Consulta N.

Consulta N.
- 1 Dispositivos Electrnicos
ESCUELA POLITCNICA NACIONAL
Carrera:
Ingeniera Elctrica
Consulta N.- 1
Tema:
CONSULTAR TODO LO CONCERNIENTE A LOS SIGUIENTE
TIPOS DE DIODOS, INCLUYA ALGUNOS EJEMPLOS DE
APLICACIN. OTROS TIPOS DE DIODOS.
Nombres y Apellidos:
Vctor Manuel Bravo Nieto
29 Septiembre- 2011
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Consulta N.- 1 Dispositivos Electrnicos
NDICE
Tabla De Contenido
Introduccin5
Diodo..6
POLARIZACIN DIRECTA ..................................................................................................................................8
POLARIZACIN INVERSA ..................................................................................................................................9
CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO ........................................................................................................10
MODELOS MATEMTICOS...............................................................................................................................11
APLICACIONES DEL DIODO. ............................................................................................................................17
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA ..................................................................................................................17
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA..........................................................................................................18
Barrera Schottky Real.............................................................................................................................................29
Circuito Equivalente De Pequea Seal .................................................................................................................29
Diodo Schottk: .....................................................................................................................................................37
Desventajas: ...........................................................................................................................................................37
Ventajas: ................................................................................................................................................................38
Diodo Schottky Como Un Mezclador De RF Y El Diodo Detector.......................................................................38
Diodo Schottky Como Un Diodo Rectificador De Potencia ..................................................................................38
Diodo Schottky En El Poder O Los Circuitos ........................................................................................................38
Diodo Schottky En Aplicaciones De Clulas Solares ............................................................................................39
Diodo Schottky Como Un Diodo Pinza .................................................................................................................39
LED ........................................................................................................................................................................60
Aplicaciones ...........................................................................................................................................................60
Ventajas De Los Diodos LED ................................................................................................................................63
Conexin.................................................................................................................................................................63
Diodos LED: Revolucin En La Luz .................................................................................................................66
El Diseo De Interiores Es Esclavo De La Tecnologa...................................................................................66
Ventajas De Los Diodos LED ............................................................................................................................67
Diodos Fotodiodos ................................................................................................................................................79
Fotodiodos De JunturaP-I-N ...............................................................................................................................82
Fotodiodos De Juntura Metal-Semiconductor ....................................................................................................84
Fotodiodos METAL-I-N .....................................................................................................................................85
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Fotodiodos De Heterojuntoura ...............................................................................................................................86
Fotodiodo De Avalancha: ......................................................................................................................................87
Fototransistor:........................................................................................................................................................88
Fotodarlington: .......................................................................................................................................................88
Foto SCR: ...............................................................................................................................................................88
.Aplicaciones: ........................................................................................................................................................90
Diodo Tunel ...........................................................................................................................................................93
CARACTERSTICAS: ......................................................................................................................................107
Diodo Varactor ...................................................................................................................................................107
Energa Mxima .................................................................................................................................................107
Generacin De FM Directa...................................................................................................................................122
Control Automtico De Frecuencia. .....................................................................................................................125
Diodo Varicap. ....................................................................................................................................................126
Diodo Pin-Principio De Funcionamiento: .........................................................................................................1503
Aplicaciones .........................................................................................................................................................153
Generacion De Seales .........................................................................................................................................153
Diodos Conmutadores Y Atenuadores De Montaje Superficial Con Encapsulado Plstico ................................156
APLICACIN INTERESANTE: .........................................................................................................................157
Diodos Pin Para Sistemas De Microondas ...........................................................................................................158
DIODO LSER ..................................................................................................................................................162
Ventajas De Los Diodos Lser .........................................................................................................................174
Principio De Funcionamiento: ..............................................................................................................................176
Diferencias Del Diodo Lser Con Un Diodo Led ................................................................................................183
Los Diodos Laser Utilizados En Los Pick Up De Cds .........................................................................................195
Ventajas Del Diodo Lser Con Un Diodo Led: ...................................................................................................196
Aplicaciones: ........................................................................................................................................................198
Diodo Zener.........................................................................................................................................................229
Caractersticas.......................................................................................................................................................232
Caractersticas Del Diodo Zener...........................................................................................................................232
Curva Caracterstica Del Diodo Zener .................................................................................................................232
Qu Hace Un Regulador Con Zener? .................................................................................................................233
Diodo Unin ........................................................................................................................................................239
Introduccin..........................................................................................................................................................239
La Conduccin En Slidos ...................................................................................................................................240
Conductores ..........................................................................................................................................................240
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Aisladores .............................................................................................................................................................240
Semiconductores...................................................................................................................................................240
Semiconductores Dopados ...................................................................................................................................240
El Flujo De Corriente En Semiconductores .........................................................................................................241
EL TRANSISTOR................................................................................................................................................252
Generalidades .......................................................................................................................................................252
Tipos De Transistores ...........................................................................................................................................253
Bibliografa312
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INTRODUCCION
Dentro de los dispositivos electrnicos, podemos citar: los diodos y transistores de potencia, el tiristor, as como
otros derivados de stos, tales como los triac, diac, conmutador unilateral o SUS, transistor uniunin o UJT, el
transistor uniunin programable o PUT y el diodo Shockley.
Lo ms importante a considerar de estos dispositivos, es la curva caracterstica que nos relaciona la intensidad
que los atraviesa con la cada de tensin entre los electrodos principales.
El componente bsico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos:
Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja impedancia
(conduccin).
Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequea potencia.
Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando est en estado de bloqueo, con pequeas
cadas de tensin entre sus electrodos, cuando est en estado de conduccin. Ambas condiciones lo capacitan
para controlar grandes potencias.
Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.
El ltimo requisito se traduce en que a mayor frecuencia de funcionamiento habr una mayor disipacin de
potencia. Por tanto, la potencia disipada depende de la frecuencia.
Es un dispositivo semiconductor que permite o impide el paso de la corriente en una nica direccin. Su
funcionamiento es parecido al funcionamiento del interruptor. En forma simplificada, la curva caracterstica de
un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito
abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea.
Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de
suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente
continua. Su principio de funcionamiento est basado en los experimentos de Lee De Forest.
De Forest fue un inventor estadounidense con unas 300 patentes registradas. Naci en 1873 en Council Bluffs,
Iowa, pero creci en Talladega, Alabama, donde haban enviado a su padre, ministro religioso, para reorganizar
una escuela negra. Fue un lugar solitario para el joven Lee; privado de las habituales relaciones juveniles,
dispuso de ms tiempo para leer. Su padre intervino directamente en la educacin del nio, con la esperanza de
orientarlo a la vocacin religiosa.
Sin embargo, Lee prefera la ciencia y mostr tener gran aptitud para ella, construyendo bateras y motores que
eran de calidad profesional. En la Escuela Cientfica Sheffield, de Yale, recibi estmulo el talento de Lee y se
qued all hasta obtener el doctorado en 1899. Idea tras idea sala del prolfico cerebro de De Forest. Entre sus
muchos inventos, recibi las patentes de un bistur, el circuito oscilador de alta frecuencia, el radiotelfono, los
sistemas de trasmisin y recepcin de radio, los sistemas de comunicacin de los trenes, un altavoz, la celda
fotoelctrica, la cmara de cine a prueba de ruidos y un aparato de televisin y de televisin a colores. En 1923
demostr en el Teatro Rivoli, de Nueva York, su proceso Phonofilm para las pelculas sonoras. Pero fue en 1906
cuando De Forest invent el triodo. El objetivo de De Forest era el de descubrir un mtodo para amplificar las
ondas y al mismo tiempo, controlar el volumen del sonido. Construy una delgada tira de alambre de platino (a
la que dio el nombre de "rejilla"), la dobl en zigzag y la coloc entre el filamento y la placa. Despus encerr
todo el aparato en una bombilla de vidrio. Difcilmente se considerara que el retorcer un delgado fragmento de
alambre e insertarlo en una bombilla es un incidente que conmueve al mundo; sin embargo, eso es literalmente
lo que hizo Lee De forest para inventar el triodo, que est considerado en la actualidad como uno de los veinte
inventos ms importantes de la historia de la humanidad.
Los primeros diodos eran vlvulas grandes en chips o tubos de vaco, tambin llamadas vlvulas termoinicas
constituidas por dos electrodos rodeados de vaco en un tubo de cristal, con un aspecto similar al de las lmparas
incandescentes. El invento fue realizado en 1904 por John Ambrose Fleming, de la empresa Marconi, basndose
en observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.- Al igual que las lmparas incandescentes, los tubos de
vaco tienen un filamento (el ctodo) a travs del que circula la corriente, calentndolo por efecto Joule. El
filamento est tratado con xido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vaco circundante;
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electrones que son conducidos electrostticamente hacia una placa caracterstica corvada por un muelle doble
cargada positivamente (el nodo), producindose as la conduccin. Evidentemente, si el ctodo no se calienta,
no podr ceder electrones. Por esa razn los circuitos que utilizaban vlvulas de vaco requeran un tiempo para
que las vlvulas se calentaran antes de poder funcionar y las vlvulas se quemaban con mucha facilidad.
Conforme fue pasando el tiempo el desarrollo tecnolgico permiti la creacin de diferentes tipos de diodos
como los diodos Schottky, LED (Diodo Emisor de Luz), Fotodiodos, Tnel, Varactor, Varicap, Pin, Esaki,
Lser; de los cuales tambin se hablar en este documento.
Tipos de Diodos
Dentro del amplio conjunto de modelos y tipos diferentes de diodos semiconductores que actualmente existe en
el mercado y teniendo en cuenta aquellas caractersticas ms destacadas que, de hecho, son las que determinan
sus aplicaciones.
Segn esto tenemos los siguientes tipos de diodos:
Zner.
Schottky.
LED (Diodo emisor de luz).
Fotodiodos.
Tnel.
Varactor.
Varicap.
Pin.
Esaki.
Lser.
Antes de empezar el anlisis de estos tipos de diodos, se empezar analizando el diodo comn.
EL DIODO COMN
Es un semiconductor conformado por la unin de dos o ms

materiales, uno tipo P o Positivo y uno tipo N o Negativo lo que
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obliga a que la corriente solo pueda circular en un sentido cuando se conecta su lado positivo (llamado nodo) al
terminal positivo de la batera y su lado negativo (llamado ctodo) al terminal negativo de la batera, a esto se le
llama polarizar bien el diodo.
Fsicamente los diodos son de color negro en forma de cilindro y en uno de sus extremos incluye una banda gris
que indica el ctodo. El uso ms comn de los diodos es como rectificadores. Rectificar es el proceso de
convertir una seal o corriente alterna AC en corriente continua CC.
Para resolver problemas referentes a los diodos

se utilizan en la actualidad tres aproximaciones:
La primera aproximacin es la del diodo

ideal, en la que se considera que el diodo
no tiene cada de tensin cuando
conduce en sentido positivo, por lo que
esta primera aproximacin considerara
que el diodo es un cortocircuito en
sentido positivo. En cambio, el diodo ideal se comporta como un circuito abierto cuando su polarizacin
es inversa.
En la segunda aproximacin, consideramos que el diodo tiene una cada de tensin cuando conduce en
polarizacin directa. Esta cada de tensin se ha fijado en 0.7 V para el diodo de silicio, lo que hace que
la segunda aproximacin pueda representarse como un interruptor en serie con una fuente de 0.7 V.
La tercera aproximacin aproxima ms la curva del diodo a la real, que es una curva, no una recta, y en
ella colocaramos una resistencia en serie con la fuente de 0.7 V.
Siendo, en la ecuacin anterior, Rb la resistencia de la tercera aproximacin (generalmente muy pequea), y Id

la corriente de polarizacin del diodo. La ms utilizada es la segunda aproximacin.
Los diodos de unin p-n y los Zener tienen caractersticas constructivas que los diferencian de otros.
Su tamao, en muchos casos, no supera el de una resistencia de capa o de pelcula de 0.25 [[W] y aunque su
cuerpo es cilndrico, es de menor longitud y dimetro que las resistencias. Aunque existe gran variedad de tipos,
slo algunos especiales difieren de su aspecto. No ocurre lo mismo con el tamao, pues es funcin de la potencia
que pueden disipar.
Es caracterstico encontrarse un anillo en el cuerpo que nos indica el ctodo. Para aquellos cuyo tipo concreto
viene sealado por una serie de letras y nmeros, el ctodo es marcado mediante un anillo en el cuerpo, prximo
a este terminal.
Otros usan cdigos de colores, y en ellos el ctodo se corresponde con el terminal ms prximo a la onda de
color ms gruesa. Existen fabricantes que marcan el ctodo con la letra "K" o el nodo con la "A". Los diodos de
punta de germanio suelen encapsularse en vidrio. En cuanto a los diodos LED, se encuentran encapsulados en
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resinas de distintos colores, segn sea la longitud de onda con la que emita. El nodo de estos diodos es ms
largo que el ctodo, y usualmente la cara del encapsulamiento prxima al ctodo es plana.
Una forma prctica de determinar el ctodo consiste en aplicar un polmetro en modo hmetro entre sus
terminales. Si el terminal de prueba se aplica de nodo a ctodo, aparecen lecturas del orden de 20-30[].
Si se invierten los terminales, estas lecturas son del orden de 200-300 [K] para el Ge, y de varios [M] para el
Silicio.
Si con el multitester utilizamos el modo de prueba de diodos, obtenemos el valor de la tensin de codo del
dispositivo. Con ello conseguimos identificar los dos terminales (nodo y ctodo), y el material del que esta
hecho (0.5-0.7 [V] para el Si, 0.2-0.4 [V] para el germanio y 1.2-1.5 [V] para la mayora de los LED.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero
cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
Al dispositivo as obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el descrito, tal que no se encuentra
sometido a una diferencia de potencial externa, se dice que no est polarizado. Al extremo p, se le denomina
nodo, representndose por la letra A, mientras que la zona n, el ctodo, se representa por la letra C (o K).
A
(p)
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice

C K
que
el diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o
(n)
inversa.
Representacin simblica del

diodo pn
POLARIZACIN DIRECTA
En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la
corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente, tenemos que conectar el polo positivo de la batera al nodo del
diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que:
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El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se
dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir
que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial
en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar
a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en
uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el
electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final
del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la
zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.
POLARIZACIN INVERSA
En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace
aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la
batera, tal y como se explica a continuacin:
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se
introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera.
A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran
neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8
electrones en la capa de valencia) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones
positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos
que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces
covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que
falta el denominado hueco.
El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de
estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de
valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial
elctrico que la batera.
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En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura
se formarn pares electrn-hueco a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1
A) denominada corriente inversa de saturacin.
Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre
indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio
no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener
estabilidad.
Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su
orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos.
No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fugas es despreciable.
CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO
Tensin umbral, de codo o de partida (V ).

La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin
directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo
no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial
inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del
1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin
umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos
incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad.
Corriente mxima (Imax).
Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es
funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo.
Corriente inversa de saturacin (Is ).
Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrnhueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura.
Corriente superficial de fugas.
Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo, esta corriente es funcin de la tensin aplicada al
diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas.
Tensin de ruptura (Vr ).
Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha. }
Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa de saturacin; en la
realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe
al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a
dos efectos:
Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares electrn-hueco que
provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran
incrementando su energa cintica de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su
salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin,
chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de
electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin
superiores a 6 V.
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Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor es la anchura de la
zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como cociente de la tensin V entre la
distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande,
del orden de 3105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones
de valencia incrementndose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener, se puede
producir por ambos efectos.
POLARIZACIN
CIRCUITO
CARACTERSTICAS
DIRECTA
el nodo se conecta al positivo
de la batera
El diodo conduce con una cada de tensin

de
0,6
a
0,7V.
El valor de la resistencia interna seria muy
bajo.
y el ctodo al negativo.
Se comporta como un interruptor cerrado
MO
DEL
OS
MA
TE
M
TIC
OS
El
mod
elo
mate
mti
co
ms
empl
eado
es el
de Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la
mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:
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INVERSA
el nodo se conecta
negativo y el ctodo
al
al positivo de la batera
El diodo no conduce y toda la tensin de la

pila
cae
sobre
el.
Puede existir una corriente de fuga del
orden
de
uA.
El valor de la resistencia interna sera muy
alto
Se comporta como un interruptor abierto.
Donde:
I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y VD la diferencia de tensin entre sus extremos.
IS es la corriente de saturacin
q es la carga del electrn
T es la temperatura absoluta de la unin
k es la constante de Boltzmann
n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que suele adoptar
valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).
El trmino VT = kT/q = T/11600 es la tensin debida a la temperatura, del orden de 26 mV a temperatura
ambiente (300 K 27 C).
Con objeto de evitar el uso de exponenciales (a pesar de ser uno de los modelos ms sencillos), en ocasiones
se emplean modelos ms simples an, que modelizan las zonas de funcionamiento del diodo por tramos rectos;
son los llamados modelos de continua o de Ram-seal que se muestran en la figura. El ms simple de todos (4)
es el diodo ideal.
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Un cuadro de caractersticas considerando los parmetros de funcionamiento es:

MODELOS CIRCUITALES DEL DIODO DE UNIN
Modelo de Diodo Ideal
Descartemos de momento la zona de ruptura y quedmonos slo con las zonas directas e inversa. Los
comportamientos del diodo en estas zonas los podemos describir cualitativamente en los siguientes trminos:
Para tensiones negativas, la corriente es negativa, muy pequea y cambia poco con la tensin aplicada.
Si la intensidad de corriente es lo suficientemente pequea como para que pueda despreciarse, podemos
simplificar la descripcin del comportamiento afirmando, simplemente, que la intensidad en zona
inversa es nula.
Para tensiones positivas, la intensidad de corriente, positiva, aumenta muy rpidamente al aumentar slo
ligeramente la tensin. Desde otra perspectiva, podramos decir que el diodo de unin permite que pasen
las corrientes positivas sin cambios apreciables de la tensin, de hecho con valores pequeos de la
tensin. En primera aproximacin podremos, por tanto, representar el comportamiento de un diodo real
mediante un elemento de circuito el diodo rectificador ideal.
Es posible construir resistores con caractersticas muy cercanas a las de un diodo ideal. Estas
caractersticas constituyen slo una aproximacin de orden cero al comportamiento real de un diodo.
Caracterstica i - v de un diodo ideal
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El elemento de circuito diodo ideal equivale a un circuito abierto en la zona inversa, donde la cada de
tensin es negativa. Por contra, si la cada de tensin aumenta hasta el punto de que la corriente se vuelva
positiva, el elemento entra en zona directa, donde su comportamiento equivale a un cortocircuito.
En Electrnica es comn decir que el diodo est polarizado en directa, o en inversa, para referirse a que
opera en la zona directa, o en la inversa, respectivamente.
Supongamos que disponemos un diodo ideal conectando dos subcircuitos, tal como se muestra en la
figura 1. As conseguiremos que estos dos subcircuitos slo intercambien corriente cuando sta circule desde el
A hacia el B, quedando aislados en caso contrario.
Esta posibilidad de impedir selectivamente el paso de corriente tiene importantes aplicaciones prcticas,
entre las que podemos destacar la rectificacin y la limitacin de tensiones.
Figura 1. Conexin de dos subcircuitos mediante un diodo y equivalentes en zona directa e inversa.
Al igual que en el caso del diodo de unin, para el diodo Zener puede definirse tambin el elemento diodo Zener
ideal con la caracterstica mostrada en la Fig.2(a).
Esta caracterstica equivale a la del circuito mostrado en la Fig.2(b), constituido por la conexin en paralelo de
un diodo ideal con un resistor consistente a su vez en la conexin en serie de un diodo ideal y una fuente de
tensin.
Repasen la aplicacin de limitacin en tensin usando diodos ideales; para esta aplicacin se necesitan diodos y
fuentes de tensin.
En lugar de ello, es posible usar slo diodos Zener, conectndolos tal como se muestra en la Fig.2(c). De esta
manera el diodo de arriba limitara las tensiones negativas al intervalo [Ez,0], y el de abajo las limitara al
intervalo. [0, Ez+]
Figura 2 Diodos Zener: (a) caracterstica i-v ideal; (b) modelo; (c) conexin para limitar la tensin.
Modelo de Diodo Ideal con Tensin de Corte (Cut-In)
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Tensin de corte es aquella tensin a la cual la intensidad esdespreciable frente a la intensidad tpica que circula
por el diodo en el circuito que estemos considerando.
Descartando tambin la zona de ruptura de la caracterstica y considerando slo la operacin en directa e inversa,
podemos aproximar el comportamiento real del diodo de manera ms fidedigna utilizando un modelo de primer
orden. Si retomamos la caracterstica real del diodo ilustrada en la Fig.3, podemos observar cmo la intensidad
permanece pequea para valores de tensiones pequeos, aunque positivos, y slo crece de forma muy rpida
cuando se alcanza un rango determinado de tensiones positivas.
Figura 3 Caracteristica de un diodo rectificador
El modelo de diodo ideal con tensin de corte
aproxima este comportamiento considerando que para
tensiones menores que un valor dado, la corriente (positiva o
negativa) es muy pequea y puede despreciarse. En esta
aproximacin de primer orden podemos por lo tanto
representar el comportamiento del diodo real mediante un
elemento de circuito cuya caracterstica iv es la mostrada en
la Fig.4.
Figura 4. Caracterstica i-v de

un diodo ideal con tensin de corte
Ntese que con este modelo, tal y
como indica la Fig.5, el diodo equivale a
un circuito abierto en la zona inversa,
donde la cada de tensin es v<E. Por
contra, si la cada de tensin aumenta
hasta el punto de que la corriente se
vuelva positiva, el elemento entra en zona directa, donde equivale a una fuente ideal de tensin de valor v=E
Figura 5. Equivalentes en inversa y directa de un diodo ideal

con tensin de corte
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El valor de la tensin de corte E, que delimita las zonas directa e inversa, es fuertemente dependiente de la
tecnologa. En diodos discretos de Silicio suele tomar valores entre 0.2V y 0.5V.
Modelo de Diodo con Tensin de Corte y Pendiente Finita
El modelo anterior se puede utilizar como punto de partida para realizar una aproximacin de segundo orden del
comportamiento real del diodo. Teniendo en cuenta el modelo de diodo ideal con tensin de corte, en zona
directa cualquier intensidad positiva puede fluir a travs del diodo sin que la cada de tensin entre sus
terminales vare, ya que el diodo sera equivalente a una fuente de tensin ideal de valor E.
Volvamos a considerar la caracterstica iv real mostrada ilustrada en la Fig.3. En ella podemos observar cmo
la intensidad crece de forma rpida cuando se alcanza un rango determinado de tensiones positivas. Sin embargo,
una vez en esta zona, la intensidad a travs del diodo no es independiente de la cada de tensin entre sus
terminales, de forma que incrementar la corriente conlleva necesariamente un aumento de la tensin.
El modelo de diodo con tensin de corte y pendiente finita aproxima este comportamiento considerando que las
intensidades positivas aumentan linealmente con la tensin, de forma que el diodo real se representa mediante un
elemento de circuito cuya caracterstica i -v es la mostrada en la Fig.6.
Figura 6. Caracterstica i v de un diodo con tensin umbral y pendiente finita
Con este modelo, tal y como indica la Fig.7, el diodo equivale a un circuito abierto en la zona inversa,
donde la cada de tensin es v<E. Por contra, si la cada de tensin aumenta y la corriente es positiva, el
elemento entra en zona directa, donde equivale a una fuente real de tensin de valor E y resistencia interna R.
Figura 7 Equivalentes en inversa y directa de un diodo con tensin umbral y pendiente finita
-16 -

El valor de la tensin de corte E, que delimita las zonas directa e inversa en este modelo, es dependiente de la
tecnologa. Lo mismo ocurre con R, que recibe el nombre de resistencia del diodo en conduccin. En diodos
discretos de Silicio suele entre 1 y 10k
Modelos Lineales a Tramos
Los modelos anteriores constituyen una aproximacin de bajo orden al comportamiento de un diodo rectificador
real. Tales aproximaciones se consiguen mediante caractersticas iv que contienen slo dos tramos. Aadiendo
ms tramos se obtienen modelos ms precisos; tanto ms precisos cuanto ms tramos aadamos.
APLICACIONES DEL DIODO.
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
Es un circuito empleado para eliminar la parte negativa o positiva de una
seal de corriente alterna de entrada (Vi) convirtindola en corriente
continua de salida (Vo).
Es el circuito ms sencillo que puede construirse con un diodo.
Anlisis del circuito (diodo ideal)
Los diodos ideales, permiten el paso de toda la corriente en una nica direccin, la correspondiente a la
polarizacin directa, y no conducen cuando se polarizan inversamente.
Polarizacin directa (Vi > 0)
En este caso, el diodo permite el paso de la corriente sin restriccin. Los voltajes de salida y entrada son iguales
y la intensidad de la corriente puede fcilmente calcularse mediante la ley de Ohm:
I=
Vo=Vi
Vi
RL
Polarizacin inversa (Vi < 0)
En este caso, el diodo no conduce, quedando el circuito abierto. La tensin de salida es nula, al igual que
la intensidad de la corriente:
Vo = 0
I=0
Tensin rectificada
-17 -

Como acabamos de ver, la curva de transferencia, que relaciona las tensiones de entrada y salida, tiene
dos tramos: para tensiones de entrada negativas la tensin de salida es nula, mientras que para entradas positivas,
las tensiones son iguales. El resultado es que en la carga se ha eliminado la parte negativa de la seal de entrada.
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA

Circuito empleado para convertir una seal de corriente alterna de entrada (Vi) en corriente continua de
salida (Vo) pulsante. A diferencia del rectificado de media onda, en este caso, la parte negativa de la seal se
convierte en positiva o bien la parte positiva de la seal se convertir en negativa, segn se necesite una seal
positiva o negativa de corriente continua.
Existen dos alternativas, bien empleando dos diodos o empleando cuatro (puente de Graetz).
Rectificador con dos diodos.
En el circuito de la figura, ambos diodos no pueden encontrarse
simultneamente en directa o en inversa, ya que las diferencias de
potencial a las que estn sometidos son de signo contrario; por tanto uno
se encontrar polarizado inversamente y el otro directamente. La
tensin de entrada (Vi) es, en este caso, la mitad de la tensin del
secundario del transformador.
-18 -

DIODO SCHOTTKY
Historia:
ASCOT, Inglaterra, September 20 /PRNewswire/ -- Element Six (E6) anuncia que ha alcanzado un hito
significativo en su programa de electrnica con diamante, gracias a la fabricacin de un diodo de barrera
Schottky (Schottky-barrier diode, SBD) basado en diamante capaz de funcionar a 1.700 V y menos de 10 A/cm2.
Este es el primer hito del programa y ha sido alcanzado antes de lo esperado despus de un slo ao de
desarrollo. El grupo colaborador que ha llevado a cabo este avance es el consorcio llamado CArbon Power
Electronics (CAPE). Este proyecto, apoyado por el ministerio de industria y comercio del Reino unido, est
siendo desarrollado por un consorcio de dos compaas del mismo pas (Element Six Ltd y Dynex
Semiconductor Ltd) y un socio acadmico (Cambridge University Engineering Department - CUED). El diodo
Schottky fue fabricado partiendo de un cristal de diamante creado por Element Six a travs de la deposicin de
vapor qumico (chemical vapour deposition, CVD). El diamante, gracias a sus propiedades fsicas extremas,
demuestra una vez ms su potencial como semiconductor de gran amplitud para su uso en electrnica de alta
potencia. El rendimiento terico intrnseco del diamante, combinado con este ltimo dispositivo, sugiere que el
diamante podra convertirse en un importante componente en dispositivos de conversin de potencia capaces de
operar con tensiones de ms de 10.000 voltios y a temperaturas ms altas que otros materiales semiconductores.
Las capacidades de manipulacin de alta tensin de los dispositivos de estado slido que utilizan materiales
semiconductores como el silicio o el arseniuro de galio son limitadas debido a las propiedades de los materiales.
Los dispositivos de alta tensin, necesarios para una amplia gama de aplicaciones avanzadas entre las que se
encuentra el control de motores de traccin o la distribucin de potencia, precisar de materiales de mayor
rendimiento como el carburo de silicio (SiC) y el diamante; en este caso el diamante es por mucho el mejor por
sus caractersticas como material. E6 ha demostrado que existe una oportunidad para sobrepasar con la
tecnologa del diamante el nivel alcanzado con los dispositivos de estado slido basados en SiC, fabricando
diodos Schottky de diamante CVD con un cristal.
El director de investigacin de Element Six, Steve Coe, declar, "El desarrollo de estos dispositivos ha
presentado grandes retos que slo un equipo de investigacin del ms alto nivel podra superar. Slo gracias a la
experiencia del consorcio CAPE hemos podido liberar el gran potencial del diamante como material
electrnico".
El Director General de Element Six, Christian Hultner, declar, "fabricar este diodo Schottky es un tributo a las
habilidades de nuestro equipo de investigacin, y otra emocionante prueba de que el amanecer de la electrnica
del diamante se hace realidad y de que nuestras inversiones en este rea van a dar dividendos. Este diodo
Schottky, adems de otros avances en componentes electrnicos que hemos introducido en el mercado de los
semiconductores, representa un estimulante aviso del vasto potencial del diamante como nuevo material en
ingeniera. El diodo Schottky ser el primero de muchos nuevos productos electrnicos".
El diodo Schottky llamado as en honor del fsico alemn Walter H. Schottky, tambin denominado diodo pnpn,
es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin
directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones umbral
-19 -

(tambin conocidas como tensiones de codo, aunque en ingls se refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla).
La tensin de codo es la diferencia de potencial mnima necesaria para que el diodo acte como conductor en
lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de lado la regin Zener, que es cuando ms bien existe una
diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que -a pesar de estar polarizado en contra del flujo de
corriente- ste opere de igual forma como lo hara regularmente. Fue desarrollado por la Hewlett-Packard en
USA, a principios de la dcada de los 70.
Se usan esencialmente en aplicaciones de alta frecuencia y conmutacin rpida, tambin se denominan diodo de
portadora caliente, diodo de barrera Schottky, de barrera de superficie, diodos de recuperacin rpida (Fast
recovery).
Este diodo se forma uniendo una regin semiconductora dopada(usualmente de tipo n) con un metal como oro,
plata, platino u otros metales; as que ms que una unin pn, se trata de una unin metal semiconductor. Distintas
tcnicas de construccin ocasionan distintos conjuntos de caractersticas para el dispositivo como un rango de
frecuencias mayor, polarizacin directa, etc. En conclusin la construccin de los diodos Schottky da como
resultado una regin de unin ms uniforme y un nivel mayor de robustez.
El diodo Schottky opera slo con portadores mayoritarios, es decir slo con electrones; en el metal el nivel de
portadores minoritarios (huecos) es insignificante.
Cuando los materiales se unen, los electrones en el material semiconductor de silicio tipo n fluyen
inmediatamente hacia el metal adjunto, estableciendo un flujo intenso de portadores mayoritarios. Los
portadores inyectados son conocidos como portadores calientes, debido a que tienen un nivel de energa
cintica muy alto en comparacin con los electrones del metal. En la unin p-n convencional se tiene una
inyeccin de portadores minoritarios en la regin adyacente. Aqu, los electrones don inyectados en una regin
con la misma polaridad de electrones.
El fuerte flujo de electrones en el metal crea una regin cercana a la superficie de la unin desprovista de
portadores en el silicio, muy similar a la regin de agotamiento del diodo de unin p-n. Los portadores
adicionales en el metal establecen una barrera negativa en el metal en la frontera entre los dos materiales. El
resultado neto es una barrera superficial entre los dos materiales que impiden cualquier corriente adicional.
-20 -

Esto es, cualquier electrn (cargado negativamente) en el silicio enfrenta una regin libre de portadores y una
barrera negativa en la superficie del metal.
CARACTERSTICAS DE ALGUNOS DIODOS SCHOTTKY
CODIGO
95SQ015
25FQ015
MBR4015LWT *# &
MBR0520
SB120
32CTQ030 *
40HQ030
MBR1535CT *
MBR1635
MBR2535CT *
30CPQ035 *
50HQ035
BAS40-04
1N5819
SB140
MBRS140
10BQ040
SB540
MBRD640CTG*
80SQ040
MBR3040PT *
80SQ045
MBR745
MBR1045
MBR1045CT*
12CTQ045 *
MBR1545CT*
MBR1645
MBR3045PT *
MBRB2545CT*
MBR2545CT *
MBR350
MBR3050PT*
30CTQ050 *
1N6263##
SK106
SB160
TENSION PICO CORRIENTE

INVERSO
PROMEDIO VF MAX
REPETITIVO I0
VRRM
(V)
(V)
(A)
15
15
15
20
20
30
30
35
35
35
35
35
40
40
40
40
40
40
40
40
40
45
45
45
45
45
45
45
45
45
45
50
50
50
60
60
60
9
25
40
0.5
1
30
40
15
16
25
30
54
0.2
1
1
1
1
5
6
8
30
8
7
10
10
12
15
16
30
30
30
3
30
30
0.015
1
1
0.25
0.7
0.42
0.33
0.7
0.4
0.97
0.84
0.6
0.73
0.64
0.77
0.38
0.6
0.7
0.55
0.49
0.57
0.9
0.7
0.76
0.7
0.72
0.72
0.84
0.53
0.84
0.6
0.76
0.82
0.73
0.73
0.76
0.67
1
0.7
0.7
CORRIENTE
DE
TRANSITORIO
IFSM (A)
MARCA
ENCAPSULADO
NO
REPETITIVO
800
400
5.5
900
800
150
150
150
265
765
0.6
25
40
45
250
75
380
200
380
150
150
125
140
150
150
200
150
150
80
200
265
40
-
AXIAL
DO-4
TO-3P
SOD-123
DO-41
TO-220
DO-5
TO-220
TO-220
TO-220
TO-3P
DO-5
SOT-23
AXIAL
DO-41
SMB
SMB
AXIAL
TO-263
AXIAL
TO-3P
AXIAL
TO-220
TO-220
TO-220
TO-220
TO-220
TO-220
TO-3P
TO-263AB
TO-220
AXIAL
TO-3P
TO-220
AXIAL
DO-41
DO-41
I.R.
I.R.
MOTOROLA
ON SEMI
PANJIT
I.R.
I.R.
GSI
GSI
MOTOROLA
I.R.
I.R.
INFINEON
ON SEMI
I.R.
ON
I.R.
G.I.
ON SEMI
I.R.
MOTOROLA
I.R.
MOTOROLA
MOTOROLA
ON
I.R.
ON
MOTOROLA
MOTOROLA
MOTOROLA
MOTOROLA
I.R.
FAIRCHILD
I.R.
ITT
DIOTEC
G.I.
-21 -

11DQ06
MBR360
MBRD360
SB360
31DQ06
SB560
50SQ060
MBRD660CTG*
MBR1060
MBRF1660
30CTQ060 *
MBR3060PT *
30CPQ060 *
MBR4060PT *
40CPQ060 *
MBD701##
MBRS1100
11DQ10
MBR10100
16CTQ100 *
MBRB20100CT*
MBR20100CT *
20CTQ150 *
60CTQ150 *
MBR20200CT *
40EPF04
60
60
60
60
60
60
60
40
60
60
60
60
60
60
60
70
100
100
100
100
100
100
150
150
200
400
1.1
3
3
3
3.3
5
5
6
10
16
30
30
30
40
40
0.01
1
1
10
16
20
20
20
60
20
40
0.53
0.74
0.7
0.75
0.78
0.7
0.79
0.9
0.72
0.75
0.67
0.72
0.67
0.72
0.68
0.7
0.75
0.8
0.72
0.58
0.70
0.72
0.90
0.98
0.72
1
26
80
75
150
63
250
215
75
150
150
265
200
265
400
320
50
40
150
275
150
150
180
710
150
400
I.R.
MOTOROLA
ON
G.I.
I.R.
G.I.
I.R.
ON SEMI
MOTOROLA
G.I.
I.R.
MOTOROLA
I.R.
MOTOROLA
I.R.
MOTOROLA
ON
I.R.
MOTOROLA
I.R.
MOTOROLA
MOTOROLA
I.R.
I.R.
MOTOROLA
I.R.
DO-41
AXIAL
TO-251
DO-201
DO-201
AXIAL
AXIAL
TO-263
TO-220
TO-220
TO-220
TO-3P
TO-3P
TO-3P
TO-3P
TO-92/2
SMB
DO-41
TO-220
TO-220
TO-263AB
TO-220
TO-220
TO-220
TO-220
TO-3P (2 PIN)
DIODO SCHOTTKY O DE BARRERA

El diodo Schottky en lugar de construirse a partir de dos cristales semiconductores de unin tipo p-n, utiliza un
metal como el aluminio (Al) o el platino (Pt) en contacto con un cristal semiconductor de silicio (Si) menos
dopado que el empleado en la fabricacin de un diodo normal. Esta unin le proporciona caractersticas de
conmutacin muy rpida durante los cambios de estados que ocurren entre la polarizacin directa y la inversa, lo
que posibilita que pueda rectificar seales de muy altas frecuencias, as como suprimir valores altos de
sobrecorriente en circuitos que trabajan con gran intensidad de corriente.
Los diodos Schottky se emplean ampliamente en la proteccin de las descargas de las celdas solares en
instalaciones provistas de bateras de plomo-cido, as como en mezcladores de frecuencias entre 10 MHz y
1000 GHz instalados en equipos de telecomunicaciones.
Nota.- No se debe confundir el diodo Schottky con el Shockley, ya que ambos poseen caractersticas diferentes.
-22 -
Diodos Schottky
Numero
11DQ04
11DQ06
SK104
SK106
SK304
SK306
31DQ06
SK504
SK506
50SQ060
80SQ030
80SQ045
1035D-STPS
20CTQ045
20FQ045
25FQ015
30CTQ045
40CDQ045
40HQ030
1N6098
50HQ035
51HQ045
60CDQ045
85HQ045
201CNQ045
DO-41/C15/D-201
Corriente
I(AV) (A)
1
1
1
1
3
3
3
5
5
5
8
8
10
20
20
25
30
40
40
50
60
60
60
85
200
Tension
PIV (V)
40
60
40
60
40
60
60
40
60
60
30
45
35
45
45
15
45
45
30
40
35
45
45
45
45
DO-5
Diodos Schottky Mospec Punto Medio

Corriente
Numero
I(AV) (A)
S15D40C
15
S30D40C
30
Encapsulado
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
D-201
D-201
C15
D-201
D-201
C15
C15
C15
TO-220
TO-220
DO-4
DO-4
TO-220
TO-3
DO-5
DO-5
DO-5
DO-5
TO-5
DO-5
TO-244
TO-220
Tension
PIV (V)
40
40
Axial
Axial
Axial
Axial
Axial
Axial
Axial
Axial
Axial
Axial
Axial
Axial
Center Tap
Center Tap
Metalico
Metalico
Center Tap
Center Tap
Metalico
Metalico
Metalico
Metalico
Center Tap
Metalico
Center Tap
TO-247
IFSM
Encapsulado
150
300
TO-247
TO-247
Es un tipo especial de elemento rectificador de la corriente, anlogo al diodo de unin p-n, que se basa en las
propiedades de la interface existente entre un metal y un semiconductor.
-23 -

Cuando se establece el contacto, los niveles de Fermi de ambos materiales se nivelan, y como consecuencia se
forma en el semiconductor una barrera de potencial a partir de la cual los portadores de corriente se reducen
considerablemente. La barrera est creada, principalmente, por los estados de superficie del semiconductor y por
la induccin de estados en el gap o banda de energas prohibidas entre la banda de conduccin y la de valencia
en el semiconductor.
Tambin, aunque en menor medida, influye la diferencia de funciones de trabajo en ambos materiales. Esta
reduccin es llamada superficie o capa de deflexin. Esta barrera es la que deben superar los electrones que
fluyan del metal al semiconductor. En equilibrio, el flujo de electrones de metal a semiconductor y de
semiconductor a metal se igualan, aunque los electrones del semiconductor deben vencer, por medio de la
activacin trmica, su propio gap. Si se aplica una diferencia de potencial a travs de la unin, la cada de voltaje
ocurre casi por entero en la capa de deflexin debido a su gran resistividad, con lo cual la altura de la barrera de
potencial puede aumentarse y disminuirse casi a voluntad, y entonces variarse el flujo de electrones desde el
semiconductor al metal en varios rdenes de magnitud. Al contrario, el flujo de electrones en la direccin
contraria permanece esencialmente fijo, puesto que la altura de la barrera Schottky permanece inalterada frente a
cambios en el voltaje. Schottky construy esta teora en 1939 cuando examin las propiedades rectificadoras de
la corriente que tal unin posee, aunque hasta 1960 los diodos Schottky no fueron asequibles comercialmente
debido a los problemas inherentes a su fabricacin, en particular a la dificultad de las tcnicas de pasivacin de
superficies. A diferencia de los diodos de unin p-n, en stos no existe almacenamiento de carga en la interface,
su tiempo de conmutacin es despreciable (menores que 1 ns utilizando dispositivos pequeos, de 5 mm de
dimetro) y la cada de potencial es menor.
El diodo Schottky es un diodo especial en el que no existe el almacenamiento de cargas y conmuta ms rpido
que un diodo normal, por lo que se emplea para frecuencias mayores a 10 MHz. A bajas frecuencias (por debajo
de 10 MHz) un diodo normal puede conmutar bien cuando la polarizacin pasa de directo a inverso, pero
conforme aumenta la frecuencia, el diodo llega a un punto en el que no puede conmutar lo suficientemente
rpido para evitar una corriente considerable durante parte del semiciclo inverso. Este efecto se conoce como
almacenamiento de cargas e impone un lmite a la frecuencia til de los diodos normales. El tiempo que tarda en
conmutar un diodo que est polarizado directamente se denomina tiempo de recuperacin inversa. Este tipo de
diodos puede trabajar hasta frecuencias de 300 MHz. Su aplicacin se encuentra en los ordenadores. Un diodo
Schottky tiene una cada de tensin en polarizacin directa de 0,25 V.
DIODOS SCHOTTKY DE ELEVADA EFICIENCIA
Los diodos de silicio usados en fuentes de alimentacin en modo conmutado suelen perder hasta un uno por
ciento de eficiencia al no apagarse inmediatamente. Por este motivo, ST Microelectronics, est entre las
primeras compaas fabricantes de semiconductores, en introducir diodos de carburo de silicio (SiC) que ahorran
la energa que se pierde durante la conmutacin.
Los nuevos diodos Schottky SiC son especialmente tiles en convertidores de energa solar, donde cada unidad
porcentual es muy valiosa, as como en fuentes de alimentacin para servidores y sistemas de
telecomunicaciones que operan continuamente. Otras aplicaciones se encuentran en controladores de motor para
reducir el impacto ambiental de varios miles de vatios de energa generada.
Adems, al ahorrar el diodo de silicio la energa normalmente disipada como calor, los nuevos dispositivos con
tecnologa SiC permiten a los diseadores tener en cuenta un ratio menor de corriente mxima para el diodo.
Esto posibilita el uso de pequeos componentes sin sacrificar la potencia til. En aplicaciones de elevada
potencia, los disipadores podran ser ms compactos para crear soluciones de mayor densidad elctrica.
Otro beneficio aadido para los diseadores de fuentes de alimentacin en modo conmutado (SMPS) es que los
diodos SiC, como el STPSC806D y STPSC1006D, permiten frecuencias de conmutacin superiores,
contribuyendo as a reducir el tamao, el coste y el consumo de condensadores e inductores.
-24 -

La tecnologa SiC puede desarrollar estas ventajas porque no produce acumulaciones de carga de recuperacin
inversa durante el periodo de conduccin normal del diodo. Cuando un diodo de silicio bipolar convencional se
apaga, esta carga se puede disipar mediante la recombinacin entre grupos de portadores de carga prximos a la
unin de diodo. La corriente que fluye durante este periodo de recombinacin se denomina corriente de
recuperacin inversa. Esta corriente indeseada, junto con la tensin asociada a las fuentes de alimentacin,
genera un calor que ser disipado por los switches. Al eliminar esta carga de recuperacin inversa, los diodos
Schottky ofrecen menores prdidas de conmutacin en la tarjeta, aumentan la eficiencia y reducen la disipacin
de calor.
El STPSC806D de 8 A y el STPSC1006D de 10 A para aplicaciones de 600 V se encuentran disponibles en un
encapsulado TO-220AC estndar.
Curvas IF / VF
Diodo BAT-85 de Philips
Con estas curvas podemos apreciar lo siguiente:
Los bajos valores que adquiere la cada de tensin en directo y la pequea tensin de codo, propia de este tipo de diodos.
La tensin de codo y la cada de tensin en directo disminuyen al aumentar la temperatura.
Curvas intensidad / tensin inversas
-25 -
Diodo BAT-85 de Philips
En estas curvas podemos apreciar que:
La intensidad inversa es directamente proporcional a la tensin inversa. Grandes variaciones de VR producen pequeos cambios
de IR.
Para un mismo valor de tensin inversa la intensidad inversa aumenta con la temperatura.
Curvas PF / IF(AV) / Tmb
Diodo BYV-143 de Philips

Estas curvas relacionan la potencia directa disipada con la corriente media directa y la
temperatura de la cpsula, todo ello suponiendo seales cuadradas. Cada curva se
proporciona para un valor de ciclo de trabajo.
Estas curvas se emplean para los clculos de disipacin.
Otras curvas
-26 -

Existen diversas curvas que algunos fabricantes proporcionan y que son de mencionar. Es el caso de los nomogramas, que nos permiten
hallar grficamente un dato a partir de otros, aunque estas grficas son cada vez menos incluidas en las hojas de caractersticas y son
sustituidas por otras grficas ms explcitas y tablas de datos adicionales.
La aplicacin de una polarizacin directa, como se muestra en el primer cuadrante de la figura 2, reducir la
barrera negativa mediante la atraccin del potencial positivo aplicado a los electrones de esta regin. El resultado
es el regreso al gran flujo, de electrones a travs de la frontera, siendo su magnitud controlada por el nivel del
potencial de polarizacin aplicado. La barrera en la unin de un diodos Schottky es menor que la del dispositivo
p-n en ambas regiones de polarizacin directa e inversa. El resultado, por tanto, es una corriente ms alta con la
misma polarizacin aplicada en las regiones de polarizacin directa e inversa. Este es un efecto deseable en la
regin de polarizacin directa, pero poco deseable en la regin de polarizacin inversa.
Una de las reas de investigacin continua sobre este dispositivo se centra en la reduccin de las altas corrientes
de fuga que resultan con temperaturas cercanas de 100 C. a temperatura ambiente, IS se encuentra en el rango
de los A para unidades de baja potencia y en el rango de los mA para dispositivos de alta potencia. Adems, el
PIV de los diodos Schottky es por lo general significativamente menor que el de una unidad equivalente con
unin p-n. El nivel de VT para el diodo de portadores calientes se concentra en gran medida por el metal
empleado. Existe una relacin directamente proporcional entre la temperatura y el nivel de VT, adems mientras
menor sea el rango de niveles de corriente aceptables, menor ser el valor de VT. El tiempo de recuperacin
inversa para un diodo semiconductor se debe a los portadores minoritarios, en este caso debido a la ausencia de
estos ocasiona un tiempo de recuperacin significativamente bajo; sta es la principal razn por la que los diodos
Schottky son tan eficaces a frecuencias cercana a 20 GHz, donde el dispositivo debe conmutar estados a una
velocidad muy alta
El circuito equivalente para el dispositivo (con valores tpicos) y el smbolo comnmente usado aparecen
en la siguiente figura.
Lp y Cp son valores del encapsulado.
rB resistencia en serie (resistencia de contacto y de volumen).
rd y CJ valores definidos mediante ecuaciones.
El circuito aproximado para el diodo Schottky es un diodo ideal en paralelo con un capacitor.
-27 -
La limitacin ms evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir resistencias inversas

relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes inversos
El diodo Schottky tiene varios tipos del mismo. Por ejemplo los tipos ALS y AS permiten que los tiempos de
conmutacin entre los transistores sean mucho menores puesto que son ms superficiales y de menor tamao por
lo que se da una mejora en la relacin velocidad/potencia. El tipo ALS permite mayor potencia y menor
velocidad que la LS, mientras que las AL presentan el doble de velocidad que las Schottly TTL con la misma
potencia.
a) Polarizacin inversa
Para entender el comportamiento del sistema cuando se aplica
una tensin externa se considerar que el semiconductor est
conectado a tierra. Si se aplica una tensin VR tal que el
semiconductor, que es de tipo N, quede positivo respecto del
metal (VR < 0), la cada de tensin a travs de la regin de carga
espacial aumenta al valor (Vbi - VR) y, consecuentemente,
aumentan el ancho de la regin de agotamiento (x'n) y la carga
espacial:
En el caso ideal B permanece constante. En esa condicin de
polarizacin se tiene el diagrama de bandas de energa de la
figura 1_6, que corresponde al caso de polarizacin inversa.
Qs = q A ND x' n = A [2 q s ND (Vbi - VR) ]1 / 2

b) Polarizacin directa
Si ahora se aplica una tensin positiva VF al metal respecto del semiconductor, la barrera semiconductor-metal,
(Vbi - VF) se reduce. (B permanece aproximadamente constante). En esta situacin, los electrones pueden fluir
fcilmente desde el semiconductor hacia el metal, porque la altura de la barrera se ha reducido.
Esta condicin es la polarizacin directa y se corresponde con el diagrama de bandas mostrado en la figura 1_7:
-28 -
Anlisis cuantitativo: caracterstica tensin-corriente ideal

El diodo de barrera Schottky tiene una caracterstica tensin-corriente similar a la de un diodo de Silicio comn,
excepto que la tensin umbral es ms baja, del orden de 0.2 V- 0.3 V. Como responde mucho ms rpido que un
diodo normal tiene gran valor en aplicaciones de conmutacin de alta velocidad dado que la capacidad de salida
asociada con el diodo es muy pequea.
Barrera Schottky real
Hasta aqu se ha supuesto que la altura de la barrera Schottky B permanece constante en condiciones de
polarizacin aplicada. Sin embargo, la altura de la barrera vara con la tensin aplicada, mayormente con
polarizacin inversa, porque el plano metlico conductor tiene el mismo efecto sobre un electrn que una carga
imagen de signo opuesto que se encuentre a la misma distancia, detrs del plano x = 0, como se ve en la figura
1_9. Entonces, los electrones de conduccin experimentan una fuerza imagen en el metal que los atrae hacia la
superficie del metal disminuyendo la altura de la barrera y apartando la relacin corriente-tensin de su valor
ideal.
Metal
Semiconductor
W(x)
x
EFm
x
x=0
Fig.1_9
Fig.1_10
Circuito equivalente de pequea seal

El circuito equivalente de pequea seal del diodo Schottky cuyo smbolo esquemtico se muestra en la figura
1_11, es muy similar al de un diodo de juntura PN, figura 1_12.
-29 Fig. 1_11
El circuito incluye la combinacin en paralelo de la resistencia Rd y la capacidad CT de la regin de

agotamiento
Comparacin de un diodo Schottky y un diodo de unin PN
Los diodos Schottky tienen muchas aplicaciones porque presentan algunas ventajas respecto a los diodos de
unin PN. Adems de lo comentado en el prrafo anterior respecto a su mayor velocidad de respuesta temporal,
prcticamente no hay efectos de recombinacin de portadores en la regin de agotamiento. Para una polarizacin
directa aplicada el diodo Schottky presenta una mayor corriente lo que se evidencia como una menor tensin de
umbral, alrededor de 0.2 - 0.3 V como se muestra en la figura 1_13, en la cual se comparan los diodos.
De la caracterstica I-V del diodo Schottky puede verse que resulta una fcil conduccin del flujo de corriente en
polarizacin directa, debido a que los electrones en el semiconductor ven una barrera reducida. En polarizacin
inversa, la corriente de saturacin queda determinada por la barrera para los electrones en el metal B.
Aplicaciones.
Los diodos Schottky se usan esencialmente en aplicaciones de alta frecuencia y conmutacin rpida, debido a su
rpido tiempo de respuesta y a una figura de ruido bajo. Sin embargo, en aos en recientes est apareciendo ms
en fuentes de alimentacin de bajo voltaje/alta corriente y convertidores de ac y dc. Otras reas de aplicacin del
dispositivo incluyen sistemas de radar, lgica TTL Schottky para computadoras, mezcladores y detectores en
equipo de comunicacin, instrumentacin y convertidores analgico a digital.
Otra utilizacin del diodo Schottky es en variadores de alta gama para que la corriente que vuelve desde el motor
al variador no pase por el transistor del freno y este no pierda sus facultades.
Tambin se lo utiliza en un programa de electrnica con diamante, gracias a la fabricacin de un diodo de
barrera Schottky (Schottky-barrier diode, SBD) basado en diamante capaz de funcionar a 1.700 V y menos de 10
A/cm2.
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Tensin de sujecin
Mientras que los diodos de silicio estndar tiene una cada de tensin de 0,6 voltios y los diodos de germanio 0,3
voltios, la cada de diodos Schottky "de tensin en los prejuicios hacia delante de alrededor de 1 mA en el rango
de 0,15 V a 0,46 V (vase el 1N5817 [ 2 ] y 1N5711 hojas de datos encontrar en lnea en sitios web del
fabricante), lo que hace que sean tiles en el voltaje aplicaciones de sujecin y prevencin de la saturacin del
transistor . Esto es debido a la mayor densidad de corriente en el diodo Schottky.
Proteccin contra inversin de corriente / descarga
Diodos Schottky se utilizan en fotovoltaicos (PV) para evitar que una corriente inversa fluye a travs de los
mdulos fotovoltaicos. Por ejemplo, se utilizan en stand-alone ("off-grid") para evitar que los sistemas de
bateras se descargue a travs de las clulas solares en la noche, y en los sistemas conectados a la red con varias
cadenas en paralelo, con el fin de evitar que la corriente inversa que fluye de las cadenas adyacentes a travs de
cadenas de sombra si los diodos de derivacin han fracasado.
Fuente de alimentacin
Tambin se utilizan como rectificadores de las fuentes de alimentacin conmutadas , el tiempo de recuperacin
de baja tensin directa y rpida lleva a una mayor eficiencia.
Diodos Schottky puede ser utilizado en la fuente de alimentacin " o "circuitos de ING en los productos que
tienen tanto un interno de la batera y un adaptador de red de entrada, o similar. Sin embargo, la corriente inversa
de fuga de alta presenta un problema en este caso, como cualquier circuito de tensin de alta impedancia de
deteccin (por ejemplo, el control de la tensin de la batera o detectar si un adaptador de red est presente) se
ver el voltaje de la fuente de energa a travs de la fuga de diodo .
Designacin
Se encuentran comnmente incluyen diodos Schottky de la serie 1N5817 (1 amperio ) rectificadores. Schottky
metal-semiconductor uniones se presentan en los sucesores de los 7.400 TTL de la familia de dispositivos de
lgica , la serie 74S, 74LS y 74ALS, donde se emplean como pinzas en paralelo con las uniones base de
coleccionistas de los transistores bipolares para evitar su saturacin, reduciendo enormemente su salida de la
curva, los retrasos.
Pequea seal de diodos Schottky como el 1N5711, 1N6263, 1SS106, 1SS108 o BAT41-43, serie 45-49 se
utilizan ampliamente en aplicaciones de alta frecuencia como detectores, mezcladores y elementos no lineales, y
han sustituido a los diodos de germanio, los hace obsoletos. Tambin son adecuados para la EDS proteccin de
componentes sensibles a ESD como III-V-semiconductor dispositivos, diodos lser y, en menor medida, las
lneas expuestas de CMOS de circuitos.
Alternativas
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Cuando la disipacin de potencia menos que se desea un MOSFET y un circuito de control se puede utilizar en
su lugar, en un modo de operacin conocido como rectificacin activa .
Un diodo sper que consiste en un diodo pn o diodo Schottky y un amplificador operacional proporciona una
caracterstica del diodo casi perfecta, debido al efecto de retroalimentacin negativa, aunque su uso est
restringido a las frecuencias del amplificador operacional utilizado puede manejar.
Circuitos integrados TTL (Series S, LS, ALS)
Introducida originalmente por Texas Instruments en 1964, la familia TTL es de gran aceptacin en el diseo de
sistemas lgicos debido principalmente a su alta velocidad de operacin, su fcil disponibilidad y su bajo costo.
La mayor parte de los dispositivos TTL se especifican mediante una referencia de la forma AA74xxyy, donde
AA es el cdigo que identifica al fabricante (DM, SN, MM, TC, etc.), xx un cdigo que identifica la subfamilia
del dispositivo (LS, S, AS, etc.) y yy un nmero de
dos o tres cifras que identifica la funcin del
mismo.
Figura 1.8 Niveles lgicos y mrgenes de ruido

TTL
El 74LS00, por ejemplo, contiene 4 compuertas

NAND de 2 entradas de tecnologa TTL Schottky
de bajo consumo de potencia, mientras que el 7490
contiene un contador decimal de 4 bits de
tecnologa TTL estndar. La serie 74, en general,
se destina para aplicaciones industriales y de
propsito general. Tambin se dispone de una serie
54, funcionalmente equivalente a la serie 74,
destinada a aplicaciones militares. Esta ltima se
caracteriza principalmente por su amplio rango de
temperaturas de operacin (55C a +125C contra
0C a +70C).
Los circuitos integrados TTL, en general, operan con una tensin de alimentacin nominal de +5V e interpretan
niveles lgicos de voltaje como se indica en la figura 1.8. Especficamente, cualquier voltaje entre 0V y 0.8V
(VIL,MAX) ser interpretado por una entrada TTL como un bajo (0), y cualquier voltaje entre 2.0V (VIH,MIN)
y 5.0V como un alto (1). Los voltajes de entrada entre 0.8V y 2.0V se consideran invlidos en TTL porque
producen estados de salida indeterminados.
Consecuentemente, los dispositivos TTL entregan voltajes de salida entre 0 y 0.4V (VOL,MAX) para el estado
bajo (0) y entre 2.4V (VOH,MIN) y 5.0V para el estado alto (1). La diferencia de 0.4V entre VIL,MIN y
VOL,MAX, y entre VOH,MIN y VIH,MIN, se denomina margen de ruido. Este margen de voltaje asegura que
un pequeo transitorio de ruido (interferencia) en una lnea de conexin no cambie el estado de la siguiente
etapa.
Actualmente, la familia TTL comprende varias subfamilias que representan la bsqueda de un compromiso entre
la necesidad de obtener altas velocidades de operacin y la de reducir el consumo de potencia. Las ms
importantes son la estndar (74), la de baja potencia (74L), la de alta velocidad (74H), la Schottky (74S), la
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Schottky de bajo consumo (74LS) y las Schottky avanzadas (74AS y 74ALS). A continuacin se resumen las
caractersticas generales de cada una.
Familia TTL estndar. Comprende los dispositivos identificados como 74xx, por ejemplo 7402 o 74157. Se
caracteriza por su alta velocidad de operacin (tpicamente por encima de 20MHz) y su alto consumo de
potencia (1 a 25 mW por compuerta). En la figura 1.9 se muestra la estructura bsica de una compuerta TTL
estndar. Con ligeras modificaciones, esta configuracin se mantiene para las otras familias TTL.
TTL de baja potencia (L). Comprende los

dispositivos identificados en forma genrica como
74Lxx, por ejemplo 74L04 o 74L574. Consume 10
veces menos potencia que TTL estndar pero es 4
veces ms lenta. Esto se debe a que utiliza
resistencias de valores relativamente altos. Por
ejemplo, algunas resistencias de 4kohms y
1.6kohms de la configuracin estndar son
sustituidas por resistencias de 40kohms y 20k,
respectivamente.
TTL de alta velocidad (H). Comprende los
dispositivos
identificados como 74Hxx, por
Figura 1.9 Estructura bsica de una compuerta
ejemplo 74H08 o 74H368. Consume 2.5 veces ms
potencia que TTL estndar pero es 2 veces ms
rpida. Esto se debe a que utiliza resistencias de valores relativamente bajos. Por ejemplo, algunas resistencias
de 4kohms y 1.6kohms de la configuracin estndar son sustituidas por resistencias de 2.8k ohms y 760 ohms,
respectivamente.
TTL Schottky. Comprende los dispositivos identificados como 74Sxx, por ejemplo 74S30 o 74S244. Consume
1.8 veces ms potencia que TTL estndar pero es 4 veces ms rpida. Esto se debe a que utiliza diodos Schottky
entre la base y el colector de cada transistor, constituyendo lo que se denomina un transistor Schottky, figura
1.10. Estos ltimos trabajan como interruptores no saturados y pueden cambiar rpidamente de un estado a otro.
En la figura 1.11 se muestra la estructura tpica de una compuerta TTL-S.
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Figura 1.10. Smbolo y circuito equivalente de

un transistor Schottky
TTL Schottky de baja potencia. Comprende los dispositivos designados como 74LSXX, por ejemplo 74LS51
o 74LS373. Consume 5 veces menos potencia que TTL estndar y es igual de rpida. Esto se debe a que utiliza
transistores Schottky no saturados y valores de resistencia relativamente altos comparados con la serie 74S. Es la
subfamilia TTL ms utilizada. En la figura 1.12 se muestra la estructura tpica de una compuerta TTL-LS.
Figura 1.11. Estructura tpica de una compuerta TTL

Schottky
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Figura 1.12. Estructura tpica de una compuerta TTL-LS
TTL Schottky avanzada. Comprende los dispositivos designados como 74ASXX, por ejemplo 74AS157 o
74AS240. Proporciona las ms altas velocidades que el estado actual de la tecnologa bipolar puede ofrecer (ms
de 600 MHz) y su consumo es intermedio entre TTL estndar y TTL-LS (menos de 7mW por compuerta).
TTL Schottky avanzada de baja potencia. Comprende los dispositivos designados en forma genrica como
74ALSxx, por ejemplo, 74ALS86 o 74ALS574. Consume la mitad de potencia de TTL LS y es dos veces ms
rpida. Una compuerta 74ALS tiene tpicamente una disipacin de potencia del orden de 1mW y un tiempo de
propagacin del orden de 4 ns.
Adems de sus caractersticas de velocidad y potencia, las subfamilias TTL anteriores se diferencian
tambin por sus caractersticas de carga, es decir la corriente que demanda una entrada de la fuente de seal y la
corriente que puede entregar una salida al circuito de carga. Estas caractersticas, denominadas respectivamente
abanico de entrada (fan-in) y abanico de salida (fan-out), determinan el nmero mximo de entradas de una
misma subfamilia que pueden ser conectados a una salida de la misma u otra subfamilia.
Fuentes de alimentacin por switching con conversin directa desde el voltaje de lnea
Los rectificadores Schottky han sido usados por ms de 25 aos principalmente en la industria de fuentes de
alimentacin.
Aunque a veces es considerado un asunto menor, el diseo de fuentes de alimentacin es un tema que puede
afectar seriamente el costo y prestaciones de cualquier equipo.
Al disearse fuentes de alimentacin convencionales usando transformadores operando a 60 Hz se generan
soluciones que suelen ser inconvenientes, tanto por su elevado costo, excesivo peso y volumen, as como por su
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bajo rendimiento de conversin, y la consiguiente generacin de calor. La alternativa a este tipo de diseos ha
sido desde hace tiempo el empleo de fuentes de conmutacin (switching), aunque usualmente fue evitada por ser
una solucin compleja y con ciertos puntos oscuros en cuanto a criterios de diseo.
Hoy da, la tecnologa de fabricacin de circuitos integrados permite que muchos fabricantes ofrezcan soluciones
single-chip, que facilitan el diseo de fuentes de conmutacin que operan directamente sobre el lado de alta
tensin, con elevados rendimientos (usualmente mejor al 70% u 80%), de bajo costo y volumen, y usando muy
pocos componentes (con la consiguiente facilidad de armado y mayor confiabilidad). Esta situacin no es casual,
sino que ha sido motivada por el mayor domino en la fabricacin de circuitos integrados, donde se ha logrado
mezclar dispositivos de baja seal y voltaje de operacin junto a dispositivos conmutadores de potencia capaces
de operar con altas tensiones de colector (o Drain).
Complementando al circuito, se usa diodos Schottky en este tipo de fuentes ya que sus principales caractersticas
son: una cada de voltaje muy baja en polarizacin directa, y velocidades de conmutacin que se acercan a cero,
lo hacen ideal para fuentes de poder 'switching' [en ingls: Switch Mode Power Supply (SMPS)]. Esta ltima
caracterstica ha estimulado su uso en aplicaciones de alta frecuencia incluyendo seales de muy baja potencia y
aplicaciones de conmutacin con diodos de menos de 100 picosegundos.
Figura 1.13.Fuente switching con diodo schottky

El circuito de la figura (tomado de la hoja de datos del circuito integrado NCP1200: PWM Current-Mode
Controller for Low-Power Universal Off-Line Supplies) muestra una fuente regulada switching a un voltaje de
6.5V a 600mA.
Debido a la alta frecuencia a la que trabaja el circuito debido a la conmutacin, se emplea un diodo Schottky
1N5819.
Las caractersticas de este elemento son:
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Diodo Schottk:
Element Six (E6), anuncia que ha alcanzado un hito significativo en su programa de electrnica con diamante,
gracias a la fabricacin de un diodo de barrera Schottky (Schottky-barrier diode, SBD) basado en diamante
capaz de funcionar a 1.700 V y menos de 10 A/cm2. El grupo colaborador que ha llevado a cabo este avance es
el consorcio llamado CArbon Power Electronics (CAPE). El diodo Schottky fue fabricado partiendo de un cristal
de diamante creado por Element Six a travs de la deposicin de vapor qumico (chemical vapour deposition,
CVD). El diamante, gracias a sus propiedades fsicas extremas, demuestra una vez ms su potencial como
semiconductor de gran amplitud para su uso en electrnica de alta potencia. El rendimiento terico intrnseco del
diamante, combinado con este ltimo dispositivo, sugiere que el diamante podra convertirse en un importante
componente en dispositivos de conversin de potencia capaces de operar con tensiones de ms de 10.000 voltios
y a temperaturas ms altas que otros materiales semiconductores.
Desventajas:
La limitacin ms evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir resistencias inversas
relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes inversos.
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El diodo Schottky est ms cerca del diodo ideal que el diodo semiconductor comn pero tiene algunas
caractersticas que hacen imposible su utilizacin en aplicaciones de potencia.
Por ejemplo:
Poca capacidad de conduccin de corriente en directo.

No acepta grandes voltajes que lo polaricen inversamente (VCRR)
Ventajas:
La ausencia de portadores minoritarios a cualquier nivel apreciable en el diodo Schottky da como

resultado un tiempo de recuperacin inversa de niveles significativamente ms bajos. Esta es la
principal razn por la que los diodos Shottky son tan efectivos a frecuencias que se acercan a los 20
GHz, donde el dispositivo debe conmutar estados a una velocidad muy alta. Para frecuencias ms
altas, el diodo de punto de contacto se emplea con su rea de unin muy pequea.
Por lo general la construccin de diodos Schottky da como resultado una regin de unin ms
uniforme y un nivel de solidez ms alto.
Debido a que no hay portadores minoritarios, como en un diodo convencional existe una respuesta
muy rpida a un cambio de polarizacin. El diodo Schottky es un diodo de conmutacin muy rpida
y casi todas sus aplicaciones aprovechan esta propiedad.
Los diodos Schottky de barrera son ampliamente utilizados en la industria electrnica encontrar muchos usos
como rectificador de diodos. Sus propiedades nicas que pueda ser utilizado en un nmero de aplicaciones en
otros diodos no sera capaz de proporcionar el mismo nivel de rendimiento. En particular, se utiliza en reas que
incluyen:
RF mezclador y el diodo detector

Rectificador de potencia
O circuitos de alimentacin
Aplicaciones de celdas solares
Abrazadera del diodo - especialmente con su uso en el LS TTL
El uso en cada una de estas aplicaciones es ligeramente diferente, a veces se centra en diferentes propiedades del
diodo. En consecuencia, stos se abordarn por separado.
Diodo Schottky como un mezclador de RF y el diodo detector
El diodo Schottky ha entrado en su propia frecuencia de radio para aplicaciones debido a su velocidad de
conmutacin de alta capacidad y alta frecuencia. En vista de esta diodos de barrera Schottky se utilizan en
muchos mezcladores de alto rendimiento anillo de diodo. Adems de esto a su vez baja la tensin y la capacidad
de alta frecuencia y baja capacitancia hacen ideales como detectores de RF.
Diodo Schottky como un diodo rectificador de potencia
diodos de barrera Schottky tambin se utilizan en aplicaciones de alta potencia, como rectificadores. Su alta
densidad de corriente y colocar bajo tensin directa significa que el poder no se perder tanto ordinarias que si
los diodos de unin PN se utilizaron. Este aumento en la eficiencia significa que menos calor tiene que ser
disipada, y ms pequeos disipadores de calor puede ser capaz de incorporar en el diseo.
Diodo Schottky en el poder o los circuitos
Los diodos Schottky se puede utilizar en aplicaciones donde es impulsado por una carga de dos fuentes de
alimentacin por separado. Un ejemplo puede ser una fuente de alimentacin de corriente y una fuente de la
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batera. En estos casos es necesario que el poder de un suministro no se entra en la otra. Esto se puede lograr
con ayuda de diodos. Sin embargo, es importante que cualquier cada de tensin en los diodos se reduce al
mnimo para garantizar la mxima eficacia. Como en muchas otras aplicaciones, el diodo Schottky es ideal para
esto en vista de su cada de baja tensin directa.
Los diodos Schottky tienden a tener una prdida inversa de alta corriente. Esto puede llevar a problemas con los
circuitos de deteccin que pueden estar en uso. caminos de fugas en los circuitos de alta impedancia puede dar
lugar a lecturas falsas. Esto por lo tanto debe tener cabida en el diseo de circuitos.
Diodo Schottky en aplicaciones de clulas solares
Las clulas solares suelen estar conectados a las bateras recargables, bateras de plomo a menudo porque el
poder puede ser necesario las 24 horas del da y el sol no siempre est disponible. Las clulas solares no les
gusta la inversin del sujeto pasivo apliquen y para ello se requiere un diodo en serie con las clulas solares.
Cualquier cada de tensin se traducir en una reduccin de la eficiencia y por lo tanto un diodo de baja cada de
tensin que se necesita. Al igual que en otras aplicaciones, la cada de tensin baja del diodo Schottky es
particularmente til, y como resultado de los diodos Schottky son habitualmente utilizados en esta aplicacin.
Diodo Schottky como un diodo pinza
diodos de barrera Schottky tambin puede ser utilizado como un diodo de fijacin en un circuito de transistor
para acelerar la operacin cuando se utiliza como un interruptor. Se utilizaron en este papel en el 74LS
(Schottky de baja potencia) y 74S (Schottky) familias de circuitos lgicos. diodos de barrera Schottky se
insertan entre el colector y la base del transistor conductor para actuar como una pinza. Para producir una baja o
la lgica "0" de salida del transistor se excita demasiado en adelante, y en esta situacin, la unin colector base
en el diodo est polarizado. Cuando el diodo Schottky es presentar esta toma a la mayora de los actuales y
permite a la hora de apagado del transistor a reducirse en gran medida, mejorando as la velocidad del circuito.
Un transistor NPN con pinza de diodo Schottky

Bandas de VHF y UHF
Los diodos Schottky de alto nivel de portadores, llamados Hotcarriers, se utilizan como mezcladores y detectores
de alta frecuencia en las bandas de VHF y UHF; y, en general, en la mayora de las aplicaciones donde haya
seales de alta frecuencia.
Estos dispositivos presentan caractersticas elctricas muy estables, gracias a la eliminacin del diodo de punto
de contacto. En poco tiempo, tal particularidad ser aprovechada en muchas aplicaciones electrnicas.
Ahora veremos un grupo representativo de diodos Schottky en su versin de Hot-carrier, los cuales se fabrican
en encapsulados de montaje superficial 8.
-39 -
Configuraciones de los diodos dentro del encapsulado
.-
Mezclador de frecuencias
Modulo mezclador
En telecomunicaciones, un mezclador es un circuito no lineal variante con el tiempo o un dispositivo capaz de
mezclar dos seales de entrada, vs(t) y vo(t), a frecuencias diferentes, produciendo a su salida una mezcla de
seales vi(t) de diferentes frecuencias igual a una combinacin lineal de las dos frecuencias de entrada:
la suma de las frecuencias de las seales de entrada

la diferencia entre las frecuencias de las seales de entrada
las dos seales originales, habitualmente consideradas como parsitas que se eliminan mediante filtros
de frecuencia.
Se utiliza habitualmente para hacer una conversin de frecuencias en sistemas de trasmisin o recepcin de
seal, en todas las bandas de frecuencias.Cualquier elemento que posea una respuesta no lineal, en principio,
puede utilizarse como conversor de frecuencia. La eleccin del dispositivo adecuado depende del margen de
frecuencia, nivel de ruido, aplicacin...El diodo Schottky es el dispositivo ms empleado para implementar un
mezclador. Se utilizan tanto para mezcladores sencillos como equilibrados en un amplio margen de frecuencias
(de 10MHz a 1000GHz). Las prdidas y figura de ruido se sitan entre 4 y 10dB.
CIRCUITOS INTEGRADOS TTL (Series S, LS, ALS)
Introducida originalmente por Texas Instruments en 1964 la familia TTL es de gran aceptacin en el diseo de
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AA es el cdigo que identifica el fabricante (DM, SN, MM, TC, etc.), xx un cdigo que identifica la subfamilia
del dispositivo (LS, S, AS, etc) y yy su nmero de dos o tres cifras que identifica la funcin del mismo.
El 74LS00, por ejemplo, contiene 4 compuertas NAND de 2 entradas de tecnologa TTL Schottky de bajo
consumo de potencia, mientras que el 7490 contiene un contador decimal de 4 bits de tecnologa TTL estndar.
La serie 74, en general, se destina para aplicaciones industriales y de propsito general. Tambin se dispone de
una serie 54, funcinalmente equivalente a la serie 74, destinada a aplicaciones militares. Esta ltima se
caracteriza principalmente por su amplio rango de temperaturas de operacin (55 C a 125C contra 0 C a 70C)
Los circuitos integrados TTL, en general, operan con una tensin de

alimentacin nominal de 5V e interpretan niveles lgicos de voltaje
como se indica en la figura . Especficamente, cualquier voltaje entre
0V y 0.8V (VIL,MAX) ser interpretado por una entrada TTL como un
bajo (0), y cualquier voltaje entre 2.0 V (VIH,MIN) y 5.0 V como un
alto (1). Los voltajes de entrada entre 0.8V y 2.0V se consideran
invlidos en TTL porque producen estados de salida indeterminados.
Consecuentemente, los dispositivos TTL entregan voltajes de salida
entre 0 y 0.4v (VOL;MAX) para el estado bajo (0) y entre 2.4V
(VOH,MIN) y 5.0V para el estado alto (1). La diferencia de 0.4V entre
VIL,MIN y VOL,MAX, y entre VOH,MIN y VIH,MIN, se denomina
margen de ruido. Este margen de voltaje asegura que un pequeo
transitorio de ruido (interferencia) en una lnea de conexin no cambie el
estado de la siguiente etapa. Actualmente, la familia TTL comprende varias subfamilias que representan la
bsqueda de un compromiso entre la necesidad de obtener altas velocidades de operacin y la de reducir el
consumo de potencia. Las ms importantes son la estndar (74), la de baja potencia (74L), la de alta velocidad
(74H), la Schottky (74S), la Schottky de bajo consumo (74LS) y las Schottky avanzadas (74AS y 74ALS. A
continuacin se resumen las caractersticas generales de cada una.
potencia (1 a 25 mW por compuerta). En la figura 2 se muestra la estructura bsica de una compuerta TTL
TTL de baja potencia (L). Comprende los dispositivos identificados en forma genrica como 74Lxx, por
ejemplo 74L04 o 74L574. Consume 10 veces menos potencia que TTL estndar pero es 4 veces ms lenta. Esto
se debe a que utiliza resistencias de valores relativamente altos. Por ejemplo, algunas resistencias de 4kohms y
1.6kohms de la configuracin estndar son sustituidas por resistencias de 40kohms y 20k, respectivamente.
TTL de alta velocidad (H). Comprende los dispositivos identificados como 74Hxx, por ejemplo 74H08 o
74H368. Consume 2.5 veces ms potencia que TTL estndar pero es 2 veces ms rpida. Esto se debe a que
utiliza resistencias de valores relativamente bajos. Por ejemplo, algunas resistencias de 4kohms y 1.6kohms de la
configuracin estndar son sustituidas por resistencias de 2.8k ohms y 760 ohms, respectivamente
TTL Schottky. Comprende los dispositivos identificados como 74Sxx, por ejemplo 74S30 o 74S244. Consume
1.8 veces ms potencia que TTL estndar pero es 4 veces ms rpida. Esto se debe a que utiliza diodos Schottky
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entre la base y el colector de cada transistor, constituyendo lo que se denomina un transistor Schottky, figura
3. Estos ltimos trabajan como interruptores no saturados y pueden cambiar rpidamente de un estado a otro. En
la figura 4 se muestra la estructura tpica de una compuerta TTL-S.
TTL Schottky de baja potencia. Comprende los dispositivos designados como 74LSxx, por ejemplo 74LS51 o
74LS373. Consume 5 veces menos potencia que TTL estndar y es igual de rpida. Esto se debe a que utiliza
transistores Schottky no saturados y valores de resistencia relativamente altos comparados con la serie 74S. Es la
subfamilia TTL ms utilizada. En la figura 5 se muestra la estructura tpica de una compuerta TTL-LS.
TTL Schottky avanzada. Comprende los dispositivos designados como 74ASxx, por ejemplo 74AS157 o
74AS240. Proporciona las ms altas velocidades que el estado actual de la tecnologa bipolar puede ofrecer (ms
de 600 MHz) y su consumo es intermedio entre TTL estndar y TTL-LS (menos de 7mW por compuerta).
TTL Schottky avanzada de baja potencia. Comprende los dispositivos designados en forma genrica como
74ALSxx, por ejemplo, 74ALS86 o 74ALS574. Consume la mitad de potencia de TTL LS y es dos veces ms
rpida. Una compuerta 74ALS tiene tpicamente una disipacin de potencia del orden de 1mW y un tiempo de
propagacin del orden de 4 ns.
Adems de sus caractersticas de velocidad y potencia, las subfamilias TTL anteriores se diferencian tambin
por sus caractersticas de carga, es decir la corriente que demanda una entrada de la fuente de seal y la
corriente que puede entregar una salida al circuito de carga. Estas
caractersticas, denominadas respectivamente abanico de entrada (fan-in) y
abanico de salida (fan-out), determinan el nmero mximo de entradas de
una misma subfamilia que pueden ser conectados a una salida de la misma u
otra subfamilia.
Una entrada TTL estndar, por ejemplo, se comporta como una fuente de
corriente de 1.8mA. A este valor se le asigna un fan-in de 1. Una salida TTL
estndar, por su parte, se comporta como una fuente de voltaje con una capacidad de corriente mxima de 18mA.
Esto implica que puede impulsar hasta 10 entradas TTL del mismo tipo. En otras palabras, tiene un fan out de
10. En la tabla 1 se relacionan las caractersticas de carga tpicas de otras subfamilias TTL comunes.
Tabla 1. Caractersticas de carga de subfamilias TTL comunes
La alta velocidad de conmutacin permite rectificar seales de hasta 300MHz y eliminar excesos de corriente en
circuitos de alta intensidad. A diferencia de los diodos convencionales de silicio que tienen una tensin umbral
valor de la tensin en directa a partir de la cual el diodo conduce de 0,6 V, los diodos Schottky tienen una
tensin umbral de aproximadamente 0,2 V, emplendose, por ejemplo, como proteccin de descarga de clulas
solares con bateras de plomo cido.
Se usan tambin en circuitos digitales a fin de disminuir los tiempos de conmutacin. Tambin se utilizan como
detectores en los receptores de modulacin de frecuencia.
Sus reas de aplicacin estuvieron primero limitadas al rango de frecuencias muy altas, debido a su rpido
tiempo de respuesta (especialmente importante a altas frecuencias) y a una figura de ruido bajo (una cantidad de
importancia real en las aplicaciones de alta frecuencia). Sin embargo, en aos recientes est apareciendo ms
fuentes de alimentacin de bajo voltaje / alta corriente y convertidores de ac a dc.
Otras reas de aplicacin del dispositivo incluyen sistemas de radar, lgica TTL Schottky para computadoras,
mezcladores y detectores en equipo de comunicacin, instrumentacin y convertidores analgico a digital.
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Variadores: La mayora de los variadores de gama alta llevan un diodo Schottky. Cuando el acelerador no est al
mximo, hay corriente que vuelve al variador desde el motor. Si no hubiera un diodo Schottky, esa corriente
pasara a travs del transistor del freno, lo calentara y sera menos eficiente. El diodo Schottky evita esto.
Adems ocupa un sitio relativamente grande, por lo que algunos fabricantes para reducir el tamao del variador
no lo incluyen en su interior, y recomiendan colocar uno externo lo ms cerca posible del motor.
ALTA FRECUENCIA
Los diodos rectificadores para bajas frecuencias tipo Schottky, son excelentes dispositivos cuando trabajan con
seales de baja frecuencia; sin embargo, con fuentes de
poder de alta frecuencia son tiles. Tambin se utilizan
como diodos de proteccin de polaridad y como diodos
lgicos en circuitos tipo OR El MBR2535CTL conduce en
sentido directo hasta 25 A, soporta un voltaje en sentido
directo de 25 V y se encuentra encapsulado en un empaque
TO220AC. El modelo MBRS130TL3 puede conducir una
corriente en sentido directo de hasta un amper, soporta un
voltaje de 30 volts y est encapsulado en un empaque de
soldadura superficial tipo SMB.
Los MEGAHERTZ son un conjunto de rectificadores ultrarpidos, diseados para proveer gran eficiencia en la conmutacin de seales de muy alta frecuencia en fuentes
de poder; no obstante, tambin se utilizan como correctores de factor en circuitos de potencia. Un ejemplo de
este tipo de diodos lo tenemos en el MURK840CT, que puede conducir una corriente en sentido directo de hasta
8 ampers, soporta un voltaje de polarizacin de hasta 400 volts y tiene un tiempo de recuperacin 28
nanosegundos (tiempo necesario para conmutar entre estado de conduccin y de no conduccin).
Los SCANSWITCH son rectificadores ultrarrpidos
que ofrecen alto rendimiento cuando son utilizados en
monitores de muy alta resolucin y en estaciones de
trabajo en donde se requiere de un tiempo de
recuperacin muy corto y de voltajes de polarizacin
de 1200 a 1500 volts. Como ejemplo tenemos al
MRU5150E, que soporta una corriente en sentido
directo de hasta 5 ampers, un voltaje de polarizacin
de 1500 volts y tiene un tiempo de recuperacin de
175 nanosegundos.
El supresor de transitorios para sistemas de
automviles, es un dispositivo que ofrece proteccin de picos de alto voltaje en el sistema elctrico del
automvil. La proteccin proporcionada por el diodo incluye el fenmeno denominado LOAD DUMP (carga
de basura), que ocurre durante el desplazamiento del automvil mientras la batera se mantiene desconectada del
sistema. Un ejemplo de este tipo de diodos es el MR2535L, el cual soporta una corriente en sentido directo de
hasta 35 ampers, un voltaje de polarizacin de 20 volts y una corriente de 110 ampers para un transitorio durante
10 milisegundos. La temperatura mxima a la que puede funcionar sin sufrir daos en su estructura, es de 110 C.
En el mercado de semiconductores ha aparecido un nuevo tipo de diodos conocidos como SWITCHMODE. Se
trata de rectificadores Schottky de potencia, para alta frecuencia y bajo voltaje, estas caractersticas se logran
gracias a la unin de silicio y metal. A diferencia de las uniones clsicas de silicio silicio, este tipo de diodos
pueden conmutar en tiempos menores a 10 nanosegundos y se construyen para rangos de corriente que van desde
0.5 a 600 ampers y con voltajes inversos de hasta 200 volts, La unin soporta temperaturas que van de 125C a
175C; el ctodo del dispositivo siempre se conecta al encapsulado. Un modelo muy sencillo de diodos
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rectificadores construidos con germanio, tiene amplio uso como detector de seales de AM. Una seal de
Amplitud Modulada transporta la informacin, modificando as la amplitud de una seal que sirve de transporte
(Portadora). Cuando se recibe en un radio la seal, el diodo se encarga de separar los semiciclos positivos a
partir de los cuales se separa la seal original. Si tiene oportunidad de observar la tablilla de circuito impreso de
un radio AM, fcilmente localizar el diodo de germanio ya que ste tiene un encapsulado en vidrio
transparente.
Diodo Schottky como un diodo pinza

Los diodos de barrera Schottky tambin puede ser utilizado como un diodo de fijacin en un circuito de
transistor para acelerar la operacin cuando se utiliza como un interruptor. Se utilizaron en este papel en el 74LS
(Schottky de baja potencia) y 74S (Schottky) familias de circuitos lgicos.
Diodos de barrera Schottky se insertan entre el colector y la base del transistor conductor para actuar como una
pinza. Para producir una baja o la lgica "0" de salida del transistor se excita demasiado en adelante, y en esta
situacin, la unin colector base en el diodo est polarizado.
Cuando el diodo Schottky es presentar esta toma a la mayora de los actuales y permite a la hora de apagado del
transistor a reducirse en gran medida, mejorando as la velocidad del circuito.
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Configuraciones de los diodos dentro del encapsulado

3.20 Mezclador de frecuencias
Modulo mezclador
En telecomunicaciones, un mezclador es un circuito no
lineal variante con el tiempo o un dispositivo capaz de
mezclar dos seales de entrada, vs(t) y vo(t), a
frecuencias diferentes, produciendo a su salida una
mezcla de seales vi(t) de diferentes frecuencias igual a
una combinacin lineal de las dos frecuencias de entrada:
La suma de las frecuencias de las seales de

entrada
La diferencia entre las frecuencias de las seales
de entrada
Las dos seales originales, habitualmente
consideradas como parsitas que se eliminan mediante filtros de frecuencia.
Se utiliza habitualmente para hacer una conversin de frecuencias en sistemas de trasmisin o recepcin de
seal, en todas las bandas de frecuencias.
Cualquier elemento que posea una respuesta no lineal, en principio, puede utilizarse como conversor de
frecuencia. La eleccin del dispositivo adecuado depende del margen de frecuencia, nivel de ruido, aplicacin...
El diodo Schottky es el dispositivo ms empleado para implementar un mezclador. Se utilizan tanto para
mezcladores sencillos como equilibrados en un amplio margen de frecuencias (de 10MHz a 1000GHz). Las
prdidas y figura de ruido se sitan entre 4 y 10dB
3.21 Circuitos integrados (Series S, LS, ALS)
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Introducida originalmente por Texas Instruments en 1964 la familia TTL es de gran aceptacin en el diseo de
AA es el cdigo que identifica el fabricante (DM, SN, MM, TC, etc.), xx un cdigo que identifica la subfamilia
del dispositivo (LS, S, AS, etc) y yy su nmero de dos o tres cifras que identifica la funcin del mismo.
El 74LS00, por ejemplo, contiene 4 compuertas NAND de 2 entradas de tecnologa TTL Schottky de bajo
consumo de potencia, mientras que el 7490 contiene un contador decimal de 4 bits de tecnologa TTL estndar.
La serie 74, en general, se destina para aplicaciones industriales y de propsito general. Tambin se dispone de
una serie 54, funcinalmente equivalente a la serie 74, destinada a aplicaciones militares. Esta ltima se
caracteriza principalmente por su amplio rango de temperaturas de operacin (55 C a 125C contra 0 C a 70C)
12.- Niveles lgicos y mrgenes de ruido en TTL

