0 оценок0% нашли этот документ полезным (0 голосов)
30 просмотров78 страниц
System is dead, no cursor, no beeps, no fan. Power cord failure. Plug in or replace power cord. Motherboard failure. Replace motherboard. If the system still won't boot replace bank 1. All components either incorrectly installed. Check all peripherals, especially memory and graphics adapter. Reseat all boards and socketed components.
System is dead, no cursor, no beeps, no fan. Power cord failure. Plug in or replace power cord. Motherboard failure. Replace motherboard. If the system still won't boot replace bank 1. All components either incorrectly installed. Check all peripherals, especially memory and graphics adapter. Reseat all boards and socketed components.
System is dead, no cursor, no beeps, no fan. Power cord failure. Plug in or replace power cord. Motherboard failure. Replace motherboard. If the system still won't boot replace bank 1. All components either incorrectly installed. Check all peripherals, especially memory and graphics adapter. Reseat all boards and socketed components.
Pertanyaan Tahukah anda Tipe-tipe Prosesor dari awal sampai sekarang ? sampai sekarang ? Tahukah anda Kategori Sistem Hardware dari masing-masing tipe ? Prosesor Lebar Data Kategori Lebar Register masing-masing tipe ? Prosesor Lebar Data Kategori Lebar Register 8088 8-bit 8-bit 16-bit 8086 16-bit 16-bit 16-bit 286 16-bit 16-bit 386/SX 16 bi 32 b 386/SX 16-bit 32-bit 386/DX 32-bit 32-bit 32-bit 486/AMD-5x86 32-bit 32-bit Pentium/AMD-K6 64-bit 32-bit 64-bit Pentium Pro/Celeron/II/III 64-bit 32-bit AMD Duron/Athlon/Athlon XP 64-bit 32-bit Pentium 4 64-bit 32-bit Itanium 64-bit 64-bit 2 AMD Athlon 64 64-bit 64-bit Pentium 4 w/ EM64T 64-bit 64-bit Problem Identification Possible Cause Resolution System is dead, no cursor, no beeps, no fan. Power cord failure. Plug in or replace power cord. Power cords can fail even though they look fine Troubleshooting CPU ? they look fine. Power supply failure. Replace the power supply. Use a known-good spare for testing. Motherboard failure. Replace motherboard. Use a known-good spare for testing. Memory failure. Remove all memory except 1 bank and retest. If the system still won't boot replace bank 1. System is dead, no beeps, or locks up before POST begins. All components either incorrectly installed. Check all peripherals, especially memory and graphics adapter. Reseat all boards and socketed components. System beeps on startup, fan is running, no cursor on screen. Improperly seated or failing graphics adapter. Reseat or replace graphics adapter. Use known-good spare for testing. System powers up, fan is running, no beep or cursor. Processor not properly installed. Reseat or remove/reinstall processor and heatsink. Locks up during or shortly after POST. Poor heat dissipation. Check CPU heatsink/fan; replace if necessary, use one with higher capacity. Improper voltage settings. Set motherboard for proper core processor voltage. Wrong motherboard bus speed. Set motherboard for proper speed. Wrong CPU clock multiplier. Jumper motherboard for proper clock multiplier. Improper CPU identification during POST. Old BIOS. Update BIOS from manufacturer. Board not configured properly. Check manual and jumper board accordingly to proper bus and multiplier settings. System won't start after new processor is installed. Processor not properly installed. Reseat or remove/reinstall processor and heatsink. BIOS doesn't support new processor. Update BIOS from system or motherboard manunew facturer. Motherboard can't use new processor. Verify motherboard support. Operating system will not boot. Poor heat dissipation. Check CPU fan; replace if necessary; it might need a higher- capacity heatsink or heatsink/fan on the North Bridge chip. Improper voltage settings. Wrong motherboard bus speed. Jumper motherboard for proper core voltage. Jumper motherboard for proper speed. Wrong CPU clock multiplier Jumper motherboard for proper clock multiplier 3 Wrong CPU clock multiplier. Jumper motherboard for proper clock multiplier. Applications will not install or run. Improper drivers or incompatible hardware; update drivers and check for compatibility issues. System appears to work, but no video is displayed. Monitor turned off or failed. Check monitor and power to monitor. Replace with known-good spare for testing. Pendahuluan Kapan materi COA terasa bermanfaat ? Sebagai dasar pengetahuan, Bila anda bekerja di suatu h d d di i t t k perusahaan dan anda diminta untuk : Memilih spesifikasi komputer yang akan digunakan dengan spesifikasi sesuai kebutuhan dan harga kompetitif M b k di di b dd d Membuat program yang akan ditanam di embedded system Melakukan debug terhadap program yang telah terinstall pada embedded system (sensor mesin, sistem pengapian elektronik, dll) dll) Mata kuliah wajib pada computing curricula 2005 yang dikeluarkan oleh ACM, AIS, IEEE-CS 4 Pendahuluan Processor Devices Control Memory Input Datapath Output 5 Processor-Memory Performance Gap Proc 10000 Proc 55%/year (2X/1.5yr) 1000 a n c e Moores Law Kapasitas chip meningkat 2x 1tiap 18-24 bln Cost per bit turun secara 10 100 e r f o r m a Processor-Memory Performance Gap (grows 50%/year) Cost per bit turun secara exponensial Kecepatan dan Kehandalan meningkat 1 10 P e DRAM 7%/year (g y ) 1 9 8 0 1 9 8 3 1 9 8 6 1 9 8 9 1 9 9 2 1 9 9 5 1 9 9 8 2 0 0 1 2 0 0 4 (2X/10yrs) 6 Year Tujuan Hirarki Memori Fakta : Fakta : Large memories are slow and fast memories are small are small Bagaimana membuat memori yang dapat menggambarkan bahwa Memori memiliki Kapasitas yang besar, murah dan cepat ? Berhirarki 7 Parallelism Hirarki Memori Masing-masing memori pada level hirarki memiliki teknologi yang beda Kecepatan ukuran dan bahkan cost nya On-Chip Components Kecepatan, ukuran dan bahkan cost nya Locality principle Second Control Secondary On-Chip Components M i I n C a I T eDRAM Level Cache (SRAM) Datapath Memory (Disk) R e g F i l e Main Memory (DRAM) D a t a C a c h e n s t r c h e T L B D T L B Speed (%cycles): s 1s 10s 100s 1,000s Size (bytes): 100s Ks 10Ks Ms Gs to Ts 8 Size (bytes): 100 s K s 10K s M s G s to T s Cost: highest lowest Hirarki 4-8 bytes (word) Memori 1 to 4 blocks 8-32 bytes (block) 1,024+ bytes (disk sector = page) 9 Computer Architecture and Organization: An Integrated Approach Miles J. Murdocca and Vincent P. Heuring, John Wiley & Sons, (2007) Hirarki Memori Biaya per bit ki h Registers makin murah Kapasitas makin besar L1 Cache L2 Cache besar Waktu akses makin lama Main memory (RAM) Disk cache (pure S/W) makin lama Frekuensi diakses oleh (p ) Disk (Harddisk) Optical (CD DVD) d akses oleh prosesor makin jarang Optical (CD, DVD) Magnetic tape 10 Karakteristik Memori (1) Memory diklasifikasikan berdasarkan: (1) Lokasi (2) Kapasitas (3) Satuan transfer (4) C k e (4) Cara akses (5) Performansi (6) Jenis fisik (6) Jenis fisik (7) Karakteristik fisik (8) Organisasi memori ( ) g 11 Karakteristik Memori (2) (1) Lokasi: Internal : dapat diakses oleh prosesor tanpa melalui I/O ? Register Cache memory Main memory (RAM) l k k h l l i /O External : untuk mengaksesnya harus melalui I/O Harddisk, Diskette, Magnetic Tape Flashdisk CDROM dll CDROM, dll (2) Kapasitas: Adalah kemampuan menampung data dalam p p g satuan tertentu (byte atau word) Satu byte = 8 bit Satu word = 8, 16, atau 32 bit (tergantung pada pembuat 12 Satu word 8, 16, atau 32 bit (tergantung pada pembuat prosesor, Intel: word = 16 bit, IBM 370 = 32 bit), MIPS ??? Karakteristik Memori (3) (3) Satuan transfer: Memori internal: Adalah banyaknya bit yang dapat dibaca/ditulis dari/ke memori dalam setiap detik Adalah setara dengan banyaknya jalur data yang terhubung ke memori (lebar bus) memori (lebar bus) Biasanya sebanyak satu word, tetapi dapat lebih banyak lagi (misal: 32, 64, atau 128 bit) Memori eksternal Memori eksternal Digunakan satuan block yang ukurannya lebih dari satu word Satuan alamat: (minimum addressable unit) Satuan alamat: (minimum addressable unit) Adalah ukuran memori terkecil yang dapat diberi alamat tersendiri Besarnya tergantung pembuat prosesor (Intel: 1 byte atau 8 bit), 13 Besarnya tergantung pembuat prosesor (Intel: 1 byte atau 8 bit), MIPS ??? Cluster di harddisk Karakteristik Memori (4) (4) Cara akses: Sequential access Akses ke memori dilakukan secara berurutan (searching Akses ke memori dilakukan secara berurutan (searching, passing, rejecting) Digunakan mekanisme shared read/write Waktu akses sangat variabel, bergantung pada lokasi data yang g , g g p y g akan dituju dan data sebelumnya Contoh: Magnetic tape Direct access Akses ke memori langsung menuju ke lokasi terdekat, diteruskan dengan sedikit pencarian dan perhitungan Setiap blok/record mempunyai alamat unik berdasarkan lokasi fisik fisik Digunakan mekanisme shared read/write Waktu aksesnya variabel (berbeda-beda) dan bergantung pada lokasi data yang akan dituju dan lokasi data sebelumnya 14 Contoh: harddisk Karakteristik Memori (5) Random access Akses ke memori dilakukan secara random langsung k l t dit j ke alamat yang dituju Setiap alamat memori mempunyai alamat unik Waktu aksesnya konstan dan tidak bergantung pada Waktu aksesnya konstan dan tidak bergantung pada urutan akses sebelumnya Contoh: main memory, beberapa sistem cache A i ti Associative Pencarian data di memori dilakukan dengan membandingkan seluruh word secara bersamaan, membandingkan seluruh word secara bersamaan, tidak berdasarkan alamat Waktu akses konstan dan tidak bergantung pada lokasi dan urutan akses sebelumnya 15 lokasi dan urutan akses sebelumnya Contoh: cache memory Karakteristik Memori (6) (5) Performansi Latency : Time to access one word Waktu akses (access time) Waktu antara perintah akses (baca atau tulis) sampai didapatkannya data di MBR atau data dari MBR telah disalin ke lokasi memori tertentu di MBR atau data dari MBR telah disalin ke lokasi memori tertentu (time between the request and when the data is available or written) Waktu siklus memori (cycle time) Waktu dimulainya suatu operasi memori sampai memori siap l k k i b ik t (l bih ti ) melaksanakan operasi berikutnya (lebih penting) (time between requests) Waktu akses + waktu untuk perubahan signal jalur data sebelum akses kedua cycle time > access time Memory access time Load addr to MAR Decode Copy data to MBR Restore 16 Memory cycle time Karakteristik Memori (7) Transfer rate Adalah waktu rata-rata perpindahan data p p RAM: 1/waktu siklus Non-RAM: T N = T A + N/R T N = Waktu rata-rata untuk baca/tulis sejumlah N bit T R t t kt k T A = Rata-rata waktu akses N = jumlah bit R = transfer rate (bit per second) 17 R = transfer rate (bit per second) Karakteristik Memori (8) (6) Jenis fisik: Semikonduktor : RAM, flashdisk Magnetik : harddisk, magnetic tape Optik : CD, DVD (7) Karakteristik fisik: (7) Karakteristik fisik: Volatile : nilainya hilang bila tegangan listrik tidak ada Semua internal memory ??? Non volatile: nilainya TIDAK hilang (tetap ada) meskipun TIDAK ada Non-volatile: nilainya TIDAK hilang (tetap ada) meskipun TIDAK ada tegangan listrik Erasable : nilainya dapat dihapus (semikonduktor, magnetik) Non erasable : nilainya tidak dapat dihapus (ROM) Non-erasable : nilainya tidak dapat dihapus (ROM) (8) Organisasi memori: Penyusunan bit untuk membentuk word 18 19 Tugas Anda Yang dimaksud SRAM dan DRAM ? Apa yang dimaksud dengan SIMM DIMM dan Apa yang dimaksud dengan SIMM, DIMM dan RIMM ? M RAM ? Macam-macam RAM ? EDO, SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, RDRAM 20 SRAM SRAM dan DRAM adalah tipe chip memori. Static RAM (SRAM) jauh lebih cepat dan tidak ( ) j p memerlukan refresh daripada DRAM dan mampu mengimbangi kecepatan Processor Menggunakan desain cluster yang memiliki 6 Menggunakan desain cluster yang memiliki 6 transistor untuk setiap bit penyimpanannya. Menggunakan transistor tanpa kapasitor Menggunakan transistor tanpa kapasitor Kerapatan jauh lebih rendah daripada DRAM dan secara fisik lebih besar dan menyimpan lebih sedikit y p bit, juga lebih mahal daripada DRAM 21 DRAM Dynamic RAM, tipe chip memory yang digunakan pada kebanyakan memori utama. Keunggulannya adalah sangat padat sehingga dapat dimasukkan banyak bit ke dalam chipn a ang sangat kecil bit ke dalam chipnya yang sangat kecil. Sel-sel nya terdiri dari kapasitor tipis yang memiliki charge untuk mengindikasikan bit. DRAM harus terus di refresh. Karena jika tidak direfresh menyebabkan DRAM harus terus di refresh. Karena jika tidak direfresh menyebabkan beban listrik pada kapasitor akan habis dan data akan hilang. Refresh dilakukan ketika controller memory siap berhenti untuk mengakses semua baris data pada chip. Kecepatan refresh standar nya adalah 15 microsecond adalah 15 microsecond. Menggunakan 1 transistor & sepasang kapasitor per bit yang menjadikan sangat padat. Jika densitas mencapai 512MB ini berarti chip DRAM memiliki 512 juta transistor. Transistor untk setiap bit cell DRAM membaca keadaan beban dari kapasitor yang berdekatan. Jika kapasitor di charge maka cell dibaca untuk diisi 1 jika tidak di charge mengindikasikan 0. Lebih lambat dari 22 untuk diisi 1 jika tidak di charge mengindikasikan 0. Lebih lambat dari arsitektur memori lainnya. SIMM, DIMM dan RIMM SIMM , DIMM dan RIMM adalah Tipe-tipe Modul chip memory. Dimana masing-masing tipe memiliki jumlah pin, memory row width yang berbeda y y g SIMM = Single Inline Memory Module, DIMM = Dual Inline Memory Module, RIMM = Rambus Inline Memory Module. SIMM ada 2-tipe yaitu 30-pin (8-bit plus 1 bit paritas) dan SIMM ada 2 tipe yaitu 30 pin (8 bit plus 1 bit paritas) dan 72-pin (32 bit plus 4 bit paritas). DIMM ada 2 versi, dengan chip SDRAM atau DDR SDRAM yang dibedakan dengan karakteristik fisik. y g g DIMM SDRAM memiliki 168-pin, sedangkan DDR DIMM memiliki 184-pin. Perbedaan utama dengan SIMM, DIMM memiliki pin-pin Perbedaan utama dengan SIMM, DIMM memiliki pin pin sinyal yang berbeda di setiap sisi modul. DIMM memiliki lebih banyak pin daripada SIMM. Memiliki lebar data path 64-bit (non-paritas) atau 72-bit dengan paritas atau ECC (error i d ) 23 correcting code). SIMM, DIMM dan RIMM SIMM ada 2-tipe,30-pin (8-bit plus 1 bit paritas) dan 72-pin (32 bit plus 4 bit paritas). p ( p p ) DIMM ada 2 versi, chip SDRAM atau DDR SDRAM Memiliki 168-pin, DDR DIMM memiliki 184- p , pin. Perbedaan utama dengan SIMM, pin-pin sinyal yang g , p p y y g berbeda di setiap sisi modul. DIMM memiliki lebih banyak pin daripada SIMM. Memiliki lebar data path 64-bit (non-paritas) atau 72-bit dengan paritas atau ECC (error correcting 24 code). SIMM, DIMM dan RIMM RIMM memiliki pin-pin di 2 sisi modul nya Jumlah pin-nya : 184-pin (16/18-bit) 232-pin Jumlah pin-nya : 184-pin (16/18-bit), 232-pin (32/36-bit), 326-pin (64/72-bit). RIMM d 16 bit di k t k lik i RIMM dengan 16-bit digunakan untuk aplikasi non-ECC Masing-masing memiliki kecepatan yang berbeda. Baik DRAM SIMM, DIMM, dan RIMM DIMM & RIMM memiliki ROM Onboard 25 30-pin dan 72-pin SIMM 26 27 168-pin dan 184-pin DIMM 28 RIMM 29 Organisasi Memori Organisasi Memori Tim Lab SKJK Tim Lab. SKJK Sel Memori (1) Setiap memori tersusun dari rangkaian sel-sel memori: 31 Sel Memori (2) Sifat-sifat sel memori: Dapat memberikan 2 kondisi (1 atau 0) p ( ) Dapat ditulisi (minimal satu kali) dengan cara mengubah kondisi sel memori dib Dapat dibaca Tiap sel terdiri dari 3 terminal: S l t t k ilih l i k Select: untuk memilih sel memori yang akan dibaca/ditulisi Control: untuk menentukan jenis operasi write/read Control: untuk menentukan jenis operasi write/read Data: Write: untuk mengubah kondisi sel dari 1 ke 0 atau sebaliknya 32 Read: untuk membaca kondisi sel memori Sel Memori (3) Apa syarat device dapat digunakan untuk menyimpan data biner ? Hanya dapat menyimpan 2 macam nilai/kondisi (true false Hanya dapat menyimpan 2 macam nilai/kondisi (true-false atau 1-0) yang stabil Mempunyai pembatas yang lebar yang dapat memisahkan kedua nilai/kondisi secara tegas kedua nilai/kondisi secara tegas Mampu menangani perubahan nilai/kondisi dalam waktu yang tidak terbatas Nilai/kondisinya tidak rusak pada saat dibaca Nilai/kondisinya tidak rusak pada saat dibaca Apakah saklar/switch memenuhi syarat ??? Implementasinya dengan apa ? Implementasinya dengan apa ? Magnetic core Semikonduktor: G b t t i t d k it 33 Gabungan antara transistor dan kapasitor Gabungan beberapa transistor Sel Memori (4) Magnetic core Ferric oxide