Tema 3: El Transistor Bipolar

TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
Tema 3: El Transistor Bipolar
INDICE
3.1 ESTRUCTURA FISICA. TERMINOLOGIA Y SIMBOLOS.................................... 3-1

3.2 CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR.................. 3-5
3.3 CONFIGURACIONES DE TRANSISTOR BIPOLAR.............................................. 3-14
3.3.1 Características a emisor común...........................................................................3-16

3.3.2 Aplicación del modelo a emisor común a análisis de un transistor bipolar
polarizado............................................................................................................3-17
3.3.3 Dependencia de β................................................................................................3-21
3.3.4 Ejemplos..............................................................................................................3-22
3.4 EL BJT COMO INVERSOR......................................................................................... 3-24

3.5 EL BJT COMO AMPLIFICADOR............................................................................... 3-27
3.6 CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS DE UN TRANSISTOR BIPOLAR ............... 3-31
3.7 EL TRANSISTOR SCHOTTKY................................................................................... 3-32
3.8 BIBLIOGRAFIA ........................................................................................................... 3-33
3-1
3.1: ESTRUCTURA FÍSICA. TÉRMINOS Y SÍMBOLOS.
A diferencia de los diodos, los transistores son dispositivos semiconductores de tres

terminales. El principio básico de su operación es la posibilidad de controlar, mediante la
tensión entre dos de esos terminales, la intensidad que para a través del tercero. Esta
circunstancia se puede utilizar para generar fuentes de intensidad controladas por tensión, base
del funcionamiento de los amplificadores de señal. Además, se pueden utilizar para regular el
paso o no de corriente, es decir, como un conmutador real. Desde este punto de vista, su
funcionamiento es básico en circuitos digitales.
Un transistor bipolar de unión es un dispositivo semiconductor compuesto por tres regiones,
como se muestra en la Fig. 3.1. Cada una de las tres regiones se obtiene dopando con impurezas
adecuadas (aceptoras o dadoras) un substrato de material semiconductor intrínseco. El dopado
de la región de emisor (n) es superior al de la región de colector, y del mismo tipo. La base
también se encuentra débilmente dopada con impurezas de tipo p. La anchura de esta región de
base es reducida.
n p n
(a)
Emisor Base Colector
n p
(b)
n
Fig. 3.1 (a) Estructura de tres regiones de un transistor bipolar NPN, (b) sección
transversal.
Se pueden identificar dos uniones PN. En primera instancia podría interpretarse que un
transistor bipolar funciona de forma equivalente a dos diodos enfrentados. Sin embargo, se verá
como no es así.
Se pueden encontrar dos tipos de transistores bipolares en función del tipo de material
utilizado para las tres regiones semiconductoras. En la Fig. 3.3 se muestra su disposición. En el
3-2
análisis que se desarrollará continuación se hará hincapié en la estructura NPN, aunque el

comportamiento de la PNP es dual.
TIPO N o NPN N P N (a)
TIPO P o PNP P N P (b)
Fig. 3.2 Estructura NPN (a) y PNP (b).
En un transistor bipolar, o BJT (Bipolar Junction Transistor) se distinguen tres terminales

externos.
B (base)
Contacto ohmico
E N P N C
(emisor) (colector)
Fig. 3.3 Terminales de un transistor bipolar NPN.
EMISOR: Terminal externo que suele estar más fuertemente dopado de impurezas
(n).
BASE: Terminal intermedio que se conecta a la región central, dopada con
impurezas tipo p. Suele ser la región menos dopada de las tres, y la más
estrecha.
COLECTOR: Extremo opuesto al emisor, del mismo tipo de dopado, pero con menor
concentración de impurezas n.
Se identifican las uniones Base-Emisor (BE) y Base-Colector (BC). Asociada a esta

estructura se definen variables eléctricas de tensión e intensidad del modo indicado en la Fig.
3.4
3-3
+ B +
vBE iB vBC
- -
E N P N C
iE iC
- +
vCE
C (a)
vBC - +
iC
iB
+
B vCE
+
vBE
iE
- -
(b) E
Fig. 3.4 Definición de las variables eléctricas de tensión e intensidad en un transistor

bipolar NPN (a) y símbolo (b).
- B -
vEB iB vCB
+ +
E P N P C
iE iC
+ -
VEC
(a)
C
vCB + -
iC
iB
-
B vEC
-
vEB
iE
+ +
E
(b)
Fig. 3.5 Definición de las variables eléctricas de tensión e intensidad en un transistor

bipolar PNP (a) y símbolo (b).
3-4
Como criterio general, las intensidades iC, iB e iE son consideradas positivas según el sentido
asociado en la Fig. 3.4. Según este criterio, se cumplirá que iC+iB = iE. vBC es la tensión de la
unión PN base-colector. La conducción asociada a dicho diodo dependerá por tanto, del signo
y valor de dicha tensión. La tensión vBE controla, de modo similar, la tensión del diodo PN base
emisor. Un transistor PNP funciona de forma similar, con la definición de sus terminales,
variables y símbolos, tal como se muestra en la Fig. 3.5.
3.2. CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR.
A continuación se va a determinar el funcionamiento del transistor NPN en condiciones

estáticas, es decir, considerando la relación existente entre sus variables de tensión e intensidad
cuando todas ellas permanecen constantes en el tiempo. El análisis a realizar supone cuatro
condiciones posibles, función de la polaridad de vBE y vBC. Considerando un modelado ideal de
las tensiones en las uniones, se supondrán las condiciones de la Tabla 3.1.
Tabla 3.1 Polarizaciones de las uniones de un transistor: (Modelo ideal)
CASO Tensiones de polarización Estado de las uniones
vBE vBC BE BC
A >0 <0 ON OFF

B <0 >0 OFF ON
C >0 >0 ON ON
D <0 <0 OFF OFF
El funcionamiento del transistor bipolar no se ajusta al modelado con dos diodos enfrentados.
A continuación se detalla el comportamiento en las diferentes regiones de operación.
A) ZONA ACTIVA DIRECTA:
CONDICIONES: vBE > 0 Unión base-emisor polarizada en directa.