Los circuitos integrados TTL, en general, operan con una tensin de alimentacin nominal de 5V e interpretan
niveles lgicos de voltaje como se indica en la figura . Especficamente, cualquier voltaje entre 0V y 0.8V
(VIL,MAX) ser interpretado por una entrada TTL como un bajo (0), y cualquier voltaje entre 2.0 V (VIH,MIN)
y 5.0 V como un alto (1). Los voltajes de entrada entre 0.8V y 2.0V se consideran invlidos en TTL porque
producen estados de salida indeterminados.
Consecuentemente, los dispositivos TTL entregan voltajes de salida entre 0 y 0.4v (VOL;MAX) para el estado
bajo (0) y entre 2.4V (VOH,MIN) y 5.0V para el estado alto (1). La diferencia de 0.4V entre VIL,MIN y
VOL,MAX, y entre VOH,MIN y VIH,MIN, se denomina margen de ruido. Este margen de voltaje asegura que
un pequeo transitorio de ruido (interferencia) en una lnea de conexin no cambie el estado de la siguiente
etapa.
Actualmente, la familia TTL comprende varias subfamilias que representan la bsqueda de un compromiso entre
la necesidad de obtener altas velocidades de operacin y la de reducir el consumo de potencia. Las ms
importantes son la estndar (74), la de baja potencia (74L), la de alta velocidad (74H), la Schottky (74S), la
Schottky de bajo consumo (74LS) y las Schottky avanzadas (74AS y 74ALS. A continuacin se resumen las
caractersticas generales de cada una.
potencia (1 a 25 mW por compuerta). En la figura 2 se muestra la estructura bsica de una compuerta TTL
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Estructura tpica de una compuerta TTL estndar
TTL de baja potencia (L). Comprende los dispositivos identificados en forma
genrica como 74Lxx, por ejemplo 74L04 o 74L574. Consume 10 veces menos
potencia que TTL estndar pero es 4 veces ms lenta. Esto se debe a que utiliza
resistencias de valores relativamente altos. Por ejemplo, algunas resistencias de
4kohms y 1.6kohms de la configuracin estndar son sustituidas por
resistencias
de
40kohms
y
20k,
respectivamente.
TTL de alta velocidad (H). Comprende los dispositivos identificados como

74Hxx, por ejemplo 74H08 o 74H368. Consume 2.5 veces ms potencia que TTL estndar pero es 2 veces ms
rpida. Esto se debe a que utiliza resistencias de valores relativamente bajos. Por ejemplo, algunas resistencias
de 4kohms y 1.6kohms de la configuracin estndar son sustituidas por resistencias de 2.8k ohms y 760 ohms,
respectivamente.
Circuito equivalente de un transistor Schottky
TTL Schottky. Comprende los dispositivos identificados como 74Sxx, por
ejemplo 74S30 o 74S244. Consume 1.8 veces ms potencia que TTL estndar
pero es 4 veces ms rpida. Esto se debe a que utiliza diodos Schottky entre la
base y el colector de cada transistor, constituyendo lo que se denomina un
transistor Schottky, figura 3. Estos ltimos trabajan como interruptores no
saturados y pueden cambiar rpidamente de un estado a otro. En la figura 15 se
muestra la estructura tpica de una compuerta TTL-S.
Compuerta TTL Schottky

TTL Schottky de baja potencia. Comprende los dispositivos designados
como 74LSxx, por ejemplo 74LS51 o 74LS373. Consume 5 veces
menos potencia que TTL estndar y es igual de rpida. Esto se debe a
que utiliza transistores Schottky no saturados y valores de resistencia relativamente altos comparados
con la serie 74S. Es la subfamilia TTL ms utilizada. En la figura 16 se muestra la estructura tpica de
una compuerta TTL-LS.
TTL Schottky avanzada. Comprende los dispositivos designados como 74ASxx, por ejemplo 74AS157
o 74AS240. Proporciona las ms altas velocidades que el estado actual de la tecnologa bipolar puede
ofrecer (ms de 600 MHz) y su consumo es intermedio entre TTL estndar y TTL-LS (menos de 7mW
por compuerta).
Compuerta TTL - LS
TTL Schottky avanzada de baja potencia. Comprende los dispositivos
designados en forma genrica como 74ALSxx, por ejemplo, 74ALS86 o
74ALS574. Consume la mitad de potencia de TTL LS y es dos veces ms
rpida. Una compuerta 74ALS tiene tpicamente una disipacin de potencia
del orden de 1mW y un tiempo de propagacin del orden de 4 ns. Adems de
sus caractersticas de velocidad y potencia, las subfamilias TTL anteriores se
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diferencian tambin por sus caractersticas de carga, es decir la corriente que demanda una entrada de la fuente
de seal y la corriente que puede entregar una salida al circuito de carga. Estas caractersticas, denominadas
respectivamente abanico de entrada (fan-in) y abanico de salida (fan-out), determinan el nmero mximo de
entradas de una misma subfamilia que pueden ser conectados a una salida de la misma u otra subfamilia.
Tabla de caractersticas de carga de subfamilias TTL comunes
Una entrada TTL estndar, por ejemplo, se comporta como una fuente de
corriente de 1.8mA. A este valor se le asigna un fan-in de 1. Una salida TTL
estndar, por su parte, se comporta como una fuente de voltaje con una
capacidad de corriente mxima de 18mA. Esto implica que puede impulsar
hasta 10 entradas TTL del mismo tipo. En otras palabras, tiene un fan out de
10. En la tabla 1 se relacionan las caractersticas de carga tpicas de otras
subfamilias TTL comunes.
Consideraciones prcticas sobre el uso de TTL.
Analizaremos Con ms profundidad los conceptos de fuente y sumidero de corriente. En la siguiente figura se
muestran dos inversores TTL conectados en serie.
Cuando la puerta excitadora tiene un estado de salida
alto acta como fuente de corriente para la carga (flecha
slida). La entrada a la carga es como un diodo en
polarizacin inversa, por lo que la corriente es mnima
(tpicamente 40 A).
Por otra parte, cuando la puerta excitadora se encuentra
en estado bajo (lnea discontinua) acta como un
sumidero de corriente. Esta corriente es mucho mayor, ya que el diodo base-emisor de la carga se encuentra en
directa (tpicamente 1,6 mA.). Adems el sentido de la corriente es negativo, por lo que en las hojas de
caracterstica aparece con un signo negativo.
Las salida totem-pole no se pueden conectar juntas, ya que dicha conexin produce una corriente excesiva, que
daa los dispositivos3.
Circuitos en colector abierto.
Un circuito TTL en totem-pole tiene limitada la cantidad de corriente que puede absorber en el estado bajo
(IOLmax) a 16 mA para la serie estndar y a 20 para la serie AS. En muchas aplicaciones es necesario excitar
dispositivos como rels, lmparas, LEDs, etc., que necesitan de un consumo mayor
Para estos dispositivos se utilizan salidas en colector abierto, debido a su mayor capacidad de manejo de
corriente y tensin. Una puerta buffer en colector abierto tpica puede absorber hasta 40 mA.
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Configuracin Bsica de las compuertas Lgicas segn transistor- transistor (TTL):

La compuerta original bsica TTL fue una mejora ligera sobre la compuerta DLT. Conforme progres la
tecnologa TTL, se agregaron mejoras adicionales al punto en que esta familia lgica llego a ser el tipo de uso
mas amplio en el diseo de sistemas digitales. Hay muchas versiones de la compuerta bsica TTL. Los nombres
y caractersticas de cinco versiones aparecen en la siguiente tabla, junto con sus valores de retardo, de
propagacin, disipacin de potencia y producto velocidad-potencia.
Nombre
Abreviatura
Retardo de
propagacin
(ns)
TTL
Disipacin de
potencia (mW)
Producto potenciavelocidad
(pj)
TTL
10
10
100
TTL baja potencia
LTTL
33
33
TTL alta potencia
HTTL
22
132
TTL Schottky
STTL
19
57
LSTTL
9.5
19
estndar
TTL schottky
De baja potencia
La compuerta lgica estndar TTL fue la primera versin en la familia TTL. Esta compuerta bsica se construy
entonces con resistores de diferentes valores para producir compuertas con disipacin ms baja o velocidad ms
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alta. El retardo de propagacin de una familia lgica saturada depende principalmente de dos factores: tiempo de
almacenamiento y tiempo de las constantes RC. La reduccin del tiempo de almacenamiento disminuye el
retardo de propagacin. La reduccin de los valores de resistores en el circuito reduce las constantes de tiempo
RC y disminuye el retardo de propagacin. La velocidad de la compuerta es inversamente proporcional al
retardo de propagacin.
En la compuerta TTL de baja potencia los valores de los resistores son ms altos que en la compuerta estndar
para reducir la disipacin de potencia, pero se aumenta el retardo de propagacin. Con la compuerta TTL de alta
velocidad, los valores de los resistores se bajan para reducir el retardo de propagacin, pero se aumenta la
disipacin de potencia. La TTL Schottky es una ltima mejora en la tecnologa que elimina el tiempo de
almacenamiento de los transistores al evitar que vallan a saturacin. Esta versin aumenta la velocidad de
operacin sin un aumento excesivo en la disipacin de potencia. La versin TTL Schottky de bala potencia
sacrifica un poco de velocidad para reducir la disipacin de potencia. Es casi igual a la compuerta TTL estndar
en el retardo de propagacin, pero slo tiene una quinta parte en la disipacin de potencia. Tiene el mejor
producto de velocidad-potencia y, como consecuencia, ha llegado a ser la versin de ms uso en los nuevos
diseos.
Compuerta TTL Schottky: Una reduccin en el tiempo de almacenamiento resulta en una reduccin del retardo
de propagacin. Esto de debe a que el tiempo necesario para que un transistor salga de saturacin retarda el
cambio del transistor desde la condicin de encendido a la condicin de apagado. La saturacin puede eliminarse
colocando un diodo schottky entre la base y el colector de cada transistor saturado en el circuito. El diodo
Schottky esta formado por la junta de un metal y un semiconductor, en contraste con un diodo convencional que
esta formado por la junta de material semiconductor tipo p y tipo n. El voltaje a travs de un diodo Schottky
conductor es solo 0.4 V, en comparacin con 0.7 V en un diodo convencional. La presencia de un diodo
Schottky entre la base y el colector evita que el transistor pase a saturacin. Uno de los transistores Schottky en
una TTL disminuye el retardo de propagacin sin sacrificar la disipacin de potencia.
Diodos de tratamiento de seal (RF):
Los diodos de tratamiento de seal necesitan algo ms de calidad de fabricacin que los rectificadores. Estos
diodos estn destinados a formar parte de etapas moduladoras, demoduladoras, mezcla y limitacin de seales,
etc.
Uno de los puntos ms crticos en el diodo, al momento de trabajar con media y alta frecuencia, se encuentra en
la "capacidad de unin", misma que se debe a que en la zona de la Unin PN se forman dos capas de carga de
sentido opuesto que conforman una capacidad real.
En los diodos de RF (radio frecuencia) se intenta que dicha capacidad sea reducida a su mnima expresin, lo
cual ayudar a que el diodo conserve todas sus habilidades rectidficadoras, incluso cuando trabaje en altas
frecuencias.
Entre los diodos ms preparados para lidiar con las altas frecuencias destaca el diodo denominado Schottky.
Disminuyen tamao de diodos: IR reduce el espacio en la tarjeta requerido en la implementacin de diodos
Schottky
International Rectifier (IR) anunci recientemente la disponibilidad de 4 nuevos diodos Schottky de su familia
de dispositivos FlipKY, ofreciendo, de acuerdo con la compaa, mejoras en cuanto a eficiencia y factor de
forma, en comparacin con los diodos Schottky estndar.
Cabe sealar que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy
rpidas entre los estados de polarizacin directa e inversa y muy bajas tensiones umbral.
Cuando operan a frecuencias bajas, los diodos normales operan de manera adecuada, permitiendo realizar
conmutaciones entre la polarizacin sin ningn problema. Sin embargo a medida que se incrementa la
frecuencia, los retardos en la conmutacin de los dispositivos pueden convertirse en un problema.
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El diodo Schottky est constituido por una unin metal-semiconductor, conocida como barrera Schottky, en
lugar de la unin p-n convencional, lo que les permite ofrecer una velocidad de conmutacin mayor que la
lograda con los diodos tradicionales, adems de una tensin de umbral baja (aproximadamente 0.2 voltios).
Los nuevos dispositivos de IR soportan, dependiendo del modelo, corrientes de medio y un ampere y fueron
diseados para utilizarse principalmente en aplicaciones inalmbricas para la electrnica de consumo.
Los diodos de 0.5A, IR0530CSP y IR05H40CSP, soportan una tensin mxima de 30 y de 40 voltios,
respectivamente estn disponibles en un empaquetado de un rea de 0. 1.1mm2 y una altura 6mm, reduciendo el
espacio en la tarjeta requerido hasta en un 80% y el consumo de potencia hasta en un 40% en comparacin con
otras tecnologas disponibles en el mercado.
Por su parte, dispositivos de 1 ampere denominados como IR130CSP y IR1H40CSP, ofrecen la posibilidades de
manejara voltajes de 30 y de 40V, ocupando un rea en la tarjeta de 3.2mm, la tercera parte del espacio
requerido para implementar otras soluciones.
A medida que los dispositivos porttiles continan reduciendo su tamao e incremento, la funcionalidad
ofrecida, la necesidad de disponer dispositivos de cada vez menor tamao se incrementa, coment John
Lambert, director de marketing de productos de IR.
Diodo Schottky de alta tensin con diamante anunciado por Element Six
ASCOT, Inglaterra, September 20 /PRNewswire/ -- Element Six (E6) anuncia que ha alcanzado un hito
significativo en su programa de electrnica con diamante, gracias a la fabricacin de un diodo de barrera
Schottky (Schottky-barrier diode, SBD) basado en diamante capaz de funcionar a 1.700 V y menos de 10 A/cm2.
Este es el primer hito del programa y ha sido alcanzado antes de lo esperado despus de un slo ao de
desarrollo. El grupo colaborador que ha llevado a cabo este avance es el consorcio llamado CArbon Power
Electronics (CAPE). Este proyecto, apoyado por el ministerio de industria y comercio del Reino unido, est
siendo desarrollado por un consorcio de dos compaas del mismo pas (Element Six Ltd y Dynex
Semiconductor Ltd) y un socio acadmico (Cambridge University Engineering Department - CUED). El diodo
Schottky fue fabricado partiendo de un cristal de diamante creado por Element Six a travs de la deposicin de
vapor qumico (chemical vapour deposition, CVD). El diamante, gracias a sus propiedades fsicas extremas,
demuestra una vez ms su potencial como semiconductor de gran amplitud para su uso en electrnica de alta
potencia. El rendimiento terico intrnseco del diamante, combinado con este ltimo dispositivo, sugiere que el
diamante podra convertirse en un importante componente en dispositivos de conversin de potencia capaces de
operar con tensiones de ms de 10.000 voltios y a temperaturas ms altas que otros materiales semiconductores.
El director de investigacin de Element Six, Steve Coe, declar, "El desarrollo de estos dispositivos ha
presentado grandes retos que slo un equipo de investigacin del ms alto nivel podra superar. Slo gracias a la
experiencia del consorcio CAPE hemos podido liberar el gran potencial del diamante como material
electrnico".
El Director General de Element Six, Christian Hultner, declar, "fabricar este diodo Schottky es un tributo a las
habilidades de nuestro equipo de investigacin, y otra emocionante prueba de que el amanecer de la electrnica
del diamante se hace realidad y de que nuestras inversiones en este rea van a dar dividendos. Este diodo
Schottky, adems de otros avances en componentes electrnicos que hemos introducido en el mercado de los
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semiconductores, representa un estimulante aviso del vasto potencial del diamante como nuevo material en
ingeniera. El diodo Schottky ser el primero de muchos nuevos productos electrnicos".
Infineon renueva su mercado de diodos:
Surge una segunda generacin de diodos
Schottky SiC para fuentes de alimentacin

Infineon Technologies AG anuncia sus diodos Schottky de segunda generacin, basados en tecnologa SiC
(carbonato de silicio). El diodo Schottky fue llamado as en honor del fsico alemn Walter H. Schottky, es
tambin denominado diodo pnpn.
Este diodo es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rpidas entre los estados de
conduccin directa e inversa (menos de 1ns en dipositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas
tensiones umbral (tambin conocidas como tensiones de codo, aunque en ingls se refieren a ella como \"knee\",
o sea, de rodilla).
La tensin de codo es la diferencia de potencial mnima necesaria para que el
diodo acte como conductor en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de
lado la regin Zener, que es cuando ms bien existe una diferencia de potencial
lo suficientemente negativa para que -a pesar de estar polarizado en contra del
flujo de corriente- ste opere de igual forma como lo hara regularmente.
La alta velocidad de conmutacin permite rectificar seales de muy altas

frecuencias y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad. La limitacin ms evidente del diodo
de Schottky es la dificultad de conseguir resistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos
voltajes inversos.
Con la familia thinQ! 2G, Infineon Technologies AG, compaa pionera en diodos Schottky SiC, mejora las
prestaciones de conmutacin de su generacin anterior.
Los nuevos diodos SiC tienen al menos el doble de capacidad de corriente y mejoras de resistencia en
comparacin con la primera generacin, siendo ideales para aplicaciones en SMPS (fuentes de alimentacin en
modo conmutado).
A diferencia de otros diodos Schottky SiC de elevada tensin, los diseadores de sistemas y fabricantes de
fuentes de alimentacin no tienen que agrandar el diodo para una determinada aplicacin y pueden emplear
dispositivos ms econmicos y de menores dimensiones, reduciendo los costes entre un 30 y 50% e
incrementado la resistencia.
Los diodos Schottky tambin son ideales para aplicaciones PFC. Este mercado posee requerimientos estrictos,
como el estndar europeo EN61000-3-2, que establece lmites armnicos para cualquier aplicacin off-line que
tenga
un
consumo
superior
a
75
W.
Estos diodos muestran una ausencia de carga y corriente durante el proceso de conmutacin, lo que reduce
significativamente las prdidas (un requisito previo para operacin de baja frecuencia). Adems, el rendimiento
de conmutacin es independiente en corriente forward, velocidad y temperatura.
Con esta segunda generacin de dispositivos SiC, las caractersticas de proteccin ante subidas de corriente y
tensin
se
mejoran
a
travs
de
una
estructura
PIN-Schottky.
Los nuevos diodos Schottky SiC se encuentran disponibles con tensiones de bloqueo de 600 V en encapsulados
TO-220 y TO-252.
LED (DIODO EMISOR DE LUZ)
Historia del LED
A principios del siglo XX Henry Round fue el primero en notar que una unin de semiconductores poda
producir luz. El ruso Oleg Vladimirovich Losev independientemente creo el primer LED a mediados de los aos
20, su investigacin a pesar de ser distribuida en Europa fue mayormente ignorada.
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Investigadores en los laboratorios de Texas Instruments encontraron en 1961 que una aleacin de Arseniuro de
galio produca radiacin infrarroja, por lo cual les fue entregada una patente para el LED de luz infrarroja.
En General Electric, Nick Holonyak Jr. desarroll el primer LED prctico de luz visible en 1962, el cual es
considerado como el padre de los LEDs. Holonyack predijo en 1963, en la edicin de febrero de Readers Digest
que sus LEDs gradualmente reemplazaran la bombilla incandescente de Edison, actualmente esta tecnologa
desempea un papel cada vez ms grande en nuestro mundo moderno.
Varios tipos de LEDs
Un LED, siglas en ingls de Light-Emitting Diode (diodo emisor de luz) es un dispositivo semiconductor
(diodo) que emite luz policromtica, es decir, con diferentes longitudes de onda, cuando se polariza en directa y
es atravesado por la corriente elctrica. El color depende del material semiconductor empleado en la
construccin del diodo, pudiendo variar desde el ultravioleta, pasando por el espectro de luz visible, hasta el
infrarrojo, recibiendo stos ltimos la denominacin de IRED (Infra-Red Emitting Diode).
El funcionamiento fsico consiste en que, un electrn pasa de la banda de conduccin a la de valencia, perdiendo
energa. Esta energa se manifiesta en forma de un fotn desprendido, con una amplitud, una direccin y una fase
aleatoria.
El dispositivo semiconductor est comnmente encapsulado en una cubierta de plstico de mayor resistencia que
las de vidrio que usualmente se emplean en las lmparas incandescentes. Aunque el plstico puede estar
coloreado, es slo por razones estticas, ya que ello no influye en el color de la luz emitida. Usualmente un LED
es una fuente de luz compuesta con diferentes partes, razn por la cual el patrn de intensidad de la luz emitida
puede ser bastante complejo. Los elementos componentes son transparentes o coloreados, de un material resinaepoxi, con la forma adecuada e incluye el corazn de un LED: el chip semiconductor.
Para obtener una buena intensidad luminosa debe escogerse bien la corriente que atraviesa el LED; el voltaje de
operacin va desde 1,5 hasta 2,2 voltios aproximadamente, y la gama de intensidades que debe circular por l va
desde 10 hasta 20 mA en los diodos de color rojo, y de 20 a 40 mA para los otros LEDs.
El primer LED que emita en el espectro visible fue desarrollado por el ingeniero de General Electric Nick
Holonyak en 1962.
En corriente continua (DC), todos los diodos emiten una cierta cantidad de radiacin cuando los pares electrnhueco se recombinan, es decir, cuando los electrones caen desde la banda de conduccin (de mayor energa) a la
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banda de valencia (de menor energa). Indudablemente, la frecuencia de la radiacin emitida y, por ende, su
color, depender de la altura de la banda prohibida (diferencias de energa entre las bandas de conduccin y
valencia), es decir, de los materiales empleados. Los diodos convencionales, de silicio o germanio, emiten
radiacin infrarroja muy alejada del espectro visible. Sin embargo, con materiales especiales pueden conseguirse
longitudes de onda visibles. Los LED e IRED, adems tienen geometras especiales para evitar que la radiacin
emitida sea reabsorbida por el material circundante del propio diodo, lo que sucede en los convencionales.
Compuestos empleados en la construccin de LED.
Compuesto
Color
Long. de onda
Arseniuro de galio (GaAs)
Infrarrojo
940nm
Arseniuro de galio y aluminio (AlGaAs)
Rojo e infrarrojo
890nm
Arseniuro fosfuro de galio (GaAsP)
Rojo,
naranja
amarillo
Fosfuro de galio (GaP)
Verde
555nm
Nitruro de galio (GaN)
Verde
525nm
Seleniuro de zinc (ZnSe)
Azul
Nitruro de galio e indio (InGaN)
Azul
450nm
Carburo de silicio (SiC)
Azul
480nm
Diamante (C)
Ultravioleta
Silicio (Si)
En desarrollo
630nm
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Los primeros diodos construidos fueron los diodos infrarrojos y de color rojo, permitiendo el desarrollo
tecnolgico posterior la construccin de diodos para longitudes de onda cada vez menores. En particular, los
diodos azules fueron desarrollados a finales de los 90 por Shuji Nakamura, aadindose a los rojos y verdes
desarrollados con anterioridad, lo que permiti, por combinacin de los mismos, la obtencin de luz blanca. El
diodo de seleniuro de zinc puede emitir tambin luz blanca si se mezcla la luz azul que emite con la roja y verde
creada por fotoluminiscencia. La ms reciente innovacin en el mbito de la tecnologa LED son los diodos
ultravioletas, que se han empleado con xito en la produccin de luz blanca al emplearse para iluminar
materiales fluorescentes.
Tanto los diodos azules como los ultravioletas son caros respecto de los ms comunes (rojo, verde, amarillo e
infrarrojo), siendo por ello menos empleados en las aplicaciones comerciales.
Los LED comerciales tpicos estn diseados para potencias del orden de los 30 a 60 mW. En torno a 1999 se
introdujeron en el mercado diodos capaces de trabajar con potencias de 1 W para uso continuo; estos diodos
tienen matrices semiconductoras de dimensiones mucho mayores para poder soportar tales potencias e
incorporan aletas metlicas para disipar el calor generado por efecto Joule. En 2002 se comercializaron diodos
para potencias de 5 W, es decir, el equivalente a una lmpara incandescente de 50 W. De continuar esta
progresin, en el futuro ser posible el empleo de LED en la iluminacin.
El comienzo del siglo XXI ha visto aparecer los diodos OLED (LED orgnicos), fabricados con materiales
polmeros orgnicos semiconductores. Aunque la eficiencia lograda con estos dispositivos est lejos de la de los
diodos inorgnicos, su fabricacin promete ser considerablemente ms barata que la de aquellos, siendo adems
posible depositar gran cantidad de diodos sobre cualquier superficie empleando tcnicas de pintado para crear
pantallas a color.
Principio de Funcionamiento:
En cualquier unin P-N polarizada directamente, dentro de la estructura y principalmente cerca de la unin,
ocurre una recombinacin de huecos y electrones (al paso de la corriente). Esta recombinacin requiere que la
energa que posee un electrn libre no ligado se transfiera a otro estado. En todas las uniones P-N una parte de
esta energa se convierte en calor y otro tanto en fotones. En el Si y el Ge el mayor porcentaje se transforma en
calor y la luz emitida es insignificante. Por esta razn se utiliza otro tipo de materiales para fabricar los LED's,
como Fosfuro Arseniuro de de Galio (GaAsP) o fosfuro de Galio (GaP).
El diodo LED presenta un comportamiento anlogo al diodo rectificador (diodo semiconductor p-n), sin
embargo, su tensin de codo tiene un valor mayor, normalmente entre 1.2-1.5 V. Segn el material y la
tecnologa de fabricacin estos diodos pueden emitir en el infrarrojo (diodos IRED), rojo, azul, amarillo y verde,
dependiendo de cual sea la longitud de onda en torno a la cual emita el
LED.
Resulta difcil distinguir, por pura inspeccin visual, el modelo del LED
as como el fabricante: los valores mximos de tensin y corriente que
puede soportar y que suministra el fabricante sern por lo general
desconocidos. Por esto, cuando se utilice un diodo LED en un circuito,
se recomienda que la intensidad que lo atraviese no supere los 20 mA.,
precaucin de carcter general que resulta muy vlida. En la figura 4, se
muestra el smbolo electrnico de este tipo de diodo.
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El diodo LED puede ser tratado de manera

anloga a un diodo normal. Sin embargo
A (p)
C K (n)
conviene tener en cuenta que los diodos LED
no estn fabricados de silicio monocristalino,
ya que el silicio monocristalino es incapaz de
emitir fotones. Debido a ello, la tensin de
polarizacin directa Vd depende del material
Figura 4 Representacin simblica del diodo LED
con el que est fabricado el diodo.
El material que compone el diodo
LED, es importante ya que el color de la luz emitida por el LED depende nicamente del material y del proceso
de fabricacin principalmente de los dopados.
Los terminales se extienden por debajo de la cpsula del LED o foco e indican cmo deben ser conectados al
circuito. El lado negativo est indicado de dos formas: 1) por la cara plana del foco o, 2) por el de menor
longitud. El terminal negativo debe ser conectado al
terminal negativo de un circuito.
Cada vez que un electrn se recombina con una carga
elctrica positiva, energa elctrica potencial es convertida
en energa electromagntica. Por cada una de estas
recombinaciones un quantum de energa electromagntica
es emitido en forma de fotn de luz con una frecuencia que
depende del material semiconductor. Los fotones son
emitidos en un rango de frecuencia muy estrecho que
depende del material del chip; el color de la luz difiere
segn los materiales semiconductores y requieren diferentes tensiones para encenderlos.
Energa que libera un LED

La energa elctrica es proporcional a la tensin que se necesita para hacer que los electrones fluyan a travs de
la juntura p-n. Son predominantemente de un solo color de luz. La energa (E) de la luz emitida por un LED
est relacionada con la carga elctrica (q) de un electrn, y el voltaje (v) requerido para encenderlo se obtiene
mediante la expresin E= q x V . Esta expresin dice simplemente que el voltaje es proporcional al la energa
elctrica y es una regla general que se aplica a cualquier circuito, como el LED. La constante q es la carga
elctrica de un solo electrn: -1,6 x 10 exp. 19 Coulomb.
Frecuencia de un LED.
La frecuencia de la luz est relacionada con la longitud de onda de luz de una manera muy simple. El
espectrmetro puede ser usado para examinar la luz de un LED, y para estimar el pico de la longitud de onda
emitido por el LED. La longitud de la onda est relacionada con la frecuencia de la luz por la frmula
f=c/v
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donde c el la velocidad de la luz y v es la longitud de onda de la luz leda desde el espectrmetro (en
unidades de nanmetros, es decir, la millonsima parte de un milmetro).
La frecuencia correspondiente a la emisin del LED rojo es de 4,55 x 10 exp. 14 Hertz.

Para aplicaciones prcticas en telecomunicaciones y por razones de velocidad y capacidad de transmisin, se
desarrollaron los siguientes tipos de LED:
LED de Emisin por Superficie (Tipo Burrus)
Este diodo emite la luz en muchas direcciones, pero segn la forma fsica de la unin, puede concentrarse en un
rea muy pequea denominada pozo. Con la ayuda de lentes pticos que se colocan en superficie, se pueden
lograr mayores concentraciones de luz.
LED Emisor de Borde (Diodos ELED)

Este diodo emite un patrn de luz en forma elptica, ms direccional que el emitido por los diodos de emisin
superficial. Figura 41.
-57 -
Los diodos emisores superficiales son ms utilizados que los diodos emisores de borde, porque emiten ms luz;
sin embargo, sus prdidas de luz por conexin son mayores y su ancho de banda muy angosto.
De todo lo expuesto, se deduce que las aplicaciones en sistemas de comunicaciones se corresponden con:
- Fibras multimodo de apertura numrica alta, que compensa la gran superficie de emisin y la baja
potencia de salida y fibras monomodo.
- Secciones de regeneracin pequeas o recorridos cortos) redes locales o tendidos en pequeas reas) que
no precisen regeneradores, ya que el gran ancho espectral lleva a dispersiones muy altas, provocando
incluso que la dispersin cromtica pueda superar a la modal.
- Baja velocidad de modulacin, funcin del ancho de banda permitido.
Encapsulado de los leds
Existen numerosos encapsulados disponibles para los leds y su cantidad se incrementa de ao en ao a medida
que las aplicaciones de los leds se hacen mas especificas. Tal vez el encapsulado mas popular de los leds que es
el T1 de 5mm., de dimetro.
Como vemos el led viene provisto de los dos terminales correspondientes que tienen aproximadamente 2 a 2,5
cm. de largo y seccin generalmente de forma cuadrada. En el esquema podemos observar que la parte interna
del terminal del ctodo es ms grande que el nodo, esto es porque el ctodo esta encargado de sujetar al sustrato
de silicio, por lo tanto ser este terminal el encargado de disipar el calor generado hacia el exterior ya que el
terminal del nodo se conecta al chip por un delgado hilo de oro, el cual prcticamente no conduce calor.
Es de notar que esto no es as en todos los leds, solo en los ltimos modelos de alto brillo y en los primeros
modelos de brillo estndar, ya que en los primeros led de alto brillo es al revs. Por eso no es buena poltica a la
hora de tener que identificar el ctodo, hacerlo observando cual es el de mayor superficie.
Para eso existen dos formas ms convenientes, la primera y ms segura es ver cual es el terminal mas corto, ese
es siempre el ctodo no importa que tecnologa sea el led. La otra es observar la marca plana que tambin indica
el ctodo, dicha marca plana es una muesca o rebaje en un reborde que tiene los leds. Otra ves este no es un
mtodo que siempre funciona ya que algunos fabricantes no incluyen esta muesca y algunos modelos de leds
pensados para aplicaciones de cluster donde se necesitan que los leds estn muy pegados, directamente no
incluye este reborde.
El terminal que sostiene el sustrato cumple otra misin muy importante, la de reflector, ya que posee una forma
parablica o su aproximacin semicircular, este es un punto muy crtico en la fabricacin y concepcin del led
ya que un mal enfoque puede ocasionar una perdida considerable de energa o una proyeccin despareja.
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Un led bien enfocado debe proyectar un brillo parejo cuando se proyecta sobre una superficie plana. Un led con
enfoque defectuoso se puede identificar porque proyecta formas que son copia del sustrato y a veces se puede
observar un aro mas brillante en el exterior de circulo, sntoma seguro de que la posicin del sustrato se
encuentra debajo del centro focal del espejo terminal.
Dentro de las caractersticas pticas del led aparte de su luminosidad esta la del ngulo de visin, se define
generalmente el ngulo de visin como el desplazamiento angular desde la perpendicular donde la potencia de
emisin disminuye a la mitad. Segn la aplicacin que se le dar al led se necesitara distintos ngulos de visin
as son tpicos leds con 4, 6, 8, 16, 24, 30, 45,60 y hasta 90 grados de visin.
Generalmente el ngulo de visin esta determinado por el radio de curvatura del reflector del led y
principalmente por el radio de curvatura del encapsulado. Por supuesto mientras ms chico sea el ngulo y a
igual sustrato semiconductor se tendr un mayor potencia de emisin y viceversa
Otro componente del led que no es muestra en la figura pero que es comn encontrarlo en los led de 5mm son
los stand-off o separadores, son topes que tienen los terminales y sirven para separar los leds de la plaqueta en
aplicaciones que as lo requieren, generalmente si se va colocar varios leds en una plaqueta conveniente que no
tenga stand - off ya que de esta forma el encapsulado del led puede apoyarse sobre la plaqueta lo que le dar la
posicin correcta, esto es especialmente importante en leds con ngulo de visin reducido.
Por ultimo tenemos el encapsulado epoxi que es el encargado de proteger al semiconductor de las inclemencias
ambientales y como dijimos ayuda a formar el haz de emisin.
Existen bsicamente 4 tipos de encapsulado si lo catalogamos por su color.

Transparente o clear water (agua transparente): Es el utilizado en leds de alta potencia de emisin, ya que el
propsito de estos leds es fundamentalmente iluminar, es importante que estos encapsulados no absorban de
ninguna manera la luz emitida.
Coloreados o tinted: Similar al anterior pero coloreado con el color de emisin de sustrato similar al vidrio de
algunas botellas, se usa principalmente en leds de mediana potencia y/o donde sea necesario identificar el color
del led aun apagado.
Difuso o difused: Estos leds tiene un aspecto mas opacos que el anterior y estn coloreados con el color de
emisin, poseen pequeas partculas en suspensin de tamao microscpicos que son las encargadas de desviar
la luz, este tipo de encapsulado le quita mucho brillo al led pero le agrega mucho ngulo de visin ya que los
mltiples rebotes de la luz dentro del encapsulo le otorgan un brillo muy parejo sobre casi todos los ngulos
prcticos de visin.
Lechosos o Milky: Este tipo de encapsulado es un tipo difuso pero sin colorear, estos encapsulado son muy
utilizados en leds bicolores o multicolores. El led bicolor es en realidad un led doble con un ctodo comn y dos
nodos ( 3 terminales) o dos led colocados en contraposicin (2 terminales). Generalmente el primer caso con
leds rojo y verde es el mas comn aunque existen otras combinaciones incluso con mas colores.
Es muy importante hacer notar que en todos los casos el sustrato del led es el que determina el color de emisin
y no el encapsulado. Un encapsulado con frecuencia de paso distinta a la frecuencia de emisin del sustrato solo
lograra filtrar la luz del led, bajando as su brillo aparente al igual que todo objeto colocado delante de l.
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Caractersticas de los diodos LED
ELED
LED
Longitud de onda (nm)
850-1300
850-1300
Anchura spectral (nm)
30-110
10-50
Corriente de excitacin (mA)
20-300
20-300
Potencia Media de salida (mW)
<3
Anchura de banda (MHz.Km)
10-50
50-200
Temperatura mxima admisible
60
60
Vida media (horas)
107
107
Otros tipos de LED

En el mercado de semiconductores han aparecido versiones ms complejas de LEDs; por ejemplo, el LED
bicolor es un dispositivo de tres terminales dentro del cual se han incluido dos diodos en colores diferentes. As,
el LED puede emitir un color rojo, un color verde; y si se encienden los dos al mismo tiempo, el LED puede
emitir un color mbar. Por esta capacidad de mostrar hasta tres colores, estos dispositivos son muy utilizados en
paneles de control, telfonos, estreos, etc.
Otro modelo de LED, es el tipo Flasher; al ser polarizado, enciende de manera intermitente. Dentro de l
se ha incluido un circuito oscilador estable, que controla su emisin intermitente.
Aplicaciones
Los diodos LED se conocen desde los aos 60. Son esos pilotos rojos y verdes que hay en todos los
aparatos electrnicos. Dentro de la caperuza de plstico de un diodo LED hay un material semiconductor.
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Cuando se aplica una pequea corriente elctrica, emite luz, sin producir calor y con un color definido.
El color puede ser incluso invisible para el ojo humano, como los LED infrarrojos que hay en el mando a
distancia del televisor.
Los diodos infrarrojos (IRED) se emplean desde mediados del siglo XX en mandos a distancia de
televisores, habindose generalizado su uso en otros electrodomsticos como equipos de aire acondicionado,
equipos de msica, etc. y en general para aplicaciones de control remoto, as como en dispositivos detectores.
Los LED se emplean con profusin en todo tipo de indicadores de estado (encendido/apagado) en
dispositivos de sealizacin (de trfico, de emergencia, etc.) y en paneles informativos (el mayor del mundo, del
NASDAQ, tiene 36,6 metros de altura y est en Times Square, Manhattan).
Tambin se emplean en el alumbrado de pantallas de cristal lquido de telfonos mviles, calculadoras,
agendas electrnicas, etc., as como en bicicletas y usos similares. Existen adems impresoras LED.
El uso de lmparas LED en el mbito de la iluminacin (incluyendo la sealizacin de trfico) es
previsible que se incremente en el futuro, ya que aunque sus prestaciones son intermedias entre la lmpara
incandescente y la lmpara fluorescente, presenta indudables ventajas, particularmente su larga vida til, su
menor fragilidad y la menor disipacin de energa, adems de que, para el mismo rendimiento luminoso,
producen la luz de color, mientras que los hasta ahora utilizados, tienen un filtro, lo que reduce notablemente su
rendimiento.
Los White LEDs son el desarrollo ms reciente. Un intento muy bien fundamentado para sustituir las
bombillas actuales por dispositivos mucho ms eficientes desde un punto de vista energtico.
Tambin se utilizan en la emisin de seales de luz que se trasmiten a travs de fibra ptica.
El descubrimiento de los LED azules abri la puerta a la iluminacin domstica, pantallas de ordenador
ms ligeras y luces de discoteca ms espectaculares, que pueden adoptar cualquier color y controlarse con un
PC, y tambin a una avalancha de pilotos azules en electrodomsticos y coches "tuneados".
Podemos usar esto en una fuente de alimentacin que hemos dado.
La intensidad del LED:
Normalmente para el valor de 10 mA se suelen encender (ver en el

catlogo). La tensin en el LED:
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Diferencia con el silicio, la tensin es mayor. Cuando no dice nada

se coge VLED = 2 V.
Aqu el diodo LED es un indicador que nos dice si la fuente de alimentacin est encendida o apagada.
Display.- Es una combinacin de diodos LED que permiten visualizar letras y nmeros. Se denominan
comnmente displays de 7 segmentos. Se fabrican en dos configuraciones: nodo comn y ctodo comn.
Estructura de un LED bicolor
Estructura de un LED tricolor
Display
Display de ctodo comn
Display de nodo comn
Disposicin de los pines en

un display
Luego mediante la ley de Ohm, puede calcularse el resistor adecuado para la tensin de la fuente que
utilicemos.
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R=
V fuente (Vd 1 + Vd 2 + ...)

I
El trmino I en la frmula se refiere al valor de corriente para la intensidad de luminosa que necesitamos.
Lo comn es de 10 a 20mA., un valor superior puede quemar el LED.
Cabe recordar que tambin pueden conectarse varios en serie, sumndose las diferencias de potencial en
cada uno.
Ventajas de los diodos LED
Tamao: a igual luminosidad, un diodo LED ocupa menos espacio que una bombilla incandescente.
Luminosidad: los diodos LED son ms brillantes que una bombilla, y adems, la luz no se concentra en
un punto (como el filamento de la bombilla) sino que el todo el diodo brilla por igual.
Duracin: un diodo LED puede durar 50.000 horas, o lo que es lo mismo, seis aos encendido
constantemente. Eso es 50 veces ms que una bombilla incandescente.
Consumo: un semforo que sustituya las bombillas por diodos LED consumir 10 veces menos con la
misma luminosidad.
Conexin
La diferencia de potencial vara de acuerdo a las especificaciones relacionadas con el color y la potencia
soportada.
En trminos generales puede considerarse:
Rojo = 1,6V
Rojo alta luminosidad = 1,9V
Amarillo = 1,7V a 2V
Verde = 2,4V
Naranja = 2,4V
Blanco brillante = 3,4V
Azul = 3,4V
Azul 430nm = 4,6V
-63 -
Blanco = 3,7V
Luego mediante la ley de Ohm, puede calcularse la resistencia adecuada para la tensin de la fuente que
utilicemos.
El trmino I, en la frmula, se refiere al valor de corriente para la intensidad de luminosa que

necesitamos. Lo comn es de 10 a 20mA., un valor superior puede quemar e inhabilitar el LED.
Cabe recordar que tambin pueden conectarse varios en serie, sumndose las diferencias de potencial en
cada uno.
EJEMPLO:
TIL 222 LED verde
VLED = 1,8: 3 V
Hay que ver que luz da, si funciona bien en ese rango de valores. Se sacan las intensidades para los 2
extremos:
La corriente vara muy poco, lo que implica que la iluminacin vara muy poco, est muy bien diseado.
EJEMPLO:
No es muy buen diseo porque la intensidad vara bastante, y la iluminacin vara mucho.
Conclusin: Los circuitos con tensiones grandes y resistencias grandes funcionan bien, por lo tanto, si se pueden
tomar valores grandes.
Display de 7 segmentos
Son 7 diodos LED:
-64 -
Se utiliza en electrnica digital con + 5 V y 0 V.

EJEMPLO:
El 7:
En este ejemplo se han encendido los LED A, B y C.

Se utiliza ampliamente en aplicaciones visuales, como indicadoras de cierta situacin especfica de
funcionamiento.
Ejemplos
- Se utilizan para desplegar contadores
- Para indicar la polaridad de una fuente de alimentacin de corriente continua.
- Para indicar la actividad de una fuente de alimentacin de corriente alterna.
- En dispositivos de alarma
Los diodos infrarrojos (IRED) se emplean desde mediados del siglo XX en mandos a distancia de
televisores, habindose generalizado su uso en otros electrodomsticos como equipos de aire
acondicionado, equipos de msica, etc. y en general para aplicaciones de control remoto, as como en
dispositivos detectores.
Los LED se emplean con profusin en todo tipo de indicadores de estado (encendido/apagado) en
dispositivos de sealizacin (de trfico, de emergencia, etc.) y en paneles informativos (el mayor del
mundo, del NASDAQ, tiene 36,6 metros de altura y est en Times Square, Manhattan).
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Tambin se emplean en el alumbrado de pantallas de cristal lquido de telfonos mviles, calculadoras,
agendas electrnicas, etc., as como en bicicletas y usos similares. Existen adems impresoras LED.
El uso de lmparas LED en el mbito de la iluminacin (incluyendo la sealizacin de trfico) es
previsible que se incremente en el futuro, ya que aunque sus prestaciones son intermedias entre la
lmpara incandescente y la lmpara fluorescente, presenta indudables ventajas, particularmente su larga
vida til, su menor fragilidad y la menor disipacin de energa, adems de que, para el mismo
rendimiento luminoso, producen la luz de color, mientras que los hasta ahora utilizados, tienen un
filtro, lo que reduce notablemente su rendimiento.
Los LEDS utilizados en aplicaciones electrnicas, debido a la respuesta espectral del silicio y a
consideraciones de rendimiento, son normalmente diodos emisores de infrarrojos, IRED. Este tipo de
diodo es un LED que emite luz invisible en la regin del infrarrojo cercano.
El diodo lser es una forma especial de LED o IRED con dimensiones fsicas y propiedades pticas
estrechamente controladas en la zona de la unin productora de luz.
Esta circunstancia hace posible conseguir una cavidad resonante ptica para la longitud de onda
operativa tal, que la realimentacin ptico-elctrica asegure una produccin de luz monocromtica
direccional con un elevado rendimiento.
El estrecho e intenso haz virtualmente monocromtico y la alta frecuencia de funcionamiento que son
caractersticas tpicas del diodo lser, pueden ser muy ventajosas en aplicaciones tales como fibra
ptica, interferometra, sistemas de alineamiento preciso y sistemas de exploracin.
La cavidad ptica de precisin es de difcil fabricacin y puede originar tensiones en la estructura del
cristal del lser que, en caso de producirse, causarn una rpida disminucin de la potencia de salida
luminosa.
Aunque los diodos lser ofrecen unas elevadas prestaciones, son en contrapartida de utilizacin poco
econmica y por otra parte su fiabilidad debe comprobarse en cada aplicacin.
Las caractersticas elctricas del LED, diodo lser e IRED son similares a las de otros diodos de unin
pn en lo que se refiere a presentar una cada de tensin directa ligeramente superior a la de los diodos
de silicio y a la reducida tensin de ruptura inversa, como consecuencia de los niveles de dopado
requeridos para una eficiente produccin.
Diodos LED: revolucin en la luz
Las lmparas con diodos LED, que dan una agradable luz blanca, consumen poco y duran muchos aos,
estn llamadas a hacer desaparecer la bombilla incandescente
La sabidura popular dice que las bombillas se funden porque a ningn fabricante le interesara vender
una bombilla eterna. La vendera una sola vez, claro.
Sin embargo, estn surgiendo lmparas que proporcionan una luz clara, no se calientan, consumen
veinte veces menos que una bombilla incandescente y duran aos. Muy pronto iluminarn su casa: son
los diodos LED.
El diseo de interiores es esclavo de la tecnologa
Cuando aparecieron los plsticos, las casas se llenaron de muebles brillantes de color naranja que, por
cierto, hoy vuelven a estar de moda. Por su parte, las bombillas halgenas, pequeas y muy brillantes,
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cambiaron la forma de las lmparas y convirtieron la instalacin de focos halgenos empotrados en el
techo en la primera tarea de bricolaje para los manitas.
Qu podemos esperar en los prximos aos cuando apretemos un interruptor? Lmparas ms

pequeas, ms brillantes, y ms ecolgicas. El futuro se llama LED.
Ventajas de los diodos LED
Tamao: a igual luminosidad, un diodo LED ocupa menos espacio que una bombilla incandescente.
Luminosidad: los diodos LED son ms brillantes que una bombilla, y adems, la luz no se
concentra en un punto (como el filamento de la bombilla) sino que el todo el diodo brilla por igual.
Duracin: un diodo LED puede durar 50.000 horas, o lo que es lo mismo, seis aos encendido
constantemente. Eso es 50 veces ms que una bombilla incandescente.
Consumo: un semforo que sustituya las bombillas por diodos LED consumir 10 veces menos con
la misma luminosidad.
En vas de desarrollo
Entonces, por qu se venden ya lmparas LED en las tiendas de iluminacin? Incluso con todas sus
ventajas, todava no estn listas para llegar al consumidor medio.
Los diodos LED de luz blanca, en realidad son diodos azules con un recubrimiento de fsforo que
produce luz amarilla. La suma del amarillo y el azul produce una luz blanquecina llamada a veces "luz
de luna" que es la que se emplea en las linternas LED.
Este tipo de diodos LED todava son caros. Las lmparas de 3W, que pueden sustituir a una bombilla
de 40W, cuestan alrededor de 65 .
El ahorro en el consumo y la duracin no son suficientes motivos para que los consumidores se lancen
a por ellas. No ocurre as en otras aplicaciones donde la duracin y el consumo s son factores
importantes, como los semforos, la iluminacin de aviones o las linternas que se usan en deportes de
riesgo (como la alta montaa, la espeleologa y otros), donde esta tecnologa de iluminacin ha
encontrado, por el momento, uno de sus principales mercados.
Informacin sobre Leds, historia y tecnologas actuales

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Casi todos estamos familiarizados con los leds, los conocemos de verlos en el frente de muchos equipos
de uso cotidianos, como radios, televisores, telfonos celulares y display de relojes digitales, sin
embargo la falta de una amplia gama de colores y una baja potencia lumnica han limitado su uso
considerablemente.
No obstante eso esta cambiando gradualmente con la introduccin de nuevos materiales que han
permitido crear leds de prcticamente todo el espectro visible de colores y ofreciendo al mismo tiempo
una eficiencia lumnica que supera a la de las lmparas incandescentes.
Estos brillantes, eficientes y coloridos nuevos leds estn expandiendo su dominio a un amplio rango de
aplicaciones de iluminacin desplazando a su anterior campo de dominio que era el de la mera
indicacin.
Si consideramos su particularidad de bajo consumo energtico y su prcticamente imbatible
ventaja para su uso en sealamiento exterior (carteles de mensaje variables y seales de transito)
tendremos que el futuro de estos pequeos dispositivos semiconductores es realmente muy promisorio
tal como lo indican los nmeros actuales de crecimiento de mercado a nivel mundial.
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DIODO FOTODIODOS
SMBOLO
5.1
Generalidades:
El inters en dispositivos sensibles a la luz se ha incrementado de manera casi exponencial en aos recientes. El
campo resultante de la optoelectrnica recibir un gran inters por parte de investigadores a medida que se
realicen esfuerzo para mejorar los niveles de eficiencia. A travs de los medios publicitarios, las personas se han
vuelto conscientes de que las fuentes luminosas ofrecen una fuente de energa nica, la cual, transmitida como
puentes discretos llamados fotones, posee un nivel directamente relacionado a la frecuencia de la onda de luz
segn lo determina la ecuacin siguiente:
Donde h es la llamada constante de Planck y es igual a 6.624 *10-34 joules-segundo. Claramente establece que
dado que h es una constante, la energa asociada con las ondas de luz incidentes se encuentran directamente
relacionados con la frecuencia de onda.
La frecuencia a su vez, se encuentra directamente relacionada con la longitud de onda (la distancia entre los
picos sucesivos) de la onda mediante la siguiente ecuacin:
Donde:
: longitud de onda, en metros
v: velocidad de la luz, 3 * 108 m/s
-69 -

f: frecuencia de la onda, en hertz
La longitud de onda por lo general se mide en unidades angstrom (A) o en micrmetros (um), donde:
La longitud de onda es importante porque determinar el material que se utilizar en el dispositivo opto
electrnico. La respuesta espectral relativa del Ge, Si y Selenio se seala en la figura 19.2 El espectro de luz
visible se ha incluido tambin junto con una indicacin de la longitud de onda asociada con los distintos colores.
1.- Respuesta espectral relativa para el Si, Ge y
Selenio en comparacin con el ojo humano
El nmero de electrones libres generado en cada
material es proporcional a la intensidad de la luz
incidente. La intensidad luminosa es una medida
de la cantidad de flujo luminoso que incide sobre
el rea de una superficie particular. El flujo
luminoso, por lo general se mide en lmenes (lm)
o watts. Las dos unidades se encuentran
relacionadas mediante
La intensidad luminosa normalmente se mide en
2
lm/ft , pies candela (fc) o W/m , donde

El fotodiodo es un dispositivo semiconductor de unin p-n cuya regin de operacin se limita a la regin de
polarizacin inversa. El arreglo bsico de polarizacin, la construccin y el smbolo de este dispositivo se
muestra en la figura 19.21
Smbolo de fotodiodo
Cuando la corriente de saturacin inversa se encuentra normalmente limitada a unos
cuantos microamperes. Esto se debe nicamente a los portadores minoritarios
trmicamente generados en los materiales de tipo n y de tipo p. La aplicacin de la
luz a la unin ocasionar una transferencia de energa de las ondas de luz incidentes
(en forma de fotones) hacia la estructura atmica, lo que ocasionar un incremento
en el nmero de portadores minoritarios y un nivel mayor de corriente inversa. Esto
se muestra de forma clara en la figura 19.22 para distintos niveles de intensidad. La
corriente de oscuridad es la corriente que se presentar sin iluminacin aplicada.
Observe que la corriente solamente regresar a cero con una polarizacin aplicada
igual a Vt. Adems, la figura 19.21 demuestra el uso de un lente para concentrar luz
sobre la regin de unin.
Como ya se haba dicho, una de las componentes de la corriente inversa en un diodo
es el flujo de portadores minoritarios. La existencia de estos portadores se debe a
-70 -

que la energa trmica continuamente est desligando electrones de valencia de sus orbitales, produciendo
durante este proceso electrones libres y huecos. El tiempo de vida de los portadores minoritarios es corto, pero
mientras existen pueden contribuir a la corriente inversa.
Cuando la energa luminosa bombardea una unin pn, puede desligar electrones de valencia. Cuanta ms luz
incida sobre la unin, mayor ser la corriente inversa en el diodo.
Caractersticas del fotodiodo
4.- Ejemplos de fotodiodos
El espaciamiento casi igual entre las

curvas para el mismo incremento en
el flujo luminoso revela que la
corriente inversa y el flujo luminoso
se
encuentran
relacionados
prcticamente de forma lineal. En
otras palabras, un incremento en la
intensidad luminosa ocasionar un
incremento similar en la corriente
inversa. En la figura 19.24 se
presenta una grfica de las dos para
mostrar esta relacin lineal para un
voltaje fijo V de 20 V. Con base
relativa, podemos asumir que la
corriente inversa es esencialmente
igual a cero en ausencia de la luz incidente. Dado que los tiempos de subida y bajada (los parmetros de cambio
de estado) son muy pequeos para este dispositivo (en el rango de los nanosegundos), el dispositivo puede
emplearse para aplicaciones de conteo o conmutacin de alta velocidad. De vuelta a la figura 19.2 observamos
que el Germanio abarca un espectro ms amplio de longitudes de onda que el Silicio. Esto lo vuelve adecuado
para luz incidente en la regin infrarroja que proporcionan las fuentes luminosas de lser e IR (infrarrojas), que
en breve se describirn. Por supuesto, el Germanio tiene una mayor corriente de oscuridad que el silicio, pero
tambin tiene un mayor nivel de corriente inversa. El nivel de corriente generado por la luz incidente sobre un
fotodiodo es tal que no es posible utilizarla como un control directo, pero puede amplificarse para este propsito.
Esta radiacin electromagntica genera una corriente, iL, que es proporcional a la intensidad de dicha radiacin,
que se suma a la corriente normal del diodo. La corriente que circula por el fotodiodo, iFD, ser:
-71 -
Donde Is es la corriente inversa de saturacin del diodo, y vFD es la tensin aplicada entre terminales del
dispositivo.
Si el fotodiodo se polariza con una tensin inversa (vFD<<0), la corriente por el diodo ser:
Siempre que iL>>Is. La corriente por el diodo es, por tanto, aproximadamente iL, que es proporcional a la
intensidad de la radiacin luminosa.
Una caracterstica importante de un fotodiodo es su respuesta espectral, es decir, la gama de longitudes de onda a
las que el fotodiodo es sensible y ofrece seal de salida. Esta caracterstica depende del material con el que est
fabricado el dispositivo. Pueden encontrarse fotodiodos que detectan radiacin en el espectro infrarrojo, en el
ultravioleta, y en diversos mrgenes del espectro visible. De forma similar a lo que ocurra con los LED, la
sensibilidad del fotodiodo depende del ngulo de incidencia de la radiacin con el dispositivo. Hay dos
estructuras importantes de fotodiodos: los fotodiodos PIN y los APD. Los primeros deben su nombre a su
estructura: un semiconductor P, seguido de uno intrnseco (I) y luego el semiconductor
N .Con esta estructura se consigue fotodiodos en los que el retraso de la seal elctrica respecto a la ptica que la
ha generado es muy pequeo.
El fotodiodo APD (del ingls Avalanche Photo Diode) opera en la regin de ruptura. Como puede observarse en
la figura 9.2, trabajando con una tensin inversa fija dentro de dicha regin se consiguen corrientes mayores para
la misma iluminacin. Se dice que el diodo presenta un "factor de multiplicacin" de la corriente foto generada,
que puede ser de valor muy elevado
Un fotodiodo es aquel cuya sensibilidad a la luz es ptima. En este tipo de diodos, una ventana permite que la
luz pase por el encapsulado hasta la unin. La luz incidente produce electrones libres y huecos. Cuanta ms
intensa sea la luz, mayor ser el nmero de portadores minoritarios y mayor ser la corriente inversa.
La deteccin de radiacin ultravioleta (UV) ha atrado una gran atencin en los ltimos aos. Tanto la industria
civil como la militar requieren una mejora en la instrumentacin UV, para aplicaciones como control de motores,
seguimiento de la radiacin UV solar, calibracin de emisores, estudios astronmicos, sensores de llama,
deteccin de misiles, sistemas compactos de almacenamiento de informacin y comunicaciones espaciales
seguras.
Los nitruros del grupo III (GaN, AlN, InN y sus aleaciones ternarias) se han revelado como los materiales ms
prometedores para la fabricacin de fotodetectores de UV basados en semiconductores, gracias a la anchura de
su gap directo, que proporciona coeficientes de absorcin elevados y una insensibilidad intrnseca a la radiacin
visible. Entre otras ventajas se incluyen la posibilidad de fabricar dispositivos de heterounin y de seleccionar la
longitud de onda de corte modificando la fraccin molar de los compuestos ternarios.
Los fotodiodos. Son diodos sensibles a la luz. Generan un voltaje de corriente continua proporcional a la
cantidad de luz que incide sobre su superficie, es decir, son diodos de unin PN cuyas caractersticas elctricas
dependen de la cantidad de luz que incide sobre la unin. Se utilizan como medidores y sensores de luz y en
receptores pticos de comunicaciones.
Los fotodiodos son dispositivos capaces de generar una diferencia potencial entre sus terminales cuando incide
luz sobre ellos. A diferencia del fotoconductor estudiado recientemente, su funcionamiento se basa en la
-72 -

generacin de pares electrn-hueco por intermedio de una energa luminosa que incide, en este caso, sobre una
juntura. La misma puede ser una juntura p-n de silicio o una juntura metal-semiconductor como es la del diodo
Schottky estudiado.
Antes de estudiar los distintos tipos de fotodiodos, analizaremos el funcionamiento de una juntura iluminada.
Juntura iluminada
La corriente en una juntura, se halla con la expresin mostrada a continuacin:
Donde
corresponden a las corrientes de difusin de electrones y de huecos, y
a las de
corrimientos de esos mismos portadores; en equilibrio trmico, la suma de las corrientes de electrones por un
lado y de huecos por otro, debe ser igual a cero. Lo dicho se puede ver en la figura 3.3.
Figura 3.3 Juntura de equilibrio trmica. En

cortocircuito, la corriente de electrones y huecos
se equilibran entre s, de manera que la corriente
total es igual a cero.
Supongamos que toda la pastilla se ilumina con
una luz homognea y penetrante, la cual producir
una
generacin
de
pares
electrnhueco
. Esta generacin ser
constante en toda la pastilla, dado que la luz solamente produce ionizacin de los tomos del semiconductor, en
virtud de que las impurezas estn ya ionizadas en su totalidad por efecto trmico, por lo tanto, dicha generacin
no depender de que el material sea tipo n o tipo p incluso dentro de la zona de juntura; la luz produce tambin
generacin de pares electrn-hueco, puesto que, si bien la misma es una zona de deplecin de portadores, los que
se ionizan son los tomos del semiconductor.
Esa regin de pares electrn-hueco da lugar a excesos en las concentraciones de equilibrio trmico de las
regiones neutras y de la de juntura, dichos excesos sern:
En la zona neutra tipo p:
En la zona neutra tipo n:
Y en la zona de juntura:
Si bien la juntura se encuentra en equilibrio trmico, dentro de la zona de deplecin se halla radicado un intenso
campo elctrico, que movilizar a los excesos de electrones y de huecos generados por la luz. Ese campo atrae a
-73 -

los electrones en exceso de la regin p y a los huecos en exceso de la regin n, los que se desplazan por difusin
dentro de las zonas neutras y se dirige hacia la zona de juntura. Dentro de ella, esos portadores se agregan a los
que se generan en ella misma, y se movern aqu por corrimiento dado que estn inmersos en el campo elctrico.
Figura 3.4(a) Representacin esquemtica de una juntura p-n iluminada en corto circuito. (b) Diagrama de
energas, el desplazamiento de portadores por difusin en las zonas neutras y por corrimiento en la zona de
juntura, determina la corriente de cortocircuito
Si cortocircuitamos a la juntura, los portadores que se desplazan darn lugar a una corriente de cortocircuito, que
. En la figura 3.4, se muestra el diagrama de energa de una juntura p-n en esta condicin, en
llamaremos
ella vemos que la luz incidente sobre la zona neutra tipo p, penetra a travs de ella, atraviesa la zona de junturas
Y llega hasta la zona neutra tipo n. Los fotones de energa hf, generan pares electrn-hueco en la regin neutra
tipo p, como el campo elctrico alojado en la zona de juntura se dirige desde el material n hacia el p, chupara
electrones de la banda de conduccin y los forzara a dirigirse hacia la zona de deplecin; en la regin neutra se
desplazarn por difusin y ya dentro de la zona de juntura, por corrimiento, junto con los generados dentro de
ella.
-74 -

En la regin neutra tipo n sucede al revs, el campo alojado de la zona de juntura, chupa huecos de la banda de
valencia y los dirige hacia la zona de carga espacial en donde el campo los transporta en sentido de las x
negativas, junto con los huecos generados dentro de la zona de juntura.
Electrones de izquierda a derecha y huecos de derecha a izquierda, dan lugar a corrientes
negativo. Esa corriente ser la llamada corriente de cortocircuito
de signo
y ser la resultante de la suma de corrientes
de difusin y de corrimiento.
Si ahora abrimos el circuito, la corriente se interrumpir; los procesos descritos recientemente darn lugar a la
acumulacin de electrones en la banda de conduccin del material tipo n y de huecos en la banda del material
tipo p. Eso determina la aparicin de una diferencia de energa, que da lugar a una diferencia de potencial de
circuito abierto y que por tal razn llamamos
. Lo dicho se puede ver en la figura 3.5.
Figura 3.5 (a) Representacin esquemtica de una juntura p-n iluminada o circuito abierto. (b) Diagrama de
energas, la acumulacin de electrones en la regin n y la de huecos en la p, determina la aparicin de una
diferencia de potencial
.
Determinacion de
Y DE
La corriente de cortocircuito
, de acuerdo con la figura 3.4 queda determinada por las corrientes de difusin
en las regiones neutras y por las de corrimiento dentro de la zona de juntura. La corriente de difusin, que
llamaremos
ser:
-75 -

Y tiene exactamente la misma forma, que la expresin de la corriente inversa de saturacin
de una juntura p-n
sin iluminar polarizada en sentido inverso; en aquel caso el campo elctrico interno de la juntura, movilizaba
electrones y huecos generados por una energa elctrica entregada por una batera externa de polarizacin, aqu
el campo elctrico moviliza a los electrones y huecos generados por la energa ptica que entrega una luz
aplicada externamente.
La ecuacin
es solamente una parte de la corriente, pues no hemos tenido en cuenta el corrimiento
dentro de la zona de juntura. Este corrimiento dar lugar a una corriente:
Donde A es el rea de la juntura,
la conductividad de la zona de carga espacial y
el campo elctrico en la
zona de juntura. Normalmente, en la zona de junturas no hay conductividad, puesto que la misma es una zona de
vaciamiento, en este caso, la misma se debe a la existencia de portadores generados por la presencia de luz en
dicha zona; si llamamos
a las necesidades de electrones y huecos respectivamente, la conductividad
ser:
Reemplazando en la ecuacin
y en la
De donde la corriente total de la juntura iluminada, en corto circuito, ser la suma de las expresiones
, luego:
Que es la corriente de juntura producida nicamente por la iluminacin de la misma. Esa corriente
es igual a
que es llamada corriente de cortocircuito2 puesto que es la que circula si cortocircuitamos a la pastilla
iluminada, es decir, con tensin externa aplicada nula.
La generacin lumnica
va a ser constante en toda la pastilla, luego para rgimen permanente deber
cumplirse que:
-76 -
Donde
es el tiempo de vida en la zona p,
en la n y
Despejando el valor de los excesos en la
Sacando factor comn
en la zona de juntura.
y reemplazndolos en la
, y recordando que:
para la regin tipo p
para la regin tipo n
Reemplazando en las ecuaciones
y operando:
Segn vemos, la corriente en la juntura iluminada ser proporcional a la intensidad de la iluminacin aplicada, a
travs de la generacin
producida por la luz.
queda muy claramente dividida en dos, la generada en las zonas neutras que es una
La ecuacin
corriente de difusin y que vale:
y la generada en la zona de juntura que es una corriente de corrimientos:
para esta ltima debe iluminarse toda la zona de deplecin, y cuanto mayor sea el ancho de esta regin mayor
ser la corriente pues ms pares electrn-hueco se generarn; pero en cambio la corriente de difusin, no
requiere que se ilumine a toda la pastilla como veremos a continuacin. Si observamos la expresin
,
vemos que en ella
corresponden, respectivamente, a la generacin de pares electrn-hueco

-77 -

que se produce en las zonas neutras tipo n y tipo p, en una extensin correspondiente a las respectivas longitudes
y
; por consiguiente no ser necesario iluminar a la pastilla en su totalidad sino solamente en
de difusin
las zonas comprendidas dentro de esas longitudes. Este es un aspecto terico, en la prctica, debido a que tanto
como
son muy pequeas, la extensin iluminada es bastante mayor que dichos valores.
Si aplicamos ahora una polarizacin directa V a la juntura iluminada, sobre ella circular la suma de la corriente
normal de toda juntura polarizada ms la corriente generada por la iluminacin de la misma, luego:
en donde IL queda dada por la expresin

Si hacemos en la
I=0, la tensin de polarizacin de la juntura corresponder a la de circuito abierto
, luego despejando dicha tensin, obtenemos:
La
es absolutamente general, si IL=0, su representacin grafica ser la caracterstica esttica de un
diodo tal como se muestra en lnea de trazos en la figura 3.6(a) correspondiente a la juntura en oscuridad, es
. Cuando iluminamos la juntura, la misma se desplazar hacia abajo, tanto ms cuanto mayor
decir para
sea la intensidad de la luz aplicada, es decir la
corriente de cortocircuito
. En la figura mencionada indicamos sobre la curva, la
, que se obtiene haciendo V=0 en la
y la tensin de circuito abierto VOC, tambin obtenida de la (
y que vale:
para I=0. Podemos apreciar el parecido
que tienen estas caractersticas con las de salida de un transistor bipolar en base comn, en este ltimo
dispositivo modificbamos la conduccin de la juntura base-colector por medio de la corriente de emisor,
mientras que aqu modificamos tambin la conduccin de una juntura, pero por medio de la iluminacin de la
misma.
-78 -
Figura 3-6 (a) En lnea de trazos se

muestra la caracterstica esttica de
la juntura p-n sin iluminar; en
lnea llena, de la juntura
iluminada;
es la corriente de
cortocircuitos y
la tensin de
circuito abierto;
equivalente
de
(b)
la
circuito
juntura
iluminada.
En la figura 3-6(b) se muestra el circuito equivalente de una juntura iluminada, correspondiente a la

representacin de la expresin
, la corriente I ser siempre negativa, pues la corriente de iluminacin
tendr sentido opuesto al de fcil conduccin de la juntura.
Esta es la mecnica mediante la cual es posible que una juntura p-n pueda modificar su condicin de
conduccin por medio de la iluminacin de su zona de juntura. En la prctica, no obstante, el tema no es tan
simple, y por ms que una juntura de germanio o de silicio sea capaz de generar pares electrn-hueco como
consecuencia de su iluminacin: su nmero no es demasiado importante y por consiguiente tendr una baja
eficiencia cuntica, que es, como dijramos antes, la relacin entra la cantidad de pares electrn-hueco obtenido
y el nmero de fotones utilizado.
En algunos casos, no obstante, se utilizan semiconductores de este tipo en optoelectrnica, lgicamente el
germanio tendr un rendimiento algo mayor que el silicio debido al menor valor de su energa de ionizacin,
aunque en general sea preferible el silicio por su mayor estabilidad trmica.
Estos semiconductores se denominan simples, puesto que corresponden a un nico elemento, Ge o Si, y se dice
de ellos que son de banda indirecta. Por ahora nos bastar saber que como los fotones manejan grandes
cantidades de energa con muy escasa cantidad de movimiento debido a su pequea masa, su probabilidad de
ionizar tomos en semiconductores de banda indirecta es baja, mientras que dicha probabilidad se incrementa
notoriamente cuando la energa de ese tipo la aplicamos a semiconductores de banda directa. Estos son
generalmente semiconductores compuesto, resultantes de la composicin de elementos del grupo III y del grupo
V de la tabla de Mendeleiev, como por ejemplo el arseniuro de galio (GaAs), el fosfuro de galio (GaP); el
fosfuro del indio (InP) o incluso compuestos de un material pentavalente con dos trivalentes como el arseniuro
de aluminio y de galio
en donde para un tomo pentavalente, la suma de tomos trivalentes es
tambin igual a la unidad.
Fotodiodos de junturap-n
-79 -

Los fotodiodos son la versin prctica de la juntura iluminada estudiada en el punto anterior. De acuerdo con la
figura 3-4, los pares electrn-hueco formados por la energa luminosa incidente, se desplazan a travs de la zona
de juntura forzados por el campo elctrico radicado dentro de ella. Segn viramos en el punto anterior, la luz
debe llegar hasta la zona de juntura para producir en ella la formacin de pares electrn-hueco, y tambin sobre
las zonas neutras; pero en ellas solamente es til la cantidad de tomos ionizados dentro de una longitud de
difusin, de manera que la cantidad de portadores generados en esta zona no puede modificarse mucho. Si
hacemos ms ancha la zona de juntura, podemos si, en este caso, generar ms portadores pero aumentamos el
tiempo de transito y reducimos la velocidad del dispositivo. Debemos jugar con estos elementos y llegar a una
solucin de compromiso entre la corriente generada y la velocidad del dispositivo.
Cuando estudiamos a los fotoconductores, hablamos de la deficiencia cuntica n, para el fotodiodo la
definicin es la misma y matemticamente la definimos como:
en donde
es la corriente fotogenerada por la potencia lumnica
IL/q da la cantidad de pares electrn-hueco generados y
es la energa del fotn incidente.
el nmero de fotones incidentes.
Es interesante tambin conocer qu cantidad de corriente es capaz de generar un fotodiodo para una dada
potencia lumnica aplicada; el parmetro que lo mide se llama respuesta ptica y vale:
Reemplazando la
y recordando que
en la
, siendo c la velocidad de la luz y
la mxima longitud de la onda luminosa que
puede utilizarse para un cierto material; sustituyendo esta relacin en la
en donde hemos reemplazado la carga del electrn q, la constante de Planck h y la velocidad de la luz c por su
valor. Resumiendo: la respuesta ptica, que es la corriente obtenida en un fotodiodo por unidad de energa
luminosa incidente, ser directamente proporcional a la longitud de onda de la luz, expresada en micrones. Esa
-80 -

longitud de onda debe corresponder al material en cuestin y estar vinculada con el salto de energa Eg de la
.
banda prohibida del material, a travs de la expresin
En general un fotodiodo se lo trabaja polarizado en sentido inverso para que el campo elctico sea ms intenso.
,
Si bien esto incrementa muy poco la corriente circulante, solamente en un valor Is segn surge de la
mejora su velocidad de respuesta puesto que se reduce el tiempo de trnsito de los portadores dentro de la zona
de juntura; esto permite tener una rpida respuesta en corriente, cuando modificamos la luz incidente.
En la figura 3-7(a) se muestra una representacin esquemtica de la juntura p-n iluminada y con una
polarizacin inversa VR, se agreg una resistencia de carga RL en el circuito del fotodiodo para obtener
sobre ella una potencia elctrica, el fotodiodo es un transductor, pues es capaz de transformar energa
luminosa en energa elctrica, la relacin entre estas potencias de entrada y de salida, constituye el
rendimiento del dispositivo; en (b) de la misma figura, se ve el diagrama de energa del fotodiodo pn en estas condiciones.
Figura 3-7 (a) Representacin esquemtica

de una juntura p-n iluminada con
polarizacin inversa. La corriente circulante
es
; (b) Diagrama de energas.
En la figura 3-8 se dibujaron las

caractersticas tensin-corriente de un
fotodiodo p-n que tienen como parmetro
la potencia ptica Popt de la luz incidente. En
estas curvas podemos distinguir una zona de
funcionamiento normal con bajas tensiones
negativas VR y otra zona de alta tensin
indicada como VM, para la cual se produce la
avalancha. Ya veremos ms adelante que en
los fotodiodos de avalancha este efecto se
busca, para lograr la generacin de corrientes ms altas.
En la figura 3-9 (a), se muestra en corte, a un fotodiodo de juntura p-n; la juntura la constituye la regin p+ y la
n, mientras que la regin n+ constituye el sustrato de alta contaminacin a fin de lograr un adecuado contacto.
La zona de juntura depende de la contaminacin de las regiones que la componen y al ser una de ellas poco
contaminada, tendr una mayor longitud, lo que implicar una mayor eficiencia cuntica de esa zona.
Los tiempos de respuesta no sern muy grandes, puesto que en este tipo de dispositivo parte de los portadores,
los generados en las zonas neutras, se mueven por difusin, y los generados en la zona de deplecin, por
corrimiento, pero a la velocidad de saturacin de los portadores que es del orden de
, lo que da lugar
a elevados tiempos de trnsito.
-81 -

El rea transversal de la juntura, que es el rea sobre la cual incide la luz, es generalmente pequea, entre 50 y
de dimetro, de manera que en general las corrientes generadas son tambin pequeas. Adems,
1000
debido al tamao de la seccin, debe asegurarse un adecuado enfoque de la luz, para concentrar la mayor
cantidad posible de energa.
Figura 3-8 Caracterstica esttica de un fotodiodo de juntura. Representa

la relacin tensin corriente entre sus terminales para distintos valores
de luz L incidente.
Figura 3-9 (a) corte de un fotodiodo de juntura p-n; (b) idem con una capa antireflectante a fin de incrementar
la eficiencia cuntica.
En la figura 3-9(b) se dibujo el mismo fotodiodo con el agregado de una capa de material antireflectivo. Al
evitar que una parte de la luz se refleje, se favorece la absorcin de la misma por el semiconductor aumentando
su eficiencia cuntica.
Fotodiodos de junturaP-I-N
Con el fin de mejorar el comportamiento en frecuencia del fotodiodo, se debe tratar de incrementar la velocidad
de respuesta de los portadores generados por la luz, que son los que en definitiva dan lugar a la corriente que
debe ser en todo momento proporcional a la variacin de dicha luz. La corriente, segn viramos al analizar el
fotodiodo de juntura p-n, quedaba determinada por la de difusin en las zonas neutras y por la de corrimiento
en la zona de juntura. Esta ltima era una zona se deplecin y en ella la velocidad de corrimiento de los
portadores es la de saturacin, que es del orden de 105 cm/s. Si logrramos que la zona de juntura no estuviera
vaca de portadores, si bien los portadores en forma individual se moveran a la misma velocidad, el
comportamiento del conjunto sera el de una onda elctrica cuya velocidad de desplazamiento bajo la accin de
un campo elctrico sera la de la luz, es decir, de
, lo que reducira notoriamente el tiempo de
transito a travs de la regin de juntura.
-82 -
Figura 3-10 (a) Juntura p-i-n iluminada con

polarizacin inversa. (b) diagrama de cargas, (c)
distribucin de campo elctrico y (d) diagrama de
energa; se puede observar que como la zona intrnseca
es muy ancha, la luz casi no llega hasta la regin tipo n.
Para lograr esto, se coloca entre la regin tipo p y la
tipo n una regin intrnseca; eso hace que todo suceda
como si colocramos portadores dentro de la zona de
juntura, movilizados por el campo elctrico de gran
valor alojado en su interior producido por las zonas de
juntura de las regiones extrnsecas vecinas dando lugar a
una tpica corriente de corrimiento. Una ventaja
adicional es la siguiente, como la zona de juntura es
ahora ms larga, la luz que la atraviesa y que llega a la
zona neutra tipo n es mucho menor, lo que disminuye la
contribucin de la corriente de difusin sobre la
corriente total dando lugar a un nuevo
incremento de la velocidad de respuesta del
dispositivo.
En la figura 3-10 se ha dibujado un fotodiodo pi-n con polarizacin inversa; en (a) se ve la

pastilla iluminada en su regin tipo p, en (b) se
ha representado el diagrama de densidades de
carga, pudiendo apreciarse que su acumulacin
solamente se produce en las zonas extrnsecas y
no en la intrnseca que esta vaca de cargas; en
(c) representamos el diagrama de campo
elctrico, all podemos ver que el mismo
permanece constante en toda la regin intrnseca dando lugar a corrientes de corrimiento de electrones y huecos
con la velocidad de la luz. En estas condiciones, las ondas elctricas formadas por los pares electrn-laguna que,
segn vemos en la figura 3-10(d) se forman en esa zona intrnseca, recorre toda esa zona en tiempos muchsimo
menores. Como generalmente el espesor de la zona intrnseca es bastante mayor que el de la zona de juntura de
un fotodiodo p-n, normalmente la luz llega hasta la regin tipo n, en mucha menor cantidad lo que en realidad
es una ventaja, puesto que la generacin que all tendra lugar se compensa con creces con la producida en la
zona intrnseca y en sta, el desplazamiento es por corrimiento con lo cual las velocidades son mucho mayores.
Con el fin de mejorar aun ms el proceso de conduccin de portadores en la zona de juntura, se utiliza en lugar
de un material intrnseco, materiales extrnsecos de baja contaminacin. Si es tipo n se llama regin , esta
-83 -

letra griega se denomina nu y corresponde a la letra n del abecedario espaol y si es tipo p, regin , dado
que la letra pi del alfabeto griego corresponde a la p del abecedario espaol.
Figura 3-11 Corte de un fotodiodo p-i-n con una capa antireflectante.

En la figura 3-11 hemos dibujado un corte de un fotodiodo p-i-n en el cual se ha agregado una capa
antireflectante para aumentar si eficiencia cuntica.
Fotodiodos de juntura metal-semiconductor
Un diodo metal-semiconductor, puede ser utilizado muy convenientemente como un fotodetector de alta
eficiencia. En la figura 3-12(a) se puede ver un corte tpico de este dispositivo, constituido por una juntura
metal-semiconductor tipo n. Para evitar grandes reflexiones con la consecuente prdida de absorcin cuando se
lo ilumina a travs de la capa metlica, esta debe ser muy fina, del orden de 100 y adems se le agrega una
capa antireflectiva.
El diodo puede operarse de varias maneras, dependiendo de la energa del fotn y de las condiciones de
polarizacin. El material semiconductor debe ser tipo n, para que la juntura metal-semiconductor tipo n sea
rectificante, deber ser
Figura 3-12(a) fotodiodo metal-semiconductor; (b) fotodiodo metal i-n.