coating Ferric oxide coating + Bahan yang mudah bersifat magnet Selection wire: + Untuk menentukan nilai medan magnet + Untuk menentukan nilai medan magnet + Jika arah arus berbeda medan magnet berbeda Sense wire: Sense wire: + Untuk membaca nilai bit yang disimpan Cara kerja: +Simpan data (write): o Aliri select wire dengan arah arus sesuai dengan nilai bit data yang 34 g y g diinginkan Sel Memori (5) Cara kerja: (contd) +Baca data (read): +Baca data (read): o Selection wire dialiri arus yang menghasilkan bit bernilai 0 o Jika bit yang sedang disimpan: 0 Tid k d t i d k i d i = 0 Tidak ada tegangan induksi pada sense wire Bit bernilai 0 = 1 Medan magnet berubah Data yang disimpan berubah dari 1 menjadi 0 Sense wire terinduksi berarti data yang sedang disimpan bernilai 1 disimpan bernilai 1 Kembalikan nilai bit ke nilai semula (1) dengan cara aliri select wire dengan arus yang menghasilkan bit b il i 1 35 bernilai 1 Sel Memori (6) Gabungan antara transistor dan kapasitor (memori dinamis) (memori dinamis) Capasitor +Untuk menyimpan nilai data Address line: +Untuk mengaktifkan sel memori (transistor) Bit line: +Untuk membaca/menulis 36 Untuk membaca/menulis data dari/ke sel memori Sel Memori (7) Gabungan antara transistor dan kapasitor (memori dinamis) (contd) 2 (memori dinamis) (cont d) Cara kerja +Simpan data (write): 3 +Simpan data (write): 1. Signal yang akan ditulis dihubungkan ke bit line (high voltage = 1 low voltage = 0) 4 voltage = 1, low voltage = 0) 2. Signal diberikan ke address line transistor on 3. Untuk simpan bit 1 arus 1 3. Untuk simpan bit 1 arus mengalir masuk ke kapasitor kapasitor diisi muatan 4. Untuk simpan bit 0 arus 37 mengalir dari ke kapasitor muatan kapasitor dikosongkan Sel Memori (8) Cara kerja: (contd) B d t ( d) 1 +Baca data (read): 1. Address line diberi signal transistor on 4 2. Muatan kapasitor dialirkan ke bit line/sense amplifier 3. Sense amplifier membandingkan 3 p g muatan kapasitor dengan tegangan reference untuk menentukan apakah data bernilai 1 atau 0 2 4. Muatan kapasitor berkurang perlu di-refresh disebut memori dinamis 38 Sel Memori (9) Gabungan antara beberapa transistor (memori statis) Status T1 selalu berlawanan dengan T3 tetapi selalu sama dengan T3, tetapi selalu sama dengan T4 Status T2 selalu berlawanan dengan T4 tetapi selalu sama dengan T4, tetapi selalu sama dengan T3 Nilai bit line berlawanan dengan nilai bit line B B dengan nilai bit line B Signal high: T1=off, T3=on titik C1=high bit line B = HIGH bit line B HIGH T2=on, T4=off titik C2 = LOW Signal low: T1=on, T3=off titik C1=low 39 , bit line B = LOW T2=off, T4=on titik C2 = HIGH Sel Memori (10) Magnetic core vs Semikonduktor M ti S ik d kt Magnetic core Semikonduktor (-) Lambat (switching: 0.5-3 S) (+) Cepat (switching: 10-200 nS) ( ) Unt k l n ng m jml (+) Unt k l n ng m jml (-) Untuk luasan yang sama jml (+) Untuk luasan yang sama jml memori lebih sedikit memori jauh lebih banyak (+) Non-volatile (-) Volatile (+) Non volatile ( ) Volatile 40 Organisasi Memori (1) - rev Bagaimana sel-sel memori disusun ? m, lebar memori 0 1 m-1 . . . 000 001 Sel memori m, lebar memori 001 002 003 a n
m e m o r i 2 n ,
u k u r a .
.
. .
.
. 2 n -1 Alamat Satu plane 41 memori Satu plane Organisasi Memori (2) - rev Memori dapat digambarkan seperti sebuah matriks berukuran m kali n, dimana: l b i j l h bi d l l m = lebar memori = jumlah bit dalam satu alamat = minimum addressable unit n = ukuran memori = jumlah alamat n ukuran memori jumlah alamat Setiap bit pada setiap alamat yang mempunyai posisi yang sama disusun ke dalam sebuah memory plane Memory plane merupakan array 2 dimensi dibutuhkan 2 buah select line (x dan y) Setiap satu memory plane terdiri dari sebuah sensor line Setiap satu memory plane terdiri dari sebuah sensor line pada waktu diakses, dalam setiap memory plane hanya satu bit saja yang dibaca 42 Organisasi Memori (3) - rev Contoh soal: Sebuah memori terdiri dari 32 alamat dan setiap p alamat terdiri dari 16 bit. Berapakah jumlah jalur untuk setiap select line ? B k h j l h l di l k ? Berapakah jumlah memory plane yang diperlukan ? Berapakah kapasitas memori ? Jawab: Jawab: Jumlah jalur setiap select line = 32, 2 dan 16, 4 dan 8, atau 8 dan 4, atau 16 dan 2 , , Jumlah memory plane = jumlah bit setiap alamat = 16 memory plane K it i 32 16 bit 512 bit 64 b t 43 Kapasitas memori = 32 x 16 bit = 512 bit = 64 byte Organisasi Memori (4) - rev Memory bank Merupakan memori yang tersusun dari sejumlah memory plane Sebuah memory bank tersusun dari beberapa chip Pada gambar di bawah ini, berapakah: Jumlah bit setiap alamat ? Jumlah bit setiap alamat ? Jumlah alamat total jika setiap select line = 8 ? 