Transmission D'énergie Sans Fil. Application Au Réveil À Distance de Récepteurs en Veille Zéro Consommation

N dordre : ECL 201245
Thse de lUniversit de Lyon

Dlivre par lEcole Centrale de Lyon
Spcialit : Gnie Electrique
Soutenue publiquement le 21 Novembre 2012
par
Vlad MARIAN
Ingnieur INSA Lyon
Transmission d'nergie sans fil. Application au rveil

distance de rcepteurs en veille zro consommation
Ecole Doctorale dElectronique, Electrotechnique, Automatique
Composition du jury :
Rapporteur
Rapporteur
Examinateur
Examinateur
Examinateur
Invit
Encadrant
Directeur de Thse
Directeur de Thse
M. Fabien NDAGIJIMANA
M. Thierry PARRA
M. Basile NANDO
M. Laurent CIRIO
M. Marc THEVENOT
M. Hubregt Jannis VISSER
M. Bruno ALLARD
M. Jacques VERDIER
M. Christian VOLLAIRE
Universit Joseph Fourier Grenoble

Universit Paul Sabatier Toulouse
STMicroelectronics Rousset
Universit Paris-Est Marne la Valle
Laboratoire Xlim Limoges
Holst Centre / imec Eindhoven, Pays-Bas
INSA Lyon
INSA Lyon
cole Centrale de Lyon
Rsum
Les dispositifs lectroniques modernes comportent souvent une ou plusieurs phases de veille, dans lesquelles elles attendent un ordre de rveil de la part dun actionneur distant (une tlcommande). Ces types de
dispositifs ont tendance tre de plus en plus prsents dans les habitations et dans les btiments tertiaires, en
particulier dans le domaine de la domotique.
Les phases de veille sont caractrises par des niveaux de consommations trs infrieures aux consommations en mode actif des dispositifs, mais les dures de veille sont gnralement grandes devant les priodes
actives. Ce fait, combin la multiplication des dispositifs, mne des consommations annuelles qui peuvent
dpasser 10 % de la facture dlectricit des mnages.
Cette tude propose une nouvelle approche de rveil des dispositifs en veille. Au lieu davoir une coute
permanente en rception et denvoyer une trame dinformations de rveil, le rcepteur est compltement
endormi et est rveill travers une impulsion dnergie transmis par dondes lectromagntiques. Une fois
que ltage dinterprtation des donnes est aliment, un envoi dinformations est effectu pour valider lordre
de rveil.
En vue des portes attendues pour le systme et des contraintes normatives lies aux expositions des
personnes aux champs lectromagntiques, une faible quantit dnergie est disponible en rception pour
le rveil du dispositif. Plusieurs topologies de circuits de rectification RF-DC (rectenna) en technologies
microstrip sont tudies travers des simulations circuit et lectromagntiques. La topologie choisie a t
optimise pour fournir un bon niveau de tension DC pour des faibles niveaux de puissance RF incidente. Une
adaptation entre le convertisseur et lantenne de rception diffrente de 50 W a t utilise. Tous ces rsultats
ont t valids exprimentalement.
Au niveau du circuit de rception des donnes, plusieurs scnarios de fonctionnement ont t compars.
Ltage de dmodulation utilise la rectenna comme dtecteur diodes, pour rduire au maximum la consommation et la complexit de mise en uvre. Le systme global a t test et des gains substantiels sont constats
sur le bilan de consommation annuelle de plusieurs types des dispositifs, compar un fonctionnement classique.
En parallle, une architecture de rcepteur dnergie lectromagntique reconfigurable est propose. Il
offre lavantage de pouvoir exploiter une large gamme de puissance incidente, ce qui nest pas le cas des
structures de rectennas classiques. Des rectennas en technologies discrtes et intgres sont utilises, connectes une antenne commune travers un switch dantenne intgre. Le systme propos est adaptatif et les
rsultats des tests montrent des amliorations notables de la quantit dnergie collecte par rapport des
rectennas individuelles. Enfin, le phnomne de linversion de la tension dans une association dsquilibre
de rectennas est mis en vidence et des solutions sont proposes.
Abstract
Modern electronic devices often include one or more phases of stand-by, where they waiting for a wakeup order from a distant actuator (remote control). These devices tend to be increasingly present in homes and
in commercial buildings, especially in the field of building automation systems.
Stand-by periods are characterized by consumption levels well below those in active mode, but stand-by
periods are generally large compared to active periods. This fact, combined with the proliferation of devices,
leads to annual consumption which may exceed 10% of the annual household electricity bill.
This study proposes a new approach to waking up of stand-by devices. Instead of continuous monitoring
of the arrival of the wake-up signal, the receiver is completely asleep and woke up through a pulse of energy
transmitted via electromagnetic waves. Once the data receiver module is activated, information is sent to
validate the wake-up order.
In view of the expected ranges for the system and normative constraints related to exposures to electromagnetic fields, only a small amount of energy is available at receiver level for performing the wake-up.
Several RF-DC rectification circuit (rectenna) topologies in microstrip technology are studied through circuit
and electromagnetic simulation. The chosen topology has been optimized to provide a good level of DC
voltage at low levels of incident RF power. A matching impedance other than 50
W between the converter
and the receiving antenna was used. All these results have been validated experimentally.
For the data receiver circuit, several operating scenarios were compared. The demodulation stage uses
the rectenna as a diode detector to minimize consumption and complexity of implementation. The overall
system has been tested and substantial gains are obtained for several types of devices, in terms of annual
consumption, compared to classical stand-by devices.
At the same time, a reconfigurable electromagnetic energy receiver architecture is proposed. It offers
the advantage of exploiting a wide range of incident power, which is not the case of conventional rectenna
structures. Rectennas fabricated in discrete and integrated technology are used, connected to a common
antenna through an integrated antenna switch. The proposed system is self-adaptive and the test results show
significant improvements in the amount of energy collected compared to individual rectennas. Finally, the
phenomenon of voltage reversal in unbalanced rectenna associations is highlighted and possible solutions are
proposed.
ii
Table des matires

Table des figures
vii
Liste des tableaux
xiii
1 Introduction
1.1
Origine du problme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2
Les solutions potentielles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3
Projet Remote Wake-Up (RWU) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3.1
Objectif du projet . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3.2
Organisation et positionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3.3
Verrous technologiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.4
Plan du manuscrit
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2 tat de lart des systmes de transmission dnergie sans fil
8
11
2.1
Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
11
2.2
Historique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
12
2.3
Techniques de transmission dnergie sans fil . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16
2.3.1
Le couplage magntique inductif . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
16
2.3.2
Le couplage magntique rsonant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18
2.3.3
Le transfert radiatif . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
20
2.3.3.1
Conversion DC-RF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
21
2.3.3.2
Propagation des ondes lectromagntiques en espace libre . . . . . . . . .
22
2.3.3.3
Conversion RF-DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
24
2.3.3.4
Les antennes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
26
Topologies de rectennas faible puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
27
2.4.1
Topologies de circuits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
29
2.4.1.1
La topologie srie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
29
2.4.1.2
La topologie shunt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
30
2.4.1.3
Le doubleur de tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
30
2.4.1.4
La structure en pont . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
31
2.4.1.5
Rectennas base de transistors MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . .
32
Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
33
2.4
2.5
iii
iv
TABLE DES MATIRES
3 Vue densemble du systme de rveil

3.1
3.2
3.3
3.4
Cahier de charges fonctionnel du systme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
35
3.1.1
Applications domotiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
35
3.1.2
Applications automobile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
38
3.1.3
Autres applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
39
Cahier des charges technique du systme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
40
3.2.1
Elments constituants du systme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
40
3.2.1.1
Principe de fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
40
3.2.1.2
Emission . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
41
3.2.1.3
Bilan de liaison . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
44
3.2.1.4
Rception . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
44
Scnarios de rveil . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
46
3.3.1
Scnario 1 : Full passif . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
46
3.3.2
Scnario 2 : Semi Actif . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
48
Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
51
4 Conception du circuit de conversion

4.1
35
53
Mthodologie de conception . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
53
4.1.1
Choix des composants . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
53
4.1.1.1
Les lments actifs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
53
4.1.1.2
Les lments passifs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
54
Outils de simulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
55
4.1.2.1
Analyse temporelle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
56
4.1.2.2
S-Parameter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
56
4.1.2.3
Analyse Harmonic Balance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
57
4.1.2.4
Large Signal S Parameter (LSSP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
59
4.1.2.5
Momentum . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
60
Procdure de conception . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
60
4.2
Comparaison de structures (RFoM) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
63
4.3
Influence de limpdance dantenne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
66
4.3.1
tude en simulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
66
4.3.1.1
Structure mono-diode srie avec inductance dentre . . . . . . . . . . . .
66
4.3.1.2
Structure mono-diode srie avec filtre dentre en Pi . . . . . . . . . . . .
69
4.3.1.3
Structure mono-diode srie avec filtre dentre en T . . . . . . . . . . . .
70
4.3.1.4
Autres structures et topologies de filtres . . . . . . . . . . . . . . . . . .
71
Validation exprimentale prliminaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
71
4.3.2.1
Circuit mono-diode filtres hybrides . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
72
4.3.2.2
Stubs en technologie micro-ruban . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
73
Circuit doubleur de tension filtres hybrides . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
73
4.4.1
Transformateur dimpdance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
75
4.4.2
Formes dondes temporelles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
77
4.4.3
tude du rendement de conversion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
78
4.4.4
Rsultats des mesures exprimentales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
83
4.1.2
4.1.3
4.3.2
4.4
TABLE DES MATIRES
4.4.4.1
Protocole exprimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
83
4.4.4.2
Comparaison exprimentale des structures . . . . . . . . . . . . . . . . .
85
4.5
Effet des dispersions sur les composants . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
87
4.6
Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
88
5 Intgration de la dmodulation dans le systme complet

5.1
91
Architectures de rcepteur radio faible consommation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
92
5.1.1
Sauts de frquence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
92
5.1.2
Dmodulateur intgr
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
94
5.1.2.1
Architecture identifie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
95
5.1.2.2
Discussions sur la faisabilit en HCMOS9RF . . . . . . . . . . . . . . . .
97
Dmodulateur discret . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
98
5.1.3
5.2
Linterrupteur de puissance auto-maintien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
5.3
Test du systme de rveil . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
5.4
Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
6 Rcepteur adaptatif dnergie lectromagntique
111
6.1
Scnario dapplication . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
6.2
Topologies de rectennas utilises . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113

6.2.1
Rectenna mono-diode srie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
6.2.2
Rectenna mono-diode shunt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
6.2.3
Rectenna en pont . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
6.3
Association reconfigurable de rectennas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 118
6.4
Le switch dantenne intgr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 119

6.4.1
Conception et optimisation du circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
6.5
Performances globales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
6.6
Adaptation de la change de sortie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
6.7
Inversion de la tension dans une association dsquilibre de rectennas
6.8
6.7.1
Association quilibre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136
6.7.2
Association dsquilibre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136
6.7.3
Rsultats exprimentaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136
6.7.4
Discussions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
6.7.4.1
Topologies de rectennas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
6.7.4.2
Circuit bypass actif . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142
7 Conclusion gnrale
7.1
145
Synthse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145
7.1.1
7.2
. . . . . . . . . . . 133
Rsultats . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146
Perspectives . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148
7.2.1
Systme de rveil . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148
7.2.2
Autres axes aborder . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148
Bibliographie
161
vi
Bibliographie
TABLE DES MATIRES

161
Table des figures

1.1
Contribution
des
diffrents
[Fraunhofer IZM, 2009]
appareils
la
consommation
de
veille
passive
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2
Principe du rveil distance par lintermdiaire dun faisceau de microondes . . . . . . . .
2.1
Historique de la transmission dnergie sans fil [Shinohara, 2011] . . . . . . . . . . . . . .
12
2.2
Nikola Tesla tenant une ampoule gaz phosphore qui tait alimente sans fils par un champ
lectromagntique gnr par la Tesla Coil [Cheney, 2001] . . . . . . . . . . . . . . . .
2.3
13
Plus grande dmonstration de transmission dnergie sans fil jamais ralise

[Dickinson, 1976] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
14
2.4
Alimentation par microondes dun avion [Fujino et al., 1993] . . . . . . . . . . . . . . . . .
15
2.5
Schma de principe du montage utilis pour la transmission dnergie sans fil par couplage
inductif [Low et al., 2009] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.6
Systmes de recharge par induction de tlphones portables de la socit PowerKiss

[PowerKiss Company, ] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.7
18
Circuit quivalent dun systme de transmission dnergie par couplage magntique rsonant
[Sample et al., 2011] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.9
17
Schma de principe du montage utilis pour la transmission dnergie sans fil par couplage
magntique rsonant [Sample et al., 2011] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.8
16
18
volution du couplage entre lmetteur et le rcepteur en fonction de la distance

[Sample et al., 2011] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19
2.10 Configuration dun systme de transmission dnergie par couplage magntique rsonant
avec une bobine intermdiaire [Kim et al., 2011] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.11 Systme
de
recharge
sans
fil
des
batteries
dun
vhicule
20
lectrique
[WiTricity Corporation, ] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
21
2.12 Reprsentation schmatique du processus de transmission dnergie sans fil par ondes lectromagntiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
22
2.13 Efficacit de la transmission dnergie en champ proche et champ lointain . . . . . . . . . .
24
2.14 Schma fonctionnel simplifi dune rectenna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
24
2.15 Antennes sur substrat souple (gauche) et sur papier (droite) [Vyas et al., 2011] . . . . . . . .
26
2.16 Microphotographie dun circuit intgr aliment sans fil par lintermdiaire dune antenne
intgre [Radiom et al., 2010] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
27
2.17 Principe gnral de fonctionnement dun rcepteur dnergie lectromagntique bas sur une
rectenna et un convertisseur lvateur de tension
vii
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
28
viii
TABLE DES FIGURES

2.18 Kit dvaluation de la transmission dnergie par ondes lectromagntiques commercialis
par la socit Powercast [Powercast Corporation, ] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
29
2.19 Topologie de la rectenna mono-diode srie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
30
2.20 Topologie de la rectenna mono diode shunt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
30
2.21 Doubleur de tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
31
2.22 Multiplieur de tension 4 tages . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
31
2.23 Rectenna base sur la topologie en pont . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
32
2.24 Redresseur RF-DC base de transistors NMOS [Umeda et al., 2006] . . . . . . . . . . . . .
33
2.25 Redresseur synchrone double alternance [Lam et al., 2006] . . . . . . . . . . . . . . . . . .
34
2.26 Multiplieur de tension plusieurs tages base de transistors MOSFET . . . . . . . . . . .
34
3.1
metteurs et rcepteurs Legrand . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
37
3.2
Systme Manuel On / Auto Off Legrand [Legrand, 2012] . . . . . . . . . . . . . . . . .
37
3.3
Diffrentes types de tlcommandes automobile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
39
3.4
Applications pilotes sans validation radio de rveil (gauche) ; Applications pilotes avec
validation radio de rveil (droite) [Consortium RWU, 2010] . . . . . . . . . . . . . . . . . .
39
3.5
Principe du rveil distance par lintermdiaire dun faisceau de microondes . . . . . . . .
40
3.6
Comparaison des caractristiques de plusieurs amplificateurs de puissance 2442 MHz . . .
42
3.7
Interrupteur avec bouton poussoir plac sous lantenne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
43
3.8
Antenne directive intgre dans un boitier de tlcommande de type tlviseur . . . . . . . .
43
3.9
Bilan de liaison entre deux antennes en communication . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
44
3.10 Puissance ncessaire lmission de lantenne en fonction de la distance pour deux antennes
identiques ayant des gains de 6 dB en mission et rception. Paramtrage en fonction du seuil
de puissance (en dBm) qui permet de fermer linterrupteur au niveau du circuit de rception .
45
3.11 Scnario full-passif . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
46
3.12 Scnario passif avec stockage local pour fermer linterrupteur de puissance . . . . . . . . .
48
3.13 Scnario semi-actif . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
49
3.14 Scnario semi-actif avec pr dmodulation basique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
49
4.1
Vue en coupe de la diode Schottky HSMS 2850 (gauche) ; Circuit quivalent (droite)
[Agilent, ] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.2
54
Circuit quivalent dune diode Schottky HSMS2850 avec les lments parasites introduits
par le boitier [Agilent, ] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
55
4.3
Reprsentation simplifie dun systme deux ports [Agilent Technologies, 2005] . . . . . .
57
4.4
Synoptique de la simulation Harmonic Balance [Agilent Technologies, 2004a] . . . . . . . .
58
4.5
Circuit de simulation utilis pour le dimensionnement du filtre dentre . . . . . . . . . . .
60
4.6
Diagramme simplifie des impdances du circuit de rectification . . . . . . . . . . . . . . .
61
4.7
Rsultats de simulation LSSP : Partie relle de limpdance dentre ( gauche) ; Partie imaginaire de limpdance dentre ( droite) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.8
62
Circuit de simulation comportant un filtre dentre dimensionn laide de loutil automatique de synthse de filtre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
63
Caractristique du circuit global prdite par loutil de synthse automatique du filtre
. . . .
64
4.10 Comparaison des comportements frquentiel des circuits (simulation LSSP) . . . . . . . . .
65
4.9
TABLE DES FIGURES
ix
4.11 Simulation de la Figure de Mrite de diffrentes topologies de rectennas en fonction de la

puissance incidente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
66
4.12 Partie relle et imaginaire du circuit mono diode srie avec inductance dentre (simulation
LSSP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
67
4.13 Partie relle et imaginaire du circuit mono diode srie avec inductance dentre (simulation
LSSP, Pin=-15 dBm) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
68
4.14 Influence de limpdance dantenne sur la tension de sortie de la rectenna (simulation HB,
Pin=-15 dBm, fr=2.45 GHz) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
68
4.15 Schma de la rectenna mono-diode srie avec un filtre dentre en Pi . . . . . . . . . . . . .
69
4.16 Influence de limpdance dantenne sur la tension de sortie de la rectenna avec un filtre en Pi
(simulation HB, Pin=-15 dBm, fr=2.45 GHz) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
69
4.17 Schma de la rectenna mono-diode srie avec un filtre dentre en T . . . . . . . . . . . . .
70
4.18 Influence de limpdance dantenne sur la tension de sortie de la rectenna avec un filtre en T
(simulation HB, Pin=-15 dBm, fr=2.45 GHz) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.19 Configuration du circuit de rectification avec transformateur dimpdance 50 W vers 10 W . .

4.20 Schmas de simulations : circuit de rfrence 50
(en haut) ; circuit 10
70
72
(en bas)
[Marian et al., 2011a] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
72
W (en bas) [Marian et al., 2011a]
73
4.21 Photographie des prototypes fabriqus du circuit de rfrence 50 W (en haut) et du circuit 10
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.22 Amlioration des performances de la structure srie grce loptimisation globale compare
une
configuration
classique
50
(Pin=30
(-15
dBm),
fr=2.45
GHz)
[Marian et al., 2011a] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.23 Configuration du circuit de rectification doubleur de tension avec antenne 50 W . . . . . . .

4.24 Comparaison des rsultats de simulation HB et Momentum sur la structure doubleur 50 W . .
4.25 Configuration du circuit de rectification doubleur de tension avec antenne 50
W et transfor-
mateur dimpdance ( gauche) ; Transformateur dimpdance LC ( droite) . . . . . . . . .
74
74
75
76
4.26 Schma de simulation HB du circuit doubleur (en haut) ; Co-simulation HB-Momentum (milieu) ; Circuit quivalent (en bas) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
77
4.27 Comparaison des rsultats de simulation HB et Momentum sur la structure doubleur avec
transformateur dimpdance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
78
4.28 Formes temporelles des tensions du circuit prsent sur la Figure 4.26 . . . . . . . . . . . .
79
4.29 Influence de limpdance de sortie sur le rendement (gauche) et le niveau de tension de sortie
(droite) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
79
4.30 Influence de la valeur de L1 et C1 sur le rendement de la rectenna Pin=-15 dBm . . . . . .
80
4.31 Influence de la largeur et de la longueur de TL5 sur le rendement de la rectenna Pin=-15 dBm 80
4.32 Influence de la largeur et de la longueur de TL7 sur le rendement de la rectenna Pin=-15 dBm 81
4.33 Influence du rayon et de langle du stub S2 sur le rendement de la rectenna Pin=-15 dBm .
81
4.34 S11 du circuit pour diffrentes puissances dentre (simulation LSSP) . . . . . . . . . . . . .
82
4.35 Bilan des pertes de la rectenna de la Figure 4.26
83
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.36 Configuration du dispositif exprimental utilis pour le test individuel de redresseurs RF-DC
en conduit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
84
4.37 Configuration du dispositif exprimental utilis pour le test en rayonn de redresseurs RF-DC
85
TABLE DES FIGURES

4.38 Photographies de prototypes fabriqus. A gauche, structures base de composants CMS ;
A droite, circuit doubleur de tension avec filtres hybrides : 50
W (en haut) et 10 W (en bas)
[Marian et al., 2011b] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
85
4.39 Rsultats exprimentaux du niveau de tension de sortie des diffrentes topologies de rectennas 86
4.40 Comparaison du niveau de tension de sortie du circuit doubleur de tension 50
W et 10 W
[Marian et al., 2011b] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
86
4.41 volution de la tension de sortie et du rendement en fonction de la puissance incidente 2.45

GHz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
87
4.42 Simulation Monte Carlo sur la rectenna doubleur filtres hybrides ( gauche) et sur la rectenna doubleur composantes CMS ( droite) pour Pin=-15 dBm et un intervalle de variation
de 10% sur les composants et dimensions des pistes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
88
sance dentre de -15 dBm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
89
5.1
Schma de rveil en deux tapes avec tage de dmodulation . . . . . . . . . . . . . . . . .
92
5.2
Principe des sauts de frquence ( frequency hopping ) [Glas et Linnartz, 1999] . . . . . .
93
5.3
Principe des sauts de frquence ( frequency hopping )
93
5.4
Architectures de rcepteurs radio : (a) conversion de frquence (b) dtection enveloppe RF
4.43 Rsultats exprimentaux sur la rectenna doubleur base de composants CMS pour une puis-
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
[Pletcher et al., 2009] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

5.5
95
Principe de fonctionnement du rcepteur frquence intermdiaire incertaine

[Pletcher et al., 2009] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
95
5.6
Schma-bloc du rcepteur frquence intermdiaire incertaine [Pletcher et al., 2009] . . . .
96
5.7
Schma du circuit mlangeur et du dtecteur denveloppe [Pletcher et al., 2009] . . . . . . .
97
5.8
Systme de rveil utilisant un dmodulateur base de composants discrets. . . . . . . . . .
99
5.9
Schma du rcepteur RWU avec dmodulation discrte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
5.10 volution de la tension de sortie de la rectenna en mode dtecteur diodes . . . . . . . . . . 101

5.11 Allures temporelles du signal reu par lantenne de rception et de la rponse de la rectenna
(en haut) ; Signal amplifi (en bas) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
5.12 Schma de linterrupteur de puissance auto-maintien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
5.13 Signaux temporels dans linterrupteur de puissance auto-maintien . . . . . . . . . . . . . 103
5.14 volution des pertes dans T2 en fonction de la puissance absorbe par la charge . . . . . . . 104
5.15 volution des pertes dans P1 en fonction de la puissance absorbe par la charge . . . . . . . 105
5.16 Surconsommation due au circuit dautomaintien (en % de la puissance absorbe par la charge) 106
6.1
Scnarios de transfert dnergie sans fil pour lalimentation dun capteur isol : a) recharge
distance ; b) recharge proximit ; c) rcupration dnergie lectromagntique ambiante. . . 112
6.2
Configuration du dispositif exprimental utilis pour le test individuel de redresseurs RF-DC
113
6.3
Topologies de Rectennas utilises : a) Mono-diode srie ; b) Mono-diode shunt ; c) Pont. . . 114
6.4
Rsultats de simulation et de mesure du rendement de conversion et rsultats des mesure de
6.5
Rsultats de simulation et de mesure du rendement de conversion et rsultats des mesure de
la tension de sortie de la rectenna mono-diode srie pour une charge optimale de 2.4 kW. . . 115
la tension de sortie de la rectenna mono-diode shunt pour une charge optimale de 750 W. . . 116
TABLE DES FIGURES
xi
6.6
Rsultats de simulation et de mesure du rendement de conversion et rsultats des mesures de
6.7
volution exprimentale du rendement de conversion en fonction de la charge une puissance
la tension de sortie de la rectenna en pont pour une charge optimale de 200 W. . . . . . . . . 117
incidente de -5 dBm pour la structure srie, 13 dBm pour la structure shunt et 25 dBm pour
la structure en pont respectivement. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117
6.8
Schma du circuit rectenna reconfigurable propos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 118
6.9
Circuit quivalent petits signaux dun transistor p-HEMT GaAs du processus ED02AH de
OMMIC [OMMIC, 2008]
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 119
6.10 Schma dun switch dantenne SPDT bas sur une topologie srie-shunt utilisant des transistors HEMT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
6.11 Influence de la largeur de grille du transistor srie sur les pertes dinsertion dans la gamme de
frquence de 0.8 2.5 GHz
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121
6.12 Influence de la largeur de grille du transistor srie sur lisolation du switch dans la gamme de
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
6.13 Influence de la largeur de grille du transistor shunt sur les pertes dinsertion du switch dans
la gamme de frquence de 0.8 2.5 GHz
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
6.14 Influence de la largeur de grille du transistor shunt sur les pertes dinsertion du switch dans
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124
6.15 Isolation (en dB) du switch 4 branches en fonction de la frquence (rsultats de simulation
et exprimentaux) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124
6.16 Pertes dinsertion (en dB) du switch 4 branches en fonction de la frquence (rsultats de
simulation et exprimentaux) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
6.17 Layout du switch (gauche) ; Photographie du circuit intgr fabriqu (droite) . . . . . . . . . 125
6.18 Photo du prototype exprimental utilis pour muler le fonctionnement dun rcepteur reconfigurable dnergie lectromagntique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 126
6.19 Rsultats exprimentaux de lefficacit de conversion du rcepteur reconfigurable propos
la Figure 6.18 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
6.20 Schma du dtecteur de puissance RF incidente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129
6.21 Micro-photographie de la structure intgre de rectification en pont. Le circuit occupe une
surface de 400 m x 400 m (procd ED02AH) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129
6.22 Profil alatoire de puissance incidente au niveau du rcepteur . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
6.23 Rendement exprimental de conversion dune association parallle de rectennas intgres
(Puissance incidente 0 dBm) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
6.24 Rendement de conversion RF-DC mesur pour la rectenna mono-diode srie . . . . . . . . . 132
6.25 Caractristiques I(V) exprimentales de la rectenna mono-diode srie ; la valeur du courant
est fixe par la charge . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 133
6.26 Caractristique de sortie de limpdance de ltage MPPT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134
6.27 a) Schma dune association srie de trois rectennas ; b) Modle simplifi de lassociation . . 135
6.28 Caractristiques statiques V-I et P-I dune association quilibre de rectennas (rsultats de
simulation) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137
6.29 Caractristiques statiques V-I et P-I dune association dsquilibre de rectennas (rsultats de
simulation) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 138
xii
TABLE DES FIGURES

6.30 Configuration exprimentale pour le test de lassociation de rectennas dans une situation dsquilibre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 139
6.31 Photographie du dispositif exprimental utilis pour le test de lassociation de rectennas dans
une situation dsquilibre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
6.32 Courbes V-I et P-I statiques de lassociation de rectennas orientation multiple (rsultats
exprimentaux) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141
6.33 Production de puissance de lassociation de rectennas en fonction de langle dincidence
du champ lectrique (bas sur des rsultats exprimentaux) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142
6.34 Circuit bypass actif pour rectennas (gauche) ; Courbes de simulation V-I et P-I (droite) . . . 143
7.1
Stubs en technologie micro-ruban et leurs quivalents pour l <
; A) Stub court-circuit ; B)
Stub circuit ouvert . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159

7.2
Stub radial en technologie micro-ruban [March, 1985] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160
Liste des tableaux

1.1
Consommations dlectricit en veille dans quelques pays [Clement et al., 2007] . . . . . .
1.2
Gains environnementaux potentiellement accessibles par la technologie RWU selon le logi-
ciel EIME . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3
Partenaires RWU . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.1
Rcapitulatif des portes atteignables pour diffrentes scnarios et diffrentes puissances

dmission . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
50
4.1
Paramtres du circuit quivalent de la diode HSMS2850 [Agilent, ] . . . . . . . . . . . . . .
55
4.2
Rcapitulatif des diffrentes mthodes de calcul lors des analyses temporelles de circuits
[Vladimirescu, 1994] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
56
4.3
Rcapitulatif des rsultats doptimisation faites sur diffrentes topologies de rectennas
. . .
71
4.4
Rcapitulatif des valeurs optimales des composants de la rectenna doubleur de tension . . .
82
5.1
Tableau comparatif des performances du rcepteur dcrit par [Pletcher et al., 2009] et les
caractristiques estimes dune implmentation en HCMOS9RF . . . . . . . . . . . . . . .
98
5.2
Bilan des pertes dues aux transistors T1 et T2 en fonctionnement et en veille . . . . . . . . . 104
5.3
Comparaison des consommations dun store lectrique tlcommand classique et un utilisant le systme de rveil RWU . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
5.4
Comparaison des consommations dun tlviseur LCD classique et un utilisant le systme de

rveil RWU . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
5.5
Comparaison des consommations dun portail de garage tlcommand classique et un utilisant le systme de rveil RWU . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
5.6
Rsum des rsultats des tests de porte du systme RWU . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
6.1
Paramtres des diodes utilises dans les topologies de la Figure 6.3 . . . . . . . . . . . . . . 113
6.2
nergie totale rcupre sur une dure de 10 minutes partir dun profil de puissance alatoire
entre -30 dBm et +30 dBm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
xiii
xiv
LISTE DES TABLEAUX
Chapitre 1
Introduction
Les appareils lectroniques modernes comportent souvent, en plus de leur mode de fonctionnement normal, un ou plusieurs modes de fonctionnement dit en veille . Le mode veille correspond un tat de
consommation rduite des dispositifs lectroniques tels que les ordinateurs, tlviseurs ainsi que tout autre
dispositif contrlable distance, dans lequel lutilisateur garde la possibilit de rveiller le dispositif distance par lintermdiaire dune tlcommande.
De plus en plus, les appareils lectroniques grand public ne comportent mme plus dinterrupteur principal conventionnel pour une coupure complte de lalimentation lectrique. Lexemple le plus connu est celui
des tlviseurs LCD, LED ou plasma, pour lesquels (la plupart du temps) le seul moyen de couper lalimentation est de dbrancher le cordon secteur. Le rsultat de cette tendance est le fait que les utilisateurs se
contentent de mettre en veille leurs appareils lectroniques laide dune tlcommande. Le public est gnralement conscient de ce phnomne et la consommation lectrique en mode veille est un sujet qui a gnr
des discutions et des controverses depuis lapparition sur le march des premiers dispositifs tlcommands.
Le nombre dappareils lectriques dans un foyer a tendance augmenter au fil des annes et la consommation dlectricit en veille nest plus ngligeable. La Figure 1.1 donne la contribution des principaux types
dquipements la consommation de veille totale. Il existe toutefois deux modes de veille diffrents :
Veille passive Les appareils ne fournissent pas la fonctionnalit pour laquelle ils ont t conus, mais consomment
quand mme de lnergie. Exemple : un tlviseur attend le signal de rveil envoy par une tlcommande. Cette phase devrait voir sa consommation diminuer, car lappareil napporte aucune fonctionnalit dans cet tat de veille.
Veille active Les appareils en veille active ne peuvent pas tre teints car ils attendent un signal lectrique
pour changer dtat tout en fournissant une certaine fonctionnalit. Exemple : les rpondeurs tlphoniques, les rveils.
Les consommations de veille passive sont relativement faibles en comparaison des pertes en mode de
fonctionnement normal dun appareil, mais les dures de temps de veille sont souvent bien suprieures aux
dures dutilisation normale. Un quipement peut ainsi consommer de plusieurs kWh plusieurs dizaines de
kWh en veille par an [Bertoldi et Atanasiu, 2007]. En faisant la somme de tous les appareils quon trouve
dans un foyer typique , des tudes on montr une consommation annuelle moyenne en veille de 439 kWh
par foyer, soit environ 14% de la consommation totale dlectricit du foyer [Clement et al., 2007]. Ceci peut
tre considre comme une moyenne reprsentative dans lUnion Europenne. Des campagnes de mesures en
France et en Grande Bretagne ont montr une consommation moyenne par foyer de 38 W et respectivement 32
1
CHAPITRE 1. INTRODUCTION
F IGURE 1.1 Contribution des diffrents appareils la consommation de veille passive

[Fraunhofer IZM, 2009]
Pays
Danemark
Grce
Italie
Portugal
Moyenne
Puissance moyenne
(W)
60
50
57
46
55
Puissance totale
(kWh)
482
424
472
377
439
Pourcentage de la consommation
totale des foyers (%)
14,4
13,5
15
13,7
14,2
TABLE 1.1 Consommations dlectricit en veille dans quelques pays [Clement et al., 2007]
1.1. ORIGINE DU PROBLME
W et des consommations moyennes de 235kWh/an et respectivement 277 kWh/an [Meier, 2001]. En mme
temps, en Californie, la puissance consomme en veille dans les foyers variait de 14 W 169 W, soit 67 W
en moyenne, ce qui reprsente entre 5 et 25% de la facture totale dlectricit dun mnage typique.
1.1
Origine du problme
Du point de vue technique, un quipement en veille consomme car il alimente son circuit de dtection
qui scrute en permanence le bruit (spectre radiofrquence -RF- ou infrarouge -IR-, suivant les applications)
jusqu ce quil dtecte une trame intelligible . Or cette scrutation est couteuse en nergie car il faut rester
veill. Les stratgies dconomie envisages ne remettent pas en cause ce principe : fondamentalement
lcoute demande de lnergie. A titre dillustration, un module RF 433 MHz de porte compatible avec des
applications de type indoor 1 (par exemple la technologie utilise dans les volets roulants tlcommands)
consomme, en mode rception, cest--dire en permanence entre 50 mW et 100 mW et un dtecteur IR 2
(technologie utilise dans les tlviseurs) de lordre de 20 mW.
Pour des raisons de cot et dlais durant les phases de conception, ces niveaux dnergie ncessaires
pour implmenter une certaine fonctionnalit sont souvent considrablement suprieurs aux besoins rels.
Toutefois, des solutions efficaces existent qui sont de plus en plus employes pour rpondre aux exigences de
basse consommation des applications mobiles.
Ceci dit, le problme est de fait li aux ralits de la conversion de puissance. Le plus souvent, ces modules
de rception de donnes RF ou IR sont aliments partir de la mme source principale, qui sert alimenter le
dispositif pendant les phases de fonctionnement normal. Autrement dit, le mme convertisseur sert alimenter
aussi bien un dispositif qui consomme quelques dizaines de mW quun dispositif qui consomme quelques
centaines de W. La ralit est que lorsquon souhaite fournir une faible quantit dnergie laide dun
convertisseur dimensionn pour fournir une puissance importante, les pertes dans le convertisseur lui mme
dpassent largement la quantit de puissance fournie au circuit alimenter. Le convertisseur fonctionne donc
avec un rendement mdiocre.
Cest pour ces raisons que les appareils commercialiss les plus performants ont des consommations de
veille qui se situent entre 3 W et 100 mW, sachant que les valeurs les plus faibles sont obtenues grce
lutilisation dalimentations ddies pour la phase de veille.
1.2
Les solutions potentielles
La meilleure solution consiste dconnecter entirement la source dalimentation principale des appareils
en veille. Il faut toutefois garder la possibilit de rveiller le dispositif distance, car cette fonctionnalit est
considre comme implicite par les utilisateurs.
Des fabricants de matriel lectronique ont fait des efforts pour diminuer cette consommation en veille
de leurs appareils. La compagnie Grundig a introduit il y a plus de 10 ans le ko Switch qui permet dteindre compltement une tlvision laide de la tlcommande ou bien il coupe automatiquement
lalimentation lectrique au bout dun certain temps de veille. Linconvnient est quaprs cette coupure de
lalimentation, il nest plus possible de rallumer le dispositif distance, ce qui nest pas souhaitable. La
1. indoor : dintrieur
2. IR : Infra-Rouge
mme compagnie a introduit en 2009 des modles de tlviseurs dans lesquels pendant la phase de veille
il ny a pas de connexion secteur. Ltage de rception des donnes est aliment par des batteries ddies
[Grundig, 2008]. Ceci diminue la consommation de veille, mais le systme reste en coute permanente.
Actuellement, la tendance est une optimisation des schmas lectroniques pour rduire la puissance des
alimentations et galement des circuits de rception proprement dits. La compagnie Phillips a prsent une
approche qui consiste, dune part en une rduction au minimum de la puissance ncessaire pour alimenter le
circuit dcoute et interprtation des donnes, et dune autre part, en lutilisation dun stockage local dnergie
pour ce circuit [Deppe et Sauerlnder, 2009]. Le stockage local est constitu dun super-condensateur qui
est recharg pendant les phases de fonctionnement normal. La encore, le principe de fonctionnement reste
inchang, le systme tant en permanente coute.
Ces amliorations notables sont le rsultat direct de certaines politiques et directives au niveau europen,
qui imposent dsormais des objectifs ambitieux dans la directive Eco design of Energy-using Products (EuP)
[European Commission, 2009]. Ces directives imposent notamment une consommation lectrique en mode
veille des appareils lectroniques, limite 1 W ou 2 W en 2010 et 0.5 W ou 1 W en 2013. En mme temps, ce
rglement fixe les exigences defficacit nergtique que devront respecter tous les produits commercialiss
en Europe, dans le but de diminuer de prs de 75 %, dici 2020, la consommation dlectricit en mode
veille de ces appareils dans lUnion.
1.3
1.3.1
Projet Remote Wake-Up (RWU)

