Repblica Bolivariana de Venezuela

Ministerio del Poder Popular para la Defensa

Universidad Nacional Experimental Politcnica
de la Fuerza Armada Venezolana
Ncleo-coro Sede-falcn


Dispositivos semiconductores de tres terminales
(TRANSISTORES)



Realizado por:
Jos Rosales


Santa Ana de Coro; Mayo 2014
INTRODUCCION

Los transistores de unin bipolares, son dispositivos de estado slido de tres
terminales, ncleo de circuitos de conmutacin y procesado de seal.
Fueron inventados en Diciembre de 1947 en la Bell Telephone Company por John
Bardeen y Walter Brattain bajo la direccin de William Shockley. La versin de
unin, inventada por Shockley en 1948, fue durante tres dcadas el dispositivo
favorito en diseo de circuitos discretos e integrados. Hoy en da, el uso de BJT ha
declinado en favor de la tecnologa CMOS para el diseo de circuitos digitales
integrados.
Estos se ha convertido en el dispositivo ms empleado en electrnica, a la vez que
se han ido incrementando sus capacidades de manejar potencias y frecuencias
elevadas, con gran fiabilidad. (No existe desgaste por partes mviles).
Los transistores son dispositivos activos con caractersticas altamente no lineales.
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en
realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para
controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET
pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
FET ms conocidos son los JFET (Junction Field Effect
Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-
Insulator-Semiconductor FET).
Hay diferentes tipos de transistores que se darn a conocer en el desarrollo del
presente trabajo



El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus
siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en
dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de
la corriente a travs de sus terminales.
Estructura
Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras
dopadas: la regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas
regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y
tipo N en un transistor NPN ARIAS. Cada regin del semiconductor est
conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn
corresponda.


Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde se
puede apreciar como la unin base-colector es mucho ms amplia que la base-
emisor.
La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta
de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector
rodea la regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados
en la regin de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor
resultante de se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor
un gran .
El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente
un dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor
hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar
en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente
optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor
hacen que los valores de y en modo inverso sean mucho ms pequeos que
los que se podran obtener en modo activo; muchas veces el valor de en modo
inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente debido a las tasas
de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est altamentedopado, mientras
que el colector est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una
gran tensin de reversa en la unin colector-base antes de que esta colapse. La
unin colector-base est polarizada en inversa durante la operacin normal. La
razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia
de inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el
emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia
de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor
deben provenir del emisor.
El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados
en procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo que
significa que no hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo
inverso.
Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera
que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente.
Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada.
Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensin,
pero son caracterizados ms simplemente como fuentes de corriente controladas
por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la
base.
Control de tensin, carga y corriente
La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente
base-emisor (control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de
voltaje). Esto es debido a la relacin tensin-corriente de la unin base-emisor, la
cual es la curva tensin-corriente exponencial usual de una unin PN (es decir,
un diodo).
En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a
que es aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es
aproximadamente veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser
diseados asumiendo que la tensin base-emisor es aproximadamente constante,
y que la corriente de colector es veces la corriente de la base. No obstante, para
disear circuitos utilizando BJT con precisin y confiabilidad, se requiere el uso de
modelos matemticos del transistor como el modelo Ebers-Moll.
Tipos de Transistor de Unin Bipolar
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N"
y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes
regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da
son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los
"huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades
de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P
(la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente
ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida
del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta
en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo
est en funcionamiento activo.

PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las
letras "P" y "N" refirindose a las cargas mayoritarias dentro
de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores
usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda
mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N
entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente
operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la
fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea
corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule
desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.

Modelo Ebers-Moll
Las corrientes continuas en el emisor y el colector en operacin normal son
determinadas por:


La corriente interna de base es principalmente por difusin y

Dnde:
es la corriente de emisor.
es la corriente de colector.
es la ganancia de corriente directa en configuracin base
comn. (de 0.98 a 0.998)
es la corriente de saturacin inversa del diodo base-emisor (en
el orden de 10
15
a 10
12
amperios)
es el voltaje trmico (aproximadamente 26 mV a
temperatura ambiente 300 K).
es la tensin base emisor.
W es el ancho de la base.
La corriente de colector es ligeramente menor a la corriente de emisor,
debido a que el valor de T es muy cercano a 1,0. En el transistor de
unin bipolar una pequea variacin de la corriente base-emisor genera
un gran cambio en la corriente colector-emisor. La relacin entre la
corriente colector-emisor con la base-emisor es llamada ganancia, o
hFE. Un valor de de 100 es tpico para pequeos transistores
bipolares. En una configuracin tpica, una seal de corriente muy dbil
circula a travs de la unin base-emisor para controlar la corriente entre
emisor-colector. est relacionada con a travs de las siguientes
relaciones:



Eficiencia del emisor:
Otras ecuaciones son usadas para describir las tres
corrientes en cualquier regin del transistor estn
expresadas ms abajo. Estas ecuaciones estn basadas en
el modelo de transporte de un transistor de unin bipolar.






