Chap 07

Chapitre 7 : Sources et racteurs de plasmas
Table des matires

Chapitre 7 :
Sources et racteurs de plasmas
7.1 -
Le Soleil ......................................................................................................................... 7.1
7.2 -
Lionosphre ................................................................................................................. 7.8
7.2.1 -
Chapman Layer.................................................................................................. 7.9
7.2.2 -
La Couche E......................................................................................................... 7.10
7.2.3 -
La Couche F1 ....................................................................................................... 7.11
7.2.4 -
La Couche F2 ....................................................................................................... 7.11
7.2.5 -
La Couche D ........................................................................................................ 7.11
7.3 -
Le Claquage ................................................................................................................ 7.12
7.3.1 -
Lionisation dans un gaz sous linfluence dun champ lectrique ...................... 7.12
7.3.2 -
Le claquage entre deux lectrodes..................................................................... 7.14
7.3.3 -
La loi de Paschen ................................................................................................ 7.16
7.4 -
La Dcharge Coronale................................................................................................. 7.17
7.4.1 -
Description ......................................................................................................... 7.17
7.4.2 -
Applications ........................................................................................................ 7.19
7.5 -
LArc lectrique........................................................................................................... 7.20
7.5.1 -
Description ......................................................................................................... 7.20
7.5.2 -
Processus la Cathode ....................................................................................... 7.21
7.5.3 -
Applications ........................................................................................................ 7.25
7.6 -
La Dcharge Luminescente DC ................................................................................... 7.27
7.6.1 -
Description ......................................................................................................... 7.27
7.6.2 -
Prs de la Cathode .............................................................................................. 7.27
7.6.3 -
La Lueur Ngative ............................................................................................... 7.30
7.6.4 -
Le magntron plan.............................................................................................. 7.30
7.6.5 -
Applications ........................................................................................................ 7.32
7.7 -
Les Dcharges RF ........................................................................................................ 7.32
7.7.1 -
Dcharges capacitives ........................................................................................ 7.32
7.7.2 -
Dcharges inductives .......................................................................................... 7.36
7.7.3 -
Adaptation Matching Network ..................................................................... 7.39
7.8 -
Dcharges Micro-onde et RCE (Rsonance Cyclotron lectronique) ......................... 7.40
Problmes............................................................................................................................... 7.42
Bibliographie........................................................................................................................... 7.42
Liste des figures

Figure 7.1.1 : Le soleil vu en lumire H ....................................................................................... 7.2
Figure 7.1.2 : Structure du soleil .................................................................................................. 7.3
Figure 7.1.3 : Distribution spectrale de la radiation photosphrique compare au spectre dun
corps noir diffrentes tempratures ......................................................................................... 7.5
Figure 7.1.4 : Supergranulations la surface du soleil ................................................................. 7.6
Figure 7.1.5 : Prominences solaires .............................................................................................. 7.7
Figure 7.1.6 : Couronne solaire .................................................................................................... 7.7
Figure 7.2.1 : Structure de latmosphre terrestre *5+ ................................................................. 7.9
Figure 7.3.1 : Section efficace pour la production d'lectrons................................................... 7.12
Figure 7.3.2 : Production dlectrons secondaires en fonction de la tension ............................ 7.13
Figure 7.3.3 : Courant produit en fonction de la distance entre les lectrodes pour diffrentes
tensions ...................................................................................................................................... 7.14
Figure 7.3.4 : Schmatisation dun claquage, tir de *6+ ............................................................ 7.15
Figure 7.3.5 : Courbe de Paschen pour diffrents gaz ............................................................... 7.16
Figure 7.5.1 Arc lectrique ......................................................................................................... 7.20
Figure 7.5.2 : Arc au carbone dans lair 200 Amp ; (a) Photo, (b) Temprature ..................... 7.22
Figure 7.5.3 : Caractristique courant-tension d'un arc au carbone dans l'air .......................... 7.22
Figure 7.5.4 : Taches cathodiques .............................................................................................. 7.24
Figure 7.5.5 : Composantes d'un arc lectrique ......................................................................... 7.25
Figure 7.5.6 : Jet de plasma ........................................................................................................ 7.25
Figure 7.5.7 : Disjoncteur ........................................................................................................... 7.26
Figure 7.5.8 : Arc unipolaire ....................................................................................................... 7.26
Figure 7.6.1 : La dcharge luminescente. Distribution spatiale des zones noires et lumineuses, du
champ lectrique X , des charges positives + et ngatives - et des densits de courant j . .... 7.28
Figure 7.6.2 : Distribution de la densit dlectrons lents dans la luminescence ngative et
lespace de Faraday dans la dcharge luminescente. Dcharge dans lhlium 1.5 mTorr. ..... 7.30
Figure 7.6.3 : Dcharges DC utilises pour la pulvrisation : (a) une dcharge luminescente (b)
dcharge magntron plan .......................................................................................................... 7.31
Figure 7.7.1 : Principe de la dcharge capacitive ....................................................................... 7.33
Figure 7.7.2 : Variation de la densit et de l'nergie moyenne des lectrons (a) 10 et (b) 100
mTorr .......................................................................................................................................... 7.35
Figure 7.7.3 : Puissance absorbe et tension RF en fonction du courant RF pour (a) 10 et (b) 100
mTorr .......................................................................................................................................... 7.36
Figure 7.7.4 : Source inductive cylindrique ................................................................................ 7.36
Figure 7.7.5 : Source inductive planaire ..................................................................................... 7.37
Figure 7.7.6 : Source hlicon ...................................................................................................... 7.39
Figure 7.7.7 : Circuit quivalent pour adapter un transmetteur (VT, RT) une source de plasma
(Ls,Rs) ........................................................................................................................................... 7.39
Figure 7.8.1 : Principe de la source ECR. Le champ magntique et la frquence de travail sont
choisis de telle sorte qu'elles sont gales dans une zone l'intrieur du racteur. .................. 7.41
Liste de tableaux
Tableau 7.5.1 : Taux drosion spcifique pour divers matriaux............................................. 7.23
Tableau 7.6.1 : Chute de tension cathodique (V) ....................................................................... 7.29
Tableau 7.6.2 : paisseur de la couche cathodique en (cm-Torr) la temprature de la pice 7.29

Presque toute la matire de lunivers est sous forme de plasma dans les toiles et les
rgions interstellaires. On dit que le plasma est le quatrime tat de la matire : les solides, les
liquides, les gaz, et les plasmas. tant donn que plus que 99% de lunivers est en forme de
plasma, on devrait peut-tre appeler un plasma le premier tat de la matire! Sur la terre, il existe
des plasmas naturels, tels que lionosphre et les clairs, en plus des plasmas crs dans le
laboratoire (dcharges luminescentes, arcs, machines fusion). Dans ce chapitre, ferons une
brve introduction quelques plasmas, intressants et utiles, en appliquant les principes que nous
avons vus dans les chapitres prcdents :
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
Le Soleil
Lionosphre
Le Claquage
La Dcharge Coronale
Les clairs
LArc lectrique
La Dcharge Luminescente DC
Les Dcharges RF
Dcharges Micro-onde et RCE
Les plasmas pour la fusion
Les plasmas crs par laser
7.1 - Le Soleil
Le plasma le plus important pour nous est le soleil la source de notre vie ici sur terre. Le
soleil tait vu comme une boule de feu, et tait considr un dieu dans plusieurs civilisations.
On sait maintenant (mais seulement depuis les 50 dernires annes) que le feu est produit par des
ractions nuclaires de fusion. Le rayon du soleil Rs est 696,000 km, et la distance moyenne entre
le soleil et la terre (1 AU unit astronomique) est 149,597,870 km. La masse du soleil est
1.989x1030 kg. (Comme comparaison, le rayon de la terre est 6371 km, et sa masse est 5.97x10 24
kg.) Au coeur du soleil, il y a un plasma chaud et dense :
n 1031m3
Te 1.5x10 7 K 1500eV
(7.1.1)
ces densits et tempratures, et surtout cause du volume du plasma, il y a beaucoup de

ractions thermonuclaires par seconde, mme si le taux de raction est relativement faible.
La puissance gnre par ces ractions dans le soleil est ultimement rayonne de la surface,
produisant une luminosit de 3.9x1026 Watts, et une densit de puissance la surface du soleil
de 6.4x107 Watts/m 2.
Chapitre 7
Page 7.1
Figure 7.1.1 : Le soleil vu en lumire H
p p d e
e e 2
p d 3 He
3
He 4 He 7 Be
p 7 Be8 B
8
(7.1.2)
B8 Be e
e e 2
8
Be 2 4 He
Les ractions thermonuclaires sont concentres dans le cur du soleil, o la densit est trs
leve, et la temprature est maximale. un rayon de 0.5 Rs, par exemple, la densit est de
lordre de 6x1023 m3, et la surface n 1020 m-3. tant donn que le taux de raction dpend de
la densit au carr, on voit que lactivit est concentre au coeur du soleil (voir Figure 7.1.2
sur la page suivante).
Dans le soleil, on pense que la production dnergie est via le cycle protonique, qui est
dominant quand la temprature centrale est en bas de 15,000,000 K :
Le rsultat de lensemble de ces ractions est :
Chapitre 7
Page 7.2

