6.

Jednaine
Date su jednacine za spustac napona u kontinualnom rezimu rada.
ULAZNI NAPON
IZLAZNI NAPON
MAKSIMALNA SNAGA
UESTALOST
TALASNOST STRUJE KALEMA
TALASNOST IZLAZNOG NAPONA

12V
1,8V
120W
50 kHz
30 %
10 mV

6.1 Kalem
Vrednost kalema i njegova vrna struja su odreeni na naznaenoj maksimalnoj
talasnosti struje kalema.

Za uslove date u tabeli vrednost kalema bi trebala biti:

V
1D
L= out
=
f sw I L1

1,8
)
12
=153 nH .
120 W
500 k H Z
30
1,8V
1,8 (1

Kada se uzme u obzir poveanje radnog ciklusa od 10% za kompenzaciju

gubitaka snage, jednaina postaje:
1,8
)
12
L=
=150,3 nH .
120 W
500 kHz
30
1,8
1,8 V (11,1

Variranje radnog ciklusa koje je zasnovano na gubicima elektrine energije u

pretvaraima visoke efikasnosti obino nema veliki uticaj na vrednost kalema i moe
se ignorisati u izboru kalema.
Praktino je izabran kalem od 150nH.
Vrna struja kalema je onda:
I pk =I out +

I pk =I out +

IL
2

30 I out
120 W
=1,15
=76,6 A .
2
1,8V

Za datu situaciju kalem mora izdrati maksimalnu vrednost struje od 77A, a da

pri tome ne ode u zasienje. Vano je da kalem odri svoju induktivnost na povienoj
radnoj temperaturi baziranoj na temperaturi ploe i gubici u kalemu se sastoje od
gubitaka u magnetnom jezgru i gubitaka na otporu kalema (DCR- the DC Resistance
of the inductor).
Zasienje kalema e dovesti do prekomerne struje na MOSFET-u, uticae na
pouzdanost primenjenog kola ili ak dovesti do naglog unitenja zbog preoptereenja
MOSFET-a.
DCR gubitak moe biti priblino izraunat iz DCR vrednosti na radnoj
temperaturi:
PDCRloss =I 2out DCRT .
op

Uticaj talasnosti struje na DCR gubitke obino se moe zanemariti. Meutim,

gubici u jezgru zavise u velikoj meri od jednog do drugog materijala kao i od njihovog
oblika. Zato materijal od koga je napravljeno jezgro kalema mora biti ispravno
izabrano da se osigura da e gubitak u jezgru biti u specifinim granicama pod
ciljanim uslovima.
Pretpostavljajui da je DCR jednak 0,2 m , gubitak snage u kalemu e biti:

PDCRloss =

120 W 2
0,2m=888,8 mW .
1,8 V

To je prilino visoka vrednost DCR gubitka. Bolji izbor e biti dvofazni sputa
sa manjim kalemom i prema tome manjim gubicima. Bilo koji gubitak u otporu u
primenjenom kolu odreen je sa kvadratom izlazne struje, pa time ovi gubici mogu
biti u velikoj meri smanjeni ako imamo vie strujnih krugova.
I ph=

120 W
0,5=33,3 A .
1,8V

Za dvofazno reenje struja zasienja neophodna je struja od 39 A. Ovo daje

vei spektar mogunosti izbora komponenti (aktivnih i pasivnih), tako da dizajn moe
biti pravilno optimizovan (prilagoen). U narednim primerima za dvofazni pristum e
biti procedure prorauna pojedinih delova.
6.2 Ispravlja

Ispravljaka dioda D1 sadri gubitke u stanju direktnog provoenja :

PVFD 1=V FD 1 I out (1D ) .
U naem sluaju na diodi se imaju gubici::
PVFD 1=0,7 V 33,3 A (10,15 )=19,8 W .
Gubici snage sinhronog ispravljaa su dati relacijom:
Psync =I 2out RQsync ( 1D ) .
on

Svaki miliom RDSON u sinhronom MOSFET ispravljau pravi gubitke u stanju

provoenja:
Psync =(33,3 A)2 1 m ( 10,15 ) =944,4 mW .
on

BSC010NE2LS ima tipian RDSON od 1m pri naponu gejta od 5V.

