Universitatea Politehnica Bucureti

Facultatea Ingineria i Managementul

Sistemelor Tehnologice
Specializarea Ingineria Nanostructurilor i Proceselor Neconven ionale

PRELUCRAREA CU FASCICUL
DE ELECTRONI

Anul Universitar
2014/2015

CUPRINS

1. GENERALITI..3
2. GENERAREA FASCICULULUI DE ELECTRONI....4
3. APLICAII TEHNOLOGICE ALE FASCICULULUI DE ELECTRONI6
4. CONCLUZII...14

PRELUCRAREA CU FASCICUL DE ELECTRONI

1. GENERALITI
Prelucrarea cu fascicul de electroni (Electron Beam Machining EBM), prin
performanele tehnologice ridicate, are aplicabilitate att n domeniul micro ct i al
nanotehnologiilor fiind utilizat n optica electronic, microelectronic, tehnologia informatic,
tehnica nuclear, construcii aeronautice i aerospaiale etc. EBM are o arie tehnologic extrem
de vast prin realizarea de: microsuduri de ordinul micrometrilor, debitri de materiale,
microguri, frezri, acoperiri de suprafee cu straturi subiri, marcri, trasri, obinerea metalelor
pure etc.
Utilizarea electronilor dirijai se bazeaz pe fenomenul de emitere a unei cantiti de
cldur la impactul dintre electroni i suprafaa materialului supus prelucrrii (bombardament
electronic), prin urmare, EBM face parte din categoria tennologiilor neconvenionale termice.
n tabelul 1, sunt prezentate unele dintre principalele caracteristici de prelucrrii cu
fascicul de electroni:
Tabelul 1. Caracteristici ale prelucrrilor cu fascicul de electroni (ioni) i electroeroziune

Caracteristica

Prelucrarea cu fascicul de
electroni i ioni

Materiale prelucrate

orice materiale

Intensitatea curentului [A]

0,03...0,5

Puterea specific [W/cm2]

1011

Mediul de lucru

vid (atmosfer neutr)

Productivitatea [mm3/min]

20

Dup 1940, se dezvolt bazele teoretice ale EBM, iar n 1957, n Frana, se realizeaz
prima instalaie de sudare cu fascicul de electroni. La ora actual firme din SUA ("Temescal"),
Frana ("Alcatel" i "Sciaki"), Germania ("Steigerwald", Leybold-Heraeus), Rusia, Japonia etc.
produc pe scar industrial instalaii specifice de tiere, sudare, gurire, depuneri de straturi
subiri etc.
Pe plan mondial, funcioneaz circa 7000 de astfel de instalaii. n Romnia, au fost
realizate astfel de instalaii (n special pentru sudare, tratamente termice i depuneri de straturi
subiri) la I.F.A., I.C.P.E. Bucureti i I.S.I.M. Timioara.

2. GENERAREA FASCICULULUI DE ELECTRONI

Prelucrarea cu fascicul de electroni face parte din categoria procedeelor de prelucrare
termice. Sursa termic o constituie un fascicul de electroni concentrat, avnd o vitez i, ca
urmare, o energie cinetic mare care bombardeaz componentele de prelucrat. La impactul
fasciculului de electroni cu componentele de prelucrat, energia acestuia se transform n
3

cldur i are loc o nclzire local, rapid a materialului prin conducie (fig. 1.a,b). Odat cu
creterea puterii specifice a fasciculului profilul zonei se modific (fig. 1.c), la puteri specifice
pn la valori de 106 W/cm2 , sub aciunea vaporilor produi se formeaz un tub capilar,
nconjurat de un nveli subire de material topit (fig. 1.d). La puteri specifice de 108 W/cm2 , se
produce eliminarea exploziv a nveliului topit i o strpungere a materialului pe ntreaga
grosime a sa (fig. 1.e). Cele mai multe procese se desfoar n vid, deoarece atmosfera ar
provoca o frnare i dispersie a fasciculului.

