Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
Facultatea de Informatic
Complemente de fizic
i material utilizate n
sistemele IT
Bucureti 2013
CUPRINS
Unitatea de nvare 1 Noiuni introductive. Sisteme de coordonate.
Mrimi cinematice fundamentale. Principiile termodinamice. Legile
gazelor ........................................................................................................... 6
1.1 Mrimi fizice. Uniti de msur. Dimensiuni ..................................... 6
1.2 Definiiile unitilor de msur n sistemul internaional ..................... 8
1.3 Alte uniti de msur. Ordine de mrime ......................................... 10
1.4 Sisteme de coordonate ........................................................................ 12
1.5 Definirea mrimilor cinetice fundamentale........................................ 14
1.6 Micarea rectilinie uniform normal .................................................. 17
1.7 Dinamica punctului material i a corpului rigid ................................. 18
1.8 Principiile mecanicii (dinamicii newtoniene) ..................................... 19
1.9 Lucru mecanic. Energia. Puterea ........................................................ 21
1.10 Legile ciocnirii ................................................................................. 25
1.11 Legile gazelor ................................................................................... 26
1.12 Principiul nti al termodinamicii..................................................... 27
1.13 Principiul al doilea al termodinamicii .............................................. 28
1.14 Principiul al treilea al termodinamicii .............................................. 29
Unitatea de nvare 2 Electricitate. Optic ......................................... 31
2.1 Cmpul electromagnetic. Cmpul electrostatic .................................. 31
2.2 Intensitatea cmpului electric. Teorema lui Gauss............................. 32
2.3 Potentialul cmpului electrostatic ...................................................... 34
2.4 Conductori n cmp electric. Condensatori ........................................ 35
2.5 Curentul electric continuu .................................................................. 39
2.6 Teoremele lui Kirchhoff ..................................................................... 40
2.7 Cmpul magnetic................................................................................ 41
2.7.1 Cmpul magnetic generat de curentul magnetic continuu .............. 41
2.7.2 Fluxul magnetic ............................................................................... 44
2.8 Legile fundamentale ale opticii geometrice ....................................... 45
2.9 Aspecte fundamentale ale fenomenului de dispersie ......................... 61
2.10 Aspecte fundamentale ale fenomenului de polarizare...................... 65
2.11 Aspecte fundamentale ale fenomenului de interferen a luminii .... 67
2.12 Aspecte fundamentale ale fenomenului de difracie Fraunhofer ..... 69
Unitatea de nvare 3 - Tipuri de materiale. Materiale conductoare .. 74
3.1 Strile structurale ale substanei ......................................................... 75
3.2 Proprietile materialelor .................................................................... 80
3.3 Proprieti magnetice ale materialelor................................................ 83
3.4 Materiale solide cristaline .................................................................. 85
3.5 Caracterizarea materialelor conductoare ............................................ 90
3.6 Funciile conductoarelor ..................................................................... 93
3.7 Materiale supraconductoare ............................................................... 96
3.8 Emisia termoelectronic i alte fenomene .......................................... 97
CV al aerului utiliznd
6.1 Determinarea coeficientului adiabatic
metoda .................................................................................................... 150
Clement-Desormes ................................................................................. 150
A. Scopul lucrrii ................................................................................... 150
B. Teoria lucrrii .................................................................................... 150
C. Metoda lucrrii .................................................................................. 151
D. Dispozitivul experimental ................................................................. 153
6.2 Determinarea Constantei Boltzmann prin masurarea curentului de
difuzie ntr-un tranzistor ......................................................................... 153
A. Scopul lucrrii ................................................................................ 153
B. Teoria lucrrii .................................................................................... 154
C. Descrierea instalaiei experimentale .................................................. 156
D. Modul de lucru .................................................................................. 157
(1.1)
(1.3)
Adic, raportul valorilor numerice ale unei mrimi fizice este egal cu
inversul raportului unitilor de msur.
Exprimarea mrimilor fizice sub forma unui produs de forma (1.1),
conduce la o deosebire dintre formulele fizice i cele matematice. De
exemplu, dac avem un ptrat cu latura X, atunci din punctul de vedere al
matematicii, aria ptratului este A = X2, iar din punctul de vedere al fizicii,
trebuie s scriem:
{ A1} A1 { X 2 } X 2
(1.4)
sau
X 2
{ X } K{ X 2 }.
A
Aadar, n formulele fizice poate aprea un coeficient parazit K,
exprimat prin raportul unitilor de msur. Aceasta a condus la necesitatea
practic de elaborare a unui sistem de uniti coerent, astfel nct n
formulele fizice coeficientul parazit s fie K = 1.
n sistemul coerent de uniti de msura, Sistemul Internaional (SI),
se disting trei clase de mrimi fizice i uniti de msur corespunztoare:
1. Mrimi fizice i uniti de msur fundamentalei
2. Mrimi fizice i uniti de msur suplimentare
3. Mrimi fizice i uniti de msur derivate.
{ A}
Simbolul
mrimii
fizice
Unitatea de msur
Simbolul
unitii
de
msur
1
2
3
4
5
6
7
L
T
M
metrul
secunda
kilogram
grad Kelvin
Amper
mol
candela
M
S
Kg
K
A
Mol
Cd
Lungimea
Timpul
Masa
Temperatura
termodinamic curentului
Intensitatea
electric de substan
Cantitatea
Intensitatea luminoas
Unghiul plan
Simbolul
mrimii
fizice
Unitatea
msur
radian
de Simbolul
unitii
msur
Rad
de
Unghiul solid
steradian
Sr
(1.5)
F kg m s 2 N
(1.6)
(1.7)
(1.8)
Este evident c acest raport nu depinde de raza sferei. Unghiul solid
total sub care se vede suprafaa sferic, din centrul sferei, este:
4 r 2
4 sr
r2
(1.9)
10
Simbol
a
d
h
min
o
"
1
t
Valoarea n SI
la = 3,16-107s
1 d = 24 h = 1440 min = 86400 s
1 h = 60 min = 3600 s
1 min = 60 s
1 = TI/180 rad
1' =(1/60) = (n/10800) rad
1" = (1/60)' = (TI/648000) rad
1 l=l-dm3=10"3m'3
1 t= 103 kg
11
(1.10)
12
(1.11)
(1.12)
x2 y2 z2
1
z2
(1.13)
13
(1.14)
Vm
dv vt vt 0
dt
t t0
(1.15)
m vm
(1.16)
14
v lim
t 0
r dr
r
t dt
(1.17)
dr
v vx2 v y2
(1.20)
0
t t0
t t0
(1.21)
dr
r t 0 t r t 0 t
dt t
(1.22)
de
er t0 t er t0 r t
dt t0
(1.23)
15
(1.24)
v t
dr t
er t r t
der t
dt
dt
Vectorii er (t ) si der (t t ) sunt perpendiculari ntre ei. Se tie:
e t e t e t 1
2
2e t
de t
dt
(1.25)
(1.26)
(1.27)
v v v0 v t v t0
(1.28)
d v v t v t0
dt
t t0
(1.29)
Acceleraia instantanee este limita din acceleraia medie cnd
intervalul de timp t= t- t0 tinde spre zero, rezult:
v dv d dr
t 0 t
dt dt dt
a lim
16
2
d r
2
d t
(1.30)
ex
ey ax ex a y ey
dt
dt
dt
(1.31)
2
a a 2 ax2 a y2
(1.32)
a ax2 a y2
(1.33)
d 2 r d 2x
d2y
e y ax e x a y e y
x
dt 2 dt 2
dt 2
(1.34)
ax
dvx d 2 x
2
dt
dt
(1.35)
ay
dv y
d2y
dt
(1.36)
dt
,unitatea de msur pentru vectorul unitate este m/s2. Mai departe innd
seama de ev putem scrie:
a(t )
dv t
dt
dv t
dt
(t ) v(t )
d (t )
dt
(1.37)
17
dv d dx dx 2
dt dt dt dt 2
v a dt at c1 ,
dx atdt c1dt
(1.38)
dx
dx vdt x v dt
dt
sau
t2
(1.39)
c1t c2
2
Dac la momentul iniial t=t0=0 atunci punctul material are viteza v0
i se afla la punctul de coordinate x0:
x a tdt c1 dt a
v0 v t 0 c2
x0 x t 0 c2
Astfel obtinem legea vitezei si legea spatiului pentru miscarea rectilinei
uniform variata:
v vo
at 2
at 2
; s x x0 vot
; a
2
2
t
(1.40)
v v0 at; x x0 v0 t
Obinem:
v v0
v v0
v 2 v02
; s
s
t vmt ; t
2
a
ca
2
Ecuaia lui Galilei
v v0 2as
(1.41)
18
SE
n bar apar fore elastice a cror rezultant este egal n modul i de
sens contrar forei exterioare F.
l
Fl
kc
SE
l kc l
l
(1.43)
SE
constanta de elasticitate
l
l
alungirea relativ
l
F
efortul unitar, punctual unitar
S
(1.44)
(1.45)
(1.46)
19
(1.47)
d
dv
d 2r
mv
m
ma F
dt
dt
dt 2
(1.48)
sau pe componente:
d 2x
Fx
dt 2
d2y
m 2 Fy
dt
d 2z
m 2 Fz
dt
m
d 2 x dvx Fx
dt 2
dt
m
vx
Fx
F
dt x t c1
m
m
(1.49)
Fx
Fx t 2
d x vx dt x vdt tdt c1 dt
c1t c2
n
m 2
Fy t 2
c3t c4
m 2
(1.51)
Fz
Fz t 2
vz t c5 z
c5t c6
m
m 2
(1.52)
vy
x xt , c1 , c2
y y t , c3 , c4
z z t , c5 , c6
(1.50)
Fy
m
t c3 y
r t , c1 , c2 , c3 , c4 , c5 , c6
t timpul
(1.53)
c1 c6 constanta de integrare
dp Fdt
(1.54)
20
dpx Fx dt
dp y FY dt
dp FZ dt
t
dt px t px t0
(1.55)
t0
(1.56)
21
L1 2
t2
dr
d 2r
Fdr F dt F m 2
dt
dt
r1
t1
dL F
(1.57)
mv 2
dr
d 2 r dr
dt m 2
dt mvdv ; d
dEc
dt
dt dt
2
mv 2 mv22 mv12
d
Ec2 Ec1 Ec
2
2
2
t1
t2
L12
(1.58)
Fx kc x
(1.59)
x alungirea absolut
r2
kc x12 kc x22
2
2
r1
Fora gravitaional este definit ca fiind:
L12 kc xdx
m1m2
r
r2
(1.60)
m1m2
r2
(1.61)
22
dL Fdr
rd r
r2
dr
d m1m2
(1.62)
(1.63)
dr
2
r
r1 r2
r1
r2
L1t
(1.64)
(1.65)
dL= Gdr=-mgd z
(1.66)
z2
L12 mg dz mg z1 z2
(1.67)
z1
C Fd r 0
(1.68)
L Fd r 2rg 0
23
(1.69)
F E p
x y2 z2
2
(1.70)
2 x2 y 2 z 2
32
2 xe
2 yey 2 xez
r2
(1.71)
ct
2
2
2
2
2
2
ptr. punctul material sub aciunea forei elastice
mv12 mv22 mv 2
ct
2
r1
2
r2
2
r
dL
dr
P
F
F v
dt
dt
(1.72)
dl dr
dp
pr
rF M
dt dt
dt
(1.73)
L rx p m r x v
2. Momentul forei:
Dac F = 0 sau dac punctul material se afl sub aciunea unor fore centrale
M = 0:
dl
0 , l = ct
dt
(1.74)
24
1.10
Legile ciocnirii
Q
2
2
2
2
(1.75)
m1v1 m2v2 m1 m2 v
m!v12
2
m2v22 m1 m2 v 2
Q
2
2
m1v1 m2v2
m1 m2
(1.76)
(1.77)
(1.78)
2
m1m2
v1 v2 2 mr vr
2m1 m2
2
(1.79)
25
2
2
2
2
,
,
m1 v1 v1 m2 v2 v 2
(1.80)
v '1
v, 2
m1 m2 v1 m2v2
m1 m2
m2 m1 v2 2m1v1
m1 m2
m1 m2 m; v1, v2 ; v2 v1
(1.81)
(1.82)
(1.83)
(1.84)
26
V
ct
T
V Vo
t
V0
(1.85)
V V0 1 t
(1.86)
(1.87)
p p0
t p p0 1 t
p0
(1.88)
ct
T T0
T
(1.90)
U Q L T
(1.92)
27
Lp Ed P
P P E , T D 0 E 0 0 1 e T 0 E
e T 0 T 1
(1.93)
Q L 0 L Q
(1.94)
Este imposibil de realizat o main termic care ar putea s efectueze
lucru mecanic, ntr-un proces ciclic, far s primeasc caldur din exterior
(perpetuum mobile de spea I ):
pdv 0 i
dU 0
(1.95)
28
(1.97)
Randamentul:
L Q1 Q2
Q1
Q1
(1.98)
T ok
(1.100)
Pentru T 0k , S 0 entropia absolut a unui sistem
termodinamic tinde ctre 0, cnd temperatura absolut tinde ctre 0K (Max
Plank)
lim S 0
T ok
(1.101)
Consecinte:
29
lim C lim T
lim T
T ok
T ok
T T ok ln T
(1.102)
n particular:
lim Cv lim T
0
T ok
ln T
T ok
(1.103)
S
lim T
C p Cv 0 pentru temperaturi de Ok nu
0 sau Tlim
ok
T 0 k
ln T
este valabil nici ecuaia de stare.
