Celul solar

O celul solar tipic

O celul solar const din dou sau mai multe straturi de material semiconductor, cel mai
ntlnit fiind siliciul. Aceste straturi au o grosime cuprins ntre 0,001 i 0,2 mm i sunt dopate
cu anumite elemente chimice pentru a forma jonciuni p i n. Aceast structur e similar
cu a unei diode. Cnd stratul de siliciu este expus la lumin se va produce o agitaie a
electronilor din material i va fi generat un curent electric.
Celulele, numite i celule fotovoltaice, au de obicei o suprafa foarte mic i curentul
generat de o singur celul este mic dar combinaii serie, paralel ale acestor celule pot
produce cureni suficient de mari pentru a putea fi utilizai n practic. Pentru aceasta, celulele
sunt ncapsulate n panouri care le ofer rezisten mecanic i la intemperii.

Polykristalline Silizium-Solarzellen in einem Solarmodul

Solar-Panel

Cuprins
[ascunde]
1 Clasificare
o 1.1 Materiale
o 1.2 Rezervele de materia prim
o 1.3 Moduri de construcie
o 1.4 Principiu de funcionare
2 Celule solare pe baz de siliciu
o 2.1 Fabricaia avnd la baz blocuri sau bare de siliciu
2.1.1 Procedeul de turnare
2.1.2 Procedeul Bridgman
2.1.3 Procedeul Czochralski
2.1.4 Procedeul de topire zonal
2.1.5 Fabricare de waferi (discuri/plci subiri de siliciu)
2.1.6 Prelucrarea plcilor de siliciu
o 2.2 Fabricarea plcilor semiconductoare n mod direct
2.2.1 Procedeul EFG
2.2.2 Procedeul String-Ribbon
2.2.3 Procedeul cu transfer de strat
o 2.3 Celule din siliciu murdar
3 Alte tipuri de celule solare
o 3.1 Celule solare cu strat subire
o 3.2 Celule cu concentrator
o 3.3 Celule solare electrochimice pe baz de pigmeni
o 3.4 Celule solare din compui organici
o 3.5 Celule bazate pe fluorescen
4 Istoric
5 Forme i mrimi
6 mbtrnirea
o 6.1 Celule solare cristaline
o 6.2 Celule solare amorfe
7 Caracteristici tehnice
o 7.1 Scheme de conectare
7.1.1 Schem echivalent simplificat
7.1.2 Schem echivalent extins (Model cu una sau dou diode)
8 Amortizarea energetic i eficiena energetic
9 Protecia mediului
10 Fabricani de celule solare (Extras)
o 10.1 Germania
o 10.2 n afara Germaniei
11 Alte firme n industria tehnologiei solare
12 Surse
13 Legturi externe

14 Vezi i

[modific] Clasificare

Celulele solare pot fi clasificate dup mai multe criterii. Cel mai folosit criteriu este dup
grosimea stratului materialului. Aici deosebim celule cu strat gros i celule cu strat subire.
Un alt criteriu este felul materialului: se ntrebuineaz, de exemplu, ca materiale
semiconductoare combinaiile CdTe, GaAs sau CuInSe, dar cel mai des folosit este siliciul.
Dup structur de baz deosebim materiale cristaline(mono-/policristaline) respectiv amorfe.
n fabricarea celulelor fotovaltaice pe lng materiale semiconductoare, mai nou, exist
posibiltatea utilizrii i a materialelor organice sau a pigmenilor organici.

[modific] Materiale
1. Celule pe baz de siliciu
o Strat gros
Celule monocristaline (c-Si)
randament mare - n producia n serie se pot atinge pn la peste 20 %
randament energetic, tehnic de fabricaie pus la punct; totui procesul
de fabricaie este energofag, ceea ce are o influen negativ asupra
periodei de recuperare (timp n care echivalentul energiei consumate n
procesul de fabricare devine egal cantitatea de energia generat).
Celule policristaline (mc-Si)
la producia n serie s-a atins deja un randament energetic de peste la
16 %, cosum relativ mic de energie n procesul de fabricaie, i pn
acum cu cel mai bun raport pre performan.
o Strat subire
Celule cu siliciu amorf (a-Si)
cel mai mare segment de pia la celule cu strat subire; randament
energetic al modulelor de la 5 la 7 %; nu exist strangulri n
aprovizionare chiar i la o producie de ordinul TeraWatt
Celule pe baz de siliciu cristalin, ex. microcristale (c-Si)
n combinaie cu siliciul amorf randament mare; tehnologia aceeai ca
la siliciul amorf
2. Semiconductoare pe baz de elemente din grupa III-V
o Celule cu GaAs
randament mare, foarte stabil la schimbrile de temperatur, la nclzire o
pierdere de putere mai mic dect la celulele cristaline pe baz de siliciu,
robust vizavi de radiaia ultraviolet, tehnologie scump, se utilizeaz de obicei
n industria spaial (GaInP/GaAs, GaAs/Ge)
3. Semiconductoare pe baz de elemente din grupa II-VI
o Celule cu CdTe
utilizeaz o tehnologie foarte avantajoas CBD(depunere de staturi subiri pe
suprafee mari n mediu cu pH , temperatur i concentraie de reagent
controlate) ; n laborator s-a atins un randament de 16 %, dar modulele
fabricate pn acum au atins un randament sub 10 %, nu se cunoate
fiabilitatea. Din motive de protecia mediului este improbabil utilizarea pe
scar larg.
4. Celule CIS, CIGS
CIS este prescurtarea de la Cupru-Indiu-Diselenid produs n staie pilot la firma Wrth
Solar n Marbach am Neckar, respectiv Cupru-Indiu-Disulfat la firma Sulfurcell n

5.

6.

7.
8.

Berlin, iar CIGS pentru Cupru-Indiu-Galiu-Diselenat produs n staie pilot n

Uppsala/Suedia. Productorii de mai sus promit trecerea la producia n mas n anul
2007.
Celule solare pe baz de compui organici
Tehnologia bazat pe chimia organic furnizeaz compui care pot permite fabricarea
de celule solare mai ieftine. Prezint, totui, un impediment faptul c aceste celule au
un randament redus i o durat de via redus (max. 5000h). nc (ianuarie 2007) nu
exist celule solare pe baz de compui organici pe pia.
Celule pe baz de pigmeni
Numite i celule Grtzel utilizeaz pigmeni naturali pentru transformarea luminii n
energie electric; o procedur ce se bazeaz pe efectul de fotosintez. De obicei sunt
de culoare mov.
Celule cu electrolit semiconductor
De exemplu soluia: oxid de cupru/NaCl. Sunt celule foarte uor de fabrict dar puterea
i sigurana n utilizare sunt limitate.
Celule pe baz de polimeri
Deocamdat se afl doar n faz de cercetare.

[modific] Rezervele de materia prim

Ca materie prim de baz siliciul este disponibil n cantiti aproape nelimitate. Pot apare ns
strangulri n aprovizionare datorate capacitilor de producie insuficiente i din cauza
tehnologiei energofage.
La celulele solare ce necesit materiale mai speciale cum sunt cele pe baz de indiu, galiu,
telur i seleniu situaia se prezint altfel. La metalele rare indiu i galiu consumul mondial
(indiu cca. 850 t, galiu cca. 165 t) depete deja de mai multe ori producia anul (USGS
Minerals Information). Deosebit de critic este situaia datorit creterii accentuate a
consumului de indiu n form de indiu oxid de zinc n ecranele cu cristale lichide i cele cu
LED organic, precum i utilizrii de galiu i indiu n producia diodelor luminiscente (LED)
care se comercializeaz n surse de lumin cu consum mic de energie respectiv ca surs de
lumin de fundal n televizoare cu ecran plat.
Rezervele de indiu, estimate la 6000 tone(economic exploatabile 2800 tone), se presupune c
se vor epuiza deja n aceast decad (Neue Zrcher Zeitung 7. Dezember 2005) (reserve de
indiu conform USGS Mineral Commodity Summaries (2006)).
La seleniu i telur, care e i mai greu de gsit, situaia pare mai puin critic, deoarece ambii
metaloizi se regsesec n cantiti mici n nmolul anodic rezultat n urma procesului de
electroliz a cuprului iar productorii de cupru utilizeaz doar o parte din nmolul rezultat
pentru extragerea de telur i seleniu. Rezervele exploatabile economic la seleniu se estimeaz
totui la doar 82000 tone, iar la telur la doar 43000 tone, vizavi de cupru unde se estimeaz la
550 milioane tone!
Multe procese de producie utilizeaz galiu, indiu, seleniu i telur n mod neeconomic.
Spre deosebire de cupru, unde procesul de reciclare este pus la punct, la galiu, indiu, seleniu i
telur procesul de reciclare nu este posibil deoarece aceste elemente se gsesc incluse n
structuri multistrat foarte fin distribuite de unde recuperarea, se pare, nici n viitor nu va fi
posibil.

[modific] Moduri de construcie

Pe lng materia prim o importan mare prezint tehnologia utilizat. Se deosebesc diferite
structuri i aranjamente n care se depun electrozii de acoperire transpareni a cror rezisten
nu este deloc neglijabil.
Alte tehnici vizeaz mrirea eficienei asigurnd absorbia unui spectru de frecven ct mai
larg prin suprapunerea mai multor materiale cu diferite caracteristici de absorbie. Se ncearc
selectarea materialelor n aa fel nct spectrul luminii naturale s fie absorbit la maximum.
Actualmente celulele solare pe baz de materiale semiconductoare cele mai des
comercializate sunt cel pe baz de siliciu.
Celulele solare pe baz de materiale semiconductoare utilizate pentru producerea de energie
electric sunt legate n module. Pe un modul se afl mai multe rnduri de celule solare
conectate n serie ntre ele pe faa i pe reversul modulului permind, datorit tensiunii
nsumate, utilizarea unor conductori cu seciune mai mic dect la legarea n paralel. Pentru
protejarea unei celule solare mpotriva efectului de avalan n jonciune, datorat
potenialului mai mare (aprut de exemplu la umbrirea parial a modulului), trebuie
incorporate paralel cu celulele solare diode de protecie(bypass).
Sistemele de panouri solare sunt nzestrate uneori cu mecanisme de orientare, panoul fiind n
permanen direcionat pentru a exploata la maximum energia solar incident.
Randamentul termodinamic maxim teoretic pentru producerea de energie din lumina solar
este de 85 %. Acesta se calculeaz din temperatura suprafeei soarelui(5800 K), temperatura
maxim de absorbie(<2500 K, tempertura de topire a materialelor greu fuzibile) i
temperatura mediului nconjurtor(300 K).
Dac se utilizeaz doar o poriune din spectrul luminii solare, valoarea teoretic se reduce n
funcie de lungimea de und, pn la 5-35 %. Neutilizarea spectrului complet este una din
dezavantajele celulelor solare fa de centralele solare termice.

Absorbia radiaiei solare de ctre Siliciu (mono- und policristalin)

Absorbia radiaiei solare de ctre Gallium-Antimonat

[modific] Principiu de funcionare

Principiul de funcionare a celulei solare cu semiconductori: Fotoni incidentali elibereaz

electroni i goluri, care se vor separa n cmpul electric al zonei de sarcin spaial a
jonciunii p-n

Structura unei celule solare simple cu impurificare pin - positive intrinsic negative.
Celulele solare pe baz de materiale semiconductoare n principiu sunt construite ca nite
fotodiode cu suprafa mare care ns nu se utilizeaz ca detectoare de radiaii ci ca surs de
curent.
Interesant la acest tip de semiconductoare este c prin absorbie de energie (cldur sau
lumin) elibereaz purttori de sarcin (electroni i goluri). Este nevoie de un cmp
electrostatic intern pentru ca din aceti purttori s se creeze un curent electric dirijndu-i n
direcii diferite.
Acest cmp electric intern apare n dreptul unei jonciuni p-n. Pentru c intensitatea fluxului
luminos scade exponenial cu adncimea, aceast jonciune este necesar s fie ct mai aproape
de suprafaa materialului i s se ptrund ct mai adnc. Aceast jonciune se creeaz prin
impurificarea controlat. Pentru a realiza profilul dorit, n mod normal se impurific n un
strat subire de suprafa i p stratul gros de dedesubt n urma cruia apare jonciunea. Sub
aciunea fotonilor apar cupluri electron-gol n jonciune, din care electronii vor fi accelerai
spre interior, iar golurile spre suprafa. O parte din aceste cupluri electron-gol se vor
recombina n jonciune rezultnd o disipare de cldur, restul curentului putnd fi utilizat de
un consumator, ncrcat ntr-un acumulator sau prin intermediul unui invertor livrat n reeaua
public. Tensiunea electromotare maxim la bornele unei celule solare (de exemplu la cele
mai utilizate, celulele de siliciu cristaline) este de 0,5 V.
Structura celulelor solare se realizeaz n aa mod nct s absoarb ct mai mult lumin i s
apar ct mai multe sarcini in jonciune. Pentru aceasta electrodul de suprafa trebuie s fie
transparent, contactele la acest strat s fie pe ct posibil de subiri, pe suprafa se va aplica
un strat antireflectorizant pentru a micora gradul de reflexie a luminii incidente. Acestui strat
antireflectorizant i se atribuie culoare negru-albstruie a celulelor solare care fr aceasta ar
avea o culoare gri-argintie.
La celulele solare moderne se obine din nitrat de siliciu prin procedeul PE-CVD(pe o
suprafa nclzit se depun n urma unei reacii chimice componente extrase dintr-o faz
gazoas) un stratul antireflectorizant de cca 70 nm grosime (sfert de lungime de und la un
coeficient de refracie de 2,0). Se mai utilizeaz straturi reflectorizante din SiO2 i TiO2 ce se
depun prin procedeul AP-CVD.
Grosimea stratului influeneaz culoarea celulei (culoarea de interferen). Grosimea stratului
trebuie s fie ct se pote de uniform, deoarece abateri de civa nanometri mresc gradul de

reflexie. Celulele i datoreaz culoarea albastr realizrii unei grosimi ce corespunde

lungimii de und a culorii roii, culorea cea mai bine absorbit de siliciu. n principiu ns n
acest mod se pot realiza celule roii, galbene, sau verzi la cerine arhitectonice deosebite, dar
vor avea un randament mai slab. n cazul nitratului de siliciu i a bioxidului de siliciu stratul
antireflectorizant mai are i un rol de a reduce viteza de recombinare superficial.

[modific] Celule solare pe baz de siliciu

Celul solar multicristalin

o plac (wafer) multicristalin

Materialul cel mi utilizat pentru fabricarea de celule solare pe baz de semiconductori este
Siliciul. Dac la nceput pentru producerea celulelor solare se utilizau deeuri rezultate din
alte procese tehnologice pe baz de semiconductori, astzi se apeleaz la materiale special n
acest scop fabricate. Pentru industria semiconductorilor siliciul este materialul aproape ideal.
Este ieftin, se poate produce ntru-un singur cristal la un nalt grad de puritate, i se poate
impurifica(dota) n semiconductor de tip n sau p. Prin simpla oxidare se pot crea straturi
izolatoare subiri. Totui lrgimea zonei interzise fac siliciul mai puin potrivit pentru
exploatarea direct a efectului fotoelectric. Celule solare pe baz pe siliciu cristalin necesit o
grosime de strat de cel puin 100 m sau mai mult pentru a pute absorbi lumina solar
eficient. La celulele cu strat subire de tip semiconductor direct ca de exemplu GaAs sau chiar
siliciu cu structura cristalin puternic perturbat (vezi mai jos), sunt suficiente 10 m.
n funcie de starea cristalin se deosebesc urmtoarele tipuri de siliciu:

Monocristaline Celulele rezult din aa numitele Wafer (plci de siliciu dintr-un

cristal). Aceste cristale reprezint materia de baz pentru industria de semiconductori
i sunt destul de scumpe.
Policristaline Celulele sunt din plci care conin zone cu cristale cu orientri diferite.
Acestea pot fi fabricate de exemplu prin procedeul de turnare, sunt mai ieftine i ca

atare cele mai rspndite n producia de dispozitive fotovoltaice. Deseori ele se

numesc i celule solare policristaline.
Amorfe Celulele solare constau dintr-un strat subire de siliciu amorf (fr
cristalizare) i din aceast cauz se numesc celule cu strat subire. Se pot produce de
exemplu prin procedeul de condensare de vapori de siliciu i sunt foarte ieftine, dar au
un randament sczut n spectru de lumin solar, totui au avantaje la lumin slab. De
aceea se utilizeaz n calculatoare de buzunar i ceasuri.
Microcristaline Acestea sunt celule cu strat subire cu structur microcristalin. Au un
randament mai bun dect celulele amorfe i nu au un strat att de gros ca cele
policristaline. Se utilizeaz parial la fabricarea de panouri fotovoltaice, dar nu sunt
att de rspndite.
Celule solare tandem sunt straturi de celule solare suprapuse, deobicei o combinaie
de straturi policristaline i amorfe. Straturile sunt din materiale diferite i astfel
acordate pe domenii diferite de lungimi de und a luminii. Prin utilizarea unui spectru
mai larg din lumina solar, aceste celule au un randament mai mare dect celulele
solare]] simple. Se utilizeaz parial la fabricarea de panouri solare dar sunt relativ
scumpe. O ieftinire apreciabil se va obine prin utilizarea n combinaie cu sisteme de
lentile, aa numitele sisteme de concentrare.

[modific] Fabricaia avnd la baz blocuri sau bare de siliciu

Celulele solare obisnuite pot fi confecionate dup mai multe metode de fabricaie.

monocristal de siliciu utilizat la fabricarea plcilor de siliciu dup procedeul Czochralski

Materia prim siliciu este al doilea element chimic din compoziia scoarei terestre n privina
cantitatii. Se regsete n compui chimici cu alte elemente formnd silicate sau cuar.
Siliciul brut numit i siliciu metalurgic se obine din quar prin topire n furnal.Reducera
siliciului se petrece cu ajutorul carbonului la o temperatura de cca 1700 C, rezultnd la
fiecare ton de siliciu metalurgic de puritate de cca 98-99 % n jur de 1,5 T de CO2. Prin acest
procedeu n 2002 s-au produs 4,1 T siliciu. Mare parte din acesta este utilizat de industrie la
fabricare a oelului i n industria chimic i numai o mic parte n microelectronic i la
fabricarea de celule fotovoltaice.
Din siliciul brut printr-un proces de fabricaie n trepte bazat pe triclorsilan se obine siliciul
policristalin de cea mai mare puritate.
Pn n prezent (2006) n producie se recurge la o tehnologie Siemens bazat pe un procedeu
de tip CVD condensare de vapori de siliciu, procedeu elaborat i optimizat pentru ramura de
microelectronic. n microelectronic cerinele de calitate sunt total diferite de cele din
fabricarea de celule fotovoltaice. Pentru fabricarea de celule solare este foarte important
puritatea plcii de siliciu n toat masa ei pentru a asigura o ct mai mare durat de via
pentru purttorii de sarcin, pe cnd n microelectronic cerina de foarte nalt puritate se
rezum n principiu la stratul superior pn la o adncime de 20-30 m. Deoarece ntre timp
consumul de siliciu de nalt puritate pentru fabricarea de celule fotovoltaice a ntrecut pe cel
pentru microelectronic, actualmente se fac cercetri intense pentru elaborarea de procedee de
fabricare speciale mai ieftine optimizate pentru celule solare.
Cu toate c procesul de producie a siliciului pur este foarte energofag, energia consumat la
fabricareaa celulelor solare, n funcie de tehnologia utilizat, se poate recupera n 1,5 pn la
7 ani. Dac se ia n considerare c durata de via a panourilor solare este de peste 20 ani
bilanul energetic rezultat este pozitiv.
Siliciul pur n continuare poate fi prelucrat n mai multe feluri. Pentru celule policristaline
amintim procedeele de turnare Bridgman i EVG, pe cnd pentru cele monocristaline
procedeul Czochralski. n fiecare din acestea n procesul fabricare a blocurilor sau barelor se
face simultan i impurificare cu Bor (vezi mai jos).
[modific] Procedeul de turnare
Acesta se utilizeaz la fabricarea siliciului policristalin. Siliciul pur se topete ntr-un cuptor
cu inducie dup care se toarn ntr-un recipient de form ptrat n care se supune la un
proces de rcire ct mai lent posibil n cursul cruia vor apare cristale ct mai mari posibil.
Recipientul are dimensiunile 50*50 cm, masa solidificat avnd nlimea de 30 cm. Blocul
astfel solidificat se taie n mai multe blocuri mai mici cu lungimea de 30 cm. Un alt mod
reprezint turnare continu, procedeu prin care materialul este turnat direct pe support la
dimensiunile cerute. Avantajul const n eliminare pierderilor rezultate din tiere.
Un alt mod reprezint turnarea continu, procedeu prin care materialul este turnat direct pe
support la dimensiunile cerute. Avantajul const n eliminare pierderilor rezultate din tiere.
[modific] Procedeul Bridgman
Procedeul numit dup Percy Williams Bridgman este aplicat tot n procesul de fabricare a
siliciului policristalin. Siliciul pur se topete tot ntr-un cuptor cu inducie dar procesul de

rcire n urma cruia n masa topit se formeaz mari zone ocupate de cte un cristal are loc
chiar n cuptor. Materialul se supune unei nclziri progresive pornind de la baz astfel nct
n momentul topirii stratului superior, la baz deja se produce ntrirea materialului.
Dimensiunile blocurilor obinute sunt mai mari (60*60 cm 70*70 cm) cu nlimea de 20-25
cm, i se procedeaz la tierea lor n blocuri mai mici avnd lungimea de 20-25 cm.
[modific] Procedeul Czochralski
Este utilizat la fabricarea de bare lungi monocristaline. nainte de tierea plcilor necesare
celulelor, barele cilindrice rezultate se ajustaeaz astfel nct s prezinte o seciune ptrat.
[modific] Procedeul de topire zonal
Se mai numete i procedeu Float-Zone i se aplic tot la producerea monocristalelor de
siliciu sub form de bar. Puritatea materialului obinut fiind superioar celei necesitate n
confecionarea celulelor solare, i costurile fiind mari, prodedeul este rar utilizat. Singura
firm ce utilizeaz acest procedeul este SunPower din Statele Unite.
[modific] Fabricare de waferi (discuri/plci subiri de siliciu)
Din barele de cristal vor fi secionate plcue(wafer) cu un fierstru special constnd dintr-o
srm lung pe care s-au aplicat particule de diamant i care este nfurat pe cilindri ce se
rotesc. Un bloc este complet secionat n plcue de cca 0,180,28 mm la o singur trecere.
Praful rezultat n urma debitrii este inutilizabil i reprezint pn la 50 % din material.
Pentru obinerea de plcue de siliciu la nceput se utiliza materia prim excedentar rezultat
din fabricarea de circuite integrate, care nu corespundea calitativ dar era potrivit pentru
fabricarea celulelor solare. Datorit cererii mult crescute a produciei de panouri solare,
aceast surs are o importan nesemnificativ.
Celulele monocristaline prezint o suprafa omogen, pe cnd la celulele policristaline se pot
deosebi zone distincte cu cristale avnd orientri diferite, ceea ce creeaz o imagine
asemntoare florilor de ghea.
n stadiul de plcu(wafer) faa i reversul plcuei nu se deosebesc.
[modific] Prelucrarea plcilor de siliciu
Plcile debitate vor fi trecute prim mai multe bi de splare chimic pentru a nltura defectele
de debitare i a pregti o suprafa potrivit captrii luminii. Pentru aceasta s-au elaborat
diferite procedee utilizate de fabricani.
n mod normal n aceast faz plcile sunt deja impurificate cu bor. Aceasta nseamn c se
gsete deja un surplus de goluri care pot capta electroni deci avem o impurificare tip p. Pe
parcursul procesului de fabricare a celulei solare pentru crearea unei jonciuni p-n este
necesar s impurificm suprafaa ei cu impuriti de tip n ceea ce se poate realiza ntr-un
cuptor ntr-o atmosfer de fosfor. Atomii de fosfor ptrund n suprafa i vor crea o zon de
cca 1 m cu un surplus de electroni.
Pasul urmtor va consta n adugarea unui electrod transparent din SiNx sau TiO2 .

Urmeaz imprimarea zonelor de conact i a structurii necesare pentru colectarea curentului

generat. Faa celulei este prevzut de cele mai multe ori cu dou benzi pe care ulterior se vor
fixa legturile dintre mai multe celule. n afar de aceasta se va aplica o gril conductoare
foarte subire , care pe de o parte deranjeaz foarte puin intrarea luminii, pe de alt parte
micoreaz rezistena electric a electrodei. Reversul plcii de regul este complet acoperit cu
un material bun conductor de electricitate.
Dup procesare, celulele vor fi clasificate dup proprietile lor optice i electrice, mai apoi
sortate i asamblate n panouri solare.

[modific] Fabricarea plcilor semiconductoare n mod direct

n dorina de a se evita detaarea plcilor din blocuri , se gsesc diferite alte modaliti ce
permit fabricarea celulelor solare.
[modific] Procedeul EFG
EFG este prescurtarea de la Edge-defined Film-fed Growth. Prin acest procedeu dintr-o cad
de grafit nclzit electric se trag n sus tuburi octogonale de cca 6 pn la 7 m cu o vitez de
cca 1 mm/s. Limea unei fee este de 10-12.5 cm, iar grosimea peretelui atinge cca 280 m.
Apoi tuburile vor fi tiate de-a lungul canturilor cu un laser NdYAG, dup care fiecare faet
pe baza unei grile de-a latul. Astfel se pot realiza celule cu diferite dimensiuni (de exemplu
12.5*15 cm sau 12.5*12.5 cm). n acest fel se obine o ntrebuinare de 80 % a materialului
disponibil. Celulele astfel realizate sunt deobicei policristaline, care la vedere se deosebesc
clar de cele debitate, printre altele suprafaa lor este mai ondulat. Acest procedeu se mai
numete i procedeu octagonal sau de extrudare.
Procedeul EFG este utilizat de firma Schott Solar n Germania i afost dezvoltat de firma ASE
Solar din Statele Unite.
[modific] Procedeul String-Ribbon
Mai exist un procedeu dezvoltat de firma Evergreen Solar din Statele Unite care const n
tragerea cu ajutorul a dou fire a unei pelicule din siliciul topit. n cursul acestui proces
rezult mai puine deeuri (pan ce trebuie nlturat) ca la procedeele uzuale.
[modific] Procedeul cu transfer de strat
La acest procedeu direct pe un substrat (corp subire solid, deobicei cu o orientare cristalin
predefinit) se crete un monocristal de siliciu sub forma unui strat de cca 20 m grosime. Ca
material purttor se pot utiliza substraturi ceramice, sau siliciu supus unui tratatament
superficial. Placa(wafer) format ca fi deprins de stratul purttor care n continuare va putea
fi reutilizat. Avantajele procedeului constau n consumul de siliciu semnificativ redus datorit
grosimii mici, i lipsa deeurilor din debitare (pas ce nu mai mai apre n acest procedeu).
Randamentul atins este mare i se situeaz n domeniul celulelor monocristaline.

[modific] Celule din siliciu murdar

Procesul de topire i impurificare zonal se poate aplica i n cazul suprafeelor plate/straturi.
Principiul const n faptul c impurificarea, prin tratamentul termic (multipl retopire prin

deplasare lateral de exemplu cu ajutorul unui fascicol laser) al siliciului, poate fi concentrat
n cteve locuri.[1].

[modific] Alte tipuri de celule solare

[modific] Celule solare cu strat subire

Celule solare cu strat subire din siliciu amorf pe sticl, 4 celule pe rnd

Vedere din spate (din partea stratului, lcuit maro)

Tipuri de celule solare

Celulele solare cu strat subire se gsesc n diferite variante dup substrat i materialul
condensat avnd o varietate a proprietilor fizice i a randamentului pe msur. Celulele
solare cu strat subire se deosebesc de celulele tradiionale (celule solare cristaline bazate pe
plci de siliciu) nainte de toate n tehnologia de fabricaie i grosimea stratului materialului
ntrebuinat. Proprietile fizice ale siliciului amorf, care se deosebesc de cele ale siliciului
cristalin determin proprietile celulelor solare. Anumite proprieti nu sunt nc pe deplin
clarificate din punct de vedere teoretic.
Chiar i la celulele solare cristaline lumina este absorbit deja ntr-un strat superficial (de o
adncime de cca 10 m). Ar fi deci de preferat s se fabrice celulele solare cu un strat foarte
subire. n comparaie cu celulele din plci de siliciu cristalin celule cu strat subire sunt de
100 de ori mai subiri. Celulele cu strat subire se obin de cele mai multe ori prin condensarea
din faz gazoas direct pe un material purttor care poate fi sticl, folie metalic, material
sintetic, sau alt material. Procesul costisitor de debitare a blocurilor de siliciu descris n
capitolul anterior poate fi deci eliminat.
Cel mai ntrebuinat material pentru celulele cu strat foarte subire este siliciul amorf (a-Si:H).
Modulele cu celule de acest tip au o durat de via lung. Testele confirm un randament
stabil pe o perioad de mai mult de 10 ani.
Alte materiale ce se mai pot ntrebuina sunt siliciul microcristalin (c-Si:H), arseniura de
galiu (GaAs), teluriura de cadmiu (CdTe) sau legturi cupru-indiu-(galiu)-sulf-seleniu, aa
numitele celule CIS, respective celule CIGS unde n funcie de tip S poate nsemna sulf sau
seleniu.

Modulele pe baz de celule cu strat subire CIS au atins deja un randament de 11-12 % vezi
[2]
) egal cu cel al modulelor multicristaline cu siliciu.
Pentru producerea de curent electric este de dorit un randament mai mare, pe care parial l pot
oferi i celulele cu strat subire. Se pot atinge randamente n jur de 20 % (de exemplu 19,2 %
cu cellule CIS vezi [3]).
Totui randamentul nu este singurul criteriu n alegere, de multe ori mai importante sunt
costurile la care se poate produce curent cu ajutorul panourilor solare, iar acestea sunt
determinate de procedeul de fabricaie utilizat i de preul materiei prime.
Una din proprietile avantajoase a celulelor cu strat subire const n fapul c nu necesit un
substrat rigid ca de exemplu sticl sau aluminiu. La celulele solare flexibile ce pot fi fixate pe
rucsac sau cusute pe hain, se accept un randament mai sczut deoarece factorul greutate este
mai important dect transformarea optim a luminii n energie electric.
O alt proprietate avantajoas a celulelor cu strat subire, mai ales al celor din siliciu amorf
este c ele au un mod de fabricaie mai simplu i pot avea o suprafa efectiv mai mare. Din
acest motiv ele au un segment de pia semnificativ.
Utilajele de fabricaie parial sunt identice cu cele utilizate n fabricarea de ecrane plate, i se
pot obine straturi cu o suprafa de peste 5 m. Cu procedeul de fabricaie bazat pe siliciu
amorf se pot produce i straturi subiri din siliciu cristalin, aa numitul siliciu microcristalin
combinnd proprietile siliciului cristalin ca material pentru celule solare cu avantajele
metodelor utilizate n tehnica filmului subire. Prin combinarea siliciului amorf i a celui
microcristalin au fost obinute mriri substaniale de randament n ultimul timp.
Un procedeu de producere a celulelor cu strat subire din siliciu este CSG (Crystalline Silicon
on Glass); prin acesta se depune un strat subire de mai puin de 2 m direct pe o suprafa de
sticl; dup un tratament termic se obine structura cristalin. Circuitele pentru curentul
electric se aplic cu ajutorul tehnicii laser i celei utilizate n imprimantele cu jet de cerneal.
Pe baza acestei tehnologii se construiete o fabric n Germania, care ar trebui s produc
primele module n 2006. (Sursa: CSG Solar)

[modific] Celule cu concentrator

La acest tip de celul se economisete suprafa de material semiconductor prin faptul c
lumina este concentrat pe o suprafa mai mic prin utilizarea lentilelor, acestea fiind mult
mai ieftine dect materialul semiconductor. n mare parte la acest tip de celule se utilizeaz
semiconductori pe baz de elemente din grupa III-V de multe ori aplicate n tandem sau pe
trei straturi. Din cauza utilizrii lentilelor, panourile cu acest tip de celule trebuie orientate
incontinuu perpendicular pe direcia razelor solare.

[modific] Celule solare electrochimice pe baz de pigmeni

Acest tip ce cellule se mai numesc i celule Grtzel. Spre deosebire de celulele prezentate
pn acum la celule Grtzel curentul se obine prin absorbie de lumin cu ajutorul unui
pigment, utilizndu-se oxidul de titan ca semiconductor. Ca pigmeni se utilizeaz n principiu
legturi complexe al metalului rar ruthenium, dar n scop demonstrativ se pot utiliza i
pigmeni organici, de exemplu clorofila, sau anthocian (din mure) (dar au o durat de via

foarte redus). Modul de funcionare al acestui tip de celule nu este nc pe deplin clarificat;
este foarte probabil utilizarea comercial, dar tehnologia de producie nu este pus la punct.

[modific] Celule solare din compui organici

Celule solare din compui organici utilizeaz legturi carbon-hidrogen care au proprieti
semiconductoare. n aceti semiconductori lumina excit goluri/electroni din legturile de
valen, care ns au un spectru de lungime de und destul de restrns. De aceea deseori se
utilizeaz dou materiale semiconductoare cu nivele de energie puin diferite pentru a
mpiedica dispariia acestor purttori. Randamentul pe o suprafa de 1cm se cifreaz la
maximal 5 % (situaia la nivel de ianuarie 2007).

[modific] Celule bazate pe fluorescen

Este vorba de celule solare, care mai nti produc lumin de lungime de und mai mare prin
fenomenul de fluorescen, ca mai apoi s o transforme la marginile plcii.

[modific] Istoric
Deja i n Grecia antic se tia c energia luminii se poate utiliza, astfel se pare c la asediul
Siracuzei n anul 212 naintea erei noastre grecii au concentrat lumina solar cu oglinzi i au
ndreptat-o ctre flota asediatoare a romanilor, incendiind-o. Tot grecii au fost i cei care au
utilizat energia luminoas n scop panic aprinznd cu ea flacra olimpic. n 1839 Alexandre
Edmond Becquerel a descoperit c o baterie expus la soare produce mai mult curent electric
dect una neexpus. Pentru acest experiment a msurat diferena de potenial dintre doi
electrozi de platin situai unul pe faa luminat i cellalt pe faa umbrit a recipientului i
scufundai ntr-o baie de soluie chimic acid . Cnd a expus aceast construcie la soare a
observat trecerea unui curent printre electrozi. Aa a descoperit efectul fotoelectric pe care
ns nu l putea explica nc. Mrirea conductivitii seleniului a fost demonstrat n 1873.
Zece ani mai trziu a fost confecionat prima celul fotoelectric clasic. Dup nc zece ani
n 1893 a fost confecionat prima celul solar care producea electricitate. n 1904 fizicianul
german Philipp Lenard a descoperit c lumina incident pe anumite suprafee metalice
elibereaz electroni din suprafaa acestuia i astfel a oferit prima explicaie referitoare la
efectul fotoelectric. Totui el nu tia nc de ce i la care metale se produce acest efect. Cu
toate acesta pentru aceast descoperire el a obinut premiul Nobel pentru fizic n anul 1905.
Rezolvarea problemei a venit de la Albert Einstein n 1905 cnd cu ajutorul teoriei cuantice a
explicat dualitate luminii ea fiind prezent n acelai timp i ca particul i ca und. Pn
atunci se credea c lumina este doar energie cu diferite lungimi de und. Einstein n
experimentele sale a constatat c lumina n unele situaii se comport ca o particul, i c
energia fiecrei particule sau foton depinde doar de lungimea de und. El a descris lumina ca
o serie de gloane ce ating suprafaa materialului. Dac aceste gloane au suficient energie,
un electron liber din metalul atins de foton se va elibera din structura acestuia. Totodat a
constatat c energia cinetic maxim a electronului este independent de intensitatea luminii
i depinde doar de energia fotonului care l-a eliberat. Aceast energie depinde totodat numai
de lungimea de und respectiv frecvena luminii. Pentru lucrrile sale privind fenomenul
fotovoltaic, a obinut premiul Nobel pentru fizic n anul 1921. Descoperirea n anul 1949 a
jonciunii p-n de ctre William B. Shockley, Walther H. Brattain i John Bardeen a fost nc
un pas mare n direcia celulelor. Dup aceast descoperire fabricrii celulei solare n forma
cunoscut astzi nu i mai sta nimic n cale. Fabricarea primei celule solare n 1954 n

laboratoarele firmei americane Bell se datoreaz totui unei ntmplri fericite. Angajaii
firmei sub conducerea lui Morton Price au observat cnd cercetau un redresor cu siliciu, c
acesta producea mai mult curent cnd era expus la soare. Ca urmare firma Bell prin contribuia
domnilor Chapin, Fuller i Pearson a dezvoltat n 1953 primele celule solare din siliciu
impurificate cu arsen dar care aveau un randament de doar 4 % care a fost mrit la 6 % prin
schimbarea impurificrii. n 1958 au fost testate celule solare pentru prima dat pe sateliul
Vanguard I dotat cu un panou solar avnd 108 celule solare pe baz de siliciu. Rezultetele
obinute au fost peste ateptri pn n ziua de azi sondele spaiale pn dincolo de marte
sunt alimentate cu curent produs de celulele solare, iar n anul 2011 se va lansa sonda spaial
Juno care va fi prima sond spaial spre Jupiter alimentat cu curent produs de celule solare.
S-au atins n spaiu randamente de pn la 10,5 %. Aceste rezultate nu se puteau realiza pe
pmnt i datorit condiiilor diferite din spaiu unde nu se regsete ritmul zi-noapte i lumina
natural nu este absorbit parial de atmosfer i nori, totodat radiaiile cosmice conduc la o
mbtrnire mai rapid a celulelor solare dect pe pmnt. De aceea industria i cercetarea
ncearc obinerea unor randamente tot mai mari n paralel cu prelungirea duratei de via.
Randamentul teoretic pentru celule solare pe baz de siliciu se consider a fi de 29 % pentru
condiiile de iradiaie pe spectrul din zona de mijloc. Mandelkorn i Lamneck au mrit durata
de via a celulelor solare n 1972 printr-o reflectare a purttorilor de sarcin minoritari dup
ce au introdus un strat numit black surfaces field (BSF) n stratul impurificat p. n 1973
Lindmayer i Ellison au confecionat aa numita celul mov ce avea un randament de 14 %.
Prin reducerea reflexiei n 1975 s-a mrit randamentul la 16 %. Aceste celule s-au numit
celule CNR (Comsat Non Reflection; Comsat = Telefonsatelit ) i au fost concepute pentru
satelii Criza de la nceputul anilor 70 a condus la creterea preurilor produselor petroliere
avnd ca rezultat cretere preului energiei. Acest lucru a impulsionat cercetrile n domeniul
celulelor solare. n 1980 s-a nceput organizarea de concursuri de automobile acionate cu
energie electric obinut de la module solare. n 1981 un avion acionat de energie solar a
traversat Canalul Mnecii. ntre timp Green precum i specialitii de la Universitatea Stanford
i cei de la Telefunken au dezvoltat cellule solare cu un randament n jur de 20 %.

[modific] Forme i mrimi

La nceputul comercializrii panourilor solare, celulele aveau o form rotund, pstrnd forma
barelor de siliciu din care au fost debitate. Aceast form azi este rar utilizat locul ei fiind
preluat de formele dreptunghiulare de cele mai multe ori ptrate avnd colurile mai mult sau
mai puin teite. Pn la sfritul anilor 1990 celulele solare aveau cel mai des mrimea de
fabricaie de 100*100 mm (n jargonul de specialitate numite celule de 4 oli). Dup aceea au
fost introduse pe scar tot mai larg celulele cu latura de 125 mm, i de prin anul 2002 i
celulele cu latura de 150 mm se utilizeaz tot mai des n modulele standard i se prevede c
nici celulele de 200*200 nu vor fi o raritate n viitor.
n procesul debitare rezult i plci de dimensiuni mai mici, care pot genera aceeai tensiune
doar cu un curent mai mic datorit suprafeei mai mici, i care i gsesc aplicaia n aparatele
cu consum mic.
Prin procedeul EFG rezult i patrulatere cu laturi de lungimi diferite.

[modific] mbtrnirea

Prin mbtrnire nelegem modificarea parametrilor de funcionare a elementelor

semiconductoare a celulelor solare n timp. n cazul de fa n special scderea randamentului
pe parcursul vieii acestora.
Perioada luat n considerare este de cca 20 ani, n condiii de utilizare terestr, randamentul
scade cu cca 10 %, pe cnd n spaiu acest procent se atinge ntr-un timp mult mai scurt
datorit cmpurilor de radiaii mult mai puternice.
Pierdere de randament n utilizare se datoreaz n multe cazuri unor cause banale
independente de celulele solare. Aici enumerm murdrirea suprafeelor sticlei de protecie a
modulelor, mucegirea pornind de la rama modulului, umbrirea modulelor de ctre vegetaia
din jur crescut ntre timp, inglbirea polimerilor care constituie materialul de contact ntre
celul i sticl.

[modific] Celule solare cristaline

La celulele solare actuale randamentul este de cca 12 - 17 %. Adesea fabricantul acord o
garanie la randament de 80 - 85 % (la puterea de vrf) dup 20 ani.Rezult deci dup un
timp de utilizare ndelungat pierderi destul de limitate, ceea ce ndreptete utilizarea
sistemelor cu panouri solare.
Pentru mbtrnirea propriu-zis a celulelor solare rspunztor sunt defecte provenite din
recombinare, ceea ce reduce durata de via a purttorilor de sarcin cu cca 10 % fa de
valoarea iniial. n celulele fabricate dup procedeul Czochralski mbtrnire este produs de
crearea de compui compleci cu bor-oxigen.

[modific] Celule solare amorfe

Aceste celulea ating un grad avansat de mbtrnire de pn la 25 % n primul an de
funcionare de aceea pentru acest tip de panouri solare n caracteristicile tehnice din
documentele de nsoire nu se d puterea atins la fabricaie ci puterea de dup procesul de
mbtrnire. Ca urmare acest tip de panouri au caracteristici mai bune la cumprare dect cele
din documente. mbtrnirea se produce sub aciunea luminii i este rezultatul aa numitului
effect Staebler-Wronski(SWE). n cadrul acestuia siliciul hidrogenat amorf (a-Si:H)
metastabil trece printr-o faz de cretere concentraiei defectelor cu un ordin de mrime,
paralel cu scderea conductivitii i deplasarea nivelului Fermi ctre mijlocul distanei dintre
banda de valen i banda de conducie. Dup cca 1000 ore de expunere la soare, celulele de
siliciu amorf ating un grad de saturare stabil.

[modific] Caracteristici tehnice

Parametrii tehnici ai celulelor solare sunt dai pentru condiii standard (STC, Standard Test
Conditions).:

Intensitate luminoas de 1000 W/m2 n zona panoului,

Temperatura celulei solare constant 25 C,
Spectrul luminii AM 1,5 global; DIN EN 61215, IEC 1215, DIN EN 60904, IEC 904.

AM 1,5 global indic slbirea luminii solare la suprafaa pmntului n funcie de latitudine
datorit parcurgerii unei mase mai mari de aer proporional cu latitudinea (n acest caz se
consider latitudinea de 50). Aceasta corespunde condiiilor de var din Europa central din
nordul Italiei pn n centrul Suediei. n iarn condiiile corespund unor valori de AM 4 pn
la AM 6. Prin absorbie atmosferic i spectrul luminii ce cade pe panou se deplaseaz. Global
indic faptul c lumina este compus att din lumina difuz ct i din cea direct.
Este de remarcat c n realitate ndeosebi vara la prnz, temperatura celulelor solare (n
funcie de poziie, condiii de vnt etc.) poate atinge 30 pn la 60 C ceea ce are ca urmare o
scdere a randamentului. Din acest motiv se ia n calcul un alt parametru, PNOCT care indic
puterea la temperatura de funcionare normal (normal operating cell temperature).

Caracteristica current-tensiune a unei cellule solare, luminat i neluminat

Prescurtri utilizate:

SC: Short Circuit - scurtcircuit

OC: Open Circuit - mers n gol
MPP: Maximum Power Point - punctul de putere maxim
PR: Performance Ratio Qualittsfaktor Factor de performan, indic poriunea n care
panoul furnizeaz curentul la valori nominale.

Caracteristicile unei celule solare sunt:

Tensiunea de mers n gol UOC (auch VOC)

Curentul de scurtcircuit ISC
Tensiunea n punctul optim de funcionare UMPP (auch VMPP)
Curentul n punctual de putere mazim IMPP
Puterea maxim estimatPMPP

Factor de umplere
Coeficient de modificare a puterii cu temperatura celulei

Randamentul celulei solare

luminoas Popt

la o suprafa iluminat A i intensitate

Celulele solare deci pot ceda o putere de 160 W/ m. Incluse n module puterea pe suprafa
va fi mai sczut pentru c ntre celule i marginea modulului este o distan.
Randamentul este raportul dintre puterea debitat de panou i putere coninut n lumina
incident total. Semiconductoare cu zona interzis stabil utilizeaz doar o parte a luminii
solare. Randamentul teoretic maxim ce poate fi atins n acest caz este de 33 %, pe cnd
randamentul theoretic maxim la sistemele cu mai multe benzi interzise care reacioneaz la
toate lungimile de und a luminii solare este de 85 %.

Material

Randament(AM1,5
Durat de via
)

Costuri[4]

Siliciu amorf

5-10 %

< 20 J ani

Siliciu policristalin

10-15 %

25-30 ani

5 EUR/W

Siliciu monocristalin

15-20 %

25-30 ani

10 EUR/W

Arseniura de galiu (monostrat)

15-20 %

Arseniura de galiu (doua

straturi)

20 %

Arseniura de galiu (trei straturi)

25 % (30% la AM0) >20 ani

20-100 EUR/W

Randamentul celulelor solare comerciale este de cca 20 %, iar modulele construite cu acestea
ating un randament de cca 17 %. Recordul pentru celulele fabricate n condiii de laborator
este de 24,7 % (University of New South Wales, Australia), din care s-au confecionat panouri
cu un randament de 22 %. Preul acestor module fabricate prin procedeul de topire zonal este
de cca 200 Euro pe celul la o suprafa a celulei de 21,6 cm2, corespunznd unui cost de 5-10
Euro/W. Sistemele GaAs au costuri de 5 pn la 10 ori mai mari.
mbtrnirea conduce la scderea randamentului cu cca 10 % n 25 ani. Fabricanii dau
garanii pe cel puin 80 % din puterea maxim n 20 ani.
n spaiu constanta solar este mai mare dect iluminarea global pe pmnt, totodat celulele
solare mbtrnesc mai repede. Panourile pentru satelii ating momentan (2005) un randament
de 25 % la o durat de via de 15 ani[5].

[modific] Scheme de conectare

Schem de conectare i schem echivalent a unei cellule solare

Semnul convenional pentru o celul solar indic asemntor unei diode sau fotodiode prin
interediul unei sgei sensul curentului pentru conectare. Caracteristica unei cellule solare se
deosebete totui de cea a unei fotodiode ideale. Pentru a modela aceste diferene, exist mai
multe scheme echivalente.
[modific] Schem echivalent simplificat
Schema este compus dintr-o surs de curent legat n paralel cu o diod ideal. Aceast surs
produce un curent dependent de intensitatea luminii i este modelat de fotocurentul IPh. La
valoare curentului total contribuie i curentul prin diod ID (siehe Diode) zu
.
[modific] Schem echivalent extins (Model cu una sau dou diode)

Model de celulul solar cu o diod

Schema extins ine cont de parametrii reali ai elementelor componente care apar n procesul
de fabricaie. Prin aceasta se ncearc modelarea ct mai exact din punct de vedere electric a
celulei solare.
Fa de schema echivalent simplificat la cea extins cu o diod, schema se ntregete cu o
rezisten legat n parallel i una legat n serie.

Rezistana n paralel Rp ia n considerare defectele de cristal, impurificri neomogene

i defecte de material prin care apar cureni de pierdere care traverseaz jonciunea pn. La celule solare bine construite aceast rezisten este relativ mare.
Cu rezistena n serie Rs se iau n considerare efectele n urma crora crete rezistena
total a elementelor componente. Acestea sunt n principal rezistena
semiconductorului, rezistena contactelor i a legturilor. La celulele solare aceast
rezisten trebuie s fie ct se poate de mic.

Formula pentru curentul total n acest model este o funcie recursiv i arat astfel:

Model cu dou diode cu surs cu limitare de tensiune la efectul de avalan la tensiune

invers.
Fa de cea anterioar aceastei scheme i se mai adaug o diod cu ali parametri pentru a
evidenia funcionarea n regim de tensiune invers. Formulele pentru aceast schem conin
referiri la conductivitatea gb, tensiunea de strpungere Ub i coeficientul exponenial de
avalan i arat astfel: nb:

[modific] Amortizarea energetic i eficiena energetic

Amortizarea energetic este momentul n care energia consumat pentru fabricarea celulei
fotovoltaice este egalat de cea produs n timpul exploatrii. Cel mai bine se prezint din
acest punct de vedere celulele cu strat subire. Un panou solar (fr cadru) cu astfel de celule
se amortizeaz n 2-3 ani, Celulele policristaline necesit pn la amortizare cca 3-5 ani, pe
cnd cele monocristaline 4-6 ani. Deoarece un sistem cu panouri solare include i suporii de
montare, invertor etc. durata de amortizare energetic se mrete cu cca 1 an.[6]

[modific] Protecia mediului

n fabricarea de celule solare se utilizeaz parial i materiale duntoare sntii i mediului.
Exemplu n acest sens prezint celulele cu strat subire CdTe i arseniura de galiu i mult
discutatele celule solare de tip CIS i CISG. Producia n mas i utilizarea pe suprafee
extinse a acestora trebuie bine cntrit. Dar i producia de celule cu siliciu tradiionale
ascunde pericole pentru mediu. Pentru persoane neavizate aceste riscuri ce sunt legate de
procesul de fabricaie nu sunt vizibile. Aici intervine cerina de a promova selectiv
tehnologiile de fabricare a celulelor solare ce nu distrug mediul i care pe baza progreselor
tehnologice promit avantaje concureniale.