Herbert L. Krauss - Estado Solido en Ingenieria de Radiocomunicacion

Puntos destacados de esta obra: © Trata el andlisis y disefio de los circuitos electrénicos de radiofrecuencia © Expone claramente el tema del ruido y sus efectos en las diferentes partes de los circuitos Estudia distintas clases de circuitos receptores y transmisores Se ocupa con amplitud de los sistemas de recepcién y toca los temas de osci- lacién, bucles, modulacién y mezcladores Atiende cuidadosamente las caracteristicas especiales de los transmisores de FM y de PM, asi como el sonido cuadrafénico © Al final de cada cap/tulo, aparece una amplia seccién dedicada a problemas tedricos y de aplicacién practicaEstado s6lido en ingenieria de radiocomunicacié6n Herbert L. Krauss Charles W. Bostian Departamento de Ingenieria Eléctrica del Instituto Politécnico de Virginia y de la Universidad Estatal de Blacksburg, Virginia Frederick H. Raab Consultor de la Compafiia Green Mountain de Radio Investigacién en Burlington, Vermont ee i ve gsi SONAL | ’ - 3 » } Bea 7 j (ee aZ1.59 RRA EST 1984 Es4 Xb { INV. 07723 3 | ae LIMUSA GRUPO NORIEGA EDITORES iN Mexico + Espafa + Venezuela + Argentina Colombia + Puerto Rico QuVersin autorizada en espafiol de ta obra publicada en inglés por John Wiley & Sons, Inc., con el titulo de: SOLID STATE RADIO ENGINEERING, © John Wiley & Sons, Inc, ISBN 0-471-03018-X Version espaftola: ING. GUILLERMO GARCIA TALAVERA Ingeniero en Comunicaciones y Electrénica y Ex-Profesor de Teoria de los Circuitos Eléctricos en el Instituto Politécnico Nacional de México, Revision: ING. ENRIQUE HERRERA PEREZ Ingeniero en Comunicaciones y Electronica y Profesor Titular de Comunicaciones ¢ Investigador del Instituto Politécnico Nacional de México. La presentacién y disposicién en coryunto de ESTADO SOLIDO EN INGENIERIA DE RADIOCOMUNICACION son propiedad del editor Ninguna parte de esta obra puede ser reproducida 0 transmitida, mediante ningun sistema ‘© métode, electrénico 0 mecdnico (INCLUYENDO EL FOTOCOPIADO, Ja grabacién 0 cualquier sistema de recuperaciin y almacenamiento de informacién), sin consentimiento por escrito de! editor. Derechos reservados © 1992, EDITORIAL LIMUSA, S.A. de C.V. GRUPO NORIEGA EDITORES Balderas 95, C.P. 06040. México, D.F Teléfono §21-50 98 Fax 12-29-03 Miembro de ta Camara Nacional de ta industria Editorial Mexicana. Registro numero 12: Primera edicisn: 1984 Primera rsimprosign: 1992 Impreso en Mavico 11455) ISBN 968-18-1729-XAGRADECIMIENTOS Este texto se originé con notas de clase escritas por H. L. Krauss. Los capitulos 1 al 11 se complementaron con la colaboracién de C. W. Bostian y F. H. Raab contribuyé en los capitulos 12 a 16. La ayuda en la preparacion del manuscrito fue proporcicnada por miembros de la seccién de secretariado del Departamento de Ingenieria Eléctrica del Virginia Poly- technic Institute y de la State University. Agradecemos a los Profesores C, A. Holt y E. A. Manus sus itiles consejos sobre diversos puntos técnicos, con un reconocimiento especial a los Profesores R. O. Claus y H. R. Skutt, quienes hicieron en clase las pruebas del material, proporcionando muchas sugerencias valiosas. En las primeras etapas de este proyecto, contamos con la inapreciable ayuda técni- ca de Roy C. Hejhall, de Motorola Semiconductor Products, asi como la de'Ed Oxner, de Siliconix Inc. Para el material sobre amplificadores de potencia, N. OQ. Sokal de De- sign Automation, Inc., y A. D. Sokal del Departamento de Fisica de la Universidad de Princeton hicieron valiosisimas observaciones. Finalmente, agradecemos a nuestras esposas Anne Krauss, Frieda Bostian y Becky Raab su paciencia, devocién y aliento durante la escritura de este libro. mom mer PwRPROLOGO Este libro trata el andlisis y disefio de circuitos electrénicos de radiofrecuencia que constituyen los bloques de construccién de los tramsmisores y receptores de radio. Re- fleja los desarrollos de la década pasada, que han iniciado un crecimiento sin prece- dentes en el uso de sistemas de radio analégicos para comunicaciones verbales, tanto personales como de negocios. Los avances continuos en la tecnologia de estado s6lido, dan como resultado transmisores més pequefios, baratos y confiables que antes. Parale- lamente se han desarrollado los campos de entretenimiento doméstico de la radio y la television. Como consecuencia, hay gran demanda de ingenieros de radio con amplios conocimientos y habilidad en el arte del estado sélido. Debido a los rapidos cambios en la tecnologia de radio, los profesores a menudo tienen que basarse en material disperso en muchos textos diferentes, en revistas técni- cas y en manuales. Este volumen satisface la necesidad de un libro completo sobre electronica de radio. Esta obra es unica, en virtud de la amplitud con que trata tanto los ¢ircuitos de receptores y transmisores, como los conceptos tedricos que explica mediante ejemplos numéricos tomados de circuitos reales. El disefio que utiliza elementos practicos de circuito en vez de modelos matemiticos idealizados recibe mayor atencién. Las literales utilizadas para las corrientes y voltajes en los dispositivos semiconductores, concuerdan en su gran mayoria con la notacién estdndar del IEEE. Los ultimos cinco capitulos presentan, por primera vez en forma de texto, amplia informacién sobre los amplificadores de potencia en RF. Por lo comin, el disefio de amplificadores de potencia se hace por técnicas de ensayo y error, o con sencillas reglas practicas. A menudo, las explicaciones tedricas sobre la operacién de amplificadores de potencia son demasiado complicadas o requieren demasiado tiempo para que las utilice un disefiador. Este libro presenta estos principios al estudiante o ingeniero de disefio que trabajan en este campo, en forma tal, que no sélo son comprensibles, sino también tiles para el diseffo. Los comentarios en los capitulos 12 a 16 incluyen, ademds de la tecnologia actualizada basada en transistores de unién bipolares, los FET de potencia en VMOS de RF", técnicas de alta eficiencia, eliminacién y restauracién de envolvente *En nuestro medio técnico se conservan usualmente las siglas de Ia literatura técnica en inglés. Asi por ejemplo, se usa FET y no TEC (transistor de efecto’ de campo), que resultarfa una abreviatura practicamente incomprensible para nuestros estudiantes de Ingenieria de Radio. N. del T. 78 Prologo y otras tecnologyas recientemente desarrolladas, que se espera desempefien papeles de importancia en la ingenierfa de radio durante la siguiente década. Este libro pretende ser tanto referencia para el ingeniero en servicio, como texto para estudiantes de cursos profesionales en ingenieria y tecnologia eléctricas. El cono- cimiento del algebra de complejos, de series de Fourier y transformadas de Fourier, ca- pacitard al estudiante para manejar las mateméticas del libro. Se incluyen con profusion ejemplos de disefio practico como ayuda para el estudio. Estos ejemplos se refuerzan con problemas para resolver en casa, que corresponden a las diferentes secciones del texto. El material presentado se adapta a un curso de dos semestres 0 a un curso de tres trimestres. Para estudios de menor duracién, se pueden omitir algunos capitulos. Por ejemplo, si los sistemas de recepcisn son de interés primordial, pueden utilizarse los capitulos 1 a 11. Para transmisores, se recomiendan los capftulos del 1 al 8 y del 12 al 16 (con la posible omisién de las secciones 14-3 a 14-6). Si los estudiantes tienen bases adecuadas en teorfa de ruido y modulacién, pueden omitirse los capitulos 2 y 8. El conoci- miento previo del acoplamiento de impedancias resonantes puede ahorrar el capitulo 3, con excepcion de la seccién 3-6, frecuentemente aludida en los capitulos posteriores. Un breve capitulo introductorio explica el concepto de modulacién y las funcio- nes que se realizan en los transmisores y receptores comunes. Le sigue una exposicion sobre ruido eléctrico, dada su importancia en el disefio de los mezcladores y amplificadores de RF en receptores. Los capitulos 3 a 7 incluyen las partes componentes de los sistemas de recepcién y el 8 proporciona la teoria de modulacién necesaria para comprender la operaci6n de los receptores de AM, SSB, FM y TV. En el capitulo 3 se profundiza en el disefio de banda angosta de circuitos resonantes con derivacién para acoplamiento de impedancias, asi como el uso de circuitos de inductancia mutua con derivacién, tanto para acoplamiento en banda ancha como en angosta. En el texto se examina el disefio de amplificadores sintonizados, sefial dé- bil, para ganancia mdxima con un grado especificado de estabilidad. A continuacién, un andlisis de las oscilaciones sinusoidales en los circuitos LC y de oscilador a cristal. Para el disefio de un oscilador Colpitts de salida especificada, se proporciona un procedimiento original ya probado en laboratorio, El circuito de fase fija se incluird pronto en casi todo radioreceptor o radiotransmi- sor y en partes de equipo de prueba. De aqui que losaspectos mas simples de la operacion del circuito se esbocen en el capitulo 6, junto con las caracteristicas de las componentes bdsicas del circuito y algunas aplicaciones a equipo de comunicacién. Le sigue el anilisis de circuitos mezcladores a diodo, BJT y FET. Los capitulos 12 a 16 estén organizados por la practica mas que por la teoria. Se estudian en primer término la amplificacion en clases A y B, junto con el transformador de banda ancha y las redes de filtrado utilizados en transmisores de SSB. Igualmente se presentan juntos los amplificadores de potencia clases C y C en modo mezclado y las redes de acoplamiento de elementos discretos o lineas de transmisién que se usan normalmente con esos amplificadores, El capitulo 14 trata varios tipos de amplificadores de potencia de alta eficiencia (clases, D, E, F y S). El 1> incluye transmisores en CW, FM y AM, ya que tienen configuraciones similares. El ultimo capitulo examina los transmisores de banda lateral tinica y los multimodales, la eliminaci6n y restaura- cion de envolvente y otras técnicas relacionadas. Herbert L. Krauss Charles W. Bostian Frederick H. RaabCONTENIDO > Capitulo 1 Sistemas de radiocomunicacién 1-1, Introduccion 1-2. Elementos de un sistema de radio 1.3, Modulacion 1-4. Multiplexado de frecuencia y tiempo 15. Comparacién de sistemas de modulacion Capitulo 2 Ruido eléctrico 2-1, Ruido térmico en resistores y redes 2:2. Ruido en antenas receptoras 2.3, Ruido en diodos, transistores y FETs 2-4. Definiciones de términos de ruido 2-5. Cifra de ruido 2-6. Consideraciones sobre el ruido de los amplificadores Apéndice 2-1. Seleccién de R, para disminuir la cifra de ruido Capitulo 3 Circuitos resonantes y transformacion de impedancias 3-1. Resonancia serie 3-2. Resonancia paralelo 3.3, Resonancia paralelo con resistencia de carga en serie 3-4. Efectos de resistencias de fuente y de bobina 9 51 52 55 58Contenido . Conversiones paralelo a serie para circuito RL y RC Circuitos resonantes con derivacién Bobina derivada con inductancia mutua Transformador de sintonfa tinica Transformadores de sintonia doble Apéndice 3-1. Tablas de formulas de disefio Capitulo 4 Amplificadores de alta frecuencia con 41. 42, 4-3. 4.4, 45. 4.6. 4-7. 4-8. 4-9, 4-10. sefial débil Definicién de un amplificador de sefial débil Modelos para el dispositivo activo Estabilidad del amplificador Obtencién de estabilidad Ganancia de potencia en amplificadores Disefio con dispositivo incondicionalmente estable Disefio con dispositivo potencialmente inestable Ganancia maxima de transductor con estabilidad especificada Alineabilidad Disefio global de la etapa de amplificador sintonizado Apéndice 4-1. Relaciones entre los pardmetros de cuadripolos Apéndice 4-2. Pardmetros y del circuito hibrido Pi Apéndice 4-3. Cantidades correspondientes en diversos sistemas paramétricos Apéndice 4-4. Datos de transistor en RF Apéndice 4-5. Frecuencias de autorresonancia para diversos tipos de capacitores y bobinas de RF Capitulo 5 Osciladores de onda senoidal 5-1. 5-2. 5-3. 5-4. 5-5. 5.6. 3-7. 5-8. 5-9, 35-10. Criterios para oscilacion Osciladores de resistencia negativa Osciladores con retroalimentacion Técnicas de disefio de oscilador Anilisis y disefio del oscilador Colpitts Otros circuitos oscilantes Osciladores de eficiencia maxima Osciladores controlados por cristal Separacion Estabilidad de frecuencia Capitulo 6 Circuitos de fase fija 6-1. 6-2. 6-3. Explicacion simplificada de la operacion PLL Anilisis lineal del PLL Terminologia del circuito de fase fija 127 171 171 172 177Contenido 11 6-4, El oscilador de circuito 179 6-5. El detector de fase . 180 6-6. Aplicaciones de circuito de fase fija 183 6-7. Ejemplo de disefio de un PLL 189 Capitulo 7 Mezcladores 193 7-1, Teoria basica del mezclador y andlisis espectral 193 7-2, Terminologfa de mezcladores 197 7-3. Mezcladores a diodo balanceados 200 7-4. Mezcladores a FET y BIT 204 7-5. Mezcladores transistorizados (BJT) 205 7-6, Mezcladores a FET 208 7-1. Disefio de mezclador a JFET + 213 7-8. Disefio de mezclador a MOSFET 216 Capitulo 8 Modulacion 223 8-1. Modulacién en amplitud 224 8-2. Sistemas de banda lateral inica y banda lateral doble 229 8-3. Generacién de sefiales en banda lateral tinica 230 8-4. Modulacién en angulo 235 8-5. Espectros de ondas moduladas en angulo 239 8-6. Diagramas fasoriales de ondas moduladas en dngulo 243 8-7. Comparacion de FM y PM 246 8-8. Modulacién de impulsos 249 8-9. Capacidad de informacion de un canal 255 Apéndice 8-1, Derivacién del espectro de ondas moduladas en dngulo 261 Capitulo 9 Receptores de modulacién en amplitud 265 9-1, Especificaciones de operacién de Teceptores 265 9-2. Elamplificador de RF 266 9-3. Mezclador 268 9-4. El oscilador local 268 9-5. El amplificador de FI 269 9-6. Filtros FI de interetapa 270 9-7. Detectores de envolvente a diodo 277 98. Detectores de productos 281 9-9. Control automitico de ganancia 282 9-10. Circuito silenciador 284 9-11. El receptor de AM 28512 Contenido Capitulo 10 Receptores de FM y PM 10-1. Sistemas de amplificacion de FI 10-2, Caracteristicas del detector de FM 10-3, Detectores pricticos 10-4, Recepcién estéreo de FM 10-5, Nota sobre sonido cuadrafénico 10-6. Consideraciones de audio: Preénfasis y desénfasis 10-7. Ejemplo de receptor completo de FM Capitulo 11 Receptores de television “11-1, Television monocromatica 11-2, Ancho de banda de la sefial de video compuesta 11-3, Transmision de banda lateral residual 11-4, El receptor monocromitico 11-5, Television a color 11-6. Transmision de informacion de crominancia 11-7. El receptor en color Capitulo 12 Amplificadores lineales de potencia 12-1. Amplificacion clase A 12-2, Amplificacion clase B “onsideraciones practicas . Distorsin de intermodulacién y polarizacion . Alimentaci6n y retroalimentacion en RF Transformadores de banda ancha Combinadores de potencia y separadores Filtros de salida -9, Disefio de radiadores de calor Apéndice 12-1, Transistores de potencia en RF Capitulo 13 Amplificadores de potencia sintonizados 13-1. Amplificadores de fuente de corriente clase C 13-2. Amplificadores de saturacion clase C 13-3. Amplificadores de estado sélido en modo mixto clase C 13-4. Excitacion y polarizacion -5. Caracteristicas de modulacién en amplitud Multiplicadores de frecuencia . Acoplamiento de impedancias 291 291 293 296 311 315 316 316 321 321 331 339 341 345 349 351 355 360 367 370 372 377 381 381 386 388 394 395 397 402Capitulo 14 Amplificadores de potencia de alta eficiencia 14-1. Amplificacién en clase D, Operacién idealizada 14-2, Consideraciones pricticas sobre la amplificacin en clase D 143, Amplificacién en clase E 14-4. Amplificacion en clase F 145. Amplificacién en clase S 14-6. Otros amplificadores de alta eficiencia Apéndice 14-1. Tabulacién de caracteristicas AP Apéndice 14-2. Ejecucién de un AP en clase E Apéndice 14-3. Distorsién en modulacién de anchura de pulso Capitulo 15 Transmisores de CW, FM y AM 15-1. Transmisores de CW 15-2. Transmisores de FM 15-3, Transmisores de AM Capitulo 16 Transmisores de banda lateral tinica 16-1, Organizacién del transmisor 16-2, Cadenas'fimeales'de amplificadores Line «lee 16-3, Potencias pico y promedio 16-4, Proteccién AGC y SWWR 16-5, Eliminacién y restauracién de envolvente INDICE Contenide 13 415 416 423 430 435 438 447 451 455 457 459 460 463 470 481 481 486 487 491 494 503Capitulo 1 . SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACION 1.1 Introduccion Este libro se dedica al andlisis y disefto de circuitos electrénicos usados en sistemas de radiocomunicacidn. Se supone que el lector ya ha estudiado los amplificadores de audio, por lo que el énfasis se pondrd sobre los circuitos de radiotransmisores y radiorre- ceptores. Las antenas de transmisién y recepcién, asi como la trayectoria de propagacién entre ellas, son parte importante de un sistema global, pero la discusién de estos elementos no se tratan en este libro. Los sistemas de comunicacion transmiten informaci6n en forma de sefiales eléc- tricas que representan voz, musica, cuadros de television, datos cientificos y de negocios y otros. Las formas de onda de estas sefiales son complicadas y cambian continuamente, aunque el espectro de frecuencias de las sefiales queda limitado por lo general, a cierta anchura de banda, ya sea por la naturaleza de la fuente de sefial o por los filtros en el equipo de transmisién. Como muchas de estas sefiales ocupan una banda de frecuencias que se extiende hacia abajo hasta unos pocos Hz, no pueden ser transmitidas en su forma original sobre una trayectoria comin de transmisién, pues no seria posible separar- las en el extremo receptor. Una linea de transmision separada o una trayectoria de radio para cada sefial por separado no seria factible, desde un punto de vista econdmico o practico. Por ello que el sistema global de comunicacién debe proporcionar un medio para la transmisiOn simultdnea de varias sefiales, ya sea ubicandolas en diferentes partes del espectro de frecuencias o bien enviando muestras de ellas a base de tiempo compartido. La longitud de onda, en metros (A) de una onda de radio estd dada por e/f, donde, c es la velocidad de la luz (3 X 10® m/seg) y f est en Hz. (Para cdlculosde RF, conviene recordar que f en MHz por X en m =300). Una antena de radio debe tener una dimension fisica de la mitad de la longitud de onda o algo més, para proporcionar eficiencia razonable, por lo que en la medida en que aumente la frecuencia de transmision, se reducen la dimension fisica y el costo de Ja antena a la vez que se incrementa su eficiencia. 