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DIODO SEMICONDUCTOR

Qu un diodo?.
El diodo es el primer dispositivo electrnico que se presenta, el ms sencillo de los
dispositivos semiconductores, pero que desempea un papel muy importante en los
sistemas electrnicos. un diodo conducir corriente en la direccin que define la flecha
en el smbolo, y actuar como un circuito abierto en cualquier intento por establecer
corriente en direccin opuesta. El diodo ideal es un dispositivo con dos terminales. que
tiene el smbolo y caractersticas que se muestran en la siguiente figura.

La caracterstica primordial que nos muestra el diodo ideal es conducir corriente en una
sola direccin.
Otra aclaracin para poder entender los diodos es que por lo general Para la mayora
de los dispositivos, la ordenada (o eje "y") ser el eje de la corriente y la abscisa (o eje
"x") ser el eje del voltaje.
Para entender mejor esto planteamos la ley de Ohm que nos dice que cuando el
circuito se encuentra en el primer cuadrante del grafico anterior se tiene.

Rf =

Vf
If

Si le damos valores a las variables tendramos.

Rf =

0V
=0
4, 5,6, . mA

Sabiendo que Vf es el voltaje e If es la corriente. Por lo tanto con esta operacin


podemos decir que el diodo ideal en el primer cuadrante es un circuito cerrado en la
regin de conduccin.

Por otro lado nos dice que si el circuito se encuentra en el tercer cuadrante tenemos lo
siguiente al remplazar valores.

Rf =

Rf =

Vf
If

5,20, .
=
0 mA

As mismo gracias a esta operacin podemos decir que el diodo ideal es un circuito
abierto en la regin de no conduccin.
Por lo general para determinar si un diodo se encuentra en la regin de conduccin o
de no conduccin, se debe distinguir observando la direccin de la corriente If que se
establece mediante un voltaje aplicado. Para el flujo convencional, si la corriente
resultante del diodo tiene la misma direccin que la punta de la flecha del smbolo del
diodo, ste est operando en la regin de conduccin; Si la corriente resultante tiene la
direccin opuesta el circuito, se est operando en la regin de no conduccin.

Materiales semiconductores
Un material semiconductor es aquel que se encuentra entre los materiales aislantes y
los conductores, es decir que se encuentra en el medio.
Para entender mejor los materiales semiconductores debemos de analizar la
conductibilidad y con ella la resistividad.
La resistividad se utiliza a menudo para comparar los niveles de resistencia de los
materiales. En unidades mtricas, la resistividad de un material se mide en -cm o m.
Para calcular la resistencia tenemos la siguiente formula:

R= p

l
A
Donde R es la resistencia
P es la resistividad
L es la longitud, y
A es el rea.

Sabiendo esto ahora hablaremos de los tipos e materiales semiconductores mas


utilizados.
El material tipo n y el tipo p se forman mediante la adicin de un nmero
predeterminado de tomos de impurezas al germanio o al silicio.
o

El tipo de material n se forma al consolidar o introducir impurezas de elementos


que poseen cinco electrones de valencias, como el fosforo, antimonio y
arsnico.

El tipo de material P se forma al dopar tomos de silicio o germanio con tomos


de impureza con tres electrones de valencia, como el boro, galio e indio.

Niveles de energa
Cada material tiene su propio conjunto de niveles de energa en su estructura atmica.
Mientras ms distante se encuentre el electrn del ncleo, mayor es el
estado de energa, y cualquier electrn que haya dejado a su tomo, tiene un
estado de energa mayor que cualquier electrn en la estructura atmica.
(Nashelsky, 1997)
Los niveles de energa se calculan de la siguiente forma

W =QV

Donde W es el nivel de energa


Q es la carga y
V es el voltaje

Flujo de electrones comparado con flujo de huecos


Si un electrn de valencia adquiere suficiente energa cintica para romper su unin
covalente y llena un hueco. Entonces se crear un hueco en la unin covalente que
liberar el electrn. Sin embargo, existe una transferencia de huecos hacia la izquierda
y de electrones hacia la derecha. La direccin que se utilizar en el texto es la del flujo
convencional, el cual se indica por la direccin del flujo de huecos.

