I. C m bi n i n c m: C m bi n i n c m dng con ch y c h c C m bi n i n c m khng dng con ch y c h c II.C m bi n i n dung: C m bi n t n C m bi n t kp vi sai C m bi n m ch o III.Cm bin quang: Cm bin quang phn x C m bi n quang r i th u IV. C m bi n o d ch chuy n b ng sng n h i V. C m bi n Hall VI. C m bi n siu m VII.C m bi n i n tr VIII. C m bi n h ng ngo i B.Tm hiu mt s cm bin: I.Cm bin !"": 1.Ni dung: a.Khi nim: C m bi n Hall ho t ng d a trn nguyn t c hi u ng Hall . Hi u ng Hall lin h gi a i n th gi a hai u dy d n v i t tr ng. N u s d ng c m bi n Hall ny v i m t nam chm v nh c u ta c th nh n bi t c v tr cc v t nhi m t d.Hnh nh: 2.Nguyn l hot ng: a.Cu to: *S : Ch thch : 1 Nam chm vnh cu 2. ng lc t 3. Vt nhim t b. Hot ng : * Trong i u ki n bnh th ng : Khi v t th nhi m t t st bn c nh th t l c ch y qua c m bi n hall s gi m i r r t, khi c m bi n ! " s xc nh c v tr c a v y ! # nhi m t . * T!ng "i#u $i%n $h&c : 3. Phm vi s dng : * 'u "i(m : ) *+u t,! "-n gi.n / ch0 t,! ) 1i& th2nh 3 . ) 4!,t "5ng 6n "7nh . * Nh8c "i(m : ) 9:ch th;c l;n . ) T!ng "i#u $i%n l2m vi%c nhi%t "5 ca! th< "5 6n "7nh l2m vi%c $h=ng ca!. > ?i%n @h&@ $hAc @hBc : CD /Bng c&c vt E&n /Fn G Hilic I th< cJ th( gi.m $:ch th;c K tLng "5 ch:nh M&cK tLng "5 6n "7nh v2 cJ th( c+N tc ti0@ tOn c.m Ei0n m5t m,ch $hu0ch ",i 4. ng dng : * T!ng thc t0 : ) PQng t!ng @hn l!,i H.n @hRm ) PQng "( M&c "7nh vi t: /i chuN(n ) 8c HS /Bng nhi#u t!ng !E!t 5. c im ring v hnh dng m!i . 1.2:c.m Ei0n 4allTan/ UVWT@!t S dng Hall Effect Sensor o v tr T o m hnh th c nghi m nh hnh v d i, g m c 1 ng c ! (lo i no c ng c), $ 1 nam chm hnh a trn (Ring Magnet) nh trong hnh v , 1 c m bi n Hall Effect lo i tn ! hi u ra t ng t (n u dng Hall Effect tn hi u ra s th ph i lm m hnh d ng khc) % Khi ng c quay => a nam chm g n v i tr c ng c quay theo => t tr ng bi n thin. C m bi n Hall Effect c m nh n c s bi n thin ny v t o tn hi u i n p u ra t ng ng. Th c t , quan h gi a t tr ng (input) v i n p (output) c d ng nh hnh 2, l khu khu ch i bo ha. V v y, c tnh phi tuy n ny c n c tuy n tnh ha. Cc nh s n xu t Hall Effect s gip b n vi c ny. ! Trn hnh 3, c ba ng c tuy n sau khi c tuy n ha trong vng t tr ng -640 < B (Gauss) < 640. Hnh dng c a ng tuy n tnh ha # ph thu c vo i n p c p (Vs) cho c m bi n. Nh v y ng v i m i v tr c a ng c , ta s o c 1 i n p xc & # ! nh t c m bi n. i n ' p ra c a c m bi n th ng l O-10VDC t ng # ng v i gc quay t 0-360 c a tr c ng # c . Do bi ton xc nh v tr t c. II. Cm bin siu m ". #h$i ni%m: *.m Ei0n HiOu m l2 thi0t E7 /Qng "( M&c "7nh v7 t: cSa c&c vt th=ng Xua @h&t HJng HiOu m &. 'g()n * h+t ,ng: a.S c to: b.!"# t"c" 1-B bi n m 2- nh a t ng h p ' ( 3-Ph n gi m m 4-Cp i n 5-V kim lo i " 6-V b c " I@h,m vi Yng /Bng : *** ZI 4<nh .nh v2 th=ng H[ $\ thut cSa v2i c.m Ei0n HiOu m htt@:]]^^^.!E!t)_l_ct!nicH.c!.u$ S$%&' !"( t()t *(+n ,- . /gn 01 23ng . 45 678 9:n s; . 6&<H= >"7 v( "ot ng . ?0c7 . @7. <"A nBng "ot ng. *(C D"(n l(En tc @6 bFGc <( D)t n;( . ? ' . 9;c trHCn ?'!. FIng trHCn tFng tJ . connects - to ?@ dev(ces to anH > or K8$9 ser(al -ort *(C D"(n tJ ng . <"Lng n" Dc" cM "ot ngN tJ O l vP "ot ng n"an" Th i gian ho t ng- Th i gian h i p, a tn hi u i u khi n H n v - *o trong "+ (nc"N77NS T`ng l8ng ) Z.a m <c" t"FGc . '677 O '&77 O ?Q77 c"(C cao CB siu m v i c 2 lo i giao di n I2C v n i ti p thu t ton Autotune m i % thng minh s d ng trong ph m vi nh , khng " c n chu k nh c thm vo nh ng ) ch c n ng m i cho php qu n l ph m vi * v phn chia. D dng k t n i v i USB % ch v i module USBI2C. T ho t ng # nh cc bus USB Hnh nh bn ph i hi n th SRF02 k t n i t i 1 module USBI2C. Module % USBI2C c linh ki n r i