La polarizacin inversa implica polarizar en forma positiva al semiconductor con respecto al metal, lo que puede
verse en la figura 3-13 (a), en (b) se dibujo el diagrama de energa de esta juntura, tal como fuera analizado al
estudiar el diodo Schottky; en dicho diagrama se pueden ver los pares electrn-hueco generados en la zona de
juntura y en el material tipo n; en el metal, los electrones se excitan por efecto de la luz y ganan la energa
suficiente como para atravesar la barrera y llegar a la banda de conduccin del semiconductor.
-84 -
Figura 3-13(a) Fotodiodo de juntura metal-semiconductor tipo n

polarizado en sentido inverso; (b) diagrama de energas mostrando
la excitacin de los electrones del metal y la formacin de pares
electrn-laguna en la zona de juntura y en la regin tipo n por la
incidencia de fotones.
5.8 Fotodiodos METAL-I-N

Tambin pueden hacerse fotodiodos metal-semiconductor con una zona intrnseca entre el metal y el material
tipo n; un corte de este dispositivo se puede ver en figura 3-14(a). En la figura 3-14(b) se dibujo el diagrama de
energas de este fotodiodo con una polarizacin inversa VR de un valor inferior a la tensin de ruptura del
material, y en el vemos que, al igual que lo
que suceda en el fotodiodo p-i-n, la luz
no llega hasta la regin tipo n pero hay una
abundante generacin en la zona intrnseca
adems de la pequea corriente producida
en el metal por excitacin de sus electrones.
Si la polarizacin inversa VR es muy alta y
supera el valor de la tensin de ruptura, se
produce el efecto de avalancha.
El
diagrama de energa de este fotodiodo sera
esencialmente idntico al de la figura 314(b) para la condicin de no avalancha,
con la diferencia de que la energa qVR
sera mucho mayor y que dentro de la zona intrnseca, adems de los pares electrn-hueco producidos por la
iluminacin incidente, se veran otros generados por efecto del choque de portadores de ambos tipos, muy
acelerados por el intenso campo elctrico radicado en la regin intrnseca, con los tomos de semiconductor.
Estos choques sucesivos dando lugar a una gran multiplicacin de la corriente por efecto de avalancha, con el
consiguiente aumento de la ganancia de corriente del dispositivo. La velocidad de este fotodiodo es muy alta y
puede responder a iluminaciones moduladas en frecuencias de microondas. El criterio para la determinacin de
la eficiencia cuntica en fotodiodos de avalancha y la velocidad de respuesta, es el mismo que en aqullos en
que no se produce la avalancha.
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Figura 3-14(a) Juntura metal-i-n iluminada con polarizacin inversa. (b) diagrama de energas; los fotones
provocan la excitacin de los electrones del metal y generan pares electrn laguna en la zona intrnseca, la regin
tipo n es oscura debido a la gran longitud de la regin intrnseca.
Fotodiodos de heterojuntoura
Puede construirse un fotodiodo con una heterojuntura formada por dos semiconductores de diferente banda
prohibida, que tenga la misma estructura cristalogrfica y similar valor de la constante de la red.
Una ventaja de la heterojuntura es que puede proveer muchas combinaciones de un mismo material de manera
que la eficiencia cuntica y la velocidad de respuesta puede ser optimizada para una cierta longitud de onda de
una seal ptica. Adems, la eficiencia cuntica no depende tan crticamente de la distancia entre la juntura y la
superficie, puesto que el material de mayor valor de la banda prohibida se comporta como una ventana para la
transmisin de la onda lumnica; en efecto, supongamos que le material a travs del cual incide la luz, tenga una
energa de ionizacin , que forma juntura con otro de valor
, los fotones cuya energa sea menor que
pero mayor que
atravesaran la primer capa sin producir ninguna ionizacin y darn lugar a la formacin
de pares electrn-hueco recin en el segundo material. Esto es muy til cuando el primer material constituye el
sustrato, lo que sucede normalmente en dispositivos en que la luz llega a travs de un medio mecnico de sostn
de la energa lumnica, como son las fibras pticas.
En la figura 3-15(a) se muestra a un fotodiodo iluminado a travs del sustrato por medio de una fibra ptica. El
fotodiodo es p-i-n y las regiones tipo p e intrnseca estn constituidas por un material, en este caso un
compuesto ternario
denominado arseniuro de galio e indio, y la regin tipo n por un compuesto
secundario InP denominado fosfuro de indio. La regin intrnseca es en realidad tipo v, es decir tipo n de muy
escasa contaminacin que le da una resistividad de apenas cm,
300 y corresponde al mismo compuesto
ternario.
Modificando el valor de x del compuesto ternario, se puede mejorar la respuesta del dispositivo, haciendo
x=0,47, obtenemos el compuesto
cuya banda prohibida tiene un ancho de 0,73 eV mientras que
el InP tiene un ancho de 1,35 eV; segn la relacin
que por comodidad transcribimos:
la longitud de onda de la luz incidente que puede producir generacin de pares electrn-hueco en este fotodiodo
estar comprendida entre 0,92
y 1,7
valores ms bajos que el primero corresponden a energas mayores
que 1,35eV y darn lugar a la generacin de portadores en el sustrato con lo que la respuesta ptica cae;
, correspondern a energas menores que 0,73 eV y pasarn de largo a
longitudes de onda mayores de 1,7
travs de la heterojuntura sin producir ninguna generacin.
-86 -

Recordemos que la respuesta ptica fue definida como la corriente obtenida en un fotodiodo por unidad de
que reproducimos a continuacin:
energa luminosa incidente y quedaba expresad por la expresin
En la figura 3-15(b) se representa la variacin de la respuesta ptica del dispositivo en funcin de las
longitudes de onda de la luz incidente, vemos all como dicha respuesta cae abrutamente para longitudes de onda
que no se hallen comprendidas en el intervalo mencionado anteriromente. (Selva, 502-520)
Figura 3-15 (a) Fotodiodo constituido por una heterojuntura

, la luz incide en el sustrato por medio de una fibra ptica: (b) representacin grfica de la respuesta ptica del
dispositivo mencionado en funcin de la longitud de onda de la luz incidente.
5.10 Fotodiodo de avalancha:
Es posible incorporar un tipo de sistema amplificador de empleo comn formando parte del propio fotodiodo. El
fotodiodo de avalancha utiliza la multiplicacin por avalancha para conseguir amplificar la fotocorriente creada
por los pares hueco-electrn. Esto proporciona una elevada sensibilidad y gran rapidez. Sin embargo, el
equilibrio entre ruido y ganancia es difcil de conseguir y como consecuencia, el coste es alto.
Asimismo la estabilidad de temperatura es deficiente y se requiere una tensin de alimentacin de valor elevado
(100-300 v.), estrechamente controlada. Por estas razones, el fotodiodo de avalancha tiene limitadas
aplicaciones.
Los fotodiodos de avalancha son detectores de silicio, sensibles a la radiacin visible, ultravioleta y parte del
infrarojo. La carcterstica ms importante, es que mediante la aplicacin de un potencial externo, se obtiene
amplificacin de la seal de hasta 400 veces.
Desarrollos recientes del Laboratorio incluyen fotodiodos de avalancha de tamao grande (1 x 1 cm2) y redes de
detectores de avalancha ( 3 x 3 elementos), del tipo difusin profunda. El inters es desarrollar detectores con
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eficiencia cuntica alta en la regin del ultravioleta, redes con gran nmero de elementos, (10 - 100), alta
ganancia y bajo ruido. As como en las aplicaciones de estos detectores para equipos de Tomografa
Computarizada de Positrones y sistemas Lidar. Algunas publicaciones recientes del laboratorio se dan a
continuacin.
5.11 Fototransistor:
El transistor sensible a la luz es una de las combinaciones fotodiodo
amplificador ms simples. Dirigiendo una fuente de luz hacia la
unin pn polarizada en sentido inverso (colector-base), se genera una
corriente de base, que es amplificada por la ganancia de corriente del
transistor.
Se requiere un cuidadoso proceso de elaboracin de la pastilla del
transistor para hacer compatible la mxima reduccin de la corriente
en la oscuridad del fototransistor, con la obtencin de una alta
sensibilidad a la luz. Las corrientes de este tipo, tpicas del
fototransistor para una tensin inversa de 10v, son del orden de 1 nA
a temperatura ambiente y aumentan en un factor de 2 para cada 10 C de aumento de temperatura. Las
especificaciones del fototransistor garantizan normalmente unos lmites de corriente en la oscuridad mucho ms
altos, por ejemplo 50 a 100 nA, debido a las limitaciones del equipo automtico de prueba.
5.12 Fotodarlington:
Bsicamente, este dispositivo es el mismo que el transistor
sensible a la luz, excepto que tiene una ganancia mucho mayor
debido a las dos etapas de amplificacin, conectadas en cascada,
incorporadas en una sola pastilla.
5.13 Foto SCR:

El circuito equivalente con dos transistores del rectificador
controlado de silicio mostrado en la figura ilustra el
mecanismo de conmutacin de este dispositivo.
La corriente debida a los fotones, generada en la unin pn
polarizada en sentido inverso, alcanza la regin de puerta y
polariza en sentido directo el transistor npn, iniciando la
conmutacin.
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Uso apropiado del fotodiodo:

Recibe luz, al contrario que el led (por ello el sentido de las flechas):
Se usa en polarizacin Inversa. Diodo normal en inversa:
Cuando se coloca una pila en inversa, el negativo atrae a los huecos y los
saca de la unin con el in ( lo mismo con el positivo y los electrones).
Pero se llega a un equilibrio, un equilibrio con una W (anchura de z.c.e.)
concreta.
Y no tenemos ni huecos ni electrones en la z.c.e. (W) y esa unin me la pueden pasar los portadores (h y e) (solo
quedan los iones en la W).
Hay una pequea generacin trmica y los pares h-e que se

crean se recombinan antes de llegar a W... No sirve para nada,
se recombinan pero los que se generan cerca de la unin
pueden cruzar y los minoritarios sirven para cruzar y tenemos e
hacia la izquierda y h hacia la derecha. Tenemos as una
corriente inversa de saturacin que es muy pequea. Otra
corriente que tenemos es la If que es tambin pequea.
Se suele coger la corriente de p hacia n, en la realidad es al revs, por eso I = -IS - If, es negativa.
En un fotodiodo adems de la generacin trmica se le suma la "Generacin por energa luminosa", que la crean
los fotones que atacan cerca de la unin formando ms pares h-e y por lo tanto ms corriente. Entonces tenemos:
-89 -

Y la corriente es mayor:
Aumenta en valor absoluto. Es para convertir energa luminosa en energa elctrica.
5.15 Aplicaciones:
Tienen una velocidad de respuesta a los cambios bruscos de luminosidad mayores a las clulas
fotoelctricas. Actualmente, y en muchos circuitos ests ltimas se estn sustituyendo por ellos, debido a
la ventaja anteriormente citada.
El nivel de corriente generado por la luz incidente en un fotodiodo no es tan grande para usarse
como un control directo, pero puede amplificarse para este efecto.
Generalmente se usan en sistemas de alarmas, por ejemplo, o sistemas de conteo automtico;

donde la corriente inversa I fluye mientras su rayo no se corte, si esto sucede I cae en el nivel de
corriente de oscuridad y hace sonar la alarma, o hace que el contador aumente en uno respectivamente.
La investigacin a nivel mundial en este campo se centra (en torno a 2005) especialmente en el desarrollo de
clulas solares econmicas, miniaturizacin y mejora de los sensores CCD y CMOS, as como de fotodiodos
ms rpidos y sensibles para su uso en telecomunicaciones con fibra ptica.
Desde 2005 existen tambin semiconductores orgnicos. La empresa NANOIDENT Technologies fue la primera
en el mundo en desarrollar un fotodetector orgnico, basado en fotodiodos orgnicos.
- Se utiliza en televisores, videos, y equipos de msica como sensor de los mandos a distancia que utilizan
diodos emisores de rayos infrarrojos.
Aplicaciones del Fotodiodo de Avanlancha
Comunicaciones
- Fotmetros
Control de iluminacin y brillo
- Control remoto por infrarrojos
- Monitorizacin de llamas de gas y de petrleo (radiacin ultravioleta centrada en la banda de 310nm)
- Enfoque automtico y control de exposicin en cmaras
Cuando son combinados con alguna fuente de luz:
- Codificadores de posicin
- Medidas de distancia
- Medidas de espesor
- Transparencia
- Detectores de proximidad y
de presencia
Sensado de color para
inspeccin y control de calidad
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Cuando se hace un "array" o arreglo de sensores:
- Reconocimiento de formas
- Lectores de tarjetas codificadas
Algunos ejemplos ms cotidianos de su aplicacin:
- En la aplicacin de la figura 7 el fotodiodo se emplea en un sistema de alarma. La corriente inversa continuar
fluyendo mientras el rayo de luz no se corte. En este caso la corriente inversa caer al nivel de la corriente de
oscuridad
y
har
sonar
la
alarma.
- En la aplicacin de la figura 8 se usa un fotodiodo para contar artculos en una banda transportadora. Cuando
pasa cada artculo, el rayo de luz corta y la corriente inversa cae a nivel de corriente de oscuridad y el contador
aumenta
en
uno.
NOTA: Se comercializan fotodiodos con amplificadores, compensacin de temperatura y estabilizacin en el
mismo chip. La integracin reduce los problemas debidos a corrientes de fuga, interferencias y picos de ganancia
debidos a capacitancias parsitas.
5.15.2 Aplicaciones del Fotodiodo de PIN
Reproductor de CD
9.- Reproductor de CDs
La funcin de los fotodiodos dentro de un pick-up es la de recuperar la informacin grabada en el surco

hipottico del Cd transformando la luz del haz lser reflejada en el mismo en impulsos elctricos para ser
procesados por el sistema y obtener como resultado el audio o los datos grabados en el CD.
Fsicamente, si observamos un pick-up, veremos que las dimensiones de los fotodiodos es de apenas algunos
milmetros cuadrados ; sumado a que el " tamao " del haz laser es el mismo que el de un hueco o meseta ;
-91 -

deducimos que todo el conjunto debe tener una alineacin y una precisin extraordinaria , ya que cualquier
desalineamiento o error en el enfoque del haz , puede provocar la prdida del correcto funcionamiento .
Debido a que sera imposible obtener una perfeccin en la fabricacin de los CD y los pick-up's , estos ltimos
fueron dotados de ingeniosos mtodos para salvar las deficiencias mecnicas del conjunto.
La lente encargada de enfocar correctamente el surco

hipottico del disco , viene montada sobre un juego de
bobinas flotantes , las que son activadas por
servomecanismos asistidos por las diversas informaciones
que le envan los fotodetectores al sistema de servos de
Foco y Tracking .
De esta forma se logra hacer un lazo cerrado de
funcionamiento cuyo principal protagonista es el conjunto
de
fotodiodos.
Los Pick-up's primitivos funcionaban a base de un sistema
de simple haz , el cual era reflejado en la superficie del
disco y pasaba a un sistema formado por 4 fotodiodos A ,
B , C y D dispuestos en cruz sobre los que incida la luz
devuelta.
La interconexin de los fotodiodos se realizaba mediante un sistema de triple matriz el que permita configurar
las sumas y restas algebraicas de las seales obtenidas en cada fotodiodo y procesarlas de acuerdo a la necesidad
de
uso.
De esta forma se realizaba la suma de A+B+C+D para lograr la recuperacin de la seal grabada que se
denomina
RF.
Haciendo (A+C) - (B+D) se obtiene la seal de error de foco llamada FE.
Y por ltimo si aplicamos (A+D) - (B+C) obtenemos la seal de error de tracking, llamada TE.
Como vemos, los cuatro fotodiodos mencionados se encargaban de todo el trabajo. An existen equipos que
traen
el
sistema
de
un
haz
nico.
Actualmente los pick-up's traen 2 diodos fotodetectores auxiliares a los ya conocidos A, B, C y D que se
denominan E y F . Un ejemplo de estos modelos es la lnea KSS de Sony, los cuales se denominan de Triple
Haz.
11.-Diodos Fotodetectores de un Pick-up de la lnea KSS
En este caso el haz emitido por el diodo lser pasa por un
divisor ptico y se divide en tres haces, uno primario y dos
secundarios
los
cuales
atraviesan
un
espejo
semitransparente sin reflejarse , atraviesan la lente e
inciden sobre la superficie del CD.
Al reflejarse vuelven a ingresar por el sistema ptico y en
este sentido s se reflejan en el espejo , pasando a los seis
fotodetectores .
La funcin de los fotodetectores se reparte de la siguiente
forma:
A, B, C y D Extraccin de la seal de RF contenida en el
disco y generacin de las seales para efectuar el enfoque
apropiado
.
E y F Generacin de seales que permitar hacer un
-92 -

seguimiento correcto de la pista ( Tracking )
En la etapa donde se analice el funcionamiento de los servos de Foco y Tracking nos explayaremos en el tema de
cmo se utilizan los haces secundarios para la obtener la correccin automtica de tracking y el uso del haz
primario
para
la
correccin
automtica
de
foco
Por ahora tendremos presente que los haces secundarios de encontrar adyacentes al haz primario formando una
DIODO TNEL O ESAKI
Smbolo del DIODO TUNEL

En 1958, el fsico japons Esaki, descubri que los diodos semiconductores obtenidos con un grado de
contaminacin del material bsico mucho ms elevado que lo habitual exhiben una caracterstica tensincorriente muy particular. La corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a la tensin aplicada
hasta alcanzar un valor mximo, denominado corriente de cresta. A partir de este punto, si se sigue aumentando
la tensin aplicada, la corriente comienza a disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mnimo, llamado
corriente de valle, desde el cual de nuevo aumenta. El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento,
pero luego se hace cada vez ms rpido hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera. Este
comportamiento particular de los diodos muy contaminados se debe a lo que los fsicos denominan efecto tnel,
del que no nos ocuparemos aqu debido a su complejidad. Para las aplicaciones prcticas del diodo tnel, la parte
mas interesante de su curva caracterstica es la comprendida entre la cresta y el valle. En esta parte de la curva a
un aumento de la tensin aplicada corresponde una disminucin de la corriente; en otros trminos, la relacin
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entre un incremento de la tensin y el incremento resultante de la corriente es negativa y se dice entonces que
esta parte de la curva representa una "resistencia incremental negativa". Una resistencia negativa puede
compensar total o parcialmente una resistencia positiva. As, por ejemplo, las prdidas que se producen en un
circuito resonante a causa de la presencia siempre inevitable de cierta resistencia en el, se compensa asociando al
circuito una resistencia negativa de valor numrico conveniente y realizada por ejemplo, mediante un diodo
tnel. En tal caso el circuito oscilante se transforma en un oscilador.
El ejemplo de circuito que se describen a continuacin muestra como puede aprovecharse este fenmeno en la
prctica.
Los diodos de efecto tnel. Son dispositivos muy verstiles que pueden operar como detectores, amplificadores y
osciladores. Poseen una regin de juntura extremadamente delgada que permite a los portadores cruzar con muy
bajos voltajes de polarizacin directa y tienen una resistencia negativa, esto es, la corriente disminuye a medida
que aumenta el voltaje aplicado.
Representacin grfica de un diodo TUNEL y su correspondiente grfica
Una aplicacin un circuito resonante paralelo puede representarse por una
capacitancia, una inductancia y una resistencia conectadas en paralelo, como se
muestra en la figura 3_2(a). La r es el equivalente paralelo de la resistencia de
devanado en serie de la bobina. Cuando el circuito tanque entra en oscilacin
como en la figura 3_2(b), se genera una salida sinusoidal amortiguada. La
amortiguacin se debe a la resistencia del tanque, que evita una oscilacin sostenida, pues se pierde energa
cuando a travs de la resistencia hay corriente.
Fig.4_2
(a)
(b)
si un diodo tnel se conecta en serie con el circuito tanque y se polariza en el centro de la porcin de resistencia
negativa de su curva caracterstica, como se muestra en la figura 3_3, entonces en la salida se obtiene una
oscilacin
sostenida
(onda
sinusoidal
constante).
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Fig. 4_3 Oscilador Con Diodo Tnel.
Caractersticas del diodo 1N3716.

Part Number = 1N3716
V(f)(V) Forward Voltage @Ipeak = 500m
Ipeak Max. (A) = 4.7m
Peak Current Tol. (A) = .50m
V(P) (V) Peak-Point Voltage = 65m
V(V) (V) Valley-Point Voltage = 350m
Ratio Ipeak/Ivalley Min. = 4.0
I(F) Max. (A) Forward Current = 25m
f(co) (Hz) Res. Cutoff Freq = 1.8G
R(neg) (Ohms) Negative Res. = 25
r(s) Max. (Ohms) Series Res. = .50
L(s) Max.(H),Series Inductance = .50n
C(t) Max.(F) Total Capacitance = 50p
Semiconductor Material = Germanium
Package = DO-17
DIODO RECTIFICADOR -DIODO TNEL:
Diodo rectificador: Diodo que presenta una caracterstica tensin-corriente asimtrica y que se utiliza para
rectificacin de corriente y de tensin.Diodo semiconductor rectificador: diseado para la rectificacin y que en
su forma integral incluye sus montajes asociados y accesorios de refrigeracin.
Diodo separador: pasa seales en una direccin a travs de un circuito, pero que bloquea seales y tensiones en
la direccin opuesta. Diodo Schockley: controlado de cuatro capas sin conexin de base utilizado como Diodo
conmutador o disparador.
Diodo tnel: Diodo pn al que se le ha aadido una gran cantidad de impurezas. El Diodo tnel tiene gran
capacidad de movimiento de carga y una regin de resistencia negativa por encima de un nivel mnimo de
tensin aplicada.
Diodo Zner: elemento de dos capas que, cuando se aplica una tensin superior a determinado valor ,
experimenta un brusco incremento de intensidad. Si se polariza directamente, el elemento se comporta como un
simple rectificador. Pero cuando se le polariza inversamente, el Diodo presenta un codo en su caracterstica
tensin-intensidad.
Los diodos tnel estn fuertemente dopados, de modo que la zona de
vaciamiento tiene slo unos pocos nanmetros, por lo cual se manifiestan
fuertemente el efecto tnel (Fig. 1), que es un fenmeno solamente
explicable a partir de la mecnica cuntica. Este diodo fue inventado en
1958 por el japons Leo Esaki, por lo cual recibi un premio Nobel en
1973.
-95 -
Los diodos Tnel son generalmente fabricados en Germanio, pero tambin en silicio y arseniuro de galio. Son
diodos muy rpidos que presentan una respuesta una zona con resistencia negativa (Fig. 2), que permite su
utilizacin como elemento activo en osciladores y amplificadores. En la prctica los diodos tnel operan con
unos pocos miliampers y potencias muy bajas.
EFECTO TUNEL
El efecto tnel es un fenmeno nanoscpico por el que una partcula viola los principios de la mecnica clsica
penetrando una barrera potencial o impedancia mayor que la energa cintica de la propia partcula.
Una barrera, en trminos cunticos aplicados al efecto tnel, se trata de una cualidad del estado energtico de la
materia anlogo a una "colina" o pendiente clsica, compuesta por crestas y flancos alternos, que sugiere que el
camino ms corto de un mvil entre dos o ms flancos debe atravesar su correspondiente cresta intermedia si
dicho objeto no dispone de energa mecnica suficiente como para imponerse con la salvedad de atravesarlo.
A escala cuntica, los objetos exhiben un comportamiento ondular; en la teora cuntica, un cuanto movindose
en direccin a una "colina" potencialmente energtica puede ser descrito por su funcin de onda, que representa
la amplitud probable que tiene la partcula de ser encontrada en la posicin allende la estructura de la curva.
Si esta funcin describe la posicin de la partcula perteneciente al flanco adyacente al que supuso su punto de
partida, existe cierta probabilidad de que se haya desplazado "a travs" de la estructura, en vez de superarla por
la ruta convencional que atraviesa la cima energtica relativa. A esto se conoce como efecto tnel.
SMBOLO DEL DIODO TUNEL
DESCRIPCIN DEL DIODO TUNEL
El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la
cual se produce el efecto tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la
caracterstica corriente-tensin.
La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo
(amplificador/oscilador). Una caracterstica importante del diodo tnel es su resistencia negativa en un
determinado intervalo de voltajes de polarizacin directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente
disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo tnel puede funcionar como amplificador, como
oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que
involucran microondas y que estn relativamente libres de los efectos de la radiacin.
Si durante su construccin a un diodo invertido se le aumenta el nivel de dopado, se puede lograr que su punto
de ruptura ocurra muy cerca de los 0V. Los diodos construidos de esta manera, se conocen como diodos tunel.
Estos dispositivos presentan una caracterstica de resistencia negativa; esto es, si aumenta la tensin aplicada en
los terminales del dispositivo, se produce una disminucin de la corriente (por lo menos en una buena parte de la
curva caracterstica del diodo). Este fenmeno de resistencia negativa es til para aplicaciones en circuitos de
alta frecuencia como los osciladores, los cuales pueden generar una seal senoidal a partir de la energa que
entrega la fuente de alimentacin.
-96 -
Estos diodos tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy rpidamente, cambiando de
estado de conduccin al de no conduccin incluso ms rpido que los diodos Schottky.
El diodo Tunnel se comporta de una manera muy interesante conforme se le va aumentando una tensin aplicada
en sentido directo.
CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO TUNEL
Cuando se aplica una pequea tensin, el diodo tunnel empieza a conducir (la corriente empieza a fluir).
Si se sigue aumentando esta tensin la corriente aumentar hasta llegar un punto despus del cual la
corriente disminuye.
La corriente continuar disminuyendo hasta llegar al punto mnimo de un "valle" y despus volver a
incrementarse. En esta ocasin la corriente continuar aumentando conforme aumenta la tensin.
Este comportamiento de la corriente en funcin de la tensin en el diodo tunnel se puede ver en el siguiente
grfico.
. Vp: Tensin pico - Vv: Tensin de valle - Ip: Corriente pico - Iv: Corriente de valle
La regin en el grfico en que la corriente disminuye cuando la tensin aumenta (entre Vp y Vv) se llama "zona
de resistencia negativa"
Los diodos tunnel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy rpidamente, cambiando
de estado de conduccin al de no conduccin incluso ms rpido que los diodos Schottky.
OTROS PUNTOS
Presenta una zona de resistencia negativa.
No hay procesos de alimentacin, por lo tanto es til en aplicaciones de alta velocidad.
Diodo Unitnel o Backward: cada de tensin en el diodo muy baja.
APLICACIONES
Desgraciadamente, este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene una corriente de
fuga muy grande cuando estn polarizados en reversa.
As estos diodos slo encuentran aplicaciones reducidas como en circuitos osciladores de alta frecuencia.
Base terica: diagramas de una distribucin energa potencial: con efecto tnel (W finito) y sin l (W )
-97 -
Diodo tnel: Juntura p - n y mecanismo que determina la corriente por el dispositivo.

Diagrama de energa en equilibrio
Semiconductores altamente dopados: degenerados o semimetales

Caracterstica tensin corriente: en punteado diodo tradicional, en punto y raya efecto tnel
Dispositivos
DIAGRAMAS DE ENERGA: para los puntos de la figura anterior
-98 -
DIAGRAMAS DE ENERGA: para los

puntos de la figura anterior (continuacin)
q(V0 V2)
q(V0 V3)
q(V0 V4)
Dispositivos Especiales
Resistencia Esttica:
Resistencia Dinmica:
Puntos caractersticos de un diodo tnel
-99 -
DIODO INVERSO
El Diodo tnel es un diodo
semiconductor que tiene una
unin pn, en la cual se produce
el efecto tnel que da origen a
una conductancia diferencial
negativa en un cierto intervalo
de la caracterstica corrientetensin.
La presencia del tramo de
resistencia negativa permite su
utilizacin como componente
activo (amplificador/oscilador).
Tambin se conocen como
diodos Esaki, en honor del
hombre que descubri que una
fuerte
contaminacin
con
impurezas poda causar un
efecto de tunelizacin de los
portadores de carga a lo largo de
la zona de agotamiento en la
unin.
APLICACIONES
OSCILADOR CON DIODO TUNEL
Continuamos brindando una serie de
circuitos
prcticos
coleccionables
pertenecientes a la coleccin: "Club
Saber Electrnica". Cada circuito fue
tomado de publicaciones anteriores,
adaptndolos con la inclusin de
componentes de fcil adquisicin en el mercado de Amrica Latina. Sin embargo, en muchos casos, es posible
-100 -

que no encuentre un componente especfico, en ese caso, contctenos por telfono o por mail y veremos la forma
para que Ud. tenga el componente que no consigue en su localidad. Si bien no se incluye el dibujo de la placa de
circuito impreso, cada circuito es lo suficientemente sencillo para que Ud. realice su propio diseo.
Montaje.Este intervalador para limpiaparabrisas puede ser usado en vehculos de 6 o 12V, depende del rel MC2RC1
para 6V y MC2RC2 para 12V. El ajuste del tiempo se hace en P1 y la conexin de los contactos del rel se hace
en paralelo con el interruptor del panel. El fusible F1 protege el sistema.
Simulacin Monte Carlo cuntica de diodos tnel resonante en el formalismo de la funcin de distribucin
de Wigner
Disear e implementar una herramienta de simulacin para dispositivos tnel resonante aplicable a estructuras
reales, Tras el analisis de los diferentes modelos existentes en la literatura para la simulacin del transporte
electrnico en diodos tnel resonante, hemos llegado a la conclusin que el ms adecuado es el tratamiento
cintico cuntico basado en el formalismo de la funcin de distribucin de Wigner, por su simplicidad frente al
de las funciones de Green.
Hemos desarrollado un simulador para solucionar autoconsistentemente las ecuacines de Lioville y Poisson
siguiendo el esquema de dicretizacin propuesto por K.L. Jensen y F.A. Buot. Con este simulador, se ha
analizado los efectos de los parmetros de simulacion sobre los resultados con objeto de obtener los parmetros
ptimos para llegar a un compromiso entre rapidez y precisin.
A partir de dicho simulador se ha llevado a cabo un analisis cualitativo exhaustivo de los efectos de las capas de
separacin no dopadas sobre el comportamiento de los diosos tunel resonante,concluyndose que la
caracteristica I-V es muy sensible a aquellas. Las simulaciones obtenidas sobre diodos tunel resonante con zonas
no dopadas asimetricas son cualitativamente similares a resultados experimentales obtenidos sobre dispositivos
con dopaje asimtrico.
Con la intencin de superar estos problemas, hemos diseado un simulador que puede ser aplicado a dispositivos
reales, sin renunciar a la rigurosidad de la descripcin cintica cuntica que ofrecen las funciones de distribucin
de Wigner. Para conseguirlo, hemos combinado el metodo Monte Carlo clsico para resolver la ecuacin de
transporte de Boltzmann y nuestro algoritmo para resolver la ecuacin de Lioville. Ello nos ha permitido reducir
el tratamiento cuntico a aquella regin en la que sta resulta imprescindible (regin de la doble barrera de
potencial),considera
DIODO TNEL RESONANTE
-101 -
Actualmente se est desarrollando una nueva generacin de dispositivos basados en efectos cunticos, donde los
electrones pueden atravesar barreras de potencial an cuando clsicamente no podran hacerlo. Estos dispositivos
de efecto cuntico son ms rpidos y consumen menos potencia que los convencionales. En este sentido, los
dispositivos basados en el efecto tnel resonante en heteroestructuras semiconductoras han sido muy estudiados
debido a su posible aplicacin en diseos electrnicos ultrarrpidos. Consisten en una lmina delgada de GaAs
(10-50) colocada entre dos lminas de Al1-xGaxAs, donde x se suele escoger entre 0.3 y 0.5. El conjunto se
encuentra en contacto con GaAs altamente dopado, como indica la Figura 1.
Dado que la estructura de bandas en ambos semiconductores es diferente, se produce un desajuste entre los
bordes de las bandas de conduccin -y tambin de las de valencia-, de forma que los electrones que intentan
pasar de uno a otro semiconductor se encuentran con una barrera de potencial, como aparece en la Figura 2(a).
El ancho de la barrera se elige de manera que los electrones en el GaAs no puedan atravesarla fcilmente por
efecto tnel, a menos que su energa E coincida con E0, que es la energa de los electrones confinados en la
lmina intermedia de GaAs (efecto tnel resonante).
Habitualmente la energa E es una cantidad fija en cada dispositivo y coincide con la energa de Fermi, EF. Para
producir el efecto tnel resonante entonces hay que variar el nivel E0, y esto se puede lograr aplicando una
diferencia de potencial en el dispositivo, como aparece indicado en la Figura 2(b). De esta manera, al ir variando
la diferencia de potencial V, deberemos observar un mximo muy acentuado de la corriente que atraviesa el
dispositivo cuando estemos en condiciones de resonancia.
Para explicar cuantitativamente este comportamiento debemos evaluar el coeficiente de transmisin para los
electrones, ya que la corriente tnel a nivel de Fermi es proporcional a dicho coeficiente cuando la temperatura
es muy baja y no existen otros mecanismos de dispersin, como los fonones o los defectos de la heteroestructura.
Una forma de evaluar el coeficiente de transmisin es resolver la ecuacin de Schrdinger para el potencial de la
Figura 2, utilizando la aproximacin de masa efectiva. Encontrar la solucin exacta cuando se aplica un campo
elctrico constante, no obstante, es una tarea laboriosa ya que aparecen las funciones de Airy. Por ello algunos
autores utilizan la aproximacin WKB, pero sta slo es vlida si el potencial vara lentamente en distancias del
orden de la longitud de onda del electrn. La forma entonces de obtener unos resultados fiables de manera
sencilla es recurrir al clculo numrico.
Consideremos la ecuacin de Schrdinger con el potencial de la Figura 2, y supondremos que existe un campo
elctrico uniforme aplicado al dispositivo y que el momento transversal del electrn es nulo,
donde m* es la masa efectiva del electrn -admitiremos que la masa efectiva es la misma en las distintas
regiones del dispositivo- y L es la anchura total de las dos barreras y el pozo de potencial (llamado pozo
cuntico). La diferencia de energa potencial entre ambos contactos es V. Las energas y los potenciales estn
referidos al borde de la banda de conduccin al lado izquierdo de las barreras. V(z)es el potencial en el
dispositivo sin polarizar, que es nulo en GaAs y vale V0= 0.25eV en el Al1-xGaxAs, para una concentracin de Al
del 30%. Para resolver numricamente esta ecuacin dividimos el intervalo [0,L] en N segmentos iguales de
longitud s=L/N, y definimos zn=ns, donde n es un nmero entero. La versin discretizada de la ecuacin (1)
resulta ser
Esta ecuacin puede ser resuelta recursivamente empleando la matriz de transferencia, y obtener as el
coeficiente de transmisin en funcin de la energa para cada potencial aplicado, T(E,V). Una vez calculado
dicho coeficiente, se puede determinar la corriente mediante la expresin
donde la integral se calcula numricamente mediante la regla del trapecio.
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DIODO VARACTOR
Todos los diodos cuando estn polarizados en sentido opuesto tienen una capacitancia que aparece
entre sus terminales.
Los diodos varactores han sido diseados de manera que su funcionamiento sea similar al de un
capacitor y tengan una caracterstica capacitancia-tensin dentro de lmites razonables.
Representacin del diagrama de un varactor

En el siguiente grfico se muestra las similitudes entre un diodo y un capacitor.
Debido a la recombinacin de los portadores en el diodo, una zona de agotamiento se forma en la
juntura.
Esta zona de agotamiento acta como un dielctrico (aislante), ya que no hay ninguna carga y flujo de
corriente.
Las reas exteriores a la zona de agotamiento si tienen portadores de carga (rea semiconductor). se
puede visualizar sin dificultad la formacin de un capacitor en el diodo (dos materiales
semiconductores deparados por un aislante).
La amplitud de la zona de agotamiento se puede ampliar incrementando la tensin inversa aplicada al
diodo con una fuente externa. Esto causa que se aumente la separacin (aislante) y separa ms las reas
semiconductoras. Este ltimo disminuye la capacitancia.
Son diodos que basan su funcionamiento en el principio que hace que la anchura de la barrera de
potencial en una unin PN varia en funcin de la tensin inversa aplicada entre sus extremos. Al
aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo as la capacidad del diodo.
De este modo se obtiene un condensador variable controlado por tensin. Los valores de capacidad
obtenidos van desde 1 a 500pF. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1v. La aplicacin de estos
-103 -

diodos se encuentra en la sintona de TV, modulacin de frecuencia en transmisiones de FM y radio,
sobre todo.
Entonces la capacitancia es funcin de la tensin aplicada al diodo.
Si la tensin aplicada al diodo aumenta la capacitancia disminuye. Si la tensin disminuye la
capacitancia aumenta.
Smbolo del diodo varactor

Su modo de operacin depende de la capacitancia que existe en la unin P-N cuando el elemento est
polarizado inversamente. En condiciones de polarizacin inversa, se estableci que hay una regin sin
carga en cualquiera de los lados de la unin que en conjunto forman la regin de agotamiento y definen
su ancho Wd. La capacitancia de transicin (CT) establecida por la regin sin carga se determina
mediante:
CT = E (A/Wd)
donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores, A es el rea de la unin P-N y Wd el
ancho de la regin de agotamiento.
Conforme aumenta el potencial de polarizacin inversa, se incrementa el ancho de la regin de
agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transicin. El pico inicial declina en CT con el
aumento de la polarizacin inversa. El intervalo normal de VR para diodos varicap se limita
aproximadamente 20V. En trminos de la polarizacin inversa aplicada, la capacitancia de transicin se
determina en forma aproximada mediante:
CT = K / (VT + VR)n
donde:
K = constante determinada por el material semiconductor y la tcnica de construccin.
VT = potencial en la curva segn se defini en la seccin
VR = magnitud del potencial de polarizacin inversa aplicado
n = 1/2 para uniones de aleacin y 1/3 para uniones de difusin
Los relmpagos, los fallos en la red elctrica, etc., pueden afectar a la tensin de red superponiendo
valles, picos y otros transitorios a los 120 V rms norma les. Los valles son cadas de tensin bruscas
que duran microsegundos o me nos.
Los picos son sobre tensiones de duracin muy corta, de hasta 2.000 V o ms. En algunos equipos se
usan filtros entre la Lnea y el primario del transformador para eliminar los problemas ocasionados por
los transitorios de la lnea.
-104 -

O supresor de transientes, es un dispositivo semiconductor utilizado para absorber picos de alto voltaje
desarrollados en las redes de alimentacin elctrica. Cuando aparece un transitorio, el varistor cambia
su resistencia de un valor alto a otro valor muy bajo.
El transitorio es absorbido por el varistor, protegiendo de esa manera los componentes sensibles del
circuito. Los varistores se fabrican con un material no-homogneo. (Carburo de silicio).
Se usa especialmente en los circuitos sintonizadores de televisin y los de receptores de radio en FM.
Cuando existen materiales de tipo p y de tipo n juntos en un cristal, se producen una redistribucin de carga.
Algunos de los electrones libres del material n migran a travs de la unin y se combinan con huecos libres en el
material p.
De la misma forma, algunos de los huecos libres de material p se mueven a travs de la unin y se combinan con
electrones libres en el material n. Como resultado de esta redistribucin de carga, el material p adquiere la carga
negativa neta y el material n obtiene una carga positiva neta.
Estas cargas crean un campo elctrico y una diferencia de potencial entre los dos tipos de material que inhibe
cualquier otro movimiento de carga.
El resultado es una reduccin en el nmero de portadores de corriente cerca de la unin. Esto sucede en un rea
conocida como regin desrtica. Estamp elctrico resultante proporciona una barrera de potencial, o colina, en
una direccin que inhibe la migracin de portadores a travs de la unin.
Relacin entre la corriente y la tensin en un diodo existe una relacin exponencial entre la corriente del diodo y
en potencial aplicado. La relacin se describe por medio de la ecuacin (1.1).
Los trminos de la ecuacin (1.1) se definen como sigue:

ID = corriente en el diodo
vD = diferencia de potencial a travs del diodo
I0 = corriente de fuga
q = carga del electrn: 1.6 x 10-19 coulombs
k = constante de Boltzman 1.38 x 10-23 J/ k
T = temperatura absoluta en grados kelvin
n = constante emprica entre 1 y 2
La ecuacin (1.1) se puede simplificar definiendo
-105 -
Esto da
(1.2)
Si se opera a temperatura ambiente (25 c) y solo en la regin de polarizacin en directo, entonces predomina el
primer termino en el parentesis y la corriente est dada aproximadamente por
(1.3)
La corriente de saturacin inversa, I0, es funcin de la pureza del material, de la combinacin y de la geometra
del diodo. La constante emprica, n, es un nmero propiedad de la construccin del diodo y puede variar de
acuerdo con los niveles de trensin y de corriente.
Aunque las curvas para la regin en directo mostrados en la figura 1.15 recuerdan una lnea recta, se sabe que la
lnea no es recta, ya que sigue una relacin exponencial, esto significa que la pendiente de la lnea se modifica
conforme cambia iD. Se puede diferenciar la expresin de la ecuacin (1.) para encontrar la pendiente en
cualquier iD dada:
(1.4)
La temperatura tiene un papel importante en la determinacin de las caractersticas operacionales de los diodos.
Conforme aumenta la temperatura, disminuye la tensin de encendido Vg . Por otra parte, un descenso en la
temperatura provoca un incremento en Vg . Esto se ilustra en la figura 1.16. Aqu Vg varia linealmente con la
temperatura de acuerdo con la siguiente ecuacin (se supone que la corriente del diodo, iD, se mantiene
constante):
donde:
T0 = temperatura ambiente
T1 = temperatura del diodo
Vg (T0) = tension del diodo a temperatura ambiente
Vg (T1) = tension del diodo a la nueva temperatura
k = coeficiente de temperatura en V/ c
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Los diodos de unin perenne normales exhiben capacitancia cuando se operan en modo de polarizacin inversa
el diodo varactor se fabrica especficamente para operar en este modo. La capacitancia es una funcin de la
inversa de tensin. Por tanto, el diodo acta como capacitor variable, donde el valor de la capacitancia es una
funcin de la tensin de entrada.
Un uso comn de este diodo es en el oscilador controlado por tensin (VCO).
CARACTERSTICAS:
Amplia gama de voltajes - desde 14 V a 550 V (RMS). Esto permite una seleccin fcil del
componente correcto para una aplicacin especfica.
Alta capacidad de absorcin de energa respecto a las dimensiones del componente.
Tiempo de respuesta de menos de 20 ns, absorbiendo el transitorio en el instante que ocurre.
Bajo consumo (en stand-by) - virtualmente nada.
Valores bajos de capacidad, lo que hace al varistor apropiado para la proteccin de circuitera
en conmutacin digital.
Alto grado de aislamiento.
Mximo impulso de corriente no repetitiva
El pico mximo de corriente permitido a travs del varistor depende de la forma del impulso,
del duty cycle y del nmero de pulsos.
Con el fin de caracterizar la capacidad del varistor para resistir impulsos de corriente, se
permite generalmente que garantice un `mximo impulso de corriente no repetitiva'.
Este viene dado por un impulso caracterizado por la forma del impulso de corriente desde 8
microsegundos a 20 microsegundos siguiendo la norma IEC 60-2, con tal que la amplitud del
voltaje del varistor medido a 1 mA no lo hace cambiar ms del 10% como mximo.
Un impulso mayor que el especificado puede ocasionar cortocircuitos o ruptura del propio
componente; se recomienda por lo tanto instalar un fusible en el circuito que utiliza el varistor,
o utilizar una caja protectora.
Si se aplica ms de un de impulso o el impulso es de una duracin mas larga, habra que

estudiar las curvas que al efecto nos proporcionan los fabricantes, estas curvas garantizan la
mxima variacin de voltaje (10%) en el varistor con 1 mA.
Energa mxima
Durante la aplicacin de un impulso de corriente, una determinada energa ser disipada por el varistor.
La cantidad de la energa de disipacin es una funcin de:
La amplitud de la corriente.
El voltaje correspondiente al pico de corriente.
La duracin del impulso.
El tiempo de bajada del impulso; la energa que se disipa durante el tiempo entre 100% y 50%
del pico de corriente.
La no linealidad del varistor.
A fin de calcular la energa disipada durante un impulso, se hace con la referencia generalmente a una
onda normalizada de la corriente. Esta onda esta prescrita por la norma IEC 60-2 secciona 6 tiene una
forma que aumenta desde cero al valor de pico en un el tiempo corto, disminuyendo hasta cero o de una
manera exponencial, o bien sinusoidal.
-107 -
Esta curva es definida por el tiempo principal virtual

(t1) y el tiempo virtual al valor medio (t2)
Uno de los dispositivos empleados para el filtrado en
la lnea es el varistor (tambin llamado supresor de
transitorios). Este dispositivo semiconductor equivale
a dos diodos zener opuestos con una gran tensin de
ruptura en ambas direcciones.
Los varistores se encuentran comercialmente con
tensiones de ruptura entre 0 y 1 .000 V. Pueden
manejar corrientes transitorias de pico de cientos o
miles de amperios.
Por ejemplo, el VI 30LA2 es un varistor con una
tensin de ruptura de 84 V (equivalente a 130 V rms)
y una limitacin de corriente de pico de 400 A.
Conectando uno de stos en el arrollamiento primario, no habr por qu preocuparse de los picos. El
varistor recortara todos los picos al nivel de los 184 V y proteger su fuente de alimentacin.
APLICACIONES
La aplicacin mas importante es en los sintonizadores de canales, utilizados tanto en videos, como en
los televisores actuales.
Las bandas que se pueden sintonizar son:
- BANDA I o VL
Canales bajos de VHF
- BANDA III o VHF Canales altos de VHF
- BANDA V o UHF Canales altos
DE
47
DE
174
DE 470 A 854 MHZ
A
A
68
230
MHZ
MHZ
Los varactores son los elementos de sintona ms estables.

Es difcil comprar condensadores variables que sean mecnicamente y termalmente estables.
Collins Radio hace aos sintonizaba sus OFVs con bobinas sintonizadas con ncleos de polvo de hierro
especiales, pero nunca he visto ninguno a la venta. Un diodo varicap controlado con un potencimetro
de calidad es una buena solucin a estos problemas.
Los varicaps son un tipo de diodos de silicio polarizados con tensin continua. En mi experiencia los
varicaps son de un orden de magnitud ms estables termalmente que los condensadores variables.
Y son al menos dos rdenes de magnitud ms estables mecnicamente. Puedes golpear el OFV con tu
mano y, aunque otros componentes pueden vibrar, el varactor no cambiar su capacidad.
Desafortunadamente, los varicaps producen una escala no lineal en el botn de sintona. Esto significa
que tienen mucho recorrido en el extremo alto de frecuencia mientras que el extremo bajo puede estar
comprimido en unos pocos grados de rotacin.
Para ser usable, el potencimetro debe ser no lineal para compensar.
Sintona por varactor
-108 -
Cuando construa un nuevo

receptor, tuve que construir
otro OFV. En este prototipo
explor
el
sustituir
el
condensador
variable
con
varicaps (varactores).
Las uniones P-N polarizadas en
inversa bloquean el flujo de la
carga elctrica como si fueran
condensadores. No slo actan
como condensadores, cuando
se polarizan en inversa son
condensadores.
Lo
interesante
de
este
comportamiento
es
que
polarizndolos con una tensin continua, digamos de 0 a 10 voltios, la capacidad puede ser variada
como en un condensador variable.
Cuanto mayor sea la tensin de polarizacin, los iones del semiconductor se usan y la carga que puede
almacenar disminuye. En otras palabras, los diodos de unin PN cambian su capacidad inversamente
proporcional a la tensin de polarizacin. Los varactores son condensadores variables por tensin.
Un OFV sintonizado por varactor. El potencimetro redondo ajusta la tensin sobre el varactor.
Las ventajas de la sintona por varactor son:
1.
Los varactores son estables mecnicamente. Suponiendo que el potencimetro que polariza
tu varactor es estable mecnicamente, entonces el OFV resultante ser mecnicamente
estable. Puedes golpear la mesa con tu puo y la frecuencia apenas vibrar en el receptor.
Con mis OFVs a condensador variable, dar una palmada en la mesa es casi una manera
prctica para cambiar la frecuencia.
2.
Los varactores son ms estables en temperatura que los condensadores variables. Probando
un circuito de OFV con condensador variable con un secador de pelo, encontr que el flujo
de aire caliente sobre la placa del circuito haca derivar la frecuencia cientos de Hz, a veces
incluso KHz. Cuando le doy el mismo tratamiento a mi OFV a varactor, el cambio de
frecuencia es mucho menor.
3.
Los varactores son fciles de conseguir. Los buenos condensadores variables de sintona son
difciles de conseguir, aunque a veces RF Parts Co. tiene condensadores usables en stock.
En contraste, los varactores siempre pueden conseguirse de Digikey, Mouser y otras
compaas.
4.
Los varactores son muy pequeos. Algunos de los que he usado son del tamao de un grano
de arena.
-109 -

Soldarlos en mi placa de circuito impreso requiri paciencia, pinzas largas y lupa de joyero.
Un mdulo de OFV hecho con un varactor puede ser mucho ms pequeo que un OFV
hecho con un condensador variable.
5.
Los OFVs a varactor pueden ser sintonizados por PLL. Puesto que el OFV a varactor se
sintoniza con una tensin continua variable, puede ser parte de un diseo a PLL moderno.
Un OFV casero no tiene porque estar limitado a tecnologa antigua.
La utilizacin ms solicitada para este tipo de diodos suele ser la de sustituir a complejos sistemas mecnicos de
capacitor variable en etapas de sintona en todo tipo de equipos de emisin y recepcin, ejemplo, cuando
cambiamos la sintona de un receptor antiguo, se vara mecanicamente el eje de un capacitor variable en la etapa
de sintona; pero si por el contrario, pulsamos un botn de sintona de un receptor de televison moderno, lo que
hacemos es variar la tensin de polarizacin de un diodo varicap que se encuentra en el mdulo sintonizador del
TV.
Figura: Variacin de la capacitancia por una tensin

inversa tpica
El problema con los varactores
Desgraciadamente, los OFVs sintonizados por
varactores no son lineales. Sin embargo, puedes
convertir esto en una ventaja. Cuando la tensin
del varactor se cambia, el cambio de frecuencia
que se produce no es lineal.
Cuando se aplica tensin por primera vez, los
electrones y los huecos en la unin PN se llenan
enseguida y disminuyen la capacidad rpidamente. Despus del primer gran cambio, cada vez ms
tensin debe ser aplicada para llenar mas huecos y agotar los electrones en el semiconductor de tipo N.
En otras palabras, cuanto ms amplio sea el margen de sintona, ms no lineal ser la relacin entre
tensin aplicada y frecuencia. Esto exagera la sintona del extremo alto de frecuencia de la banda.
Por ejemplo, si se lleva el varactor a su margen mximo de capacidad, el 75% del margen de tensin de
sintona podra ser necesario para cubrir el 25% ms alto de tu margen total de frecuencia. Imagina que
ests especialmente interesado en operar en CW.
El segmento de CW de la banda est siempre en el extremo inferior con la fona en el extremo superior
de frecuencia.
El problema de linealidad puede convertirse en una ventaja diseando el conversor de frecuencia del
OFV de tu transmisor o receptor de manera que para cada banda el extremo alto de frecuencia del OFV
cubra el extremo bajo de CW de la banda.
-110 -

Las seales de CW tienen poco ancho de banda, unos pocos Hz, las bandas de fona son varias veces
ms anchas y las mismas seales de fona cubren 3 KHz cada una.
En otras palabras, un buen ensanche de banda (poco cambio de frecuencia para mucho giro del botn)
es importante para la banda de CW y no tan importante para la banda de fona.
S, sintonizar en fona (SSB) requiere sintona fina, pero encontrars que para ajustar la calidad de la
voz es ms fcil hacerlo con el botn del OFB que con la sintona del OFV.
Por ejemplo, en un transmisor el margen del OFV podra ir de 5.0 a 5.5 MHz. Para transmitir en 40
metros (7.00 a 7.30 MHz en los USA), el transmisor podra usar un oscilador local controlado a cristal
de 12.5 MHz para cubrir de 7.0 a 7.5. Esto es, 12.5 MHz menos 5.5 MHz = 7.0 MHz.
De esta manera, el extremo alto de la sintona del OFV cubre el extremo BAJO de la banda. En
contraste, si usas un cristal de frecuencia baja, el extremo alto de frecuencia del OFV cubrir el
extremo alto de la banda donde el ensanche de banda no es muy importante. Esto es, 5.00 MHz ms
2.00 MHz = 7.00 MHz.
Una de las principales aplicaciones de los diodos varactores es la sintonizacin de circuitos.
Cuando se utiliza en un circuito resonante, el varactor acta como una capacidad variable permitiendo
ajustar la frecuencia de resonancia mediante un nivel de tensin variable.
Si
observamos
el
circuito contenido en el
applet que aparece a continuacin comprobamos que el diodo varactor y el inductor forman un circuito
resonante paralelo. C1 ,C 2 ,C3 y C 4 son capacidades de desacoplo para prevenir que el filtro cargue al
circuito de polarizacin.
Estas capacidades no tienen efecto en la respuesta en frecuencia del filtro porque sus reactancias son
despreciables a las frecuencias de resonancia. C 1 previene un camino de continua entre el contacto
mvil del potencimetro y el generador de alterna a la entrada a travs de el inductor y R1 .
-111 -

C2 previene del camino de
continua desde el ctodo al
nodo del varactor a travs
del inductor. C3 evita el
camino desde la toma media
del potencimetro a una carga
en la salida por el inductor. Y
C4 corta la componente
continua de la toma del
potencimetro a masa.
Las resistencias R 2 ,R 3 ,R5 y
el potencimetro R 4 forman
un divisor de tensin continua
que permite alimentar al varactor. La tensin inversa de polarizacin se puede variar con el
potencimetro.
La frecuencia de resonancia del circuito paralelo es
Antena Activa De Sintona Remota

Normalmente el termino antena activa se refiere a un dispositivo que se monta en el exterior y
amplifica las seales de radio en un rango de 0,10 a 30 Mhz, sin necesidad de sintonizarlo. esta
compuesta por un modulo preamplificador dentro de una caja a prueba de intemperie con una antena
telescpica montada en ella, una caja de control que contiene la fuente de alimentacin y un control de
atenuacin de la seal recibida.
La conexin entre el modulo preamplificador y la caja de control se realiza mediante un cable coaxil,
normalmente de 15 metros (50 pies) de RG-58/U, que tambin lleva la alimentacin de corriente
continua al amplificador de radiofrecuencia de banda ancha.
Algunos modelos comerciales con estas caractersticas son las sony modelo AN-1, MFJ modelo 1024 y
Mc Kay Dymek modelo DA-100D. el inconveniente que poseen este tipo de antena activa, es que como
todo dispositivo de banda ancha, no solo amplifica las seales deseadas sino tambin las indeseadas y
el ruido.
Al agregar un circuito sntonizado a la entrada, se puede incrementar la sensibilidad y la selectividad
en el rango de frecuencias cubiertas, que en este caso no ser tan amplio como las antenas activas
anteriormente descriptas. el problema es como sintonizar la antena remota desde adentro del cuarto de
radio.
La solucin practica es usar un diodo varactor o varicap, el cual acta como un capacitor con valores
ajustables que pueden ser cambiados al aplicar una tensin positiva de polarizacin variable al
-112 -

contrario de los diodos rectificadores o de conmutacin, los varicap (tambin llamados diodos
sintonizables) son polarizados en forma inversa, sin circulacin de corriente a travs de ellos, actuando
como un capacitor variable y no como un semiconductor, a mayor tensin de corriente continua sobre
el diodo sintonizable, menor es la capacidad en su junta semiconductora.
El circuito de la antena es mostrado en la figura 1:
El varactor (V) se coloca en paralelo con el circuito sintonizado (L1/C1), en serie con un capacitor de
0.1 microf que acta como bloqueador de tensin y como paso (by pass). La tensin variable es
alimentada al varactor a travs de un choque de radio frecuencia (R.F.).
La antena en si puede ser cualquier varilla de aluminio o bronce. Una antena telescpica recuperada de
algn desarme, e incluso un trozo de alambre, de un largo mnimo de 1,5 metros (5 pies).
Los diodos varactores no son elementos de fcil obtencin en la casas de componentes electrnicos.
Estos son algunos modelos segn el catalogo motorola:
Modelo Capacidad Mxima a Tensin Modelo Capacidad Mxima a Tensin

MV2111 47 picoF A 4 (modelo nuevo) MV1650 100 picoF A 4 (modelo viejo)
MV2115 l00 picoF A 4 (modelo nuevo) MV1662 250 picoF A4 (modelo viejo)
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Se puede reemplazar un varactor de modelo viejo como el MV1662 por el paralelo de modelos ms
nuevos, en este caso dos MV2115 y un MV2111, dando la suma de sus capacidades mxima
aproximadamente igual a la del MV1662.
Tambin la firma Siemens tiene una familia de diodos varactores, por ejemplo: el BB113, que son tres
diodos en un mismo cristal semiconductor, que dan como resultado valores iguales de capacidad
mnima y mxima a igual tensin de sintona, es decir un buen alineamiento o arrastre.
Valores
segn la tensin:
de
capacidad Alineamiento segn la tensin:
CD = 230 A 280 picoF

CD
=
55
picoF
a
CD = 16 picoF a 20v.
1v. De
1
a
10v. De 6 a 20v. = 2%
6v.
1%
Para este proyecto utilizaremos un varactor modelo VMAM109, que tiene una capacidad mxima de
450 picof a 1v. y una capacidad mnima de 30 picof a 9 v.
El circuito sintonizado (L1/C1) y el varactor (V) son resonante a la banda deseada, en este caso bandas
de aficionados, pero con modificaciones en la cantidad de espiras de las bobinas, se pueden sintonizar
las bandas de radiodifusin (broadcasting) de onda media (MF) y onda corta (HF).
Para la banda de 80 metros (3.500 a 4.000 KHz), la bobina es de ncleo de ferrita ajustable con un
dimetro de 8mm. (5/16 pulg.) y un largo de 25,4mm (1 pulg.) y lleva 50 espiras de alambre esmaltado
(del tipo utilizado en pequeos transformadores y motores) de dimetro 0,32mm (AWG#28). El
capacitor C1 es un trimmer de 50 picof.
Para la banda de 160 metros (1.800 a 2.000 KHz) podemos intentar con 100 espiras y para la banda de
40 metros (7.000 a 7.300 KHz) con 25 espiras. Por regla general conviene bobinar mas espiras que las
especificadas y remover las de a una para llegar en forma gruesa a la inductancia deseada.
Con el ncleo de ferrita ajustable se logra alcanzar la mnima frecuencia deseada con el varicap a su
mnima tensin. Con C1 se ajusta la mxima frecuencia deseada con el varicap a su mxima tensin.
Como elemento amplificador podemos utilizar un transistor tipo mosfet (metal oxide semiconductor
field efect transistor) o un tipo jfet (junction field efect transistor).
De utilizar el primer tipo, en este caso los modelos BS170 o BSI70P, ser necesario fijar en forma
experimental la polarizacin de la compuerta (G - gate) por medio de un potencimetro tipo pre-set
(R1) o de resistencias fijas una vez determinado el valor adecuado de la tensin (de 3 a 4 v.). En el
caso de utilizar transistores del segundo tipo como el conocido MPF102 o J310, no es necesaria esta
polarizacin.
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El transformador de banda ancha T1 es para adaptar la alta impedancia de salida del transistor a la
baja impedancia del cable coaxil (50 ohms) es un toroide de ferrita de 12,7mm (0,5 pulg.) de dimetro
exterior y 7,13mm (0.281 pulg.) de dimetro interior. El bobinado primario consiste en 21 espiras de
alambre dimetro 0,32mrn (AWG #28) y el bobinado secundario son 7 espiras del mismo alambre.
La alimentacin al transistor se realiza a travs del mismo cable coaxil que lleva la seal amplificada
al receptor, mientras que la tensin variable para la sintona del varactor es enviada con un cable
unipolar aislado del tipo utilizado en los conexionados, de una seccin de 0,50mm, encintado en
paralelo al cable coaxil.
El circuito de la caja de control se muestra en la figura 2, la misma consiste en una fuente de
alimentacin estabilizada, una llave conmutadora para la seleccin entre la antena activa y una antena
de referencia externa, y el potencimetro para variar la tensin de polarizacin del varactor (P1).
Este puede ser del tipo multi-vuelta con su correspondiente dial micromtrico, pero el elevado costo de
estos hace necesario buscar otras alternativas.
Una de ellas puede ser un potencimetro del tipo comn, de buena calidad, al cual se le puede adosar
un sistema de reduccin a tambor e hilo como los utilizados por los diales de las viejas radios.
Tambin se puede emplear un potencimetro del tipo lineal, de un largo suficiente como para poder
realizar una escala a fin de tener una referencia en la sintona.
Tanto el preamplificador como la fuente de alimentacin se arman sobre plaquetas de circuitos

impresos, cuyos diseos y ubicacin de componentes se adjuntan en la figura 3.
De utilizar el primer tipo, en este caso los modelos BS170 o BSI70P, ser necesario fijar en forma
experimental la polarizacin de la compuerta (G - gate) por medio de un potencimetro tipo pre-set
(R1) o de resistencias fijas una vez determinado el valor adecuado de la tensin (de 3 a 4 v.). En el caso
de utilizar transistores del segundo tipo como el conocido MPF102 o J310, no es necesaria esta
polarizacin.
El transformador de banda ancha T1 es para adaptar la alta impedancia de salida del transistor a la
baja impedancia del cable coaxil (50 ohms) es un toroide de ferrita de 12,7mm (0,5 pulg.) de dimetro
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exterior y 7,13mm (0.281 pulg.) de dimetro interior. El bobinado primario consiste en 21 espiras de
alambre dimetro 0,32mrn (AWG #28) y el bobinado secundario son 7 espiras del mismo alambre. La
alimentacin al transistor se realiza a travs del mismo cable coaxil que lleva la seal amplificada al
receptor, mientras que la tensin variable para la sintona del varactor es enviada con un cable unipolar
aislado del tipo utilizado en los conexionados, de una seccin de 0,50mm, encintado en paralelo al
cable coaxil.
El circuito de la caja de control se muestra en la figura 2, la misma consiste en una fuente de
alimentacin estabilizada, una llave conmutadora para la seleccin entre la antena activa y una antena
de referencia externa, y el potencimetro para variar la tensin de polarizacin del varactor (P1). Este
puede ser del tipo multi-vuelta con su correspondiente dial micromtrico, pero el elevado costo de estos
hace necesario buscar otras alternativas. Una de ellas puede ser un potencimetro del tipo comn, de
buena calidad, al cual se le puede adosar un sistema de reduccin a tambor e hilo como los utilizados
por los diales de las viejas radios. Tambin se puede emplear un potencimetro del tipo lineal, de un
largo suficiente como para poder realizar una escala a fin de tener una referencia en la sintona.
Tanto el preamplificador como la fuente de alimentacin se arman sobre plaquetas de circuitos

impresos, cuyos diseos y ubicacin de componentes se adjuntan en la figura 3.
Transceptor de CW para 7MHz:
Conversin directa:
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Qu es la conversin directa? Es la manera ms simple de recibir seales de CW y SSB. Consiste en

mezclar la seal de radio procedente de la antena con la de un oscilador local. A la salida de ese
mezclador estarn infinidad de sumas y restas de las seales a mezclar y de sus armnicos. La idea es
mezclar la seal que nos interesa escuchar con otra, tal que la DIFERENCIA de sus frecuencias caiga
en el espectro audible (banda base).
Un ejemplo: queremos escuchar una seal de telegrafa de 7030 khz. Por tanto, sintonizaremos nuestro
oscilador a 7029 o a 7031 khz. En cualquiera de los dos casos, tendremos la seal original desplazada
hasta 1 khz, que es una frecuencia audible. El inconveniente es que recibimos tanto las seales que
estn "por arriba" como las que estn "por abajo" de nuestro OFV, es decir, omos las dos bandas
laterales al mismo tiempo. Si tenemos una seal en 7029 y otra en 7031, con nuestro OFV en 7030,
escucharemos las dos juntas. Este inconveniente es el precio que hay que pagar por la simplicidad.
Diagrama de bloques
El diagrama de bloques de un receptor de CD es muy simple: amplificador de RF (amplifica las seales

tal cual vienen de la antena, para poder mezclarlas), mezclador (al cual se inyecta tambin la seal del
oscilador local) y amplificador de audio. Si adems queremos transmitir, har falta un amplificador
para la seal del OFV, una conmutacin recepcin/transmisin y algn circuito accesorio ms que
luego veremos.
Oscilador
El OFV (oscilador de frecuencia variable) es un circuito que genera una seal sinusoidal de una
frecuencia determinada (7 Mhz en este caso). Consiste en un circuito resonante cuya oscilacin se
amplifica y se realimenta.
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Este es el primer circuito que debe montarse. Aunque uno suele asustarse cuando ve el smbolo de una
bobina, no hay motivo para ello. El montaje es sencillo: en las tiendas de componentes electrnicos se
encuentran fcilmente formas con ncleo para bobinas, debe tener 5 mm de dimetro; el hilo de 0.2
mm se pueden encontrar en las mismas tiendas o en las de suministros elctricos.
El blindaje lo ms probable es que haya que sacarlo de algn aparato de desguace: cualquier radio
tendr varios.Con cuidado damos unas 35 vueltas de cable sobre la forma; sin soltar el hilo lo
sujetamos con cinta adhesiva o pegamento. Ponemos el blindaje, pelamos los extremos de los cables y
probamos el oscilador. Si la frecuencia es superior o inferior a la deseada, y no se puede compensar con
el condensador variable, habr que aumentar o reducir el nmero de espiras respectivamente. Cuando
est bien, dejamos fijo el hilo con pegamento o cola y soldamos el blindaje a la placa.
El diodo varicap BA102 puede ser cualquier varicap o incluso cualquier diodo. Tambin podemos
eliminar toda esa parte, hasta el condensador de 10nF, y poner en su lugar un condensador de sintona
de alguna radio desguazada, combinndolo con otro condensador en serie para reducir la capacidad.
De esta manera ser ms estable con la temperatura, aunque no tendremos la comodidad de sintonizar
con un potencimetro. Lo ms preciso es utilizar un potencimetro multivuelta (unos 6 euros).
Si no se usan condensadores de styroflex o mica plateada, sino cermicos, el OFV tambin funcionar
aunque ser ms inestable con la temperatura. Al punto B ir conectado el RIT.
En la alimentacin va un choque de RF, vk200, y un regulador de 8 voltios. Viendo este regulador con
las letras de frente, a la izquierda est la entrada, en el medio la masa y a la derecha la salida regulada.
Los transistores 2N2222, vistos con las patas hacia arriba y la muesca apuntando hacia abajo, tienen el
emisor junto a la muesca, la base a la izquierda y el colector arriba. Para asegurarse lo mejor es
probarlo con un polmetro que mida la ganancia de corriente de transistores.
Para probar el funcionamiento hay varias opciones. Si tenemos un esciloscopio es estupendo, pero lo
mejor es un receptor de SSB para comprobar la estabilidad y la precisin de la sintona. Tambin puede
servir (con mucha paciencia) un receptor musiquero de AM; habr que buscar un punto en el que no se
oiga nada y la seal sea muy fuerte.
El OFV con el RIT deber ir encerrado en una caja metlica para aislarlo de capacidades parsitas,
realimentaciones de RF y cambios de temperatura. Se puede hacer una caja con simples trozos de placa
de circuito impreso. Todo el circuito puede ir montado sobre una placa sin pistas, todo masa, con las
conexiones al aire.
Este sistema funciona bien mientras las patas de los componentes se mantengan cortas. Si se hace una
placa con pistas sta deber tener mucha superficie a masa, o incluso una cara entera si es de doble
cara.
La parte del circuito de abajo a la izquierda es la que permite variar la frecuencia del oscilador. El
diodo varicap en polarizacin inversa tiene una capacidad que vara con la tensin aplicada, con lo que
moviendo el potencimetro actuamos sobre su capacidad y por tanto sobre la frecuencia del oscilador.
Este potencimetro debe tener un mando para poder girarlo con facilidad, y si es multivuelta mucho
mejor.
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Si queremos ajustar el margen de sintona exactamente entre dos frecuencias podemos colocar un
pequeo potencimetro (B) en la misma placa que limite la tensin mxima que se le aplica al varicap.
Funcionara como divisor resistivo, con su cursor conectado al pin superior del potencmetro de 10K
(A).
El ajuste se hara as: con A y B al mnimo, la tensin en el diodo es mnima, la capacidad mxima, y la
frecuencia mnima. Ajustamos el condensador variable hasta que la frecuencia sea, por ejemplo, 7000
Khz (el lmite inferior que queramos).
Ahora ponemos A al mximo y movemos B hasta que se alcance la mayor frecuencia que nos interese
(por ejemplo, 7100 Khz). De esta manera, con el potencimetro A nos desplazamos por todo el margen
de frecuencias. En una sola placa:
Varactor Modulador de FM
Otra fm modulador que es ampliamente utilizado en los circuitos de
transistores utiliza un capacitor de voltaje variable (VARACTOR). El
varactor es simplemente un diodo o unin pn, es decir diseados para
tener una cierta cantidad de capacitancia entre las salidas.
Ver (A) de la figura 2-15 muestra el varactor esquemtico smbolo. Un diagrama de un varactor en un circuito
oscilador simple se muestra en la vista (B). Esto no es un circuito de trabajo, sino simplemente un ejemplo
simplificado.
La capacidad de un varactor, al igual que condensadores regular, est determinada por el rea de las placas del
condensador y la distancia entre las placas. La regin de agotamiento en el varactor es el dielctrico y est
situado entre la P y n elementos, que servir los platos. Capacidad es variado en el varactor mediante la variacin
de la polarizacin inversa, que controla el espesor de la regin de agotamiento.
El varactor est diseado de manera que el cambio de capacitancia es lineal con el cambio en el voltaje aplicado.
Esta es una caracterstica de diseo especial del diodo varactor. El varactor no debe ser polarizado, ya que no
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puede tolerar ms el flujo de corriente. Adecuado diseo de circuitos impide la aplicacin de polarizacin
directa.
Mtodo para mejorar la frecuencia del Sistema del sistema de la figura

Mdulo del oscilador de cristal.
Un mdulo para oscilador de cristal consiste de un oscilador controlado de cristal y de un componente de voltaje
variable como un diodo varactor. Todo el circuito del oscilador se encuentra dentro de una sola caja de metal. Se
muestra en la figura 2-12a un diagrama esquemtico simplificado de un mdulo para oscilador de cristal
Colpitts. X1 es en s un cristal y Q1 es el componente activo para el amplificador.
C1 es un capacitor derivador (trimmer) que permite variar la frecuencia oscilatoria del cristal dentro de un rango
reducido de frecuencias de operacin. VC1 es un capacitor variable de voltaje (varicap o diodo varactor) Un
diodo varactor es un diodo cuya capacitancia interna mejora cuando se invierte la polarizacin, y al variar el
voltaje de polarizacin inversa, se puede ajustar la capacitancia del diodo.
Un diodo varactor tiene una capa especial de deflexin (agotamiento) entre los materiales de tipo p y n y se
construye con varios grados y tipos de material dopado (contaminado) (el trmino de unin graduada se utiliza
frecuentemente al explicar la fabricacin del diodo varactor) La figura 2-13 muestra la capacitancia contra las
curvas del voltaje de polarizacin inversa para un diodo varactor tpico. Se puede aproximar la capacitancia de
un diodo varactor como
En donde
C =1a capacitancia del diodo
con polarizacin inversa de 0 V (farads)
r V = magnitud del voltaje de
polarizacin inversa del diodo (volts)
Cd = capacitancia del diodo con polarizacin inversa (farads)
La frecuencia a la que oscila el cristal se puede ajustar ligeramente cambiando la capacitancia de VC1 (o sea,
cambiando el valor del voltaje de polarizacin inversa) El diodo varactor, en conjuncin con un mdulo para
compensar la temperatura, proporciona una compensacin instantnea de la frecuencia a las variaciones causadas
por cambios en la temperatura.
El diagrama esquemtico de un mdulo para compensar la temperatura se muestra en la figura 2-12b. El mdulo
de compensacin incluye un amplificador de bfer (Q1) y una red compensadora de temperatura (T1) T1 es un
termistor de coeficiente de temperatura negativo. Cuando la temperatura cae por abajo del valor del umbral del
termistor, se incrementa el voltaje de compensacin.
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El voltaje de compensacin se aplica al mdulo del oscilador, donde controla la capacitancia del diodo varactor.
Se disponen de mdulos de compensacin que puedan compensar la estabilidad de frecuencia de 0.0005% desde
-30 a +g0C.
Generacin de la seal FM.

Los sistemas de frecuencia se agrupan en dos clases:
1.
FM directa, en la que la portadora est modulada en el punto donde se genera, en el
oscilador maestro
2.
FM indirecta, en la que el OM no modula, pero la modulacin se aplica en alguna etapa
siguiente.
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La frecuencia de una onda puede variarse directamente slo en el punto donde se est generando esa onda. Esto
indicara al parecer que la frecuencia de una onda slo podra modularse en el OM. En cierto sentido, es cierto.
Pero, la seal moduladora puede cambiar la fase de la corriente o la tensin de la onda portadora despus de
haber sido generada la portadora; es decir, la portadora puede ser modulada en fase en cualquier punto del
transmisor.
Entonces esta modulacin de fase se transforma fcilmente en modulacin de frecuencia, por lo que podemos
decir que la modulacin de frecuencia se produce indirectamente, y el resultado se denomina FM indirecta. La
FM indirecta tambin puede producirse modulando primero la amplitud de la portadora y despus transformando
la AM resultante en FM.
Generacin de FM directa.
En la figura 1 vemos un circuito simplificado para la generacin de FM directa. Aunque el circuito no es prctico
para sistemas de FM comerciales, lo utilizamos a efecto de demostracin porque se entiende fcilmente. En este
circuito, un micrfono electrosttico se conecta en paralelo con el circuito tanque LC de un oscilador de RF.
Las ondas sonoras aplicadas al micrfono hacen que su capacitancia vare al ritmo de las vibraciones de las
ondas sonoras. Puesto que el micrfono est conectado en paralelo con el circuito tanque del oscilador, la
frecuencia de la onda de RF generada por el oscilador tambin vara (la llamada frecuencia modulada) al ritmo
de las vibraciones de las ondas sonoras.
De este modo, las vibraciones de las ondas sonoras controlan directamente las variaciones de frecuencia en la
onda de RF. El circuito oscilador Hartley alimentado en paralelo utilizado aqu es un circuito que realmente
funciona, pero no se usa en la prctica porque posee ciertos inconvenientes, a saber:
La estabilidad de la frecuencia portadora es mediocre; el circuito debe utilizar un micrfono de tipo
electrosttico; la magnitud de las desviaciones de frecuencia producidas son demasiado bajas para las
necesidades de modulacin normal, lo que produce un bajo ndice de modulacin y, por consiguiente, una
relacin S/R deficiente.
Modulador de Reactancia.
Un sistema prctico para generar FM directa es el modulador de reactancia, que produce una variacin de
capacidad o reactancia en un circuito oscilador resonante para conseguir la desviacin de frecuencia.
Dependiendo de la circuitera especfica utilizada, el circuito modulador de reactancia acta como una
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inductancia variable o como una capacidad variable en paralelo con el circuito LC resonante de un oscilador de
RF.
Un requisito crtico en el circuito modulador de reactancia es que sea totalmente reactivo. Para que funcione
adecuadamente, debe tener un ngulo de desfase de +90 90, lo que significa que no debe haber ningn
componente resistivo en el circuito modulador. Los componentes resistivos producirn seales AM no deseadas
en la salida.
Para eliminar estas seales AM no deseadas en el receptor se necesita una circuitera suplementaria. Existen
cuatro configuraciones fundamentales de moduladores de reactancia que ofrecen buenos resultados. stas
pueden verse en la figura 2
Aunque los circuitos que vemos utilizan un transistor como dispositivo activo, tambin pueden emplearse otros,
como vlvulas de vaco, JFET, MOSFET y circuitos integrados. En el circuito normalmente utilizado de la
figura 3, una red capacitiva RC con transistor modulador de reactancia funciona en el circuito tanque del OM.
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Cualquier modulador de
reactancia puede conectarse
a travs del circuito tanque
de un oscilador LC no
controlado
por
cristal
piezoelctrico, siempre que
el oscilador utilizado no
requiera
dos
circuitos
sintonizados
para
su
funcionamiento.
Los ms empleados son los
osciladores aislados Hartley, Colpitts o Clapp. El oscilador Clapp se usa en el circuito que vemos, en donde las
bobinas de RF proporcionan el aislamiento del circuito para Ca, facilitando tambin la trayectoria de la Cc
Modulador con diodo varactor.
Un diodo de capacidad variable por tensin, llamado varactor o varicap, es aquel en el cual la capacidad de la
unin vara electrnicamente con facilidad. Esta variacin se lleva a cabo simplemente cambiando la
polarizacin inversa del diodo. Un diodo varactor puede conectarse de diversas maneras para que afecte a un
circuito resonante.
Por esta razn, un modulador por diodo varactor es uno de los sistemas ms sencillos de generar una seal de
FM. En la figura 4 vemos moduladores con diodo varactor tpicos. En la figura 4-a, un diodo varactor
proporciona la capacidad total al circuito tanque de un oscilador Hartley.
En el oscilador Colpitts de la figura 4-b, el diodo varactor es uno de los componentes capacitivos del circuito
tanque. En estos dos circuitos, la frecuencia del oscilador de RF est determinada por la polarizacin inversa
aplicada a los diodos varactores, y la modulacin de frecuencia es el resultado de la seal moduladora de AF
aplicada a travs de RFC1.
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El circuito de la figura 4-c ofrece sencillez, la fiabilidad y la estabilidad de un oscilador a cristal. En este
circuito, un diodo varactor est conectado a un circuito oscilador Pierce.
La frecuencia central del oscilador est determinada por el valor de la capacidad nominal del diodo varactor, que
lo establece la polarizacin inversa proporcionada por los resistores R1 y R2. Una seal moduladora de AF
aplicada a travs de RFC1 vara la polarizacin inversa del varactor, cambiando su capacidad y, como
consecuencia, la frecuencia del oscilador.
Control automtico de frecuencia.
En muchas aplicaciones de banda estrecha se puede modular directamente, un OM estabilizado por cristal
piezoelctrico. Sin embargo la alta Q de los osciladores a cristal tiene como resultado una desviacin limitada,
impidiendo as la modulacin directa de frecuencia para aplicaciones de banda ancha.
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Por esta razn, un transmisor de FM directa tiene una deficiente estabilidad de frecuencia portadora. En general,
en la generacin de FM directa, el OM no est estabilizado por cristal piezoelctrico. La estabilidad de la
frecuencia portadora en un sistema de comunicacin est estrictamente controlada por la FCC.
Por tanto, para satisfacer los estndares de la FCC se requiere un sistema de control automtico de frecuencia
(CAF) para corregir cualquier desviacin de la portadora.
El sistema Crosby.
El mtodo ms comn de estabilizacin de frecuencia incluye un discriminador de fase. Un sistema de
frecuencia regulada tpico es
el
sistema
Crosby
de
generacin de FM directa que
vemos en la figura 5
Para facilitar la comprensin

del funcionamiento de este
sistema,
indicaremos
el
camino de las seales a travs
del mismo. Las seales de
audio entran en el modulador
de reactancia cuando el OM
modula la frecuencia. La
frecuencia central del OM es
la frecuencia producida cuando no hay ninguna seal de audio presente a la salida del modulador de reactancia.
Si la frecuencia central se altera, vuelve al valor correcto mediante un cambio en la polarizacin cc aplicada al
modulador de reactancia. El sistema CAF consta de circuitos que detectan cualquier alteracin en la frecuencia y
utilizan esta alteracin para generar una tensin de correccin que vuelve a la entrada del modulador de
reactancia aadida algebraicamente a la tensin de polarizacin. Esta tensin correctora no es ms que otra
forma de realimentacin negativa, utilizada en muchas otras aplicaciones electrnicas. La frecuencia de salida
del OM es multiplicada antes de entrar en la etapa del amplificador de potencia de RF. Una pequea parte de la
seal de salida del multiplicador pasa a la etapa del mezclador donde se heterodiniza con la salida de un
oscilador controlado por cristal (OCC).
Si existe alguna diferencia entre la frecuencia controlada por cristal y la frecuencia modulada, el mezclador
producir las frecuencias suma y diferencia. Aqu, nicamente nos interesa la diferencia de frecuencia. El OCC
se utiliza como frecuencia estndar y se compara con la frecuencia multiplicada del OM. La frecuencia
heterodina producida en el mezclador refleja esta comparacin. Si no hay diferencia entre las dos frecuencias
que se estn comparando, no se producir frecuencia heterodina, y tendremos lo que se denomina frecuencia
heterodina cero. Sin embargo, si la frecuencia central de la portadora se desva por encima o por debajo de su
valor correcto, la salida del mezclador contendr la diferencia de frecuencia generada por la accin heterodina
del mezclador. En muchos sistemas, el OCC utilizado como patrn de frecuencia funciona a un nmero
especificado de hertzios a partir de la frecuencia central del transmisor. Luego se ajusta el discriminador de
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manera que la tensin de salida sea cero cuando su frecuencia de entrada sea la diferencia de frecuencia exacta
especificada por el OCC. Por ejemplo, supongamos que la frecuencia central correcta del transmisor en el punto
donde se extrae la muestra y entra en el mezclador es de 100 MHz. Adems, supongamos que el OCC funciona a
98 MHz. Cuando est exactamente la portadora en frecuencia, la diferencia de frecuencia generada en el
mezclador por la accin heterodina es de 2 MHz. El discriminador para este sistema se ajusta de manera que la
frecuencia de entrada de 2 MHz Haga que la tensin de salida sea cero. Por tanto, cuando el transmisor funciona
exactamente en frecuencia, no se transmite ninguna tensin correctora al modulador de reactancia. Por otro lado,
por ejemplo, si la frecuencia del transmisor en el punto de muestreo se desva hasta 99,95 MHz, la diferencia de
frecuencia producida en el mezclador y que pasa hasta el discriminador resulta 1,95 MHz. En este caso, el
discriminador transmitira una tensin de salida al modulador de reactancia con la polaridad y la amplitud
necesarias para incrementar la frecuencia del OM a un valor tal que la frecuencia central en el punto de muestreo
vuelva a 100MHz.
La polaridad de la tensin de salida del discriminador viene determinada segn se desve la frecuencia central
del transmisor hacia arriba o hacia abajo, y la amplitud de la tensin viene determinada por cunto se ha
desviado la frecuencia central del transmisor de su valor correcto.
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DIODO VARICAP
O supresor de transigentes, es un dispositivo semiconductor utilizado para absorber picos de alto voltaje
desarrollados en las redes de alimentacin elctrica. Cuando aparece un transitorio, el varistor cambia su
resistencia de un valor alto a otro valor muy bajo.
El transitorio es absorbido por el varistor, protegiendo de esa manera los componentes sensibles del circuito. Los
varistors se fabrican con un material no-homogneo. (Carburo de silicio). La juntura pn presenta
caractersticas de capacidad elctrica ante variaciones tanto de la tensin inversa aplicada, como de la tensin
directa.
Podemos entonces distinguir dos tipos de capacidad: la capacidad de la carga espacial o de transicin (Ct) y la
capacidad de difusin o almacenamiento (Cd).
Capacidad de transicin Ct: Esta capacidad aparece cuando polarizamos inversamente la juntura pn. La
polarizacon inversa provoca que los portadores mayoritarios se alejen de la juntura dejando descubierta la
denominada carga espacial debido a los tomos ionizados. El grueso de esta capa de carga espacial, aumenta
con la tensin inversa.
Este aumento de carga puede considerarse como un efecto de capacidad
Ct =Q/V
Donde:
Q es el aumento decaiga provocado por un aumento de V de la tensi n aplicada.
El valor de Ct lo podemos expresar de la siguiente forma:
Ct = .A/W
permitividad del material
A Area de la juntura transversal
W Ancho de la zona de la carga espacial
El valor de W se puede expresar mediante las siguientes formulad:
W = (2..Vj/q.Nd) (raiz al cuadrado); para juntura abrupta tipo aleacin
W = (2..Vj/q.Nd) (raiz al cubo); para juntura gradual.
Vj = Vo + Vd
q carga del electrn
Nd concentracin de impurezas donadoras
Vj Potencial de la juntura o barrera de potencial con tensin externa inversa aplicada.
Vo Barrera de potencial sin tensin externa aplicada
Vd Tensin externa aplicada
El valor de Ct es del orden de los pF y como W aumenta con Vj, entonces las capacidad de transicin
disminuye con el aumento de la tensin inversa aplicada.
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Capacidad de difusin
Esta aparece cuando la juntura esta polarizada directamente. El origen de esta capacidad tiene lugar en el
almacenamiento de las cargas inyectadas en la vecindad de la juntura, fuera de la regin de transicin. La
variacin de esta carga inyectada, con la variacin de la tensin directa aplicad nos define una capacidad
incremental:
Cd Q/V = .I / .vT = .g = / r siendo g = dI / dV
vT= tensin trmica T [K]/ 11.600
Tiempo de vida media de los portadores huecos.
I Corriente directa.
Coeficiente de emisin
Por ejemplo si = 20 seg. , =1 resulta Cd = 20 F.
Como vemos Cd >> Ct. No obstante de ser Cd un valor grande, no tiene en las aplicaciones en generales.
Inconveniente dado que rd (resistencia dinmica directa) es muy bajo y por lo tanto la constante de tiempo rd.
Cd no es excesivo.
Son diodos que se utilizan como capacidad variable aprovechando la variacin de la capacidad de
transicin Ct con la tensin inversa aplicada.
Curvas tpicas de variacin de Ct
Los valores dados en el circuito equivalente son para un determinado diodo varicaps con una
determinada tensin inversa.
Estos diodos se los utiliza generalmente en sistemas de radiocomunicaciones para los circuitos de
sintonizacin tipo LC o tambin en osciladores con frecuencias variables.
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Veamos un circuito bsico de aplicacin, para sintonizacin LC
C y L forman el circuito de resonancia paralelo principal. L1 acopla la seal sintonizada a las etapas
amplificadoras posteriores. C1 acopla, en paralelo al circuito LC (llamado circuito tanque), la capacidad de
transicin Ct. El filtro L de Choke, impide que la seal de radiofrecuencia, presente el circuito tanque, ingrese a
la fuente de alimentacin Vcc y a travs de ella, provoque inestabilidad en el resto del circuito (realimentacin
positiva). La fuente de alimentacin y el potencimetro, son los encargados de aplicarle una tensin inversa y
variable al diodo barricas. La variacin de Ct provoca el cambio de la frecuencia de resonancia del circuito
tanque y con ello la sintonizacin.
Como el diodo varicap es un dispositivo semiconductor que puede controlar su valor de capacitancia
trminos del voltaje aplicado en polarizacin inversa. Esto es, cuando el diodo se polariza inversamente no
circula corriente elctrica a travs de la unin; la zona de deplexin acta como el dielctrico de un capacitor; las
secciones de semiconductor P y N del diodo hacen las veces de las placas de un capacitor; la capacitancia que
alcanza el capacitor que se forma, es del orden de los pico o nanofaradios.
Los diodos varicap se utilizan en circuitos sintonizados, para realizar de manera

automtica la seleccin de seales de frecuencias especficas.
Cuando vara el voltaje de polarizacin inversa aplicada al diodo, aumenta o disminuye de igual forma la zona
de deplexin. En un diodo, esto equivale a acercar o alejar las placas de un capacitor. Cuando las placas de un
capacitor se separan entre s, la capacitancia del mismo se reduce; pero si stas se acercan, la capacitancia
aumenta.
El mismo efecto ocurre cuando se modifica la polarizacin al diodo. Los diodos varicap se controlan mediante el
voltaje que se les aplica; por lo que el cambio de capacidad se puede hacer mediante otro circuito de control, ya
sea digital o analgico. Las aplicaciones de los varicap son la mayora de las veces en circuitos resonantes, los
cuales permiten seleccionar una seal de una frecuencia especfica, de entre muchas seales de diferentes
valores.
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Este tipo de circuitos se encuentran comnmente en videograbadoras y televisores, como circuitos de seleccin
de canales; en radiorreceptores de FM, sirven para separar la componente de audio de la portadora de alta
frecuencia, etc.
Con ayuda de los diodos varicap, se puede extraer la seal moduladora de

una seal portadora de F M
CARACTERISTICAS:
1. Amplia gama de voltajes - desde 14 V a 550 V (RMS). Esto permite una seleccin fcil del componente
correcto para una aplicacin especfica.
2. Alta capacidad de absorcin de energa respecto a las dimensiones del componente.
3. Tiempo de respuesta de menos de 20 ns, absorbiendo el transitorio en el instante que ocurre.
4. Bajo consumo (en stabd-by) - virtualmente nada.
5. Valores bajos de capacidad, lo que hace al varistor apropiado para la proteccin de circuitera en
conmutacin digital.
6. Alto grado de aislamiento.
Mximo impulso de corriente no repetitiva
El pico mximo de corriente permitido a travs del varistor depende de la forma del impulso, del duty
cycle y del nmero de pulsos.
Con el fin de caracterizar la capacidad del varistor para resistir impulsos de corriente, se permite
generalmente que garantice un mximo impulso de corriente no repetitiva. Este viene dado por un
impulso caracterizado por la forma del impulso de corriente desde 8 microsegundos a 20 microsegundos
siguiendo la norma IEC 60-2, con tal que la amplitud del voltaje del varistor medido a 1 mA no lo
hace cambiar ms del 10% como mximo.
Un impulso mayor que el especificado puede ocasionar cortocircuitos o ruptura del propio componente;
se recomienda por lo tanto instalar un fusible en el circuito que utiliza el varistor, o utilizar una caja
protectora.
Si se aplica ms de un de impulso o el impulso es de una duracin mas larga, habra que estudiar las
curvas que al efecto nos proporcionan los fabricantes, estas curvas garantizan la mxima variacin de
voltaje (10%) en el varistor con 1 mA.
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Energa mxima
Durante la aplicacin de un impulso de corriente, una determinada energa ser disipada por el varistor. La
cantidad de la energa de disipacin es una funcin de:
1. La amplitud de la corriente.
2. El voltaje correspondiente al pico de corriente.
3. La duracin del impulso.
4. El tiempo de bajada del impulso; la energa que se disipa durante el tiempo entre 100% y 50% del pico
de corriente.
5. La no linealidad del varistor.
A fin de calcular la energa disipada durante un impulso, se hace con la referencia generalmente a una onda
normalizada de la corriente. Esta onda esta prescrita por la norma IEC 60-2 secciona 6 tiene una forma que
aumenta desde cero al valor de pico en un el tiempo corto, disminuyendo hasta cero o de una manera
exponencial, o bien sinusoidal.
Esta curva es definida por el tiempo principal virtual (t1) y el tiempo virtual al valor medio (t2)
MEDIDOR DE DIODOS VARICAP.
INTRODUCCIN.
Los diodos VARICAP se utilizan en la mayora de los circuitos electrnicos sustituyendo a los condensadores
variables. Su tamao es mucho menor y al ser un dispositivo esttico est mucho menos expuesto a posibles
averas. El control de su capacidad se realiza mediante una tensin variable, por lo que son insustituibles en
determinados circuitos tales como los sintetizadores de frecuencia, circuitos que son de amplia utilizacin en
multitud de equipos electrnicos.
Es muy frecuente tener en el cajn de los componentes, diodos varicap de los que desconocemos sus
caractersticas, capacidad mxima y mnima, por lo que no sabemos si los podemos utilizar en un determinado
circuito. Normalmente, los varicap no se pueden medir o comprobar con un capacmetro normal, ya que su
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capacidad vara segn la tensin aplicada. Por tanto, en el presente artculo se propone la construccin de un
Medidor de Diodos Varicap, que nos permitir tambin la medida de condensadores de pequea capacidad. No
es un instrumento de alta precisin, pero suficiente para el trabajo en el taller del radioaficionado. Para
simplificar su construccin, todos los componentes van montados sobre una placa de circuito impreso y no hay
ningn cableado, excepto la alimentacin de red.
DESCRIPCIN.
El varicap, como cualquier condensador, presenta una oposicin al paso de una corriente alterna, tanta mayor
cuanta ms pequea es la capacidad, para una frecuencia dada. Esta oposicin se llama Reactancia Capacitiva y
su valor viene dado por la frmula:
Reactancia Capacitiva
Frecuencia
Capacidad
En la figura 6.1 podemos ver un esquema de bloques del Medidor. Un oscilador controlado por un cristal de
cuarzo, genera una tensin alterna con una frecuencia de 4,43 MHz. Esta seal se aplica a un amplificador
sintonizado mediante un circuito resonante, en cuya salida tenemos una seal de 4,43 MHz perfectamente
filtrada, seal que se aplica al terminal J01.
Figura 4.4. Esquema de bloques del medidor

Entre los terminales J01 y J02 se conecta el varicap que vamos a medir, al cual aplicaremos una tensin variable
entre 0 y 30 voltios, con lo que su capacidad variar entre los valores mximo y mnimo. La seal que atraviesa
el varicap aparece sobre una resistencia ajustable, atenuada por la reactancia capacitiva variable del varicap. Esta
tensin se mide con un voltmetro de RF y su valor depender de la tensin aplicada al varicap. De esta manera
tenemos una indicacin de su capacidad en funcin de la tensin de polarizacin aplicada.
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El circuito est alimentado por una fuente de alimentacin que entrega tres tensiones, +12V y -12V para el
funcionamiento de los amplificadores operacionales y otra tensin de +30V para la polarizacin del varicap.
Para conseguir varias escalas de medida es preciso cambiar el valor de la resistencia sobre la que se mide la
tensin de RF, lo que se consigue conmutando varias resistencias ajustables. Para evitar prdidas de RF, esta
conmutacin se realiza mediante unos rels y el correspondiente circuito de conmutacin. Mediante el presente
montaje se pueden medir diodos varicap y condensadores de valores hasta de 300pF en cuatro escalas.
OSCILADOR Y AMPLIFICADOR.
El esquema del medidor se ha dividido en varias partes para su mejor comprensin. En la figura nmero dos
podemos ver el oscilador y el amplificador sintonizado. El oscilador est construido con un circuito integrado
CMOS 4011, que tiene en su interior cuatro puertas nand. La frecuencia del oscilador est controlada por el
cristal de cuarzo X01, cuya frecuencia es de 4,43 MHz. Se ha elegido esta frecuencia ya que este cristal de
cuarzo es muy comn y se encuentra con facilidad en los comercios de electrnica.
Figura 4.5. Esquema. Oscilador y amplificador
La salida del oscilador se aplica a un amplificador sintonizado a la mencionada frecuencia de 4,43 MHz. Este
amplificador est constituido por el circuito integrado NE592 y los componentes asociados y est alimentado por
una tensin doble de 6 voltios positivos y negativos, estabilizados mediante los correspondientes diodos zener,
D01, D02 y las correspondientes resistencias limitadoras, R07 y R08. Los condensadores C05 y C06 filtran la
alimentacin de este integrado. La carga de este amplificador es un transformador de RF, TR01, cuyo primario
est sintonizado a la frecuencia de 4,43 MHz mediante el condensador C07. En el secundario de este
transformador tenemos la seal que aplicaremos al diodo bajo prueba.
El varicap a medir se conecta en los terminales J01 y J02 con la polaridad indicada en el esquema, el nodo en
J01 y el ctodo en J02. A travs de la resistencia R09 aplicamos una tensin variable entre cero y treinta voltios
al ctodo del varicap bajo prueba, lo que hace que su capacidad vare, siendo menor cuanto mayor sea la tensin
aplicada. Esta variacin de capacidad trae como consecuencia la variacin de la reactancia capacitiva y por tanto
la variacin de la tensin de RF presente en su ctodo.
VOLTMETRO.
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En la figura 4.5 podemos ver el esquema del circuito de medida, cuyo funcionamiento es como sigue.
La seal procedente del varicap se aplica, mediante el condensador C09 a una de las resistencias ajustables
seleccionada por el correspondiente rel. Esta seal, ms o menos atenuada segn la escala de medida, pasa a
travs del condensador C10, a la puerta del transistor Q01, cuya impedancia de entrada es muy alta al tratarse de
un FET montado en circuito "source follower". De esta manera la seal no sufre prcticamente ninguna
atenuacin.
Figura 4.6. Esquema. Voltmetro.