44 Organisasi Memori (5) - rev Contoh soal: Sebuah RAM berkapasitas 128 MB dipasang pada sebuah komputer dengan prosesor Intel dan menggunakan format komputer dengan prosesor Intel dan menggunakan format instruksi yang terdiri dari 32 bit. Setiap satu memory plane dikemas ke dalam sebuah chip. Berapakah jumlah chip dalam RAM tersebut ? e apa a ju a c p da a te sebut Berapakah jumlah alamat yang tersedia ? Berapakah jumlah jalur untuk select line ? Jawab: - Jumlah bit dalam setiap alamat untuk komputer dengan prosesor Intel adalah 8 bit diperlukan 8 buah memory plane terdapat 8 chip p p p - Jumlah alamat yang tersedia = kapasitas setiap memory plane/chip yaitu (128 x 8/8) M = 128 M alamat - Kapasitas setiap memory plane/chip = 128/8 = 16 MB = 128 45 Kapasitas setiap memory plane/chip 128/8 16 MB 128 Mb = 2 7 x 2 20 bit jumlah jalur select line = 2 27 , 2 dan 2 26 , 4 dan 2 25 jalur dst. Pengaksesan Memori (1) Bagaimana memori diakses ? 46 Pengaksesan Memori (2) MAR (Memory Address Register): Memuat alamat dari lokasi memori yang akan diakses (baca/tulis) Jumlah bit MAR menentukan jumlah maksimum dari memori fisik Jumlah bit MAR menentukan jumlah maksimum dari memori fisik yang dapat dipasang dalam suatu komputer Jika MAR terdiri dari n bit alamat memori yang valid adalah 0 hingga 2 n 1 hingga 2 n - 1 MBR (Memory Buffer Register): Memuat isi informasi yang akan dituliskan ke memori atau baru saja dibaca dari memori pada alamat yang ditunjukkan oleh isi MAR MBR dapat berukuran m bit, 2m bit, 4m bit, dst dimana m = jumlah bit minimal dalam satu alamat (minimum addressable unit ) Memory Decoder: Untuk menerjemahkan alamat yang disimpan dalam MAR 47 Untuk menerjemahkan alamat yang disimpan dalam MAR menjadi pasangan x dan y Pengaksesan Memori (3) Urutan baca dari memori: Taruh alamat memori yang akan dibaca (dalam unsigned binary) ke MAR (range 0 hingga 2 n 1) binary) ke MAR (range 0 hingga 2 1) Kirim READ signal melalui READ control line Decode isi MAR sehingga diperoleh nilai x dan y (nilai MAR tidak berubah) tidak berubah) Taruh isi alamat yang ditunjuk ke dalam MBR Urutan tulis ke memori: Taruh alamat memori yang akan ditulisi (dalam unsigned binary) ke MAR (range 0 hingga 2 n 1) Taruh data yang akan ditulis ke MBR y g Kirim signal WRITE melalui WRITE control line Decode isi MAR sehingga diperoleh nilai x dan y (nilai MAR tidak berubah) 48 tidak berubah) Copy-kan isi MBR ke memori (isi MBR tidak berubah) Pen-decode-an Memori (1) Bagaimana cara men-decode alamat memori ? Contoh: S b h i i 128 l t ( k i ) ti Sebuah memori mempunyai 128 alamat (maksimum) yang setiap alamat terdiri dari 8 bit. Memori tersebut tersusun dari 8 memory bank , maka: D t ti b k 128/8 16 l t Daya tampung setiap memory bank = 128/8 = 16 alamat 16 alamat = 2 4 alamat diperlukan 4 jalur untuk setiap select line 128 alamat = 2 7 alamat jumlah bit MAR = 7 bit M b k Al t D l bi Memory bank Alamat Dalam biner ke-0 0 15 0000000 0001111 ke-1 16 31 0010000 0011111 ... ... ... ke-7 112 127 1110000 1111111 +Bit ke-4, 5, 6 nilainya tetap untuk setiap memory bank dan b b d t k b k b b d Bit k 4 5 6 49 berbeda untuk memory bank yang berbeda Bit ke-4, 5, 6 (warna merah) menunjukkan nomor bank (bank selector) Pen-decode-an Memori (2) Bit 7 (plane ke-7) Bit 0 (plane ke-0) (0,7) (1,7) (4,7) (0,0) (1,0) Location 0 15 Distribusi lokasi memori b k 128 . . . (15,7) (8,7) (12,7) (15,0) (memory bank ke-0) sebanyak 128 alamat . . . (16,7) (17,7) (16,0) (17,0) Location 16 31 (memory bank ke-1) (31,7) (31,0) .
.