2. Pentru T 0k , coeficientul de dilatare termic i coeficientul termic
al presiunii , tind la zero.
3. Pentru T 0k , entropia nu poate fi modificat prin nici un fel de
aciune; izoterma de zero absolut; coincide cu adiabata.
Semnificaia fizic a anulrii capacitii calorice la T 0k este urmatoarea:
Temperatura de 0k reprezint acea stare n care
sistemul nu mai poate ceda caldur, deoarece este
atins starea de energie minim.
Temperatura 0k este principal inaccesibil.
30
q N e eN eN N Ne
(2.1)
10 21
(2.2)
31
F21 F12
1 q1q2
1
er
2
4 r
4
q1q2
r2 r1
r2 r1
(2.3)
r permitivitatea relativ
9 109 m
F
4 0
Fora cu care sarcina electric q acioneaza asupra unei sarcini
electrice de prob qi , este dat de formula :
Fi qi
q
4 r 2
(2.4)
er
Fi
q
er
qi 4 r 2
(2.5)
(2.6)
32
E EdS
S
q
q
2
E
3r
(2.7)
e EdS
q
n 1
(2.8)
v 0 V
dV
lim
m3
q pdv
i
n 1
(2.9)
(2.10)
Eds pdv
(2.11)
Ax Ay Az
dv
y
z
x
Ads
(2.12)
dv dx dy dz
(2.13)
Eds divEdv
(2.14)
divEdv pdv
v
divE dv 0
(2.15)
(2.16)
33
dr
4 r 2
L1 2 q1
(2.17)
r2
dr
4 r
q1
r1
q 1 1
4 r1 r2
L1 2 Ep1 Ep2
Ep1 q1
Ep2 q1
q
4 r1
q
4 r2
(2.18)
(2.19)
(2.20)
C = constant arbitrar
Dac pt. r , se consider Ep=0 atunci C=0
Potenialul al cmpului electric general de sarcina electric ,
ntr-un punct din spaiu este energia potenial a sistemului format din
sarcina electric q i sarcina q1 , pozitiv i de valoarea unitate q1 C
aflat n punctul respectiv.
34
Ep
q1
E p1
q1
Ep2
q1
(2.21)
(2.22)
4 r1
q
(2.23)
4 r2
L12 q1 1 2
2
1 2 = Ed l
(2.24)
dac pentru r2 , 2 0 , r1 r
Ed l
r
4
r
dr
q
r
4r
(2.25)
deci potenialul ntr-un punct din spaiu reprezint lucrul mecanic necesar
deplasrii sarcinii electrice q1 1C din punctul respectiv la infinit.
Unitatea de msur pentru potenialul electric este voltul (V)
si
V 1J
(2.26)
35
(2.28)
unde i 0
E int 0
Etg 0
(2.29)
q
S
c
m2
qS si
(2.30)
qs S
qs
(2.31)
q
(2.32)
C
c s
R , s 0
C si F
(2.33)
(2.34)
1C
V
(2.35)
36
q
1 q
dr
2
R r
4 0 R
4 0
q
C 4 0 R
(2.36)
(2.37)
qs
q
s
(2.39)
Diferena de potenial:
1 2 Ed
C
qd
S
(2.40)
q
S
1 2 d
(2.41)
C Ci
(2.42)
n
1
1
Cs i 1 Ci
(2.43)
i 1
n serie:
37
L1 q11
L2 q2 2
(2.44)
L1 L2
lucru mecanic pentru apropiatele a dou sarcini 1 si 2
We q11 q22
1
q11 q22
2
(2.45)
1 N
i i sau
2 i 1
We
1 1
2 4
(2.46)
qi q j
i 1
j 1
rij
(2.47)
U Sd
2
2d
2 d
2
(2.48)
We 0 r E 2 E D
D
We
V
2
2
2 0 r
DWe r 1
0E2
(2.49)
(2.50)
We E 2
qm 2 2
c
2c
(2.51)
38
Q
t
(2.52)
Q nqSvd t
(2.54)
Q
nqvd
St
(2.55)
j nqvd
(2.56)
Na
NA m
V
A
(2.57)
39
(2.58)
(2.59)
(2.60)
I
i 1
(2.61)
Intensitatea curenilor electrici care intra ntr-un nod, se iau cu semnul plus,
iar intensitile curenilor care ies din nod se iau cu semnul minus.
2. A doua teorem a lui Kirchhoff = generalizare a legii lui Ohm, i
afirm c n orice ochi a reelei electrice, suma cderilor de tensiune R i I i ,
este egal cu suma algebric a tensiunilor electromotoare conectate n ochiul
respectiv :
n
i 1
i 1
Ri Ii Ei
(2.62)
R R1 R2 .... Rn Ri
i 1
40
(2.63)
n
1
1
R i 1 Ri
(2.64)
I d lr
4 r 3
dH
I dl sin
4 r 2
(2.66)
dH
1
sin d
4R
(2.67)
R
R
d
sin sin 2
41
1
1
cos 1 cos 2
H
sind
4R 1
4R
(2.68)
1
1
dl
1
r
2R
2R
(2.69)
H d l Ii
(2.70)
i 1
I jd s H d l jd s
i 1
(2.71)
Formula Stokes
H d l rot H d s
S
jd s
rot H j
dH
(2.72)
I d lr 2
s d lr qnvS d l r nsd lq nr
j
3
4 r
4r 3
4r 3
4r 3
(2.73)
42
dH
q vr
dN
4r 3
(2.74)
dH
1 vr
H
dN 4 r 3
F qE v B - fora Lorentz
(2.75)
Fm qV B
(2.76)
Unitatea de masur B =
-fora magnetic
Ns Nms
Js
Vs
2
2 T
2
mC m C Cm
m
dF ndv qv B j B dV
dl
dF
B
dV
(2.77)
(2.78)
nqV
(2.79)
(2.80)
d F j B Sdl I d l B
I j lB
(2.81)
F BIl sin
(2.82)
I1 I 2
l
2r
43
(2.83)
(2.84)
0 4 107 H m
Bd S si si Wb weber
(2.85)
(2.86)
Bd S div Bdv 0
(2.87)
(2.88)
i liniile de
44
Ed l rot EdS 0
(2.89)
45
46
47
sin(i)/sin(r) = n
(2.91)
3) indicele de refracie al unui mediu transparent faa de vid se numete
indice de refracie absolut;
4) indicele de refracie al unui mediu n2 fr de un mediu n1 poart numele
de indice de refracie relativ i este egal cu raportul dintre indicii absolui
(n2/n1);
5) indicele de refracie este dependent de lungimea de und (pentru radiaia
vizibil: culoarea) a luminii incidente.
Indicele de refracie
Mediul
(n)
Aer
1,003
Apa
1,33
Alcool etilic
1,36
Sare
1,54
Sulfura
de
1,63
carbon
Sticla crown
1,52
Sticla flint
1,76
Diamant
2,42
Vid
1,000
5. Reflexia total. n cazul n care o raza de lumina se refract dintr-un
mediu mai dens optic ntr-un mediu mai puin dens optic (de exemplu, din
sticl n aer sau din ap n aer), unghiul de refracie este ntotdeauna mai
mare dect unghiul de inciden i deci poate ajunge la valoare de /2 pentru
o valoare i(i mai mic dect /2) a unghiului de inciden.
La valoarea i a unghiului de inciden, raza este reflectat integral n mediul
din care a venit. Unghiul i poart numele de unghi limit i fenomenul care
se petrece n aceste condiii se numete reflexie total. Unghiul limit este
dependent de indicele absolut de refracie al celor dou medii, conform
ecuaiei:
sin(i) = n2/n1
(2.92)
n concluzie, corpurile asupra crora cade lumina determin:
reflexia, refracia i absorbia radiaiei, fenomene ce au loc simultan.
Reflexia poate fi dirijat (ca n cazul oglinzilor, utilizate inclusiv n
aparatele foto reflex), sau difuz (reflexia se face n toate direciile, ceea ce
48
49
50
51
52
53
Din figura de mai sus i din aplicarea ecuaiei punctelor conjugate, se poate
demonstra c:
i2/ i1 = p 2/p1
(2.95)
Raportul i2/i1 se numete mrire liniar i este util n
macrofotografie. Raportul este subunitar dac obiectul este situat dincolo de
centrul de curbur, este unitar dac obiectul este situat chiar n centrul de
curbur i supraunitar dac este ntre centrul de curbur i focarul oglinzii.
54
55
56
57
Figura 2.13 - Lentile convergente: a - biconvexa, b - plan-convexa, c menisc convergent, d - schema lentilelor convergente.
Lentilele divergente sunt mai subiri la centru fa de margini iar un
fascicul de raze paralele care o traverseaz devine divergent.
58
Focarul lentilelor
Se poate dovedi experimental c un fascicul de raze paralele cu axa
optic principal ce cade pe o lentil convergent, este deviat convergent i
c toate razele emergente converg ntr-un punct F, situat tot pe axa optic,
punct denumit focar principal.
Deoarece razele de lumin trec efectiv prin acest punct, imaginea
poate fi captat pe un ecran, iar punctul se numete focar real.
59
60
61
62
v2
(2.96)
(2.97)
, unde c este viteza luminii n vid, iar n este indicele de refracie al mediului,
care poate lua doar valori supraunitare, ntruct viteza luminii ntr-un anumit
mediu nu poate depi viteza considerat maxim posibil n natur, cea a
luminii n vid (egala cu 3.108m/s). Ca urmare, prin egalarea expresiilor (1)
63
(2.98)
(4.16)
, unde k2 = k / m
Se ncearc soluii de forma r = r0 sin(t). Ca urmare, cmpul creat
de dipoli va fi sczut din cmpul exterior, iar proprietile electrice
(permitivitatea ) vor fi influenate n acest sens. Ulterior, pe msur ce
frecvena cmpului exterior crete, tinznd s se deprteze de aceast zon
de rezonan, proprietile electrice vor tinde s se ndeprteze i ele de la
valoarea de minim atins, ncepnd s creasc. Permitivitatea va crete,
viteza de propagare va scdea, ceea ce nseamn c indicele de refracie va
crete pe msur pe crete. Aceasta este zona n care sunt situate
frecvenele din spectrul vizibil al luminii n raport cu frecvena de rezonan
a dipolilor moleculari ai sticlei, fiind denumit zon de dispersie normal (n
crete cu ).
ntruct poriunea pe care indicele de refracie scade este extrem de
mic (fiind situat n imediata vecintate a frecvenei de rezonan, aa cum
64
65
66
67
68
2.12 Aspecte
Fraunhofer
fundamentale
ale
fenomenului
de
difracie
69
(2.99)
70
eit
eika sin 1
ik sin
(2.104)
, unde k este modulul vectorului de und determinat prin k = 2/, iar este
frecvena unghiular.
ntruct intensitatea undei difractate se calculeaz, prin definiie, prin
produsul *, se obine:
ka sin
2
2
I * const
2
ka sin
2
ka sin
Notam
2
sin 2
Obtinem: I I 0
2
sin 2
(2.105)
, unde I 0 I 0 I 0
71
d
sin 2
0
d I 0
2
(2.108)
Prin efectuarea derivrii rezult c soluiile sunt rdcinile ecuaiei
tg =
(2.109)
anume: =0; 1,43; 2,46; etc. (n afar de soluia = 0, celelalte soluii
sunt aproximative). Trecnd la variabil independent rezult, pentru
condiia de maxim, expresia a sin=n , cu n = 0 ; 1,43 ; 2,46 Prin
cunoaterea limii fantei a i prin msurarea unghiului corespunztor unei
anumite direcii de maxim (ceea ce presupune i cunoaterea valorii lui n) se
poate determina lungimea de und pe baza relaiei anterioare.
