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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE

SAN MARCOS
Universidad del Per, decana de amrica.

FACULTAD DE INGENIERIA
ELECTRONICA, ELECTRICA Y
TELECOMUNICACIONES.
Nombres y Apellidos:

Matricula:

Quispe Reyes Nelson.

14190245

Curso:

Tema:

Dispositivos Electrnicos.

Transistores PNP y NPN.

Informe:

Fechas:

PREVIO

Numero:

Nota:

Realizacin:

Entrega:

13/ febrero /2014

25/febrero/2015

01

Grupo:

Profesor:

Grupo-3 / Viernes 11a.m.--2p.m.

Ing. Lus Paretto Q.

FIEE UNMSM

PREVIO DEL EXPERIMENTO N 06


TABLA 2
Para: P1=0; Re=330; Rc=1K ; R1=56 ; R2=22k y un transistor
PNP BD138.
Por dato ya que el transistor PNP BD138 est hecho de silicio, entonces su
VBE(activa)= 0.6v , VBE(umbral)= 0.5v, VBE(corte)= 0.0v y =60.
Rb=

R1 R2
R 1+ R 2

V=

R2 V CC
R 1 + R2

Rb=

56 K 22 K
( 56+22) K

V=

22 K (12)
(56+22) K

Rb=15.79487 k

V =3.38461 v

Sabemos:

Hallando Ib

I b=

I b=

V V BE
Rb+ ( +1 )

3.384+ 0.6
15.79487 103 + ( 60+1 ) 330
Ib=-77.512041
A

Se sabe que:

Ic=I b

Ic=77.512041 A 60
Ic=4.649703m A

Tambin se sabe:
V e= Ic

Ve =1.534402 v

FIEE UNMSM
V e=330(4.649703m)

V ce=V CC ( R e + R C )I C
V ce=12(330+1000)(4.649703 m A)
VCE =5.8158941 v

TABLA 3
Para: P1=0; Re=330; Rc=1K ; R1=68 ; R2=22k y un transistor
PNP BD138.
Rb=

R1 R2
R 1+ R 2

V=

R2 V CC
R 1 + R2

Rb=

68 K 22 K
( 68+22) K

V=

22 K (12)
( 68+22) K

Rb=16.6222 k

V =2.93333 v

Sabemos:
Hallando Ib

I b=

I b=

V V BE
Rb+ ( +1 )

2.933 v +0.6
16.6222 103 + ( 60+1 ) 330
Ib=63.488223

Se sabe que:

Ic=I b

Ic=63.488223 A 60
Ic=3.809293m A

FIEE UNMSM
Tambin se sabe:

V e= Ic

V e=330(3.809293 m A)
Ve =1.257066 v

V ce=V CC ( R e + R C )I C
V ce =12(330+1000)(3.809293 m A)
VCE =6.933639 v

TABLA 5
PARA: P1=100k; Re=330; Rc=1K ; R1=68 ; R2=22k y un

transistor PNP BD138.


Sabemos:
Rb=

R b=

(R 1+ P 1) R2
R1 + P1 + R2

V=

( 68+100)K 22 K
(68+ 100+22) K

Rb=19.452631 k

Hallando Ib

I b=

I b=

V=

R2 V CC
R 1 + P 1+ R 2

22 k (12)
(68+ 100+22)k

V =1.3894736 v

V V BE
Rb+ ( +1 )

1.3894736+0.6
3
19.452631 10 + ( 60+ 1 ) 330
Ib=-19.94495

Ic=I b

Se sabe que:

Ic=-

FIEE UNMSM
Ic=19.94495 A 60

Tambin se sabe:

V ce=V CC (R e + R C )I C

V ce =12(330+1000)(1.19669 m A)
VCE =10.408392 v

PARA: P1=100k; Re=330; Rc=1K ; R1=68 ; R2=22k y un

transistor PNP BD138.


