенности схемо-
технического решения.
• Использованные компьютерные технологии и особенности
применения программных продуктов.
• Результаты экспериментальных исследований или компью-
терного моделирования (в случае их проведения).
• Особенности настройки и эксплуатации спроектированного
усилителя.

После доклада студент должен ответить на вопросы, которые

ему могут быть заданы членами комиссии и присутствующими на за-
щите.
Оценка курсовой работы выставляется с учетом полноты и со-
держательности ответов при защите, объема и качества проделанной
работы, степени самостоятельности, аккуратности оформления и си-
стематичности работы в течение семестра.
Оценка выставляется на титульном листе, заверяется подпися-
ми членов комиссии и заносится в ведомость и зачетную книжку сту-
дента.
Пересдача курсовых работ не разрешается. В целях повышения
оценки по курсовой работе с разрешения деканата студенту может
быть выдано новое задание на курсовую работу и после его выполне-
ния производится защита.

5. ВЫБОР СТРУКТУРНОЙ СХЕМЫ

Прежде чем разрабатывать принципиальную схему усилителя,
необходимо составить его структурную схему.
Структурная схема определяет функциональный состав усилителя
и устанавливает необходимые связи между каскадами.
В общем случае усилители низких частот имеют структурную схе-
му, представленную на рис. 1.

10
 Rг Входной Промежуточ- Предоконеч-
каскад ный каскад ный каскад
(ВхК) (ПК) (ПОК)

Ег
Iн Uн
Выходной
каскад Rн
(ВК)

Рис. 1. Структурная схема усилителя низкой частоты

Входной каскад обеспечивает, главным образом, согласование входа

усилителя с источником сигнала. Промежуточный каскад выполняет
основное усиление сигнала по напряжению. Предоконечный каскад слу-
жит для «раскачки» сигнала по току и напряжению до уровня, необходимо-
го для нормальной работы выходного каскада. Обычно предоконечный
каскад обладает небольшими коэффициентами усиления по току и напря-
жению. Выходной каскад осуществляет основное усиление сигнала по
мощности и по току.
В зависимости от технических требований задания на курсовую ра-
боту, от схемного решения и выбранной элементной базы приведенные
выше каскады могут быть объединены. Например, при применении инте-
гральных операционных усилителей может исчезнуть необходимость в
промежуточном каскаде, а, иногда, и в предоконечном. В этих случаях их
функции выполняет какой-то другой каскад.
Для определения функционального состава проектируемого усили-
теля вычисляют:
• амплитудное значение напряжения U нm на нагрузке

U нm = 2U н ;

• амплитудное значение тока I нm в нагрузке

U нm
I нm = ;
Rн

• ориентировочное значение коэффициента K u' усиления

проектируемого усилителя по напряжению

11
 Uн
K u' = 1,3 ;
Eг

• ориентировочное значение общего коэффициента K u" усиле-

ния входного и промежуточного каскадов по напряжению

K u" = (3...5)10− 2 K u' ;

' ВК
• ориентировочное значение амплитуды входного тока I вх вы-
ходного каскада
' ВК
I вх = (1,5...2,5)10− 3 I нm;

Анализируют полученные значения U нm , I нm , K u' , I вх ' ВК

с уче-
том верхней граничной частоты f в на предмет необходимости
предоконечного каскада в проектируемом усилителе. Данный каскад
необходим если:
• U нm ≥ 14В при любом значении f в , так как максимальный
размах выходного напряжения предыдущих каскадов на операцион-
ных усилителях обычно не превышает 14В;
• f в ≥ 3кГц и U нm ≥ (3...4)В , так как скорость нарастания выход-
ного напряжения в предыдущем каскаде (промежуточном или вход-
ном) ограничена при его выполнении на операционном усилителе;
' ВК
• I вх ≥ 20⋅ 10− 3А из-за ограничения выходного тока предыду-
щего каскада при его выполнении на операционном усилителе.
Затем приступают к анализу коэффициента усиления по напря-
жению. Если K u' > 100, то необходим промежуточный каскад. В про-
тивном случае роль промежуточного каскада может выполнить вход-
ной каскад.
Предварительно коэффициент усиления промежуточного каска-
ПК
да K u предв на этой стадии проектирования принимают равным коэф-
ВхК
фициенту усиления входного каскада K u предв и вычисляют как

K uВхК
предв
= K uПК
предв
= K u" .

12
 6. ВЫБОР ПРИНЦИПИАЛЬНОЙ СХЕМЫ
Воспользовавшись принципиальными типовыми схемами каска-
дов, изображенных на рис. 2–8, а также в литературе [2–7], необхо-
димо составить принципиальную ориентировочную схему усилите-
ля. На данном этапе схема является ориентировочной, поскольку по-
сле выполнения расчетов может потребоваться ее корректировка в
силу ряда причин. Например, окажется недостаточным коэффициент
усиления по напряжению или невозможно будет обеспечить термо-
стабильность каскадов и т. п.
При составлении принципиальной схемы необходимо учесть
следующее:
• Входной и промежуточный каскады целесообразно выполнять
как усилители переменного тока на основе интегральных операцион-
ных усилителей.
• При большой величине выходного сопротивления Rг источ-
ника сигнала целесообразно использовать операционные усилители с
полевыми транзисторами на входах.
• Исходя из величины выходного (внутреннего) Rг сопротивле-
ния источника сигнала выбирается схема инвертирующего или
неинвертирующего входного каскада. Если Rг < 100кОм, то можно
выбрать схему инвертирующего входного каскада (рис. 2). В случае,
когда Rг < 100кОм, целесообразно использовать неинвертирующий
входной каскад, имеющий очень большое входное сопротивление
(рис. 3).
• Для устойчивой работы усилителя коэффициенты усиления
входного К uВхК , промежуточного К uПК и предоконечного К uПК каска-
дов не следует делать более 100.
Коэффициент усиления по напряжению бестрансформаторного
выходного каскада обычно лежит в пределах