Elementul primar, care st la baza fenomenelor fizice ce au loc la EBM, este particula
elementar cu sarcin negativ, electronul, caracterizat prin: sarcina e - = 1,602 10-19 C; masa
me = 9,109 10-31 kg; sarcina specific e-/me=1,759 1011 C/kg. Numrul electronilor dintr-un atom
depinde de elementul respectiv i este egal cu numrul atomic din tabelul periodic al lui
Mendeleev.
Electronii liberi se pot obine prin nclzirea suprafeei unui metal cu o anumit
cantitate de energie, care se transfer electronilor, iar acetia prsesc suprafaa metalului,
avnd loc aa numita emisiune termoelectronic.
Pentru a realiza prelucrarea unei piese cu ajutorul electronilor emii, se impune
gruparea acestora ntr-un fascicul dirijat ctre pies i accelerarea acestora n spaiul dintre
catodul emitor i anod (care poate fi chiar piesa de prelucrat). Accelerarea se poate face n
dou moduri: a) cu ajutorul cmpului electric; b) cu ajutorul cmpului magnetic.
Instalaii de prelucrare cu fascicule de electroni
Aceste instalaii sunt alctuite, n general, din patru subansamble principale, i
anume:
1 - dispozitivul de producere a fasciculului de electroni; producerea curentului de emisie a
catodului (Ie 0,1 A);
2 - subansamblul (instalaia) electric pentru producerea tensiunilor de accelerare, care s
conduc la energii ale fasciculului i/sau impulsului corespunztoare procesului de prelucrare;
3 - subansamblul electric de comand i reglare; producerea unui curent cu intensitate reglabil
(1...4 A) de mare stabilitate, care s acioneze asupra sistemului de deflexie (direcionare,
deviere), n vederea realizrii urmtoarelor funciuni principale:

focalizarea fasciculului electronic corespunztor diametrului acestuia i distanei de tir

(distana pn la suprafaa obiectiv);
realizarea deflexiei longitudinale, transversale sau circulare;
desfurarea procesului, n regim continuu sau n impulsuri;
deplasarea, pe cale mecanic, a tunului electronic sau a piesei, corespunztor celor trei
axe de coordonate.

4 - subansamblul de realizare a vidului n incinta tunului electronic i camera de lucru (10 -2...10-4
Pa).
Tunul electronic este subansamblul principal al unei instalaii de prelucrare cu fascicul de
electroni, asigurnd principalele funciuni: producerea electronilor liberi, formarea fasciculului de
electroni, focalizarea i direcionarea acestuia.
Construcia tunului electronic este caracteristic tipului de instalaie i prelucrrii care urmeaz
a fi executat, avnd n principal urmtoarele componente (fig.2): catodul termoemisiv 1,
ncorporat n catodul 2; anodul de accelerare 3; lentilele electromagnetice 4, necesare pentru
focalizarea fasciculului; sistemul de deflexie (deflectorul) 5, pentru dirijarea fasciculului
electronic spre piesa de prelucrat 6 i sursa de tensiune nalt 7.

Fig. 2. Construcia unui tun electronic

Tunul electronic focalizeaz fasciculul n punctul P 0 iar

bobinele electromagnetice (cu rolul de lentil de focalizare) focalizeaz fasciculul n punctul P 1

situat pe piesa de prelucrat.
Catozii termoemisivi au rolul de a realiza emisiunea electronic, putnd fi de dou tipuri:
cu nclzire direct la temperatura de emisie - pentru cureni de emisie cu
intensitatea sub 0,1 A;
5

 cu nclzire indirect prin radiaie sau bombardament electronic pentru cureni

de emisie cu intensitatea mai mare de 0,1 A.
Instalaiile de prelucrare cu fascicule de electroni prezint, n construcia lor, i echipamente
speciale de comand pentru poziionarea pieselor n timpul prelucrrii, precum i echipamente
pentru reglarea parametrilor electro-tehnologici.
Astfel, sistemele de poziionare a piesei, nainte sau n timpul prelucrrii, asigur
deplasarea unei mese, pe care este dispus incinta de lucru, prin aciunea unor servomotoare
pe cele trei direcii comandate numeric (X, Y, Z).
n ceea ce privete reglarea parametrilor de lucru, instalaiile moderne implic
autoreglarea, pe baza unor elemente de referin prestabilite (curentul electronilor retrodifuzai,
curentul preluat de pies etc.) i acionarea, n vederea restabilirii puterii fasciculului, focalizrii
acestuia etc.
n cazul utilizrii unor tensiuni nalte de accelerare, de peste 100kV, se impune
conducerea proceselor de prelucrare cu circuite nchise de televiziune, din cauza puternicelor
emisii de raze X.