Objectif du projet
Les diffrentes techniques doptimisation de la consommation lectrique en veille, mme si elles arrivent
amliorer la situation, reposent sur le mme principe dcoute permanente et sont donc confrontes au
mme problme : lcoute consomme de lnergie sans apporter aucune fonctionnalit.
Par rapport la directive EuP, lambition du projet RWU 1 est de gagner de lordre de trois dcades
sur la consommation de veille des produits tlcommands. On passerait donc du Watt au milliwatt. Seraient donc concerns essentiellement les produits audiovisuels (TV, dcodeur, dmodulateur, chaine Hifi,
DVD..), ainsi que les systmes domotiques tlcommands (clairage, volet, portail, porte de garages, climatisation/chauffage...).
Le projet RWU propose une rupture technologique du processus (Figure 1.2). Il sagit de substituer
une tlcommande traditionnelle qui envoie uniquement des donnes (via lIR ou la RF) un dispositif qui
envoie galement un faisceau dnergie exploitable. Cette nergie reue par le dispositif command (branch
sur le secteur mais dconnect de celui-ci, cest--dire consommation nulle) rveille un circuit dautoalimentation qui lui permet ensuite dtre, le cas chant, mme de dcoder une trame et dexcuter lordre
de rveil. Le dispositif est alors aliment jusqu ce quun nouvel ordre repos arrive et remette lalimentation
en trs haute impdance vis--vis du secteur.
Lobjectif du projet est de dvelopper cette ide via une structure de schma lectronique, intgre au
dispositif rveiller, qui comporte un rcepteur dnergie ralisant une fonction dinterrupteur command
partir de transistors effet de champs (en gnral des MOSFET) car ces derniers sont dots de commandes en
tension qui demandent trs peu nergie (<< 1 J). Ce, ou ces MOSFET sont branchs en srie entre le rseau
1. Remote Wake-Up : Rveil distance
1.3. PROJET REMOTE WAKE-UP (RWU)
dnergie du systme rveiller et son alimentation. Lapport dnergie via le faisceau issu de la tlcommande servira fermer cet interrupteur. Afin dobtenir une discrimination au rveil dun systme (le systme
ne doit se rveiller que si cest vraiment lui qui est vis ), une des solutions rside dans le fait dalimenter
un tage de dmodulation permettant de traduire une trame dinformations simpliste qui contient lIP
du matriel rveiller. Cet tage ne doit pas pour autant ncessiter dtre aliment par le rseau dnergie
dinfrastructure. Le niveau dnergie capt risque dtre insuffisant pour alimenter ltage de dmodulation
et fermer linterrupteur de puissance. Un stockage local dnergie (capacit qui se rechargera pendant les
phases de fonctionnement normales du systme ou pile) permettra dalimenter cet tage de dmodulation. Si
lidentification est bonne, lalimentation dmarrera et le rcepteur sera oprationnel, sinon il devra revenir en
phase repos aprs un dlai dtermin.
Si lon examine le march de la domotique, la mise sur le march dinterrupteurs commandables distance (pour la socit Legrand) date de 1987. La technologie sans fil utilise alors tait linfrarouge. Une offre
radio a t commercialise 6 ans plus tard, en 1993. En mme temps, des fonctions complmentaires sont
introduites, avec en particulier, les commandes de volets centraliss en radio. Les progrs technologiques en
particulier sur les composants ont t notables, cest actuellement la 4me gnration (au sens technologie
RF et CPL) qui est au catalogue. A ce jour, les 2 modes de transmission infrarouge et radio cohabitent toujours dans ce que lon appelle les automatismes du btiment. LIR lavantage dtre interfaable avec les
tlcommandes multimdia ; on peut donc avoir une interoprabilit entre la tlvision et linstallation lectrique. Par ailleurs lIR permet un adressage par vise directe ce qui lavantage de fonctionner en plug &
play 1 et est largement suffisant pour certaines applications. La RF a des proprits complmentaires : elle
est omnidirectionnelle et traverse les murs et donc require une phase dapprentissage linstallation
Une premire tude a t conduite autour des gains environnementaux potentiellement accessibles par
la technologie RWU. La base de rfrence est un produit commercialis depuis quelques annes de marque
Legrand pour lequel un Profil Environnemental Produit PEP a t tabli. Le produit le plus reprsentatif est un
interrupteur rcepteur (CPL/IR) de marque Legrand ref : 67280. On prend les hypothses que lintroduction
de la technologie RWU modifie le produit de la sorte :
ajout dune antenne de 66 cm grave 80 %
ajout dun chipset quivalent un chip de modem CPL
la consommation est divise par 1000
La modlisation est ralise avec le logiciel EIME 2 , Module lectricit France 2000 . Les rsultats sont
synthtiss dans le Tableau 1.2.
Ces chiffres prennent en compte les phase de fabrication, distribution et utilisation. Les gains sont importants (en vert), essentiellement lis la baisse de la consommation dnergie en phase utilisation. Le seul
point pnalisant significatif est leutrophisation de leau li au PCB dantenne ajoute : la gravure du cuivre
est polluante pour leau car il y a beaucoup doprations chimiques.
1.3.2
Organisation et positionnement
Ce projet sinscrit, pour le laboratoire Ampre, dans un ensemble de recherches trs actives depuis
quelques annes menes autour de la collecte, de la rcupration et de la transmission sans fil de lnergie
1. Plug & Play : procdure permettant aux dispositifs rcents dtre reconnus rapidement et automatiquement ds le branchement
du matriel
2. EIME : Logiciel dAnalyse du Cycle de Vie (ACV) disposant de fonctionnalits daide lco-conception et laffichage
environnemental des produits et services
Name
Raw Material Depletion
Energy Depletion
Water Depletion
Global Warming
Ozone Depletion
Air Toxicity
Photochemical Ozone Creation
Air Acidification
Water Toxicity
Water Eutrophication
Hazardous Waste Production
Unit
Y-1
MJ
dm3
g~CO2
g~CFC-11
m3
g~C2 H4
g~H+
dm3
g~PO4
kg
Rf. 67280 catalogue

1E-14
518.07
506.81
7333.20
7E-4
2E+6
2.78
1.30
1616.40
0.95
0.10
Objectif RWU
1E-14
51.42
422.23
3070.00
4E-4
7E+5
1.25
0.55
1481.20
1.49
0.05
TABLE 1.2 Gains environnementaux potentiellement accessibles par la technologie RWU selon le logiciel
EIME
F IGURE 1.2 Principe du rveil distance par lintermdiaire dun faisceau de microondes
lectrique (Brevet dpos par le CNRS et lcole Centrale de Lyon laboratoire Ampre : brevet n 2901061
en date du 16/11/07 : Convertisseur donde lectromagntique en tension continue). La problmatique est
cependant trs spcifique pour plusieurs raisons :
ce transfert dnergie doit tre limit dans le temps (environ 100 ms) pour quil soit fonctionnellement
acceptable : quand on appuie sur une tlcommande, on attend une raction rapide
le niveau dnergie requis au niveau du rcepteur pour fermer linterrupteur est trs faible
les problmes lis aux interfrences rciproques possibles avec dventuels systmes avoisinants doivent
tre solutionns.
Il sagit, dans ce projet, dexploiter conjointement le concept novateur protg par le brevet FR 07 07 567
du 26/10/2007 intitul Dispositif tlcommande sans fil et consommation rduite, dpos par la socit
Legrand et les recherches labores dans les laboratoires Ampre (brevet CNRS/ECL prcdemment cit)
et le laboratoire Xlim sur la transmission dnergie sans fil et le transfert de donnes. La Figure 1.2 prsente le principe du rveil distance. La source micro-ondes et lantenne dmission sont localises dans
linterrupteur tandis que linterrupteur servant fermer lalimentation (ventuellement associ au systme de
dmodulation) sont intgrs au dispositif rveiller.
Lassociation des deux concepts est novatrice et doit permettre de contourner un problme important
de consommation dnergie des appareils lectro-domestiques et des composants du systme domotique en
veille, soucis important dans le cadre des politiques de dveloppement durable. Lobjectif final du projet et du
1.3. PROJET REMOTE WAKE-UP (RWU)

Type
Industriels
Laboratoires
Nom
Legrand
Adetel WIREWARE
CISTEME
SOREC
ST Microelectronics
Wirecom Technologies
Xlim
Ampre
Pole Capteurs / Universit dOrlans
7
Localisation
Limoges (87)
Limoges (87)
Limoges (87)
Pruniers en Sologne (41)
Tours (37)
Orlans (45)
Limoges (87)
Lyon (69)
Bourges (18)
TABLE 1.3 Partenaires RWU

consortium RWU est daboutir un prototype fonctionnel et industrialisable de la chane complte de rveil
distance.
Dun point de vue organisationnel, le projet RWU est financ par le Fonds Unique Interministriel 1 (FUI).
Le consortium RWU est constitu de plusieurs partenaires industriels, ainsi que des laboratoires de recherche. Le Tableau 1.3 donne la liste complte des partenaires faisant partie du consortium.
1.3.3
Verrous technologiques
Outre le domaine des puces RFID 2 , il ny a pas dautres applications de rveil distance sans fil dun
rcepteur entirement endormi. Contrairement la technologies RFID, le rveil doit pouvoir tre fait sur des
distances de plusieurs mtres, tout en ayant des metteurs et des rcepteurs compacts. Une srie de difficults
et verrous scientifiques et technologiques sont relever avant que le concept thorique devienne viable techniquement et commercialement :
Laspect normatif : le concept RWU combine un transfert dnergie suivi ou superpos un transfert dinformation (une adresse), or ce sont aujourdhui deux domaines normatifs distincts. Dans le
domaine des tlcommunications, les puissances dmission sont limites pour des raisons dinterfrence tandis que dans le domaine de lutilisation de lnergie lectromagntique (matriels ISM
[NF EN 55011, 2010] par exemple), les seules restrictions concernent le niveau de champ lectrique, limit pour des raisons sanitaires de protection des personnes [NF EN 62311 / NF C99-120 (10/08), 2008].
Dune part, ces contraintes impacteront sur les solutions mettre en uvre (au niveau des antennes,
du rendement de conversion de londe rcupre et surtout sur la sensibilit des convertisseurs RF-DC
concevoir) et dautre part, il y a une prparation faire afin dviter que les exigences normatives
lies au domaine des tlcommunications ne priment sur la fonctionnalit de transfert dnergie dans
un produit final, qui est une tlcommande.
Le stockage dnergie : La tlcommande classique IR ou RF daujourdhui, met seulement une
trame dinformation. Ce projet rajoute cette fonction classique, une fonction de transfert dnergie. Il
sagira de dimensionner la rserve dnergie associe cette nouvelle fonction en termes de puissance
disponible, mais aussi en termes dautonomie nergtique de la tlcommande dans le temps. Cet as1. FUI : En France, le Fonds Unique Interministriel (FUI) est un programme destin soutenir la recherche applique, pour
aider au dveloppement de nouveaux produits et services susceptibles dtre mis sur le march court ou moyen terme.
2. RFID : Radio Frequency IDentification
pect interviendra galement sur les dimensions du produit en fonction de lensemble des paramtres
dcids (puissance dmission, porte, autonomie, mode de recharge dnergie. . .)
Le brouillage : Dune part il faut viter que lenvironnement ne rveille trop souvent le systme
de rception qui perdrait alors de son intrt. Les contraintes dinstallation risquent alors dtre rdhibitoires pour certaines gammes de frquences, par exemple autour de 2,4 GHz o il y a beaucoup de
pollueurs (Wifi, Zigbee, DECT, bluetooth, 3G). Dautre part il ne faut pas quune action sur la tlcommande vienne faire dysfonctionner un rseau hertzien voisin dans le cas dutilisation de frquences
microondes.
Le transfert dnergie en environnement lectromagntique complexe va engendrer des tudes spcifiques sur les antennes utiliser ( lmission comme la rception) ainsi que sur la sensibilit du
convertisseur RF-DC associer lantenne de rception.
Ltage de dmodulation devra tre extrmement sobre en consommation dnergie afin que la capacit de stockage permette un nombre substantiel de rveils ou que lnergie du faisceau microondes
incident suffise le faire fonctionner.
Les dimensions admissibles (intgration de la source, des antennes . . .) des metteurs / rcepteurs
compte tenu de la porte souhaite.
1.4 Plan du manuscrit

Le manuscrit est dcoup au total en 7 chapitres.
Le chapitre 2 prsentera un tat de lart des diffrentes techniques de transmission dnergie sans fil
et en particulier, la transmission dnergie par microondes. Le choix de cette mthode sera galement
justifi.
Le chapitre 3 prcisera le Cahier de Charges scientifique et technique, tel quil dcoule des besoins et
applications potentielles de la technologie RWU.
Le chapitre 4 sintressera la conception des convertisseurs RF-DC pour des application de rveil
distance par faisceau de microondes faible niveau dnergie. Cette partie sintressera aux diffrentes
mthodes et techniques de modlisation des structures de conversion RF-DC. Elle exposera galement
les diffrentes types de simulation numrique utiliss pour la conception des circuits. Plusieurs techniques doptimisation et amlioration globale des performances seront dtailles.
Le chapitre 5 fournira des lments dtat de lart et de conception dun rcepteur radio ultra basse
puissance. Plusieurs topologies seront values et compares travers leurs avantages et inconvnients,
pour une application dans le dispositif RWU. Le recepteur RWU complet ainsi que ses performances
sont prsentes.
1.4. PLAN DU MANUSCRIT
Le chapitre 6 proposera un concept novateur de rcepteur dnergie lectromagntique adaptatif et ses

avantages dans le cas de lalimentation sans fil dun capteur isol. Des aspects relatifs aux associations
de rectennas et les amliorations possibles sont abordes.
Le chapitre 7 contient la conclusion gnrale et les perspectives dvolution du travail qui viennent
clore ce manuscrit.
10
Chapitre 2
tat de lart des systmes de transmission

dnergie sans fil
Ce chapitre donne ltat de lart dans le domaine de la transmission dnergie sans fil. Un court historique
passe en revue les avances notables. Les diffrentes techniques de transmission dnergie sans fil sont dcrites, tout en illustrant les avantages et les inconvnients de chacune, dans la perspective dutilisation dans
le cadre du projet RWU.
2.1
Introduction
Les dernires annes ont t caractrises par un dveloppement massif dune gamme varie de dispositifs lectroniques portatifs, aussi bien dans le domaine du grand public, tels que les smartphone ou les
tablettes, mais aussi des applications industrielles, comme les rseaux de capteurs sans fil [Agha et al., 2009,
Gungor et Hancke, 2009, Tan et Panda, 2011] ou encore des applications dans le domaine mdical
[Mahfouz et al., 2011]. La tendance gnrale est daller de plus en plus vers une miniaturisation des dispositifs afin de faciliter leur portabilit et leur intgration dans lenvironnement de tous les jours.
Un des problmes les plus sensibles rsoudre rside dans la source dnergie de ces dispositifs. Le
plus souvent, lutilisation des cbles dalimentation nest pas envisageable, au vue de la nature nomade
de ces dispositifs. La majorit des dispositifs portatifs daujourdhui utilisent des batteries comme source
dnergie. Dans le cas des dispositifs compacts, les batteries ont tendance occuper la majorit du volume
disponible, ce qui rend la poursuite de la miniaturisation quasiment impossible, tout en rajoutant de la masse
et en augmentant le cot. Lautonomie de tels dispositifs est limite par le compromis trouver entre la
quantit dnergie disponible et la taille.
Les batteries doivent tre priodiquement remplaces ou recharges. Les batteries usages sont trs polluantes et leur recyclage est un processus complexe et coteux. En ce qui concerne les batteries rechargeables,
le processus de recharge est gnralement bas sur un chargeur filaire, ce qui limite en quelques sorte la
portabilit relle de ces dispositifs sans fil . Des systmes dalimentation sans fil devraient amliorer la
disponibilit, la fiabilit et le confort dutilisation de ces dispositifs.
11
12
CHAPITRE 2. TAT DE LART DES SYSTMES DE TRANSMISSION DNERGIE SANS FIL
F IGURE 2.1 Historique de la transmission dnergie sans fil [Shinohara, 2011]
2.2
Historique
Les recherches sur la transmission dnergie sans fil ont commenc la fin du 19me sicle lorsque
Hertz et Marconi ont remarqu que lnergie pouvait tre transporte dun point un autre sans lexistence
daucun milieu conducteur. Les bases thoriques de ce phnomne ont t tablies par Maxwell travers des
`
quations tablies en 1862 (Figure 2.1). Au dbut du 20eme
sicle, Nikola Tesla (Figure 2.2) travaillait dj
sur le Wardenclyffe Tower , le prototype dun metteur pour ce quil appelait World Wireless System 1 ,
qui serait capable de fournir de llectricit sans fil vers un rcepteur distant.
Tesla a essay denvoyer une puissance denviron 300 kW laide dondes radio dune frquence de
150 kHz [Tesla, 1904b, Tesla, 1904a]. Ses recherches nont pas t couronnes du succs quil esprait en
raison de la dispersion de la puissance radio, qui dpend de la frquence et de la taille de lmetteur. Aprs
Tesla, les recherches dans le domaine des ondes radio se sont concentres sur la transmission dinformation
sans fil (tlcommunication) plutt que sur la transmission dnergie. Pendant la premire moiti du 20me
sicle, le manque dintrt envers la transmission dnergie sans fil peut sexpliquer par le manque de moyens
techniques, en particulier des gnrateurs hautes frquences et hautes puissances.
Les avances dans le domaine des communications sans fil ont largement aid au dveloppement des
techniques de transmission dnergie sans fil. Le dveloppement moderne des systmes de transmission sans
1. World Wireless System : Systme Sans-Fil Mondial
2.2. HISTORIQUE
13
F IGURE 2.2 Nikola Tesla tenant une ampoule gaz phosphore qui tait alimente sans fils par un champ
lectromagntique gnr par la Tesla Coil [Cheney, 2001]
fil a t largement stimule par les avances dans le domaine des tlcommunications et de la tldtection
radar qui ont eu lieu pendant la 2me guerre mondiale. Cest lutilisation des microondes qui relance la
perspective de la transmission dnergie sans fil.
Dans les annes 1960, William C. Brown a commenc mener des exprimentations de transmission
dnergie sans fil avec des tubes microondes tels que les magntrons et les klystrons [Brown, 1984].
W. C. Brown t galement le premier dvelopper en 1963 une antenne rectificatrice ou rectenna 1
pour la rception des ondes lectromagntiques et leur conversion en tension continue (DC). Lefficacit 2
de cette premire rectenna tait de 50% pour une puissance de sortie de 4 W DC et de 40% pour 7 W DC
respectivement [Brown, 1980]. En 1964, dans le cadre du Projet RAMP 3 , lquipe de W. C. Brown a effectu
une dmonstration dune plateforme aroporte qui volait une altitude de 18 mtres alimente exclusivement
travers un faisceau microonde depuis le sol [Maryniak, 1996].
En 1975, la plus grande dmonstration de transmission dnergie sans fil jamais ralise a eu lieu au
Jet Propulsion Lab (JPL) Goldstone (Figure 2.3). Lmetteur tait une antenne parabolique de 26 m en
diamtre tandis que le rcepteur tait form dune association de rectennas de 3,4 x 7,2 m au total. La
source mettait une puissance de 450 kW 2,388 GHz et le rcepteur situ 1,6 km de distance fournissait
30 kW de puissance DC. Lefficacit de la rectification RF-DC atteignait 82,5 % au niveau du recepteur
[Dickinson, 1976].
1. Rectenna : Rectifying Antenna
2. Efficacit dune rectenna : Cette notion sera traite plus en dtail par la suite
3. RAMP : Raytheon Airborne Microwave Platform. Projet initi par larme amricaine qui visait dvelopper une plateforme
dobservation en altitude capable de rester en lair pendant de longues priodes de temps.
14
F IGURE 2.3 Plus grande dmonstration de transmission dnergie sans fil jamais ralise
[Dickinson, 1976]
Le projet SPS 1 est de loin le plus clbre et le plus ambitieux des projets utilisant le concept de la
transmission dnergie sans fil. Le concept a t propos par Peter Glaser en 1968 [Glaser, 1968]. Le projet
consiste placer en orbite un satellite qui capture lnergie solaire et la renvoie vers des stations de rception
sur Terre par un faisceau dondes lectromagntiques. Un rcepteur dnergie solaire en orbite recevrait
environ dix fois plus dnergie que des panneaux solaires au niveau du sol car il sagit dune structure voluant
sur une orbite gostationnaire dans lespace. Ceci implique que le rcepteur ne sera pas pnalis par la nuit
et de plus, les microondes ne sont que trs peu perturbes par les nuages et la pluie, comme dans le cas des
rayons du soleil.
Les interactions des microondes avec latmosphre sont de plusieurs types :
Absorption par lair et lhumidit de lair
Absorption par la pluie
Absorption due au gradient dindice de rfraction de lair.
Labsorption dans lair est essentiellement due aux vapeurs deau et loxygne [Bean et Dutton, 1966].
Dans le cas du systme SPS, labsorption totale dun faisceau qui traverse toute latmosphre terrestre serait
denviron 0.035 dB [Recomm. And Rept. Of CCIR, 1978a].
Quant la pluie, le coefficient dabsorption est de lordre de 0.01 dB/km 2.45 GHz dans des conditions
de pluie modre (50 litres/m/heure) [Recomm. And Rept. Of CCIR, 1978b]. Labsorption totale pour une
hauteur de la cellule pluvieuse de 5 km serait de lordre de 0.05 dB.
Les pertes dues au gradient de lindice de rfraction de lair sont bien infrieures celles provoques par la
pluie et les lments gazeux de latmosphre. Elles totalisent environ 0.0013 dB 2,45 GHz [Furuhama et Itoh, 1982].
Les pertes totales dues aux interactions dun faisceau 2.45 GHz avec latmosphre totalisent donc moins de
0.1 dB. Ces interactions nont donc pas un effet considrable sur la puissance reue au niveau terrestre.
1. SPS : Solar Power Satellite
2.2. HISTORIQUE
15
Mme purement thorique, ce concept pourrait atteindre des efficacits proches de 100 %, condition
que les metteurs et rcepteurs soient assez larges et bien conus. En mme temps, cette tude a permis de
passer le ratio entre la masse et la puissance DC de 5,4 kg/kW 1 kg/kW. Le projet SPS na jamais t
mis en pratique cause des dimensions immenses du satellite propos. Pour gnrer et transmettre 5 GW de
puissance, celui ci devrait avoir une largeur de 5,2 km et une longueur de 10,4 km. En mme temps, lantenne
dmission seule devrait avoir un diamtre denviron 1 km. Le cout de revient dun tel systme a t estim
entre 20 et 40 C/W, compar environ 13 C/W pour une production laide de panneaux solaires au niveau
du sol et 3,5 C/W pour lnergie nuclaire [Mcspadden et Mankins, 2002].
F IGURE 2.4 Alimentation par microondes dun avion [Fujino et al., 1993]
A partir des annes 1980, les problmatiques de transmission dnergie par microondes ont suscit un
rel intrt au Japon, ou des applications pratiques ont t dmontres en utilisant des technologies provenant
des domaines des tlcommunications et de la tldtection radar [Matsumoto, 2002]. En 1992, une dmonstration de vol dun avion sans carburant a t effectue (Figure 2.4). Lnergie tait fournie lavion via des
microondes 2,41 GHz travers 96 amplificateurs en GaAs, tandis que la rception et la conversion tait
effectue par 288 rectennas [Fujino et al., 1993].
Les diffrentes dmonstrations de transfert de niveaux dnergie levs sur des grandes distances ont
prouv quil tait possible dobtenir des efficacits levs (souvent plus de 70 %), mais pour des raisons
de cout, dencombrement des antennes et surtout des normes sanitaires de scurit des personnes, ces systmes ntaient pas adapts pour des applications pratiques viables. Cest principalement pour ces raisons
16
que les systmes de transfert dnergie par microondes ne sont pas rpandues dans des applications de la vie
quotidienne.
Plus rcemment, avec le dveloppement des techniques de communication mobile, la puissance ncessaire aux dispositifs lectroniques mobiles a diminu considrablement. Les techniques de transmission
dnergie sans fil sont de plus en plus explores par les chercheurs et des applications grand public vont
voir le jour. En mme temps, laugmentation continue des niveaux de champ lectromagntiques ambiants
ouvrent la possibilit de faire de la rcupration dnergie ambiante, dans certains cas.
2.3
Techniques de transmission dnergie sans fil
Bien que les stratgies puissent tre trs diffrentes, le transfert dnergie sans fil est en gnral un processus en 3 tapes :
Lnergie lectrique alternative ou continue est fournie un gnrateur haute frquence et ensuite
amene la structure mettrice.
Londe lectromagntique se propage vers la structure rceptrice.
Lnergie est capte et transforme en tension alternative puis continue et par suite utilise pour alimenter une charge.
Plusieurs approches diffrentes peuvent tre cites.
2.3.1
Le couplage magntique inductif
Le couplage magntique inductif fonctionne sur des distances trs faibles (en champ proche), typiquement
de
lordre
de
quelques
centimtres,
mais
se
caractrise
par
un
trs
bon
rendement
[Casanova et al., 2009, Low et al., 2010]. Cette technique est largement utilise pour la recharge sans fil de
la batterie interne de dispositifs grand public tels que des brosses dents lectriques ou des souris sans fil.
Le transfert de puissance est ralis gnralement via linduction magntique entre deux bobines air. Le
schma simplifi du montage est donn la Figure 2.5.
F IGURE 2.5 Schma de principe du montage utilis pour la transmission dnergie sans fil par couplage
inductif [Low et al., 2009]
Les expressions des tensions et des courants dans les deux bobines peuvent tre exprimes par
[Wang et al., 2004] :
2.3. TECHNIQUES DE TRANSMISSION DNERGIE SANS FIL
17
V1 = jM11 I1 + jM12 I2
(2.1)
V2 = jM21 I1 + jM22 I2
(2.2)
M12 = k M11 M22
(2.3)
avec
M11
auto inductance de la bobine mettrice ;
M22
auto inductance de la bobine rceptrice ;
M12 = M21 inductance mutuelle des deux bobines ;

k
coefficient de couplage entre les deux bobines.
Limpdance vue depuis lmetteur et limpdance du rcepteur peuvent scrire respectivement :

Ztx = Rtx + jXtx =
V1
I1
(2.4)
Zrx = Rrx + jXrx =
V2
I2
(2.5)
Il est donc possible dexprimer les valeurs des impdances au primaire et au secondaire. Lobjectif est
davoir un transfert optimal de puissance entre lmetteur et le rcepteur. Une adaptation dimpdance entre
les deux parties est donc ncessaire.
Outre les applications grand public bien connues qui ont t cites prcdemment, on peut galement
mentionner des systmes de recharge sans fil par induction dappareils comme les tlphones portables,
comme ceux proposs par la socit PowerKiss [PowerKiss Company, ]. Ils proposent des anneaux rcepteurs qui se connectent directement aux tlphones portables et des anneaux metteurs intgrs dans des
tables. Le tlphone se charge ds lors que le rcepteur est plac sur lmetteur (Figure 2.6).
F IGURE 2.6 Systmes de recharge par induction de tlphones portables de la socit PowerKiss
[PowerKiss Company, ]
18
2.3.2
Le couplage magntique rsonant
Le couplage magntique rsonant entre deux structures, gnralement des enroulements circulaires (Figure 2.7), permet de faire du transfert dnergie en champ proche. Les frquences de fonctionnement sont
relativement faibles (de lordre de quelques MHz), ce qui fait que lmetteur et le rcepteur sont assez encombrants [Karalis et al., 2008, Cannon et al., 2009, Valtchev et al., 2009]. Un transfert efficient de puissance
peut tre effectu en utilisant deux ou plusieurs objets rsonant la mme frquence. Compar au couplage
inductif non rsonant, le couplage rsonant est plus efficace [Karalis et al., 2008]. Lamlioration est due
lutilisation du rgime de couplage fort des objets rsonants, ce qui permet de maximiser le transfert.
F IGURE 2.7 Schma de principe du montage utilis pour la transmission dnergie sans fil par couplage
magntique rsonant [Sample et al., 2011]
La structure de transmission est forme dune simple spire et dune bobine. Lorsque le signal provenant
du gnrateur arrive dans la spire, le champ magntique oscillant excite la bobine de transmission, qui se
comporte de la mme manire quun circuit oscillant RLC. Le rcepteur se comporte de manire analogue,
la diffrence que la source est remplace par la charge alimenter. Linteraction distance a lieu entre les
deux bobines qui peuvent tre assimils deux circuits rsonants RLC haut facteur de qualit, Q (Figure
2.8).
F IGURE 2.8 Circuit quivalent dun systme de transmission dnergie par couplage magntique rsonant
[Sample et al., 2011]
19
Le circuit quivalent simplifi consiste en quatre circuits rsonants lis magntiquement par les coefficients de couplage k12 , k23 et k34 . En dfinissant
1
Qi =
Ri
Li
Ci
(2.6)
comme le coefficient de qualit et en considrant un systme symtrique, lexpression de la fonction de

transfert peut sexprimer, = 0 , comme :

Vload
Vsource
2 Q2 Q2
ik23 k12
1 2
2 Q2 + (1 + k2 Q Q )2
k23
2
12 1 2
(2.7)
En drivant cette expression de la fonction de transfert par rapport k23 , on obtient la valeur critique qui
maximise le couplage entre les deux structures, soit :
kcritique =
1
2
+ k12
Q1
Q2
(2.8)
Ce coefficient de couplage varie videment avec la distance. Il en dcoule quil y a une distance qui
maximise le rendement du transfert dnergie, comme le montre le graphique de la Figure 2.9. Ce constat
va en quelque sorte contre lintuition pour les systmes de transmission dnergie sans fil, en particulier
lorsquon compare avec le couplage inductif, pour lequel lefficacit du couplage a une dpendance en
bien dans le cas des antennes o la dpendance est en
1
.
r2
1
r3
ou
F IGURE 2.9 volution du couplage entre lmetteur et le rcepteur en fonction de la distance

[Sample et al., 2011]
Il a t galement prouv que si une structure rsonante intermdiaire est introduite entre lmetteur et le
rcepteur, lefficacit du transfert dnergie ainsi que la distance franchissable augmentent considrablement
[Kim et al., 2011]. Cette structure intermdiaire peut tre place soit suivant un alignement coaxial ou bien
20
perpendiculaire la direction metteur-rcepteur (Figure 2.10). La mme technique peut tre adapte pour le
transfert dnergie vers des multiples rcepteurs de petite taille, situs dans la zone de champ magntique uniforme
dun
metteur
de
taille
plus
grande
[Cannon et al., 2009].
F IGURE 2.10 Configuration dun systme de transmission dnergie par couplage magntique rsonant avec
une bobine intermdiaire [Kim et al., 2011]
La limitation principale de cette mthode est que lnergie peut uniquement tre envoye sur des distances
relativement limites (mme si elles sont considrablement suprieures celles obtenues dans le cas du
couplage inductif). Ces distances sont gnralement dans le mme ordre de grandeur que les dimensions de
lmetteur et du rcepteur.
Parmi les applications commerciales les plus abouties de cette technologie, on peut citer la socit WiTricity qui commercialise des kits dvaluation et dveloppement bass sur les recherches effectus au MIT
en 2007 [WiTricity Corporation, ]. Les systmes proposs sont destins des utilisations domestiques ou industrielles. La Figure 2.11 montre un systme de recharge sans fil des batteries dun vhicule lectrique. Ce
systme donne la possibilit de recharger les batteries sans aucun branchement et peut tre enterr au niveau
des places de parking. Lefficacit atteint 90% une distance de 20 cm et une puissance maximale de 3.3 kW
peut tre fournie une frquence de fonctionnement de 145 kHz.
2.3.3
Le transfert radiatif
Lnergie peut galement tre transmise distance par lintermdiaire dun champ radiatif haute frquence. Cette mthode utilise des ondes lectromagntiques haute frquence, en gnral suprieure 1
GHz, le transfert dnergie tant ralis en champs lointain. Comme il a t indiqu dans le paragraphe 2.2,
le transfert de grandes quantits dnergie sans fil sur des distances de plusieurs km a dj t ralis, avec
des efficacits suprieures 70 %, mais le nombre dapplications viables ces niveaux de puissances est
trs limit, en raison des normes sanitaires de protection des personnes ainsi que les tailles imposantes des
antennes ncessaires.
Cette technique est plus souvent utilise pour transmettre de lnergie vers des puces UHF RFID 1 .
1. UHF RFID : Ultra-High Frequency Radio-Frequency IDentification
F IGURE 2.11 Systme

[WiTricity Corporation, ]
de
recharge
sans
fil
des
21
batteries
dun
vhicule
lectrique
Compars aux applications RFID de proximit, qui utilisent une frquence de 13,56 MHz ou infrieure
[Hwang et Lin, 2009], les dispositifs UHF RFID peuvent tre aliments sur des distances de plusieurs mtres
par
lintermdiaire
dondes
lectromagntiques
haute
frquence
[Lee et Lee, 2009, Mandal et Sarpeshkar, 2007, Yao et al., 2009]. Ce concept peut galement tre appliqu
afin dalimenter en nergie des circuits lectroniques de basse consommation, comme les capteurs industriels ou les rseaux de capteurs. Ces dispositifs peuvent soit tre aliments par lnergie rcupre partir du faisceau microondes [Ashry et al., 2009], soit partir de batteries qui sont recharges distance
[Essel et al., 2009].
La Figure 2.12 donne un schma gnral simplifi du processus de transmission dnergie sans fil par
ondes lectromagntiques. Lefficacit globale de la transmission est malheureusement trs faible dans ces
conditions. Elle est gnralement infrieure 1 % en utilisant des antennes dmission et de rception compactes, en raison de la dpendance en
1
r2
de la puissance disponible en rception (en espace libre). Cest la
raison pour laquelle les recherches se concentrent essentiellement sur lamlioration de ltage de rception
et conversion des ondes RF en puissance continue.
2.3.3.1
Conversion DC-RF
Les sources haute frquence sont bases sur diffrentes technologies. Les sources base de semiconducteurs sont prdominantes, mais souffrent de limitations sur la puissance dlivrable en haute frquence. A
une frquence de 2,45 GHz, la puissance maximale dlivrable est limite quelques centaines de Watts.
22
F IGURE 2.12 Reprsentation schmatique du processus de transmission dnergie sans fil par ondes lectromagntiques
2.3.3.2 Propagation des ondes lectromagntiques en espace libre
Une onde lectromagntique est forme de deux composantes (lectrique et magntique) qui oscillent en
phase, dans des plans perpendiculaires lune par rapport lautre et par rapport la direction de propagation.
Les composantes ~E et ~B obissent aux relations suivantes :
2 E
E = 0 0 2
t
(2.9)
2 B
B = 0 0 2
t
(2.10)
Dans le cas dune antenne mettrice isotopique, et dans un certain point de lespace la puissance est
distribue de manire uniforme sur la surface dune sphre de rayon D (D tant la distance entre lantenne
mettrice et le point dobservation). La densit de puissance en tout point de la surface de la sphre scrit :
Pd =
Pt
4D2
(2.11)
Afin de dterminer la puissance capte par une antenne place en ce point, les gains de lantenne mettrice
et rceptrice doivent tre pris en compte. Le bilan de la transmission entre lmetteur et le rcepteur est donn
par lquation de Friis :
Pr = Pt Gt Gr
avec
Pr
puissance disponible en rception ;
Pt
puissance disponible en mission ;
Gr
gain de lantenne de rception ;
Gt
gain de lantenne dmission ;
Ar
ouverture de lantenne de rception ;
At
ouverture de lantenne dmission ;
longueur donde utilise.
4D
2
At Ar
( D)2
(2.12)
Cette quation est valable pour une transmission idale, sans trajets multiples. Cette quation doit tre
23
complte afin de prendre en compte les pertes dans les antennes, les pertes dues aux trajets multiples ainsi
que la dsadaptation due la polarisation :
Pr = Pt Gt Gr
4D
2
t r (1 S11 ) (1 S22 ) |
u
v |2
(2.13)
Il sagit dune forme plus raliste de lquation de Friis qui prend en compte des paramtres supplmentaires tels que les efficacits des deux antennes (t et r ), les coefficients de rflexion lentre des deux
antennes (S11 et S22 ). Le terme |

u
v |2 prend en compte la dsadaptation due la polarisation, qui est g-
nralement cause par des antennes ayant des polarisations diffrentes ou par des antennes ayant la mme
polarisation mais qui sont dsalignes. Le terme est utilis pour prendre en compte les trajets multiples que
londe mise peut subir avant darriver lantenne de rception. Il sexprime comme :

2

N
D j 2 (Dn D)

= 1 + n e

Dn
n=1
(2.14)
Ce terme prend en compte le coefficient de rflexion n de chacun des obstacles ainsi que la longueur
Dn de chaque trajet de propagation. Cette formule est trs difficile utiliser en pratique car elle suppose une
connaissance parfaite de lenvironnement de propagation de londe. Elle est surtout implmente dans des
logiciels CAO pour des simulations lectromagntiques 3D complexes (Comsol, CST).
Lquation de Friis ne peut pas tre utilise pour calculer la puissance reue en champs proche, car elle
suppose que londe est plane. Ceci est le cas en champ lointain, mais en champ proche des ondes sphriques
existent. Il est donc plus judicieux dutiliser le paramtre pour calculer la puissance reue ou lefficacit de
transmission de londe [Brown, 1974] :
At Ar
=
D
transmission =
2
Pr
= 1 e
Pt
(2.15)
(2.16)
En distinguant les deux cas de figures (champ proche et champ lointain), lvolution de lefficacit de
transmission de lnergie, calcule en utilisant le coefficient , est reprsente la Figure 3.9. Lquation
de Friis scrit en fonction de comme = 2 . Lvolution montre quen thorie, il est possible dobtenir
des efficacits de transmission qui tendent vers 100 % quand > 2. . Ceci se traduit, daprs (2.15) par des
grandes ouvertures des antennes dmission et de rception par rapport au produit de la longueur donde et
de la distance de transmission.
La puissance rcupre par lantenne de rception partir de londe incidente, est une image de lnergie vhicule par londe. La densit de puissance active vhicule par londe est donne par le vecteur de
Poynting, qui est le produit vectoriel des champs lectriques et magntiques et ayant la mme direction que
la direction de propagation de londe :
1
P = E H
2
(2.17)
Cette densit de puissance moyenne, au cours dune priode, sexprime en W/m et le module du vecteur
de Poynting scrit comme :
24
F IGURE 2.13 Efficacit de la transmission dnergie en champ proche et champ lointain
2.3.3.3 Conversion RF-DC

1 2

E
P=
0 c
(2.18)
La conversion RF-DC est la troisime phase du processus de transmission dnergie sans fil. La cellule de
base dun convertisseur RF-DC est la rectenna. La Figure 2.14 donne le schma fonctionnel simplifi dune
rectenna, qui est gnralement compose dune antenne de rception, un filtre haute frquence, un tage de
rectification base de diodes et un filtre de sortie passe-bas.
F IGURE 2.14 Schma fonctionnel simplifi dune rectenna

Le filtre dentre joue le rle dadaptation dimpdance entre lantenne et ltage de rectification. Le
filtre de sortie passe-bas rejette les harmoniques dordre suprieur qui sont gnrs pendant le processus de
rectification non linaire. La charge de sortie reprsente tout type de charge DC.
Lefficacit de conversion RF-DC dune rectenna est influence par la quantit de puissance perdue dans
les diodes, la qualit de ladaptation dimpdance entre lantenne et ltage de rectification, ainsi que par lefficacit de lantenne. Pour une rectenna, le rendement de conversion RF-DC est gnralement dfini comme
25
le ratio entre la puissance totale DC fournie la charge et la puissance que lantenne rceptrice serait capable
dinjecter dans un circuit parfaitement adapt :
PDC
PRF
(2.19)
De manire gnrale, la puissance rcupre par une antenne est donne par
PR =
PG2
4
(2.20)
avec :
P
densit de puissance (en W/m) ;
gain linaire de lantenne de rception ;
longueur donde utilise.
La densit de puissance P (en W/m) en un point donn de lespace est :

|E|2
P=
Zair
(2.21)
avec :
E
amplitude du champ lectrique en ce point ;
Zair
impdance caractristique de lair ; Zair = 120 377
On peut ainsi exprimer la dpendance de la puissance capte par une antenne, directement en fonction de
lamplitude du champ lectrique lemplacement de lantenne. Celui-ci est donn par :
PR =
|E|2 G 2
4Zair
(2.22)
Au niveau de la charge de sortie, la puissance DC fournie scrit, dans le cas dune charge purement
rsistive :
PDC =
2
Vout
Rload
(2.23)
Lexpression thorique du rendement de conversion devient alors :

=
PDC
V2
4Zair
= out 2
PRF
Rload |E| G 2
(2.24)
Lorsque le but recherch est de charger une capacit de sortie une tension la plus leve possible,
le rendement est gnralement dfini dune manire diffrente. Il faudra cette fois-ci prendre en compte le
temps de chargement de la capacit de sortie sous une certaine tension. Lnergie stocke dans une capacit
C charge sous une tension V vaut :
W=
C V 2
2
(2.25)
En prenant en compte le temps de charge (Tcharge ) de cette capacit jusqu un niveau qui correspond
80% de la tension maximale, on dfinit le rendement de la rectenna comme tant :
26
0.64 C V 2
2 Tcharge PRF
(2.26)
2.3.3.4 Les antennes

Le plus souvent, des antennes diple ou des diples imprims ainsi que des antennes patch polariss
linairement sont utiliss dans des rectennas. Il est gnralement prfrable davoir des antennes haut gain
car elles permettent de collecter plus de puissance RF. Il y a souvent un compromis faire entre le gain dune
antenne et sa surface.
En
fonction
de
lapplication,
la
polarisation
linaire
[Douyere et al., 2008]
ou
circulaire
[Strassner et Chang, 2002] est utilise. La polarisation circulaire offre la possibilit de garder constante la
tension de sortie DC ainsi que le rendement de conversion, mme lorsquil y a rotation de lmetteur ou du rcepteur. Toutefois, le gain dune antenne polarisation circulaire perd gnralement 3 dB par rapport une antenne polarisation linaire. Des antennes double bande [Ren et al., 2007], triple bande [Costanzo et al., 2010]
ou bien large bande [Hagerty et al., 2004] ont t conues pour des applications spcifiques.
Gnralement, les antennes sont ralises en technologies de circuits imprims (PCB) et sont logs sur
les mmes substrats que les composants qui constituent le redresseur. Ces substrats sont rigides, dans la
majorit des cas, mais dans certaines applications, il est possible de raliser des antennes sur des substrats
souples (Figure 2.15). Des techniques dimpression dencres mtalliques sur papier permettent la ralisation
dantennes pour alimenter des capteurs ou puces RFID trs faible cot [Vyas et al., 2011].
F IGURE 2.15 Antennes sur substrat souple (gauche) et sur papier (droite) [Vyas et al., 2011]
Pour des applications dalimentation sans fil de circuits intgrs, il est parfois possible dintgrer lantenne
rceptrice directement sur la mme puce que les composants actifs, en utilisant les couches de mtallisations
suprieures [Radiom et al., 2010, Le et al., 2010] . La Figure 2.16 montre la photographie dune antenne
intgre qui est utilise pour capter de lnergie transmise volontairement une frquence de 5.8 GHz.
Lutilisation des ondes lectromagntiques UHF prsente un avantage par rapport aux autres techniques
de transmission dnergie sans fil car elle est compatible avec une miniaturisation des systmes, mais un
compromis est souvent ncessaire entre la taille des antennes et lefficacit du transfert de puissance. Il
est vident de voir que des antennes grand gain amliorent lefficacit du transfert, mais cela implique
gnralement des tailles dantennes plus grandes. Dans des systmes miniaturiss, il est toutefois possible de
concevoir des antennes compactes avec des gains et directivits relativement levs [Lau et al., 2010]. Une
solution dans les systmes o la taille de lantenne de rception est limite, est lutilisation dantennes plus
directives en mission ou bien dutiliser des niveaux de puissances mises plus importants afin dassurer les
niveaux de densit de puissance (en W/m) ncessaires au niveau du rcepteur.
2.4. TOPOLOGIES DE RECTENNAS FAIBLE PUISSANCE
27
F IGURE 2.16 Microphotographie dun circuit intgr aliment sans fil par lintermdiaire dune antenne
intgre [Radiom et al., 2010]
2.4
Topologies de rectennas faible puissance
Dans ce manuscrit, nous dfinissons comme faible quantit dnergie tout niveau dnergie infrieur 1
W (+30 dBm) rceptionn en entre dune rectenna. La quantit dnergie en rception dpend de la nature
de lapplication et peut descendre jusqu quelques W (-30 dBm), comme dans le cas de la rcupration
dnergie lectromagntique ambiante. Le principe gnral dun rcepteur de faibles niveaux dnergie lectromagntique est prsent dans la Figure 2.17. Pour des niveaux de puissance incidente comprises entre 1
W (-30 dBm) et 1 W (30 dBm), les niveaux de tension en sortie de la rectenna sont comprises entre quelques
mV et plusieurs V, tandis que la tension dalimentation dun circuit lectronique standard est autour de 3,3 V.
Lnergie lectromagntique incidente est capte par une antenne de rception et envoye vers le convertisseur RF-DC sous forme dune onde sinusodale haute frquence. Ltage de rectification transforme cette
onde en tension et courant continu. Le niveau de tension obtenu en sortie de la rectenna est souvent trop
faible pour pouvoir alimenter directement un circuit lectronique ou pour charger une batterie ; en particulier
lorsque la distance metteur-rcepteur est importante. Un tage lvateur de tension est souvent utilis afin
dobtenir un niveau de tension DC suffisant [Huang et al., 2010, Richelli et al., 2009], tandis que des stratgies de conversion DC-DC de type MPPT 1 sont souvent utilises afin dassurer un transfert de puissance
optimal entre la rectenna et la charge [Dolgov et al., 2010, Brunton et al., 2010]. En parallle, en suivant la
tendance gnrale vers la miniaturisation des dispositifs lectroniques, des nouvelles batteries micro-chelle
rechargeables sont dveloppes et peuvent reprsenter des sources dnergie viables pour des capteurs isols
miniaturiss qui peuvent tre rechargs sans fil [Alahmad et Hess, 2008, Chen et al., 2010].
Les structures de conversion RF-DC sont gnralement construites autour de diodes ou de transistors
monts en diode. Les diodes sont caractrises par une tension de seuil qui doit tre dpasse afin de les
mettre en conduction. Lorsque le niveau de puissance incidente est important, la tension de seuil des diodes
nest pas un facteur limitant, car lamplitude du signal incident est nettement suprieure la tension de seuil
des diodes [Merabet et al., 2009a]. Dans le cas des niveaux trs faibles de puissance incidente (infrieurs
1 mW), les pertes dues aux tensions de seuil des diodes deviennent prdominantes. La plupart du temps des
diodes Schottky sont utilises cause de leur faible tension de seuil et leur faible capacit de jonction.
1. MPPT : Maximum Power Point Tracking
28
F IGURE 2.17 Principe gnral de fonctionnement dun rcepteur dnergie lectromagntique bas sur une
rectenna et un convertisseur lvateur de tension
La frquence de fonctionnement utilise est galement un facteur important considrer lors de la conception dune rectenna. Le choix de la frquence est souvent dict par lapplication vise. Pour les frquences
plus basses (infrieures 1 GHz), les antennes gain important ont tendance tre assez encombrantes. Une
augmentation de la frquence de fonctionnement permet donc davoir des antennes plus compactes pour les
mmes performances. Dautre part, la quantit de puissance disponible en rception une certaine distance
est inversement proportionnelle au carr de la frquence. Les frquences situes dans lintervalle 1-3 GHz
sont considres comme celles offrant le meilleur compromis entre lattnuation en espace libre et les dimensions des antennes. Des frquences autour de 2,45 GHz sont souvent retenues car une bande ISM 1 libre est
situe autour de cette frquence.
Le transfert de puissance entre lantenne et le reste du circuit est optimal lorsque limpdance caractristique de lantenne est gale au conjugu de limpdance dentre du reste du circuit.
Zantenne = Zredresseur
= Z0
(2.27)
Dans ce cas-l, en ngligeant les pertes dans lantenne, la puissance injecte dans le circuit est :
PR =
Ve2f f
(2.28)
4 Z0
La valeur efficace de la tension Ve f f fournie par lantenne peut ainsi tre exprime comme :
Ve f f
p
= 4 Z0 PR =
|E|2 G 2
= |E|
4 Z0
4 Zair
G Z0
Zair
(2.29)
En utilisant cette dernire quation, la valeur de la tension incidente peut tre calcule pour diffrents
niveaux de puissance incidente. En considrant une adaptation dimpdance 50 , pour 1 W de puissance
incidente, la tension efficace est autour de 14 V, pour 100 mW elle est de 4.5 V, tandis que pour 1 mW elle
descend 0.45 V et seulement 140 mV pour 100 W de puissance incidente. Lorsque la puissance diminue,
le niveau de tension en entre du redresseur devient infrieure la tension de seuil des diodes utilises et, par
consquent, le rendement de conversion RF-DC sera diminu considrablement.
La socit Powercast [Powercast Corporation, ] en collaboration avec la socit Microchip, commercia1. ISM : Industrial, Scientific, Medical
29
lisent des kit dvaluation autour de la transmission dnergie sans fil par ondes lectromagntiques (Figure
2.18). Une source RF met 3 W de puissance une frquence de 915 MHz, qui est reue laide dune
antenne et transforme en tension DC rgule laide du composant P2110. La tension de sortie est configurable avec des niveaux entre 1.8 et 5.25 V, tandis que les niveaux de puissances acceptes en entre varient
de -10 +10 dBm. Cette tension est utilise pour alimenter une srie de capteurs (temprature, humidit,
luminosit) qui collectent des paramtres qui sont ensuite envoys par une liaison radio 2.4 GHz vers une
station de base relie un PC.
F IGURE 2.18 Kit dvaluation de la transmission dnergie par ondes lectromagntiques commercialis
par la socit Powercast [Powercast Corporation, ]
2.4.1
Topologies de circuits
Les convertisseurs RF-DC sont gnralement bass sur des diodes ou des transistors. La plupart des
rectennas utilisent des diodes Schottky, mais les transistors de type MOSFET sont de plus en plus souvent
utiliss. Les circuits de redressement des microondes ont des topologies trs diffrentes, en fonction de la
position et du nombre de diodes HF.
2.4.1.1
La topologie srie
La plus simple et la plus rpandue des topologies est celle diode unique monte en srie, comme dans
la Figure 2.19. Il sagit dun redresseur simple alternance. Pendant lalternance ngative du signal dentre,
la diode D1 est bloque et le filtre dentre est charg en nergie. Pendant lalternance ngative, la diode D1
devient passante et lnergie passe de la source et du filtre dentre vers le filtre de sortie, qui empchent les
harmoniques haute frquence darriver au niveau de la charge.
Une Rectenna a gnralement un bon rendement sur une gamme restreinte de frquence ou bien un
rendement mdiocre sur une large bande frquentielle. Les metteurs sont souvent centrs sur une bande
de frquence particulire, il est donc souhaitable doptimiser le rendement du rcepteur correspondant
30
cette frquence donne. Pour ce faire, un filtre dentre est insr entre lantenne rceptrice et le circuit
de rectification. Les lments du filtre ainsi que les lments du circuit de rectification ralisent une bonne
adaptation autour de la frquence considre et une dsadaptation en dehors de cette bande. Ce comportement
est quivalent un filtre passe bande.
F IGURE 2.19 Topologie de la rectenna mono-diode srie
2.4.1.2 La topologie shunt

Dans la topologie shunt (Figure 2.20) la diode est branche en parallle entre les deux filtres dentre
et de sortie, avec lanode ou la cathode connecte la masse. La diode est donc directement polarise par
la tension DC quelle gnre. Pendant lalternance ngative, la diode D1 est passante et le filtre dentre est
charg. Pendant lalternance positive, la diode D1 se bloque et lnergie est transfre depuis la source et le
filtre dentre vers le filtre de sortie, qui joue le mme rle que dans le cas de la structure mono diode monte
en srie.
F IGURE 2.20 Topologie de la rectenna mono diode shunt
2.4.1.3 Le doubleur de tension

La topologie doubleur de tension (Figure 2.21) peut tre vue comme une superposition de la structure
srie et de la structure shunt dcrites prcdemment. Pendant lalternance ngative, la diode D1 conduit et
31
charge le filtre de sortie. Pendant lalternance positive, lnergie provenant de lantenne et lnergie stocke
dans le filtre dentre est transfre travers la diode D2 , qui devient passante, vers le filtre de sortie et la
charge. Le doubleur de tension a lavantage datteindre des tensions de sortie DC plus importantes, presque
le double de celles atteignables par des structures mono diode. En revanche, lefficacit de conversion RF-DC
est gnralement plus faible que celle des structures mono diode. En connectant en cascade plusieurs fois la
mme topologie, des multiplicateurs de tension peuvent tre obtenus, comme dans la Figure 2.22. La tension
de sortie dun multiplieur de tension N tages sestime par [Karthaus, 2003] :
Vout 2 N V1diode
(2.30)
F IGURE 2.21 Doubleur de tension
F IGURE 2.22 Multiplieur de tension 4 tages
2.4.1.4
La structure en pont
Le pont de diodes, souvent utilis dans le redressement de signaux basse frquence, peut galement tre
utilis dans la conversion RF-DC (Figure 2.23). Le principe du redressement double alternance consiste en
32
F IGURE 2.23 Rectenna base sur la topologie en pont

lentire restitution au niveau de la charge de londe incidente, compar la topologie simple alternance o
la charge est dconnecte de la source pendant la moiti de la priode.
Pendant lalternance positive, les diodes D1 et D4 sont passantes tandis que D2 et D3 sont bloques. La
tension aux bornes du filtre de sortie est la mme quau niveau de lentre. Pendant lalternance ngative, les
diodes D2 et D3 sont passantes et D1 et D4 sont bloques. La direction du courant est donc la mme que dans
le cas prcdent. Le mme constat est valable pour la tension de sortie du montage en pont, qui reste positive.
La structure en pont offre des meilleures tenues en puissance. tant donn que deux diodes en srie sont
conductrices simultanment, la puissance critique est rduite en rduisant la chute de tension aux bornes de
chaque diode. En revanche, comme le signal doit toujours franchir deux tensions de seuil, le rendement est
mdiocre dans le cas des faibles puissances incidentes. Cest pour cette raison que cette structure nest pas la
plus adapte pour des faibles niveaux de puissance.
2.4.1.5 Rectennas base de transistors MOSFET

La conversion RF-DC est effectue en utilisant des transistors MOSFET pour lesquels la commande
est constitue par le signal rectifi lui mme. Plusieurs topologies existent. Le circuit de la Figure 2.24 est
conu pour alimenter un capteur semi-actif. La batterie prsente dans le systme sert pr-polariser les deux
transistors NMOS afin daugmenter la sensibilit de la structure. Cette topologie affiche 11% de rendement
de conversion RF-DC pour une puissance dentre de -6 dBm, ce qui correspond 250 W de puissance
incidente 950 MHz [Umeda et al., 2006].
Des redresseurs double alternance base de MOSFET ont galement t proposs. Le circuit de la Figure
2.25 fonctionne sur le mme principe que le pont redresseur avec un retour de courant travers les diodes
Schottky. Cette structure offre une bonne efficacit mais uniquement pour des niveaux de puissance suprieurs
1 mW. Ceci se justifie par le fait que la sensibilit est dgrade par la prsence de pertes supplmentaires
dans les diodes [Lam et al., 2006].
Les doubleurs et multiplieurs de tension ont galement leurs quivalents en utilisant des transistors MOSFET. La structure de la Figure 2.26 est un multiplieur de tension plusieurs tages, qui peut tre facilement
configur en fonction du niveau de tension ncessaire, pour une application spcifique. Les rsultats exprimentaux on montr des caractristiques excellentes en dtection 900 MHz. Lutilisation dune telle structure
est moins pratique lorsquon recherche fournir de lnergie un circuit, en raison de son faible rendement
de conversion [Yao et al., 2009].
2.5. CONCLUSION
33
F IGURE 2.24 Redresseur RF-DC base de transistors NMOS [Umeda et al., 2006]
2.5
Conclusion
Les travaux autour des systmes de transmission dnergie sans fil sont ports par le dveloppement acclr des dispositifs lectroniques nomades (smartphones, tablettes, capteurs sans fil). Ces dispositifs intgrent
de plus en plus de fonctionnalits et la possibilit de les alimenter sans fil apporterait un grand avantage qui
leur permettrait de limiter lencombrement des batteries.
Plusieurs techniques de transmission dnergie sans fil existent et le choix dun mthode par rapport
une autre se fait en fonction des spcificits de lapplication vise. Dans le cadre du projet RWU, ou il y a des
fortes contraintes quant aux dimensions de lmetteur et du rcepteur, ainsi que le besoin de raliser un rveil
sur une distance de plusieurs mtres, le choix du transfert par microondes simpose. Les niveaux dnergie
impliqus sont trs faibles, en raison des normes sanitaires de protection des personnes, do la ncessit
davoir en rception des rectennas trs sensibles et qui soient capables de fermer linterrupteur de puissance
avec un faible niveau de tension dentre. La conception dtaille de ces structures rectenna trs sensibles
ainsi que du systme de rveil complet sera dtaille par la suite.
34
F IGURE 2.25 Redresseur synchrone double alternance [Lam et al., 2006]
F IGURE 2.26 Multiplieur de tension plusieurs tages base de transistors MOSFET
Chapitre 3
Vue densemble du systme de rveil

Cette partie dcrit de faon fonctionnelle le systme de rveil complet. Un cahier de charges fonctionnel
est issu des applications envisages par les utilisateurs du systme, en concordance avec leurs produits respectifs. Des contraintes issues du cadre des applications potentielles donne lieu un cahier de charges technique
qui fixe les performances atteindre au niveau de chaque sous-partie de lensemble. Plusieurs scnarios de
fonctionnement permettent de discerner les stratgies les plus ralistes adopter lors de la conception du
systme.
3.1
Cahier de charges fonctionnel du systme
Le cahier de charge (CdC) fonctionnel [Consortium RWU, 2010], rdig par les principaux utilisateurs
finaux des produits (les end-users ) permet de fixer le cadre applicatif du systme. Les applications potentielles issues de ce CdC permettent de mieux fixer les contraintes respecter en terme de porte, encombrement, cot et cadre normatif vrifier lors de la phase de conception du systme.
Le CdC fonctionnel peut se diviser en plusieurs parties, en fonction du domaine dapplication vis pour
le systme de rveil distance par ondes lectromagntiques. On distingue ainsi des applications dans le domaine de la domotique, le secteur tertiaire, lautomobile ou encore pour des applications en milieu industriel.
3.1.1
Applications domotiques
Dans le cadre du consortium RWU, le end user le plus concern par ce type dapplications est la
socit Legrand, acteur majeur du domaine de la domotique. Lobjectif de cette partie est de prsenter les
applications potentielles du systme de rveil dans le cadre de la gamme de produits et systmes Legrand.
Dans la mesure o RWU na de sens que dans lassociation dune (tl)commande et dun rcepteur, nous
utiliserons indiffremment les termes produit, dispositif et systme pour dcrire ces associations dau moins
deux composants (une tlcommande et un rcepteur).
Les applications potentielles sont la commande RF dclairage, de volets roulants, de chauffage/climatisation,
mais galement des prises coupe-veille commandes ou bien des sonnettes, des alarmes anti intrusion,
des alarmes techniques, des mdia serveurs. De manire plus gnrale, on peut imaginer appliquer le systme
pour tout appareil lectronique qui comporte une fonction de veille :
Tlvision
35
36
CHAPITRE 3. VUE DENSEMBLE DU SYSTME DE RVEIL

Vidoprojecteur
Dcodeur de tlvision (cble, antenne satellite)
enregistreur DVD / BlueRay / HDD
Chaine Hifi
Home cinma
PC multimdia
Commande de porte de garage et de portail
Commande de fentre de toit
On pourrait distinguer 2 typologies dinstallation domotique utilisant des tlcommandes qui adressent des
dispositifs situs dans la mme pice.
Lajout dune tlcommande fixe au mur qui permet par exemple de crer un va et vient dans une pice
o cela manquait. Typiquement la chambre avec un interrupteur simple qui commande le plafonnier.
Lajout dune commande fixe sur la table de chevet ou sur le mur ct de la table de chevet permet de
faire un va & vient. Critres techniques : la tlcommande doit avoir un format tlcommande RF fixe,
soit enjoliveur + plaque et tre omnidirectionnel (Figure 3.1). Le rcepteur doit avoir le format boitier
dappareillage (et format prise commande, comme dans la Figure 3.1). La distance maximale doit
tre infrieure 8 m. Le trajet direct metteur-rcepteur nest pas forcment sans obstacle (individu
qui appuie sur la commande, autres individus, mobilier, cloison, pan de mur) mais est dans la mme
pice. Le temps de rponse est de 300 ms.
La tlcommande mobile utilise comme celle de la tlvision. Elle permet dans le salon ou la pice
vivre de matriser lenvironnement multimdia et domotique simultanment, le cas chant avec la
mme tlcommande. Critres techniques : la tlcommande doit tre intgrable dans tous les formats,
idalement elle est omnidirectionnelle. Le rcepteur doit avoir le format botier dappareillage. La porte est de 8 m.
Dans les installations dclairage tertiaire, une application potentielle est le concept Manuel On / Auto
Off [Legrand, 2012]. Il sagit dun concept en vogue sur le march US pour les installations dclairage
des bureaux et qui est assez rcent sur le march en Europe. Il y a une commande qui permet de lancer
lclairage, cest linterrupteur que lon voit sur la photo de la Figure 3.2. Cette commande est soit filaire
soit IR soit RF, cest ce dernier cas qui nous intresse. Le rcepteur RF est localis dans le dtecteur de
mouvement (pyrolectrique et/ou ultrasonique). Critres techniques : la tlcommande doit tre intgrable
en format appareillage ou tlcommande classique . Le rcepteur doit tre intgrable dans un capteur de
mouvement ( ceiling ou corner mount ). La porte est de 7 m.
Un autre exemple serait celui du bloc poste de travail avec des prises esclaves (asservies la dtection de
prsence). Il sagit dun bloc sur le bureau qui combine une prise de courant permanente (pour lordinateur)
et des prises commandes pour les accessoires (ventilateur, lampe de bureau, imprimante). Ces prises commandes sont coupes en priode de non activit et sont mises sous tension quand les personnes sont censes
tre prsentes. La mise en service est faite par diffrents moyens selon lusage. Sont identifis un poussoir
temporis, une horloge, une mesure de courant sur la prise du PC et cest le cas qui nous intresse un dtecteur
3.1. CAHIER DE CHARGES FONCTIONNEL DU SYSTME
F IGURE 3.1 metteurs et rcepteurs Legrand
F IGURE 3.2 Systme Manuel On / Auto Off Legrand [Legrand, 2012]
37
38
de mouvement tertiaire. Lmetteur est donc dans le dtecteur et le rcepteur dans le bloc nourrice. Critres
techniques : la tlcommande doit tre intgrable dans un dtecteur de prsence tandis que le rcepteur sera
dans le bloc de prises. La porte est de 7 m.
Lutilisation dun mediaserver sapparente celui de la tlvision, des dcodeurs ou encore des chaines
Hifi. Il rend disponible les contenus des PCs sur les tlviseurs. Critres techniques : la tlcommande est
directionnelle, dans lidal elle doit tre petite pour laisser le choix de design final le plus ouvert possible. Le
rcepteur doit tre intgrable dans un mdiaserver. La porte est de 5 m.
Les commandes domotiques peuvent dpasser le primtre de la pice car elles grent un systme du
logement (alarme, chauffage) ou alors parce quelles centralisent une action (par exemple la commande prs
de la porte principale du logement permet dteindre les lumires, de fermer les volets, de passer le chauffage
en mode rduit, de couper certaines veilles, de mettre en route lalarme). Critres techniques : la tlcommande peut avoir un format tlcommande RF fixe ou mobile. Le(s) rcepteur(s) doi(ven)t avoir le format
botier dappareillage (et format prise commande). La distance maximale doit tre infrieure aux diagonales
dun logement, soit de lordre de 25m. Le trajet direct est bien entendu rempli dobstacles : murs, cloisons,
mobiliers. Le temps de rponse est de 0,3 s dans le primtre immdiat (pour le feedback) et de plusieurs
secondes pour le reste de la maison.
3.1.2
Applications automobile
Depuis la fin des annes 1980, la tlcommande de centralisation (verrouillage/ dverrouillage des portes,
vitres, toit ouvrant et alarme) est une fonction incontournable dans lutilisation dun vhicule. Aujourdhui,
un vhicule passe environ 80% de sa vie larrt et verrouill. Cependant, dans cet tat verrouill, le vhicule
doit tre en permanence en tat dcoute dun ordre douverture. Pour cela, le rcepteur du vhicule doit tre
en tat de surveillance dun ventuel message de dverrouillage de la part de la tlcommande. Ce rcepteur
se rveille de faon cyclique (toutes les quelques dizaines de ms), pour scruter ce message.
La tlcommande nergisante, de type RWU, a pour objectif de remplacer la tlcommande actuelle,
de prfrence sans modifier ni les caractristiques de la fonction de base de verrouillage / dverrouillage
centralis du vhicule, ni lergonomie ou lhabitude dutilisation du conducteur. Cette nouvelle technologie
de tlcommande permettra un tat de consommation plus bas en tat verrouill. Pour un vhicule non muni
dun systme dalarme, ltat verrouill correspond alors une consommation ZERO.
Deux formats de tlcommandes existent actuellement (Figure 3.3) :
Le format Badge de type Renault de dimensions 90 mm x 55 mm x 5 mm environ.
Le format cl qui a une taille denviron 70 mm x 35 mm x 20 mm (la cl mcanique dpasse ou se
replie dans le boitier
La tlcommande existe aussi en version accs main libre. Aujourdhui, les constructeurs automobiles
demandent dans leurs cahiers des charges, une autonomie de la tlcommande, denviron 2 ans pour 10
appuis bouton par jour. Lalimentation se fait par une pile plate 3V du type CR2032 (~250mAh).
Pour la tlcommande, il sagit dvaluer et de proposer une technologie intgrable dans un volume de
PLIP similaire lexistant, vis--vis de la batterie, llectronique et lantenne et dassurer lautonomie en
nergie de la tlcommande. La contrainte majeure est donc dintgrer cette nouvelle technologie dans un
volume restreint, dfini ci-dessus. De cette dernire, en dcoule une deuxime contrainte : celle de lautono-
3.1. CAHIER DE CHARGES FONCTIONNEL DU SYSTME
39
F IGURE 3.3 Diffrentes types de tlcommandes automobile
F IGURE 3.4 Applications pilotes sans validation radio de rveil (gauche) ; Applications pilotes avec
validation radio de rveil (droite) [Consortium RWU, 2010]
mie de la batterie de la tlcommande.
Le rcepteur est plac dans le vhicule et nest pas une fonction visible par lutilisateur. Il ny a pas de
contrainte particulire de design, dergonomie, ou de volume. Le rcepteur est rgulirement intgr dans
un module multifonction. La liaison Radio se fait travers les matriaux de carrosserie et les vitres (parebrise athermique). Lantenne du rcepteur est en gnral, intgre au module. Il sagit peut tre de dporter
lantenne lextrieur. Sur un parking, un grand nombre de vhicules risque de se rveiller en permanence
cause des missions de tlcommandes en cascade. Il est indispensable de prvoir un identifiant autorisant le
rveil. La porte de la tlcommande sera suprieure 20 m.
3.1.3
Autres applications
De manire plus gnrale, le concept RWU est applicable tout systme comportant une phase de veille
et qui doit tre rveill distance. La tlcommande peut tre portative (de taille similaire une tlcommande de tlviseur) ou intgre dans un systme fixe comprenant dautres sous-ensembles. Rentrent dans
cette catgorie les diffrents types de capteurs ou rseaux de capteurs, qui doivent fonctionner de manire
sporadique, uniquement lorsquils sont sollicits ou interrogs par une station centrale ou un nud voisin.
Deux types dapplications sont possibles (Figure 3.4) :
Applications pilotes sans validation radio de rveil. Dans ce type dapplications, la tlcommande
40
F IGURE 3.5 Principe du rveil distance par lintermdiaire dun faisceau de microondes
rveille le systme piloter en apportant simplement de lnergie au rcepteur. Cela permet de rveiller
simplement et/ou cycliquement le produit piloter. Cette application peut tre alors associe au produit
munis de capteurs fonctionnant sur piles ou sur batterie.
Applications pilotes avec validation radio de rveil. Dans ce type dapplication, la problmatique est
la mme que prcdemment sauf que dans ce cas, le produit rveiller dispose dun systme radio
permettant de valider lordre de rveil et de communiquer ventuellement avec la tlcommande pour
les besoins de lapplicatif.
La tlcommande devra fonctionner sur piles (idalement de type AA ou AAA) en fonctionnement nomade
ou alors partir dune tension 3,3V au maximum. Lencombrement ne devra pas dpasser lintgration dans
une tlcommande de type tlviseur, soit 50 mm x 120 mm. Pour le rcepteur, lencombrement devra tre le
plus petit possible. Pour la partie avec radio, lantenne pourrait tre idalement la mme que celle de RWU.
La porte devra tre de plusieurs mtres dans un environnement dgag de tout obstacle.
3.2 Cahier des charges technique du systme

Cette partie a pour rle de fixer les niveaux de performance atteindre pour chaque partie constituante
du systme de rveil distance RWU. Les contraintes dencombrement relatives aux domaines dapplication
(rsidentiel, automobile, tertiaire) ayant t traites dans le CdC fonctionnel, les contraintes fixes par ce
cahier des charges diffrent suivant le scnario de rveil.
3.2.1
Elments constituants du systme
3.2.1.1 Principe de fonctionnement

La Figure 3.5 prsente le principe du rveil distance. La source micro-ondes et lantenne dmission
sont localises dans la tlcommande tandis que la rectenna et linterrupteur servant fermer lalimentation
(associ ltage de dmodulation) sont intgrs au dispositif rveiller ou dans un boitier mural.
Daprs le schma de principe du systme complet dcrit ci-dessus, on peut prsenter le rveil distance
comme tant un processus qui se droule en 3 phases principales :
Emission
Propagation
3.2. CAHIER DES CHARGES TECHNIQUE DU SYSTME
41
Rception
Chacune des 3 phases de fonctionnement se voit imposer des contraintes respecter afin dassurer le bon
fonctionnement du systme au niveau technique, sa viabilit conomique et le respect des normes existantes
dans le domaine.
Au niveau fonctionnel, le systme de rveil doit garantir une porte de 5 m au minimum entre la tlcommande et le rcepteur et avoir un temps de rponse de 300 ms au maximum.
3.2.1.2
Emission
Le dispositif dmission ou la tlcommande ralise deux fonctions principales :

Emission dune trame dnergie
Emission dune information (ladresse)
Pour la tlcommande, plusieurs paramtres doivent tre fixs et certains de ces paramtres varient en fonction du scnario dutilisation (tlcommande fixe au mur, tlcommande type tlviseur) mais aussi en
fonction du scnario de rveil retenu du ct du rcepteur. Elle se compose de 3 lments :
Une source dnergie
Un circuit de gnration du signal mis
Une antenne dmission
a) Source dnergie :
La tlcommande peut tre alimente de deux manires suivantes :
Fonctionnement sur secteur
Alimentations par piles/accumulateur
Dans le cas des tlcommandes fixes au mur, le secteur peut reprsenter la source dnergie. Un appui sur la
tlcommande ferme linterrupteur de puissance et enclenche lalimentation de la circuiterie dmission. La
tlcommande murale peut tre aussi alimente par un stockage dnergie de type pile CR 3032 ou accumulateur rechargeable ayant des dimensions similaires.
Pour ce qui est de la tlcommande portable de type tlcommande de tlviseur, un stockage local
dnergie simpose. Il sera du type pile CR 3032 ou plus grand si lencombrement le permet, de type pile AA
ou AAA par exemple (ou accumulateurs rechargeables de dimensions semblables).
Lautonomie de la tlcommande doit dpasser 2 ans avec 10 rveils/jour.
b) Gnration du signal mis :
La tlcommande doit tout dabord envoyer une trame dnergie. Cette nergie sera envoye sous forme
dun signal sinusodal de frquence comprise dans la bande 2.4 - 2.5 GHz ayant une dure maximale de 100
ms par impulsion. Un amplificateur de puissance sera utilis pour fournir le signal la puissance souhaite.
Daprs les tudes menes par la socit Sorec, il semble difficile de dpasser un niveau de puissance mise
42
F IGURE 3.6 Comparaison des caractristiques de plusieurs amplificateurs de puissance 2442 MHz
de 1 W (30 dBm) en sortie de lamplificateur de puissance, tout en limitant les cots. La consommation
quivalente serait de 3 W, en raison dune utilisation hors des spcifications fabriquant (dpassement du point
de compression 1 dB ou le P1dB)(Figure 3.6).
Un signal de donnes doit aussi tre envoy. La gnration de cette trame ncessite la prsence dun
micro-contrleur et dun gnrateur de signal la frquence choisie. Le codage de linformation se fera suivant un protocole simpliste, du type Amplitude Shift Keying (ASK) afin de pouvoir raliser la dmodulation
avec une dpense nergtique minimale. La frquence de linformation ne devrait pas dpasser 1 MHz tandis
que la dure dmission de plusieurs trames identiques sera de lordre de 10 ms. La puissance dmission du
signal dinformation sera infrieure 10 mW ERP.
c) Antenne dmission :
Le signal de puissance sera mis vers le rcepteur travers une antenne incluse dans la tlcommande.
Deux cas apparaissent, en fonction du scnario dutilisation de la tlcommande.
Dans le cas dune tlcommande murale, la taille des interrupteurs laisse peu de place pour une antenne
type patch et ses performances varient considrablement suivant le matriau de la paroi. Son gain dpassera
difficilement les 5 dBi dans un plan perpendiculaire lantenne. De plus, il faut viter que la main de lutilisateur soit place directement devant lantenne. Une solution serait de placer le bouton poussoir sous lantenne,
comme dans la Figure 3.7.
Dans le cas des tlcommandes portables (de type tlviseur) les antennes seront directives avec le diagramme de rayonnement situ dans le plan de lantenne (Figure 3.8). Les ralisations montrent quil est
possible dobtenir des antennes prsentant un gain de 6 dBi au minimum.
Lencombrement maximal acceptable pour la tlcommande est soit les dimensions des interrupteurs
muraux Legrand dans le cas des tlcommandes fixes ou bien les dimensions spcifiques une tlcommande
de tlviseur (120 mm x 50 mm) pour une tlcommande mobile.
F IGURE 3.7 Interrupteur avec bouton poussoir plac sous lantenne
F IGURE 3.8 Antenne directive intgre dans un boitier de tlcommande de type tlviseur
43
44
Pr = Se f f =
Pe Ge Gr 2
4 R2
4
(3.1)
F IGURE 3.9 Bilan de liaison entre deux antennes en communication