4p 2e 4 He 2 7
(7.1.3)
avec la libration de 26.7 MeV dnergie.
Figure 7.1.2 : Structure du soleil
Pour les toiles plus chaudes que le soleil, la majorit de lnergie est produite par le cycle
carbonique:
Chapitre 7
Page 7.3

p 12 C13 N
13
N 13 C e
e e 2
p 13C14 N
p 14 N15 O
15
(7.1.4)
O15 N e
e e 2
p 15 N12 C 4 He
On voit que le carbone agit comme un catalyseur, et est rgnr la fin. Le rsultat de cette
chane de ractions est le mme que le cycle protonique :
4p 2e 4 He 2 7
(7.1.5)
Le taux de raction pour ces ractions est trs faible, avec le rsultat que la production dnergie
est relativement basse, seulement 2x107 Watt/gm. Ce taux de production est beaucoup plus
faible que lnergie quon obtient en brlant du charbon! cause du fait que la densit du plasma
et sa temprature sont maximales au centre, et diminuent rapidement avec le rayon, la majorit de
lnergie est produite dans le cur, o r/R0.2. Malgr le faible taux de production de lnergie,
cause du volume du cur, le soleil produit 3.9x1026 Watts.
Du cur, lnergie est transporte vers la surface par une combinaison de radiation et
convection. La conduction joue un rle mineur dans le processus. Dans le cur, les rayons
perdent leur nergie par collision avec les lectrons, chauffant le plasma. Les photons diffusent
vers la surface. un point autour de r/R0.7, la temprature a descendu au point o il y a
quelques ions (surtout les quelques ions dlments plus lourds) qui ne sont pas compltement
ioniss. Labsorption des photons devient trs leve dans cette rgion, avec une rduction du
transfert dnergie par rayonnement. cause de cette absorption localise, dans les rgions
extrieures du soleil, lnergie est transporte par la convection (voir Figure 7.1.3). Lopacit des
rgions extrieures est relativement leve, mais vers la surface, la question des processus en jeu
tait ouverte. Il est accept aujourdhui que la forte absorption du rayonnement est domine par la
photoionisation dions ngatifs dhydrogne :
e H H
h H H e
(7.1.6)
o h est lnergie du photon.

La photosphre est la rgion extrieure du soleil o lopacit chute rapidement, et qui
dtermine lobjet visible quon voit, et qui dtermine la temprature, telle que dtermine par les
observations visuelles. Au fond de la photosphre, lopacit est leve, et la temprature est peu
prs 6400 K. cause dune diminution de la densit et de la temprature, les rgions plus hautes
dans la photosphre sont plus transparentes. La temprature en haut de la photosphre est 4400 K.
La temprature effective est 5778 K. Lpaisseur de la photosphre est seulement de lordre de
200 km, et la densit du plasma est peu prs 1020 m 3. Les raies spectroscopiques
Chapitre 7
Page 7.4

dabsorption quon voit dans le spectre du soleil sont formes dans cette rgion, cause de la
basse temprature.
Figure 7.1.3 : Distribution spectrale de la radiation photosphrique compare au spectre dun corps noir
diffrentes tempratures
Les images de la photosphre montrent une surface granuleuse (quon appelle les
granulations), ayant une dimension typique de lordre de 1000 km, et une vie de lordre de 8
minutes. (Cette dimension est beaucoup plus petite que la taille des cellules de convection qui
existent en bas de la surface.)
Il y a aussi un motif de cellules de convection plus grandes, appel supergranulations (Figure
7.1.4), avec dimensions de lordre de 30,000 km, et qui durent plus quune heure.
La prsence de champs magntiques la surface est mise en vidence par les taches solaires. Ces
zones froids tournent avec le soleil, et sont caractriss par un champ magntique
relativement fort. Ceci a t vrifi en mesurant leffet Zeeman, qui donne un champ magntique
de lordre de 500-4,000 Gauss, avec un maximum au centre. La rduction de la temprature dans
la tache peut tre cause par une rduction du transport de lnergie de lintrieur due au champ
magntique. Les taches solaires sont associes aux zones actives o se trouvent aussi les arches
magntiques et les solar flares . Ces zones sont responsables pour ljection de particules de
haute nergie, qui causent du bruit lectromagntique sur terre, gnr par les particules charges
qui influencent lionosphre.
Chapitre 7
Page 7.5
Figure 7.1.4 : Supergranulations la surface du soleil
La temprature atteint un minimum la surface de la photosphre, o elle commence remonter

ensuite. Cette rgion au-dessus de la photosphre, de temprature croissante, mais densit
dcroissante, sappelle la chromosphre. La temprature monte rapidement travers cette rgion
mince (paisseur 2000 km), et atteint de lordre de 30,000 K juste avant la transition qui parat
prs de la surface de la chromosphre. travers cette transition, la temprature monte presque
1,000,000 K, o la chromosphre rejoint la couronne. Tout le long, la densit diminue de 1018 m-3,
10 16 m 3 en haut de la chromosphre.
La chromosphre est un milieu avec beaucoup dactivit, notamment les spicules - les
jets qui montent de la surface. Elle est aussi la source de raies ioniques dlments comme
calcium et titane. Un problme qui reste non-rsolu est celui du mcanisme du chauffage qui
produit laugmentation de la temprature travers la chromosphre. Une ide est quil y a des
ondes sonores qui sont gnres dans la zone turbulente de convection et qui montent travers la
chromosphre, formant des ondes de choc qui chauffent le gaz. Malheureusement, les
observations ne montrent pas dvidence pour ces ondes de choc. Dautres ides invoquent des
ondes MHD, ou le chauffage ohmique d des courants trs levs qui circulent dans la
chromosphre.
Chapitre 7
Page 7.6
Figure 7.1.5 : Prominences solaires
En haut de la chromosphre se trouve la couronne, la rgion extrieure de latmosphre

du soleil, forme dun plasma de haute temprature et basse densit. Les tempratures peuvent
excder 2x106 K, mais la densit du plasma est en bas de 1011 m3. Encore ici, le mcanisme du
chauffage de la couronne nest pas bien compris. La luminosit de la couronne est trs faible,
mais on peut lobserver en masquant le soleil. La chromosphre et la couronne sont lorigine
des raies dmission quon observe dans le spectre du soleil. Le comportement du plasma dans
la couronne est fortement affect par le champ magntique du soleil. Les champs magntiques
ferms (ceux qui ne stendent pas plus loin que latmosphre du soleil) peuvent piger le plasma
de la couronne, et donc maintenir une densit plus leve. Un exemple visuel de ceci est
lapparition de prominences, qui ont la forme de boucles. Les lignes de champ magntique
ouvertes (les lignes qui stendent la rgion interplantaire) permettent au plasma de la
couronne de schapper du soleil. Ces rgions de basse densit sont appeles les trous
coronaux.
Figure 7.1.6 : Couronne solaire
Chapitre 7
Page 7.7

