ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

Trabajo Preparatorio:

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

Prctica #: 10 Tema: Diseo de un amplificador en Emisor Comn

Realizado por:
Alumno(s):

Adrin Balczar

Grupo:

GR1-S2

Boris Escobar
Alejandro Flores
(Espacio Reservado)
Fecha de entrega: 2015 / 01 / 19
ao

Sancin:

Semestre:

mes

da

f. ______________________
Recibido por:

________________________________________________

Octubre-Febrero

2014-B

Escuela Politcnica Nacional

Laboratorio de Dispositivos Electrnicos
Practica N 10
Tema: Diseo en un amplificador en emisor comn
Objetivos: Diseo e implementacin de un amplificador en configuracin emisor
comn utilizando un TBJ
Trabajo Preparatorio:
Disear un amplificador con TBJ en configuracin emisor comn que cumpla las
siguientes condiciones: |Av|=17, Resistencia de carga = 1.5K, Vin=200mV
,Frecuencia= 1KHz.
1. Suponiendo un Rc<<RL Se consigue que Vcc baje y que Ic sea lo ms grande posible.
Rc=220 []

VRC

RL=RL||RC

VRC

[V]

VRC = 6 [V]

Asumo :

Ic=27.27 [mA]
VE

IC=IE

[ ]
[ ]

VE
Asumo :

VE= 2 [V]

As la resistencia total del conectada al emisor es :

=73.34 [] RE=68 y RE=82
Sea : RTE=82 VE = 2.23 [V]
VB=VE+0.7=2.93 [V]
IRB2 >> IB

IB=Ic/min
IB= 272.7 [uA]

min = 100

IRB2=10* IB= 2.727 [mA]

RB2=2.93 [V] /2.727 [mA] =1.07 [K]

Sea: RB2=1 [K] ya que as se asegura que: IRB2 >> IB.

VCE VINP+VOP+VCEmin
VCE 0.2+3.4+2
VCE 5.6 [V]

VCE =6 [v]

VCC VE+VCE+VRC
VCC 2+6+6
VCC 14 [V]

VCC = 15 [V]

Dado que: IRB1 = 11* IB = 2.99 [mA] RB1=

=4.02 K

Sea: RB1=4.7 K ya que as: IRB2 e IRB1 aumentaran e IB disminuir

Calculo RE
|Av|=RL/(re+RE1)

RE1 = (RL/|Av|) - re

re= 26[mV]/IE = 0.95

RE1= 10.33
Sea: RE1= 10

RE2= RTE - RE1= 72

Sea: RE2= 68
Calculo de capacitores:
CB :

CB 10/(ZIN)
CB 7 [uF]

CE :

CC :

CB = 10[uF]

CE 10/((re+RE1) )

CE 147.64 [uF]

CC 10/(RL)

CC 1.06 [uF]
Circuito diseado

=2**f =6.28 [KHz]

=2**f =6.28 [KHz]

CB = 220[uF]

=2**f =6.28 [KHz]

CB = 2.2[uF]

RB1

RC

4.7k

220

CC
VCC

2.2uF

CB

15V

Q2
NPN
BF=100

10uF

VIN

RB2

VSINE

RE1

1000

10

RL
1.5k

2.

RE2

CE

68

220uF

Realizar la simulacin del circuito diseado en u software computacional,

presentar las formas de onda en todos los terminales del TBJ.

A
B

RB1

RC

4.7k

220

C
D

CC
VCC

2.2uF

CB

15V

Q2
NPN
BF=100

10uF

RB2
VIN

1000

RE1
10

VSINE

RE2

CE

68

220uF

RL

+88.8

1.5k

AC Volts

Bibliografa
Apuntes de clase: Dispositivos Electrnicos