2U н
К uВК = ВК
= 0 ,85...0 ,95 ,
U вх m

ВК
где U вх m
– амплитудное значение напряжения на входе входного кас-
када;

13
 • Выходной каскад лучше выполнять на комплементарных па-
рах транзисторов. Простейшая схема выходного каскада приведена
на рис. 5. Наилучшими характеристиками обладает бестрансформа-
торный выходной каскад с транзисторным предоконечным каскадом
и регулятором режима на транзисторе VT6 (рис. 7). Несколько усту-
пает ему бестрансформаторный выходной каскад с транзисторным
предоконечным каскадом и диодно-резистивной регулирующей це-
почкой VD1, VD2, VT3, R п (рис. 6).
• В качестве элементов связи между источником сигнала, кас-
кадами и нагрузкой проще всего использовать разделительные кон-
денсаторы, которые устраняют взаимосвязь каскадов по постоянному
току.
• Для устранения самовозбуждения усилителя необходимо
предусмотреть развязку первых каскадов (входного и промежуточно-
го) от выходного каскада по цепям питания. Развязка достигается
обычно путем постановки RC-фильтров в цепь питания, либо при-
менения гасящего сопротивления и стабилитрона (рис. 8), шунтиро-
ванного конденсатором номиналом (22…47) нФ.
• Для питания усилителя целесообразно применять двуполяр-
ные источники питания.
R2
C1 R1 U вых VD1 C2 + E
п

DA1 R5
U вх
3 7 +
W m
4 8
+U
2 5
NC -U
1
NC GND
6
R6
R3
+
R4 C3
VD2 - Eп

Рис. 2. Инвертирующий входной каскад на операционном

усилителе с двумя источниками питания

14
 R2
C1 R1 Uвых VD1 C3
+Eп
DA1 R5
Uвх C2 3
W m
7 +
4 8
+U
2 5
NC -U
1
NC GND
6
R6
R3
+
R4 C4
VD2 - Eп

Рис. 3. Неинвертирующий входной каскад на операционном

усилителе с двумя источниками питания

а б
+ E п1 + E п1
R б1 Rк
ПОК
R2 C2
ПОК
C2 Uн Uн
C1 C1
Rн VT1
VT1
C3 Rн
ПОК R б2 ПОК
U вх Rэ U вх R1 R3
Cэ
- Eп2
- Eп2

Рис. 4. Усилительные каскады на транзисторах:

а – по схеме общий эмиттер (ОЭ); б – по схеме общий исток (ОИ)

15
 +E п
R1
VT1

VT3
Rп
R3 C2 Uн
VD1

R4 Rн
VD2 VT4
C1
VT2
U вх
R2
-E п

Рис. 5. Бестрансформаторный выходной каскад на комплементарных

транзисторах с диодно-резистивной регулирующей цепочкой (VD1, VD2, Rп)

Rп +E п
R б1 R1
VT1

VD2 VT3
C1
VD1 R3 C2 Uн

U вх VT2
VT5 Rн
VT4

R б2 R2 +
C3
R4
-E п

Рис. 6. Бестрансформаторный выходной каскад с транзисторным предоконечным

каскадом (VT5) с диодно-резистивной регулирующей цепочкой (VD1, VD2, Rп)

16
 R б3 +E п
R б1 R1
VT1
R б4
VT3
C1 Rп
VT6
R3 C2 Uн

Uвх VT2
VT5 Rн
VT4

R б2 R2 C3
+
R4
-E п

Рис. 7. Бестрансформаторный выходной каскад с транзисторным

предоконечным каскадом (VT5) и регулятором режима
на транзисторе (VT6)

а б
ПОК ВК ПОК ВК
Eп Rф Eп Eп Rф Eп

Cф Cф VD1

Рис. 8. Цепи развязки по цепям питания усилительных каскадов:

а – с RC-фильтром; б – со стабилитроном

17
 7. РАСЧЕТ ПРИНЦИПИАЛЬНЫХ СХЕМ ОСНОВНЫХ
КАСКАДОВ УСИЛИТЕЛЯ

Расчет усилителя всегда начинают с выходного каскада. Он ве-

дется, как правило, графоаналитическим методом. После определе-
ния требуемых значений напряжения, тока и мощности входного сиг-
нала выходного каскада приступают к расчету предыдущего каскада
– предоконечного.
Рассчитав предоконечный каскад и определив указанные выше
величины, приступают к расчету промежуточного каскада, а уже по-
сле этого – к расчету входного каскада.
Завершается расчет усилителя определением величин раздели-
тельных и блокировочных емкостей, а также расчетом элементов
цепи обратной связи.