Din relaiile anterioare rezult c primul minim apare atunci cnd
este ndeplinit condiia:
arcsin
(2.110)
72
Atunci cnd a>> , este foarte mic, devenind neglijabil, iar figura de
difracie se va reduce la practic la imaginea fantei.
Atunci cnd a are acelai ordin de mrime cu , figura de difracie
devine din ce n ce mai larg, maximul principal reducndu-se ca lrgime i
accentundu-se maximele secundare. n momentul n care a devine mult mai
mic dect se ajunge n situaia n care sin ar trebui s fie mai mare dect
unitatea, fapt imposibil, prin urmare dispar toate celelalte direcii de maxim
n afar de cea a maximului principal (situat n continuarea direciei de
propagare a undei incidente).
Dac se utilizeaz pentru observare un ecran aflat la distana L de
fanta, atunci unghiul corespunztor unei direcii de maxim poate fi aflat n
mod indirect, studiind distribuia intensitii luminoase pe ecran, i
aproximnd sin cu tg (aproximaie justificat prin faptul ca unghiul are
valori foarte mici), i determinnd tg prin relaia:
tg = h / L
(2.111)
unde h reprezint distana de la poziia de pe ecran corespunztoare
maximului central (situat pe direcia iniial de propagare a luminii) la
maximul corespunztor unghiului .
Fenomenul de difracie mai poate fi utilizat i pentru determinarea
dimensiunilor geometrice ale obstacolului, n cazul n care lungimea de und
a radiaiei i distribuia sa de intensitate n zona unui anumit obstacol sunt
cunoscute cu precizie (atunci cnd este emis de un dispozitiv de tip laser,
de exemplu).
73
74
75
76
lui Plank;
2
2
- numrul de und p=
(cu valoarea maxim
).
a
Un cristal cu fononi va avea mai mult energie intern (cinetic i
potenial) dect n cazul n care nu exist fononi. Energia unui fonon este
de ordinul fraciuni de eV. Electron-voltul (eV) este o unitate de msur a
energiei, egal numeric cu energia necesar deplasrii unei sarcini electrice
de un electron (1,610 -19C) ntre dou puncte din spaiu ntre care se afl o
diferen de potenia electric de 1volt. Este o unitate de msur uzual
pentru energiile implicate n procese fizice i chimice interatomice.
Teoria fononilor explic unele fenomene ntlnite n corpul solid,
cum ar fi absorbia i generarea radiaiei electromagnetice, inclusiv a
luminii, modulaia optic, modulaia acusto-optic, interaciile electronfonon, interaciunea fonon-fonon, etc.
77
78
f(E) =
1
E - EF
e
1
kT
(3.1)
unde EF este energia Fermi, k este constanta lui Boltzman i T temperatura
absolut.
Energia Fermi, EF, reprezint acel nivel energetic pentru care
probabilitatea de a fi ocupat de un electron este egal cu probabilitatea de a
nu fi ocupat i anume 0,5.
Din relaia (1.1) se observ c la T = 0K, probabilitatea ca un
electron s aib energia E este nul.
Concentraia de purttori care au energia E este:
n(E) = N(E) f(E)
(3.2)
Analiznd relaia (1.1) se observ c:
E E f
1 f(E+) 0
a) la energii mari E+ >> EF astfel c
KT
(3.3)
adic este prea puin probabil s existe electroni n aceast energie.
E Et
b) la energii mici E- << EF astfel c
<<1 f(E-) 1
KT
(3.4)
adica probabilitatea de ocupare a nivelului energetic este foarte mare.
79
(dq / dt )
J
=
sau J E
A(dV / dx) E
(3.5)
unde J este densitatea de curent [ A/m2], [-1 m-1] este
conductivitatea electric i
dV
E este intensitatea cmpului electric [V/m].
dx
n relaia (1.5) A este suprafaa prin care trece sarcina electric dq
n intervalul de timp elementar dt.
Pentru materialele anizotrope, conductivitatea este un tensor de
ordinul 2 ( ).
2) Capacitatea de polarizare a materialelor dielectrice este
caracterizat de permitivitatea dielectric. Un material dielectric aflat ntrun cmp electric sufer un proces de polarizare electric:
P DV 0 e E ; D 0 E P 0 r E
DV
(3.6)
80
dA dt m 2
(3.7)
Energia asociat fiecrui foton este:
eV
hc
/ 0 m
1,24
E f h f sau E (eV )
0
m
(3.8)
Unde:
h 6 63 10 34 Js - constanta lui Planck
c 3 108 m / s - viteza luminii n vid
0 c / f - lungimea de und n vid
Exemple numerice:
Pentru 0 400nm(UV ) , E f 3,10eV
0 800nmIK , E 1,55eV
Viteza n material v
(3.9)
El poate fi estimat prin unghiurile de inciden i refracie, conform
legii lui Snell:
sin i
n0 sin i n sin r n
sin r
(3.10)
dac n0 1
Constanta de absorbie (de atenuare) k reprezint rata de scdere a
intensitii optice pe unitatea de lungime:
81
dI
4 I dz
(3.11)
Este o mrime adimensional, dependent de material i de frecvena
cmpului optic.
Pentru majoritatea materialelor, indicele de refracie este o mrime
complex:
n n jk
(3.12)
unde j este unitatea imaginar
Atenuarea radiaiei care ptrunde n material se poate caracteriza i
prin coeficient de absorbie care reprezint atenuarea radiaiei pe unitatea
de lungime:
k
1 dI
I dz
(3.13)
Din (3.10) i (3.11) rezult:
4
k
sau
k2
4
c
(3.14)
Scderea intensitii radiaiei optice pe msura ptrunderii n
material se poate exprima astfel:
k
I ( z ) I 0 e z
(3.15)
Adncimea de ptrundere a luminii sau n material se definete ca
acea distan, msurat de la suprafaa de inciden, la care intensitatea
radiaiei optice scade de e ori. Din (1.15) rezult c:
1
(3.16)
unde e 2,72 este baza legturilor neperieni (naturali).
82
IQ
Qx
At
T2 T1
dT
dx
(3.17)
unde IQ este fluxul termic, iar dT/dx este gradientul de temperatur.
K
U 3NkT
unde N 6,023 10 23 molecule / mol este numrul lui Avogadro iar
dU
I
C
C 3NK 25
dT
mol K
Tot n unele materiale solide apar dou efecte cu materiale interesante, cum
ar fi:
Efectul Peltier se refer la producerea unei diferene de temperatur n
urma trecerii unui curent electric printr-o jonciune de dou metale.
Efectul Seebeck, opus efectului Peltier, const n producerea unui curent ca
urmare a unei diferene de temperatur.
Observaie: A nu se confunda efectul Peltier cu efectul Joule care const n
producerea de cldur n urma trecerii curentului, ca urmare a rezistenei
electrice a materialului.
83
B
0 r sau B 0 r H
H
(3.19)
unde 0 4 10 7 H / m este permeabilitatea vidului (constant universal)
Starea de magnetizaie M apare n urma aplicrii unui cmp magnetic H:
M H
(3.20)
unde se numete susceptibilitatea magnetic, mrime adimensional.
Relaiile dintre inducia magnetic, magnetizaie i cmpul magnetic
sunt:
B 0 ( H M ) 0 (1 ) H
(3.21)
deci r 1 i 0 r 0 (1 )
(3.22)
n medii anizotrope, permeabilitatea i susceptibilitatea sunt mrimi
tensoriale de ordinul II (cu 9 componente).
n funcie de susceptibilitatea magnetic, materialele pot fi:
- diamagnetice m 0 i de ordinul 10 6
- paramagnetice m 0 i de ordinul 10 3 10 4
- feromagnetice m 0 (sute, mii)
Materialele feromagnetice sunt neliniare din punct de vedere al
dependenei induciei magnetice (magnetizaia) de intensitatea
cmpului magnetic. Ele au aa-numitul ciclu de histerezis,
prezentnd o inducie permanent i fenomenul de saturaie la
cmpuri magnetice mari. Ele au multe aplicaii n electronic i
electrotehnic.
84
85
rn ma nb pc
(3.23)
unde m, n,i p sunt numere ntregi.
Cea mai mic structur regulat (poliedru regulat) definete celula
elementar (CE) . Prin translaia celulei elementare se obine ntreaga reea
cristalin. O CE nu poate fi definit unic, deoarece pot exista mai multe
variante. Cea mai simpl variant care are atomi doar n vrfurile sale se
numete celul primitiv (CP) .
Simetria spaial este o proprietate fundamental a structurii
cristaline. Ea presupune c n urma unei transformri simetrice (rotaia,
reflexia, translaia), corpul cristalin coincide cu el nsui.
Orice operaie de simetrie aplicat unui cristal are ca rezultat
aducerea sa ntr-o poziie identic cu cea iniial. Elementele de simetrie
punctual sunt: axe, plane de simetrie i centre de simetrie, crora le
corespund operaiile de simetrie rotaia, reflexia (oglindirea) i inversia.
86
87
88
89
O relaie de forma:
B U A este o relaie scalar, n care cauza A i efectul B sunt
scalari.
O relaie de forma:
B U A este o relaie vectorial n care B i U sunt vectori cu
cte 3 componente, iar A este scalar.
O relaie de forma:
B U A este o relaie tensorial n care A este un vector, B un
tensor de ordinul 2 i U un tensor de ordinul 3 cu 27 de
componente.
90
v n E
(3.24)
unde factorul n se numete mobilitatea electronului.
La nceput micarea electronilor este uniform accelerat, dar n scurt
timp se ajunge la viteza de saturaie egal cu viteza de drift. Limitarea
vitezei dirijate este produs de ciocnirile electronilor mobili cu atomii fici
ai reelei cristaline a metalului. Modelarea matematic a conduciei este
descris n continuare.
Fora electrostatic produs de cmpul E determin o acceleraie a
electronilor:
F
q
a
E
mn
mn
(3.25)
unde mn este masa electronului iar q sarcina sa electric.
Viteza maxim atins n momentul unei ciocniri este:
qt
vmax at max maxn E
mn
(3.26)
Viteza medie (viteza de drift) este:
v
qt
vmed max maxn E
2
2mn
(3.27)
Din (2.1) i din (2.4) se obine mobilitatea electronilor:
q
n
t max
2mn
(3.28)
Densitatea de curent de conducie este:
dQ
qnAdl
J
e
e qnv med qn n E
Adt
Adt
(3.29)
unde e este versorul direciei cmpului electric iar n concentraia de
electroni liberi.
Conductivitaea electric (respectiv rezistivitatea, ) este:
91
qn n
q2
nt max
2mn
(3.30)
Valoarea medie a timpului dintre dou ciocniri se poate considera,
ntr-o prim aproximaie, ca timp de relaxare, ef . Atunci se poate defini
conductivitatea astfel:
q2
n ef
mn
(3.31)
Din cauza agitaiei termice a atomilor, distana medie dintre dou
ciocniri succesive scade, timpul mediu de relaxare scade, viteza de drift i
conductivitatea scad. Creterea rezistivitii cu temperatura se poate exprima
simplu printr-o relaie de forma:
(T ) 0 (1 T )
(3.32)
Unde 0 este rezistivitatea la temperatura T0 iar T T T0
Rezistivitatea ctorva metale la temperatura obinuit (300K) este
dat n tabelul urmtor.