. Memory bank ke-2, 3, 4, 5, 6 . . . (112,7) (113,7) Location 112 127 (memory bank ke-7) (112,0) (113,0) 50 (127,7) (127,0) * (a,b) = memory location a, bit position b Pen-decode-an Memori (3) Bagaimana cara menentukan nilai x dan y ? Alamat ke-0, 1, 2, dan 3 terletak pada baris pertama pada plane ke-0 dan pada bank ke-0 adalah sbb: Alamat Dalam biner 0 000 00 00 1 000 00 01 2 000 00 10 2 000 00 10 3 000 00 11 Alamat ke-4, 5, 6, dan 7 terletak pada baris kedua pada plane ke-0 dan pada bank ke-0 adalah sbb: ke 0 dan pada bank ke 0 adalah sbb: Alamat Dalam biner 4 000 01 00 5 000 01 01 6 000 01 10 7 000 01 11 Dari 2 contoh di atas bit ke-2 dan 3 (warna biru) menunjukkan b i d l b h l il i d i l t li 51 nomor baris dalam sebuah plane = nilai dari x select line Pen-decode-an Memori (4) Alamat yang terletak pada kolom pertama pada plane ke-0 dan pada bank ke-0 adalah sbb: Alamat Dalam biner 0 000 00 00 4 000 01 00 8 000 10 00 8 000 0 00 12 000 11 00 Alamat yang terletak pada kolom kedua pada plane ke-0 dan pada bank ke-0 adalah sbb: p Alamat Dalam biner 1 000 00 01 5 000 01 01 9 000 10 01 13 000 11 01 Dari 2 contoh di atas bit ke-0 dan 1 (warna biru) menunjukkan 52 Dari 2 contoh di atas bit ke 0 dan 1 (warna biru) menunjukkan nomor kolom dalam sebuah plane = nilai dari y select line Pen-decode-an Memori (5) Arti/fungsi setiap bit pada MAR adalah sbb: 6 5 4 3 2 1 0 53 ROM ROM dan dan RAM RAM Tim Lab. SKJK Tim Lab. SKJK Read Only Memory (ROM) ROM (Read Only Memory) PROM( PROM (Programmable ROM) EPROM (Erasable PROM) EEPROM (Electrically EPROM) Flash Memory 55 Read Only Memory (ROM) Data bersifat permanen (non-volatile) Nilai data dihasilkan dari kombinasi rangkaian logika g g di dalamnya Penulisan data dilakukan pada saat pembuatan chip Data tidak dapat dihapus Aplikasi: Lib b ti t k f i f i i Library subroutine untuk fungsi-fungsi yang sering digunakan Program sistem Tabel fungsi, dll BIOS (Basic Input Output Systems) 56 Programmable ROM (PROM) Data ditulis sesudah chip dibuat Digunakan bila jumlahnya tidak terlalu besar (bukan mass d t) d t d t kh product) dan memuat data khusus Non-volatile Hanya dapat ditulisi satu kali Hanya dapat ditulisi satu kali Penulisan data dilakukan secara elektrik dengan PROM programmer Sel memori dibakar (burning in) dengan arus listrik yang cukup besar Sel memori dibakar (burning-in) dengan arus listrik yang cukup besar, lokasi bit akan terbakar dan menunjukkan sebuah nilai (0 atau 1) Data tidak dapat dihapus Lebih fleksibel daripada ROM Lebih fleksibel daripada ROM 57 Erasable PROM (EPROM) Data ditulis sesudah chip dibuat Non volatile Non-volatile Proses baca dan tulis secara elektrik Data dapat dihapus dan ditulisi berulang-ulang Data dapat dihapus dan ditulisi berulang ulang dengan radiasi ultraviolet Sinar tersebut melewati celah di kumpulan chip Data dihapus dalam satuan chip (semua data dihapus) Lebih mahal daripada PROM 58 Electrically EPROM (EEPROM) Data ditulis sesudah chip dibuat Non volatile Non-volatile Data dapat ditulis dan dihapus kapan saja secara elektrik, data tidak perlu dihapus terlebih dahulu elektrik, data tidak perlu dihapus terlebih dahulu Data dihapus dalam satuan byte Lebih mahal daripada EPROM Kurang rapat dibanding EPROM 59 Flash Memory Non-volatile Biaya dan fungsionalitas berada diantara EPROM dan Biaya dan fungsionalitas berada diantara EPROM dan EEPROM Data dihapus dalam satuan blok memori p Lebih rapat dibanding EEPROM Contoh aplikasi: BIOS i i l bih d h di b h k l h BIOS isinya lebih mudah diubah, termasuk oleh virus 60 Hirarki Memori Biaya per bit ki h Registers makin murah Kapasitas makin besar L1 Cache L2 Cache besar Waktu akses makin lama Main memory (RAM) Disk cache ( /W) makin lama Frekuensi diakses oleh Disk cache (pure S/W) Disk (Harddisk) O ti l ( ) d akses oleh prosesor makin jarang Optical (CD, DVD) Magnetic tape 61 RAM (Random Access Memory) (1) Dynamic RAM (DRAM) Sel DRAM: Data berupa muatan listrik yang disimpan di kapasitor Mengapa disebut dynamic RAM ? Muatan listrik yang Muatan listrik yang disimpan di kapasitor cenderung mengalami kebocoran sehingga kebocoran, sehingga harus selalu di-refresh DRAM digunakan untuk main memory 62 untuk main memory RAM (Random Access Memory) (2) Static RAM (SRAM) Sel SRAM: Sel SRAM: Disusun dari beberapa transistor (flip-flop) Mengapa disebut static RAM ? Selama masih ada listrik, maka data yang disimpan tidak hilang disimpan tidak hilang, sehingga tidak perlu di- refresh 63 SRAM digunakan untuk cache memory DRAM vs SRAM DRAM SRAM (+) sederhana (-) lebih kompleks (+) dimensi lebih kecil (-) dimensi lebih besar (+) murah (-) lebih mahal (+) kapasitas besar ( ) kapasitas kecil (+) kapasitas besar (-) kapasitas kecil (-) perlu rangkaian refresh (+) tidak perlu di-refresh (-) biaya rangkaian refresh (+) tidak perlu rangkaian refresh ( ) y g ( ) p g memori berukuran besar lebih mahal daripada biaya i i di i memori itu sendiri (-) lebih lambat (-) lebih cepat Apa kesamaannya ??? 