INFORME TRANSISTOR UJT

RAUL FELIPE CORAL

ANGIE CATERIN COY
JUAN SEBASTIAN SILVA
GRUPO: 177080
raul_felipe@misena.edu .con
ancacoro@misena.edu.co
zebazsilva@misena.edu.co
RESUMEN:
En dado informe podremos encontrar las partes
y funciones del transistor UJT, funcionamiento
general, circuito de disparo y simbologa del
mismo.

Como se dijo antes este es un dispositivo de

disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la
Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo
est dado por la frmula:
Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1

OBJETIVOS:

Identificar las partes del transistor UJT.

Comprender
el
funcionamiento
adecuado del transistor UJT.

Diferenciar la simbologa propia del

transistor UJT.

Donde:
- n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante)
- VB2B1 = Voltaje entre las dos bases
La frmula es aproximada porque el valor
establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7
dependiendo del dispositivo y la temperatura.

MARCO TERICO:
TRANSISTOR UJT O DE UNIN:
Es un dispositivo de disparo. ste transistor est
constituido por dos regiones contaminadas con
tres terminales externos: dos bases y un emisor.
El emisor est fuertemente dopado con
impurezas p y la regin n dbilmente dopado
con n. Por ello, la resistencia entre las dos
bases, RBB o resistencia interbase, es elevada,
llegando de 5 a 10Kestando el emisor abierto.
Fsicamente el UJT consiste de una barra de
material tipo N con conexiones elctricas a sus
dos extremos (B1 y B2) y de una conexin
hecha con un conductor de aluminio (E) en
alguna parte a lo largo de la barra de material
N.
Est constituido por un diodo que excita la unin
de dos resistencias internas, R1 y R2, que
verifican RBB=R1+R2. Cuando el diodo no
conduce, la cada de tensin en R1 (V1) se
puede expresar como:

En donde VB2B1 es la diferencia de tensin

entre las bases del UJT y es el factor de
divisin de tensin conocido como relacin
intrnseca. Su estructura es muy similar a un
diodo de cuatro capas. Cuando entra en
conduccin los transistores la cada de tensin
en R1 es muy baja.

FUNCIONAMIENTO:
El funcionamiento de un UJT es muy similar al
de un SCR. Se definen dos puntos crticos:
punto de pico o peak-point (VP, IP) y punto de
valle o valley-point (VV, IV), ambos verifican la
condicin de dVE/dIE=0. Estos puntos a su vez
definen tres regiones de operacin: regin de
corte, regin de resistencia negativa y regin de
saturacin, que se detallan a continuacin:

En la Regin de corte, la tensin de emisor es

baja de forma que la tensin intrnseca mantiene
polarizado inversamente el diodo emisor. La
corriente de emisor es muy baja y se verifica
que VE<VP e IE < IP. Esta tensin de pico en el
UJT viene definida por la siguiente ecuacin

Donde la VF vara entre 0.35 V a 0.7 V con un

valor tpico de 0.5 V. Por ejemplo, para el
2N2646 es de 0.49V a 25C. El UJT en esta
regin se comporta como un elemento resistivo
lineal entre las dos bases de valor RBB.
En la Regin de resistencia negativa, si la
tensin de emisor es suficiente para polarizar el
diodo de emisor, es decir, VE=VP entonces el
diodo entra en conduccin e inyecta huecos a
B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1
debido a procesos de recombinacin. Desde el
emisor, se observa como el UJT disminuye su

resistencia interna con un comportamiento

similar a la de una resistencia negativa (dVE/dIE
< 0). En esta regin, la corriente de emisor est
comprendida entre la corriente de pico y de valle
(IP< IE< IV).
La Regin de saturacin, es similar a la zona
activa de un tiristor con unas corrientes y
tensiones de mantenimiento (punto de valle) y
una relacin lineal de muy baja resistencia entre
la tensin y la corriente de emisor. En esta
regin, la corriente de emisor es mayor que la
corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las
condiciones del punto de valle, el UJT entrara
de forma natural a la regin de corte.

El transistor monounin (UJT) se utiliza

generalmente para generar seales de disparo
en los SCR.
La constante de tiempo del circuito de carga es
T1=RC. Cuando el voltaje del emisor VE, el
mismo que el voltaje del capacitor llega a un
valor pico Vp, se activa el UJT y el capacitor se
descarga a travs de RB1 a una velocidad
determinada por la constante de tiempo
T2=RB1C. T2 es mucho menor que T1. Cuando
el voltaje del emisor VE se reduce al punto del
valle Vv, el emisor deja de conducir, se
desactiva el UJT y se repite el ciclo de carga.
El voltaje de disparo VB1 debe disearse lo
suficientemente grande como para activar el
SCR. El periodo de oscilacin, T, es totalmente
independiente del voltaje de alimentacin Vs y
est dado por:
T = 1/f = RC ln 1/1-n

CONCLUSIONES:

El transistor

UJT es un tipo
de tiristor que
contiene
dos
zonas semiconductoras.
Es comnmente utilizado para
generar seales de disparo en los
SCR.
El UJT posee dos bases y un
emisor.