7.2 - Lionosphre
Au dbut du sicle, aprs la dmonstration de la propagation dondes radio longue
distance par Marconi, Kennelly et Heaviside ont postul la prsence dune couche ionise de
latmosphre, qui rflchissait le rayonnement. En 1926, Breit et Tuve ont dvelopp la technique
pour sonder lionosphre par la rflexion dondes radio.
Lionosphre est produite par la photoionisation des molcules dans latmosphre par le
rayonnement solaire. Le taux dionisation est relativement faible, donc le plasma reste
partiellement ionis. La perte des ions et des lectrons est domine par la recombinaison, qui est
diminue par la faible densit de gaz ces altitudes. En gnrale, la limite de lionosphre se
trouve 50-70 km, et la limite suprieure est considre tre 2000 km. On note que ces
distances sont plus faibles que le rayon de la terre (6400 km). On reconnat que la structure de
lionosphre varie beaucoup selon la latitude, et on y distingue 3 rgions o la structure est trs
diffrente : basse latitude, qui est trs sensible des instabilits du plasma, et des changement
dans le magntosphre; haute latitude, o lionosphre est couple la magntosphre par les
lignes de champ magntique; moyenne latitude, o on trouve la ionosphre classique. En plus
de la variation avec la latitude, il y a des variations importantes pendant le jour/nuit, avec les
saisons, avec lactivit au soleil. La structure de lionosphre peut tre divise en plusieurs souscouches, nommes les couches D, E, F1.
En haut de la couche F2, la densit dcrot avec la hauteur (jusqu plusieurs rayons terrestres).
Pendant la nuit, il y une dcroissance de la densit, mais en plus les couches D et F1
disparaissent.
On note que la densit lectronique maximale de lionosphre est de lordre de 10 12 m3, avec des
variations entre le jour et la nuit. Si on examine les frquences des diffrentes ondes utilises pour
le radio, TV, on trouve :
Radio AM
Radio FM
TV VHF
550-1600 kHz
88-108 MHz
30-300 MHz
Si on calcule la frquence critique correspondante la densit maximale quon trouve dans

lionosphre, on trouve :
fc 9 n
densit : 1012 m-3
frquence critique : 8.98 MHz
Donc, les ondes AM seront rflchies de lionosphre, mais pas les ondes FM ou TV. Ceci
explique pourquoi les ondes AM peuvent se propager sur de longue distance (comme Marconi
lavait expriment). Pour la TV, par exemple, il faut utiliser des satellites pour retransmettre le
signal. De lautre ct, les ondes venant de lespace en bas de cette frquence critique ne peuvent
pas tre reues par un rcepteur la surface de la terre.
Les diffrentes couches sont le rsultat de: (1) les photons du soleil sont absorbs des hauteurs
diffrentes, dpendant de la prsence de molcules qui peuvent les absorber, (2) la physique de la
recombinaison dpend de la nature du gaz, et la densit du gaz, qui sont des fonctions de la
Chapitre 7
Page 7.8

hauteur dans latmosphre. La structure de latmosphre varie en composition et en temprature
en fonction de la hauteur (voir Figure 7.2.1).
Figure 7.2.1 : Structure de latmosphre terrestre [5]
7.2.1 - Chapman Layer

Le rayonnement solaire est absorb par les diffrents composants de latmosphre :
I s I 0 exp k ds
0
(7.2.1)
o Is est lintensit une position s dans latmosphre, I0 est lintensit venant du soleil, k est le
coefficient dabsorption, et est la densit locale. On note que, en gnral, le coefficient
dabsorption est la somme des coefficients pour chaque espce.
La densit varie approximativement comme :
z
0exp
H
(7.2.2)
o H = kT/mg. Avec m le poids molculaire et g l'acclration due la gravit.

Chapitre 7
Page 7.9

Si on inclut cette relation, on peut intgrer lquation pour obtenir le flux de rayonnement une
hauteur z (pour un angle de 0 degrs - midi) :
z
I I exp k 0 Hexp
H
(7.2.3)
On peut ensuite calculer le taux de production dions par labsorption de photons :
z
z
q K N 0 F exp k 0 Hexp
H
H
(7.2.4)
o N0 est la densit z = 0, et F est le flux photonique. On voit que la forme de cette courbe (le
Chapman Layer) donne un taux de production qui est maximum une position :
z m Hlnk 0 H
(7.2.5)
La production dlectrons est balance par la perte volumique, qui est normalement par
recombinaison :
dN e
2
q eff N e
dt
(7.2.6)
o eff est le coefficient de recombinaison effectif. La densit lectronique est donc dtermine
par une balance entre la photoionisation et la recombinaison.
7.2.2 - La Couche E
Dans la couche E, la densit ionique est domine par les ions doxygne et dazote :
O 2 h O 2 e N 2 h N 2 e N 2 O N NO
(7.2.7)
N 2 O 2 N 2 O 2
La premire raction demande des photons avec une longueur donde plus courte que 102.7 nm,
et la deuxime une longueur donde plus courte que 79.6 nm.
La production dions est balance principalement par la recombinaison dissociative :
O 2 e - O O
NO e - N O
Chapitre 7
(7.2.8)
Page 7.10

7.2.3 - La Couche F1
Dans cette couche, lion principal est O+, produit par photoionisation :
O h O e -
(7.2.9)
Cette raction demande des photons avec des longueurs donde plus courtes que 91.1 nm. Il y a
aussi une (plus petite) contribution de lazote :
N 2 h N 2 e -
(7.2.10)
La destruction des ions atomiques passe par une raction molculaire, parce que la recombinaison
radiative est trs lente :
O O 2 O 2 O
O N 2 NO N
(7.2.11)
ce point, les ractions de recombinaison dissociative entrent en jeu.
7.2.4 - La Couche F2
La partie infrieure de cette couche est domine par les mmes processus que pour la couche F1,
mais des altitudes plus leves, la densit de molcules est trop faible pour assurer que la
recombinaison puisse dominer. tant donn que le coefficient de diffusion varie comme linverse
de la frquence de collision (et donc la densit), on trouve que le transport en haut de la couche
F2 est domin par une diffusion verticale (gnre par un gradient de densit). Le profil a donc un
profil peu prs exponentiel, et stend des altitudes leves (plus que 1000 km).
7.2.5 - La Couche D
La couche D est domine par la chimie, cause de la densit de gaz relativement leve. La chose
qui distingue la couche est la dominance dions ngatifs doxygne :
O 2 e - O 2 O 2 O 2
(7.2.12)
La destruction de ces ions ngatifs est domine par deux processus :
O 2 h O 2 e O 2 O 2 O 2 e - O 2
(7.2.13)
Les ions positifs et les lectrons sont cres par la photoionisation de N2 et O2 par les rayons-X du
soleil ou la photoionisation de NO par les photons L-. Les ions positifs sont perdus par
recombinaison avec les ions ngatifs, et les lectrons par une recombinaison dissociative.
Chapitre 7
Page 7.11

Lhistoire de la couche D est encore plus complique que ceci, et il semble les ions NO2 et NO3peuvent jouer un rle important.
7.3 - Le Claquage
7.3.1 - Lionisation dans un gaz sous linfluence dun champ lectrique
Un lectron avec une nergie plus grande que le potentiel dionisation peut crer des
lectrons secondaires dans un gaz par des collisions avec les atomes ou les molcules du gaz. Le
nombre dlectrons crs par llectron primaire dans une longueur de 1 cm est une fonction de
lnergie de llectron.
Figure 7.3.1 : Section efficace pour la production d'lectrons
On voit que la section efficace est une fonction qui augmente rapidement avec lnergie
basse nergie, atteint un maximum pour des nergies de lordre de 50-200 eV et dcrot lentement
plus haute nergie. faible nergie, la forme de la courbe peut tre reprsente par :
Se p i
(7.3.1)
o i reprsente le seuil d'ionisation. Quand un lectron dans un gaz est expos un champ
lectrique E, il est acclr dans la direction du champ. Quand llectron subit une collision, il
peut tre simplement dvi de sa direction originale (collision lastique) ou il peut perdre de
lnergie (collision inlastique). Cette nergie peut tre perdue en excitant ou en ionisant latome
ou la molcule. Si on suppose que llectron gagne de lnergie entre les collisions, et la perd
compltement chaque collision, on a :
Chapitre 7
Page 7.12