Tabelul 3.1
Metal
Na
[108
m]
4.75
Cu
Ag
Ca
Al
Cr
Fe
Ni
Pt
1.70
1.61
3.60
2.74
12.9
5.3
9.8
7.0
10.4
92
TD 2h D
k
(3.33)
Unde h este constanta lui Plank iar k constanta lui Boltzman.
n zona a IV-a se constat o dependen mai redus de temperatur,
pentru ca n zona V s apar un salt al rezistivitii corespunztor
temperaturii de topire a metalului.
93
Manganin
Constantan
Nicrne
Nichelin
compoziie
Cu 84%
Mg 12%
Ni 4%
Cu 55%
Ni 45%
Ni 75%
Cr 20%
Fe 5%
Ni 26%
Cu 54%
Zn 20
10-5
m
Coeficient de
temperatur
4.2
15
400
1.5
8.4
-5-25
700
43
8.9
11.5
130
1300
8.4
4.2
230
-25
8.7
Temperatura Tensiune
maxim, K termoelectromotoare, V/K
Densitate
kg/dm3
94
Tabelul 3.3
Metal
Densitate
Kgdm-3
Rezistivitate
10-5 m
Temperatura
de topire, K
Ag
Au
Pt
W
Mo
Cr
10.5
19.3
21.4
19.2
10.2
8.6
16
22.3
105
54
57
76
1234
1336
2043
3653
2893
594
Conductivitate
termic, Wm1 -1
K
414
293
71.2
167
151
92
Duritate
246
181
490
3440
1570
196
95
96
Material
Tc[K]
Al
1.18
Zn
0.87
Ga
1.1
In
3.4
Hg
4.1
Pb
7.2
Nb3Al
17.5
Nb3Al0.8Ge0.2
20
97
J AT e
2
EA
kT
(3.34)
unde A este constanta lui Richardson i depinde de material
EA este energia de activare reprezentnd valoarea necesar a energiei
unui electron pentru a prsi materialul i a deveni electron liber. Se mai
numete i lucru de extracie.
0
EF
EA
EC
EV
Pt
32
5.32
W
60
4.2
Cs
162
1.8
LaB6
25
2.6
Efectul Hall
Efectul Hall const n apariia unei tensiuni electrice (tensiune Hall,
VH) ntr-un material conductor parcurs de un curent electric i aflat ntr-un
cmp magnetic.
98
-VH
x
--------
+++++++
+++++++
+VH
99
VAA
Metal B
Metal A
Metal A
Tf
Tr
100
M Mt M p
(4.1)
Magnetizaia temporar depinde de cmpul magnetic care o induce,
conform legii magnetizaiei temporare:
M t m H
(4.2)
unde m se numete susceptivitatea (sau susceptibilitatea)
magnetic. Ea este o mrime scalar la materialele izotrope i una tensorial
la cele anizotrope. Mediile care au susceptibilitatea magnetic independent
de intensitatea cmpului magnetic sunt medii liniare, iar cele care prezint
dependen ntre susceptibilitate i cmp magnetic sunt medii neliniare
magnetic.
101
B 0 (H M )
(4.3)
H
unde 0 4 10 7 este permeabilitatea magnetic a vidului
m
i reprezint o constant universal.
n cazul unui mediu liniar i izotrop, n lipsa pierderilor n material,
legea induciei magnetice n forma scalar se scrie astfel:
B 0 H 0 M t 0 (1 m ) H 0 r H H
(4.4)
unde 0 r este permeabilitatea absolut a materialului iar r
este permeabilitatea relativ a acestuia i este o caracteristic de material.
Din punct de vedere al strii de magnetizaie, materialele magnetice
cu magnetizaie temporar se mpart n diamagnetice i paramagnetice, iar
cele cu magnetizaie permanent n feromagnetice, antiferomagnetice i
ferimagnetice.
Diamagnetismul apare datorit interaciunii dintre cmpul magnetic
aplicat din exterior i electronii atomici. Cmpul magnetic exterior modific
micarea electronilor producnd o micare de precesie peste micarea
orbital. Precesia creaz un cmp magnetic propriu care se opune cauzei,
micorndu-l. Rezult o susceptibilitate magnetic negativ, m 0 i
102
103
menin aceast stare n lipsa unui cmp magnetic exterior. Cmpul magnetic
se manifest ntre polii magnetici.
3) Funcia de nregistrare magnetic a informaiei se bazez pe
proprietetea materialelor fero i ferimagnetice de a avea magnetizare
remanent dependent de cmpul magnetic de excitaie. Pentru a conserva
ct mai bine starea de magnetizare permanent, materialul trebuie s aib
cmpul coercitiv ct mai mare.
4) Funciile neliniare i parametrice se bazeaz pe caracteristica
neliniar a ciclului de magnetizare a unor materiale neliniare, n special cele
cu histerezis dreptunghiular. Se folosesc la fabricarea bobinelor de
comutaie, a releelor, a amplificatoarelor magnetice etc.
5) Funcia de ecran magnetic este util pentru protejarea unor
dispozitive i circuite electronice contra perturbaiilor electromagnetice.
Efectul de ecranare depinde de adncimea de ptrundere a cmpului
magnetic n material i se poate exprima prin relaia:
1
f
(4.8)
unde f este frecvena cmpului electromagnetic, este conductivitatea
electric a materialului, permeabilitatea magnetic absolut.
6) Funcia de traductor piezomagnetic Materialele fero i
ferimagnetice sufer modificri ale dimensiunilor exterioare dac sunt
supuse magnetizaiei. Fenomenul se numete peizomagnetism i pe baza sa
se construiesc traductoare piezomagnetice. Aceste dispozitive transform
energia electromagnetic n energie mecanic i invers i stau la baza
construirii de generatoare sonore, ultrasonore etc.
7) Funcia de traductor de temperatur se bazeaz pe dependena
permeabilitii de temperatur, n special n apropierea temperaturii Curie.
4.3 Feromagnetismul
Se manifest pregnant la materialele feromagnetice cum ar fi Fe, Ni,
Co i aliajele lor. Materialele feromagnetice sunt caracterizate prin existena
momentelor magnetice elementare spontane i orientarea lor omoparalel pe
domenii de magnetizaie spontan. Alte proprieti sunt anizotropia
104
m AI m 2 A
(4.9)
Sensul vectorului este dat de sensul de parcurgere al ariei A de ctre curentul
I.
ntr-un cmp de inducie B va aciona asupra dipolului un cuplu de
fore m dat de ecuaia:
m m B
(4.10)
care va roti dipolul magnetic n direcia vectorului B .
Momentul magnetic al unui atom este dat de suma momentelor de
spin a nucleului, de rotaie pe orbit a electronilor i de spin a electronilor.
Elementele care au straturi electronice complet ocupate (numr par pe
fiecare substrat) nu au moment magnetic deoarece numrul par de electroni
presupune c micarea de spin este orientat n sens opus, momentele
compensndu-se reciproc. Fiecare electron are momentul magnetic de spin
egal n modul cu magnetonul lui Bohr, B , deci momentul magnetic
elementar va fi multiplu al magnetonului lui Bohr.
Domeniile de magnetizare spontan n care momentele magnetice
elementare sunt omniparalele se numesc domenii Weiss. Dimensiunile
acestor domenii sunt de ordinul zecilor de microni. Trecerea de la un
domeniu la altul se face prin zone numite perete Bloch, de grosime 50 la 50
000 constante de reea.
Nr. de
ordine
22
23
24
25
26
27
28
Simbol
m p n B
2B
3B
5B
5B
4B
3B
2 B
105
106
107
B '
H 0 ( H ' )
0
(4.13)
- permeabilitatea relativ iniial
B
ri lim
H 0 ( H )
0
H 0, B 0
rrev lim
(4.14)
permeabilitatea relativ efectiv ce caracterizeaz circuitul
magnetic realizat cu bobin, miez i ntrefier:
ref
r
1 r
(4.15)
unde este factorul de demagnetizare.
Proprietile materialelor feromagnetice sunt influenate de mai muli
factori: temperatur, frecven, timp, impuriti etc.
Influena temperaturii scade magnetizaia ca urmare a creterii
agitaiei termice i micorrii domeniilor Weiss. La temperatura Curie (Tc)
agitaia termic depete energia de interaciune de schimb i domeniile de
magnetizare dispar complet. Ca ordine de mrime, TC=770oC la Fe, 362 oC
la Ni, 112 oC la Cr etc.
Influena frecvenei se manifest n special la frecvene mari, peste o
valoare critic dat de relaia:
4
.
f cr
iD 2
(4.16)
unde i este permeabilitatea relativ iniial, este conductivitatea
electric, d grosimea materialului. Pn la f cr , ri este practic constant iar
peste f cr ea ncepe s scad.
Influena timpului duce la mbtrnirea materialului, fenomen
manifestat prin creterea permeabilitii relative iniiale, creterea valorii
necesare a cmpului H pentru a obine o magnetizare dat etc.
Impuritile cresc valorile cmpului coercitiv, remanenei i energiei
de magnetizare. Unele impuriti ca Ni, Co, Cr, Mo existente n Fe,
dimpotriv, mbuntesc caracteristicile magnetice.
108
4.6 Ferimagnetismul
Materialele ferimagnetice au caracteristic faptul c momentele
magnetice au orientare antiparalel. Materialele ferimagnetice se mai
numesc i ferite i au n compoziie elemente bivalente de tipul Mn, Zn, Ni,
Co, Fe, Mg, Ba dup formula general M2+O2 F3+O32-, unde M este unul
dintre metalele specificate mai sus. Feritele au o larg utilizare n industria
electronic i electrotehnic.
Structura feritelor este cristalin de tipul spinelic, hexagonal sau
granat.
Structura spinelic este caracteristic feritelor de tipul
2
2
M O Fe 23 O32 , cu structur cristalin cubic, n care unitatea elementar
denumit spinel este un cub cu latura a/4, a fiind constanta reelei. La rndul
lor, spinelii sunt aezai n structuri cubice cu latura a/2. Ferimagnetismul
structurii este datorat interaciunii de schimb ale cationilor metalici M 2 i
Fe 3 care au momentele magnetice elementare orientate antiparalel.
Structura hexagonal este caracteristic feritelor cu formula
2
2
M O 6Fe 23 O32 , unde M poate fi Ba, Sr, Pb. Este caracterizat prin
existena structurii spinelice S srparat prin zone de trecere notate R.
Molecula feritei conine un bloc S i un bloc R. Dou molecule apropiate au
momentele magnetice elementare orientate n antiparalel.
Structura de tip granat este caracteristic feritelor cu formula
M 3 Fe5 O12 , unde M este un element din categoria pmnturilor rare, Y, Ga,
Tb. Dy, Ho, Lu. Aranjarea atomilor este complicat. Au o mare stabilitate
structural i sunt folosite n domeniul frcvenelor foarte nalte.
Proprietile feritelor Din punct de vedere al conductibilitii
electrice, majoritatea feritelor au caracter semiconductor, cu 108 cm .
Existena domeniilor Weiss de magnetizare spontan determin proprieti
de magnetizare asemntoare materialelor feromagnetice: neliniaritate, ciclu
histerezis, permeabilitate magnetic relativ mare, inducie de saturaie i
remanant de cteva ori mai mici dect la materiale feromagnetice,
temperatur Curie mai mic (60450 oC). Feritele sunt dure, casante, nu pot
fi prelucrate mecanic n afar de lefuire. Se fabric sub form de miezuri
masive prin sinterizare.
109
Pr '
(4.19)
- factorul de calitate (inversa tangentei unghiului de pierderi)
1
Qm
tg m
(4.20)
110
111
112
EL E P
0
(4.21)
unde este o mrime de material care depinde de structura acestuia.
1
De exemplu, pentru materiale cu simetrie sferic sau cristalizate n
3
sistemul cubic.
