1.

Esquematice la configuracin de un transceptor de MO

Un transceptor se compone de 4 componentes: el oscilador local de microondas, el conversor
(up y down converter), el amplificador de RF y el circuito de antena inducido, los filtros,
circuladores, gua de onda y antena.
El oscilador local puede construirse de diferentes formas:
- oscilador con control automtico de fase APC
- oscilador resonante dielctrico DRO
2. Explique las caractersticas constructivas de un terminador en un sistema de guas
de ondas
Para pequeas potencias se coloca una placa de dielctrico cubierta con grafito siguiendo el eje
longitudinal de la gua. El campo elctrico es paralelo a la placa e induce corriente en la
superficie del grafito y provoca la disipacin de la energa incidente. Para mayores potencias se
utiliza una de cua, construida por un dielctrico que es recubierto de grafito pero debido a la
mayor potencia se necesita mayor superficie de disipacin. La forma suaviza el efecto de las
variaciones geomtricas de la gua de onda, minimizando axial al mximo la reflexin de
energa.
3. Esquematice la aplicacin en un circuito de microondas de los filtros de guas de
ondas
Obstculos inductivos e inductivos en la gua de onda: Trabajando en un gua de onda
rectangular trabajando segn le modo de propagacin TE10, un obstculo capacitivo (ventana
capacitiva), es obtenido colocndose en el interior del mismo laminas perpendiculares el eje de
la gua dispuestas segn el largo. El valor de la capacitancia obtenida ser funcin de la
relacin d/b.
En una gua circular, el capacitor se obtiene poniendo una lmina circular de menor radio que la
gua de onda, dispuesta en forma perpendicular al eje y en forma coaxial a la gua. Para
conseguir un obstculo inductivo, en el modo TE10, se colocan lminas metlicas, dispuestas
segn la altura de la gua. El valor de la capacitancia obtenida ser funcin de la relacin d/a.
En una gua circular, el inductor se obtiene introduciendo una lmina en forma de anillo circular
que es perpendicular al eje de la gua.
Filtros de gua de onda:
A travs de la combinacin de ventanas capacitivas e inductivas anteriormente presentadas,
llegando as una ventana resonante.
Filtro pasabanda:
En una seccin de la gua son colocados varios pares de ventanas inductivas, cada dos
ventanas constituyen una seccin del filtro. La ventana inductiva puede ser constituida por dos
laminas conductoras colocadas en el interior de la gua dispuestas segn la altura del mismo,
para su perfecto funcionamiento, es necesario que ambas placas sean iguales, esto se torna
poco prctico en la construccin de ventanas ajustables y generalmente estas estructuras son
sintonizadas durante la fabricacin.
El tornillo en la parte superior de la gua funciona como una capacitancia variable a partir de
que la distancia de penetracin en la gua es regulable. Se puede realizar una sintona en las
diferentes secciones del filtro entorno a la frecuencia deseada por el ajuste de profundidad de
penetracin de los tornillos. Para un filtro pasabanda centrado en f0 debemos tenemos un ROE
muy prximo a 1, aumentando a medida que nos distanciamos de esta frecuencia.
Filtro rechaza banda:
Se coloca una lmina en el sentido de la altura en uno de los lados de la gua rectangular y un
tornillo detrs del mismo. Esta estructura tiene un comportamiento semejante a un circuito
resonante serie que cortocircuita la frecuencia de resonancia, rechazndose la faja de
frecuencias deseadas.
4. Determine los criterios de seleccin entre las 3 configuraciones de diversidad de
espacio y justifique c/caso
La diversidad de espacio consiste en colocar dos antenas separadas por una dcima de metros
en la misma torre o mstil que se conectan a distintos receptores (down converter).
Mejora la disponibilidad y calidad de la seal recibida ya que si una antena sufre una
atenuacin por caminos mltiples cuyo retardo produce un notch dentro del espectro, el
retardo para la otra antena es distinto y el notch est presumiblemente fuera del espectro.
Las configuraciones recurren a un retardo variable que cambian de fase de la FI del receptor
para la diversidad de espacio (FI-DS) para luego sumarla con la FI del receptor principal (FI-P).
Existen tres configuraciones de diversidad de espacio y son:
Combinador de mxima potencia: es un combinador de FI que toma una muerta de la tensin
de control automtico de ganancia CAG para alimentar un circuito lgico que modifica el
retardo t. De esta manera, el circuito lgico varia t para que el nivel de la (FI-P) + (FI-DS) sea
mximo, es decir un mnimo en el control CAG
Combinador con mnima dispersin. El mtodo anterior es simple, pero tiene el problema que
si bien la potencia puede ser mxima la deformacin del espectro puede ser pronunciada. Se
puede usar un combinador que tome muestras del espectro en 60 y 80Mhz por ejemplo y vare
la fase (mediante la lgica de control) para que ambos niveles sean iguales. Se logra un
mnimo de dispersin del espectro.
Combinador en fase. El combinador anterior seria muy similar al ecualizador de FI para corregir
un Notch en el espectro. En otros casos los diseadores se decidieron por un combinador que
controla la diferencia de fase entre ambas FI d modo que la lgica que controla al retardo vara
la fase de FI-DS para obtener la misma que FI-P antes de sumarlas.