1s16 Sistemas de radiocomunicacién 1.2 Elementos de un sistema de radio El proceso mediante el cual el mensaje original se convierte en una forma adecuada para la transmisién por radio, se denomina modulacién. El proceso de modulacién ocasiona que una propiedad tal como la amplitud, la frecuencia o la fase de una onda portadora* de alta frecuencia, se desvie de su valor no modulado en una cantidad proporcional al valor instantaneo de la sefial moduladora (mensaje). De esta manera, el contenido del mensaje original se corre a la porcién del espectro de frecuencias en la vecindad de la frecuencia portadora. En el receptor, este proceso se invierte en un detector que recupera la sefial original. La figura 1.1 muestra un diagrama en bloques simplificado de un radiotransmi- sor y un radiorreceptor, con el objeto de ilustrar el procesamiento de sefial que tiene lugar. La funci6n de cada bloque se explica en seguida: 1. La fuente de la seflal mensaje puede ser un microfono, una pastilla de fo- négrafo, una camara de televisién u otro dispositivo que transforme la informacion deseada en sefial eléctrica. La sefial se amplifica y a menudo se pasa por un filtro de paso bajo que limi- ta la anchura de banda 3. El oscilador de RF establece la frecuencia portadora o algiin submiltiplo de ella. Como se requiere una buena estabilidad de frecuencia para mantener el transmisor en la frecuencia asignada, el oscilador se controla usualmente por un cristal de cuarzo. 4. Uno o mas pasos de amplificacion aumentan el nivel de potencia de la sefial proveniente del oscilador, hasta que alcance el requerido para excitar al modulador. Se usa la operacién en clase C, siempre que sea posible, para obtener una alta eficiencia. Al sintonizar los circuitos de salida con una arménica de Ja frecuencia de entrada, se obtiene una “multiplicacién de frecuencia” de tal manera que la frecuencia final de portadora puede ser un miltiplo de la frecuencia del oscilador. 5. El modulador combina las componentes de frecuencia de sefial y portadora podra producir una de las variedades de las ondas moduladas que se presenta en la seccién 1-3. En el sistema simplificado de la figura 1.1, el espectro de sefial de salida se halla en la vecindad de la frecuencia deseada de portadora en RF. En muchos transmisores se insertan un oscilador y un mezclador se- cundarios (semejantes a los bloques 10 y 11) entre los bloques 5 y 6, con objeto de correr la seflal modulada hasta un rango de frecuencias mas alto. 6. Puede requerirse amplificacion adicional después de la modulaci6n, para He- var el nivel de potencia de sefial hasta el valor deseado para la entrada de antena. 7. La antena de transmision convierte la energia de RF en una onda elec- tromagnética con la polarizacién deseada. Si ésta debe llegar a un receptor ‘inico (fijo), se disefla la antena para dirigir tanta energia como sea posible hacia la antena receptora. 8. La antena receptora puede ser omnidireccional para servicio general, o al- tamente direccional para comunicaci6n de punto a punto. La onda que ne “La “portadora”’ puede ser una onda sinusoidal o un tren de pulsos.Elementos de un sistema de radio 17 “o1pel op 40rda004 A Jos|wsuen op senboiq ue ewesBelq 4-1 eanBey au ep (opis +) Hopeoty iduuy| 6 (oping +) ub su ep JOpeII«O euos}uisuesd euauy L proo- oo 4opeinpow ‘9p e1ueny ‘ gs18 Sistemas de radiocomunicacion se propaga desde el transmisor induce un voltaje pequefio en la antena receptora. El rango de amplitudes del voltaje inducido en la antena va desde decenas de milivolts hasta valores menores de 1 microvolt, dependiendo de muchas condiciones. 9. La etapa de amplificacién de RF incrementa la potencia de sefial hasta un nivel adecuado para excitar al mezclador y ayuda a aislar al oscilador local de la antena. Este paso no tiene un alto grado de selectividad de frecuencia, pero conviene para eliminar las sefiales de frecuencias muy alejadas del canal deseado. Es correcto que el incremento de nivel de potencia de sefial sea anterior a la etapa mezcladora, en virtud del ruido que se introduce inevitable- mente en esta etapa. 10. El oscilador local en el receptor se sintoniza para producir una frecuencia fi que difiera de la de sefial entrante fpr en un valor fir, 0 sea el de la frecuencia intermedia; es decir, f{ puede ser igual a fpr + fr oa fer —Sr. 11. El mezclador es un dispositivo no lineal que desplaza la sefial recibida en fre a la frecuencia intermedia fr. La modulacion de la portadora recibida se transforma también a la frecuencia intermedia. 12. El amplificador de FI incrementa fa sefial a un nivel adecuado para la detec- cién y suministra la mayor parte de la selectividad de frecuencia necesaria para “pasar” la sefial deseada y eliminar las sefiales indeseables que haya a la salida del mezclador. Como los circuitos sintonizados de los bloques 11 y 12 operan siempre en una frecuencia fija fyr, se pueden disefiar para dar una buena selectividad. Los filtros de cerdmica o de cristal se usan muy a menudo. 13. El detector recupera la sefial mensaje original a partir de la entrada de FI modulada 14. El amplificador de audio o video aumenta el nivel de potencia de Ja salida del detector hasta un valor conveniente para excitar una bocina, un tubo de television y otro dispositivo de salida. 15. El dispositivo de salida convierte la informacién de sefial a su forma original (ondas sonoras, imagenes, etc.). La sefial deseada que se procesa en el receptor, ca acompaiiada del ruido eléctrico que se introdujo en la trayectoria de trans- misi6n y se genera dentro del amplificador de RF, en el oscilador local, en el mezclador y en otros dispositivos. El diagrama de bloques de Ja figura 1.1 es s6lo ilustrativo. En la prdctica, se encuentran tantas variaciones en los sistemas de transmisor y receptor que no hay un solo diagrama que pueda considerarse tipico. Los diagramas de receptores o transmisores para aplicaciones particulares se discutirén en detalle en capitulos posteriores. 1.3. Modulacion Para ampliar el concepto de modulacién introducido en la seccién anterior, se dardn aqui las definiciones basicas de los tipos de modulacién usados cominmente. Sea el voltaje de una onda portadora no modulada v(t) = Vz sen (at + @) = Ve sen O(t) a-bp en la cual w, es la frecuencia de portadora (rad/seg), V, su amplitud y ¢ un dngulo de fase arbitrario.Multiplexado de frecuencia v tiempo 19 Modulacién en amplitud Es una onda modulada en amplitud (AM) la desviacién de la amplitud V, de su valor no modulado, es proporcional al valor instantdneo de la onda onduladora. En otras pa- Jabras, si la sefial moduladora es F(), la amplitud de la portadora debe variar en el tiempo segiin la expresion V(t) = Vell + maF(t)] a-2) donde m, es el “factor de modulacién”. El valor de mF(#) no puede exceder la unidad sin introducir distorsin. La figura 1.2a ilustra una sefial moduladora F(t) y en la 1.2b se muestra la onda modulada en amplitud correspondiente. Obsérvese que la envolvente de la onda AM [(dada por 1.2)] tiene la misma forma que la sefial moduladora Modulacién angular En la modulacién angular, es el angulo @(¢) en (1-1) en lugar de la amplitud, que se mo- difica por la sefial moduladora. La modulacién de fase y de frecuencia son formas particulares de la modulacion angular. En la de fase (MF) se hace variar al angulo @(¢) en (1-1) proporcionalmente a la seflal moduladora F(t). En la de frecuencia (FM). la frecuencia instantanea ot) = 2@) se hace variar a partir de su valor sin modulacién de manera proporcional a F(t). En ambos casos, la amplitud de la onda permanece constante. La figura 1.2 ilustra las ondas AM, MF, y FM que resultan de una seflal moduladora triangular. | Modulacién de pulsos En sistemas de modulacién de pulsos, la “portadora” consta de un tren de pulsos que puede modularse en amplitud, en repeticién de frecuencia o espaciando, de la misma manera que las ondas AM, FM y MF discutidas previamente. El teorema de muestreo demuestra que la transmision continua de una sefial mensaje es innecesaria: puede recons- truirse completamente a partir de las muestras tomadas a la velocidad de cuando menos el doble de la mas alta frecuencia que contenga la sefial. Asi, para una sefial que esté li mitada en banda a 4 KWz, un tren de pulsos modulado con la frecuencia de repeticion media de 8 KHz es suficiente y la duracién de los pulsos puede ser arbitrariamente corta. En modulacién por codificacién de pulsos, caaa muestra se representa por un conjunto de siete o més pulsos (o espacios) que representan el cddigo binario de la amplitud de muestra. Este sistema posee gran inmunidad al ruido, a costa de tasas més altas de repeticidn de pulsos y ancho de banda mayor. 1.4 Multiplexado de frecuencia y tiempo El tren de pulsos modulado producido por cualquiera de los métodos anteriores es to- davia de frecuencia relativamente baja. En transmisién de radio, este tren de pulsosComparacién de sistemas de modulacién 21 constituye la sefial moduladora que, a su vez, modula (en AM, FM, etc.) una portadora de alta frecuencia. : Enel multiplexado por division de frecuencia (FDM) el proceso modulador desplaza la sefial a una porcion del espectro de frecuencias en la proximidad de la frecuencia de portadora. Como la poreidn del espectro que va a utilizarse se determina por la frecuencia portadora, diferentes sefiales pueden modular las portadoras de frecuencias diversas y todas cllas pueden transmitirse simultdneamente. El receptor puede seleccionar la banda de sefial deseada mediante filtros selectivos. Este proceso se utiliza, por ejem- - plo, en radiodifusion en AM, FM y TV y en sistemas telefonicos de portadora 2 gran distancia. El multiplexado por divisién de tiempo (TDM) es otro proceso en el que se transmite cierto nimero de sefiales por una via comin, de modo que ocupen la misma banda de frecuencias a base de tiempo compartido. Este método se usa con los sistemas de modulacién de pulsos. Cada uno de los impulsos de una sefial dada son de duracion suficientemente corta para que los intervalos entre ellos se puedan utilizar para transmitir sefiales. En tales sistemas, el transmisor se d a cada canal de sefial en forma secuen- cial. El sistema receptor debe accionar sincrénicamente con el transmisor para separar las diversas sefiales antes de la demodulacién final. 1.5 Comparacion de sistemas de modulacion Cada uno de estos sistemas de modulacién tiene sus propias ventajas y desventajas. El de amplitud utiliza los detectores mds sencillos y requiere el ancho de banda minimo (particularmente si sdlo se transmite una banda lateral). No obstante, posee escasa inmunidad al ruido y tanto los circuitos de transmisién como los de recepcién se compli- can mis si se usa transmision de banda lateral unica La modulacién en frecuencia de banda ancha emplea circuitos de transmisién mas simples y proporciona un rechazo mejor las seflales de ruido e interferencia que la de AM. Requiere, sin embargo, un ancho de banda aproximadamente de cinco veces el de una sefial comparable de AM. La modulacién por codificacién de pulsos (PCM) ase- gura auin mejor transmisién en presencia de ruido, pero exige circuitos mas complejos y mayor ancho de banda. La eleccién de una técnica particular depende de los requisi- tos del sistema de comunicacién.Capitulo 2 RUIDO ELECTRICO Cualquiera que haya observado imagenes borrosas producidas por una sefial de television débil o que haya escuchado una estacin de radio distante con un fondo de chasquidos de estatica, conoce los ruidos electrénicos. El ruido siempre esta presente en los sistemas de comunicacién, aunque en condiciones normales de operacién pasa desapercibi- do, en virtud de que los niveles de sefial son mas altos que los de ruido. Una sefial débil, acompafiada de ruido, se puede amplificar si el nivel de ruido es relativamente bajo con respecto al de sefial. Sin embargo, si el nivel de ruido est4 proximo al nivel de sefial, es indtil amplificacién, pues cualquier amplificador intensificaré la sefial y el ruido de entrada, afiadiendo su propio ruido. Este proceso es evidente en cualquier receptor cuando Ja sefial de entrada se desvanece en el ruido, o el nivel de ruido externo se eleva hasta el punto en que ahoga a la sefial Para simplificar el andlisis matematico en éste y los siguientes capitulos se supondra que la seflal deseada es sinusoidal o un grupo de sinusoides que contienen la informacion transmitida. A esta sefial puede Maméarsele deterministica. El ruido se define como una perturbacién eléctrica que tiende a interferir con la recepcin normal de la sefial transmitida. El ruido puede estar formado por las sefiales deterministicas proce- dentes de fuentes indeseables, y ademés las fluctuaciones aleatorias de voltajes y corrientes originadas por fendmenos fisicos. Algunos tipos de | tuido aleatorio son el tér- mico, el de disparo, el de Johnson ¥ el de fluctuacion. woe, eb 14) Uno de los objetivos del disefio de sisterias de comunicacién es conservar ‘a re- lacién de potencia de sefial promedio (0 pico) a la de ruido promedio, tan alta que el ruido no afecte la operacién del sistema. Las técnicas para lograrlo comprenden (1) uso de transmisores poderosos y antenas de alta ganancia para obtener sefiales fuertes en el receptor; (2) circuitos amplificadores y mezcladores diseftados de tal suerte que intro- duzcan una cantidad minima de ruido adicional al procesar las sefiales y (3) utilizar modelos de modulacién o codificacién que faciliten la separacién de sefiales y ruido. En el caso de fuentes de ruido artificiales (por ejemplo el de encendido de automéviles) existe la cuarta opcién de suprimir el ruido en su origen con filtros, derivaciones o redi- sefio. Se presta atencién generalmente a cada una de estas cuatro opciones y tras seleccionar la mezcla, se determinan los factores de costo, peso y eficiencia.24 Ruido eléctrico Es deseable caracterizar al ruido eléctrico tan exactamente como sea posible. Una + caracteristica comun de la mayoria de los tipos de ruido es su naturaleza no deterministica; es decir, no se puede predecir la forma de onda exacta del ruido. Se puede obtener una medida de la cantidad de ruido eléctrico conectando un medidor a través de una fuente de ruido para medir el voltaje (0 corriente) promedio, pico, promedio rectifica- do, o corriente o voltaje rms verdaderos. Las relaciones entre estas cantidades difieren para distintos tipos de ruido; esto es, el valor promedio puede ser cero y los otros valores, no cero. El voltaje (o corriente) rms verdadero se puede emplear para calcular la potencia de ruido promedio entregada a una carga resistiva. Como se demostrara, el valor medido depende del espectro de la fuente de ruido y de la respuesta en frecuencia del instrumento de medida. La caracterizacién en el dominio de frecuencia del ruido se puede dar mediante una curva de densidad espectral de potencia [las unidades son watts por Hertz (W/Hz)]. E] tipo mas simple de ruido que pudiera encontrarse seria aquel cuya densidad espectral fuera plana dentro del rango de frecuencias de interés. El ruido térmico, es un ejemplo comtn de ruido con espectro de frecuencia plano, asociado al movimiento browniano de los electrones en un conductor. La ley de equiparticién de Boltzmann y Maxwell (y el andlisis de Johnson y Nyquist) establece que la potencia de ruido disponible en un ancho de banda de un Hertz esta dada por p, (f) = kT, donde kes la constante de Boltz- mann y Tes la temperatura de la fuente de ruido en unidades Kelvin. Esta teoria es valida desde corriente directa (cd) hasta frecuencias elevadas de microondas. Si el ancho de banda se extendiera hasta el infinito, la potencia disponible de una fuente térmica apareceria ilimitada también. No obstante, los resultados de mecdnica cudntica indican que Jas fuentes termales de tuido fisico, aunque de banda extremadamente ancha, poseen un espectro de potencia que cae a cero en frecuencias arbitrariamente altas. Como el ruido térmico es a la vez el tipo mas comtin de ruido que se encuentra en circuitos de radio y el més facil de analizar, se tratard en detalle en las siguientes secciones y otro tipo de ruidos se representaré por fuentes equivalentes de ruido térmico. Aunque se pondrd énfasis en aquellos aspectos de ruido necesarios para el disefio de sistemas de comunicacién que operan bajo condiciones promedio, puede sacarse ventaja de la teoria de ruido en términos de desarrollo de distribuciones probabilisticas para sistemas de tiempo de salida y otros. Puede encontrarse informacion mas detallada sobre ruido en (1 a 3). 2.1, Ruido térmico en resistores y redes Como lo implica su nombre, el ruido térmico se debe al movimiento aleatorio de portadores de carga en un medio conductor, cuya temperatura esta arriba del cero absoluto. La velocidad de este movimiento aumenta con la temperatura en forma tal, que la densidad de potencia de ruido térmico producida es proporcional a la resistencia del conductor y a su temperatura absoluta, de donde proviene el nombre de ruido térmico. Se le lama también ruido blanco, pues se ha demostrado tedrica y experimentalmente que tiene un espectro uniforme hasta frecuencias del orden de 10’? Hz (del mismo modo que la luz blanca estd compuesta de todos los colores del espectro visible). Un resistor metalico puede considerarse como una fuente de ruido térmico que se puede representar por cualquiera de los circuitos de ruido equivalentes de la figura 2.1, El voltaje y corriente cuadraticos medios (V,,2) (I,2) estan dados por las siguientesRuido térmico en resistores y redes 25 In = (4TGB)"? fa) Figura 2.1 Circuitos equivalentes para representar el ruido térmico en un resistor, expresiones, en las que R es la resistencia, G= 1/R es la conductancia, T la temperatura del resistor en unidades Kelvin, k es la constante de Boltzmann (1.38 X 10-79 J/K)y Bes elancho de banda, en Hz, dentro de la cual se observa el ruido: V," = 4kTRB (2-1) Je = 4kTGB (2-2) (En bajas frecuencias, los resistores practicos exhiben también ruido por exceso de co: rriente {4}). La potencia de ruido que se transmite por un circuito es proporcional al ancho de banda del circuito. Por consiguiente, el ancho de banda del circuito nunca debe ser mayor que el necesario para transmitir la sefial deseada si se pretende tener una tela- cién maxima de seftal de ruido (SNR). Ejemplo 2.1.1. Calcular el voltaje de ruido cuadratico medio producido en un resistor de 100 kQ en un ancho de banda de 10° Hz a una temperatura (T'= 20°C = 293 K). 