Polarizabilitatea, , a unei uniti de material se definete n funcie
de cmpul local:
p EL
(4.22)
i este o proprietate a unitii de polarizare (u.p.). La nivel macroscopic,
poprietile dielectricului depind de modul de ordonare al u.p.
Polarizarea unui cristal este definit de ecuaia:
P p i i E Li
V
(4.23)
nsumarea fcndu-se pe unitatea de volum V
a polarizabilitilor
elementare p i .
Pentru un dielectric omogen i izotrop la care ELi EL rezult:
113
P N E p
0
(4.24)
unde N este concentraia de u.p. n dielectricul dat.
Pe de alt parte, relaiile dintre intensitatea cmpului electric E , inducia
electric D i polarizaia P sunt:
D 0 E P 0 r E i P 0 E
(4.25)
Din ultimele dou ecuaii rezult:
1 1
r 1 i r
N
r 2 0
(4.26)
expresie cunoscut ca relaia Clausius-Mosotti. Ea ofer o legtur ntre
polarizabilitatea ca mrime microscopic i permitivitatea reativ ca
mrime macroscopic.
n mediile anizptrope r i e devin mrimi tensoriale de ordinul 2
cu 9 componente.
3
(4.27)
Dac ij ji , atunci numrul de componente independente nenule ale
tensorului r se reduce la 6.
Polarizabilitatea total a u.p. a unui dielectric monocristalin, , este format
din 3 componente iar cea a unui material policristalin din 4 componente:
e i d f
(4.28)
unde:
e este polarizabilitatea electric dat de deplasarea relativ a
centrului sarcinilor pozitive n raport cu cele negative ale unui atom;
i este polarizabilitatea ionic dat de deplasarea ionilor n jurul
poziiei de echilibru;
d este polarizabilitatea de orientare care apare n moleculele
bipolare;
f este polarizabilitatea interfacial care apare n zonele
neomogene sau structurate, caracteristice materialelor policristaline
(ceramice, ferite).
114
z (t ) z0 e cos(0t 0 )
(4.29)
unde: z 0 este amplitudinea oscilaiei
1
este timpul de relaxare, adic durata de timp dup care
(t ) (0)e
cos(0t 0 )
(4.30)
Cunoscnd dependena de timp a polarizabilitii (t ) se poate
determina dependena de frecven a permitivitii relative complexe:
115
(t )e jt dt
0
(4.31)
nlocuind relaia lui (t ) i efectund integrarea, se obine expresia
permitivitii complexe:
1 jtg 0
(0) 1 jtg 0
' j "
cos 0
2 1 j (0 ) 1 j (0 )
(4.32)
1
0 2 1013
Prima valoare (rezonana electronic) se plaseaz n domeniul
ultraviolet i n vizibil, iar a doua (rezonana atomic) n infrarou. n afara
acestor domenii de rezonan pierderile n dielectricul ideal sunt neglijabile.
116
Ae
a
T
(4.33)
unde a i A sunt constante de material.
Dependena curentului de conducie de cmpul electric exterior care
l produce este funcie de tipul de dielectric, starea sa de agregare i de alte
proprieti ale sale. Dou caracteristici tipice pentru dielectrici gazoi i
solizi sunt prezentate n figura 4.6.
Forma caracteristicilor difer destul de mult. n ambele cazuri ele
ncep cu o zon liniar i se termin cu o zon de strpungere. Strpungerea
este net n cazul gazelor i treptat n cazul solidelor. Existena curentului
de conducie n zona dinaintea strpungerii determin pierderi suplimentare
n dielectric. Densitatea de curent de conducie este:
J E
Notnd cu I intensitatea curentului de conducie pe o suprafa
nchis care intersecteaz totalitatea liniilor de cmp electric i cu Q
sarcina electric acumulat pe suprafaa , se poate scrie raportul:
DdA
JdA
0 st EdA
dA
0 st
(4.34)
Acest raport se mai poate scrie i sub forma:
117
Q CU
Crp
U
I
rp
(4.35)
unde C st C0 este capacitatea condensatorului cu suprafaa
armturilor i dielectric ntre ele, iar rp este rezistena de pierderi prin
conducie.
Admitana echivalent a condensatorului cu pierderi este:
1
Y j st C0
rp
(4.36)
Prin identificare cu relaia general a admitanei complexe:
Y j ( ' j ")
(4.37)
se obin prile real i imaginar ale permitivitii relative
complexe:
' st
0
(4.38)
Cu ajutorul lor se definete tangenta unghiului de pierderi:
tg
0 st
(4.39)
"
/ 0
st
0 st
are semnificaia unei constante de timp i
118
tg
o
T=0 C , f=1MHz
[cm]
Mica muscovit
6.77
310-4
10151016
Mica flogopit
56
1,510-3
10131015
Mica
7.6
210-4
10171018
fluor/flogopit
Micalex
6.58.5
(310)
10121014
-3
10
119
Tmax
[oC]
500600
800900
800900
300350
tg
T=20oC , f=1MHz
[cm]
Sticl silicat cu
5.77.5 (310)10-3
108109
Na2O
Sticl silicat cu
56
(15)10-3
10111013
Na2O i K2O2
Sticl cu oxixi de
7.6
(412)10-4 10111013
metale grele
Estr
[MV/m]
1020
1020
1020
Dielectrici ceramici
Dielectricii ceramici constituie o familie divers de compui oxidici
avnd n comun procesul tehnologic de obinere de tip ceramic.
Dielectricii de tipul BaO-Al2O3-SiO2 sunt utilizai n special ca
materiale sau piese electroizolante (au pierderi mici i sunt nehigroscopice).
Proporiile celor 3 oxizi modific caracteristicile dielectrice n moduri
variate. Dielectricii din oxizi de Ti i Zr sunt utilizai pentru condensatoare
de nalt frecven i au permitivitatea relativ mare.
Hrtia pentru condensator este un polimer natural liniar cu proprieti
dielectrice modeste. Pentru mbuntirea proprietilor ei se impregneaz cu
dielectrici nepolari (ulei, parafin).
120
121
122
123
fp
2 L1
C1C
(4.40)
C1 C0
n funcie de modul de conectare n circuit, cristalul poate funciona
pe oricare din cele dou frecvene.
Factorul de calitate definit ca inversul tangentei unghiului de pierderi
n dielectric este de ordinul 105106, ceea ce nu se poate obine cu
componente R, L, C obinuite.
124
125
126
127
128
obinerea unui numr finit de culori prin folosirea mai multor straturi de
cristal comandate separat n care erau dizolvate substane dicroice, n cazul
ECB se poate obine un spectru mult mai larg. Exist mai multe variante de
ECB funcie de modul de orientare a moleculelor de CL n cmp:
DPA(dielectric cu anizotropie pozitiv), omogen, HNA( hybrid aligned
nematic). Varianta cea mai folosit este DPA i este ilustrat n fig. 4.14
pentru un cristal nematic.
129
1
2
Fig. 4.19 Tensiunile parazite U/3 care apar la activarea unui pixel ntr-o
matrice 22
Pentru a nu activa pixelii neadresai, tensiunile parazite trebuie s fie
mai mici dect o valoare de prag Up.
Se definete rezoluia n tensiune a materialului:
U
S cdt
U us
(4.42)
unde U cdt este tensiunea de comand a unui pixel oarecare.
Se poate demonstra c alegnd pe linie tensiunea V0 i pe coloan
V0
, unde a este un parametru, atunci:
a
130
V0 a 2 2a n
V0 a 2 2a n
i U us
U cdt
a
n
a
n
(4.43)
iar n este numrul de linii. Valoarea constantei a se poate determina
maximiznd raportul S i se obine a n . Aceasta nseamn c dac
V
tensiunea pe linie este V0, atunci tensiunea de scanare pe coloan va fi 0 ,
n
U cdt
S 2 1
n 1
iar S
i nmax 2
.
(4.44)
U us
S 1
n 1
Ultimele relaii arat c dac n (numrul de linii) crete, este necesar
un material care poate produce un contrast suficient la o diferen de
tensiune U cdt U us mic, adic s aib un rspuns optic abrupt n jurul
tesiunii de prag, Up. Tabelul urmtor arat raportul dintre tensiunea de
comand i cea parazit pentru diferite valori ale lui n. Se observ c pentru
n=200 acest raport este doar 7%, ceea ce impune alegerea atent a
materialului optic.
Tabelul 4.4
n
2
4
8
16
32
64
100
128
200
S
2.41 1.73 1.43 1.29 1.20 1.13 1.11 1.09 1.07
131
132
133
kT
(5.1)
3
W WV
n BT 2 exp F
kT
(5.2)
unde T- este temperatura absolut, k - constanta lui Boltzman, Wc i
Wv limitele benzilor de conducie i respectiv de valen iar F energia
134
W Wv
Wi
2 3
2
pn A2T 3 exp c
A T exp
ni
kT
kT
(5.3)
unde ni reprezint concentraia intrinsec de electroni liberi din
materialul nedopt.
Relaia (5.3) arat c produsul concentraiilor de purttori nu depinde
de poziia nivelului Fermi n diagrama energetic, ci numai de temperatur i
de mrimea benzii interzise a semiconductorului i este egal cu ptratul
concentraiei intrinseci. Deoarece produsul concentraiilor de purttori este
constant la o temperatur dat, rezult c prin dopare cu un tip de impuriti se
obine o cretere a numrului de purttori de un tip i scade corespunztor
numrul purttorilor de cellalt tip.
Semiconductoarele dopate cu atomi donori au ca purttori de sarcin
majoritari electronii i ca purttori minoitari golurile. Ele se numesc
semiconductoare de tip n. Cele dopate cu atomi acceptori au ca purttori de
sarcin majoritari golurile i ca purttori minoritari electronii. Ele se numesc
semiconductoare de tip p.
Din relaiile (5.1) (5.3) se poate exprima legtura dintre
concentraiile de purttori majoritari, concentraiile intrinseci i nivelul Fermi:
W Wm
W WF
n ni exp F
si p ni exp m
kT
kT
(5.4)
unde Wm este nivelul mediu, reprezentnd jumtatea benzii interzise a
semiconductorului.
La tempratur normal concentraiile intrinseci sunt de ordinul 1013
-3
cm la germaniu, 1011 cm-3 la siliciu i 107 cm-3 la arseniur de galiu. Aceste
valori determin o conductivitate intrinsec redus la GaAs, ceva mai mare la
Si i cea mai mare la Ge. Concentraiile intrinseci au importan redus n
determinarea conductibilitii electrice la semiconductoarele dopate. Doprile
uzuale care se folosesc la dispozitivele semiconductoare sunt de ordinul 1015
cm-3 pn la 1017 cm-3, iar n unle cazuri particulare pot ajunge la 1018 cm-3.
La un semiconductor intrinsec, nivelul Fermi este la jumtatea benzii
interzise i se poate arta c probabilitile de existen a electronilor liberi
sunt egale cu cele ale golurilor. Pe msur ce doparea crete, nivelul Fermi se
deplaseaz spre banda de conducie n cazul dopri cu donori, sau spre banda
de valen, n cazul doprii cu acceptori. Dac doparea depete 1019 cm-3,
135
nivelul Fermi iese din banda interzis i ptrunde n banda de conducie (la
semiconductoare de tip n) sau n banda de valen (la semiconductoare de tip
p). n acest caz se spune c semiconductorul a degenerat n semimetal i
comportarea sa se apropie de cea a metalelor din punct de vedere al
conductivitii electrice. Doparea la degenerare se folosete n unele aplicaii
particulare, cum ar fi la realizarea contactelor electrice a dispozitivelor
electronice semiconductoare sau la realizarea unor dispozitive speciale, cum
ar fi diodele Zenner, diodele laser, diodele tunel i altele.
Relaiile (5.1) (5.3) arat o dependen exponenial de temperatur
a concentaiei purttorilor de sarcin. Acesta este un dezavantaj major al
dispozitivelor semiconductoare fa de alte dispozitive electronice i anume c
parametrii i caracterisicile lor sunt puternic influenate de temparatur.
Dependena de temperatur este mai redus n cazul semicondutoarelor dopate
la care concentraiile purttorilor majoritari le depesc cu multe ordine de
mrime pe cele minoritare.