(Modelo ideal) vBC < 0 Unión base-colector polarizada en inversa.
Estas condiciones de polarización se representan en la Fig. 3.6. La situación para el transistor

PNP es dual.En estas condiciones de polarización, el diodo PN base-emisor está conduciendo
3-5
vBC<0 - +
iC
iB
+
vCE
+
vBE>0 iE
- -
Fig. 3.6 Polarización en la región activa directa (ZAD) del transistor NPN (Modelo ideal).
(polarizado directamente), mientras que el diodo base-colector está cortado (polarizado en la

región inversa). El comportamiento que se puede deducir de esta situación es que la intensidad
de emisor es elevada, al estar la unión BE inyectando portadores, mientras que la intensidad de
colector es muy pequeña, al estar la unión BC en corte, Fig. 3.7. Sin embargo, esta situación no
se plantea, y la intensidad de colector es elevada (iC). Este estado se alcanza como consecuencia
de la disposición de las corrientes de portadores que se representa en la Fig. 3.7 En ella se
aprecia como, en la unión base-emisor, los e- (portadores mayoritarios en el emisor) son
inyectados desde el emisor a la base, y los huecos (portadores mayoritarios en la base) son
inyectados desde la base al emisor. La concentración de impurezas en el emisor es muy
superior, respecto de la base, lo cual hace que la corriente dominante en la interfase emisor-base
sea la de los electrones. Estas cargas, al atravesar la unión base-emisor, se difunde en la base,
tendiendo a atravesar la región de base. La mayoría de estos e- consigue atravesar la región de
base, y solo unos pocos se recombinan en la misma. Este fenómeno consiste en la neutralización
n p n
e- difundidos
-
iE e injectados e- colectados iC
e-
p+ inyectados
E e- recombinados
C
p+
Corriente de saturación
B iB
Fig. 3.7 Corrientes de portadores en el interior de un BJT NPN.
3-6
de una carga negativa (e-) con una positiva (p+) al interactuar entre si. De este modo, los
electrones que llegan a las proximidades de la unión base-colector “ven” un campo eléctrico que
los atrae hacia la región de colector. Este campo eléctrico es, si cabe, más intenso, como
consecuencia de la polaridad negativa de la unión base-colector. Como conclusión, la gran
mayoría de los electrones que han sido emitidos desde el Emisor, son recolectados en el
Colector, y solo algunos se recombinan en la Base. Para compensar esta corriente de
recombinación, la intensidad de base tomará un valor positivo (huecos penetrando hacia la
base). Como conclusión, podríamos resumir el comportamiento en zona activa directa en el
siguiente cuadro.
Tabla 3.2 Zona Activa Directa (Modelo ideal)
CONDICIONES TENSIONES INTENSIDADES
BE BC vBE vBC vCE iE iC iB
ON OFF >0 <0 >0 >0 >0 >0

Elevada Elevada No nula
➥ Modelo en la región activa directa:
Corriente de colector: Se expresa mediante la relación,
v BE ⁄ V T
i C = βI S ⋅ e (3.1)
Siendo IS la intensidad de saturación, que es constante a una temperatura dada (10-12 a 10-15 A
son valores típicos, aunque se dobla cada 5oC. VT es el potencial térmico (26mV a 25oC). Esta
expresión refleja la dependencia de la corriente de colector con la tensión base-emisor,
responsable de la polarización directa de la unión BE.
Corriente de base: Se expresa mediante la relación,
v BE ⁄ V T
iB = I S ⋅ e (3.2)
El parámetro β se denomina ganancia de corriente a emisor común. Su valor aproximado para
3-7
transistores actuales se sitúa entre 50 y 200. De (3.1) y (3.2) puede observarse la definición de
β como,
iC
β = ----
- (3.3)
iB
Corriente de emisor: Se puede expresar mediante la expresión,
(1 + β) v ⁄V IS v ⁄ V
i E = i C + i B = ----------------- ⋅ I S ⋅ e BE T = ----- ⋅ e BE T (3.4)
β α
que ha sido simplificada mediante la definición del parámetro α,
β α
α = ------------ ⇒ β = ------------ (3.5)
1+β 1–α
como la ganancia de corriente a base común. Este parámetro toma valores menores que la
unidad. Para una β=100, es de 0.99. Pequeñas variaciones en α generan grandes variaciones en
β. Su valor no es constante, y es dependiente del nivel de corriente, siendo mayor cuanto más
elevada es la corriente de colector. En general, puede considerarse constante para la mayoría de
las situaciones. También denominado coeficiente de recombinación de la corriente en la base
(respecto de los electrones inyectados desde el emisor), ya que informa del porcentaje de
electrones que, habiendo sido inyectados desde el emisor, consiguen alcanzar el colector sin
recombinarse en la base. De ahí su definición alternativa como,
iC
α = ----
- (3.6)
iE
➥ Circuito equivalente en la región activa directa (Modelo de primera aproximación).

Con la dependencia de las corrientes expresado anteriormente se puede deducir el circuito
equivalente para la región activa directa mostrado en la Fig. 3.8. En la figura 3.8 (a) se expresa
la dependencia exponencial de la intensidad de base con la tensión base-emisor propia de una
unión PN polarizada directamente. En la figura 3.8(b) se expone un modelo más simplificado
para análisis a mano, que abstrae el comportamiento fundamental del transistor. En él se ha
sustituido la tensión de entrada (BE) por una fuente de tensión de valor vBE(act)=0.7V,
característica del comportamiento en conducción de una unión PN. Este modelo será el
empleado en lo sucesivo para el análisis de circuitos con transistores bipolares.
3-8
iB iC
B C
+
IS V ⁄ V
vBE βI B
IB = ----- ⋅ e BE T
β -
iE
(a)
iB E
iC
B + C
vBE=vBE(act) βI B
-
vBE(act)=0.7V iE
(b)
E
Fig. 3.8 (a) Circuito equivalente en la región activa directa. (b) Modelo equivalente.
B) ZONA ACTIVA INVERSA:
CONDICIONES: vBE < 0 Unión base-emisor polarizada en inversa.

(Modelo ideal) vBC > 0 Unión base-colector polarizada en directa.
La situación respecto del comportamiento de los portadores de carga es similar a la descrita

en el apartado A), o zona activa directa. En este caso, el terminal de emisor haría las funciones
de colector y el terminal de colector de emisor, respectivamente. El comportamiento, en
realidad no es simétrico puesto que el dopado de las regiones de emisor y colector no es, en
general, el mismo, dando lugar a concentraciones de portadores de carga libre (e-) muy
superiores en el emisor que en el colector, destinados a favorecer la conducción en la región
activa directa. A pesar de que es posible definir los coeficientes α y β en la región activa inversa,
la utilidad de esta región de operación es reducida frente a las correspondientes de la región
activa directa (ZAD).
3-9
vBC>0 iC
- +
iB
+
vCE
+
vBE<0
- iE -
Fig. 3.9 Polarización en la región activa inversa (ZAI) del transistor NPN.
Tabla 3.3 Zona Activa Inversa (Modelo Ideal)
OFF ON <0 >0 <0 <0 <0 >0

menor que en ZAD
C) ZONA DE SATURACIÓN:
CONDICIONES: vBE > 0 Unión base-emisor polarizada en directa.