Dodatna razmatranja za sinhroni FET ispravlja se odnose na gubitke
inverznog oporavka, gubitke usled mrtvog vremena i gubitke u kolu gejta. Svi ovi
gubici ustvari predstavljaju dinamike karakteristike.
Gubitke usled inverznog oporavka je dosta teko odrediti, poto zavise od
mnotva parametara. Meutim, obzirom na state-of the art prekidakih MOSFETova, ovo obino nee igrati bitniju ulogu u konkretnom izboru MOSFET-a. Neki
MOSFET-ovi imaju, u svojoj internoj strukturi, implementiranu inverznu bajpas diodu.
Ovi FET prekidai imaju prednost pri inverznom oporavku.
Glavni kriterijum za niske dead time gubitke je drajversko kolo koje kontrolie
gejt prekidakog FET-a i sinhronog ispravljakog MOSFET-a sa minimalnim
vremenom izmeu njih.
Dead timegubici su direktno proporcionalni prekidakoj frekfenciji:
Ptdead =V FSync I out ( t deadHSLS +t deadLSHS ) f sw .
Na primer pretpostaviemo da je frekvencija prekidanja 300kHZ i dead time po
iskljuenju 10ns. Pad napona na diodi je 0,8V. Stoga su dead time gubici:
Ptdead =0,8 V 33,3 A (10 ns +10 ns ) 300 kHz=160 mV .
Upravljaki napon VGsdrive je jo jedan kritian radni parametar. Utie na RDSON i
brzinu prekidanja MOSFET-a. Napon gejta MOSFET-a i njegov R DSON su meusobno
obrnuto proporcionalni u datoj topologiji. Stoga, najpogodniji MOSFET zavisi takodje
od izabrane frekvencije prekidanja i napona gejta.
Takoe gubici u kolu gejta su direktno proporcionalni frekvenciji prekidanja:
PGsync=Q GSync V GS f sw .
Na primer imamo MOSFET BSC010NE2LS sa naelektrisanjem gejta od 34 nC
pri 5V napona na gejtu i 12V VDS:

PGsync=34 nC 5V 300 kHz=51m W .

Da bi smo sagledali vezu izmeu naelektrisanja gejta i RDSON, obino se koristi
faktor vrednosti (FOM-Figure Of Merit):
FOM ( V GS )=QG ( V GS ) RDSON ( V GS ) .
Slika prikazuje karakteristike naboja gejta MOSFET-a da bi se vuzualizovali
parametri naelektrisanja gejta.

Slika 6.2.1 Karakteristika naelektrisanja gejta i parameter discription

6.3 Prekidanje MOSFET-a
Sputa napona (buck converter) je teko upravljiva (hard-switched) topologija.
Prekidanje MOSFET-a mora da lii na idealan prekida, male otpornosti i brzog
prekidanja. Kao i sa sinhronim ispravljakim MOSFET-om, faktor vrednosti (FOM)
postavlja granice kako bi se MOSFET pribliio idealnom prekidau.
Za sputa napona (buck converter), ovo su najvaniji kriterijumi za izbor
MOSFET-a:

Nizak faktor vrednosti (FOM) za - RDSONQG i RDSONQOSS

Odnos QGD/QGS<1 za imunitet protiv dv/dt koji moe da izazove neeljeno ukljuivanje
Brzo ukljuivanje i iskljuivanje, plato gejta oko sredine opsega pobudne
karakteristike gejta (slika 6.2.1)
Gubici u prekidanju i provodjenju moraju biti svedeni na minimum ukupnih gubitaka
na mestu maksimalne eljene efikasnosti
VDS vrednost uveana za naponske pikove (prenaponi)
Niska toplotna otpornost RthJA
Izbor paketa mora uzeti u obizir vanost RthJA
Brzina interne diode i inverzni oporavak nisu toliko vani, poto interna dioda retko
provodi u buck pretvarau (samo tokom forsiranog opadanja izlaznog napona)
Jednaine gubitka snage za razne gubitke u HS-MOSFET-u su:

PHScond =I out R DSO D

HS

PHScond =(33,3 A)2 5,5 m

1,8 V
=914,8 mW
12 V

PHS =QGS V GS f sw
Gate

HS

HS

PHS =5,5 nC 5 V 300 kHz=8,25 mW .

Gate

Izlazna kapacitivnost Coss je jedna od parazitnih MOSFET parametara. Izlazno

naelektrisanje u odnosu na FOMoss je sredstvo da se kvantitativno utie a dinamike
performanse izmedju razliitih tehnologija. U svakom krugu izlazna kapacitivnost HSMOSFET-a e biti biti punjena kada se HS-FET iskljui i unitena (rasipa se unutar
kanala) kada se MOSFET ukljui. Za BSC050NE2LS gubici usled izlazne
kapacitivnosti se izraunavaju:
POSS =0,5 QOSS S V f sw
HS

POSS =0,5 6,4 nC 12 V 300 kHz=11,52 mW .

HS

Prekidaki gubici za induktivno ogranieno prekidanje ( brzo prekidanje sa

inductive plateau in switching waveform):
PSW =0,5 LStray I 2out f sw .
HS

Prekidaki gubici za otporom ogranieno prekidanje ( sporo prekidanje sa gate

charge plateau in waveform):
PSW =V I out
HS

Qsw
R f .
V GS Gate sw

Sa Qsw kao prekidako naelektrisanje (videti sliku 6.2.1) tj. naelektrisanje koji
mora biti dodato da bi se promenio MOSFET od naponskog praga do kraja platoa
(nizak VDS) na karakteristici naelektrisanja gejta. RGate predstavlja sav otpor u pobudi
gejta (ukljuujii MOSFET i driver) i Vgs je upravljaki napon. Ova jednaina je samo
aproksimacija prvog reda poto se upravljaki napon menja za vreme prelaza
(tranzicije). Za centered plateau voltages jo uvek obezbeuje razumnu procenu.
Jo precizniji prekidaki gubici mogu biti dobijeni kada se simulira tranzicija. U
tom sluaju parazitne induktivnosti oba MOSFET-a mogu biti lake izraunate.
Za visoku efikanost HS-MOSFET bi trebao da ima nisku vrednost faktora FOM
(faktor vrednosti, dobrote) da bi obezebedio nizak R DSON while switching faster than
the current transitions between HS and LS-MOSFET u okviru svoje komunikacione
petlje. Pored toga drajver mora obezbediti dovoljno nisku izlaznu impedansu kako bi
brzina upravljanja MOSFET-om bila velika. Iz istog razloga otpor gejta u MOSFET-u
mora biti takodje mali.

Odreivanjem naina obrauna koji treba primeniti mora se utvrditi da li se

MOSFET moe poveati bre nego to se struja drejna moe promeniti:
t inductive =LStray

t resistive =RGate

I out
V

[(

)]

Q gs
V
V
ln 1 thHS ln 1 platHS .
V platHS
V GS
V GS
HS

HS

) (

HS

Ako je tinductive > tresistive, onda se induktivno ogranieno prekidanje primenjuje.