3. APLICAII TEHNOLOGICE ALE FASCICULULUI DE ELECTRONI

La ora actual, n domeniile de vrf ale industriei de tehnic nuclear, construcii de
nave cosmice, electrotehnic, automatic, mecanic fin i n general, n tehnica miniaturizrii
i ultraminiatirizrii, anumite tehnologii de prelucrare nu se pot realiza fr utilizarea fasciculelor
dirijate de electroni i de ioni.
3.1. Sudarea cu fascicul de electroni
Aceasta constituie principala aplicaie tehnologic a procedeului de prelucrare cu
fascicul de electroni superior laserului cu largi aplicaii n: industria cosmic, aeronautic,
nuclear, electronic, electrotehnic, a autovehiculelor etc.
Prin acest procedeu este posibil realizarea, n condiiile unor indici tehnico - economici
superiori, a mbinrilor dintre materiale refractare: titan, wolfram, tantal, zirconiu etc., precum i
a unor oeluri nalt aliate, a unor aliaje de aluminiu i nichel, a cuplurilor de materiale cu
temperaturi de topire i conductibiliti termice diferite. Datorit faptului c nclzirea n zona de
sudare se face prin aciunea fasciculului electronic, pe toat suprafaa zonei, i nu prin
conducie, nu se pun probleme de compatibilitate termic, cu att mai mult cu ct exist
posibilitatea focalizrii fasciculului asupra materialului cu conductibilitate termic superioar.
n cazul formrii de combinaii ale unor materiale diferite, se recomand folosirea unor
materiale de adaos corespunztoare, sub form de folie dispus ntre cele dou materiale de
baz - de exemplu: folie de Zn pentru sudarea Cu-Al, Ni pentru Mo-oel, Pt pentru Ta-Ni. Cu
ajutorul fasciculului de electroni se pot realiza, practic, toate tipurile constructive de suduri - cap
la cap, suduri n T, prin suprapunere, circulare, sudarea componentelor cu grosimi diferite,
sudarea structurilor metalice de rachete, avioane, nave cosmice etc. n cazul sudrii unor piese
circulare, se folosesc construcii speciale, care s permit rotirea piesei, pentru realizarea
cordoanelor de sudur pe circumferin, sau chiar tunuri circulare.

Datorit dimensiunilor reduse ale cordonului de sudur i a zonelor influenate termic,

acest tip de sudare se utilizeaz tot mai mult n industria microelectronicii i electrotehnicii
pentru confecionarea diferitelor componente specifice, traductoare, relee etc., iar cele mai noi
cercetri au pus n eviden un nou domeniu de aplicabilitate, i anume sudura sub ap.
Sudarea cu fascicul de electroni face parte din grupa procedeelor de sudare prin topire.
Sursa termic o constituie un fascicul de electroni concentrat, avnd o vitez i, ca urmare, o
energie cinetic mare care bombardeaz componentele de sudat. La impactul fasciculului de
electroni cu componentele de sudat, energia cinetic a acestuia se transform n cldur i are
loc o nclzire local, rapid a materialului. n fig. 1, se arat mecanismul formrii sudurii cu
fascicul de electroni i fazele nclzirii materialului. La puteri specifice de 108 W/cm2 , se
produce eliminarea exploziv a materialului topit i o strpungere a materialului pe ntreaga
grosime a sa, este specific guririi (perforrii) i se evit la sudare. Procedeul de sudare cu
fascicul de electroni permite realizarea ntr-o trecere a unor mbinri cu grosimea de 0,05
300mm, funcie de puterea tunului electronic.
Principalii parametri la sudare
Principalii parametri electrotehnologici ai procesului de sudare sunt:
-

tensiunea de accelerare U,
curentul fasciculului de electroni I,
curentul de focalizare If,
frecvena oscilaiilor fasciculului de electroni fi,
diametrul fasciculului d,
distana de tir dt,
distana focal df,
unghiul de deflecie ,
presiunea n camera tunului Pt,
presiunea n camera de lucru Ps
natura materialului de baz.