(Modelo ideal) vBC > 0 Unión base-colector polarizada en directa.
Se caracteriza porque ambas uniones se encuentran polarizadas directamente. Ambas

uniones conducen e inyectan portadores mayoritarios en la región de base. En esta región ya no
es válida la relación iC= β. iB. Los valores de iB son más elevados que los correspondientes a las
regiones activas directa e inversa, ya que iB alimenta la corriente de minoritarios a través de las
uniones BE y BC, y la recombinación de los mayoritarios en la base. La corriente de colector
vBC>0 - +
iC
iB
+
vCE
+
vBE >0 iE
- -
Fig. 3.10 Polarización en la región de saturación (SAT) del transistor NPN.
3-10
Tabla 3.4 Zona de Saturación (Modelo ideal)
ON ON >0 >0 >0 >0 >0 >0

menor que en mayor que en
ZAD ZAD
es también elevada. Las dos uniones PN están conduciendo, de modo que las tensiones a través
de las mismas son prácticamente constantes. Este factor condiciona la tensión colector-emisor,
fijándola a un valor constante dado por,
v CE = v BE – v BC ≈ 0.8 – 0.6 = 0.2V (3.7)
en donde se han tomado, vBE(sat)~0.8V y vBC(sat)~0.6V. El modelo de primera aproximación

para el transistor bipolar en saturación se muestra en la figura 3.12.
iB iC
B + C
vBE=vBE(sat) vCE=vCE(sat)
-
iE
E
Fig. 3.11 Circuito equivalente en la región de saturación.
D) ZONA DE CORTE:
CONDICIONES: vBE < 0 Unión base-emisor polarizada en inversa.

(Modelo ideal) vBC < 0 Unión base-colector polarizada en inversa.
Se caracteriza porque ambas uniones se encuentran polarizadas en inversa. Las uniones son
atravesadas por portadores minoritarios, generando corrientes muy pequeñas derivadas de las
intensidades inversas de saturación en ambas uniones (Ise, Isc).
3-11
vBC<0 - +
iC
iB
+
vCE
+
vBE<0 iE
- -
Fig. 3.12 Polarización en la región de corte (OFF) del transistor NPN.
Tabla 3.5 Zona de Corte (Modelo ideal)
OFF OFF <0 <0 ? =0 =0 =0

nula nula nula
El circuito equivalente correspondiente al modelo de primera aproximación se muestra en la

figura 3.14.
B C
iB = 0 iC = 0
iE = 0
E
Fig. 3.13 Circuito equivalente en la región de corte.
En la Tabla 3.6 se resumen las condiciones del transistor para cada una de las regiones de
operación, los circuitos simplificados en cada uno de ellas y las relaciones entre sus variables
necesarias para el análisis de circuitos con transistores. Asimismo, en la Fig. 3.14 se representan
las diferentes regiones de operación de los transistores bipolares NPN y PNP en función de las
polarizaciones en las uniones. Es necesario puntualizar que se ha tomado un modelado ideal
para las uniones (VON = 0).
3-12
Tabla 3.6 Resumen: Condiciones de polarización y modelos de circuito de primera

aproximación para un transistor bipolar NPN.
REGIÓN CONDICIONES MODELO

vBE vBC Circuito Relaciones
iB iC vBE(act) = 0.7V
+
B C vCE(act) > 0.2V
vBE(act) βiB
ZAD vBE(act) ≤ vBC(sat) - iC =β.iB
iE iC =α.iE
E
ZAI ≤ vBE(sat) vBC(act) Dual de la ZAD a
iB iC
+ vBE(sat) = 0.8V
B C
vBE(sat) vCE(sat)
- vCE(sat) = 0.2V
SAT vBE(sat) vCE(sat) iC < β.iB
iE
E
B iB iC C
CORTE ≤ vBE(act) ≤ vBC(act) iE

iC =iB = iE = 0
a. Se puede deducir el modelo para ZAI intercambiando los terminales de colector y emisor, y los senti-
dos de las intensidades en ambos. La utilidad de hacer trabajar al transistor en esta región es muy
limitada, por lo que en general se prescinde de su estudio.
vBE vEB
ZAD SAT ZAD SAT
vBC vCB
CORTE ZAI CORTE ZAI
NPN PNP
(a) (b)
Fig. 3.14 Regiones de operación del BJT NPN (a) y PNP (b) en función de las
polarizaciones en las uniones (considerar el modelo ideal).
3-13
Dentro de las principales aplicaciones de los transistores bipolares encontramos:

1) Electrónica analógica en general: amplificación, osciladores, filtros, transconductores, y
en general, implementación de circuitos analógicos. Se aprovecha fundamentalmente el
comportamiento del transistor bipolar en la región activa directa, en la que posee una
determinada relación de ganancia (tensión o intensidad)
2) Electrónica digital: Realización de puertas lógicas, para lo cual se aprovecha el
funcionamiento del transistor bipolar en conmutación. Se aprovecha el funcionamiento en
corte y saturación (circuito abierto y cortocircuito).
3) Electrónica de potencia: Como amplificador en gran señal (ZAD) y como interruptor real,
en convertidores de energía eléctrica.
3.3: CONFIGURACIONES DEL TRANSISTOR BIPOLAR.
Para encontrar una representación del transistor bipolar en términos de sus variables
eléctricas se va a utilizar el concepto general de representación BIPUERTA. Se dice que un
circuito admite una representación bipuerta si es posible identificarlo mediante una puerta de
entrada y otra de salida. Los pares de variables (Vi,Ii) (Vo,Io) están asociados a las variables de
tensión e intensidad en la entrada y la salida respectivamente. En el caso del transistor bipolar,
al tener tres terminales, estos se pueden combinar para obtener tres representaciones del tipo
bipuerta: Tomando la base como terminal de referencia (base común, BC), tomando el colector
como terminal de referencia (colector común, CC) y tomando el emisor como terminal de
referencia (emisor común, EC). Las tres aparecen representadas en la Fig. 3.16.
Ii Io
+ +
Vi BIPUERTA Vo
- -
Fig. 3.15 Representación bipuerta de un circuito.
En función del contexto, cada una de estas descripciones tendrá mayor o menor utilidad. La
configuración a Emisor Común es la más utilizada, por lo que de aquí en adelante se adoptará
para la descripción del transistor BJT. En este contexto, quedan justificadas las nomenclaturas:
ganancia a base común (α=iC/iE) y ganancia a emisor común (β=iC/iB), anteriormente
utilizadas.
3-14
La caracterización de cada una de estas representaciones en términos de tensiones e

intensidades se deberá realizar en base al funcionamiento interno del transistor. Al igual que
ocurriera con el diodo de unión PN, estas relaciones tensión-intensidad son complejas, y
conducen a modelos con ecuaciones de dificil manejo para cálculos a mano. Por esta razón, en
el apartado anterior se han obtenido modelos simplificados, derivados de la abstracción del
comportamiento real del dispositivo, que a la postre permiten simplificar los cálculos,
reteniendo el funcionamiento básico del componente.
BASE COMUN
VARIABLES BASE COMUN (BC)

