SECCIONES 10.1 Y 10.

2
1.

Las memorias semiconductoras

estn formadas por matrices de
elementos de almacenamiento,
que pueden ser: Latches o
condensadores.
2. Cules son las unidades de datos
binarios: Bits, bytes, nibbles y
palabras.
3. La unidad menor de datos
binarios es: Bit.
4. Como se denomina cada
elemento de almacenamiento en
una memoria y que puede
almacenar: Se denomina celda,
almacenan 0 1.
5. Como se especifica la direccin
del byte gris claro de la figura: La
direccin del byte gris claro es Fila
3.
6. Operacin que coloca los datos
en una posicin especfica de la
memoria:
Operacin de escritura.
7. Por qu razn las memorias RAM
son llamadas memorias voltiles:
Debido a que pierden los datos
almacenados cuando se
desconecta la alimentacin.
8. Tipo de memoria semiconductora
que almacena datos de forma
permanente o semipermanente:
ROM.
9. Cules son las dos categoras de
memorias RAM, y que utilizan
como elementos de
almacenamiento:

SRAM, utiliza latches

DRAM, utiliza
condensadores.
10. Mencione una ventaja y una
desventaja que posee la memoria
SRAM vrs DRAM:
En una SRAM los datos se leen
ms rpido, una DRAM puede
almacenar muchos ms datos que
la SRAM.
11. Es aquella en la que su
funcionamiento no est
sincronizado con su reloj de
sistema: SRAM asncrona
12. Cules son los tres posibles
estados de salida de los buffers
tri-estado?
Alto (1), Bajo (0) y Alta-Z (alta
impedancia, abierto)

13. Como se pueden organizar los

chips SRAM?
En bits, nibbles (4 bits), bytes (8
bits), o mltiplos de bytes (16, 24
o 32 bits)
14. En el modo lectura como deben
estar la entrada de habilitacin
de escritura WE y la salida de
habilitacin OE? WE en nivel
ALTO y OE en nivel BAJO.
15. En el modo de escritura como
deben estar las entradas WE y
OE?
WE en nivel BAJO y OE en nivel
ALTO.
16. Cules son los dos tiempos de
acceso aparte del tiempo de
acceso de la habilitacin de
salida? Tiempo de acceso de
direccin y tiempo de acceso de la
habilitacin del chip.
17. Cul es la diferencia entre una
SRAM asncrona y una SRAM
sncrona?
que la SRAM sncrona esta
sincronizada con el reloj del
sistema y la otra no.
18. Es la que permite a la memoria
leer o escribir en hasta cuatro
posiciones utilizando una nica
direccin? La funcin rfaga de
direcciones.
19. Cul es la memoria de alta
velocidad y relativamente
pequea que almacena los datos
o instrucciones ms recientes
utilizados de la memoria
principal?
Memoria cach
20. A que se le conoce con el nombre
de cach secundaria? a la Cach
L2.21. Cul es la diferencia entre
las DRAM y las SRAM? El tipo de
celda de memoria
21. Cules son los componentes
que forma la memoria SRAM?
Transistor y Condensador
22. Para qu sirve la tcnica denominada
multiplexacion de direcciones Para
reducir el nmero de lneas de
direccin
23. Cada cuanto se debe de refrescar una
memoria DRAM tpicamente? Cada 8
ms o 16 ms
24. Cuales son los dos modos bsicos de
las operaciones de refresco?

Refresco a Rfagas

Refresco distribuido

26. Qu es el refresco a rfagas? Es

cuando todas las filas de la matriz de
memoria se recargan consecutivamente
en cada periodo
27. Qu es el refresco distribuido? Es
cuando cada fila se re refresca en intervalos
entremezclados con los ciclos de lectura y
escritura normales
28. Mencione 3 tipos de memoria DRAM:

FPM DRAM
EDO DRAM
BEDO DRAM

29. Como se le llama a la seccin de

memoria disponible en una misma direccin
de fila y que consta de todas las columnas
de dicha fila Pagina
30. Cmo funciona la operacin de las
memoria tipo sncrono

Enclava las direcciones, los datos y

la informacin de control
generados por el procesador, bajo
el control del reloj del sistema

SECCION 10.3
1.
2.

3.

4.

5.
6.

7.

8.

Que significa memora ROM?

Memoria de solo lectura
Las ROM son memorias que
mantienen los datos almacenados
cuando se desconecta la
alimentacin por tanto se conocen
como No voltiles
Cul es la familia de las memorias
ROM ROM de mascara, PROM,
EPROM, UV EPROM, EEPROM.
Memoria programada
permanentemente durante el
proceso de fabricacin, para
proporcionar funciones estndar
de uso extendido ROM de
mascara
Cul es la capacidad total de una
memoria ROM de 16x8 128 bits
Tiempo que transcurre desde que
se aplica un cdigo de direccin
valido en las lneas de entrada
hasta que aparecen los datos
validos en las lneas de salida en
las memorias ROM: Tiempo de
acceso
Que es una ROM programable
(PROM)? Tipo de ROM en la que
el usuario, almacena datos
elctricamente.
De qu tipo de tecnologa pueden
ser la ROM y la PROM Tecnologa
MOS o bipolar

9.

Que significa EPROM Memoria

PROM borrable
10. Que significa UV EPROM Memoria
EPROM mediante ultravioleta, los
datos se borran mediante la
exposicin a la luz ultravioleta.
11. Que significa EEPROM Memoria
EPROM borrable elctricamente
12. Cules son las escalas de tiempo
de borrado de las memorias UV
PROM Y EEPROM? UV PROM
varios minutos, EEPROM
milisegundos
13. Para que se utilizan las ROM en las
computadoras personales? Para
almacenar los servicios bsicos de
entrada/salida (BIOS)
14. Desventajas de la ROM Los datos
almacenados o no se pueden
cambiar en absoluto o se requiere
de equipo especial para hacerlo
15. Para que se utilizan comnmente
las ROM Para almacenar datos
que se utilizan repetidamente en
aplicaciones
SECCION 10.4
1. Qu significan las siglas PROM?
Programmable
Read-Only
Memory
2. En una memoria PROM, Cundo
se deja un fusible intacto este
almacena un? Un uno lgico.
3. En una memoria PROM, Cundo
se funde un fusible este almacena
un? Un cero lgico.
4. Cules son las tres tecnologas de
fusibles en una memoria PROM?
Conexiones de metal
Conexiones de silicio
Uniones pn
5. Qu significan las siglas EPROM?
Erasable Programmable Read
Only Memory
6. Cmo se borra una memoria
EPROM Se borra al exponer el
chip a una fuente de luz
ultravioleta.
7. Despus del proceso de borrado
en una memoria EPROM, Qu
valor lgico conservan las celdas?
Conservan un uno lgico.
8. Cunto tiempo tarda en borrarse
una memoria EPROM con una luz
ultravioleta tpica? 20 a 25
minutos.
9. Puede la luz del sol borrar una
memoria EPROM? Si la puede
borrar.
10. Qu
significan
las
siglas
EEPROM? Electrically Erasable
Programmable
Read
Only
Memory

11. Qu ventaja posee la EEPROM

sobre la EPROM? Se puede borra
y programar mediante impulsos
elctricos.
12. Mencione los dos tipos de
memorias EEPROM MOS, MNOS
13. Qu tipo de metal se utiliza al
realizar conexiones de metal en
una memoria PROM? Nicromo
14. Qu tipo de transistores utiliza
una
memoria
EPROM?
Transistores tipo FET
15. Por cunto tiempo puede una
memoria EPROM almacenar datos
sin una fuente de alimentacin?
Por un tiempo indefinido.
SECCIONES 10.5 Y 10.7
PREGUNTAS CAPTULO 10.5 Y 10.7
1.

2.

3.

4.

5.

6.

7.

8.
9.

10.

11.

12.

13.

Cul es una aplicacin

importante del registro FIFO?
Cuando dos sistemas con
velocidades diferentes deben
comunicarse.
De cuntos registros consta una
memoria serie FIFO? 4 registros
de datos serie de 64 bit, y 1
registro de control de 64 bit.
En qu aplicaciones se
encuentran las memorias LIFO?
Donde se usan
microprocesadores y otros
sistemas de computacin.
Cmo se comportan los datos en
una memoria LIFO? El ltimo byte
almacenado, es el primer byte
que se recupera.
Cmo se le denomina al registro
superior en una memoria LIFO?
Tope de la pila.
Cmo se logra destruir una
palabra de datos? Cuando se
escribe sobre ella.
Cul es el significado de CCD?
Dispositivo de almacenamiento
de carga (CCD, por sus siglas en
ingls)
Cul es la principal ventaja de las
memorias CCD? Su alta densidad.
Cmo se les denomina a las filas
de condensadores en los CCD?
Canales.
Dnde se utilizan las matrices
CCD? En cmaras, para capturar
imgenes de video en forma de
carga de luz inducida.
Qu provoca el desplazamiento
en serie de los datos a travs de
los canales en CCD? Un tiempo de
acceso relativamente grande.
Qu dispositivos ha sustituido la
memoria flash? Los disquete y los
discos duros de baja capacidad.
Cul es la ventaja principal de
una memoria flash sobre una
SRAM o una DRAM?
Que no requiere de una
alimentacin constante para
mantener almacenado los datos.

14. Cules son los modos de

operacin de una memoria flash?
Programacin, lectura y borrado.
15. Cules son los tipos de memoria
no voltiles? ROM, EPROM,
EEPROM y Flash.
16. Qu significa que una memoria
sea no voltil? Que puede
almacenar los datos
indefinidamente sin
alimentacin.
17. Qu ventaja tiene la memoria
Flash frente a las ROM, EPROM y
EEPROM?
Que se puede reprogramar
fcilmente dentro del sistema.
18. Qu tipos de memoria son de
baja densidad? SRAM y EEPROM
19. Qu tipo de memoria posee
todas las caractersticas de una
memoria ideal? Memoria Flash.
20. Qu tipo de memoria presenta
mayor desventaja frente a las
otras memorias? La SRAM.
21. Dnde almacena los datos la
memoria FLASH? En un transistor
MOS de puerta flotante
22. En una memoria flash, qu
representa el estado sin carga en
la clula?un 1 lgico
23. Qu tiempo de almacenamiento
sin aplicar alimentacin externa
posee una memoria flash desde el
momento de programacin?100
aos
24. Cmo se puede borrar una celda
en una memoria flash? Aplicando
un voltaje suficientemente
positivo en la compuerta de
control
25. Cmo se lee un bit en una
memoria flash?Aplicando un
voltaje pequeo a la compuerta
de control, si hay corriente es un
1, sino es 0.
26. Qu se usa en una matriz bsica
de memoria flash?Selector de fila
y columna y comparadores.
27. En qu memoria se usan 2 relojes
distintos para entrada y
salida?FIFO asncrona
28. En qu orden se obtienen datos
de una memoria LIFO? En orden
inverso al de entrada
29. Qu otra memoria puede usarse
como memoria LIFO, pero sin la
destruir datos en la lectura?
Memoria Ram dedicada
30. Qu ocurre en una memoria CCD
cuando ingresan nuevos datos?Los
viejos datos se desplazan como
cargas en un canal para dar
espacio.