Dnde:
es la corriente de colector.
es la corriente de base.
es la corriente de emisor.
es la ganancia activa en emisor comn (de 20 a 500)
es la ganancia inversa en emisor comn (de 0 a 20)
es la corriente de saturacin inversa (en el orden de
10
15
a 10
12
amperios)
es el voltaje trmico (aproximadamente 26 mV
a temperatura ambiente 300 K).
es la tensin base-emisor.
es la tensin base-colector.

Modelo en pequea seal
Parmetros h
Otro modelo comnmente usado para analizar los circuitos BJT es el modelo de
parmetro h. Este modelo es un circuito equivalente a un transistor de unin
bipolar y permite un fcil anlisis del comportamiento del circuito, y puede ser
usado para desarrollar modelos ms exactos. Como se muestra, el trmino "x" en
el modelo representa el terminal del BJT dependiendo de la topologa usada. Para
el modo emisor-comn los varios smbolos de la imagen toman los valores
especficos de:
x = 'e' debido a que es una configuracin emisor comn.
Terminal 1 = Base
Terminal 2 = Colector
Terminal 3 = Emisor
i
in
= Corriente de Base (i
b
)
i
o
= Corriente de Colector (i
c
)
V
in
= Tensin Base-Emisor (V
BE
)
V
o
= Tensin Colector-Emisor (V
CE
)
Y los parmetros h estn dados por:
h
ix
= h
ie
- La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a la
resistencia del emisor r
e
).
h
rx
= h
re
- Representa la dependencia de la curva I
B
V
BE
del transistor en
el valor de V
CE
. Es usualmente un valor muy pequeo y es
generalmente despreciado (se considera cero).
h
fx
= h
fe
- La ganancia de corriente del transistor. Este parmetro es
generalmente referido como h
FE
o como la ganancia de corriente
continua (
DC
) en las hojas de datos.
h
ox
= h
oe
- La impedancia de salida del transistor. Este trmino es
usualmente especificado como una admitancia, debiendo ser invertido
para convertirlo a impedancia.
Como se ve, los parmetros h tienen subndices en minscula y por ende
representan que las condiciones de anlisis del circuito son con corrientes
alternas. Para condiciones de corriente continua estos subndices son
expresados en maysculas. Para la topologa emisor comn, un
aproximado del modelo de parmetro h es comnmente utilizado ya que
simplifica el anlisis del circuito. Por esto los parmetros h
oe
y h
re
son
ignorados (son tomados como infinito y cero, respectivamente). Tambin
debe notarse que el modelo de parmetro h es slo aplicable al anlisis de
seales dbiles de bajas frecuencias. Para anlisis de seales de altas
frecuencias este modelo no es utilizado debido a que ignora las
capacitancias entre electrodos que entran en juego a altas frecuencias.



El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en
realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para
controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET
pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de
semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora
como la regin activa o canal. La regin activa de los TFT (thin-film transistor, o
transistores de pelcula fina) es una pelcula que se deposita sobre un sustrato
(usualmente vidrio, puesto que la principal aplicacin de los TFT es
como pantallas de cristal lquido o LCD).
Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction
Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET
(Metal-Insulator-Semiconductor FET).
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente
(source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT (Bipolar Junction
Transistor). El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor
controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que
fluya o no corriente entre drenador y fuente.
El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los
MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la
corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea en comparacin con la que
circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET,
adems, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener
en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos.
As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de
campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la
aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado de
conduccin o no conduccin, respectivamente. Los transistores de efecto de
campo MOS son usados extenssimamente en electrnica digital, y son el
componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.

El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET(en
ingls Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistorutilizado
para amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms utilizado en
la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales, aunque
el transistor de unin bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo.
Prcticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales estn basados
en transistores MOSFET.