5. Esquematice las tres formas de disponer las seales en un receptor de diversidad de

espacio y explique las razones de cada conformacion.
IGUAL AL TEMA 4
6. Explique el funcionamiento del filtro acustico SAW y su aplicacin en los
transceptores digitales.
De las ondas acsticas capaces de propagarse en la superficie de los slidos, la onda de
Rayleigh es la de menor velocidad, no es dispersiva (la velocidad no vara con la frecuencia) y
est libre de atenuacin.
La onda excitada en una estructura intradigital entre la seal elctrica y la onda acstica es un
sustrato piezoelctrico.
El sustrato es de cuarzo para frecuencias de 70Mhz, por encima de dicha frecuencia tambin se
usa el novato de Litio (Li Nb O3). La velocidad de propagacin de la onda es de 3157 m/s en el
cuarzo y 3488m/s en el Novato de Litio.
La estructura intradigital se comporta como un filtro digital donde la separacin entre dientes
Di, del peine, es un retardo y la superposicin Ai representa el acoplamiento.
El valor de la frecuencia central del filtro pasabanda fo se determina por la relacin:
Fo = Vf / = Vf / 2D
Donde Vf es la velocidad de fase de la onda superficial.
Se pueden construir filtros que responden a la ley del coseno elevado con roll-off tan bajos
como 0.2 y atenuaciones mayores a 45db fuera de banda. La tecnologa SAW se limita a
frecuencias entre 10Mhz y 1000Mhz, porque no puede usarse en RF de microondas. No
requieren ajustes y son de gran estabilidad y reproductividad. Reemplazan en FI a los
tradicionales filtros LC. En RF los filtros son de cavidad resonante.
7. Como se determina el ancho de banda del filtro SAW
El ancho de banda B es:
B = 1/ = Vf/L = Vf / 2.N.d
L: es la longitud total
: duracin de la respuesta impulsiva acstica.
N: nmero total de entradas en la estructura
8. En los sistemas transceptores de MO, se utilizan los osciladores resonantes
dielctricos por su alta performance. Explique y justifique dichas cualidades.
El DRO (Oscilador Resonador Dielctrico) es un oscilador de MO estabilizado mediante una
cavidad resonante dielctrica. Consiste en amplificador FET de GaAs y un filtro compuesto por
una cavidad metlica y un dielctrico interno. Un acoplador permite obtener un punto de
monitoreo de frecuencia y nivel. Un circulador de tecnologa HMIC asla la salida del DRO
cuando se encuentra sin carga.
Un diodo varactor permite el ajuste de la red oscilante para el control de frecuencia ante
variaciones de la temperatura.
Ventajas:
Dispone de un Q muy elevado
Bajo costo y tamao
Produce respuestas pequeas a variaciones de temperatura y humedad
Ofrece gran estabilidad a largo plazo
9. Cul es la funcin del circuito APC como parte del DRO?
Para obtener la estabilidad el DRO debe poseer un control de temperatura mediante un diodo
varactor. El diodo varactor en tal situacin se halla anexo a la cavidad y el APC que sirve para
alimentarlo, compara la fase proveniente de la cavidad con la de un oscilador a cristal colocado
fuera del DRO.
10.Defina las tres causas de alinealidad de los amplificadores a FET. Explicar cmo se
ajusta el predistorsionador para corregir esta anomala.
En los amplificadores a FET de GaAs existen 3 causas de alinealidad
la alinealidad de la capacidad de la juntura puerta-fuente.
la alinealidad de la transcondutancia
la alinealidad de la impedancia de salida.
Las alinealidades afectan las caractersticas de transferencia del amplificador produciendo el
ruido de intermodulacin.
Para reducir la intermodulacin se recurre a 2 mtodos, siendo uno de ellos el ajuste del
predistorsionador, esto se hace utilizando un circuito que trabaja a nivel de FI antes del
conversor del transmisor para controlar y ajustar la distorsin que se suma a la FI original, o
sea, una distorsin igual y opuesta al resto de los circuitos.
11.Explique el principio de un oscilador controlado por diodo GUNN
Los osciladores Gunn usan dispositivos terminales basados en un fenmeno conocido como
efecto electrnico transferido
Algunos materiales como el GaAs exhiben la propiedad de movilidad diferencial negativa, esto
es, la reduccin de la velocidad de portadores en el incremento del campo elctrico, cuando
este supera un valor umbral ET. Esta caracterstica del GaAs puede utilizarse para generar
microondas o amplificar. Los diodos Gunn no requieren presencia de una unin p-n.
Al aplicar la polarizacin al diodo por encima de ET se genera una oscilacin espontnea que es
mantenida luego debido al efecto electrnico transferido.
Dos circuitos se usan comnmente:

Circuito con cavidad coaxial

Circuito con cavidad de gua de onda rectangular

12.El diodo Gunn funciona como oscilador en la frecuencia de MO. Cmo se regula su frecuencia
de oscilacin?
Se emplea una varilla de sintona, la cual sintoniza mecnicamente la cavidad y hace que la
frecuencia cambie linealmente con la profundidad del mbolo. La varilla requiere un buen
contacto elctrico con las paredes de la cavidad o bien con una bobina para evitar fugas de RF.

13.Explicar los tres parmetros temporales que definen los diferentes modos de operacin de los
dispositivos electrnicos transferidos. Adems, detalle dichos modos de operacin.
Constante de tiempo de crecimiento de dominio: tiempo de relajacin dielctrica en la regin de
movilidad negativa.

donde TD depende del campo Mr = 7000

Tiempo de relajacin dielctrica Td: rgimen de movilidad pasiva. Si Td<<TD significa que el
descenso de carga es mucho ms rpido E<ET comparado con su crecimiento E > ET.
Tiempo de trnsito (Tt): tiempo que tarda un dominio maduro para ir de ctodo a nodo.
Estos tres parmetros temporales son tiles para estudiar diferentes modos de operacin de
dispositivos electrnicos transferidos.
Modos de tiempo de trnsito:
Este modo existe cuando el dispositivo se opera con un bajo Q del circuito con un voltaje de
polarizacin justamente arriba del umbral. Se forman dominios estables. El periodo de
oscilaciones es igual al tiempo que toma el dominio para ir de su punto de nucleacin al nodo.
Tan pronto como el dominio se conecta en el nodo, el voltaje flucta alrededor del nivel de
umbral y el ciclo se repite.
Modo de dominio extinguido y de dominio demorado.
Considrese un TED que se coloca en una cavidad resonante de Q alto y polarizado en la regin
de polaridad negativa. El voltaje V(t) a travs del dispositivo es la suma del voltaje de
polarizacin Vb y el valor instantneo del voltaje de RF y se escribe como:
V(t) = Vb + V1*cos(wt+tita).
El periodo de oscilacin es
.
Si V1 es comparable a Vb, el voltaje total V(t) puede fluctuar abajo del de umbral durante
partes del ciclo y dar lugar a un colapso o a evitar la nucleacin de un nuevo dominio.
Son posibles los siguientes dos modos:
a) Modo de dominio extinguido TD<To>Tt:
Como To>TD, un dominio que nuclea en el ctodo cuando el voltaje flucta arriba del valor de
umbral tiene el tiempo suficiente de madurar, pero como To < Tt, el voltaje oscilar debajo de
VT antes que el dominio llegue al nodo. Cuando el voltaje flucta debajo de Vs (voltaje de
sostn) que es menor a VT, el dominio se extinguir antes de alcanzar el nodo. El tiempo de
vida del dominio depende de la polarizacin y las fluctuaciones de RF (y Q del circuito) y la
relacin entre To y Tt.
b) Modo de dominio demorado TD <Tt<To:
Cuando Tt es menor que To, un dominio puede alcanzar el nodo antes que el voltaje caiga
debajo de Vs. El dominio siguiente no nuclear antes que el voltaje exceda al valor de umbral.
Por tanto el resonador demora la formacin de los dominios y este modo se denomina
inhibido o demorado.
Modo de acumulacin de carga de espacio limitada (T<<To<TD):
El dispositivo de transferencia electrnica se coloca en un resonador sintonizado a la frecuencia
fo, donde fo es varias veces la frecuencia de trnsito. El dispositivo se polariza bastante arriba
de Vt, y pasa la mayor parte del ciclo de RF dentro del rgimen de movilidad negativa y no
puede formarse la carga de espacio.
14.Explicar las dos estrategias utilizadas para obtener RF en funcin de la FI y el OL
Una sola FI y dos OL distintas
Se toma la banda 6430-7110Mhz que posee 8 portadoras en cada sub-banda (ida y vuelta)
separadas por 40Mhz cada una. Si seleccionamos la portadora 3 para trasmisin queda
determinada la 3 para la recepcin. El OL se ubica a 70Mhz de distancia para contemplar una
FI de 70Mhz. Las portadoras 1 a 4 usan OL-FI, mientras que las portadoras de 5 a 8 usan OL+FI.
Es decir el OL por encima y por debajo de la FI, respectivamente.
Un solo OL y dos FI distintas