La seal presente en el terminal "fuente" de este transistor, se aplica, mediante el condensador C12, al circuito
rectificador que est formado por dos diodos Schottky tipo BAR10, D03 y D04. Como es sabido, los diodos
semiconductores tienen un potencial de umbral que tiene un valor de 0,5 - 0,7 voltios, dependiendo del material
empleado en la construccin del diodo (Radioaficionados, Junio-2002). Si aplicamos una pequea seal a un
diodo semiconductor, este no empezar a conducir hasta que se supere el voltaje de umbral. Por esta razn, en
este montaje, los dos diodos rectificadores estn polarizados en sentido directo, mediante las resistencias R13 y
R14, de forma que hay una pequea corriente de conduccin. De esta manera, tensiones de radiofrecuencia muy
pequeas producirn un aumento de esta corriente de polarizacin y estas pequeas variaciones de tensin,
convenientemente amplificadas, sern indicadas por un instrumento de medida.
Se utilizan dos diodos iguales, aunque solamente uno de ellos es el encargado de rectificar la seal de entrada.
Esto permite la compensacin de las variaciones de temperatura.
Las tensiones presentes en los diodos se aplican a las entradas de un amplificador operacional, IC05, del tipo
LM741. Estas tensiones estn filtradas por los condensadores C13, C14, las resistencias R15 y R16. Mediante
estos componentes se elimina cualquier componente de radiofrecuencia en las tensiones aplicadas a las entradas
del amplificador operacional.
El amplificador de tensin lo constituye el circuito integrado LM741. Entre la salida, patilla nmero seis y la
entrada inversora, patilla nmero 2, se encuentra el condensador C15, mediante el cual se reduce la banda de
paso del amplificador y se impide que amplifique cualquier seal alterna que pudiese captar cualquiera de sus
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entradas. As mismo, entre la salida y la entrada se encuentra la resistencia R17 que fija la ganancia del
amplificador operacional.
Entre las patillas nmero uno y cinco se encuentran las resistencias R19, R20 y el potencimetro P05. Este
circuito permite conseguir que en la salida del operacional tengamos exactamente cero voltios sin ninguna seal
de entrada. Esto se conoce como "ajuste de offset".
La tensin de salida del amplificador operacional se aplica al circuito de medida formado por el miliampermetro
M01 y la resistencia R18. El puente B01 y los puntos de prueba TP3, TP4 y TP5 servirn para la calibracin del
Milivoltmetro.
FUENTE DE ALIMENTACIN.
El circuito est alimentado por una Fuente que proporciona dos tensiones simtricas de +12 voltios y -12 voltios
y una tercera tensin de +30 ajustable, para la polarizacin del diodo varicap bajo prueba. El esquema de la
Fuente de Alimentacin se puede ver en la figura nmero cuatro.
Figura 4.7. Fuente de alimentacin

La tensin de red se conecta, a travs del interruptor y el correspondiente fusible, a un transformador con un
primario a 220 voltios y un secundario de 12+12 voltios a 300 miliamperios. La toma media del secundario del
transformador TR02 est conectada a masa. Mediante los diodos rectificadores D05 y D06 rectificamos en onda
completa y obtenemos una tensin positiva que es filtrada por el condensador C23. Esta tensin sin estabilizar,
de unos 18 voltios positivos respecto a masa, se conecta a la entrada del regulador IC03, LM7812, en cuya salida
tendremos una tensin de 12 voltios positivos estabilizados. Los condensadores C24 y C26 desacoplan el
regulador de las posibles tensiones de Alta Frecuencia que puedan aparecer. El condensador C25 filtra la tensin
de salida de +12 voltios.
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La tensin de -12 voltios se obtiene de manera similar. Los diodos rectificadores D07 y D08 rectifican en onda
completa y proporcionan una tensin negativa que es filtrada por el condensador C27. Esta tensin sin
estabilizar, de unos 18 voltios negativos respecto a masa, se conecta a la entrada del regulador IC04, LM7912,
que proporciona una tensin de 12 voltios negativos y perfectamente estabilizados. Los condensadores C28 y
C30 desacoplan el regulador de las posibles tensiones de Alta Frecuencia que puedan aparecer. El condensador
C29 filtra la tensin de salida de -12 voltios.
Un fusible de 0,1A y un interruptor completan el circuito de entrada de tensin de red a la fuente de
alimentacin.
De un extremo del secundario del transformador se toma una salida para obtener una tensin de unos 50 voltios,
mediante el circuito triplicador de tensin formado por los diodos D09, D10, D11 y los condensadores C31, C32
y C33. Esta tensin de 50 voltios se reduce y estabiliza al valor requerido de 30 voltios mediante el transistor
Q02, en cuya base est conectado un diodo zener de 33 voltios, polarizado por la resistencia R22 y filtrado por el
condensador C35. La tensin de salida se filtra con los condensadores C36 y C37 y se aplica al divisor de
tensin formado por la resistencia R23 y el potencimetro P06.
Como la tensin del diodo zener D12 es de 33 voltios, en la salida del circuito estabilizador, en el emisor del
transistor Q02, se obtiene una tensin ligeramente ms alta de los 30 voltios requeridos. Por esta razn, se
incluye la resistencia R23 para que en el potencimetro P06 aparezca una tensin de 30 voltios exactamente.
El valor de esta resistencia de 4K7 podr cambiar en funcin de las tolerancias de los componentes del circuito
estabilizador.
CIRCUITO DE CONMUTACIN.
Las distintas escalas de medida se obtienen cambiando el valor de la resistencia sobre la que se mide la tensin
de RF despus de atravesar el varicap bajo prueba.
Con el fin de que no haya prdidas de RF, la seleccin de la correspondiente resistencia ajustable se realiza
mediante unos pequeos rels, tal como se puede ver en la figura 4.7.
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Figura 4.8 Circuito de conmutacin
De esta manera, por el conmutador selector de escala, solamente pasa corriente continua y puede estar
relativamente alejado de los rels. El circuito de conmutacin necesario para la alimentacin de los rels se
puede ver en la figura nmero cinco. Se utiliza un conmutador de un circuito cuatro posiciones y la tensin de
alimentacin de los rels se desacopla mediante el condensador C38.
MONTAJE
Figura 4.9. Diagrama de montaje de componentes
El instrumento de medida tiene una sensibilidad de 100 microamperios, aunque se puede utilizar otro modelo de
distinta sensibilidad, hasta de 1 miliamperio. Durante el proceso de ajuste se darn indicaciones en caso de
utilizar un medidor de distinta sensibilidad. El medidor se sujeta directamente sobre la placa de circuito impreso
mediante unos separadores con una altura de 8mm y la separacin entre sus terminales es de 20 milmetros. La
altura indicada de los separadores podr variar en funcin del instrumento de medida que se utilice.
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AJUSTE.
Completado el montaje de la placa de circuito impreso, procederemos a la puesta en funcionamiento y ajuste del
Medidor. Retiraremos los circuitos integrados y los rels de sus zcalos y conectaremos un cable de red a las
clemas de entrada de tensin. Soldaremos provisionalmente el diodo LED en su lugar y haremos un puente en el
lugar del interruptor S01 para cerrar el circuito del primario del transformador TR02. conectaremos la red y
observaremos el diodo LED que deber lucir indicando la presencia de tensin.
Con un voltmetro, preferiblemente digital, comprobaremos las tensiones de alimentacin en los
correspondientes puntos de prueba, +12 voltios en TP06 y -12 voltios en TP07. El punto comn, es decir masa,
es TP08. En el punto TP09 deberemos tener una tensin variable de 0-30 voltios, segn la posicin del
potencimetro P06. Si el valor mximo de esta tensin no llega o sobrepasa el valor nominal de 30 voltios, ser
preciso aumentar o disminuir el valor de la resistencia R23 para conseguir la citada tensin nominal de 30
voltios.
Comprobaremos que las tensiones de alimentacin estn presentes en los correspondientes terminales de los
circuitos integrados, +12 voltios en patilla 14 de IC01, +6 voltios en patilla 6 de IC02 , -6 voltios en patilla 3 de
IC02, +12 voltios en patilla 7 de IC05 -12 voltios en patilla 4 de IC05. As mismo comprobaremos la tensin de
+12 voltios en las correspondientes patillas de los rels, accionando el conmutador S02. Si todo est correcto,
desconectaremos la alimentacin y colocaremos los circuitos integrados y los rels en sus correspondientes
zcalos.
El valor de la resistencia R18 es el adecuado para el instrumento de medida indicado con una sensibilidad de 100
microamperios. En caso de utilizar un instrumento con otra sensibilidad ser necesario cambiar el valor de la
resistencia R18 de tal manera que, con el puente B01 quitado, aplicando una tensin variable en el punto TP05,
se alcance el fondo de escala con una tensin de unos 4 voltios. Como ejemplo, si el instrumento que se va a
utilizar tiene una sensibilidad de 1 miliamperio, la resistencia R18 deber tener un valor de 3K9.
Una vez ajustada la sensibilidad del instrumento de medida, daremos tensin al Medidor y comprobaremos de
nuevo las tensiones, esta vez con los integrados colocados. La siguiente tabla muestra las tensiones medidas en
distintos puntos del circuito.
IC01 PATILLA 14 +12,2
IC02 PATILLA 6 +6,2
PATILLA 3 -6,2
IC05 PATILLA 7 +12,2
PATILLA 4 -12,2
Q01 FUENTE
PUERTA
+2,8
0
DRENADOR +12,2
Q02 EMISOR
BASE
+31,8
+32,4
COLECTOR +50
C23
+17,8
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C27
-17,6
Con un osciloscopio y un frecuencmetro comprobaremos la amplitud y frecuencia de la seal del oscilador
presente en el terminal TP01. La amplitud ser de 12 Vpp y la frecuencia de 4,43 MHz. No importa el valor de
las siguientes cifras decimales. En las figuras nmero diecisis y diecisiete podemos ver el oscilograma y la
lectura dada por el frecuencmetro.
Figura 4.10. Puesta a punto

Conectaremos el osciloscopio en el punto J01 y comprobaremos la presencia de la seal de 4,43 MHz.
Ajustaremos el ncleo del transformador TR01 para obtener la mxima salida. La amplitud de la seal en este
punto ser aproximadamente de 05,-0,6 Vpp. En la figura nmero dieciocho podemos ver esta seal en el punto
J01.
Ajustaremos el potencimetro P05 para que la aguja del instrumento de medida vaya al cero de la escala. Si no
se consigue este ajuste o el potencimetro queda cerca de uno de los extremos de su recorrido, ser preciso
aumentar ligeramente el valor de una de las resistencias, R19 o R20, la que quede ms cercana al giro del
potencimetro.
Comprobaremos que el valor de la tensin en el punto TP09 va desde cero a +30 voltios, segn la posicin del
potencimetro P06 y en caso contrario variaremos el valor de la resistencia R23, como ya se ha indicado.
Para el ajuste de las cuatro escalas de medida necesitamos tres condensadores de 10pF y tres condensadores de
100pF. La mayora de los polmetros digitales actuales tienen una posicin para comprobar condensadores, por
lo que ser conveniente comprobar que los seis condensadores mencionados tienen la capacidad correcta o por lo
menos muy aproximada.
Conectaremos un condensador de 10pF en los terminales J01 y J02 y ajustaremos el potencimetro P01 para que
la aguja del medidor llegue a fondo de escala. Con tres condensadores de 10pF conectados en los terminales J01
y J02 ajustaremos el potencimetro P02 para fondo de escala del medidor. Repetiremos estos ajustes para los
potencimetros P03 y P04 con uno y tres condensadores de 100pF. Como es obvio, hay que accionar el
conmutador S02 para seleccionar la correspondiente escala de medida.
Repetiremos el ajuste del cero y los ajustes precedentes varias veces para estar seguros de que los hemos
realizado correctamente. Conectaremos un diodo varicap en los bornes de medida y comprobaremos que,
variando la tensin de polarizacin mediante el potencimetro P06, la indicacin del instrumento de medida
tambin vara, siendo menor cuanto mayor sea la tensin de polarizacin.
Circuito de aplicacin
Transmisor de FM de 18w
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He aqu un transmisor para la banda de FM comercial que provee hasta 18 vatios de potencia. Ingresando una
seal de audio de 1Vpp normalizada, la cual puede provenir de un mezclador o de una etapa codificadora de
estreo, este sistema permite cubrir todo un pueblo mediano de casas bajas o un barrio completo en una ciudad.
De requerirse mas potencia se pueden construir e interconectar etapas de salida a fin de incrementar el rea de
cobertura de la emisora. El capacitor variable conectado al colector del transistor BF199 permite ajustar la
frecuencia de transmisin del circuito. El potencimetro de 2K2 (el cual es del tipo lineal) hace las veces de
sintona fina. Una vez establecida la frecuencia de salida se deben ajustar los siguientes capacitores variables
para calibrar el resto de las etapas del transmisor. Recuerde que estos ajustes se realizan desde el capacitor de la
izquierda hacia el que est a la derecha. Recuerde que los ajustes iniciales es conveniente realizarlos con cargas
fantasmas y no con la antena definitiva para evitar interferencias a otras estaciones.
Con respecto a la alimentacin con 14V y 2.5A el circuito proporciona 15W, mientras que con 18V y 3.5A
provee 18W, en todos los casos la fuente debe estar estabilizada.
El circuito debe ser construido sobre un impreso de epoxy con la cara superior (componentes) reservada para las
pistas de interconexin y la cara inferior (soldaduras) para el plano de masa.Los transistores 2N3924, 2N4427 y
BLY88 deben ser montados con disipadores de calor adecuados. En este tipo de componentes se usan
disipadores circulares con forma de estrella. En el caso de los transistores 2Nxxxx el tamao ideal es 20mm de
dimetro por 10mm de altura, mientras que para el BLY88 deber ser 75mm de dimetro por 100mm de altura.
Es obligatorio el uso de grasa siliconada para optimizar la transferencia de temperatura de los transistores a sus
disipadores. Recuerde que el calor excesivo (a parte de inestabilidad en la salida) puede causar daos a los
componentes.
La capacitancia de transicin (CT) establecida por la regin sin carga se determina mediante:
CT = E (A/Wd)
donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores, A es el rea de la unin P-N y Wd el ancho de la
regin de agotamiento.
Conforme aumenta el potencial de polarizacin inversa, se incrementa el ancho de la regin de agotamiento, lo
que a su vez reduce la capacitancia de transicin. El pico inicial declina en CT con el aumento de la polarizacin
inversa. El intervalo normal de VR para diodos varicap se limita aproximadamente 20V. En trminos de la
polarizacin inversa aplicada, la capacitancia de transicin se determina en forma aproximada mediante:
CT = K / (VT + VR)n
donde:
K = constante determinada por el material semiconductor y la tcnica de construccin.
VT = potencial en la curva segn se defini en la seccin
VR = magnitud del potencial de polarizacin inversa aplicado
n = para uniones de aleacin y 1/3 para uniones de difusin
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Aplicaciones:
La aplicacin de estos diodos se encuentra, sobre todo, en la sintona de TV, modulacin de frecuencia en
transmisiones de FM y radio y en los osciladores controlados por voltaje (oscilador controlado por tensin).
En tecnologa de microondas se pueden utilizar como limitadores: al aumentar la tensin en el diodo, su
capacidad vara, modificando la impedancia que presenta y desadaptando el circuito, de modo que refleja la
potencia incidente.
Las aplicaciones de los varicap son la mayora de las veces en circuitos resonantes, los cuales permiten
seleccionar una seal de una frecuencia especfica, de entre muchas seales de diferentes valores.
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DIODO PIN
Capas de un diodo PIN

Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor intrnseco, y las externas,
una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en la prctica, la capa
intrnseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad () o bien por una capa n de alta resistividad
().
El diodo PIN puede ejercer, entre otras cosas, como:
Conmutador de RF
Resistencia variable
Protector de sobretensiones
Fotodetector
Fotodiodo PIN
El fotodiodo PIN es uno de los fotodetectores ms comunes, debido a que la capa intrnseca se puede modificar
para optimizar su eficiencia cuntica y margen de frecuencia.siendo as un material intrnseco semiconductor
Conmutador
El diodo PIN se puede utilizar como conmutador de microondas. Tiene capacidad para manejar alta potencia.
Diodos PIN
El diodo PIN es un diodo que presenta una regin P fuertemente dopada y otra regin N tambin fuertemente
dopada, separadas por una regin de material que es casi intrnseco. Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias
de microondas, es decir, frecuencias que exceden de 1 GHz, puesto que incluso en estas frecuencias el diodo
tiene una impedancia muy alta cuando est inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en
sentido directo. Adems, las tensiones de ruptura estn comprendidas en el margen de
100 a 1000 V.
En virtud de las caractersticas del diodo PIN se le puede utilizar como interruptor o como modulador de
amplitud en frecuencias de microondas ya que para todos los propsitos se le puede presentar como un
cortocircuito en sentido directo y como un circuito abierto en sentido inverso. Tambin se le puede utilizar para
conmutar corrientes muy intensas y/o tensiones muy grandes.
El diodo se forma partiendo de silicio tipo P de alta resistividad. La capa P de baja resistividad representada, est
esta formada por difusin de tomos de boro en un bloque de silicio tipo P y la capa N muy delgada est formada
difundiendo grandes cantidades de fsforo. La regin intrnseca i es realmente una regin P de alta resistividad y
se suele denominar regin p. Cuando el circuito est abierto, los electrones fluyen desde la regin i(p) hasta la
regin P para recombinarse con los huecos en exceso, y los huecos fluyen desde la regin i para recombinarse
con los electrones de la regin N. Si el material i(p) fuese verdaderamente intrnseco, la cada de tensin en la
regin i sera nula, puesto que la emigracin de huecos sera igual a la emigracin de electrones. Si embargo,
como el material es en verdad p (P de alta resistividad), hay mas huecos disponibles que electrones.
Cuando se aplica una polarizacin inversa al diodo los electrones y los huecos del material p son barridos (swept
free). Un posterior aumento de la tensin inversa simplemente incrementa las distribuciones de tensiones P-I e IN. En el diodo PIN la longitud de la regin de transicin L es aproximadamente igual a la regin i y
aproximadamente independiente de la tensin inversa. Por lo tanto, a diferencia de los diodos PN o Schottky, el
diodo PIN tiene una capacidad inversa que es aproximadamente constante, independiente de la polarizacin. Una
variacin tpica de la capacidad podra ser desde 0,15 hasta 0,14 pF en una variacin de la polarizacin inversa
de, por ejemplo, 100 V. En virtud de que es igual a la longitud de la regin i, la longitud de la regin de
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transicin es aproximadamente constante y considerablemente mayor que la de otros diodos y, por lo tanto, la
capacidad CR, que es proporcional a 1/L es significativamente menor que la de otros diodos, por lo que el diodo
PIN es apropiado para aplicaciones de microondas. Los valores normales de CR varan desde 0,1 pF hasta 4 pF
en los diodos PIN, comercialmente asequibles.
Cuando el diodo est polarizado en sentido directo, los huecos del material P se difunden el la regin p, creando
una capa P de baja resistividad. La corriente es debida al flujo de los electrones y de los huecos cuyas
concentraciones son aproximadamente iguales en la regin i. En la condicin de polarizacin directa la cada de
tensin en la regin i es muy pequea. Adems, al igual que el diodo PN, cuando aumenta la corriente, tambin
disminuye la resistencia. En consecuencia el diodo PIN es un dispositivo con su resistencia o conductancia
modulada. En una primera aproximacin, la resistencia rd en pequea seal es inversamente proporcional a la
corriente IDQ con polarizacin directa, lo mismo que en el diodo PN.
En frecuencias de microondas se representa de maneras mas sencillas por una capacidad CR en serie con la
resistencia directa rd. Con tensiones directas, CR es aproximadamente infinita, mientras que en polarizacin
inversa, rd es aproximadamente nula. La capacidad CS es la capacidad parsita paralelo que se produce soldando
el diodo a la cpsula y LS es la inductancia serie debida a los hilos de conexin desde el diodo hasta la cpsula
Este diodo tiene aplicaciones en circuitos donde utilizan frecuencias muy altas como VHF, UHF y circuitos de
microondas.
Smbolo:
Aspecto fsico:
Cuando se le aplica una polarizacin directa al diodo PIN, conduce corriente y se comporta como un interruptor
cerrado. Si se le aplica una polarizacin inversa se comporta como un interruptor abierto, no dejando pasar la
seal.
Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor intrnseco, y las externas,
una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en la prctica, la capa
intrnseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad ( ) o bien por una capa n de alta resistividad
().
El diodo PIN puede ejercer, entre otras cosas, como:
conmutador de RF
resistencia variable
protector de sobretensiones
fotodetector
Fundamentos
Un diodo PIN es un semiconductor dispositivo que funciona como una variable resistencia en RF y microondas frecuencias.
El valor de la resistencia del diodo PIN est determinada slo por el polarizado de corriente continua. En Interruptor
atenuador y aplicaciones, el diodo PIN ideal sera que el control el nivel de seal RF sin la introduccin de la distorsin que
pueda cambiar la forma de la seal de RF.
Otra caracterstica importante de la diodo PIN es su capacidad de controlar grandes Seales de RF durante el uso de mucho
menor los niveles de excitacin de cd.
Un modelo de un diodo PIN Microsemi chip se muestra en la Figura 1. El chip es preparado por partir de una oblea de casi
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de silicio intrnsecamente pura, con alta resistividad y largo toda la vida. Un P-regin es entonces difuso en la superficie de
un diodo y un Nregion se difunde en el otro superficie. El resultado intrnseco o Iregion de espesor (W) es una funcin de el
espesor del silicio original oblea, mientras que la superficie del chip (A) depende de cmo muchos pequeos secciones se
definen desde el original, oblea.
El funcionamiento del diodo PIN todo depende de la geometra de chips y la naturaleza de los semiconductores material en
el diodo terminado, en particular en el I-regin. Caractersticas de PIN Microsemi
Los diodos son controlados Iregions espesor tener una larga vida til compaa y la resistividad muy alta. Estos
caractersticas mejorar la capacidad de control de seales de RF con un mnimo de la distorsin, mientras exige que en CC
de baja suministro.
Polarizado Diodos PIN
Cuando un diodo PIN est polarizado, huecos y los electrones son inyectados desde la P y N regiones en el I-regin. Estos
cargos no se recombinan inmediatamente. En su lugar, una cantidad finita cargo siempre permanece almacenado y resulta
en
una
disminucin
de
la
resistividad
de
el I-regin. La cantidad de los datos almacenados de carga, Q, depende de la recombinacin tiempo, t (la compaa toda la
vida), y el sesgo de la corriente directa, SI, de la siguiente manera (Ecuacin 1):
La resistencia de la I-regin bajo polarizacin directa, RS es inversamente proporcional a Q y puede ser

expresado como (ecuacin 2):
Combinando las ecuaciones 1 y 2, la expresin de RS como una inversa funcin de la actual se muestra como (Ecuacin 3):
Esta ecuacin es independiente de la zona. En el mundo real de la RS es ligeramente depende de la zona debido a que el
curso de la vida efectiva vara con la zona y espesor debido al borde recombinacin efectos. Tpicamente, los diodos PIN
mostrar una la resistencia caracterstica consistente con este modelo, como se muestra en la Figura 2. fin de Resistencia DE
LA
W-0.1
a
1
Amp polarizacin directa aument a alrededor10.000
W a 1 mA de polarizacin representa un rango realista
para una Microsemi diodo PIN.
La resistencia mxima de avance, RS (max), de un

diodo PIN es generalmente determinada a 100 mA
polarizacin directa actual. Para algunos diodos PIN,
Microsemi
especifica
no
slo
la
-145 -

RS (max), sino tambin el RS (min) a un menor polarizacin directa de corriente (10 mA).
Estas especificaciones aseguran una amplia rango de resistencia del diodo que se particularmente importante en atenuador
aplicaciones. En las frecuencias ms bajas RS no es constante, pero aumenta la frecuencia es baja. El valor normal de PIN
diodos
que
estn
diseados
para
operar en RF y microondas frecuencias presentan este aumento de la RS en el rango de 1-10 MHz.
Una correcta
diseados PIN mantendr una constante RS bien en la regin de 10 KHz. Bueno
ejemplos de este rango de frecuencia son los dispositivos de la serie UM2100. Los resultados obtenidos de la ecuacin 3 son
vlidos durante un muy amplio rango de frecuencia cuando Microsemi PIN
Los diodos se utilizan en un circuito. El las limitaciones prcticas de baja resistencia
resultado del paquete parasitarias inductancias y el contacto de unin resistencias, las cuales son
minimizado en la construccin de Microsemi diodos. La alta rango de resistencia de los diodos PIN es por lo general
limitada por el efecto de la diodo de la capacitancia, CT. Para darse cuenta de la mxima gama dinmica del PIN diodo a
altas frecuencias, este diodo reactancia puede tener que ajustarse a cabo.
Cabe sealar que el "efecto piel" es mucho menos pronunciada en relativamente malos conductores como el silicio, que con
buenos conductores metlicos. Es debido al hecho de que la profundidad de la piel "es proporcional a la raz cuadrada de la
resistividad del material conductor. Por lo tanto, las seales de RF penetran profundamente en los semiconductores y
"efecto de piel: es no es un factor significativo en diodos PIN por debajo de las frecuencias de X-Band.
En CC y muy baja frecuencia, el PIN diodo es similar a un diodo PN, el la resistencia del diodo es descrita por la resistencia
dinmica
de
la
I-V
caractersticas
en
cualquier
sesgo
en
reposo
punto. El punto de resistencia dinmica dc no es, sin embargo, vlido en diodos PIN en frecuencias por encima de los que
el tiempo es ms corto que el tiempo de trnsito de la Iregion.
La frecuencia con la que este se produce, FT, se denomina tiempo de trnsito frecuencia y puede considerarse como la el
nivel ms bajo de frecuencia para que la ecuacin 3 se aplica. Este lmite de baja frecuencia es principalmente una funcin
de W, el I-regin de espesor y se puede expresar como (Ecuacin 4):
donde W es el espesor de la I-regin en micras. Para Microsemi diodos PIN, este lmite de baja frecuencia oscila entre
aproximadamente 5 KHz para la ms gruesa diodos (UM2100 y series UM2300) aproximadamente a 1 MHz para el ms
delgado diodos (UM6200, UM7200).
A altas frecuencias RF cuando un

PIN diodo est en cero o revertir la
tendencia, que aparece como un
condensador de placas paralelas,
esencialmente independiente de
invertir tensin, de un valor de
(Ecuacin # 5):
donde: e = constante dielctrica

del silicio A = rea de unin W =
I-regin de espesor Las menores
frecuencias en las que este efecto
comienza a predominar es relacionados con la relajacin dielctrica frecuencia de la I-regin, pies, que puede ser
computado como (ecuacin # 6):
-146 -

Para Microsemi diodos PIN, este frecuencia de relajacin dielctrica se produce por debajo de 20 MHz y el total de
empaquetado capacitancia, CT, se especifica para la mayora de Microsemi diodos cero cuando sesgada a 100 MHz. Los
datos adicionales se suministrado en forma de curvas tpicas que muestra la variacin de capacitancia como una funcin de
la polarizacin inversa a menor frecuencias.
A frecuencias mucho menores que m, la caracterstica de la capacitancia diodo PIN se asemeja a un varactor diodo. Debido
a
la
frecuencia
limitaciones
de
la
prueba
comn
equipos,
capacidad
las mediciones se hacen generalmente a 1 MHz. A esta frecuencia el total capacitancia, CT, est determinada por la
aplicacin de un revs lo suficientemente grande tensin que agota la totalidad Iregion de los transportistas.
Asociado con el diodo capacitancia es una resistencia en paralelo, Rp, que representa a la red resistencia disipativos en el
reverso diodo sesgada. A bajas inversa tensiones, la resistividad finita del Iregion resulta en una prdida I-regin
capacitancia. A medida que la tensin inversa se incrementa, los transportistas estn agotadas de la I-regin resultantes de
una esencialmente condensador de silicio sin prdidas.
La resistencia inversa paralelo de la Diodo PIN, Rp, tambin se ve afectada por cualquier resistencia en serie en el
Circuitos
equivalentes
semiconductores
o
diodos
contactos.
Debido a la construccin nica de Microsemi diodos, el equivalente de RF circuitos suelen ser diferentes y en realidad,
ms sencilla que los asociados con diodos PIN construido con convencionales tcnicas. Estos circuitos equivalentes para
los
diodos
Microsemi
se
ilustran
en
la
Figura 3. Debido a la ausencia de pequeos cables y cintas, el paquete capacitancia es directamente en paralelo con el chip
PIN,
prcticamente
no
hay
inductancia
paquete
interno
para
considerar como es el caso de convencionales diodos PIN. El pleno del bonos frente alcanzado entre el chips de silicio y
los pernos metlicos, combinada con la relativamente grande rea de chip, el resultado en contacto insignificante
resistencia. Por lo tanto, el residuo " resistencia en serie "en convencionales diodos, es para todos los propsitos prcticos,
inexistente en Microsemi diodos PIN. Cualquier autoinductancia presentada por la diodo Microsemi es externo a la
diodo de la capacitancia y es similar a la de un cilindro con la realizacin de el mismo esquema mecnico como el chip de
diodo
y
alfileres.
Clculos
mediante
ecuaciones
autoinductancia
muestran la inductancia Estilo Un paquete a ser del orden de 0,10 nH para todos Microsemi PIN tipos de diodos.
Adicional autoinductancia es introducidos por cualquier lugar conectado a la de un paquete de estilos. As, en las
frecuencias por debajo de 1 GHz, Microsemi paquete efectos parsitos suelen ser insignificante. A frecuencias ms altas,
el dimensiones y materiales de el paquete del diodo debe ser considerada tanto en el diodo seleccin y diseo de circuitos
de RF.
El diodo PIN es un diodo que presenta una regin P fuertemente dopada y otra regin N tambin
fuertemente dopada, separadas por una regin de material que es casi intrnseco. Este tipo de diodos se
utiliza en frecuencias de microondas, es decir, frecuencias que exceden de 1 GHz, puesto que incluso
en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta cuando est inversamente polarizado y muy
baja cuando esta polarizado en sentido directo. Adems, las tensiones de ruptura estn comprendidas en el
margen de 100 a 1000 V.
Un diodo PIN es un dispositivo semiconductor que puede operar como una resistencia variable en rangos de
frecuencias de RF y microondas y es controlado por corriente. La resistencia que presenta el diodo PIN en
directa depende nicamente de la corriente de polarizacin de DC.
En montaje beam-lead, tiene un tamao pequeo respecto a la longitud de onda, una alta velocidad de
conmutacin y baja reactancia parsita, lo cual hace de l un componente ideal para utilizarlo en circuitos de
control de seal de RF de gran ancho de banda ocupando una pequea superficie. El diodo PIN utilizado es el
HPND-4005 de Agilent,[4], [5].
A. Caracterizacin de la impedancia del diodo
-147 -
El diodo PIN se utilizar en el desfasador con uno de sus accesos conectado a masa. De este modo se caracteriz
el valor del coeficiente de reflexin (parmetro S11) del diodo conectado a masa, como una red de una puerta,
para diferentes puntos de polarizacin con el circuito mostrado en la figura mostrada a continuacin. En dicha
figura, se ve la transicin coplanar a microstrip conectada al diodo utilizada para caracterizarlo usando la
estacin de sondas coplanares.
Fig. Montaje del diodo conectados a masa y con una transicin coplanarmicrostrip a la entrada
En la Figura de ms abajo se muestran los coeficientes de reflexin, que
se obtuvieron para una polarizacin directa de 50 mA e inversa de -5V.
La grfica de la derecha muestra la diferencia de fase del parmetro S11
cuando el diodo cambia de estado. Un diodo PIN es un dispositivo
semiconductor que puede operar como una resistencia variable en rangos
de frecuencias de RF y microondas y es controlado por corriente. La
resistencia que presenta el diodo PIN en directa depende nicamente de la corriente de polarizacin de DC.
En montaje beam-lead, tiene un tamao pequeo respecto a la longitud de onda, una alta velocidad de
conmutacin y baja reactancia parsita, lo cual hace de l un componente ideal para utilizarlo en circuitos de
control de seal de RF de gran ancho de banda ocupando una pequea superficie. El diodo PIN utilizado es el
HPND-4005 de Agilent,[4], [5].
Fig. Coeficiente de reflexin medido cuando el diodo est conectado a masa: Diodo ON @ 50 mA y Diodo OFF
@ -5 V.
Desfase del coeficiente de reflexin cuando el diodo PIN cambia de estado de conduccin (ON @ 50 mA, OFF
@ -5 V)
A partir de las medidas se pudo extraer un circuito equivalente del diodo para cada estado de conduccin y que
se muestra en el grfico de ms abajo. Los valores de L, RS, CT y RP son en inversa L=0.2 nH, RS=2 ,
CT=0.02 pF y RP=2100 . Para la polarizacin directa (con intensidad de 50 mA), el circuito equivalente tiene
los siguientes elementos: L=0.2 nH, RS=2
y RI=0.8 .
-148 -
(b)
Fig. Circuito equivalente en polarizacin inversa (a) y directa (b) del diodo PIN HPND-4005
B. Respuesta de conmutacin de los diodos PIN
Se realiz la caracterizacin de la respuesta temporal de conmutacin del diodo PIN HPND-4005, para conocer
su mxima frecuencia de conmutacin.
Un mtodo empleado para conocer la respuesta en conmutacin de diodos PIN y su velocidad mxima de
conmutacin, se basa en estimular al diodo con una seal cuadrada que lo obligue a conmutar de estado de
conduccin, y observar la intensidad que fluye por el diodo en estas condiciones.
Uno de los parmetros ms significativos que se obtiene con este procedimiento es el denominado tiempo de
recuperacin en inversa, trr, que es el tiempo que tarda el diodo en dejar de conducir desde que se aplica una
tensin inversa, partiendo de la condicin inicial de que el diodo est en estado de conduccin con intensidad
IF y tiene una carga almacenada. El tiempo necesario para eliminar esta cantidad de carga, aplicando una
intensidad inversa ir al diodo, fija su mxima frecuencia de conmutacin.
El diodo caracterizado est montado sobre un substrato de almina (r=9.9, h=0.254 mm) con lneas de entrada y
salida de impedancia 50 y se utiliz el til de medida de la firma Intercontinental Microwave. Con el generador
de pulsos (onda cuadrada) HP 81101A y el osciloscopio digital Lecroy LT342, se obtuvo la respuesta del diodo
cuando conmuta de estado OFF a ON.
Cuando el estmulo es una seal cuadrada peridica, el periodo mnimo de la seal deber ser de al menos 2 trr.
En el caso de aplicar al diodo una polarizacin inversa de 5V, el tiempo de recuperacin en inversa es de unos
200 ns, esto implica que la mxima frecuencia de conmutacin es de 2.5 MHz.
El diodo PIN es un diodo que presenta una regin P fuertemente dopada y otra regin N tambin fuertemente
dopada, separadas por una regin de material que es casi intrnseco. Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias
de microondas, es decir, frecuencias que exceden de 1 GHz, puesto que incluso en estas frecuencias el diodo
tiene una impedancia muy alta cuando est inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en
sentido directo. Adems, las tensiones de ruptura estn comprendidas en el margen de 100 a 1000 V.
-149 -

Principio de funcionamiento:
El diodo se forma partiendo de silicio tipo P de alta resistividad. La capa P de baja resistividad representada, est
esta formada por difusin de tomos de boro en un bloque de silicio tipo P y la capa N muy delgada est formada
difundiendo grandes cantidades de fsforo. La regin intrnseca i es realmente una regin P de alta resistividad y
se suele denominar regin . Cuando el circuito est abierto, los electrones fluyen desde la regin i() hasta la
regin P para recombinarse con los huecos en exceso, y los huecos fluyen desde la regin i para recombinarse
con los electrones de la regin N. Si el material i() fuese verdaderamente intrnseco, la cada de tensin en la
regin i sera nula, puesto que la emigracin de huecos sera igual a la emigracin de electrones. Si embargo,
como el material es en verdad (P de alta resistividad), hay mas huecos disponibles que electrones.
Cuando se aplica una polarizacin inversa al diodo los electrones y los huecos del material son barridos
(swept free). Un posterior aumento de la tensin inversa simplemente incrementa las distribuciones de tensiones
P-I e I-N. En el diodo PIN la longitud de la regin de transicin L es aproximadamente igual a la regin i y
(a) Construccin
(b) Polarizado en inversa
(c) Polarizado en directa
Cuando el diodo est polarizado en sentido directo, los huecos del material P se difunden en la regin p, creando
En frecuencias de microondas se representa de maneras ms sencillas por una capacidad CR en serie con la
resistencia directa rd. Con tensiones directas, CR es aproximadamente infinito, mientras que en polarizacin
inversa, RD es aproximadamente nula. La capacidad CS es la capacidad parsita paralelo que se produce
soldando el diodo a la cpsula y LS es la inductancia serie debida a los hilos de conexin desde el diodo hasta la
cpsula.
-150 -
Equivalentes del diodo en polarizacin directa e inversa
Cuando el diodo est polarizado en sentido directo, los huecos del material P se difunden, creando una capa P de
baja resistividad. La corriente es debida al flujo de los electrones y de los huecos cuyas concentraciones son
aproximadamente iguales en la regin i. En la condicin de polarizacin directa la cada de tensin en la regin i
es muy pequea. Adems, al igual que el diodo PN, cuando aumenta la corriente, tambin disminuye la
resistencia. En consecuencia el diodo PIN es un dispositivo con su resistencia o conductancia modulada.
Cuando se le aplica una polarizacin directa al diodo PIN, conduce corriente y se comporta como un interruptor
cerrado. Si se le aplica una polarizacin inversa se comporta como un interruptor abierto, no dejando pasar la
seal.
Cuando se aplica una polarizacin inversa al diodo los electrones y los huecos del material son barridos
(swept free). Un posterior aumento de la tensin inversa simplemente incrementa las distribuciones de tensiones
P-I e I-N. En el diodo PIN la longitud de la regin de transicin L es aproximadamente igual a la regin i y
Cuando el diodo est polarizado en sentido directo, los huecos del material P se difunden en la regin , creando
-151 -

el diodo a la cpsula y LS es la inductancia serie debida a los hilos de conexin desde el diodo hasta la cpsula.
En una primera aproximacin, la resistencia rd en pequea seal es inversamente proporcional a la corriente IDQ
con polarizacin directa, lo mismo que en el diodo PN.
el diodo a la cpsula y LS es la inductancia serie debida a los hilos de conexin desde el diodo hasta la cpsula.
El diodo PIN se utiliza como interruptor de microondas controlado por cd, operaria mediante cambios rpidos de
polarizacin o bien como dispositivo modulador que aprovecha la caracterstica de resistencia variable en
directa. Como en la unin pn no ocurre rectificacin, es posible modular (variar) una seal de alta frecuencia
mediante una variacin de la polarizacin en frecuencia ms baja. El diodo PIN tambin tiene aplicaciones como
atenuador, pues su resistencia puede controlarse por la cantidad de corriente.
Polarizacin directa en los diodos PIN
Cuando un diodo PIN es polarizado directamente, huecos y electrones sea inyectan de la regin P y N en la
region I. Estas cargas no se recombinan de inmediato. En cambio, una cantidad finita de carga siempre sigue
siendo almacenados y los resultados en una disminucin de la resistividad de la regin I. La cantidad de carga
almacenada, Q, depende de la recombinacin tiempo, (la vida del portador), y la corriente de polarizacin
inversa, IF, como se indica a continuacin:
La resistencia de la regin I bajo

proporcional a Q y puede ser expresada como:
polarizacin
directa,
es
inversamente
Donde:
W: Ancho de la regin I
N: Movilidad de los electrones
P: Movilidad de los huecos
Combinando las 2 ecuaciones, la expresin para como funcin de la corriente es:
-152 -
Rs vs Corriente directa
Esta ecuacin es independiente del rea. En el mundo real, es ligeramente dependiente del rea ya que la lnea
efectiva vara con el rea y su espesor debido a los efectos de recombinacin. Generalmente, los diodos PIN
muestran una resistencia caracterstica consistente con el modelo presentado en la figura 4.4.
PORQUE SE DEBERIA USAR UN DIODO PIN
1.- Alta capacidad de Voltaje > 2000 Volts
2.- Alta capacidad de Corriente > 25 ADC
3.- Alta repentina capacidad de corriente > 500 Amperes (1 pulse 8.3 ms , sine)
4.- Baja distorsin < -60dBc @ 455 KHz
5.- Alta potencia de ganancia > 10,000 : 1
6.- Rpida Velocidad de Coneccin < 100 ns
7.- Tamao Pequeo
9.4 Aplicaciones
Este diodo tiene aplicaciones en circuitos donde utilizan frecuencias muy altas como VHF, UHF y circuitos de
microondas.
Se utiliza como interruptor de microondas controlado por DC, operado mediante cambios rpidos de
polarizacin
Es un dispositivo modulador que aprovecha su resistencia variable en directa. En la unin PN no ocurre
rectificacin, es posible modular o variar una seal de alta frecuencia si cambiamos la polarizacin en frecuencia
ms baja.
Atenuador, porque su resistencia puede controlarse por la cantidad de corriente.
Generacion de seales
La generacin de seales en una faceta importante en la reparacin y desarrollo electrnico. El generador de
seales se utiliza para proporcionar condiciones de prueba conocidas para la evaluacin adecuada de varios
sistemas electrnicos y verificar las seales faltantes en sistemas que se analizan para reparacin.
Existen varios tipos de generadores de seales, los cuales tienen diversas caractersticas en comn. Primero, la
frecuencia de la seal debe ser estable y conocerse con exactitud. Segundo, se ha de controlar la amplitud, desde
valores muy pequeos hasta relativamente altos. Por ltimo, la seal debe estar libre de distorsin.
Hay muchas variaciones de estos requisitos en particular para generadores de seales especializados como los
generadores de funciones, de pulsos, de barrido, etc, y dichos requisitos deben considerarse como generales.
-153 -
GENERADOR DE ONDA SENOIDAL

En virtud de la importancia de la seal senoidal el generador de dicha onda representa la principal categora de
generadores de seales. Este instrumento cubre el rango de frecuencias a partir de algunos hertz hasta varios
gigahertz, y su forma ms sencilla es como se muestra en la figura No. 1
Diagrama de bloques de un generador de

onda senoidal bsico.
El generador de onda senoidal simple consiste
de dos bloques bsicos, un oscilador y un
atenuador. El comportamiento del generador depende de la funcionalidad de estas dos partes principales. Tanto
la exactitud de la frecuencia y la estabilidad, la exactitud de amplitud depende del diseo del atenuador.
MODULACION DEL GENERADOR DE SEALES
La mayora de los generadores de seales tiene la capacidad de modular tanto en frecuencia como en amplitud,
con un ndice o porcentaje de modulacin conocido. La modulacin de amplitud se puede aplicar al generador de
seales nivelado electrnicamente, por medio de la modulacin del atenuador de diodo PIN con la seal
modulada. El problema serio que se presenta con esta modulacin es que la amplitud vara desde dos veces la
amplitud de la portadora hasta cero para un porcentaje del 100% de modulacin, lo cual implica que el atenuador
controla por voltaje debe tener al menos una atenuacin nominal de 6 dB para que la amplitud se pueda
incrementar a dos veces la portadora y proporcione, en teora, una atenuacin infinita para conseguir el cero
requerido por el 100% de modulacin. Sin importar la tcnica de modulacin, la mayora de los generadores de
seales proporciona una modulacin de amplitud cercana pero no igual a 100%.
La modulacin de frecuencia no sufre problemas atribuibles al porcentaje de modulacin y no existe el 100% de
modulacin. Para modular la frecuencia el generador de seales requiere un mtodo para cambiar
electrnicamente la frecuencia del oscilador; por lo general; esto lo proporciona un diodo varactor en el circuito
oscilador sintonizado. La cantidad de modulacin suministrada por el diodo varactor depende de la frecuencia
del oscilador y puede varias sobre el rango de sintona del oscilador. Es decir, el generador de seales ha de
contar con un mtodo de correccin para este cambio en el ndice de modulacin de frecuencia. Aplicar la
modulacin a un generador de seales puede ser un problema complejo cuando este dispositivo es del tipo
sintetizado. Cada uno de estos instrumentos es un caso nico, y existen numerosos mtodos para suministrar una
fuente exacta de modulacin.
Generador de Frecuencia de Barrido.
Comparado con generadores de seales de frecuencia nica, el generador de frecuencia de barrido es un sistema
relativamente nuevo, en los inicios de la electrnica la dificultad era encontrar un mtodo para variar
electrnicamente la frecuencia, de modo que se tuviera disponible que se tuviera disponible una salida de
frecuencia de barrido rpido. Los moduladores con tubos de reactancia dieron muy poca variacin en frecuencia
y por lo general un generador de barrido haca uso de mtodos electromecnicos tal como los capacitores
manejadores de motores. Estos primeros monstruos mecnicos presentaron desventajas significativas y
frecuentemente la mayora de las mediciones de respuesta se efectuaron con tcnicas de punto por punto,
utilizando generadores convencionales de seales de una sola frecuencia. El desarrollo de los sistemas de banda
ancha trajo consigo la necesidad de los generadores de frecuencia de barrido de banda ancha de alta frecuencia.
-154 -

El desarrollo del diodo de estado slido de capacitancia variable hizo an ms por el desarrollo de los
generadores de frecuencia de barrido que ningn otro dispositivo electrnico. Este diodo establece el mtodo
para sintonizar electronicamente un oscilador y hace del generador de barrido un instrumento muy valioso.
La figura 2 muestra el diagrama de bloques de un generador de barrido bsico. La semejanza con el
generador de frecuencia nica es evidente, sin embargo, el oscilador del generador de barrido se puede sintonizar
electrnicamente, y se incluye un generador de voltaje de barrido con el generador para proporcionar el barrido
en frecuencia.
Diagrama de bloques de
un ciclo de fase fija PLL.
Ya que la relacin entre el
voltaje de barrido y la
frecuencia del oscilador no
es lineal, se proporciona un
circuito de compensacin
entre el voltaje de la
frecuencia de barrido y el
voltaje de sintona del
oscilador.
La
cantidad
requerida de no linearidad, y
en consecuencia la cantidad de correccin depende del tipo de oscilador utilizado y del rango de frecuencias
cubierto por el oscilador. Mientras ms estrecho sea el rango de frecuencia de barrido, mas lineal ser la relacin
voltaje frecuencia. Por lo general hay un lmite de 2 a 1 de la frecuencia mxima - mnima de cualquier
oscilador de barrido. Muchos sistemas modernos, como los utilizados para la transmisin de televisin por cable
o satlite, tienen anchos de banda cercanos a cientos de Megahertz y requieren tcnicas de barrido para la
solucin de problemas.
Generadores de Pulso y de Onda Cuadrada
Los generadores de pulsos y onda cuadrada se utilizan a menudo con un osciloscopio como dispositivo de
medicin. Las formas de onda obtenidas en el osciloscopio en la salida o en puntos especficos del sistema bajo
prueba proporcionan informacin tanto cualitativa como cuantitativa acerca del dispositivo o sistema a prueba.
La diferencia fundamental entre un generador de pulsos y uno de onda cuadrada est ciclo de trabajo. El ciclo de
trabajo se define como la relacin entre el valor promedio del pulso en un ciclo y el valor pico del pulso. Puesto
que el valor promedio y el valor pico se relacionan en forma inversa a sus tiempos de duracin, el ciclo de
trabajo se define en trminos de ancho del pulso y el periodo o tiempo de repeticin del pulso.
Ciclo de trabajo = Ancho del pulso / Periodo
Los generadores de onda cuadrada producen un voltaje de salida con tiempos iguales de voltajes altos y bajos de
manera que el ciclo de trabajo es igual 0.5 o al 50%. El ciclo de trabajo permanece en este valor an cuando
vare la frecuencia de oscilacin. El ciclo de trabajo de un generador de pulsos puede variar; los pulsos de poca
duracin dan un ciclo de trabajo bajo y, por lo general, el generador de pulsos puede suministrar mas potencia
durante el periodo de voltaje alto que un generador de onda cuadrada.
Los pulsos de corta duracin reducen la disipacin de potencia en el componente a prueba. A propsito, las
mediciones de la ganancia del transistor se pueden efectuar con pulsos de corta duracin que eviten el
-155 -

calentamiento de las uniones, o de esta forma se minimizan el efecto de la temperatura de la unin sobre la
ganancia.
Los generadores de onda cuadrada se utilizan siempre que se desea investigar las caractersticas de baja
frecuencia de un sistema; por ejemplo, para pruebas de sistemas de audio. Las ondas cuadradas son preferibles a
los pulsos de corta duracin si la respuesta transitoria de un sistema requiere algn tiempo para asentamiento.
Dominio del tiempo.
Un osciloscopio estandar es un instrumento de dominio del tiempo. La pantalla en el tubo de rayos catdicos
CRT despliega una representacin de una amplitud contra el tiempo de la seal de entrada y se le suele llamar
una forma de onda de una seal. En esencia, una forma de onda de una seal muestra la forma y la magnitud
instantnea de la seal, con respecto al tiempo, pero no necesariamente indica su contenido de frecuencia. Con
un osciloscopio la deflexin vertical es proporcional a la amplitud de la seal para la entrada total y la deflexin
horizontal es una funcin del tiempo (razn de Barrido).
Dominio de la frecuencia.
Un analizador de espectros es un instrumento de dominio de la frecuencia. En esencia, ninguna forma de onda se
muestra en el CRT. En vez de esto se muestra una grfica de la amplitud contra la frecuencia (esto se llama un
espectro de frecuencia). Con una analizador de espectros el eje horizontal representa la frecuencia y el eje
vertical la amplitud.
Por lo tanto existe una deflexin vertical para cada frecuencia presente en su entrada. Efectivamente, la forma de
onda de la entrada es barrida con una frecuencia variable, y se sincroniza la frecuencia central de un filtro para
bandas de alta Q, a la razn barrido horizontal del CRT. Cada frecuencia presente en la forma de la onda de la
entrada produce una lnea vertical sobre el CRT (estos son llamados los componentes espectrales). La deflexin
vertical (altura) de cada lnea es proporcional a la amplitud de la frecuencia que presenta. Una representacin en
el dominio de la frecuencia de una onda muestra el contenido de frecuencia pero no necesariamente indica la
forma de onda o la amplitud combinada de todos los componentes de entrada de informacin en un tiempo
especfico.
Ejemplos:
Diodos conmutadores y atenuadores de montaje superficial con encapsulado plstico
Aeroflex / Metelics anuncia un conjunto de diodos PIN conmutadores y diodos
atenuadores de montaje superficial para aplicaciones de gran volumen con sistemas
de colocacin (pick & place).
Estos dispositivos de control se suministran en encapsulado de plstico para SMT
con altura estndar de 31 milsimas de pulgada (mil). Su rendimiento y mecnicas
hacen que puedan ser fcilmente instalados en diseos existentes.
La familia MS de mediana y alta potencia de dispositivos conmutadores SPST diodo PIN est disponible en las
configuraciones serie (SE), derivacin (SH), y serie derivacin (SS) y ofrecen opciones de mrgenes de
frecuencia mxima de entre 1 a 10 GHz. Se encuentran disponibles 10 modelos que ofrecen potencia nominal de
5 a 50 W, prdidas de insercin a 1 GHz que van desde 0,15 hasta 0,40 dB y aislamiento a 1 GHz de 10 a 63 dB.
-156 -

Estos dispositivos conmutadores se usan comnmente cuando el encapsulado de bajo coste es un factor clave en
aplicaciones tales como la instrumentacin de prueba, radio definido por software, y las infraestructuras
inalmbricas, tales como TD-SCDMA, WiMAX, WiBro, WiFi, MIMO y OFDM. Se
suministran en tres encapsulados con dimensiones de 34 x 54 mil, 45 x 75 mil, y 50 x 80 mil.
Por su parte, la familia MSAT, diodos atenuadores shunt de alto rango dinmico ofrece la caracterstica de una
baja distorsin frente a corriente directa, distorsin armnica a valor tpico de 85 dBc. Tambin ofrecen un
rendimiento estable de banda ancha ms all de 10 GHz. Hay dos modelos disponibles, uno NIP (MSAT-N25) y
uno tipo PIN (MSAT-P25). Cada modelo tiene las mismas caractersticas de prdida de insercin de 0,3 dB y los
siguientes valores de atenuacin tpica: 0,4 dB a 10 mA, 0,8 dB @ 100 A, 5,0 dB a 1 mA, 10,0 dB a 10 mA, y
27 dB a 100 mA. Estos productos estn diseados para su uso en instrumentacin de prueba e in fraerstructuras
inalmbricas, tales como TD-SCDMA, WiMAX, WiBro, ELAN, radio-punto-a-punto, y FWA. Su encapsulado
es de 45 x 75 mil
APLICACIN INTERESANTE:
Modular un haz de luz con electricidad, va para pasar de la electrnica a la fotnica
(NC&T) Los chips fotnicos llevaran ms datos, usaran menos
energa y trabajaran fcilmente con los sistemas de
comunicaciones por fibra ptica. El truco es conseguir que la
electrnica y la fotnica se pongan de acuerdo. Investigadores de
la Universidad de Cornell han desarrollado un dispositivo de
silicio que permite modular un haz de luz con una seal elctrica
a escala micromtrica.
Anteriormente
se
construyeron
otros
moduladoresdemoduladores electro-pticos en silicio, pero su tamao, del
orden de milmetros, resultaba demasiado grande para el uso
prctico en chips de circuitos integrados (un micrmetro, o micra, es la millonsima parte de un metro, o la
milsima parte de un milmetro). Los moduladores-demoduladores ms pequeos han sido fabricados usando
semiconductores compuestos como el arseniuro de galio, pero se prefiere el silicio por su facilidad para la
integracin con la tecnologa microelectrnica actual.
El modulador-demodulador desarrollado por el grupo de Cornell utiliza un resonador de anillo, una gua de
ondas circular acoplada a una gua recta que conduce el haz de luz que ser modulado. La luz viaja a lo largo de
la gua de ondas recta, y gira muchas veces dentro de la circular antes de salir de la misma. Como el dimetro del
crculo es un mltiplo de la longitud de onda empleada, esto determina la longitud de onda que saldr del mismo.
En los experimentos realizados, el anillo tena 12 micras de dimetro, hacindose resonar con la luz de un lser
de 1.576 nanmetros de longitud de onda, en el infrarrojo cercano.
El anillo se rodea por otro anillo exterior de silicio negativamente dopado, mientras la regin dentro del anillo se
dopa positivamente, haciendo a la propia gua de ondas la regin intrnseca de un diodo "PIN". Cuando se aplica
un voltaje a travs de la unin, se inyectan electrones y huecos en la gua de onda, cambiando su ndice de
refraccin y su frecuencia de resonancia, para que ya no pase luz de la misma longitud de onda que antes. Como
resultado, aplicando el voltaje, se interrumpe el haz de luz.
La estructura del diodo "PIN" fue usada previamente para modular luz en una gua de ondas recta de silicio, pero
la variacin del ndice de refraccin del silicio es pequea, requirindose una gua de ondas recta muy larga para
-157 -

que el efecto fuera apreciable. Adems, la conmutacin resultaba lenta. Pero en la gua de ondas circular, la luz
viaja muchas veces alrededor del resonador de anillo, luego el pequeo cambio tiene un efecto final grande,
haciendo posible construir un dispositivo muy pequeo y rpido.
Imagen del resonador de anillo acoplado a la gua de ondas (Foto: Cornell Nanophotonics Group)
En las pruebas, el dispositivo interrumpi completamente la propagacin de la luz con un voltaje aplicado de
menos de 0,3 voltios, y, usando una seal elctrica modulada en pulsos, produjeron una forma de onda de salida
muy similar a la de entrada, de hasta 1,5 Gbits por segundo.
9.5 Anlisis de Desempeo de Diodos p-i-n en Conmutadores de Microondas
Los conmutadores de microondas son utilizados como elementos de control en gran variedad de aplicaciones en
microsistemas, ya que realizan la funcin de control y direccionamiento del flujo de la energa de la seal de
radiofrecuencia (RF) desde una parte de un circuito a otro, por medio deseales de control externas. Un
conmutador en estado de alta impedancia se caracteriza por El aislamiento que pueda brindar entre sus puertos.
El nivel de aislamiento es muy importante en toda aplicacin, por lo que el conmutador debe de ser capaz de
proteger la sensibilidad del circuitoreceptor de la gran potencia de la seal RF transmitida. En general, los
conmutadores pueden seroperados manual o electrnicamente, sin embargo, muchas aplicaciones que utilizan
circuitos integrados de microondas requieren tiempos de conmutacin que no pueden ser llevados a cabo
manualmente, recurriendo al control electrnico. Los conmutadores controlados electrnicamentepueden ser
fabricados usando diodos p-i-n o generalmente transistores MESFETs a base de GaAs.
9.6 Diodos pin para sistemas de microondas
El diodo p-i-n comnmente se fabrica en base al semiconductor de silicio que consta de dos regiones, una tipo P
y otra tipo N. Entre estas regiones se encuentra una regin intrnseca I de alta resistividad. Trabajan con seales
de frecuencia en la gama de microondas (>1 GHz). El diodo a estas frecuencias tiene una resistencia muy alta
cuando est inversamente polarizado y unaresistencia muy baja cuando est polarizado en sentido directo. Para
todos los propsitos, el diodo pi-n puede comportarse como un cortocircuito o un circuito abierto, cuando est
polarizado en directao en inversa, respectivamente. Tambin es utilizado para conmutar corrientes muy intensas
y/otensiones muy grandes.
9.6.1 Diodo PIN en polarizacin directa e inversa
En el estado de baja impedancia, el diodo p-i-n se comporta como una inductancia L en serie conuna resistencia .
Su modelo de circuito equivalente se muestra en la figura 1. Asumiendo que la seal de RF no afecta la carga
almacenada, la resistencia serie de polarizacin directa se obtiene con la siguiente expresin [1]:
donde n es la movilidad de los electrones, y p es la movilidad de los huecos. La carga Q [C] es

resultado de la recombinacin de portadores (electrones y huecos) en la regin intrnseca, y estdada por
[2]:
En situacin de polarizacin inversa, el diodo p-i-n se comporta como una inductancia L en serie con el paralelo
de una capacitancia CT y una resistencia RP, tal como se muestra en la figura
-158 -
1b.
El capacitor
se puede obtener con [1]: donde es la constante dielctrica del material de diseo y A es el rea de la unin del
diodo.
Se considera a la resistencia RP infinita.

9.7 . Circiuitos conmutadores de microondas en base a diodos PIN
conmutadores compuestos son combinaciones de los diodos p-i-n en serie y en paralelo [2]. La figura
3 muestra dos conmutadores compuestos de un polo un tiro (SPST). En un conmutador
compuesto, cuando los diodos p-i-n en serie se polarizan directamente, y los diodos en paralelo se
polarizan inversamente (o estado cero), se trata la prdida de insercin. El caso inverso se trata el
aislamiento. En estos casos, los circuitos de control de los diodos son ms complejos en
comparacin con los conmutadores simples.
El diodo p-i-n comnmente se fabrica en base al semiconductor de silicio que consta de dos regiones, una tipo P
y otra tipo N. Entre estas regiones se encuentra una regin intrnseca I de alta resistividad. Trabajan con seales
de frecuencia en la gama de microondas (>1 GHz). El diodo a estas frecuencias tiene una resistencia muy alta
cuando est inversamente polarizado y unaresistencia muy baja cuando est polarizado en sentido directo. Para
todos los propsitos, el diodo pi-n puede comportarse como un cortocircuito o un circuito abierto, cuando est
polarizado en directao en inversa, respectivamente. Tambin es utilizado para conmutar corrientes muy intensas
y/otensiones muy grandes.
-159 -
9.7.1 Prdidas de insercin y aislamiento de los conmutadores

Los principales parmetros de desempeo de los conmutadores son la prdida de insercin, situacin de baja
impedancia de los diodos por polarizacin directa, y el aislamiento, situacin de alta impedancia de los diodos
por polarizacin inversa. La prdida de insercin se define como la relacin, generalmente en decibelios, de la
potencia entregada por un conmutador ideal en estado de conduccin con la potencia real entregada por el
conmutador en estado de conduccin El aislamiento es una medida del desempeo del conmutador en el estado
abierto. Est definida como la relacin de potencia de las seales de microondas entregadas a la carga por un
conmutador ideal en estado de conduccin con la potencia actual entregada a la carga cuando el conmutador est
en estado abierto [2] Es decir:
La siguiente Tabla muestra las expresiones matemticas para estimar los parmetros de desempeo de los
conmutadores en base a diodos p-i-n.
9.8. Resultados de prdida de insercin en funcin a la frecuencia de operacin

Consideramos al diodo p-i-n HPND4038 del fabricante AVAGO Technologies, cuyos parmetros de circuito
equivalente en situacin de polarizacin directa e inversa son: 1.5 Ohms de resistencia serie y 0.0045pF
capacitancia de unin. En la figura 4 se muestran las respuestas de prdida de insercin de los conmutadores
serie-paralelo, paralelo y Tee utilizando el diodo HPND4038.
Fig. 4. Prdida de insercin respecto a la frecuencia de operacin
Como se puede apreciar, los conmutadores tipos Tee y Serie-Paralelo tienen un comportamiento de prdida de
insercin lineal y constante de 0.4 y 0.2 dB, respectivamente, hasta aproximadamente los
10 GHz. La prdida de insercin para frecuencias por debajo de 10 GHz es menor en el conmutador de tipo
paralelo. Conforme aumenta la frecuencia de operacin, la prdida de insercin en los tres conmutadores
converge hacia 3 dB. Se analizaron las respuestas de prdida de insercin de los conmutadores en serie, paralelo,
serie-paralelo y Tee, para los diodos p-i-n descritos en la Tabla 2
-160 -
-161 -

DIODO LSER
El diodo lser es un dispositivo semiconductor similar a los diodos LED pero que bajo las condiciones
adecuadas emite luz lser. A veces se los denomina diodos lser de inyeccin, o por sus siglas inglesas
LD o ILD.
El diodo lser se obtuvo como resultado de la continuacin del desarrollo del diodo LED. La palabra
LASER proviene de las siglas en ingls:
Light Amplification by Stimulated Emission of
Radiation.
Esto se refiere a un extrao proceso cuntico, donde
la luz caracterstica emitida por electrones cuando
estos pasan de un estado de alta energa a un estado de menor energa, estimulan a otros electrones
para crear "saltos" similares. El resultado es una luz sincronizada que sale del material.
Otra caracterstica importante es que la luz emitida no slo tiene la misma frecuencia (color), sino
tambin la misma fase. (tambin est sincronizada). Este es el motivo por el cual luz lser se mantiene
enfocada an a grandes distancias.
En el caso de una fuente de luz blanca comn, esta genera todos los diferentes colores (a sus
respectivas frecuencias) en forma de rayos dispersos (van en
diferentes direcciones) y no estn en fase.
En el caso de una fuente de luz lser todos los rayos son del
mismo color (monocromticos) o lo que es lo mismo, tienen la
misma frecuencia y estn en fase
Nota: los colores del grfico no guardan relacin con los colores ni la frecuencia que irradia la luz en
la realidad
Los diodos LED comunes, irradian una sola luz (son monocromticos), una sola frecuencia, pero no
estn en fase y se propagan en forma dispersa.
-162 -

En cambio los diodos LASER, producen una luz coherente. Esta luz no slo es monocromtica (un solo
color), sino que es monofsica (estn en fase), resultando en un rayo de luz muy preciso.
Los diodos LASER tienen una gran cantidad de aplicaciones, lectura y escritura de discos pticos,
donde slo un rayo de luz muy angosto puede ver una rea microscpica en la superficie de un disco.
Para mediciones precisas en donde es indispensable un rayo de luz que no se disperse.
Algunos diodos lser requieren de circuitos que generen pulsos de alta potencia, para entregar grandes
cantidades de voltaje y corriente en pequeos instantes de tiempo.
Otros diodos lser necesitan de un funcionamiento continuo pero a menor potencia.
Con el envejecimiento los diodos lser podran necesitar mas corriente para generar la misma
potencia entregada.
Pero no hay que olvidarse que estos elementos tiene una vida muy larga.
Ejemplo: el diodo LED comn que tiene una vida til de 10,000 horas en promedio
Cuando un diodo convencional o LED se polariza en directa, los huecos de la zona p se mueven hacia
la zona n y los electrones de la zona n hacia la zona p; ambos desplazamientos de cargas constituyen la
corriente que circula por el diodo.
Si los electrones y huecos estn en la misma regin, pueden recombinarse cayendo el electrn al hueco
y emitiendo un fotn con la energa correspondiente a la banda prohibida (vase semiconductor).
Esta emisin espontnea se produce en todos los diodos, pero slo es visible en los diodos LED que
tienen una disposicin constructiva especial con el propsito de evitar que la radiacin sea reabsorbida
por el material circundante, y una energa de la banda prohibida coincidente con el espectro visible; en
el resto de diodos, la energa se disipa en forma de radiacin infrarroja.
En condiciones apropiadas, el electrn y el hueco pueden coexistir un breve tiempo, del orden de
milisegundos, antes de recombinarse, de forma que si un fotn con la energa apropiada pasa por
casualidad por all durante ese periodo, se producir la emisin estimulada (vase lser), es decir, al
producirse la recombinacin el fotn emitido tendr igual frecuencia, polarizacin y fase que el primer
fotn.
En los diodos lser, el cristal semiconductor tiene la forma de una lmina delgada logrndose as una
unin p-n de grandes dimensiones, con las caras exteriores perfectamente paralelas.
Los fotones emitidos en la direccin adecuada se reflejarn repetidamente en dichas caras estimulando
a su vez la emisin de ms fotones, hasta que el diodo comienza a emitir luz lser, que al ser coherente
debido a las reflexiones posee una gran pureza espectral.
La luz lser es una luz de frecuencia (color) muy definida. Hay muchos tipos de lseres.
Uno de estos tipos, el diodo lser, juega un papel fundamental en nuestra sociedad ( ver aplicaciones ).
Hay dos tipos de diodos lser:

Diodo lser de emisin lateral Diodo lser de emisin vertical
-163 -
La entrada directa de la luz del lser semiconductor a los ojos humanos es muy peligrosa.
Por favor, no asome a la luz de lser ni mire a travs del sistema ptico. Si hay posibilidad de haber
reflejos de la luz, proteja por favor usando las gafas de seguridad de modo que la luz no entre
directamente a su ojo.
Los diodos lser son constructivamente diferentes a los diodos LED normales.
Las caractersticas de un diodo lser son:
La emisin de luz es dirigida en una sola direccin: Un diodo LED emite fotones en muchas
direcciones.
Un diodo lser, en cambio, consigue realizar un guiado de la luz preferencial una sola direccin.
Corte esquemtico de la emisin de luz en diodos LED y lser
Intensidad de luz en funcin de la longitud de onda para diodos LED y lser

Debido a estas dos propiedades, con el lser se pueden conseguir rayos de luz monocromtica dirigidos
en una direccin determinada.
-164 -

Como adems tambin puede controlarse la potencia emitida, el lser resulta un dispositivo ideal para
aquellas operaciones en las que sea necesario entregar energa con precisin.
Ejemplo de aplicacin: El lector de discos compactos:
Una de las muchas aplicaciones de los diodos lser es la de lectura de informacin digital de soportes
de datos tipo CD-ROM o la reproduccin de discos compactos musicales.
El principio de operacin de uno y otro es idntico.
Un haz lser es guiado mediante lentes hasta la superficie del CD. A efectos prcticos, se puede
suponer dicha superficie formada por zonas reflectantes y zonas absorbentes de luz.
Al incidir el haz lser en una zona reflectante, la luz ser guiada hasta un detector de luz: el sistema ha
detectado un uno digital. Si el haz no es reflejado, al detector no le llega ninguna luz: el sistema ha
detectado un cero digital.
Un conjunto de unos y ceros es una informacin digital, que puede ser convertida en informacin
analgica en un convertidor digital-analgico. Pero esa es otra historia que debe de ser contada en otra
ocasin.
CMO SE HACEN?
El lser est compuesto de muchas capas de material semiconductor. Las capas superiores e inferiores
actan de espejos.
Al aplicar una diferencia de potencial a los espejos hay una corriente elctrica que atraviesa el lser.
Si sta es suficientemente intensa, las capas centrales amplifican la luz en el interior del lser.
La fraccin de la luz que atraviesa los espejos forma el haz lser que se ve. Este viaja perpendicular a
los espejos.
Las distintas capas del lser se forman pintando con spray capas cristalinas con precisin atmica
con tcnicas como la epitaxia de haces moleculares (MBE).
El ancho tpico de la capa de semiconductor donde se amplifica la luz es de 5 millonsimas de
milmetro.
Todos los lseres de diodo estn construidos con materiales semiconductores, y tienen las propiedades
caractersticas de los diodos elctricos. Por esta razn reciben nombres como: >
Lseres de semiconductor - por los materiales que los componen
-165 -

Lseres de diodo - ya que se componen de uniones p-n como un diodo
Lseres de inyeccin - ya que los electrones son inyectados en la unin por el voltaje aplicado
La utilizacin tanto en I+D como comercial de los lseres de diodo ha cambiado dramticamente en los
ltimos 20 aos.
Hoy en da el nmero de lseres de diodo vendidos en un ao se mide en millones, mientras que todos
los dems tipos de lser juntos se miden en millares.
De hecho, la familia actual de lseres de diodo es utilizada en productos de alto consumo como: CD Compact Discs, Impresoras Lser, Escners y comunicaciones pticas.
El diodo lser fue inventado en tres laboratorios de investigacin en USA de modo independiente.
Los investigadores consiguieron radiacin electromagntica coherente de un diodo de unin p-n en base
al material semiconductor GaAs - Arsenuro de Galio.
Haremos ahora una pequea introduccin bsica:
Los Semiconductores
En general, los slidos pueden dividirse entres grupos:
Aislantes - Materiales que no son conductores de la electricidad como cuarzo , diamante , goma o
plstico
Conductores- Materiales que son conductores de la electricidad como oro , plata , cobre
Semiconductores- Materiales con una conductividad elctrica intermedia entre materiales conductores y
no conductores
Ejemplos: Ge, Si, GaAs, InP, GaAlAs.
La conductividad de un semiconductor aumenta con la temperatura (explicado ms tarde),
contrariamente a lo que sucede con los materiales metlicos, cuya conductividad disminuye con la
temperatura debido al aumento del nivel vibracional de los tomos.
Niveles energticos
En un gas, cada tomo molcula est (bajo el punto de vista energtico) a gran distancia de sus
vecinos, con lo que puede considerarse aislado.
Podemos considerar del mismo modo a unos pocos tomos de un material (que actan como tomos de
impurezas) que son aadidos a un medio homogneo slido de otro material.
En contraste con los niveles energticos separados existentes en un gas o en un pequeo nmero de
tomos de impurezas en un slido homogneo, los electrones en un semiconductor estn en bandas
energticas, que , efectuando una simulacin , se componen de agrupaciones de un gran nmero de
niveles energticos por efectos cunticos.
Estas bandas de energa corresponden a todo el material, no estando asociadas a un slo tomo.
La anchura de la banda aumenta a medida que decrece la distancia entre los tomos y aumenta la
interaccin entre ellos.
Las bandas energticas en un semiconductor pueden ser de dos tipos:
Banda de Valencia - Los electrones en una banda de valencia estn ligados a los tomos del
semiconductor.
Banda de Conduccin - Los electrones en una banda de conduccin pueden moverse por el
semiconductor.
-166 -
La separacin entre la banda de valencia y la de conduccin se denomina la Brecha de Energa, no

existiendo ningn nivel energtico posible dentro de sta zona.
Si un electrn de la banda de valencia consigue suficiente energa, puede " saltar " la brecha de energa
para introducirse en la banda conductora.
Las bandas de energa llenas son aquellos niveles energticos de los electrones internos, ligados al
tomo, que no participan en los enlaces entre los tomos del slido.
Para que un slido conduzca la electricidad, los electrones necesitan moverse en el slido.
En un aislante - la banda de valencia est llena de electrones, con lo que los electrones no pueden
moverse dentro de la banda.
Para que exista una conduccin de electricidad, los electrones de la banda de valencia deben pasar a la
banda de conduccin.
En consecuencia, debe suministrarse una energa superior a la brecha de energa a los electrones de la
banda de valencia, a fin de conseguir su transferencia a la banda de conduccin.
Como la brecha de energa es grande, sta evita el paso, y en consecuencia, los aislantes son poco
conductores.
La estructura de los niveles energticos de un aislante pueden verse en la figura
Niveles energticos de un aislante

En un conductor - (metal) Las bandas de valencia y de
conduccin se sobreponen, por lo que en la prctica la
brecha de energa es nula.
En consecuencia, los electrones necesitan muy poca
energa para pasar a la banda de conduccin y conducir
la electricidad.
La estructura de los niveles energticos de un conductor
pueden verse en la figura
Niveles energticos de un conductor

En un semiconductor - la brecha de energa es muy
pequea, por lo que se requiere muy poca energa para
transferir los electrones de la banda de valencia a la de
conduccin. Hasta la temperatura ambiente proporciona la
energa suficiente.
Aumentando la temperatura, ms y ms electrones
sern transferidos a la banda de conduccin. En
consecuencia aumenta la conductividad con la
temperatura.
La estructura de los niveles energticos de un
semiconductor pueden verse en la figura
Niveles energticos de un semiconductor>

-167 -

Cuando se transfiere un electrn de la banda de valencia a la de conduccin, se crea un " agujero " en la
banda de valencia. Estos " agujeros " se comportan como cargas positivas que se mueven por la banda
de valencia como consecuencia de aplicar un voltaje.
En el proceso de la conduccin elctrica participan tanto los electrones que estn en la banda de
conduccin como los " agujeros positivos " que permanecen en la banda de valencia originados por el "
salto " de electrones a la banda de conduccin.
A fin de controlar el tipo y densidad de
los " portadores " de carga en un
semiconductor, se aaden impurezas con
un nmero extra de " portadores " de
carga al semiconductor. Los tomos de
estas impurezas son elctricamente
neutros.
Las Impurezas
En un material semiconductor " puro , la
estructura de las bandas y la brecha de
energa estn determinadas por el propio material. Aadiendo otro material con portadores de carga,
aparecen niveles de energa adicionales dentro de la brecha.
Si la impureza contiene ms electrones que el propio material semiconductor puro, los portadores de
carga aadidos son negativos (electrones), y el material se denomina " semiconductor de tipo n.
En este tipo de materiales aparecen niveles energticos adicionales muy cercanos a la banda de
conduccin, con lo que es suficiente con un aporte pequeo de energa para hacerlos saltar a la banda
de conduccin, de modo que tenemos ms portadores de carga libres para conducir la electricidad.
Si la impureza contiene menos electrones que el material semiconductor, los niveles energticos extras
aparecen cerca de la banda de valencia.
Los electrones de la banda de valencia pueden saltar a estos niveles fcilmente, dejando atrs "
agujeros positivos. Este tipo de material se denomina " semiconductor de tipo p
En la figura se describe la influencia de la adicin de impurezas en la anchura de las bandas de energa
Niveles energticos de un semiconductor

El proceso Lser en un Semiconductor
Cuando unimos un semiconductor tipo "p" a otro tipo "n, obtenemos una " unin p-n
Esta unin p-n conduce la electricidad en una direccin preferente (hacia adelante).
-168 -

Este aumento direccional de la conductividad es un mecanismo comn en todos los diodos y
transistores utilizados en la electrnica.
Y es la base del proceso lser que tiene lugar entre las bandas de energa de la unin.
La Figura muestra las bandas de energa ideales de una unin p-n, sin aplicar un voltaje externo.
Niveles de energa de una unin p-n sin voltaje aplicado
El nivel mximo de energa ocupado por electrones se denomina Nivel de Fermi.
Cuando se conecta el polo positivo de un voltaje a la cara p de la unin p-n, y el negativo a la cara n, se
establece un flujo de corriente a travs de la unin p-n. Esta conexin se denomina Voltaje dirigido
hacia adelante o positivo.
Si se conecta con la polaridad inversa (polo + a la cara "n" y polo - a la cara "p) se denomina Voltaje
dirigido hacia atrs o negativo; ste causa un aumento de la barrera de potencial existente entre las
partes p y n, con lo que evita el paso de la corriente a travs de la unin.
Aplicando un voltaje en una unin p-n
Cuando se aplica un voltaje a travs de una unin p-n, la poblacin de las bandas de energa cambia.
El voltaje puede ser aplicado de dos formas o configuraciones posibles:
1. Voltaje positivo o hacia adelante - significa que el polo negativo del voltaje es aplicado a la cara "n"
de la unin, y el polo positivo a la cara "p, como se muestra en la figura
Bandas de energa de una unin p-n cuando se le aplica un voltaje positivo

El voltaje hacia adelante o positivo crea portadores extra en la unin, reduciendo la barrera de
potencial, y origina la inyeccin de portadores de carga, a travs de la unin, al otro lado.
Cuando un electrn de la banda de conduccin en el lado "n" es inyectado a travs de la unin a un "
agujero " vaco en la banda de valencia del lado "p, tiene lugar un proceso de recombinacin (electrn
+ agujero), y se libera energa
En los diodos lser, nuestro inters se concentra en los casos especficos en que la energa es liberada
en forma de radiacin lser.
Se produce un fuerte aumento de la conductividad cuando el voltaje positivo es aproximadamente igual
a la brecha de energa del semiconductor.
Voltaje negativo o hacia atrs - causa un aumento de la barrera de potencial, disminuyendo la
posibilidad de que los electrones salten al otro lado. Aumentando el voltaje negativo a valores altos
(dcimas de voltio) , se puede obtener un colapso del voltaje de la unin ( avalancha )
La construccin de un Diodo Lser
Se ensea la estructura bsica en capas de un lser de diodo simple en la figura
Las capas de los materiales semiconductores estn dispuestas de modo que se crea una regin activa en
la unin p-n, y en la que aparecen fotones como consecuencia del proceso de recombinacin. Una capa
metlica superpuesta a las caras superior e inferior permite aplicar un voltaje externo al lser.
Las caras del semiconductor cristalino estn cortadas de forma que se comportan como espejos de la
cavidad ptica resonante.
-169 -
Estructura bsica de un lser de diodo

La Figura describe la forma en que la radiacin lser electromagntica es emitida para un lser simple
de diodo. La radiacin lser tiene forma rectangular y se difunde a diferentes ngulos en dos
direcciones.
Perfil de la radiacin lser emitida por un diodo lser

simple
Ms tarde describiremos unas estructuras y diseos especiales que permiten confinar la zona activa en
una regin ms pequea, y controlar as el perfil del haz lser conseguido.
Sumario de los Lseres de Diodo hasta ste punto:
Los portadores de carga en un lser de diodo son los electrones libres en la banda de conduccin, y los
agujeros positivos en la banda de valencia.
En la unin p-n, los electrones "caen" en los agujeros, que corresponden a niveles de energa ms bajos.
El flujo de corriente a travs de la unin p-n del lser de diodo ocasiona que ambos tipos de portadores
(agujeros y electrones) se recombinen, siendo liberada energa en forma de fotones de luz.
La energa de un fotn es aproximadamente igual a la de la brecha de energa.
La brecha de energa viene determinada por los materiales que componen el diodo lser y por su
estructura cristalina.
Curva I-V de un Diodo Lser
Si la condicin requerida para la accin lser de inversin de poblacin no existe, los fotones sern
emitidos por emisin espontnea.
Los fotones sern emitidos aleatoriamente en todas las direcciones, siendo sta la base de los LED diodo emisor de luz.
La inversin de poblacin slo se consigue con un bombeo externo.
-170 -

Aumentando la intensidad de la corriente aplicada a la unin p-n, se alcanza el umbral de corriente
necesario para conseguir la inversin de poblacin.
En la figura se muestra un ejemplo de la potencia emitida por un diodo lser en funcin de la corriente
aplicada.
Se aprecia enseguida que la pendiente correspondiente a la accin lser es mucho mayor que la
correspondiente a un led.
Potencia de emisin de un
diodo lser en funcin de
la corriente aplicada.
El umbral e corriente para el efecto lser viene
determinado por la interseccin de la tangente de
la curva con el eje X que indica la corriente (esta
es una buena aproximacin)
Cuando el umbral de corriente es bajo, se disipa
menos energa en forma de calor, con lo que la
eficiencia del lser aumenta. En la prctica, el
parmetro importante es la densidad de corriente,
medida en A/cm2, de la seccin transversal de la
unin p-n.
Dependencia de los parmetros del diodo lser de la temperatura
Uno de los problemas bsicos de los diodos lser es el aumento del umbral de corriente con la
temperatura. Los operativos a bajas temperaturas requieren bajas corrientes.
A medida que la corriente fluye por el diodo, se genera calor. Si la disipacin no es la adecuada, la
temperatura aumenta, con lo que aumenta tambin el umbral de corriente.
Adems, los cambios en temperatura afectan a la longitud de onda emitida por el diodo lser. Este
cambio se ilustra en la figura y se compone de dos partes:
1. Un aumento gradual de la longitud de onda emitida proporcional al aumento de temperatura, hasta
que:
2. Se produce un salto a otro modo longitudinal de emisin
cambio de la longitud de onda emitida en funcin de la

temperatura
Debido a estas variaciones con la temperatura, se
necesitan diseos especiales para poder conseguir una
emisin continua de alta potencia.
Confinamiento de la luz dentro de la zona activa
Un factor importante en la construccin de un diodo
lser es el confinamiento de la luz dentro del rea
activa. Dicho confinamiento se acompaa por la
deposicin de distintos materiales cerca de la zona
activa.
En consecuencia, la primera clasificacin de los lseres de diodo considera los tipos de estructura
cercanos a la zona activa
-171 -

El nombre de cada grupo o familia viene dado por el tipo de materiales existentes cerca de la capa
activa:
Homojunction lser
Lser de unin homognea - Todo el lser est constituido por un mismo material, normalmente GaAs
- Arsenuro de Galio.
En este tipo de estructura simple, los fotones emitidos no estn confinados en direcciones
perpendiculares al eje del lser, con lo que su eficiencia es muy baja.
Single Heterostructure
Estructura heterognea simple - En un lado de la capa activa existe otro material con una brecha de
energa diferente.
Esta diversidad de brechas de energa motiva un cambio en el ndice de refraccin de los materiales, de
modo que se pueden construir estructuras en gua de ondas que confinan a los fotones en un rea
determinada.
Normalmente, la segunda capa es de un material similar al de la primera, solo que con un ndice de
refraccin menor.
Ejemplo: El GaAs - Arsenuro de Galio - y el GaAlAs - Arsenuro de Galio Aluminio - son materiales
prximos utilizados habitualmente.
Double Heterostructure
Estructura heterognea doble - Un material distinto se coloca a ambos lados de la capa activa , con un
ndice de refraccin menor (mayor brecha de energa) .
Este tipo de estructuras confinan la luz dentro de la capa activa, por lo que son ms eficientes.
Ejemplo: Capa activa de GaAs confinada entre dos capas de GaAlAs.
Distintas Estructuras de los Diodos Lser
Hoy en da una estructura habitual es una tira estrecha de la capa activa (Stripe Geometry - Geometra
en tiras), confinada por todos los lados (tanto por los lados como por arriba y abajo) con otro material.
Esta familia de lseres se denomina Index Guided Lasers - Lseres orientados al ndice
En la figura se detallan distintas estructuras de
confinamiento utilizadas.
Ejemplos de distintos tipos de estructura de
confinamiento
Diodos Lser orientado a Ganancia - Gain Guided
Aislando los electrodos metlicos en las partes superior
e inferior, se limita la zona por donde pasa la corriente.
Como resultado, la inversin de poblacin slo tiene
lugar en la zona especfica por donde pasa la corriente.
Un ejemplo est en la figura 6-28 (ltima figura) , en
donde un electrodo de tira delgada se sobrepone al
material lser . La corriente limita el rea en la zona
activa en donde puede existir el efecto de amplificacin,
y sta slo podr existir en sta zona.
Las ventajas de este tipo de lseres de diodo son:
1. Fciles de producir
2. Es relativamente fcil conseguir una potencia alta, ya
que al aumentar la corriente aumenta la zona activa
Las desventajas son:
-172 -

1. La calidad del haz obtenido es menor que con los orientados al ndice.
2.
Es
ms
difcil
conseguir
una
emisin
estable
en
frecuencia
simple.
Monturas de los Lser de Diodo

Se requieren monturas especiales para los lseres de diodo, debido a su tamao miniaturizado, para
poder ser operativos y cmodos. Existen muchos tipos de monturas, pero quizs el ms estndar es
similar a un transistor, e incluye en la montura las pticas necesarias para colimar el haz
Montura de un lser de diodo comercial
Seccin perpendicular
Para poder obtener ms potencia de los
lseres de diodo, se han desarrollado
matrices de diodos lser, que emiten
sincronizadamente,
y
que
estn
pticamente acoplados, de modo que
se alcanzan las dcimas de vatio.
Los lser a diferencia de los LEDs
tienen caractersticas de desempeo que se adaptan mejor a fibras mono-modo. Su luz es mas
monocromtica (menos ancha
en el espectro), tiene mayor
potencia que los LEDs y mayor
capacidad de ancho de banda.
La siguiente figura muestra el
principio de lanzar un lser en
una fibra. El lser emite la seal
hacia ambos lados del chip
emisor, una seal va a la fibra y
la otra a un foto-diodo que se
encarga de monitorear la seal de
salida del lser para poder hacer ajustes.
Entre los requerimientos de un lser tenemos longitud de onda precisa, espectro angosto, suficiente
potencia y control de chirp (cambio de la frecuencia de la seal en el tiempo).
-173 -