0.5 e E Le
(7.3.2)
o Le est la distance parcouru entre les collisions (le libre parcours moyen). Le libre parcours
moyen est plus long si la densit du gaz est plus faible ; on peut donc exprimer cette relation
comme :
E
p
(7.3.3)
Le nombre dlectrons secondaires que cet lectron primaire peut crer dans une distance de 1 cm
dans le gaz est donn par un coefficient . tant donn que le nombre de collisions effectives
est une fonction de lnergie de llectron et de la pression, on a :
E
= p f
p
E
= f
p
p
(7.3.4)
o est le premier coefficient de Townsend.
Figure 7.3.2 : Production dlectrons secondaires en fonction de la tension
Si on injecte un lectron dune lectrode (la cathode), on trouve que la multiplication dlectrons
dans le gaz peut donc tre exprime par l'quation :
Chapitre 7
Page 7.13

n(x) n 0e x
(7.3.5)
o n(x) est la densit dlectrons la position x, et n0 est la densit la position x = 0. Ou encore :
i(x) = i0 e x
(7.3.6)
o i(x) est le courant la position x. Cette relation dcrit bien les rsultats exprimentaux, tant
quon napproche pas le point de claquage .
Figure 7.3.3 : Courant produit en fonction de la distance entre les lectrodes pour diffrentes tensions
On voit que le l'lectron primaire peut crer une multiplication dans un champ lectrique,
dpendant du champ lectrique, de la pression et de la distance entre les lectrodes. Ce
comportement est utilis dans les compteurs proportionnels et les compteurs GeigerMuller .
7.3.2 - Le claquage entre deux lectrodes
On voit quil y a une augmentation rapide du courant lectronique avec la distance

dans un champ lectrique. Cette augmentation est accompagne de la gnration dun
Chapitre 7
Page 7.14

courant ionique. Sous linfluence du champ lectrique, ces ions sont dirigs dans la
direction du champ (et les lectrons dans la direction oppose). Si on place une paire
dlectrodes spare dune distance d dans une chambre remplie de gaz et applique une
tension entre elles, chaque lectron dans le volume va crer une avalanche dlectrons
et dions secondaires. Sil existe un mcanisme de rtroaction on peut arriver une
situation o le courant augmente sans limite . Il existe plusieurs mcanismes pour
rgnrer des lectrons la surface de la cathode [Figure 7.3.3]. Le mcanisme le plus
important est en gnral la production dlectrons secondaires par impact ionique.
Si on considre un lectron libr de la cathode, il peut crer une avalanche dlectrons
secondaires, et simultanment des ions secondaires :
exp d
exp d 1
lectrons
ions
(7.3.7)
Ces ions sont dirigs vers la cathode, et sil ny a pas de pertes tous ces ions bombardent la
surface de la cathode. Si on suppose que chaque ion a une probabilit de gnrer un lectron
secondaire de la surface, on obtient un nombre dlectrons et dions de la 2e gnration :
( exp d - 1 )exp d
exp d - 1
lectrons
ions
(7.3.8)
Ces lectrons peuvent par la suite crer dautres ions secondaires et dautres lectrons par
bombardement de la surface. Le rsultat pour toutes les gnrations peut tre crit :
i 0 exp d
1 - exp d - 1
(7.3.9)
On voit que quand le bombardement ionique remplace llectron original, le courant augmente
sans limite et on a un claquage [Figure 7.3.3].
Figure 7.3.4 : Schmatisation dun claquage, tir de [6]
Chapitre 7
Page 7.15

7.3.3 - La loi de Paschen
La condition de claquage peut tre crite :
(exp d - 1 ) = 1
(7.3.10)
tant donn que le paramtre /p est en gnrale une fonction de E/p, on peut crire cette relation
suivante :
1+
d = pd = ln
p
1 1+
V E

= = f = f
ln
pd p
p
pd
V = gpd
(7.3.11)
Figure 7.3.5 : Courbe de Paschen pour diffrents gaz
c'est--dire que la tension de claquage est une fonction (note g dans (7.3.11)) du produit pd et du
matriau de la cathode. Cette relation sappelle la loi de Paschen [Figure 7.3.5]. Cette relation
suppose que le produit pd nest pas trs lev on traite la dcharge entre deux lectrodes. Dans
Chapitre 7
Page 7.16

le cas o on a des grandes distances et des tensions trs leves, le mcanisme de propagation de
la dcharge est trs diffrent celui dun streamer comme la foudre.
7.4 - La Dcharge Coronale

7.4.1 - Description
Si on applique une tension entre deux lectrodes dans une gomtrie qui donne un champ
lectrique non-uniforme, on peut obtenir une dcharge qui est localise dans la rgion du champ
lev. Ce type de dcharge est souvent trouv autour des lignes hautes tension, et peut causer des
pertes anormales.
Pour un systme coaxial, avec un fil central de rayon a entour par un tube cylindrique de rayon
b, sil ny a pas de charge despace, la distribution du potentiel et du champ lectrique peut tre
crite :
Er =
V
b
r ln
a
r
ln
a
Vr = Va + V
b
ln
a
(7.4.1)
Si on a deux fils parallles de rayon a, spars dune distance d, le maximum du champ lectrique
est :
E max
V
d
2a ln
a
(7.4.2)
et si nous avons un fil de rayon a une distance h dun plan, on a un champ maximum :
E max
2 V
2h
a ln
a
(7.4.3)
Si la tension applique est moins que la tension damorage , il ny a quun faible courant
produit par lionisation dans le voisinage du fil cre par les rayons cosmiques et la radioactivit
naturelle.
Quand le champ lectrique excde le champ critique pour crer une dcharge, il y a un
plasma cre autour du fil central : une augmentation importante du courant, et une lueur soutenue.
Les ions et les lectrons crs dans le plasma drivent vers les lectrodes. Leur mouvement est
rgl par leur mobilit dans le gaz sous leffet du champ. Comme exemple, si on considre un fil
Chapitre 7
Page 7.17

central avec une tension ngative (ou negative corona ), il y a une avalanche avec lmission
dlectrons secondaires de la cathode et de la photoionisation dans la rgion du fil central ; la
situation est semblable au claquage Townsend . tant donn que ces processus ont lieu haute
pression, il faut tenir compte de lattachement, cest--dire lattachement dlectrons aux atomes
qui signifie en fait la formation dions ngatifs. Lpaisseur de la couche coronale est
dtermine par la dominance de lionisation sur lattachement, et la production dlectrons
secondaires :
x1
(x) c (x) dx ln(1

a
(7.4.4)
o x1 est le point o (le coefficient dionisation) = ca (le coefficient dattachement). Dans le cas
o il ny a pas de formation dions ngatifs, on a = 0.
Dans le cas o le fil central est une tension positive (ou positive corona ), le champ
lectrique la cathode est trop faible pour produire beaucoup dlectrons secondaires. La
multiplication dlectrons est fournie par des processus de photo ionisation dans le gaz prs du fil.
En pratique, il y a peu de diffrence dans le champ critique entre une dcharge ngative et
une dcharge positive (Vc pour une dcharge coronale ngative est gnralement un peu plus
faible), parce que le paramtre critique est le champ lectrique cause de la variation rapide de
en fonction de E. La gomtrie est trs importante. Des formules empiriques ont t dveloppes
pour le champ critique par Peek (1929) :
Dans lair entre deux cylindres :
0.308
E c 311
(7.4.5)
o est le rapport de la densit du gaz par rapport 250C, 760 Torr et a est le rayon de llectrode
centrale en cm (entre 0.01 et 1 cm). Cette relation est valide sur une gamme de pression de 0.1-10
atmosphres.
Pour deux fils parallles, la formule de Peek peut tre crite :
0.301
E c 29.8 1
(7.4.6)
mais, aujourdhui la formule utilise plus souvent est :
E c 24.5 1 0.65 a
0.38
(7.4.7)
Ici, les valeurs du champ critique sont en kV par cm.

lextrieur de la zone dionisation les charges drivent radialement sous leffet du
champ lectrique radial du leur mobilit. Dans le cas dun negative corona , les lectrons ou
les ions ngatifs drivent vers le tube extrieur ; dans le cas dun positive corona , les ions
positifs drivent vers la cathode. Dans lair, les lectrons sont capts rapidement par des
Chapitre 7
Page 7.18

molcules doxygne et forment des ions ngatifs. Ces ions continuent de voyager vers lanode et
sont neutraliss sur la surface. Dans cette zone de drive, il ny a pas de multiplication du courant
(le champ lectrique est trop faible), et le courant est limit par la charge despace. Le courant
i(r) par unit de longueur du fil une distance r du fil est constant (pas de sources) et peut tre
crit :
ir 2 r e r
2 r e n r E
(7.4.8)
nqE
n E ] dans la direction radiale pour le flux

O nous avons utilis lquation 5.12 [
m n
de charges.
Si les effets de la charge despace ne sont pas trs grands, on peut utiliser comme premire
approximation le champ lectrique du vide donn par lquation (7.4.1) et (7.4.8), et devient :
i r 2 e n r
V
b
ln
a
(7.4.9)
Si on substitue pour n(r) dans lquation de Poisson, on peut calculer le profil du potentiel. Il y a
une constante dintgration qui est dtermine par la condition i = 0 pour V=Vc , la tension
critique . La solution nous donne :
i V V Vc
8 0
b
b 2ln
a
(7.4.10)
Cette formule est en relativement bon accord avec les rsultats exprimentaux, et nous permet de
calculer les pertes sur les lignes haute tension, partir de ce courant multipli par la tension ;
dans certains cas, cette perte domine les pertes ohmiques dans le fil.
7.4.2 - Applications
La dcharge coronale peut tre un problme pour les lignes haute tension, comme
mentionn en haut, mais d'un lautre ct il y a beaucoup dapplications de ce phnomne:
i) electrostatic precipitator
Dans ce cas, les ions ngatifs doxygne se collent sur les flocons qui passent travers la
chemine, ainsi formant une particule charge. Ces particules collent sur lintrieur de la
chemine, do elles peuvent tre collectes.
ii) electrostatic paint sprayers
iii) Xerography
Chapitre 7
Page 7.19

