Poenaru Dragos

Grupa 323AA

Lucrarea 2: Caracteristicile statice

ale tranzistorului bipolar
1) Scopul lucrarii:
Ridicarea caracteristicilor statice ale unui tranzistor bipolar in
conexiunile Emitor Comun si Baza Comuna, determinarea unor
parametrii de curent continuu si de regim dinamic ai tranzistorului
bipolar.

2) Realizarea practica:
Pentru aceasta se foloseste o sursa variabila de curent continuu si
un tranzistor pnp, ca in schema de mai jos:

Montajul din figura 2.11 a fost folosit pentru ridicarea

caracteristicii de intrare a tranzistorului in conexiune Baza
Comuna. Rezultatele au fost trecute in tabelul de mai jos si s-au
trasat pe hartia milimetrica atat la scara liniara cat si la scara
semi-logaritmica.
UCB=5V

Ie [mA]
lg(Ie)
UEB [V]

0
0

0.1
-1
0,50

0.2
0.5
-0.699 -0.301
0,51
0,53

1
0
0,55

2
0.301
0,56

5
0.699
0,58

Caracteristica de transfer ic=ic(ie) se

obtine cu montajul alaturat, cu
uCB=5V, valorile fiind trecute in
tabelul de mai jos si reprezentate la
scara liniara.

UCB=5V

iE[mA]

0.1

0.2

0.5

10

20

iB[A]

6.8

15

34

60

120

210

340

iC[mA]

0.1

0.19

0.49

1.94 4.88

9.79

19.7

10
1
0,60

20
1.301
0,61

iC I cb 0

0
Pentru iE=2mA, folosind relatia
se poate calcula
iE
factorul de curent al
tranzistorului in
conexiunea BC: 0=0,97.
Caracteristicile statice de iesire, folosind aceeasi schema sunt
urmatoarele:
iE[mA]
0
2
4
6
8
10

uCB[V]

0.1

0.5

10

iB[A]

iC[mA]

58

54

49

iB[A]

63

62

60

59

iC[mA]

1.94

1.938

1.94

1.94

99

98

iB[A]

100

iC[mA]

3.9

iB[A]

140

iC[mA]

5.86

iB[A]

175

iC[mA]

7.83

iB[A]

218

iC[mA]

9.78

139

138

5.861 5.862
174

96

90

84

3.991

3.91

3.92

135

132

129

120

5.87

172

5.868 5.871 5.88

171

7.826 7.828
217

1.942 1.946 1.95

3.9

3.901 3.902

196

7.83

212

9.783 9.788

Pentru
intensitatea
prin emitor de
2mA s-a
determinat
tensiunea
inversa
Colector-Baza
pentru care
curentul de
colector se
anuleaza ca
avand valoarea
de 0,71V

161

152

7.804 7.839 7.85

211

209

200

189

9.79

9.791

9.8

9.81

Pentru aceeasi
intensitate de emitor s-a determinat Punctul Static de Functionare
atat grafic (UCB=6.01V, IC=1,8mA) cat si experimental (UCB=6V,
IC=2mA).
Parametrii hibrizi in PSF au valorile: h21b=0,497; h22b=0,0008.
In continuare, s-a folosit tranzistorul in conexiunea Emitor Comun
si masurandu-se caracteristicile de intrare, s-au gasit valorile:
5

uce [V]

0.1

10

iB[A]

10

20

30

50

50

50

50

uBE[mV]

200

490

520

50

550

560

500

520

560

Folosind aceste valori s-a trasat graficul iB(uBE) la scara liniara.

Pentru masurarea caracteristicilor de transfer s-a notat mai intai
valoarea curentului de colector cu baza in gol, ICE0=0,06mA si apoi
s-au facut masurari cu curentul din colector intre 0,1 si 20 mA.
Totodata s-a calculat si factorul de curent al tranzistorului:
5

uCE[V]
iB[A]

iC[mA]

0.06

***

15

21

37

0.5

0.03 0.04 0.05

1
105

190

360

10
60

53

10

20

0.061

0.01

0.05

0.05

0.06

***

0.03

***

0.037

Caracteristicile de iesire ale tranzistorului in regiunea activa

normala de lucru sunt trecute in tabelul urmator:
iB[A] \ uCE[V]
0
10
iC[mA]
20
30
40
50

0
0
0
-0.015
-0.019
-0.03
-0.02

0.1
0.2
0.07 0.14
0.015 0.04
0.04 0.095
0.107 0.235
0.46 0.82
0.68 1.09

0.3
0.4
0.15
0.15
0.14
0.16
0.285 0.305
0.38
0.45
1
1.05
1.3
1.45

0.5
0.16
0.165
0.32
0.59
1.1
1.5

1
2
5
10
0.19 0.19 0.92 0.82
0.18 0.2 0.205 0.21
0.4
0.41 0.43 0.505
0.68 0.702 0.78 0.95
1.11 1.18
1.3
1.44
1.55 1.6
1.72 1.91

Folosind aceste valori s-a trasat familia de caracteristici iC(uCE).

3)Observatii finale:

Caracteristicile obtinute sunt asemanatoare cu cele teoretice, mici

erori de reprezentare aparand la valori foarte mici ale tensiunii
(in gama 0.1-0.5V).
Tot datorita reprezentarilor pe hartie milimetrica ce nu sunt extrem
de precise, valorile pentru punctele statice de functionare
determinate experimental si grafo-analitic au mici diferente.