Se muestra la banda de 1427-1525Mhz con 22 portadoras separadas por 2Mhz. En este caso el
OL de transmisin y recepcin es el mismo de forma tal que la FI es distinta (70 y 124MHZ).
El 1er ejemplo se usa siempre en media y alta capacidad, y el segundo puede usarse algunas
veces en baja capacidad, ya que aunque es ms simple ya que un solo OL sirve para ambas
direcciones, la FI es distinta e impide efectuar mediciones de linealidad y retardo de grupo en la
FI. Esto es solo posible si la banda de transmisin es estrecha (es decir en baja capacidad) y
donde no se requiere el ajuste debido a las distorsiones.
15.En un TWT, indicar la funcin campo magntico, campo elctrico, espira, colector y
qu factores limitan el ancho de banda y su eficiencia?
Ancho de banda: depende de:
La variacin de la longitud elctrica de la hlice con la frecuencia (la longitud elctrica es la
relacin entre la longitud fsica de la hlice y la longitud de onda).
La dificultad de conseguir la adaptacin de impedancia perfecta en el Terminal de salida, para
un ancho de banda grande.
Potencia:
La tensin de hlice VH y la corriente mxima de ctodo determinan la cantidad mxima de
electrones que pueden ser emitidos (en unidad de tiempo), estos son los parmetros que
determinan la potencia mxima.
El ajuste de potencia de salida se hace, para una determinada tensin de hlice VH fija,
variando la tensin de nodo que es el que controla la corriente de ctodo.

Po
PF PH PC

Eficiencia de un TWT:
La eficiencia de un TWT se define como:
Donde:
Po = potencia de salida de RF
PF = VF.IF = potencia disipada en el filamento
PH = VH.IH= potencia disipada en la hlice
PC = VC. IC=potencia disipada en el colector
La tensin de la hlice VH (que fija la velocidad inicial del haz) y la corriente mxima de ctodo
(que fija la cantidad mxima de electrones que pueden ser emitidos por unidad de tiempo)
determinan la potencia mxima del TWT.
16.Describa la accin de un TWT como amplificador y describir las formas principales de
distorsin de dicho tubo
En un TWT, el haz electrnico debe viajar una distancia mucho mayor y es necesario un
mecanismo de enfoque para evitar que se disperse el haz. El mtodo de enfoque consiste en la
aplicacin de un campo magntico esttico longitudinal a lo largo del eje del haz.
La onda que se propaga a lo largo de la estructura debe tener una componente de campo E
paralela al haz, de manera que haya lugar interaccin continua entre las ondas y el haz. La
hlice es la estructura ms utilizada.
A medida que la onda de RF viaja desde la entrada del TWT hacia la salida, participa de una
interaccin acumulativa con el haz electrnico.
Los campos elctricos de RF en la estructura de onda lenta, hacen que algunos de los
electrones se aceleren y que otros se desaceleren. Como resultado, los electrones reciben una
modulacin de velocidad peridica, aproximadamente en fase con los campos elctricos de RF.
As, los electrones forman grupos que aparecen como regiones en las que el haz es ms
denso, separadas por regiones en las que es menos densa.
Debido a los campos aceleradores y desaceleradores, los grupos de electrones tienden a
concentrarse delante de los campos aceleradores y detrs de los desaceleradores.
La velocidad media del haz es ligeramente mayor que la onda de RF, la mayora de los
electrones desaceleraran. A medida que pierden velocidad pierden parte de su energa cintica,
la cual se transforma en energa RF, producindose un aumento de la amplitud de la onda de
RF.
Si la velocidad del haz fuese inferior a de la onda, la transferencia de energa sera de la onda
al haz.
La velocidad del haz electrnico lo determina la diferencia de FEM entre el ctodo y la
estructura de onda lenta.
Formas de distorsin:
Distorsin de amplitud: Debido a la caracterstica no lineal de entrada salida de potencia, que
produce una compresin de amplitud a medida que aumenta la potencia d entrada, con la
consiguiente generacin de productos de intermodulacin no deseados.
Distorsin de fase: La variacin de fase del tubo cuando se cambia la potencia de entrada,
produce productos de intermodulacin no deseados.
17.Explique y justifique cmo es posible modular en FM por medio de un Klistrn Reflex.
La suceptancia electrnica B ejerce un efecto sobre la frecuencia. B depende del tiempo de
transito t0, que a su vez depende de la tensin del repeledor y de la tensin andica, estas
tensiones afectan la frecuencia de oscilacin. Este fenmeno se conoce como sintona
electrnica y permite efectuar pequeas correcciones de la frecuencia de oscilacin y obtener
la modulacin por frecuencia de la oscilacin generada.
18.El Klistrn Reflex se utiliza normalmente como oscilador. Explique y justifique la
condicin de oscilacin que se debe satisfacer para producir dicho efecto.

Un Klystron reflex utiliza un resonador de cavidad nica y funciona como oscilador. Sus partes
son: 1) can electrnico 2) resonador 3) repulsor 4) acoplamiento de salida.
El electrodo de repulsin se encuentra a potencial negativo y regresa hacia la cavidad
resonante el haz electrnico parcialmente agrupado. Esto proporciona un mecanismo de
retroalimentacin positiva que sustenta a las oscilaciones.
to

2mdvo
eVr

El tiempo to que toma a los electrones para regresar al resonador es:

Puede notarse que to es directamente proporcional a la velocidad inicial vo.
El fenmeno de agrupamiento de un Klystron reflex se puede visualizar estudiando las
trayectorias electronicas entre el resonador y el repulsor.
Los agrupamientos de electrones suministran potencia al resonador si pasaran a travs de l en
un instante en que el campo retardara el grupo. La condicin se satisface para to = (n + )T.
Hay varios valores de to que satisfacen la condicin de oscilacin, que corresponden a varios
modos de un Klstron reflex.
Si el grupo regresara a la cavidad un poco antes del instante dado por to = (n + )T, la
corriente va en retardo respecto al campo y al circuito se le ofrece una reactancia inductiva. Si
el grupo regresara ligeramente despus de to, al circuito se le ofrece una reactancia capacitiva.
La admitancia presentada al circuito externo por los montones en el entrehierro se puede
expresar mediante el circuito equivalente:

Cuando se satisface la condicin para la oscilacin, G se hace negativa.