El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador
(D), compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente est
conectado internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se pueden
encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.
El trmino 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el
material de la compuerta, que antes era metlico, ahora se construye con una
capa de silicio policristalino. El aluminio fue el material por excelencia de la
compuerta hasta mediados de 1970, cuando el silicio policristalino comenz a
dominar el mercado gracias a su capacidad de formar compuertas auto-alineadas.
Las compuertas metlicas estn volviendo a ganar popularidad, dada la dificultad
de incrementar la velocidad de operacin de los transistores sin utilizar
componentes metlicos en la compuerta. De manera similar, el 'xido' utilizado
como aislante en la compuerta tambin se ha reemplazado por otros materiales
con el propsito de obtener canales fuertes con la aplicacin de tensiones ms
pequeas.
Un transistor de efecto de campo de compuerta aislada o IGFET (Insulated-gate
field-effect transistor) es un trmino relacionado que es equivalente a un MOSFET.
El trmino IGFET es ms inclusivo, ya que muchos transistores MOSFET utilizan
una compuerta que no es metlica, y un aislante de compuerta que no es un
xido. Otro dispositivo relacionado es el MISFET, que es un transistor de efecto de
campo metal-aislante-semiconductor (Metal-insulator-semiconductor field-effect
transistor).

Aplicaciones
La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo
CMOS, consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios.
Vase Tecnologa CMOS.
Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son:
Resistencia controlada por tensin.
Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.
Simbologia MOSFET
El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en espaol transistor de efecto de
campo de juntura o unin) es un dispositivo electrnico, esto es, un circuito que,
segn unos valores elctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida.
En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo elctrico, estos
valores de entrada son las tensiones elctricas, en concreto la tensin entre los
terminales S (fuente) y G (puerta), V
GS
. Segn este valor, la salida del transistor
presentar una curva caracterstica que se simplifica definiendo en ella tres zonas
con ecuaciones definidas: corte, hmica y saturacin.
Fsicamente, un JFET de los denominados "canal P" est formado por una pastilla
de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitan dos patillas de salida
(drenador y fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que
se conectan dos terminales conectados entre s (puerta). Al aplicar una tensin
positiva V
GS
entre puerta y fuente, las zonas N crean a su alrededor sendas zonas
en las que el paso de electrones (corriente I
D
) queda cortado, llamadas zonas de
exclusin. Cuando esta V
GS
sobrepasa un valor determinado, las zonas de
exclusin se extienden hasta tal punto que el paso de electrones I
D
entre fuente y
drenador queda completamente cortado. A ese valor de V
GS
se le denomina V
p
.
Para un JFET "canal N" las zonas p y n se invierten, y las V
GS
y V
p
son negativas,
cortndose la corriente para tensiones menores que V
p
.
As, segn el valor de V
GS
se definen dos primeras zonas; una activa para
tensiones negativas mayores que V
p
(puesto que V
p
es tambin negativa) y una
zona de corte para tensiones menores que V
p
. Los distintos valores de la I
D
en
funcin de la V
GS
vienen dados por una grfica o ecuacin denominada ecuacin
de entrada.
En la zona activa, al permitirse el paso de corriente, el transistor dar una salida
en el circuito que viene definida por la propia I
D
y la tensin entre el drenador y la
fuente V
DS
. A la grfica o ecuacin que relaciona ests dos variables se le
denomina ecuacin de salida, y en ella es donde se distinguen las dos zonas de
funcionamiento de activa: hmica y saturacin.


sinmbologia JFET









DISPOSITIVOS FOTONICOS:
Fototransistor
Sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide
sobre la regin de base, generando portadores en ella. Esta
carga de base lleva el transistor al estado de conduccin. El
fototransistor es ms sensible que el fotodiodo por el efecto
de ganancia propio del transistor.
Un fototransistor es igual a un transistor comn, con la diferencia que el primero
puede trabajar de 2 formas:
1. Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo comn).
2. Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las
veces de corriente de base. Ip (modo de iluminacin).
3. Puede utilizarse de las dos en formas simultneamente, aunque el
fototransistor se utiliza principalmente con el pin de la base sin conectar.
En el mercado se encuentran fototransistores tanto con conexin de base como
sin ella y tanto en cpsulas plsticas como metlicas (TO-72, TO-5) provistas de
una lente.
Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lpices pticos, etc.
Para comunicaciones con fibra ptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p-
i-n. Tambin se pueden utilizar en la deteccin de objetos cercanos cuando
forman parte de un sensor de proximidad.
Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED, formando
interruptores pticos (opto-switch), que detectan la interrupcin del haz de luz por
un objeto. Existen en dos versiones: de transmisin y de reflexin.
Para obtener un circuito equivalente de un fototransistor, basta agregar a un
transistor comn un fotodiodo, conectando en el colector del transistor el ctodo
del fotodiodo y el nodo a la base.