Banda interzis a semiconductoarelor este de ordinul fraciuni de eV
pn la civa eV (0.7eV la Ge, 1.1eV la Si, 1.4eV la GaAs etc.). Cu ct banda
interzis este mai mare, cu att influena temperaturii asupra concentraiilor de
purttori intrinseci este mai mic. Distribuia Frmi-Dirac ce se aplic statisticii
purttorilor de sarcin este valabil la temperaturi obinuite. La temperaturi
mari, atunci cnd energia termic, kT, se apropie de valoarea energiei Fermi,
statistica purttorilor nu se mai supune legii Fermi Dirac, ci statisticii
Boltzman.
vd cm 2
E Vs
(5.5)
136
q
tm
2mn
si
q
tm
2m p
(5.6)
Pentru majoritatea semiconductoarelor
n p , ceea ce nseamn c
J c J cn J cp q(n n p p ) E E
(5.7)
Ecuaia (5.7) stabilete proporionalitatea dintre densitatea de curent
de conducie i intensitatea cmpului electric.
Conductivitatea i respectiv rezistivitatea semiconductorului se pot
exprima astfel:
q(n n p p ) 1m 1
(5.8)
Ecuaia (5.8) arat c, spre deosebire de conductoare, la
semiconductoare conductivitatea este dat i de electroni i de goluri. Acestea
sunt semiconductoarele bipolare. Dac un singur tip de purttori predomin,
conductivitatea este unipolar i este de forma:
J cp qp p E p E si J cn qpn E n E
(5.9)
Conductivitatea electric a semiconductoarelor poate crete mult prin
dopare corespunztoare. Ea depinde i de temperatur att prin concentraiile
de purttori, ct i prin mobilitatea purttorilor. La concentraii egale de
purttori, semiconductoarele de dip n au conductivitate mai bun dect cele de
tip p.
137
dp
dn
J d J dn J dp q Dn
Dp
dx
dx
(5.10)
Coeficienii de difuzie pentru electroni i goluri, Dn i Dp, se pot
exprima n funcie de mobilitile purttorilor prin relaiile lui Einstein:
Dn
kT
kT
n , respectiv D p p
q
q
(5.11)
Deplasarea purttorilor de sarcin dintr-un loc n altul determin i
acumularea lor n zone diferite din semiconductor i conduc la apariia un
cmp electric i a unui curent de conducie care se opun cauzei care le-au
produs. Curentul total de deplasare va fi suma celor doi cureni, de difuzie i
de conducie. ntr-un semiconductor de tip n se poate scrie:
dn
J n J cn J dn q n n E Dn
dx
(5.12)
n condiii staionare de echilibru termic curentul de difuzie este egal i
de sens opus cu cel de conducie aprut n urma acumulrii de sarcini electrice
ca urmare a tendinei de uniformizare a concentraiilor de purttori. Prin
umare, curentul total este nul i nu se manifest la terminalele
semiconductorului:
138
J n 0 J cn J dn
dn
nq
sau q
E
Dn 0
dx
kT
(5.13)
O relaie asemntoare se poate scrie i pentru un semiconductor de tip p aflat
la echilibru termic:
J p 0 J cp J dp
dp
pq
sau q
E Dp 0
dx
kT
(5.14)
Mrimea cmpului electric creat prin difuzie n semiconductoare dopate
neuniform se poate calcula integrnd una din ecuaiile (5.13) sau (5.14) n
care se ine seama c n, p i E sunt funcii de distana x, adic n=n(x) etc.:
E ( x)
Dn 1 dn( x)
kT 1 dn( x)
n n( x) dx
q n( x) dx
5.(15)
n cazul doprilor uzuale n care concentraia de purttotri liberi este
practic egal cu cea a impuritilor dopante, de exemplu n(x) N(x), ecuaia
(5.15) se mai poate scrie:
kT 1 dN ( x)
E ( x)
q N ( x) dx
(5.16)
Aceast ecuaie permite determinarea legii de dopare a unui
semiconductor n ipoteza c se dorete realizarea unui cmp intern
uniform. Considernd E(x) =E0=const i integrnd ecuaia (5.16) rezult:
qE
N ( x) exp 0 x
kT
(5.17)
adic este necesar o dopare exponenial.
Dispozitivele cu dopare neuniform care au un cmp electric propriu se
numesc dispozitive cu cmp intern i au aplicaii utile n circuitele
electronice.
139
140
hf W1 W2 Wc Wv Wi
(5.18)
1,24
1,24
W1 W2 Wi eV
(5.19)
Un exemplu de semiconductor cu band interzis direct este GaAs care
are Wi 1,4eV i prin urmare, emite pe lungimea de und central de 885
nm.
Detecia radiaiei optice este fenomenul opus generrii i are loc atunci
cnd semiconductorul absoarbe energie optic recepionat sub form de
cuante de energie i produce ruperea legturilor covalente elibernd perechi
de purttori electron-gol. Fenomenul are loc n orice tip de semiconductor, cu
band interzis direct sau indirect, dar numai dac energia fotonului este cel
puin egal cu banda interzis a semiconductorului. Absorbia radiaiei optice
modific concentraia de purttori liberi i, prin aceasta, modific
conductivitatea electric a semiconductorului (efect fotoconductiv). Este
metoda cea mai folosit de detecie a radiaiei optice, dar nu este singura. Alte
efecte care permit detecia radiaiei optice sunt efectul fotovoltaic, efectul
fotoemisiv, efectul termic, efectul Dember i altele.
Efectul fotovoltaic const n apariia unei diferene de potenial ntr-o
jonciune semiconductoare p-n asupra creia cade o radiaie optic. Pe baza
acestui efect se construiesc celule fotovoltaice. Celulele solare sunt celule
fotovoltaice optimizate pentru conversia energiei optice radiat de spectrul
solar n energie electric.
Efectul fotoemisiv const n emisia de electroni liberi de ctre un
semiconductor asupra cruia cade o radiaie optic. Acesta este un efect
extern, spre deosebire de efectul fotoconductiv care este un efect intern, n
sensul c purttorii generai nu prsesc semiconductorul.
Modulaia radiaiei optice are loc atunci cnd un flux optic traverseaz
un semiconductor ale crui proprieti se modific ntr-un mod oarecare i
care, acionnd asupra radiaiei optice, i modific unii parametrii. Un caz
tipic de modulator optic este cel electro-optic cnd un cmp electric aplicat
141
142
Ed
j d S
dx
vf
(5.21)
unde d este o constant caracteristic materialului.
Interacia prin efect piezoelectric apare n materiale semiconductoare a
cror structur cristalin nu posed centru de simetrie. n acest caz o
deformaie constant sau variabil n timp produce o polarizaie i un cmp
electric descrise de un set de ecuaii tensoriale [2].
143
q
q
(5.22)
unde Wcp , Wcn , Wvp , Wvn sunt nivelele de conducie i de valen din zonele p
i n.
Nivelul energetic Fermi este unic n tot cristalul semiconductor cnd
jonciunea este la echilibrul termic. Poziia nivelului Fermi depinde de
gradul de dopare al celor dou regiuni. El coboar spre banda de valen la
semionductorul p i urc spre banda de conducie la semiconductorul n.
144
F Wmp ln
pp
ni
Wmp ln
NA
ni
(5.23)
F Wmn ln
nn
N
Wmn ln D
ni
ni
(5.24)
i N A sunt concentraiile de
unde N D
impuriti donoare i respectiv
acceptoare.
Produsul concentraiilor de purttori este constant ntr-un semiconductor:
p p n p nn pn ni2
(5.25)
Ca urmare, valoarea barierei de potenial se mai poate scrie:
kT nn kT p p
U0
ln
ln
q
np
q
pn
5.(26)
Lrgimea regiunii de trecere a jonciunii p-n la echilibru termic este:
l0
2
q
1
1
U 0
ND NA
2
q
1 U 0
n
n pp
(5.27)
unde este permitivitatea absolut a semiconductorului.
Regiunea de sarcin spaial se ntinde n cele dou semiconductoare invers
proporional cu doprile, adic:
lp ND
ln
NA
(5.28)
Relaia (5.28) arat c regiunea de sarcin spaial se ntinde mai mult n
semiconductorul mai puin dopat. Cu ct doparea este mai puternic, cu att
regiunea de sarcin spaial este mai ngust.
Pentru dopri uzuale, bariera de potenial este de ordinul a 0.2V pn la 0.3
V la jonciuni de germaniu i de 0.6 la 0.8 V la siliciu.
Printr-o jonciune p-n aflat la echilibru termic circul permanent
cureni locali de difuzie datorai gradientului de concentraie de purttori i
cureni de conducie produi de cmpul barierei de potenial. Ei sunt egali i
de sens opus, astfel nct prin zonele neutre i prin conductoarele exterioare
ale jonciunii curenii sunt nuli.
145
J d J dp J dn qD p
dp
dn
qDn
dx
dx
(5.29)
J c J cp J cn q(nn n p p p ) E0
(5.30)
J d J c i
J Jc Jd 0
(5.31)
Jonciunea p-n polarizat
n marea majoritate a cazurilor, jonciunile semiconductoare
funcioneaz n condiii de polarizare electric extern. Aceasta nseamn c
la terminalele sale se aplic o tensiune electric care creaz un cmp
suplimentar suprapus peste cel al barierei de potenial. Polarizarea extern
poate fi direct sau invers. Conectarea la o surs de tensiune extern
produce urmtoarele efecte:
- modific starea de echilibru termic;
- modific mrimea barierei de potenial;
- modific cmpul electric din jonciune;
- modific valoarea curenilor elementari.
La polarizare invers, tensiunea pozitiv se aplic la zona n i cea
negativ la zona p. Tensiunea electric extern i cmpul electric extern sunt
n acelai sens cu cele proprii ale barierei de potenial.
Deoarece cmpul total din regiunea de trecere este mai mare dect la
echilibru termic, curentul de difuzie scade, cel de conducie crete i
curentul total este diferit de zero ( J c J d ). Valoarea sa este ns foarte
mic deoarece este dat de purttorii minoritari ale cror concentraii sunt
mici. El reprezint curentul de saturaie sau curentul invers al jonciunii, are
dou componente, un curent de saturaie de volum i o component de
suprafa , fiind dat de ecuaia:
p n D p n p Dn
Aq ni l
I s I sV I sS Aq
L
Ln
2
p
(5.32)
n aceast ecuaie A reprezint aria jonciunii, Lp i Ln sunt lungimile
de difuzie ale golurilor i respectiv eletronilor, iar este timpul de via al
purttorilor. Lungimile de difuzie reprezint distana dup care concentraia
de purttoi scade de e ori (e este baza logaritmilor naturali) fa de
concentraia maxim, iar timpul de via semnific durata de timp dup care
concentraia purttorilor scade de e ori.
146
qU
I I s e kT 1
(5.33)
Particularizri:
kT
0.026V la T=300K, exponeniala din ecuaia
q
5.33 este comparabil cu unitatea i nu se poate neglija nici un
termen. Ca urmare, ecuaia se folosete ca atare. Aceast situaie este
ntlnete rar n practic.
kT
2. La polarizri directe mari, U
, exponeniala este mult mai
q
mare dect unitatea i ecuaia se poate scrie:
1. Pentru 0 U
I e
qU
kT
(5.34)
3. La polarizri inverse mari, U
kT
se poate neglija exponeniala i
q
ecuaia devine:
I I s consant
(5.35)
Curentul de saturaie al unei jonciuni semiconductoare depinde mult
de temperatur i anume crete cu creterea temperaturii:
3
2
Is T e
Wi
kT
(5.36)
Cauza acestei modificri este creterea concentraiei de purttori
intrinseci. Consecina acestei dependene este creterea puternic a
curentului direct i mai ales a celui invers, la creterea temperaturii. Prin
umare, dispozitivele semiconductoare sunt puternic influenate de variaiile
de temperatur, ceea ce constituie un dezavantaj important al acestora.