Na primer BSC050NE2LS je tipian HS-MOSFET u OptiMOS25 V tehnologiji.
Pri naponu gejta od 5V njegov tipian R DSON je 5,5 m. Njegovo naelektrisanje gejta
pri 5V sa 12 V VDS je 5,5 nC.
Njegovo naelektrisanje gejta FOM za 5 V (FOMQG) je 30,25 mnC. U 12 V
ulaznoj pretvarakoj aplikaciji sa parazitnom induktivnou od 1,4 nH i strujom faze
od 33,3 A, trenutno vreme prolaska ogranieno parazitnom induktivnou je:
t inductive =LStray

I out
33,3 A
=1,4 nH
=3,885 ns .
V
12V

Otpor gejta BSC050NE2LS je 0,5 . Njegov Q GS je 2,2 nC na naponu platoa

(ravni deo karakteristike) od 2,8V. Prag napona je 1,6V. Period ukljuivanja HSMOSFET-a sa drajverom od 1 otpora izvora pri 5V javlja u:
t resistive =( 1+ 0,5 )

[(

)]

2,2 nC
1,6 V
2,8 V
ln 1
ln 1
=0,513 n s .
2,8 V
5V
5V

) (

Ukljuivanje MOSFET-a traje manje od jedne sedmine vremena struje tranzicije.

Posedovanje odgovarajueg krunog dizajna bez znaajnog source feedback e
omoguiti induktivno ogranieno prekidanje i time najnie prekidake gubitke. Obino
se moe videti prebacivanje (tranzicija) izmeu induktivno ogranienog prekidanja i
otporom ogranienog prekidanja pri specifiranom strujnom nivou pri kojem se
naponski pik u tom voru menja kaviim vrednostima pri induktivnom optereenju.
Navedena induktivna povratna sprega je veoma kritian aspekt dizajna. Paket
izbora bi bilo idealan da nema induktivnu povratnu spregu u gejt drajv putanji. Stoga
poeljni paketi su CanPAK , blade-package ili bilo koja integrisana reenja kao to
su DrMOS i DrBlade.
Na primer evo kako prekidaki gubici mogu biti izraunati:
2

PSW =0,5 1,4 nH (33,3 A) 300 kHz=232,9 mW .

HS

Primetiti: Kada je tresistive < tinductive < 2 tresistive otporni ogranieni gubici se moraju
delimino uzeti u obzir

Rezime HS-gubitaka ( osim gubitka inverznog oporavka LS-MOSFET interne

diode):
PHScond =914,8 mW ,
PSW =232,9 mW ,
HS

POSS =11,52 mW ,
HS

PHS =8,25 mW .
Gate

Ukupni gubici su oko 1,17W. Prekidaki gubici su samo oko jedne etvrtine
gubitaka provoenja. Ovo izgleda veoma neuravnoteeno, BSC050NE2LS je najvii
RDSON u datom paketu i tehnologiji. To omoguava viim prekidakim frekvencijama
da balansiraju gubitke. Ako je to razumno zavisi od entire converter stage i ciljeva
efikasnosti.
Meutim, prorauni su uraeni samo za izlaznu struju od 33,3A. Visok odnos
takoe osigurava da induktivno ogranieno prekidanje preovlauje nad velikom
opsegu niskih struja, tako da ostaje visoka efikasnost u celom opsegu.
Naelektrisanje gejta i izlazno naelektrisanje koje se odnosi na gubitke su mali u
poreenju. Oni e postati relevantni kada se uzme u obzir rad pri niskim strujama.
Rezime LS-gubitaka (osim gubitaka inverznog oporavka LS-MOSFET interne
diode):
Psync =944,4 m W ,
on

Ptdead =160 mW ,
PGsync=51 m W .
Ukupni gubici su oko 1,05W. Dakle, HS-FET i LS-FET RDSON-izbor izgleda da je
dobro odabran u odnosu na distribuciju gubitka snage izmeu ova dva ureaja.
6.4 Izlazni kondezator
Funkcija izlaznog kondezatora je da filtrira talasnost struje kalema i obezbedi
stabilan izlazni napon. On takoe mora da osigura da nagle promene optereenja na
izlazu mogu biti podrani pre nego to regulator bude u stanju da reaguje.
Ovo su dva razliita kriterijuma koja definiu vrednost i konkretan dizajn izbora
izlaznog kondezatora.
6.4.1 Kriterijum filtera 1 (na osnovu talasnosti struje filter kalema za n faza)