Caracteristicile tehnologice principale ale sudurii sunt:

a) viteza de sudare, Vs, se determin prin cercetri experimentale. Obinerea acestor valori pe
cale experimental, sunt frecvente n tehnologia construciilor de maini, satisfcnd
necesitile practice de proiectare a proceselor tehnologice.
b) ptrunderea sudurii, p
c) limea sudurii, b este influenat n msur redus de tensiunea de accelerare i crete cu
mrirea curentului fasciculului. Limea sudurii la suprafaa componentei este legat de
diametrul fasciculului de electroni n focar prin relaia aproximativ:
b d8b (1)
unde: d diametrul fasciculului de electroni.
3.2. Topirea cu fascicule de electroni
Topirea materialelor metalice cu fascicul de electroni se ntlnete sub dou forme, i
anume: topirea zonal (local) i topirea masei de metal.
7

a) topirea zonal, reprezint o tehnic ce se aplic materialelor refractare, n scopul purificrii

lor chimice sau n scopul ca dintr-un material policristalin, n, s se obin un singur cristal de
dimensiuni mari sau pentru ambele scopuri simultan;
b) topirea masei de metal, reprezint tehnica prin care masa de metal este topit, n nite
cuptoare speciale folosind drept surs unul sau mai multe tunuri electronice, n vederea obinerii
de lingouri sau semifabricate. Datorit faptului c procedeul de topire cu fascicul de electroni
are loc n vid, metalele obinute au un procent de impuriti foarte sczut, randamentul energetic
fiind mult superior celui realizat prin metodele clasice (cuptoare cu arc sau inducie).

3.3. Gurirea cu fascicul de electroni

Folosirea EBM ca metod de prelucrare a gurilor permite obinerea unor caracteristici
superioare tehnico-economice, n special la prelucrarea microorificiilor cu diametre n domeniul
micronic, executate n piese de tip lagre, filiere, injectoare, site, reele etc., realizate din
materiale dure i extradure - corund sintetic, rubine, safire, materiale refractare, sticl etc.
n cazul acestui procedeu, eliminarea materialului topit are la baz fenomenul de
sublimare, adic transformarea direct din faza de solid n faz de vapori. Diametrul gurii
prelucrate depinde de mrimea timpului de impuls. Astfel, pentru diferite materiale, dependena
diametrului gurii prelucrate funcie de mrimea timpului de impuls este prezentat n fig.3.
Mrimea diametrului gurii prelucrate este dependent de adncimea de ptrundere (), a
fasciculului electronic conform fig.4, corelaia dintre cei doi parametrii fiind dependent i de
materialul prelucrat.

Fig.3. Dependena diametrului gurii prelucrate de timpul de impuls

Fig.4. Dependena diametrului gurii prelucrate de adncimea de ptrundere

Principalii parametri la gurire

Principalii parametri electrotehnologici ai procesului de gurire sunt aceeai ca i la
procesul de sudare cu deosebirea c, n locul frecvenei oscilaiilor fasciculului de electroni este
vorba, n cazul guririi, despre durata impulsului i pauza dintre impulsurile fasciculului de
electroni.
Caracteristicile tehnologice principale ale gurii sunt:
a) volumul de material ndeprtat;
b) diametrul gurii;
c) adncimea gurii.

3.4 Obinerea straturilor subiri

Principiul care st la baza acestui tip de prelucrare este cel al condensrii controlate n
vid a vaporilor de metal topit.
Proprietile stratului depus depind de calitatea suprafeei suportului, care trebuie s fie
perfect curat de orice impuriti, operaie care se execut n vid, la temperatura de 500...850
C, cu ajutorul fasciculelor de ioni. Procedeul de acoperire a suprafeelor cu ajutorul fasciculului
de electroni are o larg aplicabilitate, n special n industria electronic, n tehnica circuitelor
integrate (cablaje), avnd o productivitate mare. Se pot realiza, astfel, suprafee cu dimensiuni
de 1 ...20 m2, ntr-un timp foarte scurt de 10-5...10-2 s, densitatea de putere a fasciculului utilizat
fiind de 106...108 W/cm2.

3.5 Aplicaii n domeniul microscopiei

O importan deosebit o prezint fasciculul de electroni n construcia microscoapelor

electronice cu puteri de mrire de peste 106 ori, n analiza de spectroscopie a diferitelor
materiale etc. Capacitatea de mrire a unui microscop optic (2000:1 sau mai mult cu mai multe
sisteme de lentile) este limitat de lungimea de und a luminii n domeniul vizibil.
Un microscop electronic utilizeaz fasciculul electronic pentru a ilumina obiectul de
mrit. ntruct radiaia electronic este caracterizat printr-o lungime de und mai mic dect a
luminii, microscoapele electronice au rezoluie mult mai mare dect microscoapele optice
clasice. Spre comparaie, cea mai mic lungime de und a luminii n domeniul vizibil este de
circa 4000 , iar a electronilor este n general 0,5 .
Microscopia electronica de baleiaj, cunoscuta si sub denumirea de SEM - Scanning
Electron Microscopy - este o tehnica speciala care permite observarea si caracterizarea la
scara micro si nanometrica a materialelor solide anorganice sau organice.
In interiorul SEM-ului, aria ce urmeaza a fi anlizata sau microvolumul analizat sunt
iradiate cu un fascicul de electroni fin focalizat si scanat intr-un rastru pe suprafata.
Interactiunea fasciculului de electroni cu materialul iradiat produce o varietate de semnale:
electroni secundari, electroni mprastiati, raze X, lumina, etc., semnale a caror analiza ofera un
mare volum de informatii despre topografia si compozitia chimica a probei. Cele mai importante
semnale sunt electronii secundari, al caror numar (tradus in intensitate a semnalului) este strans
legat de diferentele topografice si electronii retroamprastiati a caror rata de emisie este
dependenta de numerele atomice (Z) ale elementelor chimice care alcatuiesc probele supuse
analizei. In SEM sunt emise de asemenea raze X caracteristice, a caror analiza ofera informatii
calitative si cantitative despre compozitia chimica a probei examinate.
Un punct forte al SEM-ului este rezolutia inalta ce poate fi obtinuta valori ale rezolutiei
de 1-5 nm au devenit uzuale pentru instrumentele contemporane.
O alta trasatura importanta a microscopului electronic, si de asemenea un avantaj major
fata de microscopia optica, este cel al unei apreciabile profunzimii de camp, acesta fiind unul
dintre motivele aparentei tridimensionale a fotografiilor SEM, aspect ilustrat in fig. 5.

Fig.5 Micrografie optic vs micrografie SEM a unei plachete de siliciu

Microscopul electronic cuprinde urmtoarele elemente componente principale:

10

 un tun electronic care emite fasciculul de electroni care bombardeaz mostra i

creeaz imaginea sa mrit;
lentilele magnetice care creeaz cmpul magnetic necesar pentru direcionarea i
focalizarea fasciculului;
sistemul de vidare (vacuumare) pentru a evita ciocnirea nedorit a electronilor cu alte
particule;
sistemul de nregistrare i redare a imaginii produse de fascicul.
Exist dou tipuri principale de microscoape electronice: cu transmisie electronic
(transmission electron microscope TEM) i cu scanare electronic (Scanning Electron
Microscope - SEM). La tipul TEM, fasciculul electronic este direcionat pe obiectul de mrit. O
parte din electroni este absorbit sau reflectat de suprafaa obiectului; o alt parte trece prin
obiect i formeaz o imagine mrit a mostrei. Prin urmare, mostra trebuie s aib o grosime
foarte mic, n mod obinuit, de ordinul 1000 (0,1 m). O plac fotografic sau un ecran
fluorescent este plasat n spatele mostrei pentru a nregistra imaginea. Capacitatea de mrire
a TEM este de pn la 106 ori. Exemplificarea unei imagini TEM este prezentat n fig.6.

Fig. 6. Transmisia color a unui micrograf electronic care prezint un virus bacteriofag