4kT = 1.62 x 10°” V2 = 1.62 x 10°? x 10° x 10° = 16.2 x 107" volts” El voltaje de ruido rms es (V,2)'? = 40.3 microvolts Si este resistor de 100-kilohm (k®Q) estuviera en el circuito de entrada de un voltimetro clectrénico con un ancho de banda de 1 MHz, ninguna cantidad de ganancia desarrolla- da en el voltimetro lo capacitaria para medir con exactitud sefiales bajo 1 milivolt (mV). Los circuitos que contengan més de un resistor se pueden analizar reduciéndolos a una resistencia equivalente (Thévenin) y aplicando (2.1) para obtener el voltaje de ruido cuadrdtico medio. El equivalente de Thévenin en ruido de un circuito tal, es entonces una fuente de voltaje en serie con un resistor ideal (sin ruidos) de valor igual a la resistencia de Thévenin, que difiere del equivalente de Thévenin de seftal del mismo circui- to, como puede verse con claridad en Ja figura 2.2, donde una fuente de sefial excita a un resistor de carga hipotético sin ruido R; (que representa la entrada de un amplificador) a través de tres resistores con ruido R,,Rz y R3. El voltaje de sefial en la carga se encuentra mediante la divisién convencional de voltaje, aunque el voltaje de ruido se26 Ruido eléctrico Ry = Rp + RyliRy re Ry # Ry (b) Rr (4kTRyB)'? Figura 2.2 a) Circuito resistivo excitado por una fuente de ‘voltaje, 6) Circuito equivalente de Thévenin para calculo de sefial y ¢) Circuito equivalente de Thé- venin para cdlculo de ruido. encuentra a partir de un circuito en el cual la fuente de ruido esta relacionada con la resistencia de Thévenin de la red resistiva y no con la raz6n de divisor de voltaje. El proceso de combinar los resistores en una red, para obtener una resistencia de ruido efectiva, equivale a cambiar los voltajes de ruido cuadratico-medios de los mismos resistores para obtejer el voltaje de ruido cuadratico medio neto. Esto es con- sistente con el principio estadistico de que si dos o mas procesos estaticos se combinan, se obtiene el valor cuadratico medio de la resultante sumando el valor cuadratico medio de cada proceso. De esta manera, el voltaje cuadritico medio de ruido de un grupo de resistores canectados en serie es la suma de los voltajes de ruido cuadraticos medios en cada resistor. Nyquist determin6 la salida de ruido térmico de una red con elementos resistivos y reactivos. En un puerto en un circuito asi, el voltaje de ruido térmico cuadratico medio esta dado pot ve der J, Ri) df (23) donde R(/) es la parte resistiva (real) de la impedancia de entrada a la frecuencia f y la integracién se efecttia sobre el ancho de banda (B) que interesa. Ejemplo 2.1.2. En la figura 2.3 se muestra un circuito paralelo GC. E] ruido térmico que se genera en la conductancia se representa por una fuente de corriente J,? (Af)=Ruido térmico en resistores y redes_ 27 Figura 2.3 Circuito GC paralelo. AkTGAf dentro de cualquier incremento Af pequefio de frecuencia. La admitancia del circuito es Y =G+ joC 1 (2-4) De teoria de circuitos, el voltaje cuadratico medio en el puerto es igual a 2 Vian = we (2-5) Al integrar sobre un ancho de banda infinito, se obtiene el voltaje de ruido cuadratico medio como = 4kTG df Ve= | 4 Onfo? C4) = oO Sin embargo, la resistencia en el puerto es RO = groom (2-7) ~ G+ QnfCy Para completar el cdlculo de V,,?, es conveniente cambiar la variable de integra- cién a w , de tal suerte que (2.6) se convierte en 21 [7 4kTGdw _ 4kT ("dw aa "2Jo G+ (aCy 2nG J, T+ WCIGY La sustitucién de la frecuencia de potencia mitad del circuito RC on= 2mfr= 2-9) en (2.8) da una integral definida que pueda calcularse (ver problema 2.1.7), con el resultado dado por (2.10): z= po kT a Vib = AkTR x5 f=“ (2-10)28 Ruido eléctrico Si se compara (2.1) con la primera igualdad de (2.10) se ve que el ancho de banda de ruido equivalente es 7/2 veces al ancho de banda de potencia mitad, que es un te- sultado similar al obtenido para el circuito RLC sintonizado en (2.27). 2.2 Ruido en antenas receptoras La resistencia medida en las terminales de una antena es del orden de 70 ohms (dipolo de media onda) hasta 300 ohms (dipolo doblado). Este valor de resistencia es basicamen- te la “resistencia de radiacién”, que toma en cuenta la potencia que radia la antena. La “resistencia oh ”’, formada por las resistencias de los conductores de la antena, por lo comin es despreciable en comparacién con la resistencia de radiacion.' Una antena receptora exhibe ruido en sus terminales a causa de dos fuentes: 1) el ruido térmico generado en su resistencia Ghmica (generalmente despreciable) y 2) el ruido proveniente de fuentes externas. (Cualquier cuerpo con temperatura mayor que OK radia energia). El ruido recibido se representa como si fuera térmico generado en una resistencia ficti- cia igual a la resistencia de radiacién, a una temperatura T, que tomaria en cuenta el ruido realmente medido. A esta temperatura se le llama teynperatura de ruido de la antena. Ejemplo 2.2.1, Supdngase que una antena de 200 ohms exhibe un voltaje de ruido rms de 0.1 # V en sus terminales, al medirsele en un ancho de banda B= 10* Hz. Mediante Q.1), V? = AkT,RB / v2 10" cet Ta= SERB ~{T38X10 X20 10 ~ 90° K oa De este modo, el ruido en las terminales de antena equivale al de un resistor de 200 ohms a temperatura de 90.6 K. Se demostraré después qué otras partes del sistema receptor pueden también caracterizarse por temperaturas de ruido equivalentes, con objeto de simplificar et céleulo de la razén seftal a ruido en la salida de un receptor. 2.3 Ruido en diodos, transistores y FETs Como los resistores y auenas son dispositivos de dos terminales, es facil describir sus caracteristicas de ruido en términos de temperatura de ruido o por una resistencia de tuido equivalente. La situacién se complica para transistores y otros elementos multi- terminales de circuito, pues su ruido generado internamente depende de la temperatura, del punto de operacion y de las terminales de entrada y salida. Para calcular el ruido en circuitos con transistores, éstos se representan convenientemente como cajas negras, con cifras de ruido especificadas y las causas fisicas del ruido del transistor, por fuentes de ruido equivalentes. *Se presenta una excepcién en antenas de baia frecuencia en las que las dimensiones son una pequefla fraccién de una longitud de onda, Puede predominar en ellas la resistencia shmica,Ruido en diodos, transistores y FETs 29 Ruido en diodos El ruido generado en diodos termidnicos y de unidn se llama ruido de disparo. Se origina porque la corriente se forma por portadores de carga que se emiten al azar desde el cdtodo o desde la region emisora; su nimero fluctila estadisticamente de momento a momento. El ruido de disparo esencialmente tiene una distribucién espectral plana y se trata como ruido térmico. El ruido de disparo generado por un diodo, puede representarse como proveniente de una fuente de corriente, con una corriente de ruido cuadratica media de valor P = 2qlocB (2-11) donde g es la carga del electron, 1.6 X 107° coulombs [pc es la corriente del diodo, en amperes y B es el ancho de banda en Hz, dentro del cual se mide el raido. Este modelo no es vilido para diodos que operan en la regién de ruptura inversa o de avalancha, donde se genera un ruido de impulso de gran amplitud, llamado ruido de microplasma. Este ruido es importante en la construccién de generadores de ruido a diodo. Ruido en transistores de union Las fuentes de ruido en transistores de unidn son el ruido de disparo en cada union de diodo y el ruido térmico en la resistencia de esparcido de base (Ilamadas indistintamen- te rx, 7'», 0 Fy). Como la corriente de emisor se divide entre el colector y la base, la ruta seguida por cada portador de carga se selecciona al azar y resulta una fluctuacién estadistica en las corrientes de colector y base. A esto se le denomina ruido de parti- cién. Otro ruido, Hamado ruido 1/f, ruido de fluctuacién o ruido de exceso, se observa en bajas frecuencias y es la fuente principal de ruido en amplificadores de c.c. [5]. El tuido de fluctuacién se origina principalmente por una recombinacién superficial de portadores minoritarios en la region de agotamiento del emisor-base [6] Un modelo de ruido, derivado por Van der Ziel, para un transistor en la configu’ racién de base comin, se muestra en la figura 2.4. Las fuentes de ruido se definen como sigue (7): Jen? = 2qleB (2-12) Figura 2.4 Modelo de ruido de Van der Ziel para el transistor de base comin.30 Ruido eléctrico en donde J/g es la corriente de emisor directa; Von = 4kTr,B (2-13) donde r, es Ja resistencia de esparcido de base y 1, = 2qBUco + Ic(1 ~ a] (2-14) donde [gg es la corriente de saturaci6n inversa de cdector, Jc es la corriente directa de colector y aq es la’ganancia en corriente de corto circuito en base comin a bajas frecuencias. Este circuito es vlido para frecuencias del orden de f = fy (1 — a9)"/? y no considera al ruido 1/f. La figura 2.5 muestra un modelo derivado de la 2.4, convirtiendo las fuentes de corriente en fuentes de voltaje y haciendo las siguientes consideraciones para simplificar el anilisis: ry Ruido eléctrico Sin ruido ) Figura 2.7 a) Amplificador ruidoso con resistencia de entrada R; y ganancia de voltaje A, y 6), Circuito equivalente de ruido con dos generadores. Como ¥, € in dependen de la frecuencia, el ruido de salida total en el ancho de banda B, incluyendo el ruido térmico aportado por R,, es entonces Vor = f ACA IAKTR, + on(f) + in f)PRAI df (2-21) IB Las variaciones de ¥» ei, con Ja frecuencia para un FET tipico se muestran en la figura 2.8. Como es evidente en esta figura, el efecto del generador », predomina en las bajas frecuencias, en tanto que el generador in, en las de radio. La fuente Vp Tepre- senta principalmente los ruidos 1/fy térmico en el canal. La fuente i, representa al ruido debido a la conductancia compuerta-canal asf como los efectos de la transmisién de ruido a través de capacitancias interelectrédicas. Los modelos de circuitos para representar el comportamiento del ruido de transistores de unién y FETs, involucran cierto numero de parametros rara vez inciuidos en los instructivos de los fabricantes. En vez de ello, se representan los dispositivos mediante el método de Ia cifra de ruido, que se utiliza para circuitos tanto deamplificadores como de mezcladores. Este tema se discutira en la Seccién 2.5, aunque requiere algunas definiciones que se verdn a continuacion. 2.4 Definiciones de términos de ruido Se usan varios términos para definir y comparar las cantidades relativas de ruido producido en los sistemas eléctricos. Las siguientes definiciones y comentarios, sustentan las bases para comprender la nomenclatura de los instructivos de los fabricantes ycalcu- lar el efecto global del ruido en un sistema.Definiciones de términos de ruido 33 e 10-8 Region de VF 0 de Fagon de Johnson o nee ae § ruido en exces de nuico texmico de recombneeibn de 2 e fluctuacion Nyquist jeneracor 0 ce co 5 ia goneracor 6 oe rk 5 de cisparo 3 £ 5 3 w 8 10°" Puntos 06: 3. corte 5 as Pendiente ee SE neta, 2 10°" o se 2s 25 53 52 ca H 26 {2 10-8 10 20 50 100 200 500 1k 2k 5k 10k 20k 50k 100k f, frecuencia (Hz). Figura 2.8 Variaciones tipicas de vp @ in con la frecuencia para un FET. (Cor- testa de Siliconix, Inc.). Relacion sefial a ruido (SNR) En un ancho especificado de banda, la relacién sefial a ruido se define como la razén entre la potencia de sefial y la potencia de ruido en un puerto. v2 V, SNR = Ps SNR = 58 (2-22) donde V; y V;, son los voltajes medios de seffial y de ruido cuadraticos respectivamente. En decibeles, SNR(AB) = 10 logw5> (2-23) NY Mientas mayor se la SNR, menor sera la “corrupcién” de la sefial por el ruido. El valor minimo permisible de la SVR depende de la aplicacién. Algunos valores minimos aproximados son los siguientes: 10 dB en la entrada del detector para un receptor AM; 12 dB en la entrada del detector de un receptor FM y 40 dB en la entrada del detector de un aparato de television. Observe que cuando la seffal pasa por una cascada de etapas de amplificacién, la SNR decrece continuamente, pues cada etapa afiade ruido adicional. Sin embargo, en la mayoria de los sistemas, el ruido de salida amplificado se debe principalmente a: (1) el ruido que acompaiia a la sefial de entrada y (2) el que aportan las dos primeras etapas (tales como las del amplificador RF y la del mezclador en un receptor). Ancho de banda equivalente en ruido Las fuentes mas comunes de ruido (térmigo y de disparo) tienen una distribucién espectral esencialmente uniforme, de tal suerte que el ruido transmitido a través de un am-34 Ruido eléctrico 9 fe a Figura 2.9 Caracteristicas de ganancia constante, con corte en fo. plificador se determina por el ancho de banda del amplificador. Si éste tiene una ganancia constante A, hasta cierta frecuencia f,Jdespués de alcanzatla baja a cero, 54, tal como se muestra en Ja figura 2.9, ¢]-sSMi@@MlP ancho de banda’B B (que aparece en algunas de las ecuaciones anteriores), sera obviamente igual a f,. Sin embargo, por lo general la respuesta en frecuencia, queda limitada por la capacitancia en paralelo o por un circuito sintonizado, de tal manera que no se logra un corte abrupto de la respuesta en frecuencia. Por esto, se requiere una determinacién mas exacta del ancho de banda de ruido. Considérese un filtro como el de la figura 2.10, con la ganancia de voltaje A, (f) = V2/V;. Como la potencia de ruido se relaciona con el voltaje cuadratico medio, es conveniente trazar la respuesta de la frecuencia en términos de LA, (f) como se muestra con la linea lena de la figura 2.11, donde |A,, |? es el valor maximo de esta curva. Si la entrada a este filtro es un ruido blanco con valor cuadratico medio de voltaje v1n?/Hz, el voltaje de salida cuadratico medio correspondiente en un intervalo de 1 Hz, en frecuencia f, es ve fHz = |A(f)P on (2-24) La suma de tales incrementos sobre la banda de frecuencias da [8 dt = 02 [Aor af (2-25) El valor de la integral del segundo miembro de (2.25) es el area bajo Ja curva de linea continua de 14,(f)P en la figura 2.11. La linea punteada muestra un espectro rectan- gular con la misma altura maxima lA, |? y con un ancho de banda B. El ancho de banda equivalente en ruido B, es el valor que da areas iguales bajo Jas curvas de Iineas con- tinuas e interrumpidas, tal como. \ AaB = [JAP df Figura 2.10 Filtro con ganancia de voltaje Ay (f) y de potencia proporcional a AA.Definiciones de términos de ido 35 1A, (fii? : ni? f Figura 2.11 Ilustracion del ancho de banda B equivalente de ruido, definido por areas iguales bajo las curvas punteadas y de IYnea continua. [iaorar obien B= fi aepoe: (2-26) En las ecuaciones dadas anteriormente en este capitulo este es el valor de B que se debe usar y obviamente debe evaluarse para el sistema particular que se estd analizando. La integral en (2.26) no siempre es facil de calcular. No obstante, en muchos amplificadores de RF, el ancho de banda se establece por circuitos RLC sintonizados, para los que el ancho de banda de ruido es? (2-27) donde Q El ruido del ancho de banda que se da en (2.27) es /2 veces el ancho de banda 3 dB del circuito. Potencia de ruido disponible La potencia disponible P, de una fuente es la potencia maxima que se puede extraer de ella. Si la fuente tiene una impedancia interna Z, = R + jX, la potencia maxima se en- tregard a una carga acoplada conjugada (Z, = R ~-jX). Si el voltaje en circuito abierto de la fuente es V, el teorema de la maxima transferencia de potencia da . P, he (2-28) si R es una fuente de ruido térmico, V? est dado por (2.1) y P; = kTB (2-29) La potencia de ruido disponible en un ancho de banda de | Hz es Pact ay = kT (2-30) 2(7, pagina 177)36 Ruido eléctrico Figura 2.12 Modelo de un cuadripolo general. Como P, no depende de R, la potencia de ruido disponible en todas las resistencias no nulas finitas es la misma. Ganancia de potencia disponible en un cuadripolo La figura 2.12 muestra un cuadripolo general que puede servir como modelo para una etapa amplificadora, para un filtro u otra red. La fuente tiene un voltaje de circuito abierto V, y una impedancia interna Z,. El cuadripolo tiene una impedancia de entrada Z, y de salida Z, ; asi como un voltaje Vz de salida en circuito abierto. La carga esuna impedancia Z,. La ganancia de voltaje en circuito abierto del cuadripolo se denotaré con H (f) 2m H(f)= ve (2-31) 1 La potencia de sefial disponible en la fuente, como se defini6 antes, es _lveP Pas = GR, (2-32) Similarmente, la potencia de sefial disponible en el puerto de salida es = |VoP ae Pao = "aR, (2-33) (Observe que R y Ra son las partes reales de las impedancias correspondientes). La ganancia de potencia disponible G, de la red se define como la raz6n Pyy [Pas es decit, _ |Vol’Ry Ge TVRs (234) Esta expresién no es muy util, pues no toma en cuenta el desacoplamiento de impedancias en los puertos de entrada y salida. Sin embargo, observando la red se obtienen las siguientes expresiones: (2-35)Definiciones de términos de ruido 37 Vo VoZi ¥ Ve V(Zi+Z.) (2-36) La sustitucin de (2.31), (2.35) y (2.36) en (2.34) da las siguientes relaciones para la ganancia de potencia disponible a Ja frecuencia f: HZ, Z,+Z, G. es (237) Ri El modelo de cuadripolo de la figura 2.12 y el desarrollo subsecuente, se aplican s6lo si la red es unilateral (sin transmisiOn inversa). Para este caso, conviene destacar que G, dada por (2.37), es independiente del valor de Z. Vea que ésta no es la ganancia real de la red: el valor de G, se obtendria en Ja practica sélo cor condiciones de acoplamiento ideales (Z; =Z¥y Z, =Z*) en ambos puertos.® Como una nota final, la ganancia disponible de varias redes unilaterales en cascada es igual al producto de los valores G, de las redes componentes. Temperatura de ruido La temperatura de ruido en cualquier puerto de una red se define de la manera siguiente: una fuente de ruido que tiene la potencia disponible P, en un pequefio intervalo de frecuencias Af, tiene una temperatura de ruido equivalente igual a 7, = P, /KAf [Ver (2.29)]. Si el espectro de potencia de ruido de la fuente no es plano, P, y T. dependen de la frecuencia. Temperatura de ruido excesivo Ty. Los generadores de ruido utilizados para probar amplificadores, se calibran a menudo en términos de temperatura de ruido excesivo T,=T-T. (2-38) donde 7 es la temperatura de ruido de la fuente y T, = 290 Kes la temperatura normal de referencia. Temperatura de ruido de entrada efectiva de una red. Si una fuente de ruido térmico de temperatura 7 se conecta a una red sin ruido con ancho de banda Af pequefio y ganancia disponible G,(f), la potencia de ruido disponible en la fuente es Py =kTAf watts (2-39) y la potencia de ruido disponible a fa salida de la red es Pro = GA f)KT AF (2-40) Si la red es ruidosa, producira una potencia de ruido adicional Pye a la salida. Con el mismo ruido de entrada que antes, la potencia de ruido de salida sera 31 simbolo Z¢ denota “ta conjugada de" Z,.38 Ruido eléctrico Red ruidosa con ganancia Ruido disponible de potencia Gal) Proveniente de disponible. la fuente, Pro = GalfRTAF + Pre Pye = RTOS El ruido interno a produce una Pre a {a salida. @) Ruido de red referido a la } aoe Pro = Gol fRIT + Te) AF uente de ruido } C)erar Prg- (b) Figura 2.13 a) Modelo de una red ruidosa con potencia de ruido de salida Pye debida a fuentes de ruido internas y 5), red sin ruido equivalente con Pye tomada en cuenta por una fuente k7_ Af a la entrada. Pro = Galf kT AF + Pre (2-41) como se muestra en la figura 2.13a. Sustitiyase ahora la red ruidosa por una sin ruido que tenga la misma ganancia de potencia disponible G,(f), y témese en cuenta el ruido de salida P,,. mediante una fuente de ruido adicional a la entrada, como se muestra en la figura 2.13b. La temperatura 7, de esta fuente adicional, se ajusta para producir una Pye a la salida: P, T= GRAF (2-42) y Pro = Galf)K(T + TAF . (2-43) Al valor T, se le llama temperatura de ruido efectivo de la red. Como se demostrar, esta manera de representar un ruido de red es muy util para determinar las telaciones globales de sefial a ruido y otras de amplificadores en cascada. 