Small-Signal

Amplifier
Design, Power
Amplifier
Design, and
Amplifier
Biasing
Presented by :
Yuni Intanmia Suryanto
(21060111120005)
Muh Salman Lubis
(21060111120017
Small-Signal Amplifier
diperlukan untuk meningkatkan tingkat
sinyal lemah yang ditemukan pada
masukan dari penerima ke tingkat yang
dapat digunakan untuk detektor, atau
ke tingkat yang tepat diperlukan untuk
penguat daya akhir pemancar

Small-Signal Amplifier Design with S-
Parameters

Dengan menggunakan perangkat S-
parameter kita dapat dengan cepat
merancang Sirkuit pencocokan RF transistor,
tetapi akurat hanya ketika jaringan dalam
keadaan normal serta mempunyai resistensi
nilai-nilai yang tinggi dalam jaringan bias.
S-parameter yang mudah mampu
mengungkapkan apakah perangkat aktif tertentu
akan tetap stabil ketika disajikan dengan
impedansi pada yang port input dan output, atau
apakah transistor mungkin mulai berosilasi pada
beberapa kombinasi impedansi tertentu.
perhitungan stabilitas ini, menggunakan S-
parameter, disebut sebagai stabilitas Rollet faktor,
atau K.
Linear Amplifier Design
pertama-tama kita harus menemukan apakah
perangkat aktif yang kita pilih akan tetap stabil pada
frekuensi dan bias yang kita ingin. Dengan
menggunakan rumus stabilitas K:


Dimana

Contoh:



Hitung K:





Karena nilai K lebih dari 1, berarti memiliki
transistor stabil. Sehingga kita dapat menghitung
MAGnya atau keuntungan penguatan.

Hitung MAG




Hitung L





sudut L sama dengan C2 tapi dengan tanda yang berlawanan menjadi L
=0.748 +33.5



sudut L sama dengan C2 tapi dengan tanda yang berlawanan menjadi L
=0.748 +33.5
Hitung S




Hitung impedansi input dari transistor



Hitung impedansi keluaran transistor






Untuk menghitung gain transducer




Small-Signal Amplifier Stability
Sebuah penguat dapat berosilasi saat frekuensi
rendah. Ketika transistor tidak stabil dan mulai
berosilasi , dapat menggeser titik bias, serta dapat
memakan lebih banyak arus dan meningkatkan
disipasi perangkat internal dan mungkin
menyebabkan kehancuran. Oleh karena itu
diperlukan adanya penstabil sirkuit Penstabil ini dapat
berupa resistor, maupun transistor.
Small-Signal Design Approximations

Untuk mendapatkan nilai-nilai desain,
kita tidak harus menghitungnya secara
formal. Dengan metode S-parameter
kita bisa mendapatkan nilai-nilai desain
tersebut yang disebut scalar
approximations.
Untuk semua formula berikut hanya besar S-
parameter yang digunakan, dan bukan sudut
fase:
1. G
tu
(transducer unilateral gain)

2. Mismatch losses

3. MAG (maximum avaible gain)

4. MAG tidak direkomendasikan pada
amplifier karena berpotensi tidak stabil pada
nilai gain yang tinggi. Kita dapat menghitung
MSG (maximum stable gain)

Contoh:
Diketahui
Maka,










Dengan MSG <MAG, kita bisa melihat bahwa
transistor ini akan stabil.
Small-Signal Matching Network Design

3 matching network yang populer





a. Jenis L
b. Jenis T
c. Sirkuit PI

3 matching network yang populer





a. Jenis L
b. Jenis T
c. Sirkuit PI

Pada rangkaian ini impedansi amplifier harus sama
dengan impedansi dari rangkaian, sehingga kita
dapat memperoleh transfer daya maksimum.



Lumped L Matching

L matching memiliki kelemahan pada Q dari
rangkaian yang tidak dapat dipilih pada awal
perhitungan. Dalam banyak aplikasi Q yang rendah
diinginkan untuk meningkatkan bandwidth dari linear
amplifier. Namun, nilai Q biasanya rendah dalam
jaringan L.
Merancang sebuah jaringan resistif-matching dengan
dasar jaringan L, untuk mencocokan dua nilai resitansi
berbeda dari R
S
dan R
P


1. Temukan Q alami rangkaian dengan rumus


2. Cari reaktansi elemen X
P
dari jaringan L


3. Cari reaktansi elemen X
S
dari jaringan L


4. Ubah reaktansi XS ke nilai induktor


5. Ubah reaktansi XP ke nilai kapasitor











Ketika dalam situasi pencocokan impedansi
tinggi ke rendah, hanya mengubah R
P
ke R
S
,
dan R
S
ke R
P
, dan kemudian menggunakan
perhtungan yang sama seperti di atas.
PI and T Network Matching
Three-element impedance-matching (PI or
) network populer di banyak narrowband
aplikasi. Ini dikarenakan Q yang dipunya
lebih tinggi dari jaringan L.
Untuk Q yang diinginkan untuk aplikasi
tertentu dapat dihitung dengan rumus






