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PROYECTO: FORTE PE
CONVENIO PER/B7-3011/95/004
UNIN EUROPEA- REPBLICA DEL
PER
SEMICONDUCTORES ESPECIALES
MODULO:
ELECTRNICA DE POTENCIA
AUTOR: Prof. Martn Lavado Lozano
ESPECIALIDAD : ELECTROTECNIA
INDUSTRIAL - OCTUBRE 2002
MARZO . 2002
Proyecto FORTE-PE
Electrotecnia Industrial
CAPITULO I: INTRODUCCIN
1.1 Importancia, aplicaciones e historia de la Electrnica de Potencia en nuestro pas.
En la industria hay numerosas operaciones, las cuales requieren que se entregue una cantidad de potencia
elctrica variable y controlada. Diversos campos de la electricidad y la electrnica se erumbaron hacia
tales destinos desarrollndose entre la electrotecnia y la electrnica una nueva tcnica, la electrnica de
potencia.
La puesta a punto de los semiconductores, diodos o tiristores de silicio, al permitir el control de
intensidades importantes, ha dado un empuje considerable a esta nueva tcnica, llamada tambin
electrnica de las corrientes fuertes.
En electrnica de corrientes fuertes, el concepto principal en toda transformacin es el de rendimiento. El
elemento de base no puede funcionar en rgimen de amplificacin, pues las prdidas, producto de la
intensidad por la cada de tensin, afectaran gravemente al rendimiento. Es necesario trabajar en rgimen
de conmutacin, siendo el componente de base el elemento semiconductor que funciona por todo o nada.
Cuando el semiconductor est en estado de bloqueo, es preciso que la corriente que lo atraviesa sea
despreciable, aunque est sometido a una tensin elevada, a fin de que la potencia consumida sea mnima.
Igualmente, cuando el rectificador est en estado de conduccin (paso importante de corriente), es preciso
que su cada de tensin interna sea muy dbil para que las prdidas sean despreciables frente a la potencia
transferida.
Estticamente, el semiconductor desempea un papel anlogo al de un interruptor mecnico:
- Cerrado o en conduccin, deja pasar la corriente provocando la mnima cada de tensin posible;
- Abierto o en bloqueo, no deja pasar corriente alguna a pesar de que en sus bornes aparezca una
tensin.
Las seales de control enviadas a un montaje electrnico de potencia sirven para fijar los instantes de
entrada en conduccin de los semiconductores. La potencia correspondiente a estas seales de cebado es
muy dbil en comparacin con la que se suministra a la carga.
El esquema siguiente nos muestra las funciones bsicas en la electrnica general a) y en la electrnica de
potencia b)
Potencia
Potencia de
presentacin
modificada
Seales de
Cebado
a) electrnica general
b) electrnica de potencia
salida
Seal
tratada
Entrada
Seal
salida
Entrada
Fuente auxiliar
de Potencia
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El componente bsico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos :
Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja
impedancia (conduccin).
Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequea potencia.
Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando est en estado de bloqueo,
con pequeas cadas de tensin entre sus electrodos, cuando est en estado de conduccin.
Ambas condiciones lo capacitan para controlar grandes potencias.
Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.
El ltimo requisito se traduce en que a mayor frecuencia de funcionamiento habr una mayor disipacin
de potencia. Por tanto, la potencia disipada depende de la frecuencia.
La Electrnica de Potencia es una disciplina que naci de la necesidad de manejar ptimamente altas
corrientes con elementos menos costosos que los existentes, como los reles, contactores y disyuntores.
Durante los ltimos aos han sido desarrollados dispositivos de estado slido capaces de controlar
grandes cantidades de potencia, con un alto grado de confiabilidad y eficiencia. Estos dispositivos han
producido cambios en los mtodos de controlar la energa elctrica, equivalentes a la revolucin que la
tecnologa de estado slido produjo en las telecomunicaciones y en el manejo de seales de baja potencia.
La electrnica de potencia ha sido reconocida como una disciplina que ocupa un lugar comparable con las
telecomunicaciones, control de maquinaria y otras.
Inicialmente esta rea era dominada por ingenieros electrnicos o de maquinaria o de control, con
conocimientos adquiridos en los dispositivos usados en la electrnica de potencia, hoy en da es una
disciplina especializada.
La importancia del desarrollo de la Electrnica de Potencia en el pas y el mundo se centra en el medio en
que se utiliza esta tcnica la cual ha permitido el desarrollo de nuevas tecnologas en la fabricacin de
procesos antes aletargados por los dispositivos existentes y/o las tcnicas empleadas
En nuestro pas el inicio de la Electrnica en General esta ntimamente ligado al inicio de la
radiodifusin a fines de la dcada de los 30, con radios transmisores, receptores HF y algunos receptores
superheterodinos utilizados por los radioaficionados de aquellas inicios.
Es a mediados de los aos 40 que el primer sistema de control para Tableros de Control de Energa de
Centrales Hidroelctricas es instalado en el pas.
Varios sistemas industriales a fines de los 40 comienzan a trabajar con triodos (tiratrones) y diodos en sus
sistemas bsicos de control (hablamos del paso de interruptores y conmutadores electromecnicos al paso
de los primeros sistemas electrnicos de conmutacin), en los claustros universitarios ya se hace mencin
de la tcnica llamada Electrnica de potencia.