 QCout =

V out 1D

n f SW
L

ICout je vektorski zbir talasnosti struja svih faza. Promena naelektrisanja na

izlaznom kondezatoru izaziva talasnost napona:
QCout =

T sw 1 I Cout I Cout

=
.
n 2 2
2
8 n f sw

Napon na Cout menja se sa naelektrisanjem:

V Cout =

Q Cou t
I Cout
V out (1D)
=
=
.
Cout
8 C out n f SW 8 C out L ( n f SW )2

Prema tome, prvi kriterijum za minimalu izlaznu kapacitivnost je:

C out =

1 D
V Cout
2
8 L ( n f SW )
V out

Za date zahteve minimalna izlazna kapacitivnost prema kriterijumu 1 je:

11,1
C out =

1,8
12

10 mV
8 150 nH (2 300 kHz)2
1,8 V

0,835
=348 F .
2400 H ( Hz)2

6.4.2 Kriterijum filtera 2 (podrka koraka optereenja)

Svaka faza moe da podri strujne tranzijente:
di ph 1
= ( D max V V out ) .
dt L

Imati potreban tranzijent optereenja

moe samo da podri tranzijent od
razliku

I out
di
n ph
t Step
dt
I out
.
di ph
n
dt

za primenjeno kolo, regulator

di ph
dt , ak i sam direktnim odgovorom. Za

struja mora da bude podrana od strane izlaznog

kondezatora za vreme rampe tramp.

t ramp=

I out
t Step

Pad napona na izlanom kondezatoru je:

V out =

QCout
C out

Sakupljeno (akumulirano) naelektrisanje iz svih faza rauna se:

Qnph =n

di ph 2
t
dt ramp

Naelektrisanje koje treba da se akumulira od strane izlaznog kondezatora je:

QCout =Qnph Qout

sa

Qout = I out ( t ramp 0,5 t Step ) .

Apsolutna vrednost pada izlaznog napona na koraku optereenja od I out u tStep

je onda:

V out =MAX 0,

)]

L I 2out
1

I out t Step .
2 C out n (Dmax V V out )

Zahtev za Cout prema kriterijumu 2 je:

L I out
1
C out >

I out t Step .
2 V out n (D max V V out )

Na primer, nagle promene optereenja od 20 A/20 us u odnosu na maksimalni

koeficijent reima (duty cycle) od 50% zahteva minimalnu izlaznu kapacitivnost za
dozvoljen pad napona od 50mV od:
C out >

150 nH (20 A )2
1

20 A 20 s =3,9 mF <0 .
2 50 mV 2 (50 12 V 1,8 V )

U sluaju negativnog rezultata tranzijent moe u potpunosti biti podran od

promene koeficijenta reima rada (duty cycle).
Ako pretpostavimo da je load step 20A/2ns zahteva:
C out >

150 nH (20 A )
1

20 A 2 ns =71 F .
2 50 mV 2 (50 12 V 1,8 V )

6.4.3 Zakljuak za izbor izlaznog kondezatora

Uporeujui izraunate vrednosti kriterijuma 1 i 2 dolazimo do zakljuaka da
kriterijum 1 namee stroija ogranienja. Izlazna kapacitivnost je odreena
kriterijumom 1.
Ovaj rezultat je elektrina vrednost koja je neophodna pod pretpostavkom da je
odziv regulatora neposredan i istovremen na svim fazama. Ovo obino nije sluaj i
mora se podrazumevati. Takoe, kondezatori imaju veliku toleranciju obino ispod

normalne vrednosti. Smanjenja izlazne snage za DC polarizaciju i temperaturu

moraju se takoe uzeti u obzir.
6.5 Ulazni kondezator
Funkcija ulaznog kondezatora je da filtrira ulaznu struju u regulator u
idealnom sluaju ova struja bi trebala da bude jednosmerna, za uslove stabilnog
optereenja.
Kad se ima idealno filtriranje, DC ulazna sruja je:
I=