1. Cari R virtual resistance


2. Cari XP2 dan XS2


3. Cari nilai XP1 dan XS1



4. Gabungkan XS1 dan XS2 (XS1+XS2)
5. Salah satu dari 4 konfigurasi dapat dipilih

6. Ubah nilai perhitungan L dan C







RF Power Amplifier
Pendahuluan
RF Power Amplifier memiliki beberapa bentuk kelas, yaitu kelas A, B, C,
D, E, dan F. Hanya Amplifier tipe kelas A yang sepenuhnya linear dan
memiliki gain terbesar diantara amplifier sinyal-besar tipe kelas lainnya.
Amplifier tipe kelas A juga dapat bekerja dengan efektif pada frekuensi
tinggi dibandingkan tipe kelas lainnya.
Power amplifier tipe kelas A dan amplifier sinyal-kecil dapat didesain
menggunakan S-Parameter. Sedangkan Power Amplifier tipe nonlinear
seperti tipe kelas B dan C tidak dapat menggunakan S-parameter ini
maka untuk tipe ini di desain menggunakan parameter input/output sinyal-
besar.
Mendesain power amplifier kelas C dengan S-Parameter sinyal-kecil akan
menghasilkan rangkaian yang tidak optimal dan tidak berfungsi sebagai
mestinya. Ini dikarenakan impedansi input/output transistor, kapasitansi,
dan gain akan jelas berbeda saat dioperasikan sebagai amplifier sinyal-
besar berbeda halnya dengan amplifier tipe kelas A dengan sinyal-kecil.

Pendahuluan
Impedansi input dan output transistor akan berkurang seiring
bertambahnya frekuensi, hal ini kedepannya akan menyulitkan dalam
mendesain power amplifier matching dengan driver, apalagi jika
impedansi terus turun hinga 0.5 ohm. Kita menginginkan terjadinya
matching antara impedansi output sebenarnya suatu driver dengan
impedansi input sebenarnya dari suatu ampifier, misal output driver
sebesar 50 ohm maka input amplifier juga harus 50 ohm
Dengan menggunakan tegangan kolektor yang tinggi maka kita dapat
menambah impedansi keluaran transistor dengan rumus sebagai berikut :

2
2

Dimana

=impedansi output transistor, ohm

= Tegangan DC pada kolektor, V

= power output transistor, W

Langkah-langkah mendesain
Power Amplifier
1. Memilih devais aktif yang sesuai dengan kebutuhan, baik
frekuensi, penguatan, Vcc, biaya dll.
2. Melihat datasheet transistor. Lihat bagian grafik daya keluaran vs
daya masukan (atau grafik daya keluaran vs frekuensi) untuk
menemukan level daya masukan RF yang dibutuhkan agar
transistor dapat menghasilkan daya output RF yang ditentukan.
3. Pada datasheet, cari Series Equivalent Impedance luntuk
memperolehimpedansi seri massukan transisstor Zin dan beban
yang dinginkan (zout)
4. Buat rangkaian RF matching menggunakan Zin dan Zout
5. Desain rangkaian Bias sesuai dengan kelas amplifier yang
diperlukan
6. Gunakan software simulasi non linear dan atur agar diperoleh
daya, penguatan, stabilitas, efisiensi dan input return loss yang
optimal

Meratakan Gain Power
Amplifier
Impedansi input dan output transistor akan berkurang seiring
bertambahnya frekuensi, hal ini kedepannya akan menyulitkan dalam
mendesain power amplifier matching dengan driver, apalagi jika
impedansi terus turun hinga 0.5 ohm. Kita menginginkan terjadinya
matching antara impedansi output sebenarnya suatu driver dengan
impedansi input sebenarnya dari suatu ampifier, misal output driver
sebesar 50 ohm maka input amplifier juga harus 50 ohm
Dengan menggunakan tegangan kolektor yang tinggi maka kita dapat
menambah impedansi keluaran transistor dengan rumus sebagai berikut :

2
2

Dimana

=impedansi output transistor, ohm

= Tegangan DC pada kolektor, V

= power output transistor, W

Meratakan Gain Power
Amplifier
Semua power amplifier RF pitalebar seharusnya memasukkan beberapa tipe
kompensasi untuk menjaga gain tetap datar hingga 2 dB atau dibawahnya
melewati sepanjang bandwidth. Hal ini dibutuhkan berkaitan dengan
kecenderungan transistor dalam memiliki gain lebih tinggi 6 dB per oktaf
saatfrekuensi lebih rendah dibandingkan saat frekuensi lebih tinggi. Gain yang
bertambah dapat menyebabkan frekuensi rendah tidak stabil dan tidak
menutup kemungkinan akan menimbulkan kerusakan pada transistor.
Metode sederhana untuk mengatasi hal ini adalah dengan menambahkan
sebuah rangkaian rugi-rugi diantara driver power amplifier dan power
amplifier. Prinsipnya dengan mengirimkan output power frekuensi rendah lebih
tinggi ke resistor R saat hampir nilai kompensasi sebesar 6 dB per oktaf
sehingga akan meratakan respon gain power amplifier.