+
- iE iC ENTRADA SALIDA INTERNAS
vBE vCB vBE , iE vCB , iC vCE =vCB+vBE

iB iB = iE - iC
+ -
COLECTOR COMUN
- VARIABLES COLECTOR COMUN (CC)

iB iE
ENTRADA SALIDA INTERNAS
- vCE
vCB , iB vCE , iE vBE =vCE-vCB
vCB iC
+ + iC = iE - iB
EMISOR COMUN
VARIABLES EMISOR COMUN (EC)

+
iC
iB ENTRADA SALIDA INTERNAS
vCE
+ vBE , iB vCE , iC vBC =vBE -vCE
vBE iE
- - iE = iB + iC
Fig. 3.16 Representaciones bipuerta de un transistor bipolar.
3-15
3.3.1: Características a Emisor Común.
En esta configuración las variables de entrada son: vBE e iB. Ambas definen la curva iB-vBE
denominada característica de entrada. Este tipo de curvas incluyen además la dependencia con
vCE, tensión de salida, dando lugar a una familia de curvas: para cada valor de vCE (tomado
como parámetro) se obtiene una característica iB-vBE, iB=iB(vBE, vCE). En la Fig. 3.17 se aprecia
la dependencia de la corriente de base con la tensión BE. Los valores de iB son del orden de
decenas de µA, mientras que el valor de vBE permanece acotado al tratarse de la caida de tensión
en una unión PN, que se sitúa en torno a los 0.6-0.8V.
iB
SAT
ZAD
OFF
vBE[V]
0.5 0.7
Fig. 3.17 Características de entrada a emisor común.
En la que se distinguen tres zonas de trabajo:
1) CORTE: vBE < 0.6 [V]

2) ZAD 0.6 < vBE < 0.8 [V]
3) SATURACIÓN vBE > 0.8 [V]
Se puede tomar como modelo en la región activa directa: vBE(act)=0.7V, mientras que en
saturación vBE(sat)=0.8V. Para este modelo, se supone que la entrada en la región activa directa
se produce a partir de vBE(act) > 0.6V, y no a partir de un valor positivo de la tensión base
emisor, como indica la gráfica de la Fig. 3.14(a), correspondiente a una situación ideal.
La característica de salida a emisor común representa iC = iC (vCE, iB), es decir, para cada
valor de iB, se obtiene una característica de salida iC versus vCE.
3-16
ZAD
ZAI
vRUP(V)
vCE(V) vCE(V)
Fig. 3.18 Características de salida a emisor común.
En esta curva aparece la intensidad de colector para cada valor de la tensión colector emisor.
Se han fijado una serie de valores de la corriente de base, que sirve como parámetro para definir
la familia de curvas de salida a EC.
En la que se distinguen tres zonas de trabajo:
1) CORTE: vCE > 0, iC=0, iB~0, vBE < vBE(act)

2) ZAD vCE > 0.3V, vCE < vRUP, iC > 0, iC = β.iB
3) SATURACIÓN vCE > 0, pero de valor pequeño (0.1-0.3V), iC > 0
vCE(sat) ~ 0.2V
3.3.2: Aplicación del modelo a emisor común al análisis de un transistor BJT polarizado.
En este apartado se van aplicar los modelos deducido anteriormente para el transistor bipolar
al análisis de un circuito en gran señal. El circuito se muestra en la Fig. 3.19. Consta de un
transistor bipolar, Q, dos resistencias, RB (resistencia de base) y RC (resistencia de colector) y
una fuente de alimentación VCC. La señal de entrada del circuito es Vi, mientras que la señal de
salida es Vo. Se supone que Vi puede variar en el rango [0,VCC]. El terminal de emisor se
encuentra conectado a la tensión de referencia, por lo que se puede utilizar de un modo natural
la representación a emisor común. El análisis de este circuito se va a plantear incrementado la
tensión de entrada desde 0 hasta VCC. Para cada valor de Vi, es necesario:
3-17
1) Determinar la región de operación del BJT y sustituir el modelo correspondiente.

2) Resolver el circuito bajo las hipótesis de comportamiento de Q.
3) Comprobar que el resultado es consistente con las hipótesis de partida.
4) Determinar el rango de operación respecto de Vi para el que mantiene este
comportamiento.
VCC
RC
Vi RB Vo
Fig. 3.19 Circuito bajo estudio.
Se va utilizar el modelo del BJT anteriormente presentado en el análisis de un circuito. Se

han de determinar las diferentes regiones de operación del transistor Q en función de los valores
de la tensión de entrada. Se trata por tanto de un análisis en gran señal. En análisis se especifica
a continuación.
(a) Para valores pequeños de la tensión de entrada, Vi, la tensión vBE de Q será reducida. En
concreto, se puede determinar el rango de valores de Vi que colocan a dicha tensión por
debajo de 0.6V, de modo que la unión EB esté siempre cortada. Esta situación provoca
que la intensidad de base sea muy pequeña (aproximadamente nula) si el transistor
estuviese cortado. Esta hipótesis es consistente, ya que iB=iC=0 implica que vBC < 0. En
estas condiciones:
si Vi < V1 y vBE < 0.6V entonces Vo=VCC
donde el valor de V1 es algo superior a 0.6V, en concreto, es aquel que coloca al

transistor Q en el límite entre la zona de corte y activa directa. Si se supone que la
intensidad de base es nula en este punto, el valor de V1 será 0.6V.
(b) Se supone que la tensión de entrada sigue incrementándose hasta que alcanza valores
3-18
superiores a V1, lo cual provoca que vBE > 0.6V y Q se pueda encontrar en la región
activa directa. Se puede trabajar sobre este supuesto. De este modo, la conducción de la
unión BE provoca que iB > 0 y no nulo. Simultáneamente, iC > 0, e iE > 0. El incremento
de iC hace bajar la tensión de salida por debajo de VCC (Vo=VCC-iC. RC), de modo que la
tensión colector emisor se reduce paulatinamente. Dado que la tensión de base aparece
limitado por la unión base emisor en conducción, se puede suponer que la unión base-
colector es negativa, y que nos encontramos en la región activa directa: vBE > 0, vBC < 0.
Un breve análisis del circuito nos lleva a las siguientes ecuaciones:
V i – v BE
i B = -------------------
- (3.8)
RB
V i – v BE
i C = β ⋅ -------------------- (3.9)
RB
V o = V CC – R C ⋅ i C (3.10)
Utilizando como valor de vBE, vBE(act)=0.7V. Un valor de β típico se sitúa en el rango de