7.5 - LArc lectrique
7.5.1 - Description
Quand la densit de courant dans la dcharge devient trs leve, il y a une

transition un arc.
Figure 7.5.1 Arc lectrique
Cette dcharge est normalement dans un volume plus petit que celui de la dcharge luminescente,
mais elle est beaucoup plus brillante. On peut rsumer les caractristiques qui distinguent un arc :
Larc porte un courant lev, de 1 100,000 ampres.
Le voltage est relativement faible, de 20 60V, typiquement de lordre de lnergie

dexcitation ou dionisation des atomes ou molcules.
Normalement (mais pas toujours) la caractristique V-I est dcroissante.
La densit de courant est trs leve, variant de 102 104 A cm-2 dans certains cas, jusqu
104 107 A cm-2 dans dautres. Ceci rsulte en une densit de puissance trs leve, et une
tache de trs haute temprature.
Les mcanismes dmission de courant fournissent un courant lev basse tension.
Les lectrodes sont gnralement fortement rodes et le matriau des lectrodes est vaporis.
Chapitre 7
Page 7.20
Le spectre dmission prs de la cathode (et des fois prs de lanode) est caractristique du
matriau de llectrode, et pas le gaz.
Le cur de larc peut tre en LTE, si on travail haute pression.
On peut avoir dans des arcs de diffrents types qui marchent sous diffrentes conditions et pour
des fins diffrents:
i)
ii)
iii)
iv)
v)
arcs transfrs entre deux lectrodes ; la cathode peut tre chaude (thermionique),
ou chauffe indirectement , ou tre froide avec des taches cathodiques.
arcs confins avec un jet de plasma
arcs haute pression
arcs sous vide
arcs unipolaires o il ny a pas danode vident
7.5.2 - Processus la Cathode
Dans le cas de la dcharge luminescente, la cathode est couverte par le plasma et

lmission vient de toute la surface ; lmission dlectrons est dtermine par le taux de
production dlectrons secondaires. Dans la rgion de la cathode dun arc, par contre, il faut crer
les conditions pour livrer une densit de puissance suffisamment leve pour maintenir la
temprature ncessaire pour lmission des lectrons. Dans le cas dune dcharge luminescente, le
courant la cathode est domin par le courant ionique. Dans un arc, on passe un courant de
plusieurs ampres mais la tension est de lordre de 20 V seulement. Le courant la cathode est
presque uniquement un courant lectronique. Il est estim que les lectrons portent entre 0.7 et
0.9 du courant total dans la rgion de la cathode. De ceci, on peut dduire que le rapport entre le
courant lectronique et le courant ionique est de 2 9. Clairement, les processus de production
des lectrons de la cathode sont diffrents dans le cas dun arc. Mme aujourdhui, aprs une
centaine dannes, les processus sont mal compris. En gnral, on pense quune combinaison
dmission thermionique avec leffet du champ lectrique intense la surface de la cathode est
responsable pour lmission.
Cathode Thermionique
Un cas classique dun arc o la temprature des lectrodes peut monter des
tempratures assez leves celui de larc en carbone. Dans ce cas, les taches cathodiques et
anodiques peuvent monter des tempratures suffisamment leves pour quune bonne fraction
de la surface participe dans lmission dlectrons.
Chapitre 7
Page 7.21
Figure 7.5.2 : Arc au carbone dans lair 200 Amp ; (a) Photo, (b) Temprature
On voit la caractristique typique o V diminue quand le courant augmente. La temprature de la

cathode se trouve autour de 3500K, et celle de lanode autour de 4200K.
Figure 7.5.3 : Caractristique courant-tension d'un arc au carbone dans l'air
un courant seuil, la tension de larc diminue et entre dans le rgime de sifflement , o il y a

une condensation de la tache anodique et une vaporisation intense de lanode. bas courant,
la densit de courant la cathode est de lordre de 470 A cm-2, mais haut courant (400A) la
densit peut monter 5000 A cm-2.
Chapitre 7
Page 7.22

Le bombardement de la surface par les ions livre de lnergie la surface : lnergie chimique
de lion (lnergie d'ionisation, de lordre de 10-15 eV) et lnergie gagne par lion dans la gaine
prs de la surface. La chute de tension travers la gaine aide aussi lmission lectronique par
leffet Schottky.
En plus de lmission dlectrons, il y a une forte mission de vapeur de la tache cathodique (et
de la tache anodique). Ceci est souvent spcifi par le taux drosion spcifique : la masse
perdue par coulomb qui passe travers larc. Ce paramtre dpend du matriau et des conditions
de larc. Par exemple, pour des lectrodes en Tungstne (W) dans un arc portant un courant de
quelques centaines dampres, on produit de lordre de 60 g par Coulomb (voir Tableau 7.5.1).
Tableau 7.5.1 : Taux drosion spcifique pour divers matriaux
lment
Taux d'rosion
Atomes / lectrons
(mg / C)
Cadmium
620-655
0.53-0.56
Zinc
215-320
0.31-0.47
Aluminium
120
0.43
Cuivre
115-130
Nickel
100
0.16
Carbone
17
0.14
Argent
140-150
0.17-0.19
0.12-0.13
Fer
73
0.12
Titane
52
0.10
Chrome
40
0.074
Molybdne
47
0.05
Tungstne
62
0.32
Dans un arc portant un courant de 200A, on perdrait 0.012 mg par s. Par contre, si la temprature
de la tache anodique monte 4200 K, le taux de vaporisation est donn par :
q 2.63x10 24
P(T)
T
(7.5.1)
o q est le taux de vaporisation en molcules par m2 par s, P est la pression de vapeur et la

masse atomique. Pour le carbone 4200K, on obtient un taux de vaporisation de lordre de
1.17x1027 atomes ou 23.5 kg par m2 par s ; avec une tache de 0.2 cm2, on vaporise de lordre de
0.47 g par s !
Chapitre 7
Page 7.23

Taches Cathodiques
Pour un arc sous vide, ou quand le matriau de la cathode ne peut pas supporter une temprature
trs leve, on voit quil y a beaucoup de petits points dmission-les taches cathodiques .
[Figure 7.5.4] La densit de courant dans ces taches est trs leve, ce qui est dtermin par le
besoin de fournir le courant, mais aussi de maintenir une cathode qui est globalement plus
froide . Ces taches sont en mouvement continuel. Il y a eu beaucoup de travail pour
simplement mesurer la densit de courant la surface. Pour arriver expliquer la densit de
courant, il faut supposer que la surface est liquide et en bullition dans la tache cathodique.
Quand un arc sous vide est dans un champ magntique, larc bouge dans la direction
, donc
la direction oppose au mouvement dun arc haute pression ! Il ny a aucun modle pour
expliquer ces rsultats.
Figure 7.5.4 : Taches cathodiques
Chapitre 7
Page 7.24

En plus de lmission dlectrons, il y a mission dions et de gouttelettes de ces taches
cathodiques. Les gouttelettes sont jectes des grands angles (par rapport la normale), et elles
sont probablement la source de la vapeur qui est gnre. Il y a des ions multiplement chargs qui
sont jects perpendiculaire la surface de la cathode avec des nergies relativement leves (de
20-80 eV). Les processus de cration et d'acclration de ces ions ne sont pas bien compris. Les
nergies peuvent excder la tension travers larc!
Les arcs transfrs sont utiliss comme source dclairage, (p.ex. VORTEK), pour faire de la
soudure (p.ex. TIG) et pour traiter des minerais (p.ex. Fer et Titane).
Figure 7.5.5 : Composantes d'un arc lectrique
Les jets de plasma sont utiliss pour couper du mtal (et dautres choses) et pour dposer
des matriaux rfractaires sur des substrats (p.ex. pour des turbines davion). Dans ce cas, la
poudre est mlange avec le gaz inject dans larc.
Figure 7.5.6 : Jet de plasma
Les disjoncteurs sous vide gnrent un arc, et lextinction de cet arc coupe le courant. Il y a eu
beaucoup de travail consacr au dveloppement de ces disjoncteurs, qui a demand une assez
bonne comprhension des processus dans les arcs.
Chapitre 7
Page 7.25
Figure 7.5.7 : Disjoncteur
Les arcs unipolaires sont observs trs souvent dans les machines fusion ; les surfaces
intrieures montrent beaucoup de traces darcs.
Figure 7.5.8 : Arc unipolaire
Chapitre 7
Page 7.26