2.5 Cifra de ruido A estas alturas el lector puede estar confundido con tantas formas en que se expresa la Tuidosidad relativa de un dispositivo o sistema. Afortunadamente, un indice tinico, Ila- mado cifra de ruido, se usa para comparar el comportamiento con el ruido. El lector sin embargo, debe estar alerta frenté a diversas variaciones del término, con diferencias sutiles que pueden confundir. Cifra de ruido (factor de ruido) La cifra de ruido (WF: Noise Figure) de un cuadripolo da una medida de la degradacién de la SNR entre los puertos de entrada y salida. La figura 2.14 muestra una red con ruidoCifra de ruido 39 Red ruidosa con Gelf) Figura 2.14 Potencias de sefial y ruido a la entrada y salida de un cuadripolo. con potencias de entrada de sefial y de ruido Py y Pyj, respectivamente y las correspondientes de salida Py, y Pyo. La cifra de ruido se define dentro de un ancho de band# especificado como. Pre NP ="Jiuera SNR) ~ PulPoo GaPu |” GPa ae ds aabde + El valor de la NF se expresa frecuentemente en dB por la relacion NFan = 10 logio NF (2-45) Para una red libre de ruido, las SNR de entrada y salida serdn iguales y NF = 1 o NFap =0. Los circuitos practicos tienen siempre cifras de ruido mayores que éstas. La ecuacién (2.44) proporciona una definicién conceptual de la cifra de ruido, aunque requiere datos adicionales para hacerla més precisa, La razon Py/Pyy es igual a 1/G,(f), donde G,(f) es la ganancia de potencia disponible, dependiente de la frecuencia de la red. La variacién de G,(f) respecto a la frecuencia, debe tomarse en cuenta. Ademés, la potencia de entrada de la fuente de sefial es funcién de la temperatura. Con el objeto de obtener un valor normal para la NF, considere la temperatura de fuente como 290 K. Estas consideraciones conducen a las siguientes definiciones. Cifra de ruido de mancha En una frecuencia de entrada seleccionada, la cifta de ruido de mancha es la razon de 1) la potencia de ruido disponible total por unidad de ancho de banda en el puerto de salida a (2) la porcion de ésta producida a Ja frecuencia de entrada por la terminacion de entrada, cuya temperatura de ruido es de 290 K. Si la red da un acoplamiento con- jugado en el puerto de entrada, la potencia disponible en la fuente de temperatura normal en un ancho de banda de 1 Hz es igual a kT, segin (2.30). Por lo tanto, la cifra de ruido de mancha es dada por (2-46) En la practica, el valor de Py se mide dentro de un ancho de banda Af pequefio que excede a 1 Hz, debido a las limitaciones del ancho de banda filtrado. La ecuacion pa- 1a la NF se hace entonces (2-47)40. Ruido eléctrico Cifra de ruido promedio Dentro de anchos de banda amplios, en los que Gg (/) varia considerablemente, la cifra de ruido promedio NF esta dada por Pro P, =—— Pu = Pro (2-48) kT. [ Gap ap TG nixB donde P,,. es la potencia de ruido total entregada a la terminacion de salida en un ancho de banda de ruido B y Gnax es el valor maximo de IG, (f)| NF global de redes en cascada De interés bdsico en la evaluacién del comportamiento con ruido de amplificadores de etapa miiltiples (como en radjorreceptores) es la cifra de ruido global del sistema. En general, la cifra de ruido global se calcula para un ancho de banda B que es el de; sistema en su conjunto, en vez del de las etapas individuales. (En un receptor de radio, por ejemplo, la etapa del amplificador de RF tiene una banda de paso ancha, pero las etapas de FI son de banda estrecha y determinan la cantidad de ruido que Ilega al detector). Por conveniencia, se usard aqui el simbolo NF, en lugar de NF, para denotar un valor determinado por (2.48). De (2.43), si se supone que la temperatura de fuente es Ty (requerida por la de- finicién normal de N) la potencia de ruido de salida de una sola etapa en una banda de frecuencia pequefia es Pro = Gal f)k(To + T.) Af (2-49) y de (2.47), Pro = NF G,(f)kTo Af (2-50) La solucién de las dos ecuaciones anteriores para NF da —Io+T, NF= erates (2-51) obien T, = TANF - 1) (2-52) De este modo, la cifra de ruido referida a una fuente de temperatura normal se puede expresar en términos de la temperatura de ruido equivalente de Ia red e inversa- mente. La figura 2.15 muestra dos redes @e"cascada con sus ganancias disponibles respec- tivas, sus temperaturas de ruido efectivas y sus cifras de ruido. Se introduce al sistema una fuente de ruido a temperatura normal. Se supone un ancho de banda Af pequerio para todas las partes del sistema. La potencia de ruido disponible a la salida se calcula con (2.49) reagrupando algunos términos.Cifra de ruido 41 T° «Red 1 Red2 o—-—o Gat Gor” To Tex Tez Pro NFy NEp |, ot. Figura 2.15 Dos cuadripolos en cascada. Pro = GarGarkTo Af + GarGarkTes Af + GaakTar Af (2-53) eee eee debido debida al debida al a la fuente Ty tuido en la ruido en la primera red. segunda red La comparacién de esta relacion con (2.42) y (2.43) conduce a una expresién para la temperatura de entrada efectiva de las dos redes en cascada: KGax(Gui Tei + Tea) Af _ Toa = eo GaGakaf = Ta + z (2-54) Aqui, Te,,2 es la temperatura de ruido de entrada efectiva que explica todo el ruido de , salida introducido por las redes ruidosas. (Obsérvese que la temperatura de fuente de entrada no aparece en la expresién). Para las redes en cascada, la expresion correspondiente es Tain = (2-55) G, a(n) La introduccién de las cifras de ruido de la red, mediante (2.52) en (2.55) lleva a la siguiente expresin para la cifra de ruido global NF,-1 NF, NF,,, = NF, + —3— ee fat GaGa 2-56) Gan eee Es obvio en esta relacin que la NF de la primera etapa en un sistema predomina sobre la NF global, a menos que Gz; sea pequefta o que NF sea grande. Por consiguiente, el disefiador del sistema debe siempre de tratar de reducir al minimo el ruido producido por la primera o segunda etapas seleccionando transistores de bajo ruido y escogiendo las condiciones de operacién que minimicen al ruido. Ejemplo 2.5.1. El cdlculo de las temperaturas efectivas y las cifras de ruido delextremo frontal del receptor de la figura 2.16 serviran para ilustrar la expresiOn anterior. La antena tiene una resistencia (de radiacion) de 70 ohms y una temperatura efectiva de 20K, debidas principalmente a radiacion externa. Las cifras de ruido y ganancias del amplificador de RF y de] mezclador estan dadas en dB; deben conve:tirse a valores, reales para usarse en el cdlculo. Se supone despreciable el ruido introducido por el oscilador local del receptor (que no es siempre el caso). Para el amplificador de RF, NF, ~2, y Ggx = 10. Para el mezclador NF, = 4.47 y Gg. = 7.94. Mediante (2.52), se encuentra la temperatura de ruido efectiva de las42. Ruido eléctrico Mezclador a FET Ganancia = 9 dB Cifra de ruido = 6.5 dB Amplificador de RF Ganancia = 10 dB Cifra de ruido = 3. dB Figura 2.16 Diagrama en bloques de un extremo frontal de receptor. Ver ejemplo 25.1. dos unidades como T,; = 290 K y T.2 = 1006 K. Entonces, de (2.54), la temperatura efectiva de entrada de] receptor (excluyendo la antena) se encuentra como T, =T,, + Ter/Grr = 290 + 1006/10 = 391 K. La cifta de ruido global se puede calcular ya sea por (2.51) 0 por (2.56). Con (2.51), NE = T;/Ty + 1 =391/290 + 1 = 2.35.Con(2.56) NF= NF, + (NF, ~1)/Gy =2 + 3.47/10 =2.35 0 3.7 dB. Cifra de ruido real Por definicién, la cifra de ruido normal es la razon de Ja SNR de entrada a la SNR de salida con la fuente de entrada a la temperatura de ruido normal de 290 K. En este ejemplo y en muchos otros casos practicos, la temperatura de ruido de entrada no es de 290 K y la temperatura de ruido normal no describe exactamente la degradacion de la entrada a salida de un sistema. Una medida verdadera de 1a degradacion de SNR es la cifra de ruido real, definida por (2.57) [para una discusién adicional de este punto, ver Mum- ford y Scheibe (10)]: _ Pula Pm _ T+ Te NF oct [Py GaPa To (2-57) en donde 7, # To. Este valor estd relacionado con la cifra de ruido normal evaluado para T; = por la relacién NFya = 1+(NF~ (2) (2-58) En el ejemplo anterior, el valor de NF se encontré como 2.35 0 3.7 dB. No obstante, como la temperatura de antena fue de 20 K, el uso de (2.58) para calcular la cifra de ruido real, da NFgcy = 1 + (2.34 — 1) (290/20) = 20.43 6 13.1 dB. 2.6 Consideraciones sobre el ruido de los amplificadores Para calcular la NF oT, de un sistema que tenga una o madsetapas, se requiere conocer: 1) el ruido procedente de la fuente de sefial; 2) el ancho de banda B equivalente de ruido 3)Consideraciones sobre ruido de amplificador 43 (ap! vioNaLOd 30 WIONWNWS 45 eee eM EEEE ati Ree eee 30 80 70 10 20 a5 07 10 |. CORRIENTE DE COLECTOR (mA c.c.) || CORRIENTE DE COLECTOR (mA c.c.) Ib) — CIFRA DE RUIDO Y GANANCIA DE POTENCIA VS. (c) — CONTORNOS DE CIFRA DE RUIDO VS, RESISTENCIA DE & s 8 ls 3 ° i Pe 8 ea 58 8 Pe 38 : a= ge : zip! Pe 88 INI i.e es 8 is S [s?. fa 2 tht Ay : « es ia 1 § [tes i 5 lll eee iS eae aaa est etiae *“ g28 22 SF2 RR (ap) oainw30 wusio ‘at (ewy0! BLNan4-36 VIONaLSISu "a 3050 70 10 20 10 CORRIENTE DE COLECTOR ima c.c.) F, FRECUENCIA , [MH2] 05 OF 03 mm 1 CONTORNOS DE CIFRA DE RUIDO vs (a) ~ CIFRA DE RUIDO vs. FRECUENCIA OPTIMIZADOS PARA FUNCIONAMIENTO RESISTENCIA DE FUENTE Y CORRIENTE DE COLECTOR. EN BANDA ANCHAN. 07 u ie gig ff e255 28 2° teprooIn 30 v9 38 cfi) aINaNa 3a woNastea "s te Figura 2.17 Datos de ruido en el transistor 2N4957. (Del catalogo DS 5227 R2 © 1974 de Motorola, Inc. Con autorizacion de Motorola Semiconductor Products, Inc.). el ruido térmico generado en varias resistencias del circuito y 4) el ruido generado dentro de los dispositivos de estado sélido. El ruido producido en diodes y transistores se puede predecir mediante circuitos equivalentes, como los de las figuras 2.4, 2.5 y 2.6, Sin embargo, como el ruido producido en un transistor depende de: punto Q, dela frecuencia y de los pardmetros del transistor, son tantas las variables que deben tenerse presentes, que tales predicciones se realizan mejor con programas de andlisis por computadora. Los fabricantes de transistores dan, por lo general, informacién de catélogo acerca de la cifra de ruido de mancha medida o cifra de ruido promedio para diversas condi-44 Ruido eléctrico ciones de operacién. Por ejemplo, la figura 2.17, muestra algunos datos relativos al comportamiento con ruido del transistor 2N4957, El catélogo da también para el transistor NF = 2.6 dB (tipico) y 3.0 dB (max) en fc = 2mA, Vog = 10 V, f= 450 MHz, medidas , con el circuito de la figura 1 en el apéndice 4.4/Ta Giffa de ruido de mancha depende ~ de la frecuencia, de la corriente de colector y de la resistencia de fuente, como se ve en la figura 2.17. Estas variaciones deben tomarse en cuenta en el disefio de amplificadores, cuando es importante un funcionamiento con bajo ruido. aie Como la variacién de la cifra de ruido con la frecuencia es casi gland dentro del rango de operacién titi] del transistor, debe tenerse cuidado% una resistencia de fuente que minimice la cifra de ruido para una corriente de colector dada. El amplificador se puede diseiiar con redes acopladoras adecuadas, de tal suerte que el transistor “‘vea" esta resistencia de fuente a la frecuencia de operacion. Desafortunadamente, el valor de la resistencia de fuente que da ganancia maxima, no coincide con el que mi- nimiza a la cifra de ruido. Asi, un amplificador disefiado para dar la cifta de ruido minima tendrd una ganancia menor que la posible con los transistores seleccionados. Por lo general, se reduce la ganancia de su maximo valor en s6lo unos pocos dB cuando se cum- plen condiciones de cifra de ruido minima y esta reducci6n se puede compensar en etapas subsccuentes de alta ganancia. En los capitulos que siguen se vera que las consideraciones sobre ruido desempe- flan una parte importante en el disefio de etapas de amplificacién de RF y mezcladores en receptores. Aun en osciladores, debe considerarse el ruido, si se requiere alta pureza espectral.. REFERENCIAS 1. W.R. Bennett, Electrical Noise, McGraw-Hill Book Company, Nueva York, 1960. . Y. W. Lee, Statistical Theory of Communication, John Wiley & Sons, Inc., Nueva York, 1960. 3. W. B. Davenport y W. L. Root, An Introduction to the Theory of Random Signals and Noise, McGraw-Hill Book Company, Nueva York, 1958. 4. C.D. Motchenbacher y R. C. Fitchen, Low-Noise Electronic Design, Capitulo 9, John Wiley & Sons, Inc., Nueva York, 1973. 5. S. Letzter y N. Webster, “Noise in Amplifiers”. to 1970. 6. J. L. Plumb y E. R. Chenette, “Flicker Noise in Transistors”, IEEE Trans. Electron Devices, ED-10, 304-308, septiembre, 1963. 7. Bell Telephone Laboratories, Transmission Systems for Communications, 4a edicion Western Electric Co., Winston-Salem, N. C., 1970, 191 paginas. 8. R. D. Thornton, D. DeWitt, E. R. Chenette, y P. E. Gray, “Characteristics and Limitations of Transistors”, SEEC, 4, 151, John Wiley & Sons, Inc., Nueva York, 1966 9. W. S. Gosling, W. G. Townsend, y J. Watson, Field Ejfect Electronics, John Wiley & Sons, Inc., Nueva York, 1971. 10. W.W, Mumford y E, H. Scheibe, Noise Performance Factorsin Communnica- tion Systeny, Horizon House-Microwave, Inc., Dedham, Mass., 19¢8, paginas 54-55. Be Spectrum, 7, 67 agos-Consideraciones sobre ruido de amplificador 45 PROBLEMAS 2.1.1, Dos resistencias R, y Rz,a la temperatura T se conectan en serie. 2. os 2. nw 1.2. 1,3. 1.4, a) Demostrar que el voltaje de ruido cuadratico medio en circuito abier- to que aparece en las terminales esta dado por V,? =4k7(R, +R2)B. 6) Sean R, = 50kQ, Rz = 20kQ, T= 400 K, y supongase que los voltajes de ruido se pueden medir con un voitimetro de rms verdadero, que tiene un ancho de banda de ruido efectivo de 5 MHz y una impe- = dancia de entrada infinita. Calcular el voltaje de ruido rms medido: l)atravésdeR, ;2) atravésdeR» y 3),atravésdeR, | Ry enserie c) Repetir la parte b) si el voltimetro posee una resistencia de entrada (sin ruido) de 100kQ en toda la banda de frecuencia. Dadas dos conductancias G; y Gz ambas con temperatura T y conectadas en paralelo, demostrar que la fuente de corriente cuadratica media equivalente esta dada por /,7 = 4k7(G, + G.B. Demostrar que la figura 2.1 es el circuito equivalente de Norton del de la 2.1a. Dibujar de nuevo la figura 2.2a sin la fuente Vs, pero incluyendo una fuente de voltaje para representar el ruido térmico producido en R> y fuentes de corriente para representar el ruido térmico en Ry y Ry. b) Mediante los teoremas de Thévenin y Norton, establecer el circuito de Thévenin equivalente a la izquierda de R;. Demostrar que la resistencia de Thévenin es Ry =R2 + Rj || Ra, y que el voltaje de ruido cuadratico medio en circuito abierto es Vr,? = 4KTBRp. En el circuito de la figura 2.2a, sean Ry = Rs = 2kQ, Ry =R;=1kQ, T = 293 K, y B = 10* Hz. Suponer que todos los resistores carecen de ruido, salvo R3. Calcular el voltaje de ruido rms de R; debido al ruido térmico generado en R,. . En la figura P2.1.6, los resistores Ry y R> estan a las temperaturas 7; y Ty, respectivamente. a) Redibujar el circuito, representando el ruido térmico en cada resistor por una fuente de corriente. b) Establecer la expresion general para el voltaje V;,? de ruido cuadratico medio. ¢) Para Ry = 10k2, Ry = 20kQ, y 7 = T> = 20°C encontrar el voltaje V,, de ruido rms en un ancho de banda B = 105 Hz. d) Repetir la parte c) para T; = 20°C y Tz = 313°C. . Verificar que el cambio en variable de f a w en (2.6), da (2.8). Introdu- cir enseguida 1a sustitucion dada por (2.9) y cambiar la variable de inte- gracién a x = w/a. Demostrar que el valor de la integral definida que resulta, da (2.10). Fig. P2-1.646 Ruido eléctrico eae ie 24 eae rt & 2.5.4. pate s Calcular la corriente de ruido rms en microamperes que se produce en un diodo con Ig, = 10 mA. Suponer que el ancho de banda es B= 107 Hz. Un amplificador transistorizado en la configuracién de emisor comin se opera con los parametros Ic = 100A, hye = 440, gm = 4m¥, rx = 500 ohms, rp, = 110 kQ, R, = 10 k82, y Ry = 50 KO, Utilizar el circuito equivalente de la figura 2.6. Para el cAlculo de /,,”, valor de I’ se toma como 0.2uA. Suponer inicialmente que R, catece de ruido, Sean T= 290K, y el ancho de banda B = 10* Hz, a) Encontrar los valores de Vgn?, Vin”, Hin? © Ton”. b) Encontrar el voltaje (V7) de ruido cuadratico medio entre BY y E. c) Encontrar la corriente de ruido cuadratica media en el punto de colector. d) Encontrar Vg? debido a todas las fuentes. e) Encontrar el voltaje de ruido térmico rms producido en Ry, en T = 290 K. Comparar con el resultado en d) para ver si tiene importancia. F) Encontrar el valor de Vo,” debido sdlo a Vg, (sin todo el ruido de transistor). g) Encontrar la razon d) a f). Esta es la cifra de ruido del circuito. En un punto Q especificado, un amplificador de RF tiene la cifra de ruido de 3 dB al excitarse con una fuente de Ry = 500 ohms. Suponer que el ancho de banda de ruido es B = 3 X 10° Hz. a) Determinar la temperatura 7, de entrada efectiva del amplificador. 