3.2.1.3 Bilan de liaison
Le bilan de liaison est couramment valu grce la formule de Friis (Figure 3.9). Cette relation nest
valable que dans un cas idal, o les deux antennes communicantes sont parfaitement alignes et il ny a
pas dobstacle entre les deux. Elle est dautant moins valable lorsquun objet mtallique ou un corps humain
est interpos entre les antennes. Le corps humain, tant constitu en grande partie deau (70 %) absorbe la
quasi-totalit de la puissance mise. Un objet mtallique a un effet de rflecteur sur le faisceau dnergie.
Le systme ne pourra donc pas fonctionner dans les cas mentionns ci-dessus. Compte tenu du fait que les
antennes utilises sont directrices, il faut galement prvoir une erreur dalignement des axes des antennes.
Nous estimons quun dsalignement de 10 entre les deux axes est acceptable.
Les rflexions multiples sur des objets situs dans la pice auront une influence sur la puissance reue
au niveau du rcepteur. En fonction du trajet suivi par londe rflchie, et donc de sa phase, cette dernire
peut avoir une influence constructrice ou destructrice sur la puissance reue par le rcepteur. En pratique,
cette influence dpend de nombreux facteurs et est impossible valuer avec prcision. Il est toutefois justifi
de considrer quune onde ayant subi des rflexions multiples a parcouru un chemin considrablement plus
important que londe directe, avant darriver au niveau du rcepteur. De plus, une partie de son nergie a t
cde lors des rflexions. Son influence sera donc faible par rapport londe directe, dans la plupart des cas.
De faon valuer les puissances ncessaires lmission, un bilan de liaison a t calcul considrant
2 antennes identiques en mission et rception avec un gain de 6 dB. Les rsultats sont donns sur la Figure
3.10 pour diffrents seuils de rception.
Ces rsultats montrent quun seuil de rception au niveau de la structure de rectification de lordre de -15
dBm permettrait datteindre une porte de presque 5 m si la puissance de lmetteur est de 500 mW. Cependant, au-del de lordre de grandeur qui est donn par ces courbes, le paramtre dimensionnant la liaison nest
pas tant la puissance Pr reue, mais le niveau de tension Vout en sortie de la structure de rectification. En effet,
cest cette tension qui permet le dclenchement du MOSFET. Bien que lie Pr, elle est aussi dpendante de
larchitecture du circuit de rectification, des non-linarits des diodes et de limpdance prsente par lantenne. Il est donc ncessaire de mener une tude complmentaire sur loptimisation globale de la chane pour
connaitre les portes relles pouvant tre atteintes dans le cadre du projet RWU.
3.2.1.4 Rception
a) Antenne de rception :
Lantenne de rception fonctionnera une frquence centrale de 2.45 GHz. Ses dimensions devraient permettre une intgration dans un boitier dinterrupteur de la gamme Legrand, ayant des dimensions de 74 mm x
74 mm. Une antenne de type patch pourrait respecter cette contrainte, tout en fournissant un gain de 4 5 dB.
45
F IGURE 3.10 Puissance ncessaire lmission de lantenne en fonction de la distance pour deux antennes
identiques ayant des gains de 6 dB en mission et rception. Paramtrage en fonction du seuil de puissance
(en dBm) qui permet de fermer linterrupteur au niveau du circuit de rception
Dans certaines applications, lespace disponible pour lantenne de rception est plus important (intgration
dans un dtecteur de fume, dans le sous-plafond dune pice, etc) ce qui ouvre la possibilit dy loger des
antennes de taille et de gain plus importants. Une valeur minimale de 6 dBi est souhaitable.
b) Etage de rectification
La conception de la rectenna se fait suivant deux objectifs. Dans un premier temps, on peut privilgier un
rendement de conversion lev. Les rsultats de simulation et de mesures ralises jusqu prsent affichent
des rendements compris entre 20 % et 30 % pour des niveaux de puissance incidente de lordre de -15 dBm.
On fixe donc un objectif de 30% -15 dBm pour une rectenna rechargeant un condensateur qui servira comme
source dnergie pour le systme de rveil.
Lautre objectif vise privilgier un niveau de tension DC le plus grand possible pour une puissance
dentre donne. Les mesures effectues sur les prototypes de rectennas fabriques affichent des valeurs de
tension DC de lordre de 300 mV pour des niveaux de puissance incidente de lordre de -17 dBm.
Pour ce qui est de lencombrement du circuit de rectification (sans lantenne de rception), les ralisations
prcdentes montrent quon peut faire rentrer tous les composants CMS ncessaires dans une surface de 1
cm x 1 cm. Ces composants peuvent facilement tre logs sur la face arrire du PCB contenant lantenne
rceptrice (derrire le plan de masse).
La frquence centrale de fonctionnement de la rectenna doit tre de 2.45 GHz. Le circuit de rectification
aura une impdance caractristique gale au conjugu de limpdance de lantenne de rception. La valeur
de cette impdance reste dfinir et cela en fonction de la topologie de circuit utilis.
c) Etage de dmodulation
Ltage de dmodulation a comme rle lextraction de lidentifiant (ladresse) contenu dans le signal
46
F IGURE 3.11 Scnario full-passif

dinformations envoy par la tlcommande (extraction dun signal BF partir dun signal RF). La frquence
de la porteuse du signal dinformations sera soit identique celle du signal de puissance, si les normes le
permettent, ou bien diffrente (433 MHz, 868 MHz, etc). Sa consommation lectrique maximale est fixe
100 W en fonctionnement. La dure de fonctionnement nexcdera pas les 10 ms pour la dmodulation de
plusieurs trames dadresse identique. Le besoin maximal en nergie est donc de lordre de 1 J. Le signal de
sortie dmodul aura une amplitude gale +Vdd (la tension dalimentation). Le rcepteur radio doit avoir
un seuil de rception dau moins -50 dBm. Un metteur de 10 mW une distance de 10 m permet dobtenir
un niveau de -40 dBm au niveau du rcepteur, en considrant deux antennes de 0 dBi chacune. Ceci permet
de respecter le cahier de charges.
d) Interrupteur de puissance :
Linterrupteur de puissance est le composant au niveau duquel nous allons retrouver la majorit de lnergie consomme par le systme ltat de veille et elle sera due aux courants de fuite dans les transistors MOS.
Linterrupteur doit se caractriser par une consommation en veille aussi faible que possible pour justifier le
gain en terme de consommation de veille. La limite de cette consommation est fixe 1 mW, en concordance
avec lobjectif RWU. La quantit dnergie ncessaire la fermeture de linterrupteur de puissance ne doit
pas excder 0,2 J (60 nC sous 3 volts sur la grille du MOS de puissance). Au niveau encombrement, linterrupteur de puissance doit pouvoir tre log dans un volume 34 mm x 40 mm x 50 mm, correspondant au
boitier de linterrupteur mural en rception de la gamme Legrand.
3.3
Scnarios de rveil
Au niveau du rcepteur, le dimensionnement des diffrentes parties constitutives dpend fortement du

scnario de rveil envisag. Les diffrents scnarios retenus sont dtaills par la suite.
3.3.1
Scnario 1 : Full passif
Le premier scnario envisageable (et le plus optimiste) consiste en un systme entirement passif, qui a
comme seule source dnergie les ondes lectromagntiques envoyes par une tlcommande. Le schma de
principe dun tel systme est donne dans la Figure 3.11.
3.3. SCNARIOS DE RVEIL
47
Le fonctionnement du systme est le suivant :

Rception du signal de puissance une frquence F1
Rectification de celui-ci par la rectenna et stockage de lnergie dans le condensateur C1
Alimentation de ltage de dmodulation partir du condensateur C1
Rception du signal de donnes la frquence F2 (adresse IP ) et dmodulation (Utilisation possible
de la mme antenne bi-bande ou de la mme frquence que celle du signal de puissance)
Si ladresse est correcte, on active le driver
Le driver ferme linterrupteur de puissance avec lnergie du condensateur C1
Compte tenu de la faible quantit dnergie disponible une distance de quelques mtres de la tlcommande
RF, ltage radio de dmodulation doit fonctionner avec une faible tension dalimentation et consommer trs
peu. Il est possible de concevoir des rcepteurs radio trs peu consommateurs (< 100 W [Pletcher et al., 2007])
et qui sont aliments avec un niveau de tension de 0.5 V, niveau qui est atteignable avec des rectennas tout
en limitant le niveau de puissance mise par la tlcommande des niveaux ralistes. Ce scnario suppose
que lnergie capte partir des microondes suffit pour alimenter ltage de dmodulation et de fermer linterrupteur de puissance.
Dans ce scnario, outre le fait de rcuprer la quantit dnergie ncessaire lalimentation de ltage de
dmodulation (environ 1 J), on doit garantir un niveau de tension DC de lordre de 2 V au minimum afin
de pouvoir commander directement la grille de linterrupteur de puissance. Les rectennas fabriques jusqu
prsent ont besoin dun niveau de puissance incidente de lordre de 0 dBm pour atteindre ce niveau de tension
DC. Le bilan de liaison montre, dans le meilleur des cas (antennes parfaitement alignes, transmission sans
obstacles) que pour assurer une porte de 5 m minimum avec deux antennes de 6 dBi de gain, il faut mettre
16 W de puissance au niveau de la tlcommande. Avec le niveau de puissance dmission de 1 W tabli
comme tant le niveau maximal ralisable avec des composants standards ayant des couts raisonnables, la
porte dun systme fonctionnant suivant un scnario tout passif serait de seulement 1,2 m. Un niveau de
puissance mise plus important risque de poser aussi des problmes dun point de vue normatif.
Sil semble possible de raliser une dmodulation basique avec lnergie rcupre par la rectenna (dans
certaines conditions de porte et de puissance mise), il nest pas certain que lnergie rcupre soit suffisante
pour la fermeture de linterrupteur de puissance, qui a besoin dun niveau de tension minimum de 2 V. Cest
pour cela que le scnario 1bis (Figure 3.12) vient lesprit.
Dans ce scnario, lalimentation de ltage de dmodulation de la trame radio contenant ladresse se
fait toujours exclusivement partir de lnergie provenant des ondes lectromagntiques, mais la fermeture
du MOS est ralise avec de lnergie contenue dans un stockage local. Cette nergie nest utilise que
lorsque ltage de dmodulation a identifi la bonne adresse. Le stockage local peut tre une pile, un super
condensateur ou un accumulateur rechargeable pendant les phases de fonctionnement de la charge. Dans ce
scnario, la question de lautonomie apparait.
Le scnario 1 bis offre lavantage de ncessiter uniquement une quantit dnergie limite qui sert
alimenter la dmodulation, tandis que le niveau de tension ncessaire lenclenchement de linterrupteur de
puissance provient dun stockage local type pile 3 Volts. Au niveau de la rectenna, une nergie de 1 J sous
0,5 V au minimum doit tre fournie pour le rcepteur radio, tandis quune tension de 300 mV suffit pour
commander la grille dun MOS basse tension. Le niveau de puissance incidente correspondant un niveau
48
F IGURE 3.12 Scnario passif avec stockage local pour fermer linterrupteur de puissance
de tension de 0.5 V est estim -13 dBm. Pour assurer une porte de 5 m, la tlcommande doit mettre 0,83
W de puissance. 1 W de puissance mise correspond une porte de 5,5 m environ, toujours en prenant en
compte le meilleur des cas.
Le courant de fuite du transistor basse tension est de lordre de 1 A sous 3 V, soit une consommation
en veille de 3 W sur le stockage local. Sur une journe, cela correspond 0,26 J. Le MOS de puissance
ncessite une nergie denviron 0,2 J sur sa grille pour le faire commuter. En supposant 10 rveils/jour, cela
correspond 2 J chaque jour, soit une quantit ngligeable par rapport aux 0,26 J dus au courant de fuite.
Une batterie CR 2032 230 mAh offrirait une autonomie thorique de 18 ans (avec un rendement moyen de
70% au niveau de la batterie), soit plus que la dure de vie prconise pour un appareil lectronique.
3.3.2
Scnario 2 : Semi Actif
Dans ce type de scnario, on suppose lexistence dun stockage local (ventuellement rechargeable pendant les priodes de fonctionnement de lappareil) qui est utilis pour alimenter le rcepteur radio et pour
ensuite fermer linterrupteur de puissance une fois que la bonne adresse a t identifie (Figure 3.13). Lnergie provenant du faisceau microondes mis par la tlcommande ne sert qu fermer linterrupteur du circuit
basse tension. Il sagit de faire commuter un MOS basse tension, un niveau de tension trs bas suffit (de
lordre de 300 mV). Ce scnario prsente lavantage de diminuer considrablement le niveau de puissance
mis par la tlcommande, car la seule nergie ncessaire est celle pour commander la grille dun MOS faible
tension, alors que avant on devrait aussi alimenter le rcepteur radio. On gagne ainsi en autonomie en ce qui
concerne la tlcommande, mais la question de lautonomie du rcepteur apparait. Un autre avantage est le
fait que cette fois-ci le rcepteur radio est aliment par une source locale dnergie, il peut donc consommer
plus et avoir des performances bien meilleures en terme de sensibilit, pouvant galement effectuer une dmodulation dun signal plus complexe. Lnergie de fermeture de linterrupteur de puissance vient galement
du stockage local.
Dans ce scnario, seuls les 300 mV de tension DC suffisent pour rveiller le systme. En entre de la
rectenna, ceci se traduit par un niveau de puissance incidente de -17 dBm. Cela correspond une puissance
dmission de 330 mW 5 m de distance, ou une porte de 8,5 m dans le meilleur des cas avec une puissance
3.3. SCNARIOS DE RVEIL
49
F IGURE 3.13 Scnario semi-actif
F IGURE 3.14 Scnario semi-actif avec pr dmodulation basique

dmission de 1 W.
Le courant de fuite du transistor basse tension est de lordre de 1 A sous 3 V, soit une consommation
en veille de 3 W sur le stockage local. Sur une journe, cela correspond 0,26 J. Comme nous lavons dj
mentionn, le MOS de puissance ncessite une nergie denviron 0,2 J sur sa grille pour le faire commuter et
le rcepteur radio en ncessite 1J. En supposant 10 rveils/jour, cela correspond 12 J chaque jour, soit une
quantit ngligeable par rapport aux 0,26 J dus au courant de fuite. Une batterie CR 2032 230 mAh offrirait
une autonomie thorique de 18 ans (avec un rendement moyen de 70% au niveau de la batterie), soit plus que
la dure de vie prconise pour un appareil lectronique. Dans la plus part des cas, la batterie naura jamais
besoin dtre remplace.
Un inconvnient possible serait le risque de rveiller le rcepteur radio par un niveau de champs trop important (par exemple si le rcepteur est situ proximit dune borne WiFi). Bien videmment, linterrupteur
de puissance ne sera pas enclench car le dmodulateur ne dtectera pas la bonne adresse, mais des rveils
frquents du dmodulateur auraient comme effet un puisement plus rapide de lnergie du stockage local.
Une solution possible pour liminer ce risque est reprsente par le scnario 2bis (Figure 3.14)
La modification consiste en la prsence dun tage de dmodulation extrmement basique, qui a pour
50

Scnario
Full Passif
Full Passif bis
Semi-actif
Puissance mise (W)

1
16
0.83
1
1
0.5
0.33
Porte (m)
1.2
5
5
5.5
8.5
6.2
5
TABLE 3.1 Rcapitulatif des portes atteignables pour diffrentes scnarios et diffrentes puissances
dmission
seul rle de reconnaitre la prsence dun certain motif dans le signal de puissance, afin de permettre une
distinction entre le signal mis par la tlcommande et la prsence dun champ lectrique d la borne WiFi
ou un ordinateur portable. Cest uniquement lorsque ce motif a t reconnu dans le signal de puissance
que linterrupteur du stockage local est enclench et le rcepteur radio est prt couter la trame contenant
ladresse. Cet tage supplmentaire ne devrait pas engendrer une surconsommation notable par rapport au
scnario prcdent.
Pour rsumer sur les diffrents scnarios, le Tableau 3.1 prsente les portes atteignables pour diffrentes
puissances dmission, en prenant comme hypothse lutilisation de deux antennes 6 dBi parfaitement alignes et un environnement sans obstacle.
La conclusion qui en dcoule est que le scnario full passif ne permet pas de rpondre au cahier des
charges concernant la puissance maximale mise ou la porte atteindre. Ce scnario ne semble pas raliste
dans le cas dune application grand publique .
Parmi les scnarios de fonctionnement prsents, le scnario Full-passif demande un niveau de puissance
mise bien suprieure aux autres scnarios afin datteindre la porte dsire. Dans sa version prsente ici, ce
scnario ne semble pas ralisable cause du niveau lev de tension DC ncessaire pour la polarisation de la
grille du transistor MOS de puissance. Il serait ncessaire dintroduire un convertisseur DC / DC capable de
fournir cette tension partir dun niveau beaucoup plus bas en sortie de la rectenna (de lordre de 300 mV)
afin de pouvoir afficher des performances semblables aux scnarios qui incluent lexistence dun stockage
local dnergie au niveau du rcepteur.
En se basant sur les performances obtenues lors des pr-dimensionnements des diffrents lments du
systme, on peut conclure que le scnario Semi-actif permet de rpondre au cahier des charges fonctionnel
fix. Comme il a t prouv, la prsence dun stockage local nimplique pas un besoin de maintenance supplmentaire (remplacement de la pile) car sa dure de vie prvisionnelle dpasse la dure dutilisation prvue
pour un appareil lectronique. En effet, on dpasse largement les 10 annes dautonomie thorique, on peut
donc considrer la pile comme tant un composant comme les autres, non remplaable.
Les valeurs donnes ici reprsentent les limites infrieures (ou suprieures) qui permettent un fonctionnement du systme dans le meilleur des cas (alignement parfait des antennes et absence dobstacles). Il est
particulirement difficile destimer la dgradation des performances due notamment la prsence dobstacles,
en raison de la multitude des paramtres relatifs leur nature et forme. Une erreur dalignement infrieure
10 ne dgrade pas de manire svre les performances, et une telle prcision dalignement est assez facilement ralisable avec une tlcommande tenue la main en visant lappareil rveiller. Il semble difficile
de rpondre au cahier de charges avec une tlcommande omnidirectionnelle.
3.4. CONCLUSION
51
La viabilit technique et conomique du systme prsent dpend aussi fortement des aspects normatifs
relatifs la scurit des personnes. Ces aspects ntant pas encore entirement clarifis ce jour, le principe
de la prcaution suggre de privilgier les scnarios permettant dobtenir les mmes rsultats avec un niveau
de puissance mise la plus faible possible. Cest aussi pour cela que le scnario semi-actif semble simposer
comme le meilleur choix, sans pnaliser en rien le systme.
3.4
Conclusion
A lissu de cette partie qui constitue une vue densemble du systme de rveil distance par lintermdiaire dun faisceau microondes, outre le scnario de fonctionnement, il est possible de discerner les diffrents verrous techniques et scientifiques. Tout dabord, concernant les antennes dmission et de rception,
de fortes contraintes mcaniques font quun travail de conception et optimisation est ncessaire afin davoir
des antennes trs directrices dans un encombrement limit.
Les contraintes lies aux normes sanitaires de protection des personnes font que la puissance mise est
limite, ce qui se traduit par le fait qu une distance de plusieurs mtres de lmetteur, les densits de
puissance seront trs faibles, de lordre du W/cm. Il en dcoule que les rectennas utiliss pour la conversion
de lnergie RF en tension DC doivent fournir un niveau de tension maximal avec une puissance dentre de
seulement quelques W. Il sagit du verrou technologique le plus important du systme et qui est, avec le gain
des antennes, le facteur limiteur le plus svre dans le bilan de liaison de la transmission de puissance par
ondes lectromagntiques.
52
Chapitre 4
Conception du circuit de conversion

Comme il a t vu dans les parties prcdentes, le facteur limiteur du systme RWU est constitu par
les structures de rectification RF-DC. Ces structures doivent gnrer un niveau de tension DC ncessaire afin
de pouvoir fermer un interrupteur constitu par un transistor NMOS. Compte tenu des faibles niveaux de
tension alternative la sortie de lantenne de rception, il est important davoir des structures de conversion
aussi sensibles que possible, afin dobtenir un niveau de tension maximale.
4.1
4.1.1
Mthodologie de conception
Choix des composants
Dans le cas des rectennas base de composants CMS 1 , on distingue deux types de composants :
lments actifs
lments passifs
4.1.1.1
Les lments actifs
Les diodes Schottky ont un avantage considrable par rapport aux diodes jonction PN, en termes de
vitesse de commutation. Si le semi-conducteur est de type N, les charges majoritaires (lectrons) sont injects avec rapidit dans la bande de conduction du contact mtallique et deviennent des lectrons libres. Il
ny a donc pas de processus lent de recombinaison des porteurs de type n- et p+, comme dans le cas des
diodes PN, ce qui se traduit par un temps de commutation rduit. Ce temps est essentiellement dict par
la capacit de jonction. Il est de lordre de quelques centaines de picosecondes pour des diodes petits signaux [Laughton et Warne, 2003], compar quelques centaines de nanosecondes pour les diodes PN. Ceci
rend les diodes Schottky omniprsentes dans les dtecteurs RF ainsi que dans les mlangeurs, ou ils peuvent
fonctionner des frquences allant jusqu plusieurs dizaines de GHz.
En mme temps, les diodes Schottky offrent lavantage davoir des tensions de seuils plus faibles que leurs
quivalents PN. Cette caractristique est un avantage dans des applications de redressement de puissance car
les pertes dans les diodes seront rduites.
La tension de seuil des diodes joue un rle important dans lefficacit de conversion RF-DC car lamplitude du signal incident est souvent infrieure la tension de seuil des diodes. Les hautes frquences de
1. CMS : Composants Monts en Surface
53
54
CHAPITRE 4. CONCEPTION DU CIRCUIT DE CONVERSION
F IGURE 4.1 Vue en coupe de la diode Schottky HSMS 2850 (gauche) ; Circuit quivalent (droite)
[Agilent, ]
fonctionnement exigent des dispositifs de rectification rapides. Les caractristiques des diodes Schottky les
recommande pour une utilisation dans des circuits de rectification RF-DC.
Comme il a t montr dans des travaux antrieures [Merabet, 2010], les diodes HSMS 2850 offrent la
meilleure sensibilit pour les faibles puissances incidentes parmi les diodes Schottky disponibles commercialement. La Figure 4.1 montre une vue en coupe de la diode Schottky ainsi que son circuit quivalent.
Dans le circuit quivalent de la diode, RS est la rsistance srie parasite de la diode, C j est la capacit
de jonction qui est contrle par lpaisseur de la couche pitaxiale et la surface du contact Schottky. La
rsistance R j de la jonction dpend du courant total qui passe travers la jonction [Agilent, ] :
Rj =
8.33 105 n T
0.026
=
IS + Ib
IS + Ib
(4.1)
avec :
n
facteur didalit (en W/m) ;
temprature en K ;
IS
courant de saturation ;
Ib
courant externe de polarisation.
La relation tension-courant de la diode est donne par :

V IRS
I = IS e 0.026 1
(4.2)
La Figure 4.2 donne le circuit quivalent complet de la diode incluant les lments parasites LP et CP
introduits par le boitier de la diode. Le Tableau 4.1 donne les valeurs des paramtres du circuit quivalent de
la diode HSMS2850.
4.1.1.2 Les lments passifs
Les rectennas contiennent des filtres en entre et en sortie. Ces filtres peuvent tre base dlments
passifs localiss (capacits et inductances) ou bien en technologie distribue (micro-ruban).
4.1. MTHODOLOGIE DE CONCEPTION
55
F IGURE 4.2 Circuit quivalent dune diode Schottky HSMS2850 avec les lments parasites introduits par
le boitier [Agilent, ]
Paramtre
CP
LP
Cj
RS
RV
Valeur
0.08
2
0.18
25
9
Unit
pF
nH
pF
kW
TABLE 4.1 Paramtres du circuit quivalent de la diode HSMS2850 [Agilent, ]
4.1.2
Outils de simulation
Concernant la partie rectenna, lassociation dlments passifs (antennes, tronons de lignes, inductances,
capacits) et dlments actifs (diodes) pose le problme de la simulation numrique globale du dispositif.
De plus, la complexit de lensemble, ventuellement situ dans son environnement lectromagntique, devra
tre prise en compte. En effet, pour optimiser les performances globales de la rectenna, il est primordial que
lantenne (ou le rseau dantennes) de rception, dbite sur une impdance gale son impdance de rayonnement et ceci malgr la prsence du dtecteur diode (qui prsente des non linarits en fonction du niveau
du signal reu) mais galement dune ventuelle variation de limpdance de charge (de sa consommation).
Dans le cas ou il y a une adaptation dimpdance entre lantenne et le circuit de rectification, le transfert
de puissance du gnrateur vers la charge est maximal. Si cette condition nest pas respecte, une partie de
lnergie lectromagntique capte par lantenne est r-rayonne ce qui est rdhibitoire dans cette application
au vu de la faible densit de puissance de londe incidente limite en intensit pour des raisons sanitaires.
Une approche numrique globale permettra doptimiser la structure complte. Une approche circuit dans
laquelle la partie lectromagntique (tronons de lignes, interactions entre composants, rayonnements) est
rduite partir dune simulation lectromagntique 3D. Seule une approche systme pourra permettre datteindre des performances globales rpondant au CDC.
Sagissant de circuits hautes frquences, il est important de choisir un environnement de simulation
adapt, qui est capable de proposer les diffrentes types de simulations spcifiques aux circuits RF. Advanced
Design Systems de Agilent Technologies offre un large spectre doutils ddis la conception de circuits RF.
Des simulations temporelles (Transient), frquentielles (Harmonic Balance, SParameter, LSSP 1 ) ainsi que
1. LSSP : Large Signal S Parameters
56

Mthode
Commentaires
quation caractristique
Forward Euler (FE)
xn+1 = xn + h
Trapzodale
xn+1 = xn + h
dxn
dt
dxn+1
dxn
dt + dt
Backward Euler (BE)
xn+1 = xn + h dxdtn+1
Gear-2
xn+1 = 43 xn 13 xn1 + 32 h dxdtn+1
Prcision limite, rarement utilise

Meilleure prcision, stabilit moyenne.
Mthode par dfaut dans certaines versions
de SPICE
Stabilit et prcision moyennes, par dfaut
dans certaines versions de SPICE
La plus stable, prcision moyenne. Utilise
en cas de non-convergence dune des
autres mthodes
TABLE 4.2 Rcapitulatif des diffrentes mthodes de calcul lors des analyses temporelles de circuits
[Vladimirescu, 1994]
lectromagntiques (Momentum, EMDS) sont inclues dans le logiciel. De plus, une large bibliothque de
modles de composants tels que des diodes Schottky et des passifs HF est disponible.
4.1.2.1 Analyse temporelle
La simulation temporelle est une analyse de type SPICE 1 qui consiste en la rsolution dun jeu dquations intgrodiffrentielles qui expriment la dpendance temporelle des courants et tensions dun circuit lectrique [Agilent Technologies, 2007].
Une analyse temporelle est ralise entirement dans le domaine temporel, ce qui signifie que ce type
danalyse nest pas capable de prendre en compte des comportements frquentiels des lments distribus, tels
que les lignes micro-ruban ou des composants dcrits travers des paramtres S. Ces lments sont souvent
reprsents par des simplifications indpendantes de la frquence comme des lments passifs localises,
des lignes de transmission sans dispersion, des courts circuits ou des circuits ouverts. Ces approximations
sont gnralement acceptables et proches de la ralit en basse frquence, mais ce type de simulation devient
moins prcis lorsque les frquences augmentent [Keilkowski, 1994].
Pendant une analyse temporelle, un point de fonctionnement initial est dabord calcul, et ensuite, tous
les tensions et courants instantans qui suivent sont calculs en fonction des sources de tension et courant qui
sont fonction du temps, incluant linfluence des lments du circuit [Lin et Chua, 1975].
Les simulateurs utilisent diffrentes mthodes pour calculer les drives tout instant t dans la simulation. Pour une grande partie des simulateurs, la mthode des trapzes est la plus utilise. Si cette mthode
narrive pas converger, la mthode des diffrences inverses de Gear est souvent plus stable. Le Tableau 4.2
donne un rsum des diffrentes mthodes possibles pour des analyses temporelles, avec leurs avantages et
inconvnients respectifs.
4.1.2.2 S-Parameter
Dans le cas des lments de circuit linaires ou des lments non-linaires mais qui fonctionnent avec
des petits signaux de manire pouvoir les considrer linaires, on peut caractriser un systme ou un rseau
uniquement travers des paramtres mesurs aux ports dentre-sortie du systme, sans avoir se soucier
du contenu exact de celui ci. Une fois ces paramtres dtermins, il est possible de prdire le comportement
exact de ce systme tout stimules externe, toujours sans connatre son constitution [Hewlett Packard, 1996].
1. SPICE : Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis
57
F IGURE 4.3 Reprsentation simplifie dun systme deux ports [Agilent Technologies, 2005]
La simulation S-parameter est un type de simulation petits signaux le plus souvent utilise pour caractriser des composants RF passifs ou pour dterminer les caractristiques petits signaux dun dispositif dans des
conditions de polarisation ou temprature prcise. Les composants non-linaires sont donc linariss autour
du point de fonctionnement. Le circuit linaire rsultant est analys comme un rseau multi-port. Chaque port
est excit squentiellement par des petits signaux et la rponse est mesure et transforme en paramtres S.
La Figure 4.3 donne la reprsentation dune onde dans un systme deux ports, avec
[Srivastava et Gupta, 2006] :
a1
signal rentrant dans le Port 1 ;
b1
signal sortant du Port 1 ;
a2
signal rentrant dans le Port 2 ;
b2
signal sortant du Port 2.
Les paramtres S pour ce type de systme se dfinissent comme :

b1 = a1 S11 + a2 S12
(4.3)
b2 = a1 S21 + a2 S22
(4.4)
Dans ces relations, les termes Si j reprsentent :

S11
coefficient de rflexion du Port 1 ;
S22
coefficient de rflexion du Port 2 ;
S21
coefficient de transmission de 1 vers 2 ;
S12
coefficient de transmission de 2 vers 1.
Les paramtres S sont dfinis par rapport une impdance caractristique qui est de 50 W en gnral.
4.1.2.3
Analyse Harmonic Balance
La simulation Harmonic Balance (HB) est une analyse tempo-frquentielle des comportements des circuits et systmes non linaires. Il sagit dune mthode utilise pour calculer la solution stabilise des quations diffrentielles non-linaires spcifiques aux circuits lectroniques [Gilmore et Steer, 1991]. La mthode
est base sur lhypothse que toute solution peut se mettre sous une forme de combinaisons linaires dharmoniques sinusodales (au sens dune dcomposition en srie de Fourier finie) qui satisfont les lois de Kirchoff
[Maas, 2003, Nakhla et Vlach, 1976].
58
F IGURE 4.4 Synoptique de la simulation Harmonic Balance [Agilent Technologies, 2004a]

Lalgorithme de simulation HB est itratif. Les tensions des nuds du circuit reoivent une srie damplitudes et de phases pour chacune des composantes frquentielles. Les courants qui passent dans des branches
linaires du circuit sont dtermins travers des analyses directes dans le domaine frquentiel, tandis que
les courants dans le branches non linaires sont calculs dans le domaine temporel. La transform de Fourier
(FFT 1 ) est utilise pour faire la passage entre le domaine temporel et frquentiel.
Les dispositifs non linaires tels que les transistors et les diodes sont chantillonnes dans le domaine
temporel et leur rponse est transforme dans le domaine temporel via une FFT. Daprs les lois de Kirchoff,
la somme de tous les courants qui partent dun nud est nulle. Il est tres peu probable que ceci soit vrai ds
la premire itration. Une fonction derreur qui reprsente la somme de tous les courants partant de chaque
nud est donc cre. Cette fonction derreur sert calculer les ajustements faire aux amplitudes et phases
des tensions au niveau des nuds, dans le but de minimiser cette fonction derreur. Lalgorithme sarrte
lorsque lerreur devient infrieure la tolrance fixe [Feldmann et al., 1996].
Le processus de simulation est rsum dans le synoptique de la Figure 4.4.
Ce type danalyse est adapte ltude de circuits tels que amplificateurs, mlangeurs, oscillateurs, multiplicateurs qui fonctionnement en mode large signal. Lanalyse HB prsente des avantages par rapport la
simulation temporelle, surtout dans le cas des circuits hautes frquences [Agilent Technologies, 2004a] :
Le comportement en rgime tabli dun systme est gnralement celui qui intresse les concepteurs.
Les constantes de temps pour atteindre ce rgime tabli sont souvent logues par rapport la frquence
de fonctionnement du circuit, ce qui entrainerait des temps de simulation considrables en temporel.
La simulation HB fournit directement le rgime tabli.
La simulation HB est plus rapide dans la rsolution des problmes typiques en hautes frquences que
les algorithmes temporels. Les harmoniques gnres dans un circuit non-linaire sont souvent dordre
trs suprieur au fondamental, ceci rendrait les simulations temporelles beaucoup plus lentes du fait
que leur pas de simulation dpend de la priode la plus petite.
Le comportement en hautes frquences de bien de modles linaires est mieux reprsent dans le
1. FFT : Fast Fourier Transform. Algorithme de calcul de la transforme de Fourier Discrte
59
domaine frquentiel. Leur utilisation dans le domaine temporel engendrait des problmes de prcision,
de causalit ou de stabilit.
4.1.2.4
Large Signal S Parameter (LSSP)
Contrairement la simulation paramtres S, qui est essentiellement une simulation petits signaux pour des
circuits linaires ou linariss autour dun point de fonctionnement, la simulation LSSP utilise une mthode
de type Harmonic Balance, ddie aux circuits non-linaires. Comme la simulation Harmonic balance est
une simulation grands signaux , ses solutions incluent des effets non-linaires, ce qui signifie que les
paramtres S grands signaux changent avec les niveaux de puissance. Comme les paramtres S petits
signaux , les paramtres S grands signaux sont dfinis comme des quotients entre ondes incidentes et
ondes rflchies [Agilent Technologies, 2004b] :
Si j =
bi
aj
(4.5)
Les ondes incidentes et rflchies sont dfinies comme :

aj =
bi =
avec :
V j + Z0 j I j
p
2 R0 j
I
Vi Z0i
i
2 R0i
Vi , V j
coefficients de Fourier des tensions aux ports i et j la frquence fondamentale ;
Ii , I j
coefficients de Fourier des courants aux ports i et j la frquence fondamentale ;
Z0i , Z0 j
impdances de rfrence aux ports i et j ;
R0i , R0 j
parties relles de Z0i et Z0 j .
(4.6)
(4.7)
La dtermination des paramtres S grands signaux dun systme deux ports se droule de la manire
suivante :
Le port 2 est charg avec une impdance gale son impdance complexe conjugue.
Un signal de puissance P1 fixe par lutilisateur est applique au port 1 travers une source dont
limpdance est gale limpdance complexe conjugue de ce port.
A laide une simulation Harmonic Balance, les courants et les tensions aux ports 1 et 2 sont calcules.
Ces informations sont utilises pour le calcul des paramtres S11 et S21 .
Le port 1 est charg avec une impdance gale son impdance complexe conjugue.
Un signal de puissance P2 = |S21 |2 P1 est appliqu au port 2 travers une source dont limpdance est
gale limpdance complexe conjugue de ce port.
A laide une simulation Harmonic Balance, les courants et les tensions aux ports 1 et 2 sont calcules.
Ces informations sont utilises pour le calcul des paramtres S12 et S22 .
Pour comparer avec la simulation paramtres S, la simulation LSSP prend en compte des phnomnes nonlinaires, tels que la compression de gain ou les variations en puissance incidente. Elle est donc privilgier
lorsquil sagit de simuler des circuits non-linaires dont le comportement est fortement dpendant des niveaux de puissance incidente, comme cest le cas des rectennas.
60
F IGURE 4.5 Circuit de simulation utilis pour le dimensionnement du filtre dentre

4.1.2.5 Momentum
Le simulateur lectromagntique Momentum est un moteur de simulation planaire utilis pour lanalyse
de circuits passifs. Il utilise la Mthode des Moments (MoM) [Gibson, 2008] pour simuler des effets lectromagntiques complexes incluant les interconnections, les couplages et les lments parasites.
La Mthode des Moments est une mthode numrique pour rsoudre des quations linaires aux drives
partielles formuls sous une forme intgrale [Harrington, 1993]. Comme cette mthode ne ncessite que le
calcul des valeurs aux bords plutt que dans lespace entier, elle est bien plus efficace en termes de temps de
calcul que les mthodes numriques 3D. Le principe est de crer un maillage de la surface caractrise.
4.1.3
Procdure de conception
En raison de la prsence des diodes, les circuits rectenna ont un comportement non linaire. Cest la
raison pour laquelle il nest pas pratique de concevoir les sous-parties dune rectenna, comme les filtres
dentre et de sortie, indpendamment les unes des aux autres. En effet, limpdance dentre dune diode
charge par un filtre de sortie et une charge spcifique est modifie si le filtre dentre change. Pour illustrer
ce phnomne, nous avons compar deux mthodes de dimensionnement du filtre dentre en partant dune
rectenna mono-diode srie avec un filtre de sortie LC, comme le montre la Figure 4.5.
Lantenne est reprsente par un gnrateur de puissance RF dune impdance interne de 50
W. Il in-
jecte dans le circuit une puissance Pin une frquence fr. Le redresseur est constitu dune simple diode
HSMS2850 et dun filtre de sortie LC passe bas. La rectenna dbite sur une rsistance de charge R. Le filtre
dentre est absent, lobjectif tant dvaluer limpdance vue en entre de la diode.
Le circuit quivalent vu depuis lantenne se prsente comme le montage de la Figure 4.6. Le circuit
de rectification peut tre approxim par une impdance caractristique Z0 qui joue le rle de charge pour
lantenne. La particularit de cette charge rside dans son comportement fortement non linaire d essentiellement la prsence des diodes servant faire la rectification. Le niveau de non linarit dpend certainement
du niveau de puissance dlivre par lantenne cause du comportement des diodes. Nous rappelons que le
transfert de puissance depuis lantenne vers le reste du circuit de rectification est optimal lorsque limpdance
caractristique de lantenne est identique limpdance conjugue de la charge, cest--dire :
61
F IGURE 4.6 Diagramme simplifie des impdances du circuit de rectification
*
Z0 = Zantenne
(4.8)
Dans ce cas-l, la puissance injecte par lantenne dans le circuit sexprime :