7.1. Расчет выходного каскада

Расчет выходного каскада заключается в решении следующих

основных задач:
– в составлении принципиальной схемы выходного каскада, поз-
воляющей реализовать требуемые коэффициенты усиления сигнала по
мощности и напряжению, а также обладающей к.п.д. не менее 40…55 %;
– в подборе транзисторов, исходя из требуемой мощности Pн
в нагрузке, температуры окружающей среды tв и заданного либо вы-
бираемого напряжения Eп источника питания;
– в выборе оптимальных режимов работы транзисторов по по-
стоянному току, обеспечивающих малый уровень нелинейных иска-
жений в заданном интервале температур;
– в определении электрических параметров выходного каскада
ВК
по переменному току (входного сопротивления Rвх , коэффициентов
усиления по току К iВК , напряжению К uВК и мощности К ВК
p ; ам-
ВК ВК
плитуд входного тока I вх m
и напряжения U вх m
, необходимых для
раскачки и т. д.);
– в нахождении минимально-необходимой площади радиаторов S.
В качестве примера произведем расчет схемы, приведенной на
рис. 5.

18
 7.1.1. Выбор выходных транзисторов
Амплитудное значение коллекторного напряжения транзистора
VT3 (VT4) (см. рис. 5)
U кm3 = 2U н ,

где U н – эффективное значение напряжения на нагрузке.

Амплитуда импульса коллекторного тока транзистора VT3 (VT4)

U кm3
I кm3 =
Rн
Мощность, выделяемая каскадом в нагрузке

U н2
Pн = .
Rн

Необходимое напряжение источника питания

Eп = κ1(U кm3 + I кm3 ⋅ rнас) ,

где κ1 = (1,01...1,1) – коэффициент запаса по напряжению; rнас =

= (0,1…1) – внутреннее сопротивление транзистора в режиме насы-
щения, Ом.
Величину источника питания следует выбирать из ряда:

(5, 6, 9, 12, 15, 18, 24, 27, 36, 48) В.

Ориентировочная мощность, рассеиваемая на коллекторе тран-

зистора
Pк3 = (0,4...0,9)Pн .

Используя полученные значения Pк 3 , I кm3 , Eп , из компьютерной

базы кафедры и справочника по транзисторам [7] подбирают транзи-
сторы VT3 и VT4 отдавая предпочтение приборам с малым обрат-
ным током I к 0 .
Отбор выполняется в два этапа.

19
 На первом этапе проверяют, удовлетворяют ли предельно-допусти-
мые параметры транзисторов следующей системе неравенств:

Pк доп > (1,2...1,4) Pк 3 ;

20
U кэ доп > 2 ,2 Eп ;
I к доп > 1,15 I кm3 .

Если да, то переходят ко второму этапу, на котором проверяют

могут ли транзисторы VT 3 и VT 4 при наибольшей температуре
своих корпусов (коллекторов) tк max рассеивать мощность, не мень-
шую, чем 1,1Pк3 . Для этого рассчитывают

Pк' доп = Pкдоп [1− 0,01(tкmax– 20 °С)],

20

где tк max = tв + (15...30) – максимальная температура коллекторного

перехода, °C; tв – верхнее значение диапазона рабочих температур, °C.
Если оказывается, что

Pк' доп > 1,1Pк 3 ,

то транзисторы подходят.
Из компьютерной базы, справочника по транзисторам [7] и из
прил. 2 настоящих методических указаний необходимо перерисовать
выходные и входные статические характеристики выбранных тран-
зисторов и выписать их следующие основные предельно-допустимые
параметры:
Pк доп – максимально допустимая постоянная рассеиваемая
20
мощность на коллекторе при 20 °С, Вт;
U кэ доп – максимально допустимое постоянное напряжение
между коллектором и эмиттером, В;
I к доп – максимально допустимый постоянный ток коллектора, А;
h21э min – минимальный коэффициент передачи тока базы в схе-
ме с общим эмиттером;
TП доп – максимально допустимая температура перехода, оС;

20
 Rt п− к – тепловое сопротивление подложка-корпус, оС/Вт;
I к0  – обратный ток коллектора при 20 °С, мкА.
20 C

7.1.2. Выбор режима работы по постоянному току

и построение линии нагрузки
Если в справочниках дается максимальное значение обратного
тока коллектора I к 0 max (при максимально возможной температуре
tк max коллекторного перехода транзистора), то ток покоя коллектора
I oк 3 транзисторов VT3 (VT4) можно определить из соотношения

I oк3 ≥ (10...30)I к0max.

Когда в справочниках дается значение обратного тока при 20 °

С, то необходимо сначала рассчитать величину обратного тока кол-
лектора при максимальной температуре по формуле
( 0 ,07...0 ,13)(t к max − 20)
I к 0 max = I к 0 e .
20o C

Ток покоя I oк3 должен быть, как минимум, в 10–30 раз меньше
амплитудного значения тока коллектора

I oк3 ≤ (0,03...0,1)I кm3.

Если это условие не выполняется, то необходимо подобрать

транзистор с меньшим значением обратного тока коллектора.
На семействе выходных статических характеристик транзисто-
ров VT3 (VT4) строят нагрузочные прямые по переменному току с
координатами (рис. 9):
A( I oк3 , Eп ) ; B( I ок 3 + I кm3 , Eп − U кm3 ) .