D
I .
out

Ignorisajui efekat talasnosti, struja u toku jedne periode kada je prekida

ukljuen je:
I sw =

I out
.
n

Da bi se skladitilo naelektrisanje u ulaznom kondezatoru, mora se nadoknadi

razlika izmeu ukljuene struje i DC ulazne struje.
d Qcapmin=( I swI ) D T

d Qcapmin=

I out
D
D 2
f sw n

sa

T=

1
f sw

Stoga minimalna vrednost za ulazni odvojeni kondezator ne bi trebala da bude

manja od:
C

d Q capmin
I out
D
=

D2 .
dV
f sw d V n

gde je dVin dozvoljena talasnost napona na ulaznom kondezatoru.

Struja u ulaznom kondezatoru je kritian zahtev projektovanja za odabir
kondezatora. Kondezatori imaju unutranju serijsku otpornost (ESR) koja izaziva
gubitak provodljivosti i grejanje koje utie na pouzdanost i ivotni vek trajanja
elektrolitskog kondezatora.
Pcap =i 2CinRMS ES R
loss

RMS (root mean square) struja za celu ulaznu banku kondezatora je:
I CinRMS =

I out D D2
2

n
n

6.6 Termoenergetika i kuita

MOSFET-ovi dolaze u irokom spektru kuita. Za konano reenje sledei

aspekti se moraju uzeti u obzir:

Potreban RDSON odreuje minimalnu veliinu kuita.

Brzo prekidanje (induktivno ogranieno) je mogue samo u kuitima sa
niskim induktivnostima.
Otpornost kuita (pakovanja) treba da bude mala da omogui dobar
FOM ureaja (veoma vano za MOSFET-ove sa niskim RDSON).
Termika otpornost kuita (pakovanja) mora biti dovoljno mala. Ako je
potrebno hlaenje sa gornje strane, kuite sa niskim R thJCtop mora biti
izabrano.
U nekim sluajevima performanse termikih tranzijenata su veoma
vane. U tom sluaju kuita sa velikim olovnim okvirom u kalupu su
obino eljeni izbor.

Od gubitka snage u MOSFET-u i dozvoljenog porasta temperature

poluprovodnikog spoja u odnosu na ambijent (okolinu) potrebna termika
otpornost RthJA moe se izraunati iz relacije:
RthJA=

T jT A
P MOSFET

sa

RthJA=R thJC + RthCA

Toplotna otpornost kuita (pakovanja) RthJC je data u podacima. Za

energetski MOSFET (TO, SuperSO-8, S3O8, CanPAK kuita) ova vrednost je
obino ispod 5 K/W, u sluajevima kada su okviri kuita filovani, prilino dobre
vrednosti su oko 1K/W. Porast temperature od 50K pod radnim uslovima bi
omoguio gubitak snage od 5W u MOSFET-u sa 5K/W toplotne otpornosti u
odnosu na kuite za datu PCB je jednak temperaturi okoline. Ovo je, meutim,
redak sluaj. Odreujui i uglavnom ograniavajui faktor je toplotna otpornost
kuita u odnosu na ambijent. Kriterijumi koji odreuju ovaj broj jedva da utiu na
izbor kuita.
Veliina ploe
Protok vazduha
Hladnjak (RthJCtop je vaan da bi se hladnjak efektivno iskoristio)
Slojevi steka i dizajn (debljina bakra, zatvoreni slojevi bakra i
termalne vie, izloena porvina bakra na gornjim i donjim slojevima)
Interfejs oblast izmeu paketa i ploice