CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR BJT.

El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica

bsicamente sobre un mono cristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que
tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como
los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se
contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo
tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones Nene forma equivalente los
transistores bit se pueden entender como un Fuente de corriente(salida)
controlada por corriente (entrada). Ganancia de corriente. Terminales: Base,
Emisor y Colector.

Accin amplificadora del transistor.

Un transistor funciona como una vlvula que requiere un pequeo esfuerzo al
abrirla para producir una gran cantidad de flujo atraves de ella, dicho de otra
manea una pequea corriente dbase produce una gran corriente de colector, la
corriente tiene una diferencia de potencial asociada tanto entrada como en la
salida.
Regin activa del transistor.
La regin activa del transistor se define a travs de la curva de Ic con respecto a
Vec, y distingue tres regiones, la zona de corte donde la curva tiene un ascenso, la
zona de ruptura al final donde la tensin Vce es mayor a 40v y la zona de
funcionamiento que es la parte horizontal de la curva donde los cambios de
tensin en el colector no influyen en la corriente del colector, situada entre 1V
40V.
Finalidad de la recta de carga.
Representa el efecto de carga de Ic y Vce y contiene todos los puntos de trabajo
del circuito.

Datos son necesarios para trazar la recta de carga.

Dado el comportamiento lineal podemos obtener la curva con solo dos puntos, uno
se halla cuando fijamos un corto entre colector y emisor de manera que Vce = 0 e
Ic ser entonces Ic=Vcc/Rc es decir la corriente mxima o de saturacin, el otro
punto se obtiene haciendo Ic=0, lo que significa que eliminamos el transistor
quedando Vcc = Vce, el cual se conoce como tensin de corte.
Punto de trabajo del transistor.
El punto de trabajo es un punto que demuestra la sensibilidad del Vec a los
cambios en la ganancia y se ubica en la zona activa y pertenece a la recta de
carga, de manera que se define a partir de valores de Ic y Vec.
Parmetros hbridos.
Los parmetro hbridos nos ayuda a determinar el comportamiento de una red de
dos puertos, generalmente se usan para la elaboracin de un circuito equivalente
con fuentes dependientes y ganancia definida.
Funcin de ganancia en db del generador de seales.
La funcin de ganancia representa los efectos que tiene la frecuencia en la
ganancia del circuito, generalmente tiene valores muy grandes tanto que el
comportamiento no es fcilmente notorio en una grfica a escala, por tal razn se
acude a la escala logartmica definida con 20*log*(F (f)), ella cual el
comportamiento de la funcin se hace notorio facilitando su anlisis.
Regiones operativas del transistor.
Regin activa en cuanto a la polaridad:
Corriente del emisor = ( + 1) Ib; corriente del colector= Ib
Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte
entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la
corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de
(ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se
encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms importante
si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal.
Regin inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el
transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las
regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los
BJT son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el
parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo
activo.

Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada de
voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente
de base = 0 (Ib =0)
Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:
Corriente de colector corriente de emisor = corriente mxima, (Ic Ie = Imx)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del
circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos. Se
presenta cuando la diferencia de potencial entre el colector y el emisor desciende
por debajo del valor umbral VCE, sat. Cuando el transistor esta en saturacin, la
relacin lineal de amplificacin Ic=Ib (y por ende, la relacin Ie=(+1)Ib ) no se
cumple.

Funcionamiento transistor bjt.

En una configuracin normal, la unin base-emisor se polariza en directa y la
unin base-colector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de
carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a
la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados
por el campo elctrico que existe entre la base y el colector. Un transistor NPN
puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo compartida. En
una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la unin
base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo,
cuando una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio
entre los portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la
regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados
trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs
de la base, desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin
de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base son
llamados portadores minoritarios debido a que la base est dopada con material P,
los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base.

Control de tensin, carga y corriente.

La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente
base-emisor (control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de
voltaje). Esto es debido a la relacin tensin-corriente de la unin base-emisor, la
cual es la curva tensin-corriente exponencial usual de una unin PN (es decir, un
diodo).
En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a
que es aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es
aproximadamente veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser
diseados asumiendo que la tensin base-emisor es aproximadamente constante,
y que la corriente de colector es veces la corriente de la base. No obstante, para
disear circuitos utilizando BJT con precisin y confiabilidad, se requiere el uso de
modelos matemticos del transistor como el modelo Ebers-Moll.
El Alfa y Beta del transistor.
Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de
electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la
regin del emisor y el bajo dopaje de la regin de la base pueden causar que
muchos ms electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base que
huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de corriente emisor comn
est representada por
o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de corriente
continua de colector a la corriente continua de la base en la regin activa directa y
es tpicamente mayor a 100. Otro parmetro importante es la ganancia de
corriente base comn.
. La ganancia de corriente base comn es
aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la regin
activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila
entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las
siguientes relaciones (para un transistor NPN):

TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR.

La funcin del transistor como interruptor es exactamente igual que la de un
dispositivo mecnico: o bien deja pasar la corriente, o bien la corta. La diferencia
est en que mientras en el primero es necesario que haya algn tipo de control
mecnico, en el BJT la seal de la aplicacin al encendido de una bombilla.

Transistor BJT como interruptor de corriente.

En el primer caso, bajo la seal de control adecuada, que es introducida a travs
de la base, el transistor se comporta como un circuito abierto entre el emisor y el
colector, no existe corriente y la bombilla estar apagada. En el segundo caso,
cambiando la seal de control, se cierra el circuito entre C y E, y los 12 V se
aplican a la bombilla, que se enciende.
Este funcionamiento entre los estados de corte y conduccin se denomina
operacin en conmutacin. Las aplicaciones tpicas de este modo de operacin
son la electrnica de potencia y la electrnica digital, en la que los circuitos operan
con dos niveles de tensin fijos equivalentes al

lgicos.

TRANSISTOR COMO RESISTENCIA VARIABLE.

Comparacin entre un potencimetro y un transistor colocados en un circuito.

Transistor bipolar operando como resistencia variable.

Si el valor de la resistencia del potencimetro se fija en 5 kW, la tensin de salida

VOUT ser de 5 V. Al aumentar esta resistencia, la salida tambin aumentar de
valor. Por ejemplo, con 20 kW VOUT resulta ser 8 V. Modificando el valor del
potencimetro se puede obtener cualquier valor en la salida comprendido entre 0
V y 10 V, ya que:

Al igual que en el potencimetro, en el transistor se puede ajustar su resistencia

entre colector y emisor, con la diferencia de que la seal de mando no es
mecnica, sino elctrica a travs de la base. Como se ver ms adelante, con una
pequea seal aplicada en la base puede gobernarse el BJT, con lo que aparece
un concepto nuevo: la amplificacin de seales. Esta funcin es la base de la
electrnica analgica, aquella en la que se procesan seales de tensin
respetando su forma de onda temporal.