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TRANSISTORES

Lic. Ronald Jess Guizado


Gonzales

DEFINICIN DE
TRANSISTOR
El
transistor
es
un
dispositivo
electrnico
semiconductor utilizado para entregar una seal de
salida en respuesta a una seal de entrada. Cumple
funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. El trmino transistor es la contraccin
en ingls de transfer resistor (resistor de
transferencia)

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ALGUNOS TIPOS DE
Transistor
JFET
TRANSISTORES
Transistor MOSFET
Fototransistor
Transistor de contacto
puntual
Transistor de unin
bipolar

TRANSISTOR JFET

El transistor JFET (Junction


Field Efect Transistor, que se
traduce como transistor de
efecto de campo) es un
dispositivo electrnico activo
unipolar.

CURVA CARACTERSTICA DEL TRANSISTOR


JFET
LAS CURVAS CARACTERSTICAS TPICAS PARA ESTOS
TRANSISTORES SE ENCUENTRAN EN LA IMAGEN, NTESE
QUE SE DISTINGUEN TRES ZONAS IMPORTANTES: LA ZONA
HMICA, LA ZONA DE CORTE Y LA ZONA DE SATURACIN.

FICHA
TCNICA

TRANSISTOR
MOFSET
(En
ingls
Metal-oxidesemiconductor
Field-effect
transistor): Es un transistor
utilizado para amplificar o
conmutar
seales
electrnicas. Es el transistor
ms utilizado en la industria
microelectrnica, ya sea en
circuitos
analgicos
o
digitales, aunque el transistor
de unin bipolar fue mucho
ms popular en otro tiempo.
Prcticamente la totalidad de
los
microprocesadores
comerciales estn basados
en transistores MOSFET.

ESTRUCTURA MOSFET Y FORMACIN DEL


CANAL
Un transistor (MOSFET) se basa en controlar la
concentracin de portadores de carga mediante
un condensador MOS existente entre los
electrodos del sustrato y la compuerta. La
compuerta est localizada encima del sustrato y
aislada de todas las dems regiones del
dispositivo por una capa de dielctrico, que en el
caso del MOSFET es un xido, como el dixido de
silicio. Si se utilizan otros materiales dielctricos
que no sean xidos, el dispositivo es conocido
como un transistor de efecto de campo metalaislante-semiconductor (MISFET). Comparado con
el condensador MOS, el MOSFET incluye dos
terminales adicionales (surtidor y drenador), cada
uno conectado a regiones altamente dopadas
que estn separadas por la regin del sustrato.
Estas regiones pueden ser de tipo p o n, pero
deben ser ambas del mismo tipo, y del tipo
opuesto al del sustrato. El surtidor y el drenador
(de forma distinta al sustrato) estn fuertemente
dopadas y en la notacin se indica con un signo

FICHA
TCNIC
A

APLICACIONES
Es mayormente utilizado en circuitos tipo CMOS,
consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS
complementarios. Vase Tecnologa CMOS.
Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes
son:
Resistencia controlada por tensin.
Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET,
FREDFET, etc).
Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble
puerta.

FOTOTRANSISTOR
Combinan en un mismo dispositivo
la deteccin de luz y la ganancia. Su
construccin es similar a la de los
transistores convencionales, excepto
que la superficie superior se expone
a la luz a travs de una ventana o
lente.
Un fototransistor es igual a un
transistor comn, con la diferencia
que el primero puede trabajar de 2
formas:
1. Como transistor normal con la
corriente de base Ib (modo
comn).
2. Como fototransistor, cuando la
luz que incide en este elemento
hace las veces de corriente de
base. Ip (modo de iluminacin).

Puede utilizarse de las dos en formas


simultneamente, aunque el fototransistor se
utiliza principalmente con el pin de la base sin
conectar.
En el mercado se encuentran fototransistores
tanto con conexin de base como sin ella y
tanto en cpsulas plsticas como metlicas
(TO-72, TO-5) provistas de una lente.

CARACTERSTIC
AS

FICHA TCNICA DE UN
FOTOTRANSISTOR

TRANSISTORES DE CONTACTO PUNTUAL


Llamado tambin transistor de punta de
contacto, fue el primer transistor capaz de
obtener ganancia, inventado en 1947 por
J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una
base de germanio, semiconductor para
entonces
mejor
conocido
que
la
combinacin cobre-xido de cobre, sobre
la que se apoyan, muy juntas, dos puntas
metlicas que constituyen el emisor y el
colector. La corriente de base es capaz de
modular la resistencia que se "ve" en el
colector, de ah el nombre de "transfer
resistor". Se basa en efectos de superficie,
poco conocidos en su da. Es difcil de
fabricar (las puntas se ajustaban a mano),
frgil (un golpe poda desplazar las
puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi
con el transistor de unin (W. Shockley,
1948) debido a su mayor ancho de banda.
En la actualidad ha desaparecido.

TRANSISTOR DE UNIN
BIPOLAR
El transistor de unin bipolar, o
BJT por sus siglas en ingls, se
fabrica bsicamente sobre un
monocristal de Germanio, Silicio
o Arseniuro de galio, que tienen
cualidades de semiconductores,
estado
intermedio
entre
conductores como los metales y
los aislantes como el diamante.
Sobre el sustrato de cristal, se
contaminan en forma muy
controlada tres zonas, dos de las
cuales son del mismo tipo, NPN
o PNP, quedando formadas dos
uniones NP.

CONSTRUCCIN DEL TRANSISTOR

El transistor es un dispositivo
de tres zonas o capas.
Podemos tener una zona de
material tipo n en medio de
dos zonas de material tipo p,
en este caso se denomina
transistor pnp, o bien tener
una zona tipo p con dos zonas
tipo n a cada lado, en cuyo
caso estaramos hablando de
un transistor npn.

En la figura aparecen los smbolos que se utilizan para la


representacin del transistor de unin bipolar. Para las corrientes se
han representado los sentidos reales de circulacin de las mismas.

CURVA
CARACTERSTICA