SPUTTERING

Tecnologa de recubrimientos PVD denominado tambin Pulverizacin catdica,

deposita una pelcula delgada de metales con alto punto de fusin (Ti, W, Nb,
Pt, etc.).
Si un gas inerte como el argn se somete a baja presin reducida a un
campo elctrico fuerte. Se ioniza y se forma un plasma.
El proceso por el cual s forma el plasma es que un nmero relativamente
bajo de electrones libres, que existe en cualquier gas debido al efecto
de ionizacin.
La ionizacin de las partculas extraviadas y los rayos csmicos y fotones de
alta energa son acelerados por un campo elctrico.
Adquieren energa cintica de manera que al chocar con un tomo gaseoso
hacen que se ionice y producen un electrn y un ion positivo, a su vez, el
nuevo electrn se acelera y provoca ionizacin de otro tomo gaseoso al
chocar contra l, el proceso continua, aumentando hasta que s ionice toda la
masa gaseosa.
Los iones positivos del plasma son atrados al electrodo negativo (ctodo), y
los electrones al electrodo positivo (nodo), lo que produce una corriente en el
circuito externo.
De este modo, la superficie del ctodo es bombardeada en forma continua por
iones positivos, expulsando tomos neutros del target debido a la trasferencia
de cantidad de movimiento en los impactos hace que los tomos del target
(blanco) pasen atreves de la regin de descarga para depositarse sobre la
pelcula creciente.

CARACTERISTICAS
Las especies arrancadas son ene genera neutrales.
La energa de los iones arrancados del blanco tiene una distribucin
maxwelliana con una larga cola hacia energas altas.
Debido al efecto opuesto que provine del hecho de que a mayor energa
los iones incidentes penetran mayor distancia n el blanco.
La eficiencia o la velocidad del proceso se mide por una variable llamada
sputtering yield.
Energa de los iones incidentes
Masa de los iones incidentes
Numero atmico del blanco
Temperatura del blanco
Angulo de incidencia d los iones
Elementos aleantes
Compuesto
Cristales