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Dispositivos

Electrnicos

CARRERAS PROFESIONALES

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DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

NDICE
Presentacin

Red de contenidos

Sesiones de aprendizaje
SEMANA 1

: Conceptos bsicos de Electrnica

SEMANA 2

: Los diodos semiconductores

21

SEMANA 3

: Desarrollo de aplicaciones de diodos

37

SEMANA 4

: El transistor bipolar BJT

47

SEMANA 5

: Aplicacin de los transistores

63

SEMANA 6

: Sesin integradora

75

SEMANA 7

: Examen parcial

SEMANA 8

: Transistores de efecto de campo

81

SEMANA 9

: Tiristores

91

SEMANA 10 : Tiristores y sus aplicaciones

103

SEMANA 11 : Amplificador operacional parte 1

111

SEMANA 12 : Amplificador operacional parte2

123

SEMANA 13 : Temporizador 555 parte 1

129

SEMANA 14 : Temporizador 555 parte 2

139

SEMANA 15 : Circuitos de aplicacin

149

SEMANA 16 : Sesin integradora

153

SEMANA 17 : Examen final

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DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

PRESENTACIN

Dispositivos Electrnicos pertenece a la lnea de tecnologa y se dicta en la


carrera de Electrnica. El curso brinda un conjunto de conocimientos y
estrategias tcnicas que permiten a los alumnos estar capacitados para
implementar, a travs de circuitos analgicos y digitales, aplicaciones
importantes para su carrera.
El manual para el curso ha sido diseado bajo la modalidad de unidades de
aprendizaje, las que se desarrollan durante semanas determinadas. En cada una
de ellas, hallar los logros que debe alcanzar al final de la unidad; el tema
tratado, el cual ser ampliamente explorado; y los contenidos que debe
examinar, es decir, los subtemas. Por ltimo, encontrar las actividades que
deber desarrollar en cada sesin, las cuales le permitirn reforzar lo aprendido
en la clase.
El curso aplica la metodologa de taller. En ese sentido, recurre a tcnicas de
metodologa activa y trabajo cooperativo. Por esa razn, las actividades se
complementan con presentacin de diapositivas, muestra de componentes o de
equipos completos para un mejor entendimiento. De este modo, se propicia la
activa participacin del alumno y la constante prctica con el objetivo de lograr
una mejor interpretacin del funcionamiento de los circuitos de aplicacin.
Inmediatamente despus de la presentacin de cada tema, el alumno debe
transferir lo aprendido mediante ejercicios dirigidos, dinmicas individuales o
grupales, y tareas que se encuentran en el material de estudios desarrollado
para el curso.

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RED DE CONTENIDOS

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DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

UNIDAD DE
APRENDIZAJE

1
SEMANA

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DISCRETOS


LOGRO DE LA UNIDAD DE APRENDIZAJE

Al trmino de la unidad, los alumnos, trabajando en grupo y en forma individual,


disearn e implementarn circuitos de aplicacin haciendo uso de dispositivos
electrnicos discretos (diferentes tipos de diodos, transistores y SCRs). Adems,
podrn emplear las herramientas de medicin y comprobacin del funcionamiento
de dichos circuitos.

TEMARIO

Introduccin a los dispositivos electrnicos

Algunos conceptos de la materia

Conceptos bsicos de electricidad

Corriente alterna, frecuencia, perodo

Explicacin de la ley de Ohm

Resistencias en serie y paralelo

ACTIVIDADES PROPUESTAS

Aprenden conceptos bsicos de electricidad.

Convierten y calculan diferentes tipos de parmetros por medio de la


aplicacin de las leyes de electricidad.

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1. INTRODUCCIN A LOS DISPOSITIVOS ELECTRNICOS


Para poder desarrollar sistemas electrnicos con el objeto de implementar
diversas aplicaciones, se necesita conocer los componentes electrnicos. Si
queremos amplificar una seal, lo podemos lograr mediante la implementacin de
amplificadores sobre la base de transistores, aunque hay, en la actualidad,
circuitos especializados que lo hacen mucho mejor; estos son los amplificadores
operacionales. Si queremos recortar una seal, esto es posible mediante
recortadores, implementados con diodos y otros dispositivos semiconductores.
Para poner un ejemplo de aplicacin, examinaremos, rpidamente, el uso de un
amplificador, en el cual vemos que la seal, en la salida, tiene mayor amplitud que
en la entrada.

Como la Electrnica est asociada a los semiconductores, es necesario tener


algunos conocimientos previos que permitan entender el funcionamiento de los
componentes electrnicos a estudiar.
1.1 Algunos conceptos sobre la materia
1.1.1 La Materia.- Sabemos que toda materia est formada por molculas,
las cuales, a su vez, se dividen en tomos. Los materiales se diferencian
por que tienen diferentes tipos de molculas y diferentes tipos de tomos.
Por su parte, los tomos se dividen en dos partes:

El ncleo en el centro

Los electrones que rodean al ncleo


El ncleo del tomo est formado por

Los protones los cuales tienen carga elctrica positiva

Los neutrones que no tienen carga elctrica o sea son neutros


Al rededor del ncleo se encuentran

Los electrones con carga elctrica negativa


1.1.2 El tomo de Bohr
Para poder explicar el funcionamiento de tomo, el fsico dans Niels Bohr,
creo un modelo, al cual despus se le llam modelo de Bohr, en el que se
puede apreciar la estructura del tomo. Este modelo se grafica en la
siguiente figura:

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En los tomos, el nmero de electrones (en el borde) es igual al nmero de


protones (en la parte interna), por lo que se dice que el tomo es
elctricamente neutro. Esto significa que tiene la misma cantidad de cargas
positivas y negativas.
Nmero de protones = Nmero de electrones
Hay algunos electrones que se encuentran en las rbitas ms alejadas del
ncleo, por lo que podran liberarse fcilmente. Estos electrones son los
llamados electrones de valencia. Para entender mejor, examinemos el caso
del tomo de cobre, el cual tiene 29 protones y 29 electrones. De estos 29
electrones, 28 viajan en rbitas cercanas al ncleo y 1 viaja en una rbita
lejana. A este electrn se le llama electrn libre (electrn de valencia).
Si un material tiene muchos electrones libres en su estructura, se le llama
conductor y si tiene pocos electrones libres, se le llama aislador o aislante.
Ejemplos de materiales conductores son el oro, la plata, el aluminio, el cobre,
etc., y ejemplos de aislantes son la cermica, el vidrio, la madera, el papel,
etc.
Cuando a un tomo de cualquier material le falta un electrn o ms se le
llama In positivo, pero, cuando al tomo de cualquier material le sobra un
electrn o ms se le denomina In negativo.
1.2 Conceptos bsicos de Electricidad
1.2.1 La electricidad es la acumulacin o movimiento de electrones que han
sido sacados de sus rbitas. Dicho de otra manera, es el movimiento de los
electrones libres o, tambin, su acumulacin. Los electrones libres,
procedentes de las rbitas externas del tomo se pueden mover con facilidad
por los materiales conductores. A este movimiento o flujo de electrones se le
llama corriente elctrica.
1.2.2 La corriente elctrica es un flujo de electrones que atraviesa un
material. Algunos materiales como los "conductores" tienen electrones libres
que pasan con facilidad de un tomo a otro. El movimiento de estos
electrones libres constituye una corriente elctrica si se mueven en una
misma direccin saltando de un tomo a otro.
Para lograr que este movimiento de electrones se d en un sentido o
direccin, es necesario que una fuente de energa externa los impulse a fin
de obligarlos a desplazarse.
Cuando se coloca un material elctricamente neutro entre dos cuerpos
cargados con diferente potencial (es decir, que tienen diferente carga), los
electrones se movern desde el cuerpo con potencial ms negativo hacia el
cuerpo con potencial ms positivo, tal como se observa en la siguiente figura:
Cuerpo
positivo
(+)

Cuerpo
negativo
(-)
>>>> Los electrones van de izquierda a derecha >>>>

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Los electrones viajan del potencial negativo al potencial positivo. Sin


embargo, se toma, por convencin, que el sentido de la corriente elctrica
va desde el potencial positivo al potencial negativo. Esto se puede visualizar
como el espacio (hueco) que deja el electrn al moverse de un potencial
negativo a un positivo. Este hueco es positivo (ya que implica la ausencia de
un electrn) y circula en sentido opuesto al electrn.
La intensidad de corriente elctrica (I) se mide en amperios. En Electrnica,
los valores de la corriente son pequeos. Esta puede tomar valores como:

1 mili amperio = (1 / 1000) amperios = 10-3 amperios


1 micro amperio = (1 / 1000 000) amperios = 10-6 amperios
1 nano amperio = (1 / 1000 000 000) amperios = 10-9 amperios
1 pico amperio = (1 / 1000 000 000 000) amperios = 10-12 amperios

Hasta aqu, se ha supuesto un flujo de corriente que va de un terminal a otro


en forma continua. A este flujo de corriente se le llama corriente continua o
corriente directa y se le identifica con la sigla DC. Hay otro caso en que el
flujo de corriente circula en forma alternada: primero, en un sentido y,
despus, en el opuesto. A este tipo de corriente se le llama corriente alterna,
la cual es identificada por las siglas AC, ya que la frase est en ingls.
1.2.3 Voltaje o Tensin elctrica
El voltaje o tensin es la diferencia de potencial elctrico provocada por la
acumulacin de cargas en un punto o en un material. Si a un material se le
quitan electrones, su carga elctrica total ser positiva, puesto que se le est
quitando a un tomo neutro (que no tiene carga) electrones que poseen
carga negativa. Esto causa que el tomo ya no sea neutro sino que tenga
carga positiva, como el caso del siguiente ejemplo, en el que el tomo tiene 6
protones (carga positiva) y 4 electrones (carga negativa). En conclusin, la
carga total es positiva.

Al material se le quitan electrones y su carga total ser positiva.


Si ahora al material se le aumentan electrones (tiene ahora ms de los que
tiene cuando el tomo es neutro), su carga total ser negativa. En este caso,
hay, en el tomo, 6 protones (carga positiva) y 8 electrones (carga negativa).
En sntesis, la carga total es negativa.

Al material se le agregan electrones y su carga total ser negativa.

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Si se tienen dos materiales con diferentes niveles o tipos de carga, se dice


que hay una diferencia de potencial entre ellos. Para poder lograr cargar, de
alguna manera, los materiales, es necesario aplicar energa al tomo. Para
ello, existen varios mtodos para conseguirlo:
Por frotamiento
Por presin
Por calor
Por magnetismo
Por una accin qumica
La unidad en que se mide la diferencia de potencial es el voltio (V). En
Electrnica, los voltajes son pequeos, mientras que en Electricidad se
puede manejar miles de voltios y, para ello, se usa el factor Kilo, el cual
representa a mil o 103.
1.3 La Resistencia Elctrica, Conductores, Aislantes y Dielctricos
La Resistencia es la oposicin que ofrece un material al paso de la corriente
elctrica. Cuando el material tiene muchos electrones libres, como los metales,
permite el paso de los electrones con facilidad. Esto implica que su resistencia es
muy baja y, en muchos casos, la consideramos nula. A este tipo de material,
como, por ejemplo, el cobre, se le llama conductor. Si, por el contrario, el
material tiene pocos electrones libres, ste no permitir el paso de la corriente. A
esta clase se le llama aislante o dielctrico. Uno de los materiales que se usa
como aislante de los cables de cobre es el plstico. Este material ofrece un valor
muy alto de resistencia y, en general, se lo considera infinita, ya que se llega a
afirmar que no deja pasar ningn electrn.
Los factores principales que determinan la resistencia elctrica de un material
son los siguientes:
Tipo de material
Longitud del cable
Seccin transversal del cable
Temperatura a la que est sometido el material
Como vemos, los materiales aislantes y conductores dependen de su
configuracin atmica. Algunos pueden ser ms o menos aislantes y otros ms o
menos conductores.
Caractersticas
Si utilizamos un material y por l hacemos que circule una corriente elctrica,
este ofrecer mayor resistencia si tiene mayor longitud. En la figura siguiente,
se puede apreciar que la longitud L2 es mayor que L1, por lo que el material
de longitud L2 ofrece una resistencia R2 mayor que la R1.
L2 > L1
===> R2 > R1

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Un material con mayor seccin transversal tiene menor resistencia. Como


vemos en la siguiente figura, el primer material tiene un seccin transversal
S1 menor que el otro material de seccin S2, por lo que la resistencia R1 es
menor que R2.

Los materiales que se encuentran a mayor temperatura tienen mayor


resistencia.
La unidad de medida de la resistencia elctrica es el ohmio. Este se representa
por la letra griega Omega () y se expresa con la letra "R". Aqu, tambin se hace
uso de factores, porque hay resistencias muy grandes. As, se suele usar valores
como
o 10 ohmios = 10
o 54 kilo ohmios = 54K
o 200 mega ohmios = 200M
Como la resistencia se opone al paso de la corriente, se utiliza para controlar el
flujo de electrones. Para ello, se han creado resistencias de diferentes valores
para poder implementar diversos circuitos. Para establecer los valores de las
resistencias, se usa un cdigo de colores de acuerdo a la siguiente tabla:

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1.4 Corriente continua (CC)


La corriente continua, CC en forma abreviada (aunque es ms usado DC que
procede de la frase corriente directa en ingls), se produce cuando el flujo de
electrones, en un circuito, mantiene siempre el mismo sentido. El circuito puede
estar formado por una batera que provee la energa, un foco por el cual va a
pasar la corriente y los cables de cobre para unir los dos componentes anteriores,
tal como se muestra en la siguiente figura:

El borne positivo de la pila est a mayor potencial que su borne negativo, por lo
que se genera una intensidad de corriente I, la cual siempre mantiene el mismo
sentido, o sea se genera una corriente directa. Tngase en cuenta que la
corriente I est considerada como un movimiento de cargas positivas, aunque
realmente se genera una corriente de electrones en sentido contrario.
Si queremos graficar la evolucin, en el tiempo, de esta corriente I, la grfica
sera la siguiente:

La corriente elctrica se mide en (A) amperios y, para circuitos electrnicos,


generalmente, se mide en mili amperios o en micro amperios. Vase las
siguientes conversiones:
1 mili amperio = 1 m Amp = 0.001 Amp
1 micro amperio = 1 Amp = 0,000001 Amp

1.5 Corriente Alterna, Frecuencia, Perodo


La diferencia de la corriente alterna con la corriente continua consiste en que la
continua circula slo en un sentido. Este tipo de corriente, como su nombre lo
indica, no circula en un solo sentido si no que va alternando los mismos, primero
en un sentido y luego en el opuesto. Este proceso se repite en forma constante.
La corriente alterna es la que llega a nuestras casas y la usamos para alimentar
la TV, el equipo de sonido, la lavadora, la refrigeradora, etc. Es el tipo de

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corriente que se utiliza para poder distribuir la energa elctrica y es apropiada


para viajar grandes distancias a travs de los cables de distribucin.
La corriente cambia de un sentido a otro porque el voltaje va cambiando de
positivo a negativo. De esta manera, en un determinado instante, por el cable,
enva el flujo de electrones en un sentido y, luego, al cambiar a negativo, lo enva
en sentido contrario.
En el siguiente grfico, se muestra el voltaje AC. En la imagen se observa que su
amplitud parte de cero y va aumentando hasta llegar a un valor mximo para
luego caer hasta llegar a cero y cambiar de signo. A partir de este momento es
negativo y cambiar el sentido de la corriente. En la parte negativa, tambin llega
hasta un mnimo y vuelve a retornar a cero. Finalmente, notamos que su
variacin responde en forma senoidal.

El voltaje vara continuamente y, para saber qu voltaje tenemos en un momento


especfico, utilizamos la siguiente frmula:
V = Vp. Seno
Donde
Vp = V pico
V pico a pico = Vpp

Vp es el valor mximo que obtiene la onda y es el ngulo, el cual se


mide en grados

La variacin del voltaje responde a una funcin senoidal peridica, de perodo T.


El ngulo es igual a 2 F.t , siendo F la frecuencia que es la inversa del
perodo T.
F=1/T

FRECUENCIA (F): Es la cantidad de ciclos que hay en un segundo. La


unidad de la frecuencia es el Hertz.

PERIODO (T): Es el tiempo que demora un ciclo. Un ciclo comprende


entre dos picos positivos de la onda senoidal.

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VOLTAJE PICO-PICO (Vpp): Analizando el grfico se ve que hay un


voltaje mximo y un voltaje mnimo. La diferencia entre estos dos voltajes
es el llamado voltaje pico-pico (Vpp) y es igual al doble del Voltaje Pico
(Vp).

VOLTAJE RMS (Vrms): Se le llama valor eficaz y es un voltaje equivalente


al voltaje continuo. Es un valor que se mide mediante un multmetro y lo
podemos calcular mediante la siguiente frmula:
Vrms = 0.707 x Vp

Un ejemplo de esta medicin es el de 220 V AC, que es medido con un


multmetro en los tomacorrientes de nuestras casas.
1.6 Potencia en circuitos de Corriente Alterna (C.A.)
Cuando se calcula la potencia en corriente continua, el clculo es sencillo.
Simplemente, es el producto del voltaje por la corriente:
P=VxI
Lo anterior tambin es cierto en el caso de que se utilice corriente alterna en una
resistencia o resistor, porque, en estos casos, la corriente y el voltaje estn en
"fase". Esto significa que la corriente y el voltaje tienen sus valores mximos y
mnimos simultneamente. (Las formas de onda son iguales. Slo podran
diferenciarse en su amplitud).
En el caso de que el voltaje se aplique a una reactancia, la corriente se
adelantara o atrasara con respecto al voltaje, y sus valores mximos y mnimos
ya no coincidiran. La potencia que se obtiene de la multiplicacin del voltaje con
la corriente (P = I x V) es lo que se llama una potencia aparente. La verdadera
potencia consumida depender, en este caso, de la diferencia de ngulo entre el
voltaje y la corriente. Este ngulo se representa como . Un circuito que tenga
como carga una reactancia significa que tiene un condensador, una bobina o
ambos.
1.6.1 Si el circuito tiene un condensador
- Cuando la tensin de la fuente va de 0 voltios a un valor mximo, la fuente
entrega energa al condensador y la tensin entre los terminales de ste,
aumenta hasta un mximo. La energa se almacena en el condensador en
forma de campo elctrico.
- Cuando la tensin de la fuente va de su valor mximo a 0 voltios, es el
condensador el que entrega energa de regreso a la fuente.
1.6.2 Si el circuito tiene una bobina
- Cuando la corriente va de cero amperios a un valor mximo, la fuente
entrega energa a la bobina. Esta energa se almacena en forma de campo
magntico.
- Cuando la corriente va de su valor mximo a cero amperios, es la bobina la
que entrega energa de regreso a la fuente.
Se puede ver que la fuente, en estos casos, tiene un consumo de energa
igual a "0", pues la energa que entrega la fuente despus regresa a ella. La
potencia que regresa a la fuente es la llamada "potencia reactiva". Por lo
tanto, en un circuito totalmente resistivo, no hay regreso de energa a la

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fuente; en cambio, en un circuito totalmente reactivo, toda la energa regresa


a ella. Ahora, se supone que, en un circuito que tenga los dos tipos de
elementos (reactivo y resistivo), parte de la potencia se consumir (en la
resistencia) y parte se regresar a la fuente (por las bobinas y
condensadores).
En el siguiente grfico, se muestran las variaciones en el tiempo, del voltaje o
tensin, de la corriente y de la potencia.

La potencia que se obtiene de la multiplicacin de la corriente y el voltaje en


cualquier momento es la potencia instantnea en ese momento.
- Cuando el voltaje y la corriente son positivos, la fuente est entregando
energa al circuito.
- Cuando el voltaje y la corriente son opuestos (uno es positivo y el otro es
negativo), la potencia es negativa y, en este caso, el circuito le est
entregando energa a la fuente.
Se puede ver que la potencia real consumida por el circuito ser la potencia
total que se obtiene con la frmula P = I x V (potencia entregada por la
fuente, llamada potencia aparente) menos la potencia que el circuito le
devuelve (potencia reactiva).
La potencia real se puede calcular con la siguiente frmula: P = I2R donde
P es el valor de la potencia real en watts (vatios).
I es la corriente que atraviesa la resistencia en amperios.
R es el valor de la resistencia en ohmios.

1.7 Explicacin de la ley de Ohm


La ley de Ohm se puede entender con facilidad si se analiza un circuito donde
estn, en serie, una fuente de voltaje (una batera de 9 voltios) y una resistencia
de 10 ohmios. Se puede establecer una relacin entre la tensin de la batera, el
valor de la resistencia y la corriente que entrega la batera y que circula a travs
de dicha resistencia. Esta relacin es:

V=I.R

y se conoce como la ley de Ohm

Entonces, la corriente que circula por el circuito se determina como V/R y es I = 9


voltios / 10 ohmios = 0.9 amperios. Al igual que en el caso anterior, si se despeja
la resistencia en funcin del voltaje y la corriente, y se obtiene R = V / I. Entonces,
si se conoce la tensin en la resistencia y la corriente que pasa por ella se
obtiene que R = 9 voltios / 0.9 amperios = 10 ohmios.

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Es interesante ver que el voltaje se relaciona en forma directa con la corriente. La


relacin depende de la resistencia que hace el papel de la pendiente en la
ecuacin de la recta. A mayor resistencia, mayor pendiente.

Para recordar las tres expresiones de la ley de Ohm se utiliza el siguiente


tringulo que tiene mucha similitud con las frmulas analizadas anteriormente.

Tringulo de la ley de Ohm

V=IxR

I=V/R

R=V/I

1.8 Resistencias en serie y paralelo


1.8.1 Resistencias en serie
Para implementar un circuito en serie, se colocan las resistencias conectadas
una despus de otra.

El valor de la resistencia equivalente a las resistencias conectadas en serie


es igual a la suma de los valores de cada una de ellas. En este caso, la
corriente que fluye por las resistencias es la misma en todas. Entonces,
Rs (resistencia en serie) = R1 + R2 + R3

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El valor de la corriente en el circuito equivalente es el mismo que en el


circuito original y se calcula con la ley de Ohm. Una vez que se tiene el valor
de la corriente por el circuito, se pueden obtener las cadas de tensin a
travs de cada uno de los resistores utilizando la ley de Ohm.

En R1 la cada de tensin es V1 = I x R1
En R2 la cada de tensin es V2 = I x R2
En R3 la cada de tensin es V3 = I x R3

1.8.2 Resistencias en paralelo


En el circuito de resistencias en serie, la corriente tiene un slo camino para
circular; en el circuito de resistencias en paralelo, la corriente se divide y
circula por varios caminos. En este caso, se tienen 2 ms resistencias.
Estas resistencias estn unidas por sus dos extremos como se muestra en la
siguiente figura:

La corriente I, que suministra la fuente de tensin V, es la misma en el


circuito original (con R1, R2 y R3) y en el circuito equivalente (con Req). En el
circuito original, la corriente se divide y pasa por cada una de las
resistencias, pero el total de la suma de las corrientes de cada resistencia es
siempre igual.
La resistencia equivalente de un circuito de resistencias en paralelo es igual
al recproco de la suma de las resistencias individuales; as, la frmula para
un caso de 3 resistencias es:
Rp (resistencia en paralelo) = 1 / (1/R1 + 1/R2 + 1/R3)

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Autoevaluacin

Cules son los componentes del tomo? Cmo se relacionan con la


electricidad?