21
Рис. 9. Построение нагрузочной прямой транзистора VT3 (VT4)

Рис. 10. Определение параметров входного сигнала

транзистора VT3 (VT4)

22
 Перенеся соответствующие значения токов I об3 и I об3max на
входную характеристику (рис. 10), определяют для транзисторов
VT3 (VT4):
U бm3 – амплитудное значение напряжения на базоэмиттерном
переходе;
U об3 – напряжение покоя базы;
U бm3 max – максимальное значение напряжения на базоэмиттер-
ном переходе;
I об3 – ток покоя базы;
I об3max – максимальное значение тока базы;
I бm3 – амплитудное значение тока базы.
После этого рассчитывают:
• входное сопротивление базоэмиттерного перехода транзис-
тора VT3 (VT4)
U
Rвх бэ3 = бm3 ;
I бm 3

• номиналы резисторов R3 и R4

R3 = R 4 = (2...5) Rвх бэ3 (для маломощных транзисторов);

U
R3 = R4 = (0,5...2) об3 (для мощных транзисторов).
I об3

7.1.3. Выбор предвыходных транзисторов и режимов работы их

по постоянному току. Построение линии нагрузки
Ток покоя эмиттера транзисторов VT1 (VT2)
U об3
I оэ1= I об3+
R3
Амплитудное значение тока эмиттера транзисторов VT1 (VT2)
U бm 3
I эm1 = .
R3 || Rвх бэ3

23
 Соответственно амплитудное значение тока коллектора
I кm1 ≈ I эm1 , так как коэффициент передачи тока эмиттера близок к
единице.
Аналогично выбору выходных транзисторов VT3 (VT4) выби-
рают транзисторы VT1 и VT2.
Транзисторы подходят, если выполняются неравенства:

I кдоп > I к1max = I кm1 + I ок1 ≈ I эm1 + I оэ1;

U кдоп > 2,1Eп ;
PнI бm3
Pк > .
доп I кm3

Для построения линии нагрузки по постоянному току транзис-

торов VT1 (VT2) выбирают следующие координаты точек A' и A''
(см. рис. 11):
A' [ I ок1; Eп − U об3] ;

A'' (I ок1 + I кm1; Eп − U об3− U кm1) ,

где U кm1 = U кm3 + U бm3 .

Рис. 11. Построение линии нагрузки

транзистора VT1 (VT2)

24
 Рис. 12. Определение параметров входного сигнала
транзистора VT1 (VT2)

Перенеся соответствующие значения токов базы на входную ха-

рактеристику (см. рис. 12), определяют для транзисторов VT1 (VT2):
U бт1 – амплитудное значение напряжение на базе;
I бт1 – амплитудное значение тока базы;
I об1 – ток покоя базы транзистора;
U об1 – напряжение покоя базы.

7.1.4. Определение основных параметров выходного каскада

Входное сопротивление базоэмиттерного перехода транзистора
VT1 (VT2)
U
Rвх бэ1 = бт1 .
I бт1

Входное сопротивление верхнего плеча выходного каскада на

VT1 и VT3.

I кm1 I
Rвх13= Rвхбэ1+ (R3|| Rвхбэ3) + Rн кm3 .
I бm1 I бm1

Входное сопротивление нижнего плеча выходного каскада на

VT2 и VT4

25
 I кm 4
Rвх24 = Rвх бэ2 + Rн .
I бm 2

Амплитудные значения входных напряжений:

• верхнего плеча на транзисторах VT1, VT3

U вх m1 = U бm1 + U бm3 + U кm3 ;

• нижнего плеча на транзисторах VT2, VT4

U вх m 2 = U бm 2 + U кm 4 .

Среднее значение амплитуды напряжения на входе выходного

каскада
ВК
U вх m
= 0 ,5(U вх m1 + U вх m 2 )

Требуемое падение напряжения U од1,2 на диодах VD1, VD2

U од1,2 = 2U об1 + U об3.

Если величина напряжения U од1,2 получается в пределах (0,8…

1,6)В, то можно обойтись двумя диодами, а если получается больше,
то необходимо включать последовательно 3–4 диода.
Из результирующей вольтамперной характеристики последова-
тельно включенных диодов определяют требуемое значение тока I од
через цепочку R1-VD1-VD2-R, но в любом случае должны выпол-
няться следующие условия:

I од ≥ (0,5...1)
мА
I од ≥ (2...3)I об1.

Сопротивление R1, R2 делителя напряжения

2 Eп − U од
R1 = R 2 = .
I од

26
 Входные сопротивления верхнего и нижнего плеч каскада с
учетом шунтирующего действия резисторов R1 и R2:

R'вх верх = ( R1 || R 2) || Rвх13

R'вх нижн = ( R1 || R 2) || Rвх24 .

Среднее значение входного сопротивления выходного каскада

ВК
Rвх = 0 ,5( R'вх верх + R'вх нижн ) .

Среднее значение коэффициента усиления по напряжению вы-

ходного каскада
U кm3
K uВК = ВК .
U вх m

Среднее значение амплитуды входного тока выходного каскада

ВК
ВК U вх
I вх m
= ВК
m

Rвх

Мощность сигнала на входе выходного каскада

PвхBK = 0 ,5(U вх
ВК
m
⋅ I вВК
хm ) .