Fotodiodo es un semiconductor construido con
una unin PN, sensible a la incidencia de la luz
visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea
correcto se polariza inversamente, con lo que se
producir una cierta circulacin de corriente cuando
sea excitado por la luz. Debido a su construccin, los
fotodiodos se comportan como clulas fotovoltaicas, es
decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea con el
positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta corriente presente en
ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad.
Uso[
A diferencia del LDR , el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a
iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en
circuitos con tiempo de respuesta ms pequeo.
Se usa en los lectores de CD, recuperando la informacin grabada en el surco
del Cd transformando la luz del haz lser reflejada en el mismo en impulsos
elctricos para ser procesados por el sistema y obtener como resultado los
datos grabados.
Usados en fibra ptica
Diodo Laser
Los Diodos lser, emiten luz por el principio de emisin estimulada, la cual
surge cuando un fotn induce a un electrn que se encuentra en un estado
excitado a pasar al estado de reposo, este proceso esta acompaado con la
emisin de un fotn, con la misma frecuencia y fase del fotn estimulante. Para
que el numero de fotones estimulados sea mayor que el de los emitidos de
forma espontnea, para que se compensen las perdidas, y para que se
incremente la pureza espectral, es necesario por un lado tener una fuerte
inversin de portadores, la que se logra con una polarizacin directa de la
unin, y por el otro una cavidad resonante, la cual posibilita tener una
trayectoria de retroalimentacin positiva facilitando que se emitan mas fotones
de forma estimulada y se seleccione ciertas longitudes de onda haciendo mas
angosto al espectro emitido.
La presencia de una inversin grande de portadores y las propiedades de la
cavidad resonante hacen que las caractersticas de salida (potencia ptica
como funcin de la corriente de polarizacin) tenga un umbral a partir del cual
se obtiene emisin estimulada, el cual es funcin de la temperatura.
Un diodo lser es diferente en este aspecto, ya que produce luz coherente lo
que significa que todas las ondas luminosas estn en fase entre s. La idea
bsica de un diodo lser consiste en usar una cmara resonante con espejos
que refuerza la emisin de ondas luminosas a la misma frecuencia y fase. A
causa de esta resonancia, un diodo lser produce un haz de luz estrecho que
es muy intenso, enfocado y puro.
El diodo lser tambin se conoce como lser semiconductor o tambin
conocidos como lseres de inyeccin, Estos diodos pueden producir luz visible
(roja, verde o azul) y luz invisible (infrarroja).
Se usan en productos de consumo y comunicaciones de banda ancha.
APLICACIN BSICA
La aplicacin bsica que se le ha dado al diodo LASER es como fuente de
alimentacin lumnica para sistemas de telecomunicaciones va fibra ptica. El
diodo lser es capaz de proporcionar potencia ptica entre 0.005-25mW,
suficiente para transmitir seales a varios kilmetros de distancia y cubren un
intervalo de longitud de onda entre 920 y 1650 nm. Sin embargo para utilizar
un diodo lser como fuente lumnica, es necesario disear un sistema de
control que mantenga el punto de operacin del sistema fijo, debido a que un
corrimiento de este punto puede sacar al diodo fuera de operacin o incluso
daarlo.
La optoelectrnica es el nexo de unin entre los sistemas pticos y los
sistemas electrnicos. Los componentes optoelectrnicos son aquellos cuyo
funcionamiento est relacionado directamente con la luz.
Usos
Los sistemas optoelectrnicos estn cada vez ms de moda. Hoy en da parece
imposible mirar cualquier aparato elctrico y no ver un panel lleno de luces o de
dgitos ms o menos espectaculares. Por ejemplo, la mayora de los walkman
disponen de un piloto rojo (LED) que nos avisa de que las pilas se han agotado y
que deben cambiarse. Los tubos de rayos catdicos con los que funcionan los
osciloscopios analgicos y los televisores, las pantallas de cristal lquido, los
modernos sistemas de comunicaciones mediante fibra ptica. Los dispositivos
optoelectrnicos se denominan opto aisladores o dispositivos de acoplamiento
ptico. La optoelectrnica simplemente se dedica a todo objeto o cosa que est
relacionado con la luz, como por ejemplo los celulares, aparatos electrnicos, etc.












CONCLUSIN

Transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el
diseo de los circuitos electrnicos. Se puede decir que con el invento de estos
dispositivos han dado un giro enorme a nuestras vidas, y a que en casi todos los
aparatos electrnicos se encuentran presentes. Se conocieron los distintos tipos
de transistores, as como su aspecto fsico, su estructura bsica y las simbologas
utilizadas, pudiendo concluir que todos son distintos y que por necesidades del
hombre se fueron ideando nuevas formas o nuevos tipos de transistores, gracias a
la realizacin de este trabajo se obtuvieron conocimientos que son esenciales
conocerlos antes de las actividades prcticas para con estas comprender la teora