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Diseo con Transistores Pgina 1

CONTENIDO DE LA CARPETA PARA PROCESO DE


ACREDITACIN SATCA1


Pg.
Ubicacin del Curso en el Programa

Copia de la Retcula con la Materia Resultada en Color... 3
Datos de la asignatura

Contenido completo de la materia... . 4
Titulares de la Materia

Listado de Catedrticos que imparten la materia.. 17
Temario

Unidad 1: Amplificadores multietapa.
21
1.1. Anlisis con BJT 21
1.1.1. Introduccin al anlisis con BJT. . ... 21
1.1.2. Principio de Superposicin... 23
1.1.3. Nomenclatura 24
1.1.4. Recta de Carga Esttica. 25
1.1.5. Recta de Carga Dinmica.. 27
1.2. Anlisis con JFET.. 29
1.2.1.
Estructura y caractersticas del JFET.. 30
1.2.2.
Anlisis de la polarizacin del JFET 32
1.2.3. Ejemplos de Polarizacin del JFET.. 38
1.2.4. Modelo de seal del JFET. 41
1.2.5 Amplificador en fuente comn.. 42
1.3. Anlisis de circuitos mixtos (BJT y JFET) 44
1.3.1. Tipos de acoplamiento.. 44
1.3.2. Acoplamiento directo 45
1.3.3. Acoplamiento capacitivo... 46

49

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Unidad 2: Arreglos especiales.
2.1. Darlington. 49
2.1.1. Caractersticas... 49
2.1.2. Desventajas 49
2.1.3. Darlington Complementario.. 50
2.1.4. Configuracin Darlington en Colector Comn. 50
2.1.4.1 Frmulas para el clculo del Darlington 51
2.2. Amplificador Diferencial. 52
2.2.1. Configuracin Bsica 52
2.2.2 Anlisis en Corriente Directa (C.D).. 53
2.2.3. 3 Causas por las que el voltaje de salida entre colectores no sea
cero (0)
54
2.2.4 Anlisis en Corriente Alterna (C.A).. 55
2.2.5. Ganancia en Modo Comn (Av.
(MC)
) 56
2.2.6. Ganancia en Modo Diferencial (Av.
(MD)
).. 56
2.2.7. Caractersticas del Amplificador Diferencial 56
2.3. Amplificador Diferencial Espejo de Corriente.. 57
2.4. Amplificador Diferencial con Fuente de Corriente.. 58
2.4.1. Ventajas. 59
2.4.2. Desventajas 59
2.5 Carga Activa. 60
2.6 Amplificador sintonizado.... 61
2.6.1. Circuito Equivalente para C.D.. 61
2.6.1.1. Recta de Carga para C.D. 62
2.6.2. Circuito Equivalente para C.A. 63
2.6.2.1. Recta de Carga para C.A.. 63
2.6.3. Frecuencia de Resonancia (F
r
).. 64
2.6.4 Factor de Calidad (Q) 65
2.6.5 Ancho de Banda (Bw) .. 65

67

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Unidad 3: Respuesta a la frecuencia.
3.1.
Respuesta en baja y alta frecuencia del amplificador BJT. . 67
3.1.1. Respuesta en Frecuencia de un Amplificador. 67
3.1.2. Respuesta de un amplificador de alterna. 67
3.1.2.1. Frecuencias de corte. .. 68
3.1.2.2. Banda media. 69
3.1.2.3 Fuera de las frecuencias medias. .. 69
3.1.3. Respuesta de un amplificador de continua. 71
3.1.4. Ganancia de tensin en decibelios. 72
3.1.5. Diagrama de Bode. . 74
3.1.5.1 Octavas. 75
3.1.5.2. Dcadas. ... 75
3.1.5.3. Circuito RC de desacoplo. 76
3.1.5.4. Condensador de acoplo a la Entrada. 77
3.1.5.5. Condensador de acoplo a la salida. .. 77
3.1.5.6. Condensador de desacoplo de emisor... 78
3.1.6. Teorema de Miller.. 80
3.1.6.1. Condensador de realimentacin. .. 80
3.1.6.2. Conversin del condensador de realimentacin. .. 80
3.1.6.3. Circuito de desacoplo de colector. ... 81
3.1.6.4. Circuito de desacoplo de la base. . 82
3.2.
Respuesta en baja y alta frecuencia del amplificador JFET. 83
3.2.1. Formulas. 84
Unidad 4: Amplificadores Retroalimentados..
85
4.1. Configuracin General... 85
4.1.1 Ganancia de Lazo Cerrado 85
4.2. Topologas de retroalimentacin. . 86
4.2.1 Topologa Serie-Paralelo.. 87
4.2.2 Topologa Paralelo-Serie.. 87
4.2.3 Topologa Serie-Serie 88

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4.2.4 Topologa Paralelo-Paralelo. 88
4.3. Efectos de la retroalimentacin. 89
4.4 Tipos de retroalimentacin 89
4.4.1 Retroalimentacin Negativa. 89
4.4.2 Retroalimentacin Positiva 89
4.5. Respuesta en frecuencia. ... 90
4.6. Ejemplo de Amplificador Retroalimentado... 91
Unidad 5: Amplificadores de potencia. .
95
5.1 Conceptos bsicos y aplicacin. 95
5.1.1. Clasificacin de los amplificadores de potencia... 95
5.1.2. Relaciones bsicas en los amplificadores de potencia.. 96
5.1.3. El amplificador clase A. .. 98
5.2.
Anlisis de expresiones de potencia y eficiencia. 100
5.2.1. Anlisis del amplificador Clase A. 104
5.2.2. Anlisis del amplificador Clase B. . 105
5.3 Anlisis de efecto trmico y distorsin. 109
5.3.1. Anlisis trmico. .. 109
5.3.2.
Distorsin. .. 111
5.3.3. Distorsiones medibles 113
5.3.4. Distorsiones temporales. TIM (SID). . 115
5.3.5. Distorsiones trmicas. . 116
5.3.6.
Mecanismos de audicin. .. 117
5.3.7. Efectos de la distorsin: tipos de componente.. 117
5.4
Anlisis y diseo de amplificadores de potencia. 118
5.5 Efectos de ruido. 119
5.5.1. Ruido aleatorio. 119
5.5.2.
Ruido peridico. . 120





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Practicas

1 Amplificador multietapa 121
2 Amplificadores en cascada. 126
3 Amplificador sintonizado... 134
4 Amplificador Diferencial espejo de corriente . 141
5
Respuesta a la frecuencia en baja BJT. 147
6
Respuesta a la frecuencia en baja JFET .. 152
7
Respuesta a la frecuencia en alta BJT.. 156
8
Respuesta a la frecuencia en alta JFET 162
9
Amplificadores retroalimentados . 168
10
Amplificadores de potencia puch-pull . 173
11 Amplificador con preamplificador 178
12 Proyecto Final 182

Criterios de evaluacin hacia el alumno

1 Se tomaron en cuenta para la evaluacin, tareas, asistencias, participacin en
clase, Investigaciones, exmenes (2)
186

Reactivos o Exmenes Expuestos

1 Primer Examen... 187
2 Segundo Examen... 192



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1.- DATOS DE LA ASIGNATURA
Nombre de la asignatura: Diseo con Transistores
Carrera: Ingeniera Electrnica
Clave de la asignatura: ETF-1013
SATCA1 3-2-5

2.- PRESENTACIN
Caracterizacin de la asignatura.
Esta asignatura corresponde al bloque de diseo de ingeniera, es una materia fundamental
para la formacin integral de los estudiantes dado que propicia el uso de: equipo de
mediciones elctricas, manuales de fabricantes de dispositivos electrnicos, y software de
diseo, comprende la solucin problemas complejos, desarrolla habilidades de:
pensamiento lgico, creativo, y actitud para trabajar en equipo; aplica las tecnologas de la
informacin y de la comunicacin para la adquisicin y procesamiento de informacin de
manera natural, permanente y eficiente.
Aporta al perfil del ingeniero en electrnica los conocimientos, las habilidades y las
actitudes para disear, simular, construir y analizar la respuesta en el dominio de la
frecuencia de circuitos electrnicos analgicos basados en amplificadores con transistores
bipolares y unipolares; en baja, media y alta frecuencia, en lazo abierto, lazo cerrado, y
amplificadores de potencia, utilizando herramientas computacionales y equipo de
laboratorio de mediciones elctricas.
La materia de diseo con transistores, desarrolla la habilidad para identificar problemas y
realizar proyectos para su posible solucin.
Contribuye a desarrollar la habilidad para comunicarse con efectividad en forma oral y
escrita as como participar en equipos de trabajo interdisciplinario.
Est estructurada de tal manera que se aplican las teoras de anlisis de circuitos elctricos,
las caractersticas elctricas de las diferentes configuraciones de los transistores BJT y
JFET, y de los diferentes circuitos de polarizacin, el modelo del cuadripolo equivalente
para baja, media y alta frecuencia, los conocimientos y la comprensin del comportamiento
a frecuencia media de circuitos amplificadores de pequea seal. El anlisis de circuitos

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electrnicos utilizando software de simulacin. El criterio de estabilidad de Bode para
analizar la respuesta de un sistema en el dominio de la frecuencia. El manejo de equipo de
mediciones elctricas como osciloscopio, multmetro, generador de seales.
En la primera unidad se disean y analizan circuitos amplificadores de varias etapas, para
conocer y comprender su comportamiento a pequea seal y frecuencia media.
En la segunda unidad se analiza la operacin y se determina la ganancia de amplificadores
en arreglos especiales as mismo se identifica su aplicacin.
En la tercera unidad se analiza la respuesta en frecuencia de los amplificadores
transistorizados.
En la cuarta unidad se estudian los efectos del fenmeno de retroalimentacin en los
circuitos amplificadores, en baja y alta frecuencia.
Finalmente, en la quinta unidad se analizan y disean amplificadores de potencia basados
en dispositivos discretos.

Intencin didctica.
El estudiante a travs del conocimiento y comprensin de los conceptos ms relevantes del
comportamiento de los diferentes tipos de amplificadores basados en transistores de unin y
de efecto de campo analiza circuitos electrnicos para la resolucin de problemas de
manera grupal e individual, el desarrollo de proyectos, y su exposicin en plenaria ante el
grupo, la simulacin de los circuitos utilizando herramientas computacionales, y trabajo en
equipo para la realizacin de prcticas en el laboratorio de electrnica para su
comprobacin a travs de equipo de medicin.
Esto le permite adquirir los conocimientos para el diseo, anlisis y aplicacin de
amplificadores as como las habilidades en el manejo de equipo electrnico, software,
manuales de fabricante.
Desarrolla la habilidad para identificar y resolver problemas, hacer experimentos y reportes
de resultados de forma oral y escrita y hacer presentaciones utilizando las TICs para hacer
presentaciones ante el grupo, al trabajo colaborativo al trabajar en equipo y hacerse
responsable de su aprendizaje y a la prctica de los valores con respeto a la pluralidad y
diversidad del grupo.

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El profesor debe ser un profesional que conozca la gnesis del conocimiento de la
electrnica, debe tener un conocimiento profundo de la electrnica, manejar herramientas
computacionales, software de simulacin de circuitos, equipo de prueba de laboratorio
como multmetro, osciloscopio, generador de seales, identificar y conocer las aplicaciones
de la electrnica en el contexto actual.

3.- COMPETENCIAS A DESARROLLAR
Competencias especficas:
- Analizar, disear y construir circuitos amplificadores de mltiples etapas,
configuraciones especiales, amplificadores sintonizados, amplificadores de lazo
abierto y cerrado, as como amplificadores de potencia, para su aplicacin en
diferentes circuitos integrados lineales.
- Analizar la respuesta a la frecuencia de los amplificadores basados en transistores
bipolares y unipolares
Competencias genricas:
Competencias instrumentales
- Capacidad de anlisis y sntesis.
- Capacidad de organizar y planificar.
- Conocimientos generales bsicos y de la carrera.
- Comunicacin oral y escrita en su propia lengua.
- Conocimiento de una segunda lengua.
- Habilidades bsicas de manejo de la computadora.
- Habilidades de gestin de informacin (habilidad para buscar y analizar
informacin proveniente de fuentes diversas).
- Solucin de problemas.
- Toma de decisiones.
Competencias interpersonales
- Capacidad crtica y autocrtica.
- Trabajo en equipo.
- Habilidades interpersonales.

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- Capacidad de trabajar en equipo interdisciplinario.
- Capacidad de comunicarse con profesionales de otras reas.
- Compromiso tico.
Competencias sistmicas
- Capacidad de aplicar los conocimientos en la prctica.
- Habilidades de investigacin.
- Capacidad de aprender.
- Capacidad de adaptarse a nuevas situaciones.
- Capacidad de generar nuevas ideas (creatividad).
- Liderazgo.
- Habilidad para trabajar en forma autnoma.
- Capacidad para disear y gestionar proyectos.
- Iniciativa y espritu emprendedor.
- Preocupacin por la calidad.
- Bsqueda del logro.

4.- HISTORIA DEL PROGRAMA
Lugar y fecha de elaboracin o revisin
Instituto Tecnolgico Superior de Irapuato del 24 al 28 de agosto de 2009.
Representantes de los Institutos.
Participantes
Tecnolgicos de:
Aguascalientes, Apizaco, Cajeme, Celaya, Chapala, Chihuahua, Ciudad Guzmn, Ciudad
Jurez, Cosamaloapan, Cuautla, Culiacan, Durango, Ecatepec, Ensenada, Hermosillo,
Irapuato, La Laguna, Lzaro Crdenas, Lerdo, Lerma, Los Mochis, Matamoros, Mrida,
Mexicali, Minatitln, Nuevo Laredo, Orizaba, Piedras Negras, Reynosa, Salina Cruz,
Saltillo, Sur De Guanajuato, Tantoyuca, Tijuana, Toluca, Tuxtepec, Veracruz y Xalapa
Evento
Reunin Nacional de Diseo e Innovacin Curricular para el Desarrollo y Formacin de
Competencias Profesionales de la Carrera de Ingeniera en Electrnica.

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Lugar y fecha de elaboracin o revisin
Desarrollo de Programas en Competencias Profesionales por los Institutos Tecnolgicos del
1 de septiembre al 15 de diciembre.
Participantes
Academias de Ingeniera Electrnica de los Institutos Tecnolgicos de:
Chihuahua, Minatitln, Tantoyuca, Hermosillo, Mexicali, Xalapa, Orizaba
Evento
Elaboracin del programa de Estudio propuesto en la Reunin Nacional de Diseo
Curricular de la Carrera de Ingeniera Electrnica.

Lugar y fecha de elaboracin o revisin
Reunin Nacional de Consolidacin del Diseo e Innovacin Curricular para la Formacin
y Desarrollo de Competencias Profesionales del 25 al 29 de enero del 2010 en el Instituto
Tecnolgico de Mexicali.
Participantes
Representantes de los Institutos Tecnolgicos de:
Aguascalientes, Apizaco, Cajeme, Celaya, Chapala, Chihuahua, Ciudad Guzmn, Ciudad
Jurez, Cosamaloapan, Cuautla, Durango, Ecatepec, Ensenada, Hermosillo, Irapuato, La
Laguna, Lzaro Crdenas, Lerdo, Lerma, Los Mochis, Matamoros, Mrida, Mexicali,
Minatitln, Nuevo Laredo, Orizaba, Piedras Negras, Reynosa, Salina Cruz, Saltillo, Sur De
Guanajuato, Tantoyuca, Toluca, Tuxtepec, Veracruz y Xalapa.
Evento
Reunin Nacional de Consolidacin de los Programas en Competencias Profesionales de la
Carrera de Ingeniera Electrnica.







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5.- OBJETIVO GENERAL DEL CURSO
Analizar, disear y construir circuitos amplificadores de mltiples etapas, configuraciones
especiales, amplificadores sintonizados, amplificadores de lazo abierto y cerrado, as como
amplificadores de potencia, para su aplicacin en diferentes circuitos integrados lineales.
Analizar la respuesta a la frecuencia de los amplificadores basados en transistores bipolares
y unipolares.

6.- COMPETENCIAS PREVIAS
- Aplicar las tcnicas de anlisis de circuitos elctricos.
- Aplicar parmetros de redes de dos puertos.
- Manejar equipo de medicin.
- Utilizar software de simulacin.
- Disear, analizar, simular y construir circuitos amplificadores de frecuencia media
utilizando transistores bipolares y unipolares.
- Obtener e interpretar Diagramas de Bode
- Elaborar reportes de investigacin.
- Formular, evaluar y ejecutar proyectos de aplicacin electrnica

7.- TEMARIO
1. Amplificadores multietapa.
1.1. Anlisis con BJT.
1.2. Anlisis con JFET.
1.3. Anlisis de circuitos mixtos (BJT y JFET).
2. Arreglos especiales 2.1. Darlington.
2.2. Diferencial.
2.3. Cascode.
2.4. Amplificador sintonizado.
2.5. Espejo de corriente.
2.6. Fuente de corriente.
2.7. Carga Activa.

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3. Respuesta a la frecuencia.
3.1. Respuesta en baja y alta frecuencia Del amplificador BJT.
3.2. Respuesta en baja y alta frecuencia del amplificador JFET.
3.3. Ganancia ancho de banda del amplificador.
3.4. Amplificador sintonizado
4. Amplificadores Retroalimentados.
4.1. Topologas de retroalimentacin.
4.2. Efectos de la retroalimentacin.
4.3. Respuesta en frecuencia.
5. Amplificadores de potencia
5.1. Conceptos bsicos y aplicacin.
5.2. Anlisis de expresiones de potencia y eficiencia.
5.3. Anlisis de efecto trmico y distorsin.
5.4. Anlisis y diseo de amplificadores de potencia.
5.5. Efectos de ruido

8.- SUGERENCIAS DIDCTICAS
- Propiciar actividades de bsqueda, seleccin y anlisis de informacin en distintas
fuentes.
- Propiciar el uso de las tecnologas de informacin y comunicacin en el desarrollo
de los contenidos de la asignatura.
- Fomentar actividades grupales que propicien la comunicacin, el intercambio
argumentado de ideas, la reflexin, la integracin y la colaboracin de y entre los
estudiantes.
- Propiciar, en el estudiante, el desarrollo de actividades intelectuales de induccin-
deduccin y anlisis-sntesis, las cuales lo encaminan hacia la investigacin, la
aplicacin de conocimientos y la solucin de problemas.
- Llevar a cabo actividades prcticas que promuevan el desarrollo de habilidades para
la experimentacin, tales como: observacin, identificacin manejo y control de
variables y datos relevantes, planteamiento de hiptesis, de trabajo en equipo.

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- Desarrollar actividades de aprendizaje que propicien la aplicacin de los conceptos,
modelos y metodologas que se van aprendiendo en el desarrollo de la asignatura.
- Propiciar el uso adecuado de conceptos y de terminologa cientfico tecnolgica.
- Relacionar los contenidos de la asignatura con el cuidado del medio ambiente as
como con las prcticas de una ingeniera bajo las premisas de la sustentabilidad.
- Observar y analizar fenmenos y problemticas propias del campo ocupacional.
- Relacionar los contenidos de esta asignatura con las dems del plan de estudios para
desarrollar una visin interdisciplinaria en el estudiante.