P=
Ve2f f
4 Z0
(4.9)
Limpdance dentre de ce montage est estime laide dune simulation LSSP. Une puissance dentre
de -15 dBm est choisie, tandis que la rsistance de charge est de 1 MW. Ces valeurs sont issues du Cahier de
Charges. Les rsultats sont donnes sur la Figure 4.7. La simulation de type LSSP permet de tracer la partie
relle et imaginaire de limpdance vue en entre de la diode de rectification, tout en prenant en compte le
comportement non linaire du circuit (contrairement la simulation S Parameter qui est une simulation
petit signal ).
On peut observer que le circuit a un comportement fortement capacitif, avec une partie imaginaire de
-170 W tandis que la partie relle vaut 14 W environ pour une frquence de 2.45 GHz. Lobjectif fix est de
dimensionner un filtre simple en entre de la structure afin de raliser une adaptation dimpdance 50 W entre
lantenne et le reste du circuit de rectification.
Pour ce faire, nous allons tout dabord utiliser loutil de synthse automatique de filtres inclus dans ADS.
Cet outil permet de synthtiser un filtre dordre 2 qui permet de raliser ladaptation entre deux charges :
Z1 = R1 + j X1
(4.10)
Z2 = R2 + j X2
(4.11)
62
F IGURE 4.7 Rsultats de simulation LSSP : Partie relle de limpdance dentre ( gauche) ; Partie imaginaire de limpdance dentre ( droite)
Ladaptation est faite en un seul point de frquence qui doit tre renseign. Dans notre cas dapplication,
le point frquentiel est de 2.45 GHz et les deux impdances valent :
Z1 = 50
(4.12)
Z2 = 14 j 170
(4.13)
Loutil donne un filtre LC avec C=2.08 pF et L=12.5 nH, comme le montre la Figure 4.8.
Loutil de synthse du filtre donne galement les caractristiques thoriques de ladaptation entre les
deux ports Z1 et Z2 . Les courbes sont prsentes sur la Figure 4.9. La valeur du paramtre S11 passe par un
minimum denviron -40 dB 2.45 GHz, ce qui signifie une trs bonne adaptation dimpdance. Labaque de
Smith confirme que limpdance du circuit avec le filtre passe par le point dimpdance 50 W 2.45 GHz.
Une deuxime mthode de conception du filtre dentre serait dutiliser loutil doptimisation globale du
circuit. Pour ce faire, nous choisissons un filtre dentre ayant la mme configuration que le filtre obtenu par
loutil de synthse du filtre (Figure 4.8). Les valeurs des composants L et C sont variables et nous fixons des
limites de variations des valeurs de composants. Nous avons choisi de faire varier C entre 0.1 et 100 pF et L
entre 1 et 20 nH.
On demande loutil doptimisation de trouver le couple de valeurs L et C du filtre dentre qui donnent
la meilleure adaptation entre lantenne 50 W et le reste du circuit, ce qui est quivalent minimiser la valeur
de S11 2.45 GHz. Loptimisation se fait dans une simulation LSSP. Le simulateur donne les valeurs L=17.11
nH et C=2.89 pF.
Une fois que les deux filtres ont t conus des deux manires diffrentes dcrites plus haut, les deux
circuits sont simuls ensemble laide dune simulation LSSP afin de prendre en compte les non-linarits.
La Figure 4.10 montre les rsultats de loptimisation des deux circuits en fonction de la frquence.
Le circuit avec le filtre obtenu travers la procdure doptimisation est bien centr en frquence 2.45
GHz. En revanche, le circuit avec le filtre synthtis automatiquement est dcal en frquence 2.71 GHz.
Ce constat et du au fait que loutil de synthse du filtre utilise le moteur de simulation S Parameter, qui est
une simulation petit signal et qui ne tient pas compte du comportement non-linaire du circuit. Le circuit
sans le filtre une certaine impdance -15 dBm de puissance incidente et le filtre est dimensionn pour
4.2. COMPARAISON DE STRUCTURES (RFOM)
63
F IGURE 4.8 Circuit de simulation comportant un filtre dentre dimensionn laide de loutil automatique
de synthse de filtre
cette caractristique. Mais le fait dintroduire ce filtre dans le circuit modifie la puissance rellement injecte
dans la diode et donc limpdance dentre du circuit de rectification change. Le rsultat est que lensemble
est adapt une frquence diffrente.
En revanche, dans le cas du filtre obtenu par optimisation, cette optimisation se fait travers des simulation LSSP qui tiennent donc compte de la caractristique non-linaire du circuit. Le rsultat de la rtrosimulation est conforme aux attentes.
La conclusion qui simpose est que la mthode doptimisation globale du circuit est privilgier par
rapport un dimensionnement individuel de chaque composant ou de chaque sous partie. Cette mthode sera
celle utilise par la suite, et les rsultats seront vrifis par des simulations temporelles ou Harmonic Balance.
4.2
Comparaison de structures (RFoM)
Comme il a t vu dans ltat de lart, plusieurs structures de rectennas existent. Ce paragraphe prsente
une tude thorique en simulation des performances obtenues avec diffrentes structures de rectennas.
Comme il a dj t vu, les rectennas se caractrisent pour tout niveau de puissance RF incidente par
deux paramtre fondamentaux :
le rendement de conversion RF-DC
le niveau de tension DC dlivre
Pour des applications de dtection de la puissance incidente, le niveau de tension DC dlivre par la rectenna
est le paramtre privilgier. Cest notamment le cas de notre application. La rectenna dbite sur une grille de
transistor MOS, quivalente a une grande rsistance en parallle une capacit. Le rendement de conversion
de la rectenna aura une influence sur le temps de charge de la capacit de grille du transistor MOS. Plus le
64
F IGURE 4.9 Caractristique du circuit global prdite par loutil de synthse automatique du filtre
4.2. COMPARAISON DE STRUCTURES (RFOM)
65
F IGURE 4.10 Comparaison des comportements frquentiel des circuits (simulation LSSP)
rendement de la rectenna est bon, plus cette capacit de grille du MOS sera charge vite et plus linterrupteur
sera rendu passant rapidement.
Si la rectenna est utilise dans un systme visant rcuprer une quantit maximale dnergie partir dun
niveau de champs incident, dans le but dalimenter un systme, le rendement de conversion est privilgier.
Sauf que, souvent lnergie dlivre par les rectennas ne peut pas tre utilise directement pour alimenter un
circuit lectronique. Il y a souvent un tage de rgulation du niveau de tension (convertisseur DC-DC). Or,
ces dispositifs ncessitent un niveau de tension incidente minimale pour pouvoir exploiter lnergie incidente.
Cest la raison pour laquelle, mme si la conversion RF-DC est ralise avec un bon rendement, il faut assurer
un niveau de tension DC minimal compatible avec le convertisseur DC-DC. Le niveau de tension DC en sortie
de rectenna doit donc galement tre pris en compte.
Les designers sont confronts au choix de sacrifier le rendement par rapport au niveau de tension ou
linverse. Afin de disposer dun moyen simple de comparaison globale, qui inclut des informations sur les
deux paramtres antrieurement mentionns, nous avons dfini une Figure de Mrite des Rectennas (RFOM 1 )
comme tant le produit entre le niveau de tension DC en circuit ouvert et le rendement de conversion lorsque
la rectenna dbite sur son impdance de sortie optimale :
RFoM(Pin ) = VDC circuit ouvert charge optimale
(4.14)
Des simulations nous ont permis dvaluer la Figure de Mrite de quatre structures de rectification diffrentes : les configurations mono-diodes srie et shunt, ainsi que des doubleurs de tensions un et deux tages.
Les rsultats de simulation sont prsents sur la Figure 4.11.
Les topologies doubleur de tension ont des faibles Figures de Mrite principalement en raison de leur
faible rendement de conversion pour des faibles niveaux de puissance. Toutefois, la RFoM de la structure
doubleur de tension deux tages devient trs importante en raison du niveau de tension DC leve quelle
fournit. Les topologies mono-diode shunt et srie ont des RFoM proches autour de -15 dBm, mais la topologie
srie semble avoir le plus grand RFoM pour des niveaux de puissance infrieures -5 dBm. Cela se traduit par
le fait que cette structure offre le meilleur compromis entre efficacit de conversion et niveau de tension DC
1. RFoM : Rectenna Figure of Merit
66
F IGURE 4.11 Simulation de la Figure de Mrite de diffrentes topologies de rectennas en fonction de la

puissance incidente
dans ces gammes de puissance, ce qui en fait un bon choix pour des applications de rcupration dnergie
en vue dalimenter un systme lectronique.
4.3
4.3.1
Influence de limpdance dantenne

tude en simulation
Toutes ces structures ont t conues sur la base dune adaptation dimpdance de 50 W entre lantenne
rceptrice et le circuit de rectification. Pour des raisons essentiellement pratiques, la plupart des circuits RF
sont conus pour prsenter une adaptation dimpdance 50 W. En effet, tous les appareils de mesure ainsi que
la connectique RF sont normaliss 50 W (ou 75 W dans certains cas). Dans le cas dune rectenna (association
dune antenne et dun circuit de rectification), le choix dune impdance caractristique de 50 W pour chacune
des deux parties se justifie uniquement pour pouvoir raliser le test des deux sous-ensembles sparment. A
priori, rien ne suggre que ce choix soit le plus judicieux en termes de performances du circuit dans sa
globalit. Le choix dune adaptation dimpdance une valeur autre que 50
W t envisag, pour valuer
les ventuels gains en termes de performances des structures de rectification.

4.3.1.1 Structure mono-diode srie avec inductance dentre
Revenons sur le circuit prsent dans la Figure 4.5. Il a t vu que cette structure prsente un comporte-
ment capacitif avec une partie imaginaire de -170 W 2.45 GHz. Le premier rflexe consiste compenser la
partie imaginaire fortement capacitive par linsertion dune inductance srie entre lantenne et la diode. Par
calcul, la valeur de cette inductance est :
4.3. INFLUENCE DE LIMPDANCE DANTENNE
67
F IGURE 4.12 Partie relle et imaginaire du circuit mono diode srie avec inductance dentre (simulation
LSSP)
L=
170
Im (Zin )
=
= 11 nH
2 f
2 2.45 109
(4.15)
La valeur relle de linductance qui permet de compenser au mieux la partie imaginaire ngative est obtenue par une optimisation en simulation. La valeur donne par la simulation est de 14.23 nH. Cette diffrence
vient du fait que la valeur thorique est calcule pour compenser une valeur de limpdance de la diode considre fixe et dtermine en absence de linductance dadaptation. Or, lors de lintroduction dans le circuit de
linductance de 11 nH, la puissance qui arrive sur la diode est modifie, ce qui se traduit par une modification
de son impdance dentre . La valeur de linductance nest donc plus en mesure dadapter la nouvelle valeur
de limpdance de la diode. Do la ncessit doptimisation globale du circuit (cf. 4.1.3).
Les courbes de la Figure 4.12 confirment que la partie imaginaire a t compense par lajout de cette
inductance srie, tandis que la partie relle reste quasiment inchange (autour de 11 W). Le fait que la valeur
calcule de linductance ne concide pas parfaitement avec la valeur donne par la simulation sexplique
par le comportement non linaire du circuit. En effet, le fait de modifier limpdance en amont de la diode
modifie le comportement frquentiel de la diode mme. Le rsultat est que limpdance en entre de diode est
modifie et donc la valeur de linductance optimale est lgrement diffrente de celle calcule en supposant
un comportement linaire de la diode.
La tension fournie par la rectenna dans cette configuration se trouve nettement amliore, comme le
montre la comparaison de la Figure 4.13. On atteint quasiment 500 mV (en simulation). Mais dans cette
configuration on est loin dtre adapt. En effet, limpdance vue par lantenne est denviron 11
W tandis
que lantenne elle-mme prsente une impdance caractristique de 50 W. La courbe de la Figure 4.14 trace
lvolution de la tension de sortie en fonction de limpdance caractristique de lantenne dexcitation, pour

une puissance dentre de -15 dBm 2.45 GHz.
Cette courbe confirme le fait quune impdance entre 10 et 20
W (soit proche de limpdance dentre
quivalente du circuit de rectification) permettrait daugmenter le niveau de tension DC en sortie jusqu un

niveau denviron 625 mV pour cette structure. Ceci reprsente une amlioration relative de 25% par rapport
une adaptation 50 W sur cette structure.
Une fois ce constat valid, nous pouvons dornavant considrer que limpdance caractristique de lantenne est un degr de libert supplmentaire prendre en compte lors des optimisations globales en simulation. Nous allons par la suite regarder linfluence de la valeur de limpdance dantenne sur le niveau de
68
F IGURE 4.13 Partie relle et imaginaire du circuit mono diode srie avec inductance dentre (simulation
LSSP, Pin=-15 dBm)
F IGURE 4.14 Influence de limpdance dantenne sur la tension de sortie de la rectenna (simulation HB,
Pin=-15 dBm, fr=2.45 GHz)
69
tension de sortie dans le cas dautres configurations du filtre dentre et des circuits de rectification.
4.3.1.2
Structure mono-diode srie avec filtre dentre en Pi
En suivant les mmes tapes de travail que prcdemment, nous avons tudi le comportement dune
structure mono-diode avec un filtre dentre en Pi (Figure 4.15).
F IGURE 4.15 Schma de la rectenna mono-diode srie avec un filtre dentre en Pi

Dans ce cas la, la Figure 4.16 montre que limpdance dantenne optimale est denviron 56 Ohm, ce
qui signifie que le gain en termes de tension de sortie DC est ngligeable. Pour cette structure, il nest pas
intressant de changer le niveau dadaptation antenne-circuit.
F IGURE 4.16 Influence de limpdance dantenne sur la tension de sortie de la rectenna avec un filtre en Pi
(simulation HB, Pin=-15 dBm, fr=2.45 GHz)
70
4.3.1.3 Structure mono-diode srie avec filtre dentre en T

Les rsultats de loptimisation sur la structure mono-diode filtre dentre en T sont prsents sur la
Figure 4.17.
F IGURE 4.17 Schma de la rectenna mono-diode srie avec un filtre dentre en T
F IGURE 4.18 Influence de limpdance dantenne sur la tension de sortie de la rectenna avec un filtre en T
(simulation HB, Pin=-15 dBm, fr=2.45 GHz)
Avec un filtre en T, limpdance qui maximise Vout est situe autour de 150
W (Figure 4.18). Dans ces
conditions, on arrive monter environ 740 mV de tension DC, compar 440 mV pour une impdance
dantenne de 50 W, soit une amlioration denviron 68 %. Cette tension est quasi-invariable pour des impdances dantenne suprieures 120 W, ce qui se traduit par une grande robustesse de la structure vis vis des
variations des valeurs des composants.

Structure
Mono-diode srie
Mono-diode shunt
Doubleur de tension
Filtre
Inductance
L
Pi
T
Inductance + capacit srie
L + capacit srie
Pi + capacit srie
T + capacit srie
L + capacit srie
Pi + capacit srie
T + capacit srie
71
Zantenne Optimale (W)
15
11
56
152
10
225
44
11
10
44
240
Amlioration (%)
25
25
0
68
27
50
0
80
100
3
35
TABLE 4.3 Rcapitulatif des rsultats doptimisation faites sur diffrentes topologies de rectennas
4.3.1.4
Autres structures et topologies de filtres
En suivant la mme dmarche que celle dcrite ci-dessous, nous avons valu plusieurs topologies de
rectenna avec plusieurs topologies de filtres dentre pour dterminer en simulation la valeur de limpdance
qui permet de maximiser la tension de sortie. Les rsultats obtenus sont rsums dans le Tableau 4.3.
Les diffrentes simulations effectues montrent le rel intrt du changement de limpdance caractristique de lantenne vers des valeurs diffrentes de 50
W, ce qui a comme effet, dans la plupart des cas,
lamlioration des niveaux de tension DC en sortie des rectennas. Dans certains cas, on arrive doubler le
niveau de tension pour la mme puissance dentre, comme pour la structure doubleur de tension avec filtre
dentre en L + capacit srie. Nous avons galement rencontr des situations dans lesquelles limpdance
optimale est proche de 50 W, ce qui sest traduit par un fonctionnement quasi optimal autour de 50 W. Cer-
taines structures et filtres offrent aussi lavantage dtre relativement insensibles (sur une certaine plage de
valeurs) la valeur de limpdance dantenne (cf. filtre en T ou en Pi sur la structure mono diode srie). A la
suite de cette tude, une validation exprimentale simpose.
Il faut galement avoir lesprit que ces simulations utilisent des modles ralistes des diodes mais
uniquement des modle de composants passifs parfaits. Avant validation exprimentale, les structures de
rectification seront simules avec des modles ralistes des composants passifs.
4.3.2
Validation exprimentale prliminaire
Des gains en tension potentiels jusqu 100% dans certains cas ont t constats. Ceci aurait comme effet
un doublement de la porte du systme de rveil. Lobjectif par la suite a t de vrifier ce constat travers
des ralisations pratiques et des mesures sur des prototypes fabriqus. En raison du nombre important de
facteurs dincertitude lis une fabrication de prototypes, la premire ralisation ncessaire la validation
du principe t faite sur une structure simple afin de minimiser les sources derreurs possibles. En effet, les
valeurs des composants CMS utiliss sont connues avec une prcision de 5%. Les dimensions gomtriques
des pistes sont elles aussi connues avec une certaine incertitude lie la machine qui sert la fabrication. De
plus, les soudures sont impossibles prendre en compte dans les simulations, mais ont une influence sur le
comportement frquentiel du circuit.
72
4.3.2.1 Circuit mono-diode filtres hybrides

Nous avons donc procd une validation du concept laide de la structure mono-diode monte en srie.
Afin dvaluer le gain en performances, nous avons tout dabord conu une structure de rfrence avec une
impdance spcifique de 50 W. Pour des raisons pratiques (difficult de tester des circuits et antennes non 50
W), nous avons prfr utiliser un transformateur dimpdance pour faire la transformation de limpdance
de 10 W en entre du circuit de rectification vers 50 W au niveau de lantenne, comme dans la Figure 4.19.
F IGURE 4.19 Configuration du circuit de rectification avec transformateur dimpdance 50 W vers 10 W

En procdant ainsi, leffet de la modification de limpdance dantenne est simule et ceci permet de faire
des comparaisons directes entre mesure et simulation. Le premier circuit est un cas de rfrence 50
W. Les
valeurs des composants passifs ont t optimises pour maximiser le niveau de tension continue de sortie,
tout en imposant une impdance dantenne de 50 W. Le second circuit a t optimis en rajoutant un dgr
de libert supplmentaire constitu par limpdance de lantenne. Les schmas lectriques des deux circuits
sont donnes sur la Figure 4.20.
F IGURE 4.20 Schmas de simulations : circuit de rfrence 50

[Marian et al., 2011a]
(en haut) ; circuit 10
(en bas)
La Figure 4.21 montre les deux prototypes fabriqus sur un substrat FR4 de 1.6 mm (r = 4.3, tan =
0.02). Les circuits fabriqus utilisent des stubs en circuit ouvert pour remplacer les capacits. Cette solution
a t retenue afin de minimiser les incertitudes dues aux dispersions sur les valeurs des capacits CMS, ainsi
4.4. CIRCUIT DOUBLEUR DE TENSION FILTRES HYBRIDES
73
que les erreurs dues aux soudures qui rajoutent des lments parasites.
4.3.2.2
Stubs en technologie micro-ruban
Les filtres base de composants passifs CMS peuvent tre remplacs par des filtres en technologie microruban 1 . Lavantage offert par cette technologie est la rduction des couts de production, ainsi quune plus
grande flexibilit en termes de valeurs de composants ralisables. De plus, la prcision de ralisation est
gnralement plus grande que lincertitude sur les valeurs des composants passifs CMS. Un autre avantage
est constitu par une absence de soudures ncessaires lors de la fabrication, ce qui rduit dautant plus les
risques de rajout de parasites non pris en compte dans les simulations.
Dune autre part, ce choix a galement des inconvnients, le plus notable tant une plus grande dimension ncessaire pour obtenir les mmes valeurs quivalentes dinductances ou de capacits quavec des composants CMS. De plus, du fait que les caractristiques frquentielles des filtres micro-ruban dpendent des
caractristiques du substrat, des dispersions dans la permittivit relative ou lpaisseur de celui ci modifiera le
comportement des filtres. Les filtres en micro-ruban sont donc plus sensibles aux caractristiques du substrat.
Le lecteur intress pourra trouver plus dinformations sur les stubs micro-ruban dans lAnnxe 2.
F IGURE 4.21 Photographie des prototypes fabriqus du circuit de rfrence 50 W (en haut) et du circuit 10
W (en bas) [Marian et al., 2011a]
La Figure 4.22 donne une comparaison des rsultats de simulation et exprimentaux. Mme sil existe
une diffrence entre mesure et simulation (denviron 100 mV), une comparaison relative entre le circuit
de rfrence et le circuit optimis montre un gain en performances denviron 25%. La nouvelle topologie
a galement un comportement plus slectif. Il y donc concordance entre mesure et simulation en ce qui
concerne le gain en tension relatif.
Ces rsultats confirment donc lintrt de se donner un degr de libert supplmentaire dans loptimisation
des structures de rectification en laissant libre la valeur de limpdance choisie entre lantenne et le circuit de
rectification. Comme le montre le Tableau 4.3, cette approche permettrait de gagner encore plus en choisissant
dautres topologies, en particulier la structure doubleur de tension.
4.4
Circuit doubleur de tension filtres hybrides
En suivant la mme stratgie que celle dcrite prcdemment, deux autres structures de rectennas ayant
une configuration doubleur de tension ont t conues, une sur 50 W et la deuxime sur 10 W. La configuration
1. micro-ruban : microstrip ; ligne de transmission ralise sur un substrat PCB
74
F IGURE 4.22 Amlioration des performances de la structure srie grce loptimisation globale compare une configuration classique 50 W (Pin=30 W (-15 dBm), fr=2.45 GHz)
[Marian et al., 2011a]
gnrale du circuit 50 W est donne sur la Figure 4.23.
F IGURE 4.23 Configuration du circuit de rectification doubleur de tension avec antenne 50 W

Pour la structure optimise en fixant une impdance dantenne de 50 W, les rsultats des simulations HB
et Momentum sont prsents sur la Figure 4.24. La tension de sortie en fonction de la frquence du signal
incident est donne pour une puissance dentre de -15 dBm. Les rsultats sont trs proches et le niveau
maximal de tension atteint est situ autour de 300 mV.
La simulation HB est adapte aux rectennas car elle prend en compte les effets non-linaires dans le
circuit. Cette simulation a toutefois linconvnient de ne pas pouvoir prendre en compte les interactions
lectromagntiques entre les diffrentes lments de la partie distribue du circuit, comme les couplages ou
le lments parasites. Pour palier cet inconvnient, nous avons galement fait intervenir dans la procdure
de conception des simulations lectromagntiques faites avec Momentum. La procdure de conception a t
choisie de manire a pouvoir modliser les circuits de manire la plus fidle la ralit possible. La procdure
75
F IGURE 4.24 Comparaison des rsultats de simulation HB et Momentum sur la structure doubleur 50 W
de conception en simulation peut se rsumer de la manire suivante :
Optimisation de la structure utilisant des composants passifs parfaits
tude de linfluence des diffrents composants
Remplacement des composants passifs par des modles de composants rels ou des composants passifs
et technologie micro-ruban de valeurs proches des valeurs thoriques
Re-optimisation globale du circuit
Dessin du layout correspondant sous Momentum
Simulations Momentum et gnration de la matrice de paramtres S correspondante au layout du circuit
Importation du composant Momentum avec sa matrice de paramtres S caractristique dans la partie
schmatique
Co-simulation Harmonic Balance-Momentum et re-optimisation des valeurs des composants passifs
discrets
Comparaison et validation des rsultats
A la fin de cette procdure, des ralisations pratiques des circuits sont effectues et ces derniers sont tests
et compars la simulation. Nous allons dtailler par la suite cette procdure de conception dans le cas de la
structure doubleur de tension.
4.4.1
Transformateur dimpdance
W est prsente sur la Figure 4.25 . Il comporte, comme dans le cas du

circuit 10 W mono-diode srie un transformateur dimpdance 50 W vers 10 W.
La configuration du circuit 10
La Figure 4.26 montre les schmas utiliss pour raliser les simulations compares HB-Momentum. Pour
faire la transformation dimpdance R1 =50 W vers R2 =10 W, un transformateur dimpdance LC a t utilis.

Pour dimensionner les composants du transformateur dimpdance, nous ajoutons une ractance X1
constitue par la capacit C en parallle avec la source et une ractance X2 en srie avec le reste du circuit.
Limpdance de la source en parallle avec X1 est :
76
F IGURE 4.25 Configuration du circuit de rectification doubleur de tension avec antenne 50

mateur dimpdance ( gauche) ; Transformateur dimpdance LC ( droite)
W et transfor-
j R1 X1
R1 + j X1
(4.16)
Z2 = R2 + j X2
(4.17)
Z1 =
Limpdance de la ractance X2 en srie avec le reste du circuit est :
Pour avoir adaptation dimpdance, on pose les conditions :

Re (Z1 ) =
R1 X12
= R2
R21 + X12
(4.18)
Im (Z1 ) =
R21 X1
= X2
R21 + X12
(4.19)
Nous pouvons ainsi exprimer :

X1 =
R2 R21
= 23.57
R1 R2
X2 = 18.63
(4.20)
(4.21)
Il en rsulte les valeurs de C=2.9 pF et de L=1.21 nH. Ce transformateur dimpdance a t ralis avec
une capacit base de stub radial et une inductance discrte. La Figure 4.26 donne les schmas utiliss pour
les simulations HB et Momentum, ainsi que le schma lectrique du circuit quivalent.
Les rsultats des simulation HB et Momentum sont prsents sur la Figure 4.27. Le niveau de tension
est trac en fonction de la frquence pour une puissance dentre de -15 dBm. Les niveaux de tensions
maximales sont semblables ( 10% prs), tandis que la frquence centrale est situe autour de 2.5 GHz pour
la co-simulation HB-Momentum et autour de 2.58 GHz pour la simulation HB. Le circuit t volontairement
optimis pour une frquence plus haute en HB car les ralisations prcdentes ont montr que la co-simulation
HB-Momentum prdit une frquence centrale systmatiquement plus basse en raison des lments parasites
supplmentaires dus aux interactions lectromagntiques entre les composants distribus (filtres microstrip).
On voit donc lintrt de la co-simulation HB-Momentum par rapport une simple simulation HB, car la
co-simulation dcrit mieux la ralit physique des circuits.
77
F IGURE 4.26 Schma de simulation HB du circuit doubleur (en haut) ; Co-simulation HB-Momentum
(milieu) ; Circuit quivalent (en bas)
4.4.2
Formes dondes temporelles
En sappuyant sur les rsultats de la co-simulation HB-Momentum, nous avons par la suite analys les
allures des signaux temporels dans le circuit de la Figure 4.26. Les signaux suivants sont considrs :
Vin
tension dbite par lantenne rceptrice ;
V1
tension aprs le transformateur dimpdance ;
V2
tension avant les diodes ;
V3
tension aprs les diodes ;
Vout
tension de sortie au niveau de la charge.
La forme temporelle de ces signaux pour une puissance dentre de -15 dBm 2.45 GHz est trace
sur la Figure 4.28. Lamplitude du signal dentre est denviron 73 mV. En supposant que le transformateur
dimpdance est sans pertes, nous allons valuer lamplitude thorique de la tension aprs le transformateur
dimpdance. Lgalit des puissances donne :
78
F IGURE 4.27 Comparaison des rsultats de simulation HB et Momentum sur la structure doubleur avec
transformateur dimpdance
Pavant =
Vin2
V12
= Papres
` =
R1
R2
(4.22)
Lamplitude de la tension aprs le transformateur dimpdance est :

V1 = Vin
R2
R1
(4.23)
En remplaant dans la formule prcdente les valeurs thoriques des impdances (R1 =50 W et R2 =10 W),
nous obtenons une amplitude thorique de 32.6 mV pour la tension aprs le transformateur dimpdance. Sa
valeur daprs la Figure 4.28 est denviron 35 mV. Le transformateur dimpdance fonctionne donc correctement.
Le signal V2 avant les diodes a une amplitude plus grande que V1 en raison du montage LC rsonant plac
entre le transformateur dimpdance et lentre des diodes. Ce signal contient galement une composante
continue denviron 400 mV du la charge de la capacit C2 travers la diode shunt pendant les alternances
ngatives. La composante issue de la conduction srie pendant lalternance positive vient se rajouter V2 et
leur somme est constitue par la tension V3 en sortie des diodes. Cette composante est ensuite filtre par le
filtre LC passe bas de sortie et Vout reprsente la tension quasi continue transmise la charge.
4.4.3
tude du rendement de conversion
Ltude du rendement dune rectenna est trs important lorsque lobjectif est de convertir lnergie RF en
nergie DC en vue dutilisation pour alimenter un dispositif lectronique ou de recharger une batterie. Il est
dfini comme :
=
PDC
PRF
(4.24)
79
F IGURE 4.28 Formes temporelles des tensions du circuit prsent sur la Figure 4.26
Une rectenna pouvant tre considre comme une source de tension continue ayant une rsistance interne,
il est important de dterminer la valeur de cette rsistance. La Figure 4.29 donne lvolution du rendement de
conversion RF-DC et du niveau de tension DC en fonction de limpdance de sortie. Il en dcoule que cette
rectenna est assimilable une source de tension continue avec une rsistance interne de 6 kW. Le rendement
atteint -15 dBm de puissance incidente 2.45 GHz est denviron 25%, ce qui est trs bien pour ces niveaux
de puissance.
F IGURE 4.29 Influence de limpdance de sortie sur le rendement (gauche) et le niveau de tension de sortie
(droite)
Nous allons tudier par la suite linfluence du dimensionnement des diffrents composants sur le rendement de conversion de la rectenna de la Figure 4.40, travers des tudes paramtriques faites par simulation.
Nous allons nous intresser surtout aux lments constituant les filtres dentre et de sortie.
La Figure 4.30 prsente linfluence des composants CMS L1 et C1 prsents au niveau du filtre dentre
pour une puissance dentre de -15 dBm une frquence de 2.45 GHz. Linductance L1 a un fort impact sur
la valeur du rendement et une valeur autour de 1.8 nH permet datteindre la valeur maximale denviron 25%
-15 dBm. En revanche, linfluence de la capacit C1 est moins marque pour des valeurs suprieures 6 pF,
80
avec un optimum atteint entre 7 et 8 pF.
F IGURE 4.30 Influence de la valeur de L1 et C1 sur le rendement de la rectenna Pin=-15 dBm

Le stub TL5 en court circuit joue un role important dans ladaptation dimpdance de la diode D2. Il
ramne une impdance imaginaire au niveau de la diode et compense sa ractance. Linfluence de ses dimensions sur le rendement de conversion est prsente la Figure 4.31. Une largeur autour de 1.5 mm et une
longueur entre 8 et 9 mm permettent doptimiser le rendement.
F IGURE 4.31 Influence de la largeur et de la longueur de TL5 sur le rendement de la rectenna Pin=-15
dBm
Le filtre de sortie de la rectenna est constitu principalement du tronon de ligne TL7 et du stub circulaire
S2. Ce filtre est de type basse-bas LC et a comme rle le filtrage des harmoniques gnres lors du processus
de rectification. Le tronon TL7 se comporte comme une inductance et linfluence de ses dimmensions sur
le rendement de conversion est donne la Figure 4.32. Nous observons quune piste fine (Largeur<0.5
mm) et dune longueur denviron 10 mm est optimale. Ceci est logique car plus une piste est fine, plus ses
caractristiques frquentielles se rapprochent de celles dune inductance.
Une fois que la valeur de linductance t fixe, la capacit de sortie du filtre est donne par le stub
circulaire S2. Il est caractris par son rayon et son angle douverture. De manire simplifie, plus sa surface
est importante, plus la capacit ramene entre son entre et la masse sera grande. La Figure 4.33 donne
linfluence de ces paramtres sur le rendement de conversion. Il est vident qu partir dune valeur de rayon
minimale (8 mm) et un angle minimal (80), la capacit ramene est suffisamment grande pour pouvoir filtrer
efficacement les harmoniques. Le rendement reste alors inchang.
Le Tableau 4.4 fait une synthse sur les valeurs des diffrents composants, tels quils sont issues des
81
F IGURE 4.32 Influence de la largeur et de la longueur de TL7 sur le rendement de la rectenna Pin=-15
dBm
tudes paramtriques dcrites prcdemment et dune optimisation globale de la structure.
F IGURE 4.33 Influence du rayon et de langle du stub S2 sur le rendement de la rectenna Pin=-15 dBm
Nous allons par la suite dresser un bilan global des pertes dans le circuit de rectification, ayant comme objectif de dterminer leur rpartition entre les diffrents lments constituant la rectenna. Lessentiel des pertes
se
situent
dans
les
diodes,
comme
il
dj
montr
prcdemment
[Takhedmit, 2010, Brown, 1984]. Ces pertes peuvent sexprimer comme :

Pdiode =
1
T
avec :
vd
tension aux bornes de la diode ;
id
courant qui traverse la diode ;
priode ;
Z T
0
vd (t) id (t)dt
(4.25)
En utilisant une reprsentation frquentielle, ces pertes peuvent se calculer en utilisant les harmoniques
qui traversent la diode avec lexpression :
Pdiode = V0 I0 +
avec :

1 n
Vi Ii cos Vi Ii
2 i=1
(4.26)
82

Transformateur dimpdance
Largeur TL1
0.40 mm
Longueur TL1
8.32 mm
Longueur S1
6.30 mm
Angle S1
85.4
Filtre dentre
Largeur TL2
1.38 mm
Longueur TL2 2.43 mm
L1
1.9 nH
Largeur TL3
0.40 mm
C1
8.2 pF
Largeur TL4
0.40 mm
Largeur TL5
1.40 mm
Filtre de sortie
Largeur TL6
1.77 mm
Longueur TL6
10 mm
Largeur TL7
0.40 mm
Longueur S2 8.69 mm
Angle S2
88.0
Largeur TL8
1.57 mm
TABLE 4.4 Rcapitulatif des valeurs optimales des composants de la rectenna doubleur de tension
n
nombre dharmoniques considres ;
Vi
amplitude de lharmonique i de la tension ;
Ii
amplitude de lharmonique i du courant ;
Vi
Ii
phase de lharmonique i de la tension ;

phase de lharmonique i du courant ;
Une autre source de pertes consiste en la rflexion en entre de la rectenna. En effet, du fait des nonlinarits du circuit, il y a une bonne adaptation dimpdance en entre du circuit uniquement en un point
de fonctionnement prcis. La Figure 4.34 donne lvolution de paramtre S11 du circuit en fonction de la
frquence pour diffrents niveaux de puissances dentre travers une simulation LSSP.
F IGURE 4.34 S11 du circuit pour diffrentes puissances dentre (simulation LSSP)
Nous observons que le point dadaptation optimale varie en fonction de la puissance incidente, ce qui
est normal compte tenu du comportement non-linaire des diodes. Le circuit montre toutefois une bonne
adaptation dimpdance, ce qui se traduit par des faibles pertes par rflexion en entre.
La Figure 4.35 prsente lvolution des pertes dans la rectenna prsente la Figure 4.26, ainsi que son
rendement, en fonction de la puissance incidente. Quatre informations sont reprsentes :
Le rendement de conversion
Les pertes dans les diodes
Les pertes par dsadaptation par rapport au port dexcitation
83
Les autres pertes dans le circuit
Cette tude t faite pour une frquence dentre de 2.45 GHz et avec une charge de 6 kW, qui correspond
la charge optimale en termes de rendement pour cette structure. Les donnes sont exprimes en pourcentage
par rapport la puissance dentre Pin.
F IGURE 4.35 Bilan des pertes de la rectenna de la Figure 4.26

Le rendement atteint 45% pour une puissance incidente de -5 dBm. Les pertes par dsadaptation au
niveau du port dexcitation atteignent leur valeur minimale denviron 8% autour du point Pin=-15 dBm,
qui est la puissance pour laquelle le circuit t optimis. Les pertes les plus importantes se situent au
niveau des diodes. Elles sont maximales autour de -20 dBm, aprs quoi ces pertes diminuent avec le niveau
de puissance dentre, jusqu atteindre un minimum denviron 10% vers +5 dBm. Pour des niveaux de
puissance suprieures +5 dBm, les pertes dans les diodes commencent augmenter, sous leffet des pertes
Joule provoques par la rsistance srie de la diode.
Les autres sources de pertes dans la rectenna reprsentent entre 3.5 et 6% de la puissance dentre. Ces
pertes proviennent de sources multiples, dont on peut citer les pertes dans le substrat du circuit, des pertes par
conduction dans les tronons de lignes, des pertes dans les composants passifs (inductances, capacits) ainsi
que des pertes par couplage et rayonnement. Ces pertes sont faibles par rapport aux pertes dans les diodes et
aux pertes par dsadaptation et sont difficilement quantifiable individuellement.
Les pertes dans le substrat pourraient tre rduites en choisissant une substrat faibles pertes en hautes
frquences, tels que le Arlon 25N ou le Rogers RO4000. Ces substrats sont toutefois nettement plus onreux
que le FR4 et les gains en rendement seraient trs limits.
4.4.4
4.4.4.1
Rsultats des mesures exprimentales

Protocole exprimental
Deux types de tests sont raliss sur les prototypes fabriqus :
84
F IGURE 4.36 Configuration du dispositif exprimental utilis pour le test individuel de redresseurs RF-DC
en conduit
en conduit
en rayonn
Les tests en conduit ont pour objectif de tester avec prcision les performances des circuits conus. La figure
6.2 montre le dispositif exprimental utilis pour des tests en conduit. Un gnrateur de signaux RF est
utilis pour contrler avec prcision la quantit de puissance injecte dans le circuit. Un boitier de rsistances
variables est connect en sortie pour modifier la charge de sortie. Un voltmtre ou un oscilloscope sert
mesurer ou visualiser la tension continue de sortie.
Lavantage des tests en conduit rside dans le fait que lon peut contrler prcisment les conditions de
tests et faire des comparaisons cohrentes avec les rsultats de simulations.
Il est galement possible de raliser des essais en rayonn. Dans ce cas de figure, les circuits de rectification sont associs une antenne dont les caractristiques sont connues et le systme est plac une certaine
distance dune source de rayonnement. Ce type de test est moins prcis car plusieurs facteurs dincertitudes
peuvent intervenir :
dsalignement des antennes dmission et rception
rflexions multiples (murs, sol, plafond)
absorption d aux obstacles
incertitude sur les niveaux rels de puissances mises et captes
Pour limiter au maximum le risque derreurs, les essais en rayonn se font dans la mesure du possible en
chambres anechoques. En raison des dimensions limites des chambres anechoques, les essais en rayonn
sur grandes distances (> 5 mtres) sont faits lextrieur, en espace libre. La configuration du dispositif
exprimental utilis lors des tests en rayonn est prsente sur la Figure 4.37.
Un gnrateur RF alimente lantenne dmission. En rception, lantenne capte londe RF et la rectenna
la convertit en tension continue, applique la charge. Un mesureur de champ lectrique est utilis pour
vrifier le niveau de champ (en V/m) au niveau de lantenne de rception.
85
F IGURE 4.37 Configuration du dispositif exprimental utilis pour le test en rayonn de redresseurs RF-DC
4.4.4.2
Comparaison exprimentale des structures
La Figure 4.38 prsente des photographies de circuits fabriqus sur un substrat FR4 dpaisseur 1.6
mm. A gauche, quelques prototypes raliss suite aux comparaisons faites entre diffrentes structures de
rectennas (section 4.2). Ces structures ont t caractrises suivant le protocole exprimental en conduit
prsent prcdemment. Les rsultats de mesure de la tension de sortie en fonction de la puissance incidente
sont donns sur la Figure 4.39.
Les topologies shunt et le doubleur ont des niveaux de tensions similaires pour des faibles puissances
infrieurs 10 dBm. Le doubleur fournit un niveau de tension suprieure pour des puissances suprieures
10 dBm. Le doubleur de tension deux tages fournit la tension la plus leve : 500 mV -5 dBm et atteint
presque 10 V 100 mW de puissance incidente. Son rendement de conversion est toutefois le moins leve de
tous (10 % -15 dBm et environ 30 % 10 dBm). La structure mono-diode srie offre le meilleur compromis
entre niveau de tension DC et rendement de conversion, comme prdit par les simulations (300 mV et 20 %
-15 dBm, 2 V et 40 % 0 dBm).
F IGURE 4.38 Photographies de prototypes fabriqus. A gauche, structures base de composants CMS ; A
droite, circuit doubleur de tension avec filtres hybrides : 50 W (en haut) et 10 W (en bas) [Marian et al., 2011b]
86
F IGURE 4.39 Rsultats exprimentaux du niveau de tension de sortie des diffrentes topologies de rectennas
Pour les doubleurs de tension avec impdance dantenne optimise, ils ont t fabriqus sur le mme
type de substrat FR4. Les filtres dentre et de sortie sont en technologie hybride CMS et micro-ruban. Les
capacits en particulier sont ralises avec des stubs radiaux micro-ruban.
Les rsultats des tests de ces deux topologies de circuits (Figure 4.40) confirment bien les conclusions des
simulations ralises. Les performances en termes de rendement de conversion RF-DC et surtout en termes
de niveau de tension DC se retrouvent considrablement amliores. En effet, nous avons cette fois ci un
niveau de tension mesure denviron 520 mV 2.45 GHz et pour une puissance dentre de -15 dBm, par
rapport 260 mV en configuration 50 W.
F IGURE 4.40 Comparaison du niveau de tension de sortie du circuit doubleur de tension 50