50 a 200.
(c) Ante un incremento superior de Vi, la corriente de colector es tan elevada que puede dar
lugar a una tensión vCE muy pequeña, y a la polarización de la unión Base-Colector en
directa. Esta situación se corresponde con el paso de Q a la región de saturación. En esta
región, la dependencia de iC=β . iB no se cumple, y aunque un incremento de iB incide en
un aumento de iC, ya no lo hace con un factor de proporcionalidad tan elevado como en
la zona activa directa.
Nótese que en esta región, el modelo utilizado: vBE(sat)=0.8V y vCE(sat) = 0.2V, da lugar
a una simplificación notable del análisis a realizar. La intensidad de colector queda fijada
a,
V CC – v CE(sat)
I C(sat) = ------------------------------------- (3.11)
RC
mientras que la de base a,
V i – v BE(sat)
I B(sat) = -------------------------------
- (3.12)
RB
3-19
de modo que iC se hace independiente de iB a partir de un cierto valor de la misma: β.iB(sat),

que coincide con el último punto de la región de activa directa. A partir de ahí iC es siempre
menor que iB. β. Se puede definir un nuevo valor de β, βForzada, del siguiente modo
i C(sat)
β Forzada = ---------------- ⇒ β Forzada < β (3.13)
iB
que será siempre menor que β en la región activa directa, y que nos informa de una forma
rápida de la situación de Q. La tensión de salida mientras dure esta situación es vCE(sat)= 0.2V.
iC ZAD
SAT
Fig. 3.20
0.2 vCE[V]
OFF
ESTUDIO GRÁFICO
Se puede establecer el comportamiento cualitativamente a partir de las característica de

salida a EC del transistor y utilizando el concepto de recta de carga. En la Fig. 3.21 aparecen
representadas ambas. La familia de curvas de salida para Q, para diversos valores de iB, y la
recta de carga: iC=iC(vCE, RC, VCC). Esta recta representa el lugar geométrico de todos los
puntos de operación posibles de Q para unos valores de RC y VCC dados. La curva de salida
sobre la que el BJT trabaja en cada instante se determina mediante iB, dependiente de la tensión
de entrada. Así se puede estudiar la evolución Q de sobre la recta de carga cuando se incrementa
iB desde cero:
PUNTO A: iB=0, Vi=0, la situación de Q es CORTE
PUNTO B: Vi > 0.6V, iB > 0 y dependiente de Vi. Q se encuentra en la ZAD, para la que iC =
β. iB, Vi = iB. RB + vBE.
En esta región, a medida que se incrementa Vi (iB) se recorren los puntos C y D.
PUNTO E: vBE >=0.8V, y el transistor se encuentra en la región de saturación.
Incluye también al punto F.
3-20
iB iC
F E
Vi D
Q Vi
C
B
A
0.5 0.7 vBE[V] vCE[V]
(a) (b)
Fig. 3.21 Características de entrada (a) y salida (b).
La función característica que se obtiene para el circuito se muestra de forma aproximada en

la Fig. 3.22.
Vo
OFF ZAD SAT
Vcc
A B
C
D
E F vCE(sat)
Vi
Fig. 3.22 Función característica.
3.3.3: Dependencia de β:
El parámetro de ganancia a emisor común en ZAD (β) relaciona la intensidad de base con la
de colector. Dicha relación deja de ser válida en saturación, aunque no deja de cumplirse hasta
la frontera: ZAD -- SAT. Este punto pertenece a ambas regiones, por lo que se puede plantear la
relación
i C(sat)
i Blim = ---------------- (3.14)
β
siendo iBlim, el último valor de iB para el que es válido la relación iC=β . iB, antes de entrar en
3-21
saturación. Para valores de iB > iBlim, el BJT está metido en saturación. De este modo se puede
deducir que iB > iC(sat) / β. definiendo el factor de sobreexcitación como:
iB
Factordesobreexitacion = ----------
- (3.15)
i Blim
De esta forma, para cada valor de β, existe un iBlim que define la frontera entre la zona activa
directa y saturación. Se puede ahora plantear la situación en la que existe un rango de valores
de β en el rango [βmin, βmax]. Para los dos extremos de rango encontramos valores límites
distintos de iB:
I Csat I Csat
I Blim1 = -----------
- I Blim2 = -----------
- (3.16)
β min β max
siendo iC(sat) = (VCC-vCE(sat))/RC el mismo para ambos (no función de β). Dado que βmax >
βmin se cumplirá que iBlim2 < iBlim1
Si la situación de Q ha se ser siempre saturación, con independencia de las fluctuaciones de
β, se habrá de toma el valor de βmin, que nos conduce a un valor de iBlim superior para el diseño
del circuito de polarización correspondiente. El peor caso, en saturación, se dará para β=βmin.
Si β > βmin, la intensidad β.iB > iC(sat) y por lo tanto entrará en la región de saturación para
valores más pequeños de iB, esto es, para cualquier β.
Por el contrario, para asegurar que el transistor se encuentra siempre en la zona activa, se
debe tener en cuanta βmax. Si en la situación de máxima ganancia de corriente de base, βmax. iB,
intensidad de colector no es suficiente para colocar a Q en saturación, no entrará para ningún
otro β < βmax.
3.3.4: Ejemplos
EJEMPLO 1: Analizar el circuito indicando el punto de operación. β=100.

VCC=10V
RC=4.7KΩ
VBB=4V
Vo
RE=3.3KΩ Fig. 3.23
3-22
Hipótesis 1: Q está es la región de corte. Quiere decir que iC=iE=iB=0. La tensiones en los
nudos del transistor son:
VC=VCC
VB=VBB
VE=0
de modo que vBE= 4 - 0 = 4V, lo cual es incongruente con la hipótesis de partida
(vBE < vBE (act) ).
Hipótesis 2: Q está es la región activa directa. Se deduce que vBE(act)=0.7V e iC=βiB.
Se puede calcular la tensión de base y la corriente de emisor:
VBB= vBE(act) + iE . RE luego iE = 1mA.
Además, la corriente de base se relaciona con la de emisor:
iB= 1/(1+β) . iE = 9.9µA, e iC = β . iB = 0.99mA.
Así pues
VC=VCC - iC.RC = 10 - .99 . 4.7 = 5.34V
VB=VBB
VE= iE . RE = 3.3V
Obteniéndose, vBC = -1.35V, que es consistente con la hipótesis 2 (vBC <
vBC(sat)=0.6V). El transistor está en ZAD.
EJEMPLO 2: Considerar en el ejemplo 1 que VBB= 6V.