147
1
U st
(5.37)
Factorul M se numete factor de multiplicare n avalan iar exponentul n
are valori supraunitare care depind de materialul semiconductor i de tipul
de purttori (electroni sau goluri). Valori uzuale ale lui n sunt ntre 2 i 5.
Al treilea mod de strpungere este prin ambalare termic. Puterea
electric produs n jonciune se transform n cldur care, dac nu este
disipat rapid n mediul extern, produce creterea temperaturii i creterea
curentului. Aceasta duce la ceterea suplimentar a puterii disipate i
fenomenul poate se autontreine.
n general, cele trei fenomene nu apar simultan, dei se pot
condiiona reciproc. n majoritatea cazurilor strpungerea invers este un
148
149
6. Tehnici de laborator
CP
CV al aerului
Clement-Desormes
A. Scopul lucrrii
Lucrarea are drept scop determinarea coeficientului adiabatic al
aerului, presupus gaz ideal i supus unor transormri termodinamice simple.
B. Teoria lucrrii
Capacitatea caloric molar a unei substane reprezint cantitatea de
cldur schimbat cu exteriorul de un mol din acea substan pentru a-i
varia temperatura cu un grad
C=
dQ
dT
(1.1)
Cp
(1.2)
Cv
(1.3)
150
i
R
2
(1.4)
Cp =
i+2
R
2
i+2
i
(1.5)
pV const
(9.6)
C. Metoda lucrrii
Exist mai multe metode de determinare a raportului : metoda
calorimetric de determinare a capacitilor calorice, metoda acustic-bazat
pe dependena de a vitezei sunetului n gaze,etc.
Pentru gazele ideale,vom descrie metoda propus de Clment i
Desormes.
S presupunem c avem un recipient cu aer - presupus gaz ideal - la
o presiune p 1 =(H-h) g unde gH e presiunea atmosferic msurat cu un
manometru cu lichid de densitate iar gh e diferena dintre presiunea
atmosferic i cea din recipient, msurat cu acelai manometru.
151
T1 p1
T2 p2
(1.7)
1
H
T T1
1 2
T2
(1.8)
1 ( 1)
T T1
h
1 2
H
T2
(1.9)
de unde:
H
T2 T1 1
h
T2
(1.10)
p2 p3
T2
T1
(1.11)
H H h'
T2
T1
(1.12)
sau :
152
de unde:
T2 T1 h'
T2
H
(1.13)
h
h h'
(1.14)
Deci, dac experimental se pot msura valorile h i h, se va putea calcula
coeficientul adiabatic .
D. Dispozitivul experimental
Const dintr-un balon de sticl B cu capacitatea de aprox. 20 l,
prevzut la partea superioar cu un robinet R cu deschidere mare,prin care
comunic cu atmosfera i cu tubul lateral T care face legtura pe deoparte cu
un manometru cu lichid M i pe de alt parte cu pompa aspiratoare P prin
intermediul robinetului r i a tubului de cauciuc C.
153
154
dac polaritatea sursei este schimbat (vezi figura 2.2). n primul caz apare
un cmp electric exterior opus cmpului Eb; corespunztor, cmpul electric
total va scdea uurnd deplasarea purttorilor. Similar, la polarizarea
invers cmpul electric total (de acelai sens cu cel de baraj) va crete,
mpiedicnd deplasarea purttorilor.
Se poate arta c n anumite condiii indeplinite la majoritatea
semiconductorilor, intensitatea curentului prin jonciune va crete
exponenial cu tensiunea direct aplicat. La polarizarea invers curentul va
scdea n prim faz exponenial, atingnd o valoare de saturaie extrem de
redus.
155
e 0 U
k T
(2.1)
ln I ln I0
e0 U
kT
(2.2)
e0
.
kT
Rezult c determinnd panta m, putem calcula imediat constanta
Boltzmann pe baza relaiei:
Se observ c dependena dintre lnI i U este o dreapt de pant m
e0
mT
(2.3)
156
I(A)
lnI
157
A. Scopul lucrrii
Determinarea constantei implicate n seriile spectrale ale atomilor
hidrogenoizi
B. Teoria lucrrii
Atomii fiecrui element emit, atunci cnd sunt excitai (de exemplu
ntr-o descrcare n gaz), un spectru optic caracteristic de radiaii, dup care
poate fi identificat acel element. Spectrele elementelor chimice sunt cu att
mai complicate, cu ct numrul lor de ordine Z este mai mare. Spectrele
optice ale atomilor sunt datorate electronilor optici, adic electronilor ce se
gsesc pe orbita periferic.
Spectroscopitii experimentali au stabilit c toate liniile din diferitele
serii spectrale ale atomului de hidrogen pot fi descrise printr-o relaie
general care d lungimea de und a liniilor spectrale:
~mn
mn
T m T n
1
RH
1
H
m2 n 2
m2 n 2
RH
158
(3.1)
mn
E mo E m
h
(3.2)
M mvr n
unde
(3.3)
h
i n = 1, 2, 3,....
2
159
En
e4 m
8 02 h 2
1
2
n
(3.4)
mn
1
1
8 02 h3c m2 n 2
me 4
(3.5)
RH
me 4
8 02 h 3c
(3.6)
160
161
~n
1
1
RH 2 2 n 3,4,5,6,
n
n
2
1
(3.7)
RH
4 n2
n n 2 4
(3.8)
C. Dispozitivul experimental
Spectrul hidrogenului n vizibil este nregistrat pe o plac fotografic
(spectrogram) care se afl montat ntre dou plcue de plexiglas. Pe
aceeai plac fotografic, alturi de spectrul hidrogenului, apare i spectrul
mercurului, ca spectru de comparaie, fiind nregistrat la acelai spectroscop
i n condiii identice.
162
D. Modul de lucru
Privind prin ocular, se potrivete oglinda microscopului pentru a
avea o bun iluminare. Pentru a nu se sparge spectrograma, poziia iniial a
microscopului trebuie s fie cu obiectivul lipit de spectrogram ca apoi s se
163
f xi pentru mercur.
Avnd poziiile x j ale celor 4 linii ale hidrogenului se scot din curba
de etalonare lungimile de und ale liniilor H , H , H necesare pentru
calcularea constantei lui Rydberg.
x (mm)
()
164
RH
RH
i 1
F. ntrebri
1. Ce este o linie spectral?
2. Ce este un termen spectral?
3.Ce postulate au stat la baza stabilirii de ctre Bohr a formulei
energiei corespunztoare electronilor n atomul de hidrogen?
165
166
167
e jt
(e jt 1) (4.1)
jk sin
ka sin
2
(const )
2
sin 2
ka sin
I
I I0
2
2
ka sin
sin 2
, unde I0+I(50000)I()
168
(4.2)
(4.3)
Pentru a stabili celelalte valorile maxime ale lui I() (nafara de maximul
principal corespunztor condiiei = 0) trebuie impus condiia matematic:
d sin 2
I0
0 ale crei soluii sunt rdcinile ecuaiei transcendente
d
2
tg = , anume: =0; 1,43, 2.46, etc.
Trecnd la variabila independenta a rezult, pentru condiia de maxim
expresia:
asin=n, cu n=0; 1.43; 2.46......
(4.4)
169
arcsin 1
arcsin 2
; 2
1 2 , implica
a
a
1 2 .
170
171
noteaz cu
. Se deplaseaz apoi luneta la stnga maximului central i se
aeaz firul reticular pe centrul liniei simetrice, care reprezint maximul de
acelai ordin n al aceleiai lungimi de und; valoarea citit a unghiului
corespunztor se noteaz cu nst .
Diferena
nd nst
reprezint
dublul
unghiului
n.
Linie
spectral
(culoare)
nd
nst
nd nst
2
sin n
n
(nm)
Violet
Verde
Portocaliu
Violet
Verde
Portocaliu
Violet
Verde
Portocaliu
172
( 2d )i ( 2st )i
( 2 )i
( 2d )i ( 2st )i
2
i
(sin 2 )i
(nm)
i
(nm)
(nm)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
E. ntrebri:
1 Ce se nelege prin difracie si ce principiu sta la baza nelegerii
fenomenului de difracie ?
2 Exista vreo legtur ntre fenomenul de difracie si cel de interferena ?
3 Constanta reelei, d , este de ordinul de mrime al sutimii de mm. Nu
se pot utiliza si reele (mai uor de confecionat) , a cror constanta sa fie de
ordinul milimetrului ?
4 Prin ce difer difracia Fraunhofer (aplicata n acest caz) de difracia
Fresnel (ntlnit si studiata n cadrul experimentului care-i poarta numele) ?
173
B. Teoria lucrrii
Dioda tunel este un dispozitiv electronic, cu proprieti diferite de
cele ale unei diode obinuite.
Primul pas n realizarea ei a fost reprezentat de descoperirea - n
1957, de ctre fizicianul japonez Leo Esaki - a "efectului tunel" al
electronilor, manifestat ntr-o jonciune semiconductoare p - n, n cazul n
care cele dou regiuni au fost puternic dopate (concentraia atomilor donori
n regiunea n i a celor acceptori n regiunea p fiind de ordinul 1019 1020
atomi/cm3, aproape de concentraia purttorilor de sarcin din metale). Pe
baza acestui efect el a realizat (n 1958) dispozitivul cu semiconductori,
cunoscut astzi sub numele de dioda Esaki sau dioda tunel 2. In aceast
diod banda interzis joac rolul barierei de potenial (studiat n mecanic
cuantic).
Despre etapele descoperirii sale autorul ei povestete (n articolul
"Cltorie lung n tunelare", aprut la 12 decembrie 1973 n revista
"Physics Today") :
174
a) Polarizare nul
Up
175
c) Polarizare cu tensiunea U2
Cu Up < U2 Uv
d) Polarizare cu tensiunea
U3 > Uv
176
(5.1)
ip
1
; C e
unde e2,72
Up
Up
Uv
1 iv C U v e U p
2 ; 2 e U v , unde
Uv
Uv
1
Uv Up
Up
e C e
2 C
Up
(5.2)
177
178
U (V)
Date experimentale
i (div)
i (mA)
Valori
calculate
(teoretice)
iteoretic
(mA)
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
.................................
21
21,5
i p ...
.....
U p ...
C .....
iv ...
... ....
1
U v ...
... B ....
2
179
F. Intrebri
1. Cum se comport o diod "normal" (cum arat caracteristica ei la
polarizare direct
i invers) ? Care sunt elementele comune i diferenele dintre o diod
"normal" i
dioda tunel ?
2. Cum credei c se modific caracteristica diodei tunel la creterea
temperaturii ? Dar
n cazul unei diode "normale" ?
3. O aplicaie important n cazul diodelor "normale" este redresarea
curentului n
regim alternativ. Credei c o diod tunel poate fi folosit n acest scop ?
4. Ce credei c nseamn - prin prisma bilanului de putere ntr-un circuit
electronic rezistena dinamic negativ ?
180
Teme de cas
1.
2.
3.
4.
5.
7. Probleme rezolvate
1. Pentru ca ncaperile unei case sa fie inute tot timpul la temperatura
de 20C este necesar o cantitate de crbune de 50 Kg pe o perioad
dat. Casa este construit astfel ncat prin tavan se pierde 30% din
cldur iar prin perei 70%. Mediul exterior este meninut la 5C. Ce
cantitate de crbune poate fi economisit daca se dubleaz grosimea
pereilor i ce cantitate de crbune se va consuma n plus dac
temperatura mediului exterior se reduce la 2 C.
Rezolvare:
a) Din 50kg crbune, 15 Kg(30%) se consum pentru a acoperi
pierderile de cldura prin tavan, iar restul de 35 Kg (70%) pentru a acoperi
pierderile prin perete. Dac se dublez grosimea pereilor, pierderea se
reduce la jumtate, ecomonisindu-se 17,5 Kg de crbune
b) Diferena de temperatur crete de la 15C la 18C, deci consumul
de carbune creste i el in raportul 18/15: n primul caz cu 10 Kg, iar n cazul
doi cu 7,5 Kg.