Los lser semiconductores cumplen los 3 requerimientos iniciales, sin embargo el chirp puede verse
afectado por el tipo de modulacin que se utilice.
2 tipos de lser semiconductores son ampliamente usados, monolithic Fabry-Perot lser y distributed
feedback lser (DFB). Este ultimo tipo de lser (DFB) se adapta muy bien para su uso en tecnologas
DWDM debido a que emite luz que esta muy cerca de ser monocromtica, tiene gran potencial en
cuanto a ancho de banda, tiene una relacin seal/ruido muy favorable y su linealidad es superior a los
dems lser. Los DFB tienen frecuencias cercanas a los 1310 nm y 1520 a 1565 nm.
Este ltimo rango de longitudes de onda es compatible con los EDFA (Erbium Doped Fiber Amplifier).
Existen otra gran cantidad de tipos de lser pero en su mayora no son convenientes para ser usados con
DWDM ya que su espectro es muy ancho, entre 100 y 200 GHz.
Ventajas de los diodos lser
o Son muy eficientes ( ms del 20% de la energa suministrada se consigue en forma de radiacin
lser )
o Son muy fiables
o Tienen vidas medias muy largas (estimadas en ms de 100 aos de operacin continuada!).
o Son muy baratos ( se construyen con tcnicas de produccin en masa utilizadas en la industria
electrnica )
o Permiten la modulacin directa de la radiacin emitida, simplemente controlando la corriente
elctrica a travs de la unin p-n. La radiacin emitida es funcin lineal de la corriente, pudindose
modular a dcimas de GHz.
Ejemplo: En un sistema experimental, y utilizando fibras pticas de modo simple, se transmite
informacin a 4 [GHz], lo que es equivalente a la emisin simultnea de 50,000 llamadas telefnicas en
una fibra (cada llamada ocupa una banda de frecuencia de 64 [KB/s]).
Volumen y peso pequeos
Umbral de corriente muy bajo
Consumo de energa muy bajo
Banda del espectro estrecha , que puede llegar a ser de unos pocos kilo-Herz en diodos lser
especiales
COMPOSICION QUIMICA DE UN DIODO LASER DE ESTADO SLIDO
El funcionamiento del diodo lser lo determinan su composicin qumica y su geometra.
Todos los diodos son, en esencia, estructuras de varias capas, formadas por varios tipos diferentes de
material semiconductor. Los materiales son contaminados con impurezas por medio de qumicos, para darles ya
sea un exceso de electrones (Tipo N) o un exceso de vacantes de electrones (Tipo P).
Los diodos lser que emiten en la regin 0.78 a 0.9 micrn, estn formados por capas de arseniuro de galio
(GaAs) y arseniuro de aluminio y galio (ALGaAs) desarrollado sobre un subestrato de GaAs. Los dispositivos
para longitud de onda mayor, que emiten a 1.3 a 1.67 micrones, se fabrican con capas de arseniuro fosfuro de
indio y galio (InGaASP) y fosfuro de indio (InP), desarrollado sobre un subestrato de InP
EL PROCESO DE LASIFICACIN
El fenmeno de lasificacin data de varios aos y fue obtenido por medio de un lser slido de rub y de un
gaseoso de He-Ne, dichos dispositivos eran muy vulominosos y trabajaban a muy altas temperaturas. El
desarrollo de un diodo laser formado por una juntura de GaAs se produjo en 1962 y los primeros lser de
inyeccin de GaAs de remontan al ao de 1968. El lser semiconductor, a diferencia de los primitivos, es de muy
-174 -

pequeo tamao, tiene una longitud de apenas 0.1 mm, su zona activa es muy estrecha, de apenas 0.1
menos y trabajan a la temperatura ambiente.
Vamos a tratar, en lo que sigue de diferenciar el proceso de emisin de luz de un LASER del que se produce en
el LED, en ese ltimo dispositivo, la emisin se produca espontneamente debido a la recombinacin de los
excesos acumulados en las zonas neutras cercanas a la de juntura, por efecto de la aplicacin de una polarizacin
directa. En el LASER tambin existe el fenmeno de emisin espontanea, pero adems, en ciertas condiciones,
se produce un fenmeno denominado de emisin estimulada, que es la que produce el efecto lser.
Cuando a una juntura de GaAs altamente contaminada se la polariza en forma directa, para bajos valores de la
corriente circulante, la emisin de luz que se produce tiene las mismas caractersticas de la polarizacin en un
LED, es decir, est formada por un espectro relativamente amplio de frecuencias y su brillo no es grande, si
continuamos aumentando la polarizacin directa y consecuentemente la corriente circulante por el dispositivo,
separado un valor umbral se produce el fenmeno lser, consiste en la emisin de un haz de luz monocromtica,
muy estrecho y de gran intensidad. Dicha luz puede modularse muy fcilmente a frecuencias muy elevadas con
slo superponer una corriente variable a la constante el fenmeno de lasificacin.
10.3 HISTORIA
En 1916, Albert Einstein estableci los fundamentos para el desarrollo de los lsers y de sus predecesores, los
mseres (que emiten microondas), utilizando la ley de radiacin de Max Planck basada en los conceptos de
emisin espontnea e inducida de radiacin.
En 1928 Rudolf Landenburg report haber obtenido la primera evidencia del fenmeno de emisin estimulada
de radiacin, aunque no pas de ser una curiosidad de laboratorio, por lo que la teora fue olvidada hasta despus
de la Segunda Guerra Mundial, cuando fue demostrada definitivamente por Willis Eugene Lamb y R. C.
Rutherford.
En 1953, Charles H. Townes y los estudiantes de postgrado James P. Gordon y Herbert J. Zeiger construyeron el
primer mser: un dispositivo que funcionaba con los mismos principios fsicos que el lser pero que produce un
haz coherente de microondas. El mser de Townes era incapaz de funcionar en continuo. Nikoli Bsov y
Aleksandr Prjorov de la Unin Sovitica trabajaron independientemente en el oscilador cuntico y resolvieron
el problema de obtener un mser de salida de luz continua, utilizando sistemas con ms de dos niveles de
energa. Townes, Bsov y Prjorov compartieron el Premio Nobel de Fsica en 1964 por "los trabajos
fundamentales en el campo de la electrnica cuntica", los cuales condujeron a la construccin de osciladores y
amplificadores basados en los principios de los mser-lser.
Townes y Arthur Leonard Schawlow son considerados los inventores del lser, el cual patentaron en 1960. Dos
aos despus, Robert Hall inventa el lser semiconductor. En 1969 se encuentra la primera aplicacin industrial
del lser al ser utilizado en las soldaduras de los elementos de chapa en la fabricacin de vehculos y, al ao
siguiente Gordon Gould patenta otras muchas aplicaciones prcticas para el lser.
El 16 de mayo de 1980, un grupo de fsicos de la Universidad de Hull liderados por Geoffrey Pret registran la
primera emisin lser en el rango de los rayos X. Cinco aos despus se comienza a comercializar el disco
compacto, donde un haz lser de baja potencia "lee" los datos codificados en forma de pequeos orificios
(puntos y rayas) sobre un disco ptico con una cara reflectante. Posteriormente esa secuencia de datos digital se
transforma en una seal analgica permitiendo la escucha de los archivos musicales. Inmediatamente despus la
tecnologa desarrollada se usa en el campo del almacenamiento masivo de datos. En 1994 en el Reino Unido, se
utiliza por primera vez la tecnologa lser en cinemmetros para detectar conductores con exceso de velocidad.
Posteriormente se extiende su uso por todo el mundo.
-175 -

Ya en el siglo XXI, cientficos de la Universidad de St. Andrews crean un lser que puede manipular objetos
muy pequeos. Al mismo tiempo, cientficos japoneses crean objetos del tamao de un glbulo rojo utilizando el
lser. En 2002, cientficos australianos "teletransportan" con xito un haz de luz lser de un lugar a otro. Dos
aos despus el escner lser permite al Museo Britnico efectuar exhibiciones virtuales. En 2006, cientficos de
la compaa Intel descubren la forma de trabajar con un chip lser hecho con silicio abriendo las puertas para el
desarrollo de redes de comunicacin mucho ms rpidas y eficientes.
Los lseres constan de un medio activo capaz de generar el lser. Hay cuatro procesos bsicos que se producen
en la generacin del lser, denominados bombeo, emisin espontnea de radiacin, emisin estimulada de
radiacin y absorcin.
Bombeo
Se provoca mediante una fuente de radiacin como puede ser una lmpara, el paso de una corriente elctrica, o el
uso de cualquier otro tipo de fuente energtica que provoque una emisin. En el lser el bombeo puede ser
elctrico u ptico, mediante tubos de flash o luz.
10.4 Emisin espontnea de radiacin
Los electrones que vuelven al estado fundamental emiten fotones. Es un proceso aleatorio y la radiacin
resultante est formada por fotones que se desplazan en distintas direcciones y con fases distintas generndose
una radiacin monocromtica incoherente.
10.5 Emisin estimulada de radiacin
La emisin estimulada, base de la generacin de radiacin de un lser, se produce cuando un tomo en estado
excitado recibe un estmulo externo que lo lleva a emitir fotones y as retornar a un estado menos excitado. El
estmulo en cuestin proviene de la llegada de un fotn con energa similar a la diferencia de energa entre los
dos estados. Los fotones as emitidos por el tomo estimulado poseen fase, energa y direccin similares a las del
fotn externo que les dio origen. La emisin estimulada descrita es la raz de muchas de las caractersticas de la
luz lser. No slo produce luz coherente y monocroma, sino que tambin "amplifica" la emisin de luz, ya que
por cada fotn que incide sobre un tomo excitado se genera otro fotn.
10.6 Absorcin
Proceso mediante el cual se absorbe un fotn. El sistema atmico se excita a un estado de energa ms alto,
pasando un electrn al estado meta estable. Este fenmeno compite con el de la emisin estimulada de radiacin.
Cuando se invent en 1960, se denominaron como "una solucin buscando un problema a resolver". Desde
entonces se han vuelto omnipresentes. Se pueden encontrar en miles de variadas aplicaciones en cualquier sector
de la sociedad actual. Estas incluyen campos tan dispares como la electrnica de consumo, las tecnologas de la
informacin (informtica), anlisis en ciencia, mtodos de diagnstico en medicina, as como el mecanizado,
soldadura o sistemas de corte en sectores industriales y militares.
En bastantes aplicaciones, los beneficios de los lseres se deben a sus propiedades fsicas como la coherencia, la
alta monocromaticidad y la capacidad de alcanzar potencias extremadamente altas. A modo de ejemplo, un haz
lser altamente coherente puede ser enfocado por debajo de su lmite de difraccin que, a longitudes de onda
visibles, corresponde solamente a unos pocos nanmetros. Cuando se enfoca un haz de lser potente sobre un
punto, ste recibe una enorme densidad de energa.[5] Esta propiedad permite al lser grabar gigabytes de
informacin en las microscpicas cavidades de un DVD o CD. Tambin permite a un lser de media o baja
potencia alcanzar intensidades muy altas y usarlo para cortar, quemar o incluso sublimar materiales.
10.7 Principio de funcionamiento:
-176 -

Cuando un diodo convencional o
LED se polariza en directa, los
huecos de la zona P se mueven
hacia la zona N y los electrones
de la zona N hacia la zona P;
ambos desplazamientos de cargas
constituyen la corriente que
circula por el diodo. Si los
electrones y huecos estn en la
misma
regin,
pueden
recombinarse cayendo el electrn
al hueco y emitiendo un fotn con la energa correspondiente a la banda prohibida.
Esta emisin espontnea se produce en todos los diodos, pero slo es visible en los diodos LED que tienen una
disposicin constructiva especial con el propsito de evitar que la radiacin sea reabsorbida por el material
circundante, y una energa de la banda prohibida coincidente con el espectro visible; en el resto de diodos, la
energa se disipa en forma de radiacin infrarroja.
En condiciones apropiadas, el
electrn y el hueco pueden coexistir
un breve tiempo, del orden de
milisegundos, antes de recombinarse,
de forma que si un fotn con la
energa apropiada pasa por casualidad
por all durante ese periodo, se
producir la emisin estimulada, es
decir, al producirse la recombinacin
el fotn emitido tendr igual
frecuencia, polarizacin y fase que el
primer fotn.
En los diodos lser, el cristal semiconductor tiene la forma de una lmina delgada logrndose as una unin PN
de grandes dimensiones, con las caras exteriores perfectamente paralelas. Los fotones emitidos en la direccin
adecuada se reflejarn repetidamente en dichas caras estimulando a su vez la emisin de ms fotones, hasta que
el diodo comienza a emitir luz lser.
Si los electrones y huecos estn en la misma regin, pueden recombinarse cayendo el electrn al hueco y
emitiendo un fotn con la energa correspondiente a la banda prohibida (vase semiconductor). Esta emisin
espontnea se produce en todos los diodos, pero slo es visible en los diodos LED que tienen una disposicin
constructiva especial con el propsito de evitar que la radiacin sea reabsorbida por el material circundante, y
una energa de la banda prohibida coincidente con el espectro visible; en el resto de diodos, la energa se disipa
en forma de radiacin infrarroja.
En condiciones apropiadas, el electrn y el hueco pueden coexistir un breve tiempo, del orden de milisegundos,
antes de recombinarse, de forma que si un fotn con la energa apropiada pasa por casualidad por all durante ese
periodo, se producir la emisin estimulada (vase lser), es decir, al producirse la recombinacin el fotn
emitido tendr igual frecuencia, polarizacin y fase que el primer fotn.
-177 -

En los diodos lser, el cristal semiconductor tiene la forma de una lmina delgada logrndose as una unin p-n
el diodo comienza a emitir luz lser, que al ser coherente debido a las reflexiones posee una gran pureza
espectral.
10.8 El proceso laser en un laser de semiconductor:
La unin p-n conduce la electricidad
en una direccin preferente ( hacia
adelante ) . Este aumento direccional
de la conductividad es un mecanismo
comn en todos los diodos y
transistores
utilizados
en
la
electrnica. Y es la base del proceso
lser que tiene lugar entre las bandas
de energa de la unin.
La siguiente figura muestra las
bandas de energa ideales de una
unin p-n , sin aplicar un voltaje
externo.
Niveles de energa de una unin p-n sin voltaje aplicado
El nivel mximo de energa ocupado por electrones se denomina Nivel de Fermi.
Cuando se conecta el polo positivo de un voltaje a la cara p de la unin p-n, y el negativo a la cara n , se
establece un flujo de corriente a travs de la unin p-n . Esta conexin se denomina Voltaje dirigido hacia
adelante o positivo. Si se conecta con la polaridad inversa (polo + a la cara "n" y polo - a la cara "p) se
denomina Voltaje dirigido hacia atrs o negativo ; ste causa un aumento de la barrera de potencial existente
entre las partes p y n , con lo que evita el paso de la corriente a travs de la unin.
10.9 Aplicando un voltaje en una unin p-n:
Cuando se aplica un voltaje a travs de una unin p-n , la poblacin de las bandas de energa cambia. El voltaje
puede ser aplicado de dos formas o configuraciones posibles:
1.- Voltaje positivo o hacia adelante - significa que el polo negativo del voltaje es aplicado a la cara "n" de la
unin , y el polo positivo a la cara "p" , como se muestra en la figura:
Bandas de energa de una unin p-n cuando se

le aplica un voltaje positivo
El voltaje hacia adelante o positivo crea
portadores extra en la unin, reduciendo la
barrera de potencial, y origina la inyeccin de
portadores de carga , a travs de la unin , al
otro lado .
Cuando un electrn de la banda de conduccin en el lado "n" es inyectado a travs de la unin a un " agujero "
vaco en la banda de valencia del lado "p", tiene lugar un proceso de recombinacin ( electrn + agujero ) , y se
libera energa
-178 -

En los diodos lser , nuestro inters se concentra en los casos especficos en que la energa es liberada en forma
de radiacin lser . Se produce un fuerte aumento de la conductividad cuando el voltaje positivo es
aproximadamente igual a la brecha de energa del semiconductor.
.Voltaje negativo o hacia atrs - causa un aumento de la barrera de potencial, disminuyendo la posibilidad de que
los electrones salten al otro lado. Aumentando el voltaje negativo a valores altos (dcimas de voltio) , se puede
obtener un colapso del voltaje de la unin ( avalancha )
10.10 Curva i-v de un diodo lser:
Si la condicin requerida para la accin lser de inversin de poblacin no existe, los fotones sern emitidos por
emisin espontnea. Los fotones sern emitidos aleatoriamente en todas las direcciones, siendo sta la base de
los LED - diodo emisor de luz.
La inversin de poblacin slo se consigue con un bombeo externo. Aumentando la intensidad de la corriente
aplicada a la unin p-n, se alcanza el umbral de corriente necesario para conseguir la inversin de poblacin.
En la figura 45 se muestra un ejemplo de la potencia emitida por
un diodo lser en funcin de la corriente aplicada. Se aprecia
enseguida que la pendiente correspondiente a la accin lser es
mucho mayor que la correspondiente a un led. En condiciones
apropiadas, el electrn y el hueco pueden coexistir un breve
tiempo, del orden de milisegundos, antes de recombinarse, de
forma que si un fotn con la energa apropiada pasa por
casualidad por all durante ese periodo, se producir la emisin
estimulada (vase lser), es decir, al producirse la recombinacin
el fotn emitido tendr igual frecuencia, polarizacin y fase que
el primer fotn.
En los diodos lser, el cristal semiconductor tiene la forma de una
lmina delgada logrndose as una unin p-n de grandes dimensiones, con las caras exteriores perfectamente
paralelas. Los fotones emitidos en la direccin adecuada se reflejarn repetidamente en dichas caras estimulando
a su vez la emisin de ms fotones, hasta que el diodo comienza a emitir luz lser, que al ser coherente debido a
las reflexiones posee una gran pureza espectral.
Potencia de emisin de un diodo lser en funcin de la corriente aplicada.

El umbral e corriente para el efecto lser viene determinado por la interseccin de la tangente de la curva con el
eje X que indica la corriente (esta es una buena aproximacin) Cuando el umbral de corriente es bajo, se disipa
menos energa en forma de calor , con lo que la eficiencia del lser aumenta. En la prctica, el parmetro
importante es la densidad de corriente, medida en A/cm2, de la seccin transversal de la unin p-n.
10.11 Construccin de un diodo lser:
Las capas de los materiales semiconductores estn dispuestas de modo que se crea una regin activa en la unin
p-n , y en la que aparecen fotones como consecuencia del proceso de recombinacin . Una capa metlica
superpuesta a las caras superior e inferior permite aplicar un voltaje externo al lser . Las caras del
semiconductor cristalino estn cortadas de forma que se comportan como espejos de la cavidad ptica resonante.
Estructura bsica de un lser de diodo
La figura describe la forma en que la radiacin lser
electromagntica es emitida para un lser simple de
-179 -

diodo. La radiacin lser tiene forma rectangular y se difunde a diferentes ngulos en dos direcciones.
Perfil de la radiacin lser emitida por un diodo lser simple

Los portadores de carga en un diodo lser son los electrones libres en
la banda de conduccin, y los agujeros positivos en la banda de
valencia.
En la unin p-n , los electrones "caen" en los agujeros , que
corresponden a niveles de energa ms bajos. El flujo de corriente a
travs de la unin p-n del diodo lser ocasiona que ambos tipos de
portadores (agujeros y electrones ) se recombinen , siendo liberada
energa en forma de fotones de luz. La energa de un fotn es
aproximadamente igual a la de la brecha de energa. La brecha de
energa viene determinada por los materiales que componen el diodo lser y por su estructura cristalina.
10.12 Dependencia de los parmetros de la temperatura:
Uno de los problemas bsicos de los diodos lser es el
aumento del umbral de corriente con la temperatura. Los
operativos a bajas temperaturas requieren bajas corrientes. A
medida que la corriente fluye por el diodo, se genera calor. Si
la disipacin no es la adecuada, la temperatura aumenta, con lo
que aumenta tambin el umbral de corriente.
Adems, los cambios en temperatura afectan a la longitud de
onda emitida por el diodo lser. Este cambio se ilustra en la
figura 2. , y se compone de dos partes:
Un aumento gradual de la longitud de onda emitida proporcional al aumento de temperatura , hasta que;
2. Se produce un salto a otro modo longitudinal de emisin
Cambio de la longitud de onda emitida en funcin de la temperatura

Debido a estas variaciones con la temperatura, se necesitan diseos especiales para poder conseguir una emisin
continua de alta potencia.
10.13 Confinamiento de la luz dentro de la zona activa:
Un factor importante en la construccin de un diodo lser es el confinamiento de la luz dentro del rea activa.
Dicho confinamiento se acompaa por la deposicin de distintos materiales cerca de la zona activa. En
consecuencia, la primera clasificacin de los diodos lser considera los tipos de estructura cercanos a la zona
activa.
El nombre de cada grupo o familia viene dado por el tipo de materiales existentes cerca de la capa activa:
-180 -

10.13.1 Lser de unin homognea.- Todo el lser est constituido por un mismo material, normalmente GaAs Arseniuro de Galio. En este tipo de estructura simple, los fotones emitidos no estn confinados en direcciones
perpendiculares al eje del lser, con lo que su eficiencia es muy baja .
10.13.2 Estructura heterognea simple.- En un lado de la capa activa existe otro material con una brecha de
energa diferente. Esta diversidad de brechas de energa motiva un cambio en el ndice de refraccin de los
materiales, de modo que se pueden construir estructuras en gua de ondas que confinan a los fotones en un rea
determinada. Normalmente, la segunda capa es de un material similar al de la primera, solo que con un ndice de
refraccin menor.
10.13.3 Estructura heterognea doble.- Un material distinto se coloca a ambos lados de la capa activa, con un
ndice de refraccin menor (mayor brecha de energa). Este tipo de estructuras confinan la luz dentro de la capa
activa, por lo que son ms eficientes.
Ejemplo: Capa activa de GaAs confinada entre dos capas de GaAlAs.
10.14 Estructuras de los diodos lser:
Hoy en da una estructura habitual es una tira estrecha de la capa activa, confinada por todos los lados (tanto por
los lados como por arriba y abajo ) con otro material . En condiciones apropiadas, el electrn y el hueco pueden
coexistir un breve tiempo, del orden de milisegundos, antes de recombinarse, de forma que si un fotn con la
energa apropiada pasa por casualidad por all durante ese periodo, se producir la emisin estimulada (vase
lser), es decir, al producirse la recombinacin el fotn emitido tendr igual frecuencia, polarizacin y fase que
el primer fotn. En condiciones apropiadas, el electrn y el hueco pueden coexistir un breve tiempo, del orden de
milisegundos, antes de recombinarse, de forma que si un fotn con la energa apropiada pasa por casualidad por
all durante ese periodo, se producir la emisin estimulada (vase lser), es decir, al producirse la
recombinacin el fotn emitido tendr igual frecuencia, polarizacin y fase que el primer fotn.
espectral.
espectral.
Esta familia de lseres se denomina Lseres orientados al ndice.
En la siguiente
tabla se detallan distintas
estructuras
de
confinamiento utilizadas:
-181 -
Ejemplos de distintos tipos de estructura de confinamiento

10.15 Monturas de los diodo lser:
Se requieren monturas especiales para los diodos
lser, debido a su tamao miniaturizado, para poder
ser operativos y cmodos. Existen muchos tipos de
monturas, pero quizs el ms estndar es similar a
un transistor, e incluye en la montura las pticas
necesarias para colimar el haz.
Montura de un lser de diodo comercial

Seccin perpendicular
10.16 Cavidades pticas especiales en los diodos lser:
-182 -

La cavidad ptica ms simple es la creada al pulir los extremos del cristal de semiconductor del que se compone
el lser. El pulido crea un plano perpendicular al plano del medio activo, de modo que es perpendicular al eje del
lser.
Debido al alto ndice de refraccin (n 3.6) de los materiales utilizados, la reflexin de la cara pulida es de
aproximadamente el 30%. Es posible cambiar esta reflexin utilizando tcnicas de metalizado en capas. Un tipo
de capa es el 100% reflectante en uno de los lados del diodo lser.
En algn tipo de lser, las prdidas que atraviesan la capa trasera son utilizadas para controlar la potencia
emitida por la parte delantera, obtenindose una retroalimentacin en tiempo real.
Un tipo distinto y ms complicado puede fabricarse integrando una red de difraccin cerca de la capa activa del
lser. Existen dos tipos de estructura que utilizan redes de difraccin en vez de capa espejada en un extremo de
la cavidad (ver figura):
1.DFB = Distributed FeedBack Laser.- Retroalimentacin distribuida - la red de difraccin se distribuye a lo
largo de todo el medio activo . La longitud de onda de la red determina la longitud de onda emitida por el lser ,
en una lnea muy fina del espectro.
2.DBR = Distributed Bragg Reflector.- Reflector de Bragg distribuido - la red de difraccin est fuera de la zona
activa , en donde no circula corriente ( parte pasiva de la cavidad )
Cavidades pticas especiales utilizadas

para obtener lneas de emisin estrechas
10.17 Diodos lser acoplados:
Existen tambin estructuras especiales en
donde dos lser se acoplan ptimamente.
La radiacin emitida por el primer lser es
transferida al segundo, que es controlado
por otra fuente de alimentacin.

Lser de diodo con acoplamiento ptico
10.18 Diferencias del diodo lser con un diodo led:
LASER
LED
*Ms rpido.
*Mayor estabilidad trmica.
*Potencia de salida mayor.
*Menor potencia de salida, mayor tiempo de vida.

-183 -

*Emisin coherente de luz.
*Emisin incoherente.
*Construccin es ms compleja.
*Mas econmico.
*Actan como fuentes adecuadas en sistemas de Se acoplan a fibras pticas en distancias cortas de
telecomunicaciones.
transmisin.
*Modulacin a altas velocidades, hasta GHz.
*Velocidad de modulacin hasta 200MHz.
10.19 Emisin estimulada

Las transiciones energticas que tienen lugar durante el fenmeno lser, son bsicamente tres, la absorcin, la
emisin espontnea y la emisin estimulada.
En la figura 8.1 se tato de graficar estos tres procesos.
son dos niveles energticos de un sistema cuntico cualquiera,
corresponde al de un estado ocupado y
al de uno vacio de mayor energa que . Cualquier transicin energtica entre esos dos niveles debe manejar
que corresponde a un fotn de frecuencia
. A temperatura ambiente, la mayora
una energa
de los electrones se encuentran ocupando el estado de menor energa. Si un fotn con una energa exactamente
incide sobre el sistema cuntico, un electrn que estaba en el nivel
absorbe esa energa y
igual a
pasa al nivel
tal como se aprecia en la figura 8-1(a). Esa situacin es inestable y el sistema busca el equilibrio
tiende rpidamente a perderla emitiendo un fotn de energa
para lo cual el electrn con energa
como se muestra enla figura 8.1(b); si el nico nivel al cual puede caer es el de energa , la energa
y ser exactamente la misma enega que absorbi en el proceso anterior. Hasta aqu la
del fotn valdr
emisin es espontnea, pero a diferencia de lo visto en otros dispositivos en donde las transiciones se producan
entre bandas y no entre niveles, las diferencias de energa aqu son precisas y las transiciones se producen
siempre entre los mismos valores, de manera que un fotn emitido, incide en su trnsito sobre otro tomo que
tiene un electrn excitado en el nivel
y sin perder su energa, puesto que no hay transferencia en este caso,
y el fotn que se emite ser tambin
induce a ese electrn a perder la suya, de modo que este cae al nivel
y estar en fase con el que lo estimul, como se puede ver en la figura 8.1(c)- Decimos que esa emisin es
estimulada, y lo notable es que todos los fotones emitidos de esta forma se suman en fase. En estas condiciones
esa luz se denomina coherente y es una luz monocromtica de mxima intensidad.
Figura 8.1 (a) un electrn en el nivel

nuevamente al nivel
absorbe un fotn y pasa al nivel
; (b) ese electrn cae
y emite espontneamente un fotn de la misma energa que absorbi en el proceso
anterior; (c) el fotn estimula la prdida de energa de otro electrn que est en el nivel
nivel
y que pasa al
emitiendo otro fotn idntico al anterior y en fase con ste.

-184 -
Un dispositivo LASER contra esencialmente de una juntura p-n muy contaminada, fabricada con
semiconductores de banda directa. Si por ese dispositivo se hace circular una corriente de valor normal para una
juntura, la emisin de luz tiene un espectro de frecuencias relativamente ancho, la luz es incoherente, y no se
produce el efecto lser; si seguimos aumentando el valor de esa corriente hasta un valor
denominado
corriente umbral, el efecto lser comienza a producirse y se emite una luz monocromtica; dicha luz puede
modularse fcilmente superponiendo una variacin alterna de corriente sobre la corriente continua de
polarizacin circulante, y como la juntura es muy contaminada, los tiempos de vida en este dispositivo son muy
cortos y su respuesta es muy rpida, lo que permite que el haz pueda modularse con muy alta frecuencia.
Figura 8.2 En (a, la emisin luminosa corresponde a la recombinacin de los excesos acumulados en las
zonas neutras vecinas a la de deplecin, en esta ltima zona la recombinacin es muy pequea debido a
que los portadores ese hallaban en trnsito; en (b) adems del proceso anterior, hay una gran
recombinacin de electrones y lagunas en equilibrio dentro de la zona de juntura, como consecuencia de la
inversin de la poblacin producida por la polarizacin externa, de valor mayor que la umbral
. Los
fotones emitidos en esta zona de inversin se hallan en fase entre s y dan lugar a una radiacin de luz
coherente.
Cuando la corriente es inferior a
, los electrones que se encuentran en la banda de conduccin de las regiones
neutras con posibilidad de caer hacia la banda de valencia emitiendo fotones, son excesos que se produjeron por
la polarizacin directa aplicada exteriormente. Esos electrones provinieron de la banda de valencia mediante un
proceso de generacin, y llegaron a la de conduccin ocupando en ella un nivel de energa cualquiera, que no
tiene porque ser el de fondo de dicha banda. Cuando esos electrones excitados, pierden su energa, caen a la
banda de valencia desde distinta altura y por consiguiente los fotones emitidos sern diferentes, de donde la luz
tendr una longitud de onda que queda determinada por la altura de la banda prohibida, con una cierta dispersin
que depender de la altura de las bandas de conduccin y de valencia.
Dentro de la zona de juntura, los electrones y lagunas estn en trnsito de manera que la probabilidad de
recombinacin es escasa debido al poco tiempo que permanecen dentro de la zona de deplecin, la emisin de
luz proveniente de esa recombinacin es despreciable.
-185 -
En la figura 8.2(a), se muestra el diagrama de energas de una juntura p-n de GaAs altamente contaminada, de
manera que el nivel de Fermi se encuentra dentro de la banda de valencia en el material tipo p y de la de
conduccin en el tipo n; con moderada polarizacin directa, los excesos de electrones y de lagunas de las
regiones neutras se recombinan, de manera que los electrones que estn en las bandas de conduccin caen hacia
la banda de valencia, mediante un proceso idntico al analizado en correspondencia con el estudio de los LEDs.
La luz que representa la luz emitida, pudindose ver que dicha emisin es mayor en la zonas neutras que en la de
juntura.
En la figura 8.2 (b) se puede ver a la misma juntura con una polarizacin directa
mucho mayor; la corriente
ahora ha superado el valor umbral
y podemos notar que por efecto de dicha polarizacin, las bandas de
conduccin y de valencia penetran hacia la zona de juntura, de manera que en el interior de dicha zona de
deplecin, habr electrones en niveles elevados de energa, que encuentran en niveles menores, estados
permitidos vacos hacia los cuales caer. La recombinacin de los portadores en trnsito seguir siendo
despreciable, pero los electrones, que no son excesos sino que son los que estn normalmente en gran cantidad
en la banda de conduccin, caern masivamente hacia la de valencia, dando lugar a una emisin muy intensa de
luz. De cualquier forma, eso no nos asegura que la luz sea coherente, pero como los electrones estn ya en
equilibrio dentro de la banda de conduccin, se encontrarn ocupando el menor valor de energa posible, es decir
el fondo de dicha banda, y caern hacia la de valencia siempre desde el mismo nivel, de manera que los
electrones que pierden energa lo hacen todos exactamente desde
hasta
, y en consecuencia los fotones
emitidos tendrn todos la misma energa, lo que posibilita que se produzca el proceso de emisin estimulada. El
diagrama de emisin de luz en este caso, es mximo en la zona de juntura pero abarca tambin las zonas neutras
vecinas. A ese fenmeno mediante el cual tenemos electrones en condicin de recombinarse sin haber adquirido
previamente energa, se denomina inversin de la poblacin.
Esta es una imagen simplificada del proceso de lasificacin, puesto que si bien la emisin de luz coherente tiene
lugar en las zonas en que se invirti la poblacin, en el resto de la juntura sigue habiendo transiciones
espontneas que dan lugar a emisin de luz incoherente; en lo que sigue, trataremos de ver de qu manera lo
evitamos, produciendo lo que se llama confinamiento de electrones. Para esto tendramos que lograr que los
electrones en condicin de recombinarse, estuvieran todos en la zona de inversin, de manera que no haya otra
emisin que la estimulada.
10.20 Estructura bsica de un lser de juntura
El diodo LASER de juntura p-n de GaAs descripto en el punto anterior, concentra toda la emisin de luz en la
zona de juntura y en las zonas neutras vecinas, por lo tanto la luz no podra salir al exterior del dispositivo a
travs de una de las regiones neutras, como vimos suceda en el LED, porque la absorcin producida por dichas
zonas sera muy grande. La forma ideal de extraer luz del dispositivo, sera a travs de las caras laterales de la
pastilla, haciendo que la luz se desplace a lo largo de la regin de deplecin; de esta manera, todas las
transiciones estimuladas producidas dentro de la zona de juntura se iran sumando y saldran al exterior, junto
con las transiciones espontneas que se produjeran en las zonas neutras vecinas.
Hay sin embargo un problema, si la superficie lateral de la pastilla, que va a ser aquella desde la cual la luz
coherente sale al exterior no es tratada adecuadamente, dicha emisin es absorbida en su casi totalidad cuando
pasa al medio semiconductor al aire. En la figura 8.3 se muestra una estructura bsica de un lser de juntura,
formando lo que se denomina cavidad de Fabry-Perot.
-186 -
Figura 8.3 Estructura de una juntura lser en la forma de una cavidad de Fabry-Perot. Sobre las caras
pticamente pulidas, se produce la radiacin de luz coherente.
La pastilla se la fabrica por crecimiento epitaxial, y a continuacin se la corta de manera que dos caras
perpendiculares a la juntura y opuestas entre s, queden perfectamente paralelas y pulidas a espejo; las otras dos
caras se mantienen lo ms rugosas posible, cuando se aplica entre las caras superior e inferior una polarizacin
directa de valor lo suficientemente grande como para que se supere la corriente umbral
, se produce una
emisin estimulada. La luz emitida no puede pasar a travs de las regiones neutras tipo n y tipo p debido a que
su espesor es grande y es absorbida totalmente, pero si puede salir al exterior en forma lateral a la pastilla por la
misma zona de juntura. Las caras rugosas impiden el paso de la luz, mientras que las caras pulidas forma con el
aire que lo rodea un sistema tal, que la casi totalidad de los fotones componentes de la luz producida se refracta y
sale al exterior y una mnima parte de las mismas es reflejada hacia el interior. Esos pocos fotones que rebotan
en la superficie tienen exactamente la energa
, y estimulan la recombinacin de los electrones que forman la
poblacin invertida de la zona de juntura, dando lugar a fotones todos de la misma energa y en fase. Los
mismos se dirigen hacia las caras pulidas en donde una parte sale al exterior y algunos se reflejan estimulando
nuevas emisiones. El proceso contina, en tanto mantengamos la polarizacin directa necesaria para que se
mantenga invertida la poblacin de portadores dentro de la zona de deplecin. Obviamente, si pulimos una sola
cara y dejamos a las otras tres rugosas, la luz coherente saldr al exterior a travs de la nica cara pulida.
10.21 Materiales semiconductores utilizados
Pare el manejo de la informacin, debemos considerar tres longitudes de onda de particular inters. La primera
de alrededor de
, para la cual se utiliza una hererojuntura
como fuente de luz y un
fotodiodo de Si simple o de avalancha como detector, esta frecuencia, tiene la ventaja de la simplicidad de los
dispositivos utilizados, pero la desventaja de que la fibra ptica tiene grandes prdidas en esa longitud de onda.
Aumentando hasta aproximadamente
, las prdidas en la fibra se reducen a un valor de
y
aumentando an ms la longitud de onda hasta
, las prdidas caen a
. Para estas dos ltimas
longitudes de onda, se utiliza tanto para el emisor como para el detector, compuestos ternarios y cuaternarios de
los grupos III y V.
Todos los materiales utilizados para producir el efecto lser, son en la actualidad de banda directa. En estas
condiciones las transiciones son siempre radiantes puesto que no requieren movilizar cantidad de movimiento.
-187 -

El GaAs es el compuesto ms utilizado, pero para que el efecto lser se produzca, se requiere que por el
dispositivo circule una corriente directa de gran magnitud, eso implica que debemos disipar potencias muy altas
y no podamos, en consecuencia, trabajar en forma continua debido a la elevada temperatura que adquirira el
dispositivo en estas condiciones; se mejora la situacin con la utilizacin de compuestos ternarios, como el
que viramos en la fabricacin de LEDs y que se utilizan tambin para el LASER; y
y
.
compuestos cuaternarios de los cuales los dos ms importantes son el
Los dispositivos fabricados con estos materiales requieren menores corrientes para su funcionamiento y por
consiguiente pueden trabajar en forma continua.
El dispositivo se mejora substancialmente mediante utilizacin de heterojunturas, las cuales, para tener una
cantidad de trampas despreciables, deben tener los retculos cristalinos lo ms parecidos posible a fin de que se
ajusten adecuadamente entre s. Si utilizamos GaAs como sustrato que tiene una celda cristalina con constante a
5,6533 debemos hacer crecer
sobre l y en este caso el desajuste es menor del 0,1% y no afecta.
De la misma forma, si el sustrato es InP con a 5,8686 , aplicando sobre dicho sustrato
podemos tener tambin una adaptacin casi perfecta de las redes cristalinas.
10.22 Laser de doble hererojuntura (dh)

El dispositivo lser de homojuntura de GaAs visto en un punto anterior, tiene dos desventajas, una de ellas es el
alto valor de la corriente umbral requerida para que el efecto se produzca, el valor tpico de la densidad de
corriente umbral
es, a temperatura ambiente, de
ese valor tpico es demasiado alto y obliga a
trabajar en forma discontinua para que pueda disiparse adecuadamente el calor generado en la juntura por esa
gran corriente; la otra desventaja, es que la luz generada en la zona de juntura, que es luz coherente, se mezcla
con la generada en las zonas neutras por recombinacin de los excesos de portadores. En la figura 8.2(b) se
muestra el diagrama de emisin luminosa, pudindose observar que la misma tiene su mxima intensidad en la
zona de juntura, pero que adems penetra hacia las regiones neutras.
Para reducir el valor de la densidad de corriente umbral y favorecer la emisin de solamente luz coherente, se
construye mediante tcnica epitaxial, una doble hererojuntura
en donde la
primera es tipo p, la del medio de GaAs normalmente es intrnseca, aunque tambin puede ser tipo n o tipo p y
la tercer tipo n. La altura de la banda prohibida del compuesto ternario es mayor que la del GaAs, lo que permite,
segn vernos, obtener un confinamiento de portadores en la regin central que posibilita la emisin estimulada,
sin necesidad de que los materiales tengan tan alta contaminacin como para que se comporten como
semimetales. Esos distintos materiales no solamente tienen diferentes valores de la altura de banda prohibida,
sino que tambin tienen distintos indicies de refraccin, lo que, segn vernos, adems de confinar a los
portadores permiten confinar tambin la luz emitida en la zona activa de GaAs. Para incrementar an ms la
diferencia en los valores de los ndices de difraccin, a las dos regiones extremas de compuesto ternario
se las contamina ms que a la regin central de GaAs. Esta mayor contaminacin no es tan elevada
como para modificar el comportamiento semiconductor de dichas zonas.
En la figura 8.4(a) se muestran las tres zonas componentes de la hererojuntura aisladas entre s y en la (b) a la
mencionada doble hererojuntura en equilibrio trmico, es decir, con un nico nivel de Fermi para toda la pastilla;
en (c) de la misma figura se ve a la misma juntura son una polarizacin directa V aplicada entre sus extremos.
-188 -
Figura 8.4 Doble hererojuntura

.
(a) Considerando las tres zonas
aisladas, (b) en equilibrio trmico,
(c)
con
polarizacin
directa
vemos como los
electrones provenientes de la zona 1
y las lagunas de la 3 se acumulan en
la zona 2 de ancho d (confinamiento
de portadores); (d) ndices de
refraccin en las distintas zonas y e
diagrama de emisin de luz
(confinamiento ptico) tambin en la
zona.
Puede apreciarse que entre la primer zona de
tipo p y la segunda de GaAs, se establece una
diferencia de potencial de juntura, que eleva a la segunda zona con respecto a la primera dando lugar a la
aparicin de un salto de energa
tanto en la banda de conduccin como de valencia. Este salto de energa
favorece la inyeccin de lagunas mayoritarias de la regin tipo p a la n, y reduce la inyeccin de electrones desde
la n hacia la p.
A la derecha de la regin central se encuentra otra regin formada por
tensin de polarizacin externa provoca una diferencia de energa
mismo orden que la
en este caso tipo n. La
entre la regin intrnseca y la tipo n, del
existente entre la tipo p y la intrnseca. Puede verse que el salto de energaexistente
entre ambos materiales de distinta altura de banda prohibida, frena el pasaje de lagunas hacia la derecha lo que
-189 -

hace que las mismas queden confinadas en la regin central. Otro tanto sucede con los electrones que pueden
pasar fcilmente desde la regin derecha hacia la central, pero que quedan confinadas en esta zona. Este efecto
es el denominado confinadamente de portadores.
La concentracin de portadores, electrones y lagunas, en la regin central se mantiene permanentemente dado
que la cantidad que se pierde por recombinacin entre ellos, es inmediatamente repuesta por la inyeccin de
portadores mayoritarios desde las dos regiones extremas. La emisin de luz que se produce en la zona central es
estimulada y da lugar a una iluminacin muy intensa de luz coherente. La hererojuntura es fabricada en forma
de cavidad de Fabry-Perot .
10.23 Confinamiento de la luz
Vimos recientemente, que por medio de una doble hererojuntura podemos confinar a los portadores dentro de
una zona denominada zona activa, que es aquella en la cual se producen las transiciones estimuladas que dan
lugar a la emisin de luz coherente; no obstante, si parte de esa luz es absorbida por las regiones vecinas, el
rendimiento de la emisin se reduce notoriamente.
La utilizacin de la doble hererojuntura tiene, adems del efecto mencionado recientemente, otro sumamente
importante, como es lograr el confinamiento de la luz, de manera que la generada en la zona activa de GaAs no
pueda pasar a las vecinas de
, evitando de este modo que la misma sea absorbida en dichas zonas.
Si logramos esto, la luz, al no poder pasar hacia las otras zonas componentes de la juntura, solamente podr
desplazarse en sentido longitudinal dentro de la regin activa, como si esta fuera una gua de onda, favoreciendo
la salida de dicha luz al exterior a travs de las superficies pulidas de la cavidad de Fabry-Peroyt de la figura 8.3.
Para entender el proceso de confinamiento de la luz, consideramos dos medios fsicos diferente medio 1 y medio
2, con ndices de refraccin
, y un rayo de luz proveniente del medio 2 que llega a la superficie que
separa a ambos medios, con un ngulo de incidencia
con respecto a la normal a dicho plano; el rayo al pasar al
medio 1, se refracta, y emerge con un ngulo
tal como se puede ver en la figura 16-15(a). La relacin
que guardan entre s esos ngulos es:

(8-1)
Si incrementamos el ngulo de incidencia, cuando se supera un valor
denominado ngulo de incidencia crtico
que vale:
(8-2)
se produce la reflexin total, de manera que la luz se refleja con un ngulo
8.5(b).
como puede verse en la figura
-190 -
Figura 8.5 En (a), un rayo de luz pasa de un medio de ndice de refraccin
a otro
se refracta y
emerge con un ngulo mayor que el de incidencia; (b) reflexin total, cuando el ngulo de incidencia es
mayor que el crtico, en decir
Ubiqumonos dentro de la regin activa de la cavidad de Fabry-Perot de una homojuntura-n de GaAs. En una
homojuntura, la regin activa es la zona de deplecin, tal como mostrramos en la figura 8.2(b). Los ndices de
refraccin, tanto de la zona de juntura como de las zonas neutras son muy parecidos, y en este caso la aplicacin
de la expresin (8-2) dar un valor del ngulo de incidencia crtico de aproximadamente 90. Observando la
figura 8.5(b) vemos que solamente se reflejarn totalmente los rayos que inciden prcticamente paralelos al
plano que divide las regiones bajo estudio. Todos los dems se refractarn y pasarn a las regiones neutras, en
donde sern absorbidos. La radiacin coherente que llega a los extremos pulidos de la pastilla es menor que la
total producida, sin contar que una pequea parte de esa radiacin es reflejada hacia el interior.
Vamos a analizar a continuacin una cavidad de Fabry-Perot construida con una doble hererojuntura.
En la figura 8.6 se ha dibujado el corte de la mencionada cavidad, la que se halla constituida por una capa 1, de
tipo n; una capa 2 de GaAs que suponemos intrnseca, y una capa 3 de
tipo p. En la
figura 18.4(a) vimos que la altura de la banda prohibida de los compuestos ternarios que componen las capas1 y
3 es mayor que la del compuesto binario intermedio que forma la capa 2. Si llamamos respectivamente
a dichas alturas, se verificar que:
y el valor de los ndices de refraccin ser, en general, inversamente proporcional a la altura de las bandas
prohibidas, de manera que tendr que verificarse que:
La representacin de los valores relativos de los ndices de refraccin de las zonas que componen la doble
hererojuntura en cuestin, se muestra en la figura 8-4(d).
De acuerdo con esta relacin, la regin activa central tiene un ndice de refraccin
mayor que sus vecinas
inactivas, que en el caso que estamos tratando es del orden del 10%. Si reemplazamos los valores de los ndices
. De esta forma, los
de refraccin en la expresin (8-2), obtenemos un ngulo de incidencia crtico
fotones emitidos en la zona activa y que chocan contra los planos que dividen a esa zona de sus vecinas con un
-191 -

ngulo mayor de 64, que son prcticamente todos, se reflejan totalmente, de manera que la luz quedar
confinada a la regin activa que se comporta como una gua de ondas. Lo dicho se aprecia en la figura 8.6.
Figura 8.6 Corte longitudinal de una cavidad de Fabry-Perot de doble hererojuntura. El GaAs que
corresponde a la zona activa del dispositivo tiene un mayor ndice de refraccin que sus vecinas y la luz
emitida, en consecuencia, se refleja totalmente. La zona intermedia, se comporta como una gua de ondas
y toda la luz se desplaza longitudinalmente saliendo al exterior a travs de las paredes pulidas de la
cavidad.
El diagrama de emisin de luz de la zona activa puede verse en la figura 8.4 (e), y toda esa emisin sale al
exterior a travs de las superficies espectaculares, con excepcin de una pequea parte que se refleja en esas
superficie y vuelve a producir otras transiciones estimuladas, todas en fase, y que darn una luz coherente de
gran intensidad.
La estructura bsica del lser de la figura 8.3 , presenta un rea de emisin muy grande, dado que la juntura
puede emitir hacia el exterior en todo al ancho de la pastilla, en la unin de sta con las caras pulidas de la
cavidad de Fabry-Perot. En los dispositivos prcticos, se limita la zona activa del dispositivo, a una estrecha
franj, de manera que la parte de la juntura que est en contacto con las zonas pulidas, es solamente una pequea
ventanita y la emisin de luz coherente se produce en forma de un haz muy fino.
-192 -
Figura 8.7 (a) Corte transversal de un lser de inyeccin de doble hererojuntura (DH) en la forma de una
cavidad de Fabry-Perot. El contacto inferior se ha reducido a una franja angosta por medio de dos capas
de xido que aslan al metal del semiconductor. (b) Vista del dispositivo. Se aprecia que el haz de luz
coherente es emitido por la parte de zona activa que queda encima de la franja conductora.
En la figura 8.7(a), se puede ver un corte de un lser de doble hererojuntura en donde la regin activa est
constituida por una fina capa de GaAs o bien de
, tipo n o tipo p indistintamente con x=0,1 lo que
generalmente con
difiere muy poco del GaAs, y las regiones que forman la hererojuntura son una de
x=0,3 contaminada con Ge para hacerla tipo p y del otro lado un compuesto idntico contaminado con Sn Te
para hacerla tipo n.
La mentalizacin superior abarca toda la superficie de la pastilla y constituye el contacto negativo de la
polarizacin externa del dispositivo, la metalizacin inferior, que constituye el contacto positivo, solamente toca
el semiconductor en un franja de 10 o 15
de ancho por todo el largo de la pastilla, siendo que el resto de la
superficie est cubierta por una capa de xido que oficia de aislante. Esta faja de contacto limita la superficie
emisora de la zona activa, pues solamente se excitarn los electrones que se encuentren en el paso de la corriente
circulante entre los contactos del dispositivo. En realidad, la faja emisora de la regin activa es un poco ms
ancha que la faja de contacto, debido a la dispersin que sufre la corriente cuando circule entre los contactos
positivo y negativo. Para disipar el calor generado durante la operacin, la pastilla se monta con la angosta faja
conductora hacia abajo, apoyada sobre un disipador de calor, constituido por cobre o algn otro material de
mayor conductividad trmica. En la figura 8.7(b) se muestra una vista del mismo dispositivo.
10.24 Lser con confinamientos diferenciados

En el lser de doble hererojuntura (DH) el confinamiento de los portadores producido por la barrera de energa
de las bandas prohibidas de gran altura que rodean a la regin activa, y el confinamiento ptico provisto por la
abrupta reduccin de los ndices de refraccin fuera de la regin activa, se producen en la misma zona, de
manera que ambas regiones tienen el mismo espesor; en lo que sigue, analizaremos algunas heterojunturas que
permiten diferenciar los valores del ancho de la zona de confinamiento de portadores, que la llamaremos d, de la
de confinamiento ptico que llamaremos W. Esto en s aparece como una contradiccin, puesto que cuando
analizamos la homojuntura de GaAs vimos que el diagrama de luz era ms ancho que la zona de juntura en la
cual se confinaban los portadores y comentamos eso como una dificultad.
Lo que all suceda, era que el diagrama de emisin no corresponda totalmente a la luz emitida por la zona
activa de transiciones estimuladas, sino que las partes que excedan a la zona de juntura, representaban la luz
producida por las transiciones espontneas de la regin de juntura que no eran coherentes y que por lo tanto
perjudicaban el espectro de emisin del dispositivo. Cuando se habla de confinamiento ptico, se refiere
exclusivamente al diagrama de emisin producido por la zona activa y correspondern, en consecuencia, a
emisin de luz coherente. Lo que vamos a ver a continuacin, es la posibilidad de tener una zona de
confinamiento ptico de ancho W y una de confinamiento de portadores de ancho d, de manera que W>d. La luz
es toda emitida por la zona activa y por consiguiente coherente, y el mayor ancho del haz, posibilita entregar
mayor cantidad de luz y consecuentemente obtener mayor potencia de salida.
Existen varias configuraciones de lsers con heterojunturas que permitan obtener confinamientos diferenciados,
y todas ellas reciben el nombre de SCH (separate-confinement-heterostructure). No obstante, analizaremos
solamente una.
-193 -

La figura 8.8 muestra una heteroestructura lser de
confinamiento diferenciados; es decir, en una zona
se confinan los portadores y en otra a la luz. Se
halla representadas en dicha figura las alturas de
bandas prohibidas, los ndices de refraccin y la
intensidad de luz perpendicular al plano de juntura.
El salto de
entre el GaAs y el
es
suficiente para confinar a los portadores dentro del
GaAs en una capa de espesor d, pero la diferencia en
los valores de , no alcanzan para confinar a la luz.
No obstante, las mayores diferencias en los ndices
y el
de refraccin entre el
confinan la luz y de esta forma provee una gua de
onda de ancho W. Tal estructura requiere para
funcionar un bajo valor de la densidad de corriente,
, y permite obtener potencias de
salida bastante grandes y con un haz de luz
divergente
relativamente
estrecho.
Esta
heteroestructura, tiene la forma constructiva
mostrada en la figura 8.7, con la zona activa
reducida a una estrecha franja emisora
Figura 8.8. Dispositivo SCH (a) diagramas de energa de las distintas capas en el supuesto de que las
mismas se hallen aisladas; (b) los ismos materiales constituyendo una triple heterojuntura en equilibrio
trmico; (c). dem polarizado en sentido directo, (d) representacin de los ndices de refraccin de cada
zona. Puede apreciarse que el confinamiento de portadores y el de la luz se producen en zonas diferentes.
-194 -
10.24 Ms cerca del uso prctico de diodos lser elctricos de plstico

Los diodos lser convencionales, energizados elctricamente, utilizados en productos de consumo cotidiano
como los lectores de DVD, estn basados en materiales semiconductores inorgnicos como el arseniuro de galio,
el nitruro de galio y otras aleaciones relacionadas. El trmino "semiconductor" describe la capacidad del material
de conducir una corriente elctrica, y sus caractersticas estn entre las de un conductor metlico y un aislante.
En el caso de un diodo lser, la corriente comprende cargas positivas y negativas que se combinan dentro del
material y producen la luz inicial exigida para empezar el proceso por el que se generan rayos lser. Si la luz
inicial puede ser forzada a atravesar de un lado a otro el material semiconductor muchas veces, de modo que se
amplifique su intensidad en cada paso, entonces despus de un corto tiempo surge un haz de luz lser
espectralmente estrecho, intenso y direccional.
Las ltimas dos dcadas han visto espectaculares desarrollos en nuevos semiconductores basados en molculas
orgnicas, incluso una clase especial de plsticos. Se han desarrollado con xito muchos importantes dispositivos
basados en tales plsticos, incluyendo diodos emisores de luz para pantallas y alumbrado, transistores de Efecto
Campo para circuitos elctricos, y fotodiodos para la conversin de energa solar y la deteccin de luz. Sin
embargo, a pesar de una dcada de investigacin mundial, los diodos lser de plstico seguan siendo el nico
tipo importante de dispositivo que todava no haba sido producido con xito.
Uno de los principales obstculos era que, hasta ahora, se consideraba generalmente que los diodos lser de
plstico semiconductor seran imposibles de producir porque los cientficos no haban encontrado o desarrollado
tipo alguno de plstico que pudiera conducir una corriente lo bastante grande y tambin permitiera la eficaz
emisin de luz necesaria para producir un haz lser.
Ahora, un equipo de fsicos del Imperial College de Londres ha hecho justo eso. Los plsticos estudiados,
sintetizados por la compaa qumica Sumitomo, de Japn, estn estrechamente relacionados con el PFO, un
conocido material que emite luz azul. Haciendo sutiles cambios en la estructura qumica del plstico, los
investigadores han producido un material que transporta las cargas 200 veces mejor que antes, sin comprometer
su capacidad de emitir con eficacia la luz.
10.25 Los diodos laser utilizados en los pick up de cds
Desde que apareci en el mercado el instrumento LASERCheck, la tarea de medir la potencia de emisin de los
diodos lser utilizados en pick up pticos de sistemas tipo CD se ha facilitado mucho, ya que con slo interceptar
el rayo lser emitido en busca de un disco (aunque la bandeja portadisco est vaca, el sistema de control realiza
una rutina de bsqueda de disco cada vez que ingresa la bandeja) con el sensor de mano del instrumento, se
obtiene una magnitud que, comparada con la que debera tener siendo una unidad nueva, permite evaluar el
estado de desgaste y las posibilidades de funcionamiento del pick up. Sin embargo, en algunas ocasiones no es
posible ubicar al sensor de forma que intercepte fcilmente el rayo lser para tomar una lectura.
En efecto, un diseo mecnico complicado que no deje a simple vista el pick up, o bien que el equipo, en ocasin
de ser presupuestado, no est en condiciones de funcionar por s mismo, impedirn que haya emisin lser para
medir y evaluar. Por ello se hace interesante contar con una forma de excitar, por nuestros propios medios y en
forma controlada, a cualquier diodo lser con el objeto de poder medirlo. El instrumento LASERCheck LPM1500 cuenta con ambas funciones en forma independiente: a) medir potencia de emisin lser; b) excitar diodos
lser. La funcin de medir no tiene complicaciones: realmente es muy sencillo, como decamos al principio del
artculo. La funcin de excitar diodos lser merece muchas consideraciones a tener en cuenta, principalmente por
la seguridad del usuario que efecta la medicin y del dispositivo a medir. Los fabricantes de pticas lser para
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CD no proporcionan informacin que pueda usarse para excitar los diodos lser que estas incluyen. Por lo tanto,
toda forma de excitacin externa queda actualmente en el campo de la experimentacin.
Existen numerosos tipos de diodos lser, y una descripcin exhaustiva de los diferentes modelos existentes en el
mercado mundial sera muy extensa, quedando fuera de los alcances de este artculo. La gran mayora de los
diodos lser poseen, aparte del diodo emisor propiamente dicho, un fotodiodo, que cumple la funcin de
monitorear internamente la magnitud de la emisin lser y servir de lazo de realimentacin para circuitos
reguladores de corriente, encontrndose ambos dispositivos dentro del mismo encapsulado. Suelen tener tres
terminales y compartir un terminal comn, adoptando cualquiera de las cuatro configuraciones de la Figura 8.9.
La configuracin IV parece ser actualmente la ms utilizada en los bloques pticos de CD, pero en cada caso es
fundamental cerciorarse de ello.
Figura 8.9 Configuracion de un diodo laser en un pick up

Para determinar cul es el nodo y ctodo del diodo lser (Lser Diode, o LD) y del fotodiodo (Photo Diode, o
PD) y conocer por tanto la configuracin interna, existen al menos tres mtodos, a saber:
10.25.1 Ventajas del diodo lser con un diodo led:
Un diodo LED emite fotones en muchas direcciones.
Un diodo lser, en cambio, consigue realizar un guiado de la luz preferencial una sola direccin.
La emisin de luz lser es monocromtica:

Los fotones emitidos por un lser poseen longitudes de onda muy cercanas entre s. En cambio, en la luz emitida
por diodos LED, existen fotones con mayores dispersiones en cuanto a las longitudes de onda.
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Con el lser se pueden conseguir rayos de luz monocromtica dirigidos en una direccin determinada. Como
adems tambin puede controlarse la potencia emitida, el lser resulta un dispositivo ideal para aquellas
operaciones en las que sea necesario entregar energa con precisin.
10.26 Composicion quimica de un diodo lser de estado slido:
El funcionamiento del diodo lser lo determinan su composicin qumica y su geometra. Todos los diodos son,
en esencia, estructuras de varias capas, formadas por varios tipos diferentes de material semiconductor. Los
materiales son contaminados con impurezas por medio de qumicos, para darles ya sea un exceso de electrones
(Tipo N) o un exceso de vacantes de electrones (Tipo P).
Los diodos lser que emiten en la regin 0.78 a 0.9 micrn, estn formados por capas de arseniuro de galio
(GaAs) y arseniuro de aluminio y galio (ALGaAs) desarrollado sobre un subestrato de GaAs. Los dispositivos
para longitud de onda mayor, que emiten a 1.3 a 1.67 micrones, se fabrican con capas de arseniuro fosfuro de
indio y galio (InGaASP) y fosfuro de indio (InP), desarrollado sobre un subestrato de InP.
La ilustracin muestra las caractersticas estructurales comunes a todos los diodos lser de onda continua (OC).
La base del diodo es un subestrato formado por GaAs o InP, tipo N, con alta impurificacin. Sobre la parte
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superior del subestrato, y a manera de descubrimiento, se desarrolla una capa plana ms ligera del mismo
material, Tipo N y con impurificacin. Sobre la capa de
recubrimiento tipo N se desarrolla una capa activa de semiconductor (AlGaAs o InGaAsP) sin impurificaciones.
Despus, sobre la capa activa de tipo P, con alto grado de impurificacin. Cuando pasa la corriente por los
contactos metlicos los electrones inyectados desde la capa tipo N y los huecos inyectados desde la capa tipo P
se recombinan en el rea activa delgada, y emiten luz. La luz viaja hacia atrs y hacia delante entre las facetas
parcialmente reflejantes de los extremos del diodo. La accin lasrica comienza al incrementarse la corriente. La
ganancia ptica en viaje redondo debe superar las prdidas debidas a absorcin y dispersin que se dan en la
capa activa, para sostener dicha accin.
Muchos diodos lser tienen una capa delgada de oxido, depositada sobre la parte superior de la capa de cubierta
final tipo P. En esta capa de oxido se hace un ataque qumico de manera que pueda formarse una cinta metlica
de contacto en receso de poca profundidad, longitudinalmente a lo largo de la superficie superior del diodo. El
ndice de refraccin de la capa activa es mayor que el del material tipo P y del material tipo N (las capas de
recubrimiento) que estn arriba y abajo de sta. Como resultado, la luz es atrapada en una gua dielctrica de
ondas formada por las dos capas de recubrimiento y la capa activa, y se propaga en ambas, la capa activa y las de
recubrimiento.
El haz de luz que emerge del diodo lser forma una elipse vertical (en seccin transversal), aunque la regin
lasrica es una elipse horizontal. La luz que se propaga dentro del diodo, se extiende hacia afuera en forma
transversal (verticalmente) desde las capas de recubrimiento superior e inferior.
Cuando el diodo est funcionando en el modo fundamental, el perfil de intensidad de su haz emitido en el plano
transversal, es una curva de Gauss de forma acampanada.
En el lser se amplifica la luz al viajar hacia atrs y hacia adelante en la direccin longitudinal, entre las facetas
de cristal de cada extremo del diodo. Los modos resonantes que se extienden en direccin perpendicular a la
unin PN, se llaman modos transversales. La inyeccin de electrones y huecos en la capa activa situada abajo de
la cinta metlica de contacto, altera el ndice de refraccin de la capa activa, y confina la luz lateralmente para
que no se disperse hacia afuera, hacia ambos lados del centro de la capa activa.
10.27 Aplicaciones:
Al igual que los fotodiodos, los diodos lser se emplean en el sistema de deteccin de los reproductores de
discos compactos CDS. La informacin de audio se graba digitalmente en estreo sobre la superficie de un disco
compacto en forma de hoyo y planos microscpicos. Un arreglo de lentes enfoca el haz lser del diodo
sobre la superficie del CD. A medida que este gira, las lentes y el haz siguen la pista bajo control de un
servomotor. La luz del lser, que es modificada por los hoyos y planos de la pista grabada, es reflejada desde la
pista de vuelta a los fotodiodos infrarrojos a travs de lentes y del sistema ptico. Luego, la seal de los
fotodiodos es utilizada para reproducir el sonido grabado digitalmente. Los diodos lser que emiten en la
regin 0.78 a 0.9 micrn, estn formados por capas de arseniuro de galio (GaAs) y arseniuro de aluminio y
galio (ALGaAs) desarrollado sobre un subestrato de GaAs. Los dispositivos para longitud de onda mayor,
que emiten a 1.3 a 1.67 micrones, se fabrican con capas de arseniuro fosfuro de indio y galio (InGaASP) y
fosfuro de indio (InP), desarrollado sobre un subestrato de InP. Un arreglo de lentes enfoca el haz lser del
diodo sobre la superficie del CD. A medida que este gira, las lentes y el haz siguen la pista bajo control de un
servomotor. La luz del lser, que es modificada por los hoyos y planos de la pista grabada, es reflejada desde la
pista de vuelta a los fotodiodos infrarrojos a travs de lentes y del sistema ptico. Luego, la seal de los
fotodiodos es utilizada para reproducir el sonido grabado digitalmente.Una comprobacin rpida del estado de
un diodo puede ser realizada por medio de un multmetro digital que posea la funcin Medicin de Diodos,
como
se
puede
observar
en
las
figura
superior.
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Se ha seleccionado por medio de la llave selectora la funcin Medicin de Diodos, luego se ha conectado la
punta positiva del multmetro al ANODO del diodo y la negativa al CATODO.
Al ser conectadas las puntas de esta forma, el diodo queda polarizado correctamente para conducir, por tener
aplicado el polo positivo de la fuente interna del multmetro al ANODO y el negativo de dicha fuente al
CATODO.
No olvidar que para que un diodo conduzca su ANODO debe ser ms positivo que el CATODO. En un diodo de
SILICIO (que son los que se estn tratando) la diferencia de potencial ANODO/CATODO para plena
conduccin debe ser de 0,6 volts.
Como se aprecia en la figura, dicho voltaje es el que se lee en el display del instrumento. Segn el tipo de diodo
de silicio medido, esa tensin estar comprendida entre 0,5 a 0,7 votls. Un multmetro digital dispuesto en la
funcin Comprobacin de Diodos NO ESTA MIDIENDO RESISTENCIAS, ESTA MIDIENDO VOLTAGE.
Hacemos este comentario ya que es muy frecuente escuchar que erroneamente se cree que al medir un diodo con
multmetro digital, dispuesto en la funcin Comprobacin de Diodos, se est midiendo la resistencia de juntura
en el sentido de conduccin y no la caida de tensin sobre la misma, que es realmente lo que se est midiendo.
Todo diodo que al ser comprobado utilizando este sistema arroje un valor de tensin comprendido entre 0,5 y 0,7
volts, puede ser considerado en buen estado por lo que hace al estado de su juntura al ser polarizada en el sentido
directo o de conduccin.
Se observa en la figura que se han invertido las conexiones de las puntas del multmetro, o sea que la punta
positiva se ha conectado al CATODO y la negativa al ANODO. Ahora la juntura del diodo ha sido polarizada
inversamente, por lo tanto el diodo no conduce y en el display no se presenta ninguna lectura vlida. En el caso
del multmetro utilizado en el ejemplo, el display presenta en este caso la lectura 1., en otros se presenta OL., etc.
Si alguna tensin es medida, por ejemplo 1,6 volts o 2,5 volts, no cabe ninguna duda que el diodo testeado tiene
fugas muy importantes en el sentido inverso de conduccin, del orden de los 10 Kohm a 15 Kohm.
Indudablemente
se
trata
de
un
diodo
defectuoso.
Fugas menores o sea que presenten una resistencia mayor, por ejemplo 30 Kohm, no seran detectadas utilizando
este mtodo. A pesar de todo un diodo con una resistencia de fuga de ese valor es un diodo deteriorado.
Los multmetros digitales utilizados como hmetros (funcin medicin de resistencias), no sirven para medir la
resistencia de juntura de un diodo en el sentido de conduccin y generalmente no son confiables o no sirven para
medir resistencia de fuga, conduccin en el sentido de polarizacin inversa.
Los multmetros analgicos prestan mejores posibilidades de comprobacin del estado de un diodo, tanto cuando
es medida su resistencia de juntura en el sentido de conduccin (polarizacin directa), como cuando se mide la
posible resistencia de fuga de dicha juntura (polarizacin inversa). Se entiende por multmetro analgico aquel
cuyas lecturas son indicadas por una aguja que se desplaza sobre distintas escalas.
Anteriormente, cuando se hizo referencia a la utilizacin de un multmetro digital, se explic que las puntas del
multmetro se conectaban positiva a nodo y negativa a ctodo para polarizar la juntura del diodo en el sentido
directo o de conduccin. Esto se debe a que cuando se selecciona en un multmetro digital la funciones
Comprobacin de Diodos o Medidor de Resistencias (hmetro), el POLO POSITIVO de la fuente interna del
multmetro (bateria), est conectado a traves de algun circuito interno del mismo a la PUNTA POSITIVA y el
POLO NEGATIVO de dicha fuente est conectado a la PUNTA NEGATIVA.
En los multmetros analgicos cuando se selecciona alguna de las escalas de la funcin Medicin de Resistencias
(hmetro), el POLO POSITIVO de la fuente interna (bateria o conjunto de pilas), est conectado a traves de un
circuito interno a la PUNTA NEGATIVA y POLO NEGATIVO de dicha fuente est conectado a la PUNTA
POSITIVA.
Para medir con un multmetro analgico la resistencia de juntura de un diodo en el sentido de conduccin,
primero se debe seleccionar preferentemente la escala de resistencias Rx100. A continuacin conectar entre s las
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Puntas Positiva y Negativa del multmetro y ajustar la aguja a fondo de escala (indicacin de 0 ohms), por medio
del control de ajuste de cero.
Luego conectar la PUNTA POSITIVA al CATODO del diodo y la PUNTA NEGATIVA al ANODO del
mismo.Una lectura de 500 a 600 ohms es normal para diodos de pequea y media potencia. En diodos de mayor
potencia como los utilizados en alternadores de automotores, dicha resistencia es algo menor, alrededor de 400
ohms.
Para comprobar si el diodo tiene fugas de corriente en el sentido inverso al de conduccin (Polarizacin
Inversa)se debe proceder de la forma siguiente:
Seleccionar la escala de resistencias de 10 Kohm.
Unir las puntas Positiva y Negativa del multmetro y ajustar la aguja a fondo de escala (indicacin de 0 ohm) por
medio del control de ajuste de cero.
Conectar luego la PUNTA POSITIVA del multmetro al ANODO del diodo y la PUNTA NEGATIVA al
CATODO del mismo.
Al conectar las puntas del multmetro como se indica, observe que el diodo a quedado polarizado inversamente,
por lo tanto no deberia conducir. En la prctica no es as, pero cuanto ms alta sea la resistencia medida, ms
seguro se puede estar de las buenas condiciones del componente bajo prueba.
Los diodos de silicio muestran elevada resistencia de fuga que puede llegar hasta 1000 megohms. Un valor
normal en diodos de potencia para alternadores de automotores en buen estado es de 10 a 20 megaohms.
El lector de discos compactos
Una de las muchas aplicaciones de los diodos lser es la de lectura de informacin digital de soportes de datos
tipo CD-ROM o la reproduccin de discos compactos musicales. El principio de operacin de uno y otro es
idntico.
Un haz lser es guiado mediante lentes hasta la superficie del CD. A efectos prcticos, se puede suponer dicha
superficie formada por zonas reflectantes y zonas absorbentes de luz. Al incidir el haz lser en una zona
reflectante, la luz ser guiada hasta un detector de luz: el sistema ha detectado un uno digital. Si el haz no es
reflejado, al detector no le llega ninguna luz: el sistema ha detectado un cero digital.
Un conjunto de unos y ceros es una informacin digital, que puede ser convertida en informacin analgica en
un convertidor digital-analgico. Pero esa es otra historia que debe de ser contada en otra ocasin.
10.27.1 Display de cristal liquido (lcds):
Los LCDs difieren de otros tipos de displays en que no generan luz sino que trabajan con la reflexin de la luz.
El principio de funcionamiento es sencillo. Estos cristales lquidos estn formados por unas molculas alargadas
con forma de puro, que se llaman molculas nemticas y se alinean con una estructura simtrica.
En este estado el material es transparente. Un campo elctrico provoca que las molculas se desalinien de
manera que se vuelven opacas a la luz. De esta manera, aplicando o no aplicando un campo elctrico (es decir,
polarizando o no polarizando), podemos jugar con oscuridad o transparencia respectivamente. Si aplicamos el
campo localmente en geometras iguales al display de 7 segmentos, conseguiremos un display anlogo al de los
LEDs pero con cristal lquido.
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Figura 8: Esquema constructivo de un LCD

En la construccin de un LCD se depositan electrodos transparentes en la cara interior de los cristales, tal y como
aparece en la figura superior. Estos electrodos tienen la geometra deseada, por ejemplo, el display de 7
segmentos. El espesor del cristal lquido es muy pequeo, del orden de 0.01mm.
Ya tenemos nuestro invento preparado. Si no se polarizan los terminales, al incidir la luz sobre el cristal frontal,
pasa a travs del cristal lquido y es reflejada por el espejo incidiendo en el ojo que est mirando. El resultado:
todo se ve de color claro.
Si polarizamos un electrodo, por ejemplo, el electrodo a, el cristal lquido pegado al electrodo se vuelve opaco,
negro, oscuro. La luz ya no es reflejada.
Caractersticas elctricas del LCD
Desde el punto de vista elctrico, se puede representar el LCD como una capacidad de valor muy pequeo en
paralelo con una resistencia muy grande.
Figura 9: Circuito equivalente de un LCD.

Se necesita una seal pequea en AC de 3 a 7 voltios para polarizar el LCD. Tensiones mayores romperan la
fina capa de cristal lquido. La frecuencia de la tensin puede variar entre 30 y 50 Hz. Frecuencias ms bajas
producen un efecto de parpadeo, frecuencias ms altas producen un aumento del consumo.
Los diodos lser utilizados en los pick up de CD:
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forma controlada, a cualquier diodo lser con el objeto de poder medirlo. El instrumento LASERCheck LPM1500 cuenta con ambas funciones en forma independiente: a) medir potencia de emisin lser; b) excitar diodos
lser. La funcin de medir no tiene complicaciones: realmente es muy sencillo, como decamos al principio del
artculo. La funcin de excitar diodos lser merece muchas consideraciones a tener en cuenta, principalmente por
la seguridad del usuario que efecta la medicin y del dispositivo a medir. Los fabricantes de pticas lser para
CD no proporcionan informacin que pueda usarse para excitar los diodos lser que estas incluyen. Por lo tanto,
toda forma de excitacin externa queda actualmente en el campo de la experimentacin. En efecto, un diseo
mecnico complicado que no deje a simple vista el pick up, o bien que el equipo, en ocasin de ser
presupuestado, no est en condiciones de funcionar por s mismo, impedirn que haya emisin lser para medir y
evaluar. Por ello se hace interesante contar con una forma de excitar, por nuestros propios medios y en forma
controlada, a cualquier diodo lser con el objeto de poder medirlo.
reguladores de corriente, encontrndose ambos dispositivos dentro del mismo encapsulado. Suelen tener tres
terminales y compartir un terminal comn, adoptando cualquiera de las cuatro configuraciones de la Figura 1. La
configuracin IV parece ser actualmente la ms utilizada en los bloques pticos de CD, pero en cada caso es
fundamental cerciorarse de ello.
El rayo lser se emplea en el proceso de fabricacin de grabar o marcar metales, plsticos y vidrio. Otros usos
son:
Diodos lser, usados en punteros lser, impresoras laser, y reproductores de CD, DVD, Blu-Ray, HD-DVD;
Lser de punto cuntico
Lser de dixido de carbono - usado en industria para corte y soldado
Lser Excimer, que produce luz ultravioleta y se utiliza en la fabricacin de semiconductores y en la ciruga
ocular Lasik;
Lser neodimio-YAG, un lser de alto poder que opera con luz infrarroja; se utiliza para cortar, soldar y marcar
metales y otros materiales.
YAG dopado con erbio, 1645 nm
YAG dopado con tulio, 2015 nm
YAG dopado con holmio, 2090 nm, un lser de alto poder que opera con luz infrarroja, es absorbido de manera
explosiva por tejidos impregnados de humedad en secciones de menos de un milmetro de espesor.
Generalmente opera en modo pulsante y pasa a travs de dispositivos quirrgicos de fibra ptica. Se utiliza para
quitar manchas de los dientes, vaporizar tumores cancergenos y deshacer clculos renales y vesiculares.
Lser de Zafiro dopado con Titanio, es un lser infrarrojo fcilmente sintonizable que se utiliza en
espectroscopa.
Lser de fibra dopada con erbio, un tipo de lser formado de una fibra ptica especialmente fabricada, que se
utiliza como amplificador para comunicaciones pticas.
Lser de colorante, formados por un colorante orgnico operan en el UV-VIS de modo pulsado, usados en
espectroscopia por su fcil sintonizacin y su bajo precio.
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El lser de diodo, debido a su pequeo tamao y a su bajo coste econmico, es actualmente uno de los lseres
con ms predicamento en Odontologa. Las aplicaciones de este tipo de lser se relacionan con su efecto
bactericida, con indicaciones especficas en Periodoncia y Endodoncia. Tambin se utiliza en la ciruga de
tejidos blandos y para el blanqueamiento dental.
10.27.2 Endodoncia
Uno de los principales objetivos del tratamiento endodncico es dejar el conducto radicular libre de
microorganismos. Para ello se pueden utilizar diferentes sistemas de desinfeccin y el lser de diodo es uno de
ellos. No obstante se debe de tener precaucin con su uso a fin de prevenir el posible dao trmico generado por
el lser sobre el periodonto o el propio diente.
Moritz y cols hicieron un estudio in vitro en conductos radiculares con un lser de diodo, con una longitud de
onda de 810nm y trabajando a 2, 3 y 4W de potencia durante 50 segundos, y consiguieron una completa
eliminacin bacteriana cuando empleaban las potencias de 2 y 3W. Por otro lado Kreisler y cols compararon la
accin del hipoclorito sdico al 0,9% frente al hipoclorito sdico combinado con un lser de diodo con el fin de
conseguir la desinfeccin de los conductos radiculares. Emplearon una longitud de onda de 809nm y potencias
de 1W, 3W y 4,5W durante 60 segundos. Obtuvieron una reduccin bacteriana del 99,86% utilizando
conjuntamente el hipoclorito sdico y el lser a 3W de potencia. A pesar de estos datos, su conclusin es que el
lser de diodo no puede sustituir al hipoclorito sdico, pero ayuda a obtener mejores resultados.
10.27.3 Periodoncia
En los tratamientos periodontales se pretende obtener la eliminacin completa de todos los depsitos calcificados
y bacterianos que estn situados en las superficies radiculares7. La aplicacin de la tecnologa lser para el
control de las enfermedades periodontales est progresando rpidamente en los ltimos aos. Concretamente el
lser de diodo es relativamente nuevo en el tratamiento periodontal. Los procedimientos que se pueden hacer con
l son el curetaje de los tejidos blandos, el desbridamiento de las bolsas periodontales y todas las incisiones y
excisiones gingivales. Tambin tiene gran utilidad en la descontaminacin de las bolsas periodontales, ya que
consigue eliminar las bacterias anaerobias que contienen.
Moritz y cols efectuaron un estudio, en el cual aplicaban un lser de diodo de 805nm de longitud de onda a una
potencia de 2,5W, sobre las bolsas periodontales durante 3-4 segundos. Obtuvieron una reduccin de la
presencia de Actinobacillus actinomycetemcomitans de un 73,5% y de la Prevotella intermedia de un 85,3%.
Por otro lado Kreisler y cols utilizaron una longitud de onda de 810nm y una potencia de trabajo entre 0,5 y
2,5W, demostrando que potencias superiores a 1W producen carbonizacin parcial o total de la superficie
radicular. Observaron adems que se obtiene un adecuado efecto antibacteriano empleando este lser a 1W de
potenci.
10.27.4 Ciruga bucal
El lser de diodo es absorbido en menor medida por el agua, y se absorbe ms en profundidad que los lseres de
Er: YAG, Er:Cr:YSGG y de CO2. Esto permite que la ciruga de los tejidos blandos se pueda realizar en la
proximidad de los dientes. El uso del lser quirrgico de diodo sobre el hueso no est indicado, y por
consiguiente se deben tomar todas las precauciones posibles cuando se usa este lser en la proximidad del tejido
seo. El lser de diodo puede ser utilizado en la ciruga de los tejidos blandos, y est indicado para el corte de la
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enca y de la mucosa bucal, para obtener coagulacin en los procedimientos quirrgicos con excesivo sangrado y
para hacer el curetaje de tejidos blandos. Se deben tomar algunas precauciones cuando se emplea el modo de
emisin continuo porque genera un rpido aumento de la temperatura en los tejidos sobre los que se trabaja. Las
intervenciones quirrgicas que se pueden hacer con el lser de diodo son: gingivectoma, exresisbiopsia de
tejidos blandos, frenectomas y vestibuloplastias, etc. Se puede conseguir una adecuada hemostasia en las
lesiones superficiales de la mucosa bucal al desfocalizar el lser, aunque la hemostasia no es tan rpida como la
que se consigue con el lser de Argn. Su efecto hemosttico es mucho menor en comparacin con el lser de
CO2, por lo que solo nos ser til para realizar la exresis de lesiones superficiales y no ser recomendable para
efectuar la exresis de lesiones angiomatosas ni para hacer intervenciones quirrgicas en las que se prev que se
producir un sangrado profuso.
Figura 8.10 aplicacin del diodo laser para la realizacin de un operacin bucal
10.27.5 Implantologa
El hecho de que se haya postulado un efecto inhibitorio del lser de diodo sobre el crecimiento de las bacterias
presentes en las bolsas periodontales, fundamenta su indicacin en el tratamiento de la periimplantitis. En este
sentido, los estudios in vitro realizados por Romanos y cols y Hass y cols, en los que el lser de diodo fue
aplicado sobre las superficies dentaria e implantaria con una longitud de onda de 905 nm durante un minuto,
parecen conseguir aquel objetivo. Por otro lado, a pesar de que el contacto del haz de luz del lser con el
implante provoca un ligero aumento de la temperatura del mismo, el 80-90% de la radiacin es reflejada por su
superficie, por lo que no est demostrado que el posible fracaso del tratamiento implantolgico pueda ser debido
a la absorcin de la energa trmica emitida por este lser.
10.27.6 Blanqueamiento
El lser de diodo ha sido ampliamente comercializado para los procedimientos de blanqueamiento dental. La luz
del lser de diodo activa el gel del blanqueamiento dental (H2O2) produciendo su descomposicin qumica y
acelerando su penetracin en el esmalte. Sin embargo, la utilizacin del lser de diodo en este campo no reduce
la aparicin de sensibilidad dentinaria. La realidad es que no se obtienen mejores resultados estticos que con la
tcnica tradicional, pero tiene la ventaja de que disminuye el tiempo de tratamiento y por tanto es ms cmodo
para los pacientes.
A continuacin se presentara un esquema con los parmetros bsico que encontramos en los manuales de
semiconductores, es importante que para el uso de este tipo de dispositivos se tomen las debidas precauciones tal
como se especifica en sus hojas de caractersticas.
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Figura 8.11 La especificaciones para este

dispositivo indican que si se desea visualizar el
haz de luz proveniente del laser, se utilice uno
lentes de proteccin y que a su vez se utilice un
equipo adecuado para la manipulacin de este
tipo de seales.
10.28 Ejemplos:
10.28.1 El lector de discos compactos:
Una de las muchas aplicaciones de los diodos
lser es la de lectura de informacin digital de
soportes de datos tipo CD-ROM o la
reproduccin de discos compactos musicales. El
principio de operacin de uno y otro es idntico.
Lector de discos compactos

Esquema del funcionamiento del CD-ROM: Un haz lser es guiado mediante lentes hasta la superficie del CD. A
efectos prcticos, se puede suponer dicha superficie formada por zonas reflectantes y zonas absorbentes de luz.
Al incidir el haz lser en una zona reflectante, la luz ser guiada hasta un detector de luz: el sistema ha detectado
un uno digital. Si el haz no es reflejado, al detector no le llega ninguna luz: el sistema ha detectado un cero
digital.
Un conjunto de unos y ceros es una informacin digital, que puede ser convertida en informacin analgica en
un convertidor digital-analgico. Pero esa es otra historia que debe de ser contada en otra ocasin.
10.28.2 Los diodos lser utilizados en los pick up de CD:
forma controlada, a cualquier diodo lser con el objeto de poder medirlo.
El instrumento LASERCheck LPM-1500 cuenta con ambas funciones en forma independiente: a) medir potencia
de emisin lser; b) excitar diodos lser. La funcin de medir no tiene complicaciones: realmente es muy
sencillo, como decamos al principio del artculo. La funcin de excitar diodos lser merece muchas
consideraciones a tener en cuenta, principalmente por la seguridad del usuario que efecta la medicin y del
dispositivo a medir. Los fabricantes de pticas lser para CD no proporcionan informacin que pueda usarse
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para excitar los diodos lser que estas incluyen. Por lo tanto, toda forma de excitacin externa queda actualmente
en el campo de la experimentacin.
reguladores de corriente, encontrndose ambos dispositivos dentro del mismo encapsulado.
Suelen tener tres terminales y compartir un terminal comn, adoptando cualquiera de las cuatro configuraciones
de la Figura siguiente. La configuracin IV parece ser actualmente la ms utilizada en los bloques pticos de
CD, pero en cada caso es fundamental cerciorarse de ello.
10.29 Determinacin de la polaridad de un diodo lser:
Para determinar cul es el nodo y ctodo del diodo lser (Lser Diode, o LD) y del fotodiodo (Photo Diode, o
PD) y conocer por tanto la configuracin interna, existen al menos tres mtodos, a saber:
10.29.1 Reconocimiento visual de los dispositivos y de las conexiones internas:
Con un microscopio o binocular de laboratorio es posible examinar el interior del diodo lser y reconocer su
distribucin y conexiones en forma visual, observando a travs de la ventana por donde sale el rayo. Sin
embargo, este mtodo obligara a retirar del pick up al diodo lser. En ningn caso se recomienda extraer el
diodo lser del bloque ptico, pues ste viene ensamblado de fbrica con una ubicacin calibrada y precisa que
se debe respetar para mantener la funcionalidad de todo el conjunto.
10.29.2 Determinacin de los terminales nodo y ctodo con multmetro digital:
El procedimiento es igual que para los diodos comunes, colocando una de las puntas en el terminal comn y
tocando con la otra los restantes terminales, para luego repetir la operacin invirtiendo las puntas. Se recomienda
no utilizar un multmetro analgico porque su relativamente elevada corriente para estos dispositivos podra
daar al diodo lser. Tenga en cuenta que los diodos lser son muy sensibles a las cargas estticas, a la
sobrecorriente y a la polarizacin inversa, por lo que se recomienda tomar extremas precauciones de seguridad al
manipularlos. Una vez determinado el nodo y ctodo, slo resta conocer cul es el diodo lser LD y cul es el
fotodiodo PD. Esto es bastante sencillo, ya que habr notado que el voltaje en polarizacin directa de un
fotodiodo est en el orden de los 0.4 a 0.7 Voltios y en los diodos lser est en el orden de los 1.3 a 2.5 Voltios.
En la Figura 58 se aprecian lecturas reales arrojadas por un multmetro digital.
10.29.3 Deduccin por el conexionado y polarizacin externa del circuito de aplicacin:

Algunos modelos de diodos lser se manufacturan junto con los fotodiodos detectores de foco (focus) y
seguimiento (tracking), en los llamados arreglos (arrays), en cuyo caso la identificacin visual se complica. En
estos casos, puede determinarse la ubicacin de los pines del diodo lser realizando deducciones a partir de los
componentes externos del bloque ptico, siguiendo estas pautas conocidas:
Normalmente existe un capacitor (suele ser de tantalio, encapsulado SMD, del orden de 1F) conectado en
paralelo al diodo lser (LD). El terminal positivo del capacitor coincide con el nodo del diodo lser (LD).
Normalmente existe un resistor ajustable (preset) en serie con la salida del fotodiodo (PD).
Diodo lser (LD) y fotodiodo (PD) comparten un mismo terminal.
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El puente de proteccin electrosttica que se encuentra en algunos pick up (generalmente una gota de soldadura
de estao entre dos islas prximas de circuito impreso) est para mantener en cortocircuito al diodo lser. En
consecuencia, al retirar la gota de estao y abrir el puente, se obtienen sobre las dos islas los bornes del diodo
lser, facilitando la tarea.
En la siguiente figura se aprecia un bloque ptico KSM-440 de una consola de juegos PLAYSTATION
(SONY), en la que se ha determinado el patillaje del diodo lser mediante el mtodo 3.
Para evitar cualquier posibilidad de error en las conexiones, es una buena prctica dibujar sobre un papel la
configuracin que acaba de determinar, y ms aun, soldar un chicote de cable de diferente color a los terminales
que se usarn. Tenga presente que algunos diodos lser no soportan voltajes inversos, ni siquiera por una
millonsima de segundo. Por lo tanto, asegrese muy bien de polarizar el diodo lser en directa al primer intento.
El uso indebido del excitador (DRIVER) podra provocar daos permanentes en pick up o diodos lser si no se
respetaran sus requerimientos de alimentacin, los cuales deberan ser conocidos de antemano. No se asumir
responsabilidad alguna por los daos que este instrumento pudiera ocasionar a dispositivos o personas. El
excitador (DRIVER) es un circuito bsico experimental y su uso es de exclusiva responsabilidad del usuario.
El cable del Excitador se conecta en la salida denominada DRIVER; posee dos pinzas caimn y sus colores
indican en dnde deben ser conectadas, segn la siguiente tabla:
Pinza Roja: nodo del diodo lser (LD nodo)
Pinza Negra: ctodo del diodo lser (LD ctodo)
Lo ms importante ahora es saber de buena fuente cul es la corriente de operacin requerida por el diodo lser.
Una buena fuente de informacin sera la del propio fabricante del dispositivo, y una alternativa a la falta de sta,
es intercalar un miliampermetro en la alimentacin del diodo lser en el mismo pick up cuando es alimentado
por el equipo original y tomar nota de su magnitud para luego aplicar el mismo valor de corriente con el
excitador del instrumento.
Resumiendo las aplicaciones de los diodos
Desmodulacin de radio: El primer uso para el diodo era la desmodulacin de las difusiones moduladas amplitud
de la radio (). La historia de este descubrimiento se trata en profundidad en el artculo de radio. En resumen, una
seal de la consiste en el alternar de picos positivos y negativos de la corriente, que amplitud o ' sobre ' es
proporcional a la seal audio original, pero que valor medio es cero. El diodo rectifica la seal de la (es decir
elimina los picos negativos), saliendo de una seal que amplitud media sea la seal audio deseada. Se extrae
usando un filtro simple y se alimenta el valor medio en un transductor (originalmente un auricular cristalino,
ahora ms probables ser un altavoz), que genera el sonido.
Puertas de la lgica: Los diodos se pueden utilizar para construir las puertas de la lgica: lgico y y lgico o.
Conversin de la energa: Un diodo es llamado un rectificador de media-onda cuando se utiliza para convertir
electricidad de la corriente alterna en corriente directa, quitando la porcin negativa de la corriente.
Un arreglo especial de cuatro diodos que transformen una corriente alterna en una corriente directa, usando
excursiones positivas y negativas de una corriente alterna la monofsico, se conoce como un puente del diodo,
un puente rectificador monofsico, o simplemente rectificador de onda completa.
Con una fuente (centro-golpeada ligeramente) partida de la corriente alterna es posible obtener la rectificacin
completa de la onda con solamente dos diodos. Los diodos vienen a menudo en pares, como los diodos dobles en
la misma unidad.
Cuando se desea para rectificar energa de tres fases, una podra rectificar cada uno de las tres fases con el
arreglo de cuatro diodos usados en la monofsico, que requerira un total de 12 diodos. Sin embargo, debido a la
redundancia, solamente seis diodos son necesarios hacer una fase tres el rectificador de onda completa. La
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mayora de los dispositivos que generan la corriente alterna (tales dispositivos se llaman los alternadores)
generan la corriente alterna de tres fases.
Por ejemplo, un alternador del automvil tiene seis diodos dentro de l a funcionar como un rectificador de onda
completa para las aplicaciones de la carga de la batera. Muchas de las turbinas pequeas del viento, tales como
el Lakota de los diodos dobles del uso tresdel norte verdaderosde la energa (instalacin del ejemplo) asegurados
con pernos al mismo disipador de calor.
Proteccin De la Sobretensin: Los diodos son utilizados con frecuencia para conducir voltajes peligrosos altos
lejos de los dispositivos sensibles, lo ms comn posible siendo reverse-biased (no conductor) bajo condiciones
econmicas normales, y llegando a ser forward-biased (conduciendo) cuando el voltaje se levanta encima de su
valor normal. Por ejemplo, los diodos se utilizan en motor de pasos y circuitos de relais para desenergizar
bobinas rpidamente sin los puntos de voltaje perjudiciales que ocurriran de otra manera. Muchos circuitos
integrados tambin incorporan los diodos en los pernos de la conexin para evitar que los voltajes externos
daen sus transistores sensibles. Los diodos especializados se utilizan para proteger contra sobre-voltajes en una
energa ms alta
Tecnologa del diodo: Los primeros diodos eran los dispositivos del tubo de vaco (tambin conocidos como
vlvulas termoinicas), arreglos de los electrodos rodeados por un vaco dentro de un sobre de cristal, similar en
aspecto a las bombillas incandescentes. El arreglo de un filamento y de una placa como diodo fue inventado en
1904 por Juan Ambrose Fleming, consejero cientfico a la compaa de Marconi, basada en una observacin por
Thomas Edison.
Como bombillas, los diodos del tubo de vaco tienen un filamento a travs de el cual se pase la corriente,
calentando el filamento. En su estado calentado puede ahora emitir electrones al vaco.
Estos electrones se atraen electroesttico a una placa externa positivamente cargada del metal llamada el nodo,
o apenas a la "placa". Los electrones no fluyen de la placa detrs hacia el filamento, incluso si la carga en la
placa se hace negativa, porque la placa no se calienta.
Aunque los diodos del tubo de vaco todava se utilizan para algunas aplicaciones especializadas, la mayora de
los diodos modernos se basan en ensambladuras del p-n del semiconductor. En un diodo del p-n, la corriente
convencional puede fluir del lado p-dopado (el nodo) al lado n-dopado (el ctodo), pero no en la direccin
opuesta.
10.30 A continuacin se presentaran algunos esquemas fsicos de los LEDs en base a la tabla 2.1
NTE3134 & NTE3137 Light Emitting Diode, 1.8mm
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Caractersticas elctricas
NTE30030 thru NTE30036, NTE30044 Super Bright LED Indicators, 3mm
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NTE30100 LED Dual Color 3mm High Efficiency Red/Yellow Green
1 Rojo (amarillo) +
2 Comn -
3 Verde +
NTE3012 thru NTE3015 NTE3012A thru NTE3015A Discrete LED Indicators
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NTE3144 thru NTE3147 Light Emitting Diode 5mm
NTE30005, NTE30006, NTE30007 Light Emitting Diode (LED) 0603 Surface Mount
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NTE3160, NTE3161, NTE3162 Light Emitting Diode 1mm x 5mm
NTE3163, NTE3164, NTE3165 Light Emitting Diode 1.2mm x 5.9mm
NTE30081 thru NTE30085 Light Emitting Diode (LED) Right Angle Surface Mount
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NTE30088 & NTE30089 Light Emitting Diode (LED) SOT23 Surface Mount
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NTE30011, NTE30012, NTE30013 Light Emitting Diode (LED) PLCC Surface Mount
ALGO MS ACERCA DE LOS DIODOS LASER

En un lser semiconductor, la ganancia es aportada por una corriente de inyeccin. De esta manera, los pares
electrn-hueco dan la inversin de poblacin necesaria para la emisin lser.La recombinacin estimulada lleva
a la amplificacin de la luz, generando fotones con la misma direccin de propagacin, polarizacin, frecuencia
y fase que el fotn que ha inducido la recombinacin.Los pares electrn-agujero deben estar confinados en una
zona estrecha para mantener la inversin de poblacin a un nivel elevado. Si no es as, hay que suministrar
inyecciones de corriente demasiado grandes al diodo para obtener emisin lser. Por simplicidad, los pares
electrn-hueco se llaman portadores, y la vida media de los portadores es el tiempo medio que tardan los
portadores en recombinar.
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La sencilla unin p-n, resultado del crecimiento en el mismo sustrato, pero con diferentes niveles de dopaje, no
es capaz de conseguir el confinamiento necesario, porque la anchura de la regin en que los portadores estn
confinados aumenta debido a la difusin de los portadores. El problema de la difusin de los portadores puede
resolverse parcialmente usando heterostructuras.Dos tipos diferentes de estructuras pueden analizarse
dependiendo del mecanismo de confinamiento lateral de los portadores. En lseres semiconductores guiados por
la ganancia, no se incorpora ningn confinamiento aadido, y el perfil de la ganancia viene determinado
esencialmente por la regin con corriente de inyeccin y efectos difusivos. En los lseres guiados por el ndice,
la regin activa est rodeada lateralmente por material con un ndice de refraccin menor. En estos dispositivos,
se consigue un nivel de confinamiento bastante elevado. Aparte de dar un buen confinamiento a los portadores,
los lseres de doble heterostructura guiados por el
ndice tambin incorporan un confinamiento
adecuado para la luz. El mecanismo de gua es
debido a un mayor ndice de refraccin en la regin
activa que en el resto de capas que la rodean. De
esta manera, la luz viaja hacia adelante y hacia
atrs como lo hara en el interior de una fibra
ptica.
Una cavidad ptica adecuada es necesaria para
conseguir la emisin lser. En otros tipos de lser,
la cavidad est limitada por dos espejos con
curvaturas que dependen de la distancia entre ellos
y de la geometra del medio activo. Mientras uno
de los espejos puede disearse totalmente
reflectante, el otro debe permitir que haya luz de
salida.
Los lseres de cavidad vertical (VCSELs) tienen una longitud de cavidad muy corta, y necesitan
reflectividades del 99 %. El espejo normalmente est incorporado en la estructura lser a partir del mismo
sustrato, y est formado de muchas capas alternadas de diferentes materiales.
El reflector de Bragg que as resulta permite una caracterstica casi plana de la reflectividad para un
rango considerable de longitudes de onda.
Lseres ms convencionales (EELs) no necesitan espejos para operar. La longitud de su cavidad, de unas
300 micras, es suficientemente grande para permitir la emisin lser sin espejos adicionales.
De hecho, la reflectividad en la separacin lser-aire es cercana al 32 %. El valor grande del ndice de
refraccin en la zona activa confina la luz a la regin con ganancia material.
MICROSCOPA LSER CONFOCAL
La microscopa lser confocal es una nueva tcnica de observacin microscpica que est logrando excelentes
resultados en diversas ramas de la ciencia (medicina, biologa, materiales, geologa, etc.)
Su xito se debe a las indudables ventajas que ofrece frente a la microscopa ptica tradicional (imgenes de
mayor nitidez y contraste, mayor resolucin vertical y horizontal, etc.) y, sobre todo, a la posibilidad de obtener
"secciones pticas" de la muestra, lo que permite su estudio tridimensional.
La mayor parte de las muestras observadas con microscopa ptica son traslcidas o, en el caso de ser opacas, su
superficie de reflexin no se encuentra perfectamente pulida.
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En ambos casos la luz interacciona con la muestra a varias profundidades por lo que la imagen que llega al
observador presenta reas borrosas debidas a la luz procedente de zonas fuera del plano de enfoque, lo que
produce una degradacin en el contraste y resolucin de la imagen (figura 1 A).
LA FLUORESCENCIA.
Se denomina fluorescencia a la propiedad que tienen ciertas molculas de, al absorber luz de una
determinada longitud de onda, emitir luz en una longitud de onda superior. La fluorescencia puede darse de
forma natural en determinadas sustancias (clorofila, algunos tejidos frescos, etc.), denominndose fluorescencia
primaria o autofluorescencia.
En otros casos para que la muestra que queremos observar tenga fluorescencia es preciso teirla con un
marcador fluorescente, denominado fluorocromo.
En este caso hablaramos de fluorescencia secundaria.
Existen una gran cantidad de fluorocromos que permiten marcar de forma selectiva la mayora de los
componentes celulares y tisulares, adems podemos asociarlos a protenas o anticuerpos para estudiar funciones
celulares.
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FUNCIONAMIENTO DEL EQUIPO
En la Figura 4 se muestra el esquema de un microscopio lser confocal Leica TCS SP2 AOBS (Leica
Microsistemas). Su funcionamiento es como sigue: De las distintas lneas de lser que tiene el equipo el selector
de excitacin AOTF nos permite seleccionar la que deseamos utilizar, el haz de lser atraviesa un filtro ptico
acstico AOBS y atravesando el objetivo, ilumina un punto de la muestra.
Un conjunto de espejos galvanomtricos permite desplazar el lser por toda la zona de muestra. La seal
luminosa emitida vuelve por el mismo camino ptico, atraviesa el filtro AOBS siguiendo un camino distinto al
del haz incidente y llega a un sistema de deteccin espectral donde es dividida en funcin de sus longitudes de
onda.
Un diafragma delante del detector espectral permite seleccionar la luz procedente del plano focal. Esta luz incide
en un fotomultiplicador donde es transformada en una seal elctrica que se digitaliza mediante un convertidor
analgico digital y se almacena en un ordenador.
La imagen del espcimen es visualizada en la pantalla del ordenador a medida que el lser barre toda la zona de
muestra. Una platina con enfoque motorizado permite variar de forma automtica la posicin del plano focal.
A la hora de adquirir imgenes con el microscopio confocal deberemos de ajustar los siguientes parmetros:
Lnea de excitacin e intensidad del lser.
Normalmente un microscopio confocal viene con varios lser que tienen una o varias lneas de emisin:
Argon (458, 476, 488, 496 y 514nm), Helio-Nen (543nm), Helio-Nen (633nm), Diodo azul (405 nm), etc. Un
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filtro ptico acstico (AOTF) permite seleccionar la lnea o lneas de emisin que mejor se ajusten al espectro de
excitacin de los fluorocromos que tenemos en la muestra.
Este filtro permite tambin regular la intensidad del lser. A mayor intensidad del lser tendremos mayor
emisin de fluorescencia, pero tambin se nos producir un mayor photobleaching (disminucin de la
fluorescencia con el tiempo).
Apertura del pinhole (diafragma) de deteccin.
Para cada objetivo existe una apertura ptima del diafragma de deteccin conocida como Airy 1 en la
que el espesor de la seccin que se obtiene es el mnimo lo que garantiza la mxima resolucin en el eje Z.
Cuando la intensidad de la fluorescencia es baja es posible que necesitemos aumentar la apertura de este
diafragma para recoger ms seal. En este caso estaremos aumentando el espesor de la seccin y perdiendo
resolucin en Z.
Ganancia del fotomultiplicador.
Ajusta la amplificacin de la seal elctrica generada a partir de los fotones emitidos por la muestra. Si la
intensidad de luz emitida por la muestra es dbil deberemos de aumentar la ganancia para poder obtener la
imagen. Un aumento excesivo de la ganancia se traduce en una prdida de calidad de la imagen debido al ruido
electrnico que se genera.
Velocidad de barrido del lser.
Se define como el nmero de lneas por segundo que barre el lser. A menor velocidad de barrido mejor
relacin seal/ruido y por tanto ms calidad de imagen.
Tamao de la imagen.
Define el nmero de pxeles que tendr la imagen. Cuanto mayor sea el tamao de la imagen para un campo
determinado mejor ser la resolucin de la imagen.
VENTAJAS DE LA MICROSCOPA CONFOCAL.