9.- SUGERENCIAS DE EVALUACIN

1. Reportes y actividades realizadas en el laboratorio.
2. Considerar la participacin en las actividades programadas en la materia:
- Participacin en clases.
- Cumplimiento de tareas y ejercicios.
- Exposicin de temas.
- Asistencia.
- Participacin en grupos de discusin.
- Participacin en congresos o concursos.
- Solucin de problemas.
3. Aplicar exmenes escritos considerando que no sea el factor decisivo para la acreditacin
del curso.
4. Evaluar el desarrollo de los proyectos.
5. Considerar el desempeo integral del alumno.







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10.- UNIDADES DE APRENDIZAJE

Unidad 1: Amplificadores Multietapa.
Competencia especfica a desarrollar
Analizar, simular, disear y construir circuitos amplificadores multietapa basados en
transistores bipolares, unipolares y mixtos.
Actividades de Aprendizaje
- Buscar, seleccionar y analizar informacin en las distintas fuentes bibliogrficas
propuestas; sobre el comportamiento, la estructura y aplicacin de amplificadores
multietapa con BJT, FET y mixtos.
- En pequeos grupos analizar la informacin y reflexionar sobre el funcionamiento y
aplicacin de los amplificadores multietapa.
- Hacer un reporte de investigacin de manera escrita, que contenga circuitos,
conceptos, ecuaciones y al final elaborar un mapa conceptual a manera de resumen.
- Calcular la ganancia de amplificadores multietapa, de manera individual y por
equipo, comparar los resultados de stos con un amplificador de una sola etapa.
- Analizar un amplificador multietapa con acoplamiento directo.
- Utilizar herramientas computacionales para simular el comportamiento de circuitos.
- En equipo de trabajo comprobar en el laboratorio que el comportamiento de los
circuitos multietapa sea de acuerdo al diseo y al resultado de la simulacin.
- Desarrollar sus actividades con honestidad, responsabilidad y respeto.
- Hacer el reporte escrito de la prctica, esta deber incorporar: los resultados de la
simulacin, diagramas, cuadros, grficos de las seales de entrada y salida, y tablas
de resultados, y conclusiones, para evidenciar las actividades realizadas por el
equipo de trabajo.






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Unidad 2: Arreglos Especiales.

Competencia especfica a desarrollar
Arreglos especiales.
Actividades de Aprendizaje
- Buscar, seleccionar y analizar informacin en las distintas fuentes bibliogrficas
propuestas; sobre la estructura, el comportamiento y aplicacin de amplificadores
en arreglos especiales.
- Analizar la informacin en grupos pequeos y presentar los resultados del anlisis
en plenaria utilizando recursos computacionales.
- Simular el comportamiento de circuitos amplificadores en configuraciones
especiales, y amplificador sintonizado.
- En el laboratorio de electrnica construir circuitos amplificadores de diferentes
tipos, para observar el comportamiento de los circuitos amplificadores en
configuraciones especiales, y amplificador sintonizado.
- Hacer el reporte escrito de la prctica, esta deber incorporar: los resultados de la
simulacin, diagramas, cuadros, grficos de las seales de entrada y salida, y tablas
de resultados, y conclusiones, para evidenciar las actividades realizadas por el
equipo de trabajo.

Unidad 3: Repuesta a la Frecuencia del Amplificador.

Competencia especfica a desarrollar
Repuesta a La Frecuencia Del
Amplificador.
Actividades de Aprendizaje
- Buscar, seleccionar y analizar informacin en las distintas fuentes bibliogrficas
propuestas; sobre la respuesta en frecuencia de los amplificadores.
- Analizar la informacin en grupos pequeos y presentar los resultados del anlisis
en plenaria utilizando recursos computacionales.

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- Observar y analizar la solucin de un problema tipo resuelto por el profesor para
resolver problemas de manera autnoma.
- Investigar y analizar problemas resueltos en el libro que determinen el ancho de
banda de un amplificador
- Analizar y descomponer el problema en partes e Identificar los conocimientos y
mtodos necesarios para su resolucin
- Resolver problemas que involucren el ancho de banda del circuito.
- Simular y analizar la respuesta en frecuencia de los circuitos utilizando
herramientas computacionales.
- Construir amplificadores, utilizando transistores bipolares y unipolares para
observar su comportamiento en frecuencia.
- Hacer el reporte escrito de la prctica, esta deber incorporar: los resultados de la
simulacin, diagramas, cuadros, grficos de las seales de entrada y salida, y tablas
de resultados, y conclusiones, para evidenciar las actividades realizadas por el
equipo de trabajo.

Unidad 4: Amplificadores con Retroalimentacin.

Competencia especfica a desarrollar Actividades de Aprendizaje
Analizar e identificar los efectos de las diferentes topologas de circuitos retro alimentados
en los amplificadores que utilizan transistores bipolares y unipolares as como su efecto en
la respuesta en frecuencia.
Actividades de Aprendizaje
- Buscar y seleccionar informacin general de los amplificadores retroalimentados,
que permita afrontar los temas relacionados con la introduccin de la
retroalimentacin negativa o positiva en un amplificador y la influencia sobre la
amplificacin, banda, resistencias de entrada y salida, ruido.
- Analizar tericamente y experimentalmente las diferentes configuraciones de
retroalimentacin.

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- Hacer una comparacin de los parmetros del amplificador con y sin
retroalimentacin.
- Analizar problemas resueltos en la bibliografa recomendada.
- Verificar en el laboratorio que el comportamiento del circuito sea de acuerdo al
diseo y resultado de la simulacin.
- Desarrollar sus actividades con honestidad, responsabilidad y respeto.

Unidad 5: Amplificadores de Potencia.

Competencia especfica a desarrollar
Determinar la potencia y eficiencia de amplificadores de potencia; explicar los efectos de la
temperatura y distorsin en la eficiencia del circuito para su anlisis, diseo y construccin.
Actividades de Aprendizaje
- Buscar y seleccionar informacin general de los amplificadores de potencia.
- Hacer un cuadro comparativo de las diferentes tipos de amplificadores.
- Analizar expresiones de potencia y eficiencia.
- Analizar los efectos: trmico, distorsin y ruido.
- Observar y analizar la solucin de un problema tipo resuelto por el profesor para
resolver problemas de manera autnoma.
- Investigar y analizar problemas resueltos en el libro.
- Analizar y descomponer el problema en partes y aplicar los conocimientos y
mtodos necesarios para su resolucin.
- Resolver problemas que involucren el clculo de la potencia y la eficiencia de los
amplificadores de potencia.
- Calcular la eficiencia de un circuito y describir los efectos de la temperatura en su
comportamiento.
- Identificar y seleccionar la clase del amplificador para su aplicacin especfica.
- Verificar en el laboratorio que el comportamiento del circuito sea de acuerdo al
diseo y al resultado de la simulacin.
- Desarrollar sus actividades con honestidad, responsabilidad y respeto.

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- Hacer el reporte escrito de la prctica, esta deber incorporar: los resultados de la
simulacin, diagramas, cuadros, grficos de las seales de entrada y salida, y tablas
de resultados, y conclusiones, para evidenciar las actividades realizadas por el
equipo de trabajo.

11.- FUENTES DE INFORMACIN
1. Sedra, Adel S. Microelectronics Circuits. Mc. Graw Hill, 5 Ed
2. Boylestad Robert L., Nashelsky Louis , Electrnica Teora de Circuitos y Dispositivos
Electrnicos, Dcima edicin, Editorial Prentice Hall. Mxico, 2009.
3. Savant. Roden, Carpenter, Diseo Electrnico, Circuitos y Sistemas, Prentice Hall.
4. Malvino Albert Paul, Principios de Electrnica Ed. Mc Graw Hill.
5. Millman Jacob, Halkias Cristos C., Electrnica integrada circuitos y sistemas analgicos
y digitales, Editorial Hispano Europea, S. A. 9 Edicin.
6. Grob. Circuitos electrnicos y sus aplicaciones. Ed. Mc Graw Hill
7. Floyd, Dispositivos Electrnicos, Editorial Prentice Hall.

12.- PRCTICAS PROPUESTAS

- Amplificador multietapa
- Amplificadores en cascada
- Amplificador sintonizado
- Amplificador Diferencial espejo de corriente
- Respuesta a la frecuencia en baja BJT
- Respuesta a la frecuencia en baja JFET
- Respuesta a la frecuencia en alta BJT
- Respuesta a la frecuencia en alta JFET
- Amplificadores retroalimentados
- Amplificadores de potencia puch-pull
- Puch-pull con preamplificador


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TITULAR DE LA
MATERIA


ING. ALEJANDRO
VILLEGAS GONZLEZ









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Unidad 1. Amplificadores Multietapa

Introduccin:
Los aplicadores multietapa son circuitos electrnicos formados por varios transistores (BJT
o FET), que pueden ser acoplados en forma directa o mediante capacitores. Las
configuraciones clsicas son el par Darlington (alta impedancia de entrada e incremento de
la ganancia de corriente), el par diferencial (Relacin de rechazo en modo comn elevada),
el amplificador casco de (alta impedancia de salida). Todas estas etapas amplificadoras
pueden ser integradas y encapsuladas en un chip semiconductor llamado Circuito Integrado
(CI). En el CI las polarizacin de las etapas se hace usando fuentes de corriente, debido a la
mayor facilidad de construccin (a travs de transistores). La combinacin de distintas
tecnologas permitir mejorar la prestacin de los sistemas diseados.
Un amplificador se describe un circuito capaz de procesar las seales de acuerdo a la
naturaleza de su aplicacin. El amplificador sabr extraer la informacin de toda seal, de
tal manera que permita mantener o mejorar la prestacin del sistema que genera la seal
(sensor o transductor usado para la aplicacin).
Se llama amplificador multietapa a los circuitos o sistemas que tienen mltiples transistores
y adems pueden ser conectadas entre s para mejorar sus respuestas tanto en ganancia, Z
in
,
Z
out
o ancho de banda. Las aplicaciones pueden ser tanto de cc como de ca.

1.1.1-Anlisis con BJT.

En el circuito de figura 1.1. Se muestra un circuito tpico de un amplificador de tensin con
un transistor BJT en emisor comn polarizado en la zona activa. Con l se trata de
amplificar una tensin cualquiera vi y aplicarla, una vez amplificada, a una carga que
simbolizamos por la resistencia RL. La zona sombreada resalta el amplificador, que en este
caso, lo constituye un transistor BJT en la configuracin emisor comn. El cual,
convenientemente polarizado en la zona activa, es capaz de comportarse como un
amplificador de tensin como ya se mencion en el captulo anterior.


Diseo con Transistores Pgina 22




Los capacitores C1 y C2 que aparecen se denominan capacitores de acoplo y sirven para
bloquear la componente continua. En concreto C1 sirve para acoplar la tensin que
queremos amplificar al amplificador propiamente dicho, eliminando la posible componente
continua que esta tensin pudiera tener. Si no bloquesemos esta continua se sumara a las
corrientes de polarizacin del transistor modificando el punto de funcionamiento del
mismo. Por otra parte, el capacitor C2 nos permite acoplar la seal amplificada a la carga,
eliminando la componente continua (la correspondiente al punto de polarizacin del
transistor) de forma que a la carga llegue nicamente la componente alterna.
El capacitor C3 es un capacitor de desacoplo, su misin es la de proporcionar un camino a
tierra a la componente alterna. En el captulo anterior se analiz el efecto de la resistencia
RE desde el punto de vista de su efecto en la estabilizacin del punto de polarizacin. Sin
embargo, en este captulo veremos cmo desde el punto de vista de la amplificacin, esta
resistencia hace disminuir la ganancia del amplificador. Al aadir el capacitor de desacoplo
conseguimos que la continua pase por RE mientras que la alterna pasara por el capacitor C3
consiguiendo que no afecte a la amplificacin.




Diseo con Transistores Pgina 23

1.1.2 Principio de Superposicin:

Vamos a abordar el anlisis de este tipo de circuitos amplificadores. Para ello aplicaremos
el principio de superposicin. En cada punto o rama calcularemos las tensiones y corrientes
de continua y de alterna por separado, de forma que al final las tensiones y corrientes
finales sern la suma de las calculadas en cada parte. Para ello vamos a suponer que el valor
de la capacidad de los condensadores, as como la frecuencia de las seales que tenemos es
tal que la impedancia que presentan los condensadores es lo suficientemente pequea para
considerarla nula. Mientras que en continua, estos condensadores presentarn una
impedancia infinita. Es decir, consideraremos que en continua los condensadores se
comportan como circuitos abiertos (impedancia ) mientras que en alterna equivaldrn a
cortocircuitos (impedancia 0).



Aplicando estas consideraciones obtendremos los circuitos equivalentes en DC y en AC
que tendremos que resolver separadamente.
Si en el circuito amplificador de la figura 1.1 aplicamos la condicin de que los
condensadores se comportan como circuitos abiertos, obtenemos el circuito equivalente en
continua (figura 1.3). Podemos ver como este circuito es, precisamente, el circuito de
polarizacin del transistor cuyo estudio ya se abord en el tema anterior y de cuya
resolucin obtendramos las tensiones y corrientes de continua presentes en el circuito.

Diseo con Transistores Pgina 24


Si por el contrario, al circuito de la figura 1.1 le aplicamos las condiciones para obtener el
circuito equivalente de alterna, es decir, suponemos que los condensadores se comportan
como cortocircuitos e, igualmente, cortocircuitamos las fuentes de tensin de continua, el
circuito que obtendramos es el mostrado en la figura 1.4.



En este captulo abordaremos el estudio y la resolucin de este circuito abordando un
modelo para el transistor que nos permita el clculo de las tensiones y corrientes en el
circuito.

1.1.3. Nomenclatura.

Al aplicar el principio de superposicin, es conveniente ser cuidadoso con la nomenclatura
de las distintas variables elctricas para no confundir ni mezclar las variables de alterna con
las de continua. En la figura 1.5 se muestra la nomenclatura que vamos a seguir

Diseo con Transistores Pgina 25



Antes de pasar al estudio propiamente dicho del circuito de alterna vamos a definir un par
de conceptos muy importantes a la hora de analizar el funcionamiento de un circuito
amplificador con un BJT, estamos hablando de las rectas de carga esttica y dinmica.

1.1.4- Recta de Carga Esttica.

La Recta de Carga Esttica representa la sucesin de los infinitos puntos de funcionamiento
que puede tener el transistor. Su ecuacin se obtiene al analizar la malla de salida del
circuito equivalente en continua.
La Recta de Carga Esttica est formada por los pares de valores (VCE, IC) que podra tener
el transistor con esa malla de salida. Para obtener su ecuacin matemtica
f (VCE,IC)= 0, planteamos las tensiones en la malla de salida del circuito equivalente en DC.



Diseo con Transistores Pgina 26

Si tenemos en cuenta que:

Nos queda:
si suponemos que
Obtendramos la ecuacin que relaciona la VCE y la IC del transistor, dicha ecuacin
representa una recta en el plano de las caractersticas de salida, y se conoce con Recta de
Carga Esttica





Como ya se ha mencionado anteriormente, esta recta representa todos los posibles puntos
de funcionamiento que podr tener el transistor con esa malla de salida. El punto de
funcionamiento Q se fijar mediante el circuito de polarizacin de entrada fijando la IB
correspondiente.




Diseo con Transistores Pgina 27

1.1.5.- Recta de Carga Dinmica.

La Recta de Carga Dinmica se obtiene al analizar la malla de salida del circuito
equivalente de AC. Est formada por la sucesin de los pares de valores (vCE, iC). Notar que
a diferencia del caso anterior, en este caso nos referimos a los valores totales (alterna ms
continua) tanto de tensin como de corriente. Para obtener la ecuacin matemtica de esta
recta (

) , analizamos la malla de salida del circuito equivalente en alterna






Si tenemos en cuenta que la componente incremental (o de alterna) de una seal se puede
obtener restando el valor de continua al valor total.



Haciendo este cambio de variable en la expresin anterior obtenemos la ecuacin de la
Recta de Carga Dinmica


Diseo con Transistores Pgina 28

Tenemos la ecuacin de una recta que pasa por el punto de funcionamiento (punto Q) y
cuya pendiente es el inverso del paralelo de RC y RL.



La Recta de Carga Dinmica siempre tiene ms pendiente que la Recta de Carga Esttica.
nicamente en el caso de un circuito en el que

y la salida est en circuito abierto


(

) ambas rectas coincidirn.


La Recta de Carga Dinmica representa los pares de valores iC y vCE en cada instante como
se puede ver grficamente en la figura 1.8.


Diseo con Transistores Pgina 29




1.2. Anlisis con JFET.

Los transistores de efecto de campo (Field Effect Transistor, FET) se clasifican en los
siguientes dos grupos:





Diseo con Transistores Pgina 30

El smbolo de cada uno de ellos se muestra a continuacin en la figura 1.10.


1.2.1- Estructura y caractersticas del JFET.
Los JFETs o Transistores de efecto de campo de unin son dispositivos de tres terminales
de baja potencia. La conduccin de corriente la llevan a cabo a travs de un solo tipo de
portador por lo cual se le reconoce como transistores unipolares. Sus terminales reciben los
siguientes nombres y se clasifican como lo muestra la figura.
El Principio de funcionamiento de los Transistores de efecto de campo (Field Effect
Transistor) FETS se sustenta en controlar la cantidad de portadores de carga de una regin
de semiconductor denominada canal por medio de un campo elctrico que se produce al
aplicar un voltaje entre la terminal denominada compuerta (Gate) y la terminal denominada
fuente (Source).
Los Transistores de efecto de campo de unin (JFET) se clasifican en:
1.- JFETS canal N, en los cuales su canal se fabrica con material tipo N y la compuerta es
de material tipo P

Diseo con Transistores Pgina 31

2.- JFET canal N en los que su canal es de material P y la compuerta de material N.
En la Figura 1.11. Se muestra la estructura de los dos tipos de JFET que existen:

En lo general las principales caractersticas de los FETs son:
1.- Alta impedancia de entrada.
2.- Se logran altas escalas de integracin en circuitos integrados.
3.- Se pueden utilizar como memorias digitales al almacenar en su capacitancia
informacin en forma de voltaje.
4.- Se pueden utilizar como resistores controlados por voltaje en la regin hmica de
trabajo.
5.- Su condicin de trabajo depende menos de la temperatura que la del BJT.
6.- Presentan la capacidad de manejar grandes corrientes.

Diseo con Transistores Pgina 32

7.- Pueden conmutar a altas velocidades.
8.- Son sensibles a la esttica.
9.- No se pueden implementar amplificadores de voltaje con una ganancia significativa.
1.2.2- Anlisis de la polarizacin del JFET.
Existen diversas formas de polarizacin para el FET, dos de las que ms se emplean son:
1.- La Auto polarizacin
2.- La polarizacin por divisor de voltaje
Ambas formas de polarizacin se obtienen al resolver simultneamente la ecuacin del
circuito compuerta-fuente con la ecuacin de Shockley que rige al JFET y a los MOSFET
decrementales.
En el circuito de la figura se muestra una auto polarizacin, en ella se puede observar que
con el simple hecho de conectar un resistor entre compuerta y tierra, el potencial de la
compuerta adquiere la tensin de 0 Volts, de tal forma que al circular una corriente I
D
a
travs de la resistencia R
S
obligara a que la tensin existente entre compuerta y fuente sea
de signo negativo esto es V
GS
< 0 Volts con lo cual se estar en condiciones de empobrecer
el canal como lo requiere la polarizacin de los JFET. Adems dicha resistencia R
GG
facilita
el acoplamiento de impedancia entre la fuente de seal y la entrada de circuito con
JFET.
Auto polarizacin

Diseo con Transistores Pgina 33


El desarrollo analtico de lo anteriormente mencionado se detalla en los siguientes
prrafos:

La cual representa una recta cuya pendiente es el negativo del reciproco del Resistor de
fuente R
S
. La interseccin de esta recta con la curva de transconductancia que representa
la ecuacin de Shockley

Determina el punto de operacin esttico en que trabaja el JFET como lo muestra la Figura
1.13.