Las oscilaciones ocurren siempre que |Ge| sea mayor que Gext, conductancia de los circuitos
externos. Si jB es negativa, las oscilaciones se presentan en una frecuencia ms elevada que la
de resonancia de la cavidad, mientras que los valores positivos de jB, corresponden a una
frecuencia ms baja que la frecuencia resonante de la cavidad.
19.Explique cmo es posible aumentar el ancho de banda y la potencia dentro de la
estructura de un Klistrn
Ancho de banda: utilizando una o ms cavidades intermedias sintonizadas apropiadamente.
Potencia: se insertan una o ms cavidades adicionales entre las cavidades de agrupacin y
recoleccin. Esto contribuye al proceso de agrupamiento e incrementa la amplificacin que se
puede obtener en el tubo, elevando su eficiencia.
20.Como se logra mantener la oscilacin del klistron rflex
IGUAL QUE EL TEMA 18
21.En un magnetrn, explique cmo se mantiene la oscilacin y se logre extraer la
mxima potencia de la misma
El funcionamiento del magnetrn como oscilador puede ser analizado de la siguiente manera:
Si ninguna fuerza adicional actuase sobre el haz de electrones en el interior del magnetrn,
habra un flujo simple del ctodo hacia el nodo. Sin embargo, existen potentes imanes que
actan sobre el haz de electrones, que tiende entonces a describir un espiral. El movimiento de
los electrones es responsable de la induccin de una corriente alternada en las cavidades,
cuando un electrn se aproxima al segmento entre dos cavidades, son inducidas cargas
elctricas en el segmento. Los movimientos de los electrones y la induccin de las cargas
pueden ser analizadas como si existiesen circuitos resonantes en los segmentos. Los electrones
hacen una espiral, tomando la forma de una rueda con rayos, induciendo cargas muchos
mayores y generando potencias elevadas. Los circuitos resonantes son constantemente
excitados mantenindose en oscilacin en la frecuencia que les corresponde.
Hay un mecanismo de enfoque que tiende a mantener los electrones activos en una posicin tal
que se entrega la mxima energa a las oscilaciones. Un electrn que entrega alguna energa a
la oscilacin, pero que ha sido emitido demasiado tarde y no se halla en la posicin ms
favorable para que su contribucin sea mxima. Este electrn sufre la accin del campo
elctrico de RF en el mismo sentido que el campo elctrico estacionario, por lo que se adecua y
favorece su tendencia hacia la condicin ptima.
El electrn que adelantado respecto a la posicin ptima para la transferencia mxima de
energa, encuentra un campo radial que se opone a la tensin andica que acta sobre l, el
electrn se retarda y tiende hacia la posicin ptima. Por lo tanto los electrones tienden a
formar grupos centrados alrededor de los electrones ubicados en la posicin de mxima
transferencia
22.Explicar el funcionamiento del acoplador direccional de un agujero y dar su
aplicacin en el sistema ramificacion del transceptor.
En la situacin elctrica, el campo elctrico en la gua superior tiene sentido inverso al campo
excitador (de la gua inferior). Debido a que el campo elctrico es variable en el tiempo,
produce la aparicin de campo magntico asociado, resultando dos ondas que propagan en la
gua superior, una en cada sentido. En la excitacin magntica, el campo magntico acoplado,
variable en tiempo, implica la existencia de un campo elctrico asociado causando tambin la
aparicin de dos ondas progresivas.

En la direccin del puerto 4, los campos resultantes de las excitaciones elctricas y magnticas
tienen el mismo sentido y se refuerzan, siendo que en la direccin del puerto 3, estos campos
tienen sentidos contrarios. Si las amplitudes de los campos resultantes de los acoplamientos
elctricos y magnticos fuesen iguales, no habr propagacin en el sentido de la puerta 3 y
solamente en el sentido de la puerta 4, consiguindose un acoplador ideal.
23.Explicar el funcionamiento del acoplador direccional de dos agujeros y dar su
aplicacin en el sistema ramificacion del transceptor
El tipo ms comn de acoplador direccional consiste de dos guas de onda adyacentes, de tal
suerte que comparten una pared comn.

Los dos orificios se colocan a una distancia uno de otro igual a un cuarto de la longitud de onda
de la gua. Cuando se excita una de las guas de onda, el campo acoplado a travs de cada
orificio excita ondas en la otra gua. Cada orificio excita dos ondas: una que viaja hacia la
izquierda y la otra hacia la derecha. Cuando los orificios se colocan a la mitad de la pared
comn, las dos ondas sealadas tienen igual magnitud. Dado el espaciamiento de un cuarto de
onda entre los dos orificios, las dos ondas que viajan hacia la izquierda estn desfasadas entre
s en 180 y se cancelan mutuamente. Las que viajan hacia la derecha estn en fase y se
refuerzan as una de otra. De este modo, hay salida en el puerto 4 y no se acopla potencia al 3.
La cantidad de potencia acoplada al 4 depende de las dimensiones de los orificios en la pared
comn.
El acoplador de dos orificios opera satisfactoriamente slo en una frecuencia, correspondiente
al espaciamiento de un cuarto de onda entre orificios.
24.Cul es el principio de funcionamiento del acoplador direccional compuesto de dos
secciones de gua de onda acopladas a travs un orificio? Cmo se consigue
aproximar este acoplador a la condicin ideal?
Un acoplador direccional es una red de cuatro puertos, que se usa para muestrear una fraccin
conocida de la potencia de microondas que fluye en una direccin particular.
Cuando una onda viaja del punto 1 al 2, aparece una fraccin determinada de esa potencia en
el 4 y no hay salida en el 3. Inversamente, si la onda va del 2 al 1, aparecer una fraccin de
esta seal en el 3 y no habr salida en el 4.

En la prctica el acoplamiento magntico es ms intenso que el acoplamiento elctrico,

entonces, para conseguir el efecto de cancelacin en la direccin de la puerta 3, se disminuye
la intensidad del acoplamiento magntico desplazando el eje de una gua respecto al de la otra
en un ngulo . As el campo resultante del acoplamiento magntico queda multiplicado por el
factor cos, pudiendo ajustarse de forma a tener un acoplador direccional ms prximo al ideal.
25.Explicar cmo funciona los conmutadores a diodo PIN
La operacin de los conmutadores se puede representar en trminos de dos importantes
parmetros: la prdida de insercin y el aislamiento. La prdida por insercin es la razn en dB
entre la potencia incidente a la entrada y potencia transmitida por el conmutador cuando ste
se encuentra en la posicin de encendido. El aislamiento es medida de la potencia transmitida
por el conmutador cuando est apagado.
Para aplicaciones en conmutacin los diodos PIN se pueden conectar en las lneas de
transmisin en dos formas, denominadas configuraciones paralelo y serie.
Conmutador conectado en paralelo: esta encendido cuando el diodo tiene polarizacin
inversa (alta impedancia) y apagado cuando esta polarizado directamente (baja impedancia).
Conmutador conectado en serie: est encendido cuando el diodo se encuentra directamente y
apagado cuando lo est inversamente.
26.Esquematice y explique cmo funciona el limitador a diodo PIN
Dos diodos PIN se conectan en paralelo en una lnea de transmisin, separados /4, para que se
cancelen las reflexiones y se obtenga una razn de onda estacionaria baja. La bobina
proporciona una trayectoria de regreso para la corriente de autopolarizacin.
En el lmite, el voltaje de umbral en el diodo es igual al potencial Vi de unin interna. En altos
niveles, el voltaje a travs del diodo excede al potencial de unin interno Vi y la resistencia del
diodo es muy baja. El circuito acta como conmutador cerrado y la potencia que incide se
refleja.