Tipul SEM are marele avantaj c nu necesit ca obiectul de mrit s aib grosime
redus, prin urmare, pregtirea mostrei nu este necesar. Microscopul digital scaneaz
suprafaa mostrei bit cu bit, spre deosebire de TEM care privete o parte mult mai mare a
obiectului de mrit. Fasciculul electronic cu diametru redus este reflectat de suprafaa mostrei
sau produce emisii electronice secundare. Aceti electroni sunt colectai i numrai de un
dispozitiv electronic poziionat sub un unghi adecvat n raport cu suprafaa mostrei. Fiecare
punct scanat al suprafeei mostrei corespunde unui pixel pe ecranul unui monitor aparinnd
microscopului. Un pixel de pe monitor este cu att mai strlucitor cu ct crete numrul
electronilor detectai crespunztor pixelului omolog de pe mostr. Capacitatea de mrire a SEM
este mai mare de 105 ori. Spre deosebire de imaginea furnizat de microscoapele optice de
putere i de TEM, imaginea produs de SEM are aspect tridimensional.
SEM-urile moderne au in marea lor majoritate o structura ca cea prezentata in figura 6.
In partea superioara a coloanei electronice se afla amplasat tunul electronic care produce un
fascicul de electroni cu energii cuprinse in gama 0,1-30 keV.

11

Fig 6. Schema functionala a unui SEM

Performantele unui tun electronic pot fi analizate prin masurarea catorva caracteristici
fizice ale acestuia:
-

Curentul de emisie IE al unui tun electronic este de ordinul zecilor de A - aproximativ

100-200A pentru catozii termoionici de wolfram si 10-30 A pentru catozii cu emisie in
camp.
Stralucirea tunului electronic este definita prin analogie cu stralucirea unei surse de
radiatie electromagnetica . Ea reprezinta curentul de fascicul din unitatea de arie si din
unitatea de unghi solid. Este o marime importanta care are proprietatea de a fi constanta
independent de locul in care este masurata in calea fascicolului electronic prin coloana.
Diametrul spotului electronic - dp este definit ca diametrul fasciculului de electroni la
intersectia acestuia cu proba anlizata.
Curentul de fascicul - IP este valoarea curentului electronic dupa trecerea de obiectivul
coloanei electronice. Evident, in diferite zone ale coloanei- dupa diversele diafragme de
exemplu - curentul de fascicul are valori diferite, el scazand progresiv pana la valoarea
sa minima IP.
Convergenta fasciculului
Dimensiunea sursei este un parametru care se refera la diametrul fasciculului de
electroni in crossover, ea fiind de ordinul 50 m pentru filamentele de wolfram si de
ordinul nanometrilor pentru catozii cu emisie in camp.
Dispersia energetica a electronilor din fascicolul emis se datoreaza diverselor
mecanisme de emisie, ea fiind de 3-4 eV in cazul emisiei termoionice si de 0,3-0,7eV
pentru emisia in camp.

12

Stabilitatea curentului emis este un parametru important atunci cand SEM-ul este
utilizat in aplicatii de litografie cu fascicul de electroni, si mai putin important in activitatile
de caracterizare.
Timpul de viata este determinat in cazul emisiei termoelectronice de fenomenele de
evaporare a catodului care lucreaza la temperaturi inalte. Sursele termoionice de
electroni prezinta avantajul de a fi ieftine si de a necesita un nivel de vid relativ scazut.
Dezavantajele rezida intr-un timp de viata limitat si o densitate scazuta a curentului
emis.
Catozii cu emisie in camp sint fire metalice foarte ascutite, incat prezinta o raza la varf
de numai 50-100 nm. Cand un astfel de varf este supus unui potential negativ ridicat,
campul electric in jurul varfului devine foarte intens si la atingerea limitei de aproximativ
10 V/nm, bariera de potential scade atat de mult si devine atat de ingusta incat unii
electroni vor tunela, parasind catodul. Wolframul este materialul preferat pentru
utillizarea ca varf destinat emisiei in camp, deoarece prezinta suficienta robustete
mecanica, rezistand stresului indus de cimpul electric puternic. Comparativ cu catodul
termoionic care prezinta o densitate de curent de 3-5 A/cm2 , catozii cu emisie in camp
pot genera densitati de curent de pana la 105 A/cm2 .

Au fost dezvoltate i alte tipuri de microscoape electronice, cum este hibridul cu scanare
i transmisie electronic (Scanning Transmission Electron Microscope - STEM) care
vizualizeaz atomi singulari n cadrul mostrei.
Microanalizatorul electronic de probe (Electron Probe Microanalyser - EPM), este
varianta electronic a microscopului care include un dispozitiv de analiz spectroscopic cu
raze X. Acesta analizeaz razele X de energie ridicat care sunt emise de mostr atunci cnd
este bombardat cu fascicule de electroni. Pe baza faptului c atomi sau molecule diferite pot fi
identificai prin analizarea emisiei lor specifice de raze X, analizatorul electronic furnizeaz nu
numai imaginea mrit a obiectului, dar i informaii privind compoziia sa chimic.
Microscopul de scanare a probelor utilizeaz un palpator care scaneaz mostra pentru
a produce o imagine 3D a reelei de atomi sau molecule de pe suprafaa mostrei analizate.
Palpatorul este metalic, avnd un vrf extrem de ascuit, cu dimensiuni atomice. O variant a
acestui microscop este microscopul de scanare prin tunelare (Scanning Tunnelling Microscope
- STM). Inventat n 1981, se bazeaz pe fenomenul fizic cuantic tunelare pentru a furniza
imagini detaliate ale unei substane electric conductoare. Palpatorul este apropiat la un
interstiiu de ordinul , de suprafaa de scanat, aplicndu-se o tensiune redus ntre cele dou
elemente. Datorit interstiiului extrem de mic, apare o scurgere de electroni ntre palpator i
suprafaa mostrei, genernd un curent de valoare foarte redus. Mrimea curentului de tunelare
depinde de mrimea interstiiului. Prin aciunea mecanismului de scanare, se regleaz
permanent mrimea interstiiului dintre palpator i suprafaa probei, pentru a menine constant
curentul de tunelare. Traiectoria palpatorului este vizualizat, determinnd astfel, profilul
suprafeei scanate. Pe baza scanrilor succesive ale suprafeei, se obine reprezentarea
tridimensional computerizat a suprafeei analizate.
Un alt tip de microscop pentru scanarea probelor este microscopul atomic de for
(Atomic Force Microscope - AFM), care nu utilizeaz curentul de tunelare, prin urmare,
materialul mostrei nu trebuie s fie conductor electric.

13

Fig.7 AFM

La deplasarea palpatorului de-a lungul suprafeei mostrei, electronii din materialul

metalic al palpatorului sesizeaz norii electronici aparinnd atomilor din cadrul mostrei.
AFM regleaz mrimea interstiiului pentru a menine fora de interaciune constant
dintre electronii aparinnd materialelor palpatorului, respectiv mostrei.
Un senzor nregistreaz micrile de avans i retragere ale palpatorului i transmite
coordonatele poziiilor palpatorului ntr-un computer, care construiete pe aceast baz
imaginea 3D a suprafeei mostrei.

4. CONCLUZII
Prelucrarea cu fascicul de electroni are o arie tehnologic extrem de vast prin
realizarea de: microsuduri de ordinul micrometrilor, debitri de materiale, microguri, frezri,
acoperiri de suprafee cu straturi subiri, marcri, trasri, obinerea metalelor pure etc.
Avantajele prelucrrii cu fascicul de electroni sunt realizarea de adncime sudur
custur adnc i ngust, compoziia chimic sudur de nalt rezisten mbinri pure,
sudate, de bun calitate, sudare metale diferite, cum ar fi cupru i oel inoxidabil, oel i carbura,
crom i molibden, cupru, wolfram, crom i cupru, sudarea cu fascicul de electroni poate suda
geometrie complex a piesei de prelucrat, realizarea gurilor cu diametre n domeniul micronic,
executate n piese de tip lagre, filiere, injectoare, site, reele etc., realizate din materiale dure
i extradure, obinerea de straturi subiri, construcia microscoapelor electronice cu puteri de
mrire de peste 106 ori.

14

Bibliografie
1. http://www.dumitruneagu.ro/pdf/(6.3.2)APLICATIIale%20FE.pdf
2.http://www.unibuc.ro/studies/Doctorate2011Februarie/Dinescu%20Miron%20Adrian
%20-%20Configurare%20la%20scara%20nanometrica%20prin%20litografie%20cu
%20fascicul%20de%20electroni/Rezumat_Teza_doctorat_A.%20Dinescu.pdf
3. http://www.mdeo.eu/mdeo/AD/docs/SEM_seminar_2012.pdf
4. http://www.mdeo.eu/mdeo/AD/docs/SEM_seminar_2011.pdf
5. Curs Cercetarea experimentala in procese neconventionale, prof.dr.ing. Iulian
LUNCAS
6. Curs Management in micro si nanotehnologii, prof.dr.ing. Niculae MARINESCU

15