Коэффициент полезного действия всего каскада

Pн
η=
1 .
2 Eп [ I ок 3 + I од + I оk1 + ( I кm1 + I кm3 )]
π

Уточненное значение мощности, рассеиваемой одним транзис-

тором VT3 (VT4)
U к2m3
Pк 3max = 0 ,1 + E п I oк 3 .
Rн

27
 Тепловое сопротивление корпус–среда:
tкmax − tв
Rtк−с = − Rtп−к ,
Pк3max

где Rtп-к – тепловое сопротивление подложка–корпус.

Площадь радиатора
1
S= см 2 ,
K T Rt к−с

где K T = (0,0012...
0,014)
, Вт см–2 град–1 – коэффициент теплоотдачи.

7.2. Расчет предоконечного каскада

Обобщенная схема предоконечного каскада (ПОК) представле-
на на рис. 4, а.
При выполнении выходного каскада по схемам, изображенным на
рис. 6 и 7, разделительный конденсатор С2 отсутствует (гальваниче-
ская связь с нагрузкой), а Rк = R1 .
Исходными величинами для расчета каскада являются:
• сопротивление нагрузки
ВК
Rн = Rвх – для выходного каскада по схеме на рис. 5;
Rн = 0,5( Rвх13 + Rвх24 ) – для выходных каскадов по схемам на рис. 6 и
7;
• максимальная амплитуда напряжения на нагрузке

U нПОК
m
= U ВК
вх m
;

• мощность Pн , отдаваемая в нагрузку

ВК
Pн = Pвх .
Расчет каскада выполняется в следующем порядке.
Подбирают транзистор, исходя из:
• величины максимально допустимой постоянной рассеивае-
мой мощности на коллекторе при 20 °С

28
 ВК
Рк доп ≥ (3...5) Рвх ;
20

• величины максимально-допустимого напряжения между кол-

лектором и эмиттером

ВК
U кэ доп ≥ (2 ,4...2,6)U вх m
;

• величины максимально-допустимого тока коллектора

ВК
Iк ≥ (3...5) I вх
max m .

Рассчитывают величину обратного тока коллектора при макси-

мальной температуре окружающей среды tв

I к0max = I к0 e(0,07...0,13)(tв −18) .

20oC

Задаются минимально-допустимым током коллектора исходя из

системы неравенств

I к min ≥ 10I к0 max

I к min ≥ (1...2) мА

Выбирают ток покоя транзистора

ВК
I ок ≥ (2...4) I вх m
+ I к min .

Напряжение питания каскада определяют как

ВК
Eп1 = Eп 2 ≥ 0,5[(2,2...2,6)U вх m
+ U кэ min + ∆U кэ + U э ] ,

где ∆U кэ ≈ (0,1...0,1U
5) э – изменение напряжения коллектор–эмиттер
при изменении рабочей температуры транзистора;

29
U э = (0,03...0,08)( Eп1 + Eп2 ) – падение напряжения на эмиттерном со-
противлении Rэ .
Рассчитывают величины сопротивлений

Uэ
Rэ = ;
I ок

Eп1 + Eп2 − U кэmin − U э

Rк =
2I ок

Задавая коэффициент нестабильности предоконечного каскада

в пределах S = (5...10) , находят величины базовых резисторов

Еп (S − 1)
Rб1 = ;
I ок − SIк0
20оС

Rб1Rэ (S − 1)
Rб2 =
SRб1 − [(Rб1 + Rэ )(S − 1)]

Для построения линии нагрузки по постоянному току на выход-

ных статических характеристиках транзистора (рис. 13) откладыва-
ют координаты точек A и B

Eп1 + Eп2
A(0; );
Rк + Rэ

B ( Eп1 + Eп2 ; 0) .

Для построения линии нагрузки по переменному току находят

угол наклона ϕ линии нагрузки предоконечного каскада по пере-
менному току

Rк + Rн
ϕ = arctg
Rк Rн

30
и под этим углом проводят прямую через рабочую точку О. Данная
прямая и будет линией нагрузки по переменному току транзистора
предоконечного каскада. Ее рабочим участком является отрезок CD.
Из построений определяют:
• I об
– ток покоя базы;
• I бmax, I б min – максимальное и минимальное значения токов базы;
бm = 0,5[I бmax − I бmin ] – среднее амплитудное значение тока
• I

базы.

Рис. 13. Построение линий нагрузки транзистора

предоконечного каскада

31
 Рис. 14. Определение параметров входного сигнала

Перенеся значения базовых токов на входную статическую ха-

рактеристику (рис. 14), находят:
•
U бm – амплитудное значение напряжения на базоэмиттерном
переходе;
•
U об – напряжение покоя базы;
•U
бm max – максимальное значение напряжения на базоэмиттер-
ном переходе;
После этого рассчитывают входное сопротивление базоэмит-
терного перехода транзистора VT1

U бm
Rвх бэ = ,
I бm

ПОК
определяют величину полного входного сопротивления Rвх оконеч-
ного каскада с учетом шунтирующего действия резисторов Rб1 и Rб 2

ПОК
Rвх = Rб1 Rб 2 Rвх бэ

32
и находят коэффициент усиления предоконечного каскада по напря-
жению

U нПОК U кm
K uПОК = m
ПОК
= .
U вх U бm
m

Для уменьшения влияния разброса параметров транзистора на

коэффициент усиления в эмиттерную цепь устанавливают сопротив-
ление R'э , не блокируемое конденсатором Cэ . Это сопротивление
обычно принимают в пределах