Se usan para proteger los sistemas de microondas que tienen amplificadores sensitivos,
mezcladores, detectores, muestreadotes, etc.
27.Como se logra mantener constante la impedancia de entrada de un atenuador
variable a diodo PIN
Cuando la impedancia de entrada permanece constante, el atenuador se conserva acoplado
dentro de su rango de operacin. La manera de realizar lo anterior es tener una red , formada
por tres diodos PIN para R1, R3 yR1, respectivamente. Con ZA se designar la impedancia de la
red hacia la derecha de AA, donde
.
Para el acoplamiento, la impedancia de la red debe ser igual a la impedancia de la fuente.

La razn de atenuacin es:

Al sustituir ZA se tendr:
Las resistencias R1, R3 se pueden expresar en funcin de Zo y la razn K como sigue:

Estas ecuaciones dan la variacin de las resistencias de los brazos

28.Cmo se consigue que el diodo PIN acte como resistencia variable?

El diodo PIN tiene alta resistencia con polarizacin inversa y muy baja con polarizacin directa,
con valores mucho ms altos o mucho ms bajos en comparacin con las impedancias de
lneas de transmisin. El diodo PIN se comporta como elemento en circuito abierto o en
cortocircuito bajo dos condiciones de polarizacin, respectivamente.
O sea la resistencia que presenta el diodo PIN depende de la polarizacin.
Si la polarizacin es directa se tiene una inyeccin de portadores en la capa , los electrones se
le inyectan procedentes de la capa n y los huecos de la capa p, los portadores se difunden a la
capa , disminuyendo su concentracin con la profundidad dentro de la capa, en virtud de la
recombinacin. La difusin de portadores hace que sus concentraciones en esa capa crezca
por arriba de sus niveles de equilibrio y que su resistencia caiga en la medida que se
incremente la polarizacin directa.
Si la polarizacin es inversa, las regiones de carga en la capa p y n se hacen ms amplias y la
regin de deplexin en la capa se hace ms gruesa hasta que la capa quedas libre de
portadores mviles, y la resistencia del diodo aumenta.
29.Cmo se consigue que el diodo PIN acte como desplazadores de fase?
Haciendo que este funcione como un conmutador, especficamente el conmutador de un polo
de doble tiro (SPDT), que se utiliza en los desplazadores digitales (desplazador digital de tipo de
transmisin, el de tipo de reflexin).
El desplazador de fase es un cuadripolo en el que el corrimiento de fase de la seal que va de
un puerto a otro se puede controlar. Los desplazadotes de fase controlados elctricamente
emplean diodos o ferritas magnetizadas.
Son tiles dos tipos de desplazadores de fase.
Cuando el corrimiento de fase se puede cambiar en forma contnua o analgica, este tipo se
usa mucho en puentes e instrumentos de microondas. El desfasador de variacin contnua se
puede disear terminando una lnea en una reactancia variable.
Desfasador digital: se usa en antenas con disposicin de fase. Se pueden disear usando
conmutadores y secciones de lnea de transmisin. Hay dos posibles configuraciones: de
transmisin y de reflexin.
Los desfasadotes de tipo transmisin usan dos SPDT. Dependiendo de la polarizacin que se
aplica a los conmutadores, la transmisin de seal puede seguir la trayectoria A o la B. Cuando
la seal de conmuta de la trayectoria A a la B, la salida sufre un desfasamiento de l radianes,
de esta manera se tienen dos valores discretos de corrimiento de fase. A esta configuracin se
le llama desfasador digital de un bit.

El desfasador digital de tipo reflexin, emplea un circulador y un conmutador SPST. Con el

conmutador abierto, la entrada en el puerto 1 se acopla al 2; viaja una distancia B/2 al
cortocircuito y regresa,
apareciendo como salida en el puerto 3. Cuando se cierra el
conmutador SPST, la distancia al corto reflector se reduce en A/2 y la salida experimenta un
desfasamiento de:
( B A) l

Esta configuracin vuelve a ser el desfasador digital de un bit.

30.Determine los criterios de seleccin entre los amplificadores en MO del TWT,
Klistron y FET.
Amplificador TWT:
Banda de paso ancha y caractersticas de ruido bajas. Se usan en sistemas de comunicacin de
MO.
Ancho de banda: depende de:
-La variacin de la longitud elctrica de la hlice con la frecuencia.
- Dificultad de conseguir adaptacin de impedancia perfecta en el Terminal de salida, para un
ancho de banda grande.
Potencia:
La tensin de hlice VH y la corriente mxima de ctodo (IKmax) determinan la cantidad
mxima de electrones que pueden ser emitidos (en unidad de tiempo), estos son los
parmetros que determinan la potencia mxima.
El ajuste de potencia de salida se hace, para una determinada tensin de hlice VH fija,
variando la tensin de nodo quien es el que controla la corriente de ctodo IK
Formas de distorsin:
Distorsin de amplitud: Debido a la caracterstica no lineal de entrada salida de potencia, que
produce una compresin de amplitud a medida que aumenta la potencia d entrada, con la
consiguiente generacin de productos de intermodulacin no deseados.
Distorsin de fase: La variacin de fase del tubo cuando se cambia la potencia de entrada,
produce productos de intermodulacin no deseados.
Amplificador Klystron:
* Se usan bastante como fuentes de microondas
*Los amplificadores a Klystron que emplean dos o ms pueden adquirirse en diversas
dimensiones, que van desde unidades capaces de entregar decenas de miliwatt hasta varios
centenares de kilowatt de potencia de salida amplificada.
*Los amplificadores a klystron se basan en el principio de conversin de la energa cintica de
corriente continua de haz en energa de radio frecuencia
Amplificador FET:
*Su funcionamiento depende nicamente del flujo de portadores mayoritarios. Es por tanto un
dispositivo unipolar.
*Es relativamente inmune a la radiacin
*Tiene una resistencia de entrada alta, tpicamente del orden de los mega ohm
*Tiene menos ruido que un tubo o un transistor bipolar.
*No presenta tensin de umbral para corriente de drenador cero
*Es estable trmicamente
Desventaja: su producto ganancia ancho de banda es relativamente pequeo respecto al que
puede obtenerse con el transistor convencional.
31.Determine los criterios para la seleccin tanto como HPA o como LNA de los
amplificadores de MO entre el klistrn, el TWT y el FET.
HPA: amplificadores de de alta potencia
LNA: amplificadores de baja potencia
Mejora la distorsin producida por la intermodulacin en los amplificadores de MO. Mejora la
potencia de salida.
Los TWT (LNA) de alta potencia generalmente son inferiores a los de Klistron en cuanto a
linealidad de fase, pero mejores en cuanto a ancho de banda y estabilidad.
En los TWT la atenuacion progresiva de la ganancia en funcion de la frecuencia no ocurre con
rapidez como ocurre en los Klistrones.
Ventajas que ofrecen los amplificadores de potencia de estado slido (SSPA) (utilizan los FET de
GaAs) frente a los TWTA:
-baja potencia primaria.
-desfasaje pequeo
-menos peso.
- mayor fiabilidad y vida util mas larga.
- mejor comportamiento de las no linealidades del desfasaje y de las caracteristias de
transferencia de ganancia.
Pero tienen potencia limitada.
32.Explicar el funcionamiento del circulador de 3 puertos. Es posible obtener un
circulador de 4 puertos combinando dos circuladores de 3 puertos? Se puede utilizar
un circulador de 4 puertos como uno de 3?
La componente de ferrita ms comnmente usada es un circulador de unin tres puertos en
configuraciones de gua de onda o de lnea de franjas.

En la configuracin de gua de ondas se tiene un disco de ferrita colocado simtricamente

respecto a los tres puertos. En la configuracin de lneas de franjas, hay dos cilindros de ferrita,
uno a cada lado de la ferrita.
En resonancia del disco de ferrita cilndrico es un aspecto clave en la operacin de este
circulador. El modo de resonancia a la ms baja frecuencia de la estructura de disco es el modo
bipolar.
Para este modo, los vectores de campo elctrico son perpendiculares al plano del disco y los
campos magnticos paralelos al plano del disco. Esta configuracin se excita en el puerto 1,
para el caso no magnetizado.
Para la configuracin de lneas de franjas: el disco de ferrita interior se comporta como imagen
de espejo del superior.
El anlisis realizado est en trminos de un solo disco. Son iguales las componentes de campo
elctrico en los puertos 2 y 3. Si este patrn de campo gira, el puerto 3 se sita en el nulo del
campo elctrico y las componentes de campo elctrico en los puertos 1 y 2 son iguales en
magnitud. El dispositivo equivale ahora a una cavidad de transmisin entre los puertos 1 y 2 y
el 3 queda aislado.

Cuando el grado de diferencia se ajusta para que los ngulos de fase de las impedancias de los
2 modos sean de 30 respecto al existente en el caso no magnetizado. El modo que posee la
componente de reactancia inductiva, tendr su mximo de voltaje en adelanto respecto al
mximo de corriente (o campo H) en el puerto de entrada en 30 de fase temporal, que es
tambin 30 en fase espacial para este modo. Por tanto, los dos mximos de voltaje coincidirn
en un punto a 30 del puerto de entrada.
Esta rotacin de 30 transporta el nulo del campo E del patrn al puerto 3, tal que no existe
voltaje en este campo.
Para la potencia que penetra por el puerto 2, el dispositivo acta como cavidad de transmisin
con potencia que emerge del puerto 2.
Dado que el dispositivo simetra total, cualquier potencia que entre al puerto 2 establecer un
nuevo conjunto de modos similares, emergiendo potencia de 3 con el 1 aislado. De la misma
manera, la potencia que entre al 1 y el 2 queda aislado.
Este tipo de circulador es una componente muy verstil en frecuencias de microondas. Adems
de usarse como circulador, se puede emplear tambin como aislador (terminando uno de los
puertos con una carga acoplada) o como conmutador (invirtiendo el H).
Circulador de 4 puertos combinando dos circuladotes de 3 puertos:
Cualquier circulador de 4 puertos se puede convertir en uno de 3 puertos, terminando uno de
ellos en un cortocircuito perfecto. Tambin se puede obtener un circulador de 4 puertos
combinando dos circuladores de 3 puertos.
33.Esquematice un amplificador paramtrico degenerado y no degenerado. Destaque
sus diferencias.
Amplificador paramtrico degenerado

Amplificador Paramtrico no Degenerado

En relacin al amplificador paramtrico degenerado, el no degenerado presenta una malla

adicional conocida como circuito auxiliar (idler). Este circuito resuelve el problema de
sensibilidad para variaciones de fase de la seal de entrada.
34.Defina los tiempos de transito de emisor a colector en un transistor de MO
a. Tiempo de carga de emisor: producto de la resistencia por la capacitancia de transicin de la
unin base-emisor polarizada positivamente: e = re.Ce.
Constituye fraccin considerable del tiempo de trnsito total.
b. Tiempo de trnsito de base: Cuando la base se encuentra uniformemente impura, el trnsito de
portadores slo tiene lugar por difusin. Si D es la constante de difusin y W la anchura de la
base, se tiene: b = W/2D.
c. Tiempo de trnsito de carga sc de colector: Con la polarizacin de operacin, la capa de
deplexin en la regin del colector posee una anchura finita, determinada por la concentracin
de impurezas en el cuerpo del colector y por el voltaje inverso aplicado a la unin colector-base.
Si la anchura de deplexin es X y la velocidad de saturacin de los portadores es vs, el tiempo
de trnsito ser: sc = X/vs
d. Tiempo de carga de colector c: La constante de tiempo es un producto RC, donde rc es la
resistencia en serie con la capacitancia de capa de deplexin de colector Ci. c = rc.Ci
Esta constante es uno de los mayores factores que limita la respuesta en frecuencia.
El tiempo de transito se puede reducir mediante: reduciendo el tiempo de carga del emisor, con
una contaminacin no uniforme en la regin de base y con un colector epitaxial, para reducir la
resistencia serie de colector.
35.Defina los parmetros que se tienen en cuenta en un mesclador
perdida de conversin
potencia
aislacion
perdida por retorno
linealidad
retardo de grupo
intermodulacion
figura de ruido
armnicos
36.Defina el Back off de un amplificador de MO
Consiste en hacer trabajar los amplificadores en la zona de transferencia lineal reduciendo la
potencia de salida en un valor determinado Back-off. Se define como la diferencia entre la
potencia de saturacin del amplificador y la potencia realmente obtenida.
37.Esquematice y justifique el mezclador balanceado del tipo con supresin de
frecuencia imagen (IRM)
El IRM es usado en el transmisor (up-converter) para llevar la FI a RF y en el receptor (downconverter) para la operacin inversa. Al up-converter ingresan el FI y el OL
Se tienen dos circuitos acopladores hbridos que entregan a la salida la seal con 3dB de
atenuacin y 90 de desfasaje. En el caso de la FI al desfasaje puede ser de 90. Se utilizan
diodos como elementos alinales y producen el producto de las seales de entrada: (FI OL) y
((FI90).(OL 90))
Como resultado se obtiene los siguientes aspectos:
-La seal G=E+F es OLFI de acuerdo con el signo elegido en FI90, por ello el mezclador
suprime la frecuencia imagen.
- se cancelan las nter modulaciones del tipo (2f1-f2) y (2f2-f1).
-cuando no hay FI, el OL se cancela a la salida y no hay potencia de RF.
En el down-converter, cuando no hay RF se anula la FI y hay un silenciamiento en el receptor.