Diferencias entre electrones y huecos.

Indica el cdigo de colores que tienen las resistencias con los siguientes
valores: 37K, 45, 12M.

Si la frecuencia es de 20 KHz, indique cul es el perodo. Adems, d un


ejemplo de una onda senoidal de esta frecuencia y especifique su Vrms si el
Vpp es 2.

En un circuito con tres resistencias en serie, cuyos valores son 12K, 25K y
48K, determine los voltajes en serie si es que se utiliza una batera de 12
voltios. Adems, determine el voltaje en cada resistencia y su potencia.

Sobre la base de los datos del problema anterior, considere que las
resistencias estn en paralelo y determine, para cada resistencia, su voltaje, su
corriente y su potencia.

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Resumen

La corriente elctrica es un flujo de electrones que atraviesa un material.


La resistencia es la oposicin que ofrece un material al paso de la corriente
elctrica.
La potencia real se puede calcular con la siguiente frmula: P = I2R o P = V x I
La ley de Ohm: V = I x R
Rs (resistencia en serie) = R1 + R2 + R3
Rp (resistencia en paralelo) = 1 / (1/R1 + 1/R2 + 1/R3)
Se debe recordar el uso de los siguientes factores:
= m
Mili
=
10-3
-6
Micro
=
10
=
-9
Nano
=
10
= n
= p
Pico
=
10-12
3
Kilo
=
10
= K
= M
Mega
=
10 6
Giga
=
10 9
= G
Si desea saber ms acerca de estos temas, puede consultar las siguientes
pginas:
http://www.unicrom.com
Aqu, hallar conceptos relacionados al tema.

http://www.electronicafacil.net/
Aqu, hallar informacin sobre circuitos elctricos.

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UNIDAD DE
APRENDIZAJE

1
SEMANA

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DISCRETOS


LOGRO DE LA UNIDAD DE APRENDIZAJE

Al trmino de la unidad, los alumnos, trabajando en grupo y en forma individual,


disearn e implementarn circuitos de aplicacin haciendo uso de dispositivos
electrnicos discretos (diferentes tipos de diodos, transistores y SCRs). Asimismo,
harn uso de herramientas de medicin y comprobacin del funcionamiento de
dichos circuitos.

TEMARIO

Los diodos semiconductores

Los portadores de carga: electrones y huecos

Semiconductores N y P

La unin P N: el diodo

Tipos de diodos

ACTIVIDADES PROPUESTAS

Los alumnos realizan una dinmica para comparar los tipos de diodos.

Los alumnos realizan una comparacin entre huecos y electrones.

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1. LOS DIODOS SEMICONDUCTORES


Referencia: Principios de electricidad y electrnica. Tomo III. Hermosa Donate, Antonio.

Al material semiconductor natural (tal como se obtiene de la naturaleza) se le


denomina semiconductor intrnseco. Para que resulte til para fabricar los
componentes electrnicos, tiene que pasar por un proceso, que
fundamentalmente consiste en aadirle otros materiales diferentes (Boro, Fsforo,
Arsnico, etc.) a fin de modificar su grado de conductividad.
En su forma natural, los materiales semiconductores se caracterizan porque sus
tomos tienen 4 electrones en la ltima capa, que es un intermedio entre lo que
tienen los buenos conductores y los buenos aislantes. Recurdese que la
corriente elctrica es la circulacin de un flujo de electrones en un determinado
sentido, porque estos abandonan sus tomos debido a ciertas fuerzas de
atraccin. Los electrones que dan lugar a ello son los que se encuentran en la
ltima capa del tomo. Se puede decir que los tomos tienen tendencia a llegar a
tener completa su ltima capa (2 n2) o bien conseguir, de alguna manera, que en
sta haya 8 electrones, porque ello les da una estructura estable. Ejemplo de
tomos con estructura estable son el nen, que tiene 8 electrones en su ltima
capa, y el helio que, como su nmero atmico es Z = 2, slo tiene una capa que
est al completo con 2 electrones.
En los tomos con estructura estable, difcilmente, se desprenden electrones (es
preciso mucha energa), por lo cual tienen el carcter de aislantes (no conducen la
electricidad). Los tomos que no son as (estructura inestable) tienden a adquirir
una estructura estable, ya que captan electrones de otro sitio o porque dejan
escapar alguno de sus electrones de la ltima capa. Esto se suele hacer siempre
por la "ley del mnimo esfuerzo" (es decir, utilizndose la mnima energa). Por
ejemplo, el tomo de cobre, puesto que tiene un solo electrn en la ltima capa,
es un tomo de tipo inestable (buen conductor de la electricidad). Su estructura
estable la consigue, simplemente, al desprenderse de dicho electrn, que es lo
que dar lugar a un elemento portador de carga (y esto puede hacer que exista
una corriente elctrica). Tambin, podra adquirir la estructura estable adquiriendo
7 electrones exteriores, pero esto no lo hace porque requiere ms energa (le
cuesta ms trabajo).
Los materiales normalmente utilizados en electrnica son el Silicio (Si), el
Germanio (Ge) y el Arseniuro de galio (Ga As). De ellos, el ms utilizado es el
Silicio, el cual se encuentra abundantemente en la arena de playa. Por su parte, el
Germanio fue utilizado en los principios de la electrnica, pero despus fue
sustituido por el Silicio debido a sus mejores caractersticas (en especial, frente a
la temperatura). El Arseniuro de galio es el material normalmente utilizado para la
fabricacin de componentes emisores de luz (diodos LED), y tambin se emplea
en la fabricacin de modernos circuitos integrados (microelectrnica). En la
siguiente figura, se muestra la estructura electrnica de los tomos de Silicio y de
Germanio, donde se puede observar que poseen 4 electrones en la ltima capa.

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A nivel elctrico, como ya se sabe, en la estructura atmica de los materiales debe


prestarse especial atencin a los electrones que hay en la ltima capa, ya que son
los que determinan el grado de conductividad del material. Por ello, muchas
veces, se utiliza una representacin simplificada del tomo de Silicio, en la que
slo se muestran los 4 electrones de la ltima capa, como se muestra en la
siguiente figura:

El Silicio, en su estado intrnseco, es un material de elevado valor resistivo, con la


peculiaridad de que su resistencia disminuye cuando aumenta la temperatura.
Dependiendo de las condiciones, puede pasar de ser ms o menos aislante a ms
o menos conductor. A temperaturas cercanas al cero absoluto (-273 C), se puede
considerar como aislante y a la temperatura ambiente (unos 20 C), permite ya
una cierta circulacin de corriente, pero sin llegar a ser buen conductor. De dichas
peculiaridades viene la denominacin de semiconductor.
1.1 Portadores de carga: electrones y huecos
Como se sabe, para que se genere una corriente elctrica es necesario que hayan
elementos portadores de carga, que normalmente son electrones. Para que exista
conduccin elctrica a travs de un semiconductor intrnseco, es necesario, pues,
que se rompan dichos enlaces, para que aparezcan as los elementos portadores
de carga, para lo cual se requiere la aplicacin de algn tipo de energa
(temperatura, voltaje, etc.). Por ejemplo, a la temperatura ambiente se pueden
romper algunos de los enlaces y algunos electrones dejan el lugar que ocupan. En
este caso, aparece un elemento portador de carga, que es el electrn. Esto da
lugar, tambin, a otro tipo de portador de carga nuevo que se denomina hueco, el
cual es de polaridad contraria a la del electrn; o sea, positiva. Esto se representa
en la siguiente figura:

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El hueco, fsicamente, es la ausencia de un electrn en un enlace, pero este


"vaco" representa una fuerza positiva que puede atraer a un electrn. Si algn
electrn libre se encuentra por las cercanas se puede encontrar atrado y ocupar
ese vaco. Pero hay que tener en cuenta que los tomos que no forman parte de
ningn enlace (tomos aislados) y que, por alguna circunstancia, pueden perder
electrones, no generan huecos (se convierten en iones positivos). No hay que
olvidar este importante concepto: Hueco, es la ausencia de un electrn en un
enlace.
Aunque el hueco no constituye una partcula fsica como el electrn, se reconoce
su existencia porque da lugar a una corriente de cargas (positivas), huecos, que
va en sentido contrario al de la corriente de electrones. O sea, a una corriente
elctrica de electrones le corresponde otra corriente en sentido contrario debido a
los huecos que van dejando los electrones en la estructura del silicio, como se
representa en la siguiente figura:

Como se sabe, aunque el sentido verdadero de la corriente elctrica es de


negativo a positivo (los electrones se mueven hacia el polo positivo), existe lo que
se llama sentido convencional de la corriente, que es en sentido contrario (de
positivo a negativo), siendo el que normalmente es utilizado en la prctica.
1.2 Semiconductores N y P
Para que el silicio sea de utilidad para formar componentes electrnicos (por
ejemplo, diodos), este es tratado mediante unos procesos fsico-qumicos. Esto se
realiza introduciendo, de forma controlada, en la estructura del semiconductor

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intrnseco (denominado dopado), materiales de diferente estructura atmica, lo


cual permite obtener materiales semiconductores de diferentes grados de
conductividad. As, se obtienen semiconductores que se denominan N y P, que
son los que luego son utilizados para fabricar los componentes electrnicos
(diodos, transistores, tiristores, circuitos integrados, etc.). En los semiconductores
N y P la conductividad es mucho mayor que en el silicio intrnseco. La corriente
puede circular con cierta facilidad porque, de alguna manera, se ha logrado un
aumento de los elementos portadores de carga (que es lo que se necesita para
que exista una corriente elctrica).
1.2.1 Semiconductor N
En el caso del semiconductor N, dicho aumento de conductividad se logra al
aadir al semiconductor intrnseco un material con tomos de los
denominados pentavalentes (tienen 5 electrones en la ltima capa), por
ejemplo, Fsforo. Al combinarse el tomo de Fsforo con los de Silicio, 4 de
los electrones del tomo de Fsforo se pueden enlazar con otros 4 electrones
de los tomos del Silicio, pero uno de los electrones del tomo de fsforo no
se puede enlazar y queda libre. Cualquier aplicacin de energa exterior (luz,
temperatura, tensin) puede hacer que dicho electrn abandone su lugar,
pudiendo haber as una corriente elctrica. Por esta razn, en el
semiconductor N la conductividad es mayor que en el semiconductor
intrnseco, el cual se caracteriza por ser abundante en portadores de carga
negativa.
En el material semiconductor N, la circulacin de corriente se basa, por tanto,
en electrones. La denominacin de N viene de negativo, que es la naturaleza
del portador de carga negativa. De una forma ms simplificada, el material
semiconductor de tipo N se puede representar como se muestra en la
siguiente figura. Ntese que es abundante en electrones libres.

En esta figura, se tiene una representacin simplificada del semiconductor N,


que se caracteriza por ser abundante en electrones libres (portadores de
carga negativa).
1.2.2 Semiconductor P
En el caso del semiconductor P, el aumento de la conductividad se consigue
aadiendo al semiconductor intrnseco material con tomos que tengan 3
electrones en la ltima capa (trivalentes), por ejemplo, Boro (B). Si se
combinan el Boro con los tomos de Silicio, como el Boro tiene 3 electrones
perifricos y el silicio 4, en uno de los enlaces covalentes faltar un electrn,
lo cual da lugar a un hueco que, como se sabe, representa una carga positiva.

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A los materiales de dopado de este tipo (que causan huecos) se denominan


impurezas aceptadoras porque el material resultante es aceptante de
electrones.
As, pues, el material semiconductor P se caracteriza por ser abundante en
elementos portadores de carga positiva (de ah lo de semiconductor P), que
son los huecos, cuya representacin simplificada se muestra en la figura
siguiente:

En esta figura, se tiene una representacin simplificada del semiconductor P,


que se caracteriza por ser abundante en huecos (portadores de carga
positiva).
1.3 La unin PN: el diodo
Cuando un material semiconductor P se junta con otro de tipo N (a esto se llama
unin PN), aparece un efecto que da lugar a uno de los componentes ms
importantes de la electrnica: el diodo. Sobre este aspecto se apoya la estructura
de la electrnica de los semiconductores.

En esta figura, se observa la unin de una material P con un material N, lo que da


lugar al diodo.
En principio, hay que saber que, aunque en los materiales semiconductores N y P
sean abundantes en portadores de carga, dichos materiales, en conjunto, son de
carcter electrnico neutro, ya que todos sus tomos tienen tanto electrones como
protones.
Debido al dopado (aadido de otros materiales), en el N, hay electrones sin
enlazar (libres); en el P, enlaces a los que les falta un electrn (huecos); pero, en
conjunto, la estructura elctrica del conjunto es neutra (en el bloque de materia,
sigue habiendo el mismo nmero de electrones como de protones). Sin embargo,
al poner en contacto el material N con el P se producen unos efectos interesantes.
En principio, los electrones del material N ms prximos a la unin son atrados
por los huecos del material P, de manera que atraviesan la unin para llegar a
ellos y poder ocupar los huecos. Esto da lugar a que, en la zona de la unin N,
aparezca, entonces, una carga positiva (debido a los electrones que han salido) y,

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en la zona P, una carga negativa (debido a los electrones que ha recibido). Al salir
electrones de N para llenar los huecos de P, aparece una carga elctrica en los
lmites de la unin.

Conforme van llegando ms electrones, aumenta la carga elctrica hasta que se


llega a un punto de estabilizacin.

En la unin, aparece una carga elctrica, que para el caso del Silicio tendr 0.6
voltios.
Se puede decir que, en esta primera fase del contacto, se completan enlaces
covalentes (parte de electrones sobrantes de la zona N pasan a llenar parte de
huecos de la zona P). En dicho estado, pues, aparece una diferencia de potencial
entre los extremos de la unin que se denomina barrera de potencial.
Conforme van saliendo electrones de la zona N, atrados por los huecos de la
zona P, se va ampliando la barrera de potencial, de manera que llega un momento
en el que los electrones se ven frenados por la fuerza de repulsin de la carga
negativa que se forma en la zona P (que tienen que atravesar para seguir la
recombinacin) y, entonces, culmina la recombinacin. Esta acumulacin de
cargas acta, por consiguiente, como una especie de barrera (elctrica) que
impide que las cargas atraviesen la unin para seguir recombinndose; de ah la
denominacin de barrera de potencial.
La barrera de potencial alcanza un valor de tensin elctrica que est alrededor
de 0,65 voltios (en el Silicio). Este valor puede variar entre un componente y otro,
y tambin por la temperatura; asimismo, est directamente relacionado con el
valor de 0,7 voltios tpico que tanto aparece en los diodos. Esta tensin tpica,
como se ha dicho, vara con la temperatura y lo hace disminuyendo unos 2,5 mili
voltios por cada C de aumento de la temperatura. Es por ello que los diodos, a
veces, tambin son utilizados como sensores de temperatura en algunas
aplicaciones.

1.4 Polarizacin de la unin PN (diodo)


La polarizacin de la unin PN, que es un diodo, consiste en aplicar un voltaje o
tensin externa. Segn la polaridad con que se aplique dicha tensin, puede

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ocurrir que los portadores de carga adquieran ms energa y puedan atravesar la


unin para seguir recombinndose. Esto da lugar o a una intensidad por el circuito
externo o a que se refuerce ms la barrera de potencial y no exista circulacin de
corriente.
1.4.1 Polarizacin directa
Cuando se aplica el polo positivo al material P y polo negativo al N, se dice
que la unin est en polarizacin directa. En este caso, el diodo se comporta
como un conductor y se produce una circulacin de corriente por el circuito en
el sentido que ya sugiere el smbolo del diodo. Para que esto suceda, la
tensin aplicada debe ser de unos 0,7 voltios, y a partir de este valor la
intensidad aumenta rpidamente. Para que no se deteriore el diodo tiene que
haber siempre alguna resistencia en serie con la cual se busca que la
intensidad no supere un valor mximo, valor que debe ser indicado por el
fabricante.

Un razonamiento con rigor cientfico de su funcionamiento puede resultar


complicado de entender pero, al nivel tcnico que nos interesa, esto se puede
interpretar de la manera siguiente: Suponiendo que la fuente de tensin (VB)
tenga el valor apropiado (unos 0,7 voltios), el polo negativo har que los
electrones del material N adquieran ms energa, debido a la fuerza de
repulsin que ejerce sobre ellos (polos iguales se repelen). Entonces, pueden
atravesar la barrera de potencial y seguir llenando huecos. Por otra parte,
como el polo positivo est conectado al material P, los huecos (cargas +),
tambin se encuentran con una fuerza de repulsin que les empuja a
combinarse con los electrones que le llegan del material N. A su vez, los
electrones que van saliendo del material N y atravesando la unin van
dejando iones positivos (tomos que han perdido un electrn), los cuales
atraen electrones del polo negativo de la fuente de tensin externa y, tras
atravesar la unin PN, entran en el polo positivo de la fuente. Esto hace que
circule una intensidad por el circuito.
De una forma ms resumida, se puede decir que el polo negativo de la pila
hace que los electrones de la zona N se recombinen con los huecos de la
zona P. Adems, inyecta electrones que entran por la zona N, atraviesan la
unin y salen por la zona P al ser absorbidos por el polo positivo de la fuente.
De esta manera se produce una circulacin de corriente por el circuito. En,
sntesis, cuando la unin PN, un diodo, se polariza de esta manera (forma
directa) se comporta como un conductor, como lo indica la siguiente figura:

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1.4.2 Polarizacin inversa


Cuando se aplica el polo positivo al material N y el polo negativo al P, se dice
que la unin est en polarizacin inversa. En este caso, el diodo no permite el
paso de la corriente. Pero hay que saber que si se supera un cierto valor de
tensin (que el fabricante indica), entonces se produce un efecto de
conduccin que puede deteriorar el diodo.

En esta figura, se puede apreciar a un diodo en polarizacin inversa que se


comporta como un aislante, por lo que no hay circulacin de corriente.
En polarizacin inversa, se puede decir que el polo positivo de la fuente
absorbe electrones del material N y el polo negativo hace lo mismo con los
huecos del material P, de manera que la barrera de potencial se ensancha y
esto hace que no sea posible una circulacin de corriente. En estas
condiciones, la unin PN se comporta como una resistencia de muy alto valor.
No obstante, por efectos de temperatura, s puede haber una mnima
corriente, que se denomina corriente de fugas, pero que es de un valor tan
bajo (nano amperios en el Silicio) que no se tiene en cuenta. La tensin
inversa casi no afecta al valor de dicha corriente, pero la temperatura s.
Aproximadamente, la corriente de fugas dobla su valor por cada aumento de
10C de la temperatura. Y si la tensin inversa supera ciertos valores, puede
aportar la suficiente energa de campo elctrico como para que se rompan los
enlaces covalentes del material y esto d lugar a un valor de corriente que
provoque la destruccin de la unin PN. A este valor de tensin se denomina
tensin de ruptura.

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En resumen, el diodo se comporta como un interruptor que puede estar


abierto o cerrado segn la polarizacin:
Polarizacin directa (conduce)
===> Interruptor cerrado
Polarizacin inversa (no conduce) ===> Interruptor abierto

1.5 Tipos de diodos


Existen diversos tipos de diodos para diferentes aplicaciones. De ellos,
indicaremos algunas caractersticas para conocer sus aplicaciones principales:

1.5.1 Diodos de uso general: Estos se utilizan, principalmente, como


rectificadores o como sistema de proteccin en aparatos que funcionan a
bateras, previniendo su deterioro cuando se conecte con polaridad inversa.
Generalmente, no se les utiliza en alterna para frecuencias superiores a los
100 ciclos (100 Hertz).
Este problema se llama tiempo de recuperacin y es el tiempo que tarda el
diodo en absorber el cambio de polaridad para bloquear la circulacin de
corriente. Si se hace trabajar un diodo a una frecuencia ms alta que la
estimada por el fabricante, el diodo comenzar a recalentarse hasta
producirse un embalamiento trmico que causar su destruccin. Es por ello
que los diodos de seal, usados en alta frecuencia, son de baja potencia.
Los diodos de potencia son de baja frecuencia y vienen con encapsulado
metlico, generalmente de grandes dimensiones. Se utilizan, por ejemplo, en
cargadores de bateras y alternadores de automotores.
Un ejemplo de diodo rectificador muy utilizado es el 1N 4004, como aparece
en la figura siguiente:

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1.5.2 Diodo Zener y sus caractersticas


Referencia: Unicrom.com.

El diodo Zener es un tipo especial de diodo, que a diferencia del


funcionamiento de los diodos comunes como el diodo rectificador (en donde
se aprovechan sus caractersticas de polarizacin directa y polarizacin
inversa), siempre se utiliza polarizado inversamente. En este caso, la
corriente circula en sentido contrario a la direccin que conduce el diodo. Por
lo tanto, para poder usarlo como un diodo Zener se debe polarizarlo en forma
inversa. Si el diodo Zener se polariza en sentido directo se comporta como
un diodo comn. Cuando el diodo Zener funciona polarizado inversamente
mantiene entre sus terminales una tensin de valor constante.

En el grfico anterior, se ve el smbolo de diodo Zener. A uno de los


terminales se le llama nodo (A) y corresponde al material P; al otro se le
denomina ctodo (K) y corresponde al material N.
Si analizamos al diodo Zener, no como un elemento ideal, sino como un
elemento real, se debe tomar en cuenta que cuando ste es polarizado en
modo inverso, s existe una corriente que circula en sentido contrario a la
flecha del diodo, pero es de muy poco valor. Si analizamos la curva del diodo
Zener se ve que, conforme se va aumentando negativamente la tensin
aplicada al diodo, la corriente que pasa por l aumenta muy poco. Pero, una
vez que se llega a una tensin, llamada la tensin de Zener (Vz), el aumento
de la tensin (siempre negativamente) es muy pequeo, pudiendo
considerarse constante. Para esta tensin, la corriente que atraviesa el
diodo, puede variar en un gran rango de valores. A esta regin, se le llama la
zona operativa.
Esta es la caracterstica del diodo Zener que se aprovecha para que funcione
como regulador de voltaje, pues la tensin se mantiene prcticamente
constante para una gran variacin de corriente. Un regulador con diodo

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Zener ideal mantiene una tensin fija predeterminada a su salida sin importar
las variaciones de tensin en la fuente de alimentacin y en la carga.
1.5.3 Diodos Schottky
Estos diodos estn diseados para cumplir la misma funcin que los de uso
general, pero a altas frecuencias. Se utilizan, por ejemplo, en fuentes de
alimentacin de computadoras, donde la frecuencia de la corriente alterna
puede llegar a los 100KHz (100000 ciclos por segundo).
1.5.4 Diodos LED (Light Emitting Diode)
Los LED son los diodos emisores de luz. Tienen la propiedad de emitir luz
cuando se le aplica una corriente directa. Existen de muchos tipos. Pueden
ser destellantes y de varios colores. La intensidad luminosa que emite el LED
aumenta en funcin de la intensidad directa que circula por el diodo. Pero, si
se supera cierto lmite, se produce una saturacin: la luz empieza a cambiar
de color y se avera. Se obtienen valores normales de luz con una intensidad
entre unos 5 a 20 mili amperios, siendo la tensin (cada directa) de unos 1,8
voltios.
Este es el componente que se utiliza normalmente (en sustitucin de las
lamparitas de filamento) para indicar la puesta en marcha de los aparatos de
electrnica (radio, TV, amplificadores de sonido, etc.), as como para la
emisin de la luz de control en los mandos a distancia.