Rэ' = (1...5)rэ ,

ϕТ m
где rэ = , m = 1 для германиевых транзисторов; m = 2 для крем-
I ок
ниевых транзисторов; ϕТ = 25 ⋅ 10 − 3 B – тепловой потенциал при 20 °С.
С учетом R'э полное входное сопротивление предоконечного
каскада возрастает и становится равным

ПОК I кm
Rвх = Rб1 Rб2 (Rвхбэ + Rэ' )
I бm

7.3. Расчет входного и промежуточного каскадов

Входной и промежуточный каскады (если есть необходимость в
последнем) выполняются на операционных усилителях.
Схемы каскадов, как правило, идентичны и отличаются только
номиналами элементов. Различия в номиналах элементов связаны с
различными требованиями к входным сопротивлениям каскадов (
ВхК ПК
Rвх и Rвх ) и, возможно, к различным коэффициентам усиления по
напряжению ( К uВхК и К uПК ).
Входной каскад должен обладать большим входным сопротив-
ВхК
лением Rвх , поскольку выходное (внутреннее) сопротивление Rг
источника сигнала велико (от сотен кОм до десятков Мом в зависи-
мости от варианта задания).

33
 ПК
В то же время требования к входному сопротивлению Rвх про-
межуточного каскада существенно ниже, так как выходное сопротив-
ВхК
ление входного каскада Rвых составляет единицы–десятки Ом.
Расчеты выходного и промежуточного каскадов идентичны,
поэтому рассмотрим только расчет входного каскада, работающего
на предоконечный каскад.
Исходными данными для расчета являются следующие пара-
метры:
ВхК
• амплитудное значение напряжения U н m на нагрузке входно-
го каскада;
• сопротивление RнВхК нагрузки либо амплитудное значение
тока на нагрузке I нВхК
m
;
• внутреннее сопротивление Rг источника сигнала;
• коэффициент K uВхК усиления входного каскада по напряже-
нию;
• нижняя граничная частота f н в частотном спектре усиливае-
мого сигнала;
• допустимый фазовый сдвиг сигнала во входном каскаде

ϕ ВхК = (0,1...0 ,2)ϕ доп .

Нагрузкой входного каскада в нашем примере является вход

предоконечного каскада бестрансформаторного усилителя низкой ча-
стоты, поэтому справедливы следующие соотношения:

U нВхК
m
ПОК
= U вх m
;

RнВхК = Rвх
ПОК
;

ПОК
U вх
I нВхК
ПОК
m
. = m

Rвх
Задавшись значением коэффициента передачи входной цепи

34
 ВхК
Rвх
γ= ВхК
= (0,7...0,95) ,
Rвх + Rг

определяют величину необходимого коэффициента усиления K ВхК '

u
входного каскада по напряжению в предположении отсутствия про-
межуточного каскада в усилителе

Uн
K uВхК ' = .
γEг K uВК K uПОК

Анализируют величину требуемого коэффициента K uВхК ' уси-

ления входного каскада по напряжению. Если K uВхК ' > 100 , то недо-
стающее усиление сигнала необходимо будет получить во втором
усилительном каскаде – промежуточном. Коэффициент усиления же
входного каскада в этом случае вычисляют как

K uВхК = K uПК = K uВхК' ,

то есть выбирают коэффициент усиления по напряжению промежу-

точного каскада K uПК , равный коэффициенту усиления входного кас-
када.
Из компьютерной электронной базы кафедры и из справочной
литературы [8] подбирают тип операционного усилителя.
Критерием пригодности операционного усилителя является
следующая система неравенств

 I оу ВхК
вых max ≥ (1,1...1,2) I н m

U оу ≥ (1,1...1,2)U ВхК
 вых max н m
 оу
 f в ≥ (3...5) f в
 оу ВК
 U вых min ≥ (1,1...1,2)U н m
оу
где I вых max – максимальный выходной ток операционного усилителя;

35
 оу оу
U вых , U вых – максимальное и минимальное значение напряже-
max min

ния на выходе операционного усилителя; f воу – верхняя граничная

частота операционного усилителя.
Рассчитывают номиналы резисторов и емкостей.
Схемы на операционных усилителях допускают широкий вы-
бор номиналов резисторов цепи обратной связи R1,R2, поэтому раз-
работчики могут выбирать их номиналы в довольно широких преде-
лах. Однако нежелательно применять в цепи обратной связи рези-
стор R 2 > 2МОм .
Для расчета схемы инвертирующего входного каскада на опера-
ционном усилителе (рис. 2) сначала задаются величиной резистора

R1 = (1...10) Rг .

Уточняют значение коэффициента передачи входной цепи в об-

ласти средних частот
ВхК
Rвх
γ= ВхК
Rвх + Rг

и вносят коррективы в величину коэффициента K uВхК усиления вход-

ного каскада по напряжению.
После этого рассчитывают

R 2 = R3 = K uВхК R1

Если величина резистора R2 получается более 2 МОм, то

уменьшают величину резистора R1 и повторяют расчет R2 и R3.
Величину переменного резистора R4 не рассчитывают, поскольку
обычно применяют типовые схемы коррекции смещения нуля опера-
ционных усилителей, рекомендованные их изготовителями. Для опера-
ционных усилителей общего применения и прецизионных обычно
величина резистора берется в пределах от 10 кОм до 100 кОм.
ВхК
Величину резисторов R5 и R6 находят, исходя из тока I потр по-
требления входного каскада от каждого источника питания + Eп и − Eп

36
 Еп − U ст
R5 = R 6 = ВхК
I потр

где U cm – напряжение стабилизации стабилитронов VD1VD

, 2.
Напряжение U cm стабилизации должно быть равно требуемому
напряжению питания операционного усилителя (при котором полу-
чается необходимый размах его выходного сигнала).
Напряжения источников питания выбирают как

Eп ≥ (1...2) + U ст

В схеме инвертирующего усилителя (рис. 2) конденсатор С1

влияет на амплитудно- и фазочастотную характеристики входного
каскада.