64 Apa kesamaannya ??? Sama-sama volatile Jenis Memori Semikonduktor 65 Chip Logic DRAM 16 Mbit (4Mx4) (1) 66 Chip Logic DRAM 16 Mbit (4Mx4) (2) Dalam satu saat dapat dibaca/ditulis data 4 bit (1 bit tiap memori plane) tiap memori plane) Terdiri dari 4 buah array berukuran 2048 x 2048 Alamat tiap sel ditentukan oleh alamat baris dan kolom p Pin alamat baris paralel dengan alamat kolom hemat jumlah pin digunakan RAS dan CAS Terdapat 4 pin untuk data in (write) dan out (read) l l di k WE d OE secara paralel digunakan WE dan OE Refresh dilakukan dengan membaca data dan menuliskannya kembali 67 menuliskannya kembali Contoh Chip Packaging (1) EPROM 8 Mbit: Alamat = 20 bit (pin) = A0- (p ) A19 = 1 M alamat 1 alamat = 8 bit kapasitas = 8 x 1 Mbit = 8 Mbit 8 x 1 Mbit 8 Mbit Chip Enable (CE) untuk memilih chip yang aktif bila di k l bih d i t hi digunakan lebih dari satu chip D0-D7 = data keluar (8 jalur) Vss = ground Vcc = tegangan positif 68 Contoh Chip Packaging (2) DRAM 16 Mbit: Alamat = 11 pin = A0-A10 Di k l h b i d k l Digunakan oleh baris dan kolom secara bergantian setara dengan 2x11 pin = 22 pin = 2 22 alamat = 4 M alamat 1 alamat = 4 bit kapasitas = 4 M x 4 bit = 16 bit CAS untuk mengaktifkan kolom RAS untuk mengaktifkan kolom D0-D3 = data keluar (4 jalur) OE = Output Enable (memungkinkan d t dib ) data dibaca) WE = Write Enable = memungkinkan data disimpan ke memori 69 memori Organisasi Modul (1) Organisasi memori 256 Kbyte Terdiri dari 8 memori plane berukuran 512 x 512 bit Alamat terdiri dari 18 bit (9 b i 9 18 bit (9 baris, 9 kolom) Data terdiri dari 8 ata te d da 8 bit (1 byte) 70 Organisasi Modul (2) 71 Organisasi Modul (3) Organisasi memori 1 Mbyte Terdiri dari 4 buah bank memori masing-masing Terdiri dari 4 buah bank memori masing masing berukuran 256 KByte (4 kolom A, B, C, D) Alamat terdiri dari 20 bit (2 bit MSB digunakan untuk memilih group chip A B C atau D) untuk memilih group chip A, B, C, atau D) 72 Advanced DRAM (1) Synchronous DRAM (SDRAM) Pertukaran data didasarkan pada signal clock t eksternal tanpa wait state Kecepatan sesuai dengan kecepatan prosesor atau bus memori atau bus memori Selama proses pencarian data, CPU dapat melakukan tugas lain (tidak perlu menunggu, g ( p gg , karena CPU tahu kapan data sudah tersedia) 73 Advanced DRAM (2) Contoh: SDRAM read timing Burst length = 4 = T3-T6, CAS latency = 2 = T1-T2 Burst length = banyaknya clock untuk mengirimkan data (1, 2, 4, 8, full page) Latency = banyaknya clock yang diperlukan untuk persiapan sebelum Latency = banyaknya clock yang diperlukan untuk persiapan sebelum data dikirimkan Double Data Rate SDRAM (DDR-SDRAM) 74 ( ) Sama seperti SDRAM, tetapi dapat mengirimkan data 2x dalam satu clock Advanced DRAM (3) Contoh IBM 64Mb SDRAM SDRAM 75 Advanced DRAM (4) Rambus DRAM (RDRAM) Diadopsi oleh Intel untuk Pentium dan Itanium Pesaing model SDRAM Bus alamat support s.d. 320 chip RDRAM Transfer data s.d. 1,6 GBps (2 x 800 MBps) , p ( p ) Impedance, clock, dan signal didefinisikan secara tepat Jalur data sebanyak 18 bit (16 data, 2 parity) Jalur RC (8 bit) digunakan untuk alamat dan signal control Jalur RC (8 bit) digunakan untuk alamat dan signal control Memory request tidak menggunakan RAS, CAS, R/W atau CE, tetapi melalui high speed bus yang memuat informasi: alamat yang diinginkan alamat yang diinginkan jenis operasi jumlah byte dalam operasi Pengiriman data secara synchronous 76 Pengiriman data secara synchronous Advanced DRAM (5) Struktur RDRAM 77 Advanced DRAM (6) Cache DRAM (CDRAM) Penggabungan sejumlah kecil SRAM (16 kbit) ke d l hi DRAM dalam chip DRAM Tujuan: Sebagai cache seperti cache pada prosesor yang terdiri Sebagai cache seperti cache pada prosesor yang terdiri dari 64 line Sebagai buffer akses blok data serial, misal untuk refresh screen refresh screen 78