Portadores mayoritarios y minoritarios


En un material tipo n, al electrn se lo denomina portador mayoritario y al hueco
minoritario.
En un material tipo p, al electrn se lo denomina portador minoritario y al hueco
mayoritario.

El diodo semiconductor
es el dispositivo semiconductor ms sencillo o ms simple que se puede encontrar en
cualquier circuito electrnico. Los diodos se crean al juntar los dos tipos de materiales.
En el momento en que son "unidos" los dos materiales, los electrones y los huecos en
la regin de la unin se combinan, dando por resultado una falta de portadores en la
regin cercana a la unin.

Polarizacin
El diodo es un dispositivo de dos terminales por lo tanto, la aplicacin de voltajes a
travs de estos terminales permiten que se cree tres posibilidades.
1. Sin polarizacin
2. Polarizacin directa
3. Polarizacin inversa
Sin polarizacin.- nos dice que en ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el
flujo de la carga en cualquier direccin para un diodo semiconductor, es cero, es decir
que no existe conduccin elctrica en ninguna direccin.

Polarizacin directa.- un diodo semiconductor tiene polarizacin directa cuando se


ha establecido la asociacin tipo p positivo y tipo n negativo

Polarizacin inversa.- un diodo semiconductor tiene polarizacin inversa cuando


circula en direccin de n hacia p

A travs del empleo de la fsica del estado slido se puede demostrar que las
caractersticas generales de un diodo semiconductor se pueden definir mediante la
ecuacin siguiente para las regiones de polarizacin directa e inversa:
kVd

ID=Is( e Tk 1)
Siendo

Is = corriente de saturacin inversa


K = 11 ,600 /n con n = 1 para Ge y n= 2 para Si
TK = Tc +273
VD = voltaje

Para valores positivos de VD el primer trmino de la ecuacin anterior crecer con


mayor rapidez, y superar el efecto del segundo trmino. El resultado ser positivo
para los valores positivos de VD e ID y crecer de la misma manera que la funcin y= ex.
En VD =0 V, remplazando VD la ecuacin anterior se convierte en:
ID =Is(e0 - 1) =IS (1 - 1) = 0 mA,
Para valores negativos de VD el primer trmino disminuir rpidamente debajo de IS
dando como resultado ID =-IS.

Regin Zener
Aunque la escala de la figura 1.19 se encuentra en mltiplos de diez volts en la regin
negativa, existe un punto en el cual la aplicacin de un voltaje demasiado negativo
dar por resultado un agudo cambio en las caractersticas, como lo muestra la figura
1.22. La corriente se incrementa a una velocidad muy rpida en una direccin opuesta
a aquella de la regin de voltaje positivo. El potencial de polarizacin inversa que da
como resultado este cambio muy drstico de las caractersticas se le llama potencial
Zener y se le da el smbolo Vz. Mientras el voltaje a travs del diodo se incrementa en
la regin de polarizacin inversa, la velocidad de los portadores minoritarios
responsables de la corriente de saturacin inversa IS tambin se incre
mentarn.

SILICIO EN FUNCION DEL GERMANIO


Los valores PIV para el silicio pueden encontrarse en la vecindad de 1000 V, mientras
que el valor mximo para el germanio est ms cerca de los 400 V. El silicio puede
utilizarse para aplicaciones en las cuales la temperatura puede aumentar a cerca de
200 C (400F), mientras que el germanio tiene un valor mximo mucho menor (l00
C). Sin embargo, la desventaja del silicio, comparado con el germanio, es el mayor
voltaje de polarizacin directa que se requiere
Efectos de la temperatura
La temperatura puede tener un marcado efecto sobre las caractersticas de un diodo
semiconductor de silicio, A partir de mltiples experimentos se encontr que:
La corriente de saturacin inversa ls ser casi igual al doble en magnitud por cada
10C de incremento en la temperatura.
No es poco frecuente que un diodo de germanio con un 1, del orden de 1 o 2 .LA a 25
oC tenga una corriente de fuga de 100).lA = 0.1 roA a una temperatura de 100 oc.
Niveles de resistencia
Resistencia en dc o esttica
La aplicacin de un voltaje dc a un circuito que contiene un diodo semiconductor
tendr por
resultado un punto de operacin sobre la curva caracterstica que no cambiar con el
tiempo. La
resistencia del diodo en el punto de operacin puede encontrarse con slo localizar los
niveles
correspondientes de VD e ID como se muestra en la figura 1.25 y aplicando la siguiente
ecuacin:

Los niveles de resistencia en dc en el punto de inflexin y hacia abajo sern mayores


que los niveles de resistencia que se obtienen para la seccin de crecimiento vertical
de las caractersticas. Como es natural, los niveles de resistencia en la regin de
polarizacin inversa sern muy altos. Debido a que, por lo regular, los hmetros utilizan
una fuente de comente relativamente constante, la resistencia determinada ser en el
nivel de corriente predeterminado (casi siempre unos cuantos miliamperes).

Resistencia en dc o esttica
Cuando se aplica una seal senoidal, el clculo de la R se lleva a cabo al considerar
una lnea tangente al punto Q tal como se observa en las figuras 2.9 y 2.10, en tal
situacin la resistencia dinmica se define por:

La ecuacin 2.3 es de raro empleo ya que formalmente se define a la pendiente de una


curva en el punto Q, como la derivada en dicho punto, de esta forma es posible
demostrar que la resistencia dinmica esta dada por:

Ejemplo

Resistencia en ac promedio
La resistencia ac promedio es, por definicin, la resistencia determinada por una lnea
recta dibujada entre dos intersecciones establecidas por unos valores mximos y
mnimos del voltaje de entrada, En forma de ecuacin
Si la seal senoidal es de gran amplitud, entonces es necesario emplear los puntos
extremos por los que oscila la respuesta de ID en ca para la determinacin de
la resistencia promedio en ca (vase la figura 2.11 y su respectivo clculo)

CIRCUITOS EQUIVALENTES PARA DIODOS


Un circuito equivalente es una combinacin de elementos elegidos de forma apropiada
para representar de la mejor manera las caractersticas terminales reales de un
dispositivo, sistema o similar, para una regin de operacin en particular.
Circuito equivalente de segmentos lineales
Una tcnica para obtener un circuito equivalente para un Diodo consiste en aproximar
las caractersticas del dispositivo utilizando segmentos de lineas rectas. Las lineas
rectas no representaran una copia exacta de las caracteristicas reales, especialmente
en la region del punto de inflexion; sin embargo los elementos, los segmentos
resultantes son lo suficientemente aproximados ala curva real que posible establecer
un circuito equivalente que proporcionara una
primera aproximacionexecelente al comportamiento real del dsipositivo.

CIRCUITO EQUIVALENTE SIMPLIFICADO


Para lamayoria de las aplicaciones, la resistencia Rav es lo suficientemente pequea
para compararla con los otros elementos de la red, como para poder ignorarla.
Laeliminacion de Rav del circuito equivalente es similar a afirmar que
las caracteristicas del Diodo. Esta aproximacion se utiliza frecuentemente en
el analisis de circuitossemiconductores. El circuito equivalente reducido se muestra
manifiesta que ealoresnominales n un sistema electronico, un Diodo de silicio
polarizado directamente, bajo condiciones de corriente dc tendra una caida de
0.7v atraves de el, en el estado deconduccion a cualquier nivel de corriente del diodo
(dentro de los valores nomiales).
CIRCUITO EQUIVALENTE IDEAL
Una ves que se eliminado Rav del circuito equivalente vayamos a un paso adelante
yestablescamos que un nivel de 0.7 v normalmente puede ignorarse cuando se
compara con el nivel se voltage aplicado. En este caso, el circuito equivalente
se reducira al de unDiodo ideal con sus caracteristicas.
En la industria, una popular sustitucion de la frase "circuito equivalente Diodo, un
modelo por definicion es una representacion de un dispositivo, objeto, sistema, u otro
existente.
Tabla resumen
.