1
С1 ≥ .
2πf н R1tg(ϕВхК )

Конденсаторы С2 и С3 служат для высокочастотной развязки

по цепям питания. Теоретический расчет их номиналов очень сло-
жен, поэтому обычно ограничиваются опытными величинами

C 2 = C3 = (0,22...1,
0) мкФ.

Расчет схемы неинвертирующего входного каскада (рис. 2) от-

личается тем, что сначала задаются величиной резисторов R2 и R3

R 2 = R3 = ( 1...10 )Rг

Величины сопротивлений R2 и R3 не рекомендуется брать более

51 МОм.
После этого рассчитывают коэффициент передачи γ в области
средних частот и вносят коррективы в величину требуемого коэффи-
циента усиления K иВхК входного каскада по напряжению.
Определяют

37
 R2
R1 = .
K иВхК − 1

В схеме неинвертирующего усилителя (рис. 2) на амплитудно-

и фазочастотную характеристики входного каскада влияет не только
конденсатор С1 , но и С 2 . Величины указанных емкостей рассчи-
тывают по следующим формулам
1
С1 ≥
2πf н R1tg(0,3ϕ ВхК )
1
С2 ≥
2πf н [ R3 + Rг ]tg(0 ,7ϕ ВхК )

7.4. Расчет элементов связи

Целью данного расчета является определение величин емко-
стей разделительных и блокировочных конденсаторов.
Наличие указанных реактивных элементов приводит к завалу
амлитудно-частотной характеристики усилителя в области низких
частот и, соответственно, к возникновению сдвига фаз между вход-
ным и выходным сигналом. В то же время, согласно заданию на
проект, величина фазового сдвига не должна превышать ϕ доп . Обес-
печить это требование можно, правильно распределив допустимые
значения фазовых сдвигов, а именно:

ϕ ВК = (0,3...0,4) f н – для выходного каскада;

ϕ ПОК = (0,2...0,5)ϕ доп – для предоконечного каскада
ϕ ВхК = ϕ доп − ϕ ВК − ϕ ПОК − ϕ ПК ,

где ϕ доп – заданное допустимое значение фазового сдвига на весь

усилитель.
Допустимый фазовый сдвиг ϕi ,вносимый одним реактивным
сопротивлением в i-м каскаде определяется соотношением:

ϕк
ϕi =
Nк

38
где N к – число реактивных элементов в i-м каскаде; ϕ к – допусти-
мый фазовый сдвиг в каскаде.
С учетом выбранного распределения фазового сдвига емкости
разделительных конденсаторов рассчитывают по формулам:

1
С рi = ,
2πf н R' tgϕi

где R' = Rвых + Rвх

Rвых – выходное сопротивление предыдущего каскада; Rвх – входное
сопротивление последующего каскада (либо нагрузки); f н – нижняя
граничная частота усилителя.
Величина емкости блокировочного конденсатора в цепи эмит-
тера транзисторов ( Cэ на рис. 4, а, C3 на рис. 6 и 7) рассчитывают
по формуле:

1
Сэi = ,
2πf н Rэ' i tgϕi

где Rэ' i – соответствующее сопротивление в цепи эмиттера ( Rэ на

рис. 4, а, R2 на рис. 6, 7);
Допустимые рабочие напряжения на разделительных конденсаторах
выбирают из условия:

U C доп ≥ (1,1...1,2)( Eп1 + Eп 2 ) .

Полученное значение U C доп округляется в сторону большего

стандартного значения для типовых значений напряжений.

Приложение 1
Министерство образования Российской Федерации
Санкт-Петербургский государственный университет
низкотемпературных и пищевых технологий

39
 Кафедра электротехники и электроники

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА
к курсовой работе

«РАСЧЕТ БЕСТРАНСФОРМАТОРНОГО УСИЛИТЕЛЯ

НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ»
по курсу “Электротехника и электроника»

Руководитель работы Дорошков А. В.

Выполнил студент Сидоров Ю. В.