4) Suponer que la impedancia de entrada del amplificador es resistiva: R = 50 ohms, y que la fuente de sefial entraga 1 uV rms al puerto de entrada del amplificador. La fuente se encuentra a temperatura normal. Encontrar las SNR de entrada y salida. Al amplificador del problema 2.4.1. le sigue una etapa mezcladora con una NFgp = 4. La ganancia de potencia disponible del amplificador es 5.5 dB. Encontrar la NF global y la NFyp de las dos etapas. . Repetir el problema 2.5.1, pero cambiando la ganancia de potencia del amplificador a 10 dB, Comparar los resultados. . Repetir los problemas 2.5.1 y 2.5.2, usando 8 dB para la cifra de ruido del mezclador. El extremo frontal del receptor de la figura P2.5.4. debe tener una cifra de ruido global de 3.5 dB. La cifra de ruido del mezclador es 8 dB. El FET disponible para el amplificador de RF tiene una NFingy = 2.5 dB i Cudl es la ganancia minima permisible en 4B para le ctapa de RF? Una antena de 300 ohms se conecta a un receptor TV con 300 ohms de impedancia de entrada (sin ruido). La temperatura efectiva de la antena es 1000 K. La cifra de ruido del extremo frontal del receptor es de 4 dB a través de las etapas de FI. (basada en una fuente de temperatura normal). El ancho de banda de ruido efectivo es de 5 MHz. Ose Fig. P2-5.42.5. a Consideraciones sobre ruido de amplificador 47 Fig. P2-5.6 a) ,Cual es el valor del voltaje de ruido rms a la entrada del receptor? b) ;Cual es el valor del voltaje de sefial requerido en el puerto de entrada para tener una SNR de entrada de 30 dB? c) Con la SNR de entrada de 30 dB, ,cudl es la SNR real a la salida del amplificador de F.1.? . El amplificador de video de la figura P2.5.6 tiene un ancho de banda de ruido efectivo de 8 MHz. La resistencia de entrada (sin ruido) del amplificador es R; = 40 ohms para todas las frecuencias. El voltaje de sefial es 15 MV (ms). Ademas, Ry y Ry son las fuentes de ruido térmico a la temperatura de 290 K; R, = 70 ohms, y Ry, = 2000 ohms. La ganancia del voltaje del amplificador es Ay = Vo/V;= 50. a) Encontrar la SNR; a la entrada del amplificador. b) Encontrar la SNR, a la salida del amplificador si éste carece de ruido c) Encontrar la SNR, a la salida del amplificador si tiene una NF = 2 (3 dB).Apéndice 2-1 SELECCION DE A, PARA DISMINUIR LA CIFRA DE RUIDO En el rango de frecuencias dentro del cual es valido el modelo hibrido, puede usarse el circuito equivalente de ruido de la figura 2.6 para establecer el valor de Ry que dé la cifra de ruido minima para el transistor que opera en un punto Q especificado. Por analogia con (2.4.6.), la cifra de ruido real del circuito de la figura 2.5 puede expresarse como total Vow” = on 1 7 porcion de Vor debida a Vent ae La contribucién a V,,,° debida a cada fuente de ruido en la figura 2.5 puede calcularse como sigue: 1. Debida a Ven? eA View = Vee [gee] en? Q) 2. Debida a Vpn? : 2 r aR? Vino = Voe [gee] eRe e 3. Debida a I)? ae ° 2p 2d Vins = In lz ae 2] 8m Ry 7) 4. Debida a Joy? Ving = Ton Ri? (5) 4950 Ruido eléctrico La NF real es entonces Vint + Vin2t Ving + Vine © NF= Ven Después de hacer las sustituciones Vgn? = 4KTBRg, Tx + 1x =Nies Y mln = hye, se obtiene la siguiente relacion: Ton hie NF= ieee, +2r,+ et aetna + Het 2h (7) Al hacer [8 (NF)]/[3(R,)] =0, se obtiene la relacién para una R, optima R, opt= [(s«rBr, + ryt hele) (>) (8)Capitulo 3 CIRCUITOS RESONANTES Y TRANSFORMACION DE IMPEDANCIAS La impedancia o admitancia de un circuito RLC es una funcién complicada de la frecuencia y normalmente tiene una componente resistiva (real) y una reactiva (imaginaria). Para algunos circuitos, la parte reactiva se anula en una oms frecuencias; esta condici6n (impedancia y admitancia reales puras) se denomina resonancia y la frecuencia (0 frecuencias) a la que ocurre, se llama frecuencia de resonancia. Un circuito resonante es el que tiene una o més frecuencias de resonancia; tales circuitos se usan mucho en sistemas de comunicacién para separar las sefiales deseadas de las indeseadas. Ademas, los circuitos resonantes tienen propiedades importantes de transformaci6n de impedancias y por ejemplo, se pueden disefiar para que la fuente externa de alta impedancia “vea” en resonancia, una impedancia acoplada y transfiera la maxima potenciaa la carga de baja resistencia dentro del circuito resonante En circuitos reales, la resonancia verdadera ocurre s6lo en frecuencias discretas y aisladas; abajo y arriba de la frecuencia resonante, la impedancia del circuito exhibe reactancia y resistencia. E] rango de frecuencia dentro del cual el circuito es aproximadamente resonante, es el ancho de banda atil del circuito aunque en este contexto la defini precisa de ancho de banda depende de la definicién de “aproximadamente resonante”” © de qué tan grande puede tolerarse una componente reactiva de la impedancia. Como la impedancia de la mayoria de los circuitos resonantes pasa por un pico minimo 0 mé- ximo agudo en resonancia, cl ancho de banda o selectividad en frecuencia de tales circuitos, se define a menudo en términos de la anchura de este pico o ranura. El ancho de banda se relaciona frecuentemente con una cantidad Hamada el Q (por “factor de calidad”) del circuito, que se definird después. El ancho de banda 0 Q, la frecuencia de resonancia, la impedancia resonante y las propiedades de transformacién de impedancias de un circuito, son importantes en el disefio de amplificadores y osciladores en RF. El material que sigue describe muchos de Jos circuitos resonantes en uso coman y resume sus propiedades. Al final de este capitulo se tabulan las formulas de disefio apropiadas. EI disefio de redes acopladas particulars empleadas en amplificadores de potencia en transmisores, se dard en e] capitulo 13. “Quality, en inglés. N. del T. st52 Circuitos resonantes y Transformacion de impedancias Figura 3.1 Circuito serie RLC. 3.1 Resonancia serie La figura 3.1 muestra un circuito serie excitado para una fuente de voltaje. La resistencia R combina el resistor de carga y cualquier resistencia en serie presente en el inductor y en la fuente. La impedancia de entrada del circuito es 2tjo) = Y= R+j (oL- Je) = R+iX = [2Il8 GB) La figura 3.2 muestra cémo se comporta esta impedancia cuando varia la frecuencia f. El lugar geométrico en el plano de la impedancia es una recta paralela al eje imaginario y pasa por el punto Z = R +/0 enresonancia. En este punto, |Z! toma su valor minimo La ecuacién (3.1) muestra que la resonancia ocurre si wl — 1/wC = 0; esto es, una frecuencia resonante = 2af. = a rad/s 62) Si se varia la frecuencia de la fuente mientras el voltaje V se mantiene constante, la corriente alcanza un valor maximo Imix = V/R en resonancia. El comportamiento de la admitancia de este circuito es también de interés y puede obtenerse invirtiendo (3.1) para obtener el lugar geométrico en el plano de la admitancia iX fen aumento Figura 3.2 El lugar geométrico en el plano Z de la impedancia del circuito serie RLC.Resonancia serie. 53 Figura 3.3 El lugar geométrico en el plano Y de la admitancia del circuito serie ALC. mostrado en Ja figura 3.3. Pueden también construirse las gréficas de respuesta en frecuencia de IZ |, 8, y X, como se ilustra en la figura 3.4. Ademés de la frecuencia de resonancia fy, son importantes otras dos frecuencias, indicadas como f, y fz en las figuras 3.2, 3.3 y 3.4, pues definen al ancho de banda del circuito. Como puede verse en la figura 3.4, en fy y fa, la magnitud de Ja reactancia es igual a la resistencia (IX |=); la impedancia tiene cl valor 17 |= .V2R@y el dngulo de fase @ = +45° . Consecuentemente, la corriente J = Imsx//2 y la potencia disipada en el resistor es la mitad de la potencia en la frecuencia de resonancia. Se ha convenido que las frecuencias de potencia mitad fi y fz definen a B, ancho de banda de potencia mitad del circuito: B=f,- fiz G-3) #370 Grados —126 06 08 1.0 1.2 14 17 fen MHz Figura 3.4 Respuesta en frecuencia del circuito serie ALC.54 Circuitos resonantes y Transformacién de impedancias Como se establecié antes, un pardmetro que se usa cominmente para denotar la selectividad de un circuito, es el factor de calidad Q, que se definié originalmente como la raz6n de la reactancia a la resistencia de una bobina. La definicién general del Q de cualquier circuito en resonancia es Q= 2n X energia instanténea maxima almacenada en el circuito (3-4) energia disipada por ciclo El célculo del numerador de (3.4) puede ser dificil para un circuito que tenga va- tios inductores o capacitores. Sin embargo, para un circuito RLC en serie, es facil demostrar (ver problema 3.1.1) que la Q del circuito se obtiene. (3-5) Por sustitucién de (3.2) y (3.5) en (3.1), la ecuacién para Ja impedancia se puede poner en la forma Zw) =R [i +iQ (£-2)] (6-6) y puede demostrarse que fo ce ie “Fi B G-7) Como nota final, se debe seflalar que, en resonancia, el voltaje V, que atraviesa el capacitor, es Q veces el voltaje aplicado V (ver problema 3.1.2) 3.2. Resonancia paralelo La figura 3° Fy muestra un circuito en el que L,C y Ry = 1/G; estén conectados en paralelo’ . La resonancia paralelo tiene lugar cuando el voltaje de entrada y la corriente estan en fase. El Q, del circuito paralelo est4 dado por (3-8) y la admitancia de entrada es ¥ (jw) = G+ (2) 6 EI subindice t se ha puesto para concordar con el uso ditimo. Persiste para la resistencia terminal en resonancia En gran parte de la literatura sobre radio, Ry se denomina “resonancia de tanque”, pues almacena energia como lo hace un tanque de agua. El subindice t se usara también con el @ del circuito. No obstante, el Qr para cada circuito se definird conforme al uso comin y no necesariamente ‘concordaré con el valor del Q obtenido mediante (3.4),Resonancia paralelo con resistencia de carga en serie 55 La ecuacién (3.9) tiene la misma forma que la (3.1) y (3.6) para el circuito serie, excepto que los pardmetros de impedancia se sustituyen por los de admitancia, por lo que, con un intercambio similar de variables, las figuras 3.2 a 3.4 se aplican al circuito paralelo RLC. Ademaés de las anteriores, las siguientes ecuaciones son utiles Qatfy = ww = pains (3-10) ¥ (iw) = G, Z(ja,)= Ry G-11) y edo rseeaelieas : phage G-12) También, en resonancia, se puede demostrar que | J, 1=@Q,|/ |. Lasgraficasde IZ(jw)| yf, para diversos valores de Q, se muestran en Ja figura 3.6 3.3. Resonancia paralelo con resistencia de carga en serie. El circuito de la figura 3.5 no siempre es real, pues no toma en cuenta Ja resistencia del inductor. Ademas, en muchas aplicaciones de circuitos resonantes paralelo, la carga,ala que finalmente se destina la potencia, puede estar en serie con el inductor o con el capacitor. Las ecuaciones de disefio y el comportamiento en frecuencia de estos circuitos difieren de los de Ja figura 3.5. Resistencia en la rama inductiva; RL|IC En el circuito de la figura 3.7, la resistencia R puede tomar en cuenta la propia de la bobina y la de carga. La admitancia de entrada del circuito es eee eee ok Vie) = gevtarpt i [oC- grt] (G-13) En resonancia, Jy V estan en fase y e] término de susceptancia debe desaparecer. La frecuencia de resonancia se encuentra igualando a cero la susceptancia: 1 py wy = & - Ta) radls (@-14) Figura 3.5 Circuito paralelo LCR,.56 Circuitos resonantes y ‘Transformacion de impedancias 1000 800! 600 A ohms 400] 200 ; Pen ane 05 06 OF o8 O9 10 VI 12 13 14 15 fen MHz Figura 3.6 Graficas de Z(/w) vs f para el circuito de la figura 3.5, con diversos valores deQ,. La sustitucidn de este valor en (3.13) da Ja impedancia de resonancia como L je as a Zw) = Gap > B= RE (G-15) Si se define el Q, del circuito en resonancia como Wol. Qa=_R (3-16) algunas formulas iitiles de disefio de circuitos pueden expresarse en términos del O,. La tabla 3.3.1 al final del capitulo resume las formulas exactas y las aproximadas. Figura 3.7 Un circuito LC paralelo practico.Resonancia paralelo con resistencia de carga en serie $7 17.3nH R, = 10002 > >Rc = eee 347 pF fo= 2% 108 H2 Figura 3.8 Red para el ejemplo 3.3.1. La relacion = R(Qi+1) G-17) ilustra la propiedad de transformacin de impedancias del circuito. En resonancia, una resistencia pequeria R sc transforma en un valor terminal R, mayor y viceversa. Esto se demuestra con el ejemplo siguiente. Ejemplo 3.3.1. Se va a disefar el circuito mostrado en la figura 3.8 para transformar una carga de 50 Ohms (R) en una de 1000 Ohms (R,)a la frecuencia fy =2 X 10°H2(wy = 4m X 10° rad/s). Los 1000 Ohms pueden representar la impedancia de carga de colector deseada para una etapa amplificadora transistorizada. EI primer paso en la solucion es calcular el valor del Q, , con el objeto de decidir si se pueden usar las ecuaciones aproximadas de la tabla 3.3.1. Como R,/R = 1000/50 = 20 © Q,? ,es obvio que Q, < 10 y que se deben emplear las formulas exactas. Con ellas, se hacen los calculos siguientes: =® +1Es 9% Q = 4.36 Q 4.36 = ——, = 3. C= ORE Sa x ig? 347 PF L= RCR, = 50 347 x 10°" x 10'= 17.3 H En un amplificador practico, la capacitancia de salida del transistor aparece a través del puerto R; y el valor de C debe reducirse consecuentemente. La resistencia del inductor se debe tomar en cuenta combinandola con !a carga (ver problema 3.3.1) Resistencia en la rama capacitiva; RCI|L Este circuito, que se muestra en Ja figura 3.9, se usa a menudo. Sila resistencia de bobina es pequefa frente a la resistencia R, las ecuaciones de disefio se establecen en forma similar a las de las de Ja seccin anterior. Por ello, las fSrmuias de disefio se resumen simple- mente en la tabla 3.3.2 al final del capitulo. La seccién siguiente muestra como puede tomarse en cuenta la resistencia de bobina si es necesario.58 Circuitos resonantes y Transformacién de impedancias Re L R Figura 3.9 Circuito paralelo LC con resistencia en la rama capacitiva. 3.4 Efectos de resistencias de fuente y de bobina Una fuente de corriente en paralelo con resistencia finita Ry, al excitar un circuito resonante paralelo, produce un valor que afecta el Q global y el ancho de banda del circuito. En la figura 3.10, por ejemplo, el circuito RC|||L, que ofrece una impedancia R; entre las terminales a-b en resonancia, se excita con una fuente de impedancia Ry. La fuente de corriente ideal ve la impedancia R;||Rs; el Q efectivo y el ancho de banda se determinan Por esta resistencia equivalente en paralelo. Por ejemplo si Ry = Ry, el Q se partird entre dos y el ancho de banda se duplicard, en comparacién con los valores dados en la tabla 3.32 Si ambas ramas L y C tienen resistencias en serie, como se muestra en la figura 3.114, el analisis exacto del circuito resulta complicado. Empero, si Jos Q de rama se definen como Q), = WL re y Oe = 1/t2gCRe,y si ambos Oy, ,Q,. > 10,el citcuito equivalente valido en Ja proximidad de resonancia, es el de Ja figura 3.11b. La impedancia de resonancia vista por la fuente ideal entre las terminales a-b es R, = Q,?rell0c?Re Los estudios sobre disefios de redes en este libro y en otros, generalmente no con- sideran pérdidas en las bobinas, para simplificar las ecuaciones de disefio. Se previene al lector de que esto puede llevar a un error serio, pues el Q global de una red nunca puede ser mayor que el Q de la bobina. Los valores tipicos del Q van de 100 a 200 para bobinas con nucleo de aire, de 50 a 100 para las de nticleos de ferrita. Para el rango VHF (30 a 300 MHz) pucden hacerse resonadores helicoidales con valores Q del orden de 1000 [1]. 3.5 Conversiones paralelo a serie para circuitos RL y RC En la siguiente exposicién sobre circuitos derivados, es conveniente reemplazar Jos circuitos paralelos RC o RL por sus series equivalentes, y viceversa. Los valores equivalentes & Figura 3.10 Un circuito AC y RL excitado por una fuente de impedancia Ry.Circuitos resonantes con derivacién $9 @) (by Figura 3.11 a) Un circuito paralelo LC con resistencia en ambas ramas; 6) un circuito equivalente al de a) resonancia cercana. de R y C6 L, con frecuencia son pardmetros dependientes; por Jo tanto son utiles principalmente en la cercania de la frecuencia de resonancia para circuitos de banda estrecha Las tablas 3.5.1 y 3.5.2 al final del capitulo, proporcionan f6rmulas para conversion entre circuitos equivalentes paralelos y en serie. En estas tablas, se define un nuevo pardmetro Op = Rp/Xp para la combinacion paralela de R y C6 de R y L. Este pardmetroes itil en el disefio de circuitos resonantes derivados, especialmente si Qp puede escogerse > 10, de modo que las formulas aproximadas sean aplicables. 3.6 Circuitos resonantes con derivacion El circuito de Ja figura 3.8 carece de flexibilidad, pues cl ancho de banda del circuito y el Q; quedan fijos una vez especificados los valores de R, y R (ver ejemplo 3.3.1). Para ganar cierto grado adicional de libertad , de tal suerte que cl ancho de banda y la razon de impedancias puedan escogerse independientemente, se requiere un elemento de cireni- to adicional. Una forma de hacer esto es dividir la rama inductiva 0 la capacitiva en dos componentes en serie, con la carga de baja resistencia a través de una de ellas, como se muestra en las figuras 3.12a y 3.14. También puede concctarse una derivacion a una bobina continua, como se muestra en la figura 3.16. Los circuitos con derivacion se usan profusamente en osciladores y amplificadores de alta frecuencia y de banda estrecha. Aunque el circuito resonante con derivacién proporciona flexibilidad, su disefio se hace mas complicado. Un anilisis exacto de estos circuitos no proporciona una guia evidente para laelecci6n de los valores de Cy I, por Jo que deben hacerse aproximaciones de cierto tipo para Iegar a soluciones fitiles. Como este tipo de circuitos se usa principalmente en aplicaciones de banda estrecha, se supondra que el Q global del circuito (visto desde el puerto R,) es 210, de tal manera que se apliquen Jas relaciones aproximadas60. Circuitos resonantes y Transformacién de impedancias RX 1 Ry L & R Ree @ (b) Not ro 7 \ Re | Rp | eee . ay Figura 3.12 a) Circuito con capacitor derivado, 6) circuito equivalente para la rama capacitiva; c) un equivalente del transformador ideal. de Jas tablas 3.3.1 y 3.3.2. Fl procedimiento de disefio empleard las conversiones paralelo a serie de las tablas 3.5.1 y Circuito de capacitor con derivacion El circuito de capacitor con derivacién de la figura 3.12a se usa frecuentemente en los osciladores Colpitts. Se disefia para valores especificos de Rz y Ry:de frecuencia de reso- rancia fy y de ancho de banda B. Los valores de L,C, y C2 se tienen que calcular. La pérdida de la bobina no se considera en el disefio. Se toma en cuenta reflejande la tesis- tencia de bobina r, como una resistencia equivalente paralelo igual a Q,77_ a través del puerto Rr Con la conversion paralelo a serie dela tabla 3.5.1 , se obtiene el circuito dela figura 3.12b. La capacitancia C es el valor de Cy y Cye en serie; es decir Clee i Cyt lu (3-18) Para este circuito, las relaciones aproximadas de la tabla 3.3.2 muestran que la especifica- cidn de fy y B fija el valor de Q, 2 at 3-19) De la tabla 3.3.2 se encuentra la relaci6n exacta entre Ry y Ree como =k Ru = OFT (3-20)Circuitos resonantes con derivacién 61 que muestra que el valor de Rye lo determinan R; y Q;. De la tabla 3.5.1, usando (3-21) es obvio que eae 7 Re= OFT (3-22) Como Qp debe ser > 0, es claro de (3.20) que el valor de R2 no puede ser menor que el de Ry. Conviene recordar que cuando una resistencia est4 en paralelo con un capacitor o un inductor, la serie de resistencia resultante, es siempre menor que el valor original. Aligualar (3.20) con (3.22),se encuentra el valor de Q,, en términos de los pardmetros de disefio: 7 [a+ n®-1] (3-23) Ademis, la propiedad de transformar impedancias del circuito en resonancia equivale a Ta de un transformador ideal con razn de vueltas NV 0 razén de impedancias N? , como se muestra en Ja figura 3.12c. El uso de (3.23) da otra expresin para Qy: Ri_ ye - RaN (3-24) = (Sat yr (3-25) N Ya que Q; > 10, como se supuso inicialmente para obtener Q; a partir de f,, y B especificados, (3.25) puede simplificarse a Q~ (g i)" 3-26) © bien para Q,/N * 10, lo que implica que Q, > 10, @ N (3-27) Esta Ultima relacién es itil para realizar una verificaci6n rapida y ver si se usa el disco exacto para Q, < 10, 0 la aproximacién mas sencilla para Q, > 10 Procedimiento de disefio para @,, < 10. 