Diseo con Transistores Pgina 34





Diseo con Transistores Pgina 35


Obteniendo el circuito equivalente de Thevenin en la compuerta del JFET se tiene

Aplicando la Ley de Voltajes de Kirchoff al circuito compuerta fuente de la figura 1.15.

La cual al igualarse con la ecuacin de Shockley proporciona dos valores de V
GS

debindose utilizar aquel que cumpla con V
GS
< V
GSOFF
puesto que la parbola
que representa la curva de transconductancia del JFET abre hacia los dos lados del vrtice
V
GSOFF
siendo la primer rama la que resuelve el funcionamiento del dispositivo.

Diseo con Transistores Pgina 36


En cualquiera de las dos tcnicas de polarizacin mencionadas el mejor compromiso entre
la estabilidad del punto de operacin y la obtencin de un adecuado valor de
transconductancia se encuentra cuando se cumple que el valor de la I
DQ
= I
DSS
/
2
, lo cual
implica que V
GSQ
= -0.3 V
DSS
y g
m
= 1.414V
DSS
/I
DSS
embargo al establecer una
comparacin entre la estabilidad del punto Q entre una auto polarizacin fija y una por
divisor de tensin polarizacin se puede observar en la figura siguiente que la polarizacin
por divisor de voltaje ofrece un menor margen de variacin en el valor de la I
DQ
debido a
que la recta de carga al cruzar por el punto Q lo puede hacer con una menor pendiente de
manera aun cuando el JFET pueda presentar un amplio margen de variabilidad en sus
caractersticas como lo representan las dos curvas de transconductancia mostradas el
margen de error es menor para la polarizacin por divisor de tensin que para la auto
polarizacin.

Diseo con Transistores Pgina 37




Diseo con Transistores Pgina 38


Figura Margen de error de estabilidad de I
DQ
para la polarizacin por divisor de voltaje y la
auto polarizacin.
1.2.3.-Ejemplos de Polarizacin del JFET
Ejemplo 1.- (Anlisis) Determine el punto de operacin para una auto polarizacin fija en
la que se presentan las siguientes condiciones:


Diseo con Transistores Pgina 39

Solucin:
Al igualar la ecuacin del circuito compuerta fuente con la ecuacin de Shockley resulta

Evidentemente que el valor indicado corresponde a V
GS1
= - 1.29V el cual al sustituirlo en

Siendo el valor de la transconductancia g
m
en este punto de operacin

Finalmente el valor de V
DSQ
viene dado por

Ejemplo 2.- (Diseo) Calcule para una auto polarizacin fija, el valor de R
S
y R
D
de
manera que I
DQ
= 2mA y V
DSQ
= 5V si se sabe que I
DSS
= 3.5mA , V
DSS
= 2.5V y V
DD
= 9V
Solucin.- Se procede utilizando la ecuacin de Shockley para despejar de ella V
GSQ



Diseo con Transistores Pgina 40

Ejemplo 1.- (Anlisis) Determine el punto de operacin para una auto polarizacin por
divisor de tensin en la que se presentan las siguientes condiciones:

Se procede calculando el circuito equivalente de Thevenin en la compuerta

Al igualar la ecuacin del circuito compuerta fuente con la ecuacin de Shockley resulta

El valor correcto corresponde a V
GS1
= - 0.234V el cual al sustituirlo en



Diseo con Transistores Pgina 41

Siendo el valor de la transconductancia g
m
en este punto de operacin

Finalmente el valor de V
DSQ
viene dado por

1.2.4-Modelo de seal del JFET.
Por medio del modelo elctrico de funcionamiento del JFET es posible determinar las
caractersticas de impedancia de entrada, impedancia de salida y ganancias de voltaje y
corriente de circuitos con JFET. En dicho modelo se considera que la impedancia de
entrada que existe entre compuerta y fuente es infinita y que el voltaje existente entre
dichas terminales al multiplicarse por la ganancia de transconductancia del JFET controla el
valor de una fuente de corriente dependiente del voltaje antes mencionado. En la figura
1.19. Se muestra dicho modelo



Diseo con Transistores Pgina 42

En este modelo el valor de la ganancia de transconductancia corresponde al grado de
pendiente que presenta la curva de la ecuacin de Shockley de acuerdo al punto de
operacin esttico que la polarizacin haya provocado. La obtencin de esta ganancia se
lleva cabo a continuacin

1.2.5-Amplificador en fuente comn.
La Ganancia de voltaje, de corriente y al impedancia de entrada de un amplificador en
fuente comn como el mostrado en la figura se obtiene para la banda de paso al suponer
que los capacitores se comportan como corto circuito a estas frecuencias y haciendo cero la
fuente de corriente directa, luego se sustituye el modelo de pequea seal del JFET y se
analiza el circuito hasta obtener dichas expresiones.

Diseo con Transistores Pgina 43




De acuerdo al circuito de pequea seal se tiene




Diseo con Transistores Pgina 44

Por lo cual

1.3. Anlisis de circuitos mixtos (BJT y JFET).

1.3.1. Tipos de acoplamiento

El acoplamiento establece la forma en la cual se conectan las distintas etapas
amplificadores, dependiendo de la naturaleza de la aplicacin y las caractersticas de
respuesta que se desean. Existen distintos tipos de acoplamiento: Acoplamiento directo,
capacitivo y por transformador.














Diseo con Transistores Pgina 45

1.3.2- Acoplamiento directo
Las etapas se conectan en forma directa, es permite una amplificacin tanto de la
componente de seal como de la componente continua del circuito. Se dice que los
circuitos de cc se acoplan directamente. La Fig.1.23. Muestra una aplicacin de
acoplamiento directo.
En corriente continua se tiene










As


Dado que la malla de entrada ser

Entonces

De esta forma se determinan VCEQ1 y VCEQ2. Note que al hacer anlisis en cc, los
efectos de la polarizacin de una etapa afectan a la otra.
Por otro lado, realizando el anlisis en ca se tiene


Diseo con Transistores Pgina 46



De esta forma despejando ib2 de (7) y reemplazando en
(6)


El efecto de los elementos de la primera y segunda etapa est presentes en la ganancia del
sistema.

1.3.3- Acoplamiento capacitivo.

El acoplamiento capacitivo o por condensador se usa para interconectar distintas etapas, en
las cuales slo se desea amplificar seal. La presencia del capacitor anula las
Componentes de cc, permitiendo slo la amplificacin de seales en ca. Los aplicadores de
ca usan acoplamiento capacitivo. Permite mayor libertad en el diseo, pues la polarizacin
de una etapa no afectar a la otra.








Diseo con Transistores Pgina 47

Extendiendo el sistema de la Fig. 3 a n-etapas, considerando la relacin de ganancia de
cada una de ellas se dice que tiene que la ganancia del sistema ser:


Considere amplificador emisor comn (sin CE), de dos etapas de la Fig. 1.25. Donde
R1 = 3 [K], R2 = 1 [K ], RE = 820 , RC = 2 [K ] ; VCC = 10 [V ] : Por otro lado,
hfe = 100, hie pequeo.

Note que en cc ambas etapas quedan separadas, formarn un circuito de polarizacin
universal, de esta forma el punto de operacin para cada etapa ser:










Diseo con Transistores Pgina 48

En ca alterna analizando cada etapa por separado se tiene, para la etapa 1 se determina la
ganancia de voltaje. Planteando las ecuaciones en el circuito de la Fig. 1.25.

Conclusiones:
Los circuitos multietapa son sistemas construidos a partir de varios transistores, estos
pueden estar acoplados entre s, ya sea en forma directa o a travs de un capacitor.
Cuando las etapas son acopladas por capacitor se habla de circuitos de ca, si son acopladas
en forma directa se habla de circuitos en cc y ca. Las configuraciones multietapa
clsicas, el par Darlington, el amplificador diferencial y el casco de, presentan
caractersticas propias, alta impedancia de entrada e incremento de la corriente, alto RRMC
y alta impedancia de salida respectivamente, las cuales pueden ser mejoradas combinando
dichos circuitos con otros elementos, ya sea para su polarizacin (fuentes de corriente
activas) o como carga. La tecnologa BiCMOS aprovecha lo mejor de ambas familias de
transistores, de tal forma de incrementar las prestaciones, en Rin, Av y Rout.



















Diseo con Transistores Pgina 49

Unidad 2: Arreglos Especiales

2.1 Conexiones Darlington: Es tambin llamado amplificador compuesto, es una
conexin muy popular de dos transistores de unin bipolar para funcionar como un solo
transistor. La principal caracterstica de esta conexin, es que el transistor compuesto acta
como una sola unidad, con una ganancia de corriente que es el producto de las ganancias de
corriente de los dos transistores por separado.
En la figura 2.1 se puede observar el diagrama fsico de esta conexin:









Figura 2.1 Conexin Darlington NPN
2.1.1 Caractersticas:
1. Alta ganancia de corriente (
t
).
2. Alta impedancia de entrada (Z
in
).
3. Al estar integrados en el mismo encapsulado requieren menos espacio que los otros
diseos en la misma configuracin.
2.1.2 Desventajas:
1. La tensin de base-emisor ahora es el doble de un solo transistor, es decir, para un
transistor de silicio, su voltaje de base emisor es de 0.7v, para el Darlington es el
doble de ese voltaje, en otras palabras, V
BE
= 2*0.7v= 1.4v.


B
C
E

t
=
1
x
2

Diseo con Transistores Pgina 50

2. Otro problema es la reduccin de la velocidad de conmutacin, ya que el primer
transistor no puede inhibir activamente la corriente de base de la segunda etapa,
haciendo al dispositivo lento para apagarse.

2.1.3 Darlington Complementario: Se comporta como un solo transistor PNP, con una
ganancia de corriente igual a
1*

2
. Fue desarrollado originalmente porque los transistores
de alta potencia complementaria no estaban disponibles. El transistor complementario a
menudo es usado en una etapa especial conocida como etapa de salida cuasi-
complementaria.
En la figura 2.2 se puede observar el diagrama de la conexin de Darlington
complementario.










Figura 2.2 Darlington Complementario

2.1.4 Configuracin Darlington en Colector Comn: Este es la configuracin
mejor aprovechada de este tipo de conexin debido a su gran ganancia de corriente,
recordemos que la configuracin de colector comn o tambin llamado seguidor emisor,
solo amplifica corriente no voltaje. En la figura 2.3 se observa el diagrama de conexin
Darlington en colector comn.


Diseo con Transistores Pgina 51








Figura 2.3 Configuracin Darlington Colector Comn

2.1.4.1 Frmulas para la polarizacin del circuito:
(2.1)
1 2
*
T
| | | = (2.6)
2
25
'
C
mV
r e
I
=
(2.2) 2*
BB BE RE
V V V = + (2.7) / /
E L
re R R =
(2.3)
2
RE
E
E
V
I
R
= (2.8) ( ' )
in T
Z r e re | = +
(2.4)
1 2
1
1
C C
B
T
I I
I
| |
= =
(2.5)
2
2
2
C
B
I
I
|
=







Diseo con Transistores Pgina 52

2.2 Amplificador Diferencial: El amplificador diferencial (AD), es un circuito
pensado para amplificar la diferencia de dos seales. Es posible construir circuitos
amplificadores diferenciales con cualquier dispositivo semiconductor que pueda funcionar
como amplificador. Puede implementarse con transistores bipolares o transistores de efecto
de campo. En ambos casos se trata de acoplar dos dispositivos idnticos en su
configuracin amplificadora (emisor o fuente comn), por el terminal comn (emisor o
fuente), correspondiente a la configuracin.
En la figura 2.4 se muestra el diagrama en bloque de un amplificador diferencial.





Figura 2.4 Diagrama en bloque de un Amplificador Diferencial
2.2.1 Configuracin Bsica: En la figura 2.5 se puede observar el diagrama de la
configuracin bsica del amplificador deferencial.













Figura 2.5 Configuracin Bsica de Amplificador Diferencial

Diseo con Transistores Pgina 53

Para calcular el voltaje de salida se puede calcular de la siguiente manera:
1 2
( )
out v
V A V V = .. (2.9)
Donde:
- Av: Ganancia de Voltaje
- V
1
: Voltaje de entrada 1
- V
2
: Voltaje de entrada 2

2.2.2 Anlisis en Corriente Directa (C.D): El anlisis en CD es indispensable para la
polarizacin de los transistores. En la Figura 2.6 se observa el anlisis para CD de la malla
1 del amplificador diferencial:

BE T E EE
V I R V + = (2.10)
Despejando I
T
:

EE BE
T
E
V V
I
R

= (2.11)

2*
2
T E
T
E C
I I
I
I I
=
= =
.. (2.12)




Figura 2.6 Malla 1 del amplificador
Diferencial







Diseo con Transistores Pgina 54

En el caso de la figura 2.5, se puede observar que contiene una resistencia de base R
B
, solo
se tiene que incluir en el anlisis de CD de la siguiente manera:
B B BE T E EE
I R V I R V + + = (2.13) Pero:
C
B
I
I
|
=

Y:
2
T
C
I
I = entonces:
2
EE BE
T
B
E
V V
I
R
R
|

=
+
.. (2.14)
Lo ideal es que el voltaje entre colectores de los transistores debera ser cero (0), pero
debido a que los componentes introducen un margen de error ya que es muy difcil hacer
coincidir las caractersticas de ambos transistores, es de esperar que el voltaje entre
colectores para CD pueda variar entre 0V y 1.1V; arriba de este valor ya se considera una
mal configuracin.

2.2.3 Causas por las que el Voltaje de salida entre colectores no sea cero (0)
1.
1 2
( )
2
B B
in Polarizacion
I I
I
+
=
; esta corriente es del orden de nano amperes
(nA), y provocan un voltaje de error:
1 2 ( )
( ) *
error B B in Polarizacion
V R R I = (2.15)
2. Corriente de Offset de entrada: Se define como la diferencia de las corrientes
continas de base.
( ) 1 2 in Offset B B
I I I = (2.16)
Igualmente estas corrientes generan un voltaje de error:
( )
( ) 1 2
( ) *
2
in Offset
error Offset B B
I
V R R = +
. (2.17)



Diseo con Transistores Pgina 55

3. Tensin de Offset de Entrada: Se define como la tensin de entrada que producir
la misma tensin de error de salida en un amplificador diferencial.
( )
error
offset
V
V
Av
=
.. (2.18)

2.2.4 Anlisis en Corriente Alterna (C.A): En la figura 2.7 se muestra el circuito
equivalente para corriente alterna.

















Figura 2.7 Circuito Equivalente para C.A


Para calcular la ganancia de voltaje quedara de la siguiente manera:

2* '
E
R
Av
r e
= ... (2.19)

2* '
OUT c E
V
IN c
V i R
A
V i r e
= =

Diseo con Transistores Pgina 56

2.2.5 Ganancia en Modo Comn (Av
(MC)
): Si se aplican tensiones iguales a las
entradas, la tensin de salida sera igual a cero. Nadie empleara deliberadamente un
amplificador diferencial de esta manera. La razn de hablar de este tipo de entrada es
porque las tensiones estticas, las interferencias y otra clase de seales no deseables, son
seales en modo comn, es decir, en las bases se presentan seales iguales que no son
deseables.
( )
2
C
MC
E
R
Av
R
=
. (2.20)

2.2.6 Ganancia en Modo Diferencial (Av
(MD)
): Ya que lo ideal es colocar seales
diferentes que permitan generar una diferencia entre las dos y as amplificar dicha seal de
resultado, se habla de la ganancia en modo diferencial.
( )
2* '
C
MD
R
Av
r e
=
(2.21)

2.2.7 Caractersticas del Amplificador Diferencial:
1. No requiere el uso de capacitores de de entrada y salida
2. Amplifica prcticamente desde frecuencia cero
3. Es inmune al ruido, es decir, atena las seales de ruido presentes en la base.

( )
( )
MD
MC
Av
RRMC
Av
=
.. (2.22)






Diseo con Transistores Pgina 57

2.3 Amplificador Diferencial Espejo de Corriente: Es una modificacin del
amplificador diferencial bsico, con la pequea variacin de que se agrega un diodo de
compensacin, el cual, ayuda a anular los efectos de temperatura que disminuyen el voltaje
en el transistor. En la figura 2.8 se muestra la conexin bsica del espejo de corriente.

















Figura 2.8 Configuracin Bsica del Espejo de Corriente

El nombre de amplificador espejo de corriente se debe a que la corriente de la resistencia R
(I
R
), es igual a la corriente de emisor (I
E
).
CC D
R
V V
I
R

= .. (2.23)
R E
I I =

NOTA: Antes de mostrar la configuracin de un amplificador diferencial espejo de
corriente, es necesario hablar primero de otra configuracin que lleva por nombre
amplificador diferencial con fuente de corriente.



Diseo con Transistores Pgina 58

2.4 Amplificador Diferencial con Fuente de Corriente: Al igual que el
amplificador espejo de corriente, este amplificador es una modificacin al amplificador
diferencial bsico, cuyo nico propsito es el de mejorar el diseo del amplificador para
hacerlo ms efectivo.
Este diseo presenta un cambio en la forma de obtener la corriente I
T
, en donde a diferencia
del circuito original, como ya se estudio en el punto 2.2, utiliza una resistencia R
E
comn
para ambos transistores por la cual circula una corriente I
T
, mientras que el amplificador
fuente de corriente aprovecha la utilidad de un transistor NPN como fuente de corriente.
En la figura 2.9 se puede observar un amplificador espejo de corriente con la modificacin
de fuente de corriente.
























Figura 2.9 Amplificador Espejo de Corriente con Fuente de Corriente




Diseo con Transistores Pgina 59

2.4.1 Ventajas: La idea de colocar un transistor como fuente de corriente es obtener una
alta impedancia de entrada (Z
in
), y a su vez evitar el ruido.

2.4.2 Desventaja de esta configuracin: Un gran problema que presenta esta
configuracin es la dificultad para encontrar en el mercado los diodos de compensacin o
tambin llamados diodos de baja seal, ya que son estos tipos de diodos los que permiten
un funcionamiento optimo de la configuracin al asemejarse a los diodos internos de los
transistores. Una forma de disminuir este problema es colocando un transistor en forma de
diodo, como se muestra en la figura 2.10.















Figura 2.10 Diodo de Compensacin a partir de un Transistor NPN.









Diseo con Transistores Pgina 60

2.5 Carga Activa: Al igual que las configuraciones vistas en el punto 2.3 y 2.4, la carga
activa es una modificacin mas para los amplificadores deferenciales, con el nico fin de
mejorar su funcionamiento. La carga activa se refiere a una carga manejada por el
transistor. En la figura 2.11 se observa el diagrama de un amplificador diferencial con carga
activa.


























Figura 2.11 Diagrama de un Amplificador Diferencial con Carga Activa

Dado que Q
6
es un transistor PNP que se comporta como una fuente de corriente, Q
2
ve una
resistencia R
C
aproximada que tiene un valor de cientos de mega ohms (M). En
consecuencia, la ganancia de tensin es mucho mayor con una carga activa que con una
resistencia normal. Cargas activas de este estilo son usadas en la mayora de los
amplificadores operacionales encapsulados de la actualidad.

