Electrnica Industrial Informe de Laboratorio Tema: Estudio de las caractersticas de un transistor en diferentes circuitos Profesor: Galarreta Daz Jos Horario: Lunes 10-12 p.m. Integrantes: Valverde Montesinos, Romano 12170058 Martnez Llerena, Paul Andrs 12170195 Daz Salvador, Diana 12170164 Urdaniga, ngel Didier 12170144
LIMA-PER 2014 ndice 1 Resumen ........................................................................... 1 2 Introduccin ..................................................................... 1 2.1 Qu es un transistor? ............................................................. 1 2.2 Historia de los transistores ....................................................... 2 2.3 Regiones Operativas del transistor ........................................... 3 2.4 Tipos de transistores ................................................................ 3 2.5 Los transistores y su simbologa .............................................. 4 2.6 Transistores BJT ...................................................................... 4 2.6.1 Tipos de transistores de unin bipolar ................................................. 4 2.7 Curva caracterstica de los BJT ................................................ 5 3 Materiales ......................................................................... 6 4 Anlisis de los circuitos .................................................. 7 4.1 Circuito 1 .................................................................................. 7 4.2 Circuito 2 .................................................................................. 9 4.3 Circuito 3 .................................................................................10 5 Conclusiones ................................................................. 11 6 Recomendaciones ......................................................... 12 7 Bibliografa ..................................................................... 13
Electrnica Industrial Laboratorio 1 1 Resumen En el presente laboratorio, procedimos a analizar el comportamiento del transistor BJT (2N3904) en tres diferentes circuitos armados en el protoboard donde procedemos a medir con el multitester los voltajes e intensidades de corriente pedidos por el docente para saber experimentalmente en que zona de trabajo se encuentra el transistor BJT. 2 Introduccin 2.1 Qu es un transistor? El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia").
Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseo de circuitos electrnicos de reducido tamao, gran versatilidad y facilidad de control. Vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas de hace unas dcadas. Gracias a ellos fue posible la construccin de receptores de radio porttiles llamados comnmente "transistores", televisores que se encendan en un par de segundos, televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los aparatos a vlvulas tenan que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban ms de 30 Electrnica Industrial Laboratorio 2 segundos en empezar a funcionar, y en ningn caso podan funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenan. 2.2 Historia de los transistores El transistor se ha venido considerando desde hace tiempos como el mayor invento realizado en el siglo XX. Este dispositivo electrnico bsico, de tres terminales, origin los circuitos integrados y todos los elementos de la alta escala de integracin. Son muchas las personas y los cientficos que aseguran que la era de la comunicacin estableci una base perfecta gracias al transistor. Este dispositivo fue creado en los Laboratorios Bell de AT&T; los cuales buscaban un conmutador que reemplazara a los rels y los sistemas de barras, y que se utilizara en la telefona. El transistor germina de la unin de tipo PNP o del NPN. Su nombre fue dado por J.P Pierce. Segn Quentin Kaiser sin no se hubiera originado los detectores de cristal (que eran muy necesarios para el radar de UHF y los microondas) no se hubiera creado estos transistores con las prestaciones que hoy en da le caracteriza. La patente de invencin estuvo en secreto por siete meses, hasta que se pudo detallar de manera ordenada el funcionamiento de este dispositivo. La patente fue entregada a Walter Brattain y a John Bardeen por su transistor de punta de contacto. En el ao 1951 fue que surgi el transistor de juntura que fue concedida a William Shonckley. Un idea del comportamiento que realiza el transistor se puede apreciar usando un indicador de corriente, una fuente de tensin continua y dos resistencias con interruptores. Las resistencias se deben de conectar entre la base y el colector, y la fuente entre el emisor y el colector. Con estos dos interruptores totalmente abiertos no se producir corriente de base, y el indicador de corriente mostrar una corriente nula. Ahora bien, para originar una corriente de colector o de base, solamente se debe de cerrar uno de los interruptores. Y para crear un paso de corriente mucho mayor se deber de cerrar los dos interruptores. Es por ello que se llega a la conclusin, de que el interruptor se comporta como si fuera una resistencia, donde la corriente de base controla su valor completamente.
Ilustracin 1: El CK703, uno de los primeros transistores comercializados (1948, 1949) Electrnica Industrial Laboratorio 3 2.3 Regiones Operativas del transistor Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando: corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0). En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0). Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando: corriente de colector = corriente de emisor = corriente mxima, (Ic = Ie = I mxima). En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de los resistores conectados en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces ms grande. (recordar que Ic = * Ib). Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador. 2.4 Tipos de transistores Existen varios tipos que dependen de su proceso de construccin y de las aplicaciones a las que se destinan Los ms comunes y conocidos son: Transistor Bipolar de Unin (BJT) Transistor de efecto campo , de unin (JFET) Transistor de efecto campo , de metal- oxido-semiconductor (MOSFET) Fototransistor Electrnica Industrial Laboratorio 4 2.5 Los transistores y su simbologa
2.6 Transistores BJT 2.6.1 Tipos de transistores de unin bipolar 2.6.1.1 NPN NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector. Electrnica Industrial Laboratorio 5 La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo. 2.6.1.2 PNP El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias. Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo. 2.7 Curva caracterstica de los BJT El transistor BJT dispone de dos curvas: la primera se utiliza para definir el comportamiento de la unin base emisor y la segunda para definir el funcionamiento entre colector y emisor.
