I II III IV Polarizacin directa Polarizacin directa Polarizacin inversa Polarizacin inversa Polarizacin inversa (o sin polarizacin) Polarizacin directa Polarizacin inversa (o sin polarizacin) Polarizacin directa Activa Saturacin Corte Invertida Zonas de funcionamiento para los cuatro estados del transistor sobre las curvas caractersticas de salida > Regin activa. Existen corrientes en todas sus terminales y se cumple que la unin base-emisor se encuentra polarizado en directa y el colector-base en inversa. VBE =Vy IC=*IB =b+(+1) b = =0.7 = 0.2 donde Vy es la tensin de saturacin de la unin base-emisor (0.6V), y Ico es la corriente inversa de saturacin de la unin B-C con el emisor en circuito abierto.
> Regin de saturacin Las dos uniones se polarizan en directo. La corriente Ic es independiente de la corriente base, de forma que: ICsat = =0.8 Y = 0.2
El BJT entra en saturacin cuando el colector reduce su tensin por debajo de la base, de tal modo que: VBC =VBE - Vce= VBCY VCEsat = VBE VBCY = (0.7 -0.5) V = 0.2V. > Regin de corte Circuito abierto La condicin de corte terico o seguro se alcanza cuando IE = 0 por lo tanto resulta IC = ICBO = -IB 0. Esto sucede para una tensin VBE 0. En la prctica se considera corte para VBE VBEY = 0.5V. > Regin inversa No se utiliza
Modelos equivalentes lineales del BJT La regin activa es til para la electrnica analgica (especialmente til para amplificacin de seal) Las regiones de corte y saturacin, para la electrnica digital, representando el estado lgico alto y bajo, respectivamente. Referencias F.I.C.. (2010). El transistor bipolar BJT. 10 de Junio del 2014, de F.I.C. Sitio web: http://quegrande.org/apuntes/grado/1G/TEG/teoria/10-11/tema_7_- _transistores_bipolares.pdf Andrs Aranzabal Olea. (2001). Transistores Bipolares, teora y prctica.. 10 de Junio del 2014, de Universidad del Pas Vasco Sitio web: http://juliodelgado.galeon.com/#corte Circuitos Electrnicos. Anlisis, diseo y simulacin. N.R. Malik. Circuitos y Dispositivos Electrnicos. R.J Tocci. 3 Ed.