Las principales ventajas de la microscopa confocal frente a la microscopa ptica tradicional son las siguientes:
Mayor resolucin.
Para un objetivo de inmersin en aceite con una apertura numrica de 1.4 y una longitud de onda de 442
nm es posible alcanzar resoluciones de 0.14 m en horizontal y 0.23 m en vertical (Wilson, 1990).
Mayor contraste.
Debido a que se elimina la luz procedente de las zonas fuera de foco.
Posibilidad de realizar secciones pticas.
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Variando el plano de enfoque el sistema es capaz de tomar imgenes a diferente profundidad. Lo que
permite obtener informacin tridimensional de la muestra.
Anlisis de imgenes.
Al obtenerse la imagen de modo electrnico es posible digitalizarla y aplicar sobre ella toda una serie de
tcnicas de anlisis de imgenes como: realce de imgenes, para mejorar su calidad, combinacin de imgenes
para comparar cambios en el tiempo, medida de intensidades, medidas morfomtricas, etc
Reconstruccin 3D.
A partir de las secciones pticas es posible aplicar tcnicas de reconstruccin 3D que nos permitan
visualizar las estructuras.
Imgenes multidimensionales.
El microscopio confocal nos permite estudiar imgenes en 2 y 3 dimensiones a lo largo del tiempo. Es
posible programar el equipo para obtener imgenes durante un periodo de tiempo determinado.
Imgenes Lambda.
Si el equipo cuenta con un detector espectral podremos tomar imgenes a diferentes longitudes de onda
(lambda scan) y a partir de ellas deducir el espectro de emisin de un fluorocromo determinado.
El sistema de barrido punto a punto (scan) utilizado en los microscopios confocales de tipo CLSM comporta una
serie de ventajas adicionales como son:
- Posibilidad de obtener imgenes perpendiculares al plano XY tomando la misma lnea a diferentes
profundidades.
- Fijar el lser sobre un punto o una pequea zona de la muestra y tomar imgenes a diferentes tiempos
para observar los efectos del lser sobre esa zona.
Aumentar la resolucin mediante zoom del rea a barrer tomando mayor nmero de puntos en reas ms
pequeas.
La velocidad de formacin de la imagen depende tambin del nmero de puntos que tomemos por imagen, as es
mayor en imgenes de 512 x 512 pxeles que en imgenes de 1024 x 1024 pxeles.
Se denomina pixel (del ingls picture element) a cada uno de los puntos que forman la imagen
APLICACIONES DE LA MICROSCOPA CONFOCAL
La microscopa confocal es muy til para el estudio de muchos problemas en biologa, permitiendo un
nuevo conocimiento de la estructura celular y sus procesos. Entre otras aplicaciones la microscopa confocal se
utiliza en: estudios de estructura celular y citoesqueleto, medida de actividad intracelular (pH e iones),
produccin de reconstrucciones tridimensionales, etc.
Para trabajar con microscopa de fluorescencia, ya sea convencional o confocal, se ha de tener en cuenta que la
longitud de onda de la fuente de iluminacin (el lser en el caso del confocal) se corresponda con la longitud de
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onda de excitacin del fluorocromo utilizado. La eficiencia es mxima cuando la longitud de onda del lser
coincide con el pico del espectro de excitacin del fluorocromo (figura 5).
Las Aplicaciones del Lser en Odontologa

La teora original de la luz laser fue postulada por Albert Einstein en 1916. Theodor Mainman produjo el
primer laser de trabajo, un laser de rub en 1960. El Dr Terry Myers introdujo el Nd: Laser de YAG a la
odontologa en 1989.
Cmo se crea la luz laser
La energa se aplica a un laser regular o diodo laser y se produce la luz laser la cual atraviesa un espejo
de reflexin parcial. La luz laser es monocromtica (una longitud de onda) y es coherente (en orden o en
sincronicidad). Cada laser tiene una longitud de onda individual, diferente de una bombilla elctrica o de la luz
del sol que tienen longitudes de onda mltiples. Es esta longitud de onda nica, la que permite que produzcamos
lasers , donde cada uno tiene diversas capacidades para distintos tratamientos basadas en sus longitudes de onda
nicas
Laser en odontologa
Hay tres categoras de lasers usados en odontologa:
1. Lasers para tejidos blandos: Estos lasers incluyen el Nd: Lasers de YAG, de argn, de diodo y de
CO2. Cada uno tiene diversas fuerzas y debilidades, pero todos pueden realizar numerosos procedimientos en los
tejidos blandos tales como: gingivectoma, gingivoplasta, desbridamiento del surco, frenectomas, y hemostasia.
Una caracterstica nica de los lasers comparados con otras modalidades es su capacidad de matar
bacterias y de prevenir su nuevo crecimiento por hasta tres meses. Adems, debido a la manera en que los lasers
interactan con los tejidos blandos, hay menos edema y dolor postoperatorio.
2. Lasers para tejidos duros: Los lasers en este grupo son ER: YAG y Er: YAGYSGG. Estos lasers se
pueden utilizar para la preparacin de la cavidad (remover el esmalte, la dentina y la caries, pero no la
amalgama), a menudo sin anestesia. Son tambin excelentes para el retiro del hueso.
Estos lasers se pueden utilizar para algunos procedimientos quirrgicos pero debido a que no tienen la
capacidad de inducir hemostasia, son ms limitados que los lasers para tejidos blandos.
3. Lasers de nivel bajo: sta es la tercera categora de lasers, que a diferncia de los dos lasers anteriores,
no tienen ninguna capacidad de cortar tejidos blandos, slo afectan los tejidos a nivel celular. Hay dos gamas de
longitud de onda que se utilizan; el HeNe (630-650 nm) y el diodo (790-850nm).
Los lasers de HeNe son excelentes para las heridas superficiales pero tienen penetracin muy limitada.
Los lasers de diodo son buenos para las heridas superficiales, pero penetran los 2-3cm , por lo tanto, son ms
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eficaces para las reas profundas dentro de los huesos, de los msculos y de las articulaciones. Esta longitud de
onda tiene mayor aplicacin en odontologa.
Mecanismo de accin:
Los experimentos basados en pruebas de laboratorio en una variedad de tipos clulas in vitro han
demostrado respuestas primarias y secundarias producidas cuando estas clulas son irradiadas con fotones. Las
respuestas incluyen lo siguiente:
Respuestas primarias:
- Los fotones son absorbidos por los citocromos.
- Las molculas de oxgeno ( radicales libres) se generan, afectando la sntesis del ATP ( aumentando as la
energa disponible a las clulas)
- Se produce xido ntrico.
- Se produce el aumento reversible en la permeabilidad de membrana celular al calcio y a otros iones,
provocando cambios en la actividad de la clula, por ejemplo respuestas secundarias. Respuestas secundarias:
- Sntesis de DNA y RNA.
- Proliferacin celular.
- Liberacin del factor de crecimiento
- Sntesis del colgeno por los fibroblastos.
- Cambios en la conduccin nerviosa, el lanzamiento del neurotransmisores, etc. Efectos clnicos del
tratamiento Los efectos de los lasers en los tejidos blandos se refieren comnmente como bioestimulacin, e
incluyen lo siguiente:
- Estimula la produccin de ATP (ste es la fuente de combustible y de energa para las clulas)
- Sntesis incrementada del colgeno en los fibroblastos.
- Formacin creciente de tubos capilares por el lanzamiento de los factores de crecimiento
- Actividad creciente de leucocitos.
- Transformacin de fibroblastos a miofibroblastos.
- Estmulo de osteoblastos.
- Estmulo de odontoblastos.
- Flujo linftico incrementado que conduce a una reduccin del edema.
- Reduccin de la respuesta inmune (reduccin de la liberacin de histamina, bradikininas, de la sustancia P y
de acetilcolina)
- Reduccin de la despolarizacin de las fibras aferentes C (las fibras que llevan dolor pulpar)
- Estimula la regeneracin del nervio.
- Estmulo de la produccin de -endorfinas.
Donde aplicarse:
Con cualquier herida, el laser se debe aplicar en el sitio de la herida. En los dientes, el laser se debe
aplicar al rea del dolor pero tambin se debe aplicar en el pice. El momento ideal para tratar cualquier lesin
con LLLT es cuando ocurre la lesin. La terapia con laser reduce la respuesta inflamatoria mientras que permite
la produccin de los factores esenciales del crecimiento. Sin embargo, las ventajas sern mayores si el laser se
aplica poco despus de ocurrida la lesin.
Dolor agudo y dolor crnico:
- En el dolor agudo, el tratamiento se aplica con ms frecuencia que en el dolor crnico.
- En el dolor agudo, la dosificacin puede ser mucho ms alta que en condiciones crnicas.
- Las condiciones agudas se tratan a menudo 3 a 4 veces por semana.
- Las condiciones crnicas se tratan a menudo dos veces semanalmente para las primeras dos semanas y luego
una vez por semana.
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- En condiciones crnicas el paciente puede incluso experimentar un aumento leve del dolor el da despus del
primer tratamiento y pueden experimentar un malestar. Esto es causada en gran parte por el aumento en flujo y la
circulacin de la linfa que vaca los productos inflamatorios en la circulacin general
Usos dentales clnicos:
1. Post Quirrgico
Efectos del uso del laser:
- Reduccin del dolor post operatorio y de la necesidad de administrar analgsicos.
- Reduccin del sangrado en la primera media-hora seguido por un incremento de la circulacin lo cual da por
resultado una curacin ms rpida.
- Reduccin del edema postoperatorio.
- Mejor formacin del hueso.
- Menor probabilidad de obtener un alvolo seco.
2. Endodoncia
Efectos de usar el laser:
- Reduccin del dolor y de la inflamacin postoperatorio y necesidad reducida de analgesia postoperatoria.
- Diagnosis de pulpitis irreversible: Aplicar el laser en el pice del diente. Si el paciente siente dolor, el laser se
retira y es apagado. Entonces se reaplica; si el dolor severo aparece inmediatamente, entonces se trata de una
pulpitis irreversible. Si no hay dolor cuando se aplica el laser, se contina para eliminar la sensibilidad.
- Tratamiento de la hipersensibilidad dentinaria.
- Reduccin de la hiperemia de la pulpa.
3. Lesiones de los tejidos blandos
- Reduccin del dolor
- Prevencin
- Curacin ms rpida
- ndice disminuido de recidiva Procedimientos y dosificacin:
- Lesin herptica, lceras provocadas por prtesis: con
contacto muy ligero o apenas alejado. Puede ser repetido una vez
veces ms cualquier otro da. Si una lesin se puede detectar en
etapa inicial, la aplicacin es suficiente para prevenir la aparicin
lesin. El laser tambin reduce la posibilidad de recidiva en el rea tratada.
- Queilitis angular: se debe encontrar la causa de la lesin para prevenir la repeticin
- Contusin despus de la inyeccin: En el sitio de la contusin
4. Implantes:
- Reduccin del dolor despus de la ciruga
- Una integracin ms rpida
5. Alveolo seco
o dos
la
de la
- Alivio del dolor

- Curacin ms rpida
6. Sinusitis
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- El laser puede ayudar a drenar el seno y a reducir el dolor de la sinusitis.
7. Procedimientos restaurativos
- Analgesia para preparaciones pequeas del diente y para las cementaciones de la corona que reducen el uso
del anestsico local. Disminucin en estos casos de la sensibilidad postoperatoria.
- Eliminacin ms rpida de la anestesia
- Produccin de dentina secundaria en situaciones de restauraciones profundas
8. Sndrome del Tnel Carpal
El laser ha probado un alternativa conservadora al tratamiento de esta dolencia, lo cul est llegando a
ser mucho ms comn en odontologa. El laser se aplica entre los procesos espinosos de C5 y T1 y entonces en
la mueca.
El dentista debe realizar la consulta con un mdico o un fisioterapeuta. Generalmente se realizan de 10 a
30 sesiones. Se han publicado ndices de xito del 70-80% con el uso del laser. sta es un ndice de xito casi
igual que el que se obtiene con ciruga pero a diferencia de la ciruga , no hay ningn seguimiento posible a
excepcin de ms ciruga.
9. Lesiones del nervio
Efectos de los tratamientos con laser:
- Recuperacin de la sensibilidad despus del dao traumtico o de la ruptura de un nervio
- Tratamiento de la neuralgia del trigmino
10. Dolor facial
Efectos de los tratamientos con laser:
- Relajacin de los espasmos del msculo
- Tratamiento de los puntos gatillo en los msculos
- Reduccin de la inflamacin dentro de las articulaciones
- Reduccin de los sntomas de la osteoartritis
- Tratamiento del dolor crnico de la ATM
- Tratamiento de las lesiones neurolgicas asociadas a dolor facial
11. Acupuntura
El laser se puede utilizar con mucho xito en puntos de
acupuntura y los efectos en la curacin y en el alivio del dolor pueden ser
muy beneficiosos.
Ventajas del tratamiento con laser de nivel bajo
La ventaja ms grande de la terapia del laser es que no hay efectos
secundarios al tratamiento. El laser induce las funciones naturales propias del
organismo as que no se ven los efectos secundarios que se consideran a
menudo con la terapia medicamentosa.
El nico caso donde el laser no funciona bien ocurre en pacientes que
toman corticoides sistmicos. Suprimen los efectos del laser as que los
resultados clnicos se reducen grandemente.
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Los posibles usos del lser son casi ilimitados. El lser se ha convertido en una herramienta valiosa en la
industria, la investigacin cientfica, la tecnologa militar o el arte.
- Industria
Es posible enfocar sobre un punto pequeo un haz de lser potente, con lo que se logra una enorme densidad de
energa. Los haces enfocados pueden calentar, fundir o vaporizar materiales de forma precisa. Por ejemplo, los
lseres se usan para taladrar diamantes, modelar mquinas herramientas, recortar componentes
microelectrnicos, calentar chips semiconductores, cortar patrones de moda, sintetizar nuevos materiales o
intentar inducir la fusin nuclear controlada . El potente y breve pulso producido por un lser tambin hace
posibles fotografas de alta velocidad con un tiempo de exposicin de algunas billonsimas de segundo. En la
construccin de carreteras y edificios se utilizan lseres para alinear las estructuras.
- Investigacin cientfica
Los lseres se emplean para detectar los movimientos de la corteza terrestre y para efectuar medidas geodsicas.
Tambin son los detectores ms eficaces de ciertos tipos de contaminacin atmosfrica. Los lseres se han
empleado igualmente para determinar con precisin la distancia entre la Tierra y la Luna y en experimentos de
relatividad. Actualmente se desarrollan conmutadores muy rpidos activados por lser para su uso en
aceleradores de partculas, y se han diseado tcnicas que emplean haces de lser para atrapar un nmero
reducido de tomos en un vaco con el fin de estudiar sus espectros con una precisin muy elevada. Como la luz
del lser es muy direccional y monocromtica, resulta fcil detectar cantidades muy pequeas de luz dispersa o
modificaciones en la frecuencia provocadas por materia. Midiendo estos cambios, los cientficos han conseguido
estudiar las estructuras moleculares. Los lseres han hecho que se pueda determinar la velocidad de la luz con
una precisin sin precedentes; tambin permiten inducir reacciones qumicas de forma selectiva y detectar la
existencia de trazas de sustancias en una muestra.
- Comunicaciones
La luz de un lser puede viajar largas distancias por el espacio exterior con una pequea reduccin de la
intensidad de la seal. Debido a su alta frecuencia, la luz lser puede transportar, por ejemplo, 1.000 veces ms
canales de televisin de lo que transportan las microondas. Por ello, los lseres resultan ideales para las
comunicaciones espaciales. Se han desarrollado fibras pticas de baja prdida que transmiten luz lser para la
comunicacin terrestre, en sistemas telefnicos y redes de computadoras. Tambin se han empleado tcnicas
lser para registrar informacin con una densidad muy alta. Por ejemplo, la luz lser simplifica el registro de un
holograma, a partir del cual puede reconstruirse una imagen tridimensional mediante un rayo lser.
- Medicina
Con haces intensos y estrechos de luz lser es posible cortar y cauterizar ciertos tejidos en una fraccin de
segundo sin daar al tejido sano circundante. El lser se ha empleado para `soldar' la retina, perforar el crneo,
reparar lesiones y cauterizar vasos sanguneos. Tambin se han desarrollado tcnicas lser para realizar pruebas
de laboratorio en muestras biolgicas pequeas.
- Tecnologa militar
Los sistemas de guiado por lser para misiles, aviones y satlites son muy comunes. La capacidad de los lseres
de colorante sintonizables para excitar de forma selectiva un tomo o molcula puede llevar a mtodos ms
eficientes para la separacin de istopos en la fabricacin de armas nucleares
FIBRA OPTICA
En las comunicaciones por fibra ptica se emplean los lseres de semiconductores; estos hacen que una
corriente elctrica excite las partculas del semiconductor portadoras de cargas negativas y positivas, que ms
adelante, al combinarse, se neutralizan mutualmente. Durante el proceso de combinacin, que consiste ante todo
en una transicin desde un nivel de energa electrnica elevado a otro inferior, se producen fotones. Pero para
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lograr el efecto lser se cortan las superficies extremas, con el fin de que reflejen la luz como si fuesen espejos, y
se suministra una corriente elevada, logrando de esta forma que predomine la emisin estimulada
Los ILD son muy sensibles a la temperatura, y rpidamente se detienen si sta aumenta, por eso requieren de
enfriadores termoelctricos de compensacin para mantenerse estables. Esto incrementa necesariamente el
precio del circuito transmisor. Incluso, el costo del lser es mucho ms alto que el del LED, por lo complicado
de la fabricacin (y su tiempo de vida ambiente es mucho menor).Los ILD pueden ser usados para transmitir
seales que estn continuamente variando la intensidad de salida (modulacin analgica) o seales que hacen
que un dispositivo encienda o apaque (modulacin digital).La modulacin mas empleada para los ILD es la de
transmisin por modulacin digital, donde si el dispositivo se encuentra encendido representa un 1 binario y si
est apagado representa un cero binario. Los ILD transmiten en longitudes de onda entre 815 y 910nm.
Muchos diodos lser tienen una capa delgada de oxido, depositada sobre la parte superior de la capa de
cubierta final tipo P. En esta capa de oxido se hace un ataque qumico de manera que pueda formarse una cinta
metlica de contacto en receso de poca profundidad, longitudinalmente a lo largo de la superficie superior del
diodo. El ndice de refraccin de la capa activa es mayor que el del material tipo P y del material tipo N (las
capas de recubrimiento) que estn arriba y abajo de sta. Como resultado, la luz es atrapada en una gua
dielctrica de ondas formada por las dos capas de recubrimiento y la capa activa, y se propaga en ambas, la capa
activa y las de recubrimiento.El haz de luz que emerge del diodo lser forma una elipse vertical (en seccin
transversal), aunque la regin lasrica es una elipse horizontal. La luz que se propaga dentro del diodo, se
extiende hacia afuera en forma transversal (verticalmente) desde las capas de recubrimiento superior e inferior.
-225 -

Cuando el diodo est funcionando en el modo fundamental, el perfil de intensidad de su haz emitido en el plano
transversal, es una curva de Gauss de forma acampanada.
En el lser se amplifica la luz al viajar hacia atrs y hacia adelante en la direccin longitudinal, entre las facetas
de cristal de cada extremo del diodo. Los modos resonantes que se extienden en direccin perpendicular a la
unin PN, se llaman modos transversales.
La inyeccin de electrones y huecos en la capa activa situada abajo de la cinta metlica de contacto, altera el
ndice de refraccin de la capa activa, y confina la luz lateralmente para que no se disperse hacia afuera, hacia
ambos lados del centro de la capa activa.
-226 -

DIODO ZENER
INTRODUCCIN
Hemos visto que un diodo semiconductor normal puede estar polarizado tanto en directa como inversamente.
En directa se comporta como una pequea resistencia.
En inversa se comporta como una gran resistencia.

Veremos ahora un diodo de especiales caractersticas que recibe el nombre de diodo zener
El diodo zener trabaja exclusivamente en la zona de caracterstica inversa y, en particular, en la zona del punto
de ruptura de su caracterstica inversa
Esta tensin de ruptura depende de las caractersticas de construccin del diodo, se fabrican desde 2 a 200
voltios. Polarizado en directa actua como un diodo normal y por tanto no se utiliza en dicho estado.
EFECTO ZENER
El efecto zener se basa en la aplicacin de tensiones inversas que originan, debido a la caracterstica
constitucin de los mismos, fuertes campos elctricos que causan la rotura de los enlaces entre los tomos
dejando as electrones libres capaces de establecer la conduccin. Su caracterstica es tal que una vez alcanzado
el valor de su tensin inversa nominal y superando la corriente a su travs un determinado valor
mnimo, la tensin en bornas del diodo se mantiene constante e independiente de la corriente que circula por
l.
FUNCIONAMIENTO DEL DIODO ZENER
El simbolo del diodo zener es:
y su polarizacin es siempre en inversa, es decir
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Tres son las caractersticas que diferencian a los diversos diodos Zener entre si:
a.- Tensiones de polarizacin inversa, conocida como tensin zener.- Es la tensin que el zener va a mantener
constante.
b.- Coriente mnima de funcionamiento.- Si la corriente a travs del zener es menor, no hay seguridad en que
el Zener mantenga constante la tensin en sus bornas
c.- Potencia mxima de disipacin. Puesto que la tensin es constante, nos indica el mximo valor de la
corriente que puede soportar el Zener.
Por tanto el Zener es un diodo que al polarizarlo inversamente mantiene constante la tensin en sus bornas a un
valor llamado tensin de Zener, pudiendo variar la corriente que lo atraviesa entre el margen de valores
comprendidos entre el valor minimo de funcionamiento y el correspondiente a la potencia de zener mxima que
puede disipar. Si superamos el valor de esta corriente el zener se destruye
DIODO ZENER:Cuando se estudian los diodos se recalca sobre la diferencia que existe en la grfica con
respecto a la corriente directa e inversa. Si polarizamos inversamente un diodo estndar y aumentamos la tensin
llega un momento en que se origina un fuerte paso de corriente que lleva al diodo a su destruccin. Este punto se
da
por
la
tensin
de
ruptura
del
diodo.
Se puede conseguir controlar este fenmeno y aprovecharlo, de tal manera que no se origine la destruccin del
diodo. Lo que tenemos que hacer el que este fenmeno se d dentro de mrgenes que se puedan controlar.
El diodo zener es capaz de trabajar en la regin en la que se da el efecto del mismo nombre cuando las
condidiones de polarizacin as lo determinen y volver a comportarse como un diodo estndar toda vez que la
polarizacin retorne a su zona de trabajo normal. En resmen, el diodo zener se comporta como un diodo
normal, a no ser que alcance la tensin zener para la que ha sido fabricado, momento en que dejar pasar a travs
de
l
una
cantidad
determinada
de
corriente.
Este efecto se produce en todo tipo de circuitos reguladores, limitadores y recortadores de tensin.
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Diodo Zener
Diodo Zener
caracterstica corriente-voltaje de un diodo Zener con una tensin de ruptura de 17 voltios.Observe el cambio de
escala de tensin entre la polarizacin directa (positiva) la direccin y la polarizacin inversa (negativa).
Un diodo Zener es un tipo de diodo que permite el actual no slo en la direccin hacia adelante como un diodo
normal, pero tambin en la direccin contraria si la tensin es mayor que la tensin de ruptura se conoce como
"tensin de Zener de la rodilla" o "tensin de Zener". El dispositivo recibi el nombre de Clarence Zener , que
descubri esta propiedad elctrica.
Un convencionales de estado slido diodo no permitir importantes-si est polarizado inversamente por debajo
de su tensin de ruptura inversa. Cuando la tensin de polarizacin inversa desglose se supera, un diodo
convencional est sujeta a la gran intensidad debido a lainterrupcin de la avalancha . A menos que esta
corriente est limitada por el trazado de circuito, el diodo estar permanentemente daada debido a un
sobrecalentamiento. En caso de polarizacin directa de gran tamao (corriente en la direccin de la flecha), las
exposiciones del diodo una cada de voltaje debido a su unin incorporados y resistencia interna de tensin. El
importe de la cada de voltaje depende del material semiconductor y las concentraciones de dopaje.
Una muestra del diodo Zener casi las mismas propiedades, excepto el dispositivo est especialmente diseado
para tener un desglose voltaje reducido en gran medida, la llamada tensin Zener-tan. En contraste con el
dispositivo convencional, una polarizacin inversa del diodo Zener presentar un desglose controlada y permite
que la corriente para mantener el voltaje a travs del cierre del diodo Zener a la tensin de ruptura Zener. Por
ejemplo, un diodo con una tensin de ruptura Zener de 3.2 V se presentan una cada de tensin de casi 3,2 V a
travs de una amplia gama de corrientes inversas. El diodo Zener es por lo tanto ideal para aplicaciones tales
como la generacin de un voltaje de referencia (por ejemplo, un amplificador de escenario), o como un
estabilizador de tensin para aplicaciones de baja corriente.
Diodo Zener de operacin de la depende de la pesada dopaje de su unin pn permitiendo electrones al tnel de la
banda de valencia del p-tipo de material para la banda de conduccin del tipo de material-n. En la escala
atmica, este tnel se corresponde con el transporte de electrones de la banda de valencia a la banda de los
estados de conduccin vaca, como resultado de la reduccin de la barrera entre estos grupos y altos campos
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elctricos que son inducidas por los altos niveles relativamente de dopings en ambos lados . [ 1 ] de tensin
puede ser el desglose controlar con bastante precisin en el proceso de dopaje. Mientras que dentro de las
tolerancias de 0,05% estn disponibles, el ampliamente utilizado tolerancias ms de 5% y 10%. tensin de
ruptura de los diodos Zener comnmente disponibles pueden variar ampliamente de 1,2 voltios a 200 voltios.
Otro mecanismo que produce un efecto similar es el efecto de la avalancha como en el diodo de avalancha . Los
dos tipos de diodos, de hecho, construye de la misma manera y ambos efectos estn presentes en los diodos de
este tipo. En los diodos de silicio hasta cerca de 5.6 voltios, el efecto Zener es el efecto predominante y muestra
un negativo marcados coeficiente de temperatura . Por encima de 5,6 voltios, el efecto de la avalancha se
convierte en predominante y exhibe un coeficiente de temperatura positivo. [ 1 ] En un diodo de 5,6 V, los dos
efectos se presentan juntos y sus coeficientes de temperatura claramente se anulan entre s, por lo tanto el diodo
V 5.6 es el componente de eleccin en aplicaciones crticas de la temperatura. tcnicas de fabricacin modernas
han producido dispositivos con tensiones inferiores a 5,6 V con coeficientes de temperatura insignificante, sino
como dispositivos de alta tensin se encuentran, el coeficiente de temperatura se eleva de forma espectacular. Un
diodo de 75 V tiene 10 veces el coeficiente de un diodo V 12.
Todos los diodos, e independientemente de tensin de ruptura, suelen ser comercializados bajo el trmino
genrico de "Diodo Zener".
Usos
Diodo Zener se muestra con los paquetes tpicos.inversa actual - i Zse muestra.
diodos Zener son ampliamente utilizados como referencias de tensin y como reguladores de la desviacin para
regular el voltaje a travs de circuitos pequeos.Cuando se conecta en paralelo con una fuente de voltaje variable
de modo que es en polarizacin negativa reverso, un diodo Zener lleva a cabo cuando la tensin llega a la
tensin del diodo de interrupcin reverso. A partir de ese momento, la impedancia relativamente baja del diodo
mantiene la tensin en el diodo en ese valor.
En este circuito, una referencia de tensin tpica o regulador, un voltaje de entrada, U EN , se regula descender a
un establo tensin de salida U HACIA FUERA . La cada de tensin intrnseca del diodo D es estable en una
amplia gama de corrientes y tiene U HACIA FUERA relativamente constante a pesar de la tensin de entrada
puede fluctuar en un amplio rango bastante. Debido a la baja impedancia del diodo cuando se opera de esta
manera, resistencia R se utiliza para limitar la corriente a travs del circuito.
-230 -

En el caso de esta simple referencia, la corriente que fluye en el diodo se determina usando la ley de Ohm y la
cada de voltaje conocido a travs de la resistencia R. Yo diodo = (U EN - U HACIA FUERA ) / R
El valor de R debe satisfacer dos condiciones:
1. R debe ser lo suficientemente pequeo que el actual a travs de D D mantiene en la ruptura inversa. El
valor de esta corriente se da en la hoja de datos de D. Por ejemplo, el comn BZX79C5V6 [ 2 ] del
dispositivo, de 5,6 V 0,5 W diodo Zener, tiene un revs recomienda corriente de 5 mA. Si existe
suficiente corriente a travs de D, entonces U HACIA FUERA ser reglamentada, y menor que el
voltaje de ruptura nominal (esto es diferente a los tubos del regulador de tensin en la tensin de salida
ser mayor que el nominal y podra subir hasta U EN ). En el clculo de R , deber tenerse en cuenta
para cualquier corriente a travs de la carga externa, no se muestra en este diagrama, conectado a travs
de U HACIA FUERA .
2. R debe ser lo suficientemente grande que la corriente a travs de D no destruir el dispositivo. Si la
corriente a travs de D es que D , como el desglose de tensin V B y su disipacin de potencia
mxima P MAX , entonces yo D V B < P MAX .
Una carga puede ser colocado a travs del diodo en el circuito de referencia, y siempre que el zener se mantiene
en la ruptura inversa, el diodo proporcionar una fuente estable de voltaje a la carga.
reguladores Shunt son simples, pero los requisitos que la resistencia de balasto ser lo suficientemente pequeo
para evitar una cada excesiva de tensin durante el funcionamiento peor de los casos (bajo voltaje de entrada
concurrente con la corriente de carga alta) tiende a dejar una gran cantidad de corriente que circula por el diodo
de gran parte del tiempo , por lo que para un regulador muy derrochador con la disipacin de alta potencia en
reposo, slo apto para cargas ms pequeas.
diodos Zener en esta configuracin se utiliza a menudo como referencias estables para los circuitos ms
avanzados regulador de voltaje.
Estos dispositivos tambin se encuentran, por lo general en serie con un emisor de unin base, en las etapas de
transistores donde la eleccin selectiva de un dispositivo en torno a la avalancha / punto Zener se puede utilizar
para introducir compensar coeficiente equilibrar la temperatura del transistor de unin PN . Un ejemplo de este
tipo de uso sera un DCamplificador de error utilizado en una fuente de alimentacin regulada sistema de
circuito de retroalimentacin del circuito.
diodos Zener se utilizan tambin en los protectores contra sobretensiones transitorias para limitar los picos de
tensin.
Otra aplicacin notable del diodo zener es el uso de ruido causado por su interrupcin de la avalancha en
un generador de nmeros aleatorios que nunca se repite.
Diodo Zener
Diodo Zener
Pequeo diodo Zener

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Tipo
Semiconductor
Smbolo electrnico
Configuracin nodo y Ctodo (se

polariza
inversamente, con respecto al diodo
convencional)
El diodo Zener es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en las zonas de rupturas, recibe ese
nombre por su inventor, el Dr. Clarence Melvin Zener. El diodo zener es la parte esencial de los reguladores de
tensin casi constantes con independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensin de red, de
la resistencia de carga y temperatura.
Son mal llamados a veces diodos de avalancha, pues presentan comportamientos similares a estos, pero los
mecanismos involucrados son diferentes.
Caractersticas
Si a un diodo Zener se le aplica una corriente elctrica de nodo al Ctodo toma las caractersticas de un diodo
rectificador bsico. Pero si se le suministra una corriente inversa, el diodo solo dejara pasar un voltaje constante.
En conclusin: el diodo Zener debe ser polarizado al revs para que adopte su caracterstica de regulador de
tensin.
Caractersticas
del diodo Zener
El diodo zener es un tipo especial de diodo, que siempre se utiliza polarizado inversamente.
Recordar que los diodos comunes, como el diodo rectificador (en donde se aprovechan sus caractersticas de
polarizacin directa y polarizacin inversa), conducen siempre en el sentido de la flecha.
En este caso la corriente circula en contra de la flecha que representa el diodo. Si eldiodo zener se polariza en
sentido directo se comporta como un diodo rectificador comn.
Cuando el diodo zener funciona polarizado inversamente mantiene entre sus terminales
un voltaje constante.
En el grfico se ve el smbolo de diodo zener (A - nodo, K - ctodo) y el sentido de la
corriente para que funcione en la zona operativa
Se analizar el diodo Zener, no como un elemento ideal, si no como un elemento real y se debe tomar en cuenta
que cuando ste se polariza en modo inverso si existe una corriente que circula en sentido contrario a la flecha
del diodo, pero de muy poco valor.
Curva
caracterstica
del diodo Zener
Analizando la curva del diodo zenerse ve que conforme se va aumentando negativamente el voltaje aplicado
al diodo, la corriente que pasa por el aumenta muy poco.
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Pero una vez que se llega a un determinado voltaje, llamada voltaje o tensin de Zener (Vz), el aumento del
voltaje (siempre negativamente) es muy pequeo, pudiendo considerarse constante.
Para este voltaje, la corriente que atraviesa el diodo zener, puede variar en un gran rango de valores. A esta
regin se le llama la zona operativa.
Esta es la caracterstica del diodo zener que se aprovecha para que funcione comoregulador de voltaje, pues el
voltaje se mantiene practicamente constante para una gran variacin de corriente. Ver el grfico.
Qu hace un regulador con Zener?
Un regulador con diodo zener ideal mantiene un voltaje predeterminado fijo a su salida, sin importar las
variaciones de voltaje en la fuente de alimentacin y/o las variaciones de corriente en la carga.
Nota: En las fuentes de voltaje ideales (algunas utilizan, entre otros elementos el diodo zener), el voltaje
de salida no vara conforme vara la carga.
Pero las fuentes no son ideales y lo normal es que el voltaje de salida disminuya conforme la carga va
aumentado, o sea conforme la demanda de corriente de la carga aumente. (ver: resistencia interna de las fuentes
de tensin)
El diodo Zener
Un diodo zner es bsicamente un diodo de unin, pero construido especialmente para trabajar en la
zona de ruptura de la tensin de polarizacin inversa; por eso algunas veces se le conoce con el
nombre
de
diodo
de
avalancha.
Su principal aplicacin es como regulador de tensin; es decir, como circuito que mantiene la tensin
de salida casi constante, independientemente de las variaciones que se presenten en la lnea de
entrada o del consumo de corriente de las cargas conectadas en la salida del circuito.
El diodo zner tiene la propiedad de mantener constante la tensin aplicada, aun cuando la corriente
sufra cambios. Para que el diodo zener pueda realizar esta funcin, debe polarizarse de manera
inversa.
Generalmente, la tensin de polarizacin del diodo es mayor que la tensin de ruptura; adems, se
coloca una resistencia limitadora en serie con l; de no ser as, conducira de manera descontrolada
hasta
llegar
al
punto
de
su
destruccin.
En muchas aplicaciones de regulacin de tensin, el diodo zner no es el dispositivo que controla de
manera directa la tensin de salida de un circuito; slo sirve de referencia para un circuito ms
complejo; es decir, el zner mantiene un valor de tensin constante en sus terminales.
Esta tensin se compara mediante un circuito amplificador a transistores o con circuito integrados
con una tensin de salida. El resultado de la comparacin permite definir la accin a efectuar:
aumentar o disminuir la corriente de salida, a fin de mantener constante la tensin de salida.
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Es importante hacer notar que los diodos zner se construyen especialmente para que controlen slo
un valor de tensin de salida; por eso es que se compran en trminos de la tensin de regulacin.
Diodo Zener
Un diodo Zener, es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en las zonas de rupturas.
Llamados a veces diodos de avalancha o de ruptura, el diodo zener es la parte esencial de los reguladores de
tensin casi constantes con independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensin de red, de
la resistencia de carga y temperatura.
Si el diodo zener se polariza en sentido directo se comporta como un diodo rectificador comn. Cuando
el diodo zener funciona polarizado inversamente mantiene entre sus terminales una tensin de valor constante.
En el grfico de la izquierda se ve el smbolo de diodo zener (A - nodo, K - ctodo) y el sentido de la corriente
para que funcione en la zona operativa
Su polarizacin es siempre en inversa, es decir
Tres son las caractersticas que diferencian a los diversos diodos Zener entre si:
a.- Tensiones de polarizacin inversa, conocida como tensin zener.- Es la tensin que el zener va a mantener
constante.
b.- Coriente mnima de funcionamiento.- Si la corriente a travs del zener es menor, no hay seguridad en que
el Zener mantenga constante la tensin en sus bornas
c.- Potencia mxima de disipacin. Puesto que la tensin es constante, nos indica el mximo valor de la
corriente que puede soportar el Zener.
Por tanto el Zener es un diodo que al polarizarlo inversamente mantiene constante la tensin en sus bornas a un
valor llamado tensin de Zener, pudiendo variar la corriente que lo atraviesa entre
el margen de valores comprendidos entre el valor minimo de funcionamiento y el correspondiente a
la potencia de zener mxima que puede disipar. Si superamos el valor de esta corriente el zener se destruye.
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Es un tipo especial de diodo que diferencia del funcionamiento de los diodos comunes, como el diodo
rectificador, en donde se aprovechan sus caractersticas de polarizacin directa y polarizacin inversa, el diodo
Zener siempre se utiliza en polarizacin inversa, en donde la corriente desea circular en contra de la flecha que
representa el mismo diodo. En este caso analizaremos el diodo Zener, pero no como un elemento ideal, si no
como un elemento real y debemos tomar en cuenta que cuando ste se polariza en modo inverso si existe una
corriente que circula en sentido contrario a la flecha del diodo, pero de muy poco valor.
Smbolo
( A - nodo K - ctodo)
del
diodo
Zener
Analizando la curva del diodo Zener vemos que en el lugar donde se marca como regin operativa, la corriente
(Ir, en la lnea vertical inferior) puede variar en un amplio margen, de pero el voltaje (Vz) no cambia. Se
mantiene aproximadamente en 5.6 V. (para un diodo Zener de 5.6 V)
Aplicaciones del diodo Zener?
La principal aplicacin que se le da al diodo Zener es la de regulador.
Qu hace un regulador con Zener?
Un regulador con Zener ideal mantiene un voltaje fijo predeterminado, a su salida, sin importar si vara el voltaje
en la fuente de alimentacin y sin importar como vare la carga que se desea alimentar con este regulador.
Nota*: En las fuentes de voltaje ideales (algunas utilizan, entre otros elementos el diodo Zener), el voltaje de
salida no vara conforme vara la carga. Pero las fuentes no son ideales y lo normal es que la tensin de salida
disminuya conforme la carga va aumentado, o sea conforme la demanda de corriente de la carga aumente.
Para poder saber si una fuente de voltaje es de buena calidad se utiliza la siguiente frmula:
Porcentaje de regulacin
%Reg = V (sin carga) - V (carga total) / V (carga total) * 100 %
*A menor valor de porcentaje de regulacin, mejor calidad de fuente.
El diodo Zener
Una unin o juntura PN de silicio convencional tiene excelentes caractersticas de operacin como diodo
rectificador. Su resistencia en polarizacin directa es muy baja, lo que permite un flujo grande de corriente.
Su resistencia en polarizacin inversa es muy alta, lo que hace que el diodo aparezca casi como un circuito
abierto. Si se aumenta la polarizacin inversa, se alcanza un voltaje en el que la unin se descompone y la
corriente aumenta a un valor alto. Si se construye adecuadamente el diodo, los efectos de la ruptura no son
permanentes y el diodo vuelve a la operacin normal de diodo cuando se reduce la polarizacin inversa por
debajo del punto de ruptura. El voltaje en el que ocurre la ruptura se conoce generalmente como voltaje de
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avalancha o de Zener, y el diodo diseado para utilizar las caractersticas de este voltaje de avalancha o Zener se
conoce como diodo Zener.
Cuando se polariza al diodo Zener en direccin directa, sus caractersticas de voltaje-corriente son idnticas a
las de un diodo convencional de silicio, refirase a la figura 1 Cuando se polariza en direccin inversa, se
comporta igual que un diodo convencional de silicio, hasta alcanzar el valor del voltaje de ruptura inverso. En
este punto, la corriente inversa aumenta rpidamente mientras que la cada de voltaje a travs del diodo
permanece prcticamente constante. Esta caracterstica de mantener una cada relativamente constante de voltaje
(Vz) en variaciones amplias de corriente (Iz} hace del diodo Zener un dispositivo til de referencia y regulacin
de voltaje.
Las aplicaciones industriales y comerciales para los diodos Zener abarcan un rango extenso- Entre los ms
comunes estn los elementos de referencia de voltajes, supresores de torrentes, limitadores de voltaje
generadores de ruido, comparadores de voltaje, reguladores de voltaje por retroalimentacin y reguladores de
voltaje de tipo paralelo de fuerza bruta.
Regulacin del voltaje del diodo zener
Una aplicacin muy comn de tos diodos Zener se encuentra en los reguladores de voltaje. Los reguladores de
voltaje que se utilizan con fuentes de poder de CD ayudan a mantener el voltaje a travs de la carga constante o
casi constante bajo condiciones variables de corriente de carga o voltaje de entrada.
En la figura 2 se muestra un circuito regulador tpico en paralelo con diodo Zener. El diodo Zener est
polarizado inversamente por la fuente ES de voltaje de lnea de CD y est en conduccin Zener. El voltaje Vz de
Zener tambin es el voltaje de carga EL. Ya que Vz es constante (suponiendo caractersticas ideales de Zener)
con la corriente variable hasta la Zener. es posible que EL sea constante aunque vari la carga RL y el voltaje ES
de entrada.
Por ejemplo, suponga que Vz = 10V y que ES flucta entre 25 y 35 V. Cuando ES = 25V el diodo Zener
mantiene constante a EL en 10V y los 15V restantes aparecen a travs de la resistencia RS en serie. Al
aumentar F.S a 35 V. EL se mantiene en 10V y caen 25V a travs de la resistencia RS en serie, por lo que las
fluctuaciones de ES provocan fluctuaciones en ERS aunque El. se mantiene esencialmente constante. Sin
embargo, debido a que el Zener no es ideal, pueden ocurrir ligeras fluctuaciones a travs de sus terminales.
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Con frecuencia el voltaje de lnea ES de CD es relativamente constante pero varia !a resistencia RL de carga.
Nuevamente el diodo Zener tiende a mantener constante el voltaje FL de carga. En esos circuitos la cada de
voltaje a travs de la resistencia RS y la corriente a travs de la misma son constantes. Al variar la carga RL,
vara las corrientes en el Zener y en a carga. Si aumenta la corriente IL de carga, disminuye la corriente Iz de
Zener en la misma cantidad, manteniendo la corriente de lnea y en consecuencia, hace que todas las cadas de
voltaje queden sin cambio.
AO DE DESCUBRIMIENTO
En 1934 un cientfico llamado Carlos Zener propuso una teora de ruptura elctrica en los slidos, sealo que
bajo cierta intensidad de campo, los portadores pueden cruzar la unin o juntura mediante un proceso de
mecnica cuntica. Tal como si los portadores hubiese tneles en la barrera. Una vez que se produce la juntura,
se desarrolla con rapidez para convertirse en una avalancha de corriente.
Por supuesto se refera a corriente de unos cuantos A; pero se trataba de corriente inversa. El diodo Zener se
diseo para que funcionara de acuerdo con esta premisa, dicho componente funciona con polarizacin inversa.
Puesto que el diodo Zener fue el primer dispositivo que funciona en estas condiciones, una parte de la curva de
corriente inversa se conoce como regin Zener. Tal como se muestra en la Figura 1.
QUIEN Y QUIENES PARTICIPARON?

Carlos Zener, egresado de Harvard en 1929 con reconocimientos en matemticas y fsica.
SIGNIFICADO DEL NOMBRE
El nombre del dispositivo se debe al creador del diodo Carlos Zener.
SMBOLO DEL DIODO ZENER
A continuacin en la Figura 2 se muestra el smbolo del diodo zener.
Figura 2. Smbolo del Diodo Zener (A - nodo K ctodo)
DESCRIPCIN DEL FUNCIONAMIENTO
Caractersticas:
Los diodos Zener o diodos de avalancha, se diferencian de los dems diodos semiconductores por el
comportamiento de la caracterstica inversa, que presenta una regin en la cul la tensin es casi independiente
de la corriente por el diodo. Esto lo hace muy til en las aplicaciones en que se requiere una referencia de
voltaje.
La tensin zener de cualquier diodo est controlada por la cantidad de dopado aplicada en el proceso de
fabricacin. Los normales varan entre 2 y 200 V con capacidades de disipacin de potencia de hasta 100 W.
En la mayora de las aplicaciones el diodo trabaja en la regin inversa.
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En 1934 un cientfico llamado Carlos Zener propuso una teora de ruptura elctrica en los slidos, sealo que
bajo cierta intensidad de campo, los portadores pueden cruzar la unin o juntura mediante un proceso de
mecnica cuntica. Tal como si los portadores hubiese tneles en la barrera. Una vez que se produce la juntura,
se desarrolla con rapidez para convertirse en un avalancha de corriente.
Por supuesto se refera a corriente de unos cuantos amperios; pero se trataba de corriente inversa. El diodo
Zener se diseo para que funcionara de acuerdo con esta premisa, dicho componente funciona con polarizacin
inversa y la polarizacin operacional apropiada produce corriente en el centro de la zona de ruptura. Puesto que
el diodo Zener fue el primer dispositivo que funciona en estas condiciones, una parte de la curva de corriente
inversa
se
conoce
como
regin
Zener.
Figura
4.13.
Regin
Zener
De acuerdo con la curva caracterstica anterior, cuando un diodo Zener se polariza en modo inverso, el diodo
acta como un interruptor cerrado (igual que un diodo de unin normal). La corriente directa aumenta con la
tensin aplicada y esta limitada prcticamente por parmetros externos del circuito. Cuento el diodo est
polarizado en sentido inverso, produce una pequea i inversa llamada de saturacin, esta permanece
relativamente constante hasta que se alcanza la regin de ruptura Zener en la proximidad de la tensin Zener del
dispositivo. A pesar del aumento de polarizacin inversa cerca de la tensin de ruptura la i inversa aumenta
rpidamente a causa del efecto de avalancha. Finalmente la ruptura Zener (caracterizada por un brusco cambio
de corriente) tiene lugar cuando se alcanza la tensin Zener. En esta regin, pequeas variaciones de tensin dan
por resultado grandes variaciones de corrientes. Evidentemente hay cambios muy bruscos de resistencia efectiva
en la union p-n.
La ruptura Zener no origina necesariamente la destruccin de dispositivos. Mientras la corriente esta limitada en
el diodo por el circuito exterior hasta un nivel que no exceda la capacidad de potencia del diodo ste continua
funcionando normalmente. Por otra parte reduciendo la polarizacin inversa por debajo de la tensin Zener, se
puede variar el nivel de tensin hasta restaurar el nivel de corriente de saturacin. El proceso de conmutacin del
diodo entre sus estados de corriente Zener y de saturacin puede ser repetido tantas veces como sea necesario
sobre que se deteriore el elemento.
DIODOS DE UNIN
Diodos de unin: Los diodos de unin son los que hemos venido describiendo en esta seccin de diodos, es
decir, el que consta de un cristal de germanio o de silicio, debidamente dopado, y tiene una forma cilndrica. Son
diodos para baja potencia que se usan mucho como rectificadores de pequeos aparatos. A esta clase de diodo
tambin se le conoce con el nombre de diodos de juntura. Es muy conveniente aprenderse de memoria cada uno
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de los smbolos electrnicos de los diodos, ello nos facilitar la comprensin de los esquemas, no slo los de de
Areaelectronica.com, sino tambin cualquier esquema que necesiten entender.
Diodos de Unin: Circuitos y Aplicaciones
El dispositivo resistor ms simple consiste en una barra homognea de material con una
determinada conductividad, cuyo comportamiento puede expresarse, recurriendo a la ley de
Ohm, como una relacin lineal entre la tensin y la intensidad. En realidad tal relacin lineal es
una aproximacin que slo resulta vlida para valores suficientemente pequeos de la tensin y
la intensidad. Cualquier dispositivo resistivo real, incluso los supuestamente lineales, resulta ser
no-lineal en la prctica. Sin embargo, en algunos dispositivos las no-linealidades son parsitos
que se manifiestan slo dbilmente en condiciones de uso normal. Por contra, en otros
dispositivos las condiciones de uso normal implican, y de hecho tratan de explotar, la operacin
no-lineal. Los diodos de unin, denominados simplemente diodos en muchos libros de texto, son
probablemente los ms conocidos de entre los resistores no-lineales de dos terminales. Pero
existen muchos ms; algunos de los cuales sern mencionados en este Captulo. En este
Captulo se estudian distintos resistores de dos terminales de inters prctico y se presentan
mtodos para el anlisis de circuitos compuestos por la interconexin de resistores de dos
terminales y fuentes independientes de tensin e intensidad.
Un diodo de unin consiste en cuerpos semiconductores de los tipos P y N en ntimo contacto. La unin puede
obtenerse durante el proceso de formacin del cristal (unin por crecimiento) o mediante un sistema de
disolucin y recristalizacin (unin por aleacin).
El diodo de unin pn
Contenido
Introduccin
La conduccin en slidos
Semiconductores dopados
El flujo de corriente en Semiconductores
La unin PN
Comportamiento de la salida del diodo
La ecuacin del diodo
Resumen
Referencias
Introduccin
La propiedad ms bsica de un diodo de unin es que se lleva a cabo una corriente elctrica en una direccin y la
bloquea en el otro. Este comportamiento se deriva de las caractersticas elctricas de una unin, llamada unin
pn. Fabricado en un cristal semiconductor. El material semiconductor utilizado ms comnmente es el silicio. El
diodo de unin es til en una amplia variedad de aplicaciones, incluyendo la rectificacin de las seales de
corriente alterna (que producen corriente continua de la CA), la deteccin de seales de radio, la conversin de la
energa solar en electricidad, y en la generacin y deteccin de la luz. Tambin se encuentra el uso en una
variedad de circuitos electrnicos como un interruptor, como una referencia de tensin o incluso como un
condensador ajustable. La unin pn es tambin el componente bsico de una serie de otros dispositivos
electrnicos, de los cuales el ms conocido es el transistor de unin. Por esta razn, un estudio de las
propiedades y el comportamiento de la unin pn es importante.
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En este captulo, la conduccin de la electricidad en los slidos se revisa primero y las propiedades de
conduccin de los semiconductores se explican a continuacin. La construccin de la unin pn de un diodo ideal
se describe como una explicacin del funcionamiento del dispositivo que se presenta es.
La conduccin en slidos
Toda la materia se compone de tomos. Cada tomo tiene electrones en rbita alrededor del ncleo. El ncleo
contiene la misma cantidad de carga positiva como la carga negativa que poseen los electrones en rbita. La
capacidad de cualquier material para conducir la electricidad depende fundamentalmente del comportamiento de
los electrones en las rbitas exteriores. Por lo tanto, es necesario revisar brevemente algunos aspectos de la
Fsica del estado slido. Este tema se aborda con ms detalle ms adelante en el curso.
Conductores
En un conductor metlico como el cobre, los tomos estn dispuestos en una matriz regular llama una red
cristalina. Los electrones en las rbitas exteriores de cada tomo del metal estn poco ligados al ncleo. Estos
electrones no estn estrechamente asociados con cualquier tomo en particular y son libres de moverse a travs
de la red cristalina. Una vez que un electrn ha salido de su rbita alrededor de un tomo en particular, que el
tomo se queda con un exceso de carga positiva. La deficiencia de tomos de electrones se llama ion positivo. El
electrn que est libre de moverse se llama un electrn libre. Los electrones libres en un conductor se puede
visualizar como una nube de electrones que rodean fija iones positivos como se muestra en la Figura 1.
A temperaturas normales, los iones tienen la energa y vibracin. Las colisiones entre los iones y electrones
libres vibrante causa que los electrones se mueven de forma aleatoria.Durante un largo perodo de tiempo, el
movimiento neto de estos electrones libres es cero.
Si un campo elctrico se aplica al conductor, los electrones libres se adquieren energa adicional y tienden a
moverse en la direccin dictado por el campo. Habr una red de movimiento resultante de los electrones
libres. El movimiento neto de portadores de carga constituye una corriente elctrica.
Aisladores
En un aislador, casi todos los electrones estn muy estrechamente relacionada con sus respectivos
tomos. Prcticamente no hay electrones que son capaces de moverse bajo la influencia de un campo elctrico
aplicado. Por lo tanto, un aislante no puede realizar ninguna corriente elctrica apreciable en condiciones
normales.
Semiconductores
Un semiconductor, como el silicio, tiene propiedades intermedias entre las de un conductor y un aislante. La
capacidad de un semiconductor para conducir la electricidad se puede cambiar drsticamente mediante la adicin
de pequeas cantidades de un elemento diferente a la de cristales de semiconductores. Este proceso se
llama dopaje. Los primeros experimentos mostraron que una corriente elctrica a travs de un semiconductor fue
llevado por el flujo de cargas positivas y cargas negativas (electrones).
Semiconductores dopados
Un cristal semiconductor se denomina tipo n si la adicin de un elemento resultados impureza en un gran
nmero si los electrones libres (portadores de carga negativa) para la conduccin. Cada tomo de impureza se
llama un tomo de donantes, ya que dona un electrn. El electrn puede moverse libremente y puede contribuir a
una corriente elctrica. El ion positivo dejado atrs es fijo y no puede tomar parte en la conduccin (ver Figura
2).
Un cristal semiconductor se puede hacer p-tipo por dopaje con un elemento diferente para que haya un gran
nmero de portadores de carga positiva para la conduccin. Los portadores de carga positiva en realidad
corresponden a las vacantes o deficiencias de los electrones en los enlaces que mantienen los tomos en la red
cristalina. Las cargas positivas se llaman agujeros. Estos agujeros pueden moverse a travs de la red como se
ilustra en una de las dimensiones en las Figuras 3 (a) 3 y (b). Las lneas punteadas representan la red cristalina.
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Tenga en cuenta que el movimiento de un agujero se debe al movimiento de un electrn ligado de un enlace a
otro. No es debido al movimiento de electrones libres.
En un semiconductor de tipo p, la mayora de los portadores de carga mviles son agujeros. Un agujero de
alejarse de su tomo de impureza de acogida es equivalente al tomo de adquirir o aceptar un electrn en su
estructura de la vinculacin. El tomo de acogida gana un exceso de carga negativa y entonces se llama un ion
aceptor. Esta situacin se ilustra en la Figura 4.
Observe de nuevo que los iones estn atrapados en la red cristalina y por lo tanto reperesent cargos fijos y no
pueden contribuir a la corriente. Por otra parte, los agujeros son portadores de carga mviles y pueden contribuir
al flujo de corriente.
Incluso en un dopado p-tipo de semiconductores altamente siempre habr algunos electrones libres. Este
pequeo nmero de electrones libres se han omitido en la Figura 4 para mayor claridad. Del mismo modo, los
semiconductores tipo-n siempre contienen algunos agujeros. Los mviles de la carga compaas predominantes
son llamados portadores mayoritarios, mientras que los de la minora son llamados portadores minoritarios. Por
ejemplo, los portadores mayoritarios en el tipo de material n son electrones libres.
La mayora de las compaas trminos y portadores minoritarios slo tienen sentido si el tipo de semiconductor
(n-o p-) se especifica.
A o sin dopar semiconductores puros se dice que es intrnseco. Este material tiene el mismo nmero de agujeros
y electrones libres. Estas compaas se producen como resultado de la agitacin trmica de los tomos, incluso a
temperatura ambiente. Algunos electrones ligados pueden adquirir suficiente energa para escapar de sus tomos,
convirtindose en electrones libres y dejando huecos atrs., Este proceso de produccin de pares electrn-hueco
se llama la generacin trmica.
Es posible que un electrn libre y un agujero de acercarse unos a otros en el curso de su deambular al azar a
travs del cristal. El electrn libre puede ocupar el puesto vacante representada por el agujero. Los huecos y
electrones se dice que se recombinan. Entonces no hay portador de la carga mvil en ese punto. La tasa de
recombinacin depende del nmero de compaas presentes.
La generacin trmica y la recombinacin se produce en ambos sin dopar materiales semiconductores y
dopados. Cuando un material semiconductor en equilibrio trmico, la tasa de generacin de pares electrn-hueco
es igual a la tasa de recombinacin. La densidad o la concentracin de huecos y electrones entonces se mantiene
constante.
El flujo de corriente en Semiconductores
Una corriente elctrica puede fluir a travs de un semiconductor, como resultado del movimiento de los agujeros
y / o electrones libres. Hay dos procesos importantes que explican el flujo de corriente en los
semiconductores. Estos procesos estn llamados a la deriva y difusin.
Deriva
La aplicacin de un campo elctrico a travs de un semiconductor har que los agujeros y electrones libres a
la deriva a travs del cristal en las direcciones indicadas en la figura 5.
La corriente total es igual a la suma de corriente de huecos (a la derecha) y la corriente de electrones (tpo la
izquierda).
Difusin
Una gota de tinta en un vaso de agua se difunde a travs del agua hasta que se distribuya uniformemente. El
mismo proceso, llamado difusin, ocurre con los semiconductores. Por ejemplo, si algunos electrones libres
adicionales se introducen en un semiconductor de tipo p, los electrones libres se va a redistribuir de forma que la
concentracin es ms uniforme. En el ejemplo que se muestra en la Figura 6, los electrones libres que tienden a
moverse hacia la derecha. Este movimiento neto de portadores de carga constituye una corriente de difusin. (En
la figura 6 de los agujeros y los iones aceptores son omitidos para mayor claridad.)
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En este ejemplo, los electrones libres se mueven lejos de la regin de mayor concentracin. Cuanto mayor sea la
concentracin localizada, mayor ser la velocidad a la que los electrones se mueven de distancia. El mismo
proceso se aplica a los agujeros en un semiconductor de tipo n.
Tenga en cuenta que cuando un pocos portadores minoritarios (como los electrones en la Figura 6) se estn
difundiendo a travs de una muestra, se encontrarn con un gran nmero de portadores mayoritarios. Algunos
recombinacin ocurra. Un nmero de dos tipos de soporte se perdern.
La unin pn
Imagine que un tipo de bloque p de silicio puede ser puesto en contacto perfecto con un tipo de bloque n. Los
electrones libres de la regin de tipo n se difunden a travs de la unin a la de tipo p lado donde se recombinan
con algunos de los muchos agujeros en el tipo de material-p. Del mismo modo, los agujeros se difunden a travs
de la unin en la direccin opuesta y se recombinan, como se muestra en la Figura 7.
La recombinacin de electrones libres y huecos en las proximidades de la unin deja una regin, una a cada lado
de la unin que no contiene carga mvil. Esta regin estrecha que se ha agotado cargo mibile se llama la capa de
agotamiento. Se extiende tanto en el p-tipo y el tipo de regiones-n, como se muestra en la Figura 8 (a). Tenga en
cuenta que la difusin de los agujeros del lado de tipo p de la capa de agotamiento deja tras de s
algunos cubierto fija cargas negativas (los iones aceptores). Del mismo modo, fija las cargas positivas (iones de
los donantes) quedan al descubierto en el lado de tipo n de la capa de agotamiento. Hay, pues, una separacin de
cargas: negativa cargos fijos en el lado de tipo p de la capa de agotamiento y positiva cargos fijos en el lado de
tipo n. Esta separacin de cargas produce un campo elctrico para extender a travs de la capa de agotamiento. A
diferencia de potencial por lo tanto debe existir a travs de la capa de agotamiento. La variacin del potencial
con la distancia se muestra en la Figura 8 (b).
Los cargos no cubierto dar lugar a un dispositivo integrado en el potencial de V_i_ voltios. Para una unin pn de
silicio tpico, V_i_ ≈ 0.6 a 0.7 voltios . Vara con el dopaje y los niveles de temperatura. La importancia de
esta incorporado en el potencial es que se opone a la corriente de huecos y electrones a travs de la unin. Por
esta razn, la incorporada en el potencial se denomina barrera de potencial o potencial de la colina.
En la prctica, una unin pn se forma dentro de un cristal nico, en lugar de limitarse a la unin de dos
piezas. Contactos elctricos a ambos lados del cristal permiten la conexin a un circuito externo. El dispositivo
resultante se llama un diodo de unin.
Comportamiento de la salida del diodo
La propiedad ms importante de un diodo de unin es su capacidad para pasar una corriente elctrica en una sola
direccin. Si el diodo est conectado a un circuito simple que consiste en una batera y una resistencia, la batera
se pueden conectar en cualquiera de las dos maneras, como se muestra en las figuras 9 (a) y 9 (b).
Cuando el tipo de regin-p de la unin pn se conecta al terminal positivo de la batera, la corriente de flujo. El
diodo se dice que es en polarizacin directa. Sin embargo, cuando las terminales de la batera se invierte, la
unin pn casi por completo bloquea el flujo de corriente. Esto se conoce como polarizacin inversa. Si el diodo
no est conectado a todo, se dice que est en circuito abierto y por supuesto no hay circulacin de la corriente
por el diodo.
De polarizacin
La aplicacin de un voltaje de polarizacin directa V a un diodo de unin reduce la incorporada en el potencial
de V_i_ a V_i_ - V , Como se muestra en la Figura 10.
La reduccin de la incorporada en el potencial se debe a la tensin aplicada obligando a ms electrones en la
regin de tipo n y ms agujeros en la regin de tipo p, cubriendo as parte de los gastos fijos y la reduccin de la
capa de agotamiento. Dado que el cargo no cubierto total se reduce, la incorporada en el potencial debe ser
menor. Recordando que la incorporada en el potencial se opone al flujo de portadores mayoritarios en la unin,
una reduccin de ese potencial hace que sea ms fcil para los agujeros en la regin de tipo p a cruzar la calle y
para los electrones en la regin de tipo n a cruzar la calle en la direccin opuesta. Como la tensin de
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polarizacin directa se incrementa, la corriente a travs de la unin se hace mayor. Cuando la tensin
aplicada V enfoques V_i_ , La colina potencial es casi eliminado. Hay, pues, poca oposicin al flujo de
portadores a travs de la unin y una gran corriente puede fluir a travs del diodo.
La variacin de la corriente del diodo con tensin en polarizacin directa se muestra en el primer cuadrante de
un cruce tpico diodo tensin caracterstica de la corriente se muestra en la Figura 11.
Invertir Blas
La aplicacin de una tensin inversa V_R_ agujeros de los extractos de la regin de tipo p y los electrones libres
de la regin de tipo n y as descubre obligados cobra ms cerca de la unin, como se muestra en la Figura 12. La
capa de agotamiento por lo tanto se ensancha y la altura de la colina potencial se incrementa hasta (+ V_i_
V_R_) voltios. La mayora son portadores de tal modo firther inhibida desde el cruce de la unin. A medida que
la tensin inversa se incrementa, la corriente se reduce casi a cero.
Sin embargo, una corriente inversa muy pequea fluye. Esta corriente inversa de saturacin depende slo de la
generacin trmica de huecos y electrones cerca de la unin, no en la altura de la barrera de potencial. En la
prctica, esta corriente inversa de saturacin es muy pequea, pero aumenta con el aumento de la temperatura.
La salida de averas
El gran aumento de la corriente inversa evidente en la Figura 11 es el resultado de la ruptura de conexiones. Se
produce cuando la tensin inversa alcanza un valor crtico.
La ecuacin del diodo
Un anlisis completo de la unin pn abrupta demuestra que esa corriente I vara exponencialmente con la tensin
aplicada V . La relacin exacta entre la tensin y la corriente est dada por la ecuacin del diodo
I = I_S_ (qV ^ e / ^ kT - 1) donde I_S_ es la corriente de saturacin, q es la carga del electrn, k es la constante
de Boltzmann y T es la temperatura (\ (DEK). La ecuacin del diodo se aplica tanto para adelante y polarizacin
inversa. En los extremos de la polarizacin directa de alta y grandes tensiones inversas el comportamiento de los
dispositivos prcticos se desvan de la ley por encima de diodo.
La ecuacin del diodo es una descripcin muy importante del comportamiento del diodo y es la base para la
descripcin matemtica del comportamiento de muchos otros dispositivos electrnicos que emplean uniones pn.
El diodo de unin
El efecto descrito en el tutorial anterior se logra sin ningn tipo de tensin externa se aplica a la actual unin PN
resultante en la unin est en un estado de equilibrio. Sin embargo, si tuviramos que hacer las conexiones
elctricas en los extremos tanto de la N-tipo y los materiales de tipo P y luego conectarlos a una fuente de la
batera, una fuente de energa adicional que ahora existe para superar los obstculos resultantes de las cargas sin
poder cruzar la regin de agotamiento de un lado a otro. El comportamiento de la unin PN en lo que respecta a
la anchura de barrera de potencial produce una asimtrica la realizacin de dos terminal, ms conocido como
el diodo de unin.
Un diodo es uno de los dispositivos de semiconductor ms simple, que tiene la caracterstica de la corriente que
pasa en una sola direccin. Sin embargo, a diferencia de un resistor, un diodo no se comporta de forma lineal con
respecto al voltaje aplicado como el diodo tiene una relacin exponencial IV y por lo tanto no se puede describir
su funcionamiento, simplemente utilizando una ecuacin como ley de Ohm.
Si un voltaje adecuado positiva (polarizacin directa) se aplica entre los dos extremos de la unin PN, se puede
suministrar electrones libres y huecos con la energa extra que necesitan para cruzar la unin como la anchura de
la capa de agotamiento alrededor de la unin PN se reduce . Al aplicar un voltaje negativo (polarizacin inversa)
resulta en los cargos sin que se separ de la unin que resulta en el ancho de capa de agotamiento est
aumentando. Esto tiene el efecto de aumentar o disminuir la resistencia efectiva de la unin en s permitir o
bloquear el flujo de corriente a travs del diodo.
A continuacin, la capa de agotamiento se ensancha con un aumento en el uso de un voltaje inverso y se estrecha
con un aumento en el uso de un voltaje hacia adelante. Esto se debe a las diferencias en las propiedades
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elctricas de los dos lados de la unin PN que resulta en cambios fsicos que tienen lugar. Uno de los resultados
produce la rectificacin como se ve en los diodos de unin PN esttica IV (corriente-voltaje) caractersticas. La
rectificacin es mostrado por un flujo asimtrico actual cuando la polaridad del voltaje de polarizacin se altera,
como se muestra a continuacin.
Smbolo de unin del diodo y caractersticas estticas IV.
Pero antes de que podamos usar la unin PN en un dispositivo prctico o como un dispositivo de rectificacin
que necesitamos en primer lugar a un sesgo de la unin, es decir, conectar un potencial de voltaje a travs de
ella. En el eje de tensin por encima, "Reverse Bias" se refiere a un potencial de tensin externa que aumenta la
barrera de potencial. Una tensin externa que disminuye la barrera de potencial se dice que acta en el "sesgo
hacia adelante" direccin.
Hay dos regiones de operacin y tres posibles "polarizacin" condiciones para el estndar dediodo de unin y
son los siguientes:
1. Cero diagonal - No potencial de tensin externa se aplica a la unin PN.
2. Invertir diagonal - El potencial de voltaje est conectado negativo, (-ve) al tipo de material-P y
positivo (+ ve) a la N-tipo de material a travs del diodo que tiene el efecto deaumento de la
PN de unin ancho.
3. Adelante diagonal - El potencial de voltaje se conecta positivo (+ ve) al tipo de material de P y

negativo, (-ve) a la N-tipo de material a travs del diodo que tiene el efecto de ladisminucin de la
PN de unin ancho.
Cero sesgada diodo de unin
Cuando un diodo est conectado en un estado de polarizacin cero, no hay energa potencial externa se aplica a
la unin PN. Sin embargo, si los terminales de diodos estn en cortocircuito, algunos agujeros (portadores
mayoritarios) en el material tipo P con la energa suficiente para superar la barrera de potencial se mover a
travs de la unin en contra de este potencial de la barrera. Esto se conoce como la "Corriente directa" y se
hace referencia como F
Del mismo modo, los agujeros generados en el material de tipo N (portadores minoritarios), que esta situacin
favorable y se mueven a travs de la unin en la direccin opuesta. Esto se conoce como la "corriente
inversa" y se hace referencia como R. Esta transferencia de electrones y agujeros de un lado a otro a travs de la
unin PN se conoce como difusin, como se muestra a continuacin.
Cero sesgada diodo de unin
La barrera de potencial que existe ahora desalienta la difusin de cualquier portadores mayoritarios ms a travs
de la unin. Sin embargo, la barrera de potencial ayuda a los portadores minoritarios (pocos electrones libres en
la categora P-regin y algunos agujeros en la N-regin) a la deriva en la unin. A continuacin, un "equilibrio"
o el equilibrio se establece cuando los portadores mayoritarios son iguales y ambos se mueven en direcciones
opuestas, de modo que el resultado neto es corriente que fluye en el circuito de cero. Cuando esto ocurre la unin
se dice que est en un estado de "equilibrio dinmico".
Los portadores de la minora se genera constantemente debido a la energa trmica por lo que este estado de
equilibrio puede romperse al elevar la temperatura de la unin PN causando un aumento en la generacin de
portadores minoritarios, lo que resulta en un aumento de la corriente de fuga, sino una corriente elctrica no
puede fluir circuito, ya que no se ha conectado a la unin PN.
Inversa del diodo sesgada la salida
Cuando un diodo est conectado en una condicin de polarizacin inversa, una tensin positiva se aplica al tipo
de material N y un voltaje negativo se aplica al tipo de material-P. El voltaje positivo aplicado al material tipo N
atrae los electrones hacia el electrodo positivo y lejos de la unin, mientras que los agujeros en el extremo de
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tipo P tambin son atrados lejos de la unin hacia el electrodo negativo. El resultado neto es que la capa de
agotamiento se ensancha debido a la falta de electrones y huecos y presenta un camino de alta impedancia, casi
un aislante. El resultado es que una barrera de potencial alto se crea lo que impide la corriente fluya a travs del
material semiconductor.
Polarizacin inversa del diodo de conexin que muestra un aumento en la capa de agotamiento
Esta condicin representa un valor de alta resistencia a la unin PN y prcticamente a cero la corriente fluye a
travs del diodo de unin con un aumento de la tensin de polarizacin. Sin embargo,
una corriente de fuga muy pequea fluye a travs de la unin que se puede medir en microamperios, (mA). Un
ltimo punto, si la tensin de polarizacin inversa Vr aplicada al diodo se incrementa a un valor lo
suficientemente elevado lo suficiente, que har que la unin PN se sobrecaliente y no por el efecto avalancha
alrededor de la unin. Esto puede hacer que el diodo se pongan en cortocircuito y se traducir en el flujo de la
corriente mxima del circuito, y esto se muestra como un pendiente el paso a la baja en las caractersticas
estticas invertir la curva de abajo.
Caractersticas de la curva inversa de un diodo de unin
A veces este efecto avalancha tiene aplicaciones prcticas en el voltaje de los circuitos de estabilizacin en un
resistor limitador en serie es utilizado con el diodo para limitar este desglose corriente inversa a un valor mximo
preestablecido lo que produce una salida de tensin fija a travs del diodo. Este tipo de diodos se conocen
comnmente como Diodos Zener y se discuten en otro tutorial.
Polarizado hacia adelante diodo de unin
Cuando un diodo est conectado en un estado de polarizacin hacia adelante, un voltaje negativo se aplica al
tipo de material N y un voltaje positivo se aplica al tipo de material-P. Si esta tensin externa es mayor que el
valor de la barrera de potencial, aproximadamente. 0,7 voltios para el silicio y 0,3 voltios para el germanio, la
oposicin posibles obstculos se superarn y corriente comenzar a fluir. Esto se debe a la tensin negativa
empuja o repele a los electrones hacia la unin dndoles la energa para cruzar y se combinan con los agujeros de
ser empujado en la direccin opuesta hacia el cruce por el voltaje positivo. El resultado es una caractersticas de
las curvas de corriente que fluye hasta el momento cero de la tensin, llamada "rodilla" en las curvas estticas y
luego un alto flujo de corriente por el diodo con un pequeo aumento en la tensin externa, como se muestra a
continuacin.
Caractersticas de la curva de avance de un diodo de unin
La aplicacin de un voltaje de polarizacin directa en los resultados diodo de unin en la capa de agotamiento
llegando a ser muy delgada y estrecha, que representa un camino de baja impedancia a travs de la unin lo que
permite altas corrientes de flujo. El punto en que este aumento repentino de la corriente se lleva a cabo est
representado en la esttica caractersticas IV curva de arriba como la "rodilla" punto.
Diodo polarizado directamente la salida que muestra una reduccin en la capa de agotamiento
Esta condicin representa la trayectoria de baja resistencia a travs de la unin PN permite corrientes muy
grandes para atravesar el diodo con slo un pequeo aumento en la tensin de polarizacin. La verdadera
diferencia de potencial a travs de la unin o el diodo se mantiene constante por la accin de la capa de
agotamiento de aproximadamente 0,3 voltios para el germanio y 0,7 V para diodos de unin alrededor de
silicio. Puesto que el diodo puede llevar a cabo "infinito" actual por encima de este punto de inflexin, ya que se
convierte efectivamente en un corto circuito, por lo tanto se utilizan resistencias en serie con el diodo para
limitar su flujo de corriente. Superior a su punto mximo hacia delante especificacin actual hace que el
dispositivo para disipar ms energa en forma de calor del que ha sido diseado para ocasionar un fallo muy
rpida del dispositivo.
Resumen de la salida del diodo
La regin de unin PN de un diodo de unin tiene las siguientes caractersticas importantes:
1). Semiconductores contienen dos tipos de portadores de carga libres, huecos yelectrones.
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2). Los agujeros tienen carga positiva, mientras que los electrones con carga negativa.
3). Un semiconductor se puede dopar con impurezas donantes tales como antimonio (dopaje tipo N), de
modo que contenga tarifas de mviles que son principalmente los electrones.
4). Un semiconductor se puede dopar con impurezas tales como aceptor de boro (dopaje tipo P), de
modo que contenga tarifas de mviles que son los principales agujeros.
5). La regin de la unin en s no tiene portadores de carga y se conoce como la regin de agotamiento.
6). La unin (agotamiento) regin tiene un espesor de fsica que vara con la tensin aplicada.
7). Cuando un diodo es cero sesgada ninguna fuente de energa externa se aplica y una natural barrera
de potencial se desarrolla a travs de una capa de agotamiento que es aproximadamente de 0.5 a 0.7 V
para diodos de silicio y de 0,3 de un voltio para los diodos de germanio.
8). Cuando un diodo de unin se polariza hacia adelante el grueso de la regin de agotamiento se reduce
y los actos del diodo como un corto circuito completo que permite que la corriente fluya.
9). Cuando un diodo de unin se polariza inversamente el espesor de la regin aumenta el agotamiento y
los actos del diodo como un circuito abierto bloqueando el flujo de corriente, (slo una corriente de fuga
muy pequea).
En el siguiente tutorial sobre diodos, vamos a ver en el diodo de pequea seal a veces llamado un diodo de
conmutacin que se utilizan, en general, los circuitos electrnicos. Un diodo de seal ha sido diseado para el
voltaje o de alta frecuencia de la seal aplicaciones-bajo, como en la radio o de circuitos de conmutacin digital
en comparacin con la actual red de rectificacin-diodos de alta en la que los diodos de silicio se utilizan
normalmente, y examinar la seal Diodo esttica tensin caractersticas actuales curva y los parmetros.
La formacin de una unin pn
uniones PN se forman al unirse a n-tipo y materiales semiconductores de tipo p, como se muestra a
continuacin. Desde la regin de tipo n tiene una concentracin de electrones de alta y el p-tipo de una
alta concentracin de huecos, los electrones se difunden desde el lado de tipo n al lado de tipo p. Del
mismo modo, el flujo de agujeros por la difusin del tipo p al lado de tipo n lado. Si los electrones y los
huecos no fueron acusados, este proceso de difusin continuar hasta que la concentracin de electrones
y agujeros en los dos lados eran los mismos, como sucede si dos gases entran en contacto unos con
otros. Sin embargo, en una unin pn, cuando los electrones y los huecos se mueven hacia el otro lado de
la unin, que dejan expuestos los cargos en los sitios tomo dopante, que se fijan en la red cristalina y
son incapaces de moverse.Por el lado de tipo n, de iones positivos ncleos estn expuestos. Por el lado
de tipo p, los ncleos de iones negativos son expuestos. Un campo elctrico E se forma entre los ncleos
de iones positivos en el tipo de material N y los ncleos de iones negativos en el tipo de material-p. Esta
regin se denomina "zona de empobrecimiento", ya que el campo elctrico rpidamente barridos
portadores libres a cabo, por lo tanto, la regin se agota de portadores libres. Un "construida en"
potencial V bi debido a E se forma en la unin. La animacin a continuacin muestra la formacin de la
E en la unin entre n y p-tipo de material.
Aerolnea Movimiento en Equilibrio
-246 -