(R 1+ P 1) R2
Rb=
R1 + P 1 + R2

R b=

( 68+250)K 22 K
(68+ 250+22) K

Rb=20.57647059k

R V CC
V= 2
R 1 + P 1+ R 2
V=

Sabemos:

22 K (12)
(68+ 250+22) K

V =0.7764705 v

Hallando Ib
I b=

V V BE
Rb+ ( +1 )

0.7764705+0.6
3
20.57647058 10 + ( 60+ 1 ) 330
Ib=-

FIEE UNMSM
Ic=I b

Se sabe que:
Ic=43.64098 60
Ic=-

V ce=V CC (R e + R C )I C

Tambin se sabe:

V ce =12(330+1000)(0.2618459m A )
VCE =11.6517449 v

Para: P1=500k; Re=330 ; Rc=1K ; R1=68 ; R2=22k y un


transistor PNP BD138.
Sabemos:

Rb=

R b=

(R 1+ P 1) R2
R1 + P1 + R2

( 68+500)K 22 K
(68+ 500+22) K

Rb=21.17966101k
Hallando Ib
I b=

V V BE ( corte)
Rb+ ( +1 )

I b=

0.447457620.0
21.17966101103 + ( 60+ 1 ) 330

V=
V=

R2 V CC
R 1 + P 1+ R 2

22 K (12)
(68+ 500+22) K

V =0.44745762 v

FIEE UNMSM
Ib=-

Ic=I b

Se sabe que:
Ic=10.83179 A 60
Ic=-

V ce=V CC (R e + R C )I C

Tambin se sabe:

V ce =12(330+1000)(0.649907 m A)
VCE =11.135623 v

Para: P1=1M ; Re=330 ; Rc=1K ; R1=68 ; R2=22k y un


transistor PNP BD138.

Rb=

R b=

(R 1+ P 1) R2
R1 + P1 + R2

( 68+1000) K 22 K
(68+1000+22) K

Rb=21.5559633k

Hallando Ib

I b=

V V BE ( corte)
Rb + ( +1 )

V=
V=

R2 V CC
R 1 + P 1+ R 2

22 K (12)
(68+ 1000+22) K

V =0.2422018 v

FIEE UNMSM
I b=

0.2422018+0.0
21.5559633 103+ ( 60+1 ) 330
Ib=-

Ic=I b

Se sabe que:
Ic=20.203487 60
Ic =

Tambin se sabe:

V ce=V CC (R e + R C )I C

V ce=12(330+1000)(0.3486 m A )
VCE =11.536349 v

INFORME PREVIO DEL EXPERIMENTO N 07


TABLA 2
PARA: P1=0 ; Re=220 ; Rc=1K ; R1=56K ; R2=22k y un
transistor NPN C828.
Por dato ya que el transistor NPN C828 est hecho de silicio, entonces su
VBE= 0.6v, VBE(umbral)= 0.5v, VBE(corte)= 0.0v y =120.
Sabemos:

FIEE UNMSM
R b=

R1 R2
R 1+ R 2

V=

R2 V CC
R 1 + R2

Rb=

56 K 22 K
( 56+22) K

V=

22 K (12)
(56+22) K

Rb=15.794871 k

Hallando Ib

I b=

I b=

V =3.384615 v

V V BE
Rb+ ( +1 )

3.3846150.6
15.794871 103 + ( 120+1 ) 220
Ib= 65.651865
A

Se sabe que

Ic=I b

Ic=65.651865 120
Ic =
7.878223m

Tambin se sabe:
V e= Ic
V e=220 (7.878223 m)
Ve =
1.7332092 v

V ce=V CC ( R e + R C )I C
V ce=12(220+1000)(7.878223 m)
VCE =
2.3885669v

FIEE UNMSM

TABLA 3
PARA: P1=0 ; Re=220 ; Rc=1K ; R1=68K ; R2=22k y un
transistor NPN C828.
Rb=

R1 R2
R 1+ R 2

V=

R2 V CC
R1 + R2

Rb=

68 K 22 K
( 68+22) K

V=

22 K (12)
(68+22) K

Rb=16.62222 K

V =2.9333333 v

Sabemos:
Hallando Ib

I b=

I b=

V V BE
Rb+ ( +1 )