38.Esquematice la configuracin del branching (ramificacin) de un transceptor de MO

El circuito de branching es aquel que direcciona mediante circuladores y filtra la seal de
microondas a la salida del transmisor y a la entrada del receptor y que luego se transporta
hasta el feeder o alimentador de antena mediante un cable coaxial o una gua de ondas. Los
elementos del branching son los filtros y los combinadores. Los filtros son cavidades resonantes
metlicas con tornillos que penetran en la cavidad para cambiar la frecuencia de sintona. La
salida desde el equipo transreceptor hacia el circuito de branching se efecta a travs de un
conector cuyo tipo no es nico, aunque pueden distinguirse principalmente 3 tipos: BNC (hasta
2 GHz), N (hasta 18 GHz) y SMA (frecuencias superiores a 2 GHz y hasta 24 GHz).
39.Determine los criterios de seleccin entre el diodo YIG, Gunn y Varactor
Diodo Yig
* Las prdidas llegan a ser excepcionalmente bajas, por eso se las pueden utilizar como
resonadores.

* La frecuencia de resonancia se puede variar cambiando a Ho. As se tiene un resonador cuya

frecuencia se puede variar electrnicamente dentro de un rango amplio.
* Un oscilador importante usado en microondas se basa en un filtro pasabandas YIG. Se usa en
ciertos analizadores de espectros para obtener mediante etapa un ancho de banda de 50 MHZ
constante entre 3 y 23 GHZ.
Diodo Gunn:
* Se basan en el fenmeno de movilidad diferencial negativa, es decir, reduccin de la
velocidad de portadores con el incremento en el campo elctrico.
*La caracterstica de movilidad diferencial negativa se puede utilizar para amplificar o generar
microondas.
A diferencia del diodo Tunel o el Impatt, los dispositivos electrnicos transferidos no requieren la
presencia de una unin p-n
40.Determine los criterios de seleccin para utilizar entre el diodo PIN, Gunn y tnel
Diodo PIN:
*Es un elemento de control til en frecuencias de microondas
*Para alcanzar su caracterstica de operacin, es esencial para el diodo PIN que el tiempo de
vida de los portadores en la capa sea mayor que el periodo de la frecuencia de de operacin.
Por ello los diodos PIN no se pueden emplear con utilidad en frecuencias de radio bajas.
*El efecto de control de portadores variando la polarizacin positiva, se conoce como
modulacin de conductividad, este fenmeno representa el papel principal en el uso de los
diodos PIN como atenuadores.
*Son muy utilizado en aplicaciones como: conmutadores, desplazadores de fase, limitadores y
moduladores.
Diodo GUNN:
*Se basan en el fenmeno de movilidad diferencial negativa, es decir, reduccin de la velocidad
de portadores con el incremento en el campo elctrico.
*La caracterstica de movilidad diferencial negativa se puede utilizar para amplificar o generar
microondas.
*A diferencia del diodo Tunel o el Impatt, los dispositivos electrnicos transferidos no requieren
la presencia de una unin p-n
Diodo Tnel:
*Es un dispositivo semiconductor que tiene una concentracin de impurezas muy grande. La
anchura de la barrera de unin es muy estrecha, existe una gran probabilidad de que un
electrn penetre a travs de ella (efecto tnel).
*Una aplicacin del diodo tnel es como conmutador de muy alta velocidad.
* ventajas: bajo precio, poco ruido, sencillez, velocidad alta, inmunes al medio exterior y
pequea potencia.
* desventajas: pequea variacin de la tensin de salida y el hecho de que es un dispositivo de
dos terminales. Debido a esta ltima caracterstica, no hay aislamiento entre la entrada y la
salida, y esto presenta serias dificultades en el diseo de circuitos.
41.El funcionamiento de los FET de GaAs, se rige por cuatro factores que le permite
trabajar en MO. Explique las tecnicas para mejorar dicho efecto.
a. Mayor anchura de compuerta: existen varias tcnicas para aumentar el ancho de compuerta,
donde una de ellas es ligar con alambres varias celulas de FET en paralelo.
b. Reduccion al minimo de los parsitos elctricos, especialmente las inductancias comunes
entre conexiones: al aumentar el ancho de compuerta, se reducen las inductancias comunes de
las conexiones. Las resistencias y capacitancia parasitas son despreciables, debido a las
propiedades de los FET de GaAs.
c.Reduccion de la impedancia termica del dispositivo:
Para optimizar dicho efecto se utilizan disipadores de calor enchapados, o menos separacion
entre los dedos de compuerta.
d.Potencial elevado entre el anodo a la fuente, y entre la compuerta y el anodo:
La capacidad de control de potencia de un FET de GaAs depende mucho de los voltajes de
ruptura, esto se mejora optimizando las estructuras y materiales empleados.
42.En el oscilador resonante dielectrico Cmo se ajusta y se regula su frecuencia de
oscilacin?
Un diodo varactor permite ajustar la red oscilante para el control de frecuencia con variaciones
de la temperatura.
El ajuste de la frecuencia del DRO se realiza mediante el tornillo que penetra en la cavidad y
modifica la frecuencia resonante.
43.Explique el principio de funcionamiento del oscilador a YIG y esquematice su
utilizacin en guas de ondas tanto de una y de dos esferas.
El granate de hierro al itrio (YIG) es uno de los granates de hierro de tierra raros. Presentan
propiedades ferromagnticas semejantes a las ferritas comunes, pero con prdidas mucho
menores.
Las esferas de granate se pueden usar como resonadores. La frecuencia de resonancia se
puede variar cambiando a Ho. As se tiene un resonador cuya frecuencia se puede variar
electrnicamente dentro de un rango amplio.
Arreglo con una esfera: consiste de una esfera YIG en el centro de dos espiras cuyos ejes son
perpendiculares entre s y tambin al campo Ho de c.d.