Hipótesis 1: Q está es la región de corte. Se deduce que no lo está, como en el ejemplo anterior.
Hipótesis 2: Q está es la región activa directa. Se deduce que vBE(act)=0.7V e iC=βiB.
Siguiendo los mismos pasos que en el ejemplo anterior se llega al resultado: vBC =
6 - 2.574 > vBC(sat). Esto anula la validez de la hipótesis.
Hipótesis 3: Q está es la región de saturación. se deduce que vBE(sat)=0.8V y vCE(sat)=0.2V.
Se puede deducir la intensidad de emisor:
iE = (VBB - vBE(sat) ) / RE = 1.58 mA.
VE = iE. RE = 5.2V.
iC(sat) = (VCC - vCE(sat) - VE)/RC = 0.98mA. iB = 0.6mA.
De este modo, el valor de la ganancia a emisor-colector:
βForzada = iC/iB = 1.62, lo cual es congruente con la hip3 (β < 100).
3-23
EJEMPLO 3: Analizar el circuito. β=100.
VCC=10V
RC=2KΩ
RB=100KΩ
VBB=4V
Fig. 3.24
Hipótesis 1: Q está es la región de corte (vBE < vBE(act)), de modo que vBE= VBB es imposible.
Hipótesis 2: Q está es la región activa directa.
Se puede calcular la intensidad de base: iB = (VBB - vBE(act) )/ RB = 33µA.
iC = β . iB = 3.3mA
VC= VCC - iC. RC = 3.4V
vBC = VB - VC = 0.7 - 3.4 = -2.7V < vBC(sat) = 0.6V.
vCE = -VC = 0.7V O. K. , VC =3.4V >vCE(sat)=0.2V.
3.4: EL TRANSISTOR BIPOLAR COMO INVERSOR.

Entre las formas de operación del BJT figura el funcionamiento en conmutación. En este
modo de operación, el transistor cambia de una región de operación a otra para realizar una
determinada funcionalidad, como la de inversor lógico. El comportamiento del circuito de la
figura se corresponde con la característica de transferencia de un inversor lógico. Si
identificamos el cero lógico con un valor bajo de tensión, p. e. Vo=vCE en la región de
V CC Vo
OFF ZAD SAT
VCC
RC
RB
Vi Vo
vCE(sat)
(b) Vi
(a)
Fig. 3.25 (a) Circuito. (b) Curva de transferencia.
3-24
saturación, y el “uno lógico” con un valor elevado de tensión, p. e. vCE en corte, podríamos
asociar la función lógica al inversor: Vo = Vi (lógica positiva). La evolución en el tiempo de
salida frente a una señal cuadrada será:
Vi
Vi Vo
t
Vo
(a) (b)
Fig. 3.26 (a) Formas de onda de entrada/salida. (b) Símbolo de un inversor lógico.
La caracterización completa de esta puerta lógica se realizará en temas posteriores (puerta

lógicas - definición de los niveles de entrada - salida, tiempos de conmutación, etc). Sin
embargo, el funcionamiento como inversor implica la alternancia entre las regiones de corte y
saturación en gran señal. Para ello se ha de tener en cuenta:
1.- Las señales de entrada ha de tener un amplio rango de valores que lleven al BJT a
un estado “bien definido”. Además, tales señales de entrada han de ser estables.
2.- La transición entre corte y saturación ha de realizarse en el menor tiempo posible a

través de la región activa directa.
Influencia de RB y RC en el comportamiento del inversor:

Estado de corte: No es conflictiva desde el punto de vista de RB y RC puesto que se obtiene
para Vi=0, situación en la que las intensidades en Q son casi nulas.
Estado de saturación: Para polarizar el transistor en saturación, la tensión de entrada ha de
ser lo suficientemente elevada. A continuación se considerará la influencia de RB y RC por
separado, para así aislar sus efectos.
(a) RC=cte, VCC conocida. La influencia de RB se puede estudiar a partir de la ecuación de
polarización de la base:
V i – v BE(sat)
i B = -------------------------------
- (3.17)
RB
3-25
La definición de iB, fija la curva de salida del transistor. Para valores pequeños de RB (IB alto),
la curva de salida se corresponde con valores de iC más elevados, y que por tanto aproximan el
comportamiento de Q más a saturación. De otro modo, los valores de RB mayores alejan al
transistor de zona de saturación, y representan el peor caso desde el punto de la polarización en
la región de saturación.
iC
RB-
V I = i B ⋅ R B + v BE
iB
vCE[V]
Fig. 3.27 Dependencia con RB.
Asimismo, calculado el valor de iB(sat) necesario para llevar el transistor a la región de

saturación, se puede calcular el valor máximo que puede tener la resistencia de base como,
V i – v BE(sat)
R B = -------------------------------
- (3.18)
i B(sat)
(b) RB = cte, VCC conocido. La influencia de RC se manifiesta en la pendiente de la recta de

carga, Fig. 3.28. Se puede apreciar como, para un valor constante de iB (RB), a medida que se
incrementa la resistencia de colector, el transistor tiende a colocarse más profundamente en la
región de saturación. De otro modo, si se reduce el valor de RC, la tensión vCE tiende a
incrementarse, intentando sacar al transistor de la región de saturación. El peor caso de elección
de RC para la polarización en saturación se da para su valor más pequeño.
iC
RC-
V CC = i C ⋅ R C + v CE
iB
VCE[V]
Fig. 3.28 Dependencia de la polarización con RC.
3-26
3.5: EL TRANSISTOR BIPOLAR COMO AMPLIFICADOR.

Los transistores se encuentran dentro de los denominados elementos activos, ya que, bajo
determinadas condiciones, son capaces de entregar a una carga una potencia mayor que la que
absorben a su entrada. La aplicación de esta propiedad permite la utilización del transistor
bipolar como amplificador de señal o de ganancia de tensión, es decir, un BJT es capaz de
amplificar una señal alterna de entrada dando lugar a una señal de alterna a la salida de mayor
amplitud.
Este razonamiento no contradice el principio de conservación de la energía, ya que la energía
entregada ala carga procede de la fuente de alimentación. El amplificador se encarga de
transformar la energía procedente de una señal de continua, en otra de alterna.
Para operar como amplificador el BJT ha de estar polarizado en la región activa directa. Los
elementos de polarización deberán ser seleccionados para garantizar el funcionamiento en esta
región (resistencias, fuentes). El principio de operación del transistor como amplificador se basa
en el concepto de pequeña señal, y exige que en todo el rango de señal, el BJT no pase a corte
o saturación. La configuración más simple de amplificador que podemos encontrar es la
mostrada en la Fig. 3.29. En ella aparecen dos resistencias (colector y base). La entrada del
circuito tiene dos componentes: VI, en gran señal para la polarización del transistor, y vi, en
pequeña señal, que es la tensión que se desea amplificar. Para analizar el comportamiento como
amplificador es necesario:
1) Localizar el punto de trabajo, Q.

2) Realizar un análisis en pequeña señal en Q.
VCC
RC
Vi Vo
vi RB
VI
Fig. 3.29 Circuito de amplificación.
3-27
1) PUNTO DE TRABAJO, Q:
Para su determinación, se consideran las condiciones de polarización en DC, es decir, se
anulan las fuentes de alterna (vi = 0), y se resuelve el circuito. La solución define el punto de
trabajo. Gráficamente es posible visualizar la localización de Q si se consideran las
características de entrada y salida a emisor común del transistor. Las coordenadas del punto Q
iB iC
Q(VBE , IB)
Q(VCE , IC)
vBE[V]
0.5 0.7
VCE[V]
V I = i B ⋅ R B + v BE V CC = i C ⋅ R C + v CE
(a) (b)
Fig. 3.30 Polarización de las características de entrada (a) y de salida (b).
dependen de los parámetros de la red de polarización: RB, RC, β y VI. La resistencia RB se suele
tomar para localizar Q en una región intermedia entre corte y saturación que optimice el rango
de operación. No debe ser excesivamente baja para evitar que entre en saturación. La resistencia
de colector define la pendiente de la recta de carga en las curvas de salida. A mayor pendiente,
mayor excursión de tensión para los mismos niveles de intensidad de colector, lo cual equivale
a mayor ganancia en tensión. No obstante, para un valor de RC demasiado elevado, el transistor
se puede colocar en saturación.
2) ANALISIS EN PEQUEÑA SEÑAL
Parte de que el BJT se encuentra polarizado en el punto Q situado en la zona activa directa.
Se consideran nulas las polarizaciones de continua (DC) y se analiza el comportamiento del
circuito excitado exclusivamente por las señales de alterna de entrada (vi). De este modo, se
calculan las oscilaciones de las variables sobre el punto de operación. Se sigue la notación
convencional:
( i E = I E + i e ), v BE = V BE + v be
( i C = I C + i c ), v BC = V BC + v bc (3.19)
( i B = I B + i b ), v CE = V CE + v ce
3-28
iB
ib
Q
t
Entrada
vi t
vBE[V]
t
iC
vbe
ic
t Q
iB
t
vCE[V]
vo Salida
Fig. 3.31 Representación gráfica del proceso de amplificación.

Para realizar este análisis se requieren modelos en pequeña señal para el BJT. Para ello, se
linealiza el comportamiento del BJT a en un entorno del punto de operación. Las variables ib,
vbe, ic y vce describen estas oscilaciones en torno al punto de operación. La relación entre ellas
se obtiene a partir de las expresiones completas de iB e iC aproximadas en Q. Así. para iB e iC
consideramos en la región activa directa:
v BE ⁄ V T
iB = I S ⋅ e (3.20)
v BE ⁄ V T
i C = βI S ⋅ e (3.21)
Estas expresiones se pueden linealizar considerando su aproximación en un entorno del

punto de operación.
∂i C I CQ
------------
- - = gm
= -------- (3.22)
∂V BE VT
Q
3-29
siendo gm la transconductancia. Un valor típico es de 40mA/V. Según esto, se cumplirá la

relación: ic = gm . vbe. Además,
∂i B I BQ 1
------------
- = --------
- = ------- (3.23)
∂V BE VT r be
Q
siendo rbe la resistencia base-emisor. Un valor típico es de 1KΩ.

El modelo en pequeña señal del BJT a emisor común se muestra en la Fig. 3.32. Aparece una
ib i c
b + c
vbe rbe gm.vbe
-
ie
e
Fig. 3.32 Modelo del BJT en pequeña señal (estática).
fuente de intensidad controlada por tensión, gm. A partir de este modelo se puede obtener la
ganancia en tensión de vo respecto de vi. Para ello, es necesario calcular la relación vo/vi sobre
el circuito de la Fig. 3.34. En él se han eliminado las fuentes de continua, que han de colocarse
a tierra, preservando sólo la de alterna a la entrada como excitación.
ib ic
+ + c +
RB b
vbe rbe gm.vbe
-
vi RC vo
ie
- e -
Fig. 3.33 Modelo del circuito amplificador en pequeña señal (estática).
Mediante un sencillo cálculo se obtiene la relación:
v R C ⋅ r be
A v = ----o- = – g m ⋅ -------------------- (3.24)
vi r be + R B
3-30
en donde Av es la ganancia en tensión a bajas frecuencias en pequeña señal del amplificador de

la Fig. 3.29. El valor de la ganancia es función de gm, que a su vez depende de las coordenadas
del punto de operación (IC/VT). Esto quiere decir que la red de polarización (VCC, RB y RC)
influyen indirectamente en la ganancia del amplificador. Asimismo, para mayores cargas (RC)
mayor ganancia en tensión. El signo negativo procede de la inversión de señal a la salida
(amplificador inversor).
3.6: CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS DE UN TRANSISTOR

BIPOLAR.
Las características dinámicas del transistor Bipolar vienen determinadas por la existencias
de capacidades en las uniones BE y BC. Asociadas a cada una de ellas se encuentran las
capacidades de empobrecimiento o deplexión (Cje, Cjc respectivamente) y las capacidades de
difusión (Cde, Cdc respectivamente). Las primeras son generadas como consecuencia de la
creación de regiones de empobrecimiento en las interfases de las uniones. Las cargas iónicas,
no compensadas con cargas móviles, dan lugar a una capacidad BE y BC. Esta capacidad
depende de forma no lineal con vBE y vBC, aunque para análisis simplificados pueden
aproximarse a valores constantes. Las segundas, capacidades de difusión, proceden de las
existencia de portadores móviles en la base (corrientes de mayoritarios que atraviesan la región
de base). En la región de saturación, ambas uniones están polarizadas en ON e inyectan
portadores mayoritarios, por lo que ambas capacidades de difusión son de relevancia. Por
contra, en la ZAD, solo la capacidad de difusión de la unión BE es relevante, al estar en ON dicha
unión.
Los fenómenos asociados a la carga y descarga de estas capacidades parásitas provocan que
la respuesta del BJT aun estímulo no sea instantánea. En función del contexto (tipo de análisis)
de operación del circuito: gran señal o pequeña señal, el análisis necesario para tener en cuenta
estas capacidades es diferente, teniendo como denominador común la complejidad del cálculo.
a) GRAN SEÑAL: Las transiciones entre CORTE-SAT no son instantáneas. Esto quiere decir
que el tiempo de transición o conmutación entre ambos estados de una puerta lógica es finito y
limita la máxima frecuencia de operación de un circuito digital.
3-31
Entrada
Salida
t
Fig. 3.34 Ilustración de los tiempos de conmutación de un inversor BJT.
B) PEQUEÑA SEÑAL: La respuesta de un amplificador ha de ser lineal y constante en el

rango de frecuencia para el que opera (ancho de banda), de modo que el análisis se realiza
incorporando al modelo en pequeña señal estático (sección 3.5) las capacidades parásitas. El
modelo para este tipo de análisis se muestra en la Fig. 3.35.
ib ic
b + c
rbe Cbc
vbe gm.vbe
- Cbe
ie
e
Fig. 3.35 Modelo dinámico en pequeña señal de un BJT.
3.7: EL TRANSISTOR SCHOTTKY.