Una unin pn sin insumos externos representa un equilibrio entre el soporte de la generacin, la
recombinacin, la difusin y la deriva en la presencia del campo elctrico en la regin de agotamiento. A
pesar de la presencia del campo elctrico, lo cual crea un obstculo a la difusin de los transportistas a
travs del campo elctrico, algunas compaas an cruzan la unin por difusin. En la animacin de
abajo, la mayora de las compaas que entran en la mayora de mover la regin de agotamiento de
nuevo hacia la regin de donde son originarios. Sin embargo, estadsticamente algunas compaas
tendrn una alta velocidad y viajar en una direccin suficientes de dichas redes a su paso por el
cruce. Una vez que un portador de mayora cruza la unin, se convierte en un portador de la minora. Se
continuar a difundir fuera de la unin y se puede recorrer una distancia en promedio igual a la longitud
de difusin antes de que se recombina. La corriente causada por la difusin de portadores a travs de la
unin se llama corriente de difusin. En la animacin de abajo, ver las compaas en la regin de
agotamiento y esperar a que los transportistas que cruzan la unin. Recuerde que en una unin pn reales
el nmero y la velocidad de los portadores es mucho mayor y que el nmero de portadores que cruzan la
unin son mucho ms grandes.
portadores minoritarios que alcanzan el borde de la regin de la difusin son arrastrados a travs de ella
por el campo elctrico en la regin de agotamiento. Esta corriente se denomina corriente de deriva. En
equilibrio la corriente de deriva est limitada por el nmero de portadores minoritarios que estn
generados trmicamente dentro de una longitud de difusin de la unin.
En el equilibrio, la corriente neta del dispositivo es igual a cero. La deriva de electrones y la difusin de
electrones exactamente equilibrar (si no habra una acumulacin neta de electrones en ambos lados de
uno o del otro del dispositivo). Del mismo modo, la tendencia corriente de huecos y la difusin corriente
de huecos tambin se equilibran entre s.
Formacin de un diodo de unin PN y su diagrama de banda!
Con el fin de iniciar la formacin de conexiones, haga clic en el botn del ratn arrastre FormJunction O un
objeto hacia el otro. Para devolver los semiconductores a piezas por separado, haga clic en el botn Separar O
arrastra un objeto fuera de la otra:
El rectngulo rojo representa un semiconductor de tipo P y el rectngulo azul de un semiconductor de tipo n. Por
el momento, tres semiconductores, Si, Ge y GaAs, tienen parmetros materiales correctos. Puede cambiar el
nivel de dopaje, escribiendo en el valor y haciendo clic en el botn 'setNewValue.
diagramas de equilibrio de la banda aparecen debajo de los semiconductores. La lnea horizontal verde es el
nivel de Fermi. Iniciar la formacin de unin pn, haga clic en el botn 'FormJunction "o usando el ratn arrastrar
y ver el enfoque de un nuevo sistema fsico (electro-trmicos) equilibrio que se caracteriza por una constante
nivel de Fermi en todo el material. La regin en blanco entre el rojo (tipo p) y azul regiones (tipo n) es la
transicin (o agotamiento) regin donde la mayora de los portadores libres se agotan. Esta regin es blanco de la
regin de carga espacial no compensada con los cargos de impurezas ionizados que producen el campo elctrico
en esta regin.
uniones PN son elementales "bloques de construccin" de casi todos los dispositivos de electrnica de
semiconductores tales como diodos, transistores, clulas solares, LED y circuitos integrados, son los sitios
activos donde la accin electrnica del dispositivo se lleva a cabo. Por ejemplo, un tipo comn del transistor, el
transistor de unin bipolar, consta de dos uniones p-n en serie, en la forma n-p-n o p-p-n.
Diodos fueron los dispositivos semiconductores electrnicos en primer lugar. El descubrimiento de las
capacidades de los cristales "rectificacin fue hecha por el fsico alemn Ferdinand Braun en 1874. Los diodos
semiconductores en primer lugar, diodos gato llamado de barba estaban hechas de cristales de minerales como la
galena
uniones PN se forman al unirse a n-tipo y de tipo p semiconductoresmateriales, como se muestra a
continuacin. Desde la regin de tipo n tiene una concentracin de electrones de alta y el p-tipo de una alta
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concentracin de huecos, los electrones se difunden desde el lado de tipo n al lado de tipo p. Del mismo modo, el
flujo de agujeros por la difusin del tipo p al lado de tipo n lado.Si los electrones y los huecos no fueron
acusados, este proceso de difusin continuar hasta que la concentracin de electrones y agujeros en los dos
lados eran los mismos, como sucede si dos gases entran en contacto unos con otros.Sin embargo, en una
unin pn, cuando los electrones y los huecos se mueven hacia el otro lado de la unin, que dejan expuestos los
cargos en los sitios tomo dopante, que se fijan en la red cristalina y son incapaces de moverse. Por el lado de
tipo n, de iones positivos ncleos estn expuestos. Por el lado de tipo p, los ncleos de iones negativos son
expuestos. Un campo elctrico E entre las formas de los ncleos de iones positivos en el tipo de material-ny de
iones negativos en los ncleos de tipo material p. Esta regin se denomina "zona de empobrecimiento", ya que el
campo elctrico rpidamente barridos portadores libres a cabo, por lo tanto, la regin se agota de portadores
libres. Un "construida en" potencial V bi debido a E se forma en la unin. La animacin a continuacin muestra
la formacin de la E a la unin entre n y p-tipo de material.
DIODOS PUNTA DE CONTACTO
Diodos de punta de contacto: Poseen unas propiedades similiares a los diodos de unin y la nica diferencia es,
en todo caso, el sistema de construccin que se ha aplicado. En la imagen se
muestra un esquema de uno de estos elementos que consta de una punta de
contacto en forma de muelle (1) que se hay conectada con un cristal de tipo
P (2), el cual se haya a su vez en contacto con un cristal de tipo N (3). En la
parte baja, una base metlica hace de soporte y asegura la rigidez del
conjunto. Exactamente igual que ocurre con los diodos de unin, el diodo
de punta de contacto se comporta dejando pasar la corriente en un solo
sentido.
DIODO GUNN
Diodo Gunn: Este diodo tiene caractersticas muy diferentes a los anteriores, ya que no es rectificador. Se trata
de un generador de microondas, formado por un semiconductor de dos terminales que utiliza el llamado efecto
Gunn.Cuando se aplica entre nodo y ctodo una tensin continua de 7 V, de modo que el nodo sea positivo
con respecto al ctodo, la corriente que circula por el diodo es continua pero con unos impulsos superpuestos de
hiperfrecuencia que pueden ser utilizados para inducir oscilaciones en una cavidad resonante. De hecho, la
emisin de microondas se produce cuando las zonas de campo elctrico elevado se desplazan del nodo al
ctodo y del ctodo al nodo en un constante viaje rapidsimo entre ambas zonas, lo que determina la frecuencia
en los impulsos.
Ms
investigaciones
recientes han demostrado que los diodos de unin
pn y pin-diodos de unin
simple puede mostrarresistencia negativa y la
amplificacin en las frecuencias de microondas cuando son en polarizacin negativa reverso en
unasituacindeavalancha.La negativa de la resistencia en una unin pn simple o diodo pin es el resultado de
uncomplicado mecanismo internomsque en el diodo Pnin.La regin de avalancha y la regin de la deriva
deldiodo Pnin estn separadas fsicamente.Diodos del tipo y el pin pn debe utilizar la fsica misma
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regin,tantoparaavalanchas y control en tiempo de deriva.En todos los tipos de diodos de avalancha tiempo de
trnsito, la resistencia ala propiedadnegativohace que la energa de polarizacin de de ser absorbidos por los
electrones en el proceso de avalancha y teniendo en cuenta hasta elcampo de microondas aplicada.Q-62.Cul es
la frecuencia de salida de un convertidor de frecuencia de banda lateral superior paramtrica?Q-63.Cul es la
principal ventaja del efecto dispositivos a granel en unin pn de semiconductores de lo normal?Q-64.Qu pasa
con los electrones de un semiconductor de arseniuro de galio-cuando se trasladan de laenerga de la banda de
conduccin normal baja hasta la energa de la conduccin de banda alta?Q-65.El punto de la curva actual de un
semiconductor de arseniuro de galio-en la que comienza a mostrarresistencia negativa se llama qu?Q-66.El
dominio de un semiconductor de arseniuro de galio-tiene el tipo de campo elctricoencomparacincon las otras
regiones a travs del cuerpo de un semiconductor?Q-67.Qu caracterstica de un oscilador Gunn es
inversamente proporcional al tiempo de trnsito del dominioa travs de los semiconductores?Q-68.Cul es el
acuerdo de unin de la avalancha inicial de tiempo de trnsito del diodo?Q-69.Qu causa la polarizacin de la
energa sea absorbida por electrones avalancha y teniendo en cuenta hasta elcampo de microondas aplicada a un
tiempo de trnsito del diodo avalancha?El punto de contacto del diodode contacto puntual DIODOS,
comnmente llamada Cristales, son las microondasde dispositivos semiconductoresmsantigua.Ellos se
desarrollaron durante la Segunda Guerra Mundial para su uso en los receptores de microondas ytodavaestnen
uso generalizado como mezcladores receptor y detectores
Hoy en da, las comunicaciones de fibra ptica de los sistemas de explotar la regin espectral entre 1530 y 1565
nm, y que se basan actualmente en 10 Gb / s velocidad de bits. En el futuro, se espera que la tasa de bits de la
seal aumentar a 160 Gb / s. En los actuales sistemas de transmisin ptica, conversin optoelectrnica es
ampliamente utilizado para realizar con- circuitos de control y herramientas de diagnstico, sin embargo, las
actuales tcnicas de tecnologa limita el funcionamiento de los dispositivos electrnicos para frecuencias
inferiores a 65 GHz, y, por tanto, para el futuro sistemas, ser importante para desarrollar dispositivos y
tecnologas que pueden realizar estas operaciones en muy altas tasas de bits.
Metal-aislante-metal (MIM), punto de contacto diodos (PCD) tiene ancho de banda muy grande (del orden de
unpocos cientos de THz), y se utilizan como detector y dispositivos de mezcla a travs del espectro
electromagntico del microondas a la regin visible [1, 2]. Especfica- camente, en su mayora son utilizados
para mezclar ondas de luz en el pc frecuencia de la regin alrededor de 30 THz (CO2 lser) con una frefrecuencia diferencia de varios THz. PCD puede ser tambin utiliza para generar seales de THz [3]. Sin
embargo, el MIM diodos tienen una baja sensibilidad, sobre todo en frecuencia portadora cuencias superiores a
100 THz ( = 3 m), y esta lim- su su posible aplicacin en las comunicaciones regin. Ms recientemente, los
semiconductores de metal-PCD se demostr que tienen un mejor rendimiento en el regin ptica [4], y, de
hecho, el punto de contacto GaSb diodos mostr una sensibilidad muy alta en el infrarrojo cercano y en la regin
visible [5]. A modo de ejemplo, la frefrecuencia de bloqueo de dos lseres de diodo de alrededor de 850 nm
demostrado mediante el uso de un metal-semiconductor PCD. Estas caractersticas sugieren que un punto de
contacto GaSb diodo tambin podra ser investigado en torno a 1550 nm para crear nuevos microondas
optoelectrnicos diag- dispositivos de diagnstico para los sistemas de generacin de onda de luz que viene,
sustitucin de los componentes electrnicos reales.
En este trabajo, investigamos por primera vez el comportamiento de un CPD GaSb en la comunicacin de fibra
ptica cationes banda, utilizando fuentes de luz que se suelen en esta zona. En la seccin 2, se caracterizan las
propiedades de la mezcla de los diodos en CW y pulsado fuentes infrarrojas. En la seccin 3, se reportan algunos
preli- resultados preliminares en el dominio del tiempo de diagnstico de rayos infrarrojos fuentes con PCD, y
discutimos cmo podran extendido sobre la base de los resultados de la seccin 2. Por ltimo, en Seccin 4, se
muestran algunos ejemplos posibles de fre- mediciones de frecuencia que se podra hacer uso de estos PCD.
MEZCLA DE PROPIEDADES
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El punto de GaSb diodo se hace el contacto de una de tungsteno bigote de gato presiona sobre la superficie de
una plaqueta GaSb.
El GaSb es n-dopado con Te, y la concentracin del operador tracin es 1017cm El bigote es una de tungsteno
alambre de 127 m de dimetro que se ha electroqumica- mente grabado a la radio de la punta deseada (unos
100 nm) por medio de una-solucin de NaOH 2N.
Con el fin de mejorar las propiedades de la mezcla y la ancho de banda de las PCD, se utiliz un
electroconformado pro- proceso, es decir, se aplic un sesgo de gran intensidad (30 mA) el PCD [5]. La luz
infrarroja es, junto a la CPD acercando el extremo abierto de la fibra ptica lo ms cerca posible el contacto del
diodo. La sensibilidad de este diodo en la regin- m 1.55 se midi a unos 6 V / W, la medida fue tomada
usando un-M de carga 1 resistencia.
El montaje experimental utilizado para estudiar la mezcla propiedades de las PCD GaSb se muestra en la
figura. 1. Por medio de un acoplador de fibra dB-3 (FC), la radiacin de
dos lseres semiconductores sintonizables CW, activos en todo
1549 nm con frecuencias portadoras fL 1y fL 2, Respectivamente, respectivamente, se junta a la misma fibra y
se enva a la PCD. Las polarizaciones lseres se alinean a travs de una fibra comn regulador de la polarizacin
(PC). El total potencia de salida de la fibra es de 50 mW. Con el fin de abajo- convertir la frecuencia de batido
de la seal de alto a una regin de la orden de unos pocos GHz, tambin pareja en la PCD el microondas (MW)
emiten radiacin de un oscilador de Gunn- ting GHz 72. El acoplamiento de la CM con el PCD se logra
mediante la colocacin de la gua de onda de salida Gunn (10 mW de potencia de salida) cerca de la PCD el
bigote, que acta como una antena. En el PCD, no lineal de mezcla de los fotones y MW ptica surge, lo que
produce superando a las seales. La frecuencia de cualquier seal venci genricos nal viene dada por
donde n es un entero positivo y f MW es la frecuencia de salida- frecuencia del oscilador MW. Despus de 35
dB elctrica amplificador (EA), la seal del golpe que se observa con una analizador de espectro elctrico.
Hemos cambiado la frecuencia de desafinacin de los dos lseres, y-a-ruido de la seal (S / N) de la detectado
seales de batido se informa en la figura. Dos frente a la frefrecuencia diferencia entre los dos
lseres. Tomamos nota de que la relacin S / N depende en gran medida parmetro no controlado tros, tales
como la calidad del diodo de contacto, por lo que estos resultados experimentales pueden ser ms o menos reproproducidos. El primer punto es en pequea desafinacin, es decir, que, debido a la elctrica de ancho de banda
finito de la PCD, que, bsicamente, observar slo la baja frecuencia de mezcla tono (dos fotones pticos de
mezcla, como es habitual en un comn fotodetector). Cuando abrimos la desafinacin de frecuencia cerca de 72
GHz, que no puede detectar la mezcla de orden cero,
pero ahora podemos ver la mezcla de dos pticas fotones ms un fotn de microondas y, por ltimo, cuando el
desafinacin es de alrededor de 144 GHz (Fig. 3), el ritmo observadoING cuenta se debe a la mezcla ptica de dos ms dos fotones de microondas. La disminucin de la relacin S /
N es principalmente debido al aumento en el orden de mezcla. En todos los estas mediciones, para maximizar el
S / N, el lser de dos las ondas de luz debe ser copolarized. De lo contrario, no encontrar cualquier variacin
significativa cuando la polarizacin relativa- cin entre el oscilador Gunn y el lser de dos las luces se cambia.
En un segundo experimento, se mezclan, en el PCD, una tren de pulsos pticos con una tasa de repeticin GHz40 (que sustituye los dos lseres CW) y el oscilador de Gunn en 72 GHz. El tren de pulsos pticos es de hecho
un tren regular de solitones disipativos producido por la inyeccin de un seno- onda modulada en un instrumento
Raman-bombeado optimismo no lineal- fibra de cal [7]. La onda sinusoidal modulada es producido por un
modulador electroptico sesgada en el punto nulo y impulsado por un oscilador de RF con una estabilidad de
108. En el dominio de la frecuencia, esta fuente es descrito por un opti- peine de frecuencias cal (OFC) hecho de
frecuencia espaciados por igual.
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PULSO DE DETECCIN DE RETRASO
El PCD se puede tambin utilizar como detector de la fase rpida en el dominio del tiempo. Los resultados en
este caso son similares a los que se puede obtener con un fotodiodo comn, desde downconversion frecuencia
usando el MW Gunn oscilador no es necesario. La combinacin de estos resultados y los reportados en la
Seccin 2 se discuten en la Seccin 4.
Se presentan dos tipos diferentes de mediciones mostrando cmo este dispositivo puede ser utilizado tanto como
una fase comparador (que mide el tiempo de retardo relativo entre dos trenes de pulsos pticos independientes) y
como una ptica toma de muestras.
En el primer experimento (Fig. 4), dos trenes de pulso con las tasas de repeticin de 10 GHz y la onda portadora
del mismo longitud (1555 nm) se combinaron por un dB fibra cou-3- ms simples y luego enviado a la PCD. En
uno de los caminos, que insertado una lnea de retardo ptico variable (DL), mientras que en el otros, que aade
un regulador de la polarizacin (PC) en
Para optimizar la polarizacin relativa. Usando una variable atenuador ptico capaz (VOA), logramos un
equilibrio entre la ptica niveles de potencia de las dos ramas.
La mezcla entre las lneas espectrales de los dos trenes de pulso conduce a la generacin de algunos
componentes en el espectro de frecuencia de ruido bajo en la salida de la PCD. Los componentes son mximos
cuando el pulsos se superponen el tiempo y disminuye cuando se fuera de fase. Por lo tanto, se integra el ruido
de golpes espec- espectro en la regin de baja frecuencia, es posible extracto de una seal de error que depende
del tiempo relativo retraso entre los trenes de pulso (ver fig. 5).
En un experimento diferente, repetimos esta medida- cin al reemplazar uno de los dos trenes de pulso con un
GHz sinusoidal modulada de onda ptica-10 a la misma compaa longitud de onda (1555 nm). El uso de este
sistema, se comprob la posibilidad de utilizar el diodo como un sampler ptica.
Se utiliz el tren de pulso como una seal de toma de muestras y ola sinelike como la "muestra" de la seal. La
integracin de la de baja frecuencia de la seal jugando como en la experiencia anterior- cin y el cambio de la
lnea de retardo, se encontr que la la reconstruccin de la seal de la muestra se realiza bien.
A pesar de estos experimentos se llevaron a cabo utilizando fuentes pulsadas exactamente a la longitud de onda
misma compaa, los resultados de la seccin 2 muestran que el uso de radiofre- downconversion frecuencia
puede hacer que este sistema de deteccin temperaturas muy eficaz en el caso de una longitud de onda de
septiembre de gran paracin entre las dos seales pticas, en comn fotodiodos son de ancho de banda limitado.
USO DE LA MEZCLA DE MEDICIN FINES
Los resultados anteriores muestran que la PCD puede detectar golpes seales entre las ondas de luz visible como
un comn fotodiodo con un gran ancho de banda muy: por lo tanto, pueden ser utilizado en la diferencia de
experiencias de medicin de frecuencia mentos. Sin embargo, esto podra ser tambin alcanzado mediante el uso
de comn fotodiodos de banda ancha (que son ms caro, pero vienen como envasados y listos para usar
dispositivos). Por otra parte, como hemos visto, puede PCD efectivamente la mezcla y la radiacin ptica MW:
esta funcin podra permitir a un darse cuenta de diferencia de mediciones de frecuencia mediciones cuando la
nota ms astuto que es mucho mayor que el ancho de banda de envasado fotodiodos comerciales.
Esta caracterstica puede ser til en muchos campos, como ejemplo, podra ser utilizado en la determinacin de
la fase retardo de los pulsos que son bastante lejos de la frecuencia de dominio mediante la mezcla de la seal de
golpes con un buen MW de origen. Otra aplicacin posible es en la medida- cin de la inquietud del tiempo de
las fuentes de pulsos pticos. En tal mediciones [8], es necesario recuperar, con un ancho de banda de resolucin
adecuada, casi el primer armnico del espectro de potencia del pulso. Si la tasa de repeticin del pulso es mayor
que el estndar de fotodiodos y elctricos analizador de espectro de anchos de banda (es decir, alrededor de 60
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GHz en ambos casos), la medida requiere una downcon- la versin a travs de una referencia de frecuencia
conocida. Un conjunto de estabilizado osciladores Gunn se podra utilizar para este propsito. En relacin con
(2) y (3), utilizando un conjunto de frecuencias- cie f
Gunn cerca de la f
Y as sucesivamente, las seales de golpes que se obtienen son proporcionales a el espectro de armnicos de
potencia deseado: a saber, la primero, segundo, tercero, ..., y as sucesivamente. Tenga en cuenta que, aunque la
seal ms astuto S / N disminuye a medida que la diferencia de frecuencia aumenta la Conferencia (como se ve
en la seccin 2), la inquietud del tiempo medicin no se ve afectada: en efecto, como se muestra en [8], la
informacin sobre la inquietud de la sincronizacin de la seal est encerrado en cada uno de los armnicos del
espectro como un valor relativo a la armo- s mismo (es decir, armnica, la inquietud de la sincronizacin est
determinada por adecuada normalizacin de cada medida de armnicos). No- tanto, la tendencia decreciente de
la detectada S / li valor de N- su nmero de armnicos que se podran utilizar. Fur- Thermore, una estimacin de
la inquietud de la sincronizacin requiere en por lo menos los dos primeros armnicos. Utilizando los resultados
anteriores (Observacin de vencer a los tonos de hasta 144 GHz), una GaSb PCD debera permitir una para
medir los tres primeros har- armnicos (a 40, 80 y 120 GHz) en el caso de un 40 GHz fuente del pulso ptico.
Un fuerte exigencia de la medicin anterior se refiere a la tcnica de la inquietud del tiempo de la radiacin de
microondas de origen. En concreto, debe ser inferior a la ptica pulso de la seal.
Por otro lado, tambin es posible que, al invertir- cin del papel del oscilador Gunn y la ptica fuente, el rgimen
de mezcla propuesta podra aplicarse en el tiempo (o frecuencia) jitter caracterizacin de un genricos oscilador
MW (o, ms generalmente, un RF fuente) con una estable y se caracteriza OFC como un frefrecuencia de
referencia. A modo de ejemplo, utilizando un establo ptica peine de frecuencias, se realiz la frecuencia de ca
caracterizacin de un oscilador Gunn libre emiten MW de rodaje ting alrededor GHz 72. El peine de frecuencia
ptica tiene una espaciamiento de frecuencia variable fs, Y se obtiene por la di- abatic compresin de una ptica
modulada de onda sinusoidal modulada a una frecuencia que va de 66 a 80 GHz, alrededor de un portador del
oscilador Gunn que es aproximadamente 72 GHz. As, en este caso, trabajamos con primer orden mezcla. En la
figura. 6, se presenta la frecuencia de golpes obtenidos mediante la mezcla de la radiacin MW y OFC frente
OFC separacin de frecuencias. Por ajuste lineal de las curvas con (1), podemos determinar la frecuencia de
oscilacin Gunn.
11. EL TRANSISTOR
11.1 Generalidades
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de
transferencia"). Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los aparatos domsticos de uso diario:
radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automviles,
equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas
fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, telfonos mviles, etc.
11.1.1 Historia
El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en diciembre de 1947 por John Bardeen,
Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de
Fsica en 1956. Fue el sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos, o triodo.
El transistor de efecto de campo fue descubierto antes que el transistor (1930), pero no se encontr una
aplicacin til ni se dispona de la tecnologa necesaria para fabricarlos masivamente.
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Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados transistores de efecto de
campo (FET). En los ltimos, la corriente entre el surtidor o fuente (source) y el drenaje (drain) se controla
mediante el campo elctrico establecido en el canal. Por ltimo, apareci el MOSFET (transistor FET de tipo
Metal-xido-Semiconductor). Los MOSFET permitieron un diseo extremadamente compacto, necesario para
los circuitos altamente integrados (CI).
Hoy la mayora de los circuitos se construyen con tecnologa CMOS. La tecnologa CMOS (Complementary
MOS MOS Complementario) es un diseo con dos diferentes MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se
complementan mutuamente y consumen muy poca corriente en un funcionamiento sin carga.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con
materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite
portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula
el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por
corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera
un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. Su
funcionamiento slo puede explicarse mediante mecnica cuntica.
De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en
el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de
corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que
se utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se
denomina Beta del transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor
son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin
de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros tales como corriente de
base, tensin Colector Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de
esquemas(configuraciones) bsicos para utilizacin analgica de los transistores son emisor comn, colector
comn y base comn.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET, JFET, CMOS,
VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el terminal de "base" para modular la corriente de emisor
o colector, sino la tensin presente en el terminal de puerta o reja de control (graduador) y grada la
conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el canal se
encuentra estrangulado, por efecto de la tensin aplicada entre Compuerta y Fuente, es el campo elctrico
presente en el canal el responsable de impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la
corriente de salida en la carga conectada al Drenaje (D) ser funcin amplificada de la Tensin presente entre la
Compuerta (Gate) y Fuente (Source). Su funcionamiento es anlogo al del triodo, con la salvedad que en el
triodo los equivalentes a Compuerta, Drenador y Fuente son Reja (o Grilla Control), Placa y Ctodo.
Los transistores de efecto de campo, son los que han permitido la integracin a gran escala disponible hoy en
da, para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de miles de transistores interconectados,
por centmetro cuadrado y en varias capas superpuestas
11.2 Tipos de transistores
11.2.1 Transistor de contacto puntual
Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado
en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor
conocido que la combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas
que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el
colector, de ah el nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es
difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin
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embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la
actualidad ha desaparecido.
11.2.2 Transistor de unin bipolar
El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de
Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre
conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en
forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos
uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos"
(cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio
(Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P).
La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre
corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y
de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms
contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la
geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del
comportamiento cuntico de la unin.
El transistor bipolar es el ms comn de los , y como los diodos, puede ser de
germanio o silicio.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la
corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de .
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B),
colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el grfico de
transistor.
El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad de
corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra (emisor) , una cantidad mayor a sta, en un factor
que se llama amplificacin.
Este factor se llama (beta) y es un dato propio de cada transistor.
Entonces:
- Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a (factor de amplificacin) por Ib (corriente que pasa
por
la
patilla
base)
Ic
=
*
Ib
- Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, slo que, la corriente en un caso entra al
transistor y en el otro caso sale de l, o viceversa.
Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el (Vcc), pero en la realidad si lo
hace y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se cambia Vcc. Ver figura.
-254 -

Dispositivo
corriente
semiconductor que permite el control y la regulacin de una

grande mediante una seal muy pequea. Existe una gran
variedad de transistores. En principio, se explicarn los bipolares.
Los
smbolos
que
corresponden a
siguientes:
este tipo de transistor son
los
Transistor NPN Estructura de un transistor NPN

Transistor PNP
Estructura de un transistor
PNP
Veremos mas adelante como un circuito con un transistor NPN se puede adaptar a PNP. El nombre de estos
hace referencia a su construccin como semiconductor.
11.2.2.1 . Funcionamiento basico
Cuando el interruptor SW1 est abierto no circula intensidad por la Base del transistor por lo que la lmpara no
se encender, ya que, toda la tensin se encuentra entre Colector y Emisor. (Figura 1).
Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequea circular por la Base. As el transistor
disminuir su resistencia entre Colector y Emisor por lo que pasar una intensidad muy grande, haciendo que se
encienda la lmpara. (Figura 2).
En general: IE < IC < IB ; IE = IB + IC ; VCE = VCB + VBE
11.2.2.2. Polarizacin de un transistor
Una polarizacin correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo mismo polarizar un transistor
NPN que PNP.
-255 -
Polarizacin de un transistor NPN

Polarizacin de un transistor PNP
Generalmente podemos decir que la unin base - emisor se polariza directamente y la unin base - colector
inversamente.
11.2.2.3. Zonas de trabajo
CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor tambin es nula.La
tensin entre Colector y Emisor es la de la batera. El transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un
interruptor abierto.
IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat
SATURACION.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de colector
considerable. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De
esta forma, se puede decir que la tensin de la batera se encuentra en la carga conectada en el Colector.
ACTIVA.- Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos corriente.
Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice que trabaja en conmutacin. En definitiva, como si
fuera un interruptor.
La ganancia de corriente es un parmetro tambin importante para los transistores ya que relaciona la variacin
que sufre la corriente de colector para una variacin de la corriente de base. Los fabricantes suelen especificarlo
en sus hojas de caractersticas, tambin aparece con la denominacin hFE. Se expresa de la siguiente manera:
Los encapsulados en los transistores dependen de la funcin que realicen y la potencia que disipen, as nos
encontramos con que los transistores de pequea seal tienen un encapsulado de plstico, normalmente son los
ms pequeos ( TO- 18, TO-39, TO-92, TO-226 ... ); los de mediana potencia, son algo mayores y tienen en la
parte trasera una chapa metlica que sirve para evacuar el calor disipado convenientemente refrigerado mediante
radiador (TO-220, TO-218, TO-247...) ; los de gran potencia, son los que poseen una mayor dimensin siendo el
encapsulado enteramente metlico . Esto, favorece, en gran medida, la evacuacin del calor a travs del mismo y
un radiador (TO-3, TO-66, TO-123, TO-213...).
11.2.3 Transistor de unin unipolar o de efecto de campo
El transistor de unin unipolar, tambin llamado de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de
efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los
-256 -

terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la
forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s,
se producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin
positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que
llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos
tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en funcin de una
tensin; tienen alta impedancia de entrada.
Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se asla del canal mediante
un dielctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xido-Semiconductor, en este caso
la compuerta es metlica y est separada del canal semiconductor por una capa de xido.
11.2.4 Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas a la de la luz visible;
debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en
esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:
- Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn)
- Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo
de iluminacin
11.3Transistor bipolar como amplificador
El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno entre base y
emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que
entre base y emisor tendremos una tensin igual a la tensin directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un
transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio.
Pero la gracia del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la corriente de base: IC
= IB, es decir, ganancia de corriente cuando >1. Para transistores normales de se al, vara entre 100 y 300.
Entonces, existen tres configuraciones para el amplificador:
11.3.1 Emisor comn
La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta a
las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene
ganancia tanto de tensin como de corriente y alta impedancia de entrada. En caso de tener
resistencia de emisor, RE > 50 , y para frecuencias bajas, la ganancia enntensi
se
; y la impedancia de
aproxima bastante bien por la siguiente expresin:
salida, por RC
Como la base est conectada al emisor por un diodo en directo, entre ellos podemos suponer
una tensin constante, Vg. Tambin supondremos que es constante. Entonces tenemos que la tensin de emisor
es: VE = VB Vg
Y la corriente de emisor:
-257 -

La
corriente
de
emisor
es
igual
la
de
colector
ms
la
de
base:
. Despejando
La tensin de salida, que es la de colector se calcula como:

Como
>>
1,
se
puede
aproximar:
y,
entonces,
Que podemos escribir como

Vemos que la parte
es constante (no depende de la seal de entrada), y la parte
nos da la seal de salida. El signo negativo indica que la seal de salida est desfasada 180 respecto
a la de entrada.
Finalmente, la ganancia queda:
La corriente de entrada,
, que aproximamos por
Suponiendo que VB>>Vg, podemos escribir:
y la impedancia de entrada:
Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de transistor ms elaborados. Es muy
frecuente usar el modelo en pi.
11.3.2 Base comn
La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. la base se conecta a las
masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene
ganancia slo de tensin. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo
menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si aadimos una
resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de seal, un
anlisis similar al realizado en el caso de emisor comn, nos da la ganancia aproximada
siguiente:
.
La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de seal de baja impedancia de salida como, por ejemplo,
micrfonos dinmicos.
-258 -

11.3.3 Colector comn
La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el
emisor. El
colector se conecta a las masas tanto de la seal de entrada
como a la
de salida. En esta configuracin se tiene ganancia de corriente,
pero no de
tensin que es ligeramente inferior a la unidad. Esta
configuracin multiplica la impedancia de salida por 1/.
11.4 El transistor bipolar frente a la vlvula termoinica
Antes de la aparicin del transistor los ingenieros utilizaban
elementos
activos llamados vlvulas termoinicas. Las vlvulas tienen
caractersticas elctricas similares a la de los transistores de
efecto de
campo (FET): la corriente que los atraviesa depende de la
tensin en
el borne de comando, llamado rejilla. Las razones por las que el transistor reemplaz a la vlvula termoinica
son varias:
Las vlvulas necesitan tensiones muy altas, del orden de las centenas de voltios, que son letales para el
ser humano.
Las vlvulas consumen mucha energa, lo que las vuelve particularmente poco tiles para el uso con
bateras.
Probablemente, uno de los problemas ms importantes haya sido el peso. El chasis necesario para alojar
las vlvulas y los transformadores requeridos para su funcionamiento sumaban un peso importante, que
iba desde algunos kilos a decenas de kilos.
El tiempo medio entre fallas de las vlvulas termoinicas es muy corto comparado con el de los
transistores, sobre todo a causa del calor generado.
Las vlvulas presentan una cierta demora en comenzar a funcionar, ya que necesitan estar calientes para
establecer la conduccin.
El transistor es intrnsecamente insensible al efecto microfnico, muy frecuente en las vlvulas.
Los transistores son ms pequeos que las vlvulas, incluso que los nuvistores. Aunque existe
unanimidad sobre este punto, conviene hacer una salvedad: en el caso de dispositivos de potencia, estos
deben llevar un disipador, de modo que el tamao que se ha de considerar es el del dispositivo (vlvula o
transistor) ms el del disipador. Como las vlvulas pueden funcionar a temperaturas ms elevadas, la
eficiencia del disipador es mayor en ellas que en los transistores, con lo que basta un disipador mucho
ms pequeo.
Los transistores trabajan con impedancias bajas, o sea con tensiones reducidas y corrientes altas;
mientras que las vlvulas presentan impedancias elevadas y por lo tanto trabajan con altas tensiones
pequeas corrientes.
Finalmente, el costo de los transistores no solamente era muy inferior, sino que contaba con la promesa
de que continuara bajando (como de hecho ocurri) con suficiente investigacin y desarrollo.
Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede citar a la primera computadora digital, llamada ENIAC.
Era un equipo que pesaba ms de treinta toneladas y consuma 200 kilovatios, suficientes para alimentar una
pequea ciudad. Tena alrededor de 18.000 vlvulas, de las cuales algunas se quemaban cada da, necesitando
una logstica y una organizacin importantes.
Cuando el transistor bipolar fue inventado en 1947, fue considerado una revolucin. Pequeo, rpido, fiable,
poco costoso, sobrio en sus necesidades de energa, reemplaz progresivamente a la vlvula termoinica durante
la dcada de 1950, pero no del todo. En efecto, durante los aos 1960, algunos fabricantes siguieron utilizando
vlvulas termoinicas en equipos de radio de gama alta, como Collins y Drake; luego el transistor desplaz a la
vlvula de los transmisores pero no del todo de los amplificadores de radiofrecuencia. Otros fabricantes, de
-259 -

equipo de audio esta vez, como Fender, siguieron utilizando vlvulas en amplificadores de audio para guitarras.
Las razones de la supervivencia de las vlvulas termoinicas son varias:
El transistor no tiene las caractersticas de linealidad a alta potencia de la vlvula termoinica, por lo que
no pudo reemplazarla en los amplificadores de transmisin de radio profesionales y de
radioaficionados.[cita requerida]
Los armnicos introducidos por la no-linealidad de las vlvulas resultan agradables al odo humano
(vase psicoacstica), por lo que son preferidos por los audifilos
El transistor es muy sensible a los efectos electromagnticos de las explosiones nucleares, por lo que se
siguieron utilizando vlvulas termoinicas en algunos sistemas de control-comando de cazas de
fabricacin sovitica
Transistores.- Dispositivos con propiedades de ganacia similares a los antiguos tubos de vaco.
Normalmente se contruyen en germanio o silicio, materiales que son semiconductores adecuados para aplicarlos
a los transistores. Experimentalmente se utilizan tambien compuestos de galio y de arsnico.
TIPOS DE TRANSISTORES:
De punta de contacto: El transistor primario. Consista en electrodos de emisor y colector tocando un pequeo
bloque de germanio llamado base, que poda ser de tipo N y del tipo P, siendo un cuadrado de 0.05 pulgada de
lado. Era dificil de controlar, por lo que ya hoy se encuentra sin uso por estar anticuado.
De unin por crecimiento: Se obtienen sus cristales realizando un proceso de crecimiento, desde el germanio y
el silicio fundidos de forma que presenten uniones con muy poca separacin incrustadas en la pastilla.
Las impurezas se transofrman durante el crecimiento del cristal y producen lingotes PNP o NPN, de los que se
obtiene pastillas individuales.
de unin a su vez pueden ser de unin de crecimiento, unin por alineacin o de campo interno, que es aqul en
que la concentracin de impurezas se encuentra en una cierta zona de la base a fin de mejorar el comportamiento
en alta frecuencia del transistor.
De unin difusa: Utilizable en un margen amplio de frecuencias en el proceso de fabricacin se utiliza silicio, lo
que favorece la capacidad de potencia.
Se subdividen en los de difusin nica ( hometaxial ), doble difusin, doble difusin planar y triple difusin
planar.
Epitaxiales:Transistor de unin obtenido por el proceso de crecimiento en pastilla de

semiconductor y procesos fotolitogrficos utilizados para
definir las regiones de emisor y de base durante el
crecimiento.
Se
subdividen en transistores de base epitaxial, capa epitaxial y
sobrecapa.
De
efecto de campo de unin (JFET): Tambien llamado transistor unipolar, fu
el
primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de
material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la
barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una
barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una
puerta.
A
uno de estos contacrtos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando
tensin positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a
-260 -

la
que
llamaremos
corriente
de
drenador
con
polarizacin
cero.
Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal
11.5 Smbolos de los transistores
A continuacin encontrars una relacin del conjunto o sistema de smbolos comnmente

utilizado para representar los transistores de unin, los transistores del tipo FET (Field Effect
Transistor - Transistor- de Efecto de Campo) y los transistores tipo MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor- - Transistor de Efecto de Campo Semiconductor de
xido Metlico).
11.5.1Transistores de unin
Transistor
comn PNP
Transistor
comn
NPN
Transistor
NPN
con
unin en la
cpsula
Transistor
multiemisor
11.5.2 Fototransistores
NPN
con
conexin
a base
NPN sin
conexin
a base
11.5.3 Transistores FET
-261 -
Canal N
Canal P
11.5.4 Transistores de unin FET (JFET)

(Joint Field Effect Transistor - Transistor de Unin de Efecto de Campo )
Canal N
Canal P
11.5.5 Transistores mosfet

Con tres terminales o patillas y sustrato unido a la fuente "S"
Tipo
Empobrecimiento N
Tipo
Empobrecimiento P
Tipo
Enriquecimiento N
Tipo
Enriquecimiento P
Con cuatro terminales o patillas
Tipo N
Tipo P
De doble puerta
-262 -
DARLINGTON
NPN
NPN
PNP
SCHOTTKY
PNP
NPN
Otras variantes de MOSFET
Transistor de avalancha NPN
Transistor de tnel NPN
Transistor UJT* de doble base,

Canal N
Transistor CUJT** de doble

base, Canal P
-263 -
* UJT (Unijunction Transistor - Transistor Monounin o Uniunin)

** CUJT (Complementary Unijunction Transistor - Transistor
Monounin o Uni-unin Complementario)
Todas las representaciones grficas de los transistores pueden ir encerradas en un crculo o
dibujadas- simplemente sin crculo
11.6 NUEVAS TECNOLOGAS DE CONSTRUCCIN DE TRANSISTORES
11.6.1 Fabricacin de Circuitos Integrados
La fabricacin de circuitos integrados es un proceso complejo y en el que intervienen numerosas

etapas. Cada fabricante de circuitos integrados tiene sus propias tcnicas que guardan como secreto de
empresa, aunque las tcnicas son parecidas.
Los dispositivos integrados pueden ser tanto analgicos como digitales, aunque todos tienen como base
un material semiconductor, normalmente el
silicio.
EJEMPLO DE FABRICACIN DE UN
TRANSISTOR
En la siguiente figura se muestra

detalladamente el proceso de fabricacin de un
transistor MOS (MOSFET). No es la nica
forma de hacerlo, pero es un proceso tpico:
1. Se parte de la oblea de material
semiconductor.
2. Se hace crecer una capa de xido (zona
rayada) que servir como aislante.
3. Se deposita un dielctrico como el nitruro
(capa roja) que servir como mscara,
tambin se poda usar simplemente el xido
anterior como mscara, depende del grosor
y de los procesos siguientes.
-264 -

4. Se deposita una capa de resina sensible a la radiacin (capa negra), tpicamente a la radiacin luminosa.
Se hace incidir la luz para cambiar las caractersticas de la resina en algunas de sus partes. Para ello
sirven de ayuda las mscaras hechas antes con herramientas CAD.
5. Mediante procesos de atacado algunas zonas de la resina son eliminadas y otras permanecen.
6. Se vuelve a atacar, esta vez el nitruro. Este paso se poda haber hecho junto al anterior.
7. Implantacin inica a travs del xido.
8. Se crean las zonas que aislarn el dispositivo de otros que pueda haber cerca (zonas azules).
9. Se crece ms xido, con lo que ste empuja las zonas creadas antes hacia el interior de la oblea para
conseguir un mejor aislamiento.
10. Eliminacin del nitruro y parte del xido.
11. Se hace crecer una fina capa de xido de alta calidad que servir de xido de puerta al transistor.
12. Deposicin de una capa de polisilicio (capa verde oscuro) mediante procesos fotolitogrficos anlogos a
los vistos en los puntos 1 al 5. Este polisilicio ser el contacto de puerta del transistor.
13. Atacado del xido para crear ventanas donde se crearn las zonas del drenador y surtidor. El polisilicio
anterior servir de mscara al xido de puerta para no ser eliminado.
14. Implantacin inica con dopantes que sirven para definir el drenador y el surtidor. El polisilicio vuelve a
hacer de mscara para proteger la zona del canal.
15. Vemos en verde claro las zonas de drenador y surtidor.
16. Se deposita una capa de aislante (zona gris).
17. Mediante procesos fotolitogrficos como los vistos antes se ataca parte del xido.
18. Se deposita una capa metlica que servir para conectar el dispositivo a otros.
19. Se ataca de la forma ya conocida el metal (capa azul oscuro) para dejar nicamente los contactos. El
contacto de puerta no se muestra en la figura porque es posterior al plano que se muestra.
Una vez que se disean los transistores se hace el juego de mscaras de las metalizaciones que es la
forma de conectar los transistores para formar estructuras ms complicadas, como puertas lgicas.
Junto a cada transistor se especifican las dimensiones de su canal. El diseo cumple las reglas CN20
-265 -

11.6.2 Fabricacion de transistores bipolares
Describiremos la fabricacin del BJT planar para circuitos monolticos mediante los procesos tratados. Para
seguir la secuencia de fabricacin nos concentraremos en la construccin de dos transistores npn en la fuente de
corriente. Tambin analizaremos la fabricacin de resistencias.
Fabricacin de Transistores
Una vez preparada la oblea, el sustrato tipo p, se crece una capa epitaxial tipo n, tal como se ve en la Figura 1.
Esta capa forma las regiones de colector de los transistores. Seguidamente se deposita una capa de oxido para
cubrir la superficie. Ahora deben aislarse entre s las regiones de ambos transistores. Para ello se forman tres
ventanas en el SiO2 mediante fotolitografa y corrosin. Se difunde una regin p+ en la capa epitaxial expuesta
hasta que alcance el sustrato. Este proceso establece una isla aislada alrededor de cada transistor como se ve en
la figura 3.1. El aislamiento elctrico se consigue conectando el sustrato a la tensin ms negativa del circuito.
Con esto se garantiza que la unin pn entre los colectores y el sustrato permanezca con dolarizacin inversa. Una
vez completada la difusin de aislamiento se recubre nuevamente la oblea con una capa de SiO2. Con una nueva
mascara se forman las ventanas en las que se difunden las bases de tipo p como se ve en la figura 3.1(d),
quedando definidas las regiones de las bases en la vista de la figura 3.1(e). Se recrece una capa de SiO2 para
cubrir la oblea despus de la difusin de la base. Con una tercera mascara y un proceso de corrosin se elimina el
SiO2 como preparacin para la difusin superficial de emisor figura 3.1(f). Obsrvese que tambin se difunde
una regin n+ en la regin de colector de cada transistor. Aqu se hace el contacto en el aluminio del colector, y
la zona n+ contribuye a formar un buen contacto hmico. Despus de la difusin de colector se crece otra capa
de SiO2 sobre la superficie de la oblea. El ultimo paso del proceso es la mentalizacin. La capa de oxido se
graba con una cuarta mascara para descubrir la oblea all donde se deseen los contactos. Para recubrir toda la
superficie se vaporiza aluminio, cuyos sobrantes se eliminan qumicamente con una 6a mascara dejando los
contactos y las conexiones deseadas. En la seccin transversal de la figura 3.1(g) y en la vista superior de la
figura 3.1(h) puede verse el resultado de esta secuencia. La figura 3.1(g) es idntica a la figura 3.1(a) para Q1 y
Q2. Las dimensiones sealadas en la figura 3.1 son las tpicas empleadas en la fabricacin comercial de BJT de
pequea geometra. Al construirse ambos transistores simultneamente y fsicamente prximos, sus
caractersticas elctricas son prcticamente idnticas. Para fabricar transistores con propiedades elctricas
distintas, normalmente se modifica la geometra del dispositivo. En particular para obtener BJT de mayor
corriente por aumento de IES, se aumenta la superficie del emisor, con lo que todo el dispositivo queda
aumentado. Empricamente se acostumbra a limitar a 10:1 la relacin entre las superficies de emisor de
transistores muy prximos entre s, y ello debido a las limitaciones del proceso de difusin. En la fabricacin de
circuitos integrados comerciales corrientemente se emplea la implantacin de iones en las zonas de emisor y de
base. Estas regiones son muy tenues y puede regularse mejor su espesor mediante la implantacin. Adems
como la implantacin se realiza a menor temperatura que la difusin se minimiza el inconveniente de la difusin
lateral de base y emisor.
Figura N 3.1(a) Fabricacin de un TR npn: Crecimiento Epitaxial tipo n y Oxidacin
-266 -
Figura N 3.1(b) Fabricacin de un TR npn: Enmascaramiento y Grabado para Exponer la Superficie

Tipo n para la Difusin de Aislamiento
Figura N 3.1(c) Fabricacin de un TR npn: Vista Superior Despus de la Difusin de Aislamiento Tipo p.
Figura N 3.1(d) Fabricacin de un TR npn: Difusin de la Base
Figura N 3.1(e) Fabricacin de un TR npn: Vista Superior Despus de la Difusin de Base
-267 -
Figura N3.1(f) Fabricacin de un TR npn: Difusin de Emisor n+
Figura N 3.1(h) Fabricacin

de un TR npn: Vista Superior
del Chip Mostrando los Contactos y las Interconexiones entre Componentes
En esta ultima figura se puede observar que la capa de SiO2 se supone transparente para que sean visibles las
regiones de base, emisor y colector. Las dimensiones sealadas son las normales en los circuitos integrados CI
comerciales modernos.
Capa Enterrada
La fabricacin del BJT indicada en la figura 3.1 casi siempre se modifica aadiendo un nuevo paso al proceso
como en la figura 3.2. Las dos regiones n+ conocidas como capa enterrada, entre las capas n y p se depositan
antes del crecimiento epitaxial. Recurdese que con el smbolo n+ se designa una regin n con mayor
concentracin de dopado que otra designada simplemente como de tipo n. La utilizacin de las regiones n+
cumple dos funciones: (1) mejora la formacin de la capa epitaxial; (2) la mayor densidad de electrones en la
capa n+ reduce la resistencia en serie entre la unin de colector y el terminal del propio colector.
Figura N 3.2 Transistores Integrados mostrando la Capa Enterrada

Fabricacin del TR pnp
-268 -
Figura N 3.3 Seccin Transversal de un Transistor Lateral pnp

Las resistencias de colector se logran utilizando un par de transistores pnp en configuracin de fuente de
corriente. Las dos clases de tales transistores mas corrientemente empleados son el pnp lateral y el pnp vertical.
En la figura 3.2 puede apreciarse que la base, el colector y la regin aislada forman un transistor pnp parsito. El
termino lateral se refiere al hecho de que los tres elementos estn ubicados en un plano horizontal contrariamente
al plano vertical de los transistores npn. Anlogamente un dispositivo pnp vertical parsito se forma por la base y
el colector del transistor npn y el sustrato del tipo p. Estas observaciones conducen a la fabricacin de los tipos
de transistores pnp empleados en circuitos integrados. El pnp lateral, cuya seccin transversal es el de la figura
3.3 se forma implantando las regiones tipo p de emisor y de colector al mismo tiempo que se fabrican las bases
de dispositivos npn. Asimismo se forman simultneamente el contacto n+ de base del transistor pnp y los
emisores n+ del BJT npn. As vemos que tanto los transistores npn como los pnp se fabrican segn las mismas
secuencias del proceso. Todo lo que se necesitan para el pnp son ventanas adicionales en las mascaras. El
transistor lateral pnp tiene un valor de F considerablemente menor que el del npn. Esto es debido a que el
emisor de tipo p no puede inyectar portadores minoritarios en la base tipo n con la misma eficacia que lo hace el
emisor tipo n+ en la base tipo p de un BJT npn. Adems la mayor rea de la base y el hecho de que algunos de
los huecos inyectados migren hacia el sustrato hace que disminuya el numero de huecos que llegan al colector.
Por tanto los transistores pnp laterales se emplean en circuitos con poca corriente de colector. El transistor pnp
vertical se emplea donde se requieran mayores corrientes y potencias. En la figura 3.4 esta representado este
dispositivo y en ella se ve que tambin puede fabricarse simultneamente y con los mismos procesos empleados
para los transistores npn. Los dos pasos simultneos son: (1) la fabricacin de las regiones p de emisor del
transistor pnp y las bases de los npn. y (2) la fabricacin de la regin n+ de base del sustrato pnp y los emisores
de los transistores npn.
El sustrato debe conectarse a la tensin ms negativa del circuito. Por tanto un transistor pnp vertical solo se
puede utilizar si su colector esta a una tensin negativa fijada. A esta configuracin se le denomina seguidor de
emisor y ser comentada mas adelante.
Transistor Parsito
Cuando se usa el transistor bsico como diodo aparece un transistor parsito cuyo colector es el sustrato, la capa
epitaxial es la base y la base tipo p es el emisor. En la figura 3.5(a) se muestra el circuito equivalente de este
transistor parsito. Aunque su estructura hace que sea un dispositivo muy ineficaz.
Figura N 3.4 Seccin Transversal de un Transistor Vertical Sustrato pnp

-269 -
11.7 UN NUEVO PASO ADELANTE EN LA TECNOLOGA DE FABRICACIN DE TRANSISTORES DE

INTEL MARCA EL MAYOR CAMBIO EN PROCESADORES PARA PC EN LOS LTIMOS 40 AOS
Madrid, 29 de enero de 2007 En uno de los mayores avances en el diseo fundamental de

transistores, Intel Corporation ha anunciado hoy la utilizacin de dos nuevos e increbles materiales
para la construccin de las paredes de aislamiento y la conexin de puerta de sus transistores en 45
nanmetros (nm). Cientos de millones de estos transistores microscpicos o interruptores se
incluirn en la prxima generacin de familias de procesadores multi ncleo Intel Core 2 Duo,
Intel Core 2 Quad y Xeon. La compaa tambin ha indicado que cuenta con cinco productos en fase
inicial listos y funcionando los primeros de los quince procesadores en 45 nanmetros planeados por
Intel.
Esta innovacin en transistores permitir a la compaa continuar ofreciendo velocidades de
procesamiento asombrosas en servidores, equipos porttiles y de sobremesa, mientras se reducen las
prdidas de energa elctrica de los transistores, lo que permite reducir el diseo del chip y del equipo
informtico, su tamao, consumo elctrico, ruido y costes. Adems, este anuncio asegura la Ley de
Moore, un axioma de la industria de alta tecnologa en el que se plantea que el nmero de transistores
en un chip se duplica cada dos aos, algo que toma fuerza para la prxima dcada.
La percepcin de Intel es que ha ampliado su liderazgo en ms de un ao frente al resto del mercado de
semiconductores con el anuncio de los procesadores de 45 nanmetros y la prxima generacin de
productos basada en esta tecnologa de nombre cdigo Penryn. Las primeras versiones, que estarn
centradas en cinco segmentos de mercado informtico diferentes, estn trabajando con sistemas
operativos como Windows* Vista*, Mac OS X*, Windows* XP y Linux, as como diferentes
aplicaciones. La compaa mantiene sus planes de produccin de 45 nanmetros para la segunda mitad
de este ao.
Los transistores de Intel incorporan el nuevo material dielectrico High-K y un Nuevo metal de puerta
Intel es el primero en implantar una innovadora combinacin de nuevos materiales que reducen
drsticamente las fugas e incrementan el rendimiento de su tecnologa de procesamiento de 45
nanmetros. La compaa utilizar un nuevo material con una propiedad denominada high-k, para
dielctrico de puerta del transistor, y una nueva combinacin de materiales metlicos para el electrodo
de puerta del transistor.
La implementacin de materiales metlicos y high-k marca el cambio ms grande en la tecnologa

de transistores desde la presentacin de los transistores MOS de puente de polisilicio a finales de los
aos 60 comenta Gordon Moore, co-fundador de Intel.
Los transistores son interruptores diminutos que procesan los unos y ceros del mundo digital. La puerta
deja pasar o no la corriente en el transistor y el dielctrico de puerta es un aislante inferior que separa la
puerta del canal por el que fluye la corriente. La combinacin de la conexin de puerta metlica y el
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nuevo dielctrico de puerta high-k permite transistores con corrientes elctricas de fuga muy bajas y
ofrece un alto rendimiento sin igual.
Debido a que cada vez ms y ms transistores son encapsulados en una nica pieza de silicio, el
mercado contina analizando las actuales soluciones para la reduccin de corrientes de fuga, indica
Mark Bohr, Socio Senior de Intel. Mientras, nuestros ingenieros y diseadores han alcanzado un logro
muy importante que asegura el liderazgo de Intel en productos e innovacin. Nuestra implementacin
de transistores de puerta metlica y el innovador material high-k para nuestra tecnologa de fabricacin
de 45 nanmetros ayudar a Intel a proporcionar productos multi ncleo ms eficientes y rpidos sobre
los que construir el xito de las familias de procesadores Intel Core 2 y Xeon, y extender la Ley de
Moore durante la prxima dcada.
En trminos de comparacin, aproximadamente cerca de 400 transistores de 45 nanmetros de Intel

podran caber en la superficie de un solo glbulo rojo de sangre humana. Hace una dcada, la
tecnologa de fabricacin ms innovadora era la de 250 nanmetros, lo que significaba que las
dimensiones del transistor eran aproximadamente 5,5 veces superior en tamao y 30 veces el rea de la
tecnologa anunciada hoy por Intel.
Como el nmero de transistores por chip se dobla aproximadamente cada dos aos de acuerdo con la
Ley de Moore, Intel es capaz de innovar e integrar, aadiendo ms funcionalidades y ncleos de
procesamiento informtico, incrementando el rendimiento y reduciendo los costes de fabricacin y el
coste por transistor. Para mantener este ritmo de innovacin, los transistores deben continuar
reduciendo su tamao an ms. Sin embargo, el uso de los actuales materiales y la capacidad de
reduccin de los transistores estn llegando a lmites bsicos, debido al incremento en la potencia o el
calor que desarrollan, as como temas como el tamao que est alcanzando lmites atmicos. Como
resultado, la implantacin de nuevos materiales es necesaria para el futuro de la Ley de Moore y la
rentabilidad en la era de la informacin.
La puerta metlica y High-k la receta para la tecnologa de fabricacin de 45nm

El dixido de silicio es el material que ha sido utilizado para fabricar el dielctrico de puerta del
transistor desde hace ms de 40 aos, debido a su facilidad para ser procesado y la capacidad para
proporcionar mejoras constantes en el rendimiento del transistor, ya que cada vez se ha fabricado ms
fino. Intel ha reducido con gran xito el dielctrico de puerta de dixido de silicio a menos de 1,2
nanmetros de grosor lo que significa un total de cinco capas atmicas en los anteriores procesos de
fabricacin de 65nm de la compaa, pero la continua reduccin ha dado como resultado un incremento
en las corrientes de fuga a travs del dielctrico o aislante de puerta, lo que ha dado como resultado un
calentamiento innecesario y un malgasto de energa.
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La fuga de electricidad a travs de la puerta del transistor asociado con el cada vez ms fino dielctrico
de puerta de dixido de silicio es reconocido por el mercado como uno de los retos tcnicos ms
importantes a los que hace frente la Ley de Moore. Con el fin de resolver este tema tan crtico, Intel
reemplaz el dixido de silicio con una capa ms gruesa de un material high-k basado en hafnium en el
dielctrico de puerta, reduciendo la fuga hasta diez veces comparado con el dixido de silicio utilizado
durante ms de cuatro dcadas.
Debido a que el dielctrico de puerta basado en high-k no es compatible con el electrodo de puerta de
silicio de hoy en da, la segunda parte de la receta de material del transistor de 45nm ha sido el
desarrollo de nuevos materiales para una puerta de metal. Debido a que los metales especficos que
Intel utiliza se mantienen en secreto, la compaa utilizar una combinacin de diferentes materiales
metlicos para los electrodos de la puerta del transistor.
La combinacin del dielctrico de puerta high-k con la puerta metlica para la tecnologa de
fabricacin de 45nm de Intel proporciona ms de un 20% de incremento en la conduccin de la
corriente, o lo que es lo mismo un rendimiento del transistor mucho ms alto. Por otro lado, se reduce
la corriente de fuga en ms de cinco veces, mejorndose la eficiencia energtica del transistor.
El proceso tecnolgico de 45nm de Intel tambin mejora la densidad de transistores en cerca de dos
veces frente a la anterior generacin, permitiendo a la compaa bien incrementar el nmero total de
transistores o bien hacer que los procesadores sean ms pequeos. Debido a que los transistores de
45nm son ms pequeos que los de anteriores generaciones, consumen menos energa al dejar y no
dejar pasar la corriente, por lo que se reduce de forma activa el consumo elctrico en la conexin y
desconexin en un 30% aproximadamente. Intel utilizar cables de cobre con un dielctrico low-k para
sus interconexiones en 45nm con el fin de incrementar el rendimiento y reducir el consumo de energa.
Todo ello utilizar tambin innovadoras reglas de diseo y tcnicas de enmascarado para ampliar la
utilizacin de la tcnica de litografa seca de 193 nanmetros a la hora de fabricar sus procesadores de
45nm, debido a sus ventajas en rentabilidad y la alta capacidad de fabricacin que ofrece.
La familia Penryn ofrece ms rendimiento de forma ms eficiente

La familia de procesadores Penryn es un derivado de la microarquitectura Intel Core y supone un paso
ms all en la rpida velocidad de Intel a la hora de proporcionar una nueva tecnologa de fabricacin y
una nueva microarquitectura en aos alternos. La combinacin de los procesos tecnolgicos de 45nm
lderes de Intel, las capacidades de fabricacin a gran volumen y el liderazgo en el diseo de
microarquitecturas han permitido a la compaa desarrollar ya los primeros procesadores Penryn de
45nm.
La compaa cuenta con ms de 15 productos basados en 45nm en desarrollo para segmentos de

sobremesa, porttiles, estaciones de trabajo y empresariales. Con ms de 400 millones de transistores
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para procesadores de doble ncleo y ms de 800 millones para los de cuatro ncleos, la familia de
procesadores Penryn de 45nm incluyen las funcionalidades de una nueva microarquitectura para un
mayor rendimiento y capacidades para la gestin de la energa, as como velocidades de ncleo ms
altas y hasta 12 megabytes de cach. La familia Penryn adems ofrece aproximadamente 50 nuevas
instrucciones Intel SSE4 que amplan las capacidades y el rendimiento para aplicaciones informticas
multimedia y de alto rendimiento
11.8 Anlisis de defectos en transistores
Se refiere a los efectos de las averias de los componentes individuales de un amplificador con emisor
comun .Hay que recordar que las resistencias pueden fallar (circuito abierto) y los condensadores (en
corto o abierto).El transistorpuede fallar al ponerse en corto o abierto entre cualquiera de sus
conexiones.Habiendo fijado la polarizacion correcta con las resistencias,las seales de entrada y salida
de c.a.deben acoplarse desde el circuito sin perturbar los niveles de c.continua.Para conseguirlo se
emplean los condensadores C1 y C2.Ambos seran electroliticos y de valor alto,por ejemplo de 10
MicroF,para que el circuito pueda amplificar frecuencias bajas.
R1 Abierta: "Q" Bloqueado
Cuando R1 se interrumpe,la corriente que pasa por

R2 y por la base es cero.Resulta de ello que el
transistor no conducira,de forma que tanto la
tension de emisor como la base son cero.Puesto que
no pasa corriente por el colector,la caida de tension
a traves de la resistenciade carga de colector
(R3),sera cero y la tension de colector sera la misma
que la de la fuente de alimentacion(Vcc).
R2 Abierta: Satura "Q"
Sin R2 en el circuito,la corriente,que pasaba por R2

ahora intenta hacerlo por la base del transistor.Pero el
valor de la corriente de base estara limitado por la
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ganancia de corriente del transistor () ,luego por R1 pasara mas corriente.Esto significa que la
tension de base debera subir.La corriente de base de hecho,aumenta a un valor que hace conducir
completamente o "Satura" el transistor de forma que la tension del colector es solamente un 0,1 V por
encima de la del emisor.
R3 Abierta: cuando R2 esta en Paralelo con R4

Sin R3 en el circuito,la corriente de colector es
cero.Asi,cualquier corriente que pase por el emisor debe ser
suministrada desde la base.La union base-emisor actua como
un diodo polarizado en una direccion,colocando a R2 en
paralelo
con
R4.
Como R4 es una resistencia pequea ( 560 ) la tension de
emisor cae a un valor muy bajo.La tension de base,como era de
esperar es unos 0.7V mayor que la del emisor.Es razonable
suponer que la lecturade la tension en el colector deberia ser
cero,ya que la resistencia esta en circuito abierto.
Sin embargo,cuando el medidor esta conectado presenta una
linea
de
resistencia
elevada
desde
el
colector a 0V (Tierra) y la union base-colector actua como un diodo polarizado en sentido
directo,pasando una corriente pequea a traves del medidor.(Voltimetro)
R4 Abierta: Divisor de tension R1 y R2.
Con un circuito abierto entre emisor y 0V (Tierra),no pasa
corriente a traves del transistor.La tension de colector,por
tanto,aumenta a Vcc (en este caso ~ 12V).
La tension de base esta fijada por el divisor de tension R1 y
R2 y como la corriente de base es pequea en comparacion
con la que pasa por R2,la tension en el emisor es
ligeramente mayor que la normal.
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Union
Emisor-Base
en
Circuito
Abierto.
Con esta averia no puede pasar corriente por el transistor.Las caidas de tension en R3 y R4 son cero,por
lo que la tension de colector aumenta a Vcc(en este caso +12V) y la del emisor sera 0V.La tension de
base esta determinada por el divisor de tension R1 y R2; por lo tanto se mantiene en 2.3V (para este
circuito).
No hay diferencia en los sintomas si la conexin de base o de emisor a la union esta en circuito abierto.
Union
Colector-Base
en
Circuito
Abierto.
Como el colector esta en circuito abierto no puede haber corriente de colector y la tension en el "Punto
2" se eleva a +12V.La union base-emisor actua ahora como diodo con polarizacion directa,de forma
similar a como sucede cuando "R3 ABIERTA".
Union
Emisor-Base
en
Cortocircuito.
La tension en los puntos base-GND y emisor-GND seran iguales y de valor bajo,ya que R4 es una
resistencia baja (560 ) y esta colocada directamente en paralelo con R2.Con una union base-emisor
en corto toda la accion del transistor cesa y la tension del colector aumenta a Vcc (en este caso +12V).
Union
Colector-Emisor
en
Cortocircuito.
La tension de emisor es igual a la del colector,indicando un corto.El valor de la tension estara
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determinado por R3 y R4,las cuales forman ahora un divisor de tension.La tension de base permanece
sin cambiar en 2,3V ya que la tension de emisor aumenta,suprimiendo asi el diodo base-emisor
11.9 TECNOLOGA ELECTRNICA DE SEMICONDUCTORES ORGNICOS: FABRICACIN DE

TRANSISTORES EN AULAS DOCENTES
Los trabajos de laboratorio en las asignaturas de dispositivos electrnicos consisten en general en la simulacin o
caracterizacin elctrica de dispositivos comerciales. Difcilmente se aborda en dichas prcticas la fabricacin
real de dispositivos electrnicos activos. Como mucho se fabrican elementos pasivos, tales como resistencias o
condensadores. Las razones son obvias, para la fabricacin de dispositivos electrnicos con razonables
prestaciones elctricas se necesitan equipos de proceso que en la mayora de los casos no existen ni en los
propios grupos de investigacin de las universidades.
En la actualidad, la mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando semiconductores

inorgnicos, tales como el silicio, y sus prestaciones electrnicas son excelentes .No obstante, en los
ltimos aos ha habido un gran inters en la obtencin de dispositivos utilizando semiconductores
orgnicos para su aplicacin en sistemas electrnicos que requieran gran rea y prestaciones
electrnicas no muy exigentes. Existe una gran cantidad de semiconductores orgnicos, y la
investigacin en su sntesis ha realizado un gran progeso en los ltimos aos, siendo posible en la
actualidad la sntesis de semiconductores orgnicos a la carta, es decir con propiedades
predeterminadas. En general, los semiconductores orgnicos pueden dividirse en dos grandes grupos
segn su estructura qumica: polmeros, formados por cadenas de monmeros, y oligmeros, formados
por una o unas pocas molculas. La obtencin de capas delgadas de dichos semiconductores es
diferente segn estemos tratando con polmeros o con molculas pequeas. Para los polmeros el
proceso usual de depsito es a partir de la tcnica conocida como spin-coating. El polmero se disuelve
en un disolvente orgnico y a continuacin se deposita sobre un substrato. Posteriormente se hace rotar
el substrato a gran velocidad, distribuyndose todo el lquido sobre su superfcie. Con este proceso se
consiguen capas delgadas con buena uniformidad. Por el contrario, los semiconductores orgnicos
enpequea molcula se depositan mediante evaporacin trmica en cmaras de vaco. Con ambas
tecnologas es posible obtener dispositivos con notables propiedades elctricas.
En este artculo describiremos la fabricacin de un transistor de efecto de campo en capa delgada
utilizando procesos tecnolgicos simples que pueden realizarse en equipos relativamente econmicos.
Los dispositivos se fabricarn utilizando semiconductores orgnicos de pequea molcula. El
pentaceno (C22H14), molcula consistente en cinco anillos de benceno enlazados formando una cadena
aromtica, es uno de los candidatos ms prometedores, y ser el utilizado para la fabricacin de
nuestros dispositivos, aunque tambin pueden utilizarse pigmentos como la ftalocianina de cobre
(CuPc) o fulereno (C60). Los dispositivos finales tendrn reas de contacto (del orden de los milmetros)
suficientemente grandes para ser caracterizados y manipulados con cierta facilidad
Descripcin del proceso de fabricacin

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La estructura de los dispositivos fabricados se muestra en la figura 1. En la figura 1a se presenta un

esquema del transistor, consistente en vidrio/metal/PMMA/pentaceno/oro, as como una foto con los
dispositivos fabricados (figura 1b). El substrato consiste un vidrio, por ejemplo un porta objetos de
microscopio, aunque tambin podra utilizarse un plstico o cualquier superfcie suficientemente plana.
A continuacin se deposita por evaporacin trmica una capa de metal que actuar como electrodo de
puerta (Gate). El proceso continua mediante el depsito de polimetil metacrilato
(PMMA), polmero que realizar la funcin de dielctrico. El PMMA se deposita por spin-coating con
el fin de conseguir una superfcie uniforme. El semiconductor orgnico, pentaceno en nuestro caso, se
deposita a continuacin mediante una mscara de sombra. Finalmente se deposita mediante
evaporacin trmica el contacto de oro, que delimitar los contactos de drenador (Drain) y fuente
(Source).
La utilizacin de una mscara de sombra nos permite aislar los dispositivos, as como delimitar la
longitud y anchura del canal del transistor. En nuestro caso hemos utilizado mscaras de sombra
fabricadas en nuestras instalaciones de Sala Blanca, aunque tambin es posible adquirirlas en
compaas especializadas (www.labelcomat.be). La capa delgada de pentaceno se deposita mediante
evaporacin trmica en un equipo que describiremos a continuacin. El material base, pentaceno en
polvo, fue proporcionado por la compaa SigmaAldrich (www.sigmaaldrich.com). El electrodo de
aluminio fue tambin depositado por evaporacin trmica a partir de filamento de oro. En nuestro caso
utilizamos oro proporcionado por la compaa Goodfellow (www.goodfellow.com). Los nombres de
las compaas se mencionan a ttulo de ejemplo, puesto que son varias las que ofertan los diferentes
compuestos.
El equipo utilizado para el depsito del semiconductor, pentaceno, y del contacto superior, aluminio,
consiste de los siguientes
subequipos:
Campana de evaporacin. En
nuestro caso la campana de
evaporacin es de vidrio y de
dimensiones 20 cm de dimetro
de base por 25 cm de altura.
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Equipo de vaco, que consiste en una bomba mecnica en serie con una bomba
turbomolecular.
En la figura 2a se muestra la campana de evaporacin utilizada. Tambin se puede observar uno de los
crisoles utilizados para la evaporacin de los materiales. El semiconductor orgnico y los electrodos se
evaporan trmicamente utilizando crisoles moldeados manualmente a partir de una chapa de molibdeno
de 50 micras de grosor. Las temperaturas de evaporacin para los materiales utilizados son bastante
moderadas. La temperatura de fusin para el pentaceno es de 300C, mientras que el oro funde a
1000C. Para la delimitacin de los contactos metlicos, tanto el pentaceno, como el contacto de oro
fueron evaporados a travs de una mscara metlica a la que previamente se haban delimitado los
contactos de drenador y fuente. En la figura 2b se observa a alumnos de segundo ciclo utilizando el
sencillo equipo de depsito de semiconductores orgnicos
CARACTERIZACIN
Una vez fabricados los diodos, se puede proceder a su caracterizacin elctrica. La caracterizacin ms
bsica consiste en la medida de la caracterstica intensidad-tensin. En la figura 3 se muestra un
ejemplo de las caractersticas medidas, tanto en escala lineal como semilogartmica para apreciar la
rectificacin de varios rdenes de magnitud.
En el ao 1948 J. Bardeen y W.H. Brattain, de los laoratorios Bell inventaron el transistor. El transistor
inventado fue realizado segn la tcnica de puntas de contacto. En este mismo ao W. Schokley fue
quien introdujo, con sus trabajos, el transistor de unin.
En su forma bsica el transistor de puntas de contacto est hecho de un pequeo cuo de material
semiconductor de tipo N en el cual se encuentran aderidos dos alambres muy finos considerablemente
juntos; estos alambre se denominan "bigotes de gato". La separacin de los bigotes es del orden de las
50 micras
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Durante el proceso de fabricacin la unidad es tratada de forma que los tomos de los almbres de
contacto emigren dentro del tubo semiconductor para formar pequeas regiones tipo P en sus
extremidades.
Uno de los igotes sirve como electrodo emisor y el otro como colector, mientras que el cubo
semiconductor es la base del transistor. En la figura 6.5 se ha representado esquemticamente un
transistor de puntas de contacto.
Esta clase de transistor tiene una extrema alta ganancia y una muy buena caracterstica de altas
frecuencias. Pero resultan bastante ruidosos, inestables y bastante difciles de fabricar, por cuyo motivo
resultan poco ventajosos para su utilizacin.
Transistor de Unin
Al transistor de unin tambin se le denomina transistor de contacto desarrollado; como su nombre lo
indica, este tipo de transistor est basado en el aumento del (de los) contacto de las uniones P - N
durante el proceso de fabricacin del cristal original.Para la fabricacin del transistor de unin se parte
de una barra de germanio puro, a la que se le van introduciendo alternativamente impurezas del tipo
P y del tipo N. ello motiva el que se posea una barra de germanio constituida por capas alternativas P
o N. Para obtener el transistor se corta un pedazo de la barra en la que existan tres zonas, bien del tipo
PNP o del tipo NPN. Luego se aaden los electrodos, siendo los electrodos extremos el emisor y el
colector y el electrodo central constituye la base (fig. 6.6).El procedimiento de formar bloques del tipo
P o N en una barra de germanio pura se le conoce por "procedimiento de estiraje". La fabricacin de
los transistores de unin es bastante fcil, por lo cual resultan ventajosos para ser faricados en grandes
cantidades, lo cual implica un costo bastante econmico
En la fabricacin de un chip, como ser un microprocesador, generalmente se busca integrar la mayor cantidad
posible de componentes en el espacio ms pequeo que permita la tecnologa disponible. En general, y de
acuerdo a la ley de Moore (ver recuadro) cada aproximadamente 18 meses un proceso de fabricacin reemplaza
a otro y permite reducir el tamao de los componentes a la mitad, lo que permite integrar el doble de ellos en una
misma superficie. Esto es muy deseable, ya que al reducir el tamao tambin aumenta en forma proporcional la
velocidad del dispositivo final, y disminuye la energa disipada en forma de calor.
El aumento en la velocidad de proceso se debe en parte a que al tener ms componentes en un mismo espacio los
electrones que transportan la informacin de una zona a otra del chip deben recorrer distancias mas pequeas. A
pesar que se desplazan (tericamente) a la velocidad de la luz (unos 300.000 km/s), con frecuencias de clock
actuales, superiores al Gigahertz deben recorrer los pocos milmetros de ancho del chip miles de millones de
veces por segundo, por eso el mantener esas distancias lo mas cortas posibles es crucial. Por otro lado, hay
algunos factores intrnsecos a las tecnologas de fabricacin utilizadas que tambin influyen en la velocidad, una
de ellas es la componente capacitiva parasita que aparece en cada transistor integrado, debido a que las diferentes
capas que forman el transistor se comporta como un pequeo condensador, e introduce pequeos tiempos de
demora
a
las
seales.
Existen varias tcnicas para crear los transistores que componen el chip. Generalmente se utilizan procesos
litogrficos, similares a los utilizados al revelar una fotografa para ir dibujando sobre un disco de silicio
(waffer) de extrema pureza los elementos individuales que componen a cada diodo, transistor, etc. El proceso se
va repitiendo, y en cada paso se crea una nueva capa de material semiconductor tipo p o n en distintas zonas
del waffer, determinadas por mascaras opacas a la luz, creando una suerte de sndwich del tamao de una ua
que contiene varios millones de transistores individuales. Debido al pequesimo tamao de los elementos a
revelar no se puede utilizar luz visible, dado que su longitud de onda (unos 650 manmetros) carece de la
resolucin necesaria para dibujar transistores cuyas partes deben ser mucho mas pequeas, de 65 manmetros
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(y cada vez menores). Recordemos que un manmetro es la milmillonsima parte de un metro. 65 nanmetros
son la 0,000000065 avas parte de un metro.
Puerta lgica construida con tecnologa tradicional.
Puerta desarrollada usando el slicio como aislante.
La tecnologa de silicio sobre aislante (SOI) es una tcnica que se conoce desde hace algunos aos,
aproximadamente desde 1998, fecha en la que IBM anuncio los primeros prototipos. Esta tcnica
consiste en situar el silicio que formara a los transistores sobre una delgada capa de material,
permitiendo mejorar as las prestaciones de los microprocesadores y las memorias semiconductoras
utilizadas en los ordenadores actuales. Algunas investigaciones de IBM han revelado que los chips con
tecnologa de silicio sobre aislante funcionan hasta un 35% ms rpido que los procesadores
tradicionales,
y
con
un
consumo
tres
veces
inferior.
Bsicamente, esta tcnica permite disminuir la capacidad parasita que es inherente a cada transistor
fabricado con mtodos tradicionales. Cada pequeo capacitor se carga y descarga en cada pulso de
clock, lo que consume energa, genera calor y introduce demoras en las seales. Al disminuir este
efecto
capacitivo,
el
transistor
puede
funcionar
ms
rpido.
El proceso en el que se basa la tecnologa de silicio sobre aislante es simple pero requiere gran
precisin, ya que como vimos antes se trabaja en superficies microscpicas: consiste en colocar sobre
el substrato de silicio (el waffer) que sostiene los transistores del chip una segunda capa de un material
aislante
que
puede
ser
xido
de
silicio
o
cristal.
Los millones de transistores, cada uno comportndose como un diminuto interruptor, son colocados
sobre esta segunda capa, lo que aumenta su rendimiento y elimina fallos debidos a su velocidad.
Al disminuir el tamao de los transistores estos funcionan ms rpido, pero tambin se corre el riesgo
de que aumente el nivel de calor y el consumo de energa debido a fugas elctricas o a una
conmutacin ineficaz. Para evitar estos efectos, AMD e IBM han desarrollado el silicio tensado. El
nuevo proceso, llamado Dual Stress Liner, mejora el rendimiento de los dos tipos de transistores
semiconductores, llamados transistores de canal N y canal P, al estirar los tomos de silicio de un
transistor y comprimir los del otro. La tcnica de tensin dual funciona sin necesidad de introducir
nuevos procesos de fabricacin, generalmente caros y complicados, lo que permite su integracin
rpida en la fabricacin extensiva utilizando herramientas y materiales estndar. Hay varias maneras de
obtener silicio tensado, pero el resultado es similar. Con silicio tensado, la estructura atmica de los
caminos elctricos en el transistor se ve forzada para conseguir un mayor alineamiento, lo que mejora
el
flujo
elctrico.
Cuando IBM comenz a desarrollar la tecnologa SOI, los ingenieros encontraron dificultadas para
construir la capa aislante que es el corazn del proceso. Luego de probar varios materiales, encontraron
que el aislante mas prometedor era el zafiro, aunque se deterioraba con relativa facilidad. Mas tarde,
crearon el proceso llamado SIMOX (Separation by Implantation of Oxygen / Separacin por la
implantacin de oxigeno). SIMOX consiste en la inyeccin directa de oxigeno puro sobre el waffer a
altisimas temperaturas. El oxigeno se combina con el silicio creando una capa de oxido de silicio, que
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acta como un aislante entre el waffer y las capas de semiconductor que se depositan litograficamente
mas
tarde.
Los microprocesadores AMD Opteron dual core fabricados a partir de mediados del 2005 estn
construidos de esta manera. Segn este fabricante, estos procesos son los que han permitido obtener la
mejor tasa de rendimiento por vatio consumido disponible en la actualidad.
Los microprocesadores de arquitectura Power fabricados por IBM para sus servers AS/400 tambin son
fabricados
de
esta
manera.
Intel tambin usa silicio tensado en sus nuevas versiones de Pentium 4.
IBM y AMD colaboran en el desarrollo de tecnologas de fabricacin de semiconductores de prxima
generacin
desde
enero
de
2003.
Algunas de las ventajas de utilizar la tecnologa SOI al desarrollar un nuevo chip son la utilizacin de
tres mascaras menos al aplicar el proceso fotolitogrfico, lo que no solo es mas econmico (20% menos
de pasos) sino que al simplificar la produccin se obtienen menos cantidad de chips con bugs en cada
waffer. El tamao de los componentes individuales del chip son en promedio un 30% mas pequeos,
debido a que el aislante evita fugas de electrones de un componente a otro, lo que permite una mayor
integracin por unidad de superficie, y una mayor velocidad de operacin del chip.
Se trata de una ley emprica, formulada por Gordon E. Moore el 19 de abril de 1965, cuyo
cumplimiento se ha podido verificar hasta hoy. La Ley de Moore, tal el nombre con el que se la conoce,
nos dice que aproximadamente cada dos aos el nmero de transistores integrados en un microchip se
duplica. En el momento de escribir el artculo que origin su ley, Moore era Director de los
laboratorios
de
Fairchild
Semiconductor.
Gordon Moore afirm en ese articulo que la tecnologa de los microchips tena futuro, que el nmero
de transistores por centmetro cuadrado de superficie en circuitos integrados se duplicaba cada ao y
que la tendencia continuara durante las siguientes dos dcadas. Algunos aos ms tarde modific su
propia ley al afirmar que el ritmo bajara, y la densidad de los transistores se duplicara
aproximadamente cada 18 meses. Esta es una progresin de crecimiento exponencial, y es la principal
causa de la baja constante en el precio de los ordenadores, y fundamentalmente en el aumento de su
potencia. El hecho de doblar la capacidad de los microprocesadores cada ao y medio, es lo que se
considera
la
Ley
de
Moore.
La consecuencia directa de la Ley de Moore es que los precios bajan al mismo tiempo que las
prestaciones suben: un ordenador que hoy vale 3.000 dlares costar la mitad al ao siguiente y estar
obsoleto en poco ms de dos aos. En los ltimos 26 aos, tiempo transcurrido desde que Moore
reformulara su ley, el nmero de transistores en un chip se ha incrementado nada ms y nada menos
que 3.200 veces. Si un automvil hubiera incrementado su velocidad mxima en la misma proporcin,
actualmente dispondramos de modelos que viajaran a unos increbles 400000 km/hora.
Actualmente se aplica a los ordenadores personales. Sin embargo, cuando se formul no existan los
procesadores, inventados en 1971 (en Intel, compaa que Moore creo en 1968 junto a Robert Noyce),
ni
los
PCs,
popularizados
en
los
80.
Un semiconductor es un elemento que se comporta como un buen conductor de corriente, o como
aislante dependiendo del campo elctrico en el que se encuentre. Solamente algunas sustancias
presentan esta caracterstica. Los elementos qumicos semiconductores utilizados son el Cadmio (Cd),
Aluminio(Al), Galio(Ga), Boro(B), Indio(In), Silicio(Si), Germanio(Ge), Fosforo(P), Arsenio(As),
Antimonio(Sb), Selenio(Se), Telurio(Te) y Azufre(S) El elemento semiconductor ms usado en la
actualidad, y ladrillo fundamental de los transistores que componen los microprocesadores actuales es
el silicio, aunque idntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y
III con los de los grupos VI y V respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd).
ltimamente se han realizado ensayos tambin con el Azufre. La caracterstica comn a todos ellos es
que son tetravalentes. Se trata de diminutos dispositivos electrnicos, de tres terminales. La palabra
transistor nace como un acrnimo o contraccin de transference resistor. En efecto, una de las
-281 -
aplicaciones de los transistores es la transferencia de resistencia, que los permite usar como
amplificadores, al permitir controlar una gran corriente que circule entre el emisor y el colector
mediante
una
pequea
aplicada
en
el
otro
terminal,
llamado
base.
Pero la forma de trabajo del transistor que lo ha vuelto indispensable en el corazn de todas las
computadoras es la que permite utilizarlo como una llave. En efecto, en una determinada regin de
trabajo, se puede comportar como una llave que permite o no el paso de la corriente, es decir, presentar
un estado de 1 o 0. Esta particularidad lo hace til en la construccin de memorias y compuertas
lgicas,
elementos
base
de
cualquier
computadora
A pesar de que la era del silicio tiene casi treinta aos, se siente como si se estuviera en el comienzo de
una revolucin. Comenz cuando Intel y Texas Instruments, de manera independiente, produjeron su
primer chip microprocesador all en 1971. Estos primeros chips tenan slo un poco ms de 2,000
transistores, y su velocidad no era lo que llamaramos apabullante. En la actualidad, tenemos decenas
de millones de transistores en un solo chip, y los microprocesadores con tecnologas multi-core de mas
de 100 millones de transistores estn siendo cada vez mas comunes. Desde 1971, las velocidades de
procesamiento de un chip han ido de cerca de 0.06 millones de instrucciones por segundo (MIS) a cerca
de
1000
MIS.
Todo este crecimiento en el desempeo ha sido posible gracias a la innovacin permanente, y las
tcnicas SOI y silicio tensado son solo un exponente ms de ellas.
Las computadoras y otros tipos de sistemas requieren el almacenamiento permanente o
semipermanente de un gran nmero de datos binarios. Los sistemas basados en microprocesadores
necesitan de la memoria para almacenar los programas y datos generados durante el procesamiento y
disponer de ellos cuando sea necesario.
Las modernas tcnicas de circuitosintegrados permiten combinar miles e incluso millones de puertas dentro de
un solo encapsulado. Esto ha llevado a la fabricacin de diseos ms complejos como los dispositivos lgicos
programables, memorias y microprocesadores, que proporcionan dentro de un solo chip circuitos que requieren
gran cantidad de componentes discretos.
Las memorias son dispositivos de almacenamiento de datos binarios de largo o corto plazo . La memoriaes un
componente fundamental de las computadoras digitales y est presente en gran parte de los sistemas digitales. La
memoria de acceso aleatorio ( RAM, random access memory) almacena datos temporalmente, la memoria de slo
lectura(ROM, Read only memory) los guarda de manera permanente. La ROM forma parte del grupo de
componentes llamados dispositivos lgicos programables (PLD, programmable logic devices), que emplean la
informacin almacenada para definir circuitos lgicos.
Dispositivos que son capaces de proveer el medio fsico para almacenar esta informacin. Y aunque esta es su
tarea fundamental (ms del 90 % de las memorias se dedican a este fin) tambin se pueden utilizar para la
implementacin de circuitos combinacionales y pueden sustituir la mayor parte de la lgica de un sistema.
Los chips LSI pueden programarse para realizar funcionesespecficas. Un dispositivo lgico programable (PLD)
es un chip LSI que contiene una estructura de circuito "regular", pero que permite al diseador adecuarlo para
una aplicacin especfica. Cuando un PLD tpico deja la fbrica de IC, an no est listo para una
funcinespecfica, sino que debe ser programado por el usuario para que realice la funcin requerida en una
aplicacin particular. Los chips con la mayor funcionalidad por unidad de rea han sido los chips de memoria,
que contienen arreglos rectangulares de celdas de memoria. Uno de los PLD es el chip "de memoria de slo
lectura".
En una primera clasificacin, se puede distinguir entre memorias de almacenamiento masivo, caracterizadas por
ser memorias baratas y lentas, y memorias semiconductoras o memorias de estado slido, ms caras y rpidas.
En las primeras, la prioridad es disponer de una gran capacidad de almacenamiento, como ocurre en los discos
duros, en tanto que en las segundas, la prioridad es disponer de velocidades de acceso rpidas compatibles con la
-282 -

mayor capacidad de almacenamiento posible Que son las habitualmente utilizadas como memorias de
almacenamiento de programa y de datos en la mayora de las aplicaciones. Que ofrece cada tipo de memoria as
como las tecnologas de fabricacin, que han permitido un espectacular avance en las velocidades y escalas de
integracin en los ltimos aos.
Podemos considerar una memoria como un conjunto de M registros de N bits cada uno de ellos. Estos registros
ocupan las posiciones desde el valor 0 hasta M-1. Para acceder a cada registro es necesaria una lgica de
seleccin. En general, para cada registro se pueden realizar procesos de lectura y de escritura. Para realizar todas
estas operaciones son necesarios los siguientes terminales Terminales de datos (de entrada y de salida). En
nuestro caso son necesarios N terminales:
Terminales de direcciones, son necesarios m, de tal forma de 2m=M
Terminales de control. Son los que permiten especificar si se desa realizar una operacin de escritura o de
lectura, seleccionar el dispositivo.
/CS (Chip select): Es el terminal de seleccin de chip (habitualmente es activo con nivel bajo.
Las primeras son las relacionadas con nuestros conocidos discos de ordenador, y las ltimas estn abriendo en la
actualidad un atractivo abanico de posibilidades: desde los discos magnetopticos hasta las memorias
hologrficas.
R/W (Read/Write): Selecciona el modo de operacin (lectura o escritura) sobre la
memoria. habitualmente con valor bajo es activo el modo de escritura.
OE (Output Enable). Controla el estado de alta impedancia de los terminales de salida del dispositivo.
Es una memoria de slo lectura que se programan mediante mscaras. Es decir, el contenido de las celdas de
memoria se almacena durante el procesode fabricacin para mantenerse despus de forma irrevocable. Desde el
instante en que el fabricante grabo las instrucciones en el Chip, por lo tanto la escritura de este tipo de memorias
ocurre una sola vez y queda grabado su contenido aunque se le retire la energa.
Se usa para almacenar informacin vital para el funcionamiento del sistema: en l a gestindel proceso de
arranque, el chequeo inicial del sistema, carga del sistema operativo y diversas rutinas de control de
dispositivos de entrada/salida suelen ser las tareas encargadas a los programas grabados en ROM. Estos
programas forman la llamada BIOS (Basic Input Output System). Junto a la BIOS se encuentra el chip de CMOS
donde se almacenan los valores que determinan la configuracin hardware del sistema, como tipos de
unidades, parmetros de los discos duros, fecha y hora del sistema... esta informacin no se pierde al apagar la
computadora. Estos valores se pueden modificar por medio del SETUP.
La memoria ROM constituye lo que se ha venido llamando Firmware, es decir, el softwaremetido fsicamente
en hardware. De cara a los fines del usuario es una memoria que no sirve para la operacin de su programa,
slo le aporta mayores funcionalidades (informacin) del equipo.
Si tenemos idea de cmo se fabrican los circuitos integrados, sabremos de donde viene el nombre. Estos se
fabrican en obleas (placas de silicio) que contienen varias decenas de chips. Estas obleas se fabrican a partir de
procesos fotoqumicos, donde se impregnan capas de silicio y oxido de silicio, y segn convenga, se erosionan al
exponerlos a la luz. Como no todos los puntos han de ser erosionados, se sita entre la luz y la oblea una mascara
con agujeros, de manera que donde deba incidir la luz, esta pasar. Con varios procesos similares pero ms
complicados se consigue fabricar los transistores y diodos micromtricos que componen un chip. El elevado
coste del diseode la mscara slo hace aconsejable el empleo de los microcontroladores con este tipo de
memoria cuando se precisan cantidades superiores a varios miles de unidades.
-283 -