Kompensasi Frekuensi untuk
Operasi Hingga 1,6 GHz
Langkah-langkah untuk mendesain :
1. Menghitung nilai LC untuk mencapai resonansi saat frekuensi tertinggi pada
passband yang diinginkan dan dengan rasio L/C yang besar untuk Q rendah dan
bandwidth lebar. Kemudian dimulai dengan nilai induktor tertinggi dengan ketentuan
di bawah SRF (Self Resonance Frequency) nya dan kemudian menghitung nilai
kapasitor hingga mencapai resonansi. Biasanya passband terlebar yang didapat
untuk rangkaian ini yaitu 25 % dari frekuensi pusat.
2. Memulai nilai R dari 50 ohm, lalu naikkan dan turunkan nilai R tersebut hingga
passband serata mungkin, dengan sedikit atau bahkan tidak ada loss pada amplitudo
saat frekuensi resonansi. Jika dibutuhkan, turunkan nilai L sementara naikkan nilai C,
hingga semua parameter optimal. Dengan catatan, nilai resoinansi tidak seharusnya
jauh dari frekuensi tertinggi pada passband tersebut.

Contoh kasus :

(3)
= 1.4 hingga 2.0 GHz
Zin = 50 ohm
Zout = 50 ohm
Kerataan passband = 0.3 dB
MMIC = Mini circuits ERA-50SM

Kompensasi Frekuensi untuk
Operasi Hingga 1,6 GHz
Kompensasi Frekuensi untuk
Operasi Hingga 1,6 GHz
Pembiasan Amplifier

Pendahuluan
Transistor pada amplifier harus memiliki rangkaian
pembiasan DC karena pertama, kita akan
membutuhkan dua supply tegangan terpisah untuk
melengkapi kelas bias yang diinginkan untuk tegangan
emiter-collector dan emiter-base, dengan pembiasan
maka tegangan terpisah tersebut bisa didapat hanya
dengan satu supply. Kedua, transistor cenderung
sensitif terhadap temperatur yang disebut thermal
runaway. Thermal runaway ini secara cepat dapat
menghancurkan transistor bipolar. Arus kolektor
dengan cepat dan tidak terkendali menambah level
kerusakan selama peningkatan temperatur, dengan
pembiasan maka temperatur amplifier dapat
distabilkan.

Kelas-Kelas Bias Amplifier
Kelas-kelas bias almplifier yaitu kelas A, AB, B dan C.
Semua kelas-kelas ini menggunakan komponen
rangkaian untuk membias transistor pada operasi DC
yang berbeda-beda yang disebut poin Q.


Mendesain bias amplifier
Ada banyak cara untuk membias amplifier, tergantung pada
tingkat kestabilan temperatur yang dibutuhkan, efisiensi,
biaya, alat, output power, linearity dan sebagainya.
Contoh rangkaian bias yang paling populer yaitu :
Kelas AB dioda atau transistor bias untuk microwave power
amplifier hingga 3 W

Mendesain bias amplifier
Kelas A bias, Amplifier BJT dioda dengan kestabilan
temperatur sangat tinggi untuk HF dan dibawahnya

Mendesain bias amplifier
Kelas A bias, Amplifier BJT dengan kestabilan temperatur
untuk HF, VHF dan UHF


Mendesain bias amplifier
Kelas A atau AB bias, Amplifier dengan kestabilan temperatur
untuk HF

Mendesain bias amplifier
Kelas A atau AB bias, Amplifier umpan balik collector dengan
kestabilan temperatur menengah untuk HF, VHF, UHF dan diatasnya

Mendesain bias amplifier
Kelas A bias, Amplifier Buffer terintegrasi

Mendesain bias amplifier
Kelas A bias aktif, kestabilan tinggi, untuk amplifier microwave
Mendesain bias amplifier
Kelas A JFET Bias tersendiri, Amplifier sumber bersama untuk VHF
dan dibawahnya

Mendesain bias amplifier
Kelas A bias, JFET Amplifier stabil untuk HF

Mendesain bias Amplifier
Kelas C bias, Power Amplifier BJT