группы 231

Санкт-Петербург 2003
Приложение 2
Статические характеристики транзисторов

а б

40
Рис. 1. Статические характеристики транзисторов
КТ3102А,В и КТ3107А,В:
а – входные; б – выходные

Рис. 2. Входные статические характеристики

транзисторов КТ502А-Е

41
Рис. 3. Выходные статические характеристики
транзисторов КТ502Б-Г

Рис. 4. Выходные статические характеристики

транзисторов КТ502А, В, Д, Е

42
Рис. 5. Входные статические характеристики
транзисторов КТ503А-Е

Рис. 6. Выходные статические характеристики

транзисторов КТ503А, В, Д, Е

43
 а б

Рис. 7. Начальные участки выходных статических характеристик транзисторов:

а – КТ503Б, Г; б – КТ503А, В, Д, Е

а б

Рис. 8. Начальные участки выходных статических характеристик транзисторов:

а – КТ502Б, Г; б – КТ502А, В, Д, Е

44
 Рис. 9. Входные статические характеристики
транзисторов КТ814А-Г и КТ815А-Г
а б

Рис. 10. Выходные статические характеристики транзисторов:

а – КТ814А-Г; б – КТ815А-Г
а б

45
Рис. 11. Начальные участки выходных статических характеристик транзисторов:
а – КТ814А-Г; б – КТ815А-Г

а б

Рис. 12. Входные статические характеристики транзисторов:

а – КТ816А-Г; б – КТ817А-Г (б)

46
Рис. 13 Выходные статические характеристики
транзисторов КТ816А-Г

Рис. 14. Выходные статические характеристики

транзисторов КТ817А-Г

47
а б

Рис. 15. Начальные участки выходных статических характеристик

транзисторов:
а – КТ816А-Г; б – КТ817А-Г

а б

Рис. 16. Входные статические характеристики транзисторов:

а – КТ818А-Г; б – КТ818АМ-ГМ

48
а б

Рис. 17. Входные статические характеристики транзисторов:

а – КТ819А-Г; б – КТ819АМ-ГМ

Рис. 18. Выходные статические характеристики

транзисторов КТ818АМ-ГМ, КТ818А-Г

49
Рис. 19. Начальные участки выходных статических характеристик тран-
зисторов КТ818АМ-ГМ, КТ818А-Г

Рис. 20. Выходные статические характеристики

транзисторов КТ819А-Г, КТ819АМ-ГМ

50
 Рис. 21. Начальные участки выходных статических
характеристик транзисторов КТ819АМ-ГМ, КТ819А-Г

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Усатенко С.Т., Каченюк Т.К., Терехова М.В. Выполнение
электрических схем по ЕСКД: Справочник. – М.: Изд-во стандартов,
1989.

51
 2. Войшвилло Г.В. Усилительные устройства. – М.: Высш. шк.,
1980
3. Гершунский Г.В. Справочник по расчету электронных схем. –
Киев: Изд-во Киевского ун-та, 1983.
4. Фолкенберри Л. Применение операционных усилителей и
линейных интегральных схем / Пер. с анг. – М.: Мир, 1985.
5. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. – М.: Радио и связь,
1991.
6. Забродин Ю.С. Промышленная электроника: Учебник для
вузов. – М.: Высш. шк., 1982.
7. Полупроводниковые приборы. Транзисторы / Справочник. –
М.: Энергоатомиздат, 1985г.
8. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы: Спра-
вочник/ С.В.Якубовский, Л.И.Ниссельсон, В.И.Кулешова и др. – М.:
Радио и связь, 1990.

СОДЕРЖАНИЕ

1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ И ЗАДАНИЕ ДЛЯ РАСЧЕТА..........................5

2. ТРЕБОВАНИЯ К ПОЯСНИТЕЛЬНОЙ ЗАПИСКЕ....................8

52
3. ТРЕБОВАНИЯ К ОФОРМЛЕНИЮ
ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СХЕМЫ............................................ ..................9
4. ПОРЯДОК ЗАЩИТЫ КУРСОВОЙ РАБОТЫ.............................9
5. ВЫБОР СТРУКТУРНОЙ СХЕМЫ.............................................10
6. ВЫБОР ПРИНЦИПИАЛЬНОЙ СХЕМЫ ..................................13
7. РАСЧЕТ ПРИНЦИПИАЛЬНЫХ СХЕМ ОСНОВНЫХ
КАСКАДОВ УСИЛИТЕЛЯ............................................................. ..18
7.1. Расчет выходного каскада............................. .............................18
7.1.1. Выбор выходных транзисторов...............................................19
7.1.2. Выбор режима работы по постоянному току
и построение линии нагрузки ............................................... ............21
7.1.3. Выбор предвыходных транзисторов и режимов работы их по
постоянному току. Построение линии нагрузки.............................23
7.1.4. Определение основных параметров выходного каскада.......25
7.2. Расчет предоконечного каскада.................................................28
7.3. Расчет входного и промежуточного каскадов.......................33
7.4. Расчет элементов связи...............................................................38
П р и л о ж е н и е 1 ..................................................................... ...39
Приложение
2
Статические характеристики транзисторов...................................40
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ....................................... ...........................51

53
 Дорошков Александр Валентинович

РАСЧЕТ БЕСТРАНСФОРМАТОРНОГО УСИ-

ЛИТЕЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ

Методические указания
к выполнению курсовой работы
по курсу «Электротехника и электроника»
для студентов специальности 210200
специализации 210206
всех форм обучения

Редактор
Л.Г. Лебедева
Корректор
Н.И. Михайлова
_____________________________________________________________________
____
Подписано в печать 27.10.2003. Формат 60×84 1/16.
Печать офсетная. Усл. печ. л. 3,26. Печ. л. 3,5. Уч.-изд. л. 3,19
Тираж 150 экз. Заказ № C 71
_____________________________________________________________________
___
СПбГУНиПТ. 191002, Санкт-Петербург, ул. Ломоносова, 9
ИПЦ СПбГУНиПТ. 191002, Санкт-Петербург, ул. Ломоносова, 9

54