1. A partir de los valores especificados de Ry, Ro, fory B, usar las relaciones previamente establecidas para encontrar62. Circuitos resonantes y Transformacién de impedancias Q.~£ —(Q debe ser 210) 1 C~TFBR, 1 L~ oe Wo’ N? = (R/Rz). 2. SiQp © Q,/N, muestra que Q, < 10;encontrar el valor correcto de Q, mediante (3.26): (G1) 3, Por (321), y dela tabla 3.5.1, Cy = AEF DY Qi 4, Finalmente, se encuentra C, resolviendo (3.18) para obtener El proceso se ilustra en el ejemplo siguiente. Ejemplo 3.6.1; Q, <10 1. Suponer que R, = 8100 ohms, Rz = 100 ohms, fo = 1.5 MHz, y B= 100 kHz. Entonces Q= a 18; C = 1/(2a x 10° x 8100) = 196.5 pF = Hm x 1.5 x 10°V(196.5 x 10°") = 57.3 wH > _ 8100 ‘ N 00 =81 N=9 2. Op =QIN= "5 13. 1.67; por consiguiente, usar (3.26): Q@~ (ae 1)" = 1.333Circuitos resonantes con derivacién 63 Re Rp = 1002 @ R,=10k2 (b) Figura 3.13 a) Circuito para el ejemplo 3.6.1, 8 = 100 kHz, fo = 1.5 MHz y 4) circuito para el ejemplo 3.6.2, B = 200 kHz, fo = 10.7 MHZ. -333/(2m X 1.5 X 10° X 100) = 1414 pF 414 X 2.777/1.777 =2210 pF 4. C; =2210 X 196.5/(2210 — 196.5) = 216pF Esto completa el disefio. El circuito resultante se muestra en la figura 3.13a.Como com- Probacién, el valor de Ry se puede encontrar de Re =R2/(Qp? + 1) = 100/(2.777) = 36 ohms. Entonees R; = L/CRge =57.3 X 10°/(196.5 X 102? X 36) =8100 ohms Procedimiento de disefio para Q,>10 1. Los valores de Q;,C,L,y N se determinan como en el procedimiento anterior. 2. Si Q,/N > 10 , usar este valor para Qp. Ver la tabla 3.5.1. para las expresiones aproximadas para la serie equivalente de resistencia Ry y capacitancia Cy. 3. Cr = Qp/ueRy como antes, pero si Q,/N se sustituye para Qp y si la relacién aproximada R, * Q,/w29C (de la tabla 3.3.2.) se usa para R, , se encuentra que C2= NC De la tabla 3.5.1, para Qp > 10 Cue ™ Cr 4. De Ja relacién anterior, c= O&64 Circuitos resonantes y Transformacion de impedancias La sustitucién de C, = NC da para Cy: Conviene notar que la relacién C, = NC, al sustituirse en la razén de trausformacion de impedancia dada por (3.24), proporciona Re =N*= (S} iz [Se [J (3-28) Ejemplo 3.6.2;Q, > 10 1, Suponer que Ry = 10 k2,Rz = 1 KQ, fy = 10.7 MHz, y B = 200 kHz. Entonees: Q, ~ 10.7/0.2 = 53.5 C= U(Qa x2 x 10° 109 = 79.6 pF L = f(a x 10.7 x 109°(79.6 x 10") = 2.78 wH N?= 104/10 = 10, N= 3.162 2. Q,/N=535/3.162 = 16.9 © Op. (Por consiguiente se justifica el uso de la rela- cidn aproximada). 3. Cy = NC= 3.162 X 79.6 =252 pP. 4. C, © C/(N ~ 1) = 252/2.162 = 116 pF. El circuito completo se muestra en a figura 3.13b. Los procedimientos de disefio para el circuito con capacitor derivado se resumen en la tabla 3.6.1 al final del capitulo. Circuito de inductor con derivacion Con el supuesto de que Q, > 10 y el uso de las relaciones de las tablas 3.3.1 y 3.5.2, un desarrollo paralelo al precedente conduce a las formulas dadas en la tabla 3.6.2 al final del capitulo, para el circuito de inductor con derivacién de la figura 3.14a.Como antes, se desprecian las resistencias de los inductores, aunque pueden tomarse en cuenta como se hace en el Problema 3.3.1. Los ejemplos siguientes ilustran el procedimiento de disefio. Ejemplo 3.6.3; Q, < 10, Se usardn los datos del ejemplo 3.6.1; es decir, Ry = 8100 ohms, = 100 ohms, fy = 1.5 MHz y B =100kHz. Entonces, como antes,;* 15,C = 196.5 pF, L © 57.3 wH, N =81,N=9 y Q, ~ 1.333. De la tabla 3.6.2 . 100 Zs eX TSX 10x 1.333 96 HHBobina derivada con inductancia mutua 65 Ro Ree a (@) (b) Figura 3.14 a) Circuito con inductor derivado; b) un circuito equivalente. — 1:2) _ LTT Lae = GET = 198% 97979 = 9.09 wH Ly=L- Ly = 52.2 4H El circuito se muestra en ia figura 3.15a. Ejemplo 3.6.4, Qy > 10. Se usardn los datos del ejemplo 3.6.2: Ry = 10 kQ, Ry = 1k, Jo = 10.7 MHz, y B = 200 kHz. Entonces, como en el ejemplo anterior, Q, ¥ 53.5,C* 79.6 pF, L © 2.78 wH, N? = 10, N = 3.162, y Q, © 16.9. De las relaciones aproximadas en la tabla 3.6.2, Este circuito se-muestra en la figura 3.15b, 3.7 Bobina derivada con inductancia mutua El circuito de bobina con derivacién, mostrada en Ia figura 3.16, se usa a menudo en circuitos de amplificador. Se utiliza una bobina ‘inica, con la posiciGn del contacto (punto Ry = 8100 2 196.5 oF Ry = 1k Figura 3.15 a) El circuito para el ejernplo 3.6.3; fo = 1.5 MHz, B = 100 Hz: y 5) el circuito para el ejemplo 3.6.4; fy = 10.7 MHz, 8 = 200 Hz.66 Circuitos resonantes y Transformacion de impedancias Figura 3.16 Red de transformacion de impedancias con un inductor derivado. b) escogida para transformar R, en R;. Si la bobina se devana sobre un nucleo de ferrita del tal manera que el coeficiente de acoplamiento k sea casi la unidad, se comporta como ‘un transformador ideal y los resultados son predecibles casi de inmediato. Con bobinas de micleo de aire, el coeficiente de acoplamiento es pequefio y la aproximacion por transformador ideal no es valida en todos los casos, haciéndose necesario un andlisis més elaborado para determinar la posicién de contacto de derivacién. Sean Lg y Ly las autoinductancias de las dos partes de la bobina:M la inductancia mutua y k el coeficiente de acoplamiento. La inductancia total de Ja bobina esté dada por La + Ly +2M (3-29) Con acoplamiento unidad (k = 1), 1a raz6n de transformacin de impedancias del transformador esta dada por Revi i R, (e+MY Vhoe sian donde V2, es el voltaje en circuito abierto (sin carga) desde el contacto a tierra, una cantidad facilmente medible. La admitancia de entrada de este transformador aparece como Y, = G, + jB, 3-31) a la frecuencia de operacién f,, donde la admitancia de! capacitor C(mostrado con linea punteada en la figura 3.16) sintoniza el circuito para resonancia; es decir pe ceg pees (3-32) (3-33)Bobina derivada con inductancia mutua 67 fo B-6 (3-34) Con bobinas de micleo de aire, que se utilizan a menudo en rangos de frecuencias mis altas, el coeficiente de acoplamiento puede ser del orden de 0.1 y no es valida Ja solu- cién sencilla dada antes. Sin embargo, como se demostrard, si Ry/Wol = Q, > 10, y Ry 2 WoL, el circuito se comporta ain como un transformador ideal en la frecuencia de resonancia y la posicién del contacto, puede determinarse a partir de mediciones de voltaje en circuito abierto, como en (3.30), Se ha obtenido la solucidn general del problema, exenta de las aproximaciones antes mencionadas, expresada en términos de pardmetros de bobina facilmente medibles (inductancia total L, coeficiente de acoplamiento k y porcentaje de vueltas total en el punto de derivacion). El anilisis se aplica tanto a circuitos de banda ancha como de estrecha, pues no estd restringido a un Q, alto y se ajusta a cualquier raz6n deseada wy L/R2. Un anilisis de mallas del transformador cargado de la figura 3.16 (con el capacitor omitido) da la siguiente expresion para la admitancia de entrada: 6 +ipe Rit jwls 4 Yi = G+ iBi = —SaTT (LE, + My ToL (3-35) Si se separan las partes real ¢ imaginarias y se hace R; = R; = 1/G;, se obtiene, después de una manipulacién considerable el(cea) (@) (Gta *2)] 60 R, _ (n+ MY L wo Ly [u 2 ae ot | [EET a B= (3-37) Las expresiones anteriores no son ain utiles, pues la forma en que varia Ly al des- plazarse la toma a lo largo de la bobina, no se conoce para k < 1. (La forma en que k varia con la posicién de la toma tampoco se conoce, pero se supone que k es constante en la siguiente derivaci6n). Si los valores de 1, y Ly se relacionan por un tactora, tal que L,= aly G-38) los pardmetros L. y Ly + M se pueden presentar en términos de Ly ,k ya. Asi, -_ 4b 3.39) on 14a t2kVa : Le 1 (3-40) L,+M 1+kVa68 Carcuitos resonantes y Transformacién de impedancias a ltkVa _ Vee l+a+2kVa_ V, (3-41) donde N puede identificarse como Ja raz6n de vueltas de un transformador ideal (acoplado en unidad) o la raz6n de voltaje en circuito abierto? . La sustitucion de (3.39) a (3.41) en (3.36) y (3.37) y la introduccién de la variable 1 1 tes 3.42 i+kVa_N fen dan las soluciones siguientes: a 24 (WL) yr R=R,[N +(¥) x] 3-43) y 1 {(@LIR YK + kVa)N7V+4 1) 1 8 ORRIN HT aL 3-44) Si el coeficiente de acoplamiento es la unidad, puede demostrarse que K=0,R,=N? Ry y que B; = —I/ol.. Asi, el factor E en (3.44) representa al factor por el que B; se aparta del valor ideal. Las expresiones (3.43) y (3.44) son exactas. Por consiguiente, para k <1, es util expresar Ja razon de transformacién de impedancias real en forma tal, que muestre el alejamiento respecto al comportamiento de un transformador ideal. La desviacién respecto ala unidad del factor D entre corchetes en (3.45) exhibe este alejamiento: R_ woLY? K7) _ Re ne[is (22) xX ]-nxp G45) Las figuras 3.17 a3.19 muestran la variacion de R,/Ry vs la posicién I/W de la derivacién para diversos valores dek y de wL/Rz .Obsérvese que 1/N representa la parte fraccionaria del nimero total de vueltas incluido entre el contacto y tierra. En Jas figuras 3.20 y 3.21 se muestra el efecto de la posicién del contacto sobre los factores D y E de (3.45) y (3.44) para k = 0.1. Las figuras 3.22 a 3.25 ilustran las mismas cantidades parak = 0.25 y 0.5, respectivamente. Mediante estas curvas, es posible determinar Ja raz6n de transfor- mation correcta y la susceptancia (capacitiva) de sintonia para una posicién dada del contacto. i La observacién de estas figuras muestra que mientras w/,/R2 <1, el alejamiento del caso acoplado en unidad es despreciable. De este modo, los calculos con estas curvas 2De (3.41) se puede demostrar que a se relaciona con N porBobina derivada con inductancia mutua 69 0 0.25 zo Figura 3.17 8, /R2 y la posicion de la derivacion (1/M) parak =0.1. Figura 3.18 A,/R2 y la posicion de la derivacion parak =0.25.70 Circuitos resonantes y Transformacion de impedancias 0.75, 1.0 ze 3 Figura 3.19 R;/R2 y la posicién de la derivacién para k = 05. Figura 3.20 Graficas de D en (3.45) y posicion de la derivaci6n (1/N) para k = 0.1.Bobina derivada con inductancia mutua 71 Figura 3.21 Gréfica del factor E en (3.44) y posicién de la derivacin para k =0.1. wk _ R710 3 ai 8 D 2 5 3 1 1 0 0.25 05 0.75 1.0 1 N Figura 3.22 Graficas de D y posicion de la derivacién parak =0.25.72 Circuitos resonantes y Transformacién de impedancias ; 2 oO 0.25 os 0.75 1.0 HH ; Figura 3.23 Graficas de E y posicién de la derivacién para k =0.25. 0 0.25 0.5 0.75 1.0 Figura 3.24 Graticas de D y posicién de la derivacién parak =0.5‘Transformador de sintonia Gnica_ 73 TT TT T-T-T-Tt She T TTT TTTT TTT TTT Figura 3.25 Graficas de E y posicion de la derivacién parak =05. son necesarios s6lo para circuitos de banda ancha, en los cuales Q, es bajo 0 en los que wL/Rz excede ala unidad. Ejemplo 3.7.1. Diseftar un circuito como el de la figura 3.16 para transformar Rp = 12 ohins aR, = 250 ohmsen fy = 21.1 MHz. La bobina disponible tiene una L = 0.9 wH, un coeficiente de acoplamiento k =0.1 y un Q;, = 210 medido a 15 MHz. Encontrar la posicin de la toma, la capacitancia C de sintonia y Q, = |B; \Gy. Solucion. R,/Rz = 208 y coL/Rz ~ 10. De la figura 3.17, para k =0.1, I/N, es aproximadamente 0.5, por lo que la toma se debe colocar en el centro de la bobina. En- tonces, de las figuras 3.20 y 321,D=5.15 yE=2. La susceptancia capacitiva w9C = — Bj = (1/w2oL)E. Como wo = 119 ohms, @_C = 2/119 = 0.0168 mhos, C= 126 pF, y Q; = |B)IR, = 42 Como comprobacion, R;/Rz = ND, donde N =? para la toma central: R._ a R74 %5-15 = 20.6 Comprobacién experimental. La R, medida fue 266 Ohms y C = 120 pF. El resistor de 12 Ohms tenia una fase inductiva que no se tomé en cuenta en el cdlculo. 3.8 Transformador de sintonia inica Un circuito de transformador con s6lo un lado sintonizado, como se muestra en la figura 3.26, otorga una forma alterna de obtener el acoplamiento de impedancias y puede tam-74° Circuitos resonantes y Transformacién de impedancias Ri CLS Ra Figura 3.26 Circuito de transformador sintonizado simple. bién proporcionar aislamiento entre los circuitos de entrada y salida, introduciendo si se desea una inversion de fase. El procedimiento de disefio debe dar los valores de induc- tancias de primario y secundario ( y Lz), de inductancia mutua (M), de coeficiente de acoplamiento (k) y de capacitancia de sintonia (C) que satisfagan los valores especificados de R,,R2,fo,y B. Mediante la deduccién del circuito equivalente adecuado para el transformador, como se ilustra en la figura 3.27, puede representarse e] transformador sintonizado simple por su equivalente que se muestra en Ia figura 3.28, que tiene entonces la forma de la figura 3.7. El transformador con carga de secundario R», niostrado en la figura 3.27a, se puede representar por el circuito equivalente de la 3.27b, que tiene las mismas corrientes de malla J, e />. La impedancia de entrada de cualquiera de ellos esta dada por mi qh (My Ember eee 2 (3-46) Es evidente de esta ecuacién que si la inductancia mutua se multiplica por un factor ay la impedancia de secundario por a?, no cambiaran la impedancia de entrada y la corriente de primario. No obstante, el circuito equivalente tiene ahora los valores mostrados en la figura 3.27¢ y ésta puede simplificarse a la forma mostrada en la 3.27d, si se escoge el valor de a tal que sea a = M/L2, de tal manera que la inductancia a? L, —oM =0. Los valores de circuito en Ja figura 3.27d se muestra en términos del coeficiente de acoplamiento definido por (3-47) La combinacién paralelo de R, y Lp puede convertirse a su equivalente serie por Ja tabla 3.52, con el Q, definido a la frecuencia de resonancia del sistema como Ry _ (MIL2'R:__Ra Se anes catg RAD al G48) Las formulas de conversion exactas dan __R, _ (MIL R: Re ORT QT — ae 2 02 Ly = ie (3-50) Q+1‘Transformador de sintonia dnica 75 ell : » -@ DR DE (a) (6) by-oM a? Ly — at ae, e 2. 1 "© Bint Blea m Co) @ a) Figura 3.27 Sucesién de circuitos equivalentes usados para deducir la figura 3.28. Si se combina Ly. con la inductancia (1 — k?)LL, de fa figura 3.27d, a inductancia total se hace =p (Q@tI-# L=L (Sox) G51) como se muestra en el circuito equivalente final de la figura 3.27¢. De esta manera, el circuito de la figura 3.26 se ha convertido en el de la 3.28, para el que se aplican las formulas aproximadas de la tabla 3.3.1 si Q; > 10. A partir de los valores especificados de R,, R2, fo, y B, se pueden encontrar los valores de Q, © fo/B, C = 1/(2"BR,) y Ly * 1/w29? C, como en los ejemplos anteriores. Empero, de (3.47), (3.48) y (3.49), M = k(L,L2)'? (3-52) (3-53)76 Circuitos resonantes y Transformacion de impedancias Figura 3.28 Un circuito equivalente para el transformador sintonizado simple. Ninguna de estas cantidades puede calcularse sin escoger arbitrariamente el valor de Qp ok, Mediante reagrupaciones en las ecuaciones anteriores, se puede demostrar que Qr+i-k Qk 2 2__Qrtt : R= oon (3-56) Qa= (3-55) y que =a (£ + (+ )"] G57) La dltima ecuacién muestra que sik se hace lo suficientemente pequefio, el valor de Q, se hace complejo. De esta manera, existe un limite inferior para el valor realizable de k con uno especificado de Q;. Tomando derivadas, los valores minimos permisibles de ky cl valor correspondiente de Q, se encuentran como OQ, Kin) = a (Q2+ 1)? = 1] (3-58) ke (QF +? = 1" (3-59) En la figura 3.29 se traza la grafica de Kmin ¥ Qp(kmin) ¥ el de Qy. El disefiador de circuitos puede escoger® arbitrariamente a Q, , pero estd entonces obligado a usar el valor de k que resulta de (3.56). En transformadores de RF no siempre es posible obtener valores altos del coeficiente de acoplamiento; por lo tanto, la informa- SObservar que de (3.57) Q,, siempre serd menor que Q; a menos que k = 1.Transformador de sintonia inica 77 Qp mn 09 05 — o 50 100 150 200 Q Figura 3.29 Graficas de Q, y Q; para el transformador sintonizado simple de la figura 328 cién que da la figura 3.29 es Gtil, pues da un limite inferior para & que se puede usar con un Q; especificado. La figura 3.30 muestra valores correspondientes de Op yk para varios valores de Q, tomados de (3.56). Las restricciones de disefto que impone este méto- do son: (1) Q, > 10 de tal suerte que se apliquen las relaciones aproximadas de la tabla 3.3.1;(2) Qp debe escogerse de tal manera que 0 < Op 10. Ejemplo 3.8.1 Va a disefiarse un transformador sintonizado para satisfacer R; = 2000 ohms, Rp = 50 ohms, fy = 3.18 MHZ, y B= 159 kHz. Como en los ejemplos anteriores, ~ 7000 - 49, N ~ 6.325 Q- oe 20 L= Va =5 pH = L, enh figura 3-28. De la figura 3.29, Op min ~ 0.95 Y kmin ¥ 0.31. Con el supuesto que pueda alcanzarse un valor mayor de k,, se escoge Q, = 3. Entonces,78 Circuitos resonantes y Transformacion de impedancias Q = 10 20 30 40 50 0 10 20 30 40 50 & Figura 3.30 Valores correspondientes de k y Q, para valores fijos de Q,, obtenidos de (3.56). k = 0.405 de (3-56) 6 Fig. 3-30 L, = 0.833 wH de (3-53) L,=5.02 #H de (3-54) M = 0.828 wH de (3-52) Disefio simplificado para Qy > 10. Si son aceptables los valores altos de k que resultan, las ecuaciones de disefio pueden simplificarse con el supuesto de que Q, > 10. Lasrela- ciones se hacen My R, = ely (3-60) L,= WPL, (3-61) Li~Li 6-62) ee (3-63) (3-64) mat 3-65) (3-66)Transformadores de doble sintonia_ 79 Figura 3.31 Un circuito de transformador de doble sintonta. a Ejemplo 3.8.2. Con los datos del ejemplo 3.8.1 sea p = 10. Elejemplo anterior dio Q, = 20, C= 500 pF, L = L; = 5 wH, y N= 6.325. De (3.63) 0 de la figura 3.30, k =0.707 Entonces, =e _ a Le= 50, Talo 10 = 925 HH Li=L,=SpH eee M = 5 = 7395 = 0.79 nH Las ecuaciones de disefio para el transformador sintonizado simple se resumen en la tabla 3.8 al final del capitulo. 