Supone una modificación del transistor BJT para evitar la región de saturación. Para un BJT
en saturación, las condiciones de operación son las siguientes:
SATURACIÓN: vBE(sat) = 0.8V, vCE(sat) = 0.2V --------> vBC(sat) = 0.6V
De modo que para evitar que el transistor entre en la región de saturación es suficiente con
evitar que vBC alcance los 0.6V. Para conseguir este efecto, se puede colocar un diodo Schottky
entre la base y el terminal de colector. El diodo comienza a conducir a para una tensión ánodo-
3-32
cátodo de 0.4V, limitando los valores superiores. De esta forma se consiguen las siguientes
condiciones:
SATURACIÓN: vBE(sat) = 0.8V, vCE(sat)=0.3-0.4V ---- VSCH(ON)=0.4-0.5V.
La aplicación de este tipo de transistores se centra en circuitos de alta velocidad de

conmutación, debido a que la transición de saturación a corte requiere de un tiempo de retardo
que se puede reducir notablemente.
(a) (b)
Fig. 3.36 Transistor schottky: (a) Realización y (b) Símbolo.
3.8 BIBLIOGRAFIA.
[SEDR91] A. S. Sedra and K. C. Smith: “Microelectronic Circuits”. Saunders Collegue

Publishing, Third Edition. 1991.
[GHAU87] Ghausi, M.S.: “Circuitos electrónicos discretos e integrados”. Nueva editorial

Interamericana, 1987.
[SCHI93] Schilling, D.L. and Belove.: “Circuitos electrónicos discretos e integrados”. 3a

edición, McGraw-Hill, 1993.
3-33

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TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR

Tema 3: El Transistor Bipolar

3.1 ESTRUCTURA FISICA. TERMINOLOGIA Y SIMBOLOS.................................... 3-1

3.3.1 Características a emisor común...........................................................................3-16

3.4 EL BJT COMO INVERSOR......................................................................................... 3-24

3.1: ESTRUCTURA FÍSICA. TÉRMINOS Y SÍMBOLOS.

A diferencia de los diodos, los transistores son dispositivos semiconductores de tres

Emisor Base Colector

análisis que se desarrollará continuación se hará hincapié en la estructura NPN, aunque el

TIPO N o NPN N P N (a)

TIPO P o PNP P N P (b)

Fig. 3.2 Estructura NPN (a) y PNP (b).

En un transistor bipolar, o BJT (Bipolar Junction Transistor) se distinguen tres terminales

Fig. 3.3 Terminales de un transistor bipolar NPN.

Se identifican las uniones Base-Emisor (BE) y Base-Colector (BC). Asociada a esta

Fig. 3.4 Definición de las variables eléctricas de tensión e intensidad en un transistor

Fig. 3.5 Definición de las variables eléctricas de tensión e intensidad en un transistor

3.2. CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR.

A continuación se va a determinar el funcionamiento del transistor NPN en condiciones

Tabla 3.1 Polarizaciones de las uniones de un transistor: (Modelo ideal)

CASO Tensiones de polarización Estado de las uniones

A >0 <0 ON OFF

A) ZONA ACTIVA DIRECTA:

CONDICIONES: vBE > 0 Unión base-emisor polarizada en directa.

Estas condiciones de polarización se representan en la Fig. 3.6. La situación para el transistor

(polarizado directamente), mientras que el diodo base-colector está cortado (polarizado en la

Fig. 3.7 Corrientes de portadores en el interior de un BJT NPN.

Tabla 3.2 Zona Activa Directa (Modelo ideal)

CONDICIONES TENSIONES INTENSIDADES

BE BC vBE vBC vCE iE iC iB

ON OFF >0 <0 >0 >0 >0 >0

➥ Modelo en la región activa directa:

Corriente de colector: Se expresa mediante la relación,

Corriente de base: Se expresa mediante la relación,

El parámetro β se denomina ganancia de corriente a emisor común. Su valor aproximado para

Corriente de emisor: Se puede expresar mediante la expresión,

que ha sido simplificada mediante la definición del parámetro α,

➥ Circuito equivalente en la región activa directa (Modelo de primera aproximación).

B) ZONA ACTIVA INVERSA:

CONDICIONES: vBE < 0 Unión base-emisor polarizada en inversa.

La situación respecto del comportamiento de los portadores de carga es similar a la descrita

Tabla 3.3 Zona Activa Inversa (Modelo Ideal)

CONDICIONES TENSIONES INTENSIDADES

BE BC vBE vBC vCE iE iC iB

OFF ON <0 >0 <0 <0 <0 >0

CONDICIONES: vBE > 0 Unión base-emisor polarizada en directa.

Se caracteriza porque ambas uniones se encuentran polarizadas directamente. Ambas

Fig. 3.10 Polarización en la región de saturación (SAT) del transistor NPN.

Tabla 3.4 Zona de Saturación (Modelo ideal)

CONDICIONES TENSIONES INTENSIDADES

BE BC vBE vBC vCE iE iC iB

ON ON >0 >0 >0 >0 >0 >0

v CE = v BE – v BC ≈ 0.8 – 0.6 = 0.2V (3.7)

en donde se han tomado, vBE(sat)~0.8V y vBC(sat)~0.6V. El modelo de primera aproximación

CONDICIONES: vBE < 0 Unión base-emisor polarizada en inversa.

Fig. 3.12 Polarización en la región de corte (OFF) del transistor NPN.

Tabla 3.5 Zona de Corte (Modelo ideal)

CONDICIONES TENSIONES INTENSIDADES

BE BC vBE vBC vCE iE iC iB

OFF OFF <0 <0 ? =0 =0 =0

El circuito equivalente correspondiente al modelo de primera aproximación se muestra en la

Tabla 3.6 Resumen: Condiciones de polarización y modelos de circuito de primera

REGIÓN CONDICIONES MODELO

ZAI ≤ vBE(sat) vBC(act) Dual de la ZAD a