En el inicio de los aos 60, los sistemas de conmutacin seguan siendo electromecnicos, pasando luego
a transistorizarce comenzando a incursionar en diferentes campos antes no utilizados (control de
temperatura, luz, velocidad de motores, etc.), los tubos comienzan a desaparecer. Aparece en el mundo a
inicios de 1960 el SCR (los tiristores en reminiscencia a las vlvulas tiratrones). En el mundo la
fabricacin de tubos desaparece a fines de 1967.
En 1962 llegan las primeras computadoras a la UNI e IBM, es la 1620 de IBM a tubos y memoria de
ferrita. En 1964 se instala la primera estacin Satelital el MINITRACK DE ANCON.
Aparece por esos aos la serie 74 de circuitos integrados de Texas Instrument y Motorola, teniendo sus
primeras aplicaciones en la industria del plstico en el pas (66-67) para inyeccin de plsticos (uso de IC
seri 74 y transistores)
A mediado de 1965 se deja de usar el triodo y el rel en la industria nacional siendo sustituidos por el
tiristor.
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Con la llegada de los microprocesadores como el 4040 y 4044 de INTEL se pasa al control programable
(de 4 bits).
La llegada de microprocesadores como el 8080 de Motorola y Z80 de Zilog a mediados de 1977 la
industria nacional comienza hablar de procesos automatizados y la Electrnica de Potencia deja de ser
una tcnica para expertos, pasando a convertirse en una disciplina de estudio ampliamente difundido en
nuestro medio industrial.
En los aos subsiguientes el desarrollo es exponencial, preveyendose el uso de tecnologas mixtas, el uso
de la robtica y la prevencin de la conservacin de la energa y medio ambiente. Los estndares de
calidad como el ISO 9001 y 14000 han comenzado ha obligar a pensar en la automatizacin con
Controladores Lgicos Programables (PLC) y microcontroladores las industrias locales, si es que las
mismas quieren llegar a competir con el mercado internacional, lo que involucra una mayor capacitacin
en reas como la Electrnica de Potencia, Electrnica Industrial y la hoy novsima Mecatrnica que
conjuntamente con la microelectrnica se dislumbran como las nuevas sendas de estudio en los centros de
Educacin Superior Tecnologica y universitarios.
RESUMEN CAPITULO I:
Entre la electrotecnia y la electrnica se desarrolla una nueva tcnica, la electrnica de potencia. En la
industria hay numerosas operaciones, las cuales requieren que se entreguen una cantidad de potencia
elctrica variable y controlada. La iluminacin, el control de velocidad de un motor, la soldadura
elctrica y el calentamiento elctrico, son las cuatro operaciones ms comunes.
El avance de dispositivos semiconductores como el scr, diac y triacs ha permitido el avance de esta
aplicacin conocida tambin como electrnica de corrientes fuertes. La reciprocidad entre la electrnica
de corrientes dbiles y las fuertes se ve menguada por diferencias saltantes entre ambas En electrnica de
corrientes fuertes, el concepto principal en toda transformacin es el de rendimiento; en la electrnica de
corrientes dbiles lo que interesa esencialmente es la relacin que se establece entre las seales de entrada
y de salida.
En el Per el desarrollo de la Electrnica en General esta ligada a la radiodifusin, es en la dcada de los
40 que se implementa el primer sistema de control electrnico en el pas, desde la dcada del 60 el avance
es exponencial, por lo que podemos afirmar que la Electrnica de Potencia en manos de la
automatizacin, jugaran un rol ms que importante en la nueva industria nacional.
PREGUNTAS DE REPASO:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
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DIODO IDEAL
IF
+
0
UF
IF
Fig. 2.1 La figura muestra el smbolo de un diodo y la grfica de la caracterstica
corriente vs voltaje.
Como se puede apreciar en el smbolo del diodo, este presenta una polaridad entre
sus terminales, el extremo de la derecha presenta polaridad negativa, representada
por la lnea corta (ctodo), y el extremo de la izquierda polaridad positiva representada
por la base del tringulo (nodo).
Otra forma de graficar esta caracterstica vista en la fig. 2.1 la veremos a continuacin
Fig. 2.2, donde es sencillo determinar si un diodo se encuentra en la regin de
conduccin o en la de no-conduccin observando tan slo la direccin de la
corriente if establecida por el voltaje aplicado. Para el flujo convencional (opuesto al de
los electrones), si la corriente resultante en el diodo tiene la misma direccin que la de
la flecha del smbolo de dicho elemento, ste opera en la regin de conduccin (parte
derecha del eje del voltaje de la fig. 2.1 y hacia arriba en el eje de la corriente); de lo
contrario en la regin de no-conduccin (parte izquierda del eje del voltaje de la fig. 2.1
y hacia abajo en el eje de la corriente).
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if
corto circuito
if
U
if
circuito abierto
i f =0
Fig. 2.2 La grfica presenta Los dos estados del diodo al suministrarle un voltaje,
la orientacin de la corriente simboliza la polaridad de la tensin aplicada. Esto
nos lleva a un estado de conduccin (corto circuito) y de no conduccin (circuito
abierto) del diodo.
MATERIALES SEMICONDUCTORES
No se puede entender las caractersticas de los dispositivos semiconductores, sino se
tiene un conocimiento previo de la estructura de los materiales semiconductores. Esto
nos lleva a un conocimiento ms profundo an que es el de las propiedades atmicas
bsicas de la materia.
El estudio de los fenmenos elctricos se remonta a tiempos inmemorables, siendo el electrn el
promotor de dichos efectos. Para entender su comportamiento se han realizado muchos
experimentos y estudios, es as que nace la concepcin del tomo, l cual se idealiza como un
ncleo, muy pesado cargado positivamente, rodeado de electrones. El ncleo ejerce una fuerza
de atraccin sobre los electrones; estos caeran en el ncleo sino fuera por la fuerza centrfuga
de su movimiento. Esto nos lleva a la concepcin de que los electrones se mueven alrededor del
ncleo en una rbita cerrada, que puede ser un circulo o una elipse, anloga al movimiento de
los planetas alrededor del Sol. Cuando un electrn se mueve en una rbita estable, tiene
exactamente la velocidad necesaria para que la fuerza centrfuga compense la atraccin nuclear.
2.1
NIVELES DE ENERGIA
La forma de orbitar de los electrones alrededor del tomo podra pensarse que puede
realizarse a cualquier radio, siempre que su velocidad tenga el valor necesario. La
fsica moderna nos dice que slo son permitidos ciertos radios de rbita. No se
concibe a un electrn viajando en rbitas intermedias. En la fig. 2.3 se da cuenta de
que los electrones viajan en rbitas establecidas (S se desea saber por qu, se
recomienda estudiar fsica cuntica). Para que un electrn pase de una rbita a otra se
requiere una cierta cantidad de energa, si es que el paso es de una rbita prxima al
ncleo a una ms distante, porque se debe efectuar un trabajo para contrarrestar la
atraccin del ncleo. Se entiende, que cuando ms alejada esta la rbita del ncleo
mayor ser la energa potencial. Cualquier electrn que haya abandonado su tomo
padre tiene un estado de energa ms alto que el de cualquier electrn en la estructura
atmica.
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2.2.2
REDES CRISTALINAS
r3
r2
r1
er
do
er
NIVEL DE ENERGIA
NIVEL DE ENERGIA
NIVEL DE ENERGIA
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puede encontrarse cualquier electrn en la red atmica, y que persiste una regin
prohibida entre la banda de valencia y el nivel de ionizacin. Recurdese que la
ionizacin es un mecanismo mediante el cual un electrn puede absorber suficiente
energa para desprenderse de la estructura atmica y unirse a portadores libres en la
banda de conduccin. Para poder explicar muchos fenmenos asociados con la
conduccin en gases, metales y semiconductores, y la emisin de electrones de la
superficie de un metal, es necesario suponer que el tomo tiene electrones con
enlaces dbiles que pueden separarse de l. Se notar que la energa se mide en
electrn-volts (eV)
Energa
Energa
Energa
Banda de
conduccin
Banda de
conduccin
E g > 6eV
Banda de
conduccin
Eg
Banda de valencia
Banda de
valencia
Banda de
Valencia
E g = 1.21eV (Si)
E g = 0.785eV (Ge)
(a) Aislador
(b) Semiconductor
(c) Conductor
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impurezas a un nivel muy bajo (en esencia con una pureza tan alta como la que puede
obtenerse con la tecnologa moderna). Los electrones libres en el material que se
deben slo a causas naturales se conocen como portadores intrnsecos. Se sigue
considerando malos conductores a estos materiales en el estado intrnseco.
Los materiales que han recibido la mayor atencin en el desarrollo de los dispositivos semiconductores
son el germanio (Ge) y silicio (Si), esto no significa que stos no son los nicos dos materiales
semiconductores. En aos recientes la tendencia se ha desviado firmemente hacia el silicio, alejndose el
germanio, pero ste se sigue produciendo aunque en menor cantidad. El Ge y el Si han recibido atencin
por varias razones. Una consideracin muy importante es el hecho de que pueden manufacturarse con un
muy alto nivel de pureza. La capacidad para cambiar las caractersticas del material de manera
significativa a travs del proceso de impurificacin, es otra razn por la que el Ge y el Si han recibido
tanta atencin. Otras razones incluyen el hecho de que sus caractersticas pueden alterarse notablemente
mediante la aplicacin de calor y luz (una consideracin importante en el desarrollo de los dispositivos
sensibles a la luz y al calor).
Si
Si
Si
Si
Si
TIPO n
Tanto los materiales tipo n como los de tipo p se forman agregando un nmero
predeterminado de tomos de impureza a una base de silicio o germanio. El tipo n se
crea aadiendo todos aquellos elementos de impureza que tenga cinco electrones de
valencia (pentavalentes), como antimonio, arsnico y fsforo. El efecto de estas
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- Si
-
- Si
- Si
-
- Si
-
- Sb
- Si
-
- Si
ELECTRON
EXTRA
IMPUREZA DE
ANTIMONIO
- Si
- Si
-
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Energa
Banda de Conduccin
0.01 eV
Ec
Ed
Nivel de Energa
donador
Eg
Ev
Banda de valencia
Si
Si
Si
HUECO
Si
Si
Si
IMPUREZA DE
BORO
Si
Si
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Energa
Banda de Conduccin
Ec
Eg
Nivel de Energa
aceptador
Ed
Ev
0.01 eV
Banda de valencia
2.4.1
Unin
Ion aceptador
Hueco
Tipo
Ion donador
Tipo
Electrn
1 micra
0.5 cm
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Distancia de la unin
d 2U
2
dx
Fig. 2.12.
Campo electrico, E
Fig. 2.13.
Potencial electrosttico
barreda de energa potencial para
los huecos
lado
E=0
U o
dU
dx
dx
Potencial electrosttico
barreda de energa potencialpara
los electrones
lado
U o
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IF IM IS
Donde IM >>IS.
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Unin
Is
Tipo
Tipo
+
-
Tipo
Tipo
IF
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CAPITULO 4: TRIAC
4.1 Introduccin
A diferencia de un SCR el TRIAC puede conducir corriente en cualquiera de las dos direcciones cuando
es llevado a CONDUCCION.
Cuando el TRIAC es BLOQUEADO, no puede fluir corriente entre sus terminales principales
independiente de la polaridad de la fuente externa aplicada. Por tanto, el TRIAC acta como un
interruptor abierto.
Cuando el TRIAC es llevado a CONDUCCION, presenta una resistencia muy baja al paso de la corriente
en el camino de un terminal principal al otro, donde el sentido del flujo depende de la polaridad de fuente
externa aplicada. Cuando el voltaje es ms positivo en MT2, la corriente fluye de MT2 a MT1. Cuando el
voltaje es ms positivo MT1, la corriente fluye de MT1 a MT2. En cualquier caso el triac acta como un
interruptor cerrado.
Anodo 2 (A2)
o
Terminal principal 2
(MT2)
Diferentes
nominaciones para los
terminales del TRIAC,
utilizados en textos y
manuales, segn la
norma o estndar a la
que esta sujeta.
La primera nominacin
(A1 y A2) es segn el
estndar DIN
Puerta
(G)
Anodo 1 (A1)
o
terminal principal 1 (MT1)
Figura 4-1
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de CONDUCCION durante una gran porcin del tiempo de ciclo, entonces el promedio de la corriente
ser alto.
Carga
MT2
Fuente
Circuito
de
disparo
o
control de G
MT1
Figura 4 -3
A diferencia de otros tiristores el TRIAC no est limitado a 180 de conduccin por ciclo. Con el
adecuado arreglo de disparo, pueden conducir por la totalidad de los 360 por ciclo. Entonces proporciona
control de potencia de onda completa en lugar del control de potencia de media onda posible con un
SCR.
Los triacs tienen las mismas ventajas que tienen los SCR y los transistores sobre los interruptores
mecnicos. No tienen el rebote de contacto, no se produce arco en los contactos parcialmente abiertos, y
pueden operarse mucho ms rpido que los interruptores mecnicos, por tanto permiten un control de
corriente ms preciso.
FORMAS DE ONDA EN LOS TRIACS
Las formas de onda en los triacs son similares a las formas de onda en los SCR, excepto que pueden
cebarse en el semiciclo negativo. La figura 4-4 muestra las formas de onda de voltaje en la carga y voltaje
en el triac (entre los terminales principales) para tres condiciones diferentes.
La forma de onda de la figura 4-4 (a) muestra al triac en CORTE durante los primeros 30 de cada
semiciclo; durante estos 30 el triac est actuando como un interruptor abierto. Durante este tiempo la
totalidad del voltaje de lnea cae a travs de los terminales principales del triac, y no se aplica voltaje a la
carga. Entonces no hay flujo de corriente por el triac o por la carga.
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Figura 4-4
La porcin de semiciclo durante el cual existe esta situacin se denominan ngulo de disparo, igual que
para el caso del SCR. Despus de transcurridos los 30, el triac se ceba o CONDUCE, y acta como un
interruptor cerrado. En este instante el triac comienza a conducir a travs de sus terminales principales y a
travs de la carga y contina la conduccin de corriente por el resto del semiciclo (vase la segunda parte
de la figura 4-4 (a)). Denominamos ngulo de conduccin a la porcin del semiciclo durante la cual el
triac esta en CONDUCCION. El ngulo de conduccin en la figura 4-4 (a) es 150. Las formas de onda
muestran que durante el ngulo de conduccin la totalidad del voltaje de lnea se aplica a la carga, y cero
voltaje aparece a travs de los terminales principales del triac.
Se muestra la misma forma de onda (en la figura 4-4 (b)) con un ngulo de disparo ms grande. En la
figura 4-4 (b)el ngulo de disparo es 120 y el ngulo de conduccin es 60. Dado que la corriente fluye
durante una pequea porcin de la totalidad del ciclo en este caso, el promedio de corriente es menor que
cuando se encontraba en la condicin de la figura 4-4 (a). Por tanto se transfiere menos potencia de la
fuente a la carga.
Los triacs, al igual que los SCR y muchos otros dispositivos semiconductores, presentan un notorio rango
de variacin en sus caractersticas elctricas. Este problema es especialmente evidente con los triacs
porque usualmente sucede que los requerimientos de disparo son diferentes para las dos polaridades de la
fuente de voltaje. La figura 4-4 (c) muestra formas de onda las cuales ilustran este problema. La forma de
onda del triac en la figura 4-4 (c) muestra un ngulo de disparo ms pequeo en el semiciclo positivo que
en el semiciclo negativo, esto es debido a la tendencia del triac a dispararse ms fcilmente en el
semiciclo positivo. Otro triac del mismo tipo podra presentar una tendencia a dispararse ms fcilmente
durante el semiciclo negativo; en este caso el ngulo de disparo negativo sera ms pequeo. Algunas
veces tal consistencia en la operacin de disparo no puede tolerarse.
4.2 Caractersticas del TRIAC
Cuando un triac est polarizado con un voltaje externo ms positivo en MT2 (llamada directa o
polarizacin de terminal principal positivo), generalmente se dispara por una corriente que fluye de la
puerta a MT1. Las polaridades de los voltajes y las direcciones de las corrientes en este caso se muestran
en la figura 4-5 (a).
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CARGA
CARGA
Corriente
principal
MT2
MT1
Corriente
de Puerta
+
VG - -
Corriente
principal
Terminal
principal en
polarizacin
directa
MT2
MT1
Corriente
de Puerta
(a)
Terminal
principal en
polarizacin
inversa
VG + +
(b)
Figura 4-5
Cuando est polarizado como se muestra en la figura 4-5 (a), el disparo del triac es idntico al disparo de
un SCR. El terminal G es positivo con respecto a MT1, lo cual hace que la corriente de disparo fluya
hacia el dispositivo desde el terminal de puerta y hacia fuera del dispositivo por el terminal MT1. El
voltaje de puerta necesario para disparar el triac est simbolizado por U GT; la corriente de puerta necesaria
para el disparo esta simbolizado por IGT. La mayora de los triacs de mediana potencia tienen un U GT del
orden de 0,6 a 2,0 V y una I GT de 0,1 a 20 mA. Como es usual estas caractersticas varan
considerablemente con cambio en la temperatura. Las variaciones tpicas de las caractersticas con la
temperatura se encuentran gratificadas en las hojas de datos que proporciona el fabricante.
Cuando el triac est polarizado ms positivo en MT1 (denominado inverso o polarizado de terminal
principal negativo), como se muestra en la figura 4-5 (b), el disparo se ejecuta enviando corriente de
puerta al triac por el terminal MT1 y hacia fuera del triac por el terminal G. El voltaje de puerta ser
negativo con respecto a MT1 para realizarlo. La polaridad de los voltajes y las direcciones de las
corrientes para el caso de polarizacin inversa se ilustran en la figura 4-5 (b).
Para un triac en particular, la IGT para polarizacin directa puede ser bastantes diferente de la I GT para
polarizacin inversa, tal como se menciono en la Seccin 4-1. Sin embargo, se consideran muchos
TRIACs del mismo tipo, la IGT para polarizacin directa ser igual a la IGT de polarizacin inversa.
Un triac, al igual que un SCR, no requiere que contine circulando corriente de puerta una vez ha sido
cebado. El triac permanece en CONDUCCION hasta que cambie la polaridad de sus terminales
principales o hasta que la corriente principal caiga por debajo de la corriente de retencin o
mantenimiento, IHO. La mayora de los triacs de mediana potencia tienen una I HO del orden de 100 mA o
menos.
Otras caractersticas elctricas importantes las cuales se aplican a los triacs son:
(a) el valor rms de la mxima corriente principal permitida, IT(RMS) y
(b) el valor de voltaje de ruptura, VDROM, el cual es el voltaje mximo de pico aplicado entre los
terminales principales que puede bloquear el triac en cualquier direccin.
Si el voltaje instantneo aplicado entre los terminales MT2 y MT1 excediera V DROM, el triac se rompe y
comienza a dejar circular corriente por los terminales principales. Esto no daa el triac, pero significa una
prdida del control de puerta. Para prevenir la ruptura, el triac deber tener un valor de V DROM mucho
mayor que el valor de pico del voltaje c.a. que maneja el circuito. Los valores ms usuales de V DROM para
los triacs son 100, 200, 400 y 600 V.
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La figura 4-6 muestra un circuito inductivo y la forma de las ondas de tensin y corriente en la carga y en
el TRIAC.
Figura 4-6
4.5.1
Anlisis del comportamiento de un Triac ante el disparo en los cuatro cuadrantes posibles.
CEBADO DEL TRIAC
RL
MT2
MT1
Tensin
de Puerta
VG
A1 (V1)
V2
IV2 +
VG IL +
II
I+
V2 +
VG +
IL +
III IV
III V2 VG IL +
VG
III +
V2 VG +
IL -
Figura 4-7
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CUADRANTE
I+
IIII +
III -
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V2
>0
>0
<0
<0
VG
>0
<0
>0
<0
NOTACION
++
+--+
Las definiciones dadas anteriormente para las corrientes de mantenimiento (I H) y de enganche (IHT) en la
seccin 2.2 siguen siendo vlidas aqu.
Es decir la corriente de enganche es aquella corriente que hace que el tiristor (TRIAC) conmute o bascule
del estado de bloqueo al de conduccin, es una corriente instantnea y en las mediciones suele (para la
persona poco experimentada) tomarse como la tensin de mantenimiento o retencin. En la practica se ve
un salto de corriente, esto es debido a que la corriente de enganche es de dos a tres veces la corriente de
retencin.
DETERMINACIN POR CUADRANTES
Para determinar la corriente de retencin en cada cuadrante (I +, I -,III +, III -) debemos considerar el tipo
de polarizacin al cual esta sometido el dispositivo en prueba (recuerde que dependiendo de la
polarizacin, usted se hallara en un determinado cuadrante y esto determinara tambin el tipo de corriente
de retencin).
Como vemos en la figura 4-7 (en donde se coloca una carga y aparece su respectiva corriente de carga I L )
el TRIAC se halla en disposicin para, con la configuracin de disparo adecuado, conmute del estado de
BLOQUEO al de CONDUCCIN.
Nuestra corriente de retencin ira variando segn el cuadrante, as, segn la figura 4-7 (segunda parte)
para el cuadrante I + y III + , esta corriente ser positiva (por la tensin de puerta) y sus valores siempre
oscilaran entre 0,1 a 20 mA (muy diferente a la IGT).
Para el cuadrante I y III esta corriente ser negativa o de sentido inversa y se hallara en el mismo
rango anteriormente descrito.
Recuerde que para obtener la medicin de la corriente de retencin o de mantenimiento, debe realizar ms
de una prueba, puesto que podra usted estar tomando la corriente de enganche. Para ello considere el
ultimo valor de la corriente para la cual el dispositivo (TRIAC) todava conduce.
4.6 Explicacin de funcionamiento del circuito (fig. 4.1 del manual de laboratorio) con el tiristor
BT137/800
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RESUMEN CAPITULO 4:
El TRIAC puede conducir corriente en cualquiera de las dos direcciones cuando es llevado a conduccin
lo que le da una clara ventaja frente al SCR. Cuando esta bloqueado, no puede fluir corriente entre sus
terminales, independientemente de la polaridad de la fuente externa aplicada.
Cuando el TRIAC esta polarizado con un voltaje mas positivo en su extremo MT2 (A2 para la norma
DIN) se le llama polarizacin directa o polarizacin de terminal principal positivo y cuando es al revs es
decir cuando su terminal principal se halla polarizado negativamente se le llama polarizacin inversa .
Al igual que en el SCR la relacin de tensin de disparo y tensin directa de bloqueo es inversamente
proporcional, pero con algunas caractersticas saltantes determinados por el tipo de cuadrante donde se
trabaja.
Las diferencias entre el uso de un par de SCR y un TRIAC se hallan con facilidad en circuitos de
corriente alterna dado que mientras hay un semiciclo entero para cada SCR para conseguir su bloqueo, en
el TRIAC slo hay el breve tiempo en que la carga pasa por cero para bloquearlo.
Se definen cuatro cuadrantes de polarizacin en un TRIAC, ha saber I+, I-, III+ y III-.
La corriente de retencin ira variando por lo tanto en cada cuadrante oscilando sus valores entre 0,1 a 20
mA.
En el TRIAC a semejanza del SCR, tampoco se requiere que contine circulando corriente de puerta una
vez que ha sido cebado. Su forma de desactivacin es semejante tambin al SCR necesitando
simplemente que su corriente de retencin disminuya o que se cambie la polaridad de sus terminales
principales.
PREGUNTAS DE REPASO
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
Qu es un TRIAC?
Fluye corriente por el TRIAC cuando esta bloqueado, Explique brevemente.
Cuando esta en conduccin, que tipo de resistencia presenta entre sus terminales.
Explique la polarizacin directa.
Explique la polarizacin inversa.
Cuales son los valores de tensin de ruptura del TRIAC?
Cuales son los valores de corriente de retencin?
Conduce un TRIAC en ambos semiciclos? Explique brevemente.
Indique los cuatro cuadrantes y sus respuesta de sensibilidad de cada uno.
Una vez cebado Es necesario que circule corriente de puerta?
Es igual la corriente de enganche a la corriente de retencin. Explique.
Que es la corriente de enganche?
Es posible disparar un TRIAC en los cuatro cuadrantes?, Explique.
Cuales son los valores que debemos observar al adquirir o utilizar un TRIAC?
Como se pasa del estado activo al de desactivo?, Explique brevemente.
Segn sus consideraciones, Cul es el mejor cuadrante para operar un TRIAC?
Analise brevemente la figura 3.1 del manual de laboratorio de Fundamentos de la Electrnica de
Potencia.
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CAPITULO 5: DIAC
5.1 Introduccin
Su nombre proviene de la contraccin de Diode Altenative Current. Un DIAC es un dispositivo de dos
electrodos y tres capas que funciona bsicamente como un diodo de avalancha bidireccional que puede
pasar del estado de bloqueo al estado conductivo con cualquier polaridad de la tensin aplicada entre los
bornes terminales.
MT2
MT1
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El DIAC puede y se representa como un par de diodos de cuatro capas en paralelo (segn muestra la
figura 5-3).
(a)
(b)
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Figura 5-5
La figura 5-5 muestra el diagrama circuital general para un circuito de control de fase con DIACS y
triacs. La magnitud del pulso de corriente aplicado a la compuerta del triac se determinan por el valor de
la capacitancia de desplazamiento de fase C, el cambio de tensin sobre el DIAC y su impedancia
dinmica y la impedancia de compuerta del triac.
Cabe sealar en esta parte que para las normas internacionales, V BO es la tensin de ruptura del DIAC,
siendo este para la tensin de ruptura directa (en voltajes aplicados en sentido directo - polarizacin
directa) simplemente + VBO y para tensin de ruptura inversa (en voltajes aplicados en sentido indirecto o
inverso) simplemente - VBO. Para la norma DIN la tensin de ruptura positiva (o tensin de ruptura
directa) es U(Br)F y la tensin de ruptura negativa (o tensin de ruptura inversa) es UBrR.
Para nuestro caso de estudio nos referiremos a dichas tensiones como tensin de ruptura positiva U (Br)F y
tensin de ruptura negativa UBrR, que es como aparece en el manual de laboratorio, recordando que
posiblemente usted no encuentre dichas definiciones en los libros y textos especializados, ni en los
manuales de semiconductores (especialmente los americanos).
5.3 Analizar las tensiones positivas y negativas de ruptura.
5.4
Para poder analizar las tensiones positivas y negativas de ruptura incluimos la curva caracteristica del
DIAC en la figura 5-6.
La curva nos muestra que al aplicar una tensin en sentido directo menor que la tensin de ruptura
positiva (U(Br)F) el DIAC prcticamente no permite flujo de corriente. Alcanzada la tensin de ruptura
positiva, el DIAC conmuta a CONDUCCIN y la corriente aumenta rpidamente a la vez que la tensin
a travs de los terminales disminuye. El aumento rpido de corriente mostrado en la curva caracteristica
explica la habilidad del DIAC para producir pulsos de corriente.
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Corriente
Tensin de
ruptura
positivo U(br)F
Tensin de
ruptura
positivo U(br)R
Voltaje
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5.5 Explicacin de funcionamiento del circuito de la fig. 5.1 del manual de laboratorio con el Diac
BR100
En el circuito de la figura tenemos una disposicin sencilla de dispositivos a probar. La alimentacin U
es de tensin alterna de 24 V, lo que significa que tendremos la presencia de semiciclos tanto positivos y
negativos, para un tiristor bidireccional como el DIAC, esto no representa mayor problema aunque
llegaremos a observar cierta distorsin en la onda .
La tensin alterna que esta recorriendo al circuito afecta directamente al DIAC BR100 el cual comienza a
conmutar en ambos semiciclos, lo que nos permite observar sus caractersticas de comportamiento en
forma clara y sencilla.
Como ya hemos explicado la tensin de ruptura positiva y negativa es idntica en ambas regiones, por
ende al formarse la grfica podremos apreciar los conceptos vertidos en el tem anterior.
La figura 5.1 del manual de laboratorio es la siguiente:
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en una herramienta til para el control de fase de triacs en controles graduales de luminosidad, controles
de velocidad de motores universales, controles de calefaccin y otras aplicaciones similares.
PREGUNTAS DE REPASO:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
Defina un DIAC.
Qu es tensin de ruptura POSITIVO?
Como es el comportamiento de DIAC en ambos semiciclos de la corriente alterna?
Como es posible controlar el ngulo de disparo en un circuito de conmutacin forzada? Explique
brevemente.
Indique algunas aplicaciones de los DIACS
Cul es el valor de tensin de disparo que suele escogerse?
Explique brevemente el funcionamiento de un DIAC.
Como interruptor con apagado por medio de tiristor auxiliar como controlador de corriente
continua (Chopper)
Una de las aplicaciones ms utilizadas del tirstor en general es su uso como interruptor en especial para
controladores de corriente continua (denominados tambin Chopper).
Por lo general se utiliza dos tiristores los cuales dependiendo del ancho de pulso del mismo aplicado a
alguno de ellos (o a los dos), es que se logra controlar el disparo del mismo. Recordemos que el caso de
un SCR (que es el tiristor utilizado por excelencia en esta clase de circuitos) basta enviar una corriente de
puerta capaz de enganchar la puerta (es decir lograr superar la corriente de enganche para luego mantener
conduciendo con la corriente de mantenimiento o retencin) para lograr que dispare y si esta no
disminuye lo suficiente este (el SCR) seguir conduciendo en forma indefinida, a menos que la tensin de
alimentacin desaparezca.
En estos circuitos el ancho de pulso utilizado en la tensin de disparo en la entrada de puerta del tiristor
determinara el tiempo de conduccin Ton del mismo, lo que a su vez nos entrega el tiempo de
desconexin Toff (que obviamente se da por simple determinacin de tiempos), vea figura 7-1.
Al tener una seal de disparo variable en el tiempo (podra ser una seal senosoidal, cuadratica, etc.) los
valores de tensin de disparo del tiristor variaran, llevando al mismo al estado de conduccin y de
bloqueo en forma alternada, configurndolo como interruptor. Si la tensin de alimentacin del circuito
es continua (corriente continua), el tiristor se ve nicamente controlado por la seal de disparo
(recordemos que en circuitos de corriente alterna este deja de conducir en los semiciclos negativos y que
conduce solo en los ngulos de conduccin determinado por el elemento de disparo) lo que nos permite
un mayor control del circuito y por ende de carga a manejar.
EGATE
ERL
a
a
a
Ton
Toff
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Figura 7-1.- Tensin de puerta o de disparo que obliga al tiristor a conducir en tiempos establecidos por el
ancho de banda del mismo
7.2
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Al tener dos SCR y conmutando los ciclos de alimentacin de Q1 y Q2 (es decir desfazando los pulsos de
la seal en 90 grados) podremos apreciar como las lamparas comenzaran a oscilar una a continuacin de
otra, pudiendo observar las diferencias de interrupcin entre ambas.
Esto es debido a que mientras en un tiristor la seal esta en aumento originando el disparo del mismo, en
el otro tiristor la seal esta en declive, llevando al mismo al estado de bloqueo.
Como los ciclos son semejantes para ambos pero en desface, esto origina que uno encienda en forma
alternada con respecto al otro sin que haya traslape en el encendido y apagado de las dos lamparas
Si en cambio en ambos tiristores se le inyecta una seal con igual fase, estas (las lamparas) encendern y
apagaran en igual tiempo.
7.3
Como controlador de c.c. (Chopper) con circuito anular. Explicacin de funcionamiento del
circuito de la fig. 8.1 del manual de laboratorio
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Estos transformadores de pulso le dan una proteccin especial a nuestro circuito evitando sobre tensiones
o corrientes demasiado elevadas y eliminan posibles ruidos generados por lo dispositivos a su alrededor.
Al accionar en forma alternada los interruptores (es decir colocando uno en ON y el otro en OFF)
podremos manipular los estados de conmutacin de los tiristores y la polaridad del condensador. Esto se
logra gracias a la participacin del circuito anular formado por la bobina denominada L y el diodo
denominado V3 que servirn para la carga y descarga del condensador (cambio de polaridad)
Al colocar S1 en ON el condensador se carga, luego al colocar S2 en ON y disparar el tiristor principal, a
la corriente de carga le precede un impulso de descarga del condensador. Este carga el condensador, por
medio de una semioscilacin atenuada, a travs de los SCRs V1, V2 y la bobina L con polaridad
invertida. Si se dispara de nuevo el SCR de apagado, se tendr la tensin del condensador con polaridad
contraria a la tensin de alimentacin entre nodo y ctodo del SCR V1, llegando a bloquearlo.
B
+
UC
A
B
U+
C
A
Este cambio de polaridad alcanzada sin mayor perdida de potencia en el circuito llevado a motores de cc.
de gran potencia son de muchisima utilidad (claro esta el circuito es sencillamente diferente)
7.4
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Hemos visto el comportamiento del SCR en circuitos de cc. pero como explicbamos, en circuitos de
corriente alterna el SCR tiende a bloquearse al entrar en los semiciclos negativos de la tensin senosoidal
de alimentacin. Los circuitos de control de puerta en este caso nos permiten manipular el ngulo de
disparo determinando el ngulo de conduccin del mismo (recordemos que esta relacin es directa, es
decir si el ngulo de disparo es menor, el ngulo de conduccin es mayor y viceversa).
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T1
T2
T3
VGT
IGT
2 t
EL
t
0
EL
t
EL
t
0
t R.C.Ln
V Vc
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donde t es el valor del ngulo en funcin de la frecuencia angular de la onda de corriente alterna, al
variar R (es decir R2 o el potenciometro segn las consideraciones anteriormente descritas), variar en
razn directa obtenindose los valores descritos en la figura 7-3. Para mayores referencias remtase al
capitulo 3 de este texto.
7.5
Control del ngulo de fase mediante diac y triac. Explicacin de funcionamiento del circuito
de la fig. 11.1 del manual de laboratorio
En el tem anterior analizamos el comportamiento del condensador para poder entender como se logra
manipular el ngulo de disparo de un circuito en c.a., este accionar es valido tambin para el circuito de la
figura 11-1 del manual de laboratorio.
En el circuito el condensador se carga en el semiciclo positivo a travs de R1 y R2 (potenciometro)
durante este semiciclo A2 es positivo respecto a A1 y se C se carga con el positivo en su placa superior.
Cuando el voltaje en C es lo suficientemente alto para alcanzar la tensin de ruptura del DIAC este
entrega corriente de puerta al TRIAC y este conduce. Durante el semiciclo negativo una operacin
similar sucede, donde A2 es negativo respecto a A1 y se C se carga con el negativo en su placa superior,
debiendo alcanzar la tensin de ruptura del DIAC para poder entregar corriente de puerta al TRIAC.
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Vca
2
EL
+ 2
0
Figura 7-4.- Angulos de conduccin obtenidos por el disparo de DIAC para TRIAC
En circuito RC simple
En la figura 7-4 podemos apreciar una grfica que muestra el ngulo de conduccin obtenido gracias al
ngulo de disparo que a su vez fue logrado a la combinacin de valores del potenciometro R2 y el
condensador C del circuito de la figura 11.1 del Manual de Laboratorio.
Para ambos semiciclos, mientras menor sea nuestro ngulo de disparo, mayor ser nuestro ngulo de
conduccin , la precisin de los mismos depende en gran medida de la relacin que guarden los elementos
o componentes del circuito de disparo (es decir entre resistencias, condensadores, etc.)
Las aplicaciones ms comunes para este tipo de circuito son como reguladores de intensidad luminosa,
control de velocidad de giro de taladros manuales (mquinas universales), control de potencia de
consumidores de corriente alterna, entre otros
Compare el circuito con el tratado en el Capitulo 3 del presente texto.
RESUMEN :
Una de las aplicaciones ms utilizadas del tiristor en general es su uso como interruptor, en especial para
controladores de corriente continua (denominados tambin Chopper) . En estos circuitos el ancho de
pulso utilizado en la tensin de disparo en la entrada de puerta del tiristor determinara el tiempo de
conduccin Ton del mismo, lo que a su vez nos entrega el tiempo de desconexin Toff (que obviamente se
da por simple determinacin de tiempos).
Como controlador de c.c. (Chopper) con circuito anular la variacin de conmutacin entre tiristores
(SCR) esta ligado con la forma de disparo del mismo lo cual afecta directamente la polaridad del
condensador (figura 8-1 del manual de laboratorio incluido en este texto) y la magnitud de tensin del
mismo. Utilizado en control de variacin de velocidad de giro de motores de corriente continua entre
otros.
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PREGUNTAS DE REPASO:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
Qu es un circuito Chopper?
Cmo se realiza el apagado del SCR en un circuito controlador de corriente continua?
Describa brevemente el funcionamiento del circuito de la figura 7.1 del manual de laboratorio
Es semejante el funcionamiento del SCR en un controlador de c.c. con circuito anular? Explique
Describa brevemente el funcionamiento del ciruito de la figura 8.1 del manual de laboratorio
Cual es el comportamiento del SCR en corriente alterna?
Como se activa el SCR en un circuito de corriente alterna?
Como se controla el ngulo de disparo en un circuito de corriente alterna?
Describa brevemente el circuito de la figura 10.1 del manual de laboratorio.
Indique aplicaciones del mismo
Como se activa un TRIAC?
Cul el es comportamiento de un DIAC en corriente alterna?
Como se regula el ngulo de disparo en un circuito de corriente alterna donde intervienen el DIAC y
TRIAC como elementos de disparo y control respectivamente?
14. Describa brevemente el circuito de la figura 11.1 del manual de laboratorio.
15. Indique aplicaciones del mismo