3.9 Transformadores de doble sintonia Los transformadores con circuitos sintonizados en el primario y en el secundario, como se muestra en la figura 3.31, se han usado extensamente en etapas de FI de receptores, pues permiten més flexibilidad en el ajuste de la forma de la curva de selectividad. Aunque ahora estan siendo sustituidos por filtros de cerdmica, de cristal y de onda acistica superficial (ver capitulo 9), los transformadores de doble sintonéa se usan atin donde deban acoplarse diferentes niveles de impedancia y en discriminadores de FM, por lo que se dard una desctipcidn sucinta de sus caracter/sticas de transferencia. El lector interesado puede consultar en Ryder (2) para mayores detalles. En la figura 3.31 el transistor de excitacién o FET se representa por una fuente de corriente en paralelo con una resistencia Ry que incluye también Jas pérdidas en Ly. En forma similar, R), incluye la resistencia de entrada de la etapa siguiente y la resistencia de pérdida en /.,. Para un andlisis simplificado, se hardin las suposiciones siguientes: (1) los circuitos primario y secundario son idénticos, de tal suerte que R, =Ry, =R,C,= Cp = Cy Ly = Lp =L:(2) el Q de estos circuitos es mayor que 10, por lo que se aplican las aproximaciones de alto Q y (3), la banda de frecuencias de interés, en su totalidad, es pequefia comparada con la frecuencia de resonancia f,, de tal manera que la fuente de voltaje equivalente de Thévenin, que aparece en la figura 3.32 se puede considerar constante, y el voltaje que atraviesa la carga secundaria, como proporcional a la corriente en el secundario Con estas suposiciones, se puede derivar el circuito de la figura 3.32 del de la 3.31. La inductancia mutua est dada por M = k(LyL,)!? (3-67)80 Circuitos resonantes y Transformacién de impedancias Figura 3.32 Un circuito equivalente aproximado para ei transformador de doble sintonia. donde k es el coeficiente de acoplamiento, Las ecuaciones de mallas para el circuito son [o)-[P See? rsicaexolty] — o-6m y las soluciones para /, e J; son i tjoMV ie nh” TREK, - Xo OM fe VIR + j(Xi~ Xc)] =o 3-70) N= TRE IK — Xo + (wo) he La impedancia de entrada vista por la fuente de voltaje es Vv - (@MPR (Xi — XcMoMy avait = Xp) + oe MER ; i R+i(Xi-Xo)+R +O Xo) RK Xe @-71) En resonancia Xz, = pL =X, =1/w9C.y . Zalin.) = R + OY @-2) Para transferencia maxima de potencia en resonancia, R = (w,M)?/R, e woM =R (3-73), El circuito O en resonancia, se define como = Wel o=% (74) y con (3.67) y (3.73), se puede demostrar que el coeficiente de acoplamiento para la con- dicidn de maxima transferencia de potencia (lamado acoplamiento critico) es k=a (3-75) Para k < kg, la curva de /, vs frecuencia tiene un pico tnico en la frecuencia de resonancia, con amplitud maxima para k = k,: para k > k, Ja curva de respuesta tiene dos picos.Transformadores de doble sintonia 81 Figura 3.33 Respuesta en frecuencia del transformador de doble sintonia para tres valores de k. Este funcionamiento se ilustra en la figura 3.33, en la que se supone la ganancia de voltaje proporcional a J, . Para el caso de “sobreacoplamiento” ( k > k,) la raz6n de ganancia pico a la de “valle” en f,, estd dada aproximadamente por Aum Aco 05 (kQ+ 76) (3-76) y se controla por la eleccion de k y Q. Klancho de banda del circuito se define a menudo como B = f, — f;,donde f, y fz son las frecuencias a las que la ganancia baja hasta A,., como se muestra en la figura. Otras frecuencias de interés son aquéllas en las que ocurren picos de ganancia, a saber, fg y fy . Puede demostrarse (2) que: f-he= Qk G7 fa- f= V2 Uo~ fa) 3-78) Como alternativa al transformador de doble sintonia. se pueden usar dos etapas am- plificadoras de sintonia tnica en cascada, sintonizadas alas frecuencias f, y f tespectiva- mente, Debe notarse que si van a acoplarse impedancias desiguales a los dos lados del circuito, se puede sacar una derivacién de la bobina del primario, del secundario o de ambos, como en la figura 3.14. REFERENCIAS 1, W. W. Macalpine y R. O. Schildknecht, “Coaxial Resonators with Helical Inner Conductor,” Proc. IRE, 47, 2099-2105, Diciembre 1959. 2. J. D.Ryder, Electronic Fundamentals and Applications, 4th ed., Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, N.J., 1970, 308 paginas.82 Circuttos resonantes y Transformacién de impedancias 3.11. 3.12. 3.1.3. 3.14. 33. 332. 3.3.3. PROBLEMAS Demostrar que la energia maxima instantanea almacenada en el circuito de Ja figura 3.1 en resonancia es L (Iméx)? /2. Usar este valor en (3.4) pata verificar (3.5). Para el circuito de la figura 3.1, demostrar que, a la frecuencia de resonancia, Vo = QV. En el circuito de la figura 3.1, sean L = 100 wH, C = 100 pF, yR=5 ohms. Encontrar: a) La frecuencia fy de resonancia. b) EL det circuito en resonancia c) El voltaje Vc en resonancia si V= 10 nV. Para los valores de circuito dados en el problema 3.1.3, determinar los valores de los ceros complejos (y =a + /8) de la impedancia de entrada Z (s). Trazar el diagrama de polos y ceros y demostrar por un método grafico que el intervalo de frecuencia angular w. — Ww, entre los puntos de potencia media, es aproximadamente igual a 2a, y que 8 © Ww. El valor de Q se aproxima por Q * B/2a. ,Seré valida esta aproximacién si B = 30? “a) El circuito de 1a figura 3.5 tiene Ry = 2000 ohms, f = 107 Hz y un ancho de banda B = 250 kHz. Encontrar los valores de Q+,L,y C. b) Si el circuito se energiza con = 2 mA(rms), cual es la magnitud de Ic? - Un amplificador trahsistorizado con sintonia requiere una resistencia de carga de colector Ky = 2000 ohms en f = 1.6 MHz. La capacitancia de salida del transistor es C, =20 pF. Una carga R;, =5 ohms vaa transformar- se a R; con el circuito mostrado en la figura P3.3.1. a) Suponer que la resistencia de bobina r, es despreciable. Determinar los valores de L , C y del ancho de banda B. 4) Si el inductor en el circuito se sintoniza con una barra de ferrita, su Qz, puede ser tan bajo como 50. Encontrar el valor correspondiente der, para el valor de inductancia usado en el inciso (a), ;Como altera- rd esto el valor de R;? ¢) Sea Q;, = 50 para la bobina. Encontrar los nuevos valores de L y C que dardn R, = 2000 ohms. Elarcuito de la figura P3.3.2 se va a diseflar para transformar R, = 5 ohms aR, =4kQenf, =20 MHz. Suponer unQ, infinito para la bobina. En- contrar los valores para L,C,Q; y B. Usar Jos valores de L y C encontrados en el problema 3.3.2, pero con, de la bobina igual a 50. Encontrar la resistencia de bobina r,., los nuevos valores de R,,de Q; y B. .. Si el circuito del problema 3.3.2 se excita con una fuente de corriente con resistencia interna R, = 6 kQ, cual es ci ancho de banda del circuito global? Ri Figura P3.3.1Re Transformadores de doble sintonia 83 R,— L Ry Figura P3.32 Establecer las expresiones exactas para wo y R; de la tabla 3.3.2. Se requiere una red acopladora entre etapas para transformar una resistencia de cargaR, = 400 ohmsaR, = 1 kQ,enf, =5 MHz conunancho de banda B = 50 kHz. De ser posible, se desean bobinas con inductancia L © 2 pH. No tomar en cuenta la resistencia de la bobina. Ensayar con el circuito de la figura P3.6.2. Encontrar los valores de L,C, y C2. - Los valores encontrados en el problema 3.6.1 pueden ser inadecuados, por Jo que conviene un circuito de doble derivacign como el de la figura’ P3.6.2. El valor de Ry se transforma hasta un R, suficientemente grande para dar un valor razonable de Z y luego transformarlo ,reduciéndolo para el valor deseado Ry =1 kQ.. Suponer que no existe acoplamiento mutuo entre Ly y Ly. Encontrar L1,L2 y Cy. . Los valores de conductancia para la bobina con derivacién de la figura P3.7.1 son Ly. =4H,L23 =2 UH, y L13 =9 MH. a) Encontrar los valores de la inductancia mutua M y del coeficiente de acoplamiento k entre las dos partes de la bobina. 5) Sise aplican V; 3 = 10 ala bobina zcudles son los valores de V;2 y V23? . Disefiar un circuito de bobina con derivacién como el de la figura 3.16, para transformar Rz = 10 ohms a R; =250 ohms en f, =4 MHz. Usar una bobina con L = 2 wH y coeficiente de acoplamiento k = 0.25. Encontrar la posicion del contacto de derivaci6n y la capacitancia de sintonia necesa- Tia, con la ayuda de las curvas de la seccion 3.7. . Repetir el problema 3.7.2 con Rz = 50 ohms, R, = 200 ohms, f, = 30 MHzjL =2uH,y k=0.1. . Un transformador sintonizado simple (figura 3.26) va a disefiarse para transformar Ry = 1 kQa Ry = 10 k@ en fy = 16 MHz, con un ancho de banda B = 160 kHz. a) Determinar los valores de L1,L2,M,k,¥ C para Qp =1. b) Repetir para Qp = 10. . Resolver el problema 3.6.1 mediante un transformador de sintonia inica para ver si ofrece alguna ventaja. 3.8.3. La figura P3 8.3 a muestra dos transistores acoplados por una reu de adap- tacién interetapas que debe disefiarse para dar la ganancia de voltaje 1A, |=1¥2/ Vz 1=50, desde la base del colector de 01 en la frecuencia a Cy — L 1ka Co Ra 4002 Figura P3.6.184 Circuitos resonantes y Transformaci6n de impedancias Rr Re 1ka "400 2 Figura P3.6.2 central f, = 5 MHz, con un ancho de banda B = 50 kHz. La impedancia de carga de colector para Q2 se supondrd idéntica ala de Q1 , de tal suerte que ambas etapas posean la misma impedancia de entrada. Se supone que los resistores para la polarizacion de base (no mostrados)son tan grandes, que su efecto puede no tomarse en cuenta. En el punto deseado de ope- racién, Veg = 10 Ve Ic =1 mA, el catdlogo del transistor da hy =2500 ohms y hy = 100, medidos en f= 1 kHz. Ademés, para Voy =20 V,lo= 10 mA y f = 100 MHz el catdlogo da hy |= 3. En Vog =5 V, el valor de Copo = 4 pF, que representa una estimacion excedida de Cu para usarse en el circuito equivalente simplificado pi hibrido de la figura 3.8.3b. (Ver la figura 4.3 para mas informacién acerca del circuito pi hibrido.) a) En el circuito pi hibrido, sean rq = hy = 2500 ohms y C, =4 pF. De Jos datos anteriores, calcular los valores de fr y Cy en Ic =10 mA. Estimar enseguida los valores de Cy ¥ &m en Ic =1 mA. 5) Del modelo pi hibrido, derivar expresiones para la ganancia de voltaje Ay = V2/V, y para la admitancia de entrada Y;=G;+/B;=1)/V1. Usar los valores del inciso (a) para determinar la resistencia de carga Ry necesana para A, = 50 y el valor complejo de ¥; que resulta cuando se usa esta carga. c) Encontrar la resistencia paralelo equivalente Ry y la capacitancia Cy representada por Y;. (Y¥; = 1/Rp + jw@Cp.) Estos valores representan la carga que la red de acoplamiento ve desde el punto d y tierra en la figura 3.8.3a. Similarmente, Ry, es la carga que se presenta al colector de Q1 en el punto b. d) Escoger un valor para la inductancia L. Suponer que su Q; = 200. Encontrar los valores de C, y C pata obtener el ancho de banda especificado, Tomar en cuenta las pérdidas de la bobina, pero despreciar los efectos de la impedancia de salida de Q1. e) Encontrar la posicién del contacto (punto b )enel inductor que dala carga adecuada para el transistor. 3 Figura P3.7.1Transformadores de doble sintonia 85 Figura P3.8.3Apéndice 3-1 TABLAS DE FORMULAS DE DISENO TABLA 3.3.1 Formulas de disefio para el circuito resonante RL|IC. R,— Cc : Expresién Aproximada Cantidad Expresién Exacta Unidedes Qz10 1 fete 1 “ =(te-B) rade ig ol. peers a = RT eeCR, aC -1( 29 qe ia “aelara) = omms ae R -war es ohms, ~ OPA = wl = R(Q?7+1) B 1 Rf. 2aCR, ~ al O a788 Circuitos resonantes y Transformacién de impedancias TABLA 3.3.2 Formulas de disefio para el circuito resonante RC||L c R,— t R Expresién Aproximada Cantidad Expresion Exacta Unidades Q=10 1 1 1 =(—_; / oe i (ecw) a T peeve eee w= wk a w@oCR~ wel R __1 (Q?+ ‘) WoL. “ae ( ye ohms R, = Ayr ool, ohms = R(Q? +1)Tablas de formuks de diseio 89 TABLA 35.1 Formulas de conversion paralelo-serie para redes RC Re Cp Rp - Definir: X= Definir: x =—L- efinir: X= efinir: X= Se =o =% ee One Equivalente paralelo Equivatente serie de la red serie de la red paralelo FORMULAS EXACTAS R, Foe = P(t + Q,?) Poe = Ty Bp a Q2+1 oy Q.? Xn = x ( 9554) X= % (ao) i Q.? Hf Q,7+1 Cm = 6 ( g2e5) Con = Co ( Or ) FORMULAS APROXIMADAS SiQ,=10 SiQ, =10 R, a =~ Roe ~ PaQe PaO Xoo = Xo Xe ~ Xp Coo = Cx Cow = Co90 Circuitos resonantes y Transformacion de impedancias TABLA 35.2 Férmulas de conversién paralelo serie para redes RL Ly Rp Le Definir: X, = wl, Definir: X, = wl, = Fe =% a, = a=% Equivalente paralelo Equivalente serie de la red serie de la red paralelo FORMULAS EXACTAS Ee —-— Fo Foo = RA(1 + 2) Ru ~ 7 Po ise Q2+1 Ee Q,” Xn ke (2554) elec (a) a Q?+1 i Q,” Loe = be ( ar ) ta= be (a7) FORMULAS APROXIMADAS Si Q,=10 SiQ, =10 Pow ~ RQ? Ru ~ Fe Q, Xpe = Xe Xue ~ Xp boo ~ Le bee ~ bpTablas de formulas de disefio 91 TABLA 3.6.1 Formulas de disefio para circuitos con capacitor derivado Re L CG Ra Para Q, ~ f,/B > 10, (1) C= 1/2aBR, (2) L= 1/w2C (3) Q,~ f./B (4) N= (R/Rz)'? (5) Q:/N = Qp. Si Q,/N > 10, usar este valor para Q, y usar las formulas de la columna izquierda, Si Q,/N < 10, emplear las del lado derecho. Férmulas aproximadas Q, = 10 Férmulas para Qy <10 a +1 (6) a= 2 (6) a, = (9414) - Hea (7) G2= NC (7) Co= 2 2 (@ = 7 (8) On = S408) Cul (9) C= Ge -692. Circuitos resonantes y Transformaci6n de impedancias TABLA 3.6.2 Férmulas de disefio para circuitos con inductor derivado Ry Para Q, © f/B > 10, (1) C~1/20BR, (2) L~1/0,°C (3) Q=f/B (4) N= (R/RQ)'? (5) Q/N ~ Q,. SiQ,/N > 10, usar este valor para Q, y usar las formulas de la columna del lado izquierdo. $i Q,/N < 10, emplear las de la derecha. Férmulas aproximades Q,, > 10 Férmulas para Qp <10. a _(@?+1_,)"" (©) =F (@) a, =( 41-4) lira (ERs (7) be= (7) b= Be LQ? (8) Ly=(N—1)La=L~Le (8) ban = BP (9) Ly=L-LewTablas de formulas de disefio 93 TABLA 38 Formulas de disefio para el transformador sintonizado simple Para Q, * f,/B > 10, (1) C=1/27BR, (2) Li= Wag? (3) N= (RF)? (4) Ver figura 3.30. Escoger un valor de @, que dé un valor aceptable para el coeficiente de acoplamiento k . Si este Qp es> 10, usar las formulas de la columna del lado izquierdo. Si Qp < 10, seguir las de la derecha, Férmulas aproximadas Q,=10 Férmulas para Q, <10 (ey? ~aest\ 6) «~(%) () k= (&5) _ fe fe (6) te= (6) bam Be (7) Ly ~t, (-del paso 2) () =k (Ste) a Te NOP +The (Ma (8) M = k(LsLa)”?Capitulo 4 : AMPLIFICADORES DE ALTA FRECUENCIA CON SENAL DEBIL Un receptor de radio tipico requicre varios grupos de amplificadores separados por circuitos conversores de frecuencia (llamados mezcladores, conversores y detectores) para extraer la informacién portada por el voltaje de sefial que aparece en las terminales de antena. Este capitulo estudia esos amplificadores, sus caracteristicas y la forma como se disefian con énfasis especial cn obtener alta ganancia sin oscilaciones indeseables. El material es aplicable a todo equipo que utilice amplificadores de sefial débil. Los amplificadores de sefial fuerte se tratan en los capitulos 12 a 14. EI método de disefio en este capitulo, se basa en el uso de parametros y de sefial débil del dispositivo activo, pues al escribir este libro, estan disponibles o se pueden calcular partiendo de la informacién de catdlogo para transis.ores de HF y VHF. Para el método que usa los pardmetros de dispersion se recomienda al lector un libro de Car- son [1]. 4.1 Definicién de un amplificador de sefial débil En este capitulo, el término amplificador de sefal débil implica dos condiciones: 1) las amplitudes de sefial son lo suficientemente pequefias como para que los dispositivos activos puedan modelarse por pardmetros y de cuadripolo o por circuitos equivalentes lineales, tales como el circuito hibrido pi y 2) el voltaje de sefial de salida es linealmente proporcional al voltaje de sefial de entrada. (La segunda condicién, que queda implici- ta en la primera, se satisface también en amplificadores “lineales” Clase B, aun cuando Jos transistores se excitan a corte para la mitad de cada ciclo). Para un anilisis mds detallado del aspecto de seftal débil, considérese el circuito amplificador de la figura 4.1. Con los supuestos de que 1) las capacitancias internas del transistor tienen efectos despreciables; 2) Cg y Co carecen de reactancia y 3) V; es lo suficientemente pequefio como para que el transistor opere en la region lineal, la ganancia en voltaje esta dada por BmR 4a)96 Amplificadores de alta frecuencia con sefial débil Yeo Figura 4.1 Circuito de amplificador sintonizado. donde g,, es la transconductancia de la sefial débil y R; es la impedancia de resonancia del circuito de colector sintonizado. Si la amplitud de V; se incrementa lo suficiente, se lleva al transistor a la operacién no lineal, dando lugar a la generacion de arméni- cas y a un desplazamiento en el valor promedio de la corriente de colector (desplazamiento del punto Q). La presencia de armonicas en la corriente de colector no es mala intrinsecamente, pues el circuito sintonizado de alto Q seleccionard la componente de frecuencia fundamental y presentard una impedancia baja a las arménicas. No obstante, el desplazamiento del punto Q y las arménicas modificarén el valor efectivo de gm, de tal suerte que la amplitud de V, ya no es una funcién lineal de Vj. En transistores de unidn bipolares (BJT: bipolar junction transistors) la corriente de colector es una funcién exponencial del voltaje base-emisor. ic = — apse 8eUT (4-2) En la expresion anterior Js es la corriente de saturacién del emisor. Haciendo vee = Veet Vi cos wt y x = Viq/kT = V; (milivolts)/26 a temperatura ambiente, se ha demostrado que la rela- cién entre ic y x es (2) te= —ale| bfx) +2. 3 n(x) cos net] (43) donde Jy es el valor de reposo de la corriente de emisor y /,, (x) es la funcién de Bessel modificada de primera clase. Si el circuito de polarizacién mantiene 1a componente deDefinicién de un amplificador de seal débil 97 cee. de ic constante, en un valor Ic, entonces Ic = — allglo(x) y (4.3) puede Hevarse a la forma . ie le[1+2 5 PE cos not} 44) Las graficas de 21; (%)/Io(x) y 22 (x)/Jo(x) se muestran en la figura 4.2. Para un amplificador no sintonizado (de banda ancha) las curvas muestran que atin en x =0.5 (V; = 13 mV) la distorsion de segunda arménica excederd al 12% . Sin embargo, con un amplificador sintonizddo (banda estrecha), s6lo la componente de frecuencia fundamental de i¢ produce un voltaje de salida apreciable; la consideracin importante para operacién en sefial débil es que la corriente de frecuencia fundamental sea proporcional a V;. La figura 4.2 muestra que la separaci6n respecto a la linealidad es del orden de 11% para x = 1 (Vj = 26 mV). Si este grado de reduccién de ganancia (aproximadamente 1 dB) es aceptable, V; < 26 mV se puede usar para definir el limite de la operacién no sefial débil para el transistor. Con transistores de efecto de campo (FET: field-effect transistors) existe una re- lacién de Jey cuadratica entre la corriente de dren ig y el voltaje de-sefial de entrada vgs. Para FETs de unién y MOSFETs agotados. ip = Toss(1 - uss)! (45) donde Zpss es la corriente de salida para Voy =0 y Vos = — Vp y Vp es la tension de corte. Para MOSFET en intensificacion. in = Ioo(1- sas (4-6) 2h ts To(x) (Fundamental) nlx) os 2a (x) To(x) (2a. arménica) Figura 4.2 Corrientes fundamental y de segunda arménica contra amplitud de sefial.98 Amplificadores de alta frecuencia con sefial débil donde Vr es el voltaje de encendido Jpg es el valor saturado de corriente consumida para Vos =Vos—Vr- El andlisis del FET con la sefial de entrada V; cos cf indica que hay una relacién lineal entre la componente de frecuencia fundamental de la corriente de consumo y el voltaje de entrada, si el punto Q se mantiene constante. Un dispositivo real puede no tener la relacion ideal de ley cuadratica de (4.5) 0 (4.6). Por consiguiente, el voltaje de entrada debe limitarse a un maximo de aproximadamente 400 m V para la caracteristica lineal de entrada-salida. 