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2 Prova 2004

1. Para o conversor ao lado, que opera em modulao por


largura de pulso, sem perdas e em regime permanente:
a) Desenhe a forma de onda da tenso sobre o indutor e
determine analiticamente a caracterstica esttica Vo/E,
em funo da largura de pulso , supondo operao no
modo de conduo contnua (MCC); (1 ponto)
b) Demonstre que no modo de conduo descontnua a
Vo
E 2
caracterstica esttica dada por:
, onde
= 1+
E

Turma A

ii

i
E

io

Ro

2 LfI o

ce

Vo

Co

vL

f a freqncia de chaveamento e Io o valor mdio da


corrente da carga. (1 ponto)
c) Sabendo que Ro=10 , Vo=10V, E=7 V, L=1mH f=20kHz, e que o circuito opera no MCC, calcule os
valores mdios das correntes ii e io e a ondulao (pico-a-pico) da corrente do indutor. (1,5 pontos)
d) Desenhe as formas de onda da tenso vce e da corrente ic, indicando valores das escalas horizontal e
vertical. (1 ponto)
2. Considere as formas de onda abaixo que representam tenso e corrente em um transistor com os
seguintes parmetros: V1=300V; Vo=2V, Io=0, I1=20 A; T=50us; (t2-t1)=100ns; (t3-t2)=150ns;
(t4-t3)=20us; (t5-t4)=100ns; (t6-t5)=250ns
I1

V1

Vo

0
t0
T

t1 t2 t3

Io
t4 t5

t6

a) Determine o valor mdio da potncia dissipada no componente e a energia dissipada durante o


transitrio de desligamento; (1,5 ponto)
b) Considerando apenas a potncia mdia e que este componente possui Rjc=0,5 oC/W, Rca=10 oC/W,
Tjmax=150 oC, determine a mxima resistncia trmica de dissipador para o mesmo. A resistncia trmica
entre a cpsula e o dissipador de 0,5/W. A temperatura ambiente de 40C. (1 ponto)
3. Considere os circuitos mostrados ao lado, referentes ao
acionamento de um MOSFET alimentando uma carga
resistiva. No circuito superior, a potncia mdia dissipada
no transistor de 16W, enquanto no circuito inferior, de
11W. O valor das resistncias dado em .
a) Supondo que toda energia armazenada em Cs seja
dissipada sobre Rs, e sabendo que a freqncia de
comutao de 50 kHz, estime a potncia dissipada
neste resistor. (1 ponto)
b) Durante a conduo, a potncia dissipada no transistor
de 18W. Estime a resistncia entre dreno e source
Rds deste transistor. (1 ponto)
c) Explique de que forma as alteraes introduzidas no
circuito inferior permitem a reduo de potncia
mdia de 16W para 11W.(1 ponto)