Electrnica Industrial Laboratorio 6 La curva emisor, es similar a la de un diodo normal, con la diferencia de que los niveles de corriente ahora son muy pequeos en el orden de los A. Por otra parte, la curva colector emisor o de salida, nos indica que para cada valor de corriente de base existir una corriente de colector que variara dependiendo del voltaje colector emisor. La curva de salida es probablemente la ms importante de todas, sin embargo resulta a veces demasiado confusa, es por esto que es comn utilizar una frmula matemtica que recibe el nombre de ganancia o factor de amplificacin:
Este factor nos indica la cantidad de veces que se amplifica la corriente de base. 3 Materiales 1. Transistor BJT (2N3904)
Electrnica Industrial Laboratorio 8 Mediciones del circuito: Medicin Valor terico Valor Experimental % de Error I b 8.2A 8.15A 0.6097561 I c 1.166mA 1.180mA 1.20068611 I e 1.174mA 1.180mA 0.51107325 V ce 5.453V 5.58V 2.32899321 I sat 2.564mA 2.558mA 0.23400936
Ilustracin 2: Ic Vs. Vce Interpretacin: Como tenemos los datos de I sat y V ce podemos obtener de una forma grfica aproximada la recta de carga donde se puede obtener grficamente el punto Q, observando el grfico se puede decir que este circuito se encuentra en la regin activa. Electrnica Industrial Laboratorio 9 4.2 Circuito 2
Mediciones del circuito: Medicin Valor terico Valor Experimental % de Error I b 299.316A 301.215A 0.63444654 I c 2.008mA 2.05mA 2.09163347 I e 2.307mA 2.37mA 2.73081925 V ce 67.387mV 65.4mV 2.93999792 I sat 2.01mA 2.05mA 1.99004975
Electrnica Industrial Laboratorio 10
Ilustracin 3: Vce Vs. Ic Interpretacin: Segn el grafico y los datos recogidos con el multitester el punto Q se encuentra en la zona de saturacin 4.3 Circuito 3
Electrnica Industrial Laboratorio 11 Medicin Valor terico Valor Experimental % de Error I b 15.341A 15.5A -1.0364383 I c 2.516mA 2.57mA - 2.14626391 I e 2.531mA 2.54mA - 0.35559068 V ce 9.934V 9.915V 0.19126233 I sat 5.625mA 5.62mA 0.08888889
Interpretacin: Segn el grafico el punto Q se encuentra en la zona de corte, entonces este circuito se puede utilizar como un interruptor. 5 Conclusiones Este laboratorio nos permiti constatar toda la teora base para circuitos que incluyen transistores. Como de manera de inicio vimos el reconocimiento de este dispositivo, nuestra familiarizacin con este para esto debimos identificar previamente sus terminales saber si era PNP o NPN, y adems consultar la hoja del fabricante. Como un paso ms avanzado trabajamos en lo que respecta a las diversas maneras de polarizar un transistor para esta prctica utilizamos tres, las dos primeras estaban polarizadas con dos fuentes y la otra con una fuente. Para incursionar ms sobre cules son su diferencia podemos nombrar el bajo costo y la facilidad de polarizar con una fuente as como debemos tener en cuenta para esta polarizacin que la tensin en la base debe ser mucho mayor que la tensin manejada entra base y emisor, mientras la de dos fuentes requiera ms inversin. Otra diferencia radica en una mayor Rth en la Electrnica Industrial Laboratorio 12 polarizacin de dos fuentes para una mayor estabilidad, las otras resistencias se dejan a criterio para que el transistor trabaje en la regin que el diseador desee. Podemos decir que el resistor de colector debe ser grande para que el transistor trabaje en regin activa y no haya algn tipo de problema en la tensin entre el receptor y la base. Por otro lado el resistor ubicado en el emisor, o la retroalimentacin negativa cuando se trabaja el emisor a tierra, es decir, emisor comn, debe ser pequea comparado con los resistencias de colector y base. Concluimos tambin que en la configuracin emisor comn se obtienen elevadas ganancias de tensin y corriente, hacindolo el circuito ideal para amplificacin de pequeas seales. Se encuentra que cuando se realiza el diseo del circuito es conveniente que el punto Q est situado en el centro de la recta de carga y que la ganancia no sea excesivamente alta para dar estabilidad al circuito y evitar distorsiones respectivamente. Se concluye que se pueden presentar errores en las mediciones debido a que los valores tericos de los elementos pueden no coincidir con los reales (se hace necesario aproximarlos a un valor superior o inferior). 6 Recomendaciones 1) Cuando se vaya a cambiar la calibracin de los multitester asegurarse de desconectar el aparato del circuito armado para no causar daos al equipo. 2) Tomar entre 1 a 2 minutos para esperar que se estabilice la lectura en los multitester y tener unos datos correctos. 3) Utilizar las reglas de redondeo para los clculos de los circuitos del transistor para evitar que los valores no varen mucho en relacin con los datos obtenidos a travs de la prctica.
Electrnica Industrial Laboratorio 13 7 Bibliografa Fcil, E. (s.f.). Recuperado el 12 de Junio de 2014, de http://www.electronicafacil.net/ Laboratory, C. (s.f.). Recuperado el 12 de Junio de 2014, de https://www.circuitlab.com/ Luis. (s.f.). Electrnica Bsica. Recuperado el 12 de Junio de 2014, de http://r- luis.xbot.es/descarga/files/ebasica.pdf Radio electronica. (s.f.). Recuperado el 12 de Junio de 2014, de http://www.radioelectronica.es/articulos-teoricos/82-resistencias-en-serie-y- en-paralelo sapiensman. (s.f.). Recuperado el 12 de Junio de 2014, de http://www.sapiensman.com/electrotecnia/problemas5.htm Wikipedia. (s.f.). Wikipedia. Recuperado el 12 de Junio de 2014, de http://es.wikipedia.org/wiki/Mult%C3%ADmetro#cite_note-0