4.2 Modelos para el dispositivo activo En el disefio o andlisis de un amplificador para sefial débil, los dispositivos activos (BJT, FET o IC: integrated circuits) se sustituyen gencralmente por modelos adecuados basados el supuesto de operacion lineal (sin distorsion). Dos modelos populares son el cuadripolo (usando pardmetros y) y el circuito equivalente. Los pardmetros de cuadripolo son convenientes para el andlisis de ganancia y estabilidad generalizadas, aunque tienen la desventaja que se trata de ntimeros complejos que deben ericontrarse por me- dicién en cada frecuencia de interés. Los modelos de circuito equivalente son aplicables dentro de un rango bastante amplio de frecuencias; poseen valores de pardmetros fijos relacionados con la fisica del dispositivo y se adaptan directamente a programas de andlisis por computadora. Circuitos equivalentes Para el BIT, el modelo hibrido pi de la figura 4.3 es atil hasta alrededor de f/5, donde fr es la frecuencia de transicién. Algunos otros simbolos y las relaciones entre paréme- 40|Icl: Bo = hye a baja frecuencia fr = Bofa = filte|, donde f, > Sfp C~Cu~Cor C, = om ye Sn =, or Or wh Figura 4.3 Modelo hibrido pi del transistor y relaciones entre parametros.Modelos para el dispositive activo 99 Coss = Chas = Cos + Cea? Cone = Cqt + Cas = Cat Cus = Cot Figura 4.4 Circuito equivalente para un FET. tros se muestran en la figura 4.3. Con frecuencias de radio, se puede omitir las resistencias Try ¥ Toe para simplificar el circuito. La figura 4.4 muestra un circuito equivalente de fuente comin para el FET. Aunque estos circuitos equivalentes son atractivos para analisis por computadora, su uso en disefio de amplificadores en RF es limitado, pues no son exactos en el rango de VHF y carecen de utilidad para el anilisis de estabilidad. Los dispositivos en alta frecuencia se caracterizan generalmente por graficas en frecuencia de Ja admitancia compleja (y) 0 por pardmetros de dispersién (s). El andlisis que sigue se basa en e] uso de los parametros y. El apéndice 4.1 da formulas de conversién a pardmetros y, a partir de otros conjuntos de pardmetros del cuadripolo. Los catélogos para muchos dispositivos no incluyen parémetros y. El apéndice 4.2 da férmulas para calcular los parémetros y en términos de los valores de circuito pi hibrido. Este tiltimo puede determinarse de la informacién de especificaciones mediante el uso de las relaciones dadas en la figura 4.3. Parametros de admitancia de cuadripolo Para operacién lineal con sefial débil, el dispositivo activo se puede caracterizar por un cuadripolo como se ilustra en la figura 4.5, con las ecuaciones: I= Viy. + Viy, = — Vi¥s (47) T, = Viyy + Voyo = — Vo¥; ° (4-8) n= Viyy + Vo¥o oY 7 ay donde y;, ¥,, ¥f ¥ Yo son los pardmetros de admitancia en circuito corto del dispositivo y Ys y Yz, son las admitancias de fuente y carga respectivamente. Red de dos puertos Figura 4.5 Cuadripolo generalizado.100 Amplificadores de alta frecuencia con sefial débil De estas ecuaciones se pueden derivar varias relaciones utiles. De (4.8), se encuentra que la ganancia en voltaje es Hea eerste Ay= Vv, yor Vi (4-9) Tomando la razon de (4.8) a (4.7), dividiendo el numerador y denominador entre V, y haciendo uso de (4.9), se encuentra que la ganancia en corriente es: -h. yy _ AT" By t yi aa En esta expresién, Ay es el “determinante y” dado por AY = Yio — Yr (4-11) Para encontrar la admitancia de entrada Y, de Ja red en el punto 1, (4.7) se divi- den entre V; y (4.9) se sustituye en la expresi6n resultante para obtener ay (412) La admitancia vista desde el puerto de salida hacia atrds se puede encontrar en forma similar. De (4.7), la transferencia de voltaje inversa es tVia sees Denes V2 y+ Ys (413) Si se divide (4.8) entre V, y se sustituye (4.13) en la expresi6n resultante, se encuentra la admitancia de salida como I, Wye Y= 7 = yo - (4-14) eV. y+ Ys fae Pueden derivarse relaciones semejantes en términos de los otros conjuntos de pardmetros de cuadripolo (z, h, y g), que se resumen en el apéndice 4.3. 4.3 Estabilidad de amplificador Un amplificador estable es el que est libre de oscilaciones indeseables. Como cualquier circuito amplificador puede Iegar a ser inestable si bastante de su energia de salida se retroalimenta al puerto de entrada con la fase adecuada, siempre esta presente el peli- gro de oscilaciones indeseables o “parasitas ’. El acoplamiento de salida a entrada tiene Jugar a través de la capacitancia dentro del dispositivo activo y a través de elementos externos de circuito. Como la reactancia de la capacitancia de “retroalimentacién” (tal como C,, en Ia figura 4.3) decrece el aumentar la frecuencia, la posibilidad de oscilaciones indeseables es mayor en amplificadores de RF que en los de audio.Estabilidad de amplificador 101 Una meta mayor en el disefio de amplificadores de RF es alcanzar la ganancia en potencia maxima con un grado de estabilidad predecible. El resto de este capitulo se dedica al andlisis de ganancia de amplificador y estabilidad, basado sobre valores cono- cidos de los pardmetros y de dispositivo activo. Este andlisis se aplica también a circuitos mezcladores que proporcionan ganancia en potencia de entrada a salida. El conjunto completo de datos para un transistor de RF (2N4957) se da en el apéndice 4.4, Ademas de los pardmetros y que se usaran en ejemplos y problemas, se dan otros muchos parametros utiles de disefio. Estabilidad de! dispositivo-factor C de estabilidad de Linvill La estabilidad potencial del dispositivo activo es un factor importante en el disefio global de amplificadores y en la eleccién del dispositivo adecuado. El factor de estabilidad de Linvill (3) es medida de la estabilidad del dispositivo, bajo condiciones hipotéticas del caso peor; es decir, con ambos puertos en circuito abierto. El factor C de Linvill.se da por la siguiente expresion, en Ja que g; y g son las partes reales de y; y Yo, respectivamente y donde el simbolo Re (_) denota “la parte real de( )”. c (4-15) a yey 2eg. — Retype) Si C es menor que 1, el dispositivo es estable@h incondicionalmente. Si es mayor que 1, el dispositivo es potencialmente inestable y ciertas combinaciones de fuente y carga ptoducirin oscilaciones. Muchos transistores y FETs en BRF son potencialmente ines- tables dentro de algan rango de frecuencias, a causa de capacitancias internas de re- troalimentacién. Ejemplo 4.3.1. Los parimetros y aproximados de emisor comin de un transistor 2N 4957 en f = 200 MHz, Vog = 10 V. Ic =2 mA, se encuentran de Jos datos en el apén- dice 4.4 como sigue: Y= 2.7+j6.8mU yy =53-j22mU || = $7.4mU Y= 0-j0.5 mU ly] =0.5 mv Yo = 0.14 j1.5mU Mediante (4.15) se encuentra el factor de estabilidad de Linvill como 57.4 0.5 C= 054-1) 2.49 Este resultado indica que el transistor es potencialmente inestable si se usan impedancias de carga y fuentes muy grandes. (Observar que el valor de C se confitma por la figura 14 en el apéndice 4.4). Estabilidad de circuitos - Factor K de estabilidad de Stern La adicién de impedancias de carga y fuentes finitas al dispositivo activo tiende a me- jorar la estabilidad del amplificador. Stern [4] desarrollé un criterio util de estabilidad102 Amplificadores de alta frecuencia con sefial débil que toma en cuenta las admitancias de fuente (Ys) y carga (Y,) junto con los parametros del dispositivo. El factor K de Stern estd dado por 2(gi + Gs)(Bo + Gr) = SEL ash bo tt) 4-16 yy] + Re(y-) (+16) donde Gs y G, son las partes reales (conductancias) de Ys e Y;,, respectivamente. Si K es mayor que 1, el circuito es estable, Si K es menor que 1, es potencialmente inestable. Ejemplo 4.3.2. Si el transistor del ejemplo 4.3.1. se termina en Rs = 50 ohms (Gg = 20 mB) y Ry, = 1000 ohms (G, = 1 mB), el factor de Stern, calculado con (4.16) es 2x22.7x 28.7 + De esta manera, el circuito con estas terminaciones escogidas arbitrariamente es potencialmente estable, a menos que capacitancias pardsitas del circuito, no consideradas aqui, contribuyan a la retroalimentacion. Al aumentar Gg y G,, también lo hace el factor de estabilidad, pero disminuye la ganancia de transductor. (Ver figura 7 del apéndi- ce 4.4). Si se conecta una trayectoria externa alrededor de la red activa, como se ve en la figura 4.6, los criterios de Linvill y Stern pueden ain aplicarse, aunque los pardmetros y usados serdn entonces los parametros y compuestos de los dos circuitos conectadas en Red de retroalimentacion Dispositivo activo (iy) % ” Figura 4.6 Representacién cuadripolar de un dispositivo activo con retroalimentacion.Estabilidad de amplificador 103 Figura 4.7 Circuito simple de retroalimentaci6n enel cual y¢=Yor=Vx VV it =Vrf=—Vx- paralelo.’ Si se agrega el sub{ndice “t” a los pardmetros del dispositivo y el fa los dé la red de retroalimentaci6n, los pardmetros (y,) compuestos se pueden escribir como Vic = Viet Yipr Yor = Yor + Yor (417) Y= Int Voy Y= Yat Yor Si la red de retroalimentacién se reduce a una sola admitancia y,, conectada entre las terminales 1 y 2 como se muestra en la figura 4.7, los pardmetrosy de esta red son Ya = Yor = Ys y (4-18) Ye = Va = — Vx Una capacitancia C, conectada de salida a entrada tiene asi yx =jwCy y Y= — jwCy Ejemplo 4.3.3. Supdngase que la capacitancia externa C, = 3.25 pF se introduce como elemento de retroalimentacién entre las terminales 1 y 2 en la figura 4.6. La admitancia del capacitor en f = 200 MHz es y, =/4 mV, Con los pardmetros de transistor del ejemplo 4.3.1, los pardmetros y compuestos dados por (4.17) se vuelven ahora Vie = 2.7 + j10.8 m0 Yoo = 0.1 + j5.5mU Ne = 53— j26mUV Yr = O- j4.5mU El factor de estabilidad de Linvill para este circuito es 59.0345 _ 4— (117) c 2.26 que es un poco menor que el que se obtuvo en el ejemplo 4.3.1, Sin embargo, si se usan las Gs y G, del ejemplo 4.3.2, el factor de Stern se hace 2X 22.7x 11 K = 965.6—117 = 0.336 De esta manera, afiadir e] capacitor hace que el circuito con la carga especificada se ha- ga inestable, aun cuando fuera estable en el ejemplo anterior. ‘Los pardmetros compuestos para redes en paralelo y las restricciones para usarse se establecen en ‘cualquier tratado avanzado sobre anilisis de cuadripotos. Ver [5], para un ejemplo.104 Amplificadores de alta frecuencia con sefial débil 4.4. Obtencidn de estabilidad La inestabilidad del amplificador la origina por lo general la trayectoria de retroalimentacion a través de yy del dispositivo activo o por la Yyo de la red compuesta, El examen de (4.15) 0 (4.16) indica varias maneras por las que puede asegurarse la estabilidad. 1. Si la red de retroalimentacién puede escogerse de tal manera que ¥¢=—Jr, la compuesta Yyq es igual a cero y el amplificador es incondicionalmente estable, pues no hay transmisién inversa. Se dice entonces que el amplificador es unilateralizado. Si yy_ es compleja, puede ser dificil producir una red de re- troalimentacién que produzca una yrr=— yf . En la mayor parte de los BJT y FET, la admitancia de transferencia inversa es compleja: Yn =& + iPr, ¥ Se por lo general es despreciable frente a Dyp en RF. Si la red externa tiene una y,¢ = jb» = — jbyz, se cancela la retroali- mentacién a través de by y la compuesta J;¢ = 87 es a menudo lo suficientemente pequefia para asegurar una operacién estable. Se dice entonces que el amplificador esté neutralizado. La figura 4.8 muestra dos diagramas sim. plificados de amplificadores neutralizados. En la figura 4.8a la combinacién serie de L, y C, puede sintonizar para producir una susceptancia inductiva neta (negativa) de colector a base, de tal suerte que by, sea positiva. En la figu- ta 4.8b, el capacitor de neutralizacion se conecta al punto b, que tiene fase opuesta al punto a, respecto al contacto central de derivacién masa RF de la toma central de la bobina. La capacitancia C,, es por lo tanto equivalente a una capacitancia negativa conectada entre el colector y la base. La figura 1 N Yee Zs (@ Figura 4.8 Dos tipos de circuitos de neutralizacién.Ganancia de potencia en amplificadores 105 en el catdlogo 2N4957, (apéndice 4.4) muestra otro circuito de neutrali- zaci6n que utiliza acoplamiento transformador. =~ 3. A expensas de una reduccion en la ganancia, se puede evitar totalmente el uso de circuitos neutralizadores, si G, y Gz, se escogen lo suficientemente grandes para hacer que el factor de Stern sea mayor que 1. (Como regla practica los disefiadores conservadores prefieren factores de Stern en el rango de 1 a 4 para tener un factor de seguridad adecuado). Estas alternativas se analizardn en las secciones siguientes, aunque deben introducirse antes algunas definicig- nes de diversas ganancias en potencia. Ejemplo 4.4.1, El transistor del ejemplo 4.3.1. se va a neutralizar introduciendo un inductor de retroalimentacién como en la figura 4.8a. De los datos del transistor, by = — 0.5 mU. Por lo tanto, para la neutralizacién y= ~ iby: = + 70.5 mU y la com- binaci6n serie de Ly y Cy en la figura 4.84 debe tener una admitancia y, = — j0.5 mv (inductiva). 4.5 Ganancia de potencia en amplificadores La ganancia en potencia de un amplificador estable, representada por la figura 4.9, se puede definir de varias maneras, dependiendo de los supuestos que se hagan sobre el acoplamiento de impedancias en los puertos de entrada y salida. Se dan enseguida las definiciones usadas comtinmente. Ganancia en potencia de operacion La ganancia de potencia de operacién, Gp, es la ganancia desde la entrada del dispositivo activo a la admitancia de carga Yy,. Ge P. potencia entregada a la carga ViPGL (4-19) > P, _ potencia en el puerto de entrada [V,['G, En términos de los pardmetros de la red (yz 0 ye) y con el uso de (4.9): G, = phil Ge (4-20) o Amplificador o Figura 4.9 Esta figura define las admitancias de entrada y salida y los diversos términos de potencia para un cuadripolo.106 Amplificadores de alta frecuencia con sefal débil Ganancia disponible La ganancia disponible, G4 , supone un acoplamiento de impedancias conjugadas (Y's = Yt y Yz = Y#) en los puertos de entrada y salida. Representa la ganancia maxima disponible en el amplificador: ible en la puerta de salida Pz, potencia disponible en la fuente (421) El término potencia disponible se definié en la seccién 2.4, ecuaciones (2.32) y (2.33). En términos de los parémetros de la red, PX Gs O4* Refine 90, + Ya) On VO (4-22) Ganancia de transductor La ganancia de transductor, Gr, se define por P, ___ potencia entregada a la carga ft eotenciaidisaaninle de talfuenioiin, (4-23) Gr =p ~ Dotencia disponible de la Tuente Este valor de ganancia se obtiene realmente solo si la fuente esta acoplada con su conjugada en el puerto de entrada. Por lo comin, sin embargo Re (Y;) =G, # Gy. La potencia de salida Py puede atin calcularse en Gr si se conoce el voltaje o corriente de la fuente, de tal suerte que pueda calcularse su potencia disponible Pay. En términos de los parametros de la red 4GsGily,)* Or EF Vee + Yd =p (4-24) Maxima ganancia disponible La ganancia disponible maxima (MAG: maximum available gain) se usan a menudo como cifra de mérito de un transistor o FET. La MAG es Ja ganancia en potencias tedrica de un dispositive con su admitancia de transferencia inversa y, igual a cero y con las admitancias de fuente y carga acopladas conjugadamente a y; y yo, respectivamente, [Observar de (4.12) y (4.14) que si y, = 0, Y; = ¥; y Yo =Yo]. Si se sustituyen estas condiciones en (4.22) 0 un (4.24), se encuentra para la MAG 2 MAG = pe (4-25) y representa un limite superior tedrico para la ganancia que se puede obtener con el dispositivo empleado. Obsérvese que las ganancias en potencia anteriores relacionan las potencias en los puertos de entrada y salida del dispositivo activo. Si las redes acopladoras de impedancias que dan los valores deseados de Ys y Y,, tienen pérdidas, la ganancia de Ppotencia global entre la fuente y la carga decrecer4 consecuentemente.Disefio con dispositive incondicionalmente estable 107 Para el caso general de un dispositive que no es potencialmente inestable y para el que y, #0, es evidente de las definiciones para Gr y G4.que Gr ser menor que Gy . Sin embargo, si el puerto de salida esta acoplado por carga conjugada, (Y; = Y¥) entonces Gr tiene su valor maximo Gr, mx = G4. Esto conduce a Ja conclusién esperada de que Ja ganancia de transductor de un amplificador se hace maxima si la fuente y la carga estan acopladas conjugadamente al dispositivo activo. Las soluciones para los valores adecuados de Ys y Y, son interdependientes y, por lo tanto, resulta tedioso en- contrarlas (ver seccién 4.7). Selecciones de disefio El disefiador debe maximizar la ganancia de potencia de operacién Gp o la de transductor Gy, dentro de las restricciones impuestas por consideraciones de ruido o de estabilidad. Una fuente acoplada a la entrada puede no dar la cifra de ruido minima. Para adquirir la estabilidad deseada, pueden Ia fuente o la carga tener que desacoplarse, por lo que el disefio “éptimo” depende de las caracteristicas del dispositivo activo. Los diversos casos que se analizaran serén los que siguen: 1. El dispositivo activo es incondicionalmente estable. Van a determinarse los valores de Ys y ¥;, que den la ganancia de transductor maximo, Gr. méx- . El dispositivo activo es potencialmente inestable. La estabilidad se logra por medio de retroalimentacion para unilateralizar o neutralizar al amplificador. Van a usarse Jos pardmetros compuestos (/-) para resolver para Ys y Gz que dena Gr max: 3. El dispositivo activo es potencialmente inestable. La estabilidad se logra por la eleccién adecuada de Gs y G.que denel factor K deseado. Los procedimientos dados por Stern [4] y Hejhall [6] dan la solucién que maximiza la ganancia del transductor. 4.6 _Disefio con dispositivo incondicionalmente estable Si el factor C de Linvill indica que el dispositivo activo es estable incondicionalmente, el disefiador estd en libertad de escoger Ys y Yj, que optimicen los requerimientos de operacién, tales como la ganancia y la cifra de ruido. La neutralizacién puede ser deseable para minimizar Ja interacci6n entre la sintonizacién de los circuitos de entrada y salida y para aislar Ia sefial del oscilador local de 1a antena. Como el amplificador unilateralizado da las ecuaciones de disefio mds simples, se considerard en primer término ese tipo de amplificador. Amplificador unilateralizado Como se vio en !a figura 4.6, se puede conectar Ia red de retroalimentacién alrededor del dispositivo activo, para hacer y-=0. Aunque no siempre es fisicamente realizable, el concepte se ilustra con la red de la figura 4.7, para la cual Yr = Yn y (4-26) ya =—Yn

Herbert L. Krauss - Estado Solido en Ingenieria de Radiocomunicacion

Загружено:

Сведения о документе

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

Herbert L. Krauss - Estado Solido en Ingenieria de Radiocomunicacion

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

Вам также может понравиться