2.93333 v0.6
3
16.62222 10 + ( 120+1 ) 220
Ib=
53.959608A

Se sabe que

Ic=I b

Ic=53.959608 120
Ic=
6.475152m

Tambin se sabe:
V e= Ic
V e=220 ( 6.475152mA )
Ve =
1.4245336 v

FIEE UNMSM
V ce=V CC ( R e + R C )I C
V ce=12(220+1000)(6.475152 mA )
VCE =
4.10031338 v

TABLA 5
PARA: P1=100K ; Re=220 ; Rc=1K ; R1=68K ; R2=22k y un
transistor NPN C828.

(R 1+ P 1) R2
R b=
R1 + P1 + R2

Rb=

( 68+100)K 22 K
(68+ 100+22) K

Rb=19.452631 k

I b=

R V CC
V= 2
R 1 + P 1+ R 2
V=

Sabemos

22 k (12)
(68+ 100+22)k

V =1.3894736 v

V V BE
R b + ( +1 )

Hallando Ib
1.38947360.6
19.452631 103 + ( 120+1 ) 220
Ib =

Ic=I b

Se sabe que:
Ic=17.135414 220
Ic=

Tambin se sabe:

V ce=V CC (R e + R C )I C

FIEE UNMSM
V ce=12(220+1000)(3.769791 m A)
VCE =
7.400854v

PARA: P1=250K ; Re=220 ; Rc=1K ; R1=68K ; R2=22k y un


transistor NPN C828.

Rb=

R b=

(R 1+ P 1) R2
R1 + P1 + R2

( 68+250)K 22 K
(68+ 250+22) K

Rb=20.57647059k

Hallando Ib

Se sabe que:

I b=

V=
V=

R2 V CC
R 1 + P 1+ R 2

22 K (12)
(68+ 250+22) K

V =0.7764705 v

V V BE
Rb+ ( +1 )

0.77647050.6
3
20.57647058 10 + (120+ 1 ) 220

Ib= 3.739061

Ic=3.739061 220
Ic =

Tambin se sabe:

Sabemos:

V ce=V CC (R e + R C )I C

V ce =12(220+1000)(0.8225934 m A )
VCE =
10.996436 v

Ic=I b

FIEE UNMSM

PARA: P1=100K ; Re=220 ; Rc=1K ; R1=68K ; R2=22k y un


transistor NPN C828.

Rb=

R b=

(R 1+ P 1) R2
R1 + P 1 + R 2

V=

( 68+500) K 22 K
(68+ 500+22) K

V=

I b=

Sabemos

22 K (12)
(68+ 500+22) K

V =0.44745762 v

Rb=21.179661k

Hallando Ib

R2 V CC
R 1 + P 1+ R 2

I b=

V V BE
R b + ( +1 )

0.447457620.0
3
21.17966110 + ( 120+1 ) 220
Ib =

Ic=I b

Se sabe que:
Ic=9.361104 A 220
Ic=

Tambin se sabe:

V ce=V CC (R e + R C )I C

V ce =12(220+1000)(0.702082 m A )
VCE = 9.487479
v

FIEE UNMSM

PARA: P1=1M ; Re=220 ; Rc=1K ; R1=68K ; R2=22k y un


transistor NPN C828.

R b=

( 68+1000) K 22 K
(68+1000+22) K

V=

22 K (12)
(68+ 1000+22) K

V =0.2422018 v

Rb=21.555963k

Hallando Ib

Sabemos:

R V CC
V= 2
R 1 + P 1+ R 2

( R 1+ P 1) R2
R b=
R1 + P 1 + R 2

I b=

V V BE
R b + ( +1 )

0.24220180.0
3
21.555963 10 + (120+ 1 ) 220

Ib=

Ic=I b

Se sabe que:
Ic=5.027403 A 220
Ic =

Tambin se sabe:

V ce=V CC (R e + R C )I C

V ce =12(220+1000)(1.63391m A )
VCE = 10.65064
v

FIEE UNMSM