Los PCs vienen con una cantidad de ROM, donde se encuentras los programas de BIOS (Basic Input Output
System), que contienen los programas y los datos necesarios para activar y hacer funcionar el computadory sus
perifricos.
La ventaja de tener los programas fundamentales del computador almacenados en la ROM es que estn all
implementados en el interior del computador y no hay necesidad de cargarlos en la memoria desde el disco de la
misma forma en que se carga el DOS. Debido a que estn siempre residentes, los programas en ROM son muy a
menudo los cimientos sobre los que se construye el resto de los programas (incluyendo el DOS).
Estas memorias, cuyo nombre procede de las iniciales de Read Only Memory son solo de lectura. Dentro de un
proceso de elaboracin de datos de una computadora, no es posible grabar ningn dato en las memorias ROM.
Son memorias perfectas para guardar microprogramas, sistemas operativos, tablas de conversin, generacin de
caracteres etc.
Las caractersticas fundamentales de las memorias ROM son:
1. Alta densidad: la estructura de la celda bsica es muy sencilla y permite altas integraciones.
2. No voltiles: el contenido de la memoria permanece si se quita la alimentacin.
3. Coste: dado que la programacin se realiza a nivel de mscaras durante el proceso de fabricacin, resultan
baratas en grandes tiradas, de modo que el coste de fabricacin se reparte en muchas unidades y el coste unitario
es baja.
4. Slo lectura: nicamente son programables a nivel de mscara durante su fabricacin.
Su contenido, una vez fabricada, no se puede modificar.
Hay muchos tipos de ROM:
Una ROM puede estar fabricada tanto en tecnologa bipolar como MOS.
La figura muestraceldas ROM bipolar. La presencia de una unin desde una lnea de fila a la base de un
transistor representa un 1 en esa posicin. En las uniones
fila/columna en las que no existe conexin de base, las lneas de la columna
permanecern a nivel bajo (0) cuando se direccione la fila.
La figura 5.15 muestra celdas ROM con transistores MOS. Bsicamente son iguales que las anteriores, excepto
que estn fabricadas con MOSFETs.
-284 -

Para ver el grfico seleccione la opcin "Descargar" del men superior
MEMORIA ROM (READ ONLY MEMORY)
Una alternativa para proyectos pequeos es el uso de una de las memorias de slo lectura programables o
PROM (programmable read only memories), memoria basada en semiconductoresque contiene instrucciones o
datos. stas existen en muchas variantes, pero todas permiten que el usuario programe el dispositivo por si
mismo, ahorrndose el alto costo de la produccin de la mscara. En la PROM (programable ROM), o memoria
programable de slo lectura los contenidos pueden ser ledos pero no modificados por un programa de usuario.
Sus contenidos no se construyen, como la ROM, directamente en el procesadorcuando ste se fabrica, sino que
se crean por medio de un tipo especial "programacin", ya sea por el fabricante, o por especialistas tcnicos de
programacin del usuario. El proceso de programacin es destructivo: una vez grabada, es como si fuese una
ROM normal.
Las operaciones muy importantes o largas que se haban estado ejecutando mediante programas, se pueden
convertir en microprogramas y grabarse permanentemente en una pastilla de memoria programable slo de
lectura. Una vez que estn en forma de circuitos electrnicos, estas tareas se pueden realizar casi siempre en una
fraccin del tiempo que requeran antes. La flexibilidad adicional que se obtiene con la PROM puede convertirse
en una desventaja si en la unidad PROM se programa un error que no se puede corregir. Para superar esta
desventaja, se desarroll la EPROM, o memoria de solo lectura reprogrmale.
Las prestacionesde las memorias PROM son similares a las anteriores, con la nica salvedad delproceso de
programacin. La escritura de la memoria PROM tiene lugar fundiendo los fusibles necesarios por lo que la
memoria PROM solo puede ser programada una vez. Ahora la hace el usuario usando un equipo
MTODO DE PROGRAMACIN DE LA MEMORIA PROM
Para conseguir que la informacin que se desea grabar sea inalterable, se utilizan dos tcnicas: por destruccin
de fusible o por destruccin de unin.
La idea es bsicamente la misma que las ideas ROM convencionales, pero en este caso todas las celdas tienen
diodos, por lo cual la memoria viene programada de fbrica con todos 1. Cada diodo tiene conectado un fusible,
cuya funcionalidad es similar a la que podemos ver en fuentesde alimentacin o estabilizadores de tensin:
cuando se produce una sobretensin, el fusible se quema y, por lo tanto, el circuito se abre. De esta manera, el
diodo pierde contacto con el mundo exterior y el lector de memoria nunca sabe de su existencia, as que a esa
celda la interpreta como un cero. Por lo tanto para programar un chip de memoria PROM; con un dispositivo
llamado programador (por cierto, un nombre muy original xD), se les aplica a las celdas correspondientes una
tensin superior a la que son capaces de soportar los fusibles, y as quedan definidos todos los bits de la memoria
en cuestin. Como podemos ver, este tipo de memorias tiene una falencia: no pueden ser reprogramadas.
La pastilla es insertada en un dispositivo que genera en las salidas de la ROM (usadas como entradas) los
valoreslgicos de cada palabra. Para cada posicin, se genera un pulso de hasta 30V por la entrada Vpp=Vcc,
que produce una circulacin de corrientes que funden delgadas conexiones fusibles en serie con diodos o
transistores que se quiere desconectar. As se obtienen los ceros que deben resultar en las salidas, dado que el
chip "virgen" viene con todos los diodos conectados. Este proceso dura pocos minutos.
El proceso de programacin de una PROMgeneralmente se realiza con un equipo especial llamado quemador.
Este equipo emplea un mecanismo de interruptores electrnicos controlados por software que permiten cargar las
direcciones, los datos y genera los pulsos para fundir los fusibles del arreglo interno de la memoria. En la figura
se indica de forma esquemtica la funcin del programador.
Programacin de un PROM
ARQUITECTURA DE LA PROM
-285 -

Estructura bsica de un PLD
Un dispositivo programable por el usuario es aquel que contiene una arquitecturageneral pre-definida en la que
el usuario puede programar el diseo final del dispositivo empleando un conjunto de herramientas de
desarrollo. Las arquitecturas generales pueden variar pero normalmente consisten en una o ms matricesde
puertas AND y OR para implementar funciones lgicas. Muchos dispositivos tambin contienen combinaciones
de flip-flops y latches que pueden usarse como elementos de almacenaje para entrada y salida de un dispositivo.
Los dispositivos ms complejos contienen macroclulas. Las macroclulas permiten al usuario configurar el tipo
de entradas y salidas necesarias en el diseo
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Las PROM son memorias programables de slo lectura. Aunque el nombre no implica la lgica programable, las
PROM, son de hecho lgicas. La arquitectura de la mayora de las PROM consiste generalmente en un nmero
fijo de trminos AND que alimenta una matriz programable OR. Se usan principalmente para decodificar las
combinaciones de entrada en funciones de salida.
a.
b.
c.
d.
e.
f.
Las Aplicaciones ms importantes:

Microprogramacin
Librera de subrutinas
Programas de sistema
Tablas de funcin
MEMORIA PROM (PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORIES)

Las EPROM, o Memorias slo de Lectura Reprogramables, se programan mediante impulsos
elctricos y su contenido se borra exponindolas a la luz ultravioleta (de ah la ventanita que suelen
incorporar este tipo de circuitos), de manera tal que estos rayos atraen los elementos fotosensibles,
modificando su estado.
- Vista de la Ventanita de una EPROM PROGRAMACIN DE UNA MEMORIA EPROM
Las EPROM se programan insertando el chip en un programador de EPROM. y aplicando en un pin especial de
la memoria una tensin entre 10 y 25 Voltios durante aproximadamente 50 ms, segn el dispositivo, al mismo
tiempo se direcciona la posicin de memoria y se pone la informacin a las entradas de datos. Este proceso
puede tardar varios minutos dependiendo de la capacidad de memoria.
La memoria EPROM, se compone de un arreglo de transistores MOSFET de Canal N de compuerta aislada. En la
figura se observa el transistor funcionando como celda de memoria en una EPROM.
Celda de memoria de una EPROM
Cada transistor tiene una compuerta flotante de SiO2 (sin conexin elctrica) que en estado normal se encuentra
apagado y almacena un 1lgico. Durante la programacin, al aplicar una tensin (10 a 25V) la regin de la
compuerta queda cargada elctricamente, haciendo que el transistor se encienda, almacenando de esta forma un
0 lgico. Este dato queda almacenado de forma permanente, sin necesidad de mantener la tensin en la
compuerta ya que la carga elctrica en la compuerta puede permanecer por un perodo aproximado de 10 aos.
Las EPROMs tambin emplean transistores de puerta dual o FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection MetalOxide Semiconductor) de cargas almacenadas.
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Estos transistores son similares a los transistores de efecto de campo (FETs) canal-P, pero tienen dos
compuertas. La compuerta interior o flotante esta completamente rodeada por una capa aislante de dixido de
silicio; la compuerta superior o compuerta de control es la efectivamente conectada a la circuitera externa.
Inicialmente, la puerta flotante esta descargada, y el transistor se comporta como un transistor MOS normal. No
obstante, mediante un equipo programador, se puede acumular carga en la puerta flotante aplicando una sobre
tensin a la puerta y al drenador del transistor. Esta acumulacin de electrones en la segunda puerta tiene el
efecto de aumentar la umbral del transistor a un valor tal que no conduce aunque se direccione la celda. As pues
la cantidad de carga elctrica almacenada sobre la compuerta flotante determina que el bit de la celda contenga
un 1 o un 0;
las celdas cargadas son ledas como un 0, mientras que las que no lo estn son ledas como un 1. Tal como las
EPROMs salen de la fbrica, todas las celdas se encuentran descargadas, por lo cual el bit asociado es un 1; de
ah que una EPROM virgen presente el valor hexadecimal FF en todas sus direcciones.
Cuando un dado bit de una celda debe ser cambiado o programado de un 1 a un 0, se hace pasar una corriente a
travs del canal de transistor desde la fuente hacia la compuerta (obviamente, los electrones siguen el camino
inverso). Al mismo tiempo se aplica una relativamente alta tensin sobre la compuerta superior o de control del
transistor, crendose de esta manera un campo elctrico fuerte dentro de las capas del material semiconductor.
Ante la presencia de este campo elctrico fuerte, algunos de los electrones que pasan el canal fuente-compuerta
ganan suficiente energa como para formar un tnel y atravesar la capa aislante que normalmente asla la
compuerta flotante. En la medida que estos electrones se acumulan en la compuerta flotante, dicha compuerta
toma carga negativa, lo que finalmente produce que la celda tenga un 0.
Funcionamiento de una EPROM
Recordemos que son memorias de acceso aleatorio, generalmente ledas y eventualmente borradas y reescritas.
Una vez grabada una EPROM con la informacin pertinente, por medio de un dispositivo especial que se
explicar luego, la misma es instalada en el sistema correspondiente donde efectivamente ser utilizada como
dispositivo de lectura solamente. Eventualmente, ante la necesidad de realizar alguna modificacin en la
informacin contenida o bien para ser utilizada en otra aplicacin, la EPROM es retirada del sistema, borrada
mediante la exposicina luz ultravioleta con una longitud de onda de 2537 Angstroms (unidad de longitud por la
cual 1 A = 10-10 m), programada con los nuevos datos, y vuelta a instalar para volver a comportarse como una
memoria de lectura solamente. Por esa exposicin para su borrado es que es encapsulada con una ventana
transparente de cuarzo sobre la pastilla o "die" de la EPROM.
Es atinente aclarar que una EPROM no puede ser borrada parcial o selectivamente; de ah que por ms pequea
que fuese la eventual modificacin a realizar en su contenido, inevitablemente se deber borrar y reprogramar en
su totalidad.
Los tiempos medios de borrado de una EPROM, por exposicin a la luz ultravioleta, oscilan entre 10 y 30
minutos.
Con el advenimiento de las nuevas tecnologas para la fabricacin de circuitos integrados, se pueden emplear
mtodos elctricos de borrado. Estas ROM pueden ser borradas sin necesidad de extraerlas de la tarjeta del
circuito. Adems de EAPROM suelen ser denominadas RMM (Read Mostly Memories), memorias de casisiempre lectura, ya que no suelen modificarse casi nunca, pues los tiempos de escritura son significativamente
mayores que los de lectura.
Las memorias de slo lectura presentan un esquema de direccionamiento similar al de las memorias RAM. El
microprocesador no puede cambiar el contenido de la memoria ROM.
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Entre las aplicaciones generales que involucran a las EPROM debemos destacar las de manejo de sistemas
microcontrolados. Todo sistema microcontrolado y/o microprocesado (se trate de una computadora personalo de
una mquina expendedora de boletos para el autotransporte...) nos encontraremos con cierta cantidad de
memoria programable por el usuario (la RAM), usualmente en la forma de dispositivos semiconductores
contenidos en un circuito integrado (no olvidemos que un relay biestable o un flip-flop tambin son medios de
almacenamiento de informacin).
Estos dispositivos semiconductores integrados estn generalmente construidos en tecnologa MOS (Metal-Oxide
Semiconductor, Semiconductor de Oxido Metlico) o -ms recientemente- CMOS (Complementary Metal-Oxide
Semiconducto o Semiconductor de Oxido Metlico Complementario). Lamentablemente, estos dispositivos
RAM adolecen de un ligero inconveniente, que es, como ya se ha comentado, su volatibilidad.
Dado que cualquier sistema microprocesado requiere de al menos un mnimo de memoria no voltil donde
almacenar ya sea un sistema operativo, un programa de aplicacin, un lenguajeintrprete, o una simple rutina de
"upload", es necesario utilizar un dispositivo que preserve su informacin de manera al menos semi-permanente.
Y aqu es donde comienzan a brillar las EPROMs.
Tal como mencionramos anteriormente, el proceso de borrado de

los datos contenidos en una EPROM es llevado a cabo exponiendo la
misma a luz ultravioleta. El punto reside en que la misma contiene
fotones (Cuantos de energa electromagntica) de energa
relativamente alta.
La familia 2700
Los dispositivos EPROM de la familia 2700 contienen celdas de
almacenamiento de bits configuradas como bytes direccionables
individualmente. Habitualmente esta organizacin interna suele
denominarse como 2K x 8 para el caso de una 2716, 8k x 8 para una
2764, etc.
Por razones de compatibilidad (tanto con dispositivos anteriores como con dispositivos futuros), la gran mayora
de las EPROMs se ajustan a distribuciones de terminales o "pin-outs" estndar. Para el caso mas usual, que es el
encapsulado DIP (Dual In-Line Package) de 28 pines, el estndar utilizado es el JEDEC-28.
En cuanto a la programacin de estos dispositivos (si bien conceptualmente obedece siempre a la metodologa
descripta anteriormente) en realidad existe una relativamente alta variedad de implementaciones prcticas.
Si bien en la actualidad parece haberse uniformado razonablemente, las tensiones deprogramacin varan en
funcin tanto del dispositivo, como del fabricante; as nos encontramos con tensiones de programacin (Vpp) de
12,5V, 13V, 21V y 25V.
Lo mismo sucede con otros parmetros importantes que intervienen en el proceso de grabacin de un EPROM,
como es el caso de la duracin de dicho pulso de programacin y los niveles lgicos que determinan distintos
modos de operacin.
PROGRAMADOR/ EMULADOR DE FLASH EPROM
La manera ms cmoda, aunque tambin la ms costosa de desarrollar circuitos microcontroladores consiste en
simular la parte principal del controlador con la ayuda de un emulador. Una de opciones ms baratas consiste en
emplear un programa monitor junto con un emulador de memorias EPROM. Desafortunadamente, la mayora de
los programas monitores consumen algunos de los recursosdel controlador. Esta seria desventaja se resuelve
utilizando el emulador de memorias EPROM, que se comporta bsicamente igual que una memoria RAM de un
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doble puerto: a un lado se encuentra la interfase, como una memoria EPROM, mientras que al otro lado
proporciona las seales necesarias para introducir el flujo de datos a la memoria RAM.
Cuando compaas como AMD desarrollaron las memorias EPROM "Flash" con una tensin de programacin
de 5V y un ciclo de vida que permita programar la memoria hasta 100.000 veces, se abrieron las puertas a un
nuevo modelode emulador de memorias EPROM. El diseo que se presenta no solo acta como un emulador
con una enorme capacidad de almacenamiento, sino que tambin funciona como un programador de memorias
EPROM "Flash", ahorrndose comprar un sistema exclusivamente dedicado a programar.
Cuando se termine de trabajar con el emulador durante la fase del diseo, se dispondr en la memoria EPROM
"Flash" del cdigodefinitivo, que se sacar del emulador y se introducir en el circuito que se vaya a utilizar en
la aplicacin. Como los precios de las memorias EPROM "Flash" no son mucho mayores que los de las
memorias EPROM convencionales, la ventaja adicional que se ha descrito es sin costo.
Ejemplo de Borrador de una EPROM
Fotografas de algunos borradores de eproms
MEMORIA EPROM
La memoria EEPROM es programable y borrable elctricamente y su nombre proviene de la sigla en ingls
Electrical Erasable Programmable Read Only Memory. Actualmente estas memorias se construyen con
transistores de tecnologa MOS (Metal Oxide Silice) y MNOS (Metal Nitride-Oxide Silicon ).
Las celdas de memoria en las EEPROM son similares a las celdas EPROM y la diferencia bsica se encuentra en
la capa aislante alrededor de cada compuesta flotante, la cual es ms delgada y no es fotosensible.
Las memorias EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) son memorias no voltiles y
elctricamente borrables a nivel de bytes. La posibilidad de programar y borrar las memorias a nivel de bytes
supone una gran flexibilidad, pero tambin una celda de memoria ms compleja. Adems del transistor de puerta
flotante anterior, es preciso un segundo transistor de seleccin. El tener 2 transistores por celda hace que las
memorias EEPROM sean de baja densidad y mayor coste. La programacin requiere de tiempos que oscilan
entre 157 s y 625 s=byte. Frente a las memorias EPROM, presenta la ventaja de permitir su borrado y
programacin en placa, aunque tienen mayor coste debido a sus dos transistores por celda.
Estas memorias se presentan, en cuanto a la organizacin y asignacin de patillas, como la UVPROM cuando
estn organizadas en palabras de 8 bits. Se programan de forma casi idntica pero tienen la posibilidad de ser
borradas elctricamente. Esta caracterstica permite que puedan ser programadas y borradas "en el circuito".
Debido a que la clda elemental de este tipo de memorias es ms complicada que sus equivalentes en EPROM o
PROM (y por ello bastante ms cara), este tipo de memoria no dispone en el mercado de una variedad tan
amplia, y es habitual tener que acudir a fabricantes especializados en las mismas (ejemplo: Xicor).
En cuanto a la forma de referenciar los circuitos, estas memorias suelen comenzar con el prefijo 28, de forma
que la 2864 indica una memoria EEPROM de 64Kbytes, equivalente en cuanto a patillaje y modo de operacin
de lectura a la UVPROM 2764.
Una ventaja adicional de este tipo de memorias radica en que no necesitan de una alta tensin de grabado, sirven
los 5 voltios de la tensin de alimentacin habitual.
CE = CHIP ENABLE: Permite Activar el Circuito Integrado
OE = OUTPUT ENABLE: Permite Activar La Salida Del Bus De Datos
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LECTURA
ESCRITURA 0
Ventajas de la EEPROM:
La programacin y el borrado pueden realizarse sin la necesidad de una fuente de luz UV y unidad programadora
de PROM, adems de poder hacerse en el mismo circuito gracias a que el mecanismo de transporte de cargas
mencionado en el prrafo anterior requiere corrientes muy bajas.
Las palabras almacenadas en memoria se pueden borrar de forma individual.
Para borra la informacin no se requiere luz ultravioleta.
Las memorias EEPROM no requieren programador.
De manera individual puedes borrar y reprogramar elctricamente grupos de caracteres o palabras en el arreglo
de la memoria.
El tiempo de borrado total se reduce a 10ms en circuito donde su antepasado inmediato requera media hora bajo
luz ultravioleta externa.
El tiempo de programacin depende de un pulso por cada palabra de datos de 10 ms, versus los 50 ms empleados
por una ROM programable y borrable.
Se pueden reescribir aproximadamente unas 1000 veces sin que se observen problemas para almacenar la
informacin.
Para reescribir no se necesita hacer un borrado previo.
Aplicaciones de las Memorias EEPROM
Encontramos este tipo de memorias en aquellas aplicaciones en las que el usuario
necesita almacenar de forma permanente algn tipo de informacin; por ejemplo en los receptores de TV o
magnetoscopios para memorizar los ajustes o los canales de recepcin.
EJEMPLO DE MEMORIA EEPROM - 28C64A
Esta memoria tiene una capacidad de 8K X 8 (64 KB).
EEPROM 28C64A
En la figura se indica la disposicin de los pines de esta memoria la cual se encuentra disponible en dos tipos de
encapsulados (DIL y PLCC).
MEMORIA EEPROM (ELECTRICAL ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY)
MEMORIA FLASH
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La memoria FLASH es similar a la EEPROM, es decir que se puede programar y borrar elctricamente, son de
alta densidad (gran capacidad de almacenamiento de bits). Alta densidad significa que se puede empaquetar en
una pequea superficie del chip, gran cantidad de celdas, lo que implica que cuanto mayor sea la densidad, ms
bits se pueden almacenar en un chip de tamao determinado. Sin embargo esta rene algunas de las propiedades
de las memorias anteriormente vistas, y se caracteriza por tener alta capacidad para almacenar informacin y es
de fabricacin sencilla, lo que permite fabricar modelos de capacidad equivalente a las EPROM a menor costo
que las EEPROM.
ESTRUCTURA DE LA MEMORIA FLASH
Aparte de que las memorias EPROM "Flash" tienen una entrada de escritura, mientras estn funcionando se
comportan como las EPROM normales. La nica diferencia se encuentra en como se cargan y se borran los datos
en la memoria. Mientras que durante el proceso de programacin de las memorias EPROM convencionales se
necesita una tensin bien definida durante cierto intervalo de tiempo, y para borrar el componente hay que
exponerlo a luz ultravioleta, en las E.Flash ambos procesos estn controlados y se llevan a cabo internamente.
Para tal efecto la memoria recibe una secuencia de comandos predefinida (borrar, programar) que incluye
algunas precauciones especiales (determinadas por el fabricante) destinadas a evitar que se borre cualquier dato
por error.
El comando se transfiere a la memoria EPROM "Flash" mediante una serie de operaciones de escritura. Los dos
primeros comandos "Lectura/Reset" preparan la memoria para operaciones de lectura. El comando
"Autoseleccin" permite leer el cdigo del fabricante y el tipo de dispositivo. El comando "Byte" carga el
programa dentro de la memoria EPROM, mientras que "Borrar Chip" acta durante el proceso de borrado, que
no dura ms de un minuto. Desde el punto de vista lgico podemos afirmar que la memoria EPROM "Flash" est
dividida en sectores que se pueden borrar individualmente con la ayuda del comando "Borrar Sector".
Las memorias EPROM "Flash" disponen de otro mecanismo, basado en la divisin en sectores, que las protege
de acciones de escritura o lectura no deseadas. Cuando un sector est protegido de esta forma no se puede
realizar una operacin de lectura o sobre escritura con una tensin de 5V. Este hecho es muy importante y se
debe tener siempre presente cuando se utilicen estos dispositivos. Solamente se puede eliminar esta proteccin
con la ayuda de un programador especial.
Durante el proceso de programacin o borrado se puede leer, mediante un comando de acceso en "lectura", el
estado de la memoria EPROM "Flash" en la misma posicin que el byte de programado o borrado. Mientras se
borra un sector se puede leer cualquier direccin que pertenezca al sector.
APLICACIONES DE LA MEMORIA FLASH
La Memoria Flash es ideal para docenas de aplicaciones porttiles. Tomemos como ejemplo las cmaras
digitales. Insertando una tarjeta de Memoria Flash de alta capacidad directamente en la cmara, usted puede
almacenar cientos de imgenesde alta resolucin. Cuando este listo para bajarlas, simplemente retire la tarjeta y
transfirala a su computadora de escritorio o porttil para su procesamiento. Las tarjetasde Memoria Flash se
ajustan a entradas Tipo II (con o sin adaptador, dependiendo del tipo de tarjeta Flash). Ahora esta usted listo para
cargar en segundos todas las imgenes capturadas para observarlas, manipularlas, enviarlas por correo
electrnico o imprimirlas. Ya nunca necesitara comprar rollos para fotografa. Sea cual sea su aplicacin o
equipo porttil.
Actualmente, los usos de Memoria Flash se estn incrementando rpidamente. Ya sean cmaras digitales,
Asistentes Digitales Porttiles, reproductores de msicadigital o telfonos celulares, todos necesitan una forma
fcil y confiable de almacenar y transportar informacin vital.
-291 -

Se utilizan en la fabricacin de BIOS para computadoras. , generalmente conocidos como FLASH-BIOS. La
ventaja de esta tecnologa es que permite
actualizar el bios con un software proporcionado por el fabricante, sin necesidad de desmontar el chip del
circuito
final,
ni
usar
aparatos
especiales.
Por esto la Memoria Flash se ha convertido en poco tiempo en una de las ms populares tecnologas de
almacenamiento de datos. Es ms flexible que un diskette y puede almacenar hasta 160MB de informacin. Es
ms y mucho mas rpida que un disco duro, y a diferencia de la memoria RAM, la Memoria Flash puede retener
datos
aun
cuando
el
equipo
se
ha
apagado.
almacenar cientos de imgenes de alta resolucin. Cuando este listo para bajarlas, simplemente retire la tarjeta y
transfirala a su computadora de escritorio o porttil para su procesamiento. Las tarjetas de Memoria Flash se
electrnico o imprimirlas. Ya nunca necesitara comprar rollos para fotografa.
EJEMPLO DE MEMORIA FLASH - 27F256
La capacidad de esta memoria es de 32K X 8 y como memoria Flash tiene la caracterstica particular de ser
borrada en un tiempo muy corto (1 seg.). El tiempo de programacin por byte es de 100 ms y el tiempo de
retencin de la informacin es de aproximadamente 10 aos.
Memoria Flash 27F256
En la figura se indica la disposicin de los pines de esta memoria con sus caractersticas tcnicas bsicas.
DIFERENCIA ENTRE MEMORIAS EEPROM Y EPROM FLASH
La diferencia de las memorias flash con las EEPROM reside en su velocidad: Son ms rpidas en trminos de
programacin y borrado, aunque tambin necesitan de una tensin de grabado del orden de 12 voltios.
Otra diferencia la encontramos en que en las EEPROM se puede borrar de forma
selectiva cualquier byte, mientras que en las memorias FLASH slo admite el borrado total de la misma.
Por otra parte esta memorias son bastante ms baratas que las EEPROM, debido a que utilizan una
tecnologa ms sencilla y se fabrican con grandes capacidades de
almacenamiento. Un dato puede ser significativo: el tiempo de borrado de un byte es del orden de 100
seg.
TABLA COMPARATIVA ENTRE MEMORIAS
-292 -
Es una memoria de slo lectura que se programan mediante mscaras. Es decir, el contenido de las celdas de
memoria se almacena durante el proceso de fabricacin para mantenerse despus de forma irrevocable. Desde el
instante en que el fabricante grabo las instrucciones en el Chip, por lo tanto la escritura de este tipo de memorias
ocurre una sola vez y queda grabado su contenido aunque se le retire la energa.
Se usa para almacenar informacin vital para el funcionamiento del sistema: en la gestin del proceso de
arranque, el chequeo inicial del sistema, carga del sistema operativo y diversas rutinas de control de dispositivos
de entrada/salida suelen ser las tareas encargadas a los programas grabados en ROM. Estos programas forman
la llamada BIOS (Basic Input Output System). Junto a la BIOS se encuentra el chip de CMOS donde se
almacenan los valores que determinan la configuracin hardware del sistema, como tipos de unidades,
parmetros de los discos duros, fecha y hora del sistema... esta informacin no se pierde al apagar la
computadora. Estos valores se pueden modificar por medio del SETUP.
La ventaja de tener los programas fundamentales del computador almacenados en la ROM es que estn all
implementados en el interior del computador y no hay necesidad de cargarlos en la memoria desde el disco de la
misma forma en que se carga el DOS. Debido a que estn siempre residentes, los programas en ROM son muy a
menudo los cimientos sobre los que se construye el resto de los programas (incluyendo el DOS).
Una ROM puede estar fabricada tanto en tecnologa bipolar como MOS.
MEMORIA PROM (PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORIES)
En la PROM (programable ROM), o memoria programable de slo lectura los contenidos pueden ser ledos pero
no modificados por un programa de usuario. Sus contenidos no se construyen, como la ROM, directamente en el
procesador cuando ste se fabrica, sino que se crean por medio de un tipo especial "programacin", ya sea por el
fabricante, o por especialistas tcnicos de programacin del usuario. El proceso de programacin es destructivo:
una vez grabada, es como si fuese una ROM normal.
Las operaciones muy importantes o largas que se haban estado ejecutando mediante programas, se pueden
convertir en microprogramas y grabarse permanentemente en una pastilla de memoria programable slo de
lectura. Una vez que estn en forma de circuitos electrnicos, estas tareas se pueden realizar casi siempre en una
fraccin del tiempo que requeran antes. La flexibilidad adicional que se obtiene con la PROM puede convertirse
en una desventaja si en la unidad PROM se programa un error que no se puede corregir. Para superar esta
desventaja, se desarroll la EPROM, o memoria de solo lectura reprogrmale.
Para conseguir que la informacin que se desea grabar sea inalterable, se utilizan dos tcnicas: por destruccin
de fusible o por destruccin de unin.
-293 -

El proceso de programacin de una PROM generalmente se realiza con un equipo especial llamado quemador.
Este equipo emplea un mecanismo de interruptores electrnicos controlados por software que permiten cargar las
direcciones, los datos y genera los pulsos para fundir los fusibles del arreglo interno de la memoria. En la figura
se indica de forma esquemtica la funcin del programador.
a.
b.
c.
d.
e.
f.
Las Aplicaciones ms importantes:

Microprogramacin
Librera de subrutinas
Programas de sistema
Tablas de funcin
MEMORIA EPROM
Las EPROM, o Memorias slo de Lectura Reprogramables, se programan mediante impulsos elctricos y su
contenido se borra exponindolas a la luz ultravioleta (de ah la ventanita que suelen incorporar este tipo de
circuitos), de manera tal que estos rayos atraen los elementos fotosensibles, modificando su estado.
Las EPROM se programan insertando el chip en un programador de EPROM. y aplicando en un pin especial de
la memoria una tensin entre 10 y 25 Voltios durante aproximadamente 50 ms, segn el dispositivo, al mismo
tiempo se direcciona la posicin de memoria y se pone la informacin a las entradas de datos. Este proceso
puede tardar varios minutos dependiendo de la capacidad de memoria.
Cuando un dado bit de una celda debe ser cambiado o programado de un 1 a un 0, se hace pasar una corriente a
travs del canal de transistor desde la fuente hacia la compuerta (obviamente, los electrones siguen el camino
inverso). Al mismo tiempo se aplica una relativamente alta tensin sobre la compuerta superior o de control del
transistor, crendose de esta manera un campo elctrico fuerte dentro de las capas del material semiconductor.
Ante la presencia de este campo elctrico fuerte, algunos de los electrones que pasan el canal fuente-compuerta
ganan suficiente energa como para formar un tnel y atravesar la capa aislante que normalmente asla la
compuerta flotante. En la medida que estos electrones se acumulan en la compuerta flotante, dicha compuerta
toma carga negativa, lo que finalmente produce que la celda tenga un 0.
-294 -

Los tiempos medios de borrado de una EPROM, por exposicin a la luz ultravioleta, oscilan entre 10 y 30
minutos.
Tal como mencionramos anteriormente, el proceso de borrado de los datos contenidos en una EPROM es
llevado a cabo exponiendo la misma a luz ultravioleta. El punto reside en que la misma contiene fotones
(Cuantos de energa electromagntica) de energa relativamente alta.
MEMORIA EEPROM (ELECTRICAL ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY)
La memoria EEPROM es programable y borrable elctricamente y su nombre proviene de la sigla en ingls
Electrical Erasable Programmable Read Only Memory. Actualmente estas memorias se construyen con
transistores de tecnologa MOS (Metal Oxide Silice) y MNOS (Metal Nitride-Oxide Silicon).
Las celdas de memoria en las EEPROM son similares a las celdas EPROM y la diferencia bsica se encuentra en
la capa aislante alrededor de cada compuesta flotante, la cual es ms delgada y no es fotosensible.
Las memorias EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) son memorias no voltiles y
elctricamente borrables a nivel de bytes. La posibilidad de programar y borrar las memorias a nivel de bytes
supone una gran flexibilidad, pero tambin una celda de memoria ms compleja. Adems del transistor de puerta
flotante anterior, es preciso un segundo transistor de seleccin. El tener 2 transistores por celda hace que las
memorias EEPROM sean de baja densidad y mayor coste. La programacin requiere de tiempos que oscilan
entre 157 s y 625 s=byte. Frente a las memorias EPROM, presenta la ventaja de permitir su borrado y
programacin en placa, aunque tienen mayor coste debido a sus dos transistores por celda.
Una ventaja adicional de este tipo de memorias radica en que no necesitan de una alta tensin de grabado, sirven
los 5 voltios de la tensin de alimentacin habitual.
LECTURA
ESCRITURA 0
Ventajas de la EEPROM:
Las palabras almacenadas en memoria se pueden borrar de forma individual.
Para borra la informacin no se requiere luz ultravioleta.
Las memorias EEPROM no requieren programador.
De manera individual puedes borrar y reprogramar elctricamente grupos de caracteres o palabras en el arreglo
de la memoria.
Para reescribir no se necesita hacer un borrado previo.
MEMORIA FLASH
La memoria FLASH es similar a la EEPROM, es decir que se puede programar y borrar elctricamente, son de
alta densidad (gran capacidad de almacenamiento de bits). Alta densidad significa que se puede empaquetar en
una pequea superficie del chip, gran cantidad de celdas, lo que implica que cuanto mayor sea la densidad, ms
bits se pueden almacenar en un chip de tamao determinado. Sin embargo esta rene algunas de las propiedades
de las memorias anteriormente vistas, y se caracteriza por tener alta capacidad para almacenar informacin y es
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de fabricacin sencilla, lo que permite fabricar modelos de capacidad equivalente a las EPROM a menor costo
que las EEPROM.
Aparte de que las memorias EPROM "Flash" tienen una entrada de escritura, mientras estn funcionando se
comportan como las EPROM normales. La nica diferencia se encuentra en como se cargan y se borran los datos
en la memoria. Mientras que durante el proceso de programacin de las memorias EPROM convencionales se
necesita una tensin bien definida durante cierto intervalo de tiempo, y para borrar el componente hay que
exponerlo a luz ultravioleta, en las E.Flash ambos procesos estn controlados y se llevan a cabo internamente.
Para tal efecto la memoria recibe una secuencia de comandos predefinida (borrar, programar) que incluye
algunas precauciones especiales (determinadas por el fabricante) destinadas a evitar que se borre cualquier dato
por error.
Durante el proceso de programacin o borrado se puede leer, mediante un comando de acceso en "lectura", el
estado de la memoria EPROM "Flash" en la misma posicin que el byte de programado o borrado. Mientras se
borra un sector se puede leer cualquier direccin que pertenezca al sector.
APLICACIONES DE LA MEMORIA FLASH
almacenar cientos de imgenes de alta resolucin. Cuando este listo para bajarlas, simplemente retire la tarjeta y
transfirala a su computadora de escritorio o porttil para su procesamiento. Las tarjetas de Memoria Flash se
electrnico o imprimirlas. Ya nunca necesitara comprar rollos para fotografa. Sea cual sea su aplicacin o
equipo porttil.
Actualmente, los usos de Memoria Flash se estn incrementando rpidamente. Ya sean cmaras digitales,
Asistentes Digitales Porttiles, reproductores de msica digital o telfonos celulares, todos necesitan una forma
fcil y confiable de almacenar y transportar informacin vital.
TABLA COMPARATIVA ENTRE MEMORIAS
La Electrnica es la ciencia que estudia el control del flujo de electrones en circuitos que van a desempear
muchas funciones por medio de componentes como diodos, transistores, resistores, inductores, capacitores y
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otros dispositivos. La era electrnica se introdujo con el bulbo. A la llegada del transistor se realizaron grandes
cambios, principalmente en las necesidades de potencia y tamao de los componentes y circuitos. A
continuacin veremos los Transistores Unipolares (FETS - MOSFETS). Estos transistores pueden ser
empleados en los circuitos en una disposicin similar a la de los bipolares, es decir, en fuente comn, aunque la
primera y la ltima son las ms utilizadas en la practica. En poca reciente ha aparecido en el mercado una nueva
tecnologa de fabricacin de transistores MOS que reciben el nombre de VMOS a causa de la estructura
geomtrica de sus diferentes regiones semiconductoras.
11.10 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
Los transistores de efecto de campo, conocidos generalmente como TEC ( o FET por sus siglas en ingles
), son un dispositivo unipolar, ya que la corriente existe tanto en forma de electrones como de huecos. En un
FET de canal n, la corriente se debe a electrones, mientras que en un FET de canal p, se debe a huecos. Ambos
tipos de FET se controlan por una tensin entre la compuerta y la fuente.
Los smbolos ilustrados se refieren al transistor de efecto de campo de juntura. Los TEC a y b han sido indicados
como tipos N y P de acuerdo al empleo de los materiales tipo N y P en la fabricacin de estos dispositivos. El
TEC tiene tres elementos. El terminal nodo se conoce como el drenaje y el terminal ctodo se conoce como
fuente. El drenaje equivale al colector. La fuente equivale al emisor de un transistor bipolar. La puerta equivale a
la base.
Ejemplo de un
circuito TEC
Adems existen otros TEC que utilizan metales y materiales xidos, dando como un resultado un TEC que se
conocen como Transistor de Efecto de Campo de xido de metal y semiconductor, que se abrevia TELCOMS ( o
MOSFET por sus iniciales en y ingles ). Otro avance en el TEC es un dispositivo con dos terminales, llamados
puertas frontal y puerta trasera, este dispositivo es el TEC tetrodo. En la siguiente figura se muestran los
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smbolos de estas modificaciones del TEC de juntura. En los smbolos para estos dispositivos, la D significa
drenaje, la P = puerta, la F = fuente.
Tipos :
Se consideran tres tipos principales de FET:
El primero de ellos, el JFET, ya no se trata de una combinacin tan sencilla entre los semiconductores
como en el caso de los transistores N-P-N, P-N-P. Ahora la forma de obtenerlos es algo ms rebuscada. Sin
embargo, sus propiedades hacen que merezca la pena su construccin, ya que son utilizados en gran medida por
los fabricantes de circuitos electrnicos.
A su vez existen dos tipos de transistores JFET. La razn es sencilla, si tomamos uno de ellos y
cambiamos los tipos de semiconductores, es decir, donde hay semiconductores de tipo P ponemos
semiconductores de tipo N y viceversa, obtenemos otro transistor JFET pero de caractersticas distintas.
As pues, para distingirlos, llamamos FET de canal p al primero y FET de canal n al segundo. Veremos
cmo las propiedades de ambos no slo son distintas sino que son ms bien opuestas.
Para aplicar su funcionamiento hay
que tener en cuenta que tenemos dos tipos
distintos de voltajes. Esto es debido a que
el FET consta de tres semiconductores
unidos y por tanto existen dos zonas de
unin entre ellos. As pues, vamos a
considerar la diferencia de potencial entre
drenaje y fuente a la que llamaremos Vds,
y la diferencia de potencial entre puerta y
fuente la cual estar representada por Vgs.
Estudiar las caractersticas de un transistor
consta en jugar con las dos tensiones de
que
disponemos,
aumentndolas,
disminuyndolas y observando qu pasa
con la corriente que lo atraviesa.Para
estudiar su comportamiento, vamos a dejar
fija la tensin entre la puerta y la fuente,
Vgs, y vamos a suponer que variamos la tensin entre el drenador y la fuente, Vds. Se pueden distinguir tres
zonas segn vamos aumentando el potencial Vds, estas son: zona hmica, zona de saturacin y zona de ruptura.
En la zona hmica, el transistor se comporta como una resistencia (hmica), es decir, si aumentamos el
potencial, Vds, crece la corriente (y) en la misma proporcin, esta situacin se mantiene as hasta que el
potencial alcanza un valor aproximadamente de unos cinco voltios. A partir de este valor, si seguimos
aumentando esa diferencia de potencial entre drenador y fuente, es decir, si seguimos aumentando Vds, el
transistor entra en la zona de saturacin. Aqu su comportamiento es totalmente distinto al anterior, ya que,
aunque se siga aumentando Vds, la corriente permanece constante. Si seguimos aumentando el potencial Vds de
nuevo, llagamos a un valor de ste a partir del cual el comportamiento del transistor vuelve a cambiar. Este valor
tiene que ser del orden de 40 voltios. Decimos entonces que hemos entrado en la zona de ruptura. A partir de
este punto la corriente i puede circular libremente, independientemente de que sigamos aumentando el valor de
Vgs. Es esta la razn por la cual los JFET se pueden utilizar como interruptores de encendido y apagado,
propiedad esta fundamental en la computacin. Un JFET se encuentra en estado OFF (interruptor cerrado)
cuando Vds es cero, ya que no pasa corriente alguna, y en estado ON (interruptor abierto) cuando Vds pasa de
los 40 voltios. Evidentemente, estos valores reales dependern del tipo de transistor del que hablemos, ya existen
FET para circuitos integrados y FET de potencia, estos ltimos con valores algo mayores que los primeros.
Otro de los tipos de FET es el conocido como MOSFET
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Por ltimo, vamos a hablar del transistor ms utilizado en la actualidad, esto es el del MOSFET. La
estructura de este transistor es la ms complicada de entre todos los vistos hasta ahora. Consta de los ya
conocidos semiconductores P-N, colocados ahora de una nueva forma, y de un original material aislante, como
es el dixido de silicio; esta pequea adicin de la capa del xido va a cambiar considerablemente las
propiedades del transistor respecto a las que tenia el JFET.
Existen dos tipos de MOSFET: cuando tengamos una zona tipo P y dos tos N lo llamaremos MOSFET
de canal n (o NMOS) y, por el contrario, si hay una sola zona tipo N y otras dos tipo P se llamar MOSFET de
canal P (o PMOS).
MOSFET de Empobrecimiento:
El MOSFET de empobrecimiento de canal n
El MOSFET de canal n se establece en

un sustrato p, que es el silicio contaminado de tipo p.
Las regiones contaminadas de tipo n de la fuente y el
drenaje forman conexiones de baja resistencia entre los
extremos del canal n u los contactos de aluminio de la
fuente (S) y el drenaje (D). Se hace crecer una capa se
SiO2, que es un aislante, en la parte superior del canal.
Se deposita una capa de aluminio sobre el aislante de SiO 2 para formar la terminal de compuerta (G).
El desempeo del MOSFET de empobrecimiento, es similar al JFET. El JFET se controla por la unin
pn entre la compuerta y el extremo del drenaje del canal. No existe dicha unin en el MOSET de
enriquesimiento, y capa de SiO2 acta como aislante. Para el MOSFET de canal n, una vGS negativa saca los
elementos de la regin del canal, empobrecindolo. Cuando vGS alcanza Vp, el canal se estrangula. Los valores
positivos de vGS aumentan el tamao del canal, dando por resultado un aumento en la corriente de drenaje.
Ntese que el MOSFET de empobrecimiento puede operar tanto para valores positivos como negativos
de vGS. Como la compuerta est aislada del canal, la corriente de compuerta es sumamente pequea (10-12 A) y
vGS puede ser de cualquier polaridad.
El MOSFET de empobrecimiento de canal p
MOSFET de Enriquesimiento:
El MOSFET de eriquesimiento de canal n
El MOSFET de enriquesimiento difiere del

MOSFET de empobrecimiento en que no tiene la
capa delgada de material n sino que requiere una
tensin positiva entre la compuerta y la fuente para
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establecer un canal. Este canal se forma por la accin de una tensin positiva compuerta a fuente, vGS, que atrae a
los electrones de la regin del sustrato ubicada entre el drenaje y la compuerta contaminados de tipo n. Una vGS
positiva provoca que los electrones se acumulen en la superficie inferior de la capa de xido. Cuando la tensin
alcanza el valor de umbral, VT, han sido atrados a esta regin de los electrones suficientes para que se comporte
como canal n conductor. No habr una corriente apreciable i D hasta que vGS excede VT.No existe un valor IDSS
para el MOSFET de enriquesimiento, ya que la corriente de drenaje es cero hasta que el canal se ha formado.
IDSS es cero para vGS = 0. Para valores de vGS > VT, la corriente de drenaje en saturacin se puede calcular de la
ecuacin iD = k (vGS - VT)2.El valor de k depende la construccin de MOSFET y, en principio, es funcin del
ancho y el largo del canal. Un valor tpico para k es 0.3 mA/V2; la tensin de umbral, VT, es especificada por el
fabricante. Se puede encontrar un valor para gm derivando la ecuacin, como se hizo con los JFET.El MOSFET
de enriquesimiento de canal p exhibe caractersticas similares pero opuestas a las del MOSFET de
enriquesimiento de canal n.
Aunque se halla ms restringido en su intervalo de operacin que el MOSFET de empobrecimiento, el
MOSFET de enriquesimiento es til en aplicaciones de CI debido a su tamao pequeo y su construccin
simple. La compuerta para los MOSFET de canal n y de canal p es un depsito de metal en una capa de xido
de silicio. La construccin comienza con un material de sustrato (de tipo p para canal n; de tipo n para canal p)
sobre el cual se difunde material del tipo opuesto para formar la fuente y el drenaje.
El MOSFET de eriquesimiento de canal p
VENTAJAS Y DESVENTAJAS DEL FET

Las ventajas del FET se pueden resumir
como sigue:
1. 1. Son dispositivos sensibles a la tensin con alta independencia. Como esta independencia de
entrada es considerablemente mayor que la de los BJT, se prefieren los FET a los BJT para la etapa
de entrada a un amplificador multietapa.
2. 2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3. 3. Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT.
4. 4. Los FET son , en general, ms fciles de fabricar que los BJT, pues suelen requerir menos pasos
de enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar un mayor nmero de dispositivos en un circuito
integrado ( es decir, se puede obtener una densidad de empaque mayor ).
5. 5. Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensin para valores pequeos
de tensin drenaje a fuente.
6. 6. La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo suficiente para
permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.
7. 7. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
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Existen varias desventajas que limitan la utilizacin de los FET en algunas aplicaciones:
1. 1. Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de entrada.
2. 2. Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre.
3. 3. Los FET se pueden daar al manejarlos debido a la electricidad esttica.
OPERACIN Y CONSTRUCCIN DEL FET
Al igual que el BJT, el FET es un dispositivo de tres terminales, pero slo tiene una unin pn en vez de
dos, como en el BJT.
El JFET de canal n se construye utilizando una cinta de material tipo n con dos materiales de tipo p
difundidos en ella, uno en cada lado. El JFET de canal p tiene una cinta de material tipo p con dos materiales de
tipo n difundidos en ella.
Estructura Fsica de un JFET
Para entender la operacin del
JFET, se conecta el JFET de canal n a un
circuito externo, Se aplica una fuente de
tensin, VDD, al drenaje y se enva a
tierra. Una fuente de tensin de
compuerta, VGG, se aplica a la
compuerta.
VDD proporciona una tensin
drenaje a fuente, vDS, que provoca una corriente de drenaje, iD, del drenaje a la fuente. La corriente de drenaje,
que es idntica a la corriente de fuente, existe en el canal rodeado por la compuerta de tipo p. La tensin
compuerta a fuente, vGS, que es igual a -VGG, crea una regin desrtica en el canal, que reduce el ancho de ste y
por tanto aumenta la resistencia entre drenaje y fuente. Como la unin compuerta-fuente est polarizada en
inverso, el resultado es una corriente de compuerta nula.Considrese la operacin de un JFET con vGS=0. La
corriente de drenaje a travs del canal n del drenaje a la fuente, provoca una cada de tensin a lo largo del canal,
con el potencial ms alto en la unin drenaje-compuerta. Esta tensin positiva es la unin drenaje-fuente polariza
en inverso la unin pn y produce una regin desrtica. Cuando se incrementa vDS, tambin aumenta la corriente
de drenaje, iD .
CURVAS CARACTERSTICAS
Aqu consideraremos las caractersticas iD-vDScompleta para varios valores del parmetro v GS. En la siguiente
figura se muestran las curvas caractersticas iD-vDS tanto para un JFET de canal n como para uno de canal p.
antes de analizar estas curvas, tmese nota de los siguientes smbolos para los JFET de canal n y de canal p, que
tambin se muestran en dicha figura. Estos smbolos son iguales excepto por la direccin de la flecha.
Curvas caractersticas iD-VDS para un JFET
Conforme se incrementa vGS(ms negativo para un canal n y ms positivo para un canal p) se transforma la
regin desrtica y se cierra para un
valor menor que i D. Por tanto, para el
JFET de canal n la iD mxima se
reduce desde IDSS con forme vGS se
hace se hace ms negativo. Si vGS
disminuyen an ms se alcanza un
valor de vGS, despus del cual iD ser
cero sin importar el valor de vDS. Este
-301 -

valor de vGS se denomina VGSOFF, tensin de estrangulamiento (Vp). El valor de Vp es negativo para un JFET de
canal n y positivo para un JFET de canal p.
CARACTERSTICAS DE TRANSFERENCIA
Caractersticas del JFET
Es una grfica de la corriente de drenaje
como funcin de la tensin compuerta a fuente por
encima del estrangulamiento. Se grfica con vDS
igual a una constante, aunque la caracterstica de
transferencia es esencial independiente de vDS pues,
luego de que el FET llega al estrangulamiento, iD
permanece constante para valores mayores de vDS.
Esto se puede ver a partir de las curvas iD-vDS ,
donde cada curva se vuelve plana para valores de vDS
> Vp. Cada curva tiene un punto de saturacin
diferente.
En la anterior figura se muestran las caractersticas de transferencia y las caractersticas iD-vGD para un
JFET de canal n. Las caractersticas de transferencia se pueden obtener de una extensin de las curvas iD-vDS. Un
mtodo til de determinar la caracterstica de transferencia es con ayuda de la siguiente relacin:
iD / iDSS = (1 - vGS / Vp )2
Por tanto, slo se necesita conocer i DSS y Vp, y toda la caracterstica queda determinada, Las hojas de
datos de los fabricantes a menudo dan estos dos parmetros, por lo que se puede construir la caracterstica de
transferencia o utilizar la ecuacin directamente. Ntese que i D se satura ( es decir, se vuelve constante )con
forme vDS excede la tensin necesaria para que el se estrangule. Esto se puede expresar como una ecuacin para
vDS(sal) para cada curva, como sigue:
vDS(sal) = vGS) + Vp
DIFERENCIAS ENTRE FET Y LOS BJT
Las diferencias ms resaltantes entre estos dos dispositivos son:
1. 1. La independencia de entrada de los FET es considerablemente mayor que la de los BJT.
2. 2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3. 3. Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT.
4. 4. Los FET son , en general, ms fciles de fabricar que los BJT, pues suelen requerir menos pasos
de enmascaramiento y difusiones.
5. 5. La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo suficiente para
permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento, a contrario de los BJT.
TRANSDUCTANCIA
Para obtener una medida de la amplificacin posible con un JFET, se introduce el parmetro gm, que es la
estrangulacin en directo. Este parmetro es similar a la ganancia de corriente para un BJT. El valor de gm, que
se mide en siemens (S), es una medida de cambio en la corriente de drenaje para un cambio en la tensin
compuerta-fuente.
-302 -

gm = iD / vGS @ DiD / DvGS
vDS = constante
La transconductancia, gm, no permanece constante si se cambia el punto Q. Esto se puede ver por la
determinacin geomtrica de gm a partir de la curva de transferencia de caractersticas. Conforme cambia iD,
vara la pendiente de la curva de transferencia de caracterstica, cambiando por tanto g m.
Se puede encontrar la transconductancia diferenciando la ecuacin, lo que da como resultado
gm = iD / vGS = 2iDSS (1 - vGS / Vp ) / - Vp
Se define
gmo = 2iDSS / - Vp
que es la transconductancia en vGS = 0. Utilizando esta ecuacin, la transconductancia est dada por
gm = gmo ( 1 - VGS / Vp )
Una forma alterna de esta ecuacin se puede encontrar definiendo
kn = IDSS / V2P
La transconductancia se encuentra de la pendiente de la curva en el punto Q. y est dada por
gm = 0,91lDSS / 0.64Vp = 1.42lDSS / Vp = -0.71gmo
Estos valores suelen representar un buen punto de inicio para fijar los valores estticos en el JFET
La memoria flash es una manera desarrollada de la memoria EEPROM que permite que mltiples posiciones de
memoria sean escritas o borradas en una misma operacin de programacin mediante impulsos elctricos, frente
a las anteriores que slo permite escribir o borrar una nica celda cada vez. Por ello, flash permite funcionar a
velocidades muy superiores cuando los sistemas emplean lectura y escritura en diferentes puntos de esta
memoria al mismo tiempo. Econmicamente hablando, el precio en el mercado ronda los 12 para dispositivos
con 4 GB de almacenamiento, aunque, evidentemente, se pueden encontrar dispositivos exclusivamente de
almacenamiento de unos pocos MB por precios realmente bajos, estos en extincin, y de hasta 600 para la
gama ms alta y de mayores prestaciones. No obstante, el coste por MB en los discos duros son muy inferiores a
los que ofrece la memoria flash y, adems los discos duros tienen una capacidad muy superior a la de las
memorias flash.
Ofrecen, adems, caractersticas como gran resistencia a los golpes, bajo consumo y es muy silencioso,
ya que no contiene ni actuadores mecnicos ni partes mviles. Su pequeo tamao tambin es un factor
determinante a la hora de escoger para un dispositivo porttil, as como su ligereza y versatilidad para
todos los usos hacia los que est orientado. Sin embargo, todos los tipos de memoria flash slo
permiten un nmero limitado de escrituras y borrados, generalmente entre 10.000 y un milln,
dependiendo de la celda, de la precisin del proceso de fabricacin y del voltaje necesario para su
borrado. Este tipo de memoria est fabricado con puertas lgicas NOR y NAND para almacenar los 0s
1s correspondientes. Actualmente (08-08-2005) hay una gran divisin entre los fabricantes de un
tipo u otro, especialmente a la hora de elegir un sistema de archivos para estas memorias. Sin embargo
se comienzan a desarrollar memorias basadas en ORNAND. Los sistemas de archivos para estas
memorias estn en pleno desarrollo aunque ya en funcionamiento como por ejemplo JFFS
originalmente para NOR, evolucionado a JFFS2 para soportar adems NAND o YAFFS, ya en su
segunda versin, para NAND. Sin embargo, en la prctica se emplea un sistema de archivos FAT por
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compatibilidad, sobre todo en las tarjetas de memoria extraible. Otra caracterstica de reciente aparicin
(30-9-2004) ha sido la resistencia trmica de algunos encapsulados de tarjetas de memoria orientadas a
las cmaras digitales de gama alta. Esto permite funcionar en condiciones extremas de temperatura
como desiertos o glaciares ya que el rango de temperaturas soportado abarca desde los -25 C hasta los
85 C.
Las aplicaciones ms habituales son:
El llavero USB que, adems del almacenamiento, suelen incluir otros servicios como radio FM,
grabacin de voz y, sobre todo como reproductores porttiles de MP3 y otros formatos de audio.
Las PC Card
Las tarjetas de memoria flash que son el sustituto del carrete en la fotografa digital, ya que en las
mismas se almacenan las fotos.
Existen varios estndares de encapsulados promocionados y fabricados por la mayora de las

multinacionales dedicadas a la produccin de hardware
FUNCIONALIDADES
Flash, como tipo de EEPROM que es, contiene una matriz de celdas con un transistor evolucionado con
dos puertas en cada interseccin. Tradicionalmente slo almacenan un bit de informacin. Las nuevas
memorias flash, llamadas tambin dispositivos de celdas multi-nivel, pueden almacenar ms de un bit
por celda variando el nmero de electrones que almacenan.
Estas memorias estn basadas en el transistor FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal Oxide
Semiconductor) que es, esencialmente, un transistor NMOS con un conductor (basado en un xido
metlico) adicional localizado o entre la puerta de control (CG Control Gate) y los terminales
fuente/drenador contenidos en otra puerta (FG Floating Gate) o alrededor de la FG conteniendo los
electrones que almacenan la informacin.
Memoria flash de tipo NOR
En las memorias flash de tipo NOR, cuando los electrones se encuentran en FG, modifican
(prcticamente anulan) el campo elctrico que generara CG en caso de estar activo. De esta forma,
dependiendo de si la celda est a 1 a 0, el campo elctrico de la celda existe o no. Entonces, cuando
se lee la celda poniendo un determinado voltaje en CG, la corriente elctrica fluye o no en funcin del
voltaje almacenado en la celda. La presencia/ausencia de corriente se detecta e interpreta como un 1
un 0, reproduciendo as el dato almacenado. En los dispositivos de celda multi-nivel, se detecta la
intensidad de la corriente para controlar el nmero de electrones almacenados en FG e interpretarlos
adecuadamente. Para programar una celda de tipo NOR (asignar un valor determinado) se permite el
paso de la corriente desde el terminal fuente al terminal sumidero, entonces se coloca en CG un voltaje
alto para absorber los electrones y retenerlos en el campo elctrico que genera. Este proceso se llama
hot-electrn injection. Para borrar (poner a 1, el estado natural del transistor) el contenido de una
celda, expulsar estos electrones, se emplea la tcnica de Fowler-Nordheim tunnelling, un proceso de
tunelado mecnico cuntico. Esto es, aplicar un voltaje inverso bastante alto al empleado para atraer a
los electrones, convirtiendo al transistor en una pistola de electrones que permite, abriendo el terminal
sumidero, que los electrones abandonen el mismo. Este proceso es el que provoca el deterioro de las
celdas, al aplicar sobre un conductor tan delgado un voltaje tan alto.
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Es necesario destacar que las memorias flash estn subdivididas en bloques (en ocasiones llamados
sectores) y por lo tanto, para el borrado, se limpian bloques enteros para agilizar el proceso, ya que es
la parte ms lenta del proceso. Por esta razn, las memorias flash son mucho ms rpidas que las
EEPROM convencionales, ya que borran byte a byte. No obstante, para reescribir un dato es necesario
limpiar el bloque primero para despus reescribir su contenido.
Memorias flash de tipo NAND
Las memorias flash basadas en puertas lgicas NAND funcionan de forma ligeramente diferente: usan
un tnel de inyeccin para la escritura y para el borrado un tnel de soltado. Las memorias basadas en
NAND tienen, adems de la evidente base en otro tipo de puertas, un coste bastante inferior, unas diez
veces de ms resistencia a las operaciones pero slo permiten acceso secuencial (ms orientado a
dispositivos de almacenamiento masivo), frente a las memorias flash basadas en NOR que permiten
lectura de acceso aleatorio. Sin embargo, han sido las NAND las que han permitido la expansin de
este tipo de memoria, ya que el mecanismo de borrado es ms sencillo (aunque tambin se borre por
bloques) lo que ha proporcionado una base ms rentable para la creacin de dispositivos de tipo tarjeta
de memoria. Las populares memorias USB o tambin llamadas Pendrives, utilizan memorias flash de
tipo NAND.
Comparacin de memorias flash basadas en NOR y NAND

Para comparar estos tipos de memoria se consideran los diferentes aspectos de las memorias
tradicionalmente valorados.
La densidad de almacenamiento de los chips es actualmente bastante mayor en las memorias NAND.
El coste de NOR es mucho mayor.
El acceso NOR es aleatorio para lectura y orientado a bloques para su modificacin. Sin embargo,
NAND ofrece tan solo acceso directo para los bloques y lectura secuencial dentro de los mismos.
En la escritura de NOR podemos llegar a modificar un solo bit. Esto destaca con la limitada
reprogramacin de las NAND que deben modificar bloques o palabras completas.
La velocidad de lectura es muy superior en NOR (50-100 ns) frente a NAND (10 s de la bsqueda de la
pgina + 50 ns por byte).
La velocidad de escritura para NOR es de 5 s por byte frente a 200 s por pgina en NAND.
La velocidad de borrado para NOR es de 1 s por bloque de 64 KB frente a los 2 ms por bloque de 16 KB
en NAND.
La fiabilidad de los dispositivos basados en NOR es realmente muy alta, es relativamente inmune a la
corrupcin de datos y tampoco tiene bloques errneos frente a la escasa fiabilidad de los sistemas
NAND que requieren correccin de datos y existe la posibilidad de que queden bloques marcados como
errneos e inservibles.
En resumen, los sistemas basados en NAND son ms baratos y rpidos pero carecen de una fiabilidad
que los haga eficientes, lo que demuestra la necesidad imperiosa de un buen sistema de archivos.
Dependiendo de qu sea lo que se busque, merecer la pena decantarse por uno u otro tipo.
Disear un sistema de archivos eficiente para las memorias flash se ha convertido en una carrera
vertiginosa y compleja, ya que, aunque ambos (NOR y NAND) son tipos de memoria flash, tienen
caractersticas muy diferentes entre s a la hora de acceder a esos datos. Esto es porque un sistema de
ficheros que trabaje con memorias de tipo NOR incorpora varios mecanismos innecesarios para NAND
y, a su vez, NAND requiere mecanismos adicionales, innecesarios para gestionar la memoria de tipo
NOR.
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Un ejemplo podra ser un recolector de basura. Esta herramienta est condicionada por el rendimiento
de las funciones de borrado que, en el caso de NOR es muy lento y, adems, un recolector de basura
NOR requiere una complejidad relativa bastante alta y limita las opciones de diseo del sistema de
archivos. Comparndolo con los sistemas NAND, que borran mucho ms rpidamente, estas
limitaciones no tienen sentido.
Otra de las grandes diferencias entre estos sistemas es el uso de bloques errneos que pueden existir en
NAND pero no tienen sentido en los sistemas NOR que garantizan la integridad. El tamao que deben
manejar unos y otros sistemas tambin difiere sensiblemente y por lo tanto es otro factor a tener en
cuenta. Se deber disear estos sistemas en funcin de la orientacin que se le quiera dar al sistema
Los dos sistemas de ficheros que se disputan el liderazgo para la organizacin interna de las memorias
flash son JFFS (Journaling Flash File System) y YAFFS (Yet Another Flash File System), ExFAT es la
opcin de Microsoft
Las memorias han evolucionado mucho desde los comienzos del mundo de la computacin. Conviene
recordar los tipos de memorias de semiconductores empleadas como memoria principal y unas ligeras
pinceladas sobre cada una de ellas para enmarcar las memorias flash dentro de su contexto.
Organizando estos tipos de memoria conviene destacar tres categoras si las clasificamos en funcin de
las operaciones que podemos realizar sobre ellas, es decir, memorias de slo lectura, memorias de
sobre todo lectura y memorias de lectura/escritura.
Memorias de slo lectura.

o ROM: (Read Only Memory): Se usan principalmente en microprogramacin de sistemas. Los
fabricantes las suelen emplear cuando producen componentes de forma masiva.
o PROM: (Programmable Read Only Memory): El proceso de escritura es electrnico. Se puede
grabar posteriormente a la fabricacin del chip, a diferencia de las anteriores que se graba
durante la fabricacin. Permite una nica grabacin y es ms cara que la ROM.
Memorias de sobre todo lectura.
o EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory): Se puede escribir varias veces de forma
elctrica, sin embargo, el borrado de los contenidos es completo y a travs de la exposicin a
rayos ultravioletas (de esto que suelen tener una pequea ventanita en el chip).
o EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory): Se puede borrar
selectivamente byte a byte con corriente elctrica. Es ms cara que la EPROM.
o Memoria flash: Est basada en las memorias EEPROM pero permite el borrado bloque a bloque
y es ms barata y densa.
Memorias de Lectura/Escritura (RAM)
o DRAM (Dynamic Random Access Memory): Los datos se almacenan como en la carga de un
condensador. Tiende a descargarse y, por lo tanto, es necesario un proceso de refresco peridico.
Son ms simples y baratas que las SRAM.
o SRAM (Static Random Access Memory): Los datos se almacenan formando biestables, por lo
que no requiere refresco. Igual que DRAM es voltil. Son ms rpidas que las DRAM y ms
caras.
Historia de la memoria flash
La historia de la memoria flash siempre ha estado muy vinculada con el avance del resto de las
tecnologas a las que presta sus servicios como routers, mdems, BIOS de los PC, wireless, etc. Fue
Fujio Masuoka en 1984, quien invent este tipo de memoria como evolucin de las EEPROM
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existentes por aquel entonces. Intel intent atribuirse la creacin de esta sin xito, aunque si
comercializ la primera memoria flash de uso comn. Entre los aos 1994 y 1998, se desarrollaron los
principales tipos de memoria que conocemos hoy, como la SmartMedia o la CompactFlash. La
tecnologa pronto plante aplicaciones en otros campos. En 1998, la compaa Rio comercializ el
primer Walkman sin piezas mviles aprovechando el modo de funcionamiento de SmartMedia. Era el
sueo de todo deportista que hubiera sufrido los saltos de un discman en el bolsillo. En 1994 SanDisk
comenz a comercializar tarjetas de memoria (CompactFlash) basadas en estos circuitos, y desde
entonces la evolucin ha llegado a pequeos dispositivos de mano de la electrnica de consumo como
reproductores de MP3 porttiles, tarjetas de memoria para vdeo consolas, capacidad de
almacenamiento para las PC Card que nos permiten conectar a redes inalmbricas y un largo etctera,
incluso llegando a la aeronutica espacial. El espectro es grande. El futuro del mundo de la memoria
flash es bastante alentador, ya que se tiende a la ubicuidad de las computadoras y electrodomsticos
inteligentes e integrados y, por ello, la demanda de memorias pequeas, baratas y flexibles seguir en
alza hasta que aparezcan nuevos sistemas que lo superen tanto en caractersticas como en coste. En
apariencia, esto no pareca muy factible ni siquiera a medio plazo ya que la miniaturizacin y densidad
de las memorias flash estaba todava lejos de alcanzar niveles preocupantes desde el punto de vista
fsico. Pero con la aparicion del memristor el futuro de las memorias flash comienza a opacarse. El
desarrollo de las memorias flash es, en comparacin con otros tipos de memoria sorprendentemente
rpido tanto en capacidad como en velocidad y prestaciones. Sin embargo, los estndares de
comunicacin de estas memorias, de especial forma en la comunicacin con los PC es notablemente
inferior, lo que puede retrasar los avances conseguidos.
La apuesta de gigantes de la informtica de consumo como AMD y Fujitsu en formar nuevas empresas
dedicadas exclusivamente a este tipo de memorias como Spansion en julio de 2003 auguran fuertes
inversiones en investigacin, desarrollo e innovacin en un mercado que en 2005 sigue creciendo en un
mercado que ya registr en 2004 un crecimiento asombroso hasta los 15.000 millones de dlares
(despus de haber superado la burbuja tecnolgica del llamado boom punto com) segn el analista de la
industria Gartner, avala todas estas ideas.
Es curioso que esta nueva empresa, concretamente, est dando la vuelta a la tortilla respecto a las
velocidades con una tcnica tan sencilla en la forma como compleja en el fondo de combinar los dos
tipos de tecnologas reinantes en el mundo de las memorias flash en tan poco tiempo. Sin duda se estn
invirtiendo muchos esfuerzos de todo tipo en este punto.
Sin embargo, la memoria flash se seguir especializando fuertemente, aprovechando las caractersticas
de cada tipo de memoria para funciones concretas. Supongamos una Arquitectura Harvard para un
pequeo dispositivo como un PDA; la memoria de instrucciones estara compuesta por una memoria de
tipo ORNAND (empleando la tecnologa MirrorBit de segunda generacin) dedicada a los programas
del sistema, esto ofrecera velocidades sostenidas de hasta 150 MB/s de lectura en modo rfaga segn
la compaa con un costo energtico nfimo y que implementa una seguridad por hardware realmente
avanzada; para la memoria de datos podramos emplear sistemas basados en puertas NAND de alta
capacidad a un precio realmente asequible. Slo quedara reducir el consumo de los potentes
procesadores para PC actuales y dispondramos de un sistema de muy reducidas dimensiones con unas
prestaciones que hoy en da sera la envidia de la mayora de los ordenadores de sobremesa. Y no
queda mucho tiempo hasta que estos sistemas tomen, con un esfuerzo redoblado, las calles.
Cualquier dispositivo con datos crticos emplear las tecnologas basadas en NOR u ORNAND si
tenemos en cuenta que un fallo puede hacer inservible un terminal de telefona mvil o un sistema
mdico por llegar a un caso extremo. Sin embargo, la electrnica de consumo personal seguir
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apostando por las memorias basadas en NAND por su inmensamente reducido costo y gran capacidad,
como los reproductores porttiles de MP3 o ya, incluso, reproductores de DVD porttiles. La reduccin
del voltaje empleado (actualmente en 1,8 V la ms reducida), adems de un menor consumo, permitir
alargar la vida til de estos dispositivos sensiblemente. Con todo, los nuevos retos sern los problemas
que sufren hoy en da los procesadores por su miniaturizacin y altas frecuencias de reloj de los
microprocesadores.
Los sistemas de ficheros para memorias flash, con proyectos disponibles mediante CVS (Concurrent
Version System) y cdigo abierto permiten un desarrollo realmente rpido, como es el caso de
YAFFS2, que, incluso, ha conseguido varios patrocinadores y hay empresas realmente interesadas en
un proyecto de esta envergadura. La integracin con sistemas inalmbricos permitir unas condiciones
propicias para una mayor integracin y ubicuidad de los dispositivos digitales, convirtiendo el mundo
que nos rodea en el sueo de muchos desde la dcada de 1980. Pero no slo eso, la Agencia Espacial
Brasilea, por citar una agencia espacial, ya se ha interesado oficialmente en este tipo de memorias
para integrarla en sus diseos; la NASA ya lo hizo y demostr en Marte su funcionamiento en el Spirit
(rover de la NASA, gemelo de Opportunity), donde se almacenaban incorrectamente las rdenes como
bien se puede recordar. Esto slo es el principio. Y ms cerca de lo que creemos. Intel asegura que el
90% de los PC, cerca del 90% de los mviles, el 50% de los mdems, etc. en 1997 ya contaban con
este tipo de memorias. En la actualidad TDK est fabricando discos duros con memorias flash NAND
de 32 Gb con un tamao similar al de un disco duro de 2.5 pulgadas, similares a los discos duros de los
porttiles con una velocidad de 33.3 Mb/s. El problema de este disco duro es que, al contrario de los
discos duros convencionales, tiene un nmero limitado de accesos. Samsung tambin ha desarrollado
memorias NAND de hasta 32 Gb. La expansin de la memoria flash es infinita. En la actualidad
(31/08/09) Kingston ha lanzado una memoria flash (DATATRAVELER 300) de una capacidad de 256
Gb la cual podra almacenar 51000 imgenes, 54 DVDs o 365 CDs. Apple present el 20 de octubre
del 2010 una nueva versin de la computadora porttil MacBook Air en el evento denominado De
vuelta al Mac (Back to the Mac), en su sede general de Cupertino, en California (Estados Unidos).
Una de las caractersticas ms resaltantes de este nuevo equipo es que no tiene disco duro, sino una
memoria flash, lo que la hace una mquina ms rpida y ligera. Es como ninguna otra cosa que
hayamos creado antes, dijo el director ejecutivo de Apple, Steve Jobs. La nueva MacBook Air viene
en dos modelos: uno con pantalla de 13 pulgadas y otro de 11. A travs de este equipo podr accederse
al App Store y otros servicios. Segn David Cuen, un especialista consultado por la BBC Mundo, la
memoria flash es una apuesta interesante pero arriesgada. La pregunta es: est el mercado preparado
para deshacerse de los discos duros? Apple parece pensar que s.
11.11 La tecnologa de proceso de 65 nanmetros ampla las ventajas de la Ley de Moore
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Intel ha alcanzado un hito significativo al desarrollar la tecnologa de fabricacin de chips de prxima

generacin creando chips totalmente funcionales de memoria SRAM de 70 megabits con ms de medio
milln de transistores. Los nuevos chips se fabricaron utilizando la tecnologa de proceso de 65
nanmetros (nm) ms avanzada del mundo. El logro ampla los esfuerzos de Intel por desarrollar la
nueva tecnologa de proceso de fabricacin cada dos aos, de acuerdo con la Ley de Moore.
Los transistores de la nueva tecnologa de 65 nanmetros (un nanmetro es la mil millonsima parte de
un metro) disponen de puertas (conmutadores que
activan o desactivan un transistor) que miden unos 35
nm, aproximadamente un 30% menos que lo que
medan antes con la tecnologa de 90 nm. Alrededor de
100 de estas puertas caben en el dimetro de un
hemate humano.La nueva tecnologa de proceso
incrementa el nmero de pequeos transistores
insertados en un nico chip, proporcionando la base
sobre la que se ofrecern los futuros procesadores de
ncleo mltiple. Tambin permitir a Intel disear
innovadoras caractersticas en los futuros productos,
incluyendo las prestaciones de seguridad y
virtualizacin. Esta nueva tecnologa de proceso de 65
nm tambin incluye varias caractersticas nicas de
mejora del rendimiento y de ahorro de energa."Intel
sigue superando los crecientes retos que presentan el
escalado innovando con nuevos materiales, procesos y
estructuras de dispositivos," afirmaba Sunlin Chou, vicepresidente y director general del grupo de
fabricacin y tecnologa de Intel. "La tecnologa de proceso de 65 nm de Intel cuenta con
caractersticas de reduccin de energa, rendimiento y densidad de primer nivel dentro del sector, lo
que permite futuros chips con prestaciones y rendimiento incrementados. La tecnologa de 65 nm de
Intel va por el buen camino para aparecer en 2005 y ampliar as los beneficios de la Ley de Moore."
En noviembre de 2003, Intel utiliz el
proceso de 65 nm para crear memoria
SRAM de 4 megabits y desde entonces ha
fabricado memoria SRAM de 70 megabits
completamente funcional mediante este
proceso con una pequea rea de chip de
110 mm (vea la imagen anterior). Las
pequeas celdas de memoria SRAM
permiten la integracin de cachs mayores
en los procesadores, aumentando el
rendimiento. Cada clula de memoria
SRAM tiene seis transistores encapsulados en un rea de 0,57 m (vea la imagen siguiente). Alrededor
de 10 millones de estos transistores podran caber en un milmetro cuadrado, apenas el tamao de la
punta de un bolgrafo.
Nuevas caractersticas de reduccin de energa
Segn la Ley de Moore, la cantidad de transistores de un chip apenas se duplica cada dos aos, lo que
supone ms caractersticas, rendimiento incrementado y costes reducidos por transistor. A medida que
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los transistores son ms pequeos, evolucionan ms factores como la disipacin del calor y la energa.
Como resultado, la implementacin de nuevas caractersticas, tcnicas y estructuras es imperativa para
continuar esta progresin. Intel ha tratado estos retos integrando caractersticas de ahorro de energa en
la tecnologa de proceso de 65 nm. Estas caractersticas son crticas para ofrecer productos informticos
y de comunicacin con potencia eficaz en el futuro. La tecnologa de primer nivel de Intel basada en el
silicio deformado ,implementada por primera vez en nuestra tecnologa de proceso de 90 nm, se ha
mejorado en la tecnologa de 65 nm. La segunda generacin de silicio deformado de Intel incrementa el
rendimiento del transistor entre un 10 y un 15 por ciento, sin incremento de fugas. Por el contrario,
estos transistores pueden reducir las fugas al cudruple manteniendo un rendimiento constante en
comparacin con los transistores de 90 nm. Como resultado, los transistores de la tecnologa de proceso
de 65 nm han mejorado el rendimiento sin incrementos de fugas significativos (una mayor fuga de
corriente elctrica ocasiona una mayor generacin de calor). Los transistores de 65 nm de Intel poseen
una longitud de puerta reducida de 35 nm y un grosor de xido de puerta de 1,2 nm, lo que se combina
para ofrecer un rendimiento mejorado y una capacitancia reducida de puerta. La capacitancia reducida
de puerta reduce en ltima instancia la potencia activa del chip. El nuevo proceso tambin integra ocho
capas de interconexin de cobre (ver imagen) y utiliza un material dielctrico "de poco contraste" que
incrementa la velocidad de la seal dentro del chip y reduce el consumo de energa del chip. Tambin
se han implementado "transistores de estado de espera" en la memoria SRAM de 65 nm. Los
transistores de estado de espera desconectan el flujo de corriente de los bloques grandes de la memoria
SRAM cuando no se utilizan, eliminando as una considerable fuente de consumo de energa en un
chip. Esta caracterstica resulta especialmente beneficiosa para los dispositivos que necesitan ahorrar
energa, como los porttiles. "Intel ha trabajado activamente en los retos de disipacin de calor y
energa que afronta el sector de los semiconductores," afirma Chou. "Hemos realizado un enfoque
holstico desarrollando soluciones que implican a sistemas, chips y tecnologas as como incluyen
innovaciones en nuestra tecnologa de 65 nm que van ms all de la simple extensin de las tecnologas
anteriores."
Intel fabrica los primeros prototipos de procesadores con los diminutos e innovadores transistores de 45
nanmetros, acelerando de esta forma la era de la informtica multi ncleo
Madrid, 29 de enero de 2007 En uno de los mayores avances en el diseo fundamental de transistores, Intel
Corporation ha anunciado hoy la utilizacin de dos nuevos e increbles materiales para la construccin de las
paredes de aislamiento y la conexin de puerta de sus transistores en 45 nanmetros (nm). Cientos de millones
de estos transistores microscpicos o interruptores se incluirn en la prxima generacin de familias de
procesadores multi ncleo Intel Core 2 Duo, Intel Core 2 Quad y Xeon. La compaa tambin ha indicado
que cuenta con cinco productos en fase inicial listos y funcionando los primeros de los quince procesadores en
45 nanmetros planeados por Intel.Esta innovacin en transistores permitir a la compaa continuar ofreciendo
velocidades de procesamiento asombrosas en servidores, equipos porttiles y de sobremesa, mientras se reducen
las prdidas de energa elctrica de los transistores, lo que permite reducir el diseo del chip y del equipo
informtico, su tamao, consumo elctrico, ruido y costes. Adems, este anuncio asegura la Ley de Moore, un
axioma de la industria de alta tecnologa en el que se plantea que el nmero de transistores en un chip se duplica
cada dos aos, algo que toma fuerza para la prxima dcada.
La percepcin de Intel es que ha ampliado su liderazgo en ms de un ao frente al resto del mercado de
semiconductores con el anuncio de los procesadores de 45 nanmetros y la prxima generacin de productos
basada en esta tecnologa de nombre cdigo Penryn. Las primeras versiones, que estarn centradas en cinco
segmentos de mercado informtico diferentes, estn trabajando con sistemas operativos como Windows* Vista*,
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Mac OS X*, Windows* XP y Linux, as como diferentes aplicaciones. La compaa mantiene sus planes de
produccin de 45 nanmetros para la segunda mitad de este ao.
Los transistores de Intel incorporan el nuevo material dielectrico High-K y un Nuevo metal de puerta
Intel es el primero en implantar una innovadora combinacin de nuevos materiales que reducen drsticamente
las fugas e incrementan el rendimiento de su tecnologa de procesamiento de 45 nanmetros. La compaa
utilizar un nuevo material con una propiedad denominada high-k, para dielctrico de puerta del transistor, y
una nueva combinacin de materiales metlicos para el electrodo de puerta del transistor.La implementacin de
materiales metlicos y high-k marca el cambio ms grande en la tecnologa de transistores desde la
presentacin de los transistores MOS de puente de polisilicio a finales de los aos 60 comenta Gordon Moore,
co-fundador de Intel. Los transistores son interruptores diminutos que procesan los unos y ceros del mundo
digital. La puerta deja pasar o no la corriente en el transistor y el dielctrico de puerta es un aislante inferior que
separa la puerta del canal por el que fluye la corriente. La combinacin de la conexin de puerta metlica y el
nuevo dielctrico de puerta high-k permite transistores con corrientes elctricas de fuga muy bajas y ofrece un
alto rendimiento sin igual. Debido a que cada vez ms y ms transistores son encapsulados en una nica pieza
de silicio, el mercado contina analizando las actuales soluciones para la reduccin de corrientes de fuga, indica
Mark Bohr, Socio Senior de Intel. Mientras, nuestros ingenieros y diseadores han alcanzado un logro muy
importante que asegura el liderazgo de Intel en productos e innovacin. Nuestra implementacin de transistores
de puerta metlica y el innovador material high-k para nuestra tecnologa de fabricacin de 45 nanmetros
ayudar a Intel a proporcionar productos multi ncleo ms eficientes y rpidos sobre los que construir el xito de
las familias de procesadores Intel Core 2 y Xeon, y extender la Ley de Moore durante la prxima dcada. En
trminos de comparacin, aproximadamente cerca de 400 transistores de 45 nanmetros de Intel podran caber
en la superficie de un solo glbulo rojo de sangre humana. Hace una dcada, la tecnologa de fabricacin ms
innovadora era la de 250 nanmetros, lo que significaba que las dimensiones del transistor eran
aproximadamente 5,5 veces superior en tamao y 30 veces el rea de la tecnologa anunciada hoy por Intel.
Como el nmero de transistores por chip se dobla aproximadamente cada dos aos de acuerdo con la Ley de
Moore, Intel es capaz de innovar e integrar, aadiendo ms funcionalidades y ncleos de procesamiento
informtico, incrementando el rendimiento y reduciendo los costes de fabricacin y el coste por transistor. Para
mantener este ritmo de innovacin, los transistores deben continuar reduciendo su tamao an ms. Sin
embargo, el uso de los actuales materiales y la capacidad de reduccin de los transistores estn llegando a lmites
bsicos, debido al incremento en la potencia o el calor que desarrollan, as como temas como el tamao que est
alcanzando lmites atmicos. Como resultado, la implantacin de nuevos materiales es necesaria para el futuro
de la Ley de Moore y la rentabilidad en la era de la informacin.
La puerta metlica y High-k la receta para la tecnologa de fabricacin de 45nm

El dixido de silicio es el material que ha sido utilizado para fabricar el dielctrico de puerta del transistor desde
hace ms de 40 aos, debido a su facilidad para ser procesado y la capacidad para proporcionar mejoras
constantes en el rendimiento del transistor, ya que cada vez se ha fabricado ms fino. Intel ha reducido con gran
xito el dielctrico de puerta de dixido de silicio a menos de 1,2 nanmetros de grosor lo que significa un
total de cinco capas atmicas en los anteriores procesos de fabricacin de 65nm de la compaa, pero la
continua reduccin ha dado como resultado un incremento en las corrientes de fuga a travs del dielctrico o
aislante de puerta, lo que ha dado como resultado un calentamiento innecesario y un malgasto de energa. La
fuga de electricidad a travs de la puerta del transistor asociado con el cada vez ms fino dielctrico de puerta de
dixido de silicio es reconocido por el mercado como uno de los retos tcnicos ms importantes a los que hace
frente la Ley de Moore. Con el fin de resolver este tema tan crtico, Intel reemplaz el dixido de silicio con una
capa ms gruesa de un material high-k basado en hafnium en el dielctrico de puerta, reduciendo la fuga hasta
diez veces comparado con el dixido de silicio utilizado durante ms de cuatro dcadas. Debido a que el
dielctrico de puerta basado en high-k no es compatible con el electrodo de puerta de silicio de hoy en da, la
segunda parte de la receta de material del transistor de 45nm ha sido el desarrollo de nuevos materiales para una
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puerta de metal. Debido a que los metales especficos que Intel utiliza se mantienen en secreto, la compaa
utilizar una combinacin de diferentes materiales metlicos para los electrodos de la puerta del transistor.
La combinacin del dielctrico de puerta high-k con la puerta metlica para la tecnologa de fabricacin de 45nm
de Intel proporciona ms de un 20% de incremento en la conduccin de la corriente, o lo que es lo mismo un
rendimiento del transistor mucho ms alto. Por otro lado, se reduce la corriente de fuga en ms de cinco veces,
mejorndose la eficiencia energtica del transistor. El proceso tecnolgico de 45nm de Intel tambin mejora la
densidad de transistores en cerca de dos veces frente a la anterior generacin, permitiendo a la compaa bien
incrementar el nmero total de transistores o bien hacer que los procesadores sean ms pequeos. Debido a que
los transistores de 45nm son ms pequeos que los de anteriores generaciones, consumen menos energa al dejar
y no dejar pasar la corriente, por lo que se reduce de forma activa el consumo elctrico en la conexin y
desconexin en un 30% aproximadamente. Intel utilizar cables de cobre con un dielctrico low-k para sus
interconexiones en 45nm con el fin de incrementar el rendimiento y reducir el consumo de energa. Todo ello
utilizar tambin innovadoras reglas de diseo y tcnicas de enmascarado para ampliar la utilizacin de la
tcnica de litografa seca de 193 nanmetros a la hora de fabricar sus procesadores de 45nm, debido a sus
ventajas en rentabilidad y la alta capacidad de fabricacin que ofrece.
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BIBLIOGRAFA
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