2. Dou camioane pleac n acelai moment din Bucureti din dreptul
bornei kilometrice zero, pe oseaua Bucureti Craiova. Unul are
viteza v1=60km/h i celalalt are v2=25km/h. S se determine: a)
dupa ct timp punctul n care se afl borna kilometric 66 se gasete
la mijlocul distanei dintre cele 2 camioane? b) care este borna
181
132
2h24 min .
v1 v2
Rezolvare:
n primul caz:
F1
Rezult
Q 2.5 Q1Q2 Q 0 .
2
1
2
2
Q1Q2
4 r 2
Notnd
cu
Q1
x
Q2
,
se
obine
1
x 2.5x 1 0 , ecuaie ce admite soluiile 2 si 2 , soluii ce formeaz n
realitate una singur.
2
182
8. Probleme propuse
1. Dou mici sfere de cupru A i C fixe i egale se afl pe o plac izolant la
o distan d una fa de alta. Sfera A este electrizat, iar C neutr. Se atinge
A cu o sfer de cupru egal i neutr B apoi se atinge C i B. n ce punct al
dreptei AC trebuie aezat sfera B pentru ca s stea n echilibru?
2. Doua pendule electrice avnd lungimile de 20 de cm sunt suspendate n
acelai punct. Masa fiecrui pendul este de 0.1g, iar unghiul dintre firele de
suspensie este de 90. Determinai sarcina electric de pe fiecare pendul,
sferele avnd aceeai sarcin.
3. O sfer cu raza r= 25cm se afl la potenialul V1=10V. Un conductor
adus la potenial V2=6 V este pus n contact de la distan cu sfera i i
modific potenialul care devine V3 =7V. Calculai capacitatea C a
conductorului.
4. Un condensator plan prezint distana d ntre armaturi. Cum variaz
capacitatea electric a condensatorului, dac el se aeaz ntr-o cutie
metalic ai crei perei se afl la distana d fa de placi?
5. Un condensator plan cu aer, este ncrcat la o surs cu tensiunea de 12kV,
dupa care se deconecteaz de la surs. Introducnd o plac de portelan de
grosime ct jumatatea distanei dintre plci, tensiunea la bornele
conectorului scade la 7kV. S se afle permitivitatea porelanului.
6. Un condensator plan cu aer are capacitatea C=10pF. Grosimea stratului de
aer este d=1cm,se introduce ntre cele 2 armturi la distan egal de fiecare
o tabl cu grosimea e=1mm. Care va fi capaciatea condensatorului n acest
caz?
7.
Din Giurgiu pleac la ora 8 un avion. La ora 8, dou minute i 8
secunde pleac din Bucureti spre Giurgiu un alt avion cu viteza v2=
360km/h. Se ntalnesc la distana d=23km de Bucureti. tiind c distana in
linie dreapt, este D=69km, calculai viteza primului avion i ora de ntalnire
a celor 2 avioane.
8.
Dou automobile pleac simultan din oraele A i B mergnd unul
spre cellalt. Automobilele se ntlnesc dupa o or i far a se opri i
continu drumul fiecare cu viteza anterioar. Primul automobil ajunge n
oraul B cu 27 de minute mai trziu dect ajunge al-II-lea n A. Ce viteze au
avut cele doua automobile dac distana A-B este de 90 Km.
9.
Ecuaia unei micri este de forma S=a+bt+ct2+dt3 ce reprezint
a,b,c,d?
10.
Un mobil de masa m=132g cade liber pe o distan h=100m. Dupa ce
a strbtut acel spaiu I se aplic o for F=0.5N, n sens invers greutii P a
corpului. Calculai viteza pe care o are mobilul n momentul aplicrii forei
183
184
dac se pierde prin perei 10% din cldur. Pentru aer c=1kj/kg*grd i
=1.28kg/m3
19.
S se calculeze variaia entropiei unui corp care se dilat la presiune
i temperatur constant de la volumul V1 la volumul V2 =nV1. Se cunosc
capacitatea caloric la presiune constant Cp i coeficientul de dilatare n
volum .
20.
S se arate ca ntr-o main termic de mrimea T2Sex reprezint
energia ce nu se poate transforma n lucru mecanic.
21.
Ecuaia unui proces parcurs de 1Kmol de gaz ideal este dat n
coordonatele (P, V), de ecuaia p=p0+aV, unde p0 i a sunt constante
pozitive. Scriei ecuaia procesului n planul (T, S).
22.
Ecuaia transformrii parcurse de un gaz ideal cu indicele adiabatic
este T=S, n planul (T, S), unde este o constant pozitiv. S se scrie
ecuaia procesului n planul (p, V).
23.
S se calculeze variaia entropiei n cazul amestecrii a cte unui mol
din dou gaze ideale diferite, aflate la aceeai temperatur i presiune.
9. Teste Gril
Grilele propuse pot avea unul sau mai multe rspunsuri corecte:
1.
Care dintre urmatoarele mrimi fizice reprezint mrimi fizice
fundamentale?
a) Lungimea
b) Timpul
c) Masa
d) Intensitatea curentului
e) Intensitatea luminoas
f) Sarcina electric
g) Intensitatea cmpului electric
2.
a)
b)
c)
d)
Ce este Newtonul?
Fora care acioneaz asupra unui corp cu masa de 1 kg i i imprim
o vitez de 1m/s
Fora care acioneaz asupra unui corp cu masa de 1 kg i i imprim
o acceleraie de 1m/s2
Unitatea de masur a lucrului mecanic
Unitatea de masur a forei
185
3.
a)
b)
c)
d)
Ce este Joulul?
Unitatea de masur a lucrului mecanic
Lucrul mecanic efectuat de un corp cu masa de 1 Kg pentru a fi
deplasat pe o distan de 1 m
Lucrul mecanic efectuat de o forta de 1 N, pentru a deplasa pe o
distan de 1 m un corp cu masa de 1 kg
Unitatea de masur a forei
4.
Ce reprezint fora?
a) O mrime fizic fundamental
b) O aciune
c) O micare
5.
6.
Ce este acceleraia?
a) O for
b) O variaie a distanei n unitatea de timp
c) O variaie a vitezei n unitatea de timp
7.
Ce reprezint viteza?
a) O micare
b) O variaie a distanei n unitatea de timp
c) O variaie a acceleraiei n unitatea de timp
8.
9.
a)
b)
c)
d)
186
10.
a)
b)
c)
d)
11.
Care este unitatea de msur a lucrului mecanic n sistem
internaional?
a) N/m
b) J
c) N*m
d) Kg/s2
12.
a)
b)
c)
d)
e)
13.
Care este varianta corect a enunului teoremei de variaie a energiei
cinetice?
a) Lucrul mecanic efectuat de rezultanta forelor ce acioneaz asupra
unui punct material este egal cu variaia energiei cinetice pentru acel
punct material
b) Lucrul mecanic efectuat de o for asupra unui punct material este
egal cu energia cinetic a acelui punct material
c) Lucrul mecanic efectuat de o for asupra unui punct material este
egal cu variaia energiei cinetice pentru acel punct material
14.
15.
187
17.
18.
188
20.
21.
22.
23.
24.
189
26.
27.
28.
190
29.
Msurarea temperaturii se bazeaz pe proprietile reductibile ale
substanei. Acestea sunt:
a) Dilatarea termic a corpurilor solide, lichide, gazoase;
b) Dependena de temperatur a tensiunii electrice de contact dintre
doi conductori (termocuple);
c) Dependena de temperatur a rezisentei electrice pentru
conductori i semiconductori;
d) Emisia luminii de ctre corpurile solide la temperaturi nalte
(pirometre).
30.
31.
Enunul: Presiunea unui gaz aflat la temperatur constant variaz
invers proporional cu volumul gazului pV = ct este al legii:
a) Boyle Mariotte
b) Gay Lussac
c) Charles
Enunul: Volumul unui gaz aflat la presiune constant variaz direct
V
proporional cu temperatura ct este al transformrii:
T
a) Izoterme
b) Izobare
c) Izocor
d) Adiabat
32.
33.
Enuntul: Presiunea unui gaz ideal meninut la volum constant
variaz liniar cu temperatura este al legii:
a) Boyle Mariotte
b) Gay Lussac
c) Charles
34.
191
36.
37.
38.
Care este legtura dintre cldura elementar i variaia de entropie n
procesul adiabatic:
dT
a) QP cP dT
dS p cP
T
192
b) QV cv dT
dV
V
d) Q 0 dS 0
c) QT RT
dT
T
dV
dST R
V
dSV cv
39.
Care este legtura dintre cldura elementar i variaia de entropie n
procesul izoterm:
dT
a) QP cP dT
dS p cP
T
b) QV cv dT
dV
V
d) Q 0 dS 0
c) QT RT
dT
T
dV
dST R
V
dSV cv
40.
Care este legtura dintre cldura elementar i variaia de entropie n
procesul izobar:
dT
a) QP cP dT
dS p cP
T
b) QV cv dT
dV
V
d) Q 0 dS 0
c) QT RT
dT
T
dV
dST R
V
dSV cv
41.
Care este legtura dintre cldura elementar i variaia de entropie n
procesul izocor:
dT
a) QP cP dT
dS p cP
T
b) QV cv dT
dSV cv
193
dT
T
dV
V
d) Q 0 dS 0
c) QT RT
42.
dST R
dV
V
adiabatice
se
conserv
T
Principiul al 3-lea al termodinamicii spune c:
a) Din datele experimentale, concluzionm c la T = 0 , entropia
sistemelor termodinamice tinde spre o valoare constant
lim S 0
1
43.
T ok
194
47.
48.
49.
50.
51.
195
52.
53.
54.
Fora cu care sarcina electric q acioneaz asupra unei sarcini
electrice de prob este:
q1q2
1 q1q2
1
F21 F12
er
r2 r1
2
4 r
4 r2 r 3
a)
1
b) Fi qi
er
4 r 2
c) Direct proporional cu produsul dintre sarcina respectiv i
sarcina de prob i invers proporional cu patratul distanei
dintre ele
55.
Intensitatea cmpului electric generat de o sarcin electric
punctiform este:
a) Fora aplicat produsului dintre sarcina elementar i sarcina de
prob
b) E=F/qi
c) I=Q/s
d) Sarcina transportat n unitatea de timp
56.
57.
196
59.
60.
61.
197
62.
63.
64.
Amperul este:
a) sarcina electric ce parcurge o seciune transversal n timp
de o secund
b) intensitatea curentului electric ce parcurge o seciune
transversal n timp de o secund
c) potenialul curentului electric ce parcurge o seciune
transversal n timp de o secund
d) unitatea de msur a intensitii curentului electric
65.
66.
198
a)
b)
c)
d)
Masa atomic
Densitatea masic
Potenialul cmpului electric
Intensitatea cmpului electric
67.
68.
69.
70.
71.
199
72.
73.
74.
Dispersia depinde de
a) Indicele de refracie
b) pulsaie
c) dependena indicelui de refracie de pulsaie sau de lungimea
de und ce strbate acel mediu
d) lungimea de und
75.
200
76.
77.
Ce este difracia?
a) fenomenele ce apar cnd undele nu ntlnesc neomogeniti
si nu se genereaz abateri de la legile opticii geometrice
b) fenomenele ce apar cnd undele ntlnesc neomogeniti ce
genereaz abateri de la legile opticii geometrice
c) fenomenele ce apar cnd undele ntlnesc obiecte ce
genereaz abateri de la legile opticii geometrice
d) fenomenele ce apar cnd undele ntlnesc omogeniti ce
genereaz abateri de la legile opticii geometrice
78.
79.
201
d) v 2 v0 2ax x0
2
e) v 2 v0 2ax x 0
2
f) v 2 v0 2ax0
2
81.
82.
83.
84.
202
a)
b)
c)
d)
e)
f)
85.
energia
masa
rezistena electric
impulsul mecanic
tensiunea electromotoare
densitatea
86.
87.
88.
203
d) L Fd
e) L mdF 1
f) L Fdm
89.
90.
91.
92.
204
c)
d)
e)
f)
kg, kgms1 , Js
tona, kgms1 , J
kg, kgms1 , J
kg, kgms1 , kJ
93.
94.
95.
205
96.
97.
98.
99.
100.
206
d) 22,5 m
e) 24 m
f) 37,5 m
207
Bibliografie
208