INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA

MECANICA Y ELCTRICA
INGENIERIA EN COMUNICACIONES Y ELECTRNICA

ACADEMIA DE ELECTRNICA
ELECTRNICA I I I

UNIDAD I I

CIRCUITOS DIGITALES COMBINATORIOS

NOVIEMBRE DE 2002

Ing. Porfirio Mora Villavicencio

CIRCUITOS DIGITALES COMBINATORIOS

2.1 El transistor bipolar como conmutador
Idealmente, si la unin base emisor est polarizado inversamente, entre colector y emisor
tenemos el efecto de un interruptor abierto (ver Figura 2.1.1a)
+Vcc

+Vcc

Ic=0

Ic=

Rc

Rc

Unin Base-Emisor
polarizada inversamente

Ic

IB=0

cerrado

abierto

Vo=Vcc
Vi

Vcc
Rc

IB

Vi

IE Vo=0V

IB =0

a) Polarizacin inversa

b) Polarizacin directa
Figura 2.1.1
Polarizacin del transistor bipolar

Si unin base emisor est polarizada directamente, entre colector y emisor tendremos el
efecto de un interruptor cerrado, como se muestra en la Figura 2.1.1b.
Cuando Vi es suficientemente grande el transistor conduce en saturacin, cuando esto
sucede la corriente de colector est limitada nicamente por el resistor RC.
2.1.1 Regiones de corte y saturacin
En la Figura 2.1.2 se muestra la lnea de carga sobre la curva caracterstica de un transistor
real, en el transistor ideal el punto A esta situado sobre el eje vertical y el B el sobre eje
horizontal
Ic(Max)

Vcc
Rc

Ib (mA)

A
I

II
C

Ic(mA)

P(Max)

Ic= Ico(hfe +1 )

D
Vce =
SAT

CURVA DE MAXIMA
TRANSFERENCIA DE
POTENCIA

Vce(V)

Vcc

0.3V

III

Ib = 0
Vce(Max)

Figura 2.1.2
Regiones del transistor
Electrnica III

Unidad II

Ing. Porfirio Mora Villavicencio

En la configuracin emisor comn para un transistor, la corriente de base IB controla a la

corriente de colector IC; puesto que IC = IB; para un transistor ideal, una pequea corriente
de base puede controlar una gran corriente de colector IC, y IE = (+1) IB .
La corriente de base es determinada por el voltaje a travs de la unin base-emisor.
PARMETROS PRCTICOS DEL TRANSISTOR
La curva caracterstica corriente-voltaje de un transistor configuracin emisor comn
se muestra en la Figura 2.1.2.
Donde las regiones de trabajo del transistor son:
I = Regin de saturacin.

En sta las uniones base-emisor y base-colector estn

polarizadas directamente

II = Regin Activa.

En esta, la unin base-emisor est polarizada

directamente y la unin base-colector est polarizada
inversamente.

III = Regin de corte.

En sta las uniones base-emisor y base-colector estn

polarizadas inversamente.

De acuerdo al punto A sobre la lnea de carga (Saturacin), VCE(sat) 0.

un transistor de Si puede variar entre 0.1 y 0.5 Volts.

ste VCE(sat) para

Para el punto B se observa que IB = 0 y la corriente de colector (Corte ) IC 0. El punto D

(Corriente de fuga) esta corriente es producida por la corriente inversa de saturacin de la
unin base colector conocida como ICBO .
2.1.2 Modelo esttico del transistor bipolar
En la Figura 2.1.3 se muestra el modelo esttico del transistor bipolar, como se puede
observar las terminales del transistor se representan con unos crculos, el colector se
identifica con la letra C, la base con la letra B y el emisor con la letra E.
En cada terminal se le indica la corriente respectiva, note que la corriente de colector ( Ib)
I
esta dada en funcin de la , recuerde que I E = I B + IC , y = C
IB
C
Ic
Iceo

Ib
B

Ib
Ie
E

Figura 2.1.3
Modelo esttico del transistor bipolar
Electrnica III Unidad II

Ing. Porfirio Mora Villavicencio

Anlisis del transistor ideal como conmutador

Consideremos el siguiente circuitode la Figura 2.1.4 (Inversor I).
Vi = 5 V
hFE = 40
VBE = 0
Vo = 20 V
VCESAT = 0
ICBO = ICO = 0
IC = 10 mA
+Vcc

Rc

Ic

R1

IB

Vi

+
+

Vo

Figura 2.1.4
El transistor como conmutador (Inversor I )
Las ecuaciones para el circuito son:
(1)
Vi R1IB VBE = 0
(2)
VCC RCIC VCE = 0
Las curvas caractersticas para un transistor ideal se muestran en la Figura 2.1.5.
Ic(mA)

Ib=

Ic
hfe(min)
ON

ON

Vcc
Rc
Recta de
carga

Ic= Ico(hfe +1 )
Ib = 0

OFF
to

t1

Vce
SAT

t2

ON

OFF

Vce(V)

to

OFF

to

t1

t2

Figura 2.1.5
El transistor como conmutador, con seal

t1

t2

Electrnica III Unidad II

Ing. Porfirio Mora Villavicencio

En la regin de corte (OFF) se tiene:

IB = 0 ; IC = ICO (hFE + 1) = 0 ; IE = 0
De la ecuacin (2) se tiene (transistor en corte):
VCC RC (0) VCE = 0 VCC = VCE = Vo = 20V
VCC = 20 voltios
En la regin de saturacin (ON) se tiene:
VCESAT = 0V ; y de la ecuacin (2) se obtiene:
VCC RCIC 0 = 0 VCC = RCIC
VCC
20V
=
= 2 K
IC
10x10 3 Amp.

RC =

RC = 2000
Como h FE =

IC
I
IB = C
IB
h FE
IB = 0.25 mA

y IB =

10x10 3 Amp.
40

De la ecuacin (1) se tenemos:

Vi R1 IB - VBE = 0 5V R1( 0.25x10-3 Amp) 0 = 0
de donde R 1 =

5V
= 20x10 3 = 20000
0.25x10 3 Amp

recuerde que Rb 10 Rc

R1 = 20000
Del anlisis anterior se desprende el comportamiento del transistor ideal como interruptor y
como se muestra en la Figura 2.1.6
IC =0

IC

VCE

IB
IE

a) Saturacin

Rc

Rc

Vcc

Vcc

b) Corte
Figura 2.1.6
Circuito equivalente del transistor, como un interruptor

Electrnica III Unidad II

Ing. Porfirio Mora Villavicencio

Sin embargo una situacin real deber considerar lo siguiente:

1) En saturacin
2) En corte

VCE 0
IC = ICO ( hFE + 1) 0

[VCE 0.3 V]

Por ejemplo, para el silicio se tiene VCESAT = 0.3 V (y para el germanio VCESAT = 0.1 V)
aunque el valor exacto de este voltaje para un transistor especfico esta en funcin de la
corriente de colector y puede variar desde aproximadamente 0.1 a 0.5 V.
El voltaje VBESAT = 0.7 V corresponde a un transistor de silicio, mientras que para uno de
germanio VBESAT = 0.3 V. Bajo estas consideraciones se tiene:
-VBE + VCE + VBC = 0 VBC = VBE VCE y VBC = 0.7V 0.3V = 0.4V
Cuando el transistor esta en saturacin ver Figura 2.1.7
VBC
VCE
VBE

Figura 2.1.7 Polaridad en las terminales del transistor

Para el caso en que IC = ICBO ( hFE + 1) donde ICBO es la corriente inversa de saturacin
entre colector y base. Tenemos que: ICBO es del orden de nanoamperios pero en la
configuracin de emisor comn es amplificada por (hFE + 1). El efecto de esta IC 0 ser la
cada de tensin en la resistencia RC y por lo tanto Vo VCC, lo cual concuerda con la
ecuacin:

VCE = Vo = VCC RCICBO (hFE + 1)

VCC RCIC VCE = 0
RESUMIENDO
Para que un transistor est en corte es condicin suficiente que:
IB 0 IC 0 y VCC VCE (El transistor no disipa potencia)
Para que IB 0, se deber aplicar un voltaje entre base y emisor menor o igual a cero
dependiendo si el transistor es de germanio o silicio (VBEOFF = - 0.1 V para germanio y
VBEOFF = 0.0 para silicio).
Para pasar el transistor de corte a saturacin, el punto de operacin se debe desplazar a
travs de la recta de carga, de extremo a extremo cuando IB se incrementa.
Cul es ese valor de IB que se debe emplear para que el transistor trabaje en saturacin?

Electrnica III Unidad II

Ing. Porfirio Mora Villavicencio

En el empleo de un transistor como conmutador se manejan seales grandes (Sistema no

lineal) por lo que la ganancia en corriente a C.D. para un transistor en configuracin emisor
Ic
I E = I B + I C --------b)
--- a)
recuerde que
comn es
hFE =
IB
Despejando I B de a) y sustituyendo en b) tenemos que: I E = ( + 1)I B min --- c)
El valor mnimo IB que garantiza que el transistor se encuentra en saturacin es:
I
I BMIN = CSAT
h FEMIN

Donde hFe MIN ser la mnima que reporta el fabricante.

Entonces para asegurar que el transistor est en saturacin se debe de cumplir:
IB

I CSAT
h FEMIN

Para la situacin de saturacin de un transistor real ( Malla de salida Figura 2.8)

VCC ICRC VCE = 0 VCC ICSATRC VCESAT = 0
ICSATRC = VCC VCESAT puesto que VCC >> VCESAT
V
ICSATRC = VCC R C = CC
I CSAT
Para poder cumplir con la condicin de que la unin base-emisor est polarizada
directamente, debemos aplicar un voltaje de la polaridad adecuada (Vi > 0) con el fin de
que la base sea ms positiva que el emisor.
De qu valor deber ser el voltaje de entrada del circuito para cumplir la condicin de
saturacin?
Considerando la ecuacin siguiente ( Malla de entrada Figura 2.1.8 ):
Vi R1I VBE = 0

ajustando a valores mnimos o en saturacin del transistor:

Vi - R1IBmin VBESAT = 0

donde ( Vi = Ve voltaje de entrada Figura 2.8 )

I
Vi = R1IBmin + VBESAT tomando en cuenta que I Bmin = CSAT
h FEMIN
I
V
Vi = R1 ( CSAT ) + VBESAT como ICSAT = CC
h FEMIN
RC
Tenemos que:
Vi = R1 (

VCC
1
) + VBESAT ------ (a)
)(
R C h FEMIN

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Ing. Porfirio Mora Villavicencio

Con el objeto de garantizar que el transistor haga el cambio de corte a saturacin, se debe
aplicar un voltaje mayor al dado en (a) esto es:

Vi > (

R 1 VCC
) + VBESAT
R C h FEMIN

De la expresin anterior Vi VBESAT > (

R 1 VCC
)
R C h FEMIN

R1 < (

Finalmente tenemos que

Vi VBESAT
)RC hFEMIN
VCC

Caractersticas de conmutacin
Ahora se presentar el comportamiento del transistor en la transicin de un estado a otro.
Considerando que el control de un transistor se efecta por medio del pulso en la base
mostrado en la Figura 2.1.8, esta forma de onda hace transiciones entre dos niveles de
voltaje. Cuando Vi = +Vcc el transistor est en saturacin y para Vi = 0V el transistor est
en corte.
+Vcc

Rc

Ic

+
Vi

5
0

R1

IB

+
+

Vo

Figura 2.1.8
Corte y saturacin del transistor
Cuando el pulso de entrada polariza directamente la unin base-emisor, el transistor no
puede ir a conduccin en un tiempo cero. El tiempo requerido para que el transistor pase a
conduccin se simboliza como tON y es el tiempo necesario para que la corriente en
colector sea igual al 90% de Icsat.

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Ing. Porfirio Mora Villavicencio

Este tiempo est constituido de dos componentes:

a)._ Tiempo de retardo (td )
b)._ Tiempo de elevacin (tr )
Como tON = td + tr
En la Figura 2.1.11 se presenta la grafica de estos tiempos.
Colector
+
CBC
-

+Vcc

Ri

Rc
Polarizacin
Inversa

C
Ri

-VBB

IB

Rc
R BC

Base

Vi

CBE

+
-

Vcc

RBE

Vi

Emisor

a) Circuito elctrico
Figura 2.1.9
b) Circuito equivalente
Efectos de las capacidades internas del transistor en la conmutacin.
En la Figura 2.1.9 b se observa en el circuito equivalente para las uniones base-emisor y
base-colector polarizadas inversamente. Cuando este presente el voltaje de polarizacin
inversa, la capacitancia de unin CBE se carga al voltaje aplicado.
Componente td en el arreglo:
Para un tiempo despus de t0 (t+0) la unin base-emisor se polariza directamente (Figura
2.1.10 a) y la capacitancia CBE invierte un tiempo para cargarse desde (Vi) hasta cero. El
tiempo requerido para que esto ocurra y el tiempo requerido para que la corriente de emisor
difunda a travs de la base es el tiempo de retardo. El fenmeno que produce el tiempo de
retardo es tambin el responsable del tiempo de elevacin.

Electrnica III Unidad II

Ing. Porfirio Mora Villavicencio

Circuito equivalente
Ri
Ri
Vi

+
-

Polarizacin
despus de t0

Vi

CBE

RBE=100

a) En +0
Figura 2.1.10
Efecto de la capacidad de la unin base emisor

b) Para 1

Para t+0 la corriente de colector no circula (Figura 2.1.10a) hasta que la unin base-emisor
este polarizada directamente (tiempo de retardo) la capacitancia CBE est cargada al voltaje
de polarizacin inversa, la corriente de colector no puede llegar a saturacin
instantneamente debido a que la capacitancia CBC (presenta una carga que es la suma del
voltaje de polarizacin inversa y de VCC Voltaje inicial) debe ser descargada por la
difusin de portadores a travs de la base.
Vi
V1

0
t+0

V2

T1

ic
0.9Isc

Isc
0.1Isc
1

3
2

Ib

Ib1=

Ib2~

V1
R1

V2
R1

1_td
2_tr
3_ts
4_tf
5_ton
6_toff
t

Figura 2.1.11
Seal en base del transistor
Para un tiempo posterior a t1 se tiene un voltaje de polarizacin inversa otra vez (Figura
2.1.10 ), y la corriente de colector presenta un valor igual o cercano al que presenta el
transistor en conduccin (Vo 0V). En consecuencia en t -1 el transistor est en saturacin y
la ICSAT est solo limitada solamente por RC, cuando el transistor pasa al estado de corte
(t+1) se tiene un exceso de electrones presentes en la base.
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Ing. Porfirio Mora Villavicencio

La corriente de colector sigue circulando hasta que es removido el exceso de carga de la

base, al este tiempo se le conoce como tiempo de almacenamiento tS.
El tiempo de almacenamiento es el responsable de que el ancho el pulso de salida sea
mayor que el ancho del pulso de entrada.
El tiempo necesario para que el voltaje de salida sea otra vez VCC es llamado tiempo de
apagado y se representa como tOFF y tiene dos componentes:
tOFF = tS + tF
Como habamos dicho el tS (tiempo de almacenamiento) es el tiempo requerido para
remover el exceso de carga de la base, el cul se realiza mediante dos situaciones:
a)._ Por la recombinacin
b)._Por la polarizacin inversa del voltaje de entrada
El tiempo de cada (tF ) es el tiempo necesario para remover la carga remanente de la base.
El tiempo de retardo td es el tiempo necesario para que la capacitancia CBC se recargue al
voltaje de polarizacin inversa.
Nota: Los tiempos tS, tF y td son del orden de nanosegundos generalmente.

Capacitor de aceleramiento
Para reducir el tiempo de elevacin y tratar que el transistor conmute mas rpidamente, es
necesario saturar rpidamente la base cuando el pulso de entrada se aplica inicialmente
como se muestra en la Figura 2.1.12.
Al iniciarse la saturacin, la corriente de base debe tener un valor tal que se asegure la
saturacin, agregndole un capacitor externo al circuito podemos lograrlo.
Vcc

Vi

+
0

RC

T1
R1

Vo

Figura 2.1.12
Capacitor de aceleramiento
Al cargarse el capacitor acta como una fuente de voltaje externa que proporciona la
corriente necesaria para reducir el tiempo de elevacin.

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Ing. Porfirio Mora Villavicencio

Cuando que el pulso de entrada es aplicado, se produce una corriente de base la cual
analizaremos en dos partes:
1. La corriente que carga al capacitor
2. La corriente que polariza a la base del transistor cuya magnitud depende
bsicamente del voltaje del pulso de entrada y del valor asignado a R1.
A continuacin se analiza cada caso por separado.
El anlisis del efecto de la corriente de base en el capacitor de aceleramiento se puede
apreciar en la Figura 2.1.13.
to

+Vcc

ei

+ + -

t1

IB

ei
0

C
VBE

rbe

V BE

+ ei

+
VBE

rbe

eC

IB

Corriente de base

Circuito
diferenciador
rBE = constante

Figura 2.1.13
Corriente de base en el capacitor
Como se puede observar la corriente que carga al capacitor es la corriente de base del
transistor.
Cuando se presenta el pulso de entrada en el tiempo t+0, el voltaje de entrada aparece a
travs de la resistencia rBE, al pasar el tiempo el capacitor se carga al voltaje aplicado y la
corriente de base es cero en ese instante.
Cuando el pulso de entrada se desaparece en t+1, el capacitor cargado opera como una
batera con la polaridad indicada, que es la requerida para que la unin base-emisor se
polarice inversamente, debido a esta polarizacin inversa que acta de tal manera que
ayuda a disminuir el tiempo de almacenamiento.

Electrnica III

Unidad II

Ing. Porfirio Mora Villavicencio

El efecto corriente en la base, considerando solamente al resistor R1 se muestra en la Figura

2.1.14

+Vcc

ei

ei
0

R1

IB

to

t1

rbe

V BE

R1

ei

rbe

VBE
Divisor
de voltaje

Corriente
de base

IB

Figura 2.1.14
Efecto de la corriente de base en R1
Tomando en cuenta las dos componentes en forma simultanea:
En las Figura 2.1.15 se muestran las grficas en las que notamos la diferencia entre el
resultado terico y el resultado prctico.
+

ei
0

to

t1

Resultado Terico
IBT
0

+ +Vcc
0

Sobreexcitacin para llevar

el transistor a saturacin

IBT

ei

+
-

R1

IBT

CIRCUITO
COMPUESTO

IB
Resultado Prctico
Sobreexcitacin para llevar
el transistor a corte

IBTOTAL = IBMIN + IB PARA SOBRE-EXCITACIN

Figura 2.1.15
Forma de onda obtenida experimentalmente
En el resultado terico se desprecia la capacitancia de unin base-emisor.

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Ing. Porfirio Mora Villavicencio

CONCLUCIN
El capacitor de aceleramiento C suministra la corriente de base adicional que se requiere
para disminuir el tiempo de elevacin cuando el capacitor se carga. Una vez que el
capacitor esta cargado provee la polarizacin inversa necesaria para reducir el tiempo de
almacenamiento.

Clculo del Capacitor de Aceleramiento

Para determinar el capacitor C se tiene:
Q
CV
y
Q = CV
I=
I=
t
t

Despejando: C =

It
V

Electrnica III Unidad II

C=

I BO t r1
V1

Ing. Porfirio Mora Villavicencio