Dispositivos de cuatro capas (PNPN)

SCR (Rectificadores Controlados de Silicio)

Dispositivo de 4 capas y 3 terminales
Manejo de potencias significativas
I > 5kA
V > 10kV
Las junturas externas estn polarizadas en
directa y la interna en reversa.
Una corriente por el gate sirve para
polarizar la juntura intermedia y poner el
disp. en conduccin

The diode model
Ppio. De funcionamiento: Acta como un par de transistores
realimentados positivamente.
BJT son intrnsicamente
de baja ganancia (ancho
base comp. a diff. length)
La suma 1 + 2 resulta < 1 (los transistores
son de bajo beta) para Vak bajas
La relacin aumenta con Vak debido a:
a) Aumento de la zona de vac en J
2,3
y por
ende de I y del factor de transporte
b) Mayores niveles de inyeccin aumentan la
eficiencia de Emisor
c) La multiplicacin de portadores en J
2,3

siempre produce el disparo (an a pesar
de los dos anteriores)
Una Ig > 0 produce corriente inicial mayor, y el
dispositivo se activa con menor tensin
Vak
Operacin
SCR de Ctodo cortocircuitado
Caractersticas de encendido
reproducibles
Adds a contact to P3 far from the
gate
A bajas I, P3/N4 est en cc y la
ganancia de N4-P3-N2 es 0.
A mayores I, la V
B
se incrementa
y P3-N4 se polariza en directa

Conduce corriente en un solo
sentido
Puede dispararse tambin por
tensiones directas altas o dV/dt
(capacidad de J
2,3
)
Una vez disparado conduce
siempre y cuando I>I
H

Un pico elevado de corriente
di/dt (para prendido) puede
quemar el dispositivo
Factores importantes
Peak forward and reverse breakdown voltages
Maximum forward current
Gate trigger voltage and current
Minimum holding current, I
H
Power dissipation
Maximum dV/dt
Ventajas
Requiere poca corriente de gate para disparar una gran
corriente directa
Puede bloquear ambas polaridades de una seal de A.C.
Bloquea altas tensiones y tiene cadas en directa pequeas

Desventajas
El dispositivo no se apaga con Ig=0
No pueden operar a altas frecuencias
Pueden dispararse por ruidos de tensin
Tienen un rango limitado de operacin con respecto a la
temperatura
Triacs
El dispositivo puede encenderse tanto con tensin
A1-A2 positiva como negativa, utilizando una tensin
del signo adecuado en el gate.

MAC210A8
DIAC
No conduce hasta que se supera la
tensin de disparo
Puede utilizarse para disparar un
triac
Disipaciones tpicas de a 1 W
Caractersticas Tpicas
Aplicaciones
Control de iluminacin
Control de motores
Llaves de proteccin y coneccin de circuitos
Opto-SCR
Opto-Triacs
Transistor Unijuntura
Sobre una determinada tensin Vp exhibe una zona de resistencia negativa
Factores: Ip corriente pico de emisor; Vmax; Rbb resistencia de base;
Vp
Transitor Unijuntura (2)
Aplicacin tpica: Oscilador de relajacin
Memristor
Memristor

dt i M dt v
Mq
HP Memristor
Referencias
Robert F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals,
Addison Wesley, 1996. Captulo 13.