Q
6

Diseo con Transistores Pgina 61

2.6 Amplificador Sintonizado: Se trata de un amplificador Clase C. Es un
amplificador que trabaja dentro de una banda estrecha son una frecuencia central llamada
f
r
, y el ancho de banda esta dado por las que se denominan frecuencias cuadrantales del
amplificador sintonizado (f
l
y

f
h
). Estas frecuencias de corte superior e inferior estn dadas
por los valores de f
r
para los cuales la ganancia cae 3dB, o la tensin cae 70.7% de su valor
mximo.
Estos amplificadores se proyectan para rechazar todas las seales cuyas frecuencias se
encuentran por debajo y por encima de la banda de operacin. En la figura 2.12 se muestra
el diagrama de un amplificador sintonizado.



















Figura 2.12 Diagrama de un Amplificador Sintonizado

2.6.1 Circuito Equivalente para C.D: En la figura 2.13 se puede observar el circuito
equivalente para corriente directa. Obsrvese que en CD el capacitor se comporta como un
circuito abierto, mientras que la bobina se comporta como un cortocircuito de resistencia
(R
S
) baja.



Diseo con Transistores Pgina 62








Figura 2.13 Circuito Equivalente para C.D.
2.6.1.1 Recta de Carga para C.D:
Calculando el circuito por Ley de Voltajes de Kirchhoff:
cc CE C S
V V I R = +
.. (2.24)
Pero debido a que la R
S
es muy pequea la ecuacin quedara solo V
CC
=V
CE

Ahora si de la formula (2.24), despejamos la corriente I
C
:
CE
C
S
V
I
R
= .. (2.25)
Como la resistencia es muy baja, se genera un corriente que tiende a infinito. En la grafica
2.1 se puede observar como quedara la recta de carga para C.D:











Grfica 2.1 Recta de Carga para CD




Diseo con Transistores Pgina 63

2.6.2 Circuito Equivalente para Corriente Alterna (C.A): En la figura 2.15 se
muestra el circuito equivalente para C.A:









Figura 2.15 Circuito Equivalente de C.A.

2.6.2.1 Recta de Carga para C.A:
Punto Q del transistor: Para calcular la I
C(Saturacin)
el V
CE
=0V:
( )
/ /
C Saturacion
CC
S L
V
I
R R
= . (2.26)
El V
CE
=V
CC
. Por lo tanto la recta de carga para C.A quedara de la forma en la que muestra
la grafica 2.2:














Grafica 2.2 Recta de Carga para C.A









Diseo con Transistores Pgina 64

2.6.3 Frecuencia de Resonancia (F
r
): Se denomina frecuencia de resonancia a aquella
frecuencia caracterstica de un cuerpo o un sistema que alcanza el grado mximo de
oscilacin. Cuando un cuerpo es excitado a una de sus frecuencias caractersticas, su
vibracin es la mxima posible, es se debe a que el sistema entra en resonancia.
Para el amplificador sintonizado de la figura 2.12, la frmula para calcular la frecuencia de
resonancia es:
1
2
r
F
RC
=
H
.. (2.27)
En la grafica 2.3, muestra la frecuencia de resonancia, acompaado por el ancho de banda
dado por las frecuencias de baja y de alta (f
l
y f
h
).








Grafica 2.3 Frecuencia de Resonancia.
En la base de amplificador sintonizado de la figura 2.12, se observa la seal que muestra la
grafica 2.4:








Grafica 2.4 Seal de Entrada en la Base del Amplificador Sintonizado


<180

Diseo con Transistores Pgina 65


Una forma o impulso es rico en armnicos mltiplos de la frecuencia de entrada. En otras
palabras, los impulsos son equivalentes a un grupo de ondas SENO con frecuencias f, 2f,
3f,nf.
El circuito tanque resonante solo presenta una alta impedancia (Z), a la frecuencia
fundamental f, lo que produce una ganancia de tensin grande a esta frecuencia. Por el
contrario, el circuito tanque presenta una impedancia (Z) baja, para los armnicos de orden
superior produciendo una ganancia de tensin muy pequea.

2.6.4 Factor de Calidad (Q): Tambin denominado factor de selectividad, es un
parmetro que mide la relacin entre la energa reactiva que almacena y la energa que
disipa durante un ciclo completo de la seal. Es un parmetro importante para los
osciladores, filtros y otros circuitos sintonizados, pues proporciona una medida de lo aguda
que es su resonancia.
C
L
r
Q
x
= . (2.28)
/ /
c p L
r R R = .............. (2.29)

2.6.5 Ancho de Banda (Bw): Es la longitud, medida en hertz (Hz), del rango de
frecuencias en el que se concentra la mayor parte de la potencia de la seal.
2 1
Bw f f = (2.30)

r
F
Bw
Q
= .. (2.31)





Diseo con Transistores Pgina 66


El amplificador sintonizado completo tiene un factor de calidad (Q), menor al factor de
calidad de la bobina (Q
L
), ya que incluye el efecto de la resistencia de carga (R
L
), as como
la resistencia de la bobina (R
S
).
En la figura 2.16 se muestra el circuito equivalente de CA, del circuito tanque en conjunto
con el transistor y la resistencia de carga.











Figura 2.16 Circuito Equivalente de C.A.

p L L
R Q X = .. (2.32)
Para calcular el factor de calidad para una bobina (Q
L
):
c
L
L
r
Q
X
= .................. (2.33)
La reactancia inductiva (X
L
), se calcula de la siguiente manera:
2 * *
L r
X F L = H ................... (2.34)
Los amplificadores clase C, tienen un factor de calidad Q<10, esto significa que el ancho de
banda es menor que el 10% de la frecuencia de resonancia. En consecuencia, los
amplificadores clase C son amplificadores de banda estrecha.
La salida de un amplificador clase C, es una tensin senoidal grande a la frecuencia de
resonancia, con un decrecimiento rpido en las frecuencias por encima y por debajo de
dicha frecuencia de resonancia.





Diseo con Transistores Pgina 67

Unidad 3 Respuesta a la frecuencia
3.1. Respuesta en alta y baja frecuencia del amplificador BJT

3.1.1. Respuesta en Frecuencia de un Amplificador

La respuesta en frecuencia de un amplificador es una representacin de su ganancia en
funcin de la frecuencia.


Figura 3.1

3.1.2. Respuesta de un amplificador de alterna


La Figura representa la respuesta en
frecuencia de un amplificador de alterna. En
la regin de frecuencias medias la ganancia
de tensin es mnima. En este margen es
donde suele funcionar un amplificador. En
bajas frecuencias, la tensin de salida
disminuye debido a que los condensadores
de acoplo y de desacoplo ya no funcionan como cortocircuitos. En lugar de ello, sus
reactancias capacitivas son suficientemente grandes como para hacer caer parte de la
tensin de la seal alterna. El resultado es una prdida de ganancia de tensin a medida que
se aproxima a cero hercios (0 Hz).
Figura 3.2.

Diseo con Transistores Pgina 68

En altas frecuencias la ganancia de tensin decrece por dos razones en especial:


1.- Un transistor tiene capacidades internas en sus uniones, como se
representa en esta figura. Estas capacidades proporcionan caminos
cortocircuitados para la seal alterna. A medida que la frecuencia
aumenta, las reactancias capacitivas decrecen lo suficiente como para
entorpecer el funcionamiento normal del transistor. El resultado es
una prdida de ganancia de tensin.

2.- Las capacidades parasitas de las
conexiones es otra razn para la prdida de
ganancia de tensin a altas frecuencias. En
esta figura se ilustra que cualquier cable de
conexin en un circuito de transistor acta
como una placa de condensador, y el chasis
acta como la otra placa. Las capacidades parasitas de las conexiones son capacidades no
deseadas que forman caminos de derivacin para la seal de alta frecuencia y le impiden
alcanzar la resistencia de carga. Esto es equivalente a decir que la ganancia de tensin
decrece.

3.1.2.1.Frecuencias de corte
Las frecuencias a las que la ganancia de tensin es igual a 0,707 de su valor mximo se
denominan frecuencias de corte.

En la Figura, es la f
1
frecuencia de corte inferior
y f
2
, es la frecuencia de corte superior.




Diseo con Transistores Pgina 69


Las frecuencias de corte tambin se denominan frecuencias de mitad de potencia porque la
potencia en la carga a esas frecuencias es la mitad de su valor mximo.
Cuando la ganancia de tensin es 0,707 de su valor mximo, la tensin de salida es 0,707
del valor mximo. Recurdese que la potencia es igual al cuadrado de la tensin dividida
por la resistencia. Cuando se eleva a1 cuadrado 0,707 se obtiene 0,5. Esta es la razn por la
que la potencia de carga a las frecuencias de corte es la mitad de su mximo valor.

3.1.2.2.Banda media

Se definirn frecuencias medias de un amplificador como el margen de frecuencias entre
10f
1
, y 0, lf
1
. En las frecuencias medias la ganancia de tensin del amplificador es
aproximadamente mxima y se denomina A
med
. Tres caractersticas importantes de
cualquier amplificador de alterna son su A
med,
f
1
y f2. Dados estos valores, se puede saber
cunta ganancia de tensin hay en

las frecuencias medias y dnde se reduce a 0,707 A
med
.


3.1.2.3.Fuera de las frecuencias medias

Aunque un amplificador funciona normalmente en las frecuencias medias, hay veces en las
que se desea saber la ganancia de tensin fuera de esta banda. Esta es una aproximacin
para calcular la ganancia de tensin de un amplificador:

(3.1)

Dados A
med
, f
1
, y f
2
, se desea calcular la ganancia de tensin a cualquier frecuencia f. Esta
ecuacin supone que un condensador dominante est produciendo la frecuencia de corte
inferior y otro produce la frecuencia de corte superior. Un condensador dominante es aquel
que es ms importante que los otros para determinar la frecuencia de corte. Slo hay que

Diseo con Transistores Pgina 70

analizar tres zonas de frecuencia: las frecuencias medias, las frecuencias inferiores y las
frecuencias superiores.
En las frecuencias medias, f
1
/f 0 y f/f
2
0. Por tanto, ambos radicales en la Ecuacin
anterior son aproximadamente igual a 1, y la Ecuacin se simplifica a:

Banda media: A = A
med


Por debajo de las frecuencias medias f/f
2
0. Como resultado, el segundo radical es igual a
1 y queda de la siguiente forma:

Por debajo de las frecuencias medias:

(3.2)

Por encima de las frecuencias medias f
1
/f 0. Por consiguiente, el primer radical es igual a
1 y se simplifica como sigue:

Por encima de las frecuencias medias:


(3.3)







Diseo con Transistores Pgina 71


3.1.3. Respuesta de un amplificador de continua

Un diseador puede usar acoplamiento directo entre las etapas de un amplificador. Esto
permite al circuito amplificar todas las frecuencias hacia la frecuencia de cero hercios (0
Hz). Este tipo de amplificadores se denomina amplificador de continua.



La Figura representa la respuesta en frecuencia
de un amplificador de continua. Como no hay
frecuencia de corte inferior, las dos
caractersticas importantes de un amplificador
de continua son A
med
y f
2
. A partir de estos
valores indicados en una hoja de caractersticas, tenemos la ganancia de tensin del
amplificador en las frecuencias medias y su frecuencia de corte superior.

La mayor parte de los amplificadores de continua se disean con una capacidad dominante
que proporciona la frecuencia de corte superior. Por esto, se puede utilizar la siguiente
frmula para calcular la ganancia de tensin de los amplificadores de continua tpicos:

Formula:

(3.4)
Ejemplo:





3.1.4. Ganancia de tensin en decibelios

Diseo con Transistores Pgina 72


La ganancia de tensin es la tensin de salida dividida por la tensin de entrada:

(3.5)

La ganancia de tensin en decibelios se define como:

(3.6)

Si un amplificador tiene una ganancia de tensin de 100.000, obtiene, una ganancia de
tensin en decibelios de:



- Etapas en Cascada

En la figura se muestra dos etapas de
ganancia de tensin, la ganancia de tensin
total del amplificador de dos etapas es
idealmente el producto de las ganancias
individuales de tensin:

(3.7)

Al calcular la ganancia de tensin en decibelios en lugar de la ganancia de tensin en las
unidades habituales se aplica la siguiente formula:

(3.8)

Ejemplos:

Diseo con Transistores Pgina 73


Cul es la ganancia total de tensin de la figura en decibelios?




()()















Diseo con Transistores Pgina 74

3.1.5. Diagrama de Bode

Un Diagrama de Bode es una
representacin grfica que sirve
para caracterizar la respuesta
en frecuencia de un sistema.
Normalmente consta de dos
grficas separadas, una que
corresponde con la magnitud de
dicha funcin y otra que
corresponde con la fase. Recibe su
nombre del cientfico que lo desarroll, Hendrik Wade Bode.

El diagrama de magnitud de Bode dibuja el mdulo de la funcin de transferencia
(ganancia) en decibelios en funcin de la frecuencia (o la frecuencia angular) en escala
logartmica. Se suele emplear en procesado de seal para mostrar la respuesta en
frecuencia de un sistema lineal e invariante en el tiempo.
El diagrama de fase de Bode representa la fase de la funcin de transferencia en funcin de
la frecuencia (o frecuencia angular) en escala logartmica. Se puede dar en grados o
en radianes. Permite evaluar el desplazamiento en fase de una seal a la salida del sistema
respecto a la entrada para una frecuencia determinada.
La respuesta en amplitud y en fase de los diagramas de Bode no pueden por lo general
cambiarse de forma independiente: cambiar la ganancia implica cambiar tambin desfase y
viceversa. En sistemas de fase mnima (aquellos que tanto su sistema inverso como ellos
mismos son causales y estables) se puede obtener uno a partir del otro mediante
la transformada de Hilbert.
Si la funcin de transferencia es una funcin racional, entonces el diagrama de Bode se
puede aproximar con segmentos rectilneos. Estas representaciones asintticas son tiles
porque se pueden dibujar a mano siguiendo una serie de sencillas reglas (y en algunos casos
se pueden predecir incluso sin dibujar la grfica).

Diseo con Transistores Pgina 75


3.1.5.1.Octavas
En la msica las octavas significan duplicar la frecuencia, en la electrnica significa en
cocientes como

. Por ejemplo, si

= 100 Hz y = 50 Hz, el cociente


es:





Se puede describir esta relacin diciendo que esta una octava por debajo de

.
Otro ejemplo, suponga que = 400 kHz y

= 200 kHz. Entonces:






Lo que indica que esta una octava por encima de

.

3.1.5.2. Dcadas

Una dcada tiene un significado similar en cocientes como

, excepto que se
utiliza un factor de 10 en lugar de 2. Por ejemplo, si

= 500 Hz y = 50 Hz






Se puede describir esta relacin diciendo que esta una dcada por debajo de


Otro ejemplo, suponga que

= 2 MHz y = 200 kHz. Entonces:




Este resultado significa que est una dcada por encima de .



Diseo con Transistores Pgina 76

3.1.5.3. Circuito RC de desacoplo


Este circuito se denomina a menudo red de retardo de fase
porque a altas frecuencias la tensin de salida va por detrs
de la tensin de entrada. Dicho de otra forma: si la tensin
de entrada tiene un ngulo de fase de 0, la tensin de
salida tiene un ngulo de fase comprendido entre 0 y -90.

A bajas frecuencias, la reactancia capacitiva se aproxima a infinito, y la tensin de salida se
hace igual a la tensi6n de entrada. A medida que crece la frecuencia, la reactancia
capacitiva decrece, lo cual hace disminuir la tensin de salida. Recurdese de cursos
bsicos de electricidad la tensin de salida para este circuito es:

()

Si reordenamos la ecuacin anterior, la ganancia de tensin del circuito RC de desacoplo
viene dado por la expresin:

()

Como el circuito tiene solo dispositivos pasivos, la ganancia de tensin es siempre menor o
igual a 1.

La frecuencia de corte de una red de retardo de fase se produce donde la ganancia de
tensin es 0,707. La ecuacin para la frecuencia de corte es:

()
A esta frecuencia, Xc = R y la ganancia de tensi6n vale 0,707.








Diseo con Transistores Pgina 77

3.1.5.4.Condensador de acoplo a la entrada

Cuando se acopla una seal alterna a la entrada de
una etapa de amplificacin, el circuito equivalente es
como el de la Figura. La resistencia del generador y
la resistencia de entrada de la etapa, aparecen junto al
condensador. Este circuito de acoplamiento tiene una
frecuencia de corte de

dnde:

()

3.1.5.5.Condensador de acoplo a la salida


La figura muestra el lado de salida de una etapa
bipolar.









Al aplicar el teorema de Thevenin se obtiene el
circuito equivalente de la Figura
Se puede usar la Ecuacin (3.11) para calcular la
frecuencia de corte, donde:

()






Diseo con Transistores Pgina 78


3.1.5.6.Condensador de desacoplo de emisor

El circuito Thevenin de la figura es lo que se aprecia desde el
condensador. La frecuencia de corte viene dada por la
expresin:

()

] ()
Ejemplo:
Calcular la frecuencia de corte inferior correspondiente a cada condensador de acoplo y
desacoplo.

Valores:
= 150
VCC=10V
Ic= 1.1 mA
RG= 600
R1= 2.2K
R2= 10K
RC= 3.6K
RE= 1K
RL= 10K
CIN= .47f
CE= 10f
COUT= 2.2 f








Diseo con Transistores Pgina 79


Solucin:
Para el CIN.

()
( )

()()

Para el COUT.
( )

( )()


Para el CE.

()()

El capacitor dominante es el paralelo al emisor.










Diseo con Transistores Pgina 80


3.1.6. Teorema de Miller
Un amplificador inversor produce una tensin de salida desfasada 180 respecto a la tensi6n
de entrada.

3.1.6.1.Condensador de realimentacin.

La figura representa un amplificador con un
condensador entre sus terminales de entrada y de
salida. Este condensador algunas veces se denomina
condensador de realimentacin debido a que la
salida del amplificador se realimenta a la entrada.
En este circuito el condensador de realimentacin afecta a los circuitos de entrada y de
salida simultneamente.



3.1.6.2.Conversin del condensador de realimentacin
Por el teorema de Miller, seala que el circuito
original se puede reemplazar por un circuito
equivalente. Este circuito es ms fcil de analizar
porque el condensador de realimentacin se ha
descompuesto en dos nuevas capacidades,



Los valores de

Se pueden calcular por la siguientes formulas.


( ) ()

) ()


Diseo con Transistores Pgina 81

Las Ecuaciones (3.16) y (3.17) son vlidas para cualquier amplificador inversor, como el
amplificador en EC, el amplificador en EC con resistencia de emisor sin desacoplar, o un
amplificador operacional inversor. En estas ecuaciones, A es la ganancia de tensin en las
frecuencias medias. Normalmente, A es mucho mayor que 1, y

es aproximadamente
igual a la capacidad de realimentacin. Lo ms sorprendente del teorema de Miller es el
efecto que tiene sobre la impedancia de entrada

Es como si la capacidad de
realimentacin hubiese sido amplificada para obtener una nueva capacidad que es A+ 1
veces mayor. Este fenmeno, conocido como el efecto Miller, tiene aplicaciones tiles
porque crea condensadores artificiales o virtuales que son mucho mayores que el
condensador de realimentacin.

3.1.6.3.Circuito de desacoplo de colector

La Figura muestra una etapa en EC con capacidad parasita de las conexiones

.
Justo a la izquierda esta

un valor que normalmente se especifica en la hoja de


caractersticas de un transistor. Esta es la capacidad interna entre el colector y la base.
Aunque

son muy pequeas, tendrn efecto cuando la frecuencia de entrada


es suficientemente alta.




