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R.A:
Instrues:
Resolues copiadas entre alunos diferentes, ser atribuda nota zero a todos os
envolvidos!
1. Descreva o que acontece quando um transistor de juno bipolar npn entra no modo de
saturao.
2. Considere o circuito mostrado na Figura abaixo. Se Is1= 2 Is2 = 5 10-16A, determine VB para
que IX=1,2mA. Que valor de RC coloca o transistor na fronteira do modo ativo?
3. No circuito abaixo, determine o mximo valor de VCC que coloca Q1 na fronteira da regio
de saturao. Considere Is = 3 10-16A.
6. Com VGS-VTH=0,6V, um dispositivo NMOS conduz uma corrente de 1mA, e com VGS-VTH =
0,6V, uma corrente de 1,6mA. Admitindo que o dispositivo opera na regio de trodo,
determine VDS e W/L.
7. Desejamos usar um transistor MOSFET como um resistor varivel, com Ron= 500 ohms em
VGS= 1V, e Ron= 400 ohms em VGS= 1,5V. Explique por que isto no possvel.
8. No circuito abaixo, a entrada uma pequena senide superposta a um valor DC:
vin=v0 cos(wt) + v1, onde v0 da ordem de alguns millivolts. Para v1=0, obtenha W/L em
termos de RL e de outros parmetros de modo que vout = 0,95 vin. Depois, repita o
procedimento para v1=0,5V, e compare os resultados.
9. O ganho intrnseco de um MOSFET que atua na regio de saturao definido como gmr0.
Deduza uma expresso para gmr0 e faa um grfico da mesma em funo de ID. Suponha
VDS constante.
10. Se =0,1 V-1, e W/L=20/0,18, construa o modelo de pequenos sinais de cada circuito
mostrado abaixo: