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INSTITUTO SUPERIOR TECNOLGICO

ESTATAL NUEVA ESPERANZA

PROYECTO: FORTE PE
CONVENIO PER/B7-3011/95/004
UNIN EUROPEA- REPBLICA DEL
PER

SEMICONDUCTORES ESPECIALES

MODULO:
ELECTRNICA DE POTENCIA
AUTOR: Prof. Martn Lavado Lozano

ESPECIALIDAD : ELECTROTECNIA
INDUSTRIAL - OCTUBRE 2002
MARZO . 2002

Proyecto FORTE-PE

Electrotecnia Industrial

FUNDAMENTOS DE LA ELECTRNICA DE POTENCIA

CAPITULO I: INTRODUCCIN
1.1 Importancia, aplicaciones e historia de la Electrnica de Potencia en nuestro pas.
En la industria hay numerosas operaciones, las cuales requieren que se entregue una cantidad de potencia
elctrica variable y controlada. Diversos campos de la electricidad y la electrnica se erumbaron hacia
tales destinos desarrollndose entre la electrotecnia y la electrnica una nueva tcnica, la electrnica de
potencia.
La puesta a punto de los semiconductores, diodos o tiristores de silicio, al permitir el control de
intensidades importantes, ha dado un empuje considerable a esta nueva tcnica, llamada tambin
electrnica de las corrientes fuertes.
En electrnica de corrientes fuertes, el concepto principal en toda transformacin es el de rendimiento. El
elemento de base no puede funcionar en rgimen de amplificacin, pues las prdidas, producto de la
intensidad por la cada de tensin, afectaran gravemente al rendimiento. Es necesario trabajar en rgimen
de conmutacin, siendo el componente de base el elemento semiconductor que funciona por todo o nada.
Cuando el semiconductor est en estado de bloqueo, es preciso que la corriente que lo atraviesa sea
despreciable, aunque est sometido a una tensin elevada, a fin de que la potencia consumida sea mnima.
Igualmente, cuando el rectificador est en estado de conduccin (paso importante de corriente), es preciso
que su cada de tensin interna sea muy dbil para que las prdidas sean despreciables frente a la potencia
transferida.
Estticamente, el semiconductor desempea un papel anlogo al de un interruptor mecnico:
- Cerrado o en conduccin, deja pasar la corriente provocando la mnima cada de tensin posible;
- Abierto o en bloqueo, no deja pasar corriente alguna a pesar de que en sus bornes aparezca una
tensin.
Las seales de control enviadas a un montaje electrnico de potencia sirven para fijar los instantes de
entrada en conduccin de los semiconductores. La potencia correspondiente a estas seales de cebado es
muy dbil en comparacin con la que se suministra a la carga.
El esquema siguiente nos muestra las funciones bsicas en la electrnica general a) y en la electrnica de
potencia b)

Potencia

Potencia de
presentacin
modificada
Seales de
Cebado

a) electrnica general

b) electrnica de potencia

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salida

Seal
tratada

Entrada

Seal

salida

Entrada

Fuente auxiliar
de Potencia

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El componente bsico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos :

Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja
impedancia (conduccin).
Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequea potencia.
Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando est en estado de bloqueo,
con pequeas cadas de tensin entre sus electrodos, cuando est en estado de conduccin.
Ambas condiciones lo capacitan para controlar grandes potencias.
Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.

El ltimo requisito se traduce en que a mayor frecuencia de funcionamiento habr una mayor disipacin
de potencia. Por tanto, la potencia disipada depende de la frecuencia.
La Electrnica de Potencia es una disciplina que naci de la necesidad de manejar ptimamente altas
corrientes con elementos menos costosos que los existentes, como los reles, contactores y disyuntores.
Durante los ltimos aos han sido desarrollados dispositivos de estado slido capaces de controlar
grandes cantidades de potencia, con un alto grado de confiabilidad y eficiencia. Estos dispositivos han
producido cambios en los mtodos de controlar la energa elctrica, equivalentes a la revolucin que la
tecnologa de estado slido produjo en las telecomunicaciones y en el manejo de seales de baja potencia.
La electrnica de potencia ha sido reconocida como una disciplina que ocupa un lugar comparable con las
telecomunicaciones, control de maquinaria y otras.
Inicialmente esta rea era dominada por ingenieros electrnicos o de maquinaria o de control, con
conocimientos adquiridos en los dispositivos usados en la electrnica de potencia, hoy en da es una
disciplina especializada.
La importancia del desarrollo de la Electrnica de Potencia en el pas y el mundo se centra en el medio en
que se utiliza esta tcnica la cual ha permitido el desarrollo de nuevas tecnologas en la fabricacin de
procesos antes aletargados por los dispositivos existentes y/o las tcnicas empleadas
En nuestro pas el inicio de la Electrnica en General esta ntimamente ligado al inicio de la
radiodifusin a fines de la dcada de los 30, con radios transmisores, receptores HF y algunos receptores
superheterodinos utilizados por los radioaficionados de aquellas inicios.
Es a mediados de los aos 40 que el primer sistema de control para Tableros de Control de Energa de
Centrales Hidroelctricas es instalado en el pas.
Varios sistemas industriales a fines de los 40 comienzan a trabajar con triodos (tiratrones) y diodos en sus
sistemas bsicos de control (hablamos del paso de interruptores y conmutadores electromecnicos al paso
de los primeros sistemas electrnicos de conmutacin), en los claustros universitarios ya se hace mencin
de la tcnica llamada Electrnica de potencia.
En el inicio de los aos 60, los sistemas de conmutacin seguan siendo electromecnicos, pasando luego
a transistorizarce comenzando a incursionar en diferentes campos antes no utilizados (control de
temperatura, luz, velocidad de motores, etc.), los tubos comienzan a desaparecer. Aparece en el mundo a
inicios de 1960 el SCR (los tiristores en reminiscencia a las vlvulas tiratrones). En el mundo la
fabricacin de tubos desaparece a fines de 1967.
En 1962 llegan las primeras computadoras a la UNI e IBM, es la 1620 de IBM a tubos y memoria de
ferrita. En 1964 se instala la primera estacin Satelital el MINITRACK DE ANCON.
Aparece por esos aos la serie 74 de circuitos integrados de Texas Instrument y Motorola, teniendo sus
primeras aplicaciones en la industria del plstico en el pas (66-67) para inyeccin de plsticos (uso de IC
seri 74 y transistores)
A mediado de 1965 se deja de usar el triodo y el rel en la industria nacional siendo sustituidos por el
tiristor.

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Con la llegada de los microprocesadores como el 4040 y 4044 de INTEL se pasa al control programable
(de 4 bits).
La llegada de microprocesadores como el 8080 de Motorola y Z80 de Zilog a mediados de 1977 la
industria nacional comienza hablar de procesos automatizados y la Electrnica de Potencia deja de ser
una tcnica para expertos, pasando a convertirse en una disciplina de estudio ampliamente difundido en
nuestro medio industrial.
En los aos subsiguientes el desarrollo es exponencial, preveyendose el uso de tecnologas mixtas, el uso
de la robtica y la prevencin de la conservacin de la energa y medio ambiente. Los estndares de
calidad como el ISO 9001 y 14000 han comenzado ha obligar a pensar en la automatizacin con
Controladores Lgicos Programables (PLC) y microcontroladores las industrias locales, si es que las
mismas quieren llegar a competir con el mercado internacional, lo que involucra una mayor capacitacin
en reas como la Electrnica de Potencia, Electrnica Industrial y la hoy novsima Mecatrnica que
conjuntamente con la microelectrnica se dislumbran como las nuevas sendas de estudio en los centros de
Educacin Superior Tecnologica y universitarios.
RESUMEN CAPITULO I:
Entre la electrotecnia y la electrnica se desarrolla una nueva tcnica, la electrnica de potencia. En la
industria hay numerosas operaciones, las cuales requieren que se entreguen una cantidad de potencia
elctrica variable y controlada. La iluminacin, el control de velocidad de un motor, la soldadura
elctrica y el calentamiento elctrico, son las cuatro operaciones ms comunes.
El avance de dispositivos semiconductores como el scr, diac y triacs ha permitido el avance de esta
aplicacin conocida tambin como electrnica de corrientes fuertes. La reciprocidad entre la electrnica
de corrientes dbiles y las fuertes se ve menguada por diferencias saltantes entre ambas En electrnica de
corrientes fuertes, el concepto principal en toda transformacin es el de rendimiento; en la electrnica de
corrientes dbiles lo que interesa esencialmente es la relacin que se establece entre las seales de entrada
y de salida.
En el Per el desarrollo de la Electrnica en General esta ligada a la radiodifusin, es en la dcada de los
40 que se implementa el primer sistema de control electrnico en el pas, desde la dcada del 60 el avance
es exponencial, por lo que podemos afirmar que la Electrnica de Potencia en manos de la
automatizacin, jugaran un rol ms que importante en la nueva industria nacional.
PREGUNTAS DE REPASO:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.

Cuales son las cuatro operaciones mas comunes de la industria?


Cual es el otro nombre que recibe la Electrnica de Potencia?
Estticamente, cual es el papel anlogo de los semiconductores respecto al de los interruptores
mecnicos?
Cual es la principal diferencia entre la electrnica de corrientes dbiles y la de corrientes fuertes?
Conoce Ud. el termino semiconductor, cite los principales semiconductores que conoce.
Conoce Ud. el termino dispositivo de estado slido, explique brevemente.
Cuantos dispositivos de estado slido conoce?
Porque nace la Electrnica de Potencia?
Para que sirven las seales de control?
Qu requisitos debe poseer un componente bsico de un circuito de electrnica de potencia?
Se inicio la Electrnica en General en el Per con la Electrnica de Potencia?, Explique.
Qu decada marca el inicio de los sistemas de control?, Quienes son los primeros beneficiados?
La llegada de los transistores aporta nuevos cambios?
En la industria de la regin, conoce Ud. el desarrollo de la Electrnica de Potencia o de la Electrnica
en General. De ser posible desarrolle un cuadro sinptico del mismo.

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CAPITULO 2: DIODOS SEMICONDUCTORES


2.1

DIODO IDEAL

El propsito de este captulo es el estudio del diodo; estructura, funcionamiento, tipos y


aplicaciones. Por su significado, la palabra diodo es un termino que significa dos
electrodos (nodo y ctodo). Funcionalmente es el ms sencillo de los dispositivos
semiconductores, pero desempea un papel vital en los sistemas electrnicos, con sus
caractersticas que se asemejan en gran medida a las de un sencillo interruptor. El
diodo es el dispositivo electrnico no lineal ms simple, esto significa que la aplicacin
de la suma de dos tensiones produce una corriente que no es la suma de las dos
corrientes resultantes por separado. La caracterstica no lineal del diodo es la razn
por la que encuentra tantas aplicaciones en electrnica. El diodo ideal tiene el smbolo
y las caractersticas que se muestran en la figura 2.1.

IF

+
0

UF

IF
Fig. 2.1 La figura muestra el smbolo de un diodo y la grfica de la caracterstica
corriente vs voltaje.

Como se puede apreciar en el smbolo del diodo, este presenta una polaridad entre
sus terminales, el extremo de la derecha presenta polaridad negativa, representada
por la lnea corta (ctodo), y el extremo de la izquierda polaridad positiva representada
por la base del tringulo (nodo).
Otra forma de graficar esta caracterstica vista en la fig. 2.1 la veremos a continuacin
Fig. 2.2, donde es sencillo determinar si un diodo se encuentra en la regin de
conduccin o en la de no-conduccin observando tan slo la direccin de la
corriente if establecida por el voltaje aplicado. Para el flujo convencional (opuesto al de
los electrones), si la corriente resultante en el diodo tiene la misma direccin que la de
la flecha del smbolo de dicho elemento, ste opera en la regin de conduccin (parte
derecha del eje del voltaje de la fig. 2.1 y hacia arriba en el eje de la corriente); de lo
contrario en la regin de no-conduccin (parte izquierda del eje del voltaje de la fig. 2.1
y hacia abajo en el eje de la corriente).

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if

corto circuito

if
U

if

circuito abierto

i f =0

Fig. 2.2 La grfica presenta Los dos estados del diodo al suministrarle un voltaje,
la orientacin de la corriente simboliza la polaridad de la tensin aplicada. Esto
nos lleva a un estado de conduccin (corto circuito) y de no conduccin (circuito
abierto) del diodo.

MATERIALES SEMICONDUCTORES
No se puede entender las caractersticas de los dispositivos semiconductores, sino se
tiene un conocimiento previo de la estructura de los materiales semiconductores. Esto
nos lleva a un conocimiento ms profundo an que es el de las propiedades atmicas
bsicas de la materia.
El estudio de los fenmenos elctricos se remonta a tiempos inmemorables, siendo el electrn el
promotor de dichos efectos. Para entender su comportamiento se han realizado muchos
experimentos y estudios, es as que nace la concepcin del tomo, l cual se idealiza como un
ncleo, muy pesado cargado positivamente, rodeado de electrones. El ncleo ejerce una fuerza
de atraccin sobre los electrones; estos caeran en el ncleo sino fuera por la fuerza centrfuga
de su movimiento. Esto nos lleva a la concepcin de que los electrones se mueven alrededor del
ncleo en una rbita cerrada, que puede ser un circulo o una elipse, anloga al movimiento de
los planetas alrededor del Sol. Cuando un electrn se mueve en una rbita estable, tiene
exactamente la velocidad necesaria para que la fuerza centrfuga compense la atraccin nuclear.
2.1

NIVELES DE ENERGIA

La forma de orbitar de los electrones alrededor del tomo podra pensarse que puede
realizarse a cualquier radio, siempre que su velocidad tenga el valor necesario. La
fsica moderna nos dice que slo son permitidos ciertos radios de rbita. No se
concibe a un electrn viajando en rbitas intermedias. En la fig. 2.3 se da cuenta de
que los electrones viajan en rbitas establecidas (S se desea saber por qu, se
recomienda estudiar fsica cuntica). Para que un electrn pase de una rbita a otra se
requiere una cierta cantidad de energa, si es que el paso es de una rbita prxima al
ncleo a una ms distante, porque se debe efectuar un trabajo para contrarrestar la
atraccin del ncleo. Se entiende, que cuando ms alejada esta la rbita del ncleo
mayor ser la energa potencial. Cualquier electrn que haya abandonado su tomo
padre tiene un estado de energa ms alto que el de cualquier electrn en la estructura
atmica.

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Fig. 2.3 La figura muestra la simbolizacin bidimencional del tomo de Silicio


aislado. Contiene 14 protones en el ncleo. Dos electrones se mueven en la
primera rbita, ocho electrones en la segunda y cuatro en la rbita exterior o de
valencia. Los 14 electrones orbitales neutralizan la carga de los 14 protones, de tal
forma que el tomo se comporta elctricamente neutro a cierta distancia. El tomo
de silicio es tetravalente", pues lleva cuatro electrones en su banda de valencia.

2.2.2

REDES CRISTALINAS

El tomo presenta una rbita exterior o de valencia. Segn el nmero de electrones


que presenta se determina el valor de valencia. Para ser estable qumicamente un
tomo necesita ocho electrones en su rbita de valencia. De est forma todos los
tomos buscan combinaciones con otros de tal manera que lleguen a tener 8
electrones en su banda de valencia.

r3
r2
r1

er

do

er

NIVEL DE ENERGIA
NIVEL DE ENERGIA
NIVEL DE ENERGIA

BORDE DEL NUCLEO

Fig. 2.4 Por comodidad la representacin grfica de las rbitas


curvas se realiza en forma de lneas horizontales. Cada lnea
horizontal se denominada NIVEL DE ENERGIA. La flecha indica
que a medida que nos alejamos del ncleo ms elevada es la
energa del electrn y mayor la trayectoria de la rbita.
Conforme los tomos de un material se acercan entre s para formar un slido, se
acomodan siguiendo una configuracin ordenada llamada cristal, para formar la
estructura de la red cristalina, hay una interaccin entre tomos que dar como
resultado que los electrones en una rbita particular de un tomo tengan niveles de
energa un poco diferentes a los de los electrones en la misma rbita de un tomo
adyacente. En al fig. 2.5 se da cuenta en forma grfica del nuivel de valencia. Ntese
que an se encuentran niveles frontera y estados de energa mximos en los que

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puede encontrarse cualquier electrn en la red atmica, y que persiste una regin
prohibida entre la banda de valencia y el nivel de ionizacin. Recurdese que la
ionizacin es un mecanismo mediante el cual un electrn puede absorber suficiente
energa para desprenderse de la estructura atmica y unirse a portadores libres en la
banda de conduccin. Para poder explicar muchos fenmenos asociados con la
conduccin en gases, metales y semiconductores, y la emisin de electrones de la
superficie de un metal, es necesario suponer que el tomo tiene electrones con
enlaces dbiles que pueden separarse de l. Se notar que la energa se mide en
electrn-volts (eV)

Energa

Energa

Energa

Banda de
conduccin
Banda de
conduccin

E g > 6eV

Banda de
conduccin

Eg
Banda de valencia

Banda de
valencia

Banda de
Valencia

E g = 1.21eV (Si)
E g = 0.785eV (Ge)
(a) Aislador

(b) Semiconductor

(c) Conductor

Fig. 2.5 Niveles de energa de las bandas de valencia y de conduccin de un aislador,


semiconductor y un conductor.

Nuestro inters se fija en los materiales semiconductores, l termino semiconductor


proporciona una pista en cuanto a las caractersticas de este dispositivo. El prefijo
semi se aplica por lo general a todo aquello que se encuentre a la mitad entre dos
lmites. El trmino conductor se aplica a cualquier material que permita un flujo
considerable de electrones debido a la aplicacin de una cantidad limitada de presin
externa. Un semiconductor, por tanto, es un material que tiene un nivel de
conductividad en algn lugar entre los extremos de un aislador (de muy baja
conductividad) y un conductor, como el cobre, que tiene un alto nivel de conductividad.
En relacin inversa con la conductividad de un material est su resistencia al flujo de
carga o corriente. Esto es, cuanto mayor sea el nivel de conductividad, menor ser el
nivel de resistencia.
En la figura 2.3 se muestra el modelo de Bohr del tomo de silicio, el cual consta de 14
electrones girando alrededor del ncleo. El tomo de germanio tiene 32 electrones
orbitales. En cada caso, hay 4 electrones en la capa exterior (de valencia). En un
cristal puro de germanio o silicio estos 4 electrones de valencia se encuentran unidos
a 4 tomos adyacentes, como se muestra para el silicio en la figura 2.6.
Este tipo de unin, formada por electrones compartidos, recibe el nombre de enlace
covalente o par de electrones. A pesar de que el enlace covalente permite una unin
ms fuerte entre los electrones de valencia y sus tomos padres, persiste la
posibilidad de que los electrones de valencia absorban suficiente energa para romper
el enlace covalente y asumir el estado "libre". Los materiales intrnsecos son
aquellos semiconductores que se han refinado con todo cuidado para reducir las

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impurezas a un nivel muy bajo (en esencia con una pureza tan alta como la que puede
obtenerse con la tecnologa moderna). Los electrones libres en el material que se
deben slo a causas naturales se conocen como portadores intrnsecos. Se sigue
considerando malos conductores a estos materiales en el estado intrnseco.
Los materiales que han recibido la mayor atencin en el desarrollo de los dispositivos semiconductores
son el germanio (Ge) y silicio (Si), esto no significa que stos no son los nicos dos materiales
semiconductores. En aos recientes la tendencia se ha desviado firmemente hacia el silicio, alejndose el
germanio, pero ste se sigue produciendo aunque en menor cantidad. El Ge y el Si han recibido atencin
por varias razones. Una consideracin muy importante es el hecho de que pueden manufacturarse con un
muy alto nivel de pureza. La capacidad para cambiar las caractersticas del material de manera
significativa a travs del proceso de impurificacin, es otra razn por la que el Ge y el Si han recibido
tanta atencin. Otras razones incluyen el hecho de que sus caractersticas pueden alterarse notablemente
mediante la aplicacin de calor y luz (una consideracin importante en el desarrollo de los dispositivos
sensibles a la luz y al calor).

Si

Si

Si

Si

Si

Fig. 2.6 Red cristalina de silicio. Los tomos comparten electrones


mediante enlaces covalentes.
Cualquier material compuesto nicamente de estructuras cristalinas repetitivas del
mismo tipo se llama estructura monocristalina. En materiales semiconductores de
aplicacin prctica en el campo de la electrnica, existe esta caracterstica
monocristalina y, adems, la periodicidad de la estructura no cambia de manera
importante con la adicin de impurezas en el proceso de impurificacin.
1.3

MATERIALES EXTRINSECOS TIPO n Y TIPO p

Un material semiconductor que se ha sometido a este proceso de impurificacin se


denomina material extrnseco. Hay dos materiales extrnsecos de importancia
invaluable para la fabricacin de dispositivos semiconductores; el tipo n y el tipo p.
Cada uno se describir con cierto detalle en los siguientes prrafos.
2.3.1

TIPO n

Tanto los materiales tipo n como los de tipo p se forman agregando un nmero
predeterminado de tomos de impureza a una base de silicio o germanio. El tipo n se
crea aadiendo todos aquellos elementos de impureza que tenga cinco electrones de
valencia (pentavalentes), como antimonio, arsnico y fsforo. El efecto de estas
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impurezas se indican en la figura 2.7 (empleando antimonio como impureza en una


base de silicio). Ntese que los cuatro enlaces covalentes an estn presentes. Sin
embargo, hay un quinto electrn adicional debido al tomo de impureza, el cual no
est asociado con algn enlace covalente particular. Este electrn sobrante, unido
dbilmente a su tomo padre (antimonio), se puede mover ms o menos con cierta
libertad dentro del material tipo n recin formado. Puesto que el tomo de impureza
insertado ha donado a la estructura un electrn relativamente libre, las impurezas
con cinco electrones
de valencia se denominan tomos donantes.

- Si
-

- Si
- Si
-

- Si
-

- Sb
- Si
-

- Si
ELECTRON
EXTRA

IMPUREZA DE
ANTIMONIO

- Si
- Si
-

Fig. 2.7 El material semiconductor tipo n, con impureza de


Antimonio, muestra la presencia de un electrn libre.
En la fig. 2.8 se muestra el efecto de este proceso de impurificacin sobre la
conductividad relativa y para describirse de mejor manera se emplea el diagrama de
bandas de energa.
En este tipo de materiales se dice que los portadores mayoritarios son los electrones y
a los portadores minoritarios se les conoce como huecos, este termino se especifica
con mayor cuidado en el siguiente punto, pero por ahora se entender como hueco a
la ausencia de un electrn en su posicin original, esto debido al traslado del mismo
por ganancia de energa. La importancia del hueco es que puede servir como un
portador de electricidad, comparable a la del electrn libre.
2.3.2 TIPO p
El material tipo p se forma introduciendo una impureza trivalente sobre un cristal puro
de germanio o silicio. Los elementos que se emplean con mayor frecuencia para este
propsito son el boro, el galio y el indio. El efecto de uno de estos elementos (el
boro) sobre una base de silicio se indica en la figura 2.9.
Ntese que ahora hay un nmero insuficiente de electrones para completar los
enlaces covalentes de la red recin formada. La vacancia que resulta se denomina
hueco y se presentan por medio de un pequeo crculo o signo positivo, debido a la
ausencia de carga negativa. Puesto que la vacancia resultante aceptar de inmediato
un electrn libre, las impurezas aadidas reciben el nombre de tomos aceptores. En
el material tipo p resultante los portadores mayoritarios sern los huecos y los

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minoritarios los electrones. Para entender mejor el efecto causado se realizar el


diagrama de bandas en la figura 2.10.
Cuando el quinto electrn de un tomo donador abandona al tomo padre, el tomo
que permanece adquiere una carga positiva neta: a esto se debe el signo positivo en
la representacin ion donador. Por razones similares, el signo negativo aparece en el
ion aceptor.
2.4 DIODOS SEMICONDUCTORES
Si se introduce en un cristal nico de un semiconductor intrnseco (Si o Ge), impurezas donadoras por un
extremo y aceptadoras por el otro, se forma una unin PN. La figura 2.11 da muestra de ello. El ion
donador se indica esquemticamente por el signo ms, puesto que al donar un ion este tomo de
impureza, queda cargado el ion positivamente.

Energa
Banda de Conduccin
0.01 eV
Ec
Ed
Nivel de Energa
donador

Eg

Ev

Banda de valencia

Fig. 2.8 Diagrama de Bandas de energa de un semiconductor tipo


n. En el se ilustra el efecto de las impurezas donadoras sobre la
estructura de las bandas de energa. Para el Ge la distancia del
nuevo nivel discreto de energa permitido, inferior a la banda de
conduccin, es 0.01 eV y 0.05 para el Si

Si

Si

Si

HUECO

Si

Si

Si

IMPUREZA DE
BORO

Si

Si

Fig. 2.9 El material semiconductor tipo p, con impureza de Boro,


muestra la presencia de una vacancia o hueco.

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Energa

Banda de Conduccin
Ec

Eg

Nivel de Energa
aceptador
Ed
Ev
0.01 eV

Banda de valencia

Fig. 2.10 Diagrama de Bandas de energa de un semiconductor tipo


p. En el se ilustra el efecto de las impurezas aceptadoras sobre la
estructura de las bandas de energa.
El ion aceptador se indica por un signo menos, puesto que al aceptar un electrn este tomo, queda
cargado el ion positivamente. Inicialmente, hay solamente portadores tipo p a la izquierda de la unin y
portadores tipo n a la derecha.

2.4.1

UNION PN SIN TENSION EXTERNA

Se conoce como el fenmeno de recombinacin al hecho de que un electrn pueda


caer dentro de un hueco. La recombinacin es la fusin de un electrn y un hueco,
cuando esto se lleva a cabo el hueco no se mueve, simplemente desaparece. Al inicio
en la unin PN existe una diferencia de concentracin a travs de la unin, los huecos
se difundirn a la derecha cruzando la unin y los electrones a la izquierda. Esto es
debido a la mutua repulsin de los electrones libres del lado n por lo cual tienden a
difundirse o espaciarse en todas direcciones, por lo cual algunos se difunden a travs
de la unin. Cuando un electrn libre deja la regin n, crea un tomo cargado
positivamente (ion positivo). Cuando el electrn pasa a la regin p, se convierte en
portador minoritario con corto tiempo de vida. Rpidamente el electrn caer en un
hueco. Cuando esto sucede el hueco desaparece y el tomo asociado se carga
negativamente.

Unin

Ion aceptador

Hueco

Tipo

Ion donador

Tipo

Electrn

1 micra

0.5 cm

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Fig. 2.11 Unin PN sin polarizacin externa. Se muestra en la figura


la barrera de potencial o capa de agotamiento.
Densidad de carga

Distancia de la unin

d 2U

2
dx

Fig. 2.12.
Campo electrico, E

Fig. 2.13.

Potencial electrosttico
barreda de energa potencial para
los huecos
lado

E=0

U o

dU

dx

dx

Dis tancia de la unin

Fig. 2.14. Figura de la barrera de energa potencial para los huecos


E=0
E

Potencial electrosttico
barreda de energa potencialpara
los electrones
lado

U o

Dis tancia de la unin

Fig. 2.15. Figura de la barrera de energa potencial para los electrones


Los portadores mayoritarios en el material tipo n deben superar las fuerzas de
atraccin de la capa de iones positivos en el material tipo n, as como el blindaje de los
iones negativos en el material tipo p, para emigrar hacia la regin neutra del material
tipo p. Sin embargo, el nmero de portadores mayoritarios es tan grande en el material
tipo n que invariablemente habr un pequeo nmero de portadores mayoritarios con
suficiente energa para pasar a travs de la regin de vaciamiento y llegar al material
tipo p. De nuevo, el mismo tipo de anlisis puede aplicarse a los portadores
mayoritarios del material tipo p.
Como consecuencia del desplazamiento de estas cargas aparecer un campo elctrico en la unin. Se
alcanzar el equilibrio cuando el campo llegue a ser suficientemente grande como para compensar el
proceso de difusin. En la figura 2.12 se dibuja la forma general de la distribucin de carga. Las cargas
elctricas estn situadas en las proximidades de la unin, y son debidas a los iones inmviles. Los iones
no neutralizados en la proximidad de la unin se denominan cargas descubiertas. Puesto que la unin no
contiene cargas mviles se denomina regin de deplexin, de carga de espacio, de transicin, de
vaciamiento, o de barrera de potencial. El espesor de esta regin es del orden de 1 micra. En la figura
2.13 se indica la intensidad de campo electrico en la unin. Obsrvese que esta curva es la integral de la
funcin de densidad de carga (rho) de la figura 2.12. En la figura 2.14 se muestra la variacin del
potencial electrosttico en la zona de carga de espacio, y es la integral cambiada de signo de la funcin de
intensidad de campo electrico E de la figura 2.13. Esta variacin constituye una barreda de energa
potencial, que impide que se difundan ms an los huecos a travs de la unin. En la figura 2.15 se dibuja
la forma de la barreda de energa potencial que se opone al flujo de electrones del lado n a travs de la
unin. Es similar a la figura 2.14 excepto que est invertida, puesto que la carga del electrn es negativa.

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Ahora considere un poco ms la necesidad de la existencia de una barreda de potencial, si imaginamos un


electrn libre en la regin n difundindose a la izquierda hacia el interior de la capa de agotamiento, ah
encuentra una pared negativa de iones empujndolo hacia la derecha. Si el electrn libre tiene suficiente
energa, puede romper la pared y entrar en la regin p, donde cae en un hueco y crea otro ion negativo. La
energa de la capa de agotamiento contina aumentando con cada cruce de electrn hasta que llega al
equilibrio; es aqu donde la repulsin interna de la capa de agotamiento detiene la difusin posterior de
electrones libres a travs de la unin. Esta condicin de equilibrio nos permita calcular la altura de la
barreda de potencial UTO de 0.2 V para el Ge y 0.7 para el Si, a temperatura ambiente de 20C.

2.4.2 UNION PN POLARIZADA EN SENTIDO DE BLOQUEO


Aplicando un potencial externo de V Volts a la unin p-n de manera tal que la terminal
positiva est conectada al material tipo n y la terminal negativa al material tipo p, como
se muestra en la figura 2.16, el nmero de iones positivos descubiertos en la regin de
vaciamiento del material tipo n aumentar debido al mayor nmero de electrones
libres arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado. Por razones
similares, el nmero de iones negativos descubiertos se incrementar en el material
tipo p. Los electrones salientes dejan ms iones positivos cerca de la unin, y los
huecos salientes dejan ms iones negativos. En consecuencia, se produce un
ensanchamiento de la regin de barrera de potencial, que establecer una barrera
demasiado grande como para que los portadores mayoritarios puedan superarla,
reduciendo efectivamente el flujo de los mismos a cero. Existe una corriente muy
pequea debido al nmero de portadores minoritarios que estn entrando en la regin
de barrera de potencial, este flujo de portadores minoritarios es de apenas unos
cuantos microampers, y su valor no depende del voltaje inverso aplicado, si no ms
bien esta en relacin directa a la variacin de la temperatura. Est corriente de
saturacin (Is), es menor en un diodo de Si que en uno de Ge, est es la razn por la
que el silicio domina el campo de los semiconductores.
4.1.3

UNION PN POLARIZADO EN SENTIDO DE CONDUCCION

Si se establece una polarizacin directa aplicando el potencial positivo al material tipo


p y el potencial negativo al material tipo n, como se indica en la figura 2.17. Para
recordar debe notarse que el signo (+) se conecta al lado p y el signo (-) al lado n. A
pesar de la polarizacin directa se mantiene el flujo de portadores minoritarios (Is) en
sentido y en magnitud, pero la reduccin del ancho de la regin de barreda potencial
ha provocado un flujo de portadores mayoritarios denso a travs de la unin (I M). De
aqu que la magnitud de la intensidad el diodo (IF) est dada por:

IF IM IS

Donde IM >>IS.

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Unin

Is

Tipo

Tipo

Fig. 2.16. Unin PN polarizada en sentido inverso, Muestra la


corriente de saturacin Is.
Unin

+
-

Tipo

Tipo

IF

Fig. 2.17. Unin PN polarizada directamente.

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CAPITULO 4: TRIAC
4.1 Introduccin
A diferencia de un SCR el TRIAC puede conducir corriente en cualquiera de las dos direcciones cuando
es llevado a CONDUCCION.
Cuando el TRIAC es BLOQUEADO, no puede fluir corriente entre sus terminales principales
independiente de la polaridad de la fuente externa aplicada. Por tanto, el TRIAC acta como un
interruptor abierto.
Cuando el TRIAC es llevado a CONDUCCION, presenta una resistencia muy baja al paso de la corriente
en el camino de un terminal principal al otro, donde el sentido del flujo depende de la polaridad de fuente
externa aplicada. Cuando el voltaje es ms positivo en MT2, la corriente fluye de MT2 a MT1. Cuando el
voltaje es ms positivo MT1, la corriente fluye de MT1 a MT2. En cualquier caso el triac acta como un
interruptor cerrado.

Anodo 2 (A2)
o
Terminal principal 2
(MT2)

Diferentes
nominaciones para los
terminales del TRIAC,
utilizados en textos y
manuales, segn la
norma o estndar a la
que esta sujeta.
La primera nominacin
(A1 y A2) es segn el
estndar DIN

Puerta
(G)

Anodo 1 (A1)
o
terminal principal 1 (MT1)

Figura 4-1

Podemos mencionar que la disposicin o comportamiento de un TRIAC asemeja en gran medida a la


disposicin de dos SCR conectados en antiparalelo, pues esta tipo de configuracin responde de manera
semejante al de un TRIAC, representndose en gran medida esta configuracin para describir al TRIAC

Figura 4-2.- SCR en antiparalelo


La figura 4-2 nos muestra la configuracin de dos SCR en antiparalelo.
La figura 4-3 muestra las relaciones circuitales entre la fuente de voltaje, el triac y la carga. El triac est
conectado en serie con la carga al igual que un SCR. El valor promedio de la corriente que se entrega a la
carga puede afectarse variando la cantidad de tiempo por ciclo que el triac permanece en estado de
CONDUCCION. Si permanece en el estado de CONDUCCION durante una pequea porcin del tiempo
de ciclo, el promedio de la corriente que fluye durante muchos ciclos ser bajo. Si permanece en el estado

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de CONDUCCION durante una gran porcin del tiempo de ciclo, entonces el promedio de la corriente
ser alto.
Carga
MT2
Fuente

Circuito
de
disparo
o
control de G

MT1

Figura 4 -3
A diferencia de otros tiristores el TRIAC no est limitado a 180 de conduccin por ciclo. Con el
adecuado arreglo de disparo, pueden conducir por la totalidad de los 360 por ciclo. Entonces proporciona
control de potencia de onda completa en lugar del control de potencia de media onda posible con un
SCR.
Los triacs tienen las mismas ventajas que tienen los SCR y los transistores sobre los interruptores
mecnicos. No tienen el rebote de contacto, no se produce arco en los contactos parcialmente abiertos, y
pueden operarse mucho ms rpido que los interruptores mecnicos, por tanto permiten un control de
corriente ms preciso.
FORMAS DE ONDA EN LOS TRIACS
Las formas de onda en los triacs son similares a las formas de onda en los SCR, excepto que pueden
cebarse en el semiciclo negativo. La figura 4-4 muestra las formas de onda de voltaje en la carga y voltaje
en el triac (entre los terminales principales) para tres condiciones diferentes.
La forma de onda de la figura 4-4 (a) muestra al triac en CORTE durante los primeros 30 de cada
semiciclo; durante estos 30 el triac est actuando como un interruptor abierto. Durante este tiempo la
totalidad del voltaje de lnea cae a travs de los terminales principales del triac, y no se aplica voltaje a la
carga. Entonces no hay flujo de corriente por el triac o por la carga.

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Figura 4-4
La porcin de semiciclo durante el cual existe esta situacin se denominan ngulo de disparo, igual que
para el caso del SCR. Despus de transcurridos los 30, el triac se ceba o CONDUCE, y acta como un
interruptor cerrado. En este instante el triac comienza a conducir a travs de sus terminales principales y a
travs de la carga y contina la conduccin de corriente por el resto del semiciclo (vase la segunda parte
de la figura 4-4 (a)). Denominamos ngulo de conduccin a la porcin del semiciclo durante la cual el
triac esta en CONDUCCION. El ngulo de conduccin en la figura 4-4 (a) es 150. Las formas de onda
muestran que durante el ngulo de conduccin la totalidad del voltaje de lnea se aplica a la carga, y cero
voltaje aparece a travs de los terminales principales del triac.
Se muestra la misma forma de onda (en la figura 4-4 (b)) con un ngulo de disparo ms grande. En la
figura 4-4 (b)el ngulo de disparo es 120 y el ngulo de conduccin es 60. Dado que la corriente fluye
durante una pequea porcin de la totalidad del ciclo en este caso, el promedio de corriente es menor que
cuando se encontraba en la condicin de la figura 4-4 (a). Por tanto se transfiere menos potencia de la
fuente a la carga.
Los triacs, al igual que los SCR y muchos otros dispositivos semiconductores, presentan un notorio rango
de variacin en sus caractersticas elctricas. Este problema es especialmente evidente con los triacs
porque usualmente sucede que los requerimientos de disparo son diferentes para las dos polaridades de la
fuente de voltaje. La figura 4-4 (c) muestra formas de onda las cuales ilustran este problema. La forma de
onda del triac en la figura 4-4 (c) muestra un ngulo de disparo ms pequeo en el semiciclo positivo que
en el semiciclo negativo, esto es debido a la tendencia del triac a dispararse ms fcilmente en el
semiciclo positivo. Otro triac del mismo tipo podra presentar una tendencia a dispararse ms fcilmente
durante el semiciclo negativo; en este caso el ngulo de disparo negativo sera ms pequeo. Algunas
veces tal consistencia en la operacin de disparo no puede tolerarse.
4.2 Caractersticas del TRIAC
Cuando un triac est polarizado con un voltaje externo ms positivo en MT2 (llamada directa o
polarizacin de terminal principal positivo), generalmente se dispara por una corriente que fluye de la
puerta a MT1. Las polaridades de los voltajes y las direcciones de las corrientes en este caso se muestran
en la figura 4-5 (a).

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CARGA

CARGA
Corriente
principal

MT2
MT1

Corriente
de Puerta

+
VG - -

Corriente
principal

Terminal
principal en
polarizacin
directa

MT2
MT1

Corriente
de Puerta

(a)

Terminal
principal en
polarizacin
inversa

VG + +

(b)

Figura 4-5

Cuando est polarizado como se muestra en la figura 4-5 (a), el disparo del triac es idntico al disparo de
un SCR. El terminal G es positivo con respecto a MT1, lo cual hace que la corriente de disparo fluya
hacia el dispositivo desde el terminal de puerta y hacia fuera del dispositivo por el terminal MT1. El
voltaje de puerta necesario para disparar el triac est simbolizado por U GT; la corriente de puerta necesaria
para el disparo esta simbolizado por IGT. La mayora de los triacs de mediana potencia tienen un U GT del
orden de 0,6 a 2,0 V y una I GT de 0,1 a 20 mA. Como es usual estas caractersticas varan
considerablemente con cambio en la temperatura. Las variaciones tpicas de las caractersticas con la
temperatura se encuentran gratificadas en las hojas de datos que proporciona el fabricante.
Cuando el triac est polarizado ms positivo en MT1 (denominado inverso o polarizado de terminal
principal negativo), como se muestra en la figura 4-5 (b), el disparo se ejecuta enviando corriente de
puerta al triac por el terminal MT1 y hacia fuera del triac por el terminal G. El voltaje de puerta ser
negativo con respecto a MT1 para realizarlo. La polaridad de los voltajes y las direcciones de las
corrientes para el caso de polarizacin inversa se ilustran en la figura 4-5 (b).
Para un triac en particular, la IGT para polarizacin directa puede ser bastantes diferente de la I GT para
polarizacin inversa, tal como se menciono en la Seccin 4-1. Sin embargo, se consideran muchos
TRIACs del mismo tipo, la IGT para polarizacin directa ser igual a la IGT de polarizacin inversa.
Un triac, al igual que un SCR, no requiere que contine circulando corriente de puerta una vez ha sido
cebado. El triac permanece en CONDUCCION hasta que cambie la polaridad de sus terminales
principales o hasta que la corriente principal caiga por debajo de la corriente de retencin o
mantenimiento, IHO. La mayora de los triacs de mediana potencia tienen una I HO del orden de 100 mA o
menos.
Otras caractersticas elctricas importantes las cuales se aplican a los triacs son:
(a) el valor rms de la mxima corriente principal permitida, IT(RMS) y
(b) el valor de voltaje de ruptura, VDROM, el cual es el voltaje mximo de pico aplicado entre los
terminales principales que puede bloquear el triac en cualquier direccin.
Si el voltaje instantneo aplicado entre los terminales MT2 y MT1 excediera V DROM, el triac se rompe y
comienza a dejar circular corriente por los terminales principales. Esto no daa el triac, pero significa una
prdida del control de puerta. Para prevenir la ruptura, el triac deber tener un valor de V DROM mucho
mayor que el valor de pico del voltaje c.a. que maneja el circuito. Los valores ms usuales de V DROM para
los triacs son 100, 200, 400 y 600 V.

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Para muchos fabricantes, la secuencia de valores de IT(RMS) disponibles es 1, 3, 6, 10, 15 y 25 A; otras


secuencias similares son tambin usadas por fabricantes de triacs.
Otro valor elctrico importante el cual lo dan los fabricantes en las hojas de especificaciones es U T,
voltaje a travs de los terminales principales en estado de CONDUCCION.
Idealmente, el voltaje en estado de CONDUCCION deber ser 0 V, pero generalmente U T est entre 1 y 2
V en los triacs reales, lo mismo que para los SCR. Un valor de U T bajo es deseable porque significa que el
triac en condicin cerrado duplica la accin de un interruptor mecnico, aplicando la totalidad del voltaje
a la carga. Tambin significa que el triac mismo disipa una potencia muy pequea.
La potencia disipada en el triac est dada por el producto de la corriente principal y el voltaje entre los
terminales principales. Es indeseable una gran disipacin de potencia desde el punto de vista de
proteccin del triac de las altas temperaturas y tambin desde el punto de vista de transferencia
econmica de energa de la fuente a la carga.
4.3 Anlisis de la relacin entre la tensin de disparo y la tensin directa de bloqueo
Como hemos visto la tensin de disparo U GT debe ser lo suficientemente alta para permitir disparar el
TRIAC, pero sin que esta tensin supere los limites permitidos por el fabricante, el cual al entregamos los
valores de voltaje de ruptura U DRM que es la tensin mxima de pico que se puede aplicar al TRIAC y que
este puede bloquear asimismo el UT que es el voltaje entre terminales en estado de conduccin nos
permite identificar con claridad los limites entre los cuales nuestra tensin de disparo debe operar (aunque
la mayora nos da la tensin de disparo segura U GT siempre es bueno conocer los limites entre los cuales
puede ubicarse nuestro circuito y dispositivo).
Alcanzada la tensin de disparo podremos apreciar que la tensin directa de bloqueo disminuye, esto
debido a que la tensin de disparo y la tensin de conduccin entre terminales U T es inversamente
proporcional (aunque esta definicin de por si es inexacta, sirve para poder explicar el comportamiento de
los mismos) por lo explicado en la seccin 4.2 tiende a bajar lo que le da al TRIAC esa caracteristica tan
importante de accionar o trabajar como interruptor mecnico, aplicando la totalidad del voltaje a la carga.
Si bien es cierto el presente anlisis deja algunas dudas, (estas se disiparan en el momento en que
hablemos del cebado del TRIAC), su funcionamiento en conmutacin o la manera de operar el mismo
para conmutarlo determina en gran manera el tipo de tensin de disparo del mismo. Hablaremos ms
adelante de las tensiones de disparo para cada cuadrante, pero las relaciones entre la tensin de disparo y
la tensin directa de bloqueo se siguen manteniendo.
4.4 Explicacin de funcionamiento del circuito fig. 3.1 del manual de laboratorio con el triac
BT137/800.
En el circuito de la figura podemos apreciar la conexin de la fuente de corriente alterna de 24 voltios a la
carga que para nuestro caso es una lampara de 24V/3W, que a su vez alimenta al circuito de disparo
formado por las resistencia R1 y R2 (R2 es un potenciometro). El TRIAC por lo explicado anteriormente
es un dispositivo semiconductor cuya caracteristica lo asemeja a tener dos SCR en antiparalelo, lo que nos
permite vislumbrar que para una tensin de alimentacin como la alterna, puede conducir en ambos
semiciclos.
El interruptor S1 en posicin de ON, y variando la tensin por medio del potenciometro, logramos
disparar al TRIAC, al cual mediante las condiciones estipuladas podremos observar en el osciloscopio sus
caractersticas de funcionamiento (para ello es que se coloca la resistencia de 10 como medio para
poder convertir la sensibilidad del canal Y2 de V/cm a mA/cm).
Como en el caso del SCR podremos ir midiendo los valores de tensin de disparo e ir comparando con la
de bloqueo.

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La figura 3.1 del Manual de Laboratorio es la siguiente:

Figura 3.1 del manual de laboratorio


Estas mediciones nos permiten observar como al aumentar la tensin de disparo y permitir que el TRIAC
entre en estado de CONDUCCIN (aun para tensiones pequeas en el nodo 2 y el nodo 1) disminuya
la tensin directa de bloqueo UD siempre respetando los valores permisibles de UGT (tensin de disparo
segura)
La curva caracteristica del triac muestra una simetra central, lo que indica un comportamiento similar en
la conduccin en ambos sentidos.
4.5 Respuesta de conmutacin de un TRIAC
Existen algunas diferencias importantes entre el uso de un triac y el uso de un par de SCR en un circuito
de alterna; mientras que hay un semiciclo entero para cada SCR para conseguir su bloqueo, en el TRIAC
slo hay el breve tiempo en que la corriente de carga pasa por cero para bloquearlo. Con cargas
resistivas, este tiempo es suficiente, pero cuando se manejan cargas inductivas, como la corriente retrasa a
la tensin, y las corrientes de reconversin actan como corrientes virtuales de puerta y adems hay una
componente adicional de corriente debida a las capacidades de las uniones y a la dv/dt reaplicada, el triac
puede volver a conducir en sentido inverso. Si la carga inductiva no es demasiado elevada, puede
reducirse la dv/dt mediante la utilizacin de una red RC en paralelo con el TRIAC. En caso contrario se
deben utilizar el par de SCR en oposicin.

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La figura 4-6 muestra un circuito inductivo y la forma de las ondas de tensin y corriente en la carga y en
el TRIAC.

Figura 4-6
4.5.1

Anlisis del comportamiento de un Triac ante el disparo en los cuatro cuadrantes posibles.
CEBADO DEL TRIAC

Si se aplica la tensin V1 al nodo A1, la tensin V2 al nodo A2 y la tensin VG a la puerta, y si tomamos


V1 como masa de referencia (V1 = 0), podemos definir 4 cuadrantes de polarizacin (fig. 4-7):
A2 (v2)
IL

RL
MT2
MT1
Tensin
de Puerta

VG

A1 (V1)

V2
IV2 +
VG IL +

II

I+
V2 +
VG +
IL +

III IV
III V2 VG IL +

VG

III +
V2 VG +
IL -

Figura 4-7

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CUADRANTE
I+
IIII +
III -

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V2
>0
>0
<0
<0

VG
>0
<0
>0
<0

NOTACION
++
+--+

I +; MT2 +, G +: Corriente y tensin de puerta positivos.


Primer cuadrante de la curva caracterstica. Disparo muy sensible
I -; MT2 +, G - : Tensin y corriente de puerta negativos.
Primer cuadrante de la curva caracterstica. Disparo menos sensible
III +; MT2 -, G +:
Tensin y corriente de puerta positivos.
Tercer cuadrante de la curva caracterstica.
Disparo muy poco sensible
III -; MT2 -, G -: Tensin y corriente de puerta negativos.
Tercer cuadrante de la curva caracterstica. Disparo sensible.
4.5.2

Proceso de determinar las corrientes de retencin


CORRIENTE DE RETENCIN O MANTENIMIENTO Y CORRIENTE DE ENGANCHE

Las definiciones dadas anteriormente para las corrientes de mantenimiento (I H) y de enganche (IHT) en la
seccin 2.2 siguen siendo vlidas aqu.
Es decir la corriente de enganche es aquella corriente que hace que el tiristor (TRIAC) conmute o bascule
del estado de bloqueo al de conduccin, es una corriente instantnea y en las mediciones suele (para la
persona poco experimentada) tomarse como la tensin de mantenimiento o retencin. En la practica se ve
un salto de corriente, esto es debido a que la corriente de enganche es de dos a tres veces la corriente de
retencin.
DETERMINACIN POR CUADRANTES
Para determinar la corriente de retencin en cada cuadrante (I +, I -,III +, III -) debemos considerar el tipo
de polarizacin al cual esta sometido el dispositivo en prueba (recuerde que dependiendo de la
polarizacin, usted se hallara en un determinado cuadrante y esto determinara tambin el tipo de corriente
de retencin).
Como vemos en la figura 4-7 (en donde se coloca una carga y aparece su respectiva corriente de carga I L )
el TRIAC se halla en disposicin para, con la configuracin de disparo adecuado, conmute del estado de
BLOQUEO al de CONDUCCIN.
Nuestra corriente de retencin ira variando segn el cuadrante, as, segn la figura 4-7 (segunda parte)
para el cuadrante I + y III + , esta corriente ser positiva (por la tensin de puerta) y sus valores siempre
oscilaran entre 0,1 a 20 mA (muy diferente a la IGT).
Para el cuadrante I y III esta corriente ser negativa o de sentido inversa y se hallara en el mismo
rango anteriormente descrito.
Recuerde que para obtener la medicin de la corriente de retencin o de mantenimiento, debe realizar ms
de una prueba, puesto que podra usted estar tomando la corriente de enganche. Para ello considere el
ultimo valor de la corriente para la cual el dispositivo (TRIAC) todava conduce.
4.6 Explicacin de funcionamiento del circuito (fig. 4.1 del manual de laboratorio) con el tiristor
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La figura 4.1 del manual de laboratorio es la siguiente:

Figura 4-1 del manual de laboratorio


En el circuito de la figura 4.1 note la polarizacin de la fuente U2, esto sirve para tener una sensibilidad
de disparo en conjunto para los cuadrante I y III.
Luego variando esta fuente c.c. U2, se obtendr en la puerta G un valor I GT y UGT de tal manera que harn
que el TRIAC dispare y que la lampara se encienda. La resistencia R1 sirve para asegurar que la
corriente de dicho electrodo disminuya a un valor despreciable una vez producida la conmutacin.
Disparo en el I +: A2 +, G +
La corriente y tensin de puerta son positivos respecto a los terminales A1 y A2, esta ultima positiva
respecto al primero. Logrando que el funcionamiento de disparo sea muy sensible. Por lo tanto se
requiere el menor valor de corriente de compuerta que los otros 3 modos de disparo. (cuadrantes I -, III +,
III -)
Disparo en el I -: A2 -, G +
La tensin y corriente de puerta negativos, el funcionamiento de disparo es muy poco sensible.
Disparo en el III +: A2 -, G
La tensin y corrientes de puerta positivos, el disparo es sensible.
Disparo en el III -: A2 +, G
La tensin y corrientes de puerta negativos, disparo en menos sensible.
La disposicin del circuito permite observar las respuesta de disparo del dispositivo semiconductor en
prueba (el TRIAC) de manera tal que permite medir esta respuesta para cada cuadrante. Estas
mediciones arrojaran a su vez determinaciones tales como cual cuadrante es mejor para conmutar el
TRIAC, o cual cuadrante es el indicado para la operacin predeterminada, por lo general es la persona
que disea el circuito la que toma estas decisin (lgicamente que esto tambin de depende del tipo de
dispositivo o TRIAC que se piense utilizar dada las caractersticas con las cuales deber operar, es decir el
tipo de prueba u operacin que el circuito que se desea implementar llevara a cabo).

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RESUMEN CAPITULO 4:
El TRIAC puede conducir corriente en cualquiera de las dos direcciones cuando es llevado a conduccin
lo que le da una clara ventaja frente al SCR. Cuando esta bloqueado, no puede fluir corriente entre sus
terminales, independientemente de la polaridad de la fuente externa aplicada.
Cuando el TRIAC esta polarizado con un voltaje mas positivo en su extremo MT2 (A2 para la norma
DIN) se le llama polarizacin directa o polarizacin de terminal principal positivo y cuando es al revs es
decir cuando su terminal principal se halla polarizado negativamente se le llama polarizacin inversa .
Al igual que en el SCR la relacin de tensin de disparo y tensin directa de bloqueo es inversamente
proporcional, pero con algunas caractersticas saltantes determinados por el tipo de cuadrante donde se
trabaja.
Las diferencias entre el uso de un par de SCR y un TRIAC se hallan con facilidad en circuitos de
corriente alterna dado que mientras hay un semiciclo entero para cada SCR para conseguir su bloqueo, en
el TRIAC slo hay el breve tiempo en que la carga pasa por cero para bloquearlo.
Se definen cuatro cuadrantes de polarizacin en un TRIAC, ha saber I+, I-, III+ y III-.
La corriente de retencin ira variando por lo tanto en cada cuadrante oscilando sus valores entre 0,1 a 20
mA.
En el TRIAC a semejanza del SCR, tampoco se requiere que contine circulando corriente de puerta una
vez que ha sido cebado. Su forma de desactivacin es semejante tambin al SCR necesitando
simplemente que su corriente de retencin disminuya o que se cambie la polaridad de sus terminales
principales.

PREGUNTAS DE REPASO
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.

Qu es un TRIAC?
Fluye corriente por el TRIAC cuando esta bloqueado, Explique brevemente.
Cuando esta en conduccin, que tipo de resistencia presenta entre sus terminales.
Explique la polarizacin directa.
Explique la polarizacin inversa.
Cuales son los valores de tensin de ruptura del TRIAC?
Cuales son los valores de corriente de retencin?
Conduce un TRIAC en ambos semiciclos? Explique brevemente.
Indique los cuatro cuadrantes y sus respuesta de sensibilidad de cada uno.
Una vez cebado Es necesario que circule corriente de puerta?
Es igual la corriente de enganche a la corriente de retencin. Explique.
Que es la corriente de enganche?
Es posible disparar un TRIAC en los cuatro cuadrantes?, Explique.
Cuales son los valores que debemos observar al adquirir o utilizar un TRIAC?
Como se pasa del estado activo al de desactivo?, Explique brevemente.
Segn sus consideraciones, Cul es el mejor cuadrante para operar un TRIAC?
Analise brevemente la figura 3.1 del manual de laboratorio de Fundamentos de la Electrnica de
Potencia.

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CAPITULO 5: DIAC
5.1 Introduccin
Su nombre proviene de la contraccin de Diode Altenative Current. Un DIAC es un dispositivo de dos
electrodos y tres capas que funciona bsicamente como un diodo de avalancha bidireccional que puede
pasar del estado de bloqueo al estado conductivo con cualquier polaridad de la tensin aplicada entre los
bornes terminales.

MT2

MT1

Figura 5-1.- Este es otro modo de representar al DIAC


(utilizado mayormente en manuales y textos americanos)
Algunos autores definen al DIAC como elemento simtrico que no posee, por ende, polaridad.
5.2 Caractersticas del DIAC
De construccin similar a la de un transistor bipolar con una diferencia que es que la concentracin de
impurezas es aproximadamente la misma en ambas junturas, y que no hay ningn contacto a la capa de
base. Las concentraciones iguales de impurezas resultan en caractersticas de bloqueo-conduccin segn
nos muestra la imagen siguiente (figura 5-2):

Figura 5-2.- Curva caracteristica del DIAC


Cuando se aplica tensin positiva o negativa sobre los terminales del DIAC, se produce un flujo muy
pequeo de corriente de prdida IBO hasta que la tensin llega al punto de ruptura polarizada V BO En ese
momento la juntura polarizada en sentido inverso sufre una ruptura por avalancha y por encima de ese
punto la caracteristica tensin-corriente equivale a resistencia negativa, vale decir, la corriente aumenta
acentuadamente a medida que disminuye la tensin.

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El DIAC puede y se representa como un par de diodos de cuatro capas en paralelo (segn muestra la
figura 5-3).

Figura 5-3.- Circuito equivalente de un diac


Idealmente es igual a la representacin de la figura 5-4 donde es comparado a un circuito de dos
interrupturos en paralelo. El DIAC no conduce hasta que la tensin aplicada en sus extremos no exceda
la tensin de cebado en cualquier direccin.

(a)

(b)

Figura 5-4.- Representacin por interruptores de un DIAC


Segn la figura 5-3, la tensin V, aplicada con la polaridad indicada, hara que el diodo izquierdo condusca
cuando V supere la tensin de cebado. En este caso el interruptor (fig. 5-4 (b)) izquierdo se cierra.
Por el contrario, si la polaridad de V es opuesta a la de la figura 5-3, el resultado sera que el interruptor
de la derecha se cerrara cuando V intentara exceder la tensin de cebado
Los DIACS se usan principalmente en dispositivos de disparo para control de fase de triacs en controles
graduales de luminosidad, controles de velocidad de motores universales, controles de calefaccin y otras
aplicaciones similares.

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Figura 5-5

La figura 5-5 muestra el diagrama circuital general para un circuito de control de fase con DIACS y
triacs. La magnitud del pulso de corriente aplicado a la compuerta del triac se determinan por el valor de
la capacitancia de desplazamiento de fase C, el cambio de tensin sobre el DIAC y su impedancia
dinmica y la impedancia de compuerta del triac.
Cabe sealar en esta parte que para las normas internacionales, V BO es la tensin de ruptura del DIAC,
siendo este para la tensin de ruptura directa (en voltajes aplicados en sentido directo - polarizacin
directa) simplemente + VBO y para tensin de ruptura inversa (en voltajes aplicados en sentido indirecto o
inverso) simplemente - VBO. Para la norma DIN la tensin de ruptura positiva (o tensin de ruptura
directa) es U(Br)F y la tensin de ruptura negativa (o tensin de ruptura inversa) es UBrR.
Para nuestro caso de estudio nos referiremos a dichas tensiones como tensin de ruptura positiva U (Br)F y
tensin de ruptura negativa UBrR, que es como aparece en el manual de laboratorio, recordando que
posiblemente usted no encuentre dichas definiciones en los libros y textos especializados, ni en los
manuales de semiconductores (especialmente los americanos).
5.3 Analizar las tensiones positivas y negativas de ruptura.
5.4
Para poder analizar las tensiones positivas y negativas de ruptura incluimos la curva caracteristica del
DIAC en la figura 5-6.
La curva nos muestra que al aplicar una tensin en sentido directo menor que la tensin de ruptura
positiva (U(Br)F) el DIAC prcticamente no permite flujo de corriente. Alcanzada la tensin de ruptura
positiva, el DIAC conmuta a CONDUCCIN y la corriente aumenta rpidamente a la vez que la tensin
a travs de los terminales disminuye. El aumento rpido de corriente mostrado en la curva caracteristica
explica la habilidad del DIAC para producir pulsos de corriente.

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Corriente

Tensin de
ruptura
positivo U(br)F

Tensin de
ruptura
positivo U(br)R

Voltaje

Figura 5-6.- Curva caracterstica de DIAC


Al aplicar una tensin en sentido inverso menor que la tensin de ruptura negativa (U (br)R) el DIAC no
permite flujo de corriente. Cuando la tensin en sentido inverso alcanza a la tensin de ruptura negativa el
DIAC conmuta a CONDUCCIN en la direccin opuesta. Esto se grfica como en la figura 5-6 como
corriente negativa.
Como vemos el DIAC en la regin positiva y negativa su operacin es idntica.
Los DIACS se fabrican de manera que son relativamente estables con temperatura y tienen una pequea
tolerancia en los voltajes de ruptura. En realidad hay una pequeisima diferencia entre los valores de
tensin de ruptura positivo y negativo. La diferencia es tpicamente menor que 1 V. Esto permite que el
circuito de disparo mantenga prcticamente iguales los ngulos de disparo en ambos semiciclos de la
fuente de corriente alterna.
La tensin de disparo se suele escoger cercana a los 30 V. Esto es debido a que es difcil obtener
tensiones sensiblemente ms bajas con una resistencia negativa suficiente, mientras que el empleo de
valores ms elevados reducira las posibilidades de control.
Permiten obtener, con condensadores de poco volumen (por ejemplo, 01 F y 35 V) corrientes de disparo
de valor elevado. Se presentan a menudo en cpsulas del tipo DO-7 (vea el Capitulo 2 para mayor
referencia)

Figura 5-7.- Encapsulado DO-7 del DIAC ECG6408

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5.5 Explicacin de funcionamiento del circuito de la fig. 5.1 del manual de laboratorio con el Diac
BR100
En el circuito de la figura tenemos una disposicin sencilla de dispositivos a probar. La alimentacin U
es de tensin alterna de 24 V, lo que significa que tendremos la presencia de semiciclos tanto positivos y
negativos, para un tiristor bidireccional como el DIAC, esto no representa mayor problema aunque
llegaremos a observar cierta distorsin en la onda .
La tensin alterna que esta recorriendo al circuito afecta directamente al DIAC BR100 el cual comienza a
conmutar en ambos semiciclos, lo que nos permite observar sus caractersticas de comportamiento en
forma clara y sencilla.
Como ya hemos explicado la tensin de ruptura positiva y negativa es idntica en ambas regiones, por
ende al formarse la grfica podremos apreciar los conceptos vertidos en el tem anterior.
La figura 5.1 del manual de laboratorio es la siguiente:

Figura 5-1 del Manual de laboratorio


Antes de llegar la tensin de semiciclo positivo a los niveles de tensin de ruptura positivo, la corriente se
mantiene mnima, pero una vez superada esta aumenta rpidamente. Este comportamiento es el mismo
que podemos vislumbrar en la regin negativa, pero en sentido inverso.
Esta habilidad de producir pulsos de corriente le dan a el DIAC una caracteristica muy especial,
principalmente en circuitos de conmutacin forzada con TRIACS.
RESUMEN CAPITULO 5:
El DIAC es un dispositivo semiconductor de 2 electrodos y 3 capas que funcionan bsicamente como un
diodo de avalancha bidireccional que se puede pasar del estado de bloqueo al de conduccin en cualquier
sentido de la polaridad de la tensin entre sus bornes.
Esta caracteristica tan especial convierte al DIAC en un aliado muy especial puesto que permite la
conmutacin de dispositivos semiconductores como el TRIAC trabajar o conmutar en ambos semiciclos
de la tensin alterna, lo que significa que en circuitos de conmutacin forzada es posible (por ejemplo
aadiendo condensadores) conseguir ngulos de disparo adecuados para ambos semiciclos convirtindolo

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en una herramienta til para el control de fase de triacs en controles graduales de luminosidad, controles
de velocidad de motores universales, controles de calefaccin y otras aplicaciones similares.
PREGUNTAS DE REPASO:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.

Defina un DIAC.
Qu es tensin de ruptura POSITIVO?
Como es el comportamiento de DIAC en ambos semiciclos de la corriente alterna?
Como es posible controlar el ngulo de disparo en un circuito de conmutacin forzada? Explique
brevemente.
Indique algunas aplicaciones de los DIACS
Cul es el valor de tensin de disparo que suele escogerse?
Explique brevemente el funcionamiento de un DIAC.

APLICACIONES DEL TIRISTOR


7.1

Como interruptor con apagado por medio de tiristor auxiliar como controlador de corriente
continua (Chopper)

Una de las aplicaciones ms utilizadas del tirstor en general es su uso como interruptor en especial para
controladores de corriente continua (denominados tambin Chopper).
Por lo general se utiliza dos tiristores los cuales dependiendo del ancho de pulso del mismo aplicado a
alguno de ellos (o a los dos), es que se logra controlar el disparo del mismo. Recordemos que el caso de
un SCR (que es el tiristor utilizado por excelencia en esta clase de circuitos) basta enviar una corriente de
puerta capaz de enganchar la puerta (es decir lograr superar la corriente de enganche para luego mantener
conduciendo con la corriente de mantenimiento o retencin) para lograr que dispare y si esta no
disminuye lo suficiente este (el SCR) seguir conduciendo en forma indefinida, a menos que la tensin de
alimentacin desaparezca.
En estos circuitos el ancho de pulso utilizado en la tensin de disparo en la entrada de puerta del tiristor
determinara el tiempo de conduccin Ton del mismo, lo que a su vez nos entrega el tiempo de
desconexin Toff (que obviamente se da por simple determinacin de tiempos), vea figura 7-1.
Al tener una seal de disparo variable en el tiempo (podra ser una seal senosoidal, cuadratica, etc.) los
valores de tensin de disparo del tiristor variaran, llevando al mismo al estado de conduccin y de
bloqueo en forma alternada, configurndolo como interruptor. Si la tensin de alimentacin del circuito
es continua (corriente continua), el tiristor se ve nicamente controlado por la seal de disparo
(recordemos que en circuitos de corriente alterna este deja de conducir en los semiciclos negativos y que
conduce solo en los ngulos de conduccin determinado por el elemento de disparo) lo que nos permite
un mayor control del circuito y por ende de carga a manejar.

EGATE

ERL

a
a

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a
Ton
Toff

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Figura 7-1.- Tensin de puerta o de disparo que obliga al tiristor a conducir en tiempos establecidos por el
ancho de banda del mismo

7.2

Explicacin de funcionamiento del circuito de la fig. 7.1 del manual de laboratorio

La figura 7.1 del manual de laboratorio es el siguiente:

Figura 7-1 del Manual de Laboratorio


Como explicamos anteriormente, en este tipo de circuito el control del disparo del tiristor (para este
circuito en especial es un SCR) esta regido por el ancho de pulso que el generador de anchos de pulsos
esta entregando a la puerta de los mismos.
La tensin de 12 voltios que alimenta este circuito es de corriente continua por lo que la misma no regir
en el cebado del SCR, ya que su alimentacin no llevara a una conmutacin lineal o natural al SCR (por
los semiciclos positivos y negativos del mismo), dejando el mando por completo a nuestro generador de
ancho de pulsos.
La frecuencia del generador nos dar el tiempo de conduccin (en los semiciclos positivos del mismo) y
el tiempo de desconexin del mismo (en los semiciclos negativos).

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Al tener dos SCR y conmutando los ciclos de alimentacin de Q1 y Q2 (es decir desfazando los pulsos de
la seal en 90 grados) podremos apreciar como las lamparas comenzaran a oscilar una a continuacin de
otra, pudiendo observar las diferencias de interrupcin entre ambas.
Esto es debido a que mientras en un tiristor la seal esta en aumento originando el disparo del mismo, en
el otro tiristor la seal esta en declive, llevando al mismo al estado de bloqueo.
Como los ciclos son semejantes para ambos pero en desface, esto origina que uno encienda en forma
alternada con respecto al otro sin que haya traslape en el encendido y apagado de las dos lamparas
Si en cambio en ambos tiristores se le inyecta una seal con igual fase, estas (las lamparas) encendern y
apagaran en igual tiempo.
7.3

Como controlador de c.c. (Chopper) con circuito anular. Explicacin de funcionamiento del
circuito de la fig. 8.1 del manual de laboratorio

Figura 8-1 del manual de laboratorio


En el caso anterior describamos el comportamiento del tiristor como controlador de cc (Chopper), en este
caso participamos de un circuito cuya tensin de alimentacin es tambin en continua (corriente continua)
lo que nos lleva al mismo anlisis que el anterior, es decir la conmutacin en este caso es forzada por el
elemento de disparo, y la conmutacin es regida por el mismo, dado que el tiristor empezara a conducir y
no dejara de hacerlo hasta que nuestro circuito de disparo no lo lleve del estado de bloqueo al de
conduccin.
En el circuito de la figura 8.1 tenemos que considerar que el disparo de los SCR se lleva a cabo por medio
de los pulsadores S1 y S2 los cuales alimentan a los transformadores de pulso que ingresan a los SCR
denominados aqu V1 y V2.

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Estos transformadores de pulso le dan una proteccin especial a nuestro circuito evitando sobre tensiones
o corrientes demasiado elevadas y eliminan posibles ruidos generados por lo dispositivos a su alrededor.
Al accionar en forma alternada los interruptores (es decir colocando uno en ON y el otro en OFF)
podremos manipular los estados de conmutacin de los tiristores y la polaridad del condensador. Esto se
logra gracias a la participacin del circuito anular formado por la bobina denominada L y el diodo
denominado V3 que servirn para la carga y descarga del condensador (cambio de polaridad)
Al colocar S1 en ON el condensador se carga, luego al colocar S2 en ON y disparar el tiristor principal, a
la corriente de carga le precede un impulso de descarga del condensador. Este carga el condensador, por
medio de una semioscilacin atenuada, a travs de los SCRs V1, V2 y la bobina L con polaridad
invertida. Si se dispara de nuevo el SCR de apagado, se tendr la tensin del condensador con polaridad
contraria a la tensin de alimentacin entre nodo y ctodo del SCR V1, llegando a bloquearlo.

B
+
UC
A

B
U+
C
A

Figura 7-2.- Cambio de polaridad, expresado aqu en la tensin Uc

Este cambio de polaridad alcanzada sin mayor perdida de potencia en el circuito llevado a motores de cc.
de gran potencia son de muchisima utilidad (claro esta el circuito es sencillamente diferente)
7.4

El tiristor en el circuito de corriente alterna. Explicacin de funcionamiento del circuito de la


fig. 10.1 del manual de laboratorio

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Hemos visto el comportamiento del SCR en circuitos de cc. pero como explicbamos, en circuitos de
corriente alterna el SCR tiende a bloquearse al entrar en los semiciclos negativos de la tensin senosoidal
de alimentacin. Los circuitos de control de puerta en este caso nos permiten manipular el ngulo de
disparo determinando el ngulo de conduccin del mismo (recordemos que esta relacin es directa, es
decir si el ngulo de disparo es menor, el ngulo de conduccin es mayor y viceversa).

Figura 10-1 del manual de laboratorio


Ahora los mtodos de control de puerta ms sencillos estn conformados por las disposicin de
resistencias y potenciometros (los cuales al variar permiten controlar la tensin de disparo del SCR y
lograr mediante este mtodo disparar el SCR en forma segura), los cuales juegan un papel de diferencias
de potencial que no permiten el control exacto del ngulo de disparo del SCR, limitando enormemente las
posibilidades de un control preciso del dispositivo.
El mtodo ms simple para mejorar el circuito de control de puerta es adicionando un condensador en el
extremo inferior de la resistencia del terminal de puerta tal como se hace en la figura 10-1 del manual de
laboratorio.
Una de las ventajas de este tipo de circuitos es que el ngulo de disparo puede ajustarse a ms de 90.
Esto lo entenderemos centrandos en el voltaje a travs del condensador C de nuestra figura 10-1. Cuando
la fuentes c.a. se halla en el semiciclo negativo, el voltaje inverso a travs del SCR es aplicado al circuito
de disparo RC, cargando el condensador con su placa superior negativa y su placa inferior positiva.
Cuando la fuente entra en su semiciclo positivo, la tensin directa a travs del SCR tiende a cargar C en la
polaridad opuesta. Sin embargo, la formacin de voltaje en la direccin opuesta es retardada hasta
cuando la carga negativa sea removida de las placas del condensador. Este retardo en la aplicacin de un
voltaje positivo a la puerta puede extenderse ms all de 90. Cuando mayor sea la magnitud de la

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resistencia del potenciometro denominado R2 en la figura, ms tiempo toma C en cargar positivamente su


placa superior, y ms tarde se cebar el SCR. La accin del diodo V1 se centra en evitar las perdidas de
bloqueo en la conexin puerta ctodo.

T1

T2

T3

VGT
IGT

2 t

EL
t
0

EL
t

EL
t
0

Figura 7-3.- Diversos ngulos de disparo diferentes valores de R2


Segn la formula:

t R.C.Ln

V Vc

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donde t es el valor del ngulo en funcin de la frecuencia angular de la onda de corriente alterna, al
variar R (es decir R2 o el potenciometro segn las consideraciones anteriormente descritas), variar en
razn directa obtenindose los valores descritos en la figura 7-3. Para mayores referencias remtase al
capitulo 3 de este texto.
7.5

Control del ngulo de fase mediante diac y triac. Explicacin de funcionamiento del circuito
de la fig. 11.1 del manual de laboratorio

En el tem anterior analizamos el comportamiento del condensador para poder entender como se logra
manipular el ngulo de disparo de un circuito en c.a., este accionar es valido tambin para el circuito de la
figura 11-1 del manual de laboratorio.
En el circuito el condensador se carga en el semiciclo positivo a travs de R1 y R2 (potenciometro)
durante este semiciclo A2 es positivo respecto a A1 y se C se carga con el positivo en su placa superior.
Cuando el voltaje en C es lo suficientemente alto para alcanzar la tensin de ruptura del DIAC este
entrega corriente de puerta al TRIAC y este conduce. Durante el semiciclo negativo una operacin
similar sucede, donde A2 es negativo respecto a A1 y se C se carga con el negativo en su placa superior,
debiendo alcanzar la tensin de ruptura del DIAC para poder entregar corriente de puerta al TRIAC.

Figura 11-1 del manual de laboratorio

Si se reduce la resistencia del potenciometro el capacitor se carga ms rpidamente y la tensin de disparo


de puerta se produce antes, como resultado de los cual aumenta la potencia aplicada a la carga. Esto
origina la disminucin del ngulo de disparo, aumentando el ngulo de conduccin.

Si se aumenta la resistencia de potenciometro el capacitor se carga ms lentamente y la tensin de disparo


de puerta se produce un instante despus lo cual hace disminuir nuestro ngulo de conduccin al
aumentar el ngulo de disparo.

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Vca
2

EL

+ 2
0

Figura 7-4.- Angulos de conduccin obtenidos por el disparo de DIAC para TRIAC
En circuito RC simple
En la figura 7-4 podemos apreciar una grfica que muestra el ngulo de conduccin obtenido gracias al
ngulo de disparo que a su vez fue logrado a la combinacin de valores del potenciometro R2 y el
condensador C del circuito de la figura 11.1 del Manual de Laboratorio.
Para ambos semiciclos, mientras menor sea nuestro ngulo de disparo, mayor ser nuestro ngulo de
conduccin , la precisin de los mismos depende en gran medida de la relacin que guarden los elementos
o componentes del circuito de disparo (es decir entre resistencias, condensadores, etc.)
Las aplicaciones ms comunes para este tipo de circuito son como reguladores de intensidad luminosa,
control de velocidad de giro de taladros manuales (mquinas universales), control de potencia de
consumidores de corriente alterna, entre otros
Compare el circuito con el tratado en el Capitulo 3 del presente texto.
RESUMEN :
Una de las aplicaciones ms utilizadas del tiristor en general es su uso como interruptor, en especial para
controladores de corriente continua (denominados tambin Chopper) . En estos circuitos el ancho de
pulso utilizado en la tensin de disparo en la entrada de puerta del tiristor determinara el tiempo de
conduccin Ton del mismo, lo que a su vez nos entrega el tiempo de desconexin Toff (que obviamente se
da por simple determinacin de tiempos).
Como controlador de c.c. (Chopper) con circuito anular la variacin de conmutacin entre tiristores
(SCR) esta ligado con la forma de disparo del mismo lo cual afecta directamente la polaridad del
condensador (figura 8-1 del manual de laboratorio incluido en este texto) y la magnitud de tensin del
mismo. Utilizado en control de variacin de velocidad de giro de motores de corriente continua entre
otros.

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El tiristor en circuito de corriente alterna es uno de los ms usados en el mercado, la utilizacin de


elementos de disparo como el condensador permiten el control del ngulo de disparo del mismo (SCR)
por lo que se le llama tambin al SCR como dispositivo de control de fase.
El control de fase mediante DIACS y TRIACS es manejable nuevamente gracias al uso del condensador
(ver figura 11-1 del manual de laboratorio incluido en este texto) el cual mediante su carga y descarga
(tiempo de carga y descarga) regido por el potenciometro, permite variar el ngulo de disparo, que esta
vez juega para ambos semiciclos de la onda senoidal de la corriente alterna.
Entre las diversas aplicaciones de los tiristores estan la de control de velocidad de motores universales,
control de luminosidad, controlador de corriente alterna de baja potencia como por ejemplo en
electrodomesticos, control de giro, etc.

PREGUNTAS DE REPASO:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.

Qu es un circuito Chopper?
Cmo se realiza el apagado del SCR en un circuito controlador de corriente continua?
Describa brevemente el funcionamiento del circuito de la figura 7.1 del manual de laboratorio
Es semejante el funcionamiento del SCR en un controlador de c.c. con circuito anular? Explique
Describa brevemente el funcionamiento del ciruito de la figura 8.1 del manual de laboratorio
Cual es el comportamiento del SCR en corriente alterna?
Como se activa el SCR en un circuito de corriente alterna?
Como se controla el ngulo de disparo en un circuito de corriente alterna?
Describa brevemente el circuito de la figura 10.1 del manual de laboratorio.
Indique aplicaciones del mismo
Como se activa un TRIAC?
Cul el es comportamiento de un DIAC en corriente alterna?
Como se regula el ngulo de disparo en un circuito de corriente alterna donde intervienen el DIAC y
TRIAC como elementos de disparo y control respectivamente?
14. Describa brevemente el circuito de la figura 11.1 del manual de laboratorio.
15. Indique aplicaciones del mismo

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