Diseo con Transistores Pgina 82

La frecuencia de corte de esta red de retardo de fase es:

()
Donde:

()

3.1.6.4.Circuito de desacoplo de la base



El transistor tiene dos
capacidades internas


como se representa en la figura
Como

es un condensador
de realimentacin, es posible
convertirlo en sus dos
componentes. La componente de entrada de Miller aparece en paralelo con

La
frecuencia de corte de este circuito de desacoplo de base viene dada por la Ecuacin (3.18),
donde R es la resistencia de Thevenin que ve la capacidad. La capacidad es la suma de


y la componente de entrada de Miller.









Diseo con Transistores Pgina 83



3.2 Respuesta en baja y alta frecuencia del amplificador JFET.
3.2.1. Formulas
Para la respuesta a baja y alta frecuencia del JFET como el circuito que se muestra en la
figura
Se utilizan tres frmulas parecidas a las del BJT para la baja frecuencia.



Frmulas para la baja frecuencia
En el capacitor de entrada (
)

()


En el capacitor de salida (
)

()


En el capacitor de Emisor (
)


Diseo con Transistores Pgina 84

()
Frmulas para la alta frecuencia
Ciss es la capacidad de entrada cuando la salida esta cortocircuitada.
()
Coss es la capacidad que ve el FET cuando las entradas estn cortocircuitadas.
()
Crss es la retroalimentacin.
()
()
()
() ( ) ()
() (

) ()


















Diseo con Transistores Pgina 85


Unidad 4: Amplificadores Retroalimentados

4.1 Configuracin General: En la figura 4.1 se muestra el diagrama en bloques de un
amplificador retroalimentado.









Figura 4.1 Diagrama en Bloques de un Amplificador Retroalimentado


4.1.1 Ganancia de Lazo Cerrado: Del anlisis de la figura 4.1 se obtiene las siguientes
relaciones:


1.) *
O e
S A S = (4.1) 2.) ( )
e i f
S S S = .. (4.2)
3.) *
f O
S S | = (4.3) 4.)
O
f
i
S
A
S
= .. (4.4)

Sustituyendo (4.3) en (4.2):


[ ( * )]
e i O
S S S | = .. (4.5)


Sustituyendo (4.5) en (4.1):
*[ ( * )]
* ( * )
O i O
O i O
S A S S
S A S A S
|
|
=
=
.. (4.6)





Diseo con Transistores Pgina 86



Despejando de (4.6) la incgnita S
O
:
(1 )
i
O
AS
S
A |
=
+
.. (4.7)
Finalmente, sustituyendo (4.7) en (4.4):
(1 )
i
f
i
AS
A
A
S
| +
=
1
f
A
A
A |
=
+
(4.8)


De la frmula (4.8) se obtiene:
- A: Ganancia de la Etapa A
- : Red (Etapa de retroalimentacin)
Ahora, si de la frmula (4.8), el producto de la ganancia de la etapa A por la red es mucho
mayor que 1(A>>1), la frmula se puede simplificar de la siguiente manera;
1
f
A
|
= . (4.9)

4.2 Topologas de la Retroalimentacin: En los amplificadores reales, las seales
de entrada y salida pueden ser voltajes o corrientes. Si el voltaje de salida es la seal de
retroalimentacin, puede compararse con el voltaje de entrada para generar la seal de
voltaje de error, o con la corriente de entrada para generar la seal de corriente de error.
Segn el tipo de seales muestreadas y sumadas en un amplificador retroalimentado, se
pueden formar una de las cuatro combinaciones segn el tipo de conexin que se establece
en la entrada u en la salida respectivamente, estas son:
1. Serie-Paralelo
2. Paralelo-Serie
3. Serie-Serie
4. Paralelo-Paralelo

Diseo con Transistores Pgina 87

4.2.1Topologia Serie-Paralelo (Amplificador de Voltaje): Este tipo de topologa
presenta una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida. En la figura 4.2 se
muestra la topologa de la retroalimentacin Serie-Paralelo:













Figura 4.2 Topologa Serie-Paralelo


4.2.2 Topologa Paralelo-Serie (Amplificador de Corriente): Al contrario de la
topologa serie-paralelo, esta topologa presenta baja impedancia de entrada y una alta
impedancia de salida. En la figura 4.3 se muestra la topologa Paralelo-Serie:








Figura 4.3 Topologa Paralelo-Serie







Diseo con Transistores Pgina 88



4.2.3 Topologa Serie-Serie [Amplificador de Transconductancia (Tensin de
Entrada y Corriente de Salida)]: Esta configuracin presenta alta impedancia de
entrada y alta impedancia de salida. En la figura 4.4 se muestra la topologa Serie-Serie.









Figura 4.4 Topologa Serie-Serie

4.2.4 Topologa Paralelo-Paralelo [Amplificador de Transresistencia
(Corriente de Entrada y Tensin de Salida)]: Esta topologa presenta una baja
impedancia de entrada y una baja impedancia de salida. En la figura 4.5 se muestra la
topologa Serie-Serie.








Figura 4.5 Topologa Paralelo-Paralelo



Diseo con Transistores Pgina 89



4.3 Efectos de la Retroalimentacin: Los efectos principales el usar
retroalimentacin son los siguientes:
1. Reduccin de la sensibilidad a las variaciones de la fuente.
2. Capacidad para controlar el ancho de banda.
3. Estabilizacin de un sistema inestable.
4. Capacidad para controlar la respuesta transitoria del sistema.
5. Permite que el circuito sea inmune al ruido.

4.4 Tipos de Retroalimentacin: Existen bsicamente dos tipos de
retroalimentacin, los cuales son:

4.4.1 Retroalimentacin Negativa: En este tipo la seal de salida (o una fraccin de
esta), es retroalimentada de manera continua al lado de entrada, y se resta a la seal de
entrada creando una seal de error que a su vez es corregida por el amplificador para
producir la seal de salida deseada.

4.4.2 Retroalimentacin Positiva: En este tipo la seal de salida es retroalimentada de
manera continua al lado de entrada y se agrega a esta a fin de crear una seal de error ms
grande y as crear una seal de salida mayor, hasta que la seal de salida llegue al voltaje
lmite de saturacin.







Diseo con Transistores Pgina 90


4.5 Respuesta a la Frecuencia: Como ya se estudi en la unidad 3, los
amplificadores responde de forma diferente a frecuencias bajas y altas, dependiendo del
clculo del capacitor de corte en baja y el capacitor de corte en alta.
En el amplificador retroalimentado la ganancia est dada por la relacin de la r
e
y la r
f
, por
tanto, sin tomar en cuenta que la ganancia de la etapa A es muy grande, el amplificador va a
tener una ganancia mucho menor que dicha etapa, lo que trae como ventaja una gran
estabilidad de la seal de salida y un aumento considerable en el ancho de banda.
En la grfica 4.1a se muestra la respuesta a la frecuencia de un amplificador en emisor
comn para una ganancia de 400, mientras que en la grfica 4.1b se muestra la respuesta a
la frecuencia de un amplificador retroalimentado para la misma ganancia en la etapa A.








Grafica 4.1a Respuesta a la Frecuencia Grafica 4.1b Respuesta a la Frecuencia
Amplificador en Emisor Comn Ampl. Retroalimentado











Diseo con Transistores Pgina 91

4.6 Ejemplo de Amplificador Retroalimentado: En la figura 4.6 se muestra el
diagrama de un amplificador retroalimentado de 2 etapas.



















Figura 4.6 Amplificador Retroalimentado de 2 Etapas

De la figura 4.6 si se tiene una r
e
=100 y una r
f
=1K, para calcular la ganancia del
circuito seria:
1
f
f
e
r
Av
r
= +
1000
1
100
f
Av
O
= +
11
f
Av =
Sin importar cul sea la ganancia de la etapa A (Amplificador multietapa, que se espera que
sea muy alta), la ganancia del amplificador retroalimentado es de 11 con una estabilidad
grande.
La red se calculara de la siguiente manera:
100
100 1000
0.090
e
e f
r
r r
|
|
O
= =
+ O+ O
=


Diseo con Transistores Pgina 92

4.7 Formulas para el Diseo de un Amplificador Retroalimentado de 2
etapas:
N
Frmula
Descripcin Frmula
4.11 Ganancia de Lazo Cerrado
( 1) *
f vf e
r A r =

4.12

Ganancia de Etapa 2 2
2
/ / '
'
C L
V
R R
A
r e
=
4.13 Resistencia de Carga
' ( ) / /
L f e L
R r r R = +

4.14

Resistencia Dinmica
2
25
'
CQ
mV
r e
I
=

4.15

Ganancia de Etapa 1
2
1
/ /
'
C in
R Z
Av
r e re
=
+


4.16
Impedancia de Entrada de la
Etapa 2
2 1 2
/ / / / * '
in
Z R R r e | =

4.17

Resistencia de Base
10
E
B
R
R | =

4.18

Resistencia de Polarizacin (1) 1
1
B
BB
R
R
V
Vcc
= =



4.19

Resistencia de Polarizacin (2) 2
*
B
BB
Vcc
R R
V
= =

NOTA: Hay que recordar que para que los amplificadores funcionen de manera eficiente
deben presentar 2 caractersticas en especial; alta impedancia de entrada para evitar la
demanda de corriente de la fuente de alterna, y una baja impedancia de salida para evitar las

Diseo con Transistores Pgina 93

cadas de tensin internas y as de esta forma aprovechar casi el 100% de la seal de
entrada a la salida.

4.8 Amplificadores con Retroalimentacin Positiva (Oscilador)
El funcionamiento de este amplificador es igual al de retro negativa con la diferencia que la
seal de retroalimentacin se suma a la seal de entrada provocando una seal de
amplificacin cada vez ms grande.
1
f
A
A
A |
=


Se de la formula, el producto de la etapa | por la etapa A ( A | ), se logra mantener en
uno (1), se estar creando un oscilador.
4.8.1 Criterios del Oscilador: Para crear un oscilador exitosamente deber cumplir con
el siguiente criterio:
1. 1 A | =
2. El desfasamiento sea 0 360 o =
Si no se logra cumplir con este criterio podra suceder lo siguiente:
1. A | <1: La seal empezara a disminuir hasta que desaparecer, como se muestra
en la figura 4.7.






Figura 4.7 A | < 1

Diseo con Transistores Pgina 94

2.- A | > 1 La seal empezara a crecer hasta tender a infinito, lo que ocasionara
que se perdiera el rastro de la seal de forma visible, como se muestra en la figura
4.8.






Figura 4.8 A | > 1















Diseo con Transistores Pgina 95

Unidad 5: Amplificadores de Potencia.
5.1 Conceptos bsicos y aplicacin.
Los amplificadores de potencia son convertidores que transforman la energa de fuente en
sea potencia de salida. Estos pueden ser tipo clase A, AB, B y C. Los cuales tienen
distintos parmetros de eficiencia y uso.

Introduccin:

Un amplificador de potencia convierte la potencia de una fuente de corriente continua
(Polarizacin VCC de un circuito con transistores), usando el control de una seal de
entrada, a potencia de salida en forma de seal. Si sobre la carga se desarrolla una gran
cantidad de potencia, el dispositivo deber manejar una gran excursin en voltaje y
corriente. Los puntos de operacin deben estar en un rea permitida de voltaje y corriente
que asegure la mxima disipacin, (SOA, Safe Operating Area). Se deben considerar los
voltajes de ruptura y efectos trmicos permitidos en los dispositivos de estado slido,
considerar la caracterstica no lineales en el funcionamiento y usar los parmetros para gran
seal del dispositivo.

5.1.1- Clasificacin de los amplificadores de potencia.

Existen cuatro clasificaciones bsicas de amplificadores de potencia: A, AB, B y C. En
clase A, el amplificador est polarizado de tal forma que la corriente por el colector fluye
durante el ciclo completo de la seal de entrada. Para clase AB, la polarizacin del
amplificador es de tal forma que la corriente de colector solamente fluye para un lapso
menor a los 360 y mayor a los 180 de la onda correspondiente. Para el funcionamiento en
clase B, la corriente IC fluir solo durante 180 de la onda de entrada. Finalmente, para
funcionamiento en clase C, el dispositivo conducir durante un periodo inferior a los 180o
correspondiente a la onda de entrada. La Fig. , muestra el comportamiento de las distintas

Diseo con Transistores Pgina 96

clases. Los amplificadores tipo AB y B usan configuraciones transistorizadas llamadas
push-pull.
Cada uno de estos amplificadores posee caractersticas de eficiencia y distorsin distintos,
por lo cual, sus aplicacin ser a distintas reas.

5.1.2- Relaciones bsicas en los amplificadores de potencia.

Para analizar los amplificadores de potencia se requiere de ciertas cantidades y relaciones.
Como el amplificador de potencia convierte la potencia de cc de la fuente de alimentacin
en una seal de potencia en la carga, la eficiencia de este proceso est dada por:
..(5.1)
Donde es la eficiencia, P
L
(
AC
), es la potencia media de seal en la carga y P
CC
, la
potencia media de salida en la fuente de alimentacin.
El peak instantneo y la potencia media disipada en el dispositivo de amplificacin,
considerando un transistor bipolar como dispositivo de potencia, se tiene
.(5.2)
Donde P
CE
es la disipacin media de colector, P
L
es la potencia total, es decir, potencia cc
ms potencia ca en la carga.
Para la evaluacin de las distintas cantidades de potencia, se usa la relacin bsica dada por
(5.3), donde p es la potencia instantnea, v e i son el voltaje y la corriente instantneos.
..(5.3)
Si se considera que v e i son formas de onda peridica, con componente media (cc), la cual
puede ser cero y una componente de ca, no necesariamente sinusoidal, as se tendr.
(5.4)
..(5.5)




Diseo con Transistores Pgina 97

Tomando el periodo completo de la onda, se tiene que:
(5.6)
Donde, P
dc
es la contribucin de la componente continua y P
ac
es la contribucin de la
componente alterna a la potencia media. Si las componentes de ca son tipo sinusoidal, se
tiene:
.(5.7)
...(5.8)
Reemplazando en la ecuacin (5.6), se tiene:


.(5.9)
Como 2 = 22, entonces:

..(5.10)
Cuando la seal de corriente tiene componente continua el valor rms de la forma de onda
est dado por:
..(5.11)
Donde I
DC
, es la componente continua de la seal, I
1rms
es el primer armnico de la seal,
In
rms
es el n simo armnico de la seal.





Diseo con Transistores Pgina 98

5.1.3- El amplificador Clase A

En operacin clase A, el amplificador reproduce toda la seal de entrada, la corriente de
colector es distinta de cero todo el tiempo, lo cual se considera muy ineficiente, ya que para
seal cero en la entrada, se tiene un I
CQ
> 0, luego el transistor disipa potencia.

Amplificador Emisor comn

Sea la configuracin de emisor comn de la Fig. 1, la cual funciona en clase A. Por
simplicidad se hace la resistencia de emisor R
E
= 0. El primer paso ser seleccionar RL
para mxima potencia de salida.

En la Fig. 5.2, se muestra las rectas de carga para dos puntos Q del amplificador, las cuales
se intersectan con la curva P
CE
. Se observa que I
C2
ser la mxima corriente permitida para
i
C
y VCE
1
ser el mximo voltaje permitido para vCE , para el transistor en cuestin. El
ptimo elegido ser el punto de reposo Q1, debido a que I
C1
< I
C2
, lo cual implica una
disminucin en la corriente de colector, lo que trae consigo una disminucin en la
distorsin y una menor corriente de base requerida para obtener I
C1
.
Para que la realizacin sea factible, V
CE1
debe ser menor que V
CEO
, as se tomar que V
CE1

= V
CC
. Lo cual puede no ser necesariamente efectivo para otras configuraciones en clase
A.

Diseo con Transistores Pgina 99



Para valores ICMax y VCEMax, se tiene que el punto Q estar dado por la tangente a la curva
PCEMax, dado por las coordenadas ICQ = ICMax / 2 y VCEQ = VCEMax / 2 como se indica en la Fig.
. Se asume que la seal de entrada puede manejar el transistor entre el corte y la saturacin,
de esta forma para una variacin en la corriente de base, se tiene la variacin en la corriente
de colector, y una variacin en la potencia.









Diseo con Transistores Pgina 100

5.2- Anlisis de expresiones de potencia y eficiencia.

El amplificador clase A, estudiado anteriormente tiene una resistencia de colector separada
Rc y una RL, lo mejor que se puede hacer en este caso es adaptar las impedancias RL = RC
para obtener el rendimiento mximo del 25% cuando la resistencia de carga pasa a ser la
RC, la resistencia de colector. Recibe como mucho el doble de potencia de salida y el
rendimiento mximo aumenta el 50%.
De acuerdo a la curva, se pueden establecer las curvas para iC , vCE , PCC ,PCE y PL. El valor
de la onda de potencia instantnea pCC, estar dada por el producto VCC iC y tiene la misma
forma que iC . PCE = icvCE. Note que la forma de onda de PCE tiene una frecuencia el doble
de las otras formas de onda. La potencia en la carga ser:
..(5.12)


Luego de acuerdo a (5.11), considerando que la corriente tiene componente continua y
alterna, se tiene:

Diseo con Transistores Pgina 101

(5.12)

De la curva de la Fig. 5.3, se determina

, luego
(5.14)

Por otro lado, la potencia promedio entregada por la fuente ser:
....(5.15)
Finalmente, la eficiencia estar dada por:
.(5.16)
La eficiencia de este amplificador es baja, 25%, esto debido principalmente a que se
mantiene una corriente de reposo en la carga, la cual no es usada (desperdiciada). Como la
potencia en el transistor corresponde a la potencia de la fuente menos la potencia en la
carga (total, es decir la ca y la dc), se tiene que
.(5.17)
El cual tiene dos componentes, el primero ser cc y le segundo ac. Se define
adicionalmente un Factor de Merito (FM)


Diseo con Transistores Pgina 102


B. Configuracin emisor comn con transformador de acoplo Sea el circuito de la Fig. 5a.
Una forma de mejorar la eficiencia del amplificador clase A es usar el acoplo de la carga
mediante un transformador. ? Cmo es eso?


Al considerar este acoplamiento, hace que la recta de carga en cc pase por VCEQ = VCC ,
pues RCC = 0, luego la recta de carga de alterna corta el eje del voltaje en un valor 2VCC .
Como consecuencia de esto, cuando no hay seal, no existir corriente por el colector. La
carga vista por el colector ser
..(5.18)
Para este caso la potencia en la carga ser:
.(5.19)
Como slo la carga recibe componente alterna, la corriente efectiva ser la amplitud sobre
2, luego:
.(5.20)
(5.21)

Diseo con Transistores Pgina 103

Debido a que VCEQ = VCC, se tiene que VCEMax = 2VCC , por lo tanto, de la curva se
determina que

, as

..(5.22)
Dado que la potencia media de la fuente es PCC = VCC ICQ, entonces:
(5.23)
...(5.24)
Finalmente, la eficiencia de la conversin ser:

Por otro lado se tiene
(5.25)
..(5.26)




Diseo con Transistores Pgina 104


Y el Factor de Merito


5.2.2- Anlisis de amplificador clase A.

Ejemplo 1: Sea el amplificador clase A de la Fig.5.7, sabiendo que a la carga RL se le
entrega una potencia de 2W calcular
La potencia de la fuente PCC
ICQ para que el transistor trabaje en clase A
Caractersticas del transistor Dado que el rendimiento es el 50%, se tiene.