Tabla T1 Modelos de diodo


HOJAS DE ESPECIFICACIONES DE DIODOS
Estas son hojas de datos tcnicos detallados de las caractersticas del diodo,
los lmites de potencia, voltaje, frecuencia, temperatura etc
Los datos acerca de los dispositivos semiconductores especficos suele presentarlos el
fabricante
de dos maneras. Es comn que consistan slo de una breve descripcin
limitada, a veces
de una pgina. De otra forma, es un extenso examen de las caractersticas
con sus grficas,
trabajo artstico, tablas, etc. Sin embargo, en cualquier caso, existen piezas
especficas de datos

que deben incluirse para una correcta utilizacin del dispositivo. stos
incluyen:
l. El voltaje directo VF (a una corriente y temperatura especificadas)
2. La corriente directa mxima IF (a una temperatura especificada)
3. La corriente de saturacin inversa IR (a una corriente y temperatura especificadas)
4. El valor de voltaje inverso [PIVo PRV o V(BR), donde BR proviene del trmino
"ruptura"
(por la inicial en ingls de: breakdown) (a una temperatura especificada)]
5. El nivel mximo de disipacin de potencia a una temperatura en particular
6. Los niveles de capacitancia (segn se definir en la seccin 1.10)
7. El tiempo de recuperacin inverso t" (como se definir en la seccin 1.11)
8. El rango de temperatura de operacin
Puesto que:

CAPACITANCIA DE TRANSICIN
Y DIFUSIN
Los dispositivos electrnicos son inherentemente sensibles a las frecuencias muy altas.
Casi todos los efectos relativos a la capacitancia pueden omitirse a bajas frecuencias,
debido a que su reactancia Xc = \l2rtfe es muy grande (equivalente a circuito abierto).
Sin embargo, esto no se puede ignorar a frecuencias muy altas. X" ser lo
suficientemente pequeo debido al alto valor de f para presentar una trayectoria de
"corto" de baja reactancia. En el diodo semiconductor p-n existen dos efectos de
capacitancia que deben considerarse. Ambos tipos de capacitancia se encuentran
presentes en las regiones de polarizacin directa y polarizacin inversa, pero una
sobrepasa a la otra de tal manera que en cada regin slo se consideran los efectos de
una sola capacitancia.
En la regin de polarizacin inversa se tiene la capacitancia de la regin de transicin o
de agotamiento (eT), mientras que en la regin de polarizacin directa se tiene la
capacitancia de difusin (e J o de almacenamiento.Recuerde que la ecuacin bsica
para la capacitancia de un capacita
EL DIODO ZENER
El diodo zener es un tipo de diodo que se disea para operar en la regin zener, en la
figura 2.13 se muestra la polarizacin correcta de este diodo para que exista
conduccin, as como su smbolo, en la misma figura se muestra el diodo
semiconductor para su comparacin.
El circuito equivalente del diodo incorpora una resistencia dinmica rz y una fuente Vz
(vase figura 2.14(a). El diodo zener ideal (cuyo modelo no incluye rz) se muestra en
2.14(b), es posible hacer dicha aproximacin si se considera que rz es muchas veces
menor que la resistencia de carga. En la Tabla siguiente se muestran las caractersticas
elctricas del diodo zener, e

En la figura 2.15 se observa una grfica de sus caractersticas de prueba, tambin en la


figura 2.16 observan dos grficas la parte (a) es referente al coeficiente de
temperatura indicado en la ltima columna de la tabla anterior y definido por la
ecuacin 2.9, la parte (b) muestra la impedancia dinmica.

Figura 2.16 Caractersticas elctricas de un diodo Zener 10 V, 500 mW


Observacin. El diodo Zener es un modelo especial de diodo de unin, que utiliza
silicio, en el que la tensin en paralelo a la unin es independiente de la corriente que
la atraviesa. Debido a esta caracterstica, los diodos Zener se utilizan como reguladores
de tensin.

PRUEBAS DE DIODOS
El estado de un diodo (defectuoso o no) puede verificarse rpidamente mediante cada
uno de los siguientes dispositivos:
Un multmetro con funcin de verificacin de diodos
- Seleccione el smbolo del diodo en el multmetro
- Conctese a las terminales tal como se indica en la figura 2.17
- Si la conexin es correcta y el diodo no est defectuoso la pantalla del multmetro
marcara el voltaje terminal del diodo tal como 0.67 V.