Una de las espiras lleva la corriente de entrada de RF y la otra se conecta a la carga. Cuando
Ho es cero, existe un gran aislamiento de entrada salida, pues las dos salidas son
perpendiculares. Con la aplicacin de un Ho, aparece un vector de magnetizacin neto en la
direccin de Ho. La componente H, de campo magntico producido por la corriente de
excitacin en RF en la espira de entrada, hace que el vector de magnetizacin neto aparece
alrededor del eje z.
La componente de magnetizacin de RF resultante induce un voltaje en la espira de salida. En
frecuencias alejadas de la resonancia ferrimagntica y el voltaje que ella induce, son pequeos
y el aislamiento de entrada-salida es alto. Cuando la corriente de entrada es de frecuencia de
resonancia, Mr es mxima. En esta frecuencia, hay gran transferencia de potencia de la entrada
a la salida y la prdida por insercin es pequea.
Arreglo con dos esferas: Las dos esferas se colocan en la trayectoria de la seal de RF. La
seal puede pasar a travs del filtro YIG slo cuando las esferas estn en resonancia.

En frecuencias muy alejadas de la resonancia, el filtro YIG se comporta como corto circuito,
reflejando la mayor parte de la energa de RF hacia la fuente. Si se coloca un filtro de este tipo
en un circuito de retroalimentacin de un oscilador, se puede disear una fuente de seal
sintonizable elctricamente.
Los resonadores YIG se usan mucho en filtros de microondas sintonizables y en osciladores en
estado slido en microondas sintonizables.
44.Formule los parmetros cuasi estticos de la lnea micro strip y explique sus
ventajas e inconvenientes en el uso de este tipo de lnea
La lnea microstrip es interesante en el diseo y construccin de circuitos activos de
microondas.
El estar constituido por 2 conductores, la lnea microstrip permite la propagacin de seales de
RF sin bloquear las corrientes de continua.
Una ventaja importante de utilizar esta lnea es que las longitudes se reducen
considerablemente comparadas con sus valores en el espacio libre debido al confinamiento de
campos en el sustrato.
Toda lnea de transmisin uniformemente llena con un dielctrico soporta un modo bien
definido. Sin embargo, las lneas de transmisin parcialmente llenas no soportan un nico modo
de propagacin, en la lnea microstrip existe un cambio abrupto aire-dielctrico, lo que impide
que existan modos TEM, TE o TM puros. La aplicacin de tcnicas numricas de clculo permite
determinar la distribucin de campos en la lnea: la mayor parte de la energa se propaga a lo
largo de la lnea y la distribucin de campo es muy similar a la del modo TEM. Por ese motivo se
dice que en las lneas microstrip se propagan en modos cuasi-TEM.
La eleccin del sustrato dielctrico de la lnea microstrip no es sencilla por la gran variedad que
existe, cada uno con sus ventajas e inconvenientes.
Plstico: Son econmicos, fciles de manipular, tiene valores pequeos por lo que las
dimensiones del cto resonante, son grandes y el confinamiento del campo no es muy efectivo
Cermicos: tiene valores mas altos, menor rugosidad, menores perdidas, mas difciles de
manipular debido a su dureza, mas caros
Parmetros Cuasi- Estticos
Impedancia caracterstica
Para una Lnea de transmisin uniformemente llena con un dimetro dielctrico:
Zco=raiz(L/C)=vp*L= 1/(vp*c)
donde vp=velocidad de fase
Vp=1/raiz(LC)
Cuando se elimina el sustrato, se tiene una lnea de aire con vp=c0
Zc0=raiz(L/C1)=c0*L=1/(c0*C1)
C1 = capacidad por unidad de longitud
Zc0=1/c0*raz(1/(c*C1))
Permitividad efectiva eff
eff=(c0/vp)2
La impedancia caracterstica se puede escribir como Zc0=Zc01/raz (eff)

Cuando la lnea activa es muy ancha la estructura es muy similar a 1 lnea de lminas plano
paralelas y por consiguiente
ef = r. cuando la lnea es muy estrecha el campo esta compartido por el sustrato y por el aire
y en este caso eff = 0.5(r+1). Por consiguiente la permitividad efectiva vara en el intervalo
0.5(r+1)<= eff<=r
El factor de llenado q, que permite expresar la permitividad efectiva como
eff = 1 + q(r+1); con 0.5<=q<=1
Longitud de onda y longitud fsica
g=o/raiz (eff)
La longitud fsica de l de la lnea se puede determinar a partir de la longitud elctrica =l
Luego l = */2

45.En los sistemas transceptores de MO, se utilizan los osciladores resonantes

dielctricos por su alta performance. Que elemento permite mejorar dichas
cualidades
a. el diodo varactor
b. la cavidad resonante
c. el dielectrico
d. el circuito APC *
46.En el Klistron Reflex, al modular en FM, las oscilaciones ocurren siempre que:
e. La tensin del reflector sea mayor que la tensin de la cavidad
f. La tensin de la cavidad sea menor que la tensin de la cavidad
g. La susceptancia del circuito sea mayor que la susceptancia interna
h. La conductancia del circuito sea menor que la conductancia interna
47.Los acopladores direccionales se utilizan para:
i. Conmutacin de circuitos *
j. Desplazadores de fase
k. Dobladores de frecuencia
l. Como atenuador de seales

1. Disear una cavidad resonante a base de gua rectangular que trabaje

en la frecuencia de 3500 Mhz. Utilizar el criterio de mnima atenuacin

3
Fc

Fo

f 3 * fc

b
a

El modo dominante es TE10. luego:

fc

c
2a

f 3 * fc fc

3500.10 6
3

2,02Ghz

3.10 8
74,.25mm
2 * 2,021Ghz

Se hace b=a/2

a
37,125mm
2

2
m

a

p

d

2. Una gua de ondas rectangular con b =2a = 2,5 cm. es alimentada por
un Klistrn Reflex cuya frecuencia de operacin se desconoce. A los
efectos de determinar dicha frecuencia se cortocircuita la gua y por
medio de un medidor se ondas estacionaria se determina la separacin
entre dos mnimos obtenindose un resultado de 2 cm. Calcular a) la
frecuencia de operacin. b) velocidad de fase cuando se transmite a
una frecuencia igual al doble de la de corte siendo el modo de
operacin TE 10.

g/2 distancia entre mnimos = 2cm

g/2

a) frecuencia de operacin

f 2 fc 2

f 4,5Ghz

fc

c m

2 a

en el modo TE10

fc

c
3.10 8

6Ghz
2a 2 * 2,5.10 2

b) velocidad de fase

vp

c
fc

1
f

3.10 8
6
1

4.5

3. Esquematice la configuracin del branching (ramificacin) de un transceptor de

MO
4. Disear una cavidad resonante a base de gua rectangular que trabaje
en la frecuencia de 1875 Mhz.

b
a

El modo dominante es TE10. luego:

fc

c
2a

f 3 * fc fc

f
3

1875.10 6
3

1,085Ghz

3.10 8
138.564mm
2 * 1,085Ghz

Se hace b=a/2

a
69.282mm
2

2
m

a

p

d

2
1

a

d 97.979mm