Diseo con Transistores Pgina 105

Como PL(AC) = V
2
CC/ R
1
L = 2W, esto implica que R0L = 20
2
/2W = 100 [] , adems, PL
= (I
CQ
/ 2 )
2
R
1

L
, entonces


5.2.3- Anlisis de Amplificador Clase B.
En esta operacin, se usa un transistor para amplificar el ciclo positivo de la seal de
entrada, mientras un segundo dispositivo se preocupa del ciclo negativo. Esta es la
configuracin push-pull.

Se requieren dos transistores para producir la onda completa. Cada transistor se polariza en
al punto de corte en lugar del punto medio del intervalo de operacin. La corriente de
colector es cero cuando la seal de entrada es cero, por lo tanto el transistor no disipa
potencia en reposo.
De la curva dada en la Fig. 5.9, se obtiene:

Luego, la potencia en la carga ser nuevamente la indicada en (5.12). En este caso, cada
transistor opera durante un semi-ciclo, por lo tanto, el valor efectivo de la onda ser
I
CMax
/2 , as, la potencia total en la carga por cada transistor ser:

Diseo con Transistores Pgina 106



Luego, la potencia total en la carga suministrada por ambos transistores

Para determinar la potencia promedio PCC , entregada por VCC , se debe determinar la
corriente media consumida, la cual se llamar ICC, (que corresponde a la media de la
corriente iCC ). De acuerdo a la Fig. 5.10 la onda de corriente producida sera la
superposicin de los dos semiciclos.

As se tiene que

Finalmente, se tiene el rendimiento:

Diseo con Transistores Pgina 107


Lo que corresponde a un 78.5% de eficiencia en la conversin. Por otro lado, la potencia
disipada en el colector Ser:



Sea el circuito de la Fig. 5.11 que corresponde a un amplificador de simetria
complementaria. La carga ser de acoplamiento directo



Diseo con Transistores Pgina 108


Para este amplificador se tiene

Simetra complementaria con acoplamiento capacitivo Para este caso se tiene que la
alimentacin de cada transistor es VCC / 2 y la carga ser RL.



Ejemplo 2: Sea el amplificador clase B de la Fig. 5.13.Considere una carga de 8 [].
Calcule la potencia de seal mxima en la carga, la disipacin correspondiente a cada
transistor y la eficiencia.

Diseo con Transistores Pgina 109



Como la potencia esta dada por

5.3- Anlisis de efecto trmico y distorsin.
5.3.1- Anlisis trmico.
Potencia de Salida til y Potencia Disipada Mxima: El agregado del circuito de
polarizacin, estabilizacin y eventual compensacin trmica, para que el circuito opere en
un clase B prctico y particularmente, las resistencias de estabilizacin R
10
y R
11
conectadas
en los emisores introducen una modificacin en la resistencia de carga dinmica, que ahora
pasa a ser ( R
C
+ R
10
) para el transistor T
3
y (R
C
+ R
11
) para el transistor T
4
por lo que si
consideramos el circuito equivalente de carga dinmica de T
3
por ejemplo, en l puede
verificarse que siendo la potencia de seal de salida la que establece la ecuacin (I.35.), es
decir:


Diseo con Transistores Pgina 110





(

)(

Ahora

..(5.27)
En tanto que si llamamos Vo
max
a la tensin que se desarrolla sobre la carga R
C
la misma
resulta ser una fraccin de V
cemax
establecida por el divisor:

..(5.28)
En consecuencia, la potencia realmente aprovechada en la carga R
C
, o potencia de salida
til que llamaremos P
u
resulta ser:

Diseo con Transistores Pgina 111


En consecuencia:

)
o bien



Por igual motivo la potencia disipada mxima determinada por la ecuacin (XI.8.) sufre
una leve modificacin al considerarse la nueva resistencia de carga dinmica. Asimismo y a
los efectos de considerar apartamientos de las condiciones nominales que frecuentemente
ocurren en los circuitos reales, consideraremos un +10 % de variacin en la tensin de la
fuente de alimentacin y un 20 % de variacin en la resistencia de carga R
C
de modo
entonces, que la potencia disipada ms exigente sera la que seguidamente se indica:

)
(5.29)
5.3.2- Distorsin.
Existen varios tipos de distorsin. La ms conocida y usada como spec es la distorsin
armnica total, normalmente unida al nivel de ruido. En este caso, la distorsin producida
al recortarse una onda, o al producirse una onda triangular por un slew-rate bajo puede
medirse perfectamente con este parmetro.
El nivel de ruido se puede considerar como una distorsin, aunque completamente diferente
de la distorsin armnica. El mayor problema es que siempre hay un cierto nivel de ruido
en la lnea y se amplifica, llegando a ser audible. La amplificacin diferencial es una buena
solucin para ese problema. Hay otro tipo de distorsin, poco conocida y difcil de medir,
que parece ser exclusiva del campo del audio, por sus grandes ganancias y su necesidad de
baja distorsin armnica, llamada transient intermodulation.



Diseo con Transistores Pgina 112

En amplificacin de pequea seal, no se produce excesiva distorsin por tres motivos:
- Ganancias moderadas.
- Amplitud del voltaje reducida.
- Intensidad de colector (drenador) con muy pequeas variaciones.
Ninguno de estos puntos se suele cumplir en la amplificacin de potencia, y la
consecuencia en grandes seales es:
o Gran amplitud de voltaje:
o distorsin por el efecto Early (en BJT y MOS).
o En los mosfet: las altas capacidades CGD y CGS hacen que se reduzca el ancho de
banda notablemente (aunque esto no sea propiamente una distorsin)
Intensidad en el transistor:
- Intensidad de colector con grandes variaciones:
o Variaciones muy grandes de beta
o Variacin de la impedancia de salida hoe
o Variacin de la impedancia de entrada hie
o Variacin de Vbe
En el caso de los mosfet, intensidad de drenador con grandes variaciones:
- gm es variable con respecto de ID.
- Cuando ID es pequea, se produce un comportamiento marcadamente a lineal en
todos los mosfet.
- Variacin de la impedancia de salida Rs
- Variacin de ID supone variacin de VGS, y esto implica la carga y descarga de la
capacidad equivalente de entrada Cjss



Diseo con Transistores Pgina 113

Grandes ganancias:
- Aparicin del efecto Miller. En el caso de los mosfet de potencia, cuya capacidad de
entrada es alta (200pF), el problema es an mayor.
Con pequeas ganancias, el efecto de las anteriores causas de distorsin es mnimo, pero en
grandes ganancias, sus consecuencias son muy notables.

5.3.3 Distorsiones medibles.
La tendencia de las etapas de muy alta gama, ya asentadas en el mercado y con un buen
nmero de seguidores incondicionales es reducir el factor de realimentacin negativa,
incluso a costa de una mayor "distorsin". Lgicamente ellos se lo pueden permitir... o no?
Entre un Technics con un 0,01% THD y un Gryphon con un 0,01%, usted no elegira el
Gryphon? Luego algo debe haber aparte de THD.
IMD
SMTPE
El test SMTPE es uno de los ms antiguos para esta
distorsin. Existe una relacin muy cercana entre THD de
bajo orden e IMD ya que se suelen generar de la misma
manera.
A la derecha se puede ver la onda de prueba, una de 60Hz
sumada a otra de 7000 Hz de un valor 4 veces menor.


Pero es una representacin de lo que ocurre cuando se
"generaliza" la distorsin armnica para varias ondas, ya
que en todos los casos el mecanismo de generacin de THD
genera tambin IMD.


Diseo con Transistores Pgina 114

Concretamente, esta cifra se mueve en: IMD=A*THD,
siendo A un nmero entre 3 y 4. IMD se incrementa con las
variaciones bruscas en la ganancia (recorte, saturaciones,
cruce por cero...) y disminuye con las funciones de
transferencia suaves, por lo que esta ley no es universal,
pero s una buena aproximacin.

CCIF
El test CCIF es ms apropiado para medir este fenmeno
en audio. Consiste en aplicar una seal de 14kHz y 15kHz
(o 18kHz y 19kHz) y crea componentes de IMD en 1, 2, 3,
4, 5kHz... Es una medida que tiene relacin con THD por
que tambin seala una dependencia del punto de
operacin, es decir, una no linealidad, pero tambin tiene
relacin con la velocidad del amplificador, ya que en el
punto de mxima variacin de tensin se produce el doble
de distorsin (tambin medible mediante anlisis de
Fourier) que THD, la cual no nos revelara este
comportamiento, si se produce.


En el ejemplo se puede ver un anlisis utilizando esta
tcnica. Se trata de una etapa de gran velocidad, y muy
bajo factor de realimentacin. En ella se puede apreciar
que las componentes ms distantes (1, 2,3kHZ) estn muy
por debajo de las dos ondas de prueba, mientras que las
que se pueden medir por SMTPE son ms notables. THD
de esta etapa es de 0,03%, lo que se corresponde con los
resultados SMPTE (0,1%) y da una idea de que no se
producen grandes limitaciones de velocidad, ya que la
componente de 1kHz est en 0,03%



Diseo con Transistores Pgina 115

5.3.4 - Distorsiones temporales.TIM (SID)
Otala, el descubridor de sta distorsin lleg a justificar cambios audibles en base a una
distorsin que hasta entonces no se haba tenido en cuenta. Un ejemplo de algo que puede
pasar, que bajo ciertos criterios tcnicos no tenga cabida pero s los tenga a nivel de odo. A
nivel terico el desfase a 10kHz es de 4 y es ese el desfase medido en el armnico
fundamental de la salida. No es gran cosa comparada con la distorsin que posee.
Vemoslo en el anlisis de frecuencias de la salida:

N Frecuencia Amplitud Amplitud
normalizada
1 1.000E+04 9.539E+00 1.000E+00
2 2.000E+04 2.672E-01 2.801E-02
3 3.000E+04 3.581E-01 3.754E-02
4 4.000E+04 1.153E-01 1.209E-02
5 5.000E+04 2.122E-01 2.225E-02
Distorsin armnica total = 5.324501E+00 por ciento.
Efectivamente, un 5% de distorsin armnica es una cifra alta
En las etapas diferenciales la corriente de polarizacin la produce una fuente constante, por
lo que esta etapa nunca podr proporcionar a ese condensador ms corriente de lo que hay.
En estos grficos podemos ver los caminos de carga y descarga del condensador de Miller.
Existe una relacin directa entre el valor de ste condensador, la ganancia total, y la
corriente de polarizacin. El caso es que para variaciones muy bruscas de la tensin, el
condensador se carga a travs de una fuente de corriente, lo que limita la tasa de variacin
de su voltaje.

Diseo con Transistores Pgina 116

ste es el motivo de construir amplificadores con un gran ancho de banda, no para que
nuestro can oiga msica supersnica, como muchas veces se ha sugerido por
desconocedores de un fenmeno cientfico probado y relacionado con la audicin, sino para
que no tenga lugar sta limitacin. Esta velocidad supone cmo de rpido se va a corregir
sus propios errores la etapa.
Personalmente no veo necesario aumentar el ancho de banda por encima de 50kHz para que
podamos orlo, porque no podemos, pero s veo necesario aumentarlo por encima de 100,
incluso de 500kHz para poder atender a las bruscas variaciones de tensin que produce la
msica. En las vlvulas, el transformador de salida limita el ancho de banda a 40kHz en los
mejores casos, pero no produce una limitacin en la tasa de variacin, de ah que sus
agudos se mantengan cristalinos y que la msica tenga dinamismo.
5.3.5- Distorsiones trmicas.
Se puede comprobar en un op-amp de potencia que a baja frecuencia se genera distorsin
armnica que decrece con una pendiente de 6dB/oct a medida que aumenta la frecuencia.
Es una causa de IMD, pero cuya accin es sumamente lenta y con gran diferencia entre las
frecuencias. Puede generar componentes armnicas de IMD que afectan a frecuencias
mucho mayores. Por mis experiencias puedo decir que es audible, pero difcilmente
medible mediante los test convencionales. Aunque no haya podido encontrar una relacin
causa efecto obvia ms que en etapas con grande derivas trmicas, me baso en que cuando
una etapa requiere compensacin trmica (las de salida), la tonalidad no alcanza el nivel
esperado hasta que no se ha producido la estabilidad trmica.
Este tipo de distorsin se agrava en los integrados, donde las modulaciones trmicas en el
punto de operacin de las etapas se ven afectadas por la proximidad fsica. Tambin es
obvio que una resistencia tiene un cierto coeficiente trmico y esto vara su valor, siendo
habitualmente causa de variaciones en la ganancia total y punto de operacin de las etapas
restantes. Adems, sta modulacin es amplificada.


Diseo con Transistores Pgina 117

5.3.6- Mecanismos de audicin.
Resulta curioso como los ciertos amplificadores de vlvulas clase A con cifras altas de
distorsin parecen y pueden sonar mejor y con ms potencia que otro con salida en clase
AB de la misma potencia.
Efectos de la distorsin: timbre.
El timbre resultante de una distorsin armnica tiene una estrecha relacin entre su
estructura de armnicos y la de un instrumento que crea una secuencia semejante. La
divisin ms sencilla es viento, cuerda y percusin.
Adems de la absorcin de las ondas del material, en l tambin se pueden crear armnicos,
que son de orden 2n. Esto ocurre principalmente en trompetas y trompas, con paredes ms
delgadas, y no en el flautn, con paredes ms gruesas. El sonido resultante tambin es
diferente. Las trompetas son ms estridentes, aparte de que la carga espacial genera
armnicos de orden par.
De esto se deduce en gran parte que cada instrumento tiene su timbre, y que la adicin de
timbre no es inocua ni mucho menos, pero en muchos casos puede pasar desapercibida o
resultar beneficiosa con valores de hasta el 5% THD. En instrumentos de cuerda, la adicin
de armnicos de 2 y 4 orden por parte de la electrnica contribuir a enfatizar el timbre,
puede hacer que los violines suenen con ms presencia, pero no ser lo mismo para
instrumentos de viento, donde el timbre se ver falseado.
Efectos de la distorsin: tipos de componente.
Cada circuito tiene un tipo de distorsin caracterstica. Las etapas clase A, suelen tener
distorsin de 2 orden, por eso parecen sonar ms altos los amplificadores clase A single-
ended. Las etapas push-pull tienden a cancelar el 2 armnico y hacen que el predominante
sea el 3, dando una sensacin de sonido poco hiriente.

Diseo con Transistores Pgina 118

Adems, cada tipo de componente tiene un tipo de distorsin caracterstica y predominante.
En las vlvulas es la de 2 orden, en transistores es 2 y 3 orden (no simtricos) y en
operacionales monolticos slo 3.
Un armnico f7 que cree una THD de un 0,1% es audible y molesto, pero una distorsin de
2 orden con la misma THD puede no serlo. Por este motivo, un nivel de distorsin
armnica de un 1% de 2 orden (como en muchos amplificadores a vlvulas) puede pasar
desapercibida.
En conclusin, no todas las distorsiones son iguales, y aceptando que la distorsin no puede
ser 0, lo mejor es que sea de 2 orden.

5.4. Anlisis y diseo de amplificadores de potencia.

A continuacin se inicia el anlisis y diseo de amplificadores lineales de potencia,
comenzando con los de clase A, con sus ventajas y desventajas, y continuando con
amplificadores clase B, analizando los criterios de diseo de amplificadores acoplados
inductivamente y los de acoplamiento directo, incluyendo los distintos casos de simetra
complementaria, y configuracin puente.
Por ltimo se pasa al diseo de amplificadores de potencia realimentados con el anlisis y
diseo de fuentes de alimentacin lineales, variables y con proteccin o control de corriente
de salida, para lo cual se desarrolla un diseo por parte de los alumnos de una fuente
completa la cual debe ser realizada como proyecto final de la materia.
En cada uno de los casos de estudio, en el diseo se utiliza para comprobacin de
funcionamiento las herramientas de simulacin correspondiente.







Diseo con Transistores Pgina 119

5.5- Efectos de ruido.
RUIDO: Se denomina ruido en la comunicacin a toda seal no deseada que se mezcla con
la seal til que queremos transmitir. Es el resultado de diversos tipos de perturbacin que
tiende a enmascarar la informacin cuando se presenta en la banda de frecuencias del
espectro de la seal, es decir, dentro de su ancho de banda. El ruido se debe a mltiples
causas: a los componentes electrnicos (amplificadores), al ruido trmico de las
resistencias, a las interfaces de seales externas, etc. Es imposible eliminar totalmente el
ruido, ya que los componentes electrnicos no son perfectos. Sin embargo es posible limitar
su valor de manera que la calidad de la comunicacin resulte aceptable.
INTERFERENCIA: Es cualquier cosa que altera, modifica o interrumpe la seal cuando
viaja a lo largo del canal entre fuente y receptor. Los ejemplos ms comunes son:
Interferencia Electromagntica (EMI)
Interferencia del Co-channel (CCI)
Interferencia adyacente (ACI)
Interferencia de intersimbolo (ISI)
Interferencia del Comn-modo (CMI)
5.5.1- Ruido aleatorio.
Tambin conocido como ruido trmico, es generalmente el ms importante y tiene su
origen en la agitacin o movimiento catico de los electrones en los componentes
electrnicos. Presenta una densidad espectral de igual potencia en todo el ancho de
banda, por lo que se suele denominar "ruido blanco", ya que una distribucin espectral
de este tipo, pero en la banda visible de las ondas electromagnticas, producira luz
blanca. Existen tambin otros ruidos "coloreados" de los cuales el ms popular es el
ruido rosa, utilizado para hacer mediciones, cuya potencia decrece a ritmo de 3 dB por
octava.





Diseo con Transistores Pgina 120

5.5.2- Ruido peridico.

Este tipo de ruido suele generarse fuera del equipo, al que se acopla de alguna forma. A
diferencia del ruido aleatorio, el peridico puede ser totalmente eliminado mediante un
adecuado diseo del equipo), una instalacin adecuada. El tipo ms frecuente de ruido
peridico es el llamado "zumbido", consistente en oscilaciones de 50 Hz y sus
armnicos, provenientes de la red elctrica. Suele deberse a inducciones o a defectos en
la puesta a tierra de los circuitos.
La medida del ruido peridico es similar a la del ruido aleatorio, excepto que se necesita
disponer de un osciloscopio o de un analizador de espectros para identificar la
frecuencia de! ruido peridico. Este tipo de medidas slo se realiza por parte de los
tcnicos de mantenimiento. En el apartado de "otros ruidos" habra que citar el "ruido
de granalla" que se produce en los semiconductores por la generacin y recombinacin
aleatoria de algunos pares electrn-hueco. El ruido de granalla presenta, al igual que el
trmico, un espectro plano dentro de la gama de frecuencias. Este tipo de ruido no suele
encontrarse en las especificaciones de los equipos actuales, ya que es de muy poco
valor en los semiconductores modernos. Debe citarse tambin el "ruido digital", que se
produce cuando la seal analgica es cuantificada despus del muestreo.

Conclusin:
Los amplificadores de potencia son fundamentales para diversas aplicaciones, tales como
audio radio frecuencia. Solo se han mostrado algunos conceptos bsicos, con el fin de
entender las magnitudes ms importantes, tales como la eficiencia, Potencia de seal y
potencia disipada por el transistor.







Diseo con Transistores Pgina 121

Prctica N 1

Amplificador Multietapa

Objetivo de la Prctica

Disear y construir un amplificador multietapa, con una ganancia total de 25 y que por
separado cada una de 5 de ganancia y que multiplicado de la ganancia total.