Figura 2.17 Verificacin


de un diodo en estado de
polarizacin directa

Un ohmetro
Realice las conexiones tal como se indican en la figura 2.18 (a) y (b)
En la conexin (a) debe leerse una R muy baja y en la conexin (b) debe leerse
una R muy alta, si esto es cierto, el diodo no est defectuoso.

Figura
2.18 Verific
acin de un
diodo
mediante un
ohmetro.

Un osciloscopio
A travs de este aparato es posible observar la forma real de la onda a la salida del
diodo.
* Refirase al captulo relativo al manejo del osciloscopio para iniciarse en el
funcionamiento de este dispositivo.

LIMITADORES O RECORTADORES
Un Limitador o Recortador es un circuito capaz de suprimir porciones positivas o
negativas de una seal.

LIMITADOR POSITIVO
Un limitador positivo recorta o limita la parte superior de una seal, Esto significa que
recorta porciones de Tensin en los semiciclos positivos.

Figura 12 Limitador Positivo


La figura 12 muestra un Limitador Positivo y el circuito funciona de la siguiente
manera:
El diodo es polarizado en directa durante los semiciclos positivos y en inversa durante
los semiciclos negativos. Cuando el diodo esta polarizado en directa se produce un
corto que ocasiona una cada de tensin en la resistencia R L que se aprecia como un
recorte en el semiciclo positivo, Idealmente dicha cada debera recortar totalmente el
semiciclo, en la practica el diodo no es ideal y el recorte termina en 0.7V.

LIMITADOR NEGATIVO
Un limitador negativo recorta o limita la parte inferior de una seal, Esto significa que
recorta porciones de Tensin en los semiciclos negativos.

Figura 13 Limitador Negativo


La figura 13 muestra un Limitador Negativo y el circuito funciona de la siguiente
manera:
El diodo es polarizado en directa durante los semiciclos negativos y en inversa durante
los semiciclos positivos. Cuando el diodo esta polarizado en directa se produce un corto
que ocasiona una cada de tensin en la resistencia R L que se aprecia como un recorte
en el semiciclo negativo, Idealmente dicha cada debera recortar totalmente el
semiciclo, en la practica el diodo no es ideal y el recorte termina en 0.7V.

LIMITADORES POLARIZADOS
El nivel del voltaje que se limita se puede ajustar aadiendo una fuente de tensin
(VCC) en serie con el diodo.

a)

b)
Figura 14 a) Limitador Positivo Polarizado b) Limitador Negativo Polarizado

De esta forma el circuito limitador recorta toda entrada de tensin por encima de:
VCC + 0.7V ----- Limitador Positivo
VCC 0.7V ----- Limitador Negativo
Para que un limitador funcione correctamente se debe tener en cuenta la siguiente
regla:
100RB < RS <0.01RL
La regla dice que la resistencia en serie debe ser 100 veces mayor que la resistencia
interna del diodo y 100 veces menor que la resistencia de carga.

SUJETADORES O CAMBIADORES DE NIVEL


Un circuito sujetador aade un nivel de CC a voltaje de AC.
Como en el caso anterior, de los limitadores, hay dos tipos de sujetadores, los de nivel
positivo y los de nivel negativo.

Figura. 15 Sujetador o Cambiador de Nivel Positivo


El circuito sujetador de nivel positivo funciona de la siguiente forma:
Durante los semiciclos negativos el diodo esta polarizado en directa permitiendo que el
capacitor C se cargu aproximadamente a VP (in) 0.7V donde VP (in) es el voltaje pico
de la seal de entrada. Despus del pico negativo el diodo queda polarizado en inversa
y esto es porque la carga positiva adquirida por el condensador bloquea al ctodo del
diodo y busca descargarse a travs de R.
La idea es que el capacitor no se descargue totalmente cuando el diodo esta en inversa
para as mantener una corriente continua aproximada a VP (in) 0.7V que por
superposicin cambie el nivel DC de la seal de entrada.

Para calcular la constante de tiempo de carga y descarga del condensador del se


emplea la formula:
T= RC
Una regla prctica de diseo es hacer que la constante de tiempo RC sea 10 veces el
valor del periodo de la seal de entrada.
Si invertimos la polaridad del diodo y la del capacitor obtenemos un Sujetador de nivel
negativo.

Figura. 16 Sujetador o Cambiador de Nivel Negativo


Los circuitos Sujetadores son frecuentemente utilizados en receptores de televisin
como restauradores del nivel DC de seales de video.

MULTIPLICADORES DE VOLTAJE
Un circuito multiplicador aumenta los valores de voltaje sin necesidad de cambiar el
transformador de la fuente principal. Multiplicando por 2, 3 y 4 el valor de voltaje a su
entrada.
El principio de operacin de estos circuitos es la carga sucesiva de condensadores
debido a la habilitacin en cascada de diodos.
Estos circuitos se implementan cuando hay cargas que necesitan una tensin muy alta
y que absorben una Corriente pequea.
Una aplicacin comn se da en los circuitos que elevan el voltaje para alimentar el
Tubo de rayos catdicos de Televisores, Monitores y Osciloscopios.
Existen varios tipos de multiplicadores de tensin, nosotros analizaremos estos cuatro:
El Doblador de voltaje de media onda
El Triplicador
El Cuadriplicador

El Doblador de tensin de onda completa

EL DOBLADOR DE VOLTAJE DE MEDIA ONDA


Un doblador de voltaje de media onda es la combinacin de un rectificador de media
onda con un multiplicador de voltaje con factor de multiplicacin 2.

Figura. 17 Circuito doblador de Voltaje de Media Onda


El circuito funciona de la siguiente manera:
Durante el semiciclo positivo el diodo D1 est polarizado en directa y el diodo D2 est
polarizado en inversa y el condensador C1 se carga aproximadamente al valor pico del
voltaje en la entrada menos la cada de voltaje del diodo (VP 0.7V).
Durante el semiciclo negativo el diodo D2 est polarizado en directa y el diodo D1 est
polarizado en inversa. En este punto el voltaje almacenado en C1 se suma al voltaje de
entrada cargando el condensador C2 a (2VP).
D2 rectifica a media onda y C2 filtra la onda pulsante, el resultado es una salida de
corriente continua de voltaje aproximadamente el doble de la entrada (2VP).
Demostracin por ley de Kirchhoff:
VC1 VC2 + VP = 0
VC1 = VP 0.7V

Despreciando la cada del diodo de:

VC2 = VP + VC1

VC2 = VP + VP = 2VP

TRIPLICADOR DE VOLTAJE

Figura. 18 Triplicador de voltaje


El circuito funciona de la siguiente manera:
Durante el semiciclo positivo el diodo D1 est polarizado en directa y el condensador
C1 se carga aproximadamente al valor pico del voltaje en la entrada.
Durante el semiciclo negativo el diodo D2 est polarizado en directa. En este punto el
voltaje almacenado en C1 se suma al voltaje de entrada cargando el condensador C2 a
(2VP).
La descarga de C2 carga C3 mientras D3 esta polarizado en directa.
La salida del circuito es aproximadamente 3VP.

CUADRIPLICADOR DE VOLTAJE

Figura. 19 Cuadriplicador.
Si a un circuito Triplicador le agregamos un Diodo y un Condensador adicional en
cascada obtendremos un circuito cuadriplicador de voltaje que multiplica por 4 el valor
del voltaje de entrada.
En este caso C4 se carga durante el semiciclo negativo a travs de D4; la salida del
voltaje cuadriplicado se toma en los extremos de C2 y C4.

DOBLADOR TENSION DE ONDA COMPLETA

Figura. 20 Onda completa duplicador.


El circuito funciona de la siguiente manera:
Durante los semiciclos positivos D1 esta polarizado en directa y C1 se carga
aproximadamente al valor de VP, luego durante los semiciclos negativos D2 esta
polarizado en directa y C2 se carga aproximadamente tambin al valor de VP; la salida
se toma de un extremo de C1 y C2 y el voltaje resultante es 2VP.