[Marian et al., 2011b]
W et 10 W
4.5. EFFET DES DISPERSIONS SUR LES COMPOSANTS
87
Cette amlioration a pour rsultat une porte qui se retrouve double pour un mme niveau de puissance
mise, ou une puissance divise par deux pour raliser la mme porte.
F IGURE 4.41 volution de la tension de sortie et du rendement en fonction de la puissance incidente 2.45
GHz
Le rendement du circuit doubleur adapt sur 10
W a galement t valu. La Figure 4.41 donne une
comparaison des rsultats de simulation et de mesures 2.45 GHz de la tension de sortie et du rendement de
conversion, en fonction de la puissance incidente. Le rendement sur une charge de 6 kW atteint 45 % pour
une puissance incidente de -5 dBm, aprs quoi il descend rapidement sous linfluence des pertes ohmiques
dans les diodes. Il y a cohrence entre mesures et simulation.
4.5
Effet des dispersions sur les composants
Lors de la fabrication des prototypes, en fonction des la mthode de soudure des composants CMS, des
disparits sur la reproductibilit des rsultats de mesures ont t constates. Plusieurs causes possibles ont t
identifies :
dispersions sur les valeurs des composants CMS (connus avec une prcision de 5 % ou 10 %)
prcision de 50 m de la machine graver qui t utilise pour la fabrication des cartes (modification
des caractristiques frquentielles des filtres repartis)
non-uniformit des caractristiques du substrat (r , paisseur)
lments parasites supplmentaires introduits par les soudures et non prises en compte dans les simulations
Afin didentifier si les dispersions sur les valeurs des composants, dimensions des pistes ou caractristiques
du substrat sont suffisantes pour justifier les carts observs en mesure, nous avons effectu des simulations
Monte Carlo sur deux rectennas en topologie doubleur, une avec filtres hybrides, comme dcrit prcdemment, et la deuxime avec filtres CMS. Des incertitudes de 10% sont considres sur les valeurs des com-
posants et la permitivit rlative du substrat, ainsi quun cart de 50m sur les dimensions gomtriques
des pistes micro-ruban. Les rsultats de ces simulations sont prsentes la Figure 4.42 pour une puissance
dentre de -15 dBm.
88
F IGURE 4.42 Simulation Monte Carlo sur la rectenna doubleur filtres hybrides ( gauche) et sur la rectenna
doubleur composantes CMS ( droite) pour Pin=-15 dBm et un intervalle de variation de 10% sur les
composants et dimensions des pistes
Nous observons une dispersion sur la frquence centrale de lordre de 200 MHz dans le cas de la structure
filtre hybride et de 175 MHz sur la structure filtre CMS. Les niveaux maximales atteints varient peu, de
lordre de 10 %.
Tandis que les rsultats des tests sur la structures base de filtres hybrides sont conformes la simulation,
il y a des fortes dispersions sur les structures base de filtres CMS souds en laboratoire. La Figure 4.43 donne
des rsultats de mesures ralise sur une srie de 16 exemplaires qui ont t souds en laboratoire.
Les rsultats sont trs diffrentes des simulations, et les dispersions sur les valeurs des composants ne
peuvent pas expliquer ces carts. On observe des diffrences importantes entre les structures en terme de
niveau de tension maximale. Lexplication semble tre la manire dont les soudures ont t faites. En effet, ces
soudures rajoutent des lments parasites qui engendrent des pertes non prises en compte dans les simulations.
De plus, ces composants peuvent tre abims cause des soudures faites la main, car elles sont sensibles
aux hautes tempratures. Les composants CMS utilises sont conus pour tre souds avec des tempratures
maximales qui ne dpassent pas 235C. Lors des soudures dans un four refusion, les tempratures maximales sont soigneusement respects, alors que lors des soudures la main, la pointe de soudure dpasse
souvent 300C et est pratiquement en contact direct avec les composants. Les caractristiques des composants ont une grande chance de se retrouver dgrades, ce qui pourrait expliquer les carts observs. Le
nombre de composants CMS des structures filtres hybrides est trs limit, ce qui permet de minimiser les
risques de dtrioration des composants par soudure.
4.6
Conclusion
Cette partie contient des rsultats de simulation et exprimentaux issus de la procdure de conception
de structures de rectennas ddies aux faibles niveaux de puissance RF incidente, spcifiques lapplication
de rveil distance par ondes lectromagntiques. Le niveau de puissance incidente prconis par le CdC
technique (-15 dBm), nous a oblig raliser des optimisations globales des circuits, ayant comme objectif
la maximisation du niveau de tension de sortie.
Plusieurs topologies de rectennas ont t compares en simulation et en mesure. Un nouveau degr de
libert, constitu par limpdance de lantenne rceptrice a t introduit dans le processus de conception. Ceci
nous a permis dobtenir un gain de 100 % en termes de niveau de tension DC et donc une porte du systme
4.6. CONCLUSION
89
F IGURE 4.43 Rsultats exprimentaux sur la rectenna doubleur base de composants CMS pour une puissance dentre de -15 dBm
de rveil potentiellement double.
Les rsultats exprimentaux sont conformes aux simulations, en raison notamment de lutilisation de la
co-simulation HB-Momentum qui tient compte aussi bien des non-linarits des circuits que des interactions
lectromagntiques et les composants parasites introduits par les interconnections et les lments distribus.
90
Chapitre 5
Intgration de la dmodulation dans le

systme complet
Comme dcrit prcdemment, le systme de rveil complet doit valider deux fonctions principales :
fermer un interrupteur distance, sans consommation lectrique du rcepteur
raliser lidentification dune adresse dans le signal incident
La fermeture de linterrupteur distance sans consommation lectrique du rcepteur est ralise grce la
tension continue gnre par la rectenna, partir du faisceau incident venant de la tlcommande. Pour ne
rveiller que lappareil souhait, un tage de dmodulation et didentification dadresse doit tre inclus dans
la chane de rveil. Cette partie passe en revue plusieurs solutions techniques possibles, dcrit la solution
retenue et prsente quelques rsultats issus de campagnes de tests sur le systme de rveil complet.
Comme dtaill dans le prcdent chapitre, les niveaux de tensions fournies par les rectennas sont situs
autour de 500 mV pour un niveau de puissance incidente de rfrence denviron -15 dBm, soit 30 mW. Or,
le niveau minimum de tension ncessaire pour commander une grille de transistor MOS qui supporte les
tensions du rseau EDF est dau moins 2.5 V. Il est donc vident quune application directe de la tension de
la rectenna sur la grille du transistor de puissance ne permettrait pas de raliser un rveil du systme, moins
de se retrouver une distance infrieure 2 mtres du dispositif rveiller (cf. CdC Technique RWU). La
solution retenue est de raliser le rveil en deux tapes, en utilisant un circuit de rveil intermdiaire, comme
le montre la Figure 5.1.
Lnergie provenant du faisceau microonde mis par la tlcommande ne sert qu fermer linterrupteur
du circuit basse tension. Il sagit de faire commuter un MOS basse tension, un niveau de tension situ autour
de 150 ou 200 mV est requis. Ce scnario prsente lavantage de diminuer considrablement le niveau de
puissance mis par la tlcommande, car la seule nergie ncessaire est celle pour commander la grille dun
petit MOS faible tension. On gagne ainsi en autonomie en ce qui concerne la tlcommande, mais la question
de lautonomie du rcepteur apparait. Il est donc important davoir un tage de dmodulation qui consomme
le moins possible pour lidentification de ladresse.
91
92
CHAPITRE 5. INTGRATION DE LA DMODULATION DANS LE SYSTME COMPLET
F IGURE 5.1 Schma de rveil en deux tapes avec tage de dmodulation
5.1
Architectures de rcepteur radio faible consommation
La caractristique fondamentale de ltage didentification de linformation est sa consommation dnergie. Il faut avoir lesprit le fait que plus un rcepteur radio est performant, plus il consommera de lnergie.
La sensibilit est un des paramtres qui sera diminu en rduisant la consommation. Il faudra galement choisir un type de modulation des donnes peu consommateur. Les principaux degrs de libert sur le rcepteur
radio sont :
La consommation dnergie
La frquence de rception
La sensibilit
Le type de modulation des donnes
5.1.1
Sauts de frquence
Une solution possible pour la dmodulation serait base sur les sauts de frquence ( frequency hopping )
qui consiste changer priodiquement la frquence de la porteuse du signal dinformations mis (Figure
5.2). Cette solution est employe dans des systmes comme le rseau GSM pour viter quil y ait plusieurs
dispositifs qui changent des donnes la mme frquence et en mme temps. Les sauts de frquences se
ralisent suivant une succession bien dfinie parmi les diffrents canaux et spcifique chaque application.
Dans le schma de la Figure 5.3, une configuration basique deux frquences (f1 et f2) est illustre. Il
sagit donc denvoyer et de reconnaitre un mot constitu dune combinaison de ces deux frquences (ex : f1 f1
f2 f1 f2) avec un pas de temps bien dfini, de telle manire que la probabilit que cette squence particulire
vienne dun autre dispositif que la tlcommande soit quasi nulle.
Les avantages dune telle ralisation seraient la facilit mettre en uvre de la partie logique laide
de portes logiques standard. De plus, elle peut tre adapte pour avoir des trs faibles consommations. Cette
solution, bien que simple dun point de vue fonctionnel, savre assez complique mettre en pratique cause
des filtres trs slectifs ncessaires. En effet, il sagit de distinguer deux ou plusieurs raies frquentielles
5.1. ARCHITECTURES DE RCEPTEUR RADIO FAIBLE CONSOMMATION
F IGURE 5.2 Principe des sauts de frquence ( frequency hopping ) [Glas et Linnartz, 1999]
F IGURE 5.3 Principe des sauts de frquence ( frequency hopping )
93
94
situes dans la mme bande ISM 2.4 GHz 2.48 GHz. Les filtres passifs ne sont pas assez slectifs pour
permettre une telle performance, il faudrait donc avoir recours des filtres actifs, ce qui augmenterait la
consommation du dispositif. Une solution pourrait tre constitue par lutilisation de filtres BAW 1 ou SAW 2 ,
trs slectifs. La plupart des filtres de ce type disponibles sur le march couvrent la totalit de la bande ISM.
Le seul moyen serait davoir recours un design ddi des filtres. Cela engendrait des cots importants (aussi
bien en termes de temps que dargent), en raison de la complexit de ces circuits intgrs. Pour ces raisons,
bien quaffichant certains avantages, cette solution ne semble pas la plus approprie dans le cadre de ce projet.
5.1.2
Dmodulateur intgr
Une deuxime solution possible serait de raliser un tage de dmodulation au sens classique, en se basant sur une topologie basse consommation, compte tenu de la quantit dnergie finie disponible dans le stockage local. La littrature montre quil est possible de raliser des rcepteurs radio simples qui consomment
quelques dizaines de W en fonctionnement, condition dutiliser une technologie de circuit intgr adapte.
Pour lexploration des architectures de rcepteurs radio minimalistes basse consommation, nous nous
sommes intresss aux rseaux de capteurs. En effet, ces capteurs ncessitent des consommations rduites
afin daugmenter la dure de vie des batteries. Pour ce faire, les rseaux de capteurs sont gnralement
caractrises par des rapports cycliques trs rduits et passent la plupart de leur temps en mode coute
[Rabaey et al., 2001]. Une approche efficace consiste utiliser un rcepteur auxiliaire de rveil qui scrute
en permanence le canal de rception pour dtecter des ordres de rveil et active le rcepteur principal. Sa
consommation doit tre donc trs faible, typiquement infrieure 100 W [Lin et al., 2004], ce qui reprsente un ordre de grandeur infrieur diffrentes architectures proposes dans la littrature [Otis et al., 2005,
Cook et al., 2006, Peiris et al., 2005].
Dans des rcepteurs radio classiques, on rencontre deux approches principales :
la conversion de frquence
la dtection denveloppe RF
Une grande partie des rcepteurs radio utilisent une architecture base de conversion de frquence, comme
dans le cas du rcepteur super-htrodyne (Figure 5.4(a)). Le signal RF est transform en frquence intermdiaire (IF) travers un oscillateur local (LO) trs prcis. Le signal est ensuite amplifi et filtr pour supprimer
le signal image et les interfrences. Un second mixer transforme le signal en bande de base laide dun
oscillateur local la frquence intermdiaire. Cette architecture, bien que trs sensible, ncessite des oscillateurs locaux trs stables en frquence et des bruits de phase trs faibles. La plupart du temps, ces oscillateurs
doivent tre inclus dans une boucle verrouillage de phase (PLL 3 ). La consommation ne peut en gnral
pas descendre moins de quelques centaines de W en raison des faibles facteurs de qualit des passifs intgrs de loscillateur local, qui reprsente quant lui, la plus grosse dpense dnergie dans cette architecture
[Cook et al., 2006].
Pour liminer loscillateur local nergivore, un rcepteur base de dtecteur enveloppe RF peut tre
employ (Figure 5.4(b)). Dans cette architecture, la slectivit est donne par un filtrage bande troite en
entre. Le dtecteur denveloppe est bas sur des composants non-linaires tels que les diodes, ce qui entrane
une limitation de sensibilit. Pour compenser, un gain RF important est introduit, ce qui reprsente la majeure
1. BAW : Bulk Acoustic Waves
2. SAW : Surface Acoustic Waves
3. PLL : Phase Lock Loop
95
F IGURE 5.4 Architectures de rcepteurs radio : (a) conversion de frquence (b) dtection enveloppe RF
[Pletcher et al., 2009]
F IGURE 5.5 Principe de fonctionnement du rcepteur frquence intermdiaire incertaine

partie de la consommation du rcepteur [Pletcher et al., 2007].
5.1.2.1
Architecture identifie
Dans [Pletcher et al., 2009], une nouvelle architecture de rcepteur destin des applications de rveil
est propose. Mme si ce rcepteur est suppos toujours en fonctionnement, ayant pour unique rle de rveiller le rcepteur principal en prsence dun ordre de rveil, nous pouvons imaginer utiliser une architecture
semblable pour notre tage de dmodulation. La diffrence est que notre tage de dmodulation sera compltement endormi et ne se rveillera que lorsque la rectenna aura activ son alimentation (pile) via la commande
du MOSFET faible tension. Lavantage cest que le rcepteur sera endormi la plupart du temps, et lorsquil
sera en fonctionnement, sa consommation est trs faible, ce qui se traduit par une longue dure de vie de la
batterie du stockage local. Nous allons dcrire par la suite cette nouvelle architecture.
Pour relaxer les contraintes en termes de prcision frquentielle et bruit de phase des oscillateurs, larchitecture propose lutilisation dun oscillateur local frquence libre, comme le montre la Figure 5.5. Sa
frquence na pas besoin tre bien dfinie, elle doit uniquement tre encadre dans une bande denviron 100
96
F IGURE 5.6 Schma-bloc du rcepteur frquence intermdiaire incertaine [Pletcher et al., 2009]
MHz autour de la frquence du signal dans ce cas. Le signal IF se retrouvera donc dans la bande 1-100 MHz.
Lamplification se ralise en IF, ce qui est beaucoup moins nergivore quune amplification la frquence
RF [Pletcher et al., 2008]. Le dtecteur denveloppe extrait la composante utile du signal, autour du DC, ce
qui impose une modulation de type OOK 1 car le dtecteur entrane une perte des informations relatives la
phase et la frquence du signal.
Le schma-bloc de cette architecture est donne la Figure 5.6. La slection du signal est ralis par
un tage dadaptation dimpdance contenant un filtre BAW, suivi par le melangeur frquence incertaine.
Ce dernier est pilot par la frquence de loscillateur local contrl numriquement (DCO 2 ). Lavantage
dun controle numrique est que loscillateur nest command quen cas de besoin, contrairement au signal
analogique de commande permanent dun VCO 3 [Pletcher et al., 2009].
Limplmentation du circuit de rception est donne la Figure 5.7 [Pletcher et al., 2009]. Lensemble
fonctionne sous une tension dalimentation de 0.5 V. Le mlangeur utilise une configuration une sortie et
double grille car lentre correspondante loscillateur local est pilote par un oscillateur en anneau une
sortie pour rduire la consommation.
Ltage damplification doit fournir un gain sur une large bande (100 MHz). Il est implment avec une
configuration paire diffrentielle large bande avec charges rsistives. Plusieurs tages de gain sont utilises
pour le rendre compatible avec une faible tension dalimentation. Trois des cinq tages ont une capacit qui
spare le courant de source, pour introduire un zro en DC et pour ne pas avoir de gain pour les frquences
trop basses de la bande de base [Toifl et al., 2006].
Le dtecteur denveloppe est une paire diffrentielle en faible inversion pour maximiser la non-linarit
[Daly et Chandrakasan, 2007]. Le signal diffrentiel IF commande les grilles des transistors M3 et M4 pour
faire apparatre un dcalage du point de polarisation, transformant ainsi le signal IF en signal bande de base.
1. OOK : On-Off Keying
2. DCO : Digitally Controlled Oscillator
3. VCO : Voltage Controlled Oscillator
97
F IGURE 5.7 Schma du circuit mlangeur et du dtecteur denveloppe [Pletcher et al., 2009]
5.1.2.2
Discussions sur la faisabilit en HCMOS9RF
Les performances du rcepteur dcrit prcdemment sont donnes dans le Tableau 5.1. La consommation
globale du circuit est autour de 52 W, ce qui est un ordre de grandeur infrieur aux ralisations prcdemment
rapportes dans la littrature. La sensibilit sen retrouve diminue environ -72 dBm, ce qui est toutefois
suffisant pour des applications de proximit.
Bien quun rcepteur radio intgr na pas t fabriqu dans le cadre de cette thse, des discutions dtailles ont t menes sur ce sujet avec des designers RF de chez ST Microelectronics, ayant comme point
de dpart larchitecture frquence intermdiaire incertaine. Lobjectif tait destimer les performances dun
rcepteur fabriqu dans la technologie HCMOS9RF de chez ST Microelectronics et bas sur larchitecture
prcdemment dcrite. Le Tableau 5.1 donne galement des estimations issues de ces discutions. Les valeurs
donnes comme estimation sont bases sur des caractristiques techniques de designs de blocs radio de chez
ST Microelectronics, qui trouvent des applications dans de tags RFID. Ces designs sont confidentiels ST
Microelectronics, tout comme les caractristiques dtailles de la technologie. Le principal facteur qui fait
que la consommation en HCMOS9RF augment par rapport un nud technologique 90 nm est le fait que la
tension dalimentation ncessaire est plus importante (0.9 V par rapport 0.5 V).
Par rapport la ralisation en CMOS 90 nm, une ralisation en HCMOS9RF 130 nm ncessiterait une
tension dalimentation minimale de lordre du Volt. La frquence centrale serait de 2.45 GHz. Les consommations correspondantes des diffrents lments du rcepteur se retrouveraient augmentes dune part du
fait que les transistors consomment plus en tant plus grands, mais aussi du fait que la frquence centrale
est plus importante. Une estimation raliste place la consommation totale deux fois celle obtenue par
[Pletcher et al., 2009], soit dans lintervalle 100-110 W pour une sensibilit autour de -60 dBm.
On peut donc conclure sur cette partie quil est possible de concevoir un rcepteur radio bas sur larchitecture frquence intermdiaire incertaine dans la technologie ST Microelectronics HCMOS9RF 130 nm,
tout en ayant une trs faible consommation, de lordre de 100 W. Ceci garantirait une dure de vie de la pile
98

Paramtre
Unit
Valeur estime en HCMOS9RF
V
GHz
W
W
W
W
Valeur daprs
ST Microelectronics CMOS 90
nm
0.5
2
8
22
20
2
W
kbps
nJ
dBm
52
100
<0.5
-72
100-110
-60
Technologie
Tension dalimentation
Frquence de la porteuse
Consommation mlangeur
Consommation amplificateurs
Consommation oscillateur local
Dissipation dtecteur
denveloppe
Dissipation totale
Dbit
nergie par bit reu
Sensitivit (BER=103 )
ST Microelectronics
HCMOS9RF 130 nm
0.9-1.2
2.45
20
45
40
4
TABLE 5.1 Tableau comparatif des performances du rcepteur dcrit par [Pletcher et al., 2009] et les caractristiques estimes dune implmentation en HCMOS9RF
du stockage local suprieure 10 ans. La sensibilit est largement suffisante en vue des faibles distances qui
sparent lmetteur du rcepteur dans lapplication RWU (d<10 m).
Cette implmentation ncessiterait toutefois des dlais de conception, fabrication et test importants, et ne
fait pas lobjet de ce travail de thse. Cette tude sur ltage de dmodulation avait comme objectif dvaluer
la faisabilit dun rcepteur capable doffrir des performances satisfaisantes et une faible consommation. Une
architecture t identifie et ses performances values. Son implmentation est une perspective des travaux
et une phase cl avant une commercialisation en grand volume du dispositif (rduction des couts).
5.1.3
Dmodulateur discret
La solution la plus simple et rapide mettre en place avec les moyens dont le consortium dispose (en
particulier Sorec), est une ralisation en composants discrets. Afin de minimiser les consommations des
composants, une solution base de dtecteurs diodes est privilgier, au dtriment des performances,
notamment la sensibilit. En raison de fortes contraintes imposes par le transfert de puissance, lmetteur
et le rcepteur se trouveront faible distance (quelques mtres). La sensibilit ne devrait donc pas tre un
facteur limitant. Le schma de principe de cette solution est donn dans la Figure 5.8.
Dans ce cas de figures, un dmodulateur diodes extrait directement le signal de donnes du signal RF. Le
fait dutiliser un dtecteur diodes dtriore certainement le facteur de bruit. Mais vu les faibles contraintes
de sensibilit, porte et dbit du systme dchange dinformations, cet effet nest pas handicapant. Le signal
rsultant aura donc une frquence de seulement quelques kHz au lien de 2.45 GHz. Il sera ensuite amplifi
par un amplificateur basse frquence, jusqu un niveau compatible avec les niveaux logiques dun microcontrleur ou bien du convertisseur analogique numrique de ce dernier. Lavantage damplifier le signal en
basse frquence plutt quen haute frquence est que la consommation est diminue de plusieurs ordres de
grandeurs. La modulation est du type OOK, comme dans le cas dun rcepteur intgr.
Ce sera le rle du microcontrleur de comprendre les donnes et de les comparer avec une adresse prdfinie dans sa mmoire. Il est important de rduire galement au maximum les consommations au niveau du
microcontrleur. Il existe des gammes de microcontrleurs trs faible consommation, comme la gamme XLP
99
F IGURE 5.8 Systme de rveil utilisant un dmodulateur base de composants discrets.

chez Microchip ou MSP430 chez Texas Instruments qui consomment seulement quelques dizaines de mA
dans certaines conditions. En raison des expriences antrieures de Sorec, le choix sest port sur la gamme
Microchip XLP. Une telle configuration semble la plus facile mettre en place et devrait fournir des performances suffisantes pour cette application. Elle offre surtout des avantages tels que la possibilit davoir une
adresse unique pour chaque dispositif RWU et elle est en mme temps reconfigurable par programmation
du microcontrleur. Elle sera probablement moins performante que le dmodulateur en technologie intgre,
mais la sensibilit sera toutefois suffisante pour un fonctionnement quelques mtres.
La solution retenue est dcrite la Figure 5.9. Par rapport la topologie dcrite prcdemment, la solution
retenue a la particularit dutiliser la mme rectenna que celle utilise pour la conversion de puissance en tant
que dtecteur diodes. Son fonctionnement peut se rsumer de la manire suivante :
le signal de puissance RF est transform en tension DC par la rectenna
cette tension ferme linterrupteur T1
on alimente ainsi lamplificateur et le microcontroleur
aprs larrt du signal de puissance, le microcontroleur ralise lauto-maintien de lalimentation travers T2
rception du signal de donnes par la mme voie RF
extraction par la rectenna du signal carr contenant ladresse
amplification du signal par lamplificateur
interprtation de ladresse par le microcontroleur
si ladresse est la bonne, le microcontroleur donne lordre de rveil au MOSFET de puissance arrte
lauto-maintien de son alimentation
sinon, pas dordre de rveil, arrt de lauto-maintien de lalimentation
Ltage de dmodulation se compose de la rectenna utilise comme dtecteur diodes, de lamplificateur et du microcontrleur. La rectenna joue le rle de dtecteur diodes, et fournit un signal carr dont
lamplitude varie en fonction de la puissance RF du signal de donnes reu.
Pour le choix de lamplificateur, sa consommation et son produit gain-bande ont t des facteurs dterminants. Le LT6000 a t choisi en raison dune consommation de 13 A sous 1.8 V et un produit gain-bande de
50 kHz [Linear Technology, 2005]. Un amplificateur oprationnel est utilis dans un montage non inverseur
dont le gain scrit :
100
F IGURE 5.9 Schma du rcepteur RWU avec dmodulation discrte
G = 1+
R2
R1
(5.1)
Dans le montage de la Figure 5.9, les valeur des rsistances sont : R1 =10 kW et R2 =100 kW, soit un gain
de 11. Le signal issue de lamplificateur est envoy vers lentre du convertisseur analogique-numrique du
microcontrleur. Sagissant dun convertisseur 12 bit, sa rsolution sous une tension dalimentation de 1.8 V
est de :
VADC min =
1.8
= 440 V
212
(5.2)
La limite de dtection est donc donne par cette limite de la rsolution du convertisseur analogique numrique. Le signal carr en entre de lamplificateur doit donc avoir une amplitude minimale de 440/11=40
V au minimum. La rectenna doit donc fournir 40 V sa sortie.
La Figure 5.10 donne lvolution de cette amplitude la limite de la dtection (puissance incidente entre
-50 et -60 dBm). La limite de dtection thorique est atteinte pour une puissance incidente de -58 dBm, soit
environ 1.6 nW. Pour une puissance mise de 1 mW (0 dBm) au niveau de la tlcommande travers la mme
antenne dmission que la puissance (gain 6 dBi), pour avoir un niveau de puissance de 1.6 nW en entre de
la rectenna avec une antenne de rception de 6 dBi, la porte thorique est de 31 mtres en vise directe et
sans trajets multiples. Il sagit ici dune valeur maximale thorique, qui est largement suprieure aux portes
du transfert de puissance. Lchange de donnes nest donc pas un facteur de limitation.
Lallure temporelle du signal mis par la tlcommande est donne la Figure 5.11. Le signal de puissance amplifi (Pa) est mis dabord, pendant une dure de 100 ms, suivi par le signal de donnes (Pi). La
mthode de gnration de la trame est quivalente une modulation OOK. La trame est gnre en plaant
le transmetteur RF en mode porteuse pure une frquence de 2.45 GHz pour la gnration du bit 1 et pas
dmission pour le bit 0. La vitesse de transmission de la trame est fixe par dfaut 2kbps. Dans ce cas,
la dure dmission pour chaque bit est de 500 s et la dure dmission dune trame est de 4ms. Par dfaut,
cette trame est envoye 3 fois avec un temps dattente entre chaque trame. La puissance du signal lentre
de lantenne dmission est de 0 dBm, soit 1 mW.
Le signal en sortie de lamplificateur est galement donn la Figure 5.11. La sortie simule de la rectenna
5.2. LINTERRUPTEUR DE PUISSANCE AUTO-MAINTIEN
101
F IGURE 5.10 volution de la tension de sortie de la rectenna en mode dtecteur diodes

donne un signal carr de 100 V. Le signal de sortie de lamplificateur a une amplitude de 1.1 mV. Ce signal
est ensuite analys par le microcontroleur par lintermdiaire de son convertisseur analogique numrique.
La consommation maximale de lamplificateur est de 13 A sous 1.8 V, tandis que pour le microcontroleur, elle dpend de la phase de fonctionnement. Elle est de 81 A/MHz maximum en fonctionnement. Le test
de ltage de dmodulation est en cours et une estimation de la consommation globale devrait tre disponible
prochainement. Celle-ci ne devrait pas dpasser 300 W au maximum et ceci uniquement pendant la phase
dinterprtation des donnes, ce qui reste compatible avec des dures de vie de la pile suprieure 10 ans.
5.2
Linterrupteur de puissance auto-maintien
La Figure 5.12 montre un schma lectrique dtaill du circuit interrupteur de puissance auto-maintien.
Il sagit dun interrupteur command en tension qui comporte la fonction dauto-maintien. Un niveau de tension DC de +3 V est appliqu sur la grille du transistor T1 par le microcontroleur. Cette tension est suprieure
sa tension de seuil (environ 2 V) et le transistor devient passant. Le courant passe donc dans le primaire
du transformateur TX1 sous une tension de 220 V. On retrouve au secondaire du mme transformateur une
tension alternative denviron 6 V. Le pont de diodes P2 redresse cette tension alternative vers une tension
continue, qui charge le condensateur C2 sous une tension de 6 V environ. Cette tension se retrouve sur la
grille du transistor T2, qui devient ainsi passant. A ce moment, mme si la tension qui a rendu le transistor
T1 passant est interrompue, la charge continue dtre alimente par lintermdiaire de T2. On ralise ainsi la
fonction dinterrupteur auto maintien.
Les formes temporelles des signaux dans ce circuit sont donnes la Figure 5.13.
On voit bien que la grille du transistor T2 continue tre polarise aprs larrt du signal de commande
de la grille du transistor T1, ce qui ralise lauto-maintien de lalimentation de la charge.
Pour le transistor T1, le BSP324 a t choisi en raison de sa faible tension de seuil (autour de 2 V) et son
faible courant de fuite (10 nA). En revanche, sa rsistance ltat passant est importante (RDSon =25
W), ce
qui aurait engendr des pertes importantes pendant les phases de fonctionnement normal de la charge. Cest
pour cette raison que ce transistor nest utilis que pour la phase de dmarrage afin de charger la capacit de
102
F IGURE 5.11 Allures temporelles du signal reu par lantenne de rception et de la rponse de la rectenna
(en haut) ; Signal amplifi (en bas)
F IGURE 5.12 Schma de linterrupteur de puissance auto-maintien
F IGURE 5.13 Signaux temporels dans linterrupteur de puissance auto-maintien
103
104

Paramtre
RDSon
RDSo f f
Pertes tat passant (IDS =1 A)
Pertes veille
Unit
W
W
W
W
T1
20
4 1010
1.3 106
T2
0.09
1.2 108
0.09
0.44 103
Total
0.09
0.44 103
TABLE 5.2 Bilan des pertes dues aux transistors T1 et T2 en fonctionnement et en veille
F IGURE 5.14 volution des pertes dans T2 en fonction de la puissance absorbe par la charge
grille du transistor T2. Cest ce dernier qui est actif pendant les phases de fonctionnement de la charge, il est
donc important davoir une faible rsistance interne ltat passant. Nous avons choisi le IPB60R099 ayant
un RDSon =0.09 W. Sa rsistance ltat bloqu est de lordre de 120 MW.
Le Tableau 5.2 fait un bilan des pertes dues la prsence de ces deux transistors en fonctionnement et
en veille. Les pertes en fonctionnement sont dues essentiellement au transistor T2, car T1 nest passant que
pendant un temps court (10 ms) ncessaire au chargement de la capacit de grille de T2. Les pertes dans T2
en fonctionnement sont de lordre de 90 mW pour un courant de 1 A absorb par la charge sous 230 V. En
veille, il y des courants de fuite dans les deux MOSFET de puissance, mais le plus important se retrouve dans
T2. Les pertes en veille du rcepteur sont de lordre de 440 W, soit infrieures lobjectif de 1 mW impos
par le CdC initial. Ces valeurs ont t valides par la mesure. Les contraintes de consommation en veille sont
donc respectes.
Il est important, afin dvaluer les gains en consommation potentiellement ralisables avec ce type de
dispositif, de raliser une analyse comparative entre la consommation lectrique dun dispositif classique
et un dispositif fonctionnant laide du circuit de rveil propos. En effet, si la consommation de veille
est quasiment supprime (elle est infrieure 0.5 mW), la prsence des composants actifs supplmentaires
en entre du dispositif (transistor T2, pont de diodes P1) rajoutent des pertes pendant les priodes durant
lesquelles la charge est alimente.
Ces pertes dpendent fortement de la puissance lectrique absorbe par la charge. La Figure 5.14 trace
lvolution des pertes du transistor T2 en fonction de la puissance absorbe par la charge. Pour des puissances
absorbes allant jusqu 200 W, la puissance dissipe dans le transistor T2 demeurent infrieures 50 mW,
et elles peuvent aller jusqu 400 mW pour une charge absorbant 500 W.
Nous allons par la suite quantifier les pertes rajoutes par la prsence du pont de diodes P1, en entre du
105
F IGURE 5.15 volution des pertes dans P1 en fonction de la puissance absorbe par la charge
circuit de puissance. Lvolution de ces pertes est donne la Figure 5.15. Les pertes dans le pont de diodes
P1 sont considrablement plus importantes que dans T2 cause notamment des tensions de seuils des diodes.
La tension aux bornes dune diode en conduction peut scrire :
vd (t) = Vt0 + Rd Id (t)
(5.3)
La puissance dissipe en conduction est donc donne par :

2
Pcond = Vt0 IF(av) + Rd IF(rms)
(5.4)
avec :
Vt0
tension de seuil de la diode (I=0) ;
IF(av)
courant direct moyen dans la diode ;
IF(rms)
courant direct efficace dans la diode ;
Rd
rsistance de la diode ;
Ces pertes restent infrieures 1 W pour des puissances de charge infrieures 200 W.
La contribution des autres lments aux pertes est ngligeable. En effet, le transistor T1 ne conduit que
pendant la phase de reveil. Il est ltat bloqu pendant le fonctionnement normal de la charge. Le transformateur TX1 et le pont redresseur P2 servent uniquement au maintien dune tension de 5 V environ sur
la grille de T2, pour le maintenir passant. Il ny a quun courant trs faible qui circule dans TX1 et P2 (de
lordre de 5 A). Les pertes de ces deux lments sont infrieures 1 mW.
La Figure 5.16 donne la surconsommation lectrique totale introduite par le circuit de rveil automaintien propos, pendant les phases o la charge est active. Cette surconsommation est donne en pourcentages
par rapport la puissance absorbe par la charge.
Le circuit dautomaintien rajoute entre 0.4 % et 0.6 % de consommation pendant les phases de fonctionnement normal, tout en supprimant la consommation de veille. Ces pertes sont provoques essentiellement
par le pont de diodes P1.
Afin dvaluer limpact sur la consommation globale dun dispositif utilisant ce dispositif par rapport
un dispositif classique, nous allons choisir trois applications :
Un volet lectrique command par radio
106
F IGURE 5.16 Surconsommation due au circuit dautomaintien (en % de la puissance absorbe par la charge)
Phase de fonctionnement
Classique
RWU
Veille
En
fonctionnement
Veille
En
fonctionnement
2W
Dure
dutilisation
journalire
23h et 55 min
200 W
5 min
6.08 kWh
0.0005 W
23h et 55 min
0.005 kWh
201 W
5 min
6.11 kWh
Puissance
Consommation
annuelle
17.5 kWh
Total annuel
23.58 kWh
6.115 kWh
TABLE 5.3 Comparaison des consommations dun store lectrique tlcommand classique et un utilisant
le systme de rveil RWU
Un tlviseur LCD
Un portail de garage tlcommand
Pour le volet lectrique, nous allons prendre en compte 10 actionnements par jour dans le calcul (mme
si le scnario de fonctionnement classique consiste le plus souvent en deux actionnements par jour, une
remonte le matin et une descente le soir). Les puissances des moteurs de stores lectriques vont denviron
100 W jusqu 400 W. Nous allons considrer une valeur moyenne de 200 W, pour une dure de monte
ou de descente de 30 secondes. En mode veille, la consommation typique dun rcepteur radio de volet
lectrique, aliment par le secteur, se situe entre 1 et 3 W. Nous allons prendre en compte une consommation
moyenne de 2 W en mode veille. Pour le mme dispositif utilisant une stratgie de rveil de type RWU, une
consommation de veille de 0.5 mW est considre, tandis que 0.5 % de la puissance absorbe sont rajoute
sa consommation en mode actif. Le Tableau 5.3 prsente une comparaison globale entre les consommations
obtenues avec les deux stratgies de fonctionnement.
Il est vident que dans ce cas-la, la technologie RWU permettrait dconomiser environ 17.5 kWh/an/store
Classique
RWU
Puissance
Veille
En
fonctionnement
Veille
En
fonctionnement
107
Consommation
annuelle
1W
100 W
Dure
dutilisation
journalire
21h
3h
Total annuel
7.66 kWh
109.5 kWh
117.16 kWh
0.0005 W
100.5 W
21h
3h
0.004 kWh
110.05 kWh
110.05 kWh
TABLE 5.4 Comparaison des consommations dun tlviseur LCD classique et un utilisant le systme de
rveil RWU
Classique
RWU
Puissance
Veille
En
fonctionnement
Veille
En
fonctionnement
4W
500 W
Dure
dutilisation
journalire
23h et 58 min
2 min
0.0005 W
502.5 W
23h et 58 min
2 min
Consommation
annuelle
Total annuel
35 kWh
6.08 kWh
41.08 kWh
0.004 kWh
6.11 kWh
6.11 kWh
TABLE 5.5 Comparaison des consommations dun portail de garage tlcommand classique et un utilisant
le systme de rveil RWU
lectrique. La consommation annuelle du dispositf est rduite de 75 % avec le recepteur RWU par rapport
un fonctionnement classique. Pour une habitation moyenne, le nombre de stores peut se situer entre 5 et 10,
on peut donc compter sur une rduction de plus de 100 kWh/an de la facture dlectricit du foyer, rien que
sur les stores lectriques.
Un deuxime scnario consiste en un tlviseur LCD. Leur consommation varie en fonction de la taille
et des performances nergtiques, mais se situe gnralement entre 50 W et 200 W, tandis que en ce qui
concerne les consommations de veille, elles sont gnralement entre 0.3 et 2 W. Nous allons considrer le cas
dun tlviseur LCD consommant 100 W en mode actif et 1 W en mode veille. La dure moyenne dutilisation
est estime 3h/jour. Le Tableau 5.4 dresse un bilan annuel de consommation.
Encore une fois, lutilisation du rcepteur RWU amliore le bilan nergtique du dispositif. Ce dernier
est positif, et permet de rduire la quasi-totalit des pertes en veille, sans rajouter des pertes considrables en
fonctionnement normal. La consommation du dispositif se retrouve rduite de 6 % sur un an. Les consommations de veille des tlviseurs sont rgies par des normes leur imposant des limites qui voluent la baisse.
Cest la raison pour laquelle les consommations de veille sont relativement modres. Ce nest pas le cas
dautres dispositifs, qui ne doivent pas respecter les mmes contraintes normatives. Les consommations de
veille de dispositifs comme les chaines Hifi ou les lecteurs DVD sont souvent plus importantes que celles des
tlviseurs. Les gains en efficacit seraient encore plus consquentes sur ce type de dispositifs.
Le troisime cas dapplication, le portail de garage, est caractris par une consommation moyenne de 500
W en fonctionnement et de 4 W en veille. Quatre actionnements par jours sont envisags (deux ouvertures
et deux fermetures), avec une dure moyenne de 30 secondes chacune. Le Tableau 5.5 rsume le bilan de
consommation annuelle.
108

Puissance RF (mW)
40
100
800
Puissance EIRP (W)

0.2
0.5
4
Porte (m)
5
9
>25
TABLE 5.6 Rsum des rsultats des tests de porte du systme RWU
Pour ce type dquipement, la majorit de la consommation est constitue par les pertes en veille (utilisation de la mme alimentation pour le moteur et pour le rcepteur radio). En supprimant ces pertes, la
consommation du dispositif est rduite de 85 %.
Il faut toutefois avoir lesprit que ce dispositif na de lintrt que si le dispositif rveiller un mode
dutilisation dans lequel les phases de veille sont importantes par rapport aux phases de fonctionnement,
comme les exemples dapplications potentielles cits prcdemment. Toutes ces rductions de consommation
sont cumulables au sein dun foyer.
5.3
Test du systme de rveil
Des tests du systme de rveil ont t effectus, en faisant varier la puissance mise et la distance entre
metteur et rcepteur. La dure dmission du signal a t fixe 100 ms, avec une mission permise tous les
2 s, soit un rapport cyclique de 0.05, pour des raisons normatives. La frquence est de 2.45 GHz. Les rsultats
des tests en termes de porte maximale (le rcepteur sallume chaque fois) sont donnes dans le Tableau 5.6.
La distance minimale de 5 mtres est franchie avec uniquement 40 mW en sortie de lamplificateur RF de
la tlcommande, tandis que le maximum ralis, tout en respectant les normes ISM, dpasse les 25 mtres en
espace libre et en vision directe. Il a galement t constat quun ds-alignement infrieur 15 ne modifient
pas considrablement ces distances. Les tests ont t faites en chambre anechoque pour des distances allant
jusqu 5 m, et lextrieur (grand hall dentre du btiment Ester Technopole du laboratoire Xlim Limoges,
offrant un espace libre denviron 50 m).
Dun point de vue consommation de veille du rcepteur, des mesures ont t galement faites. Elles
confirment les prdictions, avec des consommations de veille infrieures 500 W, soit deux fois infrieures
la limite fixe par le CdC.
En mme temps, la consommation de ltage de dmodulation est de lordre de 200 W pendant 20 ms
environ. Le temps de rveil total (entre lappui sur le bouton de la tlcommande et le moment ou la charge
est alimente) est de lordre de 200 ms, ce qui est transparent pour lutilisateur.
5.4
Conclusion
Cette partie sest intresse larchitecture globale du rcepteur, en particulier ltage de dmodulation
et linterrupteur de puissance auto-maintien. Plusieurs architectures de rcepteur radio basse consommation
ont t investigues, ayant pour objectif de maximiser lautonomie du stockage local dnergie. Larchitecture
intgre frquence intermdiaire incertaine permet dobtenir des consommations trs faibles (infrieures
100 W), mais linconvnient de ncessiter des dlais de conception et des cots importants, sauf si le
systme est ralis en grand volume.
5.4. CONCLUSION
109
Larchitecture discrte retenue offre lavantage dutiliser la rectenna en tant que dtecteur diodes, rduisant ainsi les cots et lencombrement. Lessentiel de la consommation est due au microcontroleur, mais celle
ci reste raisonnable (300 W). Un autre point positif est sa simplicit de mise en uvre pour une sensibilit
suffisante pour lapplication vise.
Il a galement t prouv dans cette partie que la consommation de veille du rcepteur est infrieure
0.5 mW, et elle est due essentiellement des courants de fuite des transistors de puissance. Les portes
obtenues dpassent largement les contraintes du CdC, tout en respectant les normes sanitaires de protection
des personnes relatives lexposition aux champs lectromagntiques.
110
Chapitre 6
Rcepteur adaptatif dnergie

lectromagntique
Comme il a t vu dans les chapitres prcdents, une des limitations dune rectenna est le fait quelle
est optimise pour un point de fonctionnement particulier. De bonnes performances en terme de conversion
RF-DC sont obtenues dans une certaine gamme de puissances dentre, une frquence centrale et un certain
niveau de charge DC de sortie. En dehors de ces limites, le rendement de conversion se trouve considrablement dgrad [Takhedmit et al., ].
Si ladaptation dimpdance lie au changement du point de fonctionnement de la charge peut tre rsolue
par ladjonction dun convertisseur DC-DC, qui inclut une fonction MPPT, ladaptation en puissance est plus
dlicate effectuer, puisque chaque rectenna est intrinsquement caractrise par une puissance dentre
optimale. Ceci est d au fait que limpdance du circuit change en fonction de la puissance dentre cause
des diodes. En changeant le point de fonctionnement sur la caractristique des diodes, on modifie limpdance
dentre. Ladaptation dimpdance est donc mauvaise en dehors dune gamme de puissance assez troite et
la rectenna devient rapidement inefficace.
Ceci constitue un inconvnient majeur dans le cadre dapplications dans lesquelles la puissance incidente
peut varier considrablement, comme par exemple lors de lalimentation sans fil dun dispositif en mouvement o travers un milieu qui peut changer. De plus, la puissance reue peut tre trs diffrente entre
la situation ou une source volontaire dnergie est utilise ou bien si on utilise lnergie lectromagntique
ambiante pour alimenter un dispositif lectronique.
La partie suivante prsente une architecture de rcepteur dondes lectromagntiques qui permet de saffranchir de ces inconvnients travers une topologie auto-adaptative.
6.1
Scnario dapplication
Un exemple typique dapplication est dtaill la Figure 6.1. Lobjectif est de transmettre de lnergie
vers un capteur plac dans un endroit inaccessible, comme par exemple un capteur inclus dans la structure en
bton dun pont [DiStasi et al., 2010, Harms et al., 2010].
Les batteries peuvent tre recharges lorsque leur niveau dnergie devient faible. Pour un mme capteur,
trois scnarios sont illustrs.
111
112
CHAPITRE 6. RCEPTEUR ADAPTATIF DNERGIE LECTROMAGNTIQUE
F IGURE 6.1 Scnarios de transfert dnergie sans fil pour lalimentation dun capteur isol : a) recharge
distance ; b) recharge proximit ; c) rcupration dnergie lectromagntique ambiante.
Transmettre de lnergie de manire intentionnelle laide dun metteur avec une antenne directrice,
comme par exemple une parabole [Thongsopa et al., 2007] [Gardelli et al., 2004]. Pour une puissance
de 1 W mise une distance de 5 mtres du rcepteur, environ 10 mW peuvent tre rcuprs et
fournis au capteur par lintermdiaire dune antenne compacte et avec un gain relativement important
[Kim et Yang, 2007, Shibata et al., 2007] (Figure 6.1(a)).
Transmettre de lnergie de manire intentionnelle laide dun metteur plus compact, plac proximit de la zone du capteur (Figure 6.1(b)). Environ 20 % de lnergie transmise (100 mW) est potentiellement rcuprable en rception, ce qui permet une recharge plus rapide des batteries.
Tirer profit des niveaux de plus en plus importants de champs lectromagntiques prsents dans notre
environnement, dus essentiellement au dveloppement massif des communications sans fil (Figure
6.1(c)). Les bandes de frquence les plus prsentes sont situes autour de 900/1800 MHz pour le
GSM/DCS, 2-2.2 GHz pour UMTS et 3G et 2.45 GHz pour le WiFi. Des campagnes de mesures ont
montr que les densits de puissance, des distances comprises entre 25 et 100 mtres dune station relais GSM ainsi qu quelques mtres dune borne WiFi, peuvent atteindre quelques W/cm
[Visser et al., 2008], en particulier en milieu urbain. Ces faibles densits de puissance peuvent reprsenter, dans certaines conditions, une source alternative dnergie qui permet daugmenter la dure de
vie des batteries du capteur [Vullers et al., 2008, Hagerty et al., 2004].
Lutilisation dune simple rectenna pour un tel systme de transmission dnergie sans fil ne serait pas idale
cause de la grande incertitude sur le niveau dnergie incidente. Celle-ci peut tre situe dans lintervalle 1
W et 1 W, soit comprise entre -30 dBm et +30 dBm. Il serait trs probable que le redresseur fonctionne en
dehors de sa plage de puissance optimale et son efficacit serait, par consquence, mdiocre.
6.2. TOPOLOGIES DE RECTENNAS UTILISES
113
F IGURE 6.2 Configuration du dispositif exprimental utilis pour le test individuel de redresseurs RF-DC
TABLE 6.1 Paramtres des diodes utilises dans les topologies de la Figure 6.3
Paramtre
Symbole Unit HSMS2850 HSMS2860 HSMS2820
Tenue en tension
BV
V
3.8
7
15
Capacit de jonction
C j0
pF
0.18
0.18
0.7
Gap nergtique
Eg
eV
0.69
0.69
0.69
Courant inverse de claquage
IBV
A
1 104
1 105
1 104
6
8
Courant de saturation
IS
A
3 10
5 10
2.2 108
Coefficient dmission
N
1.06
1.08
1.08
Rsistance srie
RS
W
25
6
6
Tension de seuil
V0
V
0.35
0.65
0.65
Coefficient de temprature
XT I
2
2
2
Coefficient de variation de jonction
M
0.5
0.5
0.5
6.2
Topologies de rectennas utilises
Un redresseur est conu et optimise pour chaque gamme de puissance. La Figure 6.2 montre la configuration exprimentale utilise pour le test de chaque rectenna. La puissance dentre est fournie par un
gnrateur de signal haute frquence et dimpdance interne 50 W afin de contrler avec prcision le niveau
de puissance injecte dans le circuit. Tous les circuits de cette partie ont t optimiss pour une frquence de
2.45 GHz.
6.2.1
Rectenna mono-diode srie
La structure du circuit rectenna mono-diode srie est donne la Figure 6.3(a). Elle a t conue pour une
gamme de puissance dentre infrieure 0 dBm. Comme cette structure est ddie aux niveaux de puissances
faibles, la tenue en puissance peut tre sacrifie en faveur de la sensibilit. Le choix a t fait dutiliser des
diodes Schottky ayant de faibles tensions de seuil et faibles capacits de jonction, soit la HSMS2850 dAgilent
(Tableau 6.1).
Le rendement maximal est obtenu pour une charge de 2.4 kW. La Figure 6.4 trace lvolution du rende-
ment de conversion RF-DC en fonction du niveau de puissance incidente RF. La charge de la rectenna a t
fixe sa valeur optimale. Le rendement de conversion maximal est de lordre de 50 % et est atteint pour des
114
F IGURE 6.3 Topologies de Rectennas utilises : a) Mono-diode srie ; b) Mono-diode shunt ; c) Pont.
115
F IGURE 6.4 Rsultats de simulation et de mesure du rendement de conversion et rsultats des mesure de la
tension de sortie de la rectenna mono-diode srie pour une charge optimale de 2.4 kW.
puissances entre -5 dBm et 0 dBm (1 mW) de puissance incidente. Pour des niveaux de puissance incidente
plus faibles, lefficacit est plus faible cause de la tension de seuil de la diode, qui est comparable lamplitude du signal incident. A des niveaux de puissances plus importants, les pertes dues la rsistance srie
des diodes deviennent dominantes.
Le niveau de tension de sortie DC de la structure mono-diode srie est de 400 mV -15 dBm, 2.1 V 0
dBm et 3.75 V 10 dBm de puissance incidente respectivement.
6.2.2
Rectenna mono-diode shunt
Une deuxime rectenna a t conue pour la gamme de puissance comprise entre 0 dBm et 20 dBm. La
diode est monte en shunt, comme dans la Figure 6.3(b).
A ces niveaux de puissance incidente, la tension de seuil a un moindre impact sur les performances du
circuit. Lobjectif est donc de diminuer les pertes dues la rsistance interne de la diode et daugmenter la
tenue en puissance. La diode utilise pour cette structure est une HSMS2860 de Agilent, avec une tension de
seuil de 650 mV. La rsistance interne est de 6 W et la tension de claquage est de 7 V (Tableau 6.1).
Cette structure affiche un rendement maximal de 70 % pour une puissance dentre de +15 dBm, comme
le montre la Figure 6.5. Les tests ont t raliss en conditions de transfert optimal, avec une charge de 750
W.
Compare la structure mono-diode srie, cette structure a une efficacit plus faible pour les basses
puissances. A titre de comparaison, le niveau de 10 % defficacit est atteint pour -10 dBm, compar -23
dBm pour la structure prcdente. Pour des niveaux de puissance suprieurs 15 dBm, le rendement dcroit
rapidement cause des pertes ohmiques internes la diode. Le niveau de tension de sortie DC est de 335 mV
0 dBm, 1.45 V 10 dBm et 4 V 20 dBm respectivement.
116
F IGURE 6.5 Rsultats de simulation et de mesure du rendement de conversion et rsultats des mesure de la
tension de sortie de la rectenna mono-diode shunt pour une charge optimale de 750 W.
6.2.3
Rectenna en pont
La topologie en pont est largement rpandue dans les convertisseurs AC-DC basse frquence
[Xie et al., 2009]. Sa structure est donne dans la Figure 6.3(c). Dans la configuration en pont, un redressement double alternance est utilis et les alternances positives et ngatives doivent franchir deux tensions
de seuil. Cest la raison pour laquelle cette structure nest pas adapte pour les faibles niveaux de puissance
incidente [Merabet et al., 2009b]. Elle prsente toutefois lavantage doffrir des bonnes tenues en puissance
si des diodes tension de claquage leve sont employes. Ici, des diodes HSMS2820 de Agilent ont t
utilises, ayant une tension de claquage de 15 V et 6 Ohm de rsistance srie.
Lvolution de la conversion RF-DC de la structure en pont est donne dans la Figure 6.6. Des conditions
dadaptation de charge optimale ont t considres, avec une charge de 200 W. Une efficacit maximale de
78 % est atteinte pour +23 dBm de puissance incidente, aprs quoi le rendement diminue rapidement. Le
point defficacit 10 % est atteint pour 0 dBm. La tension de sortie DC est de 1.1 V +10 dBm, 4.2 V +20
dBm et atteint 9.3 V +30 dBm respectivement.
La Figure 6.7 montre lvolution du rendement de conversion mesur des trois rectennas en fonction de la
charge de sortie. Ces rsultats exprimentaux confirment les simulations qui prvoyaient une charge optimale
de 200 W pour la structure en pont, 750 W pour la structure shunt et 2.4 kW pour la structure srie.
Les diffrentes topologies RF-DC prsentes offrent de bonnes performances dans une gamme de puissance limite. Lutilisation de lune ou dune autre rectenna peut tre dcide facilement dans un systme o
le niveau de puissance incidente est bien dtermin et non assujetti des variations. En pratique, le niveau de
puissance disponible au niveau du rcepteur est influenc par de nombreux facteurs. Lenvironnement peut
117
F IGURE 6.6 Rsultats de simulation et de mesure du rendement de conversion et rsultats des mesures de
la tension de sortie de la rectenna en pont pour une charge optimale de 200 W.
F IGURE 6.7 volution exprimentale du rendement de conversion en fonction de la charge une puissance
incidente de -5 dBm pour la structure srie, 13 dBm pour la structure shunt et 25 dBm pour la structure en
pont respectivement.
118
F IGURE 6.8 Schma du circuit rectenna reconfigurable propos

changer, des obstacles peuvent sinterposer entre lmetteur et le rcepteur, ou la distance entre les deux peut
varier. Par consquence, le redresseur fonctionnera souvent dans une gamme de puissance o son efficacit
est faible. Une association reconfigurable de rectennas semble une bonne solution pour saffranchir de cet
inconvnient. La rectenna mono-diode srie est considre pour les niveaux de puissance trs faibles, tandis
que la structure en pont est destine convertir les niveaux de puissances levs. La structure mono-diode
shunt est, quant elle, adapte pour des niveaux de puissance intermdiaires.
6.3
Association reconfigurable de rectennas
La solution consiste en la conception dun nouveau rcepteur, reconfigurable, qui sauto-adapte en fonction du niveau de puissance RF incidente. Le schma gnral du circuit propos est donn la Figure 6.8.
Dans cette nouvelle topologie, les structures simples de rectenna dcrites prcdemment sont connectes
une antenne commune, travers un switch dantenne capable de choisir entre les diffrentes rectennas, en
fonction du niveau de puissance incidente. A tout instant, la puissance RF incidente est mesure laide dun
dtecteur RF passif, qui fournit un niveau de tension DC proportionnel au niveau de puissance incidente. Un
comparateur logique 3 niveaux est utilis pour gnrer les signaux de contrle pour le switch dantenne.
6.4. LE SWITCH DANTENNE INTGR
119
F IGURE 6.9 Circuit quivalent petits signaux dun transistor p-HEMT GaAs du processus ED02AH de
OMMIC [OMMIC, 2008]
6.4
Le switch dantenne intgr
Un switch dantenne intgr SP4T 1 a t conu et fabriqu en utilisant le procd ED02AH de la socit
OMMIC, un fournisseur de technologies de circuits intgrs MMIC bases sur des matriaux III-V avancs.
Le procd utilise des transistors HEMT pseudo-morphique en GaAs appauvrissement/accumulation avec
une longueur de grille de 180 nm [OMMIC, 2008]. Les transistors ont une frquence de transition fT de 60
GHz. Ce procd a t dvelopp pour des applications analogiques et digitales dans la gamme des ondes
millimtriques et des microondes. Cette technologie est galement adapte pour des circuits digitaux haute
frquence pour des interconnections optiques. Les transistors sont du type inter-digits et peuvent avoir 2, 4
ou 6 doigts de grille, avec des largeurs de grille entre 15 et 100 m chacun. La longueur de grille totale par
transistor varie donc entre 30 m et 600 m.
Le circuit quivalent dun transistor en petits signaux est donn la Figure 6.9 [OMMIC, 2008]. Dans le
modle de circuit quivalent, les paramtres Cg, Cd, Cs, Lg, Ld et Ls sont des parasites externes au transistor
p-HEMT et Rg, Rs et Rd sont les rsistances daccs du transistor. Cgs, Cgd, Cds, Rds, Rgs, gm et td sont
les paramtres intrinsques du schma quivalent dun p-HEMT GaAs, tandis que la conductance grilledrain (Ggd), la conductance grille-source (Ggs) et la rsistance srie grille drain (Rgd) sont des lments
supplmentaires utiles pour avoir plus de prcision dans le comportement des transistors dans des rgimes
particuliers de fonctionnement. Dans la plupart des applications, limpdance des transistors ltat passant
se comporte de manire rsistive, tandis qu ltat bloqu on observe un comportement essentiellement
capacitif [Kameche et Drozdovski, 2005].
Uniquement des transistors normally off sont utiliss dans le design du switch. Un transistor normally off est caractris par une tension de seuil Vt =+0.225 V. La tension dalimentation typique est de +3
V. Ltat passant ou bloqu est contrle laide de signaux logiques standard, 0 V pour le niveau logique
bas et +3 V pour le niveau logique haut.
1. SP4T : Single Pole 4 Throw : switch ayant une entre dantenne et 4 branches
120
F IGURE 6.10 Schma dun switch dantenne SPDT bas sur une topologie srie-shunt utilisant des transistors HEMT
6.4.1
Conception et optimisation du circuit
La Figure 6.10 donne le schma dun switch SPDT 1 en topologie srie-shunt. Le dispositif est constitu
de deux transistors principaux (T1 et T2) connects en srie sur la voie du signal. Ils bloquent le passage
du signal lorsquils sont en mode haute impdance. Le signal est ensuite aiguill vers la masse travers des
transistors secondaires ltat passant (T1b et T2b, respectivement), ce qui amliore lisolation. Tous les
transistors HEMT 2 sont polariss par paires et de manire exclusive (lorsque T1 et T2b sont passants, T2 et
T1b sont bloqus), lexception de la situation qui correspond lantenne compltement isole.
Comme le montre la Figure 6.10, il est possible de connecter 2 ou plusieurs branches ayant la topologies
srie-shunt la mme antenne pour raliser des voies de rception multiples. Les tensions V1 et V2 sont des
tensions continues utilises pour contrler les branches du switch. Une tension continue V1 nulle bloque le
transistor T1 et T2b, et une tension V2 positive rend passants les transistors T2 et T1b. Le Port 2 est ainsi
connect lantenne et le Port 1 est isol. Les condensateurs C1 et C2 sont des capacits de dcouplage DC
par rapport la masse. De manire gnrale, il est possible de connecter un nombre assez grand de branches
reprsentes par une association dun transistor srie et un transistor shunt la mme antenne, en fonction du
nombre de redresseurs disponibles. Dans notre cas, quatre branches identiques ont t implmentes.
Des simulations ont t faites laide du logiciel Advanced Design System (ADS) de Agilent Technologies, afin dvaluer les performances dun switch bas sur la structure classique srie-shunt dans la technologie GaAs de OMMIC. Linfluence de la largeur de grille de chacun des transistors srie ou shunt sur les
pertes dinsertion et lisolation a t tudie pour trouver le bon compromis entre les deux. La Figure 6.11
donne linfluence de la largeur de grille dun transistor srie 6 doigts de grille sur les pertes dinsertion. Plus
la largeur de grille est faible, plus les pertes dinsertion augmentent et plus la transconductance du dispositif
1. SPDT : Single Pole Double Throw : switch ayant une entre dantenne et 2 branches
2. HEMT : High Electron Mobility Transistor
6.4. LE SWITCH DANTENNE INTGR
121
F IGURE 6.11 Influence de la largeur de grille du transistor srie sur les pertes dinsertion dans la gamme de
diminue.
Une largeur de grille de 100 m par doigt a t retenue pour minimiser les pertes et maximiser la tenue en
puissance. Les pertes dinsertion sont insensibles la frquence dans la gamme 0.8-2.5 GHz car le transistor
ltat passant se comporte essentiellement comme une simple rsistance (Rds ) de faible valeur (environ
4
W) avec des capacits parasites ngligeables. Les pertes dinsertion dues au transistor srie peuvent donc
sexprimer par [Kameche et Drozdovski, 2005] :

Rds
ILserie = 20 log 1 +
2 Z0
(6.1)
avec Z0 limpdance caractristique du systme (50 W ici). En mme temps :

Rds =
Rds0
Wgate
(6.2)
avec Wgate la largeur de la grille du transistor et Rds0 un paramtre spcifique de la technologie (en W.mm).
Une largeur de grille importante permet donc de minimiser les pertes dinsertion.
Lisolation diminue lorsque la largeur de la grille augmente, comme le montre la Figure 6.12. De plus,
la frquence a une grande influence sur lisolation. Ceci sexplique en analysant lexpression de lisolation
donne pour le transistor srie ltat bloqu. Il se comporte principalement comme un condensateur (Cds )
dune valeur dpendante de Wgate :
Cds = Cds0 Wgate +Cdse N f
(6.3)
avec N f le nombre de doigts de grille, Cds0 la capacit spcifique de la technologie (en F/mm) et Cdse tant
une capacit parasite supplmentaire introduite par les interconnections entre les doigts de grille par rapport
au premier niveau de mtal. Lisolation du transistor srie scrit donc comme [Kameche et Drozdovski, 2005] :
122
F IGURE 6.12 Influence de la largeur de grille du transistor srie sur lisolation du switch dans la gamme de
1
ISserie = 10 log 1 +
2 Cds Z0
2 !
(6.4)
Dans ce cas-l, lisolation est meilleure pour des faibles valeurs de la largeur de grille. Le choix a t fait
de maximiser la tenue en puissance et les faibles pertes dinsertion plutt que lisolation car lisolation sera
amliore en rajoutant un transistor shunt. De plus, les pertes dinsertion ont tendance augmenter lorsque
le nombre de branches connectes la mme antenne augmente. Ceci est du au fait quune partie du signal
pntre dans les branches bloques. Plus leur nombre est important, plus il y des fuites et donc plus les pertes
dinsertion augmentent.
La largeur totale de grille du transistor srie est donc :
Wtotal = N f Windividual gate
(6.5)
Les simulations ont montr que la prsence dun transistor shunt na quasiment pas de rpercussion sur
les pertes dinsertion de la branche, comme le montre la Figure 6.13. Les pertes dinsertion dues au transistor
shunt bloqu sexpriment comme [Kameche et Drozdovski, 2005] :
ILshunt
1
Cds Z0
= 10 log 1 +
2
2 !
(6.6)
Dans ce mode de fonctionnement, le transistor shunt est assimilable une capacit de trs faible valeur.
Les pertes dinsertion supplmentaires sont donc infrieures 0.025 dB dans toute la gamme de puissance et
pour nimporte quelle largeur de grille.
Lisolation du transistor shunt est toutefois fortement dpendante de sa largeur de grille
[Kameche et Drozdovski, 2005] :
6.5. PERFORMANCES GLOBALES
123
F IGURE 6.13 Influence de la largeur de grille du transistor shunt sur les pertes dinsertion du switch dans
ISshunt

Z0
= 20 log 1 +
2 Rds
(6.7)
Une meilleure isolation est donc obtenue pour des largeurs de grille plus grandes (Figure 6.14). La prsence dun transistor shunt amliore lisolation de 16 dB, sans dgrader les pertes dinsertion. Une branche
globale du switch se caractrise donc par des pertes dinsertion de 0.48 dB et une isolation comprise entre 28
et 38 dB dans la gamme de frquence vise.
Une fois que quatre branches ainsi optimises sont connectes la mme antenne, lisolation dune
branche du switch se situe entre 42 dB et 53 dB dans la gamme de frquence comprise entre 0.8 et 2.5
GHz (Figure 6.15), tandis que les pertes dinsertion restent autour de 0.5 dB dans chaque branche (6.16). Les
rsultats exprimentaux sont conformes la simulation. Le temps de commutation du switch a t valu
10 ns.
Le circuit a t ralis sur un substrat GaAs dpaisseur 100 m, qui est caractris par une rsistivit
suprieure 107 W.cm. Le layout et le circuit intgr fabriqu sont prsents la Figure 6.17. Le switch
dantenne occupe une surface denviron 1.5 x 2 mm sur la puce.
6.5
Performances globales
Un prototype hybride du circuit de la Figure 6.8 est prsent dans la Figure 6.18. Chaque partie du systme
a t fabrique en tant quentit spare pour des raisons de tests individuels. La courbe prsente dans la
Figure 6.19 donne les performances globales du rcepteur reconfigurable dnergie lectromagntique dun
point de vue du rendement de conversion RF-DC.
Le dtecteur de puissance dtermine le niveau de puissance RF incidente disponible la sortie de lantenne de rception. Cette fonction est ralise laide dun coupleur directionnel 10 dB et dun simple
dtecteur diode qui utilise trs peu de puissance incidente et fournit un niveau de tension DC proportionnel
124
F IGURE 6.14 Influence de la largeur de grille du transistor shunt sur les pertes dinsertion du switch dans
F IGURE 6.15 Isolation (en dB) du switch 4 branches en fonction de la frquence (rsultats de simulation
et exprimentaux)
125
F IGURE 6.16 Pertes dinsertion (en dB) du switch 4 branches en fonction de la frquence (rsultats de
simulation et exprimentaux)
F IGURE 6.17 Layout du switch (gauche) ; Photographie du circuit intgr fabriqu (droite)
126
F IGURE 6.18 Photo du prototype exprimental utilis pour muler le fonctionnement dun rcepteur reconfigurable dnergie lectromagntique
127
au niveau de puissance incidente. Le circuit de contrle est un comparateur de tension 3 niveaux pour lequel
le schma de principe est donn dans la Figure 6.20.
Les tensions V1 et V2 correspondent aux seuils de puissance RF incidente. Ils sont obtenues laide de
rfrences de tension de type band-gap. La consommation de ce circuit est essentiellement de nature statique
car les variations du niveau de puissance incidente sont considres comme des processus lents. En utilisant
des circuits CMOS basse consommation, une consommation de lordre de 2.5 W est constate pour des
tensions dalimentation comprises entre 2.8 V et 3.3 V, mais cette valeur peut tre potentiellement rduite de
manire significative avec un passage par une solution ddie en technologie intgre (concevoir un circuit
intgr sur mesure, ayant la mme fonctionnalit, avec lobjectif de rduire la consommation).
Le circuit dtecteur de puissance ne consomme de lnergie que sil doit changer son tat et passer de la
rectenna de faible puissance une autre configuration. Par dfaut, quand il y a trs peu dnergie disponible
lentre du rcepteur, la branche contenant la rectenna de faible puissance est active. Sil y a augmentation
de la puissance disponible en entre, lalimentation en tension du circuit dtecteur de puissance est fournie
directement partir de la sortie du systme rgulateur de puissance, et le changement dtat dans le switch
est possible. De cette manire, les comparateurs ne consomment de la puissance que lorsque la puissance disponible est proche de 1 mW, situation dans laquelle la consommation de puissance du dtecteur est infrieure
1 % de la puissance disponible.
Les seuils de +1 dBm et 15 dBm sont slectionns pour basculer entre la rectenna de faible puissance
(mono-diode srie) et celle de moyenne puissance (mono-diode shunt) dune part puis, celle de forte puissance (configuration en pont) dautre part. Ces niveaux de puissance correspondent des niveaux de tension
V1 = 1,15 V et 2,45 V, respectivement, gnrs par le dtecteur diode haute impdance mentionn ci-dessus.
Le dtecteur de puissance et la logique de commande slectionnent une branche du switch. Si un niveau logique 0 V est appliqu la grille dun transistor du switch, la branche de commutation correspondante est
bloque et aucune puissance nest dirige vers la rectenna correspondante. Lorsquun niveau logique de +3
V est appliqu sur un transistor du switch, toute la puissance incidente disponible est fournie la rectenna
correspondante. A tout moment, une seule des trois branches de commutation est active, les deux autres sont
teintes. Le choix de la rectenna se fait de manire ce que la puissance RF disponible soit convertie en puissance continue, efficacit optimale. La rectenna srie est utilise pour des niveaux de puissance infrieurs
+1 dBm et une efficacit de conversion denviron 50 % est atteinte pour -3 dBm de puissance incidente. Pour
des niveaux de puissance entre +1 dBm et +15 dBm, la structure shunt est utilise et un rendement maximal
de 68% est mesur +14 dBm de puissance incidente. Pour des niveaux de puissance suprieurs +15 dBm,
la rectenna en pont est utilise et un point maximum defficacit de 78 % est atteint +23 dBm de puissance
incidente.
Le rendement de conversion RF-DC prsent la Figure 6.19 reprsente la valeur maximale pour un
niveau de puissance donn. Le fonctionnement de type MPPT 1 (dbiter toujours sur une charge dimpdance
optimale) peut tre ralis laide dun circuit lectronique analogique faible consommation, de manire
avoir un trs faible impact sur le rendement global, lexception des situations o la puissance incidente a
des valeurs de lordre de -30 dBm. [Levron et Shmilovitz, 2010, Kim et al., 2009].
La structure globale fabrique prsente des caractristiques exprimentales qui permettent de surmonter
linconvnient des rectennas classiques qui nont de bons rendements de conversion RF-DC que sur une plage
de puissance limite. Le nouveau design est auto-reconfigurable et choisit la meilleure structure de rectenna
1. MPPT : Maximum Power Point Tracking
128
F IGURE 6.19 Rsultats exprimentaux de lefficacit de conversion du rcepteur reconfigurable propos

la Figure 6.18
adapte pour chaque niveau de puissance.
Les rsultats de la Figure 6.19 peuvent tre amliors en termes de valeur maximale du rendement ainsi
que dun point de vue de la constance du rendement sur toute la gamme de puissance. Les seuils des niveaux
de puissance dentre peuvent tre calibrs de manire tre placs exactement au point defficacit maximale des circuits rectenna unitaires. Dautres rectennas peuvent tre introduites dans la gamme suprieure
de puissance dentre. Un circuit en pont, intgr, a t conu en utilisant la mme technologie ED02AH
[Merabet, 2010] (Figure 6.21). Bien que cette technologie ne soit pas ddie ce type dapplication, lefficacit du circuit en pont intgr atteint des valeurs suprieures 75 % pour les niveaux de puissance trs
levs (Figure 6.19). Laddition du dispositif intgr est un exemple damlioration possible de la rectenna
reconfigurable, pour des niveaux de puissance dentre suprieurs +25 dBm.
Afin dvaluer lintrt dune telle structure de rcepteur reconfigurable, il est intressant de comparer
la quantit totale dnergie rcupre laide de cette nouvelle structure par rapport lnergie capte par
chacune des quatre structures prcdemment dcrites individuellement. A cet effet, un profil de puissance
alatoire a t gnr pour alimenter en nergie le systme dcrit la Figure 6.8. Lvolution du niveau de
puissance au niveau du rcepteur est prsent la Figure 6.22. Une dure totale de 10 minutes est considre
et un niveau de puissance est gnr alatoirement dans la gamme [-30 dBm, +30 dBm] toutes les 5 secondes.
Il est important davoir lesprit le fait que les niveaux de puissance infrieurs -20 dBm (10 W) sont
compatibles avec la rcupration dnergie lectromagntique ambiante, tandis que les niveaux de puissance
au-dessus de +20 dBm (100 mW) sont moins probables dans la pratique, sauf pour le cas dalimentation sans
fil de proximit, par des niveaux de puissance importants (> 1 W de puissance mise une distance infrieure
0,5 mtre).
Pour le mme profil de puissance, la quantit totale dnergie DC est mesure pour chacune des quatre
129
F IGURE 6.20 Schma du dtecteur de puissance RF incidente
F IGURE 6.21 Micro-photographie de la structure intgre de rectification en pont. Le circuit occupe une
surface de 400 m x 400 m (procd ED02AH)
130
TABLE 6.2 nergie totale rcupre sur une dure de 10 minutes partir dun profil de puissance alatoire
entre -30 dBm et +30 dBm
Rectenna
Srie
Shunt
Pont (CMS)
Pont (Intgr)
Reconfigurable
nergie (J)
5.87
10.05
26.45
14.28
40.65
structures de rectennas prises individuellement, ainsi que pour la nouvelle structure de rectenna reconfigurable. Les rsultats sont prsents dans le Tableau 6.2. Les rsultats exprimentaux sont concluants et la
topologie reconfigurable rcupre beaucoup plus dnergie que tous les autres rectennas prises individuellement, parce que le systme choisit automatiquement la structure la mieux adapte pour chaque niveau de
puissance.
Le principe gnral dun rcepteur reconfigurable dnergie sans fil a t dmontr en utilisant un prototype hybride. Dans le but de pouvoir effectuer des tests avec prcision, les diffrentes parties du rcepteur
ont t fabriques sparment. Un prototype faible cot, fabriqu en utilisant des dispositifs CMS, peut facilement tre mont derrire le plan de masse de lantenne. Lencombrement du dispositif est donc dfini par
la surface de lantenne utilise. Dans ce cas, une antenne patch standard de type WLAN de 5 cm x 5 cm a t
utilise.
Le circuit lectronique prsent peut tre entirement intgr (pas seulement le switch dantenne) et la
puce pourrait tre place derrire le plan de masse de lantenne. Cela ouvre la possibilit de miniaturisation de
lantenne si cela savrait ncessaire. De plus, lintgration de la totalit du circuit sur la mme puce permettrait damliorer les performances globales, car les pertes dans les interconnexions seraient rduites, en mme
temps que la consommation lectrique du dtecteur de puissance et de lunit de gestion de lalimentation.
Les cots seraient certainement plus importants, moins de fabriquer des volumes importants. Les structures de rectification devraient probablement tre r-dimensionnes afin de rendre compatibles les valeurs
des composants passifs avec des technologies intgrs, en particulier les inductances (des valeurs dinductances suprieures 5 nH occuperaient des surfaces importantes sur une puce). Leur facteur de qualit serait
galement un point limitant, car ce dernier tendance tre mdiocre en technologie intgr.
6.6
Adaptation de la change de sortie
La structure prsente jusqu prsent a toujours besoin dun dispositif dadaptation dimpdance au
niveau de la charge afin de prendre en compte les variations de cette dernire. Une possibilit pour lamlioration de lefficacit de la rectenna reconfigurable est dutiliser sur chaque branche du switch plusieurs
rectennas identiques et de dcider dutiliser une structure unique ou une association de rectennas pour un
mme niveau de puissance incident, afin de couvrir une gamme plus large de valeurs de charge. Lefficacit
dune rectenna mono-diode shunt intgre est reprsente sur la Figure 6.23 pour 0 dBm de puissance incidente, avec le rsultat dune association parallle de deux circuits identiques utilisant un switch. Si la valeur
maximum defficacit nest pas amliore, il y a un intrt dans le cas de charges variables, ce qui signifie
une gamme tendue de lefficacit vis-a-vis de la valeur de la charge. Lutilisation de rectennas intgres facilite ce type de liaison, qui ncessite une large surface en technologie discrte et est limite par les lments
dinterconnexion parasites.
La technique dadaptation dimpdance la plus utilise pour les sources dnergie est base sur la technique MPPT. Afin de dterminer lalgorithme MPPT spcifique le plus appropri pour le concept prsent, la
6.6. ADAPTATION DE LA CHANGE DE SORTIE
131
F IGURE 6.22 Profil alatoire de puissance incidente au niveau du rcepteur
F IGURE 6.23 Rendement exprimental de conversion dune association parallle de rectennas intgres
(Puissance incidente 0 dBm)
132
F IGURE 6.24 Rendement de conversion RF-DC mesur pour la rectenna mono-diode srie
caractristique de sortie du rcepteur propos doit tre connue.
Pour diffrentes valeurs de la puissance RF incidente, lvolution de lefficacit de conversion en fonction
de la rsistance de charge est tudie. Les rsultats pour la rectenna mono-diode srie sont prsents la
Figure 6.24.
Pour des niveaux de puissance incidente allant de -20 dBm (10 W) 0 dBm (1 mW), une efficacit de
conversion maximale est observe la mme valeur de rsistance de charge, de lordre de 2.4 kW. Pour un
niveau de puissance dentre de -25 dBm (3,2 W), lefficacit de conversion maximale est stable dans la
gamme de rsistance de charge comprise entre 2 kW et 7 kW
Selon le thorme de transfert optimal de puissance dans le cas dune source de tension, une efficacit
maximale est obtenue lorsque Rsource = Rload . Cela signifie que la rectenna mono-diode srie se comporte
comme une source de tension avec une rsistance interne de 2.4 kW. La Figure 6.25 donne les courbes I(V)
de la rectenna considre comme une source de tension.
Ces courbes sont proches de droites, confirmant le fait que le comportement dune rectenna se rapproche
de celui dune source de tension :
Uload = E Rsource I
(6.8)
avec une rsistance de source interne de 2.4 kW dans ce cas. En outre, que les caractristiques I(V) soient
des droites quasi parallles, signifie que la rsistance de la source de tension interne quivalente ne varie pas
significativement avec le niveau de puissance RF incidente, bien que la structure soit fortement non linaire
cause de la prsence de diodes. Des rsultats similaires ont t obtenus dans le cas de la structure monodiode shunt, avec une impdance de source interne de 750 W, ainsi que pour les deux structures en pont, les
deux ayant une impdance de source interne de 200 W. Cette conclusion est importante, en particulier dans
la perspective de la conception dun module de gestion de lalimentation base de MPPT. La caractristique
6.7. INVERSION DE LA TENSION DANS UNE ASSOCIATION DSQUILIBRE DE RECTENNAS 133
F IGURE 6.25 Caractristiques I(V) exprimentales de la rectenna mono-diode srie ; la valeur du courant
est fixe par la charge
de sortie ncessaire de lalimentation est forme de 3 paliers dimpdance, 2.4 kW pour des niveaux de
puissance en-dessous de 0 dBm (1 mW), 750
W entre 0 dBm et 15 dBm et 200 W pour des niveaux de
puissance suprieurs +15 dBm, comme indiqu la Figure 6.26.

Des tels circuits MPPT simples ont dj t dcrits dans la littrature pour la rcupration dnergie
RF et utiliss pour fournir de lnergie une batterie lithium [Paing et al., 2008]. Le circuit peut atteindre
des rsistances dentre presque constantes en utilisant uniquement des circuits discrets disponibles dans le
commerce, avec une consommation de quelques W seulement. La mise en uvre dun tel dispositif utilisant
un procd de circuits intgrs amliore encore les performances globales, rendant possible la rcupration
efficace dnergie des niveaux dentre infrieurs 1 W, avec des rendements compris entre 40 % 80 %
et datteindre une rsistance dentre souhaite allant de quelques dizaines de W plusieurs dizaines de kW
[Paing et al., 2011]
6.7
Inversion de la tension dans une association dsquilibre de rectennas
Les associations de rectennas peuvent tre utilises avantageusement pour faire de la rcupration dnergie lectromagntique ambiante venant de directions diffrentes. Lavantage dassocier des rectennas en srie
est que leurs niveaux de tensions se retrouvent sommes, rendant ainsi lnergie plus facilement exploitable.
Cette partie met en vidence le phnomne dinversion de tension qui peut survenir lorsque, dans une association srie, une ou plusieurs des rectennas reoivent considrablement moins dnergie que les autres
(association dsquilibre). Ce phnomne entrane une dgradation de performances de lensemble. Des
solutions possibles sont avances pour rduire ces effets indsirables.
Lorsque un systme aliment sans fil ncessite beaucoup dnergie, ou lorsque cette nergie est collecte
de lenvironnement lectromagntique, lutilisation dune seule rectenna savre souvent insuffisante. Une
solution possible pour augmenter la quantit dnergie rcupre est daugmenter la taille de la surface dantenne rceptrice quivalente. Deux approches peuvent tre distingues :
134
F IGURE 6.26 Caractristique de sortie de limpdance de ltage MPPT

combiner plusieurs antennes dans une association dantennes qui dbite sur un seul circuit de rectification RF-DC [Marian et al., 2011b]
associer un circuit de rectification par antenne et connecter les sorties DC des rectennas
[Monti et al., 2011]
La premire approche offre lavantage de fournir des niveaux dnergie plus leves au circuit de rectification et utiliser ainsi les diodes de manire plus efficace. Toutefois, pour un grand nombre dantennes dans
lassociation, lquilibrage des diffrentes signaux devient problmatique en raison de la complexit des interconnections.
La deuxime mthode de connexion combine des tensions et courants continus, tant ainsi insensible la
phase du signal dentre. Cette mthode de connexion offre galement lavantage dtre reconfigurable, car le
nombre dlments de lassociation peut tre adapt aux ncessits de la charge. Les sorties DC des circuits
de rectification peuvent tre connectes en srie, en parallle ou en cascade.
Il y a des situations dans lesquelles il y une grande probabilit que les diffrentes rectennas qui composent
une association ne reoivent pas la mme puissance incidente :
Rcupration dnergie diffrentes frquences, avec une rectenna large bande [Hagerty et al., 2004]
ou avec une rectenna par bande de frquence [Costanzo et al., 2010]
Rcupration de plusieurs polarits de londe incidente (polarisation verticale et horizontale)
[Harouni et al., 2011]
Rcupration dnergie provenant de diffrentes directions de lespace
Cest cette dernire configuration que nous allons nous intresser par la suite. Dans ce cas-l, les antennes
pointent dans diffrentes directions et les sorties DC de chaque rectenna sont associes.
Pour des situations o la puissance incidente est faible, la tension dbite par une rectenna seule est
souvent infrieure au minimum ncessaire pour un convertisseur DC-DC, en particulier lorsque les distances
par rapport la source sont grandes ou dans le cas de la rcupration dnergie lectromagntique ambiante.
Lassociation srie de rectennas permet daugmenter le niveau de tension par sommation des sorties de chaque
rectenna. Le rsultat est donc plus facilement exploitable par des circuits lectroniques.
La Figure 6.27 donne le schma simplifi de trois rectennas connectes dans une association srie, avec
F IGURE 6.27 a) Schma dune association srie de trois rectennas ; b) Modle simplifi de lassociation
le schma quivalent correspondant.
La tension et le courant de sortie DC au niveau de la charge sont donnes par :
n
Vout = Vi
(6.9)
i=1
Iout =
ni=1 Ui
ni=1 Ri + Rload
(6.10)
La tensions aux bornes dune des rectennas est donne par :

Vi = Ui Iout Ri
(6.11)
Comme dans le cas de tout gnrateur, si la tension Vi aux bornes dune des rectennas devient ngative,
la rectenna respective devient rceptrice dnergie, absorbant ainsi une partie de la puissance gnre par les
autres rectennas de lassociation. Ceci a lieu lorsque Ui devient infrieure Iout Ri , ce qui correspond une
configuration o la puissance RF reue par une des rectennas devient faible compare la puissance dautres
rectennas de lassociation. Lassociation se retrouve donc dans une configuration dsquilibre.
Un exemple typique dapplication consiste de trois rectennas identiques qui sont connectes chacune
une antenne, tandis que leurs sorties DC sont connectes en srie, comme le montre la Figure 6.27. Dans
ce cas de figure, les rectennas tant identiques, leurs rsistances internes quivalentes le sont galement
R1 = R2 = R3 = R, et ceci ne varie pas en fonction de la puissance incidente. Afin de rcuprer une quantit
maximale dnergie, la rsistance de la charge doit tre gale la rsistance de la source quivalent, soit
Rload = 3R. La tension aux bornes de la rectenna 1 devient :
136
V1 =
1
(5U1 (U2 +U3 ))
6
(6.12)
Il est vident que lorsque la rectenna 1 reoit considrablement moins dnergie que les deux autres
rectennas, la tension ses bornes devient ngative et elle absorbera de la puissance, dgradant ainsi lefficacit
nergtique de lensemble.
6.7.1
Association quilibre
Une association de trois rectennas identiques connectes en srie est simule avec ADS. Les structures
sont bases sur la topologie doubleur de tension base de diodes Schottky HSMS2850. Lassociation est tout
dabord place dans une configuration quilibre dans laquelle chaque rectenna reoit une puissance RF de
-5 dBm.
Les courbes V-I statiques dans ces conditions sont prsentes sur la Figure 6.28a). Chaque rectenna
contribue hauteur de 1/3 de la tension de sortie Vout . Pour des faibles courants de sortie, la tension est
maximale (suprieure 4 V). A mesure que le courant augmente, la tension diminue cause des chutes
de tension dans les rsistances srie quivalentes des rectennas. Le courant de court circuit est ISC =235 A
lorsque Vout =0 V.
Les courbes statiques P-I correspondantes sont donnes sur la Figure 6.28b). La puissance de sortie est
la somme des contributions individuelles de chaque rectenna. La courbe de puissance montre un point de
puissance maximale (MPP) lorsque la puissance de sortie est de 315 W et le courant de sortie vaut 120 A.
Comme il a dj t prcis, un dispositif de gestion de puissance peut tre utilis pour interfacer lassociation
de rectennas avec la charge et de sassurer que le point de fonctionnement est proche du MPP.
6.7.2
Association dsquilibre
La mme association de trois rectennas identiques connectes en srie est simule dans une configuration
dsquilibre. La rectenna 1 reoit uniquement -20 dBm (10 W) de puissance incidente, alors que les deux
autres reoivent -5 dBm (315 W).
Les courbes V-I statiques de la Figure 6.29a) montrent que les tensions la sortie des rectennas 2 et 3 (V2
et V3 ) restent inchanges par rapport l configuration prcdente. La tension de la rectenna 1 est toutefois
infrieure la situation prcdente. Pour cette dernire, la tension en circuit ouvert nest que de 176 mV et le
courant de court circuit de 12.5 A.
Les courbes statiques P-I de la Figure 6.29b) montrent que la rectenna 1 absorbe une partie de la puissance
des deux autres rectennas, lorsque lassociation est opre en mode MPP (Iout =125 A). En ce point, la
puissance fournie par les rectennas 2 et 3 sont de 105 W chacune, tandis que la rectenna 1 dissipe 24 W. La
puissance totale gnre par lassociation est de 186 W, soit 13 % de moins que si uniquement les rectennas
2 et 3 seraient prsentes. La puissance dissipe dans la rectenna 1 correspond aux pertes par conduction dans
les deux diodes Schottky. Pour des courants de sortie plus importants, les pertes causes par linversion de la
tension augmentent, pour atteindre 50 % pour un courant de 200 A.
6.7.3
Rsultats exprimentaux
Cette section dtaille des rsultats de mesure sur la rcupration dnergie travers une association de
rectennas comme celle tudie prcdemment en simulation. Chacune des trois rectennas identiques est as-
F IGURE 6.28 Caractristiques statiques V-I et P-I dune association quilibre de rectennas (rsultats de
simulation)
138
F IGURE 6.29 Caractristiques statiques V-I et P-I dune association dsquilibre de rectennas (rsultats de
simulation)
F IGURE 6.30 Configuration exprimentale pour le test de lassociation de rectennas dans une situation
dsquilibre
socie une antenne patch (gain 5 dBi) orientes pour capter de lnergie arrivant dune direction diffrente
de lespace. Une source de puissance RF met 20 dBm (100 mW) une distance de 2 mtres de lassociation. Lmetteur est dot dune antenne parabolique de gain 18 dBi. La direction dincidence de lnergie
lectromagntique est indique par langle , comme illustr dans la Figure 6.30. Le systme est accord sur
une frquence centrale de 2.45 GHz. La Figure 6.31 montre une photographie du dispositif exprimental cot
rcepteur.
Dans un premier temps, lmetteur a t positionn sous un angle denviron 45 par rapport au rcepteur, ce qui favorise la transmission vers les rectennas 2 et 3. Limpdance de la charge varie entre le circuit
ouvert et le court circuit, pour obtenir les caractristiques statiques V-I et P-I qui sont donne la Figure 6.32.
Au point de puissance maximale, alors que les rectennas 2 et 3 rcuprent une puissance positive (P2 =4.5 W
et P3 =3 W), la rectenna 1, qui nest pas oriente correctement par rapport la source, absorbe une fraction
de la puissance gnre par les deux autres rectennas (P1 =-2 W). Rectenna 1 absorbe donc environ 26 % de
lnergie gnre par les rectennas 2 et 3.
Dans un deuxime temps, nous avons investigu les effets de lorientation de la source dnergie. La
Figure 6.33 est une reprsentation de la contribution en puissance de chaque rectenna en fonction de langle
dorientation . La charge a t fixe 6 kW, ce qui correspond au MPP pour cette configuration. Pour un
angle extrme de 90, la rectenna latrale numro 3 contribue le plus la production dnergie, tandis que
les deux autres absorbent de lnergie. Lorsque lmetteur est plac en face de lassociation (angle de 0),
la rectenna 2 gnre le plus de puissance. Avec cette stratgie de rcupration multi-orientation, la puissance
de sortie est toujours suprieure 5 W, ce qui ne serait pas le cas si une seule rectenna aurait t utilise.
Toutefois, le niveau de puissance maximale rcupre est de 10 W, ce qui reste infrieur la situation dune
rectenna seule oriente favorablement.
140
F IGURE 6.31 Photographie du dispositif exprimental utilis pour le test de lassociation de rectennas dans
une situation dsquilibre
6.7.4
Discussions
Les rsultats de simulation et exprimentaux montrent que lassociation srie affiche des performances
globales mdiocres dans le cas dune configuration dsquilibre pour des applications faible puissance.
Un inconvnient similaire est rencontr lorsque les rectennas sont associes en parallle. Dans ce cas-l, le
courant dans une rectenna faiblement illumine en nergie risquerait de sinverser cause du courant inverse
de fuite des diodes Schottky. La discussion suivante propose des mthodes pour augmenter lefficacit globale
dune association srie de rectennas.
6.7.4.1 Topologies de rectennas
Linversion de la tension mise en vidence prcdemment survient lorsquune association de rectennas
est dsquilibre et lorsque le courant de sortie est important. Dans cette configuration, le courant de sortie
dpasse le courant de court circuit des rectennas les plus faibles et leur tension sinverse. Les diodes prsentes
dans leur tage de sortie sont en conduction continue et linversion de tension correspond la chute de tension
directe sur les diodes. Dans le cas dune topologie doubleur de tension, la tension dinversion correspond aux
deux diodes de la structure connectes en srie. Dautres topologies tels que les mono-diode permettraient
de diviser par deux la tension dinversion et par quatre les pertes en puissance correspondantes. Lors de la
phase de conception dune association srie, linversion de la tension doit tre pris en compte en tant que
phnomne qui conditionne la conception de chaque rectenna.
6.7.4.2 Circuit bypass actif
Afin de prvenir linversion de tension, un circuit dquilibrage de la tension [Cao et al., 2008] peut tre
utilis en addition dune unit de gestion de puissance qui fixe le point de fonctionnement de lassociation
F IGURE 6.32 Courbes V-I et P-I statiques de lassociation de rectennas orientation multiple (rsultats
exprimentaux)
142
F IGURE 6.33 Production de puissance de lassociation de rectennas en fonction de langle dincidence

du champ lectrique (bas sur des rsultats exprimentaux)
proche du MPP.
Le circuit de bypass actif est un circuit dquilibrage de la tension qui diminue les pertes associes
linversion de tension et qui offre un compromis raisonnable entre efficacit et facilit dimplmentation. Il dtecte les inversions de tension dans une association et court-circuite la rectenna correspondante,
comme le montre la Figure 6.34(gauche). Il ncessite un circuit de dtection, un switch et son driver pour
chaque rectenna. Des composants disponibles commercialement (comparateur Texas Instruments TLV3491
) consomment des courants de lordre du A et peuvent tre utiliss si des tensions de lordre de 1.8 V sont
disponibles en sortie de lunit de gestion de la puissance.
Le principe du circuit de bypass actif a t test en simulation sur le circuit quivalent simplifi correspondant lassociation srie de trois rectennas de la Figure 6.27(droite) (R1 = R2 = R3 = 3k, U1 = 30mV ,
U2 = U3 = 300mV ). les caractristiques V-I et P-I de lassociation avec et sans bypass actif sont prsentes
la Figure 6.34(droite). Pour cette simulation, la consommation de puissance des contrleurs des switch est
nglige. La rsistance srie des switch est de 1
W. La courbe V-I obtenue avec le bypass actif prsente un
changement de pente pour un courant denviron 10 A. Le niveau de puissance maximale obtenue est de 11
W et de 15 W sans et avec circuit de bypass actif, respectivement.
6.8
Conclusion
La transmission dnergie sans fil est dsormais une ralit mais les limitations restent encore assez
importantes. La transmission dnergie RF est un candidat mais lintrt est limit par ltage de rectification,
qui prsente une bonne efficacit mais sur une gamme de puissance assez limite. Une nouvelle architecture
adaptative de rcepteur qui reconfigure le circuit en fonction du niveau de puissance incidente a t prsente.
Un switch dantenne intgr a t conu et les rsultats finaux montrent une extension significative de la
gamme de puissance dentre pour laquelle une efficacit de conversion RF-DC acceptable est mesure. En
6.8. CONCLUSION
143
F IGURE 6.34 Circuit bypass actif pour rectennas (gauche) ; Courbes de simulation V-I et P-I (droite)
outre, la configuration protge le circuit le plus sensible contre des tensions dentre excessives. Le rcepteur
reconfigurable peut tre fabriqu en utilisant des technologies CMS faible cot ou intgrs sur une seule
puce. Dans chaque cas de figure, lencombrement est donn par lempreinte de lantenne utilise pour la
rception de lnergie microondes. Une version intgre du systme complet est susceptible de donner lieu
des amliorations considrables.
Concernant lassociation srie des trois rectennas orientes diffremment, le phnomne dinversion de
la tension t mis en vidence, quantifi et analys aussi bien en simulation que exprimentalement avec
diffrents courants de sortie. La puissance maximale fournie par lassociation t dgrade de 26 % cause
de lnergie absorbe par la rectenna en inversion. Lorientation relative de lmetteur influe sur la quantit
relative dnergie produite par les trois rectennas de lassociation. Des travaux supplmentaires mriteraient
de se concentrer sur la conception dassociations de rectennas incluant des systmes qui maximisent la gnration dnergie dans des situations de puissance incidente non-uniforme. Une ralisation et une mise en
vidence exprimentale des gains potentiels apports par des circuits de type bypass actif seraient galement
souhaitables.
144
Chapitre 7
Conclusion gnrale
7.1
Synthse
La multiplication de la complexit et des fonctionnalits des appareils lectriques et lectroniques domestiques font que de plus en plus dentre eux comportent une phase de veille, dans laquelle ils attendent un
ordre de rveil. Or pendant cette phase de veille, ces appareils consomment en permanence de lnergie car
il y a un rcepteur qui scrute en permanence le spectre radio ou infrarouge pour dtecter lordre de rveil.
Essentiellement pour des raisons de cot, ces rcepteurs sont souvent aliments par la mme alimentation
que lappareil pendant les phases de fonctionnement normal. On se retrouve donc demander une alimentation dimensionne pour plusieurs centaines de W fournir quelques dizaines de mW, ce qui est synonyme
de rendement mdiocre. Les pertes dans lalimentation dpassent largement la puissance utile fournie au
rcepteur.
Mme si les consommations de veille par appareil restent relativement modres compares la puissance consomme par ces dispositifs en fonctionnement, les priodes de veille sont gnralement largement
suprieures aux priodes de fonctionnement. Le rsultat fait qu lchelle dun an, ces consommations reprsentent entre 5 et 10 % de la consommation lectrique dun pays.
Des directive dco-conception imposent des limites maximales de consommations en veille, mais
lheure actuelle, peu de catgories de dispositifs sont concernes par ces normes. Lobjectif lhorizon 2020
est de rduire de 75% la consommation lectrique de veille en Europe.
Pour arriver cet objectif, des ruptures technologiques sont ncessaires. Une approche investigue dans
le cadre du projet RWU consiste changer la manire dont les processus de veille et de rveil ont lieu. A
la place davoir un rcepteur qui coute en permanence un signal de donnes contenant lordre de rveil, le
rcepteur est compltement endormi, tandis quun faisceau dnergie lectromagntique lui transmet lnergie
ncessaire pour le mettre en coute. A la suite de ce rveil, lchange dinformations permet de valider lordre
de rveil travers une adresse unique spcifique chaque rcepteur.
Les principaux verrous se situent au niveau des antennes dmission et de rception, ainsi quau niveau
du convertisseur RF-DC. Au niveau des antennes, le faible encombrement a ncessit un travail important de
conception et optimisation, afin dobtenir un gain et une directivit maximale. Ce travail a t essentiellement
ralis au sein du laboratoire Xlim Limoges.
Lobjectif de cette thse t de concevoir le rcepteur dnergie lectromagntique, en particulier les
structures de rectification RF-DC (rectenna) trs sensibles, mais aussi ltage de dmodulation et ltage de
puissance.
145
146
CHAPITRE 7. CONCLUSION GNRALE
7.1.1
Rsultats
Pour bien comprendre les spcificits du systme global, un cahier des charges fonctionnel et technique
a t rdig, en concordance avec les besoins des utilisateurs finaux. Des contraintes de porte, de forme,
dencombrement, de consommation et dautonomie en ont dcoul.
La partie centrale est reprsente par une transmission dnergie sans fil. Les diffrentes techniques de
transmission dnergie sans fil (couplage inductif, couplage magntique rsonnant, radiatif) ont t passes
en revue et leurs performances compares, tout en ayant pour objectif didentifier la technique la plus adapte
notre application. Le transfert dnergie sans fil par ondes lectromagntiques hautes frquences sest logiquement impos, en raison des portes plus grandes atteignables et des dimensions compactes des metteurs
et rcepteurs.
Le systme de rveil a t dcoup en plusieurs blocs fonctionnels :
La tlcommande :
mission de la puissance
mission des donnes
Les antennes :
mettrice
rceptrice
Le rcepteur :
rectenna
dmodulation
interrupteur de puissance
Ce travail de thse sest concentr essentiellement sur le rcepteur, ayant comme partie centrale le convertisseur RF-DC. De manire gnrale, tous les partenaires du projet ont contribu activement chaque sous-partie
du systme, pour assurer la cohrence des travaux individuels dans le contexte global.
Le chalenge le plus important a t de russir rveiller le rcepteur compltement passif avec une nergie
capte plusieurs mtres partir dun metteur compact qui respecte les normes sanitaires de protection des
personnes. Cette nergie, de lordre de quelques W, ncessitait la conception de structures de rectification
RF-DC extrmement sensibles et qui fournissent des niveaux de tension de sortie leves. Pour ce faire,
plusieurs dmarches ont t suivies pour optimiser et trouver des solutions de maximisation de la tension de
sortie fournie par les rectennas pour les faibles niveaux de puissance.
A partir de structures de rectification usuelles, un travail de comparaison des performances t men
pour identifier la structure la plus adapte lapplication. Ce travail prliminaire nous a permis de conclure
que la structure mono-diode srie permettait davoir le meilleur compromis entre efficacit de conversion et
niveau de tension DC, tandis que le doubleur de tension offrait le meilleur potentiel en termes de niveau de
tension.
Compte tenu des non-linarits des rectennas, des simulations Harmonic Balance et LSSP ont t prfres, tandis que les effets de couplages et les lments parasites ds aux interconnections ont t prises en
compte laide de simulations lectromagntiques Momentum. Les structures ont t optimises et systmatiquement valides avant fabrication par des co-simulations circuit-lectromagntiques, avec des modles de
composants rels (diodes et lments passifs). En suivant cette procdure de conception, nous obtenons des
rsultats de mesures conformes aux simulations.
Lors de la phase dexploration de structures et topologies de filtres dentre, il a t prouv que dans
7.1. SYNTHSE
147
certains cas, le fait de choisir une autre valeur que 50 W pour limpdance de lantenne de rception permettait
dobtenir des gains considrables du niveau de tension de sortie pour un mme niveau de puissance incidente.
Ces gains peuvent aller de 25 % 100 % dans certains cas. Limpdance dantenne a donc t introduite
comme degr de libert supplmentaire dans loptimisation globale du circuit. Les gains ont t confirms
sur les prototypes fabriqus, ce qui sest traduit par un ddoublement de la tension de sortie et donc de la
porte du systme.
Le systme de rveil distance dvelopp dans le cadre du projet RWU a fait lobjet dun dpt de brevet
et est actuellement en phase de pr-industrialisation.
Outre les prototypes en technologies discrte, des structures de rectennas intgres ont galement t
conus. Ce travail a eu lieu essentiellement ST Microelectronics Rousset, dans une technologie CMOS
130 nm. Plusieurs topologies de circuits diodes ou transistors MOSFET ont t dimensionnes, lobjectif
tant dvaluer les possibilits de la technologie pour les rectennas. Limpact des composants passifs intgrs
(capacits et inductances) a galement t valu par rapport des composants passifs off-chip.
Compte tenu des niveaux dnergie trs bas au niveau du rcepteur RWU, on peut se retrouver, dans
certains cas, avec les mmes densits dnergie que les champs lectromagntiques ambiants issus des rseaux
de tlcommunications mobiles ou des rseaux sans fil. Cest la raison pour laquelle nous nous sommes
intresss en mme temps dautres domaines dapplication des rectennas, la transmission dnergie sans fil
et la rcupration dnergie lectromagntique ambiante.
Partant du constat que les rectennas ont des bons rendements de conversion uniquement pour une gamme
de puissance dentre limite, nous avons propos un concept de rcepteur dondes lectromagntiques innovant, qui sauto-reconfigure en fonction du niveau de puissance incidente reue. Une rectenna a t dimensionne par gamme de frquence et un circuit de dtection coupl une logique de commande slectionne
la rectenna qui est la mieux adapte pour chaque niveau de puissance incidente. Le rendement de conversion atteint 80 %. Linterface entre lantenne de rception commune et les diffrents circuits de rectifications
est ralise par un switch dantenne intgre, qui a t conu et fabrique dans une technologie GaAs 180
nm de chez OMMIC. Les diffrentes branches du switch sont contrles par des signaux logiques issues du
dtecteur de puissance. Nous avons prouv exprimentalement que cette nouvelle architecture de rcepteur
adaptatif permet de collecter une quantit dnergie considrablement plus importante que si une unique rectenna aurait t utilise. La gamme de puissance exploitable stend de -30 dBm +30 dBm, soit de 1 W
1 W respectivement.
Nous nous sommes galement intresss aux associations de rectennas, et en particulier une association
srie de rectennas utilises pour connecter de lnergie venant de diffrentes directions de lespace. Lorsquune des rectennas de lassociation reoit considrablement moins dnergie que les autres, le phnomne
dinversion de tension a t mis en vidence. Ceci entrane des dgradations du rendement de conversion car
la rectenna en inversion absorbe une partie de lnergie produite par les autres. Des solutions ont t proposes, sous la forme de circuits de bypass actif, qui court-circuitent la rectenna en inversion. Les rsultats de
simulations montrent une amlioration de lordre de 35 % du rendement global de lassociation en prsence
de circuits de bypass.
148
7.2 Perspectives
Quelques avances ont t ralises dans le cadre de ce travail, mais certains aspects restent aborder
avant que le travail soit complet.
7.2.1
Systme de rveil
Tout dabord, concernant le systme de rveil distance par microondes, on pourrait envisager plusieurs
volutions. Lintgration dautres blocs du rcepteur permettrait de gagner en encombrement, mais aussi en
cot si le systme serait susceptible de se vendre en grands volumes. Les chalenges rsident dans le choix de
la technologie et le plus probable est que chaque bloc sera transpos dans une technologie spcifique.
Lintgration des rectennas dans une technologie CMOS 130 nm a dj t ralise, mais les facteurs
limiteurs sont les inductances on-chip. Leurs facteurs de qualit peuvent se rvler insuffisants. Il est souhaitable en toute vidence de reporter les inductances off-chip en utilisant des composants CMS, ou bien de les
dessiner sur un substrat verre comme la technologie IPAD de ST Microelectronics Tours. Cette technologie
offre des inductances ayant des facteurs de qualit excellents. Lavantage dintgrer les rectenna est quon a
plus de libert dans le dimensionnement des composants et on peut raliser des structures plus complexes.
Nous pensons en particulier aux multiplieurs de tension plusieurs tages base de transistors MOS avec
pr-polarisation. Le seuil de rception sen retrouverait nettement amlior.
La dmodulation est galement intgrable dans une technologie CMOS standard, comme il a t prouv
par des ralisations prcdentes. Lintgration permettrait de diminuer par au moins un facteur deux la
consommation de cet tage, tout en augmentant sa sensibilit.
Quant linterrupteur auto-maintien, une technologie de puissance est ncessaire pour son intgration,
car les MOSFET doivent supporter une tension VDS de plusieurs centaines de Volts. Ces technologies sont
galement disponibles chez ST Tours.
Hormis lantenne de rception, lensemble du rcepteur est potentiellement intgrable, chaque bloc dans
la technologie la plus adapte. A court terme, il est possible daboutir un System-in-Package sous
forme dun composant encapsul que les fabricants dappareil lectroniques achteraient chez un fondeur.
Le composant regrouperait toutes les fonctionnalits RWU, ayant comme entre lantenne de rception et la
tension du secteur, et comme sortie la charge alimenter. Le composant serait alors relativement bon march
et compact, et raliserait la fonction de veille sans consommation lectrique.
Une autre volution potentielle serait llimination de la pile de ltage intermdiaire de rveil. Llvation de tension entre la sortie de la rectenna et la grille du MOSFET de puissance pourrait se faire par
lintermdiaire dun convertisseur DC-DC auto-aliment qui dmarre avec des tensions dentre de quelques
dizaines de mV pour fournir plusieurs V sa sortie, sans aucune alimentation externe. Linconvnient est,
lheure actuelle, le temps de dmarrage ncessaire pour ces convertisseurs, qui peut atteindre quelques
secondes pour des tensions dentre trs faibles. Ces travaux sont en cours au Laboratoire Ampre et des
progrs autour de ces convertisseurs permettraient de se passer de la pile.
7.2.2
Autres axes aborder
Les applications de rcupration dnergie ambiante et dalimentation sans fil de systmes lectroniques
suscitent de plus en plus dintrt de la part de la communaut scientifique, mais aussi du monde industriel et
du grand public.
7.2. PERSPECTIVES
149
Le concept de rcepteur adaptatif dondes lectromagntiques propos dans cette thse permet dobtenir
des gains considrables en termes defficacit nergtique, pour des applications dalimentation de capteurs
isols par transfert volontaire dnergie ou par lnergie ambiante. Toutefois, le concept mrite plus dinvestigation avant quil devienne viable. En particulier, ladaptation dimpdance en sortie des rectennas na
pas t suffisamment traite. En effet, le systme aurait besoin dun systme de gestion de puissance adapt,
qui ralise le fonctionnement en MPP et qui rgule la tension de sortie. De plus, une intgration est l encore
possible, hormis lantenne de rception. Il est aussi possible dimaginer daller vers un System-in-package
complet qui doit tre connect lantenne de rception, dune part, et au systme alimenter, dautre part.
Lencombrement serait alors dict par lantenne de rception.
Concernant le phnomne dinversion de tension dans lassociation dsquilibre de rectennas, une validation pratique des systmes de bypass actif serait ncessaire. il faudra alors valuer les gains en puissance
rcupre par rapport la consommation engendre par les circuits de compensation. Il est vident que la
compensation nest utile qu partir dune certaine puissance incidente. Il serait intressant dtudier le phnomne galement en association parallle.
Des travaux sont galement en cours sur des associations de plusieurs capteurs, allant jusqu 16. Il est envisageable de rcuprer des ondes arrivant des diffrentes directions, de rcuprer les diffrentes polarisations
ou des bandes de frquences diffrentes.
150
Annexes
151
152
Annexe 1 : Liste des Publications

Scientifiques
153
154
Liste des Publications Scientifiques

Brevet dInvention :
Systme lectronique comportant un mode de veille sans consommation lectrique, Dpos le 7 Mars
2012, Rf. INPI : ICG10720
Chapitre de Livre :
Chapitre 3 : Low Power Rectenna Systems for Wireless Energy Transfer, du livre Wireless Power
Transfer,
Aot
2012,
ISBN
9788792329233,
River
Publishers,
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http ://riverpublishers.com/river_publisher/book_details.php ?book_id=118
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Annexe 2 : Les Stubs en technologie

Micro-ruban
157
158
Les Stubs en technologie Micro-ruban

Les stubs en technologie micro-ruban peuvent tre des stubs en court circuit ou des stubs en circuit ouvert
(Figure 7.1).
F IGURE 7.1 Stubs en technologie micro-ruban et leurs quivalents pour l <

Stub circuit ouvert
; A) Stub court-circuit ; B)
Limpdance dentre dun stub en court circuit sans pertes est donne par [Hong et Lancaster, 2001,
Matthaei et al., 1964] :
Zcc = j Z0 tan(
avec :
Z0
impdance caractristique de la ligne ;
longueur donde guide ;
longueur du stub.
159
2
l)
g
(7.1)
160

Il en rsulte donc que si la valeur de tan( 2
g l) est positive, le stub aura un comportement inductif, tandis
que si cette valeur est ngative, on aura un comportement capacitif. Pour l <
g
4
le stub aura un comportement
inductif. La longueur l ncessaire pour quun stub en court circuit se comporte comme une inductance de
valeur L est donne par :
l=

g
L
n + arctan
2
Z0
(7.2)
Pour un stub sans pertes en circuit ouvert, son impdance dentre est donne par :
Zco = j Z0 cot(
2
l)
g
(7.3)
Il en rsulte donc que si la valeur de cot( 2

g l) est positive, le stub aura un comportement capacitif, tandis
que si cette valeur est ngative, on aura un comportement inductif. Pour l <
g
4
le stub aura un comportement
capacitif. La longueur l ncessaire pour quun stub en court circuit se comporte comme une capacit de valeur
C est donne par :

g
1
l=
n + arccot
2
C Z0
(7.4)
Les stubs en technologie micro-ruban peuvent galement prendre une forme radiale, comme dans la
Figure 7.2. Limpdance dentre dun tel stub connect en drivation sur une ligne de transmission est
donne par [March, 1985] :
Zradial = j
avec :
h
paisseur du substrat ;
permittivit relative du substrat.
120 h
cot (k ri , k r0 )
ri r
(7.5)
La fonction cot (k ri , k r0 ) sexprime avec des fonctions de Bessel de premier et second degr [March, 1985].
F IGURE 7.2 Stub radial en technologie micro-ruban [March, 1985]
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Transmission D'énergie Sans Fil. Application Au Réveil À Distance de Récepteurs en Veille Zéro Consommation

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N dordre : ECL 201245

Thse de lUniversit de Lyon

Transmission d'nergie sans fil. Application au rveil

Universit Joseph Fourier Grenoble

W between the converter

Table des matires

Liste des tableaux

Les solutions potentielles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Projet Remote Wake-Up (RWU) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2 tat de lart des systmes de transmission dnergie sans fil

Techniques de transmission dnergie sans fil . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Le couplage magntique inductif . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Le couplage magntique rsonant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Propagation des ondes lectromagntiques en espace libre . . . . . . . . .

Topologies de rectennas faible puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Rectennas base de transistors MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . .

TABLE DES MATIRES

3 Vue densemble du systme de rveil

Cahier de charges fonctionnel du systme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Cahier des charges technique du systme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Elments constituants du systme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Scnario 1 : Full passif . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Scnario 2 : Semi Actif . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4 Conception du circuit de conversion

Choix des composants . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Les lments actifs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Les lments passifs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Analyse Harmonic Balance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Large Signal S Parameter (LSSP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Comparaison de structures (RFoM) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Influence de limpdance dantenne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Structure mono-diode srie avec inductance dentre . . . . . . . . . . . .

Structure mono-diode srie avec filtre dentre en Pi . . . . . . . . . . . .

Structure mono-diode srie avec filtre dentre en T . . . . . . . . . . . .

Autres structures et topologies de filtres . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Validation exprimentale prliminaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Circuit mono-diode filtres hybrides . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Stubs en technologie micro-ruban . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Circuit doubleur de tension filtres hybrides . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Formes dondes temporelles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

tude du rendement de conversion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Rsultats des mesures exprimentales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

TABLE DES MATIRES

Comparaison exprimentale des structures . . . . . . . . . . . . . . . . .

Effet des dispersions sur les composants . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

5 Intgration de la dmodulation dans le systme complet

Architectures de rcepteur radio faible consommation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Discussions sur la faisabilit en HCMOS9RF . . . . . . . . . . . . . . . .

Linterrupteur de puissance auto-maintien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101

Test du systme de rveil . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108

6 Rcepteur adaptatif dnergie lectromagntique

Scnario dapplication . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111

Topologies de rectennas utilises . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113

Rectenna mono-diode srie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113

Rectenna mono-diode shunt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115

Rectenna en pont . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116

Association reconfigurable de rectennas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 118

Le switch dantenne intgr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 119

Conception et optimisation du circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120

Performances globales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123

Adaptation de la change de sortie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130

Inversion de la tension dans une association dsquilibre de rectennas

Association quilibre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136