2.2 Materiales y Equipos:

- 2 transistores BC547
- Resistencias (Segn clculos realizados)
- Osciloscopio.
- Generador de seales.
- Fuente de CD sencilla
- 3 Puntas para osciloscopio.
- Multmetro digital.
- 3 Capacitores de 1uF.
- 2 capacitores de 47uF.











Diseo con Transistores Pgina 122

Diagrama a Montar para la Prctica


Av =5 en la segunda etapa
Para la etapa 2:
2
2
/ / '
'
C L
V
R R
A
r e
= (1)
Para una Rc=5.1K





= 675.49
Calcular re


( )

Diseo con Transistores Pgina 123

Despejando RE y sustituyendo:
( )

( )



( )


Calculando VBB y RB:
( )
( )

RB= (RE+re)/10= (200) (900)/10= 1800

Ahora hay que calcular la impedancia y las resistencias R1 y R2 los cuales nos permitirn
calcular el capacitor que nos permitir alcanzar la ganancia adecuada.

Fl=300Hz
ZE=RE//
ZE=1300//160=142.68

()()



Diseo con Transistores Pgina 124


Amplificador Multietapa siendo provado.


Osciloscopio mostrando amplificacin y generador de seales.


Diseo con Transistores Pgina 125

Resultados Obtenidos

1. 4.8
2. A
VT
= Alta ganancia final
3. Av2=5.2

Conclusiones
Se logr disear y construir un amplificador multietapa, con una ganancia de voltaje estable
de 5.2, de esta forma, se pudo observar el comportamiento del circuito, dando como
resultado un alto grado de estabilizacin de la onda en la salida, sin importar la frecuencia
en la que se opera.

Recomendaciones

Tener en cuenta los valores de las resistencias se debe tener los valores ms aproximados a
ellas y conocer bien la polarizacin del transistor.














Diseo con Transistores Pgina 126

Practica N 2
Amplificador de cascada
Objetivo de la Prctica
Disear y construir un amplificador en cascada usando tres transistores (2 BJT y 1FET) la
cual tiene que tener una ganancia de 25.

Material y Equipo necesario
- 2 transistores BC547 y 1 transistor
- Resistencias (Segn clculos realizados)
- Osciloscopio.
- Generador de seales.
- Fuente de CD sencilla
- Puntas para osciloscopio.
- Multimetro digital.
- 3 Capacitores de 1uF.
- 2 capacitores de 47Uf










Diseo con Transistores Pgina 127

Diagrama a montar

Clculos
Etapa 3: Se calcularan los voltajes correspondientes




VBB2=0.7v+6v=6.7v
Por medio a sus especificaciones de su hoja de datos se harn los siguientes clculos

Diseo con Transistores Pgina 128







Diseo con Transistores Pgina 129

Se calculara la Etapa 2



Para R1=10K

( )


Calcularemos la Etapa 1
( )
( )
VDS=6v RD=3.9K
VGS(off)=-1.8v VGS=-0.75v ID=1.25mA


Av2=5


(
=200
() ()

Para Rc=5.1K Ic=1mA




Diseo con Transistores Pgina 130



( )
( )

( )



( )


Calculando VBB y RB:
( )
( )

[





( )

()



()
[


]
R1=18k

Diseo con Transistores Pgina 131

( )


Circuito Amplificador de cascada.


Diseo con Transistores Pgina 132


Se muestra el material utilizado en la prctica.


Resultados Obtenidos:
4. Primera etapa = 5 de ganancia
5. Segunda etapa =4.8 de ganancia
6. Tercera etapa= 1 de ganancia
7. A
VT
= Alta ganancia final

Conclusiones
Se logro disear y construir un amplificador en cascada en tres etapas, con una ganancia de
25, de esta forma, se pudo observar el comportamiento del circuito el cual nos permiti
trabajar con un FET y dos BJT, los cuales tienen diferentes caractersticas y hay que
encontrar un punto de equilibrio entre los dos.





Diseo con Transistores Pgina 133

Recomendaciones
Se recomienda tener en cuenta la funcin de los dos diferentes transistores, tener en cuentas
las betas como las diferentes configuraciones ya que por una mala polarizacin puede
resultar fatal.

















Diseo con Transistores Pgina 134

Prctica N 3
Amplificador Sintonizado

Objetivo de la Prctica:

Disear y construir un amplificador sintonizado con transistor BJT, cuya frecuencia de
resonancia sea de 1.5MHz.

Materiales y Equipos:

- 1 transistor (Q) NPN 2N2222.
- 1 capacitor (C) (clculos).
- 2 capacitores de 1uF (C
in
y C
out
).
- 1 bobina (L) de 15uH.
- R
B
de 4.7k.
- R
L
10k.
- Fuente de C.D.
- Osciloscopio.
- Generador de seales.
- Multimetro digital.
- Puntas para osciloscopio.
- Protoboard.









Diseo con Transistores Pgina 135

Diagrama a Montar para la Prctica:
















Calculo del Capacitor (C):
Para una frecuencia de resonancia (F
r
) de 1.5MHz, y una bobina (L) de 10uH, haciendo
uso de la formula (2.27) se obtiene el valor del capacitor:
2
1 1
*
2
r
C
F L
(
=
(
H


Sustituyendo valores:
2
1 1
*
2 (1.5 ) (15 )
C
MHz F
(
=
(
H


750 C pF =








Diseo con Transistores Pgina 136

Clculo del punto Q:
1. Sustituyendo valores en la frmula (2.34) se obtiene la reactancia inductiva:
2 *(1.5 ) *(15 )
L
X MHz F = H
64.08
L
X = O
2. Ahora hay que sustituir el valor de X
L
en la formula (2.33), para de esta forma
obtener el valor del punto Q del inductor:
64.08
0.5
L
Q
O
=
O

128.16
L
Q =
3. Sustituyendo el valor anterior en la formula (2.32):
(64.08 ) *(128.16)
p
R = O
8212.49
p
R = O
4. Con el valor conseguido en el punto anterior podemos obtener la resistencia de
carga final, sustituyendo en la formula (2.29):
8212.49 / /10000
c
r = O O
4509.26
c
r = O
5. Finalmente haciendo uso de la frmula (2.28) se obtiene el Q del amplificador
sintonizado:
4509.26
70.36
64.08
Q
O
= =
O





Diseo con Transistores Pgina 137

Clculo del Ancho de Banda:
Haciendo uso de la frmula (2.31) se obtiene el ancho de banda:
1.5
70.36
MHz
Bw =
21318.93 Bw Hz =















Amplificador Sintonizado montado en protoboard








Diseo con Transistores Pgina 138














Fuente de D.C que Alimenta al Circuito.

















Generador de Seales


Diseo con Transistores Pgina 139

Resultados Obtenidos:
1.- A una frecuencia de resonancia de 1.6MHz se logro la mxima ganancia permitida por
el amplificador sintonizado cuyos valores fueron:
( ) 37.428
out pp
V V v = ( ) 2.44
in pp
V V v =
(max)
15.339 Av =
2.- A una frecuencia de corte en alta de 1.71MHz se obtuvo el 70% de la ganancia total de
dicho amplificador. Los valores resultantes fueron:
( ) 26.20
out pp
V V v = ( ) 2.44
in pp
V V v =
(max)
10.7377 Av =
En CH1 se muestra el voltaje de entrada, en el CH2 voltaje de salida.
Conclusiones

Diseo con Transistores Pgina 140

En la realizacin de la prctica de laboratorio se logro disear y construir exitosamente un
amplificador sintonizado. Esto permiti observar como es su comportamiento en la
frecuencia de resonancia y en frecuencias cercanas a esta, confirmando de esta manera los
clculos obtenidos de forma terica, y conocer un poco del funcionamiento de equipos que
en la vida cotidiana estn compuestos por este tipo de amplificadores.

Recomendaciones
1.- Para que el amplificador funcione correctamente es recomendable el uso de bobinas
identificables por colores (como las resistencias), ya que poseen un recubrimiento contra el
ruido evitando que este se cuele entre la seal y no se logre observar el resultado esperado.
2.- Tambin se recomienda realizar clculos con otro valor de inductor para de esta manera
tener una segunda opcin lista para probar.












Diseo con Transistores Pgina 141

Prctica N 4
Amplificador Diferencial

Objetivo de la Prctica

Disear y construir un amplificador diferencial espejo de corriente que incluya una fuente
de corriente por transistor para obtener una ganancia de voltaje de 20

Material y Equipo Necesario:
- 3 transistores BC547
- Resistencias (Segn clculos de diseo)
- Osciloscopio
- Generador de seales
- Fuente doble
- Multimetro digital
- Puntas para osciloscopio
- Protoboard
- Caimanes











Diseo con Transistores Pgina 142

3.3 Diagrama del amplificador a montar:















Calculo de I
R
:

Para una R= 10K, y haciendo uso de la formula 2.23 (con una pequea modificacin):
CC EE D
R
V V V
I
R
+
=
12 12 0.7
2.33
10
R
v v v
I mA
K
+
= =
O

Haciendo uso de la frmula 2.12 se tiene que:
2*
2.33
1.165
2
T E
E C
I I
mA
I I mA
=
= = =



Diseo con Transistores Pgina 143

Ahora hay que calcular la resistencia dinmica (re) del transistor:
25
' 21.549
1.165
mV
r e
mA
= = O
Sustituyendo este valor en la frmula 2.19, y despejando R
C
:
(20) *2*21.459
C
R O =
858.36 ( ) 1
C C
R R Comercial k = O = O
Amplificador Diferencial montado en Protoboard




Diseo con Transistores Pgina 144


Conexin con Fuente de CD doble.


Resultados
980
out
V mV = 40.8
in
V mV =
24
V
A =





Diseo con Transistores Pgina 145


En el Osciloscopio se Muestra los Valores de Entrada Salida del Amplificador Diferencial














Diseo con Transistores Pgina 146

Recomendaciones
Al momento de construir esta prctica, se deben buscar los valores ms cercanos a las
resistencias calculadas, si se logran encontrar de preferencia resistencia de precisin, para
que la ganancia obtenida sea del valor esperado.
Tambin afecta un poco el hecho de que los transistores, a pesar de que son de la misma
matricula, poseen betas distintas lo que altera un poco el resultado final.


Conclusiones
En la prctica realizada se logro construir exitosamente un amplificador diferencial espejo
de corriente con fuente de corriente a una ganancia cercana a la calculada. Muchos de estos
amplificadores se encuentran dentro de un encapsulado conocido por todos que es el
amplificador operacional, por lo que es de mucha importancia su estudio para lograr una
mayor comprensin del mismo y un manejo bsico de los amplificadores operacionales.











Diseo con Transistores Pgina 147

Prctica N 5
Respuesta a la baja Frecuencia BJT.

Objetivo de la Prctica
Disear y construir un amplificador con transistor BJT, para obtener una ganancia de 20
adems de calcular sus capacitores para tener una frecuencia de corte de 300HZ
Materiales y Equipos
- Protoboard.
- 1 Transistor BC547
- 1 resistencia de 10K.
- 1 resistencia de 3.9K
- 1 resistencia de 120
- 1 resistencia de 1.8K
- 1 resistencia de 68K
- 1 resistencia de 220K
- 1 capacitor de 2.524f aproximado.
- 1 capacitor de .19f aproximado.
- 1 capacitor de .949f aproximado.
- 1 Fuente Variable.
- Generador de Funciones.
- Osciloscopio.
- Puntas de osciloscopio.
- Multmetro digital.
- Cable para conexiones.









Diseo con Transistores Pgina 148

Desarrollo de la Prctica

Diagrama a montar:


















Clculos:

Suponiendo los siguientes valores










( )
( )

( )


( )




( )


()






Diseo con Transistores Pgina 149



En base a la frmula calcularemos los capacitores

( )
Para Cin y

( )
Se desprecia la resistencia del generador por ser muy baja.

()()

Para el Cout y
Utilizando la formula 3.13
( )

( )()

Para el CE. Y
Aplicando las formulas 3.14 y 3.15

( )()

El capacitor dominante es el paralelo al emisor.



Diseo con Transistores Pgina 150

Resultados Obtenidos
Con los clculos obtenidos se prosigui por hacer el montaje de la prctica y observa la
amplificacin.

En esta foto se muestra el montaje de la prctica con cada uno de los elementos adems de
ciertos arreglos en los capacitores para obtener el valor deseado.

En esta figura observamos los valores medidos por el osciloscopio, con una frecuencia de
300Hz. Adems de las seales de entrada y salida, la seal de salida es la desea ya que esa
seal es la que corta a 300 Hz con una amplificacin de 20.





Diseo con Transistores Pgina 151

Conclusiones
Una de las formas de aprender el funcionamiento real de los componentes, es aprender a
usarlos en la prctica, ya que es donde pones a prueba los conocimientos obtenidos en las
clases, y donde aprendes a solucionar problemas presentados al momento. En la realizacin
de la prctica de laboratorio se logr disear y construir exitosamente un amplificador de
respuesta abaja frecuencia BJT. Esto permiti observar cmo es su comportamiento en la
frecuencia de 300Hz, confirmando de esta manera los clculos obtenidos de forma terica.

Recomendaciones
1. Estar concentrados en lo que se est realizando para evitar que la prctica falle por
errores insignificantes.
2. Medir las betas de los transistores para evitar fallas en los clculos.
3. Utilizar el puente universal para medir los capacitores ya que muchas veces no son
el valor que nosotros vemos en la matricula.
4. Tener el material suficiente para poder cambiar si alguno se daa.
















Diseo con Transistores Pgina 152

Prctica N 6
Respuesta a la baja Frecuencia JFET.

Objetivo de la Prctica
Disear y construir un amplificador con transistor FET, para obtener una ganancia de 20
adems de calcular sus capacitores para tener una frecuencia de corte de 300HZ
Materiales y Equipos
- Protoboard.
- 1 Transistor 2N5457
- 1 resistencia de 3M.
- 1 resistencia de 680
- 1 resistencia de 7.5K
- 1 resistencia de 5.1K
- 1 resistencia de 10K
- 1 capacitor de 0.157f aproximado.
- 1 capacitor de 0.102f aproximado.
- 1 capacitor de 9.57nf aproximado.
- 1 Fuente Variable.
- Generador de Funciones.
- Osciloscopio.
- Puntas de osciloscopio.
- Multmetro digital.
- Cable para conexiones.










Diseo con Transistores Pgina 153


Desarrollo de la Prctica

Diagrama a montar:

Clculos:
Suponiendo los siguientes valores
()

( (

()
)) [ [


]]


()()


( )
[


]
()



Diseo con Transistores Pgina 154


( )()


De acuerdo a la frmula 3.20, para

()( )

De acuerdo a la frmula 3.21, para

()()

De acuerdo a la frmula 3.22, para

()()

Resultados Obtenidos
Con los clculos obtenidos se prosigui por hacer el montaje de la prctica y observar la
amplificacin.

De acuerdo con los datos mostrados por el osciloscopio se comprobaron los clculos ya que
nos daba una amplificacin aproximada a 20, adems de tener una frecuencia de corte de
300 Hz en el Cout.


Diseo con Transistores Pgina 155

Conclusiones
En la realizacin de la prctica de laboratorio se logr disear y construir exitosamente un
amplificador de respuesta abaja frecuencia FET. Esto permiti observar cmo es su
comportamiento en la frecuencia de 300Hz, confirmando de esta manera los clculos
obtenidos de forma terica.
Recomendaciones
1. Estar concentrados en lo que se est realizando para evitar que la prctica falle por
errores insignificantes, adems de no perder la paciencia ya que en muchas
ocasionas la prctica no funciona a la primera y hay que hacer modificaciones.
2. Verificar las curvas del transistor.
3. Utilizar el puente universal para medir los capacitores ya que muchas veces no son
el valor que nosotros vemos en la matricula.
4. Tener el material suficiente para poder cambiar si alguno se daa.













Diseo con Transistores Pgina 156

Prctica N 7
Respuesta a la Alta Frecuencia BJT.

Objetivo de la Prctica
Disear y construir un amplificador con transistor BJT, para obtener una ganancia de 20
adems de calcular sus capacitores para tener una frecuencia de corte alta de 300KHZ
Materiales y Equipos
- Protoboard.
- 1 Transistor BC547
- 1 resistencia de 10K.
- 1 resistencia de 6K
- 1 resistencia de 150
- 1 resistencia de 1.2K
- 1 resistencia de 68K
- 1 resistencia de 12K
- 1 capacitor de 0.35f aproximado.
- 1 capacitor de 0.135f aproximado.
- 1 capacitor de 2.87f aproximado.
- 1 Fuente Variable.
- Generador de Funciones.
- Osciloscopio.
- Puntas de osciloscopio.
- Multmetro digital.
- Cable para conexiones.









Diseo con Transistores Pgina 157

Desarrollo de la Prctica

Diagrama a montar:


















Clculos:
Suponiendo los siguientes valores









( )
( )

( )





( )


()








Diseo con Transistores Pgina 158



En base a la frmula calcularemos los capacitores

( )
Para Cin y

( )
Se desprecia la resistencia del generador por ser muy baja.

( )()

Para el Cout y
Utilizando la frmula 3.13
( )

( )()

Para el CE. Y
Aplicando las formulas 3.14 y 3.15

( )()

El capacitor dominante es el paralelo al emisor.






Diseo con Transistores Pgina 159

Resultados Obtenidos
Con los clculos obtenidos se prosigui por hacer el montaje de la prctica y observa la
amplificacin fuera exacta o aproximada si no de lo contario se tendra que recalcular.


En esta foto se muestra el montaje de la prctica con cada uno de los elementos adems de
ciertos arreglos en los capacitores para obtener el valor deseado.



Diseo con Transistores Pgina 160


En esta figura se muestra como se ajust el osciloscopio una frecuencia de 300KHz que
sera nuestra frecuencia de corte que desebamos.

Posteriormente con el montaje y con la frecuencia del osciloscopio ajustada se prosigui a
medir con el osciloscopio cada una de seales para saber la amplificacin y si a hacia el
corte a la frecuencia establecida.

Diseo con Transistores Pgina 161


En esta figura observamos los valores medidos por el osciloscopio, con una frecuencia
aproximada de 300KHz. Adems de las seales de entrada de 12mV y salida de 220mV.
Haciendo el clculo correspondiente se demuestra que es una amplificacin aproximada a
20 de ganancia ya que nos da como resultado 18.33 de ganancia. A la frecuencia
establecida de 300KHz.

Conclusiones
En la realizacin de la prctica de laboratorio se logr disear y construir exitosamente un
amplificador de respuesta alta frecuencia BJT. Esto permiti observar cmo es su
comportamiento en la frecuencia de 300KHz, adems de obtener nuevos conocimientos
prcticos ya que en veces existen conflictos en el saber cmo corregir los errores y poder
confirmando de esta manera los clculos obtenidos de forma terica.
Recomendaciones
1. Evitar que existan conflictos en el equipo.
2. Medir las betas de los transistores para evitar fallas en los clculos.
3. Utilizar el puente universal para medir los capacitores ya que muchas veces no son
el valor que nosotros vemos en la matricula.
4. Admitir los errores que uno comete para poderlos corregir estos errores como
equipo.

Diseo con Transistores Pgina 162

Prctica N 8
Respuesta a la baja Frecuencia JFET.
Objetivo de la Prctica
Disear y construir un amplificador con transistor JFET, para obtener una ganancia de 20
adems de calcular sus capacitores para tener una frecuencia de corte de 300KHZ
Materiales y Equipos
- Protoboard.
- 1 Transistor 2N5457
- 1 resistencia de 10K.
- 1 resistencia de 5.6K
- 1 resistencia de 680
- 1 resistencia de 3.3M
- 1 resistencia de 100K
- 1 capacitor de 41.8pf aproximado.
- 1 capacitor de 3.0pf aproximado.
- 1 capacitor de 147.786pf aproximado.
- 1 capacitor de 144.55pf aproximado.
- 1 Fuente Variable.
- Generador de Funciones.
- Osciloscopio.
- Puntas de osciloscopio.
- Multmetro digital.
- Cable para conexiones.