7.6 - La Dcharge Luminescente DC
7.6.1 - Description
Si les lectrodes sont scelles dans un tube et la pression du gaz est relativement faible,
on trouve quune tension de lordre de 1000 V cre une dcharge luminescente dans le tube. La
structure la plus vidente est la longue, brillante colonne missive. Si on regarde plus
soigneusement, on trouve une structure, surtout prs de la cathode [voir Figure 7.6.1]. Si on varie
la distance entre les lectrodes, cette structure devant la cathode ne change pas, mais la longueur
de la colonne positive change.
7.6.2 - Prs de la Cathode

On a vu prcdemment que pour maintenir la dcharge il faut un mcanisme de multiplication
dlectrons (ionisation) et un mcanisme de rtroaction pour maintenir la population originale.
Dans le cas de la dcharge luminescente, ce processus est fourni par la gnration lectrons
secondaires par bombardement de la cathode par des ions venant de la dcharge. La chute de
tension de la dcharge se trouve principalement dans une zone mince juste devant la cathode.
Cette chute de potentiel et le champ lectrique lev sert :
(1) Acclrer les ions vers la surface, pour quils puissent frapper la cathode avec suffisamment
dnergie pour librer des lectrons secondaires.
(2) Acclre les lectrons secondaires vers le plasma, pour quils puissent crer de lionisation et
augmenter le courant lectronique.
Chapitre 7
Page 7.27
Figure 7.6.1 : La dcharge luminescente. Distribution spatiale des zones noires et lumineuses, du champ
+
lectrique X , des charges positives et ngatives et des densits de courant j .
Prs de la cathode, le courant est presque totalement ionique :
ji
i 102
je
(7.6.1)
Dans la dcharge elle-mme, le courant est presque totalement lectronique. Donc, la

multiplication du courant lectronique doit tre trs leve, de lordre de 10,000. Ceci demande
un champ lectrique (plutt E/P) lev. Ceci demande que d9. En fait, on trouve que la chute
de potentiel ( cathode fall ) est dpendante du gaz et du matriau de la cathode, peu prs
indpendant du courant et la pression (voir tableaux ci-dessous)
Chapitre 7
Page 7.28

Tableau 7.6.1 : Chute de tension cathodique (V)
Air
Ar
He
H2
Hg
Ne
N2
O2
CO
CO2
Al
229
100
140
170
245
120
180
311
Ag
280
130
162
216
318
150
233
Au
285
130
165
247
158
233
--
Bi
272
136
137
140
210
240
475
526
Cu
370
130
177
214
447
220
208
484
460
Fe
269
165
150
250
298
150
215
290
Hg
142
340
226
180
64
59
94
68
170
484
460
Mg
234
119
125
153
94
188
310
Na
200
80
185
75
178
Ni
226
131
158
211
275
140
197
Pb
207
124
177
223
172
210
Pt
277
131
165
276
340
152
216
364
490
475
305
125
Zn
277
119
143
184
354
480
410
216
Lpaisseur de la zone cathodique varie peu prs comme 1/P .

Tableau 7.6.2 : paisseur de la couche cathodique en (cm-Torr) la temprature de la pice
Al
C
Cu
Fe
Mg
Hg
Ni
Pb
Pt
Zn
Air
Ar
He
H2
Hg
Ne
N2
O2
0.25
0.23
0.52
-
0.29
0.33
-
1.32
1.30
1.45
-
0.72
0.90
0.80
0.90
0.61
0.90
0.90
0.84
1.00
0.80
0.33
0.69
0.60
0.34
-
0.64
0.72
-
0.31
0.42
0.35
-
0.24
0.31
0.25
-
L'acclration des lectrons leur permet dexciter le gaz, donnant lieu la formation de la lueur
cathodique. Lionisation est produite plutt dans la rgion sombre ( Cathode dark space ),
et l'entre de la lueur ngative.
Chapitre 7
Page 7.29

7.6.3 - La Lueur Ngative
Il y a une zone brillante juste en avant de la cathode. Dans cette zone, il existe des
lectrons rapides venant directement de la cathode et acclrs dans la chute cathodique. Quand
ces lectrons entrent dans la zone de la lueur ngative, ils commencent crer des lectrons
secondaires basse nergie et exciter le gaz. Des calculs Monte Carlo indiquent le changement
de la fonction de distribution lectronique travers cette couche. Prs de la cathode, il existe
surtout des lectrons rapides, mais plus loin on voit lapparition dlectrons secondaires (ayant
des tempratures de lordre de 10-20 eV) et des tertiaires ayant des tempratures de 1-2 eV.
Le moteur pour le maintien de ce plasma est la prsence des lectrons rapides. Dans la lueur
ngative, le champ lectrique est faible les lectrons drivent mais le rayonnement est intense.
mesure que les lectrons perdent de lnergie, ils produisent de moins en moins dionisation ; la
longueur de la lueur ngative est relie la longueur de pntration de ces lectrons rapides.
Figure 7.6.2 : Distribution de la densit dlectrons lents dans la luminescence ngative et lespace de
Faraday dans la dcharge luminescente. Dcharge dans lhlium 1.5 mTorr.
Si on utilise une cathode cylindrique, la dcharge peut se maintenir lintrieur de ce tube, et le

plasma est en gnrale la lueur ngative. Il est maintenu par des lectrons qui circule lintrieur
de la cathode. Ces plasmas sont utiles comme source de lumire.
7.6.4 - Le magntron plan
Les dcharges luminescentes DC sont utilises depuis longtemps titre de source de

pulvrisation. La Figure 7.6.3 a) illustre un tel racteur l'argon aliment par une source de
tension DC. L'lectrode du haut en aluminium est la cathode qui sert de cible aux atomes et ions
qui viennent pulvriser la surface et produire des atomes d'aluminium. Les substrats sur lesquels
Chapitre 7
Page 7.30

on veut dposer l'aluminium sont placs sur l'lectrode du bas, l'anode. La distance entre les
lectrodes est typiquement de 5 cm et presque toute la tension se retrouve la chute de tension
cathodique. Des densits de courant leves ( > 1 mA / cm2 ) sont requises pour obtenir des taux
de dposition relativement modestes ( 35 nm/min ).
Figure 7.6.3 : Dcharges DC utilises pour la pulvrisation : (a) une dcharge luminescente (b) dcharge
magntron plan
La dcharge est donc maintenue avec des tensions leves ( 2 - 5 kV ). La dcharge est
maintenue par les lectrons secondaires en provenance de la cathode qui ionisent le gaz de travail
pour maintenir la dcharge. Cependant, ce fonctionnement exige une pression relativement
leve ( p > 30 mTorr) pour que ces lectrons ne soient pas perdus l'anode ou aux parois du
racteur. ces pressions, la diffusion des atomes pulvriss sur les atomes et ions du plasma
d'argon limite le taux de dposition.
Il y a donc avantage oprer le racteur des densits de courant plus leves, des tensions et
des pressions plus faibles. Ceci a conduit l'utilisation d'un champ magntique DC (Figure 7.6.3
b)). Avec une tension de travail de l'ordre de -200 V est appliqu sur la cathode, un anneau de
plasma dense avec une luminosit leve. Il y a pulvrisation de la cathode en forme d'anneau.
Les lectrons secondaires sont maintenant confins prs de la cathode par le champ magntique
mais subissent un nombre suffisant de collisions ionisantes pour maintenir le plasma. Les
caractristiques de ce type de racteur sont :
B 200 G
P 2-5 mTorr Ar
J 20 mA / cm2
Chapitre 7
Page 7.31

VDC 800 V
Taux de dposition 200 nm / min
La dcharge luminescente apparat dans beaucoup dapplications quon connait :
i)
Les lampes non pour lclairage
ii)
les tubes pour les lasers HeNe, Ar...
7.7 - Les Dcharges RF

Les dcharges RF sont beaucoup utilises pour les applications diverses en traitement de
matriaux.
Avantages :
en gnrale, plus efficace que les dcharges DC

peut traiter des matriaux isolants
sources relativement bon march
capable de produire des plasmas de grands volumes de gomtrie plane, cylindrique
Dsavantages :
la polarisation de la cible est une fonction de la puissance et les paramtres du plasma :

pas de contrle indpendant
faut du blindage contre le rayonnement RF
Originalement, les dcharges taient cres par un couplage capacitif via des lectrodes, mais
rcemment les dcharges avec couplage inductif plan sont devenues de plus en plus populaires
pour le traitement de matriaux. (Les dcharges hlcoidales sont utilises depuis de
nombreuses annes. ) On parle de Dcharges E et Dcharges H .
7.7.1 - Dcharges capacitives
La Figure 7.7.1 illustre le principe d'une dcharge capacitive. Une tension oscillante est
applique entre les plaques a et b. Il en rsulte un courant oscillant qui circule dans le plasma
compris entre les gaines qui se forment aux plaques. L'paisseur de ces gaines varie dans le temps
mais l'paisseur des gaines est petite devant la distance entre les plaques.
Chapitre 7
Page 7.32
Figure 7.7.1 : Principe de la dcharge capacitive
La frquence typique de la gaine

La gaine a une paisseur de lordre de la longueur de Debye :
0 kTe
ne 2
(7.7.1)
les ions entrent dans la gaine avec la vitesse du son :
cs
kTe
mi
(7.7.2)
Donc, on peut voir quune frquence typique sera de lordre de :
Chapitre 7
Page 7.33

cs
ne 2
pi
D
0 mi
(7.7.3)
Pour un plasma d'argon ayant une densit de lordre de 1011 cm-3, la frquence fpi est peu prs
10MHz, mais on voit que a dpend de la masse de lion.
L'admittance du plasma est donn par :
Yp i C0
1
i L p R p
(7.7.4)
o C0 = 0A/d (A et d l'aire des plaques et la distance entre elles respectivement), Lp = pe-2C0-1 est
l'inductance du plasma et Rp = enLp la rsistance du plasma. Cette forme pour l'admittance
reprsente l'impdance de l'inductance Lp en srie avec la rsistance Rp, en parallle avec la
capacitance C0. Si on est dans la situation ou les lectrons rpondent instantanment au potentiel
appliqu et portent le courant RF, ce qui est le cas si :
2
2pe 2 1 en2

(7.7.5)
Alors le courant de dplacement qui circule dans C0 est beaucoup plus petit que celui qui circule
dans Lp et Rp. Le courant RF
~
I RF t Re IRFei t I1cos t
(7.7.6)
qui circule dans le plasma produit une chute de tension
~
Vp t Re Vp ei t
o
(7.7.7)
~
I
~
Vp RF .
Yp
Si on calcule le mouvement dun lectron dans un champ oscillant, on voit que lnergie et le
dplacement dpendent de la frquence et de la masse. Les ions ne gagnent pas dnergie du
champ. Avec un champ lectrique de 10 V/cm 13.56 MHz, on trouve que llectron gagne 12,2
eV et bouge de lordre de 2.4 cm. Donc, llectron peut gagner suffisamment dnergie pour
ioniser un atome sans faire une grande excursion.
La puissance moyenne par unit de surface dpose dans le plasma est donne par
Wohm
1 2 m en d
J1 2
2
en
(7.7.8)
o J1 = I1/A et est due aux collisions entre les lectrons et les neutres. Il y a aussi du chauffage
stochastique d au fait que l'paisseur des gaines varient dans le temps. Les lectrons sont
rflchis par les champs importants des gaines. tant donn que lpaisseur de la gaine varie avec
Chapitre 7
Page 7.34

la tension, la gaine oscille avec la frquence de la source. Les lectrons sont rflchis de ce
mur , et ils peuvent gagner ou perdre de lnergie : un lectron incident sur la gaine avec une
vitesse Ve sort de la collision avec une vitesse Ve+2Vs, o Vs est la vitesse de la gaine. On
obtient pour une gaine :
Wstoc
1 2 mve
J
2 1 e2n
(7.7.9)
La puissance totale qui est donc donne au plasma (lectrons) est donne par la somme de (7.7.8)
et 2 fois (7.7.9) (il y a 2 gaines) :
W Wohm 2Wstoc
(7.7.10)
1 2 m
en d 2ve
J1
2 e2n
Cette puissance est balance par des pertes collisionnelles (
) et cintiques ( = 2T )
c
We 2encs
(7.7.11)
de telle sorte que la densit est donne par:

1
1 m d 2v e 2
n J 1 3 en
2 e cs c e
(7.7.12)
La Figure 7.7.2 illustre le comportement de la densit et de l'nergie des lectrons pour une
dcharge dans l'argon une frquence de 13.56 MHz. La longueur de la dcharge et son diamtre
tait de 6.7 cm et 14.3 cm respectivement pour approximer une configuration uniforme parallle.
10 mTorr, ou le chauffage ohmique est faible, la densit augmente plus vite que linairement
comme prvu l'quation (7.7.12). De plus, il y a une chute significative de l'nergie moyenne
en fonction du courant RF.
Figure 7.7.2 : Variation de la densit et de l'nergie moyenne des lectrons (a) 10 et (b) 100 mTorr
Chapitre 7
Page 7.35

La Figure 7.7.3 donne la variation de la puissance absorbe par le plasma et la tension RF entre
les plaques pour la mme exprience.
Figure 7.7.3 : Puissance absorbe et tension RF en fonction du courant RF pour (a) 10 et (b) 100 mTorr
7.7.2 - Dcharges inductives

Ces sources sont gnralement utilise dans un rgime de fonctionnement haute densit.
Ces sources sont communment excites 13.56 MHz. Il n'y a rien de magique cette
frquence, la raison est "administrative". C'est une frquence alloue par les autorits
responsable de la gestion des communications. Bien que l'alimentation RF soit une frquence
permise, ceci n'aide pas la technologie des racteurs parce que les phnomnes plasmas tant nonlinaire, beaucoup d'harmoniques sont gnres dans des bandes lectromagntiques nonpermises.
Figure 7.7.4 : Source inductive cylindrique
Chapitre 7
Page 7.36

Il y a deux types de base de gomtrie : la gomtrie cylindrique (Figure 7.7.4) pour laquelle une
bobine entoure le plasma cylindrique ou la gomtrie planaire ou la bobine est un enroulement
plat.
Figure 7.7.5 : Source inductive planaire
Dans ce type de dcharge, le champ lectrique interne qui gnre le courant est produit par un
champ magntique oscillant ; la relation entre les deux est dtermine par les quations de
Maxwell. Pour cette raison ces dcharges sont appelles Inductively Coupled Discharges (ICD)
ou Inductively Coupled Plasmas (ICP) . Pour le cas dune bobine qui entoure un plasma
cylindrique, lanalyse de ce systme a t faite par plusieurs auteurs, et on obtient des profils pour
les champs, la densit et le courant de faon self-consistent. On note quen gnrale, la frquence
est plus faible que la frquence du plasma, et donc les ondes sont en principe rflchies du
plasma; ils russissent pntrer une distance appele lpaisseur de peau qui est donne
par :
1
12
Im

(7.7.13)
o K est la constante dilectrique du plasma. Sans champ magntique :
2pe
i en
2pe
(7.7.14)
2 1 i en

On peut distinguer deux rgimes en terme de collisionnalit :

a) Dans le cas ou en << , c'est--dire le rgime non-collisionnel, on a :
Chapitre 7
Page 7.37
2pe
2 i
2
pe
(7.7.15)
c
p
pe
b) Dans le cas en >> , c'est--dire le rgime collisionnel, on a :
2pe
en
1
pe 2
i
en
c en 2
2
c
pe
1
2
(7.7.16)
13.56 MHz, dans l'argon, on trouve que en = pour une pression de l'ordre de 25 mTorr.
Nous sommes intresss aux rgimes de basse pression, c'est--dire des pressions plus petites
que 25 mTorr. Pour chaque rgime de pression, il y a deux rgimes de densit : haute densit o
est beaucoup plus petit que les dimensions du racteur et un rgime de basse densit avec de
l'ordre de ou plus grand que les dimensions du racteur. Dans des dcharges inductives typique
de basse densit, on a que la frquence de travail est plus grand que la frquence de collision,
c'est--dire avec une paisseur de peau donne par p. Pour des dimensions typique de plasmas,
de l'ordre de 10 cm, nous sommes dans le rgime de haute densit, rgime usuel d'utilisation des
dcharges inductives.
Rcemment, une modification du design hlicodale a t dveloppe pour le traitement de semiconducteurs : Planar ICP (voir la Figure 7.7.6). Ce design est trs efficace, et est loutil qui va
tre dvelopp pour la prochaine gnration de racteurs pour le traitement de semi-conducteurs
de grande surface par plasma haute densit .
Chapitre 7
Page 7.38
Figure 7.7.6 : Source hlicon
Dans ce racteur, les dimensions de l'hlice sont choisies de telle sorte que l'ensemble hliceplasma soit la rsonance la frquence de travail qui est gnralement de 1 50 MHz.
7.7.3 - Adaptation Matching Network
Normalement, on utilise un circuit d'adaptation pour assurer que le gnrateur voit une
impdance gale son impdance de sortie (gnralement 50 ). Dans ce cas, le transfert de
puissance au plasma est maximis. La Figure 7.7.7 illustra la situation dans le cas d'une source
inductive.
Figure 7.7.7 : Circuit quivalent pour adapter un transmetteur (V T, RT) une source de plasma (Ls,Rs)
L'admittance droite de A-A' est donne par :
Chapitre 7
Page 7.39

YA G A iB A
(7.7.17)
1
R s iX1 X s
o la conductance GA et la susceptance BA sont donns par :
GA
BA
Rs
R X1 X s
2
s
- (X1 X s )
R s2 X1 X s
(7.7.18)
La charge est adapte lorsque la conductance GA = 1 / RT ( o RT est gnralement 50 ) et la

susceptance associe au condensateur C2 annule BA, c'est--dire C2 = -BA. Nous aurons alors
que la puissance absorbe sera donne par :
1 2
IT R T
2
(7.7.19)
VT 2IT R T
(7.7.20)
Pabs
avec
7.8 - Dcharges Micro-onde et RCE (Rsonance Cyclotron lectronique)

Une dcharge micro-onde est maintenue par un champ lectrique une frquence plus
leve quune dcharge RF. Normalement, on travail une frquence de 2.45 GHz (frquence
dun four micro-onde) cause de la disponibilit de sources, mais dautres frquences de
chauffage industriel sont aussi utilises ( 915 MHz par exemple ).
haute frquence, lnergie doscillation que llectron peut gagner est beaucoup plus
faible qu 13.56 MHz, et est donc insuffisante pour ioniser un atome pour des champs
raisonnables. Dans ce cas, la seule faon que llectron a de gagner de lnergie est par le biais
des collisions! Sans collisions, llectron oscille avec sa vitesse hors de phase de celle du champ
lectrique, et il ny a pas dabsorption dnergie. Si un lectron subit une collision au bon
moment, il peut continuer gagner de lnergie, jusqu ce quil la perde en ionisant une
molcule. La meilleure faon dexprimer cette physique est par la puissance absorbe par
llectron qui est donne par :
P e E 2
e 2 E 2 2m
m m 2m 2
(7.8.1)
Ici, m est la frquence de collision, et est la frquence du champ lectrique. Donc, cause des
collisions, les lectrons peuvent gagner de lnergie et donner lieu la cration dun plasma.
Chapitre 7
Page 7.40

Lnergie absorbe du champ doit compenser pour lnergie perdue quand les lectrons diffusent
la paroi et donnent leur nergie la surface. Ceci peut tre calcul en solutionnant lquation de
transport des lectrons (comme on a fait pour la colonne positive), en sachant quil y a une
nergie de lordre de 2Te perdue pour chaque lectron perdu.
En plus de ces sources volumiques , il y a des sources qui fonctionnent sur le principe de
labsorption dune onde qui se propage en surface, entre le plasma et le tube ou la plaque de
verre/quartz qui lentoure. Ces sources sont trs efficaces, et existent en forme cylindrique et
plane.
Figure 7.8.1 : Principe de la source ECR. Le champ magntique et la frquence de travail sont choisis de
telle sorte qu'elles sont gales dans une zone l'intrieur du racteur.
Quand on applique un champ magntique, on voit quil demande un champ lectrique

nettement plus bas pour amorcer la formation dun plasma si la frquence de la source est peu
prs gale la frquence cyclotronique des lectrons. Ceci est d au fait que quand le champ est
en rsonance avec le mouvement des lectrons, labsorption de lnergie de londe est beaucoup
plus efficace. Cette amlioration est prononce basse pression, mais on perd cet effet plus
haute pression parce que les collisions dtruisent lorbite de llectron.
Parmi les outils pour la production de plasmas de haute densit , les sources ECR sont trs
intressantes, parce quelles travaillent basse pression, ce qui donne la meilleure
directionalit aux ions. Les sources ECR sont typiquement du type champ divergeant ,
possiblement avec un champ de confinement pour amliorer luniformit (Figure 7.8.1).
Chapitre 7
Page 7.41

Problmes
Problme 7.1
Comme nous avons pu le voir la page 7.34, un lectron dans un champ lectrique de 10V/cm
damplitude oscillant 13,56Mhz gagnera une nergie de lordre de 12 eV et effectuera un
dplacement denviron 2,4 cm. Retrouvez ces valeurs partir des quations du mouvement.
Bibliographie
1. J.D. COBINE, "Gaseous Conductors"
2. J.M. Lafferty, "Vacuum Arcs-Theory and Application"
3. A.Von Engel, "Ionized gases"
4. M. A. Lieberman et A.J. Lichtenberg, "Principles of Plasma Discharges and Materials
Processing"
5. http://www.ubthenews.com/topics/ionosphere.htm
6. http://aep.unige.ch/old/html/labos2/paschen/schroeter.pdf
Chapitre 7
Page 7.42

Chap 07

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Chapitre 7 : Sources et racteurs de plasmas

Table des matires

Sources et racteurs de plasmas

Le Soleil ......................................................................................................................... 7.1

Lionosphre ................................................................................................................. 7.8

Chapman Layer.................................................................................................. 7.9

La Couche E......................................................................................................... 7.10

La Couche F1 ....................................................................................................... 7.11

La Couche F2 ....................................................................................................... 7.11

La Couche D ........................................................................................................ 7.11

Le Claquage ................................................................................................................ 7.12

Le claquage entre deux lectrodes..................................................................... 7.14

La loi de Paschen ................................................................................................ 7.16

La Dcharge Coronale................................................................................................. 7.17

Description ......................................................................................................... 7.17

Applications ........................................................................................................ 7.19

LArc lectrique........................................................................................................... 7.20

Description ......................................................................................................... 7.20

Processus la Cathode ....................................................................................... 7.21

Applications ........................................................................................................ 7.25

La Dcharge Luminescente DC ................................................................................... 7.27

Description ......................................................................................................... 7.27

Prs de la Cathode .............................................................................................. 7.27

La Lueur Ngative ............................................................................................... 7.30

Le magntron plan.............................................................................................. 7.30

Applications ........................................................................................................ 7.32

Les Dcharges RF ........................................................................................................ 7.32

Dcharges capacitives ........................................................................................ 7.32

Dcharges inductives .......................................................................................... 7.36

Adaptation Matching Network ..................................................................... 7.39

Dcharges Micro-onde et RCE (Rsonance Cyclotron lectronique) ......................... 7.40

Liste des figures

Sources et racteurs de plasmas

ces densits et tempratures, et surtout cause du volume du plasma, il y a beaucoup de

Sources et racteurs de plasmas

Figure 7.1.1 : Le soleil vu en lumire H

Sources et racteurs de plasmas

avec la libration de 26.7 MeV dnergie.

Figure 7.1.2 : Structure du soleil

Sources et racteurs de plasmas

o h est lnergie du photon.

Sources et racteurs de plasmas

Sources et racteurs de plasmas

Figure 7.1.4 : Supergranulations la surface du soleil

La temprature atteint un minimum la surface de la photosphre, o elle commence remonter

Sources et racteurs de plasmas

Figure 7.1.5 : Prominences solaires

En haut de la chromosphre se trouve la couronne, la rgion extrieure de latmosphre

Figure 7.1.6 : Couronne solaire

Sources et racteurs de plasmas

Si on calcule la frquence critique correspondante la densit maximale quon trouve dans

frquence critique : 8.98 MHz

Sources et racteurs de plasmas

Figure 7.2.1 : Structure de latmosphre terrestre [5]

7.2.1 - Chapman Layer

o H = kT/mg. Avec m le poids molculaire et g l'acclration due la gravit.

Sources et racteurs de plasmas

On peut ensuite calculer le taux de production dions par labsorption de photons :

Sources et racteurs de plasmas

ce point, les ractions de recombinaison dissociative entrent en jeu.

La destruction de ces ions ngatifs est domine par deux processus :

Sources et racteurs de plasmas

Figure 7.3.1 : Section efficace pour la production d'lectrons