1.5.5 Displays de 7 segmentos


Asimismo, como aplicacin de los LEDs se tiene al display. En su versin
bsica, son una especie de pantallitas en las cuales pueden aparecer dgitos.
Estas se conocen como displays de 7 segmentos. Este tipo de visualizadores
se aplican para representar valores numricos en sistemas digitales como
relojes, voltmetros, termmetros, aparatos de medida, etc. Obsrvese la
siguiente figura:

Otras versiones de visualizadores basados en diversos elementos LED


dispuestos en forma matricial dan lugar pantallas de informacin como las

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que se ven en el metro, autopistas, tiendas, etc. Todos estos componentes


semiconductores relacionados con la luz son muy utilizados, por ejemplo, en
los mandos a distancia, circuitos de control automtico de iluminacin,
barreras de luz (sistemas de alarma), indicadores pticos, letreros luminosos,
etc.

1.5.6 Fotodiodo
Es un tipo de diodo con una especie de ventana-lente que sirve para recibir la
luz. Cuando recibe luz, aparece una corriente (inversa) que aumenta en
funcin de la luminosidad. Estos componentes son especialmente utilizados
para detectar la luz de control de los mandos a distancia en los aparatos de
TV, vdeo, etc.

Referencias de la informacin empleada:

Hermosa Donate, Antonio. Principios de electricidad y electrnica. Tomo III.

www.unicrom.com

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Autoevaluacin

Indique qu caractersticas tienen los materiales semiconductores.

Indique las diferencias entre el tomo de Silicio y el de Germanio.

Establezca dos diferencias entre los semiconductores N y P.

Explique qu es la barrera de potencial en un diodo.

Indique qu ocurre cuando los diodos estn polarizados en directa y en


inversa.

Determine dos diferencias y similitudes entre un diodo de uso general y un


diodo Zener.

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Resumen

Los materiales normalmente utilizados en electrnica son el Silicio (Si), el


Germanio (Ge) y el Arseniuro de galio. De ellos, el ms utilizado es el Silicio, el
cual se encuentra abundantemente en la arena de playa.
En los semiconductores N y P, la conductividad es mucho mayor que en el Silicio
intrnseco.
Un semiconductor intrnseco es un material no dopado, que mantiene la misma
cantidad de huecos y electrones producidos slo por agitacin trmica.
Cuando se aplica el polo positivo al material P y el polo negativo al N, se dice que
la unin est en polarizacin directa.
Cuando se aplica el polo positivo al material N y el polo negativo al P, se dice que
la unin est en polarizacin inversa.
El diodo comenzar a recalentarse hasta producirse un embalamiento trmico si
se produce una saturacin.
El diodo Zener es un tipo especial de diodo que siempre se utiliza polarizado
inversamente.
El fotodiodo es un tipo de diodo que posee una especie de ventana-lente para
recibir la luz.

Si desea saber ms acerca de estos temas, puede consultar las siguientes


pginas:
http://www.electronica2000.com/temas/diodostipos.htm
Aqu, encontrar informacin sobre los semiconductores.

http://www.electronicafacil.net/tutoriales/
Aqu, hallar informacin sobre diodos.

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UNIDAD DE
APRENDIZAJE

1
SEMANA

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DISCRETOS


LOGRO DE LA UNIDAD DE APRENDIZAJE

Al trmino de la unidad, los alumnos, trabajando en grupo y en forma individual,


disearn e implementarn circuitos de aplicacin haciendo uso de dispositivos
electrnicos discretos (diferentes tipos de diodos, transistores y SCRs). Adems,
harn uso de herramientas de medicin y comprobacin del funcionamiento de
dichos circuitos.

TEMARIO

Desarrollo de aplicaciones de diodos

Rectificador de media onda y de onda completa

Circuitos limitadores

Dobladores de tensin

Regulador de tensin

ACTIVIDADES PROPUESTAS

Los alumnos
alimentacin.

Los alumnos implementan circuitos dobladores y reguladores de tensin.

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implementan

circuitos

rectificadores

para

fuentes

de

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1. DESARROLLO DE APLICACIONES DE DIODOS


Existen diversas aplicaciones con diodos. En especial, tenemos los circuitos
rectificadores para las fuentes de tensin, que pueden ser de media onda y de onda
completa. Cada uno de ellos posee sus propias caractersticas.
1.1 Rectificador de media onda
El primero de los rectificadores que vamos a estudiar es el llamado rectificador de
media onda. Es el ms sencillo de todos los rectificadores y tambin el ms
barato. Pero, como nada es perfecto, el rectificador de media onda tiene
numerosas desventajas que luego enumeraremos. Es uno de los menos usados
cuando se requiere eficacia y buen rendimiento, pero el ms utilizado si lo que se
requiere es un bajo costo.

Este circuito rectificador est formado por un solo diodo. La tensin de entrada al
circuito es tensin de corriente alterna y, como sabemos, esta tensin viene
representada por una onda senoidal con dos ciclos: uno positivo y otro negativo.
Durante el ciclo positivo el nodo del diodo es ms positivo que el ctodo y la
corriente puede circular a travs del diodo. Pero, cuando estamos en el ciclo
negativo, el nodo va a ser ms negativo que el ctodo y no va a estar permitido
el paso de corriente por el diodo. La tensin de salida va a ser igual que la de
entrada en el primer caso, es decir, un ciclo positivo; mientras que en el segundo
caso, cuando la tensin de entrada es negativa, la de salida va a ser nula. La
onda de salida ha quedado reducida a la mitad y de ah viene el nombre de
rectificador de media onda.
Una tensin de corriente alterna tiene dos "mitades", una positiva y otra negativa.
En el caso anterior, hemos usado el rectificador para anular la parte negativa y
nos hemos "quedado" con la positiva. Sin embargo, tambin, podemos
"quedarnos" con la negativa, simplemente, al cambiar el sentido del diodo dentro
del circuito rectificador.
Como hemos visto, la tensin de salida de un circuito rectificador de media onda
se compone de un ciclo con un valor positivo igual al de la tensin de entrada (en
el caso ms normal) y un ciclo con un valor nulo. Esto es la causa de que este tipo
de rectificadores casi no se usen, ya que, durante un tiempo, no fluye corriente
alguna en la salida. El voltaje que se produce no es muy til para hacer funcionar
nuestros aparatos, de ah la necesidad de filtrarlo primero, aunque no es muy fcil
hacerlo.
1.2 Rectificador de onda completa con transformador de punto medio
Es el rectificador ms usado. La gran diferencia con el rectificador de onda media
es que, en este caso, obtenemos a la salida tensin en todo instante y no tenemos
intervalos de tiempo con una tensin nula como ocurra con el otro rectificador. Es
un poco ms caro, ya que est constituido por un nmero mayor de componentes
pero merece la pena dada su mayor eficacia.

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39

Estos rectificadores estn constituidos principalmente por dos diodos y un


transformador con punto medio. Para explicar su funcionamiento, tenemos que
recordar que un diodo slo permite el paso de la corriente en un sentido. En este
circuito, se encuentran dos diodos y cada uno de ellos va a permitir el paso a la
corriente en un caso opuesto. As, uno circular cuando la tensin de corriente
alterna de entrada se encuentre en el ciclo positivo y, el otro, cuando se encuentre
en el negativo. Pero si no tuviramos la toma central, el circuito estara cortado
siempre, ya que cuando uno puede conducir, el otro no, y viceversa, puesto que
estn colocados en sentidos opuestos. Por eso, tenemos que darle una "ruta
alternativa" a la corriente para que se produzca tensin de salida en los dos ciclos
de entrada.
La tensin de entrada a los circuitos de onda completa no es aprovechada en su
totalidad, ya que cada uno de los diodos trabaja con la mitad de tensin al estar la
toma central en la mitad de la bobina. Es por ello que, aunque vamos a obtener
una tensin de corriente continua a la salida, en todo instante, su valor va a ser la
mitad del de la tensin de entrada.
1.3 Rectificador de onda completa en puente de Graetz
Con este tipo de rectificadores, vamos a conseguir una tensin de salida de
corriente continua en todo instante, al igual que en el rectificador de onda
completa. La ventaja de los rectificadores tipo puente es que la tensin de salida
es de la misma magnitud que la de entrada. En este caso, no perdemos la mitad
como ocurra en los anteriores. La desventaja es que aqu necesitamos cuatro
diodos, por lo que el costo de este tipo de circuitos es superior a los vistos
anteriormente.

El rectificador tipo puente est formado por cuatro diodos que forman un puente
entre la entrada y la salida. Estos diodos estn conectados en paralelo con el
transformador y no tienen ninguna toma central, como ocurra en los de onda
completa, segn podemos ver en el dibujo.
Si el ciclo de tensin de la corriente alterna es el positivo, circula corriente por los
diodos 1 y 2, con lo que se obtiene, en la salida, una tensin igual que la de
entrada. Si el ciclo de entrada es negativo circula corriente por los diodos 3 y 4, y
obtenemos, a la salida, una tensin igual en amplitud que la de entrada pero
positiva en vez de negativa. Por tanto, en cada ciclo, estamos obteniendo en la
salida una tensin de corriente continua positiva y de igual amplitud que la de
entrada. Con estos rectificadores, aprovechamos toda la tensin de entrada y
conseguimos una rectificacin de onda completa, aunque su precio es el ms
elevado de todos.

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40

Es posible generar una tensin o voltaje continuo y constante a partir de un voltaje


alterno. Para ello, primero, se tiene que rectificar la seal mediante los diodos.
Luego, se debe filtrar la seal para eliminar las variaciones generadas en la
rectificacin. Finalmente, se obtiene un voltaje continuo pero an no constante.
Para lograr que el voltaje se mantenga ms o menos constante, usamos el diodo
Zener, que hace las veces de regulador de voltaje, slo dentro de un rango de
corriente.
1.4 Filtros
Bajo este escueto nombre se engloban un buen nmero de circuitos que tienden a
adecuar una tensin alterna rectificada para, por ejemplo, utilizarla como
alimentacin continua de cualquier circuito. Los filtros de las fuentes de
alimentacin son slo una de sus aplicaciones. Los filtros se basan en la
propiedad de almacenamiento de energa que ofrecen los componentes reactivos
(los condensadores y las bobinas). Los tipos ms sencillos y utilizados son los
siguientes:
1.4.1 Filtro con condensador: Este tipo de filtro tan solo precisa de la
colocacin de un condensador de gran capacidad entre el diodo o diodos
encargados de rectificar la corriente alterna y la salida de la misma hacia la
carga a alimentar (Rc). En el grfico siguiente, podemos ver cmo se conecta
este condensador C.

Debido a las constantes de tiempo asociadas a las resistencias, a travs de


las que se realizan las secuencias sucesivas de carga y descarga del
condensador, se obtiene una salida de forma bastante ms "plana" que la
seal que obtenemos en la salida de una etapa rectificadora.
1.4.2 Filtro en : En la ilustracin correspondiente, podemos observar cmo
se configura, en la prctica, un filtro de este tipo. Como vemos, la
denominacin "pi" se debe a la forma que se obtiene en el esquema que
representa el citado filtro. La resistencia, junto al par de condensadores,
muestra la mencionada "".

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Su funcionamiento intenta proteger al diodo D de los posibles picos de


intensidad que pueden originarse debido a una carga excesivamente brusca.
Ahora, se vuelve a filtrar la resistencia R y el condensador C2 (la seal
obtenida ya en el tipo de filtro anterior), con lo que conseguimos atenuar an
ms las oscilaciones de la tensin que llega a la carga (Rc).
Factor de rizado
La calidad de la seal (o tensin) continua que obtenemos despus de hacer
pasar una seal alterna rectificada por un circuito de filtro depender de la
complejidad de ste. Podemos, por ejemplo, encadenar circuitos de filtro para
conseguir mejores seales de salida, que lleven menos "rizado" sobre el
componente de continua.
El valor que determina esta calidad se conoce como factor de rizado o,
simplemente, rizado. Si tenemos una tensin continua (cuyo valor llamamos
VDC), a la que se incorpora sobre ella una tensin de rizado a cuyo valor pico a
pico llamamos VAC (as denominamos la medida de una tensin sinusoidal
cuando nos referimos a la mxima distancia entre el pico superior y el inferior
de la misma), el valor del factor de rizado (Fr) ser

1.5 Circuitos limitadores


Los circuitos limitadores o recortadores hacen uso de los diodos pero de un modo
distinto al que hemos estudiado desde el punto de vista de la rectificacin. Desde
una ptica prctica, podemos dividir a los recortadores en recortador serie,
recortador paralelo y recortadores polarizados.

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Recortador serie: La posibilidad de colocar el diodo serie en uno u otro


sentido posibilita que "recortemos" semiciclos positivos o negativos.
Recortador paralelo: Este tipo de recortador vara la posicin del diodo
pero se basa en los mismos principios.
Recortador polarizado: Esta clase de recortador utiliza una segunda
polarizacin en serie con el diodo paralelo recortador. Esto se traduce en
que el lmite de conduccin se ve incrementado, mientras que el valor
absoluto de VP (segunda polarizacin) ser mayor que el valor absoluto de
la tensin alterna de entrada (VAC). En la ilustracin correspondiente,
vemos un recortador polarizado negativo y un recortador doble que utiliza
dos polarizaciones contrarias sobre dos diodos (Va y Vb).

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1.6 El diodo Zener como regulador de tensin


Al colocar un diodo tipo Zener paralelo a la carga Rc y el condensador de filtro (Cf),
se origina una regulacin real de tensin en la alimentacin de la carga. Esto se
debe a que los diodos Zener se fabrican de manera especfica, para que se
comporten como un diodo normal si no se alcanza la tensin Zener, cuando
alcanzan este voltaje, se mantienen en ese valor (regular) y responden variando
su corriente para compensar las variaciones de entrada. El valor de la tensin
regulada depende del valor de la tensin de Zener dada por el fabricante. Es
importante considerar una resistencia que limite la corriente para proteger al
Zener. El clculo de dicha resistencia es sencillo si aplicamos la frmula siguiente:
RZ = (V VZ) / (IC + IZ)
Donde
V: Tensin en la salida del filtro (Cf)
VZ: Tensin Zener o tensin de salida
IC: Corriente que circula por la carga
IZ: Corriente que circula por el Zener
Por ejemplo, si deseamos estabilizar a 12 voltios una tensin de entrada de 18
voltios y si la carga consume 100 mili amperios tenemos que

Si aplicamos la ley de Ohm podemos deducir que la potencia de la resistencia y


del diodo Zener debern ser de

1.7 Dobladores de tensin


Existe un mtodo, que hace uso de los diodos y del efecto capacitivo de los
condensadores, a fin de duplicar (o triplicar, cuadriplicar, etc.) una tensin dada,
pero con el inconveniente de no poder manejar una intensidad elevada. En otras
palabras, se eleva la tensin pero solo se puede utilizar sta para consumos
pequeos.

En el grfico, podemos apreciar al circuito doblador de tensin, el cual tiene la


propiedad de almacenar energa en los condensadores circulando la corriente en
un solo sentido por accin de los diodos. Su funcionamiento comienza con la
carga de C1 a la tensin Ve cuando D1 se polariza directamente debido al
semiciclo negativo de entrada. En el ciclo siguiente, D1 se polariza inversamente,
D2 lo hace de forma directa y as se obtiene la carga de C2; pero esta vez la carga

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se hace a una tensin que es la suma de la almacenada en C1 y la proporcionada


por Ve, es decir, C2 se carga a una tensin 2 x Ve , lo que es igual, en bornes de
C2 se obtiene una tensin doble a la de la entrada del circuito. Este tipo de
circuitos se puede encadenar en cascada y lograr as multiplicadores de tensin.
1.8 Regulador de tensin LM317
Para las aplicaciones en las que se requiere disear especficamente una fuente
regulable de amplio margen de salida es altamente recomendable utilizar el
regulador LM317. En principio, sus caractersticas son similares a cualquier 78XX,
es decir, a un regulador positivo. Sin embargo, posee una diferencia fundamental
que lo hace ideal para fuentes regulables: su tensin de referencia es de slo
1,25V, con lo que ofrece la posibilidad de un amplio rango de tensiones de salida.
Con este regulador, podemos implementar una fuente de laboratorio, con las
excelentes caractersticas de regulacin y rechazo de rizado, capaz de proveer
una tensin de salida entre 1,25 voltios y 25 voltios. El circuito para controlar el
voltaje de salida es el siguiente:

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El siguiente circuito es el de una fuente de voltaje regulable sobre la base del


regulador LM 317 donde se observa que fueron agregados dos diodos y un
condensador. Tanto D2 como D3 evitan que se descargue el condensador C4
incluido a travs del integrado. A su vez, dicho condensador mejora el rechazo al
rizado elevndolo hasta los 80dB.
Para obtener el rango de salida entre 1.25 voltios y 21 voltios, R1 debe ser de
220, R2 un potencimetro de 5k, y D1 y D2 cualquier diodo pequeo como, por
ejemplo, 1N4001. En cuanto a la corriente de salida, esta es de 1.5 amperios. Si
se utiliza un disipador adecuado, el circuito resultante es el siguiente:

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Autoevaluacin

Implemente un rectificador de media onda y otro de onda completa. Asimismo,


indique las caractersticas de cada uno de los componentes y establezca
cules son los parmetros de entrada y salida.

Dibuje las formas de onda de los dos rectificadores del problema anterior,
considerando una carga resistiva de 10K.

Indique la funcin del filtro .

Dibuje una seal que tenga un factor de rizado de 3.

Determine las caractersticas de un diodo Zener para tener una fuente regulada
de 12 voltios DC y de 0.5 amperios.

Dibuje el circuito de una fuente de alimentacin regulable sobre la base del


LM317. Las variaciones deben ser desde 3 a 12 voltios.

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Resumen

El rectificador de media onda est formado por un solo diodo.


El rectificador de onda completa es el rectificador ms usado. Se utilizan algunos
con transformador de punto medio y otros con rectificador tipo puente.
Los filtros se basan en la propiedad de almacenamiento de energa que ofrecen
los componentes reactivos (los condensadores y las bobinas).
Al colocar un diodo tipo Zener paralelo a la carga Rc y el condensador de filtro (Cf),
se origina una regulacin real de tensin en la alimentacin de la carga.

Si desea saber ms acerca de estos temas, puede consultar las siguientes


pginas:
http://www.unicrom.com
Aqu, hallar conceptos relacionados al tema.

http://www.electronicafacil.net/
Aqu, hallar informacin sobre circuitos elctricos.

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UNIDAD DE
APRENDIZAJE

1
SEMANA

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DISCRETOS


LOGRO DE LA UNIDAD DE APRENDIZAJE

Al trmino de la unidad, los alumnos, trabajando en grupo y en forma individual,


disearn e implementarn circuitos de aplicacin haciendo uso de dispositivos
electrnicos discretos (diferentes tipos de diodos, transistores y SCRs). Adems,
harn uso de herramientas de medicin y comprobacin del funcionamiento de
dichos circuitos.

TEMARIO

El transistor bipolar BJT

Tipos de transistores

Regiones de trabajo del transistor

Polarizacin de transistores bipolares discretos

Generadores de corriente

El transistor como interruptor

ACTIVIDADES PROPUESTAS
.

Los alumnos reconocen las caractersticas de los transistores BJT.

Aprenden a calcular los voltajes y corrientes usados en los circuitos con


transistores.

Polarizan a los transistores en las diferentes zonas de trabajo.

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1. EL TRANSISTOR BIPOLAR BJT


Los transistores son dispositivos semiconductores de estado slido.
Generalmente, son fabricados a base de Silicio, al que se le agregan impurezas.
Los transistores tienen distintas denominaciones. Estas varan sobre la base de su
tipo de construccin.
El transistor es un elemento de tres terminales, que tiene la propiedad de variar la
corriente que circula a travs de l mediante una polarizacin muy pequea. Es
decir, se puede manejar grandes corrientes mediante la inyeccin apropiada de
una corriente de control muy pequea. Este es el principio por el cual los
transistores son muy utilizados como elementos amplificadores de potencia.
1.1 Tipos de transistores
El transistor bipolar tiene 3 terminales que se denominan emisor (E), base (B) y
colector (C). En la siguiente figura, en la que se muestra su simbologa, podemos
ver que existen dos modelos: NPN y PNP y que ambos transistores pueden ser
equivalentes a dos diodos.

Las denominaciones NPN y PNP corresponden al tipo de material con el que


estn dopados los bloques de Silicio. Estos bloques, en realidad, son uno solo. El
secreto consiste en que, al agregarle impurezas en lugares precisos, se producen
zonas dentro del bloque que estn delimitadas por junturas. Esto permite que
tenga propiedades semiconductoras.

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El transistor es utilizado como amplificador de corriente. Una dbil corriente


aplicada en la base permite obtener en el colector mucha ms intensidad, lo cual
permite aplicaciones tales como amplificador de audio, amplificadores de seales
de radio y TV, circuitos de control de rels, etc.
El aspecto prctico de algunos de los modelos ms utilizados (NPN) se representa
en la siguiente figura:

El BC 547 es un modelo de baja potencia que, en la actualidad, se sigue utilizando


mucho. El BD137 es un NPN de mediana potencia, tambin muy utilizado.
El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le
introducimos una cantidad de corriente por la base, l entregar por el emisor una
cantidad mayor a sta en un factor que se llama amplificacin. Este factor se
llama (Beta) y es un dato propio de cada transistor.
Entonces:
IC (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b (factor de
amplificacin) por Ib (corriente que pasa por la patilla base).
IC = x IB
IE (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, slo
que la corriente, en un caso, entra al transistor y, en el otro caso, sale de
l o viceversa.

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Segn las frmulas anteriores, las corrientes no dependen del voltaje VCE, pero,
en la realidad, s lo hacen y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se cambia
VCE. Estos cambios se pueden apreciar en la siguiente grfica:

1.2 Regiones de trabajo del transistor


El transistor tiene tres zonas de trabajo cuando es polarizado en directa. Estas
son cuatro: zona de corte, activa o lineal y de saturacin. Adems, est la zona
de ruptura donde el transistor corre el peligro de ser destruido. Esto debe
evitarse.

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1.2.1 Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:


corriente de colector = corriente de emisor = 0, (IC = IE = 0)
IB = 0
VCE = VCC
En este caso, el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje
de alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada
de voltaje. Vase la ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta
cuando la corriente de base es igual a 0 (IB =0). Adems, el voltaje colectoremisor es igual al voltaje de la fuente.
1.2.2 Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = corriente mxima, (IC = IE = I
mxima)
x IB >> IC
En este caso, la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin
del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor, o en
ambos (vase la ley de Ohm).
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo
suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces
ms grande. (Recurdese que IC = x IB).
1.2.3 Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de
saturacin ni en la regin de corte, entonces est en una regin intermedia:
la regin activa. En esta regin, la corriente de colector (IC) depende
principalmente de la corriente de base (IB), de (ganancia de corriente de un
amplificador, que es un dato del fabricante) y de las resistencias que se
encuentran conectadas en el colector y emisor). Esta regin es la ms
importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.

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En el grfico, se puede apreciar las tres zonas marcadas con los tres puntos.
Se les puede ubicar en el cruce con la recta llamada recta de carga. Por un
lado, la zona de corte se encuentra en el cruce de la recta de carga con la
recta VCE. Por otro lado, la zona de saturacin est en el cruce de la recta de
carga con la recta IC. Finalmente, la zona activa est entre ambas zonas
anteriores y el punto de trabajo depender del cruce de la recta de carga y la
curva de IC para una determinada IB. En el grfico, hemos elegido el cruce con
IB = 100 micro amperios.
1.3 Polarizacin de transistores bipolares discretos
Generalmente, por polarizar un transistor se entiende el hecho de que queden
fijadas su tensin colector-emisor VCE y su corriente de colector (IC), es decir, lo
que se suele llamar el punto de trabajo. Debido a la dispersin de los valores de
los parmetros que se da para cada tipo de transistor, en general, se trata de que
el punto de trabajo (VCE, IC) quede fijado del modo ms independiente posible del
transistor particular utilizado o de las posibles variaciones de las caractersticas de
dicho transistor con la temperatura o la potencia disipada. Para polarizar al
transistor en la zona activa, la corriente de colector es controlada por la corriente
de base. Para polarizar en la zona de corte, la unin base-emisor debe quedar
polarizada en inverso, o con tensin directa muy baja (tericamente 0 voltios), de
modo que Ic = 0 y VCE =Vcc.
El circuito tpico para establecer la polarizacin es el siguiente, en el se puede
determinar las siguientes relaciones:

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IE = Ic + Ib = Ic (1 + 1/
)
Vcc = Ic. Rc + VCE + IE. Re
Si >> 1, entonces IE = Ic y quedara as la anterior expresin:
VCE = Vcc - Ic. (Rc + Re)
Es decir, si se logra hacer IE independiente del transistor y >> 1, es posible fijar
el punto de trabajo elegido (Vceq, Icq), de forma que no vare frente a cambios de
temperatura, sustitucin de un transistor por otro, etc.

Para hacer que Ie sea fija hay que hacer que Ve sea constante (pues Ve = Ie . Re)
Una forma de hacerlo sera fijar la tensin de base, pues
Vb = Vbe + Ve = Vbe + Ie . Re
Si la variacin de Vbe es pequea frente al valor de Vb conseguiremos que Ve
sea constante. (Las variaciones de Vbe pueden deberse a los efectos
mencionados anteriormente).

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Para un transistor tpico de silicio de pequea potencia, que trabaje con corrientes
de colector habituales, Vbe puede variar entre 0.5 y 0.7 voltios, es decir Vbe = 0,6
0,l voltios.
Por lo tanto: Ve = Vb (0.6 0.1) voltios
Si Vb es mucho mayor que 0,1 voltios (p.e. > 2 voltios) resulta que las posibles
fluctuaciones de Vbe afectarn poco a Ve, o lo que es lo mismo, a Ie. La forma
ms sencilla de fijar Vb es utilizar un divisor resistivo de la tensin de la fuente (R1
y R2).
Se puede comprobar que dicho divisor fija una tensin:
Vb = Vcc . R2 / (R1 + R2)
siempre y cuando la corriente de base Ib sea mucho menor que la que atraviesa
las resistencias R1 y R2, es decir:
Ib = Ie / (
+ 1) << Vb / R2
Cuando el transistor opera en la regin activa, tiene unas caractersticas elctricas
lineales que son utilizadas para amplificacin. En estos circuitos, las seales de
entrada son amplificadas a la salida y, por consiguiente, hay un aporte de energa
realizado a travs de fuentes de tensin externas denominadas fuentes de
alimentacin o fuentes de polarizacin. Las fuentes de alimentacin cubren dos
objetivos: proporcionar las corrientes y tensiones en continua, que son necesarias
para que el transistor opere en la regin lineal, y suministrar energa al transistor
de la que parte de ella va a ser convertida en potencia (amplificacin). Los valores
de corrientes y tensiones en continua en los terminales de un transistor se
denomina punto de trabajo y se suele expresar por la letra Q (Quiescent operating
point).
Veamos cmo se calcula el punto de trabajo en el circuito de la siguiente figura, el
cual est polarizado con dos resistencias y una fuente de tensin VCC:

En este circuito se verifica que:


IB = (VCC VBE) / RB
Si suponemos que el transistor se encuentra en la regin directa lineal; entonces,
se puede relacionar las intensidades de base y colector a travs de la hFE y
asignar una tensin base-emisor tpica de 0.7 voltios. El clculo de las tensiones e

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intensidades del transistor proporciona su punto de trabajo Q. Para este circuito, Q


viene definido por las siguientes ecuaciones:
IBQ = (VCC 0.7 voltios) / RB
ICQ = hFE. IBQ
VCEQ = VCC ICQ . RC
En la figura anterior, se muestra la representacin grafica del punto de trabajo Q
del transistor, el cual est especificado a travs de tres parmetros: ICQ, IBQ y la
VCEQ. Este punto se encuentra localizado dentro de una recta denominada recta
de carga esttica: si Q se encuentra en el lmite superior de la recta, el transistor
estar saturado en el lmite inferior en corte y en los puntos intermedios en la
regin lineal. La tercera ecuacin define la recta de carga obtenida del circuito de
polarizacin, de forma que se tiene
VCC = VCE + IC . RC
Para dibujar esta recta de una manera sencilla en el plano (VCE, IC) del transistor
se selecciona dos puntos:
a) VCE = 0, entonces IC = VCC / RC
b) IC =0, entonces VCE = VCC
Estos puntos se pueden identificar en la figura anterior y representan los cortes de
la recta de carga esttica con los ejes de coordenadas.
Una de las primeras decisiones relacionadas con la polarizacin de un transistor
es seleccionar la situacin del punto Q. La seleccin ms prctica es situarla en la
mitad de la recta de carga esttica para que la corriente de colector sea la mitad
de su valor mximo, condicin conocida como excursin mxima simtrica.
Evidentemente, esta es una condicin de diseo que asegurar el mximo
margen del punto Q ante el incremento de cualquier signo de la intensidad de
colector. Sin embargo, hay muchas otras condiciones de operacin del transistor
que exige un desplazamiento de Q en uno u otro sentido. En estos casos, la
situacin del punto Q estar definida por las diferentes restricciones.
El transistor tiene unas tensiones y corrientes en sus terminales que le hacen
disipar energa. Esta potencia de disipacin se puede obtener aplicando la
definicin de potencia absorbida por un elemento tri-terminal que, en caso del
transistor, se expresa como:
PC = IB . VBE + IC . VCE
Debido a que, generalmente, la IB <<< IC y la VBE << VCE, el primer trmino de
esta ecuacin es despreciable frente al segundo, lo que da como resultado que:
PC IC . VCE
Esta ecuacin representa a una hiprbola en el plano (VCE, IC) de las curvas
caractersticas del transistor. El fabricante proporciona como dato la potencia de
disipacin mxima de un transistor, por ejemplo, el BC547 tiene una PCMAX = 500
mili watts. En la figura anterior, se representa la hiprbola de potencia mxima de
un transistor. Es preciso que el punto del trabajo Q est por debajo de esa curva,
sino el transistor se daara por efecto del calentamiento.

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1.4 Generadores de corriente


Como se ha podido observar en el apartado anterior, la corriente de colector de un
transistor no depende de Vc, siempre y cuando el transistor no entre en saturacin
(Vce < 0,4 V Vcb < 0). El transistor se comporta, por tanto, como un generador
de corriente. Lo anterior permite, una vez polarizado un transistor, utilizar el
colector del mismo como fuente de corriente (transistor pnp) o sumidero de la
misma (transistor npn) cuyo valor es:
Ic = (Vcc . R2 / (R1 + R2) - 0.6) / Re
Ntese que la corriente resultante (Ic) es constante, porque depende de valores
constantes: del valor de la fuente (Vcc) y de las resistencias (R1, R2 y Re).

Ejemplo. En el circuito simplificado, debemos calcular VBE, VBC y VCE, as como


las corrientes IB, IC e IE. Cuando EB = 5 voltios y cuando EB = 7 voltios, la ganancia
de corriente del transistor es = 100. Para los clculos, hemos reemplazamos al
transistor por su modelo, en el cual consideramos a IC como una fuente de
corriente igual a .IB y, por el lado de la base, consideramos entre base y emisor
una fuente de tensin igual a 0.7 voltios. Estamos usando el terminal emisor
conectado a tierra o cero voltios.

SOLUCIN: Al aplicar una diferencia de potencial positiva (> 0,7) a la base, se


polariza la unin BE en directa. Adems, si EB es inferior a la de la fuente
conectada al colector, la tensin de colector ser superior a la de la base, con lo
que la unin BC estar polarizada en inversa. Se dan, por lo tanto, las condiciones
necesarias para la operacin en zona activa, con lo que se verifica
aproximadamente que:
VBE = 0.7 voltios
IC = . IB

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El anlisis del circuito permite aadir dos ecuaciones nuevas para el clculo de IB,
IC y VCE:
EB = RB . IB + VBE
EC = RC . IC + VCE
De la primera expresin se obtiene IB:
IB = (EB VBE) / RB
Teniendo en cuenta que IC = . IB:
IC = (EB VBE) / RB
Finalmente:
VCE = EC RC. (EB VBE) / RB
VBC = VBE VCE = 0.7 EC + RC. (EB VBE) / RB
En la tabla siguiente, se adjuntan los resultados numricos de los dos casos
requeridos en el enunciado:
IB

IC

IE

VBE

VCE

VBC

EB = 5 V

43 A

4,3 mA

4,343 mA

0,7 V

5,7 V

-5 V

EB = 7 V

63 A

6,3 mA

6,363 mA

0,7 V

3,7 V

-3 V

Los resultados obtenidos en el ejemplo sugieren los siguientes comentarios:


La tensin VBC obtenida en ambos casos es negativa, lo que significa que la

polarizacin de la unin BC es inversa. Adems, como la corriente de la base


es positiva, queda comprobado que el transistor est operando en la zona
activa.
La corriente IE tiene un valor muy cercano al de IC. En la prctica, sera difcil
detectar la diferencia entre ambas mediante aparatos de medida
convencionales. Por ello, en ocasiones, se realiza la aproximacin IC = IE.
Una variacin de corriente en la base de tan slo 20 A provoca una variacin
en la tensin VCE de 2 voltios. Este es el principio de la amplificacin
analgica de seales.
Centremos ahora la atencin en la evolucin de VCE. Cuando el transistor est en
corte VCE = 0 voltios. En la zona activa, a medida que aumenta EB disminuye VCE.
Este resultado es lgico, puesto que IC es directamente proporcional a EB. Como
VCE = EC - RCIC, al aumentar el trmino negativo disminuye el valor de la resta.
Grficamente, puede representarse este hecho como sigue:

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Si RC fuera una lmpara, en el caso A, estara apagada; mientras que, en los


casos B y C, proporcionara luz. Evidentemente, en el caso C la intensidad de la
luz ser mayor que en el B, puesto que la tensin aplicada es mayor. Aqu, se
pone de manifiesto claramente el funcionamiento del transistor como resistencia
variable, ya que el comportamiento entre C y E es similar al de un potencimetro:
modificando la seal de control convenientemente podemos variar la tensin de
alimentacin de la bombilla entre 0 y 10 voltios.
1.5 El transistor como interruptor
La funcin del transistor como interruptor es exactamente igual que la de un
dispositivo mecnico: o bien deja pasar la corriente o bien la corta. La diferencia
est en que, mientras en el primero es necesario que haya algn tipo de control
mecnico, en el transistor, la seal de control es electrnica. En la siguiente figura,
se muestra la aplicacin al encendido de una lmpara o foco.

En el primer caso, bajo la seal de control de corte, ingresada a la base, el


transistor se comporta como un circuito abierto. Entre el emisor y el colector no
existir corriente y la bombilla estar apagada. En el segundo caso, cambiando la
seal de control a conduccin, se cierra el circuito entre C y E, y los 12 voltios se
aplican a la bombilla, la cual se enciende.
Este funcionamiento entre los estados de corte y conduccin se denomina
operacin en conmutacin. Las aplicaciones tpicas de este modo de operacin
son la electrnica de potencia y la electrnica digital, en la que los circuitos operan
con dos niveles de tensin fijos equivalentes al UNO y CERO lgicos.

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Autoevaluacin

Indique cules son los parmetros de un transistor bipolar.

Determine cules son las regiones de trabajo de un transistor y qu


caractersticas tienen cada una de ellas.

Imagine un circuito con un transistor 2N2222, el cual est polarizado mediante


dos resistencias, Rc para el colector y Rb para la base. Adems, considere que
usa una fuente de 10 voltios y que el emisor est conectado a tierra. A partir de
ello, determine los valores de las resistencias para que trabaje:
a.- En zona de corte
b.- En zona activa
c.- En saturacin

Sobre la base del ejemplo anterior, calcule la potencia del transistor para cada
uno de los tres casos.

Disee un circuito sobre la base de un transistor 2N2222 que haga la funcin


de generador de corriente de 10 miliamperios.

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Resumen

El transistor es un elemento de tres terminales que tiene la propiedad de variar la


corriente que circula a travs de l mediante una polarizacin muy pequea.
El transistor es un amplificador de corriente, el valor de la amplificacin est dado
por el parmetro (beta), el cual es un dato propio de cada transistor.
Un transistor est en corte cuando la corriente de colector es igual a la corriente
de emisor y estas son iguales a cero.
Un transistor est saturado cuando la corriente de colector es igual a la corriente
de emisor y toman el valor mximo.

Si desea saber ms acerca de estos temas, puede consultar las siguientes


pginas:
http://www.unicrom.com
Aqu, hallar conceptos relacionados al transistor.

http://www.electronicafacil.net/tutoriales/
Aqu, hallar informacin sobre circuitos elctricos.

http://www.alldatasheet.com/
Aqu, hallar informacin sobre datos tcnicos de cada componente, en
particular de transistores.

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UNIDAD DE
APRENDIZAJE

1
SEMANA

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DISCRETOS


LOGRO DE LA UNIDAD DE APRENDIZAJE

Al trmino de la unidad, los alumnos, trabajando en grupo y en forma individual,


disearn e implementarn circuitos de aplicacin haciendo uso de dispositivos
electrnicos discretos (diferentes tipos de diodos, transistores y SCRs). Asimismo,
harn uso de herramientas de medicin y comprobacin del funcionamiento de
dichos circuitos.

TEMARIO

Aplicaciones del transistor como amplificador

Polarizacin del transistor a travs de la base

Ganancia y resistencia de entrada de un amplificador

Estudio del transistor en AC

ACTIVIDADES PROPUESTAS

Los alumnos determinan los componentes de un amplificador basado en


transistores.

Los alumnos analizan las caractersticas de los amplificadores.

CARRERAS PROFESIONALES

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65

1. APLICACIONES DEL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR


El mundo est lleno de pequeas seales que necesitan amplificarse para
procesar la informacin que contienen, por ejemplo, pinsese en el caso de una
guitarra elctrica. El movimiento de una cuerda metlica en el interior de un
campo magntico (creado por los captadores o pastillas) provoca una pequea
variacin de tensin entre dos terminales de una bobina. Para que esa dbil seal
pueda llegar a los odos de todo un auditorio, es evidente que se necesita una
amplificacin. La seal producida por la pastilla de la guitarra viaja por un par de
terminales hasta el amplificador. Aqu se produce la transformacin de la pequea
seal, que es capaz ahora de excitar la membrana de un altavoz con la potencia
que se desee.
Para que se pueda or lo que se toca realmente, la amplificacin debe cumplir
ciertas condiciones:
Debe respetar la forma de onda de la tensin de entrada. Si no lo hace as,
se produce una distorsin, aportando una prdida de la informacin.
La energa absorbida de la fuente que emite la onda que se desea
amplificar debe ser mnima. El circuito amplificador necesita una fuente de
alimentacin propia.
1.1 El transistor bipolar como amplificador de seal
El esquema ms sencillo de amplificador de seales es el propio transistor bipolar
y lo vemos en el siguiente circuito:

Si el transistor se encuentra en la regin activa, hay una relacin lineal entre

:
Como es reflejo de la entrada e
lo es de la salida, este esquema proporciona
una ganancia en corriente. Sin embargo, presenta dos limitaciones muy
importantes:

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Slo amplifica la parte positiva de la seal: cuando

es menor que 0,7

voltios pasa al estado de corte, con lo que


.
Requiere seales de tensin grandes, por lo menos mayores que 0,7
voltios, ya que la seal de entrada ha de polarizar en directa la unin BE y
llevar el transistor a la regin activa.

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66

Con este dispositivo slo se puede trabajar con seales positivas mayores de 0,7
voltios. Por lo tanto, no es capaz de amplificar seales de alterna. La figura
siguiente representa, aproximadamente, la respuesta que se obtendra al tratar
seales de alterna:

1.2 Polarizacin del transistor a travs de la base

Este esquema presenta la novedad de la resistencia RB. Gracias a ella, la base se


polariza mediante la fuente de alimentacin EC y no mediante
llega a la base proviene de dos fuentes:

. La corriente que

: Es la seal que queremos amplificar, por lo tanto, ser variable en el


tiempo.

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67

: Esta corriente es la suministrada por EC, que es una fuente de continua,


para la polarizacin del transistor.

La intensidad de colector ser, si Q est en la RAN:

Finalmente, puede calcularse la tensin de salida

La siguiente figura ayuda a comprender mejor estos conceptos.

Tensiones y corrientes en el circuito de la figura anterior


La onda de salida es, efectivamente, proporcional a la entrada, pero est
desplazada en el eje de las "Y", es decir, tiene un componente de voltaje continuo
que ha sido introducida por la fuente de polarizacin del transistor.
LOGROS DEL ESQUEMA:
1. El transistor es tambin capaz de amplificar la parte negativa de la seal.
2. La tensin de entrada puede ser pequea, ya que ahora el transistor se
polariza a travs de una fuente de alimentacin ajena a la entrada.

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68

3. En la salida, se dispone de una seal de tensin, gracias a RC, que cumple


dos misiones:
o
o

Transforma en una tensin


.
Junto con RB lleva el transistor a la regin activa.

INCONVENIENTES:
Al conectar directamente el generador de seal a la entrada, IB ira a tierra a
travs de l. Esto podra daar el generador (en el ejemplo de la
introduccin, las pastillas o captadores de la guitarra elctrica).
Al conectar directamente la salida a la carga (altavoz), IC ira a tierra a travs
de ella, dandola.
Los inconvenientes de este esquema estn introducidos por la corriente continua
de polarizacin. Estas corrientes deben quedar limitadas al interior del dispositivo
amplificador.

1.3 El condensador de acoplamiento


El condensador es un componente que se comporta como un circuito abierto para
la corriente continua. Por medio de l, se asla tanto la entrada como la salida de
los componentes de voltaje continuo. Si elegimos correctamente el valor de la
capacidad de acuerdo con la frecuencia a la que se espera que trabaje el
dispositivo, se logra, adems, que estos condensadores se comporten como un
cortocircuito para las seales de alterna que se quieren amplificar. En cualquier
caso, la respuesta en frecuencia del amplificador queda limitada por los valores de
C1 y C2.

Esquema amplificador con condensadores de acoplamiento.


Una vez visto el esquema bsico de un amplificador, se enuncian los parmetros
ms importantes de ste:

: Seal de entrada (pequea seal AC).


: Corriente de entrada que se absorbe del generador de seal de entrada
(AC).

: Seal de salida (AC).


,

: Corrientes de polarizacin del transistor (DC).

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: Carga sobre la que se aplica la tensin de salida.

: Asla la entrada del circuito de la polarizacin en continua.

: Asla la salida del circuito de la polarizacin continua.

: Resistencias de polarizacin.

1.4 Ganancia y resistencia de entrada de un amplificador


El esquema presentado es slo una de las posibles soluciones vlidas para la
amplificacin de seales. Para comparar las caractersticas de todos ellos, se
definen dos parmetros de AC: la ganancia en tensin y la resistencia de
entrada:
1.4.1 Ganancia en tensin:
Es el cociente entre la seal de salida y la aplicada al dispositivo.
Normalmente, la ganancia depende de la carga que se conecte (

).

Ntese que, en este parmetro, se relacionan las amplitudes de las seales


alternas de entrada y de salida, y no los valores instantneos. Se da por
supuesto que el circuito va a mantener, en gran medida, la similitud de las
formas de onda, ya que de lo que se trata es de cuantificar la magnitud de la
amplificacin.
1.4.2 Resistencia de entrada:
La resistencia de entrada da una idea de la cantidad de corriente que absorbe
la fuente de seal que se desea amplificar. Dado que interesa absorber poca
energa de la fuente de seal, el amplificador ser tanto mejor cuanto mayor
sea su resistencia de entrada.

Puesto que la seal de entrada es alterna, estamos de nuevo ante un


parmetro que relaciona las amplitudes de las oscilaciones de las magnitudes
elctricas implicadas.
1.5 Mtodo de clculo
Cuando todos los componentes de un circuito responden a ecuaciones lineales,
se puede aplicar el principio de superposicin. En este caso, los transistores no
son componentes lineales. Sin embargo, teniendo en cuenta que las seales
aplicadas son de baja amplitud, el transistor opera soportando pequeas
oscilaciones con respecto a unas magnitudes continuas. De esta forma, es posible
aplicar la superposicin teniendo en cuenta el punto de operacin:

Clculo del punto de operacin DC: Se sustituyen los condensadores


por circuito abierto. A continuacin, se introduce el modelo DC del
transistor en la regin activa y se calculan los valores de las corrientes y
tensiones de polarizacin.

Determinacin del modelo AC del transistor: Ha de emplearse el


modelo de pequeas seales, teniendo en cuenta los resultados del
clculo del punto de operacin.

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70

Estudio del circuito en AC. En este estudio, los componentes de voltaje


continuo no afectan a la relacin de las amplitudes de las ondas AC. Por
consiguiente, pueden cortocircuitarse las fuentes de tensin continua. Si el
diseo del circuito es correcto, los condensadores pasan a comportarse
como cortocircuitos.

1.6 Ejemplo de clculo


A continuacin, se aplica este procedimiento al clculo de
esquema presentado en su funcionamiento en vaco.

en el ltimo

Punto de operacin DC

Circuito de polarizacin y su esquema equivalente en DC

Segn el circuito equivalente DC:

Parmetros del modelo equivalente AC


Los parmetros del modelo AC son la resistencia de entrada
dinmica de corriente

y la ganancia

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Estudio del transistor en AC


La siguiente figura muestra el esquema equivalente del circuito para las seales de
alterna.

Circuito equivalente AC
La resistencia RB est conectada por un Terminal a la fuente de seales y a la
base y, por el otro, a la fuente de alimentacin EC. Idealmente, esta fuente no
ofrece ningn obstculo para las seales de alterna. Considerando que su
resistencia interna sea nula, se comporta como un cortocircuito que conecta RB
con tierra. En el lado derecho del esquema, RC se une, por una parte, con el
colector del transistor y, por la otra, con tierra a travs de la fuente de alimentacin.
Es de vital importancia que se tenga en cuenta que, en este esquema, slo se
relacionan las amplitudes de las ondas y no sus valores instantneos.
Los valores de Rin y AV pueden obtenerse a partir del grfico anterior.

Como

Ntese que para el clculo de los parmetros rIN y AV no es necesario definir el


valor de vIN, ya que, en ambos casos, se calcula variaciones de una magnitud con
respecto a esa tensin de entrada.

Referencia de la informacin empleada:

http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/apuntes/electronbasic/6.htm

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Autoevaluacin

Cul es la relacin que existe entre la corriente de base y de colector cuando


se est trabajando en la zona activa?

En el circuito amplificador de la figura:


Calcular el punto de operacin DC del transistor.
Determinar el modelo AC para pequeas seales.
Calcular la ganancia y la resistencia de entrada del dispositivo.

En el circuito de la siguiente figura:


Hallar el punto de operacin DC del transistor.
Determinar el modelo AC de pequeas seales equivalente para ese punto
de operacin.
Hallar el valor de la impedancia de entrada y la ganancia en tensin.
Establecer la tensin de salida del circuito si la entrada es una onda
sinusoidal de 20 mili voltios de tensin entre pico y pico.

Para el amplificador de la siguiente figura calcular:


Punto de operacin DC.
Circuito equivalente AC.
Ganancia y resistencia de entrada.

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Resumen

Los amplificadores deben respetar la forma de onda de la tensin de entrada. Si


no lo hace as, se produce una distorsin, lo que genera una prdida de la
informacin.
Si el transistor se encuentra en la regin activa, hay una relacin lineal entre

El condensador es un componente que se comporta como un circuito abierto para


la corriente continua.
La ganancia en tensin es el cociente entre la seal de salida y la aplicada al
dispositivo.
La ganancia depende de la resistencia de carga.

Si desea saber ms acerca de estos temas, puede consultar las siguientes


pginas:

http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg/postscript/LibroEcaBasica/Tema1.pdf
Aqu, hallar circuitos de amplificadores con transistores.

http://www.electronicafacil.net/tutoriales/
Aqu, hallar informacin sobre transistores.
http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/apuntes/electronbasic/6.htm
Aqu, hallar informacin sobre cmo trabajar un amplificador con transistores
bipolares.

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UNIDAD DE
APRENDIZAJE

1
SEMANA

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DISCRETOS


LOGRO DE LA UNIDAD DE APRENDIZAJE

Al trmino de la unidad, los alumnos, trabajando en grupo y en forma individual,


disearn e implementarn circuitos de aplicacin haciendo uso de dispositivos
electrnicos discretos (diferentes tipos de diodos, transistores y SCRs). Asimismo,
harn uso de herramientas de medicin y comprobacin del funcionamiento de
dichos circuitos.

TEMARIO

Sesin de integracin

Aplicacin de diodos y transistores

Circuitos con transistores y diodos en polarizacin.

Circuitos con transistores y diodos en alterna.

ACTIVIDADES PROPUESTAS

Diferencian a los tipos de rectificadores.

Calculan los voltajes y corrientes de los circuitos.

Calculan la ganancia del amplificador.

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1. Sesin Integradora
1.1 Revisin de conceptos:
Se inicia solicitando algunos conceptos que no hayan quedado claros, para luego
en base a los circuitos explicar el funcionamiento de los mismos.
Para el anlisis de los circuitos, se ha elegido algunos de ellos para su explicacin
por parte del profesor.
1.2 Circuitos de diodos:
Circuito rectificador de media onda:

Circuito rectificador de onda completa con transformador de punto medio:

Circuito rectificador de onda completa sin transformador de punto medio:

Explicar las etapas necesarias para convertir un voltaje alterno en voltaje continuo,
en las etapas resaltar el uso de los rectificadores, filtros y reguladores.

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Explicar el funcionamiento del regulador positivo variable, LM317, el cual nos


permite tener una fuente de voltaje variable para nuestros experimentos.

1.3 Circuitos de transistores:


Explicar el funcionamiento del transistor trabajando polarizado y se debe
determinar la recta de carga y el punto de trabajo.

Las frmulas a tener en cuenta para el circuito de polarizacin son:


IB = (VCC VBE) / RB
IBQ = (VCC 0.7 voltios) / RB
ICQ = hFE. IBQ
VCEQ = VCC ICQ . RC
Una forma simplificada del circuito de polarizacin es el siguiente circuito, donde
se considera constante el voltaje entre base y emisor y se lo reemplaza por una
fuente de voltaje de 0,7 voltios, por otro lado, la relacin entre la corriente de
colector se lo considera como una fuente de corriente dependiente de la corriente
de base.

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Explicar en que condiciones el transistor trabaja como un interruptor y que


aplicaciones se le puede dar.

Explicar la aplicacin del transistor como amplificador y la importancia de los


condensadores de acoplamiento, sin ellos se afectara la polarizacin del circuito
amplificador.

Para analizar la ganancia del amplificador es necesario cambiar del circuito de


polarizacin al circuito equivalente en seales. Usando los parmetros hie y hfe se

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puede simplificar el clculo de las corrientes y voltajes y consecuentemente la


ganancia del amplificador.

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UNIDAD DE
APRENDIZAJE

1
SEMANA

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DISCRETOS


LOGRO DE LA UNIDAD DE APRENDIZAJE

Al trmino de la unidad, los alumnos, trabajando en grupo y en forma individual,


disearn e implementarn circuitos de aplicacin haciendo uso de dispositivos
electrnicos discretos (diferentes tipos de diodos, transistores y SCRs). Asimismo,
harn uso de herramientas de medicin y comprobacin del funcionamiento de
dichos circuitos.

TEMARIO

Transistores de efecto de campo

Ventajas y desventajas del FET

Zonas de trabajo

Transistores MOSFET

Polarizacin de los FET

ACTIVIDADES PROPUESTAS

Reconocen las caractersticas de los transistores de efecto de campo.

Aprenden a calcular los voltajes y corrientes usados en los circuitos con


transistores JFET y MOSFET.

Polarizan a los transistores en las diferentes zonas de trabajo.

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1. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO


Referencia: Electrnica bsica para ingenieros

Los transistores de efecto de campo o FET (Field Electric Transistor) son


particularmente interesantes en circuitos integrados y pueden ser de dos tipos:
transistor de efecto de campo de unin o JFET y transistor de efecto de campo
metal-oxido semiconductor (MOSFET). Estos son dispositivos controlados por
tensin y tienen alta impedancia de entrada (1012). Ambos dispositivos se utilizan
en circuitos digitales y analgicos como amplificadores o como conmutadores.
Sus caractersticas elctricas son similares aunque su tecnologa y estructura
fsicas son totalmente diferentes.
1.1 Ventajas del FET:
Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada muy
elevada (107 a 1012).
Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT.
Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT, pues precisan menos pasos
y permiten integrar ms dispositivos en un circuito integrado.
Los FET se comportan como resistencias controladas por tensin para
valores pequeos de tensin drenaje-fuente.
La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo
suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.
Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar
corrientes grandes.
1.2 Desventajas que limitan la utilizacin de los FET:
Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta
capacidad de entrada.
Los FET presentan una linealidad muy pobre y, en general, son menos
lineales que los BJT.
Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica.
En este apartado, se estudiarn las caractersticas de ambos dispositivos
orientadas, principalmente, a sus aplicaciones analgicas.
1.3 Caractersticas elctricas del JFET
El JFET de canal N est constituido por una barra de Silicio de material
semiconductor de tipo N con dos regiones de material tipo P situadas a ambos
lados. Es un elemento de tres terminales, los cuales se denominan drenador
(drain), fuente (source) y puerta (gate). En la siguiente figura, se describe un
esquema de un JFET de canal N, su smbolo y el smbolo de un JFET de canal P.

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83

La polarizacin de un JFET exige que las uniones P-N estn inversamente


polarizadas. En un JFET de canal N, o NJFET, la tensin de drenador debe ser
mayor que la de la fuente para que exista un flujo de corriente a travs de canal.
Adems, la puerta debe tener una tensin ms negativa que la fuente para que la
unin P-N se encuentre polarizada inversamente. Ambas polarizaciones se
indican en la siguiente figura:

Las curvas de caractersticas elctricas de un JFET son muy similares a las


curvas de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos
controlados por tensin, a diferencia de los bipolares que son dispositivos
controlados por corriente. Por ello, en el JFET intervienen como parmetros: ID
(intensidad drain o drenador a source o fuente), VGS (tensin gate o puerta a
source o fuente) y VDS (tensin drain o drenador a source o fuente). Se definen
cuatro regiones bsicas de operacin: corte, lineal, saturacin y ruptura. A
continuacin, se realiza una descripcin breve de cada una de estas regiones
para el caso de un NJFET.
1.3.1 Regin de corte
En esta regin, la intensidad entre drenador y fuente es nula (ID = 0). En este
caso, la tensin entre puerta y fuente es lo suficientemente negativa, ya que
las zonas de inversin bloquean y estrangulan el canal cortando la corriente
entre drenador y fuente. En las hojas tcnicas, se denomina a esta tensin
como de estrangulamiento o pinch-off y se representa por VGS(off) o Vp. Por
ejemplo, el BF245A tiene una VGS(off) = -2 voltios.
1.3.2 Regin lineal
En esta regin, el JFET se comporta como una resistencia no lineal que es
utilizada en muchas aplicaciones donde se precise una resistencia variable
controlada por tensin. El fabricante proporciona curvas de resistencia
drenador-fuente (Rds(on)) para diferentes valores de VGS.
1.3.3 Regin de saturacin
En esta regin, de similares caractersticas que un BJT en la regin lineal, el
JFET tiene unas caractersticas lineales que son utilizadas en amplificacin.
Se comporta como una fuente de intensidad controlada por la tensin VGS,
cuya ID es prcticamente independiente de la tensin VDS. La ecuacin que

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84

relaciona la ID con la VGS se conoce como ecuacin cuadrtica o ecuacin de


Schockley que viene dada por

donde Vp es la tensin de estrangulamiento y la IDSS es la corriente de


saturacin. Esta corriente se define como el valor de ID cuando VGS = 0, y
esta caracterstica es utilizada con frecuencia para obtener una fuente de
corriente de valor constante (IDSS). La ecuacin anterior en el plano ID y VGS
representa una parbola desplazada en Vp. Esta relacin junto a las
caractersticas del NJFET mostrados en la figura anterior permiten obtener
grficamente el punto de trabajo Q del transistor en la regin de saturacin.
La siguiente figura muestra la representacin grfica de este punto Q y la
relacin existente en ambas curvas, las cuales permiten determinar el punto
de polarizacin de un transistor utilizando mtodos grficos.

1.3.4 Regin de ruptura


Una tensin alta en los terminales del JFET puede producir ruptura por
avalancha a travs de la unin de puerta. Las especificaciones de los
fabricantes indican la tensin de ruptura entre drenaje y fuente con la puerta
cortocircuitada con la fuente. Esta tensin se designa por BVDSS y su valor
est comprendido entre 20 y 50 voltios. Las tensiones de polarizacin nunca
deben superar estos valores para evitar que el dispositivo se deteriore.
Por ltimo, debemos comentar las diferencias existentes entre un NJFET y
PJFET. Las ecuaciones desarrolladas anteriormente para el JFET son vlidas
para el PJFET, si consideramos el convenio de signos indicados en la
siguiente tabla:

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1.4 Transistores MOSFET


Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos
de efecto de campo que utilizan un campo elctrico para crear un canal de
conduccin. Son dispositivos ms importantes que los JFET, ya que la mayor
parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnologa MOS.
Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET
de canal P o PMOS. A su vez, estos transistores pueden ser de acumulacin
(enhancement) o deflexin (deplexion). En la actualidad, los segundos estn
prcticamente en desuso y aqu, nicamente, sern descritos los MOS de
acumulacin (tambin conocidos como de enriquecimiento). En la figura siguiente,
se indica los diferentes smbolos utilizados para describir los transistores MOS.

En el grfico que aparece a continuacin, se describe la estructura fsica de un


MOSFET de canal N con sus cuatro terminales: puerta, drenador fuente y
substrato. Normalmente, el sustrato se encuentra conectado a la fuente. La
puerta, cuya dimensin es (W x L), est separada del substrato por un dielctrico
(Si02) y forma una estructura similar a las placas de un condensador. Al aplicar
una tensin positiva en la puerta se induce cargas negativas (capa de inversin)
en la superficie del substrato y se crea un camino de conduccin entre los
terminales drenador y fuente.

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La tensin mnima para crear esa capa de inversin se denomina tensin umbral o
tensin de threshold (VT) y es un parmetro caracterstico del transistor. Si la VGS
< VT, la corriente de drenador-fuente es nula. Valores tpicos de esta tensin son
de 0.5 voltios a 3 voltios.
Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura fsica muy diferente pero
sus ecuaciones analticas son muy similares. Por ello, en los transistores MOS se
definen las mismas regiones de operacin: corte, lineal, saturacin y ruptura. En la
siguiente figura, se muestran las curvas de caractersticas elctricas de un
transistor NMOS con las diferentes regiones de operacin que son descritas
brevemente a continuacin.

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Regin de corte
Se verifica que VGS < VT y la corriente ID es nula.
Regin lineal
El transistor se comporta como un elemento resistivo no lineal controlado
por tensin.
Regin saturacin
El transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la
tensin VGS.

1.4 Polarizacin de los FET


Los circuitos bsicos que se utilizan para polarizar los BJT se pueden emplear
para los MOSFET. EL JFET tiene el inconveniente de que la tensin VGS debe ser
negativa en un NJFET (positiva en un PJFET) que exige unos circuitos de
polarizacin caractersticos para este tipo de dispositivos. En este apartado,
nicamente se presentan dos de los circuitos ms utilizados: el de polarizacin
simple:

el cual utiliza una fuente de tensin externa para generar una VGS < 0, y el de
auto polarizacin:

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donde la cada de tensin en la resistencia RS debida a ID permite generar una VGS<0.

Referencias de la informacin empleada:

Electrnica Bsica para Ingenieros de Gustavo A. Ruiz Robredo

http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg/postscript/LibroEcaBasica/

http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg/postscript/LibroEcaBasica/Tema1.pdf

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Autoevaluacin

Indique los tipos de transistores JFET y qu caractersticas lo diferencian.

Determine cmo podemos hacer para que un JFET trabaje en zona de corte y
tambin en la zona de saturacin.

Resuma las caractersticas importantes del transistor MOSFET.

Implemente un circuito con un transistor JFET que trabaje en la regin lineal.

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Resumen

Los transistores de efecto de campo o FET (Field Electric Transistor) son de dos
tipos: transistor de efecto de campo de unin o JFET y transistor de efecto de
campo metal-oxido semiconductor (MOSFET).
El JFET de canal n es un elemento de tres terminales los cuales se denominan
drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate).
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos
de efecto de campo que utilizan un campo elctrico para crear una canal de
conduccin.
Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura fsica muy diferente pero
sus ecuaciones analticas son muy similares.

Si desea saber ms acerca de estos temas, puede consultar las siguientes


pginas:
http://www.unicrom.com
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/

Aqu, hallar informacin de circuitos e informacin de transistores.


http://www.alldatasheet.com/
Aqu, hallar informacin sobre datos tcnicos de cada componente, en particular
de transistores.

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UNIDAD DE
APRENDIZAJE

1
SEMANA

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DISCRETOS


LOGRO DE LA UNIDAD DE APRENDIZAJE

Al trmino de la unidad, los alumnos, trabajando en grupo y en forma individual,


disearn e implementarn circuitos de aplicacin haciendo uso de dispositivos
electrnicos discretos (diferentes tipos de diodos, transistores y SCRs). Adems,
harn uso de herramientas de medicin y comprobacin del funcionamiento de
dichos circuitos.

TEMARIO

Introduccin a los tiristores

Zonas de trabajo: directa e inversa

Funcionamiento bsico del SCR

El tiristor en corriente continua y corriente alterna

ACTIVIDADES PROPUESTAS

Los alumnos reconocen las caractersticas de los tiristores.

Los alumnos calculan los voltajes y corrientes usados en los circuitos con
tiristores.

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1. INTRODUCCIN A LOS TIRISTORES


La electrnica de potencia concierne a los circuitos con tiristores, a su diseo y a
su funcin en el control de potencia en un sistema. Existe gran variedad de
tiristores, pero todos ellos tienen ciertas propiedades en comn: son dispositivos
de estado slido que se disparan bajo ciertas condiciones y que pasan de un
estado de alta impedancia a uno de baja, que se mantiene mientras que la
corriente y la tensin sean superiores a un valor mnimo (denominado nivel de
mantenimiento).
Estructuralmente, todos los tiristores consisten en varias capas alternadas de
silicio dopado con impurezas p y n. El disparo de un tiristor se realiza inyectando
corrientes en esas uniones de forma que, mediante una reaccin regenerativa,
conmuta a conduccin y lo mantiene en este estado, aunque la seal de disparo
sea retirada, siempre que se verifiquen unos requerimientos mnimos de tensin y
corriente. Estas caractersticas hacen que los tiristores sean mucho ms tiles que
los conmutadores mecnicos en trminos de flexibilidad, duracin y velocidad.
Estos dispositivos se utilizan en control de potencia, convertidores DC-DC o DCAC o AC-DC o AC-AC, motores, luz incandescente, etc. En la siguiente figura, se
muestran los smbolos de los dispositivos pertenecientes a la familia de los
tiristores. El rectificador controlado de silicio o Silicon Controlled Rectifiers (SCR)
es el tiristor de mayor inters en la actualidad. El control de estos dispositivos se
realiza a travs de transistores, compuertas lgicas y luz como en los triacs opto
electrnicos. Tambin, se tiene transistores de uniunion (UJTs), transistores de
uniunion programables (PUTs), conmutadores bidireccionales de Silicio (SBSs),
etc.

1.1 Diodo de cuatro capas


El diodo de cuatro capas o diodo Shockley es un dispositivo compuesto por cuatro
capas semiconductores npnp, cuya estructura y smbolo se describen en el
grfico siguiente. Esencialmente, es un dispositivo interruptor. Al aplicar una
tensin positiva entre nodo y ctodo se puede observar que la unin J1 y J3 est
polarizada en directa, y la unin J2 est polarizada en inversa. En estas
condiciones, nicamente, circula una corriente muy baja (despreciable) y el
dispositivo se encuentra cortado. Si se aumenta esta tensin positiva se llega a
una tensin VBO de ruptura o avalancha donde la corriente crece de forma abrupta

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93

y la cada de tensin decrece de la misma manera. En este momento, el diodo ha


conmutado desde el estado de bloqueo a conduccin.

Una manera sencilla de entender el funcionamiento de este diodo consiste en


separar su estructura fsica en dos mitades. La mitad izquierda es un transistor
NPN y la mitad derecha PNP, lo que da como resultado el circuito equivalente
indicado como modelo de conduccin en la figura anterior.

Las caractersticas elctricas de un diodo de cuatro capas se muestran en el


grfico de la figura anterior. En este grfico, se pueden identificar dos zonas y
cuatro regiones de operacin.
1.2 Zonas de trabajo: directa e inversa
1.2.1 Zona directa (V > 0)
Regin de corte. El diodo se encuentra en corte con unas corrientes
muy bajas. En esta regin, se puede modelar como una resistencia
ROFF de valor
ROFF = VBO / IBO

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Regin de resistencia negativa. Cuando la tensin entre nodo y


ctodo es suficientemente alta se produce la ruptura de la unin con un
incremento muy elevado en corriente comportndose el diodo como si
fuera una resistencia negativa debido a la realimentacin positiva de su
estructura.

Regin de saturacin o conduccin. En esta regin, la cada de tensin


entre nodo y ctodo est comprendida entre 0.5 voltios y 1.5 voltios,
prcticamente independiente de la corriente. Se mantendr en este
estado siempre que la tensin y corriente alcancen unos valores
mnimos conocidos como niveles de mantenimiento definidos por VH e
IH.

1.2.2 Zona inversa (V <0)


Regin de ruptura. El diodo puede soportar una tensin mxima
inversa VRSM. Una vez superado ese valor entra en conduccin
debido a fenmenos de ruptura por avalancha.
1.3 SIDAC
El SIDAC es un dispositivo bilateral de disparo de alta tensin y corriente. Es,
bsicamente, un diodo de cuatro capas con unas caractersticas elctricas
simtricas. En la siguiente figura, se describe su estructura fsica, el smbolo de
este dispositivo y sus caractersticas elctricas simtricas. El SIDAC se utiliza en
aquellas aplicaciones en las que se necesita una tensin de disparo VBO cuyos
valores estn comprendidos entre 120 voltios y 270 voltios (tpicos).

1.4 El SCR
El Silicon Controled Rectifier es un dispositivo triterminal (A o nodo, C o ctodo y
G o gate o puerta de control) muy similar al diodo de cuatro capas descrito en la
anterior seccin, pero que posee una entrada adicional (G) que permite disparar el
dispositivo antes de alcanzar la VBO. En la figura siguiente, se muestra el smbolo
del SCR y su modelo mediante transistores. En el modelo a nivel de transistor, se
observa claramente que, al introducir una corriente por la lnea G, se produce la
conduccin de los transistores, es decir, el disparo del dispositivo sin ser
necesario alcanzar la VBO.

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La siguiente figura permite ver claramente cmo las caractersticas del SCR
varan con la corriente de su puerta, cuyos valores son del orden de miliamperios
o inferiores.

A continuacin, se detallan algunos parmetros caractersticos de los SCR.

Tiempo de conduccin (Turn-on Time). Tiempo de duracin mnima de la


tensin de disparo para pasar el SCR de bloqueo a conduccin. Este tiempo
tiene dos componentes: TON = td+tr, siendo td el tiempo de retraso (delay time) y
tr el tiempo de subida (rise time). Por ejemplo, el 2N5060 tiene el TON = td + tr =
3s + 0.2s = 3.2s.

Tiempo de corte (Turn-off Time). Tiempo que el SCR puede permanecer por
debajo de las condiciones de mantenimiento. El 2N5060 tiene un TOFF = tq de
10s.

Mxima corriente de conduccin. Mxima corriente eficaz que puede circular


por el SCR durante el estado de conduccin. Para el 2N5060, la IT(rms) = 0.8A.

Velocidad crtica de elevacin. Variaciones muy rpidas de tensin entre el


nodo y ctodo en un SCR pueden originar un disparo indeseado. Para evitar
este problema, la variacin de tensin nodo-ctodo no debe superar un valor
conocido como velocidad critica de elevacin (dv/dt). Si se supera este valor,
adems de producir el disparo, se puede llegar a deteriorar el dispositivo. El
2N5060 tiene un dv/dt = 30voltios/s. A veces, transitorios en las lneas de

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alimentacin pueden originar problemas de comportamiento del SCR al ser


superada su velocidad crtica de elevacin. Los circuitos de proteccin contra
transitorios de corriente y transitorios de tensin evitan este indeseado disparo.
Bsicamente, son filtros basados en RC o inducciones que eliminan esas
seales espurias, tal como lo muestra la siguiente figura:

El SCR es un dispositivo semiconductor de 4 capas que funciona como un


conmutador casi ideal.

1.4.1 Funcionamiento bsico del SCR


El grfico muestra un circuito equivalente del SCR que permite comprender
su funcionamiento. Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y
colector de Q1), se producen dos corrientes: IC2 = IB1.
IB1 es la corriente base del transistor Q1 y hace que exista una corriente de
colector de Q1 (IC1) que, a su vez, alimenta la base del transistor Q2 (IB2).
Este, por su parte, causa ms corriente en IC2, que es lo mismo que IB1 en la
base de Q1. As, sucesivamente, este proceso regenerativo se repite hasta
saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR.
Los parmetros del SCR son
VRDM: Mximo voltaje inverso de cebado (VG = 0)
VFOM: Mximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
IF: Mxima corriente directa permitida
PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo
VGT-IGT: Mximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G)
para el cebado
IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener cebado el
SCR
dv/dt: Mxima variacin de voltaje sin producir cebado
di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de destruir el
SCR

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Para analizar la curva caracterstica del SCR usemos la siguiente figura,


donde se muestra la dependencia entre el voltaje de conmutacin y la
corriente de compuerta. Cuando el SCR est polarizado en inversa se
comporta como un diodo comn (ver la corriente de fuga caracterstica que
se muestra en el grfico).

En la regin de polarizacin en directo, el SCR se comporta tambin como un


diodo comn, siempre que el SCR ya haya sido activado (On).
Ver los puntos D y E, en dicha zona el SCR est conduciendo.
Para valores altos de corriente de compuerta (IG), como en el punto C, el
voltaje del nodo a ctodo es menor, tomando el valor de VC. Si la IG
disminuye, el voltaje nodo-ctodo aumenta, tomando valores como VB
hasta llegar a VA, donde IG es igual a cero.
En conclusin, al disminuir la corriente de compuerta IG, el voltaje nodoctodo tender a aumentar antes de que el SCR conduzca, o sea, se active.
1.4.2 El funcionamiento de un tiristor en corriente continua
Normalmente, el tiristor trabaja con polarizacin directa entre nodo (A) y
ctodo (C o K). La corriente circular en el sentido de la flecha del tiristor.
Bajo esta condicin, slo es necesario aplicar un pulso en la compuerta (G)
para activarlo. Este pulso debe tener una amplitud mnima para que la
corriente de compuerta (IG) provoque la conduccin. Una vez que entr en
conduccin se mantiene en ese estado.

En este grfico, se ve una aplicacin sencilla del tiristor en corriente continua.


El SCR se comporta como un circuito abierto hasta que activa su compuerta
(GATE) con un pulso de tensin que causa una pequea corriente, para ello
cerramos momentneamente el interruptor S. El tiristor conduce y se
mantiene conduciendo, y no necesita de ninguna seal adicional para

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mantener la conduccin; sin embargo, tambin nos damos cuenta de que no


es posible desactivar el tiristor, ya que no podremos ordenar que deje de
conducir.
La duracin del pulso aplicado a la compuerta G debe ser lo suficientemente
largo para asegurar que la corriente de nodo se eleve hasta el valor de
retencin. Otro aspecto importante a tomar en cuenta es la amplitud del pulso
que influye en la duracin de ste.
1.4.3 Desactivacin de un tiristor
El tiristor, una vez activado, se mantiene conduciendo, mientras la corriente
de nodo (IA) sea mayor que la corriente de mantenimiento (IH).
Normalmente, la compuerta (G) no tiene control sobre el tiristor una vez que
este est conduciendo.
Opciones para desactivar un tiristor:
Se abre el circuitos del nodo para eliminar la corriente (IA = 0).
Se polariza inversamente el circuito nodo-ctodo. De esta manera, el
ctodo tendr un nivel de tensin mayor que el del nodo.
Se deriva la corriente del nodo IA, de manera que esta corriente se
reduzca y sea menor a la corriente de mantenimiento IH.
Si se disminuye lentamente el voltaje, el tiristor seguir conduciendo hasta
que por l pase una cantidad de corriente menor a la llamada "corriente de
mantenimiento o de retencin (IH)", lo que causar que el SCR deje de
conducir, aunque la tensin VG (voltaje de la compuerta con respecto a
tierra) no sea cero.
Como se puede ver, el SCR tiene dos estados:
Estado de conduccin, en el que la resistencia entre nodo y ctodo
es muy baja.
Estado de corte, en el que la resistencia es muy elevada.
1.4.4 El Tiristor con carga inductiva
Cuando la carga del SCR no es totalmente resistiva, como se muestra en el
grfico anterior, sino una carga inductiva, mediante una bobina, se debe
tener en cuenta el tiempo que tarda la corriente en aumentar en una bobina.
El pulso que se aplica a la compuerta debe ser lo suficientemente duradero
para que la corriente de la carga iguale a la corriente de enganche y as el
tiristor se mantenga en conduccin.

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1.4.5 El tiristor y la corriente alterna. Control de fase con tiristor


Se usa principalmente para controlar la potencia que se entrega a una carga,
como en el caso del siguiente circuito de control de un foco:

La fuente de voltaje puede ser de 220V AC. La potencia suministrada a la


carga se controla variando el ngulo de conduccin. Para ello, el circuito RC
produce un corrimiento de la fase entre la tensin de entrada y la tensin en
el condensador que es la que suministra la corriente a la compuerta del SCR.
Como R es un potencimetro, el valor resistivo puede variar y as producir un
corrimiento de fase ajustable, que causar que la entrega de potencia al foco
sea variable. Con esto se logra que la intensidad de la luz en el foco vare. El
diodo en la compuerta del SCR se usa para bloquear la tensin de
compuerta durante el ciclo negativo (de 180 a 360).
Formas de onda de la seales en la entrada y en la carga.

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El primer diagrama muestra la onda de entrada (Ven). Esta es una


onda senoidal que vara desde cero y va aumentando hasta 90,
luego va reducindose hasta llegar a ser cero en 180 y, as, va
cambiando como lo vemos en la figura.
El segundo diagrama muestra la seal aplicada a la carga cuando el
disparo es a los 45.
El tercer diagrama muestra la seal aplicada a la carga cuando el
disparo es a los 150.

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100

En el segundo y tercer diagramas se ve que la semionda negativa ha


desaparecido. Esto se debe a que el tiristor se comporta, cuando est
conduciendo, como un diodo.
El rea bajo la curva en el segundo y tercer diagramas representa la energa
transferida a la carga.
El segundo diagrama tiene un rea mayor bajo la curva. Esto indica que, en
este caso, hay ms energa entregada al foco que en el tercer diagrama.
El mximo corrimiento de fase se logra cuando el potencimetro tiene su
mayor valor y el mnimo cuando este tiene su valor ms pequeo.
Ntese que cuando R = 0 (valor mnimo del potencimetro), el condensador
est en paralelo con el tiristor y ste se comporta prcticamente como un
diodo, pues se dispara casi inmediatamente despus que la seal de entrada
pasa los 0.
1.4.6 Proteccin del Tiristor
El tiristor puede daarse si no se toman algunas precauciones.
Proteccin contra incrementos bruscos de corriente. Este problema
aparece cuando se tiene una carga capacitiva (un condensador). En
dicho caso, al inicio, los condensadores se comportan como un corto
circuito demandando gran cantidad de corriente a travs del tiristor.
Para evitar este problema, se pone en serie con la carga una
inductancia de poco valor, para retardar el incremento de la corriente
a un valor aceptable. Esto se logra ya que las inductancias se oponen
a cambios bruscos de corriente.

Proteccin contra cambios bruscos de tensin entre el nodo y el


ctodo pueden producir cambios no deseados, causando que el
tiristor se dispare y empiece a conducir. Para evitar este
inconveniente, se utiliza un circuito RC en paralelo con el tiristor como
se muestra en el grfico siguiente. Este circuito limita la velocidad de
subida de la tensin en los terminales del tiristor. Recuerde que el
condensador se opone a cambios bruscos de tensin.

Referencia de la informacin empleada:

Pgina de Gustavo A. Ruiz Robredo. Universidad de Cantabria


http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg/postscript/LibroEcaBasica/Tema12.pdf

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101

Autoevaluacin

Indique las caractersticas de un diodo de cuatro capas, encuentre un modelo


comercial para usarlo como referencia.

Indique los parmetros de un SCR.

Determine el circuito de un tiristor disparado con un circuito R, C y un diodo.

De qu manera se debe proteger a un tiristor?

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102

Resumen

Estructuralmente, todos los tiristores consisten en varias capas alternadas de


Silicio dopado con impurezas p y n.
El rectificador controlado de Silicio o Silicon Controlled Rectifiers (SCR) es el
tiristor de mayor importancia por sus variadas aplicaciones.
El SCR es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que funciona como un
conmutador casi ideal.
El SIDAC es un dispositivo bilateral de disparo de alta tensin y corriente.
El SCR tiene dos estados: estado de conduccin, en donde la resistencia entre
nodo y ctodo es muy baja, y el estado de corte, donde la resistencia es muy
elevada.
Si desea saber ms acerca de estos temas, puede consultar las siguientes
pginas:

http://www.dte.uvigo.es/recursos/potencia/dc-ac/tiristor.htm
Aqu, hallar informacin de circuitos de tiristores, tipos y caractersticas.

http://www.electronica2000.com/temas/tiristor.htm
Aqu, hallar informacin que describe a los tiristores.
http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/
Aqu, hallar informacin de applets que muestran las grficas de tiristores y
TRIACs.

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103

UNIDAD DE
APRENDIZAJE

1
SEMANA

10

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DISCRETOS


LOGRO DE LA UNIDAD DE APRENDIZAJE

Al trmino de la unidad, los alumnos, trabajando en grupo y en forma individual,


disearn e implementarn circuitos de aplicacin haciendo uso de dispositivos
electrnicos discretos (diferentes tipos de diodos, transistores y SCRs). Adems,
harn uso de herramientas de medicin y comprobacin del funcionamiento de
dichos circuitos.

TEMARIO

Aplicaciones del TRIAC

Aplicaciones del DIAC (Diode Alternative Current)

ACTIVIDADES PROPUESTAS

Los alumnos determinan las caractersticas de un TRIAC para controlar la


intensidad de encendido de un foco o el funcionamiento del motor.

Los alumnos determinan las diferencias entre un DIAC y un SBS.

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104

1. Aplicaciones de los tiristores


1.1 Aplicaciones del TRIAC
El TRIAC es, en esencia, la conexin de dos tiristores en paralelo, pero que estn
conectados en sentido opuesto y que comparten la misma compuerta. Observa
las siguientes imgenes:

El TRIAC slo se utiliza en corriente alterna y, al igual que el tiristor, se dispara


por la compuerta. Como el TRIAC funciona en corriente alterna, habr una parte
de la onda que ser positiva y otra negativa. La parte positiva de la onda
(semiciclo positivo) pasar por el TRIAC, siempre y cuando haya habido una
seal de disparo en la compuerta. De esta manera, la corriente circular de arriba
hacia abajo (pasar por el tiristor que apunta hacia abajo). De igual forma, la
parte negativa de la onda (semiciclo negativo) pasar por el TRIAC siempre y
cuando haya habido una seal de disparo en la compuerta. En esta perspectiva,
la corriente circular de abajo hacia arriba (pasar por el tiristor que apunta hacia
arriba).
Para ambos semiciclos, la seal de disparo se obtiene del mismo terminal
(compuerta). Lo interesante es que se puede controlar el momento de disparo
desde este terminal y, as, controlar el tiempo que cada tiristor estar en
conduccin. Por lo tanto, si se controla el tiempo que cada tiristor est en
conduccin, se puede controlar la corriente que entrega a una carga y, por
consiguiente, la potencia que consume.
Una de las aplicaciones ms tpicas de uso domstico es el regulador de luz. La
siguiente figura muestra un esquema de este circuito basado en el TRIAC
MAC218A de Motorola y cuyo control de disparo se realiza a travs de un SBS
(Silicon Bilateral Switch).

La resistencia R1+ R2 carga el condensador C1 a travs de la propia tensin de


alimentacin en alterna y, cuando se alcanza la tensin de ruptura del SBS, este
dispara el TRIAC haciendo circular la corriente por la carga, o sea, por el foco. El
uso de TRIAC y SBS permite el control de potencia en semiperiodos positivos y
negativos.

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105

El ngulo de conduccin se controla a travs de la resistencia variable R1.


Mientras ms pequeo sea su valor, el ngulo de conduccin ser mayor, y
viceversa. Las ecuaciones de funcionamiento del circuito son difciles de extraer
pero, en la figura anterior, se indican los valores tpicos de los diferentes
componentes. Los diodos, la resistencia de R4 y el condensador C2 actan como
elementos de proteccin.
1.2 Aplicaciones del DIAC (Diode Alternative Current)
DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseado para disparar
TRIACs y tiristores. Es un dispositivo disparado por tensin. Tiene dos terminales:
MT1 y MT2. Vase el diagrama:

El DIAC se comporta como dos diodos Zener conectados en serie, pero


orientados en forma opuesta. La conduccin se da cuando se ha superado el
valor de tensin del Zener que est conectado en sentido opuesto. El DIAC,
normalmente, no conduce, sino que tiene una pequea corriente de fuga. La
conduccin aparece cuando la tensin de disparo se alcanza. Cuando esto
sucede, la tensin en el DIAC se reduce y entra en conduccin dejando pasar la
corriente necesaria para el disparo del SCR o TRIAC. Se utiliza principalmente en
aplicaciones de control de potencia mediante control de fase.
La curva caracterstica del DIAC se muestra a continuacin:

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106

En la curva caracterstica se observa que cuando:


+V o - V es menor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como
un circuito abierto.
+V o - V es mayor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como
un cortocircuito.
Sus principales caractersticas son las siguientes:
Tensin de disparo
Corriente de disparo
Tensin de simetra
Tensin de recuperacin
Disipacin de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar
potencia de 0.5 a 1 watt.)

Analicemos el siguiente circuito, el cual permite controlar el nivel de iluminacin de


un foco o controlar la velocidad de un taladro o un ventilador (motores de corriente
alterna). Muchos de estos circuitos reguladores de potencia tienen un punto de
encendido y apagado que no coincide (a este fenmeno se le llama histresis), y
es comn en los TRIACs. Para corregir este defecto se ha incluido en el circuito las
resistencias R1, R2 y C1.
El conjunto R3 y C3 se utiliza para filtrar picos transitorios de alto voltaje que
pudieran aparecer. El conjunto de elementos P (potencimetro) y C2 son los
necesarios mnimos para que el TRIAC sea disparado. El TRIAC controla el paso
de la corriente alterna a la carga conmutando entre los estados de conduccin y
corte durante los semiciclos negativos y positivos de la seal de alimentacin
(220 voltios).
El TRIAC se dispara cuando el voltaje entre el condensador y el potencimetro,
conectado a la compuerta del TRIAC es el adecuado. Hay que aclarar que el
condensador, en un circuito de corriente alterna, tiene su voltaje atrasado con
respecto a la seal original, y si se cambia el valor del potencimetro, se modifica
la razn de carga del condensador, el atraso que tiene y, por ende, el desfase
con la seal alterna original. Esto causa que se pueda tener control sobre la
cantidad de corriente que pasa a la carga y la potencia que se le aplica.

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107

Lista de componentes:
Resistencias: 2 de 47 K, (kilohmios), 1 de 100, (ohmios), 1 potencimetro de
100K (1K = 1 Kilohmio)
Condensadores: 3 de 0.1 uF, (uF = microfaradios)
Otros: 1 TRIAC (depende de la carga, uno de 2 Amperios para aplicaciones
comunes como este dimmer), 1 enchufe para la carga, de uso general (110 / 220
voltios).

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108

Un circuito aplicativo es el siguiente:

Referencia de la informacin empleada:

Pgina de Gustavo A. Ruiz Robredo. Universidad de Cantabria


http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg/postscript/LibroEcaBasica/Tema12.pdf

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109

Autoevaluacin

Diferencias entre el TRIAC y el DIAC.

Indique cmo se dispara un TRIAC.

Caractersticas de un TRIAC comercial. Dibuje la curva del TRIAC en los cuatro


cuadrantes.

Determine las aplicaciones del DIAC.

Determine las aplicaciones del TRIAC.

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110

Resumen

El TRIAC es, en esencia, la conexin de dos tiristores en paralelo, pero que estn
conectados en sentido opuesto y que comparten la misma compuerta.
Una de las aplicaciones mas tpicas de los TRIACs, en el uso domestico, es el
regulador de luz.
EL DIAC es un diodo de disparo bidireccional especialmente diseado para
disparar TRIACs y Tiristores.
El DIAC se comporta como dos diodos Zener conectados en serie, pero orientados
en formas opuestas.

Si desea saber ms acerca de estos temas, puede consultar las siguientes


pginas:

http://www.dte.uvigo.es/recursos/potencia/dc-ac/tiristor.htm
Aqu, hallar Informacin sobre circuitos de tiristores, tipos y caractersticas.

http://www.unicrom.com/Tut_triac.asp
Aqu, hallar informacin que describe a los tiristores.
http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/
Aqu, hallar informacin de applets que muestran las grficas de tiristores y
TRIACs.

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111

UNIDAD DE
APRENDIZAJE

2
SEMANA

11

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS INTEGRADOS


LOGRO DE LA UNIDAD DE APRENDIZAJE

Al trmino de la unidad, los alumnos, trabajando en grupo y en forma individual,


disearn e implementarn circuitos de aplicacin haciendo uso de dispositivos
electrnicos integrados como el amplificador operacional y el Timer 555.
Asimismo, harn uso de herramientas de medicin y comprobacin del
funcionamiento de dichos circuitos.

TEMARIO

El amplificador operacional

El amplificador operacional ideal

Configuraciones bsicas del amplificador operacional

El amplificador operacional como comparador y la familia 311

ACTIVIDADES PROPUESTAS

Los alumnos implementan circuitos diversos sobre la base del Amplificador


741.

Los alumnos determinan las diferencias entre amplificadores y comparadores.

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112

1. EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Referencia: El amplificador operacional de Javier Diaz Ruiz

El trmino de amplificador operacional (operational amplifier o OA o op amp) fue


asignado alrededor de 1940 para designar una clase de amplificadores que
permiten realizar una serie de operaciones tales como suma, resta, multiplicacin,
integracin, diferenciacin, etc., que eran importantes dentro de la computacin
analgica de esa poca.
La aparicin y desarrollo de la tecnologa integrada, que permita fabricar, sobre
un nico substrato monoltico de Silicio, gran cantidad de dispositivos, dio lugar al
surgimiento de amplificadores operacionales integrados que desembocaron en
una revolucin dentro de las aplicaciones analgicas. El primer OA fue
desarrollado por R.J. Widlar en Fairchild. En 1968, se introdujo el famoso OA 741
que desbanc a sus rivales de la poca con una tcnica de compensacin interna
muy relevante y de inters incluso en nuestros das. Los amplificadores basados
en tecnologa CMOS han surgido como parte de circuitos VLSI, de mayor
complejidad, aunque sus caractersticas elctricas no pueden competir con los de
la tecnologa bipolar. Si bien su campo de aplicacin es ms restrictivo, su
estructura es sencilla. Ello sumado a su relativa baja rea de ocupacin, los hace
idneos en aplicaciones donde no se necesitan altas prestaciones como en el
caso de los circuitos de capacidades conmutadas (switched-capacitor).
Combinando las ventajas de los dispositivos CMOS y bipolares, la tecnologa BiCMOS permite el diseo de excelentes OAs.

Los OAs integrados estn constituidos por muy diversas y complejas


configuraciones que dependen de sus prestaciones, y de la habilidad del
diseador a la hora de combinarlas. Tradicionalmente, un OA est formado por
cuatro bloques bien diferenciados que estn conectados en cascada: amplificador
diferencial de entrada, etapa amplificadora, adaptador y desplazamiento de nivel y
etapa de salida. Podemos ver estas etapas en el grfico anterior. Estos bloques
estn polarizados con fuentes de corrientes, circuitos estabilizadores, adaptadores
y desplazadores de nivel.
La etapa diferencial presenta las siguientes caractersticas: tiene dos entradas
(inversora y no inversora), su relacin de rechazo en modo comn es muy alto, las
seales van directamente acopladas a las entradas y presentan una deriva de
tensin de salida muy pequea. El amplificador intermedio proporciona la
ganancia de tensin suplementaria. Suele ser un emisor comn con carga activa y
est acoplada al amplificador diferencial a travs de un seguidor de emisor de
muy alta impedancia de entrada, a fin de minimizar su efecto de carga. El
adaptador permite acoplar la etapa intermedia con la etapa de salida que
generalmente es una clase AB.
La siguiente figura describe el esquema del OA 741. Este OA mantiene la filosofa
del diseo de circuitos integrados: gran nmero de transistores, pocas resistencias

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113

y un condensador para compensacin interna. Esta filosofa es el resultado de la


economa de fabricacin de dispositivos integrados donde se combina el rea de
Silicio, la sencillez de fabricacin y la calidad de los componentes. El 741 requiere
dos tensiones de alimentacin que normalmente son de 15 voltios. La masa del
circuito es el nudo comn a las dos fuentes de alimentacin.

La figura siguiente describe la versin simplificada con los elementos circuitales


ms importantes. En este circuito, se observa la etapa diferencial constituida por
los transistores Q1 y Q2, la etapa amplificadora intermedia compuesta por Q16,
Q17 y Q23, y la etapa de salida push-pull conformada por Q14 y Q20.

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114

El OA es un amplificador de extraordinaria ganancia. Por ejemplo, el A741 tiene


una ganancia de 200.000 y el OP-77 (Precision Monolithics) de 12.000.000. En el
grfico, se muestra el smbolo de un OA. Aunque no se indica explcitamente, los
OA son alimentados con tensiones simtricas de valor Vcc. Recientemente, han
sido puestos en el mercado OA de polarizacin simple (single supply).

Las entradas, identificadas por signos positivos y negativos, son denominadas


entradas invertidas y no invertidas. Si denominamos Vp y Vn a las tensiones
aplicadas a la entrada de un OA, se define la tensin de entrada en modo
diferencial (Vd) y modo comn (Vc) como:
Vd = Vp Vn
Vc = (Vp + Vn) / 2
La tensin de salida se expresa como:
Vo = Ad.Vd + Ac.Vc
Ad es la ganancia en modo diferencial. Viene reflejada en las hojas de
caractersticas del OA como Large Signal Voltage Gain o Open Loop Voltage
Gain.
Ac es la ganancia en modo comn. No se indica directamente, sino a travs del
parmetro de relacin de rechazo en modo comn o CMRR (Common-Mode
Rejection Ratio).
CMRR = Ad / Ac
1.1 El OA ideal
Un OA ideal, indicado esquemticamente en la siguiente figura, presenta las
siguientes caractersticas:
1. Resistencia de entrada .
2. Resistencia de salida 0.
3. Ganancia en tensin en modo diferencial .
4. Ganancia en tensin en modo comn 0 (CMRR = ).
5. Corrientes de entrada nulas (Ip = In = 0).
6. Ancho de banda .
7. Ausencia de desviacin en las caractersticas con la temperatura.

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115

Las caractersticas 1) y 2) definen, desde el punto de vista de impedancias, a un


amplificador de tensin ideal que no est afectado por el valor de la carga que se
conecta a su salida. Por otra parte, las caractersticas 4) y 5) aplicadas a la
ecuacin de Vo, crean una indeterminacin, ya que, al ser Ad =, resultara que
el producto Ad.Vd debera ser infinito. Sin embargo, esa indeterminacin se
resuelve cuando Vd = 0; por lo tanto, el producto Ad.Vd da como resultado un
valor finito. Por ello, las entradas del OA ideal tienen corrientes nulas (Ip=In=0) y
verifican que Vp=Vn (en el caso de realimentacin negativa). Este modelo
simplifica mucho el anlisis de circuitos basados en el OA. El modelo del OA ideal
slo es un concepto idealizado del OA real que, sin embargo, resulta muy prctico
y se acerca con mucha exactitud al comportamiento real de estos circuitos.
1.2 Configuraciones bsicas del OA
1.2.1 Amplificador inversor. La ganancia en tensin del amplificador
inversor se obtiene analizando el circuito y aplicando las caractersticas del
OA ideal.

Si las corrientes a travs de las lneas de entrada son nulas, se cumple que:
(Vi Vn) / R1 = (Vn Vo) / R2
En el OA ideal, Vn = Vp. Pero, en este caso, Vp = 0; por lo tanto, Vn = 0 y, por
ello, a este nudo se le denomina masa virtual, ya que tiene una tensin igual
a 0.
Al sustituir Vn = 0 en la ecuacin anterior resulta que la ganancia vale:
A = Vo / Vi = R2 / R1
El trmino inversor es debido al signo negativo de esta expresin que indica
un desfase de 180 entre la entrada y salida. La impedancia de entrada de
este circuito es R1.

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1.2.2 Amplificador no-inversor. La ganancia en tensin del amplificador noinversor se resuelve de manera similar al caso anterior a partir de las
siguientes ecuaciones:

Vn / R1 = Vo / (R2 + R1)
Vn = Vp = Vi
A = Vo / Vi = 1 + R2 / R1
La impedancia de entrada es .
1.2.3 Seguidor. Por ltimo, la configuracin del amplificador como seguidor
tiene una ganancia AV=1, pero la impedancia de entrada y salida de este
circuito valen Zi Ad.Ri y Zo Ro/Ad, siendo Ri y Ro las impedencias de
entrada y salida del OA.
Por ejemplo, el 741 tiene las siguientes caractersticas: Ad=200.000, Ri=1M
y Ro=75. Aplicando las anteriores relaciones, se obtiene que las
impedancias de entrada y salida del seguidor valen Zi=2 10e10 y Zo=3.7
10e-4 .

1.3 Otras configuraciones bsicas del OA

Amplificador sumador. El siguiente circuito permite sumar


algebraicamente varias seales analgicas. La tensin de salida se
expresa en trminos de la tensin de entrada de la siguiente manera:

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117

Amplificador restador. Este circuito permite restar las seales de entrada


cumplindose las siguientes expresiones:

1.4 El OA como comparador


Los comparadores son circuitos no lineales que, como su nombre indica, sirven
para comparar dos seales (una de las cuales generalmente es una tensin de
referencia) y determinar cul de ellas es mayor o menor. La tensin de salida tiene
dos estados (binaria) y se comporta como un convertidor analgico-digital de 1 bit.
Su utilizacin en las aplicaciones de generacin de seal, deteccin, modulacin
de seal, etc., es muy importante. Adems, constituye un bloque analgico bsico
en muchos circuitos.

La funcin del comparador es comparar dos tensiones obtenindose como


resultado una tensin alta (VOH) o baja (VOL). En el grfico anterior, se presenta el
smbolo para representar comparadores, que es el mismo que el utilizado para
amplificadores operacionales. La tensin de salida Vo cambia dependiendo de las
tensiones de entrada. As, tenemos que:
Vo = VOH
Vo = VOL

si Vp < Vn
si Vp > Vn

En el caso de que la tensin Vn est fijada a 0, entonces, la tensin de salida


Vo=VOL o Vo=VOH en funcin de si Vp<0 o Vp>0, respectivamente. El comparador
acepta seales analgicas a la entrada y proporciona seales binarias a la salida.
Este elemento constituye un nexo de unin entre el mundo analgico y digital.
Los OAs pueden actuar como comparadores cuando la ganancia diferencial en
lazo abierto sea alta (>10.000) y la velocidad no sea un factor crtico. Como
ejemplo, el OA 741 se comporta como un elemento de entrada lineal si la tensin
de entrada, en modo diferencial, est comprendida entre los siguientes valores:

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118

65V<Vd<+65V. Fuera de ese rango la etapa de salida del amplificador entra


en saturacin y puede comportarse como comparador.

En estos grficos, se muestra una aplicacin sencilla del OA 741 como


comparador. El amplificador carece de realimentacin y la grfica de Vo versus Vi
indica que siempre que Vi > VT; entonces, la salida es baja (-15 voltios) y si Vi<VT
la salida es alta (+15 voltios). Los lmites alto y bajo de Vo son establecidos por las
tensiones de alimentacin. En este caso, 15 voltios, los cuales son los voltajes
de la fuente. La figura tambin muestra un ejemplo del comportamiento de este
circuito a una entrada Vi analgica.
Aunque los OAs, funcionalmente, pueden actuar como comparadores, sus
limitaciones hacen que sean inservibles para muchas aplicaciones. Tienen una
limitacin importante en alta frecuencia, ya que generan retrasos tan elevados que
nicamente son vlidas sus aplicaciones a frecuencias bajas. Adems, los OAs
estn pensados para actuar como amplificadores e incluyen tcnicas de
compensacin en frecuencia que no son necesarias cuando operan como
comparadores. A veces, es necesario aadir una circuitera adicional cuando los
niveles de tensin tienen que ser compatibles con TTL, ECL o CMOS. Por estas
limitaciones, se han desarrollado comparadores monolticos especialmente
concebidos para aplicaciones de comparacin.
1.5 Comparadores de tensin monolticos
Los comparadores monolticos tienen una estructura similar a los OAs, excepto
que utilizan unas tcnicas circuitales especiales que mejoran la velocidad y
facilitan la interfase de salida para hacerlo compatible con otros circuitos. Un
parmetro importante de un comparador es su respuesta temporal, la cual est
definida como el tiempo necesario en alcanzar el 50% del nivel de salida cuando
se aplica un escaln a la entrada. Los comparadores tpicos tienen tiempos que
varan entre 50 y 200ns. Sin embargo, los convertidores A/D, como por ejemplo
los convertidores flash, precisan de comparadores de muy alta velocidad con
tiempos de respuesta del orden de 10ns.
Tales circuitos se pueden lograr usando configuraciones basadas en las familias
lgicas ECL y Schottky TTL. Ejemplos de este tipo de comparadores son el
LM361 (14ns) de National Semiconductor, ME521 (12ns max) de Signetics, el
LT1016 (10ns) de Linear Technology y el Am-685 (6.5ns) de Avanced MicroDevices.
Por ltimo, ciertos comparadores monolticos tienen incorporados lneas de
strobing a la entrada para habilitar/deshabilitar el dispositivo y biestables a la
salida para retener el resultado de la ltima comparacin. Estas aplicaciones son
muy tiles en determinados convertidores A/D y en interfases con
microcomputadores.

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119

1.6 Familia 311


La serie 311 de National Semiconductor es una de las familias ms populares en
comparadores integrados. Puede operar con tensiones duales de 15 voltios o
con tensin simple de +5V. La salida es en colector abierto (open-colector) con
tensiones de alimentacin independientes para seleccionar los niveles de tensin
de salida. Posee, adems, un circuito de proteccin que limita la intensidad
mxima de salida a 50mA. Las correcciones de offset se pueden realizar mediante
un potencimetro variable conectado a las entradas 5 y 6, que es similar a la
tcnica utilizada en amplificadores operacionales.

Las formas ms sencillas de utilizar este comparador se muestran en las


siguientes figuras:

En el grfico, vemos que el transistor de salida tiene conectado una resistencia RL


en el colector y dos tensiones de polarizacin independientes. Los niveles de
tensin de salida son
Vo = VOH VEE
si Vp < Vn
(Transistor en saturacin)
Vo = VOH = VCC

si Vp > Vn

(Transistor en corte)

En la otra parte del grfico, el amplificador de salida, se implementa con el


transistor que est en configuracin de seguidor de emisor, el cual es muy til
cuando se precisa de interfases a masa tal como sucede en los SRC. Los niveles
de tensin de salida son:

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120

Vo = VOL VCC

si Vp < Vn

(Transistor en saturacin)

Vo = VOH = VEE

si Vp > Vn

(Transistor en corte)

El seguidor de emisor presenta una polaridad contraria a la de resistencia de


colector y su rango de tensiones de entrada en modo diferencial es mucho mayor.

Referencia de la informacin empleada:


El amplificador operacional de Javier Diaz Ruiz
http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg/postscript/LibroEcaBasica/Tema8.pdf
http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg/postscript/LibroEcaBasica/Tema9.pdf

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121

Autoevaluacin

Para el circuito de la siguiente figura, se pide:


Obtener la expresin de la tensin de salida Vo en trminos de las
tensiones de entrada V1 y V2.
Calcular y representar grficamente el valor de Vo si V1=0.3 voltios
sen wt y V2=1 voltio.
Si el OA es capaz de proporcionar una intensidad de salida mxima
de 50 mili amperios, determinar el rango de valores permitidos de
RL.

En los dos circuitos de la siguiente figura, determinar la tensin de salida


Vo en trminos de las tensiones de entrada.

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122

Resumen

Los amplificadores operacionales permiten realizar una serie de operaciones tales


como suma, resta, multiplicacin, integracin, diferenciacin, etc., importantes
dentro de la computacin analgica.
Tradicionalmente, un amplificador operacional est formado por los siguientes
bloques: amplificador diferencial de entrada, etapa amplificadora, adaptador y
desplazamiento de nivel, y etapa de salida.
El amplificador operacional es un amplificador de extraordinaria ganancia. Por
ejemplo, el A741 tiene una ganancia de 200.000 y el OP-77 (Precision
Monolithics) de 12.000.000.
Los comparadores son circuitos no lineales que, como su nombre indica, sirven
para comparar dos seales (una de las cuales generalmente es una tensin de
referencia) y determinar cul de ellas es mayor o menor.
La serie 311 de National Semiconductor es una de las familias ms populares en
comparadores integrados.
Si desea saber ms acerca de estos temas, puede consultar las siguientes
pginas:

http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg/postscript/LibroEcaBasica/
Aqu, hallar informacin de amplificadores operacionales y comparadores.

http://www.ifent.org/temas/amplificadores_operacionales.asp
Aqu, hallar informacin sobre amplificadores operacionales.

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123

UNIDAD DE
APRENDIZAJE

2
SEMANA

12

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS INTEGRADOS


LOGRO DE LA UNIDAD DE APRENDIZAJE

Al trmino de la unidad, los alumnos, trabajando en grupo y en forma individual,


disearn e implementarn circuitos de aplicacin haciendo uso de dispositivos
electrnicos integrados como el amplificador operacional y el Timer 555.
Asimismo, harn uso de herramientas de medicin y comprobacin del
funcionamiento de dichos circuitos.

TEMARIO

Aplicaciones de los amplificadores operacionales

ACTIVIDADES PROPUESTAS

Los alumnos analizan el funcionamiento de los circuitos de aplicacin y lo


implementan.

Los alumnos proponen otros circuitos de aplicacin.

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124

1. APLICACIONES DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL


Referencia: Introduccin a la electrnica de Carlos de la Rosa

1.1 Indicador de temperatura


En el circuito de la siguiente figura, el operacional LM741 compara una tensin de
referencia con otra proveniente de un divisor de tensin formado por una NTC y
una resistencia. Como el valor hmico de la NTC disminuye con la temperatura, la
tensin en el pin 2 del integrado tambin lo har.
En el momento en que la tensin del pin 2 sea menor que la del 3, el terminal 6
pasar de tener una tensin nula a una tensin mxima que encender el LED, lo
que indicar que se ha superado la temperatura programada.
Mediante el potencimetro de 10K, podemos variar la tensin de 3 y, por tanto, la
temperatura necesaria para que se encienda el diodo.
El circuito, se ha diseado para usar una NTC de 10K. En caso de usar una NTC
de otro valor, tendremos que cerciorarnos de que con el potencimetro se pueda
conseguir una resistencia igual a la que presenta el termistor, el valor del termistor
a la temperatura a la que queremos que acte el circuito.

1.2 Controlador de temperatura


El siguiente circuito est basado en el anterior, pero se ha sustituido el LED por un
transistor que gobierna un rel con un contacto conmutado. Cuando la
temperatura de la NTC es inferior a la programada, el rel alimenta una
resistencia de calefaccin y cuando la temperatura supera el valor estipulado, se
activa un ventilador. Como se puede observar, siempre estar funcionado uno de
los dos elementos y la temperatura controlada oscilar alrededor del valor
programado mediante el ajustable.

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125

En este caso, debemos tener en cuenta que el amplificador operacional 741 no


tiene la fuerza suficiente para controlar al rel, por lo que debemos usar un
transistor NPN para usarlo como un interruptor que conectar o desconectar el
rel. El diodo est como medida de proteccin, ya que el rel se comporta como
una carga inductiva.
1.3 Voltmetro a LED
El circuito de la siguiente figura, utiliza cinco amplificadores operacionales que
trabajan como comparadores con sus entradas inversoras conectadas a un divisor
de tensin, el cual est formado por cinco resistencias iguales alimentadas por
una tensin fija de 5 voltios.

El primer operacional, contando desde abajo, tiene 1 voltio en su entrada


inversora; el segundo, dos; el tercero, tres; el cuarto, cuatro; y el ltimo, cinco.
Esto es factible ya que los comparadores tienen una impedancia de entrada muy
grande. Adems, con el objeto de mejorar el circuito, debemos precisar que la
fuente de tensin de 5 voltios debe ser generada por un diodo Zener de 5 voltios o
por un regulador de tensin de 5 voltios (7805).

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126

Las entradas no inversoras de todos los comparadores estn unidas al terminal


donde se aplica la tensin a medir, que ha de estar comprendida entre 0 y 5
voltios. Como los comparadores dan salida cuando la tensin de la entrada
inversora supera a la de la entrada no inversora, por cada voltio que se
incremente, la tensin a medir se encender un LED ms. Por ejemplo, si
aplicamos 3.2 voltios, se encendern los 3 primeros LED, ya que, en los
comparadores que los alimentan, la tensin de la entrada no inversora es mayor
que la de la entrada inversora.
Esto lo podra usar tambin como un vmeter para indicar el nivel de salida, tal
como aparecen en los equipos de salida, donde a mayor volumen mayor ser la
cantidad de LEDs encendidos.
1.4 Circuitos a implementar
Presentar dos circuitos que utilicen amplificadores operacionales e indicar su
funcionamiento.
Nombre del circuito:

Explicacin del funcionamiento:


....................................................................................................................................
....................................................................................................................................
....................................................................................................................................
....................................................................................................................................
....................................................................................................................................

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127

....................................................................................................................................

Nombre del circuito:

Explicacin del funcionamiento:


....................................................................................................................................
....................................................................................................................................
....................................................................................................................................
....................................................................................................................................
....................................................................................................................................
....................................................................................................................................

Referencia de la informacin empleada:


Introduccin a la electrnica de Carlos de la Rosa
http://www.tecnologiaseso.es/pdf/electronicapdf/electronicadigital.pdf

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128

Resumen

Hay diversos circuitos implementados con los amplificadores operacionales, los


cuales permiten realizar una serie de operaciones tales como suma, resta,
multiplicacin, integracin, amplificacin, comparacin, etc. Este circuito integrado
se puede usar como amplificador y como comparador. En este ltimo caso, se
recomienda que para la comparacin se usen los chips comparadores de la familia
311 u otros.
Si desea saber ms acerca de estos temas, puede consultar las siguientes
pginas:

http://focus.ti.com/lit/an/sboa092a/sboa092a.pdf
Aqu, hallar informacin de amplificadores operacionales de Texas
Instruments (Handbook).

http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Sumador-Inversor.html
Aqu, hallar informacin sobre algunas aplicaciones de los amplificadores
operacionales.

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UNIDAD DE
APRENDIZAJE

2
SEMANA

13

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS INTEGRADOS


LOGRO DE LA UNIDAD DE APRENDIZAJE

Al trmino de la unidad, los alumnos, trabajando en grupo y en forma individual,


disearn e implementarn circuitos de aplicacin haciendo uso de dispositivos
electrnicos integrados como el amplificador operacional y el Timer 555.
Asimismo, harn uso de herramientas de medicin y comprobacin del
funcionamiento de dichos circuitos.

TEMARIO

El circuito temporizador

El temporizador 555

Diagrama de bloques del IC555

Operacin como monoestable y estable

ACTIVIDADES PROPUESTAS

Los alumnos determinan las caractersticas del timer 555 identificando cada
etapa.

Los alumnos establecen las diferencias entre monoestable y astable.

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130

1. EL CIRCUITO TEMPORIZADOR
Referencia: Tcnicas Experimentales en Electrnica Dpto. de Electrnica y Electromagnetismo

Los circuitos temporizadores son muy utilizados en la industria y en aplicaciones


caseras. Podemos implementar diversos circuitos temporizadores pero el ms
sencillo y menos preciso est conformado por una resistencia y un condensador.
A partir de aqu se puede contar con un sinfn de opciones y posibilidades.
Cuando necesitamos un temporizador, lo primero que debemos considerar es la
necesidad de precisin en el tiempo, base importante para determinar los
elementos que vamos a utilizar en su concepcin y diseo.
Un temporizador, bsicamente, consiste en un elemento que se activa o desactiva
despus de un tiempo ms o menos preestablecido. De esta manera, podemos
determinar el parmetro relacionado con el tiempo que ha de transcurrir para que
el circuito susceptible de temporizarse se detenga o empiece a funcionar o
simplemente cierre un contacto o lo abra.
1.1 EL TEMPORIZADOR 555
Es un circuito relativamente complejo. Contiene un total de 27 transistores
bipolares y 10 resistencias, que sirven para constituir un par de comparadores, un
biestable RS y un circuito de descarga, tal como se aprecia en el diagrama en
bloques de este temporizador o timer.

Todos estos componentes vienen contenidos en un circuito integrado de 8


terminales, cuatro a cada lado, tal como podemos apreciar en el siguiente grfico,
donde se indica la funcin de cada terminal.

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131

Para comprender el funcionamiento bsico del circuito es imprescindible


comprender, primero, la operacin que realiza el biestable o flip-flop RS.
1.1.1 Flip-flops RS
Bsicamente, ste es un circuito digital cuya salida depende no slo de las
entradas actuales, sino del estado anterior. Sus entradas son R y S y la salida
Q y /Q, las cuales cambian de la siguiente manera:
Si se aplica una entrada alta en S y baja en R podremos setear a la salida
Q, por lo que sta se pone en nivel alto, mientras que en /Q tendremos un
nivel bajo.
Por otro lado, con una entrada alta en R y una entrada baja en S,
lograremos resetear la salida Q, por lo que su nivel se mantendr bajo y /Q en
nivel alto.
Ninguna de las otras dos combinaciones de entrada posibles produce
cambio alguno de la salida.
1.1.2 Funcionamiento bsico de la temporizacin
La siguiente figura permite analizar el funcionamiento de la temporizacin.
Para ello supongamos que Q est a 0 en el estado inicial. En ese caso, el
transistor T estar en corte y el condensador C se cargar a travs de R2.
Observe que la configuracin del circuito hace que la tensin control sea:

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132

Vcontrol = 2 . VCC / 3
mientras que la tensin threshold ir creciendo con el tiempo. En teora, tal
crecimiento podra llevar esta tensin hasta VCC; sin embargo, cuando la
tensin de threshold cruza el valor de control, la salida del comparador se
hace igual a 1, el transistor entra en su zona de alta conduccin y descarga,
casi de manera inmediata, el condensador.
Si se aplica un pulso, de corta duracin, en la entrada RESET del biestable,
esto provoca un reseteo del mismo, que fuerza la salida Q a 0. El transistor
se apaga y el condensador empieza a cargarse de acuerdo con la expresin:
V threshold = VCC (1 e t / )

= R2 . C

de manera que evolucionara desde V threshold = 0 hacia V threshold = VCC. Sin


embargo, para V threshold > 2 . VCC / 3, el comparador cambia su salida, SET
cambia a 1 y obliga a que Q tome el valor igual a 1, con lo que se
descarga el condensador. El tiempo que ha estado en bajo la seal Q es,
claramente, el tiempo que ha tardado V threshold en alcanzar el valor (2/ 3)xVCC
partiendo desde 0. Esto es:
TD . ln (3) = 1.1
que, como podemos ver, resulta independiente de la duracin del pulso en el
terminal de R del biestable RS.
1.2 Diagrama de bloques del IC555
El siguiente grfico muestra el diagrama en bloques simplificado. Observe que el
comparador Z1 tiene sus dos entradas accesibles, mientras que el comparador Z2
slo nos muestra (al exterior) su entrada negativa.

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133

En la mayora de las aplicaciones prcticas, el nudo control se deja flotante, por


lo que la tensin de control viene dada por
Vcontrol = (VCC VEE) . 2 / 3
En el smbolo del flip-flop RS, podemos observar la aparicin de un terminal nuevo
llamado RESET (no confundir con R). Este terminal bloquea la operacin del flipflop cuando la tensin aplicada es baja. Esta opcin es til en algunas
aplicaciones. Por ltimo, los terminales VCC y VEE son las alimentaciones,
positivas y negativas, respectivamente, del circuito. Por lo general, los 555
trabajan con cualquier diferencia VCC - VEE entre 4.5 y 16 voltios.

1.3 Operacin como monoestable


El siguiente circuito muestra la configuracin monoestable ms elemental para el
IC555.

El funcionamiento del circuito puede comprenderse fcilmente en virtud de lo


explicado anteriormente. Cuando la entrada de TRIGGER del circuito es
ligeramente inferior a VCC / 3, el comparador Z2 proporciona una salida alta 1, lo
que produce un RESET en el Flip-Flop. El transistor de descarga T se apaga y el
nudo threshold cortocircuitado con discharge con este propsito comienza a
cargarse segn la ley exponencial anteriormente citada:
V threshold = VCC (1 e t / )

= R2 . C

Cuando el proceso de carga hace que la tensin threshold suba por encima de
2 . VCC / 3, el comparador Z1 proporcionar un valor alto 1, mientras que Z2 dar
un valor bajo 0. Esto crea una condicin de SET en el flip-flop de manera que
Q = 1, con lo que el condensador ser descargado muy rpidamente debido a
que el transistor T habr entrado en la zona de alta conduccin. El ancho del
pulso de salida puede calcularse tal como hicimos anteriormente y resulta ser:
TD . ln (3) = 1.1
Observe que el terminal de control qued libre, de manera que el umbral de
duracin del pulso queda fijado a 2 VCC / 3. El condensador de 10 nF aadido slo
se incluye para filtrar ruido en la tensin de control.

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134

1.4 Operacin como astable


El circuito de la siguiente figura muestra al 555 en la configuracin de oscilador o
astable.

La operacin es fcil de entender. Cuando la salida Q del flip-flop RS est en


bajo, el transistor T est cortado y la tensin threshold crecer de acuerdo a la
expresin.
V threshold = VCC (1 e t / )

= (Ra + Rb) . C

con lo que la condicin de V threshold = (2 / 3) VCC se alcanza en un tiempo,


TR = (Ra + Rb) . C. ln (3)
Una vez alcanzado este valor, el comparador Z1 da una salida alta que produce
una condicin de SET en el flip-flop, de manera que el transistor T entra en la
zona de alta conduccin y empieza a descargar el condensador C.
Observe que esa descarga se produce a travs de Rb. Por tanto, la constante de
tiempo durante esta segunda parte de la evolucin temporal estar dada por
= Rb.C. En concreto, la evolucin de la tensin de threshold es:
V threshold = (2 / 3) VCC e t /
de manera que el nudo threshold y el nudo TRIGGER que estn
cortocircuitados se van descargando.
Cuando la tensin en el nudo trigger alcanza un valor ligeramente inferior a VCC /
3, el comparador Z2 produce una salida en alto una condicin de RESET del
flip-flop RS; el transistor T entrar en corte; y el nudo threshold empezar a
cargarse de nuevo. De este modo, se vuelve a las condiciones del principio. As,
el circuito proporcionar una salida oscilante, cuyo periodo ser la suma del
tiempo de carga TR y el tiempo de descarga TF. Este ltimo viene dado por el

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135

tiempo que tarda la expresin anterior en alcanzar un valor V


partiendo desde V threshold = (2 / 3) VCC.
TF = (Rb.C) . ln (2)

threshold

= VCC / 3,

de manera que, sustituyendo, se puede llegar a una expresin aproximada para la


frecuencia de oscilacin de salida
fosc = 1 / (TR + TF)
para TR debe considerarse la carga desde VCC /3 y no desde 0, por lo tanto
TF = ((Ra + Rb) . C ). ln (2)
Finalmente, obtenemos la frecuencia de oscilacin as:
fosc = 1.44 / [( Ra + 2 Rb ). C]
Por ltimo, hemos de hacer hincapi en el hecho de que este oscilador no
proporciona una salida que dura el mismo tiempo en el estado alto y en el estado
bajo (TR TF). Al cociente entre el tiempo en alto y el periodo se le conoce como
duty cycle o ciclo de trabajo. Ajustando los valores de Ra y Rb podremos obtener
duty cycles de algo ms del 50% hasta valores cercanos al 100%.

Referencia de la informacin empleada:


Tcnicas Experimentales en Electrnica Dpto. de Electrnica y Electromagnetismo
http://www.imse.cnm.es/tec_exp/downloads/CURSO_0708/TEMPORIZADOR_555_07
08.pdf

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Autoevaluacin

En la siguiente figura, se tiene un astable implementado con un 555.


Si Ra = 4.7K, Rb = 2.2K y C = 2.2 F, determine T1, T2 y la frecuencia
de la seal de salida.

Determine los valores de R y C, en el siguiente circuito del monoestable,


para que TD sea igual a 10 segundos.

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137

Resumen

El 555 es un circuito relativamente complejo. Contiene un total de 27 transistores


bipolares y 10 resistencias que sirven para constituir un par de comparadores, un
biestable RS y un circuito de descarga.
Los circuitos temporizadores son muy utilizados en la industria y en aplicaciones
caseras.

Si desea saber ms acerca de estos temas, puede consultar las siguientes


pginas:

http://focus.ti.com/lit/an/sboa092a/sboa092a.pdf
Aqu, hallar informacin de amplificadores operacionales de Texas
Instruments (Handbook).

http://www.imse.cnm.es/tec_exp/downloads/datasheets/LM555.pdf
Aqu, hallar informacin del 555, su hoja de datos (Data Sheet).

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UNIDAD DE
APRENDIZAJE

2
SEMANA

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DISPOSITIVOS ELECTRNICOS INTEGRADOS


LOGRO DE LA UNIDAD DE APRENDIZAJE

Al trmino de la unidad, los alumnos, trabajando en grupo y en forma individual


disearn e implementarn circuitos de aplicacin haciendo uso de dispositivos
electrnicos integrados como el amplificador operacional y el Timer 555.
Asimismo, harn uso de herramientas de medicin y comprobacin del
funcionamiento de dichos circuitos.

TEMARIO

Aplicaciones del Timer 555

Oscilador controlado por tensin

Oscilador Astable

Circuito Monostable y Biestable

Activacin de una lmpara fluorescente

ACTIVIDADES PROPUESTAS

Los alumnos analizan las diversas aplicaciones del timer 555.

Los alumnos proponen otros circuitos de aplicacin.

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140

1. APLICACIONES DEL TIMER 555


1.1 Oscilador controlado por tensin
Un oscilador controlado por tensin, VCO (Voltage Controlled Oscillator), es un
dispositivo tal que proporciona una salida oscilante, siendo su frecuencia una
funcin de la tensin de entrada aplicada al mismo.
Normalmente, se desean dependencias lineales con esta tensin de control; sin
embargo, relaciones no lineales son tambin de gran inters prctico, puesto que
pueden permitir un mayor rango de variabilidad de la frecuencia de oscilacin.

La figura muestra una configuracin como VCO del 555. En ella, se destaca, como
novedad con respecto a la configuracin astable, el hecho de que el terminal de
control aparece conectado a un potencimetro, de manera que la tensin que
pongamos aqu, Vctrl, fijar las entradas a los comparadores Z1 y Z2 a los valores
Vctrl y Vctrl / 2, respectivamente (ver diagrama en bloques de la sesin anterior).
As pues, usando la formula genrica para evoluciones exponenciales,

las evoluciones temporales durante estos tiempos vendrn dadas por:

de manera que el periodo de oscilacin puede expresarse como T = TR + TF,


siendo:

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141

1.2 Oscilador Astable


Referencia: http://www.neoteo.com/ne555.neo

Uno de los usos ms frecuentes del timer 555 es como oscilador astable. En esta
configuracin, el circuito produce, en su salida, una onda cuadrada, con una
amplitud igual a la tensin de alimentacin. La duracin de los periodos alto y bajo
de la seal de salida pueden ser diferentes. El nombre de astable proviene de la
caracterstica de esta configuracin, en la que la salida no permanece fija en
ninguno de los dos estados lgicos, si no que flucta entre ambos en un tiempo
que llamaremos T.
El perodo de tiempo T de la seal de salida es igual a la suma de los tiempos en
estado alto Tm (por Mark time en ingles) y bajo Ts (por Space time). En general,
en lugar de utilizar el tiempo T como parmetro, utilizaremos la frecuencia F de la
seal de salida, igual a 1/T.
En la siguiente figura, podemos ver el esquema del 555 para ser utilizado como
oscilador astable. Solamente tres componentes adicionales bastan para
determinar el periodo T de la seal de salida y la relacin de tiempos Tm y Ts. Un
cuarto componente, el capacitor de 0.01 F, solamente se utiliza para evitar el
ruido en el terminal de control.

Los valores de R1, R2 y C1 son los responsables de determinar el timming de la


seal, de acuerdo con las siguientes formulas:
T = 0.7 (R1 + 2R2) C1
F = 1.4 / ((R1 + 2R2) C1)
Donde el periodo T se expresa en segundos, la frecuencia F en Hertz, los valores
de R1 y R2 en ohmios y la capacidad de C1 en faradios.
La relacin marca-espacio (Tm y Ts), tambin conocida como duty cycle (y que es
muy utilizada a la hora de controlar la velocidad de motores de corriente continua,
el brillo de una lmpara, etc.), se calcula mediante las tres formulas siguientes:
T = Tm + Ts
Tm = 0.7 (R1 + R2) C1

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Ts = 0.7 R2 C1
Como se deduce de ellas, en los casos que Tm y Ts necesiten ser iguales (duty
cycle del 50%) R2 deber ser mucho mayor que R1.
Al momento de disear nuestro propio oscilador astable, utilizando NE555,
debemos elegir, primero, el valor de C1, que es el que determinara el rango de
frecuencias a utilizar, tal como vemos en la siguiente tabla, luego, el valor de R2,
considerando que:
R2 = 0.7 / F x C1
Y, por ultimo, R1, generalmente de un 10% del valor de R2, salvo que
necesitemos tiempos Tm y Ts muy diferentes entre s. En aquellos casos en los
que queramos hacer la frecuencia de salida variable, la mejor opcin es
reemplazar a R2 por un potencimetro del valor adecuado y una resistencia de, al
menos, 1000 ohms en serie con l (para evitar que en un extremo del
potencimetro el valor de R2 sea cero).

Duty Cycle
El 555, utilizado como oscilador astable, permite el control de dispositivos como
motores o lmparas mediante una tcnica conocida como Modulacin de ancho
de pulso (PWM: Pulse Wide Modulation). La seal de salida presente en el pin 3
se repite continuamente, a menos que se fuerce la salida a 0 voltios mediante el
terminal RESET (conectndolo a una tensin menor a 0.7 voltios).
Una baja frecuencia de oscilacin puede ser utilizada para hacer destellar un LED
y una frecuencia un poco ms alta (mayor a 20 Hz. aunque menor a los 20KHz.).
Tambin, se puede emplear para hacer sonar un parlante o buzzer conectado al
pin 3 y, de esta manera, construir una alarma audible fcilmente.
Volviendo al control PWM, la relacin entre Tm y Ts, generalmente, se expresa
como un porcentaje. Si este porcentaje debe ser, es igual o mayor al 50%,
utilizamos el circuito de la figura anterior, como vimos antes, y las frmulas de la
siguiente figura nos permiten calcular exactamente su porcentaje.

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En el caso de que la relacin deba ser menor al 50%, se debe agregar un diodo
tipo 1N4148 en paralelo con R2, como se ve en el siguiente grfico, para permitir
la circulacin de corriente durante el periodo Tm. En este caso, el valor de Tm y
Ts dependen nicamente de R1 y C1 como se ve a continuacin:
Tm = 0.7 R1 C1
Ts = 0.7 R2 C1
Duty Cycle (con diodo) = Tm / (Tm + Ts) o R1 / (R1 + R2)

1.3 Circuito Monostable


Este circuito recibe ese nombre por permanecer estable en un solo estado: el nivel
bajo. En efecto, si conectamos el 555 de manera que se comporte como un
monoestable, su salida permanecer en estado bajo. Sin embargo, en el momento
en que reciba una seal en su pin TRIGGER, la salida pasar a nivel alto durante
un tiempo T, determinado por los valores de R1 y C1, de acuerdo a la formula de
la siguiente figura, donde el periodo T se expresa en segundos, R1 en ohms y la
capacidad de C1 en faradios.

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Al presionar el pulsador identificado como TRIGGER, la salida del Ne555 pasar a


estado alto hasta que transcurra el tiempo fijado por el valor de R1 y C1 o hasta
que se presione el pulsador RESET (lo que ocurra primero). En general, no se
desea interrumpir el perodo en que el integrado tiene su salida en nivel alto, por lo
que el pulsador conectado al RESET puede no ser necesario.
Puesto que para obtener largos periodos en estado alto, superiores a los 10
minutos, se deben utilizar capacitores electrolticos, que presentan fugas que
afectan su confiabilidad, tenemos que recordar, en el momento de hacer nuestros
diseos, que pueden ser posibles errores de hasta un 20% en los tiempos
determinados por R1 y C1.
Es importante aclarar que, una vez disparado el monoestable, hasta que no
transcurra el tiempo T (o se resetee el temporizador) cualquier actividad en el
TRIGGER es ignorada, por lo que un disparo efectuado durante el estado alto de
la salida ser ignorado.
En algunos casos, puede ser deseable que el circuito efecte un RESET
automticamente al ser conectado a la alimentacin, o bien que se auto dispare al
encender el dispositivo. En estos casos, se puede utilizar un circuito como el que
vemos en la figura anterior y que conectaremos al pin RESET o TRIGGER segn
corresponda.
1.4 Circuito Biestable
Otro circuito importante con el 555 es la de biestable. En ella, ambos estados, alto
y bajo, son estables, y la salida permanece en ellos hasta que se modifican
mediante los pines TRIGGER o RESET. En este caso, al no haber tiempos
implicados en ninguno de los dos estados, no hay formulas para aplicar.
Simplemente, al aplicar 0 voltios al pin TRIGGER, la salida pasar a estado alto y
permanecer en l hasta que se desconecte la alimentacin o se ponga a 0 voltios
el terminal RESET, en cuyo caso la salida se mantendr en estado bajo hasta una
nueva conexin del TRIGGER a 0 voltios.
El esquema de esta configuracin se puede ver en el siguiente grfico:

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1.5 Activacin de una lmpara fluorescente


Nuestro primer circuito de ejemplo, el de la figura 1, utiliza un 555 para generar
una seal cuadrada que excita al transistor TR1, que a su vez est conectado a
un transformador elevador de tensin que permite encender un pequeo tubo
fluorescente de 4 Watts con solo 12 voltios. Este circuito es ideal para ser
alimentado con bateras o desde el encendedor del automvil, para ser utilizado
como luz de emergencia o en actividades al aire libre. Es muy importante
mantener las manos lejos de la seccin de 230 voltios del transformador para
evitar descargas desagradables.
La resistencia variable entre los pines 6 y 7 nos permite ajustar la frecuencia de la
salida, a fin de obtener el brillo adecuado en el tubo fluorescente. Podemos utilizar
un preset, ya que, una vez logrado el ajuste ptimo del circuito, no necesitaremos
volver a tocarlo. Incluso, si se desea, en ese momento, se le puede reemplazar
por una resistencia fija equivalente.

1.6 Temporizador ajustable


En la siguiente figura, tenemos un 7555, la versin CMOS del 555, conectado
como monoestable, en el que la resistencia que fija el tiempo en el estado alto de
la salida se ha reemplazado por un conmutador que permite elegir una de 6
resistencias puestas en serie. De esta manera, se obtienen temporizaciones que

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van desde los 5 a los 30 minutos. Por supuesto, se podr cambiar estos valores
para obtener tiempos mayores o menores, usando las frmulas que hemos visto.
Un transistor BC109C o equivalente se utiliza para comandar un rel, al que
podremos conectar cualquier artefacto elctrico que queramos controlar con este
circuito.

1.7 Seales luminosas


Este circuito consiste en una luz parpadeante construida con 40 LEDs. Se le
puede utilizar en una bicicleta, con cualquier tipo seal, etc. El circuito se alimenta
con 4 pilas de 1.5 voltios. Los LEDs estn divididos en dos grupos de 20 cada uno
que parpadean alternativamente. Como se puede ver, el 555 est configurado
como oscilador astable. La corriente a travs de los LEDs est limitada por las
resistencias de 100 ohms y se utilizaron transistores para poder manejar el
consumo de cada rama de LEDs.
En caso de ser necesario, se puede armar este circuito con menos LEDs, por
ejemplo, con solo cinco: un grupo de dos en cada rama y el LED que est entre la
resistencia de 160 ohms y el transistor 2N2905.

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1.8 Circuitos a implementar.


Presentar un circuito que utilice el timer 555 e indicar su funcionamiento.
Nombre del circuito:

Explicacin del funcionamiento:


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Referencia de la informacin empleada:


Tcnicas Experimentales en Electrnica Dpto. de Electrnica y Electromagnetismo
http://www.imse.cnm.es/tec_exp/downloads/CURSO_0708/TEMPORIZAD
OR_555_0708.pdf

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http://www.neoteo.com/ne555.neo

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Resumen

Un oscilador controlado por tensin, VCO, es un dispositivo tal que proporciona


una salida oscilante, cuya frecuencia es proporcional a la tensin aplicada al
mismo.
Uno de los usos ms frecuentes del timer 555 es como oscilador astable. En esta
configuracin, el circuito produce una onda cuadrada en su salida.
El circuito Monostable recibe ese nombre por permanecer estable en un solo
estado: el nivel bajo.
En el circuito biestable, ambos estados, alto y bajo, son estables, y la salida
permanece en ellos hasta que se modifican mediante los pines TRIGGER o
RESET.
Si desea saber ms acerca de estos temas, puede consultar las siguientes
pginas:

http://www.neoteo.com/ne555.neo
Aqu, hallar informacin de aplicaciones del 555.

http://www.imse.cnm.es/tec_exp/downloads/datasheets/LM555.pdf
Aqu, hallar informacin del 555, su hoja de datos (Data Sheet).
http://jorgefloresvergaray.blogspot.com/
Aqu, hallar informacin de aplicaciones del 555.

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UNIDAD DE
APRENDIZAJE

2
SEMANA

15

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS INTEGRADOS


LOGRO DE LA UNIDAD DE APRENDIZAJE

Al trmino de la unidad, los alumnos, trabajando en grupo y en forma individual


disearn e implementarn circuitos de aplicacin haciendo uso de dispositivos
electrnicos integrados como el amplificador operacional y el Timer 555.
Asimismo, harn uso de herramientas de medicin y comprobacin del
funcionamiento de dichos circuitos.

TEMARIO

Anlisis de circuitos con amplificadores

Anlisis de circuitos con timers

ACTIVIDADES PROPUESTAS

Los alumnos determinan la forma de funcionamiento de los OPAM y Timers.

Los alumnos establecen las diferencias entre circuitos.

Los alumnos determinan los voltajes de salida.

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1. Anlisis de circuitos con amplificadores y timers.


1.1 Circuito conversor digital / analgico mediante un OPAM.
El siguiente circuito se comporta como un conversor digital / analgico, de tal
forma que ingresando en las entradas EDCBA, el cdigo binario de estas
cinco variables binarias, pueda obtener su valor analgico equivalente en la
salida.
Determine los valores de resistencia R y RF del conversor D/A. Determine,
adems, los valores que toma la salida para cada uno de los estados de
entrada. Debe tener en cuenta que cada una de las variables tienen su peso,
por ejemplo, el peso de A es 01, el peso de B es 02, el peso de C es 04, etc.

Como se usa un amplificador inversor, el voltaje de salida es negativo, qu


cambios se debe realizar en el circuito, para obtener voltajes positivos?
1.2 Divisor de frecuencia con el 555.
El siguiente circuito es un divisor de frecuencia por 2 y por 4 en cada una de
sus salidas, en V1 se obtiene la mitad de la frecuencia y en V2 la mitad de la
mitad, o sea un cuarto de la frecuencia de entrada.

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151

El circuito recibe un tren de pulsos con una frecuencia Fi y genera a la salida


(V1) una seal similar con una frecuencia F1, esta frecuencia es la mitad de la
frecuencia de entrada. Si esta seal de salida se aplica a la siguiente etapa,
esta hace lo mismo, logrndose una segunda divisin de frecuencia y
obtenindose la frecuencia de entrada Fi / 4.
1.3 Encendido automtico de las luces de una casa.
El siguiente circuito permite el encendido automtico de las luces externas de
una casa cuando llega la noche, para ello dispone de un sensor de luz en
base a un LDR.
Este circuito nos permitir tener iluminada parte de la casa, durante la noche
permitiendo dar una sensacin de que hay alguien en casa, a pesar de que
nosotros no estemos.
El circuito est basado en un timer 555 y un LDR como elemento que
permitir detectar la luz y determinar el momento de dar energa a los focos y
tambin de cortar la energa cuando llega la maana.

1.4 Sistema de refrigeracin con ventilador.


Este circuito permite controlar el accionar de un ventilador de 12 voltios o
FAN, para ello dispone de un OPAM 741.
Los diodos estn actuando como sensores de temperatura, los cuales al
aumentar la temperatura hacen cambiar la salida del OPAM, controlando la
corriente aplicada al ventilador a travs del transistor Q1 y logrando que se
refrigere el dispositivo.
Este sistema es apropiado controlar los CPUs, tarjetas, discos duros y al
propio case.

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Referencia de la informacin empleada:


Un agradecimiento especial a Jos Martnez, por la pgina desarrollada www.diselc.es
donde ha realizado una recopilacin importante de circuitos de aplicacin.
http://www.diselc.es/diselc/milcircuitos.htm

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UNIDAD DE
APRENDIZAJE

2
SEMANA

16

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS INTEGRADOS


LOGRO DE LA UNIDAD DE APRENDIZAJE

Al trmino de la unidad, los alumnos, trabajando en grupo y en forma individual,


disearn e implementarn circuitos de aplicacin haciendo uso de dispositivos
electrnicos integrados como el amplificador operacional y el Timer 555.
Asimismo, harn uso de herramientas de medicin y comprobacin del
funcionamiento de dichos circuitos.

TEMARIO

Sesin Integradora

ACTIVIDADES PROPUESTAS

Los alumnos relacionan todo lo estudiado anteriormente.

Los alumnos analizan una aplicacin que involucre la mayora de


componentes estudiados.

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1. SESIN INTEGRADORA
Los alumnos debern presentar un circuito que han desarrollado en grupo y debern
explicar su funcin. En lo posible, ste debe contener la mayora de los dispositivos
electrnicos que hemos estudiado. Finalmente, sus componentes deben ser discretos
e integrados (transistores, diodos, 741, 555, etc.).

Nombre del circuito:

Explicacin del funcionamiento:


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Nombre del circuito:

Explicacin del funcionamiento:


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