Diseo con Transistores Pgina 163

Desarrollo de la Prctica
Diagrama a montar:

Clculos:
Suponiendo los siguientes valores
()

( (

()
)) [ [


]]


( )( )



( )()




Diseo con Transistores Pgina 164

[


]



()






De la hoja de datos obtengo:

Por lo tanto



() ( )
() ( )
() ( )
() [

] [


]

Para

()( )

()
()
( )

Resultados Obtenidos
Con los clculos obtenidos se prosigui por hacer el montaje de la prctica, adems de
hacer los arreglos correspondientes con laos capacitores.

Diseo con Transistores Pgina 165


En la figura se denotan el armado de la prctica, y ciertos arreglos como capacitores tanto
cermicos como electrolticos.

Diseo con Transistores Pgina 166


De acuerdo con los datos mostrados por el osciloscopio se comprobaron los clculos ya que
nos daba una amplificacin aproximada a 20, adems de tener una frecuencia de corte de
300 KHz.











Diseo con Transistores Pgina 167

Conclusiones
La prctica de laboratorio se logr disear y construir exitosamente un amplificador de
respuesta alta frecuencia JFET. Esto permiti observar cmo es su comportamiento en la
frecuencia de 300kHz comprobando los clculos obtenidos de forma terica. Ay que se
hacia el corte a esta frecuencia.
Recomendaciones
1. Verificar los clculos antes de empezar a montar asi como las formulas dispuestas
para hacer los clculos.
2. Verificar las curvas del transistor.
3. Utilizar el puente universal para medir los capacitores ya que muchas veces no son
el valor que nosotros vemos en la matricula.
4. Tener el material suficiente para poder cambiar si alguno se daa.
5. Mantener la paciencia y tener disponibilidad de tiempo para evitar cometer errores.













Diseo con Transistores Pgina 168

Practica N 9
Amplificador de 2 Etapas Retroalimentado
Objetivo de la Prctica
Disear y construir un amplificador retroalimentado de 2 etapas, con una ganancia sin
retroalimentacin de 400 y una ganancia de retroalimentacin de 5.

Material y Equipo necesario
- 2 transistores BC547
- Resistencias (Segn clculos realizados)
- Osciloscopio.
- Generador de seales.
- Fuente de CD sencilla
- Puntas para osciloscopio.
- Multimetro digital.
- 3 Capacitores de 1uF.
- 2 capacitores de 47uF.














Diseo con Transistores Pgina 169

Diagrama del Amplificador a Montar:












Calculo de la etapa de retroalimentacin:
5
Vf
A = Para una r
e
propuesta de 120
Haciendo uso de la frmula 4.10, despejando r
f
y sustituyendo los valores de r
e
y Avf
( 1) *
f vf e
r A r =
(5 1) *(120 ) 480 ( ) 470
f f
r r comercial = O = O = O

11.5 Para la etapa 2:
2
2
/ / '
'
C L
V
R R
A
r e
= (1)
' ( ) / /
L f e L
R r r R = +
' (470 120) / /(10 ) 590
L
R k = + O ~ O

Diseo con Transistores Pgina 170

2
25
' 22.72
1.1
mV
r e
mA
= = O
Despejando R
C
en 1y sustituyendo:
(20) *(22.72 ) *(590 )
1115.1 1.2
(20)(22.72 ) 590
C
R k
O O
= = O ~ O
O

Para R
E
:
| |
12 6 (1.1 ) *(1.2 )
4254.54 4.7
1.1
E
v v mA k
R k
mA
O
= = O ~ O
0.7 (1.1 *4.7 ) 5.87
BB
V v mA k v = + O =
Para calcular la resistencia de base:
2
4700
(250) * 117500
10 10
E
B
R
R | = = = O
Para calcular las resistencias que polarizan la base:
2
12
2
117500
230
5.87
1 1 ( )
12
B
BB
cc
R
R k
V v
V v
= = = O


22 2
12
* (117500 ) * 240 230
5.87
B
BB
Vcc v
R R K k
V v
(
(
= = O = O ~ O
(
(



Ahora hay que calcular la impedancia de entrada para esta etapa ya que servir de
resistencia de carga para la etapa 1:
2 1 2
/ / / / * ' * ' (250) *(22.72 ) 5680
in
Z R R r e r e | | = ~ = O = O





Diseo con Transistores Pgina 171

Clculos de la etapa 1:
Para Av
2
=20 r
e
=120
2 1
1 2
* ( ' ) 5680 *(20)(22.72 120 )
( ' ) 20*(22.72 120 ) 5680
in V
C
V in
Z A r e re
R
A r e re Z
+ O O + O
= =
+ O + O O
5737.89 5.6
C
R k = O ~ O
*( ) 6 (1 )(5.6 120 )
1
cc CE C C
E
C
V V I R re v mA k
R
I mA
+ O + O
= =
280 270
E
R = O ~ O
1
0.7 (1 )(120 270 ) 1.09
BB
V v mA v = + O+ O =
Nuevamente se calcula la R
B
para obtener las resistencias de polarizacin de base:
270
(250) 6750
10
B
R
O
= = O
11
6750
7424.38 6.8
1.09
1
12
R k
v
v
O
= = O ~ O


21
12
6750 *( ) 74311.92 68
1.09
v
R k
v
= O = O ~ O

Resultados Obtenidos:
8.
1
22
V
A =
9. A
VT
= Alta ganancia final
10. 5.2
Vf
A =



Diseo con Transistores Pgina 172

Conclusiones
Se logr disear y construir un amplificador de 2 etapas retroalimentado, con una ganancia
de voltaje estable de 5.2, de esta forma, se pudo observar el comportamiento del circuito
con y sin retroalimentacin, dando como resultado un alto grado de estabilizacin de la
onda en la salida, sin importar la frecuencia en la que se opera, ya que como se sabe una de
las caractersticas principales de este tipo de amplificador es su gran ancho de banda.

Recomendaciones
Se recomienda realizar 2 diseos probables para este tipo de amplificador, uno como el que
se construy en esta prctica, y el 2 con una etapa de seguidor emisor o Colector comn, a
la salida, de esta forma la ganancia de voltaje no se ve afectada, y por lo tanto la resistencia
de carga puede ser muy baja.



















Diseo con Transistores Pgina 173

Practica N 10
Amplificador de potencia
Objetivo de la Prctica
Disear y construir un amplificador potencia clase B/AB para amplificar el sonido.

Material y Equipo necesario
- Tic 42C y Tic 41
- 2 disipadores
- 2 diodos
- Osciloscopio.
- Generador de seales.
- Fuente de CD sencilla
- Puntas para osciloscopio.
- Multmetro digital.
- 1Capacitores de 470 uF
- 1capacitores de 10 uF.










Diseo con Transistores Pgina 174

Diagrama del Amplificador a Montar:

Clculos
Pout=1W
Vcc=18v
R2=8
R=3.9K

Calcular el Pout y Vpp
() ()
() ()
() ()
()

Calcular


Diseo con Transistores Pgina 175



()


()()
()()
Calcular




Circuito amplificador de potencia montado en proto-booard.

Diseo con Transistores Pgina 176


Bocinas de 8 .
Resultados Obtenidos:
En este circuito se alcanzan las condiciones al cumplir que son 1 W de potencia a 8
V de alimentacin.

Seal de entrada proporcionada por el generador.





Diseo con Transistores Pgina 177

Conclusiones
Se logr disear y construir un amplificador este amplificador nos ayuda adquirir la
potencia que queremos dependiendo de su polarizacin teniendo en cuenta todos los
parmetros a alcanzar.

Recomendaciones
Al trabajar con este circuito a hay que tener en cuenta que no cualquier diodo se puede usar,
tambin hay que considerar los disipadores ya que con ello nos ayuda a disipar el calor y
conocer la configuracin de estos transistores ya que son diferentes a los que hemos estado
utilizado anteriormente.





















Diseo con Transistores Pgina 178

Practica N 11
Amplificador con Preamplificador
Objetivo de la Prctica
Disear y construir un amplificador potencia clase B/AB que contenga un preamplificador,
tomando la seal de un celular.

Material y Equipo necesario
- Tic 42C y Tic 41
- 2 disipadores
- 2 diodos
- Resistencias (de acuerdo a los clculos)
- Osciloscopio.
- Generador de seales.
- Fuente de CD sencilla
- Puntas para osciloscopio.
- Multmetro digital.
- 1Capacitores de 470 uF
- 1capacitores de 10 uF.
- Bocina











Diseo con Transistores Pgina 179

Diagrama del Amplificador a Montar:

Clculos
Pout=1W
Vcc=18v
R2=8
R=3.9K

Calcular el Pout y Vpp
() ()
() ()
() ()
()

Calcular

Diseo con Transistores Pgina 180




()


()()
()()
Calcular


Av=10

Calcular lasR4 yRb
()

()




Diseo con Transistores Pgina 181


Fig. Circuito con pre amplificacin montada en proto booard.


Resultados Obtenidos:
En este circuito se alcanzan las condiciones al cumplir que son 1 W de potencia a 8
V de alimentacin.

Conclusiones
Con la prctica anterior ms un preamplificador se logr construir este amplificador este
nos permite aumentar nuestra amplificacin de esta manera al conectar una bocina se
puede escuchar ms fuerte y claro si est bien polarizado y si tiene los clculos correctos.

Recomendaciones
Al trabajar con este circuito a hay que tener en cuenta que no cualquier diodo se puede usar,
tambin hay que considerar los disipadores ya que con ello nos ayuda a disipar el calor y
conocer la configuracin de estos transistores ya que son diferentes a los que hemos estado
utilizado anteriormente.


Diseo con Transistores Pgina 182

Proyecto Final
Oscilador De Cambio de Face

Objetivo: Construir un circuito oscilador a una frecuencia de 1kHz, que
genere la seal de entrada para un amplificador de potencia PUSH-PULL

Materiales y Equipos:
- Resistencias (Segn clculos realizados)
- Osciloscopio.
- Generador de seales.
- Fuente de CD sencilla
- 3 Puntas para osciloscopio.
- Multmetro digital.
- 5 Capacitores.
Desarrollo del Proyecto
a-) Diagrama a montar:


12
v

Diseo con Transistores Pgina 183

Requerimientos:
1.- 1
O
f kHz =
2.- El voltaje de salida del oscilador debe ser el voltaje de entrada de una etapa de potencia
con una potencia de 1W y una bocina de 8.

Criterio de Oscilacin:
1
1 3
'
C
R
R
(
+ =
(




Frecuencia de Oscilacin:
1
2 6
O
f
CR
=
H

Clculos:
Las R del diagrama deben ser iguales, al igual que los capacitores; por lo tanto:
Para un capacitor C=0.01uF
1
6497.47 6.5
2 (0.01 )(1 ) 6
R practica k
uF kHz
= = O = O
H


Para el clculo del criterio de oscilacin:
Si se establece una Rc= 4.7k, tenemos:
1
1
1 3 ' 2
'
C
C
R
R R
R
(
+ = =
(


1
' 2*(4.7 ) 9.4 R k k = O = O
Ya se tiene la parte de oscilacin, ahora solo se tiene que calcular las resistencias de
polarizacin:
Teniendo la Rc= 4.7k, y se propone una corriente de 1mA y un voltaje colector emisor 6v:
( )
CC CE C C E
V V I R R = + + de esta frmula se despeja la R
E:
12 6 (1 *4.7 )
1.3
1
CC CE C C
E
C
V V I R v v mA k
R k
I mA

= = = O
( ) 1.2
E
R comercial k = O

Diseo con Transistores Pgina 184



200*(1.2 )
24000
10 10
E
B
R k
R
|
= = = O
0.7 1.2 1.9
BB
V v v v = + =
1
24
28514 27
1.9
1
12
k
R practica k
v
v
O
= = O = O


2
12
24 151 150
1.9
v
R k k practica k
v
(
= = O = O
(



Este circuito se acopla a una etapa de PUSH-PULL realizado en la practica 11, como se
muestra en el siguiente diagrama.




Diseo con Transistores Pgina 185

Nota: Los calculos para la etapa de potencia estan en la practica 11, solo
hay que cambiar el generador por la salida del oscilador.
Resultados:

Circuito Oscilador montado con el amplificador de potencia

Onda resultante de entrada salida


Diseo con Transistores Pgina 186






Criterios de Evaluacin

Descripcin Cantidad Ponderacin

Prcticas

11
2 primeras (2%
c
/
u
), restantes (4%
c
/
u
)
Proyecto Final 1 20%
Reportes de Prcticas 11 5%
Exposicin de investigacin 1 5%
Evaluaciones 3 10%
c
/
u










Diseo con Transistores Pgina 187


Evaluaciones Realizadas

1.- Primer parcial:
1.1- Para el siguiente amplificador calcule la frecuencia inferior de corte (F
l
), y la
frecuencia superior de corte (F
h
), si se tiene que ce=cc=5pF:










Datos:
- V
in
= 1mV
- R
G
= 50
- C
in
= 1F
- R
1
= 2.2K
- R
2
= 10K
- R
C
= 3.6K
- R
E
=1K
- C
E
= 47uF
- C
out
= 4.7uF
- R
L
= 10K
- Vcc=12v
- =200
R
G
R
2
R
1
Vcc
R
L
C
out
C
E
C
in
R
C
R
E

Diseo con Transistores Pgina 188


Solucin: Primero se debe calcular la corriente de colector, para ello se hace lo siguiente:

1
1 2
2.2
12 2.164
(2.2 10 )
BB CC
R k
V V v v
R R k k
= = =
+ +

2.164 0.7 1.464
BB BE E E
V V V V v v v = + = =
1.464
1.464
1
E
C E
E
V v
I I mA
R k
~ = = =
Teniendo la corriente de trabajo, se puede calcular la resistencia dinmica del transistor
(re):
25
' 17.07
1.464
mV
r e
mA
= = O
Ahora para calcular la frecuencia inferior de corte se debe calcular para cada capacitor
externo presente en el circuito, y una vez realizado esto se toma el valor ms alto de todos.
El clculo se hace del siguiente modo:

2.2 / /10 / /(200)(17.07) 1180
in
Z k k = = O
1180 50 1230
in G
Z R R + = = O+ O = O
1
' 129.34
2 (1 )(1230 )
l
f Hz
uF
= =
H O

2.2 / /10 / /50
1 / / 17.07 17.32
200
E
k k
R k

| |
= O+ ~ O
`
|
\ .
)

1
'' 195.5
2 (47 )(17.32 )
l
f Hz
uF
= =
H O

10 3.6 13.6
out
R k k k = + = O

Diseo con Transistores Pgina 189

1
''' 2.49
2 (4.7 )(13.6 )
l
f Hz
uF K
= =
H

La frecuencia inferior de corte es 195.5Hz

Ahora para la frecuencia de corte superior se realiza lo siguiente:
3.6 / /10
155
17.07
V
k k
A
O O
= =
O

' ( ) 5 *(155 1) 780
in
C c miller pF pF = + =
155 1
' ( ) 5 * 5
155
out
C c miller pF pF
+
(
= ~
(


50 / /2.2 / /10 / /(200*17.07) 50
in
R k k = ~ O
1
' 4
2 (5 780 )(50 )
h
f MHz
pF pF
= ~
H + O

1
'' 12
2 (5 )(3.6 / /10 )
h
f MHz
pF k k
= =
H


En este caso la frecuencia de corte superior es la ms baja de las 2, es decir, 4MHz.










Diseo con Transistores Pgina 190

1.2 Para el siguiente amplificador calcular la ganancia en modo comn (Av
MC
), la
ganacia en modo diferencial (Av
MD
), la corriente de colector (Ic), el voltaje de salida
(Vout) y el RRMC.


Datos:
- Vcc=15v
- V
EE
=-15v
- Rc=180k
- R
E
=270k
- Vin=1mV
- =200

Solucin: Para calcular la Ic:
15
55.55
270
T
v
I uA
k
= =

Diseo con Transistores Pgina 191

55.55
27.77
2 2
T
I uA
Ic uA = = =
Para calcular la ganancia en modo comn:
( )
180
0.3333
2*270
MC
k
Av
k
= =

Para la ganancia en modo diferencial:
25
' 900
27.77
mV
r e
uA
= = O
( )
180
100
2*900
MD
k
Av = =
O


100
300
0.3333
RRMC = =

Para el voltaje de salida:
( )
* 100*1 100
MD
Vout Av Vin mA mA = = =















Diseo con Transistores Pgina 192

2.- Segundo Parcial:

2.1 Para el siguiente amplificador calcular la impedancia de entrada, la ganancia de la
etapa 1, ganancia de la etapa 2 y voltaje de salida.



Datos:


Para la segunda etapa se repiten los valores

Solucin.
1
2.2
10 1.8
10 2.2
BB
k
V v v
k k
= =
+

1.8 0.7 1.1
E
V v v v = =
1.1
1.1
1000
CQ E
v
I I mA = = =
O


Diseo con Transistores Pgina 193

10 (1.1 )(3.6 1 ) 4.94
CEQ
V v mA k k v = + =
1
25
' 22.72
1.1
mA
r e
mA
= = O
1 2
10 / /2.2 / /100*22.72 1
in in
Z Z k k k = = O ~
1
3.6 / /1
34.44
22.72
V
k k
A = =
O

2
3.6 / /10
116.5
22.72
V
k k
A = =
O

34.44*116.5 4012.26
VT
A = =
(4012.26)( ) Vout Vin =

2.2 Para el siguiente amplificador encontrar el rendimiento (%):
















Diseo con Transistores Pgina 194

Datos:


100
30 10
(100 200)
BB
V v v = =
+

10 0.7 9.3
E
V v v v = =
9.3
137
68
E C
v
I I mA = = =
O


(137 )(100 ) 13.7
RC
V mA v = O =
30 (137 )(100 68 ) 7
CEQ
V v mA v = O+ O ~
Para alterna:
100 / /100 50 rc = O O = O
( )
7
(137 ) 277
50
sat
v
i mA mA = + =
O

( )
7 (137 )(50 ) 13.85
CE corte
V v mA v = + O =

Como voltaje pico se toma el valor ms bajo, entre el voltaje corte en cd y el resultado de
Ic*rc=6.85v; por lo tanto el valor a tomar en cuenta es 6.85v.

2
(13.7 )
235
8*100
Lout
v
P mW = =
O


30
100
300
pol
v
I mA = =
O


Diseo con Transistores Pgina 195

100 137 237
CD
I mA mA mA = + =

30*237 7.11
CD
P mA W = =
235
% *100% 3.35%
7.11
mW
W
q = =

2.3 Para el siguiente amplificador calcular el rendimiento:





Datos:



Diseo con Transistores Pgina 196


Solucion:
30
15
2
CEQ
v
V v = =
30 1.4
143
200
pol
v v
I mA

= =
O

( )
15
300
50
C sat
v
I mA = =
O

300
95.5
media
mA
I mA = =
H

143 95 238.5
CD
I mA mA mA = + =
(30 )(238.5 ) 7.14
CD
P v mA W = =
2
(30 )
2.25
400
Lout
v
P W = =